WO2020161879A1 - ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 - Google Patents

ドライエッチング方法及びドライエッチング装置 Download PDF

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直行 小藤
謙一 桑原
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Definitions

  • the present invention relates to a dry etching method and a dry etching apparatus.
  • lithography technique is used in a manufacturing process of a semiconductor device. This technique applies a device structure pattern on a resist layer and selectively etches away the substrate exposed by the resist layer pattern. In subsequent processing steps, other materials may be deposited in the etched areas to form integrated circuits.
  • Patent Document 1 As shown in FIG. 1, after forming a self-assembled block copolymer (DSA) of polystyrene (PS) 1 and polymethylmethacrylate (PMMA) 2, there is a technique of etching and removing only PMMA 2. It is shown. Patent Document 1 describes that a line and space pattern of PS1 (hereinafter referred to as an LS pattern) is formed by using this method as shown in FIG.
  • DSA self-assembled block copolymer
  • PS polystyrene
  • PMMA polymethylmethacrylate
  • Patent Document 2 discloses a dry etching apparatus that forms plasma by ECR resonance of a magnetic field and microwaves and has a structure in which a dielectric porous plate is arranged between a sample and a dielectric window.
  • the position of the magnetic field strength 875 Gauss called the ECR surface is located above the perforated plate.
  • the ECR surface As a result, of the ions and radicals generated in the plasma, charged ions can be shielded, and the sample can be irradiated with only electrically neutral particles such as radicals.
  • the ECR surface By positioning the ECR surface below the perforated plate, it is possible to irradiate the sample with both ions and radicals.
  • the LS pattern obtained by etching may collapse.
  • a typical dry etching method of the present invention is one in which neutral radicals are adsorbed on the surface of an organic film in a first atmosphere in which the concentration of rare gas or nitrogen ions is reduced from plasma. This is achieved by alternately repeating one step and the second step of supplying rare gas or nitrogen ions to the surface of the organic film in a second atmosphere having an ion concentration higher than that of the first atmosphere.
  • FIG. 1 is an enlarged sectional view of a DSA sample before the PMMA etching process.
  • FIG. 2 is an enlarged sectional view of a DSA sample after an ideal PMMA etching process.
  • FIG. 3 is a schematic configuration diagram of the dry etching apparatus of this embodiment.
  • FIG. 4 is an enlarged cross-sectional view of a sample of DSA after the PMMA etching process according to the comparative example.
  • FIG. 5 is an enlarged top view of the DSA sample after the PMMA etching process according to the comparative example.
  • FIG. 6 is a diagram for explaining the reason why the LS pattern collapses due to the etching process of PMMA according to the comparative example.
  • FIG. 7 is a figure which shows typically the surface state of the sample in the 1st process in the etching process of PMMA concerning a comparative example.
  • FIG. 8 is a diagram schematically showing the surface state of the sample during the PMMA etching process according to the example.
  • FIG. 9 is a diagram schematically showing the surface state of the sample during the PMMA etching process according to the example.
  • FIG. 10 is an enlarged cross-sectional view of the DSA sample after the PMMA etching process according to the example.
  • FIG. 11 is an enlarged top view of the DSA sample after the PMMA etching process according to the example.
  • FIG. 12 is a graph showing the relationship between the PMMA etching amount and the sample temperature in the first step according to the example.
  • FIG. 13 is an enlarged cross-sectional view of a sample of the three-layer resist before the etching process.
  • FIG. 14 is an enlarged cross-sectional view of a sample of the three-layer resist after the organic film etching process of the comparative example.
  • FIG. 15 is an enlarged cross-sectional view of a sample of the three-layer resist after the organic film etching process of the example.
  • FIG. 16 is a diagram showing a configuration of an etching processing apparatus according to another embodiment.
  • FIG. 3 is a schematic configuration diagram of a downflow type dry etching apparatus that executes the dry etching method of the present embodiment.
  • a microwave of 2.45 GHz supplied from the magnetron 13 to the decompression processing chamber 12 through the waveguide 11 and the dielectric window 17 and a magnetic field generated by the solenoid coil 14 are used.
  • Plasma can be generated in the reduced pressure processing chamber 12 by the ECR resonance.
  • a high frequency power supply 23 is connected to a sample table 20 holding a sample 21 via a matching device 22.
  • the magnetron 13 and the solenoid coil 14 constitute a plasma generator.
  • a plasma control device 26 for controlling the generation state of plasma in the decompression processing chamber 12, a solenoid coil 14, and a magnetic field control device 18 for controlling this are provided.
  • the energy of ion irradiation can be controlled from several tens eV to several KeV by adjusting the power supplied from the high frequency power supply 23.
  • the temperature of the sample table 20 on which the sample 21 is placed is adjusted, and the sample temperature is maintained at 20° C. during the etching.
  • Ar (argon) gas and O 2 (oxygen) gas are introduced into the decompression processing chamber 12 via the gas introduction port 15.
  • the inside of the decompression processing chamber 12 is decompressed by a negative pressure pump.
  • a dielectric porous plate 16 is installed inside the decompression processing chamber 12.
  • plasma is generated in the vicinity of a surface having a magnetic field strength of 875 Gauss called ECR surface.
  • the magnetic field control device 18 and the solenoid coil 14, which are the plasma control devices 26, are arranged so that the ECR surface is between the porous plate 16 and the dielectric window 17 (that is, the porous window 16 has a dielectric window side).
  • Plasma 25A can be generated (above).
  • the Ar ions can be shielded and only the oxygen neutral radicals can be applied to the sample 21. In such a state, the periphery of the sample 21 becomes the first atmosphere in which the Ar ion concentration is relatively low.
  • the magnetic field controller 18 controls the solenoid coil 14 to adjust the magnetic field so that the ECR surface is between the perforated plate 16 and the sample 21, the magnetic field control device 18 is closer to the sample side than the perforated plate 16 (that is, Plasma 25B can be generated (below). Therefore, the sample can be irradiated with both Ar ions and oxygen neutral radicals. In such a state, the periphery of the sample 21 becomes a second atmosphere having a higher Ar ion concentration than the first atmosphere.
  • the Ar ion concentration in the first atmosphere is preferably less than 10% of the ion concentration in the second atmosphere.
  • the dry etching apparatus that can perform the dry etching treatment of the present invention is not limited to the downflow type dry etching apparatus described above, and an RIE type dry etching apparatus may be used.
  • the present inventors performed the PMMA2 etching treatment on the DSA sample shown in FIG. 1 using the dry etching apparatus shown in FIG. First, in the etching process of the comparative example, the ECR surface was arranged on the sample side with respect to the porous plate 16, and the etching was performed in a state where the sample was irradiated with both ions and radicals. The result is shown in FIG. After the etching process, the LS pattern of PS1 formed as a plurality of walls fell sideways as shown in FIG. Therefore, as shown in the top view of FIG. 5, the line edge roughness (referred to as LER), which is the distortion of the pattern, increased. In addition, at a place where PS1 collapsed strongly, adjacent PS1s contacted each other, and the irradiation of ions was blocked, and PMMA2 below it was not reached, and etching did not proceed.
  • LER line edge roughness
  • Etching proceeds by irradiating PMMA2 with both oxygen radicals 4 and Ar ions 5, but due to variations in the space spacing between PS1 and PS1 in the LS pattern, oxygen reaching the surface of PMMA2 as shown in FIG. Differences occur in the amount of radicals 4. Since the etching amount of PMMA2 is proportional to the amount of oxygen radicals 4 reaching the surface of PMMA2, it was found that the etching amount increases when the space interval is wide and the etching amount decreases when the space interval is narrow.
  • the present inventors have derived an etching method in which the following two steps are repeated in order to suppress variations in the etching amount.
  • the ECR surface is arranged on the dielectric window 17 side of the porous plate 16 to generate oxygen plasma 25A (FIG. 3). This shields the Ar ions and irradiates the sample with oxygen radicals in the first atmosphere. At this time, since the Ar ions are shielded, the etching does not proceed even if the sample is irradiated with oxygen radicals.
  • oxygen radicals 4 are saturated and adsorbed on any surface of PMMA 2 as shown in FIG. “Saturated adsorption” means a state in which neutral radicals are not substantially adsorbed any more.
  • the ECR surface is arranged on the sample 21 side of the porous plate 16 to generate Ar plasma 25B (FIG. 3).
  • Ar plasma 25B FIG. 3
  • PMMA2 is irradiated with Ar ions 5 in the second atmosphere.
  • oxygen radicals 4 adsorbed on the surface of PMMA2 are activated as shown in FIG. 9, and etching of PMMA2 proceeds.
  • the amount of etching at this time is determined by the amount of oxygen radicals 4 adsorbed on the surface of PMMA2, so if oxygen radicals 4 are saturated and adsorbed on the surface of PMMA2, a certain amount of PMMA2 will be etched. Therefore, by alternately repeating the first step and the second step, the etching process proceeds while maintaining the etching amount of PMMA2 uniform regardless of the variation of the pattern, so that the collapse of the LS pattern is suppressed. It When the treatment time of the first step is longer than that of the second step, saturated adsorption becomes effective, which is preferable.
  • FIG. 10 shows the cross-sectional shape of the sample etched by the above etching method. No fall of PS1 is seen. A top view of the processed sample is shown in FIG. No LER caused by the collapse was observed in the formed PS1 LS pattern, indicating that a straight pattern was formed.
  • oxygen gas was used in the first step
  • any mixed gas containing oxygen such as a gas obtained by diluting oxygen with a rare gas
  • a gas containing no oxygen may be used as a gas capable of etching an organic material by a chemical reaction, for example, a mixed gas containing hydrogen, water and methanol.
  • Ar gas is used in the second step, another rare gas or nitrogen gas may be used as long as it is composed only of a gas that does not etch the organic film by a chemical reaction.
  • the organic film that can be etched is not limited to PMMA.
  • Example 2 In Example 1, PMMA was etched while maintaining the sample temperature at 20°C. The inventors investigated the effect of temperature on this sample.
  • FIG. 12 shows the relationship between the etching amount of PMMA and the sample temperature when oxygen radicals are irradiated in the first step. It was found that PMMA was not etched at 100°C or lower. On the other hand, it has been found that when the sample temperature exceeds 100° C., the etching amount of PMMA increases at an accelerated rate, which causes variations in the etching amount.
  • the inorganic film 7 of this sample was etched to form an inorganic film mask, and the organic film 6 was further etched using this inorganic film mask.
  • the organic film 6 was etched with oxygen or the like, the LS pattern of the formed organic film 6 collapsed during etching.
  • Example 3 Therefore, as in Example 1, the first step of irradiating the sample with oxygen plasma while shielding Ar ions and the second step of irradiating the sample with Ar plasma without shielding Ar ions were repeated. However, the etching proceeded while the thickness of the residual film of the organic film 6 was uniform. For this reason, as shown in FIG. 15, the phenomenon that the patterns collapse or the patterns contact each other did not occur.
  • FIG. 16 is a diagram showing a dry etching apparatus in which a downflow type etcher 101 and a reactive ion etching (RIE) type etcher 102 are connected by a vacuum transfer unit 103.
  • RIE reactive ion etching
  • the downflow type etcher 101 has a structure that can shield ions in plasma and irradiate only neutral radicals, so that only oxygen radicals are irradiated in the first atmosphere. Since PMMA is not etched by only oxygen radicals, oxygen radicals are saturated and adsorbed on the PMMA surface as shown in FIG.
  • the vacuum transfer unit (transfer device) 103 transfers the sample from the downflow type etcher 101 to the RIE type etcher (second device) 102, and Ar plasma is generated therein. .. Since the RIE etcher 102 is irradiated with both ions in plasma and neutral radicals, PMMA is irradiated with Ar ions on the sample in the second atmosphere. By this ion irradiation, oxygen radicals adsorbed on the PMMA surface are activated similarly to the example shown in FIG. 9, and the etching of PMMA proceeds.
  • the etching amount at this time is determined by the amount of oxygen radicals saturated and adsorbed on the PMMA surface, so a certain amount of PMMA is etched.
  • the cross-sectional shape of the sample etched by this method is the same as that shown in Fig. 10, and no collapse of the LS pattern is seen.
  • the top surface shape of the processed sample is the same as that shown in FIG. No LER was found in the formed PS LS pattern due to the collapse. It was found that a straight pattern was formed.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications are included.
  • the above-described embodiments have been described in detail in order to explain the present invention in an easy-to-understand manner, and are not necessarily limited to those having all the configurations described.
  • a part of the configuration of one embodiment can be replaced with the configuration of another embodiment, and the configuration of another embodiment can be added to the configuration of one embodiment. ..

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Abstract

プラズマを用いたドライエッチング方法によれば、有機膜をエッチングする際に、Ａｒイオンを遮蔽して酸素ラジカルのみを試料の有機膜に照射する第１の工程と、希ガスのイオンを有機膜に照射する第２の工程とを交互に繰り返すことにより、有機膜のエッチングのばらつきを抑えて精度良いエッチング処理を行うことができる。これによりシリコン基板などに形成されるＬＳパターンの倒れを抑制することができる。

Description

ドライエッチング方法及びドライエッチング装置
　本発明は、ドライエッチング方法及びドライエッチング装置に関する。
　半導体デバイスの製造工程においては、半導体装置に含まれるコンポーネントの微細化や集積化に対応することが求められている。例えば、近年では、集積回路やナノ電気機械システムにおいてナノスケールのような小さい構造が求められている。
　通常、半導体デバイスの製造工程においては、リソグラフィ技術が用いられている。この技術は、レジスト層の上にデバイス構造のパターンを適用し、レジスト層のパターンによって露出した基板を選択的にエッチング除去するものである。その後の処理工程において、エッチング領域内に他の材料を堆積させれば、集積回路を形成できる。
　しかしながら、こうした技術を用いてもナノスケールの構造体をスループット良く製造することは難しく、様々な技術の改良がなされている。これらの先行技術には、例えば特許文献１に開示されるものがある。特許文献１には、図１に示すように、ポリスチレン(PS)1とポリメチルメタクリレート(PMMA)2の自己組織化ブロック共重合体（DSA）を形成した後、PMMA2のみをエッチング除去する技術が示されている。そして、この方法を用いることで、図２のように、PS1のラインアンドスペースパターン（以降、LSパターンという）が形成されることが、同特許文献１に記載されている。
　また、その他の公知例としては、特許文献２に示す技術がある。特許文献２では、磁場とマイクロ波のECR共鳴でプラズマを形成するドライエッチング装置において、試料と誘電体窓の間に誘電体製の多孔板を配置した構造の装置が開示されている。
　この装置においては、ECR面と呼ばれる磁場強度８７５ガウス（Gauss）の面の位置を多孔板より上にする。これにより、プラズマ中で生成されるイオンとラジカルのうち、電荷を帯びているイオンを遮蔽して、ラジカルなどの電気的に中性な粒子のみを試料に照射することができる。
　一方、ECR面の位置を、多孔板より下にすることで、イオンとラジカルの両方を試料に照射することもできる。
特開２０１４－７５５７８号公報 国際特許公開第２０１６／１９００３６号
　しかしながら、試料に有機膜を形成した後、プラズマを用いてエッチング処理を行ってLSパターンを形成した場合には、エッチングによって得られたLSパターンに倒れが発生する場合がある。
　そこで、本発明は、有機膜をエッチングする際に、LSパターンの倒れを抑制して、精度良くエッチング処理を行えるドライエッチング方法及びドライエッチング装置を提供することを目的とする。
　上記課題を解決するために、代表的な本発明のドライエッチング方法は、プラズマから希ガスもしくは窒素のイオンの濃度を減少させた第１の雰囲気で中性ラジカルを有機膜の表面に吸着させる第１工程と、前記第１の雰囲気よりもイオン濃度が高い第２の雰囲気で希ガスもしくは窒素のイオンを前記有機膜の表面に供給する第２の工程とを交互に繰り返すことにより達成される。
　本発明によれば、特に、有機膜をエッチングする際に、LSパターンの倒れを抑制して、精度良くエッチング処理を行うことができる。
　上記した以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
図１は、PMMAのエッチング処理前におけるDSAの試料の拡大断面図である。 図２は、理想的なPMMAエッチング処理後におけるDSAの試料の拡大断面図である。 図３は、本実施形態のドライエッチング装置の概略構成図である。 図４は、比較例にかかるPMMAのエッチング処理後におけるDSAの試料の拡大断面図である。 図５は、比較例にかかるPMMAのエッチング処理後におけるDSAの試料の拡大上面図である。 図６は、比較例にかかるPMMAのエッチング処理によりLSパターンが倒れる原因を説明するための図である。 図７は、比較例にかかるPMMAのエッチング処理における第一の工程中の試料の表面状態を模式的に示す図である。 図８は、実施例にかかるPMMAエッチング処理中の試料の表面状態を模式的に示す図である。 図９は、実施例にかかるPMMAエッチング処理中の試料の表面状態を模式的に示す図である。 図１０は、実施例にかかるPMMAのエッチング処理後におけるDSAの試料の拡大断面図である。 図１１は、実施例にかかるPMMAのエッチング処理後におけるDSAの試料の拡大上面図である。 図１２は、実施例にかかる第１の工程におけるPMMAのエッチング量と試料温度との関係を示すグラフである。 図１３は、エッチング処理前の三層レジストの試料の拡大断面図である。 図１４は、比較例の有機膜エッチング処理後における三層レジストの試料の拡大断面図である。 図１５は、実施例の有機膜エッチング処理後における三層レジストの試料の拡大断面図である。 図１６は、別の実施形態にかかるエッチング処理装置の構成を示す図である。
　以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。
［実施形態１］
　図３は、本実施形態のドライエッチング方法を実行するダウンフロー型のドライエッチング装置の概略構成図である。図３のドライエッチング装置では、マグネトロン１３から導波管１１を通り誘電体窓１７を介して減圧処理室１２に供給される２．４５ＧＨｚのマイクロ波と、ソレノイドコイル１４の作る磁場によって形成されるECR共鳴によって、減圧処理室１２内にプラズマを生成できる。また、試料２１を保持する試料台２０に、整合器２２を介して高周波電源２３が接続されている。
　ここで、マグネトロン１３とソレノイドコイル１４とで、プラズマ発生装置を構成する。また、減圧処理室１２におけるプラズマの発生状態を制御するプラズマ制御装置２６と、ソレノイドコイル１４と、これを制御する磁場制御装置１８が設けられている。
　このドライエッチング装置では、高周波電源２３から供給する電力を調整すれば、イオン照射のエネルギーを数１０ｅＶから数ＫｅＶまで制御できる。また、試料２１を載置する試料台２０は温度調整されており、エッチング中も試料温度が２０℃に維持されている。さらに、Ａｒ（アルゴン）ガスとＯ２（酸素）ガスが、ガス導入口１５を介して減圧処理室１２内に導入される。減圧処理室１２内は負圧ポンプにより減圧されている。
　また、このドライエッチング装置では、誘電体製の多孔板１６が減圧処理室１２の内部に設置されている。このドライエッチング装置では、ECR面と呼ばれる磁場強度８７５ガウス（Gauss）の面付近でプラズマが生成される。このため、ECR面が多孔板１６と誘電体窓１７の間になるよう、プラズマ制御装置２６である磁場制御装置１８及びソレノイドコイル１４が、多孔板１６の誘電体窓側（つまり、多孔板１６の上方で）プラズマ２５Ａを生成できる。これにより、Ａｒイオンを遮蔽して、酸素の中性ラジカルのみを試料２１に照射することができる。かかる状態では、試料２１の周囲はＡｒイオン濃度が比較的低い状態の第１の雰囲気となる。
　一方で、ECR面が多孔板１６と試料２１の間になるよう、磁場制御装置１８がソレノイドコイル１４を制御して磁場を調整すれば、多孔板１６より試料側で（つまり、多孔板１６の下方で）プラズマ２５Ｂを生成できる。このため、Ａｒイオンと酸素の中性ラジカルの両方を試料に照射できる。かかる状態では、試料２１の周囲はＡｒイオン濃度が第１の雰囲気よりも高い第２の雰囲気となる。第１の雰囲気におけるＡｒのイオン濃度は、第２の雰囲気のイオン濃度に対し１０％未満であると好ましい。
　なお、本発明のドライエッチング処理を行えるドライエッチング装置は、以上のダウンフロー型のドライエッチング装置に限られず、ＲＩＥ型のドライエッチング装置を用いてもよい。
（比較例１）
　本発明者らは、図３のドライエッチング装置を用いて、図１に示すDSAの試料においてPMMA2のエッチング処理を行った。まず比較例のエッチング処理では、ECR面を多孔板１６より試料側に配置して、イオンとラジカルの両方が試料に照射される状態でエッチングを行った。その結果を図４に示す。エッチング処理後において複数の壁として形成されるPS1のLSパターンは、図４のように左右に倒れてしまった。
　そのため、図５の上面図のように、パターンの歪みであるラインエッジラフネス（LERという）が増加した。また、PS1の倒れが強い箇所では、隣接するPS1同士が接してしまい、イオンの照射が遮られてその下方にあるPMMA2に到達せず、エッチングが進まなくなった。
　本発明者らは、エッチング途中におけるパターン形状評価や応力解析などを用いて、LSパターンの倒れの原因を調べた。その結果、このPMMA2が本来的に収縮(Tensile)応力を持っているため、PMMA2の残膜にばらつきがあると、図６においてPMMA2の残膜の厚い部位の収縮力が高まることを見出した。それによりLSパターンが引っ張られて倒れることとなる。
　次に、PMMA2の残膜のばらつき、すなわちPMMA2のエッチング量のばらつきが生じる原因を調べた。PMMA2に酸素ラジカル４とＡｒイオン５の両方が照射されることによりエッチングが進むが、LSパターンにおけるPS1とPS1の間のスペース間隔のばらつきによって、図７に示すようにPMMA2の表面に到達する酸素ラジカル４の量に違いが生じる。PMMA2のエッチング量は、PMMA2の表面に到達する酸素ラジカル４の量に比例するため、上記スペース間隔が広いとエッチング量が増大し、狭いとエッチング量が減少することがわかった。
　そこで、本発明者らは、エッチング量のばらつきを抑制するため、次のような二つの工程を繰り返すエッチング手法を導出した。まず、第１の工程では、ECR面を多孔板１６の誘電体窓１７側に配置して酸素のプラズマ２５Ａを生成させる（図３）。これにより、Ａｒイオンを遮蔽して、第１の雰囲気中で酸素ラジカルを試料に照射する。
　このとき、Ａｒイオンが遮蔽されているため、酸素ラジカルが試料に照射されてもエッチングは進まない。第１の工程時間が長いと、図８に示すようにPMMA2のいずれの表面にも酸素ラジカル４が飽和吸着した状態になる。「飽和吸着」とは、それ以上中性ラジカルが実質的に吸着しない状態をいう。
　次に、第２の工程では、ECR面を多孔板１６の試料２１側に配置して、Ａｒのプラズマ２５Ｂを生成させる（図３）。これにより、第２の雰囲気中でPMMA2にＡｒイオン５が照射される。このイオン照射によって、図９のようにPMMA2の表面に吸着した酸素ラジカル４が活性化され、PMMA2のエッチングが進む。
　この際のエッチング量は、PMMA2の表面に吸着した酸素ラジカル４の量で決まるため、酸素ラジカル４がPMMA2の表面に飽和吸着していれば、一定量のPMMA2がエッチングされることとなる。したがって、第１の工程と第２の工程とを交互に繰り返すことにより、パターンのばらつきに関わらず、PMMA2のエッチング量を均一に維持しつつエッチング処理が進行するため、LSパターンの倒れが抑制される。第１の工程は、第２の工程よりも処理時間が長いと飽和吸着が有効になるので好ましい。
（実施例１）
　以上のエッチング方法でエッチングされた試料の断面形状を図１０に示す。PS1の倒れは見られない。また、加工後のサンプルの上面図を図１１に示す。形成されたPS1のLSパターンには倒れに起因したLERは見られず、真っ直ぐなパターンが形成されていることがわかった。
　ここでは、第１の工程で酸素ガスを用いたが、例えば、酸素を希ガスで希釈したガスのように酸素を含む混合ガスであれば、いずれも用いることができる。さらに、酸素を含まないガスであっても有機材料を化学反応でエッチングできるガス、例えば、水素や水、メタノールを含む混合ガスを用いても良い。また、第２の工程ではＡｒガスを使用したが、有機膜を化学反応でエッチングしないガスのみで構成されていれば、他の希ガスや窒素ガスを用いてもよい。エッチングできる有機膜はPMMAに限られない。
（実施例２）
　実施例１では試料の温度を２０℃に維持してPMMAのエッチングを行った。本発明者らは、この試料の温度の影響について調べた。第１の工程で酸素ラジカルを照射した際のPMMAのエッチング量と試料温度の関係を図１２に示す。１００℃以下ではPMMAは全くエッチングされないことがわかった。一方、試料温度が１００℃を超えるとPMMAのエッチング量が加速的に増加するため、エッチング量のばらつきを招くことがわかった。
　また、１００℃以下ではLSパターンの倒れやそれに起因したLERの増加は見られなかったが、１００℃を超えるとLSパターンの倒れやそれに起因したLERが急激に増加することがわかった。ここで１００℃を特異点とする。以上より、実施例１で述べたPMMAエッチング処理の効果を実現するには、第１の工程中の試料温度を１００℃以下に維持することが好ましいことがわかる。
　また、第１の工程のプラズマに水素ラジカルを含む場合には、この温度の特異点が５０℃に低下することがわかっている。その場合、試料温度を５０℃以下に維持することが望ましい。
（比較例２）
　次に、本実施形態のエッチング方法を三層レジストの加工に応用した例を示す。この加工では、図１３のように、シリコン基板３上に有機膜６と無機膜７を積層させた上に、３０ｎｍピッチのLSパターンのレジストマスク８を形成した試料を用いた。各層の膜厚は有機膜６の膜厚が２００ｎｍ、無機膜７の膜厚が２０ｎｍ、レジストマスク８の膜厚が２０ｎｍである。
　比較例１と同様なドライエッチング処理によって、この試料の無機膜７をエッチングして、無機膜のマスクを形成し、更にこの無機膜のマスクを用いて、有機膜６をエッチングした。しかし、比較例１と同様な処理では、酸素などで有機膜６をエッチングした場合に、形成された有機膜６のLSパターンがエッチング中に倒れてしまうという現象が生じた。
　実際、イオンと中性ラジカルの両方が試料に照射される状態において、図１４のように隣同士の有機膜６のLSパターンが接してエッチングが停止してしまうという現象が見られた。解析の結果、この場合も、有機膜６の残膜にばらつきがあり、有機膜６の残膜の収縮応力によって、残膜の厚い側に有機膜６のLSパターンが引っ張られて倒れることが判明した。
（実施例３）
　そこで、実施例１と同様に、Ａｒイオンを遮蔽した状態で酸素プラズマを試料に照射する第１の工程と、Ａｒイオンを遮蔽しない状態でＡｒプラズマを試料に照射する第２の工程を繰り返したところ、有機膜６の残膜の厚さが均一なままエッチングが進行した。このため、図１５に示すように、パターン倒れやパターン同士が接するという現象は発生しなかった。
［実施形態２］
　図１６は、ダウンフロー型エッチャ１０１と反応性イオンエッチング（RIE）型エッチャ１０２を、真空搬送ユニット１０３で連結したドライエッチング装置を示す図である。本実施形態では、第１の工程において、試料をダウンフロー型エッチャ（第１の装置）１０１に搬送して、酸素のプラズマを照射する。
　ダウンフロー型エッチャ１０１では、プラズマ中のイオンを遮蔽して中性ラジカルのみを照射できる構造になっているため、第１の雰囲気中で酸素ラジカルのみが照射される。酸素ラジカルのみでは、PMMAはエッチングされないため、図８に示すようにPMMA表面に酸素ラジカルが飽和吸着した状態になる。
　続いて、第２の工程では、真空搬送ユニット（搬送装置）１０３で試料をダウンフロー型エッチャ１０１からRIE型エッチャ（第２の装置）１０２に搬送して、その内部でＡｒのプラズマを生成させる。RIE型エッチャ１０２ではプラズマ中のイオンも中性ラジカルも照射されるため、第２の雰囲気中でPMMAにＡｒイオンが試料に照射される。このイオン照射によって、図９に示す例と同様にPMMA表面に吸着した酸素ラジカルが活性化されPMMAのエッチングが進む。
　この際のエッチング量は、PMMA表面に飽和吸着した酸素ラジカルの量で決まるため、一定量のPMMAがエッチングされる。ダウンフロー型エッチャ１０１とRIE型エッチャ１０２との間で真空搬送ユニット１０３を介して試料を繰り返し搬送することで、第１の工程と第２の工程を交互に繰り返すことができる。これにより、PMMA残膜が均一なままエッチングが進むため、LSパターンの倒れが抑制される。
　この方法でエッチングされた試料の断面形状は図１０に示すものと同様であり、LSパターンの倒れは見られない。また、加工後の試料の上面形状は、図１１に示すものと同様になる。形成されたPSのLSパターンには倒れに起因したLERは見られず。真っ直ぐなパターンが形成されていることがわかった。
　なお、本発明は上記した実施の形態に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施の形態は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施の形態における構成の一部を他の実施の形態の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施の形態の構成に他の実施の形態の構成を加えることも可能である。また、各実施の形態における構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることも可能である。
１…ポリスチレン（PS)、２…ポリメチルメタクリレート（PMMA)、３…シリコン基板、４…酸素ラジカル、５…Arイオン、６…有機膜、７…無機膜、８…レジストマスク、１１…導波管、１２…減圧処理室、１３…マグネトロン、１４…ソレノイドコイル、１６…多孔板、１７…誘電体窓、２０…試料台、２１…試料、２２…整合器、２３…高周波電源、１０１…ダウンフロー型エッチャ、１０２…RIE型エッチャ、１０３…真空搬送ユニット、２００…シリコン、２０２…シリコン酸化膜

Claims (8)

  1. 　有機膜のドライエッチング方法であって、
    　プラズマから、希ガスもしくは窒素のイオンの濃度を減少させた第１の雰囲気で中性ラジカルを有機膜の表面に吸着させる第１の工程と、前記第１の雰囲気よりもイオン濃度が高い第２の雰囲気で希ガスもしくは窒素のイオンを前記有機膜の表面に供給する第２の工程とを交互に繰り返す、
    ことを特徴とするドライエッチング方法。
  2. 　請求項１のドライエッチング方法において、
    　前記中性ラジカルが酸素もしくは水素である、
    ことを特徴とするドライエッチング方法。
  3. 　請求項１のドライエッチング方法において、
    　前記希ガスがアルゴンガスである、
    ことを特徴とするドライエッチング方法。
  4. 　請求項１のドライエッチング方法において、
    　前記有機膜がＰＭＭＡ製である、
    ことを特徴とするドライエッチング方法。
  5. 　請求項１のドライエッチング方法において、
    　前記第１の工程において、前記中性ラジカルが前記有機膜に飽和吸着する、
    ことを特徴とするドライエッチング方法。
  6. 　請求項１のドライエッチング方法において、
    　前記第１の工程は、前記第２の工程よりも処理時間が長い、
    ことを特徴とするドライエッチング方法。
  7. 　請求項１～６のいずれか１項に記載のドライエッチング方法を実行するドライエッチング装置であって、
    　減圧処理室内にプラズマを発生させるプラズマ発生装置と、
    　前記減圧処理室内に配置された多孔板と、
    　前記プラズマの発生位置を、前記多孔板の上方もしくは下方に変更可能とするプラズマ制御装置と、を有する、
    ことを特徴とするドライエッチング装置。
  8. 　請求項１～６のいずれか１項に記載のドライエッチング方法を実行するドライエッチング装置であって、
    　試料の有機膜に前記第１の雰囲気で中性ラジカルを照射する第１の装置と、
    　試料の有機膜に前記第２の雰囲気で希ガスもしくは窒素のイオンを照射する第２の装置と、
    　前記第１の装置から前記第２の装置へ、また前記第２の装置から前記第１の装置へと、前記試料を搬送する搬送装置と、を有する、
    ことを特徴とするドライエッチング装置。
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