WO2024134800A1 - 計測方法、荷電粒子線装置 - Google Patents

Abstract

本発明は、プローブの位置情報を用いることなく、プローブ位置のドリフトの影響を抑制することができる、計測技術を提供することを目的とする。本発明に係る計測方法は、荷電粒子線装置を用いて試料を観察するときの温度条件において発生するプローブの変位を前記荷電粒子線装置によって計測し、その計測結果を用いて、前記変位を相殺するために前記プローブを移動させる移動量を特定する（図２参照）。

Description

計測方法、荷電粒子線装置

　本発明は、試料に対してプローブを接触させて電気的特性を計測する方法に関する。

　走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）は、試料に対して荷電粒子線（例：電子線）を照射することにより試料を観察する装置である。さらに、試料に対して接触して試料の電気的特性を計測するプローブを備えた装置は、ＳＥＭ式ナノプローバなどと呼ばれる。同装置においては、プローブの位置（特に高さ方向の位置）がずれるドリフトの影響を補正する必要がある。

　下記特許文献１は、試料に対して接触するプローブを備えた検査装置を記載している。同文献は、『請求項１又は２記載の検査装置において、前記試料ステージに載置された試料の高さを測定するＺセンサ及び試料の温度を測定する温度センサを有し、試料の温度変化による試料の高さの変化を前記試料ステージ又は前記プローブユニットによるプローブの移動によりキャンセルすることを特徴とする検査装置。』という技術を記載している（請求項５参照）。

特開２００８－１５７６５０号公報

　プローブの位置情報を取得するために、試料室内へ位置センサを取り付け、あるいはプローブユニットを設計変更して位置センサを取り付けると、試料の観察像の像質を低下させる可能性がある。位置センサを配置することにより、試料観察のために試料に対して照射する荷電粒子線を遮る物体の面積が増加するからである。そうすると特に、高倍率で観察しながらのプロービング（試料へプローブを接触させる作業）が困難となる。

　したがってプローブのドリフトを補正する際には、プローブの現在位置についての情報を用いることなくこれを実現することができれば有用である。しかし特許文献１のような従来技術においては、プローブの位置情報をＺセンサによって計測することを前提としているので、このニーズを満たすことは困難である。

　本発明は、上記のような課題に鑑みてなされたものであり、プローブの位置情報を用いることなく、プローブ位置のドリフトの影響を抑制することができる、計測技術を提供することを目的とする。

　本発明に係る計測方法は、荷電粒子線装置を用いて試料を観察するときの温度条件において発生するプローブの変位を前記荷電粒子線装置によって計測し、その計測結果を用いて、前記変位を相殺するために前記プローブを移動させる移動量を特定する。

　本発明に係る計測方法によれば、プローブの位置情報を用いることなく、プローブ位置のドリフトの影響を抑制することができる。上記した以外の課題、構成、効果などは、以下の実施形態の説明により明らかにされる。

荷電粒子線装置１００の全体構成図を示す。 プローブ１５のドリフトを補正するための補正値を算出する手順を説明するフローチャートである。 試料の電気的特性を計測する手順を説明するフローチャートである。 Ｓ２０５において制御コンピュータ２３が提供するユーザインターフェースの画面例である。

＜実施の形態１＞
　本発明の実施形態１では、試料の電気的特性を評価するナノプローバ（荷電粒子線装置）において、プローブを試料と接触させた後、長時間コンタクトを維持する際に問題となっているドリフト量をＳＥＭ像によって観察する構成例について説明する。

　図１は、実施形態１に係る荷電粒子線装置１００の全体構成図を示す。電子銃１０は、１次電子線１２を試料２７上で照射かつ走査するための照射光学系を形成する。よって、電子銃１０は、電子ビームを発生する電子源やビームを走査するための偏向レンズ等、電子照射に必要な構成要件を全て含んでいるものとする。真空チャンバの隔壁１１は、大気圧の領域と真空チャンバ内の真空領域を隔てる。電子銃１０の動作、例えば電子源の電子ビーム引出し電圧や偏向レンズへの印加電圧などは、電子銃制御器２５により制御される。１次電子線１２の照射により試料２７より発生した２次電子１４は、２次電子検出器１３により検出される。２次電子検出器１３は、実際に電子を検出するセンサ部分は隔壁１１内に配置されているが、電源接続用の配線等が接続される根本の部分は、隔壁１１の外に突き出ている。制御コンピュータ２３は、２次電子１４の検出結果に基づき、観察像を作成する。観察像はオペレータ操作手段２６上で観察することができる。

　プローブ１５は、被検査試料の所定領域に対して触針されるプローブであり、プローブホルダー１６によって保持されている。プローブユニット１７は、プローブホルダー１６を所望の位置に移動するためのデバイスであり、プローブ１５をプローブホルダー１６ごと所望位置へ移動する。プローブユニット１７は、ｘｙ方向（面内）とｚ方向（垂直）への駆動手段を備えている。上方に設置されたカメラ２８と横方向に設置されたカメラ２９は、プローブ１５を観察することができる。各カメラによる観察は主にプローブ一を粗調整する際に使用する。微調整や試料へのコンタクトの瞬間の動作は、プローブ１５のＳＥＭ像をオペレータ操作手段２６上でオペレータが観察しながら実施することもできるし、制御コンピュータ２３が自動的に動作制御することもできる。

　実際に不良検査の対象となる試料２７は試料台１８上に保持される。試料台１８は、さらに試料台駆動部１９に保持されており、試料台１８と試料台駆動部１９を合わせてＤＵＴ（Ｄｅｖｉｃｅ　Ｕｎｄｅｒ　Ｔｅｓｔ）ステージと称される。ＤＵＴステージとプローブユニット１７とは、大試料ステージ２０上に形成されている。大試料ステージ２０は、ｘｙ方向（面内）とｚ方向（垂直）への駆動手段を備えている。大試料ステージ２０は、ベース２１の上に設置され、駆動手段によりｘｙ方向（面内）とｚ方向（垂直）へ移動する。これにより、ＤＵＴステージとプローブユニット１７との間の相対位置は変えずに、１次電子線１２と試料２７との間の相対位置を変えることができる。

　電子銃制御器２５、２次電子検出器１３、プローブユニット１７、ＤＵＴステージおよび大試料ステージ２０は、制御コンピュータ２３により動作制御される。試料台１８およびプローブホルダー１６は、電気特性計測器２２に対して接続されている。プローブ１５およびプローブホルダー１６は、試料２７に対して触針して電気信号を検出するので、電気特性計測器２２以外に対しては電気的にフローティングとなっている。電気特性計測器２２は、主としてプローブ１５により検出された試料２７の電流－電圧特性を計測して、そこから所望の電気的特性値を算出する、例えば、プローブ１５の触針箇所の抵抗値、電流値、電圧値などである。

　電気特性計測器２２が計測した特性値は、伝送線を介して制御コンピュータ２３に対して伝送される。制御コンピュータ２３は、伝送された情報を元にさらに高度な分析を実施する。例えば、測定値を解析して、測定箇所が不良か正常かを判定する。制御コンピュータ２３には、光学ディスク、ハードディスク、メモリなどの記憶部２４が備えられており、測定した電気特性を格納しておくことができる。制御コンピュータ２３は、荷電粒子線装置１００全体の動作を制御する役割も果たしている。制御コンピュータ２３は、接続された各構成部品を制御するソフトウェアを格納するための記憶部２４と、装置ユーザが装置の各種設定パラメータを入力するための入力手段を備える。入力手段とは、例えば、操作画面表示およびＳＥＭ像表示用の画像表示手段、キーボード、操作画面上でポインタを動かすためのマウスなどである。

　大試料ステージ２０には加熱手段３０が設けられ、隔壁１１には冷却手段３１が設けられる。加熱手段３０と冷却手段３１は制御コンピュータ２３に対して接続され、制御コンピュータ２３によって動作制御される。

　図２は、プローブ１５のドリフトを補正するための補正値を算出する手順を説明するフローチャートである。本フローチャートは、（ａ）試料を加熱または冷却せず常温で計測する場合、（ｂ）試料を加熱した上で計測する場合、（ｃ）試料を冷却した上で計測する場合、のいずれにおいても共通して用いることができる。これらの間の違いについては後述する。

（図２：ステップＳ１０１）
　荷電粒子線装置１００を立ち上げると、荷電粒子線装置１００はＳＥＭ画像の設定倍率待ち状態になり、制御コンピュータ２３に付随した表示画面上に、倍率の設定入力手段が表示される。倍率の設定入力手段とは、例えばアイコンやＧＵＩ（Ｇｒａｐｈｉｃａｌ　Ｕｓｅｒ　Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）による入力手段である。ユーザは、入力手段によりＳＥＭの倍率を入力する。制御コンピュータ２３は、入力された値に基づき電子銃１０の条件を調整し、入力された倍率でＳＥＭ像を取得し、オペレータ操作手段２６上に表示する。ユーザは、取得したＳＥＭ画像内に試料の目的計測位置が含まれているかどうかを目視で確認する。含まれていなければ、大試料ステージ２０を駆動して試料台１８をＳＥＭ画像の視野内に移動させる。大試料ステージ２０ではなくＤＵＴステージ自体を移動して、被検査箇所をＳＥＭ画像の視野内に移動してもよい。被検査箇所の大きさにもよるが、ＳＥＭの倍率を上げると、被検査箇所が拡大された像が表示されるので、ユーザは、試料の被検査箇所に対するプロービングを実施できる。

（図２：ステップＳ１０２～Ｓ１０３）
　ユーザは試料の温度特性を評価するか否かを制御コンピュータ２３に対して指示する。温度特性を評価する場合は（Ｓ１０２：ＹＥＳ）、加熱手段３０または冷却手段３１によって、試料室内を所望温度へ加熱または冷却する（Ｓ１０３）。温度調整が不要であれば（Ｓ１０２：ＮＯ、すなわち常温で計測する場合）、Ｓ１０４へスキップする。

（図２：ステップＳ１０４）
　ユーザは、オペレータ操作手段２６を操作することにより、被検査箇所へプローブ１５を接触させる。この作業は、ユーザによるマニュアル作業で実施してもよいし、あらかじめ定められた移動量にしたがって制御コンピュータ２３が自動実施してもよい。本ステップにより、被検査箇所上へプローブ１５を移動させ、プローブ１５をＺ軸方向下向きに移動させることにより、プローブ１５を被検査箇所へ接触させる。

（図２：ステップＳ１０５）
　プローブ１５と被検査箇所が接触すると、本ステップ以降を開始する。制御コンピュータ２３は、プローブ１５が試料２７と接触した後、所定時間間隔ごとにプローブ１５のＳＥＭ像を生成し、これらを解析することにより、プローブ１５先端のドリフト量（変位量）を所定時間間隔ごとに算出する。制御コンピュータ２３は、時間間隔ごとの変位量を記憶部２４へ格納する。

（図２：ステップＳ１０６）
　制御コンピュータ２３は、Ｓ１０５において算出したドリフト量に基づき、試料２７の電気的特性を計測している間にプローブ１５に対して与える補正量を算出する（Ｓ１０６）。算出手順の具体例は後述する。制御コンピュータ２３は、算出した補正値を記憶部２４へ格納する。

（図２：ステップＳ１０５～Ｓ１０６：補足）
　Ｓ１０５～Ｓ１０６を実施する時間長（後述の測定時間Ｔと同義）は、例えばＳ１０１の画面上でユーザが指定してもよいし、観察する試料の種類などに応じて制御コンピュータ２３が自動的に定めてもよい。

　Ｓ１０６における補正値（常温測定時）を算出する手順について説明する。常温時は、主に、クリープ現象という、プローブユニット１７のアクチュエータであるピエゾ素子が潜在的にもつ歪みによって生じる、プローブ１５のドリフトを補正する。クリープ現象によるドリフトは、直前の移動量の１０％程度のドリフトが直前の移動方向と同方向に発生する現象を指す。プローブ１５をＺ軸下方向（試料２７に対して接近する方向）に動作させることによって接触させていることに起因して、Ｚ軸下方向にドリフトが発生する。これにより試料２７とプローブ１５が接触した後に試料２７に対する加圧が発生しプローブ１５が曲げられ、ＳＥＭ像（上方視点）上で見るとプローブ１５の先端方向に向かって変位が生じる。このドリフト量が被検査箇所の範囲を超えると、プローブ１５と被検査箇所との間の接触が失われる。プローブ先端が被検査箇所の範囲内でユーザが決めた測定時間Ｔだけ接触を保つように補正値を決定する。

　ある時間間隔t秒におけるプローブのドリフト量をΔｐ、測定時間をＴとする。プローブ１５が被検査箇所に接触してからｎ分後、Ｚ軸上方向にプローブ１５を｛Σ（ｔ＝１，ｎ）Δｐ｝－ａ退避させる。補正値ａは、プローブ１５を上方向へ退避させすぎることによって、プローブ１５と試料２７との間の接触が失われることを防ぐための補正値である。Δｐは時間間隔ごとに同じ値を用いてもよいし、プローブ１５の観察像から計測した時間間隔ごとの実測値を用いてもよい。

　（ｎ＋１）分後（すなわち上方向退避の１分後）には、ｎ分後時点における上方向退避量の１０％（（｛Σ（ｔ＝１，ｎ）Δｐ｝－ａ）×０．１）だけ、プローブ１５をＺ軸下方向に進める。これは、クリープ現象によるドリフトが、直前の移動量の１０％程度だけ同じ方向に発生するという原理に基づき、上方向退避にともなうクリープドリフトを再補正するためのものである。

　補正値ａは所望の計測精度を維持できる範囲であらかじめ設定して記憶部２４などにあらかじめ格納しておく。被検査箇所の大きさや測定時間に応じて補正値ａを変更してもよい。後述する補正値ｂとｃも同様である。

　ｎは、補正を実施するタイミングとして、ユーザが例えばＳ１０１の画面上において時間長Ｔの範囲内で指定することができる。時間間隔ｔも同様にユーザが指定することができる。ｎやｔの値はプローブごとに異なっていてもよいし、全てのプローブについて共通であってもよい。以後の実施形態においても同様である。

＜実施の形態２＞
　本発明の実施形態２では、試料２７を加熱した上で計測する場合におけるドリフト補正値を決定する手順を説明する。荷電粒子線装置１００の構成は実施形態１と同じであるので、以下では加熱時における補正値の求め方について主に説明する。

　加熱時は、常温時のクリープ現象によるドリフトのほかに、熱によるメカ的な歪みによるドリフトも補正する。熱によるメカ的な歪みによるドリフトは、プローブ１５においてはＺ軸下方向に発生し、試料台駆動部１９においてはＺ軸上方向に発生する。よって、プローブ１５による被検査箇所に対する加圧が強く発生するので、加熱時のプローブ先端のドリフトは常温時のドリフトより大きく発生する。このドリフト量が被検査箇所の範囲を超えるとプローブと被検査箇所の接触が失われる。プローブ先端が被検査箇所の範囲内でユーザが決めた測定時間Ｔだけ接触を保つように補正値を決定する。

　熱による試料台駆動部１９のＺ軸上方向へのある時間間隔ｔ秒におけるドリフト量をΔｓとし、測定時間をＴとする。ある時間間隔ｔ秒ごとにプローブ先端は（Δｐ＋Δｓ）だけプローブ先端方向にドリフトする。したがって、プローブ１５が被検査箇所に接触してからｎ分経過した以後、時間間隔ｔ秒ごとに（Δｐ＋Δｓ－ｂ）だけプローブ１５を上方向へ退避させる。ｂはプローブが初期位置を超えて退避させることにより試料２７との接触が失われることを防止する補正値である。

　試料２７を加熱する場合においても、アクチュエータのクリープドリフトは発生する。ただし加熱によって生じる熱ドリフトはクリープドリフトよりもかなり大きいので、クリープドリフトの影響は実質的に無視することができる。そこで本実施形態においては、プローブ１５を上方向へ退避することによって生じる新たなクリープドリフトを再補正するための再移動は実施しないこととした。後述する試料２７を冷却する場合においても同様に再補正のための再移動は実施しないこととした。

　試料２７を加熱することによって生じる熱ドリフトはクリープドリフトよりも大きく、その影響は顕著であるので、本実施形態においては実施形態１とは異なり、時間間隔ｔ秒ごとにドリフト補正を実施することとした。ただし補正動作を開始するのは、プローブ１５と試料２７が接触してからｎ分（ユーザがＳ１０１などにおいて指定可能）経過した時点とした。これは以下の理由による。

　プローブ１５を上方へ退避することを開始すると、プローブ１５と試料２７との間の接触が失われるリスクも同時に発生することになる。そこでプローブ１５と試料２７が接触してから最初のｎ分間は、プローブ１５がドリフトしても接触が失われないように、プローブ１５の初期位置をあらかじめ調整しておく。これにより、最初のｎ分間は接触が失われるリスクはないので、プローブ１５による計測値を確実に得ることができる利点がある。ただしそのｎ分間におけるドリフトが生じたとしても十分な計測精度が得られる範囲内で、初期位置をセットする必要がある。後述する試料２７を冷却する場合においても同様の理由により、補正動作を開始するのはｎ分経過後とした。

＜実施の形態３＞
　本発明の実施形態３では、試料２７を冷却した上で計測する場合におけるドリフト補正値を決定する手順を説明する。荷電粒子線装置１００の構成は実施形態１と同じであるので、以下では冷却時における補正値の求め方について主に説明する。

　冷却時は、常温時のクリープ現象によるドリフトのほかに、冷却によるメカ的な歪みによるドリフトも補正する。冷却によるメカ的な歪みによるドリフトは、プローブ１５においてはＺ軸上方向に発生し、試料台駆動部１９においてはＺ軸下方向に発生する。よって、プローブ１５が被検査箇所から離れる方向にドリフトが発生する。このドリフト量が被検査箇所の範囲を超えるとプローブと被検査箇所の接触が失われる。プローブ先端が被検査箇所の範囲内でユーザが決めた測定時間Ｔだけ接触を保つように補正値を決定する。

　冷却による試料台駆動部１９のＺ軸下方向へのある時間間隔ｔ秒におけるドリフト量をΔｓとし、測定時間をＴとする。ある時間間隔ｔ秒ごとにプローブ先端は（Δｐ＋Δｓ）だけ後退方向にドリフトする。したがって、プローブが被検査箇所に接触してからｎ分経過した以後、時間間隔ｔ秒ごとに（Δｐ＋Δｓ＋ｃ）だけプローブをＺ軸下方向に前進させる（試料２７に対して近づける）。ｃはプローブの前進する量が足りずに接触が失われることを防止する補正値である。

＜実施の形態４＞
　本発明の実施形態４では、プローブ１５の補正量を決定した後、実際に試料の電気的特性を計測する動作例を説明する。補正量を決定する手順は実施形態１～３と同様である。荷電粒子線装置１００の構成は実施形態１と同じである。

　図３は、試料の電気的特性を計測する手順を説明するフローチャートである。以下図３の各ステップを説明する。

（図３：ステップＳ２０１～Ｓ２０４）
　荷電粒子線装置１００を立ち上げると、荷電粒子線装置１００はＳＥＭ画像の設定倍率待ち状態になり、制御コンピュータ２３に付随した表示画面に倍率の設定入力手段が表示される（Ｓ２０１）。必要に応じて試料室内の温度を設定し（Ｓ２０２：ＹＥＳ、Ｓ２０３）、常温で測定する場合（Ｓ２０２：ＮＯ）はＳ２０３へスキップする。プローブ１５を被検査箇所へ接触させる（Ｓ２０４）。これらのステップはＳ１０１～Ｓ１０４と同様である。

（図３：ステップＳ２０５～Ｓ２０６）
　制御コンピュータ２３は、後述する図４の画面を表示する。ユーザは同画面上で、プローブ１５のドリフトを補正するための移動量および補正値を指定する（Ｓ２０５）。ユーザ入力が完了すると、指定された移動量および補正値を用いながら、試料２７を測定する（Ｓ２０６）。

　図４は、Ｓ２０５において制御コンピュータ２３が提供するユーザインターフェースの画面例である。制御コンピュータ２３は、図２のフローチャートをあらかじめ実施しておくことにより、ドリフト補正のための移動量（ここでは実施形態２の移動量Δｐ＋Δｓ－ｂを例示した）をあらかじめ算出しておく。本画面を表示するとき、その移動量をプリセット値として提示することができる。

　本画面は、複数のテキストボックス４０２によって構成されている。テキストボックスの配列の横軸は時間軸に対応し、縦軸はプローブ番号４０１に対応する。制御コンピュータ２３は、ユーザが指定した補正タイミング（実施形態２～３であればｎ分経過以後のｔ秒ごと）に対応するテキストボックス４０２内に、あらかじめ算出した移動量をセットする。ユーザはその移動量をマニュアル入力によってさらに変更することができる。これにより、測定時の気温などによる環境によるプローブのドリフト量の微量な変化に対応することが可能となる。

＜本発明の変形例について＞
　以上の実施形態において、プローブユニット１７のアクチュエータとしてピエゾ素子を用いることと、ピエゾ素子のクリープドリフトを補正することを説明した。ピエゾ素子以外のアクチュエータを用いる場合においても同様のドリフトが発生するのであれば、以上の実施形態と同様の移動量を用いてドリフトを補正することができる。

　実施形態１において、１分ごとにドリフト量を計測してこれを相殺する移動量を求めることを説明したが、これは１例であり、この時間間隔はプローブ１５の特性や計測環境などに応じて適切に定めることができる。同様に、ｔ秒やｎ分などの数値および時間単位も１例であり、より長いまたはより短い時間単位（例：ｔ分ごとにドリフト補正する、ｎ秒経過以後からドリフト補正を開始する、など）を採用してもよい。

　以上の実施形態において、プローブ１５と試料２７との間の接触が失われないようにするための補正値ａ～補正値ｃは、接触が失われる可能性が乏しいのであれば必ずしも用いなくてもよい。例えばドリフト補正のための移動量の精度が十分高い場合は補正値を用いないことが考えられる。図４におけるラジオボタン４０３は、補正値ａ～ｃを用いるか否かを指定するために用いることができる。

１０：電子銃、１１：隔壁、１２：１次電子線、１３：２次電子検出器、１４：２次電子線、１５：プローブ、１６：プローブホルダー、１７：プローブユニット、１８：試料台、１９：試料台駆動部、２０：大試料ステージ、２１：ベース、２２：電気特性計測器、２３：制御コンピュータ、２４：記憶部、２５：電子銃制御器、２６：オペレータ操作手段、２７：試料、２８:カメラ、２９:カメラ、３０：加熱手段、３１：冷却手段

Claims (10)

1. 　荷電粒子線装置を用いて観察する試料に対してプローブを接触させて前記プローブを用いて前記試料の電気的特性を計測する計測方法であって、
   　前記計測を実施するときの温度条件において発生する前記プローブの変位を前記荷電粒子線装置によって計測するステップ、
   　前記変位を相殺するために前記プローブを移動させる移動量を特定するステップ、
   　前記試料に対して前記プローブを接触させて前記電気的特性を計測する際に、前記特定した前記移動量を用いて、前記変位を相殺しながら前記電気的特性を計測するステップ、
   　を有することを特徴とする計測方法。
2. 　前記変位を計測するステップにおいては、所定時間間隔ごとに前記変位を計測し、
   　前記移動量を特定するステップにおいては、前記所定時間間隔ごとの前記変位を、前記プローブが前記試料に対して接触してから経過した時間長にわたって合算することにより、前記移動量を計算する
   　ことを特徴とする請求項１記載の計測方法。
3. 　前記変位は、前記プローブを駆動するアクチュエータの歪みに起因するクリープ変位を含んでおり、
   　前記試料に対して加熱も冷却も実施することなく前記電気的特性を計測するステップを実施する場合は、
   　　前記移動量を特定するステップにおいては、前記クリープ変位を相殺することができる前記移動量を前記所定時間間隔ごとに特定し、
   　　前記電気的特性を計測するステップにおいては、前記プローブが前記試料に対して接触してから前記時間長が経過した時点で、前記合算によって計算した前記移動量を用いて前記プローブを前記試料の上方へ退避させた上で、前記電気的特性を計測する
   　ことを特徴とする請求項２記載の計測方法。
4. 　前記計測方法はさらに、前記電気的特性を計測するステップにおいて前記プローブを上方へ退避させることに起因して前記プローブと前記試料との間の接触が失われることを回避するための第１補正量を取得するステップを有し、
   　前記試料に対して加熱も冷却も実施することなく前記電気的特性を計測するステップを実施する場合は、前記電気的特性を計測するステップは、
   　　前記時間長が経過した時点において、前記合算によって計算した移動量から前記第１補正量を減算した第１補正後移動量を用いて前記プローブを前記試料の上方へ退避させるステップ、
   　　前記時間長が経過した時点からさらに前記所定時間間隔が経過した時点において、前記第１補正後移動量によって生じる前記クリープ変位を相殺するための移動量を用いて前記プローブを下方へ移動させるステップ、
   　を有する
   　ことを特徴とする請求項３記載の計測方法。
5. 　前記変位は、前記プローブを駆動するアクチュエータの歪みに起因する第１変位と、前記プローブを加熱することによって発生する熱ドリフトに起因する第２変位とを含んでおり、
   　前記試料を加熱した上で前記電気的特性を計測するステップを実施する場合は、
   　　前記移動量を特定するステップにおいては、前記第１変位と前記第２変位を相殺することができる前記移動量を所定時間間隔毎に特定し、
   　　前記電気的特性を計測するステップにおいては、前記プローブが前記試料に対して接触してから所定時間が経過した時点で、前記所定時間間隔毎に、前記移動量を用いて前記プローブを前記試料の上方へ退避させながら、前記電気的特性を計測する
   　ことを特徴とする請求項１記載の計測方法。
6. 　前記計測方法はさらに、前記電気的特性を計測するステップにおいて前記プローブを上方へ退避させることに起因して前記プローブと前記試料との間の接触が失われることを回避するための第２補正量を取得するステップを有し、
   　前記試料を加熱した上で前記電気的特性を計測するステップを実施する場合は、
   　　前記電気的特性を計測するステップにおいては、前記所定時間間隔毎に、前記移動量から前記第２補正量を減算した第２補正後移動量を用いて前記プローブを前記試料の上方へ退避させながら、前記電気的特性を計測する
   　ことを特徴とする請求項５記載の計測方法。
7. 　前記変位は、前記プローブを駆動するアクチュエータの歪みに起因する第１変位と、前記プローブを冷却することによって発生する熱ドリフトに起因する第３変位とを含んでおり、
   　前記試料を冷却した上で前記電気的特性を計測するステップを実施する場合は、
   　　前記移動量を特定するステップにおいては、前記第１変位と前記第３変位を相殺することができる前記移動量を所定時間間隔毎に特定し、
   　　前記電気的特性を計測するステップにおいては、前記プローブが前記試料に対して接触してから所定時間が経過した時点で、前記所定時間間隔毎に、前記移動量を用いて前記プローブを前記試料に対して近づける方向へ移動させながら、前記電気的特性を計測する
   　ことを特徴とする請求項１記載の計測方法。
8. 　前記計測方法はさらに、前記電気的特性を計測するステップにおいて前記プローブを前記試料に対して近づける量が不足することに起因して前記プローブと前記試料との間の接触が失われることを回避するための第３補正量を取得するステップを有し、
   　前記試料を冷却した上で前記電気的特性を計測するステップを実施する場合は、
   　　前記電気的特性を計測するステップにおいては、前記所定時間間隔毎に、前記移動量に対して前記第３補正量を加算した第３補正後移動量を用いて前記プローブを前記試料に対して近づける方向へ移動させながら、前記電気的特性を計測する
   　ことを特徴とする請求項７記載の計測方法。
9. 　前記計測方法はさらに、複数の前記プローブそれぞれについて個別に前記移動量を特定するステップを有し、
   　前記電気的特性を計測するステップにおいては、各前記プローブに対して前記個別の移動量をそれぞれ適用することにより、前記プローブごとの前記変位を相殺しながら前記電気的特性を計測する
   　ことを特徴とする請求項１記載の計測方法。
10. 　試料に対して荷電粒子線を照射することにより前記試料を観察する荷電粒子線装置であって、
    　前記試料と接触して前記試料の電気的特性を計測するプローブ、
    　前記試料を搭載したステージを移動させる制御装置、
    　を備え、
    　前記制御装置は、
    　　前記観察を実施するときの温度条件において発生する前記プローブの変位を前記荷電粒子線によって計測するステップ、
    　　前記変位を相殺するために前記プローブを移動させる移動量を特定するステップ、
    　　前記試料に対して前記プローブを接触させて前記電気的特性を計測する際に、前記特定した前記移動量を用いて、前記変位を相殺しながら前記電気的特性を計測するステップ、
    　を実施する
    　ことを特徴とする荷電粒子線装置。

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