WO2018116961A1 - 高周波スイッチ及び通信装置 - Google Patents

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WO2018116961A1
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敬 渡辺
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株式会社村田製作所
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    • H04B1/405—Circuits using the same oscillator for generating both the transmitter frequency and the receiver local oscillator frequency with multiple discrete channels

Definitions

  • the present invention relates to a high-frequency switch and a communication device.
  • a switch circuit including a common terminal connected to an antenna and a plurality of selection terminals connected to a high frequency circuit (a transmission system circuit or a reception system circuit) is provided (for example, Patent Document 1). reference).
  • a transmission system circuit or a reception system circuit for example, Patent Document 1
  • the antenna and the high-frequency circuit are not conductive, it is necessary to increase the isolation between the antenna and the high-frequency circuit.
  • the switch circuit since an empty port that is not connected to the high-frequency circuit among the selection terminals of the switch circuit is connected to the ground, the common terminal is connected to the empty port connected to the ground, so that the isolation is achieved. Can be increased.
  • CA carrier aggregation
  • an object of the present invention is to provide a high-frequency switch and a communication device that are compatible with CA and can increase isolation.
  • a high-frequency switch includes a first common terminal, at least two first selection terminals, the first common terminal, and the at least two first selection terminals. And a first switch circuit having a first shunt switch that switches between conduction and non-conduction between the first common terminal and the ground, and is connected to the first common terminal.
  • a second switch circuit comprising: a second common terminal; at least two second selection terminals; and a second switch for selectively connecting the second common terminal and each of the at least two second selection terminals; .
  • the first common terminal and the ground are made non-conductive by the first shunt switch, the first common terminal and at least one of the two first selection terminals are connected by the first switch, and the second switch is used by the second switch.
  • CA can be performed by connecting the common terminal and one of the at least two second selection terminals. That is, the high frequency switch of the present invention is compatible with CA.
  • the first common terminal and the ground are made conductive by the first shunt switch, and the first common terminal is grounded. That is, since the signal flowing into the first common terminal flows to the ground, the isolation between the first common terminal and the first selection terminal can be enhanced.
  • the high frequency switch of the present invention is composed of at least two circuits of a first switch circuit and a second switch circuit in order to cope with CA. That is, the matching circuit is connected for each frequency band in which communication is performed simultaneously (in other words, for each of the first switch circuit and the second switch circuit, more specifically, for each of the first common terminal and the second common terminal). can do. Therefore, since the circuit corresponding to CA is divided into two parts and realized, the number of places where the matching circuit can be connected increases, and it becomes easy to match other components (such as antenna elements) with the high frequency switch. The insertion loss can be reduced by improving the return loss.
  • a high-frequency switch corresponding to CA a circuit capable of simultaneously conducting one common terminal and a plurality of paths (referred to as a simultaneous ON circuit) can be considered.
  • the high-frequency switch of the present invention can reduce insertion loss because the number of selection terminals that are connected to by one common terminal switch is smaller than that of the simultaneous ON circuit.
  • the high-frequency switch of the present invention it is possible to cope with CA, increase isolation, and further reduce insertion loss.
  • the second switch circuit may further include a second shunt switch that switches between conduction and non-conduction between the second common terminal and the ground.
  • the second common terminal and the ground are made conductive by the second shunt switch, the second common terminal is grounded. That is, since the signal flowing into the second common terminal flows to the ground, the isolation between the second common terminal and the second selection terminal can be increased.
  • the first switch circuit is formed of a first chip, the first shunt switch is built in the first chip, and the second switch circuit is formed of a second chip, and the second shunt switch May be built in the second chip.
  • the first shunt switch and the second shunt switch are provided because the first shunt switch for enhancing the isolation is incorporated in the first chip and the second shunt switch for enhancing the isolation is incorporated in the second chip.
  • the isolation can be enhanced while suppressing an increase in the size of the module on which the high frequency switch, the first shunt switch, and the second shunt switch are mounted.
  • first switch circuit and the second switch circuit may be formed in one chip, and the first shunt switch and the second shunt switch may be built in the one chip.
  • the high frequency switch can be manufactured at low cost.
  • the first shunt switch and the second shunt switch for enhancing the isolation are built in the chip, the high frequency switch, the first shunt switch, and the second shunt switch are added while maintaining the isolation. An increase in the size of the module on which the first shunt switch and the second shunt switch are mounted can be suppressed.
  • the one chip is provided with the first common terminal, the second common terminal, and a ground terminal connected to a ground, the ground terminals being the first common terminal and the second common terminal. Between the two.
  • the ground terminal is arranged between the first common terminal and the second common terminal, the first common terminal and the second common terminal are arranged at a distance of at least the ground terminal. In addition, a signal leaking between the first common terminal and the second common terminal can be blocked by the ground terminal. Thus, the isolation between the first common terminal and the second common terminal can be increased.
  • the first switch circuit is used for communication in a first frequency band
  • the second switch circuit is used for communication in a second frequency band different from the first frequency band, and the first frequency band is used.
  • the first shunt switch is turned off and the first common terminal and the ground become non-conductive
  • the second shunt switch is turned on and the second common terminal.
  • the first shunt switch is turned on and the first common terminal and the ground are in a conductive state.
  • the second shunt switch may be turned off, and the second common terminal and the ground may be brought out of conduction.
  • the first common terminal and the ground are made conductive by the first shunt switch, The isolation between the one common terminal and the first selection terminal can be enhanced. Further, the second common terminal and the ground are made non-conductive by the second shunt switch, and the second common terminal and the second selection terminal are made conductive, so that communication in the second frequency band can be performed.
  • the second common terminal and the ground are made conductive by the second shunt switch, Isolation between the common terminal and the second selection terminal can be enhanced. Further, the first common terminal and the ground are made non-conductive by the first shunt switch, and the first common terminal and the first selection terminal are made conductive so that communication in the first frequency band can be performed.
  • the first frequency band may be a band included in an 800 MHz band to a 900 MHz band
  • the second frequency band may be a band included in a 600 MHz band to a 700 MHz band.
  • the first frequency band may be Band 8 of LTE (Long Term Evolution), and the second frequency band may be Band 20 of LTE.
  • the first frequency band may be LTE Band8, and the second frequency band may be LTE Band28.
  • the first frequency band may be LTE Band 26, and the second frequency band may be LTE Band 12, Band 13, or Band 17.
  • the first frequency band may be LTE Band 26, and the second frequency band may be LTE Band 29.
  • the first switch circuit further includes a first matching circuit provided in a path connecting the first common terminal and the ground via the first shunt switch
  • the second switch circuit further includes:
  • a second matching circuit may be provided in a path connecting the second common terminal and the ground via the second shunt switch.
  • a matching circuit for matching the high-frequency switch with other components is provided in the high-frequency switch.
  • the matching circuit is separated from the high-frequency switch.
  • the module can be reduced in size compared with the case where it is provided.
  • the first shunt switch and the second shunt switch are turned off, and the first shunt switch and the second shunt switch can be regarded as capacitive components.
  • the first switch circuit and the second switch circuit can be matched.
  • the shunt switch of the switch circuit corresponding to the frequency band not used for communication is turned on, and the shunt switch of the switch circuit corresponding to the frequency band used for communication is turned off.
  • the first matching circuit is shunt-connected to the second switch circuit. Therefore, the matching of the second switch circuit can be performed by the first matching circuit, the second matching circuit, and the second shunt switch as the capacitance component.
  • the second matching circuit is shunt-connected to the first switch circuit.
  • the matching of the first switch circuit can be performed by the first matching circuit, the second matching circuit, and the first shunt switch as the capacitive component.
  • the matching can be performed using a plurality of matching circuits and capacitance components, impedance adjustment is facilitated.
  • first matching circuit and the first shunt switch may constitute a notch filter.
  • a notch filter can be constituted by the first matching circuit and the first shunt switch as the capacitance component when OFF. Therefore, for example, when the first shunt switch is turned off and the second shunt switch is turned on, an attenuation characteristic outside the first frequency band is improved by a notch filter configured by the first matching circuit and the first shunt switch. can do.
  • the second matching circuit and the second shunt switch may constitute a notch filter.
  • a notch filter can be constituted by the second matching circuit and the second shunt switch as a capacitance component when OFF. Therefore, for example, when the first shunt switch is turned on and the second shunt switch is turned off, the notch filter configured by the second matching circuit and the second shunt switch improves the attenuation characteristic outside the second frequency band. can do.
  • the high frequency switch may further include an amplifier circuit.
  • a communication device includes an RF signal processing circuit that processes a high-frequency signal transmitted and received by an antenna element, and the high-frequency signal that is transmitted between the antenna element and the RF signal processing circuit. And a high-frequency switch.
  • the high-frequency switch and communication device can cope with CA and can increase isolation.
  • FIG. 1 is a configuration diagram of a high-frequency switch and its peripheral circuits according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a configuration diagram of a high-frequency switch and its peripheral circuits according to a comparative example.
  • FIG. 3 is a diagram schematically illustrating a circuit when the first shunt switch is on in the high-frequency switch and its peripheral circuits according to the first embodiment.
  • FIG. 4 is a diagram schematically illustrating a state of signal propagation in the high frequency switch according to Embodiment 1 when the first shunt switch is on.
  • FIG. 5 is a graph showing the isolation between the first common terminal and the first selection terminal when the first shunt switch is on and off.
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing that the first shunt switch and the second shunt switch are built in the first chip and the second chip.
  • FIG. 7A is a diagram schematically showing that the first switch circuit and the second switch circuit are formed by one chip.
  • FIG. 7B is a diagram schematically showing that the first shunt switch and the second shunt switch are built in one chip.
  • FIG. 8 is a configuration diagram of the high-frequency switch and its peripheral circuits according to the third embodiment.
  • FIG. 9 is a configuration diagram of a communication apparatus according to the fourth embodiment.
  • FIG. 1 is a configuration diagram of the high-frequency switch 1 and its peripheral circuits according to the first embodiment.
  • an antenna element ANT In addition to the high-frequency switch 1, an antenna element ANT, matching circuits 41 to 43, and filters 51 to 56 are shown.
  • the antenna element ANT is a multi-band antenna that transmits and receives high-frequency signals and conforms to a communication standard such as LTE (Long Term Evolution).
  • the high-frequency switch 1 is a high-frequency switch that supports carrier aggregation (CA) that uses at least two different frequency bands at the same time, and is disposed at the front end of a communication device such as a mobile phone, for example.
  • CA carrier aggregation
  • the high frequency switch 1 is connected to the antenna element ANT.
  • the high frequency switch 1 is a switch that divides a high frequency signal transmitted and received by the antenna element ANT into paths for the filters 51 to 56.
  • the high frequency switch 1 includes a first switch circuit 10 and a second switch circuit 20.
  • the first switch circuit 10 is used for communication in a first frequency band of at least two frequency bands (first frequency band and second frequency band in the present embodiment) used simultaneously in CA.
  • the second switch circuit 20 is used for communication in a second frequency band different from the first frequency band.
  • a path 30 connected to the antenna element ANT branches into a path 31 and a path 32, the path 31 is connected to the first switch circuit 10, and the path 32 is connected to the second switch circuit 20.
  • the first frequency band and the second frequency band can be simultaneously used by the first switch circuit 10 and the second switch circuit 20, respectively.
  • the first frequency band is, for example, a band included in the 800 MHz band to the 900 MHz band as a low band (LB), and the first frequency band includes, for example, LTE Band8 and Band26.
  • the second frequency band is a band included in the 600 MHz band to the 700 MHz band as a very low band (VLB), for example, and includes, for example, LTE Band20, Band12 / 13/17, Band28 and Band29 is included.
  • VLB very low band
  • the first switch circuit 10 includes a first common terminal 11 connected to the antenna element ANT, at least two first selection terminals (here, two first selection terminals 12a and 12b), a first common terminal 11, A first switch 13 that selectively connects each of the two first selection terminals 12a and 12b, and a first shunt switch 14 that switches between conduction and non-conduction between the first common terminal 11 and ground.
  • the first switch 13 selectively connects the first common terminal 11 to one of the two first selection terminals 12a and 12b based on, for example, a control signal from the outside (for example, an RF signal processing circuit described later).
  • the first switch 13 may not connect the first common terminal 11 to any of the two first selection terminals 12a and 12b. That is, the first common terminal 11 may not be connected to any of the first selection terminals 12a and 12b.
  • the first shunt switch 14 switches between conduction and non-conduction between the first common terminal 11 and the ground, for example, based on an external control signal.
  • the first common terminal 11 is connected to the antenna element ANT via the path 31. Specifically, the first common terminal 11 is connected to the antenna element ANT via a matching circuit 41 provided in the path 31 and a matching circuit 43 provided in the path 30. For example, when the first shunt switch 14 is turned off and the first common terminal 11 and the ground are non-conductive, the first common terminal 11 is connected to one of the first selection terminals 12a and 12b. For example, when the first shunt switch 14 is turned on and the first common terminal 11 and the ground are in a conductive state, the first common terminal 11 is not connected to any of the first selection terminals 12a and 12b.
  • the first selection terminals 12a and 12b correspond to different frequency bands included in the first frequency band (LB), the first selection terminal 12a corresponds to, for example, Band8 (880-960 MHz), The first selection terminal 12b corresponds to, for example, Band26 (814-894 MHz).
  • the first selection terminal 12a is connected to a filter 51 having Band 8 as a pass band.
  • the first selection terminal 12b is connected to a filter 52 having a band 26 as a pass band.
  • These frequency bands are in a range including transmission and reception. Further, the frequency band to which each of the first selection terminals 12a and 12b corresponds is not limited to this.
  • the first switch circuit 10 is constituted by a high frequency switch IC (Integrated Circuit) of SPDT (Single Pole Double Throw), for example, a chip.
  • the chip means a semiconductor chip or a package.
  • the various terminals (the first common terminal 11 and the first selection terminals 12a and 12b) of the first switch circuit 10 are, for example, bumps or surface electrodes (pads) provided on the chip.
  • the first switch 13 and the first shunt switch 14 are incorporated in the chip, for example.
  • the second switch circuit 20 includes a second common terminal 21 connected to the antenna element ANT, at least two second selection terminals (here, four second selection terminals 22a to 22d), a second common terminal 21, A second switch 23 that selectively connects each of the four second selection terminals 22a to 22d, and a second shunt switch 24 that switches between conduction and non-conduction between the second common terminal 21 and the ground.
  • the second switch 23 selectively connects the second common terminal 21 to any one of the four second selection terminals 22a to 22d based on, for example, an external control signal. Note that the second switch 23 may not connect the second common terminal 21 to any of the four second selection terminals 22a to 22d. That is, the second common terminal 21 may not be connected to any of the second selection terminals 22a to 22d.
  • the second shunt switch 24 switches between conduction and non-conduction between the second common terminal 21 and the ground, for example, based on a control signal from the outside.
  • the second common terminal 21 is connected to the antenna element ANT via the path 32. Specifically, the second common terminal 21 is connected to the antenna element ANT via a matching circuit 42 provided in the path 32 and a matching circuit 43 provided in the path 30. Since the route 32 and the route 31 are branched from the route 30, the route 31 and the route 32 are connected. Therefore, the second common terminal 21 is connected to the first common terminal 11. For example, when the second shunt switch 24 is turned off and the second common terminal 21 and the ground are non-conductive, the second common terminal 21 is connected to one of the second selection terminals 22a to 22d. For example, when the second shunt switch 24 is turned on and the second common terminal 21 and the ground are in a conductive state, the second common terminal 21 is not connected to any of the second selection terminals 22a to 22d.
  • the second selection terminals 22a to 22d correspond to different frequency bands included in the second frequency band (VLB), the second selection terminal 22a corresponds to, for example, Band20 (791-862 MHz), The second selection terminal 22b corresponds to, for example, Band12 (699-746 MHz) / Band13 (746-787 MHz) / Band17 (704-746 MHz), the second selection terminal 22c corresponds to, for example, Band28 (703-803 MHz), and the second The selection terminal 22d corresponds to, for example, Band29 (717-727 MHz). Specifically, the second selection terminal 22a is connected to a filter 53 having a band 20 as a pass band.
  • the second selection terminal 22b is connected to a filter 54 having a band 12/13/17 as a pass band.
  • the second selection terminal 22c is connected to a filter 55 having a band 28 as a pass band.
  • the second selection terminal 22d is connected to a filter 56 having a Band 29 as a pass band. Note that these frequency bands (excluding Band 29) are in a range including transmission and reception. Further, the frequency band to which each of the second selection terminals 22a to 22d corresponds is not limited to this.
  • the various terminals (second common terminal 21 and second selection terminals 22a to 22d) of the second switch circuit 20 are, for example, bumps or surface electrodes (pads) provided on a chip constituting the second switch circuit 20. Etc. Further, the second switch 23 and the second shunt switch 24 are incorporated in the chip, for example.
  • the first switch 13, the first shunt switch 14, the second switch 23, and the second shunt switch 24 are, for example, FET (Field Effect Transistor) switches made of GaAs or CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor), or diode switches. is there.
  • FET Field Effect Transistor
  • CMOS Complementary Metal Oxide Semiconductor
  • Matching circuits 41 to 43 are connected between the antenna element ANT and the high frequency switch 1 and are circuits for matching the antenna element ANT and the high frequency switch 1. Specifically, the matching circuits 41 and 43 match the antenna element ANT and the first switch circuit 10 in the first frequency band. As will be described in detail later, when the second shunt switch 24 is on, matching between the antenna element ANT and the first switch circuit 10 is achieved by the matching circuits 41-43. The matching circuits 42 and 43 match the antenna element ANT and the second switch circuit 20 in the second frequency band. As will be described in detail later, when the first shunt switch 14 is on, matching between the antenna element ANT and the second switch circuit 20 is achieved by the matching circuits 41-43.
  • the matching circuits 41 to 43 are, for example, inductors, capacitors, or circuits that combine these.
  • the filters 51 to 56 are, for example, bandpass filters that pass signals in a predetermined frequency band.
  • the filters 51 to 56 are filters composed of a surface acoustic wave (SAW: Surface Acoustic Wave) resonator, a bulk acoustic wave (BAW: Bulk Acoustic Wave) resonator, an FBAR (Film Bulk Acoustic Resonator), or the like.
  • SAW Surface Acoustic Wave
  • BAW Bulk Acoustic Wave
  • FBAR Bulk Acoustic Wave
  • the filters 51 to 56 may be LC resonance circuits configured by inductors, capacitors, and the like.
  • the filters 51 to 56 include a substrate and an IDT (InterDigital Transducer) electrode.
  • the substrate is a substrate having piezoelectricity at least on the surface.
  • the substrate may include, for example, a piezoelectric thin film on the surface, and a laminated body such as a film having a sound speed different from that of the piezoelectric thin film and a supporting substrate.
  • the substrate includes, for example, a laminate including a high sound speed support substrate and a piezoelectric thin film formed on the high sound speed support substrate, a high sound speed support substrate, a low sound speed film formed on the high sound speed support substrate, A laminate including a piezoelectric thin film formed on a sonic film, or a support substrate, a high sonic film formed on the support substrate, a low sonic film formed on the high sonic film, and a low sonic film It may be a laminate including a piezoelectric thin film formed on the substrate.
  • substrate may have piezoelectricity in the whole board
  • the filters 51 to 56 are constituted by surface acoustic wave resonators.
  • the filters 51 to 56 can be constituted by IDT electrodes formed on the piezoelectric substrate, so that a small and low-profile filter having a high steep passage characteristic can be realized.
  • a matching circuit for matching the high frequency switch 1 and the filters 51 to 56 is provided between the high frequency switch 1 and the filters 51 to 56.
  • Such a circuit configuration enables the high frequency switch 1 to support CA.
  • CA is performed when the first shunt switch 14 and the second shunt switch 24 are turned off and the first common terminal 11 and the second common terminal 21 are in a non-conductive state with the ground.
  • any Band communication in the first frequency band and any Band communication in the second frequency band are performed simultaneously.
  • the first frequency band is Band8 and the second frequency band is Band20
  • the first frequency band is Band8, and the second frequency band is Band28.
  • a combination is considered in which the first frequency band is Band26 and the second frequency band is Band12, Band13 or Band17, and the first frequency band is Band26 and the second frequency band is Band29.
  • the first common terminal 11 and the first selection terminal 12a are connected, the second common terminal 21 and the second selection terminal 22a are connected, and the Band8 communication and the Band20 communication are performed simultaneously.
  • the first common terminal 11 and the first selection terminal 12a are connected, the second common terminal 21 and the second selection terminal 22c are connected, and Band8 communication and Band28 communication are performed simultaneously.
  • the high-frequency switch 1 includes at least two circuits of a first switch circuit 10 and a second switch circuit 20 in order to support CA. That is, for each frequency band in which communication is performed simultaneously (in other words, for each of the first switch circuit 10 and the second switch circuit 20, more specifically, for each of the first common terminal 11 and the second common terminal 21), A matching circuit can be connected. Specifically, a first frequency band matching circuit 41 is connected to the first common terminal 11, and a second frequency band matching circuit 42 is connected to the second common terminal 21. Therefore, since the circuit corresponding to CA is divided into two parts, the number of locations where the matching circuit can be connected is increased, the antenna element ANT and the high frequency switch 1 can be easily matched, and the return loss is improved. Therefore, insertion loss can be reduced.
  • the high-frequency switch 100 according to the comparative example which is another example of the high-frequency switch compatible with CA, is compared with the high-frequency switch 1 according to the present embodiment.
  • FIG. 2 is a configuration diagram of the high-frequency switch 100 and its peripheral circuits according to the comparative example.
  • the high frequency switch 100 simultaneously connects the common terminal 101 connected to the antenna element ANT, the eight selection terminals 102a to 102h, and the common terminal 101 and one or more selection terminals of the eight selection terminals 102a to 102h. And a switch. That is, the high-frequency switch 100 is a circuit capable of simultaneously conducting one common terminal 101 and a plurality of paths.
  • FIG. 2 shows a state in which the common terminal 101 and the selection terminals 102a and 102d are simultaneously connected. Thereby, for example, the communication of Band 8 that is the pass band of the filter 51 and the communication of Band 20 that is the pass band of the filter 54 are simultaneously performed.
  • the matching circuit 44 matches the antenna element ANT and the high-frequency switch 100.
  • the matching circuit 44 needs to be matched in a wide frequency band from VLB to LB (from 700 MHz band to 900 MHz band).
  • matching circuits 45 and 46 are provided. Accordingly, the common terminal 101 and one of the selection terminals 102h and 102g are connected according to the frequency band in which communication is performed, so that the combination of the matching circuit 44 and the matching circuit 45 or 46 covers a wide frequency band. Can be consistent.
  • the common terminal 101 and the selection terminal 102 h are connected, and matching between the antenna element ANT and the high frequency switch 100 in Band 8 (pass band of the filter 51) is performed by the matching circuits 44 and 45 and Band 12/13/17. Consistency has been made.
  • the connection destination of the common terminal 101 by the switch is in both frequency bands of the first frequency band (Band 8 and 26) and the second frequency band (Band 20, 12/13/17, 28, 29).
  • the corresponding selection terminal is increasing. Specifically, there are two selection terminals 102a and 102b corresponding to the first frequency band, and four selection terminals 102c to 102f corresponding to the second frequency band.
  • the first switch 13 has two connection destinations of the first common terminal 11, and the second switch 23 There are four connection destinations of the common terminal 21. That is, in the high frequency switch 1, the number of selection terminals for each switch circuit is smaller than that in the high frequency switch 100. Therefore, the insertion loss of the high frequency switch 1 can be reduced.
  • CA is not performed when one of the first common terminal 11 and the second common terminal 21 is in conduction with the ground. .
  • transmission / reception of a signal whose pass band is the first frequency band is performed.
  • the first shunt switch 14 is turned off, the first common terminal 11 and the ground are in a non-conducting state, and the second shunt switch 24 is turned on and the second common terminal 21 and the ground are in a conducting state.
  • the first shunt switch 14 is turned on and the first shunt switch 14 is turned on.
  • the first common terminal 11 and the ground become conductive
  • the second shunt switch 24 is turned off, and the second common terminal 21 and the ground become nonconductive.
  • the first shunt switch 14 is turned on, the first common terminal 11 and the ground are brought into conduction, the second shunt switch 24 is turned off, and the second common terminal 21 is connected.
  • FIG. 3 is a diagram schematically showing a circuit when the first shunt switch 14 is on in the high-frequency switch 1 and its peripheral circuits according to the first embodiment.
  • the configuration of the first switch circuit 10 other than the first shunt switch 14 is omitted.
  • the matching between the second switch circuit 20 used for communication in the second frequency band and the antenna element ANT can be performed by the matching circuit 41 in addition to the matching circuits 42 and 43. This is because the first common terminal 11 to which the matching circuit 41 is connected is connected to the ground, and the matching circuit 41 is shunt-connected to the matching circuits 42 and 43. As described above, when CA is not performed, a matching circuit connected to a common terminal of a switch circuit that is not used for communication can also be used for matching of the switch circuit used for communication. It can be carried out.
  • FIG. 4 is a diagram schematically showing a state of signal propagation in the high-frequency switch 1 according to the first embodiment when the first shunt switch 14 is on.
  • the second shunt switch 24 When communication in the second frequency band is performed, the second shunt switch 24 is turned off, and the second common terminal 21 and any one of the second selection terminals 22a to 22d are connected by the second switch 23.
  • the second common terminal 21 and the second selection terminal 22 a are connected by the second switch 23.
  • the high frequency signal received by the antenna element ANT flows to the filter 53 via the paths 30 and 32, the second common terminal 21 and the second selection terminal 22a, as indicated by the solid arrows in FIG.
  • Band 20 which is the pass band of the filter 53 is performed.
  • the switch circuit when the communication in the pass band of the filter connected to the switch circuit is not performed, the switch circuit
  • the common terminal and the selection terminal included in are not connected by a switch included in the switch circuit.
  • the switch is, for example, an FET switch, signal leakage from the common terminal to the selection terminal may occur even when the common terminal and the selection terminal are not connected. Therefore, the high-frequency signal received by the antenna element flows to the filter or the like connected to the selection terminal via the common terminal and the selection terminal. That is, the isolation between the common terminal and the selection terminal is deteriorated. Since the common terminal is connected to the antenna element and the selection terminal is connected to the high frequency circuit (the filter and the circuit connected thereto), in other words, the isolation between the antenna element and the high frequency circuit is deteriorated.
  • the first switch 10 includes the first shunt switch 14, and the first common terminal 11 and the ground are connected when the first shunt switch 14 is turned on.
  • the signal flowing into the first common terminal 11 flows to the ground, so that the signal is less likely to leak from the first common terminal 11 to the first selection terminals 12a and 12b.
  • the isolation between the one common terminal 11 and the first selection terminals 12a and 12b can be enhanced.
  • FIG. 5 is a graph showing the isolation between the first common terminal 11 and the first selection terminal 12a when the first shunt switch 14 is on and off.
  • the isolation the pass characteristic from the first common terminal 11 to the first selection terminal 12a is shown. That is, the vertical axis represents the intensity ratio of the high frequency signal observed at the first selection terminal 12a with respect to the intensity of the high frequency signal input from the first common terminal 11, and the lower the graph, the higher the isolation.
  • the horizontal axis indicates the frequency, and the frequency band including the pass band of the filter 51 connected to the first selection terminal 12a is shown.
  • the first switch 13 does not connect the first common terminal 11 to any of the two first selection terminals 12a and 12b and the first shunt switch 14 is off, It can be seen that the isolation between the first common terminal 11 and the first selection terminal 12a is enhanced when the switch is on.
  • the common terminal here, the first common terminal 11
  • the selection terminal here, the first switch circuit
  • the high-frequency switch 1, the matching circuits 41 to 43, the filters 51 to 56, and the like are mounted on a single board and modularized.
  • the high-frequency switch 1 (the first switch circuit 10 and the second switch circuit 20) is provided, for example, on one main surface of the substrate, and the ground terminals of the first switch circuit 10 and the second switch circuit 20 are common.
  • the ground layer connected to is provided in a layer close to one main surface of the substrate. This shortens the wiring connecting the ground terminal and the ground layer (that is, reduces the inductor component), makes it difficult for signals to circulate to the ground terminal, and can further increase isolation.
  • the first switch circuit 10 is formed of a chip
  • the first shunt switch 14 is built in the chip
  • the second switch circuit 20 is formed of a chip
  • the second shunt switch 24 is Built in the chip.
  • FIG. 6 is a diagram schematically showing that the first shunt switch 14 and the second shunt switch 24 are built in the first chip 15 and the second chip 25.
  • the first shunt switch 14 is not provided separately from the first chip 15 but is built in the first chip 15, and the second shunt switch 24 is separated from the second chip 25. Therefore, the increase in the size of the module on which the high-frequency switch 1, the first shunt switch 14, and the second shunt switch 24 are mounted can be suppressed.
  • the first common terminal 11 and the ground are made non-conductive by the first shunt switch 14, and the first common terminal 11 is at least two by the first switch 13.
  • One of the first selection terminals 12a and 12b is connected, and the second switch 23 connects the second common terminal 21 and at least two of the second selection terminals 22a to 22d, thereby performing CA.
  • the high frequency switch 1 corresponds to CA.
  • the first common terminal 11 and the ground are brought into conduction by the first shunt switch 14, and the first common terminal 11 is grounded. That is, since the signal flowing into the first common terminal 11 flows to the ground, the isolation between the first common terminal 11 and the first selection terminals 12a and 12b can be enhanced.
  • the second common terminal 21 and the ground are made conductive by the second shunt switch 24, the second common terminal 21 is grounded. That is, since the signal flowing into the second common terminal 21 flows to the ground, the isolation between the second common terminal 21 and the second selection terminals 22a to 22d can be enhanced.
  • the first shunt switch 14 for enhancing isolation is built in the first chip 15 and the second shunt switch 24 for enhancing isolation is built in the second chip 25, the first shunt switch 14 and By adding the second shunt switch 24, it is possible to increase isolation while suppressing an increase in the module size on which the high-frequency switch 1, the first shunt switch 14, and the second shunt switch 24 are mounted.
  • the first common terminal 11 and the ground are made conductive by the first shunt switch 14.
  • the isolation between the first common terminal 11 and the first selection terminals 12a and 12b can be increased.
  • the second common terminal 21 and the ground are made non-conductive by the second shunt switch 24, and the second common terminal 21 and the second selection terminals 22a to 22d are made conductive to perform communication in the second frequency band. Can do.
  • CA when CA is not performed, when only the first frequency band is used out of the first frequency band and the second frequency band, the second common terminal 21 and the ground are made conductive by the second shunt switch 24.
  • the isolation between the second common terminal 21 and the second selection terminals 22a to 22d can be enhanced.
  • the first common terminal 11 and the ground are made non-conductive by the first shunt switch 14, and the first common terminal 11 and the first selection terminals 12a and 12b are made conductive to perform communication in the first frequency band. Can do.
  • the first switch circuit 10 and the second switch circuit 20 are formed by separate first chip 15 and second chip 25, respectively, but may be formed by one chip (semiconductor chip). Good.
  • FIG. 7A is a diagram schematically showing that the first switch circuit 10 and the second switch circuit 20 are formed by a single chip 5.
  • FIG. 7A is a top view of the high-frequency switch 2 according to Embodiment 2.
  • FIG. 7A since the first switch circuit 10 and the second switch circuit 20 are not formed by separate chips, but are formed by one chip 5, the high-frequency switch 2 can be manufactured at low cost. Can be manufactured.
  • first shunt switch 14 and the second shunt switch 24 may be built in the single chip 5.
  • FIG. 7B is a diagram schematically showing that the first shunt switch 14 and the second shunt switch 24 are built in one chip 5. As schematically shown in FIG. 7B, since the first shunt switch 14 and the second shunt switch 24 are not provided separately from the chip 5 and are built in the chip 5, the high frequency switch is maintained while maintaining the isolation. 2. An increase in the size of the module on which the first shunt switch 14 and the second shunt switch 24 are mounted can be suppressed.
  • the chip 5 includes various terminals of the first switch circuit 10 (first common terminal 11, first selection terminals 12a and 12b, and ground terminals connected to the ground), and various types of the second switch circuit 20. Terminals (second common terminal 21, second selection terminals 22a to 22d, and a ground terminal connected to the ground) are provided. These various terminals are, for example, bumps or surface electrodes (pads) provided on the chip 5. 7B, the ground-side terminal of the first shunt switch 14 is the ground terminal 16, the ground-side terminal of the second shunt switch 24 is the ground terminal 26, the first common terminal 11, the second common terminal 21, and the ground. Terminals 16 and 26 are shown as bumps. As illustrated in FIG. 7B, the ground terminals 16 and 26 are disposed between the first common terminal 11 and the second common terminal 21.
  • the first switch circuit 10 and the second switch circuit 20 are formed by one chip 5, there is a possibility that the first common terminal 11 and the second common terminal 21 are close to each other and disposed on the chip 5. In this case, the isolation between the first common terminal 11 and the second common terminal 21 is lowered.
  • the ground terminals 16 and 26 are disposed between the first common terminal 11 and the second common terminal 21, the first common terminal 11 and the second common terminal 21 Are arranged at a distance of at least the ground terminals 16 and 26 minutes.
  • signals leaking between the first common terminal 11 and the second common terminal 21 can be blocked by the ground terminals 16 and 26.
  • the isolation between the first common terminal 11 and the second common terminal 21 can be increased.
  • the matching circuits 41 and 42 are provided separately from the high-frequency switch 1, and the high-frequency switch 1 itself does not include the matching circuits 41 and 42, but may include them.
  • FIG. 8 is a configuration diagram of the high-frequency switch 3 and its peripheral circuits according to the third embodiment.
  • the high frequency switch 3 includes a first switch circuit 10a and a second switch circuit 20a.
  • the first switch circuit 10a includes a matching circuit 41 (first matching circuit) provided in a path connecting the first common terminal 11 and the ground via the first shunt switch 14 in addition to the configuration of the first switch circuit 10.
  • the second switch circuit 20b includes a matching circuit 42 (second circuit) provided in a path connecting the second common terminal 21 and the ground via the second shunt switch 24 in addition to the configuration of the second switch circuit 20. 2 matching circuits).
  • the matching circuit 41 is connected between the first shunt switch 14 and the ground
  • the matching circuit 42 is connected between the second shunt switch 24 and the ground.
  • the matching circuit 41 may be connected between the connection point between the first common terminal 11 and the first switch 13 and the first shunt switch 14, and the matching circuit 42 is connected to the second common terminal 21 and the second shunt switch 14.
  • a connection point between the switch 23 and the second shunt switch 24 may be connected.
  • an inductor is shown as an example of the matching circuits 41 and 42.
  • Other configurations of the high-frequency switch 3 (the first switch circuit 10a and the second switch circuit 20a) are the same as those in the first embodiment, and thus the description thereof is omitted.
  • the module can be reduced in size.
  • the first shunt switch 14 and the second shunt switch 24 are turned off, and the first shunt switch 14 and the second shunt switch 24 can be regarded as capacitive components, so that they match the capacitive components.
  • the LC circuit including the circuits 41 and 42 can effectively match the first switch circuit 10a and the second switch circuit 20a.
  • the shunt switch of the switch circuit corresponding to the frequency band not used for communication is turned on, and the shunt switch of the switch circuit corresponding to the frequency band used for communication is turned off.
  • the matching circuit 41 connected to the first shunt switch 14 is shunt-connected to the second switch circuit 20a. . Therefore, matching of the second switch circuit 20a is performed by the matching circuit 41 connected to the first shunt switch 14, the matching circuit 42 connected to the second shunt switch 24, and the second shunt switch 24 as a capacitance component. be able to.
  • the matching circuit 42 connected to the second shunt switch 24 is shunt-connected to the first switch circuit 10a. become. Therefore, the matching of the first switch circuit 10a can be performed by the matching circuit 41, the matching circuit 42, and the first shunt switch 14 as a capacitive component. As described above, since matching can be performed using a plurality of matching circuits and capacitance components, impedance adjustment is facilitated.
  • a notch filter can be configured by the matching circuit 41 and the first shunt switch 14 as a capacitance component at the time of OFF. Therefore, for example, when the first shunt switch 14 is turned off and the second shunt switch 24 is turned on, the notch filter formed by the matching circuit 41 and the first shunt switch 14 attenuates characteristics outside the first frequency band. Can be improved.
  • a notch filter can be configured by the matching circuit 42 and the second shunt switch 24 as a capacitance component when OFF. Therefore, for example, when the first shunt switch 14 is turned on and the second shunt switch 24 is turned off, the notch filter formed by the matching circuit 42 and the second shunt switch 24 reduces the attenuation characteristic outside the second frequency band. Can be improved.
  • the notch filter is configured by the matching circuit and the shunt switch, it is possible to improve the attenuation characteristic outside the passband used for communication.
  • the high frequency switch of the present invention can be applied to a communication device.
  • FIG. 9 is a configuration diagram of the communication device 80 according to the fourth embodiment.
  • FIG. 9 shows the high-frequency switch 4, the antenna element ANT, the matching circuits 41 to 43, the filters 51 to 56, and the RF signal processing circuit (RFIC) 70.
  • the high frequency switch 4, the matching circuits 41 to 43, the filters 51 to 56, and the RFIC 70 constitute a communication device 80.
  • the antenna element ANT may be built in the communication device 80.
  • the high frequency switch 4 is a circuit that transmits a high frequency signal between the antenna element ANT and the RFIC 70. Specifically, the high frequency switch 4 transmits a high frequency signal received by the antenna element ANT to the RFIC 70 via the reception side signal path.
  • the high-frequency switch 4 further includes amplification circuits 61 to 66 in addition to the first switch circuit 10 and the second switch circuit 20. As a result, it is possible to provide the high-frequency switch 4 including the amplifier circuits 61 to 66 that can cope with CA and can increase isolation.
  • the amplification circuits 61 to 66 are circuits that amplify the high frequency signals filtered by the filters 51 to 56.
  • the amplifier circuits 61 to 66 are, for example, low noise amplifiers that amplify high frequency received signals.
  • the amplifier circuits 61 to 66 are not limited to a low noise amplifier, and may be, for example, a power amplifier that amplifies a high-frequency transmission signal.
  • the RFIC 70 is an RF signal processing circuit that processes high-frequency signals transmitted and received by the antenna element ANT. Specifically, the RFIC 70 processes a high-frequency signal input from the antenna element ANT via the reception-side signal path of the high-frequency switch 4 by down-conversion or the like, and based on the received signal generated by the signal processing Output to a band signal processing circuit (not shown).
  • the high frequency switch 4 corresponds to CA and can increase the isolation, like the high frequency switch 1. Therefore, the communication apparatus 80 corresponding to CA and capable of enhancing the isolation can be provided.
  • the communication device 80 includes the high frequency switch 4, but may include high frequency switches 1 to 3.
  • the second switch circuits 20 and 20a include the second shunt switch 24, but may not include the second shunt switch 24.
  • the second switch circuits 20 and 20a are used to increase the isolation between the first common terminal 11 and the first selection terminals 12a and 12b.
  • the first switch circuits 10 and 10a include the two first selection terminals 12a and 12b, but may include three or more first selection terminals.
  • the second switch circuits 20 and 20a include the four second selection terminals 22a to 22d, but may include two, three, five, or more second selection terminals.
  • the first frequency band and the second frequency band are LB and VLB, but are not limited thereto.
  • the first frequency band and the second frequency band may be LB and middle band (MB), LB and high band (HB), or MB and HB.
  • the high frequency switch is applied to the reception path of the high frequency signal, but may be applied to the transmission path.
  • the first shunt switch 14 is built in the first chip 15 and the second shunt switch 24 is built in the second chip 25.
  • the present invention is not limited to this.
  • the first shunt switch 14 may be provided on the first chip 15, and the second shunt switch 24 may be provided on the second chip 25.
  • the first shunt switch 14 and the second shunt switch 24 are built in the chip 5, but the present invention is not limited thereto.
  • the first shunt switch 14 and the second shunt switch 24 may be provided on the chip 5.
  • the present invention can be widely used in communication devices such as mobile phones as high-frequency switches and communication devices applicable to multiband systems.

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Abstract

高周波スイッチ（１）は、第１共通端子（１１）と、少なくとも２つの第１選択端子（１２ａ）及び（１２ｂ）と、第１共通端子（１１）と少なくとも２つの第１選択端子（１２ａ）及び（１２ｂ）のそれぞれとを選択的に接続する第１スイッチ（１３）と、第１共通端子（１１）とグランドとの導通及び非導通を切り替える第１シャントスイッチ（１４）と、を有する第１スイッチ回路（１０）と、第１共通端子（１１）に接続される第２共通端子（２１）と、少なくとも２つの第２選択端子（２２ａ）～（２２ｄ）と、第２共通端子（２１）と少なくとも２つの第２選択端子（２２ａ）～（２２ｄ）のそれぞれとを選択的に接続する第２スイッチ（２３）と、を有する第２スイッチ回路（２０）と、を備える。

Description

高周波スイッチ及び通信装置
　本発明は、高周波スイッチ及び通信装置に関する。
　近年、携帯電話に代表される通信装置の多バンド化（マルチバンド化）に伴い、複数の通信バンドの送受信を行う高周波モジュールが知られている。このような高周波モジュールでは、アンテナに接続される共通端子と高周波回路（送信系の回路または受信系の回路）に接続される複数の選択端子とを備えるスイッチ回路が設けられる（例えば、特許文献１参照）。一般的に、アンテナと高周波回路とが非導通の際にはアンテナと高周波回路とのアイソレーションを高める必要がある。当該スイッチ回路では、当該スイッチ回路の選択端子のうち高周波回路に接続されていない空きポートがグランドに接続されるため、共通端子が、グランドに接続された空きポートに接続されることでアイソレーションを高めることができる。
特許第４７１５９７３号公報
　近年、互いに異なる複数の周波数帯域を同時に用いるキャリアアグリゲーション（ＣＡ）への対応が要求されている。しかしながら、上記従来のスイッチ回路は、ＣＡに対応しておらず、ＣＡに対応したスイッチ回路においてアイソレーションを高めることについて開示されていない。なお、アイソレーションとは、任意の２点間の分離の度合いを示す。
　そこで、本発明は、ＣＡに対応し、かつ、アイソレーションを高めることができる高周波スイッチ及び通信装置を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る高周波スイッチは、第１共通端子と、少なくとも２つの第１選択端子と、前記第１共通端子と前記少なくとも２つの第１選択端子のそれぞれとを選択的に接続する第１スイッチと、前記第１共通端子とグランドとの導通及び非導通を切り替える第１シャントスイッチと、を有する第１スイッチ回路と、前記第１共通端子に接続される第２共通端子と、少なくとも２つの第２選択端子と、前記第２共通端子と前記少なくとも２つの第２選択端子のそれぞれとを選択的に接続する第２スイッチと、を有する第２スイッチ回路と、を備える。
　これにより、第１シャントスイッチによって第１共通端子とグランドとが非導通にされ、第１スイッチによって第１共通端子と少なくとも２つの第１選択端子のいずれかとが接続され、第２スイッチによって第２共通端子と少なくとも２つの第２選択端子のいずれかとが接続されることで、ＣＡを行うことができる。つまり、本発明の高周波スイッチはＣＡに対応している。また、ＣＡを行わない場合、第１シャントスイッチによって第１共通端子とグランドとが導通にされ、第１共通端子は接地された状態となる。つまり、第１共通端子に流れ込む信号はグランドに流れるため、第１共通端子と第１選択端子とのアイソレーションを高めることができる。
　また、本発明の高周波スイッチは、ＣＡに対応するために第１スイッチ回路と第２スイッチ回路との少なくとも２つの回路から構成されている。つまり、同時に通信が行われる周波数帯域毎に（言い換えると、第１スイッチ回路及び第２スイッチ回路毎に、より具体的には、第１共通端子及び第２共通端子毎に）、整合回路を接続することができる。したがって、ＣＡに対応するための回路が２つに分けられて実現されているため、整合回路を接続できる箇所が増え、他の部品（例えばアンテナ素子等）と高周波スイッチとの整合を取りやすくなり、リターンロスの改善により挿入損失を低減できる。
　また、例えば、ＣＡに対応した高周波スイッチとして、１つの共通端子と複数の経路とを同時に導通可能な回路（同時オン回路と呼ぶ）が考えられる。本発明の高周波スイッチは、１つの共通端子のスイッチによる接続先である選択端子の数が当該同時オン回路に比べ少なくなるため、挿入損失を低減できる。
　このように、本発明の高周波スイッチによれば、ＣＡに対応し、かつ、アイソレーションを高めることができ、さらに、挿入損失を低減できる。
　また、前記第２スイッチ回路は、さらに、前記第２共通端子とグランドとの導通及び非導通を切り替える第２シャントスイッチを有してもよい。
　これにより、第２シャントスイッチによって第２共通端子とグランドとが導通にされる場合、第２共通端子は接地された状態となる。つまり、第２共通端子に流れ込む信号はグランドに流れるため、第２共通端子と第２選択端子とのアイソレーションを高めることができる。
　また、前記第１スイッチ回路は、第１チップで形成され、前記第１シャントスイッチは、前記第１チップに内蔵され、前記第２スイッチ回路は、第２チップで形成され、前記第２シャントスイッチは、前記第２チップに内蔵されてもよい。
　これにより、アイソレーションを高めるための第１シャントスイッチが第１チップに内蔵され、アイソレーションを高めるための第２シャントスイッチが第２チップに内蔵されるため、第１シャントスイッチ及び第２シャントスイッチの追加による、高周波スイッチ、第１シャントスイッチ及び第２シャントスイッチが実装されるモジュールのサイズの増大を抑制しつつアイソレーションを高めることができる。
　また、前記第１スイッチ回路と前記第２スイッチ回路とは１つのチップで形成され、前記第１シャントスイッチ及び前記第２シャントスイッチは、前記１つのチップに内蔵されてもよい。
　これにより、第１スイッチ回路と第２スイッチ回路とが１つのチップで形成されることで、高周波スイッチを低コストで製造可能となる。また、アイソレーションを高めるための第１シャントスイッチ及び第２シャントスイッチが当該チップに内蔵されるため、アイソレーションを維持しつつ、第１シャントスイッチ及び第２シャントスイッチの追加による、高周波スイッチ、第１シャントスイッチ及び第２シャントスイッチが実装されるモジュールのサイズの増大を抑制できる。
　また、前記１つのチップには、前記第１共通端子、前記第２共通端子、及び、グランドに接続されるグランド端子が設けられ、前記グランド端子は、前記第１共通端子と前記第２共通端子との間に配置されてもよい。
　第１共通端子と第２共通端子との間にグランド端子が配置されるため、第１共通端子と第２共通端子とは少なくともグランド端子分の距離が離されて配置される。また、グランド端子により第１共通端子と第２共通端子との間で漏れる信号を遮断することができる。このように、第１共通端子と第２共通端子とのアイソレーションを高めることができる。
　また、前記第１スイッチ回路は、第１周波数帯域の通信に用いられ、前記第２スイッチ回路は、前記第１周波数帯域とは異なる第２周波数帯域の通信に用いられ、前記第１周波数帯域を通過帯域とする信号の送受信が行われるときには、前記第１シャントスイッチがオフされて前記第１共通端子とグランドとが非導通状態になり、前記第２シャントスイッチがオンされて前記第２共通端子とグランドとが導通状態になり、前記第２周波数帯域を通過帯域とする信号の送受信が行われるときには、前記第１シャントスイッチがオンされて前記第１共通端子とグランドとが導通状態になり、前記第２シャントスイッチがオフされて前記第２共通端子とグランドとが非導通状態になってもよい。
　これにより、ＣＡが行われない場合に、第１周波数帯域及び第２周波数帯域のうち第２周波数帯域のみが用いられるときには、第１シャントスイッチによって第１共通端子とグランドとが導通にされ、第１共通端子と第１選択端子とのアイソレーションを高めることができる。また、第２シャントスイッチによって第２共通端子とグランドとが非導通にされ、第２共通端子と第２選択端子とが導通させられ、第２周波数帯域の通信を行うことができる。一方、ＣＡが行われない場合に、第１周波数帯域及び第２周波数帯域のうち第１周波数帯域のみが用いられるときには、第２シャントスイッチによって第２共通端子とグランドとが導通にされ、第２共通端子と第２選択端子とのアイソレーションを高めることができる。また、第１シャントスイッチによって第１共通端子とグランドとが非導通にされ、第１共通端子と第１選択端子とが導通させられ、第１周波数帯域の通信を行うことができる。
　また、前記第１周波数帯域は、８００ＭＨｚ帯から９００ＭＨｚ帯に含まれる帯域であり、前記第２周波数帯域は、６００ＭＨｚ帯から７００ＭＨｚ帯に含まれる帯域であってもよい。
　具体的には、前記第１周波数帯域は、ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ　Ｔｅｒｍ　Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）のＢａｎｄ８であり、前記第２周波数帯域は、ＬＴＥのＢａｎｄ２０であってもよい。もしくは、前記第１周波数帯域は、ＬＴＥのＢａｎｄ８であり、前記第２周波数帯域は、ＬＴＥのＢａｎｄ２８であってもよい。もしくは、前記第１周波数帯域は、ＬＴＥのＢａｎｄ２６であり、前記第２周波数帯域は、ＬＴＥのＢａｎｄ１２、Ｂａｎｄ１３またはＢａｎｄ１７であってもよい。もしくは、前記第１周波数帯域は、ＬＴＥのＢａｎｄ２６であり、前記第２周波数帯域は、ＬＴＥのＢａｎｄ２９であってもよい。
　また、前記第１スイッチ回路は、さらに、前記第１共通端子とグランドとを前記第１シャントスイッチを介して結ぶ経路に設けられた第１整合回路を有し、前記第２スイッチ回路は、さらに、前記第２共通端子とグランドとを前記第２シャントスイッチを介して結ぶ経路に設けられた第２整合回路を有してもよい。
　これにより、高周波スイッチと他の部品との整合を取るための整合回路が高周波スイッチに設けられるため、例えば、高周波スイッチと当該整合回路とが実装されるモジュールにおいて当該整合回路が高周波スイッチと別体に設けられる場合に比べ当該モジュールを小型化することができる。また、ＣＡが行われるときには、第１シャントスイッチ及び第２シャントスイッチはオフにされ、第１シャントスイッチ及び第２シャントスイッチを容量成分とみなすことができるため、当該容量成分と整合回路とにより第１スイッチ回路及び第２スイッチ回路の整合を取ることができる。また、ＣＡが行われないときには、通信に用いられない周波数帯域に対応するスイッチ回路のシャントスイッチがオンにされ、通信に用いられる周波数帯域に対応するスイッチ回路のシャントスイッチがオフにされる。例えば第１シャントスイッチがオンにされ、第２シャントスイッチがオフにされた場合、第１整合回路は、第２スイッチ回路にシャント接続されることになる。したがって、第２スイッチ回路の整合を、第１整合回路、第２整合回路、及び、容量成分としての第２シャントスイッチにより行うことができる。第１シャントスイッチがオフにされ、第２シャントスイッチがオンにされた場合も同様に、第２整合回路は、第１スイッチ回路にシャント接続されることになる。したがって、第１スイッチ回路の整合を、第１整合回路、第２整合回路、及び、容量成分としての第１シャントスイッチにより行うことができる。このように、複数の整合回路及び容量成分により整合を行うことができるため、インピーダンス調整が容易になる。
　また、前記第１整合回路と前記第１シャントスイッチとは、ノッチフィルタを構成してもよい。
　これにより、第１整合回路とオフ時の容量成分としての第１シャントスイッチとによってノッチフィルタを構成することができる。したがって、例えば第１シャントスイッチがオフにされ、第２シャントスイッチがオンにされた場合、第１整合回路と第１シャントスイッチとによって構成されたノッチフィルタによって第１周波数帯域外の減衰特性を向上することができる。
　また、前記第２整合回路と前記第２シャントスイッチとは、ノッチフィルタを構成してもよい。
　これにより、第２整合回路とオフ時の容量成分としての第２シャントスイッチとによってノッチフィルタを構成することができる。したがって、例えば第１シャントスイッチがオンにされ、第２シャントスイッチがオフにされた場合、第２整合回路と第２シャントスイッチとによって構成されたノッチフィルタによって第２周波数帯域外の減衰特性を向上することができる。
　また、高周波スイッチは、さらに、増幅回路を備えてもよい。
　これにより、ＣＡに対応し、かつ、アイソレーションを高めることができる、増幅回路を備える高周波スイッチを提供できる。
　また、本発明の一態様に係る通信装置は、アンテナ素子で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、前記アンテナ素子と前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝達する上記の高周波スイッチと、を備える。
　これによれば、ＣＡに対応し、かつ、アイソレーションを高めることができる通信装置を提供できる。
　本発明に係る高周波スイッチ及び通信装置によれば、ＣＡに対応し、かつ、アイソレーションを高めることができる。
図１は、実施の形態１に係る高周波スイッチ及びその周辺回路の構成図である。 図２は、比較例に係る高周波スイッチ及びその周辺回路の構成図である。 図３は、実施の形態１に係る高周波スイッチ及びその周辺回路の、第１シャントスイッチオン時の回路を模式的に示す図である。 図４は、第１シャントスイッチオン時の実施の形態１に係る高周波スイッチにおいて、信号が伝搬する様子を模式的に示す図である。 図５は、第１シャントスイッチオン時とオフ時の、第１共通端子と第１選択端子とのアイソレーションを表すグラフである。 図６は、第１シャントスイッチ及び第２シャントスイッチが第１チップ及び第２チップに内蔵されていることを模式的に示す図である。 図７Ａは、第１スイッチ回路と第２スイッチ回路とが１つのチップで形成されていることを模式的に示す図である。 図７Ｂは、第１シャントスイッチ及び第２シャントスイッチが１つのチップに内蔵されていることを模式的に示す図である。 図８は、実施の形態３に係る高周波スイッチ及びその周辺回路の構成図である。 図９は、実施の形態４に係る通信装置の構成図である。
　以下、本発明の実施の形態について、実施例及び図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも包括的又は具体的な例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置及び接続形態などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。また、図面に示される構成要素の大きさは、必ずしも厳密ではない。また、各図において、実質的に同一の構成に対しては同一の符号を付しており、重複する説明は省略又は簡略化する場合がある。また、以下の実施の形態において、「接続される」とは、直接接続される場合だけでなく、他の素子等を介して電気的に接続される場合も含まれる。
　（実施の形態１）
　［１．高周波スイッチの構成］
　図１は、実施の形態１に係る高周波スイッチ１及びその周辺回路の構成図である。図１では、高周波スイッチ１の他にアンテナ素子ＡＮＴ、整合回路４１～４３、及び、フィルタ５１～５６を示している。
　アンテナ素子ＡＮＴは、高周波信号を送受信する、例えばＬＴＥ（Ｌｏｎｇ　Ｔｅｒｍ　Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）等の通信規格に準拠したマルチバンド対応のアンテナである。
　高周波スイッチ１は、互いに異なる少なくとも２つの周波数帯域を同時に用いるキャリアアグリゲーション（ＣＡ）に対応した高周波スイッチであり、例えば、携帯電話等の通信装置のフロントエンドに配置される。本実施の形態では、高周波スイッチ１はアンテナ素子ＡＮＴに接続される。高周波スイッチ１は、アンテナ素子ＡＮＴで送受信される高周波信号をフィルタ５１～５６毎の経路に分けるスイッチである。
　高周波スイッチ１は、第１スイッチ回路１０と第２スイッチ回路２０とを備える。第１スイッチ回路１０は、ＣＡにおいて同時に用いられる少なくとも２つの周波数帯域（本実施の形態では第１周波数帯域及び第２周波数帯域）のうちの第１周波数帯域の通信に用いられる。また、第２スイッチ回路２０は、第１周波数帯域とは異なる第２周波数帯域の通信に用いられる。アンテナ素子ＡＮＴに接続された経路３０が経路３１と経路３２とに分岐しており、経路３１は第１スイッチ回路１０に接続され、経路３２は第２スイッチ回路２０に接続される。これにより、第１スイッチ回路１０及び第２スイッチ回路２０によって第１周波数帯域及び第２周波数帯域を、それぞれ同時に用いることができる。
　第１周波数帯域は、例えば低域（ＬＢ：Ｌｏｗ　Ｂａｎｄ）として８００ＭＨｚ帯から９００ＭＨｚ帯に含まれる帯域であり、第１周波数帯域には、例えばＬＴＥのＢａｎｄ８及びＢａｎｄ２６が含まれる。第２周波数帯域は、例えば超低域（ＶＬＢ：Ｖｅｒｙ　Ｌｏｗ　Ｂａｎｄ）として６００ＭＨｚ帯から７００ＭＨｚ帯に含まれる帯域であり、第２周波数帯域には、例えばＬＴＥのＢａｎｄ２０、Ｂａｎｄ１２／１３／１７、Ｂａｎｄ２８及びＢａｎｄ２９が含まれる。
　第１スイッチ回路１０は、アンテナ素子ＡＮＴに接続される第１共通端子１１と、少なくとも２つの第１選択端子（ここでは、２つの第１選択端子１２ａ及び１２ｂ）と、第１共通端子１１と２つの第１選択端子１２ａ及び１２ｂのそれぞれとを選択的に接続する第１スイッチ１３と、第１共通端子１１とグランドとの導通及び非導通を切り替える第１シャントスイッチ１４と、を有する。
　第１スイッチ１３は、例えば、外部（例えば後述するＲＦ信号処理回路）からの制御信号に基づいて、第１共通端子１１を２つの第１選択端子１２ａ及び１２ｂの一方に選択的に接続する。なお、第１スイッチ１３は、第１共通端子１１を２つの第１選択端子１２ａ及び１２ｂのいずれにも接続しなくてもよい。つまり、第１共通端子１１は、第１選択端子１２ａ及び１２ｂのいずれとも接続されないことがある。また、第１シャントスイッチ１４は、例えば、外部からの制御信号に基づいて、第１共通端子１１とグランドとの導通及び非導通を切り替える。
　第１共通端子１１は、経路３１を介してアンテナ素子ＡＮＴに接続される。具体的には、第１共通端子１１は、経路３１に設けられた整合回路４１及び経路３０に設けられた整合回路４３を介してアンテナ素子ＡＮＴに接続される。例えば、第１シャントスイッチ１４がオフとなって第１共通端子１１とグランドとが非導通状態のときには、第１共通端子１１は第１選択端子１２ａ及び１２ｂのいずれか一方に接続される。また、例えば、第１シャントスイッチ１４がオンとなって第１共通端子１１とグランドとが導通状態のときには、第１共通端子１１は第１選択端子１２ａ及び１２ｂのいずれにも接続されない。
　第１選択端子１２ａ及び１２ｂは、本実施の形態では、第１周波数帯域（ＬＢ）に含まれる互いに異なる周波数帯域に対応し、第１選択端子１２ａは例えばＢａｎｄ８（８８０－９６０ＭＨｚ）に対応し、第１選択端子１２ｂは例えばＢａｎｄ２６（８１４－８９４ＭＨｚ）に対応する。具体的には、第１選択端子１２ａは、Ｂａｎｄ８を通過帯域とするフィルタ５１に接続される。また、第１選択端子１２ｂは、Ｂａｎｄ２６を通過帯域とするフィルタ５２に接続される。なお、これらの周波数帯域は送受信を含んだ範囲となっている。また、第１選択端子１２ａ及び１２ｂの各々が対応する周波数帯域はこれに限らない。
　このような第１スイッチ回路１０は、本実施の形態ではＳＰＤＴ（Ｓｉｎｇｌｅ　Ｐｏｌｅ　Ｄｏｕｂｌｅ　Ｔｈｒｏｗ）の高周波スイッチＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ　Ｃｉｒｃｕｉｔ）によって構成され、例えばチップで構成されている。なお、チップとは、半導体チップまたはパッケージのことを意味する。また、第１スイッチ回路１０の各種端子（第１共通端子１１、並びに、第１選択端子１２ａ及び１２ｂ）は、例えば、当該チップに設けられるバンプ又は表面電極（パッド）等である。また、第１スイッチ１３及び第１シャントスイッチ１４は、例えば、当該チップに内蔵される。
　第２スイッチ回路２０は、アンテナ素子ＡＮＴに接続される第２共通端子２１と、少なくとも２つの第２選択端子（ここでは、４つの第２選択端子２２ａ～２２ｄ）と、第２共通端子２１と４つの第２選択端子２２ａ～２２ｄのそれぞれとを選択的に接続する第２スイッチ２３と、第２共通端子２１とグランドとの導通及び非導通を切り替える第２シャントスイッチ２４と、を有する。
　第２スイッチ２３は、例えば、外部からの制御信号に基づいて、第２共通端子２１を４つの第２選択端子２２ａ～２２ｄのいずれかに選択的に接続する。なお、第２スイッチ２３は、第２共通端子２１を４つの第２選択端子２２ａ～２２ｄのいずれにも接続しなくてもよい。つまり、第２共通端子２１は、第２選択端子２２ａ～２２ｄのいずれとも接続されないことがある。また、第２シャントスイッチ２４は、例えば、外部からの制御信号に基づいて、第２共通端子２１とグランドとの導通及び非導通を切り替える。
　第２共通端子２１は、経路３２を介してアンテナ素子ＡＮＴに接続される。具体的には、第２共通端子２１は、経路３２に設けられた整合回路４２及び経路３０に設けられた整合回路４３を介してアンテナ素子ＡＮＴに接続される。経路３２と経路３１とは経路３０から分岐した経路であるため、経路３１と経路３２とは接続されている。したがって、第２共通端子２１は第１共通端子１１と接続されている。例えば、第２シャントスイッチ２４がオフとなって第２共通端子２１とグランドとが非導通状態のときには、第２共通端子２１は第２選択端子２２ａ～２２ｄのいずれかに接続される。また、例えば、第２シャントスイッチ２４がオンとなって第２共通端子２１とグランドとが導通状態のときには、第２共通端子２１は第２選択端子２２ａ～２２ｄのいずれにも接続されない。
　第２選択端子２２ａ～２２ｄは、本実施の形態では、第２周波数帯域（ＶＬＢ）に含まれる互いに異なる周波数帯域に対応し、第２選択端子２２ａは例えばＢａｎｄ２０（７９１－８６２ＭＨｚ）に対応し、第２選択端子２２ｂは例えばＢａｎｄ１２（６９９－７４６ＭＨｚ）／Ｂａｎｄ１３（７４６－７８７ＭＨｚ）／Ｂａｎｄ１７（７０４－７４６ＭＨｚ）に対応し、第２選択端子２２ｃは例えばＢａｎｄ２８（７０３－８０３ＭＨｚ）に対応し、第２選択端子２２ｄは例えばＢａｎｄ２９（７１７－７２７ＭＨｚ）に対応する。具体的には、第２選択端子２２ａは、Ｂａｎｄ２０を通過帯域とするフィルタ５３に接続される。また、第２選択端子２２ｂは、Ｂａｎｄ１２／１３／１７を通過帯域とするフィルタ５４に接続される。また、第２選択端子２２ｃは、Ｂａｎｄ２８を通過帯域とするフィルタ５５に接続される。また、第２選択端子２２ｄは、Ｂａｎｄ２９を通過帯域とするフィルタ５６に接続される。なお、これらの周波数帯域（Ｂａｎｄ２９を除く）は送受信を含んだ範囲となっている。また、第２選択端子２２ａ～２２ｄの各々が対応する周波数帯域はこれに限らない。
　このような第２スイッチ回路２０は、本実施の形態ではＳＰｎＴ（Ｓｉｎｇｌｅ　Ｐｏｌｅ　ｎ　Ｔｈｒｏｗ：ｎ＝４）の高周波スイッチＩＣによって構成され、例えばチップで構成されている。また、第２スイッチ回路２０の各種端子（第２共通端子２１、及び、第２選択端子２２ａ～２２ｄ）は、例えば、第２スイッチ回路２０を構成するチップに設けられるバンプ又は表面電極（パッド）等である。また、第２スイッチ２３及び第２シャントスイッチ２４は、例えば、当該チップに内蔵される。
　第１スイッチ１３、第１シャントスイッチ１４、第２スイッチ２３及び第２シャントスイッチ２４は、例えば、ＧａＡｓ若しくはＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ　Ｍｅｔａｌ　Ｏｘｉｄｅ　Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）からなるＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ　Ｅｆｆｅｃｔ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）スイッチ、又は、ダイオードスイッチ等である。
　整合回路４１～４３は、アンテナ素子ＡＮＴと高周波スイッチ１との間に接続され、アンテナ素子ＡＮＴと高周波スイッチ１との整合を取るための回路である。具体的には、整合回路４１及び４３によって、第１周波数帯域におけるアンテナ素子ＡＮＴと第１スイッチ回路１０との整合が取られる。詳細は後述するが、第２シャントスイッチ２４がオンのときには、整合回路４１～４３によって、アンテナ素子ＡＮＴと第１スイッチ回路１０との整合が取られる。また、整合回路４２及び４３によって、第２周波数帯域におけるアンテナ素子ＡＮＴと第２スイッチ回路２０との整合が取られる。詳細は後述するが、第１シャントスイッチ１４がオンのときには、整合回路４１～４３によって、アンテナ素子ＡＮＴと第２スイッチ回路２０との整合が取られる。整合回路４１～４３は、例えば、インダクタ、キャパシタ、又は、これらを組み合わせた回路である。
　フィルタ５１～５６は、例えば、所定の周波数帯域の信号を通過させるバンドパスフィルタである。フィルタ５１～５６は、弾性表面波（ＳＡＷ：Ｓｕｒｆａｃｅ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）共振子、バルク弾性波（ＢＡＷ：Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｗａｖｅ）共振子又はＦＢＡＲ（Ｆｉｌｍ　Ｂｕｌｋ　Ａｃｏｕｓｔｉｃ　Ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）等により構成されるフィルタである。なお、フィルタ５１～５６は、インダクタ及びキャパシタ等により構成されるＬＣ共振回路等であってもよい。フィルタ５１～５６は、ＳＡＷ共振子により構成されたＳＡＷフィルタの場合、基板とＩＤＴ（ＩｎｔｅｒＤｉｇｉｔａｌ　Ｔｒａｎｓｄｕｃｅｒ）電極とを備えている。基板は、少なくとも表面に圧電性を有する基板である。基板は、例えば、表面に圧電薄膜を備え、当該圧電薄膜と音速の異なる膜、および支持基板などの積層体で構成されていてもよい。当該基板は、例えば、高音速支持基板と、高音速支持基板上に形成された圧電薄膜とを含む積層体、高音速支持基板と、高音速支持基板上に形成された低音速膜と、低音速膜上に形成された圧電薄膜とを含む積層体、または、支持基板と、支持基板上に形成された高音速膜と、高音速膜上に形成された低音速膜と、低音速膜上に形成された圧電薄膜とを含む積層体であってもよい。また、基板は、基板全体に圧電性を有していてもよい。ここでは、フィルタ５１～５６が弾性表面波共振子により構成されているとする。これにより、フィルタ５１～５６を、圧電基板上に形成されたＩＤＴ電極により構成できるので、急峻度の高い通過特性を有する小型かつ低背のフィルタを実現できる。
　なお、図示していないが、高周波スイッチ１とフィルタ５１～５６との間には、高周波スイッチ１とフィルタ５１～５６との整合を取るための整合回路が設けられる。
　このような回路構成により、高周波スイッチ１は、ＣＡに対応可能となる。
　［２．ＣＡが行われるときの高周波スイッチの動作］
　以下、ＣＡが行われるときの高周波スイッチ１の動作について説明する。
　第１シャントスイッチ１４及び第２シャントスイッチ２４がオフされて第１共通端子１１及び第２共通端子２１がグランドと非導通状態のときにＣＡが行われる。例えば、第１周波数帯域におけるいずれかのＢａｎｄの通信と第２周波数帯域におけるいずれかのＢａｎｄの通信とが同時に行われる。ＣＡが行われる周波数帯域の組み合わせとしては、具体的には、第１周波数帯域はＢａｎｄ８であり第２周波数帯域はＢａｎｄ２０である組み合わせ、第１周波数帯域はＢａｎｄ８であり第２周波数帯域はＢａｎｄ２８である組み合わせ、第１周波数帯域はＢａｎｄ２６であり第２周波数帯域はＢａｎｄ１２、Ｂａｎｄ１３またはＢａｎｄ１７である組み合わせ、第１周波数帯域はＢａｎｄ２６であり第２周波数帯域はＢａｎｄ２９である組み合わせが考えられる。例えば、第１共通端子１１と第１選択端子１２ａとが接続され、第２共通端子２１と第２選択端子２２ａとが接続されて、Ｂａｎｄ８の通信とＢａｎｄ２０の通信とが同時に行われたり、第１共通端子１１と第１選択端子１２ａとが接続され、第２共通端子２１と第２選択端子２２ｃとが接続されて、Ｂａｎｄ８の通信とＢａｎｄ２８の通信とが同時に行われたりする。
　また、高周波スイッチ１は、ＣＡに対応するために第１スイッチ回路１０と第２スイッチ回路２０との少なくとも２つの回路から構成されている。つまり、同時に通信が行われる周波数帯域毎に（言い換えると、第１スイッチ回路１０及び第２スイッチ回路２０毎に、より具体的には、第１共通端子１１及び第２共通端子２１毎に）、整合回路を接続することができる。具体的には、第１共通端子１１に第１周波数帯域用の整合回路４１が接続され、第２共通端子２１に第２周波数帯域用の整合回路４２が接続されている。したがって、ＣＡに対応するための回路が２つに分けられて実現されているため、整合回路を接続できる箇所が増え、アンテナ素子ＡＮＴと高周波スイッチ１との整合を取りやすくなり、リターンロスの改善により挿入損失を低減できる。
　ここで、ＣＡに対応可能な高周波スイッチの他の例である比較例に係る高周波スイッチ１００と本実施の形態に係る高周波スイッチ１とを比較する。
　図２は、比較例に係る高周波スイッチ１００及びその周辺回路の構成図である。
　高周波スイッチ１００は、アンテナ素子ＡＮＴに接続される共通端子１０１と、８つの選択端子１０２ａ～１０２ｈと、共通端子１０１と８つの選択端子１０２ａ～１０２ｈのうちの１以上の選択端子とを同時に接続するスイッチとを有する。つまり、高周波スイッチ１００は、１つの共通端子１０１と複数の経路とを同時に導通可能な回路である。図２は、共通端子１０１と、選択端子１０２ａ及び１０２ｄとを同時に接続している状態を示している。これにより、例えば、フィルタ５１の通過帯域であるＢａｎｄ８の通信とフィルタ５４の通過帯域であるＢａｎｄ２０の通信とが同時に行われる。
　また、整合回路４４により、アンテナ素子ＡＮＴと高周波スイッチ１００との整合が取られるが、例えばＶＬＢからＬＢ（７００ＭＨｚ帯から９００ＭＨｚ帯）と広い周波数帯域において整合を取る必要があるため、整合回路４４の他に整合回路４５及び４６が設けられている。これにより、通信が行われる周波数帯域に応じて、共通端子１０１と選択端子１０２ｈ及び１０２ｇの一方とが接続されることで、整合回路４４と整合回路４５又は４６との組み合わせにより、広い周波数帯域にわたって整合を取ることができる。図２では、共通端子１０１と選択端子１０２ｈとが接続され、整合回路４４及び４５により、アンテナ素子ＡＮＴと高周波スイッチ１００との、Ｂａｎｄ８（フィルタ５１の通過帯域）における整合と、Ｂａｎｄ１２／１３／１７における整合が行われている。
　しかしながら、高周波スイッチ１００では、スイッチによる共通端子１０１の接続先は、第１周波数帯域（Ｂａｎｄ８及び２６）及び第２周波数帯域（Ｂａｎｄ２０、１２／１３／１７、２８、２９）の両方の周波数帯域に対応する選択端子となり多くなっている。具体的には、第１周波数帯域に対応する選択端子は選択端子１０２ａ及び１０２ｂの２つであり、第２周波数帯域に対応する選択端子は選択端子１０２ｃ～１０２ｆの４つである。また、スイッチによる共通端子１０１の接続先として、整合回路４５及び４６が接続された選択端子１０２ｇ及び１０２ｈもある。したがって、高周波スイッチ１００では、共通端子１０１の接続先の数は８つと多くなっている。スイッチにおける共通端子１０１の接続先（選択端子）の数が増えるほど、当該スイッチの挿入損失は大きくなる。これは、共通端子１０１と選択端子との間に発生する容量成分が増えるためである。
　一方、同時に通信が行われる周波数帯域の数が高周波スイッチ１００と同じである高周波スイッチ１では、第１スイッチ１３による第１共通端子１１の接続先は２つであり、第２スイッチ２３による第２共通端子２１の接続先は４つである。つまり、高周波スイッチ１では、スイッチ回路毎の選択端子の数が高周波スイッチ１００に比べ少なくなる。したがって、高周波スイッチ１の挿入損失を低減できる。
　［３．ＣＡが行われないときの高周波スイッチの動作］
　以上、ＣＡが行われるときの高周波スイッチ１の動作について説明したが、以下では、ＣＡが行われないときの高周波スイッチ１の動作について説明する。
　第１シャントスイッチ１４及び第２シャントスイッチ２４の一方がオンされて他方がオフされることで、第１共通端子１１及び第２共通端子２１の一方がグランドと導通状態のときにはＣＡが行われない。具体的には、ＣＡが行われない場合に、第１周波数帯域（具体的には、同時に用いられる少なくとも２つの周波数帯域のうちの第１周波数帯域のみ）を通過帯域とする信号の送受信が行われるときには、第１シャントスイッチ１４がオフされて第１共通端子１１とグランドとが非導通状態になり、第２シャントスイッチ２４がオンされて第２共通端子２１とグランドとが導通状態になる。また、第２周波数帯域（具体的には、当該少なくとも２つの周波数帯域のうちの第２周波数帯域のみ）を通過帯域とする信号の送受信が行われるときには、第１シャントスイッチ１４がオンされて第１共通端子１１とグランドとが導通状態になり、第２シャントスイッチ２４がオフされて第２共通端子２１とグランドとが非導通状態になる。ここでは、第２周波数帯域のみが用いられ、第１シャントスイッチ１４がオンされて第１共通端子１１とグランドとが導通状態になり、第２シャントスイッチ２４がオフされて第２共通端子２１とグランドとが非導通状態になる場合について図３から図５を用いて説明する。
　図３は、実施の形態１に係る高周波スイッチ１及びその周辺回路の、第１シャントスイッチ１４オン時の回路を模式的に示す図である。図３では、第１共通端子１１とグランドとが導通状態のため、第１スイッチ回路１０のうち第１シャントスイッチ１４以外の構成の図示を省略している。
　図３に示すように、第２周波数帯域の通信に用いられる第２スイッチ回路２０とアンテナ素子ＡＮＴとの整合を、整合回路４２及び４３に加え、さらに整合回路４１によっても行うことができる。これは、整合回路４１が接続された第１共通端子１１がグランドに接続され、整合回路４１が整合回路４２及び４３にシャント接続されるためである。このように、ＣＡが行われない場合には、通信に用いられないスイッチ回路の共通端子に接続された整合回路も通信に用いられるスイッチ回路の整合に用いることができるため、より柔軟な整合を行うことができる。
　次に、ＣＡが行われないときの高周波スイッチ１におけるアイソレーションの改善について説明する。
　図４は、第１シャントスイッチ１４オン時の実施の形態１に係る高周波スイッチ１において、信号が伝搬する様子を模式的に示す図である。
　第２周波数帯域の通信が行われるときには、第２シャントスイッチ２４がオフにされ、第２共通端子２１と第２選択端子２２ａ～２２ｄのいずれかとが第２スイッチ２３によって接続される。ここでは、例えば、第２スイッチ２３によって第２共通端子２１と第２選択端子２２ａとが接続されている。これにより、アンテナ素子ＡＮＴで受信された高周波信号は、図４中の実線の矢印で示すように、経路３０、３２、第２共通端子２１及び第２選択端子２２ａを経由してフィルタ５３に流れ、第２周波数帯域のうちフィルタ５３の通過帯域であるＢａｎｄ２０の通信が行われる。
　一般的に、第１シャントスイッチ１４又は第２シャントスイッチ２４に対応するシャントスイッチを備えていないスイッチ回路では、当該スイッチ回路に接続されたフィルタの通過帯域の通信が行われないときには、当該スイッチ回路が有する共通端子と選択端子とは当該スイッチ回路が有するスイッチによって接続されない。しかし、当該スイッチは、例えばＦＥＴスイッチ等であるため、共通端子と選択端子とが接続されていない場合でも、共通端子から選択端子への信号の漏れが発生することがある。したがって、アンテナ素子で受信された高周波信号は、共通端子及び選択端子を経由して当該選択端子に接続されたフィルタ等に流れてしまう。つまり、共通端子と選択端子とのアイソレーションが悪くなってしまう。共通端子はアンテナ素子に接続され、選択端子は高周波回路（フィルタ及びこれらに接続される回路）に接続されているため、言い換えると、アンテナ素子と当該高周波回路とのアイソレーションが悪くなってしまう。
　しかしながら、本願発明では、第１スイッチ１０は、第１シャントスイッチ１４を備え、第１シャントスイッチ１４がオンにされることで、第１共通端子１１とグランドとが接続される。これにより、図４中の破線の矢印で示すように、第１共通端子１１に流れ込む信号はグランドに流れるため、第１共通端子１１から第１選択端子１２ａ及び１２ｂに信号が漏れにくくなり、第１共通端子１１と第１選択端子１２ａ及び１２ｂとのアイソレーションを高めることができる。
　図５は、第１シャントスイッチ１４オン時とオフ時の、第１共通端子１１と第１選択端子１２ａとのアイソレーションを表すグラフである。なお、図５では、アイソレーションとして、第１共通端子１１から第１選択端子１２ａへの通過特性が示されている。つまり、縦軸は第１共通端子１１から入力された高周波信号の強度に対する第１選択端子１２ａで観測された高周波信号の強度比を示し、グラフにおける下ほどアイソレーションが高いことを示している。横軸は周波数を示し、第１選択端子１２ａに接続されたフィルタ５１の通過帯域を含む周波数帯域が示されている。
　図５に示すように、第１スイッチ１３は、第１共通端子１１を２つの第１選択端子１２ａ及び１２ｂのいずれにも接続しておらずかつ第１シャントスイッチ１４がオフのときに比べ、オンのときには第１共通端子１１と第１選択端子１２ａとのアイソレーションが高められることがわかる。このように、通信に用いられない周波数帯域の信号が流れるスイッチ回路（ここでは第１スイッチ回路１０）では、当該スイッチ回路の共通端子（ここでは第１共通端子１１）と選択端子（ここでは第１選択端子１２ａ及び１２ｂ）とのアイソレーションを高めることができる。
　なお、高周波スイッチ１、整合回路４１～４３及びフィルタ５１～５６等は１つの基板に実装されてモジュール化される。このとき、高周波スイッチ１（第１スイッチ回路１０及び第２スイッチ回路２０）は、例えば当該基板の一方主面に設けられ、第１スイッチ回路１０及び第２スイッチ回路２０のそれぞれのグランド端子が共通に接続されるグランド層は当該基板の一方主面に近い層に設けられる。これにより、当該グランド端子とグランド層とを接続する配線が短くなり（つまりインダクタ成分が小さくなり）、当該グランド端子に信号が回り込みにくくなり、アイソレーションをより高めることができる。
　［４．モジュールのサイズ］
　上述したように、第１スイッチ回路１０は、チップで形成され、第１シャントスイッチ１４は当該チップに内蔵され、また、第２スイッチ回路２０は、チップで形成され、第２シャントスイッチ２４は当該チップに内蔵される。
　図６は、第１シャントスイッチ１４及び第２シャントスイッチ２４が第１チップ１５及び第２チップ２５に内蔵されていることを模式的に示す図である。図６に模式的に示すように、第１シャントスイッチ１４が第１チップ１５とは別体で設けられず第１チップ１５に内蔵され、第２シャントスイッチ２４が第２チップ２５とは別体で設けられず第２チップ２５に内蔵されているため、高周波スイッチ１、第１シャントスイッチ１４及び第２シャントスイッチ２４が実装されるモジュールのサイズの増大を抑制することができる。
　［５．効果等］
　以上説明したように、実施の形態１に係る高周波スイッチ１では、第１シャントスイッチ１４によって第１共通端子１１とグランドとが非導通にされ、第１スイッチ１３によって第１共通端子１１と少なくとも２つの第１選択端子１２ａ及び１２ｂのいずれかとが接続され、第２スイッチ２３によって第２共通端子２１と少なくとも２つの第２選択端子２２ａ～２２ｄのいずれかとが接続されることで、ＣＡを行うことができる。つまり、高周波スイッチ１はＣＡに対応している。また、ＣＡを行わない場合、第１シャントスイッチ１４によって第１共通端子１１とグランドとが導通にされ、第１共通端子１１は接地された状態となる。つまり、第１共通端子１１に流れ込む信号はグランドに流れるため、第１共通端子１１と第１選択端子１２ａ及び１２ｂとのアイソレーションを高めることができる。
　また、第２シャントスイッチ２４によって第２共通端子２１とグランドとが導通にされる場合、第２共通端子２１は接地された状態となる。つまり、第２共通端子２１に流れ込む信号はグランドに流れるため、第２共通端子２１と第２選択端子２２ａ～２２ｄとのアイソレーションを高めることができる。
　また、アイソレーションを高めるための第１シャントスイッチ１４が第１チップ１５に内蔵され、アイソレーションを高めるための第２シャントスイッチ２４が第２チップ２５に内蔵されるため、第１シャントスイッチ１４及び第２シャントスイッチ２４の追加による、高周波スイッチ１、第１シャントスイッチ１４及び第２シャントスイッチ２４が実装されるモジュールサイズの増大を抑制しつつアイソレーションを高めることができる。
　また、ＣＡが行われない場合に、第１周波数帯域及び第２周波数帯域のうち第２周波数帯域のみが用いられるときには、第１シャントスイッチ１４によって第１共通端子１１とグランドとが導通にされ、第１共通端子１１と第１選択端子１２ａ及び１２ｂとのアイソレーションを高めることができる。また、第２シャントスイッチ２４によって第２共通端子２１とグランドとが非導通にされ、第２共通端子２１と第２選択端子２２ａ～２２ｄとが導通させられ、第２周波数帯域の通信を行うことができる。一方、ＣＡが行われない場合に、第１周波数帯域及び第２周波数帯域のうち第１周波数帯域のみが用いられるときには、第２シャントスイッチ２４によって第２共通端子２１とグランドとが導通にされ、第２共通端子２１と第２選択端子２２ａ～２２ｄとのアイソレーションを高めることができる。また、第１シャントスイッチ１４によって第１共通端子１１とグランドとが非導通にされ、第１共通端子１１と第１選択端子１２ａ及び１２ｂとが導通させられ、第１周波数帯域の通信を行うことができる。
　（実施の形態２）
　実施の形態１では、第１スイッチ回路１０と第２スイッチ回路２０とはそれぞれ別の第１チップ１５と第２チップ２５とで形成されたが、１つのチップ（半導体チップ）で形成されてもよい。
　図７Ａは、第１スイッチ回路１０と第２スイッチ回路２０とが１つのチップ５で形成されていることを模式的に示す図である。図７Ａは、実施の形態２に係る高周波スイッチ２の上面図である。図７Ａに模式的に示すように、第１スイッチ回路１０と第２スイッチ回路２０とがそれぞれ別のチップで形成されずに、１つのチップ５で形成されているため、高周波スイッチ２を低コストで製造可能となる。
　また、第１シャントスイッチ１４及び第２シャントスイッチ２４は、当該１つのチップ５に内蔵されてもよい。
　図７Ｂは、第１シャントスイッチ１４及び第２シャントスイッチ２４が１つのチップ５に内蔵されていることを模式的に示す図である。図７Ｂに模式的に示すように、第１シャントスイッチ１４及び第２シャントスイッチ２４がチップ５とは別体で設けられずチップ５に内蔵されているため、アイソレーションを維持しつつ、高周波スイッチ２、第１シャントスイッチ１４及び第２シャントスイッチ２４が実装されるモジュールのサイズの増大を抑制することができる。
　また、チップ５には、第１スイッチ回路１０の各種端子（第１共通端子１１、第１選択端子１２ａ及び１２ｂ、並びに、グランドに接続されるグランド端子）、及び、第２スイッチ回路２０の各種端子（第２共通端子２１、第２選択端子２２ａ～２２ｄ、並びに、グランドに接続されるグランド端子）が設けられる。これらの各種端子は、例えば、チップ５に設けられるバンプ又は表面電極（パッド）等である。図７Ｂには、第１シャントスイッチ１４のグランド側の端子をグランド端子１６とし、第２シャントスイッチ２４のグランド側の端子をグランド端子２６とし、第１共通端子１１、第２共通端子２１、グランド端子１６及び２６をバンプとして示している。図７Ｂに示すように、グランド端子１６及び２６は、第１共通端子１１と第２共通端子２１との間に配置される。
　第１スイッチ回路１０と第２スイッチ回路２０とが１つのチップ５で形成されることで、第１共通端子１１と第２共通端子２１とが接近してチップ５に配置されるおそれがある。この場合、第１共通端子１１と第２共通端子２１とのアイソレーションが低くなってしまう。これに対して、図７Ｂに示すように、第１共通端子１１と第２共通端子２１との間にグランド端子１６及び２６が配置されるため、第１共通端子１１と第２共通端子２１とは少なくともグランド端子１６及び２６分の距離が離されて配置される。また、グランド端子１６及び２６により第１共通端子１１と第２共通端子２１との間で漏れる信号を遮断することができる。このように、第１共通端子１１と第２共通端子２１とアイソレーションを高めることができる。
　（実施の形態３）
　実施の形態１では、整合回路４１及び４２は高周波スイッチ１とは別体に設けられ、高周波スイッチ１自身は整合回路４１及び４２を有していなかったが、有していてもよい。
　図８は、実施の形態３に係る高周波スイッチ３及びその周辺回路の構成図である。
　高周波スイッチ３は、第１スイッチ回路１０ａ及び第２スイッチ回路２０ａを備える。第１スイッチ回路１０ａは、第１スイッチ回路１０の構成に、さらに、第１共通端子１１とグランドとを第１シャントスイッチ１４を介して結ぶ経路に設けられた整合回路４１（第１整合回路）を有し、第２スイッチ回路２０ｂは、第２スイッチ回路２０の構成に、さらに、第２共通端子２１とグランドとを第２シャントスイッチ２４を介して結ぶ経路に設けられた整合回路４２（第２整合回路）を有する。具体的には、整合回路４１は、第１シャントスイッチ１４とグランドとの間に接続され、整合回路４２は、第２シャントスイッチ２４とグランドとの間に接続される。なお、整合回路４１は、第１共通端子１１と第１スイッチ１３との接続点と第１シャントスイッチ１４との間に接続されてもよく、整合回路４２は、第２共通端子２１と第２スイッチ２３との接続点と第２シャントスイッチ２４との間に接続されてもよい。また、図８では、整合回路４１及び４２の一例として、インダクタを示している。高周波スイッチ３（第１スイッチ回路１０ａ及び第２スイッチ回路２０ａ）のその他の構成は、実施の形態１におけるものと同じであるため、説明を省略する。
　本実施の形態では、整合回路４１及び４２が高周波スイッチ３とは別体に設けられず、高周波スイッチ３に設けられるため、当該モジュールを小型化することができる。
　また、ＣＡが行われるときには、第１シャントスイッチ１４及び第２シャントスイッチ２４はオフにされ、第１シャントスイッチ１４及び第２シャントスイッチ２４を容量成分とみなすことができるため、当該容量成分と整合回路４１及び４２とによるＬＣ回路により、効果的に第１スイッチ回路１０ａ及び第２スイッチ回路２０ａの整合を取ることができる。
　また、ＣＡが行われないときには、通信に用いられない周波数帯域に対応するスイッチ回路のシャントスイッチがオンにされ、通信に用いられる周波数帯域に対応するスイッチ回路のシャントスイッチがオフにされる。例えば第１シャントスイッチ１４がオンにされ、第２シャントスイッチ２４がオフにされた場合、第１シャントスイッチ１４に接続された整合回路４１は、第２スイッチ回路２０ａにシャント接続されることになる。したがって、第２スイッチ回路２０ａの整合を、第１シャントスイッチ１４に接続された整合回路４１、第２シャントスイッチ２４に接続された整合回路４２、及び、容量成分としての第２シャントスイッチ２４により行うことができる。このように、複数の整合回路及び容量成分により整合を行うことができるため、インピーダンス調整が容易になる。第１シャントスイッチ１４がオフにされ、第２シャントスイッチ２４がオンにされた場合も同様に、第２シャントスイッチ２４に接続された整合回路４２は、第１スイッチ回路１０ａにシャント接続されることになる。したがって、第１スイッチ回路１０ａの整合を、整合回路４１、整合回路４２、及び、容量成分としての第１シャントスイッチ１４により行うことができる。このように、複数の整合回路及び容量成分により整合を行うことができるため、インピーダンス調整が容易になる。
　また、整合回路４１とオフ時の容量成分としての第１シャントスイッチ１４とによってノッチフィルタを構成することができる。したがって、例えば第１シャントスイッチ１４がオフにされ、第２シャントスイッチ２４がオンにされた場合、整合回路４１と第１シャントスイッチ１４とによって構成されたノッチフィルタによって第１周波数帯域外の減衰特性を向上することができる。
　また、整合回路４２とオフ時の容量成分としての第２シャントスイッチ２４とによってノッチフィルタを構成することができる。したがって、例えば第１シャントスイッチ１４がオンにされ、第２シャントスイッチ２４がオフにされた場合、整合回路４２と第２シャントスイッチ２４とによって構成されたノッチフィルタによって第２周波数帯域外の減衰特性を向上することができる。
　このように、整合回路とシャントスイッチとによってノッチフィルタが構成されることで、通信に用いられる通過帯域外の減衰特性を向上することができる。
　（実施の形態４）
　本発明の高周波スイッチは、通信装置に適用できる。
　図９は、実施の形態４に係る通信装置８０の構成図である。図９には、高周波スイッチ４と、アンテナ素子ＡＮＴと、整合回路４１～４３と、フィルタ５１～５６と、ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）７０とが示されている。高周波スイッチ４、整合回路４１～４３、フィルタ５１～５６及びＲＦＩＣ７０は、通信装置８０を構成している。
　第１スイッチ回路１０、第２スイッチ回路２０、整合回路４１～４３、フィルタ５１～５６及びアンテナ素子ＡＮＴは、実施の形態１におけるものと同じであるため、説明を省略する。なお、アンテナ素子ＡＮＴは、通信装置８０に内蔵されていてもかまわない。
　高周波スイッチ４は、アンテナ素子ＡＮＴとＲＦＩＣ７０との間で高周波信号を伝達する回路である。具体的には、高周波スイッチ４は、アンテナ素子ＡＮＴで受信された高周波信号を、受信側信号経路を介してＲＦＩＣ７０に伝達する。高周波スイッチ４は、第１スイッチ回路１０及び第２スイッチ回路２０に、さらに、増幅回路６１～６６を備える。これにより、ＣＡに対応し、かつ、アイソレーションを高めることができる、増幅回路６１～６６を備える高周波スイッチ４を提供できる。
　増幅回路６１～６６は、フィルタ５１～５６でフィルタリングされた高周波信号を増幅する回路である。増幅回路６１～６６は、例えば、高周波受信信号を増幅するローノイズアンプである。なお、増幅回路６１～６６は、ローノイズアンプに限らず、例えば、高周波送信信号を増幅するパワーアンプであってもよい。
　ＲＦＩＣ７０は、アンテナ素子ＡＮＴで送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路である。具体的には、ＲＦＩＣ７０は、アンテナ素子ＡＮＴから高周波スイッチ４の受信側信号経路を介して入力された高周波信号を、ダウンコンバートなどにより信号処理し、当該信号処理して生成された受信信号をベースバンド信号処理回路（図示せず）へ出力する。
　高周波スイッチ４は、高周波スイッチ１と同じように、ＣＡに対応し、かつ、アイソレーションを高めることができる。よって、ＣＡに対応し、かつ、アイソレーションを高めることができる通信装置８０を提供できる。
　なお、通信装置８０は、高周波スイッチ４を備えたが、高周波スイッチ１～３を備えてもよい。
　（その他の実施の形態）
　以上、本発明の実施の形態に係る高周波スイッチ及び通信装置について、実施の形態１～４を挙げて説明したが、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、上記実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例も本発明に含まれる。
　例えば、上記実施の形態では、第２スイッチ回路２０、２０ａは、第２シャントスイッチ２４を有していたが、有していなくてもよい。ただし、ＣＡが行われない場合に、第１周波数帯域のみが用いられるときには、第１共通端子１１と第１選択端子１２ａ及び１２ｂとの間のアイソレーションを高めるために第２スイッチ回路２０、２０ａは第２シャントスイッチ２４を有することが好ましい。
　また、例えば、上記実施の形態では、第１スイッチ回路１０、１０ａは、２つの第１選択端子１２ａ及び１２ｂを備えたが、３つ以上の第１選択端子を備えてもよい。また、第２スイッチ回路２０、２０ａは、４つの第２選択端子２２ａ～２２ｄを備えたが、２つ、３つ又は５つ以上の第２選択端子を備えてもよい。
　また、例えば、上記実施の形態では、第１周波数帯域及び第２周波数帯域は、ＬＢ及びＶＬＢであったが、これに限らない。例えば、第１周波数帯域及び第２周波数帯域は、ＬＢ及び中域（ＭＢ：Ｍｉｄｄｌｅ　Ｂａｎｄ）、ＬＢ及び高域（ＨＢ：Ｈｉｇｈ　Ｂａｎｄ）、又は、ＭＢ及びＨＢ等であってもよい。
　また、例えば、上記実施の形態では、高周波スイッチは、高周波信号の受信経路に適用されたが、送信経路に適用されてもよい。
　また、例えば、実施の形態１では、第１シャントスイッチ１４は、第１チップ１５に内蔵され、第２シャントスイッチ２４は、第２チップ２５に内蔵されたが、これに限らない。例えば、第１シャントスイッチ１４は第１チップ１５上に設けられ、第２シャントスイッチ２４は第２チップ２５上に設けられてもよい。
　また、例えば、実施の形態２では、第１シャントスイッチ１４及び第２シャントスイッチ２４は、チップ５に内蔵されたが、これに限らない。例えば、第１シャントスイッチ１４及び第２シャントスイッチ２４は、チップ５上に設けられてもよい。
　本発明は、マルチバンドシステムに適用できる高周波スイッチ及び通信装置として、携帯電話などの通信機器に広く利用できる。
　１、２、３、４、１００　　高周波スイッチ
　５　　チップ
　１０、１０ａ　　第１スイッチ回路
　１１　　第１共通端子
　１２ａ、１２ｂ　　第１選択端子
　１３　　第１スイッチ
　１４　　第１シャントスイッチ
　１５　　第１チップ
　１６、２６　　グランド端子
　２０、２０ａ　　第２スイッチ回路
　２１　　第２共通端子
　２２ａ～２２ｄ　　第２選択端子
　２３　　第２スイッチ
　２４　　第２シャントスイッチ
　２５　　第２チップ
　３０～３２　　経路
　４１～４６　　整合回路
　５１～５６　　フィルタ
　６１～６６　　増幅回路
　７０　　ＲＦ信号処理回路（ＲＦＩＣ）
　８０　　通信装置
　１０１　　共通端子
　１０２ａ～１０２ｈ　　選択端子
　ＡＮＴ　　アンテナ素子

Claims (16)

  1. 　第１共通端子と、少なくとも２つの第１選択端子と、前記第１共通端子と前記少なくとも２つの第１選択端子のそれぞれとを選択的に接続する第１スイッチと、前記第１共通端子とグランドとの導通及び非導通を切り替える第１シャントスイッチと、を有する第１スイッチ回路と、
    　前記第１共通端子に接続される第２共通端子と、少なくとも２つの第２選択端子と、前記第２共通端子と前記少なくとも２つの第２選択端子のそれぞれとを選択的に接続する第２スイッチと、を有する第２スイッチ回路と、を備える、
    　高周波スイッチ。
  2. 　前記第２スイッチ回路は、さらに、前記第２共通端子とグランドとの導通及び非導通を切り替える第２シャントスイッチを有する、
    　請求項１に記載の高周波スイッチ。
  3. 　前記第１スイッチ回路は、第１チップで形成され、
    　前記第１シャントスイッチは、前記第１チップに内蔵され、
    　前記第２スイッチ回路は、第２チップで形成され、
    　前記第２シャントスイッチは、前記第２チップに内蔵される、
    　請求項２に記載の高周波スイッチ。
  4. 　前記第１スイッチ回路と前記第２スイッチ回路とは１つのチップで形成され、
    　前記第１シャントスイッチ及び前記第２シャントスイッチは、前記１つのチップに内蔵される、
    　請求項２に記載の高周波スイッチ。
  5. 　前記１つのチップには、前記第１共通端子、前記第２共通端子、及び、グランドに接続されるグランド端子が設けられ、
    　前記グランド端子は、前記第１共通端子と前記第２共通端子との間に配置される、
    　請求項４に記載の高周波スイッチ。
  6. 　前記第１スイッチ回路は、第１周波数帯域の通信に用いられ、
    　前記第２スイッチ回路は、前記第１周波数帯域とは異なる第２周波数帯域の通信に用いられ、
    　前記第１周波数帯域を通過帯域とする信号の送受信が行われるときには、前記第１シャントスイッチがオフされて前記第１共通端子とグランドとが非導通状態になり、前記第２シャントスイッチがオンされて前記第２共通端子とグランドとが導通状態になり、
    　前記第２周波数帯域を通過帯域とする信号の送受信が行われるときには、前記第１シャントスイッチがオンされて前記第１共通端子とグランドとが導通状態になり、前記第２シャントスイッチがオフされて前記第２共通端子とグランドとが非導通状態になる、
    　請求項２～５のいずれか１項に記載の高周波スイッチ。
  7. 　前記第１周波数帯域は、８００ＭＨｚ帯から９００ＭＨｚ帯に含まれる帯域であり、
    　前記第２周波数帯域は、６００ＭＨｚ帯から７００ＭＨｚ帯に含まれる帯域である、
    　請求項６に記載の高周波スイッチ。
  8. 　前記第１周波数帯域は、ＬＴＥ（Ｌｏｎｇ　Ｔｅｒｍ　Ｅｖｏｌｕｔｉｏｎ）のＢａｎｄ８であり、
    　前記第２周波数帯域は、ＬＴＥのＢａｎｄ２０である、
    　請求項６または７に記載の高周波スイッチ。
  9. 　前記第１周波数帯域は、ＬＴＥのＢａｎｄ８であり、
    　前記第２周波数帯域は、ＬＴＥのＢａｎｄ２８である、
    　請求項６または７に記載の高周波スイッチ。
  10. 　前記第１周波数帯域は、ＬＴＥのＢａｎｄ２６であり、
    　前記第２周波数帯域は、ＬＴＥのＢａｎｄ１２、Ｂａｎｄ１３またはＢａｎｄ１７である、
    　請求項６または７に記載の高周波スイッチ。
  11. 　前記第１周波数帯域は、ＬＴＥのＢａｎｄ２６であり、
    　前記第２周波数帯域は、ＬＴＥのＢａｎｄ２９である、
    　請求項６または７に記載の高周波スイッチ。
  12. 　前記第１スイッチ回路は、さらに、前記第１共通端子とグランドとを前記第１シャントスイッチを介して結ぶ経路に設けられた第１整合回路を有し、
    　前記第２スイッチ回路は、さらに、前記第２共通端子とグランドとを前記第２シャントスイッチを介して結ぶ経路に設けられた第２整合回路を有する、
    　請求項２～１１のいずれか１項に記載の高周波スイッチ。
  13. 　前記第１整合回路と前記第１シャントスイッチとは、ノッチフィルタを構成する、
    　請求項１２に記載の高周波スイッチ。
  14. 　前記第２整合回路と前記第２シャントスイッチとは、ノッチフィルタを構成する、
    　請求項１２又は１３に記載の高周波スイッチ。
  15. 　さらに、増幅回路を備える、
    　請求項１～１４のいずれか１項に記載の高周波スイッチ。
  16. 　アンテナ素子で送受信される高周波信号を処理するＲＦ信号処理回路と、
    　前記アンテナ素子と前記ＲＦ信号処理回路との間で前記高周波信号を伝達する請求項１～１５のいずれか１項に記載の高周波スイッチと、を備える、
    　通信装置。
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