WO2024085062A1 - 弾性波装置及び弾性波素子 - Google Patents
弾性波装置及び弾性波素子 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2024085062A1 WO2024085062A1 PCT/JP2023/037030 JP2023037030W WO2024085062A1 WO 2024085062 A1 WO2024085062 A1 WO 2024085062A1 JP 2023037030 W JP2023037030 W JP 2023037030W WO 2024085062 A1 WO2024085062 A1 WO 2024085062A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- reflector
- connection electrode
- elastic wave
- electrode
- region
- Prior art date
Links
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims abstract description 143
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 67
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 52
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 182
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 66
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 19
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 9
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 9
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 7
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 7
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 7
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 alumina Chemical compound 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 4
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052878 cordierite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N dimagnesium dioxido-bis[(1-oxido-3-oxo-2,4,6,8,9-pentaoxa-1,3-disila-5,7-dialuminabicyclo[3.3.1]nonan-7-yl)oxy]silane Chemical compound [Mg++].[Mg++].[O-][Si]([O-])(O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2)O[Al]1O[Al]2O[Si](=O)O[Si]([O-])(O1)O2 JSKIRARMQDRGJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052451 lead zirconate titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N lead zirconate titanate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ti+4].[Zr+4].[Pb+2] HFGPZNIAWCZYJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910026161 MgAl2O4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910001676 gahnite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001677 galaxite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 229910001691 hercynite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
- H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
Definitions
- the present invention relates to an elastic wave device and an elastic wave element that includes an elastic wave device as an elastic wave resonator.
- acoustic wave devices have been widely used as filters for mobile phones, etc.
- An example of an acoustic wave device is disclosed in the following Patent Document 1.
- an IDT Interdigital Transducer
- a central region, a low acoustic velocity region, and a high acoustic velocity region are arranged in this order from the inside to the outside in the direction in which multiple electrode fingers extend.
- the elastic wave device of Patent Document 1 may not be able to sufficiently prevent return loss from increasing.
- the object of the present invention is to provide an elastic wave device that can prevent return loss from increasing.
- the elastic wave device comprises a piezoelectric substrate, an IDT electrode provided on the piezoelectric substrate, the IDT electrode having a first bus bar and a second bus bar opposed to each other, and a plurality of first electrode fingers and a plurality of second electrode fingers interdigitated with each other, and a pair of reflectors provided on the piezoelectric substrate so as to sandwich the IDT electrode in the second direction, when a first direction is a direction in which the plurality of first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers extend, and a second direction is a direction perpendicular to the first direction, the plurality of first electrode fingers each include a first base end connected to the first bus bar, and the plurality of second electrode fingers each include a second base end connected to the second bus bar, a pair of regions of the IDT electrode located outside the first base end and the second base end in the first direction are a pair of outer regions, and a pair of regions obtained by extending the pair of outer regions in the second direction are a pair of extended outer regions
- the elastic wave element according to the present invention comprises a first elastic wave resonator and a second elastic wave resonator which are elastic wave devices configured according to the present invention
- the second elastic wave resonator shares the piezoelectric substrate with the first elastic wave resonator
- the second elastic wave resonator has an IDT electrode having a plurality of electrode fingers provided on the piezoelectric substrate separately from the first elastic wave resonator, and a pair of reflectors provided on the piezoelectric substrate so as to face each other across the IDT electrode
- the reflector of the second elastic wave resonator has a pair of reflector bus bars which face each other and a plurality of reflector electrode fingers electrically connected to the pair of reflector bus bars
- the reflector bus of the second elastic wave resonator has a pair of reflector bus bars which face each other and a plurality of reflector electrode fingers electrically connected to the pair of reflector bus bars.
- a bar having a plurality of reflector connection electrodes directly or indirectly connected to the plurality of reflector electrode fingers, and when a direction in which the plurality of electrode fingers of the IDT electrode extend in the second acoustic wave resonator is defined as a first direction and a direction perpendicular to the first direction is defined as a second direction, the plurality of reflector connection electrodes are located in the reflector of the second acoustic wave resonator, and a region extending in the second direction is a connection electrode forming region, one of the reflectors of the first acoustic wave resonator is defined as a first reflector and one of the reflectors of the second acoustic wave resonator is defined as a second reflector, one of the connection electrode forming regions of the first reflector is defined as a first connection electrode forming region and the other connection electrode forming region is defined as a second connection electrode forming region.
- connection electrode formation regions of the second reflector when one of the connection electrode formation regions of the second reflector is defined as a third connection electrode formation region and the other connection electrode formation region is defined as a fourth connection electrode formation region, the first connection electrode formation region and the third connection electrode formation region are adjacent to each other in the second direction of the first acoustic wave resonator, the second connection electrode formation region and the fourth connection electrode formation region are adjacent to each other in the second direction of the first acoustic wave resonator, each of the connection electrode formation regions of the first reflector has a first adjacent portion which includes an edge portion of the connection electrode formation region on the second reflector side and has a dimension along the second direction that is equal to or greater than the dimension of one period of the first acoustic wave resonator, Each of the connection electrode forming regions has a second adjacent portion that includes an edge portion on the first reflector side of the connection electrode forming region and has a dimension along the second direction of the second acoustic wave resonator that is equal to or greater than the
- the elastic wave device of the present invention can prevent return loss from increasing.
- FIG. 1 is a plan view of an elastic wave device according to a first preferred embodiment of the present invention.
- FIG. 2 is a plan view showing the vicinity of a second reflector bus bar of the reflector according to the first embodiment of the present invention.
- FIG. 3 is a plan view of an elastic wave device of a comparative example.
- FIG. 4 is a graph showing impedance frequency characteristics of the elastic wave device according to the first preferred embodiment of the present invention.
- FIG. 5 illustrates the return losses of the elastic wave devices according to the first preferred embodiment of the present invention and a comparative example.
- FIG. 6 is a diagram illustrating the return losses of the elastic wave devices according to the first preferred embodiment of the present invention and the comparative example in a frequency range different from that in FIG. FIG.
- FIG. 7 is a graph showing the relationship between the number of every other reflector connecting electrodes that are thinned out and the Q value in the acoustic wave device according to the first preferred embodiment of the present invention.
- FIG. 8 is a schematic cross-sectional front view of an elastic wave device according to a modified example of the first preferred embodiment of the present invention.
- FIG. 9 is a plan view showing the vicinity of a second reflector bus bar of a reflector according to a second embodiment of the present invention.
- FIG. 10 illustrates the return losses of the elastic wave devices according to the second preferred embodiment of the present invention and a comparative example.
- FIG. 11 is a diagram illustrating the return losses of the elastic wave devices according to the second preferred embodiment of the present invention and the comparative example in a frequency range different from that of FIG.
- FIG. 12 is a graph showing the relationship between the number of every other reflector connecting electrodes that are thinned out and the Q value in an elastic wave device according to a second preferred embodiment of the present invention.
- FIG. 13 is a plan view showing the vicinity of a second reflector bus bar of a reflector according to a third embodiment of the present invention.
- FIG. 14 is a graph showing the relationship between the number of every other reflector connecting electrodes that are thinned out and the Q value in an elastic wave device according to a third preferred embodiment of the present invention.
- FIG. 15 is a plan view showing the vicinity of a second reflector bus bar of a reflector according to a fourth embodiment of the present invention.
- FIG. 16 illustrates the return losses of the elastic wave devices according to the fourth preferred embodiment of the present invention and a comparative example.
- FIG. 17 is a diagram illustrating the return losses of the elastic wave devices according to the fourth preferred embodiment of the present invention and the comparative example in a frequency range different from that in FIG.
- FIG. 18 is a graph showing the relationship between the Q value and the number of every other reflector connecting electrodes that are thinned out in an elastic wave device according to a fourth preferred embodiment of the present invention.
- FIG. 19 is a plan view showing the vicinity of a second reflector bus bar of a reflector according to a fifth embodiment of the present invention.
- FIG. 20 illustrates the return losses of the elastic wave devices according to the fifth preferred embodiment of the present invention and a comparative example.
- FIG. 19 is a plan view showing the vicinity of a second reflector bus bar of a reflector according to a fifth embodiment of the present invention.
- FIG. 20 illustrates the return losses of the elastic wave devices according to the fifth preferred embodiment of
- FIG. 21 illustrates the return losses of the elastic wave devices according to the fifth preferred embodiment of the present invention and the comparative example in a frequency range different from that in FIG.
- FIG. 22 is a graph showing the relationship between the number of every other reflector connecting electrodes that are thinned out and the Q value in an elastic wave device according to a fifth preferred embodiment of the present invention.
- FIG. 23 is a plan view showing the vicinity of a second reflector bus bar of a reflector according to a sixth embodiment of the present invention.
- FIG. 24 is a plan view showing the vicinity of a second reflector bus bar of a reflector according to the seventh embodiment of the present invention.
- FIG. 25 is a plan view showing the vicinity of a second reflector bus bar of a reflector according to the eighth embodiment of the present invention.
- FIG. 23 is a plan view showing the vicinity of a second reflector bus bar of a reflector according to a sixth embodiment of the present invention.
- FIG. 24 is a plan view showing the vicinity of a second reflect
- FIG. 26 is a plan view showing the vicinity of a second reflector bus bar of a reflector according to a ninth embodiment of the present invention.
- FIG. 27 illustrates the return losses of elastic wave devices according to the sixth to ninth preferred embodiments of the present invention and a comparative example.
- FIG. 28 illustrates the return losses of the elastic wave devices according to the sixth to ninth preferred embodiments of the present invention and the comparative example in a frequency range different from that in FIG.
- FIG. 29 is a schematic plan view showing an enlarged view of a portion near a first bus bar and a portion near a second bus bar in an IDT electrode according to a tenth embodiment of the present invention.
- FIG. 30 is a schematic plan view showing an enlarged view of a portion near the first bus bar and the second bus bar in an IDT electrode according to the eleventh embodiment of the present invention.
- FIG. 31 is a plan view of an acoustic wave element according to a twelfth embodiment of the present invention.
- FIG. 32 is an enlarged plan view showing the vicinity of a first reflector and a second reflector in the twelfth embodiment of the present invention.
- FIG. 33 is a schematic plan view of an acoustic wave device having acoustic wave resonators according to two comparative examples.
- FIG. 34 is a graph showing attenuation frequency characteristics near the high-frequency side in the passband in a filter device using an acoustic wave element having acoustic wave resonators of two comparative examples.
- FIG. 35 is a schematic plan view of a conventional acoustic wave element.
- FIG. 36 is a schematic plan view showing elastic waves excited and propagating in a first elastic wave resonator and a second elastic wave resonator according to a twelfth embodiment of the present invention.
- FIG. 37 is an enlarged plan view showing the vicinity of a first reflector and a second reflector in the thirteenth embodiment of the present invention.
- FIG. 38 is an enlarged plan view showing the vicinity of a first reflector and a second reflector in the fourteenth embodiment of the present invention.
- FIG. 1 is a plan view of an elastic wave device according to a first embodiment of the present invention.
- the elastic wave device 1 has a piezoelectric substrate 2.
- the piezoelectric substrate 2 is a substrate having piezoelectric properties. Specifically, in this embodiment, the piezoelectric substrate 2 is a substrate made only of a piezoelectric material. However, the piezoelectric substrate 2 may be a laminated substrate including a piezoelectric layer. In this embodiment, lithium niobate is used as the piezoelectric material of the piezoelectric substrate 2. Note that the piezoelectric material is not limited to the above, and for example, lithium tantalate, zinc oxide, aluminum nitride, quartz, or PZT (lead zirconate titanate) can also be used.
- the piezoelectric substrate 2 has a first principal surface 2a and a second principal surface 2b.
- the first principal surface 2a and the second principal surface 2b face each other.
- An IDT electrode 3 is provided on the first principal surface 2a of the piezoelectric substrate 2.
- An acoustic wave is excited by applying an AC voltage to the IDT electrode 3.
- the IDT electrode 3 has a first busbar 4 and a second busbar 5, a plurality of first electrode fingers 6 and a plurality of second electrode fingers 7.
- the first busbar 4 and the second busbar 5 face each other.
- One end of each of the first electrode fingers 6 is connected to the first busbar 4.
- One end of each of the second electrode fingers 7 is connected to the second busbar 5.
- the first electrode fingers 6 and the second electrode fingers 7 are interdigitated with each other.
- the first electrode fingers 6 and the second electrode fingers 7 may be simply referred to as electrode fingers.
- Each of the multiple electrode fingers includes a base end and a tip end. More specifically, the portion of each of the multiple first electrode fingers 6 that is connected to the first bus bar 4 is the first base end 6a. The portion of each of the multiple second electrode fingers 7 that is connected to the second bus bar 5 is the second base end 7a.
- the direction in which the multiple first electrode fingers 6 and the multiple second electrode fingers 7 extend is referred to as the first direction y
- the direction perpendicular to the first direction y is referred to as the second direction x
- the second direction x is parallel to the acoustic wave propagation direction.
- the first busbar 4 has a plurality of openings 4d along the second direction x. Specifically, the first busbar 4 has an inner busbar portion 4a, an outer busbar portion 4b, and a plurality of connection electrodes 4c.
- the inner busbar portion 4a is located inside the opening 4d and the outer busbar portion 4b in the first direction y. More specifically, the inner busbar portion 4a is located closer to the intersection region A than the opening 4d and the outer busbar portion 4b.
- the inner busbar portion 4a and the outer busbar portion 4b are connected by a plurality of connection electrodes 4c. In this embodiment, the plurality of connection electrodes 4c extend parallel to the first direction y.
- the plurality of openings 4d are openings surrounded by the inner busbar portion 4a, the plurality of connection electrodes 4c, and the outer busbar portion 4b.
- Each connection electrode 4c is provided on an extension line of each first electrode finger 6, and is not provided on an extension line of each second electrode finger 7.
- the second busbar 5 is configured similarly to the first busbar 4.
- the second busbar 5 has a plurality of openings 5d arranged along the second direction x.
- the second busbar 5 has an inner busbar portion 5a, an outer busbar portion 5b, and a plurality of connection electrodes 5c.
- a pair of reflectors 13A and 13B are provided on the piezoelectric substrate 2.
- the reflectors 13A and 13B are arranged to face each other in the second direction x with the IDT electrode 3 therebetween.
- the IDT electrode 3 has a pair of outer regions. Specifically, the pair of outer regions is a first outer region Ba and a second outer region Bb.
- the first outer region Ba is a region located outward in the first direction y from the first base ends 6a of the multiple first electrode fingers 6.
- the second outer region Bb is a region located outward in the first direction y from the second base ends 7a of the multiple second electrode fingers 7. More specifically, the first outer region Ba is a region in which the first bus bar 4 is provided.
- the second outer region Bb is a region in which the second bus bar 5 is provided.
- the elastic wave device 1 has a pair of extended outer regions. Specifically, the pair of extended outer regions is a first extended outer region Oa and a second extended outer region Ob.
- the first extended outer region Oa is a region obtained by extending the first outer region Ba in the second direction x.
- the second extended outer region Ob is a region obtained by extending the second outer region Bb in the second direction x.
- the pair of extended outer regions are regions that are included not only in the IDT electrode 3 but also in the pair of reflectors.
- Reflector 13A has a pair of reflector bus bars and a plurality of reflector electrode fingers 16.
- the pair of reflector bus bars is specifically a first reflector bus bar 14 and a second reflector bus bar 15.
- the first reflector bus bar 14 and the second reflector bus bar 15 face each other.
- the plurality of reflector electrode fingers 16 are electrically connected to the first reflector bus bar 14 and the second reflector bus bar 15.
- the first reflector busbar 14 has a plurality of openings 14d along the second direction x.
- the first reflector busbar 14 includes an inner reflector busbar portion 14a, an outer reflector busbar portion 14b, and a plurality of reflector connection electrodes 14c.
- the inner reflector busbar portion 14a is located inside the openings 14d and the outer reflector busbar portion 14b in the first direction y. More specifically, the inner reflector busbar portion 14a is located closer to the plurality of reflector electrode fingers 16 than the openings 14d and the outer reflector busbar portion 14b.
- the inner reflector busbar portion 14a and the outer reflector busbar portion 14b are connected by a plurality of reflector connection electrodes 14c.
- the plurality of reflector connection electrodes 14c extend parallel to the first direction y.
- the multiple openings 14d are openings surrounded by the inner reflector busbar portion 14a, the multiple reflector connection electrodes 14c, and the outer reflector busbar portion 14b.
- the second reflector busbar 15 also has a plurality of openings 15d along the second direction x.
- the second reflector busbar 15 has an inner reflector busbar portion 15a, an outer reflector busbar portion 15b, and a plurality of reflector connection electrodes 15c.
- FIG. 2 is a plan view showing the vicinity of the second reflector busbar of the reflector in the first embodiment.
- the second reflector busbar 15 includes a connection electrode formation region C.
- the connection electrode formation region C is a region in which a plurality of reflector connection electrodes 15c are located and which extends in the second direction x.
- the connection electrode formation region C is located between the inner reflector busbar portion 15a and the outer reflector busbar portion 15b.
- all the reflector electrode fingers 16 are connected to the inner reflector busbar portion 15a.
- a reflector connection electrode 15c is provided on the extension line of each of a portion of the reflector electrode fingers 16.
- the reflector electrode fingers 16 are provided on the extension line of all the reflector connection electrodes 15c.
- Each reflector connection electrode 15c is indirectly connected to each reflector electrode finger 16 via the inner reflector busbar portion 15a. More specifically, one end of the reflector connection electrode 15c is connected to the inner reflector busbar portion 15a, and one end of the reflector electrode finger 16 is connected to the inner reflector busbar portion 15a. Note that the reflector electrode finger 16 does not necessarily have to be located on the extension line of the reflector connection electrode 15c. Even in this case, each reflector connection electrode 15c is indirectly connected to each reflector electrode finger 16 via the inner reflector busbar portion 15a.
- connection electrode formation region C has a portion where the connection electrode pitch is wide and a portion where the connection electrode pitch is narrow. More specifically, in the connection electrode formation region C, the portion where the connection electrode pitch is wide is farther from the IDT electrode 3 than the portion where the connection electrode pitch is narrow.
- the reflector connection electrodes 15c are provided on the extensions of the reflector electrode fingers 16.
- the reflector connection electrodes 15c are provided on the extensions of every other reflector electrode finger 16. That is, the configuration of this portion corresponds to a configuration in which the reflector connection electrodes 15c are provided on the extensions of all the reflector electrode fingers 16, and every other reflector connection electrode 15c is thinned out. In the following, this configuration is simply described as a configuration in which every other reflector connection electrode 15c is thinned out. For example, the configuration shown in FIG.
- every other reflector connection electrode 15c including the reflector connection electrode 15c located second farthest from the IDT electrode 3, is thinned out by three.
- the number of reflector connection electrodes 15c to be thinned out is not limited to the above.
- the first reflector busbar 14 is also configured in a similar manner.
- the connection electrode formation region C in the first reflector busbar 14 has a portion where the connection electrode pitch is wide and a portion where the connection electrode pitch is narrow.
- the portion where the connection electrode pitch is wide is farther from the IDT electrode 3 than the portion where the connection electrode pitch is narrow.
- the reflector 13B is also configured in the same manner as the reflector 13A.
- the dimension d of one period is twice the center distance in the second direction x between adjacent reflector electrode fingers 16.
- an imaginary line E with the dimension d of one period extending in the second direction x is drawn.
- the imaginary line E there are portions where the reflector connection electrode 15c is provided and portions where it is not provided.
- the imaginary line E there are portions where the piezoelectric substrate 2 is covered with the metal constituting the reflector 13A and portions where it is not covered.
- the ratio of the portion of the piezoelectric substrate 2 covered with the metal constituting the reflector on the imaginary line is defined as the metallization ratio. More specifically, the metallization ratio is the sum of the dimensions of the metal on the imaginary line E along the second direction x divided by d.
- the metallization ratio of each part in the connection electrode formation region C is large in the parts where the connection electrode pitch is narrow.
- the metallization ratio is small in the parts where the connection electrode pitch is wide.
- connection electrode formation region C of each reflector includes a portion with a different metallization ratio in the second direction x.
- the connection electrode formation region C may include a portion with a different metallization ratio in the first direction y. This makes it possible to suppress the energy of the elastic wave from leaking to the side of each reflector bus bar. This makes it possible to suppress an increase in return loss. Therefore, when the elastic wave device 1 is used in a filter device, it is possible to suppress an increase in insertion loss. Details of this are shown below by comparing this embodiment with a comparative example.
- the comparative example differs from the first embodiment in that, as shown in FIG. 3, the reflector connection electrodes are thinned out every other one throughout the entire connection electrode formation region C. That is, in the comparative example, for example, the metallization ratio is constant in the connection electrode formation region C of reflector 103A. The same is true for the other reflector 103B.
- an elastic wave device was prepared that corresponds to a configuration in which only one of the reflector connection electrodes located second farthest from the IDT electrode 3 is thinned out.
- an elastic wave device was prepared that corresponds to a configuration in which every other one of the reflector connection electrodes, including the reflector connection electrode located second farthest from the IDT electrode 3, is thinned out.
- the return loss was compared between the elastic wave device 1 of the first embodiment and the elastic wave device of the comparative example. The results are shown below. The impedance frequency characteristics of the elastic wave device 1 of the first embodiment are also shown.
- FIG. 4 is a diagram showing impedance frequency characteristics of the elastic wave device according to the first embodiment.
- FIG. 5 is a diagram showing return loss of the elastic wave device according to the first embodiment and a comparative example.
- FIG. 6 is a diagram showing return loss of the elastic wave device according to the first embodiment and a comparative example in a frequency range different from that of FIG. 5.
- the anti-resonance frequency of the elastic wave device 1 of the first embodiment is approximately 2061 MHz.
- the frequency of the upper end of the stop band of the elastic wave device 1 is approximately 2193 MHz.
- the stop band is a region where the wavelength of the elastic wave is constant because the elastic wave is confined in a metal grating with a periodic structure.
- the upper end of the stop band is the end of the stop band on the high-frequency side.
- the anti-resonance frequency and the frequency of the upper end of the stop band in the comparative example are approximately the same as those in the first embodiment.
- the absolute value of the return loss is smaller in the first embodiment than in the comparative example.
- the absolute value of the return loss is smaller in the frequency range above the frequency indicated by arrow F1 in Figure 5, and in the frequency range below the frequency indicated by arrow F2 in Figure 6.
- the absolute value of the return loss is smaller from the anti-resonance frequency to near the upper end of the stop band.
- the configuration of the first embodiment corresponds to a configuration in which the reflector connection electrodes 15c on the side farther from the IDT electrode 3 are thinned out. Therefore, the metallization ratio of the portion where the reflector connection electrodes 15c are thinned out is smaller than the metallization ratio of the portion where they are not thinned out. If the metallization ratio differs, the degree of mass added by the metal that constitutes the reflector 13A will differ. And, in the portions of the reflector 13A where the degree of mass added is different, the sound speed will differ.
- the portions having different sound speeds are arranged in the second direction x. This makes it possible to suppress the leakage of elastic waves from the reflector 13A, and to suppress the increase in return loss.
- suppression of the increase in return loss means suppression of the absolute value of the return loss from increasing, unless otherwise specified.
- the first reflector bus bar 14 shown in FIG. 1 is configured similarly to the second reflector bus bar 15.
- Reflector 13B is configured similarly to reflector 13A. Therefore, leakage of elastic waves can be suppressed in each reflector bus bar of each reflector. Therefore, when the elastic wave device 1 is used in a filter device, it is possible to effectively suppress an increase in insertion loss. For example, it is possible to effectively suppress an increase in insertion loss near the high-frequency end of the pass band of the filter device.
- connection electrode formation regions C in the pair of reflector bus bars of the pair of reflectors needs to include a portion with a different metallization ratio in at least one of the first direction y and the second direction x. This can prevent the return loss from increasing as described above.
- the connection electrode formation regions C in both reflector bus bars of one reflector include a portion with a different metallization ratio in at least one of the first direction y and the second direction x.
- all of the connection electrode formation regions C in both reflector bus bars of both reflectors include a portion with a different metallization ratio in at least one of the first direction y and the second direction x. This can effectively prevent the return loss from increasing.
- the relationship between the number of alternately thinned reflector connection electrodes and the Q value was obtained.
- a number of elastic wave devices were prepared, each having the configuration of the first embodiment, and each having a different number of alternately thinned reflector connection electrodes.
- the number of alternately thinned reflector connection electrodes was 2, 3, 4, or 8.
- the reflector busbar of each reflector in each elastic wave device had the same configuration in which the reflector connection electrodes were thinned out.
- An elastic wave device of a comparative example shown in FIG. 3 was also prepared.
- the Q value of each prepared elastic wave device was measured.
- the number of pairs of electrode fingers of the IDT electrode was 100 pairs
- the number of pairs of reflector electrode fingers was 10 pairs.
- the measurement results of the comparative example are also shown below.
- FIG. 7 is a diagram showing the relationship between the number of alternately removed reflector connection electrodes and the Q value in the elastic wave device according to the first embodiment.
- the dashed line in FIG. 7 shows the results of a comparative example.
- the Q value is higher in the first embodiment than in the comparative example. In this way, the Q value can be increased in the first embodiment.
- the Q value increases every time the number of thinned-out reflector connection electrodes increases to four. In other words, the Q value increases every time the ratio of the number of thinned-out reflector connection electrodes to the number of reflector electrode fingers increases to 20%.
- the piezoelectric substrate 2 of the elastic wave device 1 shown in FIG. 1 is a substrate made only of a piezoelectric material.
- the piezoelectric substrate 2 may be a laminated substrate including a piezoelectric layer.
- the piezoelectric substrate 22 has a support substrate 23, a high acoustic velocity film 24 as a high acoustic velocity material layer, a low acoustic velocity film 25, and a piezoelectric layer 26.
- the high acoustic velocity film 24 is provided on the support substrate 23.
- the low acoustic velocity film 25 is provided on the high acoustic velocity film 24.
- the piezoelectric layer 26 is provided on the low acoustic velocity film 25.
- the low acoustic velocity film 25 is a film with a relatively low acoustic velocity. Specifically, the acoustic velocity of the bulk wave propagating through the low acoustic velocity film 25 is lower than the acoustic velocity of the bulk wave propagating through the piezoelectric layer 26.
- the low acoustic velocity film 25 may be made of a dielectric material such as glass, silicon oxide, silicon oxynitride, lithium oxide, tantalum oxide, or a compound of silicon oxide with fluorine, carbon, or boron added, or a material that contains the above materials as its main component.
- the main component refers to a component that accounts for more than 50 wt%.
- the main component material may be in any of the following states: single crystal, polycrystalline, or amorphous, or a mixture of these.
- the high acoustic velocity material layer is a layer with a relatively high acoustic velocity. Specifically, the acoustic velocity of the bulk wave propagating through the high acoustic velocity material layer is higher than the acoustic velocity of the elastic wave propagating through the piezoelectric layer 26. In this modification, the high acoustic velocity material layer is a high acoustic velocity film 24.
- high acoustic velocity materials include piezoelectric materials such as aluminum nitride, lithium tantalate, lithium niobate, and quartz, ceramics such as alumina, sapphire, magnesia, silicon nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, steatite, forsterite, spinel, and sialon, dielectric materials such as aluminum oxide, silicon oxynitride, DLC (diamond-like carbon), and diamond, semiconductors such as silicon, and materials mainly composed of the above materials.
- the spinel includes an aluminum compound containing one or more elements selected from Mg, Fe, Zn, Mn, and the like, and oxygen. Examples of the spinel include MgAl2O4 , FeAl2O4 , ZnAl2O4 , and MnAl2O4 .
- the material of the support substrate 23 may be, for example, a piezoelectric material such as aluminum nitride, lithium tantalate, lithium niobate, or quartz; a ceramic material such as alumina, sapphire, magnesia, silicon nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, steatite, or forsterite; a dielectric material such as diamond or glass; a semiconductor material such as silicon or gallium nitride; or a resin; or a material containing the above materials as a main component.
- a piezoelectric material such as aluminum nitride, lithium tantalate, lithium niobate, or quartz
- a ceramic material such as alumina, sapphire, magnesia, silicon nitride, silicon carbide, zirconia, cordierite, mullite, steatite, or forsterite
- a dielectric material such as diamond or glass
- a semiconductor material such as
- a high acoustic velocity film 24 as a high acoustic velocity material layer, a low acoustic velocity film 25, and a piezoelectric layer 26 are laminated in this order. This makes it possible to effectively confine the energy of the elastic wave on the piezoelectric layer 26 side.
- this modified example as well, as in the first embodiment it is possible to prevent the return loss from increasing.
- the piezoelectric substrate may be a layered substrate of a support substrate, a high acoustic velocity film, and a piezoelectric layer.
- the high acoustic velocity material layer may be a high acoustic velocity support substrate.
- the piezoelectric substrate may be a layered substrate of a high acoustic velocity support substrate, a low acoustic velocity film, and a piezoelectric layer, or a layered substrate of a high acoustic velocity support substrate and a piezoelectric layer. In these cases, too, the energy of the elastic wave can be effectively trapped on the piezoelectric layer side.
- the reflector busbar includes a portion with a different metallization ratio.
- the configuration of each reflector busbar of each reflector is the same. Therefore, the following describes the configuration of the second reflector busbar of one of the reflectors in each embodiment.
- the anti-resonance frequency and the upper end frequency of the stop band are approximately the same as in the first embodiment.
- FIG. 9 is a plan view showing the vicinity of the second reflector busbar of the reflector in the second embodiment.
- the second embodiment differs from the first embodiment in that the portion of the connection electrode formation region C where the connection electrode pitch is wide is closer to the IDT electrode 3 than the portion where the connection electrode pitch is narrow.
- the portion where the metallization ratio is small is closer to the IDT electrode 3 than the portion where the metallization ratio is large.
- FIG. 10 is a diagram showing the return loss of the elastic wave device of the second embodiment and the comparative example.
- FIG. 11 is a diagram showing the return loss of the elastic wave device of the second embodiment and the comparative example in a frequency range different from that of FIG. 10.
- the absolute value of the return loss is smaller than in the comparative example.
- the absolute value of the return loss is smaller in the frequency range equal to or higher than the frequency indicated by the arrow F1 in Figure 10, and in the frequency range equal to or lower than the frequency indicated by the arrow F2 in Figure 11.
- the absolute value of the return loss is smaller from the anti-resonance frequency to near the upper end of the stop band.
- the relationship between the number of alternately thinned reflector connection electrodes 15c and the Q value was obtained.
- a plurality of elastic wave devices were prepared, each having the configuration of the second embodiment, and each having a different number of alternately thinned reflector connection electrodes 15c.
- the number of alternately thinned reflector connection electrodes 15c was 2, 3, 4, or 8.
- the reflector busbar of each reflector in each elastic wave device has the same configuration in which the reflector connection electrodes are thinned out.
- An elastic wave device of a comparative example shown in FIG. 3 was also prepared. The Q value of each prepared elastic wave device was measured.
- the number of pairs of electrode fingers of the IDT electrode 3 was 100 pairs, and the number of pairs of the reflector electrode fingers 16 was 10 pairs.
- the measurement results of the comparative example are also shown below.
- FIG. 12 is a diagram showing the relationship between the number of alternate reflector connection electrodes that are thinned out and the Q value in the elastic wave device according to the second embodiment.
- the dashed line in FIG. 12 shows the results of the comparative example.
- the Q value is higher in the second embodiment than in the comparative example. In this way, the Q value can be increased in the second embodiment. It can also be seen that in the second embodiment, the Q value increases every time the number of thinned-out reflector connection electrodes 15c increases up to eight. In other words, the Q value increases every time the ratio of the number of thinned-out reflector connection electrodes 15c to the number of reflector electrode fingers 16 increases up to 40%.
- FIG. 13 is a plan view showing the vicinity of the second reflector busbar of the reflector in the third embodiment.
- the third embodiment differs from the second embodiment in that only a portion of the reflector electrode fingers 16 is connected to the inner reflector busbar portion 15a.
- the portion of the reflector electrode fingers 16 is indirectly connected to the reflector connection electrode 15c via the inner reflector busbar portion 15a. That is, the reflector connection electrode 15c is provided on the extension line of all the reflector electrode fingers 16 connected to the inner reflector busbar portion 15a.
- the reflector connection electrode 15c is directly connected to the tips of some of the reflector electrode fingers 16 among the reflector electrode fingers 16 that are not connected to the inner reflector busbar portion 15a.
- the tips of the other portion of the reflector electrode fingers 16 among the reflector electrode fingers 16 that are not connected to the inner reflector busbar portion 15a face the outer reflector busbar portion 15b across a gap.
- the configuration of the third embodiment corresponds to a configuration in which the reflector connection electrodes 15c are thinned out in the portion where the reflector electrode fingers 16 are not connected to either the inner reflector busbar portion 15a or the reflector connection electrodes 15c.
- the connection electrode pitch is wider in this portion.
- the portion in the connection electrode formation region C where the connection electrode pitch is wider is closer to the IDT electrode 3 than the portion where the connection electrode pitch is narrower. Therefore, in the connection electrode formation region C, the portion with a smaller metallization ratio is closer to the IDT electrode 3 than the portion with a larger metallization ratio.
- the portion with a small metallization ratio may be farther from the IDT electrode 3 than the portion with a large metallization ratio. In this case, it is sufficient that the portion where the multiple reflector electrode fingers 16 are not connected to the inner reflector busbar portion 15a is farther from the IDT electrode 3 than the portion where the multiple reflector electrode fingers 16 are connected to the inner reflector busbar portion 15a.
- the relationship between the number of alternately thinned reflector connection electrodes 15c and the Q value was obtained.
- a plurality of elastic wave devices were prepared, each having the configuration of the third embodiment, and differing in the number of alternately thinned reflector connection electrodes 15c.
- the number of alternately thinned reflector connection electrodes 15c was 2, 3, 4, or 8.
- the reflector busbar of each reflector in each elastic wave device has the same configuration in which the reflector connection electrodes are thinned.
- An elastic wave device of a comparative example shown in FIG. 3 was also prepared. The Q value of each prepared elastic wave device was measured.
- the number of pairs of electrode fingers of the IDT electrode 3 was 100 pairs, and the number of reflector electrode fingers 16 was 10 pairs.
- the measurement results of the comparative example are also shown below.
- FIG. 14 is a diagram showing the relationship between the number of alternately removed reflector connection electrodes and the Q value in the elastic wave device according to the third embodiment.
- the dashed line in FIG. 14 shows the results of the comparative example.
- the Q value is higher in the third embodiment than in the comparative example. In this way, the Q value can be increased in the third embodiment. It can be seen that in the third embodiment, the Q value increases every time the number of thinned-out reflector connection electrodes 15c increases up to four. Furthermore, it can be seen that there is almost no change in Q when the number of thinned-out reflector connection electrodes 15c is four or more. In other words, the Q value increases every time the ratio of the number of thinned-out reflector connection electrodes 15c to the number of reflector electrode fingers 16 increases up to 20%.
- FIG. 15 is a plan view showing the vicinity of the second reflector busbar of the reflector in the fourth embodiment.
- the fourth embodiment differs from the second embodiment in that the reflector busbar does not have an inner reflector busbar portion. Therefore, some of the reflector electrode fingers 16 are directly connected to the reflector connection electrode 15c.
- FIG. 16 is a diagram showing the return loss of the elastic wave device of the fourth embodiment and a comparative example.
- FIG. 17 is a diagram showing the return loss of the elastic wave device of the fourth embodiment and a comparative example in a frequency range different from that of FIG. 16.
- the absolute value of the return loss is smaller than in the comparative example.
- the absolute value of the return loss is smaller in the frequency range above the frequency indicated by arrow F1 in Figure 16, and in the frequency range below the frequency indicated by arrow F2 in Figure 17. Therefore, in the fourth embodiment, the absolute value of the return loss is smaller from the anti-resonance frequency to near the upper end of the stop band.
- the relationship between the number of alternately thinned reflector connection electrodes 15c and the Q value was obtained.
- a plurality of elastic wave devices were prepared, each having the configuration of the fourth embodiment, and each having a different number of alternately thinned reflector connection electrodes 15c.
- the number of alternately thinned reflector connection electrodes 15c was 2, 3, 4, or 8.
- the reflector busbar of each reflector in each elastic wave device has the same configuration in which the reflector connection electrodes are thinned.
- An elastic wave device of a comparative example shown in FIG. 3 was also prepared. The Q value of each prepared elastic wave device was measured.
- the number of pairs of electrode fingers of the IDT electrode 3 was 100 pairs, and the number of pairs of the reflector electrode fingers 16 was 10 pairs.
- the measurement results of the comparative example are also shown below.
- FIG. 18 is a diagram showing the relationship between the number of alternate reflector connection electrodes that are thinned out and the Q value in the elastic wave device according to the fourth embodiment.
- the dashed line in FIG. 18 shows the results of the comparative example.
- the Q value is higher in the fourth embodiment than in the comparative example. In this way, the Q value can be increased in the fourth embodiment. It can also be seen that in the fourth embodiment, the Q value increases every time the number of thinned-out reflector connection electrodes 15c increases to four. In other words, the Q value increases every time the ratio of the number of thinned-out reflector connection electrodes 15c to the number of reflector electrode fingers 16 increases to 20%.
- connection electrode formation region C has a portion with a wide connection electrode pitch and a portion with a narrow connection electrode pitch.
- the positional relationship between these portions is not particularly limited. It is sufficient that the connection electrode pitch in a portion of the connection electrode formation region C is wider than the other connection electrode pitch. This makes it possible to prevent the return loss from becoming large.
- FIG. 19 is a plan view showing the vicinity of the second reflector busbar of the reflector in the fifth embodiment.
- the fifth embodiment differs from the third embodiment in that in a portion of the connection electrode formation region C, the inner reflector busbar portion 15a and the outer reflector busbar portion 15b are connected by a metal film 33.
- the dimension of the metal film 33 along the second direction x is greater than the dimension d of one period. Therefore, in the portion where the metal film 33 is provided, the metallization ratio is 1. On the other hand, in the portion of the connection electrode formation region C where the metal film 33 is not provided, the metallization ratio is less than 1.
- the inner reflector busbar portion 15a is not provided in the portion of the second reflector busbar where the metal film 33 is not provided. This portion is configured similarly to the portion in the third embodiment where the inner reflector busbar portion 15a is not provided. More specifically, a plurality of reflector connection electrodes 15c are provided in the portion of the connection electrode formation region C where the metal film 33 is not provided. Each of the plurality of reflector connection electrodes 15c is directly connected to the reflector electrode finger 16.
- the configuration of the portion of the connection electrode formation region C where the metal film 33 is not provided corresponds to a configuration in which every other reflector connection electrode 15c is thinned out. More specifically, as shown in FIG. 19, the configuration of the portion where the metal film 33 is not provided corresponds to a configuration in which every other reflector connection electrode 15c is thinned out by three. In this case, the number of reflector electrode fingers 16 that do not overlap with the metal film 33 in the first direction y is six. That is, in the fifth embodiment, the number of reflector electrode fingers 16 that do not overlap with the metal film 33 in the first direction y is twice the number of thinned out reflector connection electrodes 15c.
- the configuration of the portion where the metal film 33 is not provided does not have to correspond to a configuration in which every other reflector connection electrode 15c is thinned out.
- all of the reflector electrode fingers 16 provided in the portion that does not overlap with the metal film 33 may be directly connected to the reflector connection electrode 15c.
- the inner reflector busbar portion 15a in the second direction x are connected to the metal film 33.
- the inner reflector busbar portion 15a may also be provided in parts of the second reflector busbar where the metal film 33 is not provided.
- the parts of the second reflector busbar where the metal film 33 is not provided may be configured similarly to the parts with a small metallization ratio or the parts with a large metallization ratio in the second embodiment shown in FIG. 9. Even in these cases, the metallization ratio of the parts where the metal film 33 is provided in the connection electrode formation region C is greater than the metallization ratio of the parts where the metal film 33 is not provided.
- the portion where the metal film 33 is provided is farther from the IDT electrode 3 in the second direction x than the portion where the metal film 33 is not provided. More specifically, the metal film 33 overlaps with a plurality of reflector electrode fingers 16, including the reflector electrode finger 16 farthest from the IDT electrode 3, in the first direction y. More specifically, the metal film 33 overlaps with three or more reflector electrode fingers 16, including the reflector electrode finger 16 farthest from the IDT electrode 3, in the first direction y. However, the portion where the metal film 33 is provided may be closer to the IDT electrode 3 in the second direction x than the portion where the metal film 33 is not provided. In this case, the metal film 33 may overlap with a plurality of reflector electrode fingers 16, including the reflector electrode finger 16 closest to the IDT electrode 3, in the first direction y.
- the fifth embodiment and the comparative example shown in FIG. 3 are compared in terms of return loss below.
- an elastic wave device corresponding to a configuration in which only the reflector connection electrode 15c located second closest to the IDT electrode 3 is thinned out was prepared.
- an elastic wave device corresponding to a configuration in which the reflector connection electrodes 15c including the reflector connection electrode 15c located second closest to the IDT electrode 3 are thinned out by two every other electrode was prepared.
- an elastic wave device corresponding to a configuration in which the reflector connection electrodes 15c including the reflector connection electrode 15c located second closest to the IDT electrode 3 are thinned out by three every other electrode was also prepared. That is, in each of the fifth elastic wave devices, the number of reflector electrode fingers 16 that do not overlap with the metal film 33 in the first direction y is two, four, or six. The return loss was compared between these elastic wave devices of the fifth embodiment and the comparative elastic wave device.
- FIG. 20 is a diagram showing the return loss of the elastic wave device of the fifth embodiment and the comparative example.
- FIG. 21 is a diagram showing the return loss of the elastic wave device of the fifth embodiment and the comparative example in a frequency range different from that of FIG. 20. Note that the numbers shown in FIG. 20 and FIG. 21 correspond to the number of reflector connection electrodes 15c that have been thinned out, as in FIG. 10 and the like.
- the absolute value of the return loss is smaller than in the comparative example.
- the absolute value of the return loss is small in the frequency range equal to or higher than the frequency indicated by the arrow F1 in Figure 20, and in the frequency range equal to or lower than the frequency indicated by the arrow F2 in Figure 21.
- the absolute value of the return loss is small from the anti-resonance frequency to near the upper end of the stop band.
- the relationship between the number of every other reflector connection electrode 15c that was thinned out and the Q value was obtained.
- a plurality of elastic wave devices were prepared, each having the configuration of the fifth embodiment, and differing in the number of every other reflector connection electrode 15c that was thinned out.
- a plurality of elastic wave devices were prepared, each having a different number of reflector electrode fingers 16 that do not overlap with the metal film 33 in the first direction y.
- the number of every other reflector connection electrode 15c that was thinned out was 1, 2, 4, or 8. That is, the number of reflector electrode fingers 16 that do not overlap with the metal film 33 in the first direction y was 2, 4, 8, or 16.
- the reflector bus bars of the reflectors of each elastic wave device had the same configuration in which the reflector connection electrodes were thinned out and in which the metal film was provided.
- An elastic wave device of a comparative example shown in FIG. 3 was also prepared.
- the Q value of each of the prepared elastic wave devices of the fifth embodiment and the comparative example was measured.
- the number of pairs of electrode fingers of the IDT electrode 3 was 100 pairs
- the number of pairs of reflector electrode fingers 16 was 10 pairs. The following shows the measurement results of the comparative example as well as the measurement results of each elastic wave device having the configuration of the fifth embodiment.
- FIG. 22 is a diagram showing the relationship between the number of alternate reflector connection electrodes that are thinned out and the Q value in an elastic wave device according to a fifth embodiment.
- the dashed line in FIG. 22 shows the results of a comparative example.
- the Q value is higher in the fifth embodiment than in the comparative example. In this way, the Q value can be increased in the fifth embodiment.
- the Q value is particularly high in the fifth embodiment when one reflector connection electrode 15c is thinned out. That is, the Q value is particularly high when the ratio of the number of thinned out reflector connection electrodes 15c to the number of reflector electrode fingers 16 is 5%. In other words, the Q value is particularly high when the number of reflector electrode fingers 16 that do not overlap with the metal film 33 in the first direction y is two and the ratio of the number of these reflector electrode fingers 16 to the total number of reflector electrode fingers 16 is 10%.
- connection electrode formation region C of the reflector includes a portion with a different metallization ratio in the second direction x.
- the connection electrode formation region C of the reflector may include a portion with a different metallization ratio in the first direction y.
- This example is shown in the sixth to ninth embodiments.
- the sixth to ninth embodiments can also suppress an increase in return loss. Therefore, even when the elastic wave device of each embodiment is used in a filter device, an increase in insertion loss can be suppressed.
- FIG. 23 is a plan view showing the vicinity of the second reflector busbar of the reflector in the sixth embodiment.
- the reflector busbar has an inner reflector busbar portion 15a and an outer reflector busbar portion 15b. All reflector electrode fingers 16 are connected to the inner reflector busbar portion 15a. Thus, the multiple reflector electrode fingers 16 are indirectly connected to the multiple reflector connection electrodes 15c via the inner reflector busbar portion 15a.
- the sixth embodiment differs from the first embodiment in that the configuration of the connection electrode formation region C corresponds to a configuration in which the reflector electrode fingers 16 are thinned out every other one throughout the entire region. Furthermore, the sixth embodiment differs from the first embodiment in that the reflector busbar has multiple dummy electrode fingers 46.
- the multiple dummy electrode fingers 46 extend in the first direction y. Each of the multiple dummy electrode fingers 46 is located between the multiple reflector connection electrodes 15c. One end of each of the multiple dummy electrode fingers 46 is connected to the outer reflector busbar portion 15b. The other end of each of the multiple dummy electrode fingers 46 faces the inner reflector busbar portion 15a across a gap. In the sixth embodiment, the multiple dummy electrode fingers 46 all have the same length. The length of the dummy electrode fingers 46 is the dimension of the dummy electrode fingers 46 along the first direction y.
- the reflector electrode fingers 16 are located on the extension lines of the respective dummy electrode fingers 46.
- the reflector electrode fingers 16 do not necessarily have to be located on the extension lines of the dummy electrode fingers 46.
- the metallization ratio is constant in the second direction x.
- the dummy electrode fingers 46 and the reflector connection electrodes 15c are arranged at a constant interval in the second direction x.
- the reflector connection electrodes 15c are arranged at a constant interval in the second direction x.
- the metallization ratio in the portion where the dummy electrode fingers 46 are provided is different from the metallization ratio in the portion between the dummy electrode fingers 46 and the inner reflector busbar portion 15a.
- connection electrode formation region C includes a portion with a different metallization ratio in the first direction y.
- the length of at least one of the multiple dummy electrode fingers 46 may be different from the length of the other dummy electrode fingers 46.
- FIG. 24 is a plan view showing the vicinity of the second reflector busbar of the reflector in the seventh embodiment.
- the seventh embodiment differs from the sixth embodiment in that the lengths of the dummy electrode fingers 46 are not the same. More specifically, the dummy electrode fingers 46 that are provided at positions farther away from the IDT electrode 3 in the second direction x have a longer length. Therefore, for example, on the virtual line G in FIG. 24, there are included portions where the dummy electrode fingers 46 are provided between adjacent reflector connection electrodes 15c, and portions where the dummy electrode fingers 46 are not provided. More specifically, the virtual line G is a virtual line that extends over the entire connection electrode formation region C in the second direction x. There are an infinite number of such virtual lines, but FIG. 24 shows one example.
- connection electrode formation region C in the seventh embodiment includes portions on the virtual line G where the dummy electrode fingers 46 are provided between adjacent reflector connection electrodes 15c, and portions where the dummy electrode fingers 46 are not provided. Therefore, the connection electrode formation region C includes portions with different metallization ratios in both the first direction y and the second direction x.
- the dummy electrode fingers 46 located closer to the IDT electrode 3 in the second direction x may have a longer length.
- FIG. 25 is a plan view showing the second reflector busbar area of the reflector in the eighth embodiment.
- the eighth embodiment differs from the sixth embodiment in that one end of the multiple dummy electrode fingers 46 is connected to the inner reflector busbar portion 15a.
- the eighth embodiment also differs from the sixth embodiment in that the other end of the multiple dummy electrode fingers 46 faces the outer reflector busbar portion 15b across a gap.
- the multiple dummy electrode fingers 46 all have the same length.
- the length of at least one of the multiple dummy electrode fingers 46 may be different from the length of the other dummy electrode fingers 46.
- FIG. 26 is a plan view showing the vicinity of the second reflector busbar of the reflector in the ninth embodiment.
- the ninth embodiment differs from the eighth embodiment in that the lengths of the multiple dummy electrode fingers 46 are not the same. More specifically, the dummy electrode fingers 46 that are located farther away from the IDT electrode 3 in the second direction x have a longer length.
- the connection electrode formation region C in the ninth embodiment includes, on the virtual line G, a portion where the dummy electrode fingers 46 are provided and a portion where the dummy electrode fingers 46 are not provided.
- the connection electrode formation region C includes portions with different metallization ratios in both the first direction y and the second direction x.
- the dummy electrode fingers 46 located closer to the IDT electrode 3 in the second direction x may have a longer length.
- FIG. 27 is a diagram showing the return loss of the elastic wave devices according to the sixth to ninth embodiments and a comparative example.
- FIG. 28 is a diagram showing the return loss of the elastic wave devices according to the sixth to ninth embodiments and a comparative example in a frequency range different from that shown in FIG. 27.
- the absolute value of the return loss is smaller than in the comparative example.
- the absolute value of the return loss is small in the frequency range equal to or greater than the frequency indicated by arrow F1 in Figure 27, and in the frequency range equal to or less than the frequency indicated by arrow F2 in Figure 28.
- the absolute value of the return loss is small from the anti-resonance frequency to near the upper end of the stop band. In this way, the sixth to ninth embodiments can prevent the return loss from becoming large.
- FIG. 29 is a schematic plan view showing an enlarged view of a portion of the IDT electrode of the tenth embodiment near the first bus bar and the second bus bar.
- This embodiment differs from the first embodiment in the configuration of the IDT electrode 53.
- the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 1 of the first embodiment.
- the intersection region A of the IDT electrode 53 has a central region D and a pair of edge regions.
- the pair of edge regions is a first edge region Ia and a second edge region Ib.
- the first edge region Ia and the second edge region Ib are arranged to face each other in the first direction y with the central region D in between.
- the first edge region Ia is located on the first bus bar 4 side.
- the second edge region Ib is located on the second bus bar 5 side.
- a pair of gap regions are disposed between the intersection region A and the pair of bus bars.
- the pair of gap regions are a first gap region Ja and a second gap region Jb.
- the first gap region Ja is located on the first bus bar 4 side.
- the second gap region Jb is located on the second bus bar 5 side.
- each electrode finger has a wide portion.
- the width of the electrode finger in the wide portion is wider than the width of the electrode finger in the central region D.
- the first electrode finger 56 has a wide portion 56a in the first edge region Ia.
- the first electrode finger 56 has a wide portion 56b in the second edge region Ib.
- the second electrode finger 57 has a wide portion 57a in the first edge region Ia.
- the second electrode finger 57 has a wide portion 57b in the second edge region Ib.
- the width of the electrode finger is the dimension along the second direction x of the electrode finger.
- each of the multiple electrode fingers has a wide portion, so that the average sound speed from the first edge region Ia to the inner busbar portion 4a of the first busbar 4 is low.
- a low sound speed region is formed in the region including the first edge region Ia to the inner busbar portion 4a of the first busbar 4.
- a low sound speed region is formed in the region including the second edge region Ib to the inner busbar portion 5a of the second busbar 5. Note that a low sound speed region is a region in which the sound speed, or the average sound speed, is lower than the sound speed in the central region D.
- the central region D and a pair of low sonic velocity regions are arranged in this order from inside to outside in the first direction y. This allows the piston mode to be established and the transverse mode to be suppressed.
- At least one electrode finger needs to have a wide portion.
- a plurality of openings 4d are formed between the inner busbar portion 4a and the outer busbar portion 4b in the first busbar 4.
- a plurality of openings 5d are formed between the inner busbar portion 5a and the outer busbar portion 5b in the second busbar 5.
- the region in the first busbar 4 where the plurality of openings 4d are formed is referred to as the first opening formation region Ka.
- the region in the second busbar 5 where the plurality of openings 5d are formed is referred to as the second opening formation region Kb.
- each connection electrode 4c is provided on the extension line of each first electrode finger 56, and is not provided on the extension line of each second electrode finger 57.
- a high acoustic velocity region is a region in which the acoustic velocity is higher than the acoustic velocity in the central region D.
- a high acoustic velocity region is formed in the second opening forming region Kb of the second busbar 5.
- the central region D from inside to outside, the central region D, a pair of low sound velocity regions, and a pair of high sound velocity regions are arranged in this order. This makes it possible to more reliably establish the piston mode and more reliably suppress the lateral mode.
- each reflector is configured in the same way as in the first embodiment. Therefore, it is possible to prevent the return loss from increasing.
- each reflector may be a reflector of another form according to the present invention other than the first embodiment.
- each bus bar In the IDT electrode 53, openings do not necessarily have to be formed in each bus bar.
- the low acoustic velocity region only needs to be formed in the first edge region Ia and the second edge region Ib.
- each gap region may be a high acoustic velocity region.
- FIG. 30 is a schematic plan view showing an enlarged view of a portion of the IDT electrode of the eleventh embodiment near the first bus bar and the second bus bar.
- This embodiment differs from the first embodiment in that a pair of mass-adding films 69 are provided on a pair of edge regions of the IDT electrode 3.
- the elastic wave device of this embodiment has the same configuration as the elastic wave device 1 of the first embodiment.
- One of the pair of mass addition films 69 is provided in the first edge region Ia.
- the other mass addition film 69 is provided in the second edge region Ib.
- Each mass addition film 69 has a band-like shape. More specifically, each mass addition film 69 is continuously provided so as to overlap with a plurality of electrode fingers and the region between the electrode fingers in a plan view.
- a plan view refers to viewing the acoustic wave device from above in a direction perpendicular to the first direction y and the second direction x. More specifically, for example, of the first main surface 2a side and the second main surface 2b side of the piezoelectric substrate 2, the first main surface 2a side is above in a direction perpendicular to the first direction y and the second direction x.
- the sound velocity in each edge region is lower than the sound velocity in the central region D. This creates a low sound velocity region in each edge region. This allows the piston mode to be established, and the transverse mode to be suppressed.
- a dielectric material such as tantalum oxide can be used as the material for the mass-adding film 69.
- the mass addition film 69 is provided on the piezoelectric substrate 2 so as to cover the multiple electrode fingers. Therefore, in a plan view, in the portion where the mass addition film 69 and the electrode fingers overlap, they are stacked in the order of the piezoelectric substrate 2, the electrode fingers, and the mass addition film 69. However, for example, they may also be stacked in the order of the piezoelectric substrate 2, the mass addition film 69, and the electrode fingers. In other words, the mass addition film 69 may be provided between the piezoelectric substrate 2 and the electrode fingers.
- each mass-adding film 69 may be provided so as to overlap one electrode finger in a planar view.
- the mass-adding film 69 may be provided on and in contact with the first electrode finger 6 and the second electrode finger 7, or may be provided via a dielectric film or the like.
- a metal may be used as the material of the mass-adding film 69.
- the mass-adding film 69 is provided in the first edge region Ia and the second edge region Ib so as to overlap at least one electrode finger when viewed in a plan view. It is more preferable that the mass-adding film 69 is provided so as to overlap all of the electrode fingers when viewed in a plan view. This makes it possible to more reliably establish the piston mode and more reliably suppress the lateral mode.
- each electrode finger may have a wide portion.
- a mass-adding film 69 may be provided to form a low sound velocity region.
- each reflector is configured in the same way as in the first embodiment. Therefore, it is possible to prevent the return loss from increasing.
- each reflector may be a reflector of another form according to the present invention other than the first embodiment.
- the elastic wave devices according to the present invention exemplified in the first to eleventh embodiments are elastic wave resonators.
- the elastic wave resonators according to the present invention are used, for example, in filter devices.
- an elastic wave element having multiple elastic wave resonators according to the present invention can be used as part of a filter device or the like.
- An example of an elastic wave element according to the present invention having two elastic wave resonators is shown below.
- FIG. 31 is a plan view of an elastic wave element according to a twelfth embodiment of the present invention.
- the elastic wave element 70 has a first elastic wave resonator 71A and a second elastic wave resonator 71B.
- the first elastic wave resonator 71A and the second elastic wave resonator 71B are each an elastic wave resonator according to the present invention.
- at least the first elastic wave resonator 71A may be an elastic wave device according to the present invention.
- the first elastic wave resonator 71A and the second elastic wave resonator 71B share the piezoelectric substrate 2.
- Each of the first elastic wave resonator 71A and the second elastic wave resonator 71B has a pair of reflectors and an IDT electrode 3.
- Each IDT electrode 3 in the first elastic wave resonator 71A and the second elastic wave resonator 71B is configured similarly to the IDT electrode 3 in the elastic wave device 1 of the first embodiment.
- each IDT electrode 3 may be configured similarly to, for example, the IDT electrode 53 in the tenth embodiment.
- Each reflector of the first elastic wave resonator 71A and the second elastic wave resonator 71B is basically configured in the same manner as the elastic wave device 1 of the first embodiment. Specifically, each reflector has a pair of reflector bus bars and a plurality of reflector electrode fingers 16. The pair of reflector bus bars face each other. The plurality of reflector electrode fingers 16 are electrically connected to the pair of reflector bus bars. Each reflector bus bar of the first elastic wave resonator 71A and the second elastic wave resonator 71B has a plurality of reflector connection electrodes. In each reflector, the plurality of reflector connection electrodes may be directly or indirectly connected to the plurality of reflector electrode fingers 16.
- each connection electrode formation region is defined.
- the configurations of the first elastic wave resonator 71A and the second elastic wave resonator 71B differ from the configuration of the elastic wave device 1 of the first embodiment in the metallization ratio in each connection electrode formation region.
- the first elastic wave resonator 71A and the second elastic wave resonator 71B are adjacent to each other in the second direction x of the first elastic wave resonator 71A.
- the second direction x of the first elastic wave resonator 71A and the second direction x of the second elastic wave resonator 71B are the same.
- the second directions x of both elastic wave resonators are the same, this includes the case where the angle between the second directions x of both resonators is 1° or less.
- connection electrode formation regions of both are adjacent to each other in the second direction x of the first elastic wave resonator 71A.
- connection electrode formation area C1 in the first reflector 73B is referred to as the first connection electrode formation area C1
- second connection electrode formation area C2 is referred to as the second connection electrode formation area C2.
- One connection electrode formation area in the second reflector 73C is referred to as the third connection electrode formation area C3, and the other connection electrode formation area is referred to as the fourth connection electrode formation area C4.
- the first connection electrode formation area C1 in the first reflector 73B and the third connection electrode formation area C3 in the second reflector 73C are adjacent to each other in the second direction x of the first acoustic wave resonator 71A.
- the second connection electrode formation area C2 in the first reflector 73B and the fourth connection electrode formation area C4 in the second reflector 73C are adjacent to each other in the second direction x of the first acoustic wave resonator 71A.
- the first connection electrode formation region C1 of the first reflector 73B in the first acoustic wave resonator 71A includes a portion having a different metallization ratio in the second direction x. This makes it possible to prevent the return loss in the first acoustic wave resonator 71A from increasing.
- the fourth connection electrode formation region C4 of the second reflector 73C in the second acoustic wave resonator 71B includes a portion having a different metallization ratio in the second direction x. This makes it possible to prevent the return loss from increasing in the second acoustic wave resonator 71B. Therefore, when the acoustic wave element 70 is used in a filter device, it is possible to prevent the insertion loss from increasing.
- the metallization ratio is constant in all connection electrode formation regions of the pair of reflectors other than the first connection electrode formation region C1.
- the connection electrode formation regions other than the first connection electrode formation region C1 may include portions with different metallization ratios in at least one of the first direction y and the second direction x.
- the metallization ratio is constant in all connection electrode formation regions of the pair of reflectors other than the fourth connection electrode formation region C4.
- the connection electrode formation regions other than the fourth connection electrode formation region C4 may include portions with different metallization ratios in at least one of the first direction y and the second direction x.
- FIG. 32 is an enlarged plan view of the first reflector and the second reflector in the twelfth embodiment.
- adjacent parts which will be described later, are indicated by hatching.
- the first connection electrode forming region C1 of the first reflector 73B has a first adjacent portion 74a.
- the first adjacent portion 74a of the first connection electrode forming region C1 is a portion that includes the edge portion of the first connection electrode forming region C1 on the second reflector 73C side.
- the dimension of the first adjacent portion 74a along the second direction x of the first acoustic wave resonator 71A is the dimension d of one period.
- the second connection electrode forming region C2 has a first adjacent portion 74b. As described above, the dimension d of one period is twice the center-to-center distance in the second direction x between adjacent reflector electrode fingers 16.
- the third connection electrode forming region C3 of the second reflector 73C has a second adjacent portion 74c.
- the second adjacent portion 74c of the third connection electrode forming region C3 is a portion that includes the edge portion on the first reflector 73B side in the third connection electrode forming region C3.
- the dimension of the second adjacent portion 74c along the second direction x of the second acoustic wave resonator 71B is the dimension d of one period.
- the fourth connection electrode forming region C4 has a second adjacent portion 74d.
- the number of reflector connection electrodes 14c is 0. Therefore, the metallization ratio of the first adjacent portion 74a is 0.
- the number of reflector connection electrodes 15c is 0. Therefore, the metallization ratio of the second adjacent portion 74d is 0.
- the metallization ratio in the second connection electrode formation region C2 is the value obtained by dividing the width w of the reflector connection electrode 14c by the dimension d of one period, where w is the width of the reflector connection electrode 14c. Therefore, the metallization ratio of the first adjacent portion 74b in the second connection electrode formation region C2 is w/d. Similarly, the metallization ratio of the second adjacent portion 74c in the third connection electrode formation region C3 is w/d.
- the metallization ratio of the first adjacent portion 74a in the first connection electrode forming region C1 is smaller than the metallization ratio of the first adjacent portion 74b in the second connection electrode forming region C2.
- the metallization ratio of the second adjacent portion 74c in the third connection electrode forming region C3 is larger than the metallization ratio of the second adjacent portion 74d in the fourth connection electrode forming region C4.
- the relationship of the magnitude of the metallization ratio of the first adjacent portion 74b relative to the metallization ratio of the first adjacent portion 74a and the relationship of the magnitude of the metallization ratio of the second adjacent portion 74d relative to the metallization ratio of the second adjacent portion 74c are different from each other.
- This makes it possible to suppress coupling of elastic waves between the first elastic wave resonator 71A and the second elastic wave resonator 71B without increasing the size of the elastic wave element 70.
- the details of this will be described with reference to an elastic wave element in which both elastic wave resonators are comparative elastic wave devices and a conventional example.
- the comparative elastic wave device may be referred to as an elastic wave resonator.
- FIG. 33 is a schematic plan view of an elastic wave element having elastic wave resonators of two comparative examples.
- the wavy arrows in FIG. 33 diagrammatically show elastic waves excited and propagating in both elastic wave resonators.
- the metallization ratio is constant in both connection electrode formation regions of adjacent reflectors 103B and 103C in two acoustic wave resonators. Therefore, the metallization ratio is the same in a first adjacent portion in the connection electrode formation region of reflector 103B of one acoustic wave resonator and in a second adjacent portion in the connection electrode formation region of reflector 103C adjacent to the connection electrode formation region.
- a portion of the passband of a filter device using acoustic wave element 100 is shown in Figure 34.
- Figure 34 shows the attenuation frequency characteristics near the high-frequency side of the passband in a filter device using an elastic wave element having elastic wave resonators of two comparative examples.
- ripples occur at frequencies on the high-frequency side of the passband where the attenuation begins to increase. This is due to the coupling of elastic waves from one elastic wave resonator and the other elastic wave resonator. Ripples caused by the coupling of elastic waves can occur not only at the frequencies shown in Figure 34, but also at various frequencies within the passband.
- a slit pattern 115 is provided between two elastic wave resonators. This prevents an elastic wave excited in one elastic wave resonator from propagating to the other elastic wave resonator.
- the provision of slit pattern 115 makes elastic wave element 110 larger.
- the coupling of elastic waves between the first elastic wave resonator 71A and the second elastic wave resonator 71B can be suppressed without increasing the size of the elastic wave element 70.
- the elastic wave propagation direction is parallel to the second direction x.
- the direction in which the elastic wave propagates is affected by the configuration of the connection electrode formation area.
- the propagation direction of the elastic wave in the reflector includes not only a component in the second direction x, but also a component in the first direction y. More specifically, in the reflector, the elastic wave propagates toward the one of the two connection electrode formation areas that has the larger metallization ratio.
- the metallization ratio of the first adjacent portion 74a in the first connection electrode formation region C1 is smaller than the metallization ratio of the first adjacent portion 74b in the second connection electrode formation region C2.
- the elastic wave propagates in the second direction x toward the second connection electrode formation region C2 as it moves away from the IDT electrode 3 of the first elastic wave resonator 71A.
- the elastic wave excited in the first elastic wave resonator 71A propagates toward the second elastic wave resonator 71B side, and propagates toward the fourth connection electrode formation region C4 side of the second reflector 73C.
- the metallization ratio of the second adjacent portion 74c in the third connection electrode forming region C3 is greater than the metallization ratio of the second adjacent portion 74d in the fourth connection electrode forming region C4.
- the elastic wave propagates in such a way that the further away it is from the IDT electrode 3 of the second elastic wave resonator 71B in the second direction x, the closer it is to the third connection electrode forming region C3.
- the elastic wave excited in the second elastic wave resonator 71B propagates toward the first elastic wave resonator 71A side, and propagates toward the first connection electrode formation area C1 side of the first reflector 73B.
- the propagation direction of the elastic wave from the first elastic wave resonator 71A to the second elastic wave resonator 71B can be made different from the propagation direction of the elastic wave from the second elastic wave resonator 71B to the first elastic wave resonator 71A.
- the slit pattern 115 shown in FIG. 35 is not provided. This makes it possible to suppress the elastic wave element 70 from becoming large.
- the metallization ratio in the first adjacent portion 74a is 0. This allows the elastic wave traveling toward the second elastic wave resonator 71B in the first reflector 73B to be propagated more reliably toward the fourth connection electrode formation area C4.
- the metallization ratio in the second adjacent portion 74d is 0. This allows the elastic wave traveling toward the first elastic wave resonator 71A in the second reflector 73C to be propagated more reliably toward the first connection electrode formation area C1.
- the metallization ratio of the first adjacent portion 74a and the second adjacent portion 74d may not be zero.
- the metallization ratio of the first adjacent portion 74a in the first connection electrode forming region C1 may be non-zero and smaller than the metallization ratio of the first adjacent portion 74b in the second connection electrode forming region C2.
- the metallization ratio of the second adjacent portion 74d in the fourth connection electrode forming region C4 may be non-zero and smaller than the metallization ratio of the second adjacent portion 74c in the third connection electrode forming region C3.
- the metallization ratio in the first adjacent portion 74a is smaller than the metallization ratio in at least a portion other than the first adjacent portion 74a.
- the metallization ratio in the second adjacent portion 74d is smaller than the metallization ratio in at least a portion other than the second adjacent portion 74d.
- this is not limited to these.
- each reflector connection electrode 15c is indirectly connected to each reflector electrode finger 16 via the inner reflector busbar portion 15a.
- the reflector connection electrodes 15c may be provided on the extension lines of all the reflector electrode fingers 16 connected to the inner reflector busbar portion 15a. The same applies to the second reflector 73C.
- the first reflector 73B may not have the inner reflector busbar portion 15a, as in the fourth embodiment shown in FIG. 15.
- the reflector electrode fingers 16 and the reflector connection electrode 15c may be directly connected. The same applies to the second reflector 73C.
- FIG. 37 is an enlarged plan view showing the first reflector and the second reflector in the thirteenth embodiment.
- This embodiment differs from the twelfth embodiment in the metallization ratio of each adjacent portion in the first reflector 83B and each adjacent portion in the second reflector 83C.
- the acoustic wave element of this embodiment is configured in the same manner as the acoustic wave element 70 of the twelfth embodiment.
- the metallization ratio of each first adjacent portion in the first reflector 83B and each second adjacent portion in the second reflector 83C is not zero.
- the metallization ratio of the first adjacent portion 84a in the first connection electrode formation region C1 is greater than the metallization ratio of the first adjacent portion 84b in the second connection electrode formation region C2.
- the elastic wave propagates in the second direction x toward the first connection electrode formation region C1 as it moves away from the IDT electrode 3 of the first elastic wave resonator 81A.
- the elastic wave excited in the first elastic wave resonator 81A propagates toward the second elastic wave resonator 81B side, and propagates toward the third connection electrode formation area C3 side of the second reflector 83C.
- the metallization ratio of the second adjacent portion 84c in the third connection electrode forming region C3 is smaller than the metallization ratio of the second adjacent portion 84d in the fourth connection electrode forming region C4.
- the elastic wave propagates in the second direction x toward the fourth connection electrode forming region C4 as it moves away from the IDT electrode 3 of the second elastic wave resonator 81B.
- the elastic wave excited in the second elastic wave resonator 81B propagates toward the first elastic wave resonator 81A side, and propagates toward the second connection electrode formation area C2 side of the first reflector 83B.
- the propagation direction of the elastic wave from the first elastic wave resonator 81A to the second elastic wave resonator 81B can be made different from the propagation direction of the elastic wave from the second elastic wave resonator 81B to the first elastic wave resonator 81A. This makes it possible to suppress coupling of elastic waves between the first elastic wave resonator 81A and the second elastic wave resonator 81B without increasing the size of the elastic wave element.
- the first connection electrode formation region C1 of the first reflector 83B in the first acoustic wave resonator 81A includes a portion having a different metallization ratio in the second direction x.
- the connection electrode pitch in the first adjacent portion 84a is narrower than the connection electrode pitch in at least a portion other than the first adjacent portion 84a.
- the metallization ratio in the first adjacent portion 84a is greater than the metallization ratio in at least a portion other than the first adjacent portion 84a. This makes it possible to suppress an increase in return loss in the first acoustic wave resonator 81A.
- the fourth connection electrode formation region C4 of the second reflector 83C in the second acoustic wave resonator 81B includes a portion having a different metallization ratio in the second direction x.
- the connection electrode pitch in the second adjacent portion 84d is narrower than the connection electrode pitch in at least a portion other than the second adjacent portion 84d.
- the metallization ratio in the second adjacent portion 84d is greater than the metallization ratio in at least a portion other than the second adjacent portion 84d.
- the portion in the first connection electrode formation region C1 where the connection electrode pitch is wide is farther from the IDT electrode 3 than the portion where the connection electrode pitch is narrower.
- the portion in the first connection electrode formation region C1 where the connection electrode pitch is wide may be closer to the IDT electrode 3 than the portion where the connection electrode pitch is narrower.
- the portion where the connection electrode pitch is wide may also be farther from the IDT electrode 3 or closer to the IDT electrode 3 than the portion where the connection electrode pitch is narrower. The same is true for the second acoustic wave resonator 81B.
- the first reflector of the first acoustic wave resonator may not have an inner reflector busbar portion.
- the connection electrode pitch in a part of the connection electrode formation area of the first reflector may be wider than the connection electrode pitch in another part of the connection electrode formation area.
- the second reflector of the second acoustic wave resonator may not have an inner reflector busbar portion.
- the first elastic wave resonator of the first and second elastic wave resonators may be the elastic wave device according to the present invention.
- the second elastic wave resonator does not necessarily have to be the elastic wave device according to the present invention. Even in this case, the second elastic wave resonator may have an IDT electrode and a pair of reflectors separately from the first elastic wave resonator.
- each reflector bus bar of each reflector in the second elastic wave resonator may have a connection electrode formation area.
- the first direction y, the second direction x, and the connection electrode formation region are defined in the same manner as in the acoustic wave device according to the present invention.
- the second reflector in the second acoustic wave resonator has a third connection electrode formation region and a fourth connection electrode formation region. Note that the metallization ratio is constant in each connection electrode formation region in a second acoustic wave resonator that is not an acoustic wave device according to the present invention. An example of this is shown in the fourteenth embodiment.
- FIG. 38 is an enlarged plan view showing the first reflector and the second reflector in the fourteenth embodiment.
- This embodiment differs from the twelfth embodiment in the metallization ratio of the first adjacent portion 94b in the second connection electrode formation region C2 of the first reflector 93B and the second adjacent portion 94d in the fourth connection electrode formation region C4 of the second reflector 93C.
- the second acoustic wave resonator 91B is not an acoustic wave device according to the present invention.
- the acoustic wave element of this embodiment has the same configuration as the acoustic wave element 70 of the twelfth embodiment.
- the first adjacent portion 94b in the second connection electrode formation region C2 of the first reflector 93B is provided with a metal film 33 similar to that of the fifth embodiment. Specifically, in the first adjacent portion 94b, the inner reflector busbar portion 15a and the outer reflector busbar portion 15b are connected by the metal film 33. In the portion of the first adjacent portion 94b where the metal film 33 is provided, the metallization ratio is 1.
- the metallization ratio of the first adjacent portion 94a in the first connection electrode forming region C1 of the first reflector 93B is 0, as in the 12th embodiment. Therefore, the metallization ratio of the first adjacent portion 94a in the first connection electrode forming region C1 is smaller than the metallization ratio of the first adjacent portion 94b in the second connection electrode forming region C2.
- the second acoustic wave resonator 91B is configured similarly to the comparative acoustic wave device shown in FIG. 3.
- the metallization ratio of the second adjacent portion 94c in the third connection electrode formation region C3 is the same as the metallization ratio of the second adjacent portion 94d in the fourth connection electrode formation region C4.
- the relationship of the magnitude of the metallization ratio of the first adjacent portion 94b relative to the metallization ratio of the first adjacent portion 94a and the relationship of the magnitude of the metallization ratio of the second adjacent portion 94d relative to the metallization ratio of the second adjacent portion 94c are different from each other.
- each first adjacent portion of the first reflector 93B of the first acoustic wave resonator 91A includes a portion having a different metallization ratio in the second direction x. This makes it possible to prevent the return loss in the first acoustic wave resonator 91A from increasing. Therefore, when the acoustic wave element of this embodiment is used in a filter device, it is possible to prevent the insertion loss from increasing.
- a piezoelectric substrate an IDT electrode provided on the piezoelectric substrate, the IDT electrode having a first bus bar and a second bus bar facing each other, and a plurality of first electrode fingers and a plurality of second electrode fingers interdigitated with each other; and a pair of reflectors provided on the piezoelectric substrate so as to be opposed to each other across the IDT electrode in the second direction, when a first direction is defined as a direction in which the plurality of first electrode fingers and the plurality of second electrode fingers extend and a second direction is defined as a direction perpendicular to the first direction.
- each of the first electrode fingers includes a first base end connected to the first bus bar
- each of the second electrode fingers includes a second base end connected to the second bus bar
- a pair of regions located outside the first base end and the second base end in the first direction are a pair of outer regions
- a region obtained by extending the pair of outer regions in the second direction is a pair of extended outer regions
- An elastic wave device comprising: a reflector bus bar; and a plurality of reflector electrode fingers electrically connected to the pair of reflector bus bars;
- the reflector bus bar is provided in a portion of the reflector located in the extended outer region;
- the reflector bus bar has a plurality of reflector connection electrodes directly or indirectly connected to the plurality of reflector electrode fingers;
- the region of the reflector where the plurality of reflector connection electrodes are located and extending in the second direction is a connection electrode formation region; when the dimension of one period is twice the center-to-center distance in the second direction between adjacent reflector electrode fingers, and the ratio of the portion
- connection electrode formation regions in the reflector bus bars of both of the reflectors include portions in which the metallization ratio is different in at least one of the first direction and the second direction.
- the reflector busbar includes an inner reflector busbar portion and an outer reflector busbar portion
- the inner reflector busbar portion is located inward in the first direction relative to the outer reflector busbar portion
- at least a portion of the reflector electrode fingers among all the reflector electrode fingers are indirectly connected to the reflector connection electrodes via the inner reflector busbar portion
- the connection electrode pitch in one portion of the connection electrode formation region is wider than the connection electrode pitch in another portion of the connection electrode formation region.
- ⁇ 4> An acoustic wave device as described in ⁇ 3>, in which all of the reflector electrode fingers are connected to the inner reflector busbar portion.
- ⁇ 7> An elastic wave device according to any one of ⁇ 4> to ⁇ 6>, in which the portion of the connection electrode formation region where the connection electrode pitch is wide is farther from the IDT electrode than the portion where the connection electrode pitch is narrower.
- ⁇ 8> An elastic wave device according to any one of ⁇ 4> to ⁇ 6>, in which the portion of the connection electrode formation region where the connection electrode pitch is wider is closer to the IDT electrode than the portion where the connection electrode pitch is narrower.
- connection electrode pitch in one part of the connection electrode formation region is wider than the connection electrode pitch in another part of the connection electrode formation region.
- the reflector busbar includes an inner reflector busbar portion and an outer reflector busbar portion, the inner reflector busbar portion is located inward in the first direction relative to the outer reflector busbar portion, the inner reflector busbar portion and the outer reflector busbar portion are connected by a metal film in a part of the connection electrode formation region, and the metallization ratio is 1 in the part where the metal film is provided.
- the reflector busbar includes an inner reflector busbar portion and an outer reflector busbar portion
- the inner reflector busbar portion is located inside the outer reflector busbar portion in the first direction
- the plurality of reflector electrode fingers are indirectly connected to the plurality of reflector connection electrodes via the inner reflector busbar portion
- all of the reflector electrode fingers are connected to the inner reflector busbar portion
- the reflector busbar is located between the plurality of reflector connection electrodes, and has a plurality of dummy electrode fingers extending in the first direction, one end of each of the plurality of dummy electrode fingers is connected to the outer reflector busbar portion, and the other end of each of the plurality of dummy electrode fingers faces the inner reflector busbar portion across a gap.
- the reflector busbar includes an inner reflector busbar portion and an outer reflector busbar portion
- the inner reflector busbar portion is located inside the outer reflector busbar portion in the first direction
- the plurality of reflector electrode fingers are indirectly connected to the plurality of reflector connection electrodes via the inner reflector busbar portion
- all of the reflector electrode fingers are connected to the inner reflector busbar portion
- the reflector busbar is located between the plurality of reflector connection electrodes, and has a plurality of dummy electrode fingers extending in the first direction, one end of each of the plurality of dummy electrode fingers is connected to the inner reflector busbar portion, and the other end of each of the plurality of dummy electrode fingers faces the outer reflector busbar portion across a gap.
- ⁇ 14> An acoustic wave device according to ⁇ 11> or ⁇ 12>, in which the length of at least one of the plurality of dummy electrode fingers is different from the length of the other dummy electrode fingers.
- ⁇ 16> An elastic wave device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 15>, in which, when the IDT electrode is viewed from the second direction, a region where the adjacent first electrode finger and the second electrode finger overlap is a crossover region, the crossover region has a central region and a pair of edge regions that face each other across the central region in the first direction, and the pair of edge regions form a low acoustic velocity region in which the acoustic velocity is lower than the acoustic velocity in the central region.
- ⁇ 18> The elastic wave device according to ⁇ 16> or ⁇ 17>, in which the low acoustic velocity region is formed by providing a mass-adding film in the pair of edge regions so as to overlap at least one electrode finger when viewed in a plane.
- An elastic wave device comprising a first elastic wave resonator and a second elastic wave resonator, wherein the second elastic wave resonator shares the piezoelectric substrate with the first elastic wave resonator, and the second elastic wave resonator has an IDT electrode having a plurality of electrode fingers provided on the piezoelectric substrate separately from the first elastic wave resonator, and a pair of reflectors provided on the piezoelectric substrate so as to face each other across the IDT electrode, and the reflector of the second elastic wave resonator has a pair of reflector bus bars that face each other and a plurality of reflector electrode fingers electrically connected to the pair of reflector bus bars, and the reflector bus bars of the second elastic wave resonator the second elastic wave resonator has a plurality of reflector connection electrodes directly or indirectly connected to the plurality of reflector electrode fingers, and when a direction in which the plurality of electrode fingers of the IDT electrode
- connection electrode formation regions of the second reflector when one of the connection electrode formation regions of the second reflector is a third connection electrode formation region and the other connection electrode formation region is a fourth connection electrode formation region, the first connection electrode formation region and the third connection electrode formation region are adjacent to each other in the second direction of the first acoustic wave resonator, the second connection electrode formation region and the fourth connection electrode formation region are adjacent to each other in the second direction of the first acoustic wave resonator, each of the connection electrode formation regions of the first reflector has a first adjacent portion that includes an edge portion of the connection electrode formation region on the second reflector side and has a dimension of one period of the first acoustic wave resonator along the second direction, An elastic wave element in which the connection electrode forming region includes an edge portion on the first reflector side in the connection electrode forming region, and has a second adjacent portion whose dimension along the second direction of the second elastic wave resonator is the dimension of one period, and the relationship in magnitude of the metallization ratio of the first adjacent
- ⁇ 21> The acoustic wave element according to ⁇ 20>, in which the number of the reflector connection electrodes provided in the first adjacent portion in the first connection electrode formation region of the first reflector is zero.
- the reflector busbar in the first reflector includes an inner reflector busbar portion and an outer reflector busbar portion, the inner reflector busbar portion is located inward in the first direction relative to the outer reflector busbar portion, the inner reflector busbar portion and the outer reflector busbar portion are connected by a metal film in the first adjacent portion of the second connection electrode formation region in the first reflector, and the metallization ratio is 1 in the portion where the metal film is provided.
- connection electrode pitch in the first adjacent portion is narrower than the connection electrode pitch in at least a portion other than the first adjacent portion.
- REFERENCE SIGNS LIST 1 ... acoustic wave device 2... piezoelectric substrate 2a, 2b... first and second main surfaces 3... IDT electrodes 4, 5... first and second busbars 4a, 5a... inner busbar portions 4b, 5b... outer busbar portions 4c, 5c... connection electrodes 4d, 5d... openings 6, 7... first and second electrode fingers 6a, 7a... first and second base ends 13A, 13B... reflectors 14, 15... first and second reflector busbars 14a, 15a...
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
リターンロスが大きくなることを抑制できる、弾性波装置を提供する。 弾性波装置1は、圧電性基板2と、圧電性基板2上に設けられており、互いに対向している第1のバスバー4及び第2のバスバー5、並びに互いに間挿し合っている複数の第1の電極指6及び複数の第2の電極指7を有するIDT電極3と、複数の第1の電極指6及び複数の第2の電極指7が延びる方向を第1の方向y、第1の方向yと直交する方向を第2の方向xとしたときに、第2の方向xにおいて、IDT電極3を挟み互いに対向するように圧電性基板2上に設けられている、1対の反射器13A,13Bとを備える。複数の第1の電極指6はそれぞれ、第1のバスバー4に接続されている第1の基端6aを含む。複数の第2の電極指7はそれぞれ、第2のバスバー5に接続されている第2の基端7aを含む。IDT電極3において、第1の基端6a及び第2の基端7aよりも、第1の方向yにおいて外側に位置する1対の領域が1対の外側領域(第1,第2の外側領域Ba,Bb)である。1対の外側領域を第2の方向xにおいて延長した領域が1対の延長外側領域(第1,第2の延長外側領域Oa,Ob)である。反射器が、互いに対向している1対の反射器バスバー(第1,第2の反射器バスバー14,15)と、1対の反射器バスバーに電気的に接続されている複数の反射器電極指16とを有する。反射器バスバーは、反射器における延長外側領域に位置している部分に設けられており、複数の反射器電極指16に直接的または間接的に接続されている複数の反射器接続電極15cを有する。反射器における、複数の反射器接続電極15cが位置しており、第2の方向xに延びている領域が、接続電極形成領域Cである。隣り合う反射器電極指16同士の、第2の方向xにおける中心間距離の2倍を1周期の寸法とし、第2の方向xに延びる1周期の寸法の仮想線E上において占める、反射器を構成している金属により圧電性基板2が被覆されている部分の寸法の割合いを、メタライゼーション比としたときに、少なくとも一方の反射器の、少なくとも一方の反射器バスバーにおける接続電極形成領域Cが、第1の方向y及び第2の方向xのうち少なくとも一方において、メタライゼーション比が異なる部分を含む。
Description
本発明は、弾性波装置及び弾性波装置を弾性波共振子として含む弾性波素子に関する。
従来、弾性波装置は、携帯電話機のフィルタなどとして広く用いられている。下記の特許文献1には、弾性波装置の一例が開示されている。この弾性波装置においては、圧電基板上にIDT(Interdigital Transducer)が設けられている。IDTにおいては、複数の電極指が延びる方向における内側から外側にかけて、中央領域、低音速領域及び高音速領域がこの順序で配置されている。複数の電極指が延びる方向において、音速が互いに異なる領域が配置されていることにより、横モードの抑制が図られている。
しかしながら、特許文献1の弾性波装置においては、リターンロスが大きくなることを十分に抑制できないおそれがある。
本発明の目的は、リターンロスが大きくなることを抑制できる、弾性波装置を提供することにある。
本発明に係る弾性波装置は、圧電性基板と、前記圧電性基板上に設けられており、互いに対向している第1のバスバー及び第2のバスバー、並びに互いに間挿し合っている複数の第1の電極指及び複数の第2の電極指を有するIDT電極と、前記複数の第1の電極指及び前記複数の第2の電極指が延びる方向を第1の方向、前記第1の方向と直交する方向を第2の方向としたときに、前記第2の方向において、前記IDT電極を挟み互いに対向するように前記圧電性基板上に設けられている、1対の反射器とを備え、前記複数の第1の電極指がそれぞれ、前記第1のバスバーに接続されている第1の基端を含み、前記複数の第2の電極指がそれぞれ、前記第2のバスバーに接続されている第2の基端を含み、前記IDT電極において、前記第1の基端及び前記第2の基端よりも、前記第1の方向において外側に位置する1対の領域が1対の外側領域であり、前記1対の外側領域を前記第2の方向において延長した領域が1対の延長外側領域であり、前記反射器が、互いに対向している1対の反射器バスバーと、前記1対の反射器バスバーに電気的に接続されている複数の反射器電極指とを有し、前記反射器バスバーは、前記反射器における前記延長外側領域に位置している部分に設けられており、前記複数の反射器電極指に直接的または間接的に接続されている複数の反射器接続電極を有し、前記反射器における、前記複数の反射器接続電極が位置しており、前記第2の方向に延びている領域が、接続電極形成領域であり、隣り合う前記反射器電極指同士の、前記第2の方向における中心間距離の2倍を1周期の寸法とし、前記第2の方向に延びる前記1周期の寸法の仮想線上において占める、前記反射器を構成している金属により前記圧電性基板が被覆されている部分の割合いを、メタライゼーション比としたときに、少なくとも一方の前記反射器の、少なくとも一方の前記反射器バスバーにおける前記接続電極形成領域が、前記第1の方向及び前記第2の方向のうち少なくとも一方において、前記メタライゼーション比が異なる部分を含む。
本発明に係る弾性波素子は、本発明に従い構成されている弾性波装置である第1の弾性波共振子と、第2の弾性波共振子とを備え、前記第2の弾性波共振子が、前記第1の弾性波共振子と前記圧電性基板を共有しており、前記第2の弾性波共振子が、前記第1の弾性波共振子とは個別に、前記圧電性基板上に設けられている複数の電極指を有するIDT電極と、前記IDT電極を挟み互いに対向するように前記圧電性基板上に設けられている、1対の反射器とを有し、前記第2の弾性波共振子の前記反射器が、互いに対向している1対の反射器バスバーと、前記1対の反射器バスバーに電気的に接続されている複数の反射器電極指とを有し、前記第2の弾性波共振子の前記反射器バスバーは、前記複数の反射器電極指に直接的または間接的に接続されている複数の反射器接続電極を有し、前記第2の弾性波共振子において、前記IDT電極の前記複数の電極指が延びる方向を第1の方向、前記第1の方向と直交する方向を第2の方向としたときに、前記第2の弾性波共振子の前記反射器における、前記複数の反射器接続電極が位置しており、前記第2の方向に延びている領域が、接続電極形成領域であり、前記第1の弾性波共振子の一方の前記反射器を第1の反射器、前記第2の弾性波共振子の一方の前記反射器を第2の反射器とし、前記第1の反射器における一方の前記接続電極形成領域を第1の接続電極形成領域、他方の前記接続電極形成領域を第2の接続電極形成領域とし、前記第2の反射器における一方の前記接続電極形成領域を第3の接続電極形成領域、他方の前記接続電極形成領域を第4の接続電極形成領域としたときに、前記第1の接続電極形成領域及び前記第3の接続電極形成領域が、前記第1の弾性波共振子の前記第2の方向において隣接しており、前記第2の接続電極形成領域及び前記第4の接続電極形成領域が、前記第1の弾性波共振子の前記第2の方向において隣接しており、前記第1の反射器の各前記接続電極形成領域が、該接続電極形成領域における前記第2の反射器側の端縁部を含む部分であって、前記第1の弾性波共振子の前記第2の方向に沿う寸法が前記1周期の寸法以上である第1の隣接部を有し、前記第2の反射器の各前記接続電極形成領域が、該接続電極形成領域における前記第1の反射器側の端縁部を含む部分であって、前記第2の弾性波共振子の前記第2の方向に沿う寸法が前記1周期の寸法以上である第2の隣接部を有し、前記第1の反射器においての、前記第1の接続電極形成領域における前記第1の隣接部の前記メタライゼーション比に対する、前記第2の接続電極形成領域における前記第1の隣接部の前記メタライゼーション比の大小関係と、前記第2の反射器においての、前記第3の接続電極形成領域における前記第2の隣接部の前記メタライゼーション比に対する、前記第4の接続電極形成領域における前記第2の隣接部の前記メタライゼーション比の大小関係とが、互いに異なる。
本発明の弾性波装置によれば、リターンロスが大きくなることを抑制できる。
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る弾性波装置の平面図である。
弾性波装置1は圧電性基板2を有する。圧電性基板2は圧電性を有する基板である。具体的には、本実施形態においては、圧電性基板2は圧電材料のみからなる基板である。もっとも、圧電性基板2は、圧電体層を含む積層基板であってもよい。本実施形態においては、圧電性基板2の圧電材料として、ニオブ酸リチウムが用いられている。なお、圧電材料は上記に限定されず、例えば、タンタル酸リチウム、酸化亜鉛、窒化アルミニウム、水晶、またはPZT(チタン酸ジルコン酸鉛)などを用いることもできる。
圧電性基板2は第1の主面2a及び第2の主面2bを有する。第1の主面2a及び第2の主面2bは互いに対向している。圧電性基板2の第1の主面2aにはIDT電極3が設けられている。IDT電極3に交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。
IDT電極3は、第1のバスバー4及び第2のバスバー5と、複数の第1の電極指6及び複数の第2の電極指7とを有する。第1のバスバー4及び第2のバスバー5は互いに対向している。第1のバスバー4に、複数の第1の電極指6の一端がそれぞれ接続されている。第2のバスバー5に、複数の第2の電極指7の一端がそれぞれ接続されている。複数の第1の電極指6及び複数の第2の電極指7は互いに間挿し合っている。以下においては、第1の電極指6及び第2の電極指7を、単に電極指と記載することがある。
複数の電極指はそれぞれ、基端及び先端を含む。より具体的には、複数の第1の電極指6における第1のバスバー4に接続されている部分がそれぞれ、第1の基端6aである。複数の第2の電極指7における第2のバスバー5に接続されている部分がそれぞれ、第2の基端7aである。
以下においては、複数の第1の電極指6及び複数の第2の電極指7が延びる方向を第1の方向yとし、第1の方向yと直交する方向を第2の方向xとする。本実施形態においては、第2の方向xは、弾性波伝搬方向と平行である。第2の方向xからIDT電極3を見たときに、隣り合う第1の電極指6及び第2の電極指7が重なり合っている領域が、交叉領域Aである。
第1のバスバー4には、第2の方向xに沿って複数の開口部4dが設けられている。具体的には、第1のバスバー4は、内側バスバー部4aと、外側バスバー部4bと、複数の接続電極4cとを有する。内側バスバー部4aは、開口部4d及び外側バスバー部4bよりも第1の方向yにおいて内側に位置している。より具体的には、内側バスバー部4aは、開口部4d及び外側バスバー部4bよりも交叉領域A側に位置している。内側バスバー部4a及び外側バスバー部4bは、複数の接続電極4cにより接続されている。本実施形態では、複数の接続電極4cは、第1の方向yと平行に延びている。複数の開口部4dは、内側バスバー部4a、複数の接続電極4c及び外側バスバー部4bにより囲まれた開口部である。なお、各接続電極4cは、各第1の電極指6の延長線上に設けられており、かつ各第2の電極指7の延長線上には設けられていない。
第2のバスバー5も、第1のバスバー4と同様に構成されている。第2のバスバー5には、第2の方向xに沿って複数の開口部5dが設けられている。第2のバスバー5は、内側バスバー部5aと、外側バスバー部5bと、複数の接続電極5cとを有する。
圧電性基板2上には、1対の反射器13A及び反射器13Bが設けられている。反射器13A及び反射器13Bは、第2の方向xにおいて、IDT電極3を挟み互いに対向するように配置されている。
IDT電極3は1対の外側領域を有する。1対の外側領域は、具体的には、第1の外側領域Ba及び第2の外側領域Bbである。第1の外側領域Baは、複数の第1の電極指6の第1の基端6aよりも、第1の方向yにおいて外側に位置する領域である。第2の外側領域Bbは、複数の第2の電極指7の第2の基端7aよりも、第1の方向yにおいて外側に位置する領域である。より具体的には、第1の外側領域Baは、第1のバスバー4が設けられている領域である。第2の外側領域Bbは、第2のバスバー5が設けられている領域である。
弾性波装置1は1対の延長外側領域を有する。1対の延長外側領域は、具体的には、第1の延長外側領域Oa及び第2の延長外側領域Obである。第1の延長外側領域Oaは、第1の外側領域Baを第2の方向xに延長した領域である。第2の延長外側領域Obは、第2の外側領域Bbを第2の方向xに延長した領域である。1対の延長外側領域は、IDT電極3だけではなく、1対の反射器にも含まれる領域である。
反射器13Aは、1対の反射器バスバーと、複数の反射器電極指16とを有する。1対の反射器バスバーは、具体的には、第1の反射器バスバー14及び第2の反射器バスバー15である。第1の反射器バスバー14及び第2の反射器バスバー15は互いに対向している。第1の反射器バスバー14及び第2の反射器バスバー15に、複数の反射器電極指16が電気的に接続されている。
第1の反射器バスバー14には、第2の方向xに沿って複数の開口部14dが設けられている。具体的には、第1の反射器バスバー14は、内側反射器バスバー部14aと、外側反射器バスバー部14bと、複数の反射器接続電極14cとを含む。内側反射器バスバー部14aは、開口部14d及び外側反射器バスバー部14bよりも、第1の方向yにおいて内側に位置している。より具体的には、内側反射器バスバー部14aは、開口部14d及び外側反射器バスバー部14bよりも、複数の反射器電極指16側に位置している。内側反射器バスバー部14a及び外側反射器バスバー部14bは、複数の反射器接続電極14cにより接続されている。本実施形態では、複数の反射器接続電極14cは、第1の方向yと平行に延びている。複数の開口部14dは、内側反射器バスバー部14a、複数の反射器接続電極14c及び外側反射器バスバー部14bにより囲まれた開口部である。
同様に、第2の反射器バスバー15にも、第2の方向xに沿って複数の開口部15dが設けられている。第2の反射器バスバー15は、内側反射器バスバー部15aと、外側反射器バスバー部15bと、複数の反射器接続電極15cとを有する。
図2は、第1の実施形態における反射器の、第2の反射器バスバー付近を示す平面図である。
第2の反射器バスバー15は、接続電極形成領域Cを含む。具体的には、接続電極形成領域Cは、複数の反射器接続電極15cが位置しており、第2の方向xに延びている領域である。接続電極形成領域Cは、内側反射器バスバー部15a及び外側反射器バスバー部15bの間に位置している。
本実施形態では、全ての反射器電極指16は、内側反射器バスバー部15aに接続されている。全ての反射器電極指16のうち一部の複数の反射器電極指16の延長線上にそれぞれ、反射器接続電極15cが設けられている。弾性波装置1においては、全ての反射器接続電極15cの延長線上に、反射器電極指16が設けられている。各反射器接続電極15cは、内側反射器バスバー部15aを介して間接的に各反射器電極指16と接続されている。より具体的には、反射器接続電極15cの一端が内側反射器バスバー部15aに接続されており、かつ内側反射器バスバー部15aに反射器電極指16の一端が接続されている。なお、反射器接続電極15cの延長線上に、反射器電極指16は必ずしも位置していなくともよい。この場合においても、各反射器接続電極15cは、内側反射器バスバー部15aを介して間接的に各反射器電極指16と接続されている。
隣り合う反射器接続電極15c同士の第2の方向xにおける中心間距離を接続電極ピッチとしたときに、接続電極形成領域Cは、接続電極ピッチが広い部分と、狭い部分とを有する。より具体的には、接続電極形成領域Cにおける、接続電極ピッチが広い部分が、接続電極ピッチが狭い部分よりも、IDT電極3から遠い。
より詳細には、第2の方向xにおいてIDT電極3に近い側の部分には、各反射器電極指16の延長線上に、各反射器接続電極15cが設けられている。一方で、IDT電極3から遠い側の部分においては、1本おきの反射器電極指16の延長線上にそれぞれ、各反射器接続電極15cが設けられている。すなわち、該部分の構成は、全ての反射器電極指16の延長線上に反射器接続電極15cが設けられた構成において、反射器接続電極15cが1本おきに間引かれた構成に相当する。なお、この構成を、以下においては、単に反射器接続電極15cが1本おきに間引かれた構成というように記載する。例えば、図2に示す構成は、IDT電極3から2番目に遠い位置の反射器接続電極15cを含む反射器接続電極15cが、1本おきに3本間引かれた構成に相当する。なお、反射器接続電極15cが間引かれる本数は上記に限定されない。
図1に示すように、第1の反射器バスバー14も同様に構成されている。第1の反射器バスバー14における接続電極形成領域Cは、接続電極ピッチが広い部分と、狭い部分とを有する。そして、接続電極ピッチが広い部分が、接続電極ピッチが狭い部分よりも、IDT電極3から遠い。さらに、反射器13Bも、反射器13Aと同様に構成されている。
ここで、図2に示すように、隣り合う反射器電極指16同士の、第2の方向xにおける中心間距離の2倍を1周期の寸法dとする。例えば、接続電極形成領域Cにおいて、第2の方向xに延びる1周期の寸法dの仮想線Eを引くとする。この場合、仮想線E上には、反射器接続電極15cが設けられている部分と、設けられていない部分とが位置している。言い換えれば、仮想線E上には、反射器13Aを構成している金属により、圧電性基板2が被覆されている部分と、被覆されていない部分とが位置している。本明細書においては、上記仮想線において占める、反射器を構成している金属により圧電性基板が被覆されている部分の割合いを、メタライゼーション比とする。より具体的には、仮想線E上における、上記金属の第2の方向xに沿う寸法の合計を、dにより割った値がメタライゼーション比である。
例えば、接続電極形成領域Cにおける各部分のメタライゼーション比としては、接続電極ピッチが狭い部分においては大きい。他方、接続電極ピッチが広い部分においては、メタライゼーション比は小さい。
本実施形態の特徴は、各反射器の接続電極形成領域Cが、第2の方向xにおいて、メタライゼーション比が異なる部分を含むことにある。なお、接続電極形成領域Cは、第1の方向yにおいて、メタライゼーション比が異なる部分を含んでいてもよい。それによって、弾性波のエネルギーが、各反射器バスバー側に漏洩することを抑制できる。これにより、リターンロスが大きくなることを抑制できる。従って、弾性波装置1をフィルタ装置に用いた場合において、挿入損失が大きくなることを抑制できる。この詳細を、本実施形態及び比較例を比較することにより、以下において示す。
比較例は、図3に示すように、接続電極形成領域Cの全体にわたって、反射器接続電極が1本おきに間引かれている点において、第1の実施形態と異なる。すなわち、比較例においては、例えば反射器103Aの接続電極形成領域Cにおいて、メタライゼーション比は一定である。他方の反射器103Bにおいても同様である。
第1の実施形態の弾性波装置1としては、IDT電極3から2番目に遠い位置の反射器接続電極の1本のみが間引かれた構成に相当する弾性波装置を用意した。他の第1の実施形態の弾性波装置1として、IDT電極3から2番目に遠い位置の反射器接続電極を含む反射器接続電極が、1本おきに4本間引かれた構成に相当する弾性波装置も用意した。これらの第1の実施形態の弾性波装置1、及び比較例の弾性波装置において、リターンロスを比較した。この結果を以下において示す。なお、第1の実施形態の弾性波装置1のインピーダンス周波数特性も併せて示す。
図4は、第1の実施形態に係る弾性波装置のインピーダンス周波数特性を示す図である。図5は、第1の実施形態及び比較例の弾性波装置のリターンロスを示す図である。図6は、図5とは異なる周波数域において、第1の実施形態及び比較例の弾性波装置のリターンロスを示す図である。
図4に示すように、第1の実施形態の弾性波装置1の***振周波数は、約2061MHz付近である。弾性波装置1のストップバンドの上端の周波数は、約2193MHz付近である。なお、ストップバンドとは、弾性波が周期構造の金属グレーティングに閉じ込められることにより、弾性波の波長が一定となる領域である。ストップバンドの上端とは、ストップバンドの高域側の端部である。比較例における***振周波数及びストップバンドの上端の周波数は、第1の実施形態とほぼ同じである。
図5及び図6に示すように、第1の実施形態において、比較例よりも、リターンロスの絶対値が小さくなっていることがわかる。例えば、第1の実施形態では、図5中の矢印F1により示す周波数以上の周波数域、及び図6中の矢印F2に示す周波数以下の周波数域において、リターンロスの絶対値が小さい。よって、第1の実施形態では、***振周波数からストップバンドの上端付近において、リターンロスの絶対値が小さくなっている。
図2に示すように、第1の実施形態の構成は、IDT電極3から遠い側の反射器接続電極15cが間引かれた構成に相当する。そのため、反射器接続電極15cが間引かれた部分のメタライゼーション比が、間引かれていない部分のメタライゼーション比よりも小さい。メタライゼーション比が異なると、反射器13Aを構成している金属による質量の付加の度合いが異なることとなる。そして、反射器13Aにおいて、質量の付加の度合いが互いに異なる部分においては、音速が互いに異なることとなる。
第1の実施形態の反射器13Aにおける第2の反射器バスバー15では、音速が互いに異なる部分が、第2の方向xにおいて並んでいる。それによって、反射器13Aからの弾性波の漏洩を抑制することができ、リターンロスが大きくなることを抑制できる。なお、リターンロスが大きくなることの抑制とは、本明細書においては、特に断りのない限り、リターンロスの絶対値が大きくなることの抑制を意味する。
上記のように、図1に示す第1の反射器バスバー14は、第2の反射器バスバー15と同様に構成されている。反射器13Bは、反射器13Aと同様に構成されている。よって、各反射器における各反射器バスバーにおいて、弾性波の漏洩を抑制することができる。従って、弾性波装置1をフィルタ装置に用いた場合には、挿入損失が大きくなることを効果的に抑制できる。例えば、フィルタ装置の通過帯域の高域側の端部付近において、挿入損失が大きくなることを効果的に抑制できる。
1対の反射器の1対の反射器バスバーにおける接続電極形成領域Cのうち、少なくともいずれかが、第1の方向y及び第2の方向xのうち少なくとも一方において、メタライゼーション比が異なる部分を含んでいればよい。それによって、上記のように、リターンロスが大きくなることを抑制できる。もっとも、一方の反射器の双方の反射器バスバーにおける接続電極形成領域Cが、第1の方向y及び第2の方向xのうち少なくとも一方において、メタライゼーション比が異なる部分を含んでいることが好ましい。双方の反射器の双方の反射器バスバーにおける接続電極形成領域Cの全てが、第1の方向y及び第2の方向xのうち少なくとも一方において、メタライゼーション比が異なる部分を含んでいることがより好ましい。それによって、リターンロスが大きくなることを効果的に抑制できる。
さらに、反射器接続電極が1本おきに間引かれた本数と、Q値との関係を求めた。具体的には、第1の実施形態の構成をそれぞれ有し、反射器接続電極が1本おきに間引かれた本数が互いに異なる複数の弾性波装置を用意した。反射器接続電極が1本おきに間引かれた本数は2本、3本、4本または8本とした。なお、それぞれの弾性波装置の、各反射器の反射器バスバーにおいては、反射器接続電極が間引かれた構成を同様の構成としている。図3に示した比較例の弾性波装置も用意した。用意したそれぞれの弾性波装置のQ値を測定した。それぞれの弾性波装置においては、IDT電極の電極指の対数を100対とし、反射器電極指の対数は10対とした。以下において、第1の実施形態の構成を有する各弾性波装置の測定の結果に加え、比較例の測定の結果も併せて示す。
図7は、第1の実施形態に係る弾性波装置における、反射器接続電極が1本おきに間引かれた本数と、Q値との関係を示す図である。図7中の破線は比較例の結果を示す。
図7に示すように、第1の実施形態においては、比較例よりも、Q値が高くなっていることがわかる。このように、第1の実施形態においては、Q値を高くすることができる。なお、第1の実施形態においては、間引かれた反射器接続電極が4本まで増える毎に、Q値が高くなっている。すなわち、間引かれた反射器接続電極の本数の、反射器電極指の本数に対する割合いが、20%となるまで増える毎に、Q値が高くなっている。
ところで、上述したように、図1に示す弾性波装置1の圧電性基板2は、圧電材料のみからなる基板である。なお、圧電性基板2は圧電体層を含む積層基板であってもよい。例えば、図8に示す第1の実施形態の変形例では、圧電性基板22は、支持基板23と、高音速材料層としての高音速膜24と、低音速膜25と、圧電体層26とを有する。支持基板23上に高音速膜24が設けられている。高音速膜24上に低音速膜25が設けられている。低音速膜25上に圧電体層26が設けられている。
低音速膜25は相対的に低音速な膜である。具体的には、低音速膜25を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層26を伝搬するバルク波の音速よりも低い。低音速膜25の材料としては、例えば、ガラス、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化リチウム、酸化タンタル、もしくは酸化ケイ素にフッ素、炭素やホウ素を加えた化合物などの誘電体、または上記材料を主成分とする材料を用いることができる。本明細書において主成分とは、占める割合が50wt%を超える成分をいう。上記主成分の材料は、単結晶、多結晶、及びアモルファスのうちいずれかの状態、もしくは、これらが混在した状態で存在していてもよい。
高音速材料層は相対的に高音速な層である。具体的には、高音速材料層を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層26を伝搬する弾性波の音速よりも高い。本変形例では、高音速材料層は高音速膜24である。高音速材料としては、例えば、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、サファイア、マグネシア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、スピネル、サイアロンなどのセラミック、酸化アルミニウム、酸窒化ケイ素、DLC(ダイヤモンドライクカーボン)、ダイヤモンドなどの誘電体、もしくはシリコンなどの半導体、または上記材料を主成分とする材料を用いることができる。なお、上記スピネルには、Mg、Fe、Zn、Mnなどから選ばれる1以上の元素と酸素とを含有するアルミニウム化合物が含まれる。上記スピネルの例としては、MgAl2O4、FeAl2O4、ZnAl2O4、MnAl2O4を挙げることができる。
支持基板23の材料としては、例えば、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、サファイア、マグネシア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライトなどのセラミック、ダイヤモンド、ガラスなどの誘電体、シリコン、窒化ガリウムなどの半導体、もしくは樹脂、または上記材料を主成分とする材料を用いることができる。
本変形例の圧電性基板22においては、高音速材料層としての高音速膜24、低音速膜25及び圧電体層26がこの順序で積層されている。それによって、弾性波のエネルギーを圧電体層26側に効果的に閉じ込めることができる。加えて、本変形例においても、第1の実施形態と同様に、リターンロスが大きくなることを抑制できる。
なお、圧電性基板の積層構造は上記に限定されない。例えば、圧電性基板は、支持基板、高音速膜及び圧電体層の積層基板であってもよい。さらに、高音速材料層は、高音速支持基板であってもよい。この場合には、圧電性基板は、高音速支持基板、低音速膜及び圧電体層の積層基板であってもよく、あるいは、高音速支持基板及び圧電体層の積層基板であってもよい。これらの場合においても、弾性波のエネルギーを圧電体層側に効果的に閉じ込めることができる。加えて、第1の実施形態の変形例と同様に、リターンロスが大きくなることを抑制できる。
以下において、反射器バスバーの構成のみが第1の実施形態と異なる、第2~第9の実施形態を示す。第1の実施形態以外の各実施形態においても、反射器バスバーは、メタライゼーション比が異なる部分を含んでいる。以下の各実施形態においては、各反射器の各反射器バスバーの構成は同じである。よって、以下においては、各実施形態における、一方の反射器の第2の反射器バスバーの構成を示す。第1の実施形態以外の各実施形態においても、リターンロスが大きくなることを抑制できる。よって、各実施形態の弾性波装置がフィルタ装置に用いられた場合においても、挿入損失が大きくなることを抑制できる。なお、以下の各実施形態に係る弾性波装置おいては、***振周波数及びストップバンドの上端の周波数は、第1の実施形態とほぼ同じである。
図9は、第2の実施形態における反射器の、第2の反射器バスバー付近を示す平面図である。
第2の実施形態は、接続電極形成領域Cにおける、接続電極ピッチが広い部分が、接続電極ピッチが狭い部分よりも、IDT電極3に近い点において第1の実施形態と異なる。第2の実施形態では、接続電極形成領域Cにおいては、メタライゼーション比が小さい部分が、メタライゼーション比が大きい部分よりもIDT電極3に近い。
第2の実施形態と、図3に示した比較例とのリターンロスの比較を、以下において示す。なお、第2の実施形態の弾性波装置としては、IDT電極3から2番目に近い位置の反射器接続電極15cの1本のみが間引かれた構成に相当する弾性波装置を用意した。他の第2の実施形態の弾性波装置として、IDT電極3から2番目に近い位置の反射器接続電極15cを含む反射器接続電極15cが、1本おきに2本間引かれた構成に相当する弾性波装置も用意した。これらの第2の実施形態の弾性波装置、及び比較例の弾性波装置において、リターンロスを比較した。
図10は、第2の実施形態及び比較例の弾性波装置のリターンロスを示す図である。図11は、図10とは異なる周波数域において、第2の実施形態及び比較例の弾性波装置のリターンロスを示す図である。
図10及び図11に示すように、第2の実施形態において、比較例よりも、リターンロスの絶対値が小さくなっている。例えば、第2の実施形態では、図10中の矢印F1により示す周波数以上の周波数域、及び図11中の矢印F2に示す周波数以下の周波数域において、リターンロスの絶対値が小さい。よって、第2の実施形態では、***振周波数からストップバンドの上端付近において、リターンロスの絶対値が小さくなっている。
さらに、反射器接続電極15cが1本おきに間引かれた本数と、Q値との関係を求めた。具体的には、第2の実施形態の構成をそれぞれ有し、反射器接続電極15cが1本おきに間引かれた本数が互いに異なる複数の弾性波装置を用意した。反射器接続電極15cが1本おきに間引かれた本数は2本、3本、4本または8本とした。なお、それぞれの弾性波装置の、各反射器の反射器バスバーにおいては、反射器接続電極が間引かれた構成を同様の構成としている。図3に示した比較例の弾性波装置も用意した。用意したそれぞれの弾性波装置のQ値を測定した。それぞれの弾性波装置においては、IDT電極3の電極指の対数を100対とし、反射器電極指16の対数は10対とした。以下において、第2の実施形態の構成を有する各弾性波装置の測定の結果に加え、比較例の測定の結果も併せて示す。
図12は、第2の実施形態に係る弾性波装置における、反射器接続電極が1本おきに間引かれた本数と、Q値との関係を示す図である。図12中の破線は比較例の結果を示す。
図12に示すように、第2の実施形態においては、比較例よりも、Q値が高くなっていることがわかる。このように、第2の実施形態においては、Q値を高くすることができる。なお、第2の実施形態においては、間引かれた反射器接続電極15cが8本まで増える毎に、Q値が高くなっていることがわかる。すなわち、間引かれた反射器接続電極15cの本数の、反射器電極指16の本数に対する割合いが、40%となるまで増える毎に、Q値が高くなっている。
図13は、第3の実施形態における反射器の、第2の反射器バスバー付近を示す平面図である。
第3の実施形態は、内側反射器バスバー部15aに、全ての反射器電極指16のうち、一部の複数の反射器電極指16のみが接続されている点において、第2の実施形態と異なる。該一部の複数の反射器電極指16はそれぞれ、内側反射器バスバー部15aを介して間接的に反射器接続電極15cに接続されている。すなわち、内側反射器バスバー部15aに接続されている全ての反射器電極指16の延長線上にそれぞれ、反射器接続電極15cが設けられている。一方で、内側反射器バスバー部15aに接続されていない複数の反射器電極指16のうち、一部の複数の反射器電極指16の先端に、反射器接続電極15cが直接的に接続されている。他方、内側反射器バスバー部15aに接続されていない複数の反射器電極指16のうち、他の一部の複数の反射器電極指16の先端は、ギャップを隔てて外側反射器バスバー部15bと対向している。
第3の実施形態の構成は、反射器電極指16が、内側反射器バスバー部15a及び反射器接続電極15cのいずれにも接続されていない部分において、反射器接続電極15cが間引かれた構成に相当する。そして、この部分において、接続電極ピッチが広くなっている。なお、第3の実施形態においては、第2の実施形態と同様に、接続電極形成領域Cにおける、接続電極ピッチが広い部分が、接続電極ピッチが狭い部分よりも、IDT電極3に近い。よって、接続電極形成領域Cにおいては、メタライゼーション比が小さい部分が、メタライゼーション比が大きい部分よりもIDT電極3に近い。
もっとも、第1の実施形態と同様に、接続電極形成領域Cにおいて、メタライゼーション比が小さい部分が、メタライゼーション比が大きい部分よりもIDT電極3から遠くてもよい。この場合、複数の反射器電極指16が内側反射器バスバー部15aに接続されていない部分が、複数の反射器電極指16が内側反射器バスバー部15aに接続されている部分よりも、IDT電極3から遠ければよい。
ここで、反射器接続電極15cが1本おきに間引かれた本数と、Q値との関係を求めた。具体的には、第3の実施形態の構成をそれぞれ有し、反射器接続電極15cが1本おきに間引かれた本数が互いに異なる複数の弾性波装置を用意した。反射器接続電極15cが1本おきに間引かれた本数は2本、3本、4本または8本とした。なお、それぞれの弾性波装置の、各反射器の反射器バスバーにおいては、反射器接続電極が間引かれた構成を同様の構成としている。図3に示した比較例の弾性波装置も用意した。用意したそれぞれの弾性波装置のQ値を測定した。それぞれの弾性波装置においては、IDT電極3の電極指の対数を100対とし、反射器電極指16の本数は10対とした。以下において、第3の実施形態の構成を有する各弾性波装置の測定の結果に加え、比較例の測定の結果も併せて示す。
図14は、第3の実施形態に係る弾性波装置における、反射器接続電極が1本おきに間引かれた本数と、Q値との関係を示す図である。図14中の破線は比較例の結果を示す。
図14に示すように、第3の実施形態においては、比較例よりも、Q値が高くなっていることがわかる。このように、第3の実施形態においては、Q値を高くすることができる。なお、第3の実施形態においては、間引かれた反射器接続電極15cが4本まで増える毎に、Q値が高くなっていることがわかる。さらに、間引かれた反射器接続電極15cが4本以上の場合においては、Qにほぼ変化がないことがわかる。すなわち、間引かれた反射器接続電極15cの本数の、反射器電極指16の本数に対する割合いが、20%となるまで増える毎に、Q値が高くなっている。
図15は、第4の実施形態における反射器の、第2の反射器バスバー付近を示す平面図である。
第4の実施形態は、反射器バスバーが内側反射器バスバー部を有しない点において第2の実施形態と異なる。そのため、全ての反射器電極指16のうち一部の複数の反射器電極指16はそれぞれ、直接的に反射器接続電極15cと接続されている。
第4の実施形態と、図3に示した比較例とのリターンロスの比較を、以下において示す。なお、第4の実施形態の弾性波装置としては、IDT電極3から2番目に近い位置の反射器接続電極15cを含む反射器接続電極15cが、1本おきに3本間引かれた構成に相当する弾性波装置を用意した。他の第4の実施形態の弾性波装置として、IDT電極3から2番目に近い位置の反射器接続電極15cを含む反射器接続電極15cが、1本おきに8本間引かれた構成に相当する弾性波装置も用意した。これらの第4の実施形態の弾性波装置、及び比較例の弾性波装置において、リターンロスを比較した。
図16は、第4の実施形態及び比較例の弾性波装置のリターンロスを示す図である。図17は、図16とは異なる周波数域において、第4の実施形態及び比較例の弾性波装置のリターンロスを示す図である。
図16及び図17に示すように、第4の実施形態において、比較例よりも、リターンロスの絶対値が小さくなっている。例えば、第4の実施形態では、図16中の矢印F1により示す周波数以上の周波数域、及び図17中の矢印F2に示す周波数以下の周波数域において、リターンロスの絶対値が小さい。よって、第4の実施形態では、***振周波数からストップバンドの上端付近において、リターンロスの絶対値が小さくなっている。
さらに、反射器接続電極15cが1本おきに間引かれた本数と、Q値との関係を求めた。具体的には、第4の実施形態の構成をそれぞれ有し、反射器接続電極15cが1本おきに間引かれた本数が互いに異なる複数の弾性波装置を用意した。反射器接続電極15cが1本おきに間引かれた本数は2本、3本、4本または8本とした。なお、それぞれの弾性波装置の、各反射器の反射器バスバーにおいては、反射器接続電極が間引かれた構成を同様の構成としている。図3に示した比較例の弾性波装置も用意した。用意したそれぞれの弾性波装置のQ値を測定した。それぞれの弾性波装置においては、IDT電極3の電極指の対数を100対とし、反射器電極指16の対数は10対とした。以下において、第4の実施形態の構成を有する各弾性波装置の測定の結果に加え、比較例の測定の結果も併せて示す。
図18は、第4の実施形態に係る弾性波装置における、反射器接続電極が1本おきに間引かれた本数と、Q値との関係を示す図である。図18中の破線は比較例の結果を示す。
図18に示すように、第4の実施形態においては、比較例よりも、Q値が高くなっていることがわかる。このように、第4の実施形態においては、Q値を高くすることができる。なお、第4の実施形態においては、間引かれた反射器接続電極15cが4本まで増える毎に、Q値が高くなっていることがわかる。すなわち、間引かれた反射器接続電極15cの本数の、反射器電極指16の本数に対する割合いが、20%となるまで増える毎に、Q値が高くなっている。
第1~第4の実施形態では、接続電極形成領域Cにおいて、接続電極ピッチが広い部分と、接続電極ピッチが狭い部分とが設けられている例を示した。もっとも、これらの部分の位置の関係は特に限定されるものではない。接続電極形成領域Cの一部における接続電極ピッチが、他の接続電極ピッチよりも広ければよい。これにより、リターンロスが大きくなることを抑制できる。
図19は、第5の実施形態における反射器の、第2の反射器バスバー付近を示す平面図である。
第5の実施形態は、接続電極形成領域Cの一部において、内側反射器バスバー部15a及び外側反射器バスバー部15bが、金属膜33により接続されている点で、第3の実施形態と異なる。金属膜33の第2の方向xに沿う寸法は、上記1周期の寸法dよりも大きい。そのため、金属膜33が設けられている部分においては、メタライゼーション比は1となっている。他方、接続電極形成領域Cにおける、金属膜33が設けられていない部分においては、メタライゼーション比は1未満である。
第2の反射器バスバーにおける金属膜33が設けられていない部分には、内側反射器バスバー部15aは設けられていない。そして、該部分は、第3の実施形態における内側反射器バスバー部15aが設けられていない部分と同様に構成されている。より具体的には、接続電極形成領域Cにおける、金属膜33が設けられていない部分には、複数の反射器接続電極15cが設けられている。複数の反射器接続電極15cはそれぞれ、反射器電極指16に直接的に接続されている。
第5の実施形態では、接続電極形成領域Cにおける、金属膜33が設けられていない部分の構成は、反射器接続電極15cが1本おきに間引かれた構成に相当する。より具体的には、図19に示すように、金属膜33が設けられていない部分の構成は、反射器接続電極15cが1本おきに3本間引かれた構成に相当する。この場合、第1の方向yにおいて、金属膜33と重なっていない反射器電極指16の本数は、6本である。すなわち、第5の実施形態においては、第1の方向yにおいて、金属膜33と重なっていない反射器電極指16の本数は、反射器接続電極15cが間引かれた本数の2倍である。
なお、金属膜33が設けられていない部分の構成は、反射器接続電極15cが1本おきに間引かれた構成に相当していなくともよい。例えば、第1の方向yにおいて、金属膜33と重なっていない部分に設けられている全ての反射器電極指16がそれぞれ、直接的に反射器接続電極15cに接続されていてもよい。
図19に示すように、内側反射器バスバー部15aの、第2の方向xにおける全ての部分が、金属膜33に接続されている。もっとも、内側反射器バスバー部15aは、第2の反射器バスバーにおける金属膜33が設けられていない部分にも設けられていてもよい。例えば、第2の反射器バスバーにおける金属膜33が設けられていない部分は、図9に示した、第2の実施形態における、メタライゼーション比が小さい部分、またはメタライゼーション比が大きい部分と同様に構成されていてもよい。これらの場合にも、接続電極形成領域Cにおいて、金属膜33が設けられている部分のメタライゼーション比は、金属膜33が設けられていない部分のメタライゼーション比よりも大きい。
接続電極形成領域Cでは、金属膜33が設けられている部分は、金属膜33が設けられていない部分よりも、第2の方向xにおいて、IDT電極3から遠い。より具体的には、金属膜33は、IDT電極3から最も遠い反射器電極指16を含む複数の反射器電極指16と、第1の方向yにおいて重なっている。より詳細には、金属膜33は、IDT電極3から最も遠い反射器電極指16を含む3本以上の反射器電極指16と、第1の方向yにおいて重なっている。もっとも、金属膜33が設けられている部分は、金属膜33が設けられていない部分よりも、第2の方向xにおいて、IDT電極3に近くてもよい。この場合、金属膜33は、IDT電極3から最も近い反射器電極指16を含む複数の反射器電極指16と、第1の方向yにおいて重なっていてもよい。
第5の実施形態と、図3に示した比較例とのリターンロスの比較を、以下において示す。なお、第5の実施形態の弾性波装置としては、IDT電極3から2番目に近い位置の反射器接続電極15cのみが間引かれた構成に相当する弾性波装置を用意した。他の第5の実施形態の弾性波装置として、IDT電極3から2番目に近い位置の反射器接続電極15cを含む反射器接続電極15cが、1本おきに2本間引かれた構成に相当する弾性波装置を用意した。さらに他の第5の実施形態の弾性波装置として、IDT電極3から2番目に近い位置の反射器接続電極15cを含む反射器接続電極15cが、1本おきに3本間引かれた構成に相当する弾性波装置も用意した。すなわち、それぞれの第5の弾性波装置においては、第1の方向yにおいて、金属膜33と重なっていない反射器電極指16の本数は2本、4本または6本である。これらの第5の実施形態の弾性波装置、及び比較例の弾性波装置において、リターンロスを比較した。
図20は、第5の実施形態及び比較例の弾性波装置のリターンロスを示す図である。図21は、図20とは異なる周波数域において、第5の実施形態及び比較例の弾性波装置のリターンロスを示す図である。なお、図20中及び図21中において示す本数は、図10などと同様に、反射器接続電極15cが間引かれた本数に相当する。
図20及び図21に示すように、第5の実施形態において、比較例よりも、リターンロスの絶対値が小さくなっている。例えば、第5の実施形態では、図20中の矢印F1により示す周波数以上の周波数域、及び図21中の矢印F2に示す周波数以下の周波数域において、リターンロスの絶対値が小さい。よって、第5の実施形態では、***振周波数からストップバンドの上端付近において、リターンロスの絶対値が小さくなっている。
さらに、反射器接続電極15cが1本おきに間引かれた本数と、Q値との関係を求めた。具体的には、第5の実施形態の構成をそれぞれ有し、反射器接続電極15cが1本おきに間引かれた本数が互いに異なる複数の弾性波装置を用意した。言い換えれば、第1の方向yにおいて、金属膜33と重なっていない反射器電極指16の本数が互いに異なる複数の弾性波装置を用意した。なお、反射器接続電極15cが1本おきに間引かれた本数は、1本、2本、4本または8本とした。すなわち、第1の方向yにおいて、金属膜33と重なっていない反射器電極指16は、2本、4本、8本または16本とした。なお、それぞれの弾性波装置の、各反射器の反射器バスバーにおいては、反射器接続電極が間引かれた構成、及び金属膜が設けられた構成を同様としている。
図3に示した比較例の弾性波装置も用意した。用意したそれぞれの第5の実施形態の弾性波装置、及び比較例の弾性波装置のQ値を測定した。それぞれの弾性波装置においては、IDT電極3の電極指の対数を100対とし、反射器電極指16の対数は10対とした。以下において、第5の実施形態の構成を有する各弾性波装置の測定の結果に加え、比較例の測定の結果も併せて示す。
図22は、第5の実施形態に係る弾性波装置における、反射器接続電極が1本おきに間引かれた本数と、Q値との関係を示す図である。図22中の破線は比較例の結果を示す。
図22に示すように、第5の実施形態においては、比較例よりも、Q値が高くなっていることがわかる。このように、第5の実施形態においては、Q値を高くすることができる。なお、第5の実施形態においては、間引かれた反射器接続電極15cが1本である場合において、Q値が特に高いことがわかる。すなわち、間引かれた反射器接続電極15cの本数の、反射器電極指16の本数に対する割合いが、5%である場合に、Q値が特に高くなっている。言い換えれば、第1の方向yにおいて、金属膜33と重なっていない反射器電極指16の本数が2本であり、これらの反射器電極指16の本数の、全ての反射器電極指16の本数に対する割合いが10%である場合に、Q値が特に高くなっている。
第1~第5の実施形態では、反射器の接続電極形成領域Cが、第2の方向xにおいて、メタライゼーション比が異なる部分を含む例を示した。なお、反射器の接続電極形成領域Cは、第1の方向yにおいて、メタライゼーション比が異なる部分を含んでいてもよい。この例を第6~第9の実施形態により示す。第6~第9の実施形態においても、第1の実施形態と同様に、リターンロスが大きくなることを抑制できる。よって、各実施形態の弾性波装置がフィルタ装置に用いられた場合においても、挿入損失が大きくなることを抑制できる。
図23は、第6の実施形態における反射器の、第2の反射器バスバー付近を示す平面図である。
第6の実施形態においては、第1の実施形態と同様に、反射器バスバーは内側反射器バスバー部15a及び外側反射器バスバー部15bを有する。全ての反射器電極指16が、内側反射器バスバー部15aに接続されている。よって、複数の反射器電極指16は、内側反射器バスバー部15aを介して間接的に、複数の反射器接続電極15cに接続されている。第6の実施形態は、接続電極形成領域Cの構成が、該領域の全てにわたって、反射器電極指16が1本おきに間引かれている構成に相当する点において、第1の実施形態と異なる。さらに、第6の実施形態は、反射器バスバーが複数のダミー電極指46を有する点においても、第1の実施形態と異なる。
より具体的には、複数のダミー電極指46は第1の方向yに延びている。複数のダミー電極指46はそれぞれ、複数の反射器接続電極15cの間に位置している。複数のダミー電極指46の一端はそれぞれ、外側反射器バスバー部15bに接続されている。複数のダミー電極指46の他端は、ギャップを隔てて内側反射器バスバー部15aと対向している。第6の実施形態においては、複数のダミー電極指46の長さはいずれも同じである。ダミー電極指46の長さとは、ダミー電極指46の第1の方向yに沿う寸法である。
第6の実施形態では、各ダミー電極指46の延長線上にそれぞれ、反射器電極指16が位置している。もっとも、ダミー電極指46の延長線上に、反射器電極指16は必ずしも位置していなくともよい。
第6の実施形態における接続電極形成領域Cでは、第2の方向xにおいて、メタライゼーション比は一定である。具体的には、例えば、ダミー電極指46が設けられている部分では、第2の方向xにおいて一定の間隔で、ダミー電極指46及び反射器接続電極15cが並んでいる。一方で、ダミー電極指46及び内側反射器バスバー部15aの間の部分では、第2の方向xにおいて一定の間隔で、反射器接続電極15cが並んでいる。もっとも、ダミー電極指46が設けられている部分におけるメタライゼーション比と、ダミー電極指46及び内側反射器バスバー部15aの間の部分におけるメタライゼーション比とは互いに異なる。より具体的には、ダミー電極指46が設けられている部分におけるメタライゼーション比は、ダミー電極指46及び内側反射器バスバー部15aの間の部分におけるメタライゼーション比よりも大きい。このように、第6の実施形態においては、接続電極形成領域Cは、第1の方向yにおいて、メタライゼーション比が異なる部分を含む。
上述したように、メタライゼーション比が異なると、反射器を構成している金属による質量の付加の度合いが異なることとなる。そして、反射器において、質量の付加の度合いが互いに異なる部分においては、音速が互いに異なることとなる。第6の実施形態における反射器バスバーでは、音速が互いに異なる部分が、第1の方向yにおいて並んでいる。それによって、反射器からの弾性波の漏洩を抑制することができ、リターンロスが大きくなることを抑制できる。従って、弾性波装置をフィルタ装置に用いた場合には、挿入損失が大きくなることを抑制できる。
なお、複数のダミー電極指46のうち少なくとも1本のダミー電極指46の長さが、他のダミー電極指46の長さと異なっていてもよい。
図24は、第7の実施形態における反射器の、第2の反射器バスバー付近を示す平面図である。
第7の実施形態は、複数のダミー電極指46の長さが同じでない点において第6の実施形態と異なる。より具体的には、第2の方向xにおいて、IDT電極3から離れた位置に設けられているダミー電極指46ほど、長さが長くなっている。そのため、例えば、図24中の仮想線G上においては、隣り合う反射器接続電極15c間にダミー電極指46が設けられている部分、及びダミー電極指46が設けられていない部分が含まれる。より具体的には、仮想線Gは、接続電極形成領域Cの第2の方向xにおける全てにわたって延びる仮想線である。このような仮想線は無数に存在するが、図24では、一例を示している。第7の実施形態における接続電極形成領域Cは、仮想線G上において、隣り合う反射器接続電極15c間にダミー電極指46が設けられている部分、及びダミー電極指46が設けられていない部分を含む。よって、接続電極形成領域Cは、第1の方向y及び第2の方向xの双方において、メタライゼーション比が異なる部分を含む。
なお、第2の方向xにおいて、IDT電極3に近い位置に設けられているダミー電極指46ほど、長さが長くなっていてもよい。
図25は、第8の実施形態における反射器の、第2の反射器バスバー付近を示す平面図である。
第8の実施形態は、複数のダミー電極指46の一端が内側反射器バスバー部15aに接続されている点において、第6の実施形態と異なる。第8の実施形態は、複数のダミー電極指46の他端が、ギャップを隔てて外側反射器バスバー部15bと対向している点においても、第6の実施形態と異なる。なお、第8の実施形態では、複数のダミー電極指46の長さはいずれも同じである。
なお、複数のダミー電極指46の一端が内側反射器バスバー部15aに接続されている場合においても、複数のダミー電極指46のうち少なくとも1本のダミー電極指46の長さが他のダミー電極指46の長さと異なっていてもよい。
図26は、第9の実施形態における反射器の、第2の反射器バスバー付近を示す平面図である。
第9の実施形態は、複数のダミー電極指46の長さが同じでない点おいて第8の実施形態と異なる。より具体的には、第2の方向xにおいて、IDT電極3から離れた位置に設けられているダミー電極指46ほど、長さが長くなっている。第7の実施形態と同様に、第9の実施形態における接続電極形成領域Cは、仮想線G上において、ダミー電極指46が設けられている部分、及びダミー電極指46が設けられていない部分を含む。よって、接続電極形成領域Cは、第1の方向y及び第2の方向xの双方において、メタライゼーション比が異なる部分を含む。
なお、第2の方向xにおいて、IDT電極3に近い位置に設けられているダミー電極指46ほど、長さが長くなっていてもよい。
第6~第9の実施形態と、図3に示した比較例とのリターンロスの比較を、以下において示す。
図27は、第6~第9の実施形態及び比較例の弾性波装置のリターンロスを示す図である。図28は、図27とは異なる周波数域において、第6~第9の実施形態及び比較例の弾性波装置のリターンロスを示す図である。
図27及び図28に示すように、第6~第9の実施形態のいずれにおいても、比較例よりも、リターンロスの絶対値が小さくなっている。例えば、第6~9の実施形態では、図27中の矢印F1により示す周波数以上の周波数域、及び図28中の矢印F2に示す周波数以下の周波数域において、リターンロスの絶対値が小さい。よって、第6~第9の実施形態では、***振周波数からストップバンドの上端付近において、リターンロスの絶対値が小さくなっている。このように、第6~第9の実施形態において、リターンロスが大きくなることを抑制することができる。
上記の第1~第9の実施形態の構成は、ピストンモードを利用する弾性波装置において好適に用いることができる。この例を以下において示す。
図29は、第10の実施形態のIDT電極における、第1のバスバー付近及び第2のバスバー付近の一部を拡大して示す模式的平面図である。
本実施形態は、IDT電極53の構成が第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置1と同様の構成を有する。
IDT電極53の交叉領域Aは、中央領域Dと、1対のエッジ領域とを有する。1対のエッジ領域は、具体的には、第1のエッジ領域Ia及び第2のエッジ領域Ibである。第1のエッジ領域Ia及び第2のエッジ領域Ibは、第1の方向yにおいて、中央領域Dを挟み互いに対向するように配置されている。第1のエッジ領域Iaは第1のバスバー4側に位置している。第2のエッジ領域Ibは第2のバスバー5側に位置している。
交叉領域A及び1対のバスバーの間に、1対のギャップ領域が配置されている。1対のギャップ領域は、具体的には第1のギャップ領域Ja及び第2のギャップ領域Jbである。第1のギャップ領域Jaは第1のバスバー4側に位置している。第2のギャップ領域Jbは第2のバスバー5側に位置している。
第1のエッジ領域Ia及び第2のエッジ領域Ibにおいて、各電極指は幅広部を有する。幅広部における電極指の幅は、中央領域Dにおける該電極指の幅よりも広い。より具体的には、第1の電極指56は、第1のエッジ領域Iaにおいて幅広部56aを有する。第1の電極指56は、第2のエッジ領域Ibにおいて幅広部56bを有する。同様に、第2の電極指57は、第1のエッジ領域Iaにおいて幅広部57aを有する。第2の電極指57は、第2のエッジ領域Ibにおいて幅広部57bを有する。これにより、第1のエッジ領域Ia及び第2のエッジ領域Ibにおける音速は、中央領域Dにおける音速よりも低い。なお、電極指の幅は、電極指の第2の方向xに沿う寸法である。
そして、第1のエッジ領域Iaにおいて、複数の電極指がそれぞれ幅広部を有することにより、第1のエッジ領域Iaから第1のバスバー4の内側バスバー部4aにかけての平均の音速が低くなっている。これにより、第1のエッジ領域Iaから第1のバスバー4の内側バスバー部4aを含む領域において、低音速領域が構成されている。同様に、第2のエッジ領域Ibから第2のバスバー5の内側バスバー部5aを含む領域において、低音速領域が構成されている。なお、低音速領域とは、音速、あるいは平均の音速が、中央領域Dにおける音速よりも低い領域である。
第1の方向yにおいて内側から外側に、中央領域D及び1対の低音速領域がこの順序で配置されている。それによって、ピストンモードが成立し、横モードを抑制することができる。
なお、第1のエッジ領域Ia及び第2のエッジ領域Ibにおいて、少なくとも1本の電極指が幅広部を有していればよい。もっとも、第1のエッジ領域Ia及び第2のエッジ領域Ibにおいて、複数の電極指が幅広部を有していることが好ましい。全ての電極指が幅広部を有していることがさらに好ましい。それによって、ピストンモードがより確実に成立し、横モードをより確実に抑制することができる。
本実施形態においては、第1の実施形態と同様に、第1のバスバー4において、内側バスバー部4a及び外側バスバー部4bの間に、複数の開口部4dが形成されている。第2のバスバー5において、内側バスバー部5a及び外側バスバー部5bの間に、複数の開口部5dが形成されている。第1のバスバー4における、複数の開口部4dが形成されている領域を、第1の開口部形成領域Kaとする。第2のバスバー5における、複数の開口部5dが形成されている領域を、第2の開口部形成領域Kbとする。
第1の開口部形成領域Kaにおいては、各接続電極4cは各第1の電極指56の延長線上に設けられており、かつ各第2の電極指57の延長線上には設けられていない。これにより、第1の開口部形成領域Kaにおいて高音速領域が構成されている。高音速領域とは、音速が、中央領域Dにおける音速よりも高い領域である。同様に、第2のバスバー5における、第2の開口部形成領域Kbにおいて、高音速領域が構成されている。
第1の方向yにおいて内側から外側に、中央領域D、1対の低音速領域及び1対の高音速領域がこの順序で配置されている。それによって、ピストンモードがより一層確実に成立し、横モードをより一層確実に抑制することができる。
図29に示すように、本実施形態においても、各反射器が第1の実施形態と同様に構成されている。従って、リターンロスが大きくなることを抑制できる。なお、各反射器は、第1の実施形態以外の、本発明に係る他の形態の反射器であってもよい。
IDT電極53においては、各バスバーに開口部は必ずしも形成されていなくともよい。低音速領域は、第1のエッジ領域Ia及び第2のエッジ領域Ibにおいて構成されていればよい。この場合、各ギャップ領域が高音速領域であってもよい。もっとも、IDT電極53において、各バスバーに開口部が形成されていることが好ましい。この場合において、本発明の構成により、リターンロスを特に好適に抑制することができる。
図30は、第11の実施形態のIDT電極における、第1のバスバー付近及び第2のバスバー付近の一部を拡大して示す模式的平面図である。
本実施形態は、IDT電極3の1対のエッジ領域に1対の質量付加膜69が設けられている点において、第1の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第1の実施形態の弾性波装置1と同様の構成を有する。
1対の質量付加膜69のうち一方の質量付加膜69が、第1のエッジ領域Iaに設けられている。他方の質量付加膜69が、第2のエッジ領域Ibに設けられている。各質量付加膜69は帯状の形状を有する。より具体的には、各質量付加膜69は、平面視において、複数の電極指及び電極指間の領域と重なるように連続的に設けられている。本明細書において平面視とは、第1の方向y及び第2の方向xと垂直な方向における上方から、弾性波装置を見ることをいう。より詳細には、例えば、圧電性基板2の第1の主面2a側及び第2の主面2b側のうち第1の主面2a側が、第1の方向y及び第2の方向xと垂直な方向における上方である。
図30に示すように、各エッジ領域に質量付加膜69が設けられていることによって、各エッジ領域の音速が中央領域Dの音速よりも低くなっている。これにより、各エッジ領域において低音速領域が構成されている。それによって、ピストンモードが成立し、横モードを抑制することができる。質量付加膜69の材料としては、例えば、酸化タンタルなどの誘電体を用いることができる。
本実施形態においては、質量付加膜69は、複数の電極指を覆うように、圧電性基板2上に設けられている。よって、平面視したときに、質量付加膜69及び電極指が重なっている部分においては、圧電性基板2、電極指及び質量付加膜69の順序で積層されている。もっとも、例えば、圧電性基板2、質量付加膜69及び電極指の順序において積層されていてもよい。すなわち、圧電性基板2及び電極指の間に、質量付加膜69が設けられていてもよい。
なお、各エッジ領域に、複数の質量付加膜69が設けられていてもよい。この場合、例えば、各質量付加膜69が、平面視において1本の電極指と重なるように設けられていればよい。質量付加膜69は、第1の電極指6及び第2の電極指7上に、接触して設けられてもよく、誘電体膜などを介して設けられていてもよい。質量付加膜69が、第1の電極指6及び第2の電極指7の双方に接触していない場合には、質量付加膜69の材料として、金属が用いられていてもよい。
質量付加膜69は、第1のエッジ領域Ia及び第2のエッジ領域Ibにおいて、平面視したときに、少なくとも1本の電極指と重なるように設けられている。平面視したときに、全ての電極指と重なるように質量付加膜69が設けられていることがさらに好ましい。それによって、ピストンモードがより確実に成立し、横モードをより確実に抑制することができる。
例えば、第10の実施形態と同様に、各電極指が幅広部を有していてもよい。この場合において、質量付加膜69が設けられていることによって、低音速領域が構成されていてもよい。
図30に示すように、本実施形態においても、各反射器が第1の実施形態と同様に構成されている。従って、リターンロスが大きくなることを抑制できる。なお、各反射器は、第1の実施形態以外の、本発明に係る他の形態の反射器であってもよい。
第1~第11の実施形態により例示した本発明に係る弾性波装置は、弾性波共振子である。本発明に係る弾性波共振子は、例えば、フィルタ装置などに用いられる。このような場合、複数の本発明の弾性波共振子を有する弾性波素子を、フィルタ装置などの一部に用いることができる。以下において、2つの弾性波共振子を有する、本発明に係る弾性波素子の例を示す。
図31は、本発明の第12の実施形態に係る弾性波素子の平面図である。
弾性波素子70は、第1の弾性波共振子71Aと、第2の弾性波共振子71Bとを有する。第1の弾性波共振子71A及び第2の弾性波共振子71Bはそれぞれ、本発明に係る弾性波共振子である。もっとも、第1の弾性波共振子71A及び第2の弾性波共振子71Bのうち、少なくとも第1の弾性波共振子71Aが本発明に係る弾性波装置であればよい。
第1の弾性波共振子71A及び第2の弾性波共振子71Bは、圧電性基板2を共有している。第1の弾性波共振子71A及び第2の弾性波共振子71Bはそれぞれ、1対の反射器と、IDT電極3とを有する。第1の弾性波共振子71A及び第2の弾性波共振子71Bにおける各IDT電極3は、第1の実施形態の弾性波装置1におけるIDT電極3と同様に構成されている。もっとも、各IDT電極3は、例えば、第10の実施形態におけるIDT電極53と同様に構成されていてもよい。
第1の弾性波共振子71A及び第2の弾性波共振子71Bの各反射器は、基本的には、第1の実施形態の弾性波装置1と同様に構成されている。具体的には、各反射器は1対の反射器バスバーと、複数の反射器電極指16とを有する。1対の反射器バスバーは互いに対向している。複数の反射器電極指16は、1対の反射器バスバーに電気的に接続されている。第1の弾性波共振子71A及び第2の弾性波共振子71Bの各反射器バスバーは、複数の反射器接続電極を有する。各反射器において、複数の反射器接続電極は、複数の反射器電極指16に直接的または間接的に接続されていればよい。
そして、第1の弾性波共振子71A及び第2の弾性波共振子71Bのそれぞれにおいて、IDT電極3の複数の電極指が延びる方向を第1の方向y、第1の方向yと直交する方向を第2の方向xとする。第1の弾性波共振子71A及び第2の弾性波共振子71Bのそれぞれにおいては、第1の実施形態などと同様に、各接続電極形成領域が定義される。もっとも、第1の弾性波共振子71A及び第2の弾性波共振子71Bの構成は、各接続電極形成領域におけるメタライゼーション比においては、第1の実施形態の弾性波装置1の構成とは異なる。
第1の弾性波共振子71A及び第2の弾性波共振子71Bは、第1の弾性波共振子71Aの第2の方向xにおいて隣接している。なお、第1の弾性波共振子71Aの第2の方向x及び第2の弾性波共振子71Bの第2の方向xは同じ方向である。本明細書においては、双方の弾性波共振子の第2の方向xが同じと記載する場合、双方の第2の方向xがなす角の角度が1°以下である場合を含む。
第1の弾性波共振子71Aの一方の反射器を第1の反射器73B、第2の弾性波共振子71Bの一方の反射器を第2の反射器73Cとしたときに、双方の接続電極形成領域同士が、第1の弾性波共振子71Aの第2の方向xにおいて隣接している。
以下においては、第1の反射器73Bにおける一方の接続電極形成領域を第1の接続電極形成領域C1、他方の接続電極形成領域を第2の接続電極形成領域C2とする。第2の反射器73Cにおける一方の接続電極形成領域を第3の接続電極形成領域C3、他方の接続電極形成領域を第4の接続電極形成領域C4とする。第1の反射器73Bにおける第1の接続電極形成領域C1、及び第2の反射器73Cにおける第3の接続電極形成領域C3は、第1の弾性波共振子71Aの第2の方向xにおいて隣接している。第1の反射器73Bにおける第2の接続電極形成領域C2、及び第2の反射器73Cにおける第4の接続電極形成領域C4は、第1の弾性波共振子71Aの第2の方向xにおいて隣接している。
本実施形態においては、第1の弾性波共振子71Aにおける第1の反射器73Bの第1の接続電極形成領域C1が、第2の方向xにおいて、メタライゼーション比が異なる部分を含む。これにより、第1の弾性波共振子71Aにおいて、リターンロスが大きくなることを抑制できる。
同様に、第2の弾性波共振子71Bにおける第2の反射器73Cの第4の接続電極形成領域C4が、第2の方向xにおいて、メタライゼーション比が異なる部分を含む。これにより、第2の弾性波共振子71Bにおいて、リターンロスが大きくなることを抑制できる。従って、弾性波素子70をフィルタ装置に用いた場合において、挿入損失が大きくなることを抑制できる。
なお、第1の弾性波共振子71Aにおいては、1対の反射器における接続電極形成領域のうち、第1の接続電極形成領域C1以外の全ての接続電極形成領域においては、メタライゼーション比は一定である。もっとも、第1の弾性波共振子71Aにおいて、第1の接続電極形成領域C1以外の接続電極形成領域が、第1の方向y及び第2の方向xのうち少なくとも一方において、メタライゼーション比が異なる部分を含んでいてもよい。
第2の弾性波共振子71Bにおいては、1対の反射器における接続電極形成領域のうち、第4の接続電極形成領域C4以外の全ての接続電極形成領域においては、メタライゼーション比は一定である。もっとも、第2の弾性波共振子71Bにおいて、第4の接続電極形成領域C4以外の接続電極形成領域が、第1の方向y及び第2の方向xのうち少なくとも一方において、メタライゼーション比が異なる部分を含んでいてもよい。
図32は、第12の実施形態における第1の反射器及び第2の反射器付近を拡大して示す平面図である。図32においては、後述する各隣接部を、ハッチングを付して示す。
第1の反射器73Bの第1の接続電極形成領域C1は、第1の隣接部74aを有する。第1の接続電極形成領域C1の第1の隣接部74aは、第1の接続電極形成領域C1における第2の反射器73C側の端縁部を含む部分である。第1の隣接部74aの、第1の弾性波共振子71Aの第2の方向xに沿う寸法は、1周期の寸法dである。同様に、第2の接続電極形成領域C2は第1の隣接部74bを有する。なお、上述したように、1周期の寸法dは、隣り合う反射器電極指16同士の、第2の方向xにおける中心間距離の2倍である。
第2の反射器73Cの第3の接続電極形成領域C3は、第2の隣接部74cを有する。第3の接続電極形成領域C3の第2の隣接部74cは、第3の接続電極形成領域C3における第1の反射器73B側の端縁部を含む部分である。第2の隣接部74cの、第2の弾性波共振子71Bの第2の方向xに沿う寸法は、1周期の寸法dである。同様に、第4の接続電極形成領域C4は第2の隣接部74dを有する。
第1の反射器73Bの第1の接続電極形成領域C1における第1の隣接部74aにおいては、反射器接続電極14cの本数は0本である。そのため、第1の隣接部74aのメタライゼーション比は0である。第2の反射器73Cの第4の接続電極形成領域C4における第2の隣接部74dにおいては、反射器接続電極15cの本数は0本である。そのため、第2の隣接部74dのメタライゼーション比は0である。
一方で、第1の反射器73Bの第2の接続電極形成領域C2においては、メタライゼーション比は一定である。本実施形態では、第2の接続電極形成領域C2においてのメタライゼーション比は、反射器接続電極14cの幅をwとしたときに、幅wの値を1周期の寸法dの値により割った値である。よって、第2の接続電極形成領域C2における第1の隣接部74bのメタライゼーション比はw/dである。同様に、第3の接続電極形成領域C3における第2の隣接部74cのメタライゼーション比は、w/dである。
以上より、第1の反射器73Bにおいては、第1の接続電極形成領域C1における第1の隣接部74aのメタライゼーション比は、第2の接続電極形成領域C2における第1の隣接部74bのメタライゼーション比よりも小さい。第2の反射器73Cにおいては、第3の接続電極形成領域C3における第2の隣接部74cのメタライゼーション比は、第4の接続電極形成領域C4における第2の隣接部74dのメタライゼーション比よりも大きい。
このように、第1の隣接部74aのメタライゼーション比に対する第1の隣接部74bのメタライゼーション比の大小関係と、第2の隣接部74cのメタライゼーション比に対する第2の隣接部74dのメタライゼーション比の大小関係とが、互いに異なる。それによって、弾性波素子70の大型化を招くことなく、第1の弾性波共振子71A及び第2の弾性波共振子71Bの間において、弾性波の結合を抑制することができる。この詳細を、双方の弾性波共振子が比較例の弾性波装置である弾性波素子や、従来例を参照して説明する。以下においては、比較例の弾性波装置を弾性波共振子と記載することがある。
図33は、2つの比較例の弾性波共振子を有する弾性波素子の模式的平面図である。図33中における波状の矢印は、双方の弾性波共振子において励振され、伝搬する弾性波を模式的に示している。
弾性波素子100においては、2つの弾性波共振子における互いに隣接する反射器103B及び反射器103Cにおいて、いずれの接続電極形成領域においても、メタライゼーション比は一定である。そのため、一方の弾性波共振子の反射器103Bの接続電極形成領域における第1の隣接部と、該接続電極形成領域と隣接している反射器103Cにおける接続電極形成領域の第2の隣接部とにおいて、メタライゼーション比が同じである。この弾性波素子100を用いたフィルタ装置の通過帯域の一部を、図34により示す。
図34は、2つの比較例の弾性波共振子を有する弾性波素子を用いたフィルタ装置における、通過帯域においての高域側付近の減衰量周波数特性を示す図である。
図34に示す減衰量周波数特性では、通過帯域の高域側の、減衰量が大きくなり始める周波数において、リップルが生じている。これは、一方の弾性波共振子及び他方の弾性波共振子の弾性波が結合することに起因する。弾性波の結合に起因するリップルは、図34において示す周波数だけでなく、通過帯域内の様々な周波数において生じることもある。
一方で、図35により模式的に示す従来例においては、2つの弾性波共振子間に、スリットパターン115が設けられている。これにより、一方の弾性波共振子において励振された弾性波が、他方の弾性波共振子に伝搬することが抑制される。しかしながら、スリットパターン115が設けられていることにより、弾性波素子110は大型になる。
これに対して、図32に示す本実施形態では、弾性波素子70の大型化を招くことなく、第1の弾性波共振子71A及び第2の弾性波共振子71Bの間において、弾性波の結合を抑制することができる。
より詳細には、弾性波伝搬方向は、第2の方向xと平行である。もっとも、反射器においては、弾性波が伝搬する方向は、厳密には、接続電極形成領域の構成に影響される。具体的には、反射器における弾性波の伝搬方向は、第2の方向xの成分だけではなく、第1の方向yの成分も含む。より具体的には、反射器において、弾性波は、双方の接続電極形成領域のうち、メタライゼーション比が大きい方に向かって伝搬する。
本実施形態では、第1の反射器73Bにおいて、第1の接続電極形成領域C1における第1の隣接部74aのメタライゼーション比は、第2の接続電極形成領域C2における第1の隣接部74bのメタライゼーション比よりも小さい。この場合、図36により模式的に示すように、第1の反射器73Bでは、弾性波は、第2の方向xにおいて第1の弾性波共振子71AのIDT電極3から離れるほど、第2の接続電極形成領域C2側に近づくように伝搬する。
すなわち、第1の弾性波共振子71Aにおいて励振され、第2の弾性波共振子71B側に伝搬する弾性波は、第2の反射器73Cにおける第4の接続電極形成領域C4側に向かって伝搬する。
一方で、第2の反射器73Cにおいて、第3の接続電極形成領域C3における第2の隣接部74cのメタライゼーション比は、第4の接続電極形成領域C4における第2の隣接部74dのメタライゼーション比よりも大きい。この場合、第2の反射器73Cでは、弾性波は、第2の方向xにおいて第2の弾性波共振子71BのIDT電極3から離れるほど、第3の接続電極形成領域C3側に近づくように伝搬する。
すなわち、第2の弾性波共振子71Bにおいて励振され、第1の弾性波共振子71A側に伝搬する弾性波は、第1の反射器73Bにおける第1の接続電極形成領域C1側に向かって伝搬する。
以上のように、本実施形態では、第1の弾性波共振子71Aから第2の弾性波共振子71B側に向かう弾性波の伝搬方向と、第2の弾性波共振子71Bから第1の弾性波共振子71A側に向かう弾性波の伝搬方向とを、互いに異ならせることができる。それによって、第1の弾性波共振子71A及び第2の弾性波共振子71Bの間において、弾性波の結合を抑制することができる。加えて、本実施形態においては、図35に示したスリットパターン115は設けられていない。よって、弾性波素子70が大型になることを抑制できる。
本実施形態では、第1の隣接部74aにおけるメタライゼーション比は0である。これにより、第1の反射器73Bにおいて、第2の弾性波共振子71B側に向かう弾性波を、より確実に第4の接続電極形成領域C4側に近づくように伝搬させることができる。同様に、第2の隣接部74dにおけるメタライゼーション比は0である。これにより、第2の反射器73Cにおいて、第1の弾性波共振子71A側に向かう弾性波を、より確実に第1の接続電極形成領域C1側に近づくように伝搬させることができる。
もっとも、第1の隣接部74a及び第2の隣接部74dのメタライゼーション比は0ではなくともよい。例えば、第1の反射器73Bにおいて、第1の接続電極形成領域C1における第1の隣接部74aのメタライゼーション比が、0ではなく、かつ第2の接続電極形成領域C2における第1の隣接部74bのメタライゼーション比よりも小さくてもよい。同様に、第2の反射器73Cにおいて、第4の接続電極形成領域C4における第2の隣接部74dのメタライゼーション比が、0ではなく、かつ第3の接続電極形成領域C3における第2の隣接部74cのメタライゼーション比よりも小さくてもよい。
本実施形態では、第1の接続電極形成領域C1において、第1の隣接部74aにおけるメタライゼーション比が、第1の隣接部74a以外の少なくとも一部におけるメタライゼーション比よりも小さい。第4の接続電極形成領域C4において、第2の隣接部74dにおけるメタライゼーション比が、第2の隣接部74d以外の少なくとも一部におけるメタライゼーション比よりも小さい。もっとも、これらに限定されるものではない。
ところで、図32に示すように、第1の反射器73Bにおいては、すべての反射器電極指16が、内側反射器バスバー部14a及び内側反射器バスバー部15aに接続されている。各反射器接続電極15cは、内側反射器バスバー部15aを介して間接的に各反射器電極指16と接続されている。もっとも、例えば、図13に示す第3の実施形態と同様に、内側反射器バスバー部15aに、全ての反射器電極指16のうち一部の複数の反射器電極指16のみが接続されていてもよい。この場合、内側反射器バスバー部15aに接続されている全ての反射器電極指16の延長線上にそれぞれ、反射器接続電極15cが設けられていてもよい。第2の反射器73Cにおいても同様である。
あるいは、第1の反射器73Bにおいて、例えば、図15に示す第4の実施形態と同様に、内側反射器バスバー部15aは設けられていなくともよい。この場合、反射器電極指16及び反射器接続電極15cが直接的に接続されていてもよい。第2の反射器73Cにおいても同様である。
図37は、第13の実施形態における第1の反射器及び第2の反射器付近を拡大して示す平面図である。
本実施形態は、第1の反射器83Bにおける各隣接部、及び第2の反射器83Cにおける各隣接部のメタライゼーション比において第12の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波素子は第12の実施形態の弾性波素子70と同様に構成されている。
第1の反射器83Bにおける各第1の隣接部、及び第2の反射器83Cにおける各第2の隣接部のメタライゼーション比は、いずれも0ではない。
本実施形態では、第1の反射器83Bにおいて、第1の接続電極形成領域C1における第1の隣接部84aのメタライゼーション比は、第2の接続電極形成領域C2における第1の隣接部84bのメタライゼーション比よりも大きい。この場合には、第1の反射器83Bでは、弾性波は、第2の方向xにおいて第1の弾性波共振子81AのIDT電極3から離れるほど、第1の接続電極形成領域C1側に近づくように伝搬する。
すなわち、第1の弾性波共振子81Aにおいて励振され、第2の弾性波共振子81B側に伝搬する弾性波は、第2の反射器83Cにおける第3の接続電極形成領域C3側に向かって伝搬する。
一方で、第2の反射器83Cにおいて、第3の接続電極形成領域C3における第2の隣接部84cのメタライゼーション比は、第4の接続電極形成領域C4における第2の隣接部84dのメタライゼーション比よりも小さい。この場合には、第2の反射器83Cでは、弾性波は、第2の方向xにおいて第2の弾性波共振子81BのIDT電極3から離れるほど、第4の接続電極形成領域C4側に近づくように伝搬する。
すなわち、第2の弾性波共振子81Bにおいて励振され、第1の弾性波共振子81A側に伝搬する弾性波は、第1の反射器83Bにおける第2の接続電極形成領域C2側に向かって伝搬する。
以上のように、本実施形態では、第1の弾性波共振子81Aから第2の弾性波共振子81B側に向かう弾性波の伝搬方向と、第2の弾性波共振子81Bから第1の弾性波共振子81A側に向かう弾性波の伝搬方向とを、互いに異ならせることができる。それによって、弾性波素子の大型化を招くことなく、第1の弾性波共振子81A及び第2の弾性波共振子81Bの間において、弾性波の結合を抑制することができる。
加えて、本実施形態においては、第1の弾性波共振子81Aにおける第1の反射器83Bの第1の接続電極形成領域C1が、第2の方向xにおいて、メタライゼーション比が異なる部分を含む。具体的には、第1の接続電極形成領域C1において、第1の隣接部84aにおける接続電極ピッチが、第1の隣接部84a以外の少なくとも一部における接続電極ピッチよりも狭い。これにより、第1の接続電極形成領域C1において、第1の隣接部84aにおけるメタライゼーション比が、第1の隣接部84a以外の少なくとも一部におけるメタライゼーション比よりも大きい。それによって、第1の弾性波共振子81Aにおいて、リターンロスが大きくなることを抑制できる。
同様に、第2の弾性波共振子81Bにおける第2の反射器83Cの第4の接続電極形成領域C4が、第2の方向xにおいて、メタライゼーション比が異なる部分を含む。具体的には、第4の接続電極形成領域C4において、第2の隣接部84dにおける接続電極ピッチが、第2の隣接部84d以外の少なくとも一部における接続電極ピッチよりも狭い。これにより、第4の接続電極形成領域C4において、第2の隣接部84dにおけるメタライゼーション比が、第2の隣接部84d以外の少なくとも一部におけるメタライゼーション比よりも大きい。それによって、第2の弾性波共振子81Bにおいて、リターンロスが大きくなることを抑制できる。従って、本実施形態の弾性波素子をフィルタ装置に用いた場合において、挿入損失が大きくなることを抑制できる。
本実施形態では、第1の接続電極形成領域C1における、接続電極ピッチが広い部分が、接続電極ピッチが狭い部分よりも、IDT電極3から遠い。もっとも、第1の接続電極形成領域C1における、接続電極ピッチが広い部分が、接続電極ピッチが狭い部分よりも、IDT電極3に近くてもよい。第1の弾性波共振子81Aにおける第1の接続電極形成領域C1以外の各接続電極形成領域においても、接続電極ピッチが広い部分が、接続電極ピッチが狭い部分よりも、IDT電極3から遠くてもよく、あるいはIDT電極3に近くてもよい。第2の弾性波共振子81Bにおいても同様である。
上記の第12の実施形態の説明において記載したように、第1の弾性波共振子の第1の反射器は、内側反射器バスバー部を有していなくともよい。この場合において、第1の反射器における接続電極形成領域の一部における接続電極ピッチが、該接続電極形成領域の他の一部における接続電極ピッチよりも広くてもよい。第2の弾性波共振子の第2の反射器においても同様である。
なお、本発明に係る弾性波素子においては、第1の弾性波共振子及び第2の弾性波共振子のうち少なくとも第1の弾性波共振子が、本発明に係る弾性波装置であればよい。第2の弾性波共振子は、必ずしも本発明に係る弾性波装置ではなくともよい。この場合においても、第2の弾性波共振子は、第1の弾性波共振子とは個別に、IDT電極及び1対の反射器を有していればよい。そして、本発明に係る弾性波装置と同様に、第2の弾性波共振子における各反射器の各反射器バスバーが、接続電極形成領域を有していればよい。
第2の弾性波共振子が本発明に係る弾性波装置ではない場合も、第1の方向y、第2の方向x及び接続電極形成領域は、本発明に係る弾性波装置と同様に定義される。そして、該第2の弾性波共振子における第2の反射器は、第3の接続電極形成領域及び第4の接続電極形成領域を有する。なお、本発明の弾性波装置ではない第2の弾性波共振子における各接続電極形成領域においては、メタライゼーション比は一定である。この一例を第14の実施形態により示す。
図38は、第14の実施形態における第1の反射器及び第2の反射器付近を拡大して示す平面図である。
本実施形態は、第1の反射器93Bの第2の接続電極形成領域C2における第1の隣接部94b、及び第2の反射器93Cの第4の接続電極形成領域C4における第2の隣接部94dのメタライゼーション比において、第12の実施形態と異なる。なお、本実施形態では、第2の弾性波共振子91Bは、本発明に係る弾性波装置ではない。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波素子は第12の実施形態の弾性波素子70と同様の構成を有する。
第1の反射器93Bの第2の接続電極形成領域C2における第1の隣接部94bには、第5の実施形態と同様の金属膜33が設けられている。具体的には、第1の隣接部94bにおいて、内側反射器バスバー部15a及び外側反射器バスバー部15bが、金属膜33により接続されている。第1の隣接部94bの金属膜33が設けられている部分において、メタライゼーション比が1となっている。
一方で、第1の反射器93Bの第1の接続電極形成領域C1における第1の隣接部94aにおいては、第12の実施形態と同様に、メタライゼーション比は0である。よって、第1の接続電極形成領域C1における第1の隣接部94aのメタライゼーション比は、第2の接続電極形成領域C2における第1の隣接部94bのメタライゼーション比よりも小さい。
他方、第2の弾性波共振子91Bは、図3に示した比較例の弾性波装置と同様に構成されている。第2の弾性波共振子91Bの第2の反射器93Cにおいては、第3の接続電極形成領域C3における第2の隣接部94cのメタライゼーション比と、第4の接続電極形成領域C4における第2の隣接部94dのメタライゼーション比とは同じである。
以上のように、第1の隣接部94aのメタライゼーション比に対する第1の隣接部94bのメタライゼーション比の大小関係と、第2の隣接部94cのメタライゼーション比に対する第2の隣接部94dのメタライゼーション比の大小関係とが、互いに異なる。これにより、第1の弾性波共振子91Aから第2の弾性波共振子91B側に向かう弾性波の伝搬方向と、第2の弾性波共振子91Bから第1の弾性波共振子91A側に向かう弾性波の伝搬方向を異ならせることができる。それによって、第12の実施形態と同様に、弾性波素子の大型化を招くことなく、第1の弾性波共振子91A及び第2の弾性波共振子91Bの間において、弾性波の結合を抑制することができる。
加えて、第1の弾性波共振子91Aの第1の反射器93Bの各第1の隣接部が、第2の方向xにおいて、メタライゼーション比が異なる部分を含む。これにより、第1の弾性波共振子91Aにおいて、リターンロスが大きくなることを抑制できる。従って、本実施形態の弾性波素子をフィルタ装置に用いた場合において、挿入損失が大きくなることを抑制できる。
以下において、本発明に係る弾性波装置の形態の例をまとめて記載する。
<1>圧電性基板と、前記圧電性基板上に設けられており、互いに対向している第1のバスバー及び第2のバスバー、並びに互いに間挿し合っている複数の第1の電極指及び複数の第2の電極指を有するIDT電極と、前記複数の第1の電極指及び前記複数の第2の電極指が延びる方向を第1の方向、前記第1の方向と直交する方向を第2の方向としたときに、前記第2の方向において、前記IDT電極を挟み互いに対向するように前記圧電性基板上に設けられている、1対の反射器と、を備え、前記複数の第1の電極指がそれぞれ、前記第1のバスバーに接続されている第1の基端を含み、前記複数の第2の電極指がそれぞれ、前記第2のバスバーに接続されている第2の基端を含み、前記IDT電極において、前記第1の基端及び前記第2の基端よりも、前記第1の方向において外側に位置する1対の領域が1対の外側領域であり、前記1対の外側領域を前記第2の方向において延長した領域が1対の延長外側領域であり、前記反射器が、互いに対向している1対の反射器バスバーと、前記1対の反射器バスバーに電気的に接続されている複数の反射器電極指と、を有し、前記反射器バスバーは、前記反射器における前記延長外側領域に位置している部分に設けられており、前記複数の反射器電極指に直接的または間接的に接続されている複数の反射器接続電極を有し、前記反射器における、前記複数の反射器接続電極が位置しており、前記第2の方向に延びている領域が、接続電極形成領域であり、隣り合う前記反射器電極指同士の、前記第2の方向における中心間距離の2倍を1周期の寸法とし、前記第2の方向に延びる前記1周期の寸法の仮想線上において占める、前記反射器を構成している金属により前記圧電性基板が被覆されている部分の割合いを、メタライゼーション比としたときに、少なくとも一方の前記反射器の、少なくとも一方の前記反射器バスバーにおける前記接続電極形成領域が、前記第1の方向及び前記第2の方向のうち少なくとも一方において、前記メタライゼーション比が異なる部分を含む、弾性波装置。
<2>双方の前記反射器の双方の前記反射器バスバーにおける前記接続電極形成領域が、前記第1の方向及び前記第2の方向のうち少なくとも一方において、前記メタライゼーション比が異なる部分を含む、<1>に記載の弾性波装置。
<3>前記反射器バスバーが、内側反射器バスバー部及び外側反射器バスバー部を含み、前記内側反射器バスバー部が、前記外側反射器バスバー部よりも、前記第1の方向において内側に位置しており、全ての前記反射器電極指のうち少なくとも一部の複数の反射器電極指が、前記内側反射器バスバー部を介して間接的に前記複数の反射器接続電極に接続されており、隣り合う前記反射器接続電極同士の前記第2の方向における中心間距離を接続電極ピッチとしたときに、前記接続電極形成領域の一部における前記接続電極ピッチが、前記接続電極形成領域の他の一部における前記接続電極ピッチよりも広い、<1>または<2>に記載の弾性波装置。
<4>前記内側反射器バスバー部に全ての前記反射器電極指が接続されている、<3>に記載の弾性波装置。
<5>前記内側反射器バスバー部に、全ての前記反射器電極指のうち一部の複数の反射器電極指のみが接続されている、<3>に記載の弾性波装置。
<6>前記内側反射器バスバー部に接続されている全ての前記反射器電極指の延長線上にそれぞれ、前記反射器接続電極が設けられている、<5>に記載の弾性波装置。
<7>前記接続電極形成領域における、前記接続電極ピッチが広い部分が、前記接続電極ピッチが狭い部分よりも、前記IDT電極から遠い、<4>~<6>のいずれか1つに記載の弾性波装置。
<8>前記接続電極形成領域における、前記接続電極ピッチが広い部分が、前記接続電極ピッチが狭い部分よりも、前記IDT電極に近い、<4>~<6>のいずれか1つに記載の弾性波装置。
<9>前記複数の反射器電極指及び前記複数の反射器接続電極が直接的に接続されており、隣り合う前記反射器接続電極同士の前記第2の方向における中心間距離を接続電極ピッチとしたときに、前記接続電極形成領域の一部における前記接続電極ピッチが、前記接続電極形成領域の他の一部における前記接続電極ピッチよりも広い、<1>または<2>に記載の弾性波装置。
<10>前記反射器バスバーが、内側反射器バスバー部及び外側反射器バスバー部を含み、前記内側反射器バスバー部が、前記外側反射器バスバー部よりも、前記第1の方向において内側に位置しており、前記接続電極形成領域の一部において、前記内側反射器バスバー部及び前記外側反射器バスバー部が、金属膜により接続されており、前記金属膜が設けられている部分において、前記メタライゼーション比が1となっている、<1>または<2>に記載の弾性波装置。
<11>前記反射器バスバーが、内側反射器バスバー部及び外側反射器バスバー部を含み、前記内側反射器バスバー部が、前記外側反射器バスバー部よりも、前記第1の方向において内側に位置しており、前記複数の反射器電極指が、前記内側反射器バスバー部を介して間接的に前記複数の反射器接続電極に接続されており、前記内側反射器バスバー部に全ての前記反射器電極指が接続されており、前記反射器バスバーが、前記複数の反射器接続電極の間に位置しており、前記第1の方向に延びている複数のダミー電極指を有し、前記複数のダミー電極指の一端がそれぞれ、前記外側反射器バスバー部に接続されており、前記複数のダミー電極指の他端が、ギャップを隔てて前記内側反射器バスバー部と対向している、<1>または<2>に記載の弾性波装置。
<12>前記反射器バスバーが、内側反射器バスバー部及び外側反射器バスバー部を含み、前記内側反射器バスバー部が、前記外側反射器バスバー部よりも、前記第1の方向において内側に位置しており、前記複数の反射器電極指が、前記内側反射器バスバー部を介して間接的に前記複数の反射器接続電極に接続されており、前記内側反射器バスバー部に全ての前記反射器電極指が接続されており、前記反射器バスバーが、前記複数の反射器接続電極の間に位置しており、前記第1の方向に延びている複数のダミー電極指を有し、前記複数のダミー電極指の一端がそれぞれ、前記内側反射器バスバー部に接続されており、前記複数のダミー電極指の他端が、ギャップを隔てて前記外側反射器バスバー部と対向している、<1>または<2>に記載の弾性波装置。
<13>前記複数のダミー電極指の長さがいずれも同じである、<11>または<12>に記載の弾性波装置。
<14>前記複数のダミー電極指のうち少なくとも1本のダミー電極指の長さが、他のダミー電極指の長さと異なる、<11>または<12>に記載の弾性波装置。
<15>前記第2の方向において、前記IDT電極から離れた位置に設けられている前記ダミー電極指ほど、長さが長くなっている、<14>に記載の弾性波装置。
<16>前記第2の方向から前記IDT電極を見たときに、隣り合う前記第1の電極指及び前記第2の電極指が重なり合っている領域が交叉領域であり、前記交叉領域が、中央領域と、前記第1の方向において前記中央領域を挟み互いに対向している1対のエッジ領域と、を有し、前記1対のエッジ領域において、音速が前記中央領域における音速よりも低い、低音速領域が構成されている、<1>~<15>のいずれか1つに記載の弾性波装置。
<17>前記1対のエッジ領域において、少なくとも1本の電極指が、前記中央領域における幅よりも幅が広い幅広部を有することにより、前記低音速領域が構成されている、<16>に記載の弾性波装置。
<18>前記1対のエッジ領域において、平面視したときに、少なくとも1本の電極指と重なるように質量付加膜が設けられていることにより、前記低音速領域が構成されている、<16>または<17>に記載の弾性波装置。
<19><3>~<10>のいずれか1つに記載の弾性波装置である第1の弾性波共振子と、第2の弾性波共振子と、を備え、前記第2の弾性波共振子が、前記第1の弾性波共振子と前記圧電性基板を共有しており、前記第2の弾性波共振子が、前記第1の弾性波共振子とは個別に、前記圧電性基板上に設けられている複数の電極指を有するIDT電極と、前記IDT電極を挟み互いに対向するように前記圧電性基板上に設けられている、1対の反射器と、を有し、前記第2の弾性波共振子の前記反射器が、互いに対向している1対の反射器バスバーと、前記1対の反射器バスバーに電気的に接続されている複数の反射器電極指とを有し、前記第2の弾性波共振子の前記反射器バスバーは、前記複数の反射器電極指に直接的または間接的に接続されている複数の反射器接続電極を有し、前記第2の弾性波共振子において、前記IDT電極の前記複数の電極指が延びる方向を第1の方向、前記第1の方向と直交する方向を第2の方向としたときに、前記第2の弾性波共振子の前記反射器における、前記複数の反射器接続電極が位置しており、前記第2の方向に延びている領域が、接続電極形成領域であり、前記第1の弾性波共振子の一方の前記反射器を第1の反射器、前記第2の弾性波共振子の一方の前記反射器を第2の反射器とし、前記第1の反射器における一方の前記接続電極形成領域を第1の接続電極形成領域、他方の前記接続電極形成領域を第2の接続電極形成領域とし、前記第2の反射器における一方の前記接続電極形成領域を第3の接続電極形成領域、他方の前記接続電極形成領域を第4の接続電極形成領域としたときに、前記第1の接続電極形成領域及び前記第3の接続電極形成領域が、前記第1の弾性波共振子の前記第2の方向において隣接しており、前記第2の接続電極形成領域及び前記第4の接続電極形成領域が、前記第1の弾性波共振子の前記第2の方向において隣接しており、前記第1の反射器の各前記接続電極形成領域が、該接続電極形成領域における前記第2の反射器側の端縁部を含む部分であって、前記第1の弾性波共振子の前記第2の方向に沿う寸法が前記1周期の寸法である第1の隣接部を有し、前記第2の反射器の各前記接続電極形成領域が、該接続電極形成領域における前記第1の反射器側の端縁部を含む部分であって、前記第2の弾性波共振子の前記第2の方向に沿う寸法が前記1周期の寸法である第2の隣接部を有し、前記第1の反射器においての、前記第1の接続電極形成領域における前記第1の隣接部の前記メタライゼーション比に対する、前記第2の接続電極形成領域における前記第1の隣接部の前記メタライゼーション比の大小関係と、前記第2の反射器においての、前記第3の接続電極形成領域における前記第2の隣接部の前記メタライゼーション比に対する、前記第4の接続電極形成領域における前記第2の隣接部の前記メタライゼーション比の大小関係とが、互いに異なる、弾性波素子。
<20>前記第1の反射器において、前記第1の接続電極形成領域における前記第1の隣接部の前記メタライゼーション比が、前記第2の接続電極形成領域における前記第1の隣接部の前記メタライゼーション比よりも小さく、前記第1の接続電極形成領域において、前記第1の隣接部における前記メタライゼーション比が、前記第1の隣接部以外の少なくとも一部における前記メタライゼーション比よりも小さい、<19>に記載の弾性波素子。
<21>前記第1の反射器の前記第1の接続電極形成領域において、前記第1の隣接部に設けられている前記反射器接続電極の本数が0本である、<20>に記載の弾性波素子。
<22>前記第2の反射器において、前記第3の接続電極形成領域における前記第2の隣接部の前記メタライゼーション比が、前記第4の接続電極形成領域における前記第2の隣接部の前記メタライゼーション比よりも大きく、前記第2の反射器における前記第4の接続電極形成領域において、前記第2の隣接部に設けられている前記反射器接続電極の本数が0本である、<20>または<21>に記載の弾性波素子。
<23>前記第1の反射器における前記反射器バスバーが、内側反射器バスバー部及び外側反射器バスバー部を含み、前記内側反射器バスバー部が、前記外側反射器バスバー部よりも、前記第1の方向において内側に位置しており、前記第1の反射器における、前記第2の接続電極形成領域の前記第1の隣接部において、前記内側反射器バスバー部及び前記外側反射器バスバー部が、金属膜により接続されており、前記金属膜が設けられている部分において、前記メタライゼーション比が1となっている、<20>~<22>のいずれか1つに記載の弾性波素子。
<24>前記第1の反射器において、前記第1の接続電極形成領域における前記第1の隣接部の前記メタライゼーション比が、前記第2の接続電極形成領域における前記第1の隣接部の前記メタライゼーション比よりも大きく、隣り合う前記反射器接続電極同士の前記第2の方向における中心間距離を接続電極ピッチとしたときに、前記第1の反射器における前記第1の接続電極形成領域において、前記第1の隣接部における前記接続電極ピッチが、前記第1の隣接部以外の少なくとも一部における前記接続電極ピッチよりも狭い、<19>に記載の弾性波素子。
1…弾性波装置
2…圧電性基板
2a,2b…第1,第2の主面
3…IDT電極
4,5…第1,第2のバスバー
4a,5a…内側バスバー部
4b,5b…外側バスバー部
4c,5c…接続電極
4d,5d…開口部
6,7…第1,第2の電極指
6a,7a…第1,第2の基端
13A,13B…反射器
14,15…第1,第2の反射器バスバー
14a,15a…内側反射器バスバー部
14b,15b…外側反射器バスバー部
14c,15c…反射器接続電極
14d,15d…開口部
16…反射器電極指
22…圧電性基板
23…支持基板
24…高音速膜
25…低音速膜
26…圧電体層
33…金属膜
46…ダミー電極指
53…IDT電極
56,57…第1,第2の電極指
56a,56b,57a,57b…幅広部
69…質量付加膜
70…弾性波素子
71A,71B…第1,第2の弾性波共振子
73B,73C…第1,第2の反射器
74a,74b…第1の隣接部
74c,74d…第2の隣接部
81A,81B…第1,第2の弾性波共振子
83B,83C…第1,第2の反射器
84a,84b…第1の隣接部
84c,84d…第2の隣接部
91A,91B…第1,第2の弾性波共振子
93B,93C…第1,第2の反射器
94a,94b…第1の隣接部
94c,94d…第2の隣接部
100…弾性波素子
103A,103B…反射器
110…弾性波素子
115…スリットパターン
A…交叉領域
Ba,Bb…第1,第2の外側領域
C…接続電極形成領域
D…中央領域
Ia,Ib…第1,第2のエッジ領域
Ja,Jb…第1,第2のギャップ領域
Ka,Kb…第1,第2の開口部形成領域
Oa,Ob…第1,第2の延長外側領域
2…圧電性基板
2a,2b…第1,第2の主面
3…IDT電極
4,5…第1,第2のバスバー
4a,5a…内側バスバー部
4b,5b…外側バスバー部
4c,5c…接続電極
4d,5d…開口部
6,7…第1,第2の電極指
6a,7a…第1,第2の基端
13A,13B…反射器
14,15…第1,第2の反射器バスバー
14a,15a…内側反射器バスバー部
14b,15b…外側反射器バスバー部
14c,15c…反射器接続電極
14d,15d…開口部
16…反射器電極指
22…圧電性基板
23…支持基板
24…高音速膜
25…低音速膜
26…圧電体層
33…金属膜
46…ダミー電極指
53…IDT電極
56,57…第1,第2の電極指
56a,56b,57a,57b…幅広部
69…質量付加膜
70…弾性波素子
71A,71B…第1,第2の弾性波共振子
73B,73C…第1,第2の反射器
74a,74b…第1の隣接部
74c,74d…第2の隣接部
81A,81B…第1,第2の弾性波共振子
83B,83C…第1,第2の反射器
84a,84b…第1の隣接部
84c,84d…第2の隣接部
91A,91B…第1,第2の弾性波共振子
93B,93C…第1,第2の反射器
94a,94b…第1の隣接部
94c,94d…第2の隣接部
100…弾性波素子
103A,103B…反射器
110…弾性波素子
115…スリットパターン
A…交叉領域
Ba,Bb…第1,第2の外側領域
C…接続電極形成領域
D…中央領域
Ia,Ib…第1,第2のエッジ領域
Ja,Jb…第1,第2のギャップ領域
Ka,Kb…第1,第2の開口部形成領域
Oa,Ob…第1,第2の延長外側領域
Claims (24)
- 圧電性基板と、
前記圧電性基板上に設けられており、互いに対向している第1のバスバー及び第2のバスバー、並びに互いに間挿し合っている複数の第1の電極指及び複数の第2の電極指を有するIDT電極と、
前記複数の第1の電極指及び前記複数の第2の電極指が延びる方向を第1の方向、前記第1の方向と直交する方向を第2の方向としたときに、前記第2の方向において、前記IDT電極を挟み互いに対向するように前記圧電性基板上に設けられている、1対の反射器と、
を備え、
前記複数の第1の電極指がそれぞれ、前記第1のバスバーに接続されている第1の基端を含み、前記複数の第2の電極指がそれぞれ、前記第2のバスバーに接続されている第2の基端を含み、
前記IDT電極において、前記第1の基端及び前記第2の基端よりも、前記第1の方向において外側に位置する1対の領域が1対の外側領域であり、前記1対の外側領域を前記第2の方向において延長した領域が1対の延長外側領域であり、
前記反射器が、互いに対向している1対の反射器バスバーと、前記1対の反射器バスバーに電気的に接続されている複数の反射器電極指と、を有し、
前記反射器バスバーは、前記反射器における前記延長外側領域に位置している部分に設けられており、前記複数の反射器電極指に直接的または間接的に接続されている複数の反射器接続電極を有し、
前記反射器における、前記複数の反射器接続電極が位置しており、前記第2の方向に延びている領域が、接続電極形成領域であり、
隣り合う前記反射器電極指同士の、前記第2の方向における中心間距離の2倍を1周期の寸法とし、前記第2の方向に延びる前記1周期の寸法の仮想線上において占める、前記反射器を構成している金属により前記圧電性基板が被覆されている部分の割合いを、メタライゼーション比としたときに、少なくとも一方の前記反射器の、少なくとも一方の前記反射器バスバーにおける前記接続電極形成領域が、前記第1の方向及び前記第2の方向のうち少なくとも一方において、前記メタライゼーション比が異なる部分を含む、弾性波装置。 - 双方の前記反射器の双方の前記反射器バスバーにおける前記接続電極形成領域が、前記第1の方向及び前記第2の方向のうち少なくとも一方において、前記メタライゼーション比が異なる部分を含む、請求項1に記載の弾性波装置。
- 前記反射器バスバーが、内側反射器バスバー部及び外側反射器バスバー部を含み、前記内側反射器バスバー部が、前記外側反射器バスバー部よりも、前記第1の方向において内側に位置しており、
全ての前記反射器電極指のうち少なくとも一部の複数の反射器電極指が、前記内側反射器バスバー部を介して間接的に前記複数の反射器接続電極に接続されており、
隣り合う前記反射器接続電極同士の前記第2の方向における中心間距離を接続電極ピッチとしたときに、前記接続電極形成領域の一部における前記接続電極ピッチが、前記接続電極形成領域の他の一部における前記接続電極ピッチよりも広い、請求項1または2に記載の弾性波装置。 - 前記内側反射器バスバー部に全ての前記反射器電極指が接続されている、請求項3に記載の弾性波装置。
- 前記内側反射器バスバー部に、全ての前記反射器電極指のうち一部の複数の反射器電極指のみが接続されている、請求項3に記載の弾性波装置。
- 前記内側反射器バスバー部に接続されている全ての前記反射器電極指の延長線上にそれぞれ、前記反射器接続電極が設けられている、請求項5に記載の弾性波装置。
- 前記接続電極形成領域における、前記接続電極ピッチが広い部分が、前記接続電極ピッチが狭い部分よりも、前記IDT電極から遠い、請求項4~6のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記接続電極形成領域における、前記接続電極ピッチが広い部分が、前記接続電極ピッチが狭い部分よりも、前記IDT電極に近い、請求項4~6のいずれか1項に記載の弾性波装置。
- 前記複数の反射器電極指及び前記複数の反射器接続電極が直接的に接続されており、
隣り合う前記反射器接続電極同士の前記第2の方向における中心間距離を接続電極ピッチとしたときに、前記接続電極形成領域の一部における前記接続電極ピッチが、前記接続電極形成領域の他の一部における前記接続電極ピッチよりも広い、請求項1または2に記載の弾性波装置。 - 前記反射器バスバーが、内側反射器バスバー部及び外側反射器バスバー部を含み、前記内側反射器バスバー部が、前記外側反射器バスバー部よりも、前記第1の方向において内側に位置しており、
前記接続電極形成領域の一部において、前記内側反射器バスバー部及び前記外側反射器バスバー部が、金属膜により接続されており、前記金属膜が設けられている部分において、前記メタライゼーション比が1となっている、請求項1または2に記載の弾性波装置。 - 前記反射器バスバーが、内側反射器バスバー部及び外側反射器バスバー部を含み、前記内側反射器バスバー部が、前記外側反射器バスバー部よりも、前記第1の方向において内側に位置しており、
前記複数の反射器電極指が、前記内側反射器バスバー部を介して間接的に前記複数の反射器接続電極に接続されており、
前記内側反射器バスバー部に全ての前記反射器電極指が接続されており、
前記反射器バスバーが、前記複数の反射器接続電極の間に位置しており、前記第1の方向に延びている複数のダミー電極指を有し、
前記複数のダミー電極指の一端がそれぞれ、前記外側反射器バスバー部に接続されており、前記複数のダミー電極指の他端が、ギャップを隔てて前記内側反射器バスバー部と対向している、請求項1または2に記載の弾性波装置。 - 前記反射器バスバーが、内側反射器バスバー部及び外側反射器バスバー部を含み、前記内側反射器バスバー部が、前記外側反射器バスバー部よりも、前記第1の方向において内側に位置しており、
前記複数の反射器電極指が、前記内側反射器バスバー部を介して間接的に前記複数の反射器接続電極に接続されており、
前記内側反射器バスバー部に全ての前記反射器電極指が接続されており、
前記反射器バスバーが、前記複数の反射器接続電極の間に位置しており、前記第1の方向に延びている複数のダミー電極指を有し、
前記複数のダミー電極指の一端がそれぞれ、前記内側反射器バスバー部に接続されており、前記複数のダミー電極指の他端が、ギャップを隔てて前記外側反射器バスバー部と対向している、請求項1または2に記載の弾性波装置。 - 前記複数のダミー電極指の長さがいずれも同じである、請求項11または12に記載の弾性波装置。
- 前記複数のダミー電極指のうち少なくとも1本のダミー電極指の長さが、他のダミー電極指の長さと異なる、請求項11または12に記載の弾性波装置。
- 前記第2の方向において、前記IDT電極から離れた位置に設けられている前記ダミー電極指ほど、長さが長くなっている、請求項14に記載の弾性波装置。
- 前記第2の方向から前記IDT電極を見たときに、隣り合う前記第1の電極指及び前記第2の電極指が重なり合っている領域が交叉領域であり、前記交叉領域が、中央領域と、前記第1の方向において前記中央領域を挟み互いに対向している1対のエッジ領域と、を有し、
前記1対のエッジ領域において、音速が前記中央領域における音速よりも低い、低音速領域が構成されている、請求項1~15のいずれか1項に記載の弾性波装置。 - 前記1対のエッジ領域において、少なくとも1本の電極指が、前記中央領域における幅よりも幅が広い幅広部を有することにより、前記低音速領域が構成されている、請求項16に記載の弾性波装置。
- 前記1対のエッジ領域において、平面視したときに、少なくとも1本の電極指と重なるように質量付加膜が設けられていることにより、前記低音速領域が構成されている、請求項16または17に記載の弾性波装置。
- 請求項3~10のいずれか1項に記載の弾性波装置である第1の弾性波共振子と、
第2の弾性波共振子と、
を備え、
前記第2の弾性波共振子が、前記第1の弾性波共振子と前記圧電性基板を共有しており、
前記第2の弾性波共振子が、前記第1の弾性波共振子とは個別に、前記圧電性基板上に設けられている複数の電極指を有するIDT電極と、前記IDT電極を挟み互いに対向するように前記圧電性基板上に設けられている、1対の反射器と、を有し、
前記第2の弾性波共振子の前記反射器が、互いに対向している1対の反射器バスバーと、前記1対の反射器バスバーに電気的に接続されている複数の反射器電極指と、を有し、
前記第2の弾性波共振子の前記反射器バスバーは、前記複数の反射器電極指に直接的または間接的に接続されている複数の反射器接続電極を有し、
前記第2の弾性波共振子において、前記IDT電極の前記複数の電極指が延びる方向を第1の方向、前記第1の方向と直交する方向を第2の方向としたときに、前記第2の弾性波共振子の前記反射器における、前記複数の反射器接続電極が位置しており、前記第2の方向に延びている領域が、接続電極形成領域であり、
前記第1の弾性波共振子の一方の前記反射器を第1の反射器、前記第2の弾性波共振子の一方の前記反射器を第2の反射器とし、前記第1の反射器における一方の前記接続電極形成領域を第1の接続電極形成領域、他方の前記接続電極形成領域を第2の接続電極形成領域とし、前記第2の反射器における一方の前記接続電極形成領域を第3の接続電極形成領域、他方の前記接続電極形成領域を第4の接続電極形成領域としたときに、前記第1の接続電極形成領域及び前記第3の接続電極形成領域が、前記第1の弾性波共振子の前記第2の方向において隣接しており、前記第2の接続電極形成領域及び前記第4の接続電極形成領域が、前記第1の弾性波共振子の前記第2の方向において隣接しており、
前記第1の反射器の各前記接続電極形成領域が、該接続電極形成領域における前記第2の反射器側の端縁部を含む部分であって、前記第1の弾性波共振子の前記第2の方向に沿う寸法が前記1周期の寸法である第1の隣接部を有し、前記第2の反射器の各前記接続電極形成領域が、該接続電極形成領域における前記第1の反射器側の端縁部を含む部分であって、前記第2の弾性波共振子の前記第2の方向に沿う寸法が前記1周期の寸法である第2の隣接部を有し、
前記第1の反射器においての、前記第1の接続電極形成領域における前記第1の隣接部の前記メタライゼーション比に対する、前記第2の接続電極形成領域における前記第1の隣接部の前記メタライゼーション比の大小関係と、前記第2の反射器においての、前記第3の接続電極形成領域における前記第2の隣接部の前記メタライゼーション比に対する、前記第4の接続電極形成領域における前記第2の隣接部の前記メタライゼーション比の大小関係とが、互いに異なる、弾性波素子。 - 前記第1の反射器において、前記第1の接続電極形成領域における前記第1の隣接部の前記メタライゼーション比が、前記第2の接続電極形成領域における前記第1の隣接部の前記メタライゼーション比よりも小さく、
前記第1の接続電極形成領域において、前記第1の隣接部における前記メタライゼーション比が、前記第1の隣接部以外の少なくとも一部における前記メタライゼーション比よりも小さい、請求項19に記載の弾性波素子。 - 前記第1の反射器の前記第1の接続電極形成領域において、前記第1の隣接部に設けられている前記反射器接続電極の本数が0本である、請求項20に記載の弾性波素子。
- 前記第2の反射器において、前記第3の接続電極形成領域における前記第2の隣接部の前記メタライゼーション比が、前記第4の接続電極形成領域における前記第2の隣接部の前記メタライゼーション比よりも大きく、
前記第2の反射器における前記第4の接続電極形成領域において、前記第2の隣接部に設けられている前記反射器接続電極の本数が0本である、請求項20または21に記載の弾性波素子。 - 前記第1の反射器における前記反射器バスバーが、内側反射器バスバー部及び外側反射器バスバー部を含み、前記内側反射器バスバー部が、前記外側反射器バスバー部よりも、前記第1の方向において内側に位置しており、
前記第1の反射器における、前記第2の接続電極形成領域の前記第1の隣接部において、前記内側反射器バスバー部及び前記外側反射器バスバー部が、金属膜により接続されており、前記金属膜が設けられている部分において、前記メタライゼーション比が1となっている、請求項20~22のいずれか1項に記載の弾性波素子。 - 前記第1の反射器において、前記第1の接続電極形成領域における前記第1の隣接部の前記メタライゼーション比が、前記第2の接続電極形成領域における前記第1の隣接部の前記メタライゼーション比よりも大きく、
隣り合う前記反射器接続電極同士の前記第2の方向における中心間距離を接続電極ピッチとしたときに、前記第1の反射器における前記第1の接続電極形成領域において、前記第1の隣接部における前記接続電極ピッチが、前記第1の隣接部以外の少なくとも一部における前記接続電極ピッチよりも狭い、請求項19に記載の弾性波素子。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022-167842 | 2022-10-19 | ||
JP2022167842 | 2022-10-19 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2024085062A1 true WO2024085062A1 (ja) | 2024-04-25 |
Family
ID=90737479
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2023/037030 WO2024085062A1 (ja) | 2022-10-19 | 2023-10-12 | 弾性波装置及び弾性波素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
WO (1) | WO2024085062A1 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11261370A (ja) * | 1998-03-11 | 1999-09-24 | Nec Corp | 弾性表面波デバイス |
WO2019003909A1 (ja) * | 2017-06-26 | 2019-01-03 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及び複合フィルタ装置 |
WO2020202960A1 (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 株式会社村田製作所 | 縦結合共振子型弾性波フィルタ及びフィルタ装置 |
-
2023
- 2023-10-12 WO PCT/JP2023/037030 patent/WO2024085062A1/ja unknown
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11261370A (ja) * | 1998-03-11 | 1999-09-24 | Nec Corp | 弾性表面波デバイス |
WO2019003909A1 (ja) * | 2017-06-26 | 2019-01-03 | 株式会社村田製作所 | 弾性波装置及び複合フィルタ装置 |
WO2020202960A1 (ja) * | 2019-03-29 | 2020-10-08 | 株式会社村田製作所 | 縦結合共振子型弾性波フィルタ及びフィルタ装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102673653B1 (ko) | 탄성파 장치 | |
CN107112975B (zh) | 弹性波装置 | |
US11444601B2 (en) | Acoustic wave device | |
CN116803003A (zh) | 弹性波装置 | |
JPWO2019003909A1 (ja) | 弾性波装置及び複合フィルタ装置 | |
CN115668766A (zh) | 弹性波装置 | |
US20240154595A1 (en) | Acoustic wave device | |
CN113632377A (zh) | 纵向耦合谐振器型弹性波滤波器以及滤波器装置 | |
CN117321916A (zh) | 压电体波装置 | |
WO2021220887A1 (ja) | 弾性波装置 | |
WO2024085062A1 (ja) | 弾性波装置及び弾性波素子 | |
WO2018193933A1 (ja) | 弾性波装置、帯域通過型フィルタ及びマルチプレクサ | |
WO2022045088A1 (ja) | 弾性波装置 | |
WO2021220936A1 (ja) | 弾性波装置 | |
CN116458063A (zh) | 弹性波装置 | |
KR20230146600A (ko) | 탄성파 장치 | |
WO2024029361A1 (ja) | 弾性波装置及びフィルタ装置 | |
WO2024029360A1 (ja) | 弾性波装置及びフィルタ装置 | |
WO2024009660A1 (ja) | 弾性波装置及びフィルタ装置 | |
WO2023234144A1 (ja) | 弾性波装置 | |
WO2024116813A1 (ja) | 弾性波装置及びフィルタ装置 | |
WO2024157586A1 (ja) | 弾性波装置 | |
WO2024143006A1 (ja) | 弾性波装置 | |
WO2022019169A1 (ja) | ラダー型フィルタ | |
WO2024043345A1 (ja) | 弾性波装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 23879705 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |