BR112021008501A2 - Dispositivo emissor de luz - Google Patents
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Abstract
dispositivo emissor de luz. a invenção compreende uma primeira unidade emissora de luz com uma camada semicondutora do tipo 1-1, uma primeira camada ativa e uma camada semicondutora do tipo 1-2; uma segunda unidade emissora de luz disposta na primeira unidade, com uma camada semicondutora do tipo 2-1, uma segunda camada ativa e uma camada semicondutora do tipo 2-2; uma terceira unidade emissora de luz disposta na segunda unidade, com uma camada semicondutora do tipo 3-1, uma terceira camada ativa e uma camada semicondutora do tipo 3-2; um primeiro padrão condutor com uma primeira peça disposta dentro da segunda unidade, eletricamente conectada a pelo menos uma das camadas semicondutoras dos tipos 1-1, 1-2, 2-1 e 2-2, e uma segunda porção que se estende da primeira porção para uma superfície da segunda unidade, entre a segunda e a terceira unidades; e um segundo padrão condutor disposto na terceira unidade emissora de eletricamente conectada ao primeiro padrão, em que o segundo padrão condutor compreende uma área que pelo menos parcialmente se sobrepõe à segunda porção do primeiro padrão condutor.
Description
DISPOSITIVO EMISSOR DE LUZ Campo de Aplicação
[001] A invenção se refere a um dispositivo emissor de luz e, mais particularmente, a um dispositivo emissor de luz em que uma pluralidade de camadas emissoras de luz são empilhadas.
Estado Da Técnica
[002] Diodos emissores de luz como fontes de luz inorgânica estão sendo amplamente usados em vários campos, como dispositivo de exibição, lâmpadas de veículo e iluminação geral. Os diodos emissores de luz estão substituindo rapidamente as fontes de luz existentes devido sua vida útil mais longa, menor consumo de energia e maior velocidade de resposta do que as fontes de luz existentes.
[003] Em particular, um dispositivo de exibição geralmente implementa várias cores geral usando cores misturadas de azul, verde e vermelho. Cada pixel do dispositivo de exibição inclui subpixels de azul, verde e vermelho, a cor de um pixel específico é determinada pela cor desses subpixels e uma imagem é exibida por uma combinação desses pixels.
[004] Os diodos emissores de luz convencionais têm sido usados principalmente como fonte de luz de fundo em aparelhos de exibição. No entanto, recentemente, um visor de micro LED foi desenvolvido como um dispositivo de próxima geração que diretamente implementa imagens usando diodos emissores de luz.
Descrição Geral da Invenção Problema técnico
[005] A invenção é dirigida a um dispositivo emissor de luz que é melhorado em relação à eficiência de luz.
[006] Um objetivo a ser alcançado pela invenção não está limitado aos acima mencionados, e os técnicos nos assuntos aos quais a invenção se refere podem compreender claramente outros objetivos das descrições a seguir.
Solução Técnica
[007] Um dispositivo emissor de luz de acordo com modalidades da invenção para resolver o problema técnico pode incluir: uma primeira peça emissora de luz incluindo uma primeira camada semicondutora do primeiro tipo, uma primeira camada ativa e uma primeira camada semicondutora do segundo tipo; uma segunda peça emissora de luz disposta sobre a primeira peça emissora de luz e incluindo uma segunda camada semicondutora do primeiro tipo, uma segunda camada ativa e uma segunda camada semicondutora do segundo tipo; uma terceira peça emissora de luz disposta sobre a segunda peça emissora de luz e incluindo uma terceira camada semicondutora do primeiro tipo, uma terceira camada ativa e uma terceira camada semicondutora do segundo tipo; um primeiro padrão condutor incluindo uma primeira porção que está disposta na segunda peça emissora de luz e está eletricamente acoplada com pelo menos uma entre as camadas semicondutoras do primeiro tipo, primeiro segundo tipo, segundo primeiro tipo e segundo tipo, e uma segunda porção que se estende desde a primeira porção até uma superfície da segunda peça emissora de luz entre a segunda e a terceira peças emissoras de luz; e um segundo padrão condutor disposta na terceira peça emissora de luz e eletricamente acoplado ao primeiro padrão condutor, em que o segundo padrão condutor inclui uma área que se sobrepõe pelo menos parcialmente com a segunda porção do primeiro padrão condutor.
[008] De acordo com as modalidades, a segunda peça emissora de luz pode ter um orifício de passagem que passa através de pelo menos uma porção da segunda peça emissora de luz; e a primeira porção do primeiro padrão condutor pode ser formada ao longo do orifício de passagem e um interior do orifício de passagem pode ser preenchido com um material isolante.
[009] De acordo com as modalidades, a terceira peça emissora de luz pode ter um orifício de passagem que passa através da terceira peça emissora de luz; o segundo padrão condutor pode incluir uma primeira porção que é formada ao longo do orifício de passagem da terceira peça emissora de luz e uma segunda porção que se estende da primeira porção para uma superfície da terceira peça emissora de luz; e a segunda porção do primeiro padrão condutor e a primeira porção do segundo padrão condutor podem se sobrepor parcialmente uma à outra.
[010] De acordo com as modalidades, a primeira porção do primeiro padrão condutor e a primeira porção do segundo padrão condutor podem ter a mesma largura.
[011] De acordo com as modalidades, o dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um pad eletricamente acoplado com a segunda porção do segundo padrão condutor.
[012] De acordo com as modalidades, a segunda peça emissora de luz pode ter um orifício de passagem que passa através de pelo menos uma porção da segunda peça emissora de luz e a primeira porção do primeiro padrão condutor pode preencher o orifício de passagem.
[013] De acordo com as modalidades, a terceira peça emissora de luz pode ter um orifício de passagem que passa através da terceira peça emissora de luz; o segundo padrão condutor pode incluir uma primeira porção que preenche o orifício de passagem da terceira peça emissora de luz e uma segunda porção que se estende da primeira porção para uma superfície da terceira peça emissora de luz; e a segunda porção do primeiro padrão condutor e a primeira porção do segundo padrão condutor podem incluir pelo menos áreas parciais que se sobrepõem umas às outras.
[014] De acordo com as modalidades, a primeira porção do primeiro padrão condutor e a primeira porção do segundo padrão condutor podem ter a mesma largura.
[015] De acordo com as modalidades, o dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um pad eletricamente acoplado com a segunda porção do segundo padrão condutor.
[016] De acordo com modalidades, a primeira porção do primeiro padrão condutor pode ser eletricamente acoplada com a primeira camada semicondutora do primeiro tipo e a segunda porção pode ser eletricamente acoplada com a segunda camada semicondutora do primeiro tipo na superfície da segunda camada emissora de luz papel; e o segundo padrão condutor pode incluir uma primeira porção que é eletricamente acoplada com a segunda porção do primeiro padrão condutor e uma segunda porção que se estende desde a primeira porção do segundo padrão condutor e é eletricamente acoplada com a terceira camada semicondutora do primeiro tipo.
[017] De acordo com as modalidades, a primeira porção do primeiro padrão condutor pode ser eletricamente acoplada com a primeira camada semicondutora do segundo tipo; e o segundo padrão condutor pode incluir uma primeira porção que é eletricamente acoplada com a segunda porção do primeiro padrão condutor e uma segunda porção que se estende da primeira porção do segundo padrão condutor a uma superfície da terceira peça emissora de luz.
[018] De acordo com as modalidades, a primeira porção do primeiro padrão condutor pode ser eletricamente acoplada à segunda camada semicondutora do segundo tipo; e o segundo padrão condutor pode incluir uma primeira porção que é eletricamente acoplada com a segunda porção do primeiro padrão condutor e uma segunda porção que se estende da primeira porção do segundo padrão condutor a uma superfície da terceira peça emissora de luz.
[019] De acordo com modalidades, o dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um terceiro padrão condutor eletricamente acoplado com a terceira camada semicondutora do segundo tipo.
[020] De acordo com as modalidades, a terceira peça emissora de luz pode ter um orifício de passagem que passa através de pelo menos uma porção da terceira peça emissora de luz; e o terceiro padrão condutor pode incluir uma primeira porção que está disposta ao longo do orifício de passagem e uma segunda porção que se estende da primeira porção para uma superfície da terceira peça emissora de luz.
[021] De acordo com as modalidades, o dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um pad eletricamente acoplado com a segunda porção do terceiro padrão condutor.
[022] De acordo com as modalidades, a terceira peça emissora de luz pode ter um orifício de passagem que passa através de pelo menos uma porção da terceira peça emissora de luz; e o terceiro padrão condutor pode incluir uma primeira porção que preenche o orifício de passagem e uma segunda porção que se estende da primeira porção para uma superfície da terceira peça emissora de luz.
[023] De acordo com as modalidades, cada uma da primeira à terceira peças emissoras de luz podem ter uma parede lateral externa inclinada.
[024] De acordo com as modalidades, pode ainda incluir uma camada isolante disposta entre a primeira porção do primeiro padrão condutor e uma superfície lateral da segunda peça emissora de luz.
[025] De acordo com as modalidades, a camada isolante pode se estender para uma parede lateral externa da segunda peça emissora de luz.
[026] De acordo com as modalidades, o dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma primeira peça de adesão ligando a primeira e a segunda peças emissoras de luz; e uma segunda peça de adesão ligando a segunda e a terceira peças emissoras de luz, em que a primeira peça de adesão pode se estender para uma parede lateral externa da primeira peça emissora de luz e em que a segunda peça de adesão pode se estender para uma parede lateral externa da segunda peça emissora de luz.
[027] De acordo com as modalidades, o dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma camada isolante que se estende até uma parede lateral externa da primeira porção do primeiro padrão condutor e uma parede lateral externa da segunda peça emissora de luz, em que a camada isolante pode ser disposta entre a segunda peça emissora de luz e a segunda peça de adesão.
[028] De acordo com as modalidades, cada uma das primeira e segunda peças emissoras de luz pode ter uma parede lateral externa inclinada; a primeira peça de adesão pode ter uma largura que aumenta da primeira peça emissora de luz em direção à segunda peça emissora de luz; e a segunda peça de adesão pode ter uma largura que aumenta da segunda peça emissora de luz em direção à terceira peça emissora de luz.
[029] Os detalhes de outras modalidades estão incluídos na descrição detalhada e nas figuras.
Efeitos Vantajosos
[030] No dispositivo emissor de luz, de acordo com modalidades da invenção, formando orifícios de passagem em cada uma de uma pluralidade de peças emissoras de luz e formando padrões condutores que pelo menos parcialmente preenchem os orifícios de passagem e se estendem para porções de cada peça emissora de luz, é possível acoplar eletricamente padrões condutores com um primeiro pad, um segundo pad, um terceiro pad e um pad comum de forma mais estável do que quando orifícios de passagem são formados em um momento após todas as peças emissoras de luz serem empilhadas.
[031] Além disso, uma vez que cada uma da pluralidade de peças emissoras de luz é isolada durante a formação através de orifícios, uma tensão de tração a ser aplicada a um substrato pode ser mitigada.
Descrição das Figuras
[032] A Fig. 1a é uma representação de um exemplo de uma vista superior para auxiliar na explicação de um dispositivo emissor de luz de acordo com uma modalidade da invenção.
[033] As Figs. 1b e 1c são vistas em seção transversal tomadas ao longo da linha A-A’ da Fig. 1a.
[034] As Figs. 2 a 16 são representações de exemplos de vistas em seção transversal para auxiliar na explicação de um método para a fabricação de um dispositivo emissor de luz de acordo com uma modalidade da invenção.
[035] As Figs. 17 e 18 são representações de exemplos de vistas em seção transversal para auxiliar na explicação de um método para a montagem de dispositivos emissores de luz em uma placa de montagem de acordo com uma modalidade da invenção.
Melhor Modo de Realizar a Invenção
[036] A fim de compreender a configuração e o efeito da invenção suficientemente, as modalidades da invenção serão descritas com referência às figuras anexas. No entanto, a invenção não está limitada às modalidades aqui estabelecidas e pode ser implementada de várias formas, e uma variedade de mudanças podem ser adicionadas.
[037] Conforme usado nas modalidades da invenção, um termo técnico pode ser interpretado como um significado convencionalmente conhecido por aqueles especialistas na técnica, a menos que definido de outra forma.
[038] Daqui em diante, um dispositivo emissor de luz será descrito abaixo com referência às figuras anexas através de vários exemplos de modalidades.
[039] A Fig. 1a é uma representação de um exemplo de uma vista superior para auxiliar na explicação de um dispositivo emissor de luz de acordo com uma modalidade da invenção, e as Figs. 1b e 1c são vistas em seção transversal tomadas ao longo da linha A-A’ da Fig. 1a.
[040] Referindo às Figs. 1A a 1c, um dispositivo emissor de luz pode incluir uma primeira peça emissora de luz LE1, uma segunda peça emissora de luz LE2 e uma terceira peça emissora de luz LE3.
[041] Uma superfície da primeira peça emissora de luz LE1 pode estar voltada para a segunda peça emissora de luz LE2, e a outra, superfície em oposição da primeira peça emissora de luz LE1 afastada da uma superfície pode ser a superfície de extração de luz do dispositivo emissor de luz. Neste caso, quando a outra superfície da primeira peça emissora de luz LE1 é a superfície de extração de luz, o comprimento de onda da luz emitida da primeira peça emissora de luz LE1 pode ser o mais curto, o comprimento de onda de luz emitida da segunda peça emissora de luz LE2 pode ser maior do que o comprimento de onda da luz emitida a partir da primeira peça emissora de luz LE1 e ser menor do que o comprimento de onda da luz emitida a partir da terceira peça emissora de luz LE3, e o comprimento de onda de luz emitida a partir da terceira peça emissora de luz LE3 pode ser o maior. Por exemplo, a primeira peça emissora de luz LE1 pode emitir luz azul, a segunda peça emissora de luz LE2 pode emitir luz verde e a terceira peça emissora de luz LE3 pode emitir luz vermelha.
[042] Em uma modalidade da invenção, a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2 podem ser empilhadas em ordem diferente das descritas acima. Por exemplo, na modalidade acima descrita, a segunda peça emissora de luz LE2 é empilhada na primeira peça emissora de luz LE1, no entanto, a primeira peça emissora de luz LE1 pode ser empilhada na segunda peça emissora de luz LE2 nesta modalidade. Neste caso, uma superfície da segunda peça emissora de luz LE2 pode estar voltada para a primeira peça emissora de luz LE1, e a outra, superfície em oposição da segunda peça emissora de luz LE2 oposta à superfície da segunda peça emissora de luz LE2 pode ser uma superfície de extração de luz do dispositivo emissor de luz.
[043] A primeira peça emissora de luz LE1 pode incluir uma primeira camada semicondutora do tipo n 102, uma primeira camada ativa 104, uma primeira camada semicondutora do tipo p 106 e uma primeira camada ôhmica 108 que são verticalmente empilhados. A segunda peça emissora de luz LE2 pode incluir uma camada ôhmica 208, uma segunda camada semicondutora do tipo p 206, uma segunda camada ativa 204 e uma segunda camada semicondutora do tipo n 202 que são empilhadas verticalmente. A terceira peça emissora de luz LE3 pode incluir uma terceira camada ôhmica 308, uma terceira camada semicondutora do tipo p 306, uma terceira camada ativa 304 e uma terceira camada semicondutora do tipo n 302 que são empilhadas verticalmente.
[044] Cada uma da primeira camada semicondutora tipo n 102, a segunda camada semicondutora tipo n 202 e a terceira camada semicondutora tipo n 302 podem ser uma camada semicondutora à base de nitreto de gálio dopada com Si. Cada uma da primeira camada semicondutora tipo p 106, a segunda camada semicondutora tipo p 206 e a terceira camada semicondutora tipo p 306 podem ser uma camada semicondutora à base de nitreto de gálio dopada com Mg. Cada uma da primeira camada ativa 104, a segunda camada ativa 204 e a terceira camada ativa 304 podem incluir um poço multiquântico (MQW) e a proporção da composição dos mesmos pode ser determinada para emitir luz de um comprimento de onda de pico desejado. Como cada uma da primeira camada ôhmica 108, a segunda camada ôhmica 208 e a terceira camada ôhmica 308, um óxido condutor transparente (TCO) tal como óxido de zinco (ZnO), óxido de índio (InO2), óxido de estanho (SnO), óxido de índio, estanho e zinco (ITZO) e óxido índio e estanho (ITO) pode ser usado. Ou, como cada uma da primeira camada ôhmica 108, a segunda camada ôhmica 208 e a terceira camada ôhmica 308, uma camada ôhmica de metal formada de um metal como Al, Ti, Cr, Ni, Au, Ag, Sn, W, Cu, ou uma liga do mesmo pode ser usada, sem estar limitado a estes. A liga do metal pode ser uma liga de Au-Be, Au-Te ou Au-Ge. De acordo com uma modalidade, a primeira peça emissora de luz LE1 pode ter um primeiro orifício HL1 que expõe a primeira camada semicondutora tipo n 102. Por exemplo, o primeiro orifício HL1 pode ter uma superfície lateral vertical. Por outro lado, o primeiro orifício HL1 pode ter uma superfície lateral inclinada.
[045] O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir um primeiro padrão condutor CP1 que é colocado em contato elétrico com a primeira camada semicondutora tipo n 102 exposta pelo primeiro orifício HL1 da primeira peça emissora de luz LE1 e um segundo padrão condutor CP2 que é colocado em contato elétrico com a primeira camada ôhmica 108. Cada um do primeiro padrão condutor CP1, e o segundo padrão condutor CP2 podem incluir pelo menos um selecionado do grupo que consiste em Au, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Hf, Cr, Ti e Cu. Além disso, cada um do primeiro padrão condutor CP1 e do segundo padrão condutor CP2 pode incluir uma liga dos mesmos. Seletivamente, o primeiro padrão condutor CP1 e o segundo padrão condutor CP2 podem ser omitidos.
[046] A primeira peça emissora de luz LE1 pode ser disposta por ser separada da segunda peça emissora de luz LE2. Por exemplo, a primeira camada ôhmica 108 da primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda camada ôhmica 208 da segunda peça emissora de luz LE2 podem estar dispostas frente a frente. Por outro lado, a primeira camada ôhmica 108 da primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda camada semicondutora tipo n 202 da segunda peça emissora de luz LE2 podem estar dispostas frente a frente.
[047] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma primeira peça de adesão AD1 que liga a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2, entre a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2 separadas uma da outra. A primeira peça de adesão AD1 pode ser transparente e ter uma propriedade de isolamento e uma propriedade de adesão. A primeira peça de adesão AD1 pode incluir vidro, um polímero, um resiste ou uma poli-imida. Por exemplo, a primeira peça de adesão AD1 pode incluir SOG (spin- on-glass), BCB (benzo ciclo butadieno), HSQ (silsesquioxanos de hidrogênio), PMMA (polimetilmetacrilato), parileno, um fotorresiste SU-8 ou etc. De acordo com uma modalidade, a primeira peça de adesão AD1 pode ser disposta ao preencher o primeiro orifício HL1 da primeira peça emissora de luz LE1.
[048] De acordo com uma modalidade, a primeira peça emissora de luz LE1 pode ter uma superfície lateral inclinada de modo que ela tenha uma largura mais larga em uma direção para baixo. Ou seja, a primeira camada semicondutora tipo n 102 da primeira peça emissora de luz LE1 pode ter uma largura maior do que a primeira camada ôhmica 108, a primeira camada ôhmica 108 pode ter uma largura maior do que a primeira camada semicondutora tipo p 106, e a primeira camada semicondutora tipo p 106 pode ter uma largura maior do que a primeira camada ôhmica 108. A primeira peça de adesão AD1 pode se estender para circundar a parede lateral externa da segunda peça emissora de luz LE1.
[049] Seletivamente, o dispositivo emissor de luz pode ainda incluir um primeiro filtro de cor que está dispositivo entre a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2. por exemplo, o primeiro filtro de cor pode estar disposto entre a primeira camada ôhmica 108 da primeira peça emissora de luz LE1. Por outro lado, o primeiro filtro de cor pode estar disposto na segunda camada ôhmica 208 da segunda peça emissora de luz LE2. O primeiro filtro de cor pode refletir a luz gerada a partir da primeira peça emissora de luz LE1 e passar a luz gerada a partir da segunda peça emissora de luz LE2 e da terceira peça emissora de luz LE3, de modo que a luz gerada a partir da primeira peça emissora de luz LE1 não exerce uma influência de cada uma da segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3. O primeiro filtro de cor pode incluir um DBR (refletor de Bragg distribuído) com uma estrutura na qual TiO2 e SiO2 são empilhados alternadamente.
[050] A segunda peça emissora de luz LE2 pode incluir um segundo orifício HL2 que passa através da segunda peça emissora de luz LE2 e a primeira peça de adesão AD1 e expõe o segundo padrão condutor CP2, um terceiro orifício HL3 que expõe a segunda camada ôhmica 208 da segunda peça emissora de luz LE2 e um quarto orifício HL4 que passa através da segunda peça emissora de luz LE2 e a primeira peça de adesão AD1 e expõe o primeiro padrão condutor CP1. Por exemplo, a segunda peça emissora de luz LE2 pode ainda incluir um quinto orifício HL5 que expõe a segunda camada semicondutora tipo n 202 quando uma porção da segunda camada semicondutora tipo n 202 é gravada. O quinto orifício HL5 pode ser formado seletivamente e pode ser omitido conforme o caso.
[051] Seletivamente, no caso em que o primeiro padrão condutor CP1 e o segundo padrão condutor CP2 são omitidos, o segundo orifício HL2 pode expor uma porção da primeira camada ôhmica 108 e o quarto orifício HL4 pode expor uma porção da primeira camada semicondutora tipo n 102 no primeiro orifício HL1.
[052] De acordo com uma modalidade, cada um do segundo orifício HL2, o terceiro orifício HL3, o quarto orifício HL4 e o quinto orifício HL5 podem ter uma superfície lateral inclinada cuja largura diminui gradualmente no sentido descendente. Uma largura WT de cada um do segundo orifício HL2, o terceiro orifício HL3, o quarto orifício HL4 e o quinto orifício HL5 podem ter substancialmente o mesmo tamanho. A largura WT de cada orifício é a maior largura do furo. Por exemplo, a largura WT de cada um do segundo orifício HL2, do terceiro orifício HL3, do quarto orifício HL4 e do quinto orifício HL5 pode ser de aproximadamente 1/10 do tamanho do dispositivo emissor de luz.
[053] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um terceiro padrão condutor CP3 que pelo menos parcialmente preenche o segundo orifício HL2, é colocado em contato elétrico com o segundo padrão condutor CP2 e se estende para a segunda peça emissora de luz LE2, um quarto padrão condutor
CP4 que preenche pelo menos parcialmente o terceiro orifício HL3, é colocado em contato elétrico com a segunda camada ôhmica 208 e se estende para a segunda peça emissora de luz LE2 e um quinto padrão condutor CP5 que pelo menos preenche parcialmente o quarto orifício HL4 e o quinto orifício HL5, é colocado em contato elétrico com o primeiro padrão condutor CP1 e se estende para a segunda peça emissora de luz LE2. Cada um do terceiro padrão condutor CP3, o quatro padrão condutor CP4 e o quinto padrão condutor CP5 podem incluir pelo menos um selecionado do grupo que consiste em Au, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Hf, Cr, Ti e Cu. Além disso, cada um do terceiro padrão condutor CP3, o quarto padrão condutor CP4 e o quinto padrão condutor CP5 podem incluir uma liga dos mesmos.
[054] Seletivamente, no caso em que o primeiro padrão condutor CP1 e o segundo padrão condutor CP2 são omitidos, o terceiro padrão condutor CP3 pode ser colocado em contato elétrico com a primeira camada ôhmica 108 exposta na porção inferior do segundo orifício HL2 e o quinto padrão condutor CP5 pode ser colocado em contato elétrico com a primeira camada semicondutora tipo n 102 exposta na porção inferior do quarto orifício HL4.
[055] De acordo com uma modalidade mostrada na Fig. 1b, o terceiro padrão condutor CP3 pode não preencher completamente o segundo orifício HL2 e pode ser formado fina e conformalmente ao longo da parede lateral interna do segundo orifício HL2. O terceiro padrão condutor CP3 pode incluir uma primeira porção CP3_1 que está disposta no segundo orifício HL2 e uma segunda porção CP3_2 que se estende desde a primeira porção CP3_1 até a superfície superior da segunda peça emissora de luz LE2. O quarto padrão condutor CP4 pode não preencher completamente o terceiro orifício HL3 e pode ser formado de maneira fina e conformada ao longo da parede lateral interna do terceiro orifício HL3. O quarto padrão condutor CP4 pode incluir uma primeira porção CP4_1 que está disposta no terceiro orifício HL3 e uma segunda porção CP4_2 que se estende desde a primeira porção CP4_1 até a superfície superior da segunda peça emissora de luz LE2. O quinto padrão condutor CP5 pode não preencher completamente o quarto orifício HL4 e o quinto orifício HL5 e pode ser formado fina e conformalmente ao longo das paredes laterais internas do quarto orifício HL4 e do quinto orifício HL5. O quinto padrão condutor CP5 pode incluir primeiras porções CP5_1 que estão respectivamente dispostas no quarto orifício HL4 e no quinto orifício HL5 e uma segunda porção CP5_2 que acopla as primeiras porções CP5_1 e se estende desde as primeiras porções até a superfície superior da segunda peça emissora de luz LE2. Por exemplo, a segunda porção CP5_2 do quinto padrão condutor CP5 pode ser disposta entre o quarto orifício HL4 e o quinto orifício HL5. No entanto, deve-se notar que a invenção não se limita a isso.
[056] De acordo com outra modalidade mostrada na Fig. 1c, o terceiro padrão condutor CP3 pode incluir uma primeira porção CP3_1 que preenche o segundo orifício HL2 e uma segunda porção CP3_2 que se estende desde a primeira porção CP3_1 e se estende na superfície superior da segunda peça emissora de luz LE2. O quarto padrão condutor CP4 pode incluir uma primeira porção CP4_1 que preenche o terceiro orifício HL3 e uma segunda porção CP4_2 que se estende desde a primeira porção CP4_1 e se estende na superfície superior da segunda peça emissora de luz LE2. O quinto padrão condutor CP5 pode incluir primeiras porções CP5_1 que preenchem o quarto orifício HL4 e o quinto orifício HL5 e uma segunda porção CP5_2 que acopla as primeiras porções CP5_1 e se estende das primeiras porções CP5_1 até a superfície superior da segunda peça emissora de luz LE2.
[057] O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir uma primeira camada de passivação PVT1 que circunda a parede lateral externa do terceiro padrão condutor CP3 entre o terceiro padrão condutor CP3 e o segundo orifício HL2, circunda a parede lateral externa do quarto padrão condutor CP4 entre o quarto padrão condutor CP4 e o terceiro orifício HL3 circundam a parede lateral externa do quinto padrão condutor CP5 entre o quinto padrão condutor CP5 e o quarto orifício HL4 e o quinto orifício HL5, e se estende até a superfície superior da segunda peça emissora de luz LE2 para isolar o terceiro padrão condutor CP3, o quarto padrão condutor CP4 e o quinto padrão condutor CP5 da segunda peça emissora de luz LE2. A primeira camada de passivação PV1 pode incluir pelo menos um selecionado do grupo que consiste em SiNx, TiNx, TiOx, TaOx, ZrOx, HfOx, AlxOy e SiOx.
[058] De acordo com uma modalidade, a segunda peça emissora de luz LE2 pode ter uma superfície lateral inclinada de modo que ela tenha uma largura mais larga na direção para baixo. Ou seja, a segunda camada ôhmica 208 da segunda peça emissora de luz LE2 pode ser maior do que a segunda camada semicondutora do tipo p 206, a segunda camada semicondutora do tipo p 206 pode ser maior do que a segunda camada ativa 204 e a segunda camada ativa 204 pode ser maior do que a segunda camada semicondutora tipo n 202. Uma segunda peça de adesão AD2 pode se estender para circundar a parede lateral externa da segunda peça emissora de luz LE2. A primeira camada de passivação PV1 pode estar disposta entre a parede lateral externa da segunda peça emissora de luz LE2 e da segunda peça de adesão AD2. Em outro caso, a primeira camada de passivação PV1 pode ser omitida entre a parede lateral externa da segunda peça emissora de luz LE2 e da segunda peça de adesão AD2.
[059] A segunda peça emissora de luz LE2 pode ser disposta por ser separada da terceira peça emissora de luz LE3. Por exemplo, a segunda camada semicondutora tipo n 202 da segunda peça emissora de luz LE2 e a segunda camada ôhmica 208 da terceira peça emissora de luz LE3 podem estar dispostas frente a frente. Por outro lado, a segunda camada semicondutora de tipo n 202 da segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira camada semicondutora de tipo n 302 da terceira peça emissora de luz LE3 podem estar dispostas frente a frente.
[060] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda a segunda peça de adesão AD2 que liga a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3, entre a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3 separadas uma da outra. A segunda peça de adesão AD2 pode ser transparente e ter uma propriedade de isolamento e uma propriedade de adesão. A segunda peça de adesão AD2 pode incluir o mesmo material que a primeira peça de adesão AD1, tal como vidro, um polímero, uma máscara ou uma poli-imida. Por exemplo, a segunda peça de adesão AD2 pode incluir SOG, BCB, HSQ ou um fotorresiste SU-8, etc. De acordo com a modalidade mostrada na Fig. 1b, a segunda peça de adesão AD2 pode ser disposta ao preencher o segundo orifício HL2 formado com o terceiro padrão condutor CP3, o terceiro orifício formado com o quarto padrão condutor CP4 e o quarto orifício
HL4 e o quinto orifício HL5 formado com o quinto padrão condutor CP5.
[061] Entretanto, seletivamente, o dispositivo emissor de luz pode ainda incluir um segundo filtro de cor que está dispositivo entre a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3. Por exemplo, o segundo filtro de cor pode estar disposto na terceira camada ôhmica
308. O segundo filtro de cor pode refletir a luz gerada de cada uma da primeira peça emissora de luz LE1 e da segunda peça emissora de luz LE2 e passa a luz gerada da terceira peça emissora de luz LE3 de modo que a luz gerada a partir da primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2 não exerce influência sobre a terceira peça emissora de luz LE3. O segundo filtro de cor pode incluir um DBR com uma estrutura na qual TiO2 e SiO2 são empilhados alternadamente. Por exemplo, a sequência de alternância ou número de TiO2 e SiO2 no segundo filtro de cor pode ser diferente da sequência de alternância ou número de TiO2 e SiO2 no primeiro filtro de cor.
[062] A terceira peça emissora de luz LE3 pode incluir um sexto orifício HL6 que passa através da terceira peça emissora de luz LE3 e a segunda peça de adesão AD2 e expõe o terceiro padrão condutor CP3, um sétimo orifício HL7 que expõe a terceira camada ôhmica 308 da terceira peça emissora de luz LE3, um oitavo orifício que passa através da terceira peça emissora de luz LE3 e a segunda peça de adesão AD2 e expõe o quarto padrão condutor CP4 e um nono orifício que passa através da terceira peça emissora de luz LE3 e a segunda peça de adesão AD2 e expõe o quinto padrão condutor CP5. Por exemplo, a terceira peça emissora de luz LE3 pode ainda incluir um décimo orifício HL10 que expõe a terceira camada semicondutora tipo n 302 quando uma porção da terceira camada semicondutora tipo n 302 é gravada. O décimo orifício HL10 pode ser formado seletivamente e pode ser omitido conforme o caso.
[063] O sexto orifício HL6 pode expor a segunda porção CP3_2 do terceiro padrão condutor CP3, o oitavo orifício HL8 pode expor a segunda porção CP4_2 do quarto padrão condutor CP4 e o nono orifício HL9 pode expor a segunda porção CP5_2 do quinto padrão condutor CP5. Como mostrado, a segunda porção CP3_2 do terceiro padrão condutor CP3, a segunda porção CP4_2 do quarto padrão condutor CP4 e a segunda porção CP5_2 do quinto padrão condutor CP5 podem ser posicionados no mesmo plano em que se estendem na superfície superior da segunda peça emissora de luz LE2. Assim, o sexto orifício HL6, o oitavo orifício HL8 e o nono orifício HL9 podem ter substancialmente a mesma largura.
[064] De acordo com uma modalidade, cada um do sexto orifício HL6, do sétimo orifício HL7, do oitavo orifício HL8, do nono orifício HL9 e do décimo orifício HL10 pode ter uma superfície lateral inclinada cuja largura diminui gradualmente no sentido descendente. Uma largura WT de cada um do sexto orifício HL6, do sétimo orifício HL7, do oitavo orifício HL8, do nono orifício HL9 e do décimo orifício HL10 pode ter substancialmente o mesmo tamanho. A largura WT de cada um do sexto orifício HL6, do sétimo orifício HL7, do oitavo orifício HL8, do nono orifício HL9 e do décimo orifício HL10 pode ser substancialmente a mesma que a largura de cada um do segundo orifício HL2, terceiro orifício HL3, o quarto orifício HL4 e o quinto orifício HL5. Por exemplo, a largura WT de cada um do sexto orifício HL6, do sétimo orifício HL7, do oitavo orifício HL8, do nono orifício HL9 e do décimo orifício HL10 pode ser de aproximadamente 1/10 do tamanho do dispositivo emissor de luz.
[065] O dispositivo emissor de luz pode ainda incluir um sexto padrão condutor CP6 que pelo menos parcialmente preenche o sexto orifício HL6, é colocado em contato elétrico com a segunda porção do terceiro padrão condutor CP3 e se estende para a terceira peça emissora de luz LE3, um sétimo padrão condutor CP7 que preenche pelo menos parcialmente o sétimo orifício HL7, é colocado em contato elétrico com a terceira camada ôhmica 308 e se estende para a terceira peça emissora de luz LE3, um oitavo padrão condutor CP8 que preenche pelo menos parcialmente o oitavo orifício HL8, é colocado em contato elétrico com a segunda porção do quarto padrão condutor CP4 e se estende para a terceira peça emissora de luz LE3, e um nono padrão condutor CP9 que pelo menos parcialmente preenche o nono orifício HL9 e o décimo orifício HL10 é colocado em contato elétrico com a segunda porção do quinto padrão condutor CP5 e se estende para a terceira peça emissora de luz LE3. Cada um do sexto padrão condutor CP6, o sétimo padrão condutor CP7, o oitavo padrão condutor CP8 e o nono padrão condutor CP9 podem incluir pelo menos um selecionado do grupo que consiste em Au, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Hf, Cr, Ti e Cu. Além disso, cada um do sexto padrão condutor CP6, o sétimo padrão condutor CP7, o oitavo padrão condutor CP8 e o nono padrão condutor CP9 podem incluir uma liga dos mesmos.
[066] De acordo com uma modalidade, o sexto padrão condutor CP6 pode ser eletricamente acoplado ao terceiro padrão condutor
CP3, o terceiro padrão condutor CP3 pode ser eletricamente acoplado ao segundo padrão condutor CP2 e o segundo padrão condutor CP2 pode ser eletricamente acoplado à primeira camada ôhmica 108. Por este fato, o sexto padrão condutor CP6 pode ser eletricamente acoplado com a primeira camada ôhmica 108 da primeira peça emissora de luz LE1. O sétimo padrão condutor CP7 pode ser eletricamente acoplado com a terceira camada ôhmica 308 da terceira peça emissora de luz LE3. O oitavo padrão condutor CP8 pode ser eletricamente acoplado ao quarto padrão condutor CP4 e o quarto padrão condutor CP4 pode ser eletricamente acoplado à segunda camada ôhmica 208. Por este fato, o oitavo padrão condutor CP8 pode ser eletricamente acoplado com a segunda camada ôhmica 208 da segunda peça emissora de luz LE2. O nono padrão condutor CP9 pode ser eletricamente acoplado com a terceira camada semicondutora tipo n 302 e o quinto padrão condutor CP5, o quinto padrão condutor CP5 pode ser eletricamente acoplado com a segunda camada semicondutora tipo n 202 e o primeiro padrão condutor CP1, e o primeiro padrão condutor CP1 pode ser eletricamente acoplado com a primeira camada semicondutora tipo n 102. Por este fato, o nono padrão condutor CP9 pode ser eletricamente acoplado em comum com a primeira camada semicondutora do tipo n 102, a segunda camada semicondutora do tipo n 202 e a terceira camada semicondutora do tipo n 302.
[067] De acordo com outra modalidade mostrada na Fig. 1b, o sexto padrão condutor CP6 pode não preencher completamente o sexto orifício HL6 e pode ser formado fina e conformalmente ao longo da parede lateral interna do sexto orifício HL6. O sexto padrão condutor CP6 pode incluir uma primeira porção CP6_1 que está disposta no sexto orifício HL6 e uma segunda porção CP6_2 que se estende desde a primeira porção CP6_1 até a superfície superior da terceira peça emissora de luz LE3. O sétimo padrão condutor CP7 pode não preencher completamente o sétimo orifício HL7 e pode ser formada de forma fina e conformalmente ao longo da parede lateral interna do sétimo orifício HL7. O sétimo padrão condutor CP7 pode incluir uma primeira porção CP7_1 que está disposta no sétimo orifício HL7 e uma segunda porção CP7_2 que se estende desde a primeira porção CP7_1 até a superfície superior da segunda peça emissora de luz LE3. O oitavo padrão condutor CP8 pode não preencher completamente o oitavo orifício HL8 e pode ser formada de forma fina e conformalmente ao longo da parede lateral interna do oitavo orifício HL8. O oitavo padrão condutor CP8 pode incluir uma primeira porção CP8_1 que está disposta no oitavo orifício HL8 e uma segunda porção CP8_2 que se estende desde a primeira porção CP8_1 até a superfície superior da terceira peça emissora de luz LE3. O nono padrão condutor CP9 pode não preencher completamente o nono orifício HL9 e o décimo orifício HL10 e pode ser formada de forma fina e conformalmente ao longo das paredes laterais internas do nono orifício HL9 e do décimo orifício HL10. O nono padrão condutor CP9 pode incluir primeiras porções CP9_1 que estão respectivamente dispostas no nono orifício HL9 e no décimo orifício HL10 e uma segunda porção CP9_2 que acopla as primeiras porções CP9_1 entre as primeiras porções CP9_1 e se estende até a superfície superior da terceira peça emissora de luz LE3. A segunda porção CP9_2 do nono padrão condutor CP9 pode ser disposta entre o nono orifício HL9 e o décimo orifício HL10. No entanto, deve-se notar que a invenção não se limita a isso.
[068] De acordo com outra modalidade mostrada na Fig. 1c, o sexto padrão condutor CP6 pode incluir uma primeira porção CP6_1 que preenche o sexto orifício HL6 e uma segunda porção CP6_2 que se estende desde a primeira porção CP6_1 e se estende na superfície superior da terceira peça emissora de luz LE3. O sétimo padrão condutor CP7 pode incluir uma primeira porção CP7_1 que preenche o sétimo orifício HL7 e uma segunda porção CP7_2 que se estende desde a primeira porção CP7_1 e se estende na superfície superior da terceira peça emissora de luz LE3. O oitavo padrão condutor CP8 pode incluir uma primeira porção CP8_1 que preenche o oitavo orifício HL8 e uma segunda porção CP8_2 que se estende desde a primeira porção CP8_1 e se estende na superfície superior da terceira peça emissora de luz LE3. O nono padrão condutor CP9 pode incluir primeiras porções CP9_1 que respectivamente preenchem o nono orifício HL9 e o décimo orifício HL10 e uma segunda porção CP9_2 que acopla as primeiras porções CP9_1, se estende a partir das primeiras porções CP9-1 e se estende na superfície superior da terceira peça emissora de luz LE3.
[069] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma segunda camada de passivação PVT2 que circunda a parede lateral externa do sexto padrão condutor CP6 entre o sexto padrão condutor CP6 e o sexto orifício HL6, circunda a parede lateral externa do sétimo padrão condutor CP7 entre o sétimo padrão condutor CP7 e o sétimo orifício HL7, circundam a parede lateral externa do oitavo padrão condutor CP8 entre o oitavo padrão condutor CP8 e o oitavo orifício HL8, circundam a parede lateral externa do nono padrão condutor CP9 entre o nono padrão condutor CP9 e o nono orifício HL9 e o décimo orifício HL10, e se estende até a superfície superior da terceira peça emissora de luz LE3 para isolar o sexto padrão condutor CP6, o sétimo padrão condutor CP7, o oitavo padrão condutor CP8 e o nono padrão condutor CP9 da terceira peça emissora de luz LE3. A segunda camada de passivação PVT2 pode incluir o mesmo material que a primeira camada de passivação PVT1. Por exemplo, a segunda camada de passivação PVT2 pode incluir pelo menos um selecionado do grupo que consiste em SiNx, TiNx, TiOx, TaOx, ZrOx, HfOx, AlxOy e SiOx.
[070] De acordo com uma modalidade, a terceira peça emissora de luz LE3 pode ter uma superfície lateral inclinada de modo que ela tenha uma largura mais larga na direção para baixo. Ou seja, a terceira camada ôhmica 308 da terceira peça emissora de luz LE3 pode ser maior do que a terceira camada semicondutora tipo p 306, a terceira camada semicondutora tipo p 306 pode ser maior do que a terceira camada ativa 304, e a terceira camada ativa 304 pode ser maior do que a terceira camada semicondutora tipo n 302. A segunda camada de passivação PVT2 pode se estender para circundar a parede lateral externa da terceira peça emissora de luz LE3.
[071] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda um primeiro pad PD1 que é colocado em contato elétrico com o sexto padrão condutor CP6 no sexto padrão condutor CP6 eletricamente acoplado com a primeira camada ôhmica 108, um segundo pad PD2 que é colocado em contato elétrico com o oitavo padrão condutor CP8 no oitavo padrão condutor CP8 eletricamente acoplado à segunda camada ôhmica 208, um terceiro pad PD3 que é colocado em contato elétrico com o sétimo padrão condutor CP7 no sétimo padrão condutor CP7 eletricamente acoplado à terceira camada ôhmica 308, e um pad comum CPD que é colocado em contato elétrico com o nono padrão condutor CP9 no nono padrão condutor CP9 eletricamente acoplado com a primeira camada semicondutora tipo n 102, a segunda camada semicondutora tipo n 202 e a terceira camada semicondutora tipo n 302. Cada um do primeiro pad PD1, o segundo pad PD2, o terceiro pad PD3 e o pad comum CPD podem incluir pelo menos um selecionado do grupo que consiste em Au, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Hf, Cr, Ti e Cu. Ainda, cada um do primeiro pad PD1, o segundo pad PD2, o terceiro pad PD3 e o pad comum CPD podem incluir uma liga dos mesmos.
[072] De acordo com uma modalidade, no caso em que o dispositivo emissor de luz tem uma estrutura quadrangular quando visto de cima, o primeiro pad PD1, o segundo pad PD2, o terceiro pad PD3 e o pad comum CPD podem estar, respectivamente, dispostos em porções de canto do dispositivo emissor de luz. por exemplo, o primeiro pad PD1 pode estar disposto no primeiro canto CN1, o segundo pad PD2 pode estar disposto em um terceiro canto CN3, o terceiro pad PD3 pode estar disposto em um segundo canto CN2 e o pad comum CPD pode estar disposto em um quarto canto CN4.
[073] O dispositivo emissor de luz pode incluir ainda uma terceira camada de passivação PVT3 que cobre as outras porções, exceto o primeiro pad PD1, o segundo pad PD2, o terceiro pad PD3 e o pad comum CPD na terceira peça emissora de luz LE3. A terceira camada de passivação PVT3 pode incluir o mesmo material que a primeira camada de passivação PVT1 ou a segunda camada de passivação PVT2. Por exemplo, a terceira camada de passivação PVT3 pode incluir pelo menos um selecionado do grupo que consiste em SiNx, TiNx, TiOx, TaOx, ZrOx, HfOx, AlxOy e SiOx. De acordo com uma modalidade, a segunda camada de passivação PV2 pode ser disposta entre a parede lateral externa da terceira peça emissora de luz LE3 e a terceira camada de passivação PVT3. Em outro caso, a segunda camada de passivação PV2 pode ser omitida entre a parede lateral externa da terceira peça emissora de luz LE3 e a terceira camada de passivação PVT3.
[074] No exemplo mostrado na Fig. 1b, a terceira camada de passivação PVT3 pode ser conformalmente formada na segunda camada de passivação PVT2 de modo a não preencher completamente o sexto orifício HL6, o sétimo orifício HL7, o oitavo orifício HL8, o nono orifício HL9 e o décimo orifício HL10 formado com o sexto padrão condutor CP6, o sétimo padrão condutor CP7, o oitavo padrão condutor CP8 e o nono padrão condutor CP9. Ao contrário disso, a terceira camada de passivação PVT3 pode ser formada de modo a preencher o sexto orifício HL6, o sétimo orifício HL7, o oitavo orifício HL8, o nono orifício HL9 e o décimo orifício HL10 formado com o sexto padrão condutor CP6, o sétimo padrão condutor CP7, o oitavo padrão condutor CP8 e o nono padrão condutor CP9.
[075] Em outro exemplo mostrado na Fig. 1c, a terceira camada de passivação PVT3 pode ser formada nas superfícies superiores do sexto padrão condutor CP6, o sétimo padrão condutor CP7, o oitavo padrão condutor CP8 e o nono padrão condutor CP9 e na segunda camada de passivação PVT2.
[076] No dispositivo emissor de luz descrito acima, na segunda peça emissora de luz LE2 e na primeira peça de adesão AD1, o segundo orifício HL2 que expõe o segundo padrão condutor CP2 eletricamente acoplado à primeira camada ôhmica 108, o terceiro orifício HL3 que expõe o segundo camada ôhmica 208, o quarto orifício HL4 que expõe o primeiro padrão condutor CP1 eletricamente acoplado com a primeira camada semicondutora tipo n 102 e o quinto orifício HL5 que expõe a segunda camada semicondutora tipo n 202 pode ser formado, e o terceiro padrão condutor CP3, o quarto padrão condutor CP4 e o quinto padrão condutor CP5 que preenchem pelo menos parcialmente o segundo orifício HL2, o terceiro orifício HL3, o quarto orifício HL4 e o quinto orifício HL5 podem ser dispostas. Além disso, na terceira peça emissora de luz LE3 e na segunda peça de adesão AD2, o sexto orifício HL6 que expõe o terceiro padrão condutor CP3, o sétimo orifício HL7 que expõe a terceira camada ôhmica 308, o oitavo orifício HL8 que expõe o quarto padrão condutor CP4, o nono orifício HL9 que expõe o quinto padrão condutor CP5 e o décimo orifício HL10 que expõe a terceira camada semicondutora tipo n 302 podem ser formados e o sexto padrão condutor CP6, o sétimo padrão condutor CP7, o oitavo padrão condutor CP8 e o nono padrão condutor CP9 que preenche pelo menos parcialmente o sexto orifício HL6, o sétimo orifício HL7, o oitavo orifício HL8, o nono orifício HL9 e o décimo orifício HL10 podem ser dispostas. Desta forma, os padrões condutores eletricamente acoplados com a primeira peça emissora de luz LE1 podem ser dispostas na segunda peça emissora de luz LE2 e na primeira peça de adesão AD1, e os padrões condutores eletricamente acoplados com os padrões condutores acoplados com a primeira peça emissora de luz LE1 podem ser dispostos separadamente na terceira peça emissora de luz LE3 e na segunda peça de adesão AD2.
[077] Portanto, o primeiro pad PD1 pode ser eletricamente acoplado de forma estável com a primeira camada ôhmica 108 através do terceiro padrão condutor CP3 e o segundo padrão condutor CP2 ao longo do sexto padrão condutor CP6. O segundo pad PD2 pode ser eletricamente acoplado de forma estável com a segunda camada ôhmica 208 através do quarto padrão condutor CP4 ao longo do oitavo padrão condutor CP8. O terceiro pad PD3 pode ser acoplado eletricamente de forma estável com a terceira camada ôhmica 308 através do sétimo padrão condutor CP7. Além disso, o pad comum CPD pode ser eletricamente acoplado de forma estável com a terceira camada semicondutora tipo n 302 através do nono padrão condutor CP9, com a segunda camada semicondutora tipo n 202 através do quinto padrão condutor CP5 ao longo do nono padrão condutor CP9, e com a primeira camada semicondutora tipo n 102 através do primeiro padrão condutor CP1 ao longo do quinto padrão condutor CP5.
[078] Entretanto, em um dispositivo emissor de luz, os processos são realizados em um substrato que é feito de um material como safira e, enquanto os processos são realizados, uma tensão de tração pode ser induzida de modo que um fenômeno de empenamento em que a porção central do substrato deforma para baixo ocorre. A este respeito, na modalidade da invenção, a primeira peça de adesão AD1 e a segunda peça de adesão AD2 podem mitigar a tensão de tração aplicada ao substrato.
[079] Além disso, como será descrito em detalhes em um método de fabricação subsequente, a primeira peça emissora de luz LE1 é isolada enquanto o primeiro orifício HL1 é formado, a segunda peça emissora de luz LE2 é isolada enquanto o segundo orifício HL2, o terceiro orifício HL3, o quarto orifício HL4 e o quinto orifício HL5 são formados e a terceira peça emissora de luz LE3 é isolada enquanto o sexto orifício HL6, o sétimo orifício HL7, o oitavo orifício HL8, o nono orifício HL9 e o décimo orifício HL10 são formados, pelo que é possível mitigar ainda mais a tensão de tração aplicada ao substrato.
[080] Daqui em diante, um método para fabricar o dispositivo emissor de luz das Figs. 1A a 1b será descrito.
[081] As Figs. 2 a 16 são representações de exemplos de vistas em seção transversal para auxiliar na explicação de um método para a fabricação de um dispositivo emissor de luz de acordo com uma modalidade da invenção.
[082] Referindo à Fig. 2, uma primeira camada semicondutora tipo n 102, uma primeira camada ativa 104, uma primeira camada semicondutora tipo p 106 e uma primeira camada ôhmica 108 podem ser sequencialmente formados em um substrato 100, e, assim, a primeira peça emissora de luz LE1 pode ser formada.
[083] O primeiro substrato 100 como um substrato capaz de crescer uma camada semicondutora à base de nitreto de gálio pode incluir uma safira (Al2O3), um carboneto de silício (SiC), um nitreto de gálio (GaN), um nitreto de índio e gálio (InGaN) , um nitreto de alumínio e gálio (AlGaN), um nitreto de alumínio (AlN), um óxido de gálio (Ga2O3), um arsênico de gálio (GaAs) ou silício (Si). Além disso, o primeiro substrato 100 pode ser um substrato flexível ou um substrato que é formado com um circuito.
[084] A primeira camada semicondutora de tipo n 102, a primeira camada ativa 104 e a primeira camada semicondutora de tipo p 106 podem ser formadas sequencialmente no primeiro substrato 100 usando um método de crescimento tal como MOCVD (deposição de vapor químico orgânico de metal), MBE (epitaxia de feixe molecular), HVPE (epitaxia de fase de vapor de hidreto) e MOC (cloreto orgânico-metálico).
[085] A primeira camada ôhmica 108 pode ser formada na primeira camada semicondutora tipo p 106 através de um processo de deposição de vapor químico (CVD) ou deposição de vapor físico (PVD).
[086] Referindo à Fig. 3, gravando a primeira camada ôhmica 108, a primeira camada semicondutora tipo p 106 e a primeira camada ativa 104, um primeiro orifício HL1 pode ser formado na primeira peça emissora de luz LE1. O processo de gravação pode gravar uma porção superior da primeira camada semicondutora tipo n 102.
[087] Depois de formar o primeiro orifício HL1, gravando a primeira camada ôhmica 108, a primeira camada semicondutora tipo p 106, a primeira camada ativa 104 e a primeira camada semicondutora tipo n 102, a primeira peça emissora de luz LE1 pode ser isolada.
[088] Desta forma, ao isolar a primeira peça emissora de luz LE1, uma tensão de tração a ser aplicada ao primeiro substrato 100 pode ser reduzida.
[089] Referindo à Fig. 4, um primeiro padrão condutor CP1 e um segundo padrão condutor CP2 podem ser formados, respectivamente, na primeira peça emissora de luz LE1. O primeiro padrão condutor CP1 pode ser formado no primeiro orifício HL1 sendo separado da parede lateral interna do primeiro orifício HL1. O segundo padrão de condutor CP2 pode ser formado na primeira camada ôhmica 108.
[090] Por exemplo, depois de formar uma camada condutora na superfície superior da primeira peça emissora de luz LE1 formada com o primeiro orifício HL1, o primeiro padrão condutor CP1 e o segundo padrão condutor CP2 podem ser formados, respectivamente, por meio de um processo de padronização geralmente conhecido na técnica.
[091] Referindo à Fig. 5, uma segunda camada semicondutora tipo n 202, uma segunda camada ativa 204, uma segunda camada semicondutora tipo p 206 e uma segunda camada ôhmica 208 podem ser sequencialmente formadas em um segundo substrato 200, e, assim, a segunda peça emissora de luz LE2 pode ser formada.
[092] O segundo substrato 200 como um substrato capaz de crescer uma camada semicondutora à base de nitreto de gálio pode incluir uma safira (Al2O3), um carboneto de silício (SiC), um nitreto de gálio (GaN), um nitreto de índio e gálio (InGaN) , um nitreto de alumínio e gálio (AlGaN), um nitreto de alumínio (AlN), um óxido de gálio (Ga2O3), um arsênico de gálio (GaAs) ou silício (Si). Além disso, o segundo substrato 200 pode ser um substrato flexível ou um substrato que é formado com um circuito.
[093] A segunda camada semicondutora tipo n 202, a segunda camada ativa 204 e a segunda camada semicondutora tipo p 206 podem ser formadas sequencialmente no segundo substrato 200 usando um método de crescimento, como MOCVD, MBE, HVPE e MOC.
[094] A segunda camada ôhmica 208 pode ser formada na segunda camada semicondutora do tipo p 206 usando um processo de CVD ou PVD.
[095] Referindo à Fig. 6, ao virar o segundo substrato 200, a primeira camada ôhmica 108 da primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda camada ôhmica 208 da segunda peça emissora de luz LE2 podem ser dispostas frente a frente, e a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2 pode ser ligada uma à outra através de uma primeira peça de adesão AD1.
[096] Por exemplo, após a primeira peça de adesão AD1 ser formada na primeira peça emissora de luz LE1 para preencher o primeiro orifício HL1 formado com o primeiro padrão condutor CP1 e a segunda camada ôhmica 208 é disposta para facear a primeira camada ôhmica 108, curando a primeira peça de adesão AD1 através de um processo térmico, a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2 podem ser ligadas a cada outra.
[097] Neste caso, a primeira peça emissora de luz LE1 pode ser circundada pela primeira peça de adesão AD1 e a primeira peça de adesão AD1 pode ser uma camada protetora que protege a superfície lateral da primeira peça emissora de luz LE1.
[098] Depois que a primeira peça emissora de luz LE1 e a segunda peça emissora de luz LE2 são ligadas uma à outra pela primeira peça de adesão AD1, o segundo substrato 200 pode ser removido através de um processo de levantamento remoção a laser (LLO).
[099] Referindo à Fig. 7, gravando a segunda peça emissora de luz LE2 e a primeira peça de adesão AD1, um segundo orifício HL2 que expõe o segundo padrão condutor CP2, um terceiro orifício HL3 que expõe a segunda camada ôhmica 208, um quarto orifício HL4 que expõe o primeiro padrão condutor CP1 e um quinto orifício HL5 que expõe uma porção da segunda camada semicondutora tipo n 202 podem ser formados. Seletivamente, o quinto orifício HL5 pode não ser formado.
[0100] Cada um do segundo orifício HL2, o terceiro orifício
HL3, o quarto orifício HL4 e o quinto orifício HL5 podem ter substancialmente o mesmo WT. Cada um do segundo orifício HL2, o terceiro orifício HL3, o quarto orifício HL4 e o quinto orifício HL5 podem ter uma superfície lateral inclinada, cuja largura diminui gradualmente em uma direção para baixo.
[0101] Ao formar o segundo orifício HL2, o terceiro orifício HL3, o quarto orifício HL4 e o quinto orifício HL5, gravando a segunda camada semicondutora tipo n 202, a segunda camada ativa 204, a segunda camada semicondutora tipo p 206 e a primeira camada ôhmica 108, a segunda peça emissora de luz LE2 pode ser isolada.
[0102] Desta forma, ao isolar a segunda peça emissora de luz LE2, uma tensão de tração a ser aplicada ao substrato 100 pode ser reduzida. Além disso, a segunda peça emissora de luz LE2 tem uma superfície lateral cônica. Em outras palavras, a segunda peça emissora de luz LE2 tem uma forma na qual uma área da segunda peça emissora de luz LE2 diminui gradualmente em direção a uma direção superior do substrato 100.
[0103] Referindo à Fig. 8, uma primeira camada de passivação PV1 pode ser formada nas paredes laterais internas do segundo orifício HL2, do terceiro orifício HL3, do quarto orifício HL4 e do quinto orifício HL5 e na superfície superior da segunda camada semicondutora tipo n 202.
[0104] Por exemplo, a primeira camada de passivação PV1 pode ser conformalmente formada na segunda peça emissora de luz LE2 e a primeira peça de adesão AD1 formada com o segundo orifício HL2, o terceiro orifício HL3, o quarto orifício HL4 e o quinto orifício HL5, em tal maneira de não preencher completamente o segundo orifício HL2, o terceiro orifício HL3, o quarto orifício HL4 e o quinto orifício HL5. Como cada um do segundo orifício HL2, o terceiro orifício HL3, o quarto orifício HL4 e o quinto orifício HL5 tem uma superfície lateral inclinada, pode ser fácil formar conformalmente a primeira camada de passivação PV1. Em seguida, a primeira camada de passivação PV1 que é formada no fundo do segundo orifício HL2, o terceiro orifício HL3, o quarto orifício HL4 e o quinto orifício HL5 podem ser removidos.
[0105] A primeira camada de passivação PV1 pode permanecer na parede lateral externa da segunda peça emissora de luz LE2. Ao contrário disso, a primeira camada de passivação PV1 pode ser removida da parede lateral externa da segunda peça emissora de luz LE2.
[0106] Referindo à Fig. 9, um terceiro padrão condutor CP3, um quarto padrão condutor CP4 e um quinto padrão condutor CP5 que preenchem pelo menos parcialmente o segundo orifício HL2, o terceiro orifício HL3, o quarto orifício HL4 e o quinto orifício HL5 formado com a primeira camada de passivação PV1 podem ser formados respectivamente.
[0107] Por exemplo, usando um processo de deposição, uma primeira camada condutora (não mostrada) pode ser conformada na primeira camada de passivação PV1, de modo a não preencher completamente o segundo orifício HL2, o terceiro orifício HL3, o quarto orifício HL4 e o quinto orifício HL5 formado com a primeira camada de passivação PV1. Conforme descrito acima, uma vez que cada um do segundo orifício HL2, o terceiro orifício HL3, o quarto orifício HL4 e o quinto orifício HL5 tem uma superfície lateral inclinada, pode ser fácil formar conformalmente a primeira camada condutora. Em sucessão, o terceiro padrão condutor CP3 que é eletricamente acoplado com o primeiro padrão condutor CP1 e preenche pelo menos parcialmente o segundo orifício HL2, o quarto padrão condutor CP4 que é eletricamente acoplado com a segunda camada ôhmica 208 e preenche pelo menos parcialmente o terceiro orifício HL3 e o quinto padrão condutor CP5 que é eletricamente acoplado ao primeiro padrão condutor CP1, preenche pelo menos parcialmente o quarto orifício HL4, é eletricamente acoplado com a segunda camada semicondutora tipo n 202 e pelo menos preenche parcialmente o quinto orifício HL5 podem ser formados respectivamente.
[0108] O terceiro padrão condutor CP3 pode incluir uma primeira porção CP3_1 que é formada no segundo orifício HL2 e uma segunda porção CP3_2 que se estende da primeira porção CP3_1 para a primeira camada de passivação PV1 formada na segunda camada semicondutora tipo n 202. O quarto padrão condutor CP4 pode incluir uma primeira porção CP4_1 que é formada no terceiro orifício HL3 e uma segunda porção CP4_2 que se estende da primeira porção CP4_1 para a primeira camada de passivação PV1 formada na segunda camada semicondutora tipo n
202. O quinto padrão condutor CP5 pode incluir primeiras porções CP5_1 que são respectivamente formadas no quarto orifício HL4 e no quinto orifício HL5 e uma segunda porção CP5_2 que acopla as primeiras porções CP5_1 e se estende para a primeira camada de passivação PV1 formada na segunda camada semicondutora tipo n 202.
[0109] Embora seja ilustrado e descrito na presente modalidade que o terceiro padrão condutor CP3, o quarto padrão condutor CP4 e o quinto padrão condutor CP5 sejam formados fina e conformalmente de modo a não preencher completamente o segundo orifício HL2, o terceiro orifício HL3, o quarto orifício HL4 e o quinto orifício HL5, deve-se notar que o terceiro padrão condutor CP3, o quarto padrão condutor CP4 e o quinto padrão condutor CP5 podem ser formados de modo a preencher o segundo orifício HL2, o terceiro orifício HL3, o quarto orifício HL4 e o quinto orifício HL5.
[0110] Referindo à Fig. 10, uma terceira camada semicondutora tipo n 302, uma terceira camada ativa 304, uma terceira camada semicondutora tipo p 306 e uma terceira camada ôhmica 308 podem ser sequencialmente formadas em um terceiro substrato 300, e, assim, a terceira peça emissora de luz LE3 pode ser formada.
[0111] O terceiro substrato 300 como um substrato capaz de crescer uma camada semicondutora à base de nitreto de gálio pode incluir uma safira (Al2O3), um carboneto de silício (SiC), um nitreto de gálio (GaN), um nitreto de índio e gálio (InGaN) , um nitreto de alumínio e gálio (AlGaN), um nitreto de alumínio (AlN), um óxido de gálio (Ga2O3), um arsênico de gálio (GaAs) ou silício (Si). Além disso, o terceiro substrato 300 pode ser um substrato flexível ou um substrato que é formado com um circuito.
[0112] A terceira camada semicondutora de tipo n 302, a terceira camada ativa 304 e a terceira camada semicondutora de tipo p 306 podem ser formadas sequencialmente no terceiro substrato 300 usando um método de crescimento, como MOCVD, MBE, HVPE e MOC.
[0113] A terceira camada ôhmica 308 pode ser formada na terceira camada semicondutora tipo p 306 através de CVD ou PVD.
[0114] Referindo à Fig. 11, ao virar o terceiro substrato 300, a segunda camada semicondutora tipo n 202 da segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira camada ôhmica 308 da terceira peça emissora de luz LE3 podem ser dispostas de frente uma para a outra, e a segunda luz a peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3 podem ser ligadas uma à outra através de uma segunda peça de adesão AD2.
[0115] Por exemplo, após a segunda peça de adesão AD2 ser formada na segunda peça emissora de luz LE2 para preencher o segundo orifício HL2, o terceiro orifício HL3, o quarto orifício HL4 e o quinto orifício HL5 formado com o terceiro padrão condutor CP3, o quarto padrão condutor CP4 e o quinto padrão condutor CP5 e a terceira camada ôhmica 308 estão dispostas de frente para a segunda camada semicondutora tipo n 202, curando a segunda peça de adesão AD2 através de um processo térmico, a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3 pode ser ligada a cada outra.
[0116] Neste caso, o lado da segunda peça emissora de luz LE2 pode ser circundado pela segunda peça de adesão AD2 e a segunda peça de adesão AD2 pode ser uma camada protetora protegendo o lado da segunda peça emissora de luz LE2.
[0117] Após a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3 serem ligadas uma à outra pela segunda peça de adesão AD2, o terceiro substrato 300 pode ser removido através de um processo LLO.
[0118] Referindo à Fig. 12, gravando a terceira peça emissora de luz LE3 e a segunda peça de adesão AD2, um sexto orifício HL6 que expõe a segunda porção do terceiro padrão condutor
CP3, um sétimo orifício HL7 que expõe a terceira camada ôhmica 308, um oitavo orifício HL8 que expõe a segunda porção do quarto padrão condutor CP4, um nono orifício HL9 que expõe a segunda porção do quinto padrão condutor CP5 e um décimo orifício HL10 que expõe uma porção da terceira camada semicondutora tipo n 302 pode ser formado. Seletivamente, o décimo orifício HL10 pode não ser formado.
[0119] Cada um do sexto orifício HL6, o sétimo orifício HL7, o oitavo orifício HL8, o nono orifício HL9 e o décimo orifício HL10 podem ter a mesma largura WT. Cada um do sexto orifício HL6, o sétimo orifício HL7, o oitavo orifício HL8, o nono orifício HL9 e o décimo orifício HL10 podem ter a mesma largura WT que cada um do segundo orifício HL2, terceiro orifício HL3, quarto orifício HL4 e o quinto orifício HL5. Cada um do sexto orifício HL6, o sétimo orifício HL7, o oitavo orifício HL8, o nono orifício HL9 e o décimo orifício HL10 podem ter uma superfície lateral inclinada cuja largura diminui gradualmente na direção descendente.
[0120] Ao formar o sexto orifício HL6, o sétimo orifício HL7, o oitavo orifício HL8, o nono orifício HL9 e o décimo orifício HL10, gravando a terceira camada semicondutora tipo n 302, a terceira camada ativa 304, a terceira camada semicondutora tipo p 306 e a terceira camada ôhmica 308, a terceira peça emissora de luz LE3 pode ser isolada.
[0121] Desta forma, ao isolar a terceira peça emissora de luz LE3, uma tensão de tração a ser aplicada ao substrato 100 pode ser reduzida.
[0122] Referindo à Fig. 13, uma segunda camada de passivação PV2 pode ser formada nas paredes laterais internas do sexto orifício HL6, do sétimo orifício HL7, do oitavo orifício HL8, do nono orifício HL9 e do décimo orifício HL10 e na superfície superior do terceiro camada semicondutora tipo n 302.
[0123] Por exemplo, a segunda camada de passivação PV2 pode ser conformalmente formada na terceira peça emissora de luz LE3 e a segunda peça de adesão AD2 formada com o sexto orifício HL6, o sétimo orifício HL7, o oitavo orifício HL8, o nono orifício HL9 e o décimo orifício HL10, de forma a não preencher completamente o sexto orifício HL6, o sétimo orifício HL7, o oitavo orifício HL8, o nono orifício HL9 e o décimo orifício HL10. Como cada um do sexto orifício HL6, o sétimo orifício HL7, o oitavo orifício HL8, o nono orifício HL9 e o décimo orifício HL10 tem uma superfície lateral inclinada, pode ser fácil formar conformalmente a segunda camada de passivação PV2. Em seguida, a segunda camada de passivação PV2 formada no fundo do sexto orifício HL6, o sétimo orifício HL7, o oitavo orifício HL8, o nono orifício HL9 e o décimo orifício HL10 podem ser removidos.
[0124] A segunda camada de passivação PV2 pode permanecer na parede lateral externa da terceira peça emissora de luz LE3. Ao contrário disso, a segunda camada de passivação PV2 pode ser removida da parede lateral externa da terceira peça emissora de luz LE3.
[0125] Referindo à Fig. 14, um sexto padrão condutor CP6, um sétimo padrão condutor CP7, um oitavo padrão condutor CP8 e um nono padrão condutor CP9 que preenchem pelo menos parcialmente o sexto orifício HL6, o sétimo orifício HL7, o oitavo orifício HL8, o nono orifício HL9 e o décimo orifício HL10 formado com a segunda camada de passivação PV2 podem ser formados respectivamente.
[0126] Por exemplo, uma segunda camada condutora (não mostrada) pode ser conformalmente formada na segunda camada de passivação PV2 de modo a não preencher completamente o sexto orifício HL6, o sétimo orifício HL7, o oitavo orifício HL8, o nono orifício HL9 e o décimo orifício HL10 formados com a segunda camada de passivação PV2. Conforme descrito acima, como cada um do sexto orifício HL6, o sétimo orifício HL7, o oitavo orifício HL8, o nono orifício HL9 e o décimo orifício HL10 tem uma superfície lateral inclinada, pode ser fácil formar conformalmente a segunda camada condutora. Em sucessão, através da execução geral de um processo de corrosão para a segunda camada condutora, o sexto padrão condutor CP6 que é eletricamente acoplado com a segunda porção CP2_2 do terceiro padrão condutor CP3 e pelo menos preenche parcialmente o sexto orifício HL6, o sétimo padrão condutor CP7 que é eletricamente acoplado com a terceira camada ôhmica 308 e preenche pelo menos parcialmente o sétimo orifício HL7, o oitavo padrão condutor CP8 que é eletricamente acoplado com a segunda porção CP4_2 do quarto padrão condutor CP4 e preenche pelo menos parcialmente o oitavo orifício HL8 e o nono padrão condutor CP9 que está eletricamente acoplado com a segunda porção CP5_2 da quinta porção e preenche pelo menos parcialmente o nono orifício HL9 e o décimo orifício HL10 pode ser formado respectivamente.
[0127] O sexto padrão condutor CP6 pode incluir uma primeira porção CP6_1 que é formada no sexto orifício HL6 e uma segunda porção CP6_2 que se estende da primeira porção CP6_1 para a segunda camada de passivação PV2 formada na terceira camada semicondutora tipo n 302. O sétimo padrão condutor CP7 pode incluir uma primeira porção CP7_1 que é formada no sétimo orifício HL7 e uma segunda porção CP7_2 que se estende da primeira porção CP7_1 para a segunda camada de passivação PV2 formada na terceira camada semicondutora tipo n 302. O oitavo padrão condutor CP8 pode incluir uma primeira porção CP8_1 que é formada no oitavo orifício HL8 e uma segunda porção CP8_2 que se estende da primeira porção CP8_1 para a segunda camada de passivação PV2 formada na terceira camada semicondutora tipo n 302. O nono padrão condutor CP9 pode incluir primeiras porções CP9_1 que são respectivamente formadas no nono orifício HL9 e no décimo orifício HL10 e uma segunda porção CP9_2 que acopla as primeiras porções CP9_1 e se estende para a segunda camada de passivação PV2 formada na terceira camada semicondutora tipo n 302.
[0128] Embora seja ilustrado e descrito na presente modalidade que o sexto padrão condutor CP6, o sétimo padrão condutor CP7, o oitavo padrão condutor CP8 e o nono padrão condutor CP9 são formados fina e conformalmente de modo a não preencherem completamente o sexto orifício HL6, o sétimo orifício HL7, o oitavo orifício HL8, o nono orifício HL9 e o décimo orifício HL10, deve-se notar que o sexto padrão condutor CP6, o sétimo padrão condutor CP7, o oitavo padrão condutor CP8 e o nono condutor o padrão CP9 podem ser formados de modo a preencher o sexto orifício HL6, o sétimo orifício HL7, o oitavo orifício HL8, o nono orifício HL9 e o décimo orifício HL10.
[0129] Referindo à Fig. 15, uma terceira camada de passivação PV3 pode ser conformalmente formada no sexto padrão condutor CP6, no sétimo padrão condutor CP7, no oitavo padrão condutor CP8 e no nono padrão condutor CP9 e na segunda camada de passivação PV2. A terceira camada de passivação PV3 pode ser fina e conformada de modo a não preencher completamente o sexto orifício HL6, o sétimo orifício HL7, o oitavo orifício HL8, o nono orifício HL9 e o décimo orifício HL10 formado com o sexto padrão condutor CP6, o sétimo padrão condutor CP7, o oitavo padrão condutor CP8 e o nono padrão condutor CP9.
[0130] A terceira camada de passivação PV3 pode ser formada na segunda camada de passivação PV2 que é formada na parede lateral externa da terceira peça emissora de luz LE3.
[0131] Referindo à Fig. 16, um primeiro pad PD1 que está eletricamente acoplado com o sexto padrão condutor CP6, um segundo pad PD2 que está eletricamente acoplado com o oitavo padrão condutor CP8, um terceiro pad PD3 que está eletricamente acoplado com o sétimo padrão condutor CP7 e um pad comum CPD que está eletricamente acoplado ao nono padrão condutor CP9 pode ser formado, respectivamente.
[0132] Por exemplo, gravando a terceira camada de passivação PV3, uma primeira abertura OP1 que expõe a segunda porção CP6_2 do sexto padrão condutor CP6, uma segunda abertura OP2 que expõe a segunda porção CP8_2 do oitavo padrão condutor CP8, uma terceira abertura OP3 que expõe a segunda porção CP7_2 do sétimo padrão condutor CP7 e uma terceira abertura OP3 que expõe a segunda porção CP9_2 do nono padrão condutor CP9 podem ser formadas.
[0133] Uma terceira camada condutora (não mostrada) pode ser formada na terceira camada de passivação PV3 de modo a preencher a primeira abertura OP1, a segunda abertura OP2, a terceira abertura OP3 e a quarta abertura OP4. Através da execução geral de um processo de gravação para a terceira camada condutora, o primeiro pad PD1 que preenche a primeira abertura OP1 e é eletricamente acoplado com a primeira camada ôhmica 108 sendo colocada em contato elétrico com o sexto padrão condutor CP6, o segundo pad PD2 que preenche a segunda abertura OP2 e é eletricamente acoplado com a segunda camada ôhmica 208 sendo colocado em contato elétrico com o oitavo padrão condutor CP8, o terceiro pad PD3 que preenche a terceira abertura OP3 e é eletricamente acoplado com a terceira camada ôhmica 308 por ser colocado em contato elétrico com o sétimo padrão condutor CP7 e o pad comum CPD que preenche a quarta abertura OP4 e é eletricamente acoplado em comum com a terceira camada semicondutora tipo n 302, a segunda camada semicondutora tipo n 202 e a primeira camada semicondutora tipo n 102 ao ser colocada em contato elétrico com o nono padrão condutor CP9 podem ser formados.
[0134] De acordo com a presente modalidade, na segunda peça emissora de luz LE2 e na primeira peça de adesão AD1, o segundo orifício HL2 que expõe o segundo padrão condutor CP2 eletricamente acoplado à primeira camada ôhmica 108, o terceiro orifício HL3 que expõe a segunda camada ôhmica 208, o quarto orifício HL4 que expõe o primeiro padrão condutor CP1 eletricamente acoplado com a primeira camada semicondutora tipo n 102 e o quinto orifício HL5 que expõe a segunda camada semicondutora tipo n 202 podem ser formados. Em outro processo, na terceira peça emissora de luz LE3 e na segunda peça de adesão AD2, o sexto orifício HL6 que expõe o terceiro padrão condutor CP3, o sétimo orifício HL7 que expõe a terceira camada ôhmica 308, o oitavo orifício HL8 que expõe o quarto padrão condutor CP4, o nono orifício HL9 que expõe o quinto padrão condutor CP5 e o décimo orifício HL10 que expõe a terceira camada semicondutora tipo n 302 podem ser formados. A este respeito, no caso de formar, ao mesmo tempo, orifícios que passam através da primeira peça emissora de luz LE1, a segunda peça emissora de luz LE2 e a terceira peça emissora de luz LE3, existem dificuldades ao realizar um processo de corrosão, devido a um problema causado em termos de relação de aspecto. Na presente modalidade, uma vez que um processo de corrosão é realizado na segunda peça emissora de luz LE2 e na primeira peça de adesão AD1 e outro processo de corrosão é realizado na terceira peça emissora de luz LE3 e na segunda peça de adesão AD2, é possível superar as dificuldades.
[0135] Além disso, o terceiro padrão condutor CP3, o quarto padrão condutor CP4 e o quinto padrão condutor CP5 que estão eletricamente acoplados com a primeira peça emissora de luz LE1 podem ser dispostos na segunda peça emissora de luz LE2 e na primeira peça de adesão AD1, e na sexto padrão condutor CP6, o sétimo padrão condutor CP7, o oitavo padrão condutor CP8 e o nono padrão condutor CP9 que são eletricamente acoplados com o terceiro padrão condutor CP3, o quarto padrão condutor CP4 e o quinto padrão condutor CP5 acoplado com a primeira peça emissora de luz LE1 podem ser dispostos separadamente na terceira peça emissora de luz LE3 e na segunda peça de adesão AD2. Portanto, o primeiro pad PD1 pode ser eletricamente acoplado de forma estável com a primeira camada ôhmica 108 através do terceiro padrão condutor CP3 e o segundo padrão condutor CP2 ao longo do sexto padrão condutor CP6. O segundo pad PD2 pode ser eletricamente acoplado de forma estável com a segunda camada ôhmica 208 através do quarto padrão condutor CP4 ao longo do oitavo padrão condutor CP8. O terceiro pad PD3 pode ser acoplado eletricamente de forma estável com a terceira camada ôhmica 308 através do sétimo padrão condutor CP7. Além disso, o pad comum CPD pode ser eletricamente acoplado de forma estável com a terceira camada semicondutora tipo n 302 através do nono padrão condutor CP9, com a segunda camada semicondutora tipo n 202 através do quinto padrão condutor CP5 ao longo do nono padrão condutor CP9, e com a primeira camada semicondutora tipo n 102 através do primeiro padrão condutor CP1 ao longo do quinto padrão condutor CP5.
[0136] Daqui em diante, um método para montar o dispositivo emissor de luz descrito acima com referência às Figs. 2 a 16 em uma placa de montagem serão descritos.
[0137] As Figs. 17 e 18 são representações de exemplos de vistas em seção transversal para auxiliar na explicação de um método para a montagem de dispositivos emissores de luz em uma placa de montagem de acordo com uma modalidade da invenção.
[0138] Referindo à Fig. 17, uma pluralidade de dispositivos emissores de luz LEDs que são formados através das Figs. 2 a 16 pode ser montada em uma placa de montagem alvo MB.
[0139] Os pads de colagem BPD que devem ser eletricamente ligados com o primeiro pad PD1, o segundo pad PD2, o terceiro pad PD3 e o pad comum CPD, respectivamente, podem ser formados na placa de montagem MB. As esferas de adesão BL podem ser formadas respectivamente nos pads de colagem BPD. Cada uma das esferas de adesão BL pode incluir In, Sn, Sn, Cu e semelhantes. Ao contrário disso, as esferas de adesão BL podem ser formadas no primeiro pad PD1, no segundo pad PD2, no terceiro pad PD3 e no pad comum CPD.
[0140] Os pads de ligação BPD e as esferas de adesão BL podem ser formadas para corresponder às posições onde os dispositivos emissores de luz LED devem ser montados.
[0141] Ao virar o primeiro substrato 100 que é formado com a pluralidade de dispositivos emissores de luz LED, os dispositivos emissores de luz LED podem ser posicionados de frente para a placa de montagem MB que é formada com os pads de ligação BPD.
[0142] Um padrão de mascaramento MSK tendo um orifício que permite o laser passar por este e é disposto em uma posição correspondendo aos emissores de luz LED a serem separados do primeiro substrato 100 pode ser formado no primeiro substrato 100 revirado. O padrão de mascaramento MSK pode ser omitido.
[0143] Referindo à Fig. 18, ao realizar um processo seletivo de remoção a laser (LLO) para o primeiro substrato 100 através do uso do padrão de mascaramento MSK, os dispositivos emissores de luz LED que são dispostos para facear as posições de montagem alvos da placa de montagem MB podem ser separados do primeiro substrato 100. A distância de separação entre os dispositivos emissores de luz separados pode ser alterada dependendo da placa de montagem MB. Quando os dispositivos emissores de luz LED são separados do primeiro substrato 100 por irradiação de um laser no primeiro substrato 100, um padrão de mascaramento MSK é fornecido no primeiro substrato 100, assim, uma irradiação mais precisa do laser pode ser realizada nos dispositivos emissores de luz LEDs devem ser separados de 100. No entanto, se o laser puder ser irradiado adequadamente para os dispositivos emissores de luz LEDs a serem separados, o padrão de mascaramento MSK pode ser omitido.
[0144] O primeiro pad PD1, o segundo pad PD2, o terceiro pad
PD3 e o pad CPD comum de cada um dos dispositivos emissores de luz separados podem ser respectivamente ligados com as esferas de adesão BL que são formadas nos pads de ligação BPD. Desta forma, os dispositivos emissores de luz LED podem ser montados na placa de montagem MB.
[0145] Se todos os dispositivos emissores de luz LED são montados em posições alvo, o primeiro substrato 100 pode ser separado dos dispositivos emissores de luz LED sem realizar um processo separadamente para a remoção do primeiro substrato
100.
[0146] Embora várias modalidades tenham sido descritas acima, deve ser entendido para aqueles especialistas na técnica que as modalidades descritas são apenas a título de exemplo. Consequentemente, a invenção aqui descrita não deve ser limitada com base nas modalidades descritas.
Claims (22)
1. Dispositivo emissor de luz, caracterizado por compreender uma primeira peça emissora de luz incluindo uma primeira camada semicondutora do tipo n, uma primeira camada ativa e uma primeira camada semicondutora do segundo tipo, uma segunda peça emissora de luz disposta sobre a primeira peça emissora de luz, e incluindo uma segunda camada semicondutora do primeiro tipo, uma segunda camada ativa e uma segunda camada semicondutora do segundo tipo, uma terceira peça emissora de luz disposta sobre a segunda peça emissora de luz e incluindo uma terceira camada semicondutora do primeiro tipo, uma terceira camada ativa e uma terceira camada semicondutora do segundo tipo, um primeiro padrão condutor incluindo uma primeira porção que está disposta na segunda peça emissora de luz e está eletricamente acoplada com pelo menos uma entre as camadas semicondutoras de primeiro tipo, primeiro segundo tipo, segundo primeiro tipo e segundo tipo, e uma segunda porção que se estende desde a primeira porção até uma superfície da segunda peça emissora de luz entre a segunda e a terceira peças emissoras de luz, e um segundo padrão condutor disposto na terceira peça emissora de luz e eletricamente acoplado com o primeiro padrão condutor, em que o segundo padrão condutor inclui uma área que se sobrepõe pelo menos parcialmente com a segunda porção do primeiro padrão condutor.
2. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato de que a segunda peça emissora de luz tem um orifício de passagem que passa através de pelo menos uma porção da segunda peça emissora de luz, e que a primeira porção do primeiro padrão condutor é formada ao longo do orifício de passagem e um interior do orifício de passagem é preenchido com um material isolante.
3. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 2, caracterizado pelo fato de que a terceira peça emissora de luz tem um orifício de passagem que passa através da terceira peça emissora de luz, que o segundo padrão condutor inclui uma primeira porção que é formada ao longo do orifício de passagem da terceira peça emissora de luz e uma segunda porção que se estende da primeira porção para uma superfície da terceira peça emissora de luz, e que a segunda porção do primeiro padrão condutor e a primeira porção do segundo padrão condutor se sobrepõem parcialmente uma à outra.
4. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 3, caracterizado por a primeira porção do primeiro padrão condutor e a primeira porção do segundo padrão condutor terem a mesma largura.
5. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 3, caracterizado ainda por compreender um pad eletricamente acoplado com a segunda porção do segundo padrão condutor.
6. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato de que a segunda peça emissora de luz tem um orifício de passagem que passa através de pelo menos uma porção da segunda peça emissora de luz, e que a primeira porção do primeiro padrão condutor preenche o orifício de passagem.
7. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 6, caracterizado pelo fato de que a terceira peça emissora de luz tem um orifício de passagem que passa através da terceira peça emissora de luz, que o segundo padrão condutor inclui uma primeira porção que preenche o orifício de passagem da terceira peça emissora de luz e uma segunda porção que se estende da primeira porção para uma superfície da terceira peça emissora de luz, e que a segunda porção do primeiro padrão condutor e a primeira porção do segundo padrão condutor incluem pelo menos áreas parciais que se sobrepõem umas às outras.
8. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 7, caracterizado por a primeira porção do primeiro padrão condutor e a primeira porção do segundo padrão condutor terem a mesma largura.
9. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 7, caracterizado ainda por compreender um pad eletricamente acoplado com a segunda porção do segundo padrão condutor.
10. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato de que a primeira porção do primeiro padrão condutor é eletricamente acoplada com a primeira camada semicondutora do primeiro tipo e a segunda porção é eletricamente acoplada com a segunda camada semicondutora do primeiro tipo em uma superfície da segunda peça emissora de luz, e que o segundo padrão condutor inclui uma primeira porção que é eletricamente acoplada com a segunda porção do primeiro padrão condutor e uma segunda porção que se estende desde a primeira porção do segundo padrão condutor e é eletricamente acoplada com a terceira camada semicondutora do primeiro tipo.
11. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato de que a primeira porção do primeiro padrão condutor é eletricamente acoplada com a primeira camada semicondutora de segundo tipo, e que o segundo padrão condutor inclui uma primeira porção que está eletricamente acoplada com a segunda porção do primeiro padrão condutor e uma segunda porção que se estende da primeira porção do segundo padrão condutor a uma superfície da terceira peça emissora de luz.
12. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado pelo fato de que a primeira porção do primeiro padrão condutor é eletricamente acoplada com a segunda camada semicondutora do segundo tipo, e que o segundo padrão condutor inclui uma primeira porção que está eletricamente acoplada com a segunda porção do primeiro padrão condutor e uma segunda porção que se estende da primeira porção do segundo padrão condutor a uma superfície da terceira peça emissora de luz.
13. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado ainda por compreender um terceiro padrão condutor eletricamente acoplado com a terceira camada semicondutora de segundo tipo.
14. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 13, caracterizado pelo fato de que a terceira peça emissora de luz tem um orifício de passagem que passa através de pelo menos uma porção da terceira peça emissora de luz, e que o terceiro padrão condutor inclui uma primeira porção que está disposta ao longo do orifício de passagem e uma segunda porção que se estende da primeira porção para uma superfície da terceira peça emissora de luz.
15. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 14, caracterizado ainda por compreender um pad eletricamente acoplado com a segunda porção do terceiro padrão condutor.
16. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 13, caracterizado pelo fato de que a terceira peça emissora de luz tem um orifício de passagem que passa através de pelo menos uma porção da terceira peça emissora de luz, e que o terceiro padrão condutor inclui uma primeira porção que preenche o orifício de passagem e uma segunda porção que se estende da primeira porção para uma superfície da terceira peça emissora de luz.
17. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado por cada uma das primeira à terceira peças emissoras de luz ter uma parede lateral inclinada.
18. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado ainda por compreender uma camada isolante disposta entre a primeira porção do primeiro padrão condutor e uma superfície lateral da segunda peça emissora de luz.
19. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 18, caracterizado por a camada de isolamento se estender para uma parede lateral exterior da segunda peça emissora de luz.
20. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 1, caracterizado ainda por compreender uma primeira peça de adesão ligando a primeira e a segunda peças emissoras de luz e uma segunda peça de adesão ligando a segunda e a terceira peças emissoras de luz, em que a primeira peça de adesão se estende para uma parede lateral externa da primeira peça emissora de luz, e em que a segunda peça de adesão se estende até uma parede lateral externa da segunda peça emissora de luz.
21. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 20, caracterizado ainda por compreender uma camada isolante que se estende até uma parede lateral externa da primeira porção do primeiro padrão condutor e uma parede lateral externa da segunda peça emissora de luz, em que a camada isolante está disposta entre a segunda peça emissora de luz e a segunda peça de adesão.
22. Dispositivo emissor de luz, de acordo com a reivindicação 20, caracterizado pelo fato de que cada uma das primeira e segunda peças emissoras de luz tem uma parede lateral externa inclinada, que a primeira peça de adesão tem uma largura que aumenta da primeira peça emissora de luz em direção à segunda peça emissora de luz, e que a segunda peça de adesão tem uma largura que aumenta da segunda peça emissora de luz em direção à terceira peça emissora de luz.
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