WO2015178003A1 - Manufacturing method for light emitting device and light emitting device - Google Patents

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    • H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers

Definitions

  • the electron injection layer 19 is provided in common to a plurality of pixels on the electron transport layer 18 and has a function of promoting injection of electrons from the cathode 20 to the light emitting layer 17.
  • the electron injection layer 19 includes, for example, a low work function metal such as lithium, barium, calcium, potassium, cesium, sodium, and rubidium, a low work function metal salt such as lithium fluoride, and a low work function metal oxide such as barium oxide. It is formed using etc.
  • FIG. 6 is a diagram showing a film thickness distribution of the hole injection layer 14 formed by the reactive sputtering method.
  • the film thickness of the hole injection layer 14 was measured with an optical film thickness meter.
  • the film thicknesses in the respective panel regions are indicated by the film thickness ratio [%] based on the value of the thinnest film thickness.
  • the emission color of both the first light emitting element 1a and the second light emitting element 1b is B, but the present invention is not limited to this, and the emission color may be any of R, G, and B.
  • the light emission colors of the first light-emitting element 1a and the second light-emitting element 1b are preferably the same regardless of the emission color. This is because the optical distance at which the resonance effect is efficiently obtained differs depending on the emission color.
  • the arrangement of the drive control unit 200 with respect to the organic EL display panel 100 is not limited to this.
  • the light emitting layer 17 may be formed by a coating method with a film thickness distribution that cancels out the film thickness variation of the hole injection layer 14.
  • the optical distance of the light emitted from the light emitting layer 17 is calculated, if the light base point is set to the intermediate point in the thickness direction of the light emitting layer, it is related to the phase difference between the directly emitted light and the reflected emitted light. It should be noted that the thickness of the light emitting layer is halved.
  • the hole injection layer 14 is the first layer
  • the light emitting layer 17 is the second layer.
  • the light emitting element 1a and the light emitting element 1b are assumed to have the same emission color, the present invention is not limited to this.
  • the adjustment of the optical distance for each emission color is performed in a layer other than the hole injection layer 14 and the hole transport layer 16 (for example, the emission layer 17)
  • the emission colors of the light emitting element 1a and the light emitting element 1b are different.
  • the variation in the optical film thickness of the hole injection layer 14 may be offset by the optical film thickness distribution of the hole transport layer 16. In this case, since it is not necessary to consider the film thicknesses of the hole injection layer 14 and the hole transport layer 16 when adjusting the optical distance for each emission color, the design is easy.
  • Modification 7 When the optical film thickness is adjusted by two layers arranged between the light emitting layer and the electrode having light reflectivity, the optical distance can be adjusted most effectively.
  • the adjustment of the optical film thickness is not limited to the two layers described above, and may be performed by any two of the plurality of functional layers sandwiched between the cathode and the anode. Even in this case, a luminance unevenness suppressing effect and a chromaticity shift suppressing effect can be obtained to some extent.

Abstract

Provided is a manufacturing method for a light emitting device formed by disposing on a substrate a first light emitting element and a second light emitting element that have the same light emission color and that include: a first electrode and a second electrode one of which has light reflecting properties and the other of which has light transmitting properties; and, disposed between the first and second electrodes, a laminated structure of a plurality of functional layers which include a first layer and a second layer. In the manufacturing method, the first layer of the first light emitting element and the second light emitting element is formed by a sputtering method, and the second layer of the first light emitting element and the second light emitting element is formed by a coating method. If the optical film thickness of the first layer of the first light emitting element is Ds1, the optical film thickness of the first layer of the second light emitting element is Ds2, the optical film thickness of the second layer of the first light emitting element is Dw1, and the optical film thickness of the second layer of the second light emitting element is Dw2, the relationships Ds1<Ds2 and Dw1>Dw2 are satisfied.

Description

発光デバイスの製造方法および発光デバイスLIGHT EMITTING DEVICE MANUFACTURING METHOD AND LIGHT EMITTING DEVICE
　本発明は、発光デバイスの製造方法および発光デバイスに関し、特に輝度むらおよび色度ずれの抑制に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a light-emitting device and a light-emitting device, and particularly relates to suppression of luminance unevenness and chromaticity deviation.
　近年、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ－Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネルや有機ＥＬ照明等の発光デバイスの開発が盛んに行われている。このような発光デバイスは、一般に、陽極と陰極との間に、発光層を含む複数の機能層が積層された構成を有する。発光層以外の機能層としては、例えば、電子注入層や正孔輸送層等が挙げられる。発光デバイスでは、発光効率の向上が求められており、発光効率は、有機発光物質の光電変換率に係る内部効率と、光取出し効率に係る外部効率とに分けられる。そして、光取出し効率（外部効率）を向上させる方法の一つとして、発光デバイス内に共振器構造を導入する方法が従来知られている（例えば、特許文献１および特許文献２）。 In recent years, light-emitting devices such as organic EL (Electro-Luminescence) panels and organic EL lighting have been actively developed. Such a light emitting device generally has a configuration in which a plurality of functional layers including a light emitting layer are laminated between an anode and a cathode. Examples of the functional layer other than the light emitting layer include an electron injection layer and a hole transport layer. The light emitting device is required to improve the light emission efficiency, and the light emission efficiency is divided into an internal efficiency related to the photoelectric conversion rate of the organic light emitting material and an external efficiency related to the light extraction efficiency. As a method for improving the light extraction efficiency (external efficiency), a method of introducing a resonator structure in a light emitting device is conventionally known (for example, Patent Document 1 and Patent Document 2).
特開２００６－１４０１３０号公報JP 2006-140130 A 特開２０１２－３８５５５号公報JP 2012-38555 A
　発光デバイスの複数の機能層には、スパッタ法により形成される層が含まれる場合がある。スパッタ法により形成される層には、製造装置の部品の配置等に起因する装置の個性や、機能層の形成条件等の要因により、膜厚が相対的に厚い部分と相対的に薄い部分とが生じる。このような膜厚のばらつきが存在すると、発光面内において光学的距離にばらつきが生じる。すると、光の共振効果にもばらつきが生じ、発光デバイスの発光面内における輝度むらや色度ずれの原因となる。 The layers formed by sputtering may be included in the plurality of functional layers of the light emitting device. The layers formed by the sputtering method include a relatively thick portion and a relatively thin portion depending on factors such as the individuality of the device due to the arrangement of parts of the manufacturing device and the formation conditions of the functional layer. Occurs. When such a film thickness variation exists, the optical distance varies within the light emitting surface. Then, the resonance effect of the light also varies, which causes luminance unevenness and chromaticity deviation in the light emitting surface of the light emitting device.
　本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、発光面内の光の共振効果のばらつきを抑制して、輝度むらや色度ずれを抑制することができる発光デバイスの製造方法および発光デバイスを提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above problems, and a method for manufacturing a light-emitting device and a light-emitting device that can suppress unevenness in luminance and chromaticity deviation by suppressing variations in the resonance effect of light in the light-emitting surface. The purpose is to provide.
　本発明の一態様に係る発光デバイスの製造方法は、基板上に発光色が同じ第１発光素子および第２発光素子が配され、前記第１発光素子および前記第２発光素子の何れもが、一方が光反射性を有し他方が光透過性を有する第１電極および第２電極と、前記第１電極および前記第２電極の間に配され、第１層および第２層を含む複数の機能層の積層構造とを有する発光デバイスの製造方法であって、前記第１発光素子の前記第１層と、前記第２発光素子の前記第１層とを、スパッタ法で形成し、前記第１発光素子の前記第２層と、前記第２発光素子の前記第２層とを、塗布法で形成し、前記第１層および前記第２層の前記基板の主面と直交する方向における光学膜厚について、前記第１発光素子における前記第１層の光学膜厚をＤｓ１とし、前記第２発光素子における前記第１層の光学膜厚をＤｓ２とし、前記第１発光素子における前記第２層の光学膜厚をＤｗ１とし、前記第２発光素子における前記第２層の光学膜厚をＤｗ２とした場合、Ｄｓ１＜Ｄｓ２、且つ、Ｄｗ１＞Ｄｗ２の関係を満たすことを特徴とする。 In the method for manufacturing a light-emitting device according to one embodiment of the present invention, a first light-emitting element and a second light-emitting element having the same emission color are arranged on a substrate, and both the first light-emitting element and the second light-emitting element are A plurality of first and second electrodes, one having light reflectivity and the other having light transmissivity, and disposed between the first electrode and the second electrode, and including a first layer and a second layer A method of manufacturing a light emitting device having a stacked structure of functional layers, wherein the first layer of the first light emitting element and the first layer of the second light emitting element are formed by sputtering, The second layer of one light emitting element and the second layer of the second light emitting element are formed by a coating method, and optical in a direction orthogonal to the main surface of the substrate of the first layer and the second layer Regarding the film thickness, the optical film thickness of the first layer in the first light-emitting element is Ds1, The optical film thickness of the first layer in the second light emitting element is Ds2, the optical film thickness of the second layer in the first light emitting element is Dw1, and the optical film thickness of the second layer in the second light emitting element. Is Dw2, the relation of Ds1 <Ds2 and Dw1> Dw2 is satisfied.
　本発明の一態様に係る発光デバイスの製造方法によると、第１発光素子における第１層の光学膜厚Ｄｓ１よりも第２発光素子における第１層の光学膜厚Ｄｓ２の方が厚い。一方、第１発光素子における第２層の光学膜厚Ｄｗ１よりも第２発光素子における第２層の光学膜厚Ｄｗ２の方が薄い。即ち、第１発光素子において、第１層の光学膜厚Ｄｓ１が比較的薄いのを、第２層の光学膜厚Ｄｗ１が比較的厚いことにより、相殺することができる。同様に、第２発光素子において、第１層の光学膜厚Ｄｓ２が比較的厚いのを、第２層の光学膜厚Ｄｗ２が比較的薄いことにより相殺することができる。 According to the method for manufacturing a light emitting device according to one embodiment of the present invention, the optical thickness Ds2 of the first layer in the second light emitting element is thicker than the optical thickness Ds1 of the first layer in the first light emitting element. On the other hand, the optical film thickness Dw2 of the second layer in the second light emitting element is thinner than the optical film thickness Dw1 of the second layer in the first light emitting element. That is, in the first light emitting element, the relatively thin optical film thickness Ds1 of the first layer can be offset by the relatively thick optical film thickness Dw1 of the second layer. Similarly, in the second light emitting element, the relatively thick optical film thickness Ds2 of the first layer can be offset by the relatively thin optical film thickness Dw2 of the second layer.
　言い換えれば、発光デバイスの発光面全体として、第２層を塗布法で形成する際に、第２層を形成するためのインクの吐出量を調整して、第２層の光学膜厚が、スパッタ法で形成された第１層の光学膜厚ばらつきを相殺するような光学膜厚分布となるように第２層を形成することができる。 In other words, when the second layer is formed by the coating method over the entire light emitting surface of the light emitting device, the amount of ink discharged to form the second layer is adjusted so that the optical film thickness of the second layer is sputtered. The second layer can be formed to have an optical film thickness distribution that cancels out the optical film thickness variation of the first layer formed by the method.
　これにより、輝度むらや色度ずれが抑制された発光デバイスを製造することができる。 Thereby, it is possible to manufacture a light emitting device in which luminance unevenness and chromaticity deviation are suppressed.
本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成を模式的に示す断面図である。It is sectional drawing which shows typically the structure of the organic EL element which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る有機表示パネルの製造過程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、基材上にＴＦＴ層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｂ）は、ＴＦＴ層上に層間絶縁層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、層間絶縁層上に陽極が形成された状態を示す部分断面図である。（ｄ）は、陽極上に正孔注入層が形成された状態を示す部分断面図である。It is a fragmentary sectional view showing typically a part of manufacturing process of an organic display panel concerning an embodiment of the present invention. (A) is a fragmentary sectional view which shows the state in which the TFT layer was formed on the base material. (B) is a partial cross-sectional view showing a state in which an interlayer insulating layer is formed on the TFT layer. (C) is a partial sectional view showing a state in which an anode is formed on an interlayer insulating layer. (D) is a partial sectional view showing a state in which a hole injection layer is formed on the anode. 図２の続きの有機ＥＬ表示パネルの製造過程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、正孔注入層および層間絶縁層上に隔壁材料層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｂ）は、正孔注入層および層間絶縁層上に隔壁層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、隔壁層の開口部内に正孔輸送層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｄ）は、隔壁層の開口部内において正孔輸送層上に発光層が形成された状態を示す部分断面図である。FIG. 3 is a partial cross-sectional view schematically showing part of the process of manufacturing the organic EL display panel continued from FIG. 2. (A) is a fragmentary sectional view which shows the state by which the partition material layer was formed on the positive hole injection layer and the interlayer insulation layer. (B) is a fragmentary sectional view showing a state in which a partition layer is formed on the hole injection layer and the interlayer insulating layer. (C) is a partial cross-sectional view showing a state in which a hole transport layer is formed in the opening of the partition wall layer. (D) is a fragmentary sectional view showing a state in which a light emitting layer is formed on the hole transport layer in the opening of the partition wall layer. 図３の続きの有機ＥＬ表示パネルの製造過程の一部を模式的に示す部分断面図である。（ａ）は、隔壁層上および発光層上に電子輸送層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｂ）は、電子輸送層上に電子注入層が形成された状態を示す部分断面図である。（ｃ）は、電子注入層上に陰極および封止層が形成された状態を示す部分断面図である。FIG. 4 is a partial cross-sectional view schematically showing a part of the manufacturing process of the organic EL display panel continued from FIG. 3. (A) is a fragmentary sectional view which shows the state in which the electron carrying layer was formed on the partition layer and the light emitting layer. (B) is a fragmentary sectional view showing a state where an electron injection layer is formed on the electron transport layer. (C) is a partial cross-sectional view showing a state in which a cathode and a sealing layer are formed on an electron injection layer. 本発明の実施形態に係る有機表示パネルの製造過程を示す模式工程図である。It is a schematic process drawing which shows the manufacturing process of the organic display panel which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る有機表示パネルにおける正孔注入層の膜厚分布を示す図である。It is a figure which shows the film thickness distribution of the positive hole injection layer in the organic display panel which concerns on embodiment of this invention. （ａ）は、本発明の実施形態に係る有機表示パネルにおける正孔注入層の領域別の代表ポイントの膜厚比をグラフにプロットした図である。（ｂ）は、（ａ）の代表ポイントにおけるＢ色の色度ｙ値を領域別にグラフにプロットした図である。（ｃ）は、（ａ），（ｂ）における領域区分を模式的に示す図である。(A) is the figure which plotted the film thickness ratio of the representative point according to the area | region of the positive hole injection layer in the organic display panel which concerns on embodiment of this invention on the graph. (B) is the figure which plotted the chromaticity y value of B color in the representative point of (a) on the graph according to area | region. (C) is a figure which shows typically the area | region division in (a), (b). 本発明の実施形態に係る有機表示パネルにおける正孔輸送層の膜厚分布を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the film thickness distribution of the positive hole transport layer in the organic display panel which concerns on embodiment of this invention. 本発明の実施形態に係る有機表示パネルの第１発光素子および第２発光素子のそれぞれにおける正孔注入層と正孔輸送層の膜厚を模式的に示す図である。It is a figure which shows typically the film thickness of the hole injection layer and hole transport layer in each of the 1st light emitting element of the organic display panel which concerns on embodiment of this invention, and a 2nd light emitting element. 本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す模式ブロック図である。1 is a schematic block diagram illustrating a schematic configuration of an organic EL display device according to an embodiment of the present invention.
　≪本発明の一態様の概要≫
　本発明の一態様に係る発光デバイスの製造方法は、基板上に発光色が同じ第１発光素子および第２発光素子が配され、前記第１発光素子および前記第２発光素子の何れもが、一方が光反射性を有し他方が光透過性を有する第１電極および第２電極と、前記第１電極および前記第２電極の間に配され、第１層および第２層を含む複数の機能層の積層構造とを有する発光デバイスの製造方法であって、前記第１発光素子の前記第１層と、前記第２発光素子の前記第１層とを、スパッタ法で形成し、前記第１発光素子の前記第２層と、前記第２発光素子の前記第２層とを、塗布法で形成し、前記第１層および前記第２層の前記基板の主面と直交する方向における光学膜厚について、前記第１発光素子における前記第１層の光学膜厚をＤｓ１とし、前記第２発光素子における前記第１層の光学膜厚をＤｓ２とし、前記第１発光素子における前記第２層の光学膜厚をＤｗ１とし、前記第２発光素子における前記第２層の光学膜厚をＤｗ２とした場合、Ｄｓ１＜Ｄｓ２、且つ、Ｄｗ１＞Ｄｗ２の関係を満たすことを特徴とする。 << Outline of One Embodiment of the Present Invention >>
In the method for manufacturing a light-emitting device according to one embodiment of the present invention, a first light-emitting element and a second light-emitting element having the same emission color are arranged on a substrate, and both the first light-emitting element and the second light-emitting element are A plurality of first and second electrodes, one having light reflectivity and the other having light transmissivity, and disposed between the first electrode and the second electrode, and including a first layer and a second layer A method of manufacturing a light emitting device having a stacked structure of functional layers, wherein the first layer of the first light emitting element and the first layer of the second light emitting element are formed by sputtering, The second layer of one light emitting element and the second layer of the second light emitting element are formed by a coating method, and optical in a direction orthogonal to the main surface of the substrate of the first layer and the second layer Regarding the film thickness, the optical film thickness of the first layer in the first light emitting element is Ds1, The optical film thickness of the first layer in the second light emitting element is Ds2, the optical film thickness of the second layer in the first light emitting element is Dw1, and the optical film thickness of the second layer in the second light emitting element is When Dw2, Ds1 <Ds2 and Dw1> Dw2 are satisfied.
　本発明の一態様に係る発光デバイスの製造方法によると、第１発光素子における第１層の光学膜厚Ｄｓ１よりも第２発光素子における第１層の光学膜厚Ｄｓ２の方が厚い。一方、第１発光素子における第２層の光学膜厚Ｄｗ１よりも第２発光素子における第２層の光学膜厚Ｄｗ２の方が薄い。即ち、第１発光素子において、第１層の光学膜厚Ｄｓ１が比較的薄いのを、第２層の光学膜厚Ｄｗ１が比較的厚いことにより、相殺することができる。同様に、第２発光素子において、第１層の光学膜厚Ｄｓ２が比較的厚いのを、第２層の光学膜厚Ｄｗ２が比較的薄いことにより相殺することができる。 According to the method for manufacturing a light emitting device according to one embodiment of the present invention, the optical thickness Ds2 of the first layer in the second light emitting element is thicker than the optical thickness Ds1 of the first layer in the first light emitting element. On the other hand, the optical film thickness Dw2 of the second layer in the second light emitting element is thinner than the optical film thickness Dw1 of the second layer in the first light emitting element. That is, in the first light emitting element, the relatively thin optical film thickness Ds1 of the first layer can be offset by the relatively thick optical film thickness Dw1 of the second layer. Similarly, in the second light emitting element, the relatively thick optical film thickness Ds2 of the first layer can be offset by the relatively thin optical film thickness Dw2 of the second layer.
　言い換えれば、発光デバイスの発光面全体として、第２層を塗布法で形成する際に、第２層を形成するためのインクの吐出量を調整して、第２層の光学膜厚が、スパッタ法で形成された第１層の光学膜厚ばらつきを相殺するような光学膜厚分布となるように第２層を形成することができる。 In other words, when the second layer is formed by the coating method over the entire light emitting surface of the light emitting device, the amount of ink discharged to form the second layer is adjusted so that the optical film thickness of the second layer is sputtered. The second layer can be formed to have an optical film thickness distribution that cancels out the optical film thickness variation of the first layer formed by the method.
　これにより、第１発光素子における光学的距離と第２発光素子における光学的距離とのずれが抑制され、発光面内における光の共振効果のばらつきが抑制されて、輝度むらや色度ずれが抑制された発光デバイスを製造することができる。 Thereby, the deviation between the optical distance in the first light emitting element and the optical distance in the second light emitting element is suppressed, the dispersion of the resonance effect of the light in the light emitting surface is suppressed, and the luminance unevenness and chromaticity deviation are suppressed. The manufactured light emitting device can be manufactured.
　ここで、「光学膜厚」とは、機能層の厚み方向における光学的距離を意味しており、具体的には、機能層の物理的な膜厚に、機能層の光屈折率を乗じた値である。 Here, “optical film thickness” means an optical distance in the thickness direction of the functional layer. Specifically, the physical film thickness of the functional layer is multiplied by the optical refractive index of the functional layer. Value.
　また、本発明の一態様に係る発光デバイスの製造方法の特定の局面では、前記Ｄｓ１、前記Ｄｓ２、前記Ｄｗ１、および、前記Ｄｗ２は、前記第１発光素子および前記第２発光素子の前記発光色の波長に基づいて、共振器構造を形成する光学膜厚にそれぞれ設定されていることを特徴とする。 In the specific aspect of the method for manufacturing a light-emitting device according to one embodiment of the present invention, the Ds1, the Ds2, the Dw1, and the Dw2 are the emission colors of the first light-emitting element and the second light-emitting element. The optical film thicknesses for forming the resonator structure are respectively set based on the wavelengths.
　これにより、それぞれの発光素子において共振効果を適切に調整することができ、発光効率の向上、輝度むらの抑制、色度ずれの抑制を図ることができる。 Thereby, it is possible to appropriately adjust the resonance effect in each light emitting element, and it is possible to improve light emission efficiency, suppress luminance unevenness, and suppress chromaticity deviation.
　また、本発明の一態様に係る発光デバイスの製造方法の特定の局面では、前記基板の上方に、光反射性を有する材料を用いて前記第１電極を形成し、前記第１電極の上方に、前記第１層および前記第２層の一方を形成し、前記一方の上方に、前記第１層および前記第２層の他方を形成し、前記他方の上方に、発光層を形成し、前記発光層の上方に、光透過性を有する材料を用いて前記第２電極を形成し、前記Ｄｓ１、前記Ｄｓ２、前記Ｄｗ１、前記Ｄｗ２は、Ｄｓ１＋Ｄｗ１＝Ｄｓ２＋Ｄｗ２の関係を満たすことを特徴とする。 In a specific aspect of the method for manufacturing a light-emitting device according to one embodiment of the present invention, the first electrode is formed above the substrate using a light-reflective material, and the first electrode is formed above the first electrode. Forming one of the first layer and the second layer, forming the other of the first layer and the second layer above the one, forming a light emitting layer above the other, The second electrode is formed using a light-transmitting material above the light emitting layer, and the Ds1, Ds2, Dw1, and Dw2 satisfy a relationship of Ds1 + Dw1 = Ds2 + Dw2.
　上記製造方法は、第１電極が基板側に形成されて光反射性を有し、第２電極が基板と反対側に形成されて光透過性を有する、所謂トップエミッション型の発光デバイスの製造方法である。また、上記製造方法においては、光反射性を有する第１電極と発光層との間に第１層および第２層が形成される。従って、発光層から第２電極側へと発せられた光は、第１層および第２層を通過することなく、第２電極を透過して直接外部へと取り出される（以下、「直接出射光」という。）。一方、発光層から第１電極側へと発せられた光は、第１層および第２層を通過して第１電極表面で反射された後に再び第１層および第２層を通過して外部へと取り出される（以下、「反射出射光」という。）。よって、第１層および第２層の光学膜厚を調整することにより、もっとも効率的に共振効果の調整を行うことができる。 The above manufacturing method is a method of manufacturing a so-called top emission type light emitting device in which the first electrode is formed on the substrate side and has light reflectivity, and the second electrode is formed on the side opposite to the substrate and has light transmittance. It is. Moreover, in the said manufacturing method, a 1st layer and a 2nd layer are formed between the 1st electrode and light emitting layer which have light reflectivity. Therefore, the light emitted from the light emitting layer to the second electrode side passes through the second electrode and is directly extracted outside without passing through the first layer and the second layer (hereinafter referred to as “direct emission light”). "). On the other hand, the light emitted from the light emitting layer to the first electrode side passes through the first layer and the second layer, is reflected on the surface of the first electrode, and then passes again through the first layer and the second layer to the outside. (Hereinafter referred to as “reflected outgoing light”). Therefore, the resonance effect can be adjusted most efficiently by adjusting the optical film thicknesses of the first layer and the second layer.
　そしてその際に、第１発光素子における光学的距離と第２発光素子における光学的距離とのずれが抑制され、発光面内における光の共振効果のばらつきが抑制されて、輝度むらや色度ずれが抑制された発光デバイスを製造することができる。 At that time, a deviation between the optical distance in the first light emitting element and the optical distance in the second light emitting element is suppressed, and variation in the resonance effect of light in the light emitting surface is suppressed, resulting in uneven brightness and chromaticity deviation. It is possible to manufacture a light emitting device in which the above is suppressed.
　また、本発明の一態様に係る発光デバイスの製造方法の特定の局面では、前記基板の上方に、光透過性を有する材料を用いて前記第１電極を形成し、前記第１電極の上方に、発光層を形成し、前記発光層の上方に、前記第１層および前記第２層の一方を形成し、前記一方の上方に、前記第１層および前記第２層の他方を形成し、前記他方の上方に、光反射性を有する材料を用いて前記第２電極を形成し、前記Ｄｓ１、前記Ｄｓ２、前記Ｄｗ１、前記Ｄｗ２は、Ｄｓ１＋Ｄｗ１＝Ｄｓ２＋Ｄｗ２の関係を満たすことを特徴とする。 In a specific aspect of the method for manufacturing a light-emitting device according to one embodiment of the present invention, the first electrode is formed above the substrate using a light-transmitting material, and above the first electrode. Forming a light emitting layer, forming one of the first layer and the second layer above the light emitting layer, forming the other of the first layer and the second layer above the one, The second electrode is formed on the other side using a material having light reflectivity, and the Ds1, the Ds2, the Dw1, and the Dw2 satisfy a relationship of Ds1 + Dw1 = Ds2 + Dw2.
　上記製造方法は、第１電極が基板側に形成されて光透過性を有し、第２電極が基板と反対側に形成されて光反射性を有する、所謂ボトムエミッション型の発光デバイスの製造方法である。また、上記製造方法においては、光反射性を有する第２電極と発光層との間に第１層および第２層が形成される。従って、上記トップエミッション型の場合と同様に、第１層および第２層の光学膜厚を調整することにより、もっとも効率的に共振効果の調整を行うことができる。 The above manufacturing method is a method of manufacturing a so-called bottom emission type light emitting device in which the first electrode is formed on the substrate side and has light transmittance, and the second electrode is formed on the opposite side of the substrate and has light reflectivity. It is. Moreover, in the said manufacturing method, a 1st layer and a 2nd layer are formed between the 2nd electrode and light emitting layer which have light reflectivity. Therefore, as in the case of the top emission type, the resonance effect can be adjusted most efficiently by adjusting the optical film thicknesses of the first layer and the second layer.
　そしてその際に、第１発光素子における光学的距離と第２発光素子における光学的距離とのずれが抑制され、発光面内における光の共振効果のばらつきが抑制されて、輝度むらや色度ずれが抑制された発光デバイスを製造することができる。 At that time, a deviation between the optical distance in the first light emitting element and the optical distance in the second light emitting element is suppressed, and variation in the resonance effect of light in the light emitting surface is suppressed, resulting in uneven brightness and chromaticity deviation. It is possible to manufacture a light emitting device in which the above is suppressed.
　また、本発明の一態様に係る発光デバイスの製造方法の特定の局面では、前記第１層を金属酸化物で形成し、前記第１層の上方に前記第２層を有機材料で形成することを特徴とする。 In a specific aspect of the method for manufacturing a light-emitting device according to one embodiment of the present invention, the first layer is formed of a metal oxide, and the second layer is formed of an organic material above the first layer. It is characterized by.
　これにより、第１層を、金属酸化物からなる正孔輸送層として形成することができる。その場合、例えば、タングステンをターゲット部材に酸素雰囲気下で反応性スパッタ法により酸化タングステンの層として正孔注入層を形成することができ、製造が容易である。 Thereby, the first layer can be formed as a hole transport layer made of a metal oxide. In that case, for example, a hole injection layer can be formed as a tungsten oxide layer by a reactive sputtering method in an oxygen atmosphere using tungsten as a target member, and the manufacture is easy.
　また、第２層を、正孔輸送性を有する有機材料から成る正孔輸送層として形成することができる。その場合、正孔輸送性を有する有機材料を用いて塗布法により正孔輸送層を形成することができ、製造が容易である。 Further, the second layer can be formed as a hole transport layer made of an organic material having a hole transport property. In that case, a hole transport layer can be formed by a coating method using an organic material having a hole transport property, and the production is easy.
　本発明の別の一態様に係る発光デバイスは、基板と、前記基板上に配され、発光色が同じ第１発光素子および第２発光素子とを有する発光デバイスであって、前記第１発光素子および前記第２発光素子の何れもが、少なくとも一方が光透過性を有する第１電極および第２電極と、前記第１電極および前記第２電極の間に配され、スパッタ法により形成された第１層および塗布法により形成された第２層を含む複数の機能層の積層構造とを有し、前記第１層および前記第２層の前記基板の主面と直交する方向における光学膜厚について、前記第１発光素子における前記第１層の光学膜厚をＤｓ１とし、前記第２発光素子における前記第１層の光学膜厚をＤｓ２とし、前記第１発光素子における前記第２層の光学膜厚をＤｗ１とし、前記第２発光素子における前記第２層の光学膜厚をＤｗ２とした場合、Ｄｓ１＜Ｄｓ２、且つ、Ｄｗ１＞Ｄｗ２の関係を満たすことを特徴とする。 A light-emitting device according to another aspect of the present invention is a light-emitting device that includes a substrate and a first light-emitting element and a second light-emitting element that are disposed on the substrate and have the same emission color, and the first light-emitting element. Each of the second light-emitting elements is formed between the first electrode and the second electrode, at least one of which has a light transmitting property, and the first electrode and the second electrode, and is formed by a sputtering method. An optical film thickness in a direction perpendicular to the main surface of the substrate of the first layer and the second layer, and a laminated structure of a plurality of functional layers including one layer and a second layer formed by a coating method The optical film thickness of the first layer in the first light emitting element is Ds1, the optical film thickness of the first layer in the second light emitting element is Ds2, and the optical film of the second layer in the first light emitting element. The thickness is Dw1 and the second shot If the optical thickness of the second layer in the element and Dw2, Ds1 <Ds2, and, Dw1> characterized by satisfying the relation of Dw2.
　本発明の別の一態様に係る発光デバイスによると、第１発光素子において、第１層の光学膜厚Ｄｓ１が比較的薄いのが、第２層の光学膜厚Ｄｗ１が比較的厚いことにより、相殺されている。同様に、第２発光素子において、第１層の光学膜厚Ｄｓ２が比較的厚いのが、第２層の光学膜厚Ｄｗ２が比較的薄いことにより相殺されている。即ち、発光デバイスの発光面全体として、第１層の光学膜厚ばらつきを相殺するような光学膜厚分布で第２層が形成されている。 According to the light emitting device according to another aspect of the present invention, in the first light emitting element, the optical film thickness Ds1 of the first layer is relatively thin, but the optical film thickness Dw1 of the second layer is relatively thick, It has been offset. Similarly, in the second light emitting element, the relatively thick optical thickness Ds2 of the first layer is offset by the relatively thin optical thickness Dw2 of the second layer. That is, the second layer is formed on the entire light emitting surface of the light emitting device with an optical film thickness distribution that cancels out the optical film thickness variation of the first layer.
　これにより、第１発光素子における光学的距離と第２発光素子における光学的距離とのずれが抑制され、発光面内における光の共振効果のばらつきが抑制されて、輝度むらや色度ずれが抑制された発光デバイスを実現することができる。 Thereby, the deviation between the optical distance in the first light emitting element and the optical distance in the second light emitting element is suppressed, the dispersion of the resonance effect of the light in the light emitting surface is suppressed, and the luminance unevenness and chromaticity deviation are suppressed. It is possible to realize a light emitting device.
　また、本発明の別の一態様に係る発光デバイスの特定の局面では、前記Ｄｓ１、前記Ｄｓ２、前記Ｄｗ１、および、前記Ｄｗ２は、前記第１発光素子および前記第２発光素子の前記発光色の波長に基づいて、共振器構造を形成する光学膜厚にそれぞれ設定されていることを特徴とする。 In a specific aspect of the light-emitting device according to another aspect of the present invention, the Ds1, the Ds2, the Dw1, and the Dw2 are the emission colors of the first light-emitting element and the second light-emitting element. The optical film thicknesses for forming the resonator structure are respectively set based on the wavelength.
　これにより、それぞれの発光素子において共振効果が適切に調整され、発光効率の向上、輝度むらの抑制、色度ずれの抑制を図ることができる。 Thereby, the resonance effect is appropriately adjusted in each light emitting element, and it is possible to improve the light emission efficiency, suppress the luminance unevenness, and suppress the chromaticity deviation.
　また、本発明の別の一態様に係る発光デバイスの特定の局面では、前記第１電極と前記第２電極との間にさらに発光層を有し、前記第１電極は、光反射性を有し、前記第１電極と前記発光層との間に、前記第１層および前記第２層が配され、前記Ｄｓ１、前記Ｄｓ２、前記Ｄｗ１、前記Ｄｗ２は、Ｄｓ１＋Ｄｗ１＝Ｄｓ２＋Ｄｗ２の関係を満たすことを特徴とする。 In a specific aspect of the light emitting device according to another aspect of the present invention, the light emitting device further includes a light emitting layer between the first electrode and the second electrode, and the first electrode has light reflectivity. The first layer and the second layer are disposed between the first electrode and the light emitting layer, and Ds1, Ds2, Dw1, and Dw2 satisfy a relationship of Ds1 + Dw1 = Ds2 + Dw2. Features.
　光反射性を有する第１電極と発光層との間に第１層および第２層が配されているため、第１層および第２層の光学膜厚を調整することにより、もっとも効率的に共振効果の調整を行うことができる。それにより、第１発光素子における光学的距離と第２発光素子における光学的距離とのずれが抑制され、発光面内における光の共振効果のばらつきが抑制されて、輝度むらや色度ずれが抑制された発光デバイスを実現することができる。 Since the first layer and the second layer are disposed between the light-reflecting first electrode and the light emitting layer, it is most efficient by adjusting the optical film thickness of the first layer and the second layer. The resonance effect can be adjusted. Thereby, the deviation between the optical distance in the first light emitting element and the optical distance in the second light emitting element is suppressed, the dispersion of the resonance effect of light in the light emitting surface is suppressed, and the luminance unevenness and chromaticity deviation are suppressed. It is possible to realize a light emitting device.
　また、本発明の別の一態様に係る発光デバイスの特定の局面では、前記第１層は、金属酸化物から成り、前記第２層は、有機材料から成り、前記第１層は、前記第２層よりも前記第１電極側に配されていることを特徴とする。 Further, in a specific aspect of the light emitting device according to another aspect of the present invention, the first layer is made of a metal oxide, the second layer is made of an organic material, and the first layer is made of the first layer. It is characterized by being arranged closer to the first electrode than the two layers.
　これにより、第１層を、例えば、酸化タングステンから成る正孔注入層として形成することができる。この場合、タングステンをターゲット部材に酸素雰囲気下で反応性スパッタ法により酸化タングステンの層として正孔注入層を形成することができ、製造が容易である。 Thereby, the first layer can be formed as a hole injection layer made of, for example, tungsten oxide. In this case, the hole injection layer can be formed as a tungsten oxide layer by a reactive sputtering method in an oxygen atmosphere using tungsten as a target member, and manufacturing is easy.
　また、第２層を、有機材料から成る正孔輸送層として形成することができる。この場合、正孔輸送性を有する有機材料を、例えば、インクジェット法により塗布して正孔輸送層を形成することができ、製造が容易である。 Further, the second layer can be formed as a hole transport layer made of an organic material. In this case, an organic material having a hole transporting property can be applied by, for example, an ink jet method to form a hole transporting layer, and the production is easy.
　以下、本発明の実施形態および変形例について具体例を示し、構成および作用・効果を説明する。 Hereinafter, specific examples of the embodiment and modification of the present invention will be shown, and the configuration, operation, and effect will be described.
　なお、以下の説明で用いる実施形態および変形例は、本発明の一態様に係る構成および作用・効果を分かりやすく説明するために用いる例示であって、本発明は、その本質的部分以外に何ら以下の実施形態および変形例に限定を受けるものではない。 Note that the embodiment and the modification used in the following description are examples used for easy understanding of the configuration, operation, and effect according to one aspect of the present invention, and the present invention is not limited to the essential part. The present invention is not limited to the following embodiments and modifications.
　≪実施形態≫
　［１．有機ＥＬ表示パネルの概略構成］
　本発明の一態様である発光デバイスの一例としての実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００の概略構成について、図１を用い説明する。 <Embodiment>
[1. Schematic configuration of organic EL display panel]
A schematic configuration of an organic EL display panel 100 according to an embodiment as an example of a light-emitting device that is one embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
　図１は、実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００の一部拡大断面図である。有機ＥＬ表示パネル１００は、基板１１上にマトリクス状に配置された複数の発光素子１を有する。１つの発光素子は、１つのサブ画素（サブピクセル）に相当し、Ｒ（赤色）、Ｇ（緑色）、Ｂ（青色）の何れかの発光色に対応している。そして、Ｒ，Ｇ，Ｂそれぞれに対応する３つのサブ画素（サブピクセル）により１つの画素（ピクセル）が構成される。即ち、１つの画素は、Ｒ色に対応した発光素子１Ｒ、Ｇ色に対応した発光素子１Ｇ、およびＢ色に対応した発光素子１Ｂの３つの発光素子１から成る。有機ＥＬ表示パネル１００は、同図上側を表示面とする、いわゆるトップエミッション型のカラーディスプレイパネルである。 FIG. 1 is a partially enlarged cross-sectional view of an organic EL display panel 100 according to an embodiment. The organic EL display panel 100 includes a plurality of light emitting elements 1 arranged in a matrix on a substrate 11. One light-emitting element corresponds to one sub-pixel (sub-pixel), and corresponds to one of the emission colors R (red), G (green), and B (blue). One pixel (pixel) is constituted by three sub-pixels (sub-pixels) corresponding to R, G, and B, respectively. That is, one pixel is composed of three light emitting elements 1 of a light emitting element 1R corresponding to R color, a light emitting element 1G corresponding to G color, and a light emitting element 1B corresponding to B color. The organic EL display panel 100 is a so-called top emission type color display panel whose upper side is the display surface.
　なお、構成要素を発光色により特に区別する必要がある場合には、構成要素の符号の後にＲ，Ｇ，Ｂの何れかを付して、それぞれに対応する発光色を示している。特に区別する必要が無い場合には、Ｒ，Ｇ，Ｂは付さない。例えば、発光色を特に区別しない場合には、単に発光素子１という。 In addition, when it is necessary to particularly distinguish the constituent elements according to the light emission colors, any of R, G, and B is added after the reference numerals of the constituent elements to indicate the corresponding light emission colors. If there is no need to distinguish between them, R, G, and B are not attached. For example, when the emission colors are not particularly distinguished, they are simply referred to as the light emitting element 1.
　有機ＥＬ表示パネル１００は、基板１１、層間絶縁層１２、陽極１３、正孔注入層１４、隔壁層１５、正孔輸送層１６、発光層１７（１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂ）、電子輸送層１８、電子注入層１９、陰極２０、および封止層２１を備える。基板１１、層間絶縁層１２、電子輸送層１８、電子注入層１９、陰極２０、および封止層２１は、複数の画素に共通して設けられている。本実施形態においては、正孔注入層１４、正孔輸送層１６、発光層１７、電子輸送層１８、電子注入層１９が、機能層である。有機ＥＬ表示パネル１００は、これら機能層が積層された積層構造を有している。なお、必ずしも上記全ての層が機能層に含まれていなくてもよいが、機能層には、少なくとも発光層１７が含まれる。そして、機能層には、スパッタ法で形成される層（第１層）と、塗布法で形成される層（第２層）が含まれる。発光層１７が、例えば、塗布法で形成される場合には、発光層１７が第２層であってもよいし、発光層１７以外の塗布法で形成される層が第２層として含まれていてもよい。 The organic EL display panel 100 includes a substrate 11, an interlayer insulating layer 12, an anode 13, a hole injection layer 14, a partition wall layer 15, a hole transport layer 16, a light emitting layer 17 (17R, 17G, 17B), an electron transport layer 18, An electron injection layer 19, a cathode 20, and a sealing layer 21 are provided. The substrate 11, the interlayer insulating layer 12, the electron transport layer 18, the electron injection layer 19, the cathode 20, and the sealing layer 21 are provided in common for a plurality of pixels. In the present embodiment, the hole injection layer 14, the hole transport layer 16, the light emitting layer 17, the electron transport layer 18, and the electron injection layer 19 are functional layers. The organic EL display panel 100 has a laminated structure in which these functional layers are laminated. Note that all the above layers may not necessarily be included in the functional layer, but the functional layer includes at least the light emitting layer 17. The functional layer includes a layer (first layer) formed by a sputtering method and a layer (second layer) formed by a coating method. For example, when the light emitting layer 17 is formed by a coating method, the light emitting layer 17 may be the second layer, or a layer formed by a coating method other than the light emitting layer 17 is included as the second layer. It may be.
　続いて、有機ＥＬ表示パネル１００の各部構成について説明する。 Subsequently, the configuration of each part of the organic EL display panel 100 will be described.
　＜基板＞
　基板１１は、絶縁材料である基材１１１と、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）層１１２とを含む。ＴＦＴ層１１２には、サブ画素毎に駆動回路（不図示）が形成されている。基材１１１が形成される材料としては、例えば、ガラスが用いられる。ガラス材料としては、具体的には例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英等のガラスなどが挙げられる。 <Board>
The substrate 11 includes a base material 111 that is an insulating material and a TFT (Thin Film Transistor) layer 112. In the TFT layer 112, a drive circuit (not shown) is formed for each subpixel. As a material for forming the base material 111, for example, glass is used. Specific examples of the glass material include alkali-free glass, soda glass, non-fluorescent glass, phosphate glass, borate glass, quartz glass, and the like.
　＜層間絶縁層＞
　層間絶縁層１２は、基板１１上に形成されている。層間絶縁層１２は、樹脂材料からなり、ＴＦＴ層１１２の上面の段差を平坦化するためのものである。層間絶縁層１２が形成される樹脂材料としては、例えば、ポジ型の感光性材料が用いられる。また、このような感光性材料としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。 <Interlayer insulation layer>
The interlayer insulating layer 12 is formed on the substrate 11. The interlayer insulating layer 12 is made of a resin material, and is for flattening a step on the upper surface of the TFT layer 112. As the resin material on which the interlayer insulating layer 12 is formed, for example, a positive photosensitive material is used. Examples of such photosensitive materials include acrylic resins, polyimide resins, siloxane resins, and phenol resins.
　＜陽極＞
　陽極１３は、導電材料からなり、層間絶縁層１２上にサブ画素毎に形成される。本実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００は、トップエミッション型であるので、陽極１３は、光反射性を具備した導電材料により形成されるとよい。光反射性を具備する導電材料としては、金属が挙げられる。具体的には、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、Ｍｏ（モリブデン）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＭｏＷ（モリブデンとタングステンの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等を用いることができる。また、陽極１３は、上記光反射性を具備する導電材料と透明導電材料との積層構造であってもよい。この場合、透明導電材料としては、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｔｉｎ　Ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ　Ｚｉｎｃ　Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（酸化亜鉛）等を用いることができる。 <Anode>
The anode 13 is made of a conductive material and is formed on the interlayer insulating layer 12 for each subpixel. Since the organic EL display panel 100 according to the present embodiment is a top emission type, the anode 13 may be formed of a conductive material having light reflectivity. Examples of the conductive material having light reflectivity include metals. Specifically, Ag (silver), Al (aluminum), aluminum alloy, Mo (molybdenum), APC (silver, palladium, copper alloy), ARA (silver, rubidium, gold alloy), MoCr (molybdenum and chromium) Alloy), MoW (alloy of molybdenum and tungsten), NiCr (alloy of nickel and chromium), and the like can be used. Further, the anode 13 may have a laminated structure of the conductive material having the light reflectivity and the transparent conductive material. In this case, as the transparent conductive material, ITO (Indium Tin Oxide), IZO (Indium Zinc Oxide), ZnO (zinc oxide), or the like can be used.
　なお、この断面図には現れていないが、層間絶縁層１２には、コンタクトホールがサブ画素毎に形成されている。当該コンタクトホールにはＴＦＴ接続配線が埋め込まれており、陽極１３は、ＴＦＴ接続配線を介して、ＴＦＴ層１１２に形成された駆動回路と電気的に接続されている。 Although not shown in this cross-sectional view, a contact hole is formed in the interlayer insulating layer 12 for each sub-pixel. A TFT connection wiring is embedded in the contact hole, and the anode 13 is electrically connected to a drive circuit formed in the TFT layer 112 via the TFT connection wiring.
　＜正孔注入層＞
　正孔注入層１４は、陽極１３から発光層１７への正孔の注入を促進させる機能を有する。正孔注入層１４は、例えば、金属酸化物から成り、陽極１３上に配置される。正孔注入層１４の形成は、例えば、スパッタリング法により行われる。正孔注入層１４の形成材料である金属酸化物としては、例えば、酸化タングステン（ＷＯｘ）、酸化モリブデン（ＭｏＯｘ）や、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、バナジウム（Ｖ）、ニッケル（Ｎｉ）、イリジウム（Ｉｒ）等の酸化物を用いることができる。 <Hole injection layer>
The hole injection layer 14 has a function of promoting injection of holes from the anode 13 to the light emitting layer 17. The hole injection layer 14 is made of, for example, a metal oxide and is disposed on the anode 13. The hole injection layer 14 is formed by, for example, a sputtering method. Examples of the metal oxide that is a material for forming the hole injection layer 14 include tungsten oxide (WOx), molybdenum oxide (MoOx), silver (Ag), chromium (Cr), vanadium (V), and nickel (Ni). An oxide such as iridium (Ir) can be used.
　本実施形態においては、正孔注入層１４は、酸化タングステンから成り、反応性スパッタ法を用いてタングステンと酸素とを反応させ、酸化タングステンの層を形成することにより、正孔注入層１４が形成される。 In the present embodiment, the hole injection layer 14 is made of tungsten oxide, and the hole injection layer 14 is formed by forming a tungsten oxide layer by reacting tungsten and oxygen using a reactive sputtering method. Is done.
　＜隔壁層＞
　隔壁層１５は、正孔注入層１４の上面の一部の領域を露出させ、その周辺の領域を被覆した状態で正孔注入層１４上に形成されている。正孔注入層１４の上面において隔壁層１５で被覆されていない領域（以下、「開口部」という。）は、サブピクセルに対応している。即ち、隔壁層１５は、サブピクセル毎に設けられた開口部１５ａを有する。 <Partition wall layer>
The partition layer 15 is formed on the hole injection layer 14 in a state in which a part of the upper surface of the hole injection layer 14 is exposed and the peripheral region is covered. A region of the upper surface of the hole injection layer 14 that is not covered with the partition wall layer 15 (hereinafter referred to as “opening”) corresponds to a subpixel. That is, the partition wall layer 15 has an opening 15a provided for each subpixel.
　隔壁層１５は、例えば、絶縁性の有機材料（例えばアクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック樹脂、フェノール樹脂等）からなる。隔壁層１５は、発光層１７を塗布法で形成する場合には、塗布されたインクがあふれ出ないようにするための構造物として機能し、発光層１７を蒸着法で形成する場合には、蒸着マスクを載置するための構造物として機能する。本実施形態では、隔壁層１５は、樹脂材料からなり、例えば、ポジ型の感光性材料を用いることができる。このような感光性材料として、具体的には、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、シロキサン系樹脂、フェノール系樹脂等が挙げられる。本実施形態においては、フェノール系樹脂が用いられている。 The partition layer 15 is made of, for example, an insulating organic material (for example, acrylic resin, polyimide resin, novolac resin, phenol resin, or the like). The partition wall layer 15 functions as a structure for preventing the applied ink from overflowing when the light emitting layer 17 is formed by a coating method, and when the light emitting layer 17 is formed by a vapor deposition method, It functions as a structure for mounting a vapor deposition mask. In this embodiment, the partition layer 15 is made of a resin material, and for example, a positive photosensitive material can be used. Specific examples of such photosensitive materials include acrylic resins, polyimide resins, siloxane resins, and phenol resins. In this embodiment, a phenolic resin is used.
　＜正孔輸送層＞
　正孔輸送層１６は、正孔注入層１４から注入された正孔を発光層１７へ輸送する機能を有する。正孔輸送層１６の形成は、有機材料溶液の塗布および乾燥により行われる。正孔輸送層１６を形成する有機材料としては、ポリフルオレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体等の高分子化合物を用いることができる。 <Hole transport layer>
The hole transport layer 16 has a function of transporting holes injected from the hole injection layer 14 to the light emitting layer 17. The hole transport layer 16 is formed by applying an organic material solution and drying. As an organic material for forming the hole transport layer 16, polymer compounds such as polyfluorene and derivatives thereof, or polyarylamine and derivatives thereof can be used.
　また、正孔輸送層１６はトリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポルフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンジン誘導体を用いて形成されてもよい。特に好ましくは、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物等を用いてもよい。この場合、正孔輸送層１６は、真空蒸着法により形成される。 The hole transport layer 16 is composed of triazole derivative, oxadiazole derivative, imidazole derivative, polyarylalkane derivative, pyrazoline derivative and pyrazolone derivative, phenylenediamine derivative, arylamine derivative, amino-substituted chalcone derivative, oxazole derivative, styrylanthracene derivative, It may be formed using fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, porphyrin compounds, aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds, butadiene compounds, polystyrene derivatives, hydrazone derivatives, triphenylmethane derivatives, tetraphenylbenzine derivatives. . Particularly preferably, a porphyrin compound, an aromatic tertiary amine compound and a styrylamine compound may be used. In this case, the hole transport layer 16 is formed by a vacuum evaporation method.
　本実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００においては、正孔輸送層１６の形成は、有機材料溶液の塗布および乾燥により行われる。 In the organic EL display panel 100 according to this embodiment, the hole transport layer 16 is formed by applying and drying an organic material solution.
　＜発光層＞
　発光層１７は、有機発光材料を含み、陽極１３の上方に位置する開口部１５ａ内に形成されている。発光層１７は、正孔と電子の再結合によりＲ、Ｇ、Ｂの各色の光を出射する機能を有する。本実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００においては、発光層１７は、有機発光材料を含むインクがインクジェットにより開口部１５ａ内に塗布されて形成される。 <Light emitting layer>
The light emitting layer 17 includes an organic light emitting material and is formed in an opening 15 a located above the anode 13. The light emitting layer 17 has a function of emitting light of each color of R, G, and B by recombination of holes and electrons. In the organic EL display panel 100 according to the present embodiment, the light emitting layer 17 is formed by applying an ink containing an organic light emitting material into the opening 15a by inkjet.
　発光層１７に含まれる有機発光材料としては、例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物およびアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体およびピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８－ヒドロキシキノリン化合物の金属鎖体、２－ビピリジン化合物の金属鎖体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との鎖体、オキシン金属鎖体、希土類鎖体等の蛍光物質を用いることができる。また、トリス（２－フェニルピリジン）イリジウムなどの燐光を発光する金属錯体等の公知の燐光物質を用いることができる。また、発光層１７は、ポリフルオレンやその誘導体、ポリフェニレンやその誘導体、あるいはポリアリールアミンやその誘導体等の高分子化合物等、もしくは前記低分子化合物と前記高分子化合物の混合物を用いて形成されてもよい。 Examples of the organic light emitting material included in the light emitting layer 17 include an oxinoid compound, a perylene compound, a coumarin compound, an azacoumarin compound, an oxazole compound, an oxadiazole compound, a perinone compound, a pyrrolopyrrole compound, a naphthalene compound, an anthracene compound, a fluorene compound, Fluoranthene compound, tetracene compound, pyrene compound, coronene compound, quinolone compound and azaquinolone compound, pyrazoline derivative and pyrazolone derivative, rhodamine compound, chrysene compound, phenanthrene compound, cyclopentadiene compound, stilbene compound, diphenylquinone compound, styryl compound, butadiene compound, Dicyanomethylenepyran compound, dicyanomethylenethiopyran compound, fluorescein compound, pyrylium Compound, thiapyrylium compound, serenapyrylium compound, telluropyrylium compound, aromatic aldadiene compound, oligophenylene compound, thioxanthene compound, cyanine compound, acridine compound, metal chain of 8-hydroxyquinoline compound, metal chain of 2-bipyridine compound And fluorescent materials such as a chain, a chain of a Schiff salt and a group III metal, an oxine metal chain, and a rare earth chain. Further, a known phosphor such as a metal complex that emits phosphorescence such as tris (2-phenylpyridine) iridium can be used. The light emitting layer 17 is formed using polyfluorene or a derivative thereof, polyphenylene or a derivative thereof, a polymer compound such as polyarylamine or a derivative thereof, or a mixture of the low molecular compound and the polymer compound. Also good.
　＜電子輸送層＞
　電子輸送層１８は、複数の画素に共通して発光層１７および隔壁層１５上に設けられており、陰極２０から注入された電子を発光層１７へと輸送する機能を有する。電子輸送層１８は、例えば、オキサジアゾール誘導体（ＯＸＤ）、トリアゾール誘導体（ＴＡＺ）、フェナンスロリン誘導体（ＢＣＰ、Ｂｐｈｅｎ）などを用い形成されている。 <Electron transport layer>
The electron transport layer 18 is provided on the light emitting layer 17 and the partition wall layer 15 in common to a plurality of pixels, and has a function of transporting electrons injected from the cathode 20 to the light emitting layer 17. The electron transport layer 18 is formed using, for example, an oxadiazole derivative (OXD), a triazole derivative (TAZ), a phenanthroline derivative (BCP, Bphen), or the like.
　＜電子注入層＞
　電子注入層１９は、電子輸送層１８上に複数の画素に共通して設けられており、陰極２０から発光層１７への電子の注入を促進させる機能を有する。電子注入層１９は、例えば、リチウム、バリウム、カルシウム、カリウム、セシウム、ナトリウム、ルビジウム等の低仕事関数金属や、フッ化リチウム等の低仕事関数金属塩、酸化バリウム等の低仕事関数金属酸化物などを用いて形成されている。 <Electron injection layer>
The electron injection layer 19 is provided in common to a plurality of pixels on the electron transport layer 18 and has a function of promoting injection of electrons from the cathode 20 to the light emitting layer 17. The electron injection layer 19 includes, for example, a low work function metal such as lithium, barium, calcium, potassium, cesium, sodium, and rubidium, a low work function metal salt such as lithium fluoride, and a low work function metal oxide such as barium oxide. It is formed using etc.
　＜陰極＞
　陰極２０は、電子注入層１９上に複数の画素に共通して設けられている。陰極２０は、例えば、例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）等の導電性を有する光透過性材料で形成されている。陰極２０が透明導電材料を用いて形成されることにより、発光層１７で発生した光を、陰極２０側から取り出すことができる。陰極２０に用いられる透明導電材料としては、上記以外にも、例えば、ＭｇＡｇ（マグネシウム銀）を用いることができる。この場合、陰極２０の厚みを数１０ｎｍ程度とすることで、光を透過させることができる。 <Cathode>
The cathode 20 is provided on the electron injection layer 19 in common for a plurality of pixels. The cathode 20 is made of, for example, a light transmissive material having conductivity such as ITO (indium tin oxide) or IZO (indium zinc oxide). By forming the cathode 20 using a transparent conductive material, light generated in the light emitting layer 17 can be extracted from the cathode 20 side. In addition to the above, for example, MgAg (magnesium silver) can be used as the transparent conductive material used for the cathode 20. In this case, the light can be transmitted by setting the thickness of the cathode 20 to about several tens of nm.
　＜封止層＞
　陰極２０の上には、封止層２１が設けられている。封止層２１は、基板１１の反対側から不純物（水，酸素）が陰極２０，電子注入層１９，電子輸送層１８，発光層１７等へと侵入するのを防ぎ、不純物によるこれらの層の劣化を抑制する機能を有する。本実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００はトップエミッション型の表示パネルであるため、封止層２１の材料としては、例えばＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）等の光透過性材料が用いられる。 <Sealing layer>
A sealing layer 21 is provided on the cathode 20. The sealing layer 21 prevents impurities (water, oxygen) from entering the cathode 20, the electron injection layer 19, the electron transport layer 18, the light emitting layer 17 and the like from the opposite side of the substrate 11. Has a function to suppress deterioration. Since the organic EL display panel 100 according to the present embodiment is a top emission type display panel, the material of the sealing layer 21 is a light transmissive material such as SiN (silicon nitride) or SiON (silicon oxynitride). Used.
　＜その他＞
　なお、図１には図示されていないが、封止層２１の上にカラーフィルタや上部基板を載置し、接合してもよい。上部基板を載置および接合することにより、陰極２０，電子注入層１９，電子輸送層１８，発光層１７等に対する不純物からのさらなる保護を図ることができる。 <Others>
Although not shown in FIG. 1, a color filter or an upper substrate may be placed on the sealing layer 21 and bonded. By placing and bonding the upper substrate, it is possible to further protect the cathode 20, the electron injection layer 19, the electron transport layer 18, the light emitting layer 17 and the like from impurities.
　［２．有機ＥＬ表示パネルの製造方法］
　次に、有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法の一例を、図２～図５を用いて説明する。なお、図２～４は、有機ＥＬ表示パネル１００の製造過程を模式的に示す部分断面図であり、図５は、有機ＥＬ表示パネル１００の製造過程を示す模式工程図である。 [2. Manufacturing method of organic EL display panel]
Next, an example of a method for manufacturing the organic EL display panel 100 will be described with reference to FIGS. 2 to 4 are partial sectional views schematically showing the manufacturing process of the organic EL display panel 100, and FIG. 5 is a schematic process diagram showing the manufacturing process of the organic EL display panel 100.
　先ず、図２（ａ）に示すように、基材１１１上にＴＦＴ層１１２を形成して、基板１１を形成する（図５のステップＳ１）。 First, as shown in FIG. 2A, a TFT layer 112 is formed on a base material 111 to form a substrate 11 (step S1 in FIG. 5).
　次に、図２（ｂ）に示すように、基板１１上に層間絶縁層１２を成膜する（図５のステップＳ２）。層間絶縁層１２の材料である層間絶縁層用樹脂には、本実施形態においては、ポジ型の感光性材料であるアクリル樹脂を用いる。層間絶縁層１２は、層間絶縁層用樹脂であるアクリル樹脂を層間絶縁層用溶媒（例えば、ＰＧＭＥＡ）に溶解させた層間絶縁層用溶液を基板１１上に塗布して成膜した後、焼成を行う（図５のステップＳ３）。焼成は、例えば、１５０℃以上２１０℃以下の温度で１８０分間行う。 Next, as shown in FIG. 2B, an interlayer insulating layer 12 is formed on the substrate 11 (step S2 in FIG. 5). In this embodiment, an acrylic resin that is a positive photosensitive material is used as the interlayer insulating layer resin that is a material of the interlayer insulating layer 12. The interlayer insulating layer 12 is formed by applying an interlayer insulating layer solution in which an acrylic resin, which is an interlayer insulating layer resin, is dissolved in an interlayer insulating layer solvent (for example, PGMEA) on the substrate 11, and then baking. This is performed (step S3 in FIG. 5). Firing is performed at a temperature of 150 ° C. or higher and 210 ° C. or lower for 180 minutes, for example.
　続いて、図２（ｃ）に示すように、層間絶縁層１２上に陽極１３を形成する。陽極１３は、真空蒸着法またはスパッタ法により、１５０〔ｎｍ〕程度の厚みに形成する（図５のステップＳ４）。陽極１３は、サブ画素ごとに形成される。 Subsequently, as shown in FIG. 2C, an anode 13 is formed on the interlayer insulating layer 12. The anode 13 is formed to a thickness of about 150 [nm] by vacuum deposition or sputtering (step S4 in FIG. 5). The anode 13 is formed for each subpixel.
　次に、図２（ｄ）に示すように、陽極１３上に正孔注入層１４を形成する（図５のステップＳ５）。本実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００おいては、正孔注入層１４は、酸化タングステンの層であり、反応性スパッタ法により形成される。 Next, as shown in FIG. 2D, the hole injection layer 14 is formed on the anode 13 (step S5 in FIG. 5). In the organic EL display panel 100 according to the present embodiment, the hole injection layer 14 is a tungsten oxide layer and is formed by a reactive sputtering method.
　続いて、図３（ａ）に示すように、正孔注入層１４および層間絶縁層１２上に、隔壁層１５の材料である隔壁層用樹脂を塗布し、隔壁材料層１５０を形成する。隔壁層用樹脂には、例えば、ポジ型の感光性材料であるフェノール樹脂が用いられる。隔壁材料層１５０は、隔壁層用樹脂であるフェノール樹脂を溶媒（例えば、乳酸エチルとＧＢＬの混合溶媒）に溶解させた溶液を正孔注入層１４上および層間絶縁層１２上にスピンコート法などを用いて一様に塗布することにより形成される。そして、隔壁材料層１５０にパターン露光と現像を行うことで隔壁層１５を形成し（図３（ｂ），図５のステップＳ６）、隔壁層１５を焼成する（図５のステップＳ７）。これにより、発光層１７の形成領域となる開口部１５ａが規定される。隔壁層１５の焼成は、例えば、１５０℃以上２１０℃以下の温度で６０分間行う。 Subsequently, as shown in FIG. 3A, a partition wall layer resin, which is a material of the partition wall layer 15, is applied on the hole injection layer 14 and the interlayer insulating layer 12 to form a partition wall material layer 150. For the partition layer resin, for example, a phenol resin, which is a positive photosensitive material, is used. For the partition wall material layer 150, a solution obtained by dissolving a phenol resin, which is a partition wall resin, in a solvent (for example, a mixed solvent of ethyl lactate and GBL) is applied to the hole injection layer 14 and the interlayer insulating layer 12 by a spin coating method or the like. It forms by apply | coating uniformly using. Then, the partition wall layer 15 is formed by performing pattern exposure and development on the partition wall material layer 150 (FIG. 3B, step S6 in FIG. 5), and the partition layer 15 is baked (step S7 in FIG. 5). As a result, an opening 15 a that is a formation region of the light emitting layer 17 is defined. The partition layer 15 is baked, for example, at a temperature of 150 ° C. or higher and 210 ° C. or lower for 60 minutes.
　また、隔壁層１５の形成工程においては、さらに、隔壁層１５の表面を所定のアルカリ性溶液や水、有機溶媒等によって表面処理するか、プラズマ処理を施すこととしてもよい。これは、開口部１５ａに塗布するインク（溶液）に対する隔壁層１５の接触角を調節する目的で、もしくは、表面に撥水性を付与する目的で行われる。 Further, in the step of forming the partition wall layer 15, the surface of the partition wall layer 15 may be further surface-treated with a predetermined alkaline solution, water, organic solvent, or the like, or may be subjected to plasma treatment. This is performed for the purpose of adjusting the contact angle of the partition wall layer 15 with respect to the ink (solution) applied to the opening 15a, or for the purpose of imparting water repellency to the surface.
　次に、隔壁層１５が規定する開口部１５ａに対し、正孔輸送層１６の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド３０１のノズル３０３０から吐出して開口部１５ａ内の正孔注入層１４上に塗布し、焼成（乾燥）を行って、正孔輸送層１６を形成する（図３（ｃ），図５のステップＳ８）。 Next, the ink containing the constituent material of the hole transport layer 16 is ejected from the nozzle 3030 of the inkjet head 301 to the opening 15a defined by the partition wall layer 15 and onto the hole injection layer 14 in the opening 15a. The hole transport layer 16 is formed by applying and baking (drying) (FIG. 3C, step S8 in FIG. 5).
　そして、発光層１７の構成材料を含むインクを、インクジェットヘッド３０１のノズル３０３０から吐出して開口部１５ａ内の正孔輸送層１６上に塗布し、焼成（乾燥）を行って発光層１７を形成する（図３（ｄ），図５のステップＳ９）。 Then, the ink containing the constituent material of the light emitting layer 17 is ejected from the nozzle 3030 of the ink jet head 301, applied onto the hole transport layer 16 in the opening 15 a, and baked (dried) to form the light emitting layer 17. (Step S9 in FIG. 3D and FIG. 5).
　続いて、図４（ａ）に示すように、発光層１７上および隔壁層１５上に、電子輸送層１８を構成する材料を真空蒸着法またはスパッタリング法により各サブ画素に共通して成膜し、電子輸送層１８を形成する（図５のステップＳ１０）。 Subsequently, as shown in FIG. 4A, a material constituting the electron transport layer 18 is formed on the light emitting layer 17 and the partition wall layer 15 in common for each sub-pixel by vacuum deposition or sputtering. Then, the electron transport layer 18 is formed (step S10 in FIG. 5).
　次に、図４（ｂ）に示すように、電子注入層１９を構成する材料を、蒸着法、スピンコート法、キャスト法などの方法により電子輸送層１８上に成膜し、各サブ画素に共通して電子注入層１９を形成する（図５のステップＳ１１）。 Next, as shown in FIG. 4B, the material constituting the electron injection layer 19 is formed on the electron transport layer 18 by a method such as a vapor deposition method, a spin coat method, or a cast method, and is applied to each subpixel. In common, the electron injection layer 19 is formed (step S11 in FIG. 5).
　そして、図４（ｃ）に示すように、電子注入層１９上に、陰極２０および封止層２１を形成する。具体的には、先ず、ＩＴＯ，ＩＺＯ等の材料を用い、真空蒸着法，スパッタリング法等により成膜して、陰極２０を形成する（図５のステップＳ１２）。続いて、陰極２０上に、ＳｉＮを材料にスパッタリング法，ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｖａｐｏｒ　Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等により成膜し、封止層２１を形成する（図５のステップＳ１３）。 Then, as shown in FIG. 4C, a cathode 20 and a sealing layer 21 are formed on the electron injection layer 19. Specifically, first, the cathode 20 is formed by using a material such as ITO or IZO by vacuum deposition or sputtering (step S12 in FIG. 5). Subsequently, the sealing layer 21 is formed on the cathode 20 using SiN as a material by sputtering, CVD (Chemical Vapor Deposition), or the like (step S13 in FIG. 5).
　以上の工程を経ることにより有機ＥＬ表示パネル１００が完成する。 The organic EL display panel 100 is completed through the above steps.
　なお、封止層２１の上にカラーフィルタや上部基板を載置し、接合してもよい。 A color filter or an upper substrate may be placed on the sealing layer 21 and bonded.
　［３．スパッタ法で形成される層の膜厚ばらつき］
　図６は、反応性スパッタ法により形成された正孔注入層１４の膜厚分布を示す図である。正孔注入層１４の膜厚の測定は、光学式膜厚測定器により行った。光学式膜厚測定器で正孔注入層１４の膜厚を測定する場合、隔壁層１５が存在すると測定が困難であるため、実際の膜厚測定は、隔壁層なしのダミー基板を用い、隔壁パターニングプロセスを通したのちに行った。また、図６においては、最も薄い膜厚の値を基準とした膜厚比〔％〕でそれぞれのパネル内領域の膜厚を示している。 [3. Variation in film thickness of layers formed by sputtering]
FIG. 6 is a diagram showing a film thickness distribution of the hole injection layer 14 formed by the reactive sputtering method. The film thickness of the hole injection layer 14 was measured with an optical film thickness meter. When measuring the film thickness of the hole injection layer 14 with an optical film thickness measuring instrument, it is difficult to measure if the partition wall layer 15 is present. Therefore, the actual film thickness measurement is performed using a dummy substrate without a partition wall layer. After going through the patterning process. Further, in FIG. 6, the film thicknesses in the respective panel regions are indicated by the film thickness ratio [%] based on the value of the thinnest film thickness.
　図６に示すように、正孔注入層１４の膜厚は中央部分が最も薄く、左上、左下、右上、右下に比較的膜厚の厚い部分が存在する。正孔注入層１４の膜厚比は、最も薄い部分で１００～１１７〔％〕であり、最も厚い部分で１８３～２００〔％〕であった。 As shown in FIG. 6, the hole injection layer 14 has the thinnest central portion, and there are relatively thick portions in the upper left, lower left, upper right, and lower right. The thickness ratio of the hole injection layer 14 was 100 to 117 [%] at the thinnest portion and 183 to 200 [%] at the thickest portion.
　本実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００においては、正孔注入層１４は、酸化タングステンの層である。反応性スパッタ法で酸化タングステンの層（正孔注入層１４）を形成する場合、本実施形態では、酸素供給口からチャンバ内に酸素を供給し、チャンバ内のタングステン材料と酸素とをプラズマにより反応させて、酸化タングステンの層を形成する。このとき、酸素供給口が設置されている位置や向き、タングステンターゲットがチャンバ内で配置されている位置、酸素の供給速度、プラズマの発生条件等の要因により、チャンバ内で酸化タングステンの層が形成されやすい箇所と形成されにくい箇所とが生じる。その結果、形成された正孔注入層１４の膜厚にばらつきが生じる。 In the organic EL display panel 100 according to the present embodiment, the hole injection layer 14 is a tungsten oxide layer. When a tungsten oxide layer (hole injection layer 14) is formed by reactive sputtering, in this embodiment, oxygen is supplied from the oxygen supply port into the chamber, and the tungsten material in the chamber and oxygen react with each other by plasma. Thus, a tungsten oxide layer is formed. At this time, a tungsten oxide layer is formed in the chamber depending on factors such as the position and orientation of the oxygen supply port, the position where the tungsten target is disposed in the chamber, the oxygen supply rate, and the plasma generation conditions. There are places that are easily formed and places that are difficult to form. As a result, the thickness of the formed hole injection layer 14 varies.
　図７（ａ）は、図６の膜厚分布の結果を基に、有機ＥＬ表示パネル１００を図７（ｃ）に示すように９つのパネル内領域（左上、上、右上、左、中央、右、左下、下、右下）に区分し、それぞれのパネル内領域について代表ポイントを選定して当該代表ポイントにおける正孔注入層１４（酸化タングステンの層）の膜厚を光学式膜厚測定器により測定し、その測定結果をパネル内領域別にグラフにプロットした図である。図７（ａ）においては、最も薄い膜厚の値を基準とした膜厚比〔％〕でそれぞれのパネル内領域の膜厚を示している。 FIG. 7A shows, based on the result of the film thickness distribution of FIG. 6, the organic EL display panel 100 has nine panel regions (upper left, upper, upper right, left, center, as shown in FIG. 7C). Right, lower left, lower, lower right), representative points are selected for each panel area, and the film thickness of the hole injection layer 14 (tungsten oxide layer) at the representative points is measured by an optical film thickness measuring instrument. It is the figure which measured by (1) and plotted the measurement result on the graph according to the area | region in a panel. In FIG. 7A, the film thickness of each region in the panel is shown by the film thickness ratio [%] based on the value of the thinnest film thickness.
　図７（ａ）に示すように、中央部分が最も膜厚が薄く、左や右の領域は比較的膜厚が薄く、左上、右上、右上領域は比較的膜厚が厚い。 As shown in FIG. 7A, the central portion has the smallest film thickness, the left and right regions are relatively thin, and the upper left, upper right, and upper right regions are relatively thick.
　図７（ｂ）は、上記各パネル内領域の代表ポイントにおけるＢ色の色度y値をパネル内領域別にグラフにプロットした図である。色度の測定は、３つのサンプルについて行われた。正孔注入層１４は、３つのサンプルとも、同じ製造装置を用い、同じ成膜条件で反応性スパッタ法により形成された。 FIG. 7B is a diagram in which the chromaticity y value of the B color at the representative point in each of the above-described panel areas is plotted on a graph for each panel area. Chromaticity measurements were made on three samples. The hole injection layer 14 was formed by reactive sputtering using the same manufacturing apparatus and the same film formation conditions for all three samples.
　図７（ｂ）に示すように、３つのサンプルともに同様の色度ずれの傾向を示した。即ち、中央が最も出射光の波長が短くて青色に近く、左上および右下においては、出射光の波長が長波長側にずれ、緑色の波長成分が多くなる傾向が見られた。このような色度ずれは、機能層の膜厚のばらつきにより発光素子内における光学的距離にばらつきが生じ、パネル内領域によって共振効果で強められる光の波長が異なることが原因で生じると考えられる。即ち、機能層の膜厚が比較的厚い部分では、共振効果が得られる光の波長が長波長側にずれ、緑色により近い波長の光が共振効果により強められることとなる。 As shown in FIG. 7B, the three samples showed the same tendency of chromaticity deviation. That is, the wavelength of the emitted light is shortest and close to blue at the center, and at the upper left and lower right, the wavelength of the emitted light tends to shift to the longer wavelength side, and the green wavelength component tends to increase. Such a chromaticity shift is considered to be caused by a variation in the optical distance in the light emitting element due to a variation in the thickness of the functional layer, and a difference in the wavelength of light enhanced by the resonance effect depending on the region in the panel. . That is, in the portion where the thickness of the functional layer is relatively thick, the wavelength of light from which the resonance effect is obtained shifts to the longer wavelength side, and light having a wavelength closer to green is strengthened by the resonance effect.
　図７（ｂ）に示す色度ずれの傾向は、図６に示す正孔注入層１４の膜厚分布および図７（ａ）に示すパネル内領域別の正孔注入層１４の膜厚と概ね一致している。このことからも、正孔注入層１４の膜厚ばらつきが色度ずれを引き起こしていることが示されていると考えられる。 The tendency of the chromaticity shift shown in FIG. 7B is roughly the same as the film thickness distribution of the hole injection layer 14 shown in FIG. 6 and the film thickness of the hole injection layer 14 for each region in the panel shown in FIG. Match. This also seems to indicate that the film thickness variation of the hole injection layer 14 causes a chromaticity shift.
　以上の結果から、スパッタ法により形成される機能層（本実施形態においては、正孔注入層１４）の膜厚のばらつきが、共振効果のばらつきを引き起こし、その結果、色度ずれが引き起こされることが確認された。ここで、図７（ｂ）では、Ｂ色についての色度の測定結果であったが、色度ずれの発生は、Ｂ色に限られず、Ｒ色でもＧ色でも同様に発生する。なお、有機ＥＬ照明装置など、白色光の場合は、色度ずれの代わりに輝度むらとして観察されることとなる。 From the above results, the variation in the film thickness of the functional layer (in this embodiment, the hole injection layer 14) formed by the sputtering method causes a variation in the resonance effect, resulting in a chromaticity shift. Was confirmed. Here, FIG. 7B shows the measurement result of the chromaticity for the B color. However, the occurrence of the chromaticity shift is not limited to the B color, and similarly occurs in the R color and the G color. Note that in the case of white light, such as an organic EL lighting device, luminance unevenness is observed instead of chromaticity deviation.
　また、図７（ｂ）から窺えるように、３つのサンプルとも同様の色度ずれのばらつき傾向を示している。これは、３つのサンプルとも同様の正孔注入層１４の膜厚分布を有することを表している。発明者らの試験により、同一の製造装置、同一の成膜条件であれば、形成される機能層は、同様の膜厚分布を有することが確認されている。 Also, as can be seen from FIG. 7 (b), the three samples show the same chromaticity variation tendency. This indicates that the three samples have the same film thickness distribution of the hole injection layer 14. According to the tests by the inventors, it is confirmed that the functional layer to be formed has the same film thickness distribution if the manufacturing apparatus is the same and the film forming conditions are the same.
　［３．塗布法で形成される層による光学的距離の調整］
　上述したように、スパッタ法により形成される機能層の膜厚ばらつきにより、光学的距離にばらつきが生じ、パネル内の領域によって光の共振効果の強さや共振効果が得られる波長に差が生じ、色度ずれや輝度むらが発生する。 [3. Adjustment of optical distance by layer formed by coating method]
As described above, due to variations in the thickness of the functional layer formed by sputtering, the optical distance varies, and the intensity of the resonance effect of light and the wavelength at which the resonance effect is obtained vary depending on the region in the panel, Chromaticity deviation and luminance unevenness occur.
　そこで、本実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００では、スパッタ法により形成される機能層の光学膜厚のばらつきを相殺するような光学膜厚分布となるように塗布法により形成される機能層を形成する。本実施形態においては、反応性スパッタ法で形成される正孔注入層１４（図２（ｄ），図５のステップＳ５）の膜厚ばらつきを、塗布法で形成される正孔輸送層１６（図３（ｃ），図５のステップＳ８）で調整する場合について、以下に説明する。 Therefore, in the organic EL display panel 100 according to the present embodiment, the functional layer formed by the coating method so as to have an optical film thickness distribution that cancels the variation in the optical film thickness of the functional layer formed by the sputtering method. Form. In the present embodiment, the film thickness variation of the hole injection layer 14 (FIG. 2D, step S5 in FIG. 5) formed by the reactive sputtering method is used as the hole transport layer 16 ( The case where the adjustment is performed in step S8 in FIGS. 3C and 5 will be described below.
　図８は、本実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００における正孔輸送層１６の膜厚分布の一例を模式的に示す図である。図８に示すように、正孔輸送層１６は、３種類の膜厚で塗り分けられる。即ち、図６に示す正孔注入層１４の膜厚が最も薄い領域（膜厚比１００～１３３〔％〕の領域）に存在するサブ画素に対して、正孔輸送層１６の膜厚を厚め（本実施形態においては、例えば、膜厚比１６７～２００〔％〕）に形成する。また、図６に示す正孔注入層１４の膜厚が比較的厚い領域（膜厚比１６７～２００〔％〕の領域）に存在するサブ画素に対して、正孔輸送層１６の膜厚を薄め（本実施形態においては、例えば、膜厚比１００～１３３〔％〕）に形成する。そして、図６に示す正孔注入層１４が中間的な膜厚を有する領域（膜厚比１３３～１６７〔％〕の領域）に存在するサブ画素に対して、正孔輸送層１６の膜厚が中間的な膜厚（本実施形態においては、例えば、膜厚比１３３～１６７〔％〕）となるように形成する。 FIG. 8 is a diagram schematically showing an example of the film thickness distribution of the hole transport layer 16 in the organic EL display panel 100 according to the present embodiment. As shown in FIG. 8, the hole transport layer 16 is applied with three different film thicknesses. That is, the thickness of the hole transport layer 16 is increased with respect to the subpixel existing in the region where the thickness of the hole injection layer 14 shown in FIG. 6 is the thinnest (the region having a thickness ratio of 100 to 133 [%]). (In this embodiment, for example, the film thickness ratio is 167 to 200 [%]). Further, the film thickness of the hole transport layer 16 is set to a subpixel existing in a region where the film thickness of the hole injection layer 14 shown in FIG. It is formed thin (in this embodiment, for example, a film thickness ratio of 100 to 133 [%]). Then, the film thickness of the hole transport layer 16 with respect to the sub-pixel in which the hole injection layer 14 shown in FIG. 6 exists in a region having an intermediate film thickness (region having a film thickness ratio of 133 to 167 [%]). Are formed to have an intermediate film thickness (in this embodiment, for example, a film thickness ratio of 133 to 167 [%]).
　図９は、上記のようにして形成された有機ＥＬ表示パネル１００において、異なる領域ａおよび領域ｂを模式的に示す平面図である。領域ａは、図６に示す正孔注入層１４の膜厚が最も薄い領域（膜厚比１００～１１７〔％〕）に含まれており、領域ｂは、正孔注入層１４の膜厚が最も厚い領域（膜厚比１８３～２００〔％〕）に含まれている。また、領域ａに存在する第１発光素子１ａの断面および、領域ｂに存在する第２発光素子１ｂの断面を、それぞれ破線の円内に模式的に示す。第１発光素子１ａおよび第２発光素子１ｂは、ここでは、ともに発光色がＢ色である。 FIG. 9 is a plan view schematically showing different areas a and b in the organic EL display panel 100 formed as described above. The region a is included in the region (thickness ratio 100 to 117 [%]) in which the thickness of the hole injection layer 14 shown in FIG. 6 is the smallest, and the region b has the thickness of the hole injection layer 14. It is included in the thickest region (film thickness ratio 183 to 200 [%]). Moreover, the cross section of the 1st light emitting element 1a which exists in the area | region a, and the cross section of the 2nd light emitting element 1b which exists in the area | region b are each typically shown in the circle of a broken line. Here, both the first light emitting element 1a and the second light emitting element 1b have the emission color B.
　図９に示すように、第１発光素子１ａにおける正孔注入層１４の光学膜厚をＤｓ１、正孔輸送層１６の光学膜厚をＤｗ１とし、第２発光素子１ｂにおける正孔注入層１４の光学膜厚をＤｓ２、正孔輸送層１６の光学膜厚をＤｗ２とすると、Ｄｓ１＜Ｄｓ２であって、Ｄｗ１＞Ｄｗ２である。さらに、本実施形態においては、Ｄｓ１＋Ｄｗ１＝Ｄｓ２＋Ｄｗ２の関係を満たしている。即ち、正孔注入層１４と正孔輸送層１６の光学膜厚をそれぞれ合計した値が、発光素子１ａと１ｂとで、等しくなっている。言い換えれば、発光層１７Ｂから陽極１３側に発せられた光が、陽極１３の表面で反射した後に陰極２０側から外部へと出射される場合の光学的距離が、発光素子１ａと発光素子１ｂとで等しい。 As shown in FIG. 9, the optical film thickness of the hole injection layer 14 in the first light emitting element 1a is Ds1, the optical film thickness of the hole transport layer 16 is Dw1, and the hole injection layer 14 in the second light emitting element 1b Assuming that the optical film thickness is Ds2 and the optical film thickness of the hole transport layer 16 is Dw2, Ds1 <Ds2 and Dw1> Dw2. Furthermore, in this embodiment, the relationship of Ds1 + Dw1 = Ds2 + Dw2 is satisfied. That is, the total values of the optical film thicknesses of the hole injection layer 14 and the hole transport layer 16 are the same in the light emitting elements 1a and 1b. In other words, the optical distance when the light emitted from the light emitting layer 17B to the anode 13 side is emitted from the cathode 20 side to the outside after being reflected by the surface of the anode 13 is the light emitting element 1a and the light emitting element 1b. Are equal.
　これにより、有機ＥＬ表示パネル１００のパネル面の全体に亘って、より均一で効果的な共振効果が得られるように調整することができ、輝度むらや色度ずれの発生を抑制することができる。 Thereby, it can adjust so that the more uniform and effective resonance effect may be acquired over the whole panel surface of the organic electroluminescence display panel 100, and generation | occurrence | production of brightness irregularity and chromaticity deviation can be suppressed. .
　なお、本実施形態においては、「膜厚」および「光学膜厚」とは、基板１１の主面１１aと直交する方向における膜厚および光学膜厚をそれぞれ意味する。以下、各変形例についても同様である。 In the present embodiment, “film thickness” and “optical film thickness” mean the film thickness and the optical film thickness in the direction orthogonal to the main surface 11a of the substrate 11, respectively. The same applies to each modified example below.
　また、図９では、第１発光素子１ａ，第２発光素子１ｂ共に発光色はＢ色であったが、これに限られず、発光色はＲ，Ｇ，Ｂ何れでもよい。しかし、何れの発光色の場合であっても、第１発光素子１ａと第２発光素子１ｂの発光色は同じであるのがよい。発光色によって共振効果が効率よく得られる光学的距離が異なるからである。上記Ｄｓ１＋Ｄｗ１（＝Ｄｓ２＋Ｄｗ２）の値を、発光色ごとにそれぞれ共振効果が効率よく得られる光学的距離となる値としてもよい。 In FIG. 9, the emission color of both the first light emitting element 1a and the second light emitting element 1b is B, but the present invention is not limited to this, and the emission color may be any of R, G, and B. However, the light emission colors of the first light-emitting element 1a and the second light-emitting element 1b are preferably the same regardless of the emission color. This is because the optical distance at which the resonance effect is efficiently obtained differs depending on the emission color. The value of Ds1 + Dw1 (= Ds2 + Dw2) may be a value that becomes an optical distance at which the resonance effect is efficiently obtained for each emission color.
　また、図８に示す正孔輸送層１６の膜厚分布の一例では、３種類の膜厚（１００～１３０％，１３０～１７０％，１７０～２００％）から成る構成であったが、これに限られない。３種類よりも細かく膜厚段階を設定することにより、スパッタ法で形成される層の膜厚ばらつきをより精度よく相殺することができ、輝度むらや色度ずれをより精度よく抑制することができる。 In addition, in the example of the film thickness distribution of the hole transport layer 16 shown in FIG. 8, it has a structure composed of three kinds of film thicknesses (100 to 130%, 130 to 170%, 170 to 200%). Not limited. By setting the film thickness level more finely than the three types, it is possible to more accurately cancel out the film thickness variations of the layers formed by the sputtering method, and to suppress uneven brightness and chromaticity deviation more accurately. .
　［４．有機ＥＬ表示装置の全体構成］
　図１０は、有機ＥＬ表示パネル１００を備えた有機ＥＬ表示装置１０００の構成を示す模式ブロック図である。図１０に示すように、有機ＥＬ表示装置１０００は、有機ＥＬ表示パネル１００と、これに接続された駆動制御部２００とを有し構成されている。駆動制御部２００は、４つの駆動回路２１０～２４０と制御回路２５０とから構成されている。 [4. Overall configuration of organic EL display device]
FIG. 10 is a schematic block diagram illustrating a configuration of an organic EL display device 1000 including the organic EL display panel 100. As shown in FIG. 10, the organic EL display device 1000 includes an organic EL display panel 100 and a drive control unit 200 connected thereto. The drive controller 200 includes four drive circuits 210 to 240 and a control circuit 250.
　なお、実際の有機ＥＬ表示装置１０００では、有機ＥＬ表示パネル１００に対する駆動制御部２００の配置については、これに限られない。 In the actual organic EL display device 1000, the arrangement of the drive control unit 200 with respect to the organic EL display panel 100 is not limited to this.
　［５．実施形態のまとめ］
　本実施形態に係る発光デバイスである有機ＥＬ表示パネル１００は、次のようにまとめることができる。 [5. Summary of Embodiment]
The organic EL display panel 100, which is a light emitting device according to the present embodiment, can be summarized as follows.
　基板と、前記基板上に配され、発光色が同じ第１発光素子および第２発光素子とを有する発光デバイスである。前記第１発光素子および前記第２発光素子の何れもが、少なくとも一方が光透過性を有する第１電極および第２電極と、前記第１電極および前記第２電極の間に配され、スパッタ法により形成された第１層および塗布法により形成された第２層を含む複数の機能層の積層構造とを有する。そして、前記第１層および前記第２層の前記基板の主面と直交する方向における光学膜厚について、前記第１発光素子における前記第１層の光学膜厚をＤｓ１とし、前記第２発光素子における前記第１層の光学膜厚をＤｓ２とし、前記第１発光素子における前記第２層の光学膜厚をＤｗ１とし、前記第２発光素子における前記第２層の光学膜厚をＤｗ２とした場合、Ｄｓ１＜Ｄｓ２、且つ、Ｄｗ１＞Ｄｗ２の関係を満たす。 A light emitting device having a substrate and a first light emitting element and a second light emitting element which are arranged on the substrate and have the same emission color. Both the first light-emitting element and the second light-emitting element are disposed between the first electrode and the second electrode, at least one of which has light transmissivity, and the first electrode and the second electrode, and a sputtering method. A laminated structure of a plurality of functional layers including a first layer formed by the above and a second layer formed by a coating method. And about the optical film thickness in the direction orthogonal to the main surface of the said board | substrate of the said 1st layer and the said 2nd layer, let the optical film thickness of the said 1st layer in a said 1st light emitting element be Ds1, and said 2nd light emitting element When the optical film thickness of the first layer is Ds2, the optical film thickness of the second layer in the first light emitting element is Dw1, and the optical film thickness of the second layer in the second light emitting element is Dw2. , Ds1 <Ds2 and Dw1> Dw2.
　また、本実施形態に係る発光デバイスである有機ＥＬ表示パネル１００の製造方法は、次のようにまとめることができる。 Moreover, the manufacturing method of the organic EL display panel 100 which is the light emitting device according to the present embodiment can be summarized as follows.
　基板上に発光色が同じ第１発光素子および第２発光素子が配され、前記第１発光素子および前記第２発光素子の何れもが、一方が光反射性を有し他方が光透過性を有する第１電極および第２電極と、前記第１電極および前記第２電極の間に配され、第１層および第２層を含む複数の機能層の積層構造とを有する発光デバイスの製造方法である。 A first light-emitting element and a second light-emitting element having the same emission color are disposed on a substrate, and one of the first light-emitting element and the second light-emitting element is light-reflective and the other is light-transmissive. A method of manufacturing a light emitting device, comprising: a first electrode having a first electrode; a second electrode having a second electrode; and a stacked structure of a plurality of functional layers disposed between the first electrode and the second electrode. is there.
　前記第１発光素子の前記第１層と、前記第２発光素子の前記第１層とを、スパッタ法で形成し、前記第１発光素子の前記第２層と、前記第２発光素子の前記第２層とを、塗布法で形成する。 The first layer of the first light emitting element and the first layer of the second light emitting element are formed by sputtering, and the second layer of the first light emitting element and the second layer of the second light emitting element are formed. The second layer is formed by a coating method.
　そして、前記第１層および前記第２層の前記基板の主面と直交する方向における光学膜厚について、前記第１発光素子における前記第１層の光学膜厚をＤｓ１とし、前記第２発光素子における前記第１層の光学膜厚をＤｓ２とし、前記第１発光素子における前記第２層の光学膜厚をＤｗ１とし、前記第２発光素子における前記第２層の光学膜厚をＤｗ２とした場合、Ｄｓ１＜Ｄｓ２、且つ、Ｄｗ１＞Ｄｗ２の関係を満たす。 And about the optical film thickness in the direction orthogonal to the main surface of the said board | substrate of the said 1st layer and the said 2nd layer, let the optical film thickness of the said 1st layer in a said 1st light emitting element be Ds1, and said 2nd light emitting element When the optical film thickness of the first layer is Ds2, the optical film thickness of the second layer in the first light emitting element is Dw1, and the optical film thickness of the second layer in the second light emitting element is Dw2. , Ds1 <Ds2 and Dw1> Dw2.
　本実施形態においては、上記第１層は、正孔注入層１４であり、上記第２層は、正孔輸送層１６である。 In the present embodiment, the first layer is the hole injection layer 14, and the second layer is the hole transport layer 16.
　本実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００においては、正孔輸送層１６はインクジェット法により形成されるため、サブ画素ごとに塗布（滴下）するインクの量を精度よく且つ容易に調整することができる。したがって、スパッタ法により形成される正孔注入層１４の膜厚ばらつきを相殺するような膜厚分布を有する正孔輸送層１６を精度よく容易に形成することができる。 In the organic EL display panel 100 according to the present embodiment, since the hole transport layer 16 is formed by the ink jet method, the amount of ink applied (dropped) for each sub-pixel can be adjusted accurately and easily. . Therefore, it is possible to easily and accurately form the hole transport layer 16 having a film thickness distribution that cancels out the film thickness variation of the hole injection layer 14 formed by sputtering.
　これにより、パネル全体として、機能層の光学膜厚のばらつきが抑制されてより均一となり、色度ずれや輝度むらを抑制することができる。また、インクジェット法の場合、サブ画素単位でインクの滴下量を細かく調整できるため、上記のような光学膜厚のばらつき抑制方法に適している。 Thereby, as a whole panel, the variation in the optical film thickness of the functional layer is suppressed and becomes more uniform, and chromaticity deviation and luminance unevenness can be suppressed. In addition, in the case of the ink jet method, since the ink dropping amount can be finely adjusted in units of sub-pixels, it is suitable for the optical film thickness variation suppressing method as described above.
　本実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００を量産する際には、製造装置およびスパッタ法で形成される層の成膜条件が一度決定すれば、次のようにすればよい。先ず、当該製造装置を用いて当該成膜条件でサンプルを形成し、形成されたサンプルにおけるスパッタ法で形成された層の膜厚分布を測定する。続いて、得られた膜厚分布のデータに基づいて、塗布法で形成される層の各サブ画素に滴下するインク量を決定する。そして、以降の製品の製造においては、上記決定された製造装置および成膜条件でスパッタ法により形成される層を形成し、上記決定されたサブ画素ごとの滴下インク量で、塗布法により形成される層を形成すればよい。製造装置および成膜条件が同じであれば、スパッタ法で形成される層は、何度形成しても同様の膜厚分布を有するため、上記のような量産方法が実用的である。 When mass-producing the organic EL display panel 100 according to the present embodiment, once the film forming conditions for the layers formed by the manufacturing apparatus and the sputtering method are determined, the following may be performed. First, a sample is formed under the film forming conditions using the manufacturing apparatus, and a film thickness distribution of a layer formed by a sputtering method in the formed sample is measured. Subsequently, based on the obtained film thickness distribution data, the amount of ink dropped on each sub-pixel of the layer formed by the coating method is determined. In the subsequent production of the product, a layer formed by the sputtering method is formed with the determined manufacturing apparatus and film formation conditions, and the formed ink is formed by the coating method with the determined amount of ink dropped for each sub-pixel. A layer may be formed. If the manufacturing apparatus and the film formation conditions are the same, the layer formed by sputtering has the same film thickness distribution no matter how many times it is formed, so the mass production method as described above is practical.
　≪変形例≫
　以上、本発明を実施形態に基づいて説明してきたが、本発明が上述の実施形態に限定されないのは勿論であり、以下のような変形例を実施することが出来る。 ≪Modification≫
As described above, the present invention has been described based on the embodiments. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and the following modifications can be implemented.
　（変形例１）
　上記実施形態においては、スパッタ法で形成される層である正孔注入層１４の膜厚ばらつきを、正孔輸送層１６により相殺したが、これに限られない。 (Modification 1)
In the above embodiment, the film thickness variation of the hole injection layer 14 which is a layer formed by the sputtering method is offset by the hole transport layer 16, but the present invention is not limited to this.
　例えば、発光層１７を、正孔注入層１４の膜厚ばらつきを相殺するような膜厚分布で塗布法により形成してもよい。この場合、発光層１７から発せられる光の光学的距離を算出する際に、光の基点を発光層の厚み方向における中間点に設定した場合、直接出射光と反射出射光との位相差に関係してくる発光層の膜厚が１／２となることに留意する必要がある。この場合、正孔注入層１４が第１層であり、発光層１７が第２層である。 For example, the light emitting layer 17 may be formed by a coating method with a film thickness distribution that cancels out the film thickness variation of the hole injection layer 14. In this case, when the optical distance of the light emitted from the light emitting layer 17 is calculated, if the light base point is set to the intermediate point in the thickness direction of the light emitting layer, it is related to the phase difference between the directly emitted light and the reflected emitted light. It should be noted that the thickness of the light emitting layer is halved. In this case, the hole injection layer 14 is the first layer, and the light emitting layer 17 is the second layer.
　また、電子輸送層１８を塗布法で形成してもよく、その場合に、電子輸送層１８の膜厚分布が、正孔注入層１４の膜厚ばらつきを相殺するような膜厚分布となるように形成してもよい。この場合、電子輸送層１８は、各サブ画素に共通ではなく、サブ画素ごとに塗り分けて形成するとよい。この場合、正孔注入層１４が第１層であり、電子輸送層１８が第２層である。 Further, the electron transport layer 18 may be formed by a coating method, and in this case, the film thickness distribution of the electron transport layer 18 is such that the film thickness distribution cancels out the film thickness variation of the hole injection layer 14. You may form in. In this case, the electron transport layer 18 is not common to each sub-pixel, and may be formed separately for each sub-pixel. In this case, the hole injection layer 14 is the first layer, and the electron transport layer 18 is the second layer.
　（変形例２）
　上記実施形態においては、膜厚ばらつきの相殺対象であるスパッタ法で形成される層は、正孔注入層１４であったが、これに限られない。 (Modification 2)
In the above-described embodiment, the layer formed by the sputtering method, which is the object of offsetting the film thickness variation, is the hole injection layer 14, but is not limited thereto.
　例えば、発光層が無機材料を用いてスパッタ法で形成されてもよく、電子注入層がスパッタ法で形成されてもよい。その場合は、発光層や電子注入層が、膜厚ばらつきの相殺対象となってもよい。即ち、スパッタ法で形成された発光層や電子注入層の膜厚ばらつきを、塗布法で形成される層（例えば、正孔輸送層）により相殺してもよい。 For example, the light emitting layer may be formed by sputtering using an inorganic material, and the electron injection layer may be formed by sputtering. In that case, the light-emitting layer or the electron injection layer may be a target for offsetting the film thickness variation. That is, the film thickness variation of the light emitting layer and the electron injection layer formed by the sputtering method may be offset by the layer formed by the coating method (for example, the hole transport layer).
　本変形例においては、発光層または電子注入層が第１層であり、塗布法で形成される層（例えば、正孔輸送層）が第２層である。 In this modification, the light emitting layer or the electron injection layer is the first layer, and the layer formed by the coating method (for example, the hole transport layer) is the second layer.
　（変形例３）
　正孔注入層１４は、ＰＥＤＯＴ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸との混合物）やポリアニリン等の導電性ポリマー材料を用いて形成されてもよい。この場合、正孔注入層１４は、塗布法（ウェットプロセス）により形成される。塗布法により正孔注入層１４が形成される場合は、その形成工程において隔壁層が必要となるため、隔壁層１５の形成後、正孔輸送層１６の形成前に、正孔注入層１４の形成が行われる。また、この場合、正孔輸送層が第２層となる。 (Modification 3)
The hole injection layer 14 may be formed using a conductive polymer material such as PEDOT (a mixture of polythiophene and polystyrene sulfonic acid) or polyaniline. In this case, the hole injection layer 14 is formed by a coating method (wet process). When the hole injection layer 14 is formed by a coating method, a partition wall layer is required in the formation process. Therefore, after the partition layer 15 is formed and before the hole transport layer 16 is formed, the hole injection layer 14 is formed. Formation takes place. In this case, the hole transport layer is the second layer.
　変形例３の構成によっても、変形例２のように、スパッタ法で形成される発光層や電子注入層の膜厚ばらつきを、塗布法で形成される正孔注入層で相殺してもよい。その際には、正孔注入層のほうが先に形成されるため、後から形成される発光層や電子注入層の膜厚ばらつきを予め相殺するような膜厚分布に正孔注入層を形成するとよい。 Also in the configuration of the modification example 3, as in the modification example 2, the film thickness variation of the light emitting layer and the electron injection layer formed by the sputtering method may be offset by the hole injection layer formed by the coating method. In that case, since the hole injection layer is formed first, if the hole injection layer is formed in a film thickness distribution that cancels in advance the film thickness variation of the light emitting layer and electron injection layer formed later Good.
　（変形例４）
　また、正孔注入層１４は、スパッタ法等のドライプロセスにより形成される層と塗布法（ウェットプロセス）により形成される層とが組み合わされて形成されてもよい。その場合は、当該ドライプロセスで形成される層の膜厚ばらつきを、当該ウェットプロセスで形成される層で相殺してもよい。この場合、上記ドライプロセスで形成される層が第１層であり、上記ウェットプロセスで形成される層が第２層である。 (Modification 4)
The hole injection layer 14 may be formed by combining a layer formed by a dry process such as a sputtering method and a layer formed by a coating method (wet process). In that case, the film thickness variation of the layer formed by the dry process may be offset by the layer formed by the wet process. In this case, the layer formed by the dry process is the first layer, and the layer formed by the wet process is the second layer.
　（変形例５）
　上記実施形態においては、図９で正孔注入層１４と正孔輸送層１６の膜厚の関係をわかりやすく図示するために、発光素子１ａが正孔注入層１４の膜厚が最も薄い領域に存在し、発光素子１ｂが正孔注入層１４の膜厚が最も厚い領域に存在するとしたが、これに限られない。発光素子１ａおよび１ｂは、正孔注入層１４の膜厚が異なっていれば、有機ＥＬ表示パネル１００のパネル面内のいずれの領域に存在していてもよい。 (Modification 5)
In the above embodiment, in order to illustrate the relationship between the thicknesses of the hole injection layer 14 and the hole transport layer 16 in FIG. Although the light-emitting element 1b exists in the region where the thickness of the hole injection layer 14 is thickest, it is not limited to this. The light emitting elements 1 a and 1 b may exist in any region within the panel surface of the organic EL display panel 100 as long as the hole injection layer 14 has a different film thickness.
　また、発光素子１ａと発光素子１ｂとは、同じ発光色であるとしたが、これに限られない。発光色ごとの光学的距離の調整を、正孔注入層１４および正孔輸送層１６以外の層（例えば、発光層１７）で行う場合は、発光素子１ａと発光素子１ｂの発光色が異なっていても、正孔注入層１４の光学膜厚のばらつきを正孔輸送層１６の光学膜厚分布で相殺するようにしてもよい。この場合、発光色ごとの光学距離の調整の際に、正孔注入層１４および正孔輸送層１６の膜厚を考慮しなくてもよいため、設計が容易である。 Further, although the light emitting element 1a and the light emitting element 1b are assumed to have the same emission color, the present invention is not limited to this. When the adjustment of the optical distance for each emission color is performed in a layer other than the hole injection layer 14 and the hole transport layer 16 (for example, the emission layer 17), the emission colors of the light emitting element 1a and the light emitting element 1b are different. Alternatively, the variation in the optical film thickness of the hole injection layer 14 may be offset by the optical film thickness distribution of the hole transport layer 16. In this case, since it is not necessary to consider the film thicknesses of the hole injection layer 14 and the hole transport layer 16 when adjusting the optical distance for each emission color, the design is easy.
　（変形例６）
　上記実施形態に係る有機ＥＬ表示パネル１００は、トップエミッション型であったが、これに限られず、ボトムエミッション型であってもよい。その場合、陽極１３が光透過性を有し、陰極２０が光反射性を有するため、発光層１７よりも陰極２０側に配される２層の間で光学膜厚の調整を行うのが、より効果的である。 (Modification 6)
The organic EL display panel 100 according to the above embodiment is a top emission type, but is not limited thereto, and may be a bottom emission type. In that case, since the anode 13 has light transmittance and the cathode 20 has light reflectivity, the optical film thickness is adjusted between the two layers arranged on the cathode 20 side with respect to the light emitting layer 17. More effective.
　（変形例７）
　発光層と光反射性を有する電極との間に配された２層により光学膜厚の調整が行われる場合が、最も効果的に光学的距離の調整を行うことができる。しかし、光学膜厚の調整は、上記の２層に限られず、陰極と陽極との間に挟まれた複数の機能層のうち、いずれの２層により行われてもよい。この場合においても、輝度むら抑制効果や色度ずれ抑制効果をある程度得ることができる。 (Modification 7)
When the optical film thickness is adjusted by two layers arranged between the light emitting layer and the electrode having light reflectivity, the optical distance can be adjusted most effectively. However, the adjustment of the optical film thickness is not limited to the two layers described above, and may be performed by any two of the plurality of functional layers sandwiched between the cathode and the anode. Even in this case, a luminance unevenness suppressing effect and a chromaticity shift suppressing effect can be obtained to some extent.
　（変形例８）
　上記実施形態においては、本発明の一態様に係る発光デバイスとして、カラーディスプレイパネルである有機ＥＬ表示パネル１００を例に説明したが、これに限られない。本発明の一態様に係る発光デバイスは、有機ＥＬ照明装置であってもよい。この場合、有機ＥＬ照明装置が有する複数の発光素子１は、発光色がすべて白色であるので、発光色ごとに光学的距離を調整する必要が無く、設計が容易である。また、第１発光素子１ａと第２発光素子１ｂの発光色は、必然的に同じとなる。 (Modification 8)
In the said embodiment, although the organic electroluminescent display panel 100 which is a color display panel was demonstrated to the example as a light-emitting device which concerns on 1 aspect of this invention, it is not restricted to this. The light emitting device according to one embodiment of the present invention may be an organic EL lighting device. In this case, since the plurality of light emitting elements 1 included in the organic EL lighting device are all white in emission color, it is not necessary to adjust the optical distance for each emission color, and the design is easy. In addition, the light emission colors of the first light emitting element 1a and the second light emitting element 1b are necessarily the same.
　（変形例９）
　上記実施形態においては、スパッタ法として反応性スパッタ法の場合を例に説明したが、これに限られない。例えば、マグネトロンスパッタ法でも、配置される複数のマグネトロンの磁界に起因した膜厚のばらつきが生じる。従って、マグネトロンスパッタ法で形成される層の膜厚ばらつきを、塗布法で形成する層で相殺してもよい。 (Modification 9)
In the above embodiment, the case of the reactive sputtering method as the sputtering method has been described as an example. However, the present invention is not limited to this. For example, even in the magnetron sputtering method, the film thickness varies due to the magnetic fields of a plurality of magnetrons arranged. Therefore, the film thickness variation of the layer formed by the magnetron sputtering method may be offset by the layer formed by the coating method.
　以上、本発明に係る有機発光デバイスおよび表示装置について、実施形態および各変形例に基づいて説明したが、本発明は、上記の実施形態および各変形例に限定されるものではない。上記実施形態および各変形例に対して当業者が思いつく各種変形を施して得られる形態や、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で実施形態および各変形例における構成要素及び機能を任意に組み合わせることで実現される形態も本発明に含まれる。 As described above, the organic light emitting device and the display device according to the present invention have been described based on the embodiments and the respective modifications. However, the present invention is not limited to the above embodiments and the respective modifications. A form obtained by making various modifications conceivable by those skilled in the art to the above-described embodiment and each modification, or by arbitrarily combining the components and functions in the embodiment and each modification without departing from the spirit of the present invention. Implemented forms are also included in the present invention.
　本発明は、輝度むら又は色度ずれが抑制された発光デバイスを製造するのに有用である。 The present invention is useful for manufacturing a light emitting device in which luminance unevenness or chromaticity deviation is suppressed.
　　１ａ　第１発光素子
　　１ｂ　第２発光素子
　　１１　基板
　　１３　陽極（第１電極）
　　１４　正孔注入層（第１層）
　　１６　正孔輸送層（第２層）
　　１７　発光層
　　２０　陰極（第２電極）
　１００　有機ＥＬ表示パネル（発光デバイス） DESCRIPTION OF SYMBOLS 1a 1st light emitting element 1b 2nd light emitting element 11 Board | substrate 13 Anode (1st electrode)
14 Hole injection layer (first layer)
16 Hole transport layer (second layer)
17 Light emitting layer 20 Cathode (second electrode)
100 Organic EL display panel (light emitting device)

Claims (9)

  1. 　基板上に発光色が同じ第１発光素子および第２発光素子が配され、前記第１発光素子および前記第２発光素子の何れもが、一方が光反射性を有し他方が光透過性を有する第１電極および第２電極と、前記第１電極および前記第２電極の間に配され、第１層および第２層を含む複数の機能層の積層構造とを有する発光デバイスの製造方法であって、
    　前記第１発光素子の前記第１層と、前記第２発光素子の前記第１層とを、スパッタ法で形成し、
    　前記第１発光素子の前記第２層と、前記第２発光素子の前記第２層とを、塗布法で形成し、
    　前記第１層および前記第２層の前記基板の主面と直交する方向における光学膜厚について、前記第１発光素子における前記第１層の光学膜厚をＤｓ１とし、前記第２発光素子における前記第１層の光学膜厚をＤｓ２とし、前記第１発光素子における前記第２層の光学膜厚をＤｗ１とし、前記第２発光素子における前記第２層の光学膜厚をＤｗ２とした場合、
    　Ｄｓ１＜Ｄｓ２、且つ、Ｄｗ１＞Ｄｗ２の関係を満たす
    　発光デバイスの製造方法。     A first light-emitting element and a second light-emitting element having the same emission color are disposed on a substrate, and one of the first light-emitting element and the second light-emitting element is light-reflective and the other is light-transmissive. A method of manufacturing a light emitting device, comprising: a first electrode having a first electrode; a second electrode having a second electrode; and a stacked structure of a plurality of functional layers disposed between the first electrode and the second electrode. There,
    Forming the first layer of the first light emitting element and the first layer of the second light emitting element by a sputtering method;
    Forming the second layer of the first light emitting element and the second layer of the second light emitting element by a coating method;
    Regarding the optical film thickness of the first layer and the second layer in the direction perpendicular to the main surface of the substrate, the optical film thickness of the first layer in the first light emitting element is Ds1, and the optical film thickness in the second light emitting element is When the optical film thickness of the first layer is Ds2, the optical film thickness of the second layer in the first light emitting element is Dw1, and the optical film thickness of the second layer in the second light emitting element is Dw2,
    A method for manufacturing a light-emitting device that satisfies a relationship of Ds1 <Ds2 and Dw1> Dw2.
  2. 　前記Ｄｓ１、前記Ｄｓ２、前記Ｄｗ１、および、前記Ｄｗ２は、前記第１発光素子および前記第２発光素子の前記発光色の波長に基づいて、共振器構造を形成する光学膜厚にそれぞれ設定されている
    　請求項１に記載の発光デバイスの製造方法。     The Ds1, the Ds2, the Dw1, and the Dw2 are respectively set to optical film thicknesses that form a resonator structure based on wavelengths of the emission colors of the first light emitting element and the second light emitting element. The method for manufacturing a light emitting device according to claim 1.
  3. 　前記基板の上方に、光反射性を有する材料を用いて前記第１電極を形成し、
    　前記第１電極の上方に、前記第１層および前記第２層の一方を形成し、
    　前記一方の上方に、前記第１層および前記第２層の他方を形成し、
    　前記他方の上方に、発光層を形成し、
    　前記発光層の上方に、光透過性を有する材料を用いて前記第２電極を形成し、
    　前記Ｄｓ１、前記Ｄｓ２、前記Ｄｗ１、前記Ｄｗ２は、
    　　Ｄｓ１＋Ｄｗ１＝Ｄｓ２＋Ｄｗ２の関係を満たす
    　請求項１または２に記載の発光デバイスの製造方法。     Forming the first electrode on the substrate using a light-reflective material;
    Forming one of the first layer and the second layer above the first electrode;
    Forming the other of the first layer and the second layer above the one;
    A light emitting layer is formed on the other side;
    Forming the second electrode above the light emitting layer using a light transmissive material,
    The Ds1, the Ds2, the Dw1, and the Dw2 are
    The method for manufacturing a light emitting device according to claim 1, wherein the relationship of Ds1 + Dw1 = Ds2 + Dw2 is satisfied.
  4. 　前記基板の上方に、光透過性を有する材料を用いて前記第１電極を形成し、
    　前記第１電極の上方に、発光層を形成し、
    　前記発光層の上方に、前記第１層および前記第２層の一方を形成し、
    　前記一方の上方に、前記第１層および前記第２層の他方を形成し、
    　前記他方の上方に、光反射性を有する材料を用いて前記第２電極を形成し、
    　前記Ｄｓ１、前記Ｄｓ２、前記Ｄｗ１、前記Ｄｗ２は、
    　　Ｄｓ１＋Ｄｗ１＝Ｄｓ２＋Ｄｗ２の関係を満たす
    　請求項１または２に記載の発光デバイスの製造方法。     Forming the first electrode using a light-transmitting material above the substrate;
    Forming a light emitting layer above the first electrode;
    Forming one of the first layer and the second layer above the light emitting layer;
    Forming the other of the first layer and the second layer above the one;
    Forming the second electrode on the other side using a material having light reflectivity,
    The Ds1, the Ds2, the Dw1, and the Dw2 are
    The method for manufacturing a light emitting device according to claim 1, wherein the relationship of Ds1 + Dw1 = Ds2 + Dw2 is satisfied.
  5. 　前記第１層を金属酸化物で形成し、
    　前記第１層の上方に前記第２層を有機材料で形成する
    　請求項３に記載の発光デバイスの製造方法。     Forming the first layer from a metal oxide;
    The method for manufacturing a light-emitting device according to claim 3, wherein the second layer is formed of an organic material above the first layer.
  6. 　基板と、前記基板上に配され、発光色が同じ第１発光素子および第２発光素子とを有する発光デバイスであって、
    　前記第１発光素子および前記第２発光素子の何れもが、少なくとも一方が光透過性を有する第１電極および第２電極と、前記第１電極および前記第２電極の間に配され、スパッタ法により形成された第１層および塗布法により形成された第２層を含む複数の機能層の積層構造とを有し、
    　前記第１層および前記第２層の前記基板の主面と直交する方向における光学膜厚について、前記第１発光素子における前記第１層の光学膜厚をＤｓ１とし、前記第２発光素子における前記第１層の光学膜厚をＤｓ２とし、前記第１発光素子における前記第２層の光学膜厚をＤｗ１とし、前記第２発光素子における前記第２層の光学膜厚をＤｗ２とした場合、
    　Ｄｓ１＜Ｄｓ２、且つ、Ｄｗ１＞Ｄｗ２の関係を満たす
    　発光デバイス。     A light-emitting device having a substrate and a first light-emitting element and a second light-emitting element that are arranged on the substrate and have the same emission color,
    Both the first light-emitting element and the second light-emitting element are disposed between the first electrode and the second electrode, at least one of which has light transmissivity, and the first electrode and the second electrode, and a sputtering method. A multilayer structure of a plurality of functional layers including a first layer formed by the above and a second layer formed by a coating method,
    Regarding the optical film thickness of the first layer and the second layer in the direction perpendicular to the main surface of the substrate, the optical film thickness of the first layer in the first light emitting element is Ds1, and the optical film thickness in the second light emitting element is When the optical film thickness of the first layer is Ds2, the optical film thickness of the second layer in the first light emitting element is Dw1, and the optical film thickness of the second layer in the second light emitting element is Dw2,
    A light-emitting device that satisfies the relationship of Ds1 <Ds2 and Dw1> Dw2.
  7. 　前記Ｄｓ１、前記Ｄｓ２、前記Ｄｗ１、および、前記Ｄｗ２は、前記第１発光素子および前記第２発光素子の前記発光色の波長に基づいて、共振器構造を形成する光学膜厚にそれぞれ設定されている
    　請求項６に記載の発光デバイス。     The Ds1, the Ds2, the Dw1, and the Dw2 are respectively set to optical film thicknesses that form a resonator structure based on wavelengths of the emission colors of the first light emitting element and the second light emitting element. The light emitting device according to claim 6.
  8. 　前記第１電極と前記第２電極との間にさらに発光層を有し、
    　前記第１電極は、光反射性を有し、
    　前記第１電極と前記発光層との間に、前記第１層および前記第２層が配され、
    　前記Ｄｓ１、前記Ｄｓ２、前記Ｄｗ１、前記Ｄｗ２は、
    　　Ｄｓ１＋Ｄｗ１＝Ｄｓ２＋Ｄｗ２の関係を満たす
    　請求項６または７に記載の発光デバイス。     A light emitting layer is further provided between the first electrode and the second electrode;
    The first electrode has light reflectivity,
    The first layer and the second layer are disposed between the first electrode and the light emitting layer,
    The Ds1, the Ds2, the Dw1, and the Dw2 are
    The light emitting device according to claim 6 or 7, wherein a relationship of Ds1 + Dw1 = Ds2 + Dw2 is satisfied.
  9. 　前記第１層は、金属酸化物から成り、
    　前記第２層は、有機材料から成り、
    　前記第１層は、前記第２層よりも前記第１電極側に配されている
    　請求項８に記載の発光デバイス。     The first layer is made of a metal oxide,
    The second layer is made of an organic material,
    The light emitting device according to claim 8, wherein the first layer is disposed closer to the first electrode than the second layer.
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