WO2020179899A1 - ダイボンディングシート、及びフィルム状接着剤付き半導体チップの製造方法 - Google Patents

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film
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die bonding
bonding sheet
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渉 岩屋
陽輔 佐藤
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リンテック株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a die bonding sheet and a semiconductor chip with a film-like adhesive.
  • the present application claims priority based on Japanese Patent Application No. 2019-041885 filed in Japan on March 7, 2019, the contents of which are incorporated herein by reference.
  • a semiconductor chip with a film-like adhesive including a semiconductor chip and a film-like adhesive provided on the back surface thereof is used.
  • the back surface of the semiconductor chip means a surface on the side opposite to the surface on which the circuit of the semiconductor chip is formed (in this specification, it may be abbreviated as "circuit forming surface”). ..
  • the semiconductor chip with a film-like adhesive is manufactured, for example, by the method shown below. That is, first, a back-grinding tape (also known as a surface protection tape) is attached to a surface of a semiconductor wafer on which a circuit is formed (which may be abbreviated as “circuit formation surface” in this specification). .. Next, a modified layer is formed inside the semiconductor wafer by irradiating with laser light so as to focus on a focus set inside the semiconductor wafer. Next, the thickness of the semiconductor wafer is aimed at by grinding the surface of the semiconductor wafer opposite to the circuit forming surface (in this specification, it may be abbreviated as "back surface”) using a grinder.
  • a back-grinding tape also known as a surface protection tape
  • a modified layer is formed inside the semiconductor wafer by irradiating with laser light so as to focus on a focus set inside the semiconductor wafer.
  • the thickness of the semiconductor wafer is aimed at by grinding the surface of the semiconductor wafer opposite to the
  • the semiconductor wafer is divided at the formation site of the modified layer to form a plurality of semiconductor chips by adjusting the value to be adjusted and using the grinding force applied to the semiconductor wafer at this time.
  • the method of dividing a semiconductor wafer that involves the formation of a modified layer in this way is called stealth dicing (registered trademark).
  • stealth dicing registered trademark
  • the semiconductor wafer at the irradiation site is scraped off and the semiconductor is semiconductor. It is essentially completely different from laser dicing, which cuts a wafer from its surface.
  • one die bonding sheet is attached to the back surface (in other words, the ground surface) of these semiconductor chips fixed on the back grind tape after the above-mentioned grinding.
  • the die bonding sheet include those provided with a base material, and the pressure-sensitive adhesive layer and the film-like adhesive are laminated in this order on the base material.
  • the film-like adhesive in the die bonding sheet is attached to the back surface of the semiconductor chip in a softened state by heating to an appropriate temperature. Thereby, the die bonding sheet can be stably attached to the semiconductor chip.
  • the die bonding sheet is stretched in a direction parallel to the surface (for example, the surface of the film adhesive to be attached to the semiconductor chip) while cooling, a so-called expand.
  • the film-like adhesive is cut (divided) along the outer periphery of the semiconductor chip.
  • the laminated sheet of the base material and the pressure-sensitive adhesive layer is stretched in a direction parallel to the surface of the semiconductor chip with the film-like adhesive while being placed on the laminated sheet. Expand). Further, while maintaining this state, the peripheral portion of the laminated sheet on which the semiconductor chip with the film-like adhesive is not placed is heated. As described above, while shrinking the peripheral portion, the distance between adjacent semiconductor chips (sometimes referred to as "calf width" in the present specification) is appropriately maintained on the laminated sheet. ..
  • the semiconductor chip with the film-like adhesive is separated from the laminated sheet and picked up.
  • picking up is facilitated by curing the pressure-sensitive adhesive layer to reduce the adhesiveness.
  • a semiconductor chip with a film-like adhesive used for manufacturing a semiconductor device can be stably obtained.
  • the picked-up semiconductor chip is die-bonded to the circuit forming surface of the substrate by a film adhesive provided on the back surface of the semiconductor chip, and if necessary, one or more other semiconductor chips are laminated. After wire bonding, the whole is sealed with resin. Finally, the target semiconductor device is manufactured using the semiconductor package thus obtained.
  • the dicing sheet provided with the film-like adhesive that can be cut by expanding includes a base material, an adhesive layer, a base material layer (corresponding to an intermediate layer), and an adhesive adhesive layer (the film).
  • a dicing-die bonding tape (corresponding to the die bonding sheet) in which the base material layer has a tensile property in a specific range is disclosed. 1). According to this die bonding sheet, since the base material layer corresponding to the intermediate layer is provided, it is possible to cut the film adhesive with high accuracy during expansion.
  • the film-like adhesive in the die-bonding sheet is attached to the semiconductor chip while being heated, or the peripheral edge of the die-bonding sheet in an expanded state after cutting the film-like adhesive. It is desired that the distance between adjacent semiconductor chips, that is, the kerf width, be maintained sufficiently wide and highly uniform in the subsequent steps by heating the portions. If a process involving such a temperature change can be stably performed, a high quality semiconductor chip with a film adhesive can be stably obtained. On the other hand, it is not clear whether the die bonding sheet disclosed in Patent Document 1 has such characteristics sufficiently.
  • the present invention is configured to include a base material, an adhesive layer, and a film-like adhesive, and can be stably attached to a semiconductor chip while being attached while being heated, and when the film-like adhesive is expanded after being cut. Moreover, it is an object of the present invention to provide a die bonding sheet capable of maintaining a sufficiently wide kerf width and high uniformity.
  • the present invention comprises a base material, the base material having an adhesive layer, an intermediate layer, and a film-like adhesive laminated in this order on the base material, and having a size of 4.5 mm ⁇ 15 mm.
  • the displacement amount X 0 of the test piece when the temperature is 23 ° C. is measured without changing the temperature of the test piece with a load of 2 g.
  • the displacement of the test piece after the displacement amount X 0 is measured, when the temperature of the test piece is raised to 20 ° C./min, the load is 2 g, and the temperature reaches 70 ° C.
  • the maximum width of the intermediate layer may be 150 to 160 mm, 200 to 210 mm, or 300 to 310 mm.
  • the value of [tensile elastic modulus of the intermediate layer at 0°C]/[tensile elastic modulus of the base material at 0°C] is preferably 0.5 or less.
  • the present invention is a method for manufacturing a semiconductor chip with a film-like adhesive, which comprises a semiconductor chip and a film-like adhesive provided on the back surface of the semiconductor chip, and focuses on a focus set inside the semiconductor wafer.
  • a step of dividing the semiconductor wafer at the formation site of the modified layer to obtain a group of semiconductor chips in which a plurality of semiconductor chips are aligned by utilizing the applied force during grinding, and the die bonding sheet.
  • the step of attaching the film-like adhesive therein to the back surfaces of all the semiconductor chips in the semiconductor chip group and the die bonding sheet after being attached to the semiconductor chip group are cooled while heating. However, by stretching in a direction parallel to the surface, the film-like adhesive is cut along the outer periphery of the semiconductor chip, and a plurality of the film-like adhesive-attached semiconductor chips are aligned.
  • the step of obtaining the group of semiconductor chips with an adhesive and the laminated sheet of the base material, the pressure-sensitive adhesive layer and the intermediate layer derived from the die-bonding sheet after obtaining the group of semiconductor chips with a film-like adhesive are attached to the adhesive.
  • the step of pulling the semiconductor chip with a film-like adhesive from the intermediate layer in the laminated sheet after heating the portion and picking it up is provided, and the maximum value of the width of the intermediate layer and the semiconductor Provided is a method for manufacturing a semiconductor chip with a film adhesive, which has a difference between the maximum width of a wafer and a maximum value of 0 to 10 mm.
  • the present invention is configured to include a base material, an adhesive layer and a film-like adhesive, and can be stably attached when it is attached to a semiconductor chip while heating, and it expands after cutting the film-like adhesive.
  • a die bonding sheet capable of maintaining a sufficiently wide kerf width and high uniformity.
  • FIG. 3 is a plan view schematically showing an evaluation target in order to explain measurement points of the kerf width during evaluation of kerf retention in Examples.
  • the die bonding sheet according to the embodiment of the present invention includes a base material, and an adhesive layer, an intermediate layer, and a film-like adhesive are laminated in this order on the base material.
  • a test piece of the base material having a size of 4.5 mm ⁇ 15 mm was prepared, and the temperature of the test piece was adjusted to 2 g using a thermomechanical analyzer without changing the temperature of the test piece.
  • the displacement amount X 0 when is 23 ° C. is measured, and the temperature of the test piece after the displacement amount X 0 is measured is 70 ° C. with a heating rate of 20 ° C./min and a load of 2 g.
  • heating time change rate time (herein, sometimes simply referred to as “heating time change rate”) change rate is 0 to 2 percent, calculated by the formula (2) :( X 2 -X 1 ) / 15 ⁇ 100
  • rate of change during cooling is -2 to 0%, and the formula (3).
  • (X 2- X 0 ) / 15 ⁇ 100, the total rate of change of the displacement of the test piece (in this specification, it may be simply abbreviated as “total rate of change”) is -2. It is ⁇ 1%.
  • the rate of change during heating is equal to or less than the upper limit value, expansion of the base material during heating is suppressed, so that the film-like adhesive is used while heating the die bonding sheet.
  • the rate of change during heating does not have a negative value.
  • the film-like adhesive is cut, and the base material, the pressure-sensitive adhesive layer and the intermediate layer are thickened in this order.
  • the distance (calf width) between adjacent semiconductor chips is adjusted while heating and shrinking the peripheral edge of the laminated sheet having a laminated structure in the direction, the calf width is sufficiently widened.
  • the base material does not expand when it is allowed to cool, the rate of change when allowed to cool does not take a positive value.
  • the “laminated sheet” means a laminated sheet having a configuration in which the above-mentioned base material, pressure-sensitive adhesive layer and intermediate layer are laminated.
  • the die bonding sheet of the present embodiment has the same effect as the case where the rate of change during cooling is equal to or greater than the lower limit value when the total rate of change is equal to or greater than the lower limit value. Further, when the total rate of change is equal to or less than the upper limit value, the laminated sheet is sufficiently shrunk when the peripheral edge thereof is heated and shrunk while the laminated sheet is expanded as described above, and as a result, the calf width is increased. Can be maintained with high uniformity.
  • the die bonding sheet of the present embodiment is preferably used for a semiconductor wafer after dicing.
  • the semiconductor wafer after dicing is a state in which a plurality of semiconductor chips are pre-arranged, or a plurality of semiconductor chips arranged in this way, and other semiconductors in the semiconductor wafer. Examples include areas that are not divided into chips.
  • Such an object of use of the die bonding sheet is obtained, for example, by dicing a semiconductor wafer as follows. That is, first, the back grind tape (surface protection tape) is attached to the surface of the semiconductor wafer on the side where the circuit is formed (that is, the circuit forming surface). Next, a modified layer is formed inside the semiconductor wafer by irradiating with laser light so as to focus on a focus set inside the semiconductor wafer. The position of the focus at this time is a planned dividing (dicing) position of the semiconductor wafer, and is set so that a desired size, shape and number of semiconductor chips can be obtained from the semiconductor wafer. Next, using a grinder, the surface of the semiconductor wafer opposite to the circuit formation surface (that is, the back surface) is ground.
  • the back grind tape surface protection tape
  • the thickness of the semiconductor wafer is adjusted to the desired value, and the force applied to the semiconductor wafer at the time of grinding is used to divide the semiconductor wafer at the formation site of the modified layer.
  • the modified layer of the semiconductor wafer is denatured by irradiation with laser light, and its strength is weakened. Therefore, by applying a force to the semiconductor wafer on which the modified layer is formed, the force is applied to the modified layer inside the semiconductor wafer, the semiconductor wafer is cracked at the site of the modified layer, and a plurality of semiconductor chips are formed. can get. Note that, depending on the conditions of this grinding, division into semiconductor chips may not be performed in a partial region of the semiconductor wafer.
  • FIG. 1 is a sectional view schematically showing a die bonding sheet according to an embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a plan view of the die bonding sheet shown in FIG. 2 and subsequent figures, the same components as those shown in the already-described figures are denoted by the same reference numerals as those in the already-illustrated figures, and the detailed description thereof will be omitted.
  • the die bonding sheet 101 shown here includes a base material 11, and the pressure-sensitive adhesive layer 12, the intermediate layer 13, and the film-like adhesive 14 are laminated in this order on the base material 11.
  • the die bonding sheet 101 further includes a release film 15 on the film-like adhesive 14.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 12 is provided on one surface (hereinafter, may be referred to as “first surface”) 11a of the base material 11, and the base material 11 of the pressure-sensitive adhesive layer 12 is provided.
  • the intermediate layer 13 is provided on the surface (hereinafter, may be referred to as "first surface") 12a opposite to the side on which the intermediate layer 13 is provided, and the side on which the adhesive layer 12 of the intermediate layer 13 is provided.
  • first surface a film-like adhesive 14 on the opposite surface (hereinafter, may be referred to as “first surface”) 13a, which is opposite to the side on which the intermediate layer 13 of the film-like adhesive 14 is provided.
  • the release film 15 is provided on the side surface (hereinafter, may be referred to as “first surface”) 14a.
  • the die bonding sheet 101 is configured by laminating the base material 11, the pressure-sensitive adhesive layer 12, the intermediate layer 13, and the film adhesive 14 in this order in the thickness direction thereof.
  • the circuit formation of the first surface 14a of the film adhesive 14 in the state where the release film 15 is removed is a semiconductor chip or a semiconductor wafer (not shown) which is not completely divided. It is attached to the surface opposite to the surface (that is, the back surface) and used.
  • a laminate containing a base material and an adhesive layer may be referred to as a "support sheet”.
  • reference numeral 1 is attached to the support sheet.
  • the intermediate layer 13 and the film-like adhesive 14 are viewed in a plan view from above, they are both circular in shape, and the diameter of the intermediate layer 13 and the diameter of the film-like adhesive 14 are the same. .. Then, in the die bonding sheet 101, the intermediate layer 13 and the film-like adhesive 14 have their centers aligned with each other, in other words, the positions of the outer circumferences of the intermediate layer 13 and the film-like adhesive 14 are in their radial directions. They are arranged so that they all match.
  • the first surface 13a of the intermediate layer 13 and the first surface 14a of the film adhesive 14 are both smaller in area than the first surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12.
  • the maximum value (that is, diameter) of the width W 13 of the intermediate layer 13 and the maximum value (that is, diameter) of the width W 14 of the film-like adhesive 14 are both the maximum value of the width of the pressure-sensitive adhesive layer 12 and the maximum value. It is smaller than the maximum width of the base material 11. Therefore, in the die bonding sheet 101, a part of the first surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12 is not covered with the intermediate layer 13 and the film-like adhesive 14.
  • the release film 15 is directly contacted and laminated in the region of the first surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12 where the intermediate layer 13 and the film-like adhesive 14 are not laminated, and the release film 15 is laminated. In the removed state, this region is exposed (hereinafter, this region may be referred to as “non-laminated region” in this specification).
  • the release film 15 is laminated as shown here in the region of the pressure-sensitive adhesive layer 12 that is not covered by the intermediate layer 13 and the film-like adhesive 14. There may be areas that are not.
  • the die bonding sheet 101 is a ring frame for fixing a semiconductor wafer to a part of the non-laminated region of the pressure-sensitive adhesive layer 12 in a state where the film adhesive 14 is uncut and attached to the above-mentioned semiconductor chip or the like. It can be fixed by attaching it to a jig such as. Therefore, it is not necessary to separately provide the die bonding sheet 101 with an adhesive layer for jigs for fixing the die bonding sheet 101 to the jig. Further, since it is not necessary to provide the adhesive layer for the jig, the die bonding sheet 101 can be manufactured inexpensively and efficiently.
  • the die bonding sheet 101 has an advantageous effect by not including the jig adhesive layer, but may have the jig adhesive layer.
  • the jig adhesive layer is provided in a region near the peripheral edge of the surface of any of the layers constituting the die bonding sheet 101. Examples of such a region include a region on the first surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12 that is not covered by the intermediate layer 13 and the film-like adhesive 14.
  • the adhesive layer for jigs may be a known one.
  • it may have a single-layer structure containing an adhesive component, or layers containing an adhesive component are laminated on both sides of a sheet serving as a core material. It may have a multi-layer structure.
  • the die bonding sheet 101 when the die bonding sheet 101 is stretched in a direction parallel to its surface (for example, the first surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12), so-called expanding, the first surface of the pressure-sensitive adhesive layer 12 is performed.
  • the presence of the non-laminated region in 12a makes it possible to easily expand the die bonding sheet 101. Then, not only the film adhesive 14 can be easily cut, but also peeling of the intermediate layer 13 and the film adhesive 14 from the pressure-sensitive adhesive layer 12 may be suppressed.
  • thermomechanical analysis (sometimes referred to as “TMA” in the present specification).
  • TMA thermomechanical analysis
  • X 1 is usually the amount of displacement when the temperature of the test piece is 70 ° C. Further, usually, the condition of X 1 ⁇ X 0 is satisfied.
  • TMA is continuously performed, and the test piece after measuring X 1 is allowed to cool under a temperature condition of 23 ° C. with a load of 2 g, and the minimum value X 2 of the displacement amount of the test piece at this time is measured. .. X 2 is usually the amount of displacement when the temperature of the test piece does not fluctuate due to cooling (in other words, it becomes the lowest). Since X 0 , X 1 and X 2 are continuously measured by a series of TMAs, all of these measurement directions are the same.
  • the load applied to the test piece is a constant value.
  • X 0 and X 1 thus obtained are used to calculate the formula (1): (X 1- X 0 ) / 15 x 100
  • the rate of change of the displacement of the test piece during heating calculated in step 2 is 0 to 2%.
  • the equation (2) (X 2 -X 1) / 15 ⁇ 100
  • the change rate of the displacement amount of the test piece during cooling, calculated by, becomes ⁇ 2 to 0%.
  • the equation (3) (X 2- X 0 ) / 15 ⁇ 100
  • the total change rate of the displacement amount of the test piece calculated in step 2 is -2 to 1%.
  • the die bonding sheet of the present embodiment is not limited to the one shown in FIGS. 1 and 2, and a part of the configurations shown in FIGS. 1 and 2 are changed or deleted within the range not impairing the effect of the present invention. Alternatively, it may be added.
  • the die bonding sheet of the present embodiment does not correspond to any of the base material, the pressure-sensitive adhesive layer, the intermediate layer, the film-like adhesive, the release film, and the adhesive layer for jigs. It may have a layer of.
  • the die bonding sheet of the present invention is provided with an adhesive layer in direct contact with the base material, an intermediate layer in direct contact with the adhesive layer, and a film-like adhesive. It is preferably provided in a state of being in direct contact with the intermediate layer.
  • the planar shapes of the intermediate layer and the film-like adhesive may be shapes other than the circular shape, and the planar shapes of the intermediate layer and the film-like adhesive are the same as each other. It may be different or it may be different.
  • the area of the first surface of the intermediate layer and the area of the first surface of the film-like adhesive are both the areas of the layers on the substrate side (for example, the first surface of the pressure-sensitive adhesive layer). It is preferable that they are smaller than each other, and they may be the same or different from each other.
  • the positions of the intermediate layer and the outer periphery of the film-like adhesive may or may not be the same in these radial directions.
  • the base material is in the form of a sheet or a film.
  • the constituent material of the base material is preferably various resins, and specifically, for example, polyethylene (low density polyethylene (LDPE), linear low density polyethylene (LLDPE), high density polyethylene (HDPE, etc.)), Polypropylene (PP), polybutene, polybutadiene, polymethylpentene, styrene/ethylene butylene/styrene block copolymer, polyvinyl chloride, vinyl chloride copolymer, polyethylene terephthalate (PET), polybutylene terephthalate (PBT), polyurethane, polyurethane Acrylic, polyimide (PI), ionomer resin, ethylene / (meth) acrylic acid copolymer, ethylene / (meth) acrylic acid ester copolymer, ethylene / (meth) acrylic acid copolymer and ethylene / (meth) acrylic Examples thereof include ethylene copolymers other than acid ester copo
  • (meth) acrylic acid is a concept including both “acrylic acid” and “methacrylic acid”.
  • (meth)acrylate is a concept including both “acrylate” and “methacrylate”
  • (meth)acryloyl group Is a concept that includes both an “acryloyl group” and a “methacryloyl group”.
  • the resin constituting the base material may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the constituent material of the base material is preferably polyethylene, and more preferably low density polyethylene (LDPE), in that the rate of change during heating, the rate of change during cooling, and the total rate of change can be more easily adjusted. preferable.
  • LDPE low density polyethylene
  • the substrate may be composed of one layer (single layer) or may be composed of two or more layers.
  • the base material is composed of a plurality of layers
  • the plurality of layers may be the same or different from each other, and the combination of the plurality of layers is not particularly limited as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the plural layers may be the same or different from each other” means “all the layers may be the same or all the layers may be different”. It may mean that only some of the layers may be the same, and further, "multiple layers are different from each other” means that "at least one of the constituent materials and the thickness of each layer is different from each other". Means that.
  • the thickness of the base material can be appropriately selected depending on the purpose, but is preferably 50 to 300 ⁇ m, more preferably 60 to 150 ⁇ m.
  • the thickness of the base material is at least the above lower limit value, the structure of the base material is more stabilized.
  • the thickness of the base material is not more than the upper limit value, the cutability of the film-like adhesive is further improved when the die bonding sheet is expanded.
  • the die bonding sheet after cutting the film adhesive is expanded (in other words, when the laminated sheet is expanded), the effect of keeping the kerf width sufficiently wide and highly uniform is further enhanced.
  • the “thickness of the base material” means the thickness of the whole base material, and for example, the thickness of the base material composed of a plurality of layers means the total thickness of all layers constituting the base material. means.
  • the base material is roughened by sandblasting, solvent treatment, embossing, etc. in order to improve adhesion to other layers such as the pressure-sensitive adhesive layer provided on it; corona discharge treatment, electron beam irradiation treatment, etc. , Plasma treatment, ozone/ultraviolet irradiation treatment, flame treatment, chromic acid treatment, hot air treatment, or other oxidation treatment; and the like.
  • the surface of the base material may be primed.
  • the base material is an antistatic coat layer; a layer that prevents the base material from adhering to other sheets or adhering to the adsorption table when the die bonding sheets are stacked and stored; etc. May have.
  • the base material contains various known additives such as a filler, a colorant, an antistatic agent, an antioxidant, an organic lubricant, a catalyst and a softening agent (plasticizer) in addition to the main constituent materials such as the resin. You may.
  • a film or sheet made of a resin has anisotropy depending on the manufacturing method thereof.
  • a film or sheet manufactured by molding a resin usually has characteristics in a resin flow direction (Machine Direction) at the time of resin molding and a direction (Transverse Direction) orthogonal to the resin flow direction. It is subject to change and this is well known.
  • the resin flow direction may be referred to as “MD”, and the direction orthogonal to the resin flow direction may be referred to as “TD”. It can be said that MD is a direction parallel to the flow of the film or sheet when processing the film or sheet, and TD is a direction orthogonal to the flow of the film or sheet.
  • MD is the stretching direction of the film or sheet
  • TD is the direction orthogonal to the stretching direction of such film or sheet.
  • the MD and TD of each layer can be distinguished from each other by optical analysis such as analysis of an X-ray two-dimensional diffraction image.
  • the film or sheet produced by molding the resin including the base material, the intermediate layer, the pressure-sensitive adhesive layer, the film-like adhesive, etc., may have MD and TD.
  • the MD of the base material base material 11 in the case of the die bonding sheet 101 shown in FIG. 1
  • the intermediate layer in the case of the die bonding sheet 101 shown in FIG. 1 described later are intermediate. It is preferred that the MD of layer 13) is matched. In other words, in the die bonding sheet, it is preferable that the TD of the base material and the TD of the intermediate layer match. In the die bonding sheet in which the base material and the intermediate layer are arranged in this way, the easiness of expansion (expandability) becomes more uniform regardless of the direction.
  • the cuttability of the film adhesive by expanding is further improved, and during the cutting of the film adhesive, the region between the semiconductor chips, the so-called kerf, is more stable. It is formed and the width of this region (ie, the calf width) is also more uniform. Further, since the kerf width becomes uniform in this way, the effect of suppressing the occurrence of process defects is significantly enhanced when picking up a semiconductor chip with a film adhesive to be described later.
  • the rate of change during heating of the test piece prepared from the base material is 0 to 2% as described above, for example, 0. .About.1.6%, 0 to 1.2%, and 0 to 0.9%, or 0.2 to 2%, 0.4 to 2%, and 0.6 to 2 %, or any of 0.2 to 1.6%, 0.4 to 1.2%, and 0.6 to 0.9%.
  • the rate of change during heating of the test piece may be the same or different between the two or more measurement directions.
  • two or more measurement directions of the rate of change during heating are two or more different directions of the directions parallel to the first surface of the test piece (corresponding to the first surface of the base material). ..
  • the rate of change in heating of the MD of the test piece and the rate of change in heating of the TD of the test piece may be the same or different from each other.
  • the rate of change during heating is 0 to 2% in any measurement direction of the test piece.
  • the rate of change during heating is 0 to 2% in both MD and TD, and is exemplified above in either one or both of MD and TD. It may be any of nine numerical ranges. In that case, the combination of the numerical range of the rate of change during heating in MD and the numerical range of the rate of change during heating in TD is arbitrary.
  • the rate of change during cooling of the test piece prepared from the base material is -2 to 0%, for example. , -2 to -0.4%, -2 to -0.8%, -2 to -1.2%, and -2 to -1.6%.
  • the rate of change of the test piece during cooling may be the same or different between the two or more measurement directions.
  • the measuring direction of the rate of change during cooling is 2 or more
  • the rate of change during cooling in MD of the test piece and the rate of change during cooling in TD of the test piece may be the same or different from each other. is there.
  • the rate of change during cooling is ⁇ 2 to 0% in any measurement direction of the test piece.
  • the rate of change during cooling is -2 to 0% in both MD and TD, and in either one or both of MD and TD, the rate of change is first. It may be any of the four numerical ranges illustrated. In that case, the combination of the numerical range of the rate of change during cooling in MD and the numerical range of the rate of change during cooling in TD is arbitrary.
  • the total rate of change of the test piece prepared from the base material is ⁇ 2 to 1% as described above, for example, ⁇ . It may be any of 2 to 0.6%, -2 to 0.3%, -2 to 0%, -2 to -0.3%, and -2 to -0.6%. It may be any of 1.8 to 1%, -1.6 to 1%, and -1.4 to 1%, or -1.8 to 0.6%, -1.8 to 0. It may be any of 3%, -1.8 to 0%, -1.6 to -0.3%, and -1.4 to -0.6%. Among them, the total rate of change of the test piece is preferably ⁇ 2 to 0%.
  • the total rate of change of the test piece may be the same or different between the two or more measurement directions.
  • the "measurement direction of the total rate of change of 2 or more” is the same as the above-mentioned "measurement direction of the rate of change during heating of 2 or more".
  • the total rate of change in the MD of the test piece and the total rate of change in the TD of the test piece may be the same or different from each other.
  • the total rate of change is ⁇ 2 to 1% in any measurement direction of the test piece.
  • the total rate of change is -2 to 1% in both MD and TD, and is exemplified above in either one or both of MD and TD. It may be any of the 13 numerical ranges. In that case, the combination of the numerical range of the total change rate in MD and the numerical range of the total change rate in TD is arbitrary.
  • the rate of change during heating is in any of the above nine numerical ranges, and the rate of change during cooling is in any of the above four numerical ranges. Yes, and the total rate of change may be in any of the above 13 numerical ranges.
  • the rate of change during heating in either one or both of MD and TD is 0.6 to 0.9%, and the change rate in one or both of MD and TD is said.
  • the rate of change during cooling is -2 to -1.6%, and the total rate of change in either or both of MD and TD is -1.4 to -0.6%. ..
  • the thickness of the test piece to be measured for the rate of change during heating, the rate of change during cooling, and the total rate of change is not particularly limited, and may be a thickness capable of performing these measurements with high accuracy. ..
  • the thickness of the test piece may be 10 to 200 ⁇ m.
  • the rate of change when heated, the rate of change when allowed to cool, and the total rate of change of the test piece prepared from the base material can be adjusted by adjusting the type and content of the components contained in the base material, for example, the resin.
  • ⁇ Tensile modulus Eb'of test piece prepared from base material> For a test piece having a width of 15 mm and a length of more than 100 mm, which is produced from the base material (base material 11 in the case of the die bonding sheet 101 shown in FIG. 1), the distance between chucks is 100 mm and the temperature is 0.
  • the tensile modulus Eb′ of the test piece at 0° C. in the elastic deformation region is measured by performing a tensile test in which the tensile rate is 200 mm/min using Tensilon
  • the Eb′ is, for example, 10 to It may be any of 200 MPa, 50 to 150 MPa, and 70 to 120 MPa.
  • Eb' is in such a range, adjustment of the tensile elastic modulus ratio Ei'/Eb' described later becomes easier.
  • the cutting of the film adhesive by the expansion of the die bonding sheet is preferably carried out at a temperature of 0° C. or in the vicinity thereof from the viewpoint that the cutting property is improved. Therefore, in the die bonding sheet, the tensile elastic modulus Eb'of the test piece prepared from the base material is defined by a value at 0 ° C. In the present embodiment, important physical properties that have a great influence on the expandability of the die bonding sheet are defined under the conditions of the temperature at which the die bonding sheet is actually expanded or a temperature in the vicinity thereof.
  • the Eb'of the test piece may be the same or different between the two or more measurement directions.
  • the "two or more measurement directions of Eb'" are two or more different directions among the directions parallel to the first surface of the test piece (corresponding to the first surface of the base material).
  • the Eb'in the MD of the test piece and the Eb'in the TD of the test piece may be the same or different from each other.
  • the tensile elastic modulus Eb′ may be, for example, in any of the three numerical ranges illustrated above in any measurement direction of the test piece.
  • Eb' may be any one or both of MD and TD in any of the three numerical ranges exemplified above.
  • the combination of the numerical range of Eb'in MD and the numerical range of Eb'in TD is arbitrary.
  • the thickness of the test piece which is the object of measurement of the tensile elastic modulus Eb′, is not particularly limited as long as it can perform these measurements with high accuracy.
  • the thickness of the test piece may be 10 to 200 ⁇ m.
  • the Eb'of the test piece prepared from the base material can be adjusted by adjusting the content of the base material, for example, the type and content of the resin.
  • the optical properties of the base material are not particularly limited as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the base material may be, for example, one that transmits laser light or energy rays.
  • the base material can be produced by a known method.
  • a base material containing a resin (using a resin as a constituent material) can be produced by molding the resin or a resin composition containing the resin.
  • the surface resistivity of the surface of the die-bonding sheet located on the side opposite to the pressure-sensitive adhesive layer side of the substrate may be 1.0 ⁇ 10 11 ⁇ / ⁇ or less.
  • the ratio can be set to 1.0 ⁇ 10 11 ⁇ / ⁇ or less.
  • the surface of the base material on which the antistatic layer is formed, which is located on the side opposite to the pressure-sensitive adhesive layer side may be referred to as the “outermost layer of the die bonding sheet”. Further, the surface of the antistatic base material located on the side opposite to the pressure-sensitive adhesive layer side may be referred to as "the outermost layer of the die bonding sheet”.
  • the adhesive layer is in the form of a sheet or a film and contains an adhesive.
  • the pressure-sensitive adhesive layer can be formed by using a pressure-sensitive adhesive composition containing the pressure-sensitive adhesive.
  • the pressure-sensitive adhesive composition can be formed on a target site by applying the pressure-sensitive adhesive composition to the surface on which the pressure-sensitive adhesive layer is to be formed and drying it as necessary.
  • the pressure-sensitive adhesive composition may be applied by a known method, for example, air knife coater, blade coater, bar coater, gravure coater, roll coater, roll knife coater, curtain coater, die coater, knife coater, screen coater. , A method using various coaters such as a Meyer bar coater and a knife coater.
  • the drying conditions of the pressure-sensitive adhesive composition are not particularly limited, but when the pressure-sensitive adhesive composition contains the solvent described below, it is preferable to heat-dry it, and in this case, for example, at 70 to 130° C. for 10 seconds to It is preferable to dry under the condition of 5 minutes.
  • the pressure-sensitive adhesive examples include adhesive resins such as acrylic resin, urethane resin, rubber-based resin, silicone resin, epoxy resin, polyvinyl ether, polycarbonate, and ester-based resin, and acrylic resin is preferable.
  • the "adhesive resin” includes both a resin having adhesiveness and a resin having adhesiveness.
  • the adhesive resin includes not only the resin itself having adhesiveness, but also a resin showing adhesiveness when used in combination with other components such as additives, and adhesiveness due to the presence of a trigger such as heat or water. Also included are resins and the like.
  • the pressure-sensitive adhesive layer may be either curable or non-curable, and may be, for example, either energy ray-curable or non-energy ray-curable.
  • the curable pressure-sensitive adhesive layer can easily adjust the physical properties before and after curing.
  • the “energy ray” means an electromagnetic wave or a charged particle beam having an energy quantum.
  • energy rays include ultraviolet rays, radiation, and electron rays.
  • Ultraviolet rays can be irradiated by using, for example, a high-pressure mercury lamp, a fusion lamp, a xenon lamp, a black light, an LED lamp, or the like as an ultraviolet source.
  • the electron beam can be generated by an electron beam accelerator or the like.
  • “energy ray curable” means a property of being cured by irradiating with energy rays
  • non-energy ray curable is a property of not being cured by irradiating with energy rays. Means.
  • the pressure-sensitive adhesive layer may be composed of one layer (single layer), may be composed of two or more layers, and when composed of a plurality of layers, the plurality of layers may be the same or different from each other.
  • the combination of these plural layers is not particularly limited.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is preferably 1 to 100 ⁇ m, more preferably 1 to 60 ⁇ m, and particularly preferably 1 to 30 ⁇ m.
  • the "thickness of the pressure-sensitive adhesive layer” means the thickness of the entire pressure-sensitive adhesive layer, and for example, the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer composed of a plurality of layers is the sum of all the layers constituting the pressure-sensitive adhesive layer. Means the thickness of.
  • the optical properties of the pressure-sensitive adhesive layer are not particularly limited as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the pressure-sensitive adhesive layer may be one that allows energy rays to pass through.
  • the pressure-sensitive adhesive composition will be described.
  • a pressure-sensitive adhesive composition containing an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive that is, an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition
  • an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition for example, a non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive Adhesive composition (I-1) containing a resin (I-1a) (hereinafter, may be abbreviated as "adhesive resin (I-1a)") and an energy ray-curable compound; non-energy An energy ray-curable adhesive resin (I-2a) in which an unsaturated group is introduced into the side chain of the linear curable adhesive resin (I-1a) (hereinafter referred to as "adhesive resin (I-2a)").
  • a pressure-sensitive adhesive composition (I-2) containing may be abbreviated); a pressure-sensitive adhesive composition (I-3) containing the pressure-sensitive resin (I-2a) and an energy ray-curable compound, etc.
  • a pressure-sensitive adhesive composition (I-2) containing
  • the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) contains the non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive resin (I-1a) and the energy ray-curable compound.
  • the adhesive resin (I-1a) is preferably an acrylic resin.
  • the acrylic resin include an acrylic polymer having at least a structural unit derived from an alkyl (meth)acrylate ester.
  • the constitutional unit of the acrylic resin may be only one type, or two or more types, and in the case of two or more types, their combination and ratio can be arbitrarily selected.
  • the pressure-sensitive adhesive resin (I-1a) contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof are arbitrary. You can choose.
  • the ratio of the content of the pressure-sensitive adhesive resin (I-1a) to the total mass of the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) is preferably 5 to 99% by mass. It is more preferably 10 to 95% by mass, and particularly preferably 15 to 90% by mass.
  • Examples of the energy ray-curable compound contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) include monomers or oligomers having an energy ray-polymerizable unsaturated group and curable by irradiation with energy rays.
  • examples of the monomer include trimethylolpropane tri(meth)acrylate, pentaerythritol (meth)acrylate, pentaerythritol tetra(meth)acrylate, dipentaerythritol hexa(meth)acrylate, 1,4 Multivalent (meth) acrylates such as -butylene glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol (meth) acrylate; urethane (meth) acrylate; polyester (meth) acrylate; polyether (meth) acrylate; epoxy ( Meta) acrylate and the like can be mentioned.
  • examples of the oligomer include oligomers obtained by polymerizing the above-exemplified monomers.
  • the energy ray-curable compound is preferably a urethane (meth)acrylate or a urethane (meth)acrylate oligomer in that it has a relatively large molecular weight and is unlikely to reduce the storage elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the energy ray-curable compound contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected. ..
  • the ratio of the content of the energy ray-curable compound to the total mass of the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) is preferably 1 to 95% by mass. It is more preferably to 90% by mass, and particularly preferably 10 to 85% by mass.
  • the pressure-sensitive adhesive composition (I) -1) preferably further contains a cross-linking agent.
  • the cross-linking agent reacts with the functional group to cross-link the adhesive resins (I-1a) with each other.
  • the cross-linking agent include tolylene diisocyanate, hexamethylene diisocyanate, xylylene diisocyanate, isocyanate cross-linking agents such as adducts of these diisocyanates (cross-linking agents having an isocyanate group); epoxy cross-linking agents such as ethylene glycol glycidyl ether ( Glycidyl group-containing cross-linking agent); Hexa[1-(2-methyl)-aziridinyl]triphosphatriazine and other aziridine-based cross-linking agents (aziridinyl-group-containing cross-linking agents); Aluminum chelate and other metal chelate-based cross-linking agents (metals) Crosslinking agent having a chelate structure); Isocyanurate-based crosslinking agent (crosslinking agent having an isocyanurate ske
  • the cross-linking agent contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the content of the cross-linking agent in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) is 0.01 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the pressure-sensitive resin (I-1a). It is preferably 0.1 to 20 parts by mass, and particularly preferably 0.3 to 15 parts by mass.
  • the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may further contain a photopolymerization initiator.
  • the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) containing a photopolymerization initiator is sufficiently cured even when irradiated with a relatively low energy ray such as ultraviolet rays.
  • photopolymerization initiator examples include benzoin compounds such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, methyl benzoin benzoate, and benzoin dimethyl ketal; acetophenone, 2-hydroxy.
  • benzoin compounds such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, methyl benzoin benzoate, and benzoin dimethyl ketal; acetophenone, 2-hydroxy.
  • Acetphenone compounds such as -2-methyl-1-phenyl-propane-1-one, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one; bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) phenylphosphine
  • Acylphosphine oxide compounds such as oxide, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide
  • sulfide compounds such as benzylphenyl sulfide and tetramethylthium monosulfide
  • ⁇ -ketol compounds such as 1-hydroxycyclohexylphenylketone
  • azo Azo compounds such as bisisobutyronitrile
  • titanosen compounds such as titanosen
  • thioxanthone compounds such as thioxanthone
  • peroxide compounds diketone compounds such as diacetyl; benzyl; dibenzyl; benzophenone; 2,4-diethylthioxanthone;
  • the photopolymerization initiator contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the content of the photopolymerization initiator in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) is 0.01 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the energy ray-curable compound.
  • the amount is preferably 0.03 to 10 parts by mass, and particularly preferably 0.05 to 5 parts by mass.
  • the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may contain other additives that do not correspond to any of the above components, as long as the effects of the present invention are not impaired.
  • the other additives include antistatic agents, antioxidants, softeners (plasticizers), fillers (fillers), rust preventives, colorants (pigments, dyes), sensitizers, and tackifiers.
  • Known additives such as reaction retarders and cross-linking accelerators (catalysts).
  • the reaction retarder means, for example, that an unintended cross-linking reaction occurs in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) during storage due to the action of the catalyst mixed in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1). It is a component for suppressing the progress.
  • the other additives contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, their combinations and ratios can be arbitrarily selected.
  • the content of the other additives in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) is not particularly limited, and may be appropriately selected depending on the type thereof.
  • the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) may contain a solvent. Since the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) contains a solvent, the suitability for coating on the surface to be coated is improved.
  • the solvent is preferably an organic solvent.
  • the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) is an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive resin in which an unsaturated group is introduced into the side chain of the non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive resin (I-1a). (I-2a) is contained.
  • the adhesive resin (I-2a) can be obtained, for example, by reacting a functional group in the adhesive resin (I-1a) with an unsaturated group-containing compound having an energy ray-polymerizable unsaturated group.
  • the unsaturated group-containing compound can further bind to the adhesive resin (I-1a) by reacting with a functional group in the adhesive resin (I-1a). It is a compound having a group.
  • the energy ray-polymerizable unsaturated group include a (meth)acryloyl group, a vinyl group (ethenyl group), an allyl group (2-propenyl group), and the like, and a (meth)acryloyl group is preferable.
  • Examples of the group that can be bonded to the functional group in the adhesive resin (I-1a) include an isocyanate group and a glycidyl group that can be bonded to a hydroxyl group or an amino group, and a hydroxyl group and an amino group that can be bonded to a carboxy group or an epoxy group. And so on.
  • Examples of the unsaturated group-containing compound include (meth)acryloyloxyethyl isocyanate, (meth)acryloyl isocyanate, and glycidyl (meth)acrylate.
  • the pressure-sensitive adhesive resin (I-2a) contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof are arbitrary. You can choose.
  • the ratio of the content of the pressure-sensitive adhesive resin (I-2a) to the total mass of the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) is preferably 5 to 99% by mass. It is more preferably 10 to 95% by mass, and particularly preferably 10 to 90% by mass.
  • the pressure-sensitive adhesive composition (I) -2) may further contain a cross-linking agent.
  • Examples of the cross-linking agent in the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) include the same cross-linking agents as those in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
  • the cross-linking agent contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may be only one kind, or may be two or more kinds, and in the case of two or more kinds, their combination and ratio can be arbitrarily selected.
  • the content of the cross-linking agent in the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) is 0.01 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the pressure-sensitive resin (I-2a). It is preferably 0.1 to 20 parts by mass, and particularly preferably 0.3 to 15 parts by mass.
  • the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may further contain a photopolymerization initiator.
  • the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) containing the photopolymerization initiator is sufficiently cured even when irradiated with a relatively low energy ray such as ultraviolet rays.
  • Examples of the photopolymerization initiator in the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) include the same photopolymerization initiators in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
  • the photopolymerization initiator contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may be only one type, or may be two or more types, and in the case of two or more types, their combination and ratio can be arbitrarily selected.
  • the content of the photopolymerization initiator is 0.01 to 100 parts by mass based on 100 parts by mass of the adhesive resin (I-2a).
  • the amount is preferably 20 parts by mass, more preferably 0.03 to 10 parts by mass, and particularly preferably 0.05 to 5 parts by mass.
  • the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may contain other additives that do not correspond to any of the above components, as long as the effects of the present invention are not impaired. Further, the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may contain a solvent for the same purpose as in the case of the pressure-sensitive adhesive composition (I-1). Examples of the other additive and solvent in the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) include the same as the other additives and solvent in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1). The other additives and solvents contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) may be only one type, two or more types, or two or more types, and any combination and ratio thereof may be used. Can be selected. The contents of the other additives and the solvent of the pressure-sensitive adhesive composition (I-2) are not particularly limited, and may be appropriately selected depending on the type.
  • the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) contains the pressure-sensitive adhesive resin (I-2a) and the energy ray-curable compound.
  • the ratio of the content of the pressure-sensitive adhesive resin (I-2a) to the total mass of the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) is preferably 5 to 99% by mass. It is more preferably 10 to 95% by mass, and particularly preferably 15 to 90% by mass.
  • Examples of the energy ray-curable compound contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) include monomers and oligomers having an energy ray-polymerizable unsaturated group and curable by irradiation with energy rays, and the pressure-sensitive adhesive composition. Examples thereof include the same energy ray-curable compounds contained in the substance (I-1).
  • the energy ray-curable compound contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected. ..
  • the content of the energy ray-curable compound is 0.01 to 300 parts by mass based on 100 parts by mass of the adhesive resin (I-2a). It is preferably 0.03 to 200 parts by mass, and particularly preferably 0.05 to 100 parts by mass.
  • the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may further contain a photopolymerization initiator.
  • the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) containing a photopolymerization initiator is sufficiently cured even when irradiated with a relatively low energy ray such as ultraviolet rays.
  • Examples of the photopolymerization initiator in the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) include the same photopolymerization initiators in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
  • the photopolymerization initiator contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may be only one kind, or two or more kinds, and in the case of two or more kinds, the combination and the ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the content of the photopolymerization initiator in the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) is 100 parts by mass in total of the pressure-sensitive adhesive resin (I-2a) and the energy ray-curable compound.
  • the amount is preferably 0.01 to 20 parts by mass, more preferably 0.03 to 10 parts by mass, and particularly preferably 0.05 to 5 parts by mass.
  • the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may contain other additives that do not correspond to any of the above components, as long as the effects of the present invention are not impaired. Further, the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may contain a solvent for the same purpose as in the case of the pressure-sensitive adhesive composition (I-1). Examples of the other additive and solvent in the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) include the same as the other additives and solvent in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1). The other additives and solvents contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) may be only one type, two or more types, or two or more types, and any combination and ratio thereof may be used. Can be selected. The contents of the other additives and the solvent in the pressure-sensitive adhesive composition (I-3) are not particularly limited, and may be appropriately selected depending on the type.
  • Examples of the pressure-sensitive adhesive composition other than the pressure-sensitive adhesive compositions (I-1) to (I-3) include non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive compositions as well as energy-ray-curable pressure-sensitive adhesive compositions.
  • Examples of the non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition include non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesives such as acrylic resin, urethane resin, rubber resin, silicone resin, epoxy resin, polyvinyl ether, polycarbonate, and ester resin. Examples thereof include a pressure-sensitive adhesive composition (I-4) containing a sex resin (I-1a), and those containing an acrylic resin are preferable.
  • the pressure-sensitive adhesive compositions other than the pressure-sensitive adhesive compositions (I-1) to (I-3) preferably contain one or more cross-linking agents, and the content thereof is the above-mentioned pressure-sensitive adhesive composition. It can be the same as the case of (I-1) and the like.
  • Adhesive resin (I-1a) examples of the adhesive resin (I-1a) in the adhesive composition (I-4) include the same as the adhesive resin (I-1a) in the adhesive composition (I-1).
  • the pressure-sensitive adhesive resin (I-1a) contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof are arbitrary. You can choose.
  • the ratio of the content of the pressure-sensitive adhesive resin (I-1a) to the total mass of the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) is preferably 5 to 99% by mass. It is more preferably 10 to 95% by mass, and particularly preferably 15 to 90% by mass.
  • the pressure-sensitive adhesive composition (I) -4) preferably further contains a cross-linking agent.
  • Examples of the cross-linking agent in the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) include the same cross-linking agents as those in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
  • the cross-linking agent contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) may be only one kind, or two or more kinds, and when there are two or more kinds, the combination and the ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the content of the crosslinking agent is preferably 0.01 to 50 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the adhesive resin (I-1a), It is more preferably 0.1 to 25 parts by mass, and particularly preferably 0.1 to 10 parts by mass.
  • the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) may contain other additives that do not correspond to any of the above components, as long as the effects of the present invention are not impaired. Further, the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) may contain a solvent for the same purpose as in the case of the pressure-sensitive adhesive composition (I-1). Examples of the other additive and solvent in the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) include the same as the other additive and solvent in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1), respectively.
  • the other additives and solvents contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) may be only one type, two or more types, or two or more types, and any combination and ratio thereof may be used. Can be selected.
  • the contents of the other additives and the solvent in the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) are not particularly limited, and may be appropriately selected depending on the type.
  • the pressure-sensitive adhesive compositions other than the pressure-sensitive adhesive compositions (I-1) to (I-3) and the pressure-sensitive adhesive compositions (I-1) to (I-3) such as the pressure-sensitive adhesive composition (I-4) are It can be obtained by mixing the above-mentioned pressure-sensitive adhesive and, if necessary, each component for constituting the pressure-sensitive adhesive composition, such as components other than the pressure-sensitive adhesive.
  • the order of addition of each component at the time of blending is not particularly limited, and two or more kinds of components may be added at the same time.
  • a solvent When a solvent is used, it may be used by mixing the solvent with any of the compounding ingredients other than the solvent and diluting this compounding ingredient in advance, or by diluting any of the compounding ingredients other than the solvent in advance. Alternatively, the solvent may be used as a mixture with these compounding ingredients.
  • the method of mixing each component at the time of blending is not particularly limited, and from known methods such as a method of rotating a stirrer or a stirring blade to mix; a method of mixing using a mixer; a method of adding ultrasonic waves to mix. It may be selected as appropriate.
  • the temperature and time at the time of adding and mixing each component are not particularly limited as long as each compounding component does not deteriorate, and may be appropriately adjusted, but the temperature is preferably 15 to 30°C.
  • the intermediate layer is in the form of a sheet or a film and contains a resin.
  • the intermediate layer may be made of a resin or may contain a resin and a component other than the resin.
  • the intermediate layer can be formed, for example, by molding the resin or a composition for forming an intermediate layer containing the resin. Further, the intermediate layer can also be formed by applying the composition for forming an intermediate layer to the surface to be formed of the intermediate layer and drying it if necessary.
  • the resin that is a constituent material of the intermediate layer is not particularly limited.
  • the preferable resin in the intermediate layer include ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA), polypropylene (PP), polyethylene (PE), polyurethane acrylate (UA), and the like.
  • the content of the resin in the intermediate layer forming composition is not particularly limited, and may be, for example, 80% by mass or more, 90% by mass or more, 95% by mass or more, and the like, but these are examples. Is.
  • the intermediate layer may be composed of one layer (single layer) or may be composed of two or more layers, and when composed of a plurality of layers, the plurality of layers may be the same or different from each other.
  • the combination of these plural layers is not particularly limited.
  • ⁇ Tensile modulus Ei'of test piece prepared from intermediate layer> For a test piece having a width of 15 mm and a length of more than 100 mm, which was manufactured from the intermediate layer (in the case of the die bonding sheet 101 shown in FIG. 1, the intermediate layer 13), the chuck distance was 100 mm, and the temperature was 0° C. Then, using Tensilon, a tensile test of pulling at a tensile speed of 200 mm/min is performed, and when the tensile elastic modulus Ei′ of the test piece at 0° C. in the elastic deformation region is measured, Ei′ is, for example, 10 to 150 MPa. It may be either 10 to 100 MPa or 10 to 50 MPa. When Ei' is in such a range, adjustment of the tensile elastic modulus ratio Ei'/Eb' described later becomes easier.
  • the tensile elastic modulus Ei′ of the test piece prepared from the intermediate layer is also defined as a value at 0° C. for the same reason as in the case of Eb′ described above.
  • the Ei'of the test piece may be the same or different between the two or more measurement directions.
  • the "two or more measurement directions of Ei'" are two or more different directions among the directions parallel to the first surface of the test piece (corresponding to the first surface of the intermediate layer).
  • the Ei'in the MD of the test piece and the Ei'in the TD of the test piece may be the same or different from each other.
  • the tensile elastic modulus Ei′ may be, for example, in any of the three numerical ranges illustrated above in any measurement direction of the test piece.
  • Ei' may be any one or both of MD and TD in any of the three numerical ranges exemplified above.
  • the combination of the numerical range of Ei'in MD and the numerical range of Ei'in TD is arbitrary.
  • the thickness of the test piece which is the measurement target of the tensile elastic modulus Ei′, is not particularly limited as long as it can perform these measurements with high accuracy.
  • the thickness of the test piece may be 10 to 200 ⁇ m.
  • the Ei' of the test piece prepared from the intermediate layer can be adjusted by adjusting the content and components of the intermediate layer, for example, the type and content of the resin.
  • Eb′ is preferably 0.5 or less, and may be, for example, 0.45 or less, 0.4 or less, or 0.35 or less.
  • both Eb'and Ei'depend on the measurement direction of the test piece to be measured in the case of Eb', the test piece of the base material, and in the case of Ei', the test piece of the intermediate layer).
  • Ei'and Eb'used for calculating the tensile modulus ratio Ei'/ Eb' those reflecting the arrangement direction of the base material and the intermediate layer in the die bonding sheet are adopted.
  • the test piece of the base material and the test piece of the intermediate layer both have MD and TD, and in the die bonding sheet, the MD of the base material and the MD of the intermediate layer coincide with each other.
  • the tensile modulus ratio Ei'/ Eb' is in one or both of these MDs and TDs.
  • It may be any one of the four numerical ranges exemplified above. In that case, the combination of the numerical range of Ei'/Eb' in MD and the numerical range of Ei'/Eb' in TD is arbitrary.
  • the lower limit of the tensile modulus ratio Ei'/ Eb' is not particularly limited as long as it is larger than 0.
  • the tensile modulus ratio Ei'/ Eb' is 0. from the viewpoint of being calculated from a combination of 200 MPa, which is an example of a preferable upper limit value of Eb', and 10 MPa, which is an example of a preferable lower limit value of Ei'. It may be 05 or more.
  • the tensile elastic modulus ratio Ei′/Eb′ can be appropriately adjusted within a range set by arbitrarily combining the above-mentioned lower limit value and any upper limit value.
  • the tensile modulus ratio Ei'/Eb' is 0.05-0.5, 0.05-0.45, 0.05-0.4, and 0.05-0.35. It may be any of.
  • the test piece of the base material and the test piece of the intermediate layer both have MD and TD, and in the die bonding sheet, the MD of the base material and the MD of the intermediate layer coincide with each other.
  • the tensile modulus ratio Ei'/ Eb' is in one or both of these MDs and TDs.
  • It may be any one of the four numerical ranges exemplified here. In that case, the combination of the numerical range of Ei'/Eb' in MD and the numerical range of Ei'/Eb' in TD is arbitrary.
  • the maximum width of the intermediate layer is smaller than the maximum width of the adhesive layer and the maximum width of the base material.
  • the maximum value of the width of the intermediate layer can be appropriately selected in consideration of the size of the semiconductor wafer.
  • the maximum width of the intermediate layer may be 150-160 mm, 200-210 mm, or 300-310 mm. These three numerical ranges correspond to a semiconductor wafer having a maximum width of 150 mm, a semiconductor wafer of 200 mm, or a semiconductor wafer having a width of 300 mm in a direction parallel to the bonding surface with the die bonding sheet.
  • the die bonding sheet is attached to the semiconductor wafer after dicing.
  • the “semiconductor wafer after dicing” is synonymous with the “semiconductor chip group” described later.
  • the “width of the intermediate layer” means, for example, “width in the direction parallel to the first surface of the intermediate layer”.
  • the maximum width of the intermediate layer is the diameter of the circle having a planar shape.
  • the “width of the semiconductor wafer” means the above-mentioned “width of the semiconductor wafer in a direction parallel to the surface of the die bonding sheet to which the semiconductor wafer is attached”.
  • the maximum width of the above-mentioned semiconductor wafer is the diameter of the circular shape.
  • the maximum width of the intermediate layer of 150 to 160 mm is equivalent to or larger than the maximum width of the semiconductor wafer of 150 mm within a range not exceeding 10 mm.
  • the maximum width of the intermediate layer of 200 to 210 mm means that it is equal to or larger than the maximum width of the semiconductor wafer of 200 mm within a range not exceeding 10 mm.
  • the maximum width of the intermediate layer of 300 to 310 mm means that it is equal to or larger than the maximum width of the semiconductor wafer of 300 mm within a range not exceeding 10 mm.
  • the difference between the maximum value of the width of the intermediate layer and the maximum value of the width of the semiconductor wafer is, for example, whether the maximum value of the width of the semiconductor wafer is 150 mm, 200 mm, or 300 mm. Also, it may be 0 to 10 mm.
  • the thickness of the intermediate layer can be appropriately selected according to the purpose, but is preferably 20 to 150 ⁇ m, more preferably 50 to 120 ⁇ m.
  • the thickness of the intermediate layer is equal to or greater than the lower limit, the structure of the intermediate layer is more stabilized.
  • the thickness of the intermediate layer is equal to or less than the upper limit value, the cuttability of the film adhesive is further improved when the die bonding sheet is expanded.
  • the die bonding sheet after cutting the film adhesive is expanded (in other words, when the laminated sheet is expanded), the effect of keeping the kerf width sufficiently wide and highly uniform is further enhanced.
  • the "thickness of the intermediate layer” means the thickness of the entire intermediate layer, and for example, the thickness of the intermediate layer composed of a plurality of layers means the total thickness of all the layers constituting the intermediate layer. means.
  • the intermediate layer is preferably more flexible than the base material.
  • an intermediate layer in which Ei'is less than Eb'(Ei' ⁇ Eb') satisfies this condition and as a more preferable intermediate layer from this viewpoint, as described above, the tensile modulus ratio Ei
  • An example of the intermediate layer is that having'/Eb' of 0.5 or less.
  • the film-like adhesive preferably has curability and thermosetting property, and preferably has pressure-sensitive adhesive property.
  • the film-like adhesive having both thermosetting property and pressure-sensitive adhesive property can be attached by lightly pressing against various adherends in an uncured state. Further, the film adhesive may be one that can be attached to various adherends by heating and softening. When cured, the film adhesive finally becomes a cured product having high impact resistance, and this cured product can retain sufficient adhesive properties even under severe conditions of high temperature and high humidity.
  • the area of the film adhesive (that is, the area of the first surface) is close to the area of the semiconductor wafer before division so that the area of the base material (that is, It is preferable that the area is set smaller than the area of one surface) and the area of the pressure-sensitive adhesive layer (that is, the area of the first surface).
  • a region that is not in contact with the film-like adhesive is present on a part of the first surface of the pressure-sensitive adhesive layer. This makes it easier to expand the die-bonding sheet, and because the force applied to the film adhesive during expansion is not dispersed, the film adhesive can be cut more easily.
  • the film-like adhesive can be formed by using an adhesive composition containing the constituent material.
  • the film-shaped adhesive can be formed at a target site by applying the adhesive composition to the surface on which the film-shaped adhesive is to be formed and drying it as necessary.
  • the coating of the adhesive composition can be carried out in the same manner as in the case of coating the adhesive composition described above.
  • the drying conditions for the adhesive composition are not particularly limited.
  • the adhesive composition contains the solvent described below, it is preferably dried by heating, and in this case, for example, it is preferably dried at 70 to 130° C. for 10 seconds to 5 minutes.
  • the film adhesive may be composed of one layer (single layer) or may be composed of two or more layers, and when composed of a plurality of layers, the plurality of layers are the same as each other. However, they may be different, and the combination of these multiple layers is not particularly limited.
  • the maximum width of the film adhesive is smaller than the maximum width of the adhesive layer and the maximum width of the base material.
  • the maximum width of the film-like adhesive may be the same as the maximum width of the intermediate layer described above with respect to the size of the semiconductor wafer. That is, the maximum width of the film-like adhesive can be appropriately selected in consideration of the size of the semiconductor wafer.
  • the maximum width of the film-like adhesive may be 150 to 160 mm, 200 to 210 mm, or 300 to 310 mm. These three numerical ranges correspond to a semiconductor wafer having a maximum width of 150 mm, a semiconductor wafer of 200 mm, or a semiconductor wafer having a width of 300 mm in a direction parallel to the bonding surface with the die bonding sheet. There is.
  • the “width of the film adhesive” means, for example, “width of the film adhesive in a direction parallel to the first surface”.
  • the maximum width of the film adhesive described above is the diameter of the circle having the planar shape.
  • the “width of the film-like adhesive” is not the width of the film-like adhesive after cutting in the manufacturing process of the semiconductor chip with the film-like adhesive described later, but “before cutting (uncut Width of film-like adhesive (cut) "means.
  • the maximum width of the film-like adhesive of 150 to 160 mm means that it is equal to or larger than the maximum width of the semiconductor wafer of 150 mm within a range not exceeding 10 mm.
  • the maximum width of the film-like adhesive of 200 to 210 mm means that it is equal to or larger than the maximum width of the semiconductor wafer of 200 mm within a range not exceeding 10 mm.
  • the maximum width of the film-like adhesive of 300 to 310 mm means that it is equal to or larger than the maximum width of the semiconductor wafer of 300 mm within a range not exceeding 10 mm.
  • the difference between the maximum width of the film-like adhesive and the maximum width of the semiconductor wafer is, for example, when the maximum width of the semiconductor wafer is 150 mm, 200 mm, or 300 mm. Even if there is, it may be 0 to 10 mm.
  • the maximum value of the width of the film adhesive satisfies such a condition, when the film adhesive is cut by the expansion of the die bonding sheet, scattering of the film adhesive after cutting, which will be described later, is undesired. The effect of suppressing the
  • both the maximum width of the intermediate layer and the maximum width of the film adhesive may be in any of the above numerical ranges. That is, as an example of the die bonding sheet of the present embodiment, the maximum value of the width of the intermediate layer and the maximum value of the width of the film-like adhesive are both 150 to 160 mm, 200 to 210 mm, or 300 to 310 mm. There is one.
  • the thickness of the film adhesive is not particularly limited, but is preferably 1 to 30 ⁇ m, more preferably 2 to 20 ⁇ m, and particularly preferably 3 to 10 ⁇ m.
  • the thickness of the film-like adhesive is at least the above lower limit value, a higher adhesive force can be obtained with respect to the adherend (semiconductor chip).
  • the thickness of the film adhesive is equal to or less than the above upper limit, the cuttability of the film adhesive by expanding can be further improved, and the amount of cut pieces derived from the film adhesive can be further reduced.
  • the "thickness of the film-like adhesive” means the thickness of the entire film-like adhesive, and for example, the thickness of the film-like adhesive composed of a plurality of layers is all that constitute the film-like adhesive. Means the total thickness of the layers of. Next, the adhesive composition will be described.
  • Adhesive compositions include, for example, those containing a polymer component (a) and a thermosetting component (b). Hereinafter, each component will be described.
  • the adhesive composition shown below is an example of a preferable thing, and the adhesive composition in this embodiment is not limited to what is shown below.
  • the polymer component (a) is a component that can be regarded as being formed by a polymerization reaction of a polymerizable compound, and imparts film-forming property, flexibility, etc. to the film-like adhesive and is attached to an object to be bonded such as a semiconductor chip. It is a polymer compound for improving adhesiveness (in other words, adhesiveness). Further, the polymer component (a) is also a component that does not correspond to the epoxy resin (b1) and the thermosetting agent (b2) described later.
  • the polymer component (a) contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected. ..
  • polymer component (a) examples include acrylic resin, urethane resin, phenoxy resin, silicone resin, saturated polyester resin, and the like, and acrylic resin is preferable.
  • the ratio of the content of the polymer component (a) to the total content of all the components other than the solvent is preferably 20 to 75% by mass, more preferably 30 to 65% by mass.
  • thermosetting component (b) has thermosetting properties and is a component for thermosetting the film adhesive.
  • the thermosetting component (b) is composed of an epoxy resin (b1) and a thermosetting agent (b2).
  • the thermosetting component (b) contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof may be arbitrarily selected. it can.
  • epoxy resin (b1) examples include known ones, and examples thereof include polyfunctional epoxy resins, biphenyl compounds, bisphenol A diglycidyl ether and hydrogenated products thereof, orthocresol novolac epoxy resins, dicyclopentadiene type epoxy resins, Bifunctional or higher functional epoxy compounds such as biphenyl type epoxy resin, bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin and phenylene skeleton type epoxy resin can be mentioned.
  • an epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group may be used as the epoxy resin (b1).
  • An epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group has higher compatibility with an acrylic resin than an epoxy resin having no unsaturated hydrocarbon group. Therefore, by using an epoxy resin having an unsaturated hydrocarbon group, the reliability of the package obtained by using the film-like adhesive is improved.
  • the epoxy resin (b1) contained in the adhesive composition and the film adhesive may be only one kind, or may be two or more kinds, and in the case of two or more kinds, a combination and a ratio thereof may be arbitrarily selected.
  • thermosetting agent (b2) functions as a curing agent for the epoxy resin (b1).
  • thermosetting agent (b2) include compounds having two or more functional groups capable of reacting with epoxy groups in one molecule.
  • the functional group include a phenolic hydroxyl group, an alcoholic hydroxyl group, an amino group, a carboxy group, a group in which an acid group is anhydrate, and the like, and a phenolic hydroxyl group, an amino group, or an acid group is anhydrate.
  • a group is preferable, and a phenolic hydroxyl group or an amino group is more preferable.
  • thermosetting agents (b2) examples of the phenol-based curing agent having a phenolic hydroxyl group include polyfunctional phenol resins, biphenols, novolac type phenol resins, dicyclopentadiene type phenol resins, aralkyl type phenol resins and the like. ..
  • examples of the amine-based curing agent having an amino group include dicyandiamide (DICY) and the like.
  • thermosetting agent (b2) may have an unsaturated hydrocarbon group.
  • thermosetting agent (b2) contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected. ..
  • the content of the thermosetting agent (b2) is preferably 0.1 to 500 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the epoxy resin (b1). It is more preferably 1 to 200 parts by mass, and may be, for example, 1 to 100 parts by mass, 1 to 50 parts by mass, or 1 to 25 parts by mass.
  • the content of the thermosetting agent (b2) is at least the lower limit value, the curing of the film-like adhesive becomes easier to proceed.
  • the content of the thermosetting agent (b2) is not more than the upper limit value, the moisture absorption rate of the film adhesive is reduced, and the reliability of the package obtained using the film adhesive is further improved. ..
  • the content of the thermosetting component (b) (that is, the total content of the epoxy resin (b1) and the thermosetting agent (b2)) is the content of the polymer component (a).
  • the content is preferably 5 to 100 parts by mass, more preferably 5 to 75 parts by mass, and particularly preferably 5 to 50 parts by mass, for example, 5 to 35 parts by mass. Parts, and 5 to 20 parts by mass.
  • the film-like adhesive in addition to the polymer component (a) and the thermosetting component (b), if necessary, other components not corresponding to these are contained. May be.
  • Preferred other components contained in the film adhesive are, for example, a curing accelerator (c), a filler (d), a coupling agent (e), a cross-linking agent (f), and an energy ray curable resin.
  • G photopolymerization initiator
  • i general-purpose additive
  • the curing accelerator (c) is a component for adjusting the curing rate of the adhesive composition.
  • Preferred curing accelerators (c) include, for example, tertiary amines such as triethylenediamine, benzyldimethylamine, triethanolamine, dimethylaminoethanol, tris(dimethylaminomethyl)phenol; 2-methylimidazole, 2-phenylimidazole. , 2-phenyl-4-methylimidazole, 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole, 2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole, etc.
  • An imidazole substituted with a group an organic phosphine such as tributylphosphine, diphenylphosphine, and triphenylphosphine (phosphine in which one or more hydrogen atoms are substituted with an organic group); tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, triphenylphosphine Examples thereof include tetraphenylboron salts such as tetraphenylborate.
  • the curing accelerator (c) contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected. ..
  • the content of the curing accelerator (c) is 0 with respect to 100 parts by mass of the thermosetting component (b). It is preferably 0.01 to 10 parts by mass, and more preferably 0.1 to 5 parts by mass.
  • the content of the curing accelerator (c) is at least the lower limit value, the effect of using the curing accelerator (c) is more remarkable.
  • the content of the curing accelerator (c) is less than or equal to the upper limit value, for example, the highly polar curing accelerator (c) forms a film-like adhesive in the film-like adhesive under high temperature and high humidity conditions. The effect of suppressing segregation by moving to the bonding interface side is enhanced, and the reliability of the package obtained by using the film-like adhesive is further improved.
  • the film adhesive By containing the filler (d), the film adhesive further improves its cuttability by expanding. Further, since the film-like adhesive contains the filler (d), the coefficient of thermal expansion thereof can be easily adjusted, and this coefficient of thermal expansion can be optimized for the object to which the film-like adhesive is attached. , The reliability of the package obtained by using the film-like adhesive is further improved. In addition, by containing the filler (d) in the film adhesive, it is possible to reduce the moisture absorption rate of the film adhesive after curing and improve the heat dissipation.
  • the filler (d) may be either an organic filler or an inorganic filler, but is preferably an inorganic filler.
  • Preferred inorganic fillers include, for example, powders of silica, alumina, talc, calcium carbonate, titanium white, red iron oxide, silicon carbide, boron nitride and the like; spherical beads of these inorganic fillers; surface modification of these inorganic fillers. Goods; Single crystal fibers of these inorganic fillers; Glass fibers and the like.
  • the inorganic filler is preferably silica or alumina.
  • the filler (d) contained in the adhesive composition and the film adhesive may be only one kind, or two or more kinds, and when there are two or more kinds, the combination and the ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the ratio of the content of the filler (d) to the total mass) is preferably 5 to 80% by mass, more preferably 10 to 70% by mass, and particularly preferably 20 to 60% by mass. preferable. When the ratio is in such a range, the effect of using the filler (d) can be obtained more remarkably.
  • the coupling agent (e) By containing the coupling agent (e) in the film-like adhesive, the adhesiveness and adhesion to the adherend are improved. Further, since the film adhesive contains the coupling agent (e), the cured product has improved water resistance without impairing heat resistance.
  • the coupling agent (e) has a functional group capable of reacting with an inorganic compound or an organic compound.
  • the coupling agent (e) is preferably a compound having a functional group capable of reacting with the functional groups of the polymer component (a), the thermosetting component (b) and the like, and is preferably a silane coupling agent. More preferred.
  • the coupling agent (e) contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected. ..
  • the content of the coupling agent (e) in the adhesive composition and the film adhesive is the total content of the polymer component (a) and the thermosetting component (b). It is preferably 0.03 to 20 parts by mass, more preferably 0.05 to 10 parts by mass, and particularly preferably 0.1 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass.
  • the content of the coupling agent (e) is at least the lower limit value, the dispersibility of the filler (d) in the resin is improved, and the adhesiveness of the film adhesive with the adherend is improved. , The effect of using the coupling agent (e) is more remarkable.
  • the content of the coupling agent (e) is not more than the upper limit value, the generation of outgas is further suppressed.
  • Cross-linking agent (f) As the polymer component (a), one having a functional group such as a vinyl group capable of binding to another compound, a (meth) acryloyl group, an amino group, a hydroxyl group, a carboxy group, and an isocyanate group, such as the above-mentioned acrylic resin, is used.
  • the adhesive composition and the film-like adhesive may contain a cross-linking agent (f).
  • the cross-linking agent (f) is a component for bonding the functional group in the polymer component (a) with another compound to cross-link, and by cross-linking in this way, the initial adhesive force of the film-like adhesive is obtained. And the cohesive force can be adjusted.
  • cross-linking agent (f) examples include an organic polyvalent isocyanate compound, an organic polyvalent imine compound, a metal chelate-based cross-linking agent (cross-linking agent having a metal chelate structure), an aziridine-based cross-linking agent (cross-linking agent having an aziridine group), and the like. Can be mentioned.
  • cross-linking agent (f) When an organic multivalent isocyanate compound is used as the cross-linking agent (f), it is preferable to use a hydroxyl group-containing polymer as the polymer component (a).
  • a cross-linking structure can be easily formed on the film adhesive by the reaction between the cross-linking agent (f) and the polymer component (a). Can be introduced in.
  • the cross-linking agent (f) contained in the adhesive composition and the film-like adhesive may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the content of the cross-linking agent (f) in the adhesive composition is 0.01 to 20 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the content of the polymer component (a). It is preferably 0.1 to 10 parts by mass, and particularly preferably 0.3 to 5 parts by mass.
  • the content of the cross-linking agent (f) is at least the lower limit value, the effect of using the cross-linking agent (f) is more remarkable.
  • the content of the cross-linking agent (f) is not more than the upper limit value, the excessive use of the cross-linking agent (f) is suppressed.
  • the energy ray-curable resin (g) is obtained by polymerizing (curing) an energy ray-curable compound.
  • the energy ray-curable compound include compounds having at least one polymerizable double bond in the molecule, and acrylate compounds having a (meth)acryloyl group are preferable.
  • the energy ray-curable resin (g) contained in the adhesive composition may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the ratio of the content of the energy ray-curable resin (g) to the total mass of the adhesive composition in the adhesive composition is 1 to 95% by mass. Is more preferable, 5 to 90% by mass is more preferable, and 10 to 85% by mass is particularly preferable.
  • Photopolymerization initiator (h) When the adhesive composition and the film-like adhesive contain the energy ray-curable resin (g), the photopolymerization initiator (h) is used in order to efficiently proceed with the polymerization reaction of the energy ray-curable resin (g). It may be contained.
  • Examples of the photopolymerization initiator (h) in the adhesive composition include benzoins such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, methyl benzoin benzoate, and benzoin dimethyl ketal.
  • benzoins such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, methyl benzoin benzoate, and benzoin dimethyl ketal.
  • acetophenone compounds such as acetophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one; bis(2,4,6 -Trimethylbenzoyl) Acylphosphine oxide compounds such as phenylphosphine oxide, 2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylphosphine oxide; sulfide compounds such as benzylphenyl sulfide and tetramethylthium monosulfide; 1-hydroxycyclohexylphenylketone and the like.
  • ⁇ -Ketol compound examples include a photosensitizer such as amine.
  • the photopolymerization initiator (h) contained in the adhesive composition may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the content of the photopolymerization initiator (h) in the adhesive composition is 0.1 with respect to 100 parts by mass of the content of the energy ray-curable resin (g).
  • the amount is preferably from 20 parts by mass, more preferably from 1 to 10 parts by mass, and particularly preferably from 2 to 5 parts by mass.
  • the general-purpose additive (I) may be a known one, and may be arbitrarily selected depending on the intended purpose, and is not particularly limited, but preferred ones are, for example, plasticizers, antistatic agents, antioxidants, and colorants (dye). , Pigments), gettering agents and the like.
  • the general-purpose additive (i) contained in the adhesive composition and the film adhesive may be only one kind, or may be two or more kinds, and in the case of two or more kinds, their combination and ratio can be arbitrarily selected. ..
  • the contents of the adhesive composition and the film-like adhesive are not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose.
  • the adhesive composition preferably further contains a solvent.
  • the adhesive composition containing a solvent has good handleability.
  • the solvent is not particularly limited, but preferred ones are, for example, hydrocarbons such as toluene and xylene; alcohols such as methanol, ethanol, 2-propanol, isobutyl alcohol (2-methylpropan-1-ol) and 1-butanol.
  • An ester such as ethyl acetate; a ketone such as acetone or methyl ethyl ketone; an ether such as tetrahydrofuran; an amide such as dimethylformamide or N-methylpyrrolidone (a compound having an amide bond).
  • the solvent contained in the adhesive composition may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the solvent contained in the adhesive composition is preferably methyl ethyl ketone or the like from the viewpoint that the components contained in the adhesive composition can be mixed more uniformly.
  • the content of the solvent in the adhesive composition is not particularly limited, and may be appropriately selected depending on the type of component other than the solvent, for example.
  • the adhesive composition is obtained by blending each component for constituting the adhesive composition.
  • the adhesive composition can be produced, for example, by the same method as in the case of the pressure-sensitive adhesive composition described above, except that the types of compounding components are different.
  • any of the layers can be an antistatic layer.
  • the preferred die bonding sheet includes, for example, the base material, and the pressure-sensitive adhesive layer, the intermediate layer, and the film-like adhesive are laminated in this order on the base material, and the die bonding sheet is formed.
  • the base material is provided with an antistatic layer (which may be abbreviated as “back surface antistatic layer” in the present specification) on the surface opposite to the pressure-sensitive adhesive layer side.
  • the sheet can be mentioned.
  • the base material is provided, and the pressure-sensitive adhesive layer, the intermediate layer, and the film-like adhesive are laminated in this order on the base material, and the base material is used.
  • the material include a die bonding sheet having an antistatic property (in the present specification, this base material may be abbreviated as "antistatic base material").
  • the base material is provided, and the pressure-sensitive adhesive layer, the intermediate layer, and the film-like adhesive are laminated in this order on the base material, and antistatic.
  • the layer include a die bonding sheet provided with an antistatic layer (sometimes abbreviated as "surface antistatic layer” in the present specification) on a surface of the base material located on the pressure-sensitive adhesive layer side. Be done.
  • the antistatic layer (back surface antistatic layer, antistatic base material and surface antistatic layer) all contain an antistatic agent. Among these, a die bonding sheet provided with a back surface antistatic layer or an antistatic base material is preferable.
  • the surface resistivity of the die bonding sheet may be 1.0 ⁇ 10 11 ⁇ / ⁇ or less. As described below, when the surface resistivity is 1.0 ⁇ 10 11 ⁇ / ⁇ or less, the destruction of the circuit in the semiconductor chip is suppressed.
  • the die bonding sheet of the present invention is attached to the back surface of the semiconductor group to form a laminate composed of the die bonding sheet and the semiconductor group, and the surface of the laminate on the base material side is fixed on the dicing table.
  • the semiconductor wafer is divided, and the film adhesive is cut to obtain the substrate, the pressure-sensitive adhesive layer, the intermediate layer, the film adhesive after cutting, and the divided adhesive.
  • a laminate hereinafter, abbreviated as “divided laminate”) including the semiconductor wafers (that is, semiconductor chips) of the above is obtained in this order.
  • the fixed state of the divided laminated body on the dicing table is released, and the laminated body is transported onto the cleaning table and fixed on the table.
  • the laminated body fixed on the cleaning table is washed with water, and the cutting chips generated during dicing in the previous step are washed away and removed.
  • the cutting chips are derived from semiconductor wafers and film-like adhesives. Cleaning is usually performed while rotating the cleaning table.
  • the fixed state of the divided laminated body on the washing table after the washing is released, and the laminated body is conveyed to the drying table and fixed on the table.
  • the laminated body fixed on the drying table is dried to remove water attached during the washing in the previous step. Drying is usually carried out while rotating the drying table.
  • the dried laminated body is released from the fixed state on the drying table, and the laminated body is transported to the apparatus for performing the next step to perform the next step.
  • the semiconductor chip semiconductor chip with the film-like adhesive having the cut film-like adhesive on the back surface is pulled away from the intermediate layer and picked up.
  • the divided laminate is fixed on one of the tables, and after the work is performed, this fixed state is released and the laminated body is transported to the place where the next process is performed.
  • These laminates are fixed by adsorption on any table, for example, and after the adsorption is released, they are separated from the table and transported to the next location.
  • each of these tables has a void portion that penetrates in the thickness direction, and by depressurizing the side of the table opposite to the side in contact with the stacked body, the stacked body is placed on the table. Is adsorbed and fixed.
  • the laminate is kept fixed on a table, and then on the table.
  • the operation of pulling it away from the fixed surface is performed.
  • the surface resistivity of the outermost layer of the base material is 1.0 ⁇ 10 11 ⁇ / ⁇ or less, so that the laminated body is charged at the time of separation (in the present specification, “separation”. (Sometimes referred to as "time charging”) is suppressed. As a result, the destruction of the circuit in the semiconductor chip at the time of this separation is suppressed.
  • the surface resistivity of the die bonding sheet is the measurement target, using a surface resistivity meter, the applied voltage is 100V, Can be measured.
  • the backside antistatic layer is in the form of a sheet or film and contains an antistatic agent.
  • the back surface antistatic layer may contain a resin in addition to the antistatic agent.
  • the back surface antistatic layer may be composed of one layer (single layer) or may be composed of two or more layers, and when composed of a plurality of layers, these layers may be the same as each other. It may be different, and the combination of these multiple layers is not particularly limited.
  • the thickness of the back surface antistatic layer is preferably 200 nm or less, more preferably 180 nm or less, and may be, for example, 100 nm or less.
  • the amount of the antistatic agent used can be reduced while maintaining sufficient antistatic ability. Therefore, the cost of the die bonding sheet provided with such a backside antistatic layer can be reduced. Can be reduced.
  • the thickness of the back surface antistatic layer is 100 nm or less, in addition to the above-mentioned effects, the effect that fluctuations in the characteristics of the die bonding sheet can be minimized due to the provision of the back surface antistatic layer. Can also be obtained. Examples of the characteristics include expandability.
  • the "thickness of the back antistatic layer” means the thickness of the entire back antistatic layer, and for example, the thickness of the back antistatic layer composed of a plurality of layers is all that constitutes the back antistatic layer. Means the total thickness of the layers.
  • the thickness of the back antistatic layer is preferably 10 nm or more, and may be, for example, 20 nm or more, 30 nm or more, 40 nm or more, and 65 nm or more.
  • the backside antistatic layer having a thickness equal to or more than the lower limit is easier to form and has a more stable structure.
  • the thickness of the back antistatic layer can be appropriately adjusted within a range set by arbitrarily combining the above-mentioned preferable lower limit value and upper limit value.
  • the backside antistatic layer preferably has a thickness of 10 to 200 nm, for example, 20 nm to 200 nm, 30 to 200 nm, 40 to 180 nm, and 65 to 100 nm. Good. However, these are examples of the thickness of the backside antistatic layer.
  • the back surface antistatic layer may be transparent, opaque, or colored depending on the purpose.
  • the back surface antistatic layer preferably transmits energy rays.
  • the backside antistatic layer is preferably transparent.
  • the back surface antistatic layer can be formed using the antistatic composition (VI-1) containing the antistatic agent.
  • the back antistatic layer can be formed on a target portion by applying the antistatic composition (VI-1) to the surface to be formed of the back antistatic layer and drying it if necessary.
  • the content ratio of the components that do not vaporize at room temperature is usually the same as the content ratio of the components in the backside antistatic layer.
  • the antistatic composition (VI-1) may be coated by a known method, for example, the same method as in the case of the above-mentioned pressure-sensitive adhesive composition.
  • the antistatic composition (VI-1) is applied onto the base material and dried if necessary to prevent the back surface antistatic layer on the base material.
  • the layers may be laminated.
  • the antistatic composition (VI-1) is applied onto the release film, and dried if necessary to form a back surface on the release film. You may laminate
  • the drying conditions of the antistatic composition (VI-1) are not particularly limited, but when the antistatic composition (VI-1) contains the solvent described below, it is preferable to heat dry.
  • the antistatic composition (VI-1) containing the solvent is preferably dried at 40 to 130 ° C. for 10 seconds to 5 minutes, for example.
  • the antistatic composition (VI-1) may contain the resin in addition to the antistatic agent.
  • the antistatic agent may be a known one such as a conductive compound, and is not particularly limited.
  • the antistatic agent may be, for example, a low molecular compound or a high molecular compound (in other words, an oligomer or a polymer).
  • examples of low molecular weight compounds include various ionic liquids.
  • the ionic liquid include known ones such as pyrimidinium salt, pyridinium salt, piperidinium salt, pyrrolidinium salt, imidazolium salt, morpholinium salt, sulfonium salt, phosphonium salt, and ammonium salt.
  • examples of the polymer compound include poly (3,4-ethylenedioxythiophene) / polystyrene sulfonate (sometimes referred to as “PEDOT / PSS” in the present specification), polypyrrole, and the like. Examples include carbon nanotubes.
  • the polypyrrole is an oligomer or polymer having a plurality (many) pyrrole skeletons.
  • the antistatic agent contained in the antistatic composition (VI-1) may be only one kind, or may be two or more kinds, and in the case of two or more kinds, their combination and ratio can be arbitrarily selected.
  • the ratio of the content of the antistatic agent to the total content of all components other than the solvent may be, for example, either 0.1 to 30% by mass and 0.5 to 15% by mass.
  • the ratio is at least the lower limit value, the effect of suppressing peeling charge of the die bonding sheet is enhanced, and as a result, the effect of suppressing foreign matter mixing between the film-like adhesive and the semiconductor wafer is enhanced.
  • the ratio is not more than the upper limit value, the strength of the back surface antistatic layer becomes higher.
  • the resin contained in the antistatic composition (VI-1) and the backside antistatic layer may be either curable or non-curable, and if curable, it may be energy ray curable or thermosetting. It may be either.
  • Examples of the preferable resin include those that function as a binder resin.
  • the resin include acrylic resins, and energy ray-curable acrylic resins are preferable.
  • the acrylic resin in the antistatic composition (VI-1) and the backside antistatic layer include the same acrylic resin in the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the energy ray curable acrylic resin in the antistatic composition (VI-1) and the backside antistatic layer include the same as the adhesive resin (I-2a) in the adhesive layer.
  • the resin contained in the antistatic composition (VI-1) and the backside antistatic layer may be only one kind, or two or more kinds, and in the case of two or more kinds, a combination and a ratio thereof are arbitrarily selected. it can.
  • the ratio of the content of the resin to the total content of all components other than the solvent (that is, the content of the resin in the back antistatic layer relative to the total mass of the back antistatic layer).
  • the content ratio may be, for example, any of 30 to 99.9% by mass, 35 to 98% by mass, 60 to 98% by mass, and 85 to 98% by mass.
  • the ratio is at least the lower limit value, the strength of the back surface antistatic layer becomes higher.
  • the ratio is not more than the upper limit value, the content of the antistatic agent in the antistatic layer can be further increased.
  • the antistatic composition (VI-1) may contain an energy ray-curable compound. Further, when the antistatic composition (VI-1) contains the energy ray-curable resin, it may contain a photopolymerization initiator in order to efficiently proceed the polymerization reaction of the resin.
  • the energy ray-curable compound and the photopolymerization initiator contained in the antistatic composition (VI-1) are, for example, the energy ray-curable compound and the energy ray-curable compound contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1), respectively. The same as the photopolymerization initiator can be used.
  • the energy ray-curable compound and the photopolymerization initiator contained in the antistatic composition (VI-1) may be only one kind, or two or more kinds, and in the case of two or more kinds, a combination thereof. And the ratio can be arbitrarily selected.
  • the contents of the energy ray-curable compound and the photopolymerization initiator in the antistatic composition (VI-1) are not particularly limited, and depend on the type of the resin, the energy ray-curable compound or the photopolymerization initiator. It may be selected as appropriate.
  • the antistatic composition (VI-1) may contain other additives that do not fall under any of the above-mentioned components as long as the effects of the present invention are not impaired. Further, the antistatic composition (VI-1) may contain a solvent for the same purpose as in the case of the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) described above. As the other additive and solvent contained in the antistatic composition (VI-1), other additives (provided that the antistatic agent is contained in the above-mentioned pressure-sensitive adhesive composition (I-1) are included. And the same as the solvent. Furthermore, examples of the other additives contained in the antistatic composition (VI-1) include emulsifiers in addition to the above.
  • the solvent contained in the antistatic composition (VI-1) other alcohols such as ethanol; 2-methoxyethanol (ethylene glycol monomethyl ether) and 2-ethoxyethanol (ethylene glycol) other than the above. Monoethyl ether), alkoxy alcohols such as 1-methoxy-2-propanol (propylene glycol monomethyl ether) and the like can also be mentioned.
  • the other additives and solvent contained in the antistatic composition (VI-1) may each be only one kind, or two or more kinds, and in the case of two or more kinds, their combination and ratio are arbitrary. You can choose to.
  • the contents of the other additives and the solvent of the antistatic composition (VI-1) are not particularly limited, and may be appropriately selected depending on the type thereof.
  • the antistatic composition (VI-1) contains the antistatic agent and, if necessary, each component for constituting the antistatic composition (VI-1) such as a component other than the antistatic agent. You can get it.
  • the antistatic composition (VI-1) can be produced by the same method as in the case of the pressure-sensitive adhesive composition described above, except that the compounding components are different.
  • the antistatic base material is in the form of a sheet or a film, has antistatic properties, and also has the same function as the base material. In the die bonding sheet, the antistatic base material has the same function as the laminate of the base material described above and the back surface antistatic layer, and can be arranged in place of this laminate.
  • the antistatic base material may be the same as the base material described above except that it contains an antistatic agent and a resin, and for example, further contains an antistatic agent.
  • the antistatic base material may be composed of one layer (single layer), may be composed of two or more layers, and when composed of a plurality of layers, the plurality of layers are the same as each other. However, they may be different, and the combination of these multiple layers is not particularly limited.
  • the thickness of the antistatic base material may be, for example, the same as the thickness of the base material described above.
  • the thickness of the antistatic base material is within such a range, the flexibility of the die bonding sheet and the adhesiveness to the semiconductor wafer or the semiconductor chip are further improved.
  • the "thickness of the antistatic base material” means the thickness of the entire antistatic base material, and for example, the thickness of the antistatic base material composed of a plurality of layers is the antistatic base material. It means the total thickness of all the layers that make up.
  • the antistatic base material may be transparent, opaque, or colored depending on the intended purpose.
  • the back surface antistatic layer preferably transmits energy rays.
  • the antistatic base material is preferably transparent.
  • the antistatic base material is subjected to sandblasting treatment, solvent treatment, or the like to improve the adhesiveness with a layer (for example, an adhesive layer, an intermediate layer, or a film-like adhesive) provided on the antistatic base material; corona.
  • the surface may be subjected to oxidation treatment such as discharge treatment, electron beam irradiation treatment, plasma treatment, ozone / ultraviolet irradiation treatment, flame treatment, chromium acid treatment, hot air treatment, and the like. Further, the surface of the antistatic base material may be primed.
  • the antistatic base material can be produced, for example, by molding an antistatic composition (VI-2) containing the antistatic agent and a resin.
  • the ratio of the contents of the components that do not vaporize at room temperature in the antistatic composition (VI-2) is usually the same as the ratio of the contents of the components in the antistatic base material.
  • Molding of the antistatic composition (VI-2) may be carried out by a known method, and for example, it may be carried out by the same method as molding the resin composition at the time of producing the base material.
  • the antistatic agent contained in the antistatic composition (VI-2) may be the same as the antistatic agent contained in the backside antistatic layer.
  • the antistatic agent contained in the antistatic composition (VI-2) may be only one kind, or two or more kinds, and in the case of two or more kinds, their combination and ratio can be arbitrarily selected.
  • the ratio of the content of the antistatic agent to the total content of the antistatic agent and the resin is 7.5% by mass or more. It is preferably 8.5% by mass or more, and more preferably 8.5% by mass or more.
  • the ratio is at least the lower limit value, the effect of suppressing peeling charge of the die bonding sheet is enhanced, and as a result, the effect of suppressing foreign matter mixing between the film-like adhesive and the semiconductor wafer is enhanced.
  • the upper limit of the ratio of the content of the antistatic agent to the total content of the antistatic agent and the resin is not particularly limited.
  • the ratio is preferably 20% by mass or less in terms of improving the compatibility of the antistatic agent.
  • the ratio of the content of the antistatic agent can be appropriately adjusted within a range set by arbitrarily combining the above-mentioned preferable lower limit value and upper limit value.
  • the proportion is preferably 7.5 to 20% by mass, more preferably 8.5 to 20% by mass.
  • these are examples of the above ratio.
  • Examples of the resin contained in the antistatic composition (VI-2) and the antistatic base material include the same resins as those contained in the base material.
  • the resin contained in the antistatic composition (VI-2) and the antistatic base material may be only one kind, two or more kinds, and when two or more kinds, the combination and ratio thereof are arbitrary. You can choose.
  • the ratio of the content of the resin to the total content of all components other than the solvent is The resin content ratio
  • the resin content ratio is preferably 30 to 99.9% by mass, more preferably 35 to 98% by mass, further preferably 60 to 98% by mass, and 85 to 98% by mass. It is particularly preferable that it is%.
  • the ratio is at least the lower limit value, the strength of the antistatic base material becomes higher.
  • the ratio is not more than the upper limit value, the content of the antistatic agent in the antistatic base material can be further increased.
  • the antistatic composition (VI-2) contains the energy ray-curable resin, it may contain a photopolymerization initiator in order to efficiently proceed the polymerization reaction of the resin.
  • the photopolymerization initiator contained in the antistatic composition (VI-2) include the same photopolymerization initiator contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1).
  • the photopolymerization initiator contained in the antistatic composition (VI-2) may be only one type, may be two or more types, and when there are two or more types, the combination and ratio thereof can be arbitrarily selected.
  • the content of the photopolymerization initiator in the antistatic composition (VI-2) is not particularly limited, and may be appropriately selected depending on the type of the resin or the photopolymerization initiator.
  • the antistatic composition (VI-2) is a filler, a colorant, an antioxidant, an organic lubricant, a catalyst, a softening agent, which does not fall under any of the above, other than the antistatic agent, the resin and the photopolymerization initiator. It may contain various known additives such as (plasticizer).
  • the additive contained in the antistatic composition (VI-2) is the same as the other additives (excluding the antistatic agent) contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) described above. Can be mentioned.
  • the antistatic composition (VI-2) may contain a solvent in order to improve its fluidity.
  • Examples of the solvent contained in the antistatic composition (VI-2) include the same solvents contained in the pressure-sensitive adhesive composition (I-1) described above.
  • the antistatic agent and the resin contained in the antistatic composition (VI-2) may each be only one kind, or two or more kinds, and in the case of two or more kinds, the combination and the ratio thereof are arbitrary. You can choose.
  • the contents of the additive and the solvent of the antistatic composition (VI-2) are not particularly limited, and may be appropriately selected depending on the type thereof.
  • the antistatic composition (VI-2) contains each component for forming the antistatic composition (VI-2), such as the antistatic agent, the resin, and components other than these, if necessary. It is obtained by doing.
  • the antistatic composition (VI-2) can be produced by the same method as in the case of the pressure-sensitive adhesive composition described above, except that the compounding components are different.
  • the surface antistatic layer has a different arrangement position on the die bonding sheet from the back surface antistatic layer, but its configuration itself is the same as that of the back surface antistatic layer.
  • the surface antistatic layer can be formed by the same method as the method for forming the back surface antistatic layer described above, using the antistatic composition (VI-1). Therefore, detailed description of the surface antistatic layer is omitted.
  • the surface antistatic layer and the back surface antistatic layer may be the same as each other or may be different from each other.
  • the die bonding sheet for example, a base material is provided, and an adhesive layer, an intermediate layer, and a film-like adhesive are laminated in this order on the base material, and the size is 4
  • a test piece of the base material having a size of .5 mm ⁇ 15 mm was prepared, and the temperature of the test piece was 23 ° C. using a thermomechanical analyzer, with a load of 2 g and without changing the temperature of the test piece.
  • the displacement amount X 0 at a certain time is measured, and the test piece after the displacement amount X 0 is measured is heated until the temperature reaches 70 ° C. at a temperature rising rate of 20 ° C./min and a load of 2 g.
  • the die bonding sheet for example, a base material is provided, and an adhesive layer, an intermediate layer, and a film-like adhesive are laminated in this order on the base material, and the size is 4
  • a test piece of the base material having a size of .5 mm ⁇ 15 mm was prepared, and the temperature of the test piece was 23 ° C. using a thermomechanical analyzer, with a load of 2 g and without changing the temperature of the test piece.
  • the displacement amount X 0 at a certain time is measured, and the test piece after the displacement amount X 0 is measured is heated until the temperature reaches 70 ° C. at a temperature rising rate of 20 ° C./min and a load of 2 g.
  • the die bonding sheet for example, a base material is provided, and an adhesive layer, an intermediate layer, and a film-like adhesive are laminated in this order on the base material, and the size is 4
  • a test piece of the base material having a size of .5 mm ⁇ 15 mm was prepared, and the temperature of the test piece was 23 ° C. using a thermomechanical analyzer, with a load of 2 g and without changing the temperature of the test piece.
  • the displacement amount X 0 at a certain time is measured, and the test piece after the displacement amount X 0 is measured is heated until the temperature reaches 70 ° C. at a temperature rising rate of 20 ° C./min and a load of 2 g.
  • the die bonding sheet for example, a base material is provided, and an adhesive layer, an intermediate layer, and a film-like adhesive are laminated in this order on the base material, and the size is 4
  • a test piece of the base material having a size of .5 mm ⁇ 15 mm was prepared, and the temperature of the test piece was 23 ° C. using a thermomechanical analyzer, with a load of 2 g and without changing the temperature of the test piece.
  • the displacement amount X 0 at a certain time is measured, and the test piece after the displacement amount X 0 is measured is heated until the temperature reaches 70 ° C. at a temperature rising rate of 20 ° C./min and a load of 2 g.
  • the die bonding sheet can be manufactured by laminating the above-mentioned layers so as to have a corresponding positional relationship.
  • the method of forming each layer is as described above.
  • a base material, a pressure-sensitive adhesive layer, an intermediate layer and a film adhesive are prepared in advance, respectively, and these are prepared in the order of the base material, the pressure-sensitive adhesive layer, the intermediate layer and the film adhesive. It can be manufactured by laminating and laminating so as to be. At this time, if necessary, the arrangement direction of the base material and the intermediate layer is adjusted so that the MD or TD of the base material and the intermediate layer is in the desired direction.
  • the die bonding sheet may be formed by preliminarily preparing two or more kinds of intermediate laminated bodies, which are configured by laminating a plurality of layers, and bonding the intermediate laminated bodies to each other. , Can be manufactured.
  • the configuration of the intermediate laminate can be arbitrarily selected. For example, a first intermediate laminate having a configuration in which a base material and a pressure-sensitive adhesive layer are laminated, and a second intermediate laminate having a configuration in which an intermediate layer and a film adhesive are laminated are prepared in advance, A die bonding sheet can be manufactured by laminating the pressure-sensitive adhesive layer in the first intermediate laminate and the intermediate layer in the second intermediate laminate.
  • this manufacturing method is an example.
  • the die bonding sheet may be produced, or the base material, the pressure-sensitive adhesive layer, the intermediate layer and the film-like adhesive are all laminated, and then the release film is laminated on the film-like adhesive to form the die-bonding sheet. You may make it.
  • the release film may be removed at a necessary stage by the time the die bonding sheet is used.
  • the die bonding sheet can be used at the time of manufacturing a semiconductor chip with a film adhesive in the process of manufacturing a semiconductor device.
  • a method of using the die bonding sheet (a method of manufacturing a semiconductor chip with a film-like adhesive) will be described in detail with reference to the drawings.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view for schematically explaining a method for manufacturing a semiconductor chip to which a die bonding sheet is used.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view for schematically explaining how to use the die bonding sheet.
  • the die bonding sheet 101 shown in FIG. 1 will be taken as an example, and a method of using the die bonding sheet 101 will be described.
  • a semiconductor wafer 9' is prepared, and a back grind tape (surface protection tape) 8 is attached to the circuit forming surface 9a'.
  • reference numeral W 9 ' the semiconductor wafer 9' indicates the width of the.
  • the modified layer 90' is inside the semiconductor wafer 9'as shown in FIG. 3B.
  • a laser beam not shown
  • the modified layer 90' is inside the semiconductor wafer 9'as shown in FIG. 3B.
  • the back surface 9b' of the semiconductor wafer 9' is ground.
  • the thickness of the semiconductor wafer 9' is adjusted to the desired value, and the force applied to the semiconductor wafer 9'at this time during grinding is used to make the modified layer 90'at the forming site.
  • the semiconductor wafer 9' is divided into a plurality of semiconductor chips 9 as shown in FIG. 3C.
  • reference numeral 9a indicates a circuit forming surface of the semiconductor chip 9, and corresponds to the circuit forming surface 9a'of the semiconductor wafer 9'.
  • reference numeral 9b indicates the back surface of the semiconductor chip 9, and corresponds to the back surface 9b'after grinding of the semiconductor wafer 9'.
  • the semiconductor chip 9 to be used for the die bonding sheet 101 is obtained. More specifically, by this step, a semiconductor chip group 901 in a state in which a plurality of semiconductor chips 9 are aligned and fixed on the back grind tape 8 is obtained.
  • a planar shape formed by connecting the outermost parts of the semiconductor chip group 901 (in the present specification, such a planar shape is simply referred to as "semiconductor”.
  • the planar shape of the chip group is exactly the same as the planar shape when the semiconductor wafer 9'is similarly viewed in a planar view, or the differences between these planar shapes are negligible. It can be said that the planar shape of the semiconductor chip group 901 is substantially the same as the planar shape of the semiconductor wafer 9'. Therefore, the width of the plane shape of the semiconductor chip group 901 can be regarded as the same as the width W 9 ′ of the semiconductor wafer 9 ′, as shown in FIG. 3C. Then, the maximum value of the width of the planar shape of the semiconductor chip group 901 can be regarded as the same as the maximum value of the width W 9 ′ of the semiconductor wafer 9 ′.
  • the semiconductor chip 9 can be formed as intended from the semiconductor wafer 9′ is shown. However, depending on the conditions at the time of grinding the back surface 9b′ of the semiconductor wafer 9′, a part of the semiconductor wafer 9′ may be formed. In this region, the semiconductor chip 9 may not be divided.
  • the semiconductor chip 9 (semiconductor chip group 901) obtained above is used to manufacture a semiconductor chip with a film-like adhesive.
  • the film-like adhesive 14 in the die bonding sheet 101 is applied to all the semiconductor chips in the semiconductor chip group 901. It is attached to the back surface 9b of 9.
  • the die bonding sheet 101 can be stably attached to the semiconductor chip 9 by the film-like adhesive 14 while heating.
  • the maximum value of the width W 13 of the intermediate layer 13 in the die bonding sheet 101 and the maximum value of the width W 14 of the film adhesive 14 are both the width W 9'of the semiconductor wafer 9' (in other words, the semiconductor chip It is exactly the same as or not the same as the maximum value of the group 901), but the error is slight and almost the same.
  • the maximum value of W 9 ′ is preferably 0.88 to 1.12 times the maximum value of W 13 and the maximum value of W 14 , and is 0.9 to 1.1. It is more preferably double, and particularly preferably 0.92 to 1.08 times. That is, the value of [maximum value of W 9' ] / [maximum value of W 13 ] and the value of [maximum value of W 9' ] / [maximum value of W 14 ] are both 0.88 to 1. It is preferably 0.12, more preferably 0.9 to 1.1, and particularly preferably 0.92 to 1.08.
  • the difference between the maximum value of W 13 and the maximum value of width W 9′ ([maximum value of W 13 ] ⁇ [maximum value of width W 9′ ]) is preferably 0 to 10 mm, and W 14
  • the difference between the maximum value of W 9'and the maximum value of W 9' ([maximum value of W 14 ]-[maximum value of width W 9' )) is preferably 0 to 10 mm.
  • the heating temperature at the time of sticking the die bonding sheet 101 is not particularly limited, but is preferably 40 to 70° C. from the viewpoint of further improving the heating sticking stability of the die bonding sheet 101.
  • the back grind tape 8 is removed from the fixed semiconductor chip group.
  • the die bonding sheet 101 is expanded while being cooled by stretching it in a direction parallel to its surface (for example, the first surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12).
  • the film adhesive 14 is cut along the outer periphery of the semiconductor chip 9.
  • a plurality of semiconductor chips 914 with a film-like adhesive provided with the semiconductor chip 9 and the film-like adhesive 140 after cutting provided on the back surface 9b thereof are aligned on the intermediate layer 13.
  • a semiconductor chip group 910 with a film-like adhesive in a fixed state is obtained.
  • the semiconductor wafer 9′ is divided, if the division into the semiconductor chips 9 is not performed in a partial region of the semiconductor wafer 9′, by performing this step, this region is divided. It is divided into semiconductor chips.
  • the die bonding sheet 101 is preferably expanded at a temperature of ⁇ 5 to 5 ° C. By cooling and expanding the die bonding sheet 101 in this way, the film-like adhesive 14 can be cut more easily and with high accuracy.
  • the expansion of the die bonding sheet 101 can be performed by a known method. For example, in the first surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12 in the die bonding sheet 101, a region near the peripheral portion where the intermediate layer 13 and the film adhesive 14 are not laminated is fixed to a jig such as a ring frame. After that, by pushing up the entire region of the die bonding sheet 101 on which the intermediate layer 13 and the film adhesive 14 are laminated from the base material 11 side in the direction from the base material 11 to the adhesive layer 12, the die bonding sheet 101 can be expanded.
  • a jig such as a ring frame
  • the non-laminated region where the intermediate layer 13 and the film adhesive 14 are not laminated is substantially parallel to the first surface 13 a of the intermediate layer 13.
  • the non-laminated region is opposite to the above-mentioned pushing direction as it approaches the outer periphery of the pressure-sensitive adhesive layer 12. Includes an inclined surface whose height descends in the direction.
  • the film-like adhesive after cutting A high effect of suppressing undesired scattering of 140 is obtained.
  • scattering of the film-like adhesive 140 after cutting for purposes other than the intended purpose means the peripheral edge of the film-like adhesive 140 after cutting, which was not originally attached to the semiconductor wafer 9'. This means a defect that a portion derived from a portion (in FIG. 4, such a peripheral portion is omitted) scatters and adheres to the circuit forming surface 9a of the semiconductor chip 9.
  • the laminated sheet of the base material 11, the pressure-sensitive adhesive layer 12, and the intermediate layer 13 derived from the die bonding sheet 101 is placed in a direction parallel to the first surface 12a of the pressure-sensitive adhesive layer 12.
  • the peripheral portion of the laminated sheet on which the semiconductor chip 914 with the film-like adhesive (semiconductor chip group 910 with the film-like adhesive) is not mounted is heated while expanding and maintaining this state.
  • an expanding direction of the laminated sheet by the arrow E 2.
  • the expanding direction of the laminated sheet is the same as the expanding direction of the die bonding sheet 101 described above.
  • the peripheral portion of the laminated sheet to be heated is indicated by an arrow H.
  • the peripheral edge portion to be heated is included in the non-laminated region.
  • the laminated sheet can be expanded in the same manner as in the case of the die bonding sheet 101 described above.
  • the intermediate layer 13 of the laminated sheet is laminated.
  • the laminated sheet can be expanded by pushing up the entire region from the base material 11 side in the direction from the base material 11 toward the pressure-sensitive adhesive layer 12.
  • a non-laminated region where the intermediate layer 13 and the film adhesive 14 are not laminated (a region including the peripheral portion indicated by the arrow H) is , Is substantially parallel to the first surface 13a of the intermediate layer 13, but as described above, in the state in which the laminated sheet is expanded by pushing up, the non-laminated region is the outer periphery of the pressure-sensitive adhesive layer 12.
  • the peripheral portion is contracted, and the distance between the adjacent semiconductor chips 9, that is, the calf width is sufficiently wide and highly uniform on the laminated sheet.
  • the kerf width after performing this step can be set to 10 ⁇ m or more, and all the kerf widths can be set to 10 ⁇ m or more.
  • the difference between the maximum value and the minimum value can be set to 100 ⁇ m or less. In this way, by keeping the kerf width sufficiently wide and highly uniform, the semiconductor chip with the film adhesive can be easily picked up, as will be described later.
  • the semiconductor chip group 910 with a film-like adhesive is preferably expanded at a low temperature, for example, -15 to 0 ° C.
  • a low temperature for example, -15 to 0 ° C.
  • the semiconductor chip 914 with the film-like adhesive is pulled away from the intermediate layer 13 in the laminated sheet and picked up. At this time, since the calf width is sufficiently wide and has high uniformity as described above, the semiconductor chip 914 with a film-like adhesive can be easily picked up.
  • the semiconductor chip 914 with a film-like adhesive can be picked up by a known method.
  • the die bonding sheet 101 shown in FIG. 1 has been taken as an example to explain how to use the die bonding sheet 101, but other die bonding sheets according to the present embodiment can also be used in the same manner. In that case, if necessary, other steps may be added and used as appropriate based on the difference in configuration between the die bonding sheet and the die bonding sheet 101.
  • a semiconductor chip with a film-like adhesive comprising a semiconductor chip and a film-like adhesive provided on the back surface of the semiconductor chip.
  • the semiconductor wafer is divided at the formation site of the modified layer, and a plurality of semiconductor chips are formed.
  • the die-bonding sheet after being attached to the semiconductor chip group is stretched in a direction parallel to the surface of the die-bonding sheet while being cooled, thereby cutting the film-like adhesive along the outer periphery of the semiconductor chip. It is derived from the step of obtaining a group of semiconductor chips with a film-like adhesive in a state in which the semiconductor chips with a film-like adhesive are aligned, and the die bonding sheet after obtaining the group of semiconductor chips with a film-like adhesive.
  • the base material, the pressure-sensitive adhesive layer, and the laminated sheet of the intermediate layer are expanded in a direction parallel to the surface of the pressure-sensitive adhesive layer, and while maintaining this state, the film-like adhesive among the laminated sheets.
  • the difference between the maximum width of the intermediate layer and the maximum width of the semiconductor wafer is 0 to 10 mm.
  • (A)-1 An acrylic resin (weight average molecular weight 800,000, glass transition temperature 9° C.) obtained by copolymerizing methyl acrylate (95 parts by mass) and 2-hydroxyethyl acrylate (5 parts by mass).
  • Example 1 ⁇ Manufacturing of die bonding sheet >> ⁇ Manufacturing of base material> By melting low-density polyethylene (LDPE, Sumikasen L705 manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd.) using an extruder, extruding the melt by the T-die method, and stretching the extruded product in two shafts using a cooling roll. A base material (thickness 110 ⁇ m) made of LDPE was obtained.
  • LDPE low-density polyethylene
  • An energy ray-curable pressure-sensitive adhesive composition was produced.
  • a release film in which one side of a polyethylene terephthalate film was peeled by a silicone treatment was used, and the pressure-sensitive adhesive composition obtained above was applied to the peeled surface and dried by heating at 100 ° C. for 2 minutes. By doing so, a non-energy ray curable pressure-sensitive adhesive layer (thickness 10 ⁇ m) was produced.
  • thermosetting adhesive composition 100 parts by mass
  • epoxy resin (b1)-1 10 parts by mass
  • thermosetting agent (b2)-1 1.5 parts by mass
  • filler (d)-1 75 parts by mass
  • a coupling agent (e)-1 0.5 parts by mass
  • a crosslinker (f)-1 0.5 parts by mass
  • a thermosetting adhesive composition 100 parts by mass
  • epoxy resin (b1)-1 10 parts by mass
  • thermosetting agent (b2)-1 1.5 parts by mass
  • filler (d)-1 75 parts by mass
  • a coupling agent (e)-1 0.5 parts by mass
  • a crosslinker (f)-1 0.5 parts by mass
  • the exposed surface of the adhesive layer was bonded to the exposed surface of the intermediate layer in the release film, the film-like adhesive, and the laminate of the intermediate layer (corresponding to the second intermediate laminate with the release film described above). ..
  • the arrangement direction of the base material and the intermediate layer is set so that the MD of the base material and the MD of the intermediate layer match (in other words, the TD of the base material and the TD of the intermediate layer match). Adjusted.
  • the base material thickness 110 ⁇ m
  • the pressure-sensitive adhesive layer thickness 10 ⁇ m
  • the intermediate layer thickness 80 ⁇ m
  • the film-like adhesive thickness 20 ⁇ m
  • the release film are formed in this order in these thickness directions.
  • a semiconductor wafer having a circular planar shape, a diameter of 300 mm, and a thickness of 775 ⁇ m was used, and a back grind tape (“Adwill E-3100TN” manufactured by Lintec Corporation) was attached to the circuit forming surface. Then, by using a laser light irradiation device (“DFL73161” manufactured by Disco Corporation), the modified layer is formed inside the semiconductor wafer by irradiating the laser light so as to focus on a focus set inside the semiconductor wafer. Formed. At this time, the focal point was set so that a large number of semiconductor chips having a size of 8 mm ⁇ 8 mm could be obtained from the semiconductor wafer.
  • DFL73161 manufactured by Disco Corporation
  • the laser beam was applied to the semiconductor wafer 9 from the back surface side of the semiconductor wafer.
  • the back surface of the semiconductor wafer is ground using a grinder to reduce the thickness of the semiconductor wafer to 30 ⁇ m, and the force applied to the semiconductor wafer at this time during grinding is used to obtain the modified layer.
  • the semiconductor wafer was divided to form a plurality of semiconductor chips. As a result, a semiconductor chip group was obtained in which a plurality of semiconductor chips were aligned and fixed on the back grinding tape.
  • the one die bonding sheet obtained above is heated to 60 ° C., and the film-like adhesive therein is applied to all the semiconductor chips. It was attached to the back surface of (semiconductor chip group).
  • the peripheral edge portion included in the non-laminated region is attached to the ring frame to provide a back grind tape on the circuit forming surface. A group of semiconductor chips having a die bonding sheet on the back surface was fixed.
  • the back grind tape was removed from the group of semiconductor chips in the fixed state.
  • the die bonding sheet is expanded in a direction parallel to its surface to form a film-like adhesive.
  • the agent was cut along the outer periphery of the semiconductor chip.
  • the peripheral edge of the die bonding sheet was fixed, and the entire region where the intermediate layer of the die bonding sheet and the film-like adhesive were laminated was pushed up by a height of 15 mm from the base material side to expand.
  • a plurality of semiconductor chips with a film-like adhesive provided with the semiconductor chip and the film-like adhesive after cutting provided on the back surface thereof are aligned and fixed on the intermediate layer.
  • a group of semiconductor chips with a film adhesive was obtained.
  • the laminated sheet constituted by laminating the base material, the adhesive layer and the intermediate layer at room temperature is parallel to the first surface of the adhesive layer. Expanded in the right direction. Further, while maintaining this expanded state, the peripheral portion of the laminated sheet on which the semiconductor chip with the film-like adhesive was not placed was heated. As a result, the calf width between adjacent semiconductor chips was maintained above a certain value on the laminated sheet while shrinking the peripheral edge portion.
  • thermomechanical analysis (TMA) according to the procedure shown below using a thermomechanical analyzer (“TMA4000SA” manufactured by Bruker AXS). That is, first, a test piece was prepared by cutting the base material into a size of 4.5 mm ⁇ 15 mm. Next, the test piece was placed in the thermomechanical analyzer, the load applied to the test piece was 2 g, and TMA was performed without changing the temperature of the test piece, so that the temperature of the test piece was 23 ° C. The displacement amount X 0 in MD at a certain time was measured.
  • the temperature rise rate is 20 ° C./min
  • the load is 2 g
  • the displacement amount X 0 is measured
  • the test piece is heated until the temperature reaches 70 ° C.
  • TMA is used until the temperature rise is completed.
  • the maximum value X 1 of the displacement amount in the MD of the test piece during this period was measured.
  • the test piece after measuring this displacement amount X 1 is allowed to cool under a temperature condition of 23 ° C., and TMA is performed until the end of this cooling, so that the MD of the test piece during this period is performed.
  • the minimum value X 2 of the displacement amount at was measured.
  • the obtained semiconductor chip group with the film-like adhesive was used from above on the side of the semiconductor chip by using a digital microscope (“VH-Z100” manufactured by KEYENCE CORPORATION). Observed. Then, by the expansion of the die bonding sheet, the cutting lines of the plurality of film adhesives extending to the MD of the intermediate layer, which should be formed when the film adhesive is normally cut, and the intermediate layer Check the number of cutting lines of the multiple film-like adhesives extending to the TD, the cutting lines that are not actually formed, and the cutting lines that are incompletely formed, and follow the evaluation criteria below. The cuttability of the film adhesive was evaluated.
  • the laminated sheet was expanded at room temperature, the peripheral edge of the laminated sheet was heated, and then the calf retention was evaluated by the following method. That is, when it is assumed that the film adhesive is normally cut by the expansion of the die bonding sheet, the film adhesive semiconductor chip group after the expansion includes a plurality of kerfs extending in the MD of the intermediate layer. The calfs are formed in a mesh shape by a plurality of calfs extending to the TD of the intermediate layer.
  • a central intersecting portion (corresponding to the present specification) corresponding to substantially the central portion of the silicon wafer before division is used. (Sometimes referred to as a "first intersection") and the central intersection (first intersection) in the TD of the intermediate layer, which is closest to the outer periphery of the silicon wafer before division.
  • the positions are located on the outer periphery of the silicon wafer before division, with two intersections at the same position (in this specification, they may be referred to as "second intersection” and "fourth intersection", respectively).
  • FIG. 5 shows the measurement points of the kerf width at this time.
  • reference numeral 7 represents a semiconductor chip
  • reference numeral 79a represents a kerf extending in the MD of the intermediate layer
  • reference numeral 79b represents a kerf extending in the TD of the intermediate layer.
  • the reference numerals W a1 , W a2 , W a3 , W a4, and W a5 all indicate the width of the calf extending to the MD of the intermediate layer (in other words, the calf width of the TD at the intersection), and the reference numerals W b1. , W b2 , W b3 , W b4 and W b5 all indicate the width of the calf extending to the TD of the intermediate layer (in other words, the calf width of the MD at the intersection).
  • the intersecting site for measuring the kerf widths W a1 and W b1 is the first intersecting site.
  • FIG. 5 is a plan view schematically showing a group of semiconductor chips with a film-like adhesive in order to explain a measurement point of the calf width, and here shows a case where the calf width is constant everywhere. However, this is just an example.
  • the kerf width may change depending on the position of the kerf, and the kerf at the same position in the film-like adhesive-attached semiconductor chip group may be changed for each of Examples and Comparative Examples. Even so, the calf width can change.
  • ⁇ Semiconductor chip with film adhesive, floating between intermediate layers> A group of semiconductor chips with a film-like adhesive obtained after the process of a fully automatic die separator (Disco "DDS2300") is visually observed from the base material side (non-semiconductor chip side), and the semiconductor with a film-like adhesive is observed. It was confirmed whether the chip floated from the intermediate layer. (Evaluation criteria) A: No floating of semiconductor chips with film-like adhesive B: Slight floating occurs in about several out of 100 semiconductor chips with film-like adhesive
  • Example 2 Manufacturing of die bonding sheet, manufacturing of semiconductor chip with film adhesive, evaluation of base material, evaluation of intermediate layer, and evaluation of die bonding sheet >> A die bonding sheet and a semiconductor chip with a film-like adhesive are manufactured by the same method as in Example 1 except that the diameter of the intermediate layer is 310 mm instead of 305 mm, and the base material, the intermediate layer, and the die bonding sheet are manufactured. Was evaluated. The results are shown in Table 1.
  • Example 3 Manufacturing of die bonding sheet, manufacturing of semiconductor chip with film adhesive, evaluation of base material, evaluation of intermediate layer, and evaluation of die bonding sheet >> A die bonding sheet and a semiconductor chip with a film-like adhesive are manufactured by the same method as in Example 1 except that the diameter of the intermediate layer is 320 mm instead of 305 mm, and the base material, the intermediate layer, and the die bonding sheet are manufactured. Was evaluated. The results are shown in Table 1.
  • Example 4 ⁇ Manufacturing of die bonding sheet >> ⁇ Manufacturing of base material>
  • the antistatic composition (as) -1 is applied to the surface of the base material obtained in Example 1 opposite to the pressure-sensitive adhesive layer side, and dried at 100 ° C. for 2 minutes.
  • AS1 back surface antistatic layer
  • the antistatic layer, the base material, and the like, except that the base material on which the back surface antistatic layer (AS1) obtained above was formed were used instead of the LDPE base material, A die bonding sheet with a release film was produced in which the pressure-sensitive adhesive layer, the intermediate layer, the film adhesive and the release film were laminated in this order in the thickness direction.
  • Example 5 ⁇ Manufacturing of base material> Instead of the antistatic composition (as) -1, the antistatic composition (as) -2 was used to produce a base material on which a back surface antistatic layer (AS2) having a thickness of 170 nm was formed. Using this base material, a die bonding sheet with a release film was produced in the same manner as in Example 4.
  • AS2 back surface antistatic layer
  • Ionic liquid composed of phosphonium salt was blended and stirred to obtain an energy ray-curable antistatic composition. At this time, the ratio of the content of the antistatic agent to the total content of the antistatic agent and the urethane acrylate resin in the antistatic composition was 9.0% by mass.
  • the antistatic composition obtained above was applied onto a polyethylene terephthalate process film (Toray Industries, Inc. "Lumirror T60 PET 50 T-60 Toure", thickness 50 ⁇ m) by the fountain die method to obtain a thickness.
  • An 80 ⁇ m coating film was formed.
  • using an ultraviolet irradiation device (“ECS-401GX” manufactured by Eye Graphics Co., Ltd.) and using a high-pressure mercury lamp (“H04-L41” manufactured by Eye Graphics Co., Ltd.) UV curing is performed to remove the antistatic agent and urethane acrylate resin.
  • the formed antistatic substrate was obtained.
  • a die bonding sheet with a release film was produced in the same manner as in Example 1 except that the antistatic substrate obtained above was used instead of the LDPE substrate.
  • a die bonding sheet and a semiconductor chip with a film-like adhesive were produced by the same method as in Example 1 except that the PP base material obtained above was used instead of the LDPE base material.
  • a die bonding sheet and a semiconductor chip with a film-like adhesive were produced in the same manner as in Example 1 except that the EVA base material obtained above was used instead of the LDPE base material.
  • Example 1 the total change rate of the displacement amount of the base material (test piece) was ⁇ 1.1% in MD and ⁇ 1.2% in TD. In Example 6, the total rate of change in the displacement of the base material (test piece) was ⁇ 1.0% in both MD and TD.
  • Example 1 the cutability of the film-like adhesive in the die bonding sheet was further good.
  • Eb' was 90 MPa in MD and 104 MPa in TD. Further, Ei'was 25 MPa in MD and 33 MPa in TD. As a result, Ei'/ Eb'was 0.28 in MD and 0.32 in TD.
  • Eb' was 100 MPa in MD and 100 MPa in TD. Further, Ei'was 25 MPa in MD and 33 MPa in TD. As a result, Ei'/ Eb'was 0.25 in MD and 0.33 in TD.
  • Example 1 the scattering inhibitory property of the film-like adhesive was further good, but in Example 3, the scattering inhibitory property of the film-like adhesive was further improved in Example 1. It was inferior to the cases of ⁇ 2, 4 ⁇ 6.
  • the difference between the diameter of the intermediate layer and the diameter of the semiconductor wafer was 10 mm or less (5 to 10 mm), but in Example 3, the difference was larger than 10 mm (20 mm). ).
  • Comparative Example 1 the heat-sticking suitability of the die bonding sheet was inferior.
  • the rate of change of the displacement amount of the base material (test piece) during heating was 2.9% in TD.
  • the total rate of change of the displacement amount of the base material (test piece) was 1.5% in TD.
  • Comparative Example 2 the cutability of the film-like adhesive in the die bonding sheet was also inferior.
  • Eb' was 25 MPa in MD and 33 MPa in TD.
  • Ei' was 25 MPa in MD and 33 MPa in TD.
  • Ei'/Eb' was 1.00 in both MD and TD.
  • the surface resistivity was 1.0 ⁇ 10 11 ⁇ / ⁇ or less.
  • the surface resistivity was 1. It was larger than 0 ⁇ 10 11 ⁇ / ⁇ .
  • the present invention can be used in the manufacture of semiconductor devices.

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Abstract

基材（１１）を備え、基材（１１）上に、粘着剤層（１２）、中間層（１３）及びフィルム状接着剤（１４）がこの順に積層されて構成されたダイボンディングシート（１０１）において、基材（１１）の試験片について、熱機械分析を行い、２３℃のときの変位量をＸ０とし、７０℃になるまで昇温したときの変位量の最大値をＸ１とし、２３℃の温度条件下で放冷したときの変位量の最小値をＸ２としたとき、（Ｘ１－Ｘ０）／１５×１００が０～２％であり、（Ｘ２－Ｘ１）／１５×１００が－２～０％であり、（Ｘ２－Ｘ０）／１５×１００が－２～１％であるものとする。

Description

ダイボンディングシート、及びフィルム状接着剤付き半導体チップの製造方法
　本発明は、ダイボンディングシート、及びフィルム状接着剤付き半導体チップの製造方法に関する。本願は、２０１９年３月７日に日本に出願された特願２０１９－０４１８８５号に基づき優先権を主張し、それらの内容をここに援用する。
　半導体装置の製造時には、半導体チップと、その裏面に設けられたフィルム状接着剤と、を備えたフィルム状接着剤付き半導体チップが使用される。ここで、半導体チップの裏面とは、半導体チップの回路が形成されている側の面（本明細書においては、「回路形成面」と略記することがある）とは反対側の面を意味する。
　フィルム状接着剤付き半導体チップは、例えば、以下に示す方法で製造される。
　すなわち、まず、半導体ウエハの回路が形成されている側の面（本明細書においては、「回路形成面」と略記することがある）に、バックグラインドテープ（別名：表面保護テープ）を貼付する。
　次いで、半導体ウエハの内部に設定された焦点に集束するように、レーザー光を照射することにより、半導体ウエハの内部に改質層を形成する。次いで、グラインダーを用いて、半導体ウエハの回路形成面とは反対側の面（本明細書においては、「裏面」と略記することがある）を研削することにより、半導体ウエハの厚さを目的とする値に調節するとともに、このときの半導体ウエハに加えられる研削時の力を利用することによって、改質層の形成部位において、半導体ウエハを分割し、複数個の半導体チップを形成する。このように改質層の形成を伴う半導体ウエハの分割方法は、ステルスダイシング（登録商標）と呼ばれており、半導体ウエハにレーザー光を照射することにより、照射部位の半導体ウエハを削り取りながら、半導体ウエハをその表面から切断していくレーザーダイシングとは、本質的に全く異なる。
　次いで、バックグラインドテープ上で固定化されているこれら半導体チップの、上述の研削を行った裏面（換言すると研削面）に、１枚のダイボンディングシートを貼付する。ここで、ダイボンディングシートとしては、例えば、基材を備え、前記基材上に、粘着剤層及びフィルム状接着剤がこの順に積層されて、構成されたものが挙げられる。そして、この場合には、ダイボンディングシート中のフィルム状接着剤を、適温に加熱することによって軟化した状態で、半導体チップの裏面に貼付する。これにより、ダイボンディングシートを安定して半導体チップに貼付できる。
　次いで、半導体チップからバックグラインドテープを取り除いた後、ダイボンディングシートを、冷却しながらその表面（例えば、フィルム状接着剤の半導体チップへの貼付面）に対して平行な方向に引き伸ばす、いわゆるエキスパンドを行うことにより、フィルム状接着剤を半導体チップの外周に沿って切断（分割）する。
　以上により、半導体チップと、その裏面に設けられた切断後のフィルム状接着剤と、を備えたフィルム状接着剤付き半導体チップが得られる。
　フィルム状接着剤付き半導体チップを得た後は、前記基材及び粘着剤層の積層シートを、フィルム状接着剤付き半導体チップを載せた状態のまま、その表面に対して平行な方向において引き伸ばす（エキスパンドする）。さらにこの状態を維持したまま、前記積層シートのうち、フィルム状接着剤付き半導体チップが載っていない周縁部を加熱する。以上により、前記周縁部を収縮させつつ、前記積層シート上においては、隣接する半導体チップ間の距離（本明細書においては、「カーフ幅」と称することがある）を、以降、適切に保持する。
　次いで、フィルム状接着剤付き半導体チップを、前記積層シートから引き離して、ピックアップする。このとき、粘着剤層が硬化性である場合には、粘着剤層を硬化させて粘着性を低下させておくことで、ピックアップが容易となる。
　以上により、半導体装置の製造に使用するフィルム状接着剤付き半導体チップを、安定して得られる。
　ピックアップされた半導体チップは、その裏面に設けられているフィルム状接着剤によって、基板の回路形成面にダイボンディングされ、必要に応じて、この半導体チップにさらに別の半導体チップが１個以上積層されて、ワイヤボンディングされた後、全体が樹脂により封止される。このようにして得られた半導体パッケージを用いて、最終的には、目的とする半導体装置が製造される。
　このように、エキスパンドにより切断可能なフィルム状接着剤を備えたダイボンディングシートとしては、基材と、粘着剤層と、基材層（中間層に相当）と、粘接着剤層（前記フィルム状接着剤に相当）と、がこの順に積層されて構成され、前記基材層が特定範囲の引張特性を有するダイシング－ダイボンディングテープ（前記ダイボンディングシートに相当）が開示されている（特許文献１参照）。このダイボンディングシートによれば、中間層に相当する前記基材層を備えていることで、フィルム状接着剤をそのエキスパンド時に、高精度に切断できる、とされている。
特許第５９４６６５０号公報
　上述のとおり、通常、ダイボンディングシートの使用時には、ダイボンディングシート中のフィルム状接着剤を加熱しながら半導体チップに貼付したり、フィルム状接着剤を切断後、エキスパンドした状態のダイボンディングシートの周縁部を加熱することにより、隣接する半導体チップ間の距離、すなわちカーフ幅を、以降の工程で、十分に広く、かつ高い均一性で保持することが望まれる。そして、このような温度変化を伴う工程を安定して行うことができれば、高品質のフィルム状接着剤付き半導体チップを安定して得られる。
　これに対して、特許文献１で開示されているダイボンディングシートは、このような特性を十分に有するか否か、定かではない。
　本発明は、基材、粘着剤層及びフィルム状接着剤を備えて構成され、半導体チップへ加熱しながら貼付するときに、安定して貼付でき、かつ、フィルム状接着剤の切断後にエキスパンドしたときに、カーフ幅を十分に広く、かつ高い均一性で保持できるダイボンディングシートを提供することを目的とする。
　本発明は、基材を備え、前記基材上に、粘着剤層、中間層及びフィルム状接着剤がこの順に積層されて構成されており、大きさが４．５ｍｍ×１５ｍｍである前記基材の試験片を作製し、熱機械分析装置を用いて、荷重を２ｇとして、前記試験片を温度変化させずに、前記試験片の、その温度が２３℃であるときの変位量Ｘ０を測定し、前記変位量Ｘ０を測定後の前記試験片を、昇温速度を２０℃／ｍｉｎとし、荷重を２ｇとして、その温度が７０℃になるまで昇温したときの、前記試験片の変位量の最大値Ｘ１を測定し、前記変位量Ｘ１を測定後の前記試験片を、荷重を２ｇとして、２３℃の温度条件下で放冷したときの、前記試験片の変位量の最小値Ｘ２を測定したとき、式（１）：（Ｘ１－Ｘ０）／１５×１００で算出される、前記試験片の変位量の加熱時変化率が０～２％であり、式（２）：（Ｘ２－Ｘ１）／１５×１００で算出される、前記試験片の変位量の放冷時変化率が－２～０％であり、式（３）：（Ｘ２－Ｘ０）／１５×１００で算出される、前記試験片の変位量の総合変化率が－２～１％である、ダイボンディングシートを提供する。
　本発明のダイボンディングシートにおいては、前記中間層の幅の最大値が、１５０～１６０ｍｍ、２００～２１０ｍｍ、又は３００～３１０ｍｍであってよい。
　本発明のダイボンディングシートにおいては、［前記中間層の０℃における引張弾性率］／［前記基材の０℃における引張弾性率］の値が０．５以下であることが好ましい。
　本発明は、半導体チップと、前記半導体チップの裏面に設けられたフィルム状接着剤と、を備えたフィルム状接着剤付き半導体チップの製造方法であって、半導体ウエハの内部に設定された焦点に集束するように、レーザー光を照射することにより、前記半導体ウエハの内部に改質層を形成する工程と、前記改質層を形成後の前記半導体ウエハの裏面を研削するとともに、前記半導体ウエハに加えられる研削時の力を利用することにより、前記改質層の形成部位において、前記半導体ウエハを分割し、複数個の半導体チップが整列した状態の半導体チップ群を得る工程と、前記ダイボンディングシートを加熱しながら、その中のフィルム状接着剤を、前記半導体チップ群中のすべての半導体チップの裏面に貼付する工程と、前記半導体チップ群中に貼付した後の前記ダイボンディングシートを、冷却しながら、その表面に対して平行な方向に引き伸ばすことにより、前記フィルム状接着剤を前記半導体チップの外周に沿って切断し、複数個の前記フィルム状接着剤付き半導体チップが整列した状態のフィルム状接着剤付き半導体チップ群を得る工程と、前記フィルム状接着剤付き半導体チップ群を得た後の、前記ダイボンディングシートに由来する、基材、粘着剤層及び中間層の積層シートを、前記粘着剤層の表面に対して平行な方向にエキスパンドし、さらにこの状態を維持したまま、前記積層シートのうち、前記フィルム状接着剤付き半導体チップが載っていない周縁部を加熱する工程と、前記周縁部を加熱した後の、前記積層シート中の前記中間層から、前記フィルム状接着剤付き半導体チップを引き離して、ピックアップする工程と、を有し、前記中間層の幅の最大値と、前記半導体ウエハの幅の最大値と、の差を、０～１０ｍｍとする、フィルム状接着剤付き半導体チップの製造方法を提供する。
　本発明によれば、基材、粘着剤層及びフィルム状接着剤を備えて構成され、半導体チップへ加熱しながら貼付するときに、安定して貼付でき、かつ、フィルム状接着剤の切断後にエキスパンドしたときに、カーフ幅を十分に広く、かつ高い均一性で保持できるダイボンディングシートが提供される。
本発明の一実施形態に係るダイボンディングシートを模式的に示す断面図である。 図１に示すダイボンディングシートの平面図である。 本発明の一実施形態に係るダイボンディングシートの使用対象である半導体チップの製造方法を模式的に説明するための断面図である。 本発明の一実施形態に係るダイボンディングシートの使用対象である半導体チップの製造方法を模式的に説明するための断面図である。 本発明の一実施形態に係るダイボンディングシートの使用対象である半導体チップの製造方法を模式的に説明するための断面図である。 本発明の一実施形態に係るダイボンディングシートの使用方法を模式的に説明するための断面図である。 本発明の一実施形態に係るダイボンディングシートの使用方法を模式的に説明するための断面図である。 本発明の一実施形態に係るダイボンディングシートの使用方法を模式的に説明するための断面図である。 実施例でのカーフ保持性の評価時における、カーフ幅の測定箇所を説明するために、評価対象物を模式的に示す平面図である。
◇ダイボンディングシート
　本発明の一実施形態に係るダイボンディングシートは、基材を備え、前記基材上に、粘着剤層、中間層及びフィルム状接着剤がこの順に積層されて構成されており、大きさが４．５ｍｍ×１５ｍｍである前記基材の試験片を作製し、熱機械分析装置を用いて、荷重を２ｇとして、前記試験片を温度変化させずに、前記試験片の、その温度が２３℃であるときの変位量Ｘ０を測定し、前記変位量Ｘ０を測定後の前記試験片を、昇温速度を２０℃／ｍｉｎとし、荷重を２ｇとして、その温度が７０℃になるまで昇温したときの、前記試験片の変位量の最大値Ｘ１を測定し、前記変位量Ｘ１を測定後の前記試験片を、荷重を２ｇとして、２３℃の温度条件下で放冷したときの、前記試験片の変位量の最小値Ｘ２を測定したとき、式（１）：（Ｘ１－Ｘ０）／１５×１００で算出される、前記試験片の変位量の加熱時変化率（本明細書においては、単に「加熱時変化率」と略記することがある）が０～２％であり、式（２）：（Ｘ２－Ｘ１）／１５×１００で算出される、前記試験片の変位量の放冷時変化率（本明細書においては、単に「放冷時変化率」と略記することがある）が－２～０％であり、式（３）：（Ｘ２－Ｘ０）／１５×１００で算出される、前記試験片の変位量の総合変化率（本明細書においては、単に「総合変化率」と略記することがある）が－２～１％である。
　本実施形態のダイボンディングシートは、前記加熱時変化率が前記上限値以下であることで、基材の加熱時の膨張が抑制されるため、ダイボンディングシートを加熱しながらそのフィルム状接着剤によって半導体チップへ貼付するときに、安定して貼付できる加熱貼付安定性を有する。一方、基材は、その加熱時には収縮しないため、前記加熱時変化率は、負の値とはならない。
　本実施形態のダイボンディングシートは、前記放冷時変化率が前記下限値以上であることで、フィルム状接着剤を切断し、基材、粘着剤層及び中間層がこの順に、これらの厚さ方向において積層された構成を有する積層シートをエキスパンドしたまま、その周縁部を加熱して収縮させつつ、隣接する半導体チップ間の距離（カーフ幅）を調節したときに、カーフ幅を十分に広く、かつ高い均一性で保持できるカーフ保持性を有する。一方、基材は、その放冷時には膨張しないため、前記放冷時変化率は、正の値とはならない。
　なお、本明細書においては、特に断りのない限り、「積層シート」とは、上述の基材、粘着剤層及び中間層が積層された構成を有する積層シートを意味する。
　本実施形態のダイボンディングシートは、前記総合変化率が前記下限値以上であることで、前記放冷時変化率が前記下限値以上である場合と同様の効果を奏する。また、前記総合変化率が前記上限値以下であることで、上述のとおり前記積層シートをエキスパンドしたまま、その周縁部を加熱して収縮させたときに、十分収縮し、その結果、カーフ幅を高い均一性で保持できる。
　本実施形態のダイボンディングシートは、ダイシング後の半導体ウエハが好ましい使用対象となる。ここで、ダイシング後の半導体ウエハとは、複数個の半導体チップがあらかじめ整列した状態となっているもの、又は、このように整列した複数個の半導体チップと、それ以外に、半導体ウエハ中の半導体チップへの分割が行われていない領域と、を含むものが挙げられる。
　ダイボンディングシートのこのような使用対象物は、例えば、以下のような半導体ウエハのダイシングによって得られる。
　すなわち、まず、半導体ウエハの回路が形成されている側の面（すなわち回路形成面）に、バックグラインドテープ（表面保護テープ）を貼付する。
　次いで、半導体ウエハの内部に設定された焦点に集束するように、レーザー光を照射することにより、半導体ウエハの内部に改質層を形成する。このときの焦点の位置は、半導体ウエハの分割（ダイシング）予定位置であり、半導体ウエハから目的とする大きさ、形状及び個数の半導体チップが得られるように設定される。
　次いで、グラインダーを用いて、半導体ウエハの回路形成面とは反対側の面（すなわち裏面）を研削する。これにより、半導体ウエハの厚さを目的とする値に調節するとともに、このときの半導体ウエハに加えられる研削時の力を利用することによって、改質層の形成部位において、半導体ウエハを分割し、複数個の半導体チップを形成する。半導体ウエハの改質層は、半導体ウエハの他の箇所とは異なり、レーザー光の照射によって変質しており、強度が弱くなっている。そのため、改質層が形成された半導体ウエハに力を加えることにより、半導体ウエハ内部の改質層に力が加えられ、この改質層の部位において半導体ウエハが割れて、複数個の半導体チップが得られる。
　なお、この研削時の条件によっては、半導体ウエハの一部の領域において、半導体チップへの分割が行われないこともある。
　以下、図面を参照しながら、前記ダイボンディングシートについて詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図は、本発明の特徴を分かり易くするために、便宜上、要部となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率等が実際と同じであるとは限らない。
　図１は、本発明の一実施形態に係るダイボンディングシートを模式的に示す断面図であり、図２は、図１に示すダイボンディングシートの平面図である。
　なお、図２以降の図において、既に説明済みの図に示すものと同じ構成要素には、その説明済みの図の場合と同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。
　ここに示すダイボンディングシート１０１は、基材１１を備え、基材１１上に、粘着剤層１２、中間層１３及びフィルム状接着剤１４がこの順に積層されて、構成されている。ダイボンディングシート１０１は、さらにフィルム状接着剤１４上に剥離フィルム１５を備えている。
　ダイボンディングシート１０１においては、基材１１の一方の面（以下、「第１面」と称することがある）１１ａ上に、粘着剤層１２が設けられ、粘着剤層１２の基材１１が設けられている側とは反対側の面（以下、「第１面」と称することがある）１２ａ上に、中間層１３が設けられ、中間層１３の粘着剤層１２が設けられている側とは反対側の面（以下、「第１面」と称することがある）１３ａ上に、フィルム状接着剤１４が設けられ、フィルム状接着剤１４の中間層１３が設けられている側とは反対側の面（以下、「第１面」と称することがある）１４ａ上に、剥離フィルム１５が設けられている。このように、ダイボンディングシート１０１は、基材１１、粘着剤層１２、中間層１３及びフィルム状接着剤１４がこの順に、これらの厚さ方向において積層されて構成されている。
　ダイボンディングシート１０１は、剥離フィルム１５が取り除かれた状態で、フィルム状接着剤１４の第１面１４ａが、半導体チップ、又は、完全には分割されていない半導体ウエハ（図示略）の、回路形成面とは反対側の面（すなわち裏面）に貼付されて、使用される。
　なお、本明細書においては、基材及び粘着剤層を含む積層体を「支持シート」と称することがある。図１においては、符号１を付して支持シートを示している。
　中間層１３及びフィルム状接着剤１４を、これらの上方から見下ろして平面視したときの平面形状は、いずれも円形状であり、中間層１３の直径とフィルム状接着剤１４の直径は同じである。
　そして、ダイボンディングシート１０１において、中間層１３及びフィルム状接着剤１４は、これらの中心が一致するように、換言すると、中間層１３及びフィルム状接着剤１４の外周の位置が、これらの径方向においていずれも一致するように、配置されている。
　中間層１３の第１面１３ａと、フィルム状接着剤１４の第１面１４ａは、いずれも、粘着剤層１２の第１面１２ａよりも面積が小さくなっている。そして、中間層１３の幅Ｗ１３の最大値（すなわち直径）と、フィルム状接着剤１４の幅Ｗ１４の最大値（すなわち直径）は、いずれも、粘着剤層１２の幅の最大値と、基材１１の幅の最大値よりも小さくなっている。したがって、ダイボンディングシート１０１において、粘着剤層１２の第１面１２ａの一部は、中間層１３及びフィルム状接着剤１４によって覆われていない。このような、粘着剤層１２の第１面１２ａにおける、中間層１３及びフィルム状接着剤１４が積層されていない領域には、剥離フィルム１５が直接接触して積層されており、剥離フィルム１５が取り除かれた状態では、この領域は露出している（以下、本明細書においては、この領域を「非積層領域」と称することがある）。
　なお、剥離フィルム１５を備えたダイボンディングシート１０１においては、粘着剤層１２の、中間層１３及びフィルム状接着剤１４によって覆われていない領域には、ここに示すように、剥離フィルム１５が積層されていない領域があってもよい。
　ダイボンディングシート１０１は、フィルム状接着剤１４が未切断で、かつ上述の半導体チップ等に貼付された状態で、粘着剤層１２の前記非積層領域の一部を、半導体ウエハ固定用のリングフレーム等の治具に貼付することで、固定できる。したがって、ダイボンディングシート１０１を前記治具に固定するための治具用接着剤層を、ダイボンディングシート１０１に別途設ける必要がない。そして、治具用接着剤層を設ける必要がないため、ダイボンディングシート１０１を安価かつ効率的に製造できる。
　このように、ダイボンディングシート１０１は、治具用接着剤層を備えていないことにより、有利な効果を奏するが、治具用接着剤層を備えていてもよい。この場合、治具用接着剤層は、ダイボンディングシート１０１を構成するいずれかの層の表面のうち、周縁部近傍の領域に設けられる。このような領域としては、粘着剤層１２の第１面１２ａにおける、中間層１３及びフィルム状接着剤１４によって覆われていない領域等が挙げられる。
　治具用接着剤層は、公知のものでよく、例えば、接着剤成分を含有する単層構造であってもよいし、芯材となるシートの両面に接着剤成分を含有する層が積層された複数層構造であってもよい。
　また、後述するように、ダイボンディングシート１０１をその表面（例えば、粘着剤層１２の第１面１２ａ）に対して平行な方向に引き伸ばす、所謂エキスパンドを行うときには、粘着剤層１２の第１面１２ａに前記非積層領域が存在することで、ダイボンディングシート１０１を容易にエキスパンドできる。そして、フィルム状接着剤１４を容易に切断できるだけでなく、中間層１３及びフィルム状接着剤１４の粘着剤層１２からの剥離が抑制されることもある。
　ダイボンディングシート１０１においては、基材１１から作製した、大きさが４．５ｍｍ×１５ｍｍである試験片は、その熱機械分析（本明細書においては、「ＴＭＡ」と称することがある）を行ったときに、以下に示す特性を有する。
　すなわち、まず、熱機械分析装置を用いて、荷重を２ｇとして、前記試験片を温度変化させずに、ＴＭＡを行い、前記試験片の、その温度が２３℃であるときの変位量Ｘ０を測定する。Ｘ０は、通常、０（ゼロ）であるか、又は０に近い数値となる。
　次いで、引き続きＴＭＡを行い、Ｘ０を測定後の試験片を、昇温速度を２０℃／ｍｉｎとし、荷重を２ｇとして、その温度が７０℃になるまで昇温し、このときの、試験片の変位量の最大値Ｘ１を測定する。Ｘ１は、通常、試験片の温度が７０℃のときの変位量となる。また、通常は、Ｘ１≧Ｘ０の条件を満たす。
　次いで、引き続きＴＭＡを行い、Ｘ１を測定後の試験片を、荷重を２ｇとして、２３℃の温度条件下で放冷し、このときの、試験片の変位量の最小値Ｘ２を測定する。Ｘ２は、通常、試験片の温度が放冷によって変動しなくなった（換言すると最低となった）ときの変位量となる。
　Ｘ０、Ｘ１及びＸ２は、一連のＴＭＡによって連続的に測定するため、これらの測定方向はすべて同じである。また、試験片に加える荷重は一定値である。
　ダイボンディングシート１０１においては、このようにして取得したＸ０及びＸ１を用いて、式（１）：
　（Ｘ１－Ｘ０）／１５×１００
で算出される、試験片の変位量の加熱時変化率が０～２％となる。
　また、このようにして取得したＸ１及びＸ２を用いて、式（２）：
　（Ｘ２－Ｘ１）／１５×１００
で算出される、試験片の変位量の放冷時変化率が－２～０％となる。
　また、このようにして取得したＸ２及びＸ０を用いて、式（３）：
　（Ｘ２－Ｘ０）／１５×１００
で算出される、試験片の変位量の総合変化率が－２～１％となる。
　本実施形態のダイボンディングシートは、図１及び図２に示すものに限定されず、本発明の効果を損なわない範囲内において、図１及び図２に示すものにおいて一部の構成が変更、削除又は追加されたものであってもよい。
　例えば、本実施形態のダイボンディングシートは、基材と、粘着剤層と、中間層と、フィルム状接着剤と、剥離フィルムと、治具用接着剤層と、のいずれにも該当しない、他の層を備えていてもよい。ただし、本発明のダイボンディングシートは、図１に示すように、粘着剤層を基材に直接接触した状態で備え、中間層を粘着剤層に直接接触した状態で備え、フィルム状接着剤を中間層に直接接触した状態で備えていることが好ましい。
　例えば、本実施形態のダイボンディングシートにおいて、中間層及びフィルム状接着剤の平面形状は、円形状以外の形状であってもよく、中間層及びフィルム状接着剤の平面形状は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。また、中間層の第１面の面積と、フィルム状接着剤の第１面の面積は、いずれも、これらよりも基材側の層の面（例えば、粘着剤層の第１面）の面積よりも小さいことが好ましく、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。そして、中間層及びフィルム状接着剤の外周の位置は、これらの径方向においていずれも一致していてもよいし、一致していなくてもよい。
　次に、本発明のダイボンディングシートを構成する各層について、より詳細に説明する。
○基材
　前記基材は、シート状又はフィルム状である。
　前記基材の構成材料は、各種樹脂であることが好ましく、具体的には、例えば、ポリエチレン（低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ等））、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、スチレン・エチレンブチレン・スチレンブロック共重合体、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリウレタン、ポリウレタンアクリレート、ポリイミド（ＰＩ）、アイオノマー樹脂、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体及びエチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体以外のエチレン共重合体、ポリスチレン、ポリカーボネート、フッ素樹脂、これらのいずれかの樹脂の水添加物、変性物、架橋物又は共重合物等が挙げられる。
　なお、本明細書において、「（メタ）アクリル酸」とは、「アクリル酸」及び「メタクリル酸」の両方を包含する概念とする。（メタ）アクリル酸と類似の用語につても同様であり、例えば、「（メタ）アクリレート」とは、「アクリレート」及び「メタクリレート」の両方を包含する概念であり、「（メタ）アクリロイル基」とは、「アクリロイル基」及び「メタクリロイル基」の両方を包含する概念である。
　基材を構成する樹脂は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　前記加熱時変化率、放冷時変化率及び総合変化率の調節がより容易である点では、基材の構成材料は、ポリエチレンであることが好ましく、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）であることがより好ましい。
　基材は１層（単層）からなるものでもあってよいし、２層以上の複数層からなるものであってもよい。基材が複数層からなる場合、これら複数層は互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは、本発明の効果を損なわない限り、特に限定されない。
　なお、本明細書においては、基材の場合に限らず、「複数層が互いに同一でも異なっていてもよい」とは、「すべての層が同一であってもよいし、すべての層が異なっていてもよいし、一部の層のみが同一であってもよい」ことを意味し、さらに「複数層が互いに異なる」とは、「各層の構成材料及び厚さの少なくとも一方が互いに異なる」ことを意味する。
　基材の厚さは、目的に応じて適宜選択できるが、５０～３００μｍであることが好ましく、６０～１５０μｍであることがより好ましい。基材の厚さが前記下限値以上であることで、基材の構造がより安定化する。基材の厚さが前記上限値以下であることで、前記ダイボンディングシートのエキスパンド時において、フィルム状接着剤の切断性がより向上する。さらに、フィルム状接着剤を切断後のダイボンディングシートのエキスパンド時（換言すると、前記積層シートのエキスパンド時）において、カーフ幅を十分に広く、かつ高い均一性で保持する効果が、より高くなる。
　ここで、「基材の厚さ」とは、基材全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる基材の厚さとは、基材を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
　基材は、その上に設けられる粘着剤層等の他の層との密着性を向上させるために、サンドブラスト処理、溶剤処理、エンボス加工処理等による凹凸化処理；コロナ放電処理、電子線照射処理、プラズマ処理、オゾン・紫外線照射処理、火炎処理、クロム酸処理、熱風処理等の酸化処理；等が表面に施されていてもよい。
　また、基材の表面は、プライマー処理されていてもよい。
　また、基材は、帯電防止コート層；ダイボンディングシートを重ね合わせて保存する際に、基材が他のシートに接着することや、基材が吸着テーブルに接着することを防止する層；等を有していてもよい。
　基材は、前記樹脂等の主たる構成材料以外に、充填材、着色剤、帯電防止剤、酸化防止剤、有機滑剤、触媒、軟化剤（可塑剤）等の公知の各種添加剤を含有していてもよい。
　樹脂を構成材料とするフィルム又はシートは、その製造方法によっては、異方性を有する。例えば、樹脂の成形によって製造されているフィルム又はシートは、通常、樹脂の成形時における樹脂の流れ方向（Ｍａｃｈｉｎｅ　Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）と、この樹脂の流れ方向に直交する方向（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ　Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）と、で特性が変わることがあり、これは周知事項である。本明細書においては、上述の樹脂の流れ方向を「ＭＤ」と称し、樹脂の流れ方向に直交する方向を「ＴＤ」と称することがある。
　ＭＤは、フィルム又はシートの加工時における、フィルム又はシートの流れに平行な方向であり、ＴＤは、このようなフィルム又はシートの流れに直交する方向であるともいえる。フィルム又はシートを延伸加工する場合には、ＭＤは、フィルム又はシートの延伸方向であり、ＴＤは、このようなフィルム又はシートの延伸方向に直交する方向である。
　各層のＭＤ及びＴＤは、例えば、Ｘ線２次元回折画像の分析等、光学的な分析によって、互いに区別できる。
　本実施形態においては、基材、中間層、粘着剤層及びフィルム状接着剤等も含めて、樹脂の成形によって製造されたフィルム又はシートは、ＭＤ及びＴＤを有する可能性がある。
　前記ダイボンディングシートにおいては、基材（図１に示すダイボンディングシート１０１の場合には、基材１１）のＭＤと、後述する中間層（図１に示すダイボンディングシート１０１の場合には、中間層１３）のＭＤと、が一致していることが好ましい。換言すると、前記ダイボンディングシートにおいては、基材のＴＤと、中間層のＴＤと、が一致していることが好ましい。基材及び中間層がこのように配置されている前記ダイボンディングシートは、エキスパンドのされ易さ（拡張性）が方向によらず、より均一化する。そして、このようなダイボンディングシートを用いることで、エキスパンドによるフィルム状接着剤の切断性がより向上し、さらに、フィルム状接着剤の切断時に、半導体チップ間の領域、いわゆるカーフがより安定して形成され、この領域の幅（すなわちカーフ幅）の均一性もより高くなる。さらに、このようにカーフ幅の均一性が高くなることで、後述するフィルム状接着剤付き半導体チップをピックアップするときに、工程不良の発生を抑制する効果が顕著に高くなる。
＜基材から作製した試験片の変位量の加熱時変化率＞
　基材（図１に示すダイボンディングシート１０１の場合には、基材１１）から作製した前記試験片の前記加熱時変化率は、先に説明したとおり、０～２％であり、例えば、０～１．６％、０～１．２％、及び０～０．９％のいずれかであってもよいし、０．２～２％、０．４～２％、及び０．６～２％のいずれかであってもよいし、０．２～１．６％、０．４～１．２％、及び０．６～０．９％のいずれかであってもよい。
　前記試験片の前記加熱時変化率は、その２以上の測定方向同士の間では、互いに同じであることもあり、異なることもある。ここで、「加熱時変化率の２以上の測定方向」とは、試験片の第１面（基材の第１面に相当）に対して平行な方向のうち、異なる２以上の方向である。例えば、試験片がＭＤ及びＴＤを有する場合、試験片のＭＤにおける前記加熱時変化率と、試験片のＴＤにおける前記加熱時変化率とは、互いに同じであることもあり、異なることもある。
　本実施形態において、前記加熱時変化率は、前記試験片のいずれの測定方向においても、０～２％である。例えば、前記試験片がＭＤ及びＴＤを有する場合、前記加熱時変化率は、ＭＤ及びＴＤのいずれにおいても、０～２％であり、ＭＤ及びＴＤのいずれか一方又は両方において、先に例示した９とおりの数値範囲のいずれかであってもよい。その場合、ＭＤにおける加熱時変化率の数値範囲と、ＴＤにおける加熱時変化率の数値範囲と、の組み合わせは、任意である。
＜基材から作製した試験片の変位量の放冷時変化率＞
　基材（図１に示すダイボンディングシート１０１の場合には、基材１１）から作製した前記試験片の前記放冷時変化率は、先に説明したとおり、－２～０％であり、例えば、－２～－０．４％、－２～－０．８％、－２～－１．２％、及び－２～－１．６％のいずれかであってもよい。
　前記試験片の前記放冷時変化率は、その２以上の測定方向同士の間では、互いに同じであることもあり、異なることもある。ここで、「放冷時変化率の２以上の測定方向」とは、上述の「加熱時変化率の２以上の測定方向」と同じである。例えば、試験片がＭＤ及びＴＤを有する場合、試験片のＭＤにおける前記放冷時変化率と、試験片のＴＤにおける前記放冷時変化率とは、互いに同じであることもあり、異なることもある。
　本実施形態において、前記放冷時変化率は、前記試験片のいずれの測定方向においても、－２～０％である。例えば、前記試験片がＭＤ及びＴＤを有する場合、前記放冷時変化率は、ＭＤ及びＴＤのいずれにおいても、－２～０％であり、ＭＤ及びＴＤのいずれか一方又は両方において、先に例示した４とおりの数値範囲のいずれかであってもよい。その場合、ＭＤにおける放冷時変化率の数値範囲と、ＴＤにおける放冷時変化率の数値範囲と、の組み合わせは、任意である。
＜基材から作製した試験片の変位量の総合変化率＞
　基材（図１に示すダイボンディングシート１０１の場合には、基材１１）から作製した前記試験片の前記総合変化率は、先に説明したとおり、－２～１％であり、例えば、－２～０．６％、－２～０．３％、－２～０％、－２～－０．３％、及び－２～－０．６％のいずれかであってもよいし、－１．８～１％、－１．６～１％、及び－１．４～１％のいずれかであってもよいし、－１．８～０．６％、－１．８～０．３％、－１．８～０％、－１．６～－０．３％、及び－１．４～－０．６％のいずれかであってもよい。
　前記試験片の前記総合変化率は、これらの中でも、－２～０％であることが好ましい。
　前記試験片の前記総合変化率は、その２以上の測定方向同士の間では、互いに同じであることもあり、異なることもある。ここで、「総合変化率の２以上の測定方向」とは、上述の「加熱時変化率の２以上の測定方向」と同じである。例えば、試験片がＭＤ及びＴＤを有する場合、試験片のＭＤにおける前記総合変化率と、試験片のＴＤにおける前記総合変化率とは、互いに同じであることもあり、異なることもある。
　本実施形態において、前記総合変化率は、前記試験片のいずれの測定方向においても、－２～１％である。例えば、前記試験片がＭＤ及びＴＤを有する場合、前記総合変化率は、ＭＤ及びＴＤのいずれにおいても、－２～１％であり、ＭＤ及びＴＤのいずれか一方又は両方において、先に例示した１３とおりの数値範囲のいずれかであってもよい。その場合、ＭＤにおける総合変化率の数値範囲と、ＴＤにおける総合変化率の数値範囲と、の組み合わせは、任意である。
　基材から作製した前記試験片においては、前記加熱時変化率が上述の９とおりの数値範囲のいずれかであり、かつ、前記放冷時変化率が上述の４とおりの数値範囲のいずれかであり、かつ、前記総合変化率が上述の１３とおりの数値範囲のいずれかであってもよい。
　このような試験片としては、例えば、ＭＤ及びＴＤのいずれか一方又は両方における前記加熱時変化率が０．６～０．９％であり、かつ、ＭＤ及びＴＤのいずれか一方又は両方における前記放冷時変化率が－２～－１．６％であり、かつ、ＭＤ及びＴＤのいずれか一方又は両方における前記総合変化率が－１．４～－０．６％であるものが挙げられる。ただし、これは、前記試験片の一例である。
　前記加熱時変化率、放冷時変化率及び総合変化率の測定対象である前記試験片の厚さは、特に限定されず、これらの測定を高精度に行うことができる厚さであればよい。例えば、前記試験片の厚さは、１０～２００μｍであってもよい。
　基材から作製した前記試験片の前記加熱時変化率、放冷時変化率及び総合変化率は、基材の含有成分、例えば、樹脂、の種類及び含有量を調節することにより、調節できる。
＜基材から作製した試験片の引張弾性率Ｅｂ’＞
　前記基材（図１に示すダイボンディングシート１０１の場合には、基材１１）から作製した、幅が１５ｍｍで、長さが１００ｍｍを超える試験片について、チャック間距離を１００ｍｍとし、温度を０℃とし、テンシロンを用いて、引張速度を２００ｍｍ／ｍｉｎとして引っ張る引張試験を行い、弾性変形領域における、０℃の試験片の引張弾性率Ｅｂ’を測定したとき、Ｅｂ’は、例えば、１０～２００ＭＰａ、５０～１５０ＭＰａ、及び７０～１２０ＭＰａのいずれかであってもよい。Ｅｂ’がこのような範囲であることで、後述する引張弾性率比Ｅｉ’／Ｅｂ’の調節が、より容易となる。
　前記ダイボンディングシートのエキスパンドによる、フィルム状接着剤の切断は、その切断性が向上する点から、０℃又はその近傍の温度で行うのが好適である。そのため、前記ダイボンディングシートにおいては、基材から作製した試験片の引張弾性率Ｅｂ’を、０℃における値で規定する。本実施形態においては、ダイボンディングシートのエキスパンド適性に大きな関わりを有する重要な物性を、実際にエキスパンドを行う温度又はその近傍の温度の条件下で規定する。
　前記試験片のＥｂ’は、その２以上の測定方向同士の間では、互いに同じであることもあり、異なることもある。ここで、「Ｅｂ’の２以上の測定方向」とは、試験片の第１面（基材の第１面に相当）に対して平行な方向のうち、異なる２以上の方向である。例えば、試験片がＭＤ及びＴＤを有する場合、試験片のＭＤにおけるＥｂ’と、試験片のＴＤにおけるＥｂ’とは、互いに同じであることもあり、異なることもある。
　本実施形態において、前記引張弾性率Ｅｂ’は、例えば、前記試験片のいずれの測定方向においても、先に例示した３とおりの数値範囲のいずれかであってもよい。例えば、前記試験片がＭＤ及びＴＤを有する場合、Ｅｂ’は、ＭＤ及びＴＤのいずれか一方又は両方において、先に例示した３とおりの数値範囲のいずれかであってもよい。その場合、ＭＤにおけるＥｂ’の数値範囲と、ＴＤにおけるＥｂ’の数値範囲と、の組み合わせは、任意である。
　前記引張弾性率Ｅｂ’の測定対象である前記試験片の厚さは、特に限定されず、これらの測定を高精度に行うことができる厚さであればよい。例えば、前記試験片の厚さは、１０～２００μｍであってもよい。
　基材から作製した前記試験片のＥｂ’は、基材の含有成分、例えば、樹脂の種類及び含有量を調節することにより、調節できる。
　基材の光学特性は、本発明の効果を損なわない範囲内において、特に限定されない。基材は、例えば、レーザー光又はエネルギー線を透過させるものであってよい。
　基材は、公知の方法で製造できる。例えば、樹脂を含有する（樹脂を構成材料とする）基材は、前記樹脂又は前記樹脂を含有する樹脂組成物を成形することで製造できる。
＜表面抵抗率＞
　ダイボンディングシート中の基材の粘着剤層側とは反対側に位置する面における、表面抵抗率は、１．０×１０１１Ω／□以下であってもよい。
　詳しくは後述するが、基材として、帯電防止層が形成された基材、又は、帯電防止性基材を用いることにより、基材の粘着剤層側とは反対側に位置する面における表面抵抗率を１．０×１０１１Ω／□以下とすることができる。
　帯電防止層が形成された基材における、粘着剤層側とは反対側に位置する面を、「ダイボンディングシートの最表層」という場合がある。また、帯電防止性基材の粘着剤層側とは反対側に位置する面を、「ダイボンディングシートの最表層」という場合がある。
○粘着剤層
　前記粘着剤層は、シート状又はフィルム状であり、粘着剤を含有する。
　粘着剤層は、前記粘着剤を含有する粘着剤組成物を用いて形成できる。例えば、粘着剤層の形成対象面に粘着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、目的とする部位に粘着剤層を形成できる。
　粘着剤組成物の塗工は、公知の方法で行えばよく、例えば、エアーナイフコーター、ブレードコーター、バーコーター、グラビアコーター、ロールコーター、ロールナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ナイフコーター、スクリーンコーター、マイヤーバーコーター、キスコーター等の各種コーターを用いる方法が挙げられる。
　粘着剤組成物の乾燥条件は、特に限定されないが、粘着剤組成物は、後述する溶媒を含有している場合、加熱乾燥させることが好ましく、この場合、例えば、７０～１３０℃で１０秒～５分の条件で乾燥させることが好ましい。
　前記粘着剤としては、例えば、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ゴム系樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリビニルエーテル、ポリカーボネート、エステル系樹脂等の粘着性樹脂が挙げられ、アクリル樹脂が好ましい。
　なお、本明細書において、「粘着性樹脂」には、粘着性を有する樹脂と、接着性を有する樹脂と、の両方が包含される。例えば、前記粘着性樹脂には、樹脂自体が粘着性を有するものだけでなく、添加剤等の他の成分との併用により粘着性を示す樹脂や、熱又は水等のトリガーの存在によって接着性を示す樹脂等も含まれる。
　粘着剤層は、硬化性及び非硬化性のいずれであってもよく、例えば、エネルギー線硬化性及び非エネルギー線硬化性のいずれであってもよい。硬化性の粘着剤層は、硬化前及び硬化後での物性を、容易に調節できる。
　本明細書において、「エネルギー線」とは、電磁波又は荷電粒子線の中でエネルギー量子を有するものを意味する。エネルギー線の例としては、紫外線、放射線、電子線等が挙げられる。紫外線は、例えば、紫外線源として高圧水銀ランプ、ヒュージョンランプ、キセノンランプ、ブラックライト又はＬＥＤランプ等を用いることで照射できる。電子線は、電子線加速器等によって発生させたものを照射できる。
　また、本明細書において、「エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射することにより硬化する性質を意味し、「非エネルギー線硬化性」とは、エネルギー線を照射しても硬化しない性質を意味する。
　粘着剤層は１層（単層）からなるものであってもよいし、２層以上の複数層からなるものであってもよく、複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
　粘着剤層の厚さは１～１００μｍであることが好ましく、１～６０μｍであることがより好ましく、１～３０μｍであることが特に好ましい。
　ここで、「粘着剤層の厚さ」とは、粘着剤層全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる粘着剤層の厚さとは、粘着剤層を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
　粘着剤層の光学特性は、本発明の効果を損なわない範囲内において、特に限定されない。例えば、粘着剤層はエネルギー線を透過させるものであってもよい。
　次に、前記粘着剤組成物について説明する。
＜＜粘着剤組成物＞＞
　粘着剤層がエネルギー線硬化性である場合、エネルギー線硬化性粘着剤を含有する粘着剤組成物、すなわち、エネルギー線硬化性の粘着剤組成物としては、例えば、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂（Ｉ－１ａ）（以下、「粘着性樹脂（Ｉ－１ａ）」と略記することがある）と、エネルギー線硬化性化合物と、を含有する粘着剤組成物（Ｉ－１）；非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂（Ｉ－１ａ）の側鎖に不飽和基が導入されたエネルギー線硬化性の粘着性樹脂（Ｉ－２ａ）（以下、「粘着性樹脂（Ｉ－２ａ）」と略記することがある）を含有する粘着剤組成物（Ｉ－２）；前記粘着性樹脂（Ｉ－２ａ）と、エネルギー線硬化性化合物と、を含有する粘着剤組成物（Ｉ－３）等が挙げられる。
＜粘着剤組成物（Ｉ－１）＞
　前記粘着剤組成物（Ｉ－１）は、上述の様に、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂（Ｉ－１ａ）と、エネルギー線硬化性化合物と、を含有する。
［粘着性樹脂（Ｉ－１ａ）］
　前記粘着性樹脂（Ｉ－１ａ）は、アクリル樹脂であることが好ましい。
　前記アクリル樹脂としては、例えば、少なくとも（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位を有するアクリル重合体が挙げられる。
　前記アクリル樹脂が有する構成単位は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　粘着剤組成物（Ｉ－１）が含有する粘着性樹脂（Ｉ－１ａ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　粘着剤組成物（Ｉ－１）において、粘着剤組成物（Ｉ－１）の総質量に対する、粘着性樹脂（Ｉ－１ａ）の含有量の割合は、５～９９質量％であることが好ましく、１０～９５質量％であることがより好ましく、１５～９０質量％であることが特に好ましい。
［エネルギー線硬化性化合物］
　粘着剤組成物（Ｉ－１）が含有する前記エネルギー線硬化性化合物としては、エネルギー線重合性不飽和基を有し、エネルギー線の照射により硬化可能なモノマー又はオリゴマーが挙げられる。
　エネルギー線硬化性化合物のうち、モノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトール（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４－ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６－へキサンジオール（メタ）アクリレート等の多価（メタ）アクリレート；ウレタン（メタ）アクリレート；ポリエステル（メタ）アクリレート；ポリエーテル（メタ）アクリレート；エポキシ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　エネルギー線硬化性化合物のうち、オリゴマーとしては、例えば、上記で例示したモノマーが重合してなるオリゴマー等が挙げられる。
　エネルギー線硬化性化合物は、分子量が比較的大きく、粘着剤層の貯蔵弾性率を低下させにくいという点では、ウレタン（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレートオリゴマーが好ましい。
　粘着剤組成物（Ｉ－１）が含有する前記エネルギー線硬化性化合物は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　粘着剤組成物（Ｉ－１）において、粘着剤組成物（Ｉ－１）の総質量に対する、前記エネルギー線硬化性化合物の含有量の割合は、１～９５質量％であることが好ましく、５～９０質量％であることがより好ましく、１０～８５質量％であることが特に好ましい。
［架橋剤］
　粘着性樹脂（Ｉ－１ａ）として、（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位以外に、さらに、官能基含有モノマー由来の構成単位を有する前記アクリル重合体を用いる場合、粘着剤組成物（Ｉ－１）は、さらに架橋剤を含有することが好ましい。
　前記架橋剤は、例えば、前記官能基と反応して、粘着性樹脂（Ｉ－１ａ）同士を架橋する。
　架橋剤としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、これらジイソシアネートのアダクト体等のイソシアネート系架橋剤（イソシアネート基を有する架橋剤）；エチレングリコールグリシジルエーテル等のエポキシ系架橋剤（グリシジル基を有する架橋剤）；ヘキサ［１－（２－メチル）－アジリジニル］トリフオスファトリアジン等のアジリジン系架橋剤（アジリジニル基を有する架橋剤）；アルミニウムキレート等の金属キレート系架橋剤（金属キレート構造を有する架橋剤）；イソシアヌレート系架橋剤（イソシアヌル酸骨格を有する架橋剤）等が挙げられる。
　粘着剤の凝集力を向上させて粘着剤層の粘着力を向上させる点、及び入手が容易である等の点から、架橋剤はイソシアネート系架橋剤であることが好ましい。
　粘着剤組成物（Ｉ－１）が含有する架橋剤は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　架橋剤を用いる場合、前記粘着剤組成物（Ｉ－１）において、架橋剤の含有量は、粘着性樹脂（Ｉ－１ａ）の含有量１００質量部に対して、０．０１～５０質量部であることが好ましく、０．１～２０質量部であることがより好ましく、０．３～１５質量部であることが特に好ましい。
［光重合開始剤］
　粘着剤組成物（Ｉ－１）は、さらに光重合開始剤を含有していてもよい。光重合開始剤を含有する粘着剤組成物（Ｉ－１）は、紫外線等の比較的低エネルギーのエネルギー線を照射しても、十分に硬化反応が進行する。
　前記光重合開始剤としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール等のベンゾイン化合物；アセトフェノン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン等のアセトフェノン化合物；ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド、２，４，６－トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド等のアシルフォスフィンオキサイド化合物；ベンジルフェニルスルフィド、テトラメチルチウラムモノスルフィド等のスルフィド化合物；１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα－ケトール化合物；アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物；チタノセン等のチタノセン化合物；チオキサントン等のチオキサントン化合物；パーオキサイド化合物；ジアセチル等のジケトン化合物；ベンジル；ジベンジル；ベンゾフェノン；２，４－ジエチルチオキサントン；１，２－ジフェニルメタン；２－ヒドロキシ－２－メチル－１－［４－（１－メチルビニル）フェニル］プロパノン；２－クロロアントラキノン等が挙げられる。
　また、前記光重合開始剤としては、例えば、１－クロロアントラキノン等のキノン化合物；アミン等の光増感剤等を用いることもできる。
　粘着剤組成物（Ｉ－１）が含有する光重合開始剤は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　光重合開始剤を用いる場合、粘着剤組成物（Ｉ－１）において、光重合開始剤の含有量は、前記エネルギー線硬化性化合物の含有量１００質量部に対して、０．０１～２０質量部であることが好ましく、０．０３～１０質量部であることがより好ましく、０．０５～５質量部であることが特に好ましい。
［その他の添加剤］
　粘着剤組成物（Ｉ－１）は、本発明の効果を損なわない範囲内において、上述のいずれの成分にも該当しない、その他の添加剤を含有していてもよい。
　前記その他の添加剤としては、例えば、帯電防止剤、酸化防止剤、軟化剤（可塑剤）、充填材（フィラー）、防錆剤、着色剤（顔料、染料）、増感剤、粘着付与剤、反応遅延剤、架橋促進剤（触媒）等の公知の添加剤が挙げられる。
　なお、反応遅延剤とは、例えば、粘着剤組成物（Ｉ－１）中に混入している触媒の作用によって、保存中の粘着剤組成物（Ｉ－１）において、目的としない架橋反応が進行するのを抑制するための成分である。反応遅延剤としては、例えば、触媒に対するキレートによってキレート錯体を形成するものが挙げられ、より具体的には、１分子中にカルボニル基（－Ｃ（＝Ｏ）－）を２個以上有するものが挙げられる。
　粘着剤組成物（Ｉ－１）が含有するその他の添加剤は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　粘着剤組成物（Ｉ－１）のその他の添加剤の含有量は特に限定されず、その種類に応じて適宜選択すればよい。
［溶媒］
　粘着剤組成物（Ｉ－１）は、溶媒を含有していてもよい。粘着剤組成物（Ｉ－１）は、溶媒を含有していることで、塗工対象面への塗工適性が向上する。
　前記溶媒は有機溶媒であることが好ましい。
＜粘着剤組成物（Ｉ－２）＞
　前記粘着剤組成物（Ｉ－２）は、上述の様に、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂（Ｉ－１ａ）の側鎖に不飽和基が導入されたエネルギー線硬化性の粘着性樹脂（Ｉ－２ａ）を含有する。
［粘着性樹脂（Ｉ－２ａ）］
　前記粘着性樹脂（Ｉ－２ａ）は、例えば、粘着性樹脂（Ｉ－１ａ）中の官能基に、エネルギー線重合性不飽和基を有する不飽和基含有化合物を反応させることで得られる。
　前記不飽和基含有化合物は、前記エネルギー線重合性不飽和基以外に、さらに粘着性樹脂（Ｉ－１ａ）中の官能基と反応することで、粘着性樹脂（Ｉ－１ａ）と結合可能な基を有する化合物である。
　前記エネルギー線重合性不飽和基としては、例えば、（メタ）アクリロイル基、ビニル基（エテニル基）、アリル基（２－プロペニル基）等が挙げられ、（メタ）アクリロイル基が好ましい。
　粘着性樹脂（Ｉ－１ａ）中の官能基と結合可能な基としては、例えば、水酸基又はアミノ基と結合可能なイソシアネート基及びグリシジル基、並びにカルボキシ基又はエポキシ基と結合可能な水酸基及びアミノ基等が挙げられる。
　前記不飽和基含有化合物としては、例えば、（メタ）アクリロイルオキシエチルイソシアネート、（メタ）アクリロイルイソシアネート、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　粘着剤組成物（Ｉ－２）が含有する粘着性樹脂（Ｉ－２ａ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　粘着剤組成物（Ｉ－２）において、粘着剤組成物（Ｉ－２）の総質量に対する、粘着性樹脂（Ｉ－２ａ）の含有量の割合は、５～９９質量％であることが好ましく、１０～９５質量％であることがより好ましく、１０～９０質量％であることが特に好ましい。
［架橋剤］
　粘着性樹脂（Ｉ－２ａ）として、例えば、粘着性樹脂（Ｉ－１ａ）におけるものと同様の、官能基含有モノマー由来の構成単位を有する前記アクリル重合体を用いる場合、粘着剤組成物（Ｉ－２）は、さらに架橋剤を含有していてもよい。
　粘着剤組成物（Ｉ－２）における前記架橋剤としては、粘着剤組成物（Ｉ－１）における架橋剤と同じものが挙げられる。
　粘着剤組成物（Ｉ－２）が含有する架橋剤は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　架橋剤を用いる場合、前記粘着剤組成物（Ｉ－２）において、架橋剤の含有量は、粘着性樹脂（Ｉ－２ａ）の含有量１００質量部に対して、０．０１～５０質量部であることが好ましく、０．１～２０質量部であることがより好ましく、０．３～１５質量部であることが特に好ましい。
［光重合開始剤］
　粘着剤組成物（Ｉ－２）は、さらに光重合開始剤を含有していてもよい。光重合開始剤を含有する粘着剤組成物（Ｉ－２）は、紫外線等の比較的低エネルギーのエネルギー線を照射しても、十分に硬化反応が進行する。
　粘着剤組成物（Ｉ－２）における前記光重合開始剤としては、粘着剤組成物（Ｉ－１）における光重合開始剤と同じものが挙げられる。
　粘着剤組成物（Ｉ－２）が含有する光重合開始剤は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　光重合開始剤を用いる場合、粘着剤組成物（Ｉ－２）において、光重合開始剤の含有量は、粘着性樹脂（Ｉ－２ａ）の含有量１００質量部に対して、０．０１～２０質量部であることが好ましく、０．０３～１０質量部であることがより好ましく、０．０５～５質量部であることが特に好ましい。
［その他の添加剤、溶媒］
　粘着剤組成物（Ｉ－２）は、本発明の効果を損なわない範囲内において、上述のいずれの成分にも該当しない、その他の添加剤を含有していてもよい。
　また、粘着剤組成物（Ｉ－２）は、粘着剤組成物（Ｉ－１）の場合と同様の目的で、溶媒を含有していてもよい。
　粘着剤組成物（Ｉ－２）における、前記その他の添加剤及び溶媒としては、それぞれ、粘着剤組成物（Ｉ－１）における、その他の添加剤及び溶媒と同じものが挙げられる。
　粘着剤組成物（Ｉ－２）が含有する、その他の添加剤及び溶媒は、それぞれ、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　粘着剤組成物（Ｉ－２）の、その他の添加剤及び溶媒の含有量は、それぞれ、特に限定されず、その種類に応じて適宜選択すればよい。
＜粘着剤組成物（Ｉ－３）＞
　前記粘着剤組成物（Ｉ－３）は、上述の様に、前記粘着性樹脂（Ｉ－２ａ）と、エネルギー線硬化性化合物と、を含有する。
　粘着剤組成物（Ｉ－３）において、粘着剤組成物（Ｉ－３）の総質量に対する、粘着性樹脂（Ｉ－２ａ）の含有量の割合は、５～９９質量％であることが好ましく、１０～９５質量％であることがより好ましく、１５～９０質量％であることが特に好ましい。
［エネルギー線硬化性化合物］
　粘着剤組成物（Ｉ－３）が含有する前記エネルギー線硬化性化合物としては、エネルギー線重合性不飽和基を有し、エネルギー線の照射により硬化可能なモノマー及びオリゴマーが挙げられ、粘着剤組成物（Ｉ－１）が含有するエネルギー線硬化性化合物と同じものが挙げられる。
　粘着剤組成物（Ｉ－３）が含有する前記エネルギー線硬化性化合物は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　前記粘着剤組成物（Ｉ－３）において、前記エネルギー線硬化性化合物の含有量は、粘着性樹脂（Ｉ－２ａ）の含有量１００質量部に対して、０．０１～３００質量部であることが好ましく、０．０３～２００質量部であることがより好ましく、０．０５～１００質量部であることが特に好ましい。
［光重合開始剤］
　粘着剤組成物（Ｉ－３）は、さらに光重合開始剤を含有していてもよい。光重合開始剤を含有する粘着剤組成物（Ｉ－３）は、紫外線等の比較的低エネルギーのエネルギー線を照射しても、十分に硬化反応が進行する。
　粘着剤組成物（Ｉ－３）における前記光重合開始剤としては、粘着剤組成物（Ｉ－１）における光重合開始剤と同じものが挙げられる。
　粘着剤組成物（Ｉ－３）が含有する光重合開始剤は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　光重合開始剤を用いる場合、粘着剤組成物（Ｉ－３）において、光重合開始剤の含有量は、粘着性樹脂（Ｉ－２ａ）及び前記エネルギー線硬化性化合物の総含有量１００質量部に対して、０．０１～２０質量部であることが好ましく、０．０３～１０質量部であることがより好ましく、０．０５～５質量部であることが特に好ましい。
［その他の添加剤、溶媒］
　粘着剤組成物（Ｉ－３）は、本発明の効果を損なわない範囲内において、上述のいずれの成分にも該当しない、その他の添加剤を含有していてもよい。
　また、粘着剤組成物（Ｉ－３）は、粘着剤組成物（Ｉ－１）の場合と同様の目的で、溶媒を含有していてもよい。
　粘着剤組成物（Ｉ－３）における、前記その他の添加剤及び溶媒としては、それぞれ、粘着剤組成物（Ｉ－１）における、その他の添加剤及び溶媒と同じものが挙げられる。
　粘着剤組成物（Ｉ－３）が含有する、その他の添加剤及び溶媒は、それぞれ、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　粘着剤組成物（Ｉ－３）の、その他の添加剤及び溶媒の含有量は、それぞれ、特に限定されず、その種類に応じて適宜選択すればよい。
＜粘着剤組成物（Ｉ－１）～（Ｉ－３）以外の粘着剤組成物＞
　ここまでは、粘着剤組成物（Ｉ－１）、粘着剤組成物（Ｉ－２）及び粘着剤組成物（Ｉ－３）について主に説明したが、これらの含有成分として説明したものは、これら３種の粘着剤組成物以外の全般的な粘着剤組成物（本明細書においては、「粘着剤組成物（Ｉ－１）～（Ｉ－３）以外の粘着剤組成物」と称する）でも、同様に用いることができる。
　粘着剤組成物（Ｉ－１）～（Ｉ－３）以外の粘着剤組成物としては、エネルギー線硬化性の粘着剤組成物以外に、非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物も挙げられる。
　非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物としては、例えば、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ゴム系樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ系樹脂、ポリビニルエーテル、ポリカーボネート、エステル系樹脂等の、非エネルギー線硬化性の粘着性樹脂（Ｉ－１ａ）を含有する粘着剤組成物（Ｉ－４）が挙げられ、アクリル樹脂を含有するものが好ましい。
　粘着剤組成物（Ｉ－１）～（Ｉ－３）以外の粘着剤組成物は、１種又は２種以上の架橋剤を含有することが好ましく、その含有量は、上述の粘着剤組成物（Ｉ－１）等の場合と同様とすることができる。
＜粘着剤組成物（Ｉ－４）＞
　粘着剤組成物（Ｉ－４）で好ましいものとしては、例えば、前記粘着性樹脂（Ｉ－１ａ）と、架橋剤と、を含有するものが挙げられる。
［粘着性樹脂（Ｉ－１ａ）］
　粘着剤組成物（Ｉ－４）における粘着性樹脂（Ｉ－１ａ）としては、粘着剤組成物（Ｉ－１）における粘着性樹脂（Ｉ－１ａ）と同じものが挙げられる。
　粘着剤組成物（Ｉ－４）が含有する粘着性樹脂（Ｉ－１ａ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　粘着剤組成物（Ｉ－４）において、粘着剤組成物（Ｉ－４）の総質量に対する、粘着性樹脂（Ｉ－１ａ）の含有量の割合は、５～９９質量％であることが好ましく、１０～９５質量％であることがより好ましく、１５～９０質量％であることが特に好ましい。
［架橋剤］
　粘着性樹脂（Ｉ－１ａ）として、（メタ）アクリル酸アルキルエステル由来の構成単位以外に、さらに、官能基含有モノマー由来の構成単位を有する前記アクリル重合体を用いる場合、粘着剤組成物（Ｉ－４）は、さらに架橋剤を含有することが好ましい。
　粘着剤組成物（Ｉ－４）における架橋剤としては、粘着剤組成物（Ｉ－１）における架橋剤と同じものが挙げられる。
　粘着剤組成物（Ｉ－４）が含有する架橋剤は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　前記粘着剤組成物（Ｉ－４）において、架橋剤の含有量は、粘着性樹脂（Ｉ－１ａ）の含有量１００質量部に対して、０．０１～５０質量部であることが好ましく、０．１～２５質量部であることがより好ましく、０．１～１０質量部であることが特に好ましい。
［その他の添加剤、溶媒］
　粘着剤組成物（Ｉ－４）は、本発明の効果を損なわない範囲内において、上述のいずれの成分にも該当しない、その他の添加剤を含有していてもよい。
　また、粘着剤組成物（Ｉ－４）は、粘着剤組成物（Ｉ－１）の場合と同様の目的で、溶媒を含有していてもよい。
　粘着剤組成物（Ｉ－４）における、前記その他の添加剤及び溶媒としては、それぞれ、粘着剤組成物（Ｉ－１）における、その他の添加剤及び溶媒と同じものが挙げられる。
　粘着剤組成物（Ｉ－４）が含有する、その他の添加剤及び溶媒は、それぞれ、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　粘着剤組成物（Ｉ－４）の、その他の添加剤及び溶媒の含有量は、それぞれ、特に限定されず、その種類に応じて適宜選択すればよい。
＜＜粘着剤組成物の製造方法＞＞
　粘着剤組成物（Ｉ－１）～（Ｉ－３）や、粘着剤組成物（Ｉ－４）等の粘着剤組成物（Ｉ－１）～（Ｉ－３）以外の粘着剤組成物は、前記粘着剤と、必要に応じて前記粘着剤以外の成分等の、粘着剤組成物を構成するための各成分を配合することで得られる。
　各成分の配合時における添加順序は特に限定されず、２種以上の成分を同時に添加してもよい。
　溶媒を用いる場合には、溶媒を溶媒以外のいずれかの配合成分と混合してこの配合成分を予め希釈しておくことで用いてもよいし、溶媒以外のいずれかの配合成分を予め希釈しておくことなく、溶媒をこれら配合成分と混合することで用いてもよい。
　配合時に各成分を混合する方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法；ミキサーを用いて混合する方法；超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
　各成分の添加及び混合時の温度並びに時間は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されず、適宜調節すればよいが、温度は１５～３０℃であることが好ましい。
○中間層
　前記中間層は、シート状又はフィルム状であり、樹脂を含有する。
　中間層は、樹脂からなるものであってもよいし、樹脂と樹脂以外の成分を含有するものであってもよい。
　中間層は、例えば、前記樹脂又は前記樹脂を含有する中間層形成用組成物を成形することで形成できる。また、中間層は、中間層の形成対象面に、前記中間層形成用組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることでも形成できる。
　中間層の構成材料である前記樹脂は、特に限定されない。
　中間層における好ましい前記樹脂としては、例えば、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリウレタンアクリレート（ＵＡ）等が挙げられる。
　前記中間層形成用組成物の前記樹脂の含有量は、特に限定されず、例えば、８０質量％以上、９０質量％以上、及び９５質量％以上等のいずれかとすることができるが、これらは一例である。
　中間層は、１層（単層）からなるものであってもよいし、２層以上の複数層からなるものであってもよく、複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
＜中間層から作製した試験片の引張弾性率Ｅｉ’＞
　中間層（図１に示すダイボンディングシート１０１の場合には、中間層１３）から作製した、幅が１５ｍｍで、長さが１００ｍｍを超える試験片について、チャック間距離を１００ｍｍとし、温度を０℃とし、テンシロンを用いて、引張速度を２００ｍｍ／ｍｉｎとして引っ張る引張試験を行い、弾性変形領域における、０℃の試験片の引張弾性率Ｅｉ’を測定したとき、Ｅｉ’は、例えば、１０～１５０ＭＰａ、１０～１００ＭＰａ、及び１０～５０ＭＰａのいずれかであってもよい。Ｅｉ’がこのような範囲であることで、後述する引張弾性率比Ｅｉ’／Ｅｂ’の調節が、より容易となる。
　前記ダイボンディングシートにおいては、上述のＥｂ’の場合と同じ理由で、中間層から作製した試験片の引張弾性率Ｅｉ’も、０℃における値で規定する。
　前記試験片のＥｉ’は、その２以上の測定方向同士の間では、互いに同じであることもあり、異なることもある。ここで、「Ｅｉ’の２以上の測定方向」とは、試験片の第１面（中間層の第１面に相当）に対して平行な方向のうち、異なる２以上の方向である。例えば、試験片がＭＤ及びＴＤを有する場合、試験片のＭＤにおけるＥｉ’と、試験片のＴＤにおけるＥｉ’とは、互いに同じであることもあり、異なることもある。
　本実施形態において、前記引張弾性率Ｅｉ’は、例えば、前記試験片のいずれの測定方向においても、先に例示した３とおりの数値範囲のいずれかであってもよい。例えば、前記試験片がＭＤ及びＴＤを有する場合、Ｅｉ’は、ＭＤ及びＴＤのいずれか一方又は両方において、先に例示した３とおりの数値範囲のいずれかであってもよい。その場合、ＭＤにおけるＥｉ’の数値範囲と、ＴＤにおけるＥｉ’の数値範囲と、の組み合わせは、任意である。
　前記引張弾性率Ｅｉ’の測定対象である前記試験片の厚さは、特に限定されず、これらの測定を高精度に行うことができる厚さであればよい。例えば、前記試験片の厚さは、１０～２００μｍであってもよい。
　中間層から作製した前記試験片のＥｉ’は、中間層の含有成分、例えば、樹脂の種類及び含有量を調節することにより、調節できる。
＜引張弾性率比Ｅｉ’／Ｅｂ’＞
　本実施形態においては、基材から作製した試験片の引張弾性率Ｅｂ’と、中間層から作製した試験片の引張弾性率Ｅｉ’と、を用いて算出される、引張弾性率比Ｅｉ’／Ｅｂ’は、０．５以下であることが好ましく、例えば、０．４５以下、０．４以下、及び０．３５以下のいずれかであってもよい。引張弾性率比Ｅｉ’／Ｅｂ’が、前記上限値以下であることで、前記ダイボンディングシートのエキスパンド時において、基材の伸長に対して、カーフ幅が十分に広くなり、フィルム状接着剤の切断性が向上する。
　先の説明のとおり、Ｅｂ’及びＥｉ’は、いずれも、その測定対象である試験片（Ｅｂ’の場合は基材の試験片、Ｅｉ’の場合は中間層の試験片）の測定方向によって、異なり得る。本実施形態においては、引張弾性率比Ｅｉ’／Ｅｂ’の算出に用いるＥｉ’及びＥｂ’としては、前記ダイボンディングシートにおける、基材と中間層の配置方向を反映したものを採用する。
　例えば、基材の試験片と、中間層の試験片とが、いずれもＭＤ及びＴＤを有しており、前記ダイボンディングシートにおいて、基材のＭＤと、中間層のＭＤと、が一致している（換言すると、基材のＴＤと、中間層のＴＤと、が一致している）場合には、引張弾性率比Ｅｉ’／Ｅｂ’は、これらのＭＤ及びＴＤのいずれか一方又は両方において、先に例示した４とおりの数値範囲のいずれかであってもよい。その場合、ＭＤにおけるＥｉ’／Ｅｂ’の数値範囲と、ＴＤにおけるＥｉ’／Ｅｂ’の数値範囲と、の組み合わせは、任意である。
　前記引張弾性率比Ｅｉ’／Ｅｂ’の下限値は、０より大きければ特に限定されない。例えば、Ｅｂ’の好ましい上限値の一例である２００ＭＰａと、Ｅｉ’の好ましい下限値の一例である１０ＭＰａと、の組み合わせから算出されるという観点から、引張弾性率比Ｅｉ’／Ｅｂ’は０．０５以上であってもよい。
　前記引張弾性率比Ｅｉ’／Ｅｂ’は、上述の下限値と、いずれかの上限値と、を任意に組み合わせて設定される範囲内に、適宜調節できる。例えば、一実施形態において、引張弾性率比Ｅｉ’／Ｅｂ’は、０．０５～０．５、０．０５～０．４５、０．０５～０．４、及び０．０５～０．３５のいずれかであってもよい。
　そして、基材の試験片と、中間層の試験片とが、いずれもＭＤ及びＴＤを有しており、前記ダイボンディングシートにおいて、基材のＭＤと、中間層のＭＤと、が一致している（換言すると、基材のＴＤと、中間層のＴＤと、が一致している）場合には、引張弾性率比Ｅｉ’／Ｅｂ’は、これらのＭＤ及びＴＤのいずれか一方又は両方において、ここで例示した４とおりの数値範囲のいずれかであってもよい。その場合、ＭＤにおけるＥｉ’／Ｅｂ’の数値範囲と、ＴＤにおけるＥｉ’／Ｅｂ’の数値範囲と、の組み合わせは、任意である。
　先の説明のとおり、中間層の幅の最大値は、粘着剤層の幅の最大値と、基材の幅の最大値よりも小さくなっている。
　中間層の幅の最大値は、半導体ウエハの大きさを考慮して、適宜選択できる。例えば、中間層の幅の最大値は、１５０～１６０ｍｍ、２００～２１０ｍｍ、又は３００～３１０ｍｍであってもよい。これら３つの数値範囲は、ダイボンディングシートとの貼付面に対して平行な方向における幅の最大値が、１５０ｍｍである半導体ウエハ、２００ｍｍである半導体ウエハ、又は３００ｍｍである半導体ウエハ、に対応している。ただし、本実施形態においては、先の説明のように、ダイシング後の半導体ウエハに対して、ダイボンディングシートを貼付する。なお、「ダイシング後の半導体ウエハ」とは、後述する「半導体チップ群」と同義である。
　本明細書においては、特に断りのない限り、「中間層の幅」とは、例えば、「中間層の第１面に対して平行な方向における幅」を意味する。例えば、平面形状が円形状である中間層の場合、上述の中間層の幅の最大値は、前記平面形状である円の直径となる。
　これは、半導体ウエハの場合も同様である。すなわち、「半導体ウエハの幅」とは、上述の、「半導体ウエハの、そのダイボンディングシートとの貼付面に対して平行な方向における幅」を意味する。例えば、平面形状が円形状である半導体ウエハの場合、上述の半導体ウエハの幅の最大値は、前記平面形状である円の直径となる。
　１５０～１６０ｍｍという中間層の幅の最大値は、１５０ｍｍという半導体ウエハの幅の最大値に対して、同等であるか、又は１０ｍｍを超えない範囲で大きいことを意味する。
　同様に、２００～２１０ｍｍという中間層の幅の最大値は、２００ｍｍという半導体ウエハの幅の最大値に対して、同等であるか、又は１０ｍｍを超えない範囲で大きいことを意味する。
　同様に、３００～３１０ｍｍという中間層の幅の最大値は、３００ｍｍという半導体ウエハの幅の最大値に対して、同等であるか、又は１０ｍｍを超えない範囲で大きいことを意味する。
　すなわち、本実施形態においては、中間層の幅の最大値と、半導体ウエハの幅の最大値と、の差は、例えば、半導体ウエハの幅の最大値が１５０ｍｍ、２００ｍｍ及び３００ｍｍのいずれであっても、０～１０ｍｍであってよい。
　中間層の幅の最大値がこのような条件を満たすことにより、前記ダイボンディングシートのエキスパンドによる、フィルム状接着剤の切断時において、後述する切断後のフィルム状接着剤の目的外の飛散を抑制する効果が高くなる。
　中間層の厚さは、目的に応じて適宜選択できるが、２０～１５０μｍであることが好ましく、５０～１２０μｍであることがより好ましい。中間層の厚さが前記下限値以上であることで、中間層の構造がより安定化する。中間層の厚さが前記上限値以下であることで、前記ダイボンディングシートのエキスパンド時において、フィルム状接着剤の切断性がより向上する。さらに、フィルム状接着剤を切断後のダイボンディングシートのエキスパンド時（換言すると、前記積層シートのエキスパンド時）において、カーフ幅を十分に広く、かつ高い均一性で保持する効果が、より高くなる。
　ここで、「中間層の厚さ」とは、中間層全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる中間層の厚さとは、中間層を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
　中間層は、基材よりも柔軟であることが好ましい。例えば、Ｅｉ’がＥｂ’未満（Ｅｉ’＜Ｅｂ’）である中間層は、この条件を満たし、このような観点でより好ましい中間層としては、先に説明したように、引張弾性率比Ｅｉ’／Ｅｂ’が０．５以下となる中間層が挙げられる。
○フィルム状接着剤
　前記フィルム状接着剤は、硬化性を有し、熱硬化性を有するものが好ましく、感圧接着性を有するものが好ましい。熱硬化性及び感圧接着性をともに有するフィルム状接着剤は、未硬化状態では各種被着体に軽く押圧することで貼付できる。また、フィルム状接着剤は、加熱して軟化させることで各種被着体に貼付できるものであってもよい。フィルム状接着剤は、硬化によって最終的には耐衝撃性が高い硬化物となり、この硬化物は、厳しい高温・高湿度条件下においても十分な接着特性を保持し得る。
　ダイボンディングシートを上方から見下ろして平面視したときに、フィルム状接着剤の面積（すなわち第１面の面積）は、分割前の半導体ウエハの面積に近くなるように、基材の面積（すなわち第１面の面積）及び粘着剤層の面積（すなわち第１面の面積）よりも小さく設定されていることが好ましい。このようなダイボンディングシートでは、粘着剤層の第１面の一部に、フィルム状接着剤と接触していない領域が存在する。これにより、ダイボンディングシートのエキスパンドがより容易になるとともに、エキスパンド時にフィルム状接着剤に加えられる力が分散しないため、フィルム状接着剤の切断がより容易となる。
　フィルム状接着剤は、その構成材料を含有する接着剤組成物を用いて形成できる。例えば、フィルム状接着剤の形成対象面に接着剤組成物を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、目的とする部位にフィルム状接着剤を形成できる。
　接着剤組成物の塗工は、上述の粘着剤組成物の塗工の場合と同じ方法で行うことができる。
　接着剤組成物の乾燥条件は、特に限定されない。接着剤組成物は、後述する溶媒を含有している場合、加熱乾燥させることが好ましく、この場合、例えば、７０～１３０℃で１０秒～５分の条件で乾燥させることが好ましい。
　フィルム状接着剤は、１層（単層）からなるものであってもよいし、２層以上の複数層からなるものであってもよく、複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
　先の説明のとおり、フィルム状接着剤の幅の最大値は、粘着剤層の幅の最大値と、基材の幅の最大値よりも小さくなっている。
　フィルム状接着剤の幅の最大値は、半導体ウエハの大きさに対して、先に説明した中間層の幅の最大値と同様であってよい。
　すなわち、フィルム状接着剤の幅の最大値は、半導体ウエハの大きさを考慮して、適宜選択できる。例えば、フィルム状接着剤の幅の最大値は、１５０～１６０ｍｍ、２００～２１０ｍｍ、又は３００～３１０ｍｍであってもよい。これら３つの数値範囲は、ダイボンディングシートとの貼付面に対して平行な方向における幅の最大値が、１５０ｍｍである半導体ウエハ、２００ｍｍである半導体ウエハ、又は３００ｍｍである半導体ウエハ、に対応している。
　本明細書においては、特に断りのない限り、「フィルム状接着剤の幅」とは、例えば、「フィルム状接着剤の第１面に対して平行な方向における幅」を意味する。例えば、平面形状が円形状であるフィルム状接着剤の場合、上述のフィルム状接着剤の幅の最大値は、前記平面形状である円の直径となる。
　また、特に断りのない限り、「フィルム状接着剤の幅」とは、後述するフィルム状接着剤付き半導体チップの製造過程における、切断後のフィルム状接着剤の幅ではなく、「切断前（未切断）のフィルム状接着剤の幅」を意味する。
　１５０～１６０ｍｍというフィルム状接着剤の幅の最大値は、１５０ｍｍという半導体ウエハの幅の最大値に対して、同等であるか、又は１０ｍｍを超えない範囲で大きいことを意味する。
　同様に、２００～２１０ｍｍというフィルム状接着剤の幅の最大値は、２００ｍｍという半導体ウエハの幅の最大値に対して、同等であるか、又は１０ｍｍを超えない範囲で大きいことを意味する。
　同様に、３００～３１０ｍｍというフィルム状接着剤の幅の最大値は、３００ｍｍという半導体ウエハの幅の最大値に対して、同等であるか、又は１０ｍｍを超えない範囲で大きいことを意味する。
　すなわち、本実施形態においては、フィルム状接着剤の幅の最大値と、半導体ウエハの幅の最大値と、の差は、例えば、半導体ウエハの幅の最大値が１５０ｍｍ、２００ｍｍ及び３００ｍｍのいずれであっても、０～１０ｍｍであってよい。
　フィルム状接着剤の幅の最大値がこのような条件を満たすことにより、前記ダイボンディングシートのエキスパンドによる、フィルム状接着剤の切断時において、後述する切断後のフィルム状接着剤の目的外の飛散を抑制する効果が高くなる。
　本実施形態においては、中間層の幅の最大値と、フィルム状接着剤の幅の最大値と、はいずれも、上述の数値範囲のいずれかであってもよい。
　すなわち、本実施形態のダイボンディングシートの一例としては、中間層の幅の最大値と、フィルム状接着剤の幅の最大値と、がともに、１５０～１６０ｍｍ、２００～２１０ｍｍ、又は３００～３１０ｍｍであるものが挙げられる。
　フィルム状接着剤の厚さは、特に限定されないが、１～３０μｍであることが好ましく、２～２０μｍであることがより好ましく、３～１０μｍであることが特に好ましい。フィルム状接着剤の厚さが前記下限値以上であることで、被着体（半導体チップ）に対してより高い接着力が得られる。フィルム状接着剤の厚さが前記上限値以下であることで、エキスパンドによるフィルム状接着剤の切断性がより向上し、また、フィルム状接着剤に由来する切断片の発生量をより低減できる。
　ここで、「フィルム状接着剤の厚さ」とは、フィルム状接着剤全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなるフィルム状接着剤の厚さとは、フィルム状接着剤を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
　次に、前記接着剤組成物について説明する。
＜＜接着剤組成物＞＞
　好ましい接着剤組成物としては、例えば、重合体成分（ａ）及び熱硬化性成分（ｂ）を含有するものが挙げられる。以下、各成分について説明する。
　なお、以下に示す接着剤組成物は、好ましいものの一例であり、本実施形態における接着剤組成物は、以下に示すものに限定されない。
［重合体成分（ａ）］
　重合体成分（ａ）は、重合性化合物が重合反応して形成されたとみなせる成分であり、フィルム状接着剤に造膜性や可撓性等を付与すると共に、半導体チップ等の接着対象への接着性（換言すると貼付性）を向上させるための重合体化合物である。また、重合体成分（ａ）は、後述するエポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）に該当しない成分でもある。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する重合体成分（ａ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　重合体成分（ａ）としては、例えば、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコーン樹脂、飽和ポリエステル樹脂等が挙げられ、アクリル樹脂であることが好ましい。
　接着剤組成物において、溶媒以外の全ての成分の総含有量に対する、重合体成分（ａ）の含有量の割合（すなわち、フィルム状接着剤における、フィルム状接着剤の総質量に対する、重合体成分（ａ）の含有量の割合）は、２０～７５質量％であることが好ましく、３０～６５質量％であることがより好ましい。
［熱硬化性成分（ｂ）］
　熱硬化性成分（ｂ）は、熱硬化性を有し、フィルム状接着剤を熱硬化させるための成分である。
　熱硬化性成分（ｂ）は、エポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）からなる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する熱硬化性成分（ｂ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
・エポキシ樹脂（ｂ１）
　エポキシ樹脂（ｂ１）としては、公知のものが挙げられ、例えば、多官能系エポキシ樹脂、ビフェニル化合物、ビスフェノールＡジグリシジルエーテル及びその水添物、オルソクレゾールノボラックエポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂等、２官能以上のエポキシ化合物が挙げられる。
　エポキシ樹脂（ｂ１）としては、不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂を用いてもよい。不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂は、不飽和炭化水素基を有しないエポキシ樹脂よりもアクリル樹脂との相溶性が高い。そのため、不飽和炭化水素基を有するエポキシ樹脂を用いることで、フィルム状接着剤を用いて得られたパッケージの信頼性が向上する。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有するエポキシ樹脂（ｂ１）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
・熱硬化剤（ｂ２）
　熱硬化剤（ｂ２）は、エポキシ樹脂（ｂ１）に対する硬化剤として機能する。
　熱硬化剤（ｂ２）としては、例えば、１分子中にエポキシ基と反応し得る官能基を２個以上有する化合物が挙げられる。前記官能基としては、例えば、フェノール性水酸基、アルコール性水酸基、アミノ基、カルボキシ基、酸基が無水物化された基等が挙げられ、フェノール性水酸基、アミノ基、又は酸基が無水物化された基であることが好ましく、フェノール性水酸基又はアミノ基であることがより好ましい。
　熱硬化剤（ｂ２）のうち、フェノール性水酸基を有するフェノール系硬化剤としては、例えば、多官能フェノール樹脂、ビフェノール、ノボラック型フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、アラルキル型フェノール樹脂等が挙げられる。
　熱硬化剤（ｂ２）のうち、アミノ基を有するアミン系硬化剤としては、例えば、ジシアンジアミド（ＤＩＣＹ）等が挙げられる。
　熱硬化剤（ｂ２）は、不飽和炭化水素基を有していてもよい。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する熱硬化剤（ｂ２）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤において、熱硬化剤（ｂ２）の含有量は、エポキシ樹脂（ｂ１）の含有量１００質量部に対して、０．１～５００質量部であることが好ましく、１～２００質量部であることがより好ましく、例えば、１～１００質量部、１～５０質量部、及び１～２５質量部のいずれかであってもよい。熱硬化剤（ｂ２）の前記含有量が前記下限値以上であることで、フィルム状接着剤の硬化がより進行し易くなる。熱硬化剤（ｂ２）の前記含有量が前記上限値以下であることで、フィルム状接着剤の吸湿率が低減されて、フィルム状接着剤を用いて得られたパッケージの信頼性がより向上する。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤において、熱硬化性成分（ｂ）の含有量（すなわち、エポキシ樹脂（ｂ１）及び熱硬化剤（ｂ２）の総含有量）は、重合体成分（ａ）の含有量１００質量部に対して、５～１００質量部であることが好ましく、５～７５質量部であることがより好ましく、５～５０質量部であることが特に好ましく、例えば、５～３５質量部、及び５～２０質量部のいずれかであってもよい。熱硬化性成分（ｂ）の前記含有量がこのような範囲であることで、中間層とフィルム状接着剤との間の剥離力が、より安定する。
　前記フィルム状接着剤は、その各種物性を改良するために、重合体成分（ａ）及び熱硬化性成分（ｂ）以外に、さらに必要に応じて、これらに該当しない他の成分を含有していてもよい。
　前記フィルム状接着剤が含有する他の成分で好ましいものとしては、例えば、硬化促進剤（ｃ）、充填材（ｄ）、カップリング剤（ｅ）、架橋剤（ｆ）、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）、光重合開始剤（ｈ）、汎用添加剤（ｉ）等が挙げられる。
［硬化促進剤（ｃ）］
　硬化促進剤（ｃ）は、接着剤組成物の硬化速度を調節するための成分である。
　好ましい硬化促進剤（ｃ）としては、例えば、トリエチレンジアミン、ベンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、ジメチルアミノエタノール、トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール等の第３級アミン；２－メチルイミダゾール、２－フェニルイミダゾール、２－フェニル－４－メチルイミダゾール、２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール、２－フェニル－４－メチル－５－ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール類（１個以上の水素原子が水素原子以外の基で置換されたイミダゾール）；トリブチルホスフィン、ジフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の有機ホスフィン類（１個以上の水素原子が有機基で置換されたホスフィン）；テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、トリフェニルホスフィンテトラフェニルボレート等のテトラフェニルボロン塩等が挙げられる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する硬化促進剤（ｃ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　硬化促進剤（ｃ）を用いる場合、接着剤組成物及びフィルム状接着剤において、硬化促進剤（ｃ）の含有量は、熱硬化性成分（ｂ）の含有量１００質量部に対して、０．０１～１０質量部であることが好ましく、０．１～５質量部であることがより好ましい。硬化促進剤（ｃ）の前記含有量が前記下限値以上であることで、硬化促進剤（ｃ）を用いたことによる効果がより顕著に得られる。硬化促進剤（ｃ）の含有量が前記上限値以下であることで、例えば、高極性の硬化促進剤（ｃ）が、高温・高湿度条件下でフィルム状接着剤中において被着体との接着界面側に移動して偏析することを抑制する効果が高くなり、フィルム状接着剤を用いて得られたパッケージの信頼性がより向上する。
［充填材（ｄ）］
　フィルム状接着剤は、充填材（ｄ）を含有することにより、エキスパンドによるその切断性がより向上する。また、フィルム状接着剤は、充填材（ｄ）を含有することにより、その熱膨張係数の調整が容易となり、この熱膨張係数をフィルム状接着剤の貼付対象物に対して最適化することで、フィルム状接着剤を用いて得られたパッケージの信頼性がより向上する。また、フィルム状接着剤が充填材（ｄ）を含有することにより、硬化後のフィルム状接着剤の吸湿率を低減したり、放熱性を向上させたりすることもできる。
　充填材（ｄ）は、有機充填材及び無機充填材のいずれでもよいが、無機充填材であることが好ましい。
　好ましい無機充填材としては、例えば、シリカ、アルミナ、タルク、炭酸カルシウム、チタンホワイト、ベンガラ、炭化ケイ素、窒化ホウ素等の粉末；これら無機充填材を球形化したビーズ；これら無機充填材の表面改質品；これら無機充填材の単結晶繊維；ガラス繊維等が挙げられる。
　これらの中でも、無機充填材は、シリカ又はアルミナであることが好ましい。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する充填材（ｄ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　充填材（ｄ）を用いる場合、接着剤組成物において、溶媒以外の全ての成分の総含有量に対する充填材（ｄ）の含有量の割合（すなわち、フィルム状接着剤における、フィルム状接着剤の総質量に対する、充填材（ｄ）の含有量の割合）は、５～８０質量％であることが好ましく、１０～７０質量％であることがより好ましく、２０～６０質量％であることが特に好ましい。前記割合がこのような範囲であることで、上記の充填材（ｄ）を用いたことによる効果がより顕著に得られる。
［カップリング剤（ｅ）］
　フィルム状接着剤は、カップリング剤（ｅ）を含有することにより、被着体に対する接着性及び密着性が向上する。また、フィルム状接着剤がカップリング剤（ｅ）を含有することにより、その硬化物は耐熱性を損なうことなく、耐水性が向上する。カップリング剤（ｅ）は、無機化合物又は有機化合物と反応可能な官能基を有する。
　カップリング剤（ｅ）は、重合体成分（ａ）、熱硬化性成分（ｂ）等が有する官能基と反応可能な官能基を有する化合物であることが好ましく、シランカップリング剤であることがより好ましい。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有するカップリング剤（ｅ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　カップリング剤（ｅ）を用いる場合、接着剤組成物及びフィルム状接着剤において、カップリング剤（ｅ）の含有量は、重合体成分（ａ）及び熱硬化性成分（ｂ）の総含有量１００質量部に対して、０．０３～２０質量部であることが好ましく、０．０５～１０質量部であることがより好ましく、０．１～５質量部であることが特に好ましい。カップリング剤（ｅ）の前記含有量が前記下限値以上であることで、充填材（ｄ）の樹脂への分散性の向上や、フィルム状接着剤の被着体との接着性の向上など、カップリング剤（ｅ）を用いたことによる効果がより顕著に得られる。カップリング剤（ｅ）の前記含有量が前記上限値以下であることで、アウトガスの発生がより抑制される。
［架橋剤（ｆ）］
　重合体成分（ａ）として、上述のアクリル樹脂等の、他の化合物と結合可能なビニル基、（メタ）アクリロイル基、アミノ基、水酸基、カルボキシ基、イソシアネート基等の官能基を有するものを用いる場合、接着剤組成物及びフィルム状接着剤は、架橋剤（ｆ）を含有していてもよい。架橋剤（ｆ）は、重合体成分（ａ）中の前記官能基を他の化合物と結合させて架橋するための成分であり、このように架橋することにより、フィルム状接着剤の初期接着力及び凝集力を調節できる。
　架橋剤（ｆ）としては、例えば、有機多価イソシアネート化合物、有機多価イミン化合物、金属キレート系架橋剤（金属キレート構造を有する架橋剤）、アジリジン系架橋剤（アジリジニル基を有する架橋剤）等が挙げられる。
　架橋剤（ｆ）として有機多価イソシアネート化合物を用いる場合、重合体成分（ａ）としては、水酸基含有重合体を用いることが好ましい。架橋剤（ｆ）がイソシアネート基を有し、重合体成分（ａ）が水酸基を有する場合、架橋剤（ｆ）と重合体成分（ａ）との反応によって、フィルム状接着剤に架橋構造を簡便に導入できる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する架橋剤（ｆ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　架橋剤（ｆ）を用いる場合、接着剤組成物において、架橋剤（ｆ）の含有量は、重合体成分（ａ）の含有量１００質量部に対して、０．０１～２０質量部であることが好ましく、０．１～１０質量部であることがより好ましく、０．３～５質量部であることが特に好ましい。架橋剤（ｆ）の前記含有量が前記下限値以上であることで、架橋剤（ｆ）を用いたことによる効果がより顕著に得られる。架橋剤（ｆ）の前記含有量が前記上限値以下であることで、架橋剤（ｆ）の過剰使用が抑制される。
［エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）］
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）を含有していることにより、フィルム状接着剤は、エネルギー線の照射によって、その特性を変化させることができる。
　エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）は、エネルギー線硬化性化合物を重合（硬化）して得られたものである。
　前記エネルギー線硬化性化合物としては、例えば、分子内に少なくとも１個の重合性二重結合を有する化合物が挙げられ、（メタ）アクリロイル基を有するアクリレート系化合物が好ましい。
　接着剤組成物が含有するエネルギー線硬化性樹脂（ｇ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）を用いる場合、接着剤組成物において、接着剤組成物の総質量に対する、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）の含有量の割合は、１～９５質量％であることが好ましく、５～９０質量％であることがより好ましく、１０～８５質量％であることが特に好ましい。
［光重合開始剤（ｈ）］
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤は、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）を含有する場合、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）の重合反応を効率よく進めるために、光重合開始剤（ｈ）を含有していてもよい。
　接着剤組成物における光重合開始剤（ｈ）としては、例えば、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール等のベンゾイン化合物；アセトフェノン、２－ヒドロキシ－２－メチル－１－フェニル－プロパン－１－オン、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オン等のアセトフェノン化合物；ビス（２，４，６－トリメチルベンゾイル）フェニルフォスフィンオキサイド、２，４，６－トリメチルベンゾイルジフェニルフォスフィンオキサイド等のアシルフォスフィンオキサイド化合物；ベンジルフェニルスルフィド、テトラメチルチウラムモノスルフィド等のスルフィド化合物；１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン等のα－ケトール化合物；アゾビスイソブチロニトリル等のアゾ化合物；チタノセン等のチタノセン化合物；チオキサントン等のチオキサントン化合物；パーオキサイド化合物；ジアセチル等のジケトン化合物；ベンジル；ジベンジル；ベンゾフェノン；２，４－ジエチルチオキサントン；１，２－ジフェニルメタン；２－ヒドロキシ－２－メチル－１－［４－（１－メチルビニル）フェニル］プロパノン；１－クロロアントラキノン、２－クロロアントラキノン等のキノン化合物等が挙げられる。
　また、光重合開始剤（ｈ）としては、例えば、アミン等の光増感剤等も挙げられる。
　接着剤組成物が含有する光重合開始剤（ｈ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　光重合開始剤（ｈ）を用いる場合、接着剤組成物において、光重合開始剤（ｈ）の含有量は、エネルギー線硬化性樹脂（ｇ）の含有量１００質量部に対して、０．１～２０質量部であることが好ましく、１～１０質量部であることがより好ましく、２～５質量部であることが特に好ましい。
［汎用添加剤（ｉ）］
　汎用添加剤（Ｉ）は、公知のものでよく、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されないが、好ましいものとしては、例えば、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、着色剤（染料、顔料）、ゲッタリング剤等が挙げられる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤が含有する汎用添加剤（ｉ）は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　接着剤組成物及びフィルム状接着剤の含有量は、特に限定されず、目的に応じて適宜選択すればよい。
［溶媒］
　接着剤組成物は、さらに溶媒を含有することが好ましい。溶媒を含有する接着剤組成物は、取り扱い性が良好となる。
　前記溶媒は特に限定されないが、好ましいものとしては、例えば、トルエン、キシレン等の炭化水素；メタノール、エタノール、２－プロパノール、イソブチルアルコール（２－メチルプロパン－１－オール）、１－ブタノール等のアルコール；酢酸エチル等のエステル；アセトン、メチルエチルケトン等のケトン；テトラヒドロフラン等のエーテル；ジメチルホルムアミド、Ｎ－メチルピロリドン等のアミド（アミド結合を有する化合物）等が挙げられる。
　接着剤組成物が含有する溶媒は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　接着剤組成物が含有する溶媒は、接着剤組成物中の含有成分をより均一に混合できる点から、メチルエチルケトン等であることが好ましい。
　接着剤組成物の溶媒の含有量は、特に限定されず、例えば、溶媒以外の成分の種類に応じて適宜選択すればよい。
＜＜接着剤組成物の製造方法＞＞
　接着剤組成物は、これを構成するための各成分を配合することで得られる。
　接着剤組成物は、例えば、配合成分の種類が異なる点以外は、先に説明した粘着剤組成物の場合と同じ方法で製造できる。
○帯電防止層
　前記ダイボンディングシートにおいては、その中のいずれかの層を、帯電防止層とすることができる。
　このような場合、好ましい前記ダイボンディングシートとしては、例えば、前記基材を備え、前記基材上に、粘着剤層、中間層及びフィルム状接着剤がこの順に積層されて構成されており、かつ、前記基材は、前記粘着剤層側とは反対側に位置する面上に帯電防止層（本明細書においては、「背面帯電防止層」と略記することがある）を備えているダイボンディングシートが挙げられる。
　また、好ましい前記ダイボンディングシートとしては、例えば、前記基材を備え、前記基材上に、粘着剤層、中間層及びフィルム状接着剤がこの順に積層されて構成されており、かつ、前記基材は帯電防止性を有する（本明細書においては、この基材を「帯電防止性基材」と略記することがある）ダイボンディングシートが挙げられる。
　また、好ましい前記ダイボンディングシートとしては、例えば、前記基材を備え、前記基材上に、粘着剤層、中間層及びフィルム状接着剤がこの順に積層されて構成されており、かつ、帯電防止層として、前記基材の、前記粘着剤層側に位置する面上に帯電防止層（本明細書においては、「表面帯電防止層」と略記することがある）を備えたダイボンディングシートが挙げられる。
　前記帯電防止層（背面帯電防止層、帯電防止性基材及び表面帯電防止層）は、いずれも帯電防止剤を含有する。これらの中でも、背面帯電防止層又は帯電防止性基材を備えたダイボンディングシートが好ましい。
　ダイボンディングシートの前記表面抵抗率は、１．０×１０１１Ω／□以下であってもよい。次に述べるように、前記表面抵抗率が１．０×１０１１Ω／□以下であることにより、半導体チップ中の回路の破壊が抑制される。
　本発明のダイボンディングシートは半導体群の裏面に貼付され、ダイボンディングシート及び半導体群から構成される積層体を形成し、この積層体の基材側の面がダイシングテーブル上に固定される。
　次いで、ダイシングテーブル上に固定された状態のこの積層体において、半導体ウエハを分割し、フィルム状接着剤を切断して、基板、粘着剤層、中間層、切断後のフィルム状接着剤及び分割後の半導体ウエハ（すなわち半導体チップ）をこの順に備えた積層体（以下、「分割済み積層体」と略記する）を得る。
　次いで、分割済み積層体の、ダイシングテーブル上での固定状態を解除し、積層体を洗浄用テーブル上に搬送して、このテーブル上に固定する。
　次いで、洗浄用テーブル上に固定された状態の積層体を水で洗浄し、前工程でのダイシング時に生じ、付着した切削屑を洗い流して取り除く。この切削屑は、半導体ウエハ、フィルム状接着剤に由来する。洗浄は、通常、洗浄用テーブルを回転させながら行う。
　次いで、この洗浄後の、分割済み積層体の、洗浄用テーブル上での固定状態を解除し、積層体を乾燥用テーブル上に搬送して、このテーブル上に固定する。
　次いで、乾燥用テーブル上に固定された状態の積層体を乾燥させ、前工程での洗浄時に付着した水を取り除く。乾燥は、通常、乾燥用テーブルを回転させながら行う。
　次いで、この乾燥後の、分割済み積層体の、乾燥用テーブル上での固定状態を解除し、次工程を行う装置に、積層体を搬送して、次工程を行う。そして、最終的に、切断済みのフィルム状接着剤を裏面に備えた半導体チップ（フィルム状接着剤付き半導体チップ）を、中間層から引き離してピックアップする。
　以上のように、分割済み積層体は、いずれかのテーブル上に固定され、作業が行われた後、この固定状態を解除され、次工程を行う箇所に搬送される。これら積層体は、例えば、いずれのテーブルにおいても、吸着によって固定され、吸着の解除後に、テーブルから引き離されて、次の箇所に搬送される。通常、これらテーブルはいずれも、その厚さ方向において貫通する空隙部を有しており、テーブルの前記積層体と接触している側とは反対側が減圧されることにより、前記積層体はテーブル上で吸着され、固定される。
　上述した通り、半導体ウエハと前記ダイボンディングシートを用いて、裏面にフィルム状接着剤を備えた半導体チップを製造する過程では、この積層体を、テーブル上で固定した状態とし、次いで、テーブル上の固定面から引き離す、という操作を行う。前記ダイボンディングシートにおいて、前記基材の最表層の前記表面抵抗率が１．０×１０１１Ω／□以下であることにより、前記積層体の引き離し時の帯電（本明細書においては、「引き離し時帯電」と称することがある）が抑制される。その結果、この引き離し時の半導体チップ中の回路の破壊が抑制される。
　前記ダイボンディングシートの前記表面抵抗率は、実施例においても後述するように、ダイボンディングシート中の基材側の最表層を測定対象とし、表面抵抗率計を用いて、印加電圧を１００Ｖとして、測定できる。
○背面帯電防止層
　前記背面帯電防止層は、シート状又はフィルム状であり、帯電防止剤を含有する。
　前記背面帯電防止層は、前記帯電防止剤以外に、樹脂を含有していてもよい。
　背面帯電防止層は１層（単層）からなるものであってもよいし、２層以上の複数層からなるものであってもよく、複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
　背面帯電防止層の厚さは、２００ｎｍ以下であることが好ましく、１８０ｎｍ以下であることがより好ましく、例えば、１００ｎｍ以下であってもよい。厚さが２００ｎｍ以下である背面帯電防止層においては、十分な帯電防止能を維持しつつ、帯電防止剤の使用量を低減できるため、このような背面帯電防止層を備えたダイボンディングシートのコストを低減できる。さらに、背面帯電防止層の厚さが１００ｎｍ以下である場合には、上述の効果に加え、背面帯電防止層を備えていることによる、ダイボンディングシートの特性の変動を最小限に抑制できるという効果も得られる。前記特性としては、例えば、エキスパンド性が挙げられる。
　ここで、「背面帯電防止層の厚さ」とは、背面帯電防止層全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる背面帯電防止層の厚さとは、背面帯電防止層を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
　背面帯電防止層の厚さは、１０ｎｍ以上であることが好ましく、例えば、２０ｎｍ以上、３０ｎｍ以上、４０ｎｍ以上、及び６５ｎｍ以上のいずれかであってもよい。厚さが前記下限値以上である背面帯電防止層は、形成がより容易であり、かつ、構造がより安定である。
　背面帯電防止層の厚さは、上述の好ましい下限値及び上限値を任意に組み合わせて設定される範囲内に、適宜調節できる。例えば、一実施形態において、背面帯電防止層の厚さは、１０～２００ｎｍであることが好ましく、例えば、２０ｎｍ～２００ｎｍ、３０～２００ｎｍ、４０～１８０ｎｍ、及び６５～１００ｎｍのいずれかであってもよい。ただし、これらは、背面帯電防止層の厚さの一例である。
　背面帯電防止層は、透明であってもよいし、不透明であってもよく、目的に応じて着色されていてもよい。
　例えば、フィルム状接着剤がエネルギー線硬化性を有する場合には、背面帯電防止層はエネルギー線を透過させるものが好ましい。
　例えば、ダイボンディング合シート中のフィルム状接着剤を、背面帯電防止層を介して光学的に検査するためには、背面帯電防止層は透明であることが好ましい。
＜＜帯電防止組成物（ＶＩ－１））＞＞
　背面帯電防止層は、前記帯電防止剤を含有する帯電防止組成物（ＶＩ－１）を用いて形成できる。例えば、背面帯電防止層の形成対象面に帯電防止組成物（ＶＩ－１）を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、目的とする部位に背面帯電防止層を形成できる。帯電防止組成物（ＶＩ－１）における、常温で気化しない成分同士の含有量の比率は、通常、背面帯電防止層における前記成分同士の含有量の比率と同じとなる。
　背面帯電防止層のより具体的な形成方法は、他の層の形成方法とともに、後ほど詳細に説明する。
　帯電防止組成物（ＶＩ－１）の塗工は、公知の方法で行えばよく、例えば、上述の粘着剤組成物の場合と同じ方法であってよい。
　基材上に背面帯電防止層を設ける場合には、例えば、基材上に帯電防止組成物（ＶＩ－１）を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、基材上に背面帯電防止層を積層すればよい。また、基材上に背面帯電防止層を設ける場合には、例えば、剥離フィルム上に帯電防止組成物（ＶＩ－１）を塗工し、必要に応じて乾燥させることで、剥離フィルム上に背面帯電防止層を形成しておき、この背面帯電防止層の露出面を、基材の一方の表面と貼り合わせることで、基材上に背面帯電防止層を積層してもよい。この場合の剥離フィルムは、ダイボンディングシートの製造過程又は使用過程のいずれかのタイミングで、取り除けばよい。
　帯電防止組成物（ＶＩ－１）の乾燥条件は、特に限定されないが、帯電防止組成物（ＶＩ－１）は、後述する溶媒を含有している場合、加熱乾燥させることが好ましい。そして、溶媒を含有する帯電防止組成物（ＶＩ－１）は、例えば、４０～１３０℃で１０秒～５分の条件で乾燥させることが好ましい。
　帯電防止組成物（ＶＩ－１）は、前記帯電防止剤以外に、前記樹脂を含有していてもよい。
［帯電防止剤］
　前記帯電防止剤は、導電性化合物等、公知のものでよく、特に限定されない。前記帯電防止剤は、例えば、低分子化合物及び高分子化合物（換言すると、オリゴマー又はポリマー）のいずれであってもよい。
　前記帯電防止剤のうち、低分子化合物としては、例えば、各種イオン液体が挙げられる。
　前記イオン液体としては、例えば、ピリミジニウム塩、ピリジニウム塩、ピペリジニウム塩、ピロリジニウム塩、イミダゾリウム塩、モルホリニウム塩、スルホニウム塩、ホスホニウム塩、アンモニウム塩等、公知のものが挙げられる。
　前記帯電防止剤のうち、高分子化合物としては、例えば、ポリ（３，４－エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホネート（本明細書においては、「ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ」と称することがある）、ポリピロール、カーボンナノチューブ等が挙げられる。前記ポリピロールは、複数個（多数）のピロール骨格を有するオリゴマー又はポリマーである。
　帯電防止組成物（ＶＩ－１）が含有する帯電防止剤は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　帯電防止組成物（ＶＩ－１）において、溶媒以外の全ての成分の総含有量に対する帯電防止剤の含有量の割合（すなわち、背面帯電防止層における、背面帯電防止層の総質量に対する、帯電防止剤の含有量の割合）は、例えば、０．１～３０質量％、及び０．５～１５質量％のいずれかであってもよい。前記割合が前記下限値以上であることで、ダイボンディングシートの剥離帯電の抑制効果が高くなり、その結果、フィルム状接着剤と半導体ウエハとの間の異物混入の抑制効果が高くなる。前記割合が前記上限値以下であることで、背面帯電防止層の強度がより高くなる。
［樹脂］
　帯電防止組成物（ＶＩ－１）及び背面帯電防止層が含有する前記樹脂は、硬化性及び非硬化性のいずれであってもよく、硬化性である場合、エネルギー線硬化性及び熱硬化性のいずれであってもよい。
　好ましい前記樹脂としては、例えば、バインダー樹脂として機能するものが挙げられる。
　前記樹脂として、より具体的には、例えば、アクリル樹脂等が挙げられ、エネルギー線硬化性アクリル樹脂であることが好ましい。
　帯電防止組成物（ＶＩ－１）及び背面帯電防止層における前記アクリル樹脂としては、例えば、前記粘着剤層におけるアクリル樹脂と同じものが挙げられる。帯電防止組成物（ＶＩ－１）及び背面帯電防止層における前記エネルギー線硬化性アクリル樹脂としては、例えば、前記粘着剤層における粘着性樹脂（Ｉ－２ａ）と同じものが挙げられる。
　帯電防止組成物（ＶＩ－１）及び背面帯電防止層が含有する前記樹脂は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　帯電防止組成物（ＶＩ－１）において、溶媒以外の全ての成分の総含有量に対する前記樹脂の含有量の割合（すなわち、背面帯電防止層における、背面帯電防止層の総質量に対する、前記樹脂の含有量の割合）は、例えば、３０～９９．９質量％、３５～９８質量％、６０～９８質量％、及び８５～９８質量％のいずれかであってもよい。前記割合が前記下限値以上であることで、背面帯電防止層の強度がより高くなる。前記割合が前記上限値以下であることで、帯電防止層の帯電防止剤の含有量をより多くすることが可能となる。
［エネルギー線硬化性化合物、光重合開始剤］
　帯電防止組成物（ＶＩ－１）は、エネルギー線硬化性の前記樹脂を含有する場合、エネルギー線硬化性化合物を含有していてもよい。
　また、帯電防止組成物（ＶＩ－１）は、エネルギー線硬化性の前記樹脂を含有する場合、前記樹脂の重合反応を効率よく進めるために、光重合開始剤を含有していてもよい。
　帯電防止組成物（ＶＩ－１）が含有する、前記エネルギー線硬化性化合物及び光重合開始剤としては、例えば、それぞれ、粘着剤組成物（Ｉ－１）が含有する、エネルギー線硬化性化合物及び光重合開始剤と同じものが挙げられる。
　帯電防止組成物（ＶＩ－１）が含有する、エネルギー線硬化性化合物及び光重合開始剤は、それぞれ、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　帯電防止組成物（ＶＩ－１）の、エネルギー線硬化性化合物及び光重合開始剤の含有量は、それぞれ、特に限定されず、前記樹脂、エネルギー線硬化性化合物又は光重合開始剤の種類に応じて適宜選択すればよい。
［その他の添加剤、溶媒］
　帯電防止組成物（ＶＩ－１）は、本発明の効果を損なわない範囲内において、上述のいずれの成分にも該当しない、その他の添加剤を含有していてもよい。
　また、帯電防止組成物（ＶＩ－１）は、上述の粘着剤組成物（Ｉ－１）の場合と同様の目的で、溶媒を含有していてもよい。
　帯電防止組成物（ＶＩ－１）が含有する、前記その他の添加剤及び溶媒としては、それぞれ、上述の粘着剤組成物（Ｉ－１）が含有する、その他の添加剤（ただし、帯電防止剤を除く）及び溶媒と同じものが挙げられる。さらに、帯電防止組成物（ＶＩ－１）が含有する前記その他の添加剤としては、上記のもの以外にも、乳化剤も挙げられる。さらに、帯電防止組成物（ＶＩ－１）が含有する溶媒としては、上記のもの以外にも、エタノール等の他のアルコール；２－メトキシエタノール（エチレングリコールモノメチルエーテル）、２－エトキシエタノール（エチレングリコールモノエチルエーテル）、１－メトキシ－２－プロパノール（プロピレングリコールモノメチルエーテル）等のアルコキシアルコール等も挙げられる。
　帯電防止組成物（ＶＩ－１）が含有する、その他の添加剤及び溶媒は、それぞれ、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　帯電防止組成物（ＶＩ－１）の、その他の添加剤及び溶媒の含有量は、それぞれ、特に限定されず、その種類に応じて適宜選択すればよい。
＜＜帯電防止組成物（ＶＩ－１）の製造方法＞＞
　帯電防止組成物（ＶＩ－１）は、前記帯電防止剤と、必要に応じて前記帯電防止剤以外の成分等の、帯電防止組成物（ＶＩ－１）を構成するための各成分を配合することで得られる。
　帯電防止組成物（ＶＩ－１）は、配合成分が異なる点以外は、上述の粘着剤組成物の場合と同じ方法で製造できる。
○帯電防止性基材
　前記帯電防止性基材は、シート状又はフィルム状であり、帯電防止性を有し、さらに前記基材と同様の機能も有する。
　前記ダイボンディングシートにおいて、帯電防止性基材は、先に説明した基材と、背面帯電防止層と、の積層物と同様の機能を有し、この積層物に代えて配置できる。
　帯電防止性基材は、帯電防止剤及び樹脂を含有し、例えば、さらに帯電防止剤を含有する点以外は、先に説明した基材と同様であってよい。
　帯電防止性基材は１層（単層）からなるものであってもよいし、２層以上の複数層からなるものであってもよく、複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよく、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。
　帯電防止性基材の厚さは、例えば、先に説明した基材の厚さと、同様であってよい。帯電防止性基材の厚さがこのような範囲であることで、前記ダイボンディングシートの可撓性と、半導体ウエハ又は半導体チップへの貼付性と、がより向上する。
　ここで、「帯電防止性基材の厚さ」とは、帯電防止性基材全体の厚さを意味し、例えば、複数層からなる帯電防止性基材の厚さとは、帯電防止性基材を構成するすべての層の合計の厚さを意味する。
　帯電防止性基材は、透明であってもよいし、不透明であってもよく、目的に応じて着色されていてもよい。
　例えば、フィルム状接着剤がエネルギー線硬化性を有する場合には、背面帯電防止層はエネルギー線を透過させるものが好ましい。
　例えば、ダイボンディングシート中のフィルム状接着剤を、帯電防止性基材を介して光学的に検査するためには、帯電防止性基材は透明であることが好ましい。
　帯電防止性基材は、その上に設けられる層（例えば、粘着剤層、中間層又はフィルム状接着剤）との接着性を向上させるために、サンドブラスト処理、溶剤処理等による凹凸化処理；コロナ放電処理、電子線照射処理、プラズマ処理、オゾン・紫外線照射処理、火炎処理、クロム酸処理、熱風処理等の酸化処理；等が表面に施されていてもよい。また、帯電防止性基材は、表面がプライマー処理されていてもよい。
＜＜帯電防止組成物（ＶＩ－２））＞＞
　帯電防止性基材は、例えば、前記帯電防止剤及び樹脂を含有する帯電防止組成物（ＶＩ－２）を成形することで製造できる。帯電防止組成物（ＶＩ－２）における、常温で気化しない成分同士の含有量の比率は、通常、帯電防止性基材における前記成分同士の含有量の比率と同じとなる。
　帯電防止組成物（ＶＩ－２）の成形は、公知の方法で行えばよく、例えば、前記基材の製造時において、前記樹脂組成物を成形する場合と同じ方法で行うことができる。
［帯電防止剤］
　帯電防止組成物（ＶＩ－２）が含有する帯電防止剤としては、前記背面帯電防止層が含有する帯電防止剤と同じものが挙げられる。
　帯電防止組成物（ＶＩ－２）が含有する帯電防止剤は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　帯電防止組成物（ＶＩ－２）及び帯電防止性基材において、前記帯電防止剤及び樹脂の合計含有量に対する、前記帯電防止剤の含有量の割合は、７．５質量％以上であることが好ましく、８．５質量％以上であることがより好ましい。前記割合が前記下限値以上であることで、ダイボンディングシートの剥離帯電の抑制効果が高くなり、その結果、フィルム状接着剤と半導体ウエハとの間の異物混入の抑制効果が高くなる。
　帯電防止組成物（ＶＩ－２）及び帯電防止性基材において、前記帯電防止剤及び樹脂の合計含有量に対する、前記帯電防止剤の含有量の割合の上限値は、特に限定されない。例えば、帯電防止剤の相溶性がより良好となる点では、前記割合は２０質量％以下であることが好ましい。
　前記帯電防止剤の含有量の割合は、上述の好ましい下限値及び上限値を任意に組み合わせて設定される範囲内に、適宜調節できる。例えば、一実施形態において、前記割合は、７．５～２０質量％であることが好ましく、８．５～２０質量％であることがより好ましい。ただし、これらは、前記割合の一例である。
［樹脂］
　帯電防止組成物（ＶＩ－２）及び帯電防止性基材が含有する樹脂としては、前記基材が含有する樹脂と同じものが挙げられる。
　帯電防止組成物（ＶＩ－２）及び帯電防止性基材が含有する前記樹脂は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　帯電防止組成物（ＶＩ－２）において、溶媒以外の全ての成分の総含有量に対する前記樹脂の含有量の割合（すなわち、帯電防止性基材における、帯電防止性基材の総質量に対する、前記樹脂の含有量の割合）は、３０～９９．９質量％であることが好ましく、３５～９８質量％であることがより好ましく、６０～９８質量％であることがさらに好ましく、８５～９８質量％であることが特に好ましい。前記割合が前記下限値以上であることで、帯電防止性基材の強度がより高くなる。前記割合が前記上限値以下であることで、帯電防止性基材の帯電防止剤の含有量をより多くすることが可能となる。
［光重合開始剤］
　帯電防止組成物（ＶＩ－２）は、エネルギー線硬化性の前記樹脂を含有する場合、前記樹脂の重合反応を効率よく進めるために、光重合開始剤を含有していてもよい。
　帯電防止組成物（ＶＩ－２）が含有する、前記光重合開始剤としては、例えば、粘着剤組成物（Ｉ－１）が含有する光重合開始剤と同じものが挙げられる。
　帯電防止組成物（ＶＩ－２）が含有する光重合開始剤は、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　帯電防止組成物（ＶＩ－２）の光重合開始剤の含有量は、特に限定されず、前記樹脂又は光重合開始剤の種類に応じて適宜選択すればよい。
［添加剤、溶媒］
　帯電防止組成物（ＶＩ－２）は、前記帯電防止剤、樹脂及び光重合開始剤以外に、これらのいずれにも該当しない、充填材、着色剤、酸化防止剤、有機滑剤、触媒、軟化剤（可塑剤）等の公知の各種添加剤を含有していてもよい。
　帯電防止組成物（ＶＩ－２）が含有する前記添加剤としては、上述の粘着剤組成物（Ｉ－１）が含有する、その他の添加剤（ただし、帯電防止剤を除く）と同じものが挙げられる。
　また、帯電防止組成物（ＶＩ－２）は、その流動性を向上させるために、溶媒を含有していてもよい。
　帯電防止組成物（ＶＩ－２）が含有する、前記溶媒としては、上述の粘着剤組成物（Ｉ－１）が含有する溶媒と同じものが挙げられる。
　帯電防止組成物（ＶＩ－２）が含有する、帯電防止剤及び樹脂は、それぞれ、１種のみでもよいし、２種以上でもよく、２種以上である場合、それらの組み合わせ及び比率は任意に選択できる。
　帯電防止組成物（ＶＩ－２）の、添加剤及び溶媒の含有量は、それぞれ、特に限定されず、その種類に応じて適宜選択すればよい。
＜＜帯電防止組成物（ＶＩ－２）の製造方法＞＞
　帯電防止組成物（ＶＩ－２）は、前記帯電防止剤と、前記樹脂と、必要に応じてこれら以外の成分等の、帯電防止組成物（ＶＩ－２）を構成するための各成分を配合することで得られる。
　帯電防止組成物（ＶＩ－２）は、配合成分が異なる点以外は、上述の粘着剤組成物の場合と同じ方法で製造できる。
○表面帯電防止層
　前記表面帯電防止層は、ダイボンディングシートにおけるその配置位置が、前記背面帯電防止層とは異なるが、その構成自体は、前記背面帯電防止層と同じである。例えば、表面帯電防止層は、帯電防止組成物（ＶＩ－１）を用いて、先に説明した背面帯電防止層の形成方法と同じ方法で形成できる。そこで、表面帯電防止層の詳細な説明は省略する。
　ダイボンディングシートが表面帯電防止層及び背面帯電防止層をともに備えている場合、これら表面帯電防止層及び背面帯電防止層は、互いに同一であってもよいし、異なっていてもよい。
　前記ダイボンディングシートの一実施形態としては、例えば、基材を備え、前記基材上に、粘着剤層、中間層及びフィルム状接着剤がこの順に積層されて構成されており、大きさが４．５ｍｍ×１５ｍｍである前記基材の試験片を作製し、熱機械分析装置を用いて、荷重を２ｇとして、前記試験片を温度変化させずに、前記試験片の、その温度が２３℃であるときの変位量Ｘ０を測定し、前記変位量Ｘ０を測定後の前記試験片を、昇温速度を２０℃／ｍｉｎとし、荷重を２ｇとして、その温度が７０℃になるまで昇温したときの、前記試験片の変位量の最大値Ｘ１を測定し、前記変位量Ｘ１を測定後の前記試験片を、荷重を２ｇとして、２３℃の温度条件下で放冷したときの、前記試験片の変位量の最小値Ｘ２を測定したとき、
　式（１）：（Ｘ１－Ｘ０）／１５×１００
で算出される、前記試験片の変位量の加熱時変化率が０～２％であり、
　式（２）：（Ｘ２－Ｘ１）／１５×１００
で算出される、前記試験片の変位量の放冷時変化率が－２～０％であり、
　式（３）：（Ｘ２－Ｘ０）／１５×１００
で算出される、前記試験片の変位量の総合変化率が－２～１％であり、
　前記基材は、前記基材の片面又は両面上に帯電防止層を備えているか、又は、前記基材は、帯電防止性を有しており、前記基材側の最表層の表面抵抗率が、１．０×１０１１Ω／□以下であるものが挙げられる。
　前記ダイボンディングシートの一実施形態としては、例えば、基材を備え、前記基材上に、粘着剤層、中間層及びフィルム状接着剤がこの順に積層されて構成されており、大きさが４．５ｍｍ×１５ｍｍである前記基材の試験片を作製し、熱機械分析装置を用いて、荷重を２ｇとして、前記試験片を温度変化させずに、前記試験片の、その温度が２３℃であるときの変位量Ｘ０を測定し、前記変位量Ｘ０を測定後の前記試験片を、昇温速度を２０℃／ｍｉｎとし、荷重を２ｇとして、その温度が７０℃になるまで昇温したときの、前記試験片の変位量の最大値Ｘ１を測定し、前記変位量Ｘ１を測定後の前記試験片を、荷重を２ｇとして、２３℃の温度条件下で放冷したときの、前記試験片の変位量の最小値Ｘ２を測定したとき、
　式（１）：（Ｘ１－Ｘ０）／１５×１００
で算出される、前記試験片の変位量の加熱時変化率が０～２％であり、
　式（２）：（Ｘ２－Ｘ１）／１５×１００
で算出される、前記試験片の変位量の放冷時変化率が－２～０％であり、
　式（３）：（Ｘ２－Ｘ０）／１５×１００
で算出される、前記試験片の変位量の総合変化率が－２～１％であり、
　前記基材は、前記粘着剤層側とは反対側に位置する面上に帯電防止層を備え、前記基材の最表層の表面抵抗率が１．０×１０１１Ω／□以下であるものが挙げられる。
　前記ダイボンディングシートの一実施形態としては、例えば、基材を備え、前記基材上に、粘着剤層、中間層及びフィルム状接着剤がこの順に積層されて構成されており、大きさが４．５ｍｍ×１５ｍｍである前記基材の試験片を作製し、熱機械分析装置を用いて、荷重を２ｇとして、前記試験片を温度変化させずに、前記試験片の、その温度が２３℃であるときの変位量Ｘ０を測定し、前記変位量Ｘ０を測定後の前記試験片を、昇温速度を２０℃／ｍｉｎとし、荷重を２ｇとして、その温度が７０℃になるまで昇温したときの、前記試験片の変位量の最大値Ｘ１を測定し、前記変位量Ｘ１を測定後の前記試験片を、荷重を２ｇとして、２３℃の温度条件下で放冷したときの、前記試験片の変位量の最小値Ｘ２を測定したとき、
　式（１）：（Ｘ１－Ｘ０）／１５×１００
で算出される、前記試験片の変位量の加熱時変化率が０～２％であり、
　式（２）：（Ｘ２－Ｘ１）／１５×１００
で算出される、前記試験片の変位量の放冷時変化率が－２～０％であり、
　式（３）：（Ｘ２－Ｘ０）／１５×１００
で算出される、前記試験片の変位量の総合変化率が－２～１％であり、
　前記基材は、帯電防止性を有し、前記基材の最表層の表面抵抗率が１．０×１０１１Ω／□以下であるものが挙げられる。
　前記ダイボンディングシートの一実施形態としては、例えば、基材を備え、前記基材上に、粘着剤層、中間層及びフィルム状接着剤がこの順に積層されて構成されており、大きさが４．５ｍｍ×１５ｍｍである前記基材の試験片を作製し、熱機械分析装置を用いて、荷重を２ｇとして、前記試験片を温度変化させずに、前記試験片の、その温度が２３℃であるときの変位量Ｘ０を測定し、前記変位量Ｘ０を測定後の前記試験片を、昇温速度を２０℃／ｍｉｎとし、荷重を２ｇとして、その温度が７０℃になるまで昇温したときの、前記試験片の変位量の最大値Ｘ１を測定し、前記変位量Ｘ１を測定後の前記試験片を、荷重を２ｇとして、２３℃の温度条件下で放冷したときの、前記試験片の変位量の最小値Ｘ２を測定したとき、
　式（１）：（Ｘ１－Ｘ０）／１５×１００
で算出される、前記試験片の変位量の加熱時変化率が０～２％であり、
　式（２）：（Ｘ２－Ｘ１）／１５×１００
で算出される、前記試験片の変位量の放冷時変化率が－２～０％であり、
　式（３）：（Ｘ２－Ｘ０）／１５×１００
で算出される、前記試験片の変位量の総合変化率が－２～１％であり、
　前記基材は、前記粘着剤層側に位置する面上に帯電防止層を備え、前記基材の最表層の表面抵抗率が１．０×１０１１Ω／□以下であるものが挙げられる。
◇ダイボンディングシートの製造方法
　前記ダイボンディングシートは、上述の各層を対応する位置関係となるように積層することで製造できる。各層の形成方法は、先に説明したとおりである。
　前記ダイボンディングシートは、例えば、基材、粘着剤層、中間層及びフィルム状接着剤を、それぞれあらかじめ用意しておき、これらを、基材、粘着剤層、中間層及びフィルム状接着剤の順となるように貼り合わせて積層することにより、製造できる。このとき、必要に応じて、基材及び中間層のＭＤ又はＴＤが、目的とする方向となるように、基材及び中間層の配置方向を調節する。
　また、前記ダイボンディングシートは、これを構成するための、複数の層が積層されて構成された、２種以上の中間積層体をあらかじめ作製しておき、これら中間積層体同士を貼り合わせることでも、製造できる。中間積層体の構成は、適宜任意に選択できる。例えば、基材及び粘着剤層が積層された構成を有する第１中間積層体と、中間層及びフィルム状接着剤が積層された構成を有する第２中間積層体と、をあらかじめ作製しておき、第１中間積層体中の粘着剤層と、第２中間積層体中の中間層と、を貼り合わせることで、ダイボンディングシートを製造できる。ただし、この製造方法は一例である。
　フィルム状接着剤上に剥離フィルムを備えた状態のダイボンディングシートを製造する場合には、例えば、剥離フィルム上にフィルム状接着剤を作製し、この状態を維持したまま、残りの層を積層して、ダイボンディングシートを作製してもよいし、基材、粘着剤層、中間層及びフィルム状接着剤をすべて積層した後に、フィルム状接着剤上に剥離フィルムを積層して、ダイボンディングシートを作製してもよい。剥離フィルムは、ダイボンディングシートの使用時までに、必要な段階で取り除けばよい。
　基材、粘着剤層、中間層、フィルム状接着剤及び剥離フィルム以外の別の層を備えているダイボンディングシートは、上述の製造方法において、適切なタイミングで、この別の層を形成し、積層する工程を追加して行うことで、製造できる。
◇ダイボンディングシートの使用方法（フィルム状接着剤付き半導体チップの製造方法）
　前記ダイボンディングシートは、半導体装置の製造過程において、フィルム状接着剤付き半導体チップの製造時に使用できる。
　以下、図面を参照しながら、前記ダイボンディングシートの使用方法（フィルム状接着剤付き半導体チップの製造方法）について、詳細に説明する。
　図３は、ダイボンディングシートの使用対象である半導体チップの製造方法を模式的に説明するための断面図である。図４は、前記ダイボンディングシートの使用方法を模式的に説明するための断面図である。ここでは、図１に示すダイボンディングシート１０１を例に挙げて、その使用方法について説明する。
　まず、ダイボンディングシート１０１の使用に先立ち、図３Ａに示すように、半導体ウエハ９’を用意し、その回路形成面９ａ’に、バックグラインドテープ（表面保護テープ）８を貼付する。
　図３中、符号Ｗ９’は、半導体ウエハ９’の幅を示している。
　次いで、半導体ウエハ９’の内部に設定された焦点に集束するように、レーザー光（図示略）を照射することにより、図３Ｂに示すように、半導体ウエハ９’の内部に改質層９０’を形成する。
　前記レーザー光は、半導体ウエハ９’の裏面９ｂ’側から、半導体ウエハ９’に照射することが好ましい。
　次いで、グラインダー（図示略）を用いて、半導体ウエハ９’の裏面９ｂ’を研削する。これにより、半導体ウエハ９’の厚さを目的とする値に調節するとともに、このときの半導体ウエハ９’に加えられる研削時の力を利用することによって、改質層９０’の形成部位において、半導体ウエハ９’を分割し、図３Ｃに示すように、複数個の半導体チップ９を形成する。
　図３中、符号９ａは、半導体チップ９の回路形成面を示しており、半導体ウエハ９’の回路形成面９ａ’に対応している。また、符号９ｂは、半導体チップ９の裏面を示しており、半導体ウエハ９’の研削後の裏面９ｂ’に対応している。
　以上により、ダイボンディングシート１０１の使用対象である半導体チップ９が得られる。より具体的には、本工程により、バックグラインドテープ８上で複数個の半導体チップ９が整列して固定された状態の半導体チップ群９０１が得られる。
　半導体チップ群９０１を、その上方から見下ろして平面視したときに、半導体チップ群９０１の最も外側の部位を結んで形成される平面形状（本明細書においては、このような平面形状を単に「半導体チップ群の平面形状」と称することがある）は、半導体ウエハ９’を同様に平面視したときの平面形状と全く同じであるか、又は、これら平面形状同士の相違点は無視し得るほどに軽微であって、半導体チップ群９０１の前記平面形状は、半導体ウエハ９’の前記平面形状と概ね同じであるといえる。
　したがって、半導体チップ群９０１の前記平面形状の幅は、図３Ｃに示すように、半導体ウエハ９’の幅Ｗ９’と同じであると見做せる。そして、半導体チップ群９０１の前記平面形状の幅の最大値は、半導体ウエハ９’の幅Ｗ９’ の最大値と同じであると見做せる。
　なお、ここでは、半導体ウエハ９’から半導体チップ９を目的どおりに形成できた場合について示しているが、半導体ウエハ９’の裏面９ｂ’の研削時の条件によっては、半導体ウエハ９’の一部の領域において、半導体チップ９への分割が行われないこともある。
　次いで、上記で得られた半導体チップ９（半導体チップ群９０１）を用いて、フィルム状接着剤付き半導体チップを製造する。
　まず、図４Ａに示すように、剥離フィルム１５を取り除いた状態の、１枚のダイボンディングシート１０１を加熱しながら、その中のフィルム状接着剤１４を、半導体チップ群９０１中のすべての半導体チップ９の裏面９ｂに貼付する。
　本工程では、ダイボンディングシート１０１を用いることにより、ダイボンディングシート１０１を、加熱しながらそのフィルム状接着剤１４によって、半導体チップ９へ安定して貼付できる。
　ダイボンディングシート１０１中の中間層１３の幅Ｗ１３の最大値と、フィルム状接着剤１４の幅Ｗ１４の最大値は、いずれも、半導体ウエハ９’の幅Ｗ９’（換言すると、半導体チップ群９０１の幅）の最大値と全く同じであるか、又は、同じではないが、誤差が軽微で、ほぼ同等となっている。
　より具体的には、Ｗ９’の最大値は、Ｗ１３の最大値及びＷ１４の最大値に対して、０．８８～１．１２倍であることが好ましく、０．９～１．１倍であることがより好ましく、０．９２～１．０８倍であることが特に好ましい。すなわち、［Ｗ９’の最大値］／［Ｗ１３の最大値］の値、及び［Ｗ９’の最大値］／［Ｗ１４の最大値］の値は、いずれも、０．８８～１．１２であることが好ましく、０．９～１．１であることがより好ましく、０．９２～１．０８であることが特に好ましい。
　Ｗ１３の最大値と、幅Ｗ９’の最大値と、の差（［Ｗ１３の最大値］－［幅Ｗ９’の最大値］）は、０～１０ｍｍであることが好ましく、Ｗ１４の最大値と、Ｗ９’の最大値と、の差（［Ｗ１４の最大値］－［幅Ｗ９’の最大値］）は、０～１０ｍｍであることが好ましい。
　ダイボンディングシート１０１の貼付時の加熱温度は、特に限定されないが、ダイボンディングシート１０１の加熱貼付安定性がより向上する点から、４０～７０℃であることが好ましい。
　次いで、この固定した状態の半導体チップ群からバックグラインドテープ８を取り除く。そして、図４Ｂに示すように、ダイボンディングシート１０１を、冷却しながら、その表面（例えば、粘着剤層１２の第１面１２ａ）に対して平行な方向に引き伸ばすことにより、エキスパンドする。ここでは、ダイボンディングシート１０１のエキスパンドの方向を矢印Ｅ１で示している。このようにエキスパンドすることにより、フィルム状接着剤１４を半導体チップ９の外周に沿って切断する。
　本工程により、半導体チップ９と、その裏面９ｂに設けられた切断後のフィルム状接着剤１４０と、を備えた複数個のフィルム状接着剤付き半導体チップ９１４が、中間層１３上で整列して固定された状態の、フィルム状接着剤付き半導体チップ群９１０が得られる。
　先の説明のとおり、半導体ウエハ９’の分割時に、半導体ウエハ９’の一部の領域において、半導体チップ９への分割が行われなかった場合には、本工程を行うことにより、この領域は半導体チップへ分割される。
　ダイボンディングシート１０１は、その温度を－５～５℃としてエキスパンドすることが好ましい。ダイボンディングシート１０１を、このように冷却してエキスパンドすることにより、フィルム状接着剤１４をより容易かつ高精度に切断できる。
　ダイボンディングシート１０１のエキスパンドは、公知の方法で行うことできる。例えば、ダイボンディングシート１０１中の粘着剤層１２の第１面１２ａのうち、中間層１３及びフィルム状接着剤１４が積層されていない周縁部近傍の領域を、リングフレーム等の治具に固定した後、ダイボンディングシート１０１の中間層１３及びフィルム状接着剤１４が積層されている領域全体を、基材１１から粘着剤層１２へ向かう方向に、基材１１側から突き上げることにより、ダイボンディングシート１０１をエキスパンドできる。
　なお、図４Ｂでは、粘着剤層１２の第１面１２ａのうち、中間層１３及びフィルム状接着剤１４が積層されていない非積層領域は、中間層１３の第１面１３ａに対してほぼ平行となっているが、上述のように、ダイボンディングシート１０１の突き上げによりエキスパンドしている状態では、前記非積層領域は、粘着剤層１２の外周に近付くにしたがって、上記の突き上げの方向とは逆方向に高さが下降する傾斜面を含む。
　本工程では、中間層１３の幅Ｗ１３の最大値と、半導体ウエハ９’の幅Ｗ９’の最大値と、の差が、０～１０ｍｍである場合には、切断後のフィルム状接着剤１４０の目的外の飛散を抑制する高い効果が得られる。ここで、「切断後のフィルム状接着剤１４０の目的外の飛散」とは、切断後のフィルム状接着剤１４０のうち、元々半導体ウエハ９’に貼付されていなかったフィルム状接着剤１４の周縁部（図４では、このような周縁部の記載を省略している）に由来するものが飛散して、半導体チップ９の回路形成面９ａに付着する不具合を意味する。
　本工程では、ダイボンディングシート１０１において、引張弾性率比Ｅｉ’／Ｅｂ’が０．５以下であることで、カーフ幅が十分に広くなり、フィルム状接着剤１４の切断性が向上する。
　次いで、図４Ｃに示すように、ダイボンディングシート１０１に由来する、基材１１、粘着剤層１２及び中間層１３の積層シートを、粘着剤層１２の第１面１２ａに対して平行な方向にエキスパンドし、さらにこの状態を維持したまま、前記積層シートのうち、フィルム状接着剤付き半導体チップ９１４（フィルム状接着剤付き半導体チップ群９１０）が載っていない周縁部を加熱する。
　ここでは、前記積層シートのエキスパンドの方向を矢印Ｅ２で示している。前記積層シートのエキスパンドの方向は、上述のダイボンディングシート１０１のエキスパンドの方向と同じである。
　また、ここでは、前記積層シートのうち、加熱対象である周縁部を、矢印Ｈで示している。加熱対象である周縁部は、前記非積層領域に含まれる。
　本実施形態においては、上述のフィルム状接着剤１４の切断時におけるダイボンディングシート１０１のエキスパンドを解除してから、本工程での前記積層シートのエキスパンドを行うことが好ましい。
　本工程においては、前記積層シートを、上述のダイボンディングシート１０１の場合と同様の方法でエキスパンドできる。例えば、前記積層シート中の粘着剤層１２の第１面１２ａのうち、中間層１３が積層されていない周縁部近傍の領域を治具に固定した後、前記積層シートの中間層１３が積層されている領域全体を、基材１１から粘着剤層１２へ向かう方向に、基材１１側から突き上げることにより、前記積層シートをエキスパンドできる。
　なお、図４Ｃでは、粘着剤層１２の第１面１２ａのうち、中間層１３及びフィルム状接着剤１４が積層されていない非積層領域（矢印Ｈで示している前記周縁部を含む領域）は、中間層１３の第１面１３ａに対してほぼ平行となっているが、上述のように、前記積層シートの突き上げによりエキスパンドしている状態では、前記非積層領域は、粘着剤層１２の外周に近付くにしたがって、上記の突き上げの方向とは逆方向に高さが下降する傾斜面を含む。
　本工程では、ダイボンディングシート１０１を用いていることにより、前記周縁部を収縮させつつ、前記積層シート上においては、隣接する半導体チップ９間の距離、すなわちカーフ幅を、十分に広くかつ高い均一性で保持できる。例えば、本実施形態においては、本工程を行った後のカーフ幅を１０μｍ以上とすることが可能であり、すべてのカーフ幅を１０μｍ以上とすることも可能である。また、複数存在するカーフ幅のうち、最大値と最小値との差を１００μｍ以下とすることが可能である。
　このように、カーフ幅を十分に広くかつ高い均一性で保持することにより、後述するように、フィルム状接着剤付き半導体チップを容易にピックアップできる。
　フィルム状接着剤付き半導体チップ群９１０は、その温度を低温、例えば－１５～０℃、として、エキスパンドすることが好ましい。フィルム状接着剤付き半導体チップ群９１０を、このよう温度でエキスパンドすることにより、カーフ幅を、十分に広くかつ高い均一性で保持できる効果がより高くなる。
　フィルム状接着剤１４の切断後は、フィルム状接着剤付き半導体チップ９１４を、前記積層シート中の中間層１３から引き離して、ピックアップする。このとき、上記のようにカーフ幅が十分に広く、かつ高い均一性を有することにより、フィルム状接着剤付き半導体チップ９１４を容易にピックアップできる。フィルム状接着剤付き半導体チップ９１４は、公知の方法でピックアップできる。
　ここでは、図１に示すダイボンディングシート１０１を例に挙げて、その使用方法について説明したが、それ以外の本実施形態に係るダイボンディングシートも、同様に使用できる。その場合、必要に応じて、このダイボンディングシートと、ダイボンディングシート１０１と、の構成の相違点に基づいて、他の工程を適宜追加して使用してもよい。
　前記フィルム状接着剤付き半導体チップの製造方法で、好ましい実施形態としては、例えば、半導体チップと、前記半導体チップの裏面に設けられたフィルム状接着剤と、を備えたフィルム状接着剤付き半導体チップの製造方法であって、半導体ウエハの内部に設定された焦点に集束するように、レーザー光を照射することにより、前記半導体ウエハの内部に改質層を形成する工程と、前記改質層を形成後の前記半導体ウエハの裏面を研削するとともに、前記半導体ウエハに加えられる研削時の力を利用することにより、前記改質層の形成部位において、前記半導体ウエハを分割し、複数個の半導体チップが整列した状態の半導体チップ群を得る工程と、前記ダイボンディングシートを加熱しながら、その中のフィルム状接着剤を、前記半導体チップ群中のすべての半導体チップの裏面に貼付する工程と、前記半導体チップ群中に貼付した後の前記ダイボンディングシートを、冷却しながら、その表面に対して平行な方向に引き伸ばすことにより、前記フィルム状接着剤を前記半導体チップの外周に沿って切断し、複数個の前記フィルム状接着剤付き半導体チップが整列した状態のフィルム状接着剤付き半導体チップ群を得る工程と、前記フィルム状接着剤付き半導体チップ群を得た後の、前記ダイボンディングシートに由来する、基材、粘着剤層及び中間層の積層シートを、前記粘着剤層の表面に対して平行な方向にエキスパンドし、さらにこの状態を維持したまま、前記積層シートのうち、前記フィルム状接着剤付き半導体チップが載っていない周縁部を加熱する工程と、前記周縁部を加熱した後の、前記積層シート中の前記中間層から、前記フィルム状接着剤付き半導体チップを引き離して、ピックアップする工程と、を有し、前記中間層の幅の最大値と、前記半導体ウエハの幅の最大値と、の差を、０～１０ｍｍとするものが挙げられる。
　以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施例に、何ら限定されるものではない。
＜＜接着剤組成物の製造原料＞＞
　接着剤組成物の製造に用いた原料を以下に示す。
［重合体成分（ａ）］
　（ａ）－１：アクリル酸メチル（９５質量部）及びアクリル酸－２－ヒドロキシエチル（５質量部）を共重合してなるアクリル樹脂（重量平均分子量８０００００、ガラス転移温度９℃）。
［エポキシ樹脂（ｂ１）］
　（ｂ１）－１：アクリロイル基が付加されたクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製「ＣＮＡ１４７」、エポキシ当量５１８ｇ／ｅｑ、数平均分子量２１００、不飽和基含有量はエポキシ基と等量）
［熱硬化剤（ｂ２）］
　（ｂ２）－１：アラルキル型フェノール樹脂（三井化学社製「ミレックスＸＬＣ－４Ｌ」、数平均分子量１１００、軟化点６３℃）
［充填材（ｄ）］
　（ｄ）－１：球状シリカ（アドマテックス社製「ＹＡ０５０Ｃ－ＭＪＥ」、平均粒径５０ｎｍ、メタクリルシラン処理品）
［カップリング剤（ｅ）］
　（ｅ）－１：シランカップリング剤、３－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン（信越シリコーン社製「ＫＢＥ－４０２」）
［架橋剤（ｆ）］
　（ｆ）－１：トリレンジイソシアナート系架橋剤（東ソー社製「コロネートＬ」）
［帯電防止組成物（ａｓ）］
　（ａｓ）－１：ポリピロールを反応性乳化剤によって乳化し、有機溶媒に溶解させて得られたポリピロール溶液。
　（ａｓ）－２：出光興産社製「ＵＶＨ５１５」
［実施例１］
＜＜ダイボンディングシートの製造＞＞
＜基材の製造＞
　押出機を用いて、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ、住友化学社製「スミカセンＬ７０５」）を溶融させ、Ｔダイ法により溶融物を押し出し、冷却ロールを用いて押し出し物を２軸で延伸することにより、ＬＤＰＥ製の基材（厚さ１１０μｍ）を得た。
＜中間層の作製＞
　押出機を用いて、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ、東ソー社製「ウルトラセン６３６」）を溶融させ、Ｔダイ法により溶融物を押し出し、冷却ロールを用いて押し出し物を２軸で延伸し、さらに一部を切り出すことにより、平面形状が円形（直径３０５ｍｍ）のＥＶＡ製の中間層（厚さ８０μｍ）を得た。
＜粘着剤層の作製＞
　粘着性樹脂（Ｉ－１ａ）としてアクリル樹脂（トーヨーケム社製「オリバインＢＰＳ　６３６７Ｘ」）（１００質量部）と、架橋剤（トーヨーケム社製「ＢＸＸ　５６４０」）（１質量部）と、を含有する非エネルギー線硬化性の粘着剤組成物を製造した。
　次いで、ポリエチレンテレフタレート製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理された剥離フィルムを用い、その前記剥離処理面に、上記で得られた粘着剤組成物を塗工し、１００℃で２分、加熱乾燥させることにより、非エネルギー線硬化性の粘着剤層（厚さ１０μｍ）を作製した。
＜フィルム状接着剤の作製＞
　重合体成分（ａ）－１（１００質量部）、エポキシ樹脂（ｂ１）－１（１０質量部）、熱硬化剤（ｂ２）－１（１．５質量部）、充填材（ｄ）－１（７５質量部）、カップリング剤（ｅ）－１（０．５質量部）、及び架橋剤（ｆ）－１（０．５質量部）を含有する熱硬化性の接着剤組成物を製造した。
　次いで、ポリエチレンテレフタレート製フィルムの片面がシリコーン処理により剥離処理された剥離フィルムを用い、その前記剥離処理面に、上記で得られた接着剤組成物を塗工し、８０℃で２分、加熱乾燥させ、さらに一部を切り出すことにより、平面形状が円形（直径３０５ｍｍ）の、熱硬化性のフィルム状接着剤（厚さ７μｍ）を作製した。
＜ダイボンディングシートの製造＞
　上記で得られた粘着剤層の、剥離フィルムを備えている側とは反対側の露出面を、上記で得られた基材の一方の表面と貼り合わせた。
　上記で得られたフィルム状接着剤の、剥離フィルムを備えている側とは反対側の露出面を、上記で得られた中間層の一方の表面と貼り合わせた。このとき、フィルム状接着剤と中間層を、同心状に配置した。
　次いで、このようにして得られた、剥離フィルム、粘着剤層及び基材の積層物（先に説明した、剥離フィルム付きの第１中間積層体に相当）から、剥離フィルムを取り除き、新たに生じた粘着剤層の露出面を、剥離フィルム、フィルム状接着剤及び中間層の積層物（先に説明した、剥離フィルム付きの第２中間積層体に相当）における中間層の露出面と貼り合わせた。このとき、基材のＭＤと、中間層のＭＤと、が一致する（換言すると、基材のＴＤと、中間層のＴＤと、が一致する）ように、基材と中間層の配置方向を調節した。
　以上により、基材（厚さ１１０μｍ）、粘着剤層（厚さ１０μｍ）、中間層（厚さ８０μｍ）、フィルム状接着剤（厚さ２０μｍ）及び剥離フィルムがこの順に、これらの厚さ方向において積層されて構成された、剥離フィルム付きのダイボンディングシートを得た。
＜＜フィルム状接着剤付き半導体チップの製造＞＞
　平面形状が円形で、その直径が３００ｍｍであり、厚さが７７５μｍである半導体ウエハを用い、その回路形成面にバックグラインドテープ（リンテック社製「Ａｄｗｉｌｌ　Ｅ－３１００ＴＮ」）を貼付した。
　次いで、レーザー光照射装置（ディスコ社製「ＤＦＬ７３１６１」）を用い、この半導体ウエハの内部に設定された焦点に集束するように、レーザー光を照射することにより、半導体ウエハの内部に改質層を形成した。このとき、前記焦点は、この半導体ウエハから大きさが８ｍｍ×８ｍｍである半導体チップが多数得られるように設定した。また、レーザー光は、半導体ウエハの裏面側から、半導体ウエハ９に照射した。
　次いで、グラインダーを用いて、半導体ウエハの裏面を研削することにより、半導体ウエハの厚さを３０μｍにするとともに、このときの半導体ウエハに加えられる研削時の力を利用することによって、改質層の形成部位において、半導体ウエハを分割し、複数個の半導体チップを形成した。これにより、バックグラインドテープ上で複数個の半導体チップが整列して固定された状態の半導体チップ群を得た。
　次いで、テープマウンター（リンテック社製「Ａｄｗｉｌｌ　ＲＡＤ２５００」）を用いて、上記で得られた１枚のダイボンディングシートを６０℃に加熱しながら、その中のフィルム状接着剤を、すべての前記半導体チップ（半導体チップ群）の裏面に貼付した。
　次いで、この半導体チップ群へ貼付後のダイボンディングシート中の粘着剤層のうち、前記非積層領域に含まれる周縁部を、リングフレームに貼付することにより、回路形成面にバックグラインドテープを備え、裏面にダイボンディングシートを備えた半導体チップ群を固定した。
　次いで、この固定した状態の半導体チップ群からバックグラインドテープを取り除いた。そして、全自動ダイセパレーター（ディスコ社製「ＤＤＳ２３００」)を用いて、０℃の環境下で、ダイボンディングシートを冷却しながら、その表面に対して平行な方向にエキスパンドすることにより、フィルム状接着剤を半導体チップの外周に沿って切断した。このとき、ダイボンディングシートの周縁部を固定し、ダイボンディングシートの中間層及びフィルム状接着剤が積層されている領域全体を、その基材側から１５ｍｍの高さだけ突き上げることにより、エキスパンドした。
　これにより、半導体チップと、その裏面に設けられた切断後のフィルム状接着剤と、を備えた複数個のフィルム状接着剤付き半導体チップが、中間層上で整列して固定された状態の、フィルム状接着剤付き半導体チップ群を得た。
　次いで、上述のダイボンディングシートのエキスパンドを一度解除した後、常温下で、基材、粘着剤層及び中間層が積層されて構成された積層シートを、粘着剤層の第１面に対して平行な方向にエキスパンドした。さらに、このエキスパンドした状態を維持したまま、前記積層シートのうち、フィルム状接着剤付き半導体チップが載っていない周縁部を加熱した。これにより、前記周縁部を収縮させつつ、前記積層シート上においては、隣接する半導体チップ間のカーフ幅を一定値以上に保持した。
＜＜基材の評価＞＞
＜変位量の加熱時変化率、放冷時変化率及び総合変化率の算出＞
　上記で得られた基材について、熱機械分析装置（ブルカー・エイエックスエス社製「ＴＭＡ４０００ＳＡ」を用いて、以下に示す手順で熱機械分析（ＴＭＡ）を行った。
　すなわち、まず、基材を４．５ｍｍ×１５ｍｍの大きさに切断することにより、試験片を作製した。
　次いで、この試験片を前記熱機械分析装置に設置して、試験片に加える荷重を２ｇとして、この試験片の温度を変化させずに、ＴＭＡを行うことによって、試験片の温度が２３℃であるときのＭＤにおける変位量Ｘ０を測定した。昇温速度を２０℃／ｍｉｎとし、荷重を２ｇとして、この変位量Ｘ０を測定後の試験片を、その温度が７０℃になるまで昇温し、この昇温終了時までの間、ＴＭＡを行うことによって、この間の試験片のＭＤにおける変位量の最大値Ｘ１を測定した。荷重を２ｇとして、この変位量Ｘ１を測定後の試験片を、２３℃の温度条件下で放冷し、この放冷終了時までの間、ＴＭＡを行うことによって、この間の試験片のＭＤにおける変位量の最小値Ｘ２を測定した。
　次いで、これらＸ０、Ｘ１及びＸ２を用いて、前記式（１）、（２）及び（３）により、試験片のＭＤにおける変位量の加熱時変化率、放冷時変化率及び総合変化率を算出した。
　さらに、試験片のＴＤにおいても同様に、変位量の加熱時変化率、放冷時変化率及び総合変化率を算出した。
　結果を表１に示す。
＜引張弾性率Ｅｂ’の測定＞
　上記で得られた基材から、幅が１５ｍｍである試験片を切り出した。
　次いで、試験機の試験片の設置箇所の温度を、あらかじめ０℃に維持しておき、ここへ前記試験片を設置した。
　次いで、チャック間距離を１００ｍｍとし、温度を０℃のままとし、テンシロンを用いて、引張速度を２００ｍｍ／ｍｉｎとして試験片を引っ張り、弾性変形領域における、０℃の試験片のＭＤの引張弾性率Ｅｂ’を測定した。
　さらに、０℃の試験片のＴＤにおいても同様に、引張弾性率Ｅｂ’を測定した。
　結果を表１に示す。
＜＜中間層の評価＞＞
＜引張弾性率Ｅｉ’の測定＞
　上記で得られた中間層から、幅が１５ｍｍである試験片を切り出した。
　次いで、この中間層の試験片について、上述の基材の試験片の場合と同じ方法で、０℃でのＭＤとＴＤにおける引張弾性率Ｅｉ’を測定した。
　結果を表１に示す。
＜＜引張弾性率比Ｅｉ’／Ｅｂ’の算出＞＞
　上記で得られた引張弾性率Ｅｂ’及び引張弾性率Ｅｉ’の測定値を用いて、引張弾性率比Ｅｉ’／Ｅｂ’を、基材及び中間層のＭＤと、基材及び中間層のＴＤと、の両方向において算出した。
　結果を表１に示す。
＜＜ダイボンディングシートの評価＞＞
＜ダイボンディングシートの加熱貼付適性＞
　上述のフィルム状接着剤付き半導体チップの製造時において、ダイボンディングシートを６０℃に加熱しながら、その中のフィルム状接着剤を半導体チップの裏面に貼付した後、粘着剤層の周縁部（非積層領域）をリングフレームに貼付する前の段階で、デジタル顕微鏡（キーエンス社製「ＶＨ－Ｚ１００」）を用いて、ダイボンディングシートの半導体チップへの貼付状態を確認した。そして、下記基準に従って、ダイボンディングシートの加熱貼付適性を評価した。
　結果を表１に示す。
（評価基準）
　Ａ：ダイボンディングシートの剥がれが認められる半導体チップが、存在しない。
　Ｂ：ダイボンディングシートの剥がれが認められる半導体チップが、１個以上存在する。
＜フィルム状接着剤の切断性＞
　上述のフィルム状接着剤付き半導体チップの製造時において、デジタル顕微鏡（キーエンス社製「ＶＨ－Ｚ１００」）を用いて、得られたフィルム状接着剤付き半導体チップ群を、その半導体チップ側の上方から観察した。そして、ダイボンディングシートのエキスパンドによって、フィルム状接着剤が正常に切断されたと仮定した場合に形成されているはずの、中間層のＭＤに伸びる複数本のフィルム状接着剤の切断線と、中間層のＴＤに伸びる複数本のフィルム状接着剤の切断線と、のうち、実際には形成されていない切断線、及び、形成が不完全である切断線、の本数を確認し、下記評価基準に従って、フィルム状接着剤の切断性を評価した。結果を表１に示す。
（評価基準）
　Ａ：実際には形成されていないフィルム状接着剤の切断線、及び、形成が不完全であるフィルム状接着剤の切断線、の合計本数が、５本以下である。
　Ｂ：実際には形成されていないフィルム状接着剤の切断線、及び、形成が不完全であるフィルム状接着剤の切断線、の合計本数が、６本以上である。
＜フィルム状接着剤の飛散抑制性＞
　上述のフィルム状接着剤の切断性の評価時に、フィルム状接着剤付き半導体チップ群を、その半導体チップ側の上方から目視観察した。そして、半導体チップの回路形成面において、飛散した切断後のフィルム状接着剤の付着の有無を確認し、下記評価基準に従って、フィルム状接着剤の飛散抑制性を評価した。結果を表１に示す。
（評価基準）
　Ａ：回路形成面にフィルム状接着剤の付着が認められる半導体チップの個数が０個である。
　Ｂ：回路形成面にフィルム状接着剤の付着が認められる半導体チップの個数が１個以上である。
＜カーフ保持性＞
　上述のフィルム状接着剤付き半導体チップの製造時において、常温下で前記積層シートをエキスパンドし、前記積層シートの周縁部を加熱した後、下記方法によってカーフ保持性を評価した。
　すなわち、ダイボンディングシートのエキスパンドによって、フィルム状接着剤が正常に切断されたと仮定した場合には、エキスパンド後のフィルム状接着剤付き半導体チップ群には、中間層のＭＤに伸びる複数本のカーフと、中間層のＴＤに伸びる複数本のカーフと、によって、カーフが網目状に形成される。中間層のＭＤに伸びるカーフと、中間層のＴＤに伸びるカーフと、の交差部位（換言すると直交部位）のうち、分割前のシリコンウエハのほぼ中心部に相当する中央の交差部位（本明細書においては、「第１の交差部位」と称することもある）と、分割前のシリコンウエハの外周に位置が最も近く、かつ中間層のＴＤにおいて前記中央の交差部位（第１の交差部位）と同じ位置にある２箇所の交差部位（本明細書においては、それぞれ「第２の交差部位」、「第４の交差部位」と称することもある）と、分割前のシリコンウエハの外周に位置が最も近く、かつ中間層のＭＤにおいて前記中央の交差部位（第１の交差部位）と同じ位置にある２箇所の交差部位（本明細書においては、それぞれ「第３の交差部位」、「第５の交差部位」と称することもある）と、の合計５箇所において、デジタル顕微鏡（キーエンス社製「ＶＨ－Ｚ１００」）を用いて、フィルム状接着剤付き半導体チップ群の半導体チップ側の上方から、中間層のＭＤ及びＴＤのそれぞれのカーフ幅を測定した。すなわち、交差部位１箇所につき、カーフ幅の測定値は、前記ＭＤ及びＴＤそれぞれ１個ずつ、合計２個とし、カーフ幅の測定値の総数を、交差部位５箇所合計で１０個とした。
　図５に、このときのカーフ幅の測定箇所を示す。図５中、符号７は半導体チップを示し、符号７９ａは中間層のＭＤに伸びるカーフを示し、符号７９ｂは中間層のＴＤに伸びるカーフを示している。使用したダイボンディングシートが図１に示すものである場合、これらカーフ７９ａ及びカーフ７９ｂにおいては、中間層１３の第１面１３ａが露出する。そして、符号Ｗａ１、Ｗａ２、Ｗａ３、Ｗａ４及びＷａ５は、いずれも中間層のＭＤに伸びるカーフの幅（換言すると、前記交差部位における、ＴＤのカーフ幅）を示し、符号Ｗｂ１、Ｗｂ２、Ｗｂ３、Ｗｂ４及びＷｂ５は、いずれも中間層のＴＤに伸びるカーフの幅（換言すると、前記交差部位における、ＭＤのカーフ幅）を示している。カーフ幅Ｗａ１及びＷｂ１を測定する交差部位が前記第１の交差部位である。また、カーフ幅Ｗａ２及びＷｂ２を測定する交差部位が前記第２の交差部位であり、カーフ幅Ｗａ４及びＷｂ４を測定する交差部位が前記第４の交差部位である。また、カーフ幅Ｗａ３及びＷｂ３を測定する交差部位が前記第３の交差部位であり、カーフ幅Ｗａ５及びＷｂ５を測定する交差部位が前記第５の交差部位である。
　なお、図５は、カーフ幅の測定箇所を説明するために、フィルム状接着剤付き半導体チップ群を模式的に示す平面図であり、ここでは、カーフ幅がどこでも一定である場合を示しているが、これは例示に過ぎない。同一のフィルム状接着剤付き半導体チップ群においても、カーフの位置によって、カーフ幅は変化し得るし、また、実施例及び比較例ごとに、フィルム状接着剤付き半導体チップ群における同じ位置のカーフであっても、カーフ幅は変化し得る。
　そして、上述の１０個のカーフ幅の測定値から、下記評価基準に従って、カーフ保持性を評価した。結果を表１に示す。
（評価基準）
　Ａ：カーフ幅の測定値がすべて１０μｍ以上であり、かつ、前記測定値の最大値と最小値との差が１００μｍ以下である。
　Ｂ：１個以上のカーフ幅の測定値が１０μｍ未満であるか、又は、カーフ幅の測定値がすべて１０μｍ以上であり、かつ、前記測定値の最大値と最小値との差が１００μｍを超えている。
＜表面抵抗率＞
　ダイボンディングシート中のフィルム状接着剤を１３０℃で２時間、熱硬化させた。
　次いで、表面抵抗率計（アドバンテスト社製「Ｒ１２７０４　Ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ　ｃｈａｍｂｅｒ」）を用い、印加電圧を１００Ｖとして、基材の粘着剤層側とは反対側に位置する面において、表面抵抗率を測定した。結果を、表１中の「表面抵抗率（Ω／□）」の欄に示す。
＜フィルム状接着剤付き半導体チップ、中間層間の浮き＞
　全自動ダイセパレーター（ディスコ社製「ＤＤＳ２３００」）のプロセス後に得られたフィルム状接着剤付き半導体チップ群を、基材側（非半導体チップ側）から目視にて観察し、フィルム状接着剤付き半導体チップが中間層から浮いているか否かについて確認した。
（評価基準）
　Ａ：フィルム状接着剤付き半導体チップの浮きの発生なし
　Ｂ：フィルム状接着剤付き半導体チップ１００個中数個程度、わずかに浮きが発生
［実施例２］
＜＜ダイボンディングシートの製造、フィルム状接着剤付き半導体チップの製造、基材の評価、中間層の評価、及びダイボンディングシートの評価＞＞
　中間層の直径を３０５ｍｍに代えて３１０ｍｍとした点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、ダイボンディングシート及びフィルム状接着剤付き半導体チップを製造し、基材、中間層及びダイボンディングシートを評価した。結果を表１に示す。
［実施例３］
＜＜ダイボンディングシートの製造、フィルム状接着剤付き半導体チップの製造、基材の評価、中間層の評価、及びダイボンディングシートの評価＞＞
　中間層の直径を３０５ｍｍに代えて３２０ｍｍとした点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、ダイボンディングシート及びフィルム状接着剤付き半導体チップを製造し、基材、中間層及びダイボンディングシートを評価した。結果を表１に示す。
［実施例４］
＜＜ダイボンディングシートの製造＞＞
＜基材の製造＞
　実施例１で得られた基材の、粘着剤層側とは反対側に位置する面に前記帯電防止組成物（ａｓ）－１を塗布し、１００℃で２分乾燥させることにより、前記基材上に、厚さ７５ｎｍの背面帯電防止層（ＡＳ１）が形成された基材を製造した。
　ＬＤＰＥ製基材に代えて、上記で得られた背面帯電防止層（ＡＳ１）が形成された基材を用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、帯電防止層、基材、粘着剤層、中間層、フィルム状接着剤及び剥離フィルムがこの順に、これらの厚さ方向において積層されて構成された、剥離フィルム付きのダイボンディングシートを作製した。
＜＜フィルム状接着剤付き半導体チップの製造＞＞
　得られたダイボンディングシートを用いて、実施例１の場合と同じ方法で、フィルム状接着剤付き半導体チップを製造した。
＜＜基材の評価、中間層の評価、及びダイボンディングシートの評価＞＞
　実施例１の場合と同じ方法で、基材、中間層及びダイボンディングシートを評価した。結果を表１に示す。
［実施例５］
＜基材の製造＞
　帯電防止組成物（ａｓ）－１に代えて、前記帯電防止組成物（ａｓ）－２を用いて厚さ１７０ｎｍの背面帯電防止層（ＡＳ２）が形成された基材を製造した。
　この基材を用いて、実施例４の場合と同じ方法で、剥離フィルム付きのダイボンディングシートを作製した。
＜＜フィルム状接着剤付き半導体チップの製造＞＞
　得られたダイボンディングシートを用いて、実施例４の場合と同じ方法で、フィルム状接着剤付き半導体チップを製造した。
＜＜基材の評価、中間層の評価、及びダイボンディングシートの評価＞＞
　実施例１の場合と同じ方法で、基材、中間層及びダイボンディングシートを評価した。結果を表２に示す。
［実施例６］
＜＜ダイボンディングシートの製造＞＞
＜帯電防止性基材の製造＞
　ウレタンアクリレート樹脂及び光重合開始剤を含有し、ウレタンアクリレート樹脂の含有量に対する光重合開始剤の含有量の割合が３．０質量％である組成物に対して、帯電防止剤としてホスホニウム系イオン液体（ホスホニウム塩からなるイオン液体）を配合し、撹拌することにより、エネルギー線硬化性の帯電防止組成物を得た。このとき、帯電防止組成物において、帯電防止剤及びウレタンアクリレート樹脂の合計含有量に対する、帯電防止剤の含有量の割合は、９．０質量％とした。
　次いで、ファウンテンダイ方式により、上記で得られた帯電防止組成物をポリエチレンテレフタレート製の工程フィルム（東レ社製「ルミラーＴ６０　ＰＥＴ　５０　Ｔ－６０　トウレ」、　厚さ５０μｍ品）上に塗布し、厚さ８０μｍの塗膜を形成した。そして、紫外線照射装置（アイグラフィクス社製「ＥＣＳ－４０１ＧＸ」）を用い、高圧水銀ランプ（アイグラフィクス社製「Ｈ０４－Ｌ４１」）を用いて、紫外線硬化させて、帯電防止剤及びウレタンアクリレート樹脂から形成された帯電防止性基材を得た。
　ＬＤＰＥ製基材に代えて、上記で得られた帯電防止性基材を用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、剥離フィルム付きのダイボンディングシートを作製した。
＜＜フィルム状接着剤付き半導体チップの製造＞＞
　得られたダイボンディングシートを用いて、実施例１の場合と同じ方法で、フィルム状接着剤付き半導体チップを製造した。
＜＜基材の評価、中間層の評価、及びダイボンディングシートの評価＞＞
　実施例１の場合と同じ方法で、基材、中間層及びダイボンディングシートを評価した。結果を表２に示す。
［比較例１］
＜＜ダイボンディングシートの製造＞＞
＜基材の製造＞
　押出機を用いて、ポリプロピレン（ＰＰ、プライムポリマー社製「プライムポリプロＦ－７４４ＮＰ」）を溶融させ、Ｔダイ法により溶融物を押し出し、冷却ロールを用いて押し出し物を２軸で延伸することにより、ＰＰ製の基材（厚さ５０μｍ）を得た。
＜＜フィルム状接着剤付き半導体チップの製造＞＞
　ＬＤＰＥ製基材に代えて、上記で得られたＰＰ製基材を用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、ダイボンディングシート及びフィルム状接着剤付き半導体チップを製造した。
＜＜基材の評価、及びダイボンディングシートの評価＞＞
　上記で得られた基材及びダイボンディングシートについて、実施例１の場合と同じ方法で評価した。結果を表２に示す。
［比較例２］
＜＜ダイボンディングシートの製造＞＞
＜基材の製造＞
　押出機を用いて、エチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ、東ソー社製「ウルトラセン６３６」）を溶融させ、Ｔダイ法により溶融物を押し出し、冷却ロールを用いて押し出し物を２軸で延伸することにより、ＥＶＡ製の基材（厚さ１２０μｍ）を得た。
＜＜フィルム状接着剤付き半導体チップの製造＞＞
　ＬＤＰＥ製基材に代えて、上記で得られたＥＶＡ製基材を用いた点以外は、実施例１の場合と同じ方法で、ダイボンディングシート及びフィルム状接着剤付き半導体チップを製造した。
＜＜基材の評価、及びダイボンディングシートの評価＞＞
　上記で得られた基材及びダイボンディングシートについて、実施例１の場合と同じ方法で評価した。結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　上記結果から明らかなように、実施例１～６においては、ダイボンディングシートの加熱貼付適性及びカーフ保持性がいずれも良好であった。
　実施例１～５においては、基材（試験片）の変位量の加熱時変化率が、ＭＤにおいては０．８％であり、ＴＤにおいては０．７％であった。実施例６においては、基材（試験片）の変位量の加熱時変化率が、ＭＤ及びＴＤのいずれにおいても、０．８％であった。
　実施例１～５においては、基材（試験片）の変位量の放冷時変化率が、ＭＤ及びＴＤのいずれにおいても、－１．９％であった。実施例６においては、基材（試験片）の変位量の放冷時変化率が、ＭＤ及びＴＤのいずれにおいても、－１．８％であった。
　実施例１～５においては、基材（試験片）の変位量の総合変化率が、ＭＤにおいては－１．１％であり、ＴＤにおいては－１．２％であった。実施例６においては、基材（試験片）の変位量の総合変化率が、ＭＤ及びＴＤのいずれにおいても、－１．０％であった。
　なお、実施例１～６においては、さらに、ダイボンディングシート中のフィルム状接着剤の切断性が良好であった。
　実施例１～５においては、Ｅｂ’が、ＭＤにおいては９０ＭＰａであり、ＴＤにおいては１０４ＭＰａであった。また、Ｅｉ’が、ＭＤにおいては２５ＭＰａであり、ＴＤにおいては３３ＭＰａであった。その結果、Ｅｉ’／Ｅｂ’は、ＭＤにおいては０．２８であり、ＴＤにおいては０．３２であった。
　実施例６においては、Ｅｂ’が、ＭＤにおいては１００ＭＰａであり、ＴＤにおいては１００ＭＰａであった。また、Ｅｉ’が、ＭＤにおいては２５ＭＰａであり、ＴＤにおいては３３ＭＰａであった。その結果、Ｅｉ’／Ｅｂ’は、ＭＤにおいては０．２５であり、ＴＤにおいては０．３３であった。
　一方、実施例１～２、４～６においては、さらに、フィルム状接着剤の飛散抑制性が良好であったが、実施例３においては、フィルム状接着剤の飛散抑制性が、実施例１～２、４～６の場合よりも劣っていた。
　実施例１～２においては、中間層の直径と半導体ウエハの直径との差が１０ｍｍ以下（５～１０ｍｍ）であるが、実施例３においては、前記差が１０ｍｍよりも大きかった（２０ｍｍであった）。
　これに対して、比較例１においては、ダイボンディングシートの加熱貼付適性が劣っていた。
　比較例１においては、基材（試験片）の変位量の加熱時変化率が、ＴＤにおいては２．９％であった。
　比較例１においては、基材（試験片）の変位量の総合変化率が、ＴＤにおいては１．５％であった。
　比較例２においては、基材（試験片）の変位量の放冷時変化率が、ＭＤにおいては、－２．８％であった。
　比較例２においては、基材（試験片）の変位量の総合変化率が、ＭＤにおいては、－２．６％であった。
　また、比較例２においては、さらに、ダイボンディングシート中のフィルム状接着剤の切断性も劣っていた。
　比較例２においては、Ｅｂ’が、ＭＤにおいては２５ＭＰａであり、ＴＤにおいては３３ＭＰａであった。また、Ｅｉ’が、ＭＤにおいては２５ＭＰａであり、ＴＤにおいては３３ＭＰａであった。その結果、Ｅｉ’／Ｅｂ’は、ＭＤ及びＴＤのいずれにおいても、１．００であった。
　実施例４～６においては、基材として、背面帯電防止層が形成された基材又は帯電防止性基材を用いたため、表面抵抗率が１．０×１０１１Ω／□以下であった。
　これに対して、実施例１～３、比較例１、２においては、基材として、背面帯電防止層が形成された基材又は帯電防止性基材を用いなかったため、表面抵抗率が１．０×１０１１Ω／□より大きかった。
　帯電防止性が付与されていない実施例１～３、比較例１、２は、全自動ダイセパレーター（ディスコ社製「ＤＤＳ２３００」）のプロセスにおいて、テーブルとダイボンディングシートの間に、静電気等の影響により異物が混入し、異物がある部分とない部分で段差が生じ、フィルム状接着剤付き半導体チップが中間層から剥離するきっかけが発生し、局所的にチップ浮きが発生し、その結果、最終的にチップ飛散が発生した。
　これに対して、帯電防止性が付与された実施例４～６においては、テーブルとダイボンディングシートの間に異物が混入しづらく、チップ浮きが発生しなかった。
　本発明は、半導体装置の製造に利用可能である。
　１０１・・・ダイボンディングシート、１１・・・基材、１２・・・粘着剤層、１３・・・中間層、１４・・・フィルム状接着剤、Ｗ１３・・・中間層の幅、Ｗ１４・・・フィルム状接着剤の幅

Claims (4)

  1. 　基材を備え、前記基材上に、粘着剤層、中間層及びフィルム状接着剤がこの順に積層されて構成されており、
    　大きさが４．５ｍｍ×１５ｍｍである前記基材の試験片を作製し、熱機械分析装置を用いて、荷重を２ｇとして、前記試験片を温度変化させずに、前記試験片の、その温度が２３℃であるときの変位量Ｘ０を測定し、前記変位量Ｘ０を測定後の前記試験片を、昇温速度を２０℃／ｍｉｎとし、荷重を２ｇとして、その温度が７０℃になるまで昇温したときの、前記試験片の変位量の最大値Ｘ１を測定し、前記変位量Ｘ１を測定後の前記試験片を、荷重を２ｇとして、２３℃の温度条件下で放冷したときの、前記試験片の変位量の最小値Ｘ２を測定したとき、
    　式（１）：（Ｘ１－Ｘ０）／１５×１００
    で算出される、前記試験片の変位量の加熱時変化率が０～２％であり、
    　式（２）：（Ｘ２－Ｘ１）／１５×１００
    で算出される、前記試験片の変位量の放冷時変化率が－２～０％であり、
    　式（３）：（Ｘ２－Ｘ０）／１５×１００
    で算出される、前記試験片の変位量の総合変化率が－２～１％である、ダイボンディングシート。
  2. 　前記中間層の幅の最大値が、１５０～１６０ｍｍ、２００～２１０ｍｍ、又は３００～３１０ｍｍである、請求項１に記載のダイボンディングシート。
  3. 　［前記中間層の０℃における引張弾性率］／［前記基材の０℃における引張弾性率］の値が０．５以下である、請求項１又は２に記載のダイボンディングシート。
  4. 　半導体チップと、前記半導体チップの裏面に設けられたフィルム状接着剤と、を備えたフィルム状接着剤付き半導体チップの製造方法であって、
    　半導体ウエハの内部に設定された焦点に集束するように、レーザー光を照射することにより、前記半導体ウエハの内部に改質層を形成する工程と、
    　前記改質層を形成後の前記半導体ウエハの裏面を研削するとともに、前記半導体ウエハに加えられる研削時の力を利用することにより、前記改質層の形成部位において、前記半導体ウエハを分割し、複数個の半導体チップが整列した状態の半導体チップ群を得る工程と、
    　請求項１～３のいずれか一項に記載のダイボンディングシートを加熱しながら、その中のフィルム状接着剤を、前記半導体チップ群中のすべての半導体チップの裏面に貼付する工程と、
    　前記半導体チップ群中に貼付した後の前記ダイボンディングシートを、冷却しながら、その表面に対して平行な方向に引き伸ばすことにより、前記フィルム状接着剤を前記半導体チップの外周に沿って切断し、複数個の前記フィルム状接着剤付き半導体チップが整列した状態のフィルム状接着剤付き半導体チップ群を得る工程と、
    　前記フィルム状接着剤付き半導体チップ群を得た後の、前記ダイボンディングシートに由来する、基材、粘着剤層及び中間層の積層シートを、前記粘着剤層の表面に対して平行な方向にエキスパンドし、さらにこの状態を維持したまま、前記積層シートのうち、前記フィルム状接着剤付き半導体チップが載っていない周縁部を加熱する工程と、
    　前記周縁部を加熱した後の、前記積層シート中の前記中間層から、前記フィルム状接着剤付き半導体チップを引き離して、ピックアップする工程と、を有し、
    　前記中間層の幅の最大値と、前記半導体ウエハの幅の最大値と、の差を、０～１０ｍｍとする、フィルム状接着剤付き半導体チップの製造方法。
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