WO2019130480A1 - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

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WO2019130480A1
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film
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organic
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純史 太田
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シャープ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a display device and a method of manufacturing the same.
  • Patent Document 1 has a laminated structure in which an inorganic film layer formed by a CVD (chemical vapor deposition) method or the like and an organic film layer formed by an inkjet method or the like are alternately arranged, Disclosed is a display device provided with a thin film sealing layer covering an element.
  • CVD chemical vapor deposition
  • the organic EL display device it is demanded to provide an island-shaped non-display area in order to arrange, for example, a camera, a fingerprint sensor or the like inside a display area for displaying an image.
  • the sealing performance of the sealing film may be degraded in the non-display area.
  • the present invention has been made in view of such a point, and the object of the present invention is to ensure sealing performance of a sealing film even if an island-like non-display area is provided in a display area in a display device. It is to do.
  • a display device is provided so as to cover a base substrate, a light emitting element constituting a display region provided on the base substrate via a TFT layer, and the light emitting element.
  • a display device including a sealing film in which a first inorganic film and a second inorganic film are sequentially stacked, and a non-display area provided in an island shape in the display area,
  • a frame-shaped inner peripheral wall is provided along the boundary with the display area while projecting in the thickness direction of the base substrate, and the first inorganic film and the second inorganic film are formed on both side surfaces of the inner peripheral wall.
  • An organic buffer layer is provided so as to be sandwiched between the inorganic films.
  • a frame-shaped inner peripheral wall is provided so as to protrude in the thickness direction of the base substrate and to be along the boundary with the display area. Since the organic buffer layer is provided so as to be sandwiched between the first inorganic film and the second inorganic film, the sealing performance of the sealing film is provided in the display device even if an island-shaped non-display region is provided in the display region. Can be secured.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view of a display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing a TFT layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of the organic EL display taken along the line IV-IV in FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing an organic EL layer constituting the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view of a display area of the organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing a TFT layer constituting the organic EL display device according to
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a sealing film forming step of the method of manufacturing an organic EL display device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to a second embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is an enlarged plan view of a region Y in FIG.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view of the organic EL display taken along the line IX-IX in FIG.
  • FIG. 10 is a plan view showing a schematic configuration of an organic EL display device according to a third embodiment of the present invention.
  • First Embodiment 1 to 6 show a first embodiment of a display device and a method of manufacturing the same according to the present invention.
  • an organic EL display device provided with an organic EL element is illustrated as a display device provided with a light emitting element.
  • FIG. 1 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device 50a according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view of the display area D of the organic EL display device 50a.
  • FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing the TFT layer 20 constituting the organic EL display device 50a.
  • 4 is a cross-sectional view of the organic EL display device 50a taken along the line IV-IV in FIG.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing the organic EL layer 23 constituting the organic EL display device 50a.
  • an organic EL element 25 described later is provided, and as shown in FIG. 2, a plurality of sub-pixels P are arranged in a matrix.
  • a sub-pixel P having a red light emission area Lr for performing red gradation display and a sub pixel having a green light emission area Lg for performing green gradation display A pixel P and sub-pixels P having a blue light-emitting area Lb for performing blue gradation display are provided adjacent to each other.
  • one pixel is formed by three adjacent sub-pixels P having a red light emitting area Lr, a green light emitting area Lg, and a blue light emitting area Lb.
  • a non-display area N is provided in an island shape inside the display area D.
  • the inner peripheral wall Wa of a circular frame shape is projected in the thickness direction of the resin substrate layer 10 and along the boundary with the display area D. Is provided.
  • the inner peripheral wall Wa is, for example, a lower layer formed in the same layer by the same material as the flattening film 19 described later and an upper layer formed in the same layer by the same material as the edge cover 22 described later Is configured.
  • the inner circumferential wall Wa has an angle ⁇ of about 70 ° to 150 ° between the bottom surface and the side surface in the cross section, and both side surfaces in the cross section are reverse (preferably as shown in the drawing) as shown in FIG. It is formed in a tapered shape. Furthermore, the distance S from the side wall of the through hole H to the edge of the display area D is about 20 ⁇ m to 100 ⁇ m.
  • a structure corresponding to the inner peripheral wall Wa is used to hold the organic film. Since it is necessary to doubly, the distance from the side wall of the corresponding through hole to the edge of the display area becomes about 600 ⁇ m.
  • a terminal area T is provided at the lower end portion of the frame area F in the drawing.
  • one side of the display area D is a bent portion B which can be bent 180 ° (U-shaped) with the horizontal axis in the figure as the bending axis. It is provided along the lower side of the figure).
  • the organic EL display device 50a in which the bending portion B is provided is illustrated, but the bending portion B may be omitted.
  • the organic EL display device 50 a includes a resin substrate layer 10 provided as a flexible base substrate, and a light emitting element through a thin film transistor (TFT) layer 20 on the resin substrate layer 10. And a sealing film 29 provided so as to cover the organic EL element 25.
  • TFT thin film transistor
  • the resin substrate layer 10 is made of, for example, a polyimide resin or the like.
  • the TFT layer 20 includes a base coat film 11 provided on the resin substrate layer 10, a plurality of first TFTs 9a provided on the base coat film 11, a plurality of second TFTs 9b, and a plurality of capacitors 9c.
  • Each first TFT 9a, each second TFT 9b, and a planarization film 19 provided on each capacitor 9c are provided.
  • a plurality of gate lines 14 are provided so as to extend parallel to each other in the lateral direction in the drawing.
  • a plurality of source lines 18f are provided so as to extend in parallel with each other in the vertical direction in the drawing.
  • a plurality of power supply lines 18g are provided adjacent to the respective source lines 18f so as to extend in parallel to each other in the vertical direction in the figure.
  • a first TFT 9a, a second TFT 9b, and a capacitor 9c are provided in each sub-pixel P.
  • the base coat film 11 is formed of, for example, a single layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride.
  • the first TFT 9a is connected to the corresponding gate line 14 and source line 18f in each sub pixel P, as shown in FIG.
  • the first TFT 9 a includes a semiconductor layer 12 a provided in an island shape on the base coat film 11, a gate insulating film 13 provided so as to cover the semiconductor layer 12 a, and a gate insulating film 13.
  • a gate electrode 14a provided thereon so as to overlap with a part of the semiconductor layer 12a, a first interlayer insulating film 15 and a second interlayer insulating film 17 sequentially provided so as to cover the gate electrode 14a, and a second interlayer insulating film
  • a source electrode 18a and a drain electrode 18b provided on the film 17 and arranged to be separated from each other are provided.
  • the gate insulating film 13, the first interlayer insulating film 15, and the second interlayer insulating film 17 are formed of, for example, a single layer film or a laminated film of an inorganic insulating film such as silicon nitride, silicon oxide, or silicon oxynitride. .
  • the second TFT 9 b is connected to the corresponding first TFT 9 a and the corresponding power supply line 18 g in each sub-pixel P.
  • the second TFT 9 b includes the semiconductor layer 12 b provided in an island shape on the base coat film 11, the gate insulating film 13 provided to cover the semiconductor layer 12 b, and the gate insulating film 13.
  • a source electrode 18c and a drain electrode 18d provided on the film 17 and arranged to be separated from each other are provided.
  • first TFT 9 a and the second TFT 9 b may be bottom gate type TFTs.
  • capacitor 9c is connected to the corresponding first TFT 9a and the corresponding power supply line 18g in each sub-pixel P, as shown in FIG.
  • capacitor 9c is formed of a lower conductive layer 14c formed in the same layer and of the same material as the gate electrode, and a first interlayer insulating film 15 provided to cover lower conductive layer 14c.
  • An upper conductive layer 16 is provided on the first interlayer insulating film 15 so as to overlap with the lower conductive layer 14c.
  • Upper conductive layer 16 is connected to power supply line 18g via a contact hole formed in second interlayer insulating film 17 as shown in FIG.
  • the planarization film 19 is made of, for example, a colorless and transparent organic resin material such as a polyimide resin.
  • the organic EL element 25 includes a plurality of first electrodes 21, an edge cover 22, a plurality of organic EL layers 23, and a second electrode 24 sequentially provided on the planarization film 19.
  • the plurality of first electrodes 21 are provided as a reflective electrode (anode) in a matrix on the planarization film 19 so as to correspond to the plurality of sub-pixels P, as shown in FIG.
  • the first electrode 21 is connected to the drain electrode 18 d of each second TFT 9 b via a contact hole formed in the planarization film 19.
  • the first electrode 21 has a function of injecting holes into the organic EL layer 23.
  • the first electrode 21 is more preferably formed of a material having a large work function in order to improve the hole injection efficiency into the organic EL layer 23.
  • the first electrode 21 for example, silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au) , Calcium (Ca), titanium (Ti), yttrium (Y), sodium (Na), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), magnesium (Mg), lithium (Li), ytterbium (Yb) And metal materials such as lithium fluoride (LiF).
  • the material which comprises the 1st electrode 21 is magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxidation, for example Astatine (AtO 2 ), lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), or lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al), etc. It may be an alloy.
  • the material constituting the first electrode 21 is, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO) or the like. It may be. Further, the first electrode 21 may be formed by laminating a plurality of layers made of the above materials. In addition, as a material with a large work function, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), etc. are mentioned, for example.
  • the edge cover 22 is provided in a grid shape so as to cover the peripheral portion of each first electrode 21 as shown in FIG.
  • organic films such as polyimide resin, acrylic resin, polysiloxane resin, novolac resin, are mentioned, for example.
  • each organic EL layer 23 is provided with a hole injection layer 1, a hole transport layer 2, a light emitting layer 3, an electron transport layer 4 and an electron injection provided sequentially on the first electrode 21.
  • the layer 5 is provided.
  • the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, the light emitting layer 3, the electron transport layer 4, and the electron injection layer 5 are, for example, vapor deposition films formed by vacuum evaporation.
  • the hole injection layer 1 is also called an anode buffer layer, and has the function of improving the hole injection efficiency from the first electrode 21 to the organic EL layer 23 by bringing the energy levels of the first electrode 21 and the organic EL layer 23 closer to each other.
  • the material constituting the hole injection layer for example, triazole derivative, oxadiazole derivative, imidazole derivative, polyarylalkane derivative, pyrazoline derivative, phenylenediamine derivative, oxazole derivative, styrylanthracene derivative, fluorenone derivative, Hydrazone derivatives, stilbene derivatives and the like can be mentioned.
  • the hole transport layer 2 has a function of improving the transport efficiency of holes from the first electrode 21 to the organic EL layer 23.
  • a material constituting the hole transport layer 2 for example, porphyrin derivative, aromatic tertiary amine compound, styrylamine derivative, polyvinylcarbazole, poly-p-phenylenevinylene, polysilane, triazole derivative, oxadiazole Derivative, imidazole derivative, polyarylalkane derivative, pyrazoline derivative, pyrazolone derivative, phenylenediamine derivative, arylamine derivative, amine-substituted chalcone derivative, oxazole derivative, styrylanthracene derivative, fluorenone derivative, hydrazone derivative, stilbene derivative, hydrogenated amorphous silicon, Hydrogenated amorphous silicon carbide, zinc sulfide, zinc selenide and the like can be mentioned.
  • the light emitting layer 3 holes and electrons are injected from the first electrode 21 and the second electrode 24, respectively, and holes and electrons are recombined when a voltage is applied by the first electrode 21 and the second electrode 24. It is an area.
  • the light emitting layer 3 is formed of a material having high light emission efficiency.
  • a metal oxinoid compound [8-hydroxy quinoline metal complex], a naphthalene derivative, an anthracene derivative, a diphenyl ethylene derivative, a vinylacetone derivative, a triphenylamine derivative, a butadiene derivative, a coumarin derivative, for example , Benzoxazole derivative, oxadiazole derivative, oxazole derivative, benzimidazole derivative, thiadiazole derivative, benzthiazole derivative, styryl derivative, styrylamine derivative, bisstyrylbenzene derivative, trisstyrylbenzene derivative, perylene derivative, perinone derivative, aminopyrene derivative, Pyridine derivatives, rhodamine derivatives, aquidin derivatives, phenoxazone, quinacridone derivatives, rubrene, poly-p-phenylene vinylet , Polysilane, and the like.
  • the electron transport layer 4 has a function of efficiently moving electrons to the light emitting layer 3.
  • a material constituting the electron transport layer 4 for example, as an organic compound, oxadiazole derivative, triazole derivative, benzoquinone derivative, naphthoquinone derivative, anthraquinone derivative, tetracyanoanthraquinodimethane derivative, diphenoquinone derivative, fluorenone derivative And silole derivatives, metal oxinoid compounds and the like.
  • the electron injection layer 5 has a function of bringing the energy levels of the second electrode 24 and the organic EL layer 23 closer to each other and improving the efficiency of electron injection from the second electrode 24 to the organic EL layer 23.
  • the drive voltage of the organic EL element 25 can be reduced.
  • the electron injection layer 5 is also called a cathode buffer layer.
  • a material constituting the electron injection layer 5 for example, lithium fluoride (LiF), magnesium fluoride (MgF 2 ), calcium fluoride (CaF 2 ), strontium fluoride (SrF 2 ), barium fluoride Inorganic alkali compounds such as (BaF 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), strontium oxide (SrO) and the like can be mentioned.
  • the second electrode 24 (dot portion in FIG. 1) is provided as a common electrode (cathode) so as to cover the organic EL layers 23 and the edge cover 22 as shown in FIGS. 1 and 4.
  • the second electrode 24 (dot portion in the drawing) is also provided in the non-display area N as shown in FIG.
  • the second electrode 24 has a function of injecting electrons into the organic EL layer 23. Further, in order to improve the electron injection efficiency to the organic EL layer 23, the second electrode 24 is more preferably made of a material having a small work function.
  • the second electrode 24 is, for example, a deposited film formed by a vacuum deposition method.
  • the second electrode 24 for example, silver (Ag), aluminum (Al), vanadium (V), cobalt (Co), nickel (Ni), tungsten (W), gold (Au) , Calcium (Ca), titanium (Ti), yttrium (Y), sodium (Na), ruthenium (Ru), manganese (Mn), indium (In), magnesium (Mg), lithium (Li), ytterbium (Yb) And lithium fluoride (LiF).
  • the second electrode 24 may be, for example, magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), astatine (At) / oxide astatine (AtO 2) And lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al), etc. May be Also, the second electrode 24 may be made of, for example, a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), etc. .
  • a conductive oxide such as tin oxide (SnO), zinc oxide (ZnO), indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), etc.
  • the second electrode 24 may be formed by stacking a plurality of layers made of the above materials.
  • a material having a small work function for example, magnesium (Mg), lithium (Li), lithium fluoride (LiF), magnesium (Mg) / copper (Cu), magnesium (Mg) / silver (Ag), sodium (Na) / potassium (K), lithium (Li) / aluminum (Al), lithium (Li) / calcium (Ca) / aluminum (Al), lithium fluoride (LiF) / calcium (Ca) / aluminum (Al) Etc.
  • the sealing film 29 is, as shown in FIG. 4, a first inorganic film 26 provided so as to cover the second electrode 24, and organic buffer layers 27 a and 27 b provided on the first inorganic film 26 (described later 6 (d) and a second inorganic film 28 provided on the first inorganic film 26 so as to cover the organic buffer layers 27a and 27b, to protect the organic EL layer 23 from moisture and oxygen.
  • the first inorganic film 26 and the second inorganic film 28 are, for example, silicon nitride (silicon oxide (SiO 2 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), silicon nitride such as tetrasilicon nitride (Si 3 N 4 )).
  • the organic buffer layers 27a and 27b are made of, for example, an organic material such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, or polyamide. Further, as shown in FIG. 4, the organic buffer layer 27 a is provided on both sides of the surface of the inner peripheral wall Wa of the non-display area N so as to be sandwiched between the first inorganic film 26 and the second inorganic film 28. . In addition, since the first inorganic film 26 is formed to be stepped off due to the cross sectional shape of the inner peripheral wall Wa, as shown in FIG.
  • the upper portion of the organic buffer layer 27 a is on both sides of the inner peripheral wall Wa.
  • the second electrode 24 is provided not only in the display area D but also in the non-display area N, and in the non-display area N, the step is broken due to the cross sectional shape of the inner peripheral wall Wa. Since it is formed, it is provided also between the upper surface of the inner peripheral wall Wa and the first inorganic film 26.
  • the organic buffer layer 27 b is provided on the surface of the foreign matter X adhering on the first inorganic film 26 as shown in FIG.
  • the organic EL display device 50a described above turns on the first TFT 9a in each sub-pixel P by inputting a gate signal to the first TFT 9a via the gate line 14, and the gate electrode of the second TFT 9b via the source line 18f.
  • a predetermined voltage corresponding to the source signal is written in 14b and capacitor 9c, the magnitude of the current from power supply line 18g is defined based on the gate voltage of second TFT 9b, and the defined current is supplied to organic EL layer 23 As a result, the light emitting layer 3 of the organic EL layer 23 emits light to display an image.
  • the gate voltage of the second TFT 9b is held by the capacitor 9c, so light emission by the light emitting layer 3 is continued until the gate signal of the next frame is input. Maintained.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a sealing film forming step of the method of manufacturing the organic EL display device 50a, and FIGS. 6 (a), 6 (b), 6 (c) and 6 (d).
  • Fig. 6 is a cross-sectional view showing a first inorganic film forming step, an organic film forming step, an ashing step and a second inorganic film forming step, respectively.
  • the base coat film 11, the first TFT 9a, the second TFT 9b, the capacitor 9c, and the planarizing film 19 are formed on the surface of the resin substrate layer 10 formed on the glass substrate using a known method. Form.
  • the organic EL element 25 is formed.
  • the inner peripheral wall Wa is, for example, a photosensitive resin film used when forming the planarization film 19 in the above-mentioned TFT layer forming process, and a photosensitive resin film used when forming the edge cover 22 in the present light emitting element forming process. Are formed at once or in two steps (exposure, development and baking) (an inner peripheral wall forming step).
  • ⁇ Sealing film formation process> First, as shown in FIG. 6A, using a mask M, an inorganic insulating film such as a silicon nitride film or the like is formed on the surface of the substrate on which the organic EL element 25 is formed in the light emitting element formation step. Thus, the first inorganic layer 26 is formed to a thickness of about 1000 nm (first inorganic film forming step).
  • an organic film 27 made of an organic material such as acrylate is formed to a thickness of about 200 nm on the entire surface of the substrate on which the first inorganic layer 26 is formed. Film formation (organic film formation step).
  • the organic film 27 is ashed with plasma A to form organic buffer layers 27a (see FIG. 4) and 27b (ashing process).
  • the organic buffer layers 27 a and 27 b are left on the both sides of the inner peripheral wall Wa and the surface of the foreign matter X. It is formed.
  • an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, for example, 500 nm thick by plasma CVD.
  • the second inorganic film 28 is formed so as to overlap with the first inorganic film 26 by forming a film to a certain degree, and the sealing film 29 is formed (second inorganic film forming step).
  • the glass substrate is peeled from the resin substrate layer 10 by irradiating the substrate on which the sealing film 29 is formed in the above-described sealing film formation step while scanning the laser light from the glass substrate side.
  • the through holes H are formed on the inside of the inner peripheral wall Wa of the substrate from which the glass substrate has been peeled off in the above-mentioned flexing process, by scanning laser light in an annular manner.
  • the organic EL display device 50a of the present embodiment can be manufactured.
  • the second inorganic film 28 is formed after the organic buffer layer 27 b is formed on both side surfaces of the inner peripheral wall Wa via the first inorganic film 26.
  • the first inorganic film is formed on both side surfaces of the inner peripheral wall Wa in the non-display area N by ashing the organic film 27 formed by the evaporation method so as to cover the first inorganic film 26.
  • the organic buffer layer 27a is formed through the electrode 26, and the organic buffer layer 27b is formed on the surface of the foreign matter X attached onto the first inorganic film 26 mainly in the display region D. Therefore, the sealing structure by the sealing film 29 formed by laminating the first inorganic film 26, the organic buffer layer 27b, and the second inorganic film 28 in the display region D is interrupted by the inner peripheral wall Wa in the non-display region N. It will be. Then, in the non-display area N, in the sealing structure interrupted by the inner peripheral wall Wa, the coverage of the second inorganic film 28 with respect to the first inorganic film 26 is obtained by the organic buffer layers 27a provided on both sides of the inner peripheral wall Wa. Secured. Thereby, in the organic EL display device 50a, even if the non-display area N in the form of an island is provided in the display area D, the sealing performance of the sealing film 29 can be secured.
  • the organic EL display device 50a of the present embodiment and the method of manufacturing the same since the angle ⁇ between the bottom surface and the side surface in the cross section of the inner peripheral wall Wa is 70 ° to 150 °, the cross section of the inner peripheral wall Wa Due to the shape, the deposited film such as the second electrode 24 and the like and the first inorganic film 26 are disconnected. Thereby, even if the upper portion of the organic buffer layer 27a is in contact with the inner peripheral wall Wa, the second inorganic film forming step of the sealing film forming step is configured to cover the first inorganic film 26 and the organic buffer layer 27a. Since the inorganic film 28 is formed, the sealing performance of the sealing film 29 can be secured.
  • the vapor deposition film such as the second electrode 24 is stepped off by the inner circumferential wall Wa, the vapor deposition film can be patterned in a perforated shape without using a mask having a floating island structure, and via the vapor deposition film The entry of moisture into the organic EL element 25 can be suppressed.
  • FIG. 7 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device 50b of the present embodiment.
  • FIG. 8 is an enlarged plan view of the area Y in FIG. 9 is a cross-sectional view of the organic EL display device 50b taken along the line IX-IX in FIG.
  • the same parts as those in FIGS. 1 to 6 are assigned the same reference numerals and detailed explanations thereof will be omitted.
  • the organic EL display device 50a in which the inner peripheral wall Wa is provided in the non-display area N is illustrated, but in the present embodiment, the inner peripheral wall Wa is provided in the non-display area N
  • the organic EL display device 50b is provided with the outer peripheral wall Wb.
  • the organic EL display device 50 b includes a display area D defined in a rectangular shape and a frame area F (hatched portion in the figure) defined in a frame shape around the display area D. There is.
  • a rectangular frame-shaped outer peripheral wall Wb is provided so as to protrude in the thickness direction of the resin substrate layer 10 and to be along the boundary with the display area D.
  • the outer peripheral wall Wb is configured by laminating a lower layer formed in the same layer by the same material as the planarizing film 19 and an upper layer formed in the same layer by the same material as the edge cover 22. ing.
  • the outer peripheral wall Wb has an angle ⁇ of about 70 ° to 150 ° between the bottom surface and the side surface in the cross section, and both side surfaces in the cross section are formed in reverse taper shape as shown in FIG. There is.
  • the planarizing film 19 is provided with a slit C for electrically connecting the second electrode 24 and the source conductive layer (wiring) 18 h.
  • the deposited film such as the second electrode 24 and the like formed by the vacuum deposition method described in the first embodiment and the first inorganic film 26 have steps due to the cross-sectional shape of the outer peripheral wall Wb in the frame region F. It is cut and formed.
  • the deposited film is formed using a fine metal mask (FMM) that can be patterned in units of sub-pixels or a mask of a common metal mask (CMM) that can be patterned in units of a panel.
  • FMM fine metal mask
  • CCM common metal mask
  • the island-shaped deposited film formed by the FMM mask is, for example, the light emitting layer 3 etc.
  • the common deposited film formed by the CMM mask is, for example, the hole injection layer 1, the hole transport layer 2, The electron transport layer 4, the electron injection layer 5, the electron block layer, the hole block layer, the second electrode 24 and the like.
  • CMM for forming the 2nd electrode 24 The opening of the mask in the above needs to be larger than the opening of the mask of the CMM for forming a common deposited film other than the second electrode 24. Therefore, in FIG.
  • the edge of the common vapor deposition film other than the second electrode 24 formed using the CMM mask becomes Ea, and the evaporation formed using the edge of the second electrode 24 and the mask for the FMM
  • the edge of the membrane is Eb.
  • the second electrode 24 formed outside the sealing film 29 is electrically insulated from the second electrode 24 formed in the display region D by the outer peripheral wall Wb.
  • the edge of the vapor deposition film formed using a mask of CMM and FMM other than the second electrode 24 may be Ea, and the edge of the second electrode 24 may be Eb.
  • the end of the sealing film may be Eb, and the end of the second electrode may be 29.
  • the organic EL display device 50 b covers the resin substrate layer 10, the organic EL element 25 provided as a light emitting element on the resin substrate layer 10 via the TFT layer 20, and the organic EL element 25. And a sealing film 29 provided as described above.
  • the sealing film 29 is, as shown in FIG. 9, a first inorganic film 26 provided so as to cover the second electrode 24, and organic buffer layers 27a, 27b and 27c provided on the first inorganic film 26.
  • a second inorganic film 28 is provided on the first inorganic film 26 so as to cover the organic buffer layers 27a, 27b and 27c, and has a function of protecting the organic EL layer 23 from moisture and oxygen.
  • the organic buffer layer 27c is made of, for example, an organic material such as acrylate, polyurea, parylene, polyimide, or polyamide. Further, as shown in FIG.
  • the organic buffer layer 27c is provided on both sides of the surface of the outer peripheral wall Wb of the frame area F so as to be sandwiched between the first inorganic film 26 and the second inorganic film 28. Since the first inorganic film 26 is formed to be stepped off due to the cross sectional shape of the outer peripheral wall Wb, as shown in FIG. 9, the upper portion of the organic buffer layer 27c is the both side surfaces of the outer peripheral wall Wb In contact with Further, as shown in FIG. 9, the second electrode 24 is provided not only in the display area D but also in the frame area F, and in the frame area F, it is cut off and formed due to the cross sectional shape of the outer peripheral wall Wb. Therefore, it is provided also between the upper surface of the outer peripheral wall Wb and the first inorganic film 26, and is also provided outside the sealing film 29.
  • the organic EL display device 50b described above has flexibility, and in each sub-pixel P, the organic EL layer 23 through the first TFT 9a and the second TFT 9b. By appropriately emitting light from the light emitting layer 3, an image is displayed.
  • the organic EL display device 50b of this embodiment can be manufactured by forming the outer peripheral wall Wb simultaneously with the inner peripheral wall Wa in the method of manufacturing the organic EL display device 50a of the first embodiment.
  • the second inorganic film 28 is formed after the organic buffer layer 27 b is formed on both side surfaces of the inner peripheral wall Wa via the first inorganic film 26.
  • the first inorganic film is formed on both side surfaces of the inner peripheral wall Wa in the non-display area N by ashing the organic film 27 formed by the evaporation method so as to cover the first inorganic film 26.
  • the organic buffer layer 27a is formed through the electrode 26, and the organic buffer layer 27b is formed on the surface of the foreign matter X attached onto the first inorganic film 26 mainly in the display region D. Therefore, the sealing structure by the sealing film 29 formed by laminating the first inorganic film 26, the organic buffer layer 27b, and the second inorganic film 28 in the display region D is interrupted by the inner peripheral wall Wa in the non-display region N. It will be. Then, in the non-display area N, in the sealing structure interrupted by the inner peripheral wall Wa, the coverage of the second inorganic film 28 with respect to the first inorganic film 26 is obtained by the organic buffer layers 27a provided on both sides of the inner peripheral wall Wa. Secured. Thereby, in the organic EL display device 50b, even if the non-display area N in the form of an island is provided in the display area D, the sealing performance of the sealing film 29 can be secured.
  • the angle between the bottom surface and the side surface in the cross section of the inner peripheral wall Wa and the outer peripheral wall Wb is 70 ° or more. Due to the cross-sectional shape of the outer peripheral wall Wb, the deposited film of the second electrode 24 and the like and the first inorganic film 26 are disconnected.
  • the first inorganic film 26 and the organic buffer Since the second inorganic film 28 is formed to cover the layers 27a and 27c, the sealing performance of the sealing film 29 can be secured. Furthermore, since the deposited film such as the second electrode 24 is stepped off by the inner peripheral wall Wa and the outer peripheral wall Wb, the deposited film can be patterned in a perforated shape without using a mask having a floating island structure. It is possible to suppress the entry of moisture into the organic EL element 25 through the vapor deposition film.
  • the deposition film such as the second electrode 24 is cut off by the outer peripheral wall Wb, so narrowing of the frame area F is achieved. be able to.
  • FIG. 10 shows a third embodiment of a display device and a method of manufacturing the same according to the present invention.
  • FIG. 10 is a plan view showing a schematic configuration of the organic EL display device 50c of the present embodiment.
  • the organic EL display device 50b in which the frame-shaped outer peripheral wall Wb is provided in the frame area F is exemplified.
  • the arc-shaped outer peripheral wall Wc is provided in the frame area F
  • the organic EL display device 50c is illustrated.
  • the organic EL display device 50c is formed in a substantially T shape, and a display area D whose corner portion is defined in a substantially rectangular shape with an R shape and a frame defined in the periphery of the display area D And a region F (hatched portion in the figure).
  • an arc-shaped outer peripheral wall Wc protrudes in the thickness direction of the resin substrate layer 10, and each corner of the display area D follows the boundary with the display area D. It is provided corresponding to the department.
  • the outer peripheral wall Wc is configured by laminating a lower layer formed in the same layer by the same material as the planarizing film 19 and an upper layer formed in the same layer by the same material as the edge cover 22. ing.
  • the outer wall Wc has an angle of about 70 ° to 150 ° between the bottom surface and the side surface in the cross section, and both side surfaces in the cross section are formed in a reverse taper shape.
  • the outer wall Wc is provided at each corner of the display area D, but the outer wall Wc is provided at any one of the four corners of the display area D. May be
  • the organic EL display device 50c is an organic EL device provided as a light emitting device on the resin substrate layer 10 and the resin substrate layer 10 via the TFT layer 20, as in the organic EL display device 50b of the second embodiment. 25 and a sealing film 29 provided so as to cover the organic EL element 25.
  • the second electrode 24 which is a common vapor deposition film constituting the organic EL element 25 exceeds the outer peripheral wall Wc in a state of being stepped off at the corner Wc where the outer peripheral wall is disposed. It is provided up to the outside of the sealing film 29. Therefore, the second electrode 24 formed outside the sealing film 29 is electrically insulated from the second electrode 24 formed in the display region D by the outer peripheral wall Wc.
  • the second electrode 24 formed of the CMM mask is provided to extend beyond the outer peripheral wall Wc.
  • the island-shaped deposited film formed of the FMM mask is formed on the outer peripheral wall Wc. It may be a configuration provided beyond.
  • the organic EL display device 50b of the second embodiment in which the outer peripheral wall Wb is provided over the entire circumference of the display region D, in the organic EL display device 50c of the present embodiment, as shown in FIG. In the region other than the corner where the outer peripheral wall Wc is disposed, the end of the second electrode 24 is positioned inside (the display region D side) of the peripheral end of the sealing film 29.
  • the organic EL display device 50c described above has flexibility, and in each sub-pixel P, the organic EL layer 23 through the first TFT 9a and the second TFT 9b. By appropriately emitting light from the light emitting layer 3, an image is displayed.
  • the organic EL display device 50c of the present embodiment can be manufactured by forming the outer peripheral wall Wc simultaneously with the inner peripheral wall Wa in the method of manufacturing the organic EL display device 50a of the first embodiment.
  • the second inorganic film 28 is formed after the organic buffer layer 27 b is formed on both side surfaces of the inner peripheral wall Wa via the first inorganic film 26.
  • the first inorganic film is formed on both side surfaces of the inner peripheral wall Wa in the non-display area N by ashing the organic film 27 formed by the evaporation method so as to cover the first inorganic film 26.
  • the organic buffer layer 27a is formed through the electrode 26, and the organic buffer layer 27b is formed on the surface of the foreign matter X attached onto the first inorganic film 26 mainly in the display region D. Therefore, the sealing structure by the sealing film 29 formed by laminating the first inorganic film 26, the organic buffer layer 27b, and the second inorganic film 28 in the display region D is interrupted by the inner peripheral wall Wa in the non-display region N. It will be. Then, in the non-display area N, in the sealing structure interrupted by the inner peripheral wall Wa, the coverage of the second inorganic film 28 with respect to the first inorganic film 26 is obtained by the organic buffer layers 27a provided on both sides of the inner peripheral wall Wa. Secured. Thereby, in the organic EL display device 50c, even if the non-display area N in the form of an island is provided in the display area D, the sealing performance of the sealing film 29 can be secured.
  • the angle between the bottom surface and the side surface in the cross section of the inner peripheral wall Wa and the outer peripheral wall Wc is 70 ° or more. Due to the cross sectional shape of the outer peripheral wall Wc, the deposited film of the second electrode 24 and the like and the first inorganic film 26 are disconnected.
  • the first inorganic film 26 and the organic buffer Since the second inorganic film 28 is formed to cover the layers 27a and 27c, the sealing performance of the sealing film 29 can be secured. Furthermore, since the deposited film such as the second electrode 24 is stepped off by the inner peripheral wall Wa and the outer peripheral wall Wc, the deposited film can be patterned in a perforated shape without using a mask having a floating island structure. It is possible to suppress the entry of moisture into the organic EL element 25 through the vapor deposition film.
  • the deposition film such as the second electrode 24 is cut off by the outer peripheral wall Wc, so narrowing of the frame area F is achieved. be able to.
  • the organic EL layer having a five-layer laminated structure of the hole injection layer, the hole transport layer, the light emitting layer, the electron transport layer, and the electron injection layer has been exemplified. It may be a three-layer laminated structure of a layer and hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer and electron injection layer.
  • the organic EL display device is exemplified in which the first electrode is an anode and the second electrode is a cathode.
  • the laminated structure of the organic EL layer is reversed and the first electrode is a cathode.
  • the present invention can also be applied to an organic EL display device in which the second electrode is an anode.
  • the organic EL display device including the element substrate in which the electrode of the TFT connected to the first electrode is a drain electrode is exemplified.
  • the TFT connected to the first electrode The present invention can also be applied to an organic EL display device provided with an element substrate whose electrode is called a source electrode.
  • the organic EL display device has been described as an example of the display device.
  • the present invention can be applied to a display device provided with a plurality of light emitting elements driven by current.
  • the present invention can be applied to a display device provided with a QLED (Quantum-dot light emitting diode) which is a light emitting element using a quantum dot-containing layer.
  • QLED Quantum-dot light emitting diode
  • the present invention is useful for flexible display devices.

Landscapes

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Abstract

ベース基板（１０）と、ベース基板（１０）上にＴＦＴ層（２０）を介して設けられた表示領域（Ｄ）を構成する発光素子（２５）と、発光素子（２５）を覆うように設けられ、第1無機膜（２６）及び第２無機膜（２８）が順に積層された封止膜（２９）と、表示領域（Ｄ）内に島状に設けられた非表示領域（Ｎ）とを備え、非表示領域（Ｎ）には、ベース基板（１０）の厚さ方向に突出すると共に表示領域（Ｄ）との境界に沿うように枠状の内周壁（Ｗａ）が設けられ、内周壁（Ｗａ）の表面には、第1無機膜（２６）及び第２無機膜（２８）に挟まれるように有機バッファ層（２７ａ）が設けられている。

Description

表示装置及びその製造方法
　本発明は、表示装置及びその製造方法に関するものである。
　近年、液晶表示装置に代わる表示装置として、有機ＥＬ（electroluminescence）素子を用いた自発光型の有機ＥＬ表示装置が注目されている。ここで、有機ＥＬ表示装置では、水分や酸素等の混入による有機ＥＬ素子の劣化を抑制するために、有機ＥＬ素子を覆う封止膜を無機層及び有機層の積層膜で構成する封止構造が提案されている。
　例えば、特許文献１には、ＣＶＤ（chemical vapor deposition）法等により形成された無機膜層と、インクジェット法等により形成された有機膜層とが交互に配置された積層構造を有し、有機発光素子を覆う薄膜封止層を備えた表示装置が開示されている。
特開２０１４－８６４１５号公報
　ところで、有機ＥＬ表示装置では、画像表示を行う表示領域の内部に、例えば、カメラや指紋センサー等を配置させるために、島状の非表示領域を設けることが要望されている。しかしながら、有機ＥＬ表示装置において、表示領域内に島状の非表示領域を設けると、その非表示領域の部分で封止膜の封止性能が低下するおそれがある。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、表示装置において、表示領域内に島状の非表示領域を設けても、封止膜の封止性能を確保することにある。
　上記目的を達成するために、本発明に係る表示装置は、ベース基板と、上記ベース基板上にＴＦＴ層を介して設けられた表示領域を構成する発光素子と、上記発光素子を覆うように設けられ、第1無機膜及び第２無機膜が順に積層された封止膜と、上記表示領域内に島状に設けられた非表示領域とを備えた表示装置であって、上記非表示領域には、上記ベース基板の厚さ方向に突出すると共に、上記表示領域との境界に沿うように枠状の内周壁が設けられ、上記内周壁の両側面には、上記第1無機膜及び第２無機膜に挟まれるように有機バッファ層が設けられていることを特徴とする。
　本発明によれば、非表示領域には、ベース基板の厚さ方向に突出すると共に、表示領域との境界に沿うように枠状の内周壁が設けられ、その内周壁の両側面には、第1無機膜及び第２無機膜に挟まれるように有機バッファ層が設けられているので、表示装置において、表示領域内に島状の非表示領域を設けても、封止膜の封止性能を確保することができる。
図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 図２は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の表示領域の平面図である。 図３は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成するＴＦＴ層を示す等価回路図である。 図４は、図１中のIV－IV線に沿った有機ＥＬ表示装置の断面図である。 図５は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置を構成する有機ＥＬ層を示す断面図である。 図６は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の製造方法の封止膜形成工程を示す断面図である。 図７は、本発明の第２の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。 図８は、図７中の領域Ｙを拡大した平面図である。 図９は、図７中のIX－IX線に沿った有機ＥＬ表示装置の断面図である。 図１０は、本発明の第３の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す平面図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
　《第１の実施形態》
　図１～図６は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第１の実施形態を示している。なお、以下の各実施形態では、発光素子を備えた表示装置として、有機ＥＬ素子を備えた有機ＥＬ表示装置を例示する。ここで、図１は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置５０ａの概略構成を示す平面図である。また、図２は、有機ＥＬ表示装置５０ａの表示領域Ｄの平面図である。また、図３は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成するＴＦＴ層２０を示す等価回路図である。また、図４は、図１中のIV－IV線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ａの断面図である。また、図５は、有機ＥＬ表示装置５０ａを構成する有機ＥＬ層２３を示す断面図である。
　有機ＥＬ表示装置５０ａは、図１に示すように、矩形状に規定された画像表示を行う表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に枠状に規定された額縁領域Ｆ（図中ハッチング部）とを備えている。
　表示領域Ｄには、後述する有機ＥＬ素子２５が設けられ、図２に示すように、複数のサブ画素Ｐがマトリクス状に配置されている。ここで、表示領域Ｄでは、図２に示すように、赤色の階調表示を行うための赤色発光領域Ｌｒを有するサブ画素Ｐ、緑色の階調表示を行うための緑色発光領域Ｌｇを有するサブ画素Ｐ、及び青色の階調表示を行うための青色発光領域Ｌｂを有するサブ画素Ｐが互いに隣り合うように設けられている。なお、表示領域Ｄでは、赤色発光領域Ｌｒ、緑色発光領域Ｌｇ及び青色発光領域Ｌｂを有する隣り合う３つのサブ画素Ｐにより、１つの画素が構成されている。また、表示領域Ｄの内部には、図１に示すように、非表示領域Ｎが島状に設けられている。
　非表示領域Ｎには、図１及び図４に示すように、例えば、カメラや指紋センサー等を配置させるために、後述する樹脂基板層１０の厚さ方向に貫通する貫通孔Ｈが設けられている。また、非表示領域Ｎには、図１及び図４に示すように、樹脂基板層１０の厚さ方向に突出すると共に、表示領域Ｄとの境界に沿うように、円形枠状の内周壁Ｗａが設けられている。ここで、内周壁Ｗａは、例えば、後述する平坦化膜１９と同一材料により同一層に形成された下部層と、後述するエッジカバー２２と同一材料により同一層に形成された上部層とを積層して構成されている。また、内周壁Ｗａは、その横断面における底面と側面とのなす角度θが７０°～１５０°程度であり、図４に示すように、その横断面における両側面が（好ましくは図面どおり）逆テーパー状に形成されている。さらに、貫通孔Ｈの側壁から表示領域Ｄの縁までの距離Ｓは、２０μｍ～１００μｍ程度である。なお、封止膜を構成する第１無機膜及び第２無機膜の間の有機膜をインクジェット法により形成する場合には、有機膜を堰き止めるために、上記内周壁Ｗａに相当する構造体が２重に必要になるので、対応する貫通孔の側壁から表示領域の縁までの距離が６００μｍ程度になってしまう。
　額縁領域Ｆの図中下端部には、図1に示すように、端子領域Ｔが設けられている。また、額縁領域Ｆにおいて、表示領域Ｄ及び端子領域Ｔの間には、図中横方向を折り曲げの軸として１８０°に（Ｕ字状に）折り曲げ可能な折り曲げ部Ｂが表示領域Ｄの一辺（図中下辺）に沿うように設けられている。なお、本実施形態では、折り曲げ部Ｂが設けられた有機ＥＬ表示装置５０ａを例示したが、折り曲げ部Ｂは、省略されていてもよい。
　有機ＥＬ表示装置５０ａは、図４に示すように、可撓性を有するベース基板として設けられた樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上にＴＦＴ（thin film transistor）層２０を介して発光素子として設けられた有機ＥＬ素子２５と、有機ＥＬ素子２５を覆うように設けられた封止膜２９とを備えている。
　樹脂基板層１０は、例えば、ポリイミド樹脂等により構成されている。
　ＴＦＴ層２０は、図４に示すように、樹脂基板層１０上に設けられたベースコート膜１１と、ベースコート膜１１上に設けられた複数の第１ＴＦＴ９ａ、複数の第２ＴＦＴ９ｂ及び複数のキャパシタ９ｃと、各第１ＴＦＴ９ａ、各第２ＴＦＴ９ｂ及び各キャパシタ９ｃ上に設けられた平坦化膜１９とを備えている。ここで、ＴＦＴ層２０では、図２及び図３に示すように、図中横方向に互いに平行に延びるように複数のゲート線１４が設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図２及び図３に示すように、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数のソース線１８ｆが設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図２及び図３に示すように、各ソース線１８ｆと隣り合って、図中縦方向に互いに平行に延びるように複数の電源線１８ｇが設けられている。また、ＴＦＴ層２０では、図３に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ及びキャパシタ９ｃがそれぞれ設けられている。
　ベースコート膜１１は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
　第１ＴＦＴ９ａは、図３に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応するゲート線１４及びソース線１８ｆに接続されている。ここで、第１ＴＦＴ９ａは、図４に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられた半導体層１２ａと、半導体層１２ａを覆うように設けられたゲート絶縁膜１３と、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ａの一部と重なるように設けられたゲート電極１４ａと、ゲート電極１４ａを覆うように順に設けられた第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７と、第２層間絶縁膜１７上に設けられ、互いに離間するように配置されたソース電極１８ａ及びドレイン電極１８ｂとを備えている。なお、ゲート絶縁膜１３、第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７は、例えば、窒化シリコン、酸化シリコン、酸窒化シリコン等の無機絶縁膜の単層膜又は積層膜により構成されている。
　第２ＴＦＴ９ｂは、図３に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに接続されている。ここで、第２ＴＦＴ９ｂは、図４に示すように、ベースコート膜１１上に島状に設けられた半導体層１２ｂと、半導体層１２ｂを覆うように設けられたゲート絶縁膜１３と、ゲート絶縁膜１３上に半導体層１２ｂの一部と重なるように設けられたゲート電極１４ｂと、ゲート電極１４ｂを覆うように順に設けられた第１層間絶縁膜１５及び第２層間絶縁膜１７と、第２層間絶縁膜１７上に設けられ、互いに離間するように配置されたソース電極１８ｃ及びドレイン電極１８ｄとを備えている。
　なお、本実施形態では、トップゲート型の第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを例示したが、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂは、ボトムゲート型のＴＦＴであってもよい。
　キャパシタ９ｃは、図３に示すように、各サブ画素Ｐにおいて、対応する第１ＴＦＴ９ａ及び電源線１８ｇに接続されている。ここで、キャパシタ９ｃは、図４に示すように、ゲート電極と同一材料により同一層に形成された下部導電層１４ｃと、下部導電層１４ｃを覆うように設けられた第１層間絶縁膜１５と、第１層間絶縁膜１５上に下部導電層１４ｃと重なるように設けられた上部導電層１６とを備えている。なお、上部導電層１６は、図４に示すように、第２層間絶縁膜１７に形成されたコンタクトホールを介して、電源線１８ｇに接続されている。
　平坦化膜１９は、例えば、ポリイミド樹脂等の無色透明な有機樹脂材料により構成されている。
　有機ＥＬ素子２５は、図４に示すように、平坦化膜１９上に順に設けられた複数の第１電極２１、エッジカバー２２、複数の有機ＥＬ層２３及び第２電極２４を備えている。
　複数の第１電極２１は、図４に示すように、複数のサブ画素Ｐに対応するように、平坦化膜１９上にマトリクス状に反射電極（陽極）として設けられている。ここで、第１電極２１は、図４に示すように、平坦化膜１９に形成されたコンタクトホールを介して、各第２ＴＦＴ９ｂのドレイン電極１８ｄに接続されている。また、第１電極２１は、有機ＥＬ層２３にホール（正孔）を注入する機能を有している。また、第１電極２１は、有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を向上させるために、仕事関数の大きな材料で形成するのがより好ましい。ここで、第１電極２１を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等の金属材料が挙げられる。また、第１電極２１を構成する材料は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、又はフッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金であっても構わない。さらに、第１電極２１を構成する材料は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）のような導電性酸化物等であってもよい。また、第１電極２１は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数の大きな材料としては、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）やインジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等が挙げられる。
　エッジカバー２２は、図４に示すように、各第１電極２１の周縁部を覆うように格子状に設けられている。ここで、エッジカバー２２を構成する材料としては、例えば、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリシロキサン樹脂、ノボラック樹脂等の有機膜が挙げられる。
　複数の有機ＥＬ層２３は、図４に示すように、各第１電極２１上に配置され、複数のサブ画素に対応するように、マトリクス状に設けられている。ここで、各有機ＥＬ層２３は、図５に示すように、第１電極２１上に順に設けられた正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５を備えている。なお、正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４及び電子注入層５は、例えば、真空蒸着法により形成される蒸着膜である。
　正孔注入層１は、陽極バッファ層とも呼ばれ、第１電極２１と有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第１電極２１から有機ＥＬ層２３への正孔注入効率を改善する機能を有している。ここで、正孔注入層１を構成する材料としては、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体等が挙げられる。
　正孔輸送層２は、第１電極２１から有機ＥＬ層２３への正孔の輸送効率を向上させる機能を有している。ここで、正孔輸送層２を構成する材料としては、例えば、ポルフィリン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン誘導体、ポリビニルカルバゾール、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミン置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、水素化アモルファスシリコン、水素化アモルファス炭化シリコン、硫化亜鉛、セレン化亜鉛等が挙げられる。
　発光層３は、第１電極２１及び第２電極２４による電圧印加の際に、第１電極２１及び第２電極２４から正孔及び電子がそれぞれ注入されると共に、正孔及び電子が再結合する領域である。ここで、発光層３は、発光効率が高い材料により形成されている。そして、発光層３を構成する材料としては、例えば、金属オキシノイド化合物［８－ヒドロキシキノリン金属錯体］、ナフタレン誘導体、アントラセン誘導体、ジフェニルエチレン誘導体、ビニルアセトン誘導体、トリフェニルアミン誘導体、ブタジエン誘導体、クマリン誘導体、ベンズオキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、ベンズイミダゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ベンズチアゾール誘導体、スチリル誘導体、スチリルアミン誘導体、ビススチリルベンゼン誘導体、トリススチリルベンゼン誘導体、ペリレン誘導体、ペリノン誘導体、アミノピレン誘導体、ピリジン誘導体、ローダミン誘導体、アクイジン誘導体、フェノキサゾン、キナクリドン誘導体、ルブレン、ポリ－ｐ－フェニレンビニレン、ポリシラン等が挙げられる。
　電子輸送層４は、電子を発光層３まで効率良く移動させる機能を有している。ここで、電子輸送層４を構成する材料としては、例えば、有機化合物として、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、テトラシアノアントラキノジメタン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体、シロール誘導体、金属オキシノイド化合物等が挙げられる。
　電子注入層５は、第２電極２４と有機ＥＬ層２３とのエネルギーレベルを近づけ、第２電極２４から有機ＥＬ層２３へ電子が注入される効率を向上させる機能を有し、この機能により、有機ＥＬ素子２５の駆動電圧を下げることができる。なお、電子注入層５は、陰極バッファ層とも呼ばれる。ここで、電子注入層５を構成する材料としては、例えば、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、フッ化ストロンチウム（ＳｒＦ２）、フッ化バリウム（ＢａＦ２）のような無機アルカリ化合物、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）等が挙げられる。
　第２電極２４（図１中ドット部）は、図１及び図４に示すように、各有機ＥＬ層２３及びエッジカバー２２を覆うように共通電極（陰極）として設けられている。なお、第２電極２４（図中ドット部）は、図１に示すように、非表示領域Ｎにも設けられている。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３に電子を注入する機能を有している。また、第２電極２４は、有機ＥＬ層２３への電子注入効率を向上させるために、仕事関数の小さな材料で構成するのがより好ましい。また、第２電極２４は、例えば、真空蒸着法により形成される蒸着膜である。ここで、第２電極２４を構成する材料としては、例えば、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、バナジウム（Ｖ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、金（Ａｕ）、カルシウム（Ｃａ）、チタン（Ｔｉ）、イットリウム（Ｙ）、ナトリウム（Ｎａ）、ルテニウム（Ｒｕ）、マンガン（Ｍｎ）、インジウム（Ｉｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）等が挙げられる。また、第２電極２４は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、アスタチン（Ａｔ）／酸化アスタチン（ＡｔＯ２）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等の合金により形成されていてもよい。また、第２電極２４は、例えば、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）等の導電性酸化物により形成されていてもよい。また、第２電極２４は、上記材料からなる層を複数積層して形成されていてもよい。なお、仕事関数が小さい材料としては、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、リチウム（Ｌｉ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銅（Ｃｕ）、マグネシウム（Ｍｇ）／銀（Ａｇ）、ナトリウム（Ｎａ）／カリウム（Ｋ）、リチウム（Ｌｉ）／アルミニウム（Ａｌ）、リチウム（Ｌｉ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）／カルシウム（Ｃａ）／アルミニウム（Ａｌ）等が挙げられる。
　封止膜２９は、図４に示すように、第２電極２４を覆うように設けられた第１無機膜２６と、第１無機膜２６上に設けられた有機バッファ層２７ａ及び２７ｂ（後述する図６（ｄ）参照）と、第１無機膜２６上に有機バッファ層２７ａ及び２７ｂを覆うように設けられた第２無機膜２８とを備え、有機ＥＬ層２３を水分や酸素から保護する機能を有している。ここで、第１無機膜２６及び第２無機膜２８は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、四窒化三ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）のような窒化シリコン（ＳｉＮｘ（ｘは正数））、炭窒化ケイ素（ＳｉＣＮ）等の無機材料により構成されている。また、有機バッファ層２７ａ及び２７ｂは、例えば、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機材料により構成されている。また、有機バッファ層２７ａは、図４に示すように、非表示領域Ｎの内周壁Ｗａの表面の両側面において、第1無機膜２６及び第２無機膜２８に挟まれるように設けられている。なお、第1無機膜２６は、内周壁Ｗａの横断面形状に起因して段切れして形成されているので、図４に示すように、有機バッファ層２７ａの上部が内周壁Ｗａの両側面に接触している。また、第２電極２４は、図４に示すように、表示領域Ｄだけでなく非表示領域Ｎにも設けられ、非表示領域Ｎにおいて、内周壁Ｗａの横断面形状に起因して段切れして形成されるので、内周壁Ｗａの上面と第1無機膜２６との間にも設けられている。また、有機バッファ層２７ｂは、図６（ｄ）に示すように、第１無機膜２６上に付着した異物Ｘの表面に設けられている。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０ａは、各サブ画素Ｐにおいて、ゲート線１４を介して第１ＴＦＴ９ａにゲート信号を入力することにより、第１ＴＦＴ９ａをオン状態にし、ソース線１８ｆを介して第２ＴＦＴ９ｂのゲート電極１４ｂ及びキャパシタ９ｃにソース信号に対応する所定の電圧を書き込み、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧に基づいて電源線１８ｇからの電流の大きさが規定され、その規定された電流が有機ＥＬ層２３に供給されることにより、有機ＥＬ層２３の発光層３が発光して、画像表示を行うように構成されている。なお、有機ＥＬ表示装置５０ａでは、第１ＴＦＴ９ａがオフ状態になっても、第２ＴＦＴ９ｂのゲート電圧がキャパシタ９ｃによって保持されるので、次のフレームのゲート信号が入力されるまで発光層３による発光が維持される。
　次に、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法について図６を用いて説明する。ここで、図６は、有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法の封止膜形成工程を示す断面図であり、図６（ａ）、図６（ｂ）、図６（ｃ）及び図６（ｄ）は、第１無機膜形成工程、有機膜形成工程、アッシング工程及び第２無機膜形成工程をそれぞれ示す断面図である。なお、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法は、ＴＦＴ層形成工程と、内周壁形成工程を含む発光素子形成工程と、第１無機膜形成工程、有機膜形成工程、アッシング工程及び第２無機膜形成工程を含む封止膜形成工程と、フレキ化工程と、貫通孔形成工程とを備える。
　＜ＴＦＴ層形成工程＞
　例えば、ガラス基板上に形成した樹脂基板層１０の表面に、周知の方法を用いて、ベースコート膜１１、第１ＴＦＴ９ａ、第２ＴＦＴ９ｂ、キャパシタ９ｃ及び平坦化膜１９を形成することにより、ＴＦＴ層２０を形成する。
　＜発光素子形成工程＞
　上記ＴＦＴ層形成工程で形成されたＴＦＴ層２０上に、周知の方法を用いて、第１電極２１、エッジカバー２２、有機ＥＬ層２３（正孔注入層１、正孔輸送層２、発光層３、電子輸送層４、電子注入層５）、第２電極２４を形成することにより、有機ＥＬ素子２５を形成する。なお、内周壁Ｗａは、例えば、上記ＴＦＴ層形成工程で平坦化膜１９を形成する際に用いる感光性樹脂膜、及び本発光素子形成工程でエッジカバー２２を形成する際に用いる感光性樹脂膜を一括又は２段階でパターニング（露光、現像及び焼成）することにより形成される（内周壁形成工程）。
　＜封止膜形成工程＞
　まず、図６（ａ）に示すように、上記発光素子形成工程で有機ＥＬ素子２５が形成された基板表面に、マスクＭを用いて、例えば、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により厚さ１０００ｎｍ程度に成膜して、第１無機層２６を形成する（第１無機膜形成工程）。
　続いて、図６（ｂ）に示すように、第１無機層２６が形成された基板の表面全体に、例えば、真空蒸着法により、アクリレート等の有機材料からなる有機膜２７を厚さ２００ｎｍ程度に成膜する（有機膜成膜工程）。
　その後、図６（ｃ）に示すように、有機膜２７をプラズマＡによりアッシングすることにより、有機バッファ層２７ａ（図４参照）及び２７ｂを形成する（アッシング工程）。ここで、有機膜２７は、プラズマＡでアッシングすることにより、その大部分が除去されるが、内周壁Ｗａの両側面及び異物Ｘの表面には、残存して、有機バッファ層２７ａ及び２７ｂが形成される。
　さらに、図６（ｄ）に示すように、有機バッファ層２７ａ及び２７ｂが形成された基板表面に、マスクＭを用いて、例えば、窒化シリコン膜等の無機絶縁膜をプラズマＣＶＤ法により厚さ５００ｎｍ程度に成膜することにより、第１無機膜２６と重なるように第２無機膜２８を形成して、封止膜２９を形成する（第２無機膜形成工程）。
　＜フレキ化工程＞
　上記封止膜形成工程で封止膜２９が形成された基板に対し、ガラス基板側からレーザー光を走査しながら照射することにより、樹脂基板層１０からガラス基板を剥離させる。
　＜貫通孔形成工程＞
　上記フレキ化工程でガラス基板を剥離させた基板における内周壁Ｗａの内側に、例えば、レーザー光を環状に走査しながら照射することにより、貫通孔Ｈを形成する。
　以上のようにして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａを製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａ及びその製造方法によれば、内周壁形成工程において、表示領域Ｄ内の島状の非表示領域Ｎに、樹脂基板層１０の厚さ方向に突出すると共に、表示領域Ｄとの境界に沿うように枠状の内周壁Ｗａが形成される。さらに、封止膜形成工程において、内周壁Ｗａの両側面に第1無機膜２６を介して有機バッファ層２７ｂが形成された後に、第２無機膜２８が形成される。ここで、封止膜形成工程では、第１無機膜２６を覆うように蒸着法により形成した有機膜２７をアッシングすることにより、非表示領域Ｎにおいて、内周壁Ｗａの両側面に第１無機膜２６を介して有機バッファ層２７ａが形成されると共に、主に表示領域Ｄにおいて、第１無機膜２６上に付着した異物Ｘの表面に有機バッファ層２７ｂが形成される。そのため、表示領域Ｄで第1無機膜２６、有機バッファ層２７ｂ及び第２無機膜２８を積層して形成された封止膜２９による封止構造は、非表示領域Ｎにおいて、内周壁Ｗａにより途切れることになる。そして、非表示領域Ｎにおいて、内周壁Ｗａにより途切れた封止構造では、内周壁Ｗａの両側面に設けられた有機バッファ層２７ａにより、第1無機膜２６に対する第２無機膜２８の被覆性が確保される。これにより、有機ＥＬ表示装置５０ａにおいて、表示領域Ｄ内に島状の非表示領域Ｎを設けても、封止膜２９の封止性能を確保することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａ及びその製造方法によれば、内周壁Ｗａの横断面における底面と側面とのなす角度θが７０°～１５０°であるので、内周壁Ｗａの横断面形状に起因して、第２電極２４等の蒸着膜及び第１無機膜２６が段切れする。これにより、有機バッファ層２７ａの上部が内周壁Ｗａに接触していても、封止膜形成工程の第２無機膜形成工程において、第１無機膜２６及び有機バッファ層２７ａを覆うように第２無機膜２８を形成するので、封止膜２９の封止性能を確保することができる。さらに、第２電極２４等の蒸着膜が内周壁Ｗａにより段切れしているので、浮島構造を有するマスクを用いることなく、穴あき形状に蒸着膜をパターニングすることができると共に、蒸着膜を介する有機ＥＬ素子２５への水分の侵入を抑制することができる。
　《第２の実施形態》
　図７～図９は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第２の実施形態を示している。ここで図７は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂの概略構成を示す平面図である。また、図８は、図７中の領域Ｙを拡大した平面図である。また、図９は、図７中のIX－IX線に沿った有機ＥＬ表示装置５０ｂの断面図である。なお、以下の各実施形態において、図１～図６と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　上記第１の実施形態では、非表示領域Ｎに内周壁Ｗａが設けられた有機ＥＬ表示装置５０ａを例示したが、本実施形態では、非表示領域Ｎに内周壁Ｗａが設けられ、額縁領域Ｆに外周壁Ｗｂが設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｂを例示する。
　有機ＥＬ表示装置５０ｂは、図７に示すように、矩形状に規定された表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に枠状に規定された額縁領域Ｆ（図中ハッチング部）とを備えている。
　額縁領域Ｆには、図７及び図９に示すように、樹脂基板層１０の厚さ方向に突出すると共に、表示領域Ｄとの境界に沿うように、矩形枠状の外周壁Ｗｂが設けられている。ここで、外周壁Ｗｂは、例えば、平坦化膜１９と同一材料により同一層に形成された下部層と、エッジカバー２２と同一材料により同一層に形成された上部層とを積層して構成されている。また、外周壁Ｗｂは、その横断面における底面と側面とのなす角度θが７０°～１５０°程度であり、図９に示すように、その横断面における両側面が逆テーパー状に形成されている。また、額縁領域Ｆにおいて、図８及び図９に示すように、平坦化膜１９には、第２電極２４とソース導電層（配線）１８ｈとを導通させるスリットＣが設けられている。
　上記第１の実施形態で説明した真空蒸着法により形成される第２電極２４等の蒸着膜、及び第１無機膜２６は、額縁領域Ｆにおいて、外周壁Ｗｂの横断面形状に起因して段切れして形成されている。ここで、蒸着膜は、サブ画素単位でパターニング可能なＦＭＭ（Fine Metal Mask）又はパネル単位でパターニング可能なＣＭＭ(Common Metal Mask)のマスクを用いて形成される。なお、ＦＭＭのマスクで形成される島状蒸着膜は、例えば、発光層３等であり、ＣＭＭのマスクで形成される共通蒸着膜は、例えば、正孔注入層１、正孔輸送層２、電子輸送層４、電子注入層５、電子ブロック層、正孔ブロック層及び第２電極２４等である。そして、ＣＭＭのマスクを用いて形成される共通蒸着膜は、第２電極２４とソース導電層１８ｈとの間に介在すると電気抵抗が高くなってしまうので、第２電極２４を形成するためのＣＭＭのマスクの開口は、第２電極２４以外の共通蒸着膜を形成するためのＣＭＭのマスクの開口よりも大きくする必要がある。そのため、図８において、ＣＭＭのマスクを用いて形成される第２電極２４以外の共通蒸着膜の端縁がＥａとなり、第２電極２４の端縁、及びＦＭＭのマスクを用いて形成される蒸着膜の端縁がＥｂとなる。このとき、封止膜２９の外側に形成される第２電極２４は、外周壁Ｗｂによって、表示領域Ｄに形成される第２電極２４と電気的に絶縁されている。なお、図８において、第２電極２４以外のＣＭＭ及びＦＭＭのマスクを用いて形成される蒸着膜の端縁がＥａとなり、第２電極２４の端縁がＥｂとなってもよい。また、封止膜の端部がＥｂとなり、第２電極の端部が２９となってもよい。
　有機ＥＬ表示装置５０ｂは、図９に示すように、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上にＴＦＴ層２０を介して発光素子として設けられた有機ＥＬ素子２５と、有機ＥＬ素子２５を覆うように設けられた封止膜２９とを備えている。
　封止膜２９は、図９に示すように、第２電極２４を覆うように設けられた第１無機膜２６と、第１無機膜２６上に設けられた有機バッファ層２７ａ、２７ｂ及び２７ｃと、第１無機膜２６上に有機バッファ層２７ａ、２７ｂ及び２７ｃを覆うように設けられた第２無機膜２８とを備え、有機ＥＬ層２３を水分や酸素から保護する機能を有している。ここで、有機バッファ層２７ｃは、例えば、アクリレート、ポリ尿素、パリレン、ポリイミド、ポリアミド等の有機材料により構成されている。また、有機バッファ層２７ｃは、図９に示すように、額縁領域Ｆの外周壁Ｗｂの表面の両側面において、第1無機膜２６及び第２無機膜２８に挟まれるように設けられている。なお、第1無機膜２６は、外周壁Ｗｂの横断面形状に起因して段切れして形成されているので、図９に示すように、有機バッファ層２７ｃの上部が外周壁Ｗｂの両側面に接触している。また、第２電極２４は、図９に示すように、表示領域Ｄだけでなく額縁領域Ｆにも設けられ、額縁領域Ｆにおいて、外周壁Ｗｂの横断面形状に起因して段切れして形成されるので、外周壁Ｗｂの上面と第1無機膜２６との間にも設けられ、封止膜２９の外側にも設けられている。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを介して有機ＥＬ層２３の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法において、内周壁Ｗａと同時に外周壁Ｗｂを形成することにより、製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂ及びその製造方法によれば、内周壁形成工程において、表示領域Ｄ内の島状の非表示領域Ｎに、樹脂基板層１０の厚さ方向に突出すると共に、表示領域Ｄとの境界に沿うように枠状の内周壁Ｗａが形成される。さらに、封止膜形成工程において、内周壁Ｗａの両側面に第1無機膜２６を介して有機バッファ層２７ｂが形成された後に、第２無機膜２８が形成される。ここで、封止膜形成工程では、第１無機膜２６を覆うように蒸着法により形成した有機膜２７をアッシングすることにより、非表示領域Ｎにおいて、内周壁Ｗａの両側面に第１無機膜２６を介して有機バッファ層２７ａが形成されると共に、主に表示領域Ｄにおいて、第１無機膜２６上に付着した異物Ｘの表面に有機バッファ層２７ｂが形成される。そのため、表示領域Ｄで第1無機膜２６、有機バッファ層２７ｂ及び第２無機膜２８を積層して形成された封止膜２９による封止構造は、非表示領域Ｎにおいて、内周壁Ｗａにより途切れることになる。そして、非表示領域Ｎにおいて、内周壁Ｗａにより途切れた封止構造では、内周壁Ｗａの両側面に設けられた有機バッファ層２７ａにより、第1無機膜２６に対する第２無機膜２８の被覆性が確保される。これにより、有機ＥＬ表示装置５０ｂにおいて、表示領域Ｄ内に島状の非表示領域Ｎを設けても、封止膜２９の封止性能を確保することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂ及びその製造方法によれば、内周壁Ｗａ及び外周壁Ｗｂの横断面における底面と側面とのなす角度は、７０°以上であるので、内周壁Ｗａ及び外周壁Ｗｂの横断面形状に起因して、第２電極２４等の蒸着膜及び第１無機膜２６が段切れする。これにより、有機バッファ層２７ａ及び２７ｃの上部が内周壁Ｗａに及び外周壁Ｗｂにそれぞれ接触していても、封止膜形成工程の第２無機膜形成工程において、第１無機膜２６並びに有機バッファ層２７ａ及び２７ｃを覆うように第２無機膜２８を形成するので、封止膜２９の封止性能を確保することができる。さらに、第２電極２４等の蒸着膜が内周壁Ｗａ及び外周壁Ｗｂにより段切れしているので、浮島構造を有するマスクを用いることなく、穴あき形状に蒸着膜をパターニングすることができると共に、蒸着膜を介する有機ＥＬ素子２５への水分の侵入を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂ及びその製造方法によれば、第２電極２４等の蒸着膜が外周壁Ｗｂにより段切れしているので、額縁領域Ｆを狭くする狭額縁化を図ることができる。
　《第３の実施形態》
　図１０は、本発明に係る表示装置及びその製造方法の第３の実施形態を示している。ここで、図１０は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃの概略構成を示す平面図である。
　上記第２の実施形態では、額縁領域Ｆに枠状の外周壁Ｗｂが設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｂを例示したが、本実施形態では、額縁領域Ｆに円弧状の外周壁Ｗｃが設けられた有機ＥＬ表示装置５０ｃを例示する。
　有機ＥＬ表示装置５０ｃは、図１０に示すように、略Ｔ字状に形成され、角部がＲ形状の略矩形状に規定された表示領域Ｄと、表示領域Ｄの周囲に規定された額縁領域Ｆ（図中ハッチング部）とを備えている。
　額縁領域Ｆには、図１０に示すように、樹脂基板層１０の厚さ方向に突出すると共に、表示領域Ｄとの境界に沿うように、円弧状の外周壁Ｗｃが表示領域Ｄの各角部に対応して設けられている。ここで、外周壁Ｗｃは、例えば、平坦化膜１９と同一材料により同一層に形成された下部層と、エッジカバー２２と同一材料により同一層に形成された上部層とを積層して構成されている。また、外周壁Ｗｃは、その横断面における底面と側面とのなす角度が７０°～１５０°程度であり、その横断面における両側面が逆テーパー状に形成されている。なお、本実施形態では、表示領域Ｄの各角部に外周壁Ｗｃが設けられた構成を例示したが、外周壁Ｗｃは、表示領域Ｄの４つの角部の何れか１つに設けられていてもよい。
　有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂと同様に、樹脂基板層１０と、樹脂基板層１０上にＴＦＴ層２０を介して発光素子として設けられた有機ＥＬ素子２５と、有機ＥＬ素子２５を覆うように設けられた封止膜２９とを備えている。ここで、有機ＥＬ素子２５を構成する共通蒸着膜である第２電極２４は、図１０に示すように、外周壁が配置された角部Ｗｃにおいて、段切りした状態で外周壁Ｗｃを超えて封止膜２９の外側まで設けられている。そのため、封止膜２９の外側に形成される第２電極２４は、外周壁Ｗｃによって、表示領域Ｄに形成される第２電極２４と電気的に絶縁されている。なお、本実施形態では、ＣＭＭのマスクで形成された第２電極２４が外周壁Ｗｃを超えて設けられた構成を例示したが、ＦＭＭのマスクで形成された島状蒸着膜が外周壁Ｗｃを超えて設けられた構成であってもよい。また、表示領域Ｄの全周に渡って外周壁Ｗｂが設けられた上記第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｂとは異なり、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃでは、図１０に示すように、外周壁Ｗｃが配置された角部以外の領域において、第２電極２４の端部が封止膜２９の周端の内側（表示領域Ｄ側）に位置付けられている。
　上述した有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａと同様に、可撓性を有し、各サブ画素Ｐにおいて、第１ＴＦＴ９ａ及び第２ＴＦＴ９ｂを介して有機ＥＬ層２３の発光層３を適宜発光させることにより、画像表示を行うように構成されている。
　本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃは、上記第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ａの製造方法において、内周壁Ｗａと同時に外周壁Ｗｃを形成することにより、製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃ及びその製造方法によれば、内周壁形成工程において、表示領域Ｄ内の島状の非表示領域Ｎに、樹脂基板層１０の厚さ方向に突出すると共に、表示領域Ｄとの境界に沿うように枠状の内周壁Ｗａが形成される。さらに、封止膜形成工程において、内周壁Ｗａの両側面に第1無機膜２６を介して有機バッファ層２７ｂが形成された後に、第２無機膜２８が形成される。ここで、封止膜形成工程では、第１無機膜２６を覆うように蒸着法により形成した有機膜２７をアッシングすることにより、非表示領域Ｎにおいて、内周壁Ｗａの両側面に第１無機膜２６を介して有機バッファ層２７ａが形成されると共に、主に表示領域Ｄにおいて、第１無機膜２６上に付着した異物Ｘの表面に有機バッファ層２７ｂが形成される。そのため、表示領域Ｄで第1無機膜２６、有機バッファ層２７ｂ及び第２無機膜２８を積層して形成された封止膜２９による封止構造は、非表示領域Ｎにおいて、内周壁Ｗａにより途切れることになる。そして、非表示領域Ｎにおいて、内周壁Ｗａにより途切れた封止構造では、内周壁Ｗａの両側面に設けられた有機バッファ層２７ａにより、第1無機膜２６に対する第２無機膜２８の被覆性が確保される。これにより、有機ＥＬ表示装置５０ｃにおいて、表示領域Ｄ内に島状の非表示領域Ｎを設けても、封止膜２９の封止性能を確保することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃ及びその製造方法によれば、内周壁Ｗａ及び外周壁Ｗｃの横断面における底面と側面とのなす角度は、７０°以上であるので、内周壁Ｗａ及び外周壁Ｗｃの横断面形状に起因して、第２電極２４等の蒸着膜及び第１無機膜２６が段切れする。これにより、有機バッファ層２７ａ及び２７ｃの上部が内周壁Ｗａに及び外周壁Ｗｃにそれぞれ接触していても、封止膜形成工程の第２無機膜形成工程において、第１無機膜２６並びに有機バッファ層２７ａ及び２７ｃを覆うように第２無機膜２８を形成するので、封止膜２９の封止性能を確保することができる。さらに、第２電極２４等の蒸着膜が内周壁Ｗａ及び外周壁Ｗｃにより段切れしているので、浮島構造を有するマスクを用いることなく、穴あき形状に蒸着膜をパターニングすることができると共に、蒸着膜を介する有機ＥＬ素子２５への水分の侵入を抑制することができる。
　また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置５０ｃ及びその製造方法によれば、第２電極２４等の蒸着膜が外周壁Ｗｃにより段切れしているので、額縁領域Ｆを狭くする狭額縁化を図ることができる。
　《その他の実施形態》
　上記各実施形態では、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層及び電子注入層の５層積層構造の有機ＥＬ層を例示したが、有機ＥＬ層は、例えば、正孔注入層兼正孔輸送層、発光層、及び電子輸送層兼電子注入層の３層積層構造であってもよい。
　また、上記各実施形態では、第１電極を陽極とし、第２電極を陰極とした有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、有機ＥＬ層の積層構造を反転させ、第１電極を陰極とし、第２電極を陽極とした有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極とした素子基板を備えた有機ＥＬ表示装置を例示したが、本発明は、第１電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶ素子基板を備えた有機ＥＬ表示装置にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、表示装置として有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明したが、本発明は、電流によって駆動される複数の発光素子を備えた表示装置に適用することができる。例えば、量子ドット含有層を用いた発光素子であるＱＬＥＤ（Quantum-dot light emitting diode）を備えた表示装置に適用することができる。
　以上説明したように、本発明は、フレキシブルな表示装置について有用である。
Ｃ　　　　スリット
Ｄ　　　　表示領域
Ｆ　　　　額縁領域
Ｎ　　　　非表示領域
Ｗａ　　　内周壁
Ｗｂ　　　外周壁
Ｗｃ　　　外周壁
１０　　　樹脂基板層（ベース基板）
１８ｈ　　ソース導電層（配線）
１９　　　平坦化膜
２０　　　ＴＦＴ層
２４　　　第２電極（共通蒸着膜、共通電極）
２５　　　有機ＥＬ素子（発光素子）
２６　　　第１無機膜
２７　　　有機膜
２７ａ，２７ｃ　　有機バッファ層
２８　　　第２無機膜
２９　　　封止膜
５０ａ～５０ｃ　　有機ＥＬ表示装置

Claims (20)

  1. 　ベース基板と、
    　上記ベース基板上にＴＦＴ層を介して設けられた表示領域を構成する発光素子と、
    　上記発光素子を覆うように設けられ、第1無機膜及び第２無機膜が順に積層された封止膜と、
    　上記表示領域内に島状に設けられた非表示領域とを備えた表示装置であって、
    　上記非表示領域には、上記ベース基板の厚さ方向に突出すると共に、上記表示領域との境界に沿うように枠状の内周壁が設けられ、
    　上記内周壁の表面には、上記第1無機膜及び第２無機膜に挟まれるように有機バッファ層が設けられていることを特徴とする表示装置。
  2. 　請求項１に記載された表示装置において、
    　上記内周壁の表面は、上記表示領域側に設けられた第１側面、及び該表示領域と反対側に設けられた第２側面を有し、
    　上記有機バッファ層は、上記第１側面及び第２側面に設けられていることを特徴とする表示装置。
  3. 　請求項２に記載された表示装置において、
    　上記内周壁の横断面における底面と上記第１側面及び第２側面とのなす角度は、７０°～１５０°であることを特徴とする表示装置。
  4. 　請求項３に記載された表示装置において、
    　上記内周壁と上記第1無機膜の間には、蒸着膜が設けられていることを特徴とする表示装置。
  5. 　請求項３又は４に記載された表示装置において、
    　上記有機バッファ層の一部は、上記内周壁に接触していることを特徴とする表示装置。
  6. 　請求項１～５の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記表示領域の周囲には、額縁領域が設けられ、
    　上記額縁領域には、上記ベース基板の厚さ方向に突出すると共に、上記表示領域との境界に沿うように枠状の外周壁が設けられ、
    　上記外周壁の両側面には、上記第1無機膜及び第２無機膜の間に挟まれるように有機バッファ層が設けられていることを特徴とする表示装置。
  7. 　請求項６に記載された表示装置において、
    　上記表示領域全体に共通蒸着膜が設けられ、
    　上記共通蒸着膜は、共通電極を含み、
    　上記ＴＦＴ層は、配線、及び該配線上に設けられた平坦化膜を有し、
    　上記共通電極は、上記平坦化膜に形成されたスリットを介して上記配線に電気的に接続され、
    　上記額縁領域では、上記表示領域側から、上記共通電極以外の共通蒸着膜の端部、上記スリット、上記外周壁、及び上記封止膜の端部が順に配置されていることを特徴とする表示装置。
  8. 　請求項７に記載された表示装置において、
    　上記額縁領域では、上記封止膜の外側に上記共通電極の端部が配置され、
    　上記封止膜の外側に配置された共通電極は、上記外周壁によって、上記表示領域に配置された共通電極と電気的に絶縁されていることを特徴とする表示装置。
  9. 　請求項１～５の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記表示領域は、少なくとも１つの角部がＲ形状に形成された矩形状に設けられ、
    　上記表示領域の周囲には、額縁領域が設けられ、
    　上記額縁領域には、上記ベース基板の厚さ方向に突出すると共に、上記表示領域との境界に沿うように円弧状の外周壁が上記Ｒ形状に形成された角部に対応して平面視で上記表示領域と上記封止膜の周端との間に設けられていることを特徴とする表示装置。
  10. 　請求項９に記載された表示装置において、 
    　上記表示領域全体に共通蒸着膜が設けられ、
    　上記共通蒸着膜は、共通電極を含み、上記外周壁が配置された角部において、該外周壁を越えて上記封止膜の外側まで設けられていることを特徴とする表示装置。
  11. 　請求項１０に記載された表示装置において、
    　上記ＴＦＴ層は、配線、及び該配線上に設けられた平坦化膜を有し、
    　上記共通電極は、上記表示領域の少なくとも１辺に沿って上記平坦化膜に形成されたスリットを介して上記配線に電気的に接続され、
    　上記スリットは、上記外周壁と重ならないように形成されていることを特徴とする表示装置。
  12. 　請求項１～１１の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記非表示領域において、上記内周壁の内側には、上記ベース基板の厚さ方向に貫通する貫通孔が設けられていることを特徴とする表示装置。
  13. 　請求項１～１２の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記ベース基板は、可撓性を有していることを特徴とする表示装置。
  14. 　請求項１～１３の何れか１つに記載された表示装置において、
    　上記発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする表示装置。
  15. 　ベース基板上にＴＦＴ層を形成するＴＦＴ層形成工程と、
    　上記ＴＦＴ層上に表示領域を構成する発光素子を形成する発光素子形成工程と、
    　上記発光素子を覆うように封止膜を形成する封止膜形成工程とを備え、
    　上記表示領域内に非表示領域が島状に設けられた表示装置の製造方法であって、
    　上記封止膜形成工程の前に、上記非表示領域に上記ベース基板の厚さ方向に突出すると共に、上記表示領域との境界に沿うように枠状の内周壁を形成する内周壁形成工程を備え、
    　上記封止膜形成工程は、
    　上記発光素子を覆うように第１無機膜を形成する第１無機膜形成工程と、
    　上記第１無機膜を覆うように蒸着法により有機膜を形成する有機膜形成工程と、
    　上記有機膜をアッシングすることにより、上記内周壁の表面に有機バッファ層を形成するアッシング工程と、
    　上記第１無機膜及び有機バッファ層を覆うように第２無機膜を形成する第２無機膜形成工程とを備えることを特徴とする表示装置の製造方法。
  16. 　請求項１５に記載された表示装置の製造方法において、
    　上記内周壁の表面は、上記表示領域側に設けられた第１側面、及び該表示領域と反対側に設けられた第２側面を有し、
    　上記アッシング工程では、上記第１側面及び第２側面に上記有機バッファ層を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。
  17. 　請求項１５又は１６に記載された表示装置の製造方法において、
    　上記内周壁形成工程では、上記内周壁の横断面における底面と側面とのなす角度を７０°～１５０°にすることを特徴とする表示装置の製造方法。
  18. 　請求項１７に記載された表示装置の製造方法において、
    　上記内周壁形成工程と上記封止膜形成工程との間には、上記内周壁が形成された基板に蒸着膜を形成する蒸着膜形成工程を備えることを特徴とする表示装置の製造方法。
  19. 　請求項１５～１８の何れか１つに記載された表示装置の製造方法において、
    　上記ベース基板は、可撓性を有していることを特徴とする表示装置の製造方法。
  20. 　請求項１５～１９の何れか１つに記載された表示装置の製造方法において、
    　上記発光素子は、有機ＥＬ素子であることを特徴とする表示装置の製造方法。
     
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