WO2024122339A1 - 基板処理装置 - Google Patents

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WO2024122339A1
WO2024122339A1 PCT/JP2023/041941 JP2023041941W WO2024122339A1 WO 2024122339 A1 WO2024122339 A1 WO 2024122339A1 JP 2023041941 W JP2023041941 W JP 2023041941W WO 2024122339 A1 WO2024122339 A1 WO 2024122339A1
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WO
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substrate
polishing
lane
module
modules
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/041941
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English (en)
French (fr)
Inventor
北斗 山野邊
賢一 小林
昭尋 谷澤
翔 石川
Original Assignee
株式会社荏原製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2022197125A external-priority patent/JP2024082918A/ja
Priority claimed from JP2022197122A external-priority patent/JP2024082916A/ja
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    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B21/00—Machines or devices using grinding or polishing belts; Accessories therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
    • B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B9/00—Machines or devices designed for grinding edges or bevels on work or for removing burrs; Accessories therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus.
  • This application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2022-197122 filed in Japan on December 9, 2022, and Japanese Patent Application No. 2022-197125 filed in Japan on December 9, 2022, the contents of which are incorporated herein by reference.
  • Patent Document 1 discloses an apparatus that polishes the bevel portion of a substrate. By using such an apparatus to remove extremely small defects from a substrate, it is possible to obtain benefits such as reducing the yield during semiconductor manufacturing.
  • the present invention was made in consideration of these circumstances, and aims to provide a substrate processing apparatus capable of processing multiple substrates in parallel.
  • the present invention has been made in consideration of the above circumstances, and aims to provide a substrate processing apparatus capable of efficiently processing multiple substrates in parallel.
  • a substrate processing apparatus includes a plurality of polishing modules for polishing a substrate, and a transport unit for moving the substrate between the plurality of polishing modules, the plurality of polishing modules including a first module group and a second module group, and in a plan view, the transport unit is located between the first module group and the second module group, the first module group includes a first upper lane in which at least two of the polishing modules are arranged adjacent to each other, and a first lower lane in which at least two of the polishing modules are arranged adjacent to each other and disposed below the first upper lane, and the second module group includes a second upper lane in which at least two of the polishing modules are arranged adjacent to each other, and a second lower lane in which at least two of the polishing modules are arranged adjacent to each other and disposed below the second upper lane.
  • the polishing module in the substrate processing apparatus of aspect 1, has a housing exposed to the outside.
  • the housing is formed with an opening for moving the substrate between the transport unit and the polishing module.
  • the housing is provided with a filter fan unit.
  • the polishing module is connected to a side of the transport unit.
  • the polishing module is configured to be removable.
  • the order in which the at least two polishing modules are arranged in at least one of the first upper lane, the first lower lane, the second upper lane, and the second lower lane can be changed.
  • the multiple polishing modules include at least one front surface polishing module that polishes the front surface of the substrate, at least one bevel polishing module that polishes the bevel portion of the substrate, and at least one back surface polishing module that polishes the back surface of the substrate.
  • the substrate processing apparatus comprises a transport unit having an upper transport machine for transporting a first substrate and a lower transport machine for transporting a second substrate, an upper lane including a plurality of polishing modules arranged in line in the transport direction of the upper transport machine for polishing the first substrate, and a lower lane including a plurality of polishing modules arranged in line in the transport direction of the lower transport machine for polishing the second substrate, the polishing modules being detachable from the transport unit, the upper lane and the lower lane being arranged in parallel at different height positions, the upper transport machine transferring the first substrate to and from the upper lane, and the lower transport machine transferring the second substrate to and from the lower lane.
  • the transport unit further includes an upper moving rail that runs along the transport direction of the upper transport device and a lower moving rail that runs along the transport direction of the lower transport device, and the upper transport device is movable along the upper moving rail, and the lower transport device is movable along the lower moving rail.
  • a plurality of the transport units are provided, and the plurality of transport units are arranged in the transport direction of the upper transport machine and the lower transport machine.
  • the polishing modules constituting the upper lane include at least one front surface polishing module that polishes the front surface of the first substrate, at least one back surface polishing module that polishes the back surface of the first substrate, and at least one bevel polishing module that polishes the bevel portion of the first substrate
  • the polishing modules constituting the lower lane include at least one front surface polishing module that polishes the front surface of the second substrate, at least one back surface polishing module that polishes the back surface of the second substrate, and at least one bevel polishing module that polishes the bevel portion of the second substrate.
  • the above aspect of the present invention provides a substrate processing apparatus capable of processing multiple substrates in parallel.
  • a substrate processing apparatus capable of efficiently processing multiple substrates in parallel can be provided.
  • FIG. 1 is a perspective view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention
  • 1 is an exploded view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention
  • 1 is a plan view showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line IV-IV shown in FIG. 3, illustrating an outline of a surface polishing module.
  • FIG. 1 is a schematic diagram of a bevel polishing module according to an embodiment of the present invention.
  • 1 is a diagram showing an outline of a back surface polishing module according to an embodiment of the present invention
  • 1 is a configuration diagram showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention;
  • FIG. 11 is a configuration diagram showing a first modified example of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a configuration diagram showing a second modified example of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 is a configuration diagram showing a third modified example of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
  • the substrate processing apparatus 1 includes an EFEM 10, a cleaning and drying unit 20, a treatment unit 30, a control unit 40, a plurality of load ports 51, and a measurement unit 53.
  • each of the EFEM 10, the cleaning and drying unit 20, and the treatment unit 30 has at least one transport device 52.
  • the EFEM 10 and the cleaning and drying unit 20 are housed in a first outer housing H1.
  • the control unit 40 is housed in a second outer housing H2.
  • the control unit 40 controls the overall operation of the substrate processing apparatus 1.
  • the EFEM 10, cleaning and drying unit 20, treatment unit 30, and control unit 40 are arranged in one direction. Furthermore, the EFEM 10, cleaning and drying unit 20, treatment unit 30, and control unit 40 are arranged in this order in that direction.
  • the direction in which the EFEM 10, the cleaning and drying unit 20, the treatment unit 30, and the control unit 40 are arranged is referred to as the conveying direction Y.
  • the conveying direction Y is also the direction in which the lanes L1U, L1D, L2U, and L2D described later extend.
  • a direction from the EFEM 10 toward the control unit 40 along the conveying direction Y is referred to as the +Y direction or the back side.
  • a direction opposite to the +Y direction is referred to as the -Y direction or the front side.
  • a direction intersecting the conveying direction Y is referred to as the left-right direction X.
  • a direction along the left-right direction X is referred to as the +X direction or the right side.
  • a direction opposite to the +X direction is referred to as the -X direction or the left side.
  • a direction intersecting both the left-right direction X and the conveying direction Y is referred to as the up-down direction Z.
  • a direction along the up-down direction Z is referred to as the +Z direction or the upward direction.
  • a direction opposite to the +Z direction is referred to as the -Z direction or the downward direction.
  • the up-down direction Z is the direction of gravity (vertical direction), and the left-right direction X and the transport direction Y are horizontal directions.
  • the up-down direction Z may be inclined with respect to the direction of gravity, and the left-right direction X and the transport direction Y may be inclined with respect to the horizontal direction.
  • the treatment unit 30 has multiple (12 in the illustrated example) polishing modules M and a transport unit C (first transport unit C1).
  • Each polishing module M polishes a substrate W and removes defects present in the substrate W. Examples of "defects present in the substrate W” include particles, metal adhered to the substrate W, dirt embedded (sunk into) the substrate W, and minute irregularities on the substrate W.
  • each of the multiple polishing modules M is one of a front surface polishing module M1, a bevel polishing module M2, and a back surface polishing module M3.
  • the front surface polishing module M1 is a module that polishes the front surface of the substrate W.
  • the bevel polishing module M2 is a module that polishes the bevel portion (outer periphery) of the substrate W.
  • the back surface polishing module M3 is a module that polishes the back surface of the substrate W.
  • the multiple polishing modules M include a first module group G1 and a second module group G2.
  • each of the first module group G1 and the second module group G2 has six polishing modules M.
  • the transport unit C (first transport unit C1) is located between the first module group G1 and the second module group G2. More specifically, the first module group G1 and the second module group G2 are arranged so as to sandwich the transport unit C (first transport unit C1) between them in the left-right direction X.
  • the first module group G1 is arranged to the right (+X side) of the transport unit C (first transport unit C1).
  • the second module group G2 is arranged to the left (-X side) of the transport unit C (first transport unit C1).
  • the first module group G1 has a first upper lane L1U and a first lower lane L1D arranged below the first upper lane L1U.
  • the second module group G2 has a second upper lane L2U and a second lower lane L2D arranged below the second upper lane L2U.
  • multiple polishing modules M are arranged adjacent to each other in the transport direction Y.
  • a front surface polishing module M1 a bevel polishing module M2, and a back surface polishing module M3 are arranged in this order from the rear side (+Y side) to the front side (-Y side).
  • the first upper lane L1U and the first lower lane L1D are arranged in parallel at different height positions. That is, the first upper lane L1U and the first lower lane L1D are arranged in parallel above and below.
  • the second upper lane L2U and the second lower lane L2D are arranged in parallel at different height positions. That is, the second upper lane L2U and the second lower lane L2D are arranged in parallel above and below.
  • the first upper lane L1U and the second upper lane L2U are each an example of an upper lane
  • the first lower lane L1D and the second lower lane L2D are each an example of a lower lane.
  • each polishing module M has a housing 31 and a processing device 32 housed in the housing 31.
  • the housing 31 is not housed in the outer housings H1 and H2, and is exposed to the outside of the substrate processing device 1.
  • Each polishing module M is connected to a side surface (the surface facing outward in the left-right direction X in the illustrated example) of the transport unit C (first transport unit C1). Moreover, each polishing module M according to this embodiment is configured to be detachable from the transport unit C. Furthermore, the polishing modules M1, M2, and M3 have substantially the same external shape. This allows the order in which the polishing modules M1, M2, and M3 are arranged in each of the lanes L1U, L1D, L2U, and L2D to be changed. Note that the phrase "substantially the same external shape" also includes cases where the external shapes are the same if manufacturing errors are ignored.
  • the housing 31 has an opening 31a formed therein for moving the substrate W between the transport unit C and the polishing module M.
  • the housing 31 in this embodiment is provided with a shutter S that can be switched between a closed state and an open state.
  • the closed state is a state in which the shutter S closes the opening 31a.
  • the open state is a state in which the shutter S does not close the opening 31a.
  • the housing 31 according to this embodiment is provided with a filter fan unit F.
  • the filter fan unit F has a clean air filter such as a HEPA filter, a ULPA filter, or a chemical filter.
  • the filter fan unit F constantly blows out clean air from which particles, toxic vapors, toxic gases, etc. have been removed into the inside of the housing 31. In this way, the filter fan unit F keeps the inside of the housing 31 clean.
  • the specific configuration of the processing device 32 may differ depending on the type of polishing module M.
  • the configuration of the processing device 32 possessed by the front surface polishing module M1, the configuration of the processing device 32 possessed by the bevel polishing module M2, and the configuration of the processing device 32 possessed by the back surface polishing module M3 may differ from each other.
  • an outline of the configuration of the processing device 32 possessed by each polishing module M1, M2, and M3 is explained. Note that the configuration of the processing device 32 described below is merely an example and can be changed as appropriate.
  • the surface polishing module M1 has, as the processing device 32, for example, a rotating stage 32a1 and a polishing head 32a2.
  • the rotating stage 32a1 is configured to be rotatable about a rotation axis AX1.
  • the substrate W is placed on the rotating stage 32a1.
  • the polishing head 32a2 has, for example, a polishing tape 32a3 that polishes the surface of the substrate W. Abrasive grains are provided on the surface of the polishing tape 32a3.
  • the polishing head 32a2 is configured to be capable of translational and rotational movement on the surface of the substrate W, for example.
  • the polishing head 32a2 moves in a parallel and rotational motion. This causes the polishing tape 32a3 to polish the surface of the substrate W. This removes defects on the surface of the substrate W. In other words, the surface of the substrate W is treated.
  • the bevel polishing module M2 has, as the processing device 32, for example, a rotating stage 32b1 and a polishing head 32b2.
  • the rotating stage 32b1 is configured to be rotatable about a rotation axis AX2.
  • the substrate W is placed on the rotating stage 32b1.
  • the polishing head 32b2 has, for example, a polishing tape 32b3 that polishes the bevel portion (outer periphery) of the substrate W.
  • Abrasive grains are provided on the surface of the polishing tape 32b3.
  • the polishing head 32b2 is configured to be capable of moving along the bevel portion of the substrate W, for example.
  • the polishing head 32b2 moves along the bevel portion. This causes the polishing tape 32b3 to polish the bevel portion of the substrate W. This removes defects in the bevel portion of the substrate W. In other words, the bevel portion of the substrate W is treated.
  • the back surface polishing module M3 has, for example, a plurality of holding parts 32c1 and a plurality of polishing heads 32c2 as the processing device 32.
  • the plurality of holding parts 32c1 hold the substrate W in a state in which the substrate W can rotate about the central axis AX3a of the substrate W.
  • a part (rotating part) of each holding part 32c1 is configured to rotate about the central axis AX3b.
  • the rotating part rotates about the central axis AX3b while contacting the outer periphery of the substrate W. This causes the substrate W to rotate about the central axis AX3a.
  • the polishing head 32c2 has, for example, a polishing tape 32c3 that polishes the back surface of the substrate W. Abrasive grains are provided on the surface of the polishing tape 32c3.
  • the plurality of polishing heads 32c2 are arranged, for example, at intervals along the back surface of the substrate W. Each polishing head 32c2 may be configured to be capable of moving along the back surface of the substrate W.
  • the action of the holding portion 32c1 causes the substrate W to rotate around the central axis AX3a, and the polishing tape 32c3 to come into contact with the rear surface of the substrate W. This causes the polishing tape 32c3 to polish the rear surface of the substrate W. This removes defects on the rear surface of the substrate W. In other words, the rear surface of the substrate W is treated.
  • the surface roughness of the polishing tape in each of the front surface polishing module M1, the bevel polishing module M2 and the back surface polishing module M3 can be determined according to the characteristics required for the substrate W.
  • the transport unit C (first transport unit C1) moves the substrate W between the multiple polishing modules M.
  • the transport unit C may be provided with a tipping prevention means for preventing the transport unit C from tipping over.
  • tipping measurement means include legs or other fixing means for fixing the transport unit C to the installation surface (floor, ground, etc.).
  • tipping over of the transport unit C may be prevented by making the weight of the transport unit C sufficiently larger than the weight of the polishing modules M.
  • the transport unit C has a transport mechanism 52 that transports the substrate W.
  • the transport mechanism 52 has, for example, an arm 52a and a hand 52b.
  • the transport mechanism 52 may have multiple arms 52a and multiple hands 52b.
  • the transport unit C (first transport unit C1) may have two or more transport mechanisms 52 including an upper transport mechanism 52U and a lower transport mechanism 52D.
  • the upper transport mechanism 52U moves the substrate W in the upper lanes L1U and L2U.
  • the lower transport mechanism 52D moves the substrate W in the lower lanes L1D and L2D.
  • the transport unit C has an opening Ca that communicates with an opening 31a provided in the housing 31.
  • the transport device 52 inserts the arm 52a and hand 52b into the housing 31 and removes them from the housing 31 through these openings Ca and 31a. This allows the substrate W to be inserted or removed from the housing 31.
  • the opening 31a of the housing 31 and the opening Ca of the transport unit C correspond one-to-one, but the correspondence between the openings 31a and the openings Ca is not limited to this and can be changed as appropriate.
  • one opening Ca may be opened for multiple openings 31a.
  • the shutter S described above may be provided in the opening Ca of the transport unit C, rather than the opening 31a of the housing 31.
  • the transport unit C (first transport unit C1) includes two or more transporters 52, an upper moving rail 61, and a lower moving rail 62.
  • the two or more transporters 52 include an upper transporter 52U (first transporter 52U) and a lower transporter 52D (second transporter 52D).
  • the upper transport device 52U moves the substrate W on the upper lanes L1U and L2U.
  • the substrate W moved on the upper lanes L1U and L2U is referred to as the "first substrate W1.”
  • the first substrate W1 is also the substrate W transported by the upper transport device 52U.
  • the lower transport device 52D moves the substrate W on the lower lanes L1D and L2D.
  • the substrate W moved on the lower lanes L1D and L2D is referred to as the "second substrate W2.”
  • the second substrate W2 is also the substrate W transported by the lower transport device 52D.
  • the upper transport machine 52U can transfer the first substrate W1 between the polishing modules M that make up the upper lanes L1U and L2U.
  • the hand 52b (see FIG. 4) of the upper transport machine 52U holds the first substrate W1.
  • the arm 52a is connected to the hand 52b (see FIG. 4).
  • the arm 52a can, for example, move the hand 52b holding the first substrate W1 within a horizontal plane.
  • the arm 52a can transport the first substrate W1 into the polishing modules M that make up the upper lanes L1U and L2U.
  • the arm 52a can transport the first substrate W1 out of the polishing modules M that make up the upper lanes L1U and L2U.
  • the lower transport device 52D can transfer the second substrate W2 between the polishing modules M that make up the lower lanes L1D, L2D.
  • the hand 52b (see FIG. 4) of the lower transport device 52D holds the second substrate W2.
  • the arm 52a is connected to the hand 52b (see FIG. 4).
  • the arm 52a can, for example, move the hand 52b holding the second substrate W2 within a horizontal plane.
  • the arm 52a can transport the second substrate W2 into the polishing modules M that make up the lower lanes L1D, L2D.
  • the arm 52a can transport the second substrate W2 out of the polishing modules M that make up the lower lanes L1D, L2D.
  • the upper moving rail 61 is disposed along the transport direction Y of the upper conveyor 52U.
  • the upper conveyor 52U is movable along the upper moving rail 61.
  • the position of the upper conveyor 52U in the transport direction Y can be adjusted along the upper moving rail 61 as necessary.
  • the lower moving rail 62 is disposed along the transport direction Y of the lower conveyor 52D.
  • the lower conveyor 52D is movable along the lower moving rail 62.
  • the position of the lower conveyor 52D in the transport direction Y can be adjusted along the lower moving rail 62 as necessary.
  • the cleaning and drying unit 20 has a plurality of cleaning sections 21A-21C, a plurality of drying sections 22, and a transport unit C (second transport unit C2).
  • the plurality of cleaning sections 21A-21C and the plurality of drying sections 22 are provided corresponding to the lanes L1U, L1D, L2U, and L2D of the treatment unit 30.
  • three cleaning sections 21A, 21B, and 21C and one drying section 22 are provided for each of the lanes L1U, L1D, L2U, and L2D.
  • the cleaning sections 21A-21C and the drying section 22 are arranged in this order from the back side (+Y side) to the front side (-Y side).
  • the second transport unit C2 moves the substrate W between the plurality of cleaning sections 21A-21C and the drying section 22 by the transport machine 52.
  • the configuration of the second transport unit C2 may be the same as that of the first transport unit C1.
  • the substrate W is placed on the load port 51 by an operator or the like.
  • the substrate W placed on the load port 51 is transported to the surface polishing module M1 by the transport machine 52 of the EFEM 10, the transport machine 52 of the second transport unit C2, and the transport machine 52 of the first transport unit C1.
  • the surface polishing module M1 is the polishing module M located at the innermost side (+Y side).
  • the substrate W is transported to one of the lanes L1U, L1D, L2U, or L2D.
  • the surface of the substrate W is polished by the surface polishing module M1.
  • the substrate W (first substrate W1) has its front surface polished by the front surface polishing module M1 of the upper lanes L1U and L2U (see Figures 2 and 7).
  • the substrate W (first substrate W1) whose front surface has been polished by the front surface polishing module M1 is transported by the transport device 52 (upper transport device 52U) of the first transport unit C1 to the bevel polishing module M2 in the same lane.
  • the substrate W (first substrate W1) has its bevel portion polished by the bevel polishing module M2.
  • the substrate W (first substrate W1) whose bevel portion has been polished by the bevel polishing module M2 is transported by the transport device 52 (upper transport device 52U) to the back surface polishing module M3 in the same lane.
  • the substrate W (first substrate W1) has its back surface polished by the back surface polishing module M3.
  • the substrate W (first substrate W1) whose back surface has been polished by the back surface polishing module M3 is transported to the cleaning section 21A by the transport machine 52 of the first transport unit C1 and the transport machine 52 of the second transport unit C2 (see FIG. 3).
  • the substrate W is cleaned by the cleaning section 21A.
  • the substrate W (second substrate W2) has its front surface polished by the front surface polishing module M1 in the lower lanes L1D, L2D (see Figures 2 and 7).
  • the substrate W (second substrate W2) whose front surface has been polished by the front surface polishing module M1 is transported by the transport device 52 (lower transport device 52D) of the first transport unit C1 to the bevel polishing module M2 in the same lane.
  • the substrate W (second substrate W2) has its bevel portion polished by the bevel polishing module M2.
  • the substrate W (second substrate W2) whose bevel portion has been polished by the bevel polishing module M2 is transported by the transport device 52 (lower transport device 52D) to the back surface polishing module M3 in the same lane.
  • the substrate W (second substrate W2) has its back surface polished by the back surface polishing module M3.
  • the substrate W (second substrate W2) whose back surface has been polished by the back surface polishing module M3 is transported to the cleaning section 21A by the transport device 52 of the first transport unit C1 and the transport device 52 of the second transport unit C2 (see FIG. 3).
  • the substrate W is cleaned by the cleaning section 21A.
  • the substrate W cleaned by the cleaning section 21A is transported by the transporter 52 of the second transport unit C2 to the cleaning section 21B, where it is cleaned by the cleaning section 21B.
  • the substrate W cleaned by the cleaning section 21B is transported by the transporter 52 of the second transport unit C2 to the cleaning section 21C, where it is cleaned by the cleaning section 21C.
  • the substrate W cleaned by the cleaning section 21C is transported by the transporter 52 of the second transport unit C2 to the drying section 22, where it is dried by the drying section 22.
  • the substrate W dried by the drying section 22 is transported by the transporter 52 of the EFEM 10 to the measuring section 53.
  • the measuring section 53 measures the state of defects remaining in the substrate W.
  • the substrate W measured by the measuring section 53 is transported to the load port 51 by the transporter 52 of the EFEM 10.
  • the substrate processing apparatus 1 may have a temporary placement table on which the substrate W is temporarily placed when the transporter 52 transports the substrate W.
  • the substrate processing apparatus 1 includes a plurality of polishing modules M for polishing substrates W, and a transport unit C (first transport unit C1) for moving the substrates W between the plurality of polishing modules M.
  • the plurality of polishing modules M includes a first module group G1 and a second module group G2.
  • the transport unit C is located between the first module group G1 and the second module group G2.
  • the first module group G1 includes a first upper lane L1U in which the plurality of polishing modules M are arranged adjacent to each other, and a first lower lane L1D in which the plurality of polishing modules M are arranged adjacent to each other and disposed below the first upper lane L1U.
  • the second module group G2 includes a second lower lane L2D in which the plurality of polishing modules M are arranged adjacent to each other and disposed below the second upper lane L2U.
  • This configuration makes it possible to realize parallel processing of substrates W using four lanes L1U, L1D, L2U, and L2D, thereby improving the processing speed of substrates W.
  • the substrates W are processed by polishing, it is possible to remove defects that cannot be removed by non-contact cleaning using chemicals or processing using brushes, etc.
  • the polishing module M also has a housing 31 that is exposed to the outside. In other words, the polishing module M is not housed in the outer housings H1 and H2. This configuration makes it easier to realize a configuration in which the polishing module M can be attached and detached to the transport unit C.
  • the housing 31 also has an opening 31a formed therein for moving the substrate W between the transport unit C and the polishing module M. This configuration allows the substrate W to be moved smoothly between the transport unit C and the polishing module M.
  • the housing 31 is also provided with a filter fan unit F. This configuration allows the airflow to be controlled independently within each polishing module M, keeping the polishing modules M clean.
  • the polishing module M is also connected to the side of the transport unit C. This configuration makes it easier to realize a configuration in which the polishing module M can be attached and detached to the transport unit C.
  • the polishing module M is also configured to be removable. This configuration allows the polishing module M to be removed as needed for inspection or replacement.
  • the order in which the multiple polishing modules M are arranged in each of the first upper lane L1U, the first lower lane L1D, the second upper lane L2U, and the second lower lane L2D can be changed.
  • the multiple polishing modules M also include at least one front surface polishing module M1 that polishes the front surface of the substrate W, at least one bevel polishing module M2 that polishes the bevel portion of the substrate W, and at least one back surface polishing module M3 that polishes the back surface of the substrate W.
  • This configuration makes it possible to provide a substrate processing apparatus 1 that is capable of polishing (treating) the front surface, bevel portion, and back surface of the substrate W in a single apparatus.
  • the substrate processing apparatus 1 can achieve parallel processing of substrates W using the upper lanes L1U, L2U and the lower lanes L1D, L2D, thereby improving the processing speed of the substrates W.
  • the substrates W are processed by polishing, defects that cannot be removed by non-contact cleaning using chemicals or processing using brushes can be removed.
  • the transport unit C (first transport unit C1) is equipped with an upper transport device 52U and a lower transport device 52D.
  • the upper transport device 52U transfers the substrate W (first substrate W1) between the upper lanes L1U and L2U.
  • the lower transport device 52D transfers the substrate W (second substrate W2) between the lower lanes L1D and L2D.
  • the substrate processing apparatus 1 can process the first substrate W1 and the second substrate W2 in parallel. This improves the processing efficiency of the substrate W.
  • the transport unit C (first transport unit C1) is equipped with an upper moving rail 61 and a lower moving rail 62. This configuration allows the substrate processing apparatus 1 to adjust the position of the transport device 52 (upper transport device 52U and lower transport device 52D) in the transport direction Y. This allows the transport device 52 to be positioned in a position suitable for the transfer of the substrate W. This allows the substrate W to be easily transferred between the transport device 52 and the polishing module M.
  • the polishing modules M that make up the upper lanes L1U and L2U include a front surface polishing module M1, a bevel polishing module M2, and a back surface polishing module M3.
  • the polishing modules M that make up the lower lanes L1D and L2D include a front surface polishing module M1, a bevel polishing module M2, and a back surface polishing module M3. This configuration makes it possible to provide a substrate processing apparatus 1 that can polish (treat) the front surface, bevel portion, and back surface of a substrate W (first substrate W1 and second substrate W2) all in one apparatus.
  • the order in which the substrates W are processed in the multiple polishing modules M can be set arbitrarily.
  • the substrates W may be processed in the order of the front surface polishing module M1, the bevel polishing module M2, and the back surface polishing module M3.
  • the order in which the substrates W are transferred by the transport device 52 may be changed so that the substrates W are processed in the order of the back surface polishing module M3, the bevel polishing module M2, and the front surface polishing module M1. This makes it possible to arbitrarily set the order in which the substrates W are processed in the polishing modules M without changing the arrangement of the multiple polishing modules M.
  • the order in which the substrates W are transferred can be set by the controller 40 .
  • FIG. 8 is a configuration diagram showing substrate processing apparatus 1A, which is a first modified example of substrate processing apparatus 1.
  • FIG. 9 is a configuration diagram showing substrate processing apparatus 1B, which is a second modified example of substrate processing apparatus 1.
  • FIG. 10 is a configuration diagram showing substrate processing apparatus 1C, which is a third modified example of substrate processing apparatus 1.
  • the treatment unit 30 of the substrate processing apparatuses 1A to 1C includes multiple transport units C and lanes L1U, L1D, L2U, and L2D.
  • the number of polishing modules M constituting each of the lanes L1U, L1D, L2U, and L2D is equal to the number of transport units C.
  • the treatment unit 30 (treatment unit 30A) of the substrate processing apparatus 1A includes two transport units C (C11, C12) and lanes L1U, L1D, L2U, and L2D.
  • the number of polishing modules M constituting each of the lanes L1U, L1D, L2U, and L2D is two.
  • the two transport units C11 and C12 are aligned in the transport direction Y.
  • the treatment unit 30 (treatment unit 30B) of the substrate processing apparatus 1B includes three transport units C (C11, C12, C13) and lanes L1U, L1D, L2U, L2D.
  • the number of polishing modules M constituting the lanes L1U, L1D, L2U, L2D is three each.
  • the three transport units C11, C12, C13 are aligned in the transport direction Y.
  • the treatment unit 30 (treatment unit 30C) of the substrate processing apparatus 1C includes four transport units C (C11, C12, C13, C14) and lanes L1U, L1D, L2U, L2D.
  • the number of polishing modules M constituting each of the lanes L1U, L1D, L2U, L2D is four.
  • the four transport units C11, C12, C13, C14 are arranged in the transport direction Y.
  • the number of transport units C is not particularly limited.
  • the number of transport units C may be one or more.
  • a plurality of transport units C may be arranged in the transport direction Y.
  • the term "plurality" refers to any number equal to or greater than two.
  • the substrate processing apparatus 1A to 1C allows the selection of a transport unit with an optimal configuration depending on the configuration of the lanes L1U, L1D, L2U, and L2D.
  • the substrate processing apparatus 1A to 1C allows the configuration of transport units without excess or deficiency. This allows the apparatus to be made more compact and processing to be made more efficient.
  • the number of upper conveyors and lower conveyors may be one each for one conveying unit C.
  • the number of upper conveyors and lower conveyors may be one each for multiple conveying units C.
  • the arrangement of the polishing modules M described in the above embodiment is merely an example and can be changed as appropriate.
  • the substrate processing apparatus 1 does not have to have one (or two) of the front surface polishing module M1, the bevel polishing module M2, and the back surface polishing module M3.
  • the substrate processing apparatus 1 may have only one type or only two types of polishing modules M.
  • the substrate processing apparatus 1 may have a polishing module M that is different from any of the front surface polishing module M1, the bevel polishing module M2, and the back surface polishing module M3.
  • the substrate processing apparatus 1 in the above embodiment is equipped with a measuring unit 53 that measures the state of defects remaining on the substrate W after processing such as polishing, but the example of the substrate processing apparatus 1 is not limited to this.
  • each of the multiple polishing modules M may be individually provided with a measuring unit that measures the state of processing by that polishing module M.
  • polishing modules M included in each of the lanes L1U, L1D, L2U, and L2D is not limited to the example shown in the figure, and can be changed as appropriate.
  • lanes L1U, L1D, L2U, and L2D in which the order in which the polishing modules M are arranged cannot be changed.
  • polishing module M does not have to be configured to be detachable from the transport unit C.
  • each housing 31 it is not necessary for each housing 31 to be provided with a filter fan unit F.
  • one filter fan unit F may be provided for multiple housings 31.
  • the housing 31 does not have to be exposed to the outside.
  • the housing 31 may be housed in the outer housings H1 and H2.
  • the transport unit C (first transport unit C1) is equipped with an upper moving rail 61 and a lower moving rail 62, but the substrate processing apparatus can also be configured without moving rails.
  • the number of upper conveyors 52U and lower conveyors 52D is one each, but the number of upper conveyors and lower conveyors may be multiple (any number equal to or greater than two).
  • the first substrate may be transferred between the upper conveyors.
  • the second substrate may be transferred between the lower conveyors.

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Abstract

基板処理装置は、基板を研磨する複数の研磨モジュールと、前記基板を前記複数の研磨モジュールの間で移動させる搬送ユニットと、を備える。前記複数の研磨モジュールは、第１モジュール群および第２モジュール群を含む。平面視において、前記搬送ユニットは、前記第１モジュール群と前記第２モジュール群との間に位置する。前記第１モジュール群は、少なくとも２つの前記研磨モジュールが隣接して配置された第１上側レーンおよび第１下側レーンを有する。前記第２モジュール群は、少なくとも２つの前記研磨モジュールが隣接して配置された第２上側レーンおよび第２下側レーンを有する。

Description

基板処理装置
　本発明は、基板処理装置に関する。
　本願は、２０２２年１２月　９日に、日本に出願された特願２０２２－１９７１２２号と、２０２２年１２月　９日に、日本に出願された特願２０２２－１９７１２５号と、に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
　従来、基板を研磨することで極小の欠陥を取り除く基板処理装置が知られている。例えば、特許文献１には、基板のベベル部を研磨する装置が開示されている。このような装置によって基板から極小の欠陥を取り除くことで、例えば、半導体製造時における歩留まりの抑制等のメリットを得ることができる。
日本国特開２０２２－６３４１７号公報
　ところで、上記のような基板処理装置においては、複数の基板に対する研磨処理を同時に進行させる処理、すなわち並列処理の実現が望まれていた。
　また、上記のような基板処理装置においては、複数の基板に対する研磨処理を同時に進行させる処理、すなわち並列処理を効率よく実現することが望まれていた。
　本発明は、このような事情を考慮してなされ、複数の基板を並列処理可能な基板処理装置を提供することを目的とする。
　さらに、本発明は、このような事情を考慮してなされ、複数の基板を効率よく並列処理可能な基板処理装置を提供することを目的とする。
　上記課題を解決するために、本発明の態様１に係る基板処理装置は、基板を研磨する複数の研磨モジュールと、前記基板を前記複数の研磨モジュールの間で移動させる搬送ユニットと、を備え、前記複数の研磨モジュールは、第１モジュール群および第２モジュール群を含み、平面視において、前記搬送ユニットは、前記第１モジュール群と前記第２モジュール群との間に位置し、前記第１モジュール群は、少なくとも２つの前記研磨モジュールが隣接して配置された第１上側レーンと、少なくとも２つの前記研磨モジュールが隣接して配置されるとともに前記第１上側レーンの下方に配された第１下側レーンと、を有し、前記第２モジュール群は、少なくとも２つの前記研磨モジュールが隣接して配置された第２上側レーンと、少なくとも２つの前記研磨モジュールが隣接して配置されるとともに前記第２上側レーンの下方に配された第２下側レーンと、を有する。
　また、本発明の態様２は、態様１の基板処理装置において、前記研磨モジュールは、外部に露出したハウジングを有する。
　また、本発明の態様３は、態様２の基板処理装置において、前記ハウジングには、前記搬送ユニットと前記研磨モジュールとの間で前記基板を移動させるための開口が形成されている。
　また、本発明の態様４は、態様２から態様３のいずれか一つの基板処理装置において、前記ハウジングには、フィルタファンユニットが設けられている。
　また、本発明の態様５は、態様２から態様４のいずれか一つの基板処理装置において、前記研磨モジュールは、前記搬送ユニットの側面に接続される。
　また、本発明の態様６は、態様１から態様５のいずれか一つの基板処理装置において、前記研磨モジュールは、着脱可能に構成されている。
　また、本発明の態様７は、態様６の基板処理装置において、前記第１上側レーン、前記第１下側レーン、前記第２上側レーンおよび前記第２下側レーンのうち少なくとも一つにおいて、前記少なくとも２つの研磨モジュールが配置される順番は変更可能である。
　また、本発明の態様８は、態様１から態様７のいずれか一つの基板処理装置において、前記複数の研磨モジュールは、前記基板の表面を研磨する少なくとも一つの表面研磨モジュールと、前記基板のベベル部を研磨する少なくとも一つのベベル研磨モジュールと、前記基板の裏面を研磨する少なくとも一つの裏面研磨モジュールと、を含む。
　上記課題を解決するために、本発明の態様９に係る基板処理装置は、第１基板を搬送する上側搬送機、および第２基板を搬送する下側搬送機を備える搬送ユニットと、前記上側搬送機の搬送方向に並んで設けられて前記第１基板を研磨する複数の研磨モジュールを含む上側レーンと、前記下側搬送機の搬送方向に並んで設けられて前記第２基板を研磨する複数の研磨モジュールを含む下側レーンと、を備え、前記研磨モジュールは、前記搬送ユニットに対して着脱可能であり、前記上側レーンと前記下側レーンとは、高さ位置を違えて並列して配置され、前記上側搬送機は、前記上側レーンとの間で前記第１基板の受け渡しを行い、前記下側搬送機は、前記下側レーンとの間で前記第２基板の受け渡しを行う。
　また、本発明の態様１０は、態様９の基板処理装置において、前記搬送ユニットは、前記上側搬送機の搬送方向に沿う上側移動レールと、前記下側搬送機の搬送方向に沿う下側移動レールと、をさらに備え、前記上側搬送機は、前記上側移動レールに沿って移動可能であり、前記下側搬送機は、前記下側移動レールに沿って移動可能である。
　また、本発明の態様１１は、態様９または態様１０の基板処理装置において、前記搬送ユニットを複数備え、複数の前記搬送ユニットは、前記上側搬送機および前記下側搬送機の搬送方向に並べられている。
　また、本発明の態様１２は、態様９から態様１１のいずれか一つの基板処理装置において、前記上側レーンを構成する前記研磨モジュールは、前記第１基板の表面を研磨する少なくとも一つの表面研磨モジュールと、前記第１基板の裏面を研磨する少なくとも一つの裏面研磨モジュールと、前記第１基板のベベル部を研磨する少なくとも一つのベベル研磨モジュールと、を含み、前記下側レーンを構成する前記研磨モジュールは、前記第２基板の表面を研磨する少なくとも一つの表面研磨モジュールと、前記第２基板の裏面を研磨する裏面少なくとも一つの研磨モジュールと、前記第２基板のベベル部を研磨する少なくとも一つのベベル研磨モジュールと、を含む。
　本発明の上記態様によれば、複数の基板を並列処理可能な基板処理装置を提供できる。
　さらに、本発明の上記態様によれば、複数の基板を効率よく並列処理可能な基板処理装置を提供できる。
本発明の実施形態に係る基板処理装置を示す斜視図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置を示す分解図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置を示す平面図である。 図３に示すＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図であって、表面研磨モジュールの概略を示す図である。 本発明の実施形態に係るベベル研磨モジュールの概略を示す図である。 本発明の実施形態に係る裏面研磨モジュールの概略を示す図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置を示す構成図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置の第１変形例を示す構成図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置の第２変形例を示す構成図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置の第３変形例を示す構成図である。
　以下、本発明の実施形態に係る基板処理装置について図面に基づいて説明する。
　図１から図３に示すように、本実施形態に係る基板処理装置１は、ＥＦＥＭ１０と、洗浄乾燥ユニット２０と、トリートメントユニット３０と、制御部４０と、複数のロードポート５１と、測定部５３と、を備える。図３に示すように、ＥＦＥＭ１０、洗浄乾燥ユニット２０、およびトリートメントユニット３０の各々は、少なくとも一つの搬送機５２を有する。ＥＦＥＭ１０および洗浄乾燥ユニット２０は、第１アウターハウジングＨ１に収容されている。制御部４０は、第２アウターハウジングＨ２に収容されている。制御部４０は、基板処理装置１の動作を統括して制御する。
　図１に示すように、本実施形態に係るＥＦＥＭ１０、洗浄乾燥ユニット２０、トリートメントユニット３０、および制御部４０は、一方向に並べて配置されている。また、ＥＦＥＭ１０、洗浄乾燥ユニット２０、トリートメントユニット３０、および制御部４０は、当該方向においてこの順に並んでいる。
（方向定義）
　本明細書では、ＥＦＥＭ１０、洗浄乾燥ユニット２０、トリートメントユニット３０、および制御部４０が並べられた方向を搬送方向Ｙと称する。搬送方向Ｙは、後述するレーンＬ１Ｕ、Ｌ１Ｄ、Ｌ２Ｕ、Ｌ２Ｄが延びる方向でもある。搬送方向Ｙに沿って、ＥＦＥＭ１０から制御部４０に向かう向きを、＋Ｙの向きまたは奥側と称する。＋Ｙの向きとは反対の向きを、－Ｙの向きまたは手前側と称する。搬送方向Ｙに交差する一方向を、左右方向Ｘと称する。左右方向Ｘに沿う一つの向きを、＋Ｘの向きまたは右方と称する。＋Ｘの向きとは反対の向きを、－Ｘの向きまたは左方と称する。左右方向Ｘおよび搬送方向Ｙの双方に交差する方向を、上下方向Ｚと称する。上下方向Ｚに沿う一つの向きを、＋Ｚの向きまたは上方と称する。＋Ｚの向きとは反対の向きを、－Ｚの向きまたは下方と称する。例えば、上下方向Ｚは重力方向（鉛直方向）であり、左右方向Ｘおよび搬送方向Ｙは水平方向である。ただし、上下方向Ｚは重力方向に対して傾いていてもよいし、左右方向Ｘおよび搬送方向Ｙは水平方向に対して傾いていてもよい。
　図１から図３に示すように、本実施形態に係るトリートメントユニット３０は、複数（図示の例においては１２個）の研磨モジュールＭと、搬送ユニットＣ（第１搬送ユニットＣ１）と、を有する。各研磨モジュールＭは、基板Ｗを研磨し、基板Ｗが有する欠陥を除去する。「基板Ｗが有する欠陥」の例としては、パーティクル、基板Ｗに固着した金属、基板Ｗに埋もれた（めり込んだ）ごみ、および基板Ｗ上の微細な凹凸等が挙げられる。
　本実施形態において、複数の研磨モジュールＭの各々は、表面研磨モジュールＭ１と、ベベル研磨モジュールＭ２と、裏面研磨モジュールＭ３と、のうちいずれか一つである。表面研磨モジュールＭ１は、基板Ｗの表面を研磨するモジュールである。ベベル研磨モジュールＭ２は、基板Ｗのベベル部（外周部）を研磨するモジュールである。裏面研磨モジュールＭ３は、基板Ｗの裏面を研磨するモジュールである。
　複数の研磨モジュールＭは、第１モジュール群Ｇ１および第２モジュール群Ｇ２を含む。図示の例において、第１モジュール群Ｇ１および第２モジュール群Ｇ２の各々は、６つの研磨モジュールＭを有する。平面視において、搬送ユニットＣ（第１搬送ユニットＣ１）は、第１モジュール群Ｇ１と第２モジュール群Ｇ２との間に位置する。より具体的に、第１モジュール群Ｇ１および第２モジュール群Ｇ２は、左右方向Ｘにおいて搬送ユニットＣ（第１搬送ユニットＣ１）をそれらの間に挟むように配置されている。第１モジュール群Ｇ１は、搬送ユニットＣ（第１搬送ユニットＣ１）の右方（＋Ｘ側）に配されている。第２モジュール群Ｇ２は、搬送ユニットＣ（第１搬送ユニットＣ１）の左方（－Ｘ側）に配されている。
　第１モジュール群Ｇ１は、第１上側レーンＬ１Ｕと、第１上側レーンＬ１Ｕの下方に配された第１下側レーンＬ１Ｄと、を有する。第２モジュール群Ｇ２は、第２上側レーンＬ２Ｕと、第２上側レーンＬ２Ｕの下方に配された第２下側レーンＬ２Ｄと、を有する。各レーンＬ１Ｕ、Ｌ１Ｄ、Ｌ２Ｕ、Ｌ２Ｄにおいては、複数（図示の例においては３つ）の研磨モジュールＭが搬送方向Ｙにおいて隣接して配置されている。より具体的に、本実施形態に係る各レーンＬ１Ｕ、Ｌ１Ｄ、Ｌ２Ｕ、Ｌ２Ｄにおいては、表面研磨モジュールＭ１、ベベル研磨モジュールＭ２、および裏面研磨モジュールＭ３が、奥側（＋Ｙ側）から手前側（－Ｙ側）に向けてこの順に並べて配置されている。
　第１上側レーンＬ１Ｕと第１下側レーンＬ１Ｄとは、高さ位置を違えて並列して配置されている。すなわち、第１上側レーンＬ１Ｕと第１下側レーンＬ１Ｄとは上下に並列して配置されている。第２上側レーンＬ２Ｕと第２下側レーンＬ２Ｄとは、高さ位置を違えて並列して配置されている。すなわち、第２上側レーンＬ２Ｕと第２下側レーンＬ２Ｄとは上下に並列して配置されている。
　第１上側レーンＬ１Ｕおよび第２上側レーンＬ２Ｕの各々は、上側レーンの例である。第１下側レーンＬ１Ｄおよび第２下側レーンＬ２Ｄの各々は、下側レーンの例である。
　図４から図６に示すように、各研磨モジュールＭは、ハウジング３１と、ハウジング３１に収容された処理装置３２と、を有する。ハウジング３１は、アウターハウジングＨ１、Ｈ２には収容されておらず、基板処理装置１の外部に露出している。
　各研磨モジュールＭは、搬送ユニットＣ（第１搬送ユニットＣ１）の側面（図示の例においては左右方向Ｘ外側に向く面）に接続されている。また、本実施形態に係る各研磨モジュールＭは、搬送ユニットＣに対して着脱可能に構成されている。さらに、研磨モジュールＭ１、Ｍ２、Ｍ３は、互いに略同じ外形を有している。これにより、各レーンＬ１Ｕ、Ｌ１Ｄ、Ｌ２Ｕ、Ｌ２Ｄにおいて、研磨モジュールＭ１、Ｍ２、Ｍ３が配置される順番は変更可能となっている。なお、文言「略同じ外形」には、製造誤差を無視すれば互いに同じ外形である場合も含まれる。
　ハウジング３１には、搬送ユニットＣと研磨モジュールＭとの間で基板Ｗを移動させるための開口３１ａが形成されている。本実施形態に係るハウジング３１には、閉塞状態と開放状態とを切替可能なシャッターＳが設けられている。閉塞状態は、シャッターＳが開口３１ａを閉塞する状態である。開放状態は、シャッターＳが開口３１ａを閉塞しない状態である。
　また、本実施形態に係るハウジング３１には、フィルタファンユニットＦが設けられている。フィルタファンユニットＦは、ＨＥＰＡフィルタ、ＵＬＰＡフィルタ、またはケミカルフィルタなどのクリーンエアフィルタを有する。フィルタファンユニットＦは、パーティクル、有毒蒸気、および有毒ガスなどが除去されたクリーンエアをハウジング３１の内部に常時吹き出す。これにより、フィルタファンユニットＦは、ハウジング３１の内部をクリーンな状態に保つ。
　処理装置３２の具体的な構成は、研磨モジュールＭの種類ごとに異なっていてもよい。つまり、表面研磨モジュールＭ１が有する処理装置３２の構成と、ベベル研磨モジュールＭ２が有する処理装置３２の構成と、裏面研磨モジュールＭ３が有する処理装置３２の構成とは、互いに異なっていてもよい。以下、各研磨モジュールＭ１、Ｍ２、Ｍ３が有する処理装置３２の構成の概略について説明する。なお、以下に述べる処理装置３２の構成はあくまで一例であり、適宜変更可能である。
　図４に示すように、表面研磨モジュールＭ１は、処理装置３２として、例えば回転ステージ３２ａ１および研磨ヘッド３２ａ２を有している。回転ステージ３２ａ１は、回転軸線ＡＸ１まわりに回動可能に構成されている。基板Ｗは、回転ステージ３２ａ１上に載置される。研磨ヘッド３２ａ２は、例えば、基板Ｗの表面を研磨する研磨テープ３２ａ３を有する。研磨テープ３２ａ３の表面には、砥粒が設けられている。研磨ヘッド３２ａ２は、例えば、基板Ｗの表面上で平行移動可能かつ回動運動可能に構成されている。
　回転ステージ３２ａ１および基板Ｗが回転軸線ＡＸ１まわりに回動し、かつ、研磨テープ３２ａ３が基板Ｗの表面に接触している状態で、研磨ヘッド３２ａ２が平行移動および回動運動を行う。これにより、研磨テープ３２ａ３が基板Ｗの表面を研磨する。これにより、基板Ｗの表面にある欠陥が除去される。言い換えれば、基板Ｗの表面がトリートメントされる。
　図５に示すように、ベベル研磨モジュールＭ２は、処理装置３２として、例えば回転ステージ３２ｂ１および研磨ヘッド３２ｂ２を有している。回転ステージ３２ｂ１は、回転軸線ＡＸ２まわりに回動可能に構成されている。基板Ｗは、回転ステージ３２ｂ１上に載置される。研磨ヘッド３２ｂ２は、例えば、基板Ｗのベベル部（外周部）を研磨する研磨テープ３２ｂ３を有する。研磨テープ３２ｂ３の表面には、砥粒が設けられている。研磨ヘッド３２ｂ２は、例えば、基板Ｗのベベル部に沿った移動が可能となるように構成されている。
　回転ステージ３２ｂ１および基板Ｗが回転軸線ＡＸ２まわりに回動し、かつ、研磨テープ３２ｂ３が基板Ｗのベベル部に接触している状態で、研磨ヘッド３２ｂ２がベベル部に沿った移動を行う。これにより、研磨テープ３２ｂ３が基板Ｗのベベル部を研磨する。これにより、基板Ｗのベベル部にある欠陥が除去される。言い換えれば、基板Ｗのベベル部がトリートメントされる。
　図６に示すように、裏面研磨モジュールＭ３は、処理装置３２として、例えば、複数の保持部３２ｃ１および複数の研磨ヘッド３２ｃ２を有している。複数の保持部３２ｃ１は、基板Ｗが基板Ｗの中心軸線ＡＸ３ａまわりに回動可能な状態で、基板Ｗを保持する。具体的に、各保持部３２ｃ１の一部（回動部）は、中心軸線ＡＸ３ｂまわりに回動するように構成されている。そして、当該回動部が基板Ｗの外周部と接触しながら中心軸線ＡＸ３ｂまわりに回転する。これにより、基板Ｗが中心軸線ＡＸ３ａまわりに回動する。研磨ヘッド３２ｃ２は、例えば、基板Ｗの裏面を研磨する研磨テープ３２ｃ３を有する。研磨テープ３２ｃ３の表面には、砥粒が設けられている。複数の研磨ヘッド３２ｃ２は、例えば、基板Ｗの裏面に沿って間隔を空けて配置されている。各研磨ヘッド３２ｃ２は、基板Ｗの裏面に沿った移動が可能となるように構成されていてもよい。
　保持部３２ｃ１の作用によって基板Ｗが中心軸線ＡＸ３ａまわりに回動し、かつ、研磨テープ３２ｃ３が基板Ｗの裏面に接触する。これにより、研磨テープ３２ｃ３が基板Ｗの裏面を研磨する。これにより、基板Ｗの裏面にある欠陥が除去される。言い換えれば、基板Ｗの裏面がトリートメントされる。
　表面研磨モジュールＭ１、ベベル研磨モジュールＭ２および裏面研磨モジュールＭ３の各々における研磨テープの表面粗さは、基板Ｗに求められる特性に応じて定めることができる。
　搬送ユニットＣ（第１搬送ユニットＣ１）は、基板Ｗを複数の研磨モジュールＭの間で移動させる。搬送ユニットＣには、搬送ユニットＣの転倒を抑制する転倒抑制手段が設けられていてもよい。転倒測定手段の例としては、搬送ユニットＣを設置面（床面、地面等）に対して固定するための脚部その他の固定手段等が挙げられる。あるいは、搬送ユニットＣの重量を研磨モジュールＭの重量と比較して十分大きくすることで、搬送ユニットＣの転倒が抑制されていてもよい。
　図４に示すように、搬送ユニットＣは、基板Ｗを搬送する搬送機５２を有する。搬送機５２は、例えば、アーム５２ａおよびハンド５２ｂを有する。搬送機５２は、複数のアーム５２ａおよび複数のハンド５２ｂを有していてもよい。詳細は後述するが、搬送ユニットＣ（第１搬送ユニットＣ１）は、上側搬送機５２Ｕと、下側搬送機５２Ｄと、を含む２つ以上の搬送機５２を有していてもよい。上側搬送機５２Ｕは、上側レーンＬ１Ｕ、Ｌ２Ｕにおいて基板Ｗを移動させる。下側搬送機５２Ｄは、下側レーンＬ１Ｄ、Ｌ２Ｄにおいて基板Ｗを移動させる。
　図２および図４に示すように、搬送ユニットＣは、ハウジング３１に設けられた開口３１ａに連通する開口Ｃａを有する。搬送機５２は、これらの開口Ｃａ、３１ａを通じてアーム５２ａおよびハンド５２ｂをハウジング３１の内部に挿入したりハウジング３１の内部から抜去したりする。これにより、基板Ｗがハウジング３１に対して出し入れされる。
　なお、図示の例においてハウジング３１の開口３１ａと搬送ユニットＣの開口Ｃａとは一対一に対応していたが、開口３１ａと開口Ｃａとの対応関係はこれに限られず、適宜変更可能である。例えば、複数の開口３１ａに対して一つの開口Ｃａが開口してもよい。また、前述したシャッターＳは、ハウジング３１の開口３１ａではなく搬送ユニットＣの開口Ｃａに設けられていてもよい。
　図７に示すように、搬送ユニットＣ（第１搬送ユニットＣ１）は、２つ以上の搬送機５２と、上側移動レール６１と、下側移動レール６２と、を備える。２つ以上の搬送機５２は、上側搬送機５２Ｕ（第１搬送機５２Ｕ）と、下側搬送機５２Ｄ（第２搬送機５２Ｄ）と、を含む。
　上側搬送機５２Ｕは、上側レーンＬ１Ｕ、Ｌ２Ｕにおいて基板Ｗを移動させる。上側レーンＬ１Ｕ、Ｌ２Ｕにおいて移動される基板Ｗを「第１基板Ｗ１」という。第１基板Ｗ１は、上側搬送機５２Ｕによって搬送される基板Ｗでもある。下側搬送機５２Ｄは、下側レーンＬ１Ｄ、Ｌ２Ｄにおいて基板Ｗを移動させる。下側レーンＬ１Ｄ、Ｌ２Ｄにおいて移動される基板Ｗを「第２基板Ｗ２」という。第２基板Ｗ２は、下側搬送機５２Ｄによって搬送される基板Ｗでもある。
　上側搬送機５２Ｕは、上側レーンＬ１Ｕ、Ｌ２Ｕを構成する研磨モジュールＭとの間で第１基板Ｗ１の受け渡しを行うことができる。上側搬送機５２Ｕのハンド５２ｂ（図４参照）は、第１基板Ｗ１を保持する。アーム５２ａは、ハンド５２ｂに接続されている（図４参照）。アーム５２ａは、例えば、第１基板Ｗ１を保持したハンド５２ｂを水平面内で移動させることができる。アーム５２ａは、上側レーンＬ１Ｕ、Ｌ２Ｕを構成する研磨モジュールＭに第１基板Ｗ１を搬入することができる。アーム５２ａは、上側レーンＬ１Ｕ、Ｌ２Ｕを構成する研磨モジュールＭから第１基板Ｗ１を搬出することができる。
　下側搬送機５２Ｄは、下側レーンＬ１Ｄ、Ｌ２Ｄを構成する研磨モジュールＭとの間で第２基板Ｗ２の受け渡しを行うことができる。下側搬送機５２Ｄのハンド５２ｂ（図４参照）は、第２基板Ｗ２を保持する。アーム５２ａは、ハンド５２ｂに接続されている（図４参照）。アーム５２ａは、例えば、第２基板Ｗ２を保持したハンド５２ｂを水平面内で移動させることができる。アーム５２ａは、下側レーンＬ１Ｄ、Ｌ２Ｄを構成する研磨モジュールＭに第２基板Ｗ２を搬入することができる。アーム５２ａは、下側レーンＬ１Ｄ、Ｌ２Ｄを構成する研磨モジュールＭから第２基板Ｗ２を搬出することができる。
　上側移動レール６１は、上側搬送機５２Ｕの搬送方向Ｙに沿って配設されている。上側搬送機５２Ｕは、上側移動レール６１に沿って移動可能である。上側搬送機５２Ｕが上側レーンＬ１Ｕ、Ｌ２Ｕを構成する研磨モジュールＭとの間で第１基板Ｗ１の受け渡しを行う際に、上側搬送機５２Ｕの搬送方向Ｙにおける位置は、必要に応じて、上側移動レール６１に沿って調整することができる。
　下側移動レール６２は、下側搬送機５２Ｄの搬送方向Ｙに沿って配設されている。下側搬送機５２Ｄは、下側移動レール６２に沿って移動可能である。下側搬送機５２Ｄが下側レーンＬ１Ｄ、Ｌ２Ｄを構成する研磨モジュールＭとの間で第２基板Ｗ２の受け渡しを行う際に、下側搬送機５２Ｄの搬送方向Ｙにおける位置は、必要に応じて、下側移動レール６２に沿って調整することができる。
　図３に示すように、洗浄乾燥ユニット２０は、複数の洗浄部２１Ａ～２１Ｃと、複数の乾燥部２２と、搬送ユニットＣ（第２搬送ユニットＣ２）と、を有する。複数の洗浄部２１Ａ～２１Ｃおよび複数の乾燥部２２は、トリートメントユニット３０の各レーンＬ１Ｕ、Ｌ１Ｄ、Ｌ２Ｕ、Ｌ２Ｄに対応して設けられている。図示の例においては、各レーンＬ１Ｕ、Ｌ１Ｄ、Ｌ２Ｕ、Ｌ２Ｄに対して３つの洗浄部２１Ａ、２１Ｂ、２１Ｃおよび１つの乾燥部２２が設けられている。洗浄部２１Ａ～２１Ｃおよび乾燥部２２は、奥側（＋Ｙ側）から手前側（－Ｙ側）に向けてこの順に並べて配置されている。第２搬送ユニットＣ２は、搬送機５２によって、複数の洗浄部２１Ａ～２１Ｃおよび乾燥部２２の間で基板Ｗを移動させる。第２搬送ユニットＣ２の構成は第１搬送ユニットＣ１の構成と同一であってもよい。
　次に、以上のように構成された基板処理装置１において基板Ｗに対して行われる処理の一例について、図３に基づいて説明する。
　まず、基板Ｗは、作業者等によってロードポート５１に載置される。ロードポート５１に載置された基板Ｗは、ＥＦＥＭ１０の搬送機５２と、第２搬送ユニットＣ２の搬送機５２と、第１搬送ユニットＣ１の搬送機５２と、によって、表面研磨モジュールＭ１に搬送される。表面研磨モジュールＭ１は、最も奥側（＋Ｙ側）に位置する研磨モジュールＭである。このとき、基板Ｗは、レーンＬ１Ｕ、Ｌ１Ｄ、Ｌ２Ｕ、Ｌ２Ｄのいずれかに搬送される。基板Ｗは、表面研磨モジュールＭ１によって表面を研磨される。
　基板Ｗ（第１基板Ｗ１）は、上側レーンＬ１Ｕ、Ｌ２Ｕの表面研磨モジュールＭ１によって表面を研磨される（図２および図７参照）。表面研磨モジュールＭ１で表面を研磨された基板Ｗ（第１基板Ｗ１）は、第１搬送ユニットＣ１の搬送機５２（上側搬送機５２Ｕ）によって、同一のレーンにあるベベル研磨モジュールＭ２に搬送される。基板Ｗ（第１基板Ｗ１）は、ベベル研磨モジュールＭ２によってベベル部を研磨される。ベベル研磨モジュールＭ２でベベル部を研磨された基板Ｗ（第１基板Ｗ１）は、搬送機５２（上側搬送機５２Ｕ）によって、同一のレーンにある裏面研磨モジュールＭ３に搬送される。基板Ｗ（第１基板Ｗ１）は、裏面研磨モジュールＭ３によって裏面を研磨される。裏面研磨モジュールＭ３によって裏面を研磨された基板Ｗ（第１基板Ｗ１）は、第１搬送ユニットＣ１の搬送機５２および第２搬送ユニットＣ２の搬送機５２によって洗浄部２１Ａに搬送される（図３参照）。基板Ｗは、洗浄部２１Ａによって洗浄される。
　基板Ｗ（第２基板Ｗ２）は、下側レーンＬ１Ｄ、Ｌ２Ｄの表面研磨モジュールＭ１によって表面を研磨される（図２および図７参照）。表面研磨モジュールＭ１で表面を研磨された基板Ｗ（第２基板Ｗ２）は、第１搬送ユニットＣ１の搬送機５２（下側搬送機５２Ｄ）によって、同一のレーンにあるベベル研磨モジュールＭ２に搬送される。基板Ｗ（第２基板Ｗ２）は、ベベル研磨モジュールＭ２によってベベル部を研磨される。ベベル研磨モジュールＭ２でベベル部を研磨された基板Ｗ（第２基板Ｗ２）は、搬送機５２（下側搬送機５２Ｄ）によって、同一のレーンにある裏面研磨モジュールＭ３に搬送される。基板Ｗ（第２基板Ｗ２）は、裏面研磨モジュールＭ３によって裏面を研磨される。裏面研磨モジュールＭ３によって裏面を研磨された基板Ｗ（第２基板Ｗ２）は、第１搬送ユニットＣ１の搬送機５２および第２搬送ユニットＣ２の搬送機５２によって洗浄部２１Ａに搬送される（図３参照）。基板Ｗは、洗浄部２１Ａによって洗浄される。
　洗浄部２１Ａによって洗浄された基板Ｗは、第２搬送ユニットＣ２の搬送機５２によって洗浄部２１Ｂに搬送され、洗浄部２１Ｂによって洗浄される。洗浄部２１Ｂによって洗浄された基板Ｗは、第２搬送ユニットＣ２の搬送機５２によって洗浄部２１Ｃに搬送され、洗浄部２１Ｃによって洗浄される。洗浄部２１Ｃによって洗浄された基板Ｗは、第２搬送ユニットＣ２の搬送機５２によって乾燥部２２に搬送され、乾燥部２２によって乾燥される。乾燥部２２によって乾燥された基板Ｗは、ＥＦＥＭ１０の搬送機５２によって測定部５３に搬送される。測定部５３は、基板Ｗに残留した欠陥の状態を測定する。測定部５３による測定が行われた基板Ｗは、ＥＦＥＭ１０の搬送機５２によってロードポート５１へと搬出される。なお、基板処理装置１は、搬送機５２が基板Ｗを搬送する際に基板Ｗが一時的に載置される仮置台を有していてもよい。
　以上説明したように、本実施形態に係る基板処理装置１は、基板Ｗを研磨する複数の研磨モジュールＭと、基板Ｗを複数の研磨モジュールＭの間で移動させる搬送ユニットＣ（第１搬送ユニットＣ１）と、を備え、複数の研磨モジュールＭは、第１モジュール群Ｇ１および第２モジュール群Ｇ２を含み、平面視において、搬送ユニットＣは、第１モジュール群Ｇ１と第２モジュール群Ｇ２との間に位置し、第１モジュール群Ｇ１は、複数の研磨モジュールＭが隣接して配置された第１上側レーンＬ１Ｕと、複数の研磨モジュールＭが隣接して配置されるとともに第１上側レーンＬ１Ｕの下方に配された第１下側レーンＬ１Ｄと、を有し、第２モジュール群Ｇ２は、複数の研磨モジュールＭが隣接して配置されるとともに第２上側レーンＬ２Ｕの下方に配された第２下側レーンＬ２Ｄと、を有する。
　この構成により、４つのレーンＬ１Ｕ、Ｌ１Ｄ、Ｌ２Ｕ、Ｌ２Ｄを用いた基板Ｗの並列処理を実現でき、基板Ｗの処理速度を向上できる。また、基板Ｗに対して研磨による処理を行うため、薬液等による非接触洗浄やブラシ等による処理によっては除去できない欠陥を除去することができる。
　また、研磨モジュールＭは、外部に露出したハウジング３１を有する。言い換えれば、研磨モジュールＭは、アウターハウジングＨ１、Ｈ２に収容されていない。この構成により、研磨モジュールＭを搬送ユニットＣに対して着脱可能な構成を実現しやすくなる。
　また、ハウジング３１には、搬送ユニットＣと研磨モジュールＭとの間で基板Ｗを移動させるための開口３１ａが形成されている。この構成により、搬送ユニットＣと研磨モジュールＭとの間における基板Ｗの移動を円滑に行うことができる。
　また、ハウジング３１には、フィルタファンユニットＦが設けられている。この構成により、各研磨モジュールＭ内で独立に気流を制御し、研磨モジュールＭの状態をクリーンに保つことができる。
　また、研磨モジュールＭは、搬送ユニットＣの側面に接続される。この構成により、研磨モジュールＭを搬送ユニットＣに対して着脱可能な構成を実現しやすくなる。
　また、研磨モジュールＭは、着脱可能に構成されている。この構成により、研磨モジュールＭを必要に応じて取り外し、点検や交換を行うことができる。
　また、第１上側レーンＬ１Ｕ、第１下側レーンＬ１Ｄ、第２上側レーンＬ２Ｕおよび第２下側レーンＬ２Ｄの各々において、複数の研磨モジュールＭが配置される順番は変更可能である。この構成によれば、研磨モジュールＭが配置される順番を変更することで、基板Ｗに施される処理の順番を変更することができる。
　また、複数の研磨モジュールＭは、基板Ｗの表面を研磨する少なくとも一つの表面研磨モジュールＭ１と、基板Ｗのベベル部を研磨する少なくとも一つのベベル研磨モジュールＭ２と、基板Ｗの裏面を研磨する少なくとも一つの裏面研磨モジュールＭ３と、を含む。この構成により、基板Ｗの表面、ベベル部、裏面の全てを一つの装置で研磨（トリートメント）可能な基板処理装置１を提供することができる。
　また、以上説明したように、本実施形態に係る基板処理装置１は、上側レーンＬ１Ｕ、Ｌ２Ｕおよび下側レーンＬ１Ｄ、Ｌ２Ｄを用いた基板Ｗの並列処理を実現でき、基板Ｗの処理速度を向上できる。また、基板Ｗに対して研磨による処理を行うため、薬液等による非接触洗浄やブラシ等による処理によっては除去できない欠陥を除去することができる。
　搬送ユニットＣ（第１搬送ユニットＣ１）は、上側搬送機５２Ｕおよび下側搬送機５２Ｄを備える。上側搬送機５２Ｕは、上側レーンＬ１Ｕ、Ｌ２Ｕとの間で基板Ｗ（第１基板Ｗ１）の受け渡しを行う。下側搬送機５２Ｄは、下側レーンＬ１Ｄ、Ｌ２Ｄとの間で基板Ｗ（第２基板Ｗ２）の受け渡しを行う。基板処理装置１は、この構成により、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２とを並列して処理することができる。よって、基板Ｗの処理効率を高めることができる。
　搬送ユニットＣ（第１搬送ユニットＣ１）は、上側移動レール６１および下側移動レール６２を備える。基板処理装置１は、この構成により、搬送機５２（上側搬送機５２Ｕおよび下側搬送機５２Ｄ）の搬送方向Ｙにおける位置を調整できる。そのため、搬送機５２を、基板Ｗの受け渡しに適した位置に配置することができる。よって、搬送機５２と研磨モジュールＭとの間の基板Ｗの受け渡しを容易に行うことができる。
　上側レーンＬ１Ｕ、Ｌ２Ｕを構成する研磨モジュールＭは、表面研磨モジュールＭ１と、ベベル研磨モジュールＭ２と、裏面研磨モジュールＭ３と、を含む。下側レーンＬ１Ｄ、Ｌ２Ｄを構成する研磨モジュールＭは、表面研磨モジュールＭ１と、ベベル研磨モジュールＭ２と、裏面研磨モジュールＭ３と、を含む。この構成により、基板Ｗ（第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２）の表面、ベベル部、および裏面の全てを一つの装置で研磨（トリートメント）可能な基板処理装置１を提供することができる。
　第１上側レーンＬ１Ｕ、第１下側レーンＬ１Ｄ、第２上側レーンＬ２Ｕおよび第２下側レーンＬ２Ｄの各々において、複数の研磨モジュールＭに基板Ｗを処理する順番は任意に設定可能である。例えば、基板Ｗを、表面研磨モジュールＭ１、ベベル研磨モジュールＭ２、裏面研磨モジュールＭ３の順番で処理してもよい。あるいは、搬送機５２による基板Ｗの受け渡しの順番を変更することで、裏面研磨モジュールＭ３、ベベル研磨モジュールＭ２、表面研磨モジュールＭ１の順番で処理してもよい。これにより、複数の研磨モジュールＭの配置を変更せずに、研磨モジュールＭに基板Ｗを処理させる順番を任意に設定することができる。
　基板Ｗの受け渡しの順番は、制御部４０によって設定することができる。
　図８は、基板処理装置１の第１変形例である基板処理装置１Ａを示す構成図である。図９は、基板処理装置１の第２変形例である基板処理装置１Ｂを示す構成図である。図１０は、基板処理装置１の第３変形例である基板処理装置１Ｃを示す構成図である。
　図８～図１０に示すように、基板処理装置１Ａ～１Ｃのトリートメントユニット３０は、複数の搬送ユニットＣと、レーンＬ１Ｕ、Ｌ１Ｄ、Ｌ２Ｕ、Ｌ２Ｄと、を備える。各レーンＬ１Ｕ、Ｌ１Ｄ、Ｌ２Ｕ、Ｌ２Ｄを構成する研磨モジュールＭの数と、搬送ユニットＣの数と、は互いに等しい。
　図８に示すように、基板処理装置１Ａのトリートメントユニット３０（トリートメントユニット３０Ａ）は、２つの搬送ユニットＣ（Ｃ１１、Ｃ１２）と、レーンＬ１Ｕ、Ｌ１Ｄ、Ｌ２Ｕ、Ｌ２Ｄと、を備える。レーンＬ１Ｕ、Ｌ１Ｄ、Ｌ２Ｕ、Ｌ２Ｄを構成する研磨モジュールＭの数は、それぞれ２つである。２つの搬送ユニットＣ１１、Ｃ１２は、搬送方向Ｙに並べられる。
　図９に示すように、基板処理装置１Ｂのトリートメントユニット３０（トリートメントユニット３０Ｂ）は、３つの搬送ユニットＣ（Ｃ１１、Ｃ１２、Ｃ１３）と、レーンＬ１Ｕ、Ｌ１Ｄ、Ｌ２Ｕ、Ｌ２Ｄと、を備える。レーンＬ１Ｕ、Ｌ１Ｄ、Ｌ２Ｕ、Ｌ２Ｄを構成する研磨モジュールＭの数は、それぞれ３つである。３つの搬送ユニットＣ１１、Ｃ１２、Ｃ１３は、搬送方向Ｙに並べられる。
　図１０に示すように、基板処理装置１Ｃのトリートメントユニット３０（トリートメントユニット３０Ｃ）は、４つの搬送ユニットＣ（Ｃ１１、Ｃ１２、Ｃ１３、Ｃ１４）と、レーンＬ１Ｕ、Ｌ１Ｄ、Ｌ２Ｕ、Ｌ２Ｄと、を備える。レーンＬ１Ｕ、Ｌ１Ｄ、Ｌ２Ｕ、Ｌ２Ｄを構成する研磨モジュールＭの数は、それぞれ４つである。４つの搬送ユニットＣ１１、Ｃ１２、Ｃ１３、Ｃ１４は、搬送方向Ｙに並べられる。
　なお、搬送ユニットＣの数は特に限定されない。搬送ユニットＣの数は、１または複数であってよい。そして、複数の搬送ユニットＣが、搬送方向Ｙに並べられていてもよい。複数とは、２以上の任意の数である。
　基板処理装置１Ａ～１Ｃによれば、レーンＬ１Ｕ、Ｌ１Ｄ、Ｌ２Ｕ、Ｌ２Ｄの構成に応じて最適な構成の搬送ユニットを選択することができる。基板処理装置１Ａ～１Ｃは、搬送ユニットを過不足なく構成できる。このため、装置の小型化、および処理の効率化を図ることができる。
　上側搬送機および下側搬送機の数は、１つの搬送ユニットＣにそれぞれ１つであってよい。上側搬送機および下側搬送機の数は、複数の搬送ユニットＣにそれぞれ１つであってもよい。
　なお、本発明の技術的範囲は前記実施形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
　例えば、前記実施形態において説明した研磨モジュールＭの配置はあくまで一例であり、適宜変更可能である。また、基板処理装置１は、表面研磨モジュールＭ１、ベベル研磨モジュールＭ２、および裏面研磨モジュールＭ３のうちいずれか１つ（または２つ）を有していなくてもよい。つまり、基板処理装置１は、１種類のみ、または２種類のみの研磨モジュールＭを有していてもよい。また、基板処理装置１は、表面研磨モジュールＭ１、ベベル研磨モジュールＭ２、および裏面研磨モジュールＭ３のいずれとも異なる研磨モジュールＭを有していてもよい。
　また、前記実施形態における基板処理装置１は、研磨等の処理を経た後の基板Ｗに残留した欠陥の状態を測定する測定部５３を備えていたが、基板処理装置１の例はこれに限られない。例えば、複数の研磨モジュールＭの各々に、当該研磨モジュールＭによる処理の状態を測定する測定部が個別に設けられていてもよい。
　また、各レーンＬ１Ｕ、Ｌ１Ｄ、Ｌ２Ｕ、Ｌ２Ｄに含まれる研磨モジュールＭの数は図示の例に限られず、適宜変更可能である。
　また、研磨モジュールＭが配置される順番を変更できないレーンＬ１Ｕ、Ｌ１Ｄ、Ｌ２Ｕ、Ｌ２Ｄが存在してもよい。
　また、研磨モジュールＭが搬送ユニットＣに対して着脱可能に構成されていなくてもよい。
　また、各ハウジング３１にフィルタファンユニットＦが設けられていなくてもよい。例えば、複数のハウジング３１に対して１つのフィルタファンユニットＦが設けられていてもよい。
　また、ハウジング３１は外部に露出していなくてもよい。言い換えれば、ハウジング３１がアウターハウジングＨ１、Ｈ２に収容されていてもよい。
　本実施形態に係る基板処理装置１では、搬送ユニットＣ（第１搬送ユニットＣ１）は、上側移動レール６１と下側移動レール６２とを備えるが、基板処理装置は、移動レールを備えていない構成も可能である。
　本実施形態に係る基板処理装置１では、上側搬送機５２Ｕおよび下側搬送機５２Ｄの数はそれぞれ１つであるが、上側搬送機および下側搬送機の数は、それぞれ複数（２以上の任意の数）であってもよい。上側搬送機が複数ある場合、上側搬送機の間で第１基板の受け渡しを行ってもよい。下側搬送機が複数ある場合、下側搬送機の間で第２基板の受け渡しを行ってもよい。
　その他、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で、上記した実施形態における構成要素を周知の構成要素に置き換えることは適宜可能であり、また、上記した実施形態や変形例を適宜組み合わせてもよい。
　１…基板処理装置　３１…ハウジング　３１ａ…開口　５２Ｕ…上側搬送機　５２Ｄ…下側搬送機　６１…上側移動レール　６２…下側移動レール　Ｃ，Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ１３，Ｃ１４…搬送ユニット　Ｍ…研磨モジュール　Ｍ１…表面研磨モジュール　Ｍ２…ベベル研磨モジュール　Ｍ３…裏面研磨モジュール　Ｆ…フィルタファンユニット　Ｇ１…第１モジュール群　Ｇ２…第２モジュール群　Ｌ１Ｕ…第１上側レーン（上側レーン）　Ｌ１Ｄ…第１下側レーン（下側レーン）　Ｌ２Ｕ…第２上側レーン（上側レーン）　Ｌ２Ｄ…第２下側レーン（下側レーン）　Ｗ１…第１基板　Ｗ２…第２基板　Ｙ…搬送方向

Claims (12)

  1. 　基板を研磨する複数の研磨モジュールと、
    　前記基板を前記複数の研磨モジュールの間で移動させる搬送ユニットと、を備え、
    　前記複数の研磨モジュールは、第１モジュール群および第２モジュール群を含み、
    　平面視において、前記搬送ユニットは、前記第１モジュール群と前記第２モジュール群との間に位置し、
    　前記第１モジュール群は、少なくとも２つの前記研磨モジュールが隣接して配置された第１上側レーンと、少なくとも２つの前記研磨モジュールが隣接して配置されるとともに前記第１上側レーンの下方に配された第１下側レーンと、を有し、
    　前記第２モジュール群は、少なくとも２つの前記研磨モジュールが隣接して配置された第２上側レーンと、少なくとも２つの前記研磨モジュールが隣接して配置されるとともに前記第２上側レーンの下方に配された第２下側レーンと、を有する、
    　基板処理装置。
  2. 　前記研磨モジュールは、外部に露出したハウジングを有する、
    　請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　前記ハウジングには、前記搬送ユニットと前記研磨モジュールとの間で前記基板を移動させるための開口が形成されている、
    　請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 　前記ハウジングには、フィルタファンユニットが設けられている、
    　請求項２または３に記載の基板処理装置。
  5. 　前記研磨モジュールは、前記搬送ユニットの側面に接続される、
    　請求項１から３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  6. 　前記研磨モジュールは、着脱可能に構成されている、
    　請求項１から３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  7. 　前記第１上側レーン、前記第１下側レーン、前記第２上側レーンおよび前記第２下側レーンのうち少なくとも一つにおいて、前記少なくとも２つの研磨モジュールが配置される順番は変更可能である、
    　請求項５に記載の基板処理装置。
  8. 　前記複数の研磨モジュールは、前記基板の表面を研磨する少なくとも一つの表面研磨モジュールと、前記基板のベベル部を研磨する少なくとも一つのベベル研磨モジュールと、前記基板の裏面を研磨する少なくとも一つの裏面研磨モジュールと、を含む、
    　請求項１から３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  9. 　第１基板を搬送する上側搬送機、および第２基板を搬送する下側搬送機を備える搬送ユニットと、
    　前記上側搬送機の搬送方向に並んで設けられて前記第１基板を研磨する複数の研磨モジュールを含む、上側レーンと、
    　前記下側搬送機の搬送方向に並んで設けられて前記第２基板を研磨する複数の研磨モジュールを含む、下側レーンと、を備え、
    　前記研磨モジュールは、前記搬送ユニットに対して着脱可能であり、
    　前記上側レーンと前記下側レーンとは、高さ位置を違えて並列して配置され、
    　前記上側搬送機は、前記上側レーンとの間で前記第１基板の受け渡しを行い、
    　前記下側搬送機は、前記下側レーンとの間で前記第２基板の受け渡しを行う、
    　基板処理装置。
  10. 　前記搬送ユニットは、前記上側搬送機の搬送方向に沿う上側移動レールと、前記下側搬送機の搬送方向に沿う下側移動レールと、をさらに備え、
    　前記上側搬送機は、前記上側移動レールに沿って移動可能であり、
    　前記下側搬送機は、前記下側移動レールに沿って移動可能である、
    　請求項９記載の基板処理装置。
  11. 　前記搬送ユニットを複数備え、
    　複数の前記搬送ユニットは、前記上側搬送機および前記下側搬送機の搬送方向に並べられている、
    　請求項９記載の基板処理装置。
  12. 　前記上側レーンを構成する前記研磨モジュールは、前記第１基板の表面を研磨する少なくとも一つの表面研磨モジュールと、前記第１基板の裏面を研磨する少なくとも一つの裏面研磨モジュールと、前記第１基板のベベル部を研磨する少なくとも一つのベベル研磨モジュールと、を含み、
    　前記下側レーンを構成する前記研磨モジュールは、前記第２基板の表面を研磨する少なくとも一つの表面研磨モジュールと、前記第２基板の裏面を研磨する少なくとも一つの裏面研磨モジュールと、前記第２基板のベベル部を研磨する少なくとも一つのベベル研磨モジュールと、を含む、
    　請求項９から１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
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JP2022043941A (ja) * 2020-09-04 2022-03-16 株式会社荏原製作所 構造物、研磨装置
JP2022072570A (ja) * 2020-10-30 2022-05-17 株式会社荏原製作所 基板処理装置においてカセットからの基板の取り出しタイミングを決定する方法、装置、プログラム、および基板処理装置

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