WO2015068338A1 - 無機蛍光体粉末、無機蛍光体粉末を用いた硬化性樹脂組成物、波長変換部材および光半導体装置 - Google Patents
無機蛍光体粉末、無機蛍光体粉末を用いた硬化性樹脂組成物、波長変換部材および光半導体装置 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2015068338A1 WO2015068338A1 PCT/JP2014/005254 JP2014005254W WO2015068338A1 WO 2015068338 A1 WO2015068338 A1 WO 2015068338A1 JP 2014005254 W JP2014005254 W JP 2014005254W WO 2015068338 A1 WO2015068338 A1 WO 2015068338A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- fine particles
- inorganic phosphor
- inorganic
- particles
- phosphor
- Prior art date
Links
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 164
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 52
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 46
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 title claims description 46
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 150
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 43
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 235
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 claims description 130
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 97
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 claims description 52
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 29
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims description 28
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 23
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 16
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 6
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 6
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 17
- 239000011859 microparticle Substances 0.000 abstract description 3
- 229910002012 Aerosil® Inorganic materials 0.000 description 32
- -1 rare earth metal ions Chemical class 0.000 description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 25
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 239000000047 product Substances 0.000 description 20
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 17
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 17
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 15
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 description 14
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 14
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 11
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 11
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 11
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 11
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 10
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 10
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 9
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 9
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 9
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 8
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 8
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 8
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 6
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 6
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 6
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 5
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 5
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 description 4
- 150000004645 aluminates Chemical class 0.000 description 4
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 4
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 4
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000009849 vacuum degassing Methods 0.000 description 4
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 3
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 description 3
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 3
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 3
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 3
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 3
- POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N methoxy(trimethyl)silane Chemical compound CO[Si](C)(C)C POPACFLNWGUDSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001404 rare earth metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 3
- 125000005372 silanol group Chemical group 0.000 description 3
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 3
- CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N triethoxy(methyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(OCC)OCC CPUDPFPXCZDNGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AAPLIUHOKVUFCC-UHFFFAOYSA-N trimethylsilanol Chemical compound C[Si](C)(C)O AAPLIUHOKVUFCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical group [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 2
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JOOMLFKONHCLCJ-UHFFFAOYSA-N N-(trimethylsilyl)diethylamine Chemical compound CCN(CC)[Si](C)(C)C JOOMLFKONHCLCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 2
- 229910052586 apatite Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000004429 atom Chemical group 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L barium carbonate Chemical compound [Ba+2].[O-]C([O-])=O AYJRCSIUFZENHW-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L barium sulfate Chemical compound [Ba+2].[O-]S([O-])(=O)=O TZCXTZWJZNENPQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- DCFKHNIGBAHNSS-UHFFFAOYSA-N chloro(triethyl)silane Chemical compound CC[Si](Cl)(CC)CC DCFKHNIGBAHNSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N chlorotrimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)Cl IJOOHPMOJXWVHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 2
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 125000005843 halogen group Chemical group 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 2
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 2
- VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D pentacalcium;fluoride;triphosphate Chemical compound [F-].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[Ca+2].[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O.[O-]P([O-])([O-])=O VSIIXMUUUJUKCM-UHFFFAOYSA-D 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N tetrabutyl silicate Chemical compound CCCCO[Si](OCCCC)(OCCCC)OCCCC UQMOLLPKNHFRAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N tetrapropyl silicate Chemical compound CCCO[Si](OCCC)(OCCC)OCCC ZQZCOBSUOFHDEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(ethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)OCC DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- KKYDYRWEUFJLER-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,10,10,10-heptadecafluorodecyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CCC(F)(F)F KKYDYRWEUFJLER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PHXNQAYVSHPINV-UHFFFAOYSA-N P.OB(O)O Chemical compound P.OB(O)O PHXNQAYVSHPINV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910006360 Si—O—N Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003668 SrAl Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- APDDLLVYBXGBRF-UHFFFAOYSA-N [diethyl-(triethylsilylamino)silyl]ethane Chemical compound CC[Si](CC)(CC)N[Si](CC)(CC)CC APDDLLVYBXGBRF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000004423 acyloxy group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052915 alkaline earth metal silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 description 1
- WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K aluminium hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Al+3] WNROFYMDJYEPJX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical class C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGZGKDQVCBHSGI-UHFFFAOYSA-N butyl(triethoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OCC)(OCC)OCC XGZGKDQVCBHSGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SXPLZNMUBFBFIA-UHFFFAOYSA-N butyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCC[Si](OC)(OC)OC SXPLZNMUBFBFIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical class Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- RSIHJDGMBDPTIM-UHFFFAOYSA-N ethoxy(trimethyl)silane Chemical compound CCO[Si](C)(C)C RSIHJDGMBDPTIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N hexyl(trimethoxy)silane Chemical compound CCCCCC[Si](OC)(OC)OC CZWLNMOIEMTDJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 238000010191 image analysis Methods 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N isocyanuric acid Chemical group OC1=NC(O)=NC(O)=N1 ZFSLODLOARCGLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 1
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N methylhexahydrophthalic anhydride Chemical compound C1CCCC2C(=O)OC(=O)C21C VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KAHVZNKZQFSBFW-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-trimethylsilylmethanamine Chemical compound CN(C)[Si](C)(C)C KAHVZNKZQFSBFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical class [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000004038 photonic crystal Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical compound [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N silanol Chemical class [SiH3]O SCPYDCQAZCOKTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 description 1
- BJQWBACJIAKDTJ-UHFFFAOYSA-N tetrabutylphosphanium Chemical compound CCCC[P+](CCCC)(CCCC)CCCC BJQWBACJIAKDTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ADLSSRLDGACTEX-UHFFFAOYSA-N tetraphenyl silicate Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[Si](OC=1C=CC=CC=1)(OC=1C=CC=CC=1)OC1=CC=CC=C1 ADLSSRLDGACTEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- BJDLPDPRMYAOCM-UHFFFAOYSA-N triethoxy(propan-2-yl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C(C)C BJDLPDPRMYAOCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WVMSIBFANXCZKT-UHFFFAOYSA-N triethyl(hydroxy)silane Chemical compound CC[Si](O)(CC)CC WVMSIBFANXCZKT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(3,3,3-trifluoropropyl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCC(F)(F)F JLGNHOJUQFHYEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LGROXJWYRXANBB-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(propan-2-yl)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C(C)C LGROXJWYRXANBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N trimethoxy(propyl)silane Chemical compound CCC[Si](OC)(OC)OC HQYALQRYBUJWDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005051 trimethylchlorosilane Substances 0.000 description 1
- QHUNJMXHQHHWQP-UHFFFAOYSA-N trimethylsilyl acetate Chemical compound CC(=O)O[Si](C)(C)C QHUNJMXHQHHWQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N trisilane Chemical class [SiH3][SiH2][SiH3] VEDJZFSRVVQBIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K9/00—Use of pretreated ingredients
- C08K9/02—Ingredients treated with inorganic substances
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08K—Use of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
- C08K9/00—Use of pretreated ingredients
- C08K9/04—Ingredients treated with organic substances
- C08K9/06—Ingredients treated with organic substances with silicon-containing compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
- H01L33/502—Wavelength conversion materials
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Definitions
- the present invention relates to an inorganic phosphor powder, a curable resin composition containing the inorganic phosphor powder, a wavelength conversion member made of a cured product of the curable resin composition, and an optical semiconductor device including the cured product.
- an optical semiconductor element such as a light emitting diode (LED) has an excellent characteristic of low power consumption, it is increasingly applied to an optical semiconductor device for outdoor lighting or automobile use.
- Such an optical semiconductor device generally emits light emitted from a semiconductor light emitting element that emits blue light, near ultraviolet light, or ultraviolet light by using a phosphor that is a wavelength conversion material to obtain a pseudo white light.
- This device is capable of emitting light in any color according to the purpose of use, such as light bulb color and white, and is used in a wide range of products.
- phosphors suitable for such a light emitting device various oxide and sulfide phosphors are known to be used.
- the light emission efficiency of the optical semiconductor element and the characteristics of the peripheral members are improved.
- wavelength conversion is also performed. Improvements in efficiency, reliability such as heat resistance and moisture resistance have also been made.
- Patent Document 1 proposes a method of coating phosphor particles with a transparent metal, transition metal, or metalloid oxide.
- the method of Patent Document 1 is not industrial because of complicated processes, and the reliability of the obtained coated phosphor particles is not sufficient.
- Patent Document 2 proposes a method of providing a light extraction structure such as a microlens array on the surface of a thin film phosphor layer using a polymer containing at least one fluorescent powder as a binder.
- the method of Patent Document 2 has a problem that the manufacturing process of the light extraction structure is complicated and not industrial, and may not be used depending on the device structure or the manufacturing process.
- the present invention has been made in order to solve the above-described problems, and is an inorganic phosphor powder, in which inorganic oxide fine particles adhere to the surface of an inorganic phosphor particle used for wavelength conversion, Inorganic phosphor powder characterized in that oxide fine particles have an average particle diameter of 1 nm or more and 10 ⁇ m or less and in a range of 0.1 parts by mass or more and 10 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the inorganic phosphor particles. I will provide a.
- Inorganic phosphor powder with inorganic oxide fine particles attached to the surface of such inorganic phosphor particles can be easily manufactured and also improves the wavelength conversion efficiency of light emitted from the optical semiconductor element, and the optical semiconductor using the same The light extraction efficiency of the apparatus can be improved.
- the inorganic oxide fine particles are preferably silica or alumina. With such inorganic oxide fine particles, there are few volatile components and high transparency can be obtained.
- the inorganic oxide fine particles are hydrophobic silica, and the hydrophobic silica fine particles are formed on the surface of hydrophilic silica fine particles composed of SiO 2 units on the surface of R 1 SiO 3/2 units (R 1 is a substitution). Or an unsubstituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms) and R 2 3 SiO 1/2 unit (wherein R 2 is independently a substituted or unsubstituted monovalent group having 1 to 6 carbon atoms). Hydrophobized by introducing a hydrocarbon group). With such inorganic oxide fine particles, the light extraction efficiency of the optical semiconductor device can be further improved.
- the fine particles of the hydrophobic silica have a particle size of 0.005 ⁇ m or more and 1.00 ⁇ m or less, a particle size distribution D 90 / D 10 value of 3 or less, and an average circularity of 0.8 or more and 1 or less. It is preferable that. With such silica fine particles, the fluidity of the inorganic phosphor particles can be easily controlled.
- a curable resin composition used for an optical semiconductor device which is one or more selected from an epoxy resin, a silicone resin, an organically modified silicone resin, and an acrylic resin, and any one of the above inorganic
- a curable resin composition comprising phosphor powder. If it is such a curable resin composition, the cured
- the wavelength conversion member which consists of hardened
- an optical semiconductor device provided with an optical semiconductor element and the hardened
- Such a wavelength conversion member and an optical semiconductor device can easily increase the wavelength conversion efficiency of light emitted from the optical semiconductor element and improve the light extraction efficiency of the optical semiconductor device using the same.
- the inorganic phosphor powder obtained by the present invention in which inorganic oxide fine particles are adhered to the surface of the inorganic phosphor particles can be industrially manufactured and has a simple configuration, while converting the wavelength of light emitted from the optical semiconductor element. The efficiency is improved, and an optical semiconductor device using the same improves the light extraction efficiency.
- the electron micrograph of the inorganic fluorescent substance powder composition which made the spherical hydrophobic silica fine particle manufactured by the synthesis example of the preparation example 1 adhere to the inorganic fluorescent substance powder surface is shown.
- the electron micrograph of the inorganic fluorescent substance composition which made the fine alumina particle of the preparation example 2 adhere to the inorganic fluorescent substance powder surface is shown.
- the electron micrograph of the untreated inorganic fluorescent substance of the preparation example 4 is shown.
- An example of the figure of the optical semiconductor device using inorganic fluorescent substance powder is shown.
- the present inventors have obtained an inorganic phosphor powder having an average particle diameter of 1 nm or more and 10 ⁇ m or less on the surface of the inorganic phosphor particles used for wavelength conversion.
- the inorganic phosphor powder wherein the inorganic oxide fine particles are a powder adhered in a range of 0.1 parts by mass or more and 10 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the inorganic phosphor particles.
- the present inventors have found that the above problems can be achieved.
- an inorganic phosphor powder having inorganic oxide fine particles on a surface suitable as a wavelength conversion material for LED elements a curable resin composition containing the inorganic phosphor powder, a cured product of the curable resin composition, and the cured product It came to complete the optical semiconductor device provided with the wavelength conversion member which consists of, and the said hardened
- the inorganic phosphor powder having the inorganic oxide fine particles attached to the surface of the inorganic phosphor particles in the present invention increases the wavelength conversion efficiency of the light emitted from the optical semiconductor element. Therefore, the inorganic phosphor powder is used. In the optical semiconductor device, the light extraction efficiency is improved.
- the present invention provides an inorganic phosphor powder having inorganic oxide fine particles on the surface of inorganic phosphor particles, a curable resin composition containing the inorganic phosphor powder, and a wavelength conversion comprising a cured product of the curable resin composition.
- An optical semiconductor device using the member and the cured product is provided.
- the present invention is an inorganic phosphor powder in which inorganic oxide fine particles are adhered to the surface of inorganic phosphor particles used for wavelength conversion by physical adsorption or the like, and has a shape as illustrated in FIGS. 1 and 2. It is characterized by having.
- Inorganic phosphor particles generally have a smooth surface as illustrated in FIG. 3.
- inorganic phosphor particles for performing such wavelength conversion are used. Is irradiated with blue light, and the wavelength-converted wavelength light is emitted from the phosphor, and the blue light and the wavelength-converted wavelength light are combined into a pseudo white color.
- the inorganic phosphor particles have a smooth and nearly mirror-like surface, light is not efficiently wavelength-converted due to the total reflection phenomenon. That is, due to the total reflection phenomenon, it is difficult for blue light to enter the inside of the inorganic phosphor, and light having a wavelength converted wavelength is not easily extracted outside the phosphor due to the total reflection phenomenon. As a result, the wavelength conversion efficiency is reduced.
- the surface of the inorganic phosphor is simulated, so-called photo.
- a structure similar to a nick crystal structure and a low reflection structure (antireflection structure) is provided.
- the total reflection phenomenon is alleviated, blue light easily enters the inside of the inorganic phosphor, and light having a wavelength converted wavelength is easily extracted outside the phosphor. For this reason, the wavelength conversion efficiency increases, and the light extraction efficiency of the optical semiconductor device can be improved.
- the inorganic phosphor particles to be subjected to the surface treatment method of the present invention are not particularly limited.
- phosphors are not particularly limited.
- Nitride-based phosphor particles mainly activated by lanthanoid elements such as Eu and Ce are M 2 Si 5 N 8 : Eu (M is at least one selected from Sr, Ca, Ba, Mg, Zn) There is).
- MSi 7 N 10: Eu, M 1.8 Si 5 O 0.2 N 8: Eu, M 0.9 Si 7 O 0.1 N 10: Eu (M is the same) is like also.
- Examples of the oxynitride phosphor particles mainly activated by lanthanoid elements such as Eu and Ce include MSi 2 O 2 N 2 : Eu (M is the same as described above).
- R (M is the same as described above) for alkaline earth halogen apatite phosphor particles mainly activated by lanthanoid-based elements such as Eu and transition metal-based elements such as Mn.
- X is at least one selected from F, Cl, Br, and I.
- R is any one or more of Eu and Mn).
- the alkaline earth metal borate halogen phosphor particles include M 2 B 5 O 9 X: R (M is the same as described above, and X is at least one selected from F, Cl, Br, and I). R is one or more of Eu and Mn).
- Alkaline earth metal aluminate phosphor particles include SrAl 2 O 4 : R, Sr 4 Al 14 O 25 : R, CaAl 2 O 4 : R, BaMg 2 Al 16 O 27 : R, BaMg 2 Al 16 O 12 : R, BaMgAl 10 O 17 : R (R is one or more of Eu and Mn).
- alkaline earth metal sulfide phosphor particles examples include La 2 O 2 S: Eu, Y 2 O 2 S: Eu, and Gd 2 O 2 S: Eu.
- the rare earth aluminate phosphor particles mainly activated with a lanthanoid element such as Ce include Y 3 Al 5 O 12 : Ce, (Y 0.8 Gd 0.2 ) 3 Al 5 O 12 : Ce, Y 3 (Al 0.8 Ga 0.2 ) 5 O 12 : Ce, (Y, Gd) 3 (Al, Ga) 5 O 12 and other YAG phosphor particles represented by the composition formula. Further, there are Tb 3 Al 5 O 12 : Ce, Lu 3 Al 5 O 12 : Ce, etc. in which a part or all of Y is substituted with Tb, Lu or the like.
- phosphor particles include ZnS: Eu, Zn 2 GeO 4 : Mn, MGa 2 S 4 : Eu (M is at least one selected from Sr, Ca, Ba, Mg, Zn. X is And at least one selected from F, Cl, Br, and I).
- the phosphor particles described above contain one or more selected from Tb, Cu, Ag, Au, Cr, Nd, Dy, Co, Ni, Ti instead of Eu or in addition to Eu as desired. It can also be made.
- phosphor particles other than the above-described phosphor particles and having the same performance and effect can be used.
- the Ca—Al—Si—O—N-based oxynitride glass phosphor particles are expressed in mol%, and 20 to 50 mol% of CaCO 3 in terms of CaO, and 0 to 30 mol of Al 2 O 3. %, SiO is 25 to 60 mol%, AlN is 5 to 50 mol%, rare earth oxide or transition metal oxide is 0.1 to 20 mol%, and the total of the five components is 100 mol%. Is a phosphor particle using as a base material.
- the nitrogen content is preferably 15 wt% or less, and other rare earth element ions serving as a sensitizer in addition to the rare earth oxide ions are rare earth oxides.
- a co-activator it is preferably contained in the fluorescent glass at a content in the range of 0.1 to 10 mol%.
- metal oxides typified by Y 2 O 3 , Zn 2 SiO 4, etc., which are crystal bases, metal nitrides typified by Sr 2 Si 5 N 8, etc. , Phosphates typified by Ca 5 (PO 4 ) 3 Cl, and sulfides typified by ZnS, SrS, CaS, etc., Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho,
- a combination of rare earth metal ions such as Er, Tm and Yb and metal ions such as Ag, Cu, Au, Al, Mn and Sb as activators or coactivators is preferred.
- the inorganic oxide fine particles are metal, transition metal or metalloid oxide fine particles, and are made of, for example, an oxide of a metal selected from one or more of Si, Ti, Al, Zr, Mg, Ge, Y and the like. It is characterized by being. In order to obtain the effect of improving the wavelength conversion efficiency of phosphors having various shapes and specific gravities in the target product, it may be selected so as to obtain a moderately attached state on the phosphor surface. An inorganic oxide fine particle having a corresponding refractive index may be used. A wavelength conversion function may be imparted to the inorganic oxide fine particles. In any case, it is convenient to use a commercially available product.
- Suitable examples of inorganic oxide fine particles include silica, alumina, magnesium oxide, zirconium oxide, titanium oxide and other antimony oxides, aluminum hydroxide, barium sulfate, magnesium carbonate, and barium carbonate.
- silica and alumina which have few volatile components and can provide high transparency, are preferably used.
- silica produced by a dry method such as fumed silica or fused silica, or silica produced by a wet method such as colloidal silica, sol-gel silica, or precipitated silica can be used.
- fumed silica is preferable from the viewpoint of easy adhesion.
- the fumed silica include AEROSIL (R) 90, AEROSIL (R) 130, AEROSIL (R) 150, AEROSIL (R) 200, AEROSIL (R) manufactured by Nippon Aerosil Co., Ltd.
- AEROSIL (R) 380 AEROSIL (R) OX50, AEROSIL (R) EG50, AEROSIL (R) TT600, Leoroseal QS-09, QS-10L, QS-10, QS-102 manufactured by Tokuyama Corporation CP-102, QS-20L, QS-20, QS-25C, QS-30, QS-30C, QS-40 and the like.
- silicone powder which consists of polyorganosilsesquioxane resin, the silicone powder which has polyorganosilsesquioxane resin in part or all of the surface, and the hydrophobic spherical silica fine particle described below. These may be used alone or in combination of two or more.
- Alumina generally has an ⁇ -phase crystal structure, but it may contain an intermediate phase such as a ⁇ -phase, a ⁇ -phase, or a ⁇ -phase. From the viewpoint of the stability of alumina, ⁇ -alumina is preferably used. Specific examples of alumina include A30 series, AN series, A40 series, MM series, LS series, AHP series manufactured by Nippon Light Metal Co., Ltd., “Admafine Alumina” (trade name) AO-5 type, AO-8 type manufactured by Admatechs. , Nippon Bikosky CR series, Daimei Chemical Co., Ltd.
- Tymicron Aldrich 10 ⁇ m 2 diameter alumina powder
- the particle diameter of the inorganic oxide fine particles is 1 nm or more and 10 ⁇ m or less, more preferably 50 nm or more and 5 ⁇ m or less. Aggregation tends to occur with fine particles of less than 1 nm, and the individual particles of the inorganic oxide fine particles cannot maintain the primary particle diameter, which may deteriorate the ability to impart fluidity to the inorganic phosphor particles. If fine particles with a particle size exceeding 10 ⁇ m are added, a structure similar to a so-called photonic crystal structure or low reflection structure (antireflection structure) that improves wavelength conversion efficiency cannot be obtained, and causes nozzle clogging during the dispensing process. There is a fear.
- the addition amount of the inorganic oxide fine particles is in a range of 0.1 parts by mass or more and 10 parts by mass or less with respect to 100 parts by mass of the particle inorganic phosphor because an effect of improving the wavelength conversion efficiency may be obtained. More preferably, it is 5 parts by mass or less. In order to acquire the addition effect, 0.1 mass part or more is required. If the amount added is too large, it may cause nozzle clogging during the dispensing process. Moreover, when this addition amount exceeds 10 mass parts, it is not preferable in terms of cost.
- the inorganic oxide fine particles may be surface-treated with a silane coupling agent for the purpose of maintaining the state where the inorganic oxide fine particles are adhered to the surface of the inorganic phosphor particles.
- a silane coupling agent for the purpose of maintaining the state where the inorganic oxide fine particles are adhered to the surface of the inorganic phosphor particles.
- silane coupling agent an alkyl group-containing silane coupling agent, an alkenyl group-containing silane coupling agent, an epoxy group-containing silane coupling agent, a (meth) acryl group-containing silane coupling agent, an isocyanate group-containing silane coupling agent
- examples include known isocyanurate group-containing silane coupling agents, amino group-containing silane coupling agents, mercapto group-containing silane coupling agents, and the like.
- the method for attaching the inorganic oxide fine particles to the surface of the inorganic phosphor particles is not particularly limited.
- a Henschel mixer, a V-type blender, a ribbon blender, a raking machine, a kneader mixer, a butterfly mixer, or a mixer of various types such as a normal propeller stirrer, or a mixing with a revolving stirrer A predetermined amount of each component may be mixed uniformly.
- the inside of the stirring system may be evacuated for the purpose of improving the adhesion rate of the inorganic fine particles.
- Hydrophobic silica fine particles are formed on the surface of hydrophilic silica fine particles composed of SiO 2 units by R 1 SiO 3/2 units (R 1 is a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms. And R 2 3 SiO 1/2 units (R 2 is independently a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms). Preferably there is.
- the fine particles of the hydrophobic silica have a particle size of 0.005 ⁇ m or more and 1.00 ⁇ m or less, a particle size distribution D 90 / D 10 value of 3 or less, and an average circularity of 0.8 or more and 1 or less. It is preferable that.
- the hydrophobic spherical silica fine particles used in the present invention are (A1) obtaining a hydrophilic spherical silica fine particle substantially consisting of SiO 2 units by hydrolyzing and condensing a tetrafunctional silane compound, a partial hydrolysis-condensation product thereof, or a combination thereof; (A2) R 1 SiO 3/2 units (wherein R 1 is a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms) are introduced onto the surface of the hydrophilic spherical silica fine particles.
- the hydrophobic spherical silica fine particles have a particle size of 0.005 ⁇ m to 1.00 ⁇ m, preferably 0.01 ⁇ m to 0.30 ⁇ m, particularly preferably 0.03 ⁇ m to 0.20 ⁇ m. If the particle diameter is 0.005 ⁇ m or more, the inorganic phosphor particles can be taken out well without vigorous aggregation of the inorganic phosphor particles. Moreover, favorable fluidity
- the value of D 90 / D 10 which is an index of the particle size distribution of the hydrophobic spherical silica fine particles is 1 or more and 3 or less.
- D 10 and D 90 are values obtained by measuring the particle size distribution.
- the particle size distribution of the powder is measured, the particle size that becomes 10% cumulative from the smaller side is called D 10 , and the particle size that becomes 90% cumulative from the smaller side is called D 90 . Since this D 90 / D 10 is 3 or less, the particle size distribution of the hydrophobic spherical silica fine particles in the present invention is sharp. Thus, it is preferable that the particles have a sharp particle size distribution because it is easy to control the fluidity of the inorganic phosphor particles.
- the D 90 / D 10 is more preferably 2.9 or less.
- the particle size distribution of the fine particles is measured by a dynamic light scattering method / laser Doppler nanotrack particle size distribution measuring apparatus (trade name: UPA-EX150, manufactured by Nikkiso Co., Ltd.), and the volume-based median diameter is calculated. The particle diameter was taken. The median diameter is a particle diameter corresponding to 50% cumulative when the particle size distribution is expressed as a cumulative distribution.
- the average circularity of the hydrophobic spherical silica fine particles is preferably from 0.82 to 1 because it is excellent in the effect of preventing aggregation of silica fine particles and the effect of imparting fluidity to the inorganic phosphor particles. More preferred.
- “spherical” includes not only a true sphere but also a slightly distorted sphere. Such a “spherical” shape refers to a particle having a circularity in the range of 0.8 to 1 when evaluated by the circularity when the particles are projected two-dimensionally.
- the circularity is (peripheral length of a circle equal to the particle area) / (peripheral length of particle). This circularity can be measured by image analysis of a particle image obtained with an electron microscope or the like.
- the hydrolyzable group (hydrocarbyloxy group) derived from the tetrafunctional silane compound as a raw material and / or its partial hydrolysis-condensation product is not partially converted into a silanol group, but a slight amount of fine particles as it is. It means that it may remain on the surface or inside.
- a small particle size sol-gel silica obtained by hydrolysis of tetraalkoxysilane is used as a silica base (silica before hydrophobization treatment).
- the particle diameter after the hydrophobization treatment is maintained as the primary particle diameter of the silica base when obtained as a powder, but is a small particle diameter that is not agglomerated, Hydrophobic silica fine particles that can impart good fluidity to the inorganic phosphor particles are obtained.
- the silica base material having a small particle diameter is subjected to a specific surface treatment to obtain desired hydrophobic silica fine particles.
- the hydrophobic spherical silica fine particles of the present invention are Step (A1): Step of synthesizing hydrophilic spherical silica fine particles Step (A2): Surface treatment step with trifunctional silane compound Step (A3): Obtained by a surface treatment step with a functional silane compound.
- Step (A1) Step of synthesizing hydrophilic spherical silica fine particles
- Step (A2) Surface treatment step with trifunctional silane compound
- Step (A3) Obtained by a surface treatment step with a functional silane compound.
- each process is demonstrated one by one.
- Step (A1) Step of synthesizing hydrophilic spherical silica fine particles
- R 3 is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, preferably a monovalent hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, particularly preferably 1 to 2 carbon atoms.
- Examples of the monovalent hydrocarbon group represented by R 3 include an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a butyl group; and an aryl group such as a phenyl group, preferably a methyl group, An ethyl group, a propyl group, or a butyl group, particularly preferably a methyl group or an ethyl group.
- Examples of the tetrafunctional silane compound represented by the general formula (I) include tetraalkoxysilanes such as tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetrapropoxysilane, and tetrabutoxysilane; and tetraphenoxysilane, preferably , Tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetrapropoxysilane and tetrabutoxysilane, particularly preferably tetramethoxysilane and tetraethoxysilane.
- Examples of the partial hydrolysis-condensation product of the tetrafunctional silane compound represented by the general formula (I) include alkyl silicates such as methyl silicate and ethyl silicate.
- the hydrophilic organic solvent is not particularly limited as long as it dissolves the tetrafunctional silane compound represented by the general formula (I), the partial hydrolysis-condensation product, and water.
- alcohols Cellosolves such as methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, cellosolve acetate; ketones such as acetone and methylethylketone; ethers such as dioxane and tetrahydrofuran, and the like, preferably alcohols and cellosolves.
- Examples include alcohols.
- Examples of the alcohol include general formula (V): R 5 OH (V) (Wherein R 5 is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms).
- R 5 is a monovalent hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, preferably a monovalent hydrocarbon group having 1 to 4 carbon atoms, particularly preferably 1 to 2 carbon atoms.
- Examples of the monovalent hydrocarbon group represented by R 5 include alkyl groups such as methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group and butyl group, preferably methyl group, ethyl group, propyl group and isopropyl group.
- a methyl group and an ethyl group are mentioned.
- Examples of the alcohol represented by the general formula (V) include methanol, ethanol, propanol, isopropanol, butanol and the like, preferably methanol and ethanol.
- methanol is preferable in order to obtain silica particles having a desired small particle diameter.
- examples of the basic substance include ammonia, dimethylamine, diethylamine and the like, preferably ammonia, diethylamine, and particularly preferably ammonia. These basic substances may be dissolved in water in a required amount, and the obtained aqueous solution (basic) may be mixed with the hydrophilic organic solvent.
- the basic substance is used in an amount of 0.01 to 2 mol with respect to a total of 1 mol of the hydrocarbyloxy group of the tetrafunctional silane compound represented by the general formula (I) and / or its partial hydrolysis-condensation product. Preferably, it is 0.02 to 0.5 mol, more preferably 0.04 to 0.12 mol. At this time, the smaller the amount of the basic substance, the desired small particle size silica fine particles.
- the amount of water used in the hydrolysis and condensation is 0.000 per 1 mol in total of the hydrocarbyloxy groups of the tetrafunctional silane compound represented by the general formula (I) and / or the partial hydrolysis condensation product thereof.
- the amount is preferably 5 to 5 mol, more preferably 0.6 to 2 mol, and particularly preferably 0.7 to 1 mol.
- the ratio of the hydrophilic organic solvent to water is preferably 0.5 to 10, more preferably 3 to 9, and more preferably 5 to 8 in terms of mass ratio. Particularly preferred. As the amount of the hydrophilic organic solvent increases, silica particles having a desired small particle diameter can be obtained.
- Hydrolysis and condensation of the tetrafunctional silane compound represented by the general formula (I) can be carried out by a well-known method, that is, in a mixture of a hydrophilic organic solvent containing a basic substance and water in the general formula (I). It is performed by adding a tetrafunctional silane compound or the like shown.
- the concentration of silica particles in the mixed solvent dispersion of hydrophilic spherical silica particles obtained in this step (A1) is generally 3 to 15% by mass, preferably 5 to 10% by mass.
- the general formula (II): R 1 Si (OR 4 ) 3 (II) (Wherein R 1 is a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, and each R 4 is the same or different monovalent hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms)
- the surface of the hydrophilic spherical silica fine particle is treated by adding the trifunctional silane compound represented by the formula (1) or a partial hydrolysis product thereof, or a mixture thereof, and treating the surface of the hydrophilic spherical silica fine particle thereby.
- R 1 SiO 3/2 units (where R 1 is as described above) are introduced into to obtain a mixed solvent dispersion of the first hydrophobic spherical silica fine particles.
- This step (A2) is indispensable for suppressing the aggregation of silica fine particles in the subsequent concentration step (A3). If the aggregation cannot be suppressed, the individual particles of the obtained silica-based powder cannot maintain the primary particle diameter, and the fluidity imparting ability is deteriorated.
- R 1 is a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, preferably 1 to 3 carbon atoms, particularly preferably 1 to 2 carbon atoms. It is a hydrogen group.
- the monovalent hydrocarbon group represented by R 1 include alkyl groups such as methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, butyl group and hexyl group, preferably methyl group, ethyl group, n -A propyl group or an isopropyl group, particularly preferably a methyl group or an ethyl group.
- some or all of the hydrogen atoms of these monovalent hydrocarbon groups may be substituted with halogen atoms such as fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, preferably fluorine atom.
- R 4 is the same or different monovalent hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, preferably 1 to 3 carbon atoms, particularly preferably 1 to 2 monovalent hydrocarbon groups. It is a group.
- Examples of the monovalent hydrocarbon group represented by R 4 include an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, and a butyl group, preferably a methyl group, an ethyl group, or a propyl group, and particularly preferably a methyl group. Or an ethyl group is mentioned.
- Examples of the trifunctional silane compound represented by the general formula (II) include methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, and n-propyltriethoxy.
- Unsubstituted or halogen-substituted trisilane such as silane, isopropyltrimethoxysilane, isopropyltriethoxysilane, butyltrimethoxysilane, butyltriethoxysilane, hexyltrimethoxysilane, trifluoropropyltrimethoxysilane, heptadecafluorodecyltrimethoxysilane Alkoxysilane, etc., preferably methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, ethyltrimethoxysilane and ethyltriethoxysilane, more preferably methyltrimethoxy Run and methyltriethoxysilane, or they partially hydrolyzed condensation products thereof.
- the addition amount of the trifunctional silane compound represented by the general formula (II) is 0.001 to 1 mol, preferably 0.01 to 0.1 mol, per mol of Si atom of the hydrophilic spherical silica fine particles used. Particularly preferred is 0.01 to 0.05 mol.
- the added amount is 0.001 mol or more, the resulting hydrophobic spherical silica fine particles have good dispersibility. Therefore, the effect of imparting fluidity to the inorganic phosphor particles appears, and if it is 1 mol or less, the silica fine particles Aggregation does not occur.
- the concentration of the silica fine particles in the mixed solvent dispersion of the first hydrophobic spherical silica fine particles obtained in this step (A2) is usually 3% by mass or more and less than 15% by mass, preferably 5 to 10% by mass. When the concentration is within this range, productivity is improved and silica fine particles are not aggregated.
- a part of the hydrophilic organic solvent and water is removed from the mixed solvent dispersion liquid of the first hydrophobic spherical silica fine particles thus obtained and concentrated to mix the first hydrophobic spherical silica fine particles.
- a solvent-concentrated dispersion is obtained.
- a hydrophobic organic solvent may be added in advance (before the concentration step) or during the concentration step.
- the hydrophobic solvent used is preferably a hydrocarbon or ketone solvent.
- Specific examples of the solvent include toluene, xylene, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone and the like, and methyl isobutyl ketone is preferable.
- Examples of the method for removing a part of the hydrophilic organic solvent and water include distillation and distillation under reduced pressure.
- the concentrated dispersion obtained has a silica fine particle concentration of preferably 15 to 40% by mass, more preferably 20 to 35% by mass, and particularly preferably 25 to 30% by mass.
- the amount is 15% by mass or more, the surface treatment of the subsequent process proceeds smoothly, and when the amount is 40% by mass or less, the aggregation of silica fine particles does not occur.
- the silazane compound represented by the general formula (III) and the monofunctional silane compound represented by the general formula (IV) used as the surface treatment agent in the next step (A3) are mixed with alcohol or water. Significance of suppressing problems such that the surface treatment is insufficient due to reaction, aggregation occurs when drying is performed thereafter, and the resulting silica powder cannot maintain the primary particle size and the fluidity imparting ability deteriorates. There is also.
- the general formula (III): R 2 3 SiNHSiR 2 3 (III) (In the formula, each R 2 is the same or different substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms) Or a silazane compound represented by formula (IV): R 2 3 SiX (IV) (Wherein R 2 is as defined in the general formula (III) and X is an OH group or a hydrolyzable group), and a monofunctional silane compound or a mixture thereof is added, whereby By treating the surface of the first hydrophobic spherical silica fine particles and introducing R 2 3 SiO 1/2 units (where R 2 is as defined in the general formula (III)) to the surface of the fine particles, Two hydrophobic spherical silica fine particles are obtained. By the treatment in this step,
- R 2 is the same or different substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, preferably 1 to 4 carbon atoms, A monovalent hydrocarbon group of 1 to 2 is preferred.
- the monovalent hydrocarbon group represented by R 2 is, for example, an alkyl group such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group or a butyl group, preferably a methyl group, an ethyl group or a propyl group, particularly preferably , Methyl group or ethyl group.
- some or all of the hydrogen atoms of these monovalent hydrocarbon groups may be substituted with halogen atoms such as fluorine atom, chlorine atom, bromine atom, preferably fluorine atom.
- Examples of the hydrolyzable group represented by X include a chlorine atom, an alkoxy group, an amino group, and an acyloxy group, preferably an alkoxy group or an amino group, and particularly preferably an alkoxy group.
- Examples of the silazane compound represented by the general formula (III) include hexamethyldisilazane and hexaethyldisilazane, preferably hexamethyldisilazane.
- Examples of the monofunctional silane compound represented by the general formula (IV) include monosilanol compounds such as trimethylsilanol and triethylsilanol; monochlorosilanes such as trimethylchlorosilane and triethylchlorosilane; monoalkoxy such as trimethylmethoxysilane and trimethylethoxysilane.
- Silane Silane; monoaminosilane such as trimethylsilyldimethylamine and trimethylsilyldiethylamine; monoacyloxysilane such as trimethylacetoxysilane, preferably trimethylsilanol, trimethylmethoxysilane or trimethylsilyldiethylamine, particularly preferably trimethylsilanol or trimethylmethoxysilane It is done.
- monoaminosilane such as trimethylsilyldimethylamine and trimethylsilyldiethylamine
- monoacyloxysilane such as trimethylacetoxysilane, preferably trimethylsilanol, trimethylmethoxysilane or trimethylsilyldiethylamine, particularly preferably trimethylsilanol or trimethylmethoxysilane It is done.
- the amount of the silazane compound and / or functional silane compound used is 0.1 to 0.5 mol, preferably 0.2 to 0.4 mol, relative to 1 mol of Si atoms in the hydrophilic spherical silica fine particles used. Particularly preferred is 0.25 to 0.35 mol. If the amount used is 0.1 mol or more, the dispersibility of the resulting hydrophobic silica fine particles will be improved, so that an effect of imparting fluidity to the inorganic phosphor particles appears. When the amount used is 0.5 mol or less, it is economically advantageous.
- the hydrophobic spherical silica fine particles can be obtained as a powder by a conventional method such as atmospheric drying or reduced pressure drying.
- the present invention can be made into a curable resin composition by mixing and dispersing a powder in which inorganic oxide fine particles adhere to the surface of inorganic phosphor particles used for wavelength conversion in a curable resin composition.
- the curable resin composition of the present invention is a curable resin composition used for an optical semiconductor device, and one or more selected from an epoxy resin, a silicone resin, an organically modified silicone resin, and an acrylic resin, and the above Inorganic phosphor powder is included.
- the curable resin composition is at least one selected from an epoxy resin, a silicone resin, an organically modified silicone resin, an acrylic resin, and a modified epoxy resin, and has a viscosity at room temperature of 100 mPa ⁇ s to 10,000 mPa ⁇ s. Preferably they are 100 mPa * s or more and 5000 mPa * s or less.
- the curable resin composition of the present invention is more preferably a silicone resin or an organically modified silicone resin from the viewpoints of transparency, heat resistance, and light resistance.
- the curable resin composition of the present invention is useful as an optical coating material such as a light-emitting diode and an LED element sealing material, and a wavelength conversion member. If the curable resin composition is used, a commercially available product may be used. it can. Curing conditions may follow the specified conditions of each curable resin composition.
- KER-2500 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), KER6110 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), SCR1012 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), and STYCAST2017M4 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) Henkel Japan Co., Ltd.), W0922 (Daicel Chemical Industries Co., Ltd.), and the like, but are not limited thereto.
- the wavelength conversion member which consists of hardened
- an optical semiconductor device provided with an optical semiconductor element and the hardened
- Such a wavelength conversion member and optical semiconductor device can increase the wavelength conversion efficiency of light emitted from the optical semiconductor element, and can improve the light extraction efficiency of the wavelength conversion member and optical semiconductor device using the same. Moreover, since phosphor powder can be industrially produced and provided relatively easily, a wavelength conversion member and an optical semiconductor device using the phosphor powder can be made low-cost and high-quality.
- Step (A1) Step of synthesizing hydrophilic spherical silica fine particles
- Step (A1) Step of synthesizing hydrophilic spherical silica fine particles
- a 3 liter glass reactor equipped with a stirrer, a dropping funnel, and a thermometer
- 989.5 g of methanol, 135.5 g of water, and 66.5 g of 28% aqueous ammonia were mixed.
- This solution was prepared to 35 ° C., and 436.5 g (2.87 mol) of tetramethoxysilane was added dropwise over 6 hours while stirring. Even after the completion of the dropwise addition, the suspension was further stirred for 0.5 hours for hydrolysis to obtain a suspension of hydrophilic spherical silica fine particles.
- Step (A2) Surface treatment step with trifunctional silane compound
- an ester adapter and a condenser tube are attached to a glass reactor, and the resulting dispersion is heated to 60 to 70 ° C. to distill off 1021 g of a mixture of methanol and water, and concentrated in a mixed solvent of hydrophobic spherical silica fine particles. A dispersion was obtained. At this time, the content of the hydrophobic spherical silica fine particles in the concentrated dispersion was 28% by mass.
- Step (A3) Surface treatment step with a functional silane compound
- the dispersion After adding 138.4 g (0.86 mol) of hexamethyldisilazane to the concentrated dispersion obtained in step (A2) at room temperature, the dispersion is heated to 50-60 ° C. and reacted for 9 hours. As a result, the silica fine particles in the dispersion were trimethylsilylated.
- the solvent in this dispersion was distilled off at 130 ° C. under reduced pressure (6650 Pa) to obtain 186 g of hydrophobic spherical silica fine particles (1).
- the hydrophilic spherical silica fine particles obtained in the step (A1) were measured according to the following measuring method 1. Further, the hydrophobic spherical silica fine particles obtained through the respective steps (A1) to (A3) were measured according to the following measuring methods 2 to 3.
- Step (A1) Silica fine particle suspension was added to methanol so that the silica fine particle might be 0.5 mass%, and the fine particle was dispersed by applying ultrasonic waves for 10 minutes.
- the particle size distribution of the fine particles treated in this way is measured by a dynamic light scattering method / laser Doppler nanotrack particle size distribution measuring device (trade name: UPA-EX150, manufactured by Nikkiso Co., Ltd.), and the volume-based median diameter is measured by the particle size.
- the median diameter is a particle diameter corresponding to 50% cumulative when the particle size distribution is expressed as a cumulative distribution.
- the particle diameter of the hydrophobic silica fine particles finally obtained in the synthesis example of the hydrophobic spherical silica fine particles according to the above is 52 nm
- the particle size distribution D 90 / D 10 is 2.21
- the shape is spherical
- the circularity is 0.86.
- Preparation Example 2 100 parts by mass of inorganic phosphor particles and 2 parts by mass of alumina (trade name: Aeroxide AluC805, made by Aerosil Co., Ltd., primary particle size: 15 nm) as inorganic oxide fine particles, a self-revolving stirrer (product name: ARV-310, manufactured by Shinky Co., Ltd.) ) And using a vacuum degassing mechanism, the mixture was uniformly mixed at 800 rpm for 3 minutes to obtain a phosphor (2).
- alumina trade name: Aeroxide AluC805, made by Aerosil Co., Ltd., primary particle size: 15 nm
- ARV-310 self-revolving stirrer
- Example 1 A curable resin composition (1) was prepared by using KER2500 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as the silicone resin composition and phosphor (1) as the phosphor.
- Example 2 A curable resin composition (2) was prepared using KER2500 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as the silicone resin composition and phosphor (2) as the phosphor.
- Example 3 A curable resin composition (3) was prepared by using KER2500 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as the silicone resin composition and phosphor (3) as the phosphor.
- Example 4 A curable resin composition (4) was prepared by using SCR 1012 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as the organically modified silicone resin composition and phosphor (1) as the phosphor.
- Example 5 As an epoxy resin composition, diglycidyl ether compound of hydrogenated bisphenol A (trade name: HBPADGE, manufactured by Maruzen Petrochemical Co., Ltd.) and Rikacid MH (methylhexahydrophthalic anhydride: manufactured by Shin Nippon Rika Co., Ltd.) The ratio of acid anhydride equivalent is 1: 1 and mixed well. Further, tetra-n-butylphosphonium o, o′-diethyl phosphorodithionate (PX-4ET: Nippon Chemical Industry Co., Ltd.) is used as a curing accelerator. Product) was added and mixed well. A curable resin composition (5) was prepared by using the phosphor (1) as a phosphor.
- a curable resin composition (6) was prepared by using KER2500 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) as the silicone resin composition and phosphor (4) as the phosphor.
- an LED chip having a light emitting layer made of InGaN and having a main light emission peak of 450 nm is used as the optical semiconductor element 2 in an SMD5050 package (I-CHIUN PRECISION INDUSTRY CO., Resin part PPA).
- the optical semiconductor device 8 was manufactured by mounting on the substrate and wire bonding. That is, the optical semiconductor element 2 was fixed to the resin 6 having the pair of lead electrodes 3 and 4 by using the die bond material 7. After the optical semiconductor element 2 and the lead electrodes 3 and 4 were connected by the gold wire 5, the phosphor-containing sealing material 1 was potted and cured by heating at 150 ° C. for 4 hours to produce an optical semiconductor device 8. .
- an LED device was prepared by mixing a powder having inorganic oxide fine particles attached to the surface of inorganic phosphor particles used for wavelength conversion in a sealing material.
- the total luminous flux value is high, the color coordinate value is large, and the total radiant flux is small.
- the higher total luminous flux value compared with the same phosphor content means that the light extraction efficiency of the LED device is increased.
- a larger color coordinate value compared with the same phosphor content means that the wavelength-converted light has increased, that is, more light has been extracted from the phosphor.
- the smaller total radiant flux compared to the same phosphor content means a decrease in the wavelength region with high energy, and the blue light is reduced by wavelength conversion, that is, more light is emitted to the phosphor. Means that wavelength conversion has been performed.
- Examples 1 to 5 using the present invention can be manufactured industrially, all increase the wavelength conversion efficiency of the phosphor, and further, the light extraction efficiency of the LED device. I was able to increase.
- Comparative Example 2 which was a composition equivalent to Example 1 but did not perform the step of attaching inorganic oxide fine particles was the same result as Comparative Example 1, and increased the wavelength conversion efficiency of the phosphor. Furthermore, the light extraction efficiency of the LED device could not be increased.
- the present invention is not limited to the above embodiment.
- the above-described embodiment is an exemplification, and the present invention has any configuration that has substantially the same configuration as the technical idea described in the claims of the present invention and that exhibits the same effects. Are included in the technical scope.
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Medicinal Chemistry (AREA)
- Polymers & Plastics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
本発明は、無機蛍光体粉末であって、波長変換に用いられる無機蛍光体粒子の表面に、平均粒径1nm以上10μm以下の無機酸化物微粒子が、前記無機蛍光体粒子100質量部に対して、0.1質量部以上10質量部以下の範囲で付着した粉末であることを特徴とする無機蛍光体粉末を提供する。これにより、簡便に光半導体装置の光取り出し効率を向上させる蛍光体粉末が提供される。
Description
本発明は、無機蛍光体粉末、無機蛍光体粉末を含む硬化性樹脂組成物、硬化性樹脂組成物の硬化物からなる波長変換部材、および硬化物を備える光半導体装置に関する。
発光ダイオード(LED)などの光半導体素子は電力消費量が少ないという優れた特性を有するため、屋外照明用途や自動車用途の光半導体装置への適用が増えてきている。このような光半導体装置は、一般に青色光、近紫外光あるいは紫外光を発光する半導体発光素子から発する光を、波長変換材料である蛍光体によって波長変換して疑似白色が得られるようにした発光装置であり、電球色、白色など使用目的に応じて任意の色で発光が可能であり、幅広い製品に利用されている。このような発光装置に適した蛍光体としては、さまざまな酸化物や硫化物の蛍光体が用いられることが知られている。
光半導体装置の更なる光取り出し効率の向上を目的として、光半導体素子の発光効率の向上、周辺部材の特性向上などが進められる一方で、波長変換材料である蛍光体の分野においても、波長変換効率の向上、耐熱および耐湿等の信頼性向上もなされてきた。
波長変換効率の向上の例として、特許文献1において蛍光体粒子を透明な金属、遷移金属、または半金属の酸化物で被覆する方法が提案されている。しかしながら、特許文献1の方法では工程が複雑なため工業的でなく、得られた被覆蛍光体粒子の信頼性も十分なものではなかった。
また、特許文献2では、少なくとも1つの蛍光粉体を含む高分子をバインダーとする薄膜蛍光体層の表面に、マイクロレンズアレイなどの光抽出構造を設ける方式が提案されている。しかしながら、特許文献2の方法も光抽出構造の製造工程が複雑で工業的でなく、デバイス構造や製造工程によっては利用できない場合があるなどの課題があった。
一方で、光半導体装置の更なる光取り出し効率の向上は依然として必要とされており、更なる改善が求められている。
本発明は、より簡便に光半導体装置の光取り出し効率を向上させる蛍光体粉末を提供することを目的とする。また、該蛍光体粉末を含む硬化性樹脂組成物、該硬化性樹脂組成物の硬化物からなる波長変換部材、および前記硬化物を備える光半導体装置を提供することを目的とする。
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、無機蛍光体粉末であって、波長変換に用いられる無機蛍光体粒子の表面に無機酸化物微粒子が付着した粉末であって、前記無機酸化物微粒子が、平均粒径1nm以上10μm以下であり、前記無機蛍光体粒子100質量部に対して、0.1質量部以上10質量部以下の範囲であることを特徴とする無機蛍光体粉末を提供する。
このような無機蛍光体粒子の表面に無機酸化物微粒子が付着した無機蛍光体粉末は、容易に製造できるとともに、光半導体素子から発光される光の波長変換効率を高め、これを用いた光半導体装置の光取り出し効率を向上させることができる。
このような無機蛍光体粒子の表面に無機酸化物微粒子が付着した無機蛍光体粉末は、容易に製造できるとともに、光半導体素子から発光される光の波長変換効率を高め、これを用いた光半導体装置の光取り出し効率を向上させることができる。
この場合、前記無機酸化物微粒子は、シリカまたはアルミナであることが好ましい。
このような無機酸化物微粒子であれば、揮発成分が少なく、高い透明性を得ることができる。
このような無機酸化物微粒子であれば、揮発成分が少なく、高い透明性を得ることができる。
また、前記無機酸化物微粒子は、疎水性シリカであって、該疎水性シリカの微粒子は、SiO2単位からなる親水性シリカの微粒子の表面に、R1SiO3/2単位(R1は置換または非置換の炭素原子数1~20の1価炭化水素基である)およびR2
3SiO1/2単位(R2は独立して、置換または非置換の炭素原子数1~6の1価炭化水素基である)を導入することにより疎水化されたものであることが好ましい。
このような無機酸化物微粒子であれば、光半導体装置の光取り出し効率を一層向上させることができる。
このような無機酸化物微粒子であれば、光半導体装置の光取り出し効率を一層向上させることができる。
また、前記疎水性シリカの微粒子は、粒子径が0.005μm以上1.00μm以下であり、粒度分布D90/D10の値が3以下であり、かつ平均円形度が0.8以上1以下のものであることが好ましい。
このようなシリカの微粒子であれば、前記無機蛍光体粒子の流動性を制御することが容易になる。
このようなシリカの微粒子であれば、前記無機蛍光体粒子の流動性を制御することが容易になる。
さらに本発明では、光半導体装置に用いられる硬化性樹脂組成物であって、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、有機変性シリコーン樹脂およびアクリル樹脂から選択される一種または二種以上、ならびに上記のいずれかの無機蛍光体粉末を含むものであることを特徴とする硬化性樹脂組成物を提供する。
このような硬化性樹脂組成物であれば、簡単に透明性、耐熱性、耐光性の特性に優れた硬化物を与えることができる。
このような硬化性樹脂組成物であれば、簡単に透明性、耐熱性、耐光性の特性に優れた硬化物を与えることができる。
さらに本発明では、硬化性樹脂組成物の硬化物からなる波長変換部材を提供する。また、本発明では、光半導体素子と、波長変換部材として前記の硬化性樹脂組成物の硬化物とを備える光半導体装置を提供する。
このような波長変換部材および光半導体装置は、簡単に光半導体素子から発光される光の波長変換効率を高め、これを用いた光半導体装置の光取り出し効率を向上させることができる。
このような波長変換部材および光半導体装置は、簡単に光半導体素子から発光される光の波長変換効率を高め、これを用いた光半導体装置の光取り出し効率を向上させることができる。
本発明により得られる、無機蛍光体粒子の表面に無機酸化物微粒子が付着した無機蛍光体粉末は、工業的に製造でき、簡単な構成でありながら、光半導体素子から発光される光の波長変換効率を高め、これを用いた光半導体装置は光取り出し効率の向上がなされるものである。
上述のように、より簡便な方法で、光半導体デバイスの光取り出し効率の向上が求められている。そこで、本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意検討を行った結果、無機蛍光体粉末であって、波長変換に用いられる無機蛍光体粒子の表面に、平均粒径1nm以上10μm以下の無機酸化物微粒子が、前記無機蛍光体粒子100質量部に対して、0.1質量部以上10質量部以下の範囲で付着した粉末であることを特徴とする無機蛍光体粉末を使用することにより、上記課題を達成できることを見出した。そして、LED素子用波長変換材料等として好適な表面に無機酸化物微粒子を有する無機蛍光体粉末、前記無機蛍光体粉末を含む硬化性樹脂組成物、硬化性樹脂組成物の硬化物、前記硬化物からなる波長変換部材及び前記硬化物を備えた光半導体装置を完成させるに至った。
このような本発明における無機蛍光体粒子の表面に無機酸化物微粒子が付着した無機蛍光体粉末は、光半導体素子から発光される光の波長変換効率を高め、したがって前記無機蛍光体粉末を用いた光半導体装置は光取り出し効率の向上がなされるものである。
すなわち、本発明は、無機蛍光体粒子の表面に無機酸化物微粒子を有する無機蛍光体粉末、前記無機蛍光体粉末を含む硬化性樹脂組成物、前記硬化性樹脂組成物の硬化物からなる波長変換部材及び前記硬化物を用いた光半導体装置を提供するものである。
以下、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
以下、本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
まず、本発明は、波長変換に用いられる無機蛍光体粒子の表面上に、物理吸着等によって無機酸化物微粒子を付着させた無機蛍光体粉末であり、図1及び図2に例示するような形状を持つことを特徴とする。
無機蛍光体粒子は、図3に例示するような表面が滑らかな状態であるのが一般的であり、LEDに代表される光半導体装置では、このような波長変換を行うための無機蛍光体粒子に青色光を照射し、蛍光体より波長変換された波長の光が放出され、青色光と波長変換された波長の光を合わせて疑似白色としている。
しかしながら、図3に例示するように、無機蛍光体粒子は滑らかで鏡面に近い状態の表面を有するため、光は全反射現象により、波長変換が効率的に行われない。すなわち、全反射現象により、青色光が無機蛍光体内部に侵入しにくく、かつ、波長変換された波長の光が全反射現象により蛍光体外部へ取り出されにくくなる。これにより、波長変換効率が低下している状態となる。
一方、図1及び図2を見て理解されるように、本発明の無機蛍光体粒子の表面上に無機酸化物微粒子が付着している構造では、無機蛍光体表面は疑似的に、いわゆるフォトニック結晶構造、低反射構造(反射防止構造)に類似した構造が設けられている。このため、全反射現象が緩和され、青色光が無機蛍光体内部に侵入しやすく、かつ、波長変換された波長の光が蛍光体外部へ取り出しやすくなる。このため、波長変換効率が上昇し、光半導体装置の光取出し効率を向上させることができる。
(無機蛍光体粒子)
本発明の表面処理方法の対象となる無機蛍光体粒子は(以下、適宜「蛍光体」と称することがある)、特に限定しないが、例えば、窒化物系半導体を発光層とする半導体発光ダイオードからの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものが挙げられる。Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体粒子、酸窒化物系蛍光体粒子、Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に賦活されるアルカリ土類金属ハロゲンアパタイト蛍光体粒子、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体粒子、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体粒子、アルカリ土類金属ケイ酸塩蛍光体粒子、アルカリ土類金属硫化物蛍光体粒子、アルカリ土類金属チオガレート蛍光体粒子、アルカリ土類金属窒化ケイ素蛍光体粒子、ゲルマン酸塩蛍光体粒子、または、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体粒子、希土類ケイ酸塩蛍光体粒子又はEu等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体蛍光体粒子、Ca-Al-Si-O-N系オキシ窒化物ガラス蛍光体粒子等から選ばれる少なくともいずれか1種以上であることが好ましい。具体例として、下記の蛍光体粒子を使用することができるが、これに限定されない。
本発明の表面処理方法の対象となる無機蛍光体粒子は(以下、適宜「蛍光体」と称することがある)、特に限定しないが、例えば、窒化物系半導体を発光層とする半導体発光ダイオードからの光を吸収し異なる波長の光に波長変換するものが挙げられる。Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体粒子、酸窒化物系蛍光体粒子、Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に賦活されるアルカリ土類金属ハロゲンアパタイト蛍光体粒子、アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体粒子、アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体粒子、アルカリ土類金属ケイ酸塩蛍光体粒子、アルカリ土類金属硫化物蛍光体粒子、アルカリ土類金属チオガレート蛍光体粒子、アルカリ土類金属窒化ケイ素蛍光体粒子、ゲルマン酸塩蛍光体粒子、または、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体粒子、希土類ケイ酸塩蛍光体粒子又はEu等のランタノイド系元素で主に賦活される有機及び有機錯体蛍光体粒子、Ca-Al-Si-O-N系オキシ窒化物ガラス蛍光体粒子等から選ばれる少なくともいずれか1種以上であることが好ましい。具体例として、下記の蛍光体粒子を使用することができるが、これに限定されない。
Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される窒化物系蛍光体粒子は、M2Si5N8:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種である)などがある。このほかMSi7N10:Eu、M1.8Si5O0.2N8:Eu、M0.9Si7O0.1N10:Eu(Mは、前記と同様)などもある。
Eu、Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される酸窒化物系蛍光体粒子は、MSi2O2N2:Eu(Mは、前記と同様)などがある。
Eu等のランタノイド系、Mn等の遷移金属系の元素により主に賦活されるアルカリ土類ハロゲンアパタイト蛍光体粒子には、M5(PO4)3X:R(Mは、前記と同様であり、Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種である。Rは、Eu、Mnのいずれか1種以上である)などがある。
アルカリ土類金属ホウ酸ハロゲン蛍光体粒子には、M2B5O9X:R(Mは、前記と同様であり、Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種である。Rは、Eu、Mnのいずれか1種以上である)などがある。
アルカリ土類金属アルミン酸塩蛍光体粒子には、SrAl2O4:R、Sr4Al14O25:R、CaAl2O4:R、BaMg2Al16O27:R、BaMg2Al16O12:R、BaMgAl10O17:R(Rは、Eu、Mnのいずれか1種以上である)などがある。
アルカリ土類金属硫化物蛍光体粒子には、La2O2S:Eu、Y2O2S:Eu、Gd2O2S:Euなどがある。
Ce等のランタノイド系元素で主に賦活される希土類アルミン酸塩蛍光体粒子には、Y3Al5O12:Ce、(Y0.8Gd0.2)3Al5O12:Ce、Y3(Al0.8Ga0.2)5O12:Ce、(Y、Gd)3(Al、Ga)5O12の組成式で表されるYAG系蛍光体粒子などがある。また、Yの一部若しくは全部をTb、Lu等で置換したTb3Al5O12:Ce、Lu3Al5O12:Ceなどもある。
その他の蛍光体粒子には、ZnS:Eu、Zn2GeO4:Mn、MGa2S4:Eu(Mは、Sr、Ca、Ba、Mg、Znから選ばれる少なくとも1種である。Xは、F、Cl、Br、Iから選ばれる少なくとも1種である)などがある。
上述の蛍光体粒子は、所望に応じてEuに代えて、又は、Euに加えてTb、Cu、Ag、Au、Cr、Nd、Dy、Co、Ni、Tiから選択される1種以上を含有させることもできる。
また、上記蛍光体粒子以外の蛍光体粒子であって、同様の性能、効果を有する蛍光体粒子も使用することができる。
なお、Ca-Al-Si-O-N系オキシ窒化物ガラス蛍光体粒子とは、モル%表示で、CaCO3をCaOに換算して20~50モル%、Al2O3を0~30モル%、SiOを25~60モル%、AlNを5~50モル%、希土類酸化物または遷移金属酸化物を0.1~20モル%とし、5成分の合計が100モル%となるオキシ窒化物ガラスを母体材料とした蛍光体粒子である。尚、オキシ窒化物ガラスを母体材料とした蛍光体粒子では、窒素含有量が15wt%以下であることが好ましく、希土類酸化物イオンの他に増感剤となる他の希土類元素イオンを希土類酸化物として蛍光ガラス中に0.1~10モル%の範囲の含有量で共賦活剤として含むことが好ましい。
本発明の蛍光体に使用する蛍光体の粒径には特に制限はないが、中央粒径(D50)で通常0.1μm以上、好ましくは2μm以上、さらに好ましくは10μm以上である。また、通常100μm以下、好ましくは50μm以下、さらに好ましくは25μm以下である。D50が小さすぎると、輝度が低下し、蛍光体粒子が凝集してしまう虞がある。一方、D50が大きすぎると、塗布ムラやディスペンサー等の閉塞が生じる虞がある。
(その他の蛍光体粒子)
また、上記蛍光体以外にも、耐久性向上、分散性向上等、目的に応じてその他の蛍光体を用いることもできる。
また、上記蛍光体以外にも、耐久性向上、分散性向上等、目的に応じてその他の蛍光体を用いることもできる。
その他の蛍光体の組成には特に制限はないが、結晶母体であるY2O3、Zn2SiO4等に代表される金属酸化物、Sr2Si5N8等に代表される金属窒化物、Ca5(PO4)3Cl等に代表されるリン酸塩及びZnS、SrS、CaS等に代表される硫化物に、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb等の希土類金属のイオンやAg、Cu、Au、Al、Mn、Sb等の金属のイオンを賦活元素又は共賦活元素として組み合わせたものが好ましい。
(無機酸化物微粒子)
本発明における上記無機酸化物微粒子の例を次に挙げるが、これらに限定されるわけではない。無機酸化物微粒子は、金属、遷移金属または半金属の酸化物微粒子であり、例えば、Si、Ti、Al、Zr、Mg、Ge、Yなどから一種以上選択される金属の酸化物からなるものであることを特徴とするものである。目的とする製品における、種々形状および比重を有する蛍光体の波長変換効率向上の効果が得られるように、蛍光体表面に適度に付着した状態が得られるように選択すればよく、更に、目的に応じた屈折率の無機酸化物微粒子を用いればよい。無機酸化物微粒子に波長変換機能を付与されていてもよい。いずれも市販のものを用いるのが簡便である。
本発明における上記無機酸化物微粒子の例を次に挙げるが、これらに限定されるわけではない。無機酸化物微粒子は、金属、遷移金属または半金属の酸化物微粒子であり、例えば、Si、Ti、Al、Zr、Mg、Ge、Yなどから一種以上選択される金属の酸化物からなるものであることを特徴とするものである。目的とする製品における、種々形状および比重を有する蛍光体の波長変換効率向上の効果が得られるように、蛍光体表面に適度に付着した状態が得られるように選択すればよく、更に、目的に応じた屈折率の無機酸化物微粒子を用いればよい。無機酸化物微粒子に波長変換機能を付与されていてもよい。いずれも市販のものを用いるのが簡便である。
無機酸化物微粒子として、好適な例として、シリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化ジルコニウム、酸化チタンやその他酸化アンチモン、水酸化アルミニウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウムなどが挙げられる。特に、揮発成分が少なく、高い透明性が得られるシリカやアルミナが好適に用いられる。
例えば、シリカであれば、ヒュームドシリカ、溶融シリカ等の乾式法で製造されたシリカや、コロイダルシリカ、ゾルゲルシリカ、沈殿シリカ等の湿式法で製造されたシリカが挙げられる。特に、付着しやすさの観点でヒュームドシリカが好ましい。ヒュームドシリカには、例えば、親水性ヒュームドシリカとしては、日本アエロジル(株)製のAEROSIL(R)90、AEROSIL(R)130、AEROSIL(R)150、AEROSIL(R)200、AEROSIL(R)300、AEROSIL(R)380、AEROSIL(R) OX50、AEROSIL(R) EG50、AEROSIL(R) TT600、(株)トクヤマ製のレオロシールQS-09、QS-10L、QS-10、QS-102、CP-102、QS-20L、QS-20、QS-25C、QS-30、QS-30C、QS-40等が挙げられる。また、疎水性ヒュームドシリカとしては、日本アエロジル(株)製のAEROSIL(R) R972、AEROSIL(R) R974、AEROSIL(R) R104、AEROSIL(R) R106、AEROSIL(R) R202、AEROSIL(R) R805 、AEROSIL(R) R812、AEROSIL(R) R816、AEROSIL(R) R7200、AEROSIL(R) R8200、AEROSIL(R) R9200、AEROSIL(R) RY50、AEROSIL(R) NY50、AEROSIL(R) RY200、AEROSIL(R) RY200S、AEROSIL(R) RX50、AEROSIL(R) NAX50、AEROSIL(R) RX200、AEROSIL(R) RX300、AEROSIL(R) R504、AEROSIL(R) DT4、(株)トクヤマ製のレオロシールMT-10、MT-10C、DM-10、DM-10C、DM-20S、DM-30、DM-30S、KS-20S、KS-20SC、HM-20L、HM-30S、PM-20L等が挙げられる。また、ポリオルガノシルセスキオキサン樹脂からなるシリコーンパウダー、又は表面の一部又は全部にポリオルガノシルセスキオキサン樹脂を有するシリコーンパウダーや、以下に述べる疎水性球状シリカ微粒子を用いてもよい。これらは単独で用いてもよく、2種以上を混合して用いてもよい。
アルミナは、一般的にα相の結晶構造のものが用いられるが、θ相、γ相、δ相などの中間相を含んでいてもよい。アルミナの安定性の観点等からはαアルミナを用いるのが好ましい。アルミナの具体例としては、日本軽金属社製A30シリーズ、ANシリーズ、A40シリーズ、MMシリーズ、LSシリーズ、AHPシリーズ、アドマテックス社製「Admafine Alumina」(商品名)AO-5タイプ、AO-8タイプ、日本バイコウスキー社製CRシリーズ、大明化学工業社製タイミクロン、Aldrich社製10μm2径アルミナ粉末、昭和電工社製A-42シリーズ、A-43シリーズ、A-50シリーズ、ASシリーズ、AL-43シリーズ、AL-47シリーズ、AL-160SGシリーズ、A-170シリーズ、AL-170シリーズ、住友化学社製AMシリーズ、ALシリーズ、AMSシリーズ、AESシリーズ、AKPシリーズ、AAシリーズ等が挙げられるがこの限りではない。
無機酸化物微粒子の粒子径は、平均粒径1nm以上10μm以下であり、より好ましくは50nm以上5μm以下である。1nm未満の微粒子では凝集が起こりやすく、該無機酸化物微粒子の個々の粒子が一次粒子径を維持できなくなることにより該無機蛍光体粒子への流動性付与能が悪くなる恐れがある。10μmを超える粒径の微粒子を添加すると、波長変換効率を高める、いわゆるフォトニック結晶構造、低反射構造(反射防止構造)に類似した構造が得られなくなるとともに、ディスペンス工程中のノズル詰りの原因となる恐れがある。無機酸化物微粒子の添加量は、波長変換効率向上の効果が得られるならよいため、粒子無機蛍光体100質量部に対して、0.1質量部以上10質量部以下の範囲である。より好ましくは、5質量部以下である。添加効果を得るためには、0.1質量部以上が必要である。添加量が多すぎるとディスペンス工程中のノズル詰りの原因となる恐れがある。またこの添加量が10質量部を超えると、コスト的に好ましくない。
上記無機酸化物微粒子は、無機蛍光体粒子の表面に無機酸化物微粒子が付着した状態を維持する目的として、シランカップリング剤によって表面処理されていてもよい。無機蛍光体粒子の表面に無機酸化物微粒子が付着した粒子の表面が表面処理されることによって、物理吸着で付着していた無機酸化物微粒子を、化学的により強固に付着した粒子として得ることができ、目的とする光半導体装置における、明るさ、色座標などの特性が良好に得られるように選択すればよい。シランカップリング剤としては、アルキル基含有シランカップリング剤、アルケニル基含有シランカップリング剤、エポキシ基含有シランカップリング剤、(メタ)アクリル基含有シランカップリング剤、イソシアネート基含有シランカップリング剤、イソシアヌレート基含有シランカップリング剤、アミノ基含有シランカップリング剤、メルカプト基含有シランカップリング剤等、公知のものが例示される。
無機酸化物微粒子を、無機蛍光体粒子の表面に付着させる方法は、特に制限はない。公知の混合方法に従って、ヘンシェルミキサー、V型ブレンダー、リボンブレンダー、らいかい機、ニーダーミキサー、バタフライミキサー、あるいは通常のプロペラ攪拌子等の種々形式のミキサーによる混合、自公転式攪拌機による混合を用いて、各成分の所定量を均一に混合すればよい。攪拌の際に、無機微粒子の付着率の向上を目的として、攪拌系内を真空としてもよい。上記の方法を用いれば簡単に無機酸化物微粒子を無機蛍光体粒子の表面に付着させることができる。
(疎水性球状シリカ微粒子)
疎水性シリカの微粒子は、SiO2単位からなる親水性シリカの微粒子の表面に、R1SiO3/2単位(R1は置換または非置換の炭素原子数1~20の1価炭化水素基である)およびR2 3SiO1/2単位(R2は独立して、置換または非置換の炭素原子数1~6の1価炭化水素基である)を導入することにより疎水化されたものであることが好ましい。
疎水性シリカの微粒子は、SiO2単位からなる親水性シリカの微粒子の表面に、R1SiO3/2単位(R1は置換または非置換の炭素原子数1~20の1価炭化水素基である)およびR2 3SiO1/2単位(R2は独立して、置換または非置換の炭素原子数1~6の1価炭化水素基である)を導入することにより疎水化されたものであることが好ましい。
また、前記疎水性シリカの微粒子は、粒子径が0.005μm以上1.00μm以下であり、粒度分布D90/D10の値が3以下であり、かつ平均円形度が0.8以上1以下のものであることが好ましい。
上記無機蛍光体粉末に混合する疎水性球状シリカ微粒子の特徴について、更に詳細に説明する。
本発明で使用される疎水性球状シリカ微粒子は、
(A1)4官能性シラン化合物、その部分加水分解縮合生成物またはそれらの組み合わせを加水分解および縮合することによって実質的にSiO2単位からなる親水性球状シリカ微粒子を得る工程と、
(A2)該親水性球状シリカ微粒子の表面に、R1SiO3/2単位(式中、R1は置換または非置換の炭素原子数1~20の1価炭化水素基である)を導入する工程と、
(A3)R2 3SiO1/2単位(式中、各R2は同一または異なり、置換または非置換の炭素原子数1~6の1価炭化水素基である)を導入する工程
とを含む方法により製造され、
粒子径が0.005~1.0μmの範囲で、粒度分布D90/D10の値が3以下であり、かつ平均円形度が0.8~1である疎水性球状シリカ微粒子(1)である。
本発明で使用される疎水性球状シリカ微粒子は、
(A1)4官能性シラン化合物、その部分加水分解縮合生成物またはそれらの組み合わせを加水分解および縮合することによって実質的にSiO2単位からなる親水性球状シリカ微粒子を得る工程と、
(A2)該親水性球状シリカ微粒子の表面に、R1SiO3/2単位(式中、R1は置換または非置換の炭素原子数1~20の1価炭化水素基である)を導入する工程と、
(A3)R2 3SiO1/2単位(式中、各R2は同一または異なり、置換または非置換の炭素原子数1~6の1価炭化水素基である)を導入する工程
とを含む方法により製造され、
粒子径が0.005~1.0μmの範囲で、粒度分布D90/D10の値が3以下であり、かつ平均円形度が0.8~1である疎水性球状シリカ微粒子(1)である。
上記疎水性球状シリカ微粒子は粒子径が0.005μm~1.00μmであり、好ましくは0.01μm~0.30μm、特に好ましくは0.03μm~0.20μmである。この粒子径が0.005μm以上であれば、無機蛍光体粒子の激しい凝集が生じることもなく、該無機蛍光体粒子をうまく取り出せる。また1.00μm以下であると、無機蛍光体粒子に良好な流動性や充填性を付与できる。
上記疎水性球状シリカ微粒子の粒度分布の指標であるD90/D10の値は、1以上であり、3以下である。ここで、D10及びD90はそれぞれ、粒子径の分布を測定することによって得られる値である。粉体の粒子径の分布を測定した場合に、小さい側から累積10%となる粒子径をD10、小さい側から累積90%となる粒子径をD90という。このD90/D10が3以下であることから、本発明における疎水性球状シリカ微粒子の粒度分布はシャープであることを特徴とする。このように粒度分布がシャープな粒子であると、無機蛍光体粒子の流動性を制御することが容易になる点で好ましい。上記D90/D10は、2.9以下であることがより好ましい。
なお、本発明において、微粒子の粒度分布は、動的光散乱法/レーザードップラー法ナノトラック粒度分布測定装置(日機装株式会社製、商品名:UPA-EX150)により測定し、その体積基準メジアン径を粒子径とした。なお、メジアン径とは粒度分布を累積分布として表した時の累積50%に相当する粒子径である。
また上記疎水性球状シリカ微粒子の平均円形度は、0.8~1の場合においてシリカ微粒子の凝集防止効果および無機蛍光体粒子への流動性付与効果に優れることから好ましく、0.92~1がより好ましい。ここで「球状」とは、真球だけでなく、若干歪んだ球も含む。このような「球状」の形状とは、粒子を二次元に投影した時の円形度で評価し、円形度が0.8~1の範囲にあるものをいう。ここで円形度とは、(粒子面積と等しい円の周囲長)/(粒子周囲長)である。この円形度は電子顕微鏡等で得られる粒子像を画像解析することにより測定することができる。
上記において、親水性球状シリカ微粒子が「実質的にSiO2単位からなる」とは、該微粒子は基本的にはSiO2単位から構成されているが、SiO2単位のみから構成されているのではなく、少なくとも表面に通常知られているようにシラノール基を多数個有することを意味する。また、場合によっては、原料である4官能性シラン化合物および/またはその部分加水分解縮合生成物に由来する加水分解性基(ヒドロカルビルオキシ基)が一部シラノール基に転化されずに若干量そのまま微粒子表面や内部に残存していてもよいことを意味する。
以上のように、本発明においては、テトラアルコキシシランの加水分解によって得られる小粒径ゾルゲル法シリカをシリカ原体(疎水化処理前のシリカ)とする。これに特定の表面処理を行なうことにより、粉体として得たときに疎水化処理後の粒子径がシリカ原体の一次粒子径を維持しているが、凝集していない小粒径であり、無機蛍光体粒子に良好な流動性を付与できる疎水性シリカ微粒子が得られる。
小粒径のシリカ原体として、アルコキシ基の炭素原子数が小さいテトラアルコキシシランを用いること、溶媒として炭素原子数の小さいアルコールを用いること、加水分解温度を高めること、テトラアルコキシシランの加水分解時の濃度を低くすること、加水分解触媒の濃度を低くすること等、反応条件を変更することにより、任意の粒径のシリカ原体を得ることができる。
この小粒径のシリカ原体に、前述の通り、そして更に詳しく以下に述べるように、特定の表面処理を行なうことにより、所望の疎水性シリカ微粒子が得られる。
(疎水性球状シリカ微粒子(1)の製造方法)
次に、上記疎水性球状シリカ微粒子の製造方法の一つについて、以下に詳細に説明する。
本発明の疎水性球状シリカ微粒子は、
工程(A1):親水性球状シリカ微粒子の合成工程
工程(A2):3官能性シラン化合物による表面処理工程
工程(A3):1官能性シラン化合物による表面処理工程
によって得られる。以下、各工程を順次説明する。
次に、上記疎水性球状シリカ微粒子の製造方法の一つについて、以下に詳細に説明する。
本発明の疎水性球状シリカ微粒子は、
工程(A1):親水性球状シリカ微粒子の合成工程
工程(A2):3官能性シラン化合物による表面処理工程
工程(A3):1官能性シラン化合物による表面処理工程
によって得られる。以下、各工程を順次説明する。
(工程(A1):親水性球状シリカ微粒子の合成工程)
一般式(I): Si(OR3)4 (I)
(式中、各R3は同一または異種の炭素原子数1~6の一価炭化水素基である)で示される4官能性シラン化合物、その部分加水分解生成物、またはこれらの混合物を、塩基性物質を含む親水性有機溶媒と水の混合液中で加水分解及び縮合することによって、親水性球状シリカ微粒子の混合溶媒分散液を得られる。
一般式(I): Si(OR3)4 (I)
(式中、各R3は同一または異種の炭素原子数1~6の一価炭化水素基である)で示される4官能性シラン化合物、その部分加水分解生成物、またはこれらの混合物を、塩基性物質を含む親水性有機溶媒と水の混合液中で加水分解及び縮合することによって、親水性球状シリカ微粒子の混合溶媒分散液を得られる。
上記一般式(I)中、R3は、炭素原子数1~6の一価炭化水素基であり、好ましくは炭素原子数1~4、特に好ましくは1~2の1価炭化水素基である。R3で表される1価炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基のようなアルキル基;フェニル基のようなアリール基が挙げられ、好ましくは、メチル基、エチル基、プロピル基又はブチル基、特に好ましくはメチル基又はエチル基が挙げられる。
上記一般式(I)で示される4官能性シラン化合物としては、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン等のテトラアルコキシシラン;及びテトラフェノキシシランが挙げられ、好ましくは、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン及びテトラブトキシシラン、特に好ましくは、テトラメトキシシラン及びテトラエトキシシランが挙げられる。また、一般式(I)で示される4官能性シラン化合物の部分加水分解縮合生成物としては、例えば、メチルシリケート、エチルシリケート等のアルキルシリケートが挙げられる。
前記親水性有機溶媒としては、一般式(I)で示される4官能性シラン化合物と、この部分加水分解縮合生成物と、水とを溶解するものであれば特に制限されず、例えば、アルコール類;メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、酢酸セロソルブ等のセロソルブ類;アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類;ジオキサン、テトラヒドロフラン等のエーテル類等が挙げられ、好ましくは、アルコール類、セロソルブ類であり、特に好ましくはアルコール類が挙げられる。該アルコール類としては、一般式(V): R5OH (V)
(式中、R5は炭素原子数1~6の1価炭化水素基である)で示されるアルコールが挙げられる。
(式中、R5は炭素原子数1~6の1価炭化水素基である)で示されるアルコールが挙げられる。
上記一般式(V)中、R5は炭素原子数1~6の1価炭化水素基であり、好ましくは炭素原子数1~4、特に好ましくは1~2の1価炭化水素基である。R5で表される1価炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等のアルキル基、好ましくはメチル基、エチル基、プロピル基及びイソプロピル基、より好ましくはメチル基及びエチル基が挙げられる。一般式(V)で示されるアルコールとしては、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール等が挙げられ、好ましくはメタノール、エタノールが挙げられる。アルコールの炭素原子数が増えると、生成する球状シリカ微粒子の粒子径が大きくなる。したがって、目的とする小粒径のシリカ微粒子を得るためには、メタノールが好ましい。
また、上記塩基性物質としてはアンモニア、ジメチルアミン、ジエチルアミン等、好ましくは、アンモニア、ジエチルアミン、特に好ましくはアンモニアが挙げられる。これらの塩基性物質は、所要量を水に溶解した後、得られた水溶液(塩基性)を前記親水性有機溶媒と混合すればよい。
該塩基性物質の使用量は、一般式(I)で示される4官能性シラン化合物および/またはその部分加水分解縮合生成物のヒドロカルビルオキシ基の合計1モルに対して0.01~2モルであることが好ましく、0.02~0.5モルであることがより好ましく、0.04~0.12モルであることが特に好ましい。このとき、塩基性物質の量が少ないほど所望の小粒径シリカ微粒子となる。
上記加水分解及び縮合で使用される水の量は、一般式(I)で示される4官能性シラン化合物および/またはその部分加水分解縮合生成物のヒドロカルビルオキシ基の合計1モルに対して0.5~5モルであることが好ましく、0.6~2モルであることがより好ましく、0.7~1モルであることが特に好ましい。水に対する上記親水性有機溶媒の比率(親水性有機溶媒:水)は、質量比で0.5~10であることが好ましく、3~9であることがより好ましく、5~8であることが特に好ましい。親水性有機溶媒の量が多いほど所望の小粒径のシリカ微粒子が得られる。
一般式(I)で示される4官能性シラン化合物等の加水分解および縮合は、周知の方法、すなわち、塩基性物質を含む親水性有機溶媒と水との混合物中に、一般式(I)で示される4官能性シラン化合物等を添加することにより行われる。
この工程(A1)で得られる親水性球状シリカ微粒子の混合溶媒分散液中のシリカ微粒子の濃度は一般に、3~15質量%であり、好ましくは5~10質量%である。
(工程(A2):3官能性シラン化合物による表面処理工程)
工程(A1)において得られた親水性球状シリカ微粒子の混合溶媒分散液に、一般式(II):
R1Si(OR4)3 (II)
(式中、R1は置換または非置換の炭素原子数1~20の一価炭化水素基であり、各R4は同一または異種の炭素原子数1~6の一価炭化水素基である)で示される3官能性シラン化合物、またはその部分加水分解生成物、またはこれらの混合物を添加して、該親水性球状シリカ微粒子の表面をこれにより処理することにより、前記親水性球状シリカ微粒子の表面にR1SiO3/2単位(R1は前記の通り)を導入して、第一の疎水性球状シリカ微粒子の混合溶媒分散液を得る。
工程(A1)において得られた親水性球状シリカ微粒子の混合溶媒分散液に、一般式(II):
R1Si(OR4)3 (II)
(式中、R1は置換または非置換の炭素原子数1~20の一価炭化水素基であり、各R4は同一または異種の炭素原子数1~6の一価炭化水素基である)で示される3官能性シラン化合物、またはその部分加水分解生成物、またはこれらの混合物を添加して、該親水性球状シリカ微粒子の表面をこれにより処理することにより、前記親水性球状シリカ微粒子の表面にR1SiO3/2単位(R1は前記の通り)を導入して、第一の疎水性球状シリカ微粒子の混合溶媒分散液を得る。
本工程(A2)は、次の工程である濃縮工程(A3)においてシリカ微粒子の凝集を抑制するために不可欠である。凝集を抑制できないと、得られるシリカ系粉体の個々の粒子は一次粒子径を維持できないため、流動性付与能が悪くなる。
上記一般式(II)中、R1は置換または非置換の炭素原子数1~20の一価炭化水素基であり、好ましくは炭素原子数1~3、特に好ましくは1~2の1価炭化水素基である。R1で表される1価炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ヘキシル基等のアルキル基、好ましくは、メチル基、エチル基、n-プロピル基又はイソプロピル基、特に好ましくは、メチル基又はエチル基が挙げられる。また、これらの1価炭化水素基の水素原子の一部または全部が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、好ましくはフッ素原子で置換されていてもよい。
上記一般式(II)中、R4は同一または異種の炭素原子数1~6の一価炭化水素基であり、好ましくは炭素原子数1~3、特に好ましくは1~2の1価炭化水素基である。R4で表される1価炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基等のアルキル基、好ましくは、メチル基、エチル基又はプロピル基、特に好ましくは、メチル基又はエチル基が挙げられる。
一般式(II)で示される3官能性シラン化合物としては、例えば、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、n-プロピルトリメトキシシラン、n-プロピルトリエトキシシラン、イソプロピルトリメトキシシラン、イソプロピルトリエトキシシラン、ブチルトリメトキシシラン、ブチルトリエトキシシラン、ヘキシルトリメトキシシラン、トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、ヘプタデカフルオロデシルトリメトキシシラン等の非置換若しくはハロゲン置換のトリアルコキシシラン等、好ましくは、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン及びエチルトリエトキシシラン、より好ましくは、メチルトリメトキシシラン及びメチルトリエトキシシラン、または、これらの部分加水分解縮合生成物が挙げられる。
一般式(II)で示される3官能性シラン化合物の添加量は、使用された親水性球状シリカ微粒子のSi原子1モル当り0.001~1モル、好ましくは0.01~0.1モル、特に好ましくは0.01~0.05モルである。添加量が0.001モル以上であると、得られる疎水性球状シリカ微粒子の分散性が良くなるため、無機蛍光体粒子への流動性化付与効果が現れ、1モル以下であればシリカ微粒子の凝集が生じない。
この工程(A2)で得られる第一の疎水性球状シリカ微粒子の混合溶媒分散液中の該シリカ微粒子の濃度は通常3質量%以上15質量%未満、好ましくは5~10質量%である。かかる濃度の範囲内であれば生産性は向上し、シリカ微粒子の凝集も生じない。
(濃縮工程)
このようにして得られた第一の疎水性球状シリカ微粒子の混合溶媒分散液から前記親水性有機溶媒と水の一部を除去し、濃縮することにより、第一の疎水性球状シリカ微粒子の混合溶媒濃縮分散液を得る。この際、疎水性有機溶媒をあらかじめ(濃縮工程前)、あるいは濃縮工程中に加えてもよい。この際、使用する疎水性溶媒としては、炭化水素系又はケトン系溶媒が好ましい。具体的には該溶媒として、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等が挙げられ、メチルイソブチルケトンが好ましい。前記親水性有機溶媒と水の一部を除去する方法としては、例えば留去、減圧留去などが挙げられる。得られる濃縮分散液はシリカ微粒子濃度が15~40質量%であることが好ましく、20~35質量%であることがより好ましく、25~30質量%であることが特に好ましい。15質量%以上では後工程の表面処理が円滑に進み、40質量%以下ではシリカ微粒子の凝集が生じない。
このようにして得られた第一の疎水性球状シリカ微粒子の混合溶媒分散液から前記親水性有機溶媒と水の一部を除去し、濃縮することにより、第一の疎水性球状シリカ微粒子の混合溶媒濃縮分散液を得る。この際、疎水性有機溶媒をあらかじめ(濃縮工程前)、あるいは濃縮工程中に加えてもよい。この際、使用する疎水性溶媒としては、炭化水素系又はケトン系溶媒が好ましい。具体的には該溶媒として、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン等が挙げられ、メチルイソブチルケトンが好ましい。前記親水性有機溶媒と水の一部を除去する方法としては、例えば留去、減圧留去などが挙げられる。得られる濃縮分散液はシリカ微粒子濃度が15~40質量%であることが好ましく、20~35質量%であることがより好ましく、25~30質量%であることが特に好ましい。15質量%以上では後工程の表面処理が円滑に進み、40質量%以下ではシリカ微粒子の凝集が生じない。
濃縮工程には、次の工程(A3)において表面処理剤として使用される一般式(III)で表されるシラザン化合物および一般式(IV)で表される一官能性シラン化合物がアルコールや水と反応して表面処理が不十分となり、その後に乾燥を行った時に凝集を生じ、得られるシリカ粉体は一次粒子径を維持できず、流動性付与能が悪くなる、といった不具合を抑制するという意義もある。
(工程(A3):1官能性シラン化合物による表面処理工程)
工程(A2)で得られた第一の疎水性球状シリカ微粒子の混合溶媒分散液に、一般式(III):
R2 3SiNHSiR2 3 (III)
(式中、各R2は同一または異種の置換または非置換の炭素原子数1~6の一価炭化水素基である)
で示されるシラザン化合物、または、一般式(IV):
R2 3SiX (IV)
(式中、R2は一般式(III)で定義した通りであり、XはOH基または加水分解性基である)で示される1官能性シラン化合物またはこれらの混合物を添加し、これにより前記第一の疎水性球状シリカ微粒子の表面を処理し、該微粒子の表面にR2 3SiO1/2単位(但し、R2は一般式(III)で定義の通り)を導入することにより、第二の疎水性球状シリカ微粒子を得る。この工程の処理により、第一の疎水性球状シリカ微粒子の表面に残存するシラノール基をトリオルガノシリル化する形でR2 3SiO1/2単位が該表面に導入される。
工程(A2)で得られた第一の疎水性球状シリカ微粒子の混合溶媒分散液に、一般式(III):
R2 3SiNHSiR2 3 (III)
(式中、各R2は同一または異種の置換または非置換の炭素原子数1~6の一価炭化水素基である)
で示されるシラザン化合物、または、一般式(IV):
R2 3SiX (IV)
(式中、R2は一般式(III)で定義した通りであり、XはOH基または加水分解性基である)で示される1官能性シラン化合物またはこれらの混合物を添加し、これにより前記第一の疎水性球状シリカ微粒子の表面を処理し、該微粒子の表面にR2 3SiO1/2単位(但し、R2は一般式(III)で定義の通り)を導入することにより、第二の疎水性球状シリカ微粒子を得る。この工程の処理により、第一の疎水性球状シリカ微粒子の表面に残存するシラノール基をトリオルガノシリル化する形でR2 3SiO1/2単位が該表面に導入される。
上記一般式(III)および(IV)中、R2は、同一または異種の置換または非置換の炭素原子数1~6の一価炭化水素基であり、好ましくは炭素原子数1~4、特に好ましくは1~2の1価炭化水素基である。R2で表される1価炭化水素基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基等のアルキル基、好ましくは、メチル基、エチル基又はプロピル基、特に好ましくは、メチル基又はエチル基が挙げられる。また、これらの1価炭化水素基の水素原子の一部または全部が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子、好ましくは、フッ素原子で置換されていてもよい。
Xで表される加水分解性基としては、例えば、塩素原子、アルコキシ基、アミノ基、アシルオキシ基が挙げられ、好ましくはアルコキシ基又はアミノ基、特に好ましくはアルコキシ基が挙げられる。
一般式(III)で示されるシラザン化合物としては、例えば、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサエチルジシラザン等、好ましくはヘキサメチルジシラザンが挙げられる。一般式(IV)で示される1官能性シラン化合物としては、例えば、トリメチルシラノール、トリエチルシラノール等のモノシラノール化合物;トリメチルクロロシラン、トリエチルクロロシラン等のモノクロロシラン;トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン等のモノアルコキシシラン;トリメチルシリルジメチルアミン、トリメチルシリルジエチルアミン等のモノアミノシラン;トリメチルアセトキシシラン等のモノアシルオキシシランが挙げられ、好ましくは、トリメチルシラノール、トリメチルメトキシシラン又はトリメチルシリルジエチルアミン、特に好ましくは、トリメチルシラノール又はトリメチルメトキシシランが挙げられる。
前記シラザン化合物及び/又は官能性シラン化合物の使用量は、使用した親水性球状シリカ微粒子のSi原子1モルに対して0.1~0.5モル、好ましくは0.2~0.4モル、特に好ましくは0.25~0.35モルである。使用量が0.1モル以上であれば、得られる疎水性シリカ微粒子の分散性が良くなるため、無機蛍光体粒子への流動性付与効果が現れる。使用量が0.5モル以下であると、経済的に有利である。
上記疎水性球状シリカ微粒子は、常圧乾燥、減圧乾燥等の常法によって粉体として得られる。
上記疎水性球状シリカ微粒子は、常圧乾燥、減圧乾燥等の常法によって粉体として得られる。
(硬化性樹脂組成物)
本発明は、波長変換に用いられる無機蛍光体粒子の表面に無機酸化物微粒子が付着した粉末を硬化性樹脂組成物中に混合、分散することで、硬化性樹脂組成物とすることができる。
本発明は、波長変換に用いられる無機蛍光体粒子の表面に無機酸化物微粒子が付着した粉末を硬化性樹脂組成物中に混合、分散することで、硬化性樹脂組成物とすることができる。
本発明の硬化性樹脂組成物は、光半導体装置に用いられる硬化性樹脂組成物であって、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、有機変性シリコーン樹脂およびアクリル樹脂から選択される一種または二種以上、ならびに前記無機蛍光体粉末を含むものであることを特徴とする。
前記硬化性樹脂組成物は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、有機変性シリコーン樹脂、アクリル樹脂および変性エポキシ樹脂中から選択される少なくとも1種であり、室温における粘度が100mPa・s以上10000mPa・s以下、より好ましくは100mPa・s以上5000mPa・s以下である。本発明の硬化性樹脂組成物は、透明性、耐熱性、耐光性の観点から、シリコーン樹脂、有機変性シリコーン樹脂であると、なお好ましい。
本発明の硬化性樹脂組成物は、発光ダイオード、LED素子封止材料等の光学用コーティング材料、波長変換用部材として有用であって、前記硬化性樹脂組成物であれば市販品を用いることができる。硬化条件は、各硬化性樹脂組成物の指定条件に従えばよい。シリコーン樹脂であれば、例えば、KER-2500(信越化学工業社製)、KER6110(信越化学工業社製)、変性シリコーン樹脂であればSCR1012(信越化学工業社製)、エポキシ樹脂であればSTYCAST2017M4(ヘンケルジャパン社製)、W0922(ダイセル化学工業社製)などが挙げられるが、これに限定されるわけではない。
(波長変換部材および光半導体装置)
本発明では、硬化性樹脂組成物の硬化物からなる波長変換部材を提供する。また、本発明では、光半導体素子と、波長変換部材として前記の硬化性樹脂組成物の硬化物とを備える光半導体装置を提供する。
本発明では、硬化性樹脂組成物の硬化物からなる波長変換部材を提供する。また、本発明では、光半導体素子と、波長変換部材として前記の硬化性樹脂組成物の硬化物とを備える光半導体装置を提供する。
このような波長変換部材および光半導体装置は、光半導体素子から発光される光の波長変換効率を高め、これを用いた波長変換部材や光半導体装置の光取り出し効率を向上させることができる。また、蛍光体粉末を比較的簡単に工業的に生産して提供できるため、これを用いた波長変換部材や光半導体装置も、低コストで高品質なものとすることができる。
以下、実施例および比較例を用いて本発明を具体的に説明する。なお、下記の実施例は、本発明を何ら制限するものではない。
(疎水性球状シリカ微粒子の合成例)
(工程(A1):親水性球状シリカ微粒子の合成工程)
攪拌機と、滴下ロートと、温度計とを備えた3リットルのガラス製反応器にメタノール989.5gと、水135.5gと、28%アンモニア水66.5gとを入れて混合した。この溶液を35℃となるように調製し、攪拌しながらテトラメトキシシラン436.5g(2.87モル)を6時間かけて滴下した。この滴下が終了した後も、さらに0.5時間攪拌を継続して加水分解を行うことにより、親水性球状シリカ微粒子の懸濁液を得た。
(疎水性球状シリカ微粒子の合成例)
(工程(A1):親水性球状シリカ微粒子の合成工程)
攪拌機と、滴下ロートと、温度計とを備えた3リットルのガラス製反応器にメタノール989.5gと、水135.5gと、28%アンモニア水66.5gとを入れて混合した。この溶液を35℃となるように調製し、攪拌しながらテトラメトキシシラン436.5g(2.87モル)を6時間かけて滴下した。この滴下が終了した後も、さらに0.5時間攪拌を継続して加水分解を行うことにより、親水性球状シリカ微粒子の懸濁液を得た。
(工程(A2):3官能性シラン化合物による表面処理工程)
工程(A1)で得られた懸濁液に室温でメチルトリメトキシシラン4.4g(0.03モル)を0.5時間かけて滴下し、滴下後も12時間攪拌を継続し、シリカ微粒子表面を疎水化処理することにより、疎水性球状シリカ微粒子の分散液を得た。
工程(A1)で得られた懸濁液に室温でメチルトリメトキシシラン4.4g(0.03モル)を0.5時間かけて滴下し、滴下後も12時間攪拌を継続し、シリカ微粒子表面を疎水化処理することにより、疎水性球状シリカ微粒子の分散液を得た。
次いで、ガラス製反応器にエステルアダプターと冷却管とを取り付け、得られた分散液を60~70℃に加熱してメタノールと水の混合物1021gを留去し、疎水性球状シリカ微粒子の混合溶媒濃縮分散液を得た。このとき、濃縮分散液中の疎水性球状シリカ微粒子の含有量は28質量%であった。
(工程(A3):1官能性シラン化合物による表面処理工程)
工程(A2)で得られた濃縮分散液に、室温において、ヘキサメチルジシラザン138.4g(0.86モル)を添加した後、この分散液を50~60℃に加熱し、9時間反応させることにより、該分散液中のシリカ微粒子をトリメチルシリル化した。次いで、この分散液中の溶媒を130℃、減圧下(6650Pa)で留去することにより、疎水性球状シリカ微粒子(1)186gを得た。
工程(A2)で得られた濃縮分散液に、室温において、ヘキサメチルジシラザン138.4g(0.86モル)を添加した後、この分散液を50~60℃に加熱し、9時間反応させることにより、該分散液中のシリカ微粒子をトリメチルシリル化した。次いで、この分散液中の溶媒を130℃、減圧下(6650Pa)で留去することにより、疎水性球状シリカ微粒子(1)186gを得た。
工程(A1)で得られた親水性球状シリカ微粒子について、下記の測定方法1に従って測定を行った。また、上記の工程(A1)~(A3)の各段階を経て得られた疎水性球状シリカ微粒子について、下記の測定方法2~3に従って測定を行った。
(測定方法1:工程(A1)で得られた親水性球状シリカ微粒子の粒子径測定)
メタノールにシリカ微粒子懸濁液を、シリカ微粒子が0.5質量%となるように添加し、10分間超音波にかけることにより、該微粒子を分散させた。このように処理した微粒子の粒度分布を、動的光散乱法/レーザードップラー法ナノトラック粒度分布測定装置(日機装株式会社製、商品名:UPA-EX150)により測定し、その体積基準メジアン径を粒子径とした。なお、メジアン径とは粒度分布を累積分布として表した時の累積50%に相当する粒子径である。
メタノールにシリカ微粒子懸濁液を、シリカ微粒子が0.5質量%となるように添加し、10分間超音波にかけることにより、該微粒子を分散させた。このように処理した微粒子の粒度分布を、動的光散乱法/レーザードップラー法ナノトラック粒度分布測定装置(日機装株式会社製、商品名:UPA-EX150)により測定し、その体積基準メジアン径を粒子径とした。なお、メジアン径とは粒度分布を累積分布として表した時の累積50%に相当する粒子径である。
(測定方法2:工程(A3)において得られた疎水性球状シリカ微粒子の粒子径測定及び粒度分布D90/D10の測定)
メタノールにシリカ微粒子を、0.5質量%となるように添加し、10分間超音波にかけることにより、該微粒子を分散させた。このように処理した微粒子の粒度分布を、動的光散乱法/レーザードップラー法ナノトラック粒度分布測定装置(日機装株式会社製、商品名:UPA-EX150)により測定し、その体積基準メジアン径を粒子径とした。粒度分布D90/D10の測定は、上記粒子径測定した際の分布において小さい側から累積が10%となる粒子径をD10、小さい側から累積が90%となる粒子径をD90とし、測定された値からD90/D10を計算した。
メタノールにシリカ微粒子を、0.5質量%となるように添加し、10分間超音波にかけることにより、該微粒子を分散させた。このように処理した微粒子の粒度分布を、動的光散乱法/レーザードップラー法ナノトラック粒度分布測定装置(日機装株式会社製、商品名:UPA-EX150)により測定し、その体積基準メジアン径を粒子径とした。粒度分布D90/D10の測定は、上記粒子径測定した際の分布において小さい側から累積が10%となる粒子径をD10、小さい側から累積が90%となる粒子径をD90とし、測定された値からD90/D10を計算した。
(測定方法3:疎水性球状シリカ微粒子の形状測定)
電子顕微鏡(日立製作所製、商品名:S-4700型、倍率:10万倍)によって観察を行い、形状を確認した。「球状」とは、真球だけでなく、若干歪んだ球も含む。なおこのような粒子の形状は、粒子を二次元に投影した時の円形度で評価し、円形度が0.8~1の範囲にあるものとする。ここで円形度とは、(粒子面積と等しい円の周囲長)/(粒子周囲長)である。
電子顕微鏡(日立製作所製、商品名:S-4700型、倍率:10万倍)によって観察を行い、形状を確認した。「球状」とは、真球だけでなく、若干歪んだ球も含む。なおこのような粒子の形状は、粒子を二次元に投影した時の円形度で評価し、円形度が0.8~1の範囲にあるものとする。ここで円形度とは、(粒子面積と等しい円の周囲長)/(粒子周囲長)である。
上記に従い疎水性球状シリカ微粒子の合成例で最終的に得られた疎水性シリカ微粒子の粒子径は52nmであり、粒度分布D90/D10は2.21、形状は球状であり、円形度は0.86であった。
(無機蛍光体粒子の表面に無機酸化物微粒子が付着した粉末の調製)
調製例で使用した無機蛍光体として、根本特殊化学工業社製 商品名:81003を使用した。
(調製例1)
無機蛍光体粒子100質量部に、無機酸化物微粒子として(疎水性球状シリカ微粒子の合成例)で合成した疎水性球状シリカ微粒子(平均粒径52nm)2質量部を、自公転式攪拌機((株)シンキー製 製品名:ARV-310)を用いて、真空脱気機構は使わず、800rpmで3分間均一混合し、蛍光体(1)とした。
調製例で使用した無機蛍光体として、根本特殊化学工業社製 商品名:81003を使用した。
(調製例1)
無機蛍光体粒子100質量部に、無機酸化物微粒子として(疎水性球状シリカ微粒子の合成例)で合成した疎水性球状シリカ微粒子(平均粒径52nm)2質量部を、自公転式攪拌機((株)シンキー製 製品名:ARV-310)を用いて、真空脱気機構は使わず、800rpmで3分間均一混合し、蛍光体(1)とした。
(調製例2)
無機蛍光体粒子100質量部に、無機酸化物微粒子としてアルミナ(商品名:Aeroxide AluC805 アエロジル社製 一次粒径15nm)2質量部を、自公転式攪拌機((株)シンキー製 製品名:ARV-310)を用いて、真空脱気機構は使わず、800rpmで3分間均一混合し、蛍光体(2)とした。
無機蛍光体粒子100質量部に、無機酸化物微粒子としてアルミナ(商品名:Aeroxide AluC805 アエロジル社製 一次粒径15nm)2質量部を、自公転式攪拌機((株)シンキー製 製品名:ARV-310)を用いて、真空脱気機構は使わず、800rpmで3分間均一混合し、蛍光体(2)とした。
(調製例3)
無機蛍光体粒子100質量部に、無機酸化物微粒子としてヒュームドシリカ(商品名:レオシロール DM―30S トクヤマ社製 一次粒径7nm)2質量部を、自公転式攪拌機((株)シンキー製 製品名:ARV-310)を用いて、真空脱気機構は使わず、800rpmで3分間均一混合し、蛍光体(3)とした。
無機蛍光体粒子100質量部に、無機酸化物微粒子としてヒュームドシリカ(商品名:レオシロール DM―30S トクヤマ社製 一次粒径7nm)2質量部を、自公転式攪拌機((株)シンキー製 製品名:ARV-310)を用いて、真空脱気機構は使わず、800rpmで3分間均一混合し、蛍光体(3)とした。
(調製例4)
無機蛍光体粒子100質量部を処理せずそのまま用い、蛍光体(4)とした。
無機蛍光体粒子100質量部を処理せずそのまま用い、蛍光体(4)とした。
(無機蛍光体粒子の表面に無機酸化物微粒子が付着した粉末を含む硬化性樹脂組成物の配合)
以下の実施例、比較例において、硬化性樹脂組成物100質量部に対し、無機酸化物微粒子が付着していない状態の無機蛍光体の重量として2質量部計量した(調製例1の場合、2.04質量部、調製例4の場合2.00質量部。すなわち、封止材中の蛍光体含有量が同一の体積%となるようにした)。これを、真空脱気機構を備えた自公転式攪拌機((株)シンキー製 製品名:ARV-310)を用いて均一混合を行った後、直ちにディスペンス用の10CCシリンジに5CCとなる量を移し、待機時間を置かずに前記SMD5050パッケージに規定量塗布を行い、リードフレーム1枚(120個のパッケージ)に継続して塗布を行い、直ちに150度、4時間加熱硬化して光半導体パッケージとした。このようにして得られた各々の光半導体パッケージ10個を任意にサンプリングした。
以下の実施例、比較例において、硬化性樹脂組成物100質量部に対し、無機酸化物微粒子が付着していない状態の無機蛍光体の重量として2質量部計量した(調製例1の場合、2.04質量部、調製例4の場合2.00質量部。すなわち、封止材中の蛍光体含有量が同一の体積%となるようにした)。これを、真空脱気機構を備えた自公転式攪拌機((株)シンキー製 製品名:ARV-310)を用いて均一混合を行った後、直ちにディスペンス用の10CCシリンジに5CCとなる量を移し、待機時間を置かずに前記SMD5050パッケージに規定量塗布を行い、リードフレーム1枚(120個のパッケージ)に継続して塗布を行い、直ちに150度、4時間加熱硬化して光半導体パッケージとした。このようにして得られた各々の光半導体パッケージ10個を任意にサンプリングした。
(実施例1)
シリコーン樹脂組成物としてKER2500(信越化学工業社製)と、蛍光体として蛍光体(1)を用いて上記に従い調製し、硬化性樹脂組成物(1)とした。
シリコーン樹脂組成物としてKER2500(信越化学工業社製)と、蛍光体として蛍光体(1)を用いて上記に従い調製し、硬化性樹脂組成物(1)とした。
(実施例2)
シリコーン樹脂組成物としてKER2500(信越化学工業社製)と、蛍光体として蛍光体(2)を用いて上記に従い調製し、硬化性樹脂組成物(2)とした。
シリコーン樹脂組成物としてKER2500(信越化学工業社製)と、蛍光体として蛍光体(2)を用いて上記に従い調製し、硬化性樹脂組成物(2)とした。
(実施例3)
シリコーン樹脂組成物としてKER2500(信越化学工業社製)と、蛍光体として蛍光体(3)を用いて上記に従い調製し、硬化性樹脂組成物(3)とした。
シリコーン樹脂組成物としてKER2500(信越化学工業社製)と、蛍光体として蛍光体(3)を用いて上記に従い調製し、硬化性樹脂組成物(3)とした。
(実施例4)
有機変性シリコーン樹脂組成物としてSCR1012(信越化学工業社製)と、蛍光体として蛍光体(1)を用いて上記に従い調製し、硬化性樹脂組成物(4)とした。
有機変性シリコーン樹脂組成物としてSCR1012(信越化学工業社製)と、蛍光体として蛍光体(1)を用いて上記に従い調製し、硬化性樹脂組成物(4)とした。
(実施例5)
エポキシ樹脂組成物として水素化ビスフェノールAのジグリシジルエーテル化合物(商品名:HBPADGE 丸善石油化学社製)を、リカシッドMH(メチルヘキサヒドロ無水フタル酸:新日本理化社製)を用いて、エポキシ当量と酸無水物当量の比=1:1となるように加え、よく混合し、更に硬化促進剤としてテトラ-n-ブチルホスホニウムo,o’-ジエチルホスホロジチオネート(PX-4ET:日本化学工業社製)を全体の0.5質量部加えよく混合した。これに、蛍光体として蛍光体(1)を用いて上記に従い調製し、硬化性樹脂組成物(5)とした。
エポキシ樹脂組成物として水素化ビスフェノールAのジグリシジルエーテル化合物(商品名:HBPADGE 丸善石油化学社製)を、リカシッドMH(メチルヘキサヒドロ無水フタル酸:新日本理化社製)を用いて、エポキシ当量と酸無水物当量の比=1:1となるように加え、よく混合し、更に硬化促進剤としてテトラ-n-ブチルホスホニウムo,o’-ジエチルホスホロジチオネート(PX-4ET:日本化学工業社製)を全体の0.5質量部加えよく混合した。これに、蛍光体として蛍光体(1)を用いて上記に従い調製し、硬化性樹脂組成物(5)とした。
(比較例1)
シリコーン樹脂組成物としてKER2500(信越化学工業社製)と、蛍光体として蛍光体(4)を用いて上記に従い調製し、硬化性樹脂組成物(6)とした。
シリコーン樹脂組成物としてKER2500(信越化学工業社製)と、蛍光体として蛍光体(4)を用いて上記に従い調製し、硬化性樹脂組成物(6)とした。
(比較例2)
シリコーン樹脂組成物としてKER2500(信越化学工業社製)と、蛍光体として蛍光体(4)を用いて上記に従い調製し、更に、無機酸化物微粒子として(疎水性球状シリカ微粒子の合成例)で合成した疎水性球状シリカ微粒子0.04質量部を単に組成物に添加し同様に調製し、硬化性樹脂組成物(7)とした。
シリコーン樹脂組成物としてKER2500(信越化学工業社製)と、蛍光体として蛍光体(4)を用いて上記に従い調製し、更に、無機酸化物微粒子として(疎水性球状シリカ微粒子の合成例)で合成した疎水性球状シリカ微粒子0.04質量部を単に組成物に添加し同様に調製し、硬化性樹脂組成物(7)とした。
上記実施例及び比較例で調製した硬化性樹脂組成物(1)~(7)における評価を、下記の要領にて行った。その結果を表1に示す。
(光半導体パッケージの作製)
図4に示すように、光半導体素子2として、InGaNからなる発光層を有し、主発光ピークが450nmのLEDチップを、SMD5050パッケージ(I-CHIUN PRECISION INDUSTRY CO.,社製、樹脂部PPA)に搭載しワイヤーボンディングし、光半導体装置8を作製した。
すなわち、光半導体素子2を一対のリード電極3、4を有する樹脂6に、ダイボンド材7を用いて固定した。光半導体素子2とリード電極3、4を金線5にて接続させた後、蛍光体入り封止材1をポッティングし、150℃で4時間加熱して硬化させ、光半導体装置8を作製した。
図4に示すように、光半導体素子2として、InGaNからなる発光層を有し、主発光ピークが450nmのLEDチップを、SMD5050パッケージ(I-CHIUN PRECISION INDUSTRY CO.,社製、樹脂部PPA)に搭載しワイヤーボンディングし、光半導体装置8を作製した。
すなわち、光半導体素子2を一対のリード電極3、4を有する樹脂6に、ダイボンド材7を用いて固定した。光半導体素子2とリード電極3、4を金線5にて接続させた後、蛍光体入り封止材1をポッティングし、150℃で4時間加熱して硬化させ、光半導体装置8を作製した。
(全光束(Lm)、色座標(x)、全放射束(mW)の測定)
上記工程で得られた光半導体装置10個を、全光束測定システム HM-9100(大塚電子(株)製)を用い、全光束値(Lm)、色座標(x)、全放射束(mW)を測定し(印加電流IF=50mA)、平均値を求めた。
上記工程で得られた光半導体装置10個を、全光束測定システム HM-9100(大塚電子(株)製)を用い、全光束値(Lm)、色座標(x)、全放射束(mW)を測定し(印加電流IF=50mA)、平均値を求めた。
上記表に示したように、実施例1~実施例5では、波長変換に用いられる無機蛍光体粒子の表面に無機酸化物微粒子が付着した粉末を封止材中に混ぜてLED装置とした例であり、本発明を用いない比較例1と比較して、いずれも全光束値は高くなり、色座標値は大きくなり、全放射束は小さな値となった。
同一の蛍光体含有量で比較して全光束値が高くなったことは、LED装置の光取り出し効率が高くなったことを意味する。
同一の蛍光体含有量で比較して色座標値が大きくなったことは、波長変換がなされた光が多くなった、すなわち、より多く蛍光体から光が取り出されていることを意味する。
同一の蛍光体含有量で比較して全放射束が小さくなったことは、高エネルギーを有する波長域の減少を意味し、波長変換されて青色光が減少した、すなわち、より多く蛍光体に光が取り込まれ波長変換がなされていることを意味する。
上記のことから理解されるように、本発明を用いた実施例1~実施例5では、工業的に製造できるとともに、いずれも蛍光体の波長変換効率を高め、更に、LED装置の光取り出し効率を高めることができた。
一方、実施例1と同等の組成物でありながら、無機酸化物微粒子を付着させる工程を行わなかった比較例2では、比較例1と同等の結果であり、蛍光体の波長変換効率を高め、更に、LED装置の光取り出し効率を高めることはできなかった。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
Claims (7)
- 無機蛍光体粉末であって、
波長変換に用いられる無機蛍光体粒子の表面に、平均粒径1nm以上10μm以下の無機酸化物微粒子が、前記無機蛍光体粒子100質量部に対して、0.1質量部以上10質量部以下の範囲で付着した粉末であることを特徴とする無機蛍光体粉末。 - 前記無機酸化物微粒子は、シリカまたはアルミナであることを特徴とする請求項1に記載の無機蛍光体粉末。
- 前記無機酸化物微粒子は、疎水性シリカであって、
該疎水性シリカの微粒子は、SiO2単位からなる親水性シリカの微粒子の表面に、R1SiO3/2単位(R1は置換または非置換の炭素原子数1~20の1価炭化水素基である)およびR2 3SiO1/2単位(R2は独立して、置換または非置換の炭素原子数1~6の1価炭化水素基である)を導入することにより疎水化されたものであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の無機蛍光体粉末。 - 前記疎水性シリカの微粒子は、粒子径が0.005μm以上1.00μm以下であり、粒度分布D90/D10の値が3以下であり、かつ平均円形度が0.8以上1以下のものであることを特徴とする請求項3に記載の無機蛍光体粉末。
- 光半導体装置に用いられる硬化性樹脂組成物であって、
エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、有機変性シリコーン樹脂およびアクリル樹脂から選択される一種または二種以上、ならびに請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の無機蛍光体粉末を含むものであることを特徴とする硬化性樹脂組成物。 - 請求項5に記載の硬化性樹脂組成物の硬化物からなる波長変換部材。
- 光半導体素子と、波長変換部材として請求項5に記載の硬化性樹脂組成物の硬化物とを備える光半導体装置。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013-229366 | 2013-11-05 | ||
JP2013229366A JP2015089898A (ja) | 2013-11-05 | 2013-11-05 | 無機蛍光体粉末、無機蛍光体粉末を用いた硬化性樹脂組成物、波長変換部材および光半導体装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2015068338A1 true WO2015068338A1 (ja) | 2015-05-14 |
Family
ID=53041136
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2014/005254 WO2015068338A1 (ja) | 2013-11-05 | 2014-10-16 | 無機蛍光体粉末、無機蛍光体粉末を用いた硬化性樹脂組成物、波長変換部材および光半導体装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2015089898A (ja) |
TW (1) | TWI557950B (ja) |
WO (1) | WO2015068338A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10775686B2 (en) | 2016-05-31 | 2020-09-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Wavelength conversion element, light source apparatus and image projection apparatus |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20190225879A1 (en) * | 2016-09-07 | 2019-07-25 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Cured product, wavelength conversion sheet, light-emitting device, sealing member, and semiconductor light-emitting device |
KR20190053876A (ko) * | 2016-09-07 | 2019-05-20 | 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 | 파장 변환 재료 함유 실리콘 수지 조성물 및 파장 변환 재료 함유 시트 |
CN109689790A (zh) * | 2016-09-07 | 2019-04-26 | 住友化学株式会社 | 固化物、波长转换片材、发光装置、密封用构件及半导体发光装置 |
JP6872139B2 (ja) * | 2016-11-17 | 2021-05-19 | 日本電気硝子株式会社 | 無機ナノ蛍光体粒子複合体及び波長変換部材 |
US20210175394A1 (en) * | 2017-11-16 | 2021-06-10 | Panasonic Intellectual Prioerty Managerment Co., Ltd. | Wavelength converter |
JP7268315B2 (ja) * | 2017-12-12 | 2023-05-08 | 日本電気硝子株式会社 | 波長変換部材及びその製造方法、並びに発光装置 |
JP2020019921A (ja) * | 2018-02-06 | 2020-02-06 | 信越化学工業株式会社 | 蛍光体粒子 |
JP2020066599A (ja) * | 2018-10-25 | 2020-04-30 | ロート製薬株式会社 | 複合粉体、皮膚外用組成物、及び無機蛍光粉体の蛍光強度増強方法 |
WO2023013656A1 (ja) * | 2021-08-06 | 2023-02-09 | Agc株式会社 | 構造色粒子及び構造色粒子を含む構造色顔料 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62177500A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-04 | コニカ株式会社 | 放射線画像変換パネル |
JP2002544365A (ja) * | 1999-05-19 | 2002-12-24 | サーノフ コーポレイション | マイクロメートルサイズ無機粒子のコーティング方法 |
JP2006518398A (ja) * | 2003-02-20 | 2006-08-10 | パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 被覆された蛍光体、この種の蛍光体を有する発光装置及びその製造方法 |
JP2008150518A (ja) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Sharp Corp | 波長変換部材および発光装置 |
JP2014043569A (ja) * | 2012-08-02 | 2014-03-13 | Nihon Ceratec Co Ltd | 蛍光体材料および発光装置 |
JP2014201648A (ja) * | 2013-04-04 | 2014-10-27 | パナソニック株式会社 | 蛍光体本体、蛍光体本体の製造方法、及びled素子 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5644789B2 (ja) * | 2012-02-15 | 2014-12-24 | 信越化学工業株式会社 | 粉体組成物 |
-
2013
- 2013-11-05 JP JP2013229366A patent/JP2015089898A/ja active Pending
-
2014
- 2014-10-16 WO PCT/JP2014/005254 patent/WO2015068338A1/ja active Application Filing
- 2014-11-03 TW TW103138033A patent/TWI557950B/zh active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62177500A (ja) * | 1986-01-30 | 1987-08-04 | コニカ株式会社 | 放射線画像変換パネル |
JP2002544365A (ja) * | 1999-05-19 | 2002-12-24 | サーノフ コーポレイション | マイクロメートルサイズ無機粒子のコーティング方法 |
JP2006518398A (ja) * | 2003-02-20 | 2006-08-10 | パテント−トロイハント−ゲゼルシヤフト フユール エレクトリツシエ グリユーラムペン ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 被覆された蛍光体、この種の蛍光体を有する発光装置及びその製造方法 |
JP2008150518A (ja) * | 2006-12-19 | 2008-07-03 | Sharp Corp | 波長変換部材および発光装置 |
JP2014043569A (ja) * | 2012-08-02 | 2014-03-13 | Nihon Ceratec Co Ltd | 蛍光体材料および発光装置 |
JP2014201648A (ja) * | 2013-04-04 | 2014-10-27 | パナソニック株式会社 | 蛍光体本体、蛍光体本体の製造方法、及びled素子 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
"Fumed Silica AREOSIL no Kihon Tokusei Technical Bulettin Fine Particles 11", July 2006 (2006-07-01), pages 21 - 23 , 62 TO 63, Retrieved from the Internet <URL:http://www.aerosil.com/product/aerosil/Documents/TB-11-JA.pdf> [retrieved on 20150116] * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10775686B2 (en) | 2016-05-31 | 2020-09-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Wavelength conversion element, light source apparatus and image projection apparatus |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI557950B (zh) | 2016-11-11 |
TW201530823A (zh) | 2015-08-01 |
JP2015089898A (ja) | 2015-05-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
WO2015068338A1 (ja) | 無機蛍光体粉末、無機蛍光体粉末を用いた硬化性樹脂組成物、波長変換部材および光半導体装置 | |
US8710741B2 (en) | Illuminating device | |
WO2011125463A1 (ja) | 光半導体装置用封止剤及び光半導体装置 | |
JP5034314B2 (ja) | 高屈折率透明粒子の製造方法と高屈折率透明粒子及び高屈折率透明複合体並びに発光素子 | |
EP2017295A1 (en) | Thermosetting composition for optical semiconductor, die bond material for optical semiconductor device, underfill material for optical semiconductor device, sealing agent for optical semiconductor device, and optical semiconductor device | |
JP2010100743A (ja) | 蛍光体含有組成物の製造方法 | |
WO2011162294A1 (ja) | 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置 | |
US20120329184A1 (en) | Casting composition as diffusion barrier for water molecules | |
WO2016121855A1 (ja) | 投射型表示装置用カラーホイール及びその製造方法、並びにこれを含む投射型表示装置 | |
JP2009102514A (ja) | 蛍光体含有組成物の製造方法、及び半導体発光デバイスの製造方法 | |
CN115335330A (zh) | 分散液、组合物、密封部件、发光装置、照明器具、显示装置及分散液的制造方法 | |
US20220177709A1 (en) | Dispersion liquid, composition, sealing member, light-emitting device, illumination tool, display device, and method for producing dispersion liquid | |
WO2010098285A1 (ja) | 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置 | |
JP2012012524A (ja) | 光半導体装置用封止剤及びそれを用いた光半導体装置 | |
JP2010100733A (ja) | 蛍光体含有組成物の製造方法 | |
JP5141107B2 (ja) | 照明装置 | |
JP5626788B2 (ja) | 封止材用塗料およびその用途 | |
JP2011136857A (ja) | 疎水性酸化ジルコニウム粒子、その製造方法および該疎水性酸化ジルコニウム粒子含有樹脂組成物ならびに樹脂硬化物膜付基材 | |
JP2010209186A (ja) | 光学材料と無機微粒子分散液及び光学材料の製造方法並びに発光素子 | |
JP2015149379A (ja) | 複合シートならびにそれを用いたledパッケージおよびその製造方法 | |
JP2012256085A (ja) | 発光装置、及び発光装置の製造方法 | |
JP2014127495A (ja) | Led装置、及びその製造方法 | |
JP2014160713A (ja) | Led装置の製造方法 | |
JP6060703B2 (ja) | シリコーン樹脂組成物及びそれを用いた発光ダイオード並びに半導体発光装置 | |
WO2012157330A1 (ja) | 光半導体装置用封止剤及び光半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 14859926 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
122 | Ep: pct application non-entry in european phase |
Ref document number: 14859926 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |