WO2020032035A1 - 基板 - Google Patents

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WO2020032035A1
WO2020032035A1 PCT/JP2019/030932 JP2019030932W WO2020032035A1 WO 2020032035 A1 WO2020032035 A1 WO 2020032035A1 JP 2019030932 W JP2019030932 W JP 2019030932W WO 2020032035 A1 WO2020032035 A1 WO 2020032035A1
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WO
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substrate
light
less
mass
semiconductor device
Prior art date
Application number
PCT/JP2019/030932
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English (en)
French (fr)
Inventor
諭史 清田
和多田　一雄
比嘉　剛久
真宮　正道
邦英 四方
Original Assignee
京セラ株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by 京セラ株式会社 filed Critical 京セラ株式会社
Priority to JP2020535795A priority Critical patent/JP7150026B2/ja
Publication of WO2020032035A1 publication Critical patent/WO2020032035A1/ja

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    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/10—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on aluminium oxide
    • C04B35/111—Fine ceramics
    • C04B35/117—Composites
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00—Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/01—Head-up displays

Definitions

  • the present disclosure relates to a substrate.
  • Patent Literature 1 describes Al 2 O 3 , Si, Ti, Mn, Fe, Cr, and the like as an example of the composition of a black ceramic. Fe, Cr, Co, It is described that Mn, Ni, Cu and the like are used.
  • the substrate of the present disclosure is made of an aluminum oxide ceramic containing a titanium oxide represented by a composition formula of TiO 2-x (1 ⁇ x ⁇ 2), and has a total content of Fe, Ni, Co, Mn, and Cr. Is 260 mass ppm or less.
  • FIG. 1 is a schematic diagram illustrating a configuration of a lamp device including a substrate according to an embodiment of the present disclosure, which is mounted on a front right side of a vehicle.
  • FIG. 2 is a schematic diagram showing a configuration of a first sensor module arranged in the lamp device shown in FIG.
  • FIG. 3 is a schematic diagram illustrating a configuration of a head-up display including a substrate according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 4 is a schematic diagram illustrating a configuration of a test apparatus including a substrate according to an embodiment of the present disclosure.
  • FIG. 5 is a side view showing the configuration of the movable unit and the heat source unit of the test apparatus shown in FIG.
  • FIG. 6 is a graph showing the measurement results of the reflectance in the example.
  • the substrate of the present embodiment is made of an aluminum oxide ceramic containing an oxide of titanium represented by a composition formula of TiO 2-x (1 ⁇ x ⁇ 2), and contains a total of Fe, Ni, Co, Mn and Cr. The amount is 260 mass ppm or less. According to such a configuration, the reflectance is low over a wide wavelength range. In addition, the ultraviolet light (UV) absorbing effect of the titanium oxide can suppress deterioration due to sunlight, and can protect members mounted on the substrate, so that long-term use is possible.
  • UV ultraviolet light
  • the photocatalytic effect of the oxide of titanium can be exerted to remove stains on members mounted on the substrate, and an antifouling effect can be obtained, so that long-term use is possible.
  • the configuration of the substrate of the present embodiment will be specifically described.
  • the aluminum oxide ceramics of all components 100% by mass constituting the ceramics, aluminum oxide content in terms of Al to Al 2 O 3 is at that of the ceramic is 90 mass% or more.
  • the oxide of titanium represented by the composition formula TiO 2-x (1 ⁇ x ⁇ 2 ) is obtained by reducing titanium oxide (TiO 2 ).
  • the crystal phase of the titanium oxide may be rutile type titanium oxide. Further, the total content of Fe, Ni, Co, Mn and Cr may be 170 mass ppm or less.
  • the substrate of the present embodiment exhibits black with sufficiently low reflectance for light in a relatively wide wavelength range.
  • the lightness index L * in the CIE1976L * a * b * color space is 48 or less, and the chromaticness indices a * and b * are -2 to 5 and -10 to 0, respectively.
  • the value of the lightness index L * and the values of the chromaticness indices a * and b * in the CIE1976L * a * b * color space can be determined in accordance with JIS Z8722: 2009.
  • a spectral color difference meter (NF777 manufactured by Nippon Denshoku Industries Co., Ltd. or its successor) may be used, and the measurement conditions may be such that the light source is CIE standard light source D65 and the viewing angle is 2 °.
  • the maximum value Rmax of the reflectance over a wavelength range of 250 nm to 2500 nm is 24% or less, and the difference ⁇ R between the maximum value Rmax and the minimum value Rmin is 15.3% or less. That is, the substrate of the present embodiment has a low reflectance in the wavelength range of 250 nm to 2500 nm, and the dispersion of the wavelength distribution of the light intensity of the reflected light with respect to the irradiation light is small. The substrate of the present embodiment has a uniform low reflectance over such a wide wavelength range.
  • the content of the titanium oxide represented by the composition formula TiO 2 ⁇ x (1 ⁇ x ⁇ 2) is, for example, 0.5% of 100% by mass of all components constituting the ceramic. It is not less than 4% by mass and not more than 4% by mass.
  • the content of the titanium oxide is in the above-described range, a black color having a low reflectance with sufficiently low saturation can be obtained, and the volume resistivity at room temperature (5 to 35 ° C.) can be reduced. It has electrical insulation of 10 9 ⁇ ⁇ m or more.
  • the volume resistivity of the substrate of the present embodiment may be, for example, 10 8 ⁇ ⁇ m or more at 200 ° C.
  • the volume resistivity decreases as the temperature increases, but the substrate of this embodiment has insulating properties even at a high temperature of 200 ° C.
  • the volume resistivity can be determined in accordance with JIS C 2141: 1992.
  • the upper limit of the volume resistivity is not particularly limited.
  • the substrate may not contain aluminum titanate.
  • Whether or not the substrate contains aluminum titanate may be determined by comparing an X-ray chart obtained using an X-ray diffractometer (XRD) with a JCPDS card (No. 00-041-0258).
  • the total content of Fe, Ni, Co, Mn and Cr is 260 mass ppm or less, that is, the content of Cr alone is 260 mass ppm at the maximum.
  • Cr is contained in alumina, light having a wavelength of 700 nm or more and less than 780 nm (hereinafter also referred to as short wavelength light) or light having a wavelength of 780 nm or more and less than 1590 nm (hereinafter referred to as long wavelength light)
  • the reflectance of the substrate of the present embodiment is small in the short wavelength region and the long wavelength region because the content of Cr is small.
  • the Cr content of the substrate is 40 ppm by mass or less, the reflectance for light in a relatively wide wavelength range is sufficiently low.
  • the substrate may include oxides of silicon, calcium, and magnesium in a grain boundary phase that bonds crystal grains of aluminum oxide.
  • the total content of the oxides of silicon, calcium and magnesium is, for example, 2% by mass or more and 4% by mass or less of 100% by mass of all components constituting the ceramics.
  • the content of the oxides of calcium and magnesium is 10% by mass or more and 30% by mass or less, and the balance is It may be an oxide of silicon.
  • the substrate has a volume resistivity at room temperature of 10 11 ⁇ ⁇ m or more, or 10 12 ⁇ ⁇ m or more.
  • the crystal phase of the titanium oxide in the substrate can be identified by XRD, and the value of x may be determined using a transmission electron microscope (TEM).
  • TEM transmission electron microscope
  • the contents of aluminum, silicon, calcium, magnesium, and titanium in terms of oxides were determined using an X-ray fluorescence spectrometer (XRF) or an inductively coupled plasma (ICP) emission spectrometer (ICP).
  • XRF X-ray fluorescence spectrometer
  • ICP inductively coupled plasma
  • SiO 2 SiO 2
  • CaO CaO
  • MgO magnesium oxide
  • TiO 2-x (1 ⁇ x ⁇ 2).
  • the contents of Fe, Ni, Co, Mn, and Cr may be determined using a glow discharge mass spectrometer (GDMS).
  • GDMS glow discharge mass spectrometer
  • the aluminum oxide ceramics forming the substrate is inexpensive, and a high dielectric constant equivalent to that of a high-purity and expensive aluminum oxide ceramic having a titanium oxide content of less than 0.1% by mass can be obtained. it can.
  • the substrate of the present embodiment may have a portion where the average value of the skewness Rsk is 0.04 or more and 0.45 or less. When the substrate has such a portion, the reflectance is low. Note that the average value of all the skewnesses Rsk in the substrate may be 0.04 or more and 0.45 or less.
  • the substrate of the present embodiment may have a portion where the average value of the Kurtosis Rku is 4.1 or more and 6.5 or less. When the substrate has such a portion, the reflectance is low.
  • the average value of all kurtosis Rku in the substrate may be 4.1 or more and 6.5 or less.
  • the substrate of the present embodiment may have a portion where the average value of the arithmetic average roughness Ra is 1 ⁇ m or more and 2 ⁇ m or less.
  • the reflectance is low.
  • the average value of all arithmetic average roughnesses Ra on the substrate may be 1 ⁇ m or more and 2 ⁇ m or less.
  • Skewness Rsk, Kurtosis Rku, and arithmetic average roughness Ra can be determined by using, for example, a laser microscope (VK-9510, manufactured by Keyence Corporation) in accordance with JIS B # 0601: 2001.
  • the measurement conditions were as follows: the measurement mode was color super-depth, the measurement magnification was 400 times, the measurement range was 698 ⁇ m ⁇ 522 ⁇ m, the measurement pitch was 0.05 ⁇ m, the ⁇ s contour curve filter was 2.5 ⁇ m, and the ⁇ c contour curve filter was 0.08 mm.
  • the average value of the measured values obtained from the eight measurement ranges may be the average value of the skewness Rsk, the Kurtosis Rku, and the arithmetic average roughness Ra.
  • the aluminum oxide ceramic may have a light-shielding surface, and the light-shielding surface may have a color difference ⁇ * Eab in the CIE1976L * a * b * color space of 4.5 or less.
  • the color difference ⁇ * Eab is an index indicating a variation in color tone, and is represented by the following equation (1).
  • ⁇ E * ab [( ⁇ L *) 2 + ( ⁇ a *) 2 + ( ⁇ b *) 2 ] 1/2 (1)
  • ⁇ L * is the difference between the lightness index L 1 * of the first measurement target point on the light shielding surface and the lightness index L 2 * of the second measurement target point
  • ⁇ a * is the chromaticness index of the first measurement target point on the light shielding surface.
  • the difference between a 1 * and the brightness index a 2 * of the second measurement point, ⁇ b * is the chromaticity index b 1 * of the first measurement point on the light-shielding surface and the brightness index b 2 * of the second measurement point. Is the difference.
  • the coefficient of variation of the lightness index L * in the CIE1976L * a * b * color space of the light-shielding surface may be 0.02 or less (excluding 0).
  • the light-shielding surface is hardly discolored even when repeatedly irradiated with light, so that it does not easily change over time.
  • the average value of the lightness index L * of the light-shielding surface is, for example, 48 or less.
  • the value of the lightness index L * and the values of the chromaticness indices a * and b * in the CIE1976 L * a * b * color space of the light-shielding surface can be obtained by the same method as described above.
  • the aluminum oxide ceramic may have open pores, and a skewness of a circle equivalent diameter of the open pores may be 0.1 or more and 2 or less.
  • the skewness of the equivalent diameter of the open pores is 0.1 or more, the distribution of the equivalent diameter of the open pores tilts to the smaller side, and floating metal powder or white light-colored powder enters the open pores. This makes it difficult to reduce the color tone on the light-shielding surface, thereby improving the commercial value.
  • the average value of the equivalent circle diameter of the open pores is, for example, 4 ⁇ m or more and 6 ⁇ m or less.
  • the porosity of the open pores is 3 area% or more and 6 area% or less.
  • the average particle diameter D 50 was polished holding member in the cast iron plate with diamond abrasive grains of 3 [mu] m, an average particle diameter D 50 0. Polishing is performed on a tin platen using diamond abrasive grains of 5 ⁇ m to obtain a measurement surface.
  • an average part of the measurement surface is selected and photographed with a CCD camera at a magnification of 100 using an optical microscope.
  • image analysis software for example, Win ROOF, manufactured by Mitani Corporation
  • the threshold value of the equivalent circle diameter of the open pores is 0.8 ⁇ m, and the equivalent circle diameter less than 0.8 ⁇ m is not analyzed.
  • the skewness of the circle equivalent diameter of the open pore may be obtained by using a function SKEW provided in Excel (registered trademark, Microsoft Corporation).
  • the shape of the substrate is not particularly limited, and a desired shape can be adopted according to a member to be mounted.
  • powders of aluminum oxide, silicon oxide, calcium carbonate, magnesium hydroxide and titanium oxide are prepared.
  • the total content of the powders of calcium carbonate, magnesium hydroxide, and silicon oxide is, for example, 6.5% by mass or more and 12.9% by mass or less of the total 100% by mass of the powder.
  • the content of the powder of calcium carbonate, magnesium hydroxide and silicon oxide is 17.8% by mass or more and 53.4% by mass or less of the total of 100% by mass of these powders.
  • the content of magnesium hydroxide powder is 14.4% by mass or more and 43.2% by mass or less, and the remainder is silicon oxide powder.
  • the content of magnesium hydroxide is preferably 30% by mass or more and 44% by mass or less of the content of titanium oxide.
  • magnesium hydroxide When the content of magnesium hydroxide is within the above range, generation of anorthite and mullite, which are likely to occur in a reduction treatment described later, is suppressed. Since the average linear expansion coefficient of anorthite and mullite is different from that of aluminum oxide, if the formation of these compounds is suppressed, cracks will occur even if the substrate is used in an environment repeatedly exposed to heating and cooling. Less likely to occur.
  • the content of the titanium oxide powder is, for example, 0.5% by mass or more and 4% by mass or less of the total 100% by mass of each powder of aluminum oxide, silicon oxide, calcium carbonate, magnesium hydroxide, and titanium oxide;
  • the balance is aluminum oxide powder.
  • a pulverizer such as a barrel mill, a rotary mill, a vibration mill, a bead mill, an agitator mill, an atomizer, and an attritor to obtain a slurry.
  • a solvent, an organic binder such as polyvinyl alcohol (PVA) in an amount of 1 part by mass to 1.5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the solvent, and 0.1 part by mass with respect to 100 parts by mass of the solvent Parts by mass and 0.5 part by mass or less of the dispersant are put into the grinder together.
  • PVA polyvinyl alcohol
  • the obtained slurry is subjected to a demagnetization treatment and then spray-dried to obtain granules.
  • Fe, Ni and Co which are ferromagnetic metals, are removed.
  • the contents of Fe, Ni, Co, Mn and Cr in the substrate are affected by the wear of the stainless steel member used in the crusher.
  • a stainless steel member that is worn by long-term use may be replaced with a titanium component that easily forms a passivation film on its surface, or a titanium-based film such as TiN, TiCN, TiC, TiAlN, TiAlCN, or TiAlO, or a non-titanium-based material.
  • the surface of the stainless steel member may be coated with crystalline hard carbon (DLC).
  • DLC crystalline hard carbon
  • a substrate having a total content of Fe, Ni, Co, Mn and Cr of 260 mass ppm or less can be obtained by such replacement or coating of the stainless steel member.
  • the granules are formed by a dry pressing method or a cold isostatic pressing method (CIP) and then subjected to a cutting process to obtain a formed body. Thereafter, the obtained compact is fired in an air (oxidizing) atmosphere at a temperature of 1500 ° C. or higher and 1700 ° C. or lower for a predetermined period of time to obtain a sintered body.
  • the molding pressure may be, for example, 1500 MPa or more and 4000 MPa or less.
  • the sintered body obtained by the above-described method is used as a reducing atmosphere, for example, in a mixed gas having a nitrogen: hydrogen ratio of 87 to 90% by volume: 10 to 13% by volume, from 1300 ° C to 1400 ° C
  • the substrate of the present embodiment can be obtained by holding at the temperature of 1 hour or more and 2 hours or less.
  • the content of the titanium oxide powder is determined by changing the content of aluminum oxide, silicon oxide, calcium carbonate, and magnesium hydroxide.
  • the content of the titanium oxide powder is set to aluminum oxide.
  • the substrate of the present embodiment described above has a low reflectance in the visible light region and the (near) infrared region and can be used for a long period of time. Can be used.
  • a lamp device and a head-up display will be described as an example of a vehicle-mounted optical device including the substrate of the present embodiment, and the description will be sequentially given with reference to the drawings.
  • the in-vehicle optical device according to the present disclosure may include any configuration that is not illustrated in the drawings referred to. Further, the dimensions of the components in the drawings do not faithfully represent the dimensions, dimensional ratios, and the like of the actual components.
  • Lamp device In the following description, a configuration in which the lamp device is mounted on the right front of the vehicle will be described as an example, but the lamp device of the present disclosure is not limited to a configuration mounted on the right front of the vehicle as long as it has the function.
  • a lamp device 20 includes a light-transmitting cover 21 located in a traveling direction of a vehicle, a housing 22 located on the opposite side of the light-transmitting cover 21, and a light-transmitting cover 21. And a headlight 24, a first sensor module 25, and a second sensor module 26 which are respectively located inside a lamp room 23 surrounded by the housing 22.
  • the headlight 24 includes an optical system component including at least one of a lens and a reflector.
  • the light emitted from the headlight 24 passes through the translucent cover 21 and illuminates the right front of the vehicle. Since the lamp device 20 includes such a headlight 24, it functions as a headlight.
  • the first sensor module 25 includes a first substrate 251 (support member).
  • the first substrate 251 supports a first visible light camera 252, a first LiDAR (Light Detection and Ranging) sensor 253, and a first light shielding member 254 (shielding member). Further, as shown in FIG. , A communication unit 256 and a power supply unit 257.
  • the first substrate 251 is a substrate on which a sensor circuit including the first visible light camera 252, the first LiDAR sensor 253, the control unit 255, the communication unit 256, and the power supply unit 257 is mounted.
  • a plurality of sensors (the first visible light camera 252 and the first LiDAR sensor 253) having different detection methods, a first light-blocking member 254 which is a cylindrical hollow member surrounding these sensors, and a circuit for operating these sensors are modularized on the first substrate 251.
  • the first visible light camera 252 captures an image of the right side of the vehicle. That is, the first visible light camera 252 is a sensor that detects information on the right side of the vehicle.
  • the first LiDAR sensor 253 includes a light emitting unit 253a that emits infrared light and a light receiving unit 253b that detects reflected light that is reflected by the infrared light hitting an object present on the right side of the vehicle.
  • the first LiDAR sensor 253 can calculate the distance to the object based on the time from emitting infrared light in a certain direction to detecting reflected light from the object.
  • information on the shape of the object can be obtained by collecting and analyzing the measured values of the distance in association with the detected position.
  • information such as the material of the object associated with the reflection can be obtained based on the difference between the wavelengths of the emitted light and the reflected light.
  • information on the color of the target object (such as a white line on the road surface) can be obtained based on the difference in the reflectance of the reflected light. That is, the first LiDAR sensor 253 can obtain various information on the right side of the vehicle by a method different from that of the first visible light camera 252.
  • the first sensor module 25 includes a first actuator 258 (an example of an adjustment mechanism) coupled to the first substrate 251.
  • the first actuator 258 adjusts at least one of the position and the posture of the first substrate 251 with respect to the vehicle.
  • the second sensor module 26 includes the second substrate 261.
  • the second substrate 261 supports the second visible light camera 262, the second LiDAR sensor 263, the millimeter wave radar 264, and the second light shielding member 265 which is a cylindrical hollow member surrounding these, all of which are not shown.
  • the control unit, the communication unit, and the power supply unit are further supported.
  • the functions of the second visible light camera 262 and the second LiDAR sensor 263 are the same as the functions of the first visible light camera 252 and the first LiDAR sensor 253, respectively, and a description thereof will be omitted.
  • the millimeter-wave radar 264 includes a transmitting unit that transmits a millimeter wave and a receiving unit that receives a reflected wave that has been reflected by at least an object in which the millimeter wave hits the right front of the vehicle.
  • the frequency of the millimeter wave is, for example, 24 GHz, 26 GHz, 76 GHz, or 79 GHz.
  • the millimeter-wave radar 264 can determine the distance to the object based on the time from when the infrared light is emitted in a certain direction to when the reflected light from the object is detected. In addition, by collecting and analyzing the distance measurement values in association with the detection position, information relating to the movement of the object can be obtained. That is, the millimeter wave radar 264 can obtain information on the right front of the vehicle by a method different from that of the second visible light camera 262 or the second LiDAR sensor 263.
  • the second sensor module 26 includes a second actuator 266 (an example of an adjustment mechanism) coupled to the second substrate 261.
  • the second actuator 266 adjusts at least one of the position and the posture of the second substrate 261 with respect to the vehicle.
  • the lamp device 20 also includes a signal processing unit 27 located outside the lamp room 23.
  • the signal processing unit 27 is configured to output a first drive signal 271 for driving the first actuator 258 and a second drive signal 272 for driving the second actuator 266.
  • the first drive signal 271 includes at least one of the position and the posture of the first actuator 258, and the second drive signal 272 includes the information of at least one of the position and the posture of the second actuator 266. .
  • the substrate of the present embodiment has a low reflectance over a wide wavelength range, and thus can reduce noise of a projected image.
  • the UV absorption effect of titanium oxide can suppress deterioration due to sunlight, and protect the components mounted on the substrate (visible light camera, LiDAR sensor, light shielding member, control unit, communication unit, power supply unit, etc.) So that long-term use is possible.
  • the photocatalytic effect of the oxide of titanium can be exhibited to remove stains on members mounted on the substrate, and an antifouling effect can be obtained, so that long-term use is possible.
  • the lamp device 20 includes a light source element mounting board on which a light source element (eg, an LED) of the headlight 24 is mounted as a substrate around the optical path. Then, in the lamp device 20, the light source element mounting substrate is formed of the substrate of the present embodiment.
  • the substrate of the present embodiment may be used for a light source element of a headlight. According to such a configuration, stray light can be removed by the low reflectance of the substrate of the present embodiment, so that unnecessary reflection or scattering on the optical path can be reduced, and noise of a projected image can be reduced. Further, it is possible to prevent contamination around the light source element by the photocatalytic effect of the oxide of titanium and maintain the luminance for a long time.
  • the lamp device 20 includes a CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor mounted on the first visible light camera 252 as a substrate around the optical path. Further, in the lamp device 20, the CMOS mounting substrate is formed of the substrate of the present embodiment. In other words, the substrate of the present embodiment may be for a vehicle-mounted camera. According to such a configuration, noise of a projected image can be reduced by low reflectance in the visible light region and the (near) infrared region of the substrate of the present embodiment. In addition, the photocatalytic effect of the oxide of titanium can prevent contamination near the CMOS image sensor and maintain the sensitivity.
  • CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor
  • the lamp device 20 includes, as a substrate around the optical path, a light receiving element mounting substrate on which the light receiving element in the light receiving section 253b of the first LiDAR sensor 253 is mounted. Then, in the lamp device 20, the light receiving element mounting substrate is formed of the substrate of the present embodiment.
  • the substrate of the present embodiment may be for LiDAR. According to such a configuration, noise can be reduced by the low reflectance in the near-infrared region of the substrate of the present embodiment, and as a result, the detection performance of the first LiDAR sensor 253 increases. Further, the photocatalytic effect of the oxide of titanium can prevent contamination of the light receiving element and maintain the sensitivity.
  • the lamp device 20 also includes the same substrate as the first visible light camera 252 and the first LiDAR sensor 253 described above for the second visible light camera 262 and the second LiDAR sensor 263. Then, in the lamp device 20, the substrate in the second visible light camera 262 and the second LiDAR sensor 263 may be configured by the substrate of the present embodiment.
  • the head-up display 30 includes an in-vehicle projector module 31, a reflection mirror 32, a microlens array 33, a convex lens 34, a combiner 35.
  • the vehicle-mounted projector module 31 projects an image in the direction of arrow a.
  • the in-vehicle projector module 31 includes an optical and MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) unit and an RGB light source module housed in the optical and MEMS unit.
  • MEMS Micro Electro Mechanical Systems
  • the reflection mirror 32 reflects the image projected from the vehicle-mounted projector module 31 toward the microlens array 33.
  • the micro lens array 33 functions as an intermediate image screen.
  • the convex lens 34 is adjacent to the microlens array 33 and convex toward the combiner 35, and functions as a field lens.
  • the combiner 35 reflects the image enlarged by the convex lens 34 toward the driver's eyes.
  • the micro lens array 33 and the convex lens 34 are held by a lens holding member 36. That is, the head-up display 30 includes the lens holding member 36 that holds the micro lens array 33 and the convex lens 34.
  • the head-up display 30 further includes the following configuration in addition to the configuration described above. That is, the head-up display 30 includes a light source element substrate on which the light source elements of the RGB light source module are mounted as a substrate around the optical path. Then, in the head-up display 30, the light source element substrate is made of the substrate of the present embodiment. In other words, the substrate of the present embodiment may be for a head-up display. According to such a configuration, noise of a projected image can be reduced by a low reflectance over a wide wavelength range of the substrate of the present embodiment. In addition, the antifouling effect of the photocatalytic effect of the oxide of titanium enables long-term use.
  • FIG. 4 is a partial cross-sectional view illustrating a configuration of a test apparatus including a substrate according to an embodiment of the present disclosure.
  • the test apparatus 40 is an apparatus that measures static characteristics, dynamic characteristics, and the like of the semiconductor device 41 while the temperature of the semiconductor device 41 housed in the package is raised.
  • the test apparatus 40 is configured to carry the semiconductor device 41 to the mounting portion 42 by a transport mechanism (not shown) or to unload the semiconductor device 41 from the mounting portion 42.
  • the mounting section 42 includes a mounting table 44 on which the semiconductor device 41 is mounted, and the mounting table 44 is supported from below by a contractible coil spring 43.
  • the coil spring 43 contracts and the semiconductor device 41 moves downward together with the mounting table 44.
  • the terminals of the semiconductor device 41 and the contact pins 45 connected to the measurement circuit 46 come into contact and are electrically connected.
  • an auxiliary terminal 47 including an elastic member for receiving pressure from above the semiconductor device 41 is provided on the plate-like member 48 holding the contact pin 45 in preparation for a case where the terminal is large.
  • an infrared temperature sensor S1 for measuring the temperature of the semiconductor device 41 is mounted on the mounting table 44.
  • the mounting table 44 is replaceable. Further, the contact pins 45 and the auxiliary terminals 47 can be replaced together with the plate-shaped member 48, and can be replaced according to the semiconductor device 41 to measure various static characteristics, dynamic characteristics, etc. of the semiconductor device 41. Can be.
  • the movable section 49 is provided above the mounting section 42.
  • the movable part 49 can be moved in the vertical direction by a movable mechanism, contacts the upper surface of the package of the semiconductor device 41, presses the semiconductor device 41 from above, and raises the temperature of the semiconductor device 41.
  • the movable section 49 has a pressing member 59 for pressing each terminal of the semiconductor device 41 against the contact pin 45.
  • the semiconductor device 41 is heated by the heat source unit 51 installed above the movable unit 49, and the static characteristics, dynamic characteristics, and the like of the semiconductor device 41 are measured.
  • the heating is stopped, the movable part 49 is moved upward, and the semiconductor device 41 is carried out.
  • FIG. 5 is a side view showing the configuration of the movable part and the heat source part of the test apparatus shown in FIG.
  • the heat source unit 51 has a heat sink 52 at the center in the vertical direction, and a cooling fan 53 above the heat sink 52.
  • the heat sink 52 and the cooling fan 53 suppress an abnormal rise in the temperature of the heat source unit 51. Is done.
  • the heat source unit 51 includes a straight tube-type halogen lamp 54 disposed in parallel below the heat sink 52, and the infrared rays emitted from the halogen lamp 54 heat the semiconductor device 41.
  • Each of the halogen lamps 54 includes a reflector 55.
  • the reflector 55 is formed by a parabolic mirror that emits infrared rays toward the movable section 49, and the halogen lamp 54 is disposed at the focal point of the paraboloid. With such an arrangement, the heat source section 51 can emit infrared rays substantially parallel to the movable section 49.
  • the halogen lamps 54 are arranged in parallel, it is possible to irradiate infrared rays substantially in parallel over a wide range as indicated by arrows. Even if the movable part 49 is moved with respect to the fixed heat source part 51 by the parallel irradiation of the infrared rays, the temperature distribution of the infrared rays incident on the heat conduction member 58 described later hardly changes. The static characteristics and dynamic characteristics of the semiconductor device 41 can be measured with few fluctuation factors.
  • the heat source unit 51 is configured to irradiate infrared rays to a region larger than the semiconductor device 41 when viewed in a plan view, and to raise the temperature of the semiconductor device 41 to a set temperature. Number is set.
  • the halogen lamp 54 and the reflector 55 are housed in a case 56 having an opening on the side that emits infrared rays. With such a configuration, leakage of infrared rays is prevented, and thermal efficiency is improved.
  • the test apparatus 40 further includes a heat sink 52 above the case 56.
  • the light collection dome 57 is provided so as to cover the case 56 from below, and reflects the infrared rays from the heat source 51 and collects the light on the heat conduction member 58. Further, the plate-shaped heat conductive member 58 is provided below the light-collecting dome 57 and at a position facing the semiconductor device 41. The heat conduction member 58 is directly radiated by infrared rays from the heat source unit 51 and heats up. Further, due to the downward movement by the movable portion 49, the heat conductive member 58 comes into contact with the upper surface of the semiconductor device 41, and the semiconductor device 41 is heated.
  • Some semiconductor devices 41 have electrodes exposed from the top surface of the package in order to improve heat dissipation. If a conductive material such as metal is brought into contact with the semiconductor device 41 from which the electrodes are exposed, the semiconductor device 41 is damaged, and the characteristics of the semiconductor device 41 cannot be measured correctly.
  • the heat conducting member 58 may be an insulator that can efficiently raise the temperature of the semiconductor device 41 by irradiating infrared rays, that is, a substrate according to the present disclosure.
  • the heat conduction member 58 is appropriately designed according to the shape and size of the upper end surface of the semiconductor device 41. By designing in this way, the test apparatus 40 can reduce the loss related to the heat conduction from the heat conducting member 58 and efficiently raise the temperature of the semiconductor device 41.
  • test apparatus 40 including the substrate of the present disclosure as the heat conducting member 58 can correctly measure the characteristics of the semiconductor device 41 without damaging the semiconductor device 41.
  • the substrate is used for a vehicle-mounted optical device and a test device is described as an example, but the substrate of the present embodiment is not limited to the vehicle-mounted optical device and the test device.
  • Other applications include, for example, electronic equipment, medical and physicochemical equipment, and the like. Specific examples include medical equipment such as CT scanning, and analyzers such as a transmission electron microscope (TEM).
  • TEM transmission electron microscope
  • the use of the substrate is not limited to the illustrated one.
  • these powders were wet-mixed with a barrel mill and pulverized to obtain a slurry.
  • a solvent, 1.25 parts by mass of polyvinyl alcohol (PVA) with respect to 100 parts by mass of the solvent, and 0.3 part by mass of a dispersant with respect to 100 parts by mass of the solvent were also charged into the pulverizer.
  • the obtained slurry was adjusted by a demagnetization treatment so that the total content of Fe, Ni, Co, Mn and Cr in the substrate became a value shown in Table 1, and then spray-dried to obtain granules. Obtained.
  • the stainless steel member used for the pulverizer was coated with a TiN film in advance, and then the powder was pulverized.
  • the granules were formed by cold isostatic pressing (CIP) and then subjected to cutting to obtain a formed body. Thereafter, the obtained molded body was kept in an air (oxidizing) atmosphere at a temperature of 1570 ° C. for 2 hours to obtain a sintered body. Next, the surface of the sintered body was polished using a vibration barrel polishing machine.
  • CIP cold isostatic pressing
  • the sintered body obtained by the above-described method is kept at a temperature of 1350 ° C. for 1 hour and 30 minutes in a reducing atmosphere (a mixed gas having a nitrogen: hydrogen ratio of 88.5% by volume: 11.5% by volume).
  • a mixed gas having a nitrogen: hydrogen ratio of 88.5% by volume: 11.5% by volume As a result, the sample No. 1-4 were obtained.
  • Each of the obtained samples was identified using XRD.
  • the value of x in TiO 2-x was determined using a transmission electron microscope (TEM). Further, the contents of the elements constituting each sample were determined using XRF, and converted into the identified components. Further, the contents of the trace components Fe, Ni, Co, Mn and Cr were determined using a glow discharge mass spectrometer (GDMS). Table 1 shows the results. Each sample contains inevitable impurities as components not shown in Table 1.
  • the reflectance in the wavelength range of 250 nm to 2500 nm was determined using an ultraviolet-visible-near-infrared spectrophotometer (V-670, manufactured by JASCO Corporation), and the measured values were graphed. 6 is shown. Further, ⁇ R was calculated from the minimum value Rmin and the maximum value Rmax of the reflectance in the above-mentioned region of each sample. Table 1 shows the minimum value Rmin, the maximum value Rmax, and ⁇ R of the reflectance.
  • the integrating sphere unit used for the measurement of the reflectance is ISN-723
  • the reference light source is a deuterium lamp in a wavelength region of 250 nm to 360 nm
  • the halogen lamp is a region in a wavelength range of 360 nm to 2500 nm.
  • the mode was total reflectance
  • the data acquisition interval was 1.0 nm
  • the UV / Vis bandwidth was 5.0 nm
  • the NIR bandwidth was 20.0 nm.
  • Sample Nos. 1 to 3 are sample Nos. Rmax and ⁇ R were smaller than 4. From these results, it was made of an aluminum oxide ceramic containing a titanium oxide represented by a composition formula of TiO 2-x (1 ⁇ x ⁇ 2), and the total content of Fe, Ni, Co, Mn and Cr was 260 It was found that when the mass was ppm or less, the reflectance was low in the wavelength range of 250 nm to 2500 nm, and the variation in the wavelength distribution of the light intensity of the reflected light with respect to the irradiation light was small.
  • sample no. No. 1 is more suitable for use as described above because the difference ⁇ R in the reflectance in the above-mentioned region is 6.2%.

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Abstract

本開示の基板は、組成式がＴｉＯ2-x（１≦ｘ＜２）として示されるチタンの酸化物を含む酸化アルミニウム質セラミックスからなり、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの合計の含有量が２６０質量ｐｐｍ以下である。

Description

基板
　本開示は、基板に関する。
　特許文献１には、黒色セラミックスの組成の一例として、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｃｒなどが記載されており、黒色にするための着色材として、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕなどが使われることが記載されている。
特開平８－１７３８８号公報
　本開示の基板は、組成式がＴｉＯ2-x（１≦ｘ＜２）として示されるチタンの酸化物を含む酸化アルミニウム質セラミックスからなり、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの合計の含有量が２６０質量ｐｐｍ以下である。
図１は、本開示の実施形態に係る基板を備えるランプ装置であって車両の右前方に搭載されるランプ装置の構成を示す模式図である。 図２は、図１に示すランプ装置内に配置された第１センサモジュールの構成を示す模式図である。 図３は、本開示の実施形態に係る基板を備えるヘッドアップディスプレイの構成を示す模式図である。 図４は、本開示の実施形態に係る基板を備える試験装置の構成を示す模式図である。 図５は、図４に示す試験装置の可動部および熱源部の構成を示す側面図である。 図６は、実施例における反射率の測定結果を示すグラフである。
　＜基板＞
　以下、本開示の実施形態に係る（回路）基板について詳細に説明する。
　本実施形態の基板は、組成式がＴｉＯ2-x（１≦ｘ＜２）として示されるチタンの酸化物を含む酸化アルミニウム質セラミックスからなり、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの合計の含有量が２６０質量ｐｐｍ以下である。このような構成によれば、広い波長範囲にわたって反射率が低くなる。また、チタンの酸化物の紫外線（ＵＶ）吸収効果によって日光による劣化を抑制することができ、基板に実装される部材を保護することができるので、長期使用が可能となる。さらに、日光を浴びるとチタンの酸化物の光触媒効果が発現して基板に実装される部材の汚れを除去することができ、防汚効果も得られるので、長期使用が可能となる。以下、本実施形態の基板の構成について具体的に説明する。
　酸化アルミニウム質セラミックスとは、セラミックスを構成する全成分１００質量％のうち、ＡｌをＡｌ2Ｏ3に換算した酸化アルミニウムの含有量が９０質量％以上であるセラミックスのことである。また、組成式がＴｉＯ2-x（１≦ｘ＜２）として示されるチタンの酸化物とは、酸化チタン（ＴｉＯ2）が還元されたものである。チタンの酸化物の結晶相は、ルチル型酸化チタンであってもよい。また、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの合計の含有量は、１７０質量ｐｐｍ以下であってもよい。
　本実施形態の基板は、比較的広い波長範囲の光に対して反射率が十分に低い黒色を呈する。具体的には、ＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における明度指数Ｌ＊が４８以下であり、クロマティクネス指数ａ＊、ｂ＊がそれぞれ－２以上５以下、－１０以上０以下である。ＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における明度指数Ｌ＊の値、クロマティクネス指数ａ＊およびｂ＊の値は、ＪＩＳ　Ｚ　８７２２：２００９に準拠して求めることができる。例えば、分光色差計（日本電色工業（株）製ＮＦ７７７またはその後継機種）を用い、測定条件としては、光源をＣＩＥ標準光源Ｄ６５、視野角度を２°に設定すればよい。
　本実施形態の基板は、波長２５０ｎｍ～２５００ｎｍにわたる反射率の最大値Ｒｍａｘが２４％以下であり、最大値Ｒｍａｘと最小値Ｒｍｉｎとの差であるΔＲが１５．３％以下である。すなわち、本実施形態の基板は、波長２５０ｎｍ～２５００ｎｍの範囲において、反射率が低く、照射光に対する反射光の光強度の波長分布のばらつきが小さい。本実施形態の基板は、このように広い波長範囲にわたって反射率が一様に低くなっている。
　本実施形態の基板において、組成式がＴｉＯ2-x（１≦ｘ＜２）として示されるチタンの酸化物の含有量は、セラミックスを構成する全成分１００質量％のうち、例えば、０．５質量％以上４質量％以下である。チタンの酸化物の含有量が前述した範囲であるときには、彩度が十分に抑制された反射率の低い黒色の色味とすることができるとともに、室温（５～３５℃）における体積固有抵抗が１０9Ω・ｍ以上の電気的絶縁性を有する。また、より絶縁性を高めるという観点からは、本実施形態の基板の体積固有抵抗は、例えば、２００℃にて１０8Ω・ｍ以上であってもよい。通常、温度が高くなると体積固有抵抗は低下するが、本実施形態の基板は、２００℃の高温においても絶縁性を有する。ここで、体積固有抵抗は、ＪＩＳ　Ｃ　２１４１：１９９２に準拠して求めることができる。なお、体積固有抵抗の上限値は、特に限定されない。
　基板は、チタン酸アルミニウムを含んでいなくてもよい。このような構成を満たすときには、酸化アルミニウムに対する線膨張係数の差が大きいチタン酸アルミニウムが基板中に存在しないことから、昇温および冷却が繰り返されても微小なクラックが発生しにくい。基板がチタン酸アルミニウムを含んでいるか否かは、Ｘ線回折装置（ＸＲＤ）を用いて得られるＸ線チャートを、ＪＣＰＤＳカード（Ｎｏ．００－０４１－０２５８）と照合すればよい。
　本実施形態の基板は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの合計の含有量が２６０質量ｐｐｍ以下、すなわちＣｒ単独の含有量が最大でも２６０質量ｐｐｍである。アルミナにＣｒを含有させた際には、波長が７００ｎｍ以上７８０ｎｍ未満の領域の光（以降、短波長領域光ともいう）や、波長が７８０ｎｍ以上１５９０ｎｍ未満の領域の光（以降、長波長領域光ともいう）の反射率が大きくなりやすいが、本実施形態の基板は、Ｃｒの含有量が少ないことから、短波長領域および長波長領域における反射率が小さい。
　基板においてＣｒの含有量が４０質量ｐｐｍ以下であれば、比較的広い波長範囲の光に対する反射率が十分に低くなる。
　また、基板におけるＦｅの含有量が１００質量ｐｐｍ以下であれば、変色による反射率の増加をより抑制することができるため、可視光線領域および（近）赤外線領域での反射率がより低くなる。
　また、基板における、Ｎｉの含有量が１０質量ｐｐｍ以下、Ｃｏの含有量が５質量ｐｐｍ以下またはＭｎの含有量が１００質量ｐｐｍ以下であれば、機械的強度や電気特性の変化が小さくなる。
　基板は、酸化アルミニウムの結晶粒子同士を結合する粒界相に、珪素、カルシウムおよびマグネシウムの酸化物を含んでいてもよい。ここで、珪素、カルシウムおよびマグネシウムの酸化物の含有量の合計は、セラミックスを構成する全成分１００質量％のうち、例えば、２質量％以上４質量％以下である。また、珪素、カルシウムおよびマグネシウムの酸化物の含有量の合計を１００質量％としたとき、カルシウムの酸化物およびマグネシウムの酸化物の含有量はそれぞれ１０質量％以上３０質量％以下であり、残部が珪素の酸化物であってもよい。珪素、カルシウムおよびマグネシウムの酸化物の含有量が上記範囲である場合、基板は、室温における体積固有抵抗が１０11Ω・ｍ以上か、または１０12Ω・ｍ以上となる。
　なお、基板におけるチタンの酸化物の結晶相は、ＸＲＤによって同定することができ、ｘの値については、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて求めればよい。
　また、アルミニウム、珪素、カルシウム、マグネシウムおよびチタンをそれぞれ酸化物に換算した含有量は、蛍光Ｘ線分析装置（ＸＲＦ）またはＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）発光分光分析装置（ＩＣＰ）を用いて、各元素の含有量を求め、それぞれＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＣａＯ、ＭｇＯおよびＴｉＯ2-x（１≦ｘ＜２）に換算することで求められる。Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの含有量は、グロー放電質量分析装置（ＧＤＭＳ）を用いて求めればよい。
　また、基板を形成する酸化アルミニウム質セラミックスは安価であり、酸化チタンの含有量が０．１質量％未満の高純度かつ高価な酸化アルミニウム質セラミックスの誘電率と同等の高い誘電率を得ることができる。
　本実施形態の基板は、スキューネスＲｓｋの平均値が０．０４以上０．４５以下である部分を有していてもよい。基板がこのような部分を有しているときには、反射率が低くなる。なお、基板におけるすべてのスキューネスＲｓｋの平均値が０．０４以上０．４５以下であってもよい。
　また、本実施形態の基板は、クルトシスＲｋｕの平均値が４．１以上６．５以下である部分を有していてもよい。基板がこのような部分を有しているときには、反射率が低くなる。なお、基板におけるすべてのクルトシスＲｋｕの平均値が４．１以上６．５以下であってもよい。
　さらに、本実施形態の基板は、算術平均粗さＲａの平均値が１μｍ以上２μｍ以下である部分を有していてもよい。基板がこのような部分を有しているときには、反射率が低くなる。なお、基板におけるすべての算術平均粗さＲａの平均値が１μｍ以上２μｍ以下であってもよい。
　スキューネスＲｓｋ、クルトシスＲｋｕおよび算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ　Ｂ　０６０１：２００１に準拠し、例えば、レーザー顕微鏡（（株）キーエンス社製（ＶＫ－９５１０））を用いて求めることができる。測定条件は、測定モードをカラー超深度、測定倍率を４００倍、測定範囲を６９８μｍ×５２２μｍ、測定ピッチを０．０５μｍ、λｓ輪郭曲線フィルタを２．５μｍ、λｃ輪郭曲線フィルタを０．０８ｍｍとし、上記測定範囲８箇所から得られる測定値の平均値を、スキューネスＲｓｋ、クルトシスＲｋｕおよび算術平均粗さＲａのそれぞれの平均値とすればよい。
　また、酸化アルミニウム質セラミックスは遮光面を備え、遮光面のＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における色差Δ＊Ｅａｂが４．５以下であってもよい。
　色差Δ＊Ｅａｂは、色調感のばらつきを示す指標であり、以下の式（１）で示される。
　ΔＥ＊ａｂ＝〔（ΔＬ＊）2＋（Δａ＊）2＋（Δｂ＊）2〕1/2　　　（１）
（ΔＬ＊は、遮光面の第１測定対象点の明度指数Ｌ1＊と第２測定対象点の明度指数Ｌ2＊との差、Δａ＊は遮光面の第１測定対象点のクロマティクネス指数ａ1＊と第２測定対象点の明度指数ａ2＊との差、Δｂ＊は遮光面の第１測定対象点のクロマティクネス指数ｂ1＊と第２測定対象点の明度指数ｂ2＊との差である。）
　色差Δ＊Ｅａｂが上記範囲であると、遮光面の色調感のばらつきが低減して、そのばらつきを視認しにくくなるので、商品価値が向上する。
　また、遮光面のＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における明度指数Ｌ＊の変動係数が０．０２以下（但し、０を除く）であってもよい。
　明度指数Ｌ＊の変動係数が上記範囲であると、遮光面が繰り返し光の照射を受けても変色しにくい状態になっているので、経時変化がしにくい。ここで、遮光面の明度指数Ｌ＊の平均値は、例えば、４８以下である。
　なお、遮光面のＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における明度指数Ｌ＊の値、クロマティクネス指数ａ＊およびｂ＊の値は、上述した方法と同じ方法で求めることができる。
　また、酸化アルミニウム質セラミックスは、開気孔を有し、開気孔の円相当径の歪度が０．１以上２以下であってもよい。
　開気孔の円相当径の歪度が０．１以上であると、開気孔の円相当径の分布が小さい方に傾き、浮遊する金属粉や白色系の明色を呈する紛体が開気孔に侵入しにくくなるので、遮光面の色調感のばらつきが低減し、商品価値が向上する。
　開気孔の円相当径の平均値は、例えば、４μｍ以上６μｍ以下である。また、開気孔の気孔率は、３面積％以上６面積％以下である。
　開気孔の円相当径および気孔率を求めるには、まず、平均粒径Ｄ50が３μｍのダイヤモンド砥粒を用いて鋳鉄製定盤にて保持部材を研磨した後、平均粒径Ｄ50が０．５μｍのダイヤモンド砥粒を用いて錫定盤にて研磨して、測定面を得る。
　そして、光学顕微鏡を用いて、倍率を１００倍として、ＣＣＤカメラで、測定面のうち、平均的な部分を選択して撮影する。次に、撮影した画像のうち、１範囲当りの面積が２．２７×１０2μｍである範囲を４カ所設定して、画像解析ソフト（例えば、三谷商事（株）製、Ｗｉｎ　ＲＯＯＦ）を用いて解析することによって、開気孔の円相当径および気孔率を得ることができる。なお、解析するに当たり、開気孔の円相当径の閾値は、０．８μｍとし、０．８μｍ未満の円相当径は解析の対象とはしない。
　そして、開気孔の円相当径の歪度は、Excel（登録商標、Microsoft Corporation）に備えられている関数ＳＫＥＷを用いて求めればよい。
　基板の形状は、特に限定されるものではなく、実装する部材に応じて所望の形状を採用することができる。
　　（基板の製造方法）
　次に、本実施形態の基板の製造方法の一例を説明する。
　まず、酸化アルミニウム、酸化珪素、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化チタンの各粉末を準備する。
　炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化珪素の粉末の含有量の合計は、上記粉末の合計１００質量％のうち、例えば、６．５質量％以上１２．９質量％以下である。そして、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化珪素の粉末の含有量は、これら粉末の合計１００質量％のうち、炭酸カルシウムの粉末の含有量は１７．８質量％以上５３．４質量％以下であり、水酸化マグネシウムの粉末の含有量は１４．４質量％以上４３．２質量％以下であり、残部が酸化珪素の粉末である。
　特に、水酸化マグネシウムの含有量は、酸化チタンの含有量の３０質量％以上４４質量％以下であるとよい。水酸化マグネシウムの含有量が上記範囲であると、後述する還元処理で生じやすいアノーサイトおよびムライトの生成が抑制される。アノーサイトやムライトは酸化アルミニウムに対して平均線膨張率が異なっているため、これらの化合物の生成が抑制されると、繰り返して加熱および冷却に曝される環境で基板が用いられてもクラックが生じにくくなる。
　酸化チタンの粉末の含有量は、酸化アルミニウム、酸化珪素、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化チタンの各粉末の合計１００質量％のうち、例えば、０．５質量％以上４質量％以下であり、残部が酸化アルミニウムの粉末である。
　そして、これら粉末をバレルミル、回転ミル、振動ミル、ビーズミル、アジテーターミル、アトマイザー、アトライターなどの粉砕機によって湿式混合して粉砕し、スラリーを得る。なお、上記粉砕にあたっては、溶媒、この溶媒１００質量部に対して１質量部以上１．５質量部以下のポリビニルアルコール（ＰＶＡ）などの有機結合剤、溶媒１００質量部に対して０．１質量部以上０．５質量部以下の分散剤を併せて粉砕機内に投入する。次に、得られたスラリーを脱磁処理した後、噴霧乾燥して、顆粒を得る。脱磁処理によって、強磁性金属であるＦｅ、ＮｉおよびＣｏが除去される。
　また、基板におけるＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの含有量は、粉砕機に用いられるステンレス製部材の磨耗の影響を受ける。長期間の使用によって磨耗するステンレス製部材は、例えば、表面に不動態膜を形成しやすいチタン製部品に置換するか、ＴｉＮ、ＴｉＣＮ、ＴｉＣ、ＴｉＡｌＮ、ＴｉＡｌＣＮ、ＴｉＡｌＯなどのチタン系の膜あるいは非晶質硬質炭素（ＤＬＣ）をステンレス製部材の表面に被覆すればよい。脱磁処理に加え、このようなステンレス製部材の置換あるいは被覆により、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの合計の含有量が２６０質量ｐｐｍ以下である基板を得ることができる。
　そして、この顆粒を用いて乾式加圧成形法、あるいは、冷間等方圧加圧法（ＣＩＰ）により成形した後に切削加工を施して成形体を得る。その後、得られた成形体を大気（酸化）雰囲気中、温度を１５００℃以上１７００℃以下として所定時間保持して焼成することによって焼結体を得ることができる。
　ここで、開気孔の平均気孔径の歪度が０．１以上２以下である基板を得るには、成形圧を、例えば、１５００ＭＰａ以上４０００ＭＰａ以下にすればよい。
　なお、焼成後においては、研削加工を行なってもよい。また、必要に応じて振動バレル研磨機を用いて、研磨材、振動数および研磨時間を調整した研磨を行なって、所定の表面性状としてもよい。
　そして、上述した方法によって得られた焼結体を、還元雰囲気として、例えば、窒素：水素の比率が８７～９０体積％：１０～１３体積％である混合ガス中において、１３００℃以上１４００℃以下の温度で１時間以上２時間以下保持することによって、本実施形態の基板を得ることができる。
　遮光面のＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における色差Δ＊Ｅａｂが４．５以下である基板を得るには、酸化チタンの粉末の含有量を、酸化アルミニウム、酸化珪素、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化チタンの各粉末の合計１００質量％のうち、１．８質量％以上３質量％以下とし、１３３０℃以上１４００℃以下の温度で１時間以上２時間以下保持すればよい。
　遮光面のＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における明度指数Ｌ＊の変動係数が０．０２以下（但し、０を除く）である基板を得るには、酸化チタンの粉末の含有量を、酸化アルミニウム、酸化珪素、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化チタンの各粉末の合計１００質量％のうち、１．８質量％以上３質量％以下とし、１３５０℃以上１４００℃以下の温度で１時間以上２時間以下保持すればよい。
　上述した本実施形態の基板は、可視光線領域および（近）赤外線領域の反射率が低く、しかも、長期使用が可能であることから、例えば、光路周辺に配置することができ、車載光学機器などに用いることができる。
　＜車載光学機器＞
　次に、本実施形態の基板を備える車載光学機器の一例として、ランプ装置およびヘッドアップディスプレイを例に挙げて、図面を用いて順に説明する。但し、以下で参照する各図は、説明の便宜上、実施形態を説明する上で必要な構成のみを簡略化して示したものである。したがって、本開示の車載光学機器は、参照する図に示されていない任意の構成を備え得る。また、図中の構成の寸法は、実際の構成の寸法および寸法比率などを忠実に表したものではない。
　　（ランプ装置）
　以下の説明では、ランプ装置が車両の右前方に搭載される構成を例にとって説明するが、本開示のランプ装置は、その機能を奏する限り、車両の右前方に搭載される構成に限定されない。
　図１に示すように、本開示の実施形態に係るランプ装置２０は、車両の進行方向に位置する透光カバー２１と、透光カバー２１の反対側に位置するハウジング２２と、透光カバー２１およびハウジング２２によって囲まれる灯室２３の内部にそれぞれ位置する、前照灯２４と、第１センサモジュール２５と、第２センサモジュール２６と、を備えている。
　前照灯２４は、レンズおよびリフレクタの少なくともいずれかを含む光学系部品を備えている。前照灯２４から出射された光は、透光カバー２１を透過して車両の右前方を照明する。ランプ装置２０は、このような前照灯２４を備えていることから、ヘッドライトとして機能する。
　第１センサモジュール２５は、第１基板２５１（支持部材）を備えている。第１基板２５１は、第１可視光カメラ２５２、第１ＬｉＤＡＲ（Light Detection and Ranging）センサ２５３、第１遮光部材２５４（遮蔽部材）を支持しており、さらに図２に示すように、制御部２５５、通信部２５６および給電部２５７を支持している。第１基板２５１は、第１可視光カメラ２５２、第１ＬｉＤＡＲセンサ２５３、制御部２５５、通信部２５６および給電部２５７を含むセンサ回路を実装する基板である。すなわち、検出方法が異なる複数のセンサ（第１可視光カメラ２５２および第１ＬｉＤＡＲセンサ２５３）、これらのセンサを包囲する筒状の中空部材である第１遮光部材２５４、およびこれらのセンサを動作させる回路が、第１基板２５１上にモジュール化されている。
　図１に示すように、第１可視光カメラ２５２は、車両の右側を撮影する。すなわち、第１可視光カメラ２５２は、車両の右側の情報を検出するセンサである。
　図２に示すように、第１ＬｉＤＡＲセンサ２５３は、赤外光を出射する発光部２５３ａおよび赤外光が車両の右側に存在する物体に当たってはね返った反射光を検出する受光部２５３ｂを備えている。
　第１ＬｉＤＡＲセンサ２５３は、ある方向へ赤外光を出射した後、物体からの反射光を検出するまでの時間に基づいて、物体までの距離を求めることができる。また、距離の測定値を検出位置と関連付けて集積、解析することにより、物体の形状に係る情報を得ることができる。また、出射光と反射光の波長の相違に基づいて、反射に関連付けられた物体の材質などの情報を得ることができる。さらに、反射光の反射率の相違に基づいて、対象物の色（路面における白線など）に係る情報を得ることができる。すなわち、第１ＬｉＤＡＲセンサ２５３は、第１可視光カメラ２５２とは異なる方法で車両の右側の様々な情報を得ることができる。
　なお、図１に示すように、第１センサモジュール２５は、第１基板２５１に結合された第１アクチュエータ２５８（調節機構の一例）を備えている。第１アクチュエータ２５８は、車両に対する第１基板２５１の位置および姿勢の少なくともいずれかを調節する。
　また、第２センサモジュール２６は、第２基板２６１を備えている。第２基板２６１は、第２可視光カメラ２６２、第２ＬｉＤＡＲセンサ２６３、ミリ波レーダ２６４、およびこれらを包囲する筒状の中空部材である第２遮光部材２６５を支持しており、いずれも図示しない制御部、通信部および給電部をさらに支持している。
　第２可視光カメラ２６２および第２ＬｉＤＡＲセンサ２６３の各機能は、それぞれ第１可視光カメラ２５２および第１ＬｉＤＡＲセンサ２５３の各機能と同じなので、その説明を省略する。
　ミリ波レーダ２６４は、ミリ波を発信する発信部およびミリ波が少なくとも車両の右前方に存在する物体に当たってはね返った反射波を受信する受信部を備えている。ミリ波の周波数は、例えば、２４ＧＨｚ、２６ＧＨｚ、７６ＧＨｚまたは７９ＧＨｚである。
　ミリ波レーダ２６４は、ある方向へ赤外光を出射した後、物体からの反射光を検出するまでの時間に基づいて、物体までの距離を求めることができる。また、距離の測定値を検出位置と関連付けて集積、解析することにより、物体の動きに係る情報を得ることができる。すなわち、ミリ波レーダ２６４は、第２可視光カメラ２６２または第２ＬｉＤＡＲセンサ２６３とは異なる方法で車両の右前方の情報を得ることができる。
　なお、第２センサモジュール２６は、第２基板２６１に結合された第２アクチュエータ２６６（調節機構の一例）を備えている。第２アクチュエータ２６６は、車両に対する第２基板２６１の位置および姿勢の少なくともいずれかを調節する。
　また、ランプ装置２０は、灯室２３の外部に位置する信号処理部２７を備えている。信号処理部２７は、第１アクチュエータ２５８を駆動する第１駆動信号２７１および第２アクチュエータ２６６を駆動する第２駆動信号２７２を出力するように構成されている。第１駆動信号２７１は、第１アクチュエータ２５８の位置および姿勢の少なくともいずれかを、また、第２駆動信号２７２は、第２アクチュエータ２６６の位置および姿勢の少なくともいずれかを調節する情報を含んでいる。
　そして、ランプ装置２０においては、第１センサモジュール２５の第１基板２５１および第２センサモジュール２６の第２基板２６１の少なくともいずれかが、上述した本実施形態の基板からなる。本実施形態の基板は、上述のとおり、広い波長範囲にわたって反射率が低いことから、投影像のノイズを低減することができる。また、チタンの酸化物のＵＶ吸収効果によって日光による劣化を抑制することができ、基板に実装される部材（可視光カメラ、ＬｉＤＡＲセンサ、遮光部材、制御部、通信部および給電部など）を保護することができるので、長期使用が可能となる。さらに、日光を浴びるとチタンの酸化物の光触媒効果が発現して基板に実装される部材の汚れを除去することができ、防汚効果も得られるので、長期使用が可能となる。
　また、ランプ装置２０は、光路周辺の基板として、前照灯２４の光源素子（ＬＥＤなど）を実装する光源素子実装基板を備えている。そして、ランプ装置２０においては、光源素子実装基板が、本実施形態の基板からなる。言い換えれば、本実施形態の基板は、ヘッドライトの光源素子用であってもよい。このような構成によれば、本実施形態の基板の低い反射率によって迷光を除去できるので、光路上における余計な反射または散乱を少なくすることができ、投影像のノイズを低減することができる。また、チタンの酸化物の光触媒効果によって光源素子周辺の汚れを防止して長期にわたって輝度を維持することもできる。
　ランプ装置２０は、光路周辺の基板として、第１可視光カメラ２５２におけるＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）イメージセンサを実装するＣＭＯＳ実装基板を備えている。そして、ランプ装置２０においては、ＣＭＯＳ実装基板が、本実施形態の基板からなる。言い換えれば、本実施形態の基板は、車載カメラ用であってもよい。このような構成によれば、本実施形態の基板の可視光線領域および（近）赤外線領域における低い反射率によって投影像のノイズを低減することができる。また、チタンの酸化物の光触媒効果によってＣＭＯＳイメージセンサ付近の汚れを防止して感度を維持することもできる。
　ランプ装置２０は、光路周辺の基板として、第１ＬｉＤＡＲセンサ２５３の受光部２５３ｂにおける受光素子を実装する受光素子実装基板を備えている。そして、ランプ装置２０においては、受光素子実装基板が、本実施形態の基板からなる。言い換えれば、本実施形態の基板は、ＬｉＤＡＲ用であってもよい。このような構成によれば、本実施形態の基板の近赤外線領域における低い反射率によってノイズを低減することができ、その結果、第１ＬｉＤＡＲセンサ２５３の検知性能が高まる。また、チタンの酸化物の光触媒効果によって受光素子の汚れを防止して感度を維持することもできる。
　なお、ランプ装置２０は、第２可視光カメラ２６２および第２ＬｉＤＡＲセンサ２６３についても、上述した第１可視光カメラ２５２および第１ＬｉＤＡＲセンサ２５３と同様の基板を備えている。そして、ランプ装置２０においては、第２可視光カメラ２６２および第２ＬｉＤＡＲセンサ２６３における基板が、本実施形態の基板で構成されていてもよい。
　　（ヘッドアップディスプレイ）
　図３に示すように、本開示の実施形態に係るヘッドアップディスプレイ３０は、画像を投影する側から順に、車載プロジェクターモジュール３１と、反射ミラー３２と、マイクロレンズアレイ３３と、凸レンズ３４と、コンバイナー３５と、を備えている。
　車載プロジェクターモジュール３１は、矢印ａ方向に画像を投影する。また、車載プロジェクターモジュール３１は、光学、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）ユニットと、光学、ＭＥＭＳユニットに収容されるＲＧＢ光源モジュールと、を備えている。
　反射ミラー３２は、車載プロジェクターモジュール３１から投影された画像をマイクロレンズアレイ３３に向けて反射させる。マイクロレンズアレイ３３は、中間像スクリーンとして機能する。凸レンズ３４は、マイクロレンズアレイ３３に隣接しているとともに、コンバイナー３５の側に凸であって、フィールドレンズとして機能する。コンバイナー３５は、凸レンズ３４によって拡大された画像をドライバーの目に向けて反射させる。
　なお、マイクロレンズアレイ３３および凸レンズ３４は、レンズ保持部材３６によって保持されている。すなわち、ヘッドアップディスプレイ３０は、マイクロレンズアレイ３３および凸レンズ３４を保持するレンズ保持部材３６を備えている。
　ここで、ヘッドアップディスプレイ３０は、上述した構成に加えて次のような構成をさらに備えている。すなわち、ヘッドアップディスプレイ３０は、光路周辺の基板として、ＲＧＢ光源モジュールの光源素子を実装する光源素子基板を備えている。そして、ヘッドアップディスプレイ３０においては、光源素子基板が、本実施形態の基板からなる。言い換えれば、本実施形態の基板は、ヘッドアップディスプレイ用であってもよい。このような構成によれば、本実施形態の基板の広い波長範囲にわたる低い反射率によって投影像のノイズを低減することができる。また、チタンの酸化物の光触媒効果による防汚効果によって長期使用が可能となる。
　＜試験機器＞
　本実施形態の基板は、試験機器にも用いることができる。試験機器の一例として、図４などに示す試験装置を例に挙げて説明する。図４は、本開示の実施形態に係る基板を備える試験装置の構成を示す部分断面図である。
　試験装置４０は、パッケージに収納された半導体デバイス４１を昇温した状態で、半導体デバイス４１の静特性、動特性等を計測する装置である。
　試験装置４０は、搬送機構（図示しない）により半導体デバイス４１を載置部４２まで搬入したり、載置部４２から半導体デバイス４１を搬出したりするように構成されている。
　載置部４２は、半導体デバイス４１を載置する載置台４４を備え、載置台４４はその下側から収縮自在なコイルバネ４３によって支持されている。載置台４４に載置された半導体デバイス４１は上方から（矢印Ａ方向）押圧されると、コイルバネ４３が収縮して半導体デバイス４１は載置台４４ととともに下方に移動する。載置台４４および半導体デバイス４１が下方に移動すると、半導体デバイス４１の各端子と、計測回路４６に接続されているコンタクトピン４５とが接触して、電気的に接続する。なお、端子が大きい場合に備え、半導体デバイス４１の上方からの押圧を受け止める弾性部材を含む補助端子４７がコンタクトピン４５を保持する板状部材４８上に設けられている。また、半導体デバイス４１の温度を計測する赤外線温度センサＳ１が載置台４４に装着されている。
　載置台４４は交換可能である。また、コンタクトピン４５および補助端子４７は板状部材４８と合わせて交換可能であり、半導体デバイス４１に応じてこれらを交換して、様々な半導体デバイス４１の静特性、動特性等を計測することができる。
　可動部４９は、載置部４２の上方に設けられている。可動部４９は、可動機構により上下方向への移動が可能であり、半導体デバイス４１のパッケージの上面に当接して半導体デバイス４１を上方から押圧するとともに、半導体デバイス４１を昇温する。可動部４９は、半導体デバイス４１の各端子をコンタクトピン４５に押し付けるための押圧部材５９を有する。半導体デバイス４１の特性を計測する場合、まず、半導体デバイス４１を載置台４４に載置し、可動部４９を下方に移動させ、半導体デバイス４１を上方から押圧する。そして、半導体デバイス４１の各端子を押圧部材５９で押圧して、各端子をコンタクトピン４５を介して計測回路４６に接続する。そして、この状態で、可動部４９の上方に設置された熱源部５１によって半導体デバイス４１を加熱して半導体デバイス４１の静特性、動特性等を計測する。半導体デバイス４１の計測が終了すると加熱を中止し、可動部４９を上方に移動して半導体デバイス４１は搬出される。
　図５は、図４に示す試験装置の可動部および熱源部の構成を示す側面図である。熱源部５１は、鉛直方向の中央部にヒートシンク５２を、ヒートシンク５２の上方に、冷却用ファン５３をそれぞれ有しており、ヒートシンク５２および冷却用ファン５３によって熱源部５１の異常な温度上昇が抑制される。
　また、熱源部５１は、ヒートシンク５２の下方に、並列に配置された直管式のハロゲンランプ５４を備えており、ハロゲンランプ５４から放出された赤外線は、半導体デバイス４１を昇温する。また、各ハロゲンランプ５４は、リフレクタ５５を備えている。リフレクタ５５は、可動部４９側に向かって赤外線を放射する放物面鏡により形成され、放物面の焦点にハロゲンランプ５４が配置される。このような配置により熱源部５１は、可動部４９に向かってほぼ平行に赤外線を放射することができる。また、ハロゲンランプ５４が並列に配置されていることにより、矢印で示すように広い範囲に亘って略平行に赤外線を照射することができる。赤外線の平行な照射により、固定されている熱源部５１に対して可動部４９を移動しても、後述する熱伝導部材５８に入射する赤外線の温度分布はほとんど変化しないので、試験装置４０は、半導体デバイス４１の静特性、動特性を変動要因の少ない状態で計測することができる。
　熱源部５１は、平面視した場合の半導体デバイス４１より大きな領域に赤外線を照射可能に、また、半導体デバイス４１を設定する温度に昇温可能に、ハロゲンランプ５４の定格、大きさおよび並列に配置する数が設定されている。
　ハロゲンランプ５４およびリフレクタ５５は、赤外線を照射する側が開口するケース５６の内部に収納されている。このような構成であると、赤外線の漏洩が防止され、熱効率が向上する。試験装置４０は、さらにこのケース５６の上部にヒートシンク５２を備えている。
　集光ドーム５７は、ケース５６を下方から覆うように設けられており、熱源部５１からの赤外線を反射して熱伝導部材５８に集光する。また、板状の熱伝導部材５８は、集光ドーム５７の下方側であって、半導体デバイス４１に対向する位置に設けられている。熱伝導部材５８は、熱源部５１からの赤外線によって直射され、昇温する。また、可動部４９による下方への移動により、熱伝導部材５８は半導体デバイス４１の上面に接触して、半導体デバイス４１を昇温する。
　半導体デバイス４１は、放熱性を向上させるために、パッケージの上面から電極が露出しているものもある。電極が露出する半導体デバイス４１に金属等の導電性を有する熱伝導部材を接触させると、半導体デバイス４１が損傷したり、半導体デバイス４１の特性を正しく測定したりすることができなくなる。
　このような場合に備え、熱伝導部材５８は、赤外線の照射により効率良く半導体デバイス４１を昇温させることができる絶縁体、すなわち、本開示の基板であるとよい。
　そして、熱伝導部材５８は、半導体デバイス４１の上端面の形状、大きさに応じて適宜設計される。このように設計することによって、試験装置４０は、熱伝導部材５８からの熱伝導に係る損失が低減され、半導体デバイス４１を効率良く昇温させることができる。
　本開示の基板を熱伝導部材５８として備えた試験装置４０は、半導体デバイス４１を損傷させることなく、半導体デバイス４１の特性を正しく測定することができる。
　以上、本開示に係る実施形態について例示したが、本開示は上述した実施形態に限定されるものではなく、本開示の要旨を逸脱しない限り任意のものとすることができることはいうまでもない。
　例えば、上述した実施形態では、基板が車載光学機器用および試験機器用である場合を例にとって説明したが、本実施形態の基板は、車載光学機器用および試験機器用に限定されるものではなく、他の用途にも使用することができる。他の用途としては、例えば、電子機器、医療・理化学機器などが挙げられる。具体例を挙げると、例えば、ＣＴスキャンなどの医療機器、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）などの分析装置などが挙げられる。なお、基板の用途は、例示したものに限定されない。
　以下、実施例を挙げて本開示を詳細に説明するが、本開示は以下の実施例に限定されるものではない。
　まず、酸化アルミニウム、酸化珪素、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化チタンの各粉末を準備した。
　なお、酸化アルミニウム、酸化珪素、炭酸カルシウム、水酸化マグネシウムおよび酸化チタンの各粉末の含有量は、基板である焼結体を構成する成分が表１に示す値になるように調整した。
　そして、これら粉末をバレルミルで湿式混合して粉砕し、スラリーを得た。なお、粉砕にあたっては、溶媒、溶媒１００質量部に対して１．２５質量部のポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、溶媒１００質量部に対して０．３質量部の分散剤も併せて粉砕機内に投入した。次に、得られたスラリーを脱磁処理によって、基板におけるＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの合計の含有量が表１に示す値になるように調整した後、噴霧乾燥して、顆粒を得た。なお、粉砕機に用いるステンレス製部材には、予めＴｉＮ膜を被覆した後、粉末を粉砕した。
　そして、顆粒を用いて冷間等方圧加圧法（ＣＩＰ）により成形した後に切削加工を施して成形体を得た。その後、得られた成形体を大気（酸化）雰囲気中、温度を１５７０℃として２時間保持することによって焼結体を得た。次に、振動バレル研磨機を用いて、焼結体の表面を研磨した。
　そして、上述した方法によって得られた焼結体を還元雰囲気中（窒素：水素の比率が８８．５体積％：１１．５体積％の混合ガス）、１３５０℃の温度で１時間３０分保持することによって、試料Ｎｏ．１～４を得た。
　得られた各試料につき、ＸＲＤを用いて同定を行なった。なお、ＴｉＯ2-xにおけるｘの値は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）を用いて求めた。また、各試料を構成する元素の含有量をＸＲＦを用いて求め、それぞれ同定された成分に換算した。さらに、微量成分であるＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの含有量は、グロー放電質量分析装置（ＧＤＭＳ）を用いて求めた。これらの結果を表１に示す。なお、各試料は、表１に示されていない成分として、不可避不純物を含んでいる。
　また、各試料につき、２５０ｎｍ～２５００ｎｍの波長における領域の反射率を、紫外可視近赤外分光光度計（日本分光（株）製、Ｖ－６７０）を用いて求め、その測定値をグラフとして図６に示した。また、各試料の上記領域における反射率の最小値Ｒｍｉｎおよび最大値ＲｍａｘからΔＲを算出した。反射率の最小値Ｒｍｉｎ、最大値ＲｍａｘおよびΔＲを表１に示す。
　ここで、反射率の測定に用いる積分球ユニットはＩＳＮ－７２３、基準光源は、波長が２５０ｎｍ～３６０ｎｍにおける領域を重水素ランプ、波長が３６０ｎｍ～２５００ｎｍにおける領域をハロゲンランプとし、測定条件は、測定モードを全反射率、データ取込間隔を１．０ｎｍ、ＵＶ／Ｖｉｓバンド幅を５．０ｎｍ、ＮＩＲバンド幅を２０．０ｎｍとした。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１および図６に示すとおり、試料Ｎｏ．１～３は、試料Ｎｏ．４よりもＲｍａｘおよびΔＲの値が小さかった。この結果より、組成式がＴｉＯ2-x（１≦ｘ＜２）として示されるチタンの酸化物を含む酸化アルミニウム質セラミックスからなり、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの合計の含有量が２６０質量ｐｐｍ以下であれば、波長２５０ｎｍ～２５００ｎｍの範囲において、反射率が低く、照射光に対する反射光の光強度の波長分布のばらつきが小さいことがわかった。
　特に、試料Ｎｏ．１は、上記領域の反射率の差ΔＲが６．２％であることから、上述のような使用では、より好適である。
　各試料につき、室温（２０℃）における体積固有抵抗をＪＩＳ　Ｃ　２１４１：１９９２に準拠して求めた。測定結果は、以下のとおりである。
　試料Ｎｏ．１：１０11Ω・ｍ
　試料Ｎｏ．２：１０12Ω・ｍ
　試料Ｎｏ．３：１０12Ω・ｍ
　試料Ｎｏ．４：１０10Ω・ｍ
　なお、表１に示す成分の試料毎の合計は１００質量％になっていないが、表１に示す成分以外の成分は、不可避不純物である。
２０　ランプ装置
２１　透光カバー
２２　ハウジング
２３　灯室
２４　前照灯
２５　第１センサモジュール
２５１　第１基板
２５２　第１可視光カメラ
２５３　第１ＬｉＤＡＲセンサ
２５３ａ　発光部
２５３ｂ　受光部
２５４　第１遮光部材
２５５　制御部
２５６　通信部
２５７　給電部
２５８　第１アクチュエータ
２６　第２センサモジュール
２６１　第２基板
２６２　第２可視光カメラ
２６３　第２ＬｉＤＡＲセンサ
２６４　ミリ波レーダ
２６５　第２遮光部材
２６６　第２アクチュエータ
２７　信号処理部
２７１　第１駆動信号
２７２　第２駆動信号
３０　ヘッドアップディスプレイ
３１　車載プロジェクターモジュール
３２　反射ミラー
３３　マイクロレンズアレイ
３４　凸レンズ
３５　コンバイナー
３６　レンズ保持部材
４０　試験装置
４１　半導体デバイス
４２　載置部
４３　コイルバネ
４４　載置台
４５　コンタクトピン
４６　計測回路
４７　補助端子
４８　板状部材
４９　可動部
５１　熱源部
５２　ヒートシンク
５３　冷却用ファン
５４　ハロゲンランプ
５５　リフレクタ
５６　ケース
５７　集光ドーム
５８　熱伝導部材
５９　押圧部材

Claims (9)

  1. 　組成式がＴｉＯ2-x（１≦ｘ＜２）として示されるチタンの酸化物を含む酸化アルミニウム質セラミックスからなり、
    　Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの合計の含有量が２６０質量ｐｐｍ以下である基板。
  2. 　前記Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、ＭｎおよびＣｒの合計の含有量が１７０質量ｐｐｍ以下である請求項１に記載の基板。
  3. 　スキューネスＲｓｋの平均値が０．０４以上０．４５以下である部分を有する請求項１または２に記載の基板。
  4. 　クルトシスＲｋｕの平均値が４．１以上６．５以下である部分を有する請求項１～３のいずれかに記載の基板。
  5. 　前記酸化アルミニウム質セラミックスは遮光面を備え、該遮光面のＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における色差Δ＊Ｅａｂが４．５以下である請求項１～４のいずれかに記載の基板。
  6. 　前記酸化アルミニウム質セラミックスは遮光面を備え、該遮光面のＣＩＥ１９７６Ｌ＊ａ＊ｂ＊色空間における明度指数Ｌ＊の変動係数が０．０２以下（但し、０を除く）である請求項１～５のいずれかに記載の基板。
  7. 　前記酸化アルミニウム質セラミックスは開気孔を有し、該開気孔の円相当径の歪度が０．１以上である請求項１～６のいずれかに記載の基板。
  8. 　車載光学機器用である請求項１～７のいずれかに記載の基板。
  9. 　試験機器用である請求項１～７のいずれかに記載の基板。
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