WO2017195500A1 - 導電性素子、入力装置および電子機器 - Google Patents

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    • G06F2203/04112—Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material

Definitions

  • the present technology relates to a conductive element, an input device including the same, and an electronic device. Specifically, the present invention relates to a conductive element provided with a wiring.
  • Patent Document 1 proposes a technique in which a lead-out wire connecting a transparent electrode and an external circuit in a touch panel is formed by performing a drying process or a baking process after printing a conductive paste.
  • An object of the present technology is to provide a conductive element in which wiring is thinned, an input device including the same, and an electronic device.
  • the 1st art is provided with the substrate which has the surface containing fluorine, and the wiring provided in the surface, and the detection intensity of the fluorine in the surface is a conductive element whose intensity is 96,834 cps or more. It is.
  • the second technology is a conductive element including a substrate having a surface containing fluorine and a wiring provided on the surface, and the contact angle of water on the surface is 100 degrees or more.
  • the third technology is an input device provided with the conductive element of the first or second technology.
  • a fourth technology is an electronic device provided with the conductive element of the first or second technology.
  • FIG. 1 is a perspective view showing an example of the appearance of an electronic device according to an embodiment of the present technology.
  • FIG. 2A is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a touch panel type display device.
  • FIG. 2B is an exploded perspective view showing an example of the configuration of the input device.
  • FIG. 3 is a plan view showing an example of the configuration of the first transparent conductive element.
  • FIG. 3B is a plan view showing an example of the configuration of the second transparent conductive element.
  • FIG. 4 is a graph showing the relationship between the amount of fluorine in the process gas and the line width.
  • FIG. 5 is a graph showing an enlarged F1s peak.
  • FIG. 6A is a graph showing the C1s peak in an enlarged manner.
  • FIG. 6B is a graph showing the O1s peak in an enlarged manner.
  • FIG. 7A is a graph showing the relationship between the amount of fluorine in the process gas and the contact angle.
  • FIG. 7B is a graph showing the relationship between the amount of fluorine in the process gas and the line width.
  • FIG. 8A is a graph showing the relationship between the amount of fluorine in the process gas and the wiring thickness.
  • FIG. 8B is a graph showing the relationship between the amount of fluorine in the process gas and the resistance value.
  • FIG. 9 is a graph showing the relationship between the amount of fluorine in the process gas and the adhesion.
  • FIG. 10A is a plan view showing a microscopic observation image of the wiring film of Example 2-1.
  • FIG. 10B is a perspective view showing a microscopic observation image of the wiring film of Example 2-1.
  • FIG. 10C is a cross-sectional view taken along line XC-XC of FIG. 10B.
  • FIG. 11A is a plan view showing a microscopic observation image of the wiring film of Example 2-3.
  • FIG. 11B is a perspective view showing a microscopic observation image of the wiring film of Example 2-3.
  • FIG. 11C is a cross-sectional view along the line XIC-XIC of FIG. 11B.
  • FIG. 12A is a plan view showing a microscopic observation image of the wiring film of Comparative Example 2-1.
  • FIG. 12B is a perspective view showing a microscopic observation image of the wiring film of Comparative Example 2-1.
  • FIG. 12C is a cross-sectional view along the line XIIC-XIIC of FIG. 12B.
  • FIG. 13A is a graph showing the measurement results of the adhesion of the wiring film of Example 2-3.
  • FIG. 13B is a graph showing the measurement results of the adhesion of the wiring film of Comparative Example 2-1.
  • an electronic device 10 As illustrated in FIG. 1, an electronic device 10 according to an embodiment of the present technology is a so-called smartphone, and includes a housing 11 and a touch panel display device 12 housed in the housing 11.
  • the touch panel display device 12 includes a display element 20 and an input device 30 provided on the display surface of the display element 20, as shown in FIG. 2A.
  • the display element 20 and the input device 30 are pasted together via the pasting layer 21 which consists of adhesives etc., for example.
  • Display element As the display element 20, for example, various display elements such as a liquid crystal display element and an organic ELC luminescence (hereinafter referred to as "EL") element can be used.
  • EL organic ELC luminescence
  • the input device 30 is a so-called projected capacitive touch panel. As shown to FIG. 2A and FIG. 2B, the input device 30 is equipped with the 1st transparent conductive element 30a and the 2nd transparent conductive element 30b provided on the 1st transparent conductive element 30a. The 1st transparent conductive element 30a and the 2nd transparent conductive element 30b are bonded together through the bonding layer which is not shown in figure.
  • a protective layer may be provided on the surface on the input surface side of the second transparent conductive element 30b, if necessary, on the surface of the first transparent conductive element 30a on the display element 20 side.
  • a shield layer may be provided if necessary.
  • two directions having a relationship of orthogonal intersection in the plane of the input surface of the input device 30 are defined as an X-axis direction (first direction) and a Y-axis direction (second direction).
  • a direction perpendicular to the input surface of the input device 30 is defined as a Z-axis direction (third direction).
  • the first transparent conductive element 30a includes a base 31a, a plurality of transparent electrodes 32a and a plurality of wirings 33a provided on one surface of the base 31a, and the like. And an insulating layer 34a provided on one surface of the base 31 so as to cover the transparent electrode 32a and the wiring 33a.
  • the second transparent conductive element 30b includes a base 31b, a plurality of transparent electrodes 32b provided on one surface of the base 31b, a plurality of wirings 33b, and the like.
  • an insulating layer b provided on one surface of the base 31b so as to cover the transparent electrode 32b and the wiring 33b.
  • the insulating layers 34a and 34b are not shown.
  • a flexible printed circuit (FPC) 35 is provided on the periphery of the first transparent conductive element 30a and the second transparent conductive element 30b bonded together.
  • the substrates 31a and 31b contain fluorine on at least one surface.
  • the detection intensity of fluorine on one surface of the base materials 31a and 31b is not less than 96834 cps, preferably not less than 96834 cps and not more than 200,000 cps, more preferably not less than 149381 cps and not more than 200,000 cps. Since the contact angle of water (specifically, the contact angle of the solvent contained in the conductive ink) can be sufficiently increased when the detection strength of fluorine is at least 96834 cps, the wirings 33a and 33b can be thinned. On the other hand, the fall of the contact power of wiring 33a and 33b to substrate 31a and 31b can be controlled as the detection intensity of fluorine is 200,000 cps or less.
  • the detected intensity of fluorine on one surface of the substrate 31a is measured as follows. First, depth direction analysis (depth profile measurement) of the first transparent conductive element 30a by X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) is performed while ion milling from the insulating layer 34a side of the first transparent conductive element 30a. . Then, the position where the detection intensity of fluorine is maximum is regarded as the surface of the base 31a, and the detection intensity of fluorine at this position is taken as "the detection intensity of fluorine on one surface of the base 31a".
  • depth direction analysis depth profile measurement
  • XPS X-ray photoelectron spectroscopy
  • the detection intensity of fluorine on one surface of the substrate 31b is also measured in the same manner as the detection intensity of fluorine on one surface of the substrate 31a.
  • the contact angle of water on one surface of the substrates 31a and 31b is 100 degrees or more, preferably 100 degrees or more and 120 degrees or less, and more preferably 110 degrees or more and 120 degrees or less.
  • the contact angle is 100 degrees or more
  • the contact angle of water specifically, the contact angle of the solvent contained in the conductive ink
  • the fall of the contact power of wiring 33a and 33b to substrate 31a and 31b can be controlled as a contact angle is 120 degrees or less.
  • the fluorine is preferably deposited on one surface of the substrates 31a and 31b. This is because the contact angle of water (specifically, the contact angle of the solvent contained in the conductive ink) can be sufficiently increased, so that the degree of thinning of the wirings 33a and 33b can be further improved.
  • the fluorine deposited on one surface of the substrates 31a and 31b may constitute a thin film.
  • Arithmetic mean roughness Ra on one surface of the substrates 31a and 31b is, for example, 2 nm or less.
  • the substrates 31a and 31b are preferably films having flexibility. This is because the first and second transparent conductive elements 30a and 30b can be manufactured by roll to roll, so that the production efficiency can be improved. It is preferable that the surface of one of the substrates 31a and 31b is subjected to an easy adhesion treatment. This is because the adhesion of the wires 33a and 33b can be improved.
  • Examples of the material of the substrates 31a and 31b include polyethylene terephthalate (PET), polyethylene (PE), polypropylene (PP), polycarbonate (PC), polyimide (PI), triacetate (TAC), polyethylene naphthalate (PEN), Polymer of one or more of aramid, acrylic resin, polyester (TPEE), polyamide (PA), cycloolefin polymer (COP), cycloolefin copolymer (COC), epoxy resin, urea resin, urethane resin, melamine resin and the like Resin is mentioned. From the viewpoint of heat resistance, among these resins, at least one of polypropylene, polyimide, polyethylene naphthalate and aramid is preferable, and polyimide is most preferable.
  • the thickness of the substrates 31a and 31b is preferably 3 ⁇ m to 500 ⁇ m from the viewpoint of productivity, but is not particularly limited to this range.
  • the base 31a may have a single-layer structure, or may have a layer structure of two or more layers.
  • a base material 31 which has a layer structure of two or more layers a thing provided with a base material layer and a surface layer provided in at least one side of a base material layer is mentioned, for example.
  • materials of the base layer and the surface layer those exemplified above as the materials of the bases 31a and 31b can be used.
  • the transparent electrodes 32 a are X electrodes extended in the X-axis direction, and are arrayed at predetermined intervals in the Y-axis direction.
  • the transparent electrodes 32b are Y electrodes extended in the Y-axis direction, and are arrayed in the X-axis direction at predetermined intervals.
  • the transparent electrodes 32a connect a plurality of pad portions (unit electrode bodies) 36a provided at predetermined intervals in the X-axis direction and a plurality of pad portions 36a adjacent in the X-axis direction. And a unit 37a.
  • the pad portion 36a and the connecting portion 37a are integrally formed.
  • the transparent electrode 32b connects a plurality of pad portions (unit electrode bodies) 36b provided at predetermined intervals in the Y-axis direction and a plurality of connection portions connecting the pad portions 36b adjacent in the Y-axis direction.
  • a unit 37b The pad portion 36 b and the connecting portion 37 b are integrally formed.
  • connection portions 37a and 37b are orthogonally crossed so that the connection portions 37a and 37b overlap, and the pad portions 36a and 36b are spread in the XY plane.
  • the shape of the pad portions 36a and 36b may be, for example, a polygon such as a rhombus (diamond shape) or a rectangle, a star shape, a cross shape, a mesh shape, or the like, but is not limited to these shapes. .
  • FIG. 2B, FIG. 3A, and FIG. 3B the case where the shape of pad part 36a, 36b is a rhombus is illustrated.
  • the shape of the transparent electrodes 32a and 32b may be linear. In this case, the plurality of transparent electrodes 32a and 32b have stripe shapes orthogonally crossing each other in plan view in the Z-axis direction.
  • a material of the transparent electrodes 32a and 32b for example, one or more selected from the group consisting of a metal oxide material having electrical conductivity, a metal material, a carbon material, a conductive polymer, and the like can be used.
  • metal oxide materials include indium tin oxide (ITO), zinc oxide, indium oxide, antimony-doped tin oxide, fluorine-doped tin oxide, aluminum-doped zinc oxide, gallium-doped zinc oxide, silicon-doped zinc oxide, zinc oxide And tin oxide type, indium oxide-tin oxide type, zinc oxide-indium oxide-magnesium oxide type, and the like.
  • particles such as a metal nanoparticle and a metal wire
  • materials constituting those particles include copper, silver, gold, platinum, palladium, nickel, tin, cobalt, rhodium, iridium, iron, ruthenium, osmium, manganese, molybdenum, tungsten, niobium, tantalum, titanium, Examples thereof include metals such as bismuth, antimony and lead, and alloys thereof.
  • the carbon material include carbon black, carbon fiber, fullerene, graphene, carbon nanotube, carbon micro coil, nano horn and the like.
  • the conductive polymer for example, substituted or unsubstituted polyaniline, polypyrrole, polythiophene, and (co) polymer consisting of one or two or more selected from these can be used.
  • the wiring 33a is a lead wiring that electrically connects the transparent electrode 32a and the FPC 35, is drawn out from one end of the transparent electrode 32a, is drawn around the peripheral portion of the base 31a, and is connected to the FPC 35.
  • the wiring 33 b is a lead wiring that electrically connects the transparent electrode 32 b and the FPC 35, is drawn out from one end of the transparent electrode 32 b, is drawn around the peripheral portion of the base 31 b, and is connected to the FPC 35.
  • the wiring 33a contains a powder of metal particles.
  • the wiring 33a may further include at least one of a binder such as a thermoplastic resin and an additive, as required.
  • the metal particles are, for example, gold (Au), silver (Ag), copper (Cu), titanium (Ti), tungsten (W), molybdenum (Mo), indium (In), aluminum (Al) and nickel (Ni) Contains at least one of the Examples of the shape of the metal particles include, for example, spheres, ellipsoids, needles, plates, scales, wires, rods (rods), and irregular shapes, but are not particularly limited thereto. .
  • the width w of the wirings 33a and 33b is preferably 200 ⁇ m or less, more preferably 150 ⁇ m or less, and still more preferably 100 ⁇ m or less.
  • the wirings 33a and 33b can be sufficiently narrowed (densified), so that the frame 13 of the electronic device 10 can be sufficiently narrowed.
  • the width w of the wires 33a and 33b is 200 ⁇ m or less, the non-visibility of the wires 33a and 33b (that is, the transparency of the region in which the wires 33a and 33b are provided) can be improved.
  • the thickness t of the wirings 33a and 33b is preferably 1.9 ⁇ m or more, more preferably 1.9 ⁇ m to 10.0 ⁇ m, and still more preferably 3.5 ⁇ m to 9.0 ⁇ m.
  • the thickness t of the wirings 33a and 33b is 1.9 ⁇ m or more, the resistance of the wirings 33a and 33b can be reduced.
  • the thickness t of the interconnections 33a and 33b varies in the width direction
  • the thickness of the interconnections 33a and 33b means the thickness of the interconnections 33a and 33b which becomes maximum in the width direction.
  • the aspect ratio (thickness t / width w) of the wirings 33a and 33b is preferably 0.03 or more, more preferably 0.03 or more and 0.10 or less, and still more preferably 0.06 or more and 0.10 or less.
  • the aspect ratio is 0.03 or more, the wirings 33a and 33b can be narrowed while holding the wirings 33a and 33b at low resistance.
  • the resistance value of the wires 33a and 33b is preferably 1.0 ⁇ / mm or less.
  • the wirings 33 a and 33 b can be used for various electronic devices including the input device 30.
  • any of an inorganic material and an organic material may be used.
  • the inorganic materials for example, be SiO 2, SiNx, SiON, Al 2 O 3, Ta 2 O 5, Y 2 O 3, HfO 2, HfAlO, and ZrO 2, TiO 2 is used.
  • the organic material for example, polyacrylate such as polymethyl methacrylate (PMMA), polyvinyl alcohol (PVA), polystyrene (PS), transparent polyimide, polyester, epoxy, polyvinyl phenol, polyvinyl alcohol or the like can be used.
  • the plasma water-repellent treatment refers to a treatment for imparting water repellency to one surface of the substrate 31 a by subjecting one surface of the substrate 31 a to plasma treatment.
  • a plasma processing apparatus for performing plasma water repellent treatment one capable of performing plasma treatment under atmospheric pressure is preferable.
  • the process gas one containing fluorine is used.
  • a pulse power supply can be used as the power supply.
  • the plasma water repellency treatment is adjusted so that the detection intensity of fluorine on one surface of the base material 31a is 96834 cps or more, preferably 96834 cps or more and 2000000 cps or less, more preferably 149381 cps or more and 200000 cps or less. Further, plasma water repellent treatment may be performed only on the region where the wiring 33a is to be formed.
  • the plasma water repellent treatment is adjusted such that the contact angle of water on one surface of the substrate 31a is 100 degrees or more, preferably 100 degrees or more and 120 degrees or less, more preferably 110 degrees or more and 120 degrees or less.
  • the transparent electrode 32a is formed on one surface of the base material 31a drawn out from the raw fabric.
  • a method of forming the pattern of the transparent electrode 32a for example, a photolithography method or a printing method can be used.
  • the transparent electrode 32a may be formed in advance on one surface of the substrate 31a before the plasma treatment. .
  • the conductive ink is printed on one surface of the base 31a while the base 31a is being transported.
  • the conductive ink contains the above-described powder of metal particles and a solvent.
  • the conductive ink may optionally contain at least one of a binder and an additive such as a thermoplastic resin.
  • a conductive paste may be used instead of the conductive ink.
  • those capable of dispersing metal powder powder can be used, for example, water, alcohol (eg methanol, ethanol, n-propanol, i-propanol, n-butanol, i-butanol, sec-butanol, etc.) At least one selected from tert-butanol etc.), anone (eg cyclohexanone, cyclopentanone), amide (eg N, N-dimethylformamide: DMF), sulfide (eg dimethyl sulfoxide: DMSO) etc. is used .
  • alcohol eg methanol, ethanol, n-propanol, i-propanol, n-butanol, i-butanol, sec-butanol, etc.
  • At least one selected from tert-butanol etc. anone (eg cyclohexanone, cyclopentanone), amide (eg N, N-dimethyl
  • a high boiling point solvent may be further added to the conductive ink to control the evaporation rate of the solvent from the conductive ink.
  • a high boiling point solvent for example, butyl cellosolve, diacetone alcohol, butyl triglycol, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monopropyl ether, ethylene glycol monoisopropyl ether, diethylene glycol monobutyl ether , Diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether diethylene glycol diethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monobutyl ether, propylene glycol isopropyl ether, dipropylene glycol isopropyl ether, trip Propylene glycol isopropyl ether, methyl glycol.
  • a printing method for example, flexographic printing, screen printing, gravure printing, gravure offset printing, reverse offset printing, waterless flat plate printing, inkjet printing and the like can be used.
  • the base materials 31a and 31b are transported to a heating furnace and passed through the heating furnace to volatilize the solvent contained in the printed conductive ink, thereby drying and baking the conductive ink.
  • a heating furnace an infrared heating furnace, a heater heating furnace, a hot air circulation type heating furnace, etc. can be used, for example.
  • An electronic device 10 includes first and second transparent conductive elements 30a and 30b.
  • the first and second transparent conductive elements 30a and 30b respectively include substrates 31a and 31b having fluorine on one surface, and a plurality of wirings 33a and 33b provided on one surface of the substrates 31a and 31b. Equipped with The detection intensity of fluorine on one surface of the base materials 31a and 31b is 96,834 cps or more. For this reason, since the contact angle of water on one surface of the base materials 31a and 31b can be sufficiently increased, the wirings 33a and 33b can be thinned. Therefore, it is possible to narrow the frame 13 of the electronic device 10 and enlarge the display surface of the touch panel type display device 12.
  • the conductive ink is printed on one surface of the substrates 31a and 31b subjected to plasma water repellent treatment, the conductive ink is the substrates 31a and 31b. It is possible to suppress the spread of wetting on one of the surfaces. Therefore, the wirings 33a and 33b can be thinned. In addition, since the thicknesses of the wirings 33a and 33b can be secured, low resistance wirings 33a and 33b can be obtained.
  • the wiring and the conductive ink may contain carbon particles instead of or together with the metal particles.
  • a carbon particle 1 or more types in fullerene, a graphene, a carbon nanotube, etc. can be used, for example.
  • the substrate surface may be made water repellent by the
  • the conductive element to which the present technology can be applied include transparent conductive elements such as resistive film type touch panels, IC cards, display elements (for example, liquid crystal display elements, organic EL elements, inorganic EL elements, electronic paper, etc.)
  • a printed wiring board, a printed circuit board, etc. are mentioned.
  • the term "printed wiring board” means one having no wiring but only wiring.
  • printed circuit board means one provided with an electronic component along with a wiring to operate as an electronic circuit.
  • the type of the board is not particularly limited, and any of a flexible board, a rigid board, and a rigid flexible board may be used.
  • the above-mentioned embodiment explained the example which applied this art to frame wiring of an input device, this art is applicable also to wiring other than frame wiring.
  • the present technology is also applicable to the formation of a pattern of electrodes having a matrix or the like. In this case, since the electrode can be thinned (narrowed), the non-visibility of the electrode can be improved.
  • the input device includes a transparent conductive element in which transparent electrodes and wires are provided on both sides, instead of the first and second transparent conductive elements in which the transparent electrodes and wires are provided on one side. Good. In this case, the input device can be further thinned.
  • Examples 1-1, 1-2, Comparative Examples 1-1 to 1-3 (Plasma treatment) First, a raw film of PET film (A4300 manufactured by Toyobo Co., Ltd.) having a thickness of 250 ⁇ m subjected to double-sided easy adhesion treatment was attached to a roll-to-roll atmospheric pressure plasma processing apparatus. Next, plasma water repellent treatment was performed on one side of the PET film drawn from the raw fabric, and then it was wound up. As the process gas, a mixture of fluorine and nitrogen was used, and the mixture ratio was changed for each sample. A pulse power source was used as a power source.
  • the conductive ink printed PET film was transported to a heating oven at 120 ° C., and the printed conductive ink was dried and fired by transporting it in the oven for 30 minutes, and then wound up.
  • the target wiring film conductive element
  • the wiring width of the wiring film obtained as described above was measured using a laser microscope (LEXT OLS4000 manufactured by Olympus Corporation).
  • FIG. 4 shows the measurement results of the wiring widths of the wiring films of Examples 1-1 and 1-2 and Comparative Examples 1-1 to 1-3, and the approximate curve of the second-order polynomial obtained from the measurement results.
  • the wiring width can be made 200 ⁇ m or less by setting the detection intensity of fluorine on the surface of the PET film to 96834 [cps] or more. Further, the wiring width can be made 150 ⁇ m or less by setting the detection intensity of fluorine on the surface of the PET film to 149381 [cps] or more.
  • Example 2-1 Example 1 using a mixture of fluorine and nitrogen at a volume ratio of 5:95 as a process gas, and using the detection strength of fluorine and the contact angle of water on one side of a PET film as follows: A wiring film was obtained in the same manner as -1. Detection strength of fluorine: 159645 cps Water contact angle: 100 degrees
  • the detection intensity of fluorine was determined in the same manner as in Example 1-1.
  • the contact angle was determined using a contact angle meter (Biolin Scientific, Theta T200 Basic).
  • Embodiment 2-2 Example 1 using a mixture of fluorine and nitrogen at a volume ratio of 15: 85 as a process gas, and using the detection strength of fluorine and the contact angle of water on one side of a PET film as follows: A wiring film was obtained in the same manner as -1. Detection strength of fluorine: 174914 cps Water contact angle: 103 degrees
  • Example 2-3 Using a mixture of fluorine and nitrogen at a volume ratio of 25:75 as the process gas, the detection strength of fluorine, the contact angle of water, and the arithmetic average roughness Ra on one side of the PET film were as follows: A wiring film was obtained in the same manner as in Example 1-1 except for the above. Detection strength of fluorine: 184946 cps Water contact angle: 106 degrees Arithmetic mean roughness Ra: 1.74 nm
  • arithmetic mean roughness Ra was calculated
  • AFM Atomic Force Microscope
  • Comparative Example 2-1 A wiring film was obtained in the same manner as in Example 1-1 except that the wiring was printed with a conductive ink without subjecting one surface of the PET film to plasma water repellent treatment.
  • the detection strength of fluorine, the contact angle of water, and the arithmetic mean roughness Ra on one side of the PET film not subjected to plasma water repellency treatment were the following values. Detection strength of fluorine: 11444 cps Water contact angle: 75 degrees Arithmetic mean roughness Ra: 2.26 nm
  • the wiring width w and the wiring thickness t of the wiring film were measured using a laser microscope (LEXT OLS4000 manufactured by Olympus Corporation). Since the wiring thickness t fluctuates in the width direction of the wiring, the wiring thickness t that is the maximum in the width direction of the wiring is taken as the “wiring thickness t”. Next, the aspect ratio (t / w) was calculated using the measured wiring width w and wiring thickness t.
  • the wiring resistance of the wiring film was measured using a tester (M-03, manufactured by Custom Co., Ltd.).
  • Table 1 shows preparation conditions of the wiring films of Examples 2-1 to 2-3 and Comparative Example 2-1 and the results of measurement / calculation.
  • FIG. 5, FIG. 6A, and FIG. 6B are graphs which expand and represent F1s, C1s, and O1s peaks, respectively.
  • 7A, 7B, 8A, 8B, and 9 show the measurement results of the contact angle, the wire width, the wire thickness, the resistance value, and the adhesion, respectively.
  • 10A, 10B and 10C show microscopically observed images of the wiring film of Example 2-1.
  • 11A, 11B, and 11C show microscopic images of the wiring film of Example 2-3.
  • 12A, 12B, and 12C show microscopically observed images of the wiring film of Comparative Example 2-1.
  • FIG. 13A shows the measurement results of the adhesion of the wiring film of Example 2-3.
  • FIG. 13B shows the measurement results of the adhesion of the wiring film of Comparative Example 2-1.
  • the contact angle of water on one side of the PET film can be made 100 degrees or more (see FIG. 7A).
  • the wiring width can be 200 ⁇ m or less and the wiring thickness can be 1.9 ⁇ m or more.
  • the wiring film subjected to the plasma water repellent treatment has a resistance value similar to that of the wiring film not subjected to the plasma water repellent treatment (see FIG. 8B).
  • the wiring film subjected to the plasma water repellent treatment has the same adhesion as the wiring film not subjected to the plasma water repellent treatment (see FIG. 9). Therefore, by setting the contact angle of water on one side of the PET film to 100 degrees or more, the wiring width can be 200 ⁇ m or less and the wiring thickness can be 1.9 ⁇ m or more. Further, in the wiring film subjected to the plasma water repellent treatment, it is possible to achieve both the thinning (narrowing) of the wiring and the reduction of the resistance without causing a significant decrease in the adhesion.
  • the present technology may adopt the following configuration.
  • the substrate comprises one or more of polyethylene terephthalate, polyethylene, propylene, polycarbonate, polyimide, triacetyl cellulose and polyethylene naphthalate.
  • the substrate is a film.
  • the conductive element according to any one of (1) to (8), wherein the ratio of the thickness of the wiring to the width of the wiring is 0.06 or more.
  • An input device comprising the conductive element according to any one of (1) to (10).
  • the electronic device provided with the electroconductive element in any one of (1) to (10).
  • the substrate surface is subjected to plasma treatment so that the detection intensity of fluorine on the substrate surface is 96834 cps or more
  • a method of manufacturing a conductive element comprising printing a conductive ink on the surface of the substrate that has been subjected to plasma treatment.
  • the substrate surface is subjected to plasma treatment so that the contact angle of water on the substrate surface is 100 degrees or more.
  • a method of manufacturing a conductive element comprising printing a conductive ink on the surface of the substrate that has been subjected to plasma treatment.

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Abstract

導電性素子は、フッ素を含む表面を有する基材と、表面に設けられた配線とを備える。基材表面におけるフッ素の検出強度は、９６８３４ｃｐｓ以上である。

Description

導電性素子、入力装置および電子機器
　本技術は、導電性素子、それを備える入力装置および電子機器に関する。詳しくは、配線を備える導電性素子に関する。
　近年では、スマートフォンやタブレット型コンピュータなどを狭額縁化するために、配線の細線化（挟幅化）の要求が高まっている。例えば特許文献１では、タッチパネルにおいて透明電極と外部回路とを接続する引き回し配線を、導電ペーストを印刷後に、乾燥処理または焼成処理して形成する技術が提案されている。
特開２０１４－２６５８４号公報（段落［００３７］）
　本技術の目的は、配線が細線化された導電性素子、それを備える入力装置および電子機器を提供することにある。
　上述の課題を解決するために、第１の技術は、フッ素を含む表面を有する基材と、表面に設けられた配線とを備え、表面におけるフッ素の検出強度が、９６８３４ｃｐｓ以上である導電性素子である。
　第２の技術は、フッ素を含む表面を有する基材と、表面に設けられた配線とを備え、表面における水の接触角が、１００度以上である導電性素子である。
　第３の技術は、第１または第２の技術の導電性素子を備える入力装置である。
　第４の技術は、第１または第２の技術の導電性素子を備える電子機器である。
　以上説明したように、本技術によれば、配線が細線化された導電性素子を実現できる。
図１は、本技術の一実施形態に係る電子機器の外観の一例を示す斜視図である。 図２Ａは、タッチパネル式の表示装置の構成の一例を示す断面図である。図２Ｂは、入力装置の構成の一例を示す分解斜視図である。 図３は、第１の透明導電性素子の構成の一例を示す平面図である。図３Ｂは、第２の透明導電性素子の構成の一例を示す平面図である。 図４は、プロセスガスのフッ素量と配線幅との関係を示すグラフである。 図５は、Ｆ１ｓピークを拡大して表すグラフである。 図６Ａは、Ｃ１ｓピークを拡大して表すグラフである。図６Ｂは、Ｏ１ｓピークを拡大して表すグラフである。 図７Ａは、プロセスガスのフッ素量と接触角との関係を示すグラフである。図７Ｂは、プロセスガスのフッ素量と配線幅との関係を示すグラフである。 図８Ａは、プロセスガスのフッ素量と配線厚みとの関係を示すグラフである。図８Ｂは、プロセスガスのフッ素量と抵抗値との関係を示すグラフである。 図９は、プロセスガスのフッ素量と密着力との関係を示すグラフである。 図１０Ａは、実施例２－１の配線フィルムの顕微鏡観察像を示す平面図である。図１０Ｂは、実施例２－１の配線フィルムの顕微鏡観察像を示す斜視図である。図１０Ｃは、図１０ＢのＸＣ－ＸＣ線に沿った断面図である。 図１１Ａは、実施例２－３の配線フィルムの顕微鏡観察像を示す平面図である。図１１Ｂは、実施例２－３の配線フィルムの顕微鏡観察像を示す斜視図である。図１１Ｃは、図１１ＢのＸＩＣ－ＸＩＣ線に沿った断面図である。 図１２Ａは、比較例２－１の配線フィルムの顕微鏡観察像を示す平面図である。図１２Ｂは、比較例２－１の配線フィルムの顕微鏡観察像を示す斜視図である。図１２Ｃは、図１２ＢのＸIIＣ－ＸIIＣ線に沿った断面図である。 図１３Ａは、実施例２－３の配線フィルムの密着力の測定結果を示すグラフである。図１３Ｂは、比較例２－１の配線フィルムの密着力の測定結果を示すグラフである。
　本技術の実施形態について以下の順序で説明する。
　１　電子機器の構成
　２　導電性素子の製造方法
　３　効果
　４　変形例
［１　電子機器の構成］
　図１に示すように、本技術の一実施形態に係る電子機器１０は、いわゆるスマートフォンであり、筐体１１と、この筐体１１に収容されたタッチパネル式の表示装置１２とを備える。タッチパネル式の表示装置１２は、図２Ａに示すように、表示素子２０と、表示素子２０の表示面に設けられた入力装置３０を備える。表示素子２０と入力装置３０とは、例えば粘着剤などからなる貼合層２１を介して貼り合わされている。
（表示素子）
　表示素子２０としては、例えば、液晶表示素子、有機エルクトロルミネッセンス（以下「ＥＬ」という。）素子などの各種表示素子を用いることができる。
（入力装置）
　入力装置３０は、いわゆる投影型静電容量方式タッチパネルである。図２Ａ、図２Ｂに示すように、入力装置３０は、第１の透明導電性素子３０ａと、第１の透明導電性素子３０ａ上に設けられた第２の透明導電性素子３０ｂとを備える。第１の透明導電性素子３０ａと第２の透明導電性素子３０ｂとは、図示しない貼合層を介して貼り合わされている。また、第２の透明導電性素子３０ｂの入力面側の表面には、必要に応じて保護層が設けられていてもよいし、第１の透明導電性素子３０ａの表示素子２０側の表面には、必要に応じてシールド層が設けられていてもよい。ここでは、入力装置３０の入力面の面内において直交交差の関係にある２方向をＸ軸方向（第１方向）およびＹ軸方向（第２方向）と定義する。また、入力装置３０の入力面に対して垂直な方向をＺ軸方向（第３方向）と定義する。
（第１、第２の透明導電性素子）
　第１の透明導電性素子３０ａは、図２Ａ、図２Ｂに示すように、基材３１ａと、基材３１ａの一方の表面に設けられた複数の透明電極３２ａおよび複数の配線３３ａと、それらの透明電極３２ａおよび配線３３ａを覆うように基材３１の一方の表面に設けられた絶縁層３４ａとを備える。第２の透明導電性素子３０ｂは、図２Ａ、図２Ｂに示すように、基材３１ｂと、基材３１ｂの一方の面に設けられた複数の透明電極３２ｂおよび複数の配線３３ｂと、それらの透明電極３２ｂおよび配線３３ｂを覆うように基材３１ｂの一方の面に設けられた絶縁層３４ｂとを備える。なお、図２Ｂでは、絶縁層３４ａ、３４ｂの図示を省略している。貼り合わされた第１の透明導電性素子３０ａおよび第２の透明導電性素子３０ｂの周縁部には、フレキシブルプリント配線基板（Flexible Printed Circuit：ＦＰＣ）３５が設けられている。
（基材）
　基材３１ａ、３１ｂは、少なくとも一方の表面にフッ素を含んでいる。基材３１ａ、３１ｂの一方の表面におけるフッ素の検出強度が、９６８３４ｃｐｓ以上、好ましくは９６８３４ｃｐｓ以上２０００００ｃｐｓ以下、より好ましくは１４９３８１ｃｐｓ以上２０００００ｃｐｓ以下である。フッ素の検出強度が９６８３４ｃｐｓ以上であると、水の接触角（具体的には導電インクに含まれる溶剤の接触角）を十分に大きくできるため、配線３３ａ、３３ｂを細線化できる。一方、フッ素の検出強度が２０００００ｃｐｓ以下であると、基材３１ａ、３１ｂに対する配線３３ａ、３３ｂの密着力の低下を抑制することができる。
　基材３１ａの一方の表面におけるフッ素の検出強度は次のようにして測定される。まず、第１の透明導電性素子３０ａの絶縁層３４ａ側からイオンミリングしながら、ＸＰＳ（X-ray Photoelectron Spectroscopy）による第１の透明導電性素子３０ａの深さ方向分析（デプスプロファイル測定）を行う。そして、フッ素の検出強度が最大となる位置を基材３１ａの表面とみなし、この位置のフッ素の検出強度を“基材３１ａの一方の表面におけるフッ素の検出強度”とする。
　基材３１ｂの一方の表面におけるフッ素の検出強度も、上記基材３１ａの一方の表面におけるフッ素の検出強度と同様にして測定される。
　基材３１ａ、３１ｂの一方の表面における水の接触角は、１００度以上、好ましくは１００度以上１２０度以下、より好ましくは１１０度以上１２０度以下である。接触角が１００度以上であると、水の接触角（具体的には導電インクに含まれる溶剤の接触角）を十分に大きくできるため、配線３３ａ、３３ｂを細線化できる。一方、接触角が１２０度以下であると、基材３１ａ、３１ｂに対する配線３３ａ、３３ｂの密着力の低下を抑制することができる。
　フッ素は、基材３１ａ、３１ｂの一方の表面に堆積していることが好ましい。水の接触角（具体的には導電インクに含まれる溶剤の接触角）をより十分に大きくできるため、配線３３ａ、３３ｂの細線化の度合いをより向上できるからである。基材３１ａ、３１ｂの一方の表面に堆積したフッ素が薄膜を構成していてもよい。基材３１ａ、３１ｂの一方の表面における算術平均粗さＲａは、例えば２ｎｍ以下である。
　基材３１ａ、３１ｂは、可撓性を有するフィルムであることが好ましい。Roll to Rollにより第１、第２の透明導電性素子３０ａ、３０ｂを製造することができるため、生産効率を向上できるからである。基材３１ａ、３１ｂの一方の表面に易接着処理が施されていることが好ましい。配線３３ａ、３３ｂの密着性を向上できるからである。
　基材３１ａ、３１ｂの材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリイミド（ＰＩ）、トリアセテート（ＴＡＣ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、アラミド、アクリル樹脂、ポリエステル（ＴＰＥＥ）、ポリアミド（ＰＡ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＣ）、エポキシ樹脂、尿素樹脂、ウレタン樹脂およびメラミン樹脂などのうちの１種以上の高分子樹脂が挙げられる。耐熱性の観点からすると、これらの樹脂のうちでも、ポリプロピレン、ポリイミド、ポリエチレンナフタレートおよびアラミドなどのうちの１種以上が好ましく、ポリイミドが最も好ましい。基材３１ａ、３１ｂの厚さは、生産性の観点から３μｍ～５００μｍであることが好ましいが、この範囲に特に限定されるものではない。
　基材３１ａは単層構造であってもよいし、２層以上の層構造を有していてもよい。２層以上の層構造を有する基材３１としては、例えば、基材層と、基材層の少なくとも一方の面に設けられた表面層とを備えるものが挙げられる。この場合、基材層および表面層の材料としては、基材３１ａ、３１ｂの材料として上で例示したものを用いることができる。
（透明電極）
　透明電極３２ａは、Ｘ軸方向に延在されたＸ電極であり、Ｙ軸方向に所定間隔離して配列されている。一方、透明電極３２ｂは、Ｙ軸方向に延在されたＹ電極であり、Ｘ軸方向に所定間隔離して配列されている。
　透明電極３２ａは、図３Ａに示すように、Ｘ軸方向に所定間隔で設けられた複数のパッド部（単位電極体）３６ａと、Ｘ軸方向に隣り合うパッド部３６ａ間を連結する複数の連結部３７ａとを備える。パッド部３６ａと連結部３７ａとは一体的に形成されている。透明電極３２ｂは、図３Ｂに示すように、Ｙ軸方向に所定間隔で設けられた複数のパッド部（単位電極体）３６ｂと、Ｙ軸方向に隣り合うパッド部３６ｂ間を連結する複数の連結部３７ｂとを備える。パッド部３６ｂと連結部３７ｂとは一体的に形成されている。
　透明電極３２ａ、３２ｂは、これらをＺ軸方向から平面視すると、連結部３７ａ、３７ｂが重なるようにして直交交差されると共に、パッド部３６ａ、３６ｂがＸＹ面内に敷き詰められている。パッド部３６ａ、３６ｂの形状としては、例えば、菱形（ダイヤモンド形状）や矩形などの多角形、星形、十字形、網目状などを用いることができるが、これらの形状に限定されるものではない。図２Ｂ、図３Ａ、図３Ｂでは、パッド部３６ａ、３６ｂの形状が菱形である場合が例示されている。なお、透明電極３２ａ、３２ｂの形状は、直線状であってもよい。この場合、複数の透明電極３２ａ、３２ｂは、これらをＺ軸方向から平面視すると、直交交差するストライプ状を有している。
　透明電極３２ａ、３２ｂの材料としては、例えば、電気的導電性を有する金属酸化物材料、金属材料、炭素材料および導電性ポリマーなどからなる群より選ばれる１種以上を用いることができる。金属酸化物材料としては、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、ガリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛、酸化亜鉛－酸化錫系、酸化インジウム－酸化錫系、酸化亜鉛－酸化インジウム－酸化マグネシウム系などが挙げられる。金属材料としては、例えば、金属ナノ粒子、金属ワイヤーなどの粒子を用いることができる。それらの粒子を構成する材料としては、例えば、銅、銀、金、白金、パラジウム、ニッケル、錫、コバルト、ロジウム、イリジウム、鉄、ルテニウム、オスミウム、マンガン、モリブデン、タングステン、ニオブ、タンテル、チタン、ビスマス、アンチモン、鉛などの金属、またはこれらの合金などが挙げられる。炭素材料としては、例えば、カーボンブラック、炭素繊維、フラーレン、グラフェン、カーボンナノチューブ、カーボンマイクロコイルおよびナノホーンなどが挙げられる。導電性ポリマーとしては、例えば、置換または無置換のポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、およびこれらから選ばれる１種または２種からなる（共）重合体などを用いることができる。
（配線）
　配線３３ａは、透明電極３２ａとＦＰＣ３５とを電気的に接続する引き回し配線であって、透明電極３２ａの一端から引き出され、基材３１ａの周縁部に引き回れてＦＰＣ３５に接続されている。配線３３ｂは、透明電極３２ｂとＦＰＣ３５とを電気的に接続する引き回し配線であって、透明電極３２ｂの一端から引き出され、基材３１ｂの周縁部に引き回れてＦＰＣ３５に接続されている。
　配線３３ａは、金属粒子の粉末を含んでいる。配線３３ａは、必要に応じて熱可塑性樹脂などのバインダおよび添加剤のうちの少なくとも１種をさらに含んでいてもよい。
　金属粒子は、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、インジウム（Ｉｎ）、アルミニウム（Ａｌ）およびニッケル（Ｎｉ）のうち少なくとも１種を含んでいる。金属粒子の形状としては、例えば、球状、楕円体状、針状、板状、鱗片状、ワイヤー状、棒状（ロッド状）、不定形状などが挙げられるが、特にこれらに限定されるものではない。
　配線３３ａ、３３ｂの幅ｗは、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１５０μｍ以下、さらに好ましくは１００μｍ以下である。配線３３ａ、３３ｂの幅ｗが２００μｍ以下であると、配線３３ａ、３３ｂを十分に挟幅化（高密度化）できるので、電子機器１０の額縁１３を十分に狭額縁化することが可能となる。また、配線３３ａ、３３ｂの幅ｗが２００μｍ以下であると、配線３３ａ、３３ｂの非視認性（すなわち配線３３ａ、３３ｂが設けられた領域の透明性）も向上できる。
　配線３３ａ、３３ｂの厚みｔは、好ましくは１．９μｍ以上、より好ましくは１．９μｍ以上１０．０μｍ以下、さらにより好ましくは３．５μｍ以上９．０μｍ以下である。配線３３ａ、３３ｂの厚みｔが１．９μｍ以上であると、配線３３ａ、３３ｂを低抵抗化できる。一方、配線３３ａ、３３ｂの厚みｔを１０．０μｍを超えて厚くすることは困難であり、また配線３３ａ、３３ｂの厚みｔを１０．０μｍを超えて厚くしなくても十分に低い抵抗値が得られる。ここで、配線３３ａ、３３ｂの厚みｔがそれらの幅方向に変動している場合には、配線３３ａ、３３ｂの厚みとは、幅方向において最大となる配線３３ａ、３３ｂの厚みを意味する。
　配線３３ａ、３３ｂのアスペクト比（厚みｔ／幅ｗ）は、好ましくは０．０３以上、より好ましくは０．０３以上０.１０以下、さらにより好ましくは０．０６以上０.１０以下である。アスペクト比が０．０３以上であると、配線３３ａ、３３ｂを低抵抗に保持しつつ、配線３３ａ、３３ｂを挟幅化することができる。一方、アスペクト比を０．１０を超えて大きくすることは困難である。
　配線３３ａ、３３ｂの抵抗値は、１．０Ω／ｍｍ以下であることが好ましい。抵抗値が１．０Ω／ｍｍ以下であると、入力装置３０をはじめとする種々の電子機器に配線３３ａ、３３ｂを用いることができるからである。
（絶縁層）
　絶縁層３４ａ、３４ｂの材料としては、無機材料および有機材料のいずれを用いてもよい。無機材料としては、例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮｘ、ＳｉＯＮ、Ａｌ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5、Ｙ2Ｏ3、ＨｆＯ2、ＨｆＡｌＯ、ＺｒＯ2、ＴｉＯ2などを用いることができる。有機材料としては、例えば、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などのポリアクリレート、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリスチレン（ＰＳ）、透明性ポリイミド、ポリエステル、エポキシ、ポリビニルフェノール、ポリビニルアルコールなどを用いることができる。
［２　透明導電性素子の製造方法］
　次に、第１の透明導電性素子３０ａの製造方法について説明する。なお、第２の透明導電性素子３０ｂの製造方法は第１の透明導電性素子３０ａの製造方法と同様であるため、ここでは、第１の透明導電性素子３０ａの製造方法についてのみ説明する。
（プラズマ処理）
　まず、基材３１ａを搬送しながら基材３１ａの一方の面にプラズマ撥水処理を施す。ここで、プラズマ撥水処理とは、基材３１ａの一方の面にプラズマ処理を施すことにより、基材３１ａの一方の面に撥水性を付与する処理のことをいう。プラズマ撥水処理を施すためのプラズマ処理装置としては、生産性の観点からすると、大気圧下でプラズマ処理を施すことが可能なものが好ましい。プロセスガスとしては、フッ素を含むものが用いられる。電源としては、パルス電源を用いることができる。
　この際、プラズマ撥水処理は、基材３１ａの一方の表面におけるフッ素の検出強度が９６８３４ｃｐｓ以上、好ましくは９６８３４ｃｐｓ以上２０００００ｃｐｓ以下、より好ましくは１４９３８１ｃｐｓ以上２０００００ｃｐｓ以下となるように調整される。また、配線３３ａを形成する領域のみにプラズマ撥水処理を施すようにしてもよい。
　プラズマ撥水処理は、基材３１ａの一方の表面における水の接触角が１００度以上、好ましくは１００度以上１２０度以下、より好ましくは１１０度以上１２０度以下となるように調整される。
（透明電極の形成）
　次に、原反から繰り出された基材３１ａの一方の面に透明電極３２ａを形成する。透明電極３２ａのパターンの形成方法としては、例えばフォトリソグラフィ法または印刷法を用いることができる。ここでは、プラズマ処理後に基材３１ａの一方の面に透明電極３２ａを形成する場合について説明するが、プラズマ処理前に基材３１ａの一方の面に透明電極３２ａを予め形成しておいてもよい。
（印刷）
　次に、基材３１ａを搬送しながら、基材３１ａの一方の面に導電インクを印刷する。導電インクは、上述の金属粒子の粉末および溶剤を含んでいる。導電インクが、必要に応じて熱可塑性樹脂などのバインダおよび添加剤のうちの少なくとも１種を含んでいてもよい。なお、導電インクに代えて導電ペーストを用いてもよい。
　溶剤としては、金属粒子の粉末を分散可能なものを用いることができ、例えば、水、アルコール（例えばメタノール、エタノール、n-プロパノール、i-プロパノール、n-ブタノール、i-ブタノール、sec-ブタノール、tert-ブタノールなど）、アノン（例えばシクロヘキサノン、シクロペンタノン）、アミド（例えばN,N-ジメチルホルムアミド：ＤＭＦ）、スルフィド（例えばジメチルスルホキシド：ＤＭＳＯ）などから選択される少なくとも１種類以上が使用される。
　導電インクに高沸点溶剤をさらに添加し、導電インクからの溶剤の蒸発速度をコントロールするようにしてもよい。高沸点溶剤としては、例えば、ブチルセロソルブ、ジアセトンアルコール、ブチルトリグリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテルジエチレングリコールジエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールイソプロピルエーテル、ジプロピレングリコールイソプロピルエーテル、トリプロピレングリコールイソプロピルエーテル、メチルグリコールが挙げられる。これらの高沸点溶剤を単独で用いられてもよいし、また２種以上混合して用いてもよい。
　印刷法としては、例えば、フレキソ印刷、スクリーン印刷、グラビア印刷、グラビアオフセット印刷、反転オフセット印刷、水なし平板印刷、インクジェット印刷などを用いることができる。
（乾燥焼成）
　次に、基材３１ａ、３１ｂを加熱炉に搬送し加熱炉を通過させることにより、印刷された導電インクに含まれる溶剤を揮発させ、導電インクを乾燥焼成させる。加熱炉としては、例えば赤外線加熱炉、ヒータ加熱炉、熱風循環式加熱炉などを用いることができる。
　上記のプラズマ処理の工程から乾燥焼成の工程までは、Roll to Roll方式で行われることが好ましい。生産性を向上できるからである。
［３　効果］
　本技術の一実施形態に係る電子機器１０は、第１、第２の透明導電性素子３０ａ、３０ｂを備える。第１、第２の透明導電性素子３０ａ、３０ｂはそれぞれ、一方の表面にフッ素を含む基材３１ａ、３１ｂと、基材３１ａ、３１ｂの一方の面に設けられた複数の配線３３ａ、３３ｂとを備える。基材３１ａ、３１ｂの一方の表面におけるフッ素の検出強度が、９６８３４ｃｐｓ以上である。このため、基材３１ａ、３１ｂの一方の表面における水の接触角を十分に大きくできるため、配線３３ａ、３３ｂを細線化できる。したがって、電子機器１０の額縁１３を狭額縁化して、タッチパネル式の表示装置１２の表示面を大きくすることが可能となる。
　本技術の一実施形態に係る透明導電性素子の製造方法では、プラズマ撥水処理が施された基材３１ａ、３１ｂの一方の表面に導電インクを印刷するので、導電インクが基材３１ａ、３１ｂの一方の表面で濡れ広がることを抑制できる。したがって、配線３３ａ、３３ｂを細線化することができる。また、配線３３ａ、３３ｂの厚みも確保できるので、低抵抗の配線３３ａ、３３ｂが得られる。
［４　変形例］
　配線および導電インクが、金属粒子に代えて、または金属粒子とともに、炭素粒子を含むようにしてもよい。炭素粒子としては、例えば、フラーレン、グラフェンおよびカーボンナノチューブなどのうちの１種以上を用いることができる。
　上述の一実施形態では、プラズマ処理により基材表面にフッ素を導入することにより、基材表面を撥水化する例について説明したが、プラズマ処理以外の方法で基材表面にフッ素を導入することにより、基材表面を撥水化してもよい。
　上述の一実施形態では、電容量方式タッチパネルの透明導電性素子に本技術を適用した例について説明したが、本技術はこの例に限定されるものではなく、配線を備える種々の導電性素子に適用可能である。本技術が適用可能な導電性素子の具体例としては、抵抗膜方式タッチパネルなどの透明導電性素子、ＩＣカード、表示素子（例えば液晶表示素子、有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子、電子ペーパなど）、プリント配線基板、プリント回路基板などが挙げられる。ここで、“プリント配線基板”とは、電子部品が設けられておらず、配線のみを有するものを意味する。また、“プリント回路基板”とは、配線と共に電子部品が設けられて、電子回路として動作するようになったものを意味する。なお、プリント配線基板およびプリント回路基板において、基板の種類は、特に限定されず、フレキシブル基板、リジッド基板、リジッドフレキシブル基板のいずれであってもよい。
　上述の実施形態では入力装置の額縁配線に本技術を適用した例について説明したが、額縁配線以外の配線に対しても本技術は適用可能である。また、マトリックス状などを有する電極のパターンの形成にも本技術は適用可能である。この場合、電極を細線化（挟幅化）することができるので、電極の非視認性を向上できる。
　入力装置が、透明電極および配線が一方の面に設けられた第１、第２の透明導電性素子に代えて、透明電極および配線が両面に設けられた透明導電性素子を備えるようにしてもよい。この場合、入力装置を更に薄型化することができる。
　以下、実施例により本技術を具体的に説明するが、本技術はこれらの実施例のみに限定されるものではない。
［実施例１－１、１－２、比較例１－１～１－３］
（プラズマ処理）
　まず、両面易接着処理が施された厚さ２５０μｍのＰＥＴフィルム（東洋紡株式会社製、A4300）の原反を、Roll to Roll方式の大気圧プラズマ処理装置に取り付けた。次に、原反から繰り出されたＰＥＴフィルムの一方の面にプラズマ撥水処理を施した後、巻き取った。プロセスガスとしては、フッ素と窒素とを混合したものを用い、その混合比をサンプル毎に変化させた。電源としては、パルス電源を用いた。
　次に、ＸＰＳ（株式会社島津製作所製、ESCA-3400）によりＰＥＴフィルムの一方の面の元素組成を分析し、フッ素の検出強度を求めた。以下に、ＸＰＳの測定条件を示す。
　Ｘ線源：マグネシウム
　Ｘ線高圧値：８ｋＶ
　エミッション電流値：２０ｍＡ
　分析範囲：φ６ｍｍ
（印刷）
　次に、ＰＥＴフィルムの一方の面にプラズマ撥水処理を施した原反をフレキソ印刷装置に取り付けた後、原反から繰り出されたＰＥＴフィルムの一方の面に導電インクで配線を印刷した。導電インクとしては、藤倉化成株式会社製のXA-3609（低粘度7700mpa・s）を用いた。フレキソ版（凸版）としては、線幅２５μｍ（コムラテック製）のものを用いた。
（乾燥）
　次に、導電インクが印刷されたＰＥＴフィルムを１２０℃の加熱オーブンに搬送し、オーブン内を３０分間かけて搬送することにより、印刷された導電インクを乾燥焼成させた後、巻き取った。以上により、目的とする配線フィルム（導電性素子）を得た。
（配線幅の測定）
　上述のようにして得られた配線フィルムの配線幅をレーザー顕微鏡（オリンパス株式会社製、LEXT OLS4000）を用いて測定した。
（結果）
　図４に、実施例１－１、１－２、比較例１－１～１－３の配線フィルムの配線幅の測定結果、およびそれらの測定結果から求めた２次多項式の近似曲線を示す。図４から以下のことがわかる。ＰＥＴフィルム表面におけるフッ素の検出強度を９６８３４［ｃｐｓ］以上にすることで、配線幅を２００μｍ以下にできる。また、ＰＥＴフィルム表面におけるフッ素の検出強度を１４９３８１［ｃｐｓ］以上にすることで配線幅を１５０μｍ以下にできる。
［実施例２－１］
　プロセスガスとしてフッ素と窒素とを５：９５との体積比で混合したものを用い、ＰＥＴフィルムの一方の面におけるフッ素の検出強度および水の接触角を以下のようにしたこと以外は実施例１－１と同様にして配線フィルムを得た。
　フッ素の検出強度：１５９６４５ｃｐｓ
　水の接触角：１００度
　ここで、フッ素の検出強度は、実施例１－１と同様にして求められた。接触角は、接触角計（Biolin Scientific製、Theta T200 Basic）を用いて求められた。
［実施例２－２］
　プロセスガスとしてフッ素と窒素とを１５：８５との体積比で混合したものを用い、ＰＥＴフィルムの一方の面におけるフッ素の検出強度および水の接触角を以下のようにしたこと以外は実施例１－１と同様にして配線フィルムを得た。
　フッ素の検出強度：１７４９１４ｃｐｓ
　水の接触角：１０３度
［実施例２－３］
　プロセスガスとしてフッ素と窒素とを２５：７５との体積比で混合したものを用い、ＰＥＴフィルムの一方の面におけるフッ素の検出強度、水の接触角および算術平均粗さＲａを以下のようにしたこと以外は実施例１－１と同様にして配線フィルムを得た。
　フッ素の検出強度：１８４９４６ｃｐｓ
　水の接触角：１０６度
　算術平均粗さＲａ：１．７４ｎｍ
　ここで、算術平均粗さＲａは、次のようにして求められた。まず、ＡＦＭ（Atomic Force Microscope）（ブルカー製、Dimension Icon）を用いてＰＥＴフィルムの一方の面を観察して、断面プロファイルを取得した。次に、取得した断面プロファイルから、ＪＩＳＢ０６０１に準拠して算術平均粗さＲａを求めた。
［比較例２－１］
　プラズマ撥水処理をＰＥＴフィルムの一方の面に施さずに、導電インクで配線を印刷したこと以外は実施例１－１と同様にして配線フィルムを得た。なお、プラズマ撥水処理をしていないＰＥＴフィルムの一方の面におけるフッ素の検出強度、水の接触角および算術平均粗さＲａは、以下の値であった。
　フッ素の検出強度：１１４４４ｃｐｓ
　水の接触角：７５度
　算術平均粗さＲａ：２．２６ｎｍ
（配線幅、配線厚みの測定およびアスペクト比の算出）
　まず、配線フィルムの配線幅ｗおよび配線厚みｔをレーザー顕微鏡（オリンパス株式会社製、LEXT OLS4000）を用いて測定した。なお、配線厚みｔは配線の幅方向に変動していたため、配線の幅方向において最大となる配線厚みｔを“配線厚みｔ”とした。次に、測定した配線幅ｗおよび配線厚みｔを用いて、アスペクト比（ｔ／ｗ）を算出した。
（抵抗値の測定）
　配線フィルムの配線抵抗をテスター（株式会社カスタム製、M-03）を用いて測定した。
（密着力の測定）
　配線フィルムの密着力をスクラッチテスタを用いて測定した。
（結果）
　表１は、実施例２－１～２－３、比較例２－１の配線フィルムの作製条件および測定／算出の結果を示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　図５、図６Ａ、図６Ｂはそれぞれ、Ｆ１ｓ、Ｃ１ｓ、Ｏ１ｓピークを拡大して表すグラフである。図７Ａ、図７Ｂ、図８Ａ、図８Ｂ、図９にそれぞれ、接触角、配線幅、配線厚み、抵抗値、密着力の測定結果を示す。図１０Ａ、図１０Ｂ、図１０Ｃに、実施例２－１の配線フィルムの顕微鏡観察像を示す。図１１Ａ、図１１Ｂ、図１１Ｃに、実施例２－３の配線フィルムの顕微鏡観察像を示す。図１２Ａ、図１２Ｂ、図１２Ｃに、比較例２－１の配線フィルムの顕微鏡観察像を示す。図１３Ａに、実施例２－３の配線フィルムの密着力の測定結果を示す。図１３Ｂに、比較例２－１の配線フィルムの密着力の測定結果を示す。
　上記測定結果から以下のことがわかる。
　プロセスガス中におけるフッ素の体積比を５ｖｏｌ％以上にすることで、ＰＥＴフィルムの一方の面における水の接触角を１００度以上にできる（図７Ａ参照）。
　プロセスガス中におけるフッ素の体積比を５ｖｏｌ％以上にすることで、配線幅を２００μｍ以下、配線厚さを１．９μｍ以上にできる。（図７Ｂ、図８Ａ参照）
　プラズマ撥水化処理を施した配線フィルムは、プラズマ撥水化処理をしていない配線フィルムと同程度の抵抗値を有している（図８Ｂ参照）。
　プラズマ撥水化処理を施した配線フィルムは、プラズマ撥水化処理をしていない配線フィルムと同程度の密着力を有している（図９参照）。
　したがって、ＰＥＴフィルムの一方の面における水の接触角を１００度以上とすることで、配線幅を２００μｍ以下、配線厚さを１．９μｍ以上にできる。また、プラズマ撥水化処理を施した配線フィルムは、密着力の大幅な低下を招くことなく、配線の細線化（挟幅化）と低抵抗化とを両立することができる。
　以上、本技術の実施形態について具体的に説明したが、本技術は、上述の実施形態に限定されるものではなく、本技術の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
　例えば、上述の実施形態において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値などはあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値などを用いてもよい。
　また、上述の実施形態の構成、方法、工程、形状、材料および数値などは、本技術の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
　また、本技術は以下の構成を採用することもできる。
（１）
　フッ素を含む表面を有する基材と、
　前記表面に設けられた配線と
　を備え、
　前記表面におけるフッ素の検出強度が、９６８３４ｃｐｓ以上である導電性素子。
（２）
　前記配線の幅が、２００μｍ以下である（１）に記載の導電性素子。
（３）
　前記表面におけるフッ素の検出強度が、１４９３８１ｃｐｓ以上である（１）に導電性素子。
（４）
　前記配線の幅が、１５０μｍ以下である（３）に記載の導電性素子。
（５）
　前記表面における水の接触角が、１００度以上である（１）から（４）のいずれかに記載の導電性素子。
（６）
　前記基材は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、プロピレン、ポリカーボネート、ポリイミド、トリアセチルセルロースおよびポリエチレンナフタレートのうちの１種以上を含む（１）から（５）のいずれかに記載の導電性素子。
（７）
　前記基材が、フィルムである（１）から（６）のいずれかに記載の導電性素子。
（８）
　前記配線の幅に対する前記配線の厚みの比率が、０．０６以上である（１）から（８）のいずれかに記載の導電性素子。
（９）
　フッ素が前記表面に堆積している（１）から（９）のいずれかに記載の導電性素子。
（１０）
　フッ素を含む表面を有する基材と、
　前記表面に設けられた配線と
　を備え、
　前記表面における水の接触角が、１００度以上である導電性素子。
（１１）
　（１）から（１０）のいずれかに記載の導電性素子を備える入力装置。
（１２）
　（１）から（１０）のいずれかに記載の導電性素子を備える電子機器。
（１３）
　基材表面におけるフッ素の検出強度が９６８３４ｃｐｓ以上となるように、前記基材表面にプラズマ処理を施し、
　プラズマ処理を施した前記基材表面に導電インクを印刷する
　ことを含む導電性素子の製造方法。
（１３）
　基材表面における水の接触角が１００度以上となるように、前記基材表面にプラズマ処理を施し、
　プラズマ処理を施した前記基材表面に導電インクを印刷する
　ことを含む導電性素子の製造方法。
１０　　電子機器
１１　　筐体
１２　　タッチパネル式の表示装置
２０　　表示素子
３０　　入力装置
３０ａ　第１の透明導電性素子
３０ｂ　第２の透明導電性素子
３１ａ、３１ｂ　　基材
３２ａ、３２ｂ　　透明電極
３３ａ、３３ｂ　　配線
３４ａ、３４ｂ　　絶縁層

Claims (12)

  1. 　フッ素を含む表面を有する基材と、
    　前記表面に設けられた配線と
    　を備え、
    　前記表面におけるフッ素の検出強度が、９６８３４ｃｐｓ以上である導電性素子。
  2. 　前記配線の幅が、２００μｍ以下である請求項１に記載の導電性素子。
  3. 　前記表面におけるフッ素の検出強度が、１４９３８１ｃｐｓ以上である請求項１に導電性素子。
  4. 　前記配線の幅が、１５０μｍ以下である請求項３に記載の導電性素子。
  5. 　前記表面における水の接触角が、１００度以上である請求項１に記載の導電性素子。
  6. 　前記基材は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン、プロピレン、ポリカーボネート、ポリイミド、トリアセチルセルロースおよびポリエチレンナフタレートのうちの１種以上を含む請求項１に記載の導電性素子。
  7. 　前記基材が、フィルムである請求項１に記載の導電性素子。
  8. 　前記配線の幅に対する前記配線の厚みの比率が、０．０６以上である請求項１に記載の導電性素子。
  9. 　フッ素が前記表面に堆積している請求項１に記載の導電性素子。
  10. 　フッ素を含む表面を有する基材と、
    　前記表面に設けられた配線と
    　を備え、
    　前記表面における水の接触角が、１００度以上である導電性素子。
  11. 　請求項１に記載の導電性素子を備える入力装置。
  12. 　請求項１に記載の導電性素子を備える電子機器。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112924719B (zh) * 2021-01-29 2023-03-03 中山大学南昌研究院 一种改善电绝缘性能的加速度计及其制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999048339A1 (fr) * 1998-03-17 1999-09-23 Seiko Epson Corporation Substrat de formation de motifs sur film mince et son traitement de surface
JP2004281184A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Sharp Corp パターニングされた薄膜を有する基板、およびその製造方法ならびに有機ｅｌ素子およびその製造方法
JP2005086188A (ja) * 2003-09-11 2005-03-31 Seiko Epson Corp 膜パターンの形成方法及び形成装置、並びに回路素子
WO2012053625A1 (ja) * 2010-10-22 2012-04-26 ソニー株式会社 パターン基体およびその製造方法ならびに情報入力装置および表示装置
JP2013045261A (ja) * 2011-08-23 2013-03-04 Dainippon Printing Co Ltd カラーフィルタ付タッチパネルセンサ、液晶表示装置、および座標検出装置
JP2014026584A (ja) 2012-07-30 2014-02-06 Shin Etsu Polymer Co Ltd 透明配線シートおよびその製造方法ならびにタッチパネル用入力部材

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5910341A (en) * 1996-10-31 1999-06-08 International Business Machines Corporation Method of controlling the spread of an adhesive on a circuitized organic substrate
US8216762B2 (en) * 2005-02-02 2012-07-10 Kolon Industries, Inc. Method for manufacturing array board for display device
US8044441B2 (en) * 2005-06-20 2011-10-25 Nissan Chemical Industries, Ltd. Electrode patterning layer comprising polyamic acid or polyimide, and electronic device employing it
US8283577B2 (en) * 2007-06-08 2012-10-09 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Printed matter and its manufacturing method, and electromagnetic shielding material and its manufacturing method
US9282647B2 (en) * 2012-02-28 2016-03-08 Eastman Kodak Company Method of making micro-channel structure for micro-wires
CN104412211B (zh) * 2012-07-06 2017-03-08 富士胶片株式会社 静电电容式触摸面板以及其制造方法、输入设备
CN105051135B (zh) * 2013-03-13 2018-04-17 富士胶片株式会社 粘着膜、触摸屏用层叠体
JP6315758B2 (ja) * 2013-10-11 2018-04-25 住友電工プリントサーキット株式会社 フッ素樹脂基材、プリント基板、表示パネル、表示装置、タッチパネル、照明装置、及びソーラパネル

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1999048339A1 (fr) * 1998-03-17 1999-09-23 Seiko Epson Corporation Substrat de formation de motifs sur film mince et son traitement de surface
JP2004281184A (ja) * 2003-03-14 2004-10-07 Sharp Corp パターニングされた薄膜を有する基板、およびその製造方法ならびに有機ｅｌ素子およびその製造方法
JP2005086188A (ja) * 2003-09-11 2005-03-31 Seiko Epson Corp 膜パターンの形成方法及び形成装置、並びに回路素子
WO2012053625A1 (ja) * 2010-10-22 2012-04-26 ソニー株式会社 パターン基体およびその製造方法ならびに情報入力装置および表示装置
JP2013045261A (ja) * 2011-08-23 2013-03-04 Dainippon Printing Co Ltd カラーフィルタ付タッチパネルセンサ、液晶表示装置、および座標検出装置
JP2014026584A (ja) 2012-07-30 2014-02-06 Shin Etsu Polymer Co Ltd 透明配線シートおよびその製造方法ならびにタッチパネル用入力部材

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP3460638A4 *

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Publication number Publication date
KR20190004272A (ko) 2019-01-11
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