WO2024116451A1 - 接着剤フィルム、接着剤テープ、剥離フィルム付き接着剤テープ、半導体装置の製造方法及び半導体装置 - Google Patents

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WO2024116451A1
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adhesive film
adhesive
semiconductor chip
film
tape
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明子 林出
亮介 木村
強 田澤
紘之 石毛
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株式会社レゾナック
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    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape

Definitions

  • the present invention relates to an adhesive film, an adhesive tape, an adhesive tape with a release film, a method for manufacturing a semiconductor device, and a semiconductor device.
  • FC connection method conductive protrusions called bumps are formed on the semiconductor chip or substrate to directly connect the semiconductor chip and substrate.
  • the COB (Chip On Board) type connection method which is widely used for BGA (Ball Grid Array) and CSP (Chip Size Package) in connection between semiconductor chips and substrates, also falls under the FC connection method.
  • the FC connection method is also widely used in the COC (Chip On Chip) type connection method, which forms connections (e.g. bumps and wiring) on the semiconductor chip to connect between semiconductor chips.
  • chip-stack packages POP (Package On Package), TSV (Through-Silicon Via), etc.
  • POP Package On Package
  • TSV Through-Silicon Via
  • Such stacking and multi-layering technologies arrange semiconductor chips and other elements three-dimensionally, making it possible to make packages smaller than methods that arrange them two-dimensionally.
  • they are effective in improving semiconductor performance, reducing noise, reducing mounting area, and saving power, and are therefore attracting attention as the next-generation semiconductor wiring technology.
  • COW Chip On Wafer
  • gang bonding is also attracting attention, in which multiple semiconductor chips are aligned and temporarily bonded onto a semiconductor wafer or map substrate, and then these multiple semiconductor chips are fully bonded together to ensure connection.
  • thermosetting adhesive film that exhibits appropriate fluidity at the temperature at the time of connection is used, and the adhesive film is hardened by applying heat during connection (pressure bonding), thereby connecting the connection members together (see, for example, Patent Document 1).
  • the main objective of the present invention is to provide an adhesive film for semiconductors that can reduce the amount of fillets that occur.
  • the present invention provides the following [1] to [14].
  • An adhesive film used to bond a semiconductor chip to a base and seal a gap between the semiconductor chip and the base comprising: An adhesive film which is a single layer film made of an adhesive composition having photocurable and thermosetting properties.
  • thermosetting resin comprises an epoxy resin
  • An adhesive tape according to the present invention includes a release film provided on the adhesive tape on the opposite side of the adhesive film from the backgrind tape.
  • a semiconductor chip having a first connection portion, a base having a second connection portion electrically connected to the first connection portion, and a sealing portion that bonds the semiconductor chip and the base and fills a gap between the semiconductor chip and the base,
  • the semiconductor device, wherein the sealing portion is a cured product of the adhesive film according to any one of [1] to [8].
  • the present invention provides an adhesive film for semiconductors that can reduce the amount of fillets that occur.
  • FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of the adhesive tape with a release film of the present invention.
  • FIG. 2(a) is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of a semiconductor device of the present invention
  • FIG. 2(b) is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of a semiconductor device of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of the semiconductor device of the present invention.
  • 4A to 4C are cross-sectional views illustrating steps in one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention.
  • 5A to 5C are cross-sectional views illustrating steps in one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention.
  • 6A to 6C are cross-sectional views illustrating steps in one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention.
  • 7A to 7C are cross-sectional views illustrating steps in one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention.
  • 8A to 8C are cross-sectional views illustrating steps in one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention.
  • 9A to 9C are cross-sectional views illustrating steps in one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention.
  • 10A to 10C are cross-sectional views illustrating steps in one embodiment of a method for manufacturing a semiconductor device according to the present invention.
  • (meth)acrylic means at least one of acrylic and the corresponding methacrylic.
  • a numerical range indicated using “ ⁇ ” indicates a range including the numerical values before and after " ⁇ " as the minimum and maximum values, respectively.
  • the upper or lower limit of the numerical range may be replaced with a value shown in the examples.
  • the upper and lower limit values described individually can be arbitrarily combined.
  • the materials exemplified below may be used alone or in combination of two or more types.
  • the adhesive film of one embodiment is an adhesive film used to bond a semiconductor chip to a base and seal the gap between the semiconductor chip and the base, and is a single layer film made of an adhesive composition that has photocurable and thermosetting properties.
  • the adhesive film is photocurable, and therefore easily partially reduces fluidity by irradiation with light.
  • the fluidity of the adhesive constituting the adhesive film can be reduced by applying light irradiation after attaching the adhesive film to one of the two connecting members (semiconductor chip, substrate, or precursor thereof).
  • the desired fluidity can be easily adjusted by adjusting the type of components contained in the adhesive film and the conditions of light irradiation, compared to the curing method by heating or the like. Therefore, the adhesive film can suppress excessive flow of the adhesive while maintaining the fluidity required for connecting the connecting members, and as a result, the amount of fillet generation can be suppressed.
  • the adhesive film since the adhesive film is photocurable and thermosetting, it can be further cured (thermosetting) by heating after photocuring, and the connecting members can be joined with sufficient strength.
  • the adhesive film is more susceptible to the occurrence of voids than the adhesive film of the above embodiment.
  • the adhesive film of the above embodiment tends to reduce the occurrence of voids compared to a multi-layer adhesive film having a layer that is not photocurable and a layer that is photocurable.
  • the adhesive composition constituting the adhesive film contains, for example, a photopolymerizable compound, a photopolymerization initiator, a thermosetting resin, and a heat curing agent.
  • a photopolymerizable compound refers to a compound that is polymerized by an active species (radical, cation, or anion) generated by the photopolymerization initiator upon irradiation with light (e.g., ultraviolet light)
  • thermosetting resin refers to a compound that is cured by reaction with the heat curing agent due to heat.
  • the photopolymerizable compound may be a radical polymerizable compound, a cationic polymerizable compound, or an anionic polymerizable compound.
  • the polymerizability of the photopolymerizable compound may be selected in relation to the curability of the thermosetting resin and the thermosetting agent so as not to inhibit the reaction of the thermosetting resin and the thermosetting agent.
  • the thermosetting resin has cationic curability or anionic curability, it is preferable to use a radical polymerizable compound as the photopolymerizable compound.
  • the photopolymerizable compound is preferably a radically polymerizable compound.
  • a photoradical polymerization initiator is used as the photopolymerization initiator.
  • the radical polymerizable compound may be, for example, a (meth)acrylic compound, a vinyl compound, etc.
  • a (meth)acrylic compound is preferable from the viewpoint of excellent durability, electrical insulation, and heat resistance.
  • the (meth)acrylic compound may be any compound having one or more (meth)acryloyl groups in the molecule.
  • (meth)acrylic compound for example, (meth)acrylic compounds containing a bisphenol A type, bisphenol F type, naphthalene type, phenol novolac type, cresol novolac type, phenol aralkyl type, biphenyl type, triphenylmethane type, dicyclopentadiene type, fluorene type, adamantane type, or isocyanuric acid type skeleton; various polyfunctional (meth)acrylic compounds (excluding (meth)acrylic compounds containing the above skeleton), etc. may be used.
  • polyfunctional (meth)acrylic compounds include pentaerythritol tri(meth)acrylate, dipentaerythritol poly(meth)acrylate (dipentaerythritol penta(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, etc.), trimethylolpropane di(meth)acrylate, etc.
  • polyfunctional (meth)acrylic compounds are preferred, and dipentaerythritol poly(meth)acrylate is more preferred.
  • the number of functional groups (the number of (meth)acryloyl groups) of the polyfunctional (meth)acrylic compound is preferably 2 to 8, more preferably 3 to 7, and even more preferably 4 to 6.
  • the molecular weight of the photopolymerizable compound is, for example, 400 to 2000.
  • the molecular weight of the photopolymerizable compound is preferably less than 2000, and more preferably 1000 or less. The smaller the molecular weight of the photopolymerizable compound, the easier the reaction will proceed and the higher the curing reaction rate will be.
  • the photopolymerizable compounds can be used alone or in combination of two or more.
  • the content of the photopolymerizable compound is preferably 1 mass% or more, more preferably 3 mass% or more, and even more preferably 5 mass% or more, based on the total amount of the adhesive composition.
  • the content of the photopolymerizable compound is preferably 10 mass% or less, more preferably 7 mass% or less, and even more preferably 5 mass% or less, based on the total amount of the adhesive composition.
  • the content of the photopolymerizable compound is preferably 1 to 10 mass%, more preferably 3 to 7 mass%, and even more preferably 3 to 5 mass%, based on the total amount of the adhesive composition.
  • the photopolymerization initiator can be selected according to the type of the photopolymerizable compound, and may be a photoradical polymerization initiator, a photocationic polymerization initiator, or a photoanionic polymerization initiator.
  • a photoradical polymerization initiator is preferably used for the same reasons as those for the photopolymerizable compound.
  • the photoradical polymerization initiator is, for example, a compound that decomposes and generates free radicals when irradiated with light having a wavelength in the range of 150 to 750 nm, preferably light having a wavelength in the range of 254 to 405 nm, and more preferably light having a wavelength of 365 nm (e.g., ultraviolet light).
  • one type of compound may be used alone, or multiple types of compounds may be used in combination.
  • photoradical polymerization initiators examples include alkylphenone-based photopolymerization initiators, ⁇ -aminoalkyl ketone-based photopolymerization initiators, and phosphine oxide-based photopolymerization initiators. Among these, from the viewpoint of reactivity, alkylphenone-based photopolymerization initiators are preferred, and ⁇ -hydroxyacetophenone photopolymerization initiators are more preferred.
  • alkylphenone-based photopolymerization initiators examples include 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 1-[4-(2-hydroxyethoxy)-phenyl]-2-hydroxy-2-methyl-1-propan-1-one, and 2-hydroxy-1- ⁇ 4-[4-(2-hydroxy-2-methylpropionyl)benzyl]phenyl ⁇ -2-methylpropan-1-one.
  • the molecular weight of the photoradical polymerization initiator is preferably 400 or more (e.g., 300 to 600) in order to suppress volatilization due to heat during film formation, application, etc.
  • the content of the photopolymerization initiator in the adhesive composition is preferably 0.1 parts by mass or more, more preferably 0.5 parts by mass or more, and even more preferably 1.0 parts by mass or more, per 100 parts by mass of the photopolymerizable compound, from the viewpoint of allowing the curing reaction to proceed sufficiently.
  • the content of the photopolymerization initiator is preferably 5.0 parts by mass or less, more preferably 3.0 parts by mass or less, and even more preferably 1.5 parts by mass or less, per 100 parts by mass of the photopolymerizable compound, from the viewpoint of preventing the molecular chain from shortening due to the rapid progress of the curing reaction and preventing unreacted groups from remaining.
  • the content of the photopolymerization initiator is preferably 0.1 to 5.0 parts by mass, more preferably 0.5 to 3.0 parts by mass, and even more preferably 0.5 to 1.5 parts by mass, per 100 parts by mass of the photopolymerizable compound.
  • the content of the photoradical polymerization initiator in the adhesive composition is preferably 0.1 to 5.0 parts by mass, more preferably 0.5 to 3.0 parts by mass, and even more preferably 0.5 to 1.5 parts by mass, relative to 100 parts by mass of the radically polymerizable compound.
  • thermosetting resin examples include epoxy resin, phenol resin (except when contained as a curing agent), acrylic resin, etc. Among these, epoxy resin is preferably used.
  • the content of the epoxy resin in the thermosetting resin is preferably 80 mass% or more, more preferably 90 mass% or more, based on the total amount of the thermosetting resin.
  • the content of the epoxy resin may be 100 mass% based on the total amount of the thermosetting resin.
  • Epoxy resins are compounds that have two or more epoxy groups in the molecule.
  • Examples of epoxy resins that can be used include bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, naphthalene type epoxy resins, phenol novolac type epoxy resins, cresol novolac type epoxy resins, phenol aralkyl type epoxy resins, biphenyl type epoxy resins, triphenylmethane type epoxy resins, triphenolmethane type epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins, and various polyfunctional epoxy resins. These can be used alone or as a mixture of two or more types. Among these, when triphenolmethane type epoxy resins (epoxy resins containing a triphenolmethane skeleton) are used, the amount of fillet generation tends to be further reduced.
  • connection temperature 250°C
  • connection temperature 300°C
  • thermal weight loss rate at 300°C 5% or less.
  • liquid epoxy resin an epoxy resin that is liquid at 25°C (hereinafter simply referred to as “liquid epoxy resin”) may be used from the viewpoint of easily suppressing the occurrence of cracks and fissures on the film surface.
  • liquid at 25°C means that the viscosity at 25°C measured with an E-type viscometer is 400 Pa ⁇ s or less.
  • liquid epoxy resins examples include glycidyl ethers of bisphenol A type, glycidyl ethers of bisphenol AD type, glycidyl ethers of bisphenol S type, glycidyl ethers of bisphenol F type, glycidyl ethers of water-added bisphenol A type, glycidyl ethers of ethylene oxide adducts of bisphenol A type, glycidyl ethers of propylene oxide adducts of bisphenol A type, glycidyl ethers of naphthalene resins, trifunctional or tetrafunctional glycidyl amines, etc.
  • the content of the liquid epoxy resin in the thermosetting resin is preferably 5% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, and even more preferably 20% by mass or more, based on the total amount of the thermosetting resin, from the viewpoint of easily suppressing the occurrence of cracks and fissures on the film surface.
  • the content of the liquid epoxy resin in the thermosetting resin is preferably 30% by mass or less, more preferably 20% by mass or less, and even more preferably 10% by mass or less, based on the total amount of the thermosetting resin, from the viewpoint of easily suppressing an excessive increase in tackiness of the film and from the viewpoint of easily suppressing edge fusion. From these viewpoints, the content of the liquid epoxy resin in the thermosetting resin is preferably 5 to 30% by mass, based on the total amount of the thermosetting resin.
  • the reactive functional group equivalent of the thermosetting resin may be 100 to 3000 g/eq, or may be 100 to 2000 g/eq, or 100 to 1500 g/eq. If the reactive functional group equivalent is within the above range, a good balance between reactivity and fluidity during heating tends to be achieved.
  • the content of the thermosetting resin in the adhesive composition is preferably 25% by mass or more, more preferably 30% by mass or more, and even more preferably 35% by mass or more, based on the total amount of the adhesive composition.
  • the content of the thermosetting resin in the adhesive composition is preferably 50% by mass or less, more preferably 45% by mass or less, and even more preferably 40% by mass or less, based on the total amount of the adhesive composition. From these viewpoints, the content of the thermosetting resin in the adhesive composition is preferably 25 to 50% by mass, based on the total amount of the adhesive composition.
  • the content of the thermosetting resin may be set in relation to the content of the photopolymerizable compound.
  • the mass ratio of the content of the thermosetting resin to the content of the photopolymerizable compound in the adhesive composition is 3 to 11, high connection reliability is likely to be obtained, and the amount of fillet generation tends to be further reduced.
  • the above ratio may be 5 or more, 7 or more, or 9 or more from the viewpoint of further reducing the amount of fillet generation, and may be 10 or less from the viewpoint of easily obtaining good sealing properties and easily suppressing the generation of voids in addition to the above effect.
  • Thermal hardener As the heat curing agent, a known curing agent known as a curing agent for a thermosetting resin can be used.
  • the heat curing agent also includes materials generally known as curing accelerators.
  • an epoxy resin for example, a phenol resin-based curing agent, an acid anhydride-based curing agent, an amine-based curing agent, an imidazole-based curing agent, a phosphine-based curing agent, etc. can be used as the heat curing agent.
  • the phenol resin-based curing agent, the acid anhydride-based curing agent, the amine-based curing agent, and the imidazole-based curing agent show flux activity that suppresses the generation of an oxide film at the connection part, so that the connection reliability can be improved by using these heat curing agents.
  • imidazole-based curing agents examples include 2-phenylimidazole, 2-phenyl-4-methylimidazole, 1-benzyl-2-methylimidazole, 1-benzyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole, 1-cyano-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-undecylimidazole trimellitate, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate, 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino- Examples of the compound include 6-[2'-undecylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine, 2,4-diamino-6-[2'-ethyl-4'-methylimidazolyl-(1')]-
  • latent curing agents in which these are microencapsulated can also be used. These can be used alone or in combination of two or more kinds. Among these, compounds having a triazine ring are preferably used from the viewpoint of obtaining better sealing properties and suppressing the occurrence of voids.
  • the content of the heat curing agent in the adhesive composition is preferably 1 part by mass or more, more preferably 2 parts by mass or more, and even more preferably 3 parts by mass or more, per 100 parts by mass of thermosetting resin, from the viewpoint of improving the curing property when heated.
  • the content of the heat curing agent in the adhesive composition is preferably 10 parts by mass or less, more preferably 7 parts by mass or less, and even more preferably 5 parts by mass or less, per 100 parts by mass of thermosetting resin, from the viewpoint of making it more difficult for the adhesive composition to intervene between the connection parts. From these viewpoints, the content of the heat curing agent in the adhesive composition is preferably 1 to 10 parts by mass, per 100 parts by mass of thermosetting resin.
  • the adhesive composition may further contain, as components other than those mentioned above, a thermoplastic resin, a filler, and the like.
  • thermoplastic resins contribute to improved heat resistance and film formability.
  • thermoplastic resins include phenoxy resins, polyimide resins, polyamide resins, polycarbodiimide resins, cyanate ester resins, acrylic resins, polyester resins, polyethylene resins, polyethersulfone resins, polyetherimide resins, polyvinyl acetal resins, urethane resins, and acrylic rubber.
  • phenoxy resins, polyimide resins, acrylic rubbers, cyanate ester resins, and polycarbodiimide resins are preferred, and phenoxy resins, polyimide resins, and acrylic rubbers are more preferred.
  • These thermoplastic resins can be used alone or as a mixture or copolymer of two or more kinds.
  • the weight average molecular weight of the thermoplastic resin is, for example, 10,000 or more, and may be 20,000 or more or 30,000 or more. Such a thermoplastic resin can further improve the heat resistance and film formability of the adhesive composition.
  • the weight average molecular weight of the thermoplastic resin may be 1,000,000 or less, or may be 500,000 or less, from the viewpoint of easily obtaining an improved effect of heat resistance. From these viewpoints, the weight average molecular weight of the thermoplastic resin may be, for example, 10,000 to 1,000,000.
  • the weight average molecular weight means the weight average molecular weight measured in terms of polystyrene using high performance liquid chromatography (manufactured by Shimadzu Corporation, product name: C-R4A).
  • the glass transition temperature (Tg) of the thermoplastic resin is preferably 120°C or less, more preferably 100°C or less, and even more preferably 85°C or less, from the viewpoint of excellent adhesion of the adhesive film to a connecting member (e.g., a semiconductor chip).
  • the above Tg is the Tg measured using a DSC (manufactured by PerkinElmer, product name: DSC-7 type) under the following conditions: a sample amount of 10 mg, a heating rate of 10°C/min, and a measurement atmosphere of air.
  • the content of the thermoplastic resin in the adhesive composition is preferably 5% by mass or more, more preferably 7% by mass or more, and even more preferably 10% by mass or more, based on the total amount of the adhesive composition, from the viewpoint of easily improving the heat resistance and film formability of the adhesive composition.
  • the content of the thermoplastic resin in the adhesive composition is preferably 30% by mass or less, more preferably 25% by mass or less, and even more preferably 20% by mass or less, based on the total amount of the adhesive composition, from the viewpoint of easily suppressing the occurrence of fillets. From these viewpoints, the content of the thermoplastic resin in the adhesive composition is preferably 5 to 30% by mass, based on the total amount of the adhesive composition.
  • the filler is effective in controlling the viscosity of the adhesive composition and the physical properties of the cured product of the adhesive composition. Specifically, the use of the filler can suppress the generation of voids during connection and reduce the moisture absorption rate of the cured product of the adhesive composition.
  • the filler may be an inorganic filler (inorganic particles) or an organic filler (organic particles). Examples of inorganic fillers include insulating inorganic fillers such as glass, silica, alumina, titanium oxide, mica, and boron nitride.
  • organic fillers include resin fillers (resin particles).
  • resin fillers include polyurethane and polyimide.
  • Resin fillers can impart flexibility at high temperatures such as 260°C. Note that organic fillers made of thermoplastic resins are not considered to be the above-mentioned thermoplastic resins.
  • the filler is insulating. It is preferable that the adhesive composition does not contain a filler containing a conductive material such as silver, solder, or carbon black (conductive filler).
  • the physical properties of the filler may be adjusted as appropriate by surface treatment.
  • the filler may be a filler that has been surface-treated to improve dispersibility or adhesive strength.
  • surface treatment agents include glycidyl-based (epoxy-based), amine-based, phenyl-based, phenylamino-based, (meth)acrylic-based, and vinyl-based compounds.
  • the average particle size of the filler is, for example, 0.5 to 1.5 ⁇ m. From the viewpoint of preventing jamming during flip chip connection, the average particle size of the filler is preferably 1.5 ⁇ m or less, and from the viewpoint of excellent visibility (transparency), 1.0 ⁇ m or less is more preferable.
  • the average particle size of the filler is the particle size at the point corresponding to 50% volume when a cumulative frequency distribution curve of particle size is calculated assuming the total volume of the particles to be 100%, and can be measured using a particle size distribution measuring device using a laser diffraction scattering method, etc.
  • the content of the filler in the adhesive composition is preferably 25% by mass or more, more preferably 30% by mass or more, and even more preferably 35% by mass or more, based on the total amount of the adhesive composition, from the viewpoint of suppressing a decrease in heat dissipation and from the viewpoint of easily suppressing the occurrence of voids and an increase in moisture absorption rate.
  • the content of the filler in the adhesive composition is preferably 60% by mass or less, more preferably 55% by mass or less, and even more preferably 50% by mass or less, based on the total amount of the adhesive composition, from the viewpoint of suppressing the occurrence of filler getting caught (trapping) in the connection portion. From these viewpoints, the content of the filler in the adhesive composition is preferably 25 to 60% by mass, based on the total amount of the adhesive composition.
  • the content of the inorganic filler may be 60 mass% or more, 70 mass% or more, or 80 mass% or more, and 98 mass% or less, 95 mass% or less, or 90 mass% or less, or 60 to 98 mass%, 70 to 95 mass%, or 80 to 90 mass%, based on the total amount of filler in the adhesive composition.
  • the adhesive composition may further contain additives such as antioxidants, silane coupling agents, titanium coupling agents, leveling agents, and ion trapping agents. These may be used alone or in combination of two or more. The content of these additives may be appropriately adjusted so that the effect of each additive is exerted.
  • the adhesive composition may contain a fluxing agent, but the content of the fluxing agent is preferably less than 0.5 mass%, more preferably less than 0.01 mass%, and even more preferably 0 mass%, based on the total amount of the adhesive composition. In particular, when the adhesive composition has radical polymerizability (radical curing ability), the curing of the adhesive composition is easily inhibited by the fluxing agent, so it is preferable that the adhesive composition does not contain a fluxing agent.
  • the fluxing agent is a compound having flux activity, such as a compound having a carboxy group (mono- or polycarboxylic acid).
  • imidazole-based curing agents may also have flux activity, but compounds that fall under the category of imidazole-based curing agents are not considered to fall under the category of the above-mentioned fluxing agents.
  • fluxing agents include dicarboxylic acids such as succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, undecanedioic acid, and dodecanedioic acid, as well as compounds in which an electron-donating group is substituted at the 2-position of these dicarboxylic acids (e.g., 2-methylglutaric acid).
  • dicarboxylic acids such as succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, undecanedioic acid, and dodecanedioic acid, as well as compounds in which an electron-donating group is substituted at the 2-position of these dicarboxylic acids (e.g., 2-methylglutaric acid).
  • the adhesive film described above can be produced, for example, by the following method.
  • the components constituting the adhesive film photopolymerizable compound, photopolymerization initiator, thermosetting resin, thermosetting agent, filler, thermoplastic resin, additives, etc.
  • an organic solvent dissolved or dispersed by stirring, mixing, kneading, etc.
  • the coating liquid is applied to a substrate (film or tape) that has been subjected to a release treatment on at least one side using a knife coater, roll coater, applicator, etc. to form a coating film.
  • the organic solvent is reduced from the coating film by heating. This allows an adhesive film to be formed on the substrate.
  • the organic solvent used in preparing the coating liquid is preferably one that has the property of being able to uniformly dissolve or disperse each component, and examples thereof include dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, dimethylsulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, toluene, benzene, xylene, methyl ethyl ketone, tetrahydrofuran, ethyl cellosolve, ethyl cellosolve acetate, butyl cellosolve, dioxane, cyclohexanone, and ethyl acetate.
  • These organic solvents can be used alone or in combination of two or more.
  • Stirring, mixing, and kneading when preparing the coating liquid can be performed using, for example, a stirrer, a grinding machine, a three-roll mill, a ball mill, a bead mill, or a homodisper.
  • the substrate is not particularly limited as long as it has heat resistance sufficient to withstand the heating conditions used when volatilizing the organic solvent, and examples include polyolefin films such as polypropylene film and polymethylpentene film, polyester films such as polyethylene terephthalate film and polyethylene naphthalate film, polyimide film, and polyetherimide film.
  • the substrate is not limited to a single layer of these films, and may be a multilayer film made of two or more materials.
  • the substrate may be a film whose surface has been treated with a release agent.
  • the drying conditions for volatilizing the organic solvent from the coating film on the substrate should preferably be such that the organic solvent volatilizes sufficiently, specifically, heating at 50 to 200°C for 0.1 to 90 minutes is preferred. If there is no effect on voids or viscosity adjustment after mounting, it is preferred that the organic solvent be removed to 1.5 mass% or less of the total adhesive composition.
  • Fig. 1 is a schematic cross-sectional view showing an adhesive tape with a release film of one embodiment.
  • the adhesive tape with a release film 5 shown in Fig. 1 includes a release film 1, an adhesive film 2, and a substrate 3.
  • the substrate 3 is provided on the adhesive film 2, and together with the adhesive film 2, constitutes an adhesive tape 4. That is, Fig. 1 discloses an embodiment of the adhesive tape 4 together with an embodiment of the adhesive tape with a release film 5.
  • the release film 1 is provided on the opposite side of the adhesive film 2 from the substrate 3.
  • the release film 1 may be any film configured to be peelable from the adhesive film 2, and may be, for example, a film whose surface has been subjected to a release treatment.
  • the release film 1 may be a substrate used in the manufacture of the adhesive film 2.
  • the release film 1 may be, for example, a film containing a polyolefin such as polypropylene or polymethylpentene, a polyester such as polyethylene terephthalate or polyethylene naphthalate, a polyimide, a polyetherimide, or the like.
  • the adhesive film 2 is the adhesive film of the above embodiment.
  • the thickness of the adhesive film 2 may be appropriately set in relation to the height of the connection part in the connection member to which the adhesive film 2 is attached before light irradiation. If the height of the connection part is Y and the thickness of the adhesive film 2 is X, the relationship between X and Y preferably satisfies 0.70X ⁇ Y ⁇ 1.3X from the viewpoint of connectivity during compression and adhesive filling, and more preferably satisfies 0.80X ⁇ Y ⁇ 1.2X. From the viewpoint of making it difficult for the cured product of the adhesive composition to intervene between the connection parts and further improving the connection reliability, it is preferable that Y>X is satisfied. Specifically, the thickness of the adhesive film 2 may be 2 to 100 ⁇ m, or may be 6 to 100 ⁇ m, 8 to 60 ⁇ m, or 10 to 40 ⁇ m.
  • the substrate 3 is, for example, a film or tape capable of supporting the adhesive film 2, and is preferably a backgrind tape.
  • Backgrind tape is usually configured so that one main surface is an adhesive layer, but in this case, the backgrind tape is provided on the adhesive film 2 so that the surface on the adhesive layer side faces the adhesive film 2 (for example, so that the adhesive layer and the adhesive film are in contact).
  • the thickness of the substrate 3 (for example, the thickness of the backgrind tape) may be 20 to 300 ⁇ m.
  • the laminate of the substrate and the adhesive film obtained by the above-mentioned adhesive film manufacturing method i.e., the method of applying a coating liquid onto the substrate, forming a coating film, and drying the coating film, may be used as is as the adhesive tape 4.
  • the adhesive tape 4 may also be obtained by attaching the substrate 3 to the adhesive film 2 (for example, laminating the adhesive film 2 and the substrate 3).
  • the substrate 3 is a backgrind tape
  • applying and drying the coating liquid on the adhesive layer of the backgrind tape may cause problems such as destruction of the adhesive layer and component transfer between the adhesive and the adhesive, so it is preferable to obtain the adhesive tape 4 by attaching the backgrind tape to the adhesive film 2.
  • the adhesive tape 5 with release film may be obtained by attaching the release film 1 to the adhesive tape 4 (for example, by laminating the adhesive tape 4 and the release film 1), or by providing an adhesive film 2 on the release film 1 and then providing a substrate 3 on the adhesive film 2.
  • FIG. 2(a) is a schematic cross-sectional view showing one embodiment of a semiconductor device.
  • the semiconductor device 100 shown in FIG. 2(a) has a semiconductor chip 20 facing each other and a base 30 on which the semiconductor chip is mounted, wiring (first connection portion and second connection portion) 25 arranged on the facing surfaces of the semiconductor chip 20 and the base 30, respectively, connection bumps 40 connecting the wiring 25 of the semiconductor chip 20 and the base 30 to each other, and a sealing portion 50 made of a cured product of an adhesive composition (the adhesive composition constituting the adhesive film of the above embodiment) that fills the gap between the semiconductor chip 20 and the base 30.
  • the semiconductor chip 20 and the base 30 are flip-chip connected by the wiring 25 and the connection bumps 40.
  • the wiring 25 and the connection bumps 40 are sealed by the cured product of the adhesive composition and are isolated from the external environment.
  • FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing another embodiment of a semiconductor device.
  • the semiconductor device 200 shown in FIG. 2(b) has a semiconductor chip 20 and a base 30 facing each other, bumps (first connection portion and second connection portion) 42 arranged on the facing surfaces of the semiconductor chip 20 and the base 30, respectively, and a sealing portion 50 made of a cured product of an adhesive composition (the adhesive composition constituting the adhesive film of the above embodiment) that fills the gap between the semiconductor chip 20 and the base 30.
  • the semiconductor chip 20 and the base 30 are flip-chip connected by connecting the facing bumps 42 to each other.
  • the bumps 42 are sealed with the cured product of the adhesive composition and are isolated from the external environment.
  • the semiconductor chip 20 is not particularly limited, and may be a semiconductor chip made of an elemental semiconductor made of the same type of element, such as silicon or germanium, or a semiconductor chip made of a compound semiconductor, such as gallium arsenide or indium phosphide.
  • the base 30 there are no particular limitations on the base 30 as long as it can be used to mount the semiconductor chip 20, and examples include a semiconductor chip, a semiconductor wafer, a wiring circuit board, etc.
  • Examples of semiconductor chips that can be used as the base 30 are the same as the examples of the semiconductor chip 20 described above, and the same semiconductor chip as the semiconductor chip 20 may be used as the base 30.
  • the semiconductor wafer that can be used as the base 30, and it may be one having a configuration in which multiple semiconductor chips such as those exemplified as the semiconductor chip 20 above are connected together.
  • wiring circuit board there are no particular limitations on the type of wiring circuit board that can be used as the base 30, and examples that can be used include a circuit board having wiring (wiring pattern) 25 formed by etching away unnecessary parts of a metal film on the surface of an insulating substrate whose main components are glass epoxy, polyimide, polyester, ceramic, epoxy, bismaleimide triazine, etc., a circuit board in which wiring 25 is formed on the surface of the insulating substrate by metal plating, etc., and a circuit board in which wiring 25 is formed by printing a conductive material on the surface of the insulating substrate.
  • wiring wiring pattern
  • connection parts such as the wiring 25 and bumps 42 mainly contain gold, silver, copper, solder (the main components are, for example, tin-silver, tin-lead, tin-bismuth, tin-copper, tin-silver-copper, etc.), nickel, tin, lead, etc., and may contain multiple metals.
  • gold, silver and copper are preferred, with silver and copper being more preferred, from the viewpoint of providing a package with excellent electrical and thermal conductivity at the connection parts.
  • inexpensive materials such as silver, copper and solder are preferred, with copper and solder being more preferred, with solder being even more preferred.
  • gold, silver, copper and solder are preferred, with gold, silver and solder being more preferred, with gold and silver being even more preferred.
  • a metal layer mainly composed of gold, silver, copper, solder (main components are, for example, tin-silver, tin-lead, tin-bismuth, tin-copper, etc.), tin, nickel, etc. may be formed, for example, by plating, on the surfaces of the wiring 25 and bumps 42.
  • This metal layer may be composed of only a single component, or may be composed of multiple components.
  • the metal layer may also have a structure in which a single layer or multiple metal layers are laminated.
  • the semiconductor device may be a stack of multiple structures (packages) such as those shown in the semiconductor device 100 and semiconductor device 200 of the above embodiments.
  • the semiconductor device 100 and the semiconductor device 200 may be electrically connected to each other by bumps, wiring, etc. containing gold, silver, copper, solder (main components of which are, for example, tin-silver, tin-lead, tin-bismuth, tin-copper, tin-silver-copper, etc.), tin, nickel, etc.
  • TSV Through-Silicon Via
  • FIG. 3 An example of a semiconductor device stacked by TSV technology is shown in FIG. 3.
  • the wiring 25 formed on the interposer 60 is connected to the wiring 25 of the semiconductor chip 20 via the connection bump 40, so that the semiconductor chip 20 and the interposer 60 are flip-chip connected.
  • the gap between the semiconductor chip 20 and the interposer 60 is filled with a cured product of an adhesive composition, which constitutes a sealing part 50.
  • the semiconductor chips 20 are repeatedly stacked via the wiring 25, the connection bump 40, and the sealing part 50.
  • the wiring 25 on the pattern surfaces on the front and back of the semiconductor chip 20 are connected to each other by the through electrodes 44 filled in the holes that penetrate the inside of the semiconductor chip 20.
  • the material of the through electrodes 44 can be copper, aluminum, or the like.
  • TSV technology makes it possible to obtain signals from the back surface of the semiconductor chip, which is not normally used. Furthermore, because the through electrodes 44 pass vertically through the semiconductor chip 20, the distance between opposing semiconductor chips 20 and between the semiconductor chip 20 and the interposer 60 can be shortened, allowing for flexible connections.
  • the adhesive film of the above embodiment can be used as a semiconductor adhesive film between opposing semiconductor chips 20 and between the semiconductor chip 20 and the interposer 60 in such TSV technology.
  • semiconductor chips can be mounted directly to a motherboard without using an interposer.
  • the adhesive film of the above embodiment can also be applied when mounting such semiconductor chips directly to a motherboard.
  • the adhesive film of the above embodiment can also be applied when sealing the gap (air gap) between two wiring circuit boards when stacking the boards.
  • a method for manufacturing a semiconductor device includes, for example, a light irradiation step of irradiating an adhesive film with light, and a heat bonding step of heating and bonding a semiconductor chip and a base on which the semiconductor chip is mounted, in a state in which the connection parts of the semiconductor chip and the base are arranged so as to face each other via the adhesive film after light irradiation.
  • the light irradiation step is performed in a state in which the adhesive film is attached to the connection surface of the semiconductor chip or its precursor, or to the connection surface of the base or its precursor.
  • the precursor of the semiconductor chip means a member that will become a semiconductor chip through processing.
  • a specific example of a precursor of a semiconductor chip is a semiconductor wafer. The same applies to the precursor of the base.
  • connection surface refers to the surface on which the connection portion (wiring, bumps, etc.) that is connected in the heat bonding process is provided.
  • step (a) In step (a), for example, first, an adhesive tape 4 having a backgrind tape as a substrate 3 and a semiconductor wafer A having a connection portion 6 (first connection portion) on one side are prepared, and the adhesive tape 4 is placed in a predetermined device so that the adhesive film 2 side of the adhesive tape 4 faces the connection surface (the surface on which the connection portion 6 is provided) of the semiconductor wafer A (see FIG. 4(a)). Next, the adhesive tape 4 is attached to the connection surface of the semiconductor wafer A, and a laminate 7 in which the semiconductor wafer A, the adhesive film 2, and the substrate 3 (backgrind tape) are laminated in this order is obtained (see FIG. 4(b)).
  • the adhesive tape 4 can be applied by hot pressing, roll lamination, vacuum lamination, etc.
  • the supply area and thickness of the adhesive tape 4 are appropriately set depending on the size of the semiconductor wafer and the base, the height of the connection part, etc. In FIG. 4, the thickness of the adhesive film 2 is greater than the height of the connection part 6 of the semiconductor wafer A, and the connection part 6 is covered by the adhesive film 2, but the thickness of the adhesive film 2 may be less than the height of the connection part 6.
  • step (b) the semiconductor wafer A of the laminate 7 is ground using, for example, a grinder G (see FIG. 5(a) and FIG. 5(b)).
  • the thickness of the semiconductor wafer A after grinding may be, for example, 10 ⁇ m to 300 ⁇ m. From the viewpoint of miniaturization and thinning of the semiconductor device, it is preferable that the thickness of the semiconductor wafer is 20 ⁇ m to 100 ⁇ m.
  • step (c) the substrate 3 is removed from the laminate 7, for example by peeling the substrate 3 off from the adhesive film 2 (see FIG. 6).
  • step (d) the adhesive film 2 is irradiated with light to cure the adhesive composition in the adhesive film 2 (see FIG. 7(a) and FIG. 7(b)).
  • step (d) the adhesive film 2 is irradiated with light to cure the adhesive composition in the adhesive film 2 (see FIG. 7(a) and FIG. 7(b)).
  • the light irradiation is performed, for example, by irradiating active light rays L from a light source arranged on the adhesive film 2 side.
  • the active light rays may be, for example, light having a wavelength in the range of 150 to 750 nm (for example, ultraviolet light).
  • the light source for example, a low-pressure mercury lamp, a medium-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultra-high-pressure mercury lamp, a xenon lamp, a metal halide lamp, an LED light source, etc.
  • the amount of light irradiation can be appropriately adjusted, and may be, for example, 100 mJ/cm 2 or more, 200 mJ/cm 2 or more, or 300 mJ/cm 2 or more in terms of the integrated light amount of light having a wavelength of 365 nm.
  • the amount of light irradiation may be, for example, 1000 mJ/cm 2 or less, 700 mJ/cm 2 or less, or 500 mJ/cm 2 or less in terms of the integrated light amount of light with a wavelength of 365 nm.
  • step (e) In step (e), for example, first, a dicing tape 8 is attached to the semiconductor wafer A side of the laminate 10, and the laminate 10 is placed in a predetermined device (see FIG. 8(a)). Next, the laminate 10 is diced with a dicing saw D to separate the laminate 10, thereby obtaining a semiconductor chip 10' with an adhesive film, which has an adhesive film 9' on the semiconductor chip A' (see FIG. 8(b)). A connection portion 6 is provided on the surface of the semiconductor chip A' facing the adhesive film 9'.
  • the adhesive film 9' is made of an adhesive composition after photocuring.
  • step (f) for example, the dicing tape 8 is expanded to separate the semiconductor chips 10' with the adhesive film obtained by the dicing described above, and the semiconductor chips 10' with the adhesive film pushed up by the needles N from the dicing tape 8 side are picked up by a pick-up tool P from the adhesive film 9' side (see FIG. 9). The picked-up semiconductor chips 10' with the adhesive film are transferred to a bonding tool and used for bonding in step (g).
  • step (g) In step (g), for example, first, a base 11 for mounting a semiconductor chip having a connection portion 12 (second connection portion) on one side is prepared, and the semiconductor chip 10' with the adhesive film and the base 11 are aligned. Next, the semiconductor chip 10' with the adhesive film is placed on the connection surface (the surface on which the connection portion 12 is provided) of the base 11 from the adhesive film 9' side using a bonding tool and heated.
  • connection portion 6 of the semiconductor chip 10' with the adhesive film and the connection portion 12 of the base 11 are electrically connected, and a sealing portion 13 made of a cured product of the adhesive film 9' is formed between the semiconductor chip A' and the base 11, and the connection portion 6 and the connection portion 12 are sealed, and a semiconductor device 15 that is a bonded body of the semiconductor chip 10' with the adhesive film and the base 11 is obtained (see FIG. 10).
  • the base 11 is, for example, a semiconductor chip, a semiconductor wafer, or a wiring circuit board.
  • connection portion 6 or the connection portion 12 When a solder bump is used for either the connection portion 6 or the connection portion 12 (for example, when the connection portion 6 or the connection portion 12 is wiring provided with a solder bump), the connection portion 6 and the connection portion 12 are electrically and mechanically connected by being soldered together.
  • the heating in step (g) may be performed while the semiconductor chip is being placed, or after the semiconductor chip is placed.
  • the heating and placement in step (g) may be thermocompression bonding.
  • Step (g) may include a step of temporarily fixing after alignment (temporary fixing step), and a step of melting bumps (e.g. solder bumps) provided on the connection portion by heat treatment to bond the semiconductor chip A' and the base body 11 and seal the connection portion (sealing step). Since it is not necessarily necessary to form a metal bond at the temporary fixing stage, the temporary fixing step can be performed with a low load, in a short time, and at a low temperature. Therefore, when the temporary fixing step and the sealing step are performed in step (g), productivity is improved and deterioration of the connection portion can be suppressed.
  • temporary fixing step e.g. solder bumps
  • the load applied for temporary fixation is set appropriately taking into consideration the number of connections (bumps), absorbing variations in the height of the connections (bumps), and controlling the amount of deformation of the connections (bumps). From the perspective of eliminating voids and making it easier to bring the connections into contact, the larger the load, the better. For example, a load of 0.009 N to 0.2 N per connection (e.g., bump) is preferable.
  • the heating in the sealing process may be performed using a device capable of heating to a temperature above the melting point of the metal at the connection.
  • the heating temperature is preferably a temperature at which the adhesive film begins to harden, and more preferably a temperature at which the adhesive film is completely hardened.
  • the heating temperature and heating time are set appropriately.
  • the heating time in the sealing process varies depending on the type of metal that constitutes the connection, but from the perspective of improving productivity, the shorter the time, the better.
  • the heating time is preferably 20 seconds or less, more preferably 10 seconds or less, and even more preferably 5 seconds or less.
  • the connection time is preferably 60 seconds or less.
  • heating and pressure may be applied using a device capable of heating and pressure application. That is, the heating in the sealing process may be heating by thermocompression.
  • the load (connection load) is set taking into consideration the size of the connection member, the number of connection parts, the variation in height, the amount of deformation of the connection parts due to pressure, etc.
  • the connection load may be, for example, 1 MPa or less, exceeding atmospheric pressure. From the viewpoint of suppressing voids and improving connectivity, the higher the load, the more preferable, and from the viewpoint of suppressing fillets, the lower the load, the more preferable. From these viewpoints, the load is preferably 0.05 to 0.5 MPa.
  • connection time varies depending on the type of metal constituting the connection part, but from the viewpoint of improving productivity, the shorter the time, the more preferable.
  • the pressure bonding time is preferably 20 seconds or less, and may be 10 seconds or less or 5 seconds or less.
  • pressure application by air pressure is preferable from the viewpoint of making it easy to fully affect the fillet. From the standpoint of enclosing the entire package and suppressing fillets, it is preferable to apply pressure during heating using air pressure (pressure using a pressurized reflow furnace, pressurized oven, etc.).
  • a heat treatment may be performed in an oven or the like to further improve the connection reliability.
  • step (a) may not be performed and a prefabricated laminate may be used.
  • step (b) may not be performed and a semiconductor wafer whose thickness has been adjusted in advance may be used.
  • the adhesive film 2 alone or an adhesive tape including the adhesive film 2 and a substrate other than the backgrind tape (e.g., a release film) may be used. If no substrate is used, step (c) is also unnecessary.
  • step (d) may be performed before step (c).
  • step (d) is performed before step (c)
  • the substrate 3 may be peeled off before or after attaching the laminate to the dicing tape 8.
  • a semiconductor chip can be used instead of the semiconductor wafer A.
  • the adhesive tape 4 instead of the adhesive tape 4, the adhesive film 2 alone, or an adhesive tape including the adhesive film 2 and a substrate other than the backgrind tape (e.g., a release film) can be used. Steps (b) and (e) are not necessary, and if no substrate is used, step (c) is also not necessary.
  • a wiring circuit board can be used instead of the semiconductor wafer A.
  • a semiconductor chip is placed on the connection surface (the surface on the connection side) of the wiring circuit board with adhesive film on which the adhesive film is provided, and heated to electrically connect the connection portion of the semiconductor chip and the connection portion of the wiring circuit board, in step (g').
  • the adhesive tape 4 instead of the adhesive tape 4, the adhesive film 2 alone, or an adhesive tape including the adhesive film 2 and a substrate other than the backgrind tape (e.g., a release film) can be used. Steps (b), (e) and (f) are unnecessary, and if no substrate is used, step (c) is also unnecessary.
  • ⁇ YX7110B80 Flexible epoxy, product name, manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation (imidazole-based hardener) 2MAOK-PW: 2,4-diamino-6-[2'-methylimidazolyl-(1')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct, product name (acrylic compound) manufactured by Shikoku Chemical Industry Co., Ltd.
  • A-DPH dipentaerythritol polyacrylate, product name, manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.
  • Omnirad 127 2-hydroxy-1- ⁇ 4-[4-(2-hydroxy-2-methyl-propionyl)-benzyl]-phenyl ⁇ -2-methyl-propane, product name manufactured by IGM RESINS B.V. ("Irgacure” is a registered trademark. The same applies below.)
  • Example 1 and Comparative Examples 1 and 2> Preparation of Coating Liquid for Forming Adhesive Film
  • the components other than the photopolymerization initiator were added to an organic solvent (cyclohexanone) so that the NV value ([mass of paint after drying]/[mass of paint before drying] ⁇ 100) was 60%, and a mixed liquid was obtained.
  • the amount of each component added was the amount shown in Table 1 (unit: parts by mass).
  • ⁇ 1.0 mm beads and ⁇ 2.0 mm beads were added to the above mixed liquid, and the mixture was stirred for 30 minutes with a beads mill (Fritsch Japan Co., Ltd., planetary fine grinder P-7).
  • the amount of beads added was the same mass as the non-volatile content of the mixed liquid (total amount of components other than the organic solvent). After stirring, the beads were removed by filtration. Next, when preparing a coating liquid for forming the adhesive film B, the amount of photopolymerization initiator shown in Table 1 (unit: parts by mass) was added to the obtained mixture, and the mixture was stirred and mixed. As a result, a coating liquid (I) for forming the adhesive film A and a coating liquid (II) for forming the adhesive film B were obtained.
  • Adhesive tapes of Example 1, Comparative Example 1 and Reference Example 1 were prepared using the coating liquid (I) and coating liquid (II) prepared above, respectively.
  • the coating liquid (I) prepared above was first applied to a release film (manufactured by Teijin DuPont Films Co., Ltd., product name "Purex A54”) using a small precision coating device (Kanei Seiki) so that the film thickness after drying would be 12 ⁇ m.
  • the coating film was dried (100°C/10 min) in a clean oven (manufactured by ESPEC) to form an adhesive film A on the release film.
  • a backgrind tape was attached to the adhesive film A to obtain an adhesive tape with a release film of Comparative Example 1, which comprises the backgrind tape, adhesive film A, and release film in that order.
  • an adhesive tape with a release film of Example 1 was obtained in the same manner as above, except that coating liquid (II) was used instead of coating liquid (I), and the adhesive tape had a backgrind tape, adhesive film B, and release film in that order.
  • coating liquid (II) was used instead of coating liquid (I)
  • the adhesive tape had a backgrind tape, adhesive film B, and release film in that order.
  • an adhesive film (adhesive film A or adhesive film B) was formed on a release film in the same manner as in the manufacturing method of the above two tapes, and a laminate comprising a release film and an adhesive film was obtained.
  • the adhesive films of the two obtained laminates were laminated together to form a two-layer adhesive film (total thickness 12 ⁇ m) comprising a layer of adhesive film A and a layer of adhesive film B.
  • the lamination temperature was 50°C.
  • the release film on the adhesive film A side was peeled off, and a backgrind tape was attached instead, to obtain an adhesive tape with a release film of Reference Example 1 comprising, in that order, a backgrind tape, a two-layer adhesive film, and a release film.
  • connection structure (semiconductor device) was produced in the following manner using the adhesive tapes with release films obtained in Example 1, Comparative Example 1, and Reference Example 1. Furthermore, the connection structure obtained was used to evaluate connection reliability (initial conductivity), fillet length, and sealing property in the following manner.
  • connection structure The adhesive tape with release film prepared in Example 1, Comparative Example 1, and Reference Example 1 was cut to a predetermined size (length 9 mm x width 11 mm x thickness 12 ⁇ m), the release film was removed, and the adhesive tape was attached to the surface (connection surface) of a semiconductor chip with solder bumps (chip size: length 8.0 mm x width 10.0 mm x thickness 0.05 mm, bump height: copper pillar + solder total about 12 ⁇ m, number of bumps 1914) on which the solder bumps were provided, to obtain a laminated sample.
  • a semiconductor chip with solder bumps chip size: length 8.0 mm x width 10.0 mm x thickness 0.05 mm, bump height: copper pillar + solder total about 12 ⁇ m, number of bumps 1914
  • the adhesive film was irradiated with light for the laminated samples obtained using the adhesive tape with release film of Example 1 and Reference Example 1.
  • one of the two laminated samples was irradiated with light through the backgrind tape, and the other was irradiated with light on the exposed surface after removing the backgrind tape.
  • the light irradiation was performed using a metal halide lamp as a light source, with a dominant wavelength of 365 nm, an illuminance of 70 mW, and an irradiation amount of 250 mJ/ cm2 .
  • the laminated sample (laminated sample after light irradiation for Example 1 and Reference Example 1) was mounted on a wafer substrate (wafer substrate: 100 ⁇ m thick, copper wiring: 6 ⁇ m thick) from the adhesive film side. Mounting was performed under conditions of a maximum temperature of 260°C for the compression head temperature, a compression time of 20 seconds, and a compression pressure of 110 N. As a result, a connection structure (semiconductor device) was obtained in which the wafer substrate and the semiconductor chip with solder bumps were daisy-chain connected.
  • FCB3 flip mounting device
  • connection reliability (initial conductivity) was evaluated by measuring the connection resistance value of the 40 ⁇ m pitch area of the connection structure obtained above using a multimeter (manufactured by ADVANTEST, product name "R6871E”). When the connection resistance value was 60.0 ⁇ or more and 85.0 ⁇ or less, it was rated as "A”, when the connection resistance value was greater than 85.0 ⁇ and less than 100 ⁇ , it was rated as "B”, and when the connection resistance value was greater than 100 ⁇ , when the connection resistance value was less than 60.0 ⁇ , and when the resistance value was not displayed due to poor connection, it was all rated as "C”. When the evaluation was B, it was judged that the connection reliability was sufficient, and when the evaluation was A, it was judged that the connection reliability was good. The results are shown in Table 2.
  • the connection structure obtained above was observed from the semiconductor chip side using a digital microscope VHX-6000 (manufactured by Keyence), and the length of the adhesive (fillet) protruding from the four peripheral sides of the semiconductor chip was measured.
  • the length of the fillet on each side was the maximum value of the shortest distance from the end of the protruding adhesive to the semiconductor chip.
  • the amount of fillet was evaluated based on the average value of the lengths of the fillets measured on each of the four sides. If the average value was less than 400 ⁇ m, it was determined that the occurrence of fillets was sufficiently suppressed.
  • Table 2 The results are shown in Table 2. The values in the table indicate the average values of the lengths of the fillets.

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Abstract

半導体チップを基体に接合するとともに、半導体チップと基体との隙間を封止するために用いられる接着剤フィルムであって、光硬化性及び熱硬化性を有する接着剤組成物からなる単層フィルムである、接着剤フィルム。

Description

接着剤フィルム、接着剤テープ、剥離フィルム付き接着剤テープ、半導体装置の製造方法及び半導体装置
　本発明は、接着剤フィルム、接着剤テープ、剥離フィルム付き接着剤テープ、半導体装置の製造方法及び半導体装置に関する。
　従来、半導体チップと基板とを接続するには、金ワイヤ等の金属細線を用いるワイヤーボンディング方式が広く適用されている。一方、半導体装置に対する高機能化、高集積化、高速化等の要求に対応するため、半導体チップ又は基板にバンプと呼ばれる導電性突起を形成して、半導体チップと基板とを直接接続するフリップチップ接続方式（ＦＣ接続方式）が広まりつつある。
　例えば、半導体チップ及び基板間の接続に関して、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ　Ｇｒｉｄ　Ａｒｒａｙ）、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ　Ｓｉｚｅ　Ｐａｃｋａｇｅ）等に盛んに用いられているＣＯＢ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｂｏａｒｄ）型の接続方式もＦＣ接続方式に該当する。また、ＦＣ接続方式は、半導体チップ上に接続部（例えば、バンプ及び配線）を形成して、半導体チップ間を接続するＣＯＣ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｃｈｉｐ）型の接続方式にも広く用いられている。
　また、さらなる小型化、薄型化、高機能化が強く要求されるパッケージでは、上述した接続方式を用いてチップを積層し多段化した、チップスタック型パッケージ、ＰＯＰ（Ｐａｃｋａｇｅ　Ｏｎ　Ｐａｃｋａｇｅ）、ＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ－Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｖｉａ）等も広く普及し始めている。このような積層・多段化技術は、半導体チップ等を三次元的に配置することから、二次元的に配置する手法と比較してパッケージを小さくできる。また、半導体の性能向上、ノイズ低減、実装面積の削減、省電力化にも有効であることから、次世代の半導体配線技術として注目されている。
　また、生産性向上の観点から、半導体ウエハ上に半導体チップを圧着（接続）した後に個片化して半導体パッケージを作製するＣＯＷ（Ｃｈｉｐ　Ｏｎ　Ｗａｆｅｒ）も注目されている。さらに、同様の観点から、半導体ウエハ上又はマップ基板上に複数の半導体チップを位置合わせして仮圧着した後、これら複数の半導体チップを一括で本圧着して接続を確保するギャングボンディング方式も注目されている。
　上記のような半導体チップ等の接続部材同士の接続には、接続時の温度で適度な流動性を示す熱硬化性の接着剤フィルムが使用されており、接続時（圧着時）に加熱を行うことで接着剤フィルムが硬化され、接続部材同士が接続される（例えば、特許文献１参照。）。
特開２００８－２９４３８２号公報
　近年、パッケージの高機能化及び高集積化に伴い、層間のギャップ及び配線間のピッチが狭くなってきていることから、接続時に流動した接着剤が接続部材（例えば半導体チップ）の端からはみ出すことで、フィレット（はみ出し部）が形成されやすくなってきている。フィレットは接続部材の破損の原因となり得るため、接続部材間の導通性（接続信頼性）を確保しつつ、フィレットの発生量を低減する手法の開発が求められている。
　そこで、本発明は、フィレットの発生量を抑えることができる、半導体用の接着剤フィルムを提供することを主な目的とする。
　本発明は、以下の［１］～［１４］を提供する。
［１］
　半導体チップを基体に接合するとともに、前記半導体チップと前記基体との隙間を封止するために用いられる接着剤フィルムであって、
　光硬化性及び熱硬化性を有する接着剤組成物からなる単層フィルムである、接着剤フィルム。
［２］
　前記接着剤組成物が、光重合性化合物と、光重合開始剤と、熱硬化性樹脂と、熱硬化剤と、を含有する、［１］に記載の接着剤フィルム。
［３］
　前記光重合性化合物がラジカル重合性化合物であり、前記光重合開始剤が光ラジカル重合開始剤である、［２］に記載の接着剤フィルム。
［４］
　前記ラジカル重合性化合物が（メタ）アクリル化合物を含む、［３］に記載の接着剤フィルム。
［５］
　前記熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂を含む、［２］～［４］のいずれかに記載の接着剤フィルム。
［６］
　前記熱硬化剤が、イミダゾール系硬化剤を含む、［５］に記載の接着剤フィルム。
［７］
　前記イミダゾール系硬化剤がトリアジン環を有する、［６］に記載の接着剤フィルム。
［８］
　前記接着剤組成物における、前記光重合性化合物の含有量に対する前記熱硬化性樹脂の含有量の質量比が、３～１１である、［２］～［７］のいずれかに記載の接着剤フィルム。
［９］
　［１］～［８］のいずれかに記載の接着剤フィルムと、
　前記接着剤フィルム上に設けられたバックグラインドテープと、を備える、接着剤テープ。
［１０］
　［９］に記載の接着剤テープと、
　前記接着剤テープ上であって、前記接着剤フィルムからみて、前記バックグラインドテープとは反対側に設けられた剥離フィルムと、を備える、剥離フィルム付き接着剤テープ。
［１１］
　［１］～［８］のいずれかに記載の接着剤フィルムに光を照射する光照射工程と、
　半導体チップと該半導体チップが搭載される基体とを、光照射後の前記接着剤フィルムを介して互いの接続部が対向するように配置された状態で、加熱し接合する工程と、を備え、
　前記光照射工程は、前記接着剤フィルムが、前記半導体チップ若しくはその前駆体の接続面、又は、前記基体若しくはその前駆体の接続面に貼り付けられた状態で行われる、半導体装置の製造方法。
［１２］
　前記接着剤フィルムと、前記接着剤フィルム上に設けられたバックグラインドテープと、を備える、接着剤テープを用意し、該接着剤テープを、前記接着剤フィルム側から、前記半導体チップの前駆体、又は、前記基体の前駆体の接続面に貼り付けるラミネート工程と、
　前記接着剤テープが貼り付けられた前記前駆体を前記接着剤テープとは反対側から研削するバックグラインド工程と、を更に備える、［１１］に記載の半導体装置の製造方法。
［１３］
　前記光照射工程は、前記バックグラインド工程後に前記バックグラインドテープを除去してから行われる、［１２］に記載の半導体装置の製造方法。
［１４］
　第１接続部を有する半導体チップと、前記第１接続部と電気的に接続された第２接続部を有する基体と、前記半導体チップと前記基体とを接着するとともに、前記半導体チップと前記基体との隙間を充填する封止部と、を備え、
　前記封止部が、［１］～［８］のいずれかに記載の接着剤フィルムの硬化物である、半導体装置。
　本発明によれば、フィレットの発生量を抑えることができる、半導体用の接着剤フィルムを提供することができる。
図１は、本発明の剥離フィルム付き接着剤テープの一実施形態を示す模式断面図である。 図２の（ａ）は、本発明の半導体装置の一実施形態を示す模式断面図であり、図２の（ｂ）は、本発明の半導体装置の他の一実施形態を示す模式断面図である。 図３は、本発明の半導体装置の他の一実施形態を示す模式断面図である。 図４は、本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を模式的に示す工程断面図である。 図５は、本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を模式的に示す工程断面図である。 図６は、本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を模式的に示す工程断面図である。 図７は、本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を模式的に示す工程断面図である。 図８は、本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を模式的に示す工程断面図である。 図９は、本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を模式的に示す工程断面図である。 図１０は、本発明の半導体装置の製造方法の一実施形態を模式的に示す工程断面図である。
　本明細書において、「（メタ）アクリル」とは、アクリル、及び、それに対応するメタクリルの少なくとも一方を意味する。「（メタ）アクリロイル」、「（メタ）アクリレート」等の他の類似の表現においても同様である。また、「～」を用いて示された数値範囲は、「～」の前後に記載される数値をそれぞれ最小値及び最大値として含む範囲を示す。また、本明細書中に記載されている数値範囲において、その数値範囲の上限値又は下限値は、実施例に示されている値に置き換えてもよい。また、個別に記載した上限値及び下限値は任意に組み合わせ可能である。また、以下で例示する材料は、特に断らない限り、１種を単独で用いてもよく、２種以上を組み合わせて用いてもよい。組成物中の各成分の含有量は、組成物中に各成分に該当する物質が複数存在する場合、特に断らない限り、組成物中に存在する該複数の物質の合計量を意味する。
　以下、場合により図面を参照しつつ本発明の実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は図示の比率に限られるものではない。
＜接着剤フィルム＞
　一実施形態の接着剤フィルムは、半導体チップを基体に接合するとともに、半導体チップと基体との隙間を封止するために用いられる接着剤フィルムであって、光硬化性及び熱硬化性を有する接着剤組成物からなる単層フィルムである。
　上記接着剤フィルムは、光硬化性を有することから、光の照射によって、容易に部分的に低流動化する。具体的には、例えば、上記接着剤フィルムを２つの接続部材のうちの一方（半導体チップ、基体、又はこれらの前駆体）に貼り付けた後に光照射を行うことで、接着剤フィルムを構成する接着剤の流動性を低くすることができる。また、光照射による硬化方法では、加熱等による硬化方法と比較して、接着剤フィルムに含有させる成分の種類及び光照射の条件を調整することで、容易に所望の流動性に調整可能である。そのため、接着剤フィルムによれば、接続部材同士の接続に必要な流動性を維持しながら、接着剤の過剰な流動を抑えることができ、結果としてフィレットの発生量を抑えることができる。また、上記接着剤フィルムは、光硬化性に加えて熱硬化性も有していることから、光硬化後に加熱によって更に硬化（熱硬化）することができ、接続部材同士を充分な強度で接合することができる。
　さらに、本発明者らの検討の結果、光硬化性を有しない層と光硬化性を有する層とを備える多層構成の接着剤フィルムでは、上記実施形態の接着剤フィルムと同様にフィレットの発生は抑制できるものの、上記実施形態の接着剤フィルムよりもボイドが発生しやすいことが明らかとなった。換言すれば、上記実施形態の接着剤フィルムによれば、光硬化性を有しない層と光硬化性を有する層とを備える多層構成の接着剤フィルムと比較して、ボイドの発生が低減する傾向にある。
（接着剤組成物）
　接着剤フィルムを構成する接着剤組成物は、例えば、光重合性化合物と、光重合開始剤と、熱硬化性樹脂と、熱硬化剤と、を含有する。ここで、「光重合性化合物」とは、光（例えば紫外光）の照射によって光重合開始剤が発生する活性種（ラジカル、カチオン又はアニオン）により重合する化合物を意味し、「熱硬化性樹脂」とは、熱により熱硬化剤との反応によって硬化する化合物を意味する。
［光重合性化合物］
　光重合性化合物は、ラジカル重合性化合物であってよく、カチオン重合性化合物であってもよく、アニオン重合性化合物であってもよい。光重合性化合物の重合性は、熱硬化性樹脂及び熱硬化剤の反応を阻害しないように、熱硬化性樹脂及び熱硬化剤の硬化性との関係で選択されてよい。例えば、熱硬化性樹脂がカチオン硬化性又はアニオン硬化性を有する場合、光重合性化合物としては、ラジカル重合性化合物を用いることが好ましい。
　光重合性化合物は、反応速度の観点から、好ましくはラジカル重合性化合物である。この場合、光重合開始剤としては光ラジカル重合開始剤が用いられる。
　ラジカル重合性化合物としては、例えば、（メタ）アクリル化合物、ビニル化合物等が挙げられる。ラジカル重合性化合物としては、耐久性、電気絶縁性及び耐熱性に優れる観点から、（メタ）アクリル化合物が好ましい。（メタ）アクリル化合物は、分子内に１個以上の（メタ）アクリロイル基を有する化合物であればよい。（メタ）アクリル化合物としては、例えば、ビスフェノールＡ型、ビスフェノールＦ型、ナフタレン型、フェノールノボラック型、クレゾールノボラック型、フェノールアラルキル型、ビフェニル型、トリフェニルメタン型、ジシクロペンタジエン型、フルオレン型、アダマンタン型又はイソシアヌル酸型の骨格を含有する（メタ）アクリル化合物；各種多官能（メタ）アクリル化合物（前記骨格を含有する（メタ）アクリル化合物を除く）等を使用することができる。多官能（メタ）アクリル化合物としては、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールポリ（メタ）アクリレート（ジペンタエリスリトールペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等）、トリメチロールプロパンジ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。これらの中でも、多官能（メタ）アクリル化合物が好ましく、ジペンタエリスリトールポリ（メタ）アクリレートがより好ましい。多官能（メタ）アクリル化合物の官能基数（（メタ）アクリロイル基の数）は、好ましくは２～８であり、より好ましくは３～７であり、更に好ましくは４～６である。
　光重合性化合物の分子量は、例えば、４００～２０００である。光重合性化合物の分子量は、２０００より小さいことが好ましく、１０００以下であることがより好ましい。光重合性化合物の分子量が小さいほど反応が進行しやすく、硬化反応率が高くなる。
　光重合性化合物は、１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
　光重合性化合物の含有量は、フィレットの発生量をより低減する観点では、接着剤組成物の全量を基準として、１質量％以上が好ましく、３質量％以上がより好ましく、５質量％以上が更に好ましい。光重合性化合物の含有量は、封止性を向上させる観点及びボイドの発生を抑制する観点では、接着剤組成物の全量を基準として、１０質量％以下が好ましく、７質量％以下がより好ましく、５質量％以下が更に好ましい。これらの観点から、光重合性化合物の含有量は、接着剤組成物の全量を基準として、１～１０質量％が好ましく、３～７質量％がより好ましく、３～５質量％が更に好ましい。
［光重合開始剤］
　光重合開始剤は、光重合性化合物の種類に応じて選択可能であり、光ラジカル重合開始剤、光カチオン重合開始剤又は光アニオン重合開始剤であってよい。光重合開始剤としては、光重合性化合物と同様の理由から光ラジカル重合開始剤が好ましく用いられる。
　光ラジカル重合開始剤は、例えば、１５０～７５０ｎｍの範囲内の波長を含む光、好ましくは２５４～４０５ｎｍの範囲内の波長を含む光、更に好ましくは３６５ｎｍの波長を含む光（例えば紫外光）の照射により分解して遊離ラジカルを発生する化合物である。光ラジカル重合開始剤としては、一種の化合物を単独で用いてよく、複数種の化合物を組み合わせて用いてもよい。
　光ラジカル重合開始剤としては、アルキルフェノン系光重合開始剤、αアミノアルキルケトン系光重合開始剤、ホスフィンオキサイド系光重合開始剤が挙げられる。これらの中でも、反応性の観点から、アルキルフェノン系光重合開始剤が好ましく、α-ヒドロキシアセトフェノン光重合開始剤がより好ましい。
アルキルフェノン系光重合開始剤としては、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニルプロパン－１－オン、１－［４－（２－ヒドロキシエトキシ）－フェニル］－２－ヒドロキシ－２－メチル－１－プロパン－１－オン、２－ヒドロキシ－１－｛４－［４－（２－ヒドロキシ－２－メチルプロピオニル）ベンジル］フェニル｝－２－メチルプロパン－１－オン等が挙げられる。
　光ラジカル重合開始剤の分子量は、膜形成時、貼り付け時等の熱による揮発を抑制する観点から、４００以上（例えば３００～６００）であることが好ましい。
　接着剤組成物中の光重合開始剤の含有量は、硬化を充分に進行させやすい観点から、光重合性化合物１００質量部に対して、０．１質量部以上が好ましく、０．５質量部以上がより好ましく、１．０質量部以上が更に好ましい。光重合開始剤の含有量は、硬化反応の急激な進行により分子鎖が短くなること、及び、未反応基が残存することが抑制される観点から、光重合性化合物１００質量部に対して、５．０質量部以下が好ましく、３．０質量部以下がより好ましく、１．５質量部以下が更に好ましい。これらの観点から、光重合開始剤の含有量は、光重合性化合物１００質量部に対して、０．１～５．０質量部が好ましく、０．５～３．０質量部がより好ましく、０．５～１．５質量部が更に好ましい。接着剤組成物中の光ラジカル重合開始剤の含有量は、上記と同様の観点から、ラジカル重合性化合物１００質量部に対して、０．１～５．０質量部が好ましく、０．５～３．０質量部がより好ましく、０．５～１．５質量部が更に好ましい。
［熱硬化性樹脂］
　熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂（硬化剤として含有される場合を除く）、アクリル樹脂等が挙げられる。これらの中でも、エポキシ樹脂が好ましく用いられる。熱硬化性樹脂中、エポキシ樹脂の含有量は、熱硬化性樹脂の全量を基準として、８０質量％以上が好ましく、９０質量％以上がより好ましい。エポキシ樹脂の含有量は、熱硬化性樹脂の全量を基準として１００質量％であってもよい。
　エポキシ樹脂は、分子内に２個以上のエポキシ基を有する化合物である。エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、フェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂及び各種多官能エポキシ樹脂を使用することができる。これらは単独で又は２種以上の混合物として使用することができる。これらの中でも、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂（トリフェノールメタン骨格含有エポキシ樹脂）を用いる場合、フィレットの発生量がより低減される傾向がある。
　エポキシ樹脂は、高温での接続時に分解して揮発成分が発生することを抑制する観点から、接続時の温度における熱重量減少量率が５％以下のエポキシ樹脂を用いることが好ましい。例えば、接続時の温度が２５０℃の場合は、２５０℃における熱重量減少量率が５％以下のエポキシ樹脂を用いることが好ましく、接続時の温度が３００℃の場合は、３００℃における熱重量減少量率が５％以下のエポキシ樹脂を用いることが好ましい。
　エポキシ樹脂としては、フィルム表面の割れ及びひびの発生を抑制しやすい観点から、２５℃で液状のエポキシ樹脂（以下、単に「液状エポキシ樹脂」という。）を用いてもよい。ここで、「２５℃で液状」とは、Ｅ型粘度計で測定した２５℃における粘度が４００Ｐａ・ｓ以下であることをいう。液状エポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、ビスフェノールＡＤ型のグリシジルエーテル、ビスフェノールＳ型のグリシジルエーテル、ビスフェノールＦ型のグリシジルエーテル、水添加ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、エチレンオキシド付加体ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、プロピレンオキシド付加体ビスフェノールＡ型のグリシジルエーテル、ナフタレン樹脂のグリシジルエーテル、３官能型又は４官能型のグリシジルアミン等が挙げられる。
　熱硬化性樹脂中の液状エポキシ樹脂の含有量は、フィルム表面の割れ及びひびの発生を抑制しやすい観点から、熱硬化性樹脂の全量を基準として、５質量％以上が好ましく、１０質量％以上がより好ましく、２０質量％以上が更に好ましい。熱硬化性樹脂中の液状エポキシ樹脂の含有量は、フィルムのタック性が過剰に高まることを抑制しやすい観点、及び、エッジフュージョンを抑制しやすい観点から、熱硬化性樹脂の全量を基準として、３０質量％以下が好ましく、２０質量％以下がより好ましく、１０質量％以下が更に好ましい。これらの観点から、熱硬化性樹脂中の液状エポキシ樹脂の含有量は、熱硬化性樹脂の全量を基準として、５～３０質量％が好ましい。
　熱硬化性樹脂の反応性官能基当量（例えば、エポキシ樹脂のエポキシ当量）は、１００～３０００ｇ／ｅｑであってよく、１００～２０００ｇ／ｅｑ又は１００～１５００ｇ／ｅｑであってもよい。反応性官能基当量が上記範囲にあると、加熱時の反応性と流動性のバランスが良好となりやすい。
　接着剤組成物中の熱硬化性樹脂の含有量は、フィレットの発生を抑制しやすくする観点では、接着剤組成物の全量基準で、２５質量％以上が好ましく、３０質量％以上がより好ましく、３５質量％以上が更に好ましい。接着剤組成物中の熱硬化性樹脂の含有量は、良好な封止性が得られやすくなる観点、及び、ボイドの発生が抑制されやすくなる観点では、接着剤組成物の全量を基準として、５０質量％以下が好ましく、４５質量％以下がより好ましく、４０質量％以下が更に好ましい。これらの観点から、接着剤組成物中の熱硬化性樹脂の含有量は、接着剤組成物の全量基準で、２５～５０質量％が好ましい。
　上記熱硬化性樹脂の含有量は、光重合性化合物の含有量との関係で設定されてもよい。接着剤組成物における、光重合性化合物の含有量に対する熱硬化性樹脂の含有量の質量比が３～１１であると、高い接続信頼性が得られやすくなり、フィレットの発生量もより低減される傾向がある。上記比は、フィレットの発生量が更に低減される観点から、５以上、７以上又は９以上であってもよく、上記効果に加えて、良好な封止性が得られやすくなる観点、及び、ボイドの発生が抑制されやすくなる観点から、１０以下であってもよい。
［熱硬化剤］
　熱硬化剤としては、熱硬化性樹脂の硬化剤として知られる公知の硬化剤を用いることができる。熱硬化剤には、一般に硬化促進剤として知られる材料も包含される。熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合、熱硬化剤としては、例えば、フェノール樹脂系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、ホスフィン系硬化剤等を用いることができる。これらの中でも、フェノール樹脂系硬化剤、酸無水物系硬化剤、アミン系硬化剤及びイミダゾール系硬化剤は、接続部に酸化膜が生じることを抑制するフラックス活性を示すため、これらの熱硬化剤を用いることで、接続信頼性を向上させることができる。加熱を低温で実施した場合に速やかに硬化を進行させることができる観点では、イミダゾール系硬化剤を用いることが好ましい。
　イミダゾール系硬化剤としては、例えば、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－メチルイミダゾール、１－ベンジル－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾール、１－シアノ－２－フェニルイミダゾール、１－シアノエチル－２－ウンデシルイミダゾールトリメリテイト、１－シアノエチル－２－フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－ウンデシルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－エチル－４’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジン、２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加体、２－フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加体、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール、及び、エポキシ樹脂とイミダゾール類の付加体が挙げられる。また、これらをマイクロカプセル化した潜在性硬化剤を用いることもできる。これらは単独で又は２種以上を併用して用いることができる。これらの中でも、より良好な封止性が得られやすくなる観点及びボイドの発生を抑制しやすくなる観点では、トリアジン環を有する化合物が好ましく用いられる。
　接着剤組成物中の熱硬化剤の含有量は、加熱時の硬化性が向上する観点から、熱硬化性樹脂１００質量部に対して、１質量部以上が好ましく、２質量部以上がより好ましく、３質量部以上が更に好ましい。接着剤組成物中の熱硬化剤の含有量は、接続部間への接着剤組成物の介入をより起こり難くすることができる観点では、熱硬化性樹脂１００質量部に対して、１０質量部以下が好ましく、７質量部以下がより好ましく、５質量部以下が更に好ましい。これらの観点から、接着剤組成物中の熱硬化剤の含有量は、熱硬化性樹脂１００質量部に対して、１～１０質量部が好ましい。
［その他の成分］
　接着剤組成物は、上記以外の成分として、例えば、熱可塑性樹脂、フィラー（充填剤）等が挙げられる。
　熱可塑性樹脂は、耐熱性の向上及びフィルム形成性の向上に寄与する。熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカルボジイミド樹脂、シアネートエステル樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ウレタン樹脂及びアクリルゴムが挙げられる。これらの中でも、優れた耐熱性及びフィルム形成性が得られやすくなる観点から、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリルゴム、シアネートエステル樹脂及びポリカルボジイミド樹脂が好ましく、フェノキシ樹脂、ポリイミド樹脂及びアクリルゴムがより好ましい。これらの熱可塑性樹脂は単独で又は２種以上の混合物若しくは共重合体として使用することもできる。
　熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、例えば１００００以上であり、２００００以上又は３００００以上であってもよい。このような熱可塑性樹脂によれば、接着剤組成物の耐熱性及びフィルム形成性を一層向上させることができる。熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、耐熱性の向上効果が得られやすくなる観点から、１００００００以下であってよく、５０００００以下であってもよい。これらの観点から、熱可塑性樹脂の重量平均分子量は、例えば１００００～１００００００であってよい。なお、本明細書において、重量平均分子量とは、高速液体クロマトグラフィー（株式会社島津製作所製、商品名：Ｃ－Ｒ４Ａ）を用いて、ポリスチレン換算で測定したときの重量平均分子量を意味する。測定には、例えば、下記の条件を用いることができる。
　検出器：ＬＶ４０００　ＵＶ　Ｄｅｔｅｃｔｏｒ（株式会社日立製作所製、商品名）
　ポンプ：Ｌ６０００　Ｐｕｍｐ（株式会社日立製作所製、商品名）
　カラム：Ｇｅｌｐａｃｋ　ＧＬ－Ｓ３００ＭＤＴ－５（計２本）（日立化成株式会社製、商品名）
　溶離液：ＴＨＦ／ＤＭＦ＝１／１（容積比）＋ＬｉＢｒ（０．０３ｍｏｌ／Ｌ）＋Ｈ３ＰＯ４（０．０６ｍｏｌ／Ｌ）
　流量：１ｍＬ／分
　熱可塑性樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は、接着剤フィルムの接続部材（例えば半導体チップ）への貼付性に優れる観点から、１２０℃以下が好ましく、１００℃以下がより好ましく、８５℃以下が更に好ましい。上記Ｔｇとは、ＤＳＣ（パーキンエルマー社製、商品名：ＤＳＣ－７型）を用いて、サンプル量１０ｍｇ、昇温速度１０℃／分、測定雰囲気：空気の条件で測定したときのＴｇである。
　接着剤組成物中の熱可塑性樹脂の含有量は、接着剤組成物の耐熱性及びフィルム形成性が向上しやすくなる観点から、接着剤組成物の全量基準で、５質量％以上が好ましく、７質量％以上がより好ましく、１０質量％以上が更に好ましい。接着剤組成物中の熱可塑性樹脂の含有量は、フィレットの発生を抑制しやすくする観点では、接着剤組成物の全量を基準として、３０質量％以下が好ましく、２５質量％以下がより好ましく、２０質量％以下が更に好ましい。これらの観点から、接着剤組成物中の熱可塑性樹脂の含有量は、接着剤組成物の全量基準で、５～３０質量％が好ましい。
　フィラーは、接着剤組成物の粘度、接着剤組成物の硬化物の物性等の制御に有効である。具体的には、フィラーを用いることで、接続時のボイド発生の抑制、接着剤組成物の硬化物の吸湿率の低減等を図ることができる。フィラーは、無機フィラー（無機粒子）であっても、有機フィラー（有機粒子）であってもよい。無機フィラーとしては、ガラス、シリカ、アルミナ、酸化チタン、マイカ、窒化ホウ素等の絶縁性無機フィラーが挙げられる。これらの中でも、シリカ、アルミナ、酸化チタン及び窒化ホウ素からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることが好ましく、シリカ、アルミナ及び窒化ホウ素からなる群より選ばれる少なくとも１種を用いることがより好ましい。有機フィラーとしては、例えば、樹脂フィラー（樹脂粒子）が挙げられる。樹脂フィラーとしては、ポリウレタン、ポリイミド等が挙げられる。樹脂フィラーによれば、２６０℃等の高温での柔軟性を付与することができる。なお、熱可塑性樹脂で構成される有機フィラーは、上記熱可塑性樹脂には該当しないものとする。
　絶縁信頼性に更に優れる観点から、フィラーは絶縁性であることが好ましい。接着剤組成物は、銀、はんだ、カーボンブラック等の導電性材料を含むフィラー（導電性フィラー）を含有していないことが好ましい。
　フィラーの物性は、表面処理によって適宜調整されてもよい。フィラーは、分散性又は接着力が向上する観点から、表面処理を施したフィラーであってよい。表面処理剤としては、グリシジル系（エポキシ系）、アミン系、フェニル系、フェニルアミノ系、（メタ）アクリル系、ビニル系の化合物等が挙げられる。
　フィラーの平均粒径は、例えば、０．５～１．５μｍである。フィラーの平均粒径は、フリップチップ接続時のかみ込み防止の観点から、１．５μｍ以下が好ましく、視認性（透明性）に優れる観点から、１．０μｍ以下がより好ましい。なお、フィラーの平均粒径は、粒子の全体積を１００％として粒子径による累積度数分布曲線を求めたとき、体積５０％に相当する点の粒子径であり、レーザ回折散乱法を用いた粒度分布測定装置等で測定することができる。
　接着剤組成物中のフィラーの含有量は、放熱性が低くなることが抑制される観点、及び、ボイドの発生、吸湿率が大きくなること等を抑制しやすい観点から、接着剤組成物の全量を基準として、２５質量％以上が好ましく、３０質量％以上がより好ましく、３５質量％以上が更に好ましい。接着剤組成物中のフィラーの含有量は、接続部へのフィラーの噛み込み（トラッピング）が生じることを抑制する観点から、接着剤組成物の全量を基準として、６０質量％以下が好ましく、５５質量％以下がより好ましく、５０質量％以下が更に好ましい。これらの観点から、接着剤組成物中のフィラーの含有量は、接着剤組成物の全量を基準として、２５～６０質量％が好ましい。
　フィラーが無機フィラーと有機フィラーとを含む場合、無機フィラーの含有量は、接着剤組成物中のフィラーの全量を基準として、６０質量％以上、７０質量％以上又は８０質量％以上であってよく、９８質量％以下、９５質量％以下又は９０質量％以下であってよく、６０～９８質量％、７０～９５質量％又は８０～９０質量％であってよい。
　接着剤組成物には、酸化防止剤、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、レベリング剤、イオントラップ剤等の添加剤が更に含有されていてもよい。これらは１種を単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの含有量については、各添加剤の効果が発現するように適宜調整すればよい。接着剤組成物には、フラックス剤が含まれていてもよいが、フラックス剤の含有量は、接着剤組成物の全量を基準として、０．５質量％未満が好ましく、０．０１質量％未満がより好ましく、０質量％が更に好ましい。特に接着剤組成物がラジカル重合性（ラジカル硬化性）を有する場合、接着剤組成物の硬化がフラックス剤によって阻害されやすいため、接着剤組成物がフラックス剤を含まないことが好ましい。なお、フラックス剤は、フラックス活性を有する化合物であり、例えば、カルボキシ基を有する化合物（モノ又はポリカルボン酸）である。上述したように、イミダゾール系硬化剤もフラックス活性を有し得るが、イミダゾール系硬化剤に該当する化合物は上記フラックス剤には該当しないものとする。フラックス剤の具体例としては、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ウンデカン二酸、ドデカン二酸等のジカルボン酸、並びに、これらのジカルボン酸の２位に電子供与性基が置換した化合物（例えば２－メチルグルタル酸）などが挙げられる。
　以上説明した接着剤フィルムは、例えば、以下の方法で作製できる。まず、接着剤フィルムを構成する各成分（光重合性化合物、光重合開始剤、熱硬化性樹脂、熱硬化剤、フィラー、熱可塑性樹脂、添加剤等）を、有機溶剤中に加え、攪拌混合、混練等により、溶解又は分散させて、接着剤組成物を含む塗液を調製する。その後、少なくとも一方面に離型処理が施された基材（フィルム又はテープ）の上に、上記塗液をナイフコーター、ロールコーター、アプリケーター等を用いて塗布して塗膜を形成する。次いで、加熱により塗膜中から有機溶剤を減少させる。これにより、基材上に接着剤フィルムを形成することができる。
　塗液の調製に用いる有機溶剤としては、各成分を均一に溶解又は分散し得る特性を有するものが好ましく、例えば、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ－メチル－２－ピロリドン、ジメチルスルホキシド、ジエチレングリコールジメチルエーテル、トルエン、ベンゼン、キシレン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、エチルセロソルブ、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブ、ジオキサン、シクロヘキサノン、及び酢酸エチルが挙げられる。これらの有機溶剤は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。塗液を調製する際の攪拌混合及び混練は、例えば、攪拌機、らいかい機、３本ロール、ボールミル、ビーズミル又はホモディスパーを用いて行うことができる。
　基材としては、有機溶剤を揮発させる際の加熱条件に耐え得る耐熱性を有するものであれば特に制限はなく、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム等のポリオレフィンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム等のポリエステルフィルム、ポリイミドフィルム及びポリエーテルイミドフィルムを例示できる。基材は、これらのフィルムからなる単層のものに限られず、２種以上の材料からなる多層フィルムであってもよい。基材は、表面に離型処理が施されたフィルムであってもよい。
　基材上の塗膜から有機溶剤を揮発させる際の乾燥条件は、有機溶剤が充分に揮発する条件とすることが好ましく、具体的には、５０～２００℃、０．１～９０分間の加熱を行うことが好ましい。実装後のボイド又は粘度調整に影響がなければ、有機溶剤は、接着剤組成物全量に対して１．５質量％以下まで除去されることが好ましい。
＜接着剤テープ及び剥離フィルム付き接着剤テープ＞
　図１は、一実施形態の剥離フィルム付き接着剤テープを示す模式断面図である。図１に示される剥離フィルム付き接着剤テープ５は、剥離フィルム１と、接着剤フィルム２と、基材３と、を備える。基材３は接着剤フィルム２上に設けられており、接着剤フィルム２とともに接着剤テープ４を構成している。すなわち、図１には、一実施形態の剥離フィルム付き接着剤テープ５とともに、一実施形態の接着剤テープ４が開示される。剥離フィルム１は、接着剤フィルム２からみて、基材３とは反対側に設けられている。
　剥離フィルム１は、接着剤フィルム２から剥離可能に構成されたフィルムであればよく、例えば、表面に離型処理が施されたフィルムであってよい。剥離フィルム１は、接着剤フィルム２の製造に用いられる基材であってもよい。剥離フィルム１は、例えば、ポリプロピレン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリイミド、ポリエーテルイミド等を含むフィルムであってよい。剥離フィルム１の厚さは特に限定されないが、例えば、５～２００μｍであってよい。
　接着剤フィルム２は、上記実施形態の接着剤フィルムである。接着剤フィルム２の厚さは、接着剤フィルム２が光照射前に貼り付けられる接続部材における接続部の高さとの関係で適宜設定されてよい。上記接続部の高さをＹとし、接着剤フィルム２の厚さをＸとすると、ＸとＹとの関係は、圧着時の接続性及び接着剤の充填性の観点から、０．７０Ｘ≦Ｙ≦１．３Ｘを満たすことが好ましく、０．８０Ｘ≦Ｙ≦１．２Ｘ満たすことがより好ましい。接着剤組成物の硬化物が接続部の間に介入し難くなり、接続信頼性がより一層向上する観点では、Ｙ＞Ｘを満たすことが好ましい。具体的には、接着剤フィルム２の厚さは、２～１００μｍであってよく、６～１００μｍ、８～６０μｍ又は１０～４０μｍであってもよい。
　基材３は、例えば、接着剤フィルム２を支持可能なフィルム又はテープであり、好ましくはバックグラインドテープである。バックグラインドテープは、通常、一方の主面側が粘着層となるように構成されているが、この場合、バックグラインドテープは、粘着層側の面が接着剤フィルム２側となるように（例えば、粘着層と接着剤フィルムとが接するように）、接着剤フィルム２上に設けられる。基材３の厚さ（例えば、バックグラインドテープの厚さ）は、２０～３００μｍであってよい。
　接着剤テープ４の基材３として、接着剤フィルム２の製造に用いられる上述した基材を用いる場合は、上記接着剤フィルムの製造方法、すなわち、基材上に塗液を塗布し、塗膜を形成し乾燥させる方法により得られた、基材と接着剤フィルムとの積層体をそのまま接着剤テープ４として用いてよい。また、接着剤フィルム２に基材３を貼り付ける（例えば、接着剤フィルム２と基材３とをラミネートする）ことにより接着剤テープ４を得てもよい。基材３がバックグラインドテープである場合、バックグラインドテープの粘着層の上で塗液の塗布及び乾燥が行われると、粘着層の破壊、粘着剤と接着剤との間の成分移行等の不具合が生じる可能性があるため、接着剤フィルム２にバックグラインドテープを貼り付けることにより接着剤テープ４を得ることが好ましい。
　剥離フィルム付き接着剤テープ５は、接着剤テープ４に剥離フィルム１を貼り付ける（例えば、接着剤テープ４と剥離フィルム１とをラミネートする）ことにより得てよく、剥離フィルム１上に接着剤フィルム２を設けた後、接着剤フィルム２上に基材３を設けることにより得てもよい。
＜半導体装置＞
　次に、上記実施形態の接着剤フィルムを用いて製造される半導体装置について説明する。
　図２の（ａ）は、半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図２（ａ）に示す半導体装置１００は、互いに対向する半導体チップ２０及び半導体チップが搭載される基体３０と、半導体チップ２０及び基体３０の互いに対向する面にそれぞれ配置された配線（第１接続部及び第２接続部）２５と、半導体チップ２０及び基体３０の配線２５を互いに接続する接続バンプ４０と、半導体チップ２０と基体３０との隙間を充填する接着剤組成物（上記実施形態の接着剤フィルムを構成する接着剤組成物）の硬化物からなる封止部５０とを有している。半導体チップ２０及び基体３０は、配線２５及び接続バンプ４０によりフリップチップ接続されている。配線２５及び接続バンプ４０は、接着剤組成物の硬化物により封止されており外部環境から遮断されている。
　図２の（ｂ）は、半導体装置の他の一実施形態を示す模式断面図である。図２（ｂ）に示す半導体装置２００は、互いに対向する半導体チップ２０及び基体３０と、半導体チップ２０及び基体３０の互いに対向する面にそれぞれ配置されたバンプ（第１接続部及び第２接続部）４２と、半導体チップ２０と基体３０との隙間を充填する接着剤組成物（上記実施形態の接着剤フィルムを構成する接着剤組成物）の硬化物からなる封止部５０とを有している。半導体チップ２０及び基体３０は、対向するバンプ４２が互いに接続されることによりフリップチップ接続されている。バンプ４２は、接着剤組成物の硬化物により封止されており外部環境から遮断されている。
　半導体チップ２０としては、特に限定はなく、シリコン、ゲルマニウム等の同一種類の元素から構成される元素半導体から構成される半導体チップ、ガリウムヒ素、インジウムリン等の化合物半導体から構成される半導体チップを用いることができる。
　基体３０としては、半導体チップ２０を搭載するために用いられるものであれば特に制限はなく、例えば、半導体チップ、半導体ウエハ、配線回路基板等が挙げられる。
　基体３０として用いることができる半導体チップの例は、上記半導体チップ２０の例と同じであり、基体３０として半導体チップ２０と同じ半導体チップを用いてもよい。
　基体３０として用いることができる半導体ウエハとしては、特に限定はなく、上記半導体チップ２０に例示した半導体チップが複数連結した構成を有するものであってよい。
　基体３０として用いることができる配線回路基板としては、特に制限はなく、ガラスエポキシ、ポリイミド、ポリエステル、セラミック、エポキシ、ビスマレイミドトリアジン等を主な成分とする絶縁基板の表面に、金属膜の不要な個所をエッチング除去して形成された配線（配線パターン）２５を有する回路基板、上記絶縁基板の表面に金属めっき等によって配線２５が形成された回路基板、上記絶縁基板の表面に導電性物質を印刷して配線２５が形成された回路基板などを用いることができる。
　配線２５、バンプ４２等の接続部は、主成分として、金、銀、銅、はんだ（主成分は、例えばスズ－銀、スズ－鉛、スズ－ビスマス、スズ－銅、スズ－銀－銅等）、ニッケル、スズ、鉛などを含有しており、複数の金属を含有していてもよい。
　上記金属の中でも、接続部の電気伝導性・熱伝導性に優れたパッケージとする観点では、金、銀及び銅が好ましく、銀及び銅がより好ましい。コストが低減されたパッケージとする観点では、安価な材料である、銀、銅及びはんだが好ましく、銅及びはんだがより好ましく、はんだが更に好ましい。室温において金属の表面に酸化膜が形成すると生産性が低下すること及びコストが増加することがあるため、酸化膜の形成を抑制する観点では、金、銀、銅及びはんだが好ましく、金、銀、はんだがより好ましく、金、銀が更に好ましい。
　上記配線２５及びバンプ４２の表面には、金、銀、銅、はんだ（主成分は、例えば、スズ－銀、スズ－鉛、スズ－ビスマス、スズ－銅等）、スズ、ニッケルなどを主な成分とする金属層が、例えばメッキにより形成されていてもよい。この金属層は単一の成分のみで構成されていても、複数の成分から構成されていてもよい。また、上記金属層は、単層又は複数の金属層が積層された構造をしていてもよい。
　半導体装置は、上記実施形態の半導体装置１００及び半導体装置２００に示すような構造（パッケージ）が複数積層されたものであってもよい。この場合、半導体装置１００及び半導体装置２００は、金、銀、銅、はんだ（主成分は、例えばスズ－銀、スズ－鉛、スズ－ビスマス、スズ－銅、スズ－銀－銅等）、スズ、ニッケルなどを含むバンプ、配線等で互いに電気的に接続されていてもよい。
　半導体装置を複数積層する手法としては、例えばＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ－Ｓｉｌｉｃｏｎ　Ｖｉａ）技術が挙げられる。ＴＳＶ技術で積層されてなる半導体装置の例を図３に示す。図３に示す半導体装置５００では、インターポーザ６０上に形成された配線２５が半導体チップ２０の配線２５と接続バンプ４０を介して接続されることにより、半導体チップ２０とインターポーザ６０とがフリップチップ接続されている。半導体チップ２０とインターポーザ６０との隙間には接着剤組成物の硬化物が充填されており、封止部５０を構成している。上記半導体チップ２０におけるインターポーザ６０と反対側の表面上には、配線２５、接続バンプ４０及び封止部５０を介して半導体チップ２０が繰り返し積層されている。半導体チップ２０の表裏におけるパターン面の配線２５は、半導体チップ２０の内部を貫通する孔内に充填された貫通電極４４により互いに接続されている。なお、貫通電極４４の材質としては、銅、アルミニウム等を用いることができる。
　このようなＴＳＶ技術により、通常は使用されない半導体チップの裏面からも信号を取得することが可能となる。さらには、半導体チップ２０内に貫通電極４４を垂直に通すため、対向する半導体チップ２０間、並びに、半導体チップ２０及びインターポーザ６０間の距離を短くし、柔軟な接続が可能である。上記実施形態の接着剤フィルムは、このようなＴＳＶ技術において、対向する半導体チップ２０間、並びに、半導体チップ２０及びインターポーザ６０間の半導体用接着剤フィルムとして適用することができる。
　また、エリヤバンプチップ技術等の自由度の高いバンプ形成方法では、インターポーザを介さないでそのまま半導体チップをマザーボードに直接実装できる。上記実施形態の接着剤フィルムは、このような半導体チップをマザーボードに直接実装する場合にも適用することができる。なお、上記実施形態の接着剤フィルムは、２つの配線回路基板を積層する場合に、基板間の隙間（空隙）を封止する際にも適用することができる。
＜半導体装置の製造方法＞
　次に、上記実施形態の接着剤フィルムを用いた半導体装置の製造方法について説明する。
　一実施形態の半導体装置の製造方法は、例えば、接着剤フィルムに光を照射する光照射工程と、半導体チップと該半導体チップが搭載される基体とを、光照射後の接着剤フィルムを介して互いの接続部が対向するように配置された状態で、加熱し接合する加熱接合工程と、を備える。上記光照射工程は、接着剤フィルムが、半導体チップ若しくはその前駆体の接続面、又は、基体若しくはその前駆体の接続面に貼り付けられた状態で行われる。ここで、半導体チップの前駆体とは、加工によって半導体チップとなる部材を意味する。半導体チップの前駆体の具体例は、半導体ウエハである。基体の前駆体についても同様である。
　以下では、半導体チップの前駆体として半導体ウエハを用いる態様を例に挙げて、半導体装置の製造方法について説明する。なお、以下の説明において、接続面とは、加熱接合工程において接続される接続部（配線、バンプ等）が設けられている面を意味する。
　図４～図１０は、半導体装置の製造方法の一実施形態を模式的に示す工程断面図である。一実施形態の製造方法は、以下に示す工程（ａ）～（ｅ）を含む。
工程（ａ）：接着剤フィルム２と基材３（バックグラインドテープ）とを備える接着剤テープ４を用意し、該接着剤テープ４を、接着剤フィルム２側から、半導体ウエハＡの接続面に貼り付けるラミネート工程（図４参照。）
工程（ｂ）：工程（ａ）で得られた積層体７の半導体ウエハＡを接着剤テープ４とは反対側から研削するバックグラインド工程（図５参照。）
工程（ｃ）：積層体７から基材３を除去する工程（図６参照。）
工程（ｄ）：接着剤フィルム２に光を照射する光照射工程（図７参照。）
工程（ｅ）：工程ｄで得られた光硬化後の接着剤フィルム９を備える積層体１０を個片化し、接着剤フィルム付き半導体チップ１０’を得る工程（図８参照。）
工程（ｆ）：接着剤フィルム付き半導体チップ１０’をピックアップする工程（図９参照。）
工程（ｇ）：接着剤フィルム付き半導体チップ１０’を基体１１の接続面上に配置し、加熱することにより、接着剤フィルム付き半導体チップ１０’の接続部６と、基体１１の接続部１２とを、電気的に接続する工程（図１０参照。）
（工程（ａ））
　工程（ａ）では、例えば、まず、基材３としてバックグラインドテープを備える接着剤テープ４と、一方面に接続部６（第１接続部）を有する半導体ウエハＡとを用意し、接着剤テープ４の接着剤フィルム２側の面と半導体ウエハＡの接続面（接続部６が設けられている面）とが対向するように、接着剤テープ４を所定の装置に配置する（図４の（ａ）参照。）。次いで、半導体ウエハＡの接続面上に接着剤テープ４を貼り付け、半導体ウエハＡ、接着剤フィルム２及び基材３（バックグラインドテープ）がこの順に積層された積層体７を得る（図４の（ｂ）参照。）。
　接着剤テープ４の貼付は、加熱プレス、ロールラミネート、真空ラミネート等によって行うことができる。接着剤テープ４の供給面積及び厚みは、半導体ウエハ及び基体のサイズ、接続部の高さ等によって適宜設定される。なお、図４では、接着剤フィルム２の厚さが半導体ウエハＡの接続部６の高さよりも大きく、接続部６が接着剤フィルム２によって被覆されているが、接着剤フィルム２の厚さが接続部６の高さよりも小さくてもよい。
（工程（ｂ））
　工程（ｂ）では、例えば、グラインダーＧを用いて、積層体７の半導体ウエハＡを研削する（図５の（ａ）及び図５の（ｂ）参照。）。研削後の半導体ウエハＡの厚さは、例えば、１０μｍ～３００μｍであってよい。半導体装置の小型化、薄型化の観点から、半導体ウエハの厚さを２０μｍ～１００μｍとすることが好ましい。
（工程（ｃ））
　工程（ｃ）では、例えば、基材３を接着剤フィルム２から引き剥がすことにより、積層体７から基材３を除去する（図６参照。）。
（工程（ｄ））
　工程（ｄ）では、接着剤フィルム２に光を照射することで、接着剤フィルム２中の接着剤組成物を硬化させる（図７の（ａ）及び図７の（ｂ）参照。）。これにより、低流動化された接着剤フィルム９を備える積層体１０が得られる。光の照射は、例えば、接着剤フィルム２側に配置した光源から活性光線Ｌを照射することにより行う。活性光線は、例えば、波長１５０～７５０ｎｍの範囲内の光（例えば紫外光）であってよい。光源としては、例えば、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、キセノンランプ、メタルハライドランプ、ＬＥＤ光源等を使用することができる。光の照射量は、適宜調整可能であり、例えば、波長３６５ｎｍの光の積算光量で、１００ｍＪ／ｃｍ２以上であってよく、２００ｍＪ／ｃｍ２以上であってよく、３００ｍＪ／ｃｍ２以上であってよい。光の照射量は、例えば、波長３６５ｎｍの光の積算光量で、１０００ｍＪ／ｃｍ２以下であってよく、７００ｍＪ／ｃｍ２以下であってよく、５００ｍＪ／ｃｍ２以下であってよい。
（工程（ｅ））
　工程（ｅ）では、例えば、まず、積層体１０の半導体ウエハＡ側にダイシングテープ８を貼付け、これを所定の装置に配置する（図８の（ａ）参照。）。次いで、積層体１０をダイシングソウＤによりダイシングすることにより積層体１０を個片化し、半導体チップＡ’上に接着剤フィルム９’を備える接着剤フィルム付き半導体チップ１０’を得る（図８の（ｂ）参照。）。半導体チップＡ’の接着剤フィルム９’側の面には接続部６が設けられている。接着剤フィルム９’は光硬化後の接着剤組成物からなる。
（工程（ｆ））
　工程（ｆ）では、例えば、ダイシングテープ８をエキスパンド（拡張）することにより、上記ダイシングにより得られた接着剤フィルム付き半導体チップ１０’を互いに離間させつつ、ダイシングテープ８側からニードルＮで突き上げられた接着剤フィルム付き半導体チップ１０’を、接着剤フィルム９’側からピックアップツールＰでピックアップする（図９参照。）。ピックアップされた接着剤フィルム付き半導体チップ１０’は、ボンディングツールに受け渡されて工程（ｇ）でのボンディングに使用される。
（工程（ｇ））
　工程（ｇ）では、例えば、まず、一方面に接続部１２（第２接続部）を有する半導体チップ搭載用の基体１１を用意し、接着剤フィルム付き半導体チップ１０’と基体１１との位置合わせを行う。次いで、ボンディングツールを用いて、接着剤フィルム付き半導体チップ１０’を、接着剤フィルム９’側から基体１１の接続面（接続部１２が設けられている面）上に配置し加熱する。これにより、接着剤フィルム付き半導体チップ１０’の接続部６と基体１１の接続部１２とが電気的に接続されるとともに、半導体チップＡ’と基体１１との間に接着剤フィルム９’の硬化物からなる封止部１３が形成され、接続部６及び接続部１２が封止されて、接着剤フィルム付き半導体チップ１０’と基体１１との接合体である半導体装置１５が得られる（図１０参照。）。基体１１は、例えば、半導体チップ、半導体ウエハ又は配線回路基板である。
　接続部６及び接続部１２の一方にはんだバンプが用いられる場合（例えば、接続部６又は接続部１２が、はんだバンプが設けられた配線である場合）、接続部６と接続部１２とがはんだ接合されることにより電気的かつ機械的に接続される。
　工程（ｇ）の加熱は半導体チップを配置しながら行ってよく、半導体チップを配置した後に行ってもよい。工程（ｇ）の加熱及び配置は、熱圧着であってよい。工程（ｇ）は、位置合わせをした後に仮固定する工程（仮固定工程）と、加熱処理することによって、接続部に設けられたバンプ（例えばはんだバンプ）を溶融させて半導体チップＡ’と基体１１とを接合するとともに接続部を封止する工程（封止工程）とを含んでいてもよい。仮固定の段階では、金属接合を形成することが必ずしも必要ではないため、仮固定工程は、低荷重、短時間及び低温度で実施することができる。そのため、工程（ｇ）において仮固定工程と封止工程とを実施する場合、生産性が向上するとともに接続部の劣化を抑制することができる。
　仮固定のために加えられる荷重は、接続部（バンプ）の数、接続部（バンプ）の高さばらつきの吸収、接続部（バンプ）の変形量等の制御を考慮して適宜設定される。荷重は、ボイドを排除し、接続部を接触させやすくする観点では、大きいほど好ましい。荷重は、例えば、接続部（例えばバンプ）１個辺り、０．００９Ｎ～０．２Ｎが好ましい。
　封止工程での加熱は、接続部の金属の融点以上に加熱可能な装置を用いて行ってよい。加熱温度は、接着剤フィルムの硬化が進行する温度が好ましく、完全に硬化する温度がより好ましい。加熱温度及び加熱時間は適宜設定される。
　封止工程での加熱時間は、接続部を構成する金属の種類により異なるが、生産性が向上する観点では、短時間であるほど好ましい。接続部にはんだバンプが用いられる場合、加熱時間は２０秒以下が好ましく、１０秒以下がより好ましく、５秒以下が更に好ましい。銅－銅又は銅－金の金属接続の場合は、接続時間は６０秒以下が好ましい。
　封止工程では、加熱及び加圧が可能な装置を用いて、加熱とともに加圧を行ってもよい。すなわち、封止工程での加熱は、熱圧着による加熱であってよい。この場合、荷重（接続荷重）は、接続部材のサイズ、接続部の数、高さのばらつき、加圧による接続部の変形量等を考慮して設定される。接続荷重は、例えば、大気圧を超えて１ＭＰａ以下であってよい。ボイド抑制及び接続性向上の観点では、荷重が大きいほど好ましく、フィレット抑制の観点では、荷重が小さいほど好ましい。これらの観点から、荷重は０．０５～０．５ＭＰａであることが好ましい。圧着時間（接続時間）は、接続部を構成する金属の種類により異なるが、生産性が向上する観点から短時間であるほど好ましい。接続部がはんだバンプである場合、圧着時間は２０秒以下が好ましく、１０秒以下又は５秒以下であってもよい。なお、圧着機を用いた直接的な加圧ではフィレットに圧着機の熱が伝わり難いため、フィレットまで充分に効果させやすい観点から、気圧による加圧が好ましい。一括封止及びフィレット抑制の観点からも、加熱時の加圧は気圧による加圧（加圧リフロー炉、加圧オーブン等による加圧）とすることが好ましい。
　半導体チップＡ’と基体１１とを接続した後、オーブン等で加熱処理を行って、更に接続信頼性を高めてもよい。
　以上、半導体装置の製造方法の一実施形態について説明したが、本発明の半導体装置の製造方法は上記方法に限定されない。
　例えば、他の一実施形態では、工程（ａ）を実施せず、あらかじめ作製した積層体を用いてもよい。
　また、他の一実施形態では、工程（ｂ）を実施せず、あらかじめ厚さが調整された半導体ウエハを用いてもよい。この場合、接着剤テープ４に代えて、接着剤フィルム２を単独で、又は、接着剤フィルム２とバックグラインドテープ以外の基材（例えば剥離フィルム）とを含む接着剤テープを用いることができる。基材を用いない場合、工程（ｃ）も不要である。
　また、他の一実施形態では、工程（ｄ）を工程（ｃ）の前に実施してもよい。工程（ｃ）の前に工程（ｄ）を実施する場合、ダイシングテープ８への積層体の貼り付け前又は貼り付け後に基材３を剥離してよい。ただし、基材３（バックグラインドテープ）により接着剤フィルム２への光の入射が阻害されることでフィルムの硬化状態にばらつきが生じることを抑制し、フィレット量をより低減しやすくする観点では、工程（ｃ）の後、工程（ｅ）の前に工程（ｄ）を実施することが好ましい。
　また、他の一実施形態では、半導体ウエハＡに代えて、半導体チップを用いることもできる。この場合、接着剤テープ４に代えて、接着剤フィルム２を単独で、又は、接着剤フィルム２とバックグラインドテープ以外の基材（例えば剥離フィルム）とを含む接着剤テープを用いることができる。また、工程（ｂ）及び工程（ｅ）は不要であり、基材を用いない場合には、工程（ｃ）も不要である。
　また、半導体ウエハＡに代えて、配線回路基板を用いることもできる。この場合、工程（ｇ）に代えて、半導体チップを、接着剤フィルム付き配線回路基板の接着剤フィルムが設けられている接続面（接続部側の面）上に配置し、加熱することにより、半導体チップの接続部と、配線回路基板の接続部とを、電気的に接続する工程（ｇ’）を実施する。また、接着剤テープ４に代えて、接着剤フィルム２を単独で、又は、接着剤フィルム２とバックグラインドテープ以外の基材（例えば剥離フィルム）とを含む接着剤テープを用いることができる。また、工程（ｂ）、工程（ｅ）及び工程（ｆ）は不要であり、基材を用いない場合には、工程（ｃ）も不要である。
　以下、実施例により本発明をより具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
　実施例で使用した材料の詳細は以下のとおり。
（フェノキシ樹脂）
・ＺＸ－１３５６－２：フェノキシ樹脂、東都化成株式会社製、商品名、Ｔｇ＝約７１℃、重量平均分子量Ｍｗ＝約６３０００
（固形エポキシ樹脂）
・ＥＰ１０３２：トリフェノールメタン骨格含有多官能固形エポキシ、三菱ケミカル株式会社製、商品名「ｊＥＲ１０３２Ｈ６０」、「ｊＥＲ」は登録商標（以下同じ）
（液状エポキシ樹脂）
・ＹＬ９８３Ｕ：ビスフェノールＦ型液状エポキシ、ジャパンエポキシレジン株式会社製、商品名
・ＹＸ７１１０Ｂ８０：柔軟性エポキシ、三菱化学株式会社製、商品名
（イミダゾール系硬化剤）
・２ＭＡＯＫ－ＰＷ：２，４－ジアミノ－６－［２’－メチルイミダゾリル－（１’）］－エチル－ｓ－トリアジンイソシアヌル酸付加体、四国化成工業株式会社製、商品名
（アクリル化合物）
・Ａ－ＤＰＨ：ジペンタエリスリトールポリアクリレート、新中村化学工業株式会社製、商品名
(光重合開始剤）
・Ｏｍｎｉｒａｄ　１２７：２－ヒドロキシ－１－｛４－［４－（２－ヒドロキシ－２－メチル－プロピオニル）－ベンジル］－フェニル｝－２－メチル－プロパン、ＩＧＭ　ＲＥＳＩＮＳ　Ｂ．Ｖ．社製、商品名（「Ｉｒｇａｃｕｒｅ」は登録商標。以下同じ）
（有機フィラー）
・ＥＸＬ－２６５５：コアシェルタイプ有機微粒子、ロームアンドハースジャパン（株）製、商品名
（シリカフィラー）
・ＫＥ１８０Ｇ－ＨＬＡ：シリカフィラー、株式会社アドマテックス製、商品名
（フラックス剤）
・２－メチルグルタル酸：アルドリッチ社製、融点＝約７８℃
＜実施例１及び比較例１～２＞
（接着剤フィルム形成用塗液の調製）
　表１に示す成分のうち、光重合開始剤以外の成分を、ＮＶ値（［乾燥後の塗料分質量］／［乾燥前の塗料分質量］×１００）が６０％になるように有機溶剤（シクロヘキサノン）に添加し、混合液を得た。この際、各成分の添加量は表１に示す量（単位：質量部）とした。その後、上記混合液に、Φ１．０ｍｍのビーズ及びΦ２．０ｍｍのビーズを加え、ビーズミル（フリッチュ・ジャパン株式会社、遊星型微粉砕機Ｐ－７）で３０分撹拌した。ビーズの添加量は、混合液の不揮発分量（有機溶剤以外の成分の合計量）と同質量とした。撹拌後、ビーズをろ過によって除去した。次いで、接着剤フィルムＢ形成用の塗液を調製する際には、得られた混合物に表１に示す量（単位：質量部）の光重合開始剤を添加し、攪拌混合した。これにより、接着剤フィルムＡ形成用の塗液（Ｉ）及び接着剤フィルムＢ形成用の塗液（ＩＩ）を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
（接着剤テープの作製）
　上記で作製した塗液（Ｉ）及び塗液（ＩＩ）をそれぞれ用いて、実施例１、比較例１及び参考例１の接着テープを作製した。
　具体的には、まず、上記で作製した塗液（Ｉ）を、剥離フィルム（帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名「ピューレックスＡ５４」）上に、乾燥後の膜厚が１２μｍとなるように、小型精密塗工装置（廉井精機）で塗工した。次いで、塗膜をクリーンオーブン（ＥＳＰＥＣ製）で乾燥（１００℃／１０ｍｉｎ）することにより、剥離フィルム上に接着剤フィルムＡを形成した。次いで、接着剤フィルムＡにバックグラインドテープを貼り付けることにより、バックグラインドテープ、接着剤フィルムＡ及び剥離フィルムをこの順で備える、比較例１の剥離フィルム付き接着剤テープを得た。
　また、塗液（Ｉ）に代えて塗液（ＩＩ）を用いたこと以外は上記と同様にして、バックグラインドテープ、接着剤フィルムＢ及び剥離フィルムをこの順で備える、実施例１の剥離フィルム付き接着剤テープを得た。
　また、乾燥後の接着剤フィルムの厚さが６μｍとなるように塗工条件を変更したこと以外は、上記２つのテープの製造方法と同様にして、剥離フィルム上に接着剤フィルム（接着剤フィルムＡ又は接着剤フィルムＢ）を形成し、剥離フィルムと接着剤フィルムとを備える積層体を得た。次いで、得られた２つの積層体の接着剤フィルム同士をラミネートすることで接着剤フィルムＡからなる層と接着剤フィルムＢからなる層とを備える二層構成の接着剤フィルム（総厚１２μｍ）を形成した。この際、ラミネート温度は５０℃とした。次いで、接着剤フィルムＡ側（接着剤フィルムＢとは反対側）の剥離フィルムを剥がし、代わりにバックグラインドテープを貼り付けることにより、バックグラインドテープ、二層構成の接着剤フィルム及び剥離フィルムをこの順で備える、参考例１の剥離フィルム付き接着剤テープを得た。
＜評価＞
　実施例１、比較例１及び参考例１で得られた剥離フィルム付き接着剤テープを用いて、以下の手順で接続構造体（半導体装置）を作製した。また、得られた接続構造体を用いて、以下に示す方法で、接続信頼性（初期導通性）、フィレット長さ、及び封止性の評価を行った。
（接続構造体の作製）
　実施例１、比較例１及び参考例１で作製した剥離フィルム付き接着剤テープを所定のサイズ（縦９ｍｍ×横１１ｍｍ×厚さ１２μｍ）に切り抜き、剥離フィルムを除去してからはんだバンプ付き半導体チップ（チップサイズ：縦８．０ｍｍ×横１０．０ｍｍ×厚さ０．０５ｍｍ、バンプ高さ：銅ピラー＋はんだ計約１２μｍ、バンプ数１９１４）の該はんだバンプが設けられている面（接続面）に貼付し、積層サンプルを得た。実施例１及び参考例１では、上記積層サンプルを２つずつ用意した。
　実施例１及び参考例１の剥離フィルム付き接着剤テープを用いて得た積層サンプルに対しては、接着剤フィルムへの光照射を実施した。この際、２つの積層サンプルうちの一方は、バックグラインドテープ越しに光の照射を行い、他方はバックグラインドテープを除去してから露出した面に光の照射を行った。また、光の照射は、メタルハライドランプを光源とし、主波長３６５ｎｍ、照度７０ｍＷ光の照射量は、２５０ｍＪ／ｃｍ２とした。
　次に、フリップ実装装置「ＦＣＢ３」（パナソニック製、商品名）を用いて、上記積層サンプル（実施例１及び参考例１については光照射後の積層サンプル）を接着剤フィルム側からウエハ基材（ウエハ基材：１００μｍ厚、銅配線：６μｍ厚）上に実装した。実装は、圧着ヘッド温度の最高到達温度を実温２６０℃とし、圧着時間を２０秒とし、圧着圧力を１１０Ｎとする条件で行った。これにより、ウエハ基材と、はんだバンプ付き半導体チップとがデイジーチェーン接続された接続構造体（半導体装置）を得た。
（接続信頼性）
　上記で得られた接続構造体の４０μｍピッチエリアの接続抵抗値を、マルチメータ（ＡＤＶＡＮＴＥＳＴ製、商品名「Ｒ６８７１Ｅ」）を用いて測定することにより、接続信頼性（初期導通性）を評価した。接続抵抗値が６０．０Ω以上８５．０Ω以下の場合を「Ａ」とし、接続抵抗値が８５．０Ωより大きく１００Ω以下の場合を「Ｂ」とし、接続抵抗値が１００Ωより大きい場合、接続抵抗値が６０．０Ω未満の場合及び接続不良により抵抗値が表示されない場合を全て「Ｃ」とした。評価がＢである場合に接続信頼性が充分であると判断し、評価がＡである場合に接続信頼性が良好であると判断した。結果を表２に示す。
（フィレット量）
　上記で得られた接続構造体を、デジタルマイクロスコープＶＨＸ－６０００（キーエンス製）を用いて、半導体チップ側から観察し、半導体チップの周囲４辺よりはみ出した接着剤（フィレット）の長さを測定した。各辺におけるフィレットの長さとしては、はみ出した接着剤の端部から半導体チップまでの最短距離の最大値を採用した。フィレット量は、４辺のそれぞれで測定したフィレットの長さの平均値により評価した。上記平均値が４００μｍ未満であれば、フィレットの発生が充分に抑制されていると判断した。結果を表２に示す。表中の数値は、上記フィレットの長さの平均値を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
 　表中、「ＢＧあり」とは、バックグラインドテープの存在下で光照射を行ったことを意味し、「ＢＧなし」とは、バックグラインドテープを除去してから光照射を行ったことを意味する。
　１…剥離フィルム、２…接着剤フィルム、３…基材、４…接着剤テープ、５…剥離フィルム付き接着剤テープ、６…接続部（第１接続部）、７，１０…積層体、９…光硬化後の接着剤フィルム、１０’…接着剤フィルム付き半導体チップ、１１…基体、１２…接続部（第２接続部）、１３…封止部、１５…半導体装置、２０…半導体チップ、２５…配線（第１接続部及び第２接続部）、３０…基体、４０…接続バンプ、４２…バンプ（第１接続部及び第２接続部）、４４…貫通電極、５０…封止部、６０…インターポーザ、１００，２００，３００…半導体装置、Ａ…半導体ウエハ、Ａ’…半導体チップ。

 

Claims (14)

  1. 　半導体チップを基体に接合するとともに、前記半導体チップと前記基体との隙間を封止するために用いられる接着剤フィルムであって、
    　光硬化性及び熱硬化性を有する接着剤組成物からなる単層フィルムである、接着剤フィルム。
  2. 　前記接着剤組成物が、光重合性化合物と、光重合開始剤と、熱硬化性樹脂と、熱硬化剤と、を含有する、請求項１に記載の接着剤フィルム。
  3. 　前記光重合性化合物がラジカル重合性化合物であり、前記光重合開始剤が光ラジカル重合開始剤である、請求項２に記載の接着剤フィルム。
  4. 　前記ラジカル重合性化合物が（メタ）アクリル化合物を含む、請求項３に記載の接着剤フィルム。
  5. 　前記熱硬化性樹脂が、エポキシ樹脂を含む、請求項２～４のいずれか一項に記載の接着剤フィルム。
  6. 　前記熱硬化剤が、イミダゾール系硬化剤を含む、請求項５に記載の接着剤フィルム。
  7. 　前記イミダゾール系硬化剤がトリアジン環を有する、請求項６に記載の接着剤フィルム。
  8. 　前記接着剤組成物における、前記光重合性化合物の含有量に対する前記熱硬化性樹脂の含有量の質量比が、３～１１である、請求項２～７のいずれか一項に記載の接着剤フィルム。
  9. 　請求項１～８のいずれか一項に記載の接着剤フィルムと、
    　前記接着剤フィルム上に設けられたバックグラインドテープと、を備える、接着剤テープ。
  10. 　請求項９に記載の接着剤テープと、
    　前記接着剤テープ上であって、前記接着剤フィルムからみて、前記バックグラインドテープとは反対側に設けられた剥離フィルムと、を備える、剥離フィルム付き接着剤テープ。
  11. 　請求項１～８のいずれか一項に記載の接着剤フィルムに光を照射する光照射工程と、
    　半導体チップと該半導体チップが搭載される基体とを、光照射後の前記接着剤フィルムを介して互いの接続部が対向するように配置された状態で、加熱し接合する工程と、を備え、
    　前記光照射工程は、前記接着剤フィルムが、前記半導体チップ若しくはその前駆体の接続面、又は、前記基体若しくはその前駆体の接続面に貼り付けられた状態で行われる、半導体装置の製造方法。
  12. 　前記接着剤フィルムと、前記接着剤フィルム上に設けられたバックグラインドテープと、を備える、接着剤テープを用意し、該接着剤テープを、前記接着剤フィルム側から、前記半導体チップの前駆体、又は、前記基体の前駆体の接続面に貼り付けるラミネート工程と、
    　前記接着剤テープが貼り付けられた前記前駆体を前記接着剤テープとは反対側から研削するバックグラインド工程と、を更に備える、請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
  13. 　前記光照射工程は、前記バックグラインド工程後に前記バックグラインドテープを除去してから行われる、請求項１２に記載の半導体装置の製造方法。
  14. 　第１接続部を有する半導体チップと、前記第１接続部と電気的に接続された第２接続部を有する基体と、前記半導体チップと前記基体とを接着するとともに、前記半導体チップと前記基体との隙間を充填する封止部と、を備え、
    　前記封止部が、請求項１～８のいずれか一項に記載の接着剤フィルムの硬化物である、半導体装置。

     
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