WO2019167188A1 - 樹脂封止型半導体装置及びリードフレーム - Google Patents

樹脂封止型半導体装置及びリードフレーム Download PDF

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WO2019167188A1
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hole
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semiconductor device
connection piece
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政雄 中川
桑野　亮司
洋平 篠竹
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新電元工業株式会社
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    • H01L2224/40135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/40137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate

Definitions

  • the present invention relates to a resin-encapsulated semiconductor device and a lead frame.
  • a semiconductor device 800 described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-146577 includes a semiconductor chip 810 formed in a flat plate shape and a source electrode connecting piece.
  • a protruding terminal (bump) 850 that electrically connects the gate electrode connection piece 830a and the semiconductor chip 810, and the semiconductor chip 810, the source electrode connection piece 820a, the gate electrode connection piece 830a, and the like are sealed with resin.
  • the semiconductor device is stopped.
  • a slit 860 penetrating in the thickness direction is formed in the source electrode connecting piece 820a so as to partition adjacent protruding terminals 840.
  • the presence of the slit 860 can suppress the thermal expansion of the source electrode connection piece 820a even when the temperature of the source electrode connection piece 820a rises, and the slit can be formed when the resin is sealed. It is assumed that the resin can flow from 860.
  • a semiconductor device 900 (referred to as a conventional semiconductor device 900) described in Japanese Patent Laid-Open No. 2006-202885 is provided with semiconductor chips 920 and 930 mounted on the surface of a heat dissipation block 910 as shown in FIG. And an electrode connection piece 940 having a joint portion 941 connected to the semiconductor chip 920 and a joint portion 942 connected to the semiconductor chip 930.
  • the semiconductor chips 920 and 930, the joint portion 941 and the joint portion 942 are This is a semiconductor device sealed with resin.
  • the electrode connection piece 940 is provided with first through holes 943 at two positions facing the heat dissipation block 910, respectively, and the semiconductor chip 920, Second through holes 944 are respectively provided at positions facing the joint portions 941 and 942 with the 930.
  • the resin can be caused to flow in during resin sealing, and the second first through hole 944 exists.
  • the state of the “solder fillet” of each joint 941, 942 can be visually inspected.
  • the emitter electrode E includes five regions A1 to A3 by three grooves S1, S2, and S3. It is divided into A5. Then, as shown in FIG. 12C, these five regions A1 to A5 are connected to the flat emitter electrode connection piece 200E.
  • the grooves S1, S2, and S3 have a pipe shape with a fine resin inlet. Although not shown in FIG. 12D, the same applies to the groove S3.
  • the present invention has been made to solve the above-described problems, and provides a high-quality resin-encapsulated semiconductor device in which no cavity exists near the groove in the resin-encapsulated body, It is an object of the present invention to provide a lead frame that can be a high-quality resin-encapsulated semiconductor device in which no cavity exists near the groove.
  • a resin-encapsulated semiconductor device covers a semiconductor chip in which a flat electrode formed on one surface is divided into a plurality of regions by at least one groove, and covers the plurality of regions. And a plate-like electrode connection piece connected to the plate-like electrode with a resin-sealing type semiconductor device, wherein the electrode connection piece is located at a position facing the groove. A through-hole penetrating in the thickness direction of the electrode connecting piece is formed.
  • the through hole has a length in a direction perpendicular to the direction along the resin flow path when the resin flows through the groove during resin encapsulation. It is preferable to have at least the width of the groove.
  • the through-hole has a length in the direction along the resin flow path when the resin flows through the groove during resin encapsulation. It is preferable to make a long hole shape longer than the length in the direction orthogonal to the direction along the road.
  • the grooves are arranged in parallel at a predetermined interval along the inflow direction when the resin flows into the semiconductor chip during resin encapsulation.
  • the through hole is disposed so as to intersect at least the two grooves arranged in parallel with each other. It is preferable that it is formed in a section that is opposed to the two grooves arranged between the two grooves arranged in parallel.
  • the through hole has a first through hole and a second through hole that forms a pair with the first through hole.
  • the two through holes are preferably arranged side by side along the resin flow path when the resin flows through the groove during resin sealing.
  • the flat electrode is formed for each of the flat electrodes formed on each semiconductor chip of the plurality of semiconductor chips.
  • the flat electrode connection pieces are provided. It is preferable that they are connected.
  • the lead frame according to the present invention includes a semiconductor chip in which a flat electrode formed on one surface is divided into a plurality of regions by at least one groove, and the flat plate so as to cover the plurality of regions.
  • a lead frame is used in a resin-encapsulated semiconductor device in which a plate-like electrode connection piece connected to an electrode of the first electrode is resin-sealed, and a lead having the electrode connection piece is integrally formed on a frame portion.
  • a through-hole penetrating in the thickness direction of the electrode connection piece is formed at a position facing the groove.
  • the through-hole has a length in a direction perpendicular to the direction along the resin flow path when the resin flows through the groove at the time of resin sealing. It preferably has a width.
  • the length of the through hole in the direction along the resin flow path when the resin flows through the groove during resin sealing is a direction along the resin flow path. It is preferable to have a long hole shape that is longer than the length in the direction perpendicular to.
  • the groove includes two grooves arranged in parallel at a predetermined interval along an inflow direction when the resin flows into the semiconductor chip during resin sealing.
  • a groove disposed so as to intersect with the two grooves disposed in parallel, and the through hole faces at least a groove disposed so as to intersect with the two grooves disposed in parallel.
  • it is formed in a section sandwiched between the two grooves arranged in parallel.
  • the through-hole has a first through-hole and a second through-hole paired with the first through-hole, and the first through-hole and the second through-hole are It is preferable that the resin is arranged side by side along the flow path of the resin when the resin flows through the groove during resin sealing.
  • the flat electrode connection piece is provided for each flat electrode formed on each semiconductor chip of the plurality of semiconductor chips. Are preferably connected.
  • a flat plate-like electrode formed on one surface is divided into a plurality of regions by at least one groove, and a flat plate is formed so as to cover the plurality of regions.
  • a plate-shaped electrode connection piece connected to the electrode in a resin shape is a resin-encapsulated semiconductor device in which the electrode connection piece has a thickness opposed to the groove at the thickness of the electrode connection piece.
  • a through hole penetrating in the direction is formed.
  • the flat plate-like electrode formed on one surface is divided into a plurality of regions by at least one groove, and the flat plate is formed so as to cover the plurality of regions.
  • a lead frame in which a flat electrode connection piece connected to an electrode is used for a resin-encapsulated semiconductor device in which a resin is sealed, and a lead having an electrode connection piece is formed integrally with a frame part, In the electrode connection piece, a through-hole penetrating in the thickness direction of the electrode connection piece is formed at a position facing the groove.
  • the through-hole functions as a hole for venting the air, and the resin flows stably in the groove, thus preventing a cavity from being generated near the groove in the resin-sealed body. it can.
  • the resin-encapsulated semiconductor device using such a lead frame is a high-quality resin-encapsulated semiconductor device in which no cavity exists near the groove of the resin encapsulant.
  • FIG. 1A is a perspective view showing an appearance of the resin-encapsulated semiconductor device 1 according to the first embodiment
  • FIG. 1B is a schematic diagram showing the internal configuration of the resin-encapsulated semiconductor device 1 according to the first embodiment. It is a top view which expands and shows a part. It is a figure shown in order to demonstrate the flow path of the resin at the time of resin sealing and resin flows through groove
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line aa in FIG.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line bb in FIG. FIG.
  • FIG. 3 is a view for explaining a lead frame RF1 used in the resin-encapsulated semiconductor device 1 according to the first embodiment. It is a figure shown in order to demonstrate the resin sealing type semiconductor device 2 which concerns on Embodiment 2.
  • FIG. FIG. 6A is a perspective view showing an external appearance of the resin-encapsulated semiconductor device 2 according to the second embodiment
  • FIG. 6B is a diagram illustrating the internal configuration of the resin-encapsulated semiconductor device 2 according to the second embodiment. It is a top view which expands and shows a part.
  • 6 is a view for explaining a lead frame RF2 used in a resin-encapsulated semiconductor device 2 according to Embodiment 2.
  • FIG. It is a figure shown in order to demonstrate the resin sealing type semiconductor device 3 which concerns on Embodiment 3.
  • FIG. FIG. 8A is a perspective view showing an appearance of the resin-encapsulated semiconductor device 3 according to the third embodiment
  • FIG. 8B is a schematic diagram showing the internal configuration of the resin-encapsulated semiconductor device 3 according to the third embodiment. It is a top view which expands and shows a part.
  • 6 is a view for explaining a lead frame RF3 used in a resin-encapsulated semiconductor device 3 according to Embodiment 3.
  • FIG. FIG. 3 is a diagram for explaining a semiconductor device described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2004-146577.
  • FIG. 10A is a plan view in which a part is a cross-section
  • FIG. 10B is a cross-sectional view taken along the line aa in FIG. 10A.
  • FIG. 12A is a plan view of the semiconductor chip 100
  • FIG. 12B is a side view of FIG. 12A viewed in the direction of the arrow y
  • FIG. 12C is FIG. 12A.
  • It is the top view which shows the state which connected the emitter electrode connection piece 200E of the lead
  • FIG.12 (d) is the side view which looked at FIG.12 (c) in the arrow y direction.
  • a resin-encapsulated semiconductor device 1 As shown in FIGS. 1A and 1B, a resin-encapsulated semiconductor device 1 according to Embodiment 1 includes a substrate 10 and a semiconductor chip 20 mounted on one surface of the substrate 10, The semiconductor chip 20 has leads 31, 32, 33 connected to electrodes (details will be described later), and the substrate 10, the semiconductor chip 20, and some of the leads 31, 32, 33 are made of resin. The structure is sealed by the sealing body 40.
  • the semiconductor chip 20 used in the resin-encapsulated semiconductor device 1 according to the first embodiment is an IGBT.
  • the electrode has an emitter electrode E, a collector electrode C, and a gate electrode G.
  • the emitter electrode E is connected to an electrode connection piece 31E (referred to as an emitter electrode connection piece 31E) of the lead 31, and the collector electrode C is connected to a circuit pattern on the substrate 10.
  • the collector electrode C is not shown in FIG. 1 because it is in a position where it cannot be seen in FIG. 1 (see FIG. 3 described later).
  • the collector electrode C is connected to the collector electrode connection piece 32 ⁇ / b> C of the lead 32 through the circuit pattern of the substrate 10.
  • the gate electrode G is connected to the gate electrode connection piece 33G of the lead 33 by wire bonding.
  • the emitter electrode E is divided into five regions A1 to A5 by grooves S1, S2, and S3 in the same manner as the semiconductor chip 100 described in FIG.
  • the grooves S1 and S2 are grooves that are arranged in parallel (in this case, parallel arrangement) at a predetermined interval along the inflow direction when the resin flows into the semiconductor chip 20 during resin sealing.
  • S3 is a groove disposed so as to intersect (in this case, orthogonal) with the two grooves S1 and S2 disposed in parallel. That is, the groove S3 is arranged in a direction orthogonal to the inflow direction when the resin flows into the semiconductor chip 20 during resin sealing.
  • the emitter electrode connection piece 31E of the lead 31 is connected to each of the regions A1 to A5 of the emitter electrode E so as to cover the regions A1 to A5.
  • the emitter electrode connection piece 31E of the lead 31 is a plate-like electrode connection piece, and each plate-like electrode connection piece covers each of the regions A1 to A5 of the emitter electrode E so as to cover almost the entire region. It is connected to the areas A1 to A5.
  • the emitter electrode connecting piece 31E of the lead 31 has through holes h11, h12 penetrating in the thickness direction of the emitter electrode connecting piece 31E at positions facing the grooves S1, S2, S3 formed in the emitter electrode E. , H13 are formed.
  • the through hole h11 is provided at a position facing the groove S1
  • the through hole h12 is provided at a position facing the groove S2
  • the through hole h13 is a position facing the groove S3. Is provided.
  • the through holes h11, h12, and h13 function mainly as air vent holes during resin sealing in the corresponding grooves S1, S2, and S3, respectively.
  • broken lines R1, R2, and R3 drawn in the grooves S1, S2, and S3 indicate resin flow paths in the grooves S1, S2, and S3.
  • broken lines R1, R2, and R3 indicating the flow paths are described as flow paths R1, R2, and R3.
  • the resin first flows into the grooves S1 and S2 and flows in the direction of the arrow along the flow paths R1 and R2 through the grooves S1 and S2, and then the resin also enters the groove S3. It flows in the groove S3 and flows in the direction of the arrow along the flow path R3.
  • the through holes h11, h12, and h13 are indicated by a one-dot chain line in FIG. Placed in position. That is, the through hole h11 and the through hole h12 are formed in the emitter electrode connection piece 31E so as to be disposed at positions facing the grooves S1 and S2.
  • the through-hole h13 is a position facing the groove S3 that intersects (in this case, orthogonal) to the grooves S1 and S2, and is a predetermined position (position P) between the grooves S1 and S2. ) Is formed on the emitter electrode connection piece 31E.
  • the groove S3 accumulates in the section sandwiched between the grooves S1 and S2. The air can be surely removed.
  • the through holes h11, h12, and h13 have a length D1 in a direction orthogonal to the direction along the resin flow paths R1, R2, and R3 when the resin flows through the grooves S1, S2, and S3 during resin sealing (see FIG. 1 (b)) has at least a width w1 (about 200 ⁇ m) of the width of the grooves S1, S2 and S3.
  • the length D1 in the direction orthogonal to the direction along the resin flow paths R1, R2, and R3 (referred to as a lateral length D1) is a groove.
  • the width is slightly longer than the width w1 of S1, S2, and S3.
  • the through holes h11, h12, h13 are arranged so as to straddle the corresponding grooves S1, S2, S3.
  • the through hole h11 will be described as an example.
  • the longitudinal central axis (the central axis in the direction along the flow path R1) of the through hole h11 is the central axis in the longitudinal direction of the groove S1 (the central axis along the flow path R1). ) Is arranged so as to straddle the groove S1.
  • the other through holes h12 and h13 are arranged so as to straddle the groove S1.
  • the through holes h11, h12, and h13 have a length D2 (referred to as a longitudinal length D2) in the direction along the resin flow paths R1, R2, and R3 (refer to FIG. 2), and the resin flow path R1. , R2 and R3 have a long hole shape that is longer than the length in the direction perpendicular to the direction (lateral length D1). For this reason, the plan view shapes of the through holes h11, h12, and h13 are long in the direction along the flow paths R1, R2, and R3, that is, long in the vertical direction.
  • examples of the shape elongated in the vertical direction include shapes such as “oval”, “oval”, “egg”, and “rectangular”.
  • the vertical length D2 is slightly longer than the horizontal length D1.
  • the positional relationship between the through holes h11, h12, h13 and the grooves S1, S2, S3 will be described.
  • the positional relationship between the through holes h11 and h12 and the grooves S1 and S2 will be described with reference to FIG.
  • the same components as those in FIGS. 1 and 2 are denoted by the same reference numerals.
  • the through hole h11 is provided at a position facing the groove S1, and is provided so as to straddle the groove S1 in the width direction of the groove S1.
  • the through hole h12 is provided at a position facing the groove S2, and is provided so as to straddle the groove S2 in the width direction of the groove S2.
  • the through-hole h13 is provided at a position facing the groove S3, and is provided so as to straddle the groove S3 in the width direction of the groove S3.
  • a collector electrode C not shown in FIG. 1 is shown.
  • the collector electrode C is connected to one surface (semiconductor chip mounting surface) of the substrate 10 and is connected to the collector electrode connection 32C of the lead 32 via a circuit pattern.
  • a heat dissipation pad 50 is attached to the substrate 10 on the other surface (the surface opposite to the surface on which the semiconductor chip 20 is mounted) of the substrate 10.
  • the emitter electrode connection piece 31E of the lead 31 is formed on the emitter electrode E as shown in FIGS.
  • Through holes h11, h12, and h13 are formed at positions facing the grooves S1, S2, and S3.
  • the emitter electrode E of the semiconductor chip 20 is connected to an emitter electrode connection piece 31E in which through holes h11, h12, and h13 (see FIGS. 1, 3 and 4) are formed, so that resin sealing is performed.
  • the through holes h11, h12, and h13 function as air vent holes, and the resin flows stably in the grooves S1, S2, and S3. Therefore, the grooves S1 and S2 in the resin sealing body 40 are used. , S3 can be prevented from generating a cavity.
  • the resin-encapsulated semiconductor device 1 according to the first embodiment is a high-quality resin-encapsulated semiconductor device in which no cavity exists near the groove in the resin encapsulant 40.
  • the emitter electrode connecting piece 31E of the lead 31 is formed with a through hole h11 at a position facing the groove S1, a through hole h12 is formed at a position facing the groove S2, and a through hole is formed at a position facing the groove S3. h13 is formed. Therefore, at the time of resin sealing, the through holes h11, h12, h13 function as air vent holes in the corresponding grooves S1, S2, S3, respectively, and the resin flows into the grooves S1, S2, S3. In doing so, the air accumulated in the grooves S1, S2 and S3 can easily escape from the through holes h11, h12 and h13.
  • the resin-encapsulated semiconductor device 1 according to the first embodiment is a high-quality resin-encapsulated semiconductor device in which no cavity exists near the grooves S1, S2, and S3 in the resin encapsulant 40.
  • the resin flows in the groove S3 with a delay compared to the other grooves S1 and S2, air easily accumulates in the groove S3. Moreover, in the groove S3, the air is more easily collected in the section sandwiched between the grooves S1 and S2, and the accumulated air is less likely to escape.
  • the through hole h13 at a predetermined position (position P) in the section sandwiched between the grooves S1 and S2, the groove S3 accumulates in the section sandwiched between the grooves S1 and S2. The air can be surely removed. Accordingly, since the resin flows stably not only in the grooves S1 and S2 but also in the groove S3, it is possible to prevent a cavity from being generated near the grooves S1, S2, and S3 in the resin sealing body 40.
  • the through-holes h11, h12, and h13 have a lateral length D1 (see FIG. 1B) that is the width of the grooves S1, S2, and S3. It is assumed that the length is slightly longer than the length w1 (see FIG. 1B). Thereby, at the time of resin sealing, the through holes h11, h12, and h13 have higher functions as air vent holes, and cavities are generated near the grooves S1, S2, and S3 in the resin sealing body 40. This can be prevented more reliably.
  • the through holes h11, h12, and h13 have a longitudinal length D2 (see FIG. 1B), and the resin flow paths R1 and R2. , R3 is longer than the length in the direction orthogonal to the direction along R3 (lateral length D1). Also by this, the through holes h11, h12, h13 have higher functions as air vent holes, and it is more sure that cavities are generated in the vicinity of the grooves S1, S2, S3 in the resin sealing body 40. Can be prevented.
  • the lead frame RF1 used in the resin-encapsulated semiconductor device 1 according to the first embodiment includes a lead 31 having an emitter electrode connection piece 31E, a lead 32 having a collector electrode connection piece 32C, and a gate.
  • These leads 31, 32, 33 are integrally formed on the frame portion 80 (including the outer frame and connecting portions of individual components). Note that the frame portion 80 is in a cut state after being sealed with resin.
  • through-holes h11, h12, and h13 are formed in the emitter electrode connection piece 31E. Since the through holes h11, h12, and h13 have been described with reference to FIGS. 1 to 4, description of the through holes h11, h12, and h13 is omitted here.
  • the resin-encapsulated semiconductor device 1 according to the first embodiment uses such a lead frame RF1, the through holes h11, h12, and h13 function as air vent holes during resin encapsulation.
  • the resin flows stably in the grooves S1, S2, and S3, it is possible to prevent a cavity from being generated in the vicinity of the grooves S1, S2, and S3 in the resin sealing body 40.
  • the resin-encapsulated semiconductor device 1 according to the first embodiment is a high-quality resin-encapsulated semiconductor device in which no cavity exists near the groove of the resin encapsulant 40.
  • the resin-encapsulated semiconductor device 2 according to the second embodiment is different from the resin-encapsulated semiconductor device 1 according to the first embodiment in that the emitter electrode connecting piece 31E includes the through holes h11, h12, and h13.
  • the through holes h21, h22, h23 are formed.
  • Other configurations including the external configuration are the same as those of the resin-encapsulated semiconductor device 1 according to the first embodiment. For this reason, the same code
  • the through holes h11, h12, and h13 are referred to as “first through holes h11, h12, and h13”, and the through holes h21, h22, and h23 are described as “second through holes h21, h22, and h23”. To do.
  • the second through holes h21, h22, and h23 provided in the emitter electrode connection piece 31E are through holes penetrating in the thickness direction of the emitter electrode connection piece 31E.
  • the second through holes h21, h22, h23 are paired with the first through holes h11, h12, h13 at positions facing the grooves S1, S2, S3. It is provided as follows.
  • the second through holes h21, h22, and h23 paired with the first through holes h11, h12, and h13 refer to the through holes formed in the same groove.
  • the first through hole h11 and the second through hole h21 make a pair
  • the first through hole h12 and the second through hole h22 make a pair
  • the groove S3 in the groove S1
  • the first through hole h13 and the second through hole h23 form a pair.
  • the first through hole and the second first through hole that form a pair are positioned at predetermined intervals along the resin flow paths R1, R2, and R3 (see FIG. 2) during resin sealing. Is formed.
  • the first through hole h11 and the second through hole h21 the first through hole h11 is formed at a position upstream of the flow path R1 in the groove S1, and the second through hole h12 is the first in the same flow path R1. It is formed at a position downstream of the through hole h11.
  • the first through hole h12 is formed at a position upstream of the flow path R2 in the groove S2, and the second through hole h12 is the first through the same flow path R2. It is formed at a position downstream of the through passage h12.
  • the first through hole h13 is formed at a position upstream of the flow path R3 in the groove S3, and the second through hole h13 is the first through the same flow path R3. It is formed at a position downstream of the through path h13.
  • the first through holes h11, h12, h13 and the second through holes h21, h22, h23 are formed in pairs on the emitter electrode connection piece 31E.
  • the first through holes h11, h12, h13 mainly function as air vent holes
  • the second through holes h21, h22, h23 mainly on the emitter electrode E. It functions as a resin inflow hole for allowing the flowing resin to flow into the corresponding grooves S1, S2, S3.
  • the shape of the second through holes h21, h22, h23 is the same as that of the first through holes h11, h12, h in the resin-encapsulated semiconductor device 2 according to the second embodiment.
  • the second through hole h23 has a circular shape (see FIG. 6B), and the second through hole h23 has the same shape as the first through holes h11, h12, h13 (oval). Shape).
  • the size of the second through holes h21 and h22 having an oval shape in plan view (the lateral length D1 and the vertical length D2) is the same as that of the first through holes h11, h12, and h13.
  • the size (diameter) in plan view of the circular second through hole h23 is the same as the lateral length D1 of the second through holes h21 and h22 having an oval shape in this case.
  • first through holes h11, h12, h13 and the second through holes h21, h22, h23 may have different shapes in plan view.
  • first through holes h11, h12, and h13 may have an oval shape
  • the second through holes h21, h22, and h23 may have a shape other than an oval shape (for example, a circle).
  • Only h21, h22, and h23 may have an oval shape
  • the first through holes h11, h12, and h13 may have a shape other than an oval shape (for example, a circle).
  • first through holes h11, h12, h13 and the second through holes h21, h22, h23 may have different sizes in plan view.
  • first through holes h11, h12, and h13 may be larger in size than the second through holes h21, h22, and h23, and conversely, the second through holes h21, h22, and h23 may be the first through holes h11, h12,
  • the size may be larger than h13, and the specific through-hole may be different from other through-holes.
  • the emitter electrode connection piece 31E of the lead 31 has a pair of through holes (first through holes). h11 and the second through hole h21, the first through hole h12 and the second through hole h22, and the first through hole h13 and the second through hole h23) are formed side by side along the resin flow paths R1, R2, and R3. Therefore, in addition to the effects obtained in the resin-encapsulated semiconductor device 1 according to the first embodiment, the following effects can be obtained.
  • the first through-holes h11, h12, and h13 function as air venting holes in addition to the second through-holes during resin encapsulation. Since h21, h22, and h23 are formed, the resin flows stably in the grooves S1, S2, and S3, and a cavity is generated near the grooves S1, S2, and S3 in the resin sealing body 40. In addition to preventing this, the resin flowing on the surface of the emitter electrode connection piece 31E can surely flow into the respective grooves S1, S2, S3. As a result, the resin-encapsulated semiconductor device 2 according to the second embodiment is a high-quality resin-encapsulated semiconductor device in which no cavity exists near the groove of the resin encapsulant 40.
  • the lead frame RF2 used in the resin-encapsulated semiconductor device 2 according to the second embodiment is basically a lead frame RF1 used in the resin-encapsulated semiconductor device 1 according to the first embodiment. Is the same.
  • the lead frame RF2 is different from the lead frame RF2 in that the first through holes h11, h12, h13 and the second through holes h21, h22, h23 are paired in the emitter electrode connection piece 31E of the lead 31. It is a point that has been.
  • first through holes h11, h12, h13 and the second through holes h21, h22, h23 have been described in FIG. 6, here, the first through holes h11, h12, h13 and the second through holes h21, h22. , H23 will be omitted.
  • the resin-encapsulated semiconductor device 2 according to the second embodiment uses such a lead frame RF2, the first through holes h11, h12, and h13 function as air vent holes during resin encapsulation.
  • the second through holes h21, h22, h23 are formed, the resin flowing on the surface of the emitter electrode connection piece 31E can be more surely flowed into the respective grooves S1, S2, S3. it can.
  • the resin-encapsulated semiconductor device 2 according to the second embodiment is a high-quality resin-encapsulated semiconductor device in which no cavity exists near the groove of the resin encapsulant 40.
  • the resin-encapsulated semiconductor device 3 according to the third embodiment is different from the resin-encapsulated semiconductor device 1 according to the first embodiment and the resin-encapsulated semiconductor device 2 according to the second embodiment in the resin-encapsulated body 40.
  • the two semiconductor chips 20 and 60 are mounted on each other, and the leads 31, 33, 34, 35, and 36 are provided as leads.
  • the semiconductor chip 20 will be described as the first semiconductor chip 20
  • the semiconductor chip 60 will be described as the second semiconductor chip 60.
  • the emitter electrode E is divided into regions A1 to A5 by grooves S1, S2, and S3, as in the first semiconductor chip 20 (see FIG. 12).
  • the emitter electrode connection piece 31 ⁇ / b> E of the lead 31 is connected to the emitter electrode E, similarly to the resin-encapsulated semiconductor device 1 according to the first embodiment and the resin-encapsulated semiconductor device 2 according to the second embodiment.
  • the collector electrode C (not shown) is connected to the circuit pattern of the substrate 10, and the gate electrode G is connected to the gate electrode connection piece 33G of the lead 33 by wire bonding.
  • the collector electrode C of the first semiconductor chip 20 is connected to the collector electrode connection piece 35 ⁇ / b> C of the lead 35 through the circuit pattern of the substrate 10.
  • the second semiconductor chip 60 is placed on the substrate 70.
  • the emitter electrode E of the second semiconductor chip 60 is connected to the emitter electrode connection piece 35E of the lead 35.
  • the collector electrode C of the first semiconductor chip 20 and the second semiconductor chip 60 emitter electrode E are commonly connected by the lead 35.
  • the collector electrode C (not shown) of the second semiconductor chip 60 is connected to the circuit pattern of the substrate 70.
  • the collector electrode C of the second semiconductor chip 60 is connected to the collector electrode connection piece 34C of the lead 34 via the circuit pattern of the substrate 70, and the gate electrode G of the second semiconductor chip 60 is connected to the lead 36 by wire bonding. To the gate electrode connection piece 36G.
  • the emitter-electrode connection piece 31E connected to the emitter electrode E of the first semiconductor chip 20 is connected to the resin-encapsulated semiconductor device according to the second embodiment.
  • first through holes h11, h12, h13 and second through holes h21, h22, h23 are formed.
  • the emitter electrode connection piece 35E connected to the emitter electrode E of the second semiconductor chip 60 includes the first through holes h11, h12, h13, Second through holes h21, h22, and h23 are formed.
  • the positional relationship between the first through holes h11, h12, and h13 formed in the emitter electrode connection piece 35E and the second through holes h21, h22, and h23 is the first relationship formed in the emitter electrode connection piece 31E. It is assumed that the positional relationship between the through holes h11, h12, h13 and the second through holes h21, h22, h23 is the same. That is, also in the emitter electrode connection piece 35E, the first through hole h11 and the second through hole h21 make a pair, and the first through hole h11 and the second through hole h21 forming the pair have the same flow path in the groove S1.
  • the first through holes h11 are arranged side by side along R1, and the first through holes h11 are arranged upstream of the second through holes h21 in the flow path R1.
  • first through hole h12 and the second through hole h22 form a pair, and the first through hole h12 and the second through hole h22 forming the pair are arranged along the flow path R2 of the same groove S2.
  • first through hole h12 is arranged to be positioned upstream of the flow path R2 with respect to the second through hole h22.
  • first through hole h13 and the second through hole h23 form a pair, and the first through hole h13 and the second through hole h23 forming the pair are arranged along the flow path R3 of the same groove S3.
  • first through hole h13 is arranged to be located upstream of the flow path R3 with respect to the second through hole h23.
  • the first through holes h11, h12, h13 and the second through holes h21, h22, h23 formed in the emitter electrode connection piece 35E in plan view have the first through holes formed in the emitter electrode connection piece 31E. It is assumed that the holes h11, h12, h13 and the second through holes h21, h22, h23 have the same shape in plan view.
  • the first through holes h11, h12, h13 and the second through holes h21, h22, h23 formed in the emitter electrode connection piece 35E in plan view have the same size as the first through holes formed in the emitter electrode connection piece 31E. It is assumed that the sizes of the holes h11, h12, and h13 and the second through holes h21, h22, and h23 are the same as in plan view.
  • the resin filling direction at the time of resin encapsulation is the direction indicated by the white arrow F in FIG.
  • the resin flows in the left direction in the drawing along the x axis, and when attention is paid only to the first semiconductor chip 20 and the second semiconductor chip 60, the first semiconductor chip 20 and the second semiconductor chip.
  • the emitter electrode E of the chip 60 it flows into the grooves S1, S2, S3 formed in the respective emitter electrodes E.
  • the resin flows in the direction of the arrow (upward in the figure) along the flow paths R1 and R2 in the grooves S1 and S2. And flows in the groove S3 along the flow path R3 in the direction of the arrow (left direction in the figure).
  • the resin flows in the direction of the arrow (downward in the figure) along the flow paths R1 and R2 in the grooves S1 and S2. In the groove S3, it flows along the flow path R3 in the arrow direction (the left direction in the figure).
  • the emitter electrode connecting piece 31E and the emitter electrode connecting piece 35E also have a pair of through-holes (the first through-holes h11 and h11).
  • the second through hole h21, the first through hole h12 and the second through hole h22, and the first through hole h13 and the second through hole h23) are arranged along the resin flow paths R1, R2, and R3, respectively. ing.
  • the resin-encapsulated semiconductor device 3 it is formed on each emitter electrode E of the first semiconductor chip 20 and the second semiconductor chip 60 mounted in the resin encapsulant 40. It is possible to prevent the generation of cavities in the vicinity of the grooves S1, S2, and S3, and to surely flow the resin into the grooves S1, S2, and S3. As a result, even in a resin-sealed semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips (in this case, two semiconductor chips) are mounted in the resin sealing body 40, a cavity is formed near the groove of the resin sealing body 40. It becomes a high-quality resin-encapsulated semiconductor device that does not exist.
  • the lead frame RF3 used in the resin-encapsulated semiconductor device 3 according to the third embodiment has a lead 31 having an emitter electrode connection piece 31E as a configuration corresponding to the first semiconductor chip 20. And a lead 33 having a gate electrode connection piece 33G.
  • the configuration corresponding to the second semiconductor chip 60 includes a lead 34 having a collector electrode connection piece 34C and a lead 36 having a gate electrode connection piece 36G.
  • the lead frame RF3 used in the resin-encapsulated semiconductor device 3 according to the third embodiment includes a lead 35 that commonly connects the collector electrode C of the first semiconductor chip 20 and the emitter electrode E of the second semiconductor chip 60.
  • the frame unit 80 is connected.
  • the lead 35 has a collector electrode connection piece 35C for connection to the collector electrode C of the first semiconductor chip 20 and an emitter electrode connection piece 35E for connection to the emitter electrode E of the second semiconductor chip 60. Yes.
  • These leads 31, 33, 34, 35, 36 are integrally formed with the frame portion 80.
  • the emitter electrode connection piece 31E is formed so that the first through holes h11, h12, h13 and the second through holes h21, h22, h23 make a pair, and the emitter. Also in the electrode connection piece 35E, the first through holes h11, h12, h13 and the second through holes h21, h22, h23 are formed in pairs. Since the first through holes h11, h12, h13 and the second through holes h21, h22, h23 have been described with reference to FIG. 8, the first through holes h11, h12, h13 and the second through holes h21, h22 are here. , H23 will be omitted.
  • the resin-encapsulated semiconductor device 3 uses such a lead frame RF3, the first semiconductor chip 20 and the first semiconductor chip 20 mounted in the resin encapsulant 40 and the first are mounted at the time of resin encapsulation. 2 It is possible to prevent the generation of cavities in the vicinity of the grooves S1, S2, and S3 formed in the respective emitter electrodes E of the semiconductor chip 60, and it is possible to reliably allow the resin to flow into the grooves S1, S2, and S3. As a result, even in a resin-sealed semiconductor device in which a plurality of semiconductor chips (in this case, two semiconductor chips) are mounted in the resin sealing body 40, a cavity is formed near the groove of the resin sealing body 40. Thus, a high-quality resin-encapsulated semiconductor device can be obtained.
  • the semiconductor chip mounted on the resin-encapsulated semiconductor device is an IGBT.
  • the semiconductor chip is not limited to an IGBT, and a flat electrode is divided into a plurality of regions by grooves.
  • the semiconductor chip can be implemented in the same manner as in each of the above embodiments as long as the semiconductor chip is connected by the electrode connection pieces so as to cover the plurality of regions.
  • the case where the electrodes of the semiconductor chip are divided into five regions has been illustrated, but the number of divided electrodes is not limited to five, and there are two or more electrodes. It can be applied if it is divided into regions. That is, the present invention can be applied if the flat electrode is divided into a plurality of regions by at least one groove.
  • the shape of the first through hole is an oval.
  • the shape is not limited to an oval.
  • the first through hole may be a square hole (for example, a rectangle or a square). Good.
  • the emitter electrode connection pieces 31E and 35E of the first semiconductor chip 20 and the second semiconductor chip 60 are the same as in the resin-encapsulated semiconductor device 2 according to the second embodiment.
  • the first through hole h11, h12, h13 and the second through holes h21, h22, h23 are formed is illustrated, the first through hole h11 is similar to the resin-encapsulated semiconductor device 1 according to the first embodiment.
  • H12, and h13 may be formed.
  • the cross section of the groove (cross section orthogonal to the flow path) is a square, but is not limited to a square, and may be, for example, a U-shape.

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Abstract

本発明の樹脂封止型半導体装置は、一方の面に形成された平板状の電極Ｅが少なくとも１本の溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３によって複数領域に分割されている半導体チップ２０と、複数領域を覆うようにして平板状の電極Ｅに接続される平板状の電極接続片３１Ｅとが樹脂封止されてなる樹脂封止型半導体装置１であって、電極接続片３１Ｅには、溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３に対向する位置に、当該電極接続片３１Ｅの厚み方向に貫通した貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３が形成されている。　本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、樹脂封止体内の溝付近に空洞が存在しない高品質な樹脂封止型半導体装置を提供できる。

Description

樹脂封止型半導体装置及びリードフレーム
　本発明は、樹脂封止型半導体装置及びリードフレームに関する。
　従来、基板に搭載された半導体チップの電極と、リードフレームとが電気的に接続されている樹脂封止型半導体装置が知られている（例えば、特開２００４－１４６５７７号公報及び特開２００６－２０２８８５号公報）。
　特開２００４－１４６５７７号公報に記載されている半導体装置８００（従来の半導体装置８００とする。）は、図１０に示すように、平板形状に形成された半導体チップ８１０と、ソース用電極接続片８２０ａを有するソース用リード８２０と、ゲート用電極接続片８３０ａを有するゲート用リード８３０と、ソース用電極接続片８２０ａと半導体チップ８１０とを電気的に接続する複数の突起状端子（バンプ）８４０と、ゲート用電極接続片８３０ａと半導体チップ８１０とを電気的に接続する突起状端子（バンプ）８５０とを備え、半導体チップ８１０、ソース用電極接続片８２０ａ、ゲート用電極接続片８３０ａなどが樹脂封止されてなる半導体装置である。
　このように構成されている従来の半導体装置８００において、ソース用電極接続片８２０ａには厚さ方向に貫通したスリット８６０が、隣り合う突起状端子８４０を仕切るように形成されている。
　従来の半導体装置８００においては、スリット８６０の存在により、ソース用電極接続片８２０ａの温度が上昇しても、当該ソース用電極接続片８２０ａの熱膨張を抑制できるとともに、樹脂封止する際にスリット８６０から樹脂を流入させることができるとしている。
　一方、特開２００６－２０２８８５号公報に記載されている半導体装置９００（従来の半導体装置９００とする。）は、図１１に示すように、放熱ブロック９１０の表面に搭載された半導体チップ９２０，９３０と、半導体チップ９２０に接続された接合部９４１及び半導体チップ９３０に接続された接合部９４２を有する電極接続片９４０とを有し、これら半導体チップ９２０，９３０、接合部９４１及び接合部９４２などが樹脂封止されてなる半導体装置である。
　このような構成となっている従来の半導体装置９００において、電極接続片９４０には、放熱ブロック９１０に対向する２箇所の位置に第１貫通孔９４３がそれぞれ設けられているとともに、半導体チップ９２０，９３０との接合部９４１，９４２に対向する位置に第２貫通孔９４４がそれぞれ設けられている。
　従来の半導体装置９００においては、第１貫通孔９４３が存在していることによって、樹脂封止する際に、樹脂を流入させることができ、また、第２第１貫通孔９４４が存在していることによって、各接合部９４１，９４２の「はんだフィレット」の状態などを目視などで検査可能している。
特開２００４－１４６５７７号公報 特開２００６－２０２８８５号公報
　ところで、電流の均一化や熱応力の緩和を目的として、半導体チップの電極が少なくとも１本の溝によって複数の領域に分割されているものがある（例えば、図１２参照。）。
　このような半導体チップ（ＩＧＢＴとする。）は、図１２（ａ）及び図１２（ｂ）に示すように、エミッタ電極Ｅは、３本の溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３によって、５つの領域Ａ１～Ａ５に分割されている。そして、図１２（ｃ）に示すように、これら５つの領域Ａ１～Ａ５が平板状のエミッタ電極接続片２００Ｅに接続されている。
　また、平板状のエミッタ電極Ｅに平板状のエミッタ電極接続片２００Ｅが接続された状態となると、、図１２（ｄ）に示すように、溝（図１２（ｄ）においては溝Ｓ１，Ｓ２のみが示されている。）は、当該溝Ｓ１，Ｓ２において樹脂の流入口となる側面側端部の開口が微細なものとなるとともに、当該溝Ｓ１，Ｓ２の上面側の開口が閉塞された状態となるため、溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３は、樹脂の流入口が微細なパイプ状となってしまう。図１２（ｄ）においては図示されていないが、溝Ｓ３も同様である。
　このような半導体チップ１００を用いて樹脂封止型半導体装置を製造する際には、樹脂封止の際に、樹脂が各領域間の溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３に安定して流入して行かず、樹脂封止後に形成された樹脂封止体内の溝付近（溝の内部、樹脂の流入口及び樹脂の流出口などを含む）に空洞（気泡）が生じてしまい、高品質な樹脂封止型半導体装置とならないといった課題がある。このような課題は、上記従来の半導体装置８００及び従来の半導体装置９００に記載されている技術を採用したとしても解消されるものではない。
　そこで、本発明は上記した課題を解決するためになされたものであり、樹脂封止体内の溝付近に空洞が存在しない高品質な樹脂封止型半導体装置を提供するととともに、樹脂封止体の溝付近に空洞が存在しない高品質な樹脂封止型半導体装置とすることができるリードフレームを提供することを目的とする。
　［１］本発明の樹脂封止型半導体装置は、一方の面に形成された平板状の電極が少なくとも１本の溝によって複数領域に分割されている半導体チップと、前記複数領域を覆うようにして前記平板状の電極に接続される平板状の電極接続片とが樹脂封止されてなる樹脂封止型半導体装置であって、前記電極接続片には、前記溝に対向する位置に、当該電極接続片の厚み方向に貫通した貫通孔が形成されていることを特徴とする。
　［２］本発明の樹脂封止型半導体装置においては、前記貫通孔は、樹脂封止時において樹脂が前記溝を流れる際の前記樹脂の流路に沿う方向に直交する方向の長さが、少なくとも前記溝の幅の長さを有することが好ましい。
　［３］本発明の樹脂封止型半導体装置においては、前記貫通孔は、樹脂封止時において樹脂が前記溝を流れる際の前記樹脂の流路に沿う方向の長さが、当該樹脂の流路に沿う方向に直交する方向の長さよりも長い長孔形状をなすことが好ましい。
　［４］本発明の樹脂封止型半導体装置においては、前記溝は、樹脂封止時において前記樹脂が前記半導体チップに流入する際の流入方向に沿って所定間隔を置いて並列配置される２本の溝と、当該並列配置される２本の溝に交差して配置される溝と、を有し、前記貫通孔は、少なくとも、前記並列配置される２本の溝に交差して配置される溝に対向する位置で、かつ、前記並列配置される２本の溝に挟まれた区間に形成されていることが好ましい。
　［５］本発明の樹脂封止型半導体装置においては、前記貫通孔は、第１貫通孔と当該第貫通孔と対をなす第２貫通孔とを有し、当該第１貫通孔及び当該第２貫通孔は、樹脂封止時において樹脂が前記溝を流れる際の前記樹脂の流路に沿って並んで配置されていることが好ましい。
　［６］本発明の樹脂封止型半導体装置においては、前記半導体チップは複数個存在し、複数個の前記半導体チップの各半導体チップに形成されている前記平板状の電極ごとに、前記平板状の電極接続片が接続されていること前記半導体チップは複数個存在し、当該複数個の半導体チップの各半導体チップに形成されている前記平板状の電極ごとに、前記平板状の電極接続片が接続されていることが好ましい。
　［７］本発明のリードフレームは、一方の面に形成された平板状の電極が少なくとも一本の溝によって複数領域に分割されている半導体チップと、前記複数領域を覆うようにして前記平板状の電極に接続される平板状の電極接続片とが樹脂封止されてなる樹脂封止型半導体装置に用いられ、前記電極接続片を有するリードがフレーム部に一体形成されてなるリードフレームであって、前記電極接続片には、前記溝に対向する位置に、当該電極接続片の厚み方向に貫通した貫通孔が形成されていることを特徴とする。
　［８］本発明のリードフレームにおいては、前記貫通孔は、樹脂封止時において樹脂が前記溝を流れる際の前記樹脂の流路に沿う方向に直交する方向の長さが、少なくとも前記溝の幅の長さを有していることが好ましい。
　［９］本発明のリードフレームにおいては、前記貫通孔は、樹脂封止時において樹脂が前記溝を流れる際の前記樹脂の流路に沿う方向の長さが、当該樹脂の流路に沿う方向に直交する方向の長さよりも長い長孔形状を有することが好ましい。
　［１０］本発明のリードフレームにおいては、前記溝は、樹脂封止時において前記樹脂が前記半導体チップに流入する際の流入方向に沿って所定間隔を置いて並列配置される２本の溝と、当該並列配置される２本の溝に交差して配置される溝と、を有し、前記貫通孔は、少なくとも、前記並列配置される２本の溝に交差して配置される溝に対向する位置で、かつ、前記並列配置される２本の溝に挟まれた区間に形成されていること好ましい。
　［１１］本発明のリードフレームにおいては、前記貫通孔は、第１貫通孔と当該第貫通孔と対をなす第２貫通孔とを有し、当該第１貫通孔及び当該第２貫通孔は、樹脂封止時において樹脂が前記溝を流れる際の前記樹脂の流路に沿って並んで配置されていることが好ましい。
　［１２］本発明のリードフレームにおいては、前記半導体チップは複数個存在し、当該複数個の半導体チップの各半導体チップに形成されている前記平板状の電極ごとに、前記平板状の電極接続片が接続されていることが好ましい。
本発明の効果
　本発明の樹脂封止型半導体装置によれば、一方の面に形成された平板状の電極が少なくとも１本の溝によって複数領域に分割されている半導体チップと、複数領域を覆うようにして平板状の電極に接続される平板状の電極接続片とが樹脂封止されてなる樹脂封止型半導体装置であって、電極接続片には、溝に対向する位置に、当該電極接続片の厚み方向に貫通した貫通孔が形成されている。これにより、樹脂封止時においては、貫通孔は、空気抜き用の孔として機能することとなり、樹脂は溝内を安定して流れるため、樹脂封止体内の溝付近に空洞が発生することを防止できる。その結果、本発明の樹脂封止型半導体装置は、樹脂封止体内の溝付近に空洞が存在しない高品質な樹脂封止型半導体装置となる。
　また、本発明のリードフレームによれば、一方の面に形成された平板状の電極が少なくとも一本の溝によって複数領域に分割されている半導体チップと、複数領域を覆うようにして平板状の電極に接続される平板状の電極接続片とが樹脂封止されてなる樹脂封止型半導体装置に用いられ、電極接続片を有するリードがフレーム部に一体形成されてなるリードフレームであって、電極接続片には、溝に対向する位置に、当該電極接続片の厚み方向に貫通した貫通孔が形成されている。これにより、樹脂封止時においては、貫通孔は、空気抜き用の孔として機能することとなり、樹脂は溝内を安定して流れるため、樹脂封止体内の溝付近に空洞が発生することを防止できる。その結果、このようなリードフレームを用いた樹脂封止型半導体装置は、樹脂封止体の溝付近に空洞が存在しない高品質な樹脂封止型半導体装置となる。
実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１を説明するために示す図である。図１（ａ）は実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１の外観を示す斜視図であり、図１（ｂ）は実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１の内部構成の要部を拡大して示す平面図である。 樹脂封止時において樹脂が溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３内を流れる際の樹脂の流路について説明するために示す図である。 図１（ｂ）におけるａ－ａ線矢視断面図である。 図１（ｂ）におけるｂ－ｂ線矢視断面図である。 実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１に用いられるリードフレームＲＦ１を説明するために示す図である。 実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２を説明するために示す図である。図６（ａ）は実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２の外観を示す斜視図であり、図６（ｂ）は実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２の内部構成の要部を拡大して示す平面図である。 実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２に用いられるリードフレームＲＦ２を説明するために示す図である。 実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３を説明するために示す図である。図８（ａ）は実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３の外観を示す斜視図であり、図８（ｂ）は実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３の内部構成の要部を拡大して示す平面図である。 実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３に用いられるリードフレームＲＦ３を説明するために示す図である。 特開２００４－１４６５７７号公報に記載されている半導体装置を説明するために示す図である。図１０（ａ）は一部が断面となっている平面図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のａ－ａ線矢視断面図である。 特開２００６－２０２８８５号公報に記載されている半導体装置を説明するために示す図である。 電極が少なくとも１本の溝によって複数の領域に分割されている半導体チップ１００の一例を模式的に示す図である。図１２（ａ）は半導体チップ１００の平面図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）を矢印ｙ方向に見た側面図であり、図１２（ｃ）は図１２（ａ）に示すエミッタ電極Ｅに、リード２００のエミッタ電極接続片２００Ｅを接続した状態を示す平面図であり、図１２（ｄ）は図１２（ｃ）を矢印ｙ方向に見た側面図である。
　以下、本発明の実施形態について説明する。
　［実施形態１］
　実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１は、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、基板１０と、当該基板１０の一方の面に搭載された半導体チップ２０と、当該半導体チップ２０の各電極（詳細は後述する。）に接続されたリード３１，３２，３３とを有し、基板１０と、半導体チップ２０と、リード３１，３２，３３の一部とが樹脂封止体４０によって封止された構成となっている。
　実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１に用いられる半導体チップ２０は、ＩＧＢＴであるとする。このため、電極としては、エミッタ電極Ｅ、コレクタ電極Ｃ及びゲート電極Ｇを有している。ここで、エミッタ電極Ｅは、リード３１の電極接続片３１Ｅ（エミッタ電極接続片３１Ｅという。）に接続され、コレクタ電極Ｃは基板１０上の回路パターンに接続されている。なお、コレクタ電極Ｃは、図１において目視できない位置にあるため、図１においては図示されていない（後述する図３参照。）。また、当該コレクタ電極Ｃは、基板１０の回路パターンを介してリード３２のコレクタ電極接続片３２Ｃに接続されている。また、ゲート電極Ｇは、ワイヤボンディングによってリード３３のゲート電極接続片３３Ｇに接続されている。
　ところで、半導体チップ２０は、図１２において説明した半導体チップ１００と同様に、エミッタ電極Ｅが溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３によって５つの領域Ａ１～Ａ５に分割されたものとなっている。ここで、溝Ｓ１，Ｓ２は、樹脂封止時において樹脂が半導体チップ２０に流入する際の流入方向に沿って所定間隔を置いて並列配置（この場合、平行配置）される溝であり、溝Ｓ３は、当該並列配置される２本の溝Ｓ１，Ｓ２に交差（この場合、直交）して配置される溝である。すなわち、溝Ｓ３は樹脂封止時において樹脂が半導体チップ２０に流入する際の流入方向に直交する方向に配置されている。
　そして、図１（ｂ）に示すように、エミッタ電極Ｅの各領域Ａ１～Ａ５には、当該各領域Ａ１～Ａ５を覆うように、リード３１のエミッタ電極接続片３１Ｅが接続されている。具体的には、リード３１のエミッタ電極接続片３１Ｅは、平板状の電極接続片であって、当該平板状の電極接続片がエミッタ電極Ｅの各領域Ａ１～Ａ５のほぼ全体を覆うように各領域Ａ１～Ａ５に接続されている。
　また、リード３１のエミッタ電極接続片３１Ｅには、エミッタ電極Ｅに形成されている溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３に対向する位置に、当該エミッタ電極接続片３１Ｅの厚み方向に貫通した貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３が形成されている。具体的には、貫通孔ｈ１１は、溝Ｓ１に対向した位置に設けられており、貫通孔ｈ１２は、溝Ｓ２に対向した位置に設けられており、貫通孔ｈ１３は、溝Ｓ３に対向した位置に設けられている。なお、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３は、それぞれ対応する溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３において、主に、樹脂封止時における空気抜き用の孔として機能する。
　ここで、樹脂封止時における樹脂の流れについて図２を参照して説明する。図２において、溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３に描かれている破線Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３は、各溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３における樹脂の流路を示している。なお、流路を示す破線Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３を以下の説明では、流路Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３として説明する。樹脂封止時においては、樹脂は、まずは、溝Ｓ１，Ｓ２に流入して当該溝Ｓ１，Ｓ２内を流路Ｒ１，Ｒ２に沿って矢印方向に流れて行き、その後、樹脂は溝Ｓ３にも流入して当該溝Ｓ３内を流路Ｒ３に沿って矢印方向に流れて行く。
　ところで、エミッタ電極接続片３１（図２では図示せず。）が半導体チップ２０のエミッタ電極Ｅに接続された状態となったときには、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３は、図２の一点鎖線で示す位置に配置される。すなわち、貫通孔ｈ１１及び貫通孔ｈ１２は、溝Ｓ１及び溝Ｓ２に対向する位置に配置されるようにエミッタ電極接続片３１Ｅに形成されている。また、貫通孔ｈ１３は、溝Ｓ１，Ｓ２に交差（この場合、直交）する溝Ｓ３に対向する位置で、かつ、溝Ｓ１と溝Ｓ２とに挟まれた区間の所定位置（位置Ｐとする。）に配置されるようにエミッタ電極接続片３１Ｅに形成されている。
　貫通孔ｈ１１、ｈ１２、ｈ１３が図２の一点鎖線で示す位置に配置されるようにエミッタ電極３１Ｅに形成されていることによって、樹脂封止時に樹脂が溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３に流入する際には、溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３内に溜まっている空気を抜け易くすることができる効果が得られる。特に、溝Ｓ３は、他の溝Ｓ１，Ｓ２に比べて樹脂が遅れて流入してくるため、溝Ｓ３内には空気が溜まり易い。しかも、溝Ｓ３において溝Ｓ１と溝Ｓ２とに挟まれた区間には、空気がより溜まり易く、かつ、溜まった空気が抜けにくいものとなる。このことを考慮して、溝Ｓ１と溝Ｓ２とに挟まれた区間の所定位置（位置Ｐ）に貫通孔ｈ１３を設けることによって、溝Ｓ３において溝Ｓ１と溝Ｓ２とに挟まれた区間に溜まった空気を確実に抜くことができる。
　また、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３は、樹脂封止時において樹脂が溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３を流れる際の樹脂の流路Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３に沿う方向に直交する方向の長さＤ１（図１（ｂ）参照。）が、少なくとも溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３の幅の長さｗ１（２００μｍ程度とする。）を有している。なお、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１においては、樹脂の流路Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３に沿う方向に直交する方向の長さＤ１（横方向長さＤ１とする。）は、溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３の幅の長さｗ１よりもよりもわずかに長い程度とする。
　これにより、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３は、それぞれに対応する溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３を跨ぐように配置される。すなわち、貫通孔ｈ１１を例にとって説明すると、当該貫通孔ｈ１１の長手方向中心軸（流路Ｒ１に沿った方向の中心軸）を溝Ｓ１の長手方向の中心軸（流路Ｒ１に沿った中心軸）に対応させるように配置した場合、当該貫通孔ｈ１１は、溝Ｓ１を跨ぐように配置されることとなる。他の貫通孔ｈ１２，ｈ１３も同様である。
　また、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３は、樹脂の流路Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３（図２参照。）に沿う方向の長さＤ２（縦方向長さＤ２という。）が、当該樹脂の流路Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３に沿う方向に直交する方向の長さ（横方向長さＤ１）よりも長い長孔形状をなしている。このため、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３の平面視形状としては、流路Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３に沿った方向に長い形状、すなわち、縦方向に長い形状となる。ここで、縦方向に長い形状としては、「長円形」、「楕円形」、「卵型」及び「長方形」などの形状を例示できるが、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１においては、長円形状であるとする。なお、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１においては、縦方向長さＤ２は横方向長さＤ１よりもわずかに長い程度とする。
　次に、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３と溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３との位置関係について説明する。まず、貫通孔ｈ１１，ｈ１２と溝Ｓ１，Ｓ２との位置関係について図３を参照して説明する。なお、図３において、図１及び図２と同一構成要素には同一符号が付されている。図３に示すように、貫通孔ｈ１１は溝Ｓ１に対向する位置に設けられており、かつ、当該溝Ｓ１の幅方向において当該溝Ｓ１を跨ぐように設けられている。貫通孔ｈ１２も同様に、溝Ｓ２に対向する位置に設けられ、かつ、溝Ｓ２の幅方向において当該溝Ｓ２を跨ぐように設けられている。
　続いて、貫通孔ｈ１３と溝Ｓ３との位置関係について図４を参照して説明する。なお、図４において、図１、図２及び図３と同一構成要素には同一符号が付されている。図４に示すように、貫通孔ｈ１３は、溝Ｓ３に対向する位置に設けられ、かつ、溝Ｓ３の幅方向において当該溝Ｓ３を跨ぐように設けられている。
　また、図３及び図４においては、図１において図示されていないコレクタ電極Ｃが示されている。当該コレクタ電極Ｃは、基板１０の一方の面（半導体チップ搭載面）に接続され、回路パターンを介してリード３２のコレクタ電極接続３２Ｃに接続されている。なお、コレクタ電極Ｃと基板１０との間、及びエミッタ電極Ｅとリード３１のエミッタ電極接続片３１Ｅとの間には、図３では図示されていないが、実際には、それぞれはんだ層が存在する。また、基板１０には、当該基板１０の他方の面（半導体チップ２０が搭載されている面とは反対側の面）には、放熱パッド５０が取り付けられている。
　以上説明したように、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１おいては、図１～図４に示したように、リード３１のエミッタ電極接続片３１Ｅには、エミッタ電極Ｅに形成されている溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３に対向する位置に、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３が形成されている。このため、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置によれば、次に示すような効果が得られる。
　半導体チップ２０のエミッタ電極Ｅには、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３（図１、図３及び図４参照。）が形成されているエミッタ電極接続片３１Ｅが接続されていることによって、樹脂封止時においては、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３は、空気抜き用の孔として機能することとなり、樹脂は溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３内を安定して流れるため、樹脂封止体４０内の溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３付近に空洞が発生することを防止できる。その結果、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１は、樹脂封止体４０内の溝付近に空洞が存在しない高品質な樹脂封止型半導体装置となる。
　すなわち、リード３１のエミッタ電極接続片３１Ｅには、溝Ｓ１に対向する位置に貫通孔ｈ１１が形成され、溝Ｓ２に対向する位置に貫通孔ｈ１２が形成され、溝Ｓ３に対向する位置に貫通孔ｈ１３が形成されている。このため、樹脂封止時においては、当該貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３は、それぞれ対応する溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３において空気抜き用の孔として機能することとなり、樹脂が溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３に流入する際には、溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３内に溜まっている空気が、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３から抜け易くなる。それによって、樹脂は溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３内を安定して流れるため、樹脂封止体４０内の溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３付近に空洞が発生することを防止できる。その結果、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１は、樹脂封止体４０内の溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３付近に空洞が存在しない高品質な樹脂封止型半導体装置となる。
　特に、溝Ｓ３は、他の溝Ｓ１，Ｓ２に比べて樹脂が遅れて流入してくるため、溝Ｓ３内には空気が溜まり易い。しかも、溝Ｓ３において溝Ｓ１と溝Ｓ２とに挟まれた区間には、空気がより溜まり易く、かつ、溜まった空気が抜けにくいものとなる。このことを考慮して、溝Ｓ１と溝Ｓ２とに挟まれた区間の所定位置（位置Ｐ）に貫通孔ｈ１３を設けることによって、溝Ｓ３において溝Ｓ１と溝Ｓ２とに挟まれた区間に溜まった空気を確実に抜くことができる。それによって、樹脂は溝Ｓ１，Ｓ２だけではなく、溝Ｓ３内を安定して流れるため、樹脂封止体４０内の溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３付近に空洞が発生することを防止できる。
　また、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１においては、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３は、横方向長さＤ１（図１（ｂ）参照。）が、溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３の幅（図１（ｂ）参照。）の長さｗ１よりもよりもわずかに長いものとしている。これにより、樹脂封止時においては、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３は、空気抜き用の孔としての機能がより高いものとなり、樹脂封止体４０内の溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３付近に空洞が発生することをより確実に防止できる。
　また、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１においては、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３は、縦方向長さＤ２（図１（ｂ）参照。）が、当該樹脂の流路Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３に沿う方向に直交する方向の長さ（横方向長さＤ１）よりも長い長円形状となっている。これによっても、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３は、空気抜き用の孔としての機能がより高いものとなり、樹脂封止体４０内の溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３付近に空洞が発生することをより確実に防止できる。
　次に、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１に用いられるリードフレームＲＦ１について説明する。
　実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１に用いられるリードフレームＲＦ１は、図５に示すように、エミッタ電極接続片３１Ｅを有するリード３１と、コレクタ電極接続片３２Ｃを有するリード３２と、ゲート電極接続片３３Ｇを有するリード３３とを有している。そして、これらリード３１，３２，３３は、フレーム部８０（外枠及び個々の部品の連結部を含む）に一体形成されている。なお、フレーム部８０は、樹脂封止がなされた後においては、切断された状態となっている。
　図５に示すリードフレームＲＦ１において、エミッタ電極接続片３１Ｅには、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３が形成されている。当該貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３については、図１～図４において説明したため、ここでは、当該貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３についての説明は省略する。
　実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１は、このようなリードフレームＲＦ１を用いているため、樹脂封止時においては、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３は、空気抜き用の孔として機能することとなり、樹脂は溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３内を安定して流れるため、樹脂封止体４０内の溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３付近に空洞が発生することを防止できる。その結果、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１は樹脂封止体４０の溝付近に空洞が存在しない高品質な樹脂封止型半導体装置となる。
　［実施形態２］
　実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２が、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１と異なる点は、エミッタ電極接続片３１Ｅには、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３に加えて、貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３が形成されている点である。なお、外観構成を含むその他の構成は、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１と同様である。このため、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１と同一構成要素には同一符号を付し、かつ、重複する説明は可能な限り省略する。また、以下の説明においては、貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３を「第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３」とし、貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３を「第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３」として説明する。
　エミッタ電極接続片３１Ｅに設けられている第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３は、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３と同様に、エミッタ電極接続片３１Ｅの厚み方に貫通した貫通孔である。また、第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３は、図６（ｂ）に示すように、溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３に対向する位置で、かつ、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３と対をなすように設けられている。ここで、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３と対をなす第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３というのは、同じ溝に形成されている貫通孔同士を指している。すなわち、溝Ｓ１においては、第１貫通孔ｈ１１と第２貫通孔ｈ２１とが対をなし、溝Ｓ２においては、第１貫通孔ｈ１２と第２貫通孔ｈ２２とが対をなし、溝Ｓ３においては、第１貫通孔ｈ１３と第２貫通孔ｈ２３とが対をなしている。
　そして、それぞれ対をなす第１貫通孔と第２第１貫通孔とは、樹脂封止時における樹脂の流路Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３（図２参照。）に沿って所定間隔を置いた位置に形成されている。例えば、第１貫通孔ｈ１１及び第２貫通孔ｈ２１においては、第１貫通孔ｈ１１は溝Ｓ１における流路Ｒ１の上流側の位置に形成され、第２貫通孔ｈ１２は同じ流路Ｒ１において第１貫通孔ｈ１１よりも下流側の位置に形成されている。
　また、第１貫通孔ｈ１２及び第２貫通孔ｈ２２においては、第１貫通孔ｈ１２は溝Ｓ２における流路Ｒ２の上流側の位置に形成され、第２貫通孔ｈ１２は同じ流路Ｒ２において第１貫通路ｈ１２よりも下流側の位置に形成されている。
　また、第１貫通孔ｈ１３及び第２貫通孔ｈ２３においては、第１貫通孔ｈ１３は溝Ｓ３における流路Ｒ３の上流側の位置に形成され、第２貫通孔ｈ１３は同じ流路Ｒ３において第１貫通路ｈ１３よりも下流側の位置に形成されている。
　このように、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３及び第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３は、エミッタ電極接続片３１Ｅにそれぞれが対をなして形成されている。そして、樹脂封止時においては、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３は、主に、空気抜き用の孔として機能し、第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３は、主に、エミッタ電極Ｅ上を流れる樹脂を、それぞれ対応する溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３内に流入させるための樹脂の流入用の孔として機能する。
　なお、第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３のうち、第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２の平面視形状は、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２においては、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３と同様の形状とし、第２貫通孔ｈ２３は円形（図６（ｂ）参照。）としているが、当該第２貫通孔ｈ２３も第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３と同様の形状（長円形状）としてもよい。また、長円形状をなす第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２の平面視サイズ（横方向長さＤ１及び縦方向長さＤ２）は、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３と同様であるとする。また、円形をなす第２貫通孔ｈ２３の平面視サイズ（径）は、この場合、長円形状をなす第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２の横方向長さＤ１と同じとしている。
　また、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３及び第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３は、平面視形状が互いに異なるようにしてもよい。例えば、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３のみを長円形状として、第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３は長円形状以外の形状（例えば、円形）としてもよく、逆に、第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３のみを長円形状として、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３は長円形状以外の形状（例えば、円形）としてもよい。また、図６に示す第２貫通孔ｈ２３のように、特定の貫通孔を他の貫通孔とは異なる形状としてもよい。
　また、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３及び第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３は、平面視サイズが互いに異なるようにしてもよい。例えば、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３を第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３よりも大きなサイズとしてもよく、逆に、第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３を第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３よりも大きなサイズとしてもよく、特定の貫通孔を他の貫通孔とは異なるサイズとしてもよい。
　以上説明したように、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２においては、図６に示したように、リード３１のエミッタ電極接続片３１Ｅには、対をなす貫通孔（第１貫通孔ｈ１１と第２貫通孔ｈ２１、第１貫通孔ｈ１２と第２貫通孔ｈ２２、第１貫通孔ｈ１３と第２貫通孔ｈ２３）同士が、樹脂の流路Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３に沿って並んで形成されているため、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１において得られる効果に加えて、次に示すような効果が得られる。
　すなわち、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２においては、樹脂封止時においては、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３が空気抜き用の孔として機能することに加えて、第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３が形成されているため、樹脂は溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３内を安定して流れることとなり、樹脂封止体４０内の溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３付近に空洞が発生することを防止できるとともに、エミッタ電極接続片３１Ｅの表面上を流れる樹脂をそれぞれの溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３に確実に流入させることができる。その結果、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２は、樹脂封止体４０の溝付近に空洞が存在しない高品質な樹脂封止型半導体装置となる。
　次に、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２に用いられるリードフレームＲＦ２について説明する。
　実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２に用いられるリードフレームＲＦ２は、図７に示すように、基本的には、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１において用いられるリードフレームＲＦ１と同じである。リードフレームＲＦ２がリードフレームＲＦ２と異なる点は、リード３１のエミッタ電極接続片３１Ｅには、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３と第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３とが対をなすように形成されている点である。当該第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３及び第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３については、図６において説明したため、ここでは、当該第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３及び第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３についての説明は省略する。
　実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２は、このようなリードフレームＲＦ２を用いているため、樹脂封止時においては、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３が空気抜き用の孔として機能することに加えて、第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３が形成されているため、エミッタ電極接続片３１Ｅの表面上を流れる樹脂をそれぞれの溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３に、より確実に流入させることができる。その結果、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２は、樹脂封止体４０の溝付近に空洞が存在しない高品質な樹脂封止型半導体装置となる。
　［実施形態３］
　実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３が、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１及び実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２と異なる点は、樹脂封止体４０内に２個の半導体チップ２０，６０が搭載されているとともに、リードとしては、リード３１，３３，３４，３５，３６が設けられている点である。以下、半導体チップ２０を第１半導体チップ２０とし、半導体チップ６０を第２半導体チップ６０として説明する。なお、第２半導体チップ６０も第１半導体チップ２０と同様に、エミッタ電極Ｅは、溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３によって領域Ａ１～Ａ５に分割されているものとする（図１２参照。）。
　第１半導体チップ２０は、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１及び実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２と同様に、エミッタ電極Ｅにリード３１のエミッタ電極接続片３１Ｅが接続され、図示されていないコレクタ電極Ｃが基板１０の回路パターンに接続されており、ゲート電極Ｇがワイヤボンディングによってリード３３のゲート電極接続片３３Ｇに接続されている。また、第１半導体チップ２０のコレクタ電極Ｃは基板１０の回路パターンを介してリード３５のコレクタ電極接続片３５Ｃに接続されている。
　一方、第２半導体チップ６０は、基板７０上に載置されている。そして、当該第２半導体チップ６０のエミッタ電極Ｅは、リード３５のエミッタ電極接続片３５Ｅに接続されている。このため、第１半導体チップ２０のコレクタ電極Ｃと第２半導体チップ６０エミッタ電極Ｅとは、リード３５によって共通接続されている。また、第２半導体チップ６０のコレクタ電極Ｃ（図示せず。）は、基板７０の回路パターンに接続されている。そして、当該第２半導体チップ６０のコレクタ電極Ｃは、基板７０の回路パターンを介してリード３４のコレクタ電極接続片３４Ｃに接続され、第２半導体チップ６０のゲート電極Ｇは、ワイヤボンディングによってリード３６のゲート電極接続片３６Ｇに接続されている。
　また、実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３においては、第１半導体チップ２０のエミッタ電極Ｅに接続されているエミッタ電極接続片３１Ｅには、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２と同様に、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３と、第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３とが形成されている。また、第２半導体チップ６０エミッタ電極Ｅに接続されているエミッタ電極接続片３５Ｅにも、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２と同様に、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３と、第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３とが形成されている。
　ここで、エミッタ電極接続片３５Ｅに形成されている第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３と第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３との位置関係は、エミッタ電極接続片３１Ｅに形成されている第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３と第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３との位置関係と同じであるとする。すなわち、エミッタ電極接続片３５Ｅにおいても、第１貫通孔ｈ１１と第２貫通孔ｈ２１とが対をなし、当該対をなす第１貫通孔ｈ１１と第２貫通孔ｈ２１とは同じ溝Ｓ１の流路Ｒ１に沿って並んで配置され、かつ、第１貫通孔ｈ１１は第２貫通孔ｈ２１よりも流路Ｒ１の上流に位置するように配置されている。
　同様に、第１貫通孔ｈ１２と第２貫通孔ｈ２２とが対をなし、当該対をなす第１貫通孔ｈ１２と第２貫通孔ｈ２２とは同じ溝Ｓ２の流路Ｒ２に沿って並んで配置され、かつ、第１貫通孔ｈ１２は第２貫通孔ｈ２２よりも流路Ｒ２の上流に位置するように配置されている。
　同様に、第１貫通孔ｈ１３と第２貫通孔ｈ２３とが対をなし、当該対をなす第１貫通孔ｈ１３と第２貫通孔ｈ２３とは同じ溝Ｓ３の流路Ｒ３に沿って並んで配置され、かつ、第１貫通孔ｈ１３は第２貫通孔ｈ２３よりも流路Ｒ３の上流に位置するように配置されている。
　また、エミッタ電極接続片３５Ｅに形成されている第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３及び第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３の平面視形状は、エミッタ電極接続片３１Ｅに形成されている第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３及び第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３の平面視形状とそれぞれ同じであるとする。また、エミッタ電極接続片３５Ｅに形成されている第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３及び第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３の平面視サイズは、エミッタ電極接続片３１Ｅに形成されている第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３及び第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３の平面視サイズとそれぞれ同じであるとする。
　ところで、このように構成されている実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３において、樹脂封止時における樹脂の充填方向は、図８（ｂ）において、白抜き矢印Ｆで示す方向であるとする。このため、樹脂はｘ軸に沿って、図示の左方向に流れて行き、第１半導体チップ２０及び第２半導体チップ６０の部分のみに注目した場合には、第１半導体チップ２０及び第２半導体チップ６０のエミッタ電極Ｅにおいて、それぞれのエミッタ電極Ｅに形成されている溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３に流入して行く。
　具体的には、第１半導体チップ２０においては、図８（ｂ）に示すように、樹脂は、溝Ｓ１，Ｓ２内を流路Ｒ１，Ｒ２に沿って矢印方向（図示の上方向）に流れて行くとともに、溝Ｓ３内を流路Ｒ３に沿って矢印方向（図示左方向）に流れて行く。一方、第２半導体チップ６０においては、図８（ｂ）に示すように、樹脂は、溝Ｓ１，Ｓ２内を流路Ｒ１，Ｒ２に沿って矢印方向（図示の下方向）に流れて行くとともに、溝Ｓ３内を流路Ｒ３に沿って矢印方向（図示左方向）に流れて行く。
　以上説明したように、実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３においては、樹脂封止体４０内に２個の半導体チップ(第１半導体チップ２０及び第２半導体チップ６０)が搭載されている樹脂封止型半導体装置であるが、このような樹脂封止型半導体装置においても、エミッタ電極接続片３１Ｅ及びエミッタ電極接続片３５Ｅには、それぞれ対をなす貫通孔（第１貫通孔ｈ１１と第２貫通孔ｈ２１、第１貫通孔ｈ１２と第２貫通孔ｈ２２、第１貫通孔ｈ１３と第２貫通孔ｈ２３）同士が、それぞれ樹脂の流路Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３に沿って並んで配置されている。
　このため、実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３においては、樹脂封止体４０内に搭載されている第１半導体チップ２０及び第２半導体チップ６０のそれぞれのエミッタ電極Ｅに形成されている溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３付近に空洞が発生することを防止できるとともに、溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３に樹脂を確実に流入させることができる。その結果、樹脂封止体４０内に複数の半導体チップ（この場合、２個の半導体チップ）が搭載されている樹脂封止型半導体装置であっても、樹脂封止体４０の溝付近に空洞が存在しない高品質な樹脂封止型半導体装置となる。
　次に、実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３に用いられるリードフレームＲＦ３について説明する。
　実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３に用いられるリードフレームＲＦ３は、図９に示すように、第１半導体チップ２０に対応する側の構成としては、エミッタ電極接続片３１Ｅを有するリード３１と、ゲート電極接続片３３Ｇを有するリード３３とを有している。一方、第２半導体チップ６０に対応する側の構成としては、コレクタ電極接続片３４Ｃを有するリード３４と、ゲート電極接続片３６Ｇを有するリード３６とを有している。
　また、実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３に用いられるリードフレームＲＦ３は、第１半導体チップ２０のコレクタ電極Ｃと第２半導体チップ６０のエミッタ電極Ｅとを共通接続するリード３５とがフレーム部８０によって連結された構成となっている。なお、リード３５は、第１半導体チップ２０のコレクタ電極Ｃに接続するためのコレクタ電極接続片３５Ｃと、第２半導体チップ６０のエミッタ電極Ｅに接続するためのエミッタ電極接続片３５Ｅを有している。そして、これら各リード３１，３３，３４，３５，３６がフレーム部８０に一体形成されている。
　図９に示すリードフレームＲＦ３において、エミッタ電極接続片３１Ｅには、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３と第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３とが対をなすように形成されているとともに、エミッタ電極接続片３５Ｅにおいても、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３と第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３とが対をなすように形成されている。当該第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３及び第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３については、図８において説明したため、ここでは、当該第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３及び第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３についての説明は省略する。
　実施形態３に係る樹脂封止型半導体装置３は、このようなリードフレームＲＦ３を用いているため、樹脂封止時において、樹脂封止体４０内に搭載されている第１半導体チップ２０及び第２半導体チップ６０のそれぞれのエミッタ電極Ｅに形成されている溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３付近に空洞が発生することを防止できるとともに、溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３に樹脂を確実に流入させることができる。その結果、樹脂封止体４０内に複数の半導体チップ（この場合、２個の半導体チップ）が搭載されている樹脂封止型半導体装置であっても、樹脂封止体４０の溝付近に空洞が存在しない高品質な樹脂封止型半導体装置とすることができる。
　なお、本発明は上述の実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能となるものである。たとえば、下記に示すような変形実施も可能である。
　（１）上記各実施形態においては、樹脂封止型半導体装置に搭載される半導体チップはＩＧＢＴであるとしたが，ＩＧＢＴに限られるものではなく、平板状の電極が溝によって複数領域に分割されていて、当該複数領域を覆うようにして電極接続片で接続されるような半導体チップであれば、上記各実施形態と同様に実施可能である。
　（２）上記各実施形態においては、半導体チップの電極が５個の領域に分割されている場合を例示したが、電極の分割数は５個に限られるものではなく、電極が２個以上の領域に分割されている場合であれば適用できる。すなわち、平板状の電極が少なくとも１本の溝によって複数領域に分割されている場合であれば適用できる。
　（３）上記実施形態においては、第１貫通孔の形状は長円形としたが、長円形であることに限られるものではなく、例えば、角孔（例えば、長方形又は正方形など）であってもよい。
　(４)上記実施形態３においては、第１半導体チップ２０及び第２半導体チップ６０のそれぞれのエミッタ電極接続片３１Ｅ，３５Ｅは、実施形態２に係る樹脂封止型半導体装置２と同様に、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３及び第２貫通孔ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３が形成されている場合を例示したが、実施形態１に係る樹脂封止型半導体装置１と同様に、第１貫通孔ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３のみが形成されているものであってもよい。
　(５) 上記実施形態３においては、半導体チップが２個である場合について説明したが、半導体チップが３個以上である場合にも適用できる。
　(６)上記各実施形態においては、溝の断面（流路に直交する断面）は角形としたが、角形に限らず、例えば、Ｕ字型などであってもよい、
　１，２，３・・・樹脂封止型半導体装置、１０，７０・・・基板、２０・・・半導体チップ（第１半導体チップ）、６０・・・半導体チップ（第２半導体チップ）、３１，３２，３３，３４，３５，３６・・・リード、３１Ｅ，３５Ｅ・・・エミッタ電極接続片、３２Ｃ，３４Ｃ，３５Ｃ・・・コレクタ電極接続片、３３Ｇ，３６Ｇ・・・ゲート電極接続片、４０・・・樹脂封止体、５０・・・放熱パッド、Ａ１～Ａ５・・領域、Ｄ１・・・横方向長さ、Ｄ２・・・縦方向長さ、Ｅ・・・エミッタ電極、Ｃ・・・コレクタ電極、Ｇ・・・ゲート電極、Ｆ・・・樹脂の充填方向、ｈ１１，ｈ１２，ｈ１３・・・第１貫通孔、ｈ２１，ｈ２２，ｈ２３・・・第２貫通孔、Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３・・・流路、ＲＦ１，ＲＦ２，ＲＦ３・・・リードフレーム、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３・・・溝，ｗ１・・・溝Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３の幅の長さ

Claims (12)

  1. 　一方の面に形成された平板状の電極が少なくとも１本の溝によって複数領域に分割されている半導体チップと、前記複数領域を覆うようにして前記平板状の電極に接続される平板状の電極接続片とが樹脂封止されてなる樹脂封止型半導体装置であって、
    　前記電極接続片には、前記溝に対向する位置に、当該電極接続片の厚み方向に貫通した貫通孔が形成されていることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。
  2. 　前記貫通孔は、樹脂封止時において樹脂が前記溝を流れる際の前記樹脂の流路に沿う方向に直交する方向の長さが、少なくとも前記溝の幅の長さを有することを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止型半導体装置。
  3. 　前記貫通孔は、樹脂封止時において樹脂が前記溝を流れる際の前記樹脂の流路に沿う方向の長さが、当該樹脂の流路に沿う方向に直交する方向の長さよりも長い長孔形状をなすことを特徴とする請求項１又は２に記載の樹脂封止型半導体装置。
  4. 　前記溝は、樹脂封止時において前記樹脂が前記半導体チップに流入する際の流入方向に沿って所定間隔を置いて並列配置される２本の溝と、当該並列配置される２本の溝に交差して配置される溝と、を有し、
    　前記貫通孔は、少なくとも、前記並列配置される２本の溝に交差して配置される溝に対向する位置で、かつ、前記並列配置される２本の溝に挟まれた区間に形成されていることを特徴とする請求項１～３のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置。
  5. 　前記貫通孔は、第１貫通孔と当該第１貫通孔と対をなす第２貫通孔とを有し、当該第１貫通孔及び当該第２貫通孔は、樹脂封止時において樹脂が前記溝を流れる際の前記樹脂の流路に沿って並んで配置されていることを特徴とする請求項１～４のいずれかに記載の樹脂封止型半導体装置。
  6. 　前記半導体チップは複数個存在し、複数個の前記半導体チップの各半導体チップに形成されている前記平板状の電極ごとに、前記平板状の電極接続片が接続されていることを特徴とする請求項１～５のいずれか記載の樹脂封止型半導体装置。
  7. 　一方の面に形成された平板状の電極が少なくとも一本の溝によって複数領域に分割されている半導体チップと、前記複数領域を覆うようにして前記平板状の電極に接続される平板状の電極接続片とが樹脂封止されてなる樹脂封止型半導体装置に用いられ、前記電極接続片を有するリードがフレーム部に一体形成されてなるリードフレームであって、
    　前記電極接続片には、前記溝に対向する位置に、当該電極接続片の厚み方向に貫通した貫通孔が形成されていることを特徴とするリードフレーム。
  8. 　前記貫通孔は、樹脂封止時において樹脂が前記溝を流れる際の前記樹脂の流路に沿う方向に直交する方向の長さが、少なくとも前記溝の幅の長さを有していることを特徴とする請求項７に記載のリードフレーム
  9. 　前記貫通孔は、樹脂封止時において樹脂が前記溝を流れる際の前記樹脂の流路に沿う方向の長さが、当該樹脂の流路に沿う方向に直交する方向の長さよりも長い長孔形状を有することを特徴とする請求項７又は８に記載のリードフレーム。
  10. 　前記溝は、樹脂封止時において前記樹脂が前記半導体チップに流入する際の流入方向に沿って所定間隔を置いて並列配置される２本の溝と、当該並列配置される２本の溝に交差して配置される溝と、を有し、
    　前記貫通孔は、少なくとも、前記並列配置される２本の溝に交差して配置される溝に対向する位置で、かつ、前記並列配置される２本の溝に挟まれた区間に形成されていることを特徴とする請求項７～９のいずれかに記載のリードフレーム。
  11. 　前記貫通孔は、第１貫通孔と当該第１貫通孔と対をなす第２貫通孔とを有し、当該第１貫通孔及び当該第２貫通孔は、樹脂封止時において樹脂が前記溝を流れる際の前記樹脂の流路に沿って並んで配置されていることを特徴とする請求項７～１０のいずれかに記載のリードフレーム。
  12. 　前記半導体チップは複数個存在し、複数個の前記半導体チップの各半導体チップに形成されている前記平板状の電極ごとに、前記平板状の電極接続片を有するリードが前記フレーム部に一体形成されてなることを特徴とする請求項７～１１のいずれかに記載のリードフレーム。
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