WO2016072593A1 - 유기 광전자 소자용 화합물, 이를 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시장치 - Google Patents

유기 광전자 소자용 화합물, 이를 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시장치 Download PDF

Info

Publication number
WO2016072593A1
WO2016072593A1 PCT/KR2015/008245 KR2015008245W WO2016072593A1 WO 2016072593 A1 WO2016072593 A1 WO 2016072593A1 KR 2015008245 W KR2015008245 W KR 2015008245W WO 2016072593 A1 WO2016072593 A1 WO 2016072593A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
group
substituted
unsubstituted
groups
compound
Prior art date
Application number
PCT/KR2015/008245
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
이승재
강동민
유은선
이상신
정성현
정호국
한수진
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to CN201580060070.9A priority Critical patent/CN107075365B/zh
Priority to US15/516,757 priority patent/US10276804B2/en
Publication of WO2016072593A1 publication Critical patent/WO2016072593A1/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D209/56—Ring systems containing three or more rings
    • C07D209/80—[b, c]- or [b, d]-condensed
    • C07D209/82—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles
    • C07D209/86—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached to carbon atoms of the ring system
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D209/00—Heterocyclic compounds containing five-membered rings, condensed with other rings, with one nitrogen atom as the only ring hetero atom
    • C07D209/56—Ring systems containing three or more rings
    • C07D209/80—[b, c]- or [b, d]-condensed
    • C07D209/82—Carbazoles; Hydrogenated carbazoles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D403/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00
    • C07D403/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing two hetero rings
    • C07D403/10—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, having nitrogen atoms as the only ring hetero atoms, not provided for by group C07D401/00 containing two hetero rings linked by a carbon chain containing aromatic rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/20—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the material in which the electroluminescent material is embedded
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/654—Aromatic compounds comprising a hetero atom comprising only nitrogen as heteroatom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H10K85/6572—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ring system, e.g. phenanthroline or carbazole
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K2211/00—Chemical nature of organic luminescent or tenebrescent compounds
    • C09K2211/10—Non-macromolecular compounds
    • C09K2211/1018—Heterocyclic compounds
    • C09K2211/1025—Heterocyclic compounds characterised by ligands
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/10—Triplet emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2101/00—Properties of the organic materials covered by group H10K85/00
    • H10K2101/30—Highest occupied molecular orbital [HOMO], lowest unoccupied molecular orbital [LUMO] or Fermi energy values
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/341—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes
    • H10K85/342—Transition metal complexes, e.g. Ru(II)polypyridine complexes comprising iridium
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/633—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising polycyclic condensed aromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
    • H10K85/636—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine comprising heteroaromatic hydrocarbons as substituents on the nitrogen atom
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917—Electroluminescent

Definitions

  • a compound for an organic optoelectronic device, an organic optoelectronic device, and a display device is provided.
  • Organic optoelectronic devices are devices that can switch electrical energy and light energy.
  • the valuable optoelectronic device can be classified into two types according to the operation principle.
  • One is an optoelectronic device in which excitons formed by light energy are separated into electrons and holes, and the electrons and holes are transferred to other electrodes, respectively, to generate electric energy.
  • It is a light emitting device that generates light energy from energy.
  • Examples of the organic optoelectronic device may be an organic photoelectric device, an organic light emitting device, an organic solar cell and an organic photo conductor drum.
  • the organic light emitting device converts electrical energy into light by applying a current to the organic light emitting material, and has a structure in which an organic layer is inserted between an anode and a cathode.
  • the organic layer may include a light emitting layer and an optional auxiliary layer, and the auxiliary layer may include, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, an electron blocking layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and the like to increase the efficiency and stability of the organic light emitting device. It may comprise at least one layer selected from the hole blocking layer.
  • the performance of the organic light emitting device is greatly influenced by the characteristics of the organic filler, and in particular, is affected by the organic material included in the organic layer.
  • One embodiment provides a compound for an organic optoelectronic device capable of implementing high efficiency and long life organic optoelectronic devices.
  • Another embodiment provides an organic optoelectronic device including the compound for an organic optoelectronic device.
  • Another embodiment provides a display device including the organic optoelectronic device.
  • R 1 and R 2 are each independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, substituted or unsubstituted C6 to C30 arylamine group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy group, substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group, halogen group, halogen containing group, cyan No group, hydroxyl group, amino group, nitro group, carboxyl group, ferrocenyl group, or a combination of these ⁇ ",
  • R 1 and R 2 is at least one of a carbazole group, except for containing a ring nitrogen, substituted or unsubstituted C2 to C30 haete logo Rigi, "
  • L 1 and L 2 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkylene group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted A substituted C2 to C30 heteroarylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynylene group, or a combination thereof,
  • substituted means that at least one hydrogen is deuterium, a halogen group, a hydroxy group, Amino group, CI to C30 amine group, nitro group, C1 to C40 silyl group, C1 to C30 alkyl group : C3 to C30 cycloalkyl group, C2 to C30 heterocycloalkyl group, C6 to C30 aryl group, C2 to C30 heteroaryl group, C1 to C30 C20 alkoxy group, C1 to C10
  • an anode and a cathode facing each other, and at least one organic layer positioned between the anode and the cathode, the organic layer, the organic layer containing the compound for an organic optoelectronic device described above Provided is an optoelectronic device.
  • a display device including the organic optoelectronic device described above is provided.
  • FIG. 1 and 2 are cross-sectional views illustrating various embodiments of an organic light emitting diode according to an embodiment of the present invention.
  • organic light emitting element 200 organic light emitting element
  • substituted means that at least one hydrogen in a substituent or compound is a deuterium, halogen group, hydroxy group, amino group, substituted or unsubstituted C1 to C30 amine group, nitro group, substituted or unsubstituted C1 to C40 silyl group, C1 to C30 alkyl group, C1 to C10 alkylsilyl group, C3 to C30 cycloalkyl group, C3 to C30 It means substituted by C1 to C10 trifluoroalkyl group or cyano group such as heterocycloalkyl group, C6 to C30 aryl group, C6 to C30 heteroaryl group, C1 to C20 alkoxy group, trifluoromethyl group.
  • hetero means one to three hetero atoms selected from the group consisting of ⁇ , ⁇ , S, P, and Si in one functional group, and the remainder is carbon unless otherwise defined.
  • an "alkyl group” means an aliphatic hydrocarbon group.
  • the alkyl group may be a "saturated alkyl group” that does not contain any double or triple bonds.
  • the alkyl group may be an alkyl group of C1 to C20. More specifically, the alkyl group
  • a C1 to C4 alkyl group means that the alkyl chain contains 1 to 4 carbon atoms, and methyl, ethyl, propyl, iso-propyl, ⁇ -butyl, iso-butyl, sec -butyl and t-butyl Selected from the group consisting of
  • alkyl group examples include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, butyl group, isobutyl group, t-butyl group, pentyl group, nucleosil group, cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group and cyclonucleus It means a practical skill.
  • an "aryl group” refers to a substituent in which all elements of a cyclic substituent have a p-orbital, and these P-orbitals form a conjugate, and are monocyclic or fused ring polishes. It includes a click (ie, a ring that divides adjacent pairs of carbon atoms) functional groups.
  • a “heterocyclic group” refers to a hetero atom selected from the group consisting of N, 0, S, P, and Si in a ring compound such as an aryl group, a cycloalkyl group, a fused ring thereof, or a combination thereof. Containing at least one, and the rest being carbon.
  • the heterocyclic group may include one or more heteroatoms for every ring or each ring.
  • the heterocyclic group is a higher concept encompassing the heteroaryl group.
  • a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group and / or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group is a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, a substituted or unsubstituted anthra Senyl, substituted or unsubstituted Phenanthryl groups, substituted or unsubstituted naphthacenyl groups, substituted or unsubstituted pyrenyl groups, substituted or unsubstituted biphenyl groups, substituted or unsubstituted P-terphenyl groups, substituted or unsubstituted m-terphenyl groups, substituted Or unsubstituted chrysenyl group, substituted or unsubstituted
  • Triphenylenyl group substituted or unsubstituted perylenyl group, substituted or unsubstituted indenyl group, substituted or unsubstituted furanyl group, substituted or unsubstituted thiophenyl group, substituted or unsubstituted pyryl group, substituted or unsubstituted A substituted pyrazolyl group, a substituted or unsubstituted imidazolyl group, a substituted or unsubstituted triazolyl group, a substituted or unsubstituted thioxazolyl group, a substituted or unsubstituted thiazolyl group, a substituted or unsubstituted oxadiazoleyl group , Substituted or unsubstituted
  • Thiadiazolyl group substituted or unsubstituted pyridinyl group, substituted or unsubstituted pyrimidinyl group substituted or unsubstituted pyrazinyl group, substituted or unsubstituted triazinyl group, substituted or unsubstituted benzofuranyl group, substituted Or unsubstituted benchothiophenyl group, substituted or unsubstituted benzimidazolyl group, substituted or unsubstituted indolyl group, substituted or unsubstituted quinolinyl group, substituted or unsubstituted isoquinolinyl group, substituted or unsubstituted A quinazolinyl group, a substituted or unsubstituted quinoxalinyl group, a substituted or unsubstituted naphthyridinyl group, a substituted or unsubstituted benzoxazinyl group,
  • a substituted or unsubstituted nitrogen-containing C2 to C30 heterocyclic group except for a carbazolyl group is a substituted or unsubstituted imidazolyl group, a substituted or unsubstituted triazolyl group, a substituted or unsubstituted tetrazolyl group , Substituted or unsubstituted
  • Oxadiazolyl group substituted or unsubstituted oxtriazolyl group, substituted or unsubstituted thiatriazolyl group, substituted or unsubstituted benzimidazolyl group, substituted or unsubstituted benzotriazolyl group, substituted or unsubstituted Substituted pyridinyl groups, substituted or unsubstituted
  • Pyrimidinyl groups substituted or unsubstituted triazinyl groups, substituted or unsubstituted pyrazinyl groups, substituted or unsubstituted pyridazinyl groups, substituted or unsubstituted purinyl groups, substituted or unsubstituted quinolinyl groups, substituted Or an unsubstituted isoquinolinyl group, a substituted or unsubstituted phthalazinyl group, a substituted or unsubstituted naphpyridinyl group, a substituted or unsubstituted It may be a quinoxalinyl group, a substituted or unsubstituted quinazolinyl group, a substituted or unsubstituted acridinyl group, a substituted or unsubstituted phenanthlinyl group, a substituted or unsubstituted phenazinyl group, or a
  • a single bond refers to a bond directly connected without passing through carbon or a hetero atom other than carbon
  • L means a single bond means that a substituent linked to L is directly connected to the core core. do. That is, in the present specification, a single bond refers to methylene or the like via carbon.
  • the hole characteristic refers to a characteristic capable of forming holes by donating electrons when an electric field is applied, and injecting holes formed at the anode into the light emitting layer having conductive properties along the HOMO level, and emitting layer. It refers to a property that facilitates the movement of the hole formed in the anode and movement in the light emitting layer.
  • the electron characteristic refers to a characteristic that can receive electrons when an electric field is applied, and has a conductivity characteristic along the LUMO level, and injects electrons formed in the cathode into the light emitting layer, moves electrons formed in the light emitting layer to the cathode, and It means a property that facilitates movement.
  • a compound according to one embodiment is described.
  • a compound represented by the following Formula 1 may be provided.
  • R 1 and R 2 are each independently hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 To C30 aryl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, substituted or unsubstituted C6 to C30 arylamine group, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkoxy group, substituted or unsubstituted C3 to C40 silyl group , Halogen group, halogen-containing group, cyano group, hydroxyl group, amino group, nitro group, carboxyl group, ferrocenyl group, or a combination thereof, at least one of R 1 and R 2 is substituted or unsubstituted except carbazolyl group Nitrogen-containing C2 to C30 heterocyclic group,
  • L 1 and L 2 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkylene group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted
  • substituted means that at least one hydrogen is deuterium, halogen group, hydroxy group, amino group, C1 to C30 amine group, nitro group, C1 to C40 silyl group, C1 to C30 alkyl group : C3 to C30 cycloalkyl group, C2 to C30 hetero Cycloalkyl group, C6 to C30 aryl group, C2 to C30 heteroaryl group, C1 to C20 alkoxy group, C1 to C10
  • the compound for the organic optoelectronic device represented by Chemical Formula 1 has four phenyl groups connected to a carbazole core to increase its molecular weight, decomposition of the compound may be suppressed during deposition due to high glass transition temperature.
  • the glass transition temperature is increased, the decomposition of the compound can be suppressed in the deposition process, but the increase in molecular weight also increases the deposition degree, which was a disadvantage in terms of process stability.
  • the compound for an organic optoelectronic device represented by the formula (1) of the present invention has a three-dimensional form by forming the four phenyl group spherical similar structure, it is possible to obtain the effect of lowering the deposition temperature.
  • the organic optoelectronic device to which the compound for an organic optoelectronic device according to the exemplary embodiment of the present invention is applied may obtain advantages of high efficiency and long life.
  • Formula 1 may be represented by any one of the following formulas I -a, I -b, and I -c according to the bonding position of the substituent.
  • R 1 , R 2 , L 1 , and L 2 are as described above.
  • R 1 and R 2 are each independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocyclic group, substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl Amine groups, or a combination thereof.
  • L 1 and L 2 may be each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroarylene group. More specific examples of the R 1 and R 2 , hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted phenyl group, substituted or unsubstituted biphenyl group, substituted or unsubstituted terphenyl group, substituted or unsubstituted quarterphenyl group, substituted or unsubstituted Substituted naphthyl groups, substituted or unsubstituted
  • Anthracenyl group substituted or unsubstituted phenanthrenyl group, substituted or unsubstituted
  • Imidazolyl group substituted or unsubstituted triazolyl group, substituted or unsubstituted tetrazolyl group : substituted or unsubstituted oxadiazolyl group, substituted or unsubstituted oxatriazolyl group, substituted or unsubstituted thiaart Riazolyl group, substituted or unsubstituted benzimidazolyl group, substituted or unsubstituted benzotriazolyl group, substituted or unsubstituted pyridinyl group, substituted or unsubstituted pyrimidinyl group, substituted or unsubstituted triazinyl Groups, substituted or unsubstituted pyrazinyl groups, substituted or unsubstituted pyridazinyl groups, substituted or unsubstituted purinyl groups, substituted or unsubstituted quinolinyl groups, substituted or unsub
  • Unsubstituted phthalazinyl group substituted or unsubstituted naphpyridinyl group, substituted or unsubstituted Quinoxalinyl group, substituted or unsubstituted quinazolinyl group, substituted or unsubstituted acridinyl group, substituted or unsubstituted azaphenanthrenyl group, substituted or unsubstituted phenanthrenelinyl group, substituted or unsubstituted phenazinyl
  • the group can be mentioned.
  • Heterocyclic group refers to a characteristic that can receive electrons when an electric field is applied, and has a conducting property along the LUMO level, and injects electrons formed in the cathode into the light emitting layer, moves the electrons formed in the light emitting layer to the cathode, and moves in the light emitting layer.
  • substituent having a property that facilitates the use of for example, a substituted or unsubstituted imidazolyl group, a substituted or unsubstituted triazolyl group, a substituted or unsubstituted tetrazolyl group, a substituted or unsubstituted oxadiazolyl Groups, substituted or unsubstituted oxatriazolyl groups, substituted or unsubstituted cythiazolyl groups, substituted or unsubstituted benzimidazolyl groups, substituted or unsubstituted benzotriazolyl groups, substituted or unsubstituted pyrides Diyl group, substituted or unsubstituted pyrimidinyl group, substituted or unsubstituted triazinyl group, substituted or unsubstituted pyrazinyl group, substituted or Unsubstituted pyridazinyl group, substituted
  • It may be a phenanthlinyl group, a substituted or unsubstituted phenazinyl group, or a combination thereof.
  • Z are each independently N or CR a , at least one of ⁇ is ⁇ ,
  • W is NR b , O, S, SO, S0 2 , CR c R d , or SiR e R f ,
  • R a to R f are each independently hydrogen, deuterium, substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, substituted or unsubstituted C3 to C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted A substituted C6 to C30 aryl group, or a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl group,
  • Substituted means that at least one hydrogen is deuterium, halogen, hydroxyl group, amino group, C1 to C30 amine group, nitro group, C1 to C40 silyl group, C1 to C30 alkyl group, C3 to C30 cycloalkyl group, C2 to C30 heterocyclo An alkyl group, a C6 to C30 aryl group, a C2 to C30 heteroaryl group, a C1 to C20 alkoxy group, a C1 to C10 trifluoroalkyl group, or a cyano group,
  • connection point Is a connection point and may be located at any one of the elements forming the functional group.
  • Substituted or unsubstituted groups listed in Group I may be represented by any one of the groups listed in Group 1-1, for example.
  • L 1 and L 2 is specifically a single bond, substituted or unsubstituted phenylene group substituted or unsubstituted biphenylene group, .substituted or unsubstituted naphthyl group, substituted or unsubstituted pyridinyl group, substituted or Unsubstituted pyrimidyl groups, substituted or unsubstituted triazinyl groups, substituted or unsubstituted phenylquinazolin groups, or combinations thereof. For example, it may be selected from substituted or unsubstituted groups listed in group II below.
  • substituted means that at least one hydrogen is deuterium, halogen group, hydroxy group, amino group, C1 to C30 amine group, nitro group, C1 to C40 silyl group, C1 to C30 alkyl group C3 to C30 cycloalkyl group, C2 to C30 heterocyclo Alkyl group, C6 to C30 aryl group, C2 to C30 heteroaryl group, C1 to C20 alkoxy group, C1 to C10
  • the compound for an organic optoelectronic device is a substituted or unsubstituted nitrogen-containing C2 to C30 except R 1 or R 2 in Formula 1 is carbazolyl group It shows ET (electron transport) property as a heterocyclic group, and the remaining R 1 or R 2 is a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted dibenzofuranyl group, or a substituted or unsubstituted dibenzoti. It may be selected from the openyl group may exhibit the HT (hole transport) characteristics.
  • any one of R 1 and R 2 of Formula 1 is a substituted or unsubstituted imidazolyl group, substituted or unsubstituted as a substituted or unsubstituted nitrogen-containing C2 to C30 heterocyclic group except for a carbazolyl group Substituted triazolyl group, substituted or unsubstituted tetrazolyl group, substituted or unsubstituted oxadiazolyl group, substituted or unsubstituted
  • a quinoxalinyl group a substituted or unsubstituted quinazolinyl group, a substituted or unsubstituted acridinyl group, a substituted or unsubstituted phenanthlinyl group, a substituted or unsubstituted phenazinyl group;
  • the remaining R 1 or R 2 is hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted biphenyl group, a substituted or unsubstituted terphenyl group, a substituted or unsubstituted quarterphenyl group, a substituted or unsubstituted naphthyl group, Substituted or unsubstituted anthracenyl group, substituted or unsubstituted phenanthrenyl group, substituted or unsubstituted pyrenyl group, substituted or unsubstituted triphen
  • the remaining R 1 or R 2 is hydrogen, deuterium, a substituted or unsubstituted phenyl group, a substituted or unsubstituted Biphenyl group, substituted or unsubstituted terphenyl group, substituted or unsubstituted quarterphenyl group, substituted or unsubstituted naphthyl group, substituted or unsubstituted dibenzothiophenyl
  • the compound represented by Chemical Formula 1 may be, for example, a compound listed below, but is not limited thereto.
  • the organic layer may include a light emitting layer, and the light emitting layer may include the compound for an organic optoelectronic device of the present invention.
  • the compound for an organic optoelectronic device may be included as a host of the light emitting layer.
  • the organic layer includes at least one auxiliary layer selected from a hole injection layer, a hole transport layer, a hole transport auxiliary layer, an electron transport auxiliary layer, an electron transport layer, and an electron injection layer, the auxiliary layer
  • the layer may be an organic optoelectronic device including the compound for an organic optoelectronic device.
  • the organic optoelectronic device is not particularly limited as long as it is a device capable of converting electrical energy and light energy, and examples thereof include an organic photoelectric device, an organic light emitting device, an organic solar cell, and an organic photosensitive drum.
  • an organic light emitting diode 100 includes an anode 120 and a cathode 1 10 facing each other, and an organic layer 105 positioned between the anode 120 and the cathode 110. It includes.
  • the anode 120 may be made of a high work function conductor, for example, to facilitate hole injection, and may be made of metal, metal oxide and / or conductive polymer, for example.
  • the anode 120 is, for example, a metal such as nickel, platinum, vanadium, chromium, copper, zinc, gold or an alloy thereof; Zinc oxide, indium oxide, indium tin oxide (ITO),
  • Metal oxides such as indium zinc oxide (IZO); Combinations of oxides with metals such as ZnO and A1 or Sn0 2 and Sb; Conductive polymers such as poly (3-methylthiophene), poly (3,4- (ethylene-1,2-dioxy) thiophene) (polyehtylenedioxythiophene: PEDT), polypyrrole and polyaniline, and the like. It is not limited.
  • the cathode 1 10 may be made of a low work function conductor, for example, to facilitate electron injection, and may be made of metal, metal oxide and / or conductive polymer, for example.
  • Cathode 110 is, for example magnesium, calcium, sodium, potassium, titanium, indium, yttrium, lithium, gadolinium, aluminum, silver, tin, lead, or metal alloys thereof, such as i, cesium, barium; Multilayer structural materials such as LiF / Al, Li0 2 / Al, LiF / Ca, LiF / Al, and BaF 2 / Ca.
  • the present invention is not limited thereto.
  • the organic layer 105 includes a light emitting layer 130 including the compound for an organic optoelectronic device described above.
  • the light emitting layer 130 may include, for example, the above-described compound for an organic optoelectronic device alone, may include at least two kinds of the above-described compound for an organic optoelectronic device, and may include a compound different from the aforementioned compound for organic optoelectronic ordering. It may be included in combination.
  • the above-mentioned compound for organic optoelectronic devices is mixed with other compounds, for example, it may be included in the form of a host and a dopant, and the above-described compound for organic optoelectronic devices may be included as a host.
  • the host can be, for example, a phosphorescent host or a fluorescent host, for example a phosphorescent host.
  • the dopant may be an inorganic, organic, or inorganic compound, and may be selected from known dopants.
  • the organic light emitting diode 200 further includes a hole auxiliary layer 140 in addition to the light emitting layer 230.
  • the hole auxiliary insect 140 may further increase hole injection and / or hole mobility between the anode 120 and the light emitting layer 230 and block electrons.
  • the hole auxiliary layer 140 may be, for example, a hole transport layer, a hole injection layer, and / or an electron blocking layer, and may include at least one layer.
  • the organic layer 105 of FIG. 1 or 2 may further include an electron injection layer, an electron transport layer, an auxiliary electron transport layer, a hole transport layer, an auxiliary hole transport layer, a hole injection layer, or a combination thereof.
  • the compound for an organic optoelectronic device of the present invention may be included in these organic layers.
  • the organic light emitting diodes 100 and 200 are formed with an anode or a cathode on a substrate, followed by evaporation, sputtering, plasma plating, and the like.
  • Dry film formation methods such as ion plating; Or spin coating, dipping,
  • the organic layer may be formed by a wet film method such as a flow coating method, and then formed by forming a cathode or an anode thereon.
  • the organic light emitting diode described above may be applied to an organic light emitting diode display.
  • intermediate L-7 30Og (83.51mmol), l-bromo-4-iodebenzene 28.35g (100.2 lmmol), potassium carbonate 23.08g (167.02rmnol), Pd (PPh 3 ) 4 (Tetrakis (trip enylphosphine) palladium ( 0)) 4.83 g (4.18 mmol) was added to 350 mL of tetrahydrofuran and 100 mL of water, and heated to reflux for 10 hours under a nitrogen stream. The mixture obtained therefrom was added to 1500 mL of mesotubes to filter the crystallized solid, and then dichloromethane was dissolved. Filtration with silica gel / celite, removal of an appropriate amount of an organic solvent, and recrystallization with methanol yielded compound L-8 (37.3 g 83% yield).
  • Comparative Example 1 has a HOMO level. It is satisfactory, but the LUMO level is not satisfactory, and the hole and the electronic balance are not expected to match. (Production of organic light emitting device)
  • the anode is cut into a ⁇ glass substrate having a sheet resistance value of 15 ⁇ / ⁇ 2 to a size of 50 mm X 50 mm X 0.7 mm in acetone, isopropyl alcohol and pure water After ultrasonic cleaning for 15 minutes each, UV ozone cleaning was used for 30 minutes.
  • the following HTM compound was vacuum deposited on the ITO substrate to form a hole injection layer having a thickness of 1200 A.
  • BAlq (Bis (2-methyl-8-quinolinolato-Nl, 08)-(l, r-Biphenyl-4-olato) aluminum] 50
  • Alq3 (Tris (8-hydroxyquinolinato) aluminum] 250 were disposed on the emission layer.
  • An organic light emitting device was manufactured by sequentially depositing LiF 5 A and A1 1000 A on the electron transporting charge to form a cathode.
  • An organic photoelectric device was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1, except that Compound (A-4) prepared in Example 1 was used instead of CBP as a light emitting layer.
  • An organic photoelectric device was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1, except that Compound (A-7) prepared in Example 3 was used instead of CBP as a light emitting layer.
  • An organic photoelectric device was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1, except that the compound (A-12) prepared in Example 4 was used instead of CBP as the emission layer.
  • An organic photoelectric device was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1, except that Compound (A-14) prepared in Example 5 was used instead of CBP as a light emitting layer.
  • An organic photoelectric device was manufactured in the same manner as in Comparative Example 1, except that Compound (A-13) prepared in Example 5 was used instead of CBP as a light emitting layer.
  • the resulting organic light emitting device was measured using a luminance meter (Minolta Cs-1000 A) while increasing the voltage from 0V to 10V to obtain a result.
  • the current efficiency (cd / A) of the same current density (10 mA / cm 2 ) was calculated using the luminance, current density and voltage measured from (1) and (2).

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

화학식 1로 표시되는 유기 광전자 소자용 화합물, 이를 포함하는 소자 및 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시장치에 관한 것이다. (화학식 1에 대한 상세 내용은 명세서에 기재한 바와 같다.)

Description

【명세서】
【발명의 명칭】
유기 광전자소자용 화합물, 이를 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시장치 【기술분야】
유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시장치에 관한 것이다.
【배경기술】
유기 광전자 소자 (organic optoelectronic device)는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할 수 있는 소자이다.
유가광전자 소자는 동작 원리에 따라 크게 두 가지로 나눌 수 있다. 하나는 광 에너지에 의해 형성된 엑시톤 (exciton)이 전자와 정공으로 분리되고 상기 전자와 정공이 각각 다른 전극으로 전달되면서 전기 에너지를 발생하는 광전 소자이고， 다른 하나는 전극에 전압 또는 전류를 공급하여 전기 에너지로부터 광 에너지를 발생하는 발광 소자이다.
유기 광전자 소자의 예로는 유기 광전 소자, 유기 발광 소자, 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 (organic photo conductor drum) 등을 들 수 있다.
이 중， 유기 발광 소자 (organic light emitting diode, OLED)는 근래 평판 표시 장치 (flat panel display device)의 수요 증가에 따라 크게 주목받고 있다. 상기 유기 발광 소자는 유기 발광 재료에 전류를 가하여 전기 에너지를 빛으로 전환시키는 소자로서, 통상 양극 (anode)과 음극 (cathode) 사이에 유기 층이 삽입된 구조로 이루어져 았다. 여기서 유기 층은 발광층과 선택적으로 보조층을 포함할 수 있으며 상기 보조층은 예컨대 유기발광소자의 효율과 안정성을 높이기 위한 정공 주입 층, 정공 수송 층, 전자 차단 층, 전자 수송 층, 전자 주입 층 및 정공 차단 층에서 선택된 적어도 1층을 포함할 수 있다.
유기 발광 소자의 성능은 상기 유기 충의 특성에 의해 영향을 많이 받으며, 그 중에서도 상기 유기 층에 포함된 유기 재료에 의해 영향을 많이 받는다.
특히 상기 유기 발광 소자가 대형 평판 표시 장치에 적용되기 위해서는 정공 및 전자의 이동성을 높이는 동시에 전기화학적 안정성을 높일 수 있는 유기 재료의 개발이 필요하다.
【발명의 상세한 설명】
【기술적 과제】 일 구현예는 고효율 및 장수명 유기 광전자 소자를 구현할 수 있는 유기 광전자 소자용 화합물을 제공한다.
다른 구현예는 상기 유기 광전자 소자용 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자를 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 유기 광전자 소자를 포함하는 표시 장치를 제공한다.
【기술적 해결방법】
본 발명의 일 구현예에서는， 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공한다. [화학식 1]
Figure imgf000003_0001
상기 화학식 1에서，
R1 및 R2는 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30사이클로알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기， 할로겐기, 할로겐 함유기, 시아노기, 히드록실기， 아미노기, 니트로기, 카르복실기, 페로세닐기, 또는 이 ί "의 조합이고,
R1 및 R2 중 적어도 하나는 카바졸일기를 제외한 치환 또는 비치환된 질소 함유 C2 내지 C30 해테로고리기이고， '
L1 및 L2는 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐렌기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐렌기, 또는 이들의 조합이고,
여기서 "치환"이란, 적어도 하나의 수소가 중수소， 할로겐기， 히드록시기， 아미노기, CI 내지 C30 아민기， 니트로기, C1 내지 C40 실릴기， C1 내지 C30 알킬기 : C3 내지 C30 시클로알킬기， C2 내지 C30 헤테로시클로알킬기， C6 내지 C30 아릴기， C2 내지 C30 헤테로아릴기， C1 내지 C20 알콕시기, C1 내지 C10
트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다.
본 발명의 다른 일 구현예에서는, 서로 마주하는 양극과 음극, 및 상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 적어도 한 층의 유기층을 포함하고， 상기 유기층은， 전술한 유기 광전자 소자용 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자를 제공한다.
본 발명의 또 다른 일 구현예에서는, 전술한 유기 광전자 소자를 포함하는 표시장치를 제공한다.
【발명의 효과】
고효율 · 장수명 유기 광전자 소자를 구현할 수 있다.
【도면의 간단한 설명】
도 1 및 도 2는 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 발광 소자에 대한 다양한 구현예들을 나타내는 단면도이다.
<부호의 설명 >
100: 유기 발광 소자 200: 유기 발광 소자
105: 유기층
1 10: 음극
120: 양극
130: 발광층 230: 발광충
140: 정공 보조층
【발명의 실시를 위한 최선의 형태】
이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다.
본 명세서에서 "치환 "이란 별도의 정의가 없는 한, 치환기 또는 화합물 중의 적어도 하나의 수소가 중수소， 할로겐기, 히드록시기, 아미노기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 아민기, 니트로기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C40실릴기, C1 내지 C30 알킬기， C1 내지 C10 알킬실릴기， C3 내지 C30 시클로알킬기， C3 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기， C6 내지 C30 헤테로아릴기， C1 내지 C20 알콕시기， 트리플루오로메틸기 등의 C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다.
본 명세서에서 "헤테로"란 별도의 정의가 없는 한, 하나의 작용기 내에 Ν, Ο, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유하고， 나머지는 탄소인 것을 의미한다.
본 명세서에서 "알킬 (alkyl)기"란 별도의 정의가 없는 한, 지방족 탄화수소기를 의미한다. 알킬기는 어떠한 이중결합이나 삼중결합을 포함하고 있지 않은 "포화 알킬 (saturated alkyl)기 "일 수 있다.
상기 알킬기는 C1 내지 C20인 알킬기일 수 있다. 보다 구체적으로 알킬기는
C1 내지 C 10 알킬기 또는 C1 내지 C6 알킬기일 수도 있다. 예를 들어， C1 내지 C4 알킬기는 알킬쇄에 1 내지 4 개의 탄소원자가 포함되는 것을 의미하며, 메틸, 에틸, 프로필， 이소-프로필 , η-부틸， 이소-부틸， sec-부틸 및 t-부틸로 이루어진 군에서 선택됨을 나타낸다ᅳ
상기 알킬기는 구체적인 예를 들어 메틸기， 에틸기， 프로필기， 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기， t-부틸기， 펜틸기， 핵실기, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기， 시클로핵실기 등을 의미한다.
본 명세서에서 "아릴 (aryl)기"는 환형인 치환기의 모든 원소가 p-오비탈을 가지고 있으며, 이들 P-오비탈이 공액 (conjugation)을 형성하고 있는 치환기를 의미하고， 모노시클릭 또는 융합 고리 폴리시클릭 (즉, 탄소원자들의 인접한 쌍들을 나눠 가지는 고리) 작용기를 포함한다.
본 명세서에서 "헤테로고리기 (heterocyclic group)"는 아릴기, 시클로알킬기, 이들의 융합고리 또는 이들의 조합과 같은 고리 화합물 내에 N, 0, S, P 및 Si로 이루어진 군에서 선택되는 헤테로 원자를 적어도 한 개를 함유하고, 나머지는 탄소인 것을 의미한다. 상기 헤테로고리기가 융합고리인 경우, 상기 해테로고리기 전체 또는 각각의 고리마다 헤테로 원자를 한 개 이상 포함할 수 있다. 따라서, 헤테로고리기는 헤테로아릴기를 포괄하는 상위개념이다.
보다 구체적으로， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및 /또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기는, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기， 치환 또는 비치환된 페난트릴렌기， 치환 또는 비치환된 나프타세닐기, 치환또는 비치환된 피레닐기， 치환또는 비치환된 바이페닐기， 치환 또는 비치환된 P-터페닐기, 치환 또는 비치환된 m-터페닐기, 치환 또는 비치환된 크리세닐기， 치환 또는 비치환된
트리페닐레닐기， 치환 또는 비치환된 페릴레닐기， 치환 또는 비치환된 인데닐기, 치환 또는 비치환된 퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 티오페닐기， 치환 또는 비치환된 피를릴기, 치환 또는 비치환된 피라졸릴기, 치환 또는 비치환된 이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 트리아졸일기， 치환 또는 비치환돤옥사졸일기， 치환 또는 비치환된 티아졸일기， 치환 또는 비치환된 옥사디아졸일기, 치환 또는 비치환된
티아디아졸일기， 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기 치환또는 비치환된 피라지닐기， 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 벤조퓨라닐기, 치환 또는 비치환된 벤쵸티오페닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸일기, 치환 또는 비치환된 인돌일기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기， 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기， 치환 또는 비치환된 나프티리디닐기, 치환 또는 비치환된 벤즈옥사진일기， 치환또는 비치환된 벤즈티아진일기, 치환 또는 비치환된
아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페나진일기, 치환 또는 비치환된 페노티아진일기: 치환 또는 비치환된 페녹사진일기， 치환 또는 비치환된 플루오레닐기, 치환 또는 비치환된 카바졸일기， 치환 또는 비치환된 디벤조퓨라닐기, 치환또는 비치환된 디벤조티오페닐기， 이들의 조합 또는 이들의 조합이 융합된 형태일 수 있으나， 이에 제한되지는 않는다.
본 명세서에서, 카바졸일기를 제외한 치환 또는 비치환된 질소 함유 C2 내지 C30 헤테로고리기는, 치환 또는 비치환된 이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 테트라졸릴기, 치환 또는 비치환된
옥사다이아졸릴기， 치환 또는 비치환된 옥사트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 싸이아트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸릴기， 치환또는 비치환된 벤조트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된
피리미디닐기， 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 피리다지닐기， 치환 또는 비치환된 퓨리닐기， 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기， 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기， 치환 또는 비치환된 프탈라지닐기, 치환또는 비치환된 나프피리디닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기， 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페난트를리닐기, 치환 또는 비치환된 페나지닐기 또는 이들의 조합일 수 있다.
본 명세서에서, 단일 결합이란 탄소 또는 탄소 이외의 헤테로 원자를 경유하지 않고 직접 연결되는 결합을 의미하는 것으로， 구체적으로 L이 단일 결합이라는 의미는 L과 연결되는 치환기가 증심 코어에 직접 연결되는 것을 의미한다. 즉, 본 명세서에서 단일 결합이란 탄소를 경유하는 메틸렌 등을
의미하는 것아 아니다.
본 명세서에서, 정공 특성이란, 전기장 (electric field)을 가했을 때 전자를 공여하여 정공을 형성할 수 있는 특성을 말하는 것으로， HOMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 양극에서 형성된 정공의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 정공의 양극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다.
또한 전자 특성이란, 전기장을 가했을 때 전자를 받을 수 있는 특성을 말하는 것으로, LUMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 음극에서 형성된 전자의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 전자의 음극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 의미한다. 이하 일 구현예에 따른 화합물을 설명한다.
본 발명의 일 구현예에서는， 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 제공할 수 있다.
[화학식 1]
Figure imgf000007_0001
상기 화학식 1에서，
R1 및 R2는 각각독립적으로, 수소， 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기, 할로겐기, 할로겐 함유기， 시아노기， 히드록실기, 아미노기, 니트로기， 카르복실기, 페로세닐기, 또는 이들의 조합이고， R1 및 R2 중 적어도 하나는 카바졸일기를 제외한 치환 또는 비치환된 질소 함유 C2 내지 C30 헤테로고리기이고，
L1 및 L2는 각각 독립적으로， 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기 , 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된
C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐렌기, 또는 이들의 조합이고,
여기서 "치환"이란, 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 아미노기, C1 내지 C30 아민기, 니트로기, C1 내지 C40 실릴기， C1 내지 C30 알킬기: C3 내지 C30 시클로알킬기, C2 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기， C2 내지 C30 헤테로아릴기， C1 내지 C20 알콕시기, C1 내지 C10
트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다.
상기 화학식 1로 표시되는 유기 광전자 소자용 화합물은 카바졸 코어에 4개의 페닐기가 연결되어 분자량이 증가하므로, 유리전이온도가 높아 증착 시 화합물의 분해가 억제될 수 있다.
일반적으로 화합물의 분자량이 증가하면， 유리전이온도가 높아져 증착 과정에서 화합물의 분해가 억제될 수 있으나, 분자량의 증가는 증착은도도 함께 증가시키므로, 공정 안정성 측면에서는 불리한 문제점이 았었다.
그러나, 본 발명의 화학식 1로 표시되는 유기 광전자 소자용 화합물은 상기 4개의 페닐기가구형 유사 구조를 형성하여 입체적인 형태를 가짐으로써, 증착 온도도 낮아지는 효과를 얻을 수 있다.
즉， 공정 시 증착온도를 낮춤과 동시에 증착 과정에서의 화합물의
내열안정성이 증가되므로, 본 발명의 일 구현예에 따른 유기 광전자 소자용 화합물을 적용한 유기 광전자 소자는 고효율, 장수명의 장점을 얻을 수 있다.
또한, R1 및 R2 위치에 다양한 치환기를 도입하고, 특히 적어도 하나의 전자 특성을 갖는 치환기를 도입함으로써， 바이폴라 특성을 갖는 화합물로 디자인하여 원하는 효율 및 수명을 갖는 재료로 제조될 수 있다.
상기 화학식 1은 치환기의 결합 위치에 따라 하기 화학식 I -a, I -b, 및 I -c 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
-a] [화학식 l-b] [화학식 1-c]
Figure imgf000009_0001
상기 화학식 I -a, I -b, 및 I -c에서，
R1, R2, L1, 및 L2의 정의는 전술한 바와 같다.
구체적으로, 상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴아민기, 또는 이들의 조합일 수 있다.
또한, L1 및 L2는 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기 , 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기일 수 있다. 상기 R1 및 R2의 더욱 구체적인 예로는， 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된
안트라세닐기 , 치환 또는 비치환된 페난트렌일기 , 치환 또는 비치환된
피렌일기 (pyrenyl), 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된
이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 트리아졸릴기, 치환또는 비치환된 테트라졸릴기 : 치환 또는 비치환된 옥사다이아졸릴기, 치환 또는 비치환된 옥사트리아졸릴기， 치환 또는 비치환된 싸이아트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 벤조트리아졸릴기， 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기， 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 피리다지닐기, 치환 또는 비치환된 퓨리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기， 치환 또는
비치환된 프탈라지닐기， 치환 또는 비치환된 나프피리디닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐기， 치환 또는 비치환된 아자페난트레닐기, 치환 또는 비치환된 페난트를리닐기， 치환 또는 비치환된 페나지닐기를 들 수 있다.
상기 카바졸일기를 제외한 치환또는 비치환된 질소 함유 C2 내지 C30
헤테로고리기는, 전기장을 가했을 때 전자를 받을 수 있는 특성을 말하는 것으로, LUMO 준위를 따라 전도 특성을 가져 음극에서 형성된 전자의 발광층으로의 주입, 발광층에서 형성된 전자의 음극으로의 이동 및 발광층에서의 이동을 용이하게 하는 특성을 갖는 치환기를 의미하는 것으로서, 예컨대 치환 또는 비치환된 이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 테트라졸릴기, 치환 또는 비치환된 옥사다이아졸릴기， 치환 또는 비치환된 옥사트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 싸이아트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸릴기, 치환또는 비치환된 벤조트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 피리다지닐기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기， 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기， 치환 또는 비치환된 프탈라지닐기, 치환 또는 비치환된 나프피리디닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된
퀴나졸리닐기， 치환 또는 비치환된 아크리디닐기， 치환 또는 비치환된
페난트를리닐기， 치환 또는 비치환된 페나지닐기 또는 이들의 조합일 수 있다.
구체적으로, 하기 그룹 I에 나열된 치환 또는 비치환된 기에서 선택될 수 있다.
[그룹 I ]
Figure imgf000010_0001
Figure imgf000011_0001
상기 그룹 I에서，
Z는 각각 독립적으로 N 또는 CRa이고 , Ζ 중 적어도 하나는 Ν이고,
W는 NRb, O, S, SO, S02, CRcRd, 또는 SiReRf이고,
여기서 Ra 내지 Rf는 각각 독립적으로 수소， 중수소， 치환또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로사이클로알킬기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴기이고，
"치환"이란， 적어도 하나의 수소가 중수소， 할로겐기， 히드록시기, 아미노기, C1 내지 C30 아민기, 니트로기， C1 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C3 내지 C30 시클로알킬기, C2 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기， C2 내지 C30 헤테로아릴기, C1 내지 C20 알콕시기, C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미하고,
*는 연결 지점이고 상기 작용기를 이루는 원소들 중 어느 하나에 위치할 수 있다.
상기 그룹 I에 나열된 치환 또는 비치환된 기는 예컨대， 하기 그룹 1 -1에 나열된 기 중 어느 하나로 표시될 수 있다.
Figure imgf000011_0002
Figure imgf000012_0001
상기 그룹 1 -1에서，
*은 연결 지점이다.
또한, 상기 L1 및 L2은 구체적으로 단일결합, 치환 또는 비치환된 페닐렌기 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기, .치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미딜기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 페닐퀴나졸린기， 또는 이들의 조합일 수 있다. 예컨대 하기 그룹 Π에 나열된 치환 또는 비치환된 기에서 선택될 수 있다.
[그룹 Π ]
Figure imgf000012_0002
상기 그룹 Π에서,
*는 연결 지점이다.
여기서 "치환"이란, 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 아미노기, C1 내지 C30 아민기, 니트로기, C1 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기 C3 내지 C30 시클로알킬기, C2 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기， C2 내지 C30 헤테로아릴기, C1 내지 C20 알콕시기, C1 내지 C10
트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다.
본 발명의 일예에서 상기 유기 광전자 소자용 화합물은, 상기 화학식 1의 R1 또는 R2가 카바졸일기를 제외한 치환 또는 비치환된 질소 함유 C2 내지 C30 해테로고리기로서 ET (전자수송) 특성을 나타내고， 나머지 R1 또는 R2는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 또는 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기 중에서 선택된 것으로서 HT (정공수송) 특성을 나타낼 수 있다.
본 발명의 일예에서, 화학식 1의 R1 및 R2 중 어느 하나는 카바졸일기를 제외한 치환 또는 비치환된 질소 함유 C2 내지 C30 헤테로고리기로서 치환 또는 비치환된 이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 트리아졸릴기， 치환또는 비치환된 테트라졸릴기, 치환 또는 비치환된 옥사다이아졸릴기, 치환 또는 비치환된
옥사트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 싸이아트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸릴기， 치환 또는 비치환된 벤조트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기， 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 피리다지닐기， 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 프탈라지닐기, 치환 또는 비치환된 나프피리디닐기, 치환 또는 비치환된
퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기， 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 페난트를리닐기, 치환 또는 비치환된 페나지닐기 중 선택된 하나이고; 나머지 R1 또는 R2 은 수소， 중수소, 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기， 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트렌일기, 치환 또는 비치환된 피렌일기 (pyrenyl), 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기， 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 카바졸기 또는 이들의 조합이며; L1 및 L2는 각각 독립적으로, 단일 결합 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기인 유기 광전자 소자용 화합물일 수 있다.
또한, 본 발명의 일 구현예에서， 화학식 1의 R1 및 R2 중 하나는
카바졸일기를 제외한 치환 또는 비치환된 질소 함유 C2 내지 C30 헤테로고리기로서 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기， 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기 중 선택된 하나이고; 나머지 R1 또는 R2 은 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 페닐기, 치환 또는 비치환된 바이페닐기, 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기， 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기， 치환또는 비치환된 디벤조퓨란일기， 치환 또는 비치환된 카바졸기 또는 이들의 조합이며; L 및 L2는 각각 독립적으로， 단일 결합 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기인 유기 광전자 소자용 화합물일 수 있다.
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 예컨대 하기에 나열된 화합물일 수 있으나， 이에 한정되는 것은 아니다.
-1] [A-2] [A-3] [A-4] [A-5]
Figure imgf000014_0001
-6] [A-7] [A-8] [A-9] [A-10]
Figure imgf000014_0002
-21] [A-22] [A-23] [A-24] [A-25]
Figure imgf000015_0001
이하, 전술한 화합물을 적용한 유기 광전자 소자를 설명한다.
본 발명의 다른 일 구현예에서는, 서로 마주하는 양극과 음극， 및 상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 적어도 한 층의 유기층을 포함하고, 상기 유가층은 전술한 유기 광전자 소자용 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자를 제공한다. 상기 유기층은 발광층을 포함하고, 상기 발광층은 본 발명의 유기 광전자 소자용 화합물을 포함할 수 있다.
구체적으로, 상기 유기 광전자 소자용 화합물은 상기 발광층의 호스트로서 포함될 수 있다.
또한， 본 발명의 일 구현예에서， 상기 유기층은 정공주입층, 정공수송층， 정공수송보조층， 전자수송보조층， 전자수송층， 및 전자주입층에서 선택된 적어도 하나의 보조층을 포함하고, 상기 보조층은 상기 유기 광전자 소자용 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자일 수 있다.
상기 유기 광전자 소자는 전기 에너지와 광 에너지를 상호 전환할 수 있는 소자이면 특별히 한정되지 않으며， 예컨대 유기 광전 소자, 유기 발광 소자， 유기 태양 전지 및 유기 감광체 드럼 등을 들 수 있다.
여기서는 유기 광전자 소자의 일 예인 유기 발광 소자를 도면을 참고하여 설명한다.
도 1 및 도 2는 일 구현예에 따른 유기 발광 소자를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참고하면, 일 구현예에 따른 유기 발광 소자 (100)는 서로 마주하는 양극 (120)과 음극 (1 10), 그리고 양극 (120)과 음극 (110) 사이에 위치하는 유기층 (105)을 포함한다.
양극 (120)은 예컨대 정공 주입이 원활하도록 일 함수가 높은 도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속, 금속 산화물 및 /또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 양극 (120)은 예컨대 니켈, 백금, 바나듐, 크롬, 구리, 아연， 금과 같은 금속 또는 이들의 합금; 아연산화물, 인듐산화물， 인듐주석산화물 (ITO),
인듐아연산화물 (IZO)과 같은 금속 산화물; ZnO와 A1 또는 Sn02와 Sb와 같은 금속과 산화물의 조합; 폴리 (3-메틸티오펜), 폴리 (3,4- (에틸렌 -1 ,2- 디옥시)티오펜 )(polyehtylenedioxythiophene: PEDT), 폴리피를 및 폴리아닐린과 같은 도전성 고분자 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
음극 (1 10)은 예컨대 전자 주입이 원활하도록 일 함수가 낮은 도전체로 만들어질 수 있으며, 예컨대 금속， 금속 산화물 및 /또는 도전성 고분자로 만들어질 수 있다. 음극 (110)은 예컨대 마그네슘, 칼슘， 나트륨, 칼륨， 타이타늄, 인듐， 이트륨， 리튬, 가돌리늄, 알루미늄, 은, 주석, 납, 세슘, 바륨 등과 같은 금속 또는ᅵ이들의 합금; LiF/Al, Li02/Al, LiF/Ca, LiF/Al 및 BaF2/Ca과 같은 다층 구조 물질을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
유기층 (105)은 전술한 유기 광전자 소자용 화합물을 포함하는 발광층 (130)을 포함한다.
발광층 (130)은 예컨대 전술한 유기 광전자 소자용 화합물을 단독으로 포함할 수도 있고 전술한 유기 광전자 소자용 화합물 중 적어도 두 종류를 흔합하여 포함할 수도 있고 전술한 유기 광전자 소차용 화합물과 다른 화합물을 흔합하여 포함할 수도 있다. 전술한유기 광전자 소자용 화합물과 다른 화합물을 흔합하여 포함하는 경우, 예컨대 호스트 (host)와 도펀트 (dopant)의 형태로 포함될 수 있으며, 전술한 유기 광전자 소자용 화합물은 예컨대 호스트로 포함될 수 있다. 상기 호스트는 예컨대 인광 호스트 또는 형광 호스트일 수 있으며, 예컨대 인광 호스트일 수 있다.
전술한 화합물이 호스트로 포함되는 경우， 도펀트는 무기, 유기, 유무기 화합물일 수 있으며 공지된 도편트 중에서 선택될 수 있다.
도 2를 참고하면, 유기 발광 소자 (200)는 발광층 (230) 외에 정공 보조층 (140)을 더 포함한다. 정공 보조충 (140)은 양극 (120)과 발광층 (230) 사이의 정공 주입 및 /또는 정공 이동성을 더욱 높이고 전자를 차단할 수 있다. 정공 보조층 (140)은 예컨대 정공 수송층， 정공 주입층 및 /또는 전자 차단층일 수 있으며, 적어도 1층올 포함할 수 있다.
도 1 또는 도 2의 유기층 (105)은 도시하지는 않았지만， 전자주입층, 전자수송층, 보조전자수송층， 정공수송층， 보조정공수송층， 정공주입층 또는 이들의 조합층을 추가로 더 포함할 수 있다. 본 발명의 유기 광전자 소자용 화합물은 이들 유기층에 포함될 수 있다. 유기 발광 소자 (100, 200)는 기판 위에 양극 또는 음극을 형성한 후, 진공증착법 (evaporation), 스퍼터링 (sputtering), 플라즈마 도금 및
이온도금과 같은 건식성막법; 또는 스핀코팅 (spin coating), 침지법 (dipping),
유동코팅법 (flow coating)과 같은 습식성막법 등으로 유기층을 형성한 후, 그 위에 음극 또는 양극을 형성하여 제조할 수 있다.
상술한 유기 발광 소자는 유기 발광 표시 장치에 적용될 수 있다ᅳ
【발명의 실시를 위한 형태】
이하에서는 본 발명의 구체적인 실시예들을 제시한다. 다만, 하기에 기재된 실시예들은 본 발명을 구체적으로 예시하거나 설명하기 위한 것에 불과하며, 이로서 본 발명이 제한되어서는 아니된다.
(유기 광전자소자용화합물의 제조)
본 발명의 화합물의 보다 구체적인 예로서 제시된 화합물을 하기 단계를 통해 합성하였다.
하기 합성예 및 실시예에 사용된 화합물은 특별한 언급이 없는한 Aldrich 社 또는 TCI社에서 구매하여 사용한 것이다. 합성예 1： 중간체 L-1 의 합성
<반응식 1>
Figure imgf000018_0001
2000mL플라스크에 1-아이오드 -2-나이트로벤젠 50g(200.80mmol)을 용매 테트라하이드로퓨란 800ml에 녹였다. 질소 기류 하에서 드랍핑편낼을 이용하여 에티닐트리메틸실란 21.69ml(220.87mmol)을 서서히 떨어뜨렸다. 에티닐트리메 틸실란을 다 넣어준 후 3시간 상온 교반 후 반웅을 종료하였다. 테트라하이드로 퓨란을 증류기를 통하여 웅축하여 컬럼 정제를 (다이클로로메탄 1 : 핵산 9) 통하여 중간체 L-l (38g 86%의 수율)을 수득하였다.
calcd. CI lH13N02Si： C, 60.24; H, 5.97; N, 6.39; O, 14.59; Si, 12.81 ; found： C, 60.12; H, 5.88; N, 6.31 ; O, 14.64; Si, 12.87; 합성예 2 : 중간체 L-2 의 합성
< 2>
Figure imgf000018_0002
lOOOmL플라스크에 중간체 L-1 38g(173.27mmol)을 용매 메탄을 500ml에 교반시켰다. 포타슘카보네이트 24g(173.27mmol)을 넣어준 후 10분 상온 교반 후 반웅을 종료하였다. 반응물을 여과하여 포타슘카보네이트를 제거 후 물과 에틸아세테이트를 각각 500ml 넣어 준 후 추출을 통하여 물을 분리하였다. 분리된 유기 용매를 증류기를 통하여 용매를 제거하여 중간체 L-2 (25.1g 98%의 수율)을 수득하였다.
calcd. C8H5N02： C, 65.31; H, 3.43; N, 9.52; 0, 21.75; found： C, 65.25; H, 3.47; N, 9.56; 0, 21.58； 합성예 3 : 증간체 L-3 의 합성
< 3>
Figure imgf000019_0001
250mL 플라스크에 2,3,4,5:테트라페닐사이클로펜타 -2,4-디엔 50g(13().05 mmol)과 중간체 L-2 21.05g(143.05mmol)를 넣고 용매 자일렌 150ml를 넣었다. 질소 기류 하에서 은도 18CTC 가열 교반하였다. 2시간 경과 후 반응을 종료하였다. 반응 종료 후 메탄올 lOOOmL에 반웅물을 서서히 떨어 뜨려 주어 고체를 생성하였다. 2시간 교반 후 여과하여 중간체 L-3 (50.28g 77% 의수율)을 수득하였다.
calcd. C36H25N02： C, 85.86; H, 5.00; N, 2.78; 0, 6.35; found： C, 85.77; H, 5.11; N,
2.67; 0， 6.38; 합성예 4 : 중간체 L-4 의 합성
<반웅식 4>
Figure imgf000019_0002
250mL플라스크에 중간체 L-3 50g(100mmol)과 용매 트리에틸포스파이트 85ml를 넣고 질소 기류 하에서 160°C 가열 교반하였다. 4시간 경과 후 반응을 종료 하였다. 트리에틸포스파이트를 증류기를 통하여 웅축하여 컬럼 정제를 (다이클로로 메탄 1： 핵산 9) 통하여 중간체 L-4 (28g 60%의 수율)올 수득하였다. calcd. C36H25N： C, 91.69; H, 5.34; N, 2.97; found C, 91.61 ; H, 5.39; N, 2.95; 합성예 5： 중간체 L-5 의 합성
< 5〉
Figure imgf000020_0001
500mL플라스크에 중간체 L-4 20g(42.41mmol), 브로모벤젠 8.66g (55.13mmol) 소듐 t-부특사이드 5.30g(55.13mmol), Pd(dba)2 U65g(1.27 mmol)， 트리 t-부틸포스핀 1.86mL(50% in 를루엔) 를루엔 170ml를 넣고 질소 기류 하에서 130 °C 가열 교반하였다. 15시간 경과 후 반웅을 종료하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄올 lOOOmL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 를루엔에 녹여 실리카겔 /셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄을로 재결정하여 중간체 L-5 (19.8g 85%의 수율)을 수득하였다.
calcd. C42H29N： C, 92.11 ; H, 5.34; N, 2.56; found C, 91.61 ; H, 5.39; N, 2.65; 합성예 6 : 중간체 L-6의 합성
< 6>
Figure imgf000020_0002
250mL 플라스크에 중간체 L-5 20g(36.52mmol), N-Bromosuccimmide
6.82g(38.34mmol), 용매 다이클로로메탄 120ml를 넣어주고 질소 기류하에서 상은 교반하였다. 4시간 경과 후 반웅을 종료하였다. 반웅 종료 후 물을 넣어준 후 추출을 통하여 유기용매를 분리한 뒤 메탄을 lOOOmL에 가하여 결정화된 고형분을 여과 하여 중간체 L-6 (19g 83%의 수율)을 수득하였다.
calcd. C42H28BrN： C, 80.51 ; H, 4.50; Br, 12.75; N, 2.24; found C, 80.41 ; H, 4.58; Br, 12.70; N, 2.32; 합성예 7 : 중간체 L-7의 합성
< >
Figure imgf000021_0001
1000ml 플라스크에 중간체 2-cliloro-4,6-diplienyl-l,3,5-triazine 50.0g
(188.77mmol), Bis(pinacolato)diboron 71.14g (280.15mmol), 포타슴아세테이트 54.99g
(560.3 lmmol), Pd(dppf)Cl2 9.15g (11.21 mmol), tricyclohexylphosphine 12.57g (44.82mmol), 디메틸포름아미드 650mL에 넣어준 후, 질소 기류 하에서 12시간 동안 가열하여 환류하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄을 1500mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후， 다이클로로메탄 녹여 실리카겔 /샐라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 핵산으로 재결정하여 화합물 L-7 (53.60g 80%의 수율)을 수득하였다.
calcd. C2]H2 BN302： C, 70.21 ; H, 6.17; B, 3.01; N, 11.70; 0, 8.91; found： C, 70.11; H 6.18; B, 3.02; N, 11.76; 0, 8.99;
합성예 8 : 중간체 L-8 의 합성
<반응 8>
Figure imgf000021_0002
1000ml 플라스크에 중간체 L-7 30Og (83.51mmol), l-bromo-4-iodebenzene 28.35g (100.2 lmmol), 탄산칼륨 23.08g (167.02rmnol), Pd(PPh3)4 (Tetrakis(trip enylphosphine) palladium(0)) 4.83g (4.18mmol)을 테트라하이드 로퓨란 350mL, 물 100mL에 넣어준 후 질소 기류 하에서 10시간 동안 가열하여 환류하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메관을 1500mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후， 다이클로로메탄 녹여 실리카겔 /셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄올로 재결정하여 화합물 L-8 (37.3g 83%의 수율)을 수득하였다.
calcd. C21H14BrN3： C, 64.96; H, 3.63; Br, 20.58; N, 10.82; found： C, 64.91 ; H, 3.58; Br, 20.63; N, 10.86; 합성예 9 : 중간체 L-9의 합성
< >
Figure imgf000022_0001
1000ml 플라스크에 중간체 L-8 30.0g (77.27mmol), Bis(pinacolato) diboron 29.43.g (1 15.90mmol), 포타슴아세테이트 22.75g (231.80mmol), Pd(dppf)Cl2 3.15g
(3.86mmol)을 를루엔 300mL에 넣어준 후, 질소 기류 하에서 10시간 동안 가열하여 환류하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄을 1500mL에 가하여 결정화된
고형분을 여과한 후, 다이클로로메탄 녹여 실리카겔 /셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 핵산으로 재결정하여 화합물 L-9 (26.4g, 78%의 수율)을 수득하였다.
calcd. C27H26BN302： C, 74.49; H, 6.02; B, 2.48; N, 9.65; O, 7.35; found： C, 74.42; H, 6.12; B, 2.40; N, 9.58; 0, 7.41 ; 중간체 L-10, L-ll, L-12, L-13 의 합성
본 발명의 화합물의 보다 구체적인 예로서 제시된 중간체 L-10, L-1 1 , L-12, L-
13을 상기 합성예 7, 8， 9의 L-7, L-8, L-9과 같은 방법으로 합성하였다 (기본적인 3가지 반웅 활용 ： 스즈키 반웅, Br보레이션 반웅, C1 보레이션 반웅)
Figure imgf000022_0002
Figure imgf000023_0001
실시예 1： 실시예 A-4 의 합성
< 10>
Figure imgf000023_0002
500mL 플라스크에 중간체 L-4 10g(21.20mmol), 중간체 L-8 8.64g(22.27mmol) 소듐 t-부특사이드 2.65(2그 57mmol), Pd(dba)2 0.58g(0.64mmol), 트리 t-부틸포스핀 0.93mL(50% in 를루엔) 를루엔 85ml를 넣고 질소 기류 하에서 130 °C 가열 교반 하였다 . 15시간 경과 후 반응을 종료하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄올
500mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 틀루엔에 녹여 실리카겔 /셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후， 메탄올로 재결정하여 중간체 A-4 (13.0g 79%의 수율)을 수득하였다. 생성된 화합물의 원소 분석 결과는 하기와 같다.
calcd. C57H38N4： C, 87.89; H, 4.92; N, 7.19; found C, 87.81 ; H, 4.99; N, 7.23; 실시예 2 : 실시예 A-5 의 합성 < 11>
Figure imgf000024_0001
L-4 L-10 A-5
500mL플라스크에 중간체 L-4 10g(2i.20mmol), 중간체 L-10 8.64g (22.27mmol) 소듐 t-부록사이드 2.65(27.57mmol), Pd(dba)2 0.58g(0.64mmol), 트리 t-부틸포스핀 0.93mL(50% in를루엔) 를루엔 85ml를 넣고 질소 기류 하에서 130°C 가열
교반하였다. 15시간 경과 후 반웅을 종료하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄을 500mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 를루엔에 녹여 실리카겔 /셀라이트로 여과하고， 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄올로 재결정하여 중간체 A— 5 (13.2g 80%의 수율)을 수득하였다. 생성된 화합물의 원소 분석 결과는 하기와 같다.
calcd. C57H38N4： C, 87.89; H, 4.92; N, 7.19; found C, 87.82; H, 4.91 ; N, 7.22; 실시예 3： 실시예 A-7 의 합성
Figure imgf000024_0002
L-4 L-12 A-7
500mL플라스크에 중간체 L-4 10g(21.20mmol), 중간체 L-12 8.62g (22.27mmol) 소듐 t-부특사이드 2.65(27.57mmol), Pd(dba)2 0.58g(0.64mmol), 트리 t-부틸포스핀 0.93mL(50% in 를루엔) 를루엔 85ml를 넣고 질소 기류 하에서 130°C 가열 교반하였다. 15시간 경과 후 반웅을 종료하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄을 500mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 를루엔에 녹여 실리카겔 /샐라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄올로 재결정하여 중간체 A-7 (11.8g 72%의 수율)을 수득하였다. 생성된 화합물의 원소 분석 결과는 하기와 같다.
calcd. C57H38N4： C, 89.55; H, 5.05; N, 5.40; found C, 89.45; H, 5.11 ; N, 5.44; 실시예 4： 화합물 A-12의 합성
< 13>
Figure imgf000025_0001
L-6 L-13 A-12
250mL플라스크에 중간체 L-6 15.0g(23.93mmol), 중간체 L-13 1 1.13g
(25.62mmol), 탄산칼륨 8.27g(59.85mmol), Pd(PPh3)4 (Tetrakis(triphenyl phosphine) palladium(O)) 1.38g(1.20mmol)을 테트라하이드로 퓨란 lOOmL, 물 30mL에 넣어준 후, 질소 기류 하에서 12시간 동안 가열하여 환류하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄을 500mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 를루엔에 녹여
실리카겔 /샐라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄을로 재결정하여 화합물 A-12 (15.21g, 74%의 수율)을 수득하였다. 생성된 화합물의 원소 분석 결과는 하기와 같다.
calcd. C64H43N3： C, 90.01 ; H, 5.07; N, 4.92; found： C, 90.21 ; H, 5.1 1 ; N, 4.90; 실시예 5 : 화합물 A-13 의 합성 <반 14>
Figure imgf000026_0001
250mL 플라스크에 중간체 L-6 15.0g(23.93mmol), 중간체 L-9 11.15g
(25.62mmol), 탄산칼륨 8.27g (59.85mmol), Pd(PPh3)4 (Tetrakis(triphenyl phosphine) palladium(O)) 1.38g (1.20mmol)을 테트라하이드로 퓨란 lOOmL, 물 30mL에 넣어준 후， 질소 기류 하에서 12시간 동안 가열하여 환류하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄을 500mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후， 를루엔에 녹여
실리카겔 /셀라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄올로 재결정하여 화합물 A-13 (15.10g, 74%의 수율)을 수득하였다. 생성된 화합물의 원소 분석 결과는 하기와 같다.
calcd. C63H42N4： C, 88.50; H, 4.95; N, 6.55; found： C, 88.40; H, 4.97; N, 6.58; 실시예 6 : 화합물 A-14 의 합성
<반 15>
Figure imgf000026_0002
L-6 L-11 A-14
250mL플라스크에 중간체 L-6 15.0g(23.93mmol), 중간체 L-1 1 11.15g
(25.62mmol), 탄산칼륨 8.27g (59.85mmol), Pd(PPh3)4 (Tetrakis(triphenyl phosphine) palladium(O)) 1.38g (1.20mmol)을 테트라하이드로 퓨란 lOOmL, 물 30mL에 넣어준 후, 질소 기류 하에서 12시간 동안 가열하여 환류하였다. 이로부터 수득한 흔합물을 메탄올 500mL에 가하여 결정화된 고형분을 여과한 후, 를루엔에 녹여
실리카겔 /샐라이트로 여과하고, 유기 용매를 적당량 제거한 후, 메탄올로 재결정하여 화합물 A-14 (13.23g, 65%의 수율)을 수득하였다. 생성된 화합물의 원소 분샥 결과는 하기와 같다.
calcd. C63H42N4： C, 88.50; H, 4.95; N, 6.55; found： C, 88.46; H, 4.90; N, 6.51 ; 비교예 1 : CBP의 합성
국제공개공보 WO 2013-032035A (실시예 18)에 기재된 방법과 동일한 방법으로 하기 화학식 a를 합성하였다.
Figure imgf000027_0001
(제조된유기 광전자소자용화합물의 시뮬레이션 특성 비교)
슈퍼컴퓨터 GAIA (IBM power 6)를 사용하여 Gaussian 09 방법으로 각 재료의 에너지 준위를 계산하여, 그 결과를 하기 표 1에 나타냈다. [표 1]
Figure imgf000027_0002
상기 표 1에서 알수 있듯이， 시뮬레이션 상에서 원하는 HOMO/LUMO 에너지 레벨은 HOMO는 -5.0 내지 -5.5 이고， LUMO는 -1.7 내지 -2.0일 경우,
전자수송특성을 잘 나타낸다고 예상하고 있어, 본원 화합물인 A-4, A-5, A-7, A-12, A- 13， A-14와 비교예 1을 비교해 보면 비교예 1은 HOMO 레벨은 만족하나， LUMO 레벨이 만족하지 않아， 정공과 전자 벨런스가 맞지 않을 것으로 예상된다. (유기발광소자의 제작)
소자비교예 1
구체적으로， 유기발광소자의 제조방법을 설명하면, 양극은 15 Ω/ΜΠ2의 면저항값올 가진 ΙΤΟ 유리 기판을 50 mm X 50 mm X 0.7 mm의 크기로 잘라서 아세톤과 이소프로필알코을과 순수물 속에서 각 15 분 동안 초음파 세정한 후, 30 분 동안 UV오존 세정하여 사용하였다.
이렇게 준비된 ΠΌ 투명 전극을 1000A의 두께로 양극으로 사용하여 ITO 기판 상부에 하기 HTM 화합물을 진공 증착하여 1200 A두께의 정공 주입층을 형성하였다.
Figure imgf000028_0001
4,4-Ν,Ν-다이카바졸바이페닐 (CBP)를 발광층의 호스트로 사용하고， 인광 그린 도판트로 하기 PhGD 화합물올 7 중량0 /0로 도핑하여 진공증착으로 300A 두께의 발광층을 형성하였다.
Figure imgf000028_0002
그 후 상기 발광층 상부에 BAlq [Bis(2-methyl-8-quinolinolato-Nl ,08)-(l,r- Biphenyl-4-olato)aluminum] 50 A 및 Alq3 [Tris(8-hydroxyquinolinato) aluminium] 250 A 를 순차적으로 적층하여 전자수송층을 형성하였다.
상기 전자수송충 상부에 LiF 5 A과 A1 1000A을 순차적으로 진공 증착하여 음극을 형성함으로써 유기발광소자를 제조하였다.
Figure imgf000029_0001
소자실시예 1
발광층으로 CBP 대신에 상기 실시예 1에서 제조된 화합물 (A-4)을 사용한 것을 제외하고는, 상기 비교예 1과 동일하게 실시하여 유기광전소자를 제작하였다.
소자실시예 2
발광층으로 CBP 대신에 상기 실시예 2에서 제조된 화합물 (A-5)을 사용한
-것을 제외하고는， 상기 비교예 1과 동일하게 실시하여 유기광전소자를 제작하였다.
소자실시예 3
발광층으로 CBP 대신에 상기 실시예 3에서 제조된 화합물 (A-7)을 사용한 것을 제외하고는， 상기 비교예 1과 동일하게 실시하여 유기광전소자를 제작하였다.
소자실시예 4
발광층으로 CBP 대신에 상기 실시예 4에서 제조된 화합물 (A-12)올 사용한 것을 제외하고는, 상기 비교예 1과 동일하게 실시하여 유기광전소자를 제작하였다.
소자실시예 5
발광층으로 CBP 대신에 상기 실시예 5에서 제조된 화합물 (A-14)을 사용한 것을 제외하고는， 상기 비교예 1과 동일하게 실시하여 유기광전소자를 제작하였다.
소자실시예 6
발광층으로 CBP 대신에 상기 실시예 5에서 제조된 화합물 (A-13)을 사용한 것을 제외하고는， 상기 비교예 1과 동일하게 실시하여 유기광전소자를 제작하였다.
(유기발광소자의 성능측정)
상기 실시예 1 내지 6 및 비교예 1 에 따른 유기발광소자의 전압에 따른 전류밀도 변화， 휘도 변화 및 발광효율을 측정하였다.
구체적인 측정방법은 하기와 같고, 그 결과는 표 2와 같다.
(1) 전압변화에 따른 전류밀도의 변화 측정 제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V부터 10V까지 상승시키면서 전류- 전압계 (Keithley 2400)를 이용하여 단위소자에 흐르는 전류값을 측정하고, 측정된 전류값을 면적으로 나누어 결과를 얻었다. (2) 전압변화에 따른 휘도변화 측정
제조된 유기발광소자에 대해, 전압을 0V 부터 10V까지 상승시키면서 휘도계 (Minolta Cs- 1000 A)를 이용하여 그 때의 휘도를 측정하여 결과를 얻었다.
(3) 발광효율 측정
상기 (1) 및 (2)로부터 측정된 휘도와 전류밀도 및 전압을 이용하여 동일 전류밀도 (10 mA/cm2)의 전류 효율 (cd/A) 을 계산하였다.
(4) 수명 측정
휘도 (cd/m2)를 5000 cd/m2로 유지하고 전류 효율 (cd/A)이 90%로 감소하는 시간을 측정하여 결과를 얻었다.
[표 2]
Figure imgf000030_0001
상기 표 2에서 알 수 있듯이, 구동전압은 전체적으로 4점 초반으로 나오고 비교예 1보다 당겨지는 것을 확인 할 수 있으며 또한 발광 효율은 비교예 1 대비 약 1.5배 이상 증가하는 것을 알 수 있다. 즉 구동전압， 발광효율 증가로 인한 전력 효율 측면에서 개선된 특성을 보이는 것을 알 수 있다. 본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.

Claims

【청구의 범위】
【청구항 1】
하기 화학식 1로 표시되는 유기 광전자 소자용 화합물:
Figure imgf000032_0001
상기 화학식 1에서,
R1 및 R2는 각각 독립적으로， 수소, 증수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30사이클로알킬기， 치환또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴아민기， 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기, 할로겐기, 할로겐 함유기, 시아노기, 히드록실기， 아미노기, 니트로기, 카르복실기， 페로세닐기， 또는 이들의 조합이고,
R1 및 R2 중 적어도 하나는 카바졸일기를 제외한 치환 또는 비치환된 질소 함유 C2 내지 C30 헤테로고리기이고,
L1 및 L2는 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기 , 치환또는 비치환된 C3 내지 C30사이클로알킬렌기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐렌기， 또는 이들의 조합이고，
여기서 "치환"이란, 적어도 하나의 수소가 중수소， 할로겐기, 히드록시기, 아미노기， C1 내지 C30 아민기， 니트로기, C1 내지 C40 실릴기， C1 내지 C30 알킬기， C3 내지 C30 시클로알킬기, C2 내지 C30 헤테로시클로알킬기， C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30 헤테로아릴기， C1 내지 C20 알콕시기， C1 내지 C10
트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다. 【청구항 2】
거 11항에 있어서,
상기 화학식 1은 하기 화학식 1-a, l-b, 및 1-c에서 선택된 어느 하나로 표시되는 것인 유기 광전자 소자용 화합불:
-a] [화학식 l-b] [화학식 1-c]
Figure imgf000033_0001
상기 화학식 l-a, l-b, 및 1-c에서,
R1 및 R2는 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30사이클로알킬기， 치환또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기， 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴아민기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C40 실릴기, 할로겐기， 할로겐 함유기, 시아노기, 히드록실기, 아미노기, 니트로기， 카르복실기， 페로세닐기 , 또는 이들의 조합이고,
R1 및 R2 중 적어도 하나는 카바졸일기를 제외한 치환 또는 비치환된 질소 함유 C2 내지 C30 헤테로고리기이고，
L1 및 L2는 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기， 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30사이클로알킬렌기, 치환'또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기， 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐렌기, 또는 이들의 조합이고，
여기서 "치환"이란, 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기， 히드록시기， 아미노기, C1 내지 C30 아민기, 니트로기， C1 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기， C3 내지 C30 시클로알킬기, C2 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기, C2 내지 C30 헤테로아릴기, C1 내지 C20 알콕시기， C1 내지 C10
트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다. 【청구항 3】
저 U항에 있어서, _
상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로, 수소, 중수소, 치환또는 비치환된 C6 내 C30 아릴기, 치환또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴아민기， 또는 이들의 조합이고，
R1 및 R2 중 적어도 하나는 카바졸일기를 제외한 치환 또는 비치환된 질소 함유 C2 내지 C30 헤테로고리기이고，
L1 및 L2는 각각 독립적으로， 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기， 또는 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 해테로아릴렌기인 유기 광전자 소자용 화합물.
【청구항 4】
제 1항에 있어서，
상기 R1 및 R2는 각각 독립적으로， 수소, 증수소, 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비치환된 바이페닐기， 치환 또는 비치환된 터페닐기, 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기， 치환 또는 비치환된 페난트렌일기, 치환 또는 비치환된 피렌일기 (pyrenyl), 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기， 치환 또는 비치환된 이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 테트라졸릴기, 치환 또는 비치환된
옥사다이아졸릴기, 치환 또는 비치환된 옥사트리아졸릴기， 치환 또는 비치환된 싸이아트리아졸릴기， 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 벤조트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된
피리미디닐기， 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기， 치환 또는 비치환된 피리다지닐기, 치환 또는 비치환된 퓨리닐기， 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기， 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기， 치환 또는 비치환된 프탈라지닐기, 치환 또는 비치환된 나프피리디닐기， 치환 또는 비치환된
퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기， 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된 아자페난트레닐기， 치환 또는 비치환된 페난트를리닐기, 치환 또는 비치환된 페나지닐기 또는 이들의 조합인 유기 광전자 소자용 화합물.
【청구항 5】
제 1항에 있어서， 상기 카바졸일기를 제외한 치환 또는 비치환된 질소 함유 C2 내지 C30 헤테로고리기는， 치환 또는 비치환된 이미다졸릴기， 치환 또는 비치환된
트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 테트라졸릴기， 치환 또는 비치환된
옥사다이아졸릴기, 치환 또는 비치환된 옥사트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 싸이아트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸릴기， 치환 또는 비치환된 벤조트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된
피리미디닐기， 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기, 치환 또는 비치환된 피리다지닐기, 치환 또는 비치환된 퀴놀리닐기， 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 프탈라지닐기， 치환 또는 비치환된 나프피리디닐기, 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된
퀴나졸리닐기, 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된
페난트를리닐기， 치환 또는 비치환된 페나지닐기 또는 이들의 조합인 유기 광전자 소자용 화합물.
【청구항 6】
제 1항에 있어서，
상기 카바졸일기를 제외한 치환 또는 비치환된 질소 함유 C2 내지 C30 헤테로고리기는, 하기 그룹 I에 나열된 치환 또는 비치환된 기에서 선택된 하나인 유기 광전자 소자용 화합물:
그룹 I ]
Figure imgf000035_0001
상기 그룹 I에서， Z는 각각독립적으로 N또는 CRa이고， Z 중 적어도 하나는 N이고， W는 NRb, 0, S, SO, S02, CRcRd, 또는 SiR6!^이고,
여기서 Ra 내지 Rf는 각각 독립적으로 수소， 증수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기， 또는 치환 또는 비치환된 C2 내자 C30 헤테로아릴기이고,
"치환"이란， 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기, 히드록시기, 아미노기， C1 내지 C30 아민기, 니트로기, C1 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기, C3 내지 C30 시클로알킬기， C2 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아 1기, C2 내지 C30 헤테로아릴기, C1 내지 C20 알콕시기， C1 내지 C10 트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미하고,
*는 연결 지점이고 상기 작용기를 이루는 원소들 중 어느 하나에 위치할 수 있다.
[청구항 7】
제 6항에 있어서，
상기 그룹 I에 나열된 치환 또는 비치환된 기는 하기 그룹 I— ^에 나열된 기 중 어느 하나로 표시되는 유기 광전자 소자용 화합물:
그룹 1 -1]
Figure imgf000036_0001
상기 그룹 1 -1에서， *은 연결 지점이다.
【청구항 8】
제 1항에 있어서，
상기 L1 및 L2는 각각 독립적으로， 단일결합， 치환또는 비치환된 페닐렌기 치환 또는 비치환된 바이페닐렌기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환또는 비치환된 피리미딜기， 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 페닐퀴나졸린기, 또는 이들의 조합인 유기 광전자 소자용 화합물.
【청구항 9】
제 1항에 있어서,
상기 L1 및 L2는 각각 독립적으로， 단일결합， 또는 하기 그룹 Π에 나열된 치환 또는 비치환된 기에서 선택된 하나인 유기 광전자 소자용 화합물:
[그룹 Π ]
Figure imgf000037_0001
상기 그룹 Π에서,
*는 연결 지점이고，
여기서 "치환"이란， 적어도 하나의 수소가 중수소, 할로겐기， 히드록시기, 아미노기, C1 내지 C30 아민기， 니트로기, C1 내지 C40 실릴기, C1 내지 C30 알킬기 C3 내지 C30 시클로알킬기， C2 내지 C30 헤테로시클로알킬기, C6 내지 C30 아릴기， C2 내지 C30 헤테로아릴기， C1 내지 C20 알콕시기， C1 내지 C10
트리플루오로알킬기 또는 시아노기로 치환된 것을 의미한다.
【청구항 10】
제 1항에 있어서， R1 및 R2 중 어느 하나는 카바졸일기를 제외한 치환 또는 비치환된 질소 함유 C2 내지 C30 헤테로고리기로서 치환 또는 비치환된 이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 테트라졸릴기 치환 또는 비치환된 옥사다이아졸릴기, 치환 또는 비치환된 옥사트리아졸릴기, 치환 또는 비치환된 싸이아트리아졸릴기， 치환 또는 비치환된 벤즈이미다졸릴기, 치환 또는 비치환된 벤조트리아졸릴기， 치환 또는 비치환된 피리디닐기, 치환 또는 비치환된 피리미디닐기, 치환 또는 비치환된 트리아지닐기, 치환 또는 비치환된 피라지닐기， 치환 또는 비치환된 피리다지닐기, 치환 또는비치환된 퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 이소퀴놀리닐기, 치환 또는 비치환된 프탈라지닐기, 치환 또는 비치환된 나프피리디닐기， 치환 또는 비치환된 퀴녹살리닐기, 치환 또는 비치환된 퀴나졸리닐기， 치환 또는 비치환된 아크리디닐기, 치환 또는 비치환된
페난트를리닐기, 치환 또는 비치환된 페나지닐기 증 선택된 하나이고;
R1 및 R2 중 나머지 하나는 수소， 중수소， 치환 또는 비치환된 페닐기， 치환 또는 비차환된 바이페닐기 , 치환 또는 비치환된 터페닐기 , 치환 또는 비치환된 쿼터페닐기, 치환 또는 비치환된 나프틸기, 치환 또는 비치환된 안트라세닐기, 치환 또는 비치환된 페난트렌일기， 치환 또는 비치환된 피렌일기 (pyrenyl), 치환 또는 비치환된 트리페닐렌기, 치환 또는 비치환된 디벤조티오펜일기, 치환 또는 비치환된 디벤조퓨란일기, 치환 또는 비치환된 카바졸기 중 선택된 하나이며;
L1 및 L2는 각각 독립적으로， 단일 결합 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기인 유기 광전자 소자용 화합물.
【청구항 11】
제 1항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 화합물은 하기 화학식 A-1 내지 화학식 A-45에서 선택된 하나인 화합물:
[A-1] [A-2] [A-3] [A-4] [A-5] -6] [A-7] [A-8] [A-9] [A-10]
Figure imgf000039_0001
[A-16] [A-17] [A-18] [A- 19] [A-20]
Figure imgf000039_0002
A-26] [A-27 [A-28 [A-29] A-30]
[A-36] [A-37] [A-38] [A-39] [A-40]
Figure imgf000040_0001
【청구항 121
서로 마주하는 양극과 음극, 및
상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하는 적어도 한 층의 유기층을 포함하고， 상기 유기층은 제 1항 내지 제 1 1항 중 어느 한 항에 따른유기 광전자 소자용 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자.
【청구항 13】
제 12항에 있어서,
상기 유기층은 발광층을 포함하고，
상기 발광층은 상기 유기 광전자 소자용 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자.
【청구항 14】
제 13항에 있어서,
상기 유기 광전자 소자용 화합물은 상기 발광층의 호스트로서 포함되는 유기 광전자 소자.
【청구항 15】
제 12항에 있어서,
상기 유기층은 정공주입층， 정공수송층, 정공수송보조층， 전자수송보조층, 전자수송층 및 전자주입층에서 선택된 적어도 하나의 보조층을 포함하고，
상기 보조층은 상기 유기 광전자 소자용 화합물을 포함하는 유기 광전자 소자.
【청구항 16】
제 Π항에 따른 유기 광전자 소자를 포함하는 표시장처
PCT/KR2015/008245 2014-11-04 2015-08-06 유기 광전자 소자용 화합물, 이를 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시장치 WO2016072593A1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201580060070.9A CN107075365B (zh) 2014-11-04 2015-08-06 用于有机光电元件的化合物、包括其的有机光电元件、以及显示设备
US15/516,757 US10276804B2 (en) 2014-11-04 2015-08-06 Compound for organic optoelectronic element, organic optoelectronic element comprising same, and display device

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140152157A KR101818582B1 (ko) 2014-11-04 2014-11-04 유기 광전자 소자용 화합물, 이를 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시장치
KR10-2014-0152157 2014-11-04

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2016072593A1 true WO2016072593A1 (ko) 2016-05-12

Family

ID=55909298

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/KR2015/008245 WO2016072593A1 (ko) 2014-11-04 2015-08-06 유기 광전자 소자용 화합물, 이를 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US10276804B2 (ko)
KR (1) KR101818582B1 (ko)
CN (1) CN107075365B (ko)
WO (1) WO2016072593A1 (ko)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2019046734A1 (en) * 2017-09-01 2019-03-07 Kyulux, Inc. MATERIAL COMPOSITION FOR USE IN ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DIODE
US10547014B2 (en) 2017-06-23 2020-01-28 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US10644249B2 (en) 2017-12-22 2020-05-05 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US10892425B1 (en) 2017-03-03 2021-01-12 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US11069860B2 (en) 2017-08-21 2021-07-20 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US11104669B2 (en) 2018-02-02 2021-08-31 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US11283027B1 (en) 2017-03-03 2022-03-22 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US11444250B2 (en) 2017-12-05 2022-09-13 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US11498914B2 (en) 2018-03-30 2022-11-15 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US11542260B2 (en) 2018-01-31 2023-01-03 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US11575088B2 (en) 2017-12-22 2023-02-07 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US11608333B2 (en) 2018-03-20 2023-03-21 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US11778904B2 (en) 2018-05-09 2023-10-03 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101897041B1 (ko) 2015-05-22 2018-09-10 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자용 조성물, 및 이를 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시장치
KR102129508B1 (ko) * 2017-07-14 2020-07-02 삼성에스디아이 주식회사 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR102530155B1 (ko) * 2017-10-23 2023-05-10 솔루스첨단소재 주식회사 유기 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
CN109575002A (zh) * 2017-12-14 2019-04-05 广州华睿光电材料有限公司 有机化合物及其应用
WO2020101439A1 (ko) * 2018-11-16 2020-05-22 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자
KR102336599B1 (ko) * 2018-11-16 2021-12-07 주식회사 엘지화학 신규한 화합물 및 이를 포함하는 유기발광 소자

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005093159A (ja) * 2003-09-16 2005-04-07 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
KR20110043342A (ko) * 2009-10-21 2011-04-27 제일모직주식회사 신규한 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자
KR20130094222A (ko) * 2010-06-24 2013-08-23 도레이 카부시키가이샤 발광 소자 재료 및 발광 소자
EP2818468A2 (en) * 2013-06-28 2014-12-31 Universal Display Corporation Host materials for pholeds

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4561221B2 (ja) 2003-07-31 2010-10-13 三菱化学株式会社 化合物、電荷輸送材料および有機電界発光素子
CN101126020B (zh) 2007-08-03 2012-11-28 深圳大学 一类基于1,3,6,8-四芳基-9-烷基取代咔唑衍生物及在发光二极管中的应用
WO2009069442A1 (ja) 2007-11-26 2009-06-04 Konica Minolta Holdings, Inc. 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
JP6007467B2 (ja) 2010-07-27 2016-10-12 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、
JP5760779B2 (ja) 2010-08-06 2015-08-12 株式会社リコー 発光素子及び表示装置
CN102372696A (zh) 2010-08-20 2012-03-14 清华大学 一种苯基咔唑类化合物及应用
JP6115075B2 (ja) 2011-10-26 2017-04-19 東ソー株式会社 ４−アミノカルバゾール化合物及びその用途
KR20190000390A (ko) 2012-08-03 2019-01-02 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 장치 및 조명 장치
WO2014079527A1 (de) 2012-11-23 2014-05-30 Merck Patent Gmbh Materialien für elektronische vorrichtungen
JP2014105208A (ja) 2012-11-30 2014-06-09 Ricoh Co Ltd Ｎ−アリールカルバゾールの多量体

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005093159A (ja) * 2003-09-16 2005-04-07 Konica Minolta Holdings Inc 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置及び照明装置
KR20110043342A (ko) * 2009-10-21 2011-04-27 제일모직주식회사 신규한 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자
KR20130094222A (ko) * 2010-06-24 2013-08-23 도레이 카부시키가이샤 발광 소자 재료 및 발광 소자
EP2818468A2 (en) * 2013-06-28 2014-12-31 Universal Display Corporation Host materials for pholeds

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11283027B1 (en) 2017-03-03 2022-03-22 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US10892425B1 (en) 2017-03-03 2021-01-12 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US10547014B2 (en) 2017-06-23 2020-01-28 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US11069860B2 (en) 2017-08-21 2021-07-20 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
WO2019046734A1 (en) * 2017-09-01 2019-03-07 Kyulux, Inc. MATERIAL COMPOSITION FOR USE IN ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DIODE
US11849634B2 (en) 2017-09-01 2023-12-19 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light- emitting diodes
US11444250B2 (en) 2017-12-05 2022-09-13 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US10644249B2 (en) 2017-12-22 2020-05-05 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US11575088B2 (en) 2017-12-22 2023-02-07 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US11542260B2 (en) 2018-01-31 2023-01-03 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US11104669B2 (en) 2018-02-02 2021-08-31 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US11608333B2 (en) 2018-03-20 2023-03-21 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US11498914B2 (en) 2018-03-30 2022-11-15 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes
US11778904B2 (en) 2018-05-09 2023-10-03 Kyulux, Inc. Composition of matter for use in organic light-emitting diodes

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160052200A (ko) 2016-05-12
CN107075365B (zh) 2019-08-16
US20170294592A1 (en) 2017-10-12
CN107075365A (zh) 2017-08-18
US10276804B2 (en) 2019-04-30
KR101818582B1 (ko) 2018-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI672359B (zh) 有機光電裝置及使用其之顯示裝置
WO2016072593A1 (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 이를 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시장치
JP6633793B2 (ja) 有機光電子素子用化合物、有機光電子素子用組成物、有機光電子素子および表示装置
EP3643762B1 (en) Organic optoelectronic element and display device
JP6402192B2 (ja) 有機光電子素子用組成物、有機光電子素子および表示装置
KR101887213B1 (ko) 화합물, 이를 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시장치
EP3492553A1 (en) Composition for organic optoelectronic element, organic optoelectronic element, and display device
CN109312230B (zh) 用于有机光电装置的化合物、用于有机光电装置的组成物以及有机光电装置及显示装置
EP3575296B1 (en) Triazine compound, composition and organic optoelectronic device and display device
JP6696753B2 (ja) 有機光電子素子用化合物、有機光電子素子用組成物、有機光電子素子および表示装置
US11450813B2 (en) Organic optoelectronic diode and display device
CN109196075B (zh) 用于有机光电装置的化合物、用于有机光电装置的组合物、有机光电装置及显示设备
JP6564012B2 (ja) 化合物、これを含む有機光電子素子および表示装置
JP2016535942A (ja) 有機光電子素子用有機アロイ、有機光電子素子および表示装置
CN111162185B (zh) 有机光电器件及显示器件
WO2018004096A9 (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
US11926603B2 (en) Compound, composition, organic optoelectronic diode, and display device
WO2018062659A1 (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
CN110872511A (zh) 用于有机光电器件的组合物、有机光电器件及显示器件
WO2016190501A1 (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자용 조성물, 및 이를 포함하는 유기 광전자 소자 및 표시장치
CN112041998A (zh) 组合物、有机光电器件及显示器件
WO2018217067A1 (ko) 인광 호스트용 조성물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
WO2017099326A1 (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
KR20180053980A (ko) 유기 광전자 소자용 화합물, 유기 광전자 소자 및 표시 장치
CN112592333A (zh) 用于有机光电装置的化合物、有机光电装置及显示装置

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 15857148

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 15516757

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 15857148

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1