WO2021100107A1

WO2021100107A1 - 基板処理装置および半導体装置の製造方法

Info

Publication number: WO2021100107A1
Application number: PCT/JP2019/045209
Authority: WO
Inventors: 哲夫山本; 和宏湯浅; 愛彦柳沢; 佐々木　伸也; 典明道田
Original assignee: 株式会社ＫｏｋｕｓａｉＥｌｅｃｔｒｉｃ
Priority date: 2019-11-19
Filing date: 2019-11-19
Publication date: 2021-05-27

Abstract

多数基板の処理均一性を向上させる技術を提供することにある。垂直方向に、上方から第１断熱体、第１発熱体、少なくとも１枚の基板、第２発熱体、第２断熱体をこの順序に組として、この組を複数積載する基板保持具と、基板保持具を搬入して基板を処理する処理室と、処理室内に電磁波を供給する電磁波供給部と、を備える技術が提供される。

Description

基板処理装置および半導体装置の製造方法

　本開示は、基板処理装置および半導体装置の製造方法に関する。

　半導体装置（半導体デバイス）の製造工程の一工程として、例えば、加熱装置を用いて処理室内の基板を加熱し、基板の表面に成膜された薄膜中の組成や結晶構造を変化させたり、成膜された薄膜内の結晶欠陥等を修復したりするアニール処理に代表される改質処理がある。近年の半導体デバイスにおいては、微細化、高集積化が著しくなっており、これに伴い、高いアスペクト比を有するパターンが形成された高密度の基板への改質処理が求められている。このような高密度基板への改質処理方法として例えば特許文献１に見るような電磁波を用いた熱処理方法が検討されている。また、特許文献１では、ウエハを保持するボートには、ウエハと、ウエハの温度を維持（保温）するための断熱板が、所定の間隔でウエハを挟み込むように保持されている。

国際公開第２０１７／０５６１４８号

　しかし、生産性を向上させるため上方の断熱板と下方の断熱板との間に多数枚のウエハを配置すると、ウエハ間の処理均一性が悪化することがある。

　本開示の課題は、多数基板の処理均一性を向上させる技術を提供することにある。

　本開示の一態様によれば、
　垂直方向に、上方から第１断熱体、第１発熱体、少なくとも１枚の基板、第２発熱体、第２断熱体をこの順序に組として、前記組を複数積載する基板保持具と、
　前記基板保持具を搬入して前記基板を処理する処理室と、
　前記処理室内に電磁波を供給する電磁波供給部と、を備える技術が提供される。

　本開示によれば、多数基板の処理均一性を向上させることが可能になる。

本開示の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の縦型処理炉の概略構成を処理炉の位置で示す縦断面図である。本開示の実施形態で好適に用いられる基板保持具の要部概略構成を示す正面図である。本開示の実施形態で好適に用いられる基板処理装置のコントローラの概略構成図である。本開示の実施形態における基板処理工程のフローを示す図である。（ａ）比較例（枚葉プロセス）における基板保持具の要部概略構成を示す正面図である。（ｂ）比較例（バッチプロセス）における基板保持具の要部概略構成を示す正面図である。本開示における実施形態の第一変形例を示す図である。本開示における実施形態の第二変形例を示す図である。本開示における実施形態の第三変形例を示す図である。本開示における実施形態の第四変形例を示す図である。本開示における実施形態の第五変形例を示す図である。第五変形例における石英板の拡大図である。本開示における実施形態の第六変形例を示す図である。

　以下、本開示の実施形態について図１から４を参照しながら説明する。

（１）基板処理装置の構成
　本実施形態において、本開示に係る基板処理装置は、ウエハに各種の熱処理を施すバッチ式縦型熱処理装置として構成されている。

　（処理室）
　図１に示すように、本実施形態における基板処理装置１００は、アルミニウムなどの電磁波を反射する材料で構成されるキャビティとしてのケース１０２と、ケース１０２の内部に収容され垂直方向の上下端部が開放された筒形状の反応管１０３を有している。反応管１０３は、石英などの電磁波を透過する材料で構成される。また、金属材料で構成されたキャップフランジ（閉塞板）１０４が、封止部材（シール部材）としてのＯリング（不図示）を介して反応管１０３の上端と当接されて反応管１０３の上端を閉塞する。主にケース１０２と反応管１０３、および、キャップフランジ１０４によってシリコンウエハ等の基板を処理する処理容器を構成し、特に反応管１０３の内側空間を処理室２０１として構成している。処理室２０１は、基板としてのウエハ２００を後述するボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。

　（ガス供給部）
　処理室２０１内には、後述するガス供給ノズルとしてのノズル２４９が反応管１０３の下部側壁を貫通するように組み込まれている。ノズル２４９は石英により構成されている。ノズル２４９には、ガス供給管２３２が接続されている。このように、反応管１０３には、ノズル２４９と、ガス供給管２３２とが設けられており、処理室２０１内へ少なくとも１種類の処理ガスを供給することが可能となっている。

　但し、本実施形態の処理室２０１は上述の形態に限定されない。例えば、反応管１０３の下方に、反応管１０３を支持する金属製のマニホールドを設け、ノズルを、マニホールドの側壁を貫通するように設けてもよい。この場合、マニホールドに、排気管２３１をさらに設けてもよい。この場合であっても、排気管２３１を、マニホールドではなく、反応管１０３の下部に設けてもよい。このように、処理室２０１の炉口部を金属製とし、この金属製の炉口部にノズル等を取り付けてもよい。また、処理ガスの種類ごとに複数のノズルを取り付けるようにしてもよい。

　ガス供給管２３２には、上流方向から順に、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２４１および開閉弁であるバルブ２４３が設けられている。ガス供給管２３２の先端部にはノズル２４９が接続されている。ノズル２４９は、反応管１０３の内壁とウエハ２００との間における円環状の空間に、反応管１０３の内壁の下部より上部に沿って、ウエハ２００の配列方向上方に向かって立ち上がるようにそれぞれ設けられている。すなわち、ノズル２４９は、ウエハ２００が配列されるウエハ配列領域２００ａの側方の、ウエハ配列領域２００ａを水平に取り囲む領域に、ウエハ配列領域２００ａに沿うようにそれぞれ設けられている。すなわち、ノズル２４９は、処理室２０１内へ搬入されたウエハ２００の端部（周縁部）の側方にウエハ２００の表面（平坦面）と垂直に設けられている。ノズル２４９は、Ｌ字型のロングノズルとして構成されており、ノズル２４９の水平部は反応管１０３の下部側壁を貫通するように設けられており、それらの各垂直部は少なくともウエハ配列領域２００ａの一端側から他端側に向かって立ち上がるように設けられている。ノズル２４９の側面には、ガスを供給するガス供給孔２５０が複数設けられている。ガス供給孔２５０は、反応管１０３の中心を向くようにそれぞれ開口しており、ウエハ２００に向けてガスを供給することが可能となっている。ガス供給孔２５０は、反応管１０３の下部から上部にわたって複数設けられ、それぞれが同一の開口面積を有し、更に同じ開口ピッチで設けられている。

　このように、本実施形態では、反応管１０３の側壁の内壁と、積載された複数枚のウエハ２００の端部（周縁部）と、で定義される円環状の縦長の空間内、すなわち、円筒状の空間内に配置したノズル２４９を経由してガスを搬送している。そして、ノズル２４９に開口されたガス供給孔２５０から、ウエハ２００の近傍で初めて反応管１０３内にガスを噴出させている。そして、反応管１０３内におけるガスの主たる流れを、ウエハ２００の表面と平行な方向、すなわち、水平方向としている。このような構成とすることで、冷却ガスまたはパージガスとしての不活性ガスを各ウエハ２００に均一にガスを供給でき、各ウエハ２００に形成される薄膜の膜厚均一性を向上させることが可能となる。ウエハ２００の表面上を流れたガス、すなわち、反応後の残ガスは、排気口、すなわち、後述する排気管２３１の方向に向かって流れる。但し、この残ガスの流れの方向は、排気口の位置によって適宜特定され、垂直方向に限ったものではない。

　ガス供給管２３２からは、例えば、不活性ガスとして窒素（Ｎ_２）ガスがＭＦＣ２４１、バルブ２４３、ノズル２４９を介して処理室２０１内へ供給される。主に、ガス供給管２３２、ＭＦＣ２４１、バルブ２４３、により不活性ガス供給系が構成される。不活性ガス供給系をパージガス供給系、冷却ガス供給系と称することもできる。不活性ガスとしては、Ｎ_２ガスの他、例えば、Ａｒガス、Ｈｅガス、Ｎｅガス、Ｘｅガス等の希ガスを用いることができる。

　（排気部）
　処理室２０１の下方であって、反応管１０３の下部側壁には、処理室２０１の雰囲気を排気する排気部が設けられている。図１に示すように、反応管１０３とケース１０２ａとの間の排気部には排気口２２１が設けられている。排気口２２１には排気管２３１が接続されており、排気管２３１には、処理室２０１内の圧力に応じて弁開度を制御するＡＰＣバルブなどの圧力調整器２４４、真空ポンプ２４６が順に直列に接続されている。ここで、圧力調整器２４４は、処理室２０１内の圧力情報（後述する圧力センサ２４５からのフィードバック信号）を受信して排気量を調整することができるものであればＡＰＣ（ＡｕｔｏＰｒｅｓｓｕｒｅＣｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブに限らず、通常の開閉バルブと圧力調整弁を併用するように構成されていてもよい。

　主に、排気口２２１、排気管２３１、圧力調整器２４４により排気部（排気系または排気ラインとも称する）が構成される。なお、処理室２０１を囲むように排気路を設け、ウエハ２００の全周からガスを排気可能に構成してもよい。また、排気部の構成に、真空ポンプ２４６を加えるようにしてもよい。

　（温度センサ）
　キャップフランジ１０４には、非接触式の温度検出器として温度センサ２６３が設置されている。温度センサ２６３により検出された温度情報に基づき後述する電磁波供給部としてのマイクロ波発振器６５５の出力を調整することで、基板を加熱し、基板温度が所望の温度分布となる。温度センサ２６３は、例えばＩＲ（Ｉｎｆｒａｒｅｄ　Ｒａｄｉａｔｉｏｎ）センサなどの放射温度計で構成されている。

　なお、基板の温度を測定する方法として、上述した放射温度計に限らず、熱電対を用いて温度測定を行ってもよいし、熱電対と放射温度計を併用して温度測定を行ってもよい。ただし、熱電対を用いて温度測定を行った場合、熱電対の測温精度を向上させるために処理ウエハ２００の近傍に配置して温度測定を行う必要があることから、後述するマイクロ波発振器から供給されたマイクロ波によって熱電対自体が加熱されてしまうため、放射温度計を温度センサ２６３として用いることが好ましい。このように構成することによって、上端が閉塞された反応管１０３を用いることが可能となり、処理室２０１に供給されるマイクロ波や処理ガス等が漏洩する可能性を低減することが可能となる。また、温度センサ２６３は、キャップフランジ１０４に直接設置するだけでなく、キャップフランジ１０４に設けられた測定窓からの放射光を鏡等で反射させて間接的に測定するように構成されていてもよい。このように構成することによって、温度センサ２６３を設置する場所の制限を緩和することが可能となる。

　（電磁波供給部）
　ケース１０２の側壁には複数の電磁波導入ポート６５３－１～６５３－３がそれぞれ垂直方向に設置されている。電磁波導入ポート６５３－１～６５３－３には、それぞれ導波管６５４－１～６５４－３の一端が接続されている。導波管６５４－１～６５４－３のそれぞれの他端には、マイクロ波発振器６５５－１～６５５－３が接続されている。このように構成することによって、処理室２０１内に供給された電磁波であるマイクロ波によって垂直方向に複数多段に保持されたウエハ２００間において、均一に加熱することが可能となり、ウエハ２００の面間均一性を向上させることが可能となる。なお、マイクロ波発振器６５５（導波管および電磁波導入ポート）の数は三つに限定されるものではなく、ウエハ配列領域２００ａの高さによって増減してもよい。

　また、マイクロ波発振器６５５－１～６５５－３は、それぞれにコントローラ１２１が接続されている。コントローラ１２１には処理室２０１内に収容される石英板１０１ａまたは１０１ｂ、若しくはウエハ２００の温度を測定する温度センサ２６３が接続されている。温度センサ２６３は、石英板１０１ａまたは１０１ｂ、若しくはウエハ２００の温度を測定してコントローラ１２１に送信し、コントローラ１２１によってマイクロ波発振器６５５－１～６５５－３の出力を制御し、ウエハ２００の加熱を制御する。

　ここで、マイクロ波発振器６５５－１～６５５－３は、コントローラ１２１から送信される同一の制御信号によって制御される。しかし、これに限らず、マイクロ波発振器６５５－１～６５５－３それぞれにコントローラ１２１から個別の制御信号を送信することでマイクロ波発振器６５５－１～６５５－３が個々に制御されるように構成してもよい。さらに、マイクロ波発振器６５５－１～６５５－３を例えばマイクロ波発振器６５５－１と６５５－２を同一の制御信号で制御し、マイクロ波発振器６５５－３を個別の制御信号で制御するというような所定の組合せ（グループ分け）で制御するようにしてもよい。

　例えば、ウエハ２００の処理温度帯が後述する組ごとに異なる（例えば、上部側（マイクロ波発振器６５５－１）に対応するウエハ２００の処理温度、中央部（マイクロ波発振器６５５－２）に対応するウエハ２００の処理温度、下部側（マイクロ波発振器６５５－３）に対応するウエハ２００の処理温度が異なる）場合に、コントローラ１２１から個別の制御信号を送信することでウエハ２００の処理温度帯に対応してそれぞれのマイクロ波発振器６５５－１～６５５－３の出力を調整する。また、ウエハ２００の処理温度が一定の場合、ウエハ配列領域２００ａの中央部よりも上部側の炉内温度（例えば上部領域２００ｂの温度）が中央部よりも下部側の炉内温度（例えば下部領域２００ｄの温度）よりも高くなるため、コントローラ１２１から個別の制御信号を送信することで上部側のマイクロ波発振器６５５－１の出力を低く、下部側のマイクロ波発振器６５５－３の出力を高くする。すなわち、下部側のマイクロ波発振器６５５－３の出力を、上部側のマイクロ波発振器６５５－１の出力より高くする。または、下部側のマイクロ波発振器６５５－３の出力を中央部のマイクロ波発振器６５５－２の出力より高くし、上部側のマイクロ波発振器６５５－１の出力を中央部のマイクロ波発振器６５５－２の出力より低くする。

　（周辺機構）
　反応管１０３の下方には、反応管１０３の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、反応管１０３の下端に垂直方向下側から当接されるように構成されている。シールキャップ２１９は、例えばアルミニウム（ＳＵＳ）等の金属により構成され、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、反応管１０３の下端と当接するシール部材としてのＯリング（不図示）が設けられている。シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側には、後述するボート２１７を回転させる回転機構２６８が設置されている。回転機構２６８のシャフト２５５は、シールキャップ２１９を貫通してボート２１７に接続されている。回転機構２６８は、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。シールキャップ２１９は、反応管１０３の外部に垂直に設置された昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降されるように構成されている。ボートエレベータ１１５は、シールキャップ２１９を昇降させることで、ボート２１７を処理室２０１内外に搬入および搬出することが可能なように構成されている。すなわち、ボートエレベータ１１５は、ボート２１７すなわちウエハ２００を、処理室２０１内外に搬送する搬送装置（搬送機構）として構成されている。

　（基板保持具）
　基板保持具としてのボート２１７は、複数枚、例えば２５～２００枚の基板（ウエハ２００、石英板１０１ａ，１０１ｂおよびサセプタ１０５ａ，１０５ｂ等）を、水平姿勢で、かつ、互いに中心を揃えた状態で垂直方向に整列させて多段に支持するように、すなわち、間隔を空けて配列させるように構成されている。ボート２１７は、例えば石英やＳｉＣ等の耐熱性材料により構成される。ボート２１７の下部には、例えば石英やＳｉＣ等の耐熱性材料により構成される断熱プレート２１８が水平姿勢で多段に支持されていてもよく、ボート２１７の下部に断熱プレート２１８を設けずに、石英やＳｉＣ等の耐熱性材料で筒状の部材として構成された断熱筒を設けてもよい。このように構成することにより、ウエハ２００や石英板１０１ｂからの熱が炉口側に伝わりにくくなっている。また、ボート２１７の端板（天井板）２１７ａには、温度センサ２６３の測定窓としての孔（不図示）が設けられており、石英板１０１ａが温度センサ２６３によって表面温度を測定されるようにボート２１７に保持される。

　図２に示すように、ボート２１７にはウエハ２００を挟み込むようにウエハ２００の垂直方向上下に載置された、石英板１０１ａ，１０１ｂが所定の間隔で保持されており、ウエハ２００の外側であって石英板１０１ａと石英板１０１ｂの内側に載置されたサセプタ１０５ａ，１０５ｂが保持されている。すなわち、ボート２１７は、垂直方向に、上方から石英板１０１ａ、サセプタ１０５ａ、ウエハ２００、サセプタ１０５ｂおよび石英板１０１ｂをこの順に構成された組３０１を複数積載して保持している。石英板１０１ａ，１０１ｂはウエハ２００の温度を維持（保温）するための断熱体である。サセプタ１０５ａ，１０５ｂは、例えばシリコンプレート（Ｓｉ板）や炭化シリコンプレート（ＳｉＣ板）などの電磁波を吸収して自身が加熱される誘電体などの材質で形成し、ウエハ２００を間接的に加熱する発熱体である。このように複数層で構成される組を設置することによってウエハ２００が載置されている領域が放熱されることを抑制することが可能となり、ウエハ２００の面内または面間温度均一性を向上させることが可能となる。なお、図２では、組３０１を四つ載置した例を示しているが、これに限定されるものではなく、上述したようにボート２１７に２５～２００枚の基板が載置可能な場合は、組３０１を５～４０組設けることが可能である。

　（制御装置）
図３に示すように、制御部（制御装置、制御手段）であるコントローラ１２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）１２１ａ、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ　Ａｃｃｅｓｓ　Ｍｅｍｏｒｙ）１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄを備えたコンピュータとして構成されている。ＲＡＭ１２１ｂ、記憶装置１２１ｃ、Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、内部バス１２１ｅを介して、ＣＰＵ１２１ａとデータ交換可能なように構成されている。コントローラ１２１には、例えばタッチパネル等として構成された入出力装置１２２が接続されている。

　記憶装置１２１ｃは、例えばフラッシュメモリ、ＨＤＤ（Ｈａｒｄ　Ｄｉｓｋ　Ｄｒｉｖｅ）等で構成されている。記憶装置１２１ｃ内には、基板処理装置の動作を制御する制御プログラムや、アニール（改質）処理の手順や条件等が記載されたプロセスレシピ等が、読み出し可能に格納されている。プロセスレシピは、後述する基板処理工程における各手順をコントローラ１２１に実行させ、所定の結果を得ることが出来るように組み合わされたものであり、プログラムとして機能する。以下、このプロセスレシピや制御プログラム等を総称して、単に、プログラムともいう。また、プロセスレシピを、単にレシピともいう。本明細書においてプログラムという言葉を用いた場合は、レシピ単体のみを含む場合、制御プログラム単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。ＲＡＭ１２１ｂは、ＣＰＵ１２１ａによって読み出されたプログラムやデータ等が一時的に保持されるメモリ領域（ワークエリア）として構成されている。

　Ｉ／Ｏポート１２１ｄは、上述のＭＦＣ２４１、バルブ２４３、圧力センサ２４５、圧力調整器２４４、真空ポンプ２４６、温度センサ２６３、回転機構２６８、マイクロ波発振器６５５等に接続されている。

　ＣＰＵ１２１ａは、記憶装置１２１ｃから制御プログラムを読み出して実行すると共に、入出力装置１２２からの操作コマンドの入力等に応じて記憶装置１２１ｃからレシピを読み出すように構成されている。ＣＰＵ１２１ａは、読み出したレシピの内容に沿うように、移載機による基板の移載動作、ＭＦＣ２４１による各種ガスの流量調整動作、バルブ２４３の開閉動作、圧力センサ２４５に基づく圧力調整器２４４による圧力調整動作、真空ポンプ２４６の起動および停止、温度センサ２６３に基づくマイクロ波発振器６５５の出力調整動作、回転機構２６８によるボート２１７の回転および回転速度調節動作、または、ボートエレベータ１１５による昇降動作等を制御するように構成されている。

　コントローラ１２１は、外部記憶装置（例えば、ハードディスク等の磁気ディスク、ＣＤ等の光ディスク、ＭＯ等の光磁気ディスク、ＵＳＢメモリ等の半導体メモリ）１２３に格納された上述のプログラムを、コンピュータにインストールすることにより構成することができる。記憶装置１２１ｃや外部記憶装置１２３は、コンピュータ読み取り可能な記録媒体として構成されている。以下、これらを総称して、単に、記録媒体ともいう。本明細書において記録媒体という言葉を用いた場合は、記憶装置１２１ｃ単体のみを含む場合、外部記憶装置１２３単体のみを含む場合、または、それらの両方を含む場合がある。なお、コンピュータへのプログラムの提供は、外部記憶装置１２３を用いず、インターネットや専用回線等の通信手段を用いて行ってもよい。

　（２）基板処理工程
次に、上述の基板処理装置１００の処理炉を用いて、半導体装置（デバイス）の製造工程の一工程として、例えば、基板上に形成されたシリコン含有膜としてのアモルファスシリコン膜の改質（結晶化）方法の一例について図４に示した処理フローに沿って説明する。以下の説明において、基板処理装置１００を構成する各部の動作はコントローラ１２１により制御される。

　ここで、本明細書において「ウエハ」という言葉を用いた場合は、ウエハそのものを意味する場合や、ウエハとその表面に形成された所定の層や膜との積層体を意味する場合がある。本明細書において「ウエハの表面」という言葉を用いた場合は、ウエハそのものの表面を意味する場合や、ウエハ上に形成された所定の層等の表面を意味する場合がある。本明細書において「ウエハ上に所定の層を形成する」と記載した場合は、ウエハそのものの表面上に所定の層を直接形成することを意味する場合や、ウエハ上に形成されている層等の上に所定の層を形成することを意味する場合がある。本明細書において「基板」や「半導体基板」という言葉を用いた場合も、「ウエハ」という言葉を用いた場合と同義である。

　（基板搬入工程（Ｓ４０１））
　図１に示すように、所定枚数のウエハ２００（所定数の組３０１）がボート２１７に移載されると、ボートエレベータ１１５は、シールキャップ２１９を上昇させることでボート２１７を反応管１０３内側の処理室２０１に搬入（ボートローディング）する（Ｓ４０１）。

　（炉内圧力・温度調整工程（Ｓ４０２））
　処理室２０１内へのボート２１７の搬入が完了したら、処理室２０１内が所定の圧力（例えば１０～１０２０００Ｐａ）となるよう処理室２０１内の雰囲気を制御する。具体的には、真空ポンプ２４６により排気しつつ、圧力センサ２４５により検出された圧力情報に基づいて圧力調整器２４４の弁開度をフィードバック制御し、処理室２０１内を所定の圧力とする。また、同時に予備加熱としてマイクロ波発振器６５５を制御し、所定の温度まで加熱を行うように制御してもよい（Ｓ４０２）。マイクロ波発振器６５５によって、所定の基板処理温度まで昇温させる場合、ウエハ２００が変形・破損しないように、後述する改質工程の出力よりも小さな出力で昇温を行うことが好ましい。なお、大気圧下で基板処理を行う場合、炉内圧力調整を行わず、炉内の温度調整のみを行った後、後述する不活性ガス供給工程Ｓ４０３へ移行するように制御してもよい。

　（不活性ガス供給工程（Ｓ４０３））
　炉内圧力・温度調整工程Ｓ４０２によって処理室２０１内の圧力と温度を所定の値に制御すると、回転機構２６８は、シャフト２５５を回転させ、ボート２１７を介してウエハ２００を回転させる。このとき、窒素ガス等の不活性ガスがガス供給管２３２を介して供給される（Ｓ４０３）。さらにこのとき、処理室２０１内の圧力は１０Ｐａ以上１０２０００Ｐａ以下の範囲となる所定の値であって、例えば１０１３００Ｐａ以上１０１６５０Ｐａ以下となるように調整される。なお、シャフト２５５は基板搬入工程Ｓ４０１時、すなわち、ウエハ２００を処理室２０１内に搬入完了後に回転させてもよい。また、本工程は炉内圧力調整方法として炉内圧力・温度調整工程Ｓ４０２と同時に実施されてもよい。

　（改質工程（Ｓ４０４））
　処理室２０１内を所定の圧力となるように維持すると、マイクロ波発振器６５５は上述した各部を介して処理室２０１内にマイクロ波を供給する。処理室２０１内にマイクロ波が供給されることによって、ウエハ２００が１００℃以上、１０００℃以下の温度、好適には４００℃以上、９００℃以下の温度となるように加熱し、さらに好適には、５００℃以上、７００℃以下の温度となるように加熱する。このような温度で基板処理することによって、ウエハ２００が効率よくマイクロ波を吸収する温度下での基板処理となり、改質処理の速度向上が可能となる。換言すると、ウエハ２００の温度を１００℃よりも低い温度、または１０００℃よりも高い温度下で処理してしまうと、ウエハ２００の表面が変質してしまい、マイクロ波を吸収し難くなってしまうためにウエハ２００を加熱し難くなってしまうこととなる。このため、上述した温度帯で基板処理を行うことが望まれる。このような基板処理の温度帯を維持するために、改質処理（アニール処理）中に冷却処理を行うことが好ましい。

　例えば、電磁波による加熱方式にて加熱を行う本実施形態では、処理室２０１に定在波が発生し、ウエハ２００およびサセプタ１０５ａ，１０５ｂ上に、局所的に加熱されてしまう加熱集中領域（ホットスポット）とそれ以外の加熱されない領域（非加熱領域）が生じ、ウエハ２００およびサセプタ１０５ａ，１０５ｂが変形することを抑制するため、回転機構２６８を用いてボート２１７を回転させることでウエハ２００にホットスポットが生じることを抑制している。

　以上のようにマイクロ波発振器６５５を制御することによって、ウエハ２００を加熱し、ウエハ２００表面上に形成されているアモルファスシリコン膜をポリシリコン膜へと改質（結晶化）させる。すなわち、ウエハ２００を均一に改質することが可能となる。なお、ウエハ２００の測定温度が上述した閾値を超えて高くまたは低くなった場合、マイクロ波発振器６５５をオフとするのではなく、マイクロ波発振器６５５の出力を低くするように制御することでウエハ２００の温度が所定の範囲の温度となるようにしてもよい。この場合、ウエハ２００の温度が所定の範囲の温度に戻るとマイクロ波発振器６５５の出力を高くするように制御される。

　予め設定された処理時間が経過すると、ボート２１７の回転、ガスの供給、マイクロ波の供給および排気管の排気が停止する。

　（基板搬出工程（Ｓ４０５））
　処理室２０１内の圧力を大気圧復帰させた後に、ボートエレベータ１１５はシールキャップ２１９を下降させることにより、炉口を開口するとともに、ボート２１７を搬出（ボートアンローディング）する。その後ボートに載置されているウエハ２００を搬送室に搬出する（Ｓ４０５）。

　以上の動作が繰り返されることにより、ウエハ２００が改質処理されることとなる。

　本開示者らが本開示に先立って検討した技術（比較例）を参照しながら本実施形態による効果について説明する。

　図５（ａ）に示すような枚葉プロセスでは、ウエハ２００が１枚で上下のサセプタ１０５ａ，１０５ｂと石英板１０１ａ，１０１ｂで、対称に挟み込む構成をしている。ここで、石英板１０１ａ，１０１ｂの役割は、ウエハ２００及びサセプタ１０５ａ，１０５ｂからの熱伝達による熱逃げ抑制（保温）とガスの対流による熱逃げ抑制（対流制御）である。また、サセプタ１０５ａ，１０５ｂの役割は、サセプタ１０５ａ，１０５ｂからの熱逃げ抑制（保温）、ガスの対流による熱逃げ抑制（対流制御）及び特に低温域でのマイクロ波吸収による、サセプタ１０５ａ，１０５ｂとウエハ２００の加熱（高速昇温）である。

　この構成で生産性向上するため、図１に示すような多数枚のバッチプロセス（例えばウェハ枚数２５枚）では、ウエハ２００の面間で言うと中央部に熱がこもり、図５（ａ）の枚葉プロセスより均一性が悪化する。そこで図５（ｂ）に示すような少数枚のバッチプロセス（例えばウエハ２枚～１０枚）を複数積載することで、空間分離により熱こもりを改善しバッチ処理が可能になる。

　本実施形態では、石英板（第１断熱体）１０１ａ、サセプタ（第１発熱体）１０５ａ、ウエハ２００、サセプタ（第２発熱体）１０５ｂ、石英板（第２断熱体）１０１ｂで構成される組を複数積載するので、処理室２０１内に導入されたマイクロ波雰囲気の中に、空間分離して同じマイクロ波アニール環境を縦方向に多段化することができる。これにより、比較例の均一性の悪化を防ぎ比較例よりも均一性が向上し、枚葉プロセスと同程度の均一性が得られる。また、複数枚の基板処理が可能となり、基板処理効率（生産性）を向上させることが可能となる。

　＜変形例＞
　以下、実施形態の代表的な変形例について、幾つか例示する。以下の変形例の説明において、上述の実施形態にて説明されているものと同様の構成および機能を有する部分に対しては、上述の実施形態と同様の符号が用いられ得るものとする。そして、かかる部分の説明については、技術的に矛盾しない範囲内において、上述の実施形態における説明が適宜援用され得るものとする。また、上述の実施形態の一部、および、複数の変形例の全部または一部が、技術的に矛盾しない範囲内において、適宜、複合的に適用され得る。

　（第一変形例）
　実施形態では、組３０１は石英板１０１ａ，１０１ｂを有しているが、第一変形例では隣接する石英板、すなわち、上層組の石英板１０１ｂと下層組の石英板１０１ａを共用する。図６に示すように、最上層の組３０１は実施形態と同様に、石英板１０１ａ、サセプタ１０５ａ、ウエハ２００、サセプタ１０５ｂおよび石英板１０１ｂで構成されるが、二層目以下の組３０２は、石英板１０１ａを有さず、サセプタ１０５ａ、ウエハ２００、サセプタ１０５ｂおよび石英板１０１ｂで構成される。これにより、石英板およびサセプタの機能を損なわず、実施形態よりも石英板の数を低減することが可能である。また、石英板の数の削減により、ボート２１７に搭載するウエハ２００の数を増加することが可能になる。

　なお、第一変形例では、最上層に組３０１、二層目以下に組３０２を積載する例を説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、最下層に組３０１、二層目以上に組３０２を積載してもよい。この場合、組３０２は石英板１０１ｂを有さず、石英板１０１ａ、サセプタ１０５ａ、ウエハ２００およびサセプタ１０５ｂで構成される。また、最上層に石英板１０１ａを設け、その下に、組３０２（サセプタ１０５ａ、ウエハ２００、サセプタ１０５ｂ、石英板１０１ｂ）を積載するようにしてもよい。

　（第二変形例）
　上述したように、ウエハ２００の処理温度が一定の場合、ウエハ配列領域２００ａの中央部よりも上部側の炉内温度（例えば上部領域２００ｂの温度）が下部側の炉内温度（例えば下部領域２００ｄの温度）よりも高くなるので、第二変形例ではボート２１７の上部側に積載される組に対して、断熱体（第３断熱体）としての石英板を追加する。例えば、図７に示すように、最上層の組３０３および上から二番目の組３０３は、石英板１０１ａ、サセプタ１０５ａ、ウエハ２００、サセプタ１０５ｂ、石英板１０１ｂおよび石英板（第３断熱体）１０１ｃで構成される。また、三層目以下の組３０１は、実施形態と同様の構成であり、石英板１０１ａ、サセプタ１０５ａ、ウエハ２００、サセプタ１０５ｂおよび石英板１０１ｂで構成される。これにより、ボート２１７の上部側では、上層組のサセプタ１０５ｂと下層組のサセプタ１０５ａとの間に断熱体としての石英板が三枚配置され、ウエハ２００の温度上昇を抑制することができるので、ボート２１７の上部側と下部側の温度のアンバランスを低減させることが可能である。

　なお、第二変形例では、組３０３、組３０１をそれぞれ二つ積載する例を説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、組３０３は最上層の組一つであってもよいし、組３０１は最下層の組一つであってもよい。また、石英板１０１ｃを石英板１０１ｂの下方に追加する例を説明したが、石英板ｃを、石英板１０１ｂの上方または下方、石英板１０１ａの上方または下方のいずれかに追加してもよい。また、石英板１０１ｃを、石英板１０１ａの上方または下方のいずれか、および、石英板１０１ｂの上方または下方のいずれかに設けてもよい。

　（第三変形例）
　上述したように、ウエハ２００の処理温度が一定の場合、ウエハ配列領域２００ａの中央部よりも下部側の炉内温度（例えば下部領域２００ｄの温度）が中央部よりも上部側の炉内温度（例えば上部領域２００ｂの温度）より低くなるので、第三変形例ではボート２１７の下部側に積載される組に対して、反射板を追加する。例えば、図８に示すように、最下層の組３０４は、石英板１０１ａ、サセプタ１０５ａ、ウエハ２００、サセプタ１０５ｂ、反射板１０６および石英板１０１ｂで構成される。ここで、金属はマイクロ波を反射させる特性を有し、また、石英はマイクロ波を透過する特性を有する。そこで、反射板１０６は、例えば、石英板に金属をスパッタさせてマイクロ波反射体とする。また、最上層から三層目までの組３０１は、実施形態と同様の構成であり、石英板１０１ａ、サセプタ１０５ａ、ウエハ２００、サセプタ１０５ｂおよび石英板１０１ｂで構成される。これにより、ボート２１７の下部側では、反射板１０６がウエハ２００の温度を上昇することができるので、ボート２１７の上部側と下部側の温度のアンバランスを低減させることが可能である。

　なお、第三変形例では、組３０４を最下層の組に設ける例を説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、組３０４を、さらに、最下層の組の上にも設けてもよい。また、反射板１０６をサセプタ１０５ｂと石英板１０１ｂとの間に設ける例を説明したが、さらに、反射板１０６を石英板１０１ａとサセプタ１０５ａとの間にも設けてもよいし、サセプタ１０５ｂと石英板１０１ｂとの間に代えて石英板１０１ａとサセプタ１０５ａとの間に反射板１０６を設けてもよい。

　（第四変形例）
　第四変形例では、各組ごとで反射率の異なるサセプタを使用する。例えば、図９に示すように、最上層の組３０５は、石英板１０１ａ、サセプタ１０５ａ、ウエハ２００、サセプタ１０５ｃおよび石英板１０１ｂで構成される。また、二層目以下の組３０１は、実施形態と同様の構成であり、石英板１０１ａ、サセプタ１０５ａ、ウエハ２００、サセプタ１０５ｂおよび石英板１０１ｂで構成される。ここで、サセプタ１０５ｃの反射率はサセプタ１０５ｂの反射率よりも小さい。

　マイクロ波電力（Ｐ）は下式で表される。
　　　Ｐ＝Ｋ・εｒ・ｔａｎδ・ｆ・Ｅ^２　［Ｗ／ｍ^３］
ここで、
　　Ｋ：０．５５６×１０^－１０
　　εｒ：誘電体の比誘電率
　　ｔａｎδ：誘電体の誘電損失角
　　ｆ：周波数［Ｈｚ］
　　Ｅ：電界強度［Ｖ／ｍ］
である。

　ｔａｎδは材料ごとの物性で、加熱におけるキーファクターとなる。例えば、サセプタ１０５ｃをサセプタ１０５ｂより低いｔａｎδの材質とすることにより、マイクロ波電力は低下し、加熱温度を抑えることができる。サセプタのｔａｎδを組３０５ごとに変えることにより、異なる温度帯で１度に複数のウエハを加熱処理することが可能である。また、第二変形例や第三変形例と同様に、ボート２１７の上部側と下部側の温度のアンバランスを低減させることが可能である。

　なお、第四変形例では、すべての組に組３０５を設ける例を説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、組３０５を最上層の組や最下層の組の一部のみに設けて、他の組に実施形態の組３０１を設けてもよい。また、サセプタ１０５ｃをウエハ２００と石英板１０１ｂとの間に設ける例を説明したが、さらに、サセプタ１０５ｃを石英板１０１ａとウエハ２００との間にも設けてもよいし、ウエハ２００と石英板１０１ｂとの間に代えて石英板１０１ａとウエハ２００との間にサセプタ１０５ｃを設けてもよい。

　（第五変形例）
　第五変形例では、フィンを設けた石英板１０１ｄを使用する。例えば、図１０に示すように、各組３０６は、石英板１０１ａ、サセプタ１０５ａ、ウエハ２００、サセプタ１０５ｂおよび石英板１０１ｄで構成される。例えば、図１１に示すように、石英板１０１ｄはフィン１０１ｆを有し、図１０に示すように、石英板１０１ｄがサセプタ１０５ｂの下方に設けられる。なお、フィン１０１ｆは、石英板より削り出してもよいし、溶接してもよい。

　第五変形例によれば、フィンを設けたとしても石英板１０１ｄはマイクロ波を透過するので加熱には影響なく、ボート２１７を移載室に移動した際に、フィンにより冷却ガス(Ｎ_２ガス)により石英板が冷却されやすくなるため、ウエハも早く冷却することが可能となる。

　なお、第五変形例では、すべての組に組３０６を設ける例を説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、組３０６を最上層の組や最下層の組、中央部の組等の一部のみに設けて、他の組に実施形態の組３０１も設けてもよい。また、石英板１０１ｄをサセプタ１０５ｂの下方に設ける例を説明したが、さらに、石英板１０１ｄをサセプタ１０５ａの上方に設けてもよいし、サセプタ１０５ｂの下方に代えてサセプタ１０５ａの上方に石英板１０１ｄを設けてもよい。すなわち、上述した組３０１の石英板１０１ａ、石英板１０１ｂのいずれか一方または両方（少なくとも石英板１０１ａまたは石英板１０１ｂ）を、フィンが設けられた石英板１０１ｄに代えて設けるようにしてもよい。

　（第六変形例）
　上記本実施例では、石英板１０１ａ、サセプタ１０５ａ、ウエハ２００、サセプタ１０５ｂ、石英板１０１ｂで構成される組を複数積載する例を説明したが、これに限定されるものではない。第六変形例では、図１２に示すように、垂直方向に、上方から石英板１０１ａ、ウエハ２００、石英板１０１ｂをこの順序に組３０７（以下、組とする）として、この組３０７を複数積載するようにしてもよい。このような構成とすることで、ウエハ２００を石英板１０１ａおよび１０１ｂで空間分離することが可能となり、この空間分離により熱こもりを改善し、バッチ処理が可能となる。また、石英板の数の削減により、ボート２１７に搭載するウエハ２００の数を増加することが可能になる。なお、ウエハ２００は、１枚に限らず、上述したように２～１０枚積載するように設けてもよい。また、第六変形例では、上述した第一変形例のように、上層組の石英板１０１ｂと下層組の石英板１０１ａを共有するようにしてもよい。また、第六変形例では、上述した第二変形例のように、ボート２１７の中央部よりも上部側に積載される組に対して断熱体としての石英板１０１ｃを追加するようにしてもよい。なお、この石英板１０１ｃは、石英板１０１ｂの上部または下部に設けられる。また、第六変形例では、上述した第三変形例のように、ウエハ２００の処理温度が一定の場合、ウエハ配列２００ａの中央部よりも下側の炉内温度が中央部よりも上部側の炉内温度より低くなるので、ボート２１７の下部側に積載される組に対して、反射板１０６を追加するようにしてもよい。なお、この反射板１０６は、石英板１０１ａの上方または石英板１０１ｂの下方に設けられる。また、第六変形例では、上述した第五変形例にように、石英板１０１ａ、石英板１０１ｂのいずれか一方または両方（少なくとも石英板１０１ａまたは石英板１０１ｂ）を、フィンを設けた石英板１０１ｄに代えて設けてもよい。なお、このフィンを設けた石英板１０１ｄは、上述した図１１に示した構成と同様の構成であって、各組３０７に設けてもよく、一部の組３０７に設けてもよい。また、このフィンを設けた石英板１０１ｄは、例えば、石英板１０１ａの上方または石英板１０１ｂの上方に設けられるようにしてもよい。

　以上説明した実施形態の構成は、適宜変更して用いることができ、その効果も得ることができる。例えば、上述の説明では、シリコンを主成分とする膜として、アモルファスシリコン膜をポリシリコン膜に改質する処理について記載したが、これに限らず、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、炭素（Ｃ）、水素（Ｈ）のうち、少なくとも１つ以上を含むガスを供給させて、ウエハ２００の表面に形成された膜を改質しても良い。例えば、ウエハ２００に、高誘電体膜としてのハフニウム酸化膜（ＨｆｘＯｙ膜）が形成されている場合に、酸素を含むガスを供給しながらマイクロ波を供給して加熱させることによって、ハフニウム酸化膜中の欠損した酸素を補充し、高誘電体膜の特性を向上させることができる。

　なお、ここでは、ハフニウム酸化膜について示したが、これに限らず、アルミニウム（Ａｌ）、チタニウム（Ｔｉ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ランタン（Ｌａ）、セリウム（Ｃｅ）、イットリウム（Ｙ）、バリウム（Ｂａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、カルシウム（Ｃａ）、鉛（Ｐｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等の少なくともいずれかを含む金属元素を含む酸化膜、すなわち、金属系酸化膜を改質する場合においても、好適に適用可能である。すなわち、上述の成膜シーケンスは、ウエハ２００上に、ＴｉＯＣＮ膜、ＴｉＯＣ膜、ＴｉＯＮ膜、ＴｉＯ膜、ＺｒＯＣＮ膜、ＺｒＯＣ膜、ＺｒＯＮ膜、ＺｒＯ膜、ＨｆＯＣＮ膜、ＨｆＯＣ膜、ＨｆＯＮ膜、ＨｆＯ膜、ＴａＯＣＮ膜、ＴａＯＣ膜、ＴａＯＮ膜、ＴａＯ膜、ＮｂＯＣＮ膜、ＮｂＯＣ膜、ＮｂＯＮ膜、ＮｂＯ膜、ＡｌＯＣＮ膜、ＡｌＯＣ膜、ＡｌＯＮ膜、ＡｌＯ膜、ＭｏＯＣＮ膜、ＭｏＯＣ膜、ＭｏＯＮ膜、ＭｏＯ膜、ＷＯＣＮ膜、ＷＯＣ膜、ＷＯＮ膜、ＷＯ膜を改質する場合にも、好適に適用することが可能となる。

　また、高誘電体膜に限らず、不純物がドーピングされたシリコンを主成分とする膜を加熱させるようにしてもよい。シリコンを主成分とする膜としては、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）、シリコン酸化膜（ＳｉＯ膜）シリコン酸炭化膜（ＳｉＯＣ膜）、シリコン酸炭窒化膜（ＳｉＯＣＮ膜）、シリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）等のＳｉ系酸化膜がある。不純物としては、例えば、硼素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）、アルミニウム（Ａｌ）、リン（Ｐ）、ガリウム（Ｇａ）、砒素（Ａｓ）などの少なくとも１つ以上を含む。

　また、メタクリル酸メチル樹脂（Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌ　ｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅＰＭＭＡ）、エポキシ樹脂、ノボラック樹脂、ポリビニルフェニール樹脂などの少なくともいずれかをベースとするレジスト膜であってもよい。

　また、上述では、半導体装置の製造工程の一工程について記したが、これに限らず、液晶パネルの製造工程のパターニング処理、太陽電池の製造工程のパターニング処理や、パワーデバイスの製造工程のパターニング処理などの、基板を処理する技術にも適用可能である。

　なお、本開示は上記した実施形態に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施形態は本開示のより良い理解のために詳細に説明したのであり、必ずしも説明の全ての構成を備えるものに限定されるものではない。

　更に、上述した各構成、機能、制御装置等は、それらの一部又は全部を実現するプログラムを作成する例を説明したが、それらの一部又は全部を例えば集積回路で設計する等によりハードウェアで実現しても良いことは言うまでもない。すなわち、処理部の全部または一部の機能は、プログラムに代え、例えば、ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ　Ｓｐｅｃｉｆｉｃ　Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ　Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ　Ｇａｔｅ　Ａｒｒａｙ）などの集積回路などにより実現してもよい。

　＜本開示の好ましい態様＞
　以下、本開示の好ましい態様について付記する。

　（付記１）
　本開示の一態様によれば、
　垂直方向に、上方から第１断熱体（石英板）、第１発熱体（サセプタ）、少なくとも１枚の基板、第２発熱体（サセプタ）、第２断熱体（石英板）をこの順序に組（以下、組とする）として、この組を複数積載する基板保持具と、
　前記穂版保持具を搬入して前記基板を処理する処理室と、
　前記処理室内に電磁波を供給する電磁波供給部と、を備える
基板処理装置が提供される。

　（付記２）
　付記１の基板処理装置において、好ましくは、
　前記基板保持具の上部側に積載される前記組は、さらに、第３断熱体を備える。

　（付記３）
　付記２の基板処理装置において、好ましくは、
　前記第３断熱体は、少なくとも前記第１断熱体の上方若しくは下方、または、前記第２断熱体の上方若しくは下方に設けられる。

　（付記４）
　付記１の基板処理装置において、好ましくは、
　前記基板保持具の下部側に積載される前記組は、さらに、反射板を備える。

　（付記５）
　付記４の基板処理装置において、好ましくは、
　前記反射板は、少なくとも前記第１断熱体と第１発熱体との間、または、前記第２発熱体と第２断熱体との間に設けられる。

　（付記６）
　付記１の基板処理装置において、好ましくは、
　前記第１および第２発熱体は組ごとで反射率が異なる。

　（付記７）
　付記１の基板処理装置において、好ましくは、
　前記基板保持具の上部に積載される前記組は、前記基板保持具の下部側に積載される前記組に設けられる発熱体とは反射率が異なる発熱体を備える。

　（付記８）
　付記１の基板処理装置において、好ましくは、
　前記基板保持具の下部に積載される前記組は、前記基板保持具の上部側に積載される前記組に設けられる発熱体とは反射率が異なる発熱体を備える。

　（付記９）
　付記１の基板処理装置において、好ましくは、
　少なくとも前記第１断熱体または前記第２断熱体は、フィンを設けた断熱体で構成される。

　（付記１０）
　付記１の基板処理装置において、好ましくは、
　前記基板保持具に積載される組のうち、一部の組は、フィンを設けた断熱板を有する。

　（付記１１）
　付記１の基板処理装置において、好ましくは、
　フィンを設けた断熱体が、少なくとも第１発熱体の上方または第２発熱体の下方に設けられる。

　（付記１２）
　付記９～１１のいずれかの基板処理装置において、好ましくは、
　前記フィンを設けた断熱体は、マイクロ波を透過する材料で形成される。

　（付記１３）
　付記１の基板処理装置において、好ましくは、
　前記電磁波供給部は、前記処理室の側壁に垂直方向に複数設けられる。

　（付記１４）
　付記１３の基板処理装置において、好ましくは、
　複数設けられた電磁波供給部の出力を調整して前記基板の処理温度が一定となるように制御するよう構成される制御部を有する。

　（付記１５）
　付記１４の基板処理装置において、好ましくは、
　前記制御部は、下部側の前記電磁波供給部の出力を、上部側の前記電磁波供給部の出力より高くなるように制御する。

　（付記１６）
　付記１３の基板処理装置において、好ましくは、
　複数設けられた電磁波供給部の出力を調整して前記組ごとの前記基板の処理温度が異なるように制御するよう構成される制御部を有する。

　（付記１７）
　本開示の一態様によれば、
　垂直方向に、最上層に断熱体（石英板）を備え、上方から発熱体（サセプタ）、少なくとも１枚の基板、発熱体（サセプタ）、断熱体（石英板）をこの順序に組（以下、組とする）として、この組を複数積載する基板保持具と、
　前記基板を処理する処理室と、
　前記処理室内に電磁波を供給する電磁波供給部と、を備える
基板処理装置が提供される。

　（付記１８）
　本開示の一態様によれば、
　垂直方向に、上方から第１断熱体（石英板）、少なくとも１枚の基板、第２断熱体（石英板）をこの順序に組（以下、組とする）として、この組を複数積載する基板保持部と、
　前記基板を処理する処理室と、
　前記処理室内に電磁波を供給する電磁波供給部と、を備える
基板処理装置が提供される。

　（付記１９）
　付記１８の基板処理装置において、好ましくは、
　前記基板保持具の上部側に積載される前記組は、さらに、第３断熱体を備える。

　（付記２０）
　付記１９の基板処理装置において、好ましくは、
　前記第３断熱体は、少なくとも前記第１断熱体の上方若しくは下方、または、前記第２断熱体の上方若しくは下方に設けられる。

　（付記２１）
　付記１８の基板処理装置において、好ましくは、
　前記基板保持具の下部側に積載される前記組は、さらに、反射板を備える。

　（付記２２）
　付記２１の基板処理装置において、好ましくは、
　前記反射板は、少なくとも前記第１断熱体の上方または前記第２断熱体の下方に設けられる。

　（付記２３）
　付記１８の基板処置装置において、好ましくは、
　少なくとも前記第１断熱体または前記第２断熱体は、フィンを設けた断熱体である。

　（付記２４）
　付記１８の基板処理装置において、好ましくは、
　前記基板保持具に積載される組のうち、一部の組は、フィンを設けた断熱体を有する。

　（付記２５）
　付記１８の基板処置装置において、好ましくは、
　前記フィンを設けた断熱体が、少なくとも前記第１断熱体の上方または前記第２断熱体の下方に設けられる。

　（付記２６）
　付記２３～２５のいずれかの基板処理装置において、好ましくは、
　前記フィンを設けた断熱体は、マイクロ波を透過する材料で形成される。

　（付記２７）
　本開示の他の態様によれば、
　垂直方向に、上方から第１断熱体、第２発熱体、少なくとも１枚の基板、第２発熱体、第２断熱体をこの順序に組（以下、組とする）として、この組を複数積載する基板保持具と、前記基板を処理する処理室と、前記基板に電磁波を供給する電磁波供給部と、を備える基板処理装置の前記処理室に前記基板保持具を搬入する搬入工程と、
　前記処理室内に前記電磁波を供給する供給工程と、
　前記基板保持具を前記処理室から搬出する搬出工程と、を有する
半導体装置の製造方法が提供される。

　（付記２８）
　本開示の他の態様によれば、
　垂直方向に、上方から第１断熱体、第１発熱体、少なくとも１枚の基板、第２発熱体、第２断熱体をこの順序に組（以下、組とする）として、この組を複数積載する基板保持具と、前記基板を処理する処理室と、前記基板に電磁波を供給する電磁波供給部と、を備える基板処理装置の前記処理室に前記基板を搬入する搬入手順と、
　前記処理室内に前記電磁波を供給する供給手順と、
　前記基板を前記処理室から搬出する搬出手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。

　（付記２９）
　本開示の他の態様によれば、
　垂直方向に、上方から第１断熱体、第１発熱体、少なくとも１枚の基板、第２発熱体、第２断熱体をこの順序に組（以下、組とする）として、この組を複数積載する基板保持具と、前記基板を処理する処理室と、前記基板に電磁波を供給する電磁波供給部と、を備える基板処理装置の前記処理室に前記基板を搬入する搬入手順と、
　前記処理室内に前記電磁波を供給する供給手順と、
　前記基板を前記処理室から搬出する搬出手順と、
をコンピュータに実行させるプログラムが記録された記録媒体が提供される。

　（付記３０）
　本開示の一態様によれば、
　垂直方向に、上方から第１断熱体（石英板）、第１発熱体（サセプタ）、少なくとも１枚の基板、第２発熱体（サセプタ）、第２断熱体（石英板）をこの順序に組（以下、組とする）として、この組を複数積載するように構成される基板保持具が提供される。

　（付記３１）
　付記３０の基板保持具において、好ましくは、
　上部側に積載される前記組は、さらに、第３断熱体を備えるように構成される。

　（付記３２）
　付記３１の基板保持具において、好ましくは、
　前記第３断熱体は、少なくとも前記第１断熱体の上方若しくは下方、または、前記第２断熱体の上方若しくは下方に設けられるように構成される。

　（付記３３）
　付記３０の基板保持具において、好ましくは、
　下部側に積載される前記組は、さらに、反射板を備えるように構成される。

　（付記３４）
　付記３３の基板保持具において、好ましくは、
　前記反射板は、少なくとも前記第１断熱体と第１発熱体との間、または、前記第２発熱体と第２断熱体との間に設けられるように構成される。

　（付記３５）
　付記３０の基板保持具において、好ましくは、
　前記第１および第２発熱体は組ごとで反射率が異なるように構成される。

　（付記３６）
　付記３０の基板保持具において、好ましくは、
　上部に積載される前記組は、下部側に積載される前記組に設けられる発熱体とは反射率が異なる発熱体を備えるように構成される。

　（付記３７）
　付記３０の基板保持具において、好ましくは、
　下部に積載される前記組は、上部側に積載される前記組に設けられる発熱体とは反射率が異なる発熱体を備えるように構成される。

　（付記３８）
　付記３０の基板保持具において、好ましくは、
　少なくとも前記第１断熱体または前記第２断熱体は、フィンを設けた断熱体で構成される。

　（付記３９）
　付記３０の基板保持具において、好ましくは、
　積載される組のうち、一部の組は、フィンを設けた断熱板を有するように構成される。

　（付記４０）
　付記３０の基板保持具において、好ましくは、
　フィンを設けた断熱体が、少なくとも第１発熱体の上方または第２発熱体の下方に設けられるように構成される。

　（付記４１）
　付記３８～４０のいずれかの基板保持具において、好ましくは、
　前記フィンを設けた断熱体は、マイクロ波を透過する材料で形成されるように構成される。

　１００：基板処理装置
　１０１ａ，１０１ｂ：石英板（断熱体）
　１０５ａ，１０５ｂ：サセプタ（発熱体）
　２００：ウエハ（基板）　
　２０１：処理室
　２１７：ボート（基板保持具）
　６５５：マイクロ波発振器（電磁波供給部）

Claims

　垂直方向に、上方から第１断熱体、第１発熱体、少なくとも１枚の基板、第２発熱体、第２断熱体をこの順序に組として、前記組を複数積載する基板保持具と、
　前記基板保持具を搬入して前記基板を処理する処理室と、
　前記処理室内に電磁波を供給する電磁波供給部と、を備える基板処理装置。
　前記基板保持具の上部側に積載される前記組は、さらに、第３断熱体を備える請求項１に記載の基板処理装置。
　前記第３断熱体は、少なくとも前記第１断熱体の上方若しくは下方、または、前記第２断熱体の上方若しくは下方に設けられる請求項２に記載の基板処理装置。
　前記基板保持具の下部側に積載される前記組は、さらに、反射板を備える請求項１に記載の基板処理装置。
　前記反射板は、少なくとも前記第１断熱体と第１発熱体との間、または、前記第２発熱体と第２断熱体との間に設けられる請求項４に記載の基板処理装置。
　前記第１発熱体および第２発熱体は組ごとで反射率が異なる請求項１に記載の基板処理装置。
　前記基板保持具の上部側に積載される前記組は、前記基板保持具の下部側に積載される前記組に設けられる発熱体とは反射率が異なる前記第１発熱体および第２発熱体を備える請求項１に記載の基板処理装置。
　前記基板保持具の下部側に積載される前記組は、前記基板保持具の上部側に積載される前記組に設けられる発熱体とは反射率が異なる前記第１発熱体および第２発熱体を備える請求項１に記載の基板処理装置。
　少なくとも前記第１断熱体または第２断熱体は、フィンを設けた断熱体である請求項１に記載の基板処理装置。
　前記基板保持具に積載される組のうち、一部の組は、フィンを設けた断熱体を有する請求項１に記載の基板処理装置。
　フィンを設けた断熱体が、少なくとも前記第１発熱体の上部または前記第２発熱体の下部に設けられる請求項１に記載の基板処理装置。
　前記フィンを設けた断熱体は、マイクロ波を透過する材料で形成される請求項９に記載の基板処理装置。
　前記電磁波供給部は、前記処理室の側壁に垂直方向に複数設けられる請求項１に記載の基板処理装置。
　複数設けられた前記電磁波供給部の出力を調整して前記基板の処理温度が一定となるように制御するよう構成される制御部を有する請求項１３に記載の基板処理装置。
　前記制御部は、下部側の前記電磁波供給部の出力が、上部側の前記電磁波供給部の出力より高くなるように制御する請求項１４に記載の基板処理装置。
　複数設けられた前記電磁波供給部の出力を調整して、前記組ごとに設けられる前記基板の処理温度が異なるように制御するよう構成される制御部を有する請求項１３に記載の基板処理装置。
　垂直方向に、上方から第１断熱体、少なくとも１枚の基板、第２断熱体をこの順序に組として、前記組を複数積載する基板保持部と、
　前記基板保持部を搬入して前記基板を処理する処理室と、
　前記処理室内に電磁波を供給する電磁波供給部と、を備える基板処理装置。
　垂直方向に、上方から第１断熱体、第１発熱体、少なくとも１枚の基板、第２発熱体、第２断熱体をこの順序に組として、前記組を複数積載する基板保持具と、前記基板保持具を搬入して前記基板を処理する処理室と、前記基板に電磁波を供給する電磁波供給部と、を備える基板処理装置の前記処理室に前記基板保持具を搬入する搬入工程と、
　前記処理室内に前記電磁波を供給する供給工程と、
　前記基板保持具を前記処理室から搬出する搬出工程と、を有する半導体装置の製造方法。