WO2022102288A1 - 高周波モジュール及び通信装置 - Google Patents

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WO2022102288A1
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high frequency
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frequency module
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孝紀 上嶋
宏通 北嶋
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株式会社村田製作所
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Definitions

  • the present invention relates to a high frequency module and a communication device.
  • Patent Document 1 discloses a wiring board, a plurality of components mounted on the wiring board, a sealing resin layer on which the plurality of components are mounted, and a high-frequency module including a shield wall.
  • the shield wall is arranged between two adjacent parts of the plurality of parts. This configuration prevents noise from interfering with each other.
  • the above-mentioned conventional high-frequency module may not be able to sufficiently suppress noise interference.
  • an object of the present invention is to provide a high frequency module and a communication device capable of enhancing the effect of suppressing noise interference.
  • the high-frequency module includes a module substrate having a first main surface and a second main surface opposite to the first main surface, and first and second components arranged on the first main surface. And, the third component arranged on the second main surface, the resin member covering the side surfaces of the first main surface, the first component and the second component, and the ground potential covering the upper surface of the resin member are set.
  • the first metal wall is arranged between the first component and the second component in the plan view of the first main surface, and the upper end of the first metal wall is in contact with the metal layer and the first via is provided.
  • the conductor electrically connects the first metal wall and the first metal member, and at least a part thereof overlaps each of the first metal wall and the first metal member in a plan view.
  • the communication device is a high frequency module according to the above aspect, which transmits a high frequency signal between an RF signal processing circuit that processes high frequency signals transmitted and received by an antenna and an antenna and an RF signal processing circuit. And.
  • the effect of suppressing noise interference can be enhanced.
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a high frequency module and a communication device according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view of the high frequency module according to the embodiment.
  • FIG. 3 is a plan view of the high frequency module according to the embodiment.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the high frequency module according to the embodiment.
  • FIG. 5 is a plan view of the high frequency module according to the first modification.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the high frequency module according to the first modification.
  • FIG. 7 is a partially enlarged cross-sectional view of the high frequency module according to the modified example 2.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of the high frequency module according to the modified example 3.
  • each figure is a schematic diagram and is not necessarily exactly illustrated. Therefore, for example, the scales and the like do not always match in each figure. Further, in each figure, substantially the same configuration is designated by the same reference numeral, and duplicate description will be omitted or simplified.
  • the terms “upper” and “lower” do not refer to the upward direction (vertically upward) and the downward direction (vertically downward) in absolute spatial recognition, but are based on the stacking order in the laminated configuration. It is used as a term defined by the relative positional relationship. For this reason, for example, the “top surface” or “top surface” of a part or member can be a surface in various directions in an actual usage mode. The “top surface” of the part or member means the uppermost surface of the part or member.
  • the x-axis, y-axis, and z-axis indicate the three axes of the three-dimensional Cartesian coordinate system.
  • Each of the x-axis and the y-axis is a direction parallel to the first side of the rectangle and the second side orthogonal to the first side when the plan view shape of the module substrate is rectangular.
  • the z-axis is the thickness direction of the module substrate.
  • the "thickness direction" of the module substrate means the direction perpendicular to the main surface of the module substrate.
  • connection includes not only the case of being directly connected by a connection terminal and / or a wiring conductor, but also the case of being electrically connected via another circuit element.
  • connected between A and B means that both A and B are connected between A and B.
  • planar view of the module board is synonymous with “planar view of the main surface of the module board", and the object is directly projected onto the xy plane from the positive side of the z-axis. Means that.
  • plane view means “planar view of the main surface of the module substrate”.
  • the side where the first component is provided is referred to as “upper (or upper)” and the opposite direction is referred to as “lower (or lower)” with respect to the module board.
  • ordinal numbers such as “first” and “second” do not mean the number or order of components unless otherwise specified, and avoid confusion of the same kind of components and distinguish them. It is used for the purpose of
  • FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a high frequency module 1 and a communication device 5 according to the present embodiment.
  • the communication device 5 is a device used in a communication system, and is a mobile terminal such as a smartphone or a tablet computer. As shown in FIG. 1, the communication device 5 according to the present embodiment includes a high frequency module 1, an antenna 2, an RF signal processing circuit (RFIC) 3, and a baseband signal processing circuit (BBIC) 4. Be prepared.
  • RFIC RF signal processing circuit
  • BBIC baseband signal processing circuit
  • the high frequency module 1 transmits a high frequency signal between the antenna 2 and the RFIC 3.
  • the internal configuration of the high frequency module 1 will be described later.
  • the antenna 2 is connected to the antenna connection terminal 100 of the high frequency module 1, transmits a high frequency signal (transmitted signal) output from the high frequency module 1, and receives a high frequency signal (received signal) from the outside to receive the high frequency signal (received signal). Output to.
  • RFIC 3 is an example of a signal processing circuit that processes high frequency signals transmitted and received by the antenna 2. Specifically, the RFIC 3 processes the high frequency reception signal input via the reception path of the high frequency module 1 by down-conversion or the like, and outputs the reception signal generated by the signal processing to the BBIC 4. Further, the RFIC 3 processes the transmission signal input from the BBIC 4 by up-conversion or the like, and outputs the high frequency transmission signal generated by the signal processing to the transmission path of the high frequency module 1. Further, the RFIC 3 has a control unit for controlling a switch, an amplifier and the like included in the high frequency module 1. A part or all of the function of the RFIC3 as a control unit may be mounted outside the RFIC3, or may be mounted on, for example, the BBIC4 or the high frequency module 1.
  • the BBIC 4 is a baseband signal processing circuit that processes signals using an intermediate frequency band having a lower frequency than the high frequency signal transmitted by the high frequency module 1.
  • the signal processed by the BBIC 4 for example, an image signal for displaying an image and / or an audio signal for a call via a speaker are used.
  • the antenna 2 and the BBIC 4 are not essential components.
  • the high frequency module 1 includes a power amplifier 10, a PA control circuit 11, a low noise amplifier 20, matching circuits 31, 32, 41 and 42, switches 51 to 53, a duplexer 61 and the like. It includes 62, an antenna connection terminal 100, a high frequency input terminal 110, a control input terminal 111, and a high frequency output terminal 120.
  • the antenna connection terminal 100 is connected to the antenna 2.
  • the high frequency input terminal 110 is a terminal for receiving a high frequency transmission signal from the outside of the high frequency module 1.
  • the high frequency input terminal 110 is a terminal for receiving transmission signals of communication bands A and B from RFIC3.
  • the control input terminal 111 is a terminal for receiving a digital signal for controlling the gain of the power amplifier 10 and the power supply voltage and the bias voltage supplied to the power amplifier 10.
  • the control input terminal 111 is a MIPI (Mobile Industry Processor Interface) terminal and receives a digital signal from the RFIC 3.
  • MIPI Mobile Industry Processor Interface
  • the high frequency output terminal 120 is a terminal for providing a high frequency reception signal to the outside of the high frequency module 1.
  • the high frequency output terminal 120 is a terminal for providing the received signals of the communication bands A and B to the RFIC 3.
  • the communication band means a frequency band defined in advance by a standardization body or the like (for example, 3GPP (3rd Generation Partnership Project) and IEEE (Institute of Electrical and Electronics Engineers)) for a communication system.
  • the communication system means a communication system constructed by using wireless access technology (RAT: RadioAccess Technology).
  • RAT RadioAccess Technology
  • As the communication system for example, a 5GNR (5th Generation New Radio) system, an LTE (Long Term Evolution) system, a WLAN (Wireless Local Area Network) system, and the like can be used, but the communication system is not limited thereto.
  • Communication bands A and B are different communication bands from each other.
  • a communication band for frequency division duplex (FDD) is used as the communication bands A and B, respectively.
  • a communication band for Time Division Duplex (TDD) may be used as at least one of the communication bands A and B.
  • the high frequency module 1 is provided with a transmission path for transmitting a transmission signal and a reception path for transmitting a reception signal. Specifically, as shown in FIG. 1, transmission paths AT and BT, and reception paths AR and BR are provided.
  • the transmission path AT is a path for transmitting the transmission signal of the communication band A, and among the signal paths connecting the high frequency input terminal 110 and the antenna connection terminal 100, the power amplifier 10, the switch 52, the matching circuit 31, the transmission filter 61T, and the transmission path 61T. This is the route where the switch 51 is arranged.
  • the transmission path BT is a path for transmitting the transmission signal of the communication band B, and among the signal paths connecting the high frequency input terminal 110 and the antenna connection terminal 100, the power amplifier 10, the switch 52, the matching circuit 32, and the transmission filter. This is the route where the 62T and the switch 51 are arranged.
  • the transmission path AT and BT are shared between the high frequency input terminal 110 and the switch 52, and between the switch 51 and the antenna connection terminal 100.
  • the reception path AR is a path for transmitting the reception signal of the communication band A.
  • the reception path AR is a path in which the switch 51, the reception filter 61R, the matching circuit 41, the switch 53, and the low noise amplifier 20 are arranged among the signal paths connecting the antenna connection terminal 100 and the high frequency output terminal 120.
  • the reception path BR is a path for transmitting the reception signal of the communication band B, and among the signal paths connecting the antenna connection terminal 100 and the high frequency output terminal 120, the switch 51, the reception filter 62R, the matching circuit 42, and the switch 53. And the path where the low noise amplifier 20 is arranged.
  • the reception paths AR and BR are shared between the antenna connection terminal 100 and the switch 51, and between the switch 53 and the high frequency output terminal 120.
  • the antenna connection terminal 100 and the switch 51 are common paths in the transmission path and the reception path, and are also referred to as transmission / reception paths for transmitting both the transmission signal and the reception signal.
  • the power amplifier 10 can amplify the transmission signals of the communication bands A and B.
  • the input terminal of the power amplifier 10 is connected to the high frequency input terminal 110, and the output terminal of the power amplifier 10 is connected to the switch 52.
  • the configuration of the power amplifier 10 is not particularly limited.
  • the power amplifier 10 may have a single-stage configuration or a multi-stage configuration.
  • the power amplifier 10 may have a plurality of cascaded amplification elements.
  • the power amplifier 10 may convert a high frequency signal into a balanced signal and amplify it.
  • Such a power amplifier 10 may be referred to as a differential amplifier.
  • the balanced signal means a set of signals having opposite phases.
  • the balanced signal is sometimes referred to as a differential signal.
  • the PA control circuit 11 is an example of a control circuit that controls the power amplifier 10.
  • the PA control circuit 11 controls the gain of the power amplifier 10 based on the digital signal input via the control input terminal 111.
  • the PA control circuit 11 is, for example, one semiconductor integrated circuit.
  • the semiconductor integrated circuit is composed of, for example, CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor), and specifically, is configured by an SOI (Silicon on Insulator) process. This makes it possible to manufacture semiconductor integrated circuits at low cost.
  • the semiconductor integrated circuit may be composed of at least one of GaAs, SiGe and GaN.
  • the low noise amplifier 20 can amplify the received signals of the communication bands A and B received by the antenna connection terminal 100.
  • the input terminal of the low noise amplifier 20 is connected to the switch 53, and the output terminal of the low noise amplifier 20 is connected to the high frequency output terminal 120.
  • the configuration of the low noise amplifier 20 is not particularly limited.
  • the low noise amplifier 20 may have a single-stage configuration or a multi-stage configuration.
  • the power amplifier 10 and the low noise amplifier 20 are composed of, for example, a Si-based CMOS or a field effect transistor (FET) or a heterobipolar transistor (HBT) made of GaAs as a material.
  • FET field effect transistor
  • HBT heterobipolar transistor
  • Duplexer 61 is an example of a filter having a pass band including a communication band A.
  • the duplexer 61 passes the high frequency signal of the communication band A.
  • the duplexer 61 transmits the transmission signal and the reception signal of the communication band A by the FDD method.
  • the duplexer 61 includes a transmit filter 61T and a receive filter 61R.
  • the transmission filter 61T is an example of the first transmission filter, and has a pass band including the uplink operating band of the communication band A.
  • One end of the transmission filter 61T is connected to the antenna connection terminal 100 via the switch 51.
  • the other end of the transmission filter 61T is connected to the output terminal of the power amplifier 10 via the matching circuit 31 and the switch 52.
  • the uplink operation band means a part of the communication band specified for the uplink.
  • the uplink operation band means the transmission band.
  • the reception filter 61R has a pass band including the downlink operating band of the communication band A.
  • One end of the reception filter 61R is connected to the antenna connection terminal 100 via the switch 51.
  • the other end of the receive filter 61R is connected to the input terminal of the low noise amplifier 20 via the matching circuit 41 and the switch 53.
  • the downlink operation band means a part of the communication band specified for the downlink.
  • the downlink operation band means the reception band.
  • Duplexer 62 is an example of a filter having a pass band including a communication band B.
  • the duplexer 62 passes the high frequency signal of the communication band B.
  • the duplexer 62 transmits the transmission signal and the reception signal of the communication band B by the FDD method.
  • the duplexer 62 includes a transmit filter 62T and a receive filter 62R.
  • the transmission filter 62T is an example of a second transmission filter having a pass band different from that of the first transmission filter, and has a pass band including the uplink operation band of the communication band B.
  • One end of the transmission filter 62T is connected to the antenna connection terminal 100 via the switch 51.
  • the other end of the transmission filter 62T is connected to the output terminal of the power amplifier 10 via the matching circuit 32 and the switch 52.
  • the reception filter 62R has a pass band including the downlink operation band of the communication band B. One end of the reception filter 62R is connected to the antenna connection terminal 100 via the switch 51. The other end of the receive filter 62R is connected to the input terminal of the low noise amplifier 20 via the matching circuit 42 and the switch 53.
  • the transmission filters 61T and 62T, and the reception filters 61R and 62R are, for example, a surface acoustic wave filter using SAW (Surface Acoustic Wave), a surface acoustic wave filter using BAW (Bulk Acoustic Wave), an LC resonance filter, and a dielectric filter. However, it is not limited to these.
  • the switch 51 is connected between the antenna connection terminal 100 and each of the duplexers 61 and 62.
  • the switch 51 is also referred to as an antenna switch.
  • the switch 51 has terminals 511 to 513.
  • the terminal 511 is a common terminal connected to the antenna connection terminal 100.
  • the terminal 512 is a selection terminal connected to the transmission filter 61T and the reception filter 61R.
  • the terminal 513 is a selection terminal connected to the transmission filter 62T and the reception filter 62R.
  • the switch 51 can connect either one of the terminals 512 and 513 to the terminal 511, for example, based on the control signal from the RFIC 3. As a result, the switch 51 switches between (a) the connection between the antenna connection terminal 100 and the transmission filter 61T and the reception filter 61R, and (b) the connection between the antenna connection terminal 100 and the transmission filter 62T and the reception filter 62R.
  • the switch 51 is, for example, a SPDT (Single Pole Double Throw) type switch circuit.
  • the switch 51 may be a multi-connection type switch circuit capable of simultaneously executing the above connections (a) and (b).
  • the switch 52 is connected between each of the duplexers 61 and 62 and the power amplifier 10. Specifically, the switch 52 has terminals 521 to 523.
  • the terminal 521 is a common terminal connected to the output terminal of the power amplifier 10.
  • the terminal 522 is a selection terminal connected to the transmission filter 61T via the matching circuit 31.
  • the terminal 523 is a selection terminal connected to the transmission filter 62T via the matching circuit 32.
  • the switch 52 can connect either one of the terminals 522 and 523 to the terminal 521 based on the control signal from the RFIC 3, for example. As a result, the switch 52 switches between the connection of the power amplifier 10 and the transmission filter 61T and the connection of the power amplifier 10 and the transmission filter 62T.
  • the switch 52 is, for example, a SPDT type switch circuit.
  • the switch 53 is connected between each of the duplexers 61 and 62 and the low noise amplifier 20. Specifically, the switch 53 has terminals 531 to 533. Terminal 531 is a common terminal connected to the input terminal of the low noise amplifier 20. The terminal 532 is a selection terminal connected to the reception filter 61R via the matching circuit 41. The terminal 533 is a selection terminal connected to the reception filter 62R via the matching circuit 42.
  • the switch 53 can connect either one of the terminals 532 and 533 to the terminal 531 based on, for example, a control signal from the RFIC 3. As a result, the switch 53 switches between the connection of the low noise amplifier 20 and the reception filter 61R and the connection of the low noise amplifier 20 and the reception filter 62R.
  • the switch 53 is, for example, a SPDT type switch circuit.
  • the matching circuit 31 is connected between the transmission filter 61T and the output terminal of the power amplifier 10. Specifically, the matching circuit 31 is connected between the transmission filter 61T and the terminal 522 of the switch 52. The matching circuit 31 performs impedance matching between the transmission filter 61T and the power amplifier 10.
  • the matching circuit 32 is connected between the transmission filter 62T and the output terminal of the power amplifier 10. Specifically, the matching circuit 32 is connected between the transmission filter 62T and the terminal 523 of the switch 52. The matching circuit 32 performs impedance matching between the transmission filter 62T and the power amplifier 10.
  • the matching circuit 41 is connected between the reception filter 61R and the input terminal of the low noise amplifier 20. Specifically, the matching circuit 41 is connected between the reception filter 61R and the terminal 532 of the switch 53. The matching circuit 41 performs impedance matching between the receiving filter 61R and the low noise amplifier 20.
  • the matching circuit 42 is connected between the reception filter 62R and the input terminal of the low noise amplifier 20. Specifically, the matching circuit 42 is connected between the reception filter 62R and the terminal 533 of the switch 53. The matching circuit 42 performs impedance matching between the receiving filter 62R and the low noise amplifier 20.
  • the matching circuits 31, 32, 41 and 42 are each formed by using at least one of an inductor, a capacitor and a resistor.
  • the matching circuits 31, 32, 41 and 42 each include a chip-shaped inductor.
  • a matching circuit may be provided between the terminal 521 of the switch 52 and the output terminal of the power amplifier 10.
  • a matching circuit may be provided between the terminal 531 of the switch 53 and the input terminal of the low noise amplifier 20.
  • a matching circuit may be provided between the terminal 512 of the switch 51 and the duplexer 61.
  • a matching circuit may be provided between the terminal 513 of the switch 51 and the duplexer 62.
  • the power amplifier 10, the switch 52, the matching circuit 31, and the transmission filter 61T constitute a first transmission circuit that outputs a transmission signal of the communication band A toward the antenna connection terminal 100. Further, the power amplifier 10, the switch 52, the matching circuit 32, and the transmission filter 62T form a second transmission circuit that outputs a transmission signal of the communication band B toward the antenna connection terminal 100.
  • the low noise amplifier 20, the switch 53, the matching circuit 41, and the reception filter 61R constitute a first reception circuit that inputs the reception signal of the communication band A from the antenna 2 via the antenna connection terminal 100. Further, the low noise amplifier 20, the switch 53, the matching circuit 42, and the reception filter 62R constitute a second reception circuit that inputs the reception signal of the communication band B from the antenna 2 via the antenna connection terminal 100.
  • the high frequency module 1 has (1) transmission / reception of high frequency signals of communication band A, (2) transmission / reception of high frequency signals of communication band B, and (3) transmission / reception of high frequency signals of communication band A. It is possible to execute at least one of simultaneous transmission, simultaneous reception, and simultaneous transmission / reception of the high frequency signal and the high frequency signal of the communication band B.
  • the transmission circuit and the reception circuit may not be connected to the antenna connection terminal 100 via the switch 51, and the transmission circuit and the reception circuit may be connected to the antenna connection terminal 100 via different terminals. It may be connected to the antenna 2.
  • the high frequency module 1 may include only a transmission circuit for transmitting a transmission signal, in which case the low noise amplifier 20, matching circuits 41 and 42, a switch 53, and reception filters 61R and 62R may not be provided. .. Further, the high frequency module 1 may include only a receiving circuit for transmitting a received signal, and in this case, the power amplifier 10, matching circuits 31 and 32, a switch 52, and transmission filters 61T and 62T may not be provided. Further, the high frequency module 1 may transmit a high frequency signal of only one communication band, and in this case, the switch 51, the matching circuits 32 and 42, and the duplexer 62 may not be provided.
  • FIG. 2 and 3 are plan views of the high frequency module 1 according to the present embodiment, respectively.
  • FIG. 2 shows the arrangement of parts and members arranged on the main surface 91a when the main surface 91a of the module board 91 is viewed from the positive side of the z-axis.
  • FIG. 3 shows the arrangement of parts and members arranged on the main surface 91b when the main surface 91b of the module board 91 is viewed from the positive side of the z-axis. Since the main surface 91b faces the negative side of the z-axis, FIG. 3 is a plan view of the components and members located on the main surface 91a side of the module board 91 and the module board 91 as seen through. Is.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the high frequency module 1 according to the present embodiment.
  • FIG. 4 shows a cross section (xz plane) in the IV-IV line of FIGS. 2 and 3.
  • the module substrate 91 is not shaded to represent the cross section in consideration of the legibility of the figure.
  • the high frequency module 1 includes a module substrate 91, resin members 92 and 93, and a metal shield layer 95 in addition to the circuit configuration shown in FIG. Further, the high frequency module 1 includes metal shield walls 81 to 84, via conductors 85 and 86, and metal conductors 87 and 88.
  • the module board 91 has a main surface 91a and a main surface 91b on the opposite side of the main surface 91a.
  • the module substrate 91 has a rectangular shape in a plan view, but the shape of the module substrate 91 is not limited to this.
  • Examples of the module substrate 91 include a low-temperature co-fired ceramics (LTCC: Low Temperature Co-fired Ceramics) substrate having a laminated structure of a plurality of dielectric layers, a high-temperature co-fired ceramics (HTCC: High Temperature Co-fired Ceramics) substrate, and the like.
  • LTCC Low Temperature Co-fired Ceramics
  • HTCC High Temperature Co-fired Ceramics
  • a board having a built-in component, a board having a redistribution layer (RDL: Redistribution Layer), a printed circuit board, or the like can be used, but is not limited thereto.
  • RDL Redistribution Layer
  • the main surface 91a is an example of the first main surface, and may be referred to as an upper surface or a surface.
  • a plurality of parts including elements constituting the circuit shown in FIG. 1 are arranged.
  • the main surface 91a includes a power amplifier 10, matching circuits 31, 32, 41 and 42, a switch 51, a transmission filter 61T, and reception filters 61R and 62R. , Are arranged.
  • metal shield walls 81 and 83 are arranged (specifically, erected) on the main surface 91a.
  • the main surface 91b is an example of the second main surface, and may be referred to as a lower surface or a back surface.
  • a plurality of parts including elements constituting the circuit shown in FIG. 1 and a plurality of external connection terminals are arranged.
  • the main surface 91b includes a PA control circuit 11, a low noise amplifier 20, switches 52 and 53, a transmission filter 62T, and a plurality of external connection terminals 150. Is placed.
  • metal shield walls 82 and 84 are arranged (specifically, erected) on the main surface 91b.
  • the low noise amplifier 20 and the switch 53 are included in one semiconductor integrated circuit 70.
  • the semiconductor integrated circuit 70 is an electronic component having an electronic circuit formed on the surface and inside of a semiconductor chip (also referred to as a die).
  • the semiconductor integrated circuit 70 is composed of, for example, CMOS, specifically, an SOI process. As a result, the semiconductor integrated circuit 70 can be manufactured at low cost.
  • the semiconductor integrated circuit 70 is composed of at least one of GaAs, SiGe, and GaN. This makes it possible to realize a high-quality semiconductor integrated circuit 70.
  • the low noise amplifier 20 and the switch 53 may be arranged on the main surface 91b as separate circuit components.
  • the plurality of external connection terminals 150 include a ground terminal in addition to the antenna connection terminal 100, the high frequency input terminal 110, the control input terminal 111, and the high frequency output terminal 120 shown in FIG. Each of the plurality of external connection terminals 150 is connected to an input / output terminal and / or a ground terminal on a mother board (not shown) arranged on the negative side of the z-axis of the high frequency module 1.
  • the plurality of external connection terminals 150 are post electrodes that penetrate the resin member 93 that covers the main surface 91b.
  • the resin member 92 is an example of a sealing member, is arranged on the main surface 91a of the module substrate 91, and covers the main surface 91a. Specifically, the resin member 92 is provided so as to cover the side surface and the upper surface of each component arranged on the main surface 91a, and the side surfaces of the metal shield walls 81 and 83. The resin member 92 does not have to cover the upper surface of the component arranged on the main surface 91a. For example, as shown in FIG. 4, the resin member 92 does not cover the upper surfaces of the transmission filter 61T and the reception filter 61R.
  • the resin member 93 is an example of a sealing member, is arranged on the main surface 91b of the module substrate 91, and covers the main surface 91b. Specifically, the resin member 93 is provided so as to cover the side surface of each component arranged on the main surface 91b and the side surface of each of the metal shield walls 82 and 84. The resin member 93 may cover the lower surface (the surface on the negative side of the z-axis) of the component arranged on the main surface 91b.
  • the metal shield layer 95 is an example of a metal layer and covers the upper surface 92a of the resin member 92.
  • the upper surface 92a is the surface of the resin member 92 opposite to the module substrate 91.
  • the metal shield layer 95 covers the upper surface 92a and the side surface of the resin member 92, the side surface of the module substrate 91, and the side surface of the resin member 93.
  • “covering a surface” means covering at least a part of the target surface. Therefore, for example, the metal shield layer 95 covers only a part of the upper surface 92a of the resin member 92, and may not cover the other part. The same applies when another member such as the resin member 92 "covers the surface".
  • the metal shield layer 95 covers the upper surface of the component whose upper surface is not covered with the resin member 92 among the components arranged on the main surface 91a of the module substrate 91.
  • the metal shield layer 95 is in contact with the upper surface of each of the transmission filter 61T and the reception filter 61R.
  • the upper surface of the power amplifier 10 does not have to be covered with the resin member 92.
  • the metal shield layer 95 may be in contact with the upper surface of the power amplifier 10.
  • the heat generated by the power amplifier 10, the transmission filter 61T and the reception filter 61R can be released to the metal shield layer 95. Further, the heat transferred to the metal shield layer 95 can be released to the mother substrate via the metal shield walls 81 to 84 described later and the via conductors 85 and 86.
  • the power amplifier 10, transmit filter 61T or receive filter 61R, or other component is in contact with the top surface portion of the metal shield layer 95, or instead of the top surface portion, on the side surface portion of the metal shield layer 95. May be good. The larger the contact area with the metal shield layer 95, the higher the heat dissipation.
  • the metal shield layer 95 is, for example, a metal thin film formed by a sputtering method.
  • the metal shield layer 95 is set to the ground potential. Specifically, the metal shield layer 95 is set to the ground potential by being connected to the ground terminal and the ground electrode provided on the module substrate 91. As a result, it is possible to prevent external noise from entering the circuit components included in the high frequency module 1.
  • the high frequency module 1 having the above circuit configuration, when at least two elements (for example, an inductor and / or a capacitor) arranged in the transmission path AT and BT, the reception path AR and BR are electromagnetically coupled, the power amplifier 10 is used.
  • the harmonic component of the high-output transmission signal amplified in 1 may be superimposed on the transmission signal, and the quality of the transmission signal may deteriorate.
  • the isolation between transmission and reception is reduced by the electromagnetic field coupling, and unnecessary waves such as the harmonic component or the intermodulation distortion between the transmission signal and another high frequency signal flow into the reception path to improve the reception sensitivity. May deteriorate.
  • the high frequency module 1 has a configuration that suppresses electromagnetic field coupling between parts.
  • the high frequency module 1 includes metal shield walls 81 and 82, a via conductor 85, and a metal conductor 87.
  • the metal shield walls 81 and 82 and the via conductor 85 form a first connecting structure connected in a row in the thickness direction of the module substrate 91.
  • the high frequency module 1 further includes metal shield walls 83 and 84, a via conductor 86, and a metal conductor 88.
  • the metal shield walls 83 and 84 and the via conductor 86 form a second connecting structure connected in a row in the thickness direction of the module substrate 91.
  • the component mounting regions (main surfaces 91a and 91b) in the high-frequency module 1 are divided into six regions R1 to R6 by the module substrate 91 (metal conductors 87 and 88), the metal shield walls 81 to 84, and the via conductors 85 and 86. can do.
  • regions R1, R5 and R2 are regions on the main surface 91a, respectively.
  • regions R6, R3 and R4 are regions on the main surface 91b, respectively.
  • the region R1 and the region R6 overlap each other.
  • the region R5 and the region R3 overlap each other.
  • the region R2 and the region R4 overlap each other.
  • the region R1 is a region on the negative side of the x-axis with respect to the metal shield wall 83, and the first component is arranged.
  • the first component is a matching circuit 31 or 32 or a power amplifier 10.
  • the region R2 is a region on the positive side of the x-axis with respect to the metal shield wall 81, and the second component is arranged.
  • the second component is a matching circuit 41 or 42 or a receiving filter 61R or 62R.
  • the region R5 is a region between the metal shield wall 83 and the metal shield wall 81, and the fifth component is arranged.
  • the fifth component is a switch 51 or a transmission filter 61T.
  • the region R6 is a region on the negative side of the x-axis with respect to the metal shield wall 84, and the sixth component is arranged. Specifically, the sixth component is a PA control circuit 11 or a switch 52.
  • the region R4 is a region on the positive side of the x-axis with respect to the metal shield wall 82, and the fourth component is arranged.
  • the fourth component is specifically a low noise amplifier 20 or a switch 53.
  • the region R3 is a region between the metal shield wall 84 and the metal shield wall 82, and a third component is arranged. Specifically, the third component is a transmission filter 62T.
  • the electromagnetic field coupling between the parts between any region among the six regions R1 to R6.
  • the region R1 and the region R2 are separated by two metal shield walls 81 and 83, electromagnetic field coupling can be suppressed more strongly.
  • the region R1 and the region R4 are separated by two connecting structures (each including two metal shield walls and a via conductor) and the module substrate 91, the electromagnetic field coupling is further strengthened. It can be suppressed.
  • the high frequency module 1 does not have to include the metal shield walls 83 and 84, the via conductor 86, and the metal conductor 88.
  • the fifth component is regarded as the first component.
  • the sixth component is regarded as the third component.
  • the high frequency module 1 does not have to include the metal shield walls 81 and 82, the via conductor 85, and the metal conductor 87.
  • the fifth component is regarded as the second component.
  • the fourth component is regarded as the third component.
  • the metal shield wall 81 is an example of the first metal wall, and is arranged on the main surface 91a of the module substrate 91.
  • the metal shield wall 81 is arranged between the first component and the second component in a plan view.
  • the main surface 91a is divided into regions R1 and R5 and regions R2 by the metal shield wall 81.
  • the upper end 81a of the metal shield wall 81 is in contact with the metal shield layer 95.
  • the metal shield wall 81 is electrically connected to the metal shield layer 95 by coming into contact with the metal shield layer 95 and is set to the ground potential.
  • the metal shield wall 81 can suppress the electromagnetic field coupling between the parts located on both sides thereof. That is, the metal shield wall 81 has a shield function (electromagnetic shield function).
  • the lower end 81b of the metal shield wall 81 is in contact with the via conductor 85.
  • the via conductor 85 is connected to a ground terminal (not shown) via a metal conductor 87 and is set to a ground potential.
  • the metal shield wall 82 is an example of the first metal member, and is arranged on the main surface 91b of the module substrate 91.
  • the metal shield wall 82 is arranged between the third component and the fourth component in a plan view.
  • the main surface 91b is divided into regions R3 and R6 and regions R4 by the metal shield wall 82.
  • the upper end 82a of the metal shield wall 82 is in contact with the via conductor 85.
  • the metal shield wall 82 is electrically connected to the via conductor 85 and is set to the ground potential. Thereby, the metal shield wall 82 can suppress the electromagnetic field coupling between the parts located on both sides thereof.
  • the lower end 82b of the metal shield wall 82 is exposed without being covered by the resin member 93.
  • the lower end 82b of the metal shield wall 82 may be connected to a ground terminal on a mother substrate (not shown) arranged on the negative side of the z-axis of the high frequency module 1. As a result, the ground of the metal shield wall 82 is strengthened, and the shield function can be enhanced.
  • the via conductor 85 is an example of the first via conductor and penetrates the module substrate 91.
  • the via conductor 85 is connected to a ground terminal (not shown) via a metal conductor 87.
  • the via conductor 85 and the metal conductor 87 are set to the ground potential.
  • the via conductor 85 electrically connects the metal shield wall 81 and the metal shield wall 82.
  • the via conductor 85 is at least partially overlapped with each of the metal shield walls 81 and 82 in a plan view.
  • the via conductor 85 is, for example, a columnar metal conductor, and its width (diameter) is longer than the width (length along the y-axis) of each of the metal shield walls 81 and 82.
  • a plurality of via conductors 85 are provided side by side along the y-axis.
  • the number, shape, size, and the like of the via conductors 85 are not particularly limited.
  • the metal shield wall 81 and the via conductor 85 overlap in a plan view overlaps with the metal shield wall 82 in a plan view. That is, the metal shield wall 81, the via conductor 85, and the metal shield wall 82 are connected in a row in the thickness direction of the module substrate 91. As a result, the electromagnetic field coupling between the parts can be suppressed more strongly.
  • the first component and the fifth component (power amplifier 10, matching circuit 31 or 32, switch 51 or transmission filter) arranged on the main surface 91a by the connecting structure of the metal shield wall 81, the via conductor 85 and the metal shield wall 82. 61T) and the fourth component (low noise amplifier 20 or switch 53) arranged on the main surface 91b can be suppressed from electromagnetic field coupling.
  • the second component matching circuit 41 or 42 or the reception filter 61R or 62R
  • the third component and the sixth component (PA control circuit) arranged on the main surface 91b. 11.
  • the electromagnetic field coupling with the switch 52 or the transmission filter 62T) can be suppressed.
  • the metal shield wall 83 is an example of the third metal wall, and is arranged on the main surface 91a of the module substrate 91.
  • the metal shield wall 83 is arranged between the first component and the fifth component in a plan view.
  • the main surface 91a is divided into regions R1 and regions R5 and R2 by the metal shield wall 83.
  • the upper end 83a of the metal shield wall 83 is in contact with the metal shield layer 95.
  • the metal shield wall 83 is electrically connected to the metal shield layer 95 by coming into contact with the metal shield layer 95 and is set to the ground potential. Thereby, the metal shield wall 83 can suppress the electromagnetic field coupling between the parts located on both sides thereof. That is, the metal shield wall 83 has a shielding function.
  • the lower end 83b of the metal shield wall 83 is in contact with the via conductor 86.
  • the via conductor 86 is connected to a ground terminal (not shown) via a metal conductor 88, and is set to a ground potential.
  • the metal shield wall 84 is an example of the second metal member, and is arranged on the main surface 91b of the module substrate 91.
  • the metal shield wall 84 is arranged between the sixth component and the third component in a plan view.
  • the main surface 91b is divided into a region R6 and regions R3 and R4 by the metal shield wall 84.
  • the upper end 84a of the metal shield wall 84 is in contact with the via conductor 86.
  • the metal shield wall 84 is electrically connected to the via conductor 86 and is set to the ground potential. Thereby, the metal shield wall 84 can suppress the electromagnetic field coupling between the parts located on both sides thereof.
  • the lower end 84b of the metal shield wall 84 is exposed without being covered by the resin member 93.
  • the lower end 84b of the metal shield wall 84 may be connected to a ground terminal on a mother substrate (not shown) arranged on the negative side of the z-axis of the high frequency module 1. As a result, the ground of the metal shield wall 84 is strengthened, and the shield function can be enhanced.
  • the via conductor 86 is an example of the second via conductor and penetrates the module substrate 91.
  • the via conductor 86 is connected to a ground terminal (not shown) via a metal conductor 88.
  • the via conductor 86 and the metal conductor 88 are set to the ground potential.
  • the via conductor 86 electrically connects the metal shield wall 83 and the metal shield wall 84.
  • the via conductor 86 overlaps each of the metal shield walls 83 and 84 at least in part in a plan view.
  • the via conductor 86 is, for example, a columnar metal conductor, and its width (diameter) is longer than the width (length along the y-axis) of each of the metal shield walls 83 and 84.
  • a plurality of via conductors 86 are provided side by side along the y-axis.
  • the number, shape, size, etc. of the via conductor 86 are not particularly limited.
  • the metal shield wall 83 and the via conductor 86 overlap in a plan view overlaps with the metal shield wall 84 in a plan view. That is, the metal shield wall 83, the via conductor 86, and the metal shield wall 84 are connected in a row in the thickness direction of the module substrate 91. As a result, the electromagnetic field coupling between the parts can be suppressed more strongly.
  • any one of these first component, second component, third component, fourth component, fifth component and sixth component has a ground terminal.
  • the transmission filter 61T has a ground terminal 61Tg.
  • the ground terminal 61Tg is connected to the via conductor 85 via the metal conductor 87.
  • the ground of the transmission filter 61T can be strengthened, and the passing characteristics of the filter can be improved.
  • the metal conductor 87 includes a via connected to the ground terminal 61Tg and a flat plate-shaped pattern wiring (ground pattern) formed inside the module substrate 91.
  • the metal conductor 87 may extend to the side surface of the module substrate 91 and be in contact with the metal shield layer 95.
  • the power amplifier 10 has a ground terminal 10g.
  • the ground terminal 10g is connected to the via conductor 86 via the metal conductor 88.
  • the ground of the power amplifier 10 can be strengthened, and the amplification characteristics can be improved.
  • the metal conductor 88 includes a via connected to the ground terminal 10g and a flat plate-shaped pattern wiring (ground pattern) formed inside the module substrate 91.
  • the metal conductor 88 may extend to the side surface of the module substrate 91 and be in contact with the metal shield layer 95.
  • the ground pattern is an electromagnetic field of each of the first component, the second component, and the fifth component arranged on the main surface 91a, and each of the third component, the fourth component, and the sixth component arranged on the main surface 91b. Binding can be suppressed.
  • the metal conductor 87 and the metal conductor 88 may be provided separately or integrally.
  • the transmission filter 61T and the transmission filter 62T are arranged on different main surfaces of the module substrate 91.
  • the electromagnetic field coupling between the transmission filter 61T and the transmission filter 62T can be suppressed more strongly.
  • One passband of the transmission filters 61T and 62T includes, for example, an integral multiple of the frequency contained in the other passband.
  • the transmission signal or its harmonics passing through the other of the transmission filters 61T and 62T may pass through one of the transmission filters 61T and 62T.
  • the metal shield wall 81 and the metal shield wall 83 extend along the y-axis and are in contact with the metal shield layer 95 at both ends thereof, but the present invention is not limited to this.
  • a gap may be provided between each end of the metal shield walls 81 and 83 and the metal shield layer 95. The same applies to the metal shield walls 82 and 84.
  • Each of the metal shield walls 81 to 84 is a flat metal member.
  • the lower ends 81b and 83b of the metal shield walls 81 and 83 are fixed to the main surface 91a of the module substrate 91.
  • the upper ends 82a and 84a of the metal shield walls 82 and 84 are fixed to the main surface 91b of the module substrate 91. This fixing is performed using a conductive adhesive such as solder.
  • At least one of the metal shield walls 81 to 84 may be a metal wall that has been plated and grown.
  • the resin member 92 can be formed by filling and curing the resin material that is the basis of the resin member 92. By polishing the formed resin member 92, the upper ends 81a and 83a of the metal shield walls 81 and 83 are exposed. At this time, the metal shield walls 81 and 83 and the parts arranged on the main surface 91a may also be polished together. As a result, the upper surface 92a of the resin member 92, the upper ends 81a and 83a of the metal shield walls 81 and 83, respectively, and the upper surface of the circuit component (for example, the transmission filter 61T) become flush with each other.
  • the circuit component for example, the transmission filter 61T
  • a metal shield layer 95 is formed on the flush upper surfaces 92a and the upper ends 81a and 83a by a sputtering method. As a result, each of the metal shield walls 81 and 83 and the metal shield layer 95 come into contact with each other and are electrically connected.
  • the upper ends 81a and 83a are the tip portions of the metal shield walls 81 and 83 in the vertical direction (direction away from the main surface 91a along the normal line of the main surface 91a, that is, upward), respectively. Further, the lower ends 81b and 83b are the ends of the metal shield walls 81 and 83 on the opposite sides of the upper ends 81a and 83a, respectively.
  • the upper ends 82a and 84a of the metal shield walls 82 and 84 provided on the main surface 91b are the ends on the module substrate 91 side.
  • the lower ends 82b and 84b are the ends in the direction away from the module board 91.
  • the upper ends 81a and 83a are the upper end faces of the metal shield walls 81 and 83, respectively, but the present invention is not limited to this.
  • the metal shield walls 81 and 83 may be sideways triangular prisms or vertebral bodies, and the upper ends 81a and 83a may be linear portions or points. The same applies to the lower ends 82b and 84b of the metal shield walls 82 and 84.
  • FIG. 5 is a plan view of the high frequency module 1A according to the first modification of the embodiment.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the high frequency module 1A according to the first modification of the embodiment.
  • FIG. 6 shows a cross section in the VI-VI line of FIG.
  • the high frequency module 1A shown in FIGS. 5 and 6 includes electrode terminals 82A and 84A instead of the metal shield walls 82 and 84.
  • the electrode terminal 82A is an example of the first metal member, and is arranged on the main surface 91b of the module substrate 91.
  • the upper end 82Aa of the electrode terminal 82A is in contact with the via conductor 85.
  • the electrode terminal 82A is electrically connected to the via conductor 85 by coming into contact with the via conductor 85 and is set to the ground potential. As a result, the electrode terminal 82A can suppress the electromagnetic field coupling between the components located on both sides thereof.
  • the lower end 82Ab of the electrode terminal 82A is exposed without being covered by the resin member 93.
  • the lower end 82Ab of the electrode terminal 82A is connected to a ground terminal on a mother substrate (not shown) arranged on the negative side of the z-axis of the high frequency module 1A. As a result, the ground of the electrode terminal 82A is strengthened, and the shielding function can be enhanced.
  • the electrode terminal 82A is, for example, a columnar post electrode penetrating the resin member 93.
  • the maximum width (for example, diameter) of the electrode terminal 82A in a plan view is larger than the width (length in the x-axis direction) of the metal shield wall 81.
  • the electrode terminal 82A is arranged between the third component and the fourth component in a plan view, similarly to the metal shield wall 82 of the embodiment. As a result, the electrode terminal 82A can suppress the electromagnetic field coupling between the third component (transmission filter 62T) and the fourth component (semiconductor integrated circuit 70).
  • the electrode terminal 84A is an example of the second metal member, and is arranged on the main surface 91b of the module substrate 91.
  • the upper end 84Aa of the electrode terminal 84A is in contact with the via conductor 86.
  • the electrode terminal 84A is electrically connected to the via conductor 86 by physically contacting the via conductor 86 and is set to the ground potential. As a result, the electrode terminal 84A can suppress the electromagnetic field coupling between the components located on both sides thereof.
  • the lower end 84Ab of the electrode terminal 84A is exposed without being covered with the resin member 93.
  • the lower end 84Ab of the electrode terminal 84A is connected to a ground terminal on a mother substrate (not shown) arranged on the negative side of the z-axis of the high frequency module 1A. As a result, the ground of the electrode terminal 84A is strengthened, and the shielding function can be enhanced.
  • the electrode terminal 84A is, for example, a columnar post electrode penetrating the resin member 93.
  • the maximum width (for example, diameter) of the electrode terminal 84A in a plan view is larger than the width (length in the x-axis direction) of the metal shield wall 83.
  • the electrode terminal 84A is arranged between the third component and the sixth component in a plan view, similarly to the metal shield wall 84 of the embodiment. As a result, the electrode terminal 84A can suppress the electromagnetic field coupling between the third component (transmission filter 62T) and the sixth component (PA control circuit 11 or switch 52).
  • a plurality of electrode terminals 82A and 84A are provided, respectively, and are arranged along the y-axis direction.
  • the alignment direction of each of the electrode terminals 82A and 84A is the same as the extending direction of each of the metal shield walls 81 and 83.
  • Each of the plurality of electrode terminals 82A is electrically connected to the metal shield wall 81 via the via conductor 85, and is connected in a row in the thickness direction of the module substrate 91. The same applies to the plurality of electrode terminals 84A.
  • the high frequency module 1A may be provided with only one electrode terminal 82A or 84A.
  • FIG. 7 is a partially enlarged cross-sectional view of the high frequency module according to the modified example 2. Specifically, FIG. 7 is an enlarged cross-sectional view showing the vicinity of the via conductor 85.
  • the via conductor 85 overlaps with each of the metal shield walls 81 and 82 in a plan view.
  • the metal shield wall 81 and the metal shield wall 82 do not overlap. That is, the metal shield wall 81, the via conductor 85, and the metal shield wall 82 are not arranged in a row in the thickness direction of the module substrate 91.
  • the metal shield wall 81 and the metal shield wall 82 are arranged so as to be offset in the x-axis direction.
  • the portion where the metal shield wall 81 and the via conductor 85 overlap in a plan view does not overlap with the portion where the metal shield wall 82 and the via conductor 85 overlap in a plan view.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view of the high frequency module 1B according to the modified example 3.
  • the high frequency module 1B shown in FIG. 8 further includes a metal shield wall 89 as compared with the high frequency module 1A according to the first modification.
  • the metal shield wall 89 is an example of the second metal wall, and is arranged on the main surface 91b of the module substrate 91. As shown in FIG. 8, the upper end 89a of the metal shield wall 89 is in contact with the metal conductor 87 provided on the module substrate 91.
  • the metal shield wall 89 is electrically connected to the metal conductor 87 by physical contact with the metal conductor 87 and is set to the ground potential. Thereby, the metal shield wall 89 can suppress the electromagnetic field coupling between the parts located on both sides thereof.
  • the metal shield wall 89 is arranged between the third component and the fourth component in a plan view. As a result, the metal shield wall 89 can suppress the electromagnetic field coupling between the third component (transmission filter 62T) and the fourth component (semiconductor integrated circuit 70).
  • the lower end 89b of the metal shield wall 89 is exposed without being covered by the resin member 93.
  • the lower end 89b of the metal shield wall 89 may be connected to a ground terminal on a mother substrate (not shown) arranged on the negative side of the z-axis of the high frequency module 1B.
  • the ground of the metal shield wall 89 is strengthened, and the shield function can be enhanced.
  • an electrode terminal 82A and a metal shield wall 89, each of which is set to a ground potential, are arranged between the third component and the fourth component.
  • the electromagnetic field coupling between the third component and the fourth component can be suppressed more strongly.
  • the metal shield wall 89 is arranged on the positive side of the x-axis of the electrode terminal 82A in FIG. 8, it may be arranged on the negative side of the x-axis. Further, a metal shield wall may be arranged in place of the metal shield wall 89, or in addition to the metal shield wall 89, between the third component and the sixth component. That is, a metal shield wall may be arranged next to the electrode terminal 84A. The metal shield wall 89 and the electrode terminal 82A may be in contact with each other.
  • the high-frequency module includes the module substrate 91 having the main surface 91a and the main surface 91b on the opposite side of the main surface 91a, and the first component and the second component arranged on the main surface 91a.
  • To the ground potential which covers the third component arranged on the main surface 91b, the main surface 91a, the resin member 92 covering the side surfaces of each of the first component and the second component, and the upper surface 92a of the resin member 92. It includes a set metal shield layer 95, a metal shield wall 81 arranged on the main surface 91a, a first metal member arranged on the main surface 91b, and a via conductor 85 penetrating the module substrate 91.
  • the metal shield wall 81 is arranged between the first component and the second component in the plan view of the main surface 91a.
  • the upper end 81a of the metal shield wall 81 is in contact with the metal shield layer 95.
  • the via conductor 85 electrically connects the metal shield wall 81 and the first metal member, and at least a part thereof overlaps each of the metal shield wall 81 and the first metal member in a plan view.
  • the high frequency module further includes a fourth component arranged on the main surface 91b.
  • the first metal member is arranged between the third component and the fourth component in a plan view.
  • the first metal member is a metal shield wall 82.
  • the parts arranged on the main surface 91b can be shielded in a wide range by the metal shield wall 82, and the electromagnetic field coupling between the parts can be suppressed.
  • the metal shield wall 82 can be arranged without being restricted by the layout of the electrode terminals connected to the mother substrate, the degree of freedom in layout is increased. Therefore, the metal shield wall 82 can be arranged and shaped so as to further enhance the effect of suppressing noise interference.
  • the first metal member may be the electrode terminal 82A.
  • the ground terminal of the mother board and the electrode terminal can be stably connected, so that the ground of the electrode terminal can be strengthened.
  • the shielding effect of the electrode terminals is enhanced, and the noise interference suppressing effect can be further enhanced.
  • the high frequency module according to the present embodiment may further include a metal shield wall 89 arranged on the main surface 91b.
  • the metal shield wall 89 is arranged between the third component and the fourth component in a plan view.
  • the shielding effect can be further enhanced.
  • the metal shield wall 81, the via conductor 85, and the first metal member can be connected in a row along the thickness direction of the module substrate 91, so that each can be connected in the shortest time. Therefore, it is possible to suppress the generation of unnecessary components such as the parasitic inductor and the parasitic capacitor, and it is possible to suppress the deterioration of the characteristics of each component.
  • any one of the first component, the second component, the third component, and the fourth component has a ground terminal.
  • the high frequency module 1 further includes a metal conductor 87 that connects the ground terminal and the via conductor 85.
  • the ground of the component can be strengthened, so that the electrical characteristics of the component can be enhanced.
  • a component having a ground terminal includes a power amplifier 10 or a filter.
  • the ground of the power amplifier 10 or the filter can be strengthened, so that the amplification characteristic or the filter characteristic can be enhanced.
  • the first component includes the power amplifier 10 or the transmission filter 61T, and a part of the first component is in contact with the metal shield layer 95.
  • the heat generated in the first component is transferred to the metal shield layer 95, so that the heat dissipation can be improved. Further, since heat can be released to the mother substrate via the metal shield layer 95, the metal shield walls 81 to 84, and the via conductors 85 and 86, the heat dissipation can be further improved.
  • the first component includes a power amplifier 10.
  • the second component includes a receiving filter 61R.
  • the third component includes a transmission filter 62T.
  • the fourth component includes a low noise amplifier 20.
  • the first component is arranged on the same side as the third component (negative side of the x-axis) with respect to the metal shield wall 81 (metal shield wall 82) in a plan view.
  • the second component is arranged on the same side as the fourth component (on the positive side of the x-axis) with respect to the metal shield wall 81 (metal shield wall 82) in a plan view.
  • the high frequency module 1 further includes a fifth component arranged on the main surface 91a, a sixth component arranged on the main surface 91b, a metal shield wall 83 arranged on the main surface 91a, and a main surface.
  • a second metal member arranged in 91b and a via conductor 86 penetrating the module substrate 91 are provided.
  • the metal shield wall 83 is arranged between the first component and the fifth component in a plan view.
  • the upper end 83a of the metal shield wall 83 is in contact with the metal shield layer 95.
  • the second metal member is arranged between the sixth component and the third component in a plan view.
  • the via conductor 86 electrically connects the metal shield wall 83 and the second metal member, and at least a part thereof overlaps each of the metal shield wall 83 and the second metal member in a plan view.
  • the fifth component includes a transmission filter 61T having a pass band different from that of the transmission filter 62T.
  • the sixth component includes a PA control circuit 11 that controls the power amplifier 10.
  • the fifth component is arranged on the same side as the second component (on the positive side of the x-axis) with respect to the metal shield wall 83 (metal shield wall 84) in a plan view.
  • the third component is arranged on the same side as the fourth component (on the positive side of the x-axis) with respect to the metal shield wall 83 (metal shield wall 84) in a plan view.
  • one pass band of the transmission filter 61T and the transmission filter 62T includes an integral multiple of the frequency included in the other pass band.
  • the thickness of the first metal member may be thicker than the thickness of the metal shield wall 81.
  • the thickness of the metal shield wall 81 is a length in a direction (specifically, the x-axis direction) orthogonal to the direction in which the metal shield wall 81 extends parallel to the main surface 91a of the module substrate 91. The same applies to the thickness of other metal shield walls.
  • the thickness of the first metal member is a length in the same direction as the thickness of the metal shield wall 81.
  • a thick first metal member (for example, the metal shield wall 82 or the electrode terminal 82A) is provided on the main surface 91b. ) Can be provided to strengthen the ground and enhance the shield function.
  • the high frequency module 1 may further include a metal conductor connected to the via conductor 85 provided in parallel with the main surface 91a inside the module substrate 91.
  • the metal conductor is, for example, a part of the metal conductor 87, and is a flat plate-shaped pattern wiring (ground pattern).
  • the communication device 5 includes an RFIC 3 that processes a high frequency signal transmitted / received by the antenna 2, and a high frequency module 1 that transmits a high frequency signal between the antenna 2 and the RFIC 3.
  • the distribution of the plurality of components included in the high frequency module 1 to each of the regions R1 to R6 is not particularly limited.
  • the regions R1 to R6 may include regions in which parts are not arranged.
  • the high frequency module 1 does not have to include the resin member 93. That is, the parts and the metal shield wall arranged on the main surface 91b of the module substrate 91 may be exposed without being covered with the resin member.
  • the width of the metal shield wall may be longer than the maximum width of the via conductor.
  • the maximum width of the electrode terminal may be longer than the maximum width of the via conductor.
  • the present invention can be widely used in communication devices such as mobile phones as a high-frequency module arranged in a multi-band compatible front end portion.

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Abstract

高周波モジュール（１）は、主面（９１ａ）及び主面（９１ｂ）を有するモジュール基板（９１）と、主面（９１ａ）、並びに、主面（９１ａ）に配置された第１部品及び第２部品の各々の側面を覆う樹脂部材（９２）と、樹脂部材（９２）の上面（９２ａ）を覆う金属シールド層（９５）と、主面（９１ａ）に配置された金属シールド壁（８１）と、主面（９１ｂ）に配置された金属部材（８２）と、モジュール基板（９１）を貫通するビア導体（８５）と、を備える。金属シールド壁（８１）は、主面（９１ａ）の平面視において、第１部品と第２部品との間に配置されている。金属シールド壁（８１）の上端（８１ａ）は、金属シールド層（９５）に接続されている。ビア導体（８５）は、金属シールド壁（８１）と金属部材とを電気的に接続し、かつ、平面視において、少なくとも一部が金属シールド壁（８１）及び金属部材（８２）の各々に重なっている。

Description

高周波モジュール及び通信装置
　本発明は、高周波モジュール及び通信装置に関する。
　特許文献１には、配線基板と、配線基板上に実装された複数の部品と、当該複数の部品を実装する封止樹脂層と、シールド壁とを備える高周波モジュールが開示されている。シールド壁は、複数の部品のうちの隣接する２つの部品の間に配置されている。この構成により、部品間のノイズの相互干渉を防止する。
国際公開第２０１６／１８１９５４号
　しかしながら、上記従来の高周波モジュールでは、ノイズ干渉を十分に抑制することができない場合がある。
　そこで、本発明は、ノイズ干渉の抑制効果を高めることができる高周波モジュール及び通信装置を提供することを目的とする。
　本発明の一態様に係る高周波モジュールは、第１主面及び当該第１主面の反対側の第２主面を有するモジュール基板と、第１主面に配置された第１部品及び第２部品と、第２主面に配置された第３部品と、第１主面、並びに、第１部品及び第２部品の各々の側面を覆う樹脂部材と、樹脂部材の上面を覆う、グランド電位に設定された金属層と、第１主面に配置され、グランド電位に設定された第１金属壁と、第２主面に配置された第１金属部材と、モジュール基板を貫通する第１ビア導体と、を備え、第１金属壁は、第１主面の平面視において、第１部品と第２部品との間に配置され、第１金属壁の上端は、金属層に接触し、第１ビア導体は、第１金属壁と第１金属部材とを電気的に接続し、かつ、平面視において、少なくとも一部が第１金属壁及び第１金属部材の各々に重なっている。
　本発明の一態様に係る通信装置は、アンテナで送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、アンテナとＲＦ信号処理回路との間で高周波信号を伝送する、上記一態様に係る高周波モジュールと、を備える。
　本発明によれば、ノイズ干渉の抑制効果を高めることができる。
図１は、実施の形態に係る高周波モジュール及び通信装置の回路構成図である。 図２は、実施の形態に係る高周波モジュールの平面図である。 図３は、実施の形態に係る高周波モジュールの平面図である。 図４は、実施の形態に係る高周波モジュールの断面図である。 図５は、変形例１に係る高周波モジュールの平面図である。 図６は、変形例１に係る高周波モジュールの断面図である。 図７は、変形例２に係る高周波モジュールの一部拡大断面図である。 図８は、変形例３に係る高周波モジュールの断面図である。
　以下では、本発明の実施の形態に係る高周波モジュール及び通信装置について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、いずれも本発明の一具体例を示すものである。したがって、以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態などは、一例であり、本発明を限定する趣旨ではない。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
　また、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示されたものではない。したがって、例えば、各図において縮尺などは必ずしも一致しない。また、各図において、実質的に同一の構成については同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する。
　また、本明細書において、平行又は垂直などの要素間の関係性を示す用語、及び、矩形又は直線などの要素の形状を示す用語、並びに、数値範囲は、厳格な意味のみを表す表現ではなく、実質的に同等な範囲、例えば数％程度の差異をも含むことを意味する表現である。
　また、本明細書において、「上方」及び「下方」という用語は、絶対的な空間認識における上方向（鉛直上方）及び下方向（鉛直下方）を指すものではなく、積層構成における積層順を基に相対的な位置関係により規定される用語として用いる。このため、例えば、部品又は部材の「上面」又は「天面」は、実際の使用態様において、様々な方向の面になりうる。なお、部品又は部材の「天面」とは、当該部品又は当該部材の最上面を意味する。
　また、本明細書及び図面において、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は、三次元直交座標系の三軸を示している。ｘ軸及びｙ軸はそれぞれ、モジュール基板の平面視形状が矩形である場合に、当該矩形の第１辺、及び、当該第１辺に直交する第２辺に平行な方向である。ｚ軸は、モジュール基板の厚み方向である。なお、本明細書において、モジュール基板の「厚み方向」とは、モジュール基板の主面に垂直な方向のことをいう。
　また、本明細書において、「接続される」とは、接続端子及び／又は配線導体で直接接続される場合だけでなく、他の回路素子を介して電気的に接続される場合も含む。また、「ＡとＢとの間に接続される」とは、ＡとＢとの間でＡ及びＢの両方に接続されることを意味する。
　また、本発明の部品配置において、「モジュール基板の平面視」とは、「モジュール基板の主面の平面視」と同義であり、ｚ軸の正側からｘｙ平面に物体を正投影して見ることを意味する。本明細書では、特に断りの無い限り、「平面視」とは「モジュール基板の主面の平面視」を意味する。本明細書では、モジュール基板に対して、第１部品が設けられた側を「上方（又は上側）」とし、その反対方向を「下方（又は下側）」としている。
　また、「部品が基板の主面に配置される」とは、部品が基板の主面と接触した状態で主面上に配置されることに加えて、部品が主面と接触せずに主面の上方に配置されること、及び、部品の一部が主面側から基板内に埋め込まれて配置されることを含む。また、「ＡがＢとＣとの間に配置される」とは、Ｂ内の任意の点とＣ内の任意の点とを結ぶ複数の線分のうちの少なくとも１つがＡを通ることを意味する。
　また、本明細書において、「第１」、「第２」などの序数詞は、特に断りの無い限り、構成要素の数又は順序を意味するものではなく、同種の構成要素の混同を避け、区別する目的で用いられている。
　（実施の形態）
　［１．高周波モジュール及び通信装置の回路構成］
　実施の形態に係る高周波モジュール及び通信装置の回路構成について、図１を用いて説明する。図１は、本実施の形態に係る高周波モジュール１及び通信装置５の回路構成図である。
　［１－１．通信装置の回路構成］
　まず、通信装置５の回路構成について説明する。通信装置５は、通信システムで用いられる装置であり、例えばスマートフォン及びタブレットコンピュータなどの携帯端末である。図１に示されるように、本実施の形態に係る通信装置５は、高周波モジュール１と、アンテナ２と、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）３と、ベースバンド信号処理回路（ＢＢＩＣ）４と、を備える。
　高周波モジュール１は、アンテナ２とＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝送する。高周波モジュール１の内部構成については後述する。
　アンテナ２は、高周波モジュール１のアンテナ接続端子１００に接続され、高周波モジュール１から出力された高周波信号（送信信号）を送信し、また、外部から高周波信号（受信信号）を受信して高周波モジュール１へ出力する。
　ＲＦＩＣ３は、アンテナ２で送受信される高周波信号を処理する信号処理回路の一例である。具体的には、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１の受信経路を介して入力された高周波受信信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をＢＢＩＣ４へ出力する。また、ＲＦＩＣ３は、ＢＢＩＣ４から入力された送信信号をアップコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された高周波送信信号を、高周波モジュール１の送信経路に出力する。また、ＲＦＩＣ３は、高周波モジュール１が有するスイッチ及び増幅器などを制御する制御部を有する。なお、ＲＦＩＣ３の制御部としての機能の一部又は全部は、ＲＦＩＣ３の外部に実装されてもよく、例えば、ＢＢＩＣ４又は高周波モジュール１に実装されてもよい。
　ＢＢＩＣ４は、高周波モジュール１が伝送する高周波信号よりも低周波の中間周波数帯域を用いて信号処理するベースバンド信号処理回路である。ＢＢＩＣ４で処理される信号としては、例えば、画像表示のための画像信号、及び／又は、スピーカを介した通話のために音声信号が用いられる。
　なお、本実施の形態に係る通信装置５において、アンテナ２及びＢＢＩＣ４は、必須の構成要素ではない。
　［１－２．高周波モジュールの回路構成］
　次に、高周波モジュール１の回路構成について説明する。図１に示されるように、高周波モジュール１は、電力増幅器１０と、ＰＡ制御回路１１と、低雑音増幅器２０と、整合回路３１、３２、４１及び４２と、スイッチ５１～５３と、デュプレクサ６１及び６２と、アンテナ接続端子１００と、高周波入力端子１１０と、制御入力端子１１１と、高周波出力端子１２０と、を備える。
　アンテナ接続端子１００は、アンテナ２に接続される。
　高周波入力端子１１０は、高周波モジュール１の外部から高周波送信信号を受けるための端子である。本実施の形態では、高周波入力端子１１０は、ＲＦＩＣ３から、通信バンドＡ及びＢの送信信号を受けるための端子である。
　制御入力端子１１１は、電力増幅器１０の利得、並びに、電力増幅器１０に供給される電源電圧及びバイアス電圧を制御するためのデジタル信号を受けるための端子である。例えば、制御入力端子１１１は、ＭＩＰＩ（Mobile Industry Processor Interface）端子であり、ＲＦＩＣ３からデジタル信号を受ける。
　高周波出力端子１２０は、高周波モジュール１の外部に高周波受信信号を提供するための端子である。本実施の形態では、高周波出力端子１２０は、ＲＦＩＣ３に通信バンドＡ及びＢの受信信号を提供するための端子である。
　なお、通信バンドとは、通信システムのために標準化団体など（例えば３ＧＰＰ（3rd Generation Partnership Project）及びＩＥＥＥ（Institute of Electrical and Electronics Engineers）など）によって予め定義された周波数バンドを意味する。ここでは、通信システムとは、無線アクセス技術（ＲＡＴ：Radio Access Technology）を用いて構築される通信システムを意味する。通信システムとしては、例えば５ＧＮＲ（5th Generation New Radio）システム、ＬＴＥ（Long Term Evolution）システム及びＷＬＡＮ（Wireless Local Area Network）システムなどを用いることができるが、これに限定されない。
　通信バンドＡ及びＢは、互いに異なる通信バンドである。本実施の形態では、通信バンドＡ及びＢとしてそれぞれ、周波数分割複信（ＦＤＤ：Frequency Division Duplex）用の通信バンドが用いられている。なお、通信バンドＡ及びＢの少なくとも一方として、時分割複信（ＴＤＤ：Time Division Duplex）用の通信バンドが用いられてもよい。
　高周波モジュール１には、送信信号を伝送する送信経路、及び、受信信号を伝送する受信経路が設けられている。具体的には、図１に示されるように、送信経路ＡＴ及びＢＴ、並びに、受信経路ＡＲ及びＢＲが設けられている。
　送信経路ＡＴは、通信バンドＡの送信信号を伝送する経路であり、高周波入力端子１１０とアンテナ接続端子１００とを結ぶ信号経路のうち、電力増幅器１０、スイッチ５２、整合回路３１、送信フィルタ６１Ｔ及びスイッチ５１が配置された経路である。また、送信経路ＢＴは、通信バンドＢの送信信号を伝送する経路であり、高周波入力端子１１０とアンテナ接続端子１００とを結ぶ信号経路のうち、電力増幅器１０、スイッチ５２、整合回路３２、送信フィルタ６２Ｔ及びスイッチ５１が配置された経路である。送信経路ＡＴ及びＢＴは、高周波入力端子１１０とスイッチ５２との間、及び、スイッチ５１とアンテナ接続端子１００との間で共通化されている。
　受信経路ＡＲは、通信バンドＡの受信信号を伝送する経路である。受信経路ＡＲは、アンテナ接続端子１００と高周波出力端子１２０とを結ぶ信号経路のうち、スイッチ５１、受信フィルタ６１Ｒ、整合回路４１、スイッチ５３及び低雑音増幅器２０が配置された経路である。また、受信経路ＢＲは、通信バンドＢの受信信号を伝送する経路であり、アンテナ接続端子１００と高周波出力端子１２０とを結ぶ信号経路のうち、スイッチ５１、受信フィルタ６２Ｒ、整合回路４２、スイッチ５３及び低雑音増幅器２０が配置された経路である。受信経路ＡＲ及びＢＲは、アンテナ接続端子１００とスイッチ５１との間、及び、スイッチ５３と高周波出力端子１２０との間で共通化されている。なお、アンテナ接続端子１００とスイッチ５１との間は、送信経路及び受信経路で共通する経路であり、送信信号及び受信信号の両方を伝送する送受信経路とも称される。
　電力増幅器１０は、通信バンドＡ及びＢの送信信号を増幅することができる。ここでは、電力増幅器１０の入力端子は、高周波入力端子１１０に接続され、電力増幅器１０の出力端子は、スイッチ５２に接続される。
　電力増幅器１０の構成は特に限定されない。例えば、電力増幅器１０は、単段構成であってもよく、多段構成であってもよい。例えば、電力増幅器１０は、カスケード接続された複数の増幅素子を有してもよい。また、電力増幅器１０は、高周波信号を平衡信号に変換して増幅してもよい。このような電力増幅器１０は、差動増幅器と呼ばれる場合がある。なお、平衡信号とは、互いに逆の位相を有する信号の組を意味する。平衡信号は、差動信号と呼ばれる場合もある。
　ＰＡ制御回路１１は、電力増幅器１０を制御する制御回路の一例である。ＰＡ制御回路１１は、制御入力端子１１１を介して入力されたデジタル信号に基づいて、電力増幅器１０の利得を制御する。
　ＰＡ制御回路１１は、例えば、１つの半導体集積回路である。半導体集積回路は、例えば、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）で構成され、具体的には、ＳＯＩ（Silicon on Insulator）プロセスにより構成されている。これにより、半導体集積回路を安価に製造することが可能になる。なお、半導体集積回路は、ＧａＡｓ、ＳｉＧｅ及びＧａＮのうち少なくとも１つで構成されてもよい。
　低雑音増幅器２０は、アンテナ接続端子１００で受けた通信バンドＡ及びＢの受信信号を増幅することができる。ここでは、低雑音増幅器２０の入力端子は、スイッチ５３に接続され、低雑音増幅器２０の出力端子は、高周波出力端子１２０に接続されている。
　低雑音増幅器２０の構成は特に限定されない。例えば、低雑音増幅器２０は、単段構成であってもよく、多段構成であってもよい。
　なお、電力増幅器１０及び低雑音増幅器２０は、例えば、Ｓｉ系のＣＭＯＳ、又は、ＧａＡｓを材料とした、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）若しくはヘテロバイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）などで構成されている。
　デュプレクサ６１は、通信バンドＡを含む通過帯域を有するフィルタの一例である。デュプレクサ６１は、通信バンドＡの高周波信号を通過させる。デュプレクサ６１は、通信バンドＡの送信信号と受信信号とをＦＤＤ方式で伝送する。デュプレクサ６１は、送信フィルタ６１Ｔ及び受信フィルタ６１Ｒを含む。
　送信フィルタ６１Ｔは、第１送信フィルタの一例であり、通信バンドＡのアップリンク動作バンド（uplink operating band）を含む通過帯域を有する。送信フィルタ６１Ｔの一端は、スイッチ５１を介してアンテナ接続端子１００に接続される。送信フィルタ６１Ｔの他端は、整合回路３１及びスイッチ５２を介して電力増幅器１０の出力端子に接続される。
　アップリンク動作バンドとは、アップリンク用に指定された、通信バンドの一部を意味する。高周波モジュール１では、アップリンク動作バンドは送信帯域を意味する。
　受信フィルタ６１Ｒは、通信バンドＡのダウンリンク動作バンド（downlink operating band）を含む通過帯域を有する。受信フィルタ６１Ｒの一端は、スイッチ５１を介してアンテナ接続端子１００に接続される。受信フィルタ６１Ｒの他端は、整合回路４１及びスイッチ５３を介して低雑音増幅器２０の入力端子に接続される。
　ダウンリンク動作バンドとは、ダウンリンク用に指定された、通信バンドの一部を意味する。高周波モジュール１では、ダウンリンク動作バンドは受信帯域を意味する。
　デュプレクサ６２は、通信バンドＢを含む通過帯域を有するフィルタの一例である。デュプレクサ６２は、通信バンドＢの高周波信号を通過させる。デュプレクサ６２は、通信バンドＢの送信信号と受信信号とをＦＤＤ方式で伝送する。デュプレクサ６２は、送信フィルタ６２Ｔ及び受信フィルタ６２Ｒを含む。
　送信フィルタ６２Ｔは、第１送信フィルタとは通過帯域が異なる第２送信フィルタの一例であり、通信バンドＢのアップリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。送信フィルタ６２Ｔの一端は、スイッチ５１を介してアンテナ接続端子１００に接続される。送信フィルタ６２Ｔの他端は、整合回路３２及びスイッチ５２を介して電力増幅器１０の出力端子に接続される。
　受信フィルタ６２Ｒは、通信バンドＢのダウンリンク動作バンドを含む通過帯域を有する。受信フィルタ６２Ｒの一端は、スイッチ５１を介してアンテナ接続端子１００に接続される。受信フィルタ６２Ｒの他端は、整合回路４２及びスイッチ５３を介して低雑音増幅器２０の入力端子に接続される。
　送信フィルタ６１Ｔ及び６２Ｔ、並びに、受信フィルタ６１Ｒ及び６２Ｒは、例えば、ＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）を用いた弾性波フィルタ、ＢＡＷ（Bulk Acoustic Wave）を用いた弾性波フィルタ、ＬＣ共振フィルタ及び誘電体フィルタのいずれかであるが、これらに限定されない。
　スイッチ５１は、アンテナ接続端子１００とデュプレクサ６１及び６２の各々との間に接続されている。スイッチ５１は、アンテナスイッチとも称される。具体的には、スイッチ５１は、端子５１１～５１３を有する。端子５１１は、アンテナ接続端子１００に接続された共通端子である。端子５１２は、送信フィルタ６１Ｔ及び受信フィルタ６１Ｒに接続された選択端子である。端子５１３は、送信フィルタ６２Ｔ及び受信フィルタ６２Ｒに接続された選択端子である。
　スイッチ５１は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、端子５１２及び５１３のいずれか一方を端子５１１に接続することができる。これにより、スイッチ５１は、（ａ）アンテナ接続端子１００と送信フィルタ６１Ｔ及び受信フィルタ６１Ｒとの接続、並びに、（ｂ）アンテナ接続端子１００と送信フィルタ６２Ｔ及び受信フィルタ６２Ｒとの接続、を切り替える。スイッチ５１は、例えば、ＳＰＤＴ（Single Pole Double Throw）型のスイッチ回路である。なお、スイッチ５１は、上記（ａ）及び（ｂ）の接続を同時に実行可能なマルチ接続型のスイッチ回路であってもよい。
　スイッチ５２は、デュプレクサ６１及び６２の各々と電力増幅器１０との間に接続されている。具体的には、スイッチ５２は、端子５２１～５２３を有する。端子５２１は、電力増幅器１０の出力端子に接続された共通端子である。端子５２２は、整合回路３１を介して送信フィルタ６１Ｔに接続された選択端子である。端子５２３は、整合回路３２を介して送信フィルタ６２Ｔに接続された選択端子である。
　スイッチ５２は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、端子５２２及び５２３のいずれか一方を端子５２１に接続することができる。これにより、スイッチ５２は、電力増幅器１０及び送信フィルタ６１Ｔの接続と、電力増幅器１０及び送信フィルタ６２Ｔの接続と、を切り替える。スイッチ５２は、例えば、ＳＰＤＴ型のスイッチ回路である。
　スイッチ５３は、デュプレクサ６１及び６２の各々と低雑音増幅器２０との間に接続されている。具体的には、スイッチ５３は、端子５３１～５３３を有する。端子５３１は、低雑音増幅器２０の入力端子に接続された共通端子である。端子５３２は、整合回路４１を介して受信フィルタ６１Ｒに接続された選択端子である。端子５３３は、整合回路４２を介して受信フィルタ６２Ｒに接続された選択端子である。
　スイッチ５３は、例えばＲＦＩＣ３からの制御信号に基づいて、端子５３２及び５３３のいずれか一方を端子５３１に接続することができる。これにより、スイッチ５３は、低雑音増幅器２０及び受信フィルタ６１Ｒの接続と、低雑音増幅器２０及び受信フィルタ６２Ｒの接続と、を切り替える。スイッチ５３は、例えば、ＳＰＤＴ型のスイッチ回路である。
　整合回路３１は、送信フィルタ６１Ｔと電力増幅器１０の出力端子との間に接続されている。具体的には、整合回路３１は、送信フィルタ６１Ｔとスイッチ５２の端子５２２との間に接続されている。整合回路３１は、送信フィルタ６１Ｔと電力増幅器１０とのインピーダンス整合をとる。
　整合回路３２は、送信フィルタ６２Ｔと電力増幅器１０の出力端子との間に接続されている。具体的には、整合回路３２は、送信フィルタ６２Ｔとスイッチ５２の端子５２３との間に接続されている。整合回路３２は、送信フィルタ６２Ｔと電力増幅器１０とのインピーダンス整合をとる。
　整合回路４１は、受信フィルタ６１Ｒと低雑音増幅器２０の入力端子との間に接続されている。具体的には、整合回路４１は、受信フィルタ６１Ｒとスイッチ５３の端子５３２との間に接続されている。整合回路４１は、受信フィルタ６１Ｒと低雑音増幅器２０とのインピーダンス整合をとる。
　整合回路４２は、受信フィルタ６２Ｒと低雑音増幅器２０の入力端子との間に接続されている。具体的には、整合回路４２は、受信フィルタ６２Ｒとスイッチ５３の端子５３３との間に接続されている。整合回路４２は、受信フィルタ６２Ｒと低雑音増幅器２０とのインピーダンス整合をとる。
　また、整合回路３１、３２、４１及び４２はそれぞれ、インダクタ、キャパシタ及び抵抗の少なくとも１つを用いて形成されている。例えば、整合回路３１、３２、４１及び４２はそれぞれ、チップ状のインダクタを含んでいる。
　なお、整合回路３１及び３２の代わりに、又は、整合回路３１及び３２に加えて、スイッチ５２の端子５２１と電力増幅器１０の出力端子との間に整合回路が設けられていてもよい。また、整合回路４１及び４２の代わりに、又は、整合回路４１及び４２に加えて、スイッチ５３の端子５３１と低雑音増幅器２０の入力端子との間に整合回路が設けられていてもよい。また、スイッチ５１の端子５１２とデュプレクサ６１との間に整合回路が設けられていてもよい。スイッチ５１の端子５１３とデュプレクサ６２との間に整合回路が設けられていてもよい。
　上記回路構成を有する高周波モジュール１において、電力増幅器１０、スイッチ５２、整合回路３１及び送信フィルタ６１Ｔは、アンテナ接続端子１００に向けて通信バンドＡの送信信号を出力する第１送信回路を構成する。また、電力増幅器１０、スイッチ５２、整合回路３２及び送信フィルタ６２Ｔは、アンテナ接続端子１００に向けて通信バンドＢの送信信号を出力する第２送信回路を構成する。
　また、低雑音増幅器２０、スイッチ５３、整合回路４１及び受信フィルタ６１Ｒは、アンテナ２からアンテナ接続端子１００を介して通信バンドＡの受信信号を入力する第１受信回路を構成する。また、低雑音増幅器２０、スイッチ５３、整合回路４２及び受信フィルタ６２Ｒは、アンテナ２からアンテナ接続端子１００を介して通信バンドＢの受信信号を入力する第２受信回路を構成する。
　上記回路構成によれば、本実施の形態に係る高周波モジュール１は、（１）通信バンドＡの高周波信号の送受信、（２）通信バンドＢの高周波信号の送受信、及び（３）通信バンドＡの高周波信号と通信バンドＢの高周波信号との同時送信、同時受信、又は同時送受信、の少なくともいずれかを実行することが可能である。
　なお、本実施の形態に係る高周波モジュール１では、送信回路及び受信回路がスイッチ５１を介してアンテナ接続端子１００に接続されていなくてもよく、上記送信回路及び上記受信回路が、異なる端子を介してアンテナ２に接続されていてもよい。
　また、図１に示される回路素子のいくつかは、高周波モジュール１に含まれなくてもよい。例えば、高周波モジュール１は、送信信号を伝送する送信回路のみを含んでもよく、この場合、低雑音増幅器２０、整合回路４１及び４２、スイッチ５３、並びに、受信フィルタ６１Ｒ及び６２Ｒを備えなくてもよい。また、高周波モジュール１は、受信信号を伝送する受信回路のみを含んでもよく、この場合、電力増幅器１０、整合回路３１及び３２、スイッチ５２、並びに、送信フィルタ６１Ｔ及び６２Ｔを備えなくてもよい。また、高周波モジュール１は、１つのみの通信バンドの高周波信号を伝送してもよく、この場合、スイッチ５１、整合回路３２及び４２、並びに、デュプレクサ６２を備えなくてもよい。
　［２．高周波モジュールの部品配置］
　次に、高周波モジュール１の部品配置の例について、図２～図４を用いて説明する。
　図２及び図３はそれぞれ、本実施の形態に係る高周波モジュール１の平面図である。図２は、モジュール基板９１の主面９１ａをｚ軸の正側から見たときの主面９１ａに配置された部品及び部材の配置を表している。図３は、モジュール基板９１の主面９１ｂをｚ軸の正側から見たときの主面９１ｂに配置された部品及び部材の配置を表している。なお、主面９１ｂはｚ軸の負側に面しているので、図３は、モジュール基板９１の主面９１ａ側に位置する部品及び部材、並びに、モジュール基板９１を透視して見た平面図である。
　図４は、本実施の形態に係る高周波モジュール１の断面図である。図４は、図２及び図３のＩＶ－ＩＶ線における断面（ｘｚ面）を表している。なお、図４では、図の見やすさを考慮して、モジュール基板９１には断面を表す網掛けを付していない。
　図２～図４に示されるように、高周波モジュール１は、図１に示される回路構成に加えて、モジュール基板９１と、樹脂部材９２及び９３と、金属シールド層９５と、を備える。また、高周波モジュール１は、金属シールド壁８１～８４と、ビア導体８５及び８６と、金属導体８７及び８８と、を備える。
　モジュール基板９１は、主面９１ａと、主面９１ａの反対側の主面９１ｂと、を有する。モジュール基板９１は、平面視において矩形状を有するが、モジュール基板９１の形状はこれに限定されない。モジュール基板９１としては、例えば、複数の誘電体層の積層構造を有する低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ：Low Temperature Co-fired Ceramics）基板、高温同時焼成セラミックス（ＨＴＣＣ：High Temperature Co-fired Ceramics）基板、部品内蔵基板、再配線層（ＲＤＬ：Redistribution Layer）を有する基板、又は、プリント基板などを用いることができるが、これらに限定されない。
　主面９１ａは、第１主面の一例であり、上面又は表面と呼ばれる場合がある。主面９１ａには、図１に示される回路を構成する素子をそれぞれが含む複数の部品が配置されている。具体的には、図２に示されるように、主面９１ａには、電力増幅器１０と、整合回路３１、３２、４１及び４２と、スイッチ５１と、送信フィルタ６１Ｔと、受信フィルタ６１Ｒ及び６２Ｒと、が配置されている。また、主面９１ａには、金属シールド壁８１及び８３が配置（具体的には立設）されている。
　主面９１ｂは、第２主面の一例であり、下面又は裏面と呼ばれる場合がある。主面９１ｂには、図１に示される回路を構成する素子をそれぞれが含む複数の部品と、複数の外部接続端子と、が配置されている。具体的には、図３に示されるように、主面９１ｂには、ＰＡ制御回路１１と、低雑音増幅器２０と、スイッチ５２及び５３と、送信フィルタ６２Ｔと、複数の外部接続端子１５０と、が配置されている。また、主面９１ｂには、金属シールド壁８２及び８４が配置（具体的には立設）されている。
　なお、低雑音増幅器２０とスイッチ５３とは、１つの半導体集積回路７０に含まれている。半導体集積回路７０は、半導体チップ（ダイとも呼ばれる）の表面及び内部に形成された電子回路を有する電子部品である。半導体集積回路７０は、例えば、ＣＭＯＳで構成され、具体的にはＳＯＩプロセスにより構成されている。これにより、半導体集積回路７０を安価に製造することができる。なお、半導体集積回路７０は、ＧａＡｓ、ＳｉＧｅ及びＧａＮのうちの少なくとも１つで構成されている。これにより、高品質な半導体集積回路７０を実現することができる。なお、低雑音増幅器２０とスイッチ５３とはそれぞれ、別体の回路部品として主面９１ｂに配置されていてもよい。
　複数の外部接続端子１５０は、図１に示されるアンテナ接続端子１００、高周波入力端子１１０、制御入力端子１１１及び高周波出力端子１２０に加えて、グランド端子を含む。複数の外部接続端子１５０の各々は、高周波モジュール１のｚ軸の負側に配置されたマザー基板（図示せず）上の入出力端子及び／又はグランド端子などに接続される。複数の外部接続端子１５０は、主面９１ｂを覆う樹脂部材９３を貫通するポスト電極である。
　樹脂部材９２は、封止部材の一例であり、モジュール基板９１の主面９１ａ上に配置され、主面９１ａを覆っている。具体的には、樹脂部材９２は、主面９１ａに配置された各部品の側面及び上面、並びに、金属シールド壁８１及び８３の各々の側面を覆うように設けられている。なお、樹脂部材９２は、主面９１ａに配置された部品の上面を覆っていなくてもよい。例えば、図４に示されるように、樹脂部材９２は、送信フィルタ６１Ｔ及び受信フィルタ６１Ｒの各々の上面を覆っていない。
　樹脂部材９３は、封止部材の一例であり、モジュール基板９１の主面９１ｂ上に配置され、主面９１ｂを覆っている。具体的には、樹脂部材９３は、主面９１ｂに配置された各部品の側面、並びに、金属シールド壁８２及び８４の各々の側面を覆うように設けられている。なお、樹脂部材９３は、主面９１ｂに配置された部品の下面（ｚ軸の負側の面）を覆っていてもよい。
　金属シールド層９５は、金属層の一例であり、樹脂部材９２の上面９２ａを覆っている。上面９２ａは、樹脂部材９２の、モジュール基板９１とは反対側の面である。具体的には、金属シールド層９５は、樹脂部材９２の上面９２ａ及び側面、モジュール基板９１の側面、並びに、樹脂部材９３の側面を覆っている。なお、「面を覆う」とは、対象となる面の少なくとも一部を覆うことを意味する。したがって、例えば、金属シールド層９５は、樹脂部材９２の上面９２ａの一部のみを覆っており、他の一部を覆っていなくてもよい。なお、樹脂部材９２などの他の部材が「面を覆う」場合も同様である。
　また、金属シールド層９５は、モジュール基板９１の主面９１ａに配置された部品のうち、上面が樹脂部材９２に覆われていない部品の上面を覆っている。例えば、図４に示されるように、金属シールド層９５は、送信フィルタ６１Ｔ及び受信フィルタ６１Ｒの各々の上面に接触している。また、電力増幅器１０の上面が樹脂部材９２に覆われていなくてもよい。金属シールド層９５は、電力増幅器１０の上面に接触していてもよい。
　これにより、電力増幅器１０、送信フィルタ６１Ｔ及び受信フィルタ６１Ｒで発生する熱を金属シールド層９５に逃がすことができる。また、金属シールド層９５に伝わった熱は、後述する金属シールド壁８１～８４、並びに、ビア導体８５及び８６を介して、マザー基板に逃がすことができる。電力増幅器１０、送信フィルタ６１Ｔ若しくは受信フィルタ６１Ｒ、又は、その他の部品は、金属シールド層９５の上面部分に加えて、又は、上面部分の代わりに、金属シールド層９５の側面部分で接触していてもよい。金属シールド層９５に対する接触面積が大きくなる程、放熱性を高めることができる。
　金属シールド層９５は、例えば、スパッタ法により形成された金属薄膜である。金属シールド層９５は、グランド電位に設定されている。具体的には、金属シールド層９５は、グランド端子、及び、モジュール基板９１に設けられたグランド電極に接続されることによって、グランド電位に設定される。これにより、外来ノイズが高周波モジュール１に含まれる回路部品に侵入することを抑制する。
　［３．電磁界結合を抑制する構造］
　ここで、上記回路構成を有する高周波モジュール１において、送信経路ＡＴ及びＢＴ、受信経路ＡＲ及びＢＲに配置された素子（例えば、インダクタ及び／又はキャパシタ）の少なくとも２つが電磁界結合すると、電力増幅器１０で増幅された高出力の送信信号の高調波成分が送信信号に重畳され、送信信号の品質が低下する場合がある。また、上記電磁界結合により送受信間のアイソレーションが低下し、上記高調波成分、又は、送信信号と他の高周波信号との相互変調歪などの不要波が、受信経路に流入して受信感度が劣化する場合がある。
　これに対して、本実施の形態に係る高周波モジュール１では、部品間の電磁界結合を抑制する構成を有している。具体的には、高周波モジュール１は、金属シールド壁８１及び８２、ビア導体８５、並びに、金属導体８７を備える。金属シールド壁８１及び８２並びにビア導体８５は、モジュール基板９１の厚み方向に一列に連結された第１連結構造を構成している。高周波モジュール１は、さらに、金属シールド壁８３及び８４と、ビア導体８６と、金属導体８８と、を備える。金属シールド壁８３及び８４並びにビア導体８６は、モジュール基板９１の厚み方向に一列に連結された第２連結構造を構成している。
　高周波モジュール１における部品の実装領域（主面９１ａ及び９１ｂ）は、モジュール基板９１（金属導体８７及び８８）、金属シールド壁８１～８４並びにビア導体８５及び８６によって、６つの領域Ｒ１～Ｒ６に区分することができる。図２に示されるように、領域Ｒ１、Ｒ５及びＲ２はそれぞれ、主面９１ａ上の領域である。図３に示されるように、領域Ｒ６、Ｒ３及びＲ４はそれぞれ、主面９１ｂ上の領域である。平面視において、領域Ｒ１と領域Ｒ６とが重なっている。平面視において、領域Ｒ５と領域Ｒ３とが重なっている。平面視において、領域Ｒ２と領域Ｒ４とが重なっている。
　具体的には、領域Ｒ１は、金属シールド壁８３よりもｘ軸の負側の領域であり、第１部品が配置されている。第１部品は、具体的には、整合回路３１若しくは３２又は電力増幅器１０である。領域Ｒ２は、金属シールド壁８１よりもｘ軸の正側の領域であり、第２部品が配置されている。第２部品は、具体的には、整合回路４１若しくは４２又は受信フィルタ６１Ｒ若しくは６２Ｒである。領域Ｒ５は、金属シールド壁８３と金属シールド壁８１との間の領域であり、第５部品が配置されている。第５部品は、具体的には、スイッチ５１又は送信フィルタ６１Ｔである。
　領域Ｒ６は、金属シールド壁８４よりもｘ軸の負側の領域であり、第６部品が配置されている。第６部品は、具体的には、ＰＡ制御回路１１又はスイッチ５２である。領域Ｒ４は、金属シールド壁８２よりもｘ軸の正側の領域であり、第４部品が配置されている。第４部品は、具体的には、低雑音増幅器２０又はスイッチ５３である。領域Ｒ３は、金属シールド壁８４と金属シールド壁８２との間の領域であり、第３部品が配置されている。第３部品は、具体的には、送信フィルタ６２Ｔである。
　これにより、６つの領域Ｒ１～Ｒ６のうち任意の領域間で、部品間の電磁界結合を抑制することができる。例えば、領域Ｒ１と領域Ｒ２とは、２つの金属シールド壁８１及び８３によって隔てられているので、電磁界結合をより強く抑制することができる。また、領域Ｒ１と領域Ｒ４とは、２つの連結構造（各々が、２つの金属シールド壁とビア導体とを含む）と、モジュール基板９１とによって隔てられているので、電磁界結合をより一層強く抑制することができる。
　なお、高周波モジュール１は、金属シールド壁８３及び８４、ビア導体８６並びに金属導体８８を備えなくてもよい。この場合、領域Ｒ１と領域Ｒ５との区分がなくなるので、第５部品は、第１部品とみなされる。また、領域Ｒ３と領域Ｒ６との区分がなくなるので、第６部品は、第３部品とみなされる。
　同様に、高周波モジュール１は、金属シールド壁８１及び８２、ビア導体８５並びに金属導体８７を備えなくてもよい。この場合、領域Ｒ５と領域Ｒ２との区分がなくなるので、第５部品は、第２部品とみなされる。また、領域Ｒ３と領域Ｒ４との区分がなくなるので、第４部品は、第３部品とみなされる。
　以下では、金属シールド壁８１～８４、ビア導体８５及び８６、並びに、金属導体８７及び８８の詳細について説明する。
　金属シールド壁８１は、第１金属壁の一例であり、モジュール基板９１の主面９１ａに配置されている。金属シールド壁８１は、平面視において、第１部品と第２部品との間に配置されている。本実施の形態では、金属シールド壁８１によって、主面９１ａが領域Ｒ１及びＲ５と領域Ｒ２とに区分されている。
　図４に示されるように、金属シールド壁８１の上端８１ａは、金属シールド層９５に接触している。金属シールド壁８１は、金属シールド層９５に接触することにより、金属シールド層９５に電気的に接続され、グランド電位に設定される。これにより、金属シールド壁８１は、その両側に位置する部品間の電磁界結合を抑制することができる。つまり、金属シールド壁８１は、シールド機能（電磁遮蔽機能）を有する。
　本実施の形態では、金属シールド壁８１の下端８１ｂは、ビア導体８５に接触している。ビア導体８５は、金属導体８７を介してグランド端子（図示せず）に接続されており、グランド電位に設定されている。これにより、金属シールド壁８１は、上端８１ａ及び下端８１ｂの両方からグランド電位が供給されるので、金属シールド壁８１のグランドが強化され、シールド機能が高められる。
　金属シールド壁８２は、第１金属部材の一例であり、モジュール基板９１の主面９１ｂに配置されている。金属シールド壁８２は、平面視において、第３部品と第４部品との間に配置されている。本実施の形態では、金属シールド壁８２によって、主面９１ｂが領域Ｒ３及びＲ６と領域Ｒ４とに区分されている。
　金属シールド壁８２の上端８２ａは、ビア導体８５に接触している。金属シールド壁８２は、ビア導体８５に接触することにより、ビア導体８５に電気的に接続され、グランド電位に設定される。これにより、金属シールド壁８２は、その両側に位置する部品間の電磁界結合を抑制することができる。
　本実施の形態では、金属シールド壁８２の下端８２ｂは、樹脂部材９３に覆われずに露出している。金属シールド壁８２の下端８２ｂは、高周波モジュール１のｚ軸の負側に配置されたマザー基板（図示せず）上のグランド端子に接続されてもよい。これにより、金属シールド壁８２のグランドが強化され、シールド機能を高めることができる。
　ビア導体８５は、第１ビア導体の一例であり、モジュール基板９１を貫通している。ビア導体８５は、金属導体８７を介してグランド端子（図示せず）に接続されている。これにより、ビア導体８５及び金属導体８７は、グランド電位に設定されている。
　ビア導体８５は、金属シールド壁８１と金属シールド壁８２とを電気的に接続している。ビア導体８５は、平面視において、少なくとも一部が金属シールド壁８１及び８２の各々に重なっている。
　ビア導体８５は、例えば、円柱状の金属導体であり、その幅（直径）は、金属シールド壁８１及び８２の各々の幅（ｙ軸に沿った長さ）より長い。高周波モジュール１では、複数のビア導体８５がｙ軸に沿って並んで設けられている。なお、ビア導体８５の個数、形状及び大きさなどは、特に限定されない。
　本実施の形態では、図４に示されるように、金属シールド壁８１とビア導体８５とが平面視において重なる部分の少なくとも一部は、平面視において金属シールド壁８２に重なっている。つまり、金属シールド壁８１、ビア導体８５及び金属シールド壁８２が、モジュール基板９１の厚み方向に一列に連結されている。これにより、部品間の電磁界結合をより強く抑制することができる。
　例えば、金属シールド壁８１、ビア導体８５及び金属シールド壁８２の連結構造によって、主面９１ａに配置された第１部品及び第５部品（電力増幅器１０、整合回路３１若しくは３２、スイッチ５１又は送信フィルタ６１Ｔ）と、主面９１ｂに配置された第４部品（低雑音増幅器２０又はスイッチ５３）との電磁界結合を抑制することができる。また、上記連結構造によって、主面９１ａに配置された第２部品（整合回路４１若しくは４２又は受信フィルタ６１Ｒ若しくは６２Ｒ）と、主面９１ｂに配置された第３部品及び第６部品（ＰＡ制御回路１１、スイッチ５２若しくは送信フィルタ６２Ｔ）との電磁界結合を抑制することができる。
　金属シールド壁８３は、第３金属壁の一例であり、モジュール基板９１の主面９１ａに配置されている。金属シールド壁８３は、平面視において、第１部品と第５部品との間に配置されている。本実施の形態では、金属シールド壁８３によって、主面９１ａが領域Ｒ１と領域Ｒ５及びＲ２とに区分されている。
　図４に示されるように、金属シールド壁８３の上端８３ａは、金属シールド層９５に接触している。金属シールド壁８３は、金属シールド層９５に接触することにより、金属シールド層９５に電気的に接続され、グランド電位に設定される。これにより、金属シールド壁８３は、その両側に位置する部品間の電磁界結合を抑制することができる。つまり、金属シールド壁８３は、シールド機能を有する。
　本実施の形態では、金属シールド壁８３の下端８３ｂは、ビア導体８６に接触している。ビア導体８６は、金属導体８８を介してグランド端子（図示せず）に接続されており、グランド電位に設定されている。これにより、金属シールド壁８３は、上端８３ａ及び下端８３ｂの両方からグランド電位が供給されるので、金属シールド壁８３のグランドが強化され、シールド機能が高められる。
　金属シールド壁８４は、第２金属部材の一例であり、モジュール基板９１の主面９１ｂに配置されている。金属シールド壁８４は、平面視において、第６部品と第３部品との間に配置されている。本実施の形態では、金属シールド壁８４によって、主面９１ｂが領域Ｒ６と領域Ｒ３及びＲ４とに区分されている。
　金属シールド壁８４の上端８４ａは、ビア導体８６に接触している。金属シールド壁８４は、ビア導体８６に接触することにより、ビア導体８６に電気的に接続され、グランド電位に設定される。これにより、金属シールド壁８４は、その両側に位置する部品間の電磁界結合を抑制することができる。
　本実施の形態では、金属シールド壁８４の下端８４ｂは、樹脂部材９３に覆われずに露出している。金属シールド壁８４の下端８４ｂは、高周波モジュール１のｚ軸の負側に配置されたマザー基板（図示せず）上のグランド端子に接続されてもよい。これにより、金属シールド壁８４のグランドが強化され、シールド機能を高めることができる。
　ビア導体８６は、第２ビア導体の一例であり、モジュール基板９１を貫通している。ビア導体８６は、金属導体８８を介してグランド端子（図示せず）に接続されている。これにより、ビア導体８６及び金属導体８８は、グランド電位に設定されている。
　ビア導体８６は、金属シールド壁８３と金属シールド壁８４とを電気的に接続している。ビア導体８６は、平面視において、少なくとも一部が金属シールド壁８３及び８４の各々に重なっている。
　ビア導体８６は、例えば、円柱状の金属導体であり、その幅（直径）は、金属シールド壁８３及び８４の各々の幅（ｙ軸に沿った長さ）より長い。高周波モジュール１では、複数のビア導体８６がｙ軸に沿って並んで設けられている。なお、ビア導体８６の個数、形状及び大きさなどは、特に限定されない。
　本実施の形態では、図４に示されるように、金属シールド壁８３とビア導体８６とが平面視において重なる部分の少なくとも一部は、平面視において金属シールド壁８４に重なっている。つまり、金属シールド壁８３、ビア導体８６及び金属シールド壁８４が、モジュール基板９１の厚み方向に一列に連結されている。これにより、部品間の電磁界結合をより強く抑制することができる。
　また、これらの第１部品、第２部品、第３部品、第４部品、第５部品及び第６部品のいずれか１つは、グランド端子を有する。例えば、図４に示されるように、送信フィルタ６１Ｔは、グランド端子６１Ｔｇを有する。グランド端子６１Ｔｇは、金属導体８７を介してビア導体８５に接続されている。これにより、送信フィルタ６１Ｔのグランドを強化することができ、フィルタの通過特性を向上させることができる。
　金属導体８７は、グランド端子６１Ｔｇに接続されたビアと、モジュール基板９１の内部に形成された平板状のパターン配線（グランドパターン）と、を含む。金属導体８７は、モジュール基板９１の側面にまで延び、金属シールド層９５に接触していてもよい。
　また、例えば、図４に示されるように、電力増幅器１０は、グランド端子１０ｇを有する。グランド端子１０ｇは、金属導体８８を介してビア導体８６に接続されている。これにより、電力増幅器１０のグランドを強化することができ、増幅特性を向上させることができる。
　金属導体８８は、グランド端子１０ｇに接続されたビアと、モジュール基板９１の内部に形成された平板状のパターン配線（グランドパターン）と、を含む。金属導体８８は、モジュール基板９１の側面にまで延び、金属シールド層９５に接触していてもよい。グランドパターンは、主面９１ａに配置された第１部品、第２部品及び第５部品の各々と、主面９１ｂに配置された第３部品、第４部品及び第６部品の各々との電磁界結合を抑制することができる。
　なお、金属導体８７と金属導体８８とは、分離して設けられていてもよく、一体的に設けられていてもよい。
　また、本実施の形態に係る高周波モジュール１では、送信フィルタ６１Ｔと送信フィルタ６２Ｔとが、モジュール基板９１の異なる主面に配置されている。これにより、送信フィルタ６１Ｔと送信フィルタ６２Ｔとの電磁界結合をより強く抑制することができる。送信フィルタ６１Ｔ及び６２Ｔの一方の通過帯域は、例えば、他方の通過帯域に含まれる周波数の整数倍を含む。この場合、送信フィルタ６１Ｔ及び６２Ｔの他方を通過する送信信号又はその高調波が、送信フィルタ６１Ｔ及び６２Ｔの一方を通過しうる。フィルタ間の電磁界結合を抑制することにより、ノイズ干渉を十分に抑制することができる。
　また、金属シールド壁８１と金属シールド壁８３とは、ｙ軸に沿って延び、その両端部で金属シールド層９５に接触しているが、これに限らない。金属シールド壁８１及び８３の各々の端部と金属シールド層９５との間には隙間が設けられていてもよい。金属シールド壁８２及び８４についても同様である。
　金属シールド壁８１～８４はそれぞれ、金属製の平板状の部材である。金属シールド壁８１及び８３は、下端８１ｂ及び８３ｂがモジュール基板９１の主面９１ａに固定されている。金属シールド壁８２及び８４は、上端８２ａ及び８４ａがモジュール基板９１の主面９１ｂに固定されている。この固定は、例えば半田などの導電性接着剤を用いて行われる。なお、金属シールド壁８１～８４の少なくとも１つは、メッキ成長させた金属壁であってもよい。
　金属シールド壁８１及び８３を固定した後、樹脂部材９２の元になる樹脂材料を充填し、硬化させることによって樹脂部材９２を形成することができる。形成した樹脂部材９２を研磨することにより、金属シールド壁８１及び８３の上端８１ａ及び８３ａを露出させる。このとき、金属シールド壁８１及び８３、並びに、主面９１ａに配置された部品も合わせて研磨してもよい。これにより、樹脂部材９２の上面９２ａと、金属シールド壁８１及び８３の各々の上端８１ａ及び８３ａと、回路部品（例えば、送信フィルタ６１Ｔ）の上面とが面一になる。面一となった上面９２ａ並びに上端８１ａ及び８３ａに対して、スパッタ法で金属シールド層９５を形成する。これにより、金属シールド壁８１及び８３の各々と金属シールド層９５とが接触し、かつ、電気的に接続される。
　なお、上端８１ａ及び８３ａはそれぞれ、金属シールド壁８１及び８３の立設方向（主面９１ａの法線に沿って主面９１ａから離れる方向、すなわち、上方）における先端部である。また、下端８１ｂ及び８３ｂはそれぞれ、金属シールド壁８１及び８３の各々の、上端８１ａ及び８３ａとは反対側の端部である。なお、主面９１ｂに設けられた金属シールド壁８２及び８４の上端８２ａ及び８４ａは、モジュール基板９１側の端部である。下端８２ｂ及び８４ｂは、モジュール基板９１から離れる方向の端部である。
　本実施の形態では、上端８１ａ及び８３ａはそれぞれ、金属シールド壁８１及び８３の上方の端面であるが、これに限定されない。例えば、金属シールド壁８１及び８３は、横倒しの三角柱又は椎体であってもよく、上端８１ａ及び８３ａは、直線状の部分又は一点であってもよい。金属シールド壁８２及び８４の下端８２ｂ及び８４ｂについても同様である。
　［４．変形例］
　続いて、実施の形態に係る高周波モジュール１の変形例について説明する。
　［４－１．変形例１］
　図５は、実施の形態の変形例１に係る高周波モジュール１Ａの平面図である。図６は、実施の形態の変形例１に係る高周波モジュール１Ａの断面図である。図６は、図５のＶＩ－ＶＩ線における断面を表している。
　図５及び図６に示される高周波モジュール１Ａは、金属シールド壁８２及び８４の代わりに、電極端子８２Ａ及び８４Ａを備える。
　電極端子８２Ａは、第１金属部材の一例であり、モジュール基板９１の主面９１ｂに配置されている。電極端子８２Ａの上端８２Ａａは、ビア導体８５に接触している。電極端子８２Ａは、ビア導体８５に接触することにより、ビア導体８５に電気的に接続され、グランド電位に設定される。これにより、電極端子８２Ａは、その両側に位置する部品間の電磁界結合を抑制することができる。
　また、電極端子８２Ａの下端８２Ａｂは、樹脂部材９３に覆われずに露出している。電極端子８２Ａの下端８２Ａｂは、高周波モジュール１Ａのｚ軸の負側に配置されるマザー基板（図示せず）上のグランド端子に接続される。これにより、電極端子８２Ａのグランドが強化され、シールド機能を高めることができる。
　電極端子８２Ａは、例えば、樹脂部材９３を貫通する円柱状のポスト電極である。平面視における電極端子８２Ａの最大幅（例えば、直径）は、金属シールド壁８１の幅（ｘ軸方向の長さ）よりも大きい。これにより、電極端子８２Ａの下端８２Ａｂとマザー基板上のグランド端子との接続を低抵抗で、かつ、安定して行うことができる。
　電極端子８２Ａは、実施の形態の金属シールド壁８２と同様に、平面視において、第３部品と第４部品との間に配置されている。これにより、電極端子８２Ａは、第３部品（送信フィルタ６２Ｔ）と、第４部品（半導体集積回路７０）との電磁界結合を抑制することができる。
　電極端子８４Ａは、第２金属部材の一例であり、モジュール基板９１の主面９１ｂに配置されている。電極端子８４Ａの上端８４Ａａは、ビア導体８６に接触している。電極端子８４Ａは、ビア導体８６に物理的に接触することにより、ビア導体８６に電気的に接続され、グランド電位に設定される。これにより、電極端子８４Ａは、その両側に位置する部品間の電磁界結合を抑制することができる。
　また、電極端子８４Ａの下端８４Ａｂは、樹脂部材９３に覆われずに露出している。電極端子８４Ａの下端８４Ａｂは、高周波モジュール１Ａのｚ軸の負側に配置されるマザー基板（図示せず）上のグランド端子に接続される。これにより、電極端子８４Ａのグランドが強化され、シールド機能を高めることができる。
　電極端子８４Ａは、例えば、樹脂部材９３を貫通する円柱状のポスト電極である。平面視における電極端子８４Ａの最大幅（例えば、直径）は、金属シールド壁８３の幅（ｘ軸方向の長さ）よりも大きい。これにより、電極端子８４Ａの下端８４Ａｂとマザー基板上のグランド端子との接続を低抵抗で、かつ、安定して行うことができる。
　電極端子８４Ａは、実施の形態の金属シールド壁８４と同様に、平面視において、第３部品と第６部品との間に配置されている。これにより、電極端子８４Ａは、第３部品（送信フィルタ６２Ｔ）と、第６部品（ＰＡ制御回路１１又はスイッチ５２）との電磁界結合を抑制することができる。
　図５に示されるように、高周波モジュール１Ａでは、電極端子８２Ａ及び８４Ａがそれぞれ、複数設けられており、ｙ軸方向に沿って並んでいる。電極端子８２Ａ及び８４Ａの各々の並び方向は、金属シールド壁８１及び８３の各々の延びる方向と同じである。複数の電極端子８２Ａはそれぞれ、ビア導体８５を介して金属シールド壁８１と電気的に接続されており、モジュール基板９１の厚み方向に一列に連結されている。複数の電極端子８４Ａについても同様である。なお、高周波モジュール１Ａには、１つのみの電極端子８２Ａ又は８４Ａが設けられていてもよい。
　［４－２．変形例２］
　図７は、変形例２に係る高周波モジュールの一部拡大断面図である。具体的には、図７は、ビア導体８５の近傍を拡大して示す断面図である。
　変形例２に係る高周波モジュールでは、ビア導体８５は、平面視において、金属シールド壁８１及び８２の各々と重なっている。一方で、平面視において、金属シールド壁８１と金属シールド壁８２とは、重なっていない。つまり、金属シールド壁８１、ビア導体８５及び金属シールド壁８２は、モジュール基板９１の厚み方向に一列に並んでいない。金属シールド壁８１と金属シールド壁８２とは、ｘ軸方向にずれて配置されている。金属シールド壁８１とビア導体８５とが平面視において重なる部分は、金属シールド壁８２とビア導体８５とが平面視において重なる部分と、平面視で重なっていない。
　この場合であっても、実施の形態に係る高周波モジュール１と同様に、領域Ｒ２～Ｒ５に配置された部品間の電磁界結合を抑制することができる。
　［４－３．変形例３］
　図８は、変形例３に係る高周波モジュール１Ｂの断面図である。図８に示される高周波モジュール１Ｂは、変形例１に係る高周波モジュール１Ａに比べて、さらに、金属シールド壁８９を備える。
　金属シールド壁８９は、第２金属壁の一例であり、モジュール基板９１の主面９１ｂに配置されている。図８に示されるように、金属シールド壁８９の上端８９ａは、モジュール基板９１に設けられた金属導体８７に接触している。金属シールド壁８９は、金属導体８７に物理的に接触することにより、金属導体８７に電気的に接続され、グランド電位に設定される。これにより、金属シールド壁８９は、その両側に位置する部品間の電磁界結合を抑制することができる。
　金属シールド壁８９は、平面視において、第３部品と第４部品との間に配置されている。これにより、金属シールド壁８９は、第３部品（送信フィルタ６２Ｔ）と、第４部品（半導体集積回路７０）との電磁界結合を抑制することができる。
　本変形例では、金属シールド壁８９の下端８９ｂは、樹脂部材９３に覆われずに露出している。金属シールド壁８９の下端８９ｂは、高周波モジュール１Ｂのｚ軸の負側に配置されたマザー基板（図示せず）上のグランド端子に接続されてもよい。これにより、金属シールド壁８９のグランドが強化され、シールド機能を高めることができる。
　本変形例では、第３部品と第４部品との間に、各々がグランド電位に設定された電極端子８２Ａ及び金属シールド壁８９が配置されている。これにより、第３部品と第４部品との電磁界結合をより強く抑制することができる。
　なお、図８では、金属シールド壁８９は、電極端子８２Ａのｘ軸の正側に配置されているが、ｘ軸の負側に配置されていてもよい。また、金属シールド壁８９の代わりに、又は、金属シールド壁８９に加えて、第３部品と第６部品との間に、金属シールド壁が配置されていてもよい。つまり、電極端子８４Ａの隣に金属シールド壁が配置されていてもよい。金属シールド壁８９と電極端子８２Ａとは、接触していてもよい。
　［５．効果など］
　以上のように、本実施の形態に係る高周波モジュールは、主面９１ａ及び主面９１ａの反対側の主面９１ｂを有するモジュール基板９１と、主面９１ａに配置された第１部品及び第２部品と、主面９１ｂに配置された第３部品と、主面９１ａ、並びに、第１部品及び第２部品の各々の側面を覆う樹脂部材９２と、樹脂部材９２の上面９２ａを覆う、グランド電位に設定された金属シールド層９５と、主面９１ａに配置された金属シールド壁８１と、主面９１ｂに配置された第１金属部材と、モジュール基板９１を貫通するビア導体８５と、を備える。金属シールド壁８１は、主面９１ａの平面視において、第１部品と第２部品との間に配置されている。金属シールド壁８１の上端８１ａは、金属シールド層９５に接触している。ビア導体８５は、金属シールド壁８１と第１金属部材とを電気的に接続し、かつ、平面視において、少なくとも一部が金属シールド壁８１及び第１金属部材の各々に重なっている。
　これにより、主面９１ａに配置された部品間の電磁界結合、及び、主面９１ｂに配置された部品間の電磁界結合だけでなく、主面９１ａに配置された部品と主面９１ｂに配置された部品との電磁界結合も抑制することができる。よって、部品間でのノイズ干渉の抑制効果を高めることができる。
　また、例えば、高周波モジュールは、さらに、主面９１ｂに配置された第４部品を備える。第１金属部材は、平面視において、第３部品と第４部品との間に配置されている。
　これにより、主面９１ｂ側の第３部品と第４部品との電磁界結合を抑制することができる。
　また、例えば、第１金属部材は、金属シールド壁８２である。
　これにより、主面９１ｂに配置された部品間を金属シールド壁８２によって広範囲に遮ることができ、部品間の電磁界結合を抑制することができる。また、金属シールド壁８２は、マザー基板に接続される電極端子のレイアウトに制限されずに配置することができるので、レイアウトの自由度が高まる。このため、ノイズ干渉の抑制効果をより高めるような配置及び形状で金属シールド壁８２を配置することができる。
　また、例えば、第１金属部材は、電極端子８２Ａであってもよい。
　これにより、マザー基板のグランド端子と電極端子とを安定して接続することができるので、電極端子のグランドを強化することができる。グランドが強化されることによって、電極端子のシールド効果が高まり、ノイズ干渉の抑制効果をより高めることができる。
　また、例えば、本実施の形態に係る高周波モジュールは、さらに、主面９１ｂに配置された金属シールド壁８９を備えてもよい。金属シールド壁８９は、平面視において、第３部品と第４部品との間に配置されている。
　これにより、部品間に電極端子８２Ａと金属シールド壁８９とを配置することで、シールド効果をより高めることができる。
　また、例えば、金属シールド壁８１とビア導体８５とが平面視において重なる部分の少なくとも一部は、平面視において第１金属部材に重なっている。
　これにより、金属シールド壁８１、ビア導体８５及び第１金属部材をモジュール基板９１の厚み方向に沿って一列に連結させることができるので、各々を最短で接続することができる。よって、寄生インダクタ及び寄生キャパシタなどの不要な成分の発生を抑制することができ、各部品の特性劣化を抑制することができる。
　また、例えば、第１部品、第２部品、第３部品及び第４部品のいずれか１つは、グランド端子を有する。高周波モジュール１は、さらに、グランド端子とビア導体８５とを接続する金属導体８７を備える。
　これにより、部品のグランドを強化することができるので、当該部品の電気特性を高めることができる。
　また、例えば、グランド端子を有する部品は、電力増幅器１０又はフィルタを含む。
　これにより、電力増幅器１０又はフィルタのグランドを強化することができるので、増幅特性又はフィルタ特性を高めることができる。
　また、例えば、第１部品は、電力増幅器１０又は送信フィルタ６１Ｔを含み、第１部品の一部は、金属シールド層９５に接触している。
　これにより、第１部品で発生した熱を金属シールド層９５に伝えることで、放熱性を高めることができる。また、金属シールド層９５、金属シールド壁８１～８４、並びに、ビア導体８５及び８６を介して、マザー基板に熱を逃がすことができるので、放熱性をさらに高めることができる。
　また、例えば、第１部品は、電力増幅器１０を含む。第２部品は、受信フィルタ６１Ｒを含む。第３部品は、送信フィルタ６２Ｔを含む。第４部品は、低雑音増幅器２０を含む。第１部品は、平面視において、金属シールド壁８１（金属シールド壁８２）に対して第３部品と同じ側（ｘ軸の負側）に配置されている。第２部品は、平面視において、金属シールド壁８１（金属シールド壁８２）に対して第４部品と同じ側（ｘ軸の正側）に配置されている。
　これにより、送受信間のアイソレーションを高めることができる。例えば、電力増幅器１０で発生した高調波成分が低雑音増幅器２０に流入するのを抑制することができ、受信感度の劣化を抑制することができる。
　また、例えば、高周波モジュール１は、さらに、主面９１ａに配置された第５部品と、主面９１ｂに配置された第６部品と、主面９１ａに配置された金属シールド壁８３と、主面９１ｂに配置された第２金属部材と、モジュール基板９１を貫通するビア導体８６と、を備える。金属シールド壁８３は、平面視において、第１部品と第５部品との間に配置されている。金属シールド壁８３の上端８３ａは、金属シールド層９５に接触している。第２金属部材は、平面視において、第６部品と第３部品との間に配置されている。ビア導体８６は、金属シールド壁８３と第２金属部材とを電気的に接続し、かつ、平面視において、少なくとも一部が金属シールド壁８３及び第２金属部材の各々に重なっている。
　これにより、金属シールド壁、ビア導体及び金属部材の連結構造が２つ設けられているので、部品間の電磁界結合をより強く抑制することができる。
　また、例えば、第５部品は、送信フィルタ６２Ｔとは通過帯域が異なる送信フィルタ６１Ｔを含む。第６部品は、電力増幅器１０を制御するＰＡ制御回路１１を含む。第５部品は、平面視において、金属シールド壁８３（金属シールド壁８４）に対して第２部品と同じ側（ｘ軸の正側）に配置されている。第３部品は、平面視において、金属シールド壁８３（金属シールド壁８４）に対して第４部品と同じ側（ｘ軸の正側）に配置されている。また、例えば、送信フィルタ６１Ｔ及び送信フィルタ６２Ｔの一方の通過帯域は、他方の通過帯域に含まれる周波数の整数倍を含む。
　これにより、送信フィルタ間の電磁界結合を抑制することで、送信信号の品質の低下を抑制することができる。
　また、例えば、第１金属部材の厚さは、金属シールド壁８１の厚さより厚くてもよい。なお、金属シールド壁８１の厚さとは、金属シールド壁８１がモジュール基板９１の主面９１ａに平行に延びる方向に対して直交する方向（具体的には、ｘ軸方向）の長さである。他の金属シールド壁の厚さについても同様である。また、第１金属部材の厚さとは、金属シールド壁８１の厚さと同じ方向における長さである。
　これにより、部品間の電磁界結合をより強く抑制することができる。例えば、主面９１ａにおいて部品の実装点数が多く、金属シールド壁８１を厚く確保することができない場合であっても、主面９１ｂに厚い第１金属部材（例えば、金属シールド壁８２又は電極端子８２Ａ）を設けることで、グランドを強化し、シールド機能を高めることができる。
　また、例えば、高周波モジュール１は、さらに、モジュール基板９１の内部において、主面９１ａに平行に設けられた、ビア導体８５に接続された金属導体を備えてもよい。当該金属導体は、例えば、金属導体８７の一部であり、平板状のパターン配線（グランドパターン）である。
　これにより、モジュール基板９１の主面９１ａ側（領域Ｒ１、Ｒ５及びＲ２）に配置された部品と、主面９１ｂ側（領域Ｒ６、Ｒ３及びＲ４）に配置された部品との電磁界結合を抑制することができる。
　また、本実施の形態に係る通信装置５は、アンテナ２で送受信される高周波信号を処理するＲＦＩＣ３と、アンテナ２とＲＦＩＣ３との間で高周波信号を伝送する高周波モジュール１と、を備える。
　これにより、上述した高周波モジュール１と同様に、部品間でのノイズ干渉の抑制効果を高めることができる。
　（その他）
　以上、本発明に係る高周波モジュール及び通信装置について、上記の実施の形態などに基づいて説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではない。
　また、高周波モジュール１に含まれる複数の部品の、領域Ｒ１～Ｒ６の各々への振り分けは特に限定されない。領域Ｒ１～Ｒ６には、部品が配置されない領域が含まれてもよい。
　また、高周波モジュール１は、樹脂部材９３を備えなくてもよい。つまり、モジュール基板９１の主面９１ｂに配置された部品及び金属シールド壁は、樹脂部材に覆われずに露出していてもよい。
　また、例えば、金属シールド壁の幅は、ビア導体の最大幅より長くてもよい。また、電極端子の最大幅は、ビア導体の最大幅より長くてもよい。
　その他、各実施の形態に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で各実施の形態における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。
　本発明は、マルチバンド対応のフロントエンド部に配置される高周波モジュールとして、携帯電話などの通信機器に広く利用することができる。
１、１Ａ、１Ｂ　高周波モジュール
２　アンテナ
３　ＲＦＩＣ
４　ＢＢＩＣ
５　通信装置
１０　電力増幅器
１０ｇ、６１Ｔｇ　グランド端子
１１　ＰＡ制御回路
２０　低雑音増幅器
３１、３２、４１、４２　整合回路
５１、５２、５３　スイッチ
６１、６２　デュプレクサ
６１Ｒ、６２Ｒ　受信フィルタ
６１Ｔ、６２Ｔ　送信フィルタ
７０　半導体集積回路
８１、８２、８３、８４、８９　金属シールド壁
８１ａ、８２ａ、８２Ａａ、８３ａ、８４ａ、８４Ａａ、８９ａ　上端
８１ｂ、８２ｂ、８２Ａｂ、８３ｂ、８４ｂ、８４Ａｂ、８９ｂ　下端
８２Ａ、８４Ａ　電極端子
８５、８６　ビア導体
８７、８８　金属導体
９１　モジュール基板
９１ａ、９１ｂ　主面
９２、９３　樹脂部材
９２ａ　上面
９５　金属シールド層
１００　アンテナ接続端子
１１０　高周波入力端子
１１１　制御入力端子
１２０　高周波出力端子
１５０　外部接続端子
５１１、５１２、５１３、５２１、５２２、５２３、５３１、５３２、５３３　端子
ＡＲ、ＢＲ　受信経路
ＡＴ、ＢＴ　送信経路
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｒ６　領域

Claims (16)

  1. 　第１主面及び当該第１主面の反対側の第２主面を有するモジュール基板と、
    　前記第１主面に配置された第１部品及び第２部品と、
    　前記第２主面に配置された第３部品と、
    　前記第１主面、並びに、前記第１部品及び前記第２部品の各々の側面を覆う樹脂部材と、
    　前記樹脂部材の上面を覆う、グランド電位に設定された金属層と、
    　前記第１主面に配置され、グランド電位に設定された第１金属壁と、
    　前記第２主面に配置された第１金属部材と、
    　前記モジュール基板を貫通する第１ビア導体と、を備え、
    　前記第１金属壁は、前記第１主面の平面視において、前記第１部品と前記第２部品との間に配置され、
    　前記第１金属壁の上端は、前記金属層に接触し、
    　前記第１ビア導体は、前記第１金属壁と前記第１金属部材とを電気的に接続し、かつ、前記平面視において、少なくとも一部が前記第１金属壁及び前記第１金属部材の各々に重なっている、
    　高周波モジュール。
  2. 　さらに、前記第２主面に配置された第４部品を備え、
    　前記第１金属部材は、前記平面視において、前記第３部品と前記第４部品との間に配置されている、
    　請求項１に記載の高周波モジュール。
  3. 　さらに、前記第２主面に配置され、グランド電位に設定された第２金属壁を備え、
    　前記第２金属壁は、前記平面視において、前記第３部品と前記第４部品との間に配置されている、
    　請求項２に記載の高周波モジュール。
  4. 　前記第１部品は、電力増幅器を含み、
    　前記第２部品は、受信フィルタを含み、
    　前記第３部品は、第１送信フィルタを含み、
    　前記第４部品は、低雑音増幅器を含み、
    　前記第１部品は、前記平面視において、前記第１金属壁に対して前記第３部品と同じ側に配置されており、
    　前記第２部品は、前記平面視において、前記第１金属壁に対して前記第４部品と同じ側に配置されている、
    　請求項２又は３に記載の高周波モジュール。
  5. 　さらに、
    　前記第１主面に配置された第５部品と、
    　前記第２主面に配置された第６部品と、
    　前記第１主面に配置され、グランド電位に設定された第３金属壁と、
    　前記第２主面に配置された第２金属部材と、
    　前記モジュール基板を貫通する第２ビア導体と、を備え、
    　前記第３金属壁は、前記平面視において、前記第１部品と前記第５部品との間に配置され、
    　前記第３金属壁の上端は、前記金属層に接触し、
    　前記第２金属部材は、前記平面視において、前記第６部品と前記第３部品との間に配置され、
    　前記第２ビア導体は、前記第３金属壁と前記第２金属部材とを電気的に接続し、かつ、前記平面視において、少なくとも一部が前記第３金属壁及び前記第２金属部材の各々に重なっている、
    　請求項４に記載の高周波モジュール。
  6. 　前記第５部品は、前記第１送信フィルタとは通過帯域が異なる第２送信フィルタを含み、
    　前記第６部品は、前記電力増幅器を制御する制御回路を含み、
    　前記第５部品は、前記平面視において、前記第３金属壁に対して前記第２部品と同じ側に配置されており、
    　前記第３部品は、前記平面視において、前記第３金属壁に対して前記第４部品と同じ側に配置されている、
    　請求項５に記載の高周波モジュール。
  7. 　前記第１送信フィルタ及び前記第２送信フィルタの一方の通過帯域は、他方の通過帯域に含まれる周波数の整数倍を含む、
    　請求項６に記載の高周波モジュール。
  8. 　前記第１金属部材は、金属壁である、
    　請求項１～７のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  9. 　前記第１金属部材は、電極端子である、
    　請求項１～７のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  10. 　前記第１金属壁と前記第１ビア導体とが前記平面視において重なる部分の少なくとも一部は、前記平面視において前記第１金属部材に重なっている、
    　請求項１～９のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  11. 　前記第１部品、前記第２部品及び前記第３部品のいずれか１つは、グランド端子を有し、
    　前記高周波モジュールは、さらに、前記グランド端子と前記第１ビア導体とを接続する金属導体を備える、
    　請求項１～１０のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  12. 　前記グランド端子を有する部品は、電力増幅器又はフィルタを含む、
    　請求項１１に記載の高周波モジュール。
  13. 　前記第１部品は、電力増幅器又は第１送信フィルタを含み、
    　前記第１部品の一部は、前記金属層に接触している、
    　請求項１～１２のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  14. 　前記第１金属部材の厚さは、前記第１金属壁の厚さより厚い、
    　請求項１～１３のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  15. 　前記高周波モジュールは、さらに、前記モジュール基板の内部において、前記第１主面に平行に設けられた、前記第１ビア導体に接続された金属導体を備える、
    　請求項１～１４のいずれか１項に記載の高周波モジュール。
  16. 　アンテナで送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、
    　前記アンテナと前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝送する、請求項１～１５のいずれか１項に記載の高周波モジュールと、を備える、
    　通信装置。
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