DE102012101160A1 - Light source module has shield that is arranged between adjacent semiconductor chips and is opaque to emitted radiation to reduce optical crosstalk between semiconductor chips - Google Patents

Light source module has shield that is arranged between adjacent semiconductor chips and is opaque to emitted radiation to reduce optical crosstalk between semiconductor chips Download PDF

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Frank Singer
Georg Bogner
Joachim Reill
Ulrich Frei
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Abstract

The light source module (1) has several individually addressable optoelectronic semiconductor chips (3) that are arranged along a straight line on the support top (20) of support (2) when viewed in plan view, and have main radiation side in opposite to support top. The distance between the adjacent semiconductor chips is at most one quarter of an average length of the diagonal sides of the main radiation side. A shield (4) that is arranged between the adjacent semiconductor chips and is opaque to emitted radiation reduces optical crosstalk between the semiconductor chips.

Description

Es wird ein Lichtquellenmodul angegeben.A light source module is specified.

Die Druckschrift US 8,079,730 betrifft eine Anordnung von Leuchtdiodenchips mit einer optischen Isolierung. The publication US 8,079,730 relates to an arrangement of light-emitting diode chips with an optical isolation.

Ein Scheinwerfermodul ist in der Druckschrift US 2009/0001490 A1 beschrieben.A headlight module is in the document US 2009/0001490 A1 described.

Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, ein kompaktes Lichtquellenmodul mit einem hohen optischen Kontrast anzugeben. An object to be solved is to provide a compact light source module with a high optical contrast.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Lichtquellenmodul einen Träger mit einer Trägeroberseite. Der Träger kann eine Keramik, die mit Leiterbahnen versehen ist, und/oder eine Metallkernplatine und/oder eine bedruckte Leiterplatte, englisch printed circuit board oder kurz PCB, beinhalten oder hieraus bestehen. Bevorzugt weist der Träger eine hohe thermische Leitfähigkeit und eine große mechanische Stabilität auf. In accordance with at least one embodiment, the light source module comprises a carrier with a carrier top side. The carrier may include or consist of a ceramic provided with tracks, and / or a metal core board and / or a printed circuit board, or PCB for short. The carrier preferably has a high thermal conductivity and a high mechanical stability.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform beinhaltet das Lichtquellenmodul mehrere optoelektronische Halbleiterchips. Bei den Halbleiterchips kann es sich um Leuchtdioden oder um Laserdioden handeln. Die Halbleiterchips sind dazu eingerichtet, im Betrieb des Lichtquellenmoduls ultraviolette, sichtbare und/oder infrarote Strahlung zu erzeugen. Beispielsweise emittieren die Halbleiterchips blaues Licht. In accordance with at least one embodiment, the light source module includes a plurality of optoelectronic semiconductor chips. The semiconductor chips may be light-emitting diodes or laser diodes. The semiconductor chips are adapted to generate ultraviolet, visible and / or infrared radiation during operation of the light source module. For example, the semiconductor chips emit blue light.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die optoelektronischen Halbleiterchips an der Trägeroberseite angebracht. Eine Strahlungshauptseite der Halbleiterchips ist der Trägeroberseite abgewandt. Die Strahlungshauptseite bildet diejenige Seite der Halbleiterchips, an der ein überwiegender Teil der erzeugten Strahlung aus den Halbleiterchips austritt. Die Strahlungshauptseite kann senkrecht zu einer Wachstumsrichtung einer Halbleiterschichtenfolge der Halbleiterchips orientiert sein. Die Halbleiterchips können unmittelbar oder mittelbar an der Trägeroberseite angebracht sein. Es ist möglich, dass sich zwischen den Halbleiterchips und dem Träger ein Zwischenträger befindet. In accordance with at least one embodiment, the optoelectronic semiconductor chips are attached to the carrier top side. A main radiation side of the semiconductor chips faces away from the carrier top side. The main radiation side forms that side of the semiconductor chips on which a predominant part of the generated radiation emerges from the semiconductor chips. The main radiation side may be oriented perpendicular to a growth direction of a semiconductor layer sequence of the semiconductor chips. The semiconductor chips may be attached directly or indirectly to the carrier top. It is possible that there is an intermediate carrier between the semiconductor chips and the carrier.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Lichtquellenmodul eine oder mehrere Abschirmungen. Die Abschirmungen befinden sich teilweise oder vollständig zwischen benachbarten Halbleiterchips. Die Abschirmungen sind dazu eingerichtet, ein optisches Übersprechen zwischen den benachbarten Halbleiterchips zu vermindern oder zu verhindern. In accordance with at least one embodiment, the light source module comprises one or more shields. The shields are partially or completely located between adjacent semiconductor chips. The shields are configured to reduce or prevent optical crosstalk between the adjacent semiconductor chips.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die Halbleiterchips entlang einer geraden Linie angeordnet, in Draufsicht auf die Trägeroberseite gesehen. Insbesondere befinden sich mindestens drei oder mindestens vier oder mindestens fünf der Halbleiterchips auf der geraden Linie. Es können Kanten der Halbleiterchips parallel zu und auf dieser geraden Linie verlaufen. Es ist möglich, dass mehrere gerade Linien vorhanden sind, entlang derer jeweils mindestens drei der Halbleiterchips angeordnet sind. Mit anderen Worten können die Halbleiterchips matrixartig arrangiert sein. In accordance with at least one embodiment, the semiconductor chips are arranged along a straight line, viewed in plan view on the carrier top side. In particular, at least three or at least four or at least five of the semiconductor chips are located on the straight line. Edges of the semiconductor chips may run parallel to and on this straight line. It is possible for a plurality of straight lines to be present, along which at least three of the semiconductor chips are arranged in each case. In other words, the semiconductor chips can be arranged like a matrix.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die optoelektronischen Halbleiterchips elektrisch einzeln und unabhängig voneinander ansteuerbar. Sind mehrere Reihen von Halbleiterchips vorhanden, so ist es möglich, dass jede der Reihen zu einer einzigen, elektrisch ansteuerbaren Einheit zusammengefasst ist. Die geraden Linien, entlang derer die Halbleiterchips einzeln ansteuerbar sind, können quer zu diesen Reihen orientiert sein.In accordance with at least one embodiment, the optoelectronic semiconductor chips can be electrically driven individually and independently of one another. If several rows of semiconductor chips are present, then it is possible for each of the rows to be combined into a single, electrically controllable unit. The straight lines, along which the semiconductor chips can be controlled individually, can be oriented transversely to these rows.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die benachbarten Halbleiterchips in nur geringem Abstand zueinander angeordnet. Geringer Abstand kann bedeuten, dass ein Abstand zwischen den benachbarten Halbleiterchips höchstens ein Viertel einer mittleren Diagonalenlänge der Strahlungshauptseiten der Halbleiterchips beträgt. Mit anderen Worten sind die Abmessungen der einzelnen Halbleiterchips groß gegenüber dem Abstand zwischen den Halbleiterchips. In accordance with at least one embodiment, the adjacent semiconductor chips are arranged at only a small distance from one another. A small distance may mean that a distance between the adjacent semiconductor chips is at most a quarter of an average diagonal length of the main radiation sides of the semiconductor chips. In other words, the dimensions of the individual semiconductor chips are large compared to the distance between the semiconductor chips.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Abschirmung für von den Halbleiterchips emittierte Strahlung undurchlässig. Beispielsweise ist die Abschirmung dann reflektierend oder absorbierend für die von den Halbleiterchips erzeugte Strahlung. In accordance with at least one embodiment, the shield is impermeable to radiation emitted by the semiconductor chips. For example, the shield is then reflective or absorbing for the radiation generated by the semiconductor chips.

In mindestens einer Ausführungsform umfasst das Lichtquellenmodul einen Träger mit einer Trägeroberseite. An der Trägeroberseite sind mindestens drei einzeln ansteuerbare optoelektronische Halbleiterchips angebracht. Das Lichtquellenmodul beinhaltet ferner optische Abschirmungen, die sich zwischen benachbarten Halbleiterchips befinden. Die Halbleiterchips sind entlang einer geraden Linie angeordnet, in Draufsicht auf die Trägeroberseite gesehen. Ein Abstand zwischen benachbarten Halbleiterchips entlang dieser Linie beträgt höchstens ein Viertel einer mittleren Diagonalenlänge der Strahlungshauptseiten der Halbleiterchips. Die Abschirmungen sind für von den Halbleiterchips im Betrieb emittierte Strahlung undurchlässig und dazu eingerichtet, ein optisches Übersprechen zwischen den Halbleiterchips zu vermindern oder zu verhindern. In at least one embodiment, the light source module comprises a carrier with a carrier top side. At least three individually controllable optoelectronic semiconductor chips are mounted on the carrier top side. The light source module further includes optical shields located between adjacent semiconductor chips. The semiconductor chips are arranged along a straight line, seen in plan view of the carrier top. A distance between adjacent semiconductor chips along this line is at most a quarter of an average diagonal length of the main radiation sides of the semiconductor chips. The shields are opaque to radiation emitted by the semiconductor chips during operation and configured to reduce or prevent optical crosstalk between the semiconductor chips.

Durch solche Abschirmungen sind die Halbleiterchips mit nur geringem Abstand zueinander montierbar. Ferner ist durch die Abschirmung gewährleistet, dass zwischen den Halbleiterchips ein hoher optischer Kontrast erreichbar ist, sodass die Halbleiterchips durch eine Optik ohne signifikantes optisches Übersprechen abbildbar oder projizierbar sind. By such shields, the semiconductor chips with only a small distance from each other mountable. Furthermore, the shield ensures that a high optical contrast can be achieved between the semiconductor chips, so that the semiconductor chips can be imaged or projected by optics without significant optical crosstalk.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist das Lichtquellenmodul zu einer adaptiven Fahrbahnbeleuchtung eingerichtet. Mit anderen Worten handelt es sich bei dem Lichtquellenmodul um ein so genanntes Adaptive Front-Lighting System, kurz AFS. Beispielsweise sind einzelne der Halbleiterchips bestimmten Bereichen einer auszuleuchtenden Fahrbahn zugeordnet. So kann ein Teil der Halbleiterchips für ein Abblendlicht, ein Teil der Halbleiterchips für ein Fernlicht und ein weiterer Teil der Halbleiterchips für ein Kurvenfahrlicht oder für eine Beleuchtung von Gehwegen herangezogen werden. Die jeweiligen Halbleiterchips können mehreren der genannten Funktionen gleichzeitig zugeordnet sein. Eine Funktionalisierung ist durch ein Anschalten oder Ausschalten der entsprechenden Halbleiterchips oder lediglich durch eine Regulierung einer Stromstärke möglich. In accordance with at least one embodiment, the light source module is set up for adaptive roadway lighting. In other words, the light source module is a so-called Adaptive Front Lighting System, AFS for short. For example, individual ones of the semiconductor chips are assigned to specific areas of a lane to be illuminated. Thus, a part of the semiconductor chips can be used for a dipped beam, a part of the semiconductor chips for a high beam, and a further part of the semiconductor chips for a cornering light or for a lighting of sidewalks. The respective semiconductor chips may be assigned to a plurality of said functions at the same time. A functionalization is possible by switching on or off the corresponding semiconductor chips or only by regulating a current.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfassen die Abschirmungen einen Verguss. Bei dem Verguss kann es sich um einen Körper handeln, der ein Matrixmaterial umfasst, in das absorbierende oder reflektierende Partikel eingebettet sind. Beispielsweise ist der Verguss diffus reflektierend für sichtbares Licht. In accordance with at least one embodiment, the shields comprise a potting. The potting may be a body comprising a matrix material in which absorbent or reflective particles are embedded. For example, the potting is diffusely reflective for visible light.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Verguss einstückig und zusammenhängend gestaltet. Mit anderen Worten besteht dann von jedem Punkt des Vergusses zu jedem anderen Punkt des Vergusses eine durchgehende, ununterbrochene Materialverbindung eines Materials des Vergusses. Es ist möglich, dass genau ein Verguss vorliegt. Die Abschirmungen können aus dem Verguss bestehen. According to at least one embodiment, the potting is designed in one piece and connected. In other words, then from each point of the potting to every other point of the potting a continuous, uninterrupted material connection of a material of the potting. It is possible that there is exactly one casting. The shields may consist of the potting.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform überragt der Verguss und/oder überragen die Abschirmungen die Strahlungshauptseiten der Halbleiterchips, in eine Richtung weg von der Trägeroberseite und/oder weg von den Strahlungshauptseiten. Mit anderen Worten ist dann eine Höhe der Abschirmungen und/oder des Vergusses größer als eine Höhe der Halbleiterchips, insbesondere bezogen auf die Trägeroberseite. In accordance with at least one embodiment, the encapsulation and / or projects beyond the shields of the main radiation sides of the semiconductor chips, in a direction away from the carrier top side and / or away from the main radiation sides. In other words, then a height of the shields and / or the encapsulation is greater than a height of the semiconductor chips, in particular with respect to the carrier top.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform weist eine im Betrieb von den Halbleiterchips erzeugte Strahlung eine endliche mittlere Eindringtiefe in den Verguss und/oder in die Abschirmungen auf. Bevorzugt beträgt die mittlere Eindringtiefe mindestens 1 µm oder mindestens 2 µm oder mindestens 4 µm. Es kann die mittlere Eindringtiefe auch bei höchstens 15 µm oder bei höchstens 12 µm oder bei höchstens 10 µm liegen. Die mittlere Eindringtiefe bezeichnet zum Bespiel diejenige Tiefe, bis zu der eine Strahlungsintensität auf 1/e, also auf zirka 37 %, abgefallen ist. In accordance with at least one embodiment, a radiation generated by the semiconductor chips during operation has a finite average penetration depth into the encapsulation and / or into the shields. The average penetration depth is preferably at least 1 μm or at least 2 μm or at least 4 μm. The average penetration depth can also be at most 15 μm or at most 12 μm or at most 10 μm. The mean penetration depth denotes, for example, that depth up to which a radiation intensity has fallen to 1 / e, ie to approximately 37%.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfassen die Abschirmungen neben dem Verguss eine strahlungsundurchlässige Abdeckung. Die Abschirmungen können aus dem Verguss und der Abdeckung bestehen. Bei der Abdeckung kann es sich um eine einzige, in Richtung parallel zu der Trägeroberseite zusammenhängende Schicht handeln. Ebenso können mehrere voneinander getrennte Abdeckungen vorhanden sein. In accordance with at least one embodiment, the shields comprise a radiation-impermeable cover in addition to the potting. The shields may consist of the potting and the cover. The cover can be a single, continuous in the direction parallel to the carrier top layer. Likewise, several separate covers may be present.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die mindestens eine Abdeckung an einer dem Träger abgewandten Oberseite des Vergusses angebracht. Die Abdeckung bildet dann bevorzugt eine Oberseite der Abschirmungen aus. Die mindestens eine Abdeckung kann reflektierend oder absorbierend für die im Betrieb vom Lichtquellenmodul erzeugte Strahlung ausgeformt sein. Es ist möglich, dass sich reflektierende und absorbierende Bereiche der Abdeckung lateral benachbart nebeneinander befinden. In accordance with at least one embodiment, the at least one cover is attached to an upper side of the potting facing away from the carrier. The cover then preferably forms an upper side of the shields. The at least one cover may be reflective or absorbent for the radiation generated by the light source module during operation. It is possible that reflective and absorbent regions of the cover are laterally adjacent to each other.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist der Verguss zwischen den benachbarten Halbleiterchips konkav geformt, in einem Querschnitt senkrecht zu der Trägeroberseite und insbesondere durch die mindestens zwei benachbarten Halbleiterchips hindurch gesehen. Mit anderen Worten weist dann der Verguss bezüglich der Dicke des Vergusses in einem Bereich zwischen den benachbarten Halbleiterchips ein lokales Minimum auf. Eine Oberseite des Vergusses ist Zum Beispiel wie eine Konkavlinse und glatt oder auch wie ein V geformt. In accordance with at least one embodiment, the encapsulation is concave in shape between the adjacent semiconductor chips, viewed in a cross section perpendicular to the carrier top side and in particular through the at least two adjacent semiconductor chips. In other words, then the potting with respect to the thickness of the potting in a region between the adjacent semiconductor chips on a local minimum. For example, a top of the potting is shaped like a concave lens and smooth or even like a V.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Abdeckung oder mindestens eine der Abdeckungen oder sind alle Abdeckungen mit einer gleichmäßigen Schichtdicke auf dem Verguss aufgebracht. Bei den Abdeckungen kann es sich beispielsweise um Metallisierungsschichten handeln. According to at least one embodiment, the cover or at least one of the covers or all covers are applied with a uniform layer thickness on the potting. The covers may be, for example, metallization layers.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Abdeckung, in einem Querschnitt senkrecht zu der Trägeroberseite gesehen, konvex geformt. Beispielsweise ist die Abdeckung dann, im Querschnitt gesehen, bikonvex oder plankonvex wie eine Sammellinse gestaltet. Eine Dicke der Abdeckung kann, entlang einer Richtung parallel zu der Trägeroberseite und in dem Querschnitt gesehen, um mindestens einen Faktor 2 oder um mindestens einen Faktor 3 oder um mindestens einen Faktor 5 variieren. Beispielsweise weist die Abdeckung nahe der Halbleiterchips eine geringe Dicke auf und zwischen den Halbleiterchips eine größere Dicke. According to at least one embodiment, the cover, seen in a cross section perpendicular to the carrier top, is convex. For example, the cover is then, as seen in cross-section, biconvex or plano-convex designed as a converging lens. A thickness of the cover may vary by at least a factor of 2 or by at least a factor of 3 or by at least a factor of 5, as seen along a direction parallel to the carrier top and in the cross section. For example, the cover has a small thickness near the semiconductor chips and a greater thickness between the semiconductor chips.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform überragt die Abdeckung den Verguss in Richtung weg von der Trägeroberseite. Beispielsweise ist eine dem Träger abgewandte Seite der Abdeckung durchgehend weiter von dem Träger entfernt als eine höchstgelegene Stelle des Vergusses im Bereich zwischen den benachbarten Halbleiterchips. According to at least one embodiment, the cover extends beyond the potting in the direction away from the carrier top. For example, a side of the cover facing away from the carrier is continuously further away from the carrier than a highest point of the encapsulation in the region between the adjacent semiconductor chips.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist auf mindestens einem der Halbleiterchips über der Strahlungshauptseite ein Konversionselement angebracht. Das Konversionselement ist dazu eingerichtet, mindestens einen Teil der von dem zugehörigen Halbleiterchip im Betrieb erzeugten Strahlung in eine Strahlung einer anderen Wellenlänge umzuwandeln. Bevorzugt wird dann eine Mischstrahlung erzeugt, die weißes Licht ist und die sich aus der vom Halbleiterchip unmittelbar erzeugten Strahlung und einer von dem Konversionselement generierten Strahlung zusammensetzt.In accordance with at least one embodiment, a conversion element is mounted on at least one of the semiconductor chips above the main radiation side. The conversion element is configured to convert at least a portion of the radiation generated by the associated semiconductor chip during operation into radiation of a different wavelength. Preferably, a mixed radiation is then generated which is white light and which is composed of the radiation directly generated by the semiconductor chip and a radiation generated by the conversion element.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umgibt die Abschirmung die Konversionselemente, in Draufsicht auf die Trägeroberseite gesehen, ringsum. Bevorzugt sind Seitenflächen der Konversionselemente vollständig von der Abschirmung bedeckt. Die Abschirmung kann an die Seitenflächen der Konversionselemente angeformt sein und die Seitenflächen berühren. According to at least one embodiment, the shield surrounds the conversion elements, viewed in plan view of the carrier top, all around. Preferably, side surfaces of the conversion elements are completely covered by the shield. The shield may be formed on the side surfaces of the conversion elements and touch the side surfaces.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform erstrecken sich die Abschirmungen mindestens stellenweise zwischen die Halbleiterchips und die jeweils zugehörigen Konversionselemente. Mit anderen Worten befindet sich dann ein Teil der Abschirmung zwischen dem Halbleiterchip und dem auf diesem Halbleiterchip aufgebrachten Konversionselement. In accordance with at least one embodiment, the shields extend at least in places between the semiconductor chips and the respectively associated conversion elements. In other words, there is then a part of the shield between the semiconductor chip and the applied on this semiconductor chip conversion element.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform überdecken die Abschirmungen zum Teil die Halbleiterchips, in Draufsicht auf die Trägeroberseite gesehen und/oder in Draufsicht auf die Strahlungshauptseite gesehen. Beispielsweise ist mindestens oder ausschließlich ein Anschlussbereich oder sind mehrere Anschlussbereiche für wenigstens ein elektrisches Verbindungsmittel des Halbleiterchips, wie ein Bondpad, von einem Material der Abschirmung überdeckt. In accordance with at least one embodiment, the shields partially cover the semiconductor chips, seen in plan view of the carrier top side and / or seen in plan view of the main radiation side. By way of example, at least or exclusively one connection region or several connection regions for at least one electrical connection means of the semiconductor chip, such as a bondpad, is covered by a material of the shielding.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Strahlungshauptseite frei von der Abschirmung, in Draufsicht gesehen. Es befindet sich dann also kein Material der Abschirmung über der Strahlungshauptseite, in Richtung weg von dem Träger.According to at least one embodiment, the main radiation side is free of the shield, seen in plan view. There is then no material of the shield above the main radiation side, in the direction away from the carrier.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfassen die Abschirmungen eine strahlungsundurchlässige Beschichtung. Die Beschichtung umgibt die jeweiligen Halbleiterchips, in Richtung parallel zur Trägeroberseite, bevorzugt ringsum und kann formschlüssig an die Halbleiterchips angeformt sein. Ebenso kann eine Beschichtung an Seitenflächen der Konversionselemente angebracht sein. In accordance with at least one embodiment, the shields comprise a radiopaque coating. The coating surrounds the respective semiconductor chips, in the direction parallel to the carrier top side, preferably all around and can be integrally formed on the semiconductor chips in a form-fitting manner. Likewise, a coating may be attached to side surfaces of the conversion elements.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform füllt die Beschichtung einen Zwischenraum zwischen benachbarten Halbleiterchips und/oder zwischen benachbarten Konversionselementen nicht vollständig aus. Beispielsweise ist die Beschichtung in einem Querschnitt senkrecht zu der Trägeroberseite und durch die Halbleiterchips hindurch dann U-förmig gestaltet. Ebenso ist es möglich, dass sich die Beschichtung nur auf Seitenflächen der Halbleiterchips und/oder der Konversionselemente beschränkt und dass die Trägeroberseite frei ist von der Beschichtung. Eine Dicke der Beschichtung beträgt zum Beispiel höchstens ein Viertel des Abstandes zwischen den benachbarten Halbleiterchips. According to at least one embodiment, the coating does not completely fill a gap between adjacent semiconductor chips and / or between adjacent conversion elements. For example, the coating is designed in a cross section perpendicular to the carrier top and then through the semiconductor chips through U-shaped. It is also possible that the coating is limited only to side surfaces of the semiconductor chips and / or the conversion elements and that the carrier top side is free of the coating. A thickness of the coating is for example at most a quarter of the distance between the adjacent semiconductor chips.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist die Abschirmung mindestens bereichsweise absorbierend für die von den Halbleiterchips erzeugte Strahlung gestaltet. Beispielsweise kann dann der Verguss der Abschirmungen reflektierend sein und die auf dem Verguss aufgebrachte Abdeckung ist absorbierend. Alternativ hierzu kann der Verguss absorbierend und die Abdeckung reflektierend gestaltet sein. In accordance with at least one embodiment, the shield is designed to be at least partially absorbent for the radiation generated by the semiconductor chips. For example, then the potting of the shields may be reflective and the cover applied to the potting is absorbent. Alternatively, the potting may be absorbent and the cover may be reflective.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind elektrische Anschlusseinrichtungen der Halbleiterchips teilweise oder vollständig von den Abschirmungen überdeckt. Sind die Halbleiterchips beispielsweise mittels Bonddrähten elektrisch kontaktiert, so können die Bonddrähte in die Abschirmung eingebettet sein. Ebenso können Bondpads zum elektrischen Anschließen der Halbleiterchips von den Abschirmungen überdeckt sein. Die Anschlusseinrichtungen können sich an dem Halbleiterchip oder an dem Träger befinden. In accordance with at least one embodiment, electrical connection devices of the semiconductor chips are partially or completely covered by the shields. If the semiconductor chips are electrically contacted, for example by means of bonding wires, then the bonding wires can be embedded in the shield. Likewise, bonding pads for electrically connecting the semiconductor chips may be covered by the shields. The connection devices may be located on the semiconductor chip or on the carrier.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform beträgt der Abstand zwischen den benachbarten Halbleiterchips mindestens 35 µm oder mindestens 50 µm oder mindestens 75 µm. Alternativ oder zusätzlich beträgt der Abstand höchstens 400 µm oder höchstens 300 µm. In accordance with at least one embodiment, the distance between the adjacent semiconductor chips is at least 35 μm or at least 50 μm or at least 75 μm. Alternatively or additionally, the distance is at most 400 μm or at most 300 μm.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Lichtquellenmodul mindestens eine Optik. Die Optik ist dazu eingerichtet, die Strahlungshauptseiten der Halbleiterchips abzubilden und/oder auf eine auszuleuchtende Fläche zu projizieren. Bei der Optik handelt es sich also um eine abbildende Optik. Es ist möglich, dass die Optik den Halbleiterchips gemeinsam nachgeordnet ist.In accordance with at least one embodiment, the light source module comprises at least one optic. The optics is set up to image the main radiation sides of the semiconductor chips and / or to project them onto a surface to be illuminated. The optics is therefore an imaging optic. It is possible that the optics are arranged downstream of the semiconductor chips.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Lichtquellenmodul eine oder mehrere Schutzdioden zum Schutz vor Schäden durch elektrostatische Entladungen. Bei den Schutzdioden handelt es sich also um ESD-Schutzdioden. Die Schutzdioden sind bevorzugt an der Trägeroberseite angebracht und können durch separate Bauteile gebildet sein. In accordance with at least one embodiment, the light source module comprises one or more Protective diodes for protection against electrostatic discharge damage. The protection diodes are therefore ESD protection diodes. The protective diodes are preferably mounted on the carrier top and may be formed by separate components.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform ist jedem der Halbleiterchips eine, insbesondere genau eine der Schutzdioden zugeordnet. Das Lichtquellenmodul kann also eine gleiche Anzahl von Halbleiterchips und Schutzdioden umfassen. According to at least one embodiment, each of the semiconductor chips is associated with one, in particular exactly one of the protective diodes. The light source module can therefore comprise an equal number of semiconductor chips and protective diodes.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind alle Halbleiterchips, die zur Strahlungsemission vorgesehen sind, über eine gemeinsame Elektrode verschaltet. Die gemeinsame Elektrode ist bevorzugt an dem Träger angebracht, insbesondere an der Trägeroberseite. In accordance with at least one embodiment, all semiconductor chips which are provided for radiation emission are interconnected via a common electrode. The common electrode is preferably attached to the carrier, in particular on the carrier top.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform umfasst das Lichtquellenmodul mindestens eine weitere elektronische Komponente. Bei der elektronischen Komponente kann es sich um eine Ansteuereinheit für die optoelektronischen Halbleiterchips handeln. Die elektronische Komponente kann Schieberegister oder Bypasstransistoren umfassen oder hieraus bestehen. Bevorzugt ist die elektronische Komponente an der Trägeroberseite angebracht und elektrisch mit den optoelektronischen Halbleiterchips verbunden. Die elektronische Komponente kann auch Sensoren etwa für Feuchtigkeit, Temperatur und/oder Helligkeit aufweisen oder mit solchen Sensoren verbunden sein. In accordance with at least one embodiment, the light source module comprises at least one further electronic component. The electronic component may be a drive unit for the optoelectronic semiconductor chips. The electronic component may comprise or consist of shift registers or bypass transistors. Preferably, the electronic component is attached to the carrier top and electrically connected to the optoelectronic semiconductor chips. The electronic component can also have sensors for moisture, temperature and / or brightness, for example, or be connected to such sensors.

Gemäß zumindest einer Ausführungsform sind die optoelektronischen Halbleiterchips in einem gleichmäßigen Raster an der Trägeroberseite angeordnet. Ein Abstand zwischen den benachbarten Halbleiterchips variiert dann entlang der geraden Linie, entlang derer die Halbleiterchips angeordnet sind, bevorzugt nicht. In accordance with at least one embodiment, the optoelectronic semiconductor chips are arranged in a uniform grid on the carrier top side. A distance between the adjacent semiconductor chips then does not vary along the straight line along which the semiconductor chips are arranged.

Nachfolgend wird ein hier beschriebenes Lichtquellenmodul unter Bezugnahme auf die Zeichnung anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Gleiche Bezugszeichen geben dabei gleiche Elemente in den einzelnen Figuren an. Es sind dabei jedoch keine maßstäblichen Bezüge dargestellt, vielmehr können einzelne Elemente zum besseren Verständnis übertrieben groß dargestellt sein. Hereinafter, a light source module described herein with reference to the drawings using exemplary embodiments will be explained in more detail. The same reference numerals indicate the same elements in the individual figures. However, there are no scale relationships shown, but individual elements can be shown exaggerated for better understanding.

Es zeigen:Show it:

1, 2 und 4 bis 11 schematische Darstellungen von Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen Lichtquellenmodulen, 1 . 2 and 4 to 11 schematic representations of embodiments of light source modules described herein,

3 eine schematische Detailansicht eines Ausführungsbeispiels eines hier beschriebenen Lichtquellenmoduls, und 3 a schematic detail view of an embodiment of a light source module described herein, and

12 und 13 schematische Darstellungen zur elektrischen Verschaltung von Ausführungsbeispielen von hier beschriebenen Lichtquellenmodulen. 12 and 13 schematic representations for electrical interconnection of embodiments of light source modules described herein.

In 1 ist in einer perspektivischen Draufsicht ein Ausführungsbeispiel eines Lichtquellenmoduls 1 gezeigt. Das Lichtquellenmodul 1 umfasst fünf in einer geraden Linie und in gleichmäßigen Abständen angeordnete optoelektronische Halbleiterchips 3. Bei den Halbleiterchips 3 handelt es sich bevorzugt um Leuchtdiodenchips. In 1 is an embodiment of a light source module in a perspective plan view 1 shown. The light source module 1 comprises five straight line and evenly spaced optoelectronic semiconductor chips 3 , In the semiconductor chips 3 these are preferably light-emitting diode chips.

Zwischen jeweils zwei benachbarten Halbleiterchips 3 befindet sich eine Abschirmung 4. Durch die Abschirmungen 4 ist ein optisches Übersprechen zwischen den benachbarten Halbleiterchips 3 verhinderbar. Optional befinden sich die Halbleiterchips 3 und die Abschirmungen 4 in einer beispielsweise reflektierend oder absorbierend gestalteten Chipwanne 34. Between each two adjacent semiconductor chips 3 there is a shield 4 , Through the shields 4 is an optical crosstalk between the adjacent semiconductor chips 3 preventable. Optionally, there are the semiconductor chips 3 and the shields 4 in a for example reflective or absorbent designed chip pan 34 ,

Die Halbleiterchips 3 sowie die Abschirmungen 4 sind an einer Trägeroberseite 20 eines Trägers 2 angebracht. Bei dem Träger 2 kann es sich um eine Keramik, um eine Metallkernplatine und/oder um eine bedruckte Leiterplatte handeln. Die Halbleiterchips 3 stehen bevorzugt in thermischem Kontakt mit dem Träger 2. The semiconductor chips 3 as well as the shields 4 are on a carrier top 20 a carrier 2 appropriate. At the carrier 2 it may be a ceramic, a metal core board and / or a printed circuit board. The semiconductor chips 3 are preferably in thermal contact with the carrier 2 ,

An der Trägeroberseite 20 sind mehrere Leiterbahnen 84 angebracht, die eine elektrische Verbindung zwischen den Halbleiterchips 3 und elektrischen Kontaktstellen 82a, 82b, 82c herstellen. Über die Kontaktstelle 82a ist eine gemeinsame Elektrode 83 realisiert, mit der alle Halbleiterchips 3 elektrisch verbunden sind. Über die Kontaktstellen 82b sind die Halbleiterchips 3 elektrisch einzeln ansteuerbar. Ein Masseanschluss 86 ist durch die Kontaktstelle 82c gebildet. Die Kontaktstellen 82a, 82b, 82c sind in gleichmäßigen Abständen, gleich groß und entlang einer geraden Linie parallel zu einer Kante an der Trägeroberseite 20 angeordnet. Bei den Kontaktstellen 82a, 82b, 82c kann es sich um Bondpads für ein Löten handeln. At the carrier top 20 are several tracks 84 attached, which is an electrical connection between the semiconductor chips 3 and electrical contact points 82a . 82b . 82c produce. About the contact point 82a is a common electrode 83 realized with all the semiconductor chips 3 are electrically connected. About the contact points 82b are the semiconductor chips 3 electrically controlled individually. A ground connection 86 is through the contact point 82c educated. The contact points 82a . 82b . 82c are equally spaced, equal in size, and along a straight line parallel to an edge on the carrier top 20 arranged. At the contact points 82a . 82b . 82c These may be solder pads for bond pads.

Optional ist den Halbleiterchips 3 eine elektronische Steuereinheit 95 vorgeschaltet. Die Steuereinheit 95 kann nicht dargestellte Sensoren umfassen. Anders als dargestellt ist es möglich, dass die Kontaktstellen 82a, 82b, 82c U-förmig angeordnet sind. Eine offene Seite eines solchen U’s kann zu den Halbleiterchips 3 hin oder von den Halbleiterchips 3 weg weisen.Optional is the semiconductor chips 3 an electronic control unit 95 upstream. The control unit 95 may include sensors not shown. Other than shown it is possible that the contact points 82a . 82b . 82c U-shaped are arranged. An open side of such a U may be to the semiconductor chips 3 towards or from the semiconductor chips 3 point away.

Bevorzugt ist jedem der Halbleiterchips 3 eine Schutzdiode 5 gegen Schäden vor elektrostatischen Entladungen zugeordnet. Die Schutzdioden 5 sind jeweils mit der gemeinsamen Elektrode 83 sowie mit der dem entsprechenden Halbleiterchip 3 zugeordneten Leiterbahn 84 verbunden. Die Schutzdioden 5 sind in einer geraden Linie parallel zu den Halbleiterchips 3 und zu den Kontaktstellen 82a, 82b, 82c angeordnet. Preferably, each of the semiconductor chips 3 a protection diode 5 associated with damage from electrostatic discharges. The protective diodes 5 are each with the common electrode 83 as well as with the corresponding semiconductor chip 3 associated conductor track 84 connected. The protective diodes 5 are in a straight line parallel to the semiconductor chips 3 and to the contact points 82a . 82b . 82c arranged.

Das Lichtquellenmodul 1 umfasst optional Befestigungsbohrungen 92 zur mechanischen und thermischen Montage des Lichtquellenmoduls 1. Weiterhin weist das Lichtquellenmodul 1 Justagebohrungen 91 auf, mit deren Hilfe eine genaue Montage an einem externen, nicht gezeichneten Träger des Lichtquellenmoduls 1 möglich ist. The light source module 1 optionally includes mounting holes 92 for mechanical and thermal mounting of the light source module 1 , Furthermore, the light source module 1 Justagebohrungen 91 on, with the help of an accurate mounting on an external, not shown carrier of the light source module 1 is possible.

In einem Scheinwerfer kann eines oder können mehrere der Lichtquellenmodule 1 verbaut sein. Die einzelnen Lichtquellenmodule 1 weisen beispielsweise in Draufsicht gesehen einen quadratischen oder rechteckigen Grundriss auf. Abmessungen der Lichtquellenmodule 1, in Draufsicht gesehen, betragen beispielsweise mindestens 4 mm × 4 mm oder mindestens 10 mm × 10 mm und/oder höchstens 40 mm × 40 mm oder höchstens 80 mm × 50 mm, beispielsweise zirka 20 mm × 20 mm. Eine Gesamtdicke des Lichtquellenmoduls 1 liegt zum Beispiel zwischen einschließlich 0,8 mm und 5 mm, insbesondere bei zirka 2,5 mm. Weist das Lichtquellenmodul 1 eine Steckverbindung auf, vergleiche 2, so beträgt die Gesamtdicke bevorzugt höchstens 15 mm.In a spotlight, one or more of the light source modules may be 1 be installed. The individual light source modules 1 have, for example, seen in plan view of a square or rectangular plan. Dimensions of the light source modules 1 When viewed in plan view, for example, at least 4 mm × 4 mm or at least 10 mm × 10 mm and / or at most 40 mm × 40 mm or at most 80 mm × 50 mm, for example approximately 20 mm × 20 mm. A total thickness of the light source module 1 is, for example, between 0.8 mm and 5 mm, in particular about 2.5 mm. Indicates the light source module 1 a plug connection, see 2 , the total thickness is preferably at most 15 mm.

Die einzelnen Halbleiterchips 3 sind bevorzugt dazu eingerichtet, alleine oder zusammen mit in 1 nicht gezeichneten Konversionselementen weißes Licht zu erzeugen. Die Halbleiterchips 3 können einen Betriebsstrom von ungefähr 500 mA aufweisen und jeweils einen Lichtstrom von ungefähr 150 lm im bestimmungsgemäßen Gebrauch emittieren. Die Halbleiterchips 3 können aufgebaut sein, wie in Verbindung mit der Druckschrift US 2011/0101390 A1 beschrieben, deren Offenbarungsgehalt durch Rückbezug aufgenommen wird. Es ist möglich, dass alle Halbleiterchips 3 Strahlung mit demselben Farbort emittieren, insbesondere mit einer Toleranz von höchstens 0,02 Einheiten in den Cx- und Cy-Koordinaten der CIE-Normfarbtafel. The individual semiconductor chips 3 are preferably arranged to be alone or together with in 1 not drawn conversion elements to produce white light. The semiconductor chips 3 may have an operating current of about 500 mA and each emit a luminous flux of about 150 lm in the intended use. The semiconductor chips 3 can be constructed as in connection with the publication US 2011/0101390 A1 whose disclosure content is incorporated by reference. It is possible that all semiconductor chips 3 Emit radiation at the same color location, in particular with a tolerance of at most 0.02 units in the Cx and Cy coordinates of the CIE standard color chart.

In 2 ist ein weiteres Ausführungsbeispiel des Lichtquellenmoduls 1 gezeigt. Eine externe Kontaktierung des Lichtquellenmoduls 1 gemäß 2 ist nicht über Kontaktstellen zu einem Löten, sondern über eine Steckverbindung 88 realisiert. Die Steckverbindung 88 ist zum Beispiel achtpolig gestaltet, vergleiche auch 12. Es ist möglich, dass eine elektronische Steuereinheit 95 in die Einheit für die Steckverbindung 88 integriert ist. An der Trägeroberseite 20 befindet sich für jeden der Halbleiterchips 3 eine der Schutzdioden 5. In 2 is another embodiment of the light source module 1 shown. An external contact of the light source module 1 according to 2 is not about contact points for soldering, but via a plug connection 88 realized. The plug connection 88 For example, it is designed to be eight-pole, compare also 12 , It is possible that an electronic control unit 95 in the unit for the connector 88 is integrated. At the carrier top 20 is located for each of the semiconductor chips 3 one of the protective diodes 5 ,

In der perspektivischen Darstellung gemäß 3 ist der Bereich um die Chipwanne 34 gemäß der 1 und 2 detaillierter dargestellt. Die Halbleiterchips 3 können, wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen, optional auf einem Zwischenträger 25 angebracht sein. Die Halbleiterchips 3 sind dann über den Zwischenträger 25 nur mittelbar mit dem in 3 nicht gezeichneten Träger 2 verbunden. In the perspective view according to 3 is the area around the chip tray 34 according to the 1 and 2 shown in more detail. The semiconductor chips 3 can, as in all other embodiments, optionally on an intermediate carrier 25 to be appropriate. The semiconductor chips 3 are then about the intermediate carrier 25 only indirectly with the in 3 not subscribed carrier 2 connected.

Die Abschirmungen 4 sind als zusammenhängender Vergusskörper gebildet. Die Abschirmungen 4 umgeben die Halbleiterchips 3 jeweils ringsum. Es erstrecken sich die Abschirmungen 4 jeweils auf einen Teil einer den Zwischenträger 25 abgewandten Strahlungshauptseite 30 der Halbleiterchips 3. Insbesondere bedecken die Abschirmungen 4 Bondpads an den Strahlungshauptseiten 30, an denen Bonddrähte 81 angebracht sind. Die Bonddrähte 81 sind überwiegend in die Abschirmungen 4 eingebettet. In Draufsicht gesehen weisen die Abschirmungen 4 an einer Seite, an der sich die Bonddrähte 81 befinden, eine größere Breite auf als an den anderen Seiten der Anordnung der Halbleiterchips 3. The shields 4 are formed as a contiguous potting body. The shields 4 surround the semiconductor chips 3 each around. The shields extend 4 each on a part of the intermediate carrier 25 remote radiation main side 30 the semiconductor chips 3 , In particular, the shields cover 4 Bondpads at the radiation main sides 30 , on which bonding wires 81 are attached. The bonding wires 81 are predominantly in the shields 4 embedded. Seen in plan view, the shields 4 on one side, at which the bonding wires 81 are greater in width than on the other sides of the array of semiconductor chips 3 ,

In 4 ist eine perspektivische Schnittdarstellung des Lichtquellenmoduls 1 gezeigt. Die Halbleiterchips 3 sind über Metallisierungen 89a, 89b an dem Träger 2 und/oder an dem Zwischenträger 25 angebracht. Über Klebverbindungen sind an den Strahlungshauptseiten 30 Konversionselemente 6 zu einer teilweisen Strahlungsumwandlung von den Halbleiterchips 3 emittierter Strahlung angebracht. In 4 is a perspective sectional view of the light source module 1 shown. The semiconductor chips 3 are over metallizations 89a . 89b on the carrier 2 and / or on the intermediate carrier 25 appropriate. About glued joints are on the main radiating sides 30 conversion elements 6 to a partial radiation conversion of the semiconductor chips 3 emitted radiation attached.

Die Metallisierungen 89a, 89b weisen beispielsweise jeweils Dicken zwischen einschließlich 5 µm und 30 µm auf. Dicken der Halbleiterchips 3 können zwischen 50 µm und 250 µm, beispielsweise bei ungefähr 150 µm, liegen. Die in 4 nicht gezeichnete Klebeverbindung kann eine Dicke von ungefähr 5 µm aufweisen. Dicken der Konversionselemente 6 betragen beispielsweise zwischen einschließlich 30 µm und 200 µm oder zwischen einschließlich 90 µm und 150 µm. In Draufsicht gesehen weisen die Halbleiterchips 3 beispielsweise eine Grundfläche von mindestens 0,25 mm × 0,25 mm und/oder von höchstens 2 mm × 2 mm auf, insbesondere ungefähr 1 mm × 1 mm. Ein Abstand d zwischen den benachbarten Halbleiterchips beträgt zum Beispiel ungefähr 100 µm oder ungefähr 205 µm. The metallizations 89a . 89b For example, each have thicknesses between 5 microns and 30 microns inclusive. Thicknesses of the semiconductor chips 3 may be between 50 μm and 250 μm, for example about 150 μm. In the 4 not shown adhesive bond may have a thickness of about 5 microns. Thickness of the conversion elements 6 be, for example, between 30 microns and 200 microns or between including 90 microns and 150 microns. Seen in plan view, the semiconductor chips 3 for example, a footprint of at least 0.25 mm × 0.25 mm and / or of at most 2 mm × 2 mm, in particular approximately 1 mm × 1 mm. A distance d between the adjacent semiconductor chips is, for example, about 100 μm or about 205 μm.

In 4 ist zu erkennen, dass sich die durch einen einstückigen Verguss 41 gebildeten Abschirmungen 4 stellenweise zwischen die angrenzenden Halbleiterchips 3 und die zugehörigen Konversionselemente 6 erstrecken. Eine dem Träger 2 abgewandte Oberseite 40 der Abschirmungen 4 ist im Bereich zwischen den Halbleiterchips 3 V-förmig geformt, wobei eine dem Träger 2 nächstgelegene Kante des V’s herstellungsbedingt abgerundet sein kann. In Richtung weg von dem Träger 2 schließen der Verguss 41 und somit die Abschirmungen 4 bündig mit Oberseiten 60 der Konversionselemente 6 ab. Die Oberseiten 60 sind dem Träger 2 abgewandt.In 4 It can be seen that the by a one-piece casting 41 formed shields 4 in places between the adjacent semiconductor chips 3 and the associated conversion elements 6 extend. A the carrier 2 opposite top 40 the shields 4 is in the area between the semiconductor chips 3 V-shaped shaped, one being the wearer 2 Nearest edge of the V's production can be rounded. Towards the carrier 2 close the potting 41 and thus the shields 4 flush with tops 60 the conversion elements 6 from. The tops 60 are the carrier 2 away.

In den 5 bis 10 sind jeweils schematische Schnittdarstellungen von weiteren Ausführungsbeispielen des Schienwerfermoduls 1 gezeigt. Gemäß 5 sind die Abschirmungen 4 durch einen Verguss 41 gebildet. Bei dem Verguss handelt es sich beispielsweise um ein Matrixmaterial aus einem Silikon und/oder aus Epoxid, in das Metallflitter oder auch reflektierende Partikel beispielsweise aus Titandioxid oder Aluminiumoxid eingebracht sind. Ein Gewichtsanteil der Partikel in dem Verguss 41 liegt beispielsweise zwischen einschließlich 15 % und 40 %, insbesondere bei ungefähr 25 %. Der Verguss 41 reflektiert bevorzugt diffus und/oder erscheint weiß. Die von dem Halbleiterchip 3 emittierte Strahlung R ist durch Pfeil-Linien symbolisiert. Es dringt die Strahlung R nur wenige Mikrometer in den Verguss 41 ein. In the 5 to 10 are each schematic sectional views of other embodiments of the rail projector module 1 shown. According to 5 are the shields 4 through a casting 41 educated. The encapsulation is, for example, a matrix material made of a silicone and / or of epoxide, in which metal flakes or also reflecting particles, for example of titanium dioxide or aluminum oxide, are introduced. A proportion by weight of the particles in the potting 41 is, for example, between 15% and 40%, in particular about 25%. The casting 41 preferably reflects diffuse and / or appears white. The of the semiconductor chip 3 emitted radiation R is symbolized by arrow lines. It penetrates the radiation R only a few microns in the potting 41 one.

Der Verguss 41 ist zwischen den benachbarten Halbleiterchips 3 konkav geformt. Eine Höhe des Vergusses 41, bezogen auf den Träger 2, ist also an den Halbleiterchips 3 größer als in einem Bereich weiter von den Halbleiterchips 3 entfernt. Der Verguss 41 weist zwischen den Halbleiterchips 3 ein lokales Minimum auf. Anders als gemäß 4 ist die Oberseite 40 der Abschirmung 4 rund geformt. Auch in dem Bereich zwischen den Halbleiterchips 3 überragt der Verguss 41 jeweils die Strahlungshauptseiten 30 der Halbleiterchips 3. The casting 41 is between the adjacent semiconductor chips 3 concave shaped. A height of the potting 41 , based on the carrier 2 , is so on the semiconductor chips 3 larger than in a region farther from the semiconductor chips 3 away. The casting 41 points between the semiconductor chips 3 a local minimum. Other than according to 4 is the top 40 the shield 4 shaped round. Also in the area between the semiconductor chips 3 surpasses the casting 41 each the main radiation sides 30 the semiconductor chips 3 ,

Gemäß 6 sind die Abschirmungen 4 zwischen den Halbleiterchips 3 konvex geformt. Der Verguss 41 überragt also sowohl die Halbleiterchips 3 als auch die Konversionselemente 6, in eine Richtung weg von dem Träger 2 und über den gesamten Bereich zwischen den Halbleiterchips 3 hinweg. According to 6 are the shields 4 between the semiconductor chips 3 convex shaped. The casting 41 Thus, both projects beyond the semiconductor chips 3 as well as the conversion elements 6 , in a direction away from the vehicle 2 and over the entire area between the semiconductor chips 3 time.

Beim Ausführungsbeispiel gemäß 7A umfassen die Abschirmungen 4 den Verguss 41 sowie Abdeckungen 42. Der Verguss 41 ist beispielsweise geformt, wie in Verbindung mit 5 angegeben und ist insbesondere diffus reflektierend. An dem Träger 2 abgewandten Seiten des Vergusses 41 ist die Abdeckung 42 angebracht, die ebenfalls als Verguss realisiert sein kann. Die Abdeckung 42 ist beispielsweise absorbierend für von den Halbleiterchips 3 und den Konversionselementen 6 erzeugte Strahlung. Insbesondere erscheint die Abdeckung 42 schwarz. Es kann die Abdeckung 42 durch eine Silikonmatrix mit darin eingebetteten Rußpartikeln gebildet sein. According to the embodiment 7A include the shields 4 the casting 41 as well as covers 42 , The casting 41 For example, it is shaped as in connection with 5 indicated and is in particular diffuse reflective. On the carrier 2 facing away from the potting 41 is the cover 42 attached, which can also be realized as potting. The cover 42 For example, it is absorbent for the semiconductor chips 3 and the conversion elements 6 generated radiation. In particular, the cover appears 42 black. It may be the cover 42 be formed by a silicone matrix with carbon black particles embedded therein.

Die Abdeckungen 42 sind im Querschnitt gesehen wie Bikonvexlinsen geformt. Entlang einer lateralen Richtung weisen die Abdeckungen 42 also keine konstante Schichtdicke auf. Es überragen die Abdeckungen 42 die Oberseiten 60 der Konversionselemente 6 über den gesamten Bereich zwischen den Halbleiterchips 3 hinweg. The covers 42 are seen in cross section shaped like biconvex lenses. Along a lateral direction, the covers 42 So no constant layer thickness. It towers over the covers 42 the tops 60 the conversion elements 6 over the entire area between the semiconductor chips 3 time.

Gemäß 7B sind die dem Träger 2 abgewandten Seiten des Vergusses 41 eben geformt. Die Abdeckung 42 weist eine gleichbleibende, konstante Dicke auf, beispielsweise mit einer Toleranz von höchstens 10 %, und ist im Querschnitt rechteckig geformt. Es kann die Abdeckung 42 die Konversionselemente 6 überragen. Anders als dargestellt ist es möglich, dass eine Höhe des Vergusses 41 die Strahlungshauptseiten 30 nicht überragt.According to 7B are the carrier 2 facing away from the potting 41 just shaped. The cover 42 has a constant, constant thickness, for example, with a tolerance of at most 10%, and is rectangular in cross-section. It may be the cover 42 the conversion elements 6 overtop. Other than shown, it is possible that a height of the potting 41 the main radiation sides 30 not towered over.

Wie in 8 dargestellt, ist auf dem Verguss 41 die schichtförmige Abdeckung 42 angebracht, die eine gleichbleibende Dicke aufweisen kann. Die Abdeckung 42 kann durch eine dünne, reflektierende Metallschicht gebildet sein. Ebenso kann die Abbildung als absorbierende Schicht, zum Beispiel mit einer schwarzen Tinte, geformt sein. Anders als in 8 dargestellt, kann der Verguss 41 zwischen den Halbleiterchips 3 auch konvex geformt sein, vergleiche 6. As in 8th is shown on the potting 41 the layered cover 42 attached, which may have a uniform thickness. The cover 42 may be formed by a thin, reflective metal layer. Likewise, the image may be formed as an absorbent layer, for example, with a black ink. Unlike in 8th shown, the potting 41 between the semiconductor chips 3 also convex, compare 6 ,

Beim Ausführungsbeispiel gemäß 9 sind Seitenflächen der Halbleiterchips 3 und Seitenflächen der Konversionselemente 6 mit einer Beschichtung 43 versehen. Die Abschirmung 4 ist durch die Beschichtung 43 realisiert. Die Beschichtung 43 umgibt die Halbleiterchips 3 und die Konversionselemente 6 bevorzugt formschlüssig ringsum und kann reflektierend oder absorbierend für die im Betrieb des Lichtquellenmoduls 1 erzeugte Strahlung ausgeführt sein. Ein Zwischenraum zwischen den Halbleiterchips 3 ist nicht vollständig von der Beschichtung 43 ausgefüllt. Anders als dargestellt ist es möglich, dass die Beschichtung 43 auch den Träger 2 stellenweise bedeckt. According to the embodiment 9 are side surfaces of the semiconductor chips 3 and side surfaces of the conversion elements 6 with a coating 43 Mistake. The shield 4 is through the coating 43 realized. The coating 43 surrounds the semiconductor chips 3 and the conversion elements 6 preferably positively around and can be reflective or absorbent for the operation of the light source module 1 be carried out generated radiation. A gap between the semiconductor chips 3 is not complete from the coating 43 filled. Other than shown it is possible that the coating 43 also the carrier 2 covered in places.

Die Beschichtung 43 ist beispielsweise durch eine Metallschicht oder durch eine etwa aufgedruckte, elektrisch isolierende, reflektierende Schicht gebildet. Optional kann sich zwischen der Beschichtung 43 und den Halbleiterchips 3 eine nicht dargestellte, elektrisch isolierende Schicht befinden. Außerdem optional kann sich zwischen den Halbleiterchips 3, zusätzlich zu der Beschichtung 43, auch ein Verguss 41 und/oder eine Abdeckung 42 befinden, vergleiche die 5 bis 8. The coating 43 is formed for example by a metal layer or by an approximately printed, electrically insulating, reflective layer. Optionally, there may be between the coating 43 and the semiconductor chips 3 a not shown, electrically insulating layer are located. In addition, optional may be between the semiconductor chips 3 , in addition to the coating 43 , also a casting 41 and / or a cover 42 are, compare the 5 to 8th ,

Wie in 10 gezeigt, kann die Beschichtung 43 auf Seitenflächen 65 der Konversionselemente 6 beschräkt sein. As in 10 shown, the coating can be 43 on side surfaces 65 the conversion elements 6 be limited.

Wie auch in Zusammenhang mit 9 ist es möglich, dass sich zwischen den Halbleiterchips 3 zusätzlich der Verguss 41 und/oder die Abdeckung 42 befindet. As in connection with 9 is it possible for that between the semiconductor chips 3 in addition the casting 41 and / or the cover 42 located.

Bevorzugt ist, wie auch in allen anderen Ausführungsbeispielen, den Halbleiterchips 3 eine gemeinsame Optik 7 nachgeordnet. Bei der Optik 7 handelt es sich bevorzugt um eine abbildende Optik. Abweichend von der Darstellung in 10 kann die Optik 7 auch durch mehrere Komponenten gebildet sein. Preferably, as in all other embodiments, the semiconductor chips 3 a common look 7 downstream. In the optics 7 it is preferably an imaging optics. Deviating from the illustration in 10 can the optics 7 also be formed by several components.

In 11 ist in einer schematischen Draufsicht ein weiteres Ausführungsbeispiel des Lichtquellenmoduls 1 gezeigt. Gemäß 11 sind die Halbleiterchips 3 matrixartig in mehreren Spalten und in mehreren Reihen angeordnet. Einzelne Reihen können unabhängig voneinander elektrisch ansteuerbar sein. Bevorzugt sind alle Halbleiterchips 3 unabhängig voneinander betreibbar. In 11 is a schematic plan view of another embodiment of the light source module 1 shown. According to 11 are the semiconductor chips 3 arranged in a matrix in several columns and in several rows. Individual rows can be electrically controlled independently of each other. All semiconductor chips are preferred 3 independently operable.

Die in Verbindung mit den 4 bis 10 gezeigten Abschirmungen 4 können jeweils in den Ausführungsbeispielen gemäß der 1, 2 und 11 Verwendung finden.The in conjunction with the 4 to 10 Shields shown 4 can each in the embodiments according to the 1 . 2 and 11 Find use.

In 12 ist eine mögliche elektrische Verschaltung gezeigt, beispielsweise für das Ausführungsbeispiel des Lichtquellenmoduls 1, wie in 2 illustriert. Die Steckverbindung 88 weist acht Steckerpole 87 auf. Die Steckerpole 87 mit den Nummern 1, 2, 4, 5 und 7 sind mit den Halbleiterchips 3 verbunden. Über die Steckerpole 87 mit den Nummern 3, 6 sowie über die gemeinsame Elektrode 83 sind die Schutzdioden 5, in 12 mit ESD zusätzlich bezeichnet, verschaltet. Der Steckerpol 87 mit der Nummer 8 bildet einen Masseanschluss. In 12 a possible electrical connection is shown, for example, for the embodiment of the light source module 1 , as in 2 illustrated. The plug connection 88 has eight connector poles 87 on. The plug poles 87 with the numbers 1, 2, 4, 5 and 7 are with the semiconductor chips 3 connected. About the connector poles 87 with numbers 3, 6 and via the common electrode 83 are the protective diodes 5 , in 12 additionally denoted by ESD, interconnected. The plug pole 87 with the number 8 forms a ground connection.

In Verbindung mit 13 sind schematisch verschiedene elektrische Anschlussmöglichkeiten der Halbleiterchips 3 gezeigt. Zur Vereinfachung der Darstellung sind die optional vorhandenen Schutzdioden 5 jeweils nicht gezeichnet. Combined with 13 schematically different electrical connection options of the semiconductor chips 3 shown. To simplify the illustration, the optional protective diodes are available 5 each not drawn.

Gemäß der 13A und 13B sind die Halbleiterchips 3 elektrisch parallel geschaltet und über eine gemeinsame Elektrode 83, die eine Anode oder eine Kathode sein kann, verbunden. Gemäß 13C erfolgt die Ansteuerung der einzelnen Halbleiterchips 3 über Zwischenabgriffe. According to the 13A and 13B are the semiconductor chips 3 electrically connected in parallel and via a common electrode 83 which may be an anode or a cathode connected. According to 13C the control of the individual semiconductor chips takes place 3 about intermediate taps.

Bei der Verschaltung, wie in 13D gezeigt, verfügt jeder der Halbleiterchips 3 über zwei eigene Elektroden. Gemäß 13E sind mehrere Reihen der Halbleiterchips 3 jeweils unabhängig voneinander ansteuerbar. In Richtung senkrecht zu den Reihenschaltungen können die Halbleiterchips 3 entlang gerader Linien angeordnet sein. Entlang dieser geraden Linien sind dann die einzelnen Halbleiterchips 3 unabhängig voneinander elektrisch ansteuerbar. In the interconnection, as in 13D As shown, each of the semiconductor chips has 3 via two own electrodes. According to 13E are several rows of semiconductor chips 3 each independently controllable. In the direction perpendicular to the series circuits, the semiconductor chips 3 be arranged along straight lines. Along these straight lines are then the individual semiconductor chips 3 independently controllable electrically.

In 13F ist eine Matrixanordnung gezeigt. Die Halbleiterchips 3 sind über Anoden 82r und Kathoden 82l jeweils einzeln und unabhängig voneinander betreibbar. In 13F a matrix arrangement is shown. The semiconductor chips 3 are about anodes 82r and cathodes 82l each individually and independently operable.

Die in Verbindung mit 13 gezeigten elektrischen Anschlussmöglichkeiten können insbesondere in den Ausführungsbeispielen, wie in den 1 und 2 gezeigt, implementiert sein. Die Leiterbahnen 84 sowie die Kontaktstellen 82 sind entsprechend anzupassen.The in conjunction with 13 shown electrical connection options, in particular in the embodiments, as in the 1 and 2 shown to be implemented. The tracks 84 as well as the contact points 82 should be adjusted accordingly.

Die hier beschriebene Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele beschränkt. The invention described here is not limited by the description based on the embodiments.

Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist. Rather, the invention encompasses any novel feature as well as any combination of features, including in particular any combination of features in the claims, even if this feature or combination itself is not explicitly stated in the patent claims or exemplary embodiments.

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Zitierte PatentliteraturCited patent literature

  • US 8079730 [0002] US8079730 [0002]
  • US 2009/0001490 [0003] US 2009/0001490 [0003]
  • US 2011/0101390 A1 [0055] US 2011/0101390 A1 [0055]

Claims (14)

Lichtquellenmodul (1) mit – einem Träger (2) mit einer Trägeroberseite (20), – mindestens drei einzeln ansteuerbaren optoelektronischen Halbleiterchips (3), die an der Trägeroberseite (20) angebracht sind und die eine der Trägeroberseite (20) abgewandte Strahlungshauptseite (30) aufweisen, und – mindestens einer Abschirmung (4) zwischen benachbarten Halbleiterchips (3), wobei – die Halbeiterchips (3) entlang einer geraden Linie angeordnet sind, in Draufsicht auf die Trägeroberseite (20) gesehen, – ein Abstand (d) zwischen benachbarten Halbleiterchips (3) höchstens ein Viertel einer mittleren Diagonalenlänge der Strahlungshauptseiten (30) der Halbleiterchips (3) beträgt, und – die Abschirmung (4) für von den Halbleiterchips (3) emittierte Strahlung undurchlässig und dazu eingerichtet ist, ein optisches Übersprechen zwischen den Halbleiterchips (3) zu vermindern.Light source module ( 1 ) with a support ( 2 ) with a carrier top ( 20 ), - at least three individually controllable optoelectronic semiconductor chips ( 3 ), which on the carrier top ( 20 ) and one of the carrier top ( 20 ) facing away from the radiation main side ( 30 ), and - at least one shield ( 4 ) between adjacent semiconductor chips ( 3 ), whereby - the semiconductor chips ( 3 ) are arranged along a straight line, in plan view of the carrier top ( 20 ), - a distance (d) between adjacent semiconductor chips ( 3 ) at most one fourth of a mean diagonal length of the main radiation sides ( 30 ) of the semiconductor chips ( 3 ), and - the shielding ( 4 ) for the semiconductor chips ( 3 ) radiation is opaque and is adapted to an optical crosstalk between the semiconductor chips ( 3 ). Lichtquellenmodul (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, das zu einer adaptiven Fahrbahnbeleuchtung eingerichtet ist, wobei die Abschirmung (4) einen zusammenhängenden, einstückigen Verguss (41) umfasst, der diffus reflektierend gestaltet ist und der Strahlungshauptseiten (30) der Halbleiterchips (3), in eine Richtung weg von der Trägeroberseite (20), überragt, und wobei eine Eindringtiefe der von den Halbleiterchips (3) emittierten Strahlung in den Verguss (41) höchstens ein Achtel der mittleren Diagonalenlänge der Strahlungshauptseiten (30) der Halbleiterchips (3) beträgt.Light source module ( 1 ) according to the preceding claim, arranged for adaptive roadway lighting, the shielding ( 4 ) a coherent, integral casting ( 41 ), which is designed diffusely reflecting and the main radiation sides ( 30 ) of the semiconductor chips ( 3 ), in a direction away from the carrier top ( 20 ), and wherein a penetration depth of the semiconductor chips ( 3 ) emitted radiation into the potting ( 41 ) at most one eighth of the average diagonal length of the main radiation sides ( 30 ) of the semiconductor chips ( 3 ) is. Lichtquellenmodul (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Abschirmungen (4) neben dem Verguss (41) mindestens eine strahlungsundurchlässige Abdeckung (42) umfassen, wobei die Abdeckung (42) an einer dem Träger (2) abgewandten Oberseite (40) der Abschirmungen (4) und/oder des Vergusses (41) angebracht ist.Light source module ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which the shields ( 4 ) next to the potting ( 41 ) at least one radiopaque cover ( 42 ), the cover ( 42 ) on a support ( 2 ) facing away from the top ( 40 ) of the shields ( 4 ) and / or the casting ( 41 ) is attached. Lichtquellenmodul (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem der Verguss (41) zwischen den benachbarten Halbleiterchips (3) konkav geformt ist, in einem Querschnitt senkrecht zu der Trägeroberseite (20) gesehen, wobei die Abdeckung (42), im Querschnitt gesehen, konvex geformt ist und den Verguss (41) in Richtung weg von der Trägeroberseite (20) überragt und eine Dicke der Abdeckung (42), entlang einer Richtung parallel zu der Trägeroberseite (20), um mindestens einen Faktor 3 variiert.Light source module ( 1 ) according to the preceding claim, in which the potting ( 41 ) between the adjacent semiconductor chips ( 3 ) is concave, in a cross section perpendicular to the carrier top ( 20 ), the cover ( 42 ), seen in cross-section, is convex and the casting ( 41 ) in the direction away from the carrier top ( 20 ) and a thickness of the cover ( 42 ), along a direction parallel to the carrier top ( 20 ) varies by at least a factor of 3. Lichtquellenmodul (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Abdeckung (42), im Querschnitt gesehen, im Bereich zwischen den Halbleiterchips (3) eine gleichbleibende Dicke aufweist. Light source module ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which the cover ( 42 ), seen in cross-section, in the region between the semiconductor chips ( 3 ) has a constant thickness. Lichtquellenmodul (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem über den Strahlungshauptseiten (30) Konversionselemente (6) zur teilweisen Umwandlung der von den Halbleiterchips (3) emittierten Strahlung in eine Strahlung einer anderen Wellenlänge angebracht sind, wobei die Abschirmungen (4) die Konversionselemente (6), in Draufsicht auf die Trägeroberseite (20), ringsum umgeben und Seitenflächen (65) der Konversionselemente (6) vollständig bedecken.Light source module ( 1 ) according to any one of the preceding claims, wherein above the main radiating sides ( 30 ) Conversion elements ( 6 ) for the partial conversion of the semiconductor chips ( 3 ) radiation are mounted in a radiation of a different wavelength, wherein the shields ( 4 ) the conversion elements ( 6 ), in plan view of the carrier top ( 20 ), surrounded all around and side surfaces ( 65 ) of the conversion elements ( 6 ) completely cover. Lichtquellenmodul (1) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem sich die Abschirmungen (4) stellenweise zwischen die Halbleiterchips (3) und die jeweils zugehörigen Konversionselemente (6) erstrecken.Light source module ( 1 ) according to the preceding claim, in which the shields ( 4 ) in places between the semiconductor chips ( 3 ) and the respectively associated conversion elements ( 6 ). Lichtquellenmodul (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Abschirmungen (4) eine strahlungsundurchlässige Beschichtung (43) umfassen, wobei die Beschichtung (43) die Halbleiterchips (3) in Richtung parallel zur Trägeroberseite (20) ringsum formschlüssig umgibt und einen Zwischenraum zwischen benachbarten Halbleiterchips (3) nur unvollständig ausfüllt.Light source module ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which the shields ( 4 ) a radiopaque coating ( 43 ), wherein the coating ( 43 ) the semiconductor chips ( 3 ) in the direction parallel to the carrier top ( 20 ) surrounds positively around and a gap between adjacent semiconductor chips ( 3 ) only incomplete. Lichtquellenmodul (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Abschirmungen (4) die Halbleiterchips (3) zum Teil überdecken, in Draufsicht auf die Trägeroberseite (20) gesehen. Light source module ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which the shields ( 4 ) the semiconductor chips ( 3 ) partially cover, in plan view of the carrier top ( 20 ) seen. Lichtquellenmodul (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Abschirmungen (4) mindestens bereichsweise absorbierend für die von den Halbleiterchips (2) erzeugte Strahlung gestaltet sind.Light source module ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which the shields ( 4 ) at least partially absorbing for the of the semiconductor chips ( 2 ) generated radiation are designed. Lichtquellenmodul (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem elektrische Anschlusseinrichtungen der Halbleiterchips (3) vollständig von den Abschirmungen (4) überdeckt sind.Light source module ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which electrical connection means of the semiconductor chips ( 3 ) completely from the shields ( 4 ) are covered. Lichtquellenmodul (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Abstand (d) benachbarter Halbleiterchips (3) zwischen einschließlich 50 µm und 400 µm liegt.Light source module ( 1 ) according to any one of the preceding claims, wherein the distance (d) of adjacent semiconductor chips ( 3 ) is between 50 μm and 400 μm inclusive. Lichtquellenmodul (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, das mehrere Schutzdioden (5) zum Schutz vor Schäden durch elektrostatische Entladungen umfasst, wobei jedem der Halbleiterchips (3) eine der Schutzdioden (5) zugeordnet ist.Light source module ( 1 ) according to one of the preceding claims, comprising a plurality of protective diodes ( 5 ) for protection against electrostatic discharge damage, wherein each of the semiconductor chips ( 3 ) one of the protective diodes ( 5 ) assigned. Lichtquellenmodul (1) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem alle Halbleiterchips (3) über eine gemeinsame Elektrode (83), die sich an dem Träger (2) befindet, elektrisch verschaltet sind.Light source module ( 1 ) according to one of the preceding claims, in which all the semiconductor chips ( 3 ) via a common electrode ( 83 ) located on the support ( 2 ), are electrically connected.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2015091005A1 (en) * 2013-12-20 2015-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component and adaptive headlight for a motor vehicle
WO2015162023A1 (en) * 2014-04-23 2015-10-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component
WO2016034492A1 (en) * 2014-09-02 2016-03-10 Philips Lighting Holding B.V. A method of applying a lighting arrangement to a surface and a lighting surface
US9553078B2 (en) 2012-06-28 2017-01-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting diode module and motor vehicle headlight

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19919944A1 (en) * 1998-08-27 2000-03-09 Hewlett Packard Co Arrangement with light emitting diodes with integrated protection against electrostatic discharge
DE102004021233A1 (en) * 2004-04-30 2005-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED array
US20060055309A1 (en) * 2004-09-14 2006-03-16 Masato Ono Light emitting device
US20090001490A1 (en) 2004-07-26 2009-01-01 Georg Bogner Optoelectronic Component that Emits Electromagnetic Radiation and Illumination Module
DE102008019902A1 (en) * 2007-12-21 2009-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and production method for an optoelectronic component
DE102008025923A1 (en) * 2008-05-30 2009-12-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting device
DE102009048856A1 (en) * 2008-10-10 2010-07-01 Stanley Electric Co. Ltd. Semiconductor lighting device and method for producing such
US20110101390A1 (en) 2008-02-29 2011-05-05 OSRAM Opio Semiconductors GmbH Monolithic, Optoelectronic Semiconductor Body and Method for the Production Thereof
US20110254039A1 (en) * 2010-04-15 2011-10-20 Kyu Sang Kim Light emitting diode package, lighting apparatus having the same, and method for manufacturing light emitting diode package
DE102010028407A1 (en) * 2010-04-30 2011-11-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
US8079730B2 (en) 2007-09-27 2011-12-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light source with variable radiation characteristic
US20110309388A1 (en) * 2010-06-16 2011-12-22 Ito Kosaburo Semiconductor light-emitting device and manufacturing method

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19919944A1 (en) * 1998-08-27 2000-03-09 Hewlett Packard Co Arrangement with light emitting diodes with integrated protection against electrostatic discharge
DE102004021233A1 (en) * 2004-04-30 2005-12-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh LED array
US20090001490A1 (en) 2004-07-26 2009-01-01 Georg Bogner Optoelectronic Component that Emits Electromagnetic Radiation and Illumination Module
US20060055309A1 (en) * 2004-09-14 2006-03-16 Masato Ono Light emitting device
US8079730B2 (en) 2007-09-27 2011-12-20 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light source with variable radiation characteristic
DE102008019902A1 (en) * 2007-12-21 2009-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and production method for an optoelectronic component
US20110101390A1 (en) 2008-02-29 2011-05-05 OSRAM Opio Semiconductors GmbH Monolithic, Optoelectronic Semiconductor Body and Method for the Production Thereof
DE102008025923A1 (en) * 2008-05-30 2009-12-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting device
DE102009048856A1 (en) * 2008-10-10 2010-07-01 Stanley Electric Co. Ltd. Semiconductor lighting device and method for producing such
US20110254039A1 (en) * 2010-04-15 2011-10-20 Kyu Sang Kim Light emitting diode package, lighting apparatus having the same, and method for manufacturing light emitting diode package
DE102010028407A1 (en) * 2010-04-30 2011-11-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component
US20110309388A1 (en) * 2010-06-16 2011-12-22 Ito Kosaburo Semiconductor light-emitting device and manufacturing method

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9553078B2 (en) 2012-06-28 2017-01-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting diode module and motor vehicle headlight
WO2015091005A1 (en) * 2013-12-20 2015-06-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component and adaptive headlight for a motor vehicle
CN105830215A (en) * 2013-12-20 2016-08-03 欧司朗光电半导体有限公司 Optoelectronic semiconductor component and adaptive headlight for a motor vehicle
US9964270B2 (en) 2013-12-20 2018-05-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component and adaptive headlight for a motor vehicle
CN105830215B (en) * 2013-12-20 2018-10-12 欧司朗光电半导体有限公司 Photoelectronic semiconductor subassembly and adaptive front lamp for motor vehicles
WO2015162023A1 (en) * 2014-04-23 2015-10-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component
WO2016034492A1 (en) * 2014-09-02 2016-03-10 Philips Lighting Holding B.V. A method of applying a lighting arrangement to a surface and a lighting surface
CN106716003A (en) * 2014-09-02 2017-05-24 飞利浦照明控股有限公司 A method of applying a lighting arrangement to a surface and a lighting surface
JP2017528872A (en) * 2014-09-02 2017-09-28 フィリップス ライティング ホールディング ビー ヴィ Method for applying illumination devices to surfaces and illumination surfaces
CN106716003B (en) * 2014-09-02 2020-03-10 飞利浦照明控股有限公司 Method of applying a lighting arrangement to a surface and a lighting surface

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