DE727014C - Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern mit einem Leichtmetall als Grundelektrodenmaterial - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern mit einem Leichtmetall als Grundelektrodenmaterial

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DE727014C
DE727014C DEA79748D DEA0079748D DE727014C DE 727014 C DE727014 C DE 727014C DE A79748 D DEA79748 D DE A79748D DE A0079748 D DEA0079748 D DE A0079748D DE 727014 C DE727014 C DE 727014C
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/06Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising selenium or tellurium in uncombined form other than as impurities in semiconductor bodies of other materials
    • H01L21/08Preparation of the foundation plate

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Description

  • Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern mit einem Leichtmetall als Grundelektrodenmaterial Gegenstand des Patents 720 4.45 ist ein Verfahren zur Herstellung von Tr3ckenp-lattengleichrichtern mit Selen o. dgl. als IIalbleiter und mit einer Grundelektrode, bestehend aus einem Leichtmetall, das mit einer Oxydhaut bedeckt ist, welches dadurch gekennzeichnet ist, daß die Oxydhaut des Leichtmetalls mit dem Atom- oder Dampfstrahl eines Metalls eingefärbt wird.
  • Wie in der Beschreibung des Hauptpatents ausgeführt wurde, lassen sich Leichtmetalle nicht ohne weiteres als Grundelektroden für Trock enplattengleichrichter verwenden, da eine Oxydhaut des Leichtmetalls den Stromdurchgang behindert.
  • Gemäß der Erfindung wird das Herstellungsverfahren von Trockengleichrichtern obiger Art dadurch verbessert, daß man die Oxydhaut des Leichtmetalls, durch ein Bombardement mit positiven Ionen einfärbt. Die Oxydhaut des Leichtmetalls wird somit nicht mit neutralen Atomen oder Dampfteilchen bombardiert, sondern mit den aktiveren Ionen des einzulagernden Stoffes. Die Einlagerung geht in diesem Falle leichter und besser vor sich, weil die Ionen naturgemäß eine viel größere kinetische Energie aufweisen als, die neutralen Atome oder Dampfteilchen. Es können vorteilhaft Metallionen, z. B. Wismuth-, Zinn- oder Antimonionen, verwendet werden, die in die Oxydschicht eindringen und diese leitend machen. Auch die Ionen des Halbleitermaterials, das später auf die Grundelektrode aufgebracht wird, können verwendet werden.

Claims (3)

  1. hAT1?NTA-NSI'kÜC111?: i. Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern nach Patent 720 445, dadurch gekennzeichnet, daß die Oxydhaut des Leichtmetalls durch ein Bombardement mit positiven Ionen .eingefärbt wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch i, gekennzeichnet durch dia Verwendung von Ionen eines Metalls, vorzugsweise Wismuth, Zinn oder Antimon.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch i, gekennzeichnet durch die Verwendung von Ionen des Halbleitermaterials, vorzugsweise Selen.
DEA79748D 1936-06-13 1936-06-23 Verfahren zur Herstellung von Trockenplattengleichrichtern mit einem Leichtmetall als Grundelektrodenmaterial Expired DE727014C (de)

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DEA0079664 1936-06-13
DEA0079748 1936-06-22
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