WO2017149925A1 - 半導体加工用シート - Google Patents

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WO2017149925A1
WO2017149925A1 PCT/JP2017/000186 JP2017000186W WO2017149925A1 WO 2017149925 A1 WO2017149925 A1 WO 2017149925A1 JP 2017000186 W JP2017000186 W JP 2017000186W WO 2017149925 A1 WO2017149925 A1 WO 2017149925A1
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adhesive layer
semiconductor processing
semiconductor
release film
processing sheet
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PCT/JP2017/000186
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明徳 佐藤
優智 中村
茂之 山下
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リンテック株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a sheet for semiconductor processing.
  • a semiconductor processing sheet such as a dicing sheet or a back grind sheet is generally used.
  • a semiconductor processing sheet is required to have transparency to light having a desired wavelength (hereinafter sometimes referred to as “light transmittance”).
  • the tip dicing method is used in which the wafer is half-cut first and then back grinding is used, or laser light is used.
  • a stealth dicing method is used in which a modified layer is provided inside a wafer and then backside grinding is performed to separate chips.
  • a modified layer is formed inside a wafer by irradiation with laser light and then applied to a semiconductor processing sheet, there is a risk that the wafer will be damaged by the pressure applied.
  • a modified layer is formed by attaching a wafer to a semiconductor processing sheet in advance and then irradiating the wafer with laser light through the semiconductor processing sheet. In this case, in order to irradiate the laser beam satisfactorily, the semiconductor processing sheet needs to transmit the laser beam.
  • the product surface or lot number is usually laser-printed on the back surface of the chip.
  • a step of transporting the wafer whose back surface grinding has been completed to a laser printing apparatus Thin wafers used in recent years have a high risk of wafer cracking during transport. In order to avoid this risk, it has been devised that a thinned wafer is transported while being stuck to a semiconductor processing sheet and printed by irradiating a laser beam through the semiconductor processing sheet. In order to perform this laser printing satisfactorily, the semiconductor processing sheet needs to transmit laser light.
  • laser printing may be performed on the protective film.
  • printing is performed by irradiating the protective film forming layer of the semiconductor processing sheet including the protective film forming layer with laser light through the base material or the adhesive layer of the semiconductor processing sheet.
  • the base material and the adhesive layer of the semiconductor processing sheet it is necessary for the base material and the adhesive layer of the semiconductor processing sheet to transmit laser light.
  • the semiconductor processing sheet generally includes a base material and an adhesive layer laminated on one surface of the base material. Furthermore, a release film may be provided on the pressure-sensitive adhesive layer for the purpose of protecting the pressure-sensitive adhesive layer until the semiconductor processing sheet is used.
  • Patent Documents 1 and 2 describe a semiconductor processing sheet in which a base material, an adhesive layer, and a release film are laminated in this order. In general, other layers such as an adhesive layer and a protective film forming layer may be provided between the pressure-sensitive adhesive layer and the release film, depending on the use of the semiconductor processing sheet.
  • excellent light transmittance with respect to light having a desired wavelength can be achieved by increasing the light transmittance of the substrate and the pressure-sensitive adhesive layer, respectively.
  • it can be achieved by increasing the smoothness of the surface of the semiconductor processing sheet on the substrate side, that is, the surface of the substrate opposite to the pressure-sensitive adhesive layer.
  • Patent Documents 1 and 2 it is opposite to the pressure-sensitive adhesive layer in the release film for the purpose of avoiding air trapping between the semiconductor processing sheets when the semiconductor processing sheet is wound into a roll. It is disclosed to emboss the side surface.
  • the semiconductor processing sheet disclosed in Patent Document 1 or 2 does not have a high smoothness on the surface of the base material, and the inspection and laser through the semiconductor processing sheet as described above. Cannot be used for dicing, stealth dicing, laser printing, etc.
  • the present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a semiconductor processing sheet which is excellent in light transmittance and hardly causes blocking.
  • the present invention provides a substrate having a first surface and a second surface located on the opposite side of the first surface, and a second surface of the substrate. And a semiconductor adhesive layer having a first surface on a side proximal to the substrate and a second surface distal to the substrate, and a second in the semiconductor adhesive layer
  • a semiconductor processing sheet comprising at least a release film laminated on a surface side, having a first surface on a side proximal to the semiconductor adhesive layer, and having a second surface on a side distal to the semiconductor adhesive layer
  • the arithmetic average roughness Ra on the first surface of the substrate is 0.01 to 0.8 ⁇ m, and the first surface of the substrate and the second surface of the release film are laminated.
  • the peeling force at the interface between the first surface of the substrate and the second surface of the release film after storage at 40 ° C. for 3 days is ⁇
  • the second surface of the semiconductor adhesive layer and the first surface of the release film are pasted and stored at 40 ° C. for 3 days, and the second surface of the semiconductor adhesive layer and the release film
  • the peel force at the interface with the first surface is ⁇
  • the value of ⁇ to ⁇ ( ⁇ / ⁇ ) is 0 or more and less than 1.0
  • the peel force ⁇ is 10 to 1000 mN.
  • a semiconductor processing sheet characterized by being / 50 mm (Invention 1).
  • the arithmetic mean roughness Ra on the first surface of the substrate is 0.01 to 0.8 ⁇ m, so that the smoothness on the surface on the substrate side is good.
  • the substrate has a high light transmittance for light of a desired wavelength.
  • the value ( ⁇ / ⁇ ) of the peel force ⁇ to the peel force ⁇ is 0 or more and less than 1.0, the adhesion between the semiconductor processing sheets in the state of being wound in a roll shape can be improved. It does not become higher than the adhesion between the layers constituting the processing sheet, and exhibits excellent blocking resistance. Accordingly, the feeding can be performed satisfactorily and peeling at an unintended interface does not occur at the time of feeding.
  • the peeling force ⁇ is 10 to 1000 mN / 50 mm, the laminate including the base material and the semiconductor adhesive layer can be peeled from the release film with an appropriate peeling force when using the semiconductor processing sheet. .
  • the arithmetic average roughness Ra of the second surface of the release film is preferably 0.02 to 0.8 ⁇ m (Invention 2).
  • the release film preferably includes a release agent layer on each of the first surface side and the second surface side (Invention 3).
  • the semiconductor adhesive layer may be an adhesive layer (Invention 4).
  • the semiconductor adhesive layer may be an adhesive layer (Invention 5).
  • the semiconductor adhesive layer may be a protective film forming layer (Invention 6).
  • the semiconductor adhesive layer may be composed of an adhesive layer and an adhesive layer located between the adhesive layer and the release film (Invention 7).
  • the semiconductor adhesive layer may be composed of an adhesive layer and a protective film forming layer located between the adhesive layer and the release film (Invention 8).
  • the semiconductor processing sheet is a laminate including the base material and the semiconductor adhesive layer having a shape different from that of the release film in plan view on the long release film
  • the body may be laminated (Invention 9).
  • this invention is laminated
  • the said base material A semiconductor adhesive layer having a first surface proximal to the substrate and having a second surface distal to the substrate, and is laminated on the second surface side of the semiconductor adhesive layer, the semiconductor A jig adhesive layer having a first surface on the side proximal to the adhesive layer and having a second surface on the side distal to the semiconductor adhesive layer, and at least a first adhesive layer in the jig adhesive layer;
  • a release film having a first surface on the side proximal to the jig adhesive layer and a second surface distal to the jig adhesive layer.
  • the arithmetic average roughness Ra of the first surface of the base material is 0.01 to 0.8 ⁇ m, and the first base material of the base material And the release film at the interface between the first surface of the substrate and the second surface of the release film after laminating the film and the second surface of the release film and storing at 40 ° C. for 3 days. And the second surface of the pressure-sensitive adhesive layer for jigs after the second surface of the pressure-sensitive adhesive layer for jigs and the first surface of the release film are pasted and stored at 40 ° C. for 3 days.
  • the peel force at the interface between the film and the first surface of the release film is ⁇
  • the ratio of ⁇ to ⁇ ( ⁇ / ⁇ ) is 0 or more and less than 1.0
  • the peel force ⁇ Provides a sheet for semiconductor processing, characterized in that it is 10 to 1000 mN / 50 mm (Invention 10).
  • the present invention it is possible to provide a semiconductor processing sheet which is excellent in light transmittance and hardly causes blocking.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 9.
  • FIG. 1 shows a semiconductor processing sheet 1 according to the first embodiment.
  • the semiconductor processing sheet 1 is configured by laminating a base material 10, a semiconductor adhesive layer 80, and a release film 30 in this order.
  • the base material 10 has a first surface 101 on a side distal to the semiconductor adhesive layer 80 and a second surface 102 on a side proximal to the semiconductor adhesive layer 80.
  • the semiconductor adhesive layer 80 has a first surface 801 on the side proximal to the substrate 10 and a second surface 802 on the side proximal to the release film 30.
  • the release film 30 has a first surface 301 on a side proximal to the semiconductor adhesive layer 80 and a second surface 302 on a side distal to the semiconductor adhesive layer 80.
  • the arithmetic average roughness Ra on the first surface 101 of the substrate 10 is 0.01 to 0.8 ⁇ m. Since the first surface 101 of the substrate 10 is smooth as described above, the light irradiated to the first surface 101 is reduced from being scattered on the surface, and the substrate 10 exhibits high light transmittance. Is done.
  • the ratio value ( ⁇ / ⁇ ) of the peeling force ⁇ to the peeling force ⁇ is 0 or more and less than 1.0.
  • the peeling force ⁇ is a peeling force at the interface between the first surface 101 of the substrate 10 and the second surface 302 of the peeling film 30 as described later, and the peeling force ⁇ is described later.
  • the peeling force at the interface between the second surface 802 of the semiconductor adhesive layer 80 and the first surface 301 of the release film 30 As shown, the peeling force at the interface between the second surface 802 of the semiconductor adhesive layer 80 and the first surface 301 of the release film 30.
  • the peeling force ⁇ is 10 to 1000 mN / 50 mm.
  • the peeling force at the interface between the first surface 101 of the substrate 10 and the second surface 302 of the release film 30 is ⁇
  • the semiconductor When the peeling force at the interface between the second surface 802 of the adhesive layer 80 and the first surface 301 of the release film 30 is ⁇ , the value of ⁇ to ⁇ ( ⁇ / ⁇ ) is 0 or more. , 0.05 or more, and particularly preferably 0.1 or more.
  • the value ( ⁇ / ⁇ ) of the ratio is less than 1.0, preferably 0.5 or less, and particularly preferably 0.2 or less.
  • the peeling force ⁇ is a value obtained by laminating the first surface 101 of the substrate 10 and the second surface 302 of the release film 30 and storing them in a dry state at 40 ° C. for 3 days. It is the peeling force of the peeling film 30 with respect to. Further, the peel force ⁇ is a state in which the second surface 802 of the semiconductor adhesive layer 80 and the first surface 301 of the release film 30 are adhered and the semiconductor after being stored in a dry state at 40 ° C. for 3 days. This is the peeling force of the release film 30 on the adhesive layer 80.
  • the case where the value of the ratio ( ⁇ / ⁇ ) is 0 is a case where the value of the peeling force ⁇ is 0, which is so small that the peeling force ⁇ cannot be measured, or from the base material 10 before the measurement. This means that the release film 30 has already been peeled off.
  • the ratio ( ⁇ / ⁇ ) of the peeling force ⁇ to the peeling force ⁇ is 0 or more and less than 1.0, the semiconductor processing sheets 1 overlap each other as shown in FIG. The adhesiveness between the sheets 1 for manufacturing does not become higher than the adhesiveness between the layers constituting the semiconductor processing sheet.
  • the adhesion between the first surface 101 of the substrate 10 and the second surface 302 of the release film 30 facing the first surface 101 is the adhesion between the substrate 10 and the semiconductor adhesive layer 80.
  • the adhesion between the semiconductor adhesive layer 80 and the release film 30 does not become higher.
  • peeling force (beta) is prescribed
  • the release force ⁇ at the interface between the semiconductor adhesive layer 80 and the release film 30 is defined.
  • the semiconductor processing sheet 2 according to the second embodiment including the jig adhesive layer 60 described later, the jig adhesive layer together with the semiconductor adhesive layer 80 with respect to the release film 30. 60 contacts.
  • the contact between the release film 30 and the pressure-sensitive adhesive layer 60 for jigs is more when the release film 30 is peeled from the semiconductor processing sheet 2 than the contact between the release film 30 and the semiconductor adhesive layer 80.
  • the effect on peeling force is large. Therefore, in the semiconductor processing sheet 2 including the jig pressure-sensitive adhesive layer 60, as will be described later, the surface of the pressure-sensitive adhesive layer 60 for jigs on the side of the release film 30 (second surface 602) and the release film 30.
  • the peeling force ⁇ at the interface with the surface on the jig pressure-sensitive adhesive layer 60 side (first surface 301) is defined.
  • the peel force ⁇ is 10 to 1000 mN / 50 mm, preferably 10 to 500 mN / 50 mm, and particularly preferably 30 to 200 mN / 50 mm.
  • the peeling force ⁇ is less than 10 mN / 50 mm, the laminate of the substrate 10 and the semiconductor adhesive layer 80 is peeled from the peeling film 30 when the semiconductor processing sheet 1 is unwound from the roll or at any other unintended stage. It becomes easy to do.
  • peeling force (beta) exceeds 1000 mN / 50mm
  • seat 1 for semiconductor processing it will become difficult to peel the laminated body of the base material 10 and the semiconductor sticking layer 80 from the peeling film 30, and workability
  • a wafer mounter is used to sequentially mount the laminate on a semiconductor wafer, the laminate does not peel well from the release film 30 and cannot be mounted.
  • the thickness of the semiconductor processing sheet 1 according to the present embodiment is not limited as long as it can function properly in the process in which the semiconductor processing sheet 1 is used.
  • the thickness is usually preferably from 50 to 300 ⁇ m, particularly preferably from 50 to 250 ⁇ m, and further preferably from 50 to 230 ⁇ m.
  • seat 1 for semiconductor processing in this specification means the thickness except the peeling film 30 peeled before using the sheet
  • the arithmetic average roughness Ra on the first surface 101 of the base material 10 is 0.01 to 0.8 ⁇ m, particularly 0.02 to 0.5 ⁇ m. It is preferable that it is 0.03 to 0.3 ⁇ m.
  • the arithmetic average roughness Ra is less than 0.01 ⁇ m, the first surface 101 becomes excessively smooth, the value of the peeling force ⁇ becomes too large, and the semiconductor processing sheet 1 is rolled up. Blocking easily occurs, and it is difficult to satisfy the above-described relationship between the peeling force ⁇ and the peeling force ⁇ .
  • arithmetic average roughness Ra exceeds 0.8 ⁇ m, the light irradiated on the first surface 101 is likely to be scattered on the surface, and the light transmittance is impaired.
  • arithmetic mean roughness Ra in this specification is measured based on JISB0601: 2013, and the detail of the measuring method is as showing in the Example mentioned later.
  • the base 10 In order to achieve the arithmetic average roughness Ra, it is preferable to produce the base 10 so as to have the arithmetic average roughness Ra.
  • the arithmetic average roughness Ra on the second surface 102 of the substrate 10 can be appropriately set as long as the light transmittance of the substrate 10 can be ensured, and is preferably 0.01 to 2.0 ⁇ m, for example.
  • the thickness is preferably 0.03 to 1.5 ⁇ m, and more preferably 0.05 to 1.0 ⁇ m.
  • the constituent material of the base material 10 exhibits excellent light transmittance with respect to light of a desired wavelength, and further exhibits a desired function in the use process of the semiconductor processing sheet 1. As long as it does, it is not specifically limited.
  • the base material 10 may include a film (resin film) whose main material is a resin-based material.
  • the base material 10 consists only of a resin film.
  • the resin film examples include: ethylene-vinyl acetate copolymer film; ethylene- (meth) acrylic acid copolymer film, ethylene- (meth) acrylic acid methyl copolymer film, and other ethylene- (meth) acrylic Ethylene copolymer films such as acid ester copolymer films; Polyolefin films such as polyethylene films, polypropylene films, polybutene films, polybutadiene films, polymethylpentene films, ethylene-norbornene copolymer films, norbornene resin films; Polyvinyl chloride film such as vinyl film and vinyl chloride copolymer film; Polyester film such as polyethylene terephthalate film, polybutylene terephthalate film and polyethylene naphthalate Beam; and the like fluororesin film; (meth) acrylic acid ester copolymer film; polyurethane film; polyimide film; polystyrene films; polycarbonate films.
  • Polyolefin films such as
  • polyethylene film examples include a low density polyethylene (LDPE) film, a linear low density polyethylene (LLDPE) film, and a high density polyethylene (HDPE) film.
  • LDPE low density polyethylene
  • LLDPE linear low density polyethylene
  • HDPE high density polyethylene
  • modified films such as these crosslinked films and ionomer films are also used.
  • the substrate 10 may be a film made of one of these, or may be a film made of a material in which two or more of these are combined.
  • stacked may be sufficient. In this laminated film, the material constituting each layer may be the same or different.
  • the substrate 10 is preferably an ethylene-vinyl acetate copolymer film, an ethylene-methyl methacrylate copolymer film, a polyvinyl chloride film, or a polypropylene film.
  • (meth) acrylic acid in the present specification means both acrylic acid and methacrylic acid. The same applies to other similar terms.
  • a flame retardant, a plasticizer, an antistatic agent, a lubricant, an antioxidant, a colorant, and an infrared absorber are included in the above film as long as the excellent light transmittance for light of a desired wavelength is not impaired.
  • various additives such as an ultraviolet absorber and an ion scavenger may be contained. The content of these additives is not particularly limited, but it is preferable that the base material 10 has an excellent light transmittance and a desired function.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 20 may be used as the semiconductor adhesive layer 80, and when energy rays are used to cure the pressure-sensitive adhesive layer 20, the base material 10 is light transmissive to the energy rays. It is preferable to have.
  • the energy beam include ultraviolet rays and electron beams.
  • surface treatment such as primer treatment, corona treatment, plasma treatment or the like is performed in order to improve adhesion to the semiconductor adhesive layer 80. May be applied.
  • the thickness of the base material 10 is not limited as long as it can function properly in the process in which the semiconductor processing sheet 1 is used.
  • the thickness is usually preferably 20 to 450 ⁇ m, particularly preferably 25 to 300 ⁇ m, and more preferably 50 to 200 ⁇ m.
  • the arithmetic average roughness Ra of the second surface 302 of the release film 30 is preferably 0.02 to 0.8 ⁇ m, particularly preferably 0.03 to 0.5 ⁇ m, and more preferably 0. It is preferably from 05 to 0.3 ⁇ m.
  • the arithmetic average roughness Ra of the second surface 302 is 0.02 to 0.8 ⁇ m, the second surface 302 has an appropriate roughness, and the value of the peeling force ⁇ does not become excessively large. Thereby, it becomes easy to satisfy
  • the arithmetic average roughness Ra of the second surface 302 is 0.02 ⁇ m or more, the first surface 101 of the smooth substrate 10 is formed when the semiconductor processing sheet 1 is rolled up. In contrast, it is difficult for the second surface 302 of the release film 30 to adhere, and as a result, the occurrence of blocking can be effectively prevented. Furthermore, when the arithmetic average roughness Ra of the second surface 302 is 0.8 ⁇ m or less, the surface shape of the second surface 302 of the release film 30 when the semiconductor processing sheet 1 is wound into a roll shape. Even if the transfer to the first surface 101 of the substrate 10 occurs, the smoothness of the first surface 101 is prevented from being lowered.
  • the release film 30 may be manufactured so as to have the arithmetic average roughness Ra when the release film 30 is manufactured. Or after manufacturing the constituent material of the peeling film 30 in a sheet form, you may surface-treat the said sheet so that it may have the said arithmetic mean roughness Ra.
  • the release film 30 having the arithmetic average roughness Ra can be produced by adjusting the surface roughness of a roll used for extrusion molding of the release film 30.
  • the release film 30 having the arithmetic average roughness Ra can be obtained by subjecting the sheet to sandblasting or embossing.
  • the arithmetic average roughness Ra on the first surface 301 of the release film 30 can be appropriately set as long as the above-described relationship between the release force ⁇ and the release force ⁇ and the above-described value of the release force ⁇ can be achieved.
  • it is preferably 0.02 to 0.10 ⁇ m, particularly preferably 0.02 to 0.07 ⁇ m, and further preferably 0.03 to 0.05 ⁇ m.
  • the release film 30 is usually provided with a release agent layer on the first surface 301 side in order to exhibit the peelability to the semiconductor adhesive layer 80. Moreover, in the peeling film 30 of the sheet
  • the release film 30 has a configuration in which a release agent layer is provided on both surfaces of a substrate such as a resin film, for example.
  • the release agent layer on the second surface 302 side, it is easy to achieve the above-described relationship between the peeling force ⁇ and the peeling force ⁇ .
  • the release agent silicone release agents, alkyd release agents, fluorine release agents, long chain alkyl release agents, rubber release agents, and the like can be used.
  • silicone release agent on the first surface 301 side, and the ratio of the peeling force ⁇ to the peeling force ⁇ ( ⁇ / ⁇ ) Is easily adjusted to the above-described value, it is preferable to use a silicone release agent or an alkyd release agent on the second surface 302 side.
  • a resin film can be used as a material constituting the release film 30, for example.
  • the resin film include polyester films such as polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, and polyethylene naphthalate, and polyolefin films such as polypropylene and polyethylene.
  • the thickness of the release film 30 is not particularly limited, it is usually about 12 to 250 ⁇ m.
  • the semiconductor affixing layer 80 refers to a layer to which a semiconductor wafer or the like is affixed or a layer to be affixed to a semiconductor wafer or the like when the semiconductor processing sheet 1 according to this embodiment is used. The sticking at this time may be sticking temporarily performed when the semiconductor processing sheet 1 is used, or may be sticking continued even after the semiconductor processing sheet 1 is used.
  • Preferred examples of the semiconductor adhesive layer 80 include a pressure-sensitive adhesive layer 20, an adhesive layer 40, a protective film forming layer 50, a laminate composed of the pressure-sensitive adhesive layer 20 and the adhesive layer 40, and a pressure-sensitive adhesive layer 20 and a protective film forming layer. And the like.
  • FIG. 3 shows a first mode of the semiconductor processing sheet 1 according to the first embodiment.
  • the semiconductor adhesive layer 80 is the pressure-sensitive adhesive layer 20.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 20 has a first surface 201 on the side proximal to the substrate 10 and a second surface 202 on the side proximal to the release film 30.
  • the semiconductor processing sheet 1a can be used as a dicing sheet, for example.
  • FIG. 4 shows a second mode of the semiconductor processing sheet 1 according to the first embodiment.
  • the semiconductor adhesive layer 80 is the adhesive layer 40.
  • the adhesive layer 40 has a first surface 401 on the side proximal to the substrate 10 and a second surface 402 on the side proximal to the release film 30.
  • the semiconductor processing sheet 1b can be used as a die bonding sheet, for example.
  • FIG. 5 shows a third mode of the semiconductor processing sheet 1 according to the first embodiment.
  • the semiconductor adhesive layer 80 is the protective film forming layer 50.
  • the protective film forming layer 50 has a first surface 501 on the side proximal to the substrate 10 and a second surface 502 on the side proximal to the release film 30.
  • the semiconductor processing sheet 1c can be used as a protective film forming sheet, for example.
  • FIG. 6 shows a fourth mode of the semiconductor processing sheet 1 according to the first embodiment.
  • the semiconductor adhesive layer 80 is a laminate including the adhesive layer 20 and the adhesive layer 40.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 20 is located on the side proximal to the substrate 10
  • the adhesive layer 40 is located on the side proximal to the release film 30.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 20 has a first surface 201 on the side proximal to the substrate 10 and a second surface 202 on the side proximal to the release film 30.
  • the adhesive layer 40 has a first surface 401 on the side proximal to the substrate 10 and a second surface 402 on the side proximal to the release film 30.
  • the semiconductor processing sheet 1d can be used as, for example, a dicing die bonding sheet.
  • FIG. 7 shows a fifth mode of the semiconductor processing sheet 1 according to the first embodiment.
  • the semiconductor adhesive layer 80 is a laminate including the adhesive layer 20 and the protective film forming layer 50.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 20 is located on the side proximal to the substrate 10, and the protective film forming layer 50 is located on the side proximal to the release film 30.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 20 has a first surface 201 on the side proximal to the substrate 10 and a second surface 202 on the side proximal to the release film 30.
  • the protective film forming layer 50 has a first surface 501 on the side proximal to the substrate 10 and a second surface 502 on the side proximal to the release film 30.
  • the semiconductor processing sheet 1e can be used for dicing a semiconductor wafer. Further, after the dicing, the protective film forming layer 50 can be heated to form a protective film on the semiconductor chip.
  • the semiconductor processing sheet 1e can also be used as a protective film forming sheet.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 20 may be composed of a non-energy ray-curable pressure-sensitive adhesive (a polymer that does not have energy ray-curable properties), or energy. You may be comprised from a line-curable adhesive.
  • a non-energy ray curable pressure-sensitive adhesive those having desired adhesive strength and removability are preferable.
  • Polyvinyl ether-based pressure-sensitive adhesives can be used. Among these, an acrylic pressure-sensitive adhesive that can effectively suppress dropping of a semiconductor wafer, a semiconductor chip, or the like in a dicing process or the like is preferable.
  • the adhesive strength of the energy ray curable adhesive decreases when irradiated with energy rays, when it is desired to separate the semiconductor wafer 1 or the semiconductor processing sheet 1 from the semiconductor processing sheet 1, the energy ray curable adhesive can be easily obtained by irradiating energy rays. Can be separated.
  • the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer 20 may be composed mainly of a polymer having energy ray-curability, or a non-energy ray-curable polymer (a polymer having no energy ray-curability). ) And a monomer and / or oligomer having at least one energy ray-curable group. Further, it may be a mixture of a polymer having energy ray curable properties and a non-energy ray curable polymer, a polymer having energy ray curable properties and a monomer having at least one energy ray curable group and / or It may be a mixture with an oligomer or a mixture of these three.
  • the energy ray-curable pressure-sensitive adhesive is composed mainly of a polymer having energy ray-curability.
  • the polymer having energy ray curability is a (meth) acrylic acid ester (co) polymer (A) (hereinafter referred to as “energy ray”) in which a functional group having energy ray curability (energy ray curable group) is introduced into the side chain. It may be referred to as “curable polymer (A)”).
  • This energy beam curable polymer (A) reacts an acrylic copolymer (a1) having a functional group-containing monomer unit with an unsaturated group-containing compound (a2) having a functional group bonded to the functional group. It is preferable that it is obtained.
  • the acrylic copolymer (a1) is composed of a structural unit derived from a functional group-containing monomer and a structural unit derived from a (meth) acrylic acid ester monomer or a derivative thereof.
  • the functional group-containing monomer as a constituent unit of the acrylic copolymer (a1) contains a polymerizable double bond and a functional group such as a hydroxy group, a carboxy group, an amino group, a substituted amino group, and an epoxy group in the molecule. It is preferable that the monomer has
  • hydroxy group-containing monomer examples include 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, 3-hydroxybutyl ( And (meth) acrylate and 4-hydroxybutyl (meth) acrylate. These may be used alone or in combination of two or more.
  • carboxy group-containing monomer examples include ethylenically unsaturated carboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, maleic acid, itaconic acid, and citraconic acid. These may be used alone or in combination of two or more.
  • carboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid, crotonic acid, maleic acid, itaconic acid, and citraconic acid. These may be used alone or in combination of two or more.
  • amino group-containing monomer or substituted amino group-containing monomer examples include aminoethyl (meth) acrylate and n-butylaminoethyl (meth) acrylate. These may be used alone or in combination of two or more.
  • Examples of the (meth) acrylic acid ester monomer constituting the acrylic copolymer (a1) include alkyl (meth) acrylates having 1 to 20 carbon atoms in the alkyl group, cycloalkyl (meth) acrylates, and benzyl (meth) acrylates. Is used. Among these, particularly preferred are alkyl (meth) acrylates having an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, and n-butyl (meth) acrylate. 2-ethylhexyl (meth) acrylate or the like is used.
  • the acrylic copolymer (a1) usually contains 3 to 100% by mass, preferably 5 to 40% by mass of a structural unit derived from the functional group-containing monomer, and is a (meth) acrylic acid ester monomer or its
  • the structural unit derived from the derivative is usually contained in a proportion of 0 to 97% by mass, preferably 60 to 95% by mass.
  • the acrylic copolymer (a1) can be obtained by copolymerizing a functional group-containing monomer as described above with a (meth) acrylic acid ester monomer or a derivative thereof in a conventional manner. Dimethylacrylamide, vinyl formate, vinyl acetate, styrene and the like may be copolymerized.
  • an energy beam curable polymer (A ) Is obtained.
  • the functional group of the unsaturated group-containing compound (a2) can be appropriately selected according to the type of functional group of the functional group-containing monomer unit of the acrylic copolymer (a1).
  • the functional group of the acrylic copolymer (a1) is a hydroxy group, an amino group or a substituted amino group
  • the functional group of the unsaturated group-containing compound (a2) is preferably an isocyanate group or an epoxy group.
  • the functional group that the system copolymer (a1) has is an epoxy group
  • the functional group that the unsaturated group-containing compound (a2) has is preferably an amino group, a carboxy group, or an aziridinyl group.
  • the unsaturated group-containing compound (a2) contains at least one, preferably 1-6, more preferably 1-4, energy-polymerizable carbon-carbon double bonds in one molecule. ing.
  • Specific examples of such unsaturated group-containing compound (a2) include, for example, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, meta-isopropenyl- ⁇ , ⁇ -dimethylbenzyl isocyanate, methacryloyl isocyanate, allyl isocyanate, 1,1- ( Bisacryloyloxymethyl) ethyl isocyanate; acryloyl monoisocyanate compound obtained by reaction of diisocyanate compound or polyisocyanate compound with hydroxyethyl (meth) acrylate; diisocyanate compound or polyisocyanate compound, polyol compound, and hydroxyethyl (meth) Acryloyl monoisocyanate compound obtained by reaction with acrylate; glycidyl (meth)
  • the unsaturated group-containing compound (a2) is usually used in a proportion of 5 to 95 mol%, preferably 10 to 95 mol%, based on the functional group-containing monomer of the acrylic copolymer (a1).
  • the functional group of the acrylic copolymer (a1) and the functional group of the unsaturated group-containing compound (a2) Depending on the combination, the reaction temperature, pressure, solvent, time, presence / absence of catalyst, and type of catalyst can be appropriately selected. As a result, the functional group present in the acrylic copolymer (a1) reacts with the functional group in the unsaturated group-containing compound (a2), so that the unsaturated group is contained in the acrylic copolymer (a1). It introduce
  • the weight average molecular weight of the energy ray curable polymer (A) thus obtained is preferably 10,000 or more, particularly preferably 150,000 to 1,500,000, and more preferably 200,000 It is preferably 000 to 1,000,000.
  • the weight average molecular weight (Mw) in this specification is the value of standard polystyrene conversion measured by the gel permeation chromatography method (GPC method).
  • the energy ray curable adhesive is mainly composed of an energy ray curable polymer such as an energy ray curable polymer (A)
  • the energy ray curable adhesive is an energy ray curable monomer.
  • oligomer (B) may further be contained.
  • the energy ray-curable monomer and / or oligomer (B) for example, an ester of a polyhydric alcohol and (meth) acrylic acid or the like can be used.
  • Examples of the energy ray-curable monomer and / or oligomer (B) include monofunctional acrylic acid esters such as cyclohexyl (meth) acrylate and isobornyl (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, penta Erythritol tri (meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth) acrylate, polyethylene glycol Polyfunctional acrylic esters such as di (meth) acrylate and dimethyloltricyclodecane di (meth) acrylate, polyester oligo (meth) acrylate, polyurethane oligo (meta Acrylate, and the like.
  • monofunctional acrylic acid esters such as
  • the energy ray curable monomer (B) When the energy ray curable monomer (B) is blended with the energy ray curable polymer (A), the energy ray curable monomer and / or oligomer (B) in the energy ray curable adhesive is used. ) Is preferably 10 to 40 parts by weight, more preferably 30 to 350 parts by weight, based on 100 parts by weight of the energy beam curable polymer (A).
  • photopolymerization initiator (C) examples include benzophenone, acetophenone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, benzoin isobutyl ether, benzoin benzoic acid, benzoin methyl benzoate, benzoin dimethyl ketal, 2,4-diethylthioxanthone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, benzyldiphenyl sulfide, tetramethylthiuram monosulfide, azobisisobutyronitrile, benzyl, dibenzyl, diacetyl, ⁇ -chloranthraquinone, (2,4 6-trimethylbenzyldiphenyl) phosphine oxide, 2-benzothiazole-N, N-diethyldithiocarbamate, oligo ⁇ 2-hydroxy-2-me Le-1- [4-
  • the photopolymerization initiator (C) is energy beam curable copolymer (A) (when energy beam curable monomer and / or oligomer (B) is blended, energy beam curable copolymer (A). And energy ray-curable monomer and / or oligomer (B) in a total amount of 100 parts by weight) used in an amount in the range of 0.1 to 10 parts by weight, particularly 0.5 to 6 parts by weight, per 100 parts by weight. It is preferred that
  • other components may be appropriately blended in addition to the above components.
  • other components include a non-energy ray curable polymer component or oligomer component (D), and a crosslinking agent (E).
  • non-energy ray curable polymer component or oligomer component (D) examples include polyacrylates, polyesters, polyurethanes, polycarbonates, polyolefins, and the like, and the weight average molecular weight (Mw) is 3,000 to 2,500, 000 polymers or oligomers are preferred.
  • Mw weight average molecular weight
  • strength after hardening, the adhesiveness with another layer, storage stability, etc. can be improved.
  • the compounding quantity of the said component (D) is not specifically limited.
  • a polyfunctional compound having reactivity with the functional group of the energy beam curable copolymer (A) or the like can be used.
  • examples of such polyfunctional compounds include isocyanate compounds, epoxy compounds, amine compounds, melamine compounds, aziridine compounds, hydrazine compounds, aldehyde compounds, oxazoline compounds, metal alkoxide compounds, metal chelate compounds, metal salts, ammonium salts, A reactive phenol resin etc. can be mentioned.
  • blending the said component (E) with an energy-beam curable adhesive, the adhesiveness and peelability before hardening, the cohesiveness of an adhesive, etc. can be improved.
  • the blending amount of the component (E) is not particularly limited, and is appropriately determined in the range of 0 to 15 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the energy beam curable copolymer (A).
  • the energy beam curable pressure-sensitive adhesive is mainly composed of a mixture of a non-energy beam curable polymer component and a monomer and / or oligomer having at least one energy beam curable group will be described below. .
  • non-energy ray curable polymer component for example, the same components as the acrylic copolymer (a1) described above can be used.
  • the same one as the above-mentioned component (B) can be selected.
  • the blending ratio of the non-energy ray curable polymer component and the monomer and / or oligomer having at least one energy ray curable group is at least one or more with respect to 100 parts by mass of the non-energy ray curable polymer component.
  • the monomer and / or oligomer having an energy ray curable group is preferably 10 to 250 parts by mass, particularly preferably 25 to 100 parts by mass.
  • the photopolymerization initiator (C) and the crosslinking agent (E) can be appropriately blended as described above.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 20 is not particularly limited as long as it can function properly in each process in which the semiconductor processing sheet 1 is used. Specifically, the thickness is preferably 1 to 50 ⁇ m, particularly preferably 2 to 40 ⁇ m, and further preferably 3 to 30 ⁇ m.
  • the material constituting the adhesive layer 40 is not particularly limited as long as the wafer can be fixed during dicing and an adhesive layer can be formed on the separated chips. Can be used without.
  • Examples of the material constituting the adhesive layer 40 include those composed of a thermoplastic resin and a low molecular weight thermosetting adhesive component, and materials composed of a B-stage (semi-cured) thermosetting adhesive component. Used. Among these, it is preferable that the material constituting the adhesive layer 40 includes a thermoplastic resin and a thermosetting adhesive component.
  • Thermoplastic resins include (meth) acrylic copolymers, polyester resins, urethane resins, phenoxy resins, polybutene, polybutadiene, polyvinyl chloride, polyethylene terephthalate, polybutylene terephthalate, and ethylene (meth) acrylic acid copolymers.
  • examples include polymers, ethylene (meth) acrylic acid ester copolymers, polystyrene, polycarbonate, polyimide, etc.
  • (meth) acrylic copolymers from the viewpoint of adhesiveness and film-forming properties (sheet processability) Is preferred.
  • Thermosetting adhesive components include epoxy resins, polyimide resins, phenolic resins, silicone resins, cyanate resins, bismaleimide triazine resins, allylated polyphenylene ether resins (thermosetting PPE), formaldehyde resins , Unsaturated polyesters or copolymers thereof, and among them, epoxy resins are preferable from the viewpoint of adhesiveness.
  • the material constituting the adhesive layer 40 is particularly excellent in adhesiveness to a semiconductor wafer, and in particular from the viewpoint of excellent peelability from the adhesive layer 20 in the semiconductor processing sheet 1d shown in FIG. ) A material containing an acrylic copolymer and an epoxy resin is preferred.
  • the (meth) acrylic copolymer is not particularly limited, and a conventionally known (meth) acrylic copolymer can be used.
  • the weight average molecular weight (Mw) of the (meth) acrylic copolymer is preferably 10,000 to 2,000,000, and more preferably 100,000 to 1,500,000.
  • Mw of the (meth) acrylic copolymer is 10,000 or more, the peelability between the adhesive layer 40 and the pressure-sensitive adhesive layer 20 becomes better particularly in the semiconductor processing sheet 1d shown in FIG. The chip can be picked up effectively. Further, since the Mw of the (meth) acrylic copolymer is 2,000,000 or less, the adhesive layer 40 can better follow the unevenness of the adherend, and voids are generated. Can be effectively prevented.
  • the glass transition temperature (Tg) of the (meth) acrylic copolymer is preferably ⁇ 60 to 70 ° C., and more preferably ⁇ 30 to 50 ° C.
  • Tg of the (meth) acrylic copolymer is ⁇ 60 ° C. or more, the peelability between the adhesive layer 40 and the pressure-sensitive adhesive layer 20 is improved particularly in the semiconductor processing sheet 1d shown in FIG. The chip can be picked up effectively.
  • adhesive force for fixing a wafer can fully be acquired because Tg of a (meth) acrylic-type copolymer is 70 degrees C or less.
  • Examples of the monomer constituting the (meth) acrylic copolymer include a (meth) acrylic acid ester monomer or a derivative thereof, and more specifically, for example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (Meth) acrylic acid alkyl ester having 1 to 18 carbon atoms of alkyl group such as (meth) acrylate and butyl (meth) acrylate; (meth) acrylic acid cycloalkyl ester, (meth) acrylic acid benzyl ester, isobornyl ( (Meth) acrylate having a cyclic skeleton such as (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentenyloxyethyl (meth) acrylate, imide (meth) acrylate; Methyl ( Data) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acryl
  • the structural unit derived from the hydroxy group-containing (meth) acrylic ester is preferably contained in the range of 1 to 20% by mass, and in the range of 3 to 15% by mass. It is more preferable that it is contained.
  • the (meth) acrylic copolymer is preferably a copolymer of a (meth) acrylic acid alkyl ester and a hydroxy group-containing (meth) acrylic ester.
  • the (meth) acrylic copolymer may be copolymerized with monomers such as vinyl acetate, acrylonitrile, and styrene within a range not to impair the object of the present invention.
  • Epoxy resins include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenylene skeleton type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, dicyclopentadiene (DCPD) type epoxy resin, biphenyl type epoxy resin.
  • Two or more functional groups are included in the structural unit such as triphenolmethane type epoxy resin, heterocyclic type epoxy resin, stilbene type epoxy resin, condensed ring aromatic hydrocarbon modified epoxy resin, and halides thereof.
  • An epoxy resin is mentioned. These epoxy resins may be used alone or in combination of two or more.
  • the epoxy equivalent of the epoxy resin is not particularly limited.
  • the epoxy equivalent is usually preferably 150 to 1000 g / eq.
  • the epoxy equivalent in this specification is a value measured according to JIS K7236: 2009.
  • the content of the epoxy resin is preferably 1 to 1500 parts by mass and more preferably 3 to 1000 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (meth) acrylic copolymer. Sufficient adhesive force can be acquired because content of an epoxy resin is 1 mass part or more with respect to 100 mass parts of (meth) acrylic-type copolymers. Moreover, since the content of the epoxy resin is 1500 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the (meth) acrylic copolymer, sufficient film-forming properties can be obtained, and the adhesive layer 40 can be effectively used. Can be formed.
  • the material constituting the adhesive layer 40 preferably further includes a curing agent for curing the epoxy resin.
  • the curing agent include compounds having two or more functional groups capable of reacting with an epoxy group in the molecule, and the functional groups include phenolic hydroxy groups, alcoholic hydroxy groups, amino groups, carboxy groups, and acid anhydrides. Examples include physical groups. In these, a phenolic hydroxy group, an amino group, and an acid anhydride group are preferable, and a phenolic hydroxy group and an amino group are more preferable.
  • curing agents include phenolic thermosetting agents such as novolac-type phenolic resins, dicyclopentadiene-based phenolic resins, triphenolmethane-type phenolic resins, and aralkylphenol-based resins; amines such as DICY (dicyandiamide) A thermosetting agent is mentioned.
  • curing agent may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
  • the content of the curing agent is preferably 0.1 to 500 parts by mass and more preferably 1 to 200 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the epoxy resin. Sufficient adhesive force can be obtained because content of a hardening
  • curing agent is 0.1 mass part or more with respect to 100 mass parts of epoxy resins. Moreover, since the content of the curing agent is 500 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the epoxy resin, an increase in the moisture absorption rate of the adhesive layer 40 is effectively prevented, and the reliability of the semiconductor package is further improved. It can be excellent.
  • the material constituting the adhesive layer 40 may include a curing accelerator, a coupling agent, a cross-linking agent, an energy ray curable compound, a photopolymerization initiator, a plasticizer, and a charge, as desired.
  • a curing accelerator such as an inhibitor, an antioxidant, a pigment, a dye, and an inorganic filler may be contained. Each of these additives may be included singly or in combination of two or more.
  • the curing accelerator is used to adjust the curing rate of the adhesive composition.
  • a hardening accelerator the compound which can accelerate
  • Specific examples of such compounds include tertiary amines, imidazoles such as 2-phenyl-4,5-di (hydroxymethyl) imidazole, organic phosphines, and tetraphenylboron salts.
  • the coupling agent has a function of improving the adhesiveness and adhesion to the adherend of the adhesive composition. Moreover, the water resistance of the said hardened
  • the coupling agent is preferably a compound having a group that reacts with the functional group of the (meth) acrylic polymer and the epoxy resin. As such a coupling agent, a silane coupling agent is preferable.
  • the silane coupling agent is not particularly limited, and a known silane coupling agent can be used.
  • a known silane coupling agent can be used.
  • ⁇ -glycidoxypropyltrimethoxysilane ⁇ -glycidoxypropylmethyldiethoxysilane, ⁇ - (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, ⁇ - (methacryloxypropyl) trimethoxysilane, ⁇ -Aminopropyltrimethoxysilane, N-6- (aminoethyl) - ⁇ -aminopropyltrimethoxysilane, N-6- (aminoethyl) - ⁇ -aminopropylmethyldiethoxysilane, N-phenyl- ⁇ -aminopropyl Trimethoxysilane, ⁇ -ureidopropyltriethoxysilane, ⁇ -mercaptopropyltrime
  • the crosslinking agent is for adjusting the cohesive force of the adhesive layer 40.
  • a crosslinking agent of the said (meth) acrylic-type polymer A well-known thing can be used, For example, what was mentioned above as a material which comprises the adhesive layer 20 can be used.
  • the energy ray curable compound is a compound that is polymerized and cured when irradiated with energy rays such as ultraviolet rays.
  • energy rays such as ultraviolet rays.
  • an acrylic compound is preferable, and a compound having at least one polymerizable double bond in the molecule is particularly preferable.
  • acrylic compounds include dicyclopentadiene dimethoxydiacrylate, trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate.
  • the weight average molecular weight of the acrylic compound is usually 100 to 30000, preferably about 300 to 10000.
  • the content of the energy beam curable compound is usually 1 to 400 parts by mass, preferably 3 to 100 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the (meth) acrylic polymer. 300 parts by weight, more preferably 10 to 200 parts by weight.
  • the photopolymerization initiator can reduce the polymerization curing time and the energy beam irradiation amount when polymerized and cured by irradiation with energy rays.
  • the photoinitiator A well-known thing can be used, For example, what was mentioned above as a material which comprises the adhesive layer 20 can be used.
  • the thickness of the adhesive layer 40 is usually 3 to 100 ⁇ m, preferably 5 to 80 ⁇ m.
  • the protective film forming layer 50 is preferably made of an uncured curable adhesive. In this case, after the semiconductor film or the semiconductor chip is overlaid on the protective film forming layer 50, the protective film forming layer 50 is cured, so that the protective film can be firmly bonded to the semiconductor wafer or the semiconductor chip, A durable protective film can be formed on a chip or the like.
  • the protective film forming layer 50 can be favorably printed by laser light irradiation even when the curable adhesive is uncured or after curing.
  • the protective film forming layer 50 has adhesiveness at room temperature or exhibits adhesiveness by heating. Thereby, when a semiconductor wafer, a semiconductor chip, etc. are overlap
  • the curable adhesive constituting the protective film forming layer 50 having the above characteristics contains a curable component and a binder polymer component.
  • a curable component a thermosetting component, an energy ray curable component, or a mixture thereof can be used. From the viewpoint of the curing method of the protective film forming layer 50 and the heat resistance after curing, it is particularly preferable to use a thermosetting component, and from the viewpoint of curing time, it is preferable to use an energy ray curable component.
  • thermosetting component examples include epoxy resins, phenol resins, melamine resins, urea resins, polyester resins, urethane resins, acrylic resins, polyimide resins, benzoxazine resins, and mixtures thereof. Is mentioned. Among these, an epoxy resin, a phenol resin, and a mixture thereof are preferably used. As the thermosetting component, those having a molecular weight of about 300 to 10,000 are usually used.
  • Epoxy resins have the property of forming a three-dimensional network when heated and forming a strong film.
  • an epoxy resin various known epoxy resins are used, but usually those having a weight average molecular weight of about 300 to 2500 are preferred. Further, it is preferably used in a form of blending a normal liquid epoxy resin having a weight average molecular weight of 300 to 500 and a solid epoxy resin having a weight average molecular weight of 400 to 2500, particularly a weight average of 500 to 2,000 at room temperature. .
  • the epoxy equivalent of the epoxy resin is preferably 50 to 5000 g / eq.
  • epoxy resins include glycidyl ethers of phenols such as bisphenol A, bisphenol F, resorcinol, phenyl novolac, and cresol novolac; glycidyl ethers of alcohols such as butanediol, polyethylene glycol, and polypropylene glycol.
  • Glycidyl ether of carboxylic acid such as phthalic acid, isophthalic acid, tetrahydrophthalic acid, etc .
  • glycidyl type or alkyl glycidyl type epoxy resin in which active hydrogen bonded to nitrogen atom such as aniline isocyanurate is substituted with glycidyl group vinylcyclohexane diepoxide 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3,4-dicyclohexanecarboxylate, 2- (3,4-epoxy) cyclohexyl-5,5-spiro (3
  • 4-epoxy) cyclohexane -m- dioxane carbon in the molecule - epoxy is introduced by for example oxidation to carbon double bond include a so-called alicyclic epoxides.
  • bisphenol glycidyl type epoxy resins o-cresol novolac type epoxy resins and phenol novolac type epoxy resins are preferably used. These epoxy resins can be used alone or in combination of two or more.
  • thermally activated latent epoxy resin curing agent in combination as an auxiliary agent.
  • the thermally activated latent epoxy resin curing agent is a type of curing agent that does not react with the epoxy resin at room temperature but is activated by heating at a certain temperature or more and reacts with the epoxy resin.
  • the activation method of the thermally activated latent epoxy resin curing agent includes a method of generating active species (anions and cations) by chemical reaction by heating; There are a method of initiating a curing reaction by dissolving and dissolving with an epoxy resin; a method of starting a curing reaction by eluting at a high temperature with a molecular sieve encapsulated type curing agent; a method using a microcapsule, and the like.
  • thermally active latent epoxy resin curing agent examples include various onium salts, dibasic acid dihydrazide compounds, dicyandiamide, amine adduct curing agents, high melting point active hydrogen compounds such as imidazole compounds, and the like. These thermally activated latent epoxy resin curing agents can be used singly or in combination of two or more.
  • the thermally activated latent epoxy resin curing agent as described above is preferably 0.1 to 20 parts by weight, particularly preferably 0.2 to 10 parts by weight, and more preferably 0 to 100 parts by weight of the epoxy resin. Used at a ratio of 3 to 5 parts by mass.
  • phenolic resin a polymer having a phenolic hydroxy group such as a condensate of phenols such as alkylphenol, polyhydric phenol, naphthol and aldehydes is used without particular limitation.
  • phenol novolac resins, o-cresol novolac resins, p-cresol novolac resins, t-butylphenol novolac resins, dicyclopentadiene cresol resins, polyparavinylphenol resins, bisphenol A type novolac resins Resins or modified products thereof are used.
  • the phenolic hydroxy group contained in these phenolic resins can easily undergo an addition reaction with the epoxy group of the epoxy resin by heating to form a cured product having high impact resistance. For this reason, you may use together an epoxy resin and a phenol resin.
  • the energy ray curable component for example, those described above as the material constituting the pressure-sensitive adhesive layer 20 can be used. Moreover, you may use an energy beam curable monomer / oligomer as an energy beam curable component. Furthermore, you may use the acrylic polymer to which the energy-beam curable compound was added as a binder polymer component combined with an energy-beam curable component.
  • the binder polymer component is blended for the purpose of giving an appropriate tack to the protective film forming layer 50 or improving the operability of the semiconductor processing sheets 1c and 1e.
  • the weight average molecular weight of the binder polymer is usually in the range of 30,000 to 2,000,000, preferably 50,000 to 1,500,000, particularly preferably 100,000 to 1,000,000. When the weight average molecular weight is 30,000 or more, film formation of the protective film forming layer 50 is sufficient. Moreover, since the weight average molecular weight is 2,000,000 or less, compatibility with other components is maintained well, and the film formation of the protective film forming layer 50 can be performed uniformly.
  • Examples of such a binder polymer include (meth) acrylic copolymers, polyester resins, phenoxy resins, urethane resins, silicone resins, rubber copolymers, and the like. A copolymer is preferably used.
  • Examples of (meth) acrylic copolymers include (meth) acrylic acid ester copolymers obtained by polymerizing (meth) acrylic acid ester monomers and (meth) acrylic acid derivatives.
  • the (meth) acrylic acid ester monomer is preferably a (meth) acrylic acid alkyl ester having an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) Acrylate, butyl (meth) acrylate, or the like is used.
  • Examples of the (meth) acrylic acid derivative include (meth) acrylic acid, glycidyl (meth) acrylate, hydroxyethyl (meth) acrylate, and the like.
  • thermoset when a glycidyl group is introduced into a (meth) acrylic copolymer using glycidyl methacrylate as a structural unit, the (meth) acrylic copolymer or the phenoxy resin having an epoxy group is thermoset. May have sex.
  • thermosetting polymer is not a thermosetting component in this embodiment, but corresponds to a binder polymer component.
  • the weight average molecular weight of the (meth) acrylic copolymer is preferably 100,000 or more, particularly preferably 150,000 to 1, 000,000.
  • the glass transition temperature of the (meth) acrylic copolymer is usually 20 ° C. or lower, preferably about ⁇ 70 to 0 ° C., and has adhesiveness at room temperature (23 ° C.).
  • the curable component is preferably 50 to 1500 parts by mass, particularly preferably 70 to 1000 parts by mass, further preferably 80 to 100 parts by mass of the binder polymer component. It is preferable to add ⁇ 800 parts by mass.
  • the curable component and the binder polymer component are blended in such a ratio, an adequate tack is exhibited before curing, and the sticking operation can be stably performed. After the curing, a protective film having excellent coating strength. Is obtained.
  • the protective film forming layer 50 may contain a filler and / or a colorant.
  • the protective film forming layer 50 needs to have light transmittance. Therefore, in this case, it is necessary to contain a filler and / or a colorant to such an extent that the light transmittance is not inhibited.
  • the semiconductor processing sheets 1c and 1e are used for laser printing of the protective film forming layer 50 or a protective film formed by separating the protective film forming layer 50, the protective film forming layer 50 is not required to have light transmittance.
  • the protective film forming layer 50 in order to enable laser printing, the protective film forming layer 50 needs to block the laser beam. Therefore, in order to effectively perform laser printing, the protective film forming layer 50 preferably contains a filler and / or a colorant. Moreover, when the protective film formation layer 50 contains a filler, the hardness of the protective film after curing can be maintained high, and moisture resistance can be improved. Furthermore, the gloss of the surface of the protective film to be formed can be adjusted to a desired value. Furthermore, the thermal expansion coefficient of the protective film after curing can be brought close to the thermal expansion coefficient of the semiconductor wafer, thereby reducing the warpage of the semiconductor wafer during processing.
  • the filler examples include silica such as crystalline silica, fused silica and synthetic silica, and inorganic filler such as alumina and glass balloon.
  • silica such as crystalline silica, fused silica and synthetic silica
  • inorganic filler such as alumina and glass balloon.
  • synthetic silica is preferable, and synthetic silica of the type from which ⁇ -ray sources that cause malfunction of the semiconductor device are removed as much as possible is most suitable.
  • the shape of the filler may be spherical, acicular, or indefinite.
  • a functional filler may be blended in addition to the inorganic filler.
  • a conductive filler in which gold, silver, copper, nickel, aluminum, stainless steel, carbon, ceramic, nickel, aluminum or the like is coated with silver, Examples thereof include metal materials such as gold, silver, copper, nickel, aluminum, stainless steel, silicon, and germanium, and heat conductive fillers such as alloys thereof for the purpose of imparting thermal conductivity.
  • colorant known pigments such as inorganic pigments, organic pigments, and organic dyes can be used.
  • inorganic pigments include carbon black, cobalt dyes, iron dyes, chromium dyes, titanium dyes, vanadium dyes, zirconium dyes, molybdenum dyes, ruthenium dyes, platinum dyes, ITO (indium) Tin oxide) dyes, ATO (antimony tin oxide) dyes, and the like.
  • organic pigments and organic dyes include aminium dyes, cyanine dyes, merocyanine dyes, croconium dyes, squalium dyes, azurenium dyes, polymethine dyes, naphthoquinone dyes, pyrylium dyes, and phthalocyanine dyes.
  • pigments particularly inorganic pigments.
  • inorganic pigments carbon black is particularly preferable. Carbon black is usually black, but the portion scraped off by laser light irradiation is white and the contrast difference is large, so the visibility of the laser-printed portion is very excellent.
  • the blending amount of the filler is usually preferably 40 to 80% by mass, and particularly preferably 50 to 70% by mass.
  • the blending amount of the colorant is usually preferably 0.001 to 5% by mass, particularly preferably 0.01 to 3% by mass, and further preferably 0.1 to 2.5% by mass. Preferably there is.
  • the protective film forming layer 50 may contain a coupling agent.
  • a coupling agent By containing the coupling agent, the adhesiveness / adhesion between the protective film and the semiconductor wafer, semiconductor chip, etc. can be improved without damaging the heat resistance of the protective film after the protective film forming layer 50 is cured. In addition, the water resistance (moisture heat resistance) can be improved.
  • a silane coupling agent is preferable because of its versatility and cost merit.
  • the silane coupling agent for example, those described above can be used.
  • the protective film forming layer 50 may contain a crosslinking agent such as an organic polyvalent isocyanate compound, an organic polyvalent imine compound, or an organometallic chelate compound in order to adjust the cohesive force before curing. Further, the protective film forming layer 50 may contain an antistatic agent in order to suppress static electricity and improve the reliability of the chip. Further, the protective film forming layer 50 may contain a flame retardant such as a phosphoric acid compound, a bromine compound, or a phosphorus compound in order to enhance the flame retardance performance of the protective film and improve the reliability as a package. Good.
  • a crosslinking agent such as an organic polyvalent isocyanate compound, an organic polyvalent imine compound, or an organometallic chelate compound in order to adjust the cohesive force before curing. Further, the protective film forming layer 50 may contain an antistatic agent in order to suppress static electricity and improve the reliability of the chip. Further, the protective film forming layer 50 may contain a flame retardant such as a phosphoric acid compound, a
  • the thickness of the protective film forming layer 50 is preferably 3 to 300 ⁇ m, particularly preferably 5 to 250 ⁇ m, and more preferably 7 to 200 ⁇ m in order to effectively exert the function as the protective film. It is preferable.
  • the gloss value of the first surface 501 of the protective film forming layer 50 is preferably 25 or more, and particularly preferably 30 or more.
  • the gloss value in this specification is a value measured using a gloss meter at a measurement angle of 60 ° in accordance with JIS Z8741: 1997.
  • the semiconductor processing sheet according to the present embodiment may further include a jig pressure-sensitive adhesive layer.
  • FIG. 8 shows a cross-sectional view of the semiconductor processing sheet 2 according to the second embodiment including the jig pressure-sensitive adhesive layer 60.
  • the jig adhesive layer 60 has a first surface 601 on the side proximal to the semiconductor adhesive layer 80 and a second surface 602 on the side proximal to the release film 30.
  • tool is formed in the shape corresponding to the shape of jig
  • the jig pressure-sensitive adhesive layer 60 is in contact with the first surface 301 of the release film 30 as shown in FIG. Further, as shown in FIG. 8, in the central portion of the semiconductor processing sheet 2 where the jig adhesive layer 60 does not exist, the second surface of the semiconductor adhesive layer 80 is formed on the first surface 301 of the release film 30. The surface 802 is in contact.
  • the winding pressure is concentrated at the position where the jig pressure-sensitive adhesive layer 60 is present. Along with this, blocking is also likely to occur at the position where the jig pressure-sensitive adhesive layer 60 is present.
  • the peeling force at the interface between the second surface 602 of the jig pressure-sensitive adhesive layer 60 and the first surface 301 of the peeling film 30 is defined as a peeling force ⁇ .
  • the peeling force ⁇ is 3 at 40 ° C. under predetermined conditions in a state where the second surface 602 of the adhesive layer 60 for jigs and the first surface 301 of the release film 30 are laminated.
  • peeling force of the peeling film 30 is set as the peeling force of the peeling film 30 with respect to the adhesive layer 60 for jigs after storing for days.
  • peeling force ⁇ similarly to the semiconductor processing sheet 1 according to the first embodiment described above, at the interface between the first surface 101 of the substrate 10 and the second surface 302 of the peeling film 30. Let it be peeling force.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 60 for jigs in the present embodiment may be composed of a single layer or may be composed of two or more multilayers. In the case of multilayers, it is preferable that the core material is interposed. .
  • the adhesive constituting the jig adhesive layer 60 is preferably composed of a non-energy ray curable adhesive from the viewpoint of adhesive strength to a jig such as a ring frame.
  • a non-energy ray curable adhesive those having desired adhesive strength and removability are preferable.
  • acrylic adhesive, rubber adhesive, silicone adhesive, urethane adhesive, polyester adhesive An acrylic pressure-sensitive adhesive that can easily control the adhesive strength and removability is preferable.
  • a resin film is usually used as the core material.
  • polyvinyl chloride films such as a polyvinyl chloride film and a vinyl chloride copolymer film are preferable, and a polyvinyl chloride film is particularly preferable. Even if the polyvinyl chloride film is softened by heating, it has a property of being easily restored when cooled.
  • the thickness of the core material is preferably 2 to 200 ⁇ m, more preferably 5 to 100 ⁇ m.
  • the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 60 for jigs is preferably 5 to 200 ⁇ m, particularly preferably 10 to 100 ⁇ m, from the viewpoint of adhesion to a jig such as a ring frame.
  • the semiconductor processing sheet 2 having the jig adhesive layer 60 has an arithmetic average roughness Ra on the first surface 101 of the substrate 10 of 0.01 to 0.8 ⁇ m. It becomes favorable and at least the base material 10 has high light transmittance with respect to light of a desired wavelength. Furthermore, when the value ( ⁇ / ⁇ ) of the peeling force ⁇ to the peeling force ⁇ is 0 or more and less than 1.0, excellent blocking resistance is exhibited, and the semiconductor processing sheet 2 is fed from the roll. Can be carried out satisfactorily, and unintended peeling does not occur during feeding.
  • the peel force ⁇ is 10 to 1000 mN / 50 mm
  • the peel film 30 to the substrate 10 the semiconductor adhesive layer 80, and the jig adhesive can be used with an appropriate peel force.
  • the laminate including the agent layer 60 can be peeled off.
  • the semiconductor processing sheet according to the present embodiment may be in a so-called precut state in which layers other than the release film 30 are cut into a desired shape. That is, in the semiconductor processing sheet according to the present embodiment, a laminate including the substrate 10 and the semiconductor adhesive layer 80 having a shape different from that of the release film 30 in plan view is laminated on the long release film 30. It may be.
  • FIG. 9 shows a plan view of such a pre-cut semiconductor processing sheet 3 according to the third embodiment as viewed from the substrate side.
  • a laminated body hereinafter sometimes referred to as “main use part” of the base material 10 a cut into a circle and the semiconductor adhesive layer 80 a is provided on the long release film 30. Yes.
  • FIG. 10 shows a cross-sectional view along the line AA in FIG.
  • the pre-cut semiconductor processing sheet 3 also satisfies the physical properties described above for the semiconductor processing sheet 1. Moreover, as each layer which comprises the semiconductor processing sheet 3, what was mentioned above about the semiconductor processing sheet 1 can be used.
  • the semiconductor processing sheet 2 including the jig adhesive layer 60 described above can be a precut sheet.
  • the adhesive layer 60 for jigs is provided on the peripheral edge of the main use part.
  • the main use portion is peeled off from the release film 30 and then attached to a semiconductor wafer, a semiconductor chip, or the like.
  • the sheet remaining portion prevents the winding pressure when the semiconductor processing sheet 3 is rolled up from being concentrated on the main use portion.
  • the ratio value ( ⁇ / ⁇ ) of the peeling force ⁇ to the peeling force ⁇ is 0 or more and less than 1.0. The occurrence of defects is suppressed.
  • the arithmetic average roughness Ra on the first surface 101 of the substrate 10 is 0.01 to 0.8 ⁇ m, the smoothness on the surface is good, and at least the substrate 10 has a desired wavelength. It has a high light transmittance for light.
  • the peeling force ⁇ is 10 to 1000 mN / 50 mm, the release film 30 can be peeled from the semiconductor adhesive layer 80 with an appropriate peeling force when using the semiconductor processing sheet 3.
  • seat for semiconductor processing The manufacturing method of the sheet
  • a first example of the production method first, a pressure-sensitive adhesive composition containing the material of the pressure-sensitive adhesive layer 20 and, if desired, a coating composition further containing a solvent or a dispersion medium are prepared. Next, this coating composition is applied onto the first surface 301 of the release film 30 by a die coater, curtain coater, spray coater, slit coater, knife coater, or the like to form a coating film.
  • the adhesive layer 20 can be formed by drying the coating film.
  • seat 1a for semiconductor processing is obtained by bonding the 1st surface 201 of the adhesive layer 20, and the 2nd surface 102 of the base material 10.
  • the properties of the coating composition are not particularly limited as long as it can be applied.
  • the component for forming the pressure-sensitive adhesive layer 20 may be contained as a solute in the coating composition, or may be contained as a dispersoid.
  • the above drying conditions may be changed or heat treatment may be performed in order to form a crosslinked structure at a desired density. It may be provided separately.
  • the obtained semiconductor processing sheet 1a is placed in an environment of, for example, 23 ° C. and a relative humidity of 50%. Caring for a few days.
  • the coating composition is applied onto the second surface 102 of the substrate 10 to form a coating film.
  • the said coating film is dried and the laminated body which consists of the base material 10 and the adhesive layer 20 is formed.
  • seat 1a for semiconductor processing is obtained by bonding the 2nd surface 202 of the adhesive layer 20 in this laminated body, and the 1st surface 301 of the peeling film 30.
  • the manufacturing method of the semiconductor processing sheet 1b including the adhesive layer 40 is not particularly limited, and a conventional method can be used. For example, by applying an adhesive composition including the material of the adhesive layer 40 and, if desired, a coating composition further containing a solvent or a dispersion medium onto the first surface 301 of the release film 30 and drying it. An adhesive layer 40 is formed. Then, the sheet
  • the manufacturing method of the semiconductor processing sheet 1c including the protective film forming layer 50 can be manufactured with reference to the manufacturing method of the semiconductor processing sheet 1b described above.
  • the semiconductor processing sheet is obtained by replacing the adhesive composition containing the material of the adhesive layer 40 with the protective film forming layer composition containing the material of the protective film forming layer 50. 1c can be obtained.
  • the manufacturing method of the semiconductor processing sheet 1d including the pressure-sensitive adhesive layer 20 and the adhesive layer 40 is not particularly limited, and a conventional method can be used. For example, by applying an adhesive composition including the material of the adhesive layer 40 and, if desired, a coating composition further containing a solvent or a dispersion medium onto the first surface 301 of the release film 30 and drying it. An adhesive layer 40 is formed. Thereby, the laminated body of the peeling film 30 and the adhesive bond layer 40 is obtained. Next, the release film 30 is peeled from the semiconductor processing sheet 1a prepared in advance, and the exposed adhesive layer 20 side surface and the adhesive layer 40 side surface of the laminate are bonded to each other. Sheet 1d is obtained.
  • the semiconductor processing sheet 1e including the pressure-sensitive adhesive layer 20 and the protective film forming layer 50 can be manufactured with reference to the manufacturing method of the semiconductor processing sheet 1d described above.
  • the adhesive composition containing the material of the adhesive layer 40 is replaced with the protective film forming layer composition containing the material of the protective film forming layer 50, thereby providing the semiconductor processing sheet. 1e can be obtained.
  • the semiconductor processing sheet 2 including the jig pressure-sensitive adhesive layer 60 can be manufactured by a conventional method. For example, semiconductor processing is performed by laminating a pressure-sensitive adhesive layer 60 for jigs formed in a desired shape on a surface opposite to the substrate 10 in a laminate including the substrate 10 and the semiconductor adhesive layer 80 and the like. Sheet 2 can be manufactured.
  • the semiconductor processing sheet 2 including the jig pressure-sensitive adhesive layer 60 is a pre-cut sheet, it can be manufactured as follows, for example. First, the adhesive for jigs for forming the adhesive layer 60 for jigs is formed in a sheet form on the peeling surface of the release film 30. Next, in this sheet-shaped jig pressure-sensitive adhesive, the part that becomes the inner peripheral edge of the jig pressure-sensitive adhesive layer 60 is cut (half-cut) with the release film 30 being left, Remove the inner circular part.
  • the base material 10 and the semiconductor adhesive layer 80 prepared separately are prepared on the sheet-like jig pressure-sensitive adhesive side surface of the laminate comprising the sheet-like jig pressure-sensitive adhesive and the release film 30 after the circular portion is removed. It is affixed on the surface of the laminated body consisting of Thereby, the laminated body by which the peeling film 30, the adhesive for sheet-like jig
  • tool is cut
  • the adhesive for sheet-like jigs becomes an annular adhesive layer 60 for jigs.
  • the remaining sheet portion can be formed by appropriately half-cutting the position other than the portion to be the main use portion.
  • the method for producing the precut semiconductor processing sheet 3 is not particularly limited, and a conventional method can be used.
  • the semiconductor processing sheets 1, 2, and 3 according to this embodiment can be used as a back grind sheet, a dicing sheet, or the like.
  • dicing can be performed by irradiating a laser from the back of the sheet.
  • the shape of the wafer or chip can be inspected via the semiconductor processing sheets 1, 2, and 3 according to the present embodiment.
  • laser printing can also be performed on the back surface of a wafer or a chip via the semiconductor processing sheet according to the present embodiment.
  • the semiconductor processing sheets 1b and 1d including the adhesive layer 40 can be used as a dicing die bonding sheet. That is, the wafer is diced on the semiconductor processing sheets 1b and 1d, and the chip obtained by picking up the obtained chip after performing an expanding process as necessary can be obtained as a chip with an adhesive layer. it can. Further, by using the semiconductor processing sheets 1c and 1e including the protective film forming layer 50, a protective film can be formed on the back surface of the chip. In this case, a wafer is stuck on the semiconductor processing sheets 1c and 1e including the protective film forming layer 50, and the protective film forming layer 50 is cured. Subsequently, the wafer is diced on the semiconductor processing sheets 1c and 1e, and an expanding process is performed as necessary. Thereafter, by picking up the obtained chip, a chip having a protective film formed on the back surface can be obtained.
  • the semiconductor processing sheets 1, 2, and 3 according to this embodiment can be wound into a roll for storage or the like. Even when the semiconductor processing sheets 1, 2, 3 according to this embodiment are wound in this way, the ratio value ( ⁇ / ⁇ ) of the peeling force ⁇ to the peeling force ⁇ is 0 as described above. As mentioned above, since it is less than 1.0, the adhesiveness of the semiconductor processing sheets 1, 2, 3 according to this embodiment is between the layers constituting the semiconductor processing sheets 1, 2, 3 according to this embodiment. It does not become higher than adhesion. For this reason, excellent blocking resistance is exhibited, the semiconductor processing sheets 1, 2, 3 according to the present embodiment can be fed out from the rolls satisfactorily. Peeling can be suppressed.
  • the arithmetic average roughness Ra on the first surface of the base material 10 is 0.01 to 0.8 ⁇ m, the smoothness on the surface becomes good, and the base material 10 is resistant to light of a desired wavelength. High light transmittance. As a result, laser dicing, inspection, and laser printing from the back surface as described above can be performed satisfactorily.
  • the peeling force ⁇ is 10 to 1000 mN / 50 mm, when the wafer is attached to the semiconductor processing sheets 1, 2, 3 according to this embodiment, the peeling film 30 can be removed from the release film 30 with an appropriate peeling force.
  • the laminate including the material 10 and the semiconductor adhesive layer 80 can be peeled off.
  • another layer may be interposed between the base material 10 and the semiconductor adhesive layer 80 in the semiconductor processing sheets 1, 2, and 3 according to the present embodiment.
  • Example 1 Production of base material As a base material, a polyvinyl chloride film was produced by a calendering method.
  • the polyvinyl chloride film has an arithmetic average roughness Ra of the first surface of 0.03 ⁇ m, and a tensile elastic modulus (Young's modulus) in the MD direction at 23 ° C. measured in accordance with JIS K7161: 1994 is 250 MPa. And the thickness was 80 ⁇ m.
  • the arithmetic average roughness Ra in this example was measured at 10 points in-plane according to JIS B0601: 2013 using a tactile surface roughness meter (“SURFTESTTESV-3000” manufactured by Mitsutoyo). The average value is calculated.
  • the substrate alone was evaluated for the transparency of the printing laser beam (wavelength: 532 nm), the transparency of the stealth dicing laser beam (wavelength: 1600 nm), and the transparency of the inspection infrared ray (wavelength: 1069 nm). However, in all cases, excellent permeability was shown.
  • a release film (product name “SP-PMF381031H”, manufactured by Lintec Co., Ltd., thickness) of one side (first side) of a polyethylene terephthalate film with a silicone release agent, thickness: 38 ⁇ m ) was used.
  • the arithmetic average roughness Ra of the first surface of the release film was 0.03 ⁇ m, and the arithmetic average roughness Ra of the second surface was 0.3 ⁇ m.
  • Example 2 (1) Production of base material As a base material, an ethylene-methacrylic acid copolymer film was produced by a T-die film forming method.
  • the ethylene-methacrylic acid copolymer film has an arithmetic average roughness Ra of the first surface of 0.05 ⁇ m, and a tensile modulus (Young's modulus) in the MD direction at 23 ° C. measured according to JIS K7161: 1994. ) was 130 MPa and the thickness was 80 ⁇ m.
  • permeability of the laser beam for printing (wavelength: 532 nm)
  • permeability of the laser beam for stealth dicing (wavelength: 1600 nm)
  • permeability of the infrared rays for inspection (wavelength: 1069 nm) were evaluated.
  • excellent permeability was shown.
  • Example 3 Preparation of base material As a base material, an ethylene-vinyl acetate copolymer film was prepared by a T-die film forming method.
  • the ethylene-vinyl acetate copolymer film has an arithmetic average roughness Ra of the first surface of 0.06 ⁇ m, and a tensile modulus (Young's modulus) in the MD direction at 23 ° C. measured according to JIS K7161: 1994. ) was 75 MPa, and the thickness was 100 ⁇ m.
  • permeability of the laser beam for printing (wavelength: 532 nm)
  • permeability of the laser beam for stealth dicing (wavelength: 1600 nm)
  • permeability of the infrared rays for inspection (wavelength: 1069 nm) were evaluated.
  • excellent permeability was shown.
  • a semiconductor was prepared in the same manner as in Example 1 except that the base material made of an ethylene-vinyl acetate copolymer and the pressure-sensitive adhesive composition (III) were used as described above.
  • a processing sheet was prepared.
  • Example 4 Production of base material A polypropylene film was produced as a base material by a T-die film forming method.
  • the arithmetic average roughness Ra of the first surface is 0.3 ⁇ m
  • the tensile elastic modulus (Young's modulus) in the MD direction at 23 ° C. measured according to JIS K7161: 1994 is 360 MPa.
  • the thickness was 100 ⁇ m.
  • permeability of the laser beam for printing (wavelength: 532 nm)
  • permeability of the laser beam for stealth dicing (wavelength: 1600 nm)
  • permeability of the infrared rays for inspection (wavelength: 1069 nm) were evaluated.
  • excellent permeability was shown.
  • Example 5 Preparation of release film A release film (product name “SP-PET381031”, thickness: 38 ⁇ m, manufactured by Lintec Co., Ltd.) having one surface (first surface) of a polyethylene terephthalate film peel-treated with a silicone-based release agent The other surface (second surface) was stripped using an alkyd stripper.
  • As the alkyd release agent an alkyd release agent layer in a release film (product name “SP-PET38AL-5” manufactured by Lintec Corporation) in which an alkyd release agent layer is provided on one side of a 38 ⁇ m thick polyethylene terephthalate film. An alkyd release agent for forming the film was used.
  • a release film was obtained in which the first surface was peeled with a silicone release agent and the second surface was peeled with an alkyd release agent.
  • the arithmetic average roughness Ra of the first surface of the release film was 0.03 ⁇ m
  • the arithmetic average roughness Ra of the second surface was 0.03 ⁇ m.
  • Example 6 The first surface prepared in Example 5 was subjected to a release treatment with a silicone release agent, and the second surface was subjected to semiconductor processing in the same manner as in Example 2 except that a release film subjected to an release treatment with an alkyd release agent was used. A sheet was prepared.
  • Example 7 (1) Production of release film A release film (product name “SP-PET382150”, manufactured by Lintec Co., Ltd., thickness: 38 ⁇ m) obtained by removing one surface (first surface) of a polyethylene terephthalate film with a silicone-based release agent. The other surface (second surface) was stripped using the same alkyd stripper as used in Example 6. As a result, a release film was obtained in which the first surface was peeled with a silicone release agent and the second surface was peeled with an alkyd release agent. The arithmetic average roughness Ra of the first surface of the release film was 0.03 ⁇ m, and the arithmetic average roughness Ra of the second surface was 0.03 ⁇ m.
  • Example 8 (1) Preparation of Release Film As a release film, a release film obtained by releasing one side (first side) of a polyethylene terephthalate film with a silicone release agent (product name “SP-PET301031”, manufactured by Lintec Corporation), thickness: 30 ⁇ m ) was used. The arithmetic average roughness Ra of the first surface of the release film was 0.03 ⁇ m, and the arithmetic average roughness Ra of the second surface was 0.3 ⁇ m.
  • a silicone release agent product name “SP-PET301031”, manufactured by Lintec Corporation
  • Example 9 (1) Preparation of Release Film As a release film, a release film (product name “SP-PET501031”, manufactured by Lintec Co., Ltd., one side) of a polyethylene terephthalate film with a silicone release agent, thickness: 50 ⁇ m ) The arithmetic average roughness Ra of the first surface of the release film was 0.03 ⁇ m, and the arithmetic average roughness Ra of the second surface was 0.3 ⁇ m.
  • Example 10 Production of first laminate including adhesive layer After obtaining the adhesive composition by mixing the following acrylic polymer, thermosetting resin, filler, silane coupling agent and cross-linking agent, solid content It diluted with methyl ethyl ketone so that a density
  • Acrylic polymer 100 parts by mass of a copolymer (Mw: 500,000, Mw / Mn: 2.9, Tg: 9 ° C.) consisting of 95 parts by mass of methyl acrylate and 5 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate resin: 30 parts by mass of acryloyl group-added cresol novolak type epoxy resin (Nippon Kayaku Co., Ltd., product name “CNA-147”)
  • Thermosetting agent Aralkylphenol resin (Mitsui Chemicals Co., Ltd., product name “Mirex XLC-4L”) 6 parts by mass
  • Filler 35 mass parts of silica filler modified with methacryloxy group (average particle size 0.05 ⁇ m, manufactured by Admatechs, treated with 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane)
  • Silane coupling agent (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, 0.5 parts by mass of product name “MKC silicate MSEP2”) 1.5 parts by mass of crosslinking agent
  • a first release film (product name “SP-PET 381031”, thickness: 38 ⁇ m, manufactured by Lintec Co., Ltd.) having a silicone release agent layer formed on one side of a polyethylene terephthalate (PET) film, and one side of the PET film
  • a second release film (product name “SP-PET381130”, manufactured by Lintec Corporation, thickness: 38 ⁇ m) formed with a silicone release agent layer was prepared.
  • the coating solution of the adhesive composition described above is applied using a knife coater, dried, and 5 ⁇ m thick on the release surface of the first release film.
  • the adhesive layer was formed.
  • the release surface of the second release film is laminated on the adhesive layer and bonded together, and the first release film, the adhesive layer (thickness: 5 ⁇ m), and the first release film comprising the second release film.
  • a laminate was obtained.
  • the first laminate was cured for 7 days in an environment of a temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 50%.
  • Adhesive main agent (meth) acrylic acid ester copolymer (manufactured by Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd., obtained by copolymerizing 60 parts by mass of 2-ethylhexyl acrylate, 30 parts by mass of methyl methacrylate and 10 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate) Copolymer, weight average molecular weight: 600,000) 100 parts by mass
  • Crosslinking agent Trimethylolpropane xylene diisocyanate adduct (product name “Takenate D110N”, manufactured by Mitsui Takeda Chemical Co., Ltd.) 20 parts by mass
  • a release film having a silicone release agent layer formed on one side of a PET film (product name “SP-PET381031”, thickness: 38 ⁇ m, manufactured by Lintec Corporation) was prepared.
  • a polypropylene film was used as a base material.
  • the arithmetic average roughness Ra of the first surface was 0.3 ⁇ m and the thickness was 100 ⁇ m.
  • the above-mentioned pressure-sensitive adhesive composition (V) coating solution is applied onto the release surface of the third release film using a knife coater and dried, and the crosslinking reaction is allowed to proceed, whereby the third release film.
  • the laminated body which consists of a 5-micrometer-thick adhesive layer was obtained.
  • the 2nd surface of the said base material is bonded to the surface on the opposite side to the 3rd peeling film of an adhesive layer, and the 2nd which consists of a base material, an adhesive layer, and a 3rd peeling film.
  • a laminate was obtained. This was cured for 7 days in an environment of a temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 50%.
  • Adhesive main agent (meth) acrylic acid ester copolymer (copolymer obtained by copolymerizing 69.5 parts by mass of butyl acrylate, 30 parts by mass of methyl acrylate and 0.5 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, weight Average molecular weight: 500,000) 100 parts by mass
  • Crosslinking agent 5 parts by mass of aromatic polyisocyanate (manufactured by Tosoh Corporation, product name “Coronate L”)
  • Fourth and fifth release films (product name “SP-PET 381031”, thickness: 38 ⁇ m, manufactured by Lintec Corporation) having a silicone release agent layer formed on one side of a PET film, and polychlorinated as a core material
  • a vinyl film manufactured by Okamoto Co., Ltd., thickness: 50 ⁇ m was prepared.
  • the application solution of the pressure-sensitive adhesive composition for jig described above is applied using a knife coater, dried, and on the release surface of the fourth release film, A first pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 5 ⁇ m was formed. Then, the said core material was bonded to the 1st adhesive layer, and the laminated body A which consists of a core material, a 1st adhesive layer, and a 4th peeling film was obtained.
  • the application solution of the pressure-sensitive adhesive composition for jig is applied using a knife coater, dried, and on the release surface of the fifth release film, A second pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 5 ⁇ m was formed. Thereafter, the exposed surface of the core material in the laminate A is bonded to the second pressure-sensitive adhesive layer, and the fourth release film / first pressure-sensitive adhesive layer / core material / second pressure-sensitive adhesive layer / fifth.
  • a third laminate comprising a release film was obtained. Thereafter, the third laminate was cured for 7 days in an environment of a temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 50%.
  • the first pressure-sensitive adhesive layer, the core material, and the second pressure-sensitive adhesive layer constitute a jig pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 60 ⁇ m.
  • the first release film is peeled from the fourth laminate obtained in (4) above, and the exposed adhesive layer and the adhesive layer for jig exposed in the third laminate are superposed. And crimped. Then, leaving the 4th peeling film in a 3rd laminated body, the part used as the outer periphery of the sheet
  • the pressure-sensitive adhesive layer (thickness: 5 ⁇ m), the adhesive layer laminated on the side opposite to the base material in the pressure-sensitive adhesive layer, and the pressure-sensitive adhesive layer in the adhesive layer
  • a semiconductor processing sheet comprising: an annular adhesive layer for jigs laminated on the opposite peripheral edge; and a fourth release film laminated on the opposite side of the adhesive layer in the adhesive layer for jigs Obtained.
  • the arithmetic average roughness Ra of the surface (first surface) on the side of the adhesive layer for jigs in the fourth release film is 0.03 ⁇ m, and the surface opposite to the first surface (first surface) 2), the arithmetic average roughness Ra was 0.3 ⁇ m.
  • Example 11 Production of first laminate including protective film forming layer The following binder polymer, thermosetting resin, thermoactive latent epoxy resin curing agent, curing accelerator, filler, colorant and silane coupling agent are mixed. Then, after obtaining the protective film forming layer composition, it was diluted with methyl ethyl ketone so that the solid content concentration was 50% by mass to prepare a coating solution for the protective film forming layer composition.
  • Binder polymer (meth) acrylic acid ester copolymer (copolymer obtained by copolymerizing 10 parts by mass of n-butyl acrylate, 70 parts by mass of methyl acrylate, 5 parts by mass of glycidyl methacrylate, and 15 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate) 150 parts by mass of thermosetting component: polymer, weight average molecular weight: 800,000, glass transition temperature: ⁇ 1 ° C.
  • Bisphenol A type epoxy resin (Mitsubishi Chemical Corporation, product name “jER828”, epoxy equivalent 184 to 194 g / eq) 60 parts by mass Bisphenol A type epoxy resin (Mitsubishi Chemical Corporation, product name “jER1055”, epoxy equivalent 800 to 900 g) / Eq) 10 parts by weight Dicyclopentadiene type epoxy resin (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, product name “Epiclon HP-7200HH”, epoxy equivalent 255-260 g / eq) 30 parts by weight
  • Thermally active latent epoxy resin curing agent Dicyandiamide (manufactured by ADEKA, product name “Adeka-Donor EH3636AS”, active hydrogen content 21 g / eq) 2 parts by mass Curing accelerator: 2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole (manufactured by Shikoku Kasei Kogyo Co., Ltd., product name “Cureazole 2PHZ”) 2 parts by mass
  • a first release film (product name “SP-PET 381031”, thickness: 38 ⁇ m, manufactured by Lintec Co., Ltd.) having a silicone release agent layer formed on one side of a polyethylene terephthalate (PET) film, and one side of the PET film
  • a second release film (product name “SP-PET381130”, manufactured by Lintec Corporation, thickness: 38 ⁇ m) formed with a silicone release agent layer was prepared.
  • the coating solution of the protective film forming layer composition described above is applied using a knife coater, dried, and thickened on the release surface of the first release film.
  • a protective film forming layer having a thickness of 25 ⁇ m was formed.
  • the release surface of the second release film is laminated on the protective film forming layer and bonded together, and consists of the first release film, the protective film forming layer (thickness: 25 ⁇ m), and the second release film.
  • a first laminate was obtained. This first laminate was cured for 7 days in an environment of a temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 50%.
  • Example 12 (1) Preparation of pressure-sensitive adhesive composition (VI) 68.5 parts by mass of butyl acrylate, 30 parts by mass of methacrylic acid, 0.5 parts by mass of 2-hydroxyethyl acrylate, and 1 part by mass of acrylamide were copolymerized. An acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 620,000 was obtained.
  • Example 1 Except for using a release film (product name “SP-PET 381031”, thickness: 38 ⁇ m) manufactured by Lintec Co., Ltd.) on which one surface (first surface) of a polyethylene terephthalate film is treated with a silicone-based release agent, as a release film.
  • a semiconductor processing sheet was produced in the same manner as in Example 1.
  • arithmetic mean roughness Ra of the 1st surface of the said peeling film was 0.03 micrometer
  • arithmetic mean roughness Ra of the other surface (2nd surface) was 0.05 micrometer.
  • Example 2 Except for using a release film (product name “SP-PET 381031”, thickness: 38 ⁇ m) manufactured by Lintec Co., Ltd.) on which one surface (first surface) of a polyethylene terephthalate film is treated with a silicone-based release agent, as a release film.
  • a semiconductor processing sheet was produced in the same manner as in Example 3.
  • arithmetic mean roughness Ra of the 1st surface of the said peeling film was 0.03 micrometer
  • arithmetic mean roughness Ra of the other surface (2nd surface) was 0.05 micrometer.
  • Example 3 Except for using a release film made of polyethylene terephthalate film (product name “Diafoil (registered trademark) T-100 38”, thickness: 38 ⁇ m, manufactured by Mitsubishi Plastics, Inc.) for semiconductor processing as in Example 2. A sheet was produced. The arithmetic average roughness Ra on both surfaces of the release film was 0.05 ⁇ m.
  • a release film made of polyethylene terephthalate film product name “Diafoil (registered trademark) T-100 38”, thickness: 38 ⁇ m, manufactured by Mitsubishi Plastics, Inc.
  • Test Example 2 (Measurement of peel force ⁇ )
  • a laminate composed of 10 semiconductor processing sheets was prepared and stored at 40 ° C. for 3 days.
  • One sheet for semiconductor processing is taken out from this laminate, and the first surface of the base material is bonded to a stainless steel plate using a double-sided adhesive tape, and a universal tensile testing machine (product name: Tensilon UTM, manufactured by Orientec Co., Ltd.). -4-100). Thereafter, only the release film was peeled in the 180 ° direction at a tensile speed of 300 mm / min under the conditions of a temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 50% RH.
  • the roll-shaped semiconductor processing sheet thus obtained was stored for 3 days in a moist heat accelerator (manufactured by ESPEC, product name “SH641”) set to a dry state at 40 ° C.
  • the semiconductor processing sheet was When the energy ray-curable material was included, the laminate was stored in a state where it was shielded from light.
  • the semiconductor processing sheet wound up into a roll was fed out using a wafer mounter (product name “RAD-2500m / 8” manufactured by Lintec Corporation). And the area
  • Test Example 4 (Mount evaluation) In the same manner as in Test Example 3, a roll-shaped semiconductor processing sheet was prepared and stored at 40 ° C. for 3 days. Then, using a wafer mounter (product name “RAD-2500m / 8” manufactured by Lintec Corporation), the main use part was peeled off from the release film of this roll, and the main use part was attached (mounted) to the semiconductor wafer. . This operation was repeated 20 times continuously, and when it was successfully completed, it was evaluated as “good”. On the other hand, when a defect occurred in the mount due to defective peeling of the main use part from the release film, it was evaluated as x. The results are shown in Table 2.
  • Table 1 summarizes the configurations of the semiconductor processing sheets produced in the examples and comparative examples. The details of the abbreviations listed in Table 1 are as follows.
  • Base material -PVC: polyvinyl chloride-EMAA: ethylene-methacrylic acid copolymer-EVA: ethylene-vinyl acetate copolymer-PP: polypropylene [release film]
  • PET Polyethylene terephthalate
  • Test Example 5 Evaluation of light transmittance
  • a wafer mounter product name “RAD-2500m / 8”
  • DISCO product name “DFD-651”
  • Dicing conditions ⁇ Work (object to be cut): Silicon wafer (size: 6 inches, thickness: 350 ⁇ m, sticking surface: mirror) ⁇ Dicing blade: manufactured by Disco Corporation, product name “27HECC” ⁇ Blade rotation speed: 30,000rpm ⁇ Dicing speed: 10 mm / second ⁇ Cutting depth: Cutting from the surface of the substrate opposite to the dicing machine table to a depth of 20 ⁇ m ⁇ Dicing size: 5 mm ⁇ 5 mm
  • the semiconductor processing sheets of the examples were excellent in light transmittance, and excellent evaluation was obtained in both feeding from the roll and mounting.
  • the semiconductor processing sheet of the comparative example a problem occurred in either the feeding from the roll or the mounting.
  • the semiconductor processing sheet according to the present invention is suitably used as, for example, a dicing sheet, a dicing die bonding sheet, a protective film forming layer integrated dicing sheet, or the like.

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Abstract

基材１０と、半導体貼付層８０と、剥離フィルム３０とを少なくとも備える半導体加工用シート１であって、基材１０の第１の面１０１における算術平均粗さＲａが０．０１～０．８μｍであり、基材１０の第１の面１０１と剥離フィルム３０の第２の面３０２との界面での剥離力をαとし、半導体貼付層８０の第２の面８０２と剥離フィルム３０の第１の面３０１との界面での剥離力をβとしたとき、βに対するαの比の値（α／β）が、０以上、１．０未満であり、剥離力βが、１０～１０００ｍＮ／５０ｍｍである半導体加工用シート１。かかる半導体加工用シート１は、光線透過性に優れるとともに、ブロッキングが生じ難い。

Description

半導体加工用シート
　本発明は、半導体加工用シートに関するものである。
　半導体ウエハから半導体チップを製造する際、一般的に、ダイシングシートやバックグラインドシートといった半導体加工用シートが使用される。近年、このような半導体加工用シートは、所望の波長の光に対する透過性（以下「光線透過性」という場合がある。）を有することが求められている。
　例えば、近年、従来よりも厚さの薄いシリコンウエハやガラス製ウエハの使用が増えている。これらのウエハは、ブレードを使用してダイシングする際、チッピングやチップクラックといったチップの欠損が生じ易い。そのため、これらのウエハを使用する場合、ダイシングが完了した後、半導体加工用シートにチップを貼付した状態で、チップにおける半導体加工用シートに接する面から半導体加工用シート越しにチップの形状を検査することが行われている。この検査を良好に行うためには、半導体加工用シートが検査のための光を透過する必要がある。
　また、厚さの薄いウエハの個片化に際しては、ブレードでフルカットするとチッピングなどが懸念されるため、先にウエハをハーフカットした後に裏面研削を行う先ダイシング法が用いられたり、レーザー光を用いてウエハ内部に改質層を設けた後、裏面研削を行ってチップを個片化するステルスダイシング法が用いられることがある。
　ステルスダイシングに際しては、レーザー光の照射によりウエハ内部に改質層を形成した後に、半導体加工用シートに貼付する場合、貼付の圧力によってウエハが破損するリスクが存在する。このリスクを回避するため、予めウエハを半導体加工用シートに貼付した後、半導体加工用シート越しに、ウエハに対してレーザー光を照射して、改質層を形成することが行われる。この場合、良好にレーザー光を照射するためには、半導体加工用シートがレーザー光を透過する必要がある。
　さらに、フリップチップにてチップを実装する場合、通常、チップの裏面に製品面やロットナンバー等をレーザー印字する。このようなレーザー印字を行うためには、裏面研削が完了したウエハをレーザー印字装置に搬送する工程が設けられる。近年使用される薄化したウエハでは、搬送時にウエハ割れが生じるリスクが高い。このリスクを回避するために、薄化したウエハを半導体加工用シートに貼付したまま搬送し、半導体加工用シート越しにレーザー光を照射して印字することが考案されている。このレーザー印字を良好に行うためには、半導体加工用シートがレーザー光を透過する必要がある。
　また、チップの裏面に保護膜を設ける場合にも、当該保護膜にレーザー印字することがある。この場合、保護膜形成層を含む半導体加工用シートの保護膜形成層に対し、半導体加工用シートの基材や粘着剤層越しにレーザー光を照射して印字することが行われている。この場合も、レーザー印字を良好に行うために、半導体加工用シートの基材や粘着剤層がレーザー光を透過する必要がある。
　半導体加工用シートは、一般的に、基材と、当該基材の一方の面に積層された粘着剤層とを備える。さらに、半導体加工用シートが使用されるまでの間、粘着剤層を保護する目的で、当該粘着剤層上に剥離フィルムが設けられことがある。例えば、特許文献１および２には、基材、粘着剤層および剥離フィルムがこの順に積層されてなる半導体加工用シートが記載されている。また、一般的に、半導体加工用シートの用途に応じて、接着剤層や保護膜形成層といったその他の層が、粘着剤層と剥離フィルムとの間に設けられることもある。
実開平８－１２２０号 実開平２－１４６１４４号
　半導体加工用シートにおける、所望の波長を有する光に対する優れた光線透過性は、基材や粘着剤層の光線透過率をそれぞれ高めることで達成できる。例えば、半導体加工用シートの基材側の面、すなわち、基材における粘着剤層とは反対側の面の平滑性を高めることで達成することができる。
　しかしながら、高い光線透過性を有する半導体加工用シートを得るために、半導体加工用シートの基材側の面の平滑性を高くすると、ブロッキングが生じ易くなる。すなわち、長尺の半導体加工用シートをロール状に巻き取った際に、半導体加工用シート同士が密着し易くなる。このような密着が生じると、ロールから半導体加工用シートを繰り出すことが困難となったり、意図しない界面（例えば、粘着剤層と剥離フィルムとの界面）で剥離が生じたりする。また、基材および粘着剤層をウエハの形状に合わせてプリカットした半導体加工用シートにおいて、このようなブロッキングが生じると、半導体加工用シートをロールから繰り出す際に、剥離フィルムから基材と粘着剤層との積層体が剥離したり、当該剥離した積層体の基材側が、剥離フィルムの裏面に貼り付くという不具合が生じる。
　ここで、特許文献１および２には、半導体加工用シートをロール状に巻き取る際における、半導体加工用シート間の空気の挟み込みを回避することを目的として、剥離フィルムにおける粘着剤層とは反対側の面にエンボス加工を施すことが開示されている。
　その一方で、特許文献１または２に開示される半導体加工用シートは、基材側の面が高い平滑性を有しておらず、上述したような、半導体加工用シートを介した検査、レーザーダイシング、ステルスダイシング、レーザー印字等に使用することができない。
　本発明は、上記のような実状に鑑みてなされたものであり、光線透過性に優れるとともに、ブロッキングが生じ難い半導体加工用シートを提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、第１に本発明は、第１の面および前記第１の面とは反対側に位置する第２の面を有する基材と、前記基材における第２の面側に積層され、前記基材に近位な側に第１の面を有し、前記基材に遠位な側に第２の面を有する半導体貼付層と、前記半導体貼付層における第２の面側に積層され、前記半導体貼付層に近位な側に第１の面を有し、前記半導体貼付層に遠位な側に第２の面を有する剥離フィルムとを少なくとも備える半導体加工用シートであって、前記基材の第１の面における算術平均粗さＲａが、０．０１～０．８μｍであり、前記基材の第１の面と前記剥離フィルムの第２の面とを積層して４０℃で３日間保管した後における、前記基材の第１の面と前記剥離フィルムの第２の面との界面での剥離力をαとし、前記半導体貼付層の第２の面と前記剥離フィルムの前記第１の面とを貼付して４０℃で３日間保管した後における、前記半導体貼付層の第２の面と前記剥離フィルムの第１の面との界面での剥離力をβとしたとき、βに対するαの比の値（α／β）が、０以上、１．０未満であり、前記剥離力βが、１０～１０００ｍＮ／５０ｍｍであることを特徴とする半導体加工用シートを提供する（発明１）。
　上記発明（発明１）によれば、基材の第１の面における算術平均粗さＲａが、０．０１～０．８μｍであることで、基材側の面における平滑性が良好なものとなり、基材が所望の波長の光に対する高い光線透過性を有する。さらに、剥離力βに対する剥離力αの比の値（α／β）が０以上、１．０未満であることで、ロール状に巻き取った状態における半導体加工用シート同士の密着性が、半導体加工用シートを構成する各層同士の密着性よりも高くなることがなく、優れた耐ブロッキング性が発揮される。これにより、繰り出しを良好に行うことができるとともに、繰り出しの際に意図しない界面での剥離が生じない。また、剥離力βが１０～１０００ｍＮ／５０ｍｍであるため、半導体加工用シートを使用する際に、適度な剥離力で、基材および半導体貼付層を含む積層体を剥離フィルムから剥離することができる。
　上記発明（発明１）において、前記剥離フィルムの第２の面の算術平均粗さＲａは、０．０２～０．８μｍであることが好ましい（発明２）。
　上記発明（発明１，２）において、前記剥離フィルムは、その第１の面側および第２の面側のそれぞれに剥離剤層を備えることが好ましい（発明３）。
　上記発明（発明１～３）において、前記半導体貼付層は、粘着剤層であってもよい（発明４）。
　上記発明（発明１～３）において、前記半導体貼付層は、接着剤層であってもよい（発明５）。
　上記発明（発明１～３）において、前記半導体貼付層は、保護膜形成層であってもよい（発明６）。
　上記発明（発明１～３）において、前記半導体貼付層は、粘着剤層と、前記粘着剤層および前記剥離フィルムの間に位置する接着剤層とから構成されてもよい（発明７）。
　上記発明（発明１～３）において、前記半導体貼付層は、粘着剤層と、前記粘着剤層および前記剥離フィルムの間に位置する保護膜形成層とから構成されてもよい（発明８）。
　上記発明（発明１～８）において、前記半導体加工用シートは、長尺の前記剥離フィルムに、平面視にて前記剥離フィルムとは異なる形状を有する、前記基材および前記半導体貼付層を含む積層体が積層されてもよい（発明９）。
　第２に本発明は、第１の面および前記第１の面とは反対側に位置する第２の面を有する基材と、前記基材における第２の面側に積層され、前記基材に近位な側に第１の面を有し、前記基材に遠位な側に第２の面を有する半導体貼付層と、前記半導体貼付層における第２の面側に積層され、前記半導体貼付層に近位な側に第１の面を有し、前記半導体貼付層に遠位な側に第２の面を有する治具用粘着剤層と、少なくとも前記治具用粘着剤層における第２の面側に積層され、前記治具用粘着剤層に近位な側に第１の面を有し、前記治具用粘着剤層に遠位な側に第２の面を有する剥離フィルムとを少なくとも備える半導体加工用シートであって、前記基材の第１の面における算術平均粗さＲａが、０．０１～０．８μｍであり、前記基材の第１の面と前記剥離フィルムの第２の面とを積層して４０℃で３日間保管した後における、前記基材の第１の面と前記剥離フィルムの第２の面との界面での剥離力をαとし、前記治具用粘着剤層の第２の面と前記剥離フィルムの第１の面とを貼付して４０℃で３日間保管した後における、前記治具用粘着剤層の第２の面と前記剥離フィルムの第１の面との界面での剥離力をβとしたとき、βに対するαの比の値（α／β）が、０以上、１．０未満であり、前記剥離力βが、１０～１０００ｍＮ／５０ｍｍであることを特徴とする半導体加工用シートを提供する（発明１０）。
　本発明によれば、光線透過性に優れるとともに、ブロッキングが生じ難い半導体加工用シートを提供することができる。
本発明の第１の実施形態に係る半導体加工用シートの断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る半導体加工用シートが重なった状態を示す断面図である。 本発明の第１の実施形態の第１の態様に係る半導体加工用シートの断面図である。 本発明の第１の実施形態の第２の態様に係る半導体加工用シートの断面図である。 本発明の第１の実施形態の第３の態様に係る半導体加工用シートの断面図である。 本発明の第１の実施形態の第４の態様に係る半導体加工用シートの断面図である。 本発明の第１の実施形態の第５の態様に係る半導体加工用シートの平面図である。 本発明の第２の実施形態に係る半導体加工用シートの断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る半導体加工用シートの断面図である。 図９のＡ－Ａ線に沿った断面図である。
　以下、本発明の実施形態について説明する。
　図１には、第１の実施形態に係る半導体加工用シート１が示される。半導体加工用シート１は、基材１０、半導体貼付層８０および剥離フィルム３０がこの順に積層されて構成される。基材１０は、半導体貼付層８０に遠位な側に第１の面１０１を有し、半導体貼付層８０に近位な側に第２の面１０２を有する。半導体貼付層８０は、基材１０に近位な側に第１の面８０１を有し、剥離フィルム３０に近位な側に第２の面８０２を有する。剥離フィルム３０は、半導体貼付層８０に近位な側に第１の面３０１を有し、半導体貼付層８０に遠位な側に第２の面３０２を有する。
　本実施形態に係る半導体加工用シート１では、基材１０の第１の面１０１における算術平均粗さＲａが、０．０１～０．８μｍである。基材１０の第１の面１０１がこのように平滑であることにより、第１の面１０１に照射された光が当該面で散乱することが低減され、基材１０において高い光線透過性が発揮される。
　また、本実施形態に係る半導体加工用シート１では、剥離力βに対する剥離力αの比の値（α／β）が、０以上、１．０未満である。ここで、剥離力αとは、後述する通り、基材１０の第１の面１０１と剥離フィルム３０の第２の面３０２との界面での剥離力であり、剥離力βとは、後述する通り、半導体貼付層８０の第２の面８０２と剥離フィルム３０の第１の面３０１との界面での剥離力である。これにより、半導体加工用シート１をロール状に巻き取った状態における半導体加工用シート１同士の密着性が、半導体加工用シート１を構成する各層同士の密着性よりも高くなることがなく、優れた耐ブロッキング性が発揮される。そのため、繰り出しを良好に行うことができるとともに、繰り出しの際に意図しない界面での剥離が生じない。
　さらに、本実施形態に係る半導体加工用シート１では、剥離力βが１０～１０００ｍＮ／５０ｍｍである。これにより、半導体加工用シートを使用する際に、適度な剥離力で、基材および半導体貼付層を含む積層体を剥離フィルムから剥離することができる。
１．半導体加工用シートの物性等
　本実施形態に係る半導体加工用シート１では、基材１０の第１の面１０１と剥離フィルム３０の第２の面３０２との界面での剥離力をαとし、半導体貼付層８０の第２の面８０２と剥離フィルム３０の第１の面３０１との界面での剥離力をβとしたとき、βに対するαの比の値（α／β）が、０以上であり、０．０５以上であることが好ましく、特に０．１以上であることが好ましい。また、当該比の値（α／β）は、１．０未満であり、０．５以下であることが好ましく、特に０．２以下であることが好ましい。ここで、剥離力αとは、基材１０の第１の面１０１と剥離フィルム３０の第２の面３０２とを積層して、乾燥状態において４０℃で３日間保管した後における、基材１０に対する剥離フィルム３０の剥離力である。また、剥離力βとは、半導体貼付層８０の第２の面８０２と剥離フィルム３０の第１の面３０１とが貼付された状態で、乾燥状態において４０℃で３日間保管した後における、半導体貼付層８０に対する剥離フィルム３０の剥離力である。なお、上記比の値（α／β）が０である場合とは、剥離力αの値が０となる場合であり、剥離力αが測定できないほど小さいか、または測定前において基材１０から剥離フィルム３０が既に剥離している状態を意味する。剥離力βに対する剥離力αの比の値（α／β）が０以上、１．０未満であることで、図２に示されるように半導体加工用シート１同士が重なったときに、半導体加工用シート１同士の密着性が、半導体加工用シートを構成する各層同士の密着性よりも高くなることがない。具体的には、基材１０の第１の面１０１と、それと対向する剥離フィルム３０の第２の面３０２との間における密着性が、基材１０と半導体貼付層８０との間の密着性や半導体貼付層８０と剥離フィルム３０との間の密着性よりも高くなることがない。これにより、優れた耐ブロッキング性が発揮され、ロール状に巻き重なった半導体加工用シート１を繰り出す際に、半導体加工用シート１における基材１０の第１の面１０１と、それに重なった半導体加工用シート１における剥離フィルム３０の第２の面３０２とが密着することがない。さらに、繰り出しの際に、半導体加工用シート１の意図しない界面での剥離の発生が抑制される。以上により、半導体加工用シート１を良好に繰り出すことができる。
　なお、本明細書では、剥離力βは、剥離フィルム３０と、それと接触する主な層との界面における剥離力として規定される。例えば、上記半導体加工用シート１では、剥離フィルム３０と半導体貼付層８０とが接触しているため、半導体貼付層８０と剥離フィルム３０との界面における剥離力βが規定される。一方、後述する治具用粘着剤層６０を備える第２の実施形態に係る半導体加工用シート２（図８参照）では、剥離フィルム３０に対して、半導体貼付層８０とともに治具用粘着剤層６０が接触する。ここで、剥離フィルム３０と治具用粘着剤層６０との接触の方が、剥離フィルム３０と半導体貼付層８０との接触に比べて、半導体加工用シート２から剥離フィルム３０を剥離する際の剥離力に与える影響が大きい。そのため、治具用粘着剤層６０を備える半導体加工用シート２においては、後述する通り、治具用粘着剤層６０の剥離フィルム３０側の面（第２の面６０２）と、剥離フィルム３０の治具用粘着剤層６０側の面（第１の面３０１）との界面における剥離力βが規定される。
　本実施形態に係る半導体加工用シート１では、剥離力βが、１０～１０００ｍＮ／５０ｍｍであり、１０～５００ｍＮ／５０ｍｍであることが好ましく、特に３０～２００ｍＮ／５０ｍｍであることが好ましい。剥離力βが１０ｍＮ／５０ｍｍ未満であると、ロールから半導体加工用シート１を繰り出す際や、それ以外の意図しない段階において、剥離フィルム３０から基材１０と半導体貼付層８０との積層体が剥離し易くなる。また、剥離力βが１０００ｍＮ／５０ｍｍを超えると、半導体加工用シート１を使用する際に、剥離フィルム３０から基材１０と半導体貼付層８０との積層体を剥離することが困難となり、作業性が悪くなってしまう。特に、ウエハマウンターを使用して、当該積層体に対して半導体ウエハに順次マウントする際に、剥離フィルム３０から当該積層体が良好に剥離せず、マウントすることができないといった不具合が生じてしまう。
　本実施形態に係る半導体加工用シート１の厚さは、半導体加工用シート１が使用される工程において適切に機能できる限り限定されない。当該厚さは、通常、５０～３００μｍであることが好ましく、特に５０～２５０μｍであることが好ましく、さらには５０～２３０μｍであることが好ましい。なお、本明細書における半導体加工用シート１の厚さとは、半導体加工用シート１の使用前に剥離される剥離フィルム３０を除いた厚さを意味する。
２．基材
　本実施形態に係る半導体加工用シート１では、基材１０の第１の面１０１における算術平均粗さＲａは、０．０１～０．８μｍであり、特に０．０２～０．５μｍであることが好ましく、さらには０．０３～０．３μｍであることが好ましい。当該算術平均粗さＲａが０．０１μｍ未満であると、第１の面１０１が過度に平滑になり、剥離力αの値が大きくなり過ぎ、半導体加工用シート１をロール状に巻き取った際にブロッキングが生じ易くなるとともに、剥離力αと剥離力βとの間の上述の関係を満たしにくくなる。また、当該算術平均粗さＲａが０．８μｍを超えると、第１の面１０１に照射された光が当該面において散乱し易くなり、光線透過性が損なわれる。なお、本明細書における算術平均粗さＲａは、ＪＩＳ　Ｂ０６０１：２０１３に基づいて測定したものであり、測定方法の詳細は後述する実施例に示す通りである。
　上記算術平均粗さＲａを達成するためには、基材１０の製造時に、上記算術平均粗さＲａを有するように製造することが好ましい。例えば、基材１０の押出成形に使用するロールの表面粗さを調整することにより、上記算術平均粗さＲａを有する基材１０を製造することが好ましい。あるいは、基材１０をインフレーション法により製造する際に、第１の面１０１となる面の粗さが上記算術平均粗さＲａとなるように調整することが好ましい。
　基材１０の第２の面１０２における算術平均粗さＲａは、基材１０の光線透過性を確保できる限り適宜設定することができ、例えば、０．０１～２．０μｍであることが好ましく、特に０．０３～１．５μｍであることが好ましく、さらには０．０５～１．０μｍであることが好ましい。
　本実施形態に係る半導体加工用シート１において、基材１０の構成材料は、所望の波長の光に対する優れた光線透過性を発揮し、さらに半導体加工用シート１の使用工程における所望の機能を発揮する限り、特に限定されない。基材１０は、樹脂系の材料を主材とするフィルム（樹脂フィルム）を含むものであってよい。好ましくは、基材１０は樹脂フィルムのみからなる。樹脂フィルムの具体例としては、エチレン－酢酸ビニル共重合体フィルム；エチレン－（メタ）アクリル酸共重合体フィルム、エチレン－（メタ）アクリル酸メチル共重合体フィルム、その他のエチレン－（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム等のエチレン系共重合フィルム；ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリブテンフィルム、ポリブタジエンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、エチレン－ノルボルネン共重合体フィルム、ノルボルネン樹脂フィルム等のポリオレフィン系フィルム；ポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム等のポリ塩化ビニル系フィルム；ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル系フィルム；（メタ）アクリル酸エステル共重合体フィルム；ポリウレタンフィルム；ポリイミドフィルム；ポリスチレンフィルム；ポリカーボネートフィルム；フッ素樹脂フィルムなどが挙げられる。ポリエチレンフィルムの例としては、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）フィルム、直鎖低密度ポリエチレン（ＬＬＤＰＥ）フィルム、高密度ポリエチレン（ＨＤＰＥ）フィルム等が挙げられる。また、これらの架橋フィルム、アイオノマーフィルムといった変性フィルムも用いられる。基材１０は、これらの１種からなるフィルムでもよいし、これらを２種類以上組み合わせた材料からなるフィルムであってもよい。また、上述した１種以上の材料からなる層が複数積層された、多層構造の積層フィルムであってもよい。この積層フィルムにおいて、各層を構成する材料は同種であってもよく、異種であってもよい。基材１０としては、上記フィルムの中でも、エチレン－酢酸ビニル共重合体フィルム、エチレン－メタクリル酸メチル共重合体フィルム、ポリ塩化ビニルフィルムまたはポリプロピレンフィルムを使用することが好ましい。なお、本明細書における「（メタ）アクリル酸」は、アクリル酸およびメタクリル酸の両方を意味する。他の類似用語についても同様である。
　基材１０においては、所望の波長の光に対する優れた光線透過性を損なわない限り、上記のフィルム内に、難燃剤、可塑剤、帯電防止剤、滑剤、酸化防止剤、着色剤、赤外線吸収剤、紫外線吸収剤、イオン捕捉剤等の各種添加剤が含まれていてもよい。これらの添加剤の含有量としては、特に限定されないものの、基材１０が優れた光線透過性および所望の機能を発揮する範囲とすることが好ましい。
　なお、後述する通り、半導体貼付層８０として粘着剤層２０を使用してもよく、この粘着剤層２０を硬化させるためにエネルギー線を使用する場合、基材１０は当該エネルギー線に対する光線透過性を有することが好ましい。例えば、当該エネルギー線の例としては、紫外線や電子線が挙げられる。
　基材１０の第２の面１０２は、半導体加工用シート１における光線透過性を損なわない限り、半導体貼付層８０との密着性を高めるために、プライマー処理、コロナ処理、プラズマ処理等の表面処理が施されてもよい。
　基材１０の厚さは、半導体加工用シート１が使用される工程において適切に機能できる限り限定されない。当該厚さは、通常、２０～４５０μｍであることが好ましく、特に２５～３００μｍであることが好ましく、さらには５０～２００μｍであることが好ましい。
３．剥離フィルム
　剥離フィルム３０の第２の面３０２の算術平均粗さＲａは、０．０２～０．８μｍであることが好ましく、特に０．０３～０．５μｍであることが好ましく、さらには０．０５～０．３μｍであることが好ましい。第２の面３０２の算術平均粗さＲａが０．０２～０．８μｍであることで、第２の面３０２が適度な粗さを有することとなり、剥離力αの値は過度に大きくならない。これにより、剥離力αと剥離力βとの間の上述の関係を満たし易くなる。また、第２の面３０２の算術平均粗さＲａが０．０２μｍ以上であることで、半導体加工用シート１をロール状に巻き取った際に、平滑な基材１０の第１の面１０１に対しても剥離フィルム３０の第２の面３０２が密着し難くなり、その結果、ブロッキングの発生を効果的に防止できる。さらに、第２の面３０２の算術平均粗さＲａが０．８μｍ以下であることで、半導体加工用シート１をロール状に巻き取った際に、剥離フィルム３０の第２の面３０２の表面形状の、基材１０の第１の面１０１への転写が生じたとしても、第１の面１０１の平滑性が低下することが防止される。
　上記算術平均粗さＲａを達成するためには、剥離フィルム３０の製造時に、上記算術平均粗さＲａを有するように製造してもよい。あるいは、剥離フィルム３０の構成材料をシート状に製造した後に、上記算術平均粗さＲａを有するように当該シートに表面処理を施してもよい。前者の場合、例えば、剥離フィルム３０の押出成形に使用するロールの表面粗さを調整することにより、上記算術平均粗さＲａを有する剥離フィルム３０を製造することができる。後者の場合、例えば、シートに対してサンドブラスト処理やエンボス加工等を施すことにより、上記算術平均粗さＲａを有する剥離フィルム３０を得ることができる。
　剥離フィルム３０の第１の面３０１における算術平均粗さＲａは、剥離力αと剥離力βとの間の上述した関係、および剥離力βの上述した値を達成できる限り、適宜設定することができ、例えば、０．０２～０．１０μｍであることが好ましく、特に０．０２～０．０７μｍであることが好ましく、さらには０．０３～０．０５μｍであることが好ましい。
　剥離フィルム３０は、通常、半導体貼付層８０に対する剥離性を発揮するために、第１の面３０１側に剥離剤層が設けられる。また、本実施形態に係る半導体加工用シート１の剥離フィルム３０では、第１の面３０１側および第２の面３０２側のそれぞれに剥離剤層を備えてもよい。この場合、剥離フィルム３０は、例えば、樹脂フィルム等の基材の両面に剥離剤層を備えた構成を有する。第１の面３０１側に剥離剤層を備えることにより、剥離力βの上述した値を達成することが容易となる。また、第２の面３０２側に剥離剤層を備えることにより、剥離力αと剥離力βとの間の上述した関係を達成することが容易となる。剥離剤としては、シリコーン系剥離剤、アルキッド系剥離剤、フッ素系剥離剤、長鎖アルキル系剥離剤、ゴム系剥離剤等を用いることができる。これらの中でも、剥離力βを上述した値に調整し易いという観点から、第１の面３０１側ではシリコーン系剥離剤を使用することが好ましく、剥離力βに対する剥離力αの比（α／β）を上述した値に調整し易いという観点から、第２の面３０２側ではシリコーン系剥離剤またはアルキッド系剥離剤を使用することが好ましい。
　剥離フィルム３０を構成する材料としては、例えば樹脂フィルムを使用することができる。樹脂フィルムの具体例としては、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステルフィルム、およびポリプロピレンやポリエチレン等のポリオレフィンフィルムが挙げられる。
　剥離フィルム３０の厚さは、特に制限はないものの、通常１２～２５０μｍ程度である。
４．半導体貼付層
　半導体貼付層８０とは、本実施形態に係る半導体加工用シート１の使用に際し、半導体ウエハ等が貼付される層または半導体ウエハ等に貼付される層をいう。このときの貼付は、半導体加工用シート１の使用時に一時的に行われる貼付であってもよく、あるいは、半導体加工用シート１の使用後も継続される貼付であってもよい。半導体貼付層８０の好ましい例としては、粘着剤層２０、接着剤層４０、保護膜形成層５０、粘着剤層２０と接着剤層４０とからなる積層体、粘着剤層２０と保護膜形成層５０とからなる積層体等が挙げられる。
　図３には、第１の実施形態に係る半導体加工用シート１の第１の態様が示されている。当該態様に係る半導体加工用シート１ａでは、半導体貼付層８０が粘着剤層２０となっている。半導体加工用シート１ａにおいて、粘着剤層２０は、基材１０に近位な側に第１の面２０１を有し、剥離フィルム３０に近位な側に第２の面２０２を有する。なお、半導体加工用シート１ａは、例えば、ダイシングシートとして使用することができる。
　図４には、第１の実施形態に係る半導体加工用シート１の第２の態様が示されている。当該態様に係る半導体加工用シート１ｂでは、半導体貼付層８０が接着剤層４０となっている。半導体加工用シート１ｂにおいて、接着剤層４０は、基材１０に近位な側に第１の面４０１を有し、剥離フィルム３０に近位な側に第２の面４０２を有する。なお、半導体加工用シート１ｂは、例えば、ダイボンディングシートとして使用することができる。
　図５には、第１の実施形態に係る半導体加工用シート１の第３の態様が示されている。当該態様に係る半導体加工用シート１ｃでは、半導体貼付層８０が保護膜形成層５０となっている。半導体加工用シート１ｃにおいて、保護膜形成層５０は、基材１０に近位な側に第１の面５０１を有し、剥離フィルム３０に近位な側に第２の面５０２を有する。なお、半導体加工用シート１ｃは、例えば、保護膜形成用シートとして使用することができる。
　図６には、第１の実施形態に係る半導体加工用シート１の第４の態様が示されている。当該態様に係る半導体加工用シート１ｄでは、半導体貼付層８０が粘着剤層２０と接着剤層４０とからなる積層体となっている。半導体加工用シート１ｄにおいて、粘着剤層２０は基材１０に近位な側に位置し、接着剤層４０は剥離フィルム３０に近位な側に位置する。また、粘着剤層２０は、基材１０に近位な側に第１の面２０１を有し、剥離フィルム３０に近位な側に第２の面２０２を有する。さらに、接着剤層４０は、基材１０に近位な側に第１の面４０１を有し、剥離フィルム３０に近位な側に第２の面４０２を有する。なお、半導体加工用シート１ｄは、例えば、ダイシング・ダイボンディングシートとして使用することができる。
　図７には、第１の実施形態に係る半導体加工用シート１の第５の態様が示されている。当該態様に係る半導体加工用シート１ｅでは、半導体貼付層８０が粘着剤層２０と保護膜形成層５０とからなる積層体となっている。半導体加工用シート１ｅにおいて、粘着剤層２０は基材１０に近位な側に位置し、保護膜形成層５０は剥離フィルム３０に近位な側に位置する。また、粘着剤層２０は、基材１０に近位な側に第１の面２０１を有し、剥離フィルム３０に近位な側に第２の面２０２を有する。さらに、保護膜形成層５０は、基材１０に近位な側に第１の面５０１を有し、剥離フィルム３０に近位な側に第２の面５０２を有する。なお、半導体加工用シート１ｅは半導体ウエハのダイシングに使用でき、さらにはダイシング後、保護膜形成層５０を加熱等することより、半導体チップに保護膜を形成することができる。また、半導体加工用シート１ｅは、保護膜形成用シートとしても使用することができる。
（１）粘着剤層
　本実施形態に係る半導体加工用シート１では、粘着剤層２０は、非エネルギー線硬化性粘着剤（エネルギー線硬化性を有しないポリマー）から構成されてもよいし、エネルギー線硬化性粘着剤から構成されてもよい。非エネルギー線硬化性粘着剤としては、所望の粘着力および再剥離性を有するものが好ましく、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリビニルエーテル系粘着剤等を使用することができる。これらの中でも、ダイシング工程等にて半導体ウエハや半導体チップ等の脱落を効果的に抑制することのできるアクリル系粘着剤が好ましい。
　一方、エネルギー線硬化性粘着剤は、エネルギー線照射により粘着力が低下するため、半導体ウエハや半導体チップ等と半導体加工用シート１とを分離させたいときに、エネルギー線照射することにより、容易に分離させることができる。
　粘着剤層２０を構成するエネルギー線硬化性粘着剤は、エネルギー線硬化性を有するポリマーを主成分とするものであってもよいし、非エネルギー線硬化性ポリマー（エネルギー線硬化性を有しないポリマー）と少なくとも１つ以上のエネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマーとの混合物を主成分とするものであってもよい。また、エネルギー線硬化性を有するポリマーと非エネルギー線硬化性ポリマーとの混合物であってもよいし、エネルギー線硬化性を有するポリマーと少なくとも１つ以上のエネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマーとの混合物であってもよいし、それら３種の混合物であってもよい。
　最初に、エネルギー線硬化性粘着剤が、エネルギー線硬化性を有するポリマーを主成分とする場合について、以下説明する。
　エネルギー線硬化性を有するポリマーは、側鎖にエネルギー線硬化性を有する官能基（エネルギー線硬化性基）が導入された（メタ）アクリル酸エステル（共）重合体（Ａ）（以下「エネルギー線硬化型重合体（Ａ）」という場合がある。）であることが好ましい。このエネルギー線硬化型重合体（Ａ）は、官能基含有モノマー単位を有するアクリル系共重合体（ａ１）と、その官能基に結合する官能基を有する不飽和基含有化合物（ａ２）とを反応させて得られるものであることが好ましい。
　アクリル系共重合体（ａ１）は、官能基含有モノマーから導かれる構成単位と、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体から導かれる構成単位とからなる。
　アクリル系共重合体（ａ１）の構成単位としての官能基含有モノマーは、重合性の二重結合と、ヒドロキシ基、カルボキシ基、アミノ基、置換アミノ基、エポキシ基等の官能基とを分子内に有するモノマーであることが好ましい。
　ヒドロキシ基含有モノマーとしては、例えば、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４－ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　カルボキシ基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、イタコン酸、シトラコン酸等のエチレン性不飽和カルボン酸が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　アミノ基含有モノマーまたは置換アミノ基含有モノマーとしては、例えば、アミノエチル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチルアミノエチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。
　アクリル系共重合体（ａ１）を構成する（メタ）アクリル酸エステルモノマーとしては、アルキル基の炭素数が１～２０であるアルキル（メタ）アクリレート、シクロアルキル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレートが用いられる。これらの中でも、特に好ましくはアルキル基の炭素数が１～１８であるアルキル（メタ）アクリレート、例えばメチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ｎ－ブチル（メタ）アクリレート、２－エチルヘキシル（メタ）アクリレート等が用いられる。
　アクリル系共重合体（ａ１）は、上記官能基含有モノマーから導かれる構成単位を通常３～１００質量％、好ましくは５～４０質量％の割合で含有し、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体から導かれる構成単位を通常０～９７質量％、好ましくは６０～９５質量％の割合で含有してなる。
　アクリル系共重合体（ａ１）は、上記のような官能基含有モノマーと、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたはその誘導体とを常法で共重合することにより得られるが、これらモノマーの他にもジメチルアクリルアミド、蟻酸ビニル、酢酸ビニル、スチレン等が共重合されてもよい。
　上記官能基含有モノマー単位を有するアクリル系共重合体（ａ１）を、その官能基に結合する官能基を有する不飽和基含有化合物（ａ２）と反応させることにより、エネルギー線硬化型重合体（Ａ）が得られる。
　不飽和基含有化合物（ａ２）が有する官能基は、アクリル系共重合体（ａ１）が有する官能基含有モノマー単位の官能基の種類に応じて、適宜選択することができる。例えば、アクリル系共重合体（ａ１）が有する官能基がヒドロキシ基、アミノ基または置換アミノ基の場合、不飽和基含有化合物（ａ２）が有する官能基としてはイソシアネート基またはエポキシ基が好ましく、アクリル系共重合体（ａ１）が有する官能基がエポキシ基の場合、不飽和基含有化合物（ａ２）が有する官能基としてはアミノ基、カルボキシ基またはアジリジニル基が好ましい。
　また上記不飽和基含有化合物（ａ２）には、エネルギー線重合性の炭素－炭素二重結合が、１分子中に少なくとも１個、好ましくは１～６個、さらに好ましくは１～４個含まれている。このような不飽和基含有化合物（ａ２）の具体例としては、例えば、２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、メタ－イソプロペニル－α，α－ジメチルベンジルイソシアネート、メタクリロイルイソシアネート、アリルイソシアネート、１，１－（ビスアクリロイルオキシメチル）エチルイソシアネート；ジイソシアネート化合物またはポリイソシアネート化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物；ジイソシアネート化合物またはポリイソシアネート化合物と、ポリオール化合物と、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレートとの反応により得られるアクリロイルモノイソシアネート化合物；グリシジル（メタ）アクリレート；（メタ）アクリル酸、２－（１－アジリジニル）エチル（メタ）アクリレート、２－ビニル－２－オキサゾリン、２－イソプロペニル－２－オキサゾリン等が挙げられる。
　上記不飽和基含有化合物（ａ２）は、上記アクリル系共重合体（ａ１）の官能基含有モノマーに対して、通常５～９５モル％、好ましくは１０～９５モル％の割合で用いられる。
　アクリル系共重合体（ａ１）と不飽和基含有化合物（ａ２）との反応においては、アクリル系共重合体（ａ１）が有する官能基と不飽和基含有化合物（ａ２）が有する官能基との組合せに応じて、反応の温度、圧力、溶媒、時間、触媒の有無、触媒の種類を適宜選択することができる。これにより、アクリル系共重合体（ａ１）中に存在する官能基と、不飽和基含有化合物（ａ２）中の官能基とが反応し、不飽和基がアクリル系共重合体（ａ１）中の側鎖に導入され、エネルギー線硬化型重合体（Ａ）が得られる。
　このようにして得られるエネルギー線硬化型重合体（Ａ）の重量平均分子量は、１０，０００以上であるのが好ましく、特に１５０，０００～１，５００，０００であるのが好ましく、さらに２００，０００～１，０００，０００であるのが好ましい。なお、本明細書における重量平均分子量（Ｍｗ）は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ法）により測定した標準ポリスチレン換算の値である。
　エネルギー線硬化性粘着剤が、エネルギー線硬化型重合体（Ａ）といったエネルギー線硬化性を有するポリマーを主成分とする場合であっても、エネルギー線硬化性粘着剤は、エネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）をさらに含有してもよい。
　エネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）としては、例えば、多価アルコールと（メタ）アクリル酸とのエステル等を使用することができる。
　かかるエネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）としては、例えば、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート等の単官能性アクリル酸エステル類、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート、１，４－ブタンジオールジ（メタ）アクリレート、１，６－ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ジメチロールトリシクロデカンジ（メタ）アクリレート等の多官能性アクリル酸エステル類、ポリエステルオリゴ（メタ）アクリレート、ポリウレタンオリゴ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
　エネルギー線硬化型重合体（Ａ）に対し、エネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）を配合する場合、エネルギー線硬化性粘着剤中におけるエネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）の含有量は、エネルギー線硬化型重合体（Ａ）１００質量部に対して、１０～４０質量部であることが好ましく、特に３０～３５０質量部であることが好ましい。
　ここで、エネルギー線硬化性粘着剤を得るためのエネルギー線として紫外線を用いる場合には、光重合開始剤（Ｃ）を添加することが好ましく、この光重合開始剤（Ｃ）の使用により、重合硬化時間および光線照射量を少なくすることができる。
　光重合開始剤（Ｃ）としては、具体的には、ベンゾフェノン、アセトフェノン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル、ベンゾイン安息香酸、ベンゾイン安息香酸メチル、ベンゾインジメチルケタール、２，４－ジエチルチオキサンソン、１－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、ベンジルジフェニルサルファイド、テトラメチルチウラムモノサルファイド、アゾビスイソブチロニトリル、ベンジル、ジベンジル、ジアセチル、β－クロールアンスラキノン、（２，４，６－トリメチルベンジルジフェニル）フォスフィンオキサイド、２－ベンゾチアゾール－Ｎ，Ｎ－ジエチルジチオカルバメート、オリゴ｛２－ヒドロキシ－２－メチル－１－［４－（１－プロペニル）フェニル］プロパノン｝、２，２－ジメトキシ－１，２－ジフェニルエタン－１－オンなどが挙げられる。これらは単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
　光重合開始剤（Ｃ）は、エネルギー線硬化型共重合体（Ａ）（エネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）を配合する場合には、エネルギー線硬化型共重合体（Ａ）およびエネルギー線硬化性のモノマーおよび／またはオリゴマー（Ｂ）の合計量１００質量部）１００質量部に対して０．１～１０質量部、特には０．５～６質量部の範囲の量で用いられることが好ましい。
　エネルギー線硬化性粘着剤においては、上記成分以外にも、適宜他の成分を配合してもよい。他の成分としては、例えば、非エネルギー線硬化性ポリマー成分またはオリゴマー成分（Ｄ）、架橋剤（Ｅ）等が挙げられる。
　非エネルギー線硬化性ポリマー成分またはオリゴマー成分（Ｄ）としては、例えば、ポリアクリル酸エステル、ポリエステル、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリオレフィン等が挙げられ、重量平均分子量（Ｍｗ）が３，０００～２，５００，０００のポリマーまたはオリゴマーが好ましい。当該成分（Ｄ）をエネルギー線硬化性粘着剤に配合することにより、硬化前における粘着性および剥離性、硬化後の強度、他の層との接着性、保存安定性などを改善し得る。当該成分（Ｄ）の配合量は特に限定されない。
　架橋剤（Ｅ）としては、エネルギー線硬化型共重合体（Ａ）等が有する官能基との反応性を有する多官能性化合物を用いることができる。このような多官能性化合物の例としては、イソシアネート化合物、エポキシ化合物、アミン化合物、メラミン化合物、アジリジン化合物、ヒドラジン化合物、アルデヒド化合物、オキサゾリン化合物、金属アルコキシド化合物、金属キレート化合物、金属塩、アンモニウム塩、反応性フェノール樹脂等を挙げることができる。当該成分（Ｅ）をエネルギー線硬化性粘着剤に配合することにより、硬化前における粘着性および剥離性、粘着剤の凝集性などを改善し得る。当該成分（Ｅ）の配合量は特に限定されず、エネルギー線硬化型共重合体（Ａ）１００質量部に対して０～１５質量部の範囲で適宜決定される。
　次に、エネルギー線硬化性粘着剤が、非エネルギー線硬化性ポリマー成分と少なくとも１つ以上のエネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマーとの混合物を主成分とする場合について、以下説明する。
　非エネルギー線硬化性ポリマー成分としては、例えば、前述したアクリル系共重合体（ａ１）と同様の成分が使用できる。
　少なくとも１つ以上のエネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマーとしては、前述の成分（Ｂ）と同じものが選択できる。非エネルギー線硬化性ポリマー成分と少なくとも１つ以上のエネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマーとの配合比は、非エネルギー線硬化性ポリマー成分１００質量部に対して、少なくとも１つ以上のエネルギー線硬化性基を有するモノマーおよび／またはオリゴマー１０～２５０質量部であるのが好ましく、特に２５～１００質量部であるのが好ましい。
　この場合においても、上記と同様に、光重合開始剤（Ｃ）や架橋剤（Ｅ）を適宜配合することができる。
　粘着剤層２０の厚さは、半導体加工用シート１が使用される各工程において適切に機能できる限り、特に限定されない。具体的には、１～５０μｍであることが好ましく、特に２～４０μｍであることが好ましく、さらには３～３０μｍであることが好ましい。
（２）接着剤層
　接着剤層４０を構成する材料としては、ダイシングの際にウエハを固定し、さらに、個片化されたチップに対して接着剤層を形成できるものであれば、特に制限はなく使用することができる。このような接着剤層４０を構成する材料としては、熱可塑性樹脂と低分子量の熱硬化性接着成分とからなるものや、Ｂステージ（半硬化状）の熱硬化型接着成分からなるもの等が用いられる。これらの中でも、接着剤層４０を構成する材料としては、熱可塑性樹脂と熱硬化性接着成分とを含むものであることが好ましい。熱可塑性樹脂としては、（メタ）アクリル系共重合体、ポリエステル系樹脂、ウレタン系樹脂、フェノキシ系樹脂、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、エチレン（メタ）アクリル酸系共重合体、エチレン（メタ）アクリル酸エステル系共重合体、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリイミドなどが挙げられるが、中でも、粘着性及び造膜性（シート加工性）の点から（メタ）アクリル系共重合体が好ましい。熱硬化性接着成分としては、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂、フェノール系樹脂、シリコーン系樹脂、シアネート系樹脂、ビスマレイミドトリアジン系樹脂、アリル化ポリフェニレンエーテル系樹脂（熱硬化性ＰＰＥ）、ホルムアルデヒド系樹脂、不飽和ポリエステル又はこれらの共重合体などが挙げられるが、中でも、接着性の観点からエポキシ系樹脂が好ましい。接着剤層４０を構成する材料としては、半導体ウエハへの貼付性に優れ、特に図６に示される半導体加工用シート１ｄにおいて粘着剤層２０との剥離性が優れるという点から、特に、（メタ）アクリル系共重合体及びエポキシ系樹脂を含有する材料が好ましい。
　（メタ）アクリル系共重合体としては、特に制限はなく、従来公知の（メタ）アクリル系共重合体を用いることができる。（メタ）アクリル系共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０，０００～２，０００，０００であることが好ましく、特に１００，０００～１，５００，０００であることが好ましい。（メタ）アクリル系共重合体のＭｗが１０，０００以上であることで、特に図６に示される半導体加工用シート１ｄにおいて、接着剤層４０と粘着剤層２０との剥離性がより良好となり、チップのピックアップを効果的に行うことができる。また、（メタ）アクリル系共重合体のＭｗが２，０００，０００以下であることで、接着剤層４０が被着体の凹凸に対してより良好に追従することができ、ボイド等の発生を効果的に防ぐことができる。
　（メタ）アクリル系共重合体のガラス転移温度（Ｔｇ）は、－６０～７０℃であることが好ましく、－３０～５０℃であることがより好ましい。（メタ）アクリル系共重合体のＴｇが－６０℃以上であることで、特に図６に示される半導体加工用シート１ｄにおいて、接着剤層４０と粘着剤層２０との剥離性がより良好となり、チップのピックアップを効果的に行うことができる。また、（メタ）アクリル系共重合体のＴｇが７０℃以下であることで、ウエハを固定するための接着力を十分に得ることができる。
　（メタ）アクリル系共重合体を構成するモノマーとしては、（メタ）アクリル酸エステルモノマー又はその誘導体が挙げられ、より具体的には、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレートなどのアルキル基の炭素数が１～１８である（メタ）アクリル酸アルキルエステル；（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、（メタ）アクリル酸ベンジルエステル、イソボルニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート、イミド（メタ）アクリレートなどの環状骨格を有する（メタ）アクリル酸エステル；ヒドロキシメチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２－ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシ基含有（メタ）アクリル酸エステル；グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートなどが挙げられる。また、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸などのカルボキシ基を含有する不飽和単量体を用いてもよい。これらは１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
　（メタ）アクリル系共重合体を構成するモノマーとして、上記の中では、エポキシ系樹脂との相溶性の点から、少なくともヒドロキシ基含有（メタ）アクリル酸エステルを用いることが好ましい。この場合、（メタ）アクリル系共重合体において、ヒドロキシ基含有（メタ）アクリル酸エステルに由来する構成単位は、１～２０質量％の範囲で含まれることが好ましく、３～１５質量％の範囲で含まれることがより好ましい。（メタ）アクリル系共重合体として、具体的には、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとヒドロキシ基含有（メタ）アクリル酸エステルとの共重合体が好ましい。
　また、（メタ）アクリル系共重合体は、本発明の目的を損なわない範囲で、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレンなどのモノマーを共重合させてもよい。
　エポキシ系樹脂としては、従来公知の種々のエポキシ系樹脂を用いることができる。エポキシ系樹脂としては、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェニレン骨格型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン(ＤＣＰＤ)型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、複素環型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、縮合環芳香族炭化水素変性エポキシ樹脂や、これらのハロゲン化物などの、構造単位中に２つ以上の官能基が含まれるエポキシ系樹脂が挙げられる。これらのエポキシ系樹脂は、１種を単独で用いてもよいし、２種類以上を併用してもよい。
　エポキシ系樹脂のエポキシ当量は特に限定されない。エポキシ当量は、通常、１５０～１０００ｇ／ｅｑであることが好ましい。なお、本明細書におけるエポキシ当量は、ＪＩＳ　Ｋ７２３６：２００９に準じて測定される値である。
　エポキシ系樹脂の含有量は、（メタ）アクリル系共重合体１００質量部に対して、１～１５００質量部が好ましく、３～１０００質量部がより好ましい。エポキシ系樹脂の含有量が、（メタ）アクリル系共重合体１００質量部に対して１質量部以上であることで、十分な接着力を得ることができる。また、エポキシ系樹脂の含有量が、（メタ）アクリル系共重合体１００質量部に対して１５００質量部以下であることで、十分な造膜性が得られ、接着剤層４０を効果的に形成することができる。
　接着剤層４０を構成する材料は、さらに、エポキシ系樹脂を硬化させるための硬化剤を含むことが好ましい。硬化剤としては、エポキシ基と反応しうる官能基を分子中に２個以上有する化合物が挙げられ、その官能基としては、フェノール性ヒドロキシ基、アルコール性ヒドロキシ基、アミノ基、カルボキシ基、酸無水物基などが挙げられる。これらの中では、フェノール性ヒドロキシ基、アミノ基及び酸無水物基が好ましく、フェノール性ヒドロキシ基及びアミノ基がより好ましい。
　硬化剤の具体例としては、ノボラック型フェノール系樹脂、ジシクロペンタジエン系フェノール系樹脂、トリフェノールメタン型フェノール系樹脂、アラルキルフェノール系樹脂などのフェノール性熱硬化剤；ＤＩＣＹ（ジシアンジアミド）などのアミン系熱硬化剤が挙げられる。硬化剤は、１種を単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
　硬化剤の含有量は、エポキシ系樹脂１００質量部に対して、０．１～５００質量部が好ましく、１～２００質量部がより好ましい。硬化剤の含有量が、エポキシ系樹脂１００質量部に対して０．１質量部以上であることで、十分な接着力を得ることができる。また、硬化剤の含有量が、エポキシ系樹脂１００質量部に対して５００質量部以下であることで、接着剤層４０の吸湿率の上昇が効果的に防止され、半導体パッケージの信頼性をより優れたものとすることができる。
　接着剤層４０を構成する材料（接着剤組成物）には、上記以外に、所望により、硬化促進剤、カップリング剤、架橋剤、エネルギー線硬化型化合物、光重合開始剤、可塑剤、帯電防止剤、酸化防止剤、顔料、染料、無機充填剤等の各種添加剤が含まれていてもよい。これらの各添加剤は、１種が単独で含まれてもよいし、２種以上が組み合わせられて含まれてもよい。
　硬化促進剤は、接着剤組成物の硬化速度を調整するために用いられる。硬化促進剤としては、エポキシ基とフェノール性ヒドロキシ基やアミン等との反応を促進し得る化合物が好ましい。かかる化合物としては、具体的には、３級アミン類、２－フェニル－４，５－ジ（ヒドロキシメチル）イミダゾール等のイミダゾール類、有機ホスフィン類、テトラフェニルボロン塩等が挙げられる。
　カップリング剤は、接着剤組成物の被着体に対する接着性・密着性を向上させる機能を有する。また、カップリング剤を使用することで、接着剤組成物を硬化して得られる硬化物の耐熱性を損なうことなく、当該硬化物の耐水性を向上させることができる。カップリング剤は、上記（メタ）アクリル系重合体及びエポキシ系樹脂が有する官能基と反応する基を有する化合物であることが好ましい。このようなカップリング剤としては、シランカップリング剤が好ましい。
　シランカップリング剤としては特に制限はなく、公知のものが使用できる。例えば、γ－グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ－グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、β－（３，４－エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ－（メタクリロキシプロピル）トリメトキシシラン、γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－６－（アミノエチル）－γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ－６－（アミノエチル）－γ－アミノプロピルメチルジエトキシシラン、Ｎ－フェニル－γ－アミノプロピルトリメトキシシラン、γ－ウレイドプロピルトリエトキシシラン、γ－メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ－メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、ビス（３－トリエトキシシリルプロピル）テトラスルファン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリアセトキシシラン、イミダゾールシランなどが挙げられる。これらは１種を単独で、または２種以上混合して使用することができる。
　架橋剤は、接着剤層４０の凝集力を調節するためのものである。上記（メタ）アクリル系重合体の架橋剤としては、特に制限はなく、公知のものが使用でき、例えば、粘着剤層２０を構成する材料として上述したものを使用することができる。
　エネルギー線硬化型化合物は、紫外線等のエネルギー線の照射を受けると重合硬化する化合物である。エネルギー線硬化型化合物をエネルギー線照射によって硬化させることで、特に図６に示される半導体加工用シート１ｄにおいて、接着剤層４０と粘着剤層２０との剥離性が向上するため、半導体チップのピックアップがしやすくなる。
　エネルギー線硬化型化合物としては、アクリル系化合物が好ましく、分子内に少なくとも１つの重合性二重結合を有するものが特に好ましい。そのようなアクリル系化合物としては、具体的には、ジシクロペンタジエンジメトキシジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４－ブチレングリコールジアクリレート、１，６－ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、オリゴエステルアクリレート、ウレタンアクリレート系オリゴマー、エポキシ変性アクリレート、ポリエーテルアクリレート、イタコン酸オリゴマーなどが挙げられる。
　アクリル系化合物の重量平均分子量は、通常、１００～３００００であり、好ましくは３００～１００００程度である。
　接着剤組成物がエネルギー線硬化型化合物を含有する場合、エネルギー線硬化型化合物の含有量は、（メタ）アクリル系重合体１００質量部に対して、通常１～４００質量部、好ましくは３～３００質量部、より好ましくは１０～２００質量部である。
　光重合開始剤は、接着剤層４０が上記エネルギー線硬化型化合物を含む場合に、エネルギー線の照射により重合硬化するにあたって、重合硬化時間及びエネルギー線の照射量を少なくすることができるものである。光開始剤としては、特に制限はなく、公知のものが使用でき、例えば、粘着剤層２０を構成する材料として上述したものを使用することができる。
　接着剤層４０の厚さは、通常３～１００μｍであり、好ましくは５～８０μｍである。
（３）保護膜形成層
　保護膜形成層５０は、未硬化の硬化性接着剤からなることが好ましい。この場合、保護膜形成層５０に半導体ウエハや半導体チップ等を重ね合わせた後、保護膜形成層５０を硬化させることにより、保護膜を半導体ウエハや半導体チップ等に強固に接着することができ、耐久性を有する保護膜をチップ等に形成することができる。この保護膜形成層５０に対しては、硬化性接着剤が未硬化の段階でも、硬化後の段階でも、レーザー光照射によって良好に印字することができる。
　保護膜形成層５０は、常温で粘着性を有するか、加熱により粘着性を発揮することが好ましい。これにより、上記のように保護膜形成層５０に半導体ウエハや半導体チップ等を重ね合わせるときに両者を貼合させることができる。したがって、保護膜形成層５０を硬化させる前に位置決めを確実に行うことができ、半導体加工用シート１ｃ，１ｅの取り扱い性が容易になる。
　上記のような特性を有する保護膜形成層５０を構成する硬化性接着剤は、硬化性成分とバインダーポリマー成分とを含有することが好ましい。硬化性成分としては、熱硬化性成分、エネルギー線硬化性成分、またはこれらの混合物を用いることができる。保護膜形成層５０の硬化方法や硬化後の耐熱性の観点からは、熱硬化性成分を用いることが特に好ましく、硬化時間の観点からは、エネルギー線硬化性成分を用いることが好ましい。
　熱硬化性成分としては、例えば、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、メラミン系樹脂、尿素系樹脂、ポリエステル系樹脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ベンゾオキサジン系樹脂等およびこれらの混合物が挙げられる。これらの中でも、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂およびこれらの混合物が好ましく用いられる。熱硬化性成分としては、通常分子量３００～１０，０００程度のものが用いられる。
　エポキシ系樹脂は、加熱を受けると三次元網状化し、強固な被膜を形成する性質を有する。このようなエポキシ系樹脂としては、公知の種々のエポキシ系樹脂が用いられるが、通常は、重量平均分子量３００～２５００程度のものが好ましい。さらには、重量平均分子量３００～５００の常態で液状のエポキシ系樹脂と、重量平均分子量４００～２５００、特に重量平均５００～２０００の常温で固体のエポキシ系樹脂とをブレンドした形で用いることが好ましい。また、エポキシ系樹脂のエポキシ当量は、５０～５０００ｇ／ｅｑであることが好ましい。
　このようなエポキシ系樹脂としては、具体的には、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、レゾルシノール、フェニルノボラック、クレゾールノボラック等のフェノール類のグリシジルエーテル；ブタンジオール、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等のアルコール類のグリシジルエーテル；フタル酸、イソフタル酸、テトラヒドロフタル酸等のカルボン酸のグリシジルエーテル；アニリンイソシアヌレート等の窒素原子に結合した活性水素をグリシジル基で置換したグリシジル型もしくはアルキルグリシジル型のエポキシ樹脂；ビニルシクロヘキサンジエポキシド、３，４－エポキシシクロヘキシルメチル－３，４－ジシクロヘキサンカルボキシレート、２－（３，４－エポキシ）シクロヘキシル－５，５－スピロ（３，４－エポキシ）シクロヘキサン－ｍ－ジオキサン等のように、分子内の炭素－炭素二重結合を例えば酸化することによりエポキシが導入された、いわゆる脂環型エポキシドを挙げることができる。その他、ビフェニル骨格、ジシクロヘキサジエン骨格、ナフタレン骨格等を有するエポキシ系樹脂を用いることもできる。
　これらの中でも、ビスフェノール系グリシジル型エポキシ系樹脂、ｏ－クレゾールノボラック型エポキシ系樹脂およびフェノールノボラック型エポキシ系樹脂が好ましく用いられる。これらエポキシ系樹脂は、１種を単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。
　エポキシ系樹脂を用いる場合には、助剤として、熱活性型潜在性エポキシ系樹脂硬化剤を併用することが好ましい。熱活性型潜在性エポキシ系樹脂硬化剤とは、室温ではエポキシ系樹脂と反応せず、ある温度以上の加熱により活性化し、エポキシ系樹脂と反応するタイプの硬化剤である。熱活性型潜在性エポキシ系樹脂硬化剤の活性化方法には、加熱による化学反応で活性種（アニオン、カチオン）を生成する方法；室温付近ではエポキシ系樹脂中に安定に分散しており高温でエポキシ系樹脂と相溶・溶解し、硬化反応を開始する方法；モレキュラーシーブ封入タイプの硬化剤で、高温で溶出して硬化反応を開始する方法；マイクロカプセルによる方法等が存在する。
　熱活性型潜在性エポキシ系樹脂硬化剤の具体例としては、各種オニウム塩や、二塩基酸ジヒドラジド化合物、ジシアンジアミド、アミンアダクト硬化剤、イミダゾール化合物等の高融点活性水素化合物等を挙げることができる。これら熱活性型潜在性エポキシ系樹脂硬化剤は、１種を単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。上記のような熱活性型潜在性エポキシ系樹脂硬化剤は、エポキシ樹脂１００質量部に対して、好ましくは０．１～２０質量部、特に好ましくは０．２～１０質量部、さらに好ましくは０．３～５質量部の割合で用いられる。
　フェノール系樹脂としては、アルキルフェノール、多価フェノール、ナフトール等のフェノール類とアルデヒド類との縮合物などのフェノール系ヒドロキシ基を有する重合体が特に制限されることなく用いられる。具体的には、フェノールノボラック系樹脂、ｏ－クレゾールノボラック系樹脂、ｐ－クレゾールノボラック系樹脂、ｔ－ブチルフェノールノボラック系樹脂、ジシクロペンタジエンクレゾール系樹脂、ポリパラビニルフェノール系樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラック系樹脂、あるいはこれらの変性物等が用いられる。
　これらのフェノール系樹脂に含まれるフェノール性ヒドロキシ基は、上記エポキシ系樹脂のエポキシ基と加熱により容易に付加反応して、耐衝撃性の高い硬化物を形成することができる。このため、エポキシ系樹脂とフェノール系樹脂とを併用してもよい。
　エネルギー線硬化性成分としては、例えば、粘着剤層２０を構成する材料として前述したものを用いることができる。また、エネルギー線硬化性成分として、エネルギー線硬化性モノマー／オリゴマーを用いてもよい。さらに、エネルギー線硬化性成分と組み合わされるバインダーポリマー成分として、エネルギー線硬化性化合物が付加されたアクリル系ポリマーを用いてもよい。
　バインダーポリマー成分は、保護膜形成層５０に適度なタックを与えたり、半導体加工用シート１ｃ，１ｅの操作性を向上したりすること等を目的として配合される。バインダーポリマーの重量平均分子量は、通常は３０，０００～２，０００，０００、好ましくは５０，０００～１，５００，０００、特に好ましくは１００，０００～１，０００，０００の範囲にある。重量平均分子量が３０，０００以上であることにより、保護膜形成層５０のフィルム形成が十分なものとなる。また、重量平均分子量が２，０００，０００以下であることにより、他の成分との相溶性が良好に維持され、保護膜形成層５０のフィルム形成を均一に行うことができる。このようなバインダーポリマーとしては、例えば、（メタ）アクリル系共重合体、ポリエステル系樹脂、フェノキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、シリコーン系樹脂、ゴム系共重合体等が用いられ、特に（メタ）アクリル系共重合体が好ましく用いられる。
　（メタ）アクリル系共重合体としては、例えば、（メタ）アクリル酸エステルモノマーと（メタ）アクリル酸誘導体とを重合してなる（メタ）アクリル酸エステル共重合体が挙げられる。ここで（メタ）アクリル酸エステルモノマーとしては、好ましくはアルキル基の炭素数が１～１８である（メタ）アクリル酸アルキルエステル、例えばメチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート等が用いられる。また、（メタ）アクリル酸誘導体としては、例えば、（メタ）アクリル酸、グリシジル（メタ）アクリレート、ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート等を挙げることができる。
　上記の中でもグリシジルメタクリレート等を構成単位として用いて（メタ）アクリル系共重合体にグリシジル基を導入すると、前述した熱硬化性成分としてのエポキシ系樹脂との相溶性が向上し、保護膜形成層５０の硬化後のガラス転移温度（Ｔｇ）が高くなり、耐熱性が向上する。また、上記の中でもヒドロキシエチルアクリレート等を構成単位として用いて（メタ）アクリル系共重合体にヒドロキシ基を導入すると、半導体ウエハや半導体チップ等への密着性や粘着物性をコントロールすることができる。なお、グリシジルメタクリレート等を構成単位として用いて（メタ）アクリル系共重合体にグリシジル基を導入した場合における、その（メタ）アクリル系共重合体や、エポキシ基を有するフェノキシ系樹脂は、熱硬化性を有することがある。しかしながら、このような熱硬化性を有するポリマーも、本実施形態においては熱硬化性成分ではなく、バインダーポリマー成分に該当するものとする。
　バインダーポリマーとして（メタ）アクリル系共重合体を使用した場合における、当該（メタ）アクリル系共重合体の重量平均分子量は、好ましくは１００，０００以上であり、特に好ましくは１５０，０００～１，０００，０００である。（メタ）アクリル系共重合体のガラス転移温度は通常２０℃以下、好ましくは－７０～０℃程度であり、常温（２３℃）においては粘着性を有する。
　硬化性成分とバインダーポリマー成分との配合比率としては、バインダーポリマー成分１００質量部に対して、硬化性成分を、好ましくは５０～１５００質量部、特に好ましくは７０～１０００質量部、さらに好ましくは８０～８００質量部配合することが好ましい。このような割合で硬化性成分とバインダーポリマー成分とを配合すると、硬化前には適度なタックを示し、貼付作業を安定して行うことができ、また硬化後には、被膜強度に優れた保護膜が得られる。
　保護膜形成層５０には、フィラーおよび／または着色剤を含有させることもできる。但し、半導体加工用シート１ｃ，１ｅを、チップ形状の検査、ステルスダイシングまたは半導体チップのレーザー印字に使用する場合、保護膜形成層５０が光線透過性を有する必要がある。そのため、この場合、当該光線透過性を阻害しない程度に、フィラーおよび／または着色剤を含有させる必要がある。一方、半導体加工用シート１ｃ，１ｅを、保護膜形成層５０またはそれが個片化されて形成される保護膜のレーザー印字に使用する場合、保護膜形成層５０に光線透過性は要求されない。この場合、レーザー印字を可能にするために、保護膜形成層５０は、当該レーザー光を遮断する必要がある。したがって、レーザー印字を効果的に行うために、保護膜形成層５０はフィラーおよび／または着色剤を含有することが好ましい。また、保護膜形成層５０がフィラーを含有すると、硬化後の保護膜の硬度を高く維持することができるとともに、耐湿性を向上させることができる。さらに、形成される保護膜の表面のグロスを所望の値に調整することもできる。さらにまた、硬化後の保護膜の熱膨張係数を半導体ウエハの熱膨張係数に近づけることができ、これによって加工途中の半導体ウエハの反りを低減することができる。
　フィラーとしては、結晶シリカ、溶融シリカ、合成シリカ等のシリカや、アルミナ、ガラスバルーン等の無機フィラーが挙げられる。中でも合成シリカが好ましく、特に半導体装置の誤作動の要因となるα線の線源を極力除去したタイプの合成シリカが最適である。フィラーの形状としては、球形、針状、不定形のいずれであってもよい。
　また、保護膜形成層５０に添加するフィラーとしては、上記無機フィラーの他にも、機能性のフィラーが配合されていてもよい。機能性のフィラーとしては、例えば、帯電防止性の付与を目的とした、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、ステンレス、カーボン、セラミック、またはニッケル、アルミニウム等を銀で被覆した導電性フィラーや、熱伝導性の付与を目的とした、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、ステンレス、シリコン、ゲルマニウム等の金属材料やそれらの合金等の熱伝導性フィラーなどが挙げられる。
　着色剤としては、無機系顔料、有機系顔料、有機系染料など公知のものを使用することができる。
　無機系顔料としては、例えば、カーボンブラック、コバルト系色素、鉄系色素、クロム系色素、チタン系色素、バナジウム系色素、ジルコニウム系色素、モリブデン系色素、ルテニウム系色素、白金系色素、ＩＴＯ（インジウムスズオキサイド）系色素、ＡＴＯ（アンチモンスズオキサイド）系色素等が挙げられる。
　有機系顔料及び有機系染料としては、例えば、アミニウム系色素、シアニン系色素、メロシアニン系色素、クロコニウム系色素、スクアリウム系色素、アズレニウム系色素、ポリメチン系色素、ナフトキノン系色素、ピリリウム系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、ナフトラクタム系色素、アゾ系色素、縮合アゾ系色素、インジゴ系色素、ペリノン系色素、ペリレン系色素、ジオキサジン系色素、キナクリドン系色素、イソインドリノン系色素、キノフタロン系色素、ピロール系色素、チオインジゴ系色素、金属錯体系色素（金属錯塩染料）、ジチオール金属錯体系色素、インドールフェノール系色素、トリアリルメタン系色素、アントラキノン系色素、ジオキサジン系色素、ナフトール系色素、アゾメチン系色素、ベンズイミダゾロン系色素、ピランスロン系色素及びスレン系色等が挙げられる。これらの顔料又は染料は、目的とする光線透過率に調整するため適宜混合して使用することができる。
　レーザー光照射による印字性の観点からは、上記の中でも、顔料、特に無機系顔料を使用することが好ましい。無機系顔料の中でも、特にカーボンブラックが好ましい。カーボンブラックは、通常は黒色であるが、レーザー光照射によって削り取られた部分は白色を呈し、コントラスト差が大きくなるため、レーザー印字された部分の視認性に非常に優れる。
　保護膜形成層５０中におけるフィラーおよび着色剤の配合量は、所望の作用が奏されるよう適宜調整すればよい。具体的に、フィラーの配合量は、通常は４０～８０質量％であることが好ましく、特に５０～７０質量％であることが好ましい。また、着色剤の配合量は、通常は０．００１～５質量％であることが好ましく、特に０．０１～３質量％であることが好ましく、さらには０．１～２．５質量％であることが好ましい。
　保護膜形成層５０は、カップリング剤を含有してもよい。カップリング剤を含有することにより、保護膜形成層５０の硬化後において、保護膜の耐熱性を損なわずに、保護膜と半導体ウエハや半導体チップ等との接着性・密着性を向上させることができるとともに、耐水性（耐湿熱性）を向上させることができる。カップリング剤としては、その汎用性とコストメリットなどからシランカップリング剤が好ましい。シランカップリング剤としては、例えば前述したものを使用することができる。
　保護膜形成層５０は、硬化前の凝集力を調節するために、有機多価イソシアネート系化合物、有機多価イミン系化合物、有機金属キレート系化合物等の架橋剤を含有してもよい。また、保護膜形成層５０は、静電気を抑制し、チップの信頼性を向上させるために、帯電防止剤を含有してもよい。さらに、保護膜形成層５０は、保護膜の難燃性能を高め、パッケージとしての信頼性を向上させるために、リン酸系化合物、ブロム系化合物、リン系化合物等の難燃剤を含有してもよい。
　保護膜形成層５０の厚さは、保護膜としての機能を効果的に発揮させるために、３～３００μｍであることが好ましく、特に５～２５０μｍであることが好ましく、さらには７～２００μｍであることが好ましい。
　保護膜形成層５０の第１の面５０１のグロス値は、２５以上であることが好ましく、特に３０以上であることが好ましい。第１の面５０１のグロス値が２５以上であることで、当該面にレーザー印字した際に、美観が優れるとともに、形成される印字の視認性に優れる。なお、本明細書におけるグロス値は、ＪＩＳ　Ｚ８７４１：１９９７に準じ、測定角６０°にて光沢計を使用して測定した値とする。
５．治具用粘着剤層
　本実施形態に係る半導体加工用シートは、治具用粘着剤層をさらに備えてもよい。図８には、治具用粘着剤層６０を備える、第２の実施形態に係る半導体加工用シート２の断面図が示される。この半導体加工用シート２において、治具用粘着剤層６０は、半導体貼付層８０に近位な側に第１の面６０１を有し、剥離フィルム３０に近位な側に第２の面６０２を有する。また、治具用粘着剤層６０は、リングフレーム等の治具の形状に対応する形状に形成され、通常、環状に形成される。これにより、半導体貼付層８０の粘着力とは関係なく、半導体加工用シート２をリングフレーム等の治具に貼付して確実に固定することができる。
　第２の実施形態に係る半導体加工用シート２では、図８に示される通り、剥離フィルム３０の第１の面３０１に治具用粘着剤層６０が接している。また、図８に示されるように、治具用粘着剤層６０が存在していない半導体加工用シート２の中央部では、剥離フィルム３０の第１の面３０１に半導体貼付層８０の第２の面８０２が接している。ここで、第２の実施形態に係る半導体加工用シート２では、半導体加工用シート２をロール状に巻き取った際、その巻き圧は治具用粘着剤層６０が存在する位置に集中する。これにともない、ブロッキングも治具用粘着剤層６０が存在する位置において発生し易くなる。そのため、半導体加工用シート２をロールから良好に巻き出せるか否かは、剥離フィルム３０の第１の面３０１と治具用粘着剤層６０の第２の面６０２との密着性が大きく影響する。したがって、半導体加工用シート２では、治具用粘着剤層６０の第２の面６０２と剥離フィルム３０の第１の面３０１との界面での剥離力を剥離力βとする。具体的には、剥離力βは、治具用粘着剤層６０の第２の面６０２と剥離フィルム３０の第１の面３０１とが積層された状態で、所定の条件下において４０℃で３日間保管した後における、治具用粘着剤層６０に対する剥離フィルム３０の剥離力とする。一方、剥離力αについては、上述した第１の実施形態に係る半導体加工用シート１と同様に、基材１０の第１の面１０１と剥離フィルム３０の第２の面３０２との界面での剥離力とする。
　本実施形態における治具用粘着剤層６０は、単層からなってもよいし、２層以上の多層からなってもよく、多層の場合、芯材が間に入った構成であることが好ましい。
　治具用粘着剤層６０を構成する粘着剤は、リングフレーム等の治具に対する粘着力の観点から、非エネルギー線硬化性の粘着剤から構成されることが好ましい。非エネルギー線硬化性の粘着剤としては、所望の粘着力および再剥離性を有するものが好ましく、例えば、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤、シリコーン系粘着剤、ウレタン系粘着剤、ポリエステル系粘着剤、ポリビニルエーテル系粘着剤等を使用することができ、中でも粘着力および再剥離性の制御が容易なアクリル系粘着剤が好ましい。
　芯材としては、通常樹脂フィルムが用いられ、中でもポリ塩化ビニルフィルム、塩化ビニル共重合体フィルム等のポリ塩化ビニル系フィルムが好ましく、特にポリ塩化ビニルフィルムが好ましい。ポリ塩化ビニルフィルムは、加熱して軟化したとしても、冷却した際に復元し易い性質を有する。芯材の厚さは、２～２００μｍであることが好ましく、特に５～１００μｍであることが好ましい。
　治具用粘着剤層６０の厚さは、リングフレーム等の治具に対する接着性の観点から、５～２００μｍであることが好ましく、特に１０～１００μｍであることが好ましい。
　治具用粘着剤層６０を有する半導体加工用シート２は、基材１０の第１の面１０１における算術平均粗さＲａが０．０１～０．８μｍであることで、当該面における平滑性は良好なものとなり、少なくとも基材１０が、所望の波長の光に対する高い光線透過性を有する。さらに、剥離力βに対する剥離力αの比の値（α／β）が０以上、１．０未満であることで、優れた耐ブロッキング性が発揮され、ロールからの半導体加工用シート２の繰り出しを良好に行うことができるとともに、繰り出しの際に意図しない剥離が生じない。また、剥離力βが１０～１０００ｍＮ／５０ｍｍであることで、半導体加工用シート２を使用する際に、適度な剥離力で、剥離フィルム３０から基材１０、半導体貼付層８０および治具用粘着剤層６０を含む積層体を剥離することができる。
６．プリカット
　本実施形態に係る半導体加工用シートは、剥離フィルム３０以外の層が所望の形状に切断加工された、いわゆるプリカットされた状態のものであってもよい。すなわち、本実施形態に係る半導体加工用シートは、長尺の剥離フィルム３０に、平面視にて剥離フィルム３０とは異なる形状を有する、基材１０および半導体貼付層８０を含む積層体が積層されてなるものであってもよい。図９には、このようなプリカットされた、第３の実施形態に係る半導体加工用シート３を基材側から見た平面図が示されている。半導体加工用シート３では、長尺の剥離フィルム３０上に、円形にカットされた基材１０ａと半導体貼付層８０ａとの積層体（以下「主使用部」という場合がある。）が設けられている。主使用部は、剥離フィルム３０の長辺方向に複数配置されている。また、剥離フィルム３０の長辺方向の両端部には、主使用部と接触しないようにカットされた、基材１０ｂと半導体貼付層８０ｂとの積層体（以下「シート残留部」という場合がある。）が設けられている。なお、図１０には、図９のＡ－Ａ線に沿った断面図が示されている。
　プリカットされた半導体加工用シート３においても、半導体加工用シート１について上述した物性等を満たす。また、半導体加工用シート３を構成する各層としては、半導体加工用シート１について上述したものを使用することができる。
　また、上述した治具用粘着剤層６０を含む半導体加工用シート２を、プリカットが施されたシートとすることができる。当該シートでは、治具用粘着剤層６０が、主使用部の周縁部に設けられる。
　半導体加工用シート３において、主使用部は、剥離フィルム３０から剥離された後に、半導体ウエハや半導体チップ等に貼付される。一方、シート残留部は、半導体加工用シート３をロール状に巻き取った際の巻き圧が主使用部に集中することを防ぐ。
　一般に、プリカットされた半導体加工用シートでは、ロールから繰り出す際に、剥離フィルムから主使用部が剥離したり、当該剥離した主使用部の基材側が、剥離フィルムの第２の面に貼り付くといった不具合が生じ易い。しかしながら、第３の実施形態に係る半導体加工用シート３によれば、剥離力βに対する剥離力αの比の値（α／β）が０以上、１．０未満であることで、このような不具合の発生が抑制される。また、基材１０の第１の面１０１における算術平均粗さＲａが０．０１～０．８μｍであることで、当該面における平滑性は良好なものとなり、少なくとも基材１０が、所望の波長の光に対する高い光線透過性を有する。さらに、剥離力βが１０～１０００ｍＮ／５０ｍｍであることで、半導体加工用シート３を使用する際に、適度な剥離力で、半導体貼付層８０から剥離フィルム３０を剥離することができる。
７．半導体加工用シートの製造方法
　粘着剤層２０を含む半導体加工用シート１ａの製造方法は、特に限定されず、常法を使用することができる。当該製造方法の第１の例としては、まず、粘着剤層２０の材料を含む粘着剤組成物、および所望によりさらに溶媒または分散媒を含有する塗工用組成物を調製する。次に、この塗工用組成部物を、剥離フィルム３０の第１の面３０１上に、ダイコーター、カーテンコーター、スプレーコーター、スリットコーター、ナイフコーター等により塗布して塗膜を形成する。さらに、当該塗膜を乾燥させることにより、粘着剤層２０を形成することができる。その後、粘着剤層２０の第１の面２０１と、基材１０の第２の面１０２とを貼合することで、半導体加工用シート１ａが得られる。塗工用組成物は、塗布を行うことが可能であればその性状は特に限定されない。粘着剤層２０を形成するための成分は、塗工用組成物中に溶質として含有されてもよく、または分散質として含有されてもよい。
　塗工用組成物が架橋剤（Ｅ）を含有する場合、所望の存在密度で架橋構造を形成させるために、上記の乾燥の条件（温度、時間など）を変えてもよく、または加熱処理を別途設けてもよい。架橋反応を十分に進行させるために、通常は、上記の方法などによって基材に粘着剤層を積層した後、得られた半導体加工用シート１ａを、例えば２３℃、相対湿度５０％の環境に数日間静置するといった養生を行う。
　半導体加工用シート１ａの製造方法の第２の例としては、まず、基材１０の第２の面１０２上に上記塗工用組成物を塗布して、塗膜を形成する。次に、当該塗膜を乾燥させて、基材１０と粘着剤層２０とからなる積層体を形成する。さらに、この積層体における粘着剤層２０の第２の面２０２と、剥離フィルム３０の第１の面３０１とを貼合することで、半導体加工用シート１ａが得られる。
　接着剤層４０を含む半導体加工用シート１ｂの製造方法は、特に限定されず、常法を使用することができる。例えば、接着剤層４０の材料を含む接着剤組成物および所望によりさらに溶媒または分散媒を含有する塗工用組成物を、剥離フィルム３０の第１の面３０１上に塗布し、乾燥させることにより接着剤層４０を形成する。その後、接着剤層４０の第１の面４０１と、基材１０の第２の面１０２とを貼合することで、半導体加工用シート１ｂが得られる。
　保護膜形成層５０を含む半導体加工用シート１ｃの製造方法は、上述した半導体加工用シート１ｂの製造方法を参考に製造することができる。特に、半導体加工用シート１ｂの製造方法において、接着剤層４０の材料を含む接着剤組成物を、保護膜形成層５０の材料を含む保護膜形成層組成物に置き換えることで、半導体加工用シート１ｃを得ることができる。
　粘着剤層２０および接着剤層４０を含む半導体加工用シート１ｄの製造方法は、特に限定されず、常法を使用することができる。例えば、接着剤層４０の材料を含む接着剤組成物および所望によりさらに溶媒または分散媒を含有する塗工用組成物を、剥離フィルム３０の第１の面３０１上に塗布し、乾燥させることにより接着剤層４０を形成する。これにより、剥離フィルム３０と接着剤層４０との積層体を得る。次に、予め作製した半導体加工用シート１ａから剥離フィルム３０を剥離し、露出した粘着剤層２０側の面と、上記積層体の接着剤層４０側の面とを貼り合せることで、半導体加工用シート１ｄが得られる。
　粘着剤層２０および保護膜形成層５０を含む半導体加工用シート１ｅは、上述した半導体加工用シート１ｄの製造方法を参考に製造することができる。特に、半導体加工用シート１ｄの製造方法において、接着剤層４０の材料を含む接着剤組成物を、保護膜形成層５０の材料を含む保護膜形成層組成物に置き換えることで、半導体加工用シート１ｅを得ることができる。
　治具用粘着剤層６０を含む半導体加工用シート２は、常法によって製造することができる。例えば、所望の形状に形成された治具用粘着剤層６０を、基材１０および半導体貼付層８０等を含む積層体における、基材１０とは反対側の面に積層することで、半導体加工用シート２を製造することができる。
　また、治具用粘着剤層６０を含む半導体加工用シート２をプリカットされたシートとする場合には、例えば、次のように製造することができる。まず、剥離フィルム３０の剥離面上に、治具用粘着剤層６０を構成するための治具用粘着剤をシート状に形成する。次に、このシート状治具用粘着剤における、治具用粘着剤層６０の内周縁となる部分を、剥離フィルム３０を残してシート状治具用粘着剤を切断（ハーフカット）し、その内側の円形部分を除去する。次いで、円形部分を除去した後のシート状治具用粘着剤と剥離フィルム３０とからなる積層体のシート状治具用粘着剤側の面を、別途用意した、基材１０と半導体貼付層８０とからなる積層体の半導体貼付層８０側の面に貼付する。これにより、剥離フィルム３０と、シート状治具用粘着剤と、半導体貼付層８０と、基材１０とが順に積層された積層体を得る。最後に、この積層体において、剥離フィルム３０を残して、シート状治具用粘着剤、半導体貼付層８０および基材１０を切断（ハーフカット）する。このとき、治具用粘着剤層６０の外周縁となる部分を、剥離フィルム３０を残して切断（ハーフカット）し、不要な部分を除去することで、主使用部を形成することができる。これにより、シート状治具用粘着剤は、環状の治具用粘着剤層６０となる。また、主使用部となる部分以外の位置を適宜ハーフカットして、シート残留部を形成することもできる。
　プリカットされた半導体加工用シート３の製造方法は特に限定されず、常法を使用することができる。
８．半導体加工用シートの使用方法
　本実施形態に係る半導体加工用シート１，２，３は、バックグラインドシート、ダイシングシート等として使用することができる。当該シート１，２，３を使用する際、シート裏面からレーザーを照射してダイシングを行うことができる。また、バックグラインドやダイシング等の工程の後に、本実施形態に係る半導体加工用シート１，２，３を介して、ウエハやチップの形状を検査することができる。さらに、本実施形態に係る半導体加工用シートを介して、ウエハやチップの裏面に対してレーザー印字することもできる。
　また、特に、接着剤層４０を含む半導体加工用シート１ｂ，１ｄは、ダイシング・ダイボンディングシートとして使用することができる。すなわち、半導体加工用シート１ｂ，１ｄ上にてウエハをダイシングし、必要に応じてエキスパンド工程を行った後に、得られたチップをピックアップすることで、接着剤層が付与されたチップを得ることができる。さらに、保護膜形成層５０を含む半導体加工用シート１ｃ，１ｅを使用することで、チップの裏面に保護膜を形成することができる。この場合、保護膜形成層５０を含む半導体加工用シート１ｃ，１ｅにウエハを貼付し、保護膜形成層５０を硬化させる。続いて、半導体加工用シート１ｃ，１ｅ上にてウエハをダイシングし、必要に応じてエキスパンド工程を行う。その後、得られたチップをピックアップすることで、裏面に保護膜が形成されたチップを得ることができる。
　本実施形態に係る半導体加工用シート１，２，３は、保管等のために、ロール状に巻き取った状態にすることができる。本実施形態に係る半導体加工用シート１，２，３は、このように巻き取った場合であっても、上述したように剥離力βに対する剥離力αの比の値（α／β）が０以上、１．０未満であるため、本実施形態に係る半導体加工用シート１，２，３同士の密着性が、本実施形態に係る半導体加工用シート１，２，３を構成する各層同士の密着性よりも高くなることがない。このため、優れた耐ブロッキング性が発揮され、本実施形態に係る半導体加工用シート１，２，３のロールからの繰り出しを良好に行うことができ、さらに、繰り出しの際の意図しない層間での剥離を抑制することができる。また、基材１０の第１の面における算術平均粗さＲａが０．０１～０．８μｍであることで、当該面における平滑性は良好なものとなり、基材１０が所望の波長の光に対する高い光線透過性を有する。その結果、上述したような、裏面からのレーザーダイシング、検査およびレーザー印字を良好に行うことができる。さらに、剥離力βが１０～１０００ｍＮ／５０ｍｍであるため、本実施形態に係る半導体加工用シート１，２，３に対してウエハを貼付する際に、適度な剥離力で、剥離フィルム３０から基材１０および半導体貼付層８０を含む積層体を剥離することができる。
　以上説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
　例えば、本実施形態に係る半導体加工用シート１，２，３における基材１０と半導体貼付層８０との間には、他の層が介在していてもよい。
　以下、実施例等により本発明をさらに具体的に説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例等に限定されるものではない。
〔実施例１〕
（１）基材の作製
　基材として、ポリ塩化ビニルフィルムをカレンダー製膜法により作製した。当該ポリ塩化ビニルフィルムは、第１の面の算術平均粗さＲａが０．０３μｍであり、ＪＩＳ　Ｋ７１６１：１９９４に準拠して測定した２３℃におけるＭＤ方向の引張弾性率（ヤング率）が２５０ＭＰａであり、厚さが８０μｍであった。
　なお、本実施例における算術平均粗さＲａは、触式表面粗さ計（Ｍｉｔｓｕｔｏｙｏ社製「ＳＵＲＦＴＥＳＴ ＳＶ－３０００」）を用い、ＪＩＳ Ｂ０６０１：２０１３に準拠して、面内で１０点測定し、その平均値を算出したものである。
　また、上記基材単体について、印字用レーザー光（波長：５３２ｎｍ）の透過性、ステルスダイシング用レーザー光（波長：１６００ｎｍ）の透過性、および検査用赤外線（波長：１０６９ｎｍ）の透過性を評価したところ、いずれの場合も優れた透過性を示した。
（２）剥離フィルムの準備
　剥離フィルムとして、ポリエチレンテレフタレートフィルムの片面（第１の面）をシリコーン系剥離剤で剥離処理した剥離フィルム（リンテック社製，製品名「ＳＰ－ＰＭＦ３８１０３１Ｈ」，厚さ：３８μｍ）を用いた。この剥離フィルムの第１の面の算術平均粗さＲａは、０．０３μｍであり、第２の面の算術平均粗さＲａは、０．３μｍであった。
（３）粘着剤組成物（Ｉ）の調製
　２－エチルヘキシルアクリレート１８．５質量部（固形分換算，以下同じ）と、酢酸ビニル７５質量部と、アクリル酸１質量部と、メチルメタクリレート５質量部と、２－ヒドロキシエチルメタクリレート０．５質量部とを共重合させて、重量平均分子量６００，０００のアクリル系共重合体を得た。
　得られたアクリル系共重合体１００質量部と、エネルギー線硬化性化合物としての２官能ウレタンアクリレートオリゴマー（Ｍｗ＝８０００）６０質量部と、エネルギー線硬化性化合物としての６官能ウレタンアクリレートオリゴマー（Ｍｗ＝２０００）６０質量部と、光重合開始剤としてのα－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（ＢＡＳＦ社製，製品名「イルガキュア１８４」）３質量部と、架橋剤としてのトリメチロールプロパン変性トリレンジイソシアネート（東ソー社製，製品名「コロネートＬ」）１．６質量部とを溶媒中で混合し、粘着剤組成物（Ｉ）の塗布溶液を得た。
（４）半導体加工用シートの作製
　上記工程（２）で作製した剥離フィルムの第１の面に対し、上記工程（３）で得られた粘着剤組成物（Ｉ）の塗布溶液を、ナイフコーターで塗布した。次いで、１００℃で１分間処理して、塗膜を乾燥させるとともに架橋反応を進行させ、剥離フィルムと厚さ１０μｍの粘着剤層とからなる積層体を得た。さらに、当該積層体における粘着剤層の第１の面と、上記工程（１）で作製した基材の第２の面とを貼合することで、基材と粘着剤層と剥離フィルムとが順に積層された半導体加工用シートを得た。その後、当該半導体加工用シートを、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で７日間養生した。
〔実施例２〕
（１）基材の作製
　基材として、エチレン－メタクリル酸共重合体フィルムをＴダイ製膜法によって作製した。当該エチレン－メタクリル酸共重合体フィルムは、第１の面の算術平均粗さＲａが０．０５μｍであり、ＪＩＳ　Ｋ７１６１：１９９４に準拠して測定した２３℃におけるＭＤ方向の引張弾性率（ヤング率）が１３０ＭＰａであり、厚さが８０μｍであった。
　なお、上記基材単体について、印字用レーザー光（波長：５３２ｎｍ）の透過性、ステルスダイシング用レーザー光（波長：１６００ｎｍ）の透過性、および検査用赤外線（波長：１０６９ｎｍ）の透過性を評価したところ、いずれの場合も優れた透過性を示した。
（２）粘着剤組成物（ＩＩ）の調製
　ブチルアクリレート９９質量部と、アクリル酸１質量部とを共重合させて、重量平均分子量６００，０００のアクリル系共重合体を得た。
　次いで、得られたアクリル系共重合体１００質量部と、エネルギー線硬化性モノマーとしてのジペンタエリスリトールヘキサアクリレート（日本化薬社製，製品名「ＫＡＹＡＲＡＤ　ＤＰＨＡ）１２０質量部と、光重合開始剤としてのα－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（ＢＡＳＦ社製，製品名「イルガキュア１８４」）３質量部と、架橋剤としてのトリメチロールプロパン変性トリレンジイソシアネート（東ソー社製，製品名「コロネートＬ」）１７質量部とを溶媒中で混合し、粘着剤組成物（ＩＩ）の塗布溶液を得た。
（３）半導体加工用シートの作製
　上記のように作製した、エチレン－メタクリル酸共重合体を材料とする基材、および粘着剤組成物（ＩＩ）を使用する以外、実施例１と同様に半導体加工用シートを作製した。
〔実施例３〕
（１）基材の作製
　基材として、エチレン－酢酸ビニル共重合体フィルムをＴダイ製膜法によって作製した。当該エチレン－酢酸ビニル共重合体フィルムは、第１の面の算術平均粗さＲａが０．０６μｍであり、ＪＩＳ　Ｋ７１６１：１９９４に準拠して測定した２３℃におけるＭＤ方向の引張弾性率（ヤング率）が７５ＭＰａであり、厚さが１００μｍであった。
　なお、上記基材単体について、印字用レーザー光（波長：５３２ｎｍ）の透過性、ステルスダイシング用レーザー光（波長：１６００ｎｍ）の透過性、および検査用赤外線（波長：１０６９ｎｍ）の透過性を評価したところ、いずれの場合も優れた透過性を示した。
（２）粘着剤組成物（ＩＩＩ）の調製
　２－エチルヘキシルアクリレート４０質量部と、酢酸ビニル４０質量部と、２－ヒドロキシエチルアクリレート２０質量部とを共重合させて、重量平均分子量４２０，０００のアクリル系共重合体を得た。
　次いで、得られたアクリル系共重合体１００質量部と、エネルギー線硬化性基含有化合物としての２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）３０．２質量部とを反応させることで、側鎖にエネルギー線硬化性基（メタクリロイル基）が導入されたエネルギー線硬化型重合体を得た。
　得られたエネルギー線硬化型重合体１００質量部と、光重合開始剤としてのα－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（ＢＡＳＦ社製，製品名「イルガキュア１８４」）３質量部と、架橋剤としてのトリメチロールプロパン変性トリレンジイソシアネート（東ソー社製，製品名「コロネートＬ」）１．１質量部とを溶媒中で混合し、粘着剤組成物（ＩＩＩ）の塗布溶液を得た。
（３）半導体加工用シートの作製
　上記のように作製した、エチレン－酢酸ビニル共重合体を材料とする基材、および粘着剤組成物（ＩＩＩ）を使用する以外、実施例１と同様に半導体加工用シートを作製した。
〔実施例４〕
（１）基材の作製
　基材として、ポリプロピレンフィルムをＴダイ製膜法によって作製した。当該ポリプロピレンフィルムでは、第１の面の算術平均粗さＲａが０．３μｍであり、ＪＩＳ　Ｋ７１６１：１９９４に準拠して測定した２３℃におけるＭＤ方向の引張弾性率（ヤング率）が３６０ＭＰａであり、厚さが１００μｍであった。
　なお、上記基材単体について、印字用レーザー光（波長：５３２ｎｍ）の透過性、ステルスダイシング用レーザー光（波長：１６００ｎｍ）の透過性、および検査用赤外線（波長：１０６９ｎｍ）の透過性を評価したところ、いずれの場合も優れた透過性を示した。
（２）半導体加工用シートの作製
　上記のように作製したポリプロピレンを材料とする基材、および実施例２において作製した粘着剤組成物（ＩＩ）を使用する以外、実施例１と同様に半導体加工用シートを作製した。
〔実施例５〕
（１）剥離フィルムの作製
　ポリエチレンテレフタレートフィルムの一方の面（第１の面）をシリコーン系剥離剤で剥離処理した剥離フィルム（リンテック社製，製品名「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」，厚さ：３８μｍ）の他方の面（第２の面）を、アルキッド系剥離剤を使用して剥離処理した。当該アルキッド系剥離剤としては、厚さ３８μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムの片面にアルキッド系剥離剤層を設けてなる剥離フィルム（リンテック社製，製品名「ＳＰ－ＰＥＴ３８ＡＬ－５」）におけるアルキッド系剥離剤層を形成するためのアルキッド系剥離剤を使用した。これにより、第１の面はシリコーン系剥離剤で剥離処理され、第２の面はアルキッド系剥離剤で剥離処理された剥離フィルムを得た。この剥離フィルムの第１の面の算術平均粗さＲａは、０．０３μｍであり、第２の面の算術平均粗さＲａは、０．０３μｍであった。
（２）半導体加工用シートの作製
　上記のように作製した、第１の面はシリコーン系剥離剤で剥離処理され、第２の面はアルキッド系剥離剤で剥離処理された剥離フィルムを使用する以外、実施例１と同様に半導体加工用シートを作製した。
〔実施例６〕
　実施例５で作製した、第１の面はシリコーン系剥離剤で剥離処理され、第２の面はアルキッド系剥離剤で剥離処理された剥離フィルムを使用する以外、実施例２と同様に半導体加工用シートを作製した。
〔実施例７〕
（１）剥離フィルムの作製
　ポリエチレンテレフタレートフィルムの一方の面（第１の面）をシリコーン系剥離剤により剥離処理した剥離フィルム（リンテック社製，製品名「ＳＰ-ＰＥＴ３８２１５０」，厚さ：３８μｍ）の他方の面（第２の面）を、実施例６で使用したものと同じアルキッド系剥離剤を使用して剥離処理した。これにより、第１の面はシリコーン系剥離剤で剥離処理され、第２の面はアルキッド系剥離剤で剥離処理された剥離フィルムを得た。この剥離フィルムの第１の面の算術平均粗さＲａは、０．０３μｍであり、第２の面の算術平均粗さＲａは、０．０３μｍであった。
（２）半導体加工用シートの作製
　上記のように作製した、第１の面はシリコーン系剥離剤で剥離処理され、第２の面はアルキッド系剥離剤で剥離処理された剥離フィルムを使用する以外、実施例２と同様に半導体加工用シートを作製した。
〔実施例８〕
（１）剥離フィルムの準備
　剥離フィルムとして、ポリエチレンテレフタレートフィルムの片面（第１の面）をシリコーン系剥離剤で剥離処理した剥離フィルム（リンテック社製，製品名「ＳＰ－ＰＥＴ３０１０３１」，厚さ：３０μｍ）を用いた。この剥離フィルムの第１の面の算術平均粗さＲａは、０．０３μｍであり、第２の面の算術平均粗さＲａは、０．３μｍであった。
（２）粘着剤組成物（ＩＶ）の調製
　ブチルアクリレート８０質量部と、２－ヒドロキシエチルアクリレート２０質量部とを共重合させて、重量平均分子量７００，０００のアクリル系共重合体を得た。
　次いで、得られたアクリル系共重合体１００質量部と、エネルギー線硬化性基含有化合物としての２－メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（ＭＯＩ）３０．２質量部とを反応させることで、側鎖にエネルギー線硬化性基（メタクリロイル基）が導入されたエネルギー線硬化型重合体を得た。
　得られたエネルギー線硬化型重合体１００質量部と、光重合開始剤としてのα－ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（ＢＡＳＦ社製，製品名「イルガキュア１８４」）３質量部と、架橋剤としてのトリメチロールプロパン変性トリレンジイソシアネート（東ソー社製，製品名「コロネートＬ」）０．５質量部とを溶媒中で混合し、粘着剤組成物（ＩＶ）の塗布溶液を得た。
（３）半導体加工用シートの作製
　上記のように作製した、厚さ３０μｍの剥離フィルムおよび粘着剤組成物（ＩＶ）を使用する以外、実施例２と同様に半導体加工用シートを作製した。
〔実施例９〕
（１）剥離フィルムの準備
　剥離フィルムとして、ポリエチレンテレフタレートフィルムの片面（第１の面）をシリコーン系剥離剤で剥離処理した剥離フィルム（リンテック社製，製品名「ＳＰ－ＰＥＴ５０１０３１」，厚さ：５０μｍ）を得た。この剥離フィルムの第１の面の算術平均粗さＲａは、０．０３μｍであり、第２の面の算術平均粗さＲａは、０．３μｍであった。
（２）半導体加工用シートの作製
　上記のように作製した、厚さ５０μｍの剥離フィルムを使用する以外、実施例８と同様に半導体加工用シートを作製した。
〔実施例１０〕
（１）接着剤層を含む第１の積層体の作製
　次のアクリル重合体、熱硬化性樹脂、フィラー、シランカップリング剤および架橋剤を混合して接着剤組成物を得た後、固形分濃度が２０質量％となるようにメチルエチルケトンで希釈して、接着剤組成物の塗布溶液を調製した。
　アクリル重合体：メチルアクリレート９５質量部及び２－ヒドロキシエチルアクリレート５質量部からなる共重合体（Ｍｗ：５００，０００、Ｍｗ／Ｍｎ：２．９、Ｔｇ：９℃）を１００質量部
　熱硬化性樹脂：
　　アクリロイル基付加クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製，製品名「ＣＮＡ－１４７」）を３０質量部
　　熱硬化剤：アラルキルフェノール樹脂（三井化学社製，製品名「ミレックスＸＬＣ－４Ｌ」）を６質量部
　フィラー：メタクリロキシ基修飾のシリカフィラー（平均粒径０．０５μｍ，アドマテックス社製，３－メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン処理品）を３５質量部
　シランカップリング剤：(三菱化学社製，製品名「ＭＫＣシリケートＭＳＥＰ２」)を０．５質量部
　架橋剤：芳香族性多価イソシアネート（東ソー社製，製品名「コロネートＬ」）を１．５質量部
　ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムの片面にシリコーン系の剥離剤層が形成されてなる第１の剥離フィルム（リンテック社製，製品名「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」，厚さ：３８μｍ）と、ＰＥＴフィルムの片面にシリコーン系の剥離剤層が形成されてなる第２の剥離フィルム（リンテック社製，製品名「ＳＰ－ＰＥＴ３８１１３０」，厚さ：３８μｍ）とを用意した。
　次に、第１の剥離フィルムの剥離面上に、前述の接着剤組成物の塗布溶液を、ナイフコーターを用いて塗布し、乾燥させ、第１の剥離フィルムの剥離面上に、厚さ５μｍの接着剤層を形成した。その後、接着剤層に第２の剥離フィルムの剥離面を重ねて両者を貼り合わせ、第１の剥離フィルムと、接着剤層（厚さ：５μｍ）と、第２の剥離フィルムとからなる第１の積層体を得た。その後、当該第１の積層体を、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で７日間養生した。
（２）粘着剤層を含む第２の積層体の作製
　次の粘着主剤および架橋剤を混合して粘着剤組成物（Ｖ）を得た後、固形分濃度が２５質量％となるようにメチルエチルケトンで希釈して、粘着剤組成物（Ｖ）の塗布溶液を調製した。
　粘着主剤：（メタ）アクリル酸エステル共重合体（日本合成化学工業社製，２－エチルヘキシルアクリレート６０質量部、メタクリル酸メチル３０質量部および２－ヒドロキシエチルアクリレート１０質量部を共重合して得た共重合体，重量平均分子量：６００，０００）１００質量部
　架橋剤：トリメチロールプロパンのキシレンジイソシアネート付加物（三井武田ケミカル社製，製品名「タケネートＤ１１０Ｎ」）２０質量部
　第３の剥離フィルムとして、ＰＥＴフィルムの片面にシリコーン系の剥離剤層が形成されてなる剥離フィルム（リンテック社製，製品名「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」，厚さ：３８μｍ）を用意した。
　また、ポリプロピレンフィルムを基材として使用した。当該ポリプロピレンフィルムでは、第１の面の算術平均粗さＲａが０．３μｍであり、厚さが１００μｍであった。
　次に、第３の剥離フィルムの剥離面上に、前述の粘着剤組成物（Ｖ）の塗布溶液を、ナイフコーターを用いて塗布し、乾燥させるとともに架橋反応を進行させ、第３の剥離フィルムと、厚さ５μｍの粘着剤層とからなる積層体を得た。その後、粘着剤層の第３の剥離フィルムとは反対側の面に上記基材の第２の面を貼合し、基材と、粘着剤層と、第３の剥離フィルムとからなる第２の積層体を得た。これを、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で７日間養生した。
（３）治具用粘着剤層を含む第３の積層体の作製
　次の粘着主剤および架橋剤の成分を混合して治具用粘着剤組成物を得た後、固形分濃度が１５質量％となるようにトルエンで希釈して、治具用粘着剤組成物の塗布溶液を調製した。
　粘着主剤：（メタ）アクリル酸エステル共重合体（ブチルアクリレート６９．５質量部、メチルアクリレート３０質量部および２－ヒドロキシエチルアクリレート０．５質量部を共重合して得られた共重合体，重量平均分子量：５００，０００）１００質量部
　架橋剤：芳香族性多価イソシアネート（東ソー社製，製品名「コロネートＬ」）５質量部
　ＰＥＴフィルムの片面にシリコーン系の剥離剤層が形成されてなる第４および第５の剥離フィルム（リンテック株式会社製，製品名「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」，厚さ：３８μｍ）と、芯材としてポリ塩化ビニルフィルム（オカモト株式会社製，厚さ：５０μｍ）とを用意した。
　次に、第４の剥離フィルムの剥離面上に、前述の治具用粘着剤組成物の塗布溶液を、ナイフコーターを用いて塗布し、乾燥させ、第４の剥離フィルムの剥離面上に、厚さ５μｍの第１の粘着剤層を形成した。その後、第１の粘着剤層に上記芯材を貼合し、芯材と、第１の粘着剤層と、第４の剥離フィルムとからなる積層体Ａを得た。
　次に、第５の剥離フィルムの剥離面上に、前述の治具用粘着剤組成物の塗布溶液を、ナイフコーターを用いて塗布し、乾燥させ、第５の剥離フィルムの剥離面上に、厚さ５μｍの第２の粘着剤層を形成した。その後、第２の粘着剤層に上記積層体Ａにおける芯材の露出した面を貼合し、第４の剥離フィルム／第１の粘着剤層／芯材／第２の粘着剤層／第５の剥離フィルムからなる第３の積層体を得た。その後、当該第３の積層体を、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で７日間養生した。この第３の積層体においては、第１の粘着剤層と、芯材と、第２の粘着剤層とにより、厚さ６０μｍの治具用粘着剤層が構成される。
（４）第４の積層体の作製
　上記（１）で得られた第１の積層体から第２の剥離フィルムを剥離し、接着剤層を露出させた。一方、上記（２）で得られた第２の積層体から第３の剥離フィルムを剥離して、粘着剤層を露出させた。その粘着剤層に、上記接着剤層が接触するように、第１の積層体と第２の積層体とを貼り合わせ、基材と、粘着剤層と、接着剤層と、第１の剥離フィルムとが積層されてなる第４の積層体を得た。
（５）半導体加工用シートの作製
　上記（３）で得られた第３の積層体から第５の剥離フィルムを剥離し、第４の剥離フィルムを残して、治具用粘着剤層の内周縁となる部分を第２の粘着剤層側から切断し、内側の円形部分を除去した。このとき、治具用粘着剤層の内周縁の直径は２３０ｍｍとした。
　上記（４）で得られた第４の積層体から第１の剥離フィルムを剥離し、露出した接着剤層と、第３の積層体において露出している治具用粘着剤層とを重ね合わせて圧着した。その後、第３の積層体における第４の剥離フィルムを残して、半導体加工用シートの外周縁となる部分を基材側から切断し、外側の部分を除去した。このとき、半導体加工用シートの外周縁の直径は２７０ｍｍとした。
　このようにして、基材の上に、粘着剤層（厚さ：５μｍ）と、粘着剤層における基材とは反対側に積層された接着剤層と、接着剤層における粘着剤層とは反対側の周縁部に積層された環状の治具用粘着剤層と、治具用粘着剤層における接着剤層とは反対側に積層された第４の剥離フィルムとからなる半導体加工用シートを得た。なお、第４の剥離フィルムにおける治具用粘着剤層側の面（第１の面）の算術平均粗さＲａは、０．０３μｍであり、当該第１の面とは反対側の面（第２の面）の算術平均粗さＲａは、０．３μｍであった。
〔実施例１１〕
（１）保護膜形成層を含む第１の積層体の作製
　次のバインダーポリマー、熱硬化性樹脂、熱活性潜在性エポキシ樹脂硬化剤、硬化促進剤、フィラー、着色剤およびシランカップリング剤を混合して保護膜形成層組成物を得た後、固形分濃度が５０質量％となるようにメチルエチルケトンで希釈して、保護膜形成層組成物の塗布溶液を調製した。
　バインダーポリマー：（メタ）アクリル酸エステル共重合体（ｎ－ブチルアクリレート１０質量部、メチルアクリレート７０質量部、グリシジルメタクリレート５質量部、および２－ヒドロキシエチルアクリレート１５質量部を共重合して得た共重合体，重量平均分子量：８００，０００，ガラス転移温度：－１℃）１５０質量部
　熱硬化性成分：
　　ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学社製，製品名「ｊＥＲ８２８」，エポキシ当量１８４～１９４ｇ／ｅｑ）６０質量部
　　ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学社製，製品名「ｊＥＲ１０５５」，エポキシ当量８００～９００ｇ／ｅｑ）１０質量部
　　ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製，製品名「エピクロンＨＰ－７２００ＨＨ」，エポキシ当量２５５～２６０ｇ／ｅｑ）３０質量部
　熱活性潜在性エポキシ樹脂硬化剤：ジシアンジアミド（ＡＤＥＫＡ社製，製品名「アデカハ－ドナーＥＨ３６３６ＡＳ」，活性水素量２１ｇ／ｅｑ）２質量部
　硬化促進剤：２－フェニル－４，５－ジヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成工業社製，製品名「キュアゾール２ＰＨＺ」）２質量部
　フィラー：シリカフィラー（アドマテックス社製，製品名「ＳＣ２０５０ＭＡ」平均粒径：０．５μｍ）３２０質量部
　着色剤：カーボンブラック（三菱化学社製，製品名「＃ＭＡ６５０」，平均粒径：２８ｎｍ）１．２質量部
　シランカップリング剤：（信越化学工業社製，製品名「ＫＢＭ－４０３」）２質量部
　ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムの片面にシリコーン系の剥離剤層が形成されてなる第１の剥離フィルム（リンテック社製，製品名「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」，厚さ：３８μｍ）と、ＰＥＴフィルムの片面にシリコーン系の剥離剤層が形成されてなる第２の剥離フィルム（リンテック社製，製品名「ＳＰ－ＰＥＴ３８１１３０」，厚さ：３８μｍ）とを用意した。
　最初に、第１の剥離フィルムの剥離面上に、前述の保護膜形成層組成物の塗布溶液を、ナイフコーターを用いて塗布し、乾燥させ、第１の剥離フィルムの剥離面上に、厚さ２５μｍの保護膜形成層を形成した。その後、保護膜形成層に第２の剥離フィルムの剥離面を重ねて両者を貼り合わせ、第１の剥離フィルムと、保護膜形成層（厚さ：２５μｍ）と、第２の剥離フィルムとからなる第１の積層体を得た。この第１の積層体を、温度２３℃、相対湿度５０％の環境下で７日間養生した。
（２）半導体加工用シートの作製
　上記のように作製した第１の積層体を使用する以外、実施例１０と同様に半導体加工用シートを作製した。
〔実施例１２〕
（１）粘着剤組成物（ＶＩ）の調製
　ブチルアクリレート６８．５質量部と、メタクリル酸３０質量部と、２－ヒドロキシエチルアクリレート０．５質量部と、アクリルアミド１質量部とを共重合させて、重量平均分子量６２０，０００のアクリル系共重合体を得た。
　次いで、得られたアクリル系共重合体１００質量部と、架橋剤としてのトリメチロールプロパン変性トリレンジイソシアネート（東ソー社製，製品名「コロネートＬ」）１０質量部とを溶媒中で混合し、粘着剤組成物（ＶＩ）の塗布溶液を得た。
（２）半導体加工用シートの作製
　上記のように作製した、粘着剤組成物（ＶＩ）を使用する以外、実施例１と同様に半導体加工用シートを作製した。
〔比較例１〕
　ポリエチレンテレフタレートフィルムの一方の面（第１の面）をシリコーン系剥離剤で剥離処理した剥離フィルム（リンテック社製，製品名「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」，厚さ：３８μｍ）を剥離フィルムとして使用する以外、実施例１と同様に半導体加工用シートを作製した。なお、当該剥離フィルムの第１の面の算術平均粗さＲａは、０．０３μｍであり、他方の面（第２の面）の算術平均粗さＲａは、０．０５μｍであった。
〔比較例２〕
　ポリエチレンテレフタレートフィルムの一方の面（第１の面）をシリコーン系剥離剤で剥離処理した剥離フィルム（リンテック社製，製品名「ＳＰ－ＰＥＴ３８１０３１」，厚さ：３８μｍ）を剥離フィルムとして使用する以外、実施例３と同様に半導体加工用シートを作製した。なお、当該剥離フィルムの第１の面の算術平均粗さＲａは、０．０３μｍであり、他方の面（第２の面）の算術平均粗さＲａは、０．０５μｍであった。
〔比較例３〕
　ポリエチレンテレフタレートフィルム製の剥離フィルム（三菱樹脂社製，製品名「ダイアホイル（登録商標）Ｔ－１００　３８」，厚さ：３８μｍ）を剥離フィルムとして使用する以外、実施例２と同様に半導体加工用シートを作製した。なお、当該剥離フィルムの両面の算術平均粗さＲａは、ともに０．０５μｍであった。
〔試験例１〕（剥離力αの測定）
　実施例および比較例で製造した半導体加工用シートを幅５０ｍｍ×長さ１００ｍｍに裁断した。このとき、半導体加工用シートの製造時における流れ方向（ＭＤ方向）が長さ方向となるように裁断した。このように裁断した半導体加工用シートを、基材を上側として１０枚積層し、この積層体を、幅７５ｍｍ×長さ１５ｍｍ×厚さ５ｍｍのガラス板で上下から挟んだ。そして、５００ｇの重りを上側のガラス板上に置いた状態で、４０℃で乾燥状態に設定した湿熱促進器（ＥＳＰＥＣ社製，製品名「ＳＨ６４１」）内で３日間保管した。なお、半導体加工用シートがエネルギー線硬化性の材料を含む場合には、積層体を遮光した状態で保管した。
　保管が完了した後、上記積層体から、最外層に位置する半導体加工用シートと、それと隣接する半導体加工用シートとの２枚の導体加工用シートを、それらが重なった状態で測定用サンプルとして取り分けた。続いて、当該測定用サンプルの最外層に位置する剥離フィルムを剥離し、露出した粘着面を、ステンレス板に両面粘着テープを用いて貼合し、万能引張試験機（オリエンテック社製，製品名：テンシロン ＵＴＭ－４－１００）に固定した。その後、温度２３℃、相対湿度５０％ＲＨの条件下で、ステンレス板から最も遠位に位置する半導体加工用シートを、それに重なった半導体加工用シートから、１８０°方向に引張速度３００ｍｍ／分で剥離した。すなわち、基材の第１の面と剥離フィルムの第２の面との間で剥離させた。このときの力を測定し、これを剥離力α（ｍＮ／５０ｍｍ）とした。結果を表２に示す。なお、剥離力αが測定できないほど小さいか、または測定前において基材から剥離フィルムが既に剥離していた場合には、測定結果を「測定不可（０）」とした。
〔試験例２〕（剥離力βの測定）
　上記試験例１と同様に、１０枚の半導体加工用シートからなる積層体を作製し、４０℃で３日間保管した。この積層体から、１枚の半導体加工用シートを取り出し、基材の第１の面をステンレス板に両面粘着テープを用いて貼り合わせ、万能引張試験機（オリエンテック社製，製品名：テンシロン ＵＴＭ－４－１００）に固定した。その後、温度２３℃、相対湿度５０％ＲＨの条件下で、剥離フィルムのみを、１８０°方向に引張速度３００ｍｍ／分で剥離した。すなわち、剥離フィルムの第１の面と粘着剤の第２の面との間で剥離させた。このときの力を測定し、これを剥離力β（ｍＮ／５０ｍｍ）とした。結果を表２に示す。さらに、当該剥離力βと、試験例１で測定した剥離力αとに基づいて、剥離力βに対する剥離力αの比の値（α／β）を算出した。このとき、剥離力αの測定結果が「測定不可（０）」である場合には、比の値（α／β）は「０」とした。結果を表２に示す。
〔試験例３〕（ロールからの繰り出しの評価）
　実施例および比較例で製造した半導体加工用シートを、２９０ｍｍの幅を有する長尺のシートとして準備した。そして、基材側から切れ込みを入れて、図９に示されるように円形の主使用部およびシート残留部を形成した。このとき、剥離フィルム以外の層のみを切断（ハーフカット）し、また、主使用部の直径は、２７０ｍｍとした。その後、主使用部およびシート残留部以外の基材および粘着剤層（さらに、存在する場合には接着剤層または保護膜形成層）を除去した。これにより、１００個の主使用部を有する半導体加工用シートを得た。当該半導体加工用シートを、基材側が外側となるように巻き取り、ロール状とした。
　このように得られたロール状の半導体加工用シートを、４０℃で乾燥状態に設定した湿熱促進器（ＥＳＰＥＣ社製，製品名「ＳＨ６４１）内で３日間保管した。なお、半導体加工用シートがエネルギー線硬化性の材料を含む場合には、積層体を遮光した状態で保管した。
　保管が完了した後、ウエハマウンター（リンテック社製，製品名「ＲＡＤ－２５００ｍ／８」）を使用して、ロール状に巻き取られた半導体加工用シートを繰り出した。そして、半導体加工用シートの長さ方向の両端部における主使用部２０枚分が存在する領域（すなわち、ロールの外側の部分における主使用部２０枚分が存在する領域、および内側の部分における主使用部２０枚分が存在する領域）について、良好な繰り出しが可能であるかどうかを確認した。このとき、いずれの領域においても主使用部２０枚分連続で良好に繰り出せた場合、○と評価した。一方、剥離フィルムの第２の面に、その下に重なっていた主使用部が密着して、繰り出すことができないといった不具合が１枚でも生じた場合、×と評価した。結果を表２に示す。
〔試験例４〕（マウントの評価）
　上記試験例３と同様に、ロール状の半導体加工用シートを作製し、４０℃で３日間保管した。その後、ウエハマウンター（リンテック社製，製品名「ＲＡＤ－２５００ｍ／８」）を使用して、このロールの剥離フィルムから主使用部を剥離し、当該主使用部を半導体ウエハに貼付（マウント）した。この操作を連続して２０回繰り返し、良好に完了した場合、○と評価した。一方、剥離フィルムからの主使用部の剥離不良などにより、マウントに不具合が生じた場合、×と評価した。結果を表２に示す。
　表１に、実施例および比較例で製造した半導体加工用シートの構成をまとめる。なお、表１に記載の略号の詳細は以下の通りである。
［基材］
・ＰＶＣ：ポリ塩化ビニル
・ＥＭＡＡ：エチレン－メタクリル酸共重合体
・ＥＶＡ：エチレン－酢酸ビニル共重合体
・ＰＰ：ポリプロピレン
［剥離フィルム］
・ＰＥＴ：ポリエチレンテレフタレート
〔試験例５〕（光線透過性の評価）
　厚さ３５０μｍのシリコンウエハのミラー面に対し、ウエハマウンター（リンテック社製，製品名「ＲＡＤ－２５００ｍ／８」）を使用して、試験例３において３日間の保管が完了した後の半導体加工用シート、およびリングフレームを貼付した。その後、ダイシング装置（ＤＩＳＣＯ社製，製品名「ＤＦＤ－６５１」）を使用して、以下の条件で、シリコンウエハのダイシングを行った。
　ダイシング条件：
　・ワーク（被切断物）：シリコンウエハ（サイズ：６インチ，厚さ：３５０μｍ，貼付面：ミラー）
　・ダイシングブレード：ディスコ社製，製品名「２７ＨＥＣＣ」
　・ブレード回転数：３０，０００ｒｐｍ
　・ダイシングスピード：１０ｍｍ／秒
　・切り込み深さ：基材の、ダイシング装置テーブルとは反対の面から２０μｍの深さまで切り込み
　・ダイシングサイズ：５ｍｍ×５ｍｍ
　上記ダイシングにより得られた、半導体加工用シートに貼付されたチップについて、半導体加工用シートおけるチップとは反対の面（基材の第２の面）側から、半導体加工用シートを介してチップの周縁部および角部を認識できるか目視により確認した。なお、接着剤層を備える半導体加工用シートを使用した場合については、接着剤付きのチップについて、その周縁部および角部を確認し、保護膜形成層を備える半導体加工用シートを使用した場合については、保護膜付きのチップについて、その周縁部および角部を確認した。チップの周縁部および角部が確認できたものを光線透過性（可視光線透過性）が良好（○）、確認できなかったものを光線透過性（可視光線透過性）が不良（×）と評価した。結果を表２に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
　表２から明らかなように、実施例の半導体加工用シートは、光線透過性に優れるとともに、ロールからの繰り出しおよびマウントの両方において、優れた評価が得られた。一方、比較例の半導体加工用シートでは、ロールからの繰り出しおよびマウントの何れかにおいて、不具合が生じた。
　本発明に係る半導体加工用シートは、例えば、ダイシングシート、ダイシング・ダイボンディングシート、保護膜形成層一体型ダイシングシート等として好適に用いられる。
１，１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，２，３…半導体加工用シート
　１０，１０ａ，１０ｂ…基材
　　１０１…第１の面
　　１０２…第２の面
　２０…粘着剤層
　　２０１…第１の面
　　２０２…第２の面
　３０…剥離フィルム
　　３０１…第１の面
　　３０２…第２の面
　４０…接着剤層
　　４０１…第１の面
　　４０２…第２の面
　５０…保護膜形成層
　　５０１…第１の面
　　５０２…第２の面
　６０…治具用粘着剤層
　　６０１…第１の面
　　６０２…第２の面
　８０，８０ａ，８０ｂ…半導体貼付層
　　８０１…第１の面
　　８０２…第２の面

Claims (10)

  1. 　第１の面および前記第１の面とは反対側に位置する第２の面を有する基材と、前記基材における第２の面側に積層され、前記基材に近位な側に第１の面を有し、前記基材に遠位な側に第２の面を有する半導体貼付層と、前記半導体貼付層における第２の面側に積層され、前記半導体貼付層に近位な側に第１の面を有し、前記半導体貼付層に遠位な側に第２の面を有する剥離フィルムとを少なくとも備える半導体加工用シートであって、
    　前記基材の第１の面における算術平均粗さＲａが、０．０１～０．８μｍであり、
    　前記基材の第１の面と前記剥離フィルムの第２の面とを積層して４０℃で３日間保管した後における、前記基材の第１の面と前記剥離フィルムの第２の面との界面での剥離力をαとし、前記半導体貼付層の第２の面と前記剥離フィルムの前記第１の面とを貼付して４０℃で３日間保管した後における、前記半導体貼付層の第２の面と前記剥離フィルムの第１の面との界面での剥離力をβとしたとき、βに対するαの比の値（α／β）が、０以上、１．０未満であり、
    　前記剥離力βが、１０～１０００ｍＮ／５０ｍｍである
    ことを特徴とする半導体加工用シート。
  2. 　前記剥離フィルムの第２の面の算術平均粗さＲａは、０．０２～０．８μｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体加工用シート。
  3. 　前記剥離フィルムは、当該剥離フィルムの第１の面側および第２の面側のそれぞれに剥離剤層を備えることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体加工用シート。
  4. 　前記半導体貼付層は、粘着剤層であることを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体加工用シート。
  5. 　前記半導体貼付層は、接着剤層であることを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体加工用シート。
  6. 　前記半導体貼付層は、保護膜形成層であることを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体加工用シート。
  7. 　前記半導体貼付層は、粘着剤層と、前記粘着剤層および前記剥離フィルムの間に位置する接着剤層とから構成されることを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体加工用シート。
  8. 　前記半導体貼付層は、粘着剤層と、前記粘着剤層および前記剥離フィルムの間に位置する保護膜形成層とから構成されることを特徴とする請求項１～３のいずれか一項に記載の半導体加工用シート。
  9. 　前記半導体加工用シートは、長尺の前記剥離フィルムに、平面視にて前記剥離フィルムとは異なる形状を有する、前記基材および前記半導体貼付層を含む積層体が積層されてなることを特徴とする請求項１～８のいずれか一項に記載の半導体加工用シート。
  10. 　第１の面および前記第１の面とは反対側に位置する第２の面を有する基材と、前記基材における第２の面側に積層され、前記基材に近位な側に第１の面を有し、前記基材に遠位な側に第２の面を有する半導体貼付層と、前記半導体貼付層における第２の面側に積層され、前記半導体貼付層に近位な側に第１の面を有し、前記半導体貼付層に遠位な側に第２の面を有する治具用粘着剤層と、少なくとも前記治具用粘着剤層における第２の面側に積層され、前記治具用粘着剤層に近位な側に第１の面を有し、前記治具用粘着剤層に遠位な側に第２の面を有する剥離フィルムとを少なくとも備える半導体加工用シートであって、
    　前記基材の第１の面における算術平均粗さＲａが、０．０１～０．８μｍであり、
    　前記基材の第１の面と前記剥離フィルムの第２の面とを積層して４０℃で３日間保管した後における、前記基材の第１の面と前記剥離フィルムの第２の面との界面での剥離力をαとし、前記治具用粘着剤層の第２の面と前記剥離フィルムの第１の面とを貼付して４０℃で３日間保管した後における、前記治具用粘着剤層の第２の面と前記剥離フィルムの第１の面との界面での剥離力をβとしたとき、βに対するαの比の値（α／β）が、０以上、１．０未満であり、
    　前記剥離力βが、１０～１０００ｍＮ／５０ｍｍである
    ことを特徴とする半導体加工用シート。
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