WO2024095309A1 - タッチセンサの製造方法、表示装置の製造方法、タッチセンサ、および表示装置 - Google Patents

タッチセンサの製造方法、表示装置の製造方法、タッチセンサ、および表示装置 Download PDF

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touch sensor
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哲憲 田中
誠二 金子
哲生 藤田
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シャープディスプレイテクノロジー株式会社
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    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means

Definitions

  • the present disclosure relates to a method for manufacturing a touch sensor, a method for manufacturing a display device, a touch sensor, and a display device.
  • Patent Document 1 relates to an organic electroluminescence device with a built-in touch sensor.
  • the organic electroluminescence device with a built-in touch sensor according to Patent Document 1 comprises, from the bottom, a first sealing film, a first detection electrode, a second sealing film, and a second detection electrode.
  • a method for manufacturing a touch sensor includes the steps of forming a first wiring having a first side above a substrate, forming an intermediate coating layer covering the first wiring and having a second side corresponding to the first side, forming an upper conductive layer covering the intermediate coating layer and etching the upper conductive layer to form a second wiring, and forming an overcoat layer covering the second wiring and having a first opening that crosses the second side in a plan view from a direction perpendicular to the substrate.
  • a touch sensor includes a first wiring located above a substrate and having a first side, an intermediate coating layer covering the first wiring and having a second side corresponding to the first side, a second wiring located above the intermediate coating layer, and an overcoat layer covering the second wiring and having a first opening that crosses the second side in a plan view perpendicular to the substrate.
  • electrical shorts between electrodes of a touch sensor can be reduced.
  • FIG. 11 is a flow diagram illustrating an example of a method for manufacturing a touch sensor according to an embodiment of the present disclosure.
  • 1A to 1C are cross-sectional views illustrating an example of a method for manufacturing a touch sensor according to an embodiment of the present disclosure.
  • 1A to 1C are plan views illustrating an example of a method for manufacturing a touch sensor according to an embodiment of the present disclosure.
  • 1A to 1C are cross-sectional views illustrating an example of a method for manufacturing a touch sensor according to an embodiment of the present disclosure.
  • 1A to 1C are plan views illustrating an example of a method for manufacturing a touch sensor according to an embodiment of the present disclosure.
  • 10A to 10C are cross-sectional views showing a modified example of the method for manufacturing the touch sensor according to the embodiment.
  • 11A to 11C are plan views showing a modified example of the method for manufacturing the touch sensor according to the embodiment.
  • 10A to 10C are cross-sectional views showing a modified example of the method for manufacturing the touch sensor according to the embodiment.
  • 10A to 10C are cross-sectional views showing a modified example of the method for manufacturing the touch sensor according to the embodiment.
  • 10A to 10C are cross-sectional views showing a modified example of the method for manufacturing the touch sensor according to the embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view illustrating an example of a wiring pattern of a touch sensor according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 2 is a plan view illustrating an example of a wiring pattern of a touch sensor according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 11 is a flow diagram illustrating an example of a method for manufacturing a touch sensor according to an embodiment of the present disclosure.
  • 1A to 1C are cross-sectional views illustrating an example of a method for manufacturing a touch sensor according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 4 is a flow diagram illustrating an example of a manufacturing method for a display device according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view illustrating an example of a display device according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 1 is a flow diagram showing an example of a method for manufacturing a touch sensor according to an embodiment of the present disclosure.
  • Figs. 2 and 4 are cross-sectional views showing an example of a method for manufacturing a touch sensor according to an embodiment of the present disclosure.
  • Figs. 3 and 5 are plan views showing an example of a method for manufacturing a touch sensor according to an embodiment of the present disclosure.
  • the bottoms of Figs. 2 and 4 correspond to the A-B cross-sectional views of Figs. 3 and 5, respectively.
  • planar view refers to a planar view from a direction perpendicular to the substrate.
  • the direction perpendicular to the substrate is the normal direction to the top surface of the substrate, which is the Z direction in the figure.
  • a base coat layer BC is formed on a substrate SB (step S1).
  • the substrate SB may be a circuit board, a display panel, or simply a support substrate.
  • the base coat layer BC is an inorganic insulating film and may include, for example, one or more of silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride.
  • the base coat layer BC may be formed by a chemical vapor deposition (CVD) method.
  • a lower conductive layer M1 is formed to cover the base coat layer BC (step S21), and the lower conductive layer M1 is etched (step S22) to form a first wiring TM1 having a first side L1 above the substrate SB (step S2).
  • the lower conductive layer M1 may be dry etched. Compared to wet etching, dry etching has the advantage that it is anisotropic and is therefore suitable for fine processing due to its anisotropy.
  • the base coat layer BC may be etched. This is called "overetching".
  • an intermediate coating layer TC is formed to cover the first wiring TM1 and to have a second side L2 corresponding to the first side L1 (step S3).
  • the intermediate coating layer TC is an inorganic insulating film and may contain, for example, one or more of silicon oxide, silicon nitride, and silicon oxynitride.
  • the intermediate coating layer TC may be formed by a chemical vapor deposition (CVD) method.
  • the intermediate coating layer TC has unevenness according to its underlying structure. For example, the second side L2 of the intermediate coating layer TC is inclined to correspond to the first side L1 of the first wiring TM1.
  • an upper conductive layer M2 is formed to cover the intermediate coating layer TC (step S41), and the upper conductive layer M2 is etched (step S42) to form the second wiring TM2 (step S4).
  • the second wiring TM2 may partially overlap with the first wiring TM1 in a planar view.
  • the first wiring TM1 may include a portion P1 that does not overlap with the second wiring TM2 in a planar view, and a portion P2 that overlaps with the second wiring TM2 in a planar view.
  • the non-overlapping portion P1 will be referred to as the "first portion P1," and the overlapping portion P2 will be referred to as the "second portion P2.”
  • the first side L1 of the first wiring TM1 may be the side of the first portion P1 of the first wiring TM1.
  • the intermediate coating layer TC may include a portion P3 covering the first side L1 of the first wiring TM1.
  • the intermediate coating layer TC may include a portion P4 covering the side of the second portion P2 of the first wiring TM1.
  • the portion P3 covering the first side L1 will be referred to as the "third portion P3”
  • the portion P4 covering the side of the second portion P2 will be referred to as the "fourth portion P4".
  • the second side L2 of the intermediate coating layer TC may be the surface of the third portion P3 opposite the first wiring TM1.
  • the upper conductive layer M2 may be dry etched. As mentioned above, dry etching has the advantage that it is suitable for fine processing due to its anisotropy.
  • a part of the upper conductive layer M2 may remain in a region other than the region where the second wiring TM2 is formed.
  • the part of the upper conductive layer M2 remaining in a region other than the region where the second wiring TM2 is formed is referred to as the "remaining part FR".
  • the remaining part FR of the upper conductive layer M2 is likely to occur in a region where the surface of the intermediate coating layer TC is not approximately horizontal, for example, on the second side surface L2.
  • the remaining part FR of the upper conductive layer M2 is likely to occur around the first wiring TM1 in a plan view. Furthermore, the greater the inclination angle of the surface of the intermediate coating layer TC, the more likely the remaining part FR of the upper conductive layer M2 is to occur.
  • the first wiring TM1 may be formed so that the first wiring TM1 has a third side L3 opposite the first side L1.
  • the intermediate coating layer TC may be formed so that the intermediate coating layer TC has a fourth side L4 corresponding to the third side L3.
  • the remaining portion FR of the upper conductive layer M2 is also likely to be formed on the fourth side L4.
  • FIG. 3 shows an example in which the remnant FR of the upper conductive layer M2 is continuously formed on the side of the intermediate coating layer TC corresponding to the side of the first wiring TM1.
  • the first wiring TM1, the second wiring TM2 and the remnant FR are shown, and other components are omitted.
  • the remnant FR electrically connects two second wirings TM2 that are formed separately. As a result, the two second wirings TM2 are electrically short-circuited through the remnant FR.
  • an overcoat layer OC is formed that covers the second wiring TM2 and has a first opening K1 that crosses the second side L2 in a planar view (step S5).
  • the first opening K1 may cross the second side L2 of the intermediate coating layer TC in a direction that intersects with the corresponding first wiring TM1 in a planar view.
  • the direction in which the first opening K1 crosses the second side L2 may be a direction that is approximately perpendicular to the corresponding first wiring TM1.
  • the second side L2 typically has an elongated shape whose longitudinal direction is approximately parallel to the extension direction of the first wiring TM1. Therefore, the cross direction of the first opening K1 may be the short direction of the second side L2.
  • step S5 first, an inorganic material is deposited so as to cover the second wiring TM2, forming a deposition layer of an inorganic insulating material as an overcoat layer OC (step S51). Then, a mask PR is formed on the overcoat layer OC (step S52). The mask PR may be formed by applying a liquid containing a photosensitive resin, and exposing and developing the coating using photolithography techniques. Then, the overcoat layer OC is etched (step S53) to form a first opening K1. In step S53, the overcoat layer OC may be dry etched. Dry etching has the advantage that it is suitable for fine processing due to its anisotropy, and it is easy to dig the overcoat layer OC. An opening K other than the first opening K1 (see FIG. 5, etc.) may be formed in the overcoat layer OC in the same manner as the first opening K1.
  • the overcoat layer OC may be formed so that it includes a second opening K2 that crosses the fourth side L4 in a planar view.
  • the second opening K2 may cross the fourth side L4 of the intermediate coat layer TC in a direction that intersects with the corresponding first wiring TM1 in a planar view.
  • the direction in which the second opening K2 crosses the fourth side L4 may be a direction that is approximately perpendicular to the corresponding first wiring TM1.
  • the fourth side L4 typically has an elongated shape whose longitudinal direction is approximately parallel to the extension direction of the first wiring TM1. Therefore, the transverse direction of the second opening K2 may be the short direction of the fourth side L4.
  • the first opening K1 may have an elongated shape extending generally parallel to the first side L1 in a planar view.
  • the second opening K2 may have an elongated shape extending generally parallel to the third side L3 in a planar view.
  • the first opening K1 and the second opening K2 may have an elongated shape generally parallel to the corresponding first wiring TM1 in a planar view.
  • the side of the intermediate coating layer TC is separated from the corresponding side of the first wiring TM1 by the thickness of the intermediate coating layer TC in a cross-sectional view.
  • cross-sectional view refers to a cross-sectional view of a cut surface perpendicular to the first wiring TM1 and perpendicular to the substrate SB. Therefore, the first opening K1 and the second opening K2 can be formed so that they do not overlap with the upper surface of the first wiring TM1 in a planar view.
  • the side of the intermediate coating layer TC may be separated from the corresponding side of the first wiring TM1 even in a planar view.
  • the first opening K1 and the second opening K2 can be formed so that they do not overlap with the first wiring TM1 in a planar view.
  • step S6 the upper conductive layer M2 is etched again through the first opening K1 (step S6).
  • step S6 the upper conductive layer M2 may be etched again through openings K other than the first opening K1.
  • the re-etching can remove the remaining portion FR of the upper conductive layer M2.
  • the etching in step S6 may be performed consecutively to or simultaneously with the etching in step S53.
  • step S6 the upper conductive layer M2 may be dry etched. This has the advantage that the dry etching in step S52 and the dry etching in step S6 can be integrated into the same process.
  • the upper conductive layer M2 may be wet etched. Compared to dry etching, wet etching has the advantage that it is isotropic and is therefore suitable for removing the upper conductive layer M2. Alternatively, in step S6, the upper conductive layer M2 may be dry etched and wet etched. This has the advantage that the upper conductive layer M2 can be more reliably removed by etching twice.
  • FIG. 5 shows an example in which the remnant FR of the upper conductive layer M2 is continuously formed on the side of the intermediate coating layer TC corresponding to the side of the first wiring TM1, and then the remnant FR is removed through the opening.
  • the first wiring TM1, the second wiring TM2, and the remnant FR are shown, and the outlines of the openings such as the first opening K1 are shown, while other components are omitted.
  • the remnant FR is divided by the first opening K1 and other openings.
  • the two second wirings TM2 formed separately are electrically separated. Therefore, the electrical short circuit between the electrodes of the touch sensor TS can be reduced or eliminated by the second etching in step S6.
  • the touch center TS includes the substrate SB, the base coat layer BC located above the substrate SB, the first wiring TM1 located above the substrate SB and having a first side L1, the intermediate coating layer TC covering the first wiring TM1 and having a second side L2 corresponding to the first side L1, the second wiring TM2 located above the intermediate coating layer TC, and the overcoat layer OC covering the second wiring TM2 and having a first opening K1 that crosses the second side L2 in a plan view.
  • the first wiring TM1 may have a third side L3 opposite to the first side L1
  • the intermediate coating layer TC may have a fourth side L4 corresponding to the third side L3
  • the overcoat layer OC may include a second opening K2 that crosses the fourth side L4 in a plan view.
  • a conductive layer may be formed on the second side L2 of the intermediate coating layer TC.
  • This conductive layer may be a remaining portion FR of the upper conductive layer M2. More specifically, inside the first opening K1, a conductive layer may not be formed on the second side L2, and outside the first opening K1, a conductive layer may be formed on the second side L2. Also, a conductive layer may be formed on the fourth side L4. This conductive layer may be a remaining portion FR of the upper conductive layer M2. More specifically, inside the second opening K2, a conductive layer may not be formed on the fourth side L4, and outside the second opening K2, a conductive layer may be formed on the fourth side L4. Also, a conductive layer may be formed on the side of the fourth portion P4 of the intermediate coating layer TC. This conductive layer may be a remaining portion FR of the upper conductive layer M2.
  • FIG. 6 and 7 are cross-sectional views and plan views showing a modified example of the manufacturing method of the touch sensor according to the present embodiment.
  • FIG. 6 corresponds to the A-B cross-sectional view of FIG. 7.
  • the opening area of the first opening K1 may be widened in step S5, and the upper conductive layer M2 may be etched again through the widened first opening K1 in step S6.
  • the first opening K1 may be formed so that the first opening K1 overlaps with the center portion CP of the area surrounded by at least one of the first wiring TM1 and the second wiring TM2 in a plan view.
  • the area surrounded by at least one of the first wiring TM1 and the second wiring TM2 includes an area surrounded continuously and an area surrounded intermittently.
  • the area surrounded by at least one of the first wiring TM1 and the second wiring TM2 includes an area surrounded only by the first wiring TM1, an area surrounded only by the second wiring TM2, and an area surrounded by both the first wiring TM1 and the second wiring TM2.
  • the opening area By increasing the opening area, the light absorption by the overcoat layer OC can be reduced, and the light transmittance of the touch sensor TS can be improved.
  • the opening areas of the openings K other than the first opening K1 may be increased in the same manner.
  • FIG. 8 and 9 are a cross-sectional view and a plan view showing another modified example of the manufacturing method of the touch sensor according to the present embodiment.
  • FIG. 8 corresponds to the A-B cross-sectional view of FIG. 9.
  • the first opening K1 may be formed so that the first opening K1 crosses both the second side L2 and the fourth side L4 of the intermediate coating layer TC in a plan view.
  • the first opening K1 crosses the first wiring TM1 in a plan view.
  • the first opening K1 may cross both the second side L2 and the fourth side L4 of the intermediate coating layer TC in a direction intersecting the corresponding first wiring TM1 in a plan view.
  • the direction in which the first opening K1 crosses the second side L2 and the fourth side L4 may be a direction substantially perpendicular to the corresponding first wiring TM1.
  • the second side L2 and the fourth side L4 typically have an elongated shape whose longitudinal direction is substantially parallel to the extension direction of the first wiring TM1. Therefore, the transverse direction of the first opening K1 may be the short direction of the second side surface L2 and the fourth side surface L4.
  • FIG. 10 and 11 are a cross-sectional view and a plan view showing another modified example of the manufacturing method of the touch sensor according to the present embodiment.
  • FIG. 10 corresponds to the A-B cross-sectional view of FIG. 11.
  • the first opening K1 may be formed so as to overlap with both the second side face L2 and the fourth side face L4 of the intermediate coating layer TC in a plan view and to overlap with the central portion CP in a plan view.
  • the touch center TS according to this modified example 3 has a high light transmittance, similar to the touch sensor TS according to the modified example 1 described above.
  • FIG. 12 is a plan view showing an example of a wiring pattern of a touch sensor according to an embodiment of the present disclosure. For simplification, FIG. 12 omits the remaining portion FR of the upper conductive layer M2 and shows only the first wiring TM1, the second wiring TM2, and the contact hole CH.
  • the first wiring TM1 may include a bridge wiring BW.
  • the second wiring TM2 may include an X electrode XE that crosses the bridge wiring BW at a three-dimensional intersection, and a plurality of Y electrodes YE that are electrically separated from the X electrode and electrically connected to each other through the bridge wiring BW.
  • the second wiring TM2 may include a dummy wiring DW located between the X electrode XE and the Y electrode YE.
  • the first wiring TM1 and the second wiring TM2 may form a mesh wiring.
  • the bridge wiring BW and the Y electrode YE are connected by a contact hole CH.
  • the X electrodes XE extend in the Y direction and are arranged in multiple columns in the X direction.
  • the Y electrodes YE are connected to adjacent Y electrodes YE in the X direction via bridge wiring BW and are arranged in multiple rows in the Y direction. According to the manufacturing method F1 of the touch sensor TS of this embodiment, electrical short circuits between adjacent X electrodes XE and Y electrodes YE can be reduced or eliminated.
  • FIG. 13 is a plan view showing another example of the wiring pattern of the touch sensor according to an embodiment of the present disclosure.
  • Fig. 13 omits the remaining portion FR of the upper conductive layer M2 and shows only the first wiring TM1 and the second wiring TM2.
  • the first wiring TM1 may include an X electrode XE.
  • the second wiring TM2 may include a Y electrode YE that is electrically separated from the X electrode XE and crosses the X electrode XE in a three-dimensional manner.
  • the X-electrodes XE extend in the Y-direction and are arranged in multiple rows in the X-direction.
  • the Y-electrodes YE extend in the X-direction and are arranged in multiple stages in the Y-direction. According to the manufacturing method F1 of the touch sensor TS of this embodiment, electrical short circuits between adjacent Y-electrodes YE can be reduced or eliminated.
  • FIG. 14 is a flow diagram showing an example of a method for manufacturing a touch sensor according to an embodiment of the present disclosure.
  • Fig. 15 is a cross-sectional view showing an example of a method for manufacturing a touch sensor according to an embodiment of the present disclosure.
  • steps S1 to S4 are performed in order, and then an overcoat layer OC is formed that covers the second wiring TM2 and has a first opening K1 that crosses the second side surface L2 in a plan view (step S8).
  • step S8 first, as shown in FIG. 15, a photosensitive resin solution is applied so as to cover the second wiring TM2, forming a coating film PF (step S81). Then, the coating film PF is exposed and developed to form an overcoat layer OC having a first opening K1 (step S82). Openings K other than the first opening K1 may be formed in the same manner as the first opening K1.
  • step S8 of this embodiment 2 the first opening K1 and the second opening K2 may be formed in the same manner as in step S5 of the above-described embodiment 1. Step S8 is followed by step S6.
  • step S7 does not need to be performed.
  • the touch sensor manufacturing method F2 according to this embodiment can be modified in various ways, similar to the touch sensor manufacturing method F1 according to the previously described embodiment.
  • FIG. 16 is a flow diagram showing an example of a manufacturing method of a display device according to an embodiment of the present disclosure.
  • Fig. 17 is a cross-sectional view showing an example of a display device according to an embodiment of the present disclosure.
  • a display panel DP including a plurality of light-emitting regions Em is prepared as a substrate SB (step S11).
  • the display panel DP may include a support substrate 11, a circuit layer 12 including a pixel circuit located above the support substrate 11, a light emitting element layer 13 including light emitting elements located above the circuit layer 12, and a sealing layer 14 located above the light emitting element layer 13.
  • the light emitting element layer 13 includes a pixel electrode PE, a bank BK covering the edge of the pixel electrode, a common electrode CE facing the pixel electrode PE, and an emission layer EML located between the pixel electrode PE and the common electrode CE.
  • a touch sensor TS is formed on the display panel DP using the touch sensor manufacturing method according to the present disclosure (step S12).
  • the base coat layer BC may be deposited directly on the sealing layer 14.
  • Step S12 may include the touch sensor manufacturing method F1 according to the above-mentioned embodiment 1, or the touch sensor manufacturing method F2 according to the above-mentioned embodiment 2.
  • Step S12 may include a manufacturing method that is an improvement or modification of the touch sensor manufacturing methods F1 and F2 according to the above-mentioned embodiments 1 and 2.
  • the touch sensor TS may be formed so that the first wiring TM1 and the second wiring TM2 overlap the gaps between the multiple light-emitting regions Em in a planar view. This arrangement can reduce the light blocking rate at which the first wiring TM1 and the second wiring TM2 block the light from the display panel DP, and can suppress a decrease in the light emission brightness of the display device 10.
  • the touch sensor TS may be formed so that the first opening K1 overlaps one or more of the multiple light-emitting regions Em in a planar view. This arrangement can reduce the light absorption rate at which the overcoat layer OC absorbs the light from the display panel DP, and can further suppress a decrease in the light emission brightness of the display device 10.
  • the opening area of the first opening K1 may be widened.
  • the opening areas of the openings K other than the first opening K1 may also be widened so that each opening overlaps one or more light-emitting regions Em in a planar view.
  • the display device 10 includes a display panel DP and a touch sensor TS according to the present disclosure.
  • the touch sensor TS according to this disclosure may include a touch sensor TS according to any of the above-described embodiments 1 to 3, or may include a touch sensor that is a modification or improvement of the touch sensor TS according to any of the above-described embodiments 1 to 3.

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Abstract

本開示に係るタッチセンサの製造方法（Ｆ１）は、第１側面を有する第１配線を形成する工程（ステップＳ２）と、第１配線を覆い、第１側面に対応する第２側面を有する中間コート層を形成する工程（ステップＳ３）と、第２配線を形成する工程（ステップＳ４）と、第２配線を覆い、平面視で第２側面を横断する第１開口を有するオーバーコート層を形成する工程（ステップＳ５）と、を含む。

Description

タッチセンサの製造方法、表示装置の製造方法、タッチセンサ、および表示装置
　本開示は、タッチセンサの製造方法、表示装置の製造方法、タッチセンサ、および表示装置に関する。
　特許文献１は、タッチセンサが内蔵されたタッチセンサ内蔵有機エレクトロルミネッセンスに関する。特許文献１に係るタッチセンサ内臓有機エレクトロルミネッセンス装置は、下層側から順に、第一の封止膜、第一の検出電極、第二の封止膜、および第二の検出電極を備えている。
特開２０１５－５０２４５号公報（２０１５年３月１６日公開）
　タッチセンサの電極間の電気的短絡を低減することが求められている。具体的には、特許文献１に開示されている技術においては、複数の第二の検出電極と同層に存在する導体によって、意図せず、複数の第二の検出電極同士が短絡されてしまうおそれがある。
　本開示の一態様に係るタッチセンサの製造方法は、基板より上に、第１側面を有する第１配線を形成する工程と、前記第１配線を覆い、前記第１側面に対応する第２側面を有する中間コート層を形成する工程と、前記中間コート層を覆う上側導電層を形成し、前記上側導電層をエッチングすることによって、第２配線を形成する工程と、前記第２配線を覆い、前記基板に直交する方向からの平面視で前記第２側面を横断する第１開口を有するオーバーコート層を形成する工程と、を含む方法である。
　本開示の一態様に係るタッチセンサは、基板より上に位置し、第１側面を有する第１配線と、前記第１配線を覆い、前記第１側面に対応する第２側面を有する中間コート層と、前記中間コート層より上層に位置する第２配線と、前記第２配線を覆い、前記基板に直交する方向からの平面視で前記第２側面を横断する第１開口を有するオーバーコート層と、を備える構成である。
　本開示の一態様によれば、タッチセンサの電極間の電気的短絡を低減できる。
本開示の一実施形態に係るタッチセンサの製造方法の一例を示すフロー図である。 本開示の一実施形態に係るタッチセンサの製造方法の一例を示す断面図である。 本開示の一実施形態に係るタッチセンサの製造方法の一例を示す平面図である。 本開示の一実施形態に係るタッチセンサの製造方法の一例を示す断面図である。 本開示の一実施形態に係るタッチセンサの製造方法の一例を示す平面図である。 本実施形態に係るタッチセンサの製造方法の変形例を示す断面図である。 本実施形態に係るタッチセンサの製造方法の変形例を示す平面図である。 本実施形態に係るタッチセンサの製造方法の変形例を示す断面図である。 本実施形態に係るタッチセンサの製造方法の変形例を示す断面図である。 本実施形態に係るタッチセンサの製造方法の変形例を示す断面図である。 本実施形態に係るタッチセンサの製造方法の変形例を示す断面図である。 本開示の一実施形態に係るタッチセンサの配線パターンの一例を示す平面図である。 本開示の一実施形態に係るタッチセンサの配線パターンの一例を示す平面図である。 本開示の一実施形態に係るタッチセンサの製造方法の一例を示すフロー図である。 本開示の一実施形態に係るタッチセンサの製造方法の一例を示す断面図である。 本開示の一実施形態に係る表示装置の製造方法の一例を示すフロー図である。 本開示の一実施形態に係る表示装置の一例を示す断面図である。
　〔実施形態１〕
　（タッチセンサの製造方法）
　図１は、本開示の一実施形態に係るタッチセンサの製造方法の一例を示すフロー図である。図２および図４は、本開示の一実施形態に係るタッチセンサの製造方法の一例を示す断面図である。図３および図５は、本開示の一実施形態に係るタッチセンサの製造方法の一例を示す平面図である。図２および図４の最下段はそれぞれ、図３および図５のＡ－Ｂ断面図に相当する。
　本開示において「平面視」は、そうではないと断らない限り、基板に直交する方向からの平面視である。基板に直交する方向は、基板の上面の法線方向であり、図中のＺ方向である。
　図１および図２に示すように、タッチセンサの製造方法Ｆ１においてまず、基板ＳＢの上にベースコート層ＢＣを形成する（ステップＳ１）。基板ＳＢは、回路基板、表示パネル、あるいは、単なる支持基板であってよい。ベースコート層ＢＣは、無機絶縁膜であり、例えば、酸化珪素、窒化珪素、および酸窒化珪素の何れか１つ以上を含んでよい。ベースコート層ＢＣは、化学気相成長法（ＣＶＤ）法によって形成されてよい。
　続いて、ベースコート層ＢＣを覆う下側導電層Ｍ１を形成し（ステップＳ２１）、下側導電層Ｍ１をエッチングする（ステップＳ２２）ことによって、基板ＳＢより上に、第１側面Ｌ１を有する第１配線ＴＭ１を形成する（ステップＳ２）。ステップＳ２２において、下側導電層Ｍ１をドライエッチングしてよい。ドライエッチングはウェットエッチングと比較して、異方性があり、その異方性によって微細加工に適しているという利点がある。ステップＳ２２において、ベースコート層ＢＣをエッチングすることがある。これは、「オーバーエッチング」と呼ばれる。
　続いて、第１配線ＴＭ１を覆い、第１側面Ｌ１に対応する第２側面Ｌ２を有する中間コート層ＴＣを形成する（ステップＳ３）。中間コート層ＴＣは、無機絶縁膜であり、例えば、酸化珪素、窒化珪素、および酸窒化珪素の何れか１つ以上を含んでよい。中間コート層ＴＣは、化学気相成長法（ＣＶＤ）法によって形成されてよい。中間コート層ＴＣは、その下層構造に応じた凹凸を有する。例えば、中間コート層ＴＣの第２側面Ｌ２は、第１配線ＴＭ１の第１側面Ｌ１に対応して傾斜している。
　続いて、中間コート層ＴＣを覆う上側導電層Ｍ２を形成し（ステップＳ４１）、上側導電層Ｍ２をエッチングする（ステップＳ４２）ことによって、第２配線ＴＭ２を形成する（ステップＳ４）。第２配線ＴＭ２は平面視で、第１配線ＴＭ１と部分的に重畳してよい。逆に言えば、第１配線ＴＭ１は、平面視で第２配線ＴＭ２と重畳しない部分Ｐ１と、平面視で第２配線ＴＭ２と重畳する部分Ｐ２とを含んでよい。以降、重畳しない部分Ｐ１を「第１部分Ｐ１」と称し、重畳する部分Ｐ２を「第２部分Ｐ２」と称する。
　第１配線ＴＭ１の第１側面Ｌ１は、第１配線ＴＭ１の第１部分Ｐ１の側面であってよい。中間コート層ＴＣは、第１配線ＴＭ１の第１側面Ｌ１を覆う部分Ｐ３を含んでよい。中間コート層ＴＣは、第１配線ＴＭ１の第２部分Ｐ２の側面を覆う部分Ｐ４を含んでよい。以降、第１側面Ｌ１を覆う部分Ｐ３を「第３部分Ｐ３」と称し、第２部分Ｐ２の側面を覆う部分Ｐ４を「第４部分Ｐ４」と称する。中間コート層ＴＣの第２側面Ｌ２は、第３部分Ｐ３の第１配線ＴＭ１と反対側の表面であってよい。
　ステップＳ４２において、上側導電層Ｍ２をドライエッチングしてよい。前述したように、ドライエッチングは、異方性によって微細加工に適しているという利点がある。ステップＳ４２において、第２配線ＴＭ２を形成する領域以外に、上側導電層Ｍ２の一部が残ることがある。以降、第２配線ＴＭ２を形成する領域以外に残る上側導電層Ｍ２の一部を、「残部ＦＲ」と称する。上側導電層Ｍ２の残部ＦＲは、中間コート層ＴＣの表面が略水平で無い領域に、例えば第２側面Ｌ２の上に、生じやすい。上側導電層Ｍ２の残部ＦＲは平面視で、第１配線ＴＭ１の周囲に生じやすい。また、中間コート層ＴＣの表面の傾斜角度が大きいほど、上側導電層Ｍ２の残部ＦＲが生じやすい。
　ステップＳ２において、第１配線ＴＭ１が第１側面Ｌ１の反対側の第３側面Ｌ３を有するように、第１配線ＴＭ１を形成してよい。ステップＳ３において、中間コート層ＴＣが、第３側面Ｌ３に対応する第４側面Ｌ４を有するように、中間コート層ＴＣを形成してよい。上側導電層Ｍ２の残部ＦＲは、第４側面Ｌ４の上にも、生じやすい。
　図３は、上側導電層Ｍ２の残部ＦＲが、第１配線ＴＭ１の側面に対応する中間コート層ＴＣの側面に連続的に生じた例を示す。図３において、第１配線ＴＭ１、第２配線ＴＭ２および残部ＦＲを示し、その他の構成要素を省略している。図３に示す例で、残部ＦＲが、分離形成された２つの第２配線ＴＭ２を電気的に接続している。この結果、当該２つの第２配線ＴＭ２は、残部ＦＲを通じて電気的に短絡している。
　続いて、図１および図４に示すように、第２配線ＴＭ２を覆い、平面視で第２側面Ｌ２を横断する第１開口Ｋ１を有するオーバーコート層ＯＣを形成する（ステップＳ５）。第１開口Ｋ１は、中間コート層ＴＣの第２側面Ｌ２を平面視で、対応する第１配線ＴＭ１と交差する方向に、横断してよい。第１開口Ｋ１が第２側面Ｌ２を横断する方向は、対応する第１配線ＴＭ１と略直交する方向でよい。第２側面Ｌ２は典型的に、長手方向が第１配線ＴＭ１の延伸方向に略平行な細長形状を有する。したがって、第１開口Ｋ１の横断方向は、第２側面Ｌ２の短手方向であってよい。
　ステップＳ５において、まず、第２配線ＴＭ２を覆うように無機材料を堆積して、オーバーコート層ＯＣとして無機絶縁材料の堆積層を形成する（ステップＳ５１）。そして、オーバーコート層ＯＣの上にマスクＰＲを形成する（ステップＳ５２）。マスクＰＲは、感光性樹脂を含む液を塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いて塗膜を露光および現像することによって形成してよい。そして、オーバーコート層ＯＣをエッチングする（ステップＳ５３）ことによって、第１開口Ｋ１を形成する。ステップＳ５３において、オーバーコート層ＯＣをドライエッチングしてよい。ドライエッチングは、異方性によって微細加工に適しているという利点があり、オーバーコート層ＯＣを掘り易い。オーバーコート層ＯＣに第１開口Ｋ１以外の開口Ｋ（図５等を参照）を、第１開口Ｋ１と同様に形成してよい。
　ステップＳ５において加えて、オーバーコート層ＯＣが、平面視で第４側面Ｌ４を横断する第２開口Ｋ２を含むように、オーバーコート層ＯＣを形成してよい。第２開口Ｋ２は、中間コート層ＴＣの第４側面Ｌ４を平面視で、対応する第１配線ＴＭ１と交差する方向に、横断してよい。第２開口Ｋ２が第４側面Ｌ４を横断する方向は、対応する第１配線ＴＭ１と略直交する方向でよい。第４側面Ｌ４は典型的に、長手方向が第１配線ＴＭ１の延伸方向に略平行な細長形状を有する。したがって、第２開口Ｋ２の横断方向は、第４側面Ｌ４の短手方向であってよい。
　第１開口Ｋ１は、平面視で第１側面Ｌ１に略平行に延びる細長形状を有してよい。第２開口Ｋ２は、平面視で第３側面Ｌ３に略平行に延びる細長形状を有してよい。したがって、第１開口Ｋ１および第２開口Ｋ２は、平面視で対応する第１配線ＴＭ１に略平行な細長形状を有してよい。
　中間コート層ＴＣの側面は、第１配線ＴＭ１の対応する側面から、断面視で中間コート層ＴＣの厚さ分だけ離れる。ここで「断面視」は、第１配線ＴＭ１に直交し、かつ、基板ＳＢに直交する切断面での断面視である。したがって、第１開口Ｋ１および第２開口Ｋ２が平面視で第１配線ＴＭ１の上面と重畳しないように、第１開口Ｋ１および第２開口Ｋ２を形成できる。第１配線ＴＭ１の厚さ、中間コート層ＴＣの厚さおよび第１配線ＴＭ１の側面の傾斜角に依っては、中間コート層ＴＣの側面は、第１配線ＴＭ１の対応する側面から平面視でも離れることがある。このような場合、第１開口Ｋ１および第２開口Ｋ２が平面視で第１配線ＴＭ１と重畳しないように、第１開口Ｋ１および第２開口Ｋ２を形成できる。
　ステップＳ５に続いて、第１開口Ｋ１を通じて、上側導電層Ｍ２を再度エッチングする（ステップＳ６）。ステップＳ６において、第１開口Ｋ１以外の開口Ｋも通じて、上側導電層Ｍ２を再度エッチングしてよい。再度のエッチングにより、上側導電層Ｍ２の残部ＦＲを除去できる。ステップＳ６におけるエッチングを、ステップＳ５３におけるエッチングに連続して、または同時に行ってよい。
　ステップＳ６において、上側導電層Ｍ２をドライエッチングしてよい。ステップＳ５２におけるドライエッチングとステップＳ６におけるドライエッチングとを同一工程に纏めることができる利点がある。
　ステップＳ６において、上側導電層Ｍ２をウェットエッチングしてよい。ウェットエッチングはドライエッチングと比較して、等方性があり、その等方性によって、上側導電層Ｍ２の除去に適しているという利点がある。あるいは、ステップＳ６において、上側導電層Ｍ２をドライエッチングおよびウェットエッチングしてよい。２回のエッチングによって、上側導電層Ｍ２をより確実に除去できる利点がある。
　図５は、上側導電層Ｍ２の残部ＦＲが、第１配線ＴＭ１の側面に対応する中間コート層ＴＣの側面に連続的に生じた後、開口を通じて残部ＦＲを除去した例を示す。図５において、第１配線ＴＭ１、第２配線ＴＭ２および残部ＦＲを示し、第１開口Ｋ１などの開口の輪郭を示し、その他の構成要素を省略している。この例において、残部ＦＲは、第１開口Ｋ１およびその他の開口によって、分断される。この結果、分離形成された２つの第２配線ＴＭ２が、電気的に分離する。したがって、ステップＳ６における再度のエッチングにより、タッチセンサＴＳの電極間の電気的短絡を低減または解消できる。
　中間コート層ＴＣの第２側面Ｌ２および第４側面Ｌ４の傾斜角度が大きいほど、残部ＦＲが生じやすく、第２配線ＴＭ２の間の電気的短絡が生じやすい。ベースコート層ＢＣをオーバーエッチングした場合に、そうでない場合よりも、第２側面Ｌ２および第４側面Ｌ４の傾斜角度が大きくなりやすい。したがって、ベースコート層ＢＣをオーバーエッチングすることがある製造方法において、ステップＳ６における再度のエッチングがより有益である。
　図４の最下段に示すように、ステップＳ６に続いて、マスクＰＲを剥離して除去する（ステップＳ７）。以上のようにして、本実施形態に係るタッチセンタＴＳは、基板ＳＢと、基板ＳＢより上に位置するベースコート層ＢＣと、基板ＳＢより上に位置し、第１側面Ｌ１を有する第１配線ＴＭ１と、第１配線ＴＭ１を覆い、第１側面Ｌ１に対応する第２側面Ｌ２を有する中間コート層ＴＣと、中間コート層ＴＣより上層に位置する第２配線ＴＭ２と、第２配線ＴＭ２を覆い、平面視で第２側面Ｌ２を横断する第１開口Ｋ１を有するオーバーコート層ＯＣとを備える。さらに、第１配線ＴＭ１が、第１側面Ｌ１の反対側の第３側面Ｌ３を有してよく、中間コート層ＴＣが、第３側面Ｌ３に対応する第４側面Ｌ４を有してよく、オーバーコート層ＯＣが、平面視で第４側面Ｌ４を横断する第２開口Ｋ２を含んでよい。
　図５に示すように、タッチセンサＴＳにおいて、中間コート層ＴＣの第２側面Ｌ２の上に導電層が形成されていてよい。この導電層は、上側導電層Ｍ２の残部ＦＲであってよい。より詳細には、第１開口Ｋ１の内部で、第２側面Ｌ２の上に導電層が形成されておらず、第１開口Ｋ１の外部で、第２側面Ｌ２の上に導電層が形成されていてよい。また、第４側面Ｌ４の上に導電層が形成されていてよい。この導電層は、上側導電層Ｍ２の残部ＦＲであってよい。より詳細には、第２開口Ｋ２の内部で、第４側面Ｌ４の上に導電層が形成されておらず、第２開口Ｋ２の外部で、第４側面Ｌ４の上に導電層が形成されていてよい。また、中間コート層ＴＣの第４部分Ｐ４の側面の上に、導電層が形成されていてよい。この導電層は、上側導電層Ｍ２の残部ＦＲであってよい。
　（変形例１）
　図６および図７は、本実施形態に係るタッチセンサの製造方法の変形例を示す断面図および平面図である。図６は、図７のＡ－Ｂ断面図に相当する。図６および図７に示すように、ステップＳ５において第１開口Ｋ１の開口面積を広げ、ステップＳ６において広げた第１開口Ｋ１を通じて、上側導電層Ｍ２を再度エッチングしてよい。例えば、第１開口Ｋ１が、第１配線ＴＭ１および第２配線ＴＭ２の少なくとも一方によって囲まれている領域の中央部ＣＰと平面視で重畳するように、第１開口Ｋ１を形成してよい。ここで、第１配線ＴＭ１および第２配線ＴＭ２の少なくとも一方によって囲まれている領域は、連続的に囲まれている領域、および断続的に囲まれている領域を含む。第１配線ＴＭ１および第２配線ＴＭ２の少なくとも一方によって囲まれている領域は、第１配線ＴＭ１のみによって囲まれている領域、第２配線ＴＭ２のみによって囲まれている領域、および第１配線ＴＭ１と第２配線との双方によって囲まれている領域を含む。
　開口面積を大きくすることによって、オーバーコート層ＯＣによる光吸収を低減でき、タッチセンサＴＳの光透過率を向上できる。第１開口Ｋ１以外の開口Ｋについても同様に、開口面積を大きくしてよい。
　（変形例２）
　図８および図９は、本実施形態に係るタッチセンサの製造方法の別の変形例を示す断面図および平面図である。図８は、図９のＡ－Ｂ断面図に相当する。図８および図９に示すように、第１開口Ｋ１が、平面視で中間コート層ＴＣの第２側面Ｌ２および第４側面Ｌ４の双方を横断するように、第１開口Ｋ１を形成してよい。この変形例において、第１開口Ｋ１は、平面視で第１配線ＴＭ１を横断する。第１開口Ｋ１は、中間コート層ＴＣの第２側面Ｌ２および第４側面Ｌ４の双方を平面視で、対応する第１配線ＴＭ１と交差する方向に、横断してよい。第１開口Ｋ１が第２側面Ｌ２および第４側面Ｌ４を横断する方向は、対応する第１配線ＴＭ１と略直交する方向でよい。第２側面Ｌ２および第４側面Ｌ４は典型的に、長手方向が第１配線ＴＭ１の延伸方向に略平行な細長形状を有する。したがって、第１開口Ｋ１の横断方向は、第２側面Ｌ２および第４側面Ｌ４の短手方向であってよい。
　（変形例３）
　図１０および図１１は、本実施形態に係るタッチセンサの製造方法の別の変形例を示す断面図および平面図である。図１０は、図１１のＡ－Ｂ断面図に相当する。図１０および図１１に示すように、第１開口Ｋ１が、中間コート層ＴＣの第２側面Ｌ２および第４側面Ｌ４の双方と平面視で重畳し、かつ、中央部ＣＰと平面視で重畳するように、第１開口Ｋ１を形成してよい。本変形例３に係るタッチセンタＴＳは、前述の変形例１に係るタッチセンサＴＳと同様に、光透過率が高い。
　（タッチセンサの構成１）
　図１２は、本開示の一実施形態に係るタッチセンサの配線パターンの一例を示す平面図である。図１２は簡単化のために、上側導電層Ｍ２の残部ＦＲを省略して、第１配線ＴＭ１と第２配線ＴＭ２とコンタクトホールＣＨとのみを示す。図１２に示すように、第１配線ＴＭ１は、ブリッジ配線ＢＷを含んでよい。第２配線ＴＭ２は、ブリッジ配線ＢＷと立体交差するＸ電極ＸＥと、Ｘ電極から電気的に分離しており、ブリッジ配線ＢＷを通じて互いと電気的に接続している複数のＹ電極ＹＥと、を含んでよい。第２配線ＴＭ２は、Ｘ電極ＸＥとＹ電極ＹＥとの間に位置するダミー配線ＤＷを含んでよい。第１配線ＴＭ１および第２配線ＴＭ２は、網状配線を構成してよい。
　ブリッジ配線ＢＷとＹ電極ＹＥとは、コンタクトホールＣＨによって接続されている。Ｘ電極ＸＥは、Ｙ方向に延伸しており、Ｘ方向に複数列設けられている。Ｙ電極ＹＥは、Ｘ方向に隣接するＹ電極ＹＥにブリッジ配線ＢＷを介して接続されており、Ｙ方向に複数行設けられている。本実施形態に係るタッチセンサＴＳの製造方法Ｆ１によれば、隣り合うＸ電極ＸＥとＹ電極ＹＥとの間の電気的短絡を低減または解消できる。
　（タッチセンサの構成２）
　図１３は、本開示の一実施形態に係るタッチセンサの配線パターンの別の一例を示す平面図である。図１３は簡単化のために、上側導電層Ｍ２の残部ＦＲを省略して、第１配線ＴＭ１と第２配線ＴＭ２とのみを示す。図１３に示すように、本実施形態に係るタッチセンタＴＳにおいて、第１配線ＴＭ１は、Ｘ電極ＸＥを含んでよい。第２配線ＴＭ２は、Ｘ電極ＸＥから電気的に分離しており、Ｘ電極ＸＥと立体交差するＹ電極ＹＥを含んでよい。
　Ｘ電極ＸＥは、Ｙ方向に延伸しており、Ｘ方向に複数行設けられている。Ｙ電極ＹＥは、Ｘ方向に延伸しており、Ｙ方向に複数段設けられている。本実施形態に係るタッチセンサＴＳの製造方法Ｆ１によれば、隣り合うＹ電極ＹＥ同士の間の電気的短絡を低減または解消できる。
　〔実施形態２〕
　本開示の他の実施形態について、以下に説明する。なお、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。また、説明の便宜上、上記実施形態にて説明した工程と同じ操作を行う工程については、同じ符号を付記し、その説明を繰り返さない。
　（タッチセンサの製造方法）
　図１４は、本開示の一実施形態に係るタッチセンサの製造方法の一例を示すフロー図である。図１５は、本開示の一実施形態に係るタッチセンサの製造方法の一例を示す断面図である。図１４に示すように、タッチセンサの製造方法Ｆ２において、ステップＳ１からステップＳ４を順に行い、続いて、第２配線ＴＭ２を覆い、平面視で第２側面Ｌ２を横断する第１開口Ｋ１を有するオーバーコート層ＯＣを形成する（ステップＳ８）。
　ステップＳ８において、まず、図１５に示すように、第２配線ＴＭ２を覆うように感光性樹脂溶液を塗布し、塗膜ＰＦを形成する（ステップＳ８１）。そして、塗膜ＰＦを露光および現像して、第１開口Ｋ１を有するオーバーコート層ＯＣを形成する（ステップＳ８２）。第１開口Ｋ１以外の開口Ｋを、第１開口Ｋ１と同様に形成してよい。
　本実施形態２に係るステップＳ８において、前述の実施形態１に係るステップＳ５と同様に、第１開口Ｋ１および第２開口Ｋ２を形成してよい。ステップＳ８に続いて、ステップＳ６を行う。
　本実施形態に係るタッチセンサの製造方法Ｆ２では、ステップＳ７を行わなくてよい。本実施形態に係るタッチセンサの製造方法Ｆ２は、前述の実施形態に係るタッチセンサの製造方法Ｆ１と同様に、種々の変形が可能である。
　〔実施形態３〕
　（表示装置の製造方法）
　図１６は、本開示の一実施形態に係る表示装置の製造方法の一例を示すフロー図である。図１７は、本開示の一実施形態に係る表示装置の一例を示す断面図である。図１６および図１７に示すように、表示装置の製造方法Ｆ３においてまず、基板ＳＢとして、複数の発光領域Ｅｍを含む表示パネルＤＰを用意する（ステップＳ１１）。
　一例として表示パネルＤＰは、支持基板１１と、支持基板１１よりも上層に位置する画素回路を含む回路層１２、回路層１２よりも上層に位置する発光素子を含む発光素子層１３、発光素子層１３よりも上層に位置する封止層１４と、を備えてよい。発光素子層１３は、画素電極ＰＥと、画素電極のエッジを覆うバンクＢＫと、画素電極ＰＥと対向する共通電極ＣＥと、画素電極ＰＥと共通電極ＣＥとの間に位置する発光層ＥＭＬとを含む。
　続いて、本開示にかかるタッチセンサの製造方法を用いて、表示パネルＤＰの上にタッチセンサＴＳを形成する（ステップＳ１２）。ステップＳ１２において、ベースコート層ＢＣは、封止層１４の上に直接成膜されてよい。ステップＳ１２は、前述の実施形態１に係るタッチセンサの製造方法Ｆ１、または、前述の実施形態２に係るタッチセンサの製造方法Ｆ２を含んでよい。ステップＳ１２は、前述の実施形態１，２に係るタッチセンサの製造方法Ｆ１，Ｆ２に改良または変更を加えた製造方法を含んでよい。
　ステップＳ１２において、第１配線ＴＭ１および第２配線ＴＭ２が、平面視で複数の発光領域Ｅｍの間隙と重畳するように、タッチセンサＴＳを形成してよい。この配置によって、表示パネルＤＰからの光を第１配線ＴＭ１および第２配線ＴＭ２が遮断する遮光率を低減でき、表示装置１０の発光輝度の低下を抑制できる。第１開口Ｋ１が、平面視で複数の発光領域Ｅｍのうちの１つ以上と重畳するように、タッチセンサＴＳを形成してよい。この配置によって、表示パネルＤＰからの光をオーバーコート層ＯＣが吸収する吸光率を低減でき、表示装置１０の発光輝度の低下をより抑制できる。例えば、前述の実施形態１の変形例１または変形例３のように、第１開口Ｋ１の開口面積を広げてよい。また、第１開口Ｋ１以外の開口Ｋの開口面積も、各開口が平面視で１つ以上の発光領域Ｅｍと重畳するように、広げてよい。
　以上のようにして、本実施形態に係る表示装置１０は、表示パネルＤＰと、本開示に係るタッチセンサＴＳとを備える。本開示に係るタッチセンサＴＳは、前述の実施形態１～３の何れかにおけるタッチセンサＴＳを含んでよく、前述の実施形態１～３の何れかにおけるタッチセンサＴＳに変更または改良を加えたタッチセンサを含んでよい。
　本開示は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本開示の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
　１０　表示装置
　ＢＣ　ベースコート層
　ＢＷ　ブリッジ配線
　ＣＰ　中央部
　ＤＰ　表示パネル
　ＤＷ　ダミー配線
　Ｅｍ　発光領域
　ＦＲ　残部
　Ｋ１　第１開口
　Ｋ２　第２開口
　Ｌ１　第１側面
　Ｌ２　第２側面
　Ｌ３　第３側面
　Ｌ４　第４側面
　Ｍ１　下側導電層
　Ｍ２　上側導電層
　ＯＣ　オーバーコート層
　Ｐ１　第１部分
　Ｐ２　第２部分
　Ｐ３　第３部分
　Ｐ４　第４部分
　ＰＦ　塗膜
　ＳＢ　基板
　ＴＣ　中間コート層
　ＴＭ１　第１配線
　ＴＭ２　第２配線
　ＴＳ　タッチセンサ
　ＸＥ　Ｘ電極
　ＹＥ　Ｙ電極

 

Claims (26)

  1. 　基板より上に、第１側面を有する第１配線を形成する工程と、
    　前記第１配線を覆い、前記第１側面に対応する第２側面を有する中間コート層を形成する工程と、
    　前記中間コート層を覆う上側導電層を形成し、前記上側導電層をエッチングすることによって、第２配線を形成する工程と、
    　前記第２配線を覆い、前記基板に直交する方向からの平面視で前記第２側面を横断する第１開口を有するオーバーコート層を形成する工程と、
    　前記第１開口を通じて、前記上側導電層を再度エッチングする工程と、を含むタッチセンサの製造方法。
  2. 　前記第１配線が前記第１側面の反対側の第３側面を有し、前記中間コート層が前記第３側面に対応する第４側面を有し、
    　前記オーバーコート層が、前記平面視で前記第４側面を横断する第２開口を含む、請求項１に記載のタッチセンサの製造方法。
  3. 　前記第１開口および前記第２開口は、前記平面視で前記第１配線に略平行な細長形状を有する、請求項２に記載のタッチセンサの製造方法。
  4. 　前記第１開口および前記第２開口は、前記平面視で前記第１配線と重畳しない、請求項２または３に記載のタッチセンサの製造方法。
  5. 　前記第１配線が前記第１側面の反対側の第３側面を有し、前記中間コート層が前記第３側面に対応する第４側面を有し、
    　前記第１開口が、前記平面視で前記第４側面を横断する、請求項１に記載のタッチセンサの製造方法。
  6. 　前記第１開口は、前記平面視で前記第１配線を横断する、請求項５に記載のタッチセンサの製造方法。
  7. 　前記第１配線は、前記平面視で前記第２配線と重畳しない第１部分と、前記平面視で前記第２配線と重畳する第２部分と、を含み、
    　前記第１配線の前記第１側面は、前記第１部分の側面である、請求項１～６の何れか１項に記載のタッチセンサの製造方法。
  8. 　前記中間コート層は、前記第１配線の前記第１側面を覆う第３部分を含み、
    　前記中間コート層の前記第２側面は、前記第３部分の前記第１配線と反対側の表面である、請求項１～７の何れか１項に記載のタッチセンサの製造方法。
  9. 　前記第２配線を形成する工程において、前記上側導電層をドライエッチングする請求項１～８の何れか１項に記載のタッチセンサの製造方法。
  10. 　前記上側導電層を再度エッチングする工程において、前記上側導電層をドライエッチングする請求項１～９の何れか１項に記載のタッチセンサの製造方法。
  11. 　前記上側導電層を再度エッチングする工程において、前記上側導電層をウェットエッチングする請求項１～９の何れか１項に記載のタッチセンサの製造方法。
  12. 　前記上側導電層を再度エッチングする工程において、前記上側導電層をドライエッチングおよびウェットエッチングする請求項１～９の何れか１項に記載のタッチセンサの製造方法。
  13. 　前記オーバーコート層を形成する工程において、前記第２配線を覆うように無機絶縁材料を堆積し、前記第１開口を形成するように前記無機絶縁材料の堆積層をエッチングする、請求項１～１２の何れか１項に記載のタッチセンサの製造方法。
  14. 　前記オーバーコート層を形成する工程において、前記第２配線を覆うように感光性樹脂溶液を塗布し、前記第１開口を形成するように前記感光性樹脂溶液の塗膜を露光および現像する、請求項１～１２の何れか１項に記載のタッチセンサの製造方法。
  15. 　ベースコート層を形成する工程をさらに含み、
    　前記ベースコート層を覆う下側導電層を形成し、前記下側導電層をエッチングすることによって、前記第１配線を形成する請求項１～１４の何れか１項に記載のタッチセンサの製造方法。
  16. 　複数の発光領域を含む表示パネルを準備する工程と、
    　請求項１～１５のいずれか１項に記載のタッチセンサの製造方法を用いて、前記表示パネル上にタッチセンサを形成する工程と、を含む、表示装置の製造方法。
  17. 　前記第１配線および前記第２配線は、前記平面視で前記複数の発光領域の間隙と重畳する請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
  18. 　前記第１開口が、前記複数の発光領域のうちの１つ以上と前記平面視で重畳する請求項１６または１７に記載の表示装置の製造方法。
  19. 　基板より上に位置し、第１側面を有する第１配線と、
    　前記第１配線を覆い、前記第１側面に対応する第２側面を有する中間コート層と、
    　前記中間コート層より上層に位置する第２配線と、
    　前記第２配線を覆い、前記基板に直交する方向からの平面視で前記第２側面を横断する第１開口を有するオーバーコート層と、を備えるタッチセンサ。
  20. 　前記中間コート層の前記第２側面の上に、導電膜が形成されている、請求項１９に記載のタッチセンサ。
  21. 　前記第１開口の内部で、前記第２側面の上に前記導電膜が形成されておらず、
    　前記第１開口の外部で、前記第２側面の上に前記導電膜が形成されている、請求項２０に記載のタッチセンサ。
  22. 　前記第１配線は、前記平面視で前記第２配線と重畳しない第１部分と、前記平面視で前記第２配線と重畳する第２部分と、を含み、
    　前記中間コート層は、前記第２部分の側面を覆う第４部分を含み、
    　前記第４部分の側面の上に、導電膜が形成されている、請求項１９に記載のタッチセンサ。
  23. 　前記第１配線は、ブリッジ配線を含み、
    　前記第２配線は、前記ブリッジ配線と立体交差するＸ電極と、前記Ｘ電極から電気的に分離しており、前記ブリッジ配線を通じて互いと電気的に接続している複数のＹ電極と、を含む、請求項１９～２２の何れか１項に記載のタッチセンサ。
  24. 　前記第２配線は、前記Ｘ電極と前記Ｙ電極との間に位置するダミー配線を含む、請求項２３に記載のタッチセンサ。
  25. 　前記第１配線は、Ｘ電極を含み、
    　前記第２配線は、前記Ｘ電極から電気的に分離しており、前記Ｘ電極と立体交差するＹ電極を含む、請求項１９～２２の何れか１項に記載のタッチセンサ。
  26. 　表示パネルと、請求項１９～２５のいずれか１項に記載のタッチセンサとを備える、表示装置。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2013210733A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Dainippon Printing Co Ltd タッチパネルセンサ、タッチパネルモジュールおよびタッチパネルセンサの製造方法
US20170052619A1 (en) * 2015-08-20 2017-02-23 Samsung Display Co., Ltd. Touch panel, display device having the same, and method of manufacturing the touch panel

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013210733A (ja) * 2012-03-30 2013-10-10 Dainippon Printing Co Ltd タッチパネルセンサ、タッチパネルモジュールおよびタッチパネルセンサの製造方法
US20170052619A1 (en) * 2015-08-20 2017-02-23 Samsung Display Co., Ltd. Touch panel, display device having the same, and method of manufacturing the touch panel

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