BR112021008493A2

BR112021008493A2 - dispositivo emissor de luz

Info

Publication number: BR112021008493A2
Application number: BR112021008493-2A
Authority: BR
Inventors: Jong Hyeon Chae; Chan Seob Shin; Seom Geun LEE; Ho Joon Lee; Seong Kyu JANG
Original assignee: Seoul Viosys Co., Ltd.
Priority date: 2018-11-02
Filing date: 2019-11-01
Publication date: 2021-08-03
Also published as: JP2022505619A; KR20210072006A; EP3876281A1; CN210866228U; WO2020091495A1; CN112970120A; EP3876281A4; US20200144232A1; US11621253B2; JP7451513B2

Abstract

DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ. A presente invenção trata de dispositivo emissor de luz, que compreende uma primeira unidade emissora de luz tendo uma primeira área, uma segunda unidade emissora de luz tendo uma segunda área, e uma terceira unidade emissora de luz tendo uma terceira área, em que a primeira unidade emissora de luz é coplanar com a segunda unidade emissora de luz e a terceira unidade emissora de luz está disposta sobre a primeira e segunda unidades emissoras de luz e a terceira área é maior do que cada uma das primeira e segunda áreas.

Description

DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ Campo de Aplicação

[001] Modalidades exemplificativas da presente invenção se referem a um dispositivo emissor de luz e, mais particularmente, a um dispositivo emissor de luz em que uma pluralidade de camadas emissoras de luz são empilhadas.

Estado da Técnica

[002] Diodos emissores de luz como fontes de luz inorgânica estão sendo amplamente usados em vários campos, como dispositivo de exibição, lâmpadas de veículo e iluminação geral. Os diodos emissores de luz estão substituindo rapidamente as fontes de luz existentes devido a sua vida útil mais longa, menor consumo de energia e maior velocidade de resposta do que as fontes de luz existentes.

[003] Em geral, um dispositivo de exibição exibe várias cores geralmente usando cores misturadas de azul, verde e vermelho. Cada pixel do dispositivo de exibição inclui subpixels de azul, verde e vermelho, a cor de um pixel específico é determinada pela cor desses subpixels e uma imagem é exibida por uma combinação desses pixels.

[004] Os diodos emissores de luz convencionais têm sido usados principalmente como fonte de luz de fundo em aparelhos de exibição. No entanto, recentemente, um visor de micro LED foi desenvolvido como um dispositivo de próxima geração que diretamente implementa imagens usando diodos emissores de luz.

Descrição da Invenção

Problema Técnico

[005] Várias modalidades são direcionadas a um dispositivo emissor de luz que é melhorado em eficiência de luz e extração de luz.

[006] Os objetivos a serem alcançados pela invenção não estão limitados aos acima mencionados, e aqueles especialistas na técnica aos quais a invenção se refere podem compreender claramente outros objetivos das seguintes descrições.

Solução Técnica

[007] Uma modalidade exemplificativa da presente invenção fornece um dispositivo emissor de luz, incluindo: uma primeira peça emissora de luz tendo uma primeira área; uma segunda peça emissora de luz tendo uma segunda área; e uma terceira peça emissora de luz tendo uma terceira área, em que a primeira peça emissora de luz está posicionada no mesmo plano que a segunda peça emissora de luz, em que a terceira peça emissora de luz está disposta sobre a primeira e a segunda partes emissoras de luz, e em que a terceira área é maior do que cada uma das primeira e segunda áreas.

[008] De acordo com as modalidades, a primeira peça emissora de luz pode incluir uma primeira camada semicondutora do tipo condutividade e uma primeira estrutura semicondutora que inclui uma primeira camada ativa e uma primeira camada semicondutora do tipo segunda condutividade disposta na primeira camada semicondutora do tipo primeira condutividade; a segunda peça emissora de luz pode incluir a primeira camada semicondutora do tipo condutividade e uma segunda estrutura semicondutora que está disposta na primeira camada semicondutora do tipo condutividade para ser separada da primeira estrutura semicondutora e inclui uma segunda camada ativa e uma segunda camada semicondutora do tipo de segunda condutividade; e a terceira peça emissora de luz pode ser disposta para ser separada da primeira e da segunda peças emissoras de luz e pode incluir uma terceira camada semicondutora do tipo primeira condutividade, uma terceira camada ativa e uma terceira camada semicondutora do tipo segunda condutividade.

[009] De acordo com as modalidades, o dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um primeiro pad eletricamente acoplada à primeira camada semicondutora do tipo segunda condutividade; um segundo pad eletricamente acoplado com a segunda camada semicondutora do tipo de condutividade; um terceiro pad eletricamente acoplado à terceira camada semicondutora do tipo de segunda condutividade; e um pad comum eletricamente acoplado em comum a primeira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade e a terceira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade.

[010] De acordo com as modalidades, o dispositivo emissor de luz pode ainda incluir um primeiro eletrodo que acopla eletricamente a primeira camada semicondutora do tipo segunda condutividade e o primeiro pad; um segundo eletrodo acoplando eletricamente a segunda camada semicondutora do tipo condutividade e o segundo pad; um terceiro eletrodo acoplando eletricamente a terceira camada semicondutora do tipo condutividade e o terceiro pad; um quarto eletrodo que acopla eletricamente a primeira camada semicondutora do tipo condutividade que é exposta entre a primeira e a segunda estruturas semicondutoras e o pad comum; e um quinto eletrodo eletricamente acoplando a terceira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade e o pad comum.

[011] De acordo com as modalidades, o dispositivo emissor de luz pode ainda incluir um primeiro eletrodo que acopla eletricamente a primeira camada semicondutora do tipo segunda condutividade e o primeiro pad; um segundo eletrodo eletricamente acoplando a segunda camada semicondutora do tipo condutividade e o segundo pad; um terceiro eletrodo eletricamente acoplando a terceira camada semicondutora do tipo condutividade e o terceiro pad; e um quarto eletrodo que acopla eletricamente a primeira e a terceira camadas semicondutoras do tipo primeira condutividade e o pad comum, em que o quarto eletrodo passa através da terceira camada semicondutora do tipo primeira condutividade e é eletricamente conectada à primeira camada semicondutora do tipo primeira condutividade exposta entre a primeira e a segunda estruturas semicondutoras.

[012] De acordo com as modalidades, o dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um preenchimento de peça de adesão entre a primeira e a segunda peças emissoras de luz e a terceira peça emissora de luz e entre a primeira e a segunda estruturas semicondutoras e a ligação da primeira e segunda peças emissoras de luz e a terceira peça emissora de luz.

[013] De acordo com as modalidades, a peça de adesão pode incluir um material que é transparente e tem uma propriedade de isolamento.

[014] De acordo com as modalidades, o dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma camada dielétrica circundando as paredes laterais externas do primeiro ao quarto padrão de passagem, em que o quarto padrão de passagem passa através da terceira peça emissora de luz e da peça de adesão, uma superfície do quarto padrão de passagem é colocada em contato com a primeira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade que é exposta entre a primeira e a segunda estruturas semicondutoras, e a outra superfície do quarto padrão de passagem é colocada em contato com o pad comum, e em que o pad comum é colocada em contato elétrico com a terceira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade.

[015] De acordo com as modalidades, a terceira peça emissora de luz pode incluir um orifício que expõe a terceira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade e o orifício pode ter uma largura menor do que uma largura da primeira camada semicondutora do tipo condutividade que é exposta entre a primeira e segundas estruturas semicondutoras, em uma posição correspondente à primeira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade que é exposta entre a primeira e a segunda estruturas semicondutoras.

[016] De acordo com as modalidades, o orifício pode ser disposto entre a terceira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade e a primeira camada semicondutora do tipo condutividade, e a peça de adesão pode preencher o orifício; e o quarto padrão de passagem pode passar através da terceira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade e a peça de adesão, uma superfície do quarto padrão de passagem pode ser colocada em contato com o pad comum, a outra superfície voltada para longe de uma superfície pode ser colocada em contato com a primeira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade e uma parede lateral do quarto padrão de passagem pode ser colocada em contato com a terceira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade.

[017] De acordo com as modalidades, o dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma camada dielétrica preenchendo o orifício, em que o orifício está disposto entre o pad comum e a terceira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade e em que o quarto padrão de passagem passa através da camada dielétrica e a terceira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade, uma parede lateral superior do quarto padrão de passagem é colocada em contato com a camada dielétrica, uma parede lateral média do quarto padrão de passagem é colocada em contato com a terceira camada semicondutora do tipo primeira condutividade, uma parede lateral inferior do quarto padrão de passagem é colocado em contato com a peça de ligação, uma superfície do quarto padrão de passagem é colocada em contato com o pad comum e a outra superfície voltada para longe da superfície é colocada em contato com a primeira camada semicondutora do tipo condutividade que é exposta entre a primeira e a segunda estruturas semicondutoras.

[018] De acordo com as modalidades, a peça de adesão pode incluir um material que é transparente e tem uma condutividade elétrica.

[019] De acordo com modalidades, a terceira peça emissora de luz pode incluir um orifício que expõe a terceira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade e o orifício pode ter uma largura menor do que uma largura da primeira camada semicondutora do tipo condutividade que é exposta entre a primeira e segundas estruturas semicondutoras; em uma posição correspondente à primeira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade que é exposta entre a primeira e a segunda estruturas semicondutoras.

[020] De acordo com as modalidades, o orifício pode ficar de frente para a primeira camada semicondutora do tipo de condutividade que é exposta entre a primeira e a segunda estruturas semicondutoras; e a peça de adesão pode se estender para o orifício e ser colocada em contato com a terceira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade e pode se estender entre a primeira e a segunda estruturas semicondutoras e ser colocada em contato com a primeira camada semicondutora do tipo primeira condutividade.

[021] De acordo com as modalidades, o quarto padrão de passagem pode ser colocado em contato com pelo menos porções da terceira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade e a peça de adesão.

[022] De acordo com as modalidades, o quarto padrão de passagem pode passar através da terceira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade e uma parede lateral do quarto padrão de passagem pode ser colocada em contato com a terceira camada semicondutora do tipo primeira condutividade.

[023] De acordo com modalidades, o dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma camada dielétrica preenchendo o orifício, em que o orifício está disposto entre o pad comum e a terceira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade e em que o quarto padrão de passagem passa através da camada dielétrica e passa através de pelo menos porções da terceira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade e a peça de adesão, e uma porção do quarto padrão de passagem é colocada em contato com a terceira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade.

[024] De acordo com as modalidades, o dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um substrato no qual a primeira e a segunda peças emissoras de luz estão dispostas para serem separadas uma da outra; e uma camada de ligação ligando o substrato e a primeira e a segunda peças emissoras de luz e incluindo um material condutor.

[025] De acordo com as modalidades, a primeira peça emissora de luz pode incluir uma primeira camada semicondutora do tipo condutividade, uma primeira camada ativa e uma primeira camada semicondutora do tipo segunda condutividade; a segunda peça emissora de luz pode incluir uma segunda camada semicondutora do tipo condutividade, uma segunda camada ativa e uma segunda camada semicondutora do tipo condutividade; e a terceira peça emissora de luz pode incluir uma terceira camada semicondutora do tipo primeira condutividade, uma terceira camada ativa e uma terceira camada semicondutora do tipo segunda condutividade.

[026] De acordo com as modalidades, a camada de ligação pode acoplar eletricamente a primeira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade e a segunda camada semicondutora do tipo de primeira condutividade.

[027] De acordo com as modalidades, o dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um primeiro pad eletricamente acoplado à primeira camada semicondutora do tipo segunda condutividade; um segundo pad eletricamente acoplado com a segunda camada semicondutora do tipo de condutividade; um terceiro pad eletricamente acoplado à terceira camada semicondutora do tipo de segunda condutividade; e um pad comum eletricamente acoplada à camada de ligação.

[028] De acordo com modalidades, a camada de ligação pode incluir uma primeira camada de ligação disposta entre a primeira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade e o substrato; e uma segunda camada de ligação disposta entre a segunda camada semicondutora do tipo de primeira condutividade e o substrato, e cada uma das primeira e segunda camadas de ligação podem ser eletricamente acopladas ao substrato.

[029] De acordo com as modalidades, o dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um primeiro pad eletricamente acoplado à primeira camada semicondutora do tipo segunda condutividade; um segundo pad eletricamente acoplado com a segunda camada semicondutora do tipo de condutividade; um terceiro pad eletricamente acoplado à terceira camada semicondutora do tipo de segunda condutividade; e um pad comum eletricamente acoplado ao substrato.

[030] Os detalhes de outras modalidades estão incluídos na descrição detalhada e nas figuras.

Efeitos Vantajosos

[031] No dispositivo emissor de luz de acordo com as modalidades da invenção, uma vez que uma peça emissora de luz que emite luz vermelha é formada para ter um tamanho maior do que uma peça emissora de luz que emite luz azul ou verde, a eficiência de emissão de luz da peça emissora de luz que emite luz vermelha pode ser aumentada.

Descrição das Figuras

[032] A Fig. 1A é uma representação de um exemplo de uma vista superior para auxiliar na explicação de um dispositivo emissor de luz de acordo com uma modalidade da invenção.

[033] As Figs. 1B, 1C e 1D são vistas em seção transversal tomadas ao longo da linha A-A’ da Fig. 1A para auxiliar na explicação de dispositivos emissores de luz de acordo com modalidades da invenção.

[034] As Figs. 2A, 2B e 2C são representações de exemplos de vistas superiores para auxiliar na explicação das estruturas de disposição da primeira peça emissora de luz e da segunda peça emissora de luz do dispositivo emissor de luz mostrado na Fig. 1A.

[035] A Fig. 3A é uma representação de um exemplo de uma vista superior para auxiliar na explicação de um dispositivo emissor de luz de acordo com outra modalidade da invenção.

[036] A Fig. 3B é uma vista em seção transversal tomada ao longo da linha A-A’ da Fig. 3A.

[037] A Fig. 4 é uma representação de um exemplo de uma vista em seção transversal para auxiliar na explicação de um dispositivo emissor de luz de acordo com outra modalidade da invenção.

[038] As Figs. 5A e 5B são representações de exemplos de vistas em seção transversal para auxiliar na explicação de dispositivos emissores de luz de acordo com outras modalidades da invenção.

[039] A Fig. 6 é uma representação de um exemplo de uma vista em seção transversal para auxiliar na explicação de um dispositivo emissor de luz de acordo com outra modalidade da invenção.

[040] A Fig. 7 é uma representação de um exemplo de uma vista em seção transversal para auxiliar na explicação de um dispositivo emissor de luz de acordo com outra modalidade da invenção.

[041] As Figs. 8A e 8B são representações de exemplos de vistas em seção transversal para auxiliar na explicação de dispositivos emissores de luz de acordo com outras modalidades da invenção.

[042] As Figs. 9A a 26A são representações de exemplos de vistas superiores para auxiliar na explicação de um método para a fabricação de um dispositivo emissor de luz de acordo com uma modalidade da invenção.

[043] As Figs. 9B a 26B são vistas em seção transversal tomadas ao longo das linhas A-A’ das Figs. 9A a 26A.

[044] As Figs. 27 e 28 são representações de exemplos de vistas em seção transversal para auxiliar na explicação de um método para a fabricação de um dispositivo emissor de luz de acordo com outra modalidade da invenção.

[045] As Figs. 29 e 30 são representações de exemplos de vistas em seção transversal para auxiliar na explicação de um método para a montagem de dispositivos emissores de luz em uma placa de montagem de acordo com uma modalidade da invenção.

Melhor Modo de Realizar a Invenção

[046] A fim de compreender a configuração e o efeito da invenção, suficientemente, as modalidades da invenção serão descritas com referência às figuras anexas. No entanto, a invenção não está limitada às modalidades aqui estabelecidas e pode ser implementada de várias formas, e uma variedade de mudanças podem ser adicionadas.

[047] Conforme usado nas modalidades da invenção, um termo técnico pode ser interpretado como um significado convencionalmente conhecido por aqueles especialistas na técnica, a menos que definido de outra forma.

[048] Daqui em diante, um dispositivo emissor de luz será descrito abaixo com referência às figuras anexas através de vários exemplos de modalidades.

[049] A Fig. 1A é uma representação de um exemplo de uma vista superior para auxiliar na explicação de um dispositivo emissor de luz de acordo com uma modalidade da invenção, e as FigS. 1B, 1C e 1D são vistas em seção transversal tomadas ao longo da linha A-A’ da Fig. 1A para auxiliar na explicação de dispositivos emissores de luz de acordo com modalidades da invenção.

[050] Referindo às Figs. 1A a 1D, um dispositivo emissor de luz pode incluir um substrato 100, e uma primeira peça emissora de luz LE1, uma segunda peça emissora de luz LE2 e uma terceira peça emissora de luz LE3 que são dispostas sobre o substrato

100.

[051] De acordo com uma modalidade, a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2 podem ser dispostas sobre uma primeira superfície 102 do substrato 100 para ser posicionada no mesmo plano e a terceira peça emissora de luz LE3 pode ser disposta sobre a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2. O tamanho da terceira peça emissora de luz LE3 pode ser maior do que o tamanho de cada uma da primeira peça emissora de luz LE1 e da segunda peça emissora de luz LE2. O tamanho de cada uma das peças emissoras de luz LE1, LE2 e LE3 significa uma área através da qual a luz é emitida. Por exemplo, a primeira peça emissora de luz LE1 pode ter uma primeira largura WT1, a segunda peça emissora de luz LE2 pode ter uma segunda largura WT2, e a terceira peça emissora de luz LE3 pode ter uma terceira largura WT3. A terceira largura WT3 pode ser maior do que a primeira largura WT1 e a segunda largura WT2, e a primeira largura WT1 e a segunda largura WT2 podem ser iguais ou diferentes uma da outra.

[052] No caso em que uma segunda superfície 104 do substrato 100 que está voltada para longe da primeira superfície 102 é uma superfície de extração de luz, o comprimento de onda da terceira peça emissora de luz LE3 pode ser o mais longo. Por exemplo, a primeira peça emissora de luz LE1 pode emitir luz azul, a segunda peça emissora de luz LE2 pode emitir luz verde e a terceira peça emissora de luz LE3 pode emitir luz vermelha. Diferente deste, a primeira peça emissora de luz LE1 pode emitir luz verde, a segunda peça emissora de luz LE2 pode emitir luz azul e a terceira peça emissora de luz LE3 pode emitir luz vermelha.

[053] Por exemplo, no caso em que a primeira peça emissora de luz LE1 emite luz azul, a segunda peça emissora de luz LE2 emite luz verde e a terceira peça emissora de luz LE3 emite luz vermelha, é a norma que a terceira peça emissora de luz LE3 que emite a luz vermelha é mais baixa em eficiência de emissão de luz através da mesma área do que a primeira peça emissora de luz LE1 que emite luz azul ou a segunda peça emissora de luz LE2 que emite luz verde. Portanto, como nas presentes modalidades, ao formar a terceira peça emissora de luz LE3 para ter uma área maior do que cada uma da primeira peça emissora de luz LE1 e da segunda peça emissora de luz LE2, a mesma quantidade emissora de luz (eficiência de emissão de luz) pode ser obtida quando a mesma corrente é aplicada. Assim, o equilíbrio de cores do dispositivo emissor de luz pode ser melhorado.

[054] As Figs. 2A, 2B e 2C são representações de exemplos de vistas superiores para auxiliar na explicação das estruturas de disposição da primeira peça emissora de luz e da segunda peça emissora de luz do dispositivo emissor de luz mostrado na Fig. 1A.

[055] De acordo com um exemplo mostrado na Fig. 2A, quando vista de cima, a primeira peça emissora de luz LE1 pode ser disposta em um lado do substrato 100 e pode ter uma estrutura retangular que tem um lado longo que se estende em uma primeira direção DR1, e a segunda peça emissora de luz LE2 pode estar disposta no outro lado do substrato 100 para ser separado da primeira peça emissora de luz LE1 em uma segunda direção DR2 perpendicular à primeira direção DR1 e pode ter uma estrutura retangular que tem um lado longo que se estende na primeira direção DR1. Por exemplo, a primeira peça emissora de luz LE1 pode ter uma primeira largura WT1 e a segunda peça emissora de luz LE2 pode ter uma segunda largura WT2. A primeira largura WT1 e a segunda largura WT2 podem ser iguais ou diferentes uma da outra. A terceira peça emissora de luz LE3 pode ser disposta para ser separada da primeira peça emissora de luz LE1 e da segunda peça emissora de luz LE2 em uma terceira direção DR3 perpendicular à primeira direção DR1 e à segunda direção DR2 e pode ter substancialmente a mesma estrutura que o substrato 100. A terceira peça emissora de luz LE3 pode ter uma terceira largura WT3 maior do que cada uma da primeira largura WT1 e a segunda largura WT2.

[056] De acordo com outro exemplo mostrado na Fig. 2B, no caso em que a primeira peça emissora de luz LE1 emite luz azul e a segunda peça emissora de luz LE2 emite luz verde, quando vista de cima, o tamanho da primeira peça emissora de luz LE1 pode ser maior do que o tamanho da segunda peça emissora de luz LE2. A razão para isso reside no fato de que, como a visibilidade da luz verde é pelo menos cerca de seis vezes mais excelente do que a da luz azul, a primeira peça emissora de luz LE1 que emite luz azul é formada para ter um tamanho maior do que a segunda peça emissora de luz LE2 que emite luz verde, por meio da qual o equilíbrio de cores do dispositivo emissor de luz pode ser melhorado. Por exemplo, quando a primeira peça emissora de luz LE1 tem uma primeira largura WT1, a segunda peça emissora de luz LE2 tem uma segunda largura WT2 e a terceira peça emissora de luz LE3 tem uma terceira largura WT3, a primeira largura WT1 pode ser maior do que a segunda largura WT2, e a terceira largura WT3 pode ser maior do que a primeira largura WT1.

[057] A presente modalidade é descrita que a visibilidade da luz azul é melhorada ampliando a primeira peça emissora de luz LE1 que emite luz azul mais do que a segunda peça emissora de luz LE2 que emite luz verde, mas a presente invenção não está limitada a estas. Uma vez que a primeira peça emissora de luz LE1 que emite luz azul tem uma eficiência quântica externa superior à da segunda peça emissora de luz LE2 que emite luz verde em geral, pode ser necessário diminuir a intensidade luminosa da luz azul. Além disso, é necessário aumentar a intensidade luminosa da luz verde mais alto do que a da luz azul, a fim de atender a uma proporção de mistura de cores adequada. Por conseguinte, é necessário ajustar as áreas emissoras de luz da primeira peça emissora de luz LE1 e da segunda peça emissora de luz LE2 de modo que a primeira e a segunda peças emissoras de luz LE1 e LE2 possam emitir luz de intensidade luminosa adequada e, em um caso, a área da primeira peça emissora de luz LE1 pode ser menor do que aquela da segunda peça emissora de luz LE2.

[058] De acordo com ainda outro exemplo mostrado na Fig. 2C, quando vista de cima, a primeira peça emissora de luz LE1 pode ser disposta em uma peça do substrato 100 e pode ter uma estrutura triangular, e a segunda peça emissora de luz LE2 pode ser disposta na outra peça do substrato 100 ao ser separado da primeira peça emissora de luz LE1 e pode ter uma estrutura triangular. O maior lado da primeira peça emissora de luz LE1 e o maior lado da segunda peça emissora de luz LE2 podem estar voltados um para o outro. A primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2 podem ter o mesmo tamanho ou tamanhos diferentes, e a terceira peça emissora de luz LE3 pode ter um tamanho maior do que a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2.

[059] Referindo novamente às Figs. 1A e 1B, a primeira peça emissora de luz LE1 pode incluir uma primeira camada semicondutora do tipo n COM_N, uma primeira estrutura semicondutora SC1, que inclui uma primeira camada ativa 110, uma primeira camada semicondutora do tipo p 112, e uma primeira camada de eletrodo transparente 114 verticalmente empilhadas. A segunda peça emissora de luz LE2 pode incluir a camada semicondutora do tipo n comum COM_N, e uma segunda estrutura semicondutora SC2 que inclui uma segunda camada ativa 210, uma segunda camada semicondutora tipo p 212 e uma segunda camada de eletrodo transparente 214 verticalmente empilhadas. A primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2 podem ser dispostas na camada semicondutora de tipo n comum COM_N de modo a serem separadas uma da outra. O que significa dizer, a camada semicondutora tipo n comum COM_N pode ser exposta entre a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2.

[060] A terceira peça emissora de luz LE3 pode incluir uma terceira camada semicondutora do tipo p 312, uma terceira camada ativa 310 e uma terceira camada semicondutora do tipo n 305 que são empilhadas verticalmente. De acordo com uma modalidade, a terceira peça emissora de luz LE3 pode ter um orifício HL conforme a terceira camada semicondutora tipo p 312 e a terceira camada ativa 310 são gravadas de modo que pelo menos uma porção da terceira camada semicondutora tipo n 305 seja exposta. A terceira peça emissora de luz LE3 pode incluir ainda um primeiro padrão ôhmico OL1 que é colocado em contato elétrico com a primeira camada semicondutora tipo n 305 exposta pelo orifício HL e um e um segundo padrão ôhmico OL2 que é colocado em contato elétrico com a terceira camada semicondutora tipo p 312.

[061] De acordo com uma modalidade, a camada semicondutora de tipo n comum pode ter uma largura menor do que a terceira peça emissora de luz LE3. Entretanto, a camada semicondutora de tipo n comum COM_N e a terceira peça emissora de luz LE3 podem ter substancialmente a mesma largura.

[062] Cada uma da camada semicondutora tipo n COM_N e a terceira camada semicondutora tipo n 305 pode ser uma camada semicondutora à base de nitreto de gálio dopada com Si. Cada uma da primeira camada semicondutora tipo p 112, a segunda camada semicondutora tipo p 212 e a terceira camada semicondutora tipo p 312 podem ser uma camada semicondutora à base de nitreto de gálio dopada com Mg. Cada uma da primeira camada ativa 110, a segunda camada ativa 210 e a terceira camada ativa 310 podem incluir um poço multiquântico (MQW) e a proporção da composição dos mesmos pode ser determinada para emitir luz de um comprimento de onda de pico desejado. Cada uma da primeira camada de eletrodo transparente 114 e da segunda camada de eletrodo transparente 214 pode incluir um óxido condutor transparente (TCO), tal como ZnO, ITO (óxido de índio e estanho), ZITO (óxido de índio e estanho dopado com zinco), ZIO (óxido de zinco e índio), GIO (óxido de gálio e índio), ZTO (óxido de zinco e estanho), FTO (óxido de estanho dopado com flúor), GZO (óxido de zinco dopado com gálio), AZO (óxido de zinco dopado com alumínio) ou outros.

[063] Cada um do primeiro padrão ôhmico OL1 e o segundo padrão ôhmico OL2 pode incluir um material que tem uma propriedade de condução elétrica mais elevada do que cada uma da primeira camada de eletrodo transparente 114 e a segunda camada de eletrodo transparente 214. Cada um do primeiro padrão ôhmico OL1 e do segundo padrão ôhmico OL2 pode incluir pelo menos um selecionado do grupo que consiste em Au, Ge e Be, ou óxido condutor transparente (TCO). Por exemplo, o primeiro padrão ôhmico OL1 pode incluir uma liga Au/Be e o segundo padrão ôhmico OL2 pode incluir uma liga Au/Ge.

[064] O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir uma peça de adesão AD que liga a primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3 entre si entre a primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3. Por exemplo, a peça de adesão AD pode ser disposta para preencher entre a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2 disposta na camada semicondutora tipo n comum COM_N e preencher entre a primeira e segunda estruturas semicondutoras SC1 e SC2 e a terceira peça emissora de luz LE3.

[065] De acordo com uma modalidade, a peça de adesão AD pode incluir um material isolante transparente. A peça de adesão AD pode incluir vidro, um polímero, um resiste ou uma poli-imida. Por exemplo, a peça de adesão AD pode incluir SOG (spin-on- glass), BCB (benzo ciclo butadieno), HSQ (silsesquioxanos de hidrogênio) ou um fotorresiste SU-8.

[066] De acordo com uma modalidade, no caso em que a camada semicondutora de tipo n comum COM_N é menor do que a terceira peça emissora de luz LE3, a peça de adesão AD pode ser disposta enquanto envolve a parede lateral externa da camada semicondutora de tipo n comum COM_N.

[067] Embora não mostrado, um filtro de cor pode ser fornecido adicionalmente entre a primeira e a segunda peças emissoras de luz LE1 e LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3. O filtro de cor pode seletivamente passar a luz emitida a partir da terceira peça emissora de luz LE3 e pode bloquear a luz emitida a partir da primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2.

[068] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um primeiro pad P1 que está eletricamente acoplado com a primeira camada de eletrodo transparente 114 da primeira peça emissora de luz LE1, um segundo pad P2 que está eletricamente acoplado com a segunda camada de eletrodo transparente 214 da segunda pela emissora de luz LE2, um terceiro pad P3 que é eletricamente acoplado com o segundo padrão ôhmico OL2 da terceira peça emissora de luz LE3 e um pad comum CPD que é eletricamente acoplado com o primeiro padrão ôhmico OL1 e a camada semicondutora de tipo n comum COM_N.

[069] Uma camada de passivação PCT pode ser adicionalmente fornecida na terceira camada semicondutora do tipo n 305 da terceira peça emissora de luz LE3. A camada de passivação PVT pode incluir SiNx, TiNx, TiOx, TaOx, ZrOx, AlOx, HfOx ou outro. Cada um do primeiro pad PD1, o segundo pad PD2, o terceiro pad PD3 e o pad comum CPD podem ser dispostos na camada de passivação PVT.

[070] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um primeiro eletrodo de passagem VE1 que passa através da camada de passivação PVT, a terceira peça emissora de luz LE3 e a peça de adesão AD para acoplar eletricamente o primeiro pad PD1 e a primeira camada de eletrodo transparente 114, um segundo eletrodo de passagem VE2 que passa através da camada de passivação PVT, a terceira peça emissora de luz LE3 e a peça de adesão AD para acoplar eletricamente o segundo pad PD2 e a segunda camada de eletrodo transparente 214, e um terceiro eletrodo de passagem VE3 que passa através da camada de passivação PVT e a terceira peça emissora de luz LE3 para acoplar eletricamente o terceiro pad PD3 e o segundo padrão ôhmico OL2.

[071] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um quarto eletrodo de passagem VE4 que passa através da camada de passivação PVT e a terceira camada semicondutora tipo n 305 para acoplar eletricamente o pad comum CPD e a terceira camada semicondutora tipo n 305, e um quinto eletrodo de passagem VE5 que passa através da camada de passivação PVT, a terceira peça emissora de luz LE3 e a peça de adesão AD para acoplar eletricamente o pad comum CPD e a camada semicondutora de tipo n comum COM_N. De acordo com uma modalidade, o quinto eletrodo de passagem VE5 pode ser eletricamente acoplado com a camada semicondutora de tipo n comum COM_N que é exposta entre a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2. Por exemplo, o quinto eletrodo de passagem VE5 pode ser disposto no centro do dispositivo emissor de luz.

[072] Cada um do primeiro eletrodo de passagem VE1, o segundo eletrodo de passagem VE2, o terceiro eletrodo de passagem VE3, o quarto eletrodo de passagem VE4 e o quinto eletrodo de passagem VE5 podem incluir uma camada de eletrodo EL, uma camada de semente SL que circunda a parede lateral externa do eletrodo camada EL e uma camada de barreira BL que circunda a camada de semente SL. A camada de eletrodo EL e a camada de semente SD podem incluir um metal, como Cu, e a camada de barreira BL pode incluir pelo menos um selecionado do grupo que consiste em Ti, W, Ni e Ta. Por exemplo, a camada de barreira BL pode incluir Ti/W, Ti/Ni, Ta, TaN ou outros.

[073] De acordo as modalidades mostradas nas Figs. 1B e 1D, o primeiro eletrodo de passagem VE1 é integrado com o primeiro pad PD1 e uma porção que se estende para a camada de passivação PVT serve como o primeiro pad PD1. O segundo eletrodo de passagem VE2 está integrado com o segundo pad PD2 e uma porção que se estende para a camada de passivação PVT serve como o segundo pad PD2. O terceiro eletrodo de passagem VE3 é integrado com o terceiro pad PD3, e uma porção que se estende para a camada de passivação PVT serve como o terceiro pad PD3. O quarto eletrodo de passagem VE4 e o quinto eletrodo de passagem VE5 são integrados ao pad comum CPD, e as porções que se estendem para a camada de passivação PVT servem como pad comum CPD.

[074] De acordo com outra modalidade mostrada na Fig. 1C, o primeiro pad PD1 pode ser disposto no primeiro eletrodo de passagem VE1, o segundo pad PD2 pode ser disposto no segundo eletrodo de passagem VE2, o terceiro pad PD3 pode ser disposto no terceiro eletrodo de passagem VE3 e o pad comum CPD pode ser disposto no quarto eletrodo de passagem VE4 e no quinto eletrodo de passagem VE5. Cada um do primeiro pad PD1, o segundo pad PD2, o terceiro pad PD3 e o pad comum CPD podem incluir pelo menos um selecionado do grupo que consiste em Au, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Hf, Cr, Ti e Cu. Além disso, cada um do primeiro pad PD1, o segundo pad PD2, o terceiro pad PD3 e o pad comum CPD podem incluir uma liga dos materiais listados acima.

[075] Quando visto de cima, no caso em que o substrato 100 tem uma estrutura quadrangular como mostrado na Fig. 1A, o primeiro pad PD1, o segundo pad PD2, o terceiro pad PD3 e o pad comum CPD podem ser dispostos em porções de canto do substrato 100. De acordo com uma modalidade, quando o quinto eletrodo de passagem VE5 está disposto no centro do dispositivo emissor de luz, o pad CPD comum pode ter uma estrutura que se estende da periferia ao centro do substrato

100. À medida que o pad comum CPD se estende da periferia ao centro do substrato 100, a concentração de corrente na periferia, no caso em que o pad comum CPD está disposto apenas na periferia, pode ser mitigada e a corrente pode ser distribuída por uma ampla área.

[076] Referindo novamente às Figs. 1A e 1B, o dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um primeiro padrão de metal M1 que está disposto entre a primeira camada de eletrodo transparente 114 e o primeiro eletrodo de passagem VE1, um segundo padrão de metal M2 que está disposto entre a segunda camada de eletrodo transparente 214 e o segundo eletrodo de passagem VE2, um terceiro padrão de metal M3 que está disposto entre o segundo padrão ôhmico OL2 e o terceiro eletrodo de passagem VE3, um quarto padrão de metal M4 que está disposto entre o primeiro padrão ôhmico OL1 e o quarto eletrodo de passagem VE4, e um quinto padrão de metal M5 que está disposto entre a camada semicondutora de tipo n comum COM_N e o quinto eletrodo de passagem VE5. Cada um do primeiro padrão de metal M1, o segundo padrão de metal M2, o terceiro padrão de metal M3, o quarto padrão de metal M4 e o quinto padrão de metal M5 podem incluir pelo menos um selecionado do grupo que consiste em Ti, Cr, Au e Al. Por exemplo, cada um do primeiro padrão de metal M1, o segundo padrão de metal M2, o terceiro padrão de metal M3, o quarto padrão de metal M4 e o quinto padrão de metal M5 podem incluir Cr/Au, Ti/Al ou Cr/Al.

[077] O primeiro padrão de metal M1 pode melhorar a propriedade ôhmica entre a primeira camada de eletrodo transparente 114 e o primeiro eletrodo de passagem VE1, entre a primeira camada de eletrodo transparente 114 e o primeiro eletrodo de passagem VE1. O segundo padrão de metal M2 pode melhorar a propriedade ôhmica entre a segunda camada de eletrodo transparente 214 e a segundo eletrodo de passagem VE2, entre a segunda camada de eletrodo transparente 214 e o segundo eletrodo de passagem VE2. O terceiro padrão de metal M3 pode melhorar a propriedade ôhmica entre o segundo padrão ôhmico OL2 e o terceiro eletrodo de passagem VE3, entre o segundo padrão ôhmico OL2 e o terceiro eletrodo de passagem VE3. O quarto padrão de metal M4 pode melhorar a propriedade ôhmica entre o primeiro padrão ôhmico OL1 e o quarto eletrodo de passagem VE4, entre o primeiro padrão ôhmico OL1 e o quarto eletrodo de passagem VE4. O quinto padrão de metal M5 pode melhorar a propriedade ôhmica entre a camada semicondutora de tipo n comum COM_N e o quinto eletrodo de passagem VE5, entre a camada semicondutora de tipo n comum COM_N e o quinto eletrodo de passagem VE5.

[078] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma camada dielétrica DL que circunda a parede lateral externa de cada um do primeiro eletrodo de passagem VE1, o segundo eletrodo de passagem VE2, o terceiro eletrodo de passagem VE3, o quarto eletrodo de passagem VE4 e o quinto eletrodo de passagem VE5. A camada dielétrica DL pode incluir pelo menos um selecionado do grupo que consiste em SiNx, TiNx, TiOx, TaOx, ZrOx, HfOx e SiOx.

[079] Referindo à Fig. 1D, o dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma primeira estrutura de solda SS1 que está disposta no primeiro pad PD1, uma segunda estrutura de solda SS2 que está disposta no segundo pad PD2, uma terceira estrutura de solda SS3 que está disposta no terceiro pad PD3 e uma quarta estrutura de solda SS4 que está disposta no pad comum CPD. Por exemplo, cada uma da primeira estrutura de solda SS1, a segunda estrutura de solda SS2, a terceira estrutura de solda SS3 e a quarta estrutura de solda SS4 podem ter uma estrutura na qual uma esfera de solda SD incluindo In ou Sn e uma camada de barreira BRL incluindo uma de Ni, Co, Ti e Fe são empilhadas.

[080] Embora seja descrito como um exemplo na presente modalidade que o pad comum CPD acopla eletricamente a camada semicondutora de tipo n comum COM_N e a terceira camada semicondutora de tipo n 305, deve-se notar que o pad comum CPD pode acoplar eletricamente a primeira camada de eletrodo transparente 114, a segunda camada de eletrodo transparente 214 e o segundo padrão ôhmico OL2.

[081] A Fig. 3A é uma representação de um exemplo de uma vista superior para auxiliar na explicação de um dispositivo emissor de luz de acordo com outra modalidade da invenção, e a Fig. 3B é uma vista em seção transversal tomada ao longo da linha A-A’ da Fig. 3A.

[082] Referindo às Figs. 3A e 3B, um dispositivo emissor de luz pode incluir um substrato 100, uma primeira peça emissora de luz LE1 e uma segunda peça emissora de luz LE2 que estão dispostas no mesmo plano em uma primeira superfície 102 do substrato 100 e uma terceira peça emissora de luz LE3 que está disposta sobre a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2.

[083] De acordo com uma modalidade, no caso em que uma segunda superfície 104 do substrato 100 que está voltada para longe da primeira superfície 102 é uma superfície de extração de luz, a terceira peça emissora de luz LE3 pode emitir luz vermelha, a primeira peça emissora de luz LE1 pode emitir luz azul ou luz verde, e a segunda peça emissora de luz LE2 pode emitir luz verde ou luz azul.

[084] A primeira peça emissora de luz LE1 pode incluir uma primeira camada semicondutora do tipo n COM_N, uma primeira estrutura semicondutora SC1, que inclui uma primeira camada ativa 110, uma primeira camada semicondutora do tipo p 112, e uma primeira camada de eletrodo transparente 114 verticalmente empilhadas. A segunda peça emissora de luz LE2 pode incluir a camada semicondutora do tipo n comum COM_N, e uma segunda estrutura semicondutora SC2 que inclui uma segunda camada ativa 210, uma segunda camada semicondutora tipo p 212 e uma segunda camada de eletrodo transparente 214 verticalmente empilhadas. A primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2 podem ser dispostas na camada semicondutora de tipo n comum COM_N de modo a serem separadas uma da outra. O que significa dizer, a camada semicondutora tipo n comum COM_N pode ser exposta entre a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2. A terceira peça emissora de luz LE3 pode incluir um terceiro eletrodo transparente Camada 314, uma terceira camada semicondutora do tipo p 312, uma terceira camada ativa 310 e uma terceira camada semicondutora do tipo n 305 que são empilhadas verticalmente.

[085] De acordo com uma modalidade, cada uma da primeira camada de eletrodo transparente 114, a segunda camada de eletrodo transparente 214 e a terceira camada de eletrodo transparente 314 podem incluir óxido condutor transparente (TCO), como ZnO, ITO, ZITO, ZIO, GIO, ZTO, FTO, GZO, AZO ou outros.

[086] O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir uma peça de adesão AD que liga a primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3 entre si entre a primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3. Por exemplo, a peça de adesão AD pode ser disposta para preencher entre a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2 disposta na camada semicondutora tipo n comum COM_N e preencher entre a primeira e segunda estruturas semicondutoras SC1 e SC2 e a terceira peça emissora de luz LE3. Por exemplo, a peça de adesão AD pode incluir um material como SOG, BCB, HSQ ou um fotorresiste SU-8, que é transparente e tem uma propriedade de ligação.

[087] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um primeiro pad P1 que está eletricamente acoplado com a primeira camada de eletrodo transparente 114 da primeira peça emissora de luz LE1, um segundo pad P2 que está eletricamente acoplado com a segunda camada de eletrodo transparente 214 da segunda pela emissora de luz LE2, um terceiro pad P3 que é eletricamente acoplado com a terceira camada de eletrodo transparente 314 da terceira peça emissora de luz LE3 e um pad comum CPD que é eletricamente acoplado com a primeira camada semicondutora do tipo n 305 e a camada semicondutora de tipo n comum COM_N.

[088] Uma camada de passivação PCT pode ser adicionalmente fornecida na terceira camada semicondutora do tipo n 305 da terceira peça emissora de luz LE3. Cada um do primeiro pad PD1, o segundo pad PD2 e o terceiro pad PD3 podem ser dispostos na camada de passivação PVT e o pad comum CPD pode passar através da camada de passivação PVT e ser colocada em contato elétrico com a terceira camada semicondutora tipo n 305 e a camada semicondutora de tipo n comum COM_N.

[089] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um primeiro eletrodo de passagem VE1 que passa através da camada de passivação PVT, a terceira peça emissora de luz LE3 e a peça de adesão AD para acoplar eletricamente o primeiro pad PD1 e a primeira camada de eletrodo transparente 114, uma segundo eletrodo de passagem VE2 que passa através da camada de passivação PVT, a terceira peça emissora de luz LE3 e a peça de adesão AD para acoplar eletricamente o segundo pad PD2 e a segunda camada de eletrodo transparente 214, e um terceiro eletrodo de passagem VE3 que passa através da camada de passivação PVT e a terceira unidade emissora de luz LE3 para acoplar eletricamente o terceiro pad PD3 e a terceira camada de eletrodo transparente 314. De acordo com uma modalidade, o primeiro eletrodo de passagem VE1 e o segundo eletrodo de passagem VE2 podem ter a mesma altura.

[090] O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir um quarto eletrodo VE4 que passa através da terceira peça emissora de luz LE3 e a peça de adesão AD para acoplar eletricamente o pad comum CPD colocado em contato elétrico com a terceira camada semicondutora tipo n 305, com a camada semicondutora tipo n comum COM_N. De acordo com uma modalidade, o quarto eletrodo de passagem VE4 pode ser disposto entre a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2. Por exemplo, o quarto eletrodo de passagem VE4 pode ser disposto no centro do substrato 100.

[091] Cada um do primeiro eletrodo de passagem VE1, o segundo eletrodo de passagem VE2, o terceiro eletrodo de passagem VE3 e o quarto eletrodo de passagem VE4 podem incluir uma camada de eletrodo EL, uma camada de semente SL que circunda a parede lateral externa da camada de eletrodo EL e uma camada de barreira BL que envolve a camada de semente SL. A camada de eletrodo EL e a camada de semente SL podem incluir um metal,

como Cu, e a camada de barreira BL pode incluir pelo menos um selecionado do grupo que consiste em Ti, W, Ni e Ta. Por exemplo, a camada de barreira BL pode incluir Ti/W, Ti/Ni, Ta/TaN ou outros.

[092] Quando visto de cima, no caso em que o substrato 100 tem uma estrutura quadrangular, o primeiro pad PD1, o segundo pad PD2 e o terceiro pad PD3 podem estar dispostos em porções de canto do substrato 100 e o pad comum CPD pode ser disposta no centro do substrato 100.

[093] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um primeiro padrão de metal M1 que está disposto entre a primeira camada de eletrodo transparente 114 e o primeiro eletrodo de passagem VE1, um segundo padrão de metal M2 que está disposto entre a segunda camada de eletrodo transparente 214 e o segundo eletrodo de passagem VE2, um terceiro padrão de metal M3 que está disposto entre a terceira camada de eletrodo transparente 314 e o terceiro eletrodo de passagem VE3, e um quarto padrão de metal M4 que está disposto entre a camada semicondutora de tipo n comum COM_N e a quarto eletrodo de passagem VE4. Cada um do primeiro padrão de metal M1, o segundo padrão de metal M2, o terceiro padrão de metal M3 e o quarto padrão de metal M4 podem incluir pelo menos um selecionado do grupo que consiste em Ti, Cr, Au e Al. Por exemplo, cada um do primeiro padrão de metal M1, o segundo padrão de metal M2, o terceiro padrão de metal M3 e o quarto padrão de metal M4 podem incluir Cr/Au, Ti/Al ou Cr/Al.

[094] O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir uma camada dielétrica DL que circunda a parede lateral externa de cada um do primeiro eletrodo de passagem VE1, o segundo eletrodo de passagem VE2, a terceiro eletrodo de passagem VE3 e a quarto eletrodo de passagem VE4.

[095] Uma vez que os componentes e as características do dispositivo emissor de luz não serão descritos em detalhes com referência às Figs. 3A e 3B são iguais aos componentes e às características do dispositivo emissor de luz que são descritos acima com referência às Figs. 1A e 1B, as descrições detalhadas dos mesmos serão omitidas aqui.

[096] A Fig. 4 é uma representação de um exemplo de uma vista em seção transversal para auxiliar na explicação de um dispositivo emissor de luz de acordo com outra modalidade da invenção. Para a vista superior do dispositivo emissor de luz da Fig. 4, pode ser feita referência à Fig. 3A.

[097] Referindo às Figs. 3A e 4, um dispositivo emissor de luz pode incluir um substrato 100, uma primeira peça emissora de luz LE1 e uma segunda peça emissora de luz LE2 que estão dispostas no mesmo plano em uma primeira superfície 102 do substrato 100 e uma terceira peça emissora de luz LE3 que está disposta sobre a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2. Uma segunda superfície 104 do substrato 100 que está voltada para longe da primeira superfície 102 pode ser uma superfície de extração de luz.

[098] A primeira peça emissora de luz LE1 pode incluir uma primeira camada semicondutora do tipo n COM_N, uma primeira estrutura semicondutora SC1, que inclui uma primeira camada ativa 110, uma primeira camada semicondutora do tipo p 112, e uma primeira camada de eletrodo transparente 114 verticalmente empilhadas. A segunda peça emissora de luz LE2 pode incluir a camada semicondutora do tipo n comum COM_N, e uma segunda estrutura semicondutora SC2 que inclui uma segunda camada ativa 210, uma segunda camada semicondutora tipo p 212 e uma segunda camada de eletrodo transparente 214 verticalmente empilhadas. A primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2 podem ser dispostas na camada semicondutora de tipo n comum COM_N de modo a serem separadas uma da outra. O que significa dizer, a camada semicondutora tipo n comum COM_N pode ser exposta entre a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2.

[099] A terceira peça emissora de luz LE3 pode incluir um terceiro eletrodo transparente Camada 314, uma terceira camada semicondutora do tipo p 312, uma terceira camada ativa 310 e uma terceira camada semicondutora do tipo n 305 que são empilhadas verticalmente. De acordo com uma modalidade, a terceira peça emissora de luz LE3 pode incluir um orifício HL que expõe uma porção da terceira camada semicondutora tipo n 305, por gravação de porções da terceira camada de eletrodo transparente 314, a terceira camada semicondutora tipo p 312 e a terceira camada ativa 310. O orifício HL da terceira peça emissora de luz LE3 pode ser uma posição correspondente a pelo menos uma porção da camada semicondutora de tipo n comum COM_N que é exposta entre a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2. Uma largura W1 do orifício HL pode ser menor do que uma largura W2 da camada semicondutora de tipo n comum COM_N que é exposta entre a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2.

[0100] O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir uma peça de adesão AD que liga a primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3 entre si entre a primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3. Por exemplo, a peça de adesão AD pode ser disposta para preencher entre a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2 disposta na camada semicondutora tipo n comum COM_N e preencher entre a primeira e segunda estruturas semicondutoras SC1 e SC2 e a terceira peça emissora de luz LE3. De acordo com uma modalidade, a peça de adesão AD pode ser disposta ao preencher o interior do orifício HL da terceira peça emissora de luz LE3.

[0101] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um primeiro eletrodo VE1 e um primeiro pad P1 que são eletricamente acoplados com a primeira camada de eletrodo transparente 114, um segundo eletrodo de passagem VE2 e um segundo pad P2 que são eletricamente acoplados com a segunda camada de eletrodo transparente 214, uma terceiro eletrodo de passagem VE3 e um terceiro pad P3 que são eletricamente acoplados com a terceira camada de eletrodo transparente 314, e uma quarto eletrodo de passagem VE4 e um pad comum CPD que são eletricamente acoplados com a terceira camada semicondutora tipo n 305 e a camada semicondutora tipo comum n COM_N. O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir uma camada de passivação PVT na terceira camada semicondutora tipo n 305 e uma camada dielétrica DL que circunda a parede lateral externa de cada um do primeiro eletrodo de passagem VE1, o segundo eletrodo de passagem VE2 e o terceiro eletrodo de passagem VE3. De acordo com uma modalidade, a camada dielétrica DL não pode ser disposta na parede lateral externa do quarto eletrodo de passagem VE4.

[0102] De acordo com uma modalidade, o CPD de pad comum pode passar através da camada de passivação PVT e ser colocado em contato elétrico com a terceira camada semicondutora tipo n

305. O quarto eletrodo de passagem VE4 que é eletricamente acoplado com o pad comum CPD pode passar através da terceira camada semicondutora tipo n 305 e ser disposta no orifício HL da terceira peça emissora de luz LE3. Embora a camada dielétrica DL não esteja disposta na parede lateral externa do quarto eletrodo de passagem VE4, uma vez que a peça de adesão AD que inclui um material isolante transparente está disposto no orifício HL da terceira peça emissora de luz LE3, o quarto eletrodo de passagem VE4 pode ser isolado da terceira camada ativa 310, da terceira camada semicondutora do tipo p 312 e da terceira camada de eletrodo transparente 314 da terceira peça emissora de luz LE3. Além disso, conforme a peça de adesão AD preenche entre a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2, o quarto eletrodo de passagem VE4 que é colocado em contato elétrico com a camada semicondutora tipo n comum COM_N pode ser isolado da primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2.

[0103] Uma vez que os componentes e as características do dispositivo emissor de luz não serão descritos em detalhes com referência à Fig. 4 são iguais aos componentes e às características dos dispositivos emissores de luz que são descritos acima com referência às FigS. 1A, 1B, 3A e 3B, as descrições detalhadas dos mesmos serão omitidas aqui.

[0104] As Figs. 5A e 5B são representações de exemplos de vistas em seção transversal para auxiliar na explicação de dispositivos emissores de luz de acordo com outras modalidades da invenção. Para as vistas superiores dos dispositivos emissores de luz das FigS. 5A e 5B, pode ser feita referência à Fig. 3A.

[0105] Referindo às Figs. 3A, 5A e 5B, um dispositivo emissor de luz pode incluir um substrato 100, uma primeira peça emissora de luz LE1 e uma segunda peça emissora de luz LE2 que estão dispostas no mesmo plano em uma primeira superfície 102 do substrato 100 e uma terceira peça emissora de luz de luz LE3 que está disposta sobre a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2. Uma segunda superfície 104 do substrato 100 que está voltada para longe da primeira superfície 102 pode ser uma superfície de extração de luz.

[0106] A primeira peça emissora de luz LE1 pode incluir uma primeira camada semicondutora do tipo n COM_N, uma primeira estrutura semicondutora SC1, que inclui uma primeira camada ativa 110, uma primeira camada semicondutora do tipo p 112, e uma primeira camada de eletrodo transparente 114 verticalmente empilhadas. A segunda peça emissora de luz LE2 pode incluir a camada semicondutora do tipo n comum COM_N, e uma segunda estrutura semicondutora SC2 que inclui uma segunda camada ativa 210, uma segunda camada semicondutora tipo p 212 e uma segunda camada de eletrodo transparente 214 verticalmente empilhadas. A primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2 podem ser dispostas na camada semicondutora de tipo n comum COM_N de modo a serem separadas uma da outra. O que significa dizer, a camada semicondutora tipo n comum COM_N pode ser exposta entre a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2.

[0107] A terceira peça emissora de luz LE3 pode incluir um terceiro eletrodo transparente Camada 314, uma terceira camada semicondutora do tipo p 312, uma terceira camada ativa 310 e uma terceira camada semicondutora do tipo n 305 que são empilhadas verticalmente. De acordo com uma modalidade, a terceira peça emissora de luz LE3 pode incluir um orifício HL que expõe uma porção da terceira camada semicondutora tipo n 305, por gravação de porções da terceira camada de eletrodo transparente 314, a terceira camada semicondutora tipo p 312 e a terceira camada ativa 310. O orifício HL da terceira peça emissora de luz LE3 pode ser uma posição correspondente a pelo menos uma porção da camada semicondutora de tipo n comum COM_N que é exposta entre a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2. Uma largura W1 do orifício HL pode ser menor do que uma largura W2 da camada semicondutora de tipo n comum COM_N que é exposta entre a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2.

[0108] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma primeira camada de passivação PVT1 que cobre a primeira estrutura semicondutora SC1 na primeira camada de eletrodo transparente 114, uma segunda camada de passivação PVT2 que cobre a segunda estrutura semicondutora SC2 na segunda camada de eletrodo transparente 214, uma terceira camada de passivação PVT3 que cobre uma superfície da terceira peça emissora de luz LE3 na terceira camada de eletrodo transparente 314 e uma quarta camada de passivação PVT4 que cobre a outra superfície da terceira peça emissora de luz LE3 voltada para longe de uma superfície na terceira camada semicondutora tipo n 305. Por exemplo, cada uma da primeira camada de passivação PVT1, a segunda camada de passivação PVT2, a terceira camada de passivação PVT3 e a quarta camada de passivação PVT4 podem incluir um material isolante incluindo pelo menos um selecionado do grupo que consiste em SiNx, TiNx, TiOx, TaOx, ZrOx, AlOx ou HfOx.

[0109] De acordo com uma modalidade, uma vez que a primeira camada de passivação PVT1 e a segunda camada de passivação PVT2 não estão dispostas na camada semicondutora de tipo n comum COM_N que está disposta entre a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2, a camada semicondutora tipo n comum COM_N que está disposta entre a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2 pode ser exposta. Além disso, uma vez que a terceira camada de passivação PVT3 não está disposta no fundo do orifício HL, a terceira camada semicondutora tipo n 305 pode ser exposta no fundo do orifício HL.

[0110] O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir uma peça de adesão AD que liga a primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3 entre si entre a primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3. Por exemplo, a peça de adesão AD pode ser disposta para preencher entre a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2 disposta na camada semicondutora tipo n comum COM_N e preencher entre a primeira e segunda estruturas semicondutoras SC1 e SC2 e a terceira peça emissora de luz LE3. De acordo com uma modalidade, a peça de adesão AD pode ser disposta ao preencher o interior do orifício HL da terceira peça emissora de luz LE3.

[0111] De acordo com uma modalidade, a peça de adesão AD pode incluir um material que é transparente e tem uma condutividade elétrica e uma propriedade de ligação. Por exemplo, a peça de adesão AD pode incluir um material como óxido condutor transparente (TCO), adesivos condutores isotrópicos (ICA), adesivos condutores anisotrópicos (ACA) ou outros.

[0112] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um primeiro eletrodo VE1 e um primeiro pad P1 que são eletricamente acopladas com a primeira camada de eletrodo transparente 114, um segundo eletrodo de passagem VE2 e um segundo pad P2 que são eletricamente acopladas com a segunda camada de eletrodo transparente 214, uma terceiro eletrodo de passagem VE3 e um terceiro pad P3 que são eletricamente acopladas com a terceira camada de eletrodo transparente 314, e uma quarto eletrodo de passagem VE4 e um pad comum CPD que são eletricamente acoplados com a terceira camada semicondutora tipo n 305. O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir uma camada de passivação PVT na terceira camada semicondutora tipo n 305 e uma camada dielétrica DL que circunda a parede lateral externa de cada um do primeiro eletrodo de passagem VE1, o segundo eletrodo de passagem VE2 e o terceiro eletrodo de passagem VE3. De acordo com uma modalidade, a camada dielétrica DL não pode ser disposta na parede lateral externa do quarto eletrodo de passagem VE4.

[0113] De acordo com uma modalidade mostrada na Fig. 5A, o quarto eletrodo de passagem VE4 pode passar através da camada de passivação PVT e pode ser colocado em contato elétrico com uma superfície da terceira camada semicondutora tipo n 305. Uma vez que, como descrito acima, a peça de adesão AD inclui um material que tem uma condutividade elétrica, o quarto eletrodo de passagem VE4 pode ser eletricamente acoplado com uma superfície da terceira camada semicondutora tipo n 305 e a terceira camada semicondutora tipo n 305 que é exposta pelo orifício HL da terceira peça emissora de luz LE3 pode ser colocada em contato elétrico com a peça de adesão AD. A peça de adesão AD pode ser colocada em contato elétrico com a camada semicondutora de tipo n comum COM_N que é exposta entre a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2. Portanto, o pad comum CP pode ser eletricamente acoplado com a terceira camada semicondutora do tipo n 305, a peça de adesão AD e a segunda camada semicondutora do tipo n comum COM_N através do quarto eletrodo de passagem VE4.

[0114] De acordo com outra modalidade mostrada na Fig. 5B, o quarto eletrodo de passagem VE4 pode passar através da camada de passivação PVT e a terceira camada semicondutora tipo n 305 da terceira peça emissora de luz LE3 e pode ser colocada em contato elétrico com a terceira camada semicondutora tipo n

305. Neste caso, conforme a parede lateral externa do quarto eletrodo de passagem VE4 é colocada em contato elétrico com a terceira camada semicondutora tipo n 305, uma área através da qual a quarto eletrodo de passagem VE4 e a terceira camada semicondutora tipo n 305 são colocadas em contato mútuo pode ser aumentada. O quarto eletrodo de passagem VE4 pode ser colocado em contato elétrico com a peça de adesão AD que é preenchida no orifício HL da terceira peça emissora de luz LE3. A peça de adesão AD pode ser colocada em contato elétrico com a camada semicondutora de tipo n comum COM_N que é exposta entre a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2. Portanto, o pad comum CP pode ser eletricamente acoplado com a terceira camada semicondutora do tipo n 305, a peça de adesão AD e a segunda camada semicondutora do tipo n comum COM_N através do quarto eletrodo de passagem VE4.

[0115] Embora seja ilustrado na Fig. 5B que o quarto eletrodo de passagem VE4 passe através da camada de passivação PVT e a terceira camada semicondutora tipo n 305 da terceira peça emissora de luz LE3, deve-se notar que o quarto eletrodo de passagem VE4 pode passar através da camada de passivação PVT e a terceira camada semicondutora tipo n 305 da terceira peça emissora de luz LE3 e passar através de pelo menos uma porção da peça de adesão AD. Alternativamente, o quarto eletrodo de passagem VE4 pode passar através da camada de passivação PVT e a terceira camada semicondutora tipo n 305 da terceira peça emissora de luz LE3 e pode passar através da peça de adesão AD e ser colocada em contato com a camada semicondutora tipo n comum COM_N que é exposta entre a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2.

[0116] Uma vez que os componentes e as características do dispositivo emissor de luz não serão descritos em detalhes com referência às Figs. 5A e 5B são iguais aos componentes e às características dos dispositivos emissores de luz que são descritos acima com referência às Figs. 1A, 1B, 3B, 4A e 4B, as descrições detalhadas dos mesmos serão omitidas aqui.

[0117] A Fig. 6 é uma representação de um exemplo de uma vista em seção transversal para auxiliar na explicação de um dispositivo emissor de luz de acordo com outra modalidade da invenção. Para a vista superior do dispositivo emissor de luz da Fig. 6, pode ser feita referência à Fig. 3A.

[0118] Referindo às Figs. 3A e 6, um dispositivo emissor de luz pode incluir um substrato 100, uma primeira peça emissora de luz LE1 e uma segunda peça emissora de luz LE2 que estão dispostas no mesmo plano em uma primeira superfície 102 do substrato 100 e uma terceira peça emissora de luz LE3 que está disposta sobre a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2. Uma segunda superfície 104 do substrato 100 que está voltada para longe da primeira superfície 102 pode ser uma superfície de extração de luz.

[0119] A primeira peça emissora de luz LE1 pode incluir uma primeira camada semicondutora do tipo n COM_N, uma primeira estrutura semicondutora SC1, que inclui uma primeira camada ativa 110, uma primeira camada semicondutora do tipo p 112, e uma primeira camada de eletrodo transparente 114 verticalmente empilhadas. A segunda peça emissora de luz LE2 pode incluir a camada semicondutora do tipo n comum COM_N, e uma segunda estrutura semicondutora SC2 que inclui uma segunda camada ativa 210, uma segunda camada semicondutora tipo p 212 e uma segunda camada de eletrodo transparente 214 verticalmente empilhadas. A primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2 podem ser dispostas na camada semicondutora de tipo n comum COM_N de modo a serem separadas uma da outra. O que significa dizer, a camada semicondutora tipo n comum COM_N pode ser exposta entre a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2.

[0120] A terceira peça emissora de luz LE3 pode incluir uma terceira camada semicondutora do tipo n 305, uma terceira camada ativa 310, uma terceira camada semicondutora do tipo p 312 e a terceira camada de eletrodo transparente 314 que são verticalmente empilhadas. De acordo com uma modalidade, a terceira peça emissora de luz LE3 pode incluir um orifício HL que expõe uma porção da terceira camada semicondutora tipo n 305, por gravação de porções da terceira camada de eletrodo transparente 314, a terceira camada semicondutora tipo p 312 e a terceira camada ativa 310. O orifício HL da terceira peça emissora de luz LE3 pode ser uma posição correspondente a pelo menos uma porção da camada semicondutora de tipo n comum COM_N que é exposta entre a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2. Uma largura W1 do orifício HL pode ser menor do que uma largura W2 da camada semicondutora de tipo n comum COM_N que é exposta entre a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2.

[0121] O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir uma peça de adesão AD que liga a primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3 entre si entre a primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3. Por exemplo, a peça de adesão AD pode ser disposta para preencher entre a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2 disposta na camada semicondutora tipo n comum COM_N e preencher entre a primeira e segunda estruturas semicondutoras SC1 e SC2 e a terceira peça emissora de luz LE3. Por exemplo, a peça de adesão AD pode incluir um material como SOG, BCB, HSQ ou um fotorresiste SU-8, que é transparente e tem uma propriedade de ligação.

[0122] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um primeiro eletrodo VE1 e um primeiro pad P1 que são eletricamente acoplados com a primeira camada de eletrodo transparente 114, um segundo eletrodo de passagem VE2 e um segundo pad P2 que são eletricamente acoplados com a segunda camada de eletrodo transparente 214, uma terceiro eletrodo de passagem VE3 e um terceiro pad P3 que são eletricamente acoplados com a terceira camada de eletrodo transparente 314, e uma quarto eletrodo de passagem VE4 e um pad comum CPD que são eletricamente acoplados com a terceira camada semicondutora tipo n 305 e a camada semicondutora tipo comum n COM_N.

[0123] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma camada de passivação PVT que está disposta na terceira camada de eletrodo transparente 314 e uma camada dielétrica DL que circunda a parede lateral externa de cada um do primeiro eletrodo de passagem VE1 e o segundo eletrodo de passagem VE2. De acordo com uma modalidade, a camada de passivação PVT pode preencher o orifício HL da terceira peça emissora de luz LE3 e pode se estender até a superfície superior da terceira camada de eletrodo transparente 314. A camada dielétrica DL não pode ser disposta na parede lateral externa de cada uma do terceiro eletrodo de passagem VE3 e do quarto eletrodo de passagem VE4.

[0124] De acordo com uma modalidade, o terceiro eletrodo de passagem VE3 pode passar através da camada de passivação PVT e ser colocado em contato elétrico com a terceira camada de eletrodo transparente 314. Porque o terceiro eletrodo de passagem VE3 é isolado de um lado externo pela camada de passivação PVT, a camada dielétrica DL que adicionalmente envolve a parede lateral externa do terceiro eletrodo de passagem VE3 pode não ser necessária.

[0125] De acordo com uma modalidade, o quarto eletrodo de passagem VE4 pode passar através da camada de passivação PVT preenchendo o orifício HL da terceira peça emissora de luz LE3, a terceira camada semicondutora tipo n 305 e a peça de adesão AD. Como o quarto eletrodo de passagem VE4 passa através do orifício HL que é preenchido com a camada de passivação PVT, a camada dielétrica DL que circunda a parede lateral externa do quarto eletrodo de passagem VE4 pode não ser necessária. Além disso, uma vez que a camada dielétrica DL não circunda a parede lateral externa do quarto eletrodo de passagem VE4, enquanto o quarto eletrodo de passagem VE4 passa através da terceira camada semicondutora tipo n 305, a parede lateral externa do quarto eletrodo de passagem VE4 pode ser colocado em contato elétrico com a terceira camada semicondutora tipo n 305 e, assim, uma área através da qual o quarto eletrodo de passagem VE4 e a terceira camada semicondutora tipo n 305 são colocadas em contato uma com a outra pode ser aumentada. O quarto eletrodo de passagem VE4 pode passar através da peça de adesão AD incluindo um material isolante e pode ser colocado em contato elétrico com a camada semicondutora de tipo n comum COM_N. Por este fato, o quarto eletrodo de passagem VE4 pode ser colocado em contato elétrico com a terceira camada semicondutora tipo n 305 e a camada semicondutora tipo n comum COM_N.

[0126] Uma vez que os componentes e as características do dispositivo emissor de luz não serão descritos em detalhes com referência à Fig. 6 são iguais aos componentes e às características dos dispositivos emissores de luz que são descritos acima com referência às Figs. 1A, 1B, 3A, 3B, 4A, 4B, 5A e 5B, as descrições detalhadas dos mesmos serão omitidas aqui.

[0127] A Fig. 7 é uma representação de um exemplo de uma vista em seção transversal para auxiliar na explicação de um dispositivo emissor de luz de acordo com outra modalidade da invenção. Para a vista superior do dispositivo emissor de luz da Fig. 7, pode ser feita referência à Fig. 3A.

[0128] Referindo às Figs. 3A e 7, um dispositivo emissor de luz pode incluir um substrato 100, uma primeira peça emissora de luz LE1 e uma segunda peça emissora de luz LE2 que estão dispostas no mesmo plano em uma primeira superfície 102 do substrato 100 e uma terceira peça emissora de luz LE3 que está disposta sobre a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2. Uma segunda superfície 104 do substrato 100 que está voltada para longe da primeira superfície 102 pode ser uma superfície de extração de luz.

[0129] A primeira peça emissora de luz LE1 pode incluir uma primeira camada semicondutora do tipo n COM_N, uma primeira estrutura semicondutora SC1, que inclui uma primeira camada ativa 110, uma primeira camada semicondutora do tipo p 112, e uma primeira camada de eletrodo transparente 114 verticalmente empilhadas. A segunda peça emissora de luz LE2 pode incluir a camada semicondutora do tipo n comum COM_N, e uma segunda estrutura semicondutora SC2 que inclui uma segunda camada ativa 210, uma segunda camada semicondutora tipo p 212 e uma segunda camada de eletrodo transparente 214 verticalmente empilhadas. A primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2 podem ser dispostas na camada semicondutora de tipo n comum COM_N de modo a serem separadas uma da outra. O que significa dizer, a camada semicondutora tipo n comum COM_N pode ser exposta entre a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2.

[0130] A terceira peça emissora de luz LE3 pode incluir uma terceira camada semicondutora do tipo n 305, uma terceira camada ativa 310, uma terceira camada semicondutora do tipo p 312 e a terceira camada de eletrodo transparente 314 que são verticalmente empilhadas. De acordo com uma modalidade, a terceira peça emissora de luz LE3 pode incluir um orifício HL que expõe uma porção da terceira camada semicondutora tipo n 305, por gravação de porções da terceira camada de eletrodo transparente 314, a terceira camada semicondutora tipo p 312 e a terceira camada ativa 310. O orifício HL da terceira peça emissora de luz LE3 pode ser uma posição correspondente a pelo menos uma porção da camada semicondutora de tipo n comum COM_N que é exposta entre a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2. Uma largura W1 do orifício HL pode ser menor do que uma largura W2 da camada semicondutora de tipo n comum COM_N que é exposta entre a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2.

[0131] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma primeira camada de passivação PVT1 que cobre a primeira estrutura semicondutora SC1 na primeira camada de eletrodo transparente 114, uma segunda camada de passivação PVT2 que cobre a segunda estrutura semicondutora SC2 na segunda camada de eletrodo transparente 214 e uma terceira camada de passivação PVT3 que cobre uma superfície da terceira peça emissora de luz LE3 na terceira camada de eletrodo transparente 314 e preenche o orifício HL da terceira peça emissora de luz LE3. Por exemplo, cada uma da primeira camada de passivação PVT1, a segunda camada de passivação PVT2 e a terceira camada de passivação PVT3 pode ser um material isolante incluindo pelo menos um selecionado do grupo que consiste em SiNx, TiNx, TiOx, TaOx, ZrOx, HfOx, AlOx e SiOx.

De acordo com uma modalidade, uma vez que a primeira camada de passivação PVT1 e a segunda camada de passivação PVT2 não estão dispostas na camada semicondutora de tipo n comum COM_N que está disposta entre a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2, a camada semicondutora tipo n comum COM_N que está disposta entre a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2 pode ser exposta.

[0132] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma primeira camada de passivação PVT1 que cobre a superfície superior e a superfície lateral da primeira estrutura semicondutora SC1, uma segunda camada de passivação PVT2 que cobre a superfície superior e a superfície lateral da segunda estrutura semicondutora SC2, e uma terceira camada de passivação PVT3 que cobre a parede lateral interna do orifício HL da terceira peça emissora de luz LE3 e a superfície superior da terceira camada de eletrodo transparente 314. A primeira camada de passivação PVT1, a segunda camada de passivação PVT2 e a terceira camada de passivação PVT3 podem ser um material isolante incluindo pelo menos um selecionado do grupo que consiste em SiNx, TiNx, TiOx, TaOx, ZrOx, HfOx, AlOx e SiOx. Pela primeira camada de passivação PVT1, a segunda camada de passivação PVT2 e a terceira camada de passivação PVT3, pelo menos porções da camada semicondutora de tipo n comum COM_N e a terceira camada de semicondutor de tipo n 305 podem ser expostas.

[0133] O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir uma peça de adesão AD que liga a primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3 entre si entre a primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3. Por exemplo, a peça de adesão AD pode ser disposta para preencher entre a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2 disposta na camada semicondutora tipo n comum COM_N e preencher entre a primeira e segunda estruturas semicondutoras SC1 e SC2 e a terceira peça emissora de luz LE3. De acordo com uma modalidade, a peça de adesão AD pode ser disposta ao preencher o interior do orifício HL da terceira peça emissora de luz LE3.

[0134] De acordo com uma modalidade, a peça de adesão AD pode incluir um material que é transparente e tem uma condutividade elétrica e uma propriedade de ligação. Por exemplo, a peça de adesão AD pode incluir um material como TCO, ICA, ACA ou outros.

[0135] O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir uma camada dielétrica DL que circunda a parede lateral externa de cada um do primeiro eletrodo de passagem VE1 e o segundo eletrodo de passagem VE2. De acordo com uma modalidade, a camada dielétrica DL não pode ser disposta na parede lateral externa de cada uma do terceiro eletrodo de passagem VE3 e do quarto eletrodo de passagem VE4.

[0136] De acordo com uma modalidade, o terceiro eletrodo de passagem VE3 pode passar através da terceira camada de passivação PVT3 e ser colocado em contato elétrico com a terceira camada de eletrodo transparente 314. Como o terceiro eletrodo de passagem VE3 é isolado do lado de fora pela terceira camada de passivação PVT3, a camada dielétrica DL que envolve adicionalmente a parede lateral externa do terceiro por meio do eletrodo de passagem VE3 pode não ser necessária.

[0137] De acordo com uma modalidade, o quarto eletrodo de passagem VE4 pode passar através da terceira camada de passivação PVT3 preenchendo o orifício HL da terceira peça emissora de luz LE3, a terceira camada semicondutora tipo n 305 e a peça de adesão AD. Como o quarto eletrodo de passagem VE4 passa através do orifício HL que é preenchido com a terceira camada de passivação PVT3, a camada dielétrica DL que circunda a parede lateral externa do quarto eletrodo de passagem VE4 pode não ser necessária. Além disso, uma vez que a camada dielétrica DL não circunda a parede lateral externa do quarto eletrodo de passagem VE4, enquanto o quarto eletrodo de passagem VE4 passa através da terceira camada semicondutora tipo n 305, a parede lateral externa do quarto eletrodo de passagem VE4 pode ser colocado em contato elétrico com a terceira camada semicondutora tipo n 305 e, assim, uma área através da qual o quarto eletrodo de passagem VE4 e a terceira camada semicondutora tipo n 305 são colocadas em contato uma com a outra pode ser aumentada. O quarto eletrodo de passagem VE4 pode ser colocado em contato elétrico com a peça de adesão AD, que inclui um material com condutividade elétrica. A peça de adesão AD pode ser colocada em contato elétrico com a camada semicondutora de tipo n comum COM_N que é exposta entre a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda estrutura semicondutora SC2. Portanto, o pad comum CP pode ser eletricamente acoplado com a terceira camada semicondutora do tipo n 305, a peça de adesão AD e a segunda camada semicondutora do tipo n comum COM_N através do quarto eletrodo de passagem VE4.

[0138] Uma vez que os componentes e as características do dispositivo emissor de luz não serão descritos em detalhes com referência à Fig. 7 são iguais aos componentes e às características dos dispositivos emissores de luz que são descritos acima com referência às FigS. 1A, 1A, 3A, 3B, 4A, 4B, 5A, 5B e 6, as descrições detalhadas dos mesmos serão omitidas aqui.

[0139] As Figs. 8A e 8B são representações de exemplos de vistas em seção transversal para auxiliar na explicação de dispositivos emissores de luz de acordo com outras modalidades da invenção. Para as vistas superiores dos dispositivos emissores de luz das FigS. 8A e 8B, pode ser feita referência à Fig. 3A.

[0140] Referindo às Figs. 3A, 8A e 8B, um dispositivo emissor de luz pode incluir um substrato 100, uma primeira peça emissora de luz LE1 e uma segunda peça emissora de luz LE2 que estão dispostas no mesmo plano em uma primeira superfície 102 do substrato 100 e uma terceira peça emissora de luz de luz LE3 que está disposta sobre a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2. Uma segunda superfície 104 do substrato 100 que está voltada para longe da primeira superfície 102 pode ser uma superfície de extração de luz.

[0141] A primeira peça emissora de luz LE1 pode incluir uma primeira camada semicondutora do tipo n 105, uma primeira camada ativa 110, uma primeira camada semicondutora do tipo p 112 e uma primeira camada de eletrodo transparente 114 que são verticalmente empilhados. A segunda peça emissora de luz LE2 pode incluir uma segunda camada semicondutora do tipo n 205, uma segunda camada ativa 210, uma segunda camada semicondutora do tipo p 212 e uma segunda camada de eletrodo transparente

214, que são verticalmente empilhados. A terceira peça emissora de luz LE3 pode incluir um terceiro eletrodo transparente Camada 314, uma terceira camada semicondutora do tipo p 312, uma terceira camada ativa 310 e uma terceira camada semicondutora do tipo n 305 que são empilhadas verticalmente.

[0142] De acordo com uma modalidade mostrada na Fig. 8A, como o substrato 100, um substrato condutor, como Si, SiC ou outros, pode ser adotado. A primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz podem ser separadas uma da outra e uma porção do substrato 100 pode ser exposta pela primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2. A primeira peça emissora de luz LE1 pode ser ligada à primeira superfície 102 do substrato 100 por uma primeira camada de ligação BDL1. A segunda peça emissora de luz LE2 pode ser ligada à primeira superfície 102 do substrato 100 por uma segunda camada de ligação BDL2, por ser separada da primeira peça emissora de luz LE1. Por exemplo, cada uma da primeira camada de ligação BDL1 e da segunda camada de ligação BDL2 pode incluir um material condutor, tal como uma solda ou material de ligação metálico, por exemplo, Au, AuSn, CuSn ou outros, TCO, ICA ou ACA. A primeira camada semicondutora tipo n 105 da primeira peça emissora de luz LE1 pode ser eletricamente acoplada ao substrato 100 pela primeira camada de ligação BDL1 e a segunda camada semicondutora tipo n 205 da segunda peça emissora de luz LE2 pode ser eletricamente acoplada com o substrato 100 pela segunda camada de ligação BDL2. Por conseguinte, o substrato 100, a primeira camada semicondutora de tipo n 105 e a segunda camada semicondutora de tipo n 205 podem ser eletricamente acopladas uma à outra.

[0143] De acordo com outra modalidade mostrada na Fig. 8B, o o substrato 100 pode ser um substrato não condutor. A primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2 podem ser dispostas por serem separadas uma da outra e uma camada de ligação BDL pode ser disposta entre a primeira e a segunda peças emissoras de luz LE1 e LE2 e a primeira superfície 102 do substrato 100. Pela camada de ligação BDL, a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2 podem ser ligadas à primeira superfície 102 do substrato 100, por serem separadas uma da outra. Por exemplo, a camada de ligação BDL pode incluir um padrão de metal e um material condutor, como uma solda ou material de ligação metálico, por exemplo, Au, AuSn, CuSn ou outros, TCO, ICA ou ACA. A camada de ligação BDL pode ser eletricamente acoplada com a primeira camada semicondutora tipo n 105 da primeira peça emissora de luz LE1 e pode ser eletricamente acoplada com a segunda camada semicondutora tipo n 205 da segunda peça emissora de luz LE2. A camada de ligação BDL pode se estender entre a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2. Por conseguinte, a camada de ligação BDL, a primeira camada semicondutora tipo n 105 e a segunda camada semicondutora tipo n 205 podem ser eletricamente acopladas uma à outra.

[0144] Referindo às Figs. 8A e 8B, a terceira peça emissora de luz LE3 pode incluir um orifício HL que expõe uma porção da terceira camada semicondutora tipo n 305, por gravação das porções da terceira camada de eletrodo transparente 314, a terceira camada semicondutora tipo p 312 e a terceira camada ativa 310. Na Fig. 8A, o orifício HL da terceira peça emissora de luz LE3 pode ser uma posição correspondente a pelo menos uma porção do substrato 100 que está exposta entre a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2. Uma largura W1 do orifício HL pode ser menor do que uma largura W2 do substrato 100 que é exposto entre a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2. Na Fig. 8B, o orifício HL da terceira peça emissora de luz LE3 pode ser uma posição correspondente a pelo menos uma porção da camada de ligação BDL que está exposta entre a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2. Uma largura W1 do orifício HL pode ser menor do que uma largura W2 da camada de ligação BDL que é exposta entre a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2.

[0145] O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir uma peça de adesão AD que liga a primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3 entre si entre a primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3. Por exemplo, a peça de adesão AD pode ser disposta para preencher entre a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2 disposta no substrato 100 e preencher entre a primeira e segunda peças emissoras de luz LE1 e LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3. Por exemplo, a peça de adesão AD pode incluir um material como SOG, BCB, HSQ ou um fotorresiste SU-8, que é transparente e tem uma propriedade de ligação. De acordo com uma modalidade, o dispositivo emissor de luz pode ser disposto enquanto preenche o orifício HL da terceira peça emissora de luz LE3.

[0146] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um primeiro eletrodo VE1 e um primeiro pad P1 que são eletricamente acoplados com a primeira camada de eletrodo transparente 114, um segundo pad de passagem VE2 e um segundo pad P2 que são eletricamente acoplados com a segunda camada de eletrodo transparente 214, e um terceiro eletrodo de passagem VE3 e um terceiro pad P3 que são eletricamente acoplados com a terceira camada de eletrodo transparente 314. De acordo com um exemplo da Fig. 8A, o dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um quarto eletrodo de passagem VE4 e um pad comum CPD que acopla eletricamente a terceira camada semicondutora tipo n 305 e o substrato 100 e são, portanto, eletricamente acoplados com a primeira camada semicondutora tipo n 105, a segunda camada semicondutora tipo n 205 e a terceira camada semicondutora tipo n 305. De acordo com outro exemplo da Fig. 8B, o dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um quarto eletrodo de passagem VE4 e um pad comum CPD que acopla eletricamente a terceira camada semicondutora tipo n 305 e a camada de ligação BDL e são, portanto, eletricamente acoplados com a primeira camada semicondutora tipo n 105, a segunda camada semicondutora tipo n 205 e a terceira camada semicondutora tipo n 305.

[0147] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma camada de passivação PVT que está disposta na terceira camada semicondutora tipo n 305 e uma camada dielétrica DL que circunda a parede lateral externa de cada um do primeiro eletrodo de passagem VE1, o segundo eletrodo de passagem VE2 e o terceiro eletrodo de passagem VE3.

[0148] De acordo com uma modalidade, o CPD de pad comum pode passar através da camada de passivação PVT e ser colocado em contato elétrico com a terceira camada semicondutora tipo n

305. O quarto eletrodo de passagem VE4 que é eletricamente acoplado com o pad comum CPD pode passar através da terceira camada semicondutora tipo n 305 e ser disposta no orifício HL da terceira peça emissora de luz LE3. Embora a camada dielétrica DL não esteja disposta na parede lateral externa do quarto eletrodo de passagem VE4, uma vez que a peça de adesão AD que inclui um material isolante está disposta no orifício HL da terceira peça emissora de luz LE3, o quarto eletrodo de passagem VE4 pode ser isolado da terceira camada ativa 310, da terceira camada semicondutora do tipo p 312 e da terceira camada de eletrodo transparente 314 da terceira peça emissora de luz LE3. Além disso, conforme a peça de adesão AD é preenchida entre a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2, o quarto eletrodo de passagem VE4 que é colocado em contato elétrico com o substrato 100 ou a camada de ligação BDL pode ser isolado do lado superfície da primeira peça emissora de luz LE1 e a superfície lateral da segunda peça emissora de luz LE2.

[0149] Uma vez que os componentes e as características do dispositivo emissor de luz não serão descritos em detalhes com referência às Figs. 8A e 8B são iguais aos componentes e às características dos dispositivos emissores de luz que são descritos acima com referência às FigS. 1A, 1B, 3A, 3B, 4A, 4B, 5A, 5B, 6, 7A e 7B, as descrições detalhadas dos mesmos serão omitidas aqui.

[0150] A seguir, um método para fabricar um dispositivo emissor de luz, de acordo com uma modalidade da invenção, será descrito. Na presente modalidade, um método para fabricar o dispositivo emissor de luz descrito acima com referência às FigS. 1A a 1D será descrito como um exemplo.

[0151] As Figs. 9A a 26A são representações de exemplos de vistas superiores para auxiliar na explicação de um método para a fabricação de um dispositivo emissor de luz de acordo com uma modalidade da invenção, e as FigS. 9B a 26B são vistas em seção transversal tomadas ao longo das linhas A-A’ das FigS. 9A a 26A.

[0152] Referindo às Figs. 9A e 9B, uma camada semicondutora tipo n comum COM_N pode ser crescida em um primeiro substrato

100.

[0153] O primeiro substrato 100 pode incluir uma primeira área AR1 onde uma primeira peça emissora de luz LE1 deve ser disposta e uma segunda área AR2 onde uma segunda peça emissora de luz LE2 deve ser disposta.

[0154] A camada semicondutora de tipo n comum COM_N pode ser formada usando um método de crescimento, como MOCVD (deposição de vapor químico orgânico de metal), MBE (epitaxi de feixe molecular), HVPE (epitaxi de fase de vapor de hidreto) e MOC (cloreto de metal orgânico).

[0155] Referindo às Figs. 10A e 10B, um primeiro padrão de máscara MS1 pode ser formado na camada semicondutora de tipo n comum COM_N de modo a expor a primeira área AR1 do primeiro substrato 100 e uma primeira camada ativa 110 e um primeiro tipo p a camada semicondutora 112 pode ser crescida sequencialmente na primeira área AR1. Por exemplo, o primeiro padrão de mascaramento MS1 pode incluir SiOx ou SiNx.

[0156] A primeira camada ativa 110 e a primeira camada semicondutora do tipo p 112 podem ser formadas usando um método de crescimento, como MOCVD, MBE, HVPE e MOC.

[0157] Depois de formar a primeira camada ativa 110 e a primeira camada semicondutora tipo p 112, o primeiro padrão de mascaramento MS1 pode ser removido.

[0158] Referindo às Figs. 11A e 11B, um segundo padrão de mascaramento MS2 pode ser formado na camada semicondutora de tipo n comum COM_N de modo a expor a segunda área AR2 do primeiro substrato 100 e uma segunda camada ativa 210 e uma segunda camada semicondutora tipo p 212 pode ser crescida sequencialmente na segunda área AR2. Por exemplo, o segundo padrão de mascaramento MS2 pode incluir um SiOx ou SiNx.

[0159] A segunda camada ativa 210 e a segunda camada semicondutora do tipo p 212 podem ser formadas usando um método de crescimento, como MOCVD, MBE, HVPE e MOC.

[0160] Depois de formar a segunda camada ativa 210 e a segunda camada semicondutora tipo p 212, o segundo padrão de mascaramento MS2 pode ser removido.

[0161] Referindo às Figs. 12A e 12B, uma primeira camada de eletrodo transparente 114 e uma segunda camada de eletrodo transparente 214 podem ser formadas na primeira camada semicondutora tipo p 112 e na segunda camada semicondutora tipo p 212, respectivamente.

[0162] Por exemplo, uma camada de material de eletrodo transparente pode ser formada no primeiro substrato 100 que é formado com a primeira camada semicondutora tipo p 112 e a segunda camada semicondutora tipo p 212, usando um processo de deposição geralmente conhecido na técnica, por exemplo, um processo de deposição de vapor químico (CVD) ou de deposição de vapor físico (PVD). Um terceiro padrão de mascaramento (não mostrado) pode ser formado na camada de material de eletrodo transparente e, gravando a camada de material de eletrodo transparente usando o terceiro padrão de mascaramento como uma máscara de gravação, a primeira camada de eletrodo transparente 114 e a segunda camada de eletrodo transparente 214 podem ser formadas, respectivamente. Depois de formar a primeira camada de eletrodo transparente 114 e a segunda camada de eletrodo transparente 214, o terceiro padrão de mascaramento pode ser removido.

[0163] Por este fato, uma primeira estrutura semicondutora SC1 incluindo a primeira camada ativa 110, a primeira camada semicondutora tipo p 112 e a primeira camada de eletrodo transparente 114 e uma segunda estrutura semicondutora SC2 incluindo a segunda camada ativa 210, a segunda camada semicondutora tipo p 212 e a segunda camada de eletrodo transparente 214 podem ser formadas, respectivamente, na camada semicondutora de tipo n comum COM_N.

[0164] Como consequência, a primeira peça emissora de luz LE1 incluindo a camada semicondutora de tipo n comum COM_N e a primeira estrutura semicondutora SC1 e a segunda peça emissora de luz LE2 incluindo a camada semicondutora de tipo n comum COM_N e a segunda estrutura semicondutora SC2 podem ser respectivamente formadas no primeiro substrato 100.

[0165] Referindo às Figs. 13A e 13B, uma terceira camada semicondutora tipo n 305, uma terceira camada ativa 310 e uma terceira camada semicondutora tipo p 312 podem ser formadas em um segundo substrato 300 usando um método de crescimento, como MOCVD, MBE, HVPE e MOC.

[0166] Referindo às Figs. 14A e 14B, gravando a terceira camada semicondutora tipo p 312 e a terceira camada ativa 310, um orifício HL que expõe a terceira camada semicondutora tipo n

305 pode ser formado. Por exemplo, durante um processo de gravação, uma porção da terceira camada semicondutora tipo n 305 pode ser gravada.

[0167] Referindo às Figs. 15A e 15B, o primeiro eletrodo ôhmico OL1 pode ser formado no orifício HL.

[0168] Por exemplo, uma primeira camada ôhmica (não mostrada) pode ser conformalmente formada na terceira camada semicondutora de tipo p 312, na terceira camada ativa 310 e na terceira camada semicondutora de tipo n 305 que são formadas com o orifício HL. Por exemplo, a primeira camada ôhmica pode incluir uma liga Au/Be. Ao gravar a primeira camada ôhmica de modo que a primeira camada ôhmica seja colocada em contato elétrico com a terceira camada semicondutora tipo n 305 no orifício HL, o primeiro padrão ôhmico OL1 pode ser formado. Depois de formar o primeiro padrão ôhmico OL1, o recozimento de 400ºC ou superior pode ser realizado.

[0169] De acordo com uma modalidade, o primeiro padrão ôhmico OL1 pode ser formado para ser separado da terceira camada ativa 310 e da terceira camada semicondutora tipo p 312 que formam a parede lateral interna do orifício HL.

[0170] Referindo às Figs. 16A e 16B, o terceiro padrão ôhmico OL3 pode ser formado na terceira camada semicondutora tipo p

312.

[0171] Por exemplo, a segunda camada ôhmica (não mostrada) pode ser conformalmente formada na terceira camada semicondutora tipo p 312. Por exemplo, a segunda camada ôhmica pode incluir uma liga de Au/Ge. A gravar a segunda camada ôhmica OL2, o segundo padrão ôhmico OL2 pode ser formado na terceira camada semicondutora tipo p 312. Depois de formar o segundo padrão ôhmico OL2, o recozimento de 400ºC ou superior pode ser realizado.

[0172] Por este fato, uma terceira peça emissora de luz LE3 incluindo a terceira camada semicondutora de tipo n 305, a terceira camada ativa 310, a terceira camada semicondutora de tipo p 312, o primeiro padrão ôhmico OL1 e o segundo padrão ôhmico OL2 podem ser formados.

[0173] Referindo às Figs. 17A e 17B, virando o segundo substrato 300, o primeiro padrão ôhmico OL1 e o segundo padrão ôhmico OL2 podem ser dispostos de frente para a primeira camada de eletrodo transparente 114 e a segunda camada de eletrodo transparente 214 do primeiro substrato 100.

[0174] Depois de aplicar uma peça de adesão AD no primeiro substrato 100 e colocar o segundo substrato 300, através da realização de tratamento térmico, a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2 no primeiro substrato 100 e a terceira peça emissora de luz LE3 no o segundo substrato 300 pode ser ligado um ao outro. A peça de adesão AD pode incluir um material que é transparente e tem uma propriedade de ligação, como SOG, BCB, HSQ ou um fotorresiste SU-8.

[0175] Em sucessão, o segundo substrato 300 pode ser removido por meio de processo de remoção a laser (LLO).

[0176] Referindo às Figs. 18A e 18B, uma camada de passivação PVT pode ser formada na terceira camada semicondutora tipo n

305. A camada de passivação PVT pode incluir um material isolante como SiOx ou SiNx.

[0177] Referindo às Figs. 19A e 19B, depois de formar um quarto padrão de mascaramento (não mostrado) na camada de passivação PVT, usando o quarto padrão de mascaramento como uma máscara de corrosão, um primeiro orifício de passagem VA1 que expõe a primeira camada de eletrodo transparente 114, um segundo orifício de passagem VA2 que expõe a segunda camada de eletrodo transparente 214, um terceiro orifício de passagem VA3 que expõe o segundo padrão ôhmico OL2, um quarto orifício de passagem VA4 que expõe o primeiro padrão ôhmico OL1 e um quinto orifício de passagem VA5 que expõe a camada semicondutora tipo n comum COM_N pode ser formado.

[0178] Por exemplo, no caso em que o substrato 100 é quadrangular, o primeiro orifício de passagem VA1, o segundo orifício de passagem VA2, o terceiro orifício de passagem VA3 e o quarto orifício de passagem VA4 podem ser formados nos cantos do substrato 100 e o quinto orifício de passagem VA5 pode ser formado no centro do substrato 100.

[0179] O quarto padrão de mascaramento MS4 pode incluir um fotorresiste. Depois de formar o primeiro orifício de passagem VA1, o segundo orifício de passagem VA2, o terceiro orifício de passagem VA3, o quarto orifício de passagem VA4 e o quinto orifício de passagem VA5, o quarto padrão de mascaramento podem ser removidos.

[0180] Referindo às Figs. 20a e 20b, uma camada dielétrica DL pode ser conformalmente formada na primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3 que são formadas com o primeiro orifício de passagem VA1, o segundo orifício de passagem VA2, a o terceiro orifício de passagem VA3, o quarto orifício de passagem VA4 e o quinta orifício de passagem VA5, usando um processo de deposição de camada atômica (ALD) ou um processo CVD aprimorado por plasma (PECVD). A camada dielétrica DL pode incluir um material que tem uma seletividade de gravação com relação à camada de passivação PVT para um corrosivo. Por exemplo, no caso em que a camada de passivação PVT inclui SiOx, a camada dielétrica DL pode incluir pelo menos um selecionado do grupo que consiste em SiNx, TiNx, TiOx, TaOx, ZrOx e HfOx.

[0181] Em sucessão, gravando anisotropicamente a camada dielétrica DL sem uma máscara, a camada dielétrica DL que é formada na camada de passivação PVT e os fundos do primeiro orifício de passagem VA1, o segundo orifício de passagem VA2, o terceiro orifício de passagem VA3, o quarto orifício de passagem VA4 e o quinto orifício de passagem VA5 podem ser gravados, e a camada dielétrica DL pode permanecer na parede lateral interna de cada um do primeiro orifício de passagem VA1, o segundo orifício de passagem VA2, o terceiro orifício de passagem VA3, o quarto orifício de passagem VA4 e o quinto orifício de passagem VA5.

[0182] Referindo às Figs. 21A e 21B, os padrões de metal podem ser formados no fundo do primeiro orifício de passagem VA1, o segundo orifício de passagem VA2, o terceiro orifício de passagem VA3, o quarto orifício de passagem VA4 e o quinto orifício de passagem VA5 que são formados com a camada dielétrica DL e na camada de passivação PVT, usando um processo de deposição anisotrópica, como um processo de pulverização catódica. Cada um dos padrões de metal pode incluir uma liga de Cr/Al, Cr/Au ou Ti/Al.

[0183] Os padrões de metal podem incluir um primeiro padrão de metal M1 que é formado na parte inferior do primeiro orifício de passagem VA1, um segundo padrão de metal M2 que é formado na parte inferior do segundo orifício de passagem VA2, um terceiro padrão de metal M3 que é formado na parte inferior do terceiro orifício de passagem VA3, um quarto padrão de metal M4 que é formado na parte inferior do quarto orifício de passagem VA4, um quinto padrão de metal M5 que é formado na parte inferior do quinto orifício de passagem VA5 e um sexto padrão de metal M6 que é formado na camada de passivação PVT.

[0184] Referindo às Figs. 22A e 22B, uma camada tampão BL e uma camada de semente SL podem ser sequencialmente formadas conformalmente na primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3 que são formadas com o primeiro padrão de metal M1, o segundo padrão de metal M2, o terceiro padrão de metal M3, o quarto padrão de metal M4, o quinto padrão de metal M5 e o sexto padrão de metal M6. A camada tampão BL pode incluir uma liga Ta, uma liga TiW ou uma liga TiNi. A camada de semente SL pode incluir Cu. De acordo com uma modalidade, a camada tampão BL e a camada de semente SL podem ser conformadas enquanto não enterram o primeiro orifício de passagem VA1, o segundo orifício de passagem VA2, o terceiro orifício de passagem VA3, o quarto orifício de passagem VA4 e o quinto orifício de passagem VA5 que são formados com o primeiro padrão de metal M1, o segundo padrão de metal M2, o terceiro padrão de metal M3, o terceiro padrão de metal M3, o quarto padrão de metal M4 e o quinto padrão de metal M5, respectivamente.

[0185] Referindo às Figs. 23A e 23B, um quinto padrão de mascaramento MS5 pode ser formado na camada SL. O quinto padrão de mascaramento MS5 pode incluir um fotorresiste. O quinto padrão de mascaramento MS5 pode incluir aberturas que expõem o primeiro orifício de passagem VA1, o segundo orifício de passagem VA2, o terceiro orifício de passagem VA3, o quarto orifício de passagem VA4 e o quinto orifício de passagem VA5 que são formados com a camada de semente SL.

[0186] As aberturas podem incluir uma primeira abertura OP1 que expõe o primeiro orifício de passagem VA1, uma segunda abertura OP2 que expõe o segundo orifício de passagem VA2, uma terceira abertura OP3 que expõe o terceiro orifício de passagem VA3 e uma quarta abertura OP4 que expõe juntos o quarto via orifício de passagem VA4 e o quinto orifício de passagem VA5.

[0187] Por exemplo, no caso em que o primeiro orifício de passagem VA1, o segundo orifício de passagem VA2, o terceiro orifício de passagem VA3 e o quarto orifício de passagem VA4 são formados nos cantos do substrato 100 e o quinto orifício de passagem VA5 é formado no centro do substrato 100, a primeira abertura OP1, a segunda abertura OP2 e a terceira abertura OP3 podem ser formadas, respectivamente, nos cantos do substrato 100, e a quarta abertura OP4 pode ter uma estrutura que se estende de um canto ao centro do substrato

100.

[0188] Referindo às Figs. 24A e 24B, através de um processo de galvanização usando a camada de semente SL, camadas de eletrodo que enterram o primeiro orifício de passagem VA1, o segundo orifício de passagem VA2, o terceiro orifício de passagem VA3, o quarto orifício de passagem VA4 e o quinto orifício de passagem VA5 e preenchem o a primeira abertura OP1, a segunda abertura OP2, a terceira abertura OP3 e a quarta abertura OP4 podem ser formadas, respectivamente.

[0189] As camadas de eletrodo podem incluir uma primeira camada de eletrodo EL1 que preenche o primeiro orifício de passagem VA1 e a primeira abertura OP1, uma segunda camada de eletrodo EL2 que preenche o segundo orifício de passagem VA2 e a segunda abertura OP2, uma terceira camada de eletrodo EL3 que preenche o terceiro orifício de passagem VA3 e a terceira abertura OP3 e uma quarta camada de eletrodo EL4 que preenche o quarto orifício de passagem VA4, o quinto orifício de passagem VA5 e a quarta abertura OP4.

[0190] Seletivamente, uma vez que as camadas de eletrodo EL1, EL2, EL3 e EL4 são formadas por meio de um processo de galvanização, elas podem ser formadas para serem mais altas do que o quinto padrão de mascaramento MS5. Assim, ao processar as superfícies superiores das camadas de eletrodo EL1, EL2, EL3 e EL4 através do uso de um processo de polimento, tal como um processo de polimento mecânico químico (CMP), cada uma das camadas de eletrodo EL1, EL2, EL3 e EL4 pode ter uma superfície superior no mesmo nível que a superfície do quinto padrão de mascaramento MS5.

[0191] Referindo às Figs. 25A e 25B, as estruturas de solda podem ser formadas nas camadas de eletrodo EL1, EL2, EL3 e EL4, respectivamente.

[0192] As estruturas de solda podem ser formadas respectivamente em áreas que são definidas pelo quinto padrão de mascaramento MS5, ou seja, nas camadas de eletrodo EL1, EL2, EL3 e EL4. As estruturas de solda podem incluir uma primeira estrutura de solda SS1 que é formada na primeira camada de eletrodo EL1, uma segunda estrutura de solda SS2 que é formada na segunda camada de eletrodo EL2, uma terceira estrutura de solda SS3 que é formada na terceira camada de eletrodo EL3 e uma quarta estrutura de solda SS4 que é formada na quarta camada de eletrodo EL4.

[0193] De acordo com uma modalidade, nas estruturas de solda SS1, SS2, SS3 e SS4, as esferas de solda SD que incluem podem ser formadas respectivamente por meio de um processo de galvanização. Uma camada de barreira BRL que inclui Ni, Ti, Cr ou outros pode ser formada antes de formar as esferas de solda SD.

[0194] Seletivamente, o processo de formação das estruturas de solda SS1, SS2, SS3 e SS4 pode ser omitido.

[0195] Referindo às Figs. 26A e 26B, após a remoção do quinto padrão de mascaramento MS5, gravando a camada de semente SL e o sexto padrão de metal M6, um primeiro eletrodo de passagem VE1, um primeiro pad PD1, um segundo eletrodo de passagem VE2, um segundo pad PD2, um terceiro eletrodo de passagem VE3, um terceiro pad PD3, um quarto eletrodo de passagem VE4, um quinto eletrodo de passagem VE5 e um pad comum CPD podem ser formados.

[0196] O primeiro eletrodo de passagem VE1 pode enterrar o primeiro orifício de passagem VA1 e incluir a camada de barreira BL, a camada de semente SL e a primeira camada de eletrodo EL1, e o primeiro pad PD1 pode se estender do primeiro eletrodo de passagem VE1, enterrar a primeira abertura OP1 e incluem a camada de barreira BL, a camada de semente SL e a primeira camada de eletrodo EL. O segundo eletrodo de passagem VE2 pode enterrar o segundo orifício de passagem VA2 e incluir a camada de barreira BL, a camada de sementes SL e a segunda camada de eletrodo EL2 e o segundo pad PD2 pode se estender do segundo eletrodo de passagem VE2,

enterrar a segunda abertura OP2 e incluem a camada de barreira BL, a camada de semente SL e a segunda camada de eletrodo EL2. O terceiro eletrodo de passagem VE3 pode enterrar o terceiro orifício de passagem VA3 e incluir a camada de barreira BL, a camada de semente SL e a terceira camada de eletrodo EL3, e o terceiro pad PD3 pode se estender do terceiro eletrodo de passagem VE3, enterrar a terceira abertura OP3 e incluem a camada de barreira BL, a camada de semente SL e a terceira camada de eletrodo EL3. O quarto eletrodo de passagem VE4 pode enterrar o quarto orifício de passagem VA4 e incluir a camada de barreira BL, a camada de semente SL e a quarta camada de eletrodo EL4; o quinto eletrodo de passagem VE5 pode enterrar o quinto orifício de passagem VA5 e incluir a camada de barreira BL, a camada de semente SL e a quarta camada de eletrodo EL4; e o pad comum CPD pode se estender do quarto eletrodo de passagem VE4 e o quinto eletrodo de passagem VE5, enterrar a quarta abertura OP4 e incluir a camada de barreira BL, a camada de semente SL e a quarta camada de eletrodo EL4.

[0197] No caso em que as estruturas de solda SS1, SS2, SS3 e SS4 não são formadas nos processos descritos acima com referência às Figs. 9A a 26A e 9B a 26B, o dispositivo emissor de luz mostrado na Fig. 1B pode ser concluído. Ao contrário disso, no caso em que as estruturas de solda SS1, SS2, SS3 e SS4 são formadas nos processos descritos acima com referência às Figs. 9A a 26A e 9B a 26B, o dispositivo emissor de luz mostrado na Fig. 1D pode ser concluído.

[0198] Enquanto isso, alternativamente, os processos para formar o primeiro eletrodo de passagem VE1, a segundo eletrodo de passagem VE2, a terceiro eletrodo de passagem VE3, o quarto eletrodo de passagem VE4, o quinto eletrodo de passagem VE5, o primeiro pad PD1, o segundo pad PD2, o terceira pad PD3 e o pad comum CPD podem ser realizados como processos a serem descritos abaixo.

[0199] As Figs. 27 e 28 são representações de exemplos de vistas em seção transversal para auxiliar na explicação de um método para a fabricação de um dispositivo emissor de luz de acordo com outra modalidade da invenção.

[0200] Como descrito acima com referência às Figs. 9A a 24A e 9B a 24B, a primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2, a peça de adesão AD, a terceira peça emissora de luz LE3, a camada de passivação PVT, a camada de barreira BL, a camada de semente SL, a primeira camada de eletrodo EL1 que preenche o primeiro orifício de passagem VA1, a segunda camada de eletrodo EL2 que preenche o segundo orifício de passagem VA2, a terceira camada de eletrodo EL3 que preenche o terceiro orifício de passagem VA3 e a quarta camada de eletrodo EL4 que preenche o quarto orifício de passagem VA4 e a quinta camada de eletrodo EL5 que preenche o quinto orifício de passagem VA5 podem ser formadas.

[0201] Referindo à Fig. 27, gravando ou polindo a primeira camada de eletrodo EL1, a segunda camada de eletrodo EL2, a terceira camada de eletrodo EL3, a quarta camada de eletrodo EL4, a quinta camada de eletrodo EL5, o quinto padrão de mascaramento MS5, a camada de semente SL e a camada de barreira BL, um primeiro eletrodo de passagem VE1, um segundo eletrodo de passagem VE2, um terceiro eletrodo de passagem VE3, um quarto eletrodo de passagem VE4 e uma quinta camada de eletrodo EL5 podem ser formados, respectivamente.

[0202] Neste caso, a camada de passivação PVT pode servir como uma rolha de corrosão (ou polimento) no processo de corrosão ou polimento da primeira camada de eletrodo EL1, a segunda camada de eletrodo EL2, a terceira camada de eletrodo EL3, a quarta camada de eletrodo EL4, o quinto padrão de mascaramento MS5, a camada de semente SL e a camada de barreira BL.

[0203] Referindo à Fig. 28, um primeiro pad PD1 que é eletricamente acoplado com o primeiro eletrodo de passagem VE1, um segundo pad PD2 que é eletricamente acoplado com a segundo eletrodo de passagem VE2, um terceiro pad PD3 que é eletricamente acoplado com a terceiro eletrodo de passagem VE3 e um pad comum CPD que é eletricamente acoplado com o quarto eletrodo de passagem VE4 e o quinto eletrodo de passagem VE5 pode ser formado respectivamente na camada de passivação PVT.

[0204] No caso de usar os processos das Figs. 27 e 28, o dispositivo emissor de luz mostrado na Fig. 1C pode ser concluído.

[0205] As Figs. 29 e 30 são representações de exemplos de vistas em seção transversal para auxiliar na explicação de um método para a montagem de dispositivos emissores de luz em uma placa de montagem 100 de acordo com uma modalidade da invenção.

[0206] Referindo à Fig. 29, uma pluralidade de dispositivos emissores de luz LEDs que são formados através das Figs. 9A a 26A e 9B a 26B pode ser montada a uma placa de montagem alvo MB.

[0207] Os pads de colagem BPD que devem ser eletricamente ligados com o primeiro pad PD1, o segundo pad PD2, o terceiro pad PD3 e o pad comum CPD, respectivamente, podem ser formados na placa de montagem MB. Os pads de ligação BPD podem ser formados para corresponder às posições onde os dispositivos emissores de luz LEDs devem ser montados.

[0208] Por exemplo, as estruturas de solda SS1, SS2, SS3 e SS4 podem ser formadas no primeiro pad PD1, no segundo pad PD2, no terceiro pad PD3 e no pad comum CPD, respectivamente. Por outro lado, as estruturas de solda podem ser formadas, respectivamente, nos pads de ligação BPD da placa de montagem

100.

[0209] O primeiro substrato 100 que é formado com a pluralidade de dispositivos emissores de luz LED pode ser virado e, assim, os dispositivos emissores de luz LEDs podem ser posicionados de frente para a placa de montagem MB que é formada com os pads de ligação BPD.

[0210] Um padrão de mascaramento MSK que expõe dispositivos emissores de luz LEDs a serem separados do primeiro substrato 100 pode ser formado no primeiro substrato 100 revirado.

[0211] Referindo à Fig. 30, ao realizar um processo seletivo de remoção a laser (LLO) para o primeiro substrato 100 através do uso do padrão de mascaramento MSK, os dispositivos emissores de luz LEDs, que são dispostos para facear as posições de montagem alvo da placa de montagem MB, podem ser separados do primeiro substrato 100. Uma distância de separação entre os dispositivos emissores de luz LEDs separados pode ser alterada dependendo da placa de montagem MB, e para evitar que os dispositivos emissores de luz LEDs caiam, o LLO seletivo pode ser realizado após os dispositivos emissores de luz LEDs serem ligados à placa de montagem MB, em que os dispositivos emissores de luz LEDs podem ser montados de forma mais estável nas posições desejadas. Em uma modalidade, o padrão de mascaramento MSK que define as posições de incidente de laser pode ser omitido no processo LLO seletivo.

[0212] O primeiro pad PD1, o segundo pad PD2, o terceiro pad PD3 e o pad CPD comum de cada um dos dispositivos emissores de luz LEDs podem ser respectivamente ligados com os pads de ligação BPD pelas estruturas de solda SS1, SS2, SS3, e SS4. Desta forma, os dispositivos emissores de luz LEDs podem ser montados na placa de montagem MB.

[0213] Se todos os dispositivos emissores de luz LEDs são montados em posições alvo, o primeiro substrato 100 pode ser separado dos dispositivos emissores de luz LEDs sem realizar um processo separadamente para a remoção do primeiro substrato

100.

[0214] Embora várias modalidades tenham sido descritas acima, será entendido para aqueles especialistas na técnica que as modalidades descritas são apenas a título de exemplo. Consequentemente, a invenção aqui descrita não deve ser limitada com base nas modalidades descritas.

Claims

REIVINDICAÇÕES

1. Dispositivo emissor de luz, caracterizado por compreender uma primeira peça emissora de luz tendo uma primeira área, uma segunda peça emissora de luz tendo uma segunda área, e uma terceira peça emissora de luz tendo uma terceira área, em que a primeira peça emissora de luz está disposta no mesmo plano que a segunda peça emissora de luz, em que a terceira peça emissora de luz está disposta sobre a primeira e a segunda peças emissoras de luz, e em que a terceira área é maior do que cada uma das primeira e segunda áreas.

2. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato de que a primeira peça emissora de luz inclui uma primeira camada semicondutora do tipo condutividade e uma primeira estrutura semicondutora incluindo uma primeira camada ativa e uma primeira camada semicondutora do tipo segunda condutividade disposta na primeira camada semicondutora do tipo primeira condutividade, em que a segunda peça emissora de luz inclui a primeira camada semicondutora do tipo condutividade e uma segunda estrutura semicondutora que está disposta na primeira camada semicondutora do tipo primeira condutividade para ser separada da primeira estrutura semicondutora e inclui uma segunda camada ativa e uma segunda camada semicondutora do tipo de segunda condutividade, e em que a terceira peça emissora de luz está disposta para ser separada da primeira e segunda peças emissores de luz e inclui uma terceira camada semicondutora tipo primeira condutividade, uma terceira camada ativa e uma terceira camada semicondutora tipo segunda condutividade.

3. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 2, caracterizado ainda por compreender um primeiro pad eletricamente acoplado com a primeira camada semicondutoras do tipo segunda condutividade, um segundo pad eletricamente acoplado com a segunda camada semicondutora tipo segunda condutividade, um terceiro pad eletricamente acoplado com a terceira camada semicondutora tipo segunda condutividade, e um pad comum eletricamente acoplado em comum a primeira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade e a terceira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade.

4. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 3, caracterizado ainda por compreender um primeiro eletrodo de passagem eletricamente acoplado com a primeira camada semicondutora tipo segunda condutividade e o primeiro pad, um segundo eletrodo de passagem eletricamente acoplado com a segunda camada semicondutora tipo segunda condutividade e o segundo pad, um terceiro eletrodo de passagem eletricamente acoplado com a terceira camada semicondutora tipo segunda condutividade e o terceiro pad, um quarto eletrodo de passagem eletricamente acoplado com a primeira camada semicondutora do tipo condutividade que é exposta entre a primeira e a segunda estruturas semicondutoras e o pad comum, e um quinto eletrodo de passagem eletricamente acoplado com a terceira camada semicondutora tipo primeira condutividade e o pad comum.

5. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 3, caracterizado ainda por compreender um primeiro eletrodo de passagem eletricamente acoplado com a primeira camada semicondutora tipo segunda condutividade e o primeiro pad,

um segundo eletrodo de passagem eletricamente acoplado com a segunda camada semicondutora tipo segunda condutividade e o segundo pad, um terceiro eletrodo de passagem eletricamente acoplado com a terceira camada semicondutora tipo segunda condutividade e o terceiro pad, um quarto eletrodo de passagem eletricamente acoplado com a primeira e a terceira camadas semicondutoras do tipo primeira condutividade e o pad comum, em que o quarto eletrodo de passagem através da terceira camada semicondutora do tipo primeira condutividade e está eletricamente conectado à primeira camada semicondutora do tipo primeira condutividade exposta entre a primeira e a segunda estruturas semicondutoras.

6. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 5, caracterizado ainda por compreender um preenchimento de peça de adesão entre a primeira e a segunda peças emissoras de luz e a terceira peça emissora de luz e entre a primeira e a segunda estruturas semicondutoras e ligando a primeira e a segunda peças emissoras de luz e a terceira peça emissora de luz.

7. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 6, caracterizado ainda por compreender uma camada dielétrica circundando as paredes laterais externas do primeiro ao quarto padrões, em que o quarto padrão de passagem passa através da terceira peça emissora de luz e da peça de adesão, uma superfície do quarto padrão de passagem é colocada em contato com a primeira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade que é exposta entre a primeira e a segunda estruturas semicondutoras, e outra superfície do quarto padrão é colocada em contato com o pad comum, e em que o pad comum é colocada em contato elétrico com a terceira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade.

8. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 6, caracterizado pelo fato de que a terceira peça emissora de luz inclui um orifício que expõe a terceira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade, e em que o orifício tem uma largura menor do que uma largura da primeira camada semicondutora do tipo condutividade que é exposta entre a primeira e a segunda estruturas semicondutoras, em uma posição correspondente à primeira camada semicondutora do tipo primeira condutividade que é exposta entre a primeira e segundas estruturas semicondutoras.

9. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 8, caracterizado pelo fato de que o orifício está disposto entre a terceira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade e a primeira camada semicondutora do tipo condutividade, e a peça de adesão preenche o orifício, e em que o quarto padrão de passagem passa através da terceira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade e a peça de adesão, uma superfície do quarto padrão de passagem é colocada em contato com o pad comum, a outra superfície voltada para longe da superfície é colocada em contato com a primeira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade e uma parede lateral do quarto padrão de passagem são colocadas em contato com a terceira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade.

10. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 8, caracterizado ainda por compreender uma camada dielétrica preenchendo o orifício, em que o orifício está disposto entre o pad comum e a terceira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade, e em que o quarto padrão de passagem passa através da camada dielétrica e a terceira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade, uma parede lateral superior do quarto padrão de passagem é colocada em contato com a camada dielétrica, uma parede lateral média do quarto padrão de passagem é colocada em contato com a terceira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade, uma parede lateral inferior do quarto padrão de passagem é colocada em contato com a peça de ligação, uma superfície do quarto padrão de passagem é colocada em contato com o pad comum e a outra superfície voltada para longe do uma superfície é colocada em contato com a primeira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade que é exposta entre a primeira e a segunda estruturas semicondutoras.

11. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 6, caracterizado pelo fato de que a terceira peça emissora de luz inclui um orifício que expõe a terceira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade, e em que o orifício tem uma largura menor do que uma largura da primeira camada semicondutora do tipo condutividade que é exposta entre a primeira e a segunda estruturas semicondutoras, em uma posição correspondente à primeira camada semicondutora do tipo primeira condutividade que é exposta entre a primeira e segundas estruturas semicondutoras.

12. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 11, caracterizado pelo fato de que o orifício está voltado para a primeira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade que é exposta entre a primeira e a segunda estruturas semicondutoras, e em que a peça de adesão se estende para o orifício e é colocada em contato com a terceira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade e se estende entre a primeira e a segunda estruturas semicondutoras e é colocada em contato com a primeira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade.

13. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 12, caracterizado por o quarto padrão de passagem ser colocado em contato com pelo menos porções da terceira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade e a peça de adesão.

14. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 13, caracterizado por o quarto padrão de passagem passar através da terceira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade e uma parede lateral do quarto padrão de passagem ser colocada em contato com a terceira camada semicondutora do tipo primeira condutividade.

15. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 11, caracterizado ainda por compreender uma camada dielétrica preenchendo o orifício, em que o orifício está disposto entre o pad comum e a terceira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade, e em que o quarto padrão de passagem passa através da camada dielétrica e passa através de pelo menos porções da terceira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade e a peça de adesão, e uma porção do quarto padrão de passagem é colocada em contato com a terceira camada semicondutora do tipo primeira condutividade.

16. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado ainda por compreender um substrato no qual a primeira e a segunda peças emissoras de luz estão dispostas para serem separadas uma da outra, e uma camada de ligação ligando o substrato e a primeira e a segunda peças emissoras de luz e incluindo um material condutor.

17. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 16, caracterizado pelo fato de que a primeira peça emissora de luz inclui uma primeira camada semicondutora do tipo primeira condutividade, uma primeira camada ativa e uma primeira camada semicondutora do tipo segunda condutividade, em que a segunda peça emissora de luz inclui uma segunda camada semicondutora do tipo de primeira condutividade, uma segunda camada ativa e uma segunda camada semicondutora do tipo de segunda condutividade, e em que a terceira peça emissora de luz inclui uma terceira camada semicondutora do tipo primeira condutividade, uma terceira camada ativa e uma terceira camada semicondutora do tipo segunda condutividade.

18. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 17, caracterizado por a camada de ligação acoplar eletricamente a primeira camada semicondutora do tipo de primeira condutividade e a segunda camada semicondutora do tipo de primeira condutividade.

19. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 18, caracterizado ainda por compreender um primeiro pad eletricamente acoplado com a primeira camada semicondutoras do tipo segunda condutividade, um segundo pad eletricamente acoplado com a segunda camada semicondutora tipo segunda condutividade, um terceiro pad eletricamente acoplado com a terceira camada semicondutora tipo segunda condutividade, e um pad comum eletricamente acoplado com a camada de ligação.

20. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 17, caracterizado pelo fato de que a camada de ligação compreende uma primeira camada de ligação disposta entre a primeira camada semicondutora do tipo de condutividade e o substrato, e uma segunda camada de ligação disposta entre a segunda camada semicondutora do tipo de primeira condutividade e o substrato, e em que cada uma das primeira e segunda camadas de ligação é eletricamente acoplada ao substrato.

21. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 20, caracterizado ainda por compreender um primeiro pad eletricamente acoplado com a primeira camada semicondutoras do tipo segunda condutividade, um segundo pad eletricamente acoplado com a segunda camada semicondutora tipo segunda condutividade, um terceiro pad eletricamente acoplado com a terceira camada semicondutora tipo segunda condutividade, e um pad comum eletricamente acoplado ao substrato.