WO2024101583A1 - 비접촉식 전계 발광을 이용한 자체발광 소자의 결함 검사 장치 - Google Patents

비접촉식 전계 발광을 이용한 자체발광 소자의 결함 검사 장치 Download PDF

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WO2024101583A1
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self
light
coil
emitting device
electric field
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이진영
장봉균
김재현
이상호
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한국기계연구원
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    • H01F17/06—Fixed inductances of the signal type  with magnetic core with core substantially closed in itself, e.g. toroid
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    • H01F17/06—Fixed inductances of the signal type  with magnetic core with core substantially closed in itself, e.g. toroid
    • H01F17/062—Toroidal core with turns of coil around it

Definitions

  • the present invention relates to a defect inspection device for self-light emitting devices using non-contact electroluminescence, and more specifically, to generate electroluminescence in a non-contact manner by generating an induced current in a self-light emitting diode such as OLED or micro LED.
  • the present invention relates to a defect inspection device for a self-luminous device using non-contact electroluminescence, which can detect defects in a self-luminous device.
  • a light emitting diode is a semiconductor device that generates light when a voltage is applied in the forward direction.
  • Electroluminescence is a phenomenon in which, when light with energy above the band gap is supplied to an LED, the LED absorbs photons and is then excited to emit light.
  • Micro LEDs which reduce the horizontal and vertical lengths of light-emitting diodes to less than 100 ⁇ m each, have been developed and are in the spotlight.
  • Micro LED has a small chip size and can have a very thin thickness of less than 10 ⁇ m, so it can be easily applied to flexible devices and is superior to existing display devices in terms of resolution, power consumption, display thickness, and contrast ratio. It is known to have good performance compared to .
  • micro LED defects such as scratches, line defects, electrode contamination and peeling, and separation of micro LED chips may occur during the manufacturing process.
  • defects such as scratches, line defects, electrode contamination and peeling, and separation of micro LED chips may occur during the manufacturing process.
  • micro LED there are many defective elements that must be managed in each manufacturing process, so defects can be detected at each process stage. It is important to test accurately and quickly.
  • PL Photoluminescence
  • EL Electro Luminescence
  • Figure 1 is a schematic diagram of a conventional inspection device for a self-luminous device using non-contact field emission.
  • a transparent electrode (ITO) (1) module with an insulating layer (2) is placed above and below the p-n junction of a self-light emitting device ( ⁇ LED) mounted on a substrate, and the transparent electrode is placed. Apply high frequency to (1).
  • the module generates an external electric field suitable for the diffusion speed of electrons and holes in the p-n junction, a current flows in the p-n junction due to the induced electric field, and the self-luminous device can emit light.
  • the presence or absence of defects in the joint can be inspected by receiving and analyzing the light emission signal.
  • the strength of the electric field can be determined by the vertical thickness and dielectric constant of the transparent electrode to which the high-frequency voltage is applied.
  • the pn junction thickness in a self-luminous device is about 4 ⁇ m, and a voltage of 2 ⁇ 3 V is usually required for lighting. Therefore, when applying an electric field using the capacitor method of FIG. 1, an electric field of 500 to 750 V/mm needs to be applied to the pn junction area of the self-luminous device.
  • the size of the required electric field may vary depending on the thickness of the pn junction, type of material, band gap, etc.
  • a waiting space is created in the area between the self-light-emitting devices or between the insulating layer 20 and the self-light-emitting device.
  • an electric field of 500 to 750 V/mm is applied to the p-n junction area
  • a dielectric breakdown electric field (3 kV/mm) or more may be applied to the atmosphere due to the dielectric constant difference between the p-n junction layer and the atmosphere, and thus a local arc may occur. This may cause damage to the self-luminous device during inspection.
  • the purpose of the present invention is to solve such conventional problems, by generating an induced current in a self-light emitting diode such as OLED or micro LED to induce electroluminescence in a non-contact manner, from which The aim is to provide a defect inspection device for self-luminous devices using non-contact electroluminescence that can inspect defects in self-luminous devices.
  • a defect inspection device for a self-luminous device includes a defect detection unit that detects a defect by receiving light emitted from a self-luminous device mounted on a substrate, and the self-luminous device. It includes a coil part arranged along the periphery of the device, and a power supply unit for applying a current to the coil part, and when a current is applied to the coil part, an induced electric field is formed at a p-n junction of the self-light emitting device to emit the self-light. The device emits light in an electric field.
  • the coil unit may include a magnetic flux focusing portion extending along the center, and a coil wound along an outer peripheral surface of the magnetic flux focusing portion.
  • the magnetic flux focusing part may be a magnetic material.
  • the coil unit may be arranged in a cylindrical shape along the periphery of the self-light emitting device.
  • a plurality of coil units may be spaced apart from the self-light-emitting device at regular intervals and may be arranged around the self-light-emitting device.
  • the plurality of coil units may be arranged to form a polygon centered on the self-luminous device.
  • the coil unit may be disposed on at least one of the top and bottom of the substrate.
  • the coil unit may be arranged to overlap a plurality of layers on at least one of the top and bottom of the substrate.
  • the separation distance between the coil unit and the self-luminous device may be different for each layer.
  • the separation distance between the coil unit and the self-light emitting device may decrease as the distance from the substrate increases.
  • the electric field concentration unit may be further included at the center of the coil unit.
  • the electric field concentrator may be aligned with the self-luminous device based on the substrate.
  • the electric field concentration part may be a magnetic material.
  • the uniformity of the induced electric field at the p-n junction of the self-luminous device can be improved by accumulating the induced electric field generated from a plurality of coils.
  • the intensity of the current applied to each coil can be reduced and the induced electric field can be concentrated at the p-n junction of the self-luminous device, thereby reducing the intensity of the induced electric field formed in areas other than the self-luminous device, resulting in local arcing. can be suppressed.
  • defect inspection of self-light-emitting devices can be performed quickly and non-contactly by moving the coil unit or moving the substrate.
  • Figure 1 is a schematic diagram of a conventional inspection device for a self-luminous device using non-contact field emission.
  • Figure 2 is a schematic diagram showing a defect inspection device for a self-luminous device using non-contact electroluminescence according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a plan view showing an example of the coil portion of FIG. 2.
  • Figure 4 is a plan view showing another example of the coil unit of Figure 2.
  • Figure 5 is a schematic diagram showing the coil arrangement in a defect inspection device for a self-luminous device using non-contact electroluminescence according to another embodiment of the present invention.
  • FIG. 6A is a schematic diagram showing a state of simulating the electric field strength around the area to be inspected in defect inspection using the defect inspection device of a self-luminous device using non-contact electroluminescence of FIG. 5, and FIG. 6B is a schematic diagram showing a state in which the electric field strength in area 'A' is simulated. This is an image showing the simulation results in Figure 6a.
  • Figure 7 is a schematic diagram showing the coil arrangement in a defect inspection device for a self-luminous device using non-contact electroluminescence according to another embodiment of the present invention.
  • Figure 8 is a schematic diagram showing the coil arrangement in a defect inspection device for a self-luminous device using non-contact electroluminescence according to another embodiment of the present invention.
  • coil part 120 magnetic flux focusing part
  • Figure 2 is a schematic diagram showing a defect inspection device for a self-luminous device using non-contact electroluminescence according to an embodiment of the present invention.
  • the defect inspection device 10 (hereinafter referred to as the inspection device) of a self-luminous device using non-contact electroluminescence according to this embodiment includes a defect detection unit 200, a coil unit 100, and a power supply unit (not shown). includes poetry).
  • the defect detection unit 200 detects defects by receiving light emitted by a current flowing in the p-n junction of the self-luminous device 300 due to an induced electric field generated when a current is applied to the coil unit 100.
  • the self-light emitting device 300 may be, for example, a micro LED ( ⁇ LED), but is not limited thereto, as long as it is a device that emits light by inducing an electric field.
  • ⁇ LED micro LED
  • the defect detection unit 200 may include a microscope that receives light emitted from the self-luminous device 300 and a computer device that analyzes the light received from the microscope to determine whether there is a defect. You can.
  • the coil unit 100 is disposed around the self-light emitting device 300 mounted on the substrate S and generates an induced electric field in a vertical direction in the p-n junction region of the self-light emitting device 300 when a current flows in the coil. At this time, the direction in which the induced electric field is generated is as illustrated in FIG. 2.
  • the coil unit 100 in this embodiment may be formed by spaced apart a plurality of coils with the self-luminous element 300 at the center, as shown in FIG. 2 .
  • a coil When a coil is formed in the entire circumferential direction in a ring shape, such as a toroidal coil, the induced magnetic field is concentrated inside the coil and no induced electric field is generated at the center of the ring.
  • the magnetic field inside each coil leaks through the spaced portions, causing the self-light-emitting device 300 to be positioned.
  • An induced electric field can be generated in the central area.
  • the coil unit 100 may be arranged in a circumferential direction with the central axis of each coil having the self-luminous element 300 at the center.
  • the meaning that the plurality of coil central axes are arranged in the circumferential direction means that, as shown in FIG. 4, the plurality of coils literally form an arc around the self-luminous element 300, as will be described later.
  • a plurality of coils may be formed in a polygonal (square in FIG. 3) shape surrounding the self-luminous device 300 at the center.
  • FIG. 3 is a plan view showing an example of the coil unit of FIG. 2
  • FIG. 4 is a plan view showing another example of the coil unit of FIG. 2.
  • the coil unit 100 includes a magnetic flux collection unit 120 extending along the center and a coil 110 wound along the outer peripheral surface of the magnetic flux collection unit 120.
  • the magnetic flux focusing unit 120 has a structure extending along the center of the coil unit 100 in consideration of the overall shape of the coil unit 100, and the coil 110 is connected to the magnetic flux focusing unit 120. ) is wound along the outer circumferential surface, and both ends are connected to an external power source to receive power.
  • each coil 110 is wound on each coil unit 100, Power is provided separately.
  • each coil 110 may be formed by winding the outer periphery of each divided magnetic flux focusing unit 120.
  • the magnetic flux focusing unit 120 may be a cylindrical bar, but is not necessarily limited thereto.
  • the coil unit 100 is disposed on the four sides of the self-luminous device 300, resulting in a total of four coil units.
  • the arrangement form of the coil unit 100 is as follows. In addition to a square arrangement, it can be arranged in a polygonal arrangement such as a triangular arrangement, a pentagonal arrangement, etc. At this time, in the case of a polygonal arrangement, the self-luminous elements 300 may be arranged symmetrically with respect to the center of the self-luminous element 300 located in the center.
  • a ring-shaped magnetic flux collection unit 120 is formed, and the coil 110 is continuously formed along the outer peripheral surface of the magnetic flux collection unit 120. It is wound.
  • the magnetic flux focusing portion 120 is preferably formed of a magnetic material such as ferrite. As the magnetic flux focusing unit 120 is disposed within the coil, the intensity and distribution density of the induced magnetic force and dielectric electric field can be increased.
  • the power supply unit applies current to the coil.
  • the induced magnetic field may leak from the spaced area between the coils, and an induced electric field may be formed in a direction perpendicular to the center of the coil as the magnetic field changes.
  • the self-light-emitting device 300 is placed at the center of the plurality of coils where the induced electric field is formed, so that the self-light-emitting device 300 can emit light by flowing a current in the p-n junction due to the induced electric field applied thereto.
  • the above-described defect detection unit 200 is disposed on the self-light-emitting device 300 to receive light and inspect the self-light-emitting device 300 for defects.
  • the coil unit 100 may be disposed on the upper part of the substrate S with the self-light emitting device 300 at the center, as shown in FIG. 2 .
  • the coil unit 100 may be disposed below the substrate S with the self-luminous device 300 at the center.
  • an induced electric field is formed in the self-luminous device 300 using one of the four coils shown in FIG. 3.
  • the intensity of the induced electric field decreases in proportion to the square of the distance from the coil. Therefore, in order to generate an induced electric field with a strength that causes electroluminescence in the self-luminous device 300, a larger current must be applied to the coil compared to the case of FIG. 3. As the intensity of the current applied to the coil increases, a high induced electric field is formed around the self-light-emitting device 300, which may generate sparks in the self-light-emitting device 300.
  • a plurality of coils are arranged with the self-luminous element 300 at the center.
  • the induced electric field generated from each coil can be accumulated at the center where the self-luminous device 300 is placed.
  • the self-luminous device 300 emits electroluminescence due to the accumulated induced electric field, the intensity of the current applied to each coil can be reduced.
  • the induced electric field can be concentrated at the p-n junction portion of the self-light emitting device 300, and a weak induced electric field is formed around the outside of the self-light emitting device 300 to prevent local arcing.
  • Figure 5 is a schematic diagram showing the coil arrangement in a defect inspection device for a self-luminous device using non-contact electroluminescence according to another embodiment of the present invention.
  • the inspection device 20 according to this embodiment is substantially the same as the inspection device 10 described with reference to FIGS. 2 to 4 except for the arrangement of the coil unit 101, so the same components are Use the same reference number and omit overlapping descriptions.
  • the coil portion 101 is formed on the upper and lower portions of the substrate S, respectively. Accordingly, the coil unit 101 includes a first coil unit 100a formed on the upper part of the substrate S and a second coil unit 100b formed on the lower part of the substrate S.
  • the arrangement state of the first coil part 100a formed on the upper part of the substrate S is substantially the same as the coil part 100 described with reference to FIGS. 3 and 4, and similarly, the arrangement state of the first coil part 100a formed on the upper part of the substrate S
  • the arrangement of the second coil unit 100b formed in is also substantially the same as that of the coil unit 100 described with reference to FIGS. 3 and 4 .
  • the vertically induced electric field component accumulated at the p-n junction portion of the self-luminous device 300 may increase, so that each coil The intensity of the current applied to can be further weakened, and the uniformity of the induced electric field at the p-n junction of the self-luminous device 300 can be controlled more precisely.
  • the substrate S is made of a material other than a metal material that shields the induced electric field.
  • FIG. 6A is a schematic diagram showing a state of simulating the electric field strength around the area to be inspected in defect inspection using the defect inspection device of a self-luminous device using non-contact electroluminescence of FIG. 5, and FIG. 6B is a schematic diagram showing a state in which the electric field strength in area 'A' is simulated. This is an image showing the simulation results in Figure 6a.
  • FIG. 5 when the coil parts 100a and 100b are arranged at the top and bottom of the substrate S, respectively, and an electric field is induced by applying a current as shown in FIG. 6a, the The results of simulating the intensity of the induced electric field generated in the central region of the plurality of coils where the light emitting device 300 is located are shown in FIG. 6B. That is, it can be confirmed through FIG. 6B that the induced electric field can be accumulated by a plurality of coils, and thus the induced electric field can be concentrated in the central area where the self-luminous device 300 is disposed.
  • Figure 7 is a schematic diagram showing the coil arrangement in a defect inspection device for a self-luminous device using non-contact electroluminescence according to another embodiment of the present invention.
  • the inspection device 30 according to this embodiment is substantially the same as the inspection device 10 described with reference to FIGS. 2 to 4 except for the arrangement of the coil unit 102, so the same components are shown in FIG. Use the same reference number and omit overlapping descriptions.
  • the first and second coil parts 100a and 100c are stacked in a plurality of layers on the upper part of the substrate S. can be formed.
  • each of the first and second coil parts 100a and 100c formed on the upper part of the substrate S is substantially the same as that of the coil part 100 described with reference to FIGS. 3 and 4. .
  • the diameters of the first and second coil parts 100a and 100c, which are stacked in multiple layers, may be different from each other.
  • the diameter of the first coil part 100a may be formed to be larger than the diameter of the second coil part 100c that is additionally stacked on top of the first coil part 100a.
  • the coil units 100a and 100c are formed in a polygonal arrangement spaced apart from each other as shown in FIG. 3, the distance between the first coil units 100a is the distance between the second coil units 100c. It can be formed larger than the spacing required.
  • the uniformity of the intensity of the induced electric field at the p-n junction of the self-luminous device 300 can be improved.
  • the drawing shows that the coil portions 100a and 100c are formed of a plurality of layers on the upper part of the substrate S, but they may also be formed of a plurality of layers on the lower part of the substrate S.
  • FIG. 7 shows the first and second coil parts 100a and 100c stacked in two layers on the upper part of the substrate S, the coil parts may be arranged to be stacked in three or more layers. there is.
  • Figure 8 is a schematic diagram showing the coil arrangement in a defect inspection device for a self-luminous device using non-contact electroluminescence according to another embodiment of the present invention.
  • the inspection device 40 according to this embodiment is substantially the same as the inspection device 10 described with reference to FIGS. 2 to 4 except for the arrangement of the electric field concentration portion 150 and the coil portion 103. Therefore, the same reference numbers are used for the same components and overlapping descriptions are omitted.
  • the coil portion 103 is disposed at the bottom of the substrate S, and the electric field concentration portion 150 is the coil portion 103. It is placed in the center.
  • the coil portion 103 disposed below the substrate S has substantially the same arrangement and structure as the second coil portion 100b disposed below the substrate S described with reference to FIG. 5. You can.
  • the electric field concentration portion 150 is made of a magnetic material and is disposed at the bottom of the substrate S, and may be positioned to be aligned with the self-luminous device 300 located on the substrate S in the vertical direction.
  • the induced electric field can be further concentrated in the local area where the self-luminous device 300 is located, thereby improving the induced electric field uniformity, By applying a high induced electric field around the light emitting device 300, local arcing can be prevented.
  • the induced electric field uniformity at the p-n junction of the self-luminous device can be improved by accumulating the induced electric field generated from the plurality of coils.
  • the intensity of the current applied to each coil can be reduced and the induced electric field can be concentrated at the p-n junction of the self-luminous device, thereby reducing the intensity of the induced electric field formed in areas other than the self-luminous device, resulting in local arcing. can be suppressed.
  • defect inspection of self-light-emitting devices can be performed quickly and non-contactly by moving the coil unit or moving the substrate.

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Abstract

비접촉식 전계 발광을 이용한 자체발광 소자의 결함 검사 장치에서, 자체발광 소자의 결함 검사 장치는, 기판에 실장된 자체발광 소자에서 전계 방출된 빛을 수광하여 결함을 감지하는 결함 감지부, 상기 자체발광 소자의 주변을 따라 배열되는 코일부, 및 상기 코일부에 전류를 인가하는 전원부를 포함한다. 이 경우, 상기 코일부에 전류가 인가될 때 상기 자체발광 소자의 p-n 접합 부위에 유도 전기장을 형성하여 상기 자체발광 소자에서 빛을 전계 방출시킨다.

Description

비접촉식 전계 발광을 이용한 자체발광 소자의 결함 검사 장치
본 발명은 비접촉식 전계 발광을 이용한 자체발광 소자의 결함 검사 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 OLED나 마이크로 LED와 같은 자체발광 소자(self-light emitting diode)에 유도 전류를 발생시켜 비접촉식으로 전계 발광을 유도하고, 이로부터 자체발광 소자의 결함을 검사할 수 있는 비접촉식 전계 발광을 이용한 자체발광 소자의 결함 검사 장치에 관한 것이다.
발광 다이오드(light emitting diode; LED)는 순방향으로 전압을 인가할 때 빛을 발생시키는 반도체 소자이다.
발광 다이오드를 이루는 P형 반도체에 양(+)의 전압을 인가하고 N형 반도체에 음(-)의 전압을 인가할 때, 정공과 전자가 각각 P형 반도체와 N형 반도체의 접합면 부근으로 이동하는데, 정공과 전자가 결합하고 여기 상태에서 기저 상태로 전이하면서 밴드 갭(band gap)에 대응하는 에너지가 광자인 빛으로 방출된다.
이와 같은 현상은 전계 발광(electroluminescence, EL)이라고 부르며, LED는 전계 발광이 아닌 광 발광(photoluminescence, PL)에 의해서도 빛을 방출할 수 있다. 광 발광은 LED에 밴드 갭 이상의 에너지를 가진 빛을 공급할 때, LED가 광자를 흡수한 후 여기 되어 빛을 방출하는 현상이다.
최근에는 발광 다이오드의 가로 및 세로 길이를 각각 100 μm 이하로 줄인, 마이크로 LED가 개발되어 각광을 받고 있다. 마이크로 LED는 칩의 크기가 작고, 10 μm 이하의 아주 얇은 두께를 가질 수 있기 때문에, 플렉서블 디바이스(flexible device)에 용이하게 적용할 수 있고, 해상도, 전력소모, 디스플레이 두께, 명암비 등에 있어서 기존 디스플레이 소자와 비교하여 좋은 성능을 가지는 것으로 알려져 있다.
하지만, 제조 공정 상에서 스크래치, 선결함, 전극 오염 및 박리, 마이크로 LED 칩의 이탈 등의 결함이 발생할 수 있는데, 마이크로 LED의 경우 각 제조 공정에서 관리해야 할 불량 요소가 많기 때문에 각 공정 단계에서 결함을 정확하고 빠르게 검사하는 것이 중요하다.
기존에 자체발광 소자의 결함을 검사하기 위해 방식인 PL(Photoluminescence) 기술과 EL(Electro Luminescence) 기술이 알려져 있다.
PL 기술은 자체발광 소자에 빛을 조사하여 광 발광 현상을 이용한 검사 방법으로 검사 속도가 빠르다는 장점을 가지고 있으나 EL 기술 대비 정확도가 낮다는 단점을 가지고 있다.
전계 방출 기술의 일 예로 자체발광 소자의 음극과 양극에 직접 전원을 외부 전원을 연결하는 방법이 알려져 있는데, 이는 자체 발광 소자의 p-n 접합 및 옴 접합 결함 유무를 동시에 측정 가능하다는 장점이 있다. 하지만, 디스플레이 화소 수 증가 및 자체발광 소자 크기의 감소에 따라 자체발광 소자 각각에 대해 전원을 연결하여 결함을 검사하는 데에 어려움이 있다. 따라서, 고속 및 대면적 검사가 가능한 비접촉 방식의 전계 방출을 이용한 검사 기술이 요구된다.
도 1은 종래의 비접촉 방식의 전계 방출을 이용한 자체발광 소자의 검사 장치의 개략도이다.
도 1에서는 대면적 비접촉 방식의 전계 방출을 구현하기 위해 기판에 실장된 자체발광 소자(μLED)의 p-n 접합 상하부에 절연층(2)이 형성된 투명전극(ITO)(1) 모듈을 배치시키고 투명전극(1)에 고주파를 인가한다. 해당 모듈에 의해 p-n 접합 내 전자 및 정공의 확산 속도에 적합한 외부 전기장을 발생시키게 되면, 유도된 유도 전기장에 의해 p-n 접합 내 전류가 흐르며 자체발광 소자가 발광할 수 있다. 이때, 발광 신호를 수신 및 분석하여 접합 내 결함 유무를 검사할 수가 있다.
이러한 축전기 방식의 유도 전기장 발생 방법은 고주파 전압이 인가되는 투명 전극의 수직 방향의 두께 및 유전율에 의해 전기장의 세기가 결정될 수 있다. 일반적으로 자체발광 소자에 사용되는 질화갈륨(GaN, εr=8.9), 갈륨아세나이드(GaAs, εr=12.9)는 대기 중 공기(εr=1.004) 대비 높은 유전율을 갖는다. 자체발광 소자 내 p-n 접합 두께는 약 4㎛정도이며, 점등을 위해 보통 2~3 V의 전압이 요구된다. 따라서, 도 1의 축전기 방식의 전기장 인가 시, 자체발광 소자의 p-n 접합 영역에 500~750 V/mm 수준의 전기장 인가가 필요하다. 필요 전기장의 크기는 p-n 접합의 두께 및 물질종류, 밴드갭 등에 따라 달라질 수 있다.
절연층(20)을 포함하는 축전기 방식을 통해 검사 대상인 자체발광 소자에 유도전기장을 인가할 때, 자체발광 소자 사이 영역 또는 절연층(20)과 자체발광 소자 사이에 대기 공간이 발생한다. p-n 접합 영역에 500~750 V/mm 수준의 전기장을 인가시킬 때 p-n 접합층과 대기 사이의 유전율 차이로 대기에는 절연파괴 전기장(3 kV/mm) 이상이 인가될 수 있으며, 따라서 국부적인 아크가 발생하여 검사 중 자체발광 소자에 손상을 일으킬 수 있다.
관련 선행기술 문헌으로는 대한민국 등록특허 제10-2286322호가 있다.
이에, 본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, OLED나 마이크로 LED와 같은 자체발광 소자(self-light emitting diode)에 유도 전류를 발생시켜 비접촉식으로 전계 발광을 유도하고, 이로부터 자체발광 소자의 결함을 검사할 수 있는 비접촉식 전계 발광을 이용한 자체발광 소자의 결함 검사 장치를 제공함에 있다.
상기한 본 발명의 목적을 수행하기 위한 일 실시예에 의한 자체발광 소자의 결함 검사 장치는, 기판에 실장된 자체발광 소자에서 전계 방출된 빛을 수광하여 결함을 감지하는 결함 감지부, 상기 자체발광 소자의 주변을 따라 배열되는 코일부, 및 상기 코일부에 전류를 인가하는 전원부를 포함하고, 상기 코일부에 전류가 인가될 때 상기 자체발광 소자의 p-n 접합 부위에 유도 전기장을 형성하여 상기 자체발광 소자에서 빛을 전계 방출시킨다.
일 실시예에서, 상기 코일부는, 중앙을 따라 연장되는 자속 집속부, 및 상기 자속 집속부의 외주면을 따라 권선되는 코일을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 자속 집속부는, 자성체일 수 있다.
일 실시예에서, 상기 코일부는, 상기 자체발광 소자의 주변을 따라 원주 형상으로 배열될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 코일부는, 복수개가 상기 자체발광 소자로부터 일정한 간격으로 이격되며 상기 자체발광 소자의 주변에 배열될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 복수개로 배열되는 코일부들은, 상기 자체발광 소자를 중심으로 다각형을 형성하도록 배열될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 코일부는, 상기 기판의 상부 및 하부 중 적어도 하나에 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 코일부는, 상기 기판의 상부 및 하부 중 적어도 하나에, 복수의 층으로 중첩되도록 배치될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 코일부가 복수의 층으로 중첩되도록 배치되는 경우, 상기 코일부와 상기 자체발광 소자 사이의 이격 거리는, 각 층마다 서로 다를 수 있다.
일 실시예에서, 상기 코일부와 상기 자체발광 소자 사이의 이격 거리는, 상기 기판으로부터 멀어질수록 감소할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 코일부가 상기 기판의 하부에 배치되는 경우, 상기 코일부의 중앙에 배치되는 전기장 집중부를 더 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 상기 전기장 집중부는, 상기 기판을 기준으로 상기 자체발광 소자와 정렬될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 전기장 집중부는, 자성체일 수 있다.
상기한 바와 같은 본 실시예의 비접촉식 전계 발광을 이용한 자체발광 소자의 결함 검사 장치에 따르면 복수의 코일에서 생성되는 유도 전기장을 누적하여 자체발광 소자의 p-n 접합 부위에 유도 전기장 균일도를 향상시킬 수 있다.
또한, 각 코일에 인가되는 전류의 세기가 감소될 수 있고 자체발광 소자의 p-n 접합 부위에 유도 전기장을 집중시킬 수 있어서 자체발광 소자 이외 영역에 형성되는 유도 전기장의 세기를 감소시킬 수 있어서 국부적 아킹 발생을 억제할 수 있다.
또한, 코일부를 이동시키거나 기판을 이동시키며 비접촉식으로 빠르게 자체발광 소자의 결함 검사를 수행할 수 있다.
도 1은 종래의 비접촉 방식의 전계 방출을 이용한 자체발광 소자의 검사 장치의 개략도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 비접촉식 전계 발광을 이용한 자체발광 소자의 결함 검사 장치를 도시한 모식도이다.
도 3은 도 2의 코일부의 일 예를 도시한 평면도이다.
도 4는 도 2의 코일부의 다른 일 예를 도시한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 비접촉식 전계 발광을 이용한 자체발광 소자의 결함 검사 장치에서, 코일 배치를 도시한 모식도이다.
도 6a는 도 5의 비접촉식 전계 발광을 이용한 자체발광 소자의 결함 검사 장치를 이용한 결함 검사에서, 피검사체 영역 주위의 전기장 세기를 시뮬레이션하는 상태를 도시한 모식도이고, 도 6b는 ‘A’영역에서의 도 6a의 시뮬레이션 결과를 도시한 이미지이다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 비접촉식 전계 발광을 이용한 자체발광 소자의 결함 검사 장치에서, 코일 배치를 도시한 모식도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 비접촉식 전계 발광을 이용한 자체발광 소자의 결함 검사 장치에서, 코일 배치를 도시한 모식도이다.
<부호의 설명>
10, 20, 30, 40 : 자체발광 소자의 결함 검사 장치
100, 101, 102, 103: 코일부 120: 자속 집속부
150: 전기장 집중부 200: 결함 감지부
300 : 자체발광 소자 S: 기판
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 실시예들을 본문에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용하였다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다.
상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.
본 출원에서, "포함하다" 또는 "이루어진다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥 상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 비접촉식 전계 발광을 이용한 자체발광 소자의 결함 검사 장치를 도시한 모식도이다.
도 2를 참조하면, 본 실시예에 따른 비접촉식 전계 발광을 이용한 자체발광 소자의 결함 검사 장치(10, 이하, 검사 장치라 함)는 결함 감지부(200), 코일부(100) 및 전원부(미도시)를 포함한다.
결함 감지부(200)는 코일부(100)에 전류가 인가될 때 발생하는 유도 전기장에 의해 자체발광 소자(300)의 p-n 접합 내 전류가 흘러 전계 방출된 빛을 수광하여 결함을 감지한다.
이 경우, 상기 자체발광 소자(300)는 예를 들어, 마이크로 LED(μLED)일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 전기장 유도에 의해 발광을 수행하는 소자이면 제한되지는 않는다.
한편, 상세 도시하지는 않았으나, 결함 감지부(200)는 자체발광 소자(300)에서 전계 방출된 빛을 수광하는 현미경 및 현미경으로부터 수광된 빛을 분석하여 결함 여부를 분석하는 컴퓨터 장치를 포함하여 구성될 수 있다.
코일부(100)는 기판(S)에 장착된 자체발광 소자(300) 주위에 배치되어 코일 내 전류가 흐를 때 자체발광 소자(300)의 p-n 접합 영역에 수직 방향의 유도 전기장을 발생시킨다. 이때, 상기 유도 전기장이 발생되는 방향은 도 2를 통해 예시된 바와 같다.
또한, 본 실시예에서의 코일부(100)는 도 2에 도시되어 있는 것과 같이 자체발광 소자(300)를 중앙에 두고 복수의 코일을 이격 배치시켜 형성될 수 있다.
토로이달 코일(toroidal coil)처럼 링 형태로 원주 방향 전체에 대해 코일이 형성되는 경우 코일 내부에 유도 자기장이 집중되어 링 중심에는 유도 전기장이 발생하지 않는다. 하지만, 본 실시예에서와 같이 자체발광 소자(300)를 중앙에 두고 원주 방향을 따라 복수의 코일을 이격 배치시키는 경우 이격 부위를 통해 각 코일 내부의 자기장이 누설되어 자체발광 소자(300)가 위치하는 중앙 영역에 유도 전기장을 발생시킬 수 있다.
이에, 본 실시예의 경우, 코일부(100)는 각 코일의 중심축이 자체발광 소자(300)를 중앙에 두고 원주 방향으로 배치될 수 있다. 본 실시예에서 복수의 코일 중심축이 원주 방향으로 배치된다는 의미는 후술되는 바와 같이, 도 4에 도시되어 있는 것과 같이 문언 그대로 복수의 코일이 자체발광 소자(300)를 중심으로 원호를 형성하는 형태로 코일이 형성되는 것뿐만 아니라 도 3에 도시되어 있는 것과 같이 복수의 코일이 다각형(도 3에서는 사각형)의 형태로 중앙에 자체발광 소자(300)를 두고 둘러싸는 형태를 포함할 수 있다.
이때, p-n 접합 영역에 수직 방향으로 유도 전기장이 형성되는 방향으로 코일에 전류를 인가하는 것이 바람직하다.
도 3은 도 2의 코일부의 일 예를 도시한 평면도이고, 도 4는 도 2의 코일부의 다른 일 예를 도시한 평면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 코일부(100)는 중앙을 따라 연장되는 자속 집속부(120) 및 상기 자속 집속부(120)의 외주면을 따라 권선되는 코일(110)을 포함한다.
즉, 상기 자속 집속부(120)는 상기 코일부(100)의 전체적인 형상을 고려하여 상기 코일부(100)의 중앙을 따라 연장되는 구조를 가지며, 상기 코일(110)은 상기 자속 집속부(120)의 외주면을 따라 권선되어, 양 끝단은 외부의 전원부와 연결되어 전원을 공급받는다.
예를 들어, 코일부(100)가 도 3과 같이 복수 개가 자체발광 소자(300)의 주변에 서로 이격되도록 배열되는 경우, 각각의 코일부(100)에는 각각의 코일(110)이 권선되어, 전원은 별도로 제공받는다.
이와 달리, 코일부(100)가 도 4에 도시되어 있는 것과 같이 일체로 형성되는 경우, 코일(110)은 외부의 전원부에 동시에 연결되어 전원을 공급받게 된다. 또한, 자속 집속부(120)의 경우, 도 3에 도시되어 있는 것과 같이 코일 각각에 대해서 막대 형태의 자속 집속부(120)가 배치될 수 있다. 이에, 각 코일(110)은 분할된 각각의 자속 집속부(120)의 외주를 감아 형성될 수 있다. 이때, 자속 집속부(120)는 원통 형태의 막대일 수 있으나 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
한편, 도 3을 통해서는, 상기 자체 발광 소자(300)의 4면에 코일부(100)가 배치되어 전체적으로 4개의 코일부가 배치되는 것을 예시하였으나, 상기 코일부(100)의 배치 형태는, 이러한 사각형 배열 외에, 삼각형 배열, 오각형 배열 등과 같은 다각형 배열로 배치될 수 있다. 이 때, 다각형 배열의 경우 중앙에 위치하는 상기 자체발광 소자(300)의 중심을 기준으로 서로 대칭되는 형태로 배열될 수 있다.
이와 달리, 도 4에 도시되어 있는 것과 같은 코일부(100)의 경우, 링 형태의 자속 집속부(120)가 형성되며, 코일(110)은 자속 집속부(120)의 외주면을 따라 연속적으로 전체적으로 권선된다.
예를 들어, 자속 집속부(120)는 페라이트(ferrite)와 같은 자성체로 형성되는 것이 바람직하다. 코일 내에 자속 집속부(120)가 배치됨에 따라서 유도되는 자기력 및 유전 전기장의 세기 및 분포 밀도를 증가시킬 수 있다.
전원부는 상기 코일에 전류를 인가한다.
이와 같이, 전원부에 의해 코일에 전류가 인가되면 코일 사이의 이격 부위로부터 유도 자기장이 누설되어 자기장 변화에 따라 코일 중앙에 수직 방향으로 유도 전기장이 형성될 수 있다. 상기 유도 전기장이 형성되는 복수의 코일 중심에 자체발광 소자(300)가 배치되도록 하여 자체발광 소자(300)에 인가되는 유도 전기장에 의해 p-n 접합 내 전류가 흘러 발광할 수 있다.
자체발광 소자(300) 상부에 전술한 결함 감지부(200)가 배치되어 빛을 수광하여 자체발광 소자(300)의 결함 여부를 검사할 수 있다.
이때, 코일부(100)는 도 2에 도시되어 있는 것과 같이 자체발광 소자(300)를 중앙에 두고 기판(S) 상부에 배치될 수 있다. 또는, 도시하지는 않았으나 코일부(100)는 자체발광 소자(300)를 중앙에 두고 기판(S) 하부에 배치될 수도 있다.
만약, 도 3에 도시된 4개의 코일 중 하나의 코일을 이용하여 자체발광 소자(300)에 유도 전기장을 형성하는 경우를 가정해보자. 유도 전기장의 세기는 코일과의 거리의 제곱에 비례하여 감소한다. 따라서, 자체발광 소자(300)에 전계 발광을 일으키는 세기의 유도 전기장을 생성시키기 위해서는 도 3의 경우와 비교하여 코일에 더 큰 전류를 인가하여야 한다. 이와 같이 코일에 인가되는 전류의 세기가 커짐에 따라서 자체발광 소자(300) 주위에 높은 유도 전기장이 형성되어 자체발광 소자(300)에서 스파크가 발생할 수 있다.
하지만, 본 실시예에서는 자체발광 소자(300)를 중심에 두고 복수의 코일이 배치된다. 각 코일에서 발생한 유도 전기장을 자체발광 소자(300)가 배치되는 중심에 누적시킬 수 있다. 이와 같이 누적된 유도 전기장에 의해 자체발광 소자(300)를 전계 발광시킴으로 각 코일에 인가되는 전류의 세기가 작아질 수 있다.
따라서, 자체발광 소자(300)의 p-n 접합 부위에 유도 전기장을 집중시킬 수 있고, 자체발광 소자(300) 외부 주위에는 약한 유도 전기장이 형성되어 국부적 아킹(arcing)을 방지할 수 있다.
도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 비접촉식 전계 발광을 이용한 자체발광 소자의 결함 검사 장치에서, 코일 배치를 도시한 모식도이다.
본 실시예에 의한 상기 검사 장치(20)는 코일부(101)의 배치상태를 제외하고는 도 2 내지 도 4를 참조하여 설명한 상기 검사 장치(10)와 실질적으로 동일하므로, 동일한 구성요소에 대하여는 동일한 참조번호를 사용하고 중복되는 설명은 생략한다.
즉, 도 5에서의 상기 검사 장치(20)에서는, 코일부(101)가 기판(S)의 상부 및 하부에 각각 형성된다. 이에, 코일부(101)는 기판(S)의 상부에 형성되는 제1 코일부(100a) 및 기판(S)의 하부에 형성되는 제2 코일부(100b)를 포함한다.
한편, 기판(S)의 상부에 형성되는 제1 코일부(100a)의 배열 상태는 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한 상기 코일부(100)와 실질적으로 동일하며, 마찬가지로 기판(S)의 하부에 형성되는 제2 코일부(100b)의 배열 상태 역시 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한 상기 코일부(100)와 실질적으로 동일하다.
이상과 같이 기판(S)의 상부와 하부에 각각 코일부(100a, 100b)가 형성되는 경우 자체발광 소자(300)의 p-n 접합 부위에 누적되는 수직 방향 유도 전기장 성분이 많아질 수 있으므로, 각 코일에 인가되는 전류의 세기를 더욱 약하게 할 수 있고, 자체발광 소자(300)의 p-n 접합 부위의 유도 전기장 균일도를 더욱 정밀하게 제어할 수 있다.
이때, 기판(S) 하측에 제2 코일부(100b)가 배치되는 경우, 기판(S)은 유도 전기장이 차폐되는 금속 소재 이외의 것으로 제작되는 것이 바람직하다.
도 6a는 도 5의 비접촉식 전계 발광을 이용한 자체발광 소자의 결함 검사 장치를 이용한 결함 검사에서, 피검사체 영역 주위의 전기장 세기를 시뮬레이션하는 상태를 도시한 모식도이고, 도 6b는 ‘A’영역에서의 도 6a의 시뮬레이션 결과를 도시한 이미지이다.
즉, 도 5에 도시된 바와 같이 기판(S)의 상부 및 하부에 각각 코일부들(100a, 100b)을 배열한 상태에서, 도 6a에서와 같이, 전류를 인가하여 전기장을 유도하는 경우, 자체발광 소자(300)가 위치하는 복수의 코일 중앙 영역에 발생하는 유도 전기장의 세기를 시뮬레이션한 결과는 도 6b에서와 같다. 즉, 복수의 코일에 의해 유도 전기장이 누적될 수 있으므로, 자체발광 소자(300)가 배치되는 중앙 영역에 유도 전기장을 집중시킬 수 있음을 도 6b를 통해 확인할 수 있다.
도 7은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 비접촉식 전계 발광을 이용한 자체발광 소자의 결함 검사 장치에서, 코일 배치를 도시한 모식도이다.
본 실시예에 의한 상기 검사 장치(30)는 코일부(102)의 배치상태를 제외하고는 도 2 내지 도 4를 참조하여 설명한 상기 검사 장치(10)와 실질적으로 동일하므로, 동일한 구성요소에 대하여는 동일한 참조번호를 사용하고 중복되는 설명은 생략한다.
즉, 도 7에서와 같이, 본 실시예에서의 상기 검사 장치(30)에서는, 기판(S)의 상부에 제1 및 제2 코일부들(100a, 100c)이 복수의 층으로 적층되는 구조로 형성될 수 있다.
이 경우, 기판(S)의 상부에 형성되는 제1 및 제2 코일부들(100a, 100c) 각각의 배열 상태는 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한 상기 코일부(100)와 실질적으로 동일하다. 다만, 도시된 바와 같이, 복수의 층으로 적층되는 제1 및 제2 코일부들(100a, 100c)의 직경을 서로 다를 수 있다.
예를 들어, 제1 코일부(100a)의 직경이, 제1 코일부(100a)의 상부에 추가로 적층되는 제2 코일부(100c)의 직경보다 크게 형성될 수 있다. 이 때, 상기 코일부들(100a, 100c)이 도 3에서와 같이 서로 이격되는 다각형 형태의 배열로 형성된다면, 제1 코일부(100a)의 이격되는 간격이 제2 코일부(100c)의 이격되는 간격보다 더 크게 형성될 수 있다.
이와 같이 코일부(100a, 100c)를 기판(S)의 상부에 복수의 층으로 중첩시켜 배열함으로써, 자체발광 소자(300)의 p-n 접합 부위에 유도 전기장의 세기 균일도를 향상시킬 수 있다.
이때, 도면에서는 기판(S)의 상부에 코일부(100a, 100c)가 복수의 층으로 형성되어 있는 것을 도시하고 있으나, 기판(S)의 하부에도 복수의 층으로 형성될 수 있다.
나아가, 도 7을 통해서는 기판(S)의 상부에 2개의 층으로 적층되는 제1 및 제2 코일부들(100a, 100c)을 도시하였으나, 3개 이상의 층으로 적층되도록 코일부들이 배열될 수도 있다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 비접촉식 전계 발광을 이용한 자체발광 소자의 결함 검사 장치에서, 코일 배치를 도시한 모식도이다.
본 실시예에 의한 상기 검사 장치(40)는 전기장 집중부(150) 및 코일부(103)의 배치상태를 제외하고는 도 2 내지 도 4를 참조하여 설명한 상기 검사 장치(10)와 실질적으로 동일하므로, 동일한 구성요소에 대하여는 동일한 참조번호를 사용하고 중복되는 설명은 생략한다.
즉, 도 8에서와 같이, 본 실시예에서의 상기 검사 장치(30)에서는, 기판(S)의 하부에 코일부(103)가 배치되며, 전기장 집중부(150)가 코일부(103)의 중앙에 배치된다.
이 경우, 상기 기판(S)의 하부에 배치되는 코일부(103)는 도 5를 참조하여 설명한 기판(S)의 하부에 배치되는 제2 코일부(100b)와 실질적으로 동일한 배치 및 구조를 가질 수 있다.
전기장 집중부(150)는 자성체로 형성된 것으로, 기판(S)의 하부에 배치되되, 기판(S) 상에 위치하는 자체발광 소자(300)와 상하방향으로 서로 정렬되도록 위치할 수 있다.
이와 같이, 기판(S)의 하측에 전기장 집중부(150)가 배치됨에 따라서 자체발광 소자(300)가 위치하는 국부 영역에 유도 전기장을 더욱 집중시킬 수 있어서 유도 전기장 균일도를 향상시킬 수 있고, 자체발광 소자(300) 주위에 높은 유도 전기장을 인가하여 국부적 아킹(arcing) 발생을 방지할 수 있다.
상기한 바와 같은 본 실시예들에 의한 검사 장치에 따르면 복수의 코일에서 생성되는 유도 전기장을 누적하여 자체발광 소자의 p-n 접합 부위에 유도 전기장 균일도를 향상시킬 수 있다.
또한, 각 코일에 인가되는 전류의 세기가 감소될 수 있고 자체발광 소자의 p-n 접합 부위에 유도 전기장을 집중시킬 수 있어서 자체발광 소자 이외 영역에 형성되는 유도 전기장의 세기를 감소시킬 수 있어서 국부적 아킹 발생을 억제할 수 있다.
또한, 코일부를 이동시키거나 기판을 이동시키며 비접촉식으로 빠르게 자체발광 소자의 결함 검사를 수행할 수 있다.
본 발명의 권리범위는 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.

Claims (13)

  1. 기판에 실장된 자체발광 소자에서 전계 방출된 빛을 수광하여 결함을 감지하는 결함 감지부;
    상기 자체발광 소자의 주변을 따라 배열되는 코일부; 및
    상기 코일부에 전류를 인가하는 전원부를 포함하고,
    상기 코일부에 전류가 인가될 때 상기 자체발광 소자의 p-n 접합 부위에 유도 전기장을 형성하여 상기 자체발광 소자에서 빛을 전계 방출시키는 것을 특징으로 하는 자체발광 소자의 결함 검사 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 코일부는,
    중앙을 따라 연장되는 자속 집속부; 및
    상기 자속 집속부의 외주면을 따라 권선되는 코일을 포함하는 것을 특징으로 하는 결함 검사 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 자속 집속부는,
    자성체인 것을 특징으로 하는 결함 검사 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 코일부는,
    상기 자체발광 소자의 주변을 따라 원주 형상으로 배열되는 것을 특징으로 하는 자체발광 소자의 결함 검사 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 코일부는,
    복수개가 상기 자체발광 소자로부터 일정한 간격으로 이격되며 상기 자체발광 소자의 주변에 배열되는 것을 특징으로 하는 자체발광 소자의 결합 검사 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 복수개로 배열되는 코일부들은,
    상기 자체발광 소자를 중심으로 다각형을 형성하도록 배열되는 것을 특징으로 하는 자체발광 소자의 결함 검사 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 코일부는,
    상기 기판의 상부 및 하부 중 적어도 하나에 배치되는 것을 특징으로 하는 자체발광 소자의 결함 검사 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 코일부는,
    상기 기판의 상부 및 하부 중 적어도 하나에, 복수의 층으로 중첩되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 자체발광 소자의 결함 검사 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 코일부가 복수의 층으로 중첩되도록 배치되는 경우,
    상기 코일부와 상기 자체발광 소자 사이의 이격 거리는, 각 층마다 서로 다른 것을 특징으로 하는 자체발광 소자의 결함 검사 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 코일부와 상기 자체발광 소자 사이의 이격 거리는, 상기 기판으로부터 멀어질수록 감소하는 것을 특징으로 하는 자체발광 소자의 결함 검사 장치.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 코일부가 상기 기판의 하부에 배치되는 경우,
    상기 코일부의 중앙에 배치되는 전기장 집중부를 더 포함하는 자체발광 소자의 결함 검사 장치.
  12. 제11항에 있어서, 상기 전기장 집중부는,
    상기 기판을 기준으로 상기 자체발광 소자와 정렬되는 것을 특징으로 하는 자체발광 소자의 결함 검사 장치.
  13. 제11항에 있어서, 상기 전기장 집중부는,
    자성체인 것을 특징으로 하는 결함 검사 장치.
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