TW201833049A - 支撐玻璃基板及使用其的積層體、半導體封裝體及其製造方法以及電子機器 - Google Patents

支撐玻璃基板及使用其的積層體、半導體封裝體及其製造方法以及電子機器 Download PDF

Info

Publication number
TW201833049A
TW201833049A TW106140335A TW106140335A TW201833049A TW 201833049 A TW201833049 A TW 201833049A TW 106140335 A TW106140335 A TW 106140335A TW 106140335 A TW106140335 A TW 106140335A TW 201833049 A TW201833049 A TW 201833049A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
glass substrate
less
supporting
supporting glass
substrate
Prior art date
Application number
TW106140335A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI755449B (zh
Inventor
鈴木良太
Original Assignee
日商日本電氣硝子股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2017170143A external-priority patent/JP7011215B2/ja
Application filed by 日商日本電氣硝子股份有限公司 filed Critical 日商日本電氣硝子股份有限公司
Publication of TW201833049A publication Critical patent/TW201833049A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI755449B publication Critical patent/TWI755449B/zh

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00—Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/083—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound
    • C03C3/085—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing aluminium oxide or an iron compound containing an oxide of a divalent metal
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
    • C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C3/00—Glass compositions
    • C03C3/04—Glass compositions containing silica
    • C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
    • C03C3/089—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron
    • C03C3/091—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium
    • C03C3/093—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing boron containing aluminium containing zinc or zirconium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14—Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/15—Ceramic or glass substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/12105—Bump connectors formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bumps on chip-scale packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/93—Batch processes
    • H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L2224/96—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being encapsulated in a common layer, e.g. neo-wafer or pseudo-wafer, said common layer being separable into individual assemblies after connecting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Abstract

本發明的支撐玻璃基板用以支撐加工基板，且所述支撐玻璃基板的特徵在於：作為玻璃組成，以質量%計含有45%～70%的SiO2 、超過10.5%～35%的Al2 O3 、0%～20%的B2 O3 、5%～25%的Na2 O、0%～10%的K2 O、1%～10%的MgO、以及0%～5%的ZnO，且裂紋阻力為500 gf以上。

Description

支撐玻璃基板及使用其的積層體
本發明是有關於一種用以支撐加工基板的支撐玻璃基板及使用其的積層體，具體而言，是有關於一種在半導體封裝體（半導體裝置）的製造步驟中用於加工基板的支撐的支撐玻璃基板及使用其的積層體。
對行動電話、筆記型個人電腦、個人數位助理（Personal Data Assistance，PDA）等可攜式電子機器要求小型化及輕量化。伴隨於此，該些電子機器中使用的半導體晶片（chip）的安裝空間亦受到嚴格限制，從而半導體晶片的高密度安裝成為課題。因此，近年來，藉由三維安裝技術，即，將半導體晶片彼此積層而將各半導體晶片間進行配線連接，來實現半導體封裝體的高密度安裝。
另外，現有的晶圓級封裝體（Wafer Level Package，WLP）是藉由以晶圓的狀態形成凸塊後，利用切割加以單片化而製作。然而，現有的WLP中難以增加接腳數，除此之外是以半導體晶片的背面露出的狀態安裝，故有半導體晶片容易產生缺損等問題。
因此，作為新的WLP，提出一種扇出（fan out）型WLP。扇出型WLP能夠增加接腳數，且藉由保護半導體晶片的端部，可防止半導體晶片的缺損等。
扇出型WLP的製造步驟中例如包括：於將多個半導體晶片排列於支撐玻璃基板上後，利用樹脂的密封材進行成形而形成加工基板後，在加工基板的一表面進行配線的步驟；以及形成焊料凸塊的步驟等。
[發明所欲解決之課題] 且說，包括加工基板與支撐玻璃基板的積層體於扇出型WLP的製造步驟中在支撐玻璃基板側與搬送輸送機接觸的狀態下沿水平方向搬送。另外，於由機器臂等握持支撐玻璃基板的端緣部的狀態下進行搬送。
但是，支撐玻璃基板在積層體的搬送時容易受到來自搬送輸送機或機器臂的機械性衝擊。而且，若支撐玻璃基板受到機械性衝擊，則有時支撐玻璃基板產生裂紋，且以所述裂紋為起點支撐玻璃基板發生破損。
本發明是鑒於所述情況而成者，其技術性課題在於創造一種於扇出型WLP的製造步驟中在積層體的搬送時不易產生裂紋的支撐玻璃基板。 [解決課題之手段]
本發明者反覆進行了各種實驗，結果發現，選擇鹼性矽酸鋁玻璃作為支撐玻璃基板，並且嚴密地限制該鹼性矽酸鋁玻璃的玻璃組成範圍，並提高裂紋阻力，藉此可解決所述技術性課題，從而提出本發明。即，本發明的支撐玻璃基板用以支撐加工基板，且所述支撐玻璃基板的特徵在於：作為玻璃組成，以質量%計含有45%～70%的SiO2 、超過10.5%～35%的Al2 O3 、0%～20%的B2 O3 、5%～25%的Na2 O、0%～10%的K2 O、1%～10%的MgO、以及0%～5%的ZnO，且裂紋阻力為500 gf以上。此處，所謂「裂紋阻力」是指裂紋產生率為50%的負荷。「裂紋產生率」是指以如下方式測定而得的值。首先，於保持為濕度30%、溫度25℃的恒溫恒濕槽內，將設定為規定負荷的維氏壓頭朝玻璃表面（光學研磨面）打入15秒，於所述15秒後對自壓痕的四角產生的裂紋的數量進行計數（設為一個壓痕最大為4）。如此，將壓頭打入20次，於求出總裂紋產生數後，藉由（總裂紋產生數/80）×100的式子求出。裂紋阻力的測定裝置例如可使用未來科技（Future Tech）公司製造的幕太維氏（multi Vickers）硬度計FLC-50VX。
第二，本發明的支撐玻璃基板較佳為作為玻璃組成，以質量%計含有50%～67%的SiO2 、19.7%～33%的Al2 O3 、0%～15%的B2 O3 、5%～20%的Na2 O、0%～3%的K2 O、1%～5.5%的MgO、以及0%～3%的ZnO，且裂紋阻力為700 gf以上。
第三，本發明的支撐玻璃基板較佳為在20℃～220℃的溫度範圍內的平均線熱膨脹係數為40×10-7 /℃以上且120×10-7 /℃以下。據此，於在加工基板內對半導體晶片與密封材的比例進行變更的情況下，容易使加工基板與支撐玻璃基板的線熱膨脹係數嚴密地匹配。而且，若兩者的線熱膨脹係數相匹配，則於加工處理時容易抑制加工基板的尺寸變化（尤其是翹曲變形）。結果能夠在加工基板的一表面進行高密度配線，且亦可準確地形成焊料凸塊。此處，「在20℃～220℃的溫度範圍內的平均線熱膨脹係數」可利用膨脹計（dilatometer）進行測定。
第四，本發明的支撐玻璃基板較佳為在20℃～260℃的溫度範圍內的平均線熱膨脹係數為40×10-7 /℃以上且120×10-7 /℃以下。此處，「在20℃～260℃的溫度範圍內的平均線熱膨脹係數」可利用膨脹計進行測定。
第五，本發明的支撐玻璃基板較佳為在30℃～380℃的溫度範圍內的平均線熱膨脹係數為42×10-7 /℃以上且125×10-7 /℃以下。此處，「在30℃～380℃的溫度範圍內的平均線熱膨脹係數」可利用膨脹計進行測定。
第六，本發明的支撐玻璃基板較佳為具有直徑100 mm～500 mm的晶圓形狀或大致圓板形狀，板厚小於2.0 mm，整體板厚偏差（Total Thickness Variation，TTV）為5 μm以下，且翹曲量為60 μm以下。此處，「翹曲量」是指支撐玻璃基板整體中的最高位點與最小平方焦點面之間的最大距離的絕對值、和最低位點與最小平方焦點面的絕對值的合計，例如可藉由神鋼（KOBELCO）科研公司製造的彎曲/翹曲（Bow/Warp）測定裝置SBW-331M/Ld進行測定。
第七，本發明的積層體較佳為至少包括加工基板及用以支撐加工基板的支撐玻璃基板，且支撐玻璃基板為所述支撐玻璃基板。
第八，本發明的積層體較佳為加工基板至少包括利用密封材進行了成形的半導體晶片。
第九，本發明的半導體封裝體的製造方法較佳為包括：準備至少包括加工基板及用以支撐加工基板的支撐玻璃基板的積層體的步驟；以及對加工基板進行加工處理的步驟，並且支撐玻璃基板為所述支撐玻璃基板。
第十，本發明的半導體封裝體的製造方法較佳為加工處理包括在加工基板的一表面進行配線的步驟。
第十一，本發明的半導體封裝體的製造方法較佳為加工處理包括在加工基板的一表面形成焊料凸塊的步驟。
第十二，本發明的半導體封裝體較佳為利用所述半導體封裝體的製造方法製作。
第十三，本發明的電子機器較佳為包括半導體封裝體，且半導體封裝體為所述半導體封裝體。
本發明的支撐玻璃基板的特徵在於：作為玻璃組成，以質量%計含有45%～70%的SiO2 、超過10.5%～35%的Al2 O3 、0%～20%的B2 O3 、5%～25%的Na2 O、0%～10%的K2 O、1%～10%的MgO、以及0%～5%的ZnO。以下表示如所述般限定各成分的含量的理由。再者，各成分的含量的說明中，%表達是表示質量%。
SiO2 是形成玻璃的骨架的主成分。若SiO2 的含量過少，則楊氏模量、耐酸性容易下降。但是，若SiO2 的含量過多，則高溫黏度增高，熔融性、成形性容易下降，除此之外白矽石（cristobalite）等的失透結晶容易析出，液相溫度容易上升。因此，SiO2 的下限範圍為45%以上，較佳為47%以上、尤其是49%以上，上限範圍為70%以下，較佳為68%以下、66%以下、尤其是65%以下，於使熔融性優先的情況下，為64%以下、63%以下、尤其是62%以下。
Al2 O3 是提高裂紋阻力的成分。且是抑制分相、失透的成分。但是，若Al2 O3 的含量過多，則高溫黏度增高，熔融性與成形性容易下降。因此，Al2 O3 的下限範圍超過10.5%，較佳為11%以上、13%以上、15%以上、17%以上、尤其是19.7%以上，上限範圍為35%以下，較佳為30%以下，於使熔融性、成形性優先的情況下，為25%以下、尤其是20%以下。
B2 O3 是提高熔融性、耐失透性的成分，且為改善裂紋阻力的成分。但是，若B2 O3 的含量過多，則楊氏模量、耐酸性容易下降。因此，B2 O3 的下限範圍為0%以上，較佳為1%以上、2%以上、3%以上、尤其是4%以上，上限範圍為20%以下，較佳為15%以下、13%以下、11%以下、尤其是9%以下。
Na2 O是用以調整線熱膨脹係數的重要的成分，且是有助於玻璃原料的初期的熔融的成分。但是，若Na2 O的含量過多，則有線熱膨脹係數不合理地增高之虞。因此，Na2 O的下限範圍為5%以上，較佳為6%以上、7%以上、8%以上、尤其是9%以上，上限範圍為25%以下，較佳為23%以下、21%以下、尤其是18%以下。
K2 O是用以調整線熱膨脹係數的成分，且是有助於玻璃原料的初期的熔融的成分。但是，若K2 O的含量過多，則有線熱膨脹係數不合理地增高之虞。因此，K2 O的含量為0%～10%，較佳為0%～6%、0%～5%、0.1%～1.9%、尤其是0.2%～小於1%。
MgO是提高裂紋阻力的成分。另外是降低高溫黏性而提高熔融性的成分，且為鹼土類金屬氧化物中顯著提高楊氏模量的成分。但是，若MgO的含量變多，則耐失透性容易下降。因此，MgO的含量為1%～10%，較佳為1%～6%、1%～5.5%、2%～5%、尤其是3%～小於4%。
質量比（Al2 O3 +B2 O3 +MgO）/(Na2 O+K2 O）較佳為1.3以上、1.5以上、2.0以上、2.5以上、尤其是3.0以上。若質量比（Al2 O3 +B2 O3 +MgO）/(Na2 O+K2 O）過小，則裂紋阻力下降，或者容易受到損傷，支撐玻璃基板容易因裂紋發生破損。
ZnO是降低高溫黏性而顯著提高熔融性、成形性的成分，且是提高耐候性的成分。但是，若ZnO的含量過多，則玻璃容易失透。因此，ZnO的含量為0%～5%，較佳為0%～4%、0.1%～2%、尤其是0.3%～1.5%。
除所述成分以外，亦可導入其他成分作為任意成分。再者，自的確享有本發明的效果的觀點考慮，所述成分以外的其他成分的含量較佳為以合計量計為25%以下、20%以下、15%以下、10%以下、尤其是5%以下。
Li2 O是降低高溫黏性而顯著提高熔融性、成形性的成分。且是提高楊氏模量的成分。但是，若Li2 O的含量過多，則玻璃容易失透。因此，Li2 O的含量較佳為0%～7%、0%～3%、0%～1%、尤其是0.01%～0.1%。
CaO是降低高溫黏性而顯著提高熔融性、成形性的成分。且是鹼土類金屬氧化物中因導入原料相對廉價故使原料成本低廉化的成分。但是，若CaO的含量過多，則玻璃容易失透。因此，CaO的含量較佳為0%～10%、1%～8%、3%～8%、2%～6%、尤其是2%～5%。
SrO是抑制分相的成分，且是提高耐失透性的成分。但是，若SrO的含量過多，則玻璃容易失透。因此，SrO的含量較佳為0%～20%、0%～15%、0%～9%、0%～5%、0%～4%、0%～3%、0%～2%、尤其是0%～小於1%。再者，於使耐失透性的提高優先的情況下，SrO的較佳的下限範圍為0.1%以上、1%以上、2%以上、4%以上、尤其是7%以上。
BaO是提高耐失透性的成分。但是，若BaO的含量過多，則玻璃容易失透。因此，BaO的含量較佳為0%～20%、0%～14%、0%～9%、0%～5%、0%～4%、0%～3%、0%～2%、尤其是0%～小於1%。再者，於使耐失透性的提高優先的情況下，BaO的較佳的下限範圍為0.1%以上、1%以上、尤其是3%以上。
Fe2 O3 是可作為雜質成分或澄清劑成分導入的成分。但是，若Fe2 O3 的含量過多，則有紫外線透過率下降之虞。即，若Fe2 O3 的含量過多，則有時難以經由樹脂層、剝離層來適當地進行加工基板與支撐玻璃基板的黏結與脫附。因此，Fe2 O3 的含量較佳為0.05%以下、0.03%以下、0.001%～0.02%、尤其是0.005%～0.01%。再者，本發明中提及的「Fe2 O3 」包含2價氧化鐵與3價氧化鐵，2價氧化鐵換算為Fe2 O3 ，而進行處理。關於其他氧化物，同樣地以表述的氧化物為基準而進行處理。
作為澄清劑，As2 O3 有效地發揮作用，就環境的觀點而言，較佳為極力減少該些成分。As2 O3 的含量較佳為1%以下、0.5%以下、尤其是0.1%以下，理想的是實質不含有。此處，所謂「實質不含有As2 O3 」是指玻璃組成中的As2 O3 的含量小於0.05%的情況。
Sb2 O3 是在低溫區域具有良好的澄清作用的成分。Sb2 O3 的含量較佳為0%～1%、0.001%～1%、0.01%～0.9%、尤其是0.05%～0.7%。若Sb2 O3 的含量過多，則玻璃容易著色。
SnO2 是在高溫區域具有良好的澄清作用的成分，且是使高溫黏性下降的成分。SnO2 的含量較佳為0%～1%、0.001%～1%、0.01%～0.9%、尤其是0.05%～0.7%。若SnO2 的含量過多，則SnO2 的失透結晶容易析出。再者，若SnO2 的含量過少，則難以享有所述效果。
SO3 是具有澄清作用的成分。SO3 的含量較佳為0%～1%、0.001%～1%、0.01%～0.5%、尤其是0.05%～0.3%。若SO3 的含量過多，則容易產生SO2 再沸（reboil）。
進而，只要不損害玻璃特性，亦可分別導入F、C、或Al、Si等金屬粉末至1%左右作為澄清劑。而且，CeO2 等亦可導入1%左右，但需要留意紫外線透過率的下降。
Cl是促進玻璃的熔融的成分。若向玻璃組成中導入Cl，則可實現熔融溫度的低溫化、澄清作用的促進，結果，容易達成熔融成本的低廉化、玻璃製造爐的長壽命化。但是，若Cl的含量過多，則有使玻璃製造爐周圍的金屬零件腐蝕之虞。因此，Cl的含量較佳為3%以下、1%以下、0.5%以下、尤其是0.1%以下。
P2 O5 是可抑制失透結晶的析出的成分。但是，若大量導入P2 O5 ，則玻璃容易分相。因此，P2 O5 的含量較佳為0%～15%、0%～2.5%、0%～1.5%、0%～0.5%、尤其是0.1%～0.3%。
TiO2 是降低高溫黏性並提高熔融性的成分，且是抑制曝曬作用（solarization）的成分。但是，若大量導入TiO2 ，則玻璃著色，透過率容易下降。因此，TiO2 的含量較佳為0%～5%、0%～3%、0%～1%、尤其是0%～0.02%。
ZrO2 是改善耐化學品性、楊氏模量的成分。但是，若大量導入ZrO2 ，則玻璃容易失透，而且導入原料為難熔解性，因而有未熔解的結晶性異物混入至製品基板之虞。因此，ZrO2 的含量較佳為0%～10%、0%～7%、0%～5%、0.001%～3%、0.01%～1%、尤其是0.1%～0.5%。
Y2 O3 、Nb2 O5 、La2 O3 中具有提高應變點、楊氏模量等的作用。但是，若該些成分的含量分別為5%，尤其多於1%，則有原料成本、製品成本高漲之虞。
本發明的支撐玻璃基板較佳為具有以下特性。
裂紋阻力為500 gf以上，較佳為600 gf以上、700 gf以上、800 gf以上、900 gf以上、尤其是1000 gf以上。若裂紋阻力低，則於扇出型WLP的製造步驟中，由於來自搬送輸送機或機器臂的機械性衝擊，支撐玻璃基板產生裂紋，以所述裂紋為起點，支撐玻璃基板容易發生破損。
20℃～220℃的溫度範圍內的平均線熱膨脹係數較佳為40×10-7 /℃以上且120×10-7 /℃以下，更佳為超過50×10-7 /℃以上且110×10-7 /℃以下，進而佳為60×10-7 /℃以上且100×10-7 /℃以下，尤佳為70×10-7 /℃以上且95×10-7 /℃以下。若20℃～220℃的溫度範圍內的平均線熱膨脹係數為所述範圍外，則加工基板與支撐玻璃基板的線熱膨脹係數難以匹配。而且，若兩者的線熱膨脹係數不匹配，則加工處理時容易產生加工基板的尺寸變化（尤其是翹曲變形）。
20℃～260℃的溫度範圍內的平均線熱膨脹係數較佳為40×10-7 /℃以上且120×10-7 /℃以下，更佳為超過50×10-7 /℃且110×10-7 /℃以下，進而佳為60×10-7 /℃以上且100×10-7 /℃以下，尤佳為70×10-7 /℃以上且95×10-7 /℃以下。若20℃～260℃的溫度範圍內的平均線熱膨脹係數為所述範圍外，則加工基板與支撐玻璃基板的線熱膨脹係數難以匹配。而且，若兩者的線熱膨脹係數不匹配，則加工處理時容易產生加工基板的尺寸變化（尤其是翹曲變形）。
30℃～380℃的溫度範圍內的平均線熱膨脹係數較佳為42×10-7 /℃以上且125×10-7 /℃以下，更佳為超過50×10-7 /℃且110×10-7 /℃以下，進而佳為60×10-7 /℃以上且100×10-7 /℃以下，尤佳為70×10-7 /℃以上且95×10-7 /℃以下。若30℃～380℃的溫度範圍內的平均線熱膨脹係數為所述範圍外，則加工基板與支撐玻璃基板的線熱膨脹係數難以匹配。而且，若兩者的線熱膨脹係數不匹配，則加工處理時容易產生加工基板的尺寸變化（尤其是翹曲變形）。
102.5 dPa·s下的溫度較佳為1680℃以下、1620℃以下、1580℃以下、1550℃以下、1520℃以下、尤其是1500℃以下。若102.5 dPa·s下的溫度變高，則熔融性下降，玻璃基板的製造成本高漲。此處，「102.5 dPa·s下的溫度」能夠利用鉑球提拉法測定。再者，102.5 dPa·s下的溫度相當於熔融溫度，該溫度越低，熔融性越提高。
液相溫度較佳為小於1300℃、1200℃以下、1100℃以下、1050℃以下、1000℃以下、尤其是950℃以下。液相溫度下的黏度較佳為10000 dPa·s以上、30000 dPa·s以上、60000 dPa·s以上、100000 dPa·s以上、200000 dPa·s以上、300000 dPa·s以上、500000 dPa·s以上、800000 dPa·s以上、尤其是1000000 dPa·s以上。如此，由於成形時失透結晶難以析出，因此容易利用下拉法、尤其是溢流下拉法將玻璃基板成形。此處，「液相溫度」能夠藉由將通過標準篩30目（500 μm）而殘留於50目（300 μm）的玻璃粉末裝入鉑舟後，於溫度梯度爐中保持24小時，並測定結晶析出的溫度而算出。「液相溫度下的黏度」能夠利用鉑球提拉法測定。再者，液相溫度下的黏度為成形性的指標，液相溫度下的黏度越高，成形性越提高。
本發明的支撐玻璃基板中，楊氏模量較佳為65 GPa以上、68 GPa以上、70 GPa以上、72 GPa以上、73 GPa以上、尤其是74 GPa以上。若楊氏模量過低，則難以維持積層體的剛性，且容易產生加工基板的變形、翹曲、破損等。此處，「楊氏模量」是指利用彎曲共振法而測定的值。
本發明的支撐玻璃基板較佳為具有以下形狀。
本發明的支撐玻璃基板較佳為大致圓板狀或晶圓狀，其直徑較佳為100 mm以上且500 mm以下、尤其是150 mm以上且450 mm以下。如此，容易適用於扇出型WLP的製造步驟。亦可視需要加工成除此以外的形狀、例如矩形等形狀。
正圓度較佳為1 mm以下、0.1 mm以下、0.05 mm以下、尤其是0.03 mm以下。正圓度越小，越容易適用於扇出型WLP的製造步驟。再者，「正圓度」是除了凹口部以外從晶圓的外形的最大值減去最小值所得的值。
板厚較佳為小於2.0 mm、1.5 mm以下、1.2 mm以下、1.1 mm以下、1.0 mm以下、尤其是0.9 mm以下。板厚越薄，積層體的質量越變輕，故操作性提高。另一方面，若板厚過薄，則支撐玻璃基板本身的強度下降，變得難以發揮作為支撐基板的功能。因此，板厚較佳為0.1 mm以上、0.2 mm以上、0.3 mm以上、0.4 mm以上、0.5 mm以上、0.6 mm以上、尤其是超過0.7 mm。
整體板厚偏差（TTV）較佳為5 μm以下、4 μm以下、3 μm以下、2 μm以下、1μm以下、尤其是0.1 μm～小於1 μm。另外，算術平均粗糙度Ra較佳為20 nm以下、10 nm以下、5 nm以下、2 nm以下、1 nm以下、尤其是0.5 nm以下。表面精度越高，越可容易提高加工處理的精度。因尤其可提高配線精度，故可進行高密度的配線。另外，支撐玻璃基板的強度提高，支撐玻璃基板及積層體不易破損。進而，可增加支撐玻璃基板的再利用次數。再者，「算術平均粗糙度Ra」可藉由觸針式表面粗糙度計或原子力顯微鏡（atomic force microscope，AFM）進行測定。
本發明的支撐玻璃基板較佳為在利用溢流下拉法成形後，對表面進行研磨而成。如此，容易將整體板厚偏差（TTV）限制在小於2.0 μm、1.5 μm以下、1.0 μm以下、尤其是0.1 μm～小於1.0 μm。
翹曲量較佳為60 μm以下、55 μm以下、50 μm以下、1 μm～45 μm、尤其是5 μm～40 μm。翹曲量越小，越容易提高加工處理的精度。因尤其可提高配線精度，故可進行高密度的配線。
本發明的支撐玻璃基板較佳為具有凹口部（凹口形狀的對準部），凹口部的深度更佳為於平面視時為大致圓形狀或大致V槽形狀。藉此，使定位銷等定位構件抵接於支撐玻璃基板的凹口部，容易對支撐玻璃基板進行位置固定。結果，支撐玻璃基板與加工基板的對準變得容易。尤其，若亦於加工基板上形成凹口部且使定位構件抵接，則積層體整體的對準變得容易。再者，凹口部由於抵接有定位構件，因此容易產生裂紋，但本發明的支撐玻璃基板由於裂紋阻力高，因此於具有凹口部的情況下尤其有效。
若將定位構件抵接於支撐玻璃基板的凹口部，則應力容易集中於凹口部，以凹口部為起點，支撐玻璃基板容易發生破損。尤其，於支撐玻璃基板因外力而發生彎曲時，所述傾向變得顯著。因此，本發明的支撐玻璃基板較佳為凹口部的表面與端面交差的端緣區域的全部或一部分被倒角。藉此，可有效地避免以凹口部為起點的破損。
本發明的支撐玻璃基板的凹口部的表面與端面交差的端緣區域的全部或一部分被倒角，較佳為凹口部的表面與端面交差的端緣區域的50%以上被倒角，更佳為凹口部的表面與端面交差的端緣區域的90%以上被倒角，進而佳為凹口部的表面與端面交差的端緣區域全部被倒角。凹口部中被倒角的區域越大，越能夠減少以凹口部為起點的破損的概率。
凹口部的表面方向的倒角寬度較佳為50 μm～900 μm、200 μm～800 μm、300 μm～700 μm、400 μm～650 μm、尤其是500 μm～600 μm。若凹口部的表面方向的倒角寬度過小，則以凹口部為起點，支撐玻璃基板容易發生破損。另一方面，若凹口部的表面方向的倒角寬度過大，則倒角效率下降，支撐玻璃基板的製造成本容易高漲。
凹口部的板厚方向的倒角寬度較佳為板厚的5%～80%、20%～75%、30%～70%、35%～65%、尤其是40%～60%。若凹口部的板厚方向的倒角寬度過小，則以凹口部為起點，支撐玻璃基板容易發生破損。另一方面，若凹口部的板厚方向的倒角寬度過大，則外力容易集中於凹口部的端面，以凹口部的端面為起點，支撐玻璃基板容易發生破損。
本發明的支撐玻璃基板較佳為於表面形成（做標記（marking））有二維碼的資訊識別部（標記）。如此，可管理、認識支撐玻璃基板的生產資訊等（例如、玻璃基板的尺寸、線熱膨脹係數、批次、整體板厚偏差、製造者名、販賣者名）。再者，資訊辨別部通常形成於支撐玻璃基板的周邊區域，且以文字、記號等的形式由人的眼睛等來識別。或者，有時支撐玻璃基板的資訊辨別部亦藉由電荷耦合元件（Charge Coupled Device，CCD）相機等光學元件來自動地辨別。
資訊識別部可利用各種方法形成，但本發明中較佳為照射脈波雷射，對所述照射區域的玻璃進行剝蝕而形成資訊識別部，即藉由雷射剝蝕而形成資訊識別部。如此，可於照射區域的玻璃中不蓄積過剩量的熱而產生剝蝕。結果，不僅可減少厚度方向的裂紋的長度，而且可減少自點延伸的表面方向的裂紋的長度。再者，本發明的支撐玻璃基板具有如下優點：由於裂紋阻力高，因此於藉由雷射剝蝕形成資訊識別部（尤其是點）時，不易產生裂紋。
資訊識別部較佳為包含多個點。點的外徑尺寸較佳為0.05 mm～0.20 mm、0.07 mm～0.13 mm、尤其是0.09 mm～0.11 mm。若點的外徑尺寸過小，則資訊識別部的視認性容易下降。另一方面，若點的外徑尺寸過大，則容易確保支撐玻璃基板的強度。
彼此相互鄰接的點的中心間距離較佳為0.06 mm～0.25 mm。若彼此相互鄰接的點的中心間距離過小，則容易確保支撐玻璃基板的強度。另一方面，若彼此相互鄰接的點的中心間距離過大，則資訊識別部的視認性容易下降。
點的形狀較佳為環狀的槽。如此，若使點為環狀的槽，則由所述環狀的槽包圍的區域（相較於槽更靠內側的區域）不會藉由雷射被去除而殘存，因此能夠盡可能地防止設置有資訊識別部的區域的強度下降。另外，若為環狀的槽，只要外徑尺寸不發生變化，則即便減小槽的寬度尺寸，視認性亦不會下降那麼大程度。因此，若不改變槽的外徑尺寸而減小寬度尺寸，則相應地可大量獲取相較於槽更靠內側的區域的體積，藉此可確保視認性且確保所需的強度。
形成點的槽的深度尺寸較佳為2 μm～30 μm。若槽的深度尺寸過小，則資訊識別部的視認性容易下降。另一方面，若槽的深度尺寸過大，則容易確保支撐玻璃基板的強度。
本發明的支撐玻璃基板較佳為利用下拉法、尤其是溢流下拉法進行成形而成。溢流下拉法為如下方法，即，使熔融玻璃從耐熱性的流槽狀結構物的兩側溢出，使溢出的熔融玻璃一邊在流槽狀結構物的下頂端合流，一邊向下方延伸成形而製造玻璃基板。溢流下拉法中，應成為玻璃基板的表面的面不與流槽狀耐火物接觸，而以自由表面的狀態成形。因此，藉由少量的研磨，可將整體板厚偏差（TTV）減少至小於2.0 μm、尤其是小於1.0 μm。結果可使玻璃基板的製造成本低廉化。
本發明的支撐玻璃基板較佳為不進行離子交換處理，且較佳為表面不具有壓縮應力層。若進行離子交換處理，則支撐玻璃基板的製造成本高漲，但若不進行離子交換處理，則可使支撐玻璃基板的製造成本下降。進而，若進行離子交換處理，則難以減少支撐玻璃基板的整體板厚偏差（TTV），但若不進行離子交換處理，則容易消除所述不良情況。再者，本發明的支撐玻璃基板不排除進行離子交換處理而在表面形成壓縮應力層的形態。若僅著眼於提高機械性強度的觀點，則較佳為進行離子交換處理並在表面形成壓縮應力層。
本發明的積層體至少包括加工基板及用以支撐加工基板的支撐玻璃基板，且所述積層體的特徵在於：支撐玻璃基板為所述支撐玻璃基板。本發明的積層體較佳為於加工基板與支撐玻璃基板之間具有接著層。接著層較佳為樹脂，且較佳為例如熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂（尤其是紫外線硬化樹脂）等。另外，較佳為具有可耐受扇出型WLP的製造步驟中的熱處理的耐熱性。藉此，於扇出型WLP的製造步驟中接著層難以熔解，可提高加工處理的精度。再者，因容易將加工基板與支撐玻璃基板固定，故亦可將紫外線硬化型膠帶用作接著層。
本發明的積層體較佳為進而於加工基板與支撐玻璃基板之間，更具體而言於加工基板與接著層之間具有剝離層，或者於支撐玻璃基板與接著層之間具有剝離層。如此對加工基板進行規定的加工處理後，容易將加工基板自支撐玻璃基板剝離。自生產性的觀點考慮，加工基板的剝離較佳為藉由雷射光等照射光而進行。作為雷射光源，可使用釔鋁石榴石（Yttrium Aluminium Garnet，YAG）雷射（波長1064 nm）、半導體雷射（波長780 nm～1300 nm）等紅外光雷射光源。另外，於剝離層中可使用藉由照射紅外線雷射而分解的樹脂。另外，亦可將效率優良地吸收紅外線並轉換為熱的物質添加到樹脂中。例如，亦可將碳黑、石墨粉、微粒子金屬粉末、染料、顏料等添加到樹脂中。
剝離層包括藉由雷射光等照射光而產生「層內剝離」或「界面剝離」的材料。即包括以下材料：若照射一定強度的光，則原子或分子中的原子間或分子間的結合力消失或減少，發生剝蝕（ablation）等，從而產生剝離的材料。再者，有藉由照射光的照射，剝離層中所含有的成分成為氣體被放出而導致分離的情況、與剝離層吸收光成為氣體並放出其蒸氣而導致分離的情況。
本發明的積層體中，支撐玻璃基板較佳為比加工基板大。藉此於對加工基板與支撐玻璃基板進行支撐時兩者的中心位置稍有分離的情況下，加工基板的邊緣部亦難以超出支撐玻璃基板。
本發明的半導體封裝體的製造方法的特徵在於包括：準備至少包括加工基板及用以支撐加工基板的支撐玻璃基板的積層體的步驟；以及對加工基板進行加工處理的步驟；並且支撐玻璃基板為所述支撐玻璃基板。
本發明的半導體封裝體的製造方法較佳為進而包括搬送積層體的步驟。藉此，可提高加工處理的處理效率。再者，「搬送積層體的步驟」與「對加工基板進行加工處理的步驟」無須分開進行，亦可同時進行。
本發明的半導體封裝體的製造方法中，加工處理較佳為在加工基板的一表面進行配線的處理或在加工基板的一表面形成焊料凸塊的處理。本發明的半導體封裝體的製造方法中，在該些處理時加工基板尺寸不易變化，因而可適當地進行該些步驟。
除所述以外，作為加工處理亦可為以下處理中的任一個：對加工基板的一表面（通常與支撐玻璃基板為相反側的表面）以機械方式進行研磨的處理、對加工基板的一表面（通常與支撐玻璃基板為相反側的表面）進行乾式蝕刻的處理、對加工基板的一表面（通常與支撐玻璃基板為相反側的表面）進行濕式蝕刻的處理。再者，本發明的半導體封裝體的製造方法中，在加工基板上不易產生翹曲，並且可維持積層體的剛性。結果，可適當進行所述加工處理。
一邊參照圖式一邊對本發明進一步進行說明。
圖1為表示本發明的積層體1的一例的概念立體圖。圖1中，積層體1包括支撐玻璃基板10及加工基板11。支撐玻璃基板10為了防止加工基板11的尺寸變化，而貼附於加工基板11。支撐玻璃基板10與加工基板11之間配置有剝離層12與接著層13。剝離層12與支撐玻璃基板10接觸，接著層13與加工基板11接觸。
即，積層體1以支撐玻璃基板10、剝離層12、接著層13、加工基板11的順序積層配置。支撐玻璃基板10的形狀根據加工基板11而決定，圖1中，支撐玻璃基板10及加工基板11的形狀均為大致圓板形狀。剝離層12例如可使用藉由照射雷射而分解的樹脂。另外，亦可向樹脂中添加效率優良地吸收雷射光並轉換成熱的物質。例如為碳黑、石墨粉、微粒子金屬粉末、染料、顏料等。剝離層12藉由電漿化學氣相沈積法（Chemical vapor deposition，CVD）、溶膠-凝膠法的旋塗等而形成。接著層13包括樹脂，例如藉由各種印刷法、噴墨法、旋塗法、輥塗法等塗佈形成。另外，亦能夠使用紫外線硬化型膠帶。接著層13在藉由剝離層12從加工基板11剝離支撐玻璃基板10後，藉由溶劑等加以溶解去除。紫外線硬化型膠帶在照射紫外線後，可藉由剝離用膠帶而去除。
圖2（a）～圖2（g）是表示扇出型WLP的製造步驟的概念剖面圖。圖2（a）表示在支撐構件20的一表面形成接著層21的狀態。亦可視需要在支撐構件20與接著層21之間形成剝離層。繼而，如圖2（b）所示，於接著層21之上貼附多個半導體晶片22。此時，使半導體晶片22的主動側的面與接著層21接觸。繼而，如圖2（c）所示，利用樹脂的密封材23對半導體晶片22進行成形。密封材23使用壓縮成形後的尺寸變化、將配線成形時的尺寸變化少的材料。接著，如圖2（d）、圖2（e）所示，將半導體晶片22經成形的加工基板24自支撐構件20分離後，經由接著層25而與支撐玻璃基板26接著固定。此時，將加工基板24的表面內的與埋入半導體晶片22側的表面為相反側的表面配置於支撐玻璃基板26側。如此可獲得積層體27。再者，亦可視需要於接著層25與支撐玻璃基板26之間形成剝離層。進而搬送所獲得的積層體27後，如圖2（f）所示，於加工基板24的埋入半導體晶片22側的表面形成配線28後，形成多個焊料凸塊29。最後，在加工基板24從支撐玻璃基板26分離後，將加工基板24切斷為每個半導體晶片22，並用於之後的封裝步驟（圖2（g））。
圖3（a）、圖3（b）為表示本發明的支撐玻璃基板的一例的上方概念圖。如圖3（a）所示，支撐玻璃基板31的外形為大致正圓的晶圓狀。另外，支撐玻璃基板31的外形包含凹口部32以及佔凹口部32以外的外形區域的外形部33。凹口部32具有凹口形狀、即具有凹陷的形狀。凹口形狀的深部34於平面視時為帶圓弧的大致圓形狀，凹口部32與外形部33的邊界亦為帶圓弧的大致圓形狀。如圖3（b）所示，支撐玻璃基板35的外形為大致正圓的晶圓狀。另外，支撐玻璃基板35的外形包含凹口部36以及佔凹口部36以外的外形區域的外形部37。支撐玻璃基板35的凹口部36具有凹口形狀，凹口形狀的深部38成為大致V槽形狀。
圖4為圖3（a）的A-A'方向的剖面概念圖。如圖4所示，於支撐玻璃基板31的表面39、表面40與端面41交差的端緣區域具有倒角面42、倒角面43。支撐玻璃基板31的表面39、表面40的方向的倒角寬度X例如為50 μm～900 μm，支撐玻璃基板31的板厚方向的倒角寬度Y+Y'例如為板厚t的20%～80%。而且，端面41與倒角面42、倒角面43於分別連續地帶有圓弧的狀態下連結，表面39、表面40與倒角面42、倒角面43於分別連續地帶有圓弧的狀態下連結。 [實施例1]
以下基於實施例對本發明進行說明。再者，以下的實施例僅為例示。本發明並不受以下實施例的任何限定。
表1、表2表示本發明的實施例（試樣No.1～試樣No.23）。另外，表3表示本發明的比較例（試料No.24～試料No.38）。
[表1]
[表2]
[表3]
首先，將以成為表中的玻璃組成的方式調合玻璃原料所得的玻璃配料放入至鉑坩堝中，以1600℃熔融4小時。當玻璃配料熔解時，使用鉑攪拌器進行攪拌，而進行均質化。然後，使熔融玻璃向碳板上流出，而成形為板狀後，從比緩冷點高20℃左右的溫度開始，以3℃/min緩冷至常溫為止。對所獲得的各試樣，評價裂紋阻力、20℃～200℃的溫度範圍內的平均線熱膨脹係數α20 ～ 200 ，20℃～220℃的溫度範圍內的平均線熱膨脹係數α20 ～ 220 ，20℃～260℃的溫度範圍內的平均線熱膨脹係數α20 ～ 260 ，30℃～380℃的溫度範圍內的平均線熱膨脹係數α30 ～ 380 ，密度，應變點Ps，緩冷點Ta，軟化點Ts，高溫黏度104.0 dPa·s下的溫度，高溫黏度103.0 dPa·s下的溫度，高溫黏度102.5 dPa·s下的溫度，液相溫度TL，液相溫度TL下的黏度η、楊氏模量、剛性係數及帕桑比。
裂紋阻力是指裂紋產生率為50%的負荷，裂紋產生率以如下方式測定。首先，於保持為濕度30%、溫度25℃的恒溫恒濕槽內，將設定為規定負荷的維氏壓頭朝玻璃表面（光學研磨面）打入15秒，於所述15秒後對自壓痕的四角產生的裂紋的數量進行計數（設為一個壓痕最大為4）。如此，將壓頭打入20次，於求出總裂紋產生數後，藉由（總裂紋產生數/80）×100的式子求出。
所述溫度範圍內的平均線熱膨脹係數為利用膨脹計進行測定而得的值。
密度為藉由周知的阿基米德（Archimedes）法進行測定而得的值。
應變點Ps、徐冷點Ta、軟化點Ts為基於美國試驗材料學會（American Society for Testing Material，ASTM）C336的方法進行測定而得的值。
高溫黏度104.0 dPa·s、高溫黏度103.0 dPa·s及高溫黏度102.5 dPa·s下的溫度為藉由鉑球提拉法進行測定而得的值。
液相溫度TL為將通過標準篩30目（500 μm）而殘留於50目（300 μm）的玻璃粉末裝入鉑舟，於溫度梯度爐中保持24小時後，藉由顯微鏡觀察而對結晶析出的溫度進行測定而得的值。液相溫度TL下的黏度η為利用鉑球提拉法對液相溫度TL下的玻璃的黏度進行測定所得的值。
楊氏模量、剛性係數、帕桑比是指藉由共振法進行測定而得的值。
根據表1、表2明確般，試樣No.1～試樣No.23的裂紋阻力為600 gf以上，因此認為於扇出型WLP的製造步驟中在積層體的搬送時不易產生裂紋。另一方面，試樣No.24～試樣No.38的裂紋阻力為494 gf以下，因此認為於扇出型WLP的製造步驟中在積層體的搬送時容易產生裂紋。 [實施例2]
首先，以成為表1、表2中記載的試樣No.1～試樣No.23中記載的玻璃組成的方式調合玻璃原料後，供給至玻璃熔融爐中以1600℃～1700℃熔融，然後將熔融玻璃供給至溢流下拉成形裝置，分別成形為板厚0.8 mm。對於所獲得的玻璃基板，對兩表面進行機械研磨，將整體板厚偏差（TTV）減少至小於1 μm。在將所獲得的玻璃基板加工為f300 mm×0.8 mm厚後，藉由研磨裝置對其兩表面進行研磨處理。具體而言，以外徑不同的一對研磨墊夾持玻璃基板的兩表面，一邊使玻璃基板與一對研磨墊一同旋轉，一邊對玻璃基板的兩表面進行研磨處理。研磨處理時，有時以玻璃基板的一部分超出研磨墊的方式進行控制。再者，研磨墊為胺基甲酸酯製，研磨處理時所使用的研磨漿料的平均粒徑為2.5 μm，研磨速度為15 m/min。對所獲得的各研磨處理完畢的玻璃基板，藉由神鋼（KOBELCO）科研公司製造的彎曲/翹曲（Bow/Warp）測定裝置SBW-331ML/d測定整體板厚偏差（TTV）與翹曲量。結果，整體板厚偏差（TTV）分別為0.85 μm以下，翹曲量分別為35 μm以下。
1、27‧‧‧積層體
10、26、31、35‧‧‧支撐玻璃基板
11、24‧‧‧加工基板
12‧‧‧剝離層
13、21、25‧‧‧接著層
20‧‧‧支撐構件
22‧‧‧半導體晶片
23‧‧‧密封材
28‧‧‧配線
29‧‧‧焊料凸塊
32、36‧‧‧凹口部
33、37‧‧‧外形部
34、38‧‧‧凹口部的深部
39、40‧‧‧支撐玻璃基板的表面
41‧‧‧支撐玻璃基板的端面
42、43‧‧‧支撐玻璃基板的倒角面
X、Y+Y'‧‧‧倒角寬度
t‧‧‧板厚
圖1是表示本發明的積層體的一例的概念立體圖。 圖2（a）～圖2（g）是表示扇出型WLP的製造步驟的概念剖面圖。 圖3（a）、圖3（b）為表示本發明的支撐玻璃基板的一例的上方概念圖。 圖4為圖3（a）的A-A'方向的剖面概念圖。

Claims (13)

  1. 一種支撐玻璃基板，其用以支撐加工基板，且所述支撐玻璃基板的特徵在於： 作為玻璃組成，以質量%計含有45%～70%的SiO2 、超過10.5%～35%的Al2 O3 、0%～20%的B2 O3 、5%～25%的Na2 O、0%～10%的K2 O、1%～10%的MgO、以及0%～5%的ZnO，且裂紋阻力為500 gf以上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的支撐玻璃基板，其中作為玻璃組成，以質量%計含有50%～67%的SiO2 、19.7%～33%的Al2 O3 、0%～15%的B2 O3 、5%～20%的Na2 O、0%～3%的K2 O、1%～5.5%的MgO、以及0%～3%的ZnO，且裂紋阻力為700 gf以上。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的支撐玻璃基板，其中在20℃～220℃的溫度範圍內的平均線熱膨脹係數為40×10-7 /℃以上且120×10-7 /℃以下。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的支撐玻璃基板，其中在20℃～260℃的溫度範圍內的平均線熱膨脹係數為40×10-7 /℃以上且120×10-7 /℃以下。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的支撐玻璃基板，其中在30℃～380℃的溫度範圍內的平均線熱膨脹係數為42×10-7 /℃以上且125×10-7 /℃以下。
  6. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的支撐玻璃基板，其具有直徑100 mm～500 mm的晶圓形狀或大致圓板形狀，板厚小於2.0 mm，整體板厚偏差（TTV）為5 μm以下，且翹曲量為60 μm以下。
  7. 一種積層體，其至少包括加工基板及用以支撐加工基板的支撐玻璃基板，且所述積層體的特徵在於：所述支撐玻璃基板為如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的支撐玻璃基板。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的積層體，其中所述加工基板至少包括利用密封材進行了成形的半導體晶片。
  9. 一種半導體封裝體的製造方法，其特徵在於包括：準備至少包括加工基板及用以支撐加工基板的支撐玻璃基板的積層體的步驟；以及 對所述加工基板進行加工處理的步驟；並且所述支撐玻璃基板為如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的支撐玻璃基板。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的半導體封裝體的製造方法，其中所述加工處理包括在所述加工基板的一表面進行配線的步驟。
  11. 如申請專利範圍第9項或第10項所述的半導體封裝體的製造方法，其中所述加工處理包括在所述加工基板的一表面形成焊料凸塊的步驟。
  12. 一種半導體封裝體，其特徵在於利用如申請專利範圍第9項至第11項中任一項所述的半導體封裝體的製造方法製作。
  13. 一種電子機器，其包括半導體封裝體，且所述電子機器的特徵在於： 所述半導體封裝體為如申請專利範圍第12項所述的半導體封裝體。
TW106140335A 2016-12-14 2017-11-21 支撐玻璃基板及使用其的積層體、半導體封裝體及其製造方法以及電子機器 TWI755449B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2016-241740 2016-12-14
JP2016241740 2016-12-14
JP2017170143A JP7011215B2 (ja) 2016-12-14 2017-09-05 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体
JP2017-170143 2017-09-05

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201833049A true TW201833049A (zh) 2018-09-16
TWI755449B TWI755449B (zh) 2022-02-21

Family

ID=62558513

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106140335A TWI755449B (zh) 2016-12-14 2017-11-21 支撐玻璃基板及使用其的積層體、半導體封裝體及其製造方法以及電子機器

Country Status (2)

Country Link
TW (1) TWI755449B (zh)
WO (1) WO2018110163A1 (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021241312A1 (ja) * 2020-05-28 2021-12-02 日本電気硝子株式会社 支持ガラス基板及びこれを用いた積層基板

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11310431A (ja) * 1998-04-27 1999-11-09 Asahi Glass Co Ltd 基板用のガラス組成物
JPH11310432A (ja) * 1998-04-27 1999-11-09 Asahi Glass Co Ltd 基板用ガラス組成物
KR102436789B1 (ko) * 2014-04-07 2022-08-26 니폰 덴키 가라스 가부시키가이샤 적층체, 반도체 패키지 제조 방법, 반도체 패키지 및 전자기기
JP6955320B2 (ja) * 2014-04-07 2021-10-27 日本電気硝子株式会社 積層体及び半導体パッケージの製造方法
WO2016035674A1 (ja) * 2014-09-03 2016-03-10 日本電気硝子株式会社 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体
JP6627388B2 (ja) * 2014-12-16 2020-01-08 日本電気硝子株式会社 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体
JP6742593B2 (ja) * 2015-01-05 2020-08-19 日本電気硝子株式会社 支持ガラス基板の製造方法及び積層体の製造方法
JP6763124B2 (ja) * 2015-03-10 2020-09-30 日本電気硝子株式会社 積層体及びこれを用いた半導体パッケージの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI755449B (zh) 2022-02-21
WO2018110163A1 (ja) 2018-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6892000B2 (ja) 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体
JP6593669B2 (ja) 支持ガラス基板及びこれを用いた搬送体
JP6611079B2 (ja) ガラス板
TWI641573B (zh) 支撐玻璃基板及使用其的積層體、半導體封裝及其製造方法以及電子設備
KR102509782B1 (ko) 지지 유리 기판 및 이것을 사용한 적층체
JP6593676B2 (ja) 積層体及び半導体パッケージの製造方法
JP6443668B2 (ja) 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体
TW201625495A (zh) 玻璃板、其製造方法及積層體
JP6955320B2 (ja) 積層体及び半導体パッケージの製造方法
TWI755449B (zh) 支撐玻璃基板及使用其的積層體、半導體封裝體及其製造方法以及電子機器
JP2018095514A (ja) 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体
JP7011215B2 (ja) 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体
WO2023026770A1 (ja) 支持ガラス基板、積層体、積層体の製造方法及び半導体パッケージの製造方法
JP2024069160A (ja) 支持ガラス基板、積層体、積層体の製造方法及び半導体パッケージの製造方法
JP2023031216A (ja) 支持ガラス基板、積層体、積層体の製造方法及び半導体パッケージの製造方法
TW202212285A (zh) 支撐玻璃基板及使用此之層積基板
WO2016098499A1 (ja) 支持ガラス基板及びこれを用いた積層体
CN117836249A (zh) 支承玻璃基板、层叠体、层叠体的制造方法及半导体封装体的制造方法