WO2024143006A1 - 弾性波装置 - Google Patents

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WO2024143006A1
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elastic wave
idt electrode
wave device
wave resonator
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康政 谷口
英樹 岩本
真則 太田川
彰 道上
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株式会社村田製作所
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    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/25—Constructional features of resonators using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
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    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave device having multiple elastic wave resonators.
  • Patent Document 1 discloses an example of an acoustic wave device as an acoustic wave resonator.
  • a dielectric is provided on a piezoelectric substrate.
  • a comb-shaped electrode is provided on the dielectric.
  • Patent Document 1 also shows an example of a filter having the above-mentioned acoustic wave device.
  • the object of the present invention is to provide an elastic wave device that can easily adjust the bandwidth ratio of each elastic wave resonator without increasing the size.
  • the elastic wave device comprises a piezoelectric substrate including a piezoelectric layer having a first main surface and a second main surface facing each other, a first IDT electrode and a second IDT electrode provided directly or indirectly on the first main surface of the piezoelectric layer, and a first dielectric film and a second dielectric film provided on at least one of the first main surface and the second main surface of the piezoelectric layer, a first elastic wave resonator is formed by the portion of the piezoelectric substrate where the first IDT electrode is provided, the first IDT electrode, and the first dielectric film, a second elastic wave resonator is formed by the portion of the piezoelectric substrate where the second IDT electrode is provided, the second IDT electrode, and the second dielectric film, the first dielectric film and the second dielectric film each having one of a configuration containing Li and Ta and a configuration containing Li and Nb, and at least one of the piezoelectricity, polarization direction, and crystal structure is different from each other in the
  • the elastic wave device makes it easy to adjust the bandwidth ratio of each elastic wave resonator without increasing the size.
  • FIG. 2 is a schematic front cross-sectional view showing a portion of each of the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator in the first embodiment. Note that in FIG. 2, the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B are shown arranged side by side, but the arrangement of the first elastic wave resonator 1A and the second elastic wave resonator 1B is not particularly limited.
  • the first IDT electrode 8A is made of a laminated metal film.
  • the layer structure of the first IDT electrode 8A is a structure in which a Ti layer, an Al layer, and a Ti layer are laminated in this order from the piezoelectric substrate 2 side.
  • the second IDT electrode 8B is also made of a laminated metal film similar to the first IDT electrode 8A.
  • the materials of the first IDT electrode 8A and the second IDT electrode 8B are not limited to the above.
  • the first IDT electrode 8A and the second IDT electrode 8B may be made of a single layer metal film.
  • the piezoelectric substrate 2 is a laminated substrate including a piezoelectric layer 6. That is, the piezoelectric substrate 2 is a substrate having piezoelectricity.
  • the piezoelectric layer 6 is a piezoelectric single crystal layer made of LiNbO3 .
  • the crystal structure of the piezoelectric layer 6 is of LiNbO3 type.
  • the piezoelectric layer 6 may be a piezoelectric single crystal layer made of LiTaO3 , for example.
  • the piezoelectric layer 6 is preferably a structure containing Li and Nb, or a structure containing Li and Ta.
  • the piezoelectric substrate 2 has a support substrate 3, a high acoustic velocity film 4 as a high acoustic velocity material layer, and a low acoustic velocity film 5.
  • the support substrate 3, the high acoustic velocity film 4, the low acoustic velocity film 5, and the piezoelectric layer 6 are laminated in this order.
  • the high acoustic velocity material layer is a layer with a relatively high acoustic velocity. Specifically, the acoustic velocity of the bulk wave propagating through the high acoustic velocity material layer is higher than the acoustic velocity of the elastic wave propagating through the piezoelectric layer 6.
  • Second dielectric film 7B Material: LiNbO y , thickness: 100 nm, 160 nm or 290 nm
  • the multiple inductors of the elastic wave device 10 are inductor L1, inductor L2, inductor L3, and inductor L4.
  • Inductor L1 is connected between the first signal terminal 13A and the series arm resonator S1.
  • Inductor L2 is connected between the series arm resonator S5 and the second signal terminal 13B.
  • Inductor L3 is connected between the parallel arm resonator P2 and ground potential.
  • Inductor L4 is connected between the parallel arm resonator P4 and ground potential.
  • the circuit configuration of elastic wave device 10 is not limited to the above.
  • Elastic wave device 10 does not necessarily have to have multiple inductors.
  • the elastic wave device according to the present invention is a ladder filter, it is sufficient for the elastic wave device to have at least one series arm resonator and at least one parallel arm resonator.
  • the first dielectric film 7A and the second dielectric film 7B contains Li and Ta
  • the piezoelectric layer 6 contains Li and Ta. Even in this case, the crystallinity of the dielectric film containing Li and Ta, out of the first dielectric film 7A and the second dielectric film 7B, can be easily improved.
  • the above spinel includes an aluminum compound containing one or more elements selected from Mg, Fe, Zn, Mn, etc., and oxygen.
  • Examples of the above spinel include MgAl 2 O 4 , FeAl 2 O 4 , ZnAl 2 O 4 , and MnAl 2 O 4 .
  • both the first dielectric film 7A and the second dielectric film 7B are provided on the second main surface 6b of the piezoelectric layer 6, and both the first IDT electrode 8A and the second IDT electrode 8B are provided directly on the first main surface 6a of the piezoelectric layer 6.
  • the crystallinity of the first IDT electrode 8A and the second IDT electrode 8B can be made uniform. Therefore, the difference in power resistance between the first elastic wave resonator 21A and the second elastic wave resonator 21B can be reduced.
  • a planar view refers to viewing the elastic wave device from a direction corresponding to the top in a schematic cross-sectional view such as FIG. 9(a).
  • the first IDT electrode 38A side is the top.
  • the edge portion in the elastic wave propagation direction of the second dielectric film 7B, the edge portion in the elastic wave propagation direction of the second IDT electrode 38B, and the edge portion in the elastic wave propagation direction of the piezoelectric layer 6 overlap in a planar view. More specifically, the edge portion in the elastic wave propagation direction of the second dielectric film 7B, the edge portion of the electrode finger located on the outermost side in the elastic wave propagation direction of the second IDT electrode 38B, and the side surface 6c of the piezoelectric layer 6 overlap in a planar view.
  • the elastic wave device is a single filter.
  • the elastic wave device according to the present invention may also be a multiplexer including multiple filters.
  • the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator may be included in different filters. This example is shown in the sixth embodiment.
  • the elastic wave device 50 is a multiplexer.
  • the elastic wave device 50 has a common connection terminal 52, a first filter 50A, a second filter 50B, a third filter 50C, and a plurality of other filters.
  • the first filter 50A, the second filter 50B, the third filter 50C, and the plurality of other filters are commonly connected to the common connection terminal 52.
  • the common connection terminal 52 is an antenna terminal.
  • the common connection terminal 52 does not have to be an antenna terminal.
  • the first filter 50A, the second filter 50B, and the third filter 50C each have a plurality of elastic wave resonators.
  • the first filter 50A, the second filter 50B, and the third filter 50C each have a different passband.
  • the elastic wave device 50 which is a multiplexer, only needs to have two or more filters. There are no particular limitations on the circuit configuration of each filter of the elastic wave device 50.
  • the first filter 50A includes a plurality of first acoustic wave resonators according to the present invention. It is sufficient that the first filter 50A has at least one first acoustic wave resonator.
  • the second filter 50B includes a plurality of second acoustic wave resonators according to the present invention. It is sufficient that the second filter 50B has at least one second acoustic wave resonator.
  • the first dielectric film and the second dielectric film each have one of a configuration containing Li and Ta and a configuration containing Li and Nb.
  • the first dielectric film and the second dielectric film differ from each other in at least one of the piezoelectricity, polarization direction, and crystal structure. This makes it possible to easily adjust the relative bandwidth of each elastic wave resonator of the elastic wave device 50 without increasing the size of the elastic wave device 50.
  • the width of the pass band of the first filter 50A and the width of the pass band of the second filter 50B are different from each other.
  • the first dielectric film used for the first elastic wave resonator in the first filter 50A and the second dielectric film used for the second elastic wave resonator in the second filter 50B can be appropriately selected. Therefore, the width of the pass band can be easily adjusted to the desired width in the first filter 50A and the second filter 50B.
  • the thickness of the first dielectric film in the first acoustic wave resonator included in the first filter 50A and the thickness of the second dielectric film in the second acoustic wave resonator included in the second filter 50B are different from each other.
  • the band ratio can be more reliably adjusted to a desired value in each of the first acoustic wave resonator and the second acoustic wave resonator. Therefore, the passband width can be more reliably and easily adjusted to a desired value in the first filter 50A and the second filter 50B.
  • ⁇ 3> The acoustic wave device according to ⁇ 1> or ⁇ 2>, wherein the second dielectric film is a LiTaO y film or a LiNbO y film, where y is an arbitrary positive number.
  • ⁇ 4> The elastic wave device described in ⁇ 1>, in which at least one of the first dielectric film and the second dielectric film contains Li and Nb, and the piezoelectric layer contains Li and Nb.
  • ⁇ 6> An elastic wave device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 5>, in which the first dielectric film is provided on the first main surface of the piezoelectric layer, and the first IDT electrode is indirectly provided on the first main surface via the first dielectric film.
  • ⁇ 8> An elastic wave device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 5>, in which the first dielectric film is provided on the second main surface of the piezoelectric layer, and the first IDT electrode and the first dielectric film face each other with the piezoelectric layer in between.
  • An elastic wave device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 11>, comprising a filter having a plurality of elastic wave resonators, the plurality of elastic wave resonators including the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator.
  • An elastic wave device according to any one of ⁇ 1> to ⁇ 11>, which is a multiplexer including a plurality of filters, and in which the first elastic wave resonator and the second elastic wave resonator are included in different filters.

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Abstract

大型化を招かずして、各弾性波共振子における比帯域を容易に調整することができる、フィルタ装置を提供する。　本発明の弾性波装置は、互いに対向している第１の主面６ａ及び第２の主面６ｂを有する圧電体層６を含む、圧電性基板２と、圧電体層６の第１の主面６ａに直接的または間接的に設けられている第１のＩＤＴ電極８Ａ及び第２のＩＤＴ電極８Ｂと、圧電体層６の第１の主面６ａ及び第２の主面６ｂのうち少なくとも一方に設けられている第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂとを備える。圧電性基板２における第１のＩＤＴ電極８Ａが設けられている部分と、第１のＩＤＴ電極８Ａと、第１の誘電体膜７Ａとにより、第１の弾性波共振子１Ａが構成されている。圧電性基板２における第２のＩＤＴ電極８Ｂが設けられている部分と、第２のＩＤＴ電極８Ｂと、第２の誘電体膜７Ｂとにより、第２の弾性波共振子１Ｂが構成されている。第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂがそれぞれ、Ｌｉ及びＴａを含む構成、及びＬｉ及びＮｂを含む構成のうち一方の構成を有し、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂにおいて、圧電性、分極方向及び結晶構造のうち少なくともいずれかが互いに異なる。

Description

弾性波装置
　本発明は、複数の弾性波共振子を有する弾性波装置に関する。
　従来、複数の弾性波共振子を有する弾性波装置が携帯電話機のフィルタなどとして広く用いられている。下記の特許文献１には、弾性波共振子としての弾性波デバイスの一例が開示されている。この弾性波デバイスにおいては、圧電基板上に誘電体が設けられている。誘電体上に櫛形電極が設けられている。該誘電体の膜厚を変化させることにより、弾性波デバイスにおける電気機械結合係数が変化する。さらに、特許文献１においては、上記弾性波デバイスを有するフィルタの例が示されている。
特開２００８－０６７２８９号公報
　弾性波共振子における電気機械結合係数を調整することによって、該弾性波共振子の比帯域を調整し得る。なお、特許文献１においては、圧電基板及び櫛形電極の間に設けられた上記誘電体の例として、酸化シリコン膜や酸化アルミニウム膜が挙げられている。しかしながら、酸化シリコン膜や酸化アルミニウム膜の誘電率は比較的小さい。そのため、特許文献１の弾性波デバイスにおいては、所望の容量を得ようとした場合には、弾性波デバイスを大型にする必要がある。よって、フィルタ全体としても大型化しがちである。
　本発明の目的は、大型化を招かずして、各弾性波共振子における比帯域を容易に調整することができる、弾性波装置を提供することにある。
　本発明に係る弾性波装置は、互いに対向している第１の主面及び第２の主面を有する圧電体層を含む、圧電性基板と、前記圧電体層の前記第１の主面に直接的または間接的に設けられている第１のＩＤＴ電極及び第２のＩＤＴ電極と、前記圧電体層の前記第１の主面及び前記第２の主面のうち少なくとも一方に設けられている第１の誘電体膜及び第２の誘電体膜とを備え、前記圧電性基板における前記第１のＩＤＴ電極が設けられている部分と、前記第１のＩＤＴ電極と、前記第１の誘電体膜とにより、第１の弾性波共振子が構成されており、前記圧電性基板における前記第２のＩＤＴ電極が設けられている部分と、前記第２のＩＤＴ電極と、前記第２の誘電体膜とにより、第２の弾性波共振子が構成されており、前記第１の誘電体膜及び前記第２の誘電体膜がそれぞれ、Ｌｉ及びＴａを含む構成、及びＬｉ及びＮｂを含む構成のうち一方の構成を有し、前記第１の誘電体膜及び前記第２の誘電体膜において、圧電性、分極方向及び結晶構造のうち少なくともいずれかが互いに異なる。
　本発明に係る弾性波装置によれば、大型化を招かずして、各弾性波共振子における比帯域を容易に調整することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の回路図である。 図２は、本発明の第１の実施形態における、第１の弾性波共振子及び第２の弾性波共振子のそれぞれの一部を示す、模式的正面断面図である。 図３は、参考例の弾性波共振子の一部を示す模式的正面断面図である。 図４は、本発明の第１の実施形態における第１の弾性波共振子の第１の誘電体膜の厚み、及び第２の弾性波共振子の第２の誘電体膜の厚みと、比帯域との関係、並びに参考例の弾性波共振子の比帯域を示す図である。 図５は、本発明の第１の実施形態における第１の弾性波共振子の第１の誘電体膜の厚み、及び第２の弾性波共振子の第２の誘電体膜の厚みと、静電容量との関係、並びに参考例の弾性波共振子の静電容量を示す図である。 図６は、本発明の第１の実施形態における第１の弾性波共振子の模式的平面図である。 図７は、本発明の第２の実施形態における、第１の弾性波共振子及び第２の弾性波共振子のそれぞれの一部を示す、模式的正面断面図である。 図８（ａ）は、本発明の第３の実施形態における第１の弾性波共振子の模式的正面断面図であり、図８（ｂ）は、本発明の第３の実施形態における第２の弾性波共振子の模式的正面断面図である。 図９（ａ）は、本発明の第４の実施形態における第１の弾性波共振子の模式的正面断面図であり、図９（ｂ）は、本発明の第４の実施形態における第２の弾性波共振子の模式的正面断面図である。 図１０（ａ）は、本発明の第５の実施形態における第１の弾性波共振子の模式的正面断面図であり、図１０（ｂ）は、本発明の第５の実施形態における第２の弾性波共振子の模式的正面断面図である。 図１１は、本発明の第６の実施形態に係る弾性波装置の模式図である。
　以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
　なお、本明細書に記載の各実施形態は、例示的なものであり、異なる実施形態間において、構成の部分的な置換または組み合わせが可能であることを指摘しておく。
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る弾性波装置の回路図である。
　本実施形態の弾性波装置１０はラダー型フィルタである。弾性波装置１０は、第１の信号端子１３Ａ及び第２の信号端子１３Ｂと、複数のインダクタと、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子とを有する。本実施形態では、複数の直列腕共振子及び複数の並列腕共振子は、いずれも弾性波共振子である。弾性波装置１０は、具体的には、Ｂａｎｄ４１の帯域通過型フィルタである。より具体的には、弾性波装置１０は送信フィルタであり、弾性波装置１０の通過帯域は２４９６ＭＨｚ～２６９０ＭＨｚである。
　もっとも、弾性波装置１０の通過帯域は上記に限定されない。さらに、本発明に係る弾性波装置は送信フィルタに限定されず、受信フィルタであってもよい。本発明に係る弾性波装置は、１つのフィルタであることに限定されず、複数のフィルタを備えるマルチプレクサであってもよい。本発明に係る弾性波装置は、複数の弾性波共振子を有していればよい。本実施形態の弾性波装置１０は、第１の弾性波共振子及び第２の弾性波共振子を有する。以下において、第１の弾性波共振子及び第２の弾性波共振子の具体的な構成を示す。
　図２は、第１の実施形態における、第１の弾性波共振子及び第２の弾性波共振子のそれぞれの一部を示す、模式的正面断面図である。なお、図２においては、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂを模式的に並べて示しているが、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂの配置は特に限定されるものではない。
　第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂは、圧電性基板２を共有している。そして、第１の弾性波共振子１Ａは第１のＩＤＴ電極８Ａを有する。第２の弾性波共振子１Ｂは第２のＩＤＴ電極８Ｂを有する。第１のＩＤＴ電極８Ａ及び第２のＩＤＴ電極８Ｂは、圧電性基板２上に設けられている。第１のＩＤＴ電極８Ａに交流電圧を印加することにより、弾性波が励振される。第２のＩＤＴ電極８Ｂにおいても同様である。
　なお、第１のＩＤＴ電極８Ａ及び第２のＩＤＴ電極８Ｂはそれぞれ、複数の電極指を有する。図２においては、第１のＩＤＴ電極８Ａにおける１対の電極指付近、及び第２のＩＤＴ電極８Ｂにおける１対の電極指付近が示されている。
　第１のＩＤＴ電極８Ａは積層金属膜からなる。具体的には、第１のＩＤＴ電極８Ａの層構成は、圧電性基板２側から、Ｔｉ層、Ａｌ層及びＴｉ層がこの順序において積層された構成である。第２のＩＤＴ電極８Ｂも、第１のＩＤＴ電極８Ａと同様の積層金属膜からなる。もっとも、第１のＩＤＴ電極８Ａ及び第２のＩＤＴ電極８Ｂの材料は上記に限定されない。あるいは、第１のＩＤＴ電極８Ａ及び第２のＩＤＴ電極８Ｂは、単層の金属膜からなっていてもよい。
　圧電性基板２は、圧電体層６を含む積層基板である。すなわち、圧電性基板２は、圧電性を有する基板である。本実施形態においては、圧電体層６は、ＬｉＮｂＯ３からなる圧電単結晶層である。圧電体層６の結晶構造はＬｉＮｂＯ３型である。もっとも、圧電体層６は、例えば、ＬｉＴａＯ３からなる圧電単結晶層であってもよい。圧電体層６は、Ｌｉ及びＮｂを含む構成、またはＬｉ及びＴａを含む構成であることが好ましい。
　さらに、圧電性基板２は、支持基板３と、高音速材料層としての高音速膜４と、低音速膜５とを有する。支持基板３、高音速膜４、低音速膜５及び圧電体層６がこの順序において積層されている。高音速材料層は相対的に高音速な層である。具体的には、高音速材料層を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層６を伝搬する弾性波の音速よりも高い。他方、低音速膜５は相対的に低音速な膜である。具体的には、低音速膜５を伝搬するバルク波の音速は、圧電体層６を伝搬するバルク波の音速よりも低い。
　本実施形態においては、支持基板３の材料としてシリコンが用いられている。高音速膜４の材料として窒化ケイ素が用いられている。低音速膜５の材料として酸化シリコンが用いられている。なお、支持基板３、高音速膜４及び低音速膜５の材料は上記に限定されない。あるいは、圧電性基板２は、圧電体層６のみからなる基板であってもよい。
　圧電体層６は、第１の主面６ａ及び第２の主面６ｂを有する。第１の主面６ａ及び第２の主面６ｂは互いに対向している。第１の主面６ａ及び第２の主面６ｂのうち、第２の主面６ｂが、支持基板３側に位置している。第１の主面６ａには、第１の誘電体膜７Ａが設けられている。第１の誘電体膜７Ａ上に上記第１のＩＤＴ電極８Ａが設けられている。よって、第１のＩＤＴ電極８Ａは、第１の主面６ａに、第１の誘電体膜７Ａを介して間接的に設けられている。圧電性基板２における第１のＩＤＴ電極８Ａが設けられている部分と、第１のＩＤＴ電極８Ａと、第１の誘電体膜７Ａとにより、第１の弾性波共振子１Ａが構成されている。
　また、圧電体層６の第１の主面６ａには、第２の誘電体膜７Ｂが設けられている。なお、第１の主面６ａにおいて、第２の誘電体膜７Ｂが設けられている部分の位置と、第１の誘電体膜７Ａが設けられている部分の位置とは互いに異なる。第２の誘電体膜７Ｂ上に上記第２のＩＤＴ電極８Ｂが設けられている。よって、第２のＩＤＴ電極８Ｂは、第１の主面６ａに、第２の誘電体膜７Ｂを介して間接的に設けられている。圧電性基板２における第２のＩＤＴ電極８Ｂが設けられている部分と、第２のＩＤＴ電極８Ｂと、第２の誘電体膜７Ｂとにより、第２の弾性波共振子１Ｂが構成されている。
　本実施形態においては、第１の誘電体膜７Ａは、ｘを任意の正の数としたときに、ＬｉＮｂＯｘ膜である。第２の誘電体膜７Ｂは、ｙを任意の正の数としたときに、ＬｉＮｂＯｙ膜である。すなわち、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂは、Ｌｉ及びＮｂを含む酸化物膜である。
　第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂの物性は表１に示す通りである。なお、第２の誘電体膜７Ｂは、単結晶膜ではないが、表１においては、ヤング率、ポアソン比、密度として、単結晶に相当する値を示している。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示すように、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂにおいては、圧電性が互いに異なる。具体的には、本実施形態では、第１の誘電体膜７Ａが圧電性を有さず、第２の誘電体膜７Ｂが圧電性を有する。もっとも、第１の誘電体膜７Ａが圧電性を有する場合においても、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂにおいて、圧電性が互いに異なっていてもよい。あるいは、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂにおいて、分極方向が互いに異なっていてもよい。なお、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂの全体同士において、分極方向が互いに異なる構成には限られない。具体的には、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂが、分極方向が互いに異なる部分を含んでいてもよい。本実施形態においては、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂにおいては、結晶構造も互いに異なる。結晶構造が互いに異なるとは、より具体的には、例えば、一方が単結晶であり、他方が多結晶である場合や、含まれる原子が互いに異なっていることなどをいう。
　なお、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂの材料は上記に限定されない。例えば、第１の誘電体膜７ＡはＬｉＴａＯｘ膜であってもよい。第２の誘電体膜７ＢはＬｉＴａＯｙ膜であってもよい。なお、ｘ及びｙは任意の正の数である。さらに、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂは酸化物に限定されない。あるいは、例えば、第１の誘電体膜７ＡがＬｉ及びＴａを含む構成であり、第２の誘電体膜７ＢがＬｉ及びＮｂを含む構成であってもよい。第１の誘電体膜７ＡがＬｉ及びＮｂを含む構成であり、第２の誘電体膜７ＢがＬｉ及びＴａを含む構成であってもよい。
　第１の誘電体膜７Ａの厚みを調整することにより、第１の弾性波共振子１Ａの比帯域を調整することができる。同様に、第２の誘電体膜７Ｂの厚みを調整することにより、第２の弾性波共振子１Ｂの比帯域を調整することができる。なお、比帯域は、共振周波数をｆｒ、***振周波数をｆａとしたときに、（｜ｆｒ－ｆａ｜／ｆｒ）×１００［％］により表わされる。弾性波装置１０においては、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂの厚みは互いに異なる。もっとも、第１の誘電体膜７Ａの厚み及び第２の誘電体膜７Ｂの厚みは同じであってもよい。
　本実施形態の特徴は、以下の１）及び２）の構成を有することにある。１）第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂがそれぞれ、Ｌｉ及びＴａを含む構成、及びＬｉ及びＮｂを含む構成のうち一方の構成を有すること。２）第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂにおいて、圧電性、分極方向及び結晶構造のうち少なくともいずれかが互いに異なること。それによって、弾性波装置１０の大型化を招かずして、弾性波装置１０の各弾性波共振子における比帯域を容易に調整することができる。この効果の詳細を、以下において説明する。
　第１の誘電体膜７Ａの厚みが互いに異なる、複数の第１の弾性波共振子１Ａを用意した。同様に、第２の誘電体膜７Ｂの厚みが互いに異なる、複数の第２の弾性波共振子１Ｂを用意した。さらに、図３に示す、参考例の弾性波共振子１０１を用意した。参考例の弾性波共振子１０１は、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂを有しない点において、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂと異なる。なお、設計パラメータが同じである、複数の参考例の弾性波共振子を用意した。用意した第１の弾性波共振子１Ａの設計パラメータは以下の通りである。ここで、ＩＤＴ電極の電極指ピッチにより規定される波長をλとする。電極指ピッチとは、互いに異なる電位に接続され、かつ隣り合う電極指同士の中心間距離である。具体的には、電極指ピッチをｐとしたときに、波長λは、λ＝２ｐである。
　支持基板３；材料…Ｓｉ
　高音速膜４；材料…ＳｉＮ、厚み…０．９μｍ
　低音速膜５；材料…ＳｉＯ２、厚み…１μｍ
　圧電体層６；材料…ＬｉＮｂＯ３、厚み…１μｍ
　第１の誘電体膜７Ａ；材料…ＬｉＮｂＯｘ、厚み…９０ｎｍ、１３０ｎｍまたは２４０ｎｍ
　第１のＩＤＴ電極８Ａ；層構成…圧電体層６側からＴｉ層／Ａｌ層／Ｔｉ層、厚み…圧電体層６側から４ｎｍ／４００ｎｍ／３０ｎｍ、デューティ比…０．５
　波長λ；４μｍ
　用意した第２の弾性波共振子１Ｂの設計パラメータは、以下の点以外においては、第１の弾性波共振子１Ａの設計パラメータと同様である。なお、第２のＩＤＴ電極８Ｂの設計パラメータは、第１のＩＤＴ電極８Ａの設計パラメータと同様である。
　第２の誘電体膜７Ｂ；材料…ＬｉＮｂＯｙ、厚み…１００ｎｍ、１６０ｎｍまたは２９０ｎｍ
　用意した参考例の弾性波共振子１０１の設計パラメータは、第１の誘電体膜７Ａを有しない点以外においては、第１の弾性波共振子１Ａの設計パラメータと同様である。なお、弾性波共振子１０１のＩＤＴ電極の設計パラメータは、第１のＩＤＴ電極８Ａの設計パラメータと同様である。
　用意した各弾性波共振子の、比帯域及び静電容量を図４及び図５により示す。なお、図５においては、静電容量を、ＩＤＴ電極における１対の電極指が位置する部分当たりの静電容量として示す。
　図４は、第１の実施形態における第１の弾性波共振子の第１の誘電体膜の厚み、及び第２の弾性波共振子の第２の誘電体膜の厚みと、比帯域との関係、並びに参考例の弾性波共振子の比帯域を示す図である。図５は、第１の実施形態における第１の弾性波共振子の第１の誘電体膜の厚み、及び第２の弾性波共振子の第２の誘電体膜の厚みと、静電容量との関係、並びに参考例の弾性波共振子の静電容量を示す図である。図４及び図５における横軸は、第１の弾性波共振子１Ａの場合には第１の誘電体膜７Ａの厚みを指し、第２の弾性波共振子１Ｂの場合には第２の誘電体膜７Ｂの厚みを指す。
　図４に示すように、第１の誘電体膜７Ａの厚みが厚いほど、第１の弾性波共振子１Ａにおける比帯域の値が小さくなっている。同様に、第２の誘電体膜７Ｂの厚みが厚いほど、第２の弾性波共振子１Ｂにおける比帯域の値が小さくなっている。なお、参考例の弾性波共振子１０１においては、誘電体膜の厚みは０に相当する。そのため、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂにおける比帯域の値は、参考例の弾性波共振子１０１における比帯域の値よりも小さい。
　なお、第１の誘電体膜７Ａの厚みの変化に対する第１の弾性波共振子１Ａにおける比帯域の変化の傾向と、第２の誘電体膜７Ｂの厚みの変化に対する第２の弾性波共振子１Ｂにおける比帯域の変化の傾向とは互いに異なる。これにより、弾性波装置１０の各弾性波共振子においては、誘電体膜の厚みの調整だけではなく、各弾性波共振子において、第１の誘電体膜７Ａを用いるか、第２の誘電体膜７Ｂを用いるかを選択することによっても、比帯域を調整することができる。よって、弾性波装置１０においては、弾性波共振子毎に、比帯域を容易に調整することができる。
　例えば、第１の弾性波共振子１Ａにおける所望の比帯域付近において、第１の誘電体膜７Ａの厚みに対する比帯域の変化の傾きが小さくなるように、第１の誘電体膜７Ａを選択した場合、第１の弾性波共振子１Ａの比帯域を高精度で調整することができる。そして、第２の弾性波共振子１Ｂにおける所望の比帯域付近において、第２の誘電体膜７Ｂの厚みに対する比帯域の変化の傾きが小さくなるように、第２の誘電体膜７Ｂを選択した場合、第２の弾性波共振子１Ｂの比帯域を高精度で調整することができる。このように、弾性波装置１０の各弾性波共振子における比帯域を、容易に高精度で調整することができる。
　一方、図５に示すように、第１の誘電体膜７Ａの厚みを変化させても、第１の弾性波共振子１Ａの静電容量にはほぼ変化がないことがわかる。同様に、第２の誘電体膜７Ｂの厚みを変化させても、第２の弾性波共振子１Ｂの静電容量にはほぼ変化がないことがわかる。さらに、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂの静電容量は、参考例の弾性波共振子１０１における静電容量と同等である。すなわち、本実施形態においては、図２に示すように、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂが圧電体層６上に設けられていても、静電容量がほとんど小さくならない。
　例えば、誘電体膜が、従来のように、酸化シリコンや酸化アルミニウムなどからなる場合には、該誘電体膜の誘電率が小さい。そのため、圧電体層及び該誘電体膜の積層体の静電容量は小さくなる。よって、該誘電体膜を設ける構成においては、所望の静電容量を得るために、圧電体層及び該誘電体膜の積層体の面積を広くする必要が生じる。
　これに対して、本実施形態においては、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂが圧電体層６上に設けられていても、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂの静電容量はほとんど小さくならない。第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂの厚みを調整する際においても同様である。従って、弾性波装置１０の大型化を招かずして、弾性波装置１０の第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂにおける比帯域を容易に調整することができる。
　以下において、本実施形態の構成をより詳細に説明する。
　図６は、第１の実施形態における第１の弾性波共振子の模式的平面図である。図６においては、第１の弾性波共振子１Ａに接続されている配線は省略している。
　第１のＩＤＴ電極８Ａは、第１のバスバー１６Ａ及び第２のバスバー１７Ａと、上記複数の電極指とを有する。第１のバスバー１６Ａ及び第２のバスバー１７Ａは互いに対向している。複数の電極指は、具体的には、複数の第１の電極指１８Ａ及び複数の第２の電極指１９Ａである。第１のバスバー１６Ａに、複数の第１の電極指１８Ａの一端がそれぞれ接続されている。第２のバスバー１７Ａに、複数の第２の電極指１９Ａの一端がそれぞれ接続されている。複数の第１の電極指１８Ａ及び複数の第２の電極指１９Ａは互いに間挿し合っている。第１の電極指１８Ａ及び第２の電極指１９Ａは、互いに異なる電位に接続される。本実施形態においては、複数の第１の電極指１８Ａ及び複数の第２の電極指１９Ａが伸びる方向を電極指延伸方向としたときに、電極指延伸方向及び弾性波伝搬方向は直交する。
　第１の弾性波共振子１Ａは、１対の反射器９Ａ及び反射器９Ｂを有する。反射器９Ａ及び反射器９Ｂは、圧電体層６の第１の主面６ａに設けられている。より具体的には、本実施形態では、各反射器は第１の主面６ａに、第１の誘電体膜７Ａを介して間接的に設けられている。反射器９Ａ及び反射器９Ｂは、弾性波伝搬方向において、第１のＩＤＴ電極８Ａを挟み互いに対向している。第１の弾性波共振子１Ａは弾性表面波共振子である。
　同様に、図２に示す第２の弾性波共振子１Ｂも弾性表面波共振子である。第２のＩＤＴ電極８Ｂは、１対のバスバーと、複数の第１の電極指１８Ｂ及び複数の第２の電極指１９Ｂとを有する。第２の弾性波共振子１Ｂは１対の反射器を有する。なお、弾性波装置１０における、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂ以外の弾性波共振子も同様に、ＩＤＴ電極及び１対のバスバーを有する。
　第１のＩＤＴ電極８Ａ及び第２のＩＤＴ電極８Ｂの各電極指は、厚み方向において互いに対向している２つの面と、側面とを有する。側面は、上記２つの面に接続されている。本実施形態においては、各電極指の側面は、圧電体層６の第１の主面６ａの法線方向に対して傾斜して延びている。もっとも、各電極指の側面は、第１の主面６ａの法線方向と平行に延びていてもよい。
　以下において、本実施形態における回路構成を説明する。図１に示すように、弾性波装置１０の複数の直列腕共振子は、直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３、直列腕共振子Ｓ４及び直列腕共振子Ｓ５である。第１の信号端子１３Ａ及び第２の信号端子１３Ｂの間において、直列腕共振子Ｓ１、直列腕共振子Ｓ２、直列腕共振子Ｓ３、直列腕共振子Ｓ４及び直列腕共振子Ｓ５がこの順序で、互いに直列に接続されている。
　本実施形態では、第２の信号端子１３Ｂはアンテナ端子である。アンテナ端子はアンテナに接続される。もっとも、第２の信号端子１３Ｂはアンテナ端子ではなくともよい。
　弾性波装置１０の複数の並列腕共振子は、並列腕共振子Ｐ１、並列腕共振子Ｐ２、並列腕共振子Ｐ３及び並列腕共振子Ｐ４である。直列腕共振子Ｓ１及び直列腕共振子Ｓ２の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ１が接続されている。直列腕共振子Ｓ２及び直列腕共振子Ｓ３の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ２が接続されている。直列腕共振子Ｓ３及び直列腕共振子Ｓ４の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ３が接続されている。直列腕共振子Ｓ４及び直列腕共振子Ｓ５の間の接続点とグラウンド電位との間に、並列腕共振子Ｐ４が接続されている。
　弾性波装置１０の複数のインダクタは、インダクタＬ１、インダクタＬ２、インダクタＬ３及びインダクタＬ４である。インダクタＬ１は、第１の信号端子１３Ａ及び直列腕共振子Ｓ１の間に接続されている。インダクタＬ２は、直列腕共振子Ｓ５及び第２の信号端子１３Ｂの間に接続されている。インダクタＬ３は、並列腕共振子Ｐ２及びグラウンド電位の間に接続されている。インダクタＬ４は、並列腕共振子Ｐ４及びグラウンド電位の間に接続されている。
　なお、弾性波装置１０の回路構成は上記に限定されない。弾性波装置１０は、複数のインダクタを必ずしも有していなくともよい。本発明に係る弾性波装置がラダー型フィルタである場合には、弾性波装置は、少なくとも１つの直列腕共振子及び少なくとも１つの並列腕共振子を有していればよい。
　本実施形態においては、第１の弾性波共振子１Ａは並列腕共振子Ｐ１である。第２の弾性波共振子１Ｂは並列腕共振子Ｐ２である。もっとも、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂの配置は上記に限定されない。第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂは、弾性波装置１０におけるいずれかの弾性波共振子であればよい。
　弾性波装置１０は、１つの第１の弾性波共振子１Ａ及び１つの第２の弾性波共振子１Ｂを有する。なお、弾性波装置１０が複数の第１の弾性波共振子１Ａを有していてもよい。同様に、弾性波装置１０が複数の第２の弾性波共振子１Ｂを有していてもよい。
　上述したように、弾性波装置１０の通過帯域は２４９６ＭＨｚ～２６９０ＭＨｚである。このように、弾性波装置１０は広帯域のフィルタである。さらに、弾性波装置の通過帯域の低域側は、ＷｉＦｉ帯と近接している。このような場合には、通過帯域の低域側において、急峻性が高いことが好ましい。本明細書において急峻性が高いとは、通過帯域の端部の周波数付近において、ある一定の減衰量の変化量に対して、周波数の変化量が小さいことをいう。通過帯域の低域側の急峻性に対しては、並列腕共振子の比帯域の影響が大きい。具体的には、並列腕共振子の比帯域の値を小さくすることにより、通過帯域の低域側の急峻性を高くすることができる。
　このような場合には、本実施形態のように、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂが並列腕共振子であることが好ましい。これにより、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂである並列腕共振子の比帯域の値を、容易に小さくすることができる。よって、通過帯域の低域側における急峻性を容易に高くすることができる。第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂのうち一方が弾性波装置１０の複数の並列腕共振子のうち、最も共振周波数が高い並列腕共振子であることがより好ましい。これにより、通過帯域の低域側における急峻性を容易に、効果的に高くすることができる。それによって、弾性波装置１０において、通過帯域外であるＷｉＦｉ帯などの信号を、より確実に通過させ難くすることができる。
　加えて、本実施形態においては、弾性波装置１０の複数の弾性波共振子のうち、比帯域の値を小さくする弾性波共振子において、第１の誘電体膜７Ａまたは第２の誘電体膜７Ｂを用いている。すなわち、弾性波装置１０は、第１の弾性波共振子１Ａと、第２の弾性波共振子１Ｂと、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂ以外の弾性波共振子とを有する。例えば、弾性波装置１０は、参考例の弾性波共振子１０１を含んでいてもよい。弾性波装置１０は、比帯域の値が小さい第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂと、比帯域の値が大きい複数の弾性波共振子とを含む。それによって、通過帯域を広くすることと、急峻性を高くすることとを両立することができる。
　ところで、例えば、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂの双方がニオブ酸リチウム膜である場合において、双方の誘電体膜の結晶構造が互いに異なる場合、双方の誘電体膜は、以下の例のいずれかであってもよい。すなわち、双方の誘電体膜は、例えば、イルメナイト型のニオブ酸リチウム、ＬｉＮｂ３Ｏ８、Ｌｉ３ＮｂＯ４またはＬｉＮｂＯ２のうちいずれかであってもよい。
　第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂがそれぞれ、オイラー角（φ，θ，ψ）を有する結晶構造である場合であり、双方の誘電体膜の分極方向が互いに異なる場合には、例えば、双方の誘電体膜のオイラー角におけるθが互いに異なっていればよい。
　なお、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂのそれぞれにおいては、構造は必ずしも均一ではなくともよい。第１の誘電体膜７Ａまたは第２の誘電体膜７Ｂは、例えば、厚み方向において、結晶構造、物性値または分極方向が変化している膜であってもよい。第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂのうち一方が、上記のような不均一な構造であり、他方が均一な構造である場合、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂにおいて、圧電性、分極方向及び結晶構造のうち少なくともいずれかが互いに異なる。あるいは、例えば、双方の誘電体膜が不均一な構造である場合、一方の誘電体膜が含む結晶構造が、他方の誘電体膜が含まない結晶構造である場合には、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂにおいて、結晶構造が互いに異なる。
　第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂのうち少なくとも一方がＬｉ及びＮｂを含む構成であり、圧電体層６がＬｉ及びＮｂを含む構成であることが好ましい。第１の誘電体膜７ＡがＬｉ及びＮｂを含む構成である場合には、第１の誘電体膜７Ａを、圧電体層６上に成膜により形成する場合、第１の誘電体膜７Ａの結晶性を容易に高めることができる。第２の誘電体膜７ＢがＬｉ及びＮｂを含む構成である場合も同様である。
　あるいは、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂのうち少なくとも一方がＬｉ及びＴａを含む構成であり、圧電体層６がＬｉ及びＴａを含む構成であることが好ましい。この場合においても、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂのうち、Ｌｉ及びＴａを含む誘電体膜の結晶性を容易に高めることができる。
　なお、第１の誘電体膜７ＡがＬｉ及びＴａを含む構成である場合、例えば、ｘを任意の正の数としたときに、ＬｉＴａＯｘであってもよい。第２の誘電体膜７ＢがＬｉ及びＴａを含む構成である場合、例えば、ｙを任意の正の数としたときに、ＬｉＴａＯｙであってもよい。もっとも、上述したように、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂは酸化物膜に限定されない。
　第１の誘電体膜７Ａの厚み及び第２の誘電体膜７Ｂの厚みは、本実施形態のように、互いに異なることが好ましい。この場合には、第１の弾性波共振子１Ａ及び第２の弾性波共振子１Ｂにおいてそれぞれ、比帯域を所望の値に、より確実に調整することができる。
　図２に示す本実施形態の圧電性基板２においては、高音速膜４、低音速膜５及び圧電体層６がこの順序で積層されている。それによって、弾性波のエネルギーを、圧電体層６側に効果的に閉じ込めることができる。なお、上記においては、高音速膜４及び低音速膜５の材料の一例として、窒化ケイ素及び酸化シリコンを示したが、高音速膜４及び低音速膜５には他の材料を用いることもできる。これらの材料の例を以下において示す。支持基板３の材料の例も併せて示す。
　低音速膜５の材料としては、例えば、ガラス、酸化シリコン、酸窒化ケイ素、酸化リチウム、酸化タンタル、もしくは酸化シリコンにフッ素、炭素やホウ素を加えた化合物などの誘電体、または上記材料を主成分とする材料を用いることができる。なお、本明細書において主成分とは、占める割合が５０ｗｔ％を超える成分をいう。上記主成分の材料は、単結晶、多結晶、及びアモルファスのうちいずれかの状態、もしくは、これらが混在した状態で存在していてもよい。
　高音速材料層である高音速膜４の材料としては、例えば、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、サファイア、マグネシア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、スピネル、サイアロンなどのセラミック、酸化アルミニウム、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ダイヤモンドなどの誘電体、もしくはシリコンなどの半導体、または上記材料を主成分とする材料を用いることもできる。なお、上記スピネルには、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｍｎなどから選ばれる１以上の元素と酸素とを含有するアルミニウム化合物が含まれる。上記スピネルの例としては、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＦｅＡｌ２Ｏ４、ＺｎＡｌ２Ｏ４、ＭｎＡｌ２Ｏ４を挙げることができる。
　支持基板３の材料としては、例えば、窒化アルミニウム、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、水晶などの圧電体、アルミナ、サファイア、マグネシア、窒化ケイ素、炭化ケイ素、ジルコニア、コージライト、ムライト、ステアタイト、フォルステライト、スピネル、サイアロンなどのセラミック、酸化アルミニウム、酸窒化ケイ素、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）、ダイヤモンドなどの誘電体、もしくはシリコンなどの半導体、または上記材料を主成分とする材料を用いることもできる。なお、上記スピネルには、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｍｎなどから選ばれる１以上の元素と酸素とを含有するアルミニウム化合物が含まれる。上記スピネルの例としては、ＭｇＡｌ２Ｏ４、ＦｅＡｌ２Ｏ４、ＺｎＡｌ２Ｏ４、ＭｎＡｌ２Ｏ４を挙げることができる。
　なお、圧電性基板の積層構造は上記に限定されない。例えば、圧電性基板は、支持基板、高音速材料層としての高音速膜、及び圧電体層の積層基板であってもよい。あるいは、高音速材料層は高音速支持基板であってもよい。この場合、圧電性基板は、高音速支持基板、低音速膜及び圧電体層の積層基板であってもよく、高音速支持基板及び圧電体層の積層基板であってもよい。これらの場合においても、弾性波のエネルギーを、圧電体層側に効果的に閉じ込めることができる。
　図７は、第２の実施形態における、第１の弾性波共振子及び第２の弾性波共振子のそれぞれの一部を示す、模式的正面断面図である。
　本実施形態は、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂの位置において、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１０と同様の構成を有する。
　第１の誘電体膜７Ａは、圧電体層６の第２の主面６ｂに設けられている。第１のＩＤＴ電極８Ａは、圧電体層６の第１の主面６ａに直接的に設けられている。第１のＩＤＴ電極８Ａ及び第１の誘電体膜７Ａは、圧電体層６を挟み互いに対向している。
　同様に、第２の誘電体膜７Ｂは、圧電体層６の第２の主面６ｂに設けられている。第２のＩＤＴ電極８Ｂは、圧電体層６の第１の主面６ａに直接的に設けられている。第２のＩＤＴ電極８Ｂ及び第２の誘電体膜７Ｂは、圧電体層６を挟み互いに対向している。
　本実施形態のように、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂの双方が、圧電体層６の第２の主面６ｂに設けられており、第１のＩＤＴ電極８Ａ及び第２のＩＤＴ電極８Ｂの双方が、圧電体層６の第１の主面６ａに直接的に設けられていることが好ましい。この場合には、第１のＩＤＴ電極８Ａ及び第２のＩＤＴ電極８Ｂの結晶性を揃えることができる。よって、第１の弾性波共振子２１Ａ及び第２の弾性波共振子２１Ｂの耐電力性の差を小さくすることができる。
　図７に示すように、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂの厚みは互いに異なる。一方で、第１の誘電体膜７Ａ及び低音速膜２５が積層されている部分の厚みと、第２の誘電体膜７Ｂ及び低音速膜２５が積層されている部分の厚みとは同じである。これは、双方の部分同士の厚みが同じになるように、低音速膜２５における第１の誘電体膜７Ａと積層されている部分の厚み、及び第２の誘電体膜７Ｂと積層されている部分の厚みが互いに異ならされていることによる。
　上記双方の部分同士の厚みが同じであることによって、弾性波装置の生産性を高めることができる。より詳細には、弾性波装置の製造に際しては、例えば、積層ウエハ上に複数のＩＤＴ電極などを形成した後に、個片化する。これにより、複数の弾性波装置を得る。積層ウエハが個片化されることにより、複数の圧電性基板となる。そして、上記双方の厚みが同じである場合、積層ウエハの厚みを一定とし易い。よって、積層ウエハを形成し易く、弾性波装置の生産性を高めることができる。
　本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂがそれぞれ、Ｌｉ及びＴａを含む構成、及びＬｉ及びＮｂを含む構成のうち一方の構成を有する。そして、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂにおいて、圧電性、分極方向及び結晶構造のうち少なくともいずれかが互いに異なる。それによって、弾性波装置の大型化を招かずして、弾性波装置の各弾性波共振子における比帯域を容易に調整することができる。
　なお、例えば、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂの間において、圧電性、分極方向及び結晶構造が同じであり、かつ厚みが異なる構成であってもよい。この場合においても、弾性波装置の大型化を招かずして、弾性波装置の各弾性波共振子における比帯域を容易に調整することができる。もっとも、第１の実施形態及び第２の実施形態のように、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂにおいて、圧電性、分極方向及び結晶構造のうち少なくともいずれかが互いに異なることが好ましい。それによって、各弾性波共振子における比帯域をより一層容易に調整することができる。
　図８（ａ）は、第３の実施形態における第１の弾性波共振子の模式的正面断面図である。図８（ｂ）は、第３の実施形態における第２の弾性波共振子の模式的正面断面図である。
　図８（ａ）に示すように、本実施形態は、第１の誘電体膜７Ａが、圧電体層６の第１の主面６ａ及び第２の主面６ｂの双方に設けられている点において、第１の実施形態と異なる。図８（ｂ）に示すように、本実施形態は、第２の誘電体膜７Ｂが、圧電体層６の第１の主面６ａ及び第２の主面６ｂの双方に設けられている点においても、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１０と同様の構成を有する。
　本実施形態の弾性波装置も、第１の実施形態の弾性波装置１０と同様に、上記の１）及び２）の構成を有する。すなわち、本実施形態の弾性波装置は、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂがそれぞれ、Ｌｉ及びＴａを含む構成、及びＬｉ及びＮｂを含む構成のうち一方の構成を有する。そして、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂにおいて、圧電性、分極方向及び結晶構造のうち少なくともいずれかが互いに異なる。それによって、弾性波装置の大型化を招かずして、弾性波装置の各弾性波共振子における比帯域を容易に調整することができる。
　第１～第３の実施形態のように、本発明においては、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂは、圧電体層６の第１の主面６ａ及び第２の主面６ｂのうち少なくとも一方に設けられていればよい。
　図９（ａ）は、第４の実施形態における第１の弾性波共振子の模式的正面断面図である。図９（ｂ）は、第４の実施形態における第２の弾性波共振子の模式的正面断面図である。
　図９（ａ）及び図９（ｂ）に示すように、本実施形態は、圧電体層６の第１の主面６ａ上における、第１の誘電体膜７Ａ及び第２の誘電体膜７Ｂの配置において、第１の実施形態と異なる。本実施形態は、第１のＩＤＴ電極３８Ａの複数の第１の電極指４８Ａ及び複数の第２の電極指４９Ａの形状、及び第２のＩＤＴ電極３８Ｂの複数の第１の電極指４８Ｂ及び複数の第２の電極指４９Ｂの形状においても、第１の実施形態と異なる。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第１の実施形態の弾性波装置１０と同様の構成を有する。
　図９（ａ）に示すように、第１のＩＤＴ電極３８Ａの各電極指の側面は、圧電体層６の第１の主面６ａの法線方向と平行に延びている。同様に、図９（ｂ）に示すように、第２のＩＤＴ電極３８Ｂの各電極指の側面は、圧電体層６の第１の主面６ａの法線方向と平行に延びている。
　図９（ａ）に示すように、第１の誘電体膜７Ａの弾性波伝搬方向における端縁部と、第１のＩＤＴ電極３８Ａの弾性波伝搬方向における端縁部とが、平面視において重なっている。より具体的には、第１の誘電体膜７Ａの弾性波伝搬方向における端縁部と、第１のＩＤＴ電極３８Ａの弾性波伝搬方向における最も外側に位置している電極指の端縁部とが、平面視において重なっている。なお、本明細書において平面視とは、図９（ａ）などの模式的断面図における上方に相当する方向から、弾性波装置を見ることをいう。例えば、図９（ａ）においては、圧電体層６側及び第1のＩＤＴ電極３８Ａ側のうち、第1のＩＤＴ電極３８Ａ側が上方である。
　図９（ｂ）に示すように、第２の誘電体膜７Ｂの弾性波伝搬方向における端縁部と、第２のＩＤＴ電極３８Ｂの弾性波伝搬方向における端縁部とが、平面視において重なっている。より具体的には、第２の誘電体膜７Ｂの弾性波伝搬方向における端縁部と、第２のＩＤＴ電極３８Ｂの弾性波伝搬方向における最も外側に位置している電極指の端縁部とが、平面視において重なっている。
　本実施形態の弾性波装置も、第１の実施形態の弾性波装置１０と同様に、上記の１）及び２）の構成を有する。それによって、弾性波装置の大型化を招かずして、弾性波装置の各弾性波共振子における比帯域を容易に調整することができる。
　図１０（ａ）は、第５の実施形態における第１の弾性波共振子の模式的正面断面図である。図１０（ｂ）は、第５の実施形態における第２の弾性波共振子の模式的正面断面図である。
　図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すように、本実施形態は、第１の弾性波共振子及び第２の弾性波共振子が、それぞれ個別の圧電性基板２を有する点において、第４の実施形態と異なる。なお、第１の弾性波共振子における圧電体層６は、側面６ｃを有する。側面６ｃは、第１の主面６ａ及び第２の主面６ｂに接続されている。同様に、第２の弾性波共振子における圧電体層６も側面６ｃを有する。上記の点以外においては、本実施形態の弾性波装置は第４の実施形態の弾性波装置と同様の構成を有する。
　図１０（ａ）に示すように、第１の誘電体膜７Ａの弾性波伝搬方向における端縁部と、第１のＩＤＴ電極３８Ａの弾性波伝搬方向における端縁部と、圧電体層６の弾性波伝搬方向における端縁部とが、平面視において重なっている。より具体的には、第１の誘電体膜７Ａの弾性波伝搬方向における端縁部と、第１のＩＤＴ電極３８Ａの弾性波伝搬方向における最も外側に位置している電極指の端縁部と、圧電体層６の側面６ｃとが、平面視において重なっている。
　図１０（ｂ）に示すように、第２の誘電体膜７Ｂの弾性波伝搬方向における端縁部と、第２のＩＤＴ電極３８Ｂの弾性波伝搬方向における端縁部と、圧電体層６の弾性波伝搬方向における端縁部とが、平面視において重なっている。より具体的には、第２の誘電体膜７Ｂの弾性波伝搬方向における端縁部と、第２のＩＤＴ電極３８Ｂの弾性波伝搬方向における最も外側に位置している電極指の端縁部と、圧電体層６の側面６ｃとが、平面視において重なっている。
　本実施形態の弾性波装置も、第４の実施形態の弾性波装置と同様に、上記の１）及び２）の構成を有する。それによって、弾性波装置の大型化を招かずして、弾性波装置の各弾性波共振子における比帯域を容易に調整することができる。
　第１～第５の実施形態においては、弾性波装置が１つのフィルタである例を示した。もっとも、本発明に係る弾性波装置は、複数のフィルタを備えるマルチプレクサであってもよい。第１の弾性波共振子及び第２の弾性波共振子が、互いに異なるフィルタに含まれていてもよい。この例を第６の実施形態により示す。
　図１１は、第６の実施形態に係る弾性波装置の模式図である。
　弾性波装置５０はマルチプレクサである。弾性波装置５０は、共通接続端子５２と、第１のフィルタ５０Ａ、第２のフィルタ５０Ｂ及び第３のフィルタ５０Ｃ、並びに他の複数のフィルタとを有する。第１のフィルタ５０Ａ、第２のフィルタ５０Ｂ及び第３のフィルタ５０Ｃ、並びに他の複数のフィルタは、共通接続端子５２に共通接続されている。本実施形態では、共通接続端子５２はアンテナ端子である。もっとも、共通接続端子５２はアンテナ端子ではなくともよい。
　第１のフィルタ５０Ａ、第２のフィルタ５０Ｂ及び第３のフィルタ５０Ｃはそれぞれ、複数の弾性波共振子を有する。第１のフィルタ５０Ａ、第２のフィルタ５０Ｂ及び第３のフィルタ５０Ｃはそれぞれ、互いに異なる通過帯域を有する。なお、マルチプレクサである弾性波装置５０は、２つ以上のフィルタを有していればよい。弾性波装置５０の各フィルタにおける回路構成は特に限定されない。
　第１のフィルタ５０Ａは、本発明における複数の第１の弾性波共振子を含む。なお、第１のフィルタ５０Ａは、少なくとも１つの第１の弾性波共振子を有していればよい。一方で、第２のフィルタ５０Ｂは、本発明における複数の第２の弾性波共振子を含む。なお、第２のフィルタ５０Ｂは、少なくとも１つの第２の弾性波共振子を有していればよい。
　本実施形態においても、第１の実施形態と同様に、第１の誘電体膜及び第２の誘電体膜がそれぞれ、Ｌｉ及びＴａを含む構成、及びＬｉ及びＮｂを含む構成のうち一方の構成を有する。そして、第１の誘電体膜及び第２の誘電体膜において、圧電性、分極方向及び結晶構造のうち少なくともいずれかが互いに異なる。それによって、弾性波装置５０の大型化を招かずして、弾性波装置５０の各弾性波共振子における比帯域を容易に調整することができる。
　弾性波装置５０においては、第１のフィルタ５０Ａの通過帯域の幅と、第２のフィルタ５０Ｂの通過帯域の幅とが互いに異なる。そして、本実施形態においては、第１のフィルタ５０Ａにおける第１の弾性波共振子に用いる第１の誘電体膜と、第２のフィルタ５０Ｂにおける第２の弾性波共振子に用いる第２の誘電体膜とを適宜選択することができる。従って、第１のフィルタ５０Ａ及び第２のフィルタ５０Ｂにおいて、所望の通過帯域の幅に容易に調整することができる。
　第１のフィルタ５０Ａに含まれている第１の弾性波共振子における第１の誘電体膜の厚みと、第２のフィルタ５０Ｂに含まれている第２の弾性波共振子における第２の誘電体膜の厚みとが互いに異なることが好ましい。この場合には、第１の弾性波共振子及び第２の弾性波共振子においてそれぞれ、比帯域を所望の値に、より確実に調整することができる。よって、第１のフィルタ５０Ａ及び第２のフィルタ５０Ｂにおいて、所望の通過帯域の幅に、より確実に、容易に調整することができる。
　以下において、本発明に係る弾性波装置の形態の例をまとめて記載する。
　＜１＞互いに対向している第１の主面及び第２の主面を有する圧電体層を含む、圧電性基板と、前記圧電体層の前記第１の主面に直接的または間接的に設けられている第１のＩＤＴ電極及び第２のＩＤＴ電極と、前記圧電体層の前記第１の主面及び前記第２の主面のうち少なくとも一方に設けられている第１の誘電体膜及び第２の誘電体膜と、を備え、前記圧電性基板における前記第１のＩＤＴ電極が設けられている部分と、前記第１のＩＤＴ電極と、前記第１の誘電体膜とにより、第１の弾性波共振子が構成されており、前記圧電性基板における前記第２のＩＤＴ電極が設けられている部分と、前記第２のＩＤＴ電極と、前記第２の誘電体膜とにより、第２の弾性波共振子が構成されており、前記第１の誘電体膜及び前記第２の誘電体膜がそれぞれ、Ｌｉ及びＴａを含む構成、及びＬｉ及びＮｂを含む構成のうち一方の構成を有し、前記第１の誘電体膜及び前記第２の誘電体膜において、圧電性、分極方向及び結晶構造のうち少なくともいずれかが互いに異なる、弾性波装置。
　＜２＞前記第１の誘電体膜が、ｘを任意の正の数としたときに、ＬｉＴａＯｘ膜またはＬｉＮｂＯｘ膜である、＜１＞に記載の弾性波装置。
　＜３＞前記第２の誘電体膜が、ｙを任意の正の数としたときに、ＬｉＴａＯｙ膜またはＬｉＮｂＯｙ膜である、＜１＞または＜２＞に記載の弾性波装置。
　＜４＞前記第１の誘電体膜及び前記第２の誘電体膜のうち少なくとも一方がＬｉ及びＮｂを含む構成であり、前記圧電体層がＬｉ及びＮｂを含む構成である、＜１＞に記載の弾性波装置。
　＜５＞前記第１の誘電体膜及び前記第２の誘電体膜のうち少なくとも一方がＬｉ及びＴａを含む構成であり、前記圧電体層がＬｉ及びＴａを含む構成である、＜１＞に記載の弾性波装置。
　＜６＞前記第１の誘電体膜が、前記圧電体層の前記第１の主面に設けられており、前記第１のＩＤＴ電極が、前記第１の誘電体膜を介して間接的に前記第１の主面に設けられている、＜１＞～＜５＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。
　＜７＞前記第２の誘電体膜が、前記圧電体層の前記第１の主面に設けられており、前記第２のＩＤＴ電極が、前記第２の誘電体膜を介して間接的に前記第１の主面に設けられている、＜６＞に記載の弾性波装置。
　＜８＞前記第１の誘電体膜が、前記圧電体層の前記第２の主面に設けられており、前記第１のＩＤＴ電極及び前記第１の誘電体膜が前記圧電体層を挟み互いに対向している、＜１＞～＜５＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。
　＜９＞前記第２の誘電体膜が、前記圧電体層の前記第２の主面に設けられており、前記第２のＩＤＴ電極及び前記第２の誘電体膜が前記圧電体層を挟み互いに対向している、＜８＞に記載の弾性波装置。
　＜１０＞前記圧電性基板が支持基板を含み、前記支持基板及び前記圧電体層の間に前記第１の誘電体膜が設けられている、＜８＞または＜９＞に記載の弾性波装置。
　＜１１＞前記第１の誘電体膜及び前記第２の誘電体膜の厚みが互いに異なる、＜１＞～＜１０＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。
　＜１２＞複数の弾性波共振子を備える１つのフィルタあって、前記複数の弾性波共振子が、前記第１の弾性波共振子及び前記第２の弾性波共振子を含む、＜１＞～＜１１＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。
　＜１３＞複数のフィルタを備えるマルチプレクサであって、前記第１の弾性波共振子及び前記第２の弾性波共振子が、互いに異なる前記フィルタに含まれる、＜１＞～＜１１＞のいずれか１つに記載の弾性波装置。
１Ａ，１Ｂ…第１，第２の弾性波共振子
２…圧電性基板
３…支持基板
４…高音速膜
５…低音速膜
６…圧電体層
６ａ，６ｂ…第１，第２の主面
６ｃ…側面
７Ａ，７Ｂ…第１，第２の誘電体膜
８Ａ，８Ｂ…第１，第２のＩＤＴ電極
９Ａ，９Ｂ…反射器
１０…弾性波装置
１３Ａ，１３Ｂ…第１，第２の信号端子
１６Ａ，１７Ａ…第１，第２のバスバー
１８Ａ，１８Ｂ…第１の電極指
１９Ａ，１９Ｂ…第２の電極指
２１Ａ，２１Ｂ…第１，第２の弾性波共振子
２５…低音速膜
３８Ａ，３８Ｂ…第１，第２のＩＤＴ電極
４８Ａ，４８Ｂ…第１の電極指
４９Ａ，４９Ｂ…第２の電極指
５０…弾性波装置
５０Ａ～５０Ｃ…第１～第３のフィルタ
５２…共通接続端子
１０１…弾性波共振子
Ｌ１～Ｌ４…インダクタ
Ｐ１～Ｐ４…並列腕共振子
Ｓ１～Ｓ５…直列腕共振子

Claims (13)

  1. 　互いに対向している第１の主面及び第２の主面を有する圧電体層を含む、圧電性基板と、
    　前記圧電体層の前記第１の主面に直接的または間接的に設けられている第１のＩＤＴ電極及び第２のＩＤＴ電極と、
    　前記圧電体層の前記第１の主面及び前記第２の主面のうち少なくとも一方に設けられている第１の誘電体膜及び第２の誘電体膜と、
    を備え、
    　前記圧電性基板における前記第１のＩＤＴ電極が設けられている部分と、前記第１のＩＤＴ電極と、前記第１の誘電体膜とにより、第１の弾性波共振子が構成されており、
    　前記圧電性基板における前記第２のＩＤＴ電極が設けられている部分と、前記第２のＩＤＴ電極と、前記第２の誘電体膜とにより、第２の弾性波共振子が構成されており、
    　前記第１の誘電体膜及び前記第２の誘電体膜がそれぞれ、Ｌｉ及びＴａを含む構成、及びＬｉ及びＮｂを含む構成のうち一方の構成を有し、
    　前記第１の誘電体膜及び前記第２の誘電体膜において、圧電性、分極方向及び結晶構造のうち少なくともいずれかが互いに異なる、弾性波装置。
  2. 　前記第１の誘電体膜が、ｘを任意の正の数としたときに、ＬｉＴａＯｘ膜またはＬｉＮｂＯｘ膜である、請求項１に記載の弾性波装置。
  3. 　前記第２の誘電体膜が、ｙを任意の正の数としたときに、ＬｉＴａＯｙ膜またはＬｉＮｂＯｙ膜である、請求項１または２に記載の弾性波装置。
  4. 　前記第１の誘電体膜及び前記第２の誘電体膜のうち少なくとも一方がＬｉ及びＮｂを含む構成であり、前記圧電体層がＬｉ及びＮｂを含む構成である、請求項１に記載の弾性波装置。
  5. 　前記第１の誘電体膜及び前記第２の誘電体膜のうち少なくとも一方がＬｉ及びＴａを含む構成であり、前記圧電体層がＬｉ及びＴａを含む構成である、請求項１に記載の弾性波装置。
  6. 　前記第１の誘電体膜が、前記圧電体層の前記第１の主面に設けられており、前記第１のＩＤＴ電極が、前記第１の誘電体膜を介して間接的に前記第１の主面に設けられている、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  7. 　前記第２の誘電体膜が、前記圧電体層の前記第１の主面に設けられており、前記第２のＩＤＴ電極が、前記第２の誘電体膜を介して間接的に前記第１の主面に設けられている、請求項６に記載の弾性波装置。
  8. 　前記第１の誘電体膜が、前記圧電体層の前記第２の主面に設けられており、前記第１のＩＤＴ電極及び前記第１の誘電体膜が前記圧電体層を挟み互いに対向している、請求項１～５のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  9. 　前記第２の誘電体膜が、前記圧電体層の前記第２の主面に設けられており、前記第２のＩＤＴ電極及び前記第２の誘電体膜が前記圧電体層を挟み互いに対向している、請求項８に記載の弾性波装置。
  10. 　前記圧電性基板が支持基板を含み、
    　前記支持基板及び前記圧電体層の間に前記第１の誘電体膜が設けられている、請求項８または９に記載の弾性波装置。
  11. 　前記第１の誘電体膜及び前記第２の誘電体膜の厚みが互いに異なる、請求項１～１０のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  12. 　複数の弾性波共振子を備える１つのフィルタあって、
    　前記複数の弾性波共振子が、前記第１の弾性波共振子及び前記第２の弾性波共振子を含む、請求項１～１１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
  13. 　複数のフィルタを備えるマルチプレクサであって、
    　前記第１の弾性波共振子及び前記第２の弾性波共振子が、互いに異なる前記フィルタに含まれる、請求項１～１１のいずれか１項に記載の弾性波装置。
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