WO2015162023A1 - Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component - Google Patents

Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component Download PDF

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WO2015162023A1
WO2015162023A1 PCT/EP2015/057934 EP2015057934W WO2015162023A1 WO 2015162023 A1 WO2015162023 A1 WO 2015162023A1 EP 2015057934 W EP2015057934 W EP 2015057934W WO 2015162023 A1 WO2015162023 A1 WO 2015162023A1
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semiconductor chips
semiconductor
chips
potting material
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Frank Singer
Stefan GRÖTSCH
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Osram Opto Semiconductors Gmbh
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    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape

Definitions

  • An optoelectronic semiconductor component is specified.
  • a method for producing an optoelectronic semiconductor device is specified.
  • An object to be solved is to provide an optoelectronic semiconductor device that efficiently electrically
  • At least one carrier has a microcontroller.
  • each of the carriers has one or more
  • Microcontroller on By means of the microcontroller is an electrical addressing and electrical control of the semiconductor device and / or individual components of the
  • the at least one semiconductor chip is, for example, a light-emitting diode or a laser diode.
  • the at least one optoelectronic semiconductor chip is in operation of the Semiconductor device temporarily or permanently for generating light, in particular visible light, set up.
  • the optoelectronic semiconductor chip has a
  • the semiconductor layer sequence is preferably based on a III-V compound semiconductor material.
  • Semiconductor material is, for example, a
  • Nitride compound semiconductor material such as Al n In] __ n _ m Ga m N or a phosphide compound semiconductor material such as Al n In] __ n _ m Ga m P or an arsenide compound semiconductor material such as Al n In] __ n _ m Ga m As, where each 0 ⁇ n ⁇ 1, 0 ⁇ m ⁇ 1 and n + m ⁇ 1.
  • the semiconductor layer sequence such as Al n In] __ n _ m Ga m N or a phosphide compound semiconductor material such as Al n In] __ n _ m Ga m P or an arsenide compound semiconductor material such as Al n In] __ n _ m Ga m As, where each 0 ⁇ n ⁇ 1, 0 ⁇ m ⁇ 1 and n + m ⁇ 1.
  • the semiconductor layer sequence such as Al n In] __ n _ m
  • Semiconductor layer sequence that is, Al, As, Ga, In, N or P, indicated, although these may be partially replaced by small amounts of other substances and / or supplemented.
  • the at least one semiconductor chip is on a carrier top side of the carrier
  • the one or more semiconductor chips are electrically connected to the microcontroller.
  • the one or more semiconductor chips are specifically individually addressable and electrically controllable via the microcontroller.
  • this includes
  • Semiconductor component two, three or more than three electrical Contact points.
  • the at least two or at least three electrical contact points are to an external one
  • the contact points are
  • Microcontroller electrically connected. This is a control of a current flow to the associated
  • Semiconductor component at least one optical body.
  • the one or more optical bodies are set up for geometrical and / or spectral beam shaping of the light generated by the at least one semiconductor chip during operation. For example, an angular distribution of the emitted radiation is influenced by the optical body or by means of the optical body, spectral components are removed from the light generated in the semiconductor chip and / or added.
  • the at least one optical body is located on the carrier top side.
  • the optical body may be limited to the carrier top. It is the optic body indirectly, so with the help of others
  • Optoelectronic semiconductor device a carrier.
  • the carrier includes a microcontroller to an electrical
  • At least one optoelectronic semiconductor chip which is set up to generate light is at one
  • the semiconductor device has at least three electrical contact points, wherein at least two of the contact points are connected to the microcontroller. At least one optic body to one
  • geometric and / or spectral beam shaping is located directly or indirectly on the carrier top side of the carrier. Especially in vehicles such as automobiles is a trend towards ever higher resolutions, especially in adaptive
  • Terminals for an anode as well as for a cathode
  • a plurality of the carriers are mechanically integrated in a carrier assembly.
  • the carrier by a plastic body, made for example by means of pressing or spraying, solid
  • the carriers do not separate from each other in the intended use of the semiconductor device and do not change in their relative position to each other.
  • all carriers are in a common plane.
  • the carrier composite is preferably planar and planar.
  • carrier top sides of the carrier preferably all in the same direction and the
  • the semiconductor chips can be located in a further common plane, in particular parallel to the carrier top sides.
  • this includes
  • the at least one optical shield is
  • radiopaque for generated during operation of the semiconductor device light Through the shield are adjacent
  • the shields between adjacent semiconductor chips are each such
  • Semiconductor component means that in this case only paths or possible distances are considered, which extend completely in an interior of the semiconductor device.
  • Semiconductor chips assigned to one of the carrier or vice versa. For example, two, three, four or more than four of the semiconductor chips are preferably unique to one of the carriers
  • semiconductor chips and the carriers in a one-to-one arrangement before.
  • the semiconductor chips and the carriers are thus uniquely associated with each other.
  • this includes
  • Semiconductor device one or more potting materials.
  • the at least one potting material is preferred
  • the potting material may be a one Observer white or black or appearing colored
  • Semiconductor chips in each case surrounded by the potting material.
  • the semiconductor chips may be in direct contact with the potting material. Furthermore, that can
  • Potting material touch the carrier top. According to at least one embodiment, the
  • Semiconductor chips each have a main radiation side. About the main radiation side of the majority of the radiation generated in the semiconductor chips from the
  • the at least one conversion means is set up for a partial or complete conversion of the light emitted by the at least one semiconductor chip into a radiation of another, in particular larger, wavelength.
  • the at least one conversion means in the direction away from the carrier top side is arranged downstream of the associated semiconductor chip and optionally also the associated potting material.
  • the conversion means preferably covers the associated semiconductor chip completely, as seen in plan view of the main radiation side.
  • the optical body is at least through the potting material and through the
  • the optical body can have a further component, such as a scattering agent.
  • Optic body can thus comprise several components.
  • the various components of the optic body may be formed by different materials. Prefers
  • the different components of the optic body touch each other.
  • the optical body is designed by a coherent material area.
  • the optic body can be a
  • optical body can be handled separately from other components of the semiconductor device.
  • the scattering agent is preferably arranged in a layered and radiation-permeable manner.
  • the scattering agent comprises a matrix material which is transparent and light-scattering particles introduced into the matrix material.
  • the scattering means is preferably set up for a radiation expansion in the direction parallel to the at least one carrier top side. By the scattering agent, for example, a uniform illumination of the conversion agent is possible.
  • the scattering means completely covers the semiconductor chip and the potting material, as seen in plan view on the main radiation side.
  • the scattering agent extends completely between the
  • the electrical lines are set up for an electrical connection within the semiconductor component.
  • the electrical lines extend between the electrical contact surfaces, the microcontroller and / or the at least one semiconductor chip.
  • the at least one semiconductor chip is preferably bond wire-free via the electrical lines in conjunction with
  • Lines to the main radiation side of the at least one semiconductor chip zoom.
  • the semiconductor chip is contacted on the main radiation side by means of a bonding wire.
  • the bonding wire can completely or partially into the potting material and / or the
  • Be embedded scattering means and / or the conversion means Be embedded scattering means and / or the conversion means.
  • the at least one shield extends into the potting material or through the potting material. That's it
  • Lines at the top of the carrier assembly rests and is in contact with these lines.
  • the shield can be placed on the potting material.
  • the at least one shield is formed from an electrically insulating material.
  • the shield has a coating of an electrically insulating material.
  • the shield may also be made entirely or partially of a metal or a metal alloy, for example by electroplating.
  • Shields can be round, oval, hexagonal, rectangular or square, seen in plan view.
  • all the shields of the semiconductor device are designed as a single piece and hang together. The shields then form a kind
  • Grid which can be placed on the carrier composite.
  • all the electrical contact surfaces are to an external electrical Contacting of the semiconductor device on the same side of the carrier composite, ie at the top or at the bottom of the carrier composite.
  • the electrical contact surfaces are to an external electrical Contacting of the semiconductor device on the same side of the carrier composite, ie at the top or at the bottom of the carrier composite.
  • the electrical contact surfaces are not surrounded or bordered by the optical shields. In other words then lie the
  • At least one of the semiconductor chips together with the associated optical body for emitting blue light and / or at least one of the semiconductor chips together with the associated optical body to
  • red light set up It is included possible that the respective semiconductor chips directly generate blue, red or green light.
  • one or more conversion means it is possible for one or more conversion means to be arranged downstream of the semiconductor chips or at least a part of the semiconductor chips for a wavelength conversion,
  • differently colored light for example cyan or yellow light
  • the semiconductor chips can therefore be differently constructed semiconductor chips, for example
  • the semiconductor chips are all identical in construction and, for example, are set up to produce blue light.
  • the semiconductor device may emit mixed radiation, such as white light.
  • Mixed radiation is then composed of the light of the plurality of semiconductor chips.
  • the division into differently colored light-emitting regions is achieved in particular by the optical shielding.
  • the light exit surface can be designed planar or curved. Outside the
  • Semiconductor device may then take place a light mixture.
  • an average distance between adjacent semiconductor chips is at least 3% or 5% or 7% of a mean edge length of Semiconductor chips. Alternatively or additionally, this distance is at most 30% or 20% or 15% or 10% of the mean edge length. In particular, the average is
  • the average edge length of the semiconductor chips may be at least 200 ym or 400 ym or 600 ym and / or at most 1200 ym or 800 ym or 600 ym or 300 ym. In accordance with at least one embodiment, several of the
  • a mean edge length of the pixel is at least 400 ym or 600 ym or 800 ym, seen in plan view.
  • Microcontroller via a common supply voltage and / or via a common ground connection.
  • all microcontrollers are mounted on a common data line.
  • the respective microcontroller then have a data input and a data output, wherein a data output of a preceding microcontroller preferably with a data input of a subsequent
  • Microcontroller is connected.
  • semiconductor chips arranged in a two-dimensional matrix. That is, the semiconductor chips can be two-dimensional
  • the modules regularly arranged, seen in plan view in particular on the main radiation sides. According to at least one embodiment, the
  • the semiconductor chips may be larger or smaller than the associated carrier. Alternatively, it is possible that the
  • Semiconductor chips are designed congruent to the respective associated carriers. Furthermore, it is possible for one or more of the semiconductor chips to project beyond the associated carrier, as seen in plan view.
  • Shield in the direction away from the wearer, flush with the optic body. Furthermore, the shield can be flush with the light exit surface of the semiconductor device and form part of the light exit surface.
  • Semiconductor chips are from the radiation-transmissive
  • the shield is from the associated carriers and / or from the associated ones
  • the method comprises at least the following steps, preferably in the order given:
  • the step of providing the carriers comprises the one-dimensional or two-dimensional or three-dimensional arrangement of the carriers. Subsequently, the carrier with a
  • Carrier molding material formed, for example by means of injection molding or injection molding. In this forming upper sides and lower sides of the carrier preferably remain free of the
  • the carriers are preferably mechanically firmly integrated into the carrier composite and the carrier composite is formed.
  • the step of providing the carriers comprises the formation of conductor tracks on one or both sides of the carrier assembly.
  • the Conductor tracks are produced for example by means of electroplating or vapor deposition.
  • the step of providing the semiconductor chips comprises the step of reshaping the one-dimensionally, two-dimensionally or three-dimensionally arranged semiconductor chips with a forming compound.
  • the molding compound is preferably a plastic such as a silicone or an epoxy.
  • Forming compound and / or reaches the carrier molding compound Forming compound and / or reaches the carrier molding compound.
  • the frame assembly is mounted on the carrier assembly.
  • a one-to-one association of the semiconductor chips to the one preferably takes place
  • the frame composite can with the carrier composite
  • the carrier composite which is joined together with the frame composite, to the
  • each of the semiconductor components has one or more of the semiconductor chips and / or the carrier.
  • the semiconductor chips can also be applied individually to the carrier composite
  • the semiconductor chips are preferably after application to the carrier composite with about the potting material, the scattering agent and / or the
  • Conversion partially or completely transformed for example by casting or spraying or pressing. Before, in or after this process step, the generation of the optical shield can also take place.
  • Embodiments of methods of manufacture from here described optoelectronic semiconductor devices are described.
  • FIG. 1A shows an embodiment of an optoelectronic semiconductor component 1 in a sectional view along the line A-A of the plan view in FIG. 1B.
  • the semiconductor device 1 has a carrier composite 20.
  • the carrier composite 20 is formed by a plurality of carriers 2 which are mechanically connected to one another by a carrier molding compound 28
  • a metallization 9 is attached on a lower side of the carrier assembly 20, on which also lower sides 24 of the carrier 2 are located. About the metallization 9, the semiconductor device 1 to an external, not
  • illustrated carrier attachable, for example by means of soldering.
  • the semiconductor chips 3 are in particular each light-emitting diodes, short LEDs.
  • Semiconductor chips 3 are attached to the carrier tops 23. Radiation main sides 30 of the semiconductor chips 3 are the
  • the contact points 4 attached.
  • the contact points 4 are via electrical lines 7 to the carriers 2 and with the
  • the carriers 2 each contain a microcontroller 26.
  • the microcontroller 26 is formed in or on a carrier substrate 27 of the carrier 2.
  • the carrier 2 is based on silicon and the microcontroller 26 is formed by one or more recrystallized silicon layers or comprises at least one such layer.
  • Microcontroller 26 the individual semiconductor chips 3 are addressed and selectively controlled, in particular individually controlled.
  • the microcontroller 26 is preferably monolithically integrated in the carrier 2.
  • the microcontroller 26 may comprise a register such as a shift register, transistors and / or switches.
  • the microcontroller 26 is manufactured in silicon technology.
  • the carrier 2 may also be based on another semiconductor material such as germanium.
  • the semiconductor component 1 has optical shields 6. The shields 6 are located in each case between adjacent semiconductor chips 3 and extend from the top side of the carrier assembly starting at one end
  • shields 6 is preferably prevents generated in one of the semiconductor chips 3 light within the
  • Semiconductor device 1 passes to adjacent semiconductor chips 3.
  • the shields 6 are so
  • radiopaque for generated during operation of the semiconductor device light.
  • the potting material 51 extends to the
  • Radiation main pages 30 zoom.
  • the potting material 51 is divided by the shields 6 into a plurality of separate regions.
  • the potting material 51 is followed by a conversion agent 53 in the direction away from the carriers 2.
  • a conversion agent 53 for example, that is
  • Conversion means 53 adapted to absorb a part of a blue light generated in the semiconductor chips 3 in operation, and in about yellow light
  • the shields 6 each extend through the potting material 51 and border the potting material 51 and the conversion means 53 to individual, optically separated
  • Conversion agent 53 fills the shields. 6
  • the light exit surface 10 of the semiconductor device 1 is formed by the shields 6 together with the conversion means 53.
  • Light exit surface 10 is planar and flat.
  • Figure 2 is a sectional view and in plan views a manufacturing method for another
  • FIG. 2A shows that a plurality of the carriers 2 with the microcontrollers 26 and the carrier substrates 27 are applied to a temporary auxiliary carrier 8.
  • the carrier 2 already have electrical contact points 4 for electrical contacting of the carrier 2. Deviating from the representation, it is also possible that the
  • Microcontroller 26 is located closer to the carrier base 24 than on the carrier top 23. It may be identical or different from each other.
  • Subcarrier 8 are surrounded by a carrier molding compound 28. As a result, the individual carriers 2 are combined to form the carrier composite 20.
  • the carrier composite 20 In the intended use of the
  • the carrier assembly 20 is mechanically stable, so that the carrier 2 are mounted immovably relative to each other.
  • the carrier composite 20 is flat. Notwithstanding the representation according to FIG. 2, the carrier composite 20 can also have a curved upper side.
  • FIG. 2C shows that the electrical leads 7, further electrical contact points 4 and the metallization 9 are provided on the undersides 24 and on the upper sides 23 be applied, for example by means of electroplating and / or by vapor deposition. Via the electrical lines 7, the contact points 4 on the respective carriers 2 and also between the carriers 2 are electrically connected to each other
  • Subpages 24 is preferably used only for attachment of the carrier assembly 20 and for thermal contacting of the carrier assembly 20. According to Figure 2C, the subcarrier 8 is removed.
  • the carrier 2 is in each case connected to the larger contact surfaces
  • semiconductor chips 3 attached, for example by gluing or by soldering.
  • the semiconductor chips 3 preferably project beyond the electrical leads 7 in the direction away from the carrier assembly 20.
  • the semiconductor chips 3 each have an electrical contact
  • the semiconductor chips 3 are flip chips whose contact points then either face the carrier assembly 20 or the
  • Carrier composite 20 are turned away, as is possible in all other embodiments.
  • For an external electrical contact has
  • Contact points is designed as ground contact GND and is connected via the electrical lines 7 with all the carrier 2 and microcontroller 26. Furthermore, one is
  • a contact point for a data input Din and for a data output Dout is provided.
  • the respective data inputs Din of the carrier 2 are to the respective
  • Carrier 2 electrically connected.
  • a radiation-permeable potting material 51 is mounted around the LED chips 3 around.
  • Potting material 51 covers the printed conductors 7 on the upper side of the carrier composite 20.
  • the potting material 51 is limited to the upper side of the carrier composite 20.
  • the electrical contact points 4 on the main radiation sides 30 preferably remain free of the potting material 51.
  • FIG. 2F shows that plated-through holes 73 are formed through the potting material 51.
  • Vias 73 are formed, for example, by holes that are completely or partially filled with a metal.
  • the electrical leads 7 adjoin the plated-through holes 73 on a side of the potting material 51 facing away from the carrier composite 20. About these electrical lines 7, the main radiation sides 30 of the semiconductor chips 3 are electrically contacted.
  • Shields 6 applied.
  • the shields 6 are integrated in a single piece of material.
  • the shields 6 do not cover the semiconductor chips 3, as seen in plan view. Cavities in the direction away from the carrier assembly 20 above the semiconductor chips 3 are defined by the shields 6.
  • FIG. 2H shows that the cavities defined by the shields 6 are connected to the conversion means 53
  • the potting material 51 is a single, continuous layer.
  • the shields 6 are on the potting material 51st
  • the semiconductor chips 3 are contacted with bonding wire via the electrical
  • Contact points 4 for the external electrical contacting of the semiconductor device 1 are located on the same side as the metallization 9 and thus on the semiconductor chips 3 opposite underside of the carrier assembly 20.
  • the contact points 4 are via the vias 73 through the carrier assembly 20 through with the electrical lines. 7 connected at the top of the carrier composite 20.
  • the production method as described in FIG. 2, can also be transferred to optoelectronic semiconductor components 1, as illustrated for example in connection with FIGS. 1 or 3.
  • a further exemplary embodiment of the semiconductor component 1 is shown in a sectional view in FIG. 3A and in a plan view in FIG. 3B. Notwithstanding the illustration according to FIG. 2H, the contact points 4 are for
  • the scattering means 52 projects beyond the semiconductor chips 3 in each case laterally, that is to say in the direction parallel to them
  • a light emitting area at the light exit surface 10 is thus preferably given by the complete area covered by the conversion means 53.
  • Light exit surface 10 is formed by the shields 6, no light is at the light exit surface 10th
  • a width and an area of these very narrow areas, which are formed by the shields 6, is negligible.
  • this width is at most 60 ym or 30 ym or 15 ym or 10 ym. Therefore, a downstream optics for laminating the non-light-emitting regions of the light exit surface 10 is dispensable. For a viewer therefore appears the
  • Light exit surface 10 preferably in the on state as continuously lit, with or without subordinate
  • FIG. 4 shows a further exemplary embodiment of a
  • Carrier composite 20 are already the metallization 9, the electrical wires 7 and the electrical
  • a frame composite 33 is provided.
  • the individual semiconductor chips 3 are summarized.
  • the semiconductor chips 3 are over a
  • Forming compound 38 mechanically connected.
  • FIG. 4C it is shown that the frame composite 33 is applied to the carrier composite 20. In this case, a one-to-one assignment of the semiconductor chips 3 to the carriers 2 takes place.
  • the manufacturing method corresponds to the manufacturing method according to Figure 4.
  • the frame assembly 33 has additional
  • Contact points 4 to an external electrical contacting of the semiconductor device 1 are located on a carrier composite 20 remote from the top of the frame assembly 33.
  • the contact points 4 are thus substantially in a common plane with the main radiation sides 30 of the
  • the frame assembly 33 is applied to the carrier assembly 20, wherein the electrical leads, plated-through holes and contact points
  • FIG. 6A shows a larger, two-dimensional arrangement of the semiconductor chips 3 on the
  • Carrier composite 20 shown.
  • the semiconductor chips 3 are grouped. Separation areas S are optionally mounted between adjacent groups. Both
  • Separation areas S are, for example, sawing streets, along which the carrier assembly 20 is too
  • Semiconductor chips 3 can be separated.
  • each of the semiconductor chips 3 is combined to form a group.
  • Each of the groups of three of the semiconductor chips 3 has four of the pads 4 and only a small number of traces.
  • the groups 3 can be mirror-symmetrical to an optionally existing one
  • FIG. 6C shows a grouping of the semiconductor chips 3 and interconnection of the semiconductor chips 3 analogously to FIG. 6B in the left-hand half of the figure.
  • An interconnection is illustrated in the right-hand half of the figure, with several of the groups being connected in series via correspondingly guided electrical lines 7.
  • the five groups of three in the right half of FIG. 6C for example, only four of the electrical contact points 4 for external electrical contacting are required. It is not absolutely necessary that all of the lines 7 run in one plane.
  • the semiconductor chips 3 are individually electrically controllable by means of the microcontroller.
  • a semiconductor component 1 is mounted on an external mounting plate E, for example a metal plate with or without conductor tracks.
  • the semiconductor device 1 has a matrix of 25 ⁇ 6 regularly arranged semiconductor chips.
  • Connecting and driving the semiconductor device 1 are preferably only three tracks, so for a
  • Semiconductor devices 1 attached. In each case, 25 of the semiconductor devices 1 are arranged in a row. Each of the semiconductor devices 1 has, for example, three
  • Semiconductor chips 3 on. For connecting and driving these semiconductor devices 1 are preferably also only three
  • Such semiconductor devices 1 as used in conjunction with FIG. 7B may be constructed as shown in the plan view of FIG. They can only be schematic
  • the semiconductor device 1 in Fig. 8 comprises a red light emitting unit R, a green light emitting unit G, and a blue light emitting unit B.
  • the corresponding wavelengths can be generated directly in the respective semiconductor chips or even in combination with a conversion agent.
  • FIG. 9 shows a production method for
  • the semiconductor chip 3 is applied to the carrier 2 with the microcontroller 26.
  • FIG. 9C it can be seen that the main radiation side 30 of the semiconductor chip 3 is contacted to the carrier 2 by means of a bonding wire 75. All external electrical
  • Carrier base 24 see the bottom view of Figure 9C3.
  • the potting material 51 comprises a silicone as matrix material into which reflective particles, for example of titanium dioxide or alternatively absorbent particles, for example of soot, are introduced.
  • the conversion agent 53 is applied to the potting material 51, so that the optical body 5 is completely formed and the
  • an opening 77 is created in the potting material 51, see Figure 10D. Subsequently, the opening 77 is filled by a metallization 9, so that the
  • Potting material 51 and the electrical line 7 is generated toward the main radiation side 30. Subsequently, analogously to FIG. 9D, the conversion agent 53 is applied, compare FIG. 10F.
  • the arrangement schemes of FIG. 11 are thus particularly applicable to the exemplary embodiments, such as in FIG.
  • FIG. 12 shows schematic plan views
  • FIG. 12A it is shown that a single
  • This area emits, for example, white light and thus represents a white-emitting area W.
  • a red-emitting region R, a blue-emitting region B and a green-emitting region G are present. Notwithstanding this, according to FIG. 12C, two smaller, red-emitting regions R are present.
  • Semiconductor components 1 as shown in connection with Figure 8, alternatively find use. Corresponding groupings and plan views of pixels can also be implemented analogously in the case of the semiconductor components 1 from FIGS. 7A and 7B.
  • FIGS. 13A and 13B Arrangements with only a few electrical leads 7, via which a plurality of the semiconductor chips 3 are connected, are shown in FIGS. 13A and 13B.
  • the semiconductor chips 3 are each arranged along strands with three lines each. For ease of illustration, only three of the semiconductor chips 3 are along each strand
  • FIG. 13B a number of the electrical lines 7 are further reduced, the electrical lines 7 being drawn in a simplified manner. Bridges between adjacent lines are symbolized by arrows.
  • Semiconductor chips 3 mounted in a triangular formation on the support 2.
  • the other components of the semiconductor device 1, such as the shield or the optical body are for
  • Figure 16 is another in a plan view
  • a blue light emitting semiconductor chip 3B, a green light emitting semiconductor chip 3G and a red light emitting semiconductor chip 3G are applied, all of which are inside the single shield 6.
  • the shield 6 can be applied directly to the carrier 2, wherein the shield 6 does not project beyond the carrier 2, seen in plan view, unlike that in FIG. 14, for example.
  • test contact 4t in particular for testing the semiconductor device 1, such as in front of a test contact 4t
  • the semiconductor component 1 has three
  • Conversion means 53 is assigned by the shield 6b from the others, not the conversion means 53
  • the shield 6a surrounds the carrier 2 all around and lies, seen in plan view, adjacent to the carrier 2. Corresponding configurations of the shield relative to the carrier 2, as shown in connection with Figures 16 and 17, may also be present in all other embodiments.
  • only one carrier 2 is present in the carrier assembly 20.
  • a multiplicity of carriers 2 together with the associated semiconductor chips 3 can also be integrated in the carrier assembly 20, analogously to the exemplary embodiments according to FIGS. 1 to 8.
  • a corresponding arrangement of the semiconductor chips 3 on the carrier 2 can also be present in all other exemplary embodiments, even with a different number of semiconductor chips 3.
  • Radiation is an array of semiconductor chips that can be built up has only negligible optical gaps.
  • a light exit surface is lichtabstrahlend the whole surface, with the exception of narrow areas where the
  • a width of the shields is preferably at most 1% or 3% or 5% or 10% or a mean extent of
  • Semiconductor chips and the carrier with the microcontrollers also allow a structure with a narrower grid and thus with a higher luminance.
  • Chip sizes can be in a single semiconductor device
  • Semiconductor components described here can be used, for example, in adaptive headlights of motor vehicles. Likewise, semiconductor components described in FIG Projectors or in general lighting or as so-called spotlights usable. A use in ambient lighting or ambient lighting is also possible, for example in the automotive sector, the illumination of a car sky or as scene lighting in a living area and / or in a business area.

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Abstract

The invention relates to an optoelectronic semiconductor (1) comprising a carrier (2). The carrier (2) has a micro controller (26) for electrically addressing and actuating the semiconductor component (1). At least one optoelectronic semiconductor chip (3), which is configured for generating light, is mounted to a carrier upper side (23) of the carrier (2) and is electrically connected to the micro controller (26). The semiconductor component (1) is has at least three electrical contact points (4), wherein at least two of the contact points (4) are connected to the micro controller (26). At least one optical body (5) for a geometric and/or spectral beam forming is located directly or indirectly on the carrier upper side (23).

Description

Beschreibung description
Optoelektronisches Halbleiterbauteil und Verfahren zur Optoelectronic semiconductor device and method for
Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils Production of an optoelectronic semiconductor component
Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauteil angegeben. Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils angegeben. Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein optoelektronisches Halbleiterbauteil anzugeben, das effizient elektrisch An optoelectronic semiconductor component is specified. In addition, a method for producing an optoelectronic semiconductor device is specified. An object to be solved is to provide an optoelectronic semiconductor device that efficiently electrically
verschaltbar ist. is interconnectable.
Diese Aufgabe wird unter anderem durch ein optoelektronisches Halbleiterbauteil und durch ein Verfahren mit den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst. Bevorzugte This object is achieved inter alia by an optoelectronic semiconductor component and by a method having the features of the independent patent claims. preferred
Weiterbildungen sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche. Further developments are the subject of the dependent claims.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das According to at least one embodiment, the
Halbleiterbauteil einen oder mehrere Träger auf. Der Semiconductor device on one or more carriers. Of the
mindestens eine Träger weist einen MikroController auf. at least one carrier has a microcontroller.
Bevorzugt weist jeder der Träger einen oder mehrere Preferably, each of the carriers has one or more
MikroController auf. Mittels des MikroControllers ist eine elektrische Adressierung und elektrische Ansteuerung des Halbleiterbauteils und/oder einzelner Komponenten des Microcontroller on. By means of the microcontroller is an electrical addressing and electrical control of the semiconductor device and / or individual components of the
Halbleiterbauteils möglich. Semiconductor device possible.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform beinhaltet das In accordance with at least one embodiment, this includes
Halbleiterbauteil einen oder mehrere optoelektronische Semiconductor device one or more optoelectronic
Halbleiterchips. Bei dem mindestens einen Halbleiterchip handelt es sich beispielsweise um eine Leuchtdiode oder um eine Laserdiode. Mit anderen Worten ist der wenigstens eine optoelektronische Halbleiterchip im Betrieb des Halbleiterbauteils zeitweise oder dauerhaft zur Erzeugung von Licht, insbesondere von sichtbarem Licht, eingerichtet. Semiconductor chips. The at least one semiconductor chip is, for example, a light-emitting diode or a laser diode. In other words, the at least one optoelectronic semiconductor chip is in operation of the Semiconductor device temporarily or permanently for generating light, in particular visible light, set up.
Der optoelektronische Halbleiterchip weist dabei eine The optoelectronic semiconductor chip has a
Halbleiterschichtenfolge mit mindestens einer aktiven Zone auf. Die Halbleiterschichtenfolge basiert bevorzugt auf einem III-V-Verbindungshalbleitermaterial . Bei dem Semiconductor layer sequence with at least one active zone. The semiconductor layer sequence is preferably based on a III-V compound semiconductor material. In which
Halbleitermaterial handelt es sich zum Beispiel um ein Semiconductor material is, for example, a
Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn]__n_mGamN oder um ein Phosphid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn]__n_ mGamP oder auch um ein Arsenid-Verbindungshalbleitermaterial wie AlnIn]__n_mGamAs, wobei jeweils 0 ^ n < 1, 0 ^ m < 1 und n + m < 1 ist. Dabei kann die Halbleiterschichtenfolge Nitride compound semiconductor material such as Al n In] __ n _ m Ga m N or a phosphide compound semiconductor material such as Al n In] __ n _ m Ga m P or an arsenide compound semiconductor material such as Al n In] __ n _ m Ga m As, where each 0 ^ n <1, 0 ^ m <1 and n + m <1. In this case, the semiconductor layer sequence
Dotierstoffe sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen. Der Einfachheit halber sind jedoch nur die wesentlichen Have dopants and additional components. For the sake of simplicity, however, only the essential ones are
Bestandteile des Kristallgitters der Components of the crystal lattice of the
Halbleiterschichtenfolge, also AI, As, Ga, In, N oder P, angegeben, auch wenn diese teilweise durch geringe Mengen weiterer Stoffe ersetzt und/oder ergänzt sein können.  Semiconductor layer sequence, that is, Al, As, Ga, In, N or P, indicated, although these may be partially replaced by small amounts of other substances and / or supplemented.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der mindestens eine Halbleiterchip an einer Trägeroberseite des Trägers In accordance with at least one embodiment, the at least one semiconductor chip is on a carrier top side of the carrier
angebracht. Sind mehrere Halbleiterchips und mehrere Träger vorhanden, so gilt dies bevorzugt für alle Halbleiterchips. appropriate. If a plurality of semiconductor chips and a plurality of carriers are present, this is preferably true for all semiconductor chips.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der oder sind die Halbleiterchips mit dem Mikrocontroller elektrisch verbunden. Insbesondere ist der oder sind die Halbleiterchips über den Mikrocontroller gezielt einzeln elektrisch adressierbar und elektrisch ansteuerbar. In accordance with at least one embodiment, the one or more semiconductor chips are electrically connected to the microcontroller. In particular, the one or more semiconductor chips are specifically individually addressable and electrically controllable via the microcontroller.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das According to at least one embodiment, this includes
Halbleiterbauteil zwei, drei oder mehr als drei elektrische Kontaktstellen. Die mindestens zwei oder mindestens drei elektrischen Kontaktstellen sind zu einer externen Semiconductor component two, three or more than three electrical Contact points. The at least two or at least three electrical contact points are to an external one
elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauteils electrical contacting of the semiconductor device
eingerichtet. Bei den Kontaktstellen handelt es sich set up. The contact points are
bevorzugt um einen Kontakt für eine Spannungsversorgung, um einen Massekontakt sowie um einen Kontakt für eine preferably a contact for a power supply to a ground contact and a contact for a
Datenleitung . Data line.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist mindestens eine oder sind mindestens zwei der Kontaktstellen mit dem According to at least one embodiment, at least one or at least two of the contact points with the
MikroController elektrisch verbunden. Hierdurch ist eine Kontrolle eines Stromflusses zu dem zugeordneten  Microcontroller electrically connected. This is a control of a current flow to the associated
Halbleiterchip möglich sowie eine Aufnahme und ein Semiconductor chip possible as well as a recording and a
Verarbeiten von externen Steuersignalen. Processing external control signals.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das According to at least one embodiment, the
Halbleiterbauteil mindestens einen Optikkörper auf. Der eine oder die mehreren Optikkörper sind zu einer geometrischen und/oder zu einer spektralen Strahlformung des von dem wenigstens einen Halbleiterchip im Betrieb erzeugten Lichts eingerichtet. Beispielsweise wird eine Winkelverteilung der emittierten Strahlung durch den Optikkörper beeinflusst oder mittels des Optikkörpers werden spektrale Komponenten aus dem in dem Halbleiterchip erzeugten Licht entfernt und/oder hinzugefügt. Semiconductor component at least one optical body. The one or more optical bodies are set up for geometrical and / or spectral beam shaping of the light generated by the at least one semiconductor chip during operation. For example, an angular distribution of the emitted radiation is influenced by the optical body or by means of the optical body, spectral components are removed from the light generated in the semiconductor chip and / or added.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform befindet sich der mindestens eine Optikkörper an der Trägeroberseite. Der Optikkörper kann auf die Trägeroberseite beschränkt sein. Es ist der Optikkörper mittelbar, also mit Hilfe weiterer In accordance with at least one embodiment, the at least one optical body is located on the carrier top side. The optical body may be limited to the carrier top. It is the optic body indirectly, so with the help of others
Komponenten, oder unmittelbar, also in direktem physischen Kontakt, an der Trägeroberseite angebracht. In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Components, or directly, so in direct physical contact, attached to the carrier top. In at least one embodiment, this includes
optoelektronische Halbleiterbauteil einen Träger. Der Träger beinhaltet einen MikroController zu einer elektrischen Optoelectronic semiconductor device a carrier. The carrier includes a microcontroller to an electrical
Adressierung und Ansteuerung des Halbleiterbauteils. Addressing and control of the semiconductor device.
Mindestens ein optoelektronischer Halbleiterchip, der zur Erzeugung von Licht eingerichtet ist, ist an einer At least one optoelectronic semiconductor chip which is set up to generate light is at one
Trägeroberseite des Trägers angebracht und mit dem Carrier top of the vehicle installed and with that
MikroController elektrisch verbunden. Das Halbleiterbauteil weist wenigstens drei elektrische Kontaktstellen auf, wobei zumindest zwei der Kontaktstellen mit dem MikroController verbunden sind. Wenigstens ein Optikkörper zu einer Microcontroller electrically connected. The semiconductor device has at least three electrical contact points, wherein at least two of the contact points are connected to the microcontroller. At least one optic body to one
geometrischen und/oder Spektralen Strahlformung befindet sich direkt oder indirekt an der Trägeroberseite des Trägers. Insbesondere in Fahrzeugen wie Automobilen ist ein Trend zu immer höheren Auflösungen speziell bei adaptiven geometric and / or spectral beam shaping is located directly or indirectly on the carrier top side of the carrier. Especially in vehicles such as automobiles is a trend towards ever higher resolutions, especially in adaptive
Frontscheinwerfersystemen zu beobachten. Werden dabei einzelne Halbleiterchips wie Leuchtdioden je mit zwei Front headlight systems to watch. If individual semiconductor chips such as light emitting diodes each with two
Anschlüssen, für eine Anode sowie für eine Kathode, Terminals, for an anode as well as for a cathode,
matrixartig angeordnet, so ist ein Verschaltungsaufwand relativ hoch aufgrund der großen Anzahl erforderlicher elektrischer Leitungen. Weiterhin ist eine Anordnung einer Vielzahl solcher Halbleiterchips fehleranfällig bei der Montage. Durch den benötigten Platz für die große Anzahl von Leiterbahnen, nämlich zwei pro Halbleiterchip, ist außerdem eine Anordnungsdichte beschränkt. Eine Größe der Leiterbahnen ist zudem aufgrund des relativ hohen Strombedarfs der arranged in a matrix, so a Verschaltungsaufwand is relatively high due to the large number of required electrical lines. Furthermore, an arrangement of a plurality of such semiconductor chips is prone to error during assembly. Due to the space required for the large number of interconnects, namely two per semiconductor chip, an arrangement density is also limited. A size of the tracks is also due to the relatively high power requirements of
Halbleiterchips dabei nach unten hin begrenzt. Die Semiconductor chips limited to the bottom. The
Leiterbahnen müssen also einen vergleichsweise großen Tracks must therefore have a comparatively large
Querschnitt aufweisen. Have cross-section.
Bei dem hier beschriebenen Halbleiterbauteil ist eine Anzahl der elektrischen Leitungen aufgrund der Adressierung und Ansteuerung durch die in den Trägern integrierten MikroController vereinfacht. Hierdurch ist auch eine dichtere Anordnung der Halbleiterchips realisierbar, einhergehend mit einer höheren möglichen Flächenleuchtdichte. In the case of the semiconductor device described here, a number of the electrical lines are due to the addressing and Control by the built-in carriers microcontroller simplified. As a result, a denser arrangement of the semiconductor chips can be realized, along with a higher possible surface luminance.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind mehrere der Träger in einem Trägerverbund mechanisch integriert. Beispielsweise sind die Träger durch einen Kunststoffkörper, hergestellt beispielsweise mittels Pressen oder Spritzen, fest In accordance with at least one embodiment, a plurality of the carriers are mechanically integrated in a carrier assembly. For example, the carrier by a plastic body, made for example by means of pressing or spraying, solid
miteinander verbunden. Dies bedeutet, dass sich die Träger im bestimmungsgemäßen Gebrauch des Halbleiterbauteils nicht voneinander lösen und nicht in ihrer relativen Position zueinander ändern. Bevorzugt befinden sich alle Träger in einer gemeinsamen Ebene. In diesem Fall ist der Trägerverbund bevorzugt eben und planar gestaltet. connected with each other. This means that the carriers do not separate from each other in the intended use of the semiconductor device and do not change in their relative position to each other. Preferably, all carriers are in a common plane. In this case, the carrier composite is preferably planar and planar.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist ein Teil der According to at least one embodiment, a part of
Halbleiterchips oder sind alle Halbleiterchips auf dem Semiconductor chips or are all semiconductor chips on the
Trägerverbund aufgebracht. Dabei weisen Trägeroberseiten der Träger bevorzugt allesamt in dieselbe Richtung und die Carrier composite applied. In this case, carrier top sides of the carrier preferably all in the same direction and the
Halbleiterchips sind an den Trägeroberseiten angebracht.  Semiconductor chips are attached to the carrier tops.
Weiterhin ist es möglich, dass sich die Halbleiterchips in einer weiteren gemeinsamen Ebene, insbesondere parallel zu den Trägeroberseiten, befinden. Furthermore, it is possible for the semiconductor chips to be located in a further common plane, in particular parallel to the carrier top sides.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das According to at least one embodiment, this includes
Halbleiterbauteil eine oder mehrere optische Abschirmungen. Die mindestens eine optische Abschirmung ist Semiconductor device one or more optical shields. The at least one optical shield is
strahlungsundurchlässig für im Betrieb des Halbleiterbauteils erzeugtes Licht. Durch die Abschirmung sind benachbarte radiopaque for generated during operation of the semiconductor device light. Through the shield are adjacent
Halbleiterchips bevorzugt optisch voneinander isolierbar. Hierdurch ist ein hoher Kontrast zwischen benachbarten  Semiconductor chips preferably optically isolated from each other. This provides a high contrast between adjacent ones
Halbleiterchips erzielbar. Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Abschirmungen zwischen benachbarten Halbleiterchips jeweils derart Semiconductor chips achievable. In accordance with at least one embodiment, the shields between adjacent semiconductor chips are each such
angebracht, dass innerhalb des Halbleiterbauteils kein attached that within the semiconductor device no
Lichtpfad zwischen benachbarten Halbleiterchips vorliegt. Mit anderen Worten kann dann aufgrund der Abschirmungen und eventuell aufgrund weiterer Komponenten innerhalb des Light path between adjacent semiconductor chips is present. In other words, due to the shields and possibly due to further components within the
Halbleiterbauteils kein Licht von einem der Halbleiterchips zu einem anderen Halbleiterchip gelangen. Innerhalb des Semiconductor device no light from one of the semiconductor chips to another semiconductor chip. Within the
Halbleiterbauteils meint, dass hierbei nur Wegstrecken oder mögliche Wegstrecken berücksichtigt werden, die vollständig in einem Inneren des Halbleiterbauteils verlaufen. Etwa Semiconductor component means that in this case only paths or possible distances are considered, which extend completely in an interior of the semiconductor device. Approximately
Rückstreuung aufgrund äußerer, externer Komponenten, die nicht zu dem Halbleiterbauteil gehören, bleibt hierbei also unberücksichtigt. Backscatter due to external external components, which do not belong to the semiconductor component, thus remains unconsidered.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind mehrere der In accordance with at least one embodiment, several of the
Halbleiterchips einem der Träger zugeordnet oder umgekehrt. Zum Beispiel sind zwei, drei, vier oder mehr als vier der Halbleiterchips einem der Träger bevorzugt eindeutig Semiconductor chips assigned to one of the carrier or vice versa. For example, two, three, four or more than four of the semiconductor chips are preferably unique to one of the carriers
zugeordnet . assigned.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegen die According to at least one embodiment, the
Halbleiterchips und die Träger in einer Eins-zu-Eins- Anordnung vor. Die Halbleiterchips und die Träger sind somit einander eineindeutig zugeordnet. Semiconductor chips and the carriers in a one-to-one arrangement before. The semiconductor chips and the carriers are thus uniquely associated with each other.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das According to at least one embodiment, this includes
Halbleiterbauteil ein oder mehrere Vergussmaterialien. Das mindestens eine Vergussmaterial ist bevorzugt Semiconductor device one or more potting materials. The at least one potting material is preferred
strahlungsundurchlässig für von den Halbleiterchips erzeugtes Licht. Bei dem Vergussmaterial kann es sich um ein einem Beobachter weiß oder schwarz oder farbig erscheinendes radiopaque for light generated by the semiconductor chips. The potting material may be a one Observer white or black or appearing colored
Material handeln. Act material.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die According to at least one embodiment, the
Halbleiterchips jeweils ringsum von dem Vergussmaterial umgeben. Die Halbleiterchips können in direktem Kontakt zu dem Vergussmaterial stehen. Weiterhin kann das Semiconductor chips in each case surrounded by the potting material. The semiconductor chips may be in direct contact with the potting material. Furthermore, that can
Vergussmaterial die Trägeroberseite berühren. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die Potting material touch the carrier top. According to at least one embodiment, the
Halbleiterchips jeweils eine Strahlungshauptseite auf. Über die Strahlungshauptseite wird der überwiegende Anteil der in den Halbleiterchips erzeugten Strahlung aus den  Semiconductor chips each have a main radiation side. About the main radiation side of the majority of the radiation generated in the semiconductor chips from the
Halbleiterchips heraus emittiert. Bevorzugt reicht das Emitted semiconductor chips out. This is preferably enough
Vergussmaterial, in Richtung weg von der zugehörigen Potting material, moving away from the associated
Trägeroberseite, bis hin zu der Strahlungshauptseite. Es ist möglich, dass das Vergussmaterial bündig mit der  Carrier top, up to the main radiation side. It is possible that the potting material flush with the
Strahlungshauptseite abschließt oder auch die Radiation main ends or even the
Strahlungshauptseite in Richtung weg von dem Träger überragt.  Radiation main side in the direction away from the carrier.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform beinhaltet das In accordance with at least one embodiment, this includes
Halbleiterbauteil ein oder mehrere Konversionsmittel. Das mindestens eine Konversionsmittel ist zu einer teilweisen oder vollständigen Umwandlung des von dem mindestens einen Halbleiterchip emittierten Lichts in eine Strahlung einer anderen, insbesondere größeren Wellenlänge eingerichtet. Semiconductor device one or more conversion means. The at least one conversion means is set up for a partial or complete conversion of the light emitted by the at least one semiconductor chip into a radiation of another, in particular larger, wavelength.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das mindestens eine Konversionsmittel in Richtung weg von der Trägeroberseite dem zugehörigen Halbleiterchip und optional auch dem zugehörigen Vergussmaterial nachgeordnet. Das Konversionsmittel überdeckt den zugehörigen Halbleiterchip bevorzugt vollständig, in Draufsicht auf die Strahlungshauptseite gesehen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Optikkörper mindestens durch das Vergussmaterial und durch das In accordance with at least one embodiment, the at least one conversion means in the direction away from the carrier top side is arranged downstream of the associated semiconductor chip and optionally also the associated potting material. The conversion means preferably covers the associated semiconductor chip completely, as seen in plan view of the main radiation side. According to at least one embodiment, the optical body is at least through the potting material and through the
Konversionsmittel gebildet. Ferner kann der Optikkörper eine weitere Komponente wie ein Streumittel aufweisen. Der Conversion agent formed. Furthermore, the optical body can have a further component, such as a scattering agent. Of the
Optikkörper kann also mehrere Komponenten umfassen. Die verschiedenen Komponenten des Optikkörpers können durch unterschiedliche Materialien gebildet sein. Bevorzugt Optic body can thus comprise several components. The various components of the optic body may be formed by different materials. Prefers
berühren sich die verschiedenen Komponenten des Optikkörpers. Insbesondere ist der Optikkörper durch ein zusammenhängendes Materialgebiet gestaltet. Der Optikkörper kann eine the different components of the optic body touch each other. In particular, the optical body is designed by a coherent material area. The optic body can be a
mechanische Einheit darstellen. Optional ist der Optikkörper separat von anderen Komponenten des Halbleiterbauteils handhabbar . represent mechanical unit. Optionally, the optical body can be handled separately from other components of the semiconductor device.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform befindet sich zwischen dem Vergussmaterial und dem Konversionsmittel sowie zwischen der Strahlungshauptseite und dem Konversionsmittel das According to at least one embodiment is located between the potting material and the conversion means and between the main radiation side and the conversion means the
Streumittel. Das Streumittel ist bevorzugt schichtförmig und strahlungsdurchlässig eingerichtet. Zum Beispiel umfasst das Streumittel ein Matrixmaterial, das transparent ist, sowie in das Matrixmaterial eingebrachte, Lichtstreuende Partikel. Das Streumittel ist bevorzugt zu einer Strahlungsaufweitung in Richtung parallel zu der wenigstens einen Trägeroberseite eingerichtet. Durch das Streumittel ist beispielsweise eine gleichmäßige Ausleuchtung des Konversionsmittels möglich. Spreading material. The scattering agent is preferably arranged in a layered and radiation-permeable manner. For example, the scattering agent comprises a matrix material which is transparent and light-scattering particles introduced into the matrix material. The scattering means is preferably set up for a radiation expansion in the direction parallel to the at least one carrier top side. By the scattering agent, for example, a uniform illumination of the conversion agent is possible.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform bedeckt das Streumittel den Halbleiterchip und das Vergussmaterial vollständig, in Draufsicht auf die Strahlungshauptseite gesehen. Insbesondere erstreckt sich das Streumittel vollständig zwischen dem In accordance with at least one embodiment, the scattering means completely covers the semiconductor chip and the potting material, as seen in plan view on the main radiation side. In particular, the scattering agent extends completely between the
Konversionsmittel einerseits und dem Vergussmaterial sowie dem Halbleiterchip andererseits, so dass diese Komponenten voneinander durch das Streumittel voneinander separiert sind. Conversion on the one hand and the potting material and the semiconductor chip on the other hand, so that these components are separated from each other by the scattering agent.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das According to at least one embodiment, the
optoelektronische Halbleiterbauteil elektrische Leitungen auf. Die elektrischen Leitungen sind zu einer elektrischen Verschaltung innerhalb des Halbleiterbauteils eingerichtet. Insbesondere erstrecken sich die elektrischen Leitungen zwischen den elektrischen Kontaktflächen, dem MikroController und/oder dem mindestens einen Halbleiterchip. optoelectronic semiconductor device electrical lines on. The electrical lines are set up for an electrical connection within the semiconductor component. In particular, the electrical lines extend between the electrical contact surfaces, the microcontroller and / or the at least one semiconductor chip.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform befindet sich According to at least one embodiment is located
wenigstens ein Teil der elektrischen Leitungen zwischen dem Vergussmaterial und dem Konversionsmittel. In diesem Fall ist der mindestens eine Halbleiterchip bevorzugt bonddrahtfrei über die elektrischen Leitungen in Verbindung mit at least a portion of the electrical leads between the potting material and the conversion agent. In this case, the at least one semiconductor chip is preferably bond wire-free via the electrical lines in conjunction with
Durchkontaktierungen, insbesondere durch das Vergussmaterial und/oder durch den Träger hindurch, elektrisch kontaktiert. Es reicht bevorzugt mindestens eine der elektrischen Through contacts, in particular through the potting material and / or through the carrier, electrically contacted. It is preferably sufficient at least one of the electrical
Leitungen an die Strahlungshauptseite des mindestens einen Halbleiterchips heran. Alternativ ist es möglich, dass der Halbleiterchip an der Strahlungshauptseite mittels eines Bonddrahts kontaktiert ist. Der Bonddraht kann vollständig oder teilweise in das Vergussmaterial und/oder das Lines to the main radiation side of the at least one semiconductor chip zoom. Alternatively, it is possible that the semiconductor chip is contacted on the main radiation side by means of a bonding wire. The bonding wire can completely or partially into the potting material and / or the
Streumittel und/oder das Konversionsmittel eingebettet sein. Be embedded scattering means and / or the conversion means.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform befinden sich weitere elektrische Leitungen zwischen dem Trägerverbund und dem Vergussmaterial. Diese elektrischen Leitungen sind According to at least one embodiment, there are further electrical lines between the carrier composite and the potting material. These electrical wires are
beispielsweise an der mindestens einen Trägeroberseite sowie an einer Oberseite des Trägerverbunds, an der sich die For example, on the at least one carrier top and on an upper side of the carrier composite, at which the
Halbleiterchips befinden, aufgebracht. Alternativ oder zusätzlich ist es möglich, dass sich elektrische Leitungen auch an einer den Halbleiterchips abgewandten Unterseite des Trägerverbunds befinden. Semiconductor chips are applied. Alternatively or additionally, it is possible that electrical lines also located on a side facing away from the semiconductor chip underside of the carrier composite.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform erstreckt sich die mindestens eine Abschirmung in das Vergussmaterial hinein oder durch das Vergussmaterial hindurch. Dabei ist es In accordance with at least one embodiment, the at least one shield extends into the potting material or through the potting material. That's it
möglich, dass die Abschirmungen auf den elektrischen possible that the shields on the electrical
Leitungen an der Oberseite des Trägerverbunds aufliegt und mit diesen Leitungen in Kontakt steht. Alternativ kann die Abschirmung auf das Vergussmaterial aufgesetzt sein. Lines at the top of the carrier assembly rests and is in contact with these lines. Alternatively, the shield can be placed on the potting material.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die mindestens eine Abschirmung aus einem elektrisch isolierenden Material geformt. Alternativ oder zusätzlich weist die Abschirmung eine Beschichtung aus einem elektrisch isolierenden Material auf. Die Abschirmung kann auch vollständig oder teilweise aus einem Metall oder einer Metalllegierung hergestellt sein, beispielsweise mittels Galvanisierung. In accordance with at least one embodiment, the at least one shield is formed from an electrically insulating material. Alternatively or additionally, the shield has a coating of an electrically insulating material. The shield may also be made entirely or partially of a metal or a metal alloy, for example by electroplating.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umgeben die According to at least one embodiment, the surround
Abschirmungen den jeweils zugehörigen Halbleiterchip Shields the respective associated semiconductor chip
rahmenförmig und ringsum vollständig, insbesondere in frame-shaped and completely around, especially in
Draufsicht auf die Strahlungshauptseite gesehen. Die Top view of the main radiation side seen. The
Abschirmungen können dabei rund, oval, sechseckig, rechteckig oder quadratisch gestaltet sein, in Draufsicht gesehen. Shields can be round, oval, hexagonal, rectangular or square, seen in plan view.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind alle Abschirmungen des Halbleiterbauteils als ein einziges Stück ausgeführt und hängen zusammen. Die Abschirmungen bilden dann eine Art According to at least one embodiment, all the shields of the semiconductor device are designed as a single piece and hang together. The shields then form a kind
Raster, das auf den Trägerverbund aufgesetzt sein kann. Grid, which can be placed on the carrier composite.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform befinden sich alle elektrischen Kontaktflächen zu einer externen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauteils an derselben Seite des Trägerverbunds, also an der Oberseite oder an der Unterseite des Trägerverbunds. Alternativ können die elektrischen According to at least one embodiment, all the electrical contact surfaces are to an external electrical Contacting of the semiconductor device on the same side of the carrier composite, ie at the top or at the bottom of the carrier composite. Alternatively, the electrical
Kontaktflächen aufgeteilt sein und sich beiderseits des Trägerverbunds, also an der Oberseite und an der Unterseite, befinden . Be divided contact surfaces and on both sides of the carrier composite, ie at the top and at the bottom, are.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die elektrischen Kontaktflächen von den optischen Abschirmungen nicht umgeben oder umrandet. Mit anderen Worten liegen dann die In accordance with at least one embodiment, the electrical contact surfaces are not surrounded or bordered by the optical shields. In other words then lie the
Kontaktflächen nicht innerhalb der Abschirmungen. Contact surfaces not within the shields.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die According to at least one embodiment, the
Halbleiterchips einen gemeinsamen Massekontakt und/oder eine gemeinsame Versorgungsspannungsleitung auf. Es ist also möglich, dass sich alle Halbleiterchips zumindest eine elektrische Kontaktfläche und zumindest eine Leiterbahn teilen und/oder parallel zu dieser Leiterbahn und diesem Kontakt geschaltet sind und/oder elektrisch unmittelbar mit dieser Leiterbahn und diesem Kontakt verbunden sind. dest eine Semiconductor chips on a common ground contact and / or a common supply voltage line. It is thus possible for all the semiconductor chips to share at least one electrical contact surface and at least one conductor track and / or to be connected in parallel to this conductor track and this contact and / or to be electrically connected directly to this conductor track and this contact. least one
auteil ob  auteil ob
auteil ka  carol ka
fernen Tr  distant Tr
Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist mindestens einer der Halbleiterchips samt dem zugehörigen Optikkörper zur Abstrahlung von blauem Licht und/oder mindestens einer der Halbleiterchips samt dem zugehörigen Optikkörper zur According to at least one embodiment, at least one of the semiconductor chips together with the associated optical body for emitting blue light and / or at least one of the semiconductor chips together with the associated optical body to
Abstrahlung von grünem Licht und/oder mindestens einer der Halbleiterchips samt dem zugehörigen Optikkörper zur Radiation of green light and / or at least one of the semiconductor chips together with the associated optical body for
Abstrahlung von rotem Licht eingerichtet. Es ist dabei möglich, dass die jeweiligen Halbleiterchips unmittelbar blaues, rotes oder grünes Licht erzeugen. Ebenso ist es möglich, dass den Halbleiterchips oder zumindest einem Teil der Halbleiterchips eines oder mehrere Konversionsmittel zu einer Wellenlängenumwandlung nachgeordnet sind, Emission of red light set up. It is included possible that the respective semiconductor chips directly generate blue, red or green light. Likewise, it is possible for one or more conversion means to be arranged downstream of the semiconductor chips or at least a part of the semiconductor chips for a wavelength conversion,
beispielsweise zur Erzeugung von grünem Licht. for example, to generate green light.
Ebenso kann durch die Halbleiterchips samt dem zugehörigen Optikkörper auch andersfarbiges Licht, beispielsweise cyanfarbiges oder gelbes Licht, erzeugt werden. Bei den Halbleiterchips kann es sich also um verschiedenartig aufgebaute Halbleiterchips, die beispielsweise auf Likewise, differently colored light, for example cyan or yellow light, can be generated by the semiconductor chips together with the associated optical body. The semiconductor chips can therefore be differently constructed semiconductor chips, for example
unterschiedlichen Halbleitermaterialien basieren, handeln. Ebenso ist es möglich, dass die Halbleiterchips allesamt baugleich sind und beispielsweise zur Erzeugung von blauem Licht eingerichtet sind. Das Halbleiterbauteil kann eine Mischstrahlung emittieren, etwa weißes Licht. Die based on different semiconductor materials act. It is also possible that the semiconductor chips are all identical in construction and, for example, are set up to produce blue light. The semiconductor device may emit mixed radiation, such as white light. The
Mischstrahlung ist dann zusammengesetzt aus dem Licht der mehreren Halbleiterchips. Mixed radiation is then composed of the light of the plurality of semiconductor chips.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist das According to at least one embodiment, the
Halbleiterbauteil eine Lichtaustrittsfläche auf. An der Lichtaustrittsfläche werden an verschiedenen Stellen Semiconductor device on a light exit surface. At the light exit surface will be in different places
verschiedene Farben des in dem Halbleiterbauteil erzeugten Lichts emittiert. Die Aufteilung in unterschiedlich farbiges Licht emittierende Bereiche ist insbesondere durch die optische Abschirmung erreicht. Die Lichtaustrittsfläche kann planar oder gekrümmt gestaltet sein. Außerhalb des different colors of the light generated in the semiconductor device emitted. The division into differently colored light-emitting regions is achieved in particular by the optical shielding. The light exit surface can be designed planar or curved. Outside the
Halbleiterbauteils kann dann eine Lichtmischung stattfinden. Semiconductor device may then take place a light mixture.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform liegt ein mittlerer Abstand zwischen benachbarten Halbleiterchips bei mindestens 3 % oder 5 % oder 7 % einer mittleren Kantenlänge der Halbleiterchips. Alternativ oder zusätzlich liegt dieser Abstand bei höchstens 30 % oder 20 % oder 15 % oder 10 % der mittleren Kantenlänge. Insbesondere liegt der mittlere According to at least one embodiment, an average distance between adjacent semiconductor chips is at least 3% or 5% or 7% of a mean edge length of Semiconductor chips. Alternatively or additionally, this distance is at most 30% or 20% or 15% or 10% of the mean edge length. In particular, the average is
Abstand bei mindestens 10 ym oder 20 ym oder 40 ym und/oder bei höchstens 150 ym oder 100 ym oder 65 ym. Die mittlere Kantenlänge der Halbleiterchips kann bei mindestens 200 ym oder 400 ym oder 600 ym und/oder bei höchstens 1200 ym oder 800 ym oder 600 ym oder 300 ym liegen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind mehrere der Distance at least 10 ym or 20 ym or 40 ym and / or at most 150 ym or 100 ym or 65 ym. The average edge length of the semiconductor chips may be at least 200 ym or 400 ym or 600 ym and / or at most 1200 ym or 800 ym or 600 ym or 300 ym. In accordance with at least one embodiment, several of the
Halbleiterchips zu einer Gruppe, insbesondere zu einem Pixel, zusammengefasst . Das Pixel weist dabei bevorzugt  Semiconductor chips to a group, in particular to a pixel summarized. The pixel is preferred
vergleichsweise große Abmessungen auf. Beispielsweise liegt eine mittlere Kantenlänge des Pixels bei mindestens 400 ym oder 600 ym oder 800 ym, in Draufsicht gesehen. Durch die Verwendung derartiger relativ großer Pixel und comparatively large dimensions. For example, a mean edge length of the pixel is at least 400 ym or 600 ym or 800 ym, seen in plan view. By using such relatively large pixels and
vergleichsweise großer Halbleiterchips ist eine hohe comparatively large semiconductor chips is a high
Flächenleuchtdichte erzielbar. Gemäß zumindest einer Ausführungsform verfügen alle Areal luminosity achievable. In accordance with at least one embodiment, all
MikroController über eine gemeinsame Versorgungsspannung und/oder über einen gemeinsamen Massenanschluss . Alternativ oder zusätzlich ist es möglich, dass alle MikroController an einer gemeinsamen Datenleitung angebracht sind. Dabei kann die gemeinsame Datenleitung durch die MikroController  Microcontroller via a common supply voltage and / or via a common ground connection. Alternatively or additionally, it is possible that all microcontrollers are mounted on a common data line. In this case, the common data line through the microcontroller
hindurch geschleift sein. Die jeweiligen MikroController weisen dann einen Dateneingang und einen Datenausgang auf, wobei ein Datenausgang eines vorangehenden MikroControllers bevorzugt mit einem Dateneingang eines nachfolgenden be dragged through. The respective microcontroller then have a data input and a data output, wherein a data output of a preceding microcontroller preferably with a data input of a subsequent
MikroControllers verbunden ist. Microcontroller is connected.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die According to at least one embodiment, the
Halbleiterchips in einer zweidimensionalen Matrix angeordnet. Das heißt, die Halbleiterchips können zweidimensional Semiconductor chips arranged in a two-dimensional matrix. That is, the semiconductor chips can be two-dimensional
regelmäßig angeordnet sein, in Draufsicht insbesondere auf die Strahlungshauptseiten gesehen. Gemäß zumindest einer Ausführungsform weisen die regularly arranged, seen in plan view in particular on the main radiation sides. According to at least one embodiment, the
Halbleiterchips eine von dem zugehörigen Träger abweichende Grundfläche und/oder Grundriss auf, in Draufsicht  Semiconductor chips one of the associated carrier deviating base and / or floor plan, in plan view
insbesondere auf die Strahlungshauptseite gesehen. Die especially seen on the main radiation side. The
Halbleiterchips können also den zugehörigen Träger Semiconductor chips can thus the associated carrier
stellenweise oder ringsum überragen. Die Halbleiterchips können dabei größer oder auch kleiner als die zugehörigen Träger sein. Alternativ ist es möglich, dass die overhanging in places or all around. The semiconductor chips may be larger or smaller than the associated carrier. Alternatively, it is possible that the
Halbleiterchips deckungsgleich zu den jeweils zugehörigen Trägern gestaltet sind. Ferner ist es möglich, dass einer oder mehrere der Halbleiterchips den zugehörigen Träger überragen, in Draufsicht gesehen. Semiconductor chips are designed congruent to the respective associated carriers. Furthermore, it is possible for one or more of the semiconductor chips to project beyond the associated carrier, as seen in plan view.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform schließt die In accordance with at least one embodiment, the
Abschirmung, in Richtung weg von dem Träger, bündig mit dem Optikkörper ab. Ferner kann die Abschirmung bündig mit der Lichtaustrittsfläche des Halbleiterbauteils abschließen und einen Teil der Lichtaustrittsfläche darstellen. Shield, in the direction away from the wearer, flush with the optic body. Furthermore, the shield can be flush with the light exit surface of the semiconductor device and form part of the light exit surface.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform überlappen die According to at least one embodiment, the overlap
Abschirmungen nicht mit dem Halbleiterchip, in Draufsicht auf die Strahlungshauptseite gesehen. Das heißt, die Shields not with the semiconductor chip, seen in plan view of the main radiation side. That is, the
Halbleiterchips sind von der strahlungsdurchlässigen Semiconductor chips are from the radiation-transmissive
Abschirmung bevorzugt nicht überdeckt. Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Abschirmung von den zugehörigen Trägern und/oder von den zugehörigen Shielding preferably not covered. In accordance with at least one embodiment, the shield is from the associated carriers and / or from the associated ones
Halbleiterchips beabstandet. Das heißt, die Abschirmung berührt dann die Träger und/oder die Halbleiterchips nicht. Darüber hinaus wird ein Verfahren zur Herstellung von Semiconductor chips spaced. That is, the shield then does not touch the carriers and / or the semiconductor chips. In addition, a process for the production of
optoelektronischen Halbleiterbauteilen angegeben. specified optoelectronic semiconductor devices.
Insbesondere wird mittels des Verfahrens ein In particular, by means of the method
Halbleiterbauteil hergestellt, wie in Verbindung mit einer oder mehrerer der oben genannten Ausführungsformen angegeben. Merkmale des Verfahrens sind daher auch für das Semiconductor device prepared as indicated in connection with one or more of the above embodiments. Characteristics of the method are therefore also for that
Halbleiterbauteil offenbart und umgekehrt. In mindestens einer Ausführungsform weist das Verfahren wenigstens die folgenden Schritte auf, bevorzugt in der angegebenen Reihenfolge: Semiconductor device disclosed and vice versa. In at least one embodiment, the method comprises at least the following steps, preferably in the order given:
- Bereitstellen einer Vielzahl von Trägern und einer Vielzahl von Halbleiterchips,  Providing a plurality of carriers and a plurality of semiconductor chips,
- Anbringen der Halbleiterchips an den Trägeroberseiten,Attaching the semiconductor chips to the carrier tops,
- elektrisches Verschalten der Halbleiterchips mit den - Electrical interconnection of the semiconductor chips with the
MikroControllern der Träger, und Microcontrollers of the carriers, and
- Fertigstellen der Halbleiterbauteile. Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens umfasst der Schritt des Bereitstellens der Träger das eindimensionale oder zweidimensionale oder dreidimensionale Anordnen der Träger. Anschließend werden die Träger mit einer  - Completing the semiconductor devices. In accordance with at least one embodiment of the method, the step of providing the carriers comprises the one-dimensional or two-dimensional or three-dimensional arrangement of the carriers. Subsequently, the carrier with a
Trägerformmasse umformt, etwa mittels Spritzpressen oder Spritzgießen. Bei diesem Umformen bleiben Oberseiten und Unterseiten der Träger bevorzugt frei von der Carrier molding material formed, for example by means of injection molding or injection molding. In this forming upper sides and lower sides of the carrier preferably remain free of the
Trägerformmasse. Durch dieses Umformen werden die Träger bevorzugt mechanisch fest in den Trägerverbund integriert und der Trägerverbund wird gebildet. Carrier molding compound. As a result of this shaping, the carriers are preferably mechanically firmly integrated into the carrier composite and the carrier composite is formed.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst der Schritt des Bereitstellens der Träger das Ausbilden von Leiterbahnen auf einer oder auf beiden Seiten des Trägerverbunds. Die Leiterbahnen werden beispielsweise mittels Galvanisieren oder Aufdampfen erzeugt. In accordance with at least one embodiment, the step of providing the carriers comprises the formation of conductor tracks on one or both sides of the carrier assembly. The Conductor tracks are produced for example by means of electroplating or vapor deposition.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist der Schritt des Bereitstellens der Halbleiterchips den Schritt des Umformens der eindimensional, zweidimensional oder dreidimensional angeordneten Halbleiterchips mit einer Umformmasse auf. Bei der Umformmasse handelt es sich bevorzugt um einen Kunststoff wie ein Silikon oder ein Epoxid. Durch das Umformen werden die Halbleiterchips mechanisch, insbesondere mechanisch fest, in einem Rahmenverbund integriert und der Rahmenverbund wird gebildet. Elektrische Kontaktflächen der Halbleiterchips und die Strahlungshauptseite bleiben dabei bevorzugt frei von der Umformmasse. Mechanisch fest bedeutet hierbei insbesondere, dass sich die Halbleiterchips im bestimmungsgemäßen Gebrauch des Halbleiterbauteils nicht aus dem Rahmenverbund lösen. Es ist möglich, dass sich zwischen der Umformmasse und/oder der Trägerformmasse und den Halbleiterchips jeweils eine optische Isolierung befindet, sodass verhindert wird, dass in den Halbleiterchips erzeugte Strahlung unmittelbar an die In accordance with at least one embodiment, the step of providing the semiconductor chips comprises the step of reshaping the one-dimensionally, two-dimensionally or three-dimensionally arranged semiconductor chips with a forming compound. The molding compound is preferably a plastic such as a silicone or an epoxy. By forming the semiconductor chips are mechanically, in particular mechanically fixed, integrated in a frame assembly and the frame assembly is formed. Electrical contact surfaces of the semiconductor chips and the main radiation side preferably remain free of the forming material. In this case, mechanically fixed means in particular that the semiconductor chips do not come loose from the frame assembly in the intended use of the semiconductor component. It is possible that in each case an optical isolation is located between the forming material and / or the carrier molding compound and the semiconductor chips, so that prevents radiation generated in the semiconductor chips directly to the
Umformmasse und/oder an die Trägerformmasse gelangt. Forming compound and / or reaches the carrier molding compound.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird der Rahmenverbund auf den Trägerverbund angebracht. Dabei erfolgt bevorzugt eine eineindeutige Zuordnung der Halbleiterchips zu den According to at least one embodiment, the frame assembly is mounted on the carrier assembly. In this case, a one-to-one association of the semiconductor chips to the one preferably takes place
Trägern. Der Rahmenverbund kann mit dem Trägerverbund Carriers. The frame composite can with the carrier composite
deckungsgleich sein oder es können auch mehrere nebeneinander oder übereinander angeordnete Rahmenverbünde auf einen einzigen Trägerverbund aufgebracht werden oder umgekehrt. be congruent or it can also be several side by side or stacked frame assemblies are applied to a single carrier composite or vice versa.
Gemäß zumindest einer Ausführungsform wird der Trägerverbund, der mit dem Rahmenverbund zusammengefügt ist, zu den According to at least one embodiment, the carrier composite, which is joined together with the frame composite, to the
Halbleiterbauteilen vereinzelt oder konfektioniert. Nach dem Vereinzeln weist dabei jedes der Halbleiterbauteile je einen oder mehrere der Halbleiterchips und/oder der Träger auf. Semiconductor components isolated or assembled. After this Individually, each of the semiconductor components has one or more of the semiconductor chips and / or the carrier.
Alternativ zum Ausbilden eines Rahmenverbunds können die Halbleiterchips auch einzeln auf den Trägerverbund As an alternative to forming a frame composite, the semiconductor chips can also be applied individually to the carrier composite
aufgebracht werden. In diesem Fall werden die Halbleiterchips bevorzugt nach dem Aufbringen auf den Trägerverbund etwa mit dem Vergussmaterial, dem Streumittel und/oder dem be applied. In this case, the semiconductor chips are preferably after application to the carrier composite with about the potting material, the scattering agent and / or the
Konversionsmittel teilweise oder vollständig umformt, beispielsweise durch Gießen oder Spritzen oder Pressen. Vor, in oder nach diesem Verfahrensschritt kann auch das Erzeugen der optischen Abschirmung erfolgen. Conversion partially or completely transformed, for example by casting or spraying or pressing. Before, in or after this process step, the generation of the optical shield can also take place.
Nachfolgend werden ein hier beschriebenes optoelektronisches Halbleiterbauteil sowie ein hier beschriebenes Verfahren unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Hereinafter, an optoelectronic semiconductor device described herein and a method described herein with reference to the drawing with reference to
Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein.  Embodiments explained in more detail. The same reference numerals indicate the same elements in the individual figures. However, there are no scale relationships shown, but individual elements can be shown exaggerated for better understanding.
Es zeigen: Figuren 1, 3, 6, 7, 8, 11, 12 und 13 bis 18 The figures show: FIGS. 1, 3, 6, 7, 8, 11, 12 and 13 to 18
schematische Darstellungen von  schematic representations of
Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteilen, und Figur 2, 4, 5, 9 und 10  Embodiments of optoelectronic semiconductor devices described herein, and Figure 2, 4, 5, 9 and 10th
schematische Darstellungen von  schematic representations of
Ausführungsbeispielen von Verfahren zur Herstellung von hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterbauteilen. Embodiments of methods of manufacture from here described optoelectronic semiconductor devices.
In Figur 1A ist in einer Schnittdarstellung entlang der Linie A-A der Draufsicht in Figur 1B ein Ausführungsbeispiel eines optoelektronischen Halbleiterbauteils 1 dargestellt. FIG. 1A shows an embodiment of an optoelectronic semiconductor component 1 in a sectional view along the line A-A of the plan view in FIG. 1B.
Das Halbleiterbauteil 1 weist einen Trägerverbund 20 auf. Der Trägerverbund 20 ist durch mehrere Träger 2 gebildet, die durch eine Trägerformmasse 28 mechanisch miteinander The semiconductor device 1 has a carrier composite 20. The carrier composite 20 is formed by a plurality of carriers 2 which are mechanically connected to one another by a carrier molding compound 28
verbunden sind. An einer Unterseite des Trägerverbunds 20, an der sich auch Unterseiten 24 der Träger 2 befinden, ist eine Metallisierung 9 angebracht. Über die Metallisierung 9 ist das Halbleiterbauteil 1 an einem externen, nicht are connected. On a lower side of the carrier assembly 20, on which also lower sides 24 of the carrier 2 are located, a metallization 9 is attached. About the metallization 9, the semiconductor device 1 to an external, not
dargestellten Träger befestigbar, beispielsweise mittels Löten . illustrated carrier attachable, for example by means of soldering.
An Trägeroberseiten 23 der Träger 2 befindet sich jeweils ein optoelektronischer Halbleiterchip 3. Die Halbleiterchips 3 sind insbesondere je Leuchtdioden, kurz LEDs. Die At carrier tops 23 of the carrier 2 is in each case an optoelectronic semiconductor chip 3. The semiconductor chips 3 are in particular each light-emitting diodes, short LEDs. The
Halbleiterchips 3 sind an den Trägeroberseiten 23 befestigt. Strahlungshauptseiten 30 der Halbleiterchips 3 sind den  Semiconductor chips 3 are attached to the carrier tops 23. Radiation main sides 30 of the semiconductor chips 3 are the
Trägern 2 jeweils abgewandt. Zu einer elektrischen 2 facing away from each carrier. To an electric
Kontaktierung reicht ein Bonddraht 75 von der Trägeroberseite 23 bis an die Strahlungshauptseite 30. Contacting extends a bonding wire 75 from the carrier top 23 to the main radiation side 30th
Zu einer elektrischen externen Kontaktierung sind an einer Oberseite des Trägerverbunds 20 mehrere elektrische For an electrical external contacting 20 more electrical at an upper side of the carrier composite
Kontaktstellen 4 angebracht. Die Kontaktstellen 4 sind über elektrische Leitungen 7 mit den Trägern 2 sowie mit den Contact points 4 attached. The contact points 4 are via electrical lines 7 to the carriers 2 and with the
Halbleiterchips 3 elektrisch leitend verbunden. Bei den elektrischen Leitungen 7 handelt es sich beispielsweise um Metallbahnen . Die Träger 2 beinhalten jeweils einen MikroController 26. Der MikroController 26 ist in oder an einem Trägersubstrat 27 der Träger 2 gebildet. Beispielsweise basiert der Träger 2 auf Silizium und der MikroController 26 ist durch eine oder mehrere rekristallisierte Siliziumschichten gebildet oder umfasst zumindest eine solche Schicht. Über den Semiconductor chips 3 electrically connected. The electrical lines 7 are, for example, metal tracks. The carriers 2 each contain a microcontroller 26. The microcontroller 26 is formed in or on a carrier substrate 27 of the carrier 2. For example, the carrier 2 is based on silicon and the microcontroller 26 is formed by one or more recrystallized silicon layers or comprises at least one such layer. On the
MikroController 26 sind die einzelnen Halbleiterchips 3 adressierbar und gezielt ansteuerbar, insbesondere einzeln ansteuerbar. Microcontroller 26, the individual semiconductor chips 3 are addressed and selectively controlled, in particular individually controlled.
Der MikroController 26 ist bevorzugt monolithisch in dem Träger 2 integriert. Insbesondere kann der MikroController 26 ein Register wie ein Schieberegister, Transistoren und/oder Schalter umfassen. Bevorzugt ist der MikroController 26 in Siliziumtechnologie hergestellt. Anstelle von Silizium kann der Träger 2 jedoch auch auf einem anderen Halbleitermaterial wie Germanium basieren. Ferner weist das Halbleiterbauteil 1 optische Abschirmungen 6 auf. Die Abschirmungen 6 befinden sich jeweils zwischen benachbarten Halbleiterchips 3 und erstrecken sich von der Oberseite des Trägerverbunds ausgehend bis an eine The microcontroller 26 is preferably monolithically integrated in the carrier 2. In particular, the microcontroller 26 may comprise a register such as a shift register, transistors and / or switches. Preferably, the microcontroller 26 is manufactured in silicon technology. However, instead of silicon, the carrier 2 may also be based on another semiconductor material such as germanium. Furthermore, the semiconductor component 1 has optical shields 6. The shields 6 are located in each case between adjacent semiconductor chips 3 and extend from the top side of the carrier assembly starting at one end
Lichtaustrittsfläche 10 des Halbleiterbauteils 1. Durch die Abschirmungen 6 ist bevorzugt verhindert, dass in einem der Halbleiterchips 3 erzeugtes Licht innerhalb des Light exit surface 10 of the semiconductor device 1. By the shields 6 is preferably prevents generated in one of the semiconductor chips 3 light within the
Halbleiterbauteils 1 zu benachbarten Halbleiterchips 3 gelangt. Die Abschirmungen 6 sind damit Semiconductor device 1 passes to adjacent semiconductor chips 3. The shields 6 are so
strahlungsundurchlässig für im Betrieb des Halbleiterbauteils erzeugtes Licht. radiopaque for generated during operation of the semiconductor device light.
An den Trägeroberseiten 23 befindet sich jeweils ein On the carrier tops 23 is in each case a
strahlungsdurchlässiges Vergussmaterial 51. Von den Trägern 2 her reicht das Vergussmaterial 51 bis an die radiation-permeable potting material 51. Of the carriers 2 fro, the potting material 51 extends to the
Strahlungshauptseiten 30 heran. Das Vergussmaterial 51 ist durch die Abschirmungen 6 in mehrere voneinander getrennte Bereiche unterteilt. Radiation main pages 30 zoom. The potting material 51 is divided by the shields 6 into a plurality of separate regions.
Dem Vergussmaterial 51 folgt in Richtung weg von den Trägern 2 ein Konversionsmittel 53 nach. Beispielsweise ist das The potting material 51 is followed by a conversion agent 53 in the direction away from the carriers 2. For example, that is
Konversionsmittel 53 dazu eingerichtet, einen Teil eines blauen Lichts, das in den Halbleiterchips 3 im Betrieb erzeugt wird, zu absorbieren und etwa in gelbes Licht Conversion means 53 adapted to absorb a part of a blue light generated in the semiconductor chips 3 in operation, and in about yellow light
umzuwandeln. Auf diese Weise kann mit dem Konversionsmittel und mit den Halbleiterchips 3 beispielsweise weißes Licht oder farbiges Licht erzeugt werden. Die Abschirmungen 6 reichen jeweils durch das Vergussmaterial 51 hindurch und grenzen das Vergussmaterial 51 sowie die Konversionsmittel 53 zu einzelnen, optisch separierten convert. In this way, for example, white light or colored light can be generated with the conversion means and with the semiconductor chips 3. The shields 6 each extend through the potting material 51 and border the potting material 51 and the conversion means 53 to individual, optically separated
Einheiten ab. Das Vergussmaterial 51 zusammen mit dem Units off. The potting material 51 together with the
Konversionsmittel 53 füllt dabei die Abschirmungen 6 Conversion agent 53 fills the shields. 6
bevorzugt vollständig aus. Die Lichtaustrittsfläche 10 des Halbleiterbauteils 1 ist dabei durch die Abschirmungen 6 zusammen mit den Konversionsmitteln 53 gebildet. Die preferably completely off. The light exit surface 10 of the semiconductor device 1 is formed by the shields 6 together with the conversion means 53. The
Lichtaustrittsfläche 10 ist planar und eben gestaltet. Light exit surface 10 is planar and flat.
Optional kann auf die Lichtaustrittsfläche 10 eine Optionally, on the light exit surface 10 a
Schutzschicht oder eine weitere Optik wie eine nicht Protective layer or another optic like one not
dargestellte Linse aufgebracht sein. be shown lens applied.
In Figur 2 ist in Schnittdarstellungen und in Draufsichten ein Herstellungsverfahren für ein weiteres In Figure 2 is a sectional view and in plan views a manufacturing method for another
Ausführungsbeispiel des optoelektronischen Halbleiterbauteils angegeben. Die Figurenteile AI, Bl, Cl und so weiter Embodiment of the optoelectronic semiconductor device specified. The figure parts AI, Bl, Cl and so on
bezeichnen dabei jeweils Schnittdarstellungen und die Figurenteile A2, B2, C2 und so weiter beziehen sich jeweils auf Draufsichten. each designate sectional views and the Figure parts A2, B2, C2 and so on each relate to plan views.
In Figur 2A ist dargestellt, dass mehrere der Träger 2 mit den MikroControllern 26 und den Trägersubstraten 27 auf einen temporären Hilfsträger 8 aufgebracht werden. Die Träger 2 verfügen bereits über elektrische Kontaktstellen 4 zu einer elektrischen Kontaktierung der Träger 2. Abweichend von der Darstellung ist es auch möglich, dass sich der FIG. 2A shows that a plurality of the carriers 2 with the microcontrollers 26 and the carrier substrates 27 are applied to a temporary auxiliary carrier 8. The carrier 2 already have electrical contact points 4 for electrical contacting of the carrier 2. Deviating from the representation, it is also possible that the
MikroController 26 näher an der Trägerunterseite 24 befindet als an der Trägeroberseite 23. Es können alle Träger 2 baugleich oder auch voneinander verschieden sein. Microcontroller 26 is located closer to the carrier base 24 than on the carrier top 23. It may be identical or different from each other.
Die Träger 2 weisen, in Draufsicht gesehen, jeweils eine große Kontaktfläche 4 auf, die zur Anbringung des The carriers 2, seen in plan view, each have a large contact surface 4, which is suitable for mounting the
Halbleiterchips 3 eingerichtet ist, vergleiche auch Figur 2D. Ferner sind jeweils vier kleinere elektrische Kontaktstellen 4 pro Träger 2 vorgesehen. In Figur 2B ist dargestellt, dass die Träger 2 an dem  Semiconductor chip 3 is set up, see also Figure 2D. Furthermore, four smaller electrical contact points 4 per carrier 2 are provided in each case. In Figure 2B it is shown that the carrier 2 at the
Hilfsträger 8 mit einer Trägerformmasse 28 umgeben werden. Hierdurch werden die einzelnen Träger 2 zu dem Trägerverbund 20 zusammengefasst . Im bestimmungsgemäßen Gebrauch des  Subcarrier 8 are surrounded by a carrier molding compound 28. As a result, the individual carriers 2 are combined to form the carrier composite 20. In the intended use of the
Halbleiterbauteils 1 ist der Trägerverbund 20 mechanisch stabil, sodass die Träger 2 relativ zueinander unbeweglich gelagert sind. Bevorzugt ist der Trägerverbund 20 eben gestaltet. Abweichend von der Darstellung gemäß Figur 2 kann der Trägerverbund 20 aber auch eine gewölbte Oberseite aufweisen . Semiconductor component 1, the carrier assembly 20 is mechanically stable, so that the carrier 2 are mounted immovably relative to each other. Preferably, the carrier composite 20 is flat. Notwithstanding the representation according to FIG. 2, the carrier composite 20 can also have a curved upper side.
In Figur 2C ist dargestellt, dass an den Unterseiten 24 sowie an den Oberseiten 23 die elektrischen Leitungen 7, weitere elektrische Kontaktstellen 4 sowie die Metallisierung 9 aufgebracht werden, beispielsweise mittels Galvanisierung und/oder mittels Aufdampfen. Über die elektrischen Leitungen 7 sind die Kontaktstellen 4 an den jeweiligen Trägern 2 und auch zwischen den Trägern 2 elektrisch miteinander FIG. 2C shows that the electrical leads 7, further electrical contact points 4 and the metallization 9 are provided on the undersides 24 and on the upper sides 23 be applied, for example by means of electroplating and / or by vapor deposition. Via the electrical lines 7, the contact points 4 on the respective carriers 2 and also between the carriers 2 are electrically connected to each other
verschaltet. Die durchgehende Metallisierung 9 an den connected. The continuous metallization 9 to the
Unterseiten 24 dient bevorzugt lediglich zu einer Befestigung des Trägerverbunds 20 und zu einer thermischen Kontaktierung des Trägerverbunds 20. Gemäß Figur 2C ist der Hilfsträger 8 entfernt .  Subpages 24 is preferably used only for attachment of the carrier assembly 20 and for thermal contacting of the carrier assembly 20. According to Figure 2C, the subcarrier 8 is removed.
In dem Verfahrensschritt, wie in Figur 2D gezeigt, werden an den größeren Kontaktflächen der Träger 2 jeweils die In the method step, as shown in FIG. 2D, the carrier 2 is in each case connected to the larger contact surfaces
Halbleiterchips 3 angebracht, beispielsweise mittels Kleben oder mittels Löten. Die Halbleiterchips 3 überragen dabei bevorzugt die elektrischen Leitungen 7 in Richtung weg von dem Trägerverbund 20. Zu einer elektrischen Kontaktierung weisen die Halbleiterchips 3 jeweils eine elektrische Semiconductor chips 3 attached, for example by gluing or by soldering. In this case, the semiconductor chips 3 preferably project beyond the electrical leads 7 in the direction away from the carrier assembly 20. For an electrical contacting, the semiconductor chips 3 each have an electrical contact
Kontaktstelle 4 an der Strahlungshauptseite 30 auf. Contact point 4 on the main radiation side 30 on.
Abweichend hiervon ist es auch möglich, dass es sich bei den Halbleiterchips 3 um Flipchips handelt, deren Kontaktstellen dann entweder dem Trägerverbund 20 zugewandt oder dem Deviating from this, it is also possible that the semiconductor chips 3 are flip chips whose contact points then either face the carrier assembly 20 or the
Trägerverbund 20 abgewandt sind, wie dies auch in allen anderen Ausführungsbeispielen möglich ist. Zu einer externen elektrischen Kontaktierung weist das Carrier composite 20 are turned away, as is possible in all other embodiments. For an external electrical contact has
Halbleiterbauteil 1, wie in Figur 2D gezeigt, die vier randständigen, kleineren Kontaktstellen 4 auf. Eine der Semiconductor component 1, as shown in Figure 2D, the four marginal, smaller contact points 4. One of the
Kontaktstellen ist als Massekontakt GND gestaltet und ist über die elektrischen Leitungen 7 mit allen der Träger 2 sowie MikroController 26 verbunden. Weiterhin ist eine Contact points is designed as ground contact GND and is connected via the electrical lines 7 with all the carrier 2 and microcontroller 26. Furthermore, one is
Versorgungsspannung VCC an alle Träger 2 geführt. Über die Versorgungsspannung VCC werden bevorzugt die Kontaktstellen 4 der Halbleiterchips 3 an der Strahlungshauptseite 30 Supply voltage VCC led to all carrier 2. About the supply voltage VCC are preferably the contact points. 4 the semiconductor chip 3 on the main radiation side 30th
angeschlossen . connected.
Ferner ist eine Kontaktstelle für einen Dateneingang Din sowie für einen Datenausgang Dout vorgesehen. Die jeweiligen Dateneingänge Din der Träger 2 sind zu den jeweiligen Furthermore, a contact point for a data input Din and for a data output Dout is provided. The respective data inputs Din of the carrier 2 are to the respective
MikroControllern geführt und durchschleifend über den Microcontrollers guided and looped through the
jeweiligen Datenausgang Dout zu dem nachfolgenden Träger 2 geführt. Damit ist jeweils ein Dateneingang Dout von einem Träger 2 mit einem Datenausgang Din eines nachfolgenden respective data output Dout led to the subsequent carrier 2. Thus, in each case one data input Dout from a carrier 2 with a data output Din is a subsequent one
Trägers 2 elektrisch verbunden. Carrier 2 electrically connected.
Anders als in den Figuren dargestellt, ist es jeweils auch möglich, eine abweichende Anzahl von Datenleitungen und elektrischen Kontaktstellen 4 zur externen Kontaktierung vorzusehen. Beispielsweise kann eine separate Leitung für einen Dateneingang, für einen Datenausgang sowie für ein Zeitsignal, englisch clock, vorgesehen sein. Abweichend von der Darstellung ist es auch möglich, dass das Datensignal etwa über eine Aufmodulierung zusammen mit der Unlike shown in the figures, it is also possible in each case to provide a different number of data lines and electrical contact points 4 for external contacting. For example, a separate line for a data input, for a data output and for a time signal, English clock, be provided. Deviating from the representation, it is also possible that the data signal about a Aufmodulierung together with the
Versorgungsspannung transportiert wird, so dass dann nur zwei externe Anschlüsse zur Ansteuerung der Halbleiterchips 3 erforderlich sind. In einem weiteren Verfahrensschritt, wie in Figur 2E  Supply voltage is transported, so that then only two external connections for driving the semiconductor chip 3 are required. In a further method step, as in FIG. 2E
dargestellt, wird ein strahlungsdurchlässiges Vergussmaterial 51 um die Leuchtdiodenchips 3 herum angebracht. Das is shown, a radiation-permeable potting material 51 is mounted around the LED chips 3 around. The
Vergussmaterial 51 bedeckt dabei die Leiterbahnen 7 an der Oberseite des Trägerverbunds 20. Es ist das Vergussmaterial 51 auf die Oberseite des Trägerverbunds 20 beschränkt. Die elektrischen Kontaktstellen 4 an den Strahlungshauptseiten 30 bleiben bevorzugt frei von dem Vergussmaterial 51. In Figur 2F ist gezeigt, dass durch das Vergussmaterial 51 hindurch Durchkontaktierungen 73 geformt werden. Diese Potting material 51 covers the printed conductors 7 on the upper side of the carrier composite 20. The potting material 51 is limited to the upper side of the carrier composite 20. The electrical contact points 4 on the main radiation sides 30 preferably remain free of the potting material 51. FIG. 2F shows that plated-through holes 73 are formed through the potting material 51. These
Durchkontaktierungen 73 sind beispielsweise durch Löcher gebildet, die mit einem Metall vollständig oder teilweise aufgefüllt werden. An die Durchkontaktierungen 73 schließen sich die elektrischen Leitungen 7 an einer dem Trägerverbund 20 abgewandten Seite des Vergussmaterials 51 an. Über diese elektrischen Leitungen 7 sind die Strahlungshauptseiten 30 der Halbleiterchips 3 elektrisch kontaktiert. Vias 73 are formed, for example, by holes that are completely or partially filled with a metal. The electrical leads 7 adjoin the plated-through holes 73 on a side of the potting material 51 facing away from the carrier composite 20. About these electrical lines 7, the main radiation sides 30 of the semiconductor chips 3 are electrically contacted.
Gemäß Figur 2G werden auf das Vergussmaterial 51 die According to Figure 2G are on the potting material 51 the
Abschirmungen 6 aufgebracht. Die Abschirmungen 6 sind dabei in einem einzigen Materialstück integriert. Die Abschirmungen 6 überdecken die Halbleiterchips 3 nicht, in Draufsicht gesehen. Durch die Abschirmungen 6 sind Kavitäten in Richtung weg von dem Trägerverbund 20 oberhalb der Halbleiterchips 3 definiert . Shields 6 applied. The shields 6 are integrated in a single piece of material. The shields 6 do not cover the semiconductor chips 3, as seen in plan view. Cavities in the direction away from the carrier assembly 20 above the semiconductor chips 3 are defined by the shields 6.
In Figur 2H ist dargestellt, dass die durch die Abschirmungen 6 definierten Kavitäten mit dem Konversionsmittel 53 FIG. 2H shows that the cavities defined by the shields 6 are connected to the conversion means 53
aufgefüllt werden. Bevorzugt befindet sich, wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen, zwischen dem Vergussmaterial 51 und den Konversionsmitteln 53 jeweils ein Streumittel 52. Über das Streumittel 52 ist eine laterale Aufweitung der von den Halbleiterchips 3 im Betrieb emittierten Strahlung möglich, so dass das Konversionsmittel 53 bevorzugt jeweils gleichmäßig von den Halbleiterchips 3 her beleuchtet wird. Das Streumittel 52 sowie das Konversionsmittel 53 sind insbesondere als gleichmäßig dicke Schicht aufgebracht und überragen die Abschirmungen 6 nicht, in Richtung weg von den Halbleiterchips 3. Anders als in Figur 1, handelt es sich gemäß Figur 2 bei dem Vergussmaterial 51 um eine einzige, zusammenhängende Schicht. Die Abschirmungen 6 sind auf das Vergussmaterial 51 be filled. Preferably, as in all other embodiments, between the potting material 51 and the conversion means 53 each a scattering means 52. Via the scattering means 52, a lateral expansion of the radiation emitted by the semiconductor chips 3 in operation radiation is possible, so that the conversion means 53 preferably each is evenly illuminated by the semiconductor chip 3 ago. The scattering means 52 and the conversion means 53 are applied in particular as a uniformly thick layer and do not protrude beyond the shields 6, in the direction away from the semiconductor chips 3. Unlike in FIG. 1, according to FIG. 2, the potting material 51 is a single, continuous layer. The shields 6 are on the potting material 51st
aufgesetzt und durchdringen das Vergussmaterial 51 nicht, anders als gemäß Figur 1. Durch die Abschirmungen 6 sind die einzelnen Streumittel 52 und Konversionsmittel 53 voneinander separiert . placed and penetrate the potting material 51 is not, unlike in accordance with Figure 1. By the shields 6, the individual scattering means 52 and conversion means 53 are separated from each other.
Bei dem Bauteil gemäß Figur 2 erfolgt eine Kontaktierung der Halbleiterchips 3 bonddrahtfrei über die elektrischen In the case of the component according to FIG. 2, the semiconductor chips 3 are contacted with bonding wire via the electrical
Leitungen 7, die sich teilweise zwischen dem Vergussmaterial 51 und dem Streumittel 52 befinden. Die elektrischen  Lines 7, which are partially between the potting material 51 and the scattering means 52. The electrical
Kontaktstellen 4 zur externen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauteils 1 befinden sich an derselben Seite wie die Metallisierung 9 und somit an der den Halbleiterchips 3 gegenüber liegenden Unterseite des Trägerverbunds 20. Die Kontaktstellen 4 sind über die Durchkontaktierungen 73 durch den Trägerverbund 20 hindurch mit den elektrischen Leitungen 7 an der Oberseite des Trägerverbunds 20 verbunden. Contact points 4 for the external electrical contacting of the semiconductor device 1 are located on the same side as the metallization 9 and thus on the semiconductor chips 3 opposite underside of the carrier assembly 20. The contact points 4 are via the vias 73 through the carrier assembly 20 through with the electrical lines. 7 connected at the top of the carrier composite 20.
Das Herstellungsverfahren, wie in Figur 2 beschrieben, lässt sich auch auf optoelektronische Halbleiterbauteile 1, wie etwa in Verbindung mit den Figuren 1 oder 3 dargestellt, übertragen . The production method, as described in FIG. 2, can also be transferred to optoelectronic semiconductor components 1, as illustrated for example in connection with FIGS. 1 or 3.
In Figur 3A ist in einer Schnittdarstellung und in Figur 3B in einer Draufsicht ein weiteres Ausführungsbeispiel des Halbleiterbauteils 1 gezeigt. Abweichend von der Darstellung gemäß Figur 2H befinden sich die Kontaktstellen 4 zur A further exemplary embodiment of the semiconductor component 1 is shown in a sectional view in FIG. 3A and in a plan view in FIG. 3B. Notwithstanding the illustration according to FIG. 2H, the contact points 4 are for
externen elektrischen Kontaktierung an derselben Seite desexternal electrical contact on the same side of the
Trägerverbunds 20 wie die Halbleiterchips 3 und somit an der Oberseite. Deshalb sind weitere Durchkontaktierungen 73 hin zu diesen Kontaktstellen 4 durch das Vergussmaterial 51 geformt. Somit sind die Träger 2 sowie der Trägerverbund 20 frei von elektrischen Durchkontaktierungen, wie dies auch in Verbindung mit Figur 1 dargestellt ist. Laut Figur 3A überragt das Streumittel 52, wie bevorzugt auch in allen anderen Ausführungsbeispielen, die Halbleiterchips 3 jeweils seitlich, also in Richtung parallel zu den Carrier composite 20 as the semiconductor chips 3 and thus at the top. Therefore, further plated-through holes 73 are toward these contact points 4 through the potting material 51 shaped. Thus, the carrier 2 and the carrier assembly 20 are free of electrical vias, as shown in connection with Figure 1. According to FIG. 3A, the scattering means 52, as in all other exemplary embodiments, projects beyond the semiconductor chips 3 in each case laterally, that is to say in the direction parallel to them
Trägeroberseiten 23. Hierdurch ist eine Ausleuchtung des Konversionsmittels 53 auch in Bereichen möglich, die nicht unmittelbar über der Strahlungshauptseite 30 liegen, in Carrier tops 23. In this way, an illumination of the conversion agent 53 is possible in areas that are not directly above the main radiation side 30, in
Richtung weg von dem Trägerverbund 20. Ein lichtabstrahlender Bereich an der Lichtaustrittsfläche 10 ist somit bevorzugt durch den kompletten, von dem Konversionsmittel 53 bedeckten Bereich gegeben.  Direction away from the carrier assembly 20. A light emitting area at the light exit surface 10 is thus preferably given by the complete area covered by the conversion means 53.
Lediglich in den schmalen Bereichen, in denen die Only in the narrow areas where the
Lichtaustrittsfläche 10 durch die Abschirmungen 6 gebildet ist, wird kein Licht an der Lichtaustrittsfläche 10 Light exit surface 10 is formed by the shields 6, no light is at the light exit surface 10th
emittiert. Eine Breite sowie eine Fläche dieser sehr schmalen Bereiche, die durch die Abschirmungen 6 gebildet sind, ist allerdings vernachlässigbar. Zum Beispiel liegt diese Breite bei höchstens 60 ym oder 30 ym oder 15 ym oder 10 ym. Daher ist auf eine nachgeordnete Optik zu einem Kaschieren der nicht Lichtabstrahlenden Bereiche der Lichtaustrittsfläche 10 verzichtbar. Für einen Betrachter erscheint daher die emitted. However, a width and an area of these very narrow areas, which are formed by the shields 6, is negligible. For example, this width is at most 60 ym or 30 ym or 15 ym or 10 ym. Therefore, a downstream optics for laminating the non-light-emitting regions of the light exit surface 10 is dispensable. For a viewer therefore appears the
Lichtaustrittsfläche 10 bevorzugt in eingeschaltetem Zustand als durchgehend leuchtend, mit oder ohne nachgeordneter  Light exit surface 10 preferably in the on state as continuously lit, with or without subordinate
Optik. Wird eine nachgeordnete Optik verwendet, so ist bevorzugt auf zusätzlichen Aufwand zu einem optischen Look. If a downstream optical system is used, preference is given to an additional outlay for an optical system
Verwischen der Abschirmungen 6 verzichtbar, aufgrund der nur sehr schmalen, nichtleuchtenden Bereiche. In Figur 4 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel eines Blurring the shields 6 dispensable, due to the very narrow, non-luminous areas. FIG. 4 shows a further exemplary embodiment of a
Herstellungsverfahrens gezeigt. Gemäß Figur 4A wird der Manufacturing process shown. According to Figure 4A is the
Trägerverbund 20 mit den Trägern 2, miteinander verbunden über die Trägerformmasse 28, bereitgestellt. An dem Carrier composite 20 with the carriers 2, connected to each other via the carrier molding compound 28 provided. To the
Trägerverbund 20 sind bereits die Metallisierung 9, die elektrischen Leitungen 7 sowie die elektrischen Carrier composite 20 are already the metallization 9, the electrical wires 7 and the electrical
Kontaktstellen 4 zur externen Kontaktierung angebracht. Contact points 4 attached to the external contact.
Gemäß Figur 4B wird ein Rahmenverbund 33 bereitgestellt. In dem Rahmenverbund 33 sind die einzelnen Halbleiterchips 3 zusammengefasst . Die Halbleiterchips 3 sind über eine According to FIG. 4B, a frame composite 33 is provided. In the frame assembly 33, the individual semiconductor chips 3 are summarized. The semiconductor chips 3 are over a
Umformmasse 38 mechanisch miteinander verbunden. An den Forming compound 38 mechanically connected. To the
Strahlungshauptseiten 30 sind in dem Rahmenverbund 33 bereits die elektrischen Leitungen 7 geformt. Ferner weist der Radiation main sides 30 are already formed in the frame assembly 33, the electrical leads 7. Furthermore, the
Rahmenverbund 33 die Durchkontaktierungen 73 auf. Frame composite 33, the vias 73 on.
In Figur 4C ist gezeigt, dass der Rahmenverbund 33 auf den Trägerverbund 20 aufgebracht wird. Dabei erfolgt eine Eins- zu-Eins-Zuordnung der Halbleiterchips 3 zu den Trägern 2. In FIG. 4C, it is shown that the frame composite 33 is applied to the carrier composite 20. In this case, a one-to-one assignment of the semiconductor chips 3 to the carriers 2 takes place.
Das Herstellungsverfahren, wie in den Figuren 5A und 5B gezeigt, entspricht dem Herstellungsverfahren gemäß Figur 4. Jedoch weist der Rahmenverbund 33 zusätzliche The manufacturing method, as shown in Figures 5A and 5B, corresponds to the manufacturing method according to Figure 4. However, the frame assembly 33 has additional
Durchkontaktierungen 73 auf, so dass alle elektrischen Through holes 73 on, so that all electrical
Kontaktstellen 4 zu einer externen elektrischen Kontaktierung des Halbleiterbauteils 1 sich an einer dem Trägerverbund 20 abgewandten Oberseite des Rahmenverbunds 33 befinden. Die Kontaktstellen 4 liegen damit im Wesentlichen in einer gemeinsamen Ebene mit den Strahlungshauptseiten 30 der Contact points 4 to an external electrical contacting of the semiconductor device 1 are located on a carrier composite 20 remote from the top of the frame assembly 33. The contact points 4 are thus substantially in a common plane with the main radiation sides 30 of the
Halbleiterchips 3. Gemäß Figur 5B wird der Rahmenverbund 33 auf dem Trägerverbund 20 aufgebracht, wobei die elektrischen Leitungen, Durchkontaktierungen und Kontaktstellen Semiconductor chips 3. According to FIG. 5B, the frame assembly 33 is applied to the carrier assembly 20, wherein the electrical leads, plated-through holes and contact points
miteinander in Kontakt gebracht werden. In Figur 6 sind schematische Draufsichten auf weitere be brought into contact with each other. In Figure 6 are schematic plan views of others
Ausführungsbeispiele von hier beschriebenen Embodiments of described here
Halbleiterbauteilen 1 gezeigt. In Figur 6A ist eine größere, zweidimensionale Anordnung der Halbleiterchips 3 an dem  Semiconductor devices 1 shown. FIG. 6A shows a larger, two-dimensional arrangement of the semiconductor chips 3 on the
Trägerverbund 20 dargestellt. Die Halbleiterchips 3 sind dabei gruppiert. Zwischen benachbarten Gruppen sind optional Separationsbereiche S angebracht. Bei den Carrier composite 20 shown. The semiconductor chips 3 are grouped. Separation areas S are optionally mounted between adjacent groups. Both
Separationsbereichen S handelt es sich beispielsweise um Sägestraßen, entlang derer der Trägerverbund 20 zu Separation areas S are, for example, sawing streets, along which the carrier assembly 20 is too
Halbleiterbauteilen 1 mit einer geringeren Anzahl an  Semiconductor devices 1 with a smaller number of
Halbleiterchips 3 vereinzelt werden kann. Semiconductor chips 3 can be separated.
Gemäß Figur 6B sind jeweils drei der Halbleiterchips 3 zu einer Gruppe zusammengefasst . Jede der Gruppen mit drei der Halbleiterchips 3 weist vier der Kontaktstellen 4 und nur eine geringe Anzahl von Leiterbahnen auf. Die Gruppen 3 können spiegelsymmetrisch zu einem optional vorhandenen According to FIG. 6B, in each case three of the semiconductor chips 3 are combined to form a group. Each of the groups of three of the semiconductor chips 3 has four of the pads 4 and only a small number of traces. The groups 3 can be mirror-symmetrical to an optionally existing one
Separationsbereich S zwischen den Gruppen angeordnet sein. Separation area S between the groups to be arranged.
In Figur 6C ist in der linken Bildhälfte eine Gruppierung der Halbleiterchips 3 und Verschaltung der Halbleiterchips 3 analog zu Figur 6B gezeigt. In der rechten Bildhälfte ist dem gegenüber eine Verschaltung illustriert, wobei mehrere der Gruppen über entsprechend geführte elektrische Leitungen 7 hintereinander geschaltet sind. Für die beispielsweise fünf Dreiergruppen in der rechten Bildhälfte der Figur 6C sind damit insgesamt beispielsweise nur vier der elektrischen Kontaktstellen 4 zur externen elektrischen Kontaktierung erforderlich. Dabei ist es nicht zwingend erforderlich, dass alle der Leitungen 7 in einer Ebene verlaufen. Zu einer FIG. 6C shows a grouping of the semiconductor chips 3 and interconnection of the semiconductor chips 3 analogously to FIG. 6B in the left-hand half of the figure. An interconnection is illustrated in the right-hand half of the figure, with several of the groups being connected in series via correspondingly guided electrical lines 7. For example, for the five groups of three in the right half of FIG. 6C, for example, only four of the electrical contact points 4 for external electrical contacting are required. It is not absolutely necessary that all of the lines 7 run in one plane. To a
Optimierung der Verschaltung können auch Leiterbrücken vorhanden sein, so dass ein dreidimensionales Netzwerk an Leitungen entsteht. Die Halbleiterchips 3 sind dabei mittels der MikroController einzeln elektrisch ansteuerbar. Optimization of the interconnection can also be present in conductor bridges, making a three-dimensional network Lines arise. The semiconductor chips 3 are individually electrically controllable by means of the microcontroller.
In der Draufsicht gemäß Figur 7A ist ein Halbleiterbauteil 1 auf einer externen Montageplatte E, beispielsweise einer Metallplatte mit oder ohne Leiterbahnen angebracht. Das Halbleiterbauteil 1 weist eine Matrix aus 25 x 6 regelmäßig angeordneten Halbleiterchips auf. Zum elektrischen In the plan view according to FIG. 7A, a semiconductor component 1 is mounted on an external mounting plate E, for example a metal plate with or without conductor tracks. The semiconductor device 1 has a matrix of 25 × 6 regularly arranged semiconductor chips. To the electric
Anschließen und Ansteuern des Halbleiterbauteils 1 sind bevorzugt nur drei Leiterbahnen, also für einen Connecting and driving the semiconductor device 1 are preferably only three tracks, so for a
Masseanschluss , eine Versorgungsspannung und eine  Ground connection, a supply voltage and a
Datenleitung, erforderlich. Data line, required.
Gemäß Figur 7B sind auf den externen Träger E 50 der According to Figure 7B are on the external support E 50 of
Halbleiterbauteile 1 angebracht. Dabei sind jeweils 25 der Halbleiterbauteile 1 in einer Reihe angeordnet. Jedes der Halbleiterbauteile 1 weist beispielsweise drei Semiconductor devices 1 attached. In each case, 25 of the semiconductor devices 1 are arranged in a row. Each of the semiconductor devices 1 has, for example, three
Halbleiterchips 3 auf. Zum Anschließen und Ansteuern dieser Halbleiterbauteile 1 werden bevorzugt ebenso nur drei Semiconductor chips 3 on. For connecting and driving these semiconductor devices 1 are preferably also only three
Leiterbahnen an der Montageplatte E benötigt. Conductor tracks on the mounting plate E required.
Solche Halbleiterbauteile 1, wie in Verbindung mit Figur 7B verwendet, können aufgebaut sein, wie in der Draufsicht gemäß Figur 8 dargestellt. Dabei können die nur schematisch Such semiconductor devices 1 as used in conjunction with FIG. 7B may be constructed as shown in the plan view of FIG. They can only be schematic
dargestellten elektrischen Leitungen und elektrischen illustrated electrical lines and electrical
Kontakte ausgeführt sein, wie etwa in Verbindung mit den Figuren 1 bis 3 gezeigt.  Contacts may be made, as shown in connection with Figures 1 to 3.
Das Halbleiterbauteil 1 in Figur 8 weist eine Einheit R zur Emission von rotem Licht, eine Einheit G zur Emission von grünem Licht und eine weitere Einheit B zur Emission von blauem Licht auf. Die entsprechenden Wellenlängen können unmittelbar in den jeweiligen Halbleiterchips erzeugt werden oder auch erst in Kombination mit einem Konversionsmittel entstehen . The semiconductor device 1 in Fig. 8 comprises a red light emitting unit R, a green light emitting unit G, and a blue light emitting unit B. The corresponding wavelengths can be generated directly in the respective semiconductor chips or even in combination with a conversion agent.
In Figur 9 ist ein Herstellungsverfahren für FIG. 9 shows a production method for
Halbleiterbauteile dargestellt, die je nur einen Träger 2 und einen Halbleiterchip 3 aufweisen. Gemäß Figur 9A wird ein Halbleiterchip 3 bereitgestellt. Ferner wird ein Träger 2 mit den Kontaktstellen 4, Durchkontaktierungen 73 sowie Semiconductor components shown, each having only a carrier 2 and a semiconductor chip 3. According to FIG. 9A, a semiconductor chip 3 is provided. Further, a carrier 2 with the contact points 4, vias 73 and
elektrischen Leitungen 7 bereitgestellt. Gemäß Figur 9B ist der Halbleiterchip 3 auf dem Träger 2 mit dem MikroController 26 aufgebracht. electrical lines 7 provided. According to FIG. 9B, the semiconductor chip 3 is applied to the carrier 2 with the microcontroller 26.
In Figur 9C ist zu sehen, dass die Strahlungshauptseite 30 des Halbleiterchips 3 mittels eines Bonddrahts 75 mit dem Träger 2 kontaktiert wird. Alle externen elektrischen In FIG. 9C, it can be seen that the main radiation side 30 of the semiconductor chip 3 is contacted to the carrier 2 by means of a bonding wire 75. All external electrical
Kontaktstellen 4 befinden sich gemäß Figur 9C an der Contact points 4 are shown in FIG. 9C at the
Trägerunterseite 24, siehe die Unteransicht gemäß Figur 9C3. Carrier base 24, see the bottom view of Figure 9C3.
Ferner wird, siehe Figur 9D, der Halbleiterchip 3 in Further, as shown in FIG. 9D, the semiconductor chip 3 in FIG
lateraler Richtung ringsum von dem strahlungsundurchlässigen und reflektierenden Vergussmaterial 51 umgeben. Lateral surrounded around the radiopaque and reflective potting material 51.
Beispielsweise weist das Vergussmaterial 51, wie dies auch in allen anderen Ausführungsbeispielen möglich ist, ein Silikon als Matrixmaterial auf, in das reflektierende Partikel etwa aus Titandioxid oder alternativ absorbierende Partikel etwa aus Ruß eingebracht sind. Auf das Vergussmaterial 51 wird schließlich das Konversionsmittel 53 aufgebracht, so dass der Optikkörper 5 vollständig gebildet wird und das For example, as is also possible in all other exemplary embodiments, the potting material 51 comprises a silicone as matrix material into which reflective particles, for example of titanium dioxide or alternatively absorbent particles, for example of soot, are introduced. Finally, the conversion agent 53 is applied to the potting material 51, so that the optical body 5 is completely formed and the
Halbleiterbauteil 1 fertig gestellt wird. Semiconductor component 1 is completed.
Die Verfahrensschritte des Herstellungsverfahrens, wie in den Figuren 10A und 10B gezeigt, entsprechen den The process steps of the manufacturing process as shown in Figs. 10A and 10B correspond to Figs
Verfahrensschritten gemäß der Figuren 9A und 9B . Abweichend von Figur 9 wird jedoch, siehe Figur IOC, nach dem Anbringen des Halbleiterchips 3 das Vergussmaterial 51 angebracht. Process steps according to FIGS. 9A and 9B. deviant however, as shown in FIG. 9, after the attachment of the semiconductor chip 3, the potting material 51 is attached.
Anschließend wird eine Öffnung 77 in dem Vergussmaterial 51 erzeugt, siehe Figur 10D. Nachfolgend wird die Öffnung 77 aufgefüllt durch eine Metallisierung 9, so dass die Subsequently, an opening 77 is created in the potting material 51, see Figure 10D. Subsequently, the opening 77 is filled by a metallization 9, so that the
Durchkontaktierung 73 von dem Träger 2 durch das Via 73 of the carrier 2 through the
Vergussmaterial 51 sowie die elektrische Leitung 7 hin zu der Strahlungshauptseite 30 erzeugt wird. Anschließend wird, analog zu Figur 9D, das Konversionsmittel 53 aufgebracht, vergleiche Figur 10F. Potting material 51 and the electrical line 7 is generated toward the main radiation side 30. Subsequently, analogously to FIG. 9D, the conversion agent 53 is applied, compare FIG. 10F.
Insbesondere für Halbleiterbauteile, wie in Verbindung mit den Figuren 9 und 10 hergestellt, sind in Figur 11 weitere mögliche Gestaltungen der Kontaktstellen 4 in Unteransichten dargestellt . In particular for semiconductor components, as produced in conjunction with FIGS. 9 and 10, further possible configurations of the contact points 4 are shown in bottom views in FIG.
Gemäß Figur IIA befinden sich die Kontaktstellen für einen Dateneingang Din und für einen Datenausgang Dout zwischen den Kontaktstellen 4 für den Massekontakt GND und die According to Figure IIA are the contact points for a data input Din and for a data output Dout between the contact points 4 for the ground contact GND and the
Versorgungsspannung VCC . Letztere Kontaktstellen sind dabei größer gestaltet. Abweichend hiervon sind in Figur IIB die Kontaktstellen 4 für den Dateneingang Din und für den  Supply voltage VCC. The latter contact points are made larger. Deviating from this, the contact points 4 for the data input Din and for the
Datenausgang Dout an einen Rand des Trägers 2 angebracht. Data output Dout attached to an edge of the carrier 2.
Entsprechende Anordnungsschemata der Kontaktstellen 4, wie für einen einzelnen Träger 2 gezeigt, können analog für einen Trägerverbund 20 mit einer Vielzahl von Trägern 2 verwendet werden. Die Anordnungsschemata der Figur 11 sind damit insbesondere auf die Ausführungsbeispiele, etwa wie in Corresponding arrangement diagrams of the contact points 4, as shown for a single carrier 2, can be used analogously for a carrier composite 20 with a multiplicity of carriers 2. The arrangement schemes of FIG. 11 are thus particularly applicable to the exemplary embodiments, such as in FIG
Verbindung mit den Figuren 1 bis 3 dargestellt, übertragbar. In Figur 12 sind schematische Draufsichten auf Compound illustrated with Figures 1 to 3, transferable. FIG. 12 shows schematic plan views
Lichtaustrittsflächen 10 von weiteren Ausführungsbeispielen von Halbleiterbauteilen 1 illustriert. Gemäß Figur 12 ist zur Vereinfachung der Darstellung jeweils nur eine Gruppe von Halbleiterchips dargestellt, die beispielsweise zu einem einzigen Pixel zusammengefasst sind. Light exit surfaces 10 of further embodiments of semiconductor devices 1 illustrated. According to FIG. 12, only one group of semiconductor chips, which are combined to form a single pixel, for example, is shown in each case in order to simplify the illustration.
In Figur 12A ist gezeigt, dass ein einziger In FIG. 12A, it is shown that a single
lichtemittierender Bereich vorhanden ist, der beispielsweise durch ein Konversionsmittel 53 gebildet ist. Dieser Bereich emittiert beispielsweise weißes Licht und stellt somit ein weiß emittierendes Gebiet W dar. light-emitting region is formed, which is formed for example by a conversion means 53. This area emits, for example, white light and thus represents a white-emitting area W.
Gemäß Figur 12B ist ein rot emittierender Bereich R, ein blau emittierender Bereich B sowie ein grün emittierender Bereich G vorhanden. Abweichend hiervon sind gemäß Figur 12C zwei kleinere, rot emittierende Bereiche R vorhanden. According to FIG. 12B, a red-emitting region R, a blue-emitting region B and a green-emitting region G are present. Notwithstanding this, according to FIG. 12C, two smaller, red-emitting regions R are present.
Entsprechende Anordnungen, wie insbesondere in Verbindung mit den Figuren 12B und 12C gezeigt, können bei Corresponding arrangements, as shown in particular in connection with FIGS. 12B and 12C, can be found in FIG
Halbleiterbauteilen 1, etwa wie in Verbindung mit Figur 8 dargestellt, alternativ Verwendung finden. Entsprechende Gruppierungen und Draufsichten auf Pixel können auch bei den Halbleiterbauteilen 1 aus den Figuren 7A und 7B in analoger Weise umgesetzt werden. Semiconductor components 1, as shown in connection with Figure 8, alternatively find use. Corresponding groupings and plan views of pixels can also be implemented analogously in the case of the semiconductor components 1 from FIGS. 7A and 7B.
Weitere Schaltungskonzepte für hier beschriebene Further circuit concepts for here described
Halbleiterbauteile sind der Druckschrift Semiconductor components are the publication
DE 10 2012 111 247 AI zu entnehmen. Der Offenbarungsgehalt dieser Druckschrift wird durch Rückbezug mit aufgenommen.  DE 10 2012 111 247 AI to remove. The disclosure of this document is incorporated by reference.
Alternativ zur Aufbringung separater Halbleiterchips auf den Träger mit dem Mikrocontroller ist es auch anders als gezeigt möglich, die Halbeiterchips direkt auf den Trägern aufzuwachsen oder umgekehrt. Entsprechende Halbleiterchips und Träger sind in Verbindung mit den Druckschriften As an alternative to applying separate semiconductor chips to the carrier with the microcontroller, it is also possible differently than shown, the semiconductor chips directly on the carriers to grow up or vice versa. Corresponding semiconductor chips and carriers are in connection with the publications
DE 10 2012 109 460 AI sowie DE 10 2012 112 302 AI angegeben. Der Offenbarungsgehalt dieser Druckschriften hinsichtlich eines Verbindens der Träger und der Halbleiterchips wird durch Rückbezug mit aufgenommen. DE 10 2012 109 460 AI and DE 10 2012 112 302 AI specified. The disclosure of these documents with regard to connecting the carrier and the semiconductor chips is included by reference back.
Bei den hier beschriebenen Halbleiterbauteilen ist In the case of the semiconductor components described here
insbesondere ein geringer Platzbedarf durch die Ausformung der Durchkontaktierungen, elektrischen Kontaktstellen und elektrischen Leitungen gegeben. Hierdurch können benachbarte Gruppen oder Pixel enger angeordnet werden. Insbesondere durch den Träger mit dem Mikrocontroller ist es möglich, mit nur wenigen externen elektrischen Kontaktstellen das in particular, given a small footprint by the formation of the vias, electrical contact points and electrical lines. As a result, adjacent groups or pixels can be arranged closer. In particular, by the carrier with the microcontroller, it is possible with only a few external electrical contact points the
Halbleiterbauteil anzuschließen und anzusteuern und über nur wenige elektrische Leitungen eine große Anzahl von Semiconductor device to connect and control and over a few electrical lines a large number of
Halbleiterchips anzusteuern. To drive semiconductor chips.
Anordnungen mit nur wenigen elektrischen Leitungen 7, über die mehrere der Halbleiterchips 3 verschaltet sind, sind in den Figuren 13A und 13B gezeigt. Gemäß Figur 3 sind die Halbleiterchips 3 jeweils entlang von Strängen mit je drei Leitungen angeordnet. Zur Vereinfachung der Darstellung sind entlang jeden Strangs nur drei der Halbleiterchips 3 Arrangements with only a few electrical leads 7, via which a plurality of the semiconductor chips 3 are connected, are shown in FIGS. 13A and 13B. According to FIG. 3, the semiconductor chips 3 are each arranged along strands with three lines each. For ease of illustration, only three of the semiconductor chips 3 are along each strand
illustriert. illustrated.
Gemäß Figur 13B ist eine Anzahl der elektrischen Leitungen 7 weiter reduziert, wobei die elektrischen Leitungen 7 nur vereinfacht gezeichnet sind. Brücken zwischen benachbarten Zeilen sind durch Pfeile symbolisiert. According to FIG. 13B, a number of the electrical lines 7 are further reduced, the electrical lines 7 being drawn in a simplified manner. Bridges between adjacent lines are symbolized by arrows.
Beim Ausführungsbeispiel, wie in der Draufsicht in Figur 14A und in der Schnittdarstellung in Figur 14B illustriert, sind mehrere der Halbleiterchips 3 auf einem einzigen Träger 2 angebracht. Über den in dem Träger 2 integrierten In the embodiment, as illustrated in the plan view in Figure 14A and in the sectional view in Figure 14B, are a plurality of the semiconductor chips 3 mounted on a single carrier 2. About the integrated in the carrier 2
MikroController sind die Halbleiterchips 3 bevorzugt Microcontroller, the semiconductor chips 3 are preferred
unabhängig voneinander elektrisch betreibbar. Im Übrigen entspricht das Ausführungsbeispiel gemäß Figur 14 dem independently operable electrically. Otherwise, the exemplary embodiment according to FIG. 14 corresponds to FIG
Ausführungsbeispiel in Figur 1. Embodiment in Figure 1.
Gemäß der Draufsicht des Ausführungsbeispiels des According to the plan view of the embodiment of the
Halbleiterbauteils 1, wie in Figur 16 dargestellt, sind die drei unabhängig voneinander elektrisch ansteuerbaren Semiconductor component 1, as shown in Figure 16, the three are electrically controllable independently
Halbleiterchips 3 in einer Dreieckformation auf dem Träger 2 angebracht. Die weiteren Komponenten des Halbleiterbauteils 1 wie die Abschirmung oder der Optikkörper sind zur  Semiconductor chips 3 mounted in a triangular formation on the support 2. The other components of the semiconductor device 1, such as the shield or the optical body are for
Vereinfachung der Darstellung nicht gezeichnet. Simplification of presentation not drawn.
In Figur 16 ist in einer Draufsicht ein weiteres In Figure 16 is another in a plan view
Ausführungsbeispiel des Halbleiterbauteils 1 gezeigt. Auf dem Träger 2 ist ein blaues Licht emittierender Halbleiterchip 3B, ein grünes Licht emittierender Halbleiterchip 3G und ein rotes Licht emittierender Halbleiterchip 3G aufgebracht, die sich alle innerhalb der einzigen Abschirmung 6 befinden. Die Abschirmung 6 kann dabei direkt auf dem Träger 2 aufgebracht sein, wobei die Abschirmung 6 den Träger 2 nicht überragt, in Draufsicht gesehen, anders als dies zum Beispiel in Figur 14 der Fall ist. Embodiment of the semiconductor device 1 shown. On the carrier 2, a blue light emitting semiconductor chip 3B, a green light emitting semiconductor chip 3G and a red light emitting semiconductor chip 3G are applied, all of which are inside the single shield 6. The shield 6 can be applied directly to the carrier 2, wherein the shield 6 does not project beyond the carrier 2, seen in plan view, unlike that in FIG. 14, for example.
Optional kann, wie auch in allen anderen Optionally, as in all others
Ausführungsbeispielen, ein Testkontakt 4t insbesondere zu einem Testen des Halbleiterbauteils 1, etwa vor einem  Embodiments, a test contact 4t in particular for testing the semiconductor device 1, such as in front of a
Anbringen des Optikkörpers 5, vorhanden sein. Attaching the optical body 5, be present.
Gemäß Figur 17 weist das Halbleiterbauteil 1 drei According to FIG. 17, the semiconductor component 1 has three
Halbleiterchips 3B, 3G, 3R auf, wie in Verbindung mit Figur 16 beschrieben. Ferner ist an dem Träger 2 ein vierter Semiconductor chips 3B, 3G, 3R on, as in connection with FIG 16 described. Further, on the carrier 2, a fourth
Halbleiterchip 3B angebracht, der von dem Konversionsmittel 53 bedeckt ist und der zusammen mit dem Konversionsmittel 53 zur Erzeugung von mischfarbigem Licht, bevorzugt zur Semiconductor chip 3B, which is covered by the conversion means 53 and which, together with the conversion means 53 for generating mixed-colored light, preferably to
Erzeugung von weißem Licht, eingerichtet ist. Das Generation of white light, is set up. The
Konversionsmittel 53 ist durch die Abschirmung 6b von den übrigen, nicht dem Konversionsmittel 53 zugeordneten  Conversion means 53 is assigned by the shield 6b from the others, not the conversion means 53
Halbleiterchips 3B, 3G, 3R optisch getrennt. Semiconductor chips 3B, 3G, 3R optically isolated.
Die Abschirmung 6a umrandet den Träger 2 ringsum und liegt, in Draufsicht gesehen, neben dem Träger 2. Entsprechende Konfigurationen der Abschirmung relativ zum Träger 2, wie in Verbindung mit den Figuren 16 und 17 gezeigt, können auch in allen anderen Ausführungsbeispielen vorliegen. The shield 6a surrounds the carrier 2 all around and lies, seen in plan view, adjacent to the carrier 2. Corresponding configurations of the shield relative to the carrier 2, as shown in connection with Figures 16 and 17, may also be present in all other embodiments.
Bei den Ausführungsbeispielen gemäß der Figuren 14 bis 17 ist je nur ein Träger 2 in dem Trägerverbund 20 vorhanden. Ebenso können jeweils auch eine Vielzahl von Trägern 2 samt den zugehörigen Halbleiterchips 3 in dem Trägerverbund 20 integriert sein, analog etwa zu dem Ausführungsbeispielen gemäß der Figuren 1 bis 8. In the embodiments according to FIGS. 14 to 17, only one carrier 2 is present in the carrier assembly 20. Likewise, in each case a multiplicity of carriers 2 together with the associated semiconductor chips 3 can also be integrated in the carrier assembly 20, analogously to the exemplary embodiments according to FIGS. 1 to 8.
In den bislang gezeigten Ausführungsbeispielen sind die In the embodiments shown so far are the
Halbleiterchips 3 jeweils auf einen Träger 2 beschränkt, in Draufsicht gesehen. Gemäß Figur 18 überragen die Semiconductor chips 3 each limited to a support 2, seen in plan view. According to FIG. 18, these protrude beyond
Halbleiterchips 3 den Träger 2, in Draufsicht gesehen. Eine entsprechende Anordnung der Halbleiterchips 3 an dem Träger 2 kann auch in allen anderen Ausführungsbeispielen vorliegen, auch mit einer abweichenden Anzahl von Halbleiterchips 3.  Semiconductor chips 3, the carrier 2, seen in plan view. A corresponding arrangement of the semiconductor chips 3 on the carrier 2 can also be present in all other exemplary embodiments, even with a different number of semiconductor chips 3.
Aufgrund der optischen Abschirmungen sowie der bevorzugt vorhandenen Streumittel zu einer Homogenisierung der Due to the optical shields as well as the preferably existing scattering agent to a homogenization of
Abstrahlung ist ein Array aus Halbleiterchips aufbaubar, das nur vernachlässigbare optische Lücken aufweist. Insbesondere ist eine Lichtaustrittsfläche ganzflächig lichtabstrahlend, mit Ausnahme von schmalen Bereichen, in denen die Radiation is an array of semiconductor chips that can be built up has only negligible optical gaps. In particular, a light exit surface is lichtabstrahlend the whole surface, with the exception of narrow areas where the
Abschirmungen angebracht sind. Eine Breite der Abschirmungen liegt dabei bevorzugt bei höchstens 1 % oder 3 % oder 5 % oder 10 % oder einer mittleren Ausdehnung der Shields are attached. A width of the shields is preferably at most 1% or 3% or 5% or 10% or a mean extent of
lichtabstrahlenden Bereiche, in Draufsicht gesehen. light-emitting areas, seen in plan view.
Zusätzliche Optiken zu einem Kaschieren der nicht Additional optics to a laminating not
lichtabstrahlenden Bereiche sind daher entbehrbar, da die nicht lichtabstrahlenden Bereiche an den Abschirmungen vernachlässigbar klein sind. light-emitting areas are therefore expendable, since the non-light-emitting areas on the shields are negligibly small.
Ferner können relativ große Ablagetoleranzen hinsichtlich der Halbleiterchips auf den Trägern aufgrund des Streumittels, das als Homogenisierungsschicht dient, akzeptiert werden. Außerdem ist bevorzugt eine genaue Lage des optischen Furthermore, relatively large tray tolerances with respect to the semiconductor chips on the carriers due to the scattering agent serving as a homogenization layer can be accepted. In addition, a precise position of the optical is preferred
Rasters, aufgrund der Abschirmungen, von untergeordneter Wichtigkeit. Die übereinander liegende Anordnung der Rasters, due to the shields, of secondary importance. The superposed arrangement of
Halbleiterchips und der Träger mit den Mikrocontrollern erlaubt zusätzlich eine Struktur mit einem engeren Raster und damit mit einer höheren Leuchtdichte. Semiconductor chips and the carrier with the microcontrollers also allow a structure with a narrower grid and thus with a higher luminance.
Durch die Integration mehrerer funktioneller Einheiten auf Wafer-Ebene, siehe insbesondere die Figuren 4 und 5, ergibt sich ein kompakter und flacher Aufbau des Halbleiterbauteils. Durch diesen Aufbau können Standardhalbleiterchips wie The integration of a plurality of functional units at the wafer level, see in particular FIGS. 4 and 5, results in a compact and flat structure of the semiconductor component. Due to this structure, standard semiconductor chips such as
Standardleuchtdioden verwendet werden und verschiedene Standard light-emitting diodes are used and different
Chipgrößen können in einem einzigen Halbleiterbauteil Chip sizes can be in a single semiconductor device
effizient miteinander kombiniert werden. be efficiently combined with each other.
Hier beschriebene Halbleiterbauteile sind beispielsweise in adaptiven Frontscheinwerfern von Kraftfahrzeugen einsetzbar. Ebenso sind hier beschriebene Halbleiterbauteile in Projektoren oder in der Allgemeinbeleuchtung oder als so genannte Spotlights verwendbar. Auch ist ein Einsatz in der Umgebungsbeleuchtung oder ambienten Beleuchtung möglich, etwa im Automobilbereich die Beleuchtung eines Kfz-Himmels oder als Szeneriebeleuchtung in einem Wohnbereich und/oder in einem Geschäftsbereich. Semiconductor components described here can be used, for example, in adaptive headlights of motor vehicles. Likewise, semiconductor components described in FIG Projectors or in general lighting or as so-called spotlights usable. A use in ambient lighting or ambient lighting is also possible, for example in the automotive sector, the illumination of a car sky or as scene lighting in a living area and / or in a business area.
Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die The invention described here is not by the
Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. Description limited to the embodiments.
Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist . Rather, the invention encompasses any novel feature as well as any combination of features, including in particular any combination of features in the claims, even if this feature or combination itself is not explicitly stated in the claims or exemplary embodiments.
Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 10 2014 105 734.1, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird. This patent application claims the priority of German Patent Application 10 2014 105 734.1, the disclosure of which is hereby incorporated by reference.
Bezugs zeichenliste Reference sign list
1 optoelektronisches Halbleiterbauteil 1 optoelectronic semiconductor device
10 Lichtaustrittsfläche des Halbleiterbauteils 10 light exit surface of the semiconductor device
2 Träger 2 carriers
20 Trägerverbund  20 carrier composite
23 Trägeroberseite  23 carrier top
24 Trägerunterseite  24 carrier base
26 MikroController  26 microcontroller
27 Trägersubstrat  27 carrier substrate
28 Trägerformmasse  28 Carrier molding material
3 optoelektronischer Halbleiterchip  3 optoelectronic semiconductor chip
30 Strahlungshauptseite 30 main radiation side
33 Rahmenverbund  33 frame composite
38 Umformmasse  38 forming material
4 elektrische Kontaktstelle  4 electrical contact point
5 Optikkörper  5 optic body
51 strahlungsundurchlässiges Vergussmaterial  51 radiopaque potting material
52 Streumittel  52 scattering agents
53 Konversionsmittel  53 conversion agents
6 optische Abschirmung  6 optical shielding
7 elektrische Leitung  7 electrical line
73 elektrische Durchkontaktierung  73 electrical feedthrough
75 Bonddraht  75 bonding wire
77 Öffnung  77 opening
8 Hilfsträger  8 subcarriers
9 Metallisierung  9 metallization
Din Dateneingangsleitung / -anschluss  Din data input line / connection
Dout Datenausgangsleitung / -anschluss  Dout data output line / connection
GND Masseleitung / -anschluss  GND ground line / connection
Vcc Versorgungsspannungsleitung / -anschluss  Vcc power supply line / connection
R, G, B, W verschiedenfarbig emittierende Bereiche R, G, B, W different colored emitting areas
E externer Träger E external carrier
S Separationsbereich  S separation area

Claims

Patentansprüche claims
1. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) mit 1. Optoelectronic semiconductor device (1) with
- einem Träger (2), der zumindest einen Mikrocontroller zu einer elektrischen Adressierung und Ansteuerung des - A carrier (2), the at least one microcontroller to an electrical addressing and control of the
Halbleiterbauteils (1) umfasst, Semiconductor device (1) comprises
- mindestens einem optoelektronischen Halbleiterchip (3) , der zur Erzeugung von Licht eingerichtet ist und der an einer Trägeroberseite (23) des Trägers (2) angebracht und mit dem Mikrocontroller elektrisch verbunden ist,  - At least one optoelectronic semiconductor chip (3) which is adapted to generate light and which is mounted on a carrier top side (23) of the carrier (2) and electrically connected to the microcontroller,
- mindestens drei elektrischen Kontaktstellen (4), wobei zumindest zwei der Kontaktstellen (4) mit dem Mikrocontroller verbunden sind, und  - At least three electrical contact points (4), wherein at least two of the contact points (4) are connected to the microcontroller, and
- mindestens einem Optikkörper (5) zu einer  - At least one optic body (5) to a
geometrischen und/oder spektralen Strahlformung, der sich an der Trägeroberseite (23) befindet.  geometric and / or spectral beam shaping, which is located on the carrier top side (23).
2. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach dem 2. Optoelectronic semiconductor device (1) according to the
vorhergehenden Anspruch,  previous claim,
das mehrere der Träger (2) und mehrere der  the more of the carrier (2) and more of the
Halbleiterchips (3) sowie mehrere lichtundurchlässige, optische Abschirmungen (6) umfasst, wobei  Semiconductor chips (3) and a plurality of opaque optical shields (6), wherein
- alle Träger (2) in einem Trägerverbund (20)  - All carriers (2) in a carrier composite (20)
mechanisch integriert sind und sich in einer  are mechanically integrated and in one
gemeinsamen Ebene befinden,  common plane,
- alle Halbleiterchips (3) auf den Trägerverbund (20) aufgebracht sind und sich in einer weiteren gemeinsamen Ebene an den Trägeroberseiten (23) befinden,  - All semiconductor chips (3) are applied to the carrier assembly (20) and are in a further common plane to the carrier tops (23),
- die Abschirmungen (6) jeweils zwischen benachbarten Halbleiterchips (3) derart angebracht sind, dass innerhalb des Halbleiterbauteils (1) kein Lichtpfad zwischen benachbarten Halbleiterchips (3) vorliegt, - je zumindest zwei der Halbleiterchips (3) auf einem der Träger (2) angebracht und elektrisch unabhängig voneinander betreibbar sind, the shields (6) are each mounted between adjacent semiconductor chips (3) in such a way that there is no light path between adjacent semiconductor chips (3) within the semiconductor component (1), at least two of the semiconductor chips (3) are each mounted on one of the carriers (2) and can be operated independently of each other electrically,
- die Halbleiterchips (3) jeweils innerhalb einer der Abschirmungen (6) bis zu einer dem zugehörigen Träger - The semiconductor chips (3) each within one of the shields (6) to an associated carrier
(2) abgewandten Strahlungshauptseite (30) der (2) facing away from the radiation main side (30) of
Halbeiterchips (3) , in Richtung weg von der zugehörigen Trägeroberseite (23) , von einem  Semiconductor chips (3), in the direction away from the associated carrier top (23), of one
strahlungsundurchlässigen Vergussmaterial (51) ringsum umgeben sind,  radiopaque potting material (51) are surrounded all around,
- dem Vergussmaterial (51) in Richtung weg von der zugehörigen Trägeroberseite (23) bei wenigstens einem Teil der Halbleiterchips (3) ein Konversionsmittel (52) zu einer mindestens teilweisen Wellenlängenkonversion einer von dem zugehörigen Halbleiterchip (3)  - the potting material (51) in the direction away from the associated carrier top side (23) in at least a part of the semiconductor chips (3) a conversion means (52) for an at least partial wavelength conversion of one of the associated semiconductor chip (3)
emittierten Strahlung nachgeordnet ist, und  emitted radiation is arranged downstream, and
- der Optikkörper (5) mindestens durch das  - The optic body (5) at least by the
Vergussmaterial (51) und das Konversionsmittel (53) gebildet ist.  Potting material (51) and the conversion means (53) is formed.
3. Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach dem 3. Optoelectronic semiconductor device (1) according to the
vorhergehenden Anspruch,  previous claim,
bei dem sich zwischen dem Vergussmaterial (51) und dem Konversionsmittel (53) als weiterer Bestandteil des Optikkörpers (5) ein schichtförmiges ,  in which between the potting material (51) and the conversion means (53) as a further constituent of the optic body (5) a laminar,
strahlungsdurchlässiges Streumittel (52) zu einer  radiation-permeable scattering agent (52) to a
Streuung der von dem zugehörigen Halbleiterchip (3) emittierten Strahlung befindet,  Scattering of the radiation emitted by the associated semiconductor chip (3),
wobei das Streumittel (52) den Halbleiterchip (3) und das Vergussmaterial (51) vollständig bedeckt.  wherein the scattering means (52) completely covers the semiconductor chip (3) and the potting material (51).
Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach Anspruch 2 oder 3, das ferner elektrische Leitungen (7) aufweist, Optoelectronic semiconductor component (1) according to claim 2 or 3, characterized further comprising electrical leads (7),
wobei sich ein Teil der elektrischen Leitungen (7) zwischen dem Vergussmaterial (51) und dem wherein a part of the electrical lines (7) between the potting material (51) and the
Konversionsmittel (53) befinden und die Halbleiterchips (3) an der Strahlungshauptseite (30) elektrisch Conversion (53) and the semiconductor chips (3) on the main radiation side (30) electrically
kontaktieren, und contact, and
wobei sich weitere elektrische Leitungen (7) zwischen dem Trägerverbund (20) und dem Vergussmaterial (51) befinden . wherein further electrical lines (7) between the carrier assembly (20) and the potting material (51) are located.
Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der Ansprüche 2 bis 4, Optoelectronic semiconductor component (1) according to one of claims 2 to 4,
bei dem die Abschirmungen (6) sich durch das in which the shields (6) through the
Vergussmaterial (51) hindurch erstrecken und aus einem elektrisch isolierenden Material geformt sind oder mit einem solchen Material beschichtet sind, Potting material (51) extend and are formed from an electrically insulating material or coated with such a material,
wobei die Abschirmungen (6) jeweils den zugehörigen Halbleiterchip (3) rahmenförmig umgeben, in Draufsicht gesehen, und wherein the shields (6) in each case the associated semiconductor chip (3) surrounded like a frame, seen in plan view, and
wobei die Abschirmungen (6) in einem einzigen Stück und zusammenhängend geformt sind. wherein the shields (6) are molded in a single piece and contiguously.
Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche 2 bis 5, Optoelectronic semiconductor component (1) according to one of the preceding claims 2 to 5,
bei dem sich alle Kontaktflächen (4) an derselben Seite des Trägerverbunds (20) befinden wie die in which all contact surfaces (4) on the same side of the carrier assembly (20) are as the
Halbleiterchips (3) und von den Abschirmungen (6) nicht umrandet sind,  Semiconductor chips (3) and of the shields (6) are not bordered,
wobei alle Halbleiterchips (3) über einen gemeinsamen Massekontakt (GND) verfügen, und wherein all semiconductor chips (3) have a common ground contact (GND), and
wobei das Halbleiterbauteil (1) oberflächenmontierbar ist . Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wherein the semiconductor device (1) is surface mountable. Optoelectronic semiconductor component (1) according to one of claims 1 to 5,
bei dem sich alle elektrischen Kontaktstellen (4) an der mindestens einen Trägerunterseite (23) befinden, wobei der Träger (2) oder der Trägerverbund (20) wenigstens eine elektrische Durchkontaktierung (73) umfasst . in which all the electrical contact points (4) are located on the at least one carrier underside (23), wherein the carrier (2) or the carrier assembly (20) comprises at least one electrical feedthrough (73).
Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, Optoelectronic semiconductor component (1) according to one of the preceding claims,
bei dem zumindest einer der Halbleiterchips (3) samt dem zugehörigen Optikkörper (5) zur Abstrahlung von blauem Licht, zumindest einer der Halbleiterchips (3) samt dem zugehörigen Optikkörper (5) zur Abstrahlung von grünem Licht und zumindest einer der in which at least one of the semiconductor chips (3) together with the associated optical body (5) for emitting blue light, at least one of the semiconductor chips (3) together with the associated optical body (5) for emitting green light and at least one of
Halbleiterchips (3) samt dem zugehörigen OptikkörperSemiconductor chips (3) together with the associated optical body
(5) zur Abstrahlung von rotem Licht eingerichtet ist, wobei die verschiedenen Farben an verschiedenen Stellen einer Lichtaustrittsfläche (10) des Halbleiterbauteils(5) is adapted to emit red light, wherein the different colors at different locations of a light exit surface (10) of the semiconductor device
(1) emittiert werden. (1) are emitted.
Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, Optoelectronic semiconductor component (1) according to one of the preceding claims,
umfassend mehrere der Halbleiterchips (3) , comprising a plurality of the semiconductor chips (3),
wobei ein mittlerer Abstand zwischen benachbarten being a mean distance between adjacent ones
Halbleiterchips (3) zwischen einschließlich 3 % und 20 % einer mittleren Kantenlänge der Halbleiterchips (3) beträgt. Semiconductor chips (3) between 3% and 20% of a mean edge length of the semiconductor chip (3).
Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, Optoelectronic semiconductor component (1) according to one of the preceding claims,
bei dem alle MikroController über eine gemeinsame where all microcontrollers have a common
Versorgungsspannung (Vcc) verfügen,  Supply voltage (Vcc),
wobei alle MikroController an einer gemeinsamen Datenleitung (Din) angebracht sind und die gemeinsame Datenleitung (Din) durch die Mikrocontroller geschleift ist . with all the microcontrollers at a common Data line (Din) are mounted and the common data line (Din) is looped through the microcontroller.
Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, Optoelectronic semiconductor component (1) according to one of the preceding claims,
umfassend mehrere der Halbleiterchips (3) , comprising a plurality of the semiconductor chips (3),
wobei die Halbleiterchips (3) in einer wherein the semiconductor chips (3) in one
zweidimensionalen Matrix angeordnet sind, in Draufsicht gesehen, und two-dimensional matrix are arranged, seen in plan view, and
wobei die Halbleiterchips (3) den zugehörigen Träger (2) wenigstens stellenweise überragen, in Draufsicht gesehen . wherein the semiconductor chips (3) project beyond the associated carrier (2) at least in places, seen in plan view.
Optoelektronisches Halbleiterbauteil (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, Optoelectronic semiconductor component (1) according to one of the preceding claims,
bei dem die Abschirmung (6), in Richtung weg von dem Träger (2), bündig mit dem Optikkörper (5) abschließt, wobei die Abschirmung (6), in Draufsicht gesehen, nicht mit dem Halbleiterchip (3) überlappt, und wherein the shield (6), in the direction away from the support (2), flush with the optical body (5), wherein the shield (6), as seen in plan view, does not overlap with the semiconductor chip (3), and
wobei die Abschirmung (6) weder den Träger (2) noch den Halbleiterchip (3) berührt. wherein the shield (6) touches neither the carrier (2) nor the semiconductor chip (3).
Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Process for the production of optoelectronic
Halbleiterbauteilen (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche mit den folgenden Schritten: Semiconductor components (1) according to one of the preceding claims, having the following steps:
- Bereitstellen eine Vielzahl der Träger (2) und der Halbleiterchips (3) ,  Providing a plurality of the carriers (2) and the semiconductor chips (3),
- Anbringen der Halbleiterchips (3) an den  - Attaching the semiconductor chips (3) to the
Trägeroberseiten (23) , Carrier tops (23),
- elektrisches Verschalten der Halbleiterchips (3) mit den MikroControllern der Träger (2), und  - Electrical interconnection of the semiconductor chips (3) with the microcontrollers of the carrier (2), and
- Fertigstellen der Halbleiterbauteile (1). Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, - Completing the semiconductor devices (1). Method according to the preceding claim,
bei dem das Bereitstellen der Träger (2) beinhaltet:wherein providing the carrier (2) includes:
- Umformen der zweidimensional angeordneten Träger (2) mit einer Trägerformmasse (28), sodass die Träger (2) in einem Trägerverbund (20) mechanisch integriert werden, und - Forming the two-dimensionally arranged carrier (2) with a carrier molding compound (28), so that the carrier (2) in a carrier composite (20) are mechanically integrated, and
- Ausbilden von Leiterbahnen (7) auf zumindest einer Seite des Trägerverbunds (20) .  - Forming conductor tracks (7) on at least one side of the carrier composite (20).
Verfahren nach Anspruch 14, Method according to claim 14,
bei dem das Bereitstellen der Halbleiterchips (3) beinhaltet : wherein providing the semiconductor chips (3) includes:
- Umformen der zweidimensional angeordneten  - Forming the two-dimensional arranged
Halbleiterchips (3) mit einer Umformmasse (38), sodass die Halbleiterchips (3) in einem Rahmenverbund (33) mechanisch integriert werden, Semiconductor chips (3) with a forming compound (38), so that the semiconductor chips (3) are mechanically integrated in a frame assembly (33),
wobei nachfolgend der Rahmenverbund (33) auf dem wherein subsequently the frame composite (33) on the
Trägerverbund (20) angebracht wird, sodass die Träger (2) den Halbleiterchips (3) eineindeutig zugeordnet werden, und Carrier assembly (20) is mounted so that the carrier (2) the semiconductor chips (3) are uniquely assigned, and
wobei nachfolgend der mit dem Trägerverbund (20) zusammengefügte Rahmenverbund (33) zu den wherein subsequently the frame composite (33) joined to the carrier composite (20) belongs to the
Halbleiterbauteilen (1) vereinzelt wird, sodass die Halbleiterbauteile (1) je einen oder mehrere der Semiconductor components (1) is isolated, so that the semiconductor devices (1) each one or more of the
Halbleiterchips (3) aufweisen. Semiconductor chips (3).
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