CN107179177B - 一种发光二极管的光学检测装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种发光二极管的光学检测装置，用以检测发光二极管，包括：一载具，包括：一承载台，用以承载待检测的发光二极管，该承载台具有一第一表面及与该第一表面相对的一第二表面；一支撑体，连接于该承载台，且该支撑体具有一凸部凸伸于该承载台的第一表面，以使该支撑体及该承载台共同围设形成一凹穴；一第一真空孔，设于该支撑体，且该第一真空孔与该凹穴连通；一收光器，是朝向该承载台设置；以及一波长转换组件，设于该承载台或该收光器。

Description

一种发光二极管的光学检测装置

技术领域

本发明是有关于一种发光二极管的光学检测装置，且特别有关于一种用于检测发光二极管发光强度的检测装置。

背景技术

发光二极管的结构有水平式、垂直式以及覆晶式三种。水平式发光二极管中，其两个电极是设置于发光层之上，因此发光层受到电极的遮蔽而降低了发射光源的面积，便降低了其发光效率。同样地，垂直式发光二极管的其中一个电极覆盖在发光层上，亦降低了发光效率。相对地，覆晶式发光二极管的两个电极与发光层是设置于基板的两个相反面上，亦即，发光层不会受到电极的影响，因而使覆晶式发光二极管具有三种结构中最佳的发光效率。同时，覆晶式发光二极管还具有较小的热衰退，相当适合用于发光二极管照明组件。

一般而言，发光二极管晶粒必须先通过测试后才能进行实际的应用，发光二极管的测试流程是将载有发光二极管的晶圆展开后承载于一检测装置的载具上，接着以探针接触电极并通以电流使得发光二极管发光，再透过收光器(例如积分球或太阳能电池)检测发光特性，并藉由探针检测发光二极管的电性。

请参阅图1A，其显示的是一种习知发光二极管的光学检测装置100。此习知发光二极管的检测装置100包括一载具110、一收光器120及一光侦测器130。载具110包括一承载台(chuck)140以及一支撑体(holder)150支撑承载台140，该支撑体150表面具有一真空孔155。一扩张膜180(例如蓝膜或白膜)用以贴附复数待检测的发光二极管170于其表面上并可经扩晶步骤使扩张膜180表面的复数待检测的发光二极管170彼此以预定的距离互相间隔，一夹持内环160A与一夹持外环160B夹持扩张膜180并且固定于支撑体150外。一抽气装置(未显示)连通该真空孔155以将该载具与该扩张膜180之间的气体抽出，使扩张膜180吸附于承载台140表面。测试时，二点测器190分别连接发光二极管170表面的正电极175A及负电极175B并点亮发光二极管170，使检测中的发光二极管170所发出的光由收光器120的收光端125射入，然后再将收光器120所收集到的光线传送到与收光器120连接的光侦测器130以进行光学检测。

请参照图1B，当使用该***整贴附于承载台140表面，导致点测器190在检测每一发光二极管170时，上下针的距离必须拉长才能降低载具110移动时造成发光二极管170被点测器190刮伤的机率，造成检测速度降低。此外，扩张膜180无法平整贴附于承载台140表面也将造成点测器190在下针时滑动，或发光二极管170容易发生位移或旋转而导致量测时电性不稳。

有鉴于此，本发明乃揭露一种适用于发光二极管的光学检测装置，藉以改善上述习知用于发光二极管的光学检测装置的缺点。

发明内容

本发明之一特征是提供一种发光二极管的光学检测装置，用以检测发光二极管，包括：一载具，包括：一承载台，用以承载待检测的发光二极管并具有一第一表面及与该第一表面相对的一第二表面；一支撑体，连接于该承载台，且该支撑体具有一凸部凸伸于该承载台的第一表面，以使该支撑体及该承载台共同围设形成一凹穴；一第一真空孔，设于该支撑体且与该凹穴连通；一收光器，朝向该承载台设置；以及波长转换组件，设于该承载台或该收光器。

根据本发明的一个实施例，其中该第一真空孔设置于该支撑体的该凸部。

根据本发明的一个实施例，其中该凸部设有一侧表面，该侧表面环绕该凹穴，该第一真空孔设于该侧表面。

根据本发明的一个实施例，其中该凸部是设有一上表面，该上表面为凸伸于该承载台且远离该第一表面的一表面，其中，更包括一第二真空孔，该第二真空孔是设置于该凸部的该上表面。

根据本发明的一个实施例，其中该支撑体包含一本体及一延伸部，该凸部设于该本体，该延伸部连接该本体及该承载台，且该第一真空孔设于该延伸部。

根据本发明的一个实施例，其中该本体及该承载台之间具有一间隙，该间隙与该凹穴相连通。

根据本发明的一个实施例，其中该支撑体环绕于该承载台。

根据本发明的一个实施例，其中该第一真空孔环设于该支撑体。

根据本发明的一个实施例，其中该第一真空孔的数量为数个，相邻的两个第一真空孔之间以一隔墙相分离。

根据本发明的一个实施例，其中该承载台为透明，且该收光器朝向该承载台的该第二表面设置。

本发明之一特征是提供一种发光二极管的光学检测装置，用以检测发光二极管，包括一承载台，用以承载发光二极管，该承载台之局部或全部区域之透光度具可调变性；一点测器，朝向该承载台设置并用以检测该发光二极管的电性；一收光器，朝向该承载台设置，以收集该发光二极管所发出的光线；以及波长转换组件，用以转换该发光二极管发出光线的波长。

本发明之一特征是提供一种发光二极管的光学检测方法，包括提供一承载台；放置复数个发光二极管于该承载台上；定位该复数个发光二极管的位置；改变该承载台之透光度，使该承载台区分为一第一区域及一第二区域，该第一区域涵盖该复数个发光二极管中之至少一个，其中该第一区域具有一透光度高于该第二区域之透光度；提供波长转换组件，以转换该复数个发光二极管所发出光线的波长；及量测置于该第一区域之该复数个发光二极管中之至少一个的放光特性。

附图说明

图1A～1B绘示的是习知一种发光二极管的光学检测装置剖面示意图。

图2A绘示的是根据本发明实施例一的发光二极管光学检测装置。

图2B、2D、2E绘示的是根据本发明实施例一的发光二极管光学检测装置的载具剖面示意图。

图2C绘示的是根据本发明实施例一的发光二极管光学检测装置的载具俯视图。

图3A～3B绘示的是根据本发明实施例二的发光二极管光学检测装置的载具剖面示意图。

图4A～4B绘示的是根据本发明实施例三的发光二极管光学检测装置的载具剖面示意图。

图5A～5B绘示的是根据本发明实施例四的发光二极管光学检测装置的承载台示意图。

图6A～6B绘示的是根据本发明实施例五的发光二极管光学检测装置的承载台示意图。

图7A～7C绘示的是根据本发明实施例六的发光二极管光学检测装置的承载台示意图。

图8A～8C绘示的是根据本发明实施例七、八的发光二极管光学检测装置的剖面示意图。

图9绘示的是根据本发明实施例九的发光二极管光学检测装置的剖面示意图。

【符号说明】

100 习知发光二极管光学检测装置

200、800、800′、800″ 发光二极管光学检测装置

110、210、310、410 载具

120、220、720、820 收光器

125、225、725、825 收光端

130、230、730、830 光侦测器

140、240、340、440、540、640、740 承载台

150、250、350、450 支撑体

155 真空孔

160A 夹持内环

160B 夹持外环

170、270、370、470、570、670、770 发光二极管

175A、275A、375A、475A、575A、675A、775A 正电极

175B、275B、375B、475B、575B、675B、775B 负电极

180、280、380、480、580、680、780 扩张膜

190、290、390、490、590、690、790 点测器

240a、340a、440a、540a、640a、740a 第一表面

240b、340b、440b、540b、640b、740b 第二表面

250a、350a、450a 侧表面

350b、450b 上表面

251、351、451 凸部

255、355A 第一真空孔

256 隔墙

355B 第二真空孔

260、360、460 凹穴

262A、362A、462A 夹持内环

262B、362B、462B 夹持外环

271 发光面

452 本体

453 延伸部

454 间隙

455C 第三真空孔

541、641、741 第一区域

542、642、742 第二区域

671 第一发光二极管

672 第二发光二极管

673 第三发光二极管

781 反射腔

783 反射层

784 导光组件

784a 集光端

826 出光端

850 波长转换组件

850A 第一波长转换件

850B 第二波长转换件

850C 第三波长转换件

850D 第四波长转换件

850E 第五波长转换件

850F 第六波长转换件

d1 走道

具体实施方式

以下将详细说明本发明实施例的制作与使用方式。然应注意的是，本发明提供许多可供应用的发明概念，其可以多种特定形式实施。文中虽然以发光二极管组件作为举例讨论之特定实施例，然其仅为制造与使用本发明的特定方式，非用以限制本发明的范围，任何具有相似结构的半导体组件也可适用于本发明。

实施例一：

以下将配合图2A～2E绘示的剖面示意图，说明根据本发明实施例一的发光二极管光学检测装置。

首先，请参照图2A，其显示的是本发明实施例一的发光二极管的光学检测装置200，光学检测装置200包括一载具210及一收光器220，并且较佳另包含一光侦测器230及一点测器290。载具210包括一承载台(chuck)240以及一支撑体(holder)250支撑承载台240，该承载台240是用以承载待测的发光二极管270，该支撑体250设有一第一真空孔255，且该光侦测器230及该点测器290是朝向该承载台240设置。

请参照图2B及图2C，其中图2B绘示的是本实施例的发光二极管光学检测装置中的载具210的剖面图，而图2C绘示的本实施例的发光二极管光学检测装置中的载具210的俯视图，其中，图2B为沿图2C的剖面线B-B’所呈现的剖面图。

请先参照图2B所示，该承载台240具有一第一表面240a及一第二表面240b，该第一表面240a是与该第二表面240b相对，该第一表面240a是用以承载待测的发光二极管270。该承载台240的材质可以为透明或不透明，本实施例中的承载台240是呈现透明，使光得以穿过该承载台240，藉此检测覆晶式发光二极管的发光特性。本实施例的承载台240为以透明的石英所构成，在本发明的其他实施例中，承载台240的材质也可选用透明的压克力或玻璃。该支撑体250是围绕承载台240并具有一凸部251，该凸部251是凸出于该承载台240的第一表面240a，使该支撑体250的凸部251与该承载台240的第一表面240a共同界定一凹穴260。该凸部251具有一侧表面250a，且该侧表面250a是朝向并环绕于该凹穴260，该第一真空孔255连通于该凹穴260，且本实施例的该第一真空孔255设于该侧表面250a。

另请参照图2C，在本实施例的发光二极管的光学检测装置是包含数个第一真空孔255，并且相邻的两个第一真空孔255之间是以一隔墙256相分隔，该数个第一真空孔255是排列且环设于该支撑体250，各该第一真空孔255可为一圆形并具有一孔径例如约2mm；而在本发明的其他实施例中，第一真空孔255是包含宽度约2mm的一长方形气孔，该长方形气孔是环设于该支撑体250。

请参照图2D及2E，此为本发明一实施例的发光二极管光学检测装置使用示意图。其中是将复数待检测的发光二极管270贴附于扩张膜280，扩张膜280是以夹持内环262A与夹持外环262B共同固定于支撑体250。本实施例中所用的扩张膜280，其材质是蓝膜，在根据本发明的实施例中，扩张膜280的材质可选用白膜、解胶膜(UV release tape)或聚苯二甲酸乙二酯(PET)。此外，为使发光二极管270在量测时的收光角度变大，可先经扩晶步骤使扩张膜280表面复数待检测的发光二极管270彼此以预定的距离互相间隔后，再固定于夹持内环262A与夹持外环262B之间，然后再将夹持内环262A与夹持外环262B置放于载具210。藉由连通于该第一真空孔255的一抽气装置(未显示)对支撑体250的第一真空孔255抽气，使承载台240与扩张膜280之间的空气被抽离，进而使涵盖复数个待检测发光二极管270的扩张膜280因受负压而平整地吸附于承载台240表面，如图2E所示。

请参照图2A，当使用光学检测装置200进行发光二极管的光学检测时，将该收光器220朝向该承载台240的第一表面240a或第二表面240b设置，并以点测器290逐一通电流至每一个发光二极管270表面的正、负电极275A、275B，以依序点亮每一个发光二极管晶粒270，并且使检测中的发光二极管270所发出的光透过收光端225进入收光器220内，最后再将收光器220所收集到的光线传送到与收光器220连接的光侦测器230进行后续光学检测，该光侦测器230可以为一光谱仪，该点测器290可以为两个探针，在检测时分别连接于发光二极管270的正电极275A及负电极275B。当该发光二极管为覆晶式发光二极管时，该收光器230的收光端225是朝向该第二表面240a设置，且该承载台240为透明，使覆晶式发光二极管所发出的光是向下穿透承载台240，以到达位于该承载台240下方的收光器220以检测，而当该发光二极管270为水平式或垂直式发光二极管时，则该收光器220可以朝向该承载台240的第一表面240a或第二表面240b，以于适当方向进行收光。

实施例二：

以下将配合图3A及3B说明一种适用于根据本发明实施例二的发光二极管光学检测装置的载具剖面示意图。

首先，请参照图3A，其显示的是另一个适用于根据本发明实施例二的发光二极管的光学检测装置的载具310。载具310大抵与实施例一的载具210相似，均包括一承载台340及一支撑体350支撑承载台340。该承载台340具有一第一表面340a及一第二表面340b，该第一表面340a是与该第二表面340b相对，该第一表面340a是用以承载待测的发光二极管。该承载台340的材质可以为透明或不透明，本实施例中的承载台340的材质是由透明石英所构成，在根据本发明的其他实施例中，承载台340的材质也可选用透明的压克力或玻璃。

该支撑体350是围绕承载台340并具有一凸部351，该凸部351是凸出于该承载台340的第一表面340a，使该支撑体350的凸部351与该承载台340的第一表面340a共同界定一凹穴360，该凸部351具有一侧表面350a，侧表面350a是朝向并环绕于该凹穴360，且该第一真空孔255设于该侧表面350a而朝向该凹穴360并连通于该凹穴360。本实施例的该凸部351另包含一上表面350b，该上表面350B为凸伸于该承载台340且远离该第一表面340a的一表面，且该上表面350b与该侧表面350a相连接，本实施例的支撑体350除了有设于该凸部351的侧表面350a的第一真空孔355A外，另设有第二真空孔355B，且该第二真空孔355B设于该凸部351的上表面350b。在一实施例中，该支撑体350是设有数个第一真空孔355A及/或数个第二真空孔355B，且第一真空孔355A及/或第二真空孔355B的孔径大小约2mm，而在根据本发明的其他实施例中，两个相邻第一真空孔355A及/或两个相邻第二真空孔355B之间具有一隔墙(图未示)，且数个第一真空孔355A及/或第二真空孔355B是环绕该凹穴360。

请参照图3B所示，利用本发明一实施例的发光二极管光学检测装置检测时，先提供一表面包括有复数待检测的发光二极管370的扩张膜380，并固定于夹持内环362A与夹持外环362B之间，然后再将夹持内环362A与夹持外环362B置放于载具310上，且夹持内环362A与夹持外环362B是环绕于支撑体350外。本实施例于支撑体350设有第二真空孔355B是能够提高表面包括有复数待检测发光二极管370的扩张膜380被负压吸附到承载台340的吸附速率及均匀度。此外，为使发光二极管370在量测时的收光角度变大，可先经扩晶手续使扩张膜380表面的复数检测的发光二极管370彼此以预定的距离互相间隔后，再固定于夹持内环362A与夹持外环362B之间，然后再将夹持内环362A与夹持外环362B置放于载具310上进行后续光学量测。

接着，藉由与支撑体350连接的一抽气装置(未显示)对支撑体350的第一真空孔355A及第二真空孔355B抽气，使承载台340与扩张膜380之间的空气被抽离，进而使涵盖复数待检测发光二极管370的扩张膜380被负压均匀地吸附于承载台340的第一表面340a，然后再以点测器390逐一连接每一个发光二极管370表面的正、负电极375A、375B，依序点亮每一个发光二极管370，并且使检测中的发光二极管370所发出的光向下穿透承载台340，再如实施例一所述般，进入位在载具310下方的收光器(未显示)及与收光器连接的光侦测器(未显示)，进行后续光学检测。

实施例三：

以下将配合图4A～4B说明一种适用于根据本发明实施例三的发光二极管光学检测装置的载具剖面示意图。

首先，请参照图4A，其显示的是另一个适用于根据本发明实施例三的发光二极管光学检测装置的载具410。载具410大抵与实施例一的载具210相似，均包括一承载台440及一支撑体450支撑承载台440，该承载台440具有一第一表面440a及一第二表面440b，该第一表面440a是与该第二表面440b相对，该第一表面440a是用以承载待测的发光二极管。该承载台440的材质可以为透明或不透明，本实施例中的承载台440的材质是由透明石英所构成，在根据本发明的其他实施例中，承载台440的材质也可选用透明的压克力或玻璃。

该支撑体450是围绕承载台440并具有一凸部451，该凸部451是凸出于该承载台440的第一表面440a，使该支撑体450的凸部451与该承载台440的第一表面440a共同界定一凹穴460，且一第三真空孔455C是设于该支撑体450上。详而言之，该支撑体450是具有一本体452及一延伸部453，该凸部451是设于该本体452，该延伸部453连接于该本体452并朝向承载台440的方向延伸，使该本体452与该承载台440之间以该延伸部453相连接，使该本体452与该承载台440隔开一间隙454，该间隙454与该凹穴460相连通，其中，一第三真空孔455C设于该延伸部453并连通于该凹穴460。

此外，本实施例的载具410中具有数个第三真空孔455C，且相邻的两个第三真空孔455C之间隙设有一隔墙(图未示)，且数个第三真空孔455C环设于该承载台440的外周缘，该第三真空孔455C的孔径大小约2mm；而在根据本发明的其他实施例中，该载具410仅设有一个第三真空孔455C，且该第三真空孔455C环设于该承载台440的外周缘，第三真空孔355C呈现宽度约2mm的隙缝状。

请参照图4B所示，利用本发明一实施例的发光二极管光学检测装置检测时，先提供一表面包括有复数待检测发光二极管470的扩张膜480，并固定于夹持内环462A与夹持外环462B之间，再将夹持内环462A与夹持外环462B置放于载具410上，且夹持内环462A与夹持外环462B是环绕于支撑体(holder)450外。此外，为使发光二极管470在量测时的收光角度变大，可先经扩晶手续使扩张膜480表面的复数待检测发光二极管470彼此以预定的距离互相间隔后，再固定于夹持内环462A与夹持外环462B之间，然后再置放于载具410上进行后续光学量测。

接着，藉由一与支撑体450连接的抽气装置(未显示)对第三真空孔455C抽气，使承载台440与扩张膜480之间的空气被抽离，进而使涵盖复数待检测的发光二极管470扩张膜480被负压均匀地吸附于承载台440表面，然后再以点测器490逐一连接每一个发光二极管470表面的正、负电极475A、475B，点亮每一个发光二极管470，并且使发光二极管470所发出的光向下穿透承载台440，再如实施例一所述般，进入位在载具410下方的收光器(未显示)及与收光器连接的光侦测器(未显示)，进行后续光学检测。

实施例四：

以下将配合图5A～5B说明根据本发明实施例四的发光二极管光学检测装置的载具中的承载台示意图。

首先，请参照图5A，此为利用本发明实施例四的承载台540量测待检测的发光二极管570时的俯视图，承载台540可以适用于如实施例一至三中的发光二极管光学检测装置的载具210、310、410，并取代其对应的承载台240、340、440。该承载台540包括一种可控制光穿透度的材质，使该承载台540的局部或全部区域的透光度具可调变性，例如在量测待检测的发光二极管570时，该承载台540包含一第一区域541及一第二区域542环绕该第一区域541。该第一区域541或/及该第二区域542的透光度是藉由一物理量分别调变，本实施例的该承载台540是具有环绕第一区域541的第二区域542。详言之，在量测待检侧的发光二极管570时，数个待检测的发光二极管570是对应位于该承载台540的第一区域541。该承载台540的材质可以包括液晶、电致变色物质或液态金属，改变该承载台540的透光度的物理量可以为电或热等，在本实施例中，相邻的待检测发光二极管570之间是以一走道d1隔开，且该承载台570的材料包含液晶。

请参照图5B所示，此为图5A所示的表面贴附一包括复数个彼此间隔排列的待检测的发光二极管570的扩张膜580的承载台540的立体图。如上面实施例所述，为使发光二极管570在量测时的收光角度变大，先经扩晶手续使扩张膜580表面的复数待检测发光二极管570彼此以走道d1互相隔开，再进行后续光学检测。

本实施例的承载台540表面贴附有一包括复数个彼此间隔排列的待检测发光二极管570的扩张膜580，且每一个发光二极管570均具有一正、负电极575A、575B。当扩张膜580被吸附在承载台540的第一表面540a后，是先定位待检测的发光二极管570的位置，以利于后续将该承载台540区分为该第一区域541及该第二区域542；接着，改变该承载台540的透光度，使该第一区域541具有与该第二区域542不同的透光度，且该第一区域541涵盖数个发光二极管570及走道d1；及量测置于该第一区域541的该发光二极管570的放光特性。

本实施例的发光二极管的光学检测方法是先藉由扫描置放有该发光二极管570的承载台540的影像，以定位扩张膜580上的待检测的发光二极管570的位置后，藉由控制承载台540内液晶分子的排列方向，使涵盖数个待检测的发光二极管570及数个走道d1的第一区域541下方的承载台540转变成一透光区，而其余未涵盖发光二极管570的第二区域542的液晶分子则不改变排列方向，而形成与该第一区域541具有不同透光率的该第二区域542。本实施例中，该第一区域541的透光率是高于该第二区域542的透光率。接着以朝向该承载台540设置的点测器590依序接触每一个发光二极管570的正、负极575A、575B进行检测，待检测的发光二极管570所发出的光线穿透第一区域541，再如实施例一所述般，进入位在其下方的收光器(未显示)及与收光器连接的光检测器(未显示)，进行后续光学检测。其中，检测位在周围处的发光二极管晶粒570时，因邻近的其他发光二极管570反射所导致的检测误差，可藉由位在第一区域541周围的第二区域542的反射光加以补偿，使得位在扩张膜580上的各个待检测的发光二极管570具有相同或接近的检测环境，避免在量测发光二极管570发光特性时，因发光二极管570的位置不同而造成量测误差过大。在根据本发明的其他实施例中，可控制光穿透度的材质也可选择电致变色物质或液态金属等。

实施例五：

以下将配合图6A～6B说明根据本发明实施例五的发光二极管光学检测装置的载具中的承载台示意图。

首先，请参照图6A，此为利用本发明实施例五的承载台640量测待检测的发光二极管670时的俯视图，该承载台640可以适用于如实施例一至三中的发光二极管光学检测装置的载具210、310、410，并取代其对应的承载台240、340、440。本实施例的承载台640与实施例四的承载台540相似，该承载台640包括一种可控制光穿透度的材质，使其局部或全部区域的透光度具可调变性，例如在量测待检测的发光二极管670时，该承载台640包含一第一区域641及一第二区域642，以在量测待检测的发光二极管670时，藉由一物理量调整第一区域641或/及该第二区域642的透光度。该承载台640的材质可以包括液晶、电致变色物质或液态金属，其中改变该承载台640的透光度的物理量可以为电或热等。惟，本实施例与上述实施例四的差异在于：检测时，该承载台640的第一区域641仅涵盖单一个待检测的发光二极管670，意即仅一个待检测的发光二极管670是对应位于该第一区域641，如图6A的最左下的发光二极管670。

请参照图6B，此为图6A所示的表面贴附一包括复数个彼此间隔排列的待检测的发光二极管670的扩张膜的承载台640的立体图。透过实施例五的承载台640进行光学量测的方法包含：将数个发光二极管670置于该承载台640上；定位该发光二极管670的位置；改变该承载台640的透光度，使该承载台640区分为一第一区域641及一第二区域642，该第一区域641仅涵盖一个待检测的发光二极管670，其中该第一区域641为透光区并具有一透光度高于该第二区域642的透光度；及量测置于该第一区域641的该发光二极管670的放光特性。实施例五的承载台640是包含液晶材料，且透过施加电压改变该第一区域641及/或该第二区域642的透光度。

本实施例的发光二极管的光学检测方法是先藉由扫描置放有该发光二极管670的承载台640的影像，以定位扩张膜680上的数个待检测发光二极管670的位置后，藉由控制承载台640内液晶分子的排列方向，使涵盖一个待检测的发光二极管670的区域下方的承载台640转变成该透光区，而其余未涵盖发光二极管670的区域的液晶分子则不改变排列方向，而形成与该第一区域641具有不同透光率的该第二区域642。本实施例中，该第一区域641的透光率是高于该第二区域642。接着以点测器690接触每一个发光二极管670的正、负极675A、675B进行检测时，待检测的发光二极管670所发出的光线穿透第一区域641，再如实施例一所述般，进入位在其下方的收光器(未显示)及与收光器连接的光侦测器(未显示)，进行后续光学检测。其中，检测位在周围处的发光二极管晶粒670时，因邻近的其他发光二极管晶粒670的光反射所导致的检测误差，可藉由位在第一区域641周围的第二区域642的反射光加以补偿，使得位在扩张膜680上的各个待检测的发光二极管670具有相同或接近的检测环境，避免在量测发光二极管670发光特性时，因发光二极管670的位置不同而造成量测误差过大。

利用本实施例的该承载台640进行发光二极管670的光学特性量测的方法与第四实施例相似，主要差异在于本实施例的承载台640的第一区域641的位置是随着不同量测目标的发光二极管670所在的位置而改变。详言之，该承载台640上是具有数个发光二极管670，如图6A所示的第一发光二极管671、第二发光二极管672及第三发光二极管673等，本实施例的发光二极管的光学特性量测方法是分别依序量测上述第一、第二及第三发光二极管671、672、673，举例而言，当量测第一发光二极管671的光学特性时，是调整承载台640的第一区域641的位置，使第一区域641对应位于第一发光二极管671且第二区域642则对应位于其余发光二极管，使得仅有待检测的第一发光二极管671下方的承载台641为透光区，以避免邻近的其他发光二极管670(如672、673)对第一发光二极管671的光学特性量测造成反射而产生非预期性的影响，藉此更进一步提升量测准确度。同理，当欲量测第二发光二极管672、第三发光二极管673时，则调整承载台640的第一区域641的位置，使第一区域641对应位于第二发光二极管672或第三发光二极管673，且第二区域642则对应位于其余发光二极管670，使所量测的发光二极管670周围具有相同或接近的检测环境。

实施例六：

以下将配合图7A～7C说明根据本发明实施例六的发光二极管光学检测装置的载具中的承载台示意图。

首先，请参照图7A，此为利用本发明实施例六的承载台740量测待检测的发光二极管770时的俯视图，该承载台740可以适用于如实施例一至三中所述的发光二极管光学检测装置的载具210、310、410，并取代其对应的承载台240、340、440。本实施例的承载台740与实施例四或五的承载台540或640相似，该承载台740包括一种可控制光穿透度的材质，使其局部或全部区域的透光度具可调变性，以在量测待检测的发光二极管770时，藉由一物理量调整第一区域741或/及该第二区域742的透光度，该承载台740的材质可以包括液晶、电致变色物质或液态金属，改变该承载台740的透光度的物理量可以为电或热等。

请参照图7B，此为图7A所示的表面贴附一包括复数个彼此间隔排列的待检测的发光二极管770的扩张膜780的承载台740的立体侧视图。请参照图7C所示，本实施例的承载台740是与上述实施例四或五相似，惟本实施例的承载台740另包含一反射层783，并透过一导光组件784将发光二极管770所放射的光收集送至收光器720中。详言之，该承载台740包含一第一表面740a及相对于该第一表面740a的一第二表面740b，该第一表面740a是用以承载待检测的发光二极管770，该反射层783是设于该第二表面740b上，且该反射层783与该第二表面740b之间具有一反射腔781，且该导光组件784具有一集光端784a，该集光端784a是结合于该承载盘740的反射腔781。其中，反射层783是由具高反射系数的材质所构成，本实施自所选用的高反射系数的材质是硫酸钡。此外，在根据本发明的其他实施例中，该反射层783也可选择银、铝等材料或布拉格反射镜(DBR)结构等。透过实施例六的承载台740进行光学量测的方法包含：将数个发光二极管770置于该承载台740上；定位该发光二极管770的位置；改变该承载台740的透光度，使该承载台740区分为一第一区域741及一第二区域742，该第一区域741涵盖一个或数个发光二极管770，其中该第一区域741为透光区并具有高于该第二区域742的透光度；及量测置于该第一区域741的该发光二极管770的放光特性。本实施例的承载台740是包含液晶材料，且透过施加电压改变该第一区域741及/或该第二区域742的透光度。

本实施例的发光二极管的光学检测方法是先藉由扫描置放有该发光二极管770的承载台740的影像，以定位确认扩张膜780上的数个待检测发光二极管770的位置后，藉由控制承载台740内液晶分子的排列方向，使涵盖一个或一个以上待检测的发光二极管770的区域下方的承载台740转变成透光的第一区域741，而其余未涵盖发光二极管770的区域的液晶分子则不改变排列方向，而形成与该第一区域741具有不同透光率的该第二区域742。本实施例中，该第一区域741的透光率是高于该第二区域742。请参照图7C所示，接着以点测器790依序接触每一个发光二极管770的正、负极775A、775B进行检测时，待检测的发光二极管770所发出的光线穿透第一区域741进入该反射腔781，光线藉由反射腔781及反射层783有效地反射，使光线导引至导光组件784的集光端784a收集并送入该收光器720中，再透过光侦测器730进行后续光学检测。其中，检测位在边缘的发光二极管晶粒770时，因邻近的其他发光二极管晶粒770反射所导致的环境差异，可藉由位在第一区域741周围的第二区域742的反射加以补偿，使得位在扩张膜780上的各个待检测的发光二极管770具有相同或接近的检测环境，避免在量测发光二极管770发光特性时，因发光二极管770的位置不同而造成量测误差过大。

实施例七、八：

以下将配合图8A-8C说明根据本发明实施例七及八的发光二极管光学检测装置的示意图。

图8A揭示本发明实施例七的发光二极管光学检测装置800，大部分构件如实施例一所述包括一载具210、一收光器820以及一光侦测器830。其中，该载具210包含一承载台240，该承载台240设有一第一表面240a及相对于该第一表面240a的一第二表面240b，且该第一表面240a是用以承载待检测的发光二极管270的一发光面271；该收光器820具有一收光端825及一出光端826，且该收光端825是朝向承载台240的第二表面240b设置，以收集该发光二极管270所发出的光线，并由该出光端826传送至该光侦测器830；该光侦测器830耦接至该收光器820，以侦测该收光器820所收集到的光线。该发光二极管光学检测装置800另包含一波长转换件850，该波长转换件850是设于该待检测发光二极管270的发光面271与该收光器820的出光端826之间。本实施例的该波长转换组件850是设于收光器820的收光端825与承载台840的第二表面840b之间，且较佳地，该波长转换组件850可拆装地结合于该收光器820的收光端825。

请参照图8B所示，此为本发明实施例八的发光二极管光学检测装置的示意图，实施例八的发光二极管光学检测装置800’大致与实施例七的发光二极管光学检测装置800相同，具有一载具210、一收光器820、一光侦测器830及波长转换件850，差异在于实施例八的波长转换件850是设置在收光器820的出光端826，且较佳地，该波长转换件850可拆装地结合于该收光器820的出光端826。

该波长转换件850是使发光二极管270所发出具第一波长的光线(例如蓝光)，部分通过波长转换组件850并被转换成具第二波长的光线(例如黄光、红光或绿光)，并且具有第一、第二波长的光线混合以形成白光。具有该波长转换组件850的发光二极管的光学检测装置800、800’，是能模拟发光二极管270在加入荧光粉及胶体封装所形成的发光二极管封装体的发光特性，藉由封装前预先量测评估发光特性是否符合封装后的规格，以达到提高客户满意度及降低客诉率等功效。

在上述实施例七、八中，波长转换组件850包含荧光粉薄膜，且波长转换组件850可视需要设计成片状或板状的可拆换形式，使发光二极管270所发出的第一波长光线在通过不同的波长转换组件850后可获得具不同第二波长的光线。此外，在一实施例中，波长转换组件850包含具第一放射波长的一第一波长转换件850A，以及具第二放射波长的一第二波长转换件850B，该第一波长转换件850A与该第二波长转换件850B是可以被发光二极管270的放光所激发，且第一放射波长与第二放射波长不同。具体而言，该波长转换组件850亦可以如图8C所示为一转盘式结构，该波长转换组件850包括有复数个具有不同放射波长的第一波长转换件850A、第二波长转换件850B、第三波长转换件850C、第四波长转换件850D、第五波长转换件850E及第六波长转换件850F，且该波长转换组件850是可转动已选择所需的波长转换件850对位结合于该收光器820的该收光端825或出光端826，使该波长转换组件850可被发光二极管270所发出具第一波长的光线激发而产生具不同第二波长的光线。

本实施例的发光二极管270是未封装，例如为发光二极管芯片或晶粒，并透过波长转换组件850以预先模拟发光二极管270封装后放光特性。而图8C所示的波长转换组件850包括有复数个具有不同放射波长的第一波长转换件850A、第二波长转换件850B及第三波长转换件850C等，当欲模拟发光二极管270包含不同波长转换件的封装条件的放光特性时，仅需使相应的波长转换件850A、850B、或850C等对位于出光端825或收光端826，不必拆装及更换波长转换件，以提高测试效率。

此外，实施例七、八虽以实施例一所示的载具210例示说明，但载具210也可以根据本发明的实施例二至六所揭示的载具取代，在此不再赘述。

实施例九：

以下将配合图9说明一种根据本发明实施例九的发光二极管光学检测装置的示意图。

实施例九的发光二极管光学检测装置800″，其构造大抵与上述实施例七、八的发光二极管光学检测装置800、800′大致相同，主要差异在于本实施例的发光二极管光学检测装置800″的波长转换组件850是设置于承载台240，波长转换组件850可以结合于承载台240的第一表面240a或第二表面240b，举例而言，当波长转换组件850结合于第一表面240a时，使得发光二极管270的发光面271所发出具第一波长的光线(例如蓝光)，部分通过波长转换组件850而被转换成具第二波长的光线(例如黄光、红光或绿光)，进而在通过承载台240后，使收光器820可收集到具有第一、第二波长的光线混合的光(例如白光)，然后再由光侦测器830进一步分析。本实施例的承载台240对于第一波长及第二波长的光线是具有高穿透度。

波长转换组件850如实施例七、八所述般包含荧光粉薄膜，此外，波长转换组件850亦可以如图8C所示地选择包含数个波长转换件(850A～850F)；载具210也可以根据本发明的实施例二至六所揭示的载具取代，在此不再赘述。

虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可更动与组合上述各种实施例。

Claims (20)

1.一种发光二极管的光学检测装置，用以检测发光二极管，包括：

载具，包括：

承载台，具有第一表面、与该第一表面相对的第二表面以及第一侧表面，该承载台之局部或全部区域之透光度具可调变性；

支撑体，连接于该承载台，且该支撑体具有本体、凸部及延伸部，其中，该本体覆盖该第一侧表面，该凸部是从该本体延伸且凸伸于该承载台的该第一表面，以及该延伸部是从该本体延伸且覆盖部分的该第二表面；以及

第一真空孔，设于该支撑体；

收光器，朝向该承载台设置，该收光器包含收光端以及出光端；以及

波长转换组件，设于该发光二极管的发光面与该收光器的该出光端之间。

2.根据权利要求1所述的发光二极管的光学检测装置，其中该第一真空孔设置于该支撑体的该凸部。

3.根据权利要求1所述的发光二极管的光学检测装置，其中该凸部具有面对该第一侧表面的第二侧表面，该第一真空孔设于该第二侧表面。

4.根据权利要求3所述的发光二极管的光学检测装置，其中，该凸部更包括远离该第一表面的上表面，且该载具更包括第二真空孔；其中，该第二真空孔设置于该凸部的该上表面。

5.根据权利要求1所述的发光二极管的光学检测装置，其中该第一真空孔设于该延伸部。

6.根据权利要求1所述的发光二极管的光学检测装置，其中该本体及该承载台之间具有间隙。

7.根据权利要求1所述的发光二极管的光学检测装置，其中该波长转换组件设于该承载台的该第一表面或该第二表面上。

8.根据权利要求1所述的发光二极管的光学检测装置，其中该收光器更包含收光端以及出光端，该波长转换组件设于该收光端或该出光端。

9.根据权利要求1所述的发光二极管的光学检测装置，其中该波长转换组件用以将该发光二极管所发出具有第一波长的光线部分地转换为第二波长，且该第一波长与该第二波长相异。

10.根据权利要求9所述的发光二极管的光学检测装置，其中该波长转换组件具有转盘式结构，且包含第一波长转换件以及第二波长转换件，其中该第一波长转换件将该第一波长转换为第三波长，该第二波长转换件将该第一波长转换为第四波长，且该第三波长与该第四波长相异。

11.一种发光二极管的光学检测装置，用以检测发光二极管，包括：

承载台，用以承载该发光二极管，该承载台之局部或全部区域之透光度具可调变性；

点测器，朝向该承载台设置；

收光器，朝向该承载台设置，以收集该发光二极管所发出的光线，该收光器包含收光端以及出光端；以及

波长转换组件，设于该发光二极管的发光面与该收光器的该出光端之间，用以转换该发光二极管所发出光线的波长。

12.根据权利要求11所述的发光二极管的光学检测装置，其中，该承载台包含第一区域及第二区域，该第一区域或/及该第二区域之透光度是藉由物理量分别调变。

13.根据权利要求12所述的发光二极管的光学检测装置，其中，该第一区域的透光度高于该第二区域的透光度，且该第二区域是环绕该第一区域。

14.根据权利要求11所述的发光二极管的光学检测装置，其中，该发光二极管发出的光线具有第一波长，该波长转换组件转换部分该第一波长为第二波长，且该第一波长与该第二波长相异。

15.根据权利要求11所述的发光二极管的光学检测装置，其中，该发光二极管发出的光线被转换并混合为白光。

16.根据权利要求11所述的发光二极管的光学检测装置，其中，该承载台具有第一表面、与该第一表面相对的第二表面及反射层，该第一表面是用以承载该发光二极管，该反射层设于该第二表面，且该反射层与该承载台之该第二表面之间具有反射腔。

17.根据权利要求11所述的发光二极管的光学检测装置，其中，该波长转换组件包含荧光粉薄膜。

18.一种发光二极管的光学检测方法，基于权利要求1-17任一项所述的发光二极管的光学检测装置，该方法包含：

提供一承载台，其中该承载台包含可被控制以调变光穿透度的材质；

放置复数个发光二极管于该承载台上；

定位该复数个发光二极管的位置；

改变该承载台之透光度，使该承载台区分为第一区域及第二区域，该第一区域涵盖该复数个发光二极管中之至少一个，其中该第一区域之透光度高于该第二区域之透光度；

提供波长转换组件，以转换该复数个发光二极管所发出光线的波长；及

量测置于该第一区域之该复数个发光二极管中之至少一个的放光特性。

19.根据权利要求18所述的发光二极管的光学检测方法，其中，该定位该复数个发光二极管的位置是透过扫描置放有该复数个发光二极管之该承载台的影像。

20.根据权利要求18所述的发光二极管的光学检测方法，其中，该波长转换组件包含复数个波长转换件及转盘式结构，该方法进一步包含转动该转盘式结构以选择所需的该波长转换件。

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