WO2024116924A1 - 半導体装置、および、半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置、および、半導体装置の製造方法 Download PDF

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WO2024116924A1
WO2024116924A1 PCT/JP2023/041573 JP2023041573W WO2024116924A1 WO 2024116924 A1 WO2024116924 A1 WO 2024116924A1 JP 2023041573 W JP2023041573 W JP 2023041573W WO 2024116924 A1 WO2024116924 A1 WO 2024116924A1
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semiconductor device
conductive member
main surface
die pad
thickness direction
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PCT/JP2023/041573
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English (en)
French (fr)
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幸太 伊勢
謙吾 柏木
泰紀 高田
卓郎 中原
弘匡 河野
翔吾 白石
Original Assignee
ローム株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor

Definitions

  • This disclosure relates to a semiconductor device and a method for manufacturing a semiconductor device.
  • Patent Document 1 discloses an example of a conventional semiconductor device.
  • the semiconductor device disclosed in this document comprises a semiconductor element, a conductive plate, a drive pad, a conductive member, and a sealing resin.
  • the semiconductor element is mounted on the conductive main surface of the conductive plate.
  • a main surface side drive electrode formed on the element main surface of the semiconductor element and the drive pad are connected by a conductive member.
  • the sealing resin seals the conductive plate, part of the drive pad, the semiconductor element, and the conductive member.
  • the semiconductor element is bonded to the conductive principal surface via a conductive bonding material such as solder.
  • the conductive member is also bonded to the principal surface drive electrode via a conductive bonding material such as solder. Therefore, two layers of conductive bonding material are interposed between the conductive principal surface and the conductive member. Because the shape of the conductive bonding material layers is not constant, the height position of the conductive member relative to the conductive principal surface (position in the thickness direction of the conductive plate) is not constant.
  • An object of the present disclosure is to provide a semiconductor device that is an improvement over conventional semiconductor devices.
  • an object of the present disclosure is to provide a semiconductor device that can control the height position of a conductive member relative to the main surface of a die pad, and a method for manufacturing the semiconductor device.
  • the semiconductor device provided by the first aspect of the present disclosure comprises a first lead including a die pad having a die pad main surface facing one side in the thickness direction, a semiconductor element having an element main surface facing one side in the thickness direction and a first electrode arranged on the element main surface and mounted on the die pad main surface, a sealing resin covering at least a portion of the die pad and the semiconductor element, a conductive member conductively joined to the first electrode, and a positioning member including an insulating material and in contact with the conductive member and the die pad main surface.
  • the method for manufacturing a semiconductor device includes the steps of placing a conductive member on a bonding member disposed on a first electrode of a semiconductor element disposed on a main surface of a die pad such that the positioning member is in contact with the conductive member and the main surface of the die pad, solidifying the bonding member by heating, and forming an encapsulating resin that covers the semiconductor element.
  • the above configuration allows the height position of the conductive member relative to the main surface of the die pad in a semiconductor device to be controlled.
  • FIG. 1 is a plan view showing a semiconductor device according to a first embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a bottom view of the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 3 is a plan view (through the sealing resin) of the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 4 is a right side view of the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 5 is a left side view of the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI in FIG.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line VII-VII in FIG.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII in FIG.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing a process of an example of a method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG. FIG.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view showing a process of an example of a method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing a process of an example of a method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing a process of an example of a method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing a process of an example of a method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 14 is an enlarged cross-sectional view showing a semiconductor device according to a first modification of the first embodiment.
  • FIG. 15 is an enlarged cross-sectional view showing a semiconductor device according to a second modification of the first embodiment.
  • FIG. 16 is an enlarged cross-sectional view showing a semiconductor device according to a third modification of the first embodiment.
  • FIG. 17 is a plan view (through a sealing resin) showing a semiconductor device according to a fourth modification of the first embodiment.
  • FIG. 18 is a plan view (through a sealing resin) showing a semiconductor device according to a fifth modification of the first embodiment.
  • FIG. 19 is a plan view (through a sealing resin) showing a semiconductor device according to a sixth modified example of the first embodiment.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view taken along line XX-XX in FIG.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view showing a semiconductor device according to a seventh modification of the first embodiment.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view showing a semiconductor device according to a second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view showing a semiconductor device according to a third embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 24 is a cross-sectional view showing a step of an example of a method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 25 is a cross-sectional view showing a step of an example of a method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG. 26 is a cross-sectional view showing a step of an example of a method for manufacturing the semiconductor device shown in FIG.
  • FIG. 27 is an enlarged cross-sectional view showing a semiconductor device according to a first modification of the third embodiment.
  • FIG. 28 is an enlarged cross-sectional view showing a semiconductor device according to a second modification of the third embodiment.
  • FIG. 29 is a cross-sectional view showing a semiconductor device according to a fourth embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 30 is a cross-sectional view showing a semiconductor device according to a fifth embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 31 is a cross-sectional view showing a semiconductor device according to the sixth embodiment of the present disclosure.
  • an object A is formed on an object B" and “an object A is formed on an object B” include “an object A is formed directly on an object B” and “an object A is formed on an object B with another object interposed between the object A and the object B” unless otherwise specified.
  • an object A is disposed on an object B” and “an object A is disposed on an object B” include “an object A is disposed directly on an object B” and “an object A is disposed on an object B with another object interposed between the object A and the object B" unless otherwise specified.
  • an object A is located on an object B includes “an object A is located on an object B in contact with an object B” and “an object A is located on an object B with another object interposed between the object A and the object B” unless otherwise specified.
  • an object A overlaps an object B when viewed in a certain direction includes “an object A overlaps the entirety of an object B” and “an object A overlaps a part of an object B.”
  • the semiconductor device A10 includes a plurality of leads 1A, 1B, and 1C, a semiconductor element 2, an insulating portion 3, a metal laminate portion 4, a conductive member 5, a position defining member 8, conductive bonding materials 61, 62, and 63, and a sealing resin 7.
  • FIG. 1 is a plan view showing semiconductor device A10.
  • FIG. 2 is a bottom view showing semiconductor device A10.
  • FIG. 3 is a plan view showing semiconductor device A10.
  • FIG. 4 is a right side view showing semiconductor device A10.
  • FIG. 5 is a left side view showing semiconductor device A10.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line VI-VI in FIG. 3.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view taken along line VII-VII in FIG. 3.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view taken along line VIII-VIII in FIG. 3. Note that FIG. 3 is a view seen through sealing resin 7 for ease of understanding.
  • the thickness direction of the semiconductor element 2 is referred to as the "thickness direction z.”
  • One direction perpendicular to the thickness direction z is referred to as the "first direction x.”
  • a direction perpendicular to both the thickness direction z and the first direction x is referred to as the "second direction y.”
  • the semiconductor device A10 is rectangular (or approximately rectangular) when viewed in the thickness direction z. There are no particular limitations on the size of the semiconductor device A10.
  • Leads 1A, 1B, and 1C are formed, for example, by punching or bending a metal plate (lead frame). There are no particular limitations on the material that makes up Leads 1A, 1B, and 1C, and they may be made of, for example, copper (Cu) or nickel (Ni), or an alloy of these. There are no particular limitations on the thickness of Leads 1A, 1B, and 1C, and they may be, for example, 0.1 mm to 0.3 mm.
  • lead 1A is spaced apart from lead 1B and lead 1C on one side in the first direction x.
  • Lead 1B and lead 1C are aligned in the second direction y.
  • Leads 1A to 1C are spaced apart from each other when viewed in the thickness direction z.
  • Lead 1A is the largest and lead 1C is the smallest in size when viewed in the thickness direction z.
  • the lead 1A has a die pad 12 and a plurality of (four in this embodiment) first terminal portions 13.
  • the die pad 12 is rectangular when viewed in the thickness direction z, for example.
  • the die pad 12 has a main surface 121 and a back surface 122.
  • the main surface 121 faces one side in the thickness direction z
  • the back surface 122 faces the opposite side to the main surface 121 (the other side in the thickness direction z).
  • the semiconductor element 2 is mounted on the main surface 121.
  • the back surface 122 is exposed from the sealing resin 7.
  • the back surface 122 is a portion that is joined by a joining material such as solder when the semiconductor device A10 is mounted on a circuit board (not shown).
  • the multiple first terminal portions 13 are located on one side in the first direction x (the right side in FIG. 6) with respect to the die pad 12. Each of the multiple first terminal portions 13 is connected to one side in the first direction x of the die pad 12 and extends to that side in the first direction x. The multiple first terminal portions 13 are arranged at intervals in the second direction y. Each of the multiple first terminal portions 13 has a back surface mounting portion 131.
  • the back surface mounting portion 131 faces the other side in the thickness direction z (the lower side in FIG. 6).
  • the back surface mounting portion 131 is exposed from the sealing resin 7.
  • the back surface mounting portion 131 is a portion that is joined by a joining material such as solder when the semiconductor device A10 is mounted on a circuit board (not shown).
  • lead 1B has a pad portion 14, a plurality of (three in this embodiment) second terminal portions 15, and a plurality of (three in this embodiment) bent portions 16.
  • Pad portion 14 is located on one side in the thickness direction z (upper side in Figure 6) of the plurality of second terminal portions 15.
  • Pad portion 14 is also located inward in the first direction x of the plurality of second terminal portions 15.
  • the second terminal portions 15 are located on the other side of the first direction x (left side in FIG. 6) with respect to the die pad 12 of the lead 1A. Each of the second terminal portions 15 extends to the other side of the first direction x. The second terminal portions 15 are arranged at intervals in the second direction y. Each of the second terminal portions 15 has a back surface mounting portion 151. The back surface mounting portion 151 faces the other side of the thickness direction z (lower side in FIG. 6). The back surface mounting portion 151 is exposed from the sealing resin 7. The back surface mounting portion 151 is a portion that is joined by a joining material such as solder when the semiconductor device A10 is mounted on a circuit board (not shown). The bent portions 16 connect the pad portion 14 and the second terminal portions 15 separately, and are bent when viewed in the second direction y.
  • lead 1C has a pad portion 17, a second terminal portion 18, and a bent portion 19.
  • Pad portion 17 is located on one side of second terminal portion 18 in the thickness direction z (upper side in Figure 7). Pad portion 17 is also located inward in the first direction x with respect to second terminal portion 18.
  • the second terminal portion 18 is located on the other side of the first direction x (left side in FIG. 7) with respect to the die pad 12 of the lead 1A.
  • the second terminal portion 18 extends to the other side of the first direction x.
  • the second terminal portions 15 of the lead 1B and the second terminal portion 18 of the lead 1C are arranged at intervals in the second direction y.
  • the second terminal portion 18 has a back surface mounting portion 181.
  • the back surface mounting portion 181 faces the other side of the thickness direction z (lower side in FIG. 7).
  • the back surface mounting portion 181 is exposed from the sealing resin 7.
  • the back surface mounting portion 181 is a portion that is joined by a joining material such as solder when the semiconductor device A10 is mounted on a circuit board (not shown).
  • the bent portion 19 connects the pad portion 17 and the second terminal portion 18, and has a bent shape when viewed in the second direction y.
  • the semiconductor element 2 is an element that exerts the electrical function of the semiconductor device A10. There are no particular limitations on the type of semiconductor element 2, and in this embodiment, the semiconductor element 2 is configured as a transistor.
  • the semiconductor element 2 is mounted on the main surface 121 of the die pad 12. As shown in Figures 3 and 6 to 8, the semiconductor element 2 has an element body 20, a first electrode 21, a second electrode 22, and a third electrode 23.
  • the element body 20 is rectangular when viewed in the thickness direction z.
  • the element body 20 has an element principal surface 201 and an element rear surface 202.
  • the element principal surface 201 and the element rear surface 202 face opposite each other in the thickness direction z.
  • the element principal surface 201 faces the same side as the principal surface 121 of the die pad 12 in the thickness direction z (one side in the thickness direction z). Therefore, the element rear surface 202 faces the principal surface 121.
  • the first electrode 21 and the third electrode 23 are disposed on the main surface 201 of the element.
  • the second electrode 22 is disposed on the rear surface 202 of the element.
  • the first electrode 21, the second electrode 22, and the third electrode 23 are made of materials such as copper or aluminum (Al), or an alloy thereof.
  • the first electrode 21 is a source electrode
  • the second electrode 22 is a drain electrode
  • the third electrode 23 is a gate electrode.
  • the first electrode 21 covers most of the element principal surface 201. Specifically, the first electrode 21 is disposed in a region of the rectangular element principal surface 201 excluding the periphery and one corner (the lower right corner in FIG. 3). The first electrode 21 has a first electrode pad portion 212. The first electrode pad portion 212 is located inside the insulating portion 3 when viewed in the thickness direction z. The third electrode 23 is disposed in one corner (the lower right corner in FIG. 3) of the element principal surface 201. The second electrode 22 covers the entire surface (or almost the entire surface) of the element back surface 202.
  • the second electrode 22 is bonded to the main surface 121 of the die pad 12 via a conductive bonding material 62.
  • the conductive bonding material 62 electrically connects the die pad 12 and the second electrode 22.
  • the conductive bonding material 62 is, for example, solder.
  • the semiconductor device A10 includes a wire 65.
  • the wire 65 is conductively joined to the third electrode 23 and the pad portion 17 of the lead 1C.
  • the wire 65 conductively connects the third electrode 23 and the lead 1C.
  • the insulating portion 3 is disposed across the first electrode 21 and the element main surface 201.
  • the insulating portion 3 is annular and overlaps with the outer periphery of the first electrode 21 when viewed in the thickness direction z.
  • the outer edge of the insulating portion 3 is located near the outer periphery of the element main surface 201 when viewed in the thickness direction z.
  • the region located inside the inner edge of the insulating portion 3 when viewed in the thickness direction z is the first electrode pad portion 212.
  • the insulating portion 3 is configured, for example, by laminating a plurality of insulating layers.
  • the insulating portion 3 is configured, for example, by laminating an upper insulating layer made of a resin material on a lower insulating layer made of a nitride.
  • nitrides that constitute the lower insulating layer include SiN, SiON, and SiO 2.
  • resin materials that constitute the upper insulating layer include polyimide resin.
  • the metal laminate 4 is disposed across the first electrode 21 and the insulating section 3, and has a configuration in which, for example, multiple metal layers are laminated.
  • the metal laminate 4 has a configuration in which, for example, a metal layer containing titanium (Ti), a metal layer containing nickel, and a metal layer containing silver (Ag) are laminated in this order.
  • the semiconductor device of the present disclosure may have a configuration that does not include the insulating section 3 and the metal laminate 4.
  • the conductive member 5 is conductively joined to the first electrode 21 of the semiconductor element 2 and the lead 1B.
  • the conductive member 5 is made of a metal plate material of a profile strip with a thickness that varies in parts.
  • the metal is copper or a copper alloy.
  • the conductive member 5 is a metal plate material that has been bent and punched.
  • the conductive member 5 has an element-side joint 51, a lead-side joint 52, and an intermediate portion 53.
  • the element-side joint 51 is a portion where the thickness (dimension in the thickness direction z) of the profile strip is large, and the shape viewed in the thickness direction z is an elongated rectangle that is long in the second direction y.
  • the element-side joint 51 is conductively joined to the first electrode pad portion 212 of the first electrode 21 via a conductive bonding material 61.
  • the conductive bonding material 61 conductively connects the element-side joint 51 (conductive member 5) and the first electrode pad portion 212.
  • the conductive bonding material 61 is, for example, solder.
  • the element side bonding portion 51 has a main surface 511, a back surface 512, and an end surface 513.
  • the main surface 511 and the back surface 512 face opposite each other in the thickness direction z.
  • the main surface 511 faces the same side as the main surface 121 of the die pad 12 in the thickness direction z (one side in the thickness direction z).
  • the main surface 511 is exposed from the sealing resin 7.
  • the back surface 512 faces the same side as the back surface 122 of the die pad 12 in the thickness direction z (the other side in the thickness direction z).
  • the back surface 512 is bonded to the first electrode pad portion 212 of the semiconductor element 2.
  • the end surface 513 is connected to the main surface 511 and the back surface 512, and is sandwiched between the main surface 511 and the back surface 512 in the thickness direction z.
  • the end surface 513 faces one side in the first direction x.
  • the position defining member 8 is joined to the end surface 513.
  • the shape of the element-side joint 51 is not limited.
  • the lead-side joint 52 is conductively joined to the pad 14 of the lead 1B via a conductive adhesive 63.
  • the conductive adhesive 63 conductively connects the lead-side joint 52 (conductive member 5) and the pad 14 (lead 1B).
  • the conductive adhesive 63 is, for example, solder.
  • the lead-side joint 52 is appropriately bent when viewed in the second direction y, and has a convex portion located on the other side in the thickness direction z (lower side in the figure) than the surrounding area. When the pad 14 and the lead-side joint 52 are joined, the convex portion is pressed against the pad 14, and a sufficient amount of conductive adhesive 63 is present around the convex portion. This allows the electrical continuity between the lead-side joint 52 and the pad 14 to be properly maintained.
  • the intermediate portion 53 is located between the element side joint portion 51 and the lead side joint portion 52 in the first direction x.
  • the intermediate portion 53 is connected to both the element side joint portion 51 and the lead side joint portion 52.
  • the positioning member 8 is made of an insulating material and is in contact with the conductive member 5 and the main surface 121 of the die pad 12.
  • the positioning member 8 is made of, for example, a synthetic resin. The type of synthetic resin is not limited.
  • the positioning member 8 is disposed on the opposite side of the semiconductor element 2 from the lead 1B in the first direction x.
  • the positioning member 8 is L-shaped when viewed in the second direction y, and includes a first part 81 and a second part 82.
  • the second part 82 is plate-shaped extending in the first direction x, and an end face 82a facing the other side in the first direction x is in contact with and joined to the end face 513 of the element-side joint 51.
  • the positioning member 8 in contact with the end face 513 of the element-side joint 51 may be formed by injecting molten resin material into a mold and solidifying it.
  • the first portion 81 is a plate extending in the thickness direction z, and one end of the first portion 81 in the thickness direction z is connected to one end of the second portion 82 in the first direction x.
  • the end face 81a of the first portion 81 facing the other side in the thickness direction z is in contact with the main surface 121 of the die pad 12.
  • the positioning member 8 and the conductive member 5 are first joined and fixed together. Then, the conductive member 5 is placed so that the end face 81a of the first portion 81 is in contact with the main surface 121 of the die pad 12, and the conductive bonding materials 61 to 63 are solidified. As a result, the end face 81a of the first portion 81 is fixed in contact with the main surface 121 of the die pad 12.
  • the material of the positioning member 8 is not limited to synthetic resin, but may be any insulating material. Furthermore, the shape and arrangement of the positioning member 8 are not limited.
  • the sealing resin 7 covers the semiconductor element 2, the insulating portion 3, the metal laminate portion 4, the positioning member 8, the conductive member 5, and parts of the leads 1A, 1B, and 1C.
  • the sealing resin 7 is made of, for example, a black epoxy resin.
  • the sealing resin 7 has a resin main surface 71, a resin back surface 72, and resin side surfaces 73 to 76.
  • the resin main surface 71 and the resin back surface 72 face opposite sides in the thickness direction z.
  • the resin main surface 71 faces one side in the thickness direction z, and faces the same side as the element main surface 201 and the main surface 121.
  • the resin main surface 71 exposes the main surface 511 of the element side bonding portion 51 of the conductive member 5.
  • the resin back surface 72 faces the other side in the thickness direction z, and faces the same side as the element back surface 202 and the back surface 122.
  • the back surface 122 of the die pad 12, the back surface mounting portion 131 of each first terminal portion 13, the back surface mounting portion 151 of each second terminal portion 15, and the back surface mounting portion 181 of the second terminal portion 18 are exposed from the resin back surface 72.
  • Each of the resin side surfaces 73 to 76 is connected to the resin main surface 71 and the resin back surface 72, and is sandwiched between the resin main surface 71 and the resin back surface 72 in the thickness direction z.
  • the resin side surface 73 and the resin side surface 74 face opposite each other in the first direction x.
  • the resin side surface 73 faces one side of the first direction x, and the resin side surface 74 faces the other side of the first direction x.
  • the resin side surface 75 and the resin side surface 76 face opposite each other in the second direction y.
  • the resin side surface 75 faces one side of the second direction y, and the resin side surface 76 faces the other side of the second direction y. As shown in FIG.
  • each of the multiple first terminal portions 13 protrudes from the resin side surface 73.
  • a portion of each of the multiple second terminal portions 15 and the second terminal portion 18 protrudes from the resin side surface 74.
  • the resin side surfaces 73 to 76 are each slightly inclined with respect to the thickness direction z.
  • the shapes of the sealing resin 7 shown in Figures 1, 2, and 4 to 8 are examples. The shape of the sealing resin 7 is not limited to the illustrated shapes.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view showing one step of the method for manufacturing the semiconductor device A10, and is a cross-sectional view similar to the cross-sectional view shown in Figure 6.
  • the conductive member 5 is formed by, for example, bending and punching a deformed metal plate. There are no limitations on the method for forming the conductive member 5.
  • the positioning member 8 is formed by, for example, injection molding using a mold. There are no limitations on the method for forming the positioning member 8.
  • the positioning member 8 is joined to the conductive member 5 by thermocompression bonding. Specifically, the positioning member 8 and the conductive member 5 are heated and, at an appropriate temperature, pressure is applied to bring the end face 82a into close contact with the end face 513, thereby joining the positioning member 8 by inducing plastic deformation in the positioning member 8. This fixes the positioning member 8 and the conductive member 5 together.
  • the conductive member 5 may be placed in a mold, and molten resin material may be injected and solidified to form the positioning member 8 that contacts the end face 513 of the conductive member 5.
  • the lead frame 100 is a plate-shaped material that becomes leads 1A, 1B, and 1C.
  • the lead frame 100 is formed by subjecting a metal plate to processes such as punching and bending. There are no limitations on the method for forming the lead frame 100. A description of the manufacturing method for the semiconductor element 2 is omitted.
  • solder paste 60 is applied to the portion of the main surface 101 of the lead frame 100 that will become the main surface 121 of the die pad 12, and the semiconductor element 2 is placed on the solder paste 60.
  • solder paste 60 is applied onto the first electrode 21 of the semiconductor element 2 and onto the surface of the portion of the lead frame 100 that will become the pad portion 14 of lead 1B.
  • the conductive member 5 is placed on the solder paste 60.
  • the element side joint 51 of the conductive member 5 is placed on the solder paste 60 applied to the first electrode 21, and the lead side joint 52 of the conductive member 5 is placed on the solder paste 60 applied to the portion that will become the pad portion 14 of the lead frame 100.
  • the conductive member 5 is placed so that the end face 81a of the integral positioning member 8 is in contact with the portion of the main surface 101 of the lead frame 100 that will become the main surface 121 of the die pad 12.
  • a reflow process is performed.
  • the reflow process melts the solder paste 60, and the molten solder solidifies by subsequent cooling.
  • the semiconductor element 2 is bonded to the portion of the lead frame 100 that will become the die pad 12 by the conductive bonding material 62.
  • the element side bonding portion 51 of the conductive member 5 is bonded to the first electrode 21 by the conductive bonding material 61, and the lead side bonding portion 52 is bonded to the portion of the lead frame 100 that will become the pad portion 14 by the conductive bonding material 63.
  • wire bonding of wire 65 is performed.
  • molding is performed to form sealing resin 7 that covers semiconductor element 2, insulating portion 3, metal laminate portion 4, and positioning member 8, as well as conductive member 5 and a portion of lead frame 100.
  • lead frame 100 is appropriately cut to separate leads 1A, 1B, and 1C from one another.
  • the semiconductor device A10 includes a positioning member 8.
  • the positioning member 8 is fixed integrally with the conductive member 5 by bonding the end face 82a of the second portion 82 to the end face 513 of the element-side bonding portion 51.
  • the conductive member 5 is fixed in a state in which the end face 81a of the integrated positioning member 8 is in contact with the main surface 121 of the die pad 12.
  • the height position (position in the thickness direction z) of the conductive member 5 relative to the main surface 121 is determined to a position according to the dimension in the thickness direction z of the positioning member 8.
  • the height position of the conductive member 5 relative to the main surface 121 is controlled to a constant position regardless of the thickness dimension (dimension in the thickness direction z) of the conductive bonding materials 61, 62.
  • the semiconductor device A10 can suppress the formation of the sealing resin 7 on the main surface 511 of the element-side bonding portion 51.
  • the positioning member 8 has a first portion 81 extending in the thickness direction z and a second portion 82 extending in the first direction x. Therefore, the positioning member 8 can contact the end face 82a of the second portion 82 with the end face 513 of the element-side bonding portion 51, while contacting the end face 81a of the first portion 81 with the main surface 121 of the die pad 12.
  • the positioning member 8 is disposed on the opposite side of the semiconductor element 2 from the lead 1B in the first direction x.
  • the lead side joint 52 of the conductive member 5 is joined to the pad portion 14 of the lead 1B.
  • the height position of the conductive member 5 is determined by the positioning member 8 on one side of the semiconductor element 2 in the first direction x, and by the lead side joint 52 on the other side of the semiconductor element 2. Since the height position of the semiconductor device A10 is determined on both sides of the semiconductor element 2 in the first direction x, the height position of the conductive member 5 can be controlled more reliably compared to a case in which the positioning positions of the positioning members 8 are different.
  • the main surface 511 of the element-side joint 51 of the conductive member 5 is exposed from the resin main surface 71. This allows the semiconductor device A10 to dissipate heat generated by the semiconductor element 2 from the main surface 511 of the conductive member 5. Furthermore, the back surface 122 of the die pad 12 is exposed from the resin back surface 72. This allows the semiconductor device A10 to dissipate heat generated by the semiconductor element 2 from the back surface 122 of the die pad 12. Therefore, the semiconductor device A10 can dissipate heat from both sides in the thickness direction z, and therefore has a higher heat dissipation effect than when heat is dissipated only from one side or only from the other side in the thickness direction z.
  • FIGS. 14 to 21 show modified examples of the semiconductor device A10 according to the first embodiment.
  • elements that are the same as or similar to those in the above embodiment are given the same reference numerals as in the above embodiment, and duplicated explanations will be omitted.
  • FIG. 14 is a diagram for explaining a semiconductor device A11 according to a first modified example of the first embodiment.
  • FIG. 14 is an enlarged cross-sectional view of the semiconductor device A11, and is a partially enlarged view of the view corresponding to FIG. 6.
  • the end face 513 is provided with an uneven portion 513a.
  • the uneven portion 513a has a plurality of recesses that are recessed toward the other side of the first direction x.
  • the uneven portion 513a is arranged in a portion of the end face 513 with which the position defining member 8 contacts.
  • FIG. 15 is a diagram for explaining a semiconductor device A12 according to a second modified example of the first embodiment.
  • FIG. 15 is an enlarged cross-sectional view of the semiconductor device A12, and is a partially enlarged view of the view corresponding to FIG. 6.
  • the end face 513 is provided with a recess 513b.
  • the recess 513b is a recess that is recessed on the other side in the first direction x. When viewed in the first direction x, the shape of the recess 513b matches (or approximately matches) the shape of the end face 82a of the position defining member 8.
  • FIG. 16 is a diagram for explaining a semiconductor device A13 according to a third modified example of the first embodiment.
  • FIG. 16 is an enlarged cross-sectional view of the semiconductor device A13, and is a partially enlarged view of a view corresponding to FIG. 6.
  • the first part 81 and the second part 82 of the positioning member 8 according to this modified example are made of, for example, ceramics.
  • the positioning member 8 further includes a bonding member 83.
  • the bonding member 83 is, for example, an adhesive film such as DAF (Die Attach Film).
  • the bonding member 83 may be other bonding members.
  • the bonding member 83 may or may not be conductive.
  • the positioning member 8 is bonded to the end surface 513 of the element-side bonding portion 51 of the conductive member 5 by the bonding member 83.
  • the material of the positioning member 8 may be an insulating material other than synthetic resin, and the bonding method between the positioning member 8 and the conductive member 5 is not limited.
  • FIG. 17 is a diagram for explaining a semiconductor device A14 according to a fourth modified example of the first embodiment.
  • FIG. 17 is a plan view (through the sealing resin 7) of the semiconductor device A14, and corresponds to FIG. 3.
  • the semiconductor device A14 according to this modified example includes two positioning members 8. One positioning member 8 is bonded to one side of the end face 513 of the element-side bonding portion 51 of the conductive member 5 in the second direction y, and the other positioning member 8 is bonded to the other side of the end face 513 in the second direction y.
  • the conductive member 5 can be more effectively prevented from being displaced due to rotation around the central axis extending in the thickness direction z when bonded to the semiconductor element 2, compared to the case where only one positioning member 8 is provided.
  • FIG. 18 is a diagram for explaining a semiconductor device A15 according to a fifth modified example of the first embodiment.
  • FIG. 18 is a plan view (through the sealing resin 7) of the semiconductor device A15, and corresponds to FIG. 3.
  • the element-side bonding portion 51 has a side surface 514 and a side surface 515.
  • the side surface 514 and the side surface 515 are connected to the main surface 511 and the back surface 512, respectively, and are sandwiched between the main surface 511 and the back surface 512 in the thickness direction z.
  • the side surface 514 is a surface facing one side in the second direction y
  • the side surface 515 is a surface facing the other side in the second direction y.
  • the semiconductor device A15 according to this modified example has two position defining members 8.
  • One position defining member 8 is bonded to the side surface 514, and the other position defining member 8 is bonded to the side surface 515.
  • the conductive member 5 can be more effectively prevented from being misaligned due to rotation around the central axis extending in the thickness direction z when bonded to the semiconductor element 2, compared to the case where there is only one position defining member 8.
  • FIG. 19 and 20 are diagrams for explaining a semiconductor device A16 according to a sixth modified example of the first embodiment.
  • FIG. 19 is a plan view (through the sealing resin 7) of the semiconductor device A16, and corresponds to FIG. 3.
  • FIG. 20 is a cross-sectional view taken along the line XX-XX in FIG. 19.
  • the semiconductor device A16 according to this modified example includes two position defining members 8. One of the position defining members 8 is bonded to an end face 513 of the element-side bonding portion 51, as in the semiconductor device A10. The other of the position defining members 8 is bonded to an end face 523 of the lead-side bonding portion 52 facing the other side in the first direction x.
  • the other of the position defining members 8 is in contact with the main surface 141 of the pad portion 14 of the lead 1B facing one side in the thickness direction z, rather than the main surface 121 of the die pad 12.
  • the other of the position defining members 8 may be in contact with another surface of the lead 1B (for example, the surface of the second terminal portion 15 facing one side in the thickness direction z).
  • the conductive member 5 can be more effectively prevented from being misaligned due to rotation about the central axis extending in the thickness direction z when bonded to the semiconductor element 2, compared to when there is only one position defining member 8.
  • the height position of the conductive member 5 is also defined by the position defining member 8 on the other side of the semiconductor element 2 in the first direction x. Therefore, in the semiconductor device A16, the height position of the conductive member 5 can be more accurately defined, compared to when the other side of the semiconductor element 2 in the first direction x is defined only by the lead-side bonding portion 52.
  • FIG. 21 is a diagram for explaining a semiconductor device A17 according to a seventh modified example of the first embodiment.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view of the semiconductor device A17, and corresponds to FIG. 6.
  • the element-side bonding portion 51 has an end surface 516.
  • the end surface 516 is connected to the main surface 511 and the back surface 512, and is sandwiched between the main surface 511 and the back surface 512 in the thickness direction z.
  • the end surface 516 is a surface facing the other side of the first direction x, and is a surface to which the intermediate portion 53 is connected.
  • the semiconductor device A17 according to this modified example has two position defining members 8.
  • One of the position defining members 8 is bonded to the end surface 513 of the element-side bonding portion 51, similar to the semiconductor device A10.
  • the other position defining member 8 is bonded to the end surface 516 of the element-side bonding portion 51.
  • the conductive member 5 can be more effectively prevented from being misaligned due to rotation around the central axis extending in the thickness direction z when bonded to the semiconductor element 2, compared to the case where there is only one position defining member 8.
  • the height position of the conductive member 5 on the other side in the first direction x is also determined by the position determining member 8. Therefore, in the semiconductor device A17, the height position of the conductive member 5 can be determined more accurately compared to the case where the other side in the first direction x is determined only by the lead-side joint portion 52.
  • the position determining members 8 are not limited to contacting the main surface 121 of the die pad 12, but may contact other parts of the leads 1B, 1C or lead 1A. Note that in the first embodiment, the various parts of the above modified examples may be combined in any desired manner.
  • FIGS. 22 to 31 show other embodiments of the present disclosure.
  • elements that are the same as or similar to those in the above embodiment are given the same reference numerals as those in the above embodiment.
  • Second embodiment: 22 is a diagram for explaining a semiconductor device A20 according to a second embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view showing the semiconductor device A20, and corresponds to FIG. 6.
  • the semiconductor device A20 of this embodiment differs from the first embodiment in that it does not include a position defining member 8.
  • the configuration and operation of other parts of this embodiment are similar to those of the first embodiment. Note that the parts of the first embodiment and the modified examples may be combined in any manner.
  • the semiconductor device A20 does not include a positioning member 8.
  • the positioning member 8 is removed during the manufacturing process.
  • the manufacturing method of the semiconductor device A20 is the same as that of the semiconductor device A10 of the first embodiment up to the process of placing the conductive member 5 on the solder paste 60 (see FIG. 12) and solidifying the solder paste 60 by a reflow process (see FIG. 13).
  • the manufacturing method of the semiconductor device A20 then includes a process of removing the positioning member 8 before wire bonding of the wire 65.
  • the positioning member 8 is made of a thermoplastic resin. Examples of thermoplastic resins include polyethylene and polypropylene. In the process of removing the positioning member 8, the positioning member 8 is dissolved and removed by an organic solvent. The positioning member 8 may be removed by other methods.
  • the semiconductor device A20 includes a positioning member 8 when the conductive member 5 is bonded to the first electrode 21 and the pad portion 14. Therefore, in the semiconductor device A20, the height position of the conductive member 5 relative to the main surface 121 is controlled to a constant position, similar to the semiconductor device A10. Furthermore, by adopting a configuration common to the semiconductor device A10, the semiconductor device A20 achieves the same effect as the semiconductor device A10. Furthermore, according to this embodiment, the semiconductor device A20 does not include a positioning member 8 in the finished product. Therefore, in the semiconductor device A20, no voids are formed at the boundary between the positioning member 8 and the sealing resin 7. As a result, the semiconductor device A20 can prevent the occurrence of cracks due to voids at the boundary between the positioning member 8 and the sealing resin 7.
  • the position defining member 8 is made of a thermoplastic resin, but this is not limited to the above.
  • the position defining member 8 may be made of a water-soluble resin.
  • water-soluble resins include polyethylene oxide, polyvinyl alcohol, resol-type phenolic resin, methylolated urea resin, methylolated melamine resin, polyacrylamide, and carboxymethyl cellulose.
  • the position defining member 8 is dissolved and removed by water.
  • FIG. 23 to 26 are diagrams for explaining a semiconductor device A30 according to a third embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 23 is a cross-sectional view showing the semiconductor device A30, and corresponds to FIG. 6.
  • FIGS. 24 to 26 are cross-sectional views showing one step of an example of a manufacturing method for the semiconductor device A30.
  • the semiconductor device A30 of this embodiment differs from the first embodiment in the shapes of the position definition member 8 and the conductive member 5.
  • the configuration and operation of other parts of this embodiment are similar to those of the first embodiment. Note that the respective parts of the first and second embodiments and the respective modified examples may be combined in any desired manner.
  • the conductive member 5 further includes a protrusion 54.
  • the protrusion 54 protrudes from the end face 513 of the element-side joint 51 to one side in the first direction x.
  • the protrusion 54 includes a second back surface 542 that faces the same side in the thickness direction z as the back surface 512 (the other side in the thickness direction z).
  • the positioning member 8 does not include a second portion 82, and is composed of only a plate-like first portion 81 extending in the thickness direction z.
  • the end surface 81a of the positioning member 8 facing the other side in the thickness direction z is in contact with and bonded to the main surface 121 of the die pad 12.
  • the bonding method is not limited, but examples include thermocompression bonding in which the positioning member 8 and the die pad 12 (lead frame 100) are heated and pressure is applied to bond them together.
  • the positioning member 8 in contact with the main surface 121 of the die pad 12 may be molded by injecting a molten resin material into a mold and solidifying it.
  • the end surface 81b of the positioning member 8 facing one side in the thickness direction z is in contact with the second back surface 542 of the protruding portion 54 of the conductive member 5.
  • the positioning member 8 is in contact with the main surface 121 of the die pad 12 and the second back surface 542 of the conductive member 5.
  • FIG. 24 is a cross-sectional view showing one step of the method for manufacturing the semiconductor device A20, and is a cross-sectional view similar to the cross-sectional view shown in Figure 6.
  • the lead frame 100 and positioning member 8 shown in FIG. 24 are prepared.
  • the positioning member 8 is bonded by thermocompression to the portion of the main surface 101 of the lead frame 100 that will become the main surface 121 of the die pad 12. This fixes the positioning member 8 and the die pad 12 (lead frame 100) together.
  • the positioning member 8 in contact with the main surface 101 of the lead frame 100 may be formed by placing the lead frame 100 in a mold and injecting and solidifying molten resin material.
  • a conductive member 5 and a semiconductor element 2 are prepared separately.
  • solder paste 60 is applied to the portion of the main surface 101 of the lead frame 100 that will become the main surface 121 of the die pad 12, and the semiconductor element 2 is placed on the solder paste 60.
  • solder paste 60 is applied onto the first electrode 21 of the semiconductor element 2 and onto the surface of the portion of the lead frame 100 that will become the pad portion 14 of lead 1B.
  • the conductive member 5 is placed on the solder paste 60.
  • the element side joint 51 of the conductive member 5 is placed on the solder paste 60 applied to the first electrode 21, and the lead side joint 52 of the conductive member 5 is placed on the solder paste 60 applied to the portion that will become the pad portion 14 of the lead frame 100.
  • the conductive member 5 is placed so that the second back surface 542 of the protrusion 54 is in contact with the end surface 81b of the positioning member 8 that is integral with the lead frame 100. Subsequent processing is the same as in the first embodiment.
  • the semiconductor device A30 includes a positioning member 8.
  • the end surface 81a of the positioning member 8 is in contact with and bonded to the main surface 121 of the die pad 12, and is fixed integrally with the die pad 12.
  • the conductive member 5 is fixed in a state in which the second back surface 542 of the protruding portion 54 is in contact with the end surface 81b of the positioning member 8, which is integral with the die pad 12 (lead frame 100).
  • the height position (position in the thickness direction z) of the conductive member 5 relative to the main surface 121 is determined to a position according to the dimension in the thickness direction z of the positioning member 8.
  • the height position of the conductive member 5 relative to the main surface 121 is controlled to a constant position regardless of the thickness dimension (dimension in the thickness direction z) of the conductive bonding materials 61, 62.
  • the positioning member 8 extends in the thickness direction z. Therefore, the positioning member 8 can contact the end surface 81a with the main surface 121 of the die pad 12 while contacting the end surface 81b with the second back surface 542 of the protruding portion 54.
  • the semiconductor device A30 has a common configuration with the semiconductor device A10, and thus achieves the same effects as the semiconductor device A10.
  • the position determining member 8 is fixed integrally with the die pad 12
  • the end face 81b of the position determining member 8 may first be joined to the second back surface 542 of the protruding portion 54 to fix the position determining member 8 and the conductive member 5 together.
  • the conductive member 5 may not include the protruding portion 54, and the element-side joint portion 51 may extend to one side of the semiconductor element 2 in the first direction x, with the position determining member 8 contacting the back surface 512.
  • FIG. 27 is a diagram for explaining a semiconductor device A31 according to a first modified example of the third embodiment.
  • FIG. 27 is an enlarged cross-sectional view of the semiconductor device A31, and is a partially enlarged view of the diagram corresponding to FIG. 6.
  • the second back surface 542 is provided with a recess 542b.
  • the recess 542b is a recess recessed on one side in the thickness direction z. When viewed in the thickness direction z, the shape of the recess 542b coincides (or approximately coincides) with the shape of the end face 81b of the position defining member 8.
  • the conductive member 5 is placed such that the one end of the position defining member 8 in the thickness direction z is fitted into the recess 542b. This makes it easier to align the conductive member 5 on the xy plane (the plane perpendicular to the thickness direction z) when placing it. In addition, when the conductive member 5 is bonded to the semiconductor element 2, positional deviation due to rotation around the central axis extending in the thickness direction z can be further suppressed.
  • FIG. 28 is a diagram for explaining a semiconductor device A32 according to a second modified example of the third embodiment.
  • FIG. 28 is an enlarged cross-sectional view of the semiconductor device A32, and is a partially enlarged view of the view corresponding to FIG. 6.
  • the first part 81 of the position defining member 8 according to this modified example is made of, for example, ceramics.
  • the position defining member 8 further includes a bonding member 83.
  • the bonding member 83 is, for example, an adhesive film such as DAF.
  • the bonding member 83 is not limited as long as it is a bonding member whose dimension in the thickness direction z does not change. In addition, the bonding member 83 may or may not be conductive.
  • the bonding member 83 is disposed on an end surface 81a facing the main surface 121 of the die pad 12.
  • the position defining member 8 is bonded to the main surface 121 of the die pad 12 by the bonding member 83.
  • the material of the position defining member 8 may be an insulating material other than synthetic resin, and the bonding method between the position defining member 8 and the conductive member 5 is not limited.
  • FIG. 29 is a diagram for explaining a semiconductor device A40 according to a fourth embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 29 is a cross-sectional view showing the semiconductor device A40, and is a diagram corresponding to FIG. 6.
  • the semiconductor device A40 of this embodiment differs from the first embodiment in that it includes a heat-conducting member 9 exposed from the resin main surface 71 of the sealing resin 7.
  • the configuration and operation of other parts of this embodiment are similar to those of the first embodiment. Note that the respective parts of the above-mentioned first to third embodiments and each modified example may be combined in any desired manner.
  • the semiconductor device A40 further includes a heat-conducting member 9.
  • the heat-conducting member 9 includes an insulating plate 9a and two metal layers 9b.
  • the insulating plate 9a is plate-shaped and has a rectangular shape, for example, when viewed in the thickness direction z.
  • the insulating plate 9a is made of a ceramic material with excellent thermal conductivity, and in this embodiment, the material is, for example, aluminum nitride (AlN).
  • AlN aluminum nitride
  • the shape and material of the insulating plate 9a are not limited.
  • the two metal layers 9b are disposed on the surface of the heat-conducting member 9 facing the thickness direction z. Each metal layer 9b has the same shape and size as the insulating plate 9a when viewed in the thickness direction z.
  • each metal layer 9b is not particularly limited, and may be, for example, copper (Cu), silver (Ag), gold (Au), or an alloy containing these. In this embodiment, the case of copper (Cu) will be described.
  • the heat-conducting member 9 is a so-called DBC (Direct Bonded Copper) substrate.
  • the DBC substrate is a substrate in which copper foil is bonded to both sides of a ceramic plate.
  • the heat conductive member 9 has a principal surface 91 and a rear surface 92.
  • the principal surface 91 and the rear surface 92 face opposite each other in the thickness direction z.
  • the principal surface 91 faces one side in the thickness direction z, and the rear surface 92 faces the opposite side to the principal surface 91 (the other side in the thickness direction z).
  • the rear surface 92 of the heat conductive member 9 is joined to the principal surface 511 of the element side joint 51 of the conductive member 5.
  • the principal surface 91 of the heat conductive member 9 is exposed from the sealing resin 7.
  • the heat-conducting member 9 is not limited to a DBC substrate.
  • the heat-conducting member 9 may be a so-called DPC (Direct Plated Copper) substrate in which copper plating is formed on both sides of a ceramic plate.
  • the heat-conducting member 9 may also be a plating layer made of copper, for example, or a thermally conductive material such as TIM (Thermal Interface Material).
  • the semiconductor device A40 also includes a positioning member 8. Therefore, in the semiconductor device A40, like the semiconductor device A10, the height position of the conductive member 5 relative to the main surface 121 is controlled to a constant position. Furthermore, according to this embodiment, the main surface 91 of the heat conductive member 9 is exposed from the sealing resin 7. This allows the semiconductor device A40 to dissipate heat generated by the semiconductor element 2 from the main surface 91 of the heat conductive member 9 via the conductive member 5. Furthermore, by sharing a configuration in common with the semiconductor device A10, the semiconductor device A40 achieves the same effects as the semiconductor device A10.
  • FIG. 30 is a diagram for explaining a semiconductor device A50 according to a fifth embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 30 is a cross-sectional view showing the semiconductor device A50, and corresponds to FIG. 6.
  • the semiconductor device A50 of this embodiment differs from the first embodiment in that the conductive member 5 is covered with the sealing resin 7 and is not exposed from the resin main surface 71.
  • the configuration and operation of other parts of this embodiment are similar to those of the first embodiment. Note that the parts of the first to fourth embodiments and the modified examples may be combined in any desired manner.
  • the semiconductor device A50 has the conductive member 5 entirely covered with the sealing resin 7, and the main surface 511 of the element-side bonding portion 51 is not exposed from the resin main surface 71 of the sealing resin 7. Furthermore, the semiconductor device A50 does not have the heat-conducting member 9 that the semiconductor device A40 has.
  • the semiconductor device A50 also includes a positioning member 8. Therefore, in the semiconductor device A50, like the semiconductor device A10, the height position of the conductive member 5 relative to the main surface 121 is controlled to a constant position. Furthermore, by sharing a common configuration with the semiconductor device A10, the semiconductor device A50 achieves the same effects as the semiconductor device A10.
  • FIG. 31 is a diagram for explaining a semiconductor device A60 according to a sixth embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 31 is a cross-sectional view showing the semiconductor device A60, and is a diagram corresponding to FIG. 6.
  • the semiconductor device A60 of this embodiment differs from the first embodiment in that the lead-side bonding portion 52 is directly bonded to the pad portion 14.
  • the configuration and operation of other parts of this embodiment are similar to those of the first embodiment. Note that the parts of the above first to fifth embodiments and each modified example may be combined in any desired manner.
  • the lead-side joint 52 is directly conductively joined to the pad 14 of the lead 1B without the conductive bonding material 63.
  • the lead-side joint 52 and the pad 14 are ultrasonically bonded together, and a solid-state bonding interface 59 is formed between the lead-side joint 52 and the pad 14.
  • the solid-state bonding interface 59 is an interface that is generated when the lead-side joint 52 and the pad 14 are solid-state bonded together by the ultrasonic vibrations and pressure applied in the ultrasonic bonding. Note that the lead-side joint 52 and the pad 14 only need to be directly bonded together, and may also be bonded by other methods (such as laser welding).
  • the semiconductor device A60 also includes a positioning member 8.
  • the semiconductor device A60 the height position of the conductive member 5 relative to the main surface 121 is controlled to a constant position, similar to the semiconductor device A10.
  • the semiconductor device A60 achieves the same effects as the semiconductor device A10.
  • the lead side bonding portion 52 is directly bonded to the pad portion 14. Therefore, the height position of the lead side bonding portion 52 is more accurately determined compared to the case where a conductive bonding material 63 is interposed between the lead side bonding portion 52 and the pad portion 14.
  • the semiconductor device A60 can control the height position of the conductive member 5 relative to the main surface 121 to a more accurate position.
  • the semiconductor device and the method for manufacturing the semiconductor device according to the present disclosure are not limited to the above-mentioned embodiment.
  • the specific configuration of each part of the semiconductor device according to the present disclosure and the specific processing of each step of the method for manufacturing the semiconductor device according to the present disclosure can be freely designed in various ways.
  • a first lead (1A) including a die pad (12) having a die pad main surface (121) facing one side in a thickness direction (z); a semiconductor element (2) having an element main surface (201) facing one side in the thickness direction and a first electrode (21) disposed on the element main surface and mounted on the die pad main surface; a sealing resin (7) that covers at least a portion of the die pad and the semiconductor element; A conductive member (5) conductively joined to the first electrode;
  • the semiconductor device (A1) comprises a position defining member (8) made of an insulating material and in contact with the conductive member and the main surface of the die pad.
  • the conductive member includes a conductive member end surface (513) facing one side in a first direction (x) perpendicular to the thickness direction,
  • the semiconductor device described in Appendix 1 wherein the position determination member has a first portion (81) in contact with the main surface of the die pad and extending in the thickness direction, and a second portion (82) in contact with an end surface of the conductive member and extending in the first direction.
  • Supplementary Note 3. (Third embodiment, FIG. 23)
  • the conductive member includes a conductive member back surface (542) facing the other side in the thickness direction, 2.
  • the semiconductor device according to claim 1, wherein the position defining member is in contact with a main surface of the die pad and a rear surface of the conductive member and extends in the thickness direction. Supplementary Note 4.
  • the semiconductor device according to claim 1 wherein the position defining member comprises a film-like bonding member (83) arranged in a portion facing the main surface of the die pad. Appendix 5.
  • the position defining member includes a synthetic resin.
  • the semiconductor device according to claim 1, wherein the position defining member includes ceramics.
  • Appendix 7. The semiconductor device further includes a second lead (1B) arranged at a distance from the first lead on the other side in a first direction perpendicular to the thickness direction, the conductive member is conductively joined to the second lead, 7.
  • Supplementary Note 8. (Fourth to seventh modified examples of the first embodiment, FIGS. 17 to 21) 8.
  • Supplementary Note 9. (First modified example of the first embodiment, FIG. 14)
  • the conductive member has a conductive member main surface (511) facing one side in the thickness direction, 10.
  • Supplementary Note 11 (Fourth embodiment, FIG. 29)
  • the heat conductive member (9) is further provided, the heat conductive member being joined to the conductive member.
  • the conductive member has a conductive member main surface facing one side in the thickness direction, 10.
  • the semiconductor device according to claim 1, wherein the heat-conducting member is joined to a main surface of the conductive member and is exposed from the sealing resin.
  • the die pad further includes a die pad back surface (122) facing the other side in the thickness direction, 12.
  • Appendix 13
  • Figure 12 placing the conductive member on a bonding member (60) disposed on a first electrode of a semiconductor element disposed on a main surface of the die pad such that a position defining member is in contact with the conductive member and a main surface of the die pad; solidifying the joining member by heating; forming a sealing resin to cover the semiconductor element;
  • a method for manufacturing a semiconductor device comprising the steps of: Appendix 14. ( Figure 9) 14. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 13, further comprising the step of preparing the conductive member and the position defining member fixed together before the step of placing the conductive member. Appendix 15. ( Figure 24) 14.

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Abstract

半導体装置は、第１リード、半導体素子、封止樹脂、導通部材、および規定部材を備える。前記第１リードは、厚さ方向の一方側を向くダイパッド主面を有するダイパッドを含む。前記半導体素子は、前記ダイパッド主面に搭載されており、前記厚さ方向の一方側を向く素子主面、および、前記素子主面に配置された第１電極を有する。前記封止樹脂は、前記ダイパッドの少なくとも一部、および、前記半導体素子を覆う。前記導通部材は、前記第１電極に導通接合されている。前記規定部材は、絶縁材料を含み、かつ、前記導通部材および前記ダイパッド主面に接している。

Description

半導体装置、および、半導体装置の製造方法
　本開示は、半導体装置、および、半導体装置の製造方法に関する。
　半導体素子を備えた半導体装置は、様々な構成が提案されている。特許文献１には、従来の半導体装置の一例が開示されている。同文献に開示された半導体装置は、半導体素子、導電板、駆動パッド、導電部材、および封止樹脂を備えている。半導体素子は、導電板の導電主面に搭載されている。半導体素子の素子主面に形成された主面側駆動電極と、駆動パッドとは、導電部材によって接続されている。封止樹脂は、導電板および駆動パッドの一部と、半導体素子および導電部材とを封止している。
　半導体素子は、はんだなどの導電性接合材を介して、導電主面に接合されている。また、導電部材は、はんだなどの導電性接合材を介して、主面側駆動電極に接合されている。したがって、導電主面と導電部材との間には、２層の導電性接合材の層が介在している。導電性接合材の層の形状は一定していないので、導電主面に対する導電部材の高さ位置（導電板の厚さ方向の位置）が一定していない。
特開２０２１－１５８１８０号公報
　本開示は、従来より改良が施された半導体装置を提供することを一の課題とする。特に本開示は、上記した事情に鑑み、ダイパッド主面に対する導通部材の高さ位置を制御できる半導体装置、および、当該半導体装置の製造方法を提供することを一の課題とする。
　本開示の第１の側面によって提供される半導体装置は、厚さ方向の一方側を向くダイパッド主面を有するダイパッドを含む第１リードと、前記厚さ方向の一方側を向く素子主面、および、前記素子主面に配置された第１電極を有し、かつ、前記ダイパッド主面に搭載された半導体素子と、前記ダイパッドの少なくとも一部、および、前記半導体素子を覆う封止樹脂と、前記第１電極に導通接合されている導通部材と、絶縁材料を含み、かつ、前記導通部材および前記ダイパッド主面に接している位置規定部材と、を備えている。
　本開示の第２の側面によって提供される半導体装置の製造方法は、位置規定部材が導通部材およびダイパッドのダイパッド主面に接した状態になるように、前記ダイパッド主面上に配置された半導体素子の第１電極に配置された接合部材上に、前記導通部材を載置する工程と、加熱によって、前記接合部材を固化させる工程と、前記半導体素子を覆う封止樹脂を形成する工程と、を備えている。
　上記構成によれば、半導体装置において、ダイパッド主面に対する導通部材の高さ位置を制御できる。
　本開示のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
図１は、本開示の第１実施形態に係る半導体装置を示す平面図である。 図２は、図１に示す半導体装置の底面図である。 図３は、図１に示す半導体装置の平面図（封止樹脂を透過）である。 図４は、図１に示す半導体装置の右側面図である。 図５は、図１に示す半導体装置の左側面図である。 図６は、図３のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。 図７は、図３のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。 図８は、図３のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図９は、図１に示す半導体装置の製造方法の一例の一工程を示す断面図である。 図１０は、図１に示す半導体装置の製造方法の一例の一工程を示す断面図である。 図１１は、図１に示す半導体装置の製造方法の一例の一工程を示す断面図である。 図１２は、図１に示す半導体装置の製造方法の一例の一工程を示す断面図である。 図１３は、図１に示す半導体装置の製造方法の一例の一工程を示す断面図である。 図１４は、第１実施形態の第１変形例に係る半導体装置を示す拡大断面図である。 図１５は、第１実施形態の第２変形例に係る半導体装置を示す拡大断面図である。 図１６は、第１実施形態の第３変形例に係る半導体装置を示す拡大断面図である。 図１７は、第１実施形態の第４変形例に係る半導体装置を示す平面図（封止樹脂を透過）である。 図１８は、第１実施形態の第５変形例に係る半導体装置を示す平面図（封止樹脂を透過）である。 図１９は、第１実施形態の第６変形例に係る半導体装置を示す平面図（封止樹脂を透過）である。 図２０は、図１９のＸＸ－ＸＸ線に沿う断面図である。 図２１は、第１実施形態の第７変形例に係る半導体装置を示す断面図である。 図２２は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。 図２３は、本開示の第３実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。 図２４は、図２３に示す半導体装置の製造方法の一例の一工程を示す断面図である。 図２５は、図２３に示す半導体装置の製造方法の一例の一工程を示す断面図である。 図２６は、図２３に示す半導体装置の製造方法の一例の一工程を示す断面図である。 図２７は、第３実施形態の第１変形例に係る半導体装置を示す拡大断面図である。 図２８は、第３実施形態の第２変形例に係る半導体装置を示す拡大断面図である。 図２９は、本開示の第４実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。 図３０は、本開示の第５実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。 図３１は、本開示の第６実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
　以下、本開示の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
　本開示における「第１」、「第２」、「第３」等の用語は、単にラベルとして用いたものであり、必ずしもそれらの対象物に順列を付することを意図していない。
　本開示において、「ある物Ａがある物Ｂに形成されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に形成されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接形成されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに形成されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂに配置されている」および「ある物Ａがある物Ｂ上に配置されている」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに直接配置されていること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物を介在させつつ、ある物Ａがある物Ｂに配置されていること」を含む。同様に、「ある物Ａがある物Ｂ上に位置している」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂに接して、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」、および、「ある物Ａとある物Ｂとの間に他の物が介在しつつ、ある物Ａがある物Ｂ上に位置していること」を含む。また、「ある物Ａがある物Ｂにある方向に見て重なる」とは、特段の断りのない限り、「ある物Ａがある物Ｂのすべてに重なること」、および、「ある物Ａがある物Ｂの一部に重なること」を含む。
　第１実施形態：
　図１～図８に基づき、本開示の第１実施形態に係る半導体装置Ａ１０について説明する。半導体装置Ａ１０は、複数のリード１Ａ，１Ｂ，１Ｃ、半導体素子２、絶縁部３、金属積層部４、導通部材５、位置規定部材８、導電性接合材６１，６２，６３、および封止樹脂７を備える。
　図１は、半導体装置Ａ１０を示す平面図である。図２は、半導体装置Ａ１０を示す底面図である。図３は、半導体装置Ａ１０を示す平面図である。図４は、半導体装置Ａ１０を示す右側面図である。図５は、半導体装置Ａ１０を示す左側面図である。図６は、図３のＶＩ－ＶＩ線に沿う断面図である。図７は、図３のＶＩＩ－ＶＩＩ線に沿う断面図である。図８は、図３のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。なお、図３は、理解の便宜上、封止樹脂７を透過している。
　半導体装置Ａ１０の説明においては、半導体素子２の厚さ方向を「厚さ方向ｚ」と呼ぶ。厚さ方向ｚに対して直交する１つの方向を「第１方向ｘ」と呼ぶ。厚さ方向ｚおよび第１方向ｘの双方に対して直交する方向を「第２方向ｙ」と呼ぶ。図１および図２に示すように、半導体装置Ａ１０は、厚さ方向ｚに見て矩形状（あるいは略矩形状）である。半導体装置Ａ１０の大きさは特に限定されない。
　リード１Ａ、リード１Ｂおよびリード１Ｃは、たとえば、金属板（リードフレーム）に打ち抜き加工や折り曲げ加工等を施すことにより形成されている。リード１Ａ、リード１Ｂおよびリード１Ｃの構成材料は特に限定されず、たとえば銅（Ｃｕ）およびニッケル（Ｎｉ）のいずれか、またはこれらの合金などからなる。リード１Ａ、リード１Ｂおよびリード１Ｃの厚さは、特に限定されず、たとえば０．１ｍｍ～０．３ｍｍである。
　図３に示すように、リード１Ａは、リード１Ｂおよびリード１Ｃに対して、第１方向ｘの一方側に離間して配置されている。リード１Ｂおよびリード１Ｃは、第２方向ｙに並べられている。リード１Ａ～１Ｃは、厚さ方向ｚに見て、互いに離間して配置されている。厚さ方向ｚ視におけるサイズは、リード１Ａが最大であり、リード１Ｃが最小である。
　図３、図６～図８に示すように、リード１Ａは、ダイパッド１２および複数（本実施形態では４つ）の第１端子部１３を有する。ダイパッド１２は、たとえば厚さ方向ｚに見て矩形状である。ダイパッド１２は、主面１２１および裏面１２２を有する。主面１２１は、厚さ方向ｚの一方側を向いており、裏面１２２は主面１２１とは反対側（厚さ方向ｚの他方側）を向く。主面１２１には、半導体素子２が搭載されている。図２、図６等に示すように、裏面１２２は、封止樹脂７から露出している。裏面１２２は、半導体装置Ａ１０を図示しない回路基板に実装する際に、はんだなどの接合材によって接合される部位である。
　複数の第１端子部１３は、ダイパッド１２に対して第１方向ｘの一方側（図６における右側）に位置する。複数の第１端子部１３は、各々、ダイパッド１２の第１方向ｘの一方側につながり、第１方向ｘの一方側に延びている。複数の第１端子部１３は、第２方向ｙに間隔を隔てて配置されている。複数の第１端子部１３は、各々、裏面実装部１３１を有する。裏面実装部１３１は、厚さ方向ｚの他方側（図６における下側）を向く。裏面実装部１３１は、封止樹脂７から露出している。裏面実装部１３１は、半導体装置Ａ１０を図示しない回路基板に実装する際に、はんだなどの接合材によって接合される部位である。
　図３および図６に示すように、リード１Ｂは、パッド部１４、複数（本実施形態では３つ）の第２端子部１５および複数（本実施形態では３つ）の屈曲部１６を有する。パッド部１４は、複数の第２端子部１５に対して、厚さ方向ｚの一方側（図６における上側）に位置している。また、パッド部１４は、複数の第２端子部１５に対して第１方向ｘの内方に位置している。
　複数の第２端子部１５は、リード１Ａのダイパッド１２に対して第１方向ｘの他方側（図６における左側）に位置する。複数の第２端子部１５は、各々、第１方向ｘの他方側に延びている。複数の第２端子部１５は、第２方向ｙに間隔を隔てて配置されている。複数の第２端子部１５は、各々、裏面実装部１５１を有する。裏面実装部１５１は、厚さ方向ｚの他方側（図６における下側）を向く。裏面実装部１５１は、封止樹脂７から露出している。裏面実装部１５１は、半導体装置Ａ１０を図示しない回路基板に実装する際に、はんだなどの接合材によって接合される部位である。複数の屈曲部１６は、パッド部１４と複数の第２端子部１５とを各別につないでおり、第２方向ｙに見て屈曲形状である。
　図３および図７に示すように、リード１Ｃは、パッド部１７、第２端子部１８および屈曲部１９を有する。パッド部１７は、第２端子部１８に対して、厚さ方向ｚの一方側（図７における上側）に位置している。また、パッド部１７は、第２端子部１８に対して第１方向ｘの内方に位置している。
　第２端子部１８は、リード１Ａのダイパッド１２に対して第１方向ｘの他方側（図７における左側）に位置する。第２端子部１８は、第１方向ｘの他方側に延びている。リード１Ｂの複数の第２端子部１５およびリード１Ｃの第２端子部１８は、第２方向ｙに間隔を隔てて配置されている。第２端子部１８は、裏面実装部１８１を有する。裏面実装部１８１は、厚さ方向ｚの他方側（図７における下側）を向く。裏面実装部１８１は、封止樹脂７から露出している。裏面実装部１８１は、半導体装置Ａ１０を図示しない回路基板に実装する際に、はんだなどの接合材によって接合される部位である。屈曲部１９は、パッド部１７と第２端子部１８とをつないでおり、第２方向ｙに見て屈曲形状である。
　半導体素子２は、半導体装置Ａ１０の電気的機能を発揮する要素である。半導体素子２の種類は特に限定されず、本実施形態においては、半導体素子２は、トランジスタとして構成されている。半導体素子２は、ダイパッド１２の主面１２１に搭載されている。図３、図６～図８に示すように、半導体素子２は、素子本体２０、第１電極２１、第２電極２２および第３電極２３を有する。
　素子本体２０は、厚さ方向ｚに見て矩形状である。素子本体２０は、素子主面２０１および素子裏面２０２を有する。素子主面２０１および素子裏面２０２は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く。素子主面２０１は、厚さ方向ｚにおいてダイパッド１２の主面１２１と同じ側（厚さ方向ｚの一方側）を向く。このため、素子裏面２０２は、主面１２１に対向している。
　第１電極２１および第３電極２３は、素子主面２０１上に配置されている。第２電極２２は、素子裏面２０２上に配置されている。第１電極２１、第２電極２２および第３電極２３の構成材料は、たとえば銅およびアルミニウム（Ａｌ）のいずれか、またはこれらの合金などからなる。本実施形態においては、第１電極２１はソース電極であり、第２電極２２はドレイン電極であり、第３電極２３はゲート電極である。
　本実施形態において、第１電極２１は、素子主面２０１の大半を覆っている。具体的には、第１電極２１は、矩形状の素子主面２０１のうち、周縁部および１つの隅部（図３において右下の隅部）を除いた領域に配置されている。第１電極２１は、第１電極パッド部２１２を有する。第１電極パッド部２１２は、厚さ方向ｚに見て絶縁部３の内側に位置する。第３電極２３は、素子主面２０１の１つの隅部（図３において右下の隅部）に配置されている。第２電極２２は、素子裏面２０２の全面（あるいは略全面）を覆っている。
　第２電極２２は、導電性接合材６２を介して、ダイパッド１２の主面１２１に接合されている。導電性接合材６２は、ダイパッド１２と第２電極２２とを導通接続する。導電性接合材６２は、たとえばはんだである。
　半導体装置Ａ１０は、ワイヤ６５を備える。ワイヤ６５は、第３電極２３とリード１Ｃのパッド部１７とに導通接合されている。ワイヤ６５は、第３電極２３とリード１Ｃとを導通接続する。
　図３、図６～図８に示すように、絶縁部３は、第１電極２１上および素子主面２０１上に跨って配置されている。絶縁部３は、厚さ方向ｚに見て第１電極２１の外周縁と重なる環状をなしている。絶縁部３の外端縁は、厚さ方向ｚに見て素子主面２０１の外周縁の近傍に位置する。第１電極２１において、厚さ方向ｚに見て絶縁部３の内端縁の内側に位置する領域が第１電極パッド部２１２とされる。絶縁部３は、たとえば複数の絶縁層が積層形成された構成である。絶縁部３は、たとえば窒化物からなる下側の絶縁層に、樹脂材料からなる上側の絶縁層が積層された構成とされる。下側絶縁層を構成する窒化物としては、たとえばＳｉＮ、ＳｉＯＮやＳｉＯ2が挙げられる。上側絶縁層を構成する樹脂材料としては、たとえばポリイミド樹脂が挙げられる。
　図３、図６～図８に示すように、金属積層部４は、第１電極２１上および絶縁部３上に跨って配置されており、たとえば複数の金属層が積層された構成を有する。金属積層部４は、たとえば、チタン（Ｔｉ）を含む金属層、ニッケルを含む金属層、および銀（Ａｇ）を含む金属層がこの順に積層された構成である。なお、本実施形態と異なり、本開示の半導体装置は、絶縁部３および金属積層部４を具備しない構成でもよい。
　図３および図６に示すように、導通部材５は、半導体素子２の第１電極２１と、リード１Ｂと、に導通接合されている。導通部材５は、金属製の部分的に厚さが異なる異形条の板材により構成される。当該金属は、銅または銅合金である。導通部材５は、屈曲加工および打ち抜き加工がなされた金属製の板材である。本実施形態において、導通部材５は、素子側接合部５１、リード側接合部５２、および中間部５３を有する。素子側接合部５１は、異形条の厚さ（厚さ方向ｚの寸法）が大きい部分であり、厚さ方向ｚに見た形状が第２方向ｙに長い長矩形状である。素子側接合部５１は、導電性接合材６１を介して、第１電極２１の第１電極パッド部２１２に導通接合されている。導電性接合材６１は、素子側接合部５１（導通部材５）と第１電極パッド部２１２とを導通接続する。導電性接合材６１は、たとえばはんだである。
　素子側接合部５１は、主面５１１、裏面５１２、および端面５１３を備えている。主面５１１および裏面５１２は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く。主面５１１は、厚さ方向ｚにおいてダイパッド１２の主面１２１と同じ側（厚さ方向ｚの一方側）を向く。図１、図６～図８に示すように、主面５１１は、封止樹脂７から露出している。裏面５１２は、厚さ方向ｚにおいてダイパッド１２の裏面１２２と同じ側（厚さ方向ｚの他方側）を向く。図６～図８に示すように、裏面５１２は、半導体素子２の第１電極パッド部２１２に接合されている。これにより、導通部材５は、半導体素子２が発する熱を、主面５１１から放熱できる。端面５１３は、主面５１１および裏面５１２につながるとともに、厚さ方向ｚにおいて主面５１１と裏面５１２とに挟まれている。端面５１３は、第１方向ｘの一方側を向く面である。端面５１３には、位置規定部材８が接合されている。なお、素子側接合部５１の形状は限定されない。
　リード側接合部５２は、導電性接合材６３を介してリード１Ｂのパッド部１４に導通接合されている。導電性接合材６３は、リード側接合部５２（導通部材５）とパッド部１４（リード１Ｂ）とを導通接続する。導電性接合材６３は、たとえばはんだである。図６に示すように、リード側接合部５２は、第２方向ｙに見て適宜屈曲しており、周囲よりも厚さ方向ｚの他方側（図中下側）に位置する凸部を有する。パッド部１４とリード側接合部５２との接合時には、当該凸部がパッド部１４に押し付けられつつ、前記凸部の周囲には十分な量の導電性接合材６３が存在する。これにより、リード側接合部５２とパッド部１４との導通が適切に維持される。
　中間部５３は、第１方向ｘにおいて素子側接合部５１およびリード側接合部５２の間に位置する。中間部５３は、素子側接合部５１およびリード側接合部５２の双方につながっている。
　位置規定部材８は、絶縁材料からなり、かつ、導通部材５およびダイパッド１２の主面１２１に接している。位置規定部材８は、たとえば合成樹脂からなる。なお、合成樹脂の種類は限定されない。位置規定部材８は、第１方向ｘにおいて半導体素子２に対してリード１Ｂとは反対側に配置されている。
　図６に示すように、位置規定部材８は、第２方向ｙに見てＬ字形状であり、第１部８１および第２部８２を備えている。第２部８２は、第１方向ｘに延びる板状であり、第１方向ｘの他方側を向く端面８２ａが、素子側接合部５１の端面５１３に接して接合されている。接合方法は限定されないが、たとえば、位置規定部材８および導通部材５を加熱し圧力を加えて密着させる熱圧着があげられる。なお、金型に溶融した樹脂材料を注入して固化させることで、素子側接合部５１の端面５１３に接する位置規定部材８を成形してもよい。
　第１部８１は、厚さ方向ｚに延びる板状であり、厚さ方向ｚの一方側の端部が、第２部８２の第１方向ｘの一方側の端部につながっている。第１部８１の厚さ方向ｚの他方側を向く端面８１ａは、ダイパッド１２の主面１２１に接している。本実施形態では、後述する製造方法に示すように、位置規定部材８と導通部材５とが先に接合されて一体に固定される。そして、第１部８１の端面８１ａがダイパッド１２の主面１２１に接した状態になるように導通部材５が載置され、導電性接合材６１～６３が固化される。これにより、第１部８１の端面８１ａがダイパッド１２の主面１２１に接した状態で固定される。
　なお、位置規定部材８の材料は、合成樹脂に限定されず、絶縁材料であれば限定されない。また、位置規定部材８の形状および配置位置は限定されない。
　封止樹脂７は、半導体素子２、絶縁部３、金属積層部４、および位置規定部材８と、導通部材５、リード１Ａ、リード１Ｂ、およびリード１Ｃの一部ずつと、を覆っている。封止樹脂７は、たとえば黒色のエポキシ樹脂からなる。
　図１、図２、図４～図８に示すように、封止樹脂７は、樹脂主面７１、樹脂裏面７２および樹脂側面７３～７６を有する。樹脂主面７１および樹脂裏面７２は、厚さ方向ｚにおいて反対側を向いている。樹脂主面７１は、厚さ方向ｚの一方側を向いており、素子主面２０１および主面１２１と同じ側を向く。図１に示すように、樹脂主面７１からは、導通部材５の素子側接合部５１の主面５１１が露出している。樹脂裏面７２は、厚さ方向ｚの他方側を向いており、素子裏面２０２および裏面１２２と同じ側を向く。図２に示すように、樹脂裏面７２からは、ダイパッド１２の裏面１２２、各第１端子部１３の裏面実装部１３１、各第２端子部１５の裏面実装部１５１、および第２端子部１８の裏面実装部１８１が露出している。
　樹脂側面７３～７６の各々は、樹脂主面７１および樹脂裏面７２につながるとともに、厚さ方向ｚにおいて樹脂主面７１と樹脂裏面７２とに挟まれている。樹脂側面７３および樹脂側面７４は、第１方向ｘにおいて互いに反対側を向く。樹脂側面７３は第１方向ｘの一方側を向いており、樹脂側面７４は第１方向ｘの他方側を向いている。樹脂側面７５および樹脂側面７６は、第２方向ｙにおいて互いに反対側を向く。樹脂側面７５は第２方向ｙの一方側を向いており、樹脂側面７６は第２方向ｙの他方側を向いている。図１に示すように、樹脂側面７３から、複数の第１端子部１３の各々の一部が突出している。また、樹脂側面７４から、複数の第２端子部１５、および第２端子部１８の各々の一部が突出している。図示した例では、樹脂側面７３～７６は、各々、厚さ方向ｚに対して若干傾斜している。なお、図１、図２、図４～図８に示す封止樹脂７の形状は一例である。封止樹脂７の形状は、例示された形状に限定されない。
　次に、半導体装置Ａ１０の製造方法の一例について、図９～図１３を参照しつつ、以下に説明する。図９～図１３はそれぞれ、半導体装置Ａ１０の製造方法の一工程を示す断面図であって、図６に示す断面図と同様の断面図である。
　まず、図９に示す導通部材５および位置規定部材８を準備する。導通部材５は、異形条の金属板にたとえば屈曲加工および打ち抜き加工を行うことで形成される。なお、導通部材５の形成方法は限定されない。位置規定部材８は、たとえば金型を用いた射出成形により形成される。なお、位置規定部材８の形成方法は限定されない。
　次に、図９に示すように、位置規定部材８を導通部材５に熱圧着により接合する。具体的には、位置規定部材８および導通部材５を加熱し、適切な温度で、圧力を加えて端面８２ａを端面５１３に密着させ、位置規定部材８に塑性変形を起こさせることで接合する。これにより、位置規定部材８および導通部材５が一体に固定される。なお、金型に導通部材５を配置し、溶融した樹脂材料を注入して固化させることで、導通部材５の端面５１３に接する位置規定部材８を成形してもよい。
　また、別途、リードフレーム１００および半導体素子２を準備する。リードフレーム１００は、リード１Ａ、リード１Ｂおよびリード１Ｃとなる板状の材料である。リードフレーム１００は、金属板に打ち抜き加工や折り曲げ加工等を施すことで形成される。なお、リードフレーム１００の形成方法は限定されない。半導体素子２の製造方法については省略する。
　次に、図１０に示すように、リードフレーム１００の主面１０１のうちダイパッド１２の主面１２１になる部分に、はんだペースト６０を塗布し、はんだペースト６０上に半導体素子２を載置する。
　次に、図１１に示すように、半導体素子２の第１電極２１上と、リードフレーム１００のうちリード１Ｂのパッド部１４になる部分の表面とに、はんだペースト６０を塗布する。
　次に、図１２に示すように、はんだペースト６０上に、導通部材５を載置する。このとき、第１電極２１上に塗布されたはんだペースト６０上には、導通部材５の素子側接合部５１が配置され、リードフレーム１００のパッド部１４になる部分に塗布されたはんだペースト６０上には、導通部材５のリード側接合部５２が配置される。また、導通部材５は、一体となっている位置規定部材８の端面８１ａが、リードフレーム１００の主面１０１のうちダイパッド１２の主面１２１になる部分に接した状態になるように、載置される。
　次に、リフロー処理を行う。リフロー処理により、はんだペースト６０が溶融し、その後の冷却により溶融したはんだが固化する。これにより、図１３に示すように、半導体素子２が導電性接合材６２によってリードフレーム１００のダイパッド１２になる部分に接合される。また、導通部材５の素子側接合部５１が導電性接合材６１によって第１電極２１に接合され、リード側接合部５２が導電性接合材６３によってリードフレーム１００のパッド部１４になる部分に接合される。
　次に、ワイヤ６５のワイヤボンディングを行う。次に、モールド成形により、半導体素子２、絶縁部３、金属積層部４、および位置規定部材８と、導通部材５およびリードフレーム１００の一部ずつと、を覆う封止樹脂７を形成する。次に、リードフレーム１００を適宜切断し、リード１Ａ、リード１Ｂ、およびリード１Ｃを互いに分離させる。以上の工程を経ることで、図１～図８に示す半導体装置Ａ１０が製造される。
　次に、本実施形態の作用について説明する。
　本実施形態によると、半導体装置Ａ１０は、位置規定部材８を備えている。位置規定部材８は、第２部８２の端面８２ａが素子側接合部５１の端面５１３に接して接合されて、導通部材５と一体に固定されている。そして、導通部材５は、一体となっている位置規定部材８の端面８１ａがダイパッド１２の主面１２１に接した状態で固定されている。これにより、主面１２１に対する導通部材５の高さ位置（厚さ方向ｚの位置）は、位置規定部材８の厚さ方向ｚの寸法に応じた位置に規定される。したがって、半導体装置Ａ１０は、主面１２１に対する導通部材５の高さ位置が、導電性接合材６１，６２の厚さ寸法（厚さ方向ｚの寸法）に関係なく、一定の位置に制御される。導通部材５の高さ位置が適切に制御されることで、半導体装置Ａ１０は、素子側接合部５１の主面５１１上に封止樹脂７が形成されることを抑制できる。
　また、本実施形態によると、位置規定部材８は、厚さ方向ｚに延びる第１部８１および第１方向ｘに延びる第２部８２を備えている。したがって、位置規定部材８は、第２部８２の端面８２ａを素子側接合部５１の端面５１３に接しつつ、第１部８１の端面８１ａをダイパッド１２の主面１２１に接することができる。
　また、本実施形態によると、位置規定部材８は、第１方向ｘにおいて半導体素子２に対してリード１Ｂとは反対側に配置されている。導通部材５のリード側接合部５２は、リード１Ｂのパッド部１４に接合されている。これにより、導通部材５の高さ位置は、第１方向ｘにおいて、半導体素子２の一方側で位置規定部材８によって規定され、半導体素子２の他方側でリード側接合部５２によって規定される。半導体装置Ａ１０は、半導体素子２の第１方向ｘにおける両側で高さ位置が規定されるので、位置規定部材８の配置位置が異なる場合と比較して、導通部材５の高さ位置をより確実に制御できる。
　また、本実施形態によると、導通部材５の素子側接合部５１の主面５１１は、樹脂主面７１から露出している。これにより、半導体装置Ａ１０は、半導体素子２が発する熱を、導通部材５の主面５１１から放熱できる。また、ダイパッド１２の裏面１２２は、樹脂裏面７２から露出している。これにより、半導体装置Ａ１０は、半導体素子２が発する熱を、ダイパッド１２の裏面１２２から放熱できる。したがって、半導体装置Ａ１０は、厚さ方向ｚの両側から放熱できるので、厚さ方向ｚの一方側からのみ、または、他方側からのみ放熱する場合と比較して、放熱効果が高い。
　図１４～図２１は、第１実施形態に係る半導体装置Ａ１０の変形例を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
　第１実施形態の第１変形例：
　図１４は、第１実施形態の第１変形例に係る半導体装置Ａ１１を説明するための図である。図１４は、半導体装置Ａ１１の拡大断面図であり、図６に対応する図の部分拡大図である。本変形例に係る導通部材５の素子側接合部５１は、端面５１３が凹凸部５１３ａを備えている。凹凸部５１３ａには、第１方向ｘの他方側に凹む複数の凹部が配置されている。凹凸部５１３ａは、端面５１３のうち位置規定部材８が接する部分に配置されている。位置規定部材８を素子側接合部５１の端面５１３に接合したときに、凹凸部５１３ａの複数の凹部に位置規定部材８の一部が入りこむ。アンカー効果により、位置規定部材８と導通部材５との接合強度が大きくなる。
　第１実施形態の第２変形例：
　図１５は、第１実施形態の第２変形例に係る半導体装置Ａ１２を説明するための図である。図１５は、半導体装置Ａ１２の拡大断面図であり、図６に対応する図の部分拡大図である。本変形例に係る導通部材５の素子側接合部５１は、端面５１３が凹部５１３ｂを備えている。凹部５１３ｂは、第１方向ｘの他方側に凹む凹部である。第１方向ｘに見て、凹部５１３ｂの形状は、位置規定部材８の端面８２ａの形状と一致（あるいは略一致）する。位置規定部材８を素子側接合部５１の端面５１３に接合する際、第２部８２の第１方向ｘの他方側端部が、凹部５１３ｂに嵌め込まれるようにして接合される。これにより、位置規定部材８と導通部材５との接合強度が大きくなる。
　第１実施形態の第３変形例：
　図１６は、第１実施形態の第３変形例に係る半導体装置Ａ１３を説明するための図である。図１６は、半導体装置Ａ１３の拡大断面図であり、図６に対応する図の部分拡大図である。本変形例に係る位置規定部材８の第１部８１および第２部８２は、たとえばセラミックスからなる。位置規定部材８は、接合部材８３をさらに備えている。接合部材８３は、たとえばＤＡＦ（Die Attach Film）などの接着フィルムである。なお、接合部材８３は、その他の接合部材であってもよい。また、接合部材８３は、導電性があってもよいし、なくてもよい。位置規定部材８は、接合部材８３によって、導通部材５の素子側接合部５１の端面５１３に接合されている。このように、位置規定部材８の材料は合成樹脂以外の絶縁材料であってもよく、また、位置規定部材８と導通部材５との接合方法も限定されない。
　第１実施形態の第４変形例：
　図１７は、第１実施形態の第４変形例に係る半導体装置Ａ１４を説明するための図である。図１７は、半導体装置Ａ１４の平面図（封止樹脂７を透過）であり、図３に対応する図である。本変形例に係る半導体装置Ａ１４は、２個の位置規定部材８を備えている。一方の位置規定部材８は、導通部材５の素子側接合部５１の端面５１３の第２方向ｙの一方側寄りに接合され、他方の位置規定部材８は、端面５１３の第２方向ｙの他方側寄りに接合されている。これにより、導通部材５は、位置規定部材８が１個だけの場合と比較して、半導体素子２への接合時に、厚さ方向ｚに延びる中心軸まわりの回転による位置ずれをより抑制できる。
　第１実施形態の第５変形例：
　図１８は、第１実施形態の第５変形例に係る半導体装置Ａ１５を説明するための図である。図１８は、半導体装置Ａ１５の平面図（封止樹脂７を透過）であり、図３に対応する図である。素子側接合部５１は、側面５１４および側面５１５を備えている。側面５１４および側面５１５はそれぞれ、主面５１１および裏面５１２につながるとともに、厚さ方向ｚにおいて主面５１１と裏面５１２とに挟まれている。側面５１４は第２方向ｙの一方側を向く面であり、側面５１５は第２方向ｙの他方側を向く面である。本変形例に係る半導体装置Ａ１５は、２個の位置規定部材８を備えている。一方の位置規定部材８は側面５１４に接合され、他方の位置規定部材８は側面５１５に接合されている。これにより、導通部材５は、位置規定部材８が１個だけの場合と比較して、半導体素子２への接合時に、厚さ方向ｚに延びる中心軸まわりの回転による位置ずれをより抑制できる。
　第１実施形態の第６変形例：
　図１９および図２０は、第１実施形態の第６変形例に係る半導体装置Ａ１６を説明するための図である。図１９は、半導体装置Ａ１６の平面図（封止樹脂７を透過）であり、図３に対応する図である。図２０は、図１９のＸＸ－ＸＸ線に沿う断面図である。本変形例に係る半導体装置Ａ１６は、２個の位置規定部材８を備えている。一方の位置規定部材８は、半導体装置Ａ１０と同様、素子側接合部５１の端面５１３に接合されている。他方の位置規定部材８は、リード側接合部５２の第１方向ｘの他方側を向く端面５２３に接合されている。また、他方の位置規定部材８は、ダイパッド１２の主面１２１ではなく、リード１Ｂのパッド部１４の厚さ方向ｚの一方側を向く主面１４１に接している。なお、他方の位置規定部材８は、リード１Ｂの他の面（たとえば第２端子部１５の厚さ方向ｚの一方側を向く面）に接してもよい。これにより、導通部材５は、位置規定部材８が１個だけの場合と比較して、半導体素子２への接合時に、厚さ方向ｚに延びる中心軸まわりの回転による位置ずれをより抑制できる。また、導通部材５の高さ位置は、第１方向ｘにおける半導体素子２の他方側でも位置規定部材８によって規定される。したがって、半導体装置Ａ１６は、半導体素子２の第１方向ｘの他方側がリード側接合部５２のみによって規定される場合と比較して、導通部材５の高さ位置をより正確に規定できる。
　第１実施形態の第７変形例：
　図２１は、第１実施形態の第７変形例に係る半導体装置Ａ１７を説明するための図である。図２１は、半導体装置Ａ１７の断面図であり、図６に対応する図である。素子側接合部５１は、端面５１６を備えている。端面５１６は、主面５１１および裏面５１２につながるとともに、厚さ方向ｚにおいて主面５１１と裏面５１２とに挟まれている。端面５１６は、第１方向ｘの他方側を向く面であり、中間部５３がつながっている面である。本変形例に係る半導体装置Ａ１７は、２個の位置規定部材８を備えている。一方の位置規定部材８は、半導体装置Ａ１０と同様、素子側接合部５１の端面５１３に接合されている。他方の位置規定部材８は、素子側接合部５１の端面５１６に接合されている。これにより、導通部材５は、位置規定部材８が１個だけの場合と比較して、半導体素子２への接合時に、厚さ方向ｚに延びる中心軸まわりの回転による位置ずれをより抑制できる。また、導通部材５の高さ位置は、第１方向ｘの他方側でも位置規定部材８によって規定される。したがって、半導体装置Ａ１７は、第１方向ｘの他方側がリード側接合部５２のみによって規定される場合と比較して、導通部材５の高さ位置をより正確に規定できる。
　第４～７変形例から理解されるように、導通部材５に接合される位置規定部材８の数は限定されないし、位置規定部材８の接合位置も限定されない。また、位置規定部材８は、ダイパッド１２の主面１２１に接する場合に限定されず、リード１Ｂ，１Ｃまたはリード１Ａの他の部位に接してもよい。なお、第１実施形態において、上記の各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
　図２２～図３１は、本開示の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。
　第２実施形態：
　図２２は、本開示の第２実施形態に係る半導体装置Ａ２０を説明するための図である。図２２は、半導体装置Ａ２０を示す断面図であり、図６に対応する図である。本実施形態の半導体装置Ａ２０は、位置規定部材８を備えていない点で、第１実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
　本実施形態では、半導体装置Ａ２０は、位置規定部材８を備えていない。位置規定部材８は、製造工程の途中で除去される。半導体装置Ａ２０の製造方法は、はんだペースト６０上に導通部材５を載置し（図１２参照）、リフロー処理によりはんだペースト６０を固化させる（図１３参照）工程までは、第１実施形態の半導体装置Ａ１０と同様である。半導体装置Ａ２０の製造方法は、この後、ワイヤ６５のワイヤボンディングを行う前に、位置規定部材８を除去する工程を備えている。本実施形態では、位置規定部材８は、熱可塑樹脂からなる。熱可塑樹脂の例としては、ポリエチレン、ポリプロピレンなどがあげられる。位置規定部材８を除去する工程では、位置規定部材８は、有機溶剤によって溶解されて除去される。なお、位置規定部材８は、他の方法で除去されてもよい。
　本実施形態によると、半導体装置Ａ２０は、導通部材５を第１電極２１およびパッド部１４に接合するときには、位置規定部材８を備えている。したがって、半導体装置Ａ２０は、半導体装置Ａ１０と同様に、主面１２１に対する導通部材５の高さ位置が一定の位置に制御される。また、半導体装置Ａ２０は、半導体装置Ａ１０と共通する構成をとることにより、半導体装置Ａ１０と同等の効果を奏する。さらに、本実施形態によると、半導体装置Ａ２０は、完成品において位置規定部材８を備えていない。したがって、半導体装置Ａ２０は、位置規定部材８と封止樹脂７との境界に空隙が形成されることがない。これにより、半導体装置Ａ２０は、位置規定部材８と封止樹脂７との境界の空隙に基づくクラックの発生を防止できる。
　なお、本実施形態では、位置規定部材８が熱可塑樹脂からなる場合について説明したが，これに限られない。位置規定部材８は水溶性樹脂からなってもよい。水溶性樹脂の例としては、ポリエチレンオキシド、ポリビニルアルコール、レゾール型フェノール樹脂、メチロール化ユリア（尿素）樹脂、メチロール化メラミン樹脂、 ポリアクリルアミド、カルボキシメチルセルロースなどがあげられる。この場合、位置規定部材８を除去する工程では、位置規定部材８は、水によって溶解されて除去される。
　第３実施形態：
　図２３～図２６は、本開示の第３実施形態に係る半導体装置Ａ３０を説明するための図である。図２３は、半導体装置Ａ３０を示す断面図であり、図６に対応する図である。図２４～図２６は、半導体装置Ａ３０の製造方法の一例の一工程を示す断面図である。本実施形態の半導体装置Ａ３０は、位置規定部材８および導通部材５の形状が、第１実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～２実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
　本実施形態では、導通部材５は、突出部５４をさらに備えている。突出部５４は、素子側接合部５１の端面５１３から第１方向ｘの一方側に突出している。突出部５４は、厚さ方向ｚにおいて裏面５１２と同じ側（厚さ方向ｚの他方側）を向く第２裏面５４２を備えている。
　位置規定部材８は、第２部８２を備えておらず、厚さ方向ｚに延びる板状の第１部８１のみからなる。位置規定部材８は、厚さ方向ｚの他方側を向く端面８１ａが、ダイパッド１２の主面１２１に接して接合されている。接合方法は限定されないが、たとえば、位置規定部材８およびダイパッド１２（リードフレーム１００）を加熱し圧力を加えて密着させる熱圧着があげられる。なお、金型に溶融した樹脂材料を注入して固化させることで、ダイパッド１２の主面１２１に接する位置規定部材８を成形してもよい。また、位置規定部材８は、厚さ方向ｚの一方側を向く端面８１ｂが、導通部材５の突出部５４の第２裏面５４２に接している。つまり、位置規定部材８は、ダイパッド１２の主面１２１および導通部材５の第２裏面５４２に接している。
　次に、半導体装置Ａ２０の製造方法の一例について、図２４～図２６を参照しつつ、以下に説明する。図２４～図２６はそれぞれ、半導体装置Ａ２０の製造方法の一工程を示す断面図であって、図６に示す断面図と同様の断面図である。
　まず、図２４に示すリードフレーム１００および位置規定部材８を準備する。次に、図２４に示すように、位置規定部材８をリードフレーム１００の主面１０１のうちダイパッド１２の主面１２１になる部分に、熱圧着により接合する。これにより、位置規定部材８およびダイパッド１２（リードフレーム１００）が一体に固定される。なお、金型にリードフレーム１００を配置し、溶融した樹脂材料を注入して固化させることで、リードフレーム１００の主面１０１に接する位置規定部材８を成形してもよい。また、別途、導通部材５および半導体素子２を準備する。
　次に、リードフレーム１００の主面１０１のうちダイパッド１２の主面１２１になる部分に、はんだペースト６０を塗布し、はんだペースト６０上に半導体素子２を載置する。次に、図２５に示すように、半導体素子２の第１電極２１上と、リードフレーム１００のうちリード１Ｂのパッド部１４になる部分の表面とに、はんだペースト６０を塗布する。
　次に、図２６に示すように、はんだペースト６０上に、導通部材５を載置する。このとき、第１電極２１上に塗布されたはんだペースト６０上には、導通部材５の素子側接合部５１が配置され、リードフレーム１００のパッド部１４になる部分に塗布されたはんだペースト６０上には、導通部材５のリード側接合部５２が配置される。また、導通部材５は、突出部５４の第２裏面５４２が、リードフレーム１００と一体となっている位置規定部材８の端面８１ｂに接した状態になるように、載置される。その後の処理は、第１実施形態と同様である。
　本実施形態によると、半導体装置Ａ３０は、位置規定部材８を備えている。位置規定部材８は、端面８１ａがダイパッド１２の主面１２１に接して接合されて、ダイパッド１２と一体に固定されている。そして、導通部材５は、突出部５４の第２裏面５４２が、ダイパッド１２（リードフレーム１００）と一体となっている位置規定部材８の端面８１ｂに接した状態で固定されている。これにより、主面１２１に対する導通部材５の高さ位置（厚さ方向ｚの位置）は、位置規定部材８の厚さ方向ｚの寸法に応じた位置に規定される。したがって、主面１２１に対する導通部材５の高さ位置は、導電性接合材６１，６２の厚さ寸法（厚さ方向ｚの寸法）に関係なく、一定の位置に制御される。また、本実施形態によると、位置規定部材８は、厚さ方向ｚに延びている。したがって、位置規定部材８は、端面８１ｂを突出部５４の第２裏面５４２に接しつつ、端面８１ａをダイパッド１２の主面１２１に接することができる。また、半導体装置Ａ３０は、半導体装置Ａ１０と共通する構成をとることにより、半導体装置Ａ１０と同等の効果を奏する。
　なお、本実施形態では、先に、位置規定部材８をダイパッド１２と一体に固定する場合について説明したが、これに限られない。先に、位置規定部材８の端面８１ｂを突出部５４の第２裏面５４２に接合して、位置規定部材８と導通部材５とを一体に固定してもよい。また、導通部材５は、突出部５４を備えず、素子側接合部５１が半導体素子２の第１方向ｘの一方側まで延び、位置規定部材８が裏面５１２に接してもよい。
　第３実施形態の第１変形例：
　図２７は、第３実施形態の第１変形例に係る半導体装置Ａ３１を説明するための図である。図２７は、半導体装置Ａ３１の拡大断面図であり、図６に対応する図の部分拡大図である。本変形例に係る導通部材５の突出部５４は、第２裏面５４２が凹部５４２ｂを備えている。凹部５４２ｂは、厚さ方向ｚの一方側に凹む凹部である。厚さ方向ｚに見て、凹部５４２ｂの形状は、位置規定部材８の端面８１ｂの形状と一致（あるいは略一致）する。導通部材５は、凹部５４２ｂに位置規定部材８の厚さ方向ｚの一方側端部がはめ込まれるようにして載置される。これにより、導通部材５を載置する際のｘｙ平面（厚さ方向ｚに直交する平面）上の位置合わせが容易になる。また、導通部材５が半導体素子２への接合時に、厚さ方向ｚに延びる中心軸まわりの回転による位置ずれをより抑制できる。
　第３実施形態の第２変形例：
　図２８は、第３実施形態の第２変形例に係る半導体装置Ａ３２を説明するための図である。図２８は、半導体装置Ａ３２の拡大断面図であり、図６に対応する図の部分拡大図である。本変形例に係る位置規定部材８の第１部８１は、たとえばセラミックスからなる。位置規定部材８は、接合部材８３をさらに備えている。接合部材８３は、たとえばＤＡＦなどの接着フィルムである。なお、接合部材８３は、厚さ方向ｚの寸法が変化しない接合部材であれば限定されない。また、接合部材８３は、導電性があってもよいし、なくてもよい。接合部材８３は、ダイパッド１２の主面１２１に対向する端面８１ａに配置されている。位置規定部材８は、接合部材８３によって、ダイパッド１２の主面１２１に接合されている。このように、位置規定部材８の材料は合成樹脂以外の絶縁材料であってもよく、また、位置規定部材８と導通部材５との接合方法も限定されない。
　第４実施形態：
　図２９は、本開示の第４実施形態に係る半導体装置Ａ４０を説明するための図である。図２９は、半導体装置Ａ４０を示す断面図であり、図６に対応する図である。本実施形態の半導体装置Ａ４０は、封止樹脂７の樹脂主面７１から露出する導熱部材９を備えている点で、第１実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～３実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
　本実施形態では、半導体装置Ａ４０は、導熱部材９をさらに備えている。導熱部材９は、絶縁板９ａおよび２個の金属層９ｂを備えている。絶縁板９ａは、板状であり、厚さ方向ｚに見た形状がたとえば矩形状である。絶縁板９ａの構成材料は、熱伝導性に優れたセラミックスであり、本実施形態では、たとえば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）である。なお、絶縁板９ａの形状および構成材料は限定されない。２個の金属層９ｂはそれぞれ、導熱部材９の厚さ方向ｚを向く面に配置されている。各金属層９ｂは、厚さ方向ｚに見た形状および大きさが絶縁板９ａと同じである。各金属層９ｂの構成材料は、特に限定されず、たとえば銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、およびこれらを含む合金などである。本実施形態では、銅（Ｃｕ）である場合について説明する。本実施形態では、導熱部材９は、いわゆるＤＢＣ（Direct Bonded Copper）基板である。ＤＢＣ基板は、セラミックスの板の両面にそれぞれ、銅箔が接合された基板である。
　導熱部材９は、主面９１および裏面９２を有する。主面９１および裏面９２は、厚さ方向ｚにおいて互いに反対側を向く。主面９１は厚さ方向ｚの一方側を向いており、裏面９２は主面９１とは反対側（厚さ方向ｚの他方側）を向く。導熱部材９は、裏面９２が導通部材５の素子側接合部５１の主面５１１に接合されている。導熱部材９の主面９１は、封止樹脂７から露出している。
　なお、導熱部材９は、ＤＢＣ基板に限定されない。たとえば、導熱部材９は、セラミックスの板の両面にそれぞれ銅めっきを形成したいわゆるＤＰＣ（Direct Plated Copper）基板であってもよい。また、導熱部材９は、たとえば銅などからなるめっき層であってもよいし、ＴＩＭ（Thermal Interface Material）などの熱伝導性材料であってもよい。
　本実施形態においても、半導体装置Ａ４０は、位置規定部材８を備えている。したがって、半導体装置Ａ４０は、半導体装置Ａ１０と同様に、主面１２１に対する導通部材５の高さ位置が一定の位置に制御される。また、本実施形態によると、導熱部材９の主面９１が封止樹脂７から露出している。これにより、半導体装置Ａ４０は、半導体素子２が発する熱を、導通部材５を介して、導熱部材９の主面９１から放熱できる。また、半導体装置Ａ４０は、半導体装置Ａ１０と共通する構成をとることにより、半導体装置Ａ１０と同等の効果を奏する。
　第５実施形態：
　図３０は、本開示の第５実施形態に係る半導体装置Ａ５０を説明するための図である。図３０は、半導体装置Ａ５０を示す断面図であり、図６に対応する図である。本実施形態の半導体装置Ａ５０は、導通部材５が封止樹脂７に覆われており、樹脂主面７１から露出していない点で、第１実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～４実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
　本実施形態では、半導体装置Ａ５０は、導通部材５の全体が封止樹脂７に覆われており、素子側接合部５１の主面５１１が封止樹脂７の樹脂主面７１から露出していない。また、半導体装置Ａ５０は、半導体装置Ａ４０が備えている導熱部材９も備えていない。
　本実施形態においても、半導体装置Ａ５０は、位置規定部材８を備えている。したがって、半導体装置Ａ５０は、半導体装置Ａ１０と同様に、主面１２１に対する導通部材５の高さ位置が一定の位置に制御される。また、半導体装置Ａ５０は、半導体装置Ａ１０と共通する構成をとることにより、半導体装置Ａ１０と同等の効果を奏する。
　第６実施形態：
　図３１は、本開示の第６実施形態に係る半導体装置Ａ６０を説明するための図である。図３１は、半導体装置Ａ６０を示す断面図であり、図６に対応する図である。本実施形態の半導体装置Ａ６０は、リード側接合部５２がパッド部１４に直接接合されている点で、第１実施形態と異なっている。本実施形態の他の部分の構成および動作は、第１実施形態と同様である。なお、上記の第１～５実施形態および各変形例の各部が任意に組み合わせられてもよい。
　本実施形態では、リード側接合部５２が、導電性接合材６３を介さずに、リード１Ｂのパッド部１４に直接導通接合されている。本実施形態では、リード側接合部５２とパッド部１４とが超音波接合されており、リード側接合部５２とパッド部１４との間には、固相接合界面５９が形成されている。固相接合界面５９は、超音波接合において付加される超音波振動および圧力によって、リード側接合部５２とパッド部１４とが固相接合されたことにより生じた界面である。なお、リード側接合部５２とパッド部１４とは、直接接合されていればよく、その他の方法（たとえばレーザ溶接など）で接合されてもよい。
　本実施形態においても、半導体装置Ａ６０は、位置規定部材８を備えている。したがって、半導体装置Ａ６０は、半導体装置Ａ１０と同様に、主面１２１に対する導通部材５の高さ位置が一定の位置に制御される。また、半導体装置Ａ６０は、半導体装置Ａ１０と共通する構成をとることにより、半導体装置Ａ１０と同等の効果を奏する。さらに、本実施形態によると、リード側接合部５２がパッド部１４に直接接合されている。したがって、リード側接合部５２とパッド部１４との間に導電性接合材６３が介在する場合と比較して、リード側接合部５２の高さ位置がより正確な位置に規定される。これにより、半導体装置Ａ６０は、主面１２１に対する導通部材５の高さ位置をより正確な位置に制御できる。
　本開示に係る半導体装置および半導体装置の製造方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。本開示に係る半導体装置の各部の具体的な構成、および、本開示に係る半導体装置の製造方法の各工程の具体的な処理は、種々に設計変更自在である。
　本開示は、以下の付記に記載された実施形態を含む。
　付記１．
　厚さ方向（ｚ）の一方側を向くダイパッド主面（１２１）を有するダイパッド（１２）を含む第１リード（１Ａ）と、
　前記厚さ方向の一方側を向く素子主面（２０１）、および、前記素子主面に配置された第１電極（２１）を有し、かつ、前記ダイパッド主面に搭載された半導体素子（２）と、
　前記ダイパッドの少なくとも一部、および、前記半導体素子を覆う封止樹脂（７）と、
　前記第１電極に導通接合されている導通部材（５）と、
　絶縁材料からなり、かつ、前記導通部材および前記ダイパッド主面に接している位置規定部材（８）と、を備えている、半導体装置（Ａ１）。
　付記２．
　前記導通部材は、前記厚さ方向に直交する第１方向（ｘ）の一方側を向く導通部材端面（５１３）を備え、
　前記位置規定部材は、前記ダイパッド主面に接し、かつ、前記厚さ方向に延びる第１部（８１）と、前記導通部材端面に接し、かつ、前記第１方向に延びる第２部（８２）とを備えている、付記１に記載の半導体装置。
　付記３．（第３実施形態、図２３）
　前記導通部材は、前記厚さ方向の他方側を向く導通部材裏面（５４２）を備え、
　前記位置規定部材は、前記ダイパッド主面および前記導通部材裏面に接し、前記厚さ方向に延びている、付記１に記載の半導体装置。
　付記４．（第３実施形態第２変形例、図２８）
　前記位置規定部材は、前記ダイパッド主面に対向する部分に配置されたフィルム状の接合部材（８３）を備えている、付記１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
　付記５．
　前記位置規定部材は、合成樹脂を含んでいる、付記１ないし４のいずれかに記載の半導体装置。
　付記６．
　前記位置規定部材は、セラミックスを含んでいる、付記１ないし４のいずれかに記載の半導体装置。
　付記７．
　前記第１リードから、前記厚さ方向に直交する第１方向の他方側に離間して配置された第２リード（１Ｂ）をさらに備え、
　前記導通部材は、前記第２リードに導通接合されており、
　前記位置規定部材は、前記第１方向において前記半導体素子に対して前記第２リードとは反対側に配置されている、付記１ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
　付記８．（第１実施形態第４～７変形例、図１７～図２１）
　絶縁材料からなり、かつ、前記導通部材および前記ダイパッド主面に接している第２の位置規定部材をさらに備えている、付記１ないし７のいずれかに記載の半導体装置。
　付記９．（第１実施形態第１変形例、図１４）
　前記導通部材は、前記位置規定部材に接する面に、凹凸部（５１３ａ）が配置されている、付記１ないし８のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１０．
　前記導通部材は、前記厚さ方向の一方側を向く導通部材主面（５１１）を備え、
　前記導通部材主面は前記封止樹脂から露出している、付記１ないし９のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１１．（第４実施形態、図２９）
　前記導通部材に接合された導熱部材（９）をさらに備え、
　前記導通部材は、前記厚さ方向の一方側を向く導通部材主面を備え、
　前記導熱部材は、前記導通部材主面に接合され、かつ、前記封止樹脂から露出している、付記１ないし９のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１２．
　前記ダイパッドは、前記厚さ方向の他方側を向くダイパッド裏面（１２２）をさらに備え、
　前記ダイパッド裏面は、前記封止樹脂から露出している、付記１ないし１１のいずれかに記載の半導体装置。
　付記１３．（図１２）
　位置規定部材が導通部材およびダイパッドのダイパッド主面に接した状態になるように、前記ダイパッド主面上に配置された半導体素子の第１電極に配置された接合部材（６０）上に、前記導通部材を載置する工程と、
　加熱によって、前記接合部材を固化させる工程と、
　前記半導体素子を覆う封止樹脂を形成する工程と、
を備えている、半導体装置の製造方法。
　付記１４．（図９）
　前記導通部材を載置する工程の前に、一体に固定された前記導通部材および前記位置規定部材を準備する工程をさらに備えている、付記１３に記載の半導体装置の製造方法。
　付記１５．（図２４）
　前記導通部材を載置する工程の前に、一体に固定された前記ダイパッドおよび前記位置規定部材を準備する工程をさらに備えている、付記１３に記載の半導体装置の製造方法。
　付記１６．（第２実施形態、図２２）
　前記封止樹脂を形成する工程の前に、前記位置規定部材を除去する工程をさらに備えている、付記１３ないし１５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
Ａ１０～Ａ１７，Ａ２０，Ａ３０～Ａ３２，Ａ４０，Ａ５０，Ａ６０：半導体装置
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ：リード　　　　１２：ダイパッド
１２１：主面　　　　１２２：裏面
１３：第１端子部　　　　１３１：裏面実装部
１４：パッド部　　　　１４１：主面
１５：第２端子部　　　　１５１：裏面実装部
１６：屈曲部　　　　１７：パッド部
１８：第２端子部　　　　１８１：裏面実装部
１９：屈曲部　　　　２：半導体素子
２０：素子本体　　　　２０１：素子主面
２０２：素子裏面　　　　２１：第１電極
２１２：第１電極パッド部　　　　２２：第２電極
２３：第３電極　　　　３：絶縁部
４：金属積層部　　　　５：導通部材
５１：素子側接合部　　　　５１１：主面
５１２：裏面　　　　５１３，５１６：端面
５１３ａ：凹凸部　　　　５１３ｂ：凹部
５１４，５１５：側面　　　　５２：リード側接合部
５２３：端面　　　　５３：中間部
５４：突出部　　　　５４２：第２裏面
５４２ｂ：凹部　　　　５９：固相接合界面
６１，６２，６３：導電性接合材　　　　６５：ワイヤ
７：封止樹脂　　　　７１：樹脂主面
７２：樹脂裏面　　　　７３，７４，７５，７６：樹脂側面
８：位置規定部材　　　　８１：第１部
８１ａ，８１ｂ：端面　　　　８２：第２部
８２ａ：端面　　　　８３：接合部材
９：導熱部材　　　　９１：主面
９２：裏面　　　　９ａ：絶縁板
９ｂ：金属層　　　　１００：リードフレーム
１０１：主面　　　　６０：はんだペースト

Claims (16)

  1. 　厚さ方向の一方側を向くダイパッド主面を有するダイパッドを含む第１リードと、
    　前記厚さ方向の一方側を向く素子主面、および、前記素子主面に配置された第１電極を有し、かつ、前記ダイパッド主面に搭載された半導体素子と、
    　前記ダイパッドの少なくとも一部、および、前記半導体素子を覆う封止樹脂と、
    　前記第１電極に導通接合されている導通部材と、
    　絶縁材料を含み、かつ、前記導通部材および前記ダイパッド主面に接している位置規定部材と、
    を備えている、半導体装置。
  2. 　前記導通部材は、前記厚さ方向に直交する第１方向の一方側を向く導通部材端面を備え、
    　前記位置規定部材は、前記ダイパッド主面に接し、かつ、前記厚さ方向に延びる第１部と、前記導通部材端面に接し、かつ、前記第１方向に延びる第２部とを備えている、請求項１に記載の半導体装置。
  3. 　前記導通部材は、前記厚さ方向の他方側を向く導通部材裏面を備え、
    　前記位置規定部材は、前記ダイパッド主面および前記導通部材裏面に接し、前記厚さ方向に延びている、請求項１に記載の半導体装置。
  4. 　前記位置規定部材は、前記ダイパッド主面に対向する部分に配置されたフィルム状の接合部材を備えている、請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置。
  5. 　前記位置規定部材は、合成樹脂を含んでいる、請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置。
  6. 　前記位置規定部材は、セラミックスを含んでいる、請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置。
  7. 　前記第１リードから、前記厚さ方向に直交する第１方向の他方側に離間して配置された第２リードをさらに備え、
    　前記導通部材は、前記第２リードに導通接合されており、
    　前記位置規定部材は、前記第１方向において前記半導体素子に対して前記第２リードとは反対側に配置されている、請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体装置。
  8. 　絶縁材料を含み、かつ、前記導通部材および前記ダイパッド主面に接している第２の位置規定部材をさらに備えている、請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体装置。
  9. 　前記導通部材は、前記位置規定部材に接する面に、凹凸部が配置されている、請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体装置。
  10. 　前記導通部材は、前記厚さ方向の一方側を向く導通部材主面を備え、
    　前記導通部材主面は前記封止樹脂から露出している、請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体装置。
  11. 　前記導通部材に接合された導熱部材をさらに備え、
    　前記導通部材は、前記厚さ方向の一方側を向く導通部材主面を備え、
    　前記導熱部材は、前記導通部材主面に接合され、かつ、前記封止樹脂から露出している、請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体装置。
  12. 　前記ダイパッドは、前記厚さ方向の他方側を向くダイパッド裏面をさらに備え、
    　前記ダイパッド裏面は、前記封止樹脂から露出している、請求項１ないし１１のいずれかに記載の半導体装置。
  13. 　位置規定部材が導通部材およびダイパッドのダイパッド主面に接した状態になるように、前記ダイパッド主面上に配置された半導体素子の第１電極に配置された接合部材上に、前記導通部材を載置する工程と、
    　加熱によって、前記接合部材を固化させる工程と、
    　前記半導体素子を覆う封止樹脂を形成する工程と、
    を備えている、半導体装置の製造方法。
  14. 　前記導通部材を載置する工程の前に、一体に固定された前記導通部材および前記位置規定部材を準備する工程をさらに備えている、請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
  15. 　前記導通部材を載置する工程の前に、一体に固定された前記ダイパッドおよび前記位置規定部材を準備する工程をさらに備えている、請求項１３に記載の半導体装置の製造方法。
  16. 　前記封止樹脂を形成する工程の前に、前記位置規定部材を除去する工程をさらに備えている、請求項１３ないし１５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
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