WO2020179057A1 - 半導体チップ製造装置および半導体チップ製造方法 - Google Patents

半導体チップ製造装置および半導体チップ製造方法 Download PDF

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semiconductor
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哲也 上辻
歩 淵田
鈴木　正人
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三菱電機株式会社
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    • H01S5/4025—Array arrangements, e.g. constituted by discrete laser diodes or laser bar

Definitions

  • the present application relates to a semiconductor chip manufacturing apparatus and a semiconductor chip manufacturing method.
  • a semiconductor wafer When a semiconductor wafer is divided into semiconductor chips as functional elements, it can be divided into three processes, that is, a semiconductor wafer attaching process, a dividing process, and an expanding process, and each process has an important role. (See, for example, Patent Documents 1 to 3).
  • the step of attaching the semiconductor wafer is a step of attaching the semiconductor wafer to the adhesive sheet, but the adhesive sheet not only simply holds the semiconductor wafer, but also holds the semiconductor chips after the semiconductor wafer is divided. Therefore, the pressure sensitive adhesive sheet is important, and the pressure sensitive adhesive sheet should be checked for contamination of the surface of the semiconductor chip pasted by the pressure sensitive adhesive sheet material, influence on the division quality, whether the semiconductor chip is properly held and easily picked up. Is selected.
  • the division process will be described. If the split section of the semiconductor wafer does not require smoothness, scribe on the semiconductor wafer with a diamond tool along the line you want to split (usually the semiconductor wafer has visible boundaries). By introducing a wire, a microcrack is formed in the direction along the scribe line. Next, a stress is applied so that the microcracks are opened to propagate the microcracks and separate the semiconductor wafer. In the following, this method will be referred to as the “scribe method”.
  • the scribe line is not introduced into the entire line to be divided in order to prevent chipping that occurs when the diamond tool comes into contact with the edge of the semiconductor wafer (see, for example, Patent Document 2), and the start and end points of the scribe line are , Slightly inside the edge of the semiconductor wafer.
  • the scribing method can suppress the occurrence of cracks in the semiconductor wafer because the influence of the thermal stress generated by the processing is smaller than that of the division by the rotating blade or the laser processing, and as a result, the divided laser diode ( Since a chip strength can be set to be large, this method is particularly effective in the case of a brittle semiconductor wafer material.
  • a scribe line is introduced with a diamond tool along the line to be divided and on one side or both sides of the semiconductor wafer edge ( For example, refer to Patent Document 4) to form a microcrack in the direction along the scribe line. Furthermore, since the semiconductor wafer has a cleaved surface that is easy to separate (see, for example, Patent Documents 2 and 4 to 7), the scribe line needs to be parallel to the cleaved surface direction. When stress is applied in the direction of opening a microcrack formed by scribing, the microcrack grows along the cleaved surface, forming a cleaved surface having atomic level smoothness.
  • the semiconductor wafer is divided into bar-shaped LD bars or LD chips in which LD chips having cleavage planes are lined up.
  • a semiconductor wafer having a zincblende crystal body is changed into an LD bar state in which a plurality of LD chips are connected or an LD chip state.
  • LD bar state in which a plurality of LD chips are connected
  • LD chip state foreign matter of the semiconductor generated adheres to the end surface of the LD chip, so that there is a problem that a defective appearance occurs due to the foreign matter during the visual inspection of the end surface of the LD chip.
  • the present application discloses a technique for solving the above problems, and suppresses foreign matter generated when a semiconductor wafer is divided into an LD bar state or an LD chip state from adhering to the LD chip end surface. Therefore, it is an object of the present invention to provide a semiconductor chip manufacturing apparatus and a semiconductor chip manufacturing method that reduce the occurrence of defective appearance in the appearance inspection process of the end surface of the LD chip.
  • the semiconductor chip manufacturing apparatus disclosed in the present application is A semiconductor wafer is installed inside a housing filled with a liquid, a visible marking line is formed in advance, a scribe line is engraved, and a microcrack is formed along the scribe line.
  • a semiconductor chip manufacturing apparatus for manufacturing a plurality of LD chips comprising: A blade blade that pressurizes the surface of the semiconductor wafer along a crack portion formed by the division line or the scored line of the semiconductor wafer, A pedestal for holding the semiconductor wafer on the surface opposite to the surface where the blade blade presses the semiconductor wafer, Equipped with The semiconductor wafer is divided into a plurality of LD chips by pressing the semiconductor wafer in the liquid along the cracked portions of the semiconductor wafer by the blade blade.
  • the semiconductor chip manufacturing method disclosed in the present application A method for manufacturing a semiconductor chip in which a visible marking line is formed in advance and a scribe line is engraved, and a semiconductor wafer in which microcracks are formed along the scribe line is divided to produce a plurality of LD chips.
  • the semiconductor wafer is held by a cradle inside the housing filled with the liquid, and the blade blade is arranged along the crack portion formed by the partition line or the scribe line of the semiconductor wafer.
  • the blade blade is pressed in the liquid along the cracked portion of the semiconductor wafer to divide the semiconductor wafer into a plurality of LD chips.
  • the semiconductor chip manufacturing apparatus or the semiconductor chip manufacturing method disclosed in the present application when a semiconductor wafer is divided into the LD bar state or the LD chip state, it is possible to prevent foreign matter generated from adhering to the LD chip end surface. As a result, it is possible to reduce appearance defects in the appearance inspection process of the end surface of the LD chip.
  • FIG. 3 is a side view and a plan view showing a main part of the semiconductor chip manufacturing apparatus according to the first embodiment.
  • 3A and 3B are a side view and a plan view showing a main part of another semiconductor chip manufacturing apparatus according to the first embodiment.
  • FIG. 9 is a conceptual diagram showing an example of a semiconductor chip manufacturing apparatus according to a third embodiment.
  • FIG. 13 is a conceptual diagram showing an example of a semiconductor chip manufacturing apparatus according to a fourth embodiment.
  • the present application relates to a semiconductor chip manufacturing apparatus and a manufacturing method. More specifically, the present invention relates to a semiconductor laser device manufacturing apparatus and manufacturing method thereof. For example, when a semiconductor wafer made of a zincblende crystal is divided into a bar state in which a plurality of LD chips are connected, The present invention relates to a technique of manufacturing a semiconductor chip in which a semiconductor wafer is divided by utilizing cleavage of a crystal body by applying a force to the microcrack by using a so-called blade and starting from the microcrack formed inside the crystal body.
  • Embodiment 1 The semiconductor chip manufacturing apparatus and manufacturing method according to the first embodiment will be described below with reference to the drawings. In the following, the same or corresponding components will be denoted by the same reference numerals and the description thereof may be omitted.
  • FIG. 1 is a conceptual diagram showing an example of a semiconductor chip manufacturing apparatus according to the first embodiment for manufacturing semiconductor chips from a semiconductor wafer 5 by utilizing the cleavage of crystals.
  • the crack portion 6 is pressed by the blade blade 3 (here, a concentrated force is applied to the relevant portion. The same applies hereinafter), so that the microcracks formed inside the crystal of the semiconductor wafer 5 are the starting points.
  • a crystal is cleaved to fill a liquid (the liquid here is water 1a) when dividing the semiconductor wafer 5 into a bar in which a plurality of LD chips are connected or a single LD chip.
  • An example of the semiconductor chip manufacturing apparatus 10 covered with the housing 2 is shown.
  • the present apparatus uses a cradle 4 to pressurize the crack portion 6 with the blade blade 3 and cleaves the crystal starting from the crack portion 6 formed inside the crystal of the semiconductor wafer 5.
  • a semiconductor chip is manufactured by dividing the semiconductor wafer 5 by utilizing.
  • FIG. 2A is a side view showing a main part of the semiconductor chip manufacturing apparatus according to the first embodiment
  • FIG. 2B is a plan view showing a main part of the semiconductor chip manufacturing apparatus according to the first embodiment. Is. In these figures, one surface of the semiconductor wafer 5 is held by two pedestals 4, and the surface opposite to the one surface is pressed by the blade blade 3.
  • a scoring line 7 is engraved on the surface of the semiconductor wafer 5 held by the pedestal, and the central portion of the semiconductor wafer 5 is represented by a small circle.
  • the microcracks indicated by are formed.
  • the blade blade 3 pressurizes the semiconductor wafer 5 along the dividing line 8 formed so as to be visible from the outside of the semiconductor wafer 5 to divide the semiconductor wafer 5. By doing so, a plurality of LD chips are manufactured.
  • the semiconductor wafer 5 When the blade blade 3 pressurizes the semiconductor wafer 5, in FIG. 2A, the semiconductor wafer 5 is pressurized from the right side to the left side, that is, in FIG. 2A, in the direction of the fringe line 7. A horizontal pressure is applied to the semiconductor wafer 5 from outside.
  • the crack portion 6 is the partition line 8 shown in FIG. 2(b).
  • the semiconductor chip manufacturing apparatus may have the configuration shown in FIG. 3 in addition to the configuration shown in FIG. Therefore, next, the crack portion 6 in the case of the semiconductor chip manufacturing apparatus of the form shown in FIG. 3 will be described in detail.
  • FIG. 3A is a side view showing an essential part of another semiconductor chip manufacturing apparatus according to the first embodiment
  • FIG. 3B is an essential part of another semiconductor chip manufacturing apparatus according to the first embodiment.
  • a ruled line is formed on the surface opposite to the surface held by the cradle of the semiconductor wafer 5.
  • the writing line 7 is engraved.
  • the blade blade 3 pressurizes the semiconductor wafer 5 from the outside of the semiconductor wafer 5 along the scribe line 7 to divide the semiconductor wafer 5.
  • Manufacturing a plurality of LD chips is also different from the case of the semiconductor chip manufacturing apparatus shown in FIG.
  • the points other than the above are the same as in the case of FIG. For example, a microcrack represented by a small circle is formed in the central portion of the semiconductor wafer 5 as in the case of FIG.
  • the semiconductor wafer 5 When the blade blade 3 pressurizes the semiconductor wafer 5, in FIG. 3A, the semiconductor wafer 5 is pressurized from the left side to the right side, that is, in FIG. 3A, a lane marking 8 (not shown) (FIG. 3). 3 (b)), the semiconductor wafer 5 is pressed from the outside in the horizontal direction. In the semiconductor chip manufacturing apparatus shown in FIGS. 3(a) and 3(b), the crack portion 6 is the scoring line 7 shown in FIG. 3(a).
  • the semiconductor chip manufacturing apparatus since the end surface of the semiconductor wafer is in the liquid, when the semiconductor wafer is divided into LD bars in which a plurality of LD chips are connected, or LD chips, In addition, it is possible to prevent the generated foreign matter from adhering to the end surface of the semiconductor wafer.
  • the semiconductor chip manufacturing apparatus by producing the LD chip by the semiconductor chip manufacturing apparatus according to the first embodiment, it is possible to reduce the occurrence of the appearance defect due to the adhesion of foreign matter in the end face appearance inspection of the LD chip.
  • FIG. 4 is a conceptual diagram showing an example of a semiconductor chip manufacturing apparatus according to the second embodiment for manufacturing a semiconductor chip from a semiconductor wafer 5 by using cleavage of crystals.
  • the present manufacturing apparatus is an apparatus for manufacturing a semiconductor chip by using cleavage of a crystal starting from a crack formed inside the crystal by pressing the crack portion 6 with a blade blade,
  • a semiconductor chip manufacturing apparatus 20 covered with a housing 2 filled with a liquid (for example, water 1a) the semiconductor wafer 5 is held by a pedestal 4 when the LD chips are connected in a bar state or divided into LD chips.
  • a semiconductor chip manufacturing apparatus that divides a semiconductor wafer by pressing the crack portion 6 with the blade blade 3 and utilizing cleavage of the crystal starting from the crack formed inside the crystal is shown.
  • it is characterized by having a structure provided with a mechanism for generating an air flow 9 in the liquid for the purpose of preventing adhesion of the generated semiconductor foreign matter.
  • the LD chip end surface is in the liquid, foreign matter generated when the semiconductor wafer is divided into the LD bar state in which a plurality of LD chips are connected or the LD chip is separated from the LD chip end surface. To adhere to. Further, since the foreign matter is discharged to the installed exhaust port by the generated air flow, it is prevented from adhering to the end surface of the LD chip.
  • FIG. 5 is a conceptual diagram showing an example of a semiconductor chip manufacturing apparatus according to the third embodiment for manufacturing a semiconductor chip from a semiconductor wafer 5 by using cleavage of crystals.
  • FIG. 5 shows a bar state in which a plurality of LD chips are connected from a semiconductor wafer by utilizing the cleavage of the crystal starting from the crack formed inside the crystal by pressing the crack portion 6 with a blade blade, or It shows a semiconductor chip manufacturing apparatus 30 covered with a housing 2 filled with a volatile liquid 1b (for example, ethanol, methanol, etc.) when divided into LD chips, and shows a difference in specific gravity of the generated foreign matter.
  • a volatile liquid 1b for example, ethanol, methanol, etc.
  • the semiconductor wafer 5 is divided by pressing the crack portion 6 with the blade blade 3 using the cradle 4 holding the semiconductor wafer 5 and cleaving the crystal starting from the crack formed inside the crystal. It shows a semiconductor chip manufacturing apparatus.
  • the LD chip end surface is in the liquid, it is possible to prevent foreign matter from adhering to the LD chip end surface when the semiconductor wafer is in an LD bar state in which a plurality of LD chips are connected or when the LD chip is divided. Can be suppressed.
  • FIG. 6 is a conceptual diagram showing an example of a semiconductor chip manufacturing apparatus according to the fourth embodiment, which manufactures semiconductor chips from a semiconductor wafer 5 by using cleavage of crystals.
  • a crack is applied to the crack portion 6 with a blade blade, and the crystal is cleaved from a crack formed inside the crystal as a starting point to divide the semiconductor wafer into a bar state in which a plurality of LD chips are connected or divided into LD chips.
  • a semiconductor chip manufacturing apparatus 40 covered with a housing 2 filled with a liquid II-VI group solution 1c (eg, ZnSe or ZnS) to prevent oxidation of the end surface of the LD chip is shown.
  • a liquid II-VI group solution 1c eg, ZnSe or ZnS
  • the generated foreign matter is sunk on the bottom surface of the housing 2 by utilizing the difference in specific gravity, so that the foreign matter is prevented from adhering to the semiconductor end surface.
  • the cradle 4 that holds the semiconductor wafer 5 is used to pressurize the crack portion 6 with the blade blade 3 and divide the semiconductor wafer by using the cleavage of the crystal starting from the crack formed inside the crystal. 1 shows a semiconductor chip manufacturing apparatus that does this.
  • the LD chip end surface is in the liquid, foreign matter generated when the semiconductor wafer is divided into the LD bar state in which a plurality of LD chips are connected or the LD chip is attached to the LD chip end surface. Can be suppressed.
  • a liquid II-VI group solution for example, ZnSe or ZnS

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Abstract

液体（１ａ、１ｂ、１ｃ）を充填した筐体（２）中に設置され、予め、区画線（８）が形成されるとともに罫書き線（７）が刻印され、当該罫書き線（７）に沿ってマイクロクラックが形成された半導体ウェハ（５）を分割して複数のＬＤチップを作製する半導体チップ製造装置（１０、２０、３０、４０）であって、前記半導体ウェハ（５）を保持する受け台（４）と、前記区画線（８）または前記罫書き線（７）で構成されるクラック部（６）に沿って前記半導体ウェハ（５）に加圧するブレード刃（３）と、を備え、前記半導体ウェハ（５）は、前記ブレード刃（３）により、前記液体（１ａ、１ｂ、１ｃ）中で前記クラック部（６）に沿って加圧されて複数のＬＤチップに分割される半導体チップ製造装置（１０、２０、３０、４０）とした。

Description

半導体チップ製造装置および半導体チップ製造方法
　本願は、半導体チップ製造装置および半導体チップ製造方法に関するものである。
　半導体ウェハを機能素子としての半導体チップに分割する場合においては、三つのプロセス、すなわち、半導体ウェハの貼付工程、分割工程、エキスパンド工程に分けることができ、各工程はそれぞれ重要な役割を担っている（例えば、特許文献１～３参照）。
　まず、半導体ウェハの貼付工程は、半導体ウェハを粘着シートに貼り付ける工程であるが、単純に半導体ウェハの保持だけでなく、半導体ウェハ分割後の半導体チップの保持も粘着シートが担うことになる。従って、粘着シートは重要で、粘着シート材による貼付された半導体チップ面の汚染、分割品質への影響、半導体チップが適切に保持され、かつ、容易にピックアップできるかなど、を確認して粘着シートは選定される。
　次に分割工程について説明する。半導体ウェハの分割断面に平滑性が必要ない場合は、分割したい線（通常、半導体ウェハには、目視できる境界線が形成されている）に沿ってダイヤモンドツールで半導体ウェハ上にスクライブ（罫書き）線を導入することで、スクライブ線に沿った方向にマイクロクラック（微小亀裂）を形成する。次に、微小亀裂が開くように応力をかけることにより、この微小亀裂を進展させて半導体ウェハを分離する。なお、以下では、この方法を「スクライブ法」と呼ぶ。
　なお、スクライブ線は、ダイヤモンドツールが半導体ウェハ端に接触した時に発生する欠けを防止するため、分割したい線全体に導入するのではなく（例えば、特許文献２参照）、スクライブ線の始点及び終点は、半導体ウェハ端より少し内側にそれぞれ設定する。
　上記スクライブ法は、回転ブレード、あるいはレーザ加工による分割と比較して、加工により発生する熱応力の影響が少ないこと等により、半導体ウェハに対するクラックの発生が抑制でき、その結果、分割したレーザーダイオード（以下ＬＤと略記する）チップの強度を大きく設定できるため、脆い半導体ウェハ材料の場合は特に有効な手法である。
　ＬＤ端面のように、その分割断面に平滑性が必要な場合には、分割したい線に沿って、かつ、半導体ウェハ端の片側もしくは両側に、ダイヤモンドツールでスクライブ（罫書き）線を導入する（例えば、特許文献４参照）ことで、スクライブ線に沿った方向にマイクロクラック（微小亀裂）を形成する。
　さらに、半導体ウェハは、分離し易いヘキ開面を持つ（例えば、特許文献２、特許文献４～７参照）ので、スクライブ線は、ヘキ開面方向と平行である必要がある。スクライブによって形成された微小亀裂を開口する方向に応力を加えると、微小亀裂はヘキ開面に沿って成長し、原子レベルの平滑性を持ったヘキ開面が形成される。
　以上の工程により、半導体ウェハは、へき開面を持ったＬＤチップが並ぶ、バー形状のＬＤバー、もしくはＬＤチップに分割される。
特開2002-373868号公報 特開2012-183590号公報 特開平2-132844号公報 特開平5-304339号公報 特開平5-299769号公報 特開2002-289963号公報 特開平3-224284号公報
　上述のように、半導体ウェハを機能素子チップに分割する工程においては、例えば、せん亜鉛鉱の結晶体を有する半導体ウェハから、複数のＬＤチップが連なったＬＤバーの状態、もしくはＬＤチップの状態に分割する際に、発生する半導体の異物がＬＤチップ端面に付着することで、ＬＤチップ端面の外観検査時に異物による外観不良が発生する課題があった。
　本願は、上記のような課題を解決するための技術を開示するものであり、半導体ウェハをＬＤバー状態もしくはＬＤチップ状態に分割する際に、発生する異物がＬＤチップ端面へ付着することを抑制し、これによりＬＤチップの端面の外観検査工程で、外観不良の発生を低減する半導体チップ製造装置および半導体チップ製造方法を提供することを目的とする。
　本願に開示される半導体チップ製造装置は、
液体が充填された筐体の内部に設置され、予め視認可能な区画線が形成されるとともに罫書き線が刻印され、当該罫書き線に沿ってマイクロクラックが形成された半導体ウェハを分割して複数のＬＤチップを作製する半導体チップ製造装置であって、
前記半導体ウェハの前記区画線または前記罫書き線で構成されたクラック部に沿って前記半導体ウェハの表面を加圧するブレード刃と、
前記ブレード刃が前記半導体ウェハを加圧する面の反対側の面で前記半導体ウェハを保持する受け台と、
を備え、
前記半導体ウェハを、前記ブレード刃により、前記液体中で前記半導体ウェハのクラック部に沿って加圧することにより、複数のＬＤチップに分割するようにしたものである。
　また、本願に開示される半導体チップ製造方法は、
予め視認可能な区画線が形成されるとともに罫書き線が刻印され、当該罫書き線に沿ってマイクロクラックが形成された半導体ウェハを分割して複数のＬＤチップを作製する半導体チップの製造方法であって、
液体が充填された筐体の内部に、受け台により前記半導体ウェハを保持し、前記半導体ウェハの前記区画線または前記罫書き線で構成されたクラック部に沿ってブレード刃を配置するとともに、
前記ブレード刃を前記液体中で前記半導体ウェハのクラック部に沿って加圧して、前記半導体ウェハを複数のＬＤチップに分割するものである。
　本願に開示される半導体チップ製造装置、あるいは半導体チップ製造方法によれば、半導体ウェハをＬＤバー状態もしくはＬＤチップ状態に分割する際に、発生する異物がＬＤチップ端面へ付着することを抑制でき、これによりＬＤチップの端面の外観検査工程で、外観不良の発生を低減することができる。
実施の形態１に係る半導体チップ製造装置の一例を示す概念図である。 実施の形態１に係る半導体チップ製造装置の要部を示す側面図及び平面図である。 実施の形態１に係る他の半導体チップ製造装置の要部を示す側面図及び平面図である。 実施の形態２に係る半導体チップ製造装置の一例を示す概念図である。 実施の形態３に係る半導体チップ製造装置の一例を示す概念図である。 実施の形態４に係る半導体チップ製造装置の一例を示す概念図である。
　本願は、半導体チップ製造装置および製造方法に関するものである。より具体的には、半導体レーザ素子の製造装置及びその製造方法に係わり、例えば、せん亜鉛鉱の結晶体でできた半導体ウェハから、複数のＬＤチップが連なったバー状態に分割する際、ブレードと呼ばれる刃を用いて微小亀裂に力を加えて、結晶体の内部に形成した微小亀裂を起点に、結晶体のへき開を利用して半導体ウェハを分割する半導体チップの製造する技術に関わる。
実施の形態１．
　実施の形態１に係る半導体チップ製造装置及び製造方法について、以下、図面を用いて説明する。なお、以下においては、同一又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
　図１は、結晶のへき開を利用して、半導体ウェハ５から半導体チップを製造する、実施の形態１による半導体チップ製造装置の一例を示す概念図である。
　図１は、ブレード刃３でクラック部６に加圧する（ここでは特に、該当部分に集中した力を加えること。以下同様）ことにより、半導体ウェハ５の結晶内部に形成された微小亀裂を起点に、結晶をへき開を利用して、半導体ウェハ５から、複数のＬＤチップが連なったバーもしくは単体のＬＤチップに分割する際に、液体（液体とは、ここでは水１ａのことである）を充填した筐体２で覆われた半導体チップ製造装置１０の一例を示している。この図に示すように、本装置は、受け台４を用いて、ブレード刃３にてクラック部６に加圧し、半導体ウェハ５の結晶内部に形成されたクラック部６を起点にして結晶のへき開を利用して半導体ウェハ５を分割することにより半導体チップを製造するものである。
　ここで、上述のクラック部６について、図２、図３を用いて、さらに詳しく説明する。
図２（ａ）は、実施の形態１に係る半導体チップ製造装置の要部を示す側面図であり、図２（ｂ）は実施の形態１に係る半導体チップ製造装置の要部を示す平面図である。これらの図において、半導体ウェハ５は、２個の受け台４で一面を保持されるとともに、この一面の反対側の面をブレード刃３により加圧される。
　この場合において、図２（ａ）に示すように、半導体ウェハ５の受け台が保持する面には、罫書き線７が刻印され、また、半導体ウェハ５の中央部分に小さな丸印で代表して示したマイクロクラックが形成されている。また図２（ｂ）に示したように、ブレード刃３は、半導体ウェハ５の外部から視認可能に形成された区画線８に沿って、半導体ウェハ５を加圧して、この半導体ウェハ５を分割することで複数のＬＤチップを作製する。
　なお、ブレード刃３が半導体ウェハ５を加圧する際は、図２（ａ）において、半導体ウェハ５の右側から左方向に加圧する、つまり、図２（ａ）で、罫書き線７の方向に向けて半導体ウェハ５の外部から水平方向に加圧する。
　そして、図２（ａ）、図２（ｂ）に示す半導体チップ製造装置においては、クラック部６とは、図２（ｂ）に示した区画線８のことである。
　半導体チップ製造装置は図２のような構成の場合の他に、図３に示す構成となる場合もある。そこで、次に、この図３に示す形態の半導体チップ製造装置の場合の、クラック部６について詳しく説明する。
　図３（ａ）は、実施の形態１に係る他の半導体チップ製造装置の要部を示す側面図であり、図３（ｂ）は実施の形態１に係る他の半導体チップ製造装置の要部を示す平面図である。
　この半導体チップ製造装置においては、図２に示した半導体チップ製造装置とは異なり、図３（ａ）に示すように、半導体ウェハ５の受け台が保持する面とは反対側の面に、罫書き線７が刻印されている。また、図３（ｂ）に示したように、ブレード刃３は、半導体ウェハ５の外部から罫書き線７に沿って、半導体ウェハ５を加圧して、この半導体ウェハ５を分割することで、複数のＬＤチップを作製することも、図２に示した半導体チップ製造装置の場合とは異なる。
　なお、上記以外の点については、図２の場合と同様である。例えば、半導体ウェハ５の中央部分に小さな丸印で代表して示したマイクロクラックが形成されている点は、図２の場合と同様である。
　なお、ブレード刃３が半導体ウェハ５を加圧する際は、図３（ａ）において、半導体ウェハ５の左側から右方向に加圧する、つまり、図３（ａ）で、図示しない区画線８（図３（ｂ）参照）の方向に向けて半導体ウェハ５の外部から水平方向に加圧する。
　そして、図３（ａ）、図３（ｂ）に示す半導体チップ製造装置においては、クラック部６とは、図３（ａ）に示した罫書き線７のことである。
　以上説明したように、実施の形態１に係る半導体チップ製造装置では、半導体ウェハの端面が液体中にあるため、半導体ウェハを、複数のＬＤチップが連なったＬＤバー、もしくはＬＤチップに分割する際に、発生する異物が半導体ウェハの端面に付着することを抑制できる。
　そして、実施の形態１に係る半導体チップ製造装置によりＬＤチップを作製することで、ＬＤチップの端面外観検査で、異物付着による外観不良の発生を低減することができる。
実施の形態２．
　図４は、結晶のへき開を用いて半導体ウェハ５から半導体チップを製造する、実施の形態２による半導体チップ製造装置の一例を示す概念図である。
　具体的には、本製造装置は、ブレード刃でクラック部６に加圧し、結晶内部に形成したクラックを起点に、結晶のへき開を利用して半導体チップを製造する装置であり、半導体ウェハから複数のＬＤチップが連なったバー状態もしくはＬＤチップに分割する際に、液体（たとえば水１ａ）を充填した筐体２で覆われた半導体チップ製造装置２０において、受け台４で半導体ウェハ５を保持しつつ、ブレード刃３によりクラック部６に加圧し、結晶内部に形成したクラックを起点に、結晶のへき開を利用することにより、半導体ウェハを分割する半導体チップ製造装置を示すものである。特に、発生した半導体異物の付着防止を目的に、液体内に気流９を発生する機構を備えた構造を有することを特徴とする。
　実施の形態２による半導体チップ製造装置においては、ＬＤチップ端面が液体中にあるため、半導体ウェハから複数のＬＤチップが連なったＬＤバー状態もしくはＬＤチップに分割する時に、発生する異物がＬＤチップ端面へ付着することを抑制する。また発生させる気流により異物は設置した排気口へ排出されるため、ＬＤチップ端面へ付着することを抑制する。
　実施の形態２に係る半導体チップ製造装置によりＬＤチップを作製することで、ＬＤチップの端面外観検査で異物付着による外観不良の発生を低減することができる。
実施の形態３．
　図５は、結晶のへき開を用いて半導体ウェハ５から半導体チップを製造する、実施の形態３による半導体チップ製造装置の一例を示す概念図である。
　具体的には、図５は、ブレード刃でクラック部６に加圧し、結晶内部に形成したクラックを起点に結晶のへき開を利用して、半導体ウェハから複数のＬＤチップが連なったバー状態、もしくはＬＤチップに分割する際に、揮発性の液体１ｂ（例えば、エタノール、メタノールなど）を充填した筐体２で覆われた半導体チップ製造装置３０を示すものであり、発生した異物を比重の差を利用して筐体２の底面に沈めることで、半導体端面への付着を防止する機構を備えたものである。ここでも、半導体ウェハ５を保持する受け台４を用いて、ブレード刃３にてクラック部６に加圧し、結晶内部に形成したクラックを起点に結晶をへき開することにより、半導体ウェハ５を分割する半導体チップ製造装置を示すものとなっている。
　本実施の形態３においても、ＬＤチップ端面が液体中にあるため、半導体ウェハから複数のＬＤチップが連なったＬＤバー状態もしくはＬＤチップに分割する時に発生する異物がＬＤチップ端面へ付着することを抑制できる。
　実施の形態３に係る半導体チップ製造装置によりＬＤチップを作製することで、ＬＤチップ端面の外観検査で異物付着による外観不良の発生を低減することができる。
実施の形態４．
　図６は、結晶のへき開を用いて半導体ウェハ５から半導体チップを製造する、実施の形態４による半導体チップ製造装置の一例を示す概念図である。
　具体的には、図６は、ブレード刃でクラック部６に加圧し、結晶内部に形成したクラックを起点に結晶をへき開して半導体ウェハから複数のＬＤチップが連なったバー状態もしくはＬＤチップに分割する際に、ＬＤチップ端面の酸化防止のため、液体であるＩＩ－ＶＩ族溶液１ｃ（たとえばＺｎＳｅ、あるいはＺｎＳ）を充填した筐体２で覆われた半導体チップ製造装置４０を示すものである。この製造装置においては、発生した異物を比重の差を利用して筐体２の底面に沈めることで、半導体端面への付着を防止する機構としたものである。ここでも、半導体ウェハ５を保持する受け台４を用いて、ブレード刃３にてクラック部６に加圧し、結晶内部に形成したクラックを起点に、結晶をへき開を利用することにより半導体ウェハを分割する半導体チップ製造装置を示すものとなっている。
　本実施の形態４においても、ＬＤチップ端面が液体中にあるため、半導体ウェハから複数のＬＤチップが連なったＬＤバー状態もしくはＬＤチップに分割する時に発生する異物がＬＤチップ端面へ付着することを抑制できる。また同時に、液体であるＩＩ－ＶＩ族溶液（たとえばＺｎＳｅ、あるいはＺｎＳ）中で半導体ウェハを分割することで、ＬＤチップ端面の酸化を防止することができる。
　実施の形態４に係る半導体チップ製造装置によりＬＤチップを作製することで、ＬＤチップ端面の外観検査で、異物付着による外観不良の発生を低減でき、また、ＬＤチップ端面の酸化防止効果を得ることができる。
　また、上記のすべての実施の形態では、せん亜鉛鉱の結晶体を有する半導体ウェハから複数のＬＤチップが連なったＬＤバー状態に分割する際に、ブレード刃を用いてクラック部に加圧し、結晶内部に形成したクラックを起点に結晶をへき開する場合について説明したが、他の結晶体を有する半導体ウェハをへき開する場合であってもよく、上記実施の形態と同様の効果を奏する。
　本願は、様々な例示的な実施の形態及び実施例が記載されているが、１つ、または複数の実施の形態に記載された様々な特徴、態様、及び機能は特定の実施の形態の適用に限られるのではなく、単独で、または様々な組み合わせで実施の形態に適用可能である。
従って、例示されていない無数の変形例が、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。例えば、少なくとも１つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合、さらには、少なくとも１つの構成要素を抽出し、他の実施の形態の構成要素と組み合わせる場合が含まれるものとする。
　１ａ　水、１ｂ　揮発性の液体、１ｃ　ＩＩ－ＶＩ族溶液、２　筐体、３　ブレード刃、４　受け台、５　半導体ウェハ、６　クラック部、７　罫書き線、８　区画線、９　気流、１０、２０、３０、４０　半導体チップ製造装置

Claims (10)

  1. 液体が充填された筐体の内部に設置され、予め視認可能な区画線が形成されるとともに罫書き線が刻印され、当該罫書き線に沿ってマイクロクラックが形成された半導体ウェハを分割して複数のＬＤチップを作製する半導体チップ製造装置であって、
    前記半導体ウェハの前記区画線または前記罫書き線で構成されたクラック部に沿って前記半導体ウェハの表面を加圧するブレード刃と、
    前記ブレード刃が前記半導体ウェハを加圧する面の反対側の面で前記半導体ウェハを保持する受け台と、
    を備え、
    前記半導体ウェハを、前記ブレード刃により、前記液体中で前記半導体ウェハのクラック部に沿って加圧することにより、複数のＬＤチップに分割することを特徴とする半導体チップ製造装置。
  2. 前記液体中で、前記罫書き線に沿って流れる気流を発生する機構を備えたことを特徴とする請求項１に記載の半導体チップ製造装置。
  3. 前記液体は水であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体チップ製造装置。
  4. 前記液体は揮発性の液体であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体チップ製造装置。
  5. 前記液体はＩＩ－ＶＩ族溶液であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体チップ製造装置。
  6. 予め視認可能な区画線が形成されるとともに罫書き線が刻印され、当該罫書き線に沿ってマイクロクラックが形成された半導体ウェハを分割して複数のＬＤチップを作製する半導体チップの製造方法であって、
    液体が充填された筐体の内部に、受け台により前記半導体ウェハを保持し、前記半導体ウェハの前記区画線または前記罫書き線で構成されたクラック部に沿ってブレード刃を配置するとともに、
    前記ブレード刃を前記液体中で前記半導体ウェハのクラック部に沿って加圧して、前記半導体ウェハを複数のＬＤチップに分割することを特徴とする半導体チップ製造方法。
  7. 前記液体中で、前記罫書き線に沿って流れる気流を発生させることを特徴とする請求項６に記載の半導体チップ製造方法。
  8. 前記液体を水としたことを特徴とする請求項６または請求項７に記載の半導体チップ製造方法。
  9. 前記液体を揮発性の液体としたことを特徴とする請求項６または請求項７に記載の半導体チップ製造方法。
  10. 前記液体をＩＩ－ＶＩ族溶液としたことを特徴とする請求項６または請求項７に記載の半導体チップ製造方法。
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