WO2019170843A2 - Vorrichtung und verfahren zur inspektion eines wafers - Google Patents

Vorrichtung und verfahren zur inspektion eines wafers Download PDF

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WO2019170843A2
WO2019170843A2 PCT/EP2019/055804 EP2019055804W WO2019170843A2 WO 2019170843 A2 WO2019170843 A2 WO 2019170843A2 EP 2019055804 W EP2019055804 W EP 2019055804W WO 2019170843 A2 WO2019170843 A2 WO 2019170843A2
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WO
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defects
defect
wafer
coordinates
detection area
Prior art date
Application number
PCT/EP2019/055804
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English (en)
French (fr)
Inventor
Robert FRIEDEMANN
Sascha Winkler
Martin Engelhardt
Andreas Horn
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors Gmbh
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Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors Gmbh filed Critical Osram Opto Semiconductors Gmbh
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/7065—Defects, e.g. optical inspection of patterned layer for defects
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/8851—Scan or image signal processing specially adapted therefor, e.g. for scan signal adjustment, for detecting different kinds of defects, for compensating for structures, markings, edges
    • G01N2021/8854—Grading and classifying of flaws
    • G01N2021/8861—Determining coordinates of flaws

Definitions

  • the present invention relates to an apparatus and a method for inspecting a wafer.
  • Defects on surfaces of wafers are undesirable. Their occurrence in the production of a product based on a wafer should be avoided. Defects are, for example, impurities or structural defects in or on the materials used for the production of products on wafers.
  • Inspection systems are known from the prior art, by means of which defects can be detected on a wafer Kgs NEN. Such systems can provide the defects together with further information about the defects, such as their position, their size, etc., in a so-called defect data list.
  • the defect data list can be used to further examine a wafer.
  • the position information in such a defect data list may be given in the form of coordinates, with the origin of the coordinate system at a certain point on the wafer.
  • the problem with such a defect data list is that the coordinates stored for the detected defects can be relatively inaccurate. This is especially the case with defect data lists relating to unstructured wafers.
  • a wafer is considered in which no lithographic structuring level has yet been produced and to which no structuring photographic plane has yet been applied.
  • Causes of inaccuracies in the coordinates may lie in the fact that the inspection systems are subject to the respective set measuring principle and recording method corresponding systematic and random fluctuation, resulting in Va riationen within a plant of up to several 100 pm and correspondingly larger deviations between different systems can.
  • Claim 1 or by a device having the features of claim 12 or by a method with the features of
  • a device for in particular automatic inspection of a particular unstructured wafer comprises a sensor, such as an image capture device, for detecting a sensor in a detection range of the sensor, in particular in a field of view of the image capture device.
  • a sensor such as an image capture device
  • the apparatus further comprises a controller, which is designed to determine a number of defects on the wafer surface and, in particular, the setpoint coordinates belonging to each defect, in particular predetermined, which indicate the position of the defect on the wafer surface and to control the relative movement between the detection area and the wafer so that the detection area gradually comes to the target coordinates of each defect of the number of defects to detect the respective defect in the detection area.
  • a controller which is designed to determine a number of defects on the wafer surface and, in particular, the setpoint coordinates belonging to each defect, in particular predetermined, which indicate the position of the defect on the wafer surface and to control the relative movement between the detection area and the wafer so that the detection area gradually comes to the target coordinates of each defect of the number of defects to detect the respective defect in the detection area.
  • the device according to the invention thus makes it possible, in particular in an automated manner, to determine or select defects on the wafer surface and to approach these defects step by step, so that they can be detected by means of the detection range of the sensor. An accurate localization of the defects can thus be achieved.
  • the desired coordinates of the defects may be predetermined coordinates indicating the expected position of a respective defect on the wafer surface.
  • the desired coordinates can in particular be taken from a defect data list created for a respective wafer.
  • the desired coordinates of the defects can also be calculated coordinates at which the position of a defect on the wafer surface is expected when the corresponding coordinates are approached.
  • the controller can be designed to determine the actual coordinates of the respective defect on the basis of the position of a respective defect detected in the detection area.
  • the actual coordinates ie the actual coordinates, with respect to a Koor dinatensystem, which has its origin at a certain point, for example on the wafer surface, are determined.
  • the actual coordinates of a defect indicate the coordinates of the defect on the wafer surface determined by the device. They can therefore be regarded as actual coordinates on the wafer surface within the scope of measurement accuracy.
  • desired coordinates of a defect in particular those coordinates are referred to, which uses the ago direction for starting a respective defect. Actual coordinates can therefore become target coordinates if they are used by the device for approaching a defect.
  • Start-up means here in particular that the detection area arrives at the desired coordinates of a respective defect in order to enable a detection of the defect.
  • a defect lying in the detection area can be detected in particular by means of image processing.
  • a defect in a frame of the wafer surface detected by means of the detection area can have a different color or gray value than its surroundings. This different color or gray value can be detected by means of image processing and evaluated as the position of the defect in the detection area. The position thus detected can be converted into coordinate values of a two-dimensional coordinate system, whereby the actual coordinates of the defect can be determined.
  • the device according to the invention is particularly suitable for inspecting unstructured wafers, but can also be used for structured wafers.
  • the sensor can have an image capture device with a microscope, by means of which, for example, the defects are examined more closely can.
  • the detection area can be a field of view of a microscope objective, by means of which the surface of a wafer is considered.
  • the detection area or the field of view is normally much smaller than the wafer surface, so that by a relative movement between the wafer and the detection area, each area of the upper surface can reach the detection area and be viewed.
  • the controller may be configured to determine the defects of the number of defects on the wafer surface.
  • a determination of the defects can advantageously be made on the basis of information which is transmitted via the wafer, e.g. were obtained by previous measurements.
  • information about defects on the surface of an unstructured wafer may be present in a defect data list, in particular in the form of a file, for example in the CLEAR format, which has been obtained by means of an inspection system known per se.
  • the device may use a defect data list associated with the wafer to be examined in order to determine the defects of the number of defects on the basis of this.
  • Defects of the number of defects can thus be determined by selecting defects from a defect data list. From this, the target coordinates of the defects can also be taken, since a defect data list contains information about the positions of the defects on the wafer surface.
  • the device according to the invention allows an inspection of defects on surfaces of unstructured Wafern and makes it possible, for example, to determine more precisely the coordinates provided via a defect data list.
  • the defects can be approached more accurately on the basis of the more precisely determined coordinates and thus bring in an improved manner into a detection range, such as, for example, the field of view of a microscope objective, and, for example, examine it more closely.
  • Coordinates provided via the defect data list may be regarded as desired coordinates for the defects lying on the surface of a wafer. A specific or selected number of defects on the wafer surface can be approached on the basis of the desired coordinates, so that each selected defect can gradually be brought into the detection range. On the basis of the position of a respective defect in the detection area, the actual coordinates with respect to a defined coordinate origin can be determined. The averaged actual coordinates can then be e.g. used to correct desired coordinates of other defects from the defect data list.
  • the controller is configured to select the defects of the number of defects and the associated desired coordinates from a given plurality of defects with associated desired coordinates.
  • the plurality of defects with desired coordinates can be provided in a defect data list associated with the wafer to be examined.
  • the predetermined plurality of defects can thus include, for example, all defects detected in a defect data list. Of all these many defects, not all defects are preferably selected, but only a number of defects. This has the advantage that the determination of the actual coordinates for the defects of the number of defects can be accomplished more quickly.
  • defects can be selected that are specific Meet criterion, whereby the determination of the actual coordinates can be carried out more efficiently, easily and with greater accuracy.
  • the controller may be designed in dependence on - for the defects of the number of defects determined actual
  • Coordinates and preferably their desired coordinates - to determine new desired coordinates for at least one defect of the plurality of defects is a defect of the plurality of defects, which does not belong to the number of defects and for which therefore no actual coordinates were determined by means of the sensor.
  • the controller can be designed to determine a correction rule from the actual coordinates determined for the defects of the number of defects and their desired coordinates, by means of the new, corrected nominal coordinates for at least one further defect can be calculated.
  • the controller may determine a first difference vector between the target coordinates of the first and second defects for a first defect and a second defect from the number of defects.
  • the controller may determine a second difference vector between the actual coordinates of the first and second defects. The controller can then determine to which stretch factor of the second difference vector respect. of the first difference vector is stretched or compressed and by what angle the second difference vector is rotated relative to the first difference vector.
  • the controller may determine a third difference vector indicative of the difference between the actual coordinates and desired coordinates of the first defect. From the desired coordinates of the first defect, the third difference vector and the extension factor and angle, a correction rule can be determined; hand, the previously measured actual position of the second defect can be calculated.
  • a corresponding third difference vector can be determined for each pair, which indicates the difference between the actual coordinates and desired coordinates of a defect of the respective defect pair.
  • target and actual coordinates of the aforementioned stretching factor and angle can be determined from the determined for the respective pair of defects.
  • a correction rule in particular using a Gauss-Newton method, can be determined in such a way that, starting from a defect, the number of defects and the e.g. From the de Maschinensteinliste taken desired coordinates of another de effets new setpoint coordinates for this further defect can be determined be.
  • the new target coordinates are exactly the same as the actual actual coordinates of the further defect, which can thus be approached in a more accurate manner.
  • the controller is designed to select the defects of the number of defects from information provided about a multiplicity of defects on the surface of the wafer, in particular from a defect data list, as a function of at least one criterion, the information for each defect of the plurality of defects, information about the desired coordinates of the respective defect and / or about the size of the respective defect.
  • control is based on the information provided, in particular in particular from the defect data list, which selects 3 to n (n> 3) largest defects.
  • the controller is adapted to select the defects from the provided information such that they are freestanding defects.
  • Detached defects are, in particular, defects that can be detected on their own in the detection area, ie without any additional defect disturbing the detection.
  • a selected, free-standing defect can thus be identified as such in the detection area.
  • Free standing defects are relatively easy to identify reference points on the surface of a wafer.
  • an unambiguous assignment of a free-standing defect to the corresponding data entry in a defect data list is possible, while if the defects are not free, the difficulty may exist to unambiguously assign a detected defect to a corresponding data entry in the defect data list.
  • the controller can be designed to identify freestanding defects as a function of the size of the detection area from the information provided, in particular from the defect data list, which are detectable on their own, ie without a further defect, in the detection area.
  • the controller may be configured to generate a pattern having a plurality of rectangular or square adjoining grids depending on a coordinate system to which the desired coordinates in the provided information relate, each coordinate of the coordinate system being assigned to a grid is, and wherein the controller is further adapted to assign the desired coordinates of each defect of the plurality of defects to the ent speaking grid.
  • the controller may identify a defect as a free-standing defect, if this one Defect is located in a grid that is surrounded by a predetermined number of grids in which there is no defect.
  • the controller may be configured to select the defects from the information provided depending on the defect size.
  • a defect data list for example, large or small defects can be identified.
  • the controller may be configured to select the defects from the provided information to have a minimum size or a maximum size.
  • the controller may be configured to select the defects from the provided information such that their size is within an interval that is a lower and upper one
  • the controller is designed to select the defects from the information provided in such a way that the selected defects are distributed over the entire surface of the wafer.
  • the defects can thus be e.g. are selected such that at least one selected defect lies in each or almost every area of the surface of the wafer.
  • the controller may also be configured to select defects that occur on the wafer surface. Defects at the edge area of the wafer can thereby be prioritized. Preferably, the controller is adapted to no longer use a defect of the number of defects to determine its actual coordinates if it can not be detected at its desired coordinates in the detection range, or if two of the more at the target coordinates of the defect Defects in the detection range of the sensor are detected can. An erroneous detection of actual coordinates can be avoided. In addition, confusion between several defects in the detection area can be excluded. In addition, an unambiguous assignment of the determined actual coordinates to a specific defect can be achieved.
  • the controller is designed to:
  • a first pass selecting a first number of defects from information provided on a plurality of defects such that the selected defects of the first number of defects are free-standing large defects, preferably distributing the defects of the number of defects over the entire surface of the wafer are to control, using the target coordinates of the selected defects, the relative movement between the detection area and the wafer such that the detection area gradually arrives at the target coordinates of each selected defect, based on the position of the respective defect in the detection area Determine coordinates of the respective defect, in a second pass select a second number of defects from the information such that the selected defects of the second number of defects are freestanding small defects, preferably the defects of the second number of defects over the entire Oberf
  • the wafer is distributed so as to control the relative movement between the detection area and the wafer in such a way that the detection area gradually acquires the new desired coordinates of each selected defect of the second number of defects passes, wherein the new desired coordinates in dependence on the determined in the first passage actual coordinates
  • a correction rule can be determined by means of which the new target coordinates for the small defects used in the second pass are more accurate let determine.
  • Such a determination of new target coordinates for defects not yet approached can be determined, for example, for all defects to be investigated in more detail as a function of the actual coordinates determined in the second pass and the determined new target coordinates. Since small defects will be considered in the second round, the actual position, it can be accurately determined by means of image recognition detection area because of the small size of the defects Messabweichun gen and inaccuracies in the image recognition little training W have im pact.
  • the device thus allows a precise match between the original desired coordinates of defects, such as those provided in a defect data list, and the real coordinates of the defects on the surface of a wafer.
  • the defects can be precisely approached by determining and using the new desired coordinates and displayed, for example, in the center of the field of view of a microscope.
  • a detailed examination of the defects eg in the form of a manual inspection, is thus possible.
  • freestanding defects can also be identified in an improved manner and distinguished from adjacent defects.
  • the sensor is a Schmfas sungs worn with a microscope, wherein it is at the detection area is a field of view of the lens of the microscope.
  • the detection region can be movable relative to the wafer or, conversely, the wafer can be moved, in particular moved, relative to the detection region.
  • the wafer can be arranged for example on a movable table of a microscope or another, in particular imaging, sensor device.
  • the detection region which is, for example, the field of view of the objective of a microscope, can be movable over the surface of the wafer lying on the objective table, so that different sections of the wafer surface are viewed depending on the position of the field of view can.
  • the device may include a loading device for loading the device with the wafer. With the loading device, the wafer, in particular in a defined position on a support, such as the lens stage, are brought.
  • the invention also relates to a method for, in particular automatic, inspection of a particular unstructured wafer, in particular in an inspection device according to the invention, with the steps:
  • the invention also relates to a method for, in particular automatic, inspection of a particular unstructured wafer, in particular in an inventive inspection device in which
  • a first number of defects from provided information about a plurality of defects on a surface of the wafer such that the selected defects are free-standing large defects, which are preferably distributed over the entire surface, using desired coordinates of the selected ones
  • Defects a relative movement between a detection range of a sensor, in particular a field of view of an image detection device, and the wafer is controlled such that gradually reaches the detection range to the desired coordinates of each de fects, determining, based on the position of the respective defect in the detection area, the actual coordinates of the respective defect, a second number of defects are selected from the information such that the selected defects are free-standing small defects, which are preferably distributed over the entire surface, using new target coordinates, the relative movement between the detection area and the wafer is controlled such that the detection area gradually arrives at the new target coordinates of each defect of the second number of defects, the new desired coordinates depending on the determined Actual coordinates of the defects of the first number of defects are determined, and based on the position of the respective defect in Er chargedsbe rich the
  • the invention also relates to:
  • a data processing system comprising means for carrying out a method according to the invention
  • the apparatus and methods described herein allow for inspection of particular unstructured wafers. In particular, exact coordinates of defects on a surface of a wafer can be determined. These coordinates allow a precise approach of the defects, for example by means of them to examine a microscope more closely.
  • the devices and methods described herein may be used, for example, in processes for fabricating patterned wafers, such as for semiconductor applications or for manufacturing LED chips.
  • the examined wafers may be all types, types of materials and sizes of, in particular, unstructured wafers, e.g. 6 or 8 inch wafers, such as silicon.
  • FIG. 1 shows a block diagram of a variant of a device according to the invention for automatically inspecting an unstructured wafer
  • FIG. 2 is a plan view of a wafer under an image capture device of the device of FIG. 1;
  • FIG. 3 is another plan view of the wafer of Fig. 2,
  • Fig. 4 is an illustration for determining new target coordinates for a defect
  • FIG. 5 shows a flow chart of a variant of a method according to the invention for automatically inspecting an unstructured wafer
  • FIG. 6 is a flow chart of a further variant of a method according to the invention for the automatic inspection of an unstructured wafer, and 7 shows an illustration of a variant for finding freestanding defects.
  • the apparatus described in more detail with reference to FIGS. 1 to 4 for the in particular automatic inspection of an unstructured wafer 11 comprises a sensor 13, which is an image capture device, for detecting a signal which is detected in a detection area 15 (see FIG. 2 and 3) of a surface 17 of the unstructured wafer 11.
  • the detection region, which is the field of view 15 of the image capture device 13, and the wafer 11 are movable relative to one another, so that a relative movement between the field of view 15 and Each area of the surface 17 of the wafer 11 can be brought into the field of view 15 of the wafer 11.
  • the apparatus includes a controller 19 which may determine a number of defects on the wafer surface 17 as well as the desired coordinates associated with each defect (in Figs. 2 and 3, for illustration purposes, some defects are marked with the reference numeral 21).
  • the desired coordinates of a respective defect 21 describe the position of the defect 21 on the wafer surface 17 and with respect to a defined origin of origin, which may be at a location on the wafer surface, for example.
  • Wafer-specific information about a plurality of defects 21 on the surface 17 of the wafer 11 and their desired coordinates can be provided to the device by means of a defect data list 23.
  • the defect data list 23 may, for example, have been created by an inspection installation known from the prior art with which the wafer 11 was previously inspected.
  • the defect data list 23 may, for example, be in the CLEAR format and in a memory 25 the device are loaded so that the controller 19 can access the defect data list 23.
  • the determination of the number of defects by the controller 19 can in particular be carried out by the controller 19, the number of defects from the defect data list 23, for example based on a criterion or on the basis of several criteria, from the plurality of defects 21, which in the defect data list 23 are selected.
  • the image capture device 13 may have a microscope 31 aufwei sen and the field of view 15 may be the field of view ei nes objective 27 of the microscope 31. Furthermore, the wafer 11 can be deposited on a stage 29 of the microscope 31 so that its surface 17 can be viewed by means of the field of view 15 of the objective 27 (see FIGS. 2 and 3).
  • the object table 29 can be moved in a horizontal plane, controlled by the controller 19, so that each area of the surface 17 of the wafer 11 can be brought into the field of view 15.
  • the objective 27 can be moved in a plane parallel to the surface 17, whereby likewise each area of the surface 17 of the wafer 11 can be approached by the field of view 15.
  • the object table 29 and / or the objective 27 can also be adjustable in the vertical direction. Thereby, the distance of the lens 27 to the surface 17 of the wafer 11 can be changed. This is an advantage for adjusting the focus.
  • the controller 19 may control the position of the field of view 15 and / or the wafer 11 using the desired coordinates obtained from the defect data list 23 such that the field of vision 15 is gradually fed to the desired coordinates of each of the selected coordinates. chose defects 21 arrived. Based on the position of a respec conditions, detected in the field of view 15 defect 21, the controller can determine the actual coordinates of the respective defect 21. This can be done by image processing, which examines a captured image of the field of view 15 for defects 21. A de êt has different color or gray values in the image with respect to its environment, whereby the image processing can detect a defect in the image and determine its position. From this position, the control can then determine the actual coordinates of the defect 21 on the wafer surface 17, taking into account a predetermined coordinate system.
  • the image processing can be implemented in the controller 19 or the image pickup device 13.
  • the apparatus may perform on a wafer 11 a two-step process for accurately determining the coordinates of defects 21 on the surface 17 of the wafer 11.
  • the device is initially loaded by means of the loading device 33 with the wafer 11.
  • the wafer 11 is arranged in a specific position and orientation on the stage 29.
  • the De Stammda list 23 generated by another system is imported and stored on the memory 25.
  • the defect data list 23 is analyzed as to which defects 21 are as free-standing as possible and which can be filtered according to their size, in particular with respect to their expansion in the area, and optionally also after Defect type.
  • the defects 21 may be selected using a criterion. For example, in a first process stage, three or more of the largest of the freestanding defects 21 are selected from the defect data list 23. Freestanding defects are In this case, such defects 21, which should be alone, so without another defect in the field of view 15. A free-standing defect 21 thus has a minimum distance to its neighbors, which is dependent on the size of the field of view 15. Therefore, there may also be a dependence on the objective 27 used and / or focus adjustment, as these have effects on the field of view can.
  • the selected freestanding large defects 21 are gradually approached by moving the stage 29 and / or field of view 15.
  • the target coordinates taken from the defect data list 23 are used.
  • FIG. 2 shows the position of the field of view 15 at three different, gradually approached positions and thus at three selected defects 21. Since the desired coordinates were determined by another system and may be subject to measurement errors, the FIGS Target coordinates from the De Anlagenda list usually not the exact position of jewei time defect 21 on the surface 17 of the wafer 11 at. This is expressed in FIG. 2 in that the defects 21 do not lie exactly in the center of a field of view 15, or more generally of a detection area. In addition, the desired coordinates do not necessarily indicate the position of the center of the defect, but refer to any part of the defect. Furthermore, measurement errors can lead to the target coordinates relating to a location outside the defect. This can also mean that the the defect 21 is actually not located in the middle or even outside the field of view or detection area 15.
  • the controller 19 may be configured to detect the size of a defect 21 in the field of view 15. A verification can therefore to some extent take place as to whether a approached defect 21 actually corresponds to the defect from the defect data sheet 23 by comparing the size of the approached defect 21 with the size indicated in the defect data list 23.
  • the controller 19 is designed such that it can calculate back to the actual position of the defect 21 based on the position of the respective defect 21 in the field of view 15 and using a predetermined, defined coordinate system of the device, whereby the actual coordinates of the respective defect can be determined ,
  • the actual coordinates of the respective defect 21 can be stored on the memory 25.
  • the controller has thus received in the first pass for the selected large defects, the desired coordinates from the defect data list 23 and determines the actual coordinates.
  • the controller 19 may a first difference vector Dl between the target coordinates Sl, S2 of the first and second defect he average. Further, the controller 19 may determine a second difference vector D2 between the actual coordinates II, 12 of the first and second defects. The controller 19 can determine to which stretch factor of the second difference vector D2 respect. of the first difference vector Dl is stretched or compressed, and by what angle the second difference vector D2 is rotated by the first difference vector Dl. Furthermore, the controller 19 can determine a third difference vector D3, which the
  • Displacement or the difference between the actual coordinates II and target coordinates Sl of the first defect indicates.
  • a correction rule can be determined on the basis of which the (previously measured) actual position 12 of the second defect can be calculated. The process described above can be used for all pairs of
  • a corresponding third difference vector can be determined for each pair, which indicates the difference or displacement between the actual coordinates and desired coordinates of a defect of the respective pair of defects.
  • a Korrekturvor font eg using a statistical method, eg the Gauss-Newton method, are determined in a conventional manner.
  • the automatic procedure of the 1st process stage is repeated insofar as again three or more defects 21 are selected from the defect data list 23, driven on and found and confirmed in the visual field.
  • no large but small freestanding defects 21 are selected, which are preferably distributed over the entire surface 17.
  • a certain number of the smallest free defects 21 may be selected from the defect data list 23.
  • Such defects have the advantage that their size is not critical. An error that may result from a still remaining difference between the center of the defect 21 assumed in an image processing and the actual actual coordinate is small due to the smallness of the defect 21. The actual position and thus the exact actual coordinates of a respective selected small defect 21 can therefore be determined with high accuracy compared to the use of large defects.
  • the controller 19 gradually detects the selected small defects 21 and accumulates in the corresponding Wei se, as in the 1st process stage, their actual coordinates. In this case, the controller for starting up the small defects can use the new desired coordinates calculated by means of the previously determined correction rule.
  • a further correction prescription can be determined from the new desired coordinates and the actual coordinates for the small defects determined in the course of the second process step, which allows it in a more accurate manner, new target coordinates for so far to calculate unused defects.
  • their new, improved nominal coordinates can thus be determined on the basis of the correction rule determined in the context of the second process stage.
  • FIG. 3 illustrates this in that defects 21 can be approached so accurately on the basis of the new, improved nominal coordinates that they lie at least approximately in the middle of the field of view 15. A detailed examination and identification of the defects is possible, e.g. in a subsequent inspection under a microscope.
  • the method illustrated in a flowchart in FIG. 5 for the automatic inspection of a particular unstructured wafer comprises a step 401 in which a number of defects on the surface of a wafer as well as target coordinates belonging to each defect determine the position of the wafer indicate defects on the wafer surface, for example by selecting the defects from a plurality of defects from a defect data list.
  • step 403 a relative movement between a field of view of an image acquisition device and the wafer is controlled in such a way that the field of view is gradually fed to the target surface. Coordinates of each defect of the number of defects passes to detect the respective defect in the field of view.
  • step 405 the determination of the actual coordinates of a respective detected in the field of view defect based on its posi tion in the field of view.
  • the method for automatically inspecting an unstructured wafer includes step 501, wherein a first number of defects of prepared information about a plurality of defects on a surface of the wafer are selected such that the selected defects are freestanding and big defects are. Preferably, these defects are also selected so that they are distributed over the entire surface.
  • step 503 a relative movement between a field of view of an image capture device and the wafer is controlled in such a way that the visual field gradually arrives at the desired coordinates of each selected defect.
  • step 505 the actual coordinates of the respective defect are determined on the basis of the position of the respective defect in the field of view.
  • a second number of defects is selected from the information such that the selected defects are free-standing and small defects, and these defects are preferably also selected to be distributed over the entire surface.
  • step 509 new target coordinates for the defects of the second number of defects are calculated as a function of the determined actual coordinates and the desired coordinates of the first number of defects.
  • step 511 using the new target coordinates, the relative movement between the field of view and the wafer is controlled so that the field of view gradually passes to the new target coordinates of each of the defects of the second number of defects.
  • the actual coordinates of the respective defect are determined on the basis of the position of the respective defect in the field of view.
  • a correction rule is determined as a function of the determined actual coordinates and the new desired coordinates of the small detached defects, by means of which, starting from the desired coordinates of a new, previously not approached defect, more accurate, new desired coordinates this defect can be calculated.
  • This new defect can thus be approached using his calculated new target coordinates with higher accuracy and accuracy, which is for example advantageous if this defect is not a free-standing defect.
  • a pattern 37 for example by means of the computer program 35, can be generated as a function of a coordinate system KS to which the desired coordinates in the defect data list 23 relate.
  • the pattern 37 ent holds a plurality of rectangular or square, anei nander adjoining grid 39.
  • Each grid 39 preferably has the same height and width, as shown in FIG. 7.
  • Each coordinate of the coordinate system KS is assigned to a grid field.
  • the desired coordinates of each defect of the plurality of defects from the defect data list 23 can then be assigned to the corresponding grid in which the desired coordinate of the respective defect lies.
  • a defect can be identified on the basis of at least one predetermined criterion as a free-standing defect.
  • the defects in the grids 41, 43 and 45 are not considered free-standing defects.
  • the defect in the grid 47 is considered a freestanding defect.
  • the above description of the figures relates in particular to an apparatus and a method in which the sensor is an image acquisition device with a microscope.
  • the sensor is an image acquisition device with a microscope.
  • this is by no means restrictive. Rather, in the case of a device according to the invention or a method according to the invention, another type of image capture device or, more generally, another type of, in particular imaging, sensor may be used which, however, detects defects on the surface of a Wafers allow. Examples of these are sensors that detect the structure of the wafer surface using energy dis- Persian X-ray spectroscopy, ultrasonic waves or other known methods allow.

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Abstract

Eine Vorrichtung zur, insbesondere automatischen, Inspektion eines insbesondere unstrukturierten Wafers (11), umfasst: einen Sensor (13), insbesondere Bilderfassungseinrichtung, zur Erfassung eines sich in einem Erfassungsbereich (15) des Sensors (13) befindenden Teilbereichs der Oberfläche (17) des Wafers (11), wobei der Erfassungsbereich (15) und der Wafer (11) relativ zueinander bewegbar sind, so dass durch eine Relativbewegung zwischen Erfassungsbereich (15) und Wafer (11) jeder Bereich der Waferoberfläche (17) in den Erfassungsbereich (15) bringbar ist, eine Steuerung (19), welche dazu ausgebildet ist, eine Anzahl von Defekten auf der Waferoberfläche (17) sowie die zu jedem Defekt (21) gehörenden Soll-Koordinaten, welche die Lage des Defekts (21) auf der Waferoberfläche (17) angeben, zu bestimmen, und die Relativbewegung zwischen Erfassungsbereich (15) und Wafer (11) derart zu steuern, dass nach und nach der Erfassungsbereich (15) an die Soll-Koordinaten jedes Defekts (21) der Anzahl von Defekten gelangt, um den jeweiligen Defekt (21) im Erfassungsbereich (15) zu erfassen.

Description

VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR
INSPEKTION EINES WAFERS
BESCHREIBUNG
Die vorliegende Anmeldung beansprucht die Priorität der deut schen Patentanmeldung DE 10 2018 105 396.7, welche am 8. März 2018 beim Deutschen Patent- und Markenamt eingereicht wurde.
Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Inspektion eines Wafers.
Defekte auf Oberflächen von Wafern sind unerwünscht. Deren Auftreten bei der Herstellung eines auf einem Wafer basieren den Produkts soll vermieden werden. Defekte sind beispielswei se Verunreinigungen oder Strukturfehler in oder auf dem für die Herstellung von Produkten auf Wafern verwendeten Materia lien .
Aus dem Stand der Technik sind Inspektionsanlagen bekannt, mittels denen Defekte auf einem Wafer detektiert werden kön nen. Derartige Anlagen können die Defekte zusammen mit weite ren Angaben über die Defekte, wie etwa deren Position, deren Größe, usw. , in einer sogenannten Defektdatenliste bereitstel len. Die Defektdatenliste kann zur weiteren Untersuchung eines Wafers eingesetzt werden.
Die Positionsangaben in einer derartigen Defektdatenliste kön nen in Form von Koordinaten angegeben sein, wobei sich der Ur sprung des Koordinatensystems an einem bestimmten Punkt auf dem Wafer befinden kann. Problematisch an einer solchen De fektdatenliste ist, dass die für die erfassten Defekte hinter legten Koordinaten verhältnismäßig ungenau sein können. Dies ist insbesondere bei Defektdatenlisten der Fall, die sich auf unstrukturierte Wafer beziehen. Als unstrukturierter Wafer wird insbesondere ein Wafer angesehen, bei welchem noch keine lithographische Strukturierungsebene erzeugt wurde und auf den noch keine strukturbringende Fotoebene aufgebracht wurde. Ursachen für Ungenauigkeiten in den Koordinaten können darin liegen, dass die Inspektionsanlagen einer dem jeweiligen ein gesetzten Messprinzip und Aufnahmeverfahren entsprechenden systematischen und zufälligen Schwankung unterliegen, was Va riationen innerhalb einer Anlage von bis zu einigen 100 pm und entsprechend größere Abweichungen zwischen unterschiedlichen Anlagen zur Folge haben kann.
Für eine nachgelagerte Inspektion und insbesondere für eine visuelle Analyse an einem Wafer wäre es wichtig, die Defekte auf einem Wafer auf eine genaue Weise lokalisieren bzw. anfah- ren zu können.
Der vorliegenden Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung bzw. ein Verfahren zur Inspektion eines Wafers bereitzustellen, wobei eine genauere Lokalisierung der Defekte auf einer Oberfläche eines Wafers möglich sein soll.
Die Aufgabe wird durch eine Vorrichtung mit den Merkmalen des
Anspruchs 1 bzw. durch eine Vorrichtung mit den Merkmalen des Anspruchs 12 bzw. durch ein Verfahren mit den Merkmalen des
Anspruchs 16 bzw. durch ein Verfahren mit den Merkmalen des
Anspruchs 25 gelöst. Bevorzugte Ausführungsformen und Weiter bildungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen an gegeben .
Eine erfindungsgemäße Vorrichtung zur insbesondere automati schen Inspektion eines insbesondere unstrukturierten Wafers umfasst einen Sensor, wie etwa eine Bilderfassungseinrichtung, zur Erfassung eines sich in einem Erfassungsbereich des Sen sors, insbesondere in einem Sichtfeld der Bilderfassungsein- richtung, befindenden Teilbereichs der Oberfläche des Wafers, wobei der Erfassungsbereich und der Wafer relativ zueinander bewegbar sind, so dass durch eine Relativbewegung zwischen Er fassungsbereich und Wafer jeder Bereich der Waferoberfläche in den Erfassungsbereich bringbar ist. Die Vorrichtung umfasst außerdem eine Steuerung, welche dazu ausgebildet ist, eine An zahl von Defekten auf der Waferoberfläche sowie die zu jedem Defekt gehörenden, insbesondere vorgegebenen, Soll- Koordinaten, welche die Lage des Defekts auf der Waferoberflä- che angeben, zu bestimmen, insbesondere auszuwählen, und die Relativbewegung zwischen Erfassungsbereich und Wafer derart zu steuern, dass nach und nach der Erfassungsbereich an die Soll- Koordinaten jedes Defekts der Anzahl von Defekten gelangt, um den jeweiligen Defekt im Erfassungsbereich zu erfassen.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung erlaubt es somit, insbesonde re in automatisierter Art und Weise, Defekte auf der Wafer oberfläche zu bestimmen bzw. auszuwählen und diese Defekte nach und nach anzufahren, so dass sie mittels des Erfassungs- bereichs des Sensors erfasst werden können. Eine genaue Loka lisierung der Defekte kann somit erreicht werden.
Die Soll-Koordinaten der Defekte können vorgegebene Koordina ten sein, die die erwartete Position bzw. Lage eines jeweili- gen Defekts auf der Waferoberfläche angeben. Die Soll- Koordinaten können insbesondere einer für einen jeweiligen Wafer erstellten Defektdatenliste entnommen werden. Die Soll- Koordinaten der Defekte können auch errechnete Koordinaten sein, an denen die Lage eines Defekts auf der Waferoberfläche erwartet wird, wenn die entsprechenden Koordinaten angefahren werden .
Die Steuerung kann dazu ausgebildet sein, anhand der Position eines jeweiligen im Erfassungsbereich erfassten Defekts die Ist-Koordinaten des jeweiligen Defekts zu bestimmen. Für die Defekte der Anzahl von Defekten können somit die tatsächlichen Koordinaten, also die Ist-Koordinaten, in Bezug auf ein Koor dinatensystem, welches seinen Ursprung an einem bestimmten Punkt, beispielsweise auf der Waferoberfläche, hat, bestimmt werden.
Insbesondere geben die Ist-Koordinaten eines Defekts die von der Vorrichtung ermittelten Koordinaten des Defekts auf der Waferoberfläche an. Sie können daher im Rahmen der Messgenau- igkeit als tatsächliche Koordinaten auf der Waferoberfläche angesehen werden. Als Soll-Koordinaten eines Defekts werden insbesondere diejenigen Koordinaten bezeichnet, die die Vor richtung zum Anfahren eines jeweiligen Defekts verwendet. Ist- Koordinaten können daher zu Soll-Koordinaten werden, wenn die- se von der Vorrichtung zum Anfahren eines Defekts verwendet werden. Mit Anfahren ist hier insbesondere gemeint, dass der Erfassungsbereich an die Soll-Koordinaten eines jeweiligen De fekts gelangt, um eine Erfassung des Defekts zu ermöglichen. Ein im Erfassungsbereich liegender Defekt kann insbesondere mittels einer Bildverarbeitung erkannt werden. Dabei kann ein Defekt in einem mittels des Erfassungsbereichs erfassten Bil des der Waferoberfläche einen anderen Färb- oder Grauwert auf weisen als seine Umgebung. Dieser unterschiedliche Färb- oder Grauwert kann mittels der Bildverarbeitung erkannt und als Po sition des Defekts im Erfassungsbereich gewertet werden. Die so erfasste Position kann in Koordinatenwerte eines zweidimen sionalen Koordinatensystems umgerechnet werden, wodurch die Ist-Koordinaten des Defekts bestimmt werden können.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung eignet sich insbesondere zur Inspektion von unstrukturierten Wafern, ist aber auch für strukturierte Wafer einsetzbar. Der Sensor kann beispielsweise eine Bilderfassungseinrichtung mit einem Mikroskop aufweisen, mittels dem zum Beispiel die Defekte näher untersucht werden können. Insofern kann es sich bei dem Erfassungsbereich um ein Sichtfeld eines Mikroskopobjektivs handeln, mittels welchem die Oberfläche eines Wafers betrachtet wird. Der Erfassungsbe reich bzw. das Sichtfeld ist normalerweise deutlich kleiner als die Waferoberfläche, so dass durch eine Relativbewegung zwischen Wafer und Erfassungsbereich jeder Bereich der Ober fläche in den Erfassungsbereich gelangen und betrachtet werden kann. Um Defekte auf der Oberfläche eines Wafers untersuchen zu können, ist es vorteilhaft, wenn diese genau angefahren werden können. Vor diesem Hintergrund ist eine genaue Kenntnis der tatsächlichen Koordinaten der Defekte in der Vorrichtung von Relevanz .
Wie vorstehend erwähnt wurde, kann bei der erfindungsgemäßen Vorrichtung die Steuerung ausgebildet sein, um die Defekte der Anzahl von Defekten auf der Waferoberfläche zu bestimmen. Eine Bestimmung der Defekte kann in vorteilhafter Weise anhand von Informationen erfolgen, die über den Wafer z.B. mittels voran gegangener Messungen gewonnen wurden. Beispielsweise können Informationen über Defekte auf der Oberfläche eines unstruktu rierten Wafers in einer Defektdatenliste, insbesondere in Form einer Datei, etwa im KLARF-Format, vorliegen, die mittels ei ner an sich bekannten Inspektionsanlage gewonnen wurden. Die Vorrichtung kann eine dem zu untersuchenden Wafer zugeordnete Defektdatenliste verwenden, um anhand dieser die Defekte der Anzahl von Defekten zu bestimmen bzw. auszuwählen.
Das Bestimmen der Defekte der Anzahl von Defekten kann somit durch Auswählen von Defekten aus einer Defektdatenliste erfol- gen. Aus dieser können auch die Soll-Koordinaten der Defekte entnommen werden, da eine Defektdatenliste Angaben über die Positionen der Defekte auf der Waferoberfläche enthält.
Die erfindungsgemäße Vorrichtung erlaubt insbesondere eine In- spektion von Defekten auf Oberflächen von unstrukturierten Wafern und ermöglicht es dabei, z.B. die über eine Defektda tenliste bereitgestellten Koordinaten genauer zu bestimmen. Die Defekte lassen sich anhand der genauer bestimmten Koordi naten exakter anfahren und somit in verbesserter Weise in ei- nen Erfassungsbereich, wie zum Beispiel den Sichtbereich eines Mikroskopobjektivs, bringen und zum Beispiel näher untersu chen .
Über die Defektdatenliste bereitgestellte Koordinaten können als Soll-Koordinaten für die auf der Oberfläche eines Wafers liegenden Defekte angesehen werden. Eine bestimmte bzw. ausge wählte Anzahl von Defekten auf der Waferoberfläche kann anhand der Soll-Koordinaten angefahren werden, so dass nach und nach jeder ausgewählte Defekt in den Erfassungsbereich gebracht werden kann. Anhand der Position eines jeweiligen Defekts im Erfassungsbereich können die Ist-Koordinaten in Bezug auf ei nen definierten Koordinatenursprung ermittelt werden. Die er mittelten Ist-Koordinaten können sodann z.B. zur Korrektur von Soll-Koordinaten von anderen Defekten aus der Defektdatenliste verwendet werden.
Nach einer bevorzugten Ausgestaltung der Erfindung ist die Steuerung dazu ausgebildet, die Defekte der Anzahl von Defek ten und die dazugehörigen Soll-Koordinaten aus einer vorgege- benen Vielzahl von Defekten mit dazugehörigen Soll-Koordinaten auszuwählen. Insbesondere kann die Vielzahl von Defekten mit Soll-Koordinaten in einer dem zu untersuchenden Wafer zugeord neten Defektdatenliste bereitgestellt werden. Die vorgegebene Vielzahl von Defekten kann somit beispielsweise alle in einer Defektdatenliste erfassten Defekte umfassen. Von dieser Viel zahl von Defekten werden bevorzugt nicht alle Defekte ausge wählt, sondern nur eine Anzahl von Defekten. Dies hat den Vor teil, dass die Bestimmung der Ist-Koordinaten für die Defekte der Anzahl von Defekten schneller bewerkstelligt werden kann. Außerdem können Defekte ausgewählt werden, die ein bestimmtes Kriterium erfüllen, wodurch die Bestimmung der Ist-Koordinaten effizienter, einfacher und mit größerer Genauigkeit durchge führt werden kann.
Die Steuerung kann dazu ausgebildet sein, in Abhängigkeit von - für die Defekte der Anzahl von Defekten ermittelten Ist-
Koordinaten und vorzugsweise deren Soll-Koordinaten - neue Soll-Koordinaten für zumindest einen Defekt der Vielzahl von Defekten zu ermitteln. Bei diesem Defekt handelt es sich ins besondere um einen Defekt aus der Vielzahl von Defekten, der nicht der Anzahl von Defekten angehört und für den somit noch keine Ist-Koordinaten mittels des Sensors bestimmt wurden.
Die Steuerung kann insbesondere dazu ausgebildet sein, in Ab hängigkeit von den für die Defekte der Anzahl von Defekten er- mittelten Ist-Koordinaten und deren Soll-Koordinaten eine Kor rekturvorschrift zu ermitteln, mittels der neue, korrigierte Soll-Koordinaten für wenigstens einen weiteren Defekt berech net werden können. Die Steuerung kann zum Beispiel für einen ersten Defekt und einen zweiten Defekt aus der Anzahl von Defekten einen ersten Differenzvektor zwischen den Soll-Koordinaten des ersten und zweiten Defekts ermitteln. Ferner kann die Steuerung einen zweiten Differenzvektor zwischen den Ist-Koordinaten des ers- ten und zweiten Defekts ermitteln. Die Steuerung kann sodann ermitteln, um welchen Streckungsfaktor der zweite Differenz vektor bzgl . des ersten Differenzvektors gestreckt bzw. ge staucht ist und um welchen Winkel der zweite Differenzvektor gegenüber dem ersten Differenzvektor gedreht ist. Ferner kann die Steuerung einen dritten Differenzvektor ermitteln, der die Differenz zwischen den Ist-Koordinaten und Soll-Koordinaten des ersten Defekts angibt. Aus den Soll-Koordinaten des ersten Defekts, dem dritten Differenzvektor und dem Streckungsfaktor und Winkel kann eine Korrekturvorschrift bestimmt werden, an- hand der die zuvor gemessene Ist-Position des zweiten Defekts berechnet werden kann.
Der vorstehend beschriebene Vorgang kann für alle Paare von Defekten der Anzahl von Defekten durchgeführt werden. Dabei kann für jedes Paar ein entsprechender dritter Differenzvektor ermittelt werden, der die Differenz zwischen den Ist- Koordinaten und Soll-Koordinaten eines Defekts des jeweiligen Defektpaars angibt. Außerdem können aus den für das jeweilige Defektpaar bestimmten Soll- und Ist-Koordinaten der vorstehend erwähnte Streckungsfaktor und Winkel ermittelt werden.
Insbesondere kann anhand der so ermittelten Vielzahl an drit ten Differenzvektoren, Streckungsfaktoren und Winkel eine Kor rekturvorschrift, insbesondere unter Verwendung eines Gauß- Newton-Verfahrens , derart bestimmt werden, dass ausgehend von einem Defekt der Anzahl von Defekten und den z.B. aus der De fektdatenliste entnommenen Soll-Koordinaten eines weiteren De fekts neue Soll-Koordinaten für diesen weiteren Defekt be stimmt werden können. Die neuen Soll-Koordinaten liegen genau er an den tatsächlichen Ist-Koordinaten des weiteren Defekts, der somit in genauerer Art und Weise angefahren werden kann.
Nach einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung ist die Steuerung dazu ausgebildet, die Defekte der Anzahl von Defek ten aus bereitgestellten Informationen über eine Vielzahl von Defekten auf der Oberfläche des Wafers, insbesondere aus einer Defektdatenliste, in Abhängigkeit von wenigstens einem Krite rium auszuwählen, wobei die Informationen für jeden Defekt der Vielzahl von Defekten Angaben über die Soll-Koordinaten des jeweiligen Defekts und/oder über die Größe des jeweiligen De fekts umfassen.
Als Kriterium kann beispielsweise herangezogen werden, dass die Steuerung aus den bereitgestellten Informationen, insbe- sondere aus der Defektdatenliste, die 3 bis n (n>3) größten Defekte auswählt.
Bevorzugt ist die Steuerung dazu ausgebildet, die Defekte aus den bereitgestellten Informationen derart auszuwählen, dass es sich um freistehende Defekte handelt. Freistehende Defekte sind insbesondere Defekte, die für sich alleine im Erfassungs bereich erfasst werden können, also ohne dass ein weiterer zu sätzlicher Defekt die Erfassung stört. Ein ausgewählter, frei- stehender Defekt kann somit als solcher im Erfassungsbereich identifiziert werden. Freistehende Defekte sind verhältnismä ßig einfach zu identifizierende Bezugspunkt auf der Oberfläche eines Wafers. Außerdem ist eine eindeutige Zuordnung eines freistehenden Defekts zu dem entsprechenden Dateneintrag in einer Defektdatenliste möglich, während bei nicht freistehen den Defekten die Schwierigkeit bestehen kann, einen erfassten Defekt einem entsprechenden Dateneintrag in der Defektdaten liste eindeutig zuzuordnen. Die Steuerung kann dazu ausgebildet sein, in Abhängigkeit von der Größe des Erfassungsbereichs freistehende Defekte aus den bereitgestellten Informationen, insbesondere aus der Defektda tenliste, zu identifizieren, die für sich alleine, also ohne einen weiteren Defekt, im Erfassungsbereich erfassbar sind.
Die Steuerung kann dazu ausgebildet sein, in Abhängigkeit ei nes Koordinatensystem, auf die sich die Soll-Koordinaten in den bereitgestellten Informationen beziehen, ein Muster mit einer Vielzahl von rechteckigen oder quadratischen, aneinander anstoßenden Rasterfeldern zu generieren, wobei jede Koordinate des Koordinatensystems einem Rasterfeld zugewiesen ist, und wobei die Steuerung ferner dazu ausgebildet ist, die Soll- Koordinaten jedes Defekts der Vielzahl von Defekten dem ent sprechenden Rasterfeld zuzuordnen. Die Steuerung kann einen Defekt als freistehenden Defekt identifizieren, wenn dieser Defekt in einem Rasterfeld liegt, das von einer vorgegebenen Anzahl an Rasterfeldern umgeben ist, in welchen kein Defekt liegt .
Die Steuerung kann dazu ausgebildet sein, die Defekte aus den bereitgestellten Informationen in Abhängigkeit von der Defekt größe auszuwählen. In einer Defektdatenliste können beispiels weise große oder kleine Defekte identifiziert werden.
Die Steuerung kann dazu ausgebildet sein, die Defekte aus den bereitgestellten Informationen derart auszuwählen, dass sie eine Mindestgröße oder eine Maximalgröße aufweisen.
Die Steuerung kann dazu ausgebildet sein, die Defekte aus den bereitgestellten Informationen derart auszuwählen, dass deren Größe in einem Intervall liegt, das eine untere und obere
Grenze für die Defektgröße vorgibt.
Nach einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung ist die Steuerung dazu ausgebildet, die Defekte aus den bereitgestell- ten Informationen derart auszuwählen, dass die ausgewählten Defekte über die gesamte Oberfläche des Wafers verteilt sind. Die Defekte können somit z.B. derart ausgewählt werden, dass in jedem oder nahezu jedem Bereich der Oberfläche des Wafers zumindest ein ausgewählter Defekt liegt.
Die Steuerung kann auch dazu ausgebildet sein, dass sie Defek te auswählt, die an der Waferoberfläche auftreten. Defekte am Randbereich des Wafers können dadurch priorisiert werden. Vorzugsweise ist die Steuerung dazu ausgebildet, einen Defekt der Anzahl von Defekten nicht weiter zur Bestimmung seiner Ist-Koordinaten zu verwenden, wenn dieser bei seinen Soll- Koordinaten nicht im Erfassungsbereich detektiert werden kann, oder wenn bei den Soll-Koordinaten des Defekts zwei der mehr Defekte im Erfassungsbereich des Sensors detektiert werden können. Eine fehlerhafte Erfassung von Ist-Koordinaten kann dadurch vermieden werden. Außerdem können Verwechslungen zwi schen mehreren Defekten im Erfassungsbereich ausgeschlossen werden. Darüber hinaus kann eine eindeutige Zuordnung der er- mittelten Ist-Koordinaten zu einem bestimmten Defekt erreicht werden .
Nach einer bevorzugten Weiterbildung der Erfindung, die hierin auch in einem unabhängigen Anspruch beansprucht wird, ist die Steuerung dazu ausgebildet:
in einem ersten Durchgang eine erste Anzahl von Defekten aus bereitgestellten Informationen über eine Vielzahl von Defekten derart auszuwählen, dass die ausgewählten Defekte der ersten Anzahl von Defekten freistehende, große Defekte sind, wobei bevorzugt die Defekte der Anzahl von Defekten über die gesamte Oberfläche des Wafers verteilt sind, unter Verwendung der Soll-Koordinaten der ausgewählten Defekte die Relativbewegung zwischen Erfassungsbereich und Wafer der- art zu steuern, dass nach und nach der Erfassungsbereich an die Soll-Koordinaten jedes ausgewählten Defekts gelangt, anhand der Position des jeweiligen Defekts im Erfassungsbe reich die Ist-Koordinaten des jeweiligen Defekts zu ermitteln, in einem zweiten Durchgang eine zweite Anzahl von Defekten aus den Informationen derart auszuwählen, dass die ausgewählten Defekte der zweiten Anzahl von Defekten freistehende, kleine Defekte sind, wobei bevorzugt die Defekte der zweiten Anzahl von Defekten über die gesamte Oberfläche des Wafers verteilt sind, unter Verwendung von neuen Soll-Koordinaten für die Defekte der zweiten Anzahl von Defekten die Relativbewegung zwischen Erfassungsbereich und Wafer derart zu steuern, dass nach und nach der Erfassungsbereich an die neuen Soll-Koordinaten jedes ausgewählten Defekts der zweiten Anzahl von Defekten gelangt, wobei die neuen Soll-Koordinaten in Abhängigkeit von den im ersten Durchgang ermittelten Ist-Koordinaten, und vorzugsweise auch in Abhängigkeit von den Soll-Koordinaten der im ersten Durchgang verwendeten Defekte, von der Steuerung ermittelbar sind bzw. ermittelt werden, und anhand der Position des jeweiligen Defekts im Sichtfeld die Ist-Koordinaten des jeweiligen Defekts zu ermitteln.
Anhand der ermittelten Ist-Koordinaten und der Soll- Koordinaten der Defekte der im ersten Durchgang verwendeten Anzahl von Defekten kann, wie zuvor beschrieben, eine Korrek turvorschrift ermittelt werden, mittels der sich die neuen Soll-Koordinaten für die im zweiten Durchgang verwendeten kleinen Defekte genauer bestimmen lassen.
Anhand der ermittelten Ist-Koordinaten und der neuen Soll- Koordinaten der im zweiten Durchgang verwendeten kleinen De- fekte kann wiederum eine Korrekturvorschrift bestimmt werden, mittels der neue Soll-Koordinaten eines bisher nicht berück sichtigen Defekts bestimmt werden können. Mittels dieser neuen Soll-Koordinaten lässt sich dieser Defekt genau anfahren und zum Beispiel im Rahmen einer visuellen Inspektion untersuchen.
Eine derartige Bestimmung von neuen Soll-Koordinaten für noch nicht angefahrene Defekte kann z.B. für alle näher zu untersu chenden Defekte in Abhängigkeit von den im zweiten Durchgang ermittelten Ist-Koordinaten und den ermittelten neuen Soll- Koordinaten bestimmt werden. Da im zweiten Durchgang kleine Defekte berücksichtigt werden, kann deren Ist-Position im Er fassungsbereich mittels einer Bilderkennung genau bestimmt werden, da durch die geringe Größe der Defekte Messabweichun gen und Ungenauigkeiten in der Bilderkennung nur geringe Aus- Wirkungen haben. Die Vorrichtung ermöglicht somit eine genaue Anpassung zwi schen den ursprünglichen Soll-Koordinaten von Defekten, wie sie zum Beispiel in einer Defektdatenliste bereitgestellt wer den, und den realen Koordinaten der Defekte auf der Oberfläche eines Wafers. Nach einer derartig erfolgten Anpassung können die Defekte unter Ermittlung und Verwendung der neuen Soll- Koordinaten präzise angefahren und zum Beispiel mittig im Sichtfeld eines Mikroskops dargestellt werden. Eine genaue Un tersuchung der Defekte, z.B. in Form einer manuell durchge- führten Inspektion, ist somit möglich. Aufgrund der genaueren Anfahrmöglichkeit können außerdem freistehende Defekte in ver besserter Weise identifiziert und von benachbarten Defekten unterschieden werden. Vorzugsweise handelt es sich bei dem Sensor um eine Bilderfas sungseinrichtung mit einem Mikroskop, wobei es sich bei dem Erfassungsbereich um ein Sichtfeld des Objektivs des Mikro skops handelt. Bei der Vorrichtung kann der Erfassungsbereich relativ zum Wafer oder umgekehrt der Wafer relativ zum Erfassungsbereich bewegbar, insbesondere verfahrbar, sein. Der Wafer kann bei spielsweise auf einem verfahrbaren Tisch eines Mikroskops oder einer anderen, insbesondere bildgebenden, Sensoreinrichtung angeordnet sein. Alternativ oder zusätzlich kann der Erfas sungsbereich, bei dem es sich beispielsweise um das Sichtfeld des Objektivs eines Mikroskops handelt, über die Oberfläche des auf dem Objektivtisch liegenden Wafers bewegbar sein, so- dass je nach Position des Sichtfelds unterschiedliche Aus- schnitte der Waferoberfläche betrachtet werden können.
Die Vorrichtung kann eine Beladeeinrichtung zum Beladen der Vorrichtung mit dem Wafer aufweisen. Mit der Beladeeinrichtung kann der Wafer insbesondere in einer definierten Position auf eine Auflage, wie etwa den Objektivtisch, gebracht werden. Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zur, insbesondere automatischen, Inspektion eines insbesondere unstrukturierten Wafers, insbesondere in einer erfindungsgemäßen Inspektions vorrichtung, mit den Schritten:
Bestimmen einer Anzahl von Defekten auf der Oberfläche des Wafers sowie von zu jedem Defekt gehörenden Soll-Koordinaten, welche die Lage des jeweiligen Defekts auf der Waferoberfläche angeben, und Steuern einer Relativbewegung zwischen einem Erfassungsbereich eines Sensors, insbesondere ein Sichtfeld einer Bilderfas sungseinrichtung, und dem Wafer derart, dass nach und nach der Erfassungsbereich an die Soll-Koordinaten jedes Defekts der Anzahl von Defekten gelangt, um den jeweiligen Defekt im Er- fassungsbereich zu erfassen.
Die Erfindung betrifft außerdem ein Verfahren zur, insbesonde re automatischen, Inspektion eines insbesondere unstrukturier ten Wafers, insbesondere in einer erfindungsgemäßen Inspekti- onsvorrichtung, bei dem
eine erste Anzahl von Defekten aus bereitgestellten Informati onen über eine Vielzahl von Defekten auf einer Oberfläche des Wafers derart ausgewählt werden, dass die ausgewählten Defekte freistehende, große Defekte sind, welche vorzugsweise über die gesamte Oberfläche verteilt sind, unter Verwendung von Soll-Koordinaten der ausgewählten Defekte eine Relativbewegung zwischen einem Erfassungsbereich eines Sensors, insbesondere ein Sichtfeld einer Bilderfassungsein- richtung, und dem Wafer derart gesteuert wird, dass nach und nach der Erfassungsbereich an die Soll-Koordinaten jedes De fekts gelangt, anhand der Position des jeweiligen Defekts im Erfassungsbe reich die Ist-Koordinaten des jeweiligen Defekts ermittelt werden, eine zweite Anzahl von Defekten aus den Informationen derart ausgewählt werden, dass die ausgewählten Defekte freistehende, kleine Defekte sind, welche vorzugsweise über die gesamte Oberfläche verteilt sind, unter Verwendung von neuen Soll-Koordinaten die Relativbewe gung zwischen Erfassungsbereich und Wafer derart gesteuert wird, dass nach und nach der Erfassungsbereich an die neuen Soll-Koordinaten jedes Defekts der zweiten Anzahl von Defekten gelangt, wobei die neuen Soll-Koordinaten in Abhängigkeit von den ermittelten Ist-Koordinaten der Defekte der ersten Anzahl von Defekten ermittelt werden, und anhand der Position des jeweiligen Defekts im Erfassungsbe reich die Ist-Koordinaten des jeweiligen Defekts der zweiten Anzahl von Defekten ermittelt werden.
Die Erfindung betrifft auch:
ein System zur Datenverarbeitung umfassend Mittel zur Ausfüh rung eines erfindungsgemäßen Verfahrens,
ein Computerprogrammprodukt, umfassend Befehle, die bei Aus führung des Programms durch einen Computer diesen veranlassen, ein erfindungsgemäßes Verfahren auszuführen, und
einen computerlesbaren Datenträger, auf dem ein erfindungsge mäßes Computerprogrammprodukt gespeichert ist.
Die hierin beschriebenen Vorrichtungen und Verfahren erlauben eine Inspektion von insbesondere unstrukturierten Wafern. Ins besondere können genaue Koordinaten von Defekten auf einer Oberfläche eines Wafers bestimmt werden. Diese Koordinaten er- lauben ein genaues Anfahren der Defekte, um sie z.B. mittels eins Mikroskops näher untersuchen zu können. Die hierin be schriebenen Vorrichtungen und Verfahren können beispielsweise in Prozessen zur Herstellung von strukturierten Wafern, etwa für Halbleiteranwendungen oder zur Herstellung von LED Chips, zur Anwendung kommen.
Bei den untersuchten Wafern kann es sich um alle Arten, Mate rialtypen und Größen von insbesondere unstrukturierten Wafern handeln, z.B. 6 oder 8 Zoll Wafer, etwa aus Silizium.
Im Folgenden werden Ausführungsbeispiele der Erfindung unter Bezugnahme auf die beigefügten Figuren näher erläutert. Es zeigen, jeweils schematisch, Fig. 1 ein Blockdiagramm einer Variante einer erfindungsge mäßen Vorrichtung zur automatischen Inspektion eines unstrukturierten Wafers,
Fig . 2 eine Draufsicht auf einen Wafer unter einer Bilder fassungseinrichtung der Vorrichtung von Fig. 1,
Fig. 3 eine weitere Draufsicht auf den Wafer von Fig. 2,
Fig . 4 eine Illustration zur Ermittlung von neuen Soll- Koordinaten für einen Defekt,
Fig. 5 ein Flussdiagramm einer Variante eines erfindungsge mäßen Verfahrens zur automatischen Inspektion eines unstrukturierten Wafers,
Fig. 6 ein Flussdiagramm einer weiteren Variante eines er findungsgemäßen Verfahrens zur automatischen Inspek tion eines unstrukturierten Wafers, und Fig. 7 eine Illustration einer Variante zur Auffindung von freistehenden Defekten.
Die mit Bezug auf die Fig. 1 bis 4 näher beschriebene Vorrich- tung zur insbesondere automatischen Inspektion eines unstruk turierten Wafers 11 umfasst einen Sensor 13, bei dem es sich um eine Bilderfassungseinrichtung handelt, zur Erfassung eines sich in einem Erfassungsbereich 15 (vergleiche Fig. 2 und 3) befindenden Teilbereichs einer Oberfläche 17 des unstruktu- rierten Wafers 11. Der Erfassungsbereich, bei dem es sich um das Sichtfeld 15 der Bilderfassungseinrichtung 13 handelt, und der Wafer 11 sind relativ zueinander bewegbar, sodass durch eine Relativbewegung zwischen dem Sichtfeld 15 und dem Wafer 11 jeder Bereich der Oberfläche 17 des Wafers 11 in das Sicht- feld 15 gebracht werden kann.
Die Vorrichtung umfasst eine Steuerung 19, die eine Anzahl von Defekten auf der Waferoberfläche 17 sowie die zu jedem Defekt gehörenden Soll-Koordinaten bestimmen kann (in den Fig. 2 und 3 sind zu Illustrationszwecken einige Defekte mit dem Bezugs zeichen 21 markiert) . Die Soll-Koordinaten eines jeweiligen Defekts 21 beschreiben die Lage des Defekts 21 auf der Wafer oberfläche 17 und in Bezug auf einen definierten Koordinaten ursprung, der sich zum Beispiel an einer Stelle auf der Wafer- Oberfläche befinden kann.
Wafer-spezifische Informationen über eine Vielzahl von Defek ten 21 auf der Oberfläche 17 des Wafers 11 sowie deren Soll- Koordinaten können der Vorrichtung mittels einer Defektdaten- liste 23 bereitgestellt werden. Die Defektdatenliste 23 kann beispielsweise von einer aus dem Stand der Technik bekannten Inspektionsanlage erstellt worden sein, mit welcher der Wafer 11 zuvor inspiziert wurde. Die Defektdatenliste 23 kann bei spielsweise im KLARF-Format vorliegen und in einen Speicher 25 der Vorrichtung geladen werden, sodass die Steuerung 19 auf die Defektdatenliste 23 zugreifen kann.
Das Bestimmen der Anzahl von Defekten durch die Steuerung 19 kann insbesondere dadurch erfolgen, dass die Steuerung 19 die Anzahl von Defekten aus der Defektdatenliste 23, zum Beispiel anhand eines Kriteriums oder anhand mehrerer Kriterien, aus der Vielzahl von Defekten 21, welche in der Defektdatenliste 23 erfasst sind, auswählt.
Die Bilderfassungseinrichtung 13 kann ein Mikroskop 31 aufwei sen und bei dem Sichtfeld 15 kann es sich um das Sichtfeld ei nes Objektivs 27 des Mikroskops 31 handeln. Ferner kann der Wafer 11 auf einem Objekttisch 29 des Mikroskops 31 abgelegt sein, sodass dessen Oberfläche 17 mittels des Sichtfeldes 15 des Objektivs 27 betrachtet werden kann (vergleiche Fig. 2 und 3) .
Der Objekttisch 29 kann, gesteuert von der Steuerung 19, in einer horizontalen Ebene verfahrbar sein, sodass jeder Bereich der Oberfläche 17 des Wafers 11 in das Sichtfeld 15 gebracht werden kann. Alternativ oder zusätzlich kann das Objektiv 27 in einer zur Oberfläche 17 parallelen Ebene verfahrbar sein, wodurch ebenfalls jeder Bereich der Oberfläche 17 des Wafers 11 von dem Sichtfeld 15 angefahren werden kann.
Der Objekttisch 29 und/oder das Objektiv 27 können auch in vertikaler Richtung verstellbar sein. Dadurch kann der Abstand des Objektivs 27 zur Oberfläche 17 des Wafers 11 verändert werden. Dies ist für die Einstellung des Fokus von Vorteil.
Die Steuerung 19 kann unter Verwendung der aus der Defektda tenliste 23 erhaltenen Soll-Koordinaten die Position des Sichtfelds 15 und/oder des Wafers 11 so steuern, dass nach und nach das Sichtfeld 15 an die Soll-Koordinaten jedes der ausge- wählten Defekte 21 gelangt. Anhand der Position eines jeweili gen, im Sichtfeld 15 erfassten Defekts 21 kann die Steuerung die Ist-Koordinaten des jeweiligen Defekts 21 bestimmen. Dies kann durch eine Bildverarbeitung erfolgen, die ein aufgenomme- nes Bild des Sichtfelds 15 auf Defekte 21 untersucht. Ein De fekt weist in dem Bild gegenüber seiner Umgebung andere Farb- bzw. Grauwerte auf, wodurch die Bildverarbeitung einen Defekt in dem Bild erkennen und dessen Position ermitteln kann. Aus dieser Position kann die Steuerung sodann unter Berücksichti- gung eines vorgegebenen Koordinatensystems die Ist-Koordinaten des Defekts 21 auf der Waferoberfläche 17 ermitteln. Die Bild verarbeitung kann in der Steuerung 19 oder der Bildaufnahme einrichtung 13 implementiert sein. Die Vorrichtung kann an einem Wafer 11 insbesondere einen zweistufigen Prozess zum genauen Bestimmen der Koordinaten von Defekten 21 auf der Oberfläche 17 des Wafers 11 durchführen. Dazu wird die Vorrichtung zunächst mittels der Beladeeinrich tung 33 mit dem Wafer 11 beladen. Dabei wird der Wafer 11 in einer bestimmten Position und Ausrichtung auf dem Objekttisch 29 angeordnet. Die von einer anderen Anlage erzeugte Defektda tenliste 23 wird importiert und auf dem Speicher 25 abgespei chert . Zum Auswählen einer Anzahl von Defekten 21 aus der Defektda tenliste 23 wird die Defektdatenliste 23 dahingehend analy siert, welche Defekte 21 möglichst freistehend sind und außer dem kann eine Filterung nach ihrer Größe, insbesondere bezüg lich ihrer Ausdehnung in der Fläche, und optional auch nach der Defektart erfolgen.
Die Defekte 21 können unter Verwendung eines Kriteriums ausge wählt werden. Zum Beispiel werden in einer ersten Prozessstufe drei oder mehr der größten der freistehenden Defekte 21 aus der Defektdatenliste 23 ausgewählt. Freistehende Defekte sind dabei solche Defekte 21, die alleine, also ohne einen weiteren Defekt im Sichtfeld 15 liegen sollen. Ein freistehender Defekt 21 weist somit einen Mindestabstand zu seinen Nachbarn auf, der abhängig ist von der Größe des Sichtfelds 15. Es kann da- her auch eine Abhängigkeit von dem eingesetzten Objektiv 27 und/oder der Fokuseinstellung vorliegen, da diese Auswirkungen auf die Sichtfeldgröße haben können.
Durch die Auswahl von freistehenden Defekten können Verwechs- lungen zwischen mehreren Defekten im Sichtfeld 15 ausgeschlos sen werden, und es kann eine eindeutige Zuordnung eines im Sichtfeld 15 bei einer bestimmten Soll-Position aufgefundenen Defekts zu dem für die Soll-Position in der Defektdatenliste 23 angegebenen Defekt erreicht werden.
Die ausgewählten, freistehenden, großen Defekte 21 werden durch Bewegen des Objekttisches 29 und/oder Sichtfelds 15 nach und nach angefahren. Dazu werden die aus der Defektdatenliste 23 entnommenen Soll-Koordinaten verwendet.
Fig. 2 zeigt die Stellung des Sichtfelds 15 an drei verschie denen, nach und nach angefahrenen Positionen und somit bei drei ausgewählten Defekten 21. Da die Soll-Koordinaten von ei ner anderen Anlage ermittelt wurden und mit Messfehlern behaf- tet sein können, geben die Soll-Koordinaten aus der Defektda tenliste normalerweise nicht die exakte Position eines jewei ligen Defekts 21 auf der Oberfläche 17 des Wafers 11 an. Dies wird in Fig. 2 dadurch zum Ausdruck gebracht, dass die Defekte 21 nicht exakt in der Mitte eines Sichtfelds 15, bzw. allge- meiner eines Erfassungsbereichs, liegen. Dazu kommt, dass die Soll-Koordinaten nicht notwendigerweise die Position der Mitte des Defekts angeben, sondern sich auf irgendeine Stelle des Defekts beziehen. Ferner können Messfehler dazu führen, dass die Soll-Koordinaten sich auf eine Stelle außerhalb des De- fekts beziehen. Dies kann ebenfalls zur Folge haben, dass der angefahrene Defekt 21 tatsächlich nicht in der Mitte oder so gar außerhalb des Sichtfelds bzw. Erfassungsbereichs 15 liegt.
Die Steuerung 19 kann derart ausgestaltet sein, dass sie die Größe eines Defekts 21 im Sichtfeld 15 erkennt. Es kann somit gewissermaßen eine Verifizierung stattfinden, ob ein angefah rener Defekt 21 tatsächlich dem Defekt aus der Defektdatenlis te 23 entspricht, indem die Größe des angefahrenen Defekts 21 mit der in der Defektdatenliste 23 angegebenen Größe vergli- chen wird.
Erkennt die Steuerung 19 bei den angefahrenen Soll-Koordinaten eines freistehenden Defekts 21 im Sichtfeld 15 keinen oder mehr als einen Defekt 21, so wird dieser Defekt übersprungen und es wird gleich der nächste ausgewählte Defekt 21 angefah ren .
Die Steuerung 19 ist derart ausgestaltet, dass sie anhand der Position des jeweiligen Defekts 21 im Sichtfeld 15 und unter Verwendung eines vorgegebenen, definierten Koordinatensystems der Vorrichtung auf die tatsächliche Position des Defekts 21 zurückrechnen kann, wodurch die Ist-Koordinaten des jeweiligen Defekts bestimmt werden können. Die Ist-Koordinaten des jewei ligen Defekts 21 können auf dem Speicher 25 gespeichert wer- den.
Die Steuerung hat somit im ersten Durchgang für die ausgewähl ten, großen Defekte die Soll-Koordinaten aus der Defektdaten liste 23 erhalten und die Ist-Koordinaten bestimmt.
Fig. 4 zeigt illustrativ die Positionen eines ersten Defekts mit den Soll-Koordinaten S1 und den Ist-Koordinaten II und ei nes zweiten Defekts mit den Soll-Koordinaten S2 und den Ist- Koordinaten 12 auf der Oberfläche 17. Die Steuerung 19 kann einen ersten Differenzvektor Dl zwischen den Soll-Koordinaten Sl, S2 des ersten und zweiten Defekts er mitteln. Ferner kann die Steuerung 19 einen zweiten Differenz vektor D2 zwischen den Ist-Koordinaten II, 12 des ersten und zweiten Defekts ermitteln. Die Steuerung 19 kann ermitteln, um welchen Streckungsfaktor der zweite Differenzvektor D2 bzgl . des ersten Differenzvektors Dl gestreckt bzw. gestaucht ist, und um welchen Winkel der zweite Differenzvektor D2 um den ersten Differenzvektor Dl gedreht ist. Ferner kann die Steue- rung 19 einen dritten Differenzvektor D3 ermitteln, der die
Verschiebung bzw. die Differenz zwischen den Ist-Koordinaten II und Soll-Koordinaten Sl des ersten Defekts angibt.
Aus den Soll-Koordinaten Sl des ersten Defekts, dem dritten Differenzvektor D3, dem Streckungsfaktor und dem Winkel kann eine Korrekturvorschrift bestimmt werden, anhand der die (zu vor gemessene) Ist-Position 12 des zweiten Defekts berechnet werden kann. Der vorstehend beschriebene Vorgang kann für alle Paare von
Defekten der Anzahl von Defekten durchgeführt werden. Dabei kann für jedes Paar ein entsprechender dritter Differenzvektor ermittelt werden, der die Differenz bzw. Verschiebung zwischen den Ist-Koordinaten und Soll-Koordinaten eines Defekts des je- weiligen Defektpaars angibt. Außerdem können aus den für das jeweilige Defektpaar bestimmten Soll- und Ist-Koordinaten der vorstehend erwähnte Streckungsfaktor und Winkel ermittelt wer den . Anhand der so ermittelten Vielzahl an dritten Differenzvekto ren, Streckungsfaktoren und Winkel kann eine Korrekturvor schrift, z.B. unter Verwendung eines statistischen Verfahrens, z.B. dem Gauß-Newton-Verfahrens , in an sich bekannter Weise bestimmt werden. Mit der Korrekturvorschrift ist es sodann möglich, ausgehend von einem der ausgewählten Defekte, z.B. ausgehend von dem ersten Defekt mit den bekannten Soll- Koordinaten S1 und Ist-Koordinaten II, und den aus der Defekt datenliste 23 entnommenen Soll-Koordinaten S3 eines weiteren, bisher nicht berücksichtigen dritten Defekts neue Soll- Koordinaten NS3 für diesen dritten Defekt zu berechnen. Die neuen Soll-Koordinaten NS3 liegen genauer an den tatsächlichen Ist-Koordinaten dieses Defekts, so dass der weitere, dritte Defekt in genauerer Art und Weise angefahren werden kann. Derartige neue Soll-Koordinaten können in der 2. Prozessstufe berücksichtigt werden. Durch Verwendung von neuen Soll- Koordinaten ist die Treffsicherheit höher, beim Anfahren eines Defekts unter Verwendung der neuen Soll-Koordinaten tatsäch lich den erwarteten Defekt im Sichtfeld 15 erfassen zu können.
In der 2. Prozessstufe wird das automatische Vorgehen der 1. Prozessstufe insofern wiederholt, als dass wiederum drei oder mehr Defekte 21 aus der Defektdatenliste 23 ausgewählt, ange fahren und im Sichtfeld gefunden und bestätigt werden. Aller- dings werden in der 2. Prozessstufe keine großen, sondern kleine freistehende Defekte 21 ausgewählt, die vorzugsweise über der gesamten Oberfläche 17 verteilt sind.
Es kann zum Beispiel eine bestimmte Anzahl der kleinsten frei- stehenden Defekte 21 aus der Defektdatenliste 23 ausgewählt werden. Derartige Defekte haben den Vorteil, dass ihre Größe unkritisch ist. Ein Fehler der aus einem noch verbleibenden Unterschied zwischen dem in einer Bildverarbeitung angenomme nen Mittelpunkt des Defekts 21 und der tatsächlichen Ist- Koordinate resultieren kann, ist aufgrund der Kleinheit des Defekts 21 gering. Die tatsächliche Position und somit die ge nauen Ist-Koordinaten eines jeweiligen ausgewählten kleinen Defekts 21 können daher - im Vergleich zur Verwendung von gro ßen Defekten - mit hoher Genauigkeit bestimmt werden. Die Steuerung 19 detektiert nach und nach die ausgewählten, kleinen Defekte 21 und akkumuliert in der entsprechenden Wei se, wie in der 1. Prozessstufe, deren Ist-Koordinaten. Dabei kann die Steuerung zum Anfahren der kleinen Defekte die mit- tels der zuvor ermittelten Korrekturvorschrift errechneten neuen Soll-Koordinaten verwenden.
Aus den neuen Soll-Koordinaten und den im Rahmen der 2. Pro zessstufe ermittelten Ist-Koordinaten für die kleinen Defekte kann wie vorstehend beschrieben eine weitere Korrekturvor schrift ermittelt werden, die es in noch genauerer Weise er laubt, neue Soll-Koordinaten für bisher noch nicht angefahrene Defekte zu berechnen. Für derartige Defekte lassen sich somit deren neue, verbesserte Soll-Koordinaten anhand der im Rahmen der 2. Prozessstufe ermittelten Korrekturvorschrift ermitteln. Diese Defekte können daher gezielter angefahren und untersucht werden. Fig. 3 illustriert dies dadurch, dass anhand der neu en, verbesserten Soll-Koordinaten Defekte 21 so genau angefah ren werden können, dass sie zumindest näherungsweise in der Mitte des Sichtfelds 15 liegen. Eine genaue Untersuchung und Identifikation der Defekte ist dadurch möglich, z.B. in einer sich anschließenden Inspektion unter einem Mikroskop.
Das in Fig. 5 in einem Flussdiagramm dargestellte Verfahren zur automatischen Inspektion eines insbesondere unstrukturier ten Wafers umfasst einen Schritt 401, in welchem eine Anzahl von Defekten auf der Oberfläche eines Wafers sowie von zu je dem Defekt gehörende Soll-Koordinaten, welche die Lage des je weiligen Defekts auf der Waferoberfläche angeben, bestimmt werden, beispielsweise indem die Defekte aus einer Vielzahl von Defekten aus einer Defektdatenliste ausgewählt werden.
In Schritt 403 erfolgt das Steuern einer Relativbewegung zwi schen einem Sichtfeld einer Bilderfassungseinrichtung und dem Wafer derart, dass nach und nach das Sichtfeld an die Soll- Koordinaten jedes Defekts der Anzahl von Defekten gelangt, um den jeweiligen Defekt im Sichtfeld zu erfassen.
In Schritt 405 erfolgt das Bestimmen der Ist-Koordinaten eines jeweiligen im Sichtfeld erfassten Defekts anhand seiner Posi tion im Sichtfeld.
Das Verfahren zur automatischen Inspektion eines unstruktu rierten Wafers gemäß dem Flussdiagramm der Fig. 6 umfasst Schritt 501, bei dem eine erste Anzahl von Defekten aus be reitgestellten Informationen über eine Vielzahl von Defekten auf einer Oberfläche des Wafers derart ausgewählt werden, dass die ausgewählten Defekte freistehende und große Defekte sind. Bevorzugt werden diese Defekte auch so ausgewählt, dass sie über die gesamte Oberfläche verteilt sind.
Gemäß Schritt 503 wird eine Relativbewegung zwischen einem Sichtfeld einer Bilderfassungseinrichtung und dem Wafer derart gesteuert, dass nach und nach das Sichtfeld an die Soll- Koordinaten jedes ausgewählten Defekts gelangt.
Gemäß Schritt 505 werden anhand der Position des jeweiligen Defekts im Sichtfeld die Ist-Koordinaten des jeweiligen De fekts ermittelt.
Gemäß Schritt 507 wird eine zweite Anzahl von Defekten aus den Informationen derart ausgewählt, dass die ausgewählten Defekte freistehende und kleine Defekte sind, wobei diese Defekte be vorzugt auch so ausgewählt werden, dass sie über die gesamte Oberfläche verteilt sind.
Gemäß Schritt 509 werden - in Abhängigkeit von den ermittelten Ist-Koordinaten und den Soll-Koordinaten der ersten Anzahl von Defekten - neue Soll-Koordinaten für die Defekte der zweiten Anzahl von Defekten berechnet. Gemäß Schritt 511 wird unter Verwendung der neuen Soll- Koordinaten die Relativbewegung zwischen Sichtfeld und Wafer derart gesteuert, dass nach und nach das Sichtfeld an die neu en Soll-Koordinaten jedes der Defekte der zweiten Anzahl von Defekten gelangt.
Gemäß Schritt 513 werden anhand der Position des jeweiligen Defekts im Sichtfeld die Ist-Koordinaten des jeweiligen De fekts ermittelt.
Gemäß Schritt 515 wird - in Abhängigkeit von den ermittelten Ist-Koordinaten und den neuen Soll-Koordinaten der kleinen, freistehenden Defekte - eine Korrekturvorschrift bestimmt, mittels der ausgehend von den Soll-Koordinaten eines neuen, bisher nicht angefahrenen Defekts genauere, neue Soll- Koordinaten dieses Defekts berechnet werden können. Dieser neue Defekt kann somit unter Verwendung seiner errechneten, neuen Soll-Koordinaten mit höherer Genauigkeit und Treffsi cherheit angefahren werden, was zum Beispiel von Vorteil ist, wenn dieser Defekt kein freistehender Defekt ist.
Zumindest einige der beschriebenen Schritte können mittels ei nes Computerprogramms 35 (vgl. Fig. 1) ausgeführt werden, wel ches in einen Prozessor der Steuerung 19 geladen ist und von diesem ausgeführt wird.
Fig. 7 dient zur Erläuterung einer Möglichkeit zur Auffindung von freistehenden Defekten. Dabei kann in Abhängigkeit eines Koordinatensystems KS, auf die sich die Soll-Koordinaten in der Defektdatenliste 23 beziehen, ein Muster 37, z.B. mittels des Computerprogramms 35, generiert werden. Das Muster 37 ent hält eine Vielzahl von rechteckigen oder quadratischen, anei nander anstoßenden Rasterfeldern 39. Jedes Rasterfeld 39 hat dabei bevorzugt die gleiche Höhe und Breite, wie Fig. 7 zeigt. Jede Koordinate des Koordinatensystems KS wird einem Raster feld zugewiesen. Die Soll-Koordinaten jedes Defekts der Viel zahl von Defekten aus der Defektdatenliste 23 können sodann dem entsprechenden Rasterfeld zugeordnet werden, in welchem die Soll-Koordinate des jeweiligen Defekts liegt. Beispiels weise liegen in den mit „1" markierten Rasterfeldern 41-47 Soll-Koordinaten von Defekten, während in den übrigen, mit „0" markierten Rasterfeldern des Musters 37 keine Defekte liegen. Ein Defekt kann anhand wenigstens eines vorgegebenen Kriteri ums als freistehender Defekt identifiziert werden. Beispiels weise können in einem Rasterfeld mit einem ersten Defekt die N umliegenden Rasterfelder analysiert werden, wobei N eine na türliche, vorgegebene Zahl ist und zum Beispiel N=24 sein kann. Falls in diesen Rasterfeldern ein weiterer, zweiter De fekt liegt, wird der erste Defekt nicht als freistehender De fekt gewertet. Falls in den 24 umliegenden Rasterfeldern je doch kein Defekt liegt, wird der erste Defekt als freistehen der Defekt gewertet. In dem in Fig. 7 dargestellten Beispiel werden somit die Defekte in den Rasterfeldern 41, 43 und 45 nicht als freistehende Defekte gewertet. Demgegenüber wird der Defekt im Rasterfeld 47 als freistehender Defekt gewertet.
Die vorstehende Figurenbeschreibung bezieht sich insbesondere auf eine Vorrichtung und ein Verfahren, bei denen der Sensor eine Bilderfassungseinrichtung mit einem Mikroskop ist. Dies ist aber keinesfalls einschränkend aufzufassen. Vielmehr kann bei einer erfindungsgemäßen Vorrichtung bzw. einem erfindungs gemäßen Verfahren auch eine andere Art von Bilderfassungsein- richtung oder, allgemeiner, eine andere Art eines, insbesonde re bildgebenden, Sensors zur Anwendung kommen, die wie auch immer eine Erfassung von Defekten auf der Oberfläche eines Wafers erlauben. Beispiele hierfür sind Sensoren, die eine Er fassung der Struktur der Waferoberfläche mittels energiedis- persiver Röntgenspektroskopie, Ultraschallwellen oder anderer bekannter Methoden erlauben.
BEZUGSZEICHENLISTE
11 Wafer
13 Sensor, Bilderfassungseinrichtung 15 Erfassungsbereich, Sichtfeld
17 Oberfläche
19 Steuerung
21 Defekt
23 Defektdatenliste
25 Speicher
27 Objektiv
29 Obj ekttisch
31 Mikroskop
33 Beladeeinrichtung
35 Computerprogramm
37 Muster
39 Rasterfeld
41 Rasterfeld
43 Rasterfeld
45 Rasterfeld
47 Rasterfeld
11 Ist-Koordinaten
12 Ist-Koordinaten
S1 Soll-Koordinaten
S2 Soll-Koordinaten
S3 Soll-Koordinaten
NS3 Neue Soll-Koordinaten
Dl Differenzvektor
D2 Differenzvektor
D3 Differenzvektor
KS Koordinatensystem

Claims

ANSPRÜCHE
1. Vorrichtung zur, insbesondere automatischen, Inspektion eines insbesondere unstrukturierten Wafers (11), umfas send :
ein Sensor (13), insbesondere eine Bilderfassungs einrichtung, zur Erfassung eines sich in einem Erfas sungsbereich (15) des Sensors (13) befindenden Teilbe reichs einer Oberfläche (17) eines in der Vorrichtung angeordneten oder eingebrachten Wafers (11),
wobei der Erfassungsbereich (15) und der Wafer (11) relativ zueinander bewegbar sind, so dass durch eine Re lativbewegung zwischen Erfassungsbereich (15) und Wafer (11) jeder Bereich der Waferoberfläche (17) in den Er fassungsbereich (15) bringbar ist,
eine Steuerung (19), welche dazu ausgebildet ist, eine Anzahl von Defekten auf der Waferoberfläche (17) sowie die zu jedem Defekt (21) gehörenden Soll- Koordinaten, welche die Lage des Defekts (21) auf der Waferoberfläche (17) angeben, zu bestimmen, und die Re lativbewegung zwischen Erfassungsbereich (15) und Wafer (11) derart zu steuern, dass nach und nach der Erfas sungsbereich (15) an die Soll-Koordinaten jedes Defekts (21) der Anzahl von Defekten gelangt, um den jeweiligen Defekt im Erfassungsbereich (15) zu erfassen.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Steuerung (19) dazu ausgebildet ist, anhand der Po- sition eines jeweiligen im Erfassungsbereich (15) er fassten Defekts (21) die Ist-Koordinaten des jeweiligen Defekts (21) zu bestimmen.
3. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass die Steuerung (19) dazu ausgebildet ist, die Defekte (21) der Anzahl von Defekten und die dazugehörigen Soll- Koordinaten aus einer vorgegebenen Vielzahl von Defekten mit dazugehörigen Soll-Koordinaten auszuwählen.
4. Vorrichtung nach Anspruch 3,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Vielzahl von Defekten (21) mit dazugehörigen Soll- Koordinaten in einer Defektdatenliste (23) bereitge- stellt wird.
5. Vorrichtung nach Anspruch 3 oder 4,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Steuerung (19) dazu ausgebildet ist, in Abhängigkeit von für die Defekte (21) der Anzahl von Defekten ermit telten Ist-Koordinaten und vorzugsweise in Abhängigkeit von den Soll-Koordinaten der Defekte (21) der Anzahl von Defekten neue Soll-Koordinaten von zumindest einem De fekt (21) der Vielzahl von Defekten zu ermitteln.
6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Steuerung (19) dazu ausgebildet ist, die Defekte (21) der Anzahl von Defekten aus bereitgestellten Infor mationen über eine Vielzahl von Defekten auf der Ober fläche des Wafers, insbesondere aus einer Defektdaten liste (23) , in Abhängigkeit von wenigstens einem Krite rium auszuwählen, wobei die Informationen für jeden De fekt (21) der Vielzahl von Defekten Angaben über die Soll-Koordinaten des jeweiligen Defekts und/oder über die Größe des jeweiligen Defekts umfassen.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6,
dadurch gekennzeichnet, dass die Steuerung (19) dazu ausgebildet ist, die Defekte (21) aus den bereitgestellten Informationen derart aus zuwählen, dass es sich um freistehende Defekte handelt.
8 Vorrichtung nach Anspruch 6 oder 7,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Steuerung (19) dazu ausgebildet ist, die Defekte (21) aus den bereitgestellten Informationen in Abhängig keit von der Defektgröße auszuwählen.
9 Vorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 8,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Steuerung (19) dazu ausgebildet ist, die Defekte (21) aus den bereitgestellten Informationen derart aus zuwählen, dass die Defekte (21) eine Mindestgröße oder Maximalgröße oder eine Größe aufweisen, die in einem In tervall zwischen einer kleinsten Größe und einer größten Größe liegt.
1 0. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 6 bis 9,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Steuerung (19) dazu ausgebildet ist, die Defekte (21) aus den bereitgestellten Informationen derart aus zuwählen, dass die ausgewählten Defekte (21) über die gesamte Oberfläche (17) des Wafers (11) verteilt sind.
1 1. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Steuerung (19) dazu ausgebildet ist, einen Defekt (21) der Anzahl von Defekten nicht weiter zur Bestimmung seiner Ist-Koordinaten zu verwenden, wenn dieser bei seinen Soll-Koordinaten nicht im Erfassungsbereich (15) detektiert werden kann oder wenn bei den Soll- Koordinaten des Defekts zwei der mehr Defekte im Erfas sungsbereich (15) detektiert werden können.
12. Vorrichtung zur, insbesondere automatischen, Inspektion eines insbesondere unstrukturierten Wafers, insbesondere Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, um fassend:
einen Sensor (13) , insbesondere Bilderfassungsein richtung, zur Erfassung eines sich in einem Erfassungs bereich (15) des Sensors (13) befindenden Teilbereichs einer Oberfläche (17) eines in der Vorrichtung angeord neten oder eingebrachten Wafers (11),
wobei der Erfassungsbereich (15) und der Wafer (11) relativ zueinander bewegbar sind, so dass durch eine Re lativbewegung zwischen Erfassungsbereich (15) und Wafer (11) jeder Bereich der Waferoberfläche (17) in den Er fassungsbereich (15) bringbar ist,
eine Steuerung (19), welche dazu ausgebildet ist, in einem ersten Durchgang eine erste Anzahl von De fekten (21) aus bereitgestellten Informationen über eine Vielzahl von Defekten (21) derart auszuwählen, dass die ausgewählten Defekte (21) der ersten Anzahl von Defekten freistehende, große Defekte sind, welche vorzugsweise über die gesamte Oberfläche (17) verteilt sind,
unter Verwendung der Soll-Koordinaten der ausge wählten Defekte (21) die Relativbewegung zwischen Erfas sungsbereich (15) und Wafer (11) derart zu steuern, dass nach und nach der Erfassungsbereich (15) an die Soll-
Koordinaten jedes ausgewählten Defekts (21) gelangt,
anhand der Position des jeweiligen Defekts (21) im Erfassungsbereich (15) die Ist-Koordinaten des jeweili gen Defekts (21) zu ermitteln, und
in einem zweiten Durchgang eine zweite Anzahl von
Defekten (21) aus den Informationen derart auszuwählen, dass die ausgewählten Defekte (21) der zweiten Anzahl von Defekten freistehende, kleine Defekte (21) sind, welche vorzugsweise über die gesamte Oberfläche (17) verteilt sind, unter Verwendung von neuen Soll-Koordinaten der De fekte (21) der zweiten Anzahl von Defekten (21) die Re lativbewegung zwischen Erfassungsbereich (15) und Wafer (11) derart zu steuern, dass nach und nach der Erfas- sungsbereich (15) an die neuen Soll-Koordinaten jedes ausgewählten Defekts (21) der zweiten Anzahl von Defek ten (21) gelangt, wobei die neuen Soll-Koordinaten in Abhängigkeit von den im ersten Durchgang ermittelten Ist-Koordinaten von der Steuerung (19) ermittelbar sind, und
anhand der Position des jeweiligen Defekts (21) im Erfassungsbereich (15) die Ist-Koordinaten des jeweili gen Defekts (21) zu ermitteln.
13. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass
der Erfassungsbereich (15) relativ zum Wafer (11) oder umgekehrt der Wafer (11) relativ zum Erfassungsbereich (15) bewegbar, insbesondere verfahrbar, ist.
14. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass
es sich bei dem Sensor um eine Bilderfassungseinrichtung (13) mit einem Mikroskop (31) handelt, wobei es sich bei dem Erfassungsbereich (15) um ein Sichtfeld eines Objek tivs (27) des Mikroskops (31) handelt.
15. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche,
dadurch gekennzeichnet, dass
diese eine Belade- und/oder Auflageeinrichtung (29, 33) aufweist zum Beladen der Vorrichtung mit dem Wafer (11) und/oder zum Auflegen des Wafers (11), insbesondere in einer definierten Position, im Sichtfeld (15) der Bil derfassungseinrichtung (13).
16. Verfahren zur, insbesondere automatischen, Inspektion eines insbesondere unstrukturierten Wafers (11), insbe sondere in einer Inspektionsvorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, mit den Schritten:
Bestimmen einer Anzahl von Defekten (21) auf der Oberfläche (17) des Wafers (11) sowie von zu jedem De fekt (21) gehörenden Soll-Koordinaten, welche die Lage des jeweiligen Defekts (21) auf der Waferoberfläche (17) angeben,
Steuern einer Relativbewegung zwischen einem Erfas sungsbereich (15) eines Sensors (13) und dem Wafer (11) derart, dass nach und nach der Erfassungsbereich (15) an die Soll-Koordinaten jedes Defekts (21) der Anzahl von Defekten gelangt.
17. Verfahren nach Anspruch 16,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Ist-Koordinaten des jeweiligen Defekts (21) anhand seiner Position im Erfassungsbereich (15) bestimmt wer den .
18. Verfahren nach Anspruch 16 oder 17,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Defekte (21) der Anzahl von Defekten (21) und deren Soll-Koordinaten aus einer vorgegebenen Vielzahl von De fekten (21) mit dazugehörigen Soll-Koordinaten ausge wählt werden.
19. Verfahren nach Anspruch 18,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Vielzahl von Defekten (21) mit Soll-Koordinaten in einer Defektdatenliste bereitgestellt wird.
20. Verfahren nach Anspruch 18 oder 19,
dadurch gekennzeichnet, dass in Abhängigkeit von den ermittelten Ist-Koordinaten neue Soll-Koordinaten von zumindest einem Defekt (21) der Vielzahl von Defekten (21) ermittelt werden.
21. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 20,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Defekte (21) der Anzahl von Defekten (21) aus be reitgestellten Informationen über eine Vielzahl von De fekten auf der Oberfläche (17) des Wafers (11), insbe- sondere aus einer Defektdatenliste (23), in Abhängigkeit von wenigstens einem Kriterium ausgewählt werden, wobei die Informationen für jeden Defekt (21) der Vielzahl von Defekten (21) Angaben über die Soll-Koordinaten des je weiligen Defekts (21) und/oder über die Größe des jewei- ligen Defekts (21) umfassen.
22. Verfahren nach Anspruch 21,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Defekte (21) aus den bereitgestellten Informationen derart ausgewählt werden, dass es sich um freistehende
Defekte (21) handelt, und/oder
die Defekte (21) aus den bereitgestellten Informationen in Abhängigkeit von der Defektgröße ausgewählt werden, und/oder
die Defekte aus den bereitgestellten Informationen der art ausgewählt werden, dass die Defekte (21) eine Min destgröße oder Maximalgröße aufweisen oder eine Größe aufweisen, die in einem Intervall zwischen einer kleins ten Größe und einer größten Größe liegt.
23. Verfahren nach einem der Ansprüche 21 oder 22,
dadurch gekennzeichnet, dass
die Defekte (21) aus den bereitgestellten Informationen derart ausgewählt werden, dass diese über die gesamte Oberfläche (17) des Wafers (11) verteilt sind.
24. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 23,
dadurch gekennzeichnet, dass
ein Defekt (21) der Anzahl von Defekten nicht weiter zur Bestimmung seiner Ist-Koordinaten verwendet wird, wenn dieser bei seinen Soll-Koordinaten nicht im Erfassungs bereich (15) detektiert wird, oder wenn bei den verwen deten Soll-Koordinaten zwei der mehr Defekte im Erfas sungsbereich (15) detektiert werden.
25. Verfahren zur, insbesondere automatischen, Inspektion eines insbesondere unstrukturierten Wafers, insbesondere in einer Inspektionsvorrichtung nach einem der Ansprüche 1 bis 15, insbesondere Verfahren nach einem der Ansprü che 16 bis 24, bei dem
eine erste Anzahl von Defekten (21) aus bereitge stellten Informationen über eine Vielzahl von Defekten (21) auf einer Oberfläche (17) des Wafers (11) derart ausgewählt werden, dass die ausgewählten Defekte (21) freistehende, große Defekte sind, welche vorzugsweise über die gesamte Oberfläche (17) verteilt sind,
unter Verwendung von Soll-Koordinaten der ausge wählten Defekte (21) eine Relativbewegung zwischen einem Erfassungsbereich (15) eines Sensors (13), insbesondere einer Bilderfassungseinrichtung, und dem Wafer (11) der art gesteuert wird, dass nach und nach der Erfassungsbe reich (15) an die Soll-Koordinaten jedes ausgewählten Defekts (21) gelangt,
anhand der Position des jeweiligen Defekts (21) im Erfassungsbereich (15) die Ist-Koordinaten des jeweili gen Defekts (21) ermittelt werden,
eine zweite Anzahl von Defekten (21) aus den Infor mationen derart ausgewählt werden, dass die ausgewählten Defekte (21) freistehende, kleine Defekte sind, welche vorzugsweise über die gesamte Oberfläche (17) verteilt sind, unter Verwendung von neuen Soll-Koordinaten die Re lativbewegung zwischen Erfassungsbereich (15) und Wafer (11) derart gesteuert wird, dass nach und nach der Er fassungsbereich (15) an die neuen Soll-Koordinaten der Defekte (21) der zweiten Anzahl von Defekten gelangt, wobei die neuen Soll-Koordinaten in Abhängigkeit von den ermittelten Ist-Koordinaten der Defekte (21) der ersten Anzahl von Defekten ermittelt werden, und
anhand der Position des jeweiligen Defekts (21) der zweiten Anzahl von Defekten im Erfassungsbereich (15) die Ist-Koordinaten des jeweiligen Defekts (21) ermit telt werden.
26. System zur Datenverarbeitung umfassend Mittel zur Aus führung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 16 bis 25.
27. Computerprogrammprodukt, umfassend Befehle, die bei Aus führung des Programms durch einen Computer diesen veran lassen, das Verfahren nach einem der Ansprüche 16 bis 25 auszuführen .
28. Computerlesbarer Datenträger, auf dem das Computerpro grammprodukt nach Anspruch 27 gespeichert ist.
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