WO2013175954A1 - プローブ装置及びプローブ装置用ウエハ載置台 - Google Patents

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和哉 矢野
林　栄二
旨俊 長坂
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東京エレクトロン株式会社
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Definitions

  • a probe device for performing an electrical inspection of a semiconductor device formed on a semiconductor wafer is used.
  • Such a probe apparatus uses a probe card in which a large number of probes that are brought into contact with electrode pads on a semiconductor wafer are arranged.
  • the probe card is mounted on the card clamp mechanism of the probe apparatus, while the semiconductor wafer is sucked and held on the wafer mounting table, and the wafer mounting table is moved by the driving mechanism, so that the probe of the probe card and the semiconductor wafer are moved to each other. Electrical continuity is obtained by contacting the formed electrode of the semiconductor device to be measured. Then, an inspection signal is supplied from the tester to the semiconductor device to be measured through the probe, and an electrical inspection of the semiconductor device to be measured is performed by measuring a signal from the semiconductor device to be measured (see, for example, Patent Document 1). ).
  • a thick annular portion is formed on the outer peripheral edge portion on the back surface side.
  • a so-called “Taiko” wafer is used in which the other portion is a thin portion whose plate thickness is thinner than the annular portion (see, for example, Patent Document 2).
  • the semiconductor wafer having the thick annular portion and the thin thin portion is easy to bend because the rigidity of the thin portion is extremely lower than that of a normal semiconductor wafer. It has the characteristic that the rigidity is significantly different. For this reason, when such a semiconductor wafer is placed on the wafer mounting table of the probe device and sucked and held, it is difficult to suck the whole evenly, unlike the case of sucking and holding a normal semiconductor wafer. There's a problem.
  • a card clamping mechanism that detachably holds a probe card having a plurality of probes
  • a wafer mounting table that holds a semiconductor wafer by suction and has a drive mechanism.
  • a wafer mounting table for contacting electrodes formed on the semiconductor wafer with the plurality of probes of the probe card held by the card clamp mechanism by driving the drive mechanism.
  • the wafer is formed such that an annular portion protruding to the back surface side of the outer peripheral edge portion is formed and a portion other than the annular portion is a thin portion having a thinner plate thickness than the annular portion.
  • the mounting table includes a flat surface portion on which the thin portion is mounted, and a step portion formed on an outer peripheral edge portion of the flat surface portion and on which the annular portion is disposed, and the flat surface portion
  • a plurality of concentrically circular vacuum chuck grooves are formed, and at least a part of the plurality of vacuum chuck grooves is evacuated from a plurality of portions separated by at least 90 ° along the circumferential direction.
  • a probe apparatus characterized in that the vacuum path is connected.
  • a wafer mounting table which holds a semiconductor wafer by suction and has a drive mechanism, and is driven by the probe on a probe card by driving the drive mechanism.
  • a wafer mounting table for a probe device for contacting the formed electrode wherein an annular portion protruding to the back surface side of the outer peripheral edge portion is formed, and a portion other than the annular portion is a thin portion having a plate thickness thinner than the annular portion.
  • a plurality of concentrically circular vacuum chuck grooves are formed, and at least a part of the plurality of vacuum chuck grooves is evacuated from a plurality of portions separated by at least 90 ° along the circumferential direction. Wafer table for prober and a plurality of vacuum channels are connected to perform is provided.
  • the probe apparatus 1 includes a housing 2, and a wafer mounting table 10 for mounting and holding the semiconductor wafer W by suction is disposed in the housing 2.
  • the wafer mounting table 10 includes a drive mechanism 11 and can be moved in the x, y, z, and ⁇ directions by the drive of the drive mechanism 11.
  • the housing 2 positioned above the wafer mounting table 10 is provided with a circular opening, and an insert ring 12 is disposed along the peripheral edge of the circular opening.
  • the insert ring 12 is provided with a card clamp mechanism 13, and the probe card 20 is detachably held by the card clamp mechanism 13.
  • the probe card 20 includes a wiring board and a plurality of probes (not shown) electrically connected to the wiring board, and the probes of the probe card 20 are semiconductors formed on the semiconductor wafer W. It is arranged corresponding to the electrode of the device.
  • a needle grinder 14 for polishing the tip of the probe and a camera 15 that is arranged facing upward and can capture an upper image are disposed.
  • the camera 15 is composed of a CCD camera, for example, and images the probe of the probe card 20 and aligns it with the probe.
  • test head 30 connected to a tester for sending a signal for inspection and detecting the signal from the semiconductor device to inspect the state of the semiconductor device is disposed above the probe card 20.
  • the semiconductor wafer W to be electrically inspected by the probe device 1 is formed with an annular portion 120 that protrudes toward the back surface side of the outer peripheral edge portion, and portions other than the annular portion 120 are annular.
  • This is a so-called TAIKO wafer in which the thin portion 121 is thinner than the portion 120.
  • the thin portion 121 has a thickness of, for example, about 100 ⁇ m or less (for example, 40 ⁇ m), and is much thinner than a normal semiconductor wafer (for example, a thickness of 700 ⁇ m). For this reason, the thin part 121 has low rigidity and is easily deformed. Further, since the annular portion 120 is thick, its rigidity is high. By providing the annular portion 120, the entire semiconductor wafer W is suppressed from being deformed and can be easily handled. Such a semiconductor wafer W is manufactured, for example, by grinding the inside of the annular portion 120 while leaving the portion of the annular portion 120.
  • the mounting surface includes a flat portion 111 on which the thin portion 121 is placed, and a flat portion 111.
  • a step portion 110 is formed on the outer peripheral edge portion, and a step portion 110 is formed so as to be lowered downward so that the annular portion 120 can be disposed.
  • the vacuum chuck grooves 112i to 112n located on the inner periphery are connected to a vacuum pipe 113 that forms a vacuum path.
  • the vacuum chuck grooves 112a to 112h located on the outer peripheral portion are connected to two vacuum pipes 114a and a vacuum pipe 114b that form a vacuum path.
  • the two vacuum pipes 114a and the vacuum pipe 114b are disposed at positions separated from each other by 90 ° or more along the circumferential direction (positions separated by about 130 ° in the present embodiment).
  • the semiconductor wafer W which is a so-called Tyco wafer, including the thick annular portion 120 and the thin thin portion 121 can be uniformly adsorbed and held.
  • the strength of the suction force with respect to the semiconductor wafer W can be confirmed by visual observation because the thickness of the thin portion 121 is thin and the vacuum chuck groove 112 can be seen from the surface side of the semiconductor wafer W. This is because the vacuum chuck groove 112 can be clearly seen in the portion, while the vacuum chuck groove 112 cannot be clearly seen in the portion having a weak suction force.
  • the suction force at the site 180 ° away from the vacuum pipe 114a is weak because the site is the farthest away from the vacuum pipe 114a and when the thin part 121 is sucked at the end. It is presumed that the deflection is concentrated on this part. Moreover, in the wafer mounting base 10a having the structure shown in FIG. This is presumed to be because the outer peripheral portion has relatively higher rigidity than the inner peripheral portion.
  • the storage unit 42 stores a recipe that stores a control program (software), inspection condition data, and the like for realizing various operations executed by the probe device 1 under the control of the control unit 40. Then, if necessary, various recipes in the probe apparatus 1 are controlled under the control of the control unit 40 by calling an arbitrary recipe from the storage unit 42 according to an instruction from the operation unit 41 and causing the control unit 40 to execute the recipe. Is done.
  • recipes such as control programs and processing condition data may be stored in a computer-readable computer recording medium (eg, hard disk, CD, flexible disk, semiconductor memory, etc.), or For example, it can be transmitted from other devices as needed via a dedicated line and used online.

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Abstract

　板厚の厚い環状部と板厚の薄い薄厚部とを有する半導体ウエハを均一に吸着保持することのできるプローブ装置及びプローブ装置用ウエハ載置台を提供する。　プローブカードを着脱自在に保持するカードクランプ機構と、半導体ウエハを吸着保持し、プローブに、半導体ウエハに形成された電極を接触させるウエハ載置台と、を具備したプローブ装置であって、外周縁部裏面側に突出する環状部が形成され且つ環状部以外の部分が環状部より板厚の薄い薄厚部とされた半導体ウエハを載置可能とするように、ウエハ載置台は、薄厚部を載置する平面部と、平面部の外周縁部に形成され且つ環状部を配置する段差部とを有し、平面部には同心状に円形の複数の真空チャック用溝が形成され、真空チャック用溝の少なくとも一部には、周方向に沿って互いに少なくとも９０°以上離間した複数の部位から真空引きを行う複数の真空路が接続されている。

Description

プローブ装置及びプローブ装置用ウエハ載置台
　本発明は、プローブ装置及びプローブ装置用ウエハ載置台に関する。
　半導体デバイスの製造工程では、半導体ウエハ上に形成された半導体デバイスの電気的な検査を行うためのプローブ装置が用いられている。このようなプローブ装置では、半導体ウエハ上の電極パッドに接触される多数のプローブが配設されたプローブカードを用いている。
　そして、このプローブカードをプローブ装置のカードクランプ機構に装着する一方、ウエハ載置台上に半導体ウエハを吸着保持し、駆動機構によってウエハ載置台を移動させることによって、プローブカードのプローブと、半導体ウエハに形成された被測定半導体デバイスの電極とを接触させて電気的な導通を得る。そして、プローブを介してテスタから被測定半導体デバイスに検査信号を供給し、被測定半導体デバイスからの信号を測定することによって被測定半導体デバイスの電気的な検査を行う（例えば、特許文献１参照。）。
　プローブ装置のウエハ載置台は、真空チャックによって半導体ウエハを吸着保持する。このため、ウエハ載置台の載置面には、例えば、円形の真空チャック用溝が同心状に等間隔で複数配設されている。そしてこれらの真空チャック用溝に接続された真空路から真空排気することによって、半導体ウエハを載置面に吸着する。
　近年、半導体ウエハの薄厚化が行われており、また、このような薄厚化した半導体ウエハの取り扱いを容易にするため、裏面側の外周縁部に板厚の厚い環状部が形成され、環状部以外の部分が環状部より板厚の薄い薄厚部とされた所謂タイコ（Ｔａｉｋｏ）ウエハが用いられている（例えば、特許文献２参照。）。このように板厚の厚い環状部と板厚の薄い薄厚部とを有する半導体ウエハは、薄厚部の剛性が通常の半導体ウエハに比べて非常に低いため撓み易く、かつ、環状部と薄厚部の剛性が著しく異なるという特性を有している。このため、このような半導体ウエハを、プローブ装置のウエハ載置台に載置して吸着保持する場合、通常の半導体ウエハを吸着保持する場合と異なり、全体を均一に吸着することが困難であるという問題がある。
特開２０１０−８０７７５号公報 特開２０１０−９８０５６号公報
　上記のとおり、従来のプローブ装置では、板厚の厚い環状部と板厚の薄い薄厚部とを有する半導体ウエハをウエハ載置台に吸着保持する際に、全体を均一に吸着することが困難であるという問題があった。
　本発明は、上記従来の事情に対処してなされたものであり、板厚の厚い環状部と板厚の薄い薄厚部とを有する半導体ウエハを均一に吸着保持することのできるプローブ装置及びプローブ装置用ウエハ載置台を提供することを目的とする。
　上記目的を達成するために、本発明によれば、複数のプローブを有するプローブカードを、着脱自在に保持するカードクランプ機構と、半導体ウエハを吸着保持し且つ駆動機構を有するウエハ載置台であって、前記駆動機構を駆動することによって前記カードクランプ機構に保持された前記プローブカードの前記複数のプローブに、前記半導体ウエハに形成された電極を接触させるウエハ載置台と、を具備したプローブ装置であって、外周縁部裏面側に突出する環状部が形成され且つ前記環状部以外の部分が前記環状部より板厚の薄い薄厚部とされた前記半導体ウエハを載置可能とするように、前記ウエハ載置台は、前記薄厚部を載置する平面部と、前記平面部の外周縁部に形成され且つ前記環状部を配置する段差部とを有し、前記平面部には同心状に円形の複数の真空チャック用溝が形成され、前記複数の真空チャック用溝の少なくとも一部には、周方向に沿って少なくとも９０°以上離間した複数の部位から真空引きを行う複数の真空路が接続されていることを特徴とするプローブ装置が提供される。
　上記目的を達成するために、本発明によれば、半導体ウエハを吸着保持し且つ駆動機構を有するウエハ載置台であって、前記駆動機構を駆動することによってプローブカードのプローブに、前記半導体ウエハに形成された電極を接触させるプローブ装置用ウエハ載置台であって、外周縁部裏面側に突出する環状部が形成され且つ前記環状部以外の部分が前記環状部より板厚の薄い薄厚部とされた前記半導体ウエハを載置可能とするように、前記薄厚部を載置する平面部と、前記平面部の外周縁部に形成され前記環状部を配置する段差部とを有し、前記平面部には同心状に円形の複数の真空チャック用溝が形成され、前記複数の真空チャック用溝の少なくとも一部には、周方向に沿って少なくとも９０°以上離間した複数の部位から真空引きを行う複数の真空路が接続されていることを特徴とするプローブ装置用ウエハ載置台が提供される。
　本発明によれば、板厚の厚い環状部と板厚の薄い薄厚部とを有する半導体ウエハを均一に吸着保持することができる。
本発明の一実施形態に係るプローブ装置の構成を模式的に示す図である。 図１のプローブ装置のウエハ載置台の縦断面構成を示す図である。 図１のプローブ装置のウエハ載置台の上面構成を示す図である。 比較例のプローブ装置のウエハ載置台の上面構成を示す図である。
　以下、本発明の一実施形態を、図面を参照して説明する。
　まず、図１を参照して、半導体ウエハに形成された半導体デバイスの検査を行うプローブ装置の構成について説明する。図１に示すように、プローブ装置１は、筺体２を具備しており、この筺体２内には、半導体ウエハＷを載置して吸着保持するためのウエハ載置台１０が配設されている。このウエハ載置台１０は、駆動機構１１を具備しており、該駆動機構１１の駆動によってｘ、ｙ、ｚ、及びθ方向に移動可能である。
　ウエハ載置台１０の上方に位置する筺体２には、円形の開口部が設けられており、この円形の開口部の周縁部に沿ってインサートリング１２が配設されている。このインサートリング１２には、カードクランプ機構１３が設けられており、このカードクランプ機構１３によって、プローブカード２０が、着脱自在に保持されている。
　プローブカード２０は、配線基板及びこの配線基板と電気的に接続された複数のプローブ（図示せず。）等から構成されており、プローブカード２０のプローブは、半導体ウエハＷ上に形成された半導体デバイスの電極に対応して配設されている。
　また、ウエハ載置台１０の側方には、プローブの先端部を研磨するための針研盤１４と、上方に向けて配置され上部の画像を撮像可能なカメラ１５が配設されている。このカメラ１５は、例えばＣＣＤカメラ等からなり、プローブカード２０のプローブ等を撮像してプローブとの位置合わせを行う。
　また、プローブカード２０の上方には、検査用の信号を送るとともに、半導体デバイスからの信号を検出して半導体デバイスの状態を検査するためのテスタに接続されたテストヘッド３０が配設される。
　本実施形態において、プローブ装置１で電気的な検査を行う半導体ウエハＷは、図２に示すように、外周縁部裏面側に突出する環状部１２０が形成され、環状部１２０以外の部分が環状部１２０より板厚の薄い薄厚部１２１とされた、所謂タイコ（Ｔａｉｋｏ）ウエハである。
　この場合、薄厚部１２１は、厚さが例えば１００μｍ以下（例えば４０μｍ）程度とされており、通常の半導体ウエハ（例えば厚さ７００μｍ）に比べて厚さが非常に薄くなっている。このため、薄厚部１２１はその剛性が低く、変形し易い。また、環状部１２０は厚さが厚いので、その剛性が高い。この環状部１２０が設けられることで、半導体ウエハＷは全体が変形することが抑制され、容易に取り扱うことができる。なお、このような半導体ウエハＷは、例えば、環状部１２０の部分を残してその内側を研削することによって製造される。
　ウエハ載置台１０は、上記構成の半導体ウエハＷを載置可能とするため、その載置面が、図２に示すように、薄厚部１２１が載置される平面部１１１と、平面部１１１の外周縁部に形成され、環状部１２０を配置可能とするように下側に下がる段差が形成された段差部１１０とを有する。
　また、図３に示すように、ウエハ載置台１０の平面部１１１には、同心状に円形の複数の真空チャック用溝１１２（１１２ａ~１１２ｎ）が形成されている。真空チャック用溝１１２（１１２ａ~１１２ｎ）は、最内周部の真空チャック用溝１１２ｎから外側に向けて等間隔で配設されているが、最外周部の真空チャック用溝１１２ａと、最外周部から２番目の真空チャック用溝１１２ｂと、最外周部から３番目の真空チャック用溝１１２ｃとは、これらの間の間隔（距離）が、他の真空チャック用溝１１２（１１２ｃ~１１２ｎ）間の間隔の１／２となるように配設されている。
　なお、本実施形態では、上記のように外周部に配設されている３本の真空チャック用溝１１２ａ，１１２ｂ，１１２ｃの溝間の間隔（距離）が他の真空チャック用溝１１２間の間隔より近接するように配設されているが、少なくとも、最外周部に形成された２本の真空チャック用溝１１２ａ，１１２ｂの溝間の間隔（距離）が他の部位より近接するように配設されていればよい。
　各真空チャック用溝１１２ａ~１１２ｎのうち、内周部に位置する真空チャック用溝１１２ｉ~１１２ｎは、真空路を形成する真空配管１１３に接続されている。また、外周部に位置する真空チャック用溝１１２ａ~１１２ｈは、真空路を形成する２つの真空配管１１４ａと、真空配管１１４ｂに接続されている。そして、２つの真空配管１１４ａと、真空配管１１４ｂは、周方向に沿って互いに９０°以上離間した位置（本実施形態では、約１３０°離間した位置）に配設されている。ここで、２つの真空配管１１４ａと、真空配管１１４ｂを周方向に沿って互いに９０°以上離間した位置に配設するのは、真空配管から離れた部位における半導体ウエハＷに対する吸着力の低下を避けるためである。したがって、２つの真空配管１１４ａと、真空配管１１４ｂは、互いに１２０°以上離間した位置に配設することがより好ましく、互いに１８０°離間した位置に配設することが最も好ましい。
　なお、本実施形態では、上記のように２つの真空配管１１４ａと、真空配管１１４ｂを配設したが、３つ以上の真空配管を配設してもよい。３つの真空配管を配設する場合、例えば、各真空配管を周方向に沿って互いに１２０°離間した位置に配設することが好ましく、４つの真空配管を配設する場合、例えば、各真空配管を周方向に沿って互いに９０°離間した位置に配設することが好ましい。
　また、本実施形態では、内周部に位置する真空チャック用溝１１２ｉ~１１２ｎに接続された真空配管１１３と、外周部に位置する真空チャック用溝１１２ａ~１１２ｈに接続された真空配管１１４ａ及び真空配管１１４ｂとを別々に配設している。しかしながら、例えば、真空配管１１４ａ及び真空配管１１４ｂを、内側に位置する真空チャック用溝１１２ｉ~１１２ｎにも接続し、真空配管１１３を配設しない構成としてもよい。
　上記構成のウエハ載置台１０では、板厚の厚い環状部１２０と、板厚の薄い薄厚部１２１を具備する所謂タイコ（Ｔａｉｋｏ）ウエハである半導体ウエハＷを均一に吸着保持することができる。
　ここで、例えば図４に示すように、ウエハ載置台１０ａにおいて、各真空チャック用溝１１２の全ての溝間の間隔が同一であり、図３と比べた場合に最外周部から２番目の真空チャック用溝１１２ｂが無く、かつ、真空配管１１４ｂを有しない。このウエハ載置台１０ａは、板厚の厚い環状部１２０と、板厚の薄い薄厚部１２１とを具備する所謂タイコ（Ｔａｉｋｏ）ウエハを均一に吸着保持することができない。
　すなわち、同一の厚さの薄厚部１２１における環状部１２０近傍の外周部は、環状部１２０の存在によってその剛性が高められている。これに対して、薄厚部１２１の中央部は、剛性の高い環状部１２０から離れているため、その剛性が外周部に比べて低い。このため、真空配管１１３と真空配管１１４ａによって真空排気を開始すると、先ず薄厚部１２１の中央部がウエハ載置台１０ａに吸着されるとともに、薄厚部１２１の外周部においては、真空配管１１４ａの近傍から周方向両側に向けて順次ウエハ載置台１０ａに吸着される。そして、真空配管１１４ａと１８０°離れた部位が最後にウエハ載置台１０ａに吸着されるため、該部位においては、他の部位に比べて半導体ウエハＷに対する吸着力が弱いことが目視によって確認できる。
　なお、目視によって半導体ウエハＷに対する吸着力の強弱を確認できるのは、薄厚部１２１の板厚が薄く、半導体ウエハＷの表面側から真空チャック用溝１１２を見ることができるため、吸着力の強い部分では真空チャック用溝１１２をはっきり見ることができる一方、吸着力の弱い部分では真空チャック用溝１１２をはっきり見ることができないからである。
　上記のように、真空配管１１４ａから１８０°離れた部位における吸着力が弱くなるのは、この部位が真空配管１１４ａから最も離れた位置であるため、及び最後に吸着されることによって薄厚部１２１の撓みがこの部位に集中するためと推測される。また、図４に示す構造のウエハ載置台１０ａでは、内周部に比べて外周部において半導体ウエハＷに対する吸着力が弱いことも確認できた。これは、内周部に比べて外周部の方が相対的に剛性が高いためと推測される。
　上記のように、半導体ウエハＷのウエハ載置台１０ａへの吸着状態が不均一になると、このウエハ載置台１０ａ上に吸着保持された半導体ウエハＷの電極にプローブを接触させる際に、プローブの接触圧が不均一になる等の問題が生じる。
　これに対して、図３に示した本実施形態のウエハ載置台１０では、外周部に位置する真空チャック用溝１１２ａ~１１２ｈには、周方向に沿って互いに９０°以上離間した位置（約１３０°離間した位置）において、真空路を形成する２つの真空配管１１４ａと、真空配管１１４ｂとが接続されている。これによって、真空配管から離間することによって、半導体ウエハＷに対する吸着力が弱くなる部位が無くなるとともに、吸着開始時には、ウエハ載置台１０の外周部における半導体ウエハＷの吸着が、真空配管１１４ａの近傍と、真空配管１１４ｂの近傍とにおいて、夫々周方向両側に向けて進行するため、薄厚部１２１の撓みが１箇所に集中することがなく分散される。この結果、半導体ウエハＷの全体が均一にウエハ載置台１０に吸着される。
　また、ウエハ載置台１０では、最外周部の真空チャック用溝１１２ａと、最外周部から２番目の真空チャック用溝１１２ｂと、最外周部から３番目の真空チャック用溝１１２ｃとは、これらの間の間隔が他の真空チャック用溝１１２間の間隔の１／２となるように配設されている。これによって、ウエハ載置台１０の外周部における半導体ウエハＷに対する吸着力が高くなり、内周部に比べて外周部の吸着力が弱くなることを回避できるので、さらに半導体ウエハＷの全体を均一にウエハ載置台１０に吸着することができる。
　図１に示すように、上記構成のプローブ装置１は、ＣＰＵ等を備えた制御部４０によって、その動作が統括的に制御される。この制御部４０は、操作部４１と、記憶部４２とを具備している。
　操作部４１は、工程管理者がプローブ装置１を管理するためにコマンドの入力操作を行うキーボードや、プローブ装置１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等から構成されている。
　記憶部４２には、プローブ装置１で実行される各種動作を制御部４０の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や検査条件データ等が記憶されたレシピが格納されている。そして、必要に応じて、操作部４１からの指示等にて任意のレシピを記憶部４２から呼び出して制御部４０に実行させることで、制御部４０の制御下で、プローブ装置１での各種動作が行われる。また、制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータで読取り可能なコンピュータ記録媒体（例えば、ハードディスク、ＣＤ、フレキシブルディスク、半導体メモリ等）などに格納された状態のものを利用したり、或いは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
　以上のように構成されたプローブ装置１を用いて、半導体ウエハＷに形成された半導体デバイスの電気的な検査を行う際には、半導体ウエハＷをウエハ載置台１０上に載置し、吸着保持する。この後、ウエハ載置台１０によって半導体ウエハＷを移動させ、半導体ウエハＷの各電極を、プローブカード２０の対応するプローブに接触させることによって電気的な導通を得、テストヘッド３０に接続されたテスタによって半導体デバイスの電気的特性の良否を検査する。
　以上本発明を実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、各種の変形が可能であることは勿論である。
　本出願は、２０１２年５月２３日に出願された日本出願第２０１２−１１７２０７号に基づく優先権を主張するものであり、当該日本出願に記載された全内容を本出願に援用する。
１　プローブ装置
２　筺体
１０　ウエハ載置台
１１　駆動機構
１２　インサートリング
１３　カードクランプ機構
１４　針研盤
１５　カメラ
２０　プローブカード
３０　テストヘッド
４０　制御部
４１　操作部
４２　記憶部

Claims (6)

  1. 　複数のプローブを有するプローブカードを、着脱自在に保持するカードクランプ機構と、
    　半導体ウエハを吸着保持し且つ駆動機構を有するウエハ載置台であって、前記駆動機構を駆動することによって前記カードクランプ機構に保持された前記プローブカードの前記複数のプローブに、前記半導体ウエハに形成された電極を接触させるウエハ載置台と、
    　を具備したプローブ装置であって、
    　外周縁部裏面側に突出する環状部が形成され且つ前記環状部以外の部分が前記環状部より板厚の薄い薄厚部とされた前記半導体ウエハを載置可能とするように、前記ウエハ載置台は、前記薄厚部を載置する平面部と、前記平面部の外周縁部に形成され且つ前記環状部を配置する段差部とを有し、
    　前記平面部には同心状に円形の複数の真空チャック用溝が形成され、前記複数真空チャック用溝の少なくとも一部には、周方向に沿って互いに少なくとも９０°以上離間した複数の部位から真空引きを行う複数の真空路が接続されている
    　ことを特徴とするプローブ装置。
  2. 　前記複数の真空チャック用溝のうち、内周側の真空チャック用溝には前記複数の真空路のうちの１つの真空路が接続され、外周側の前記真空チャック用溝には前記複数の真空路のうちの他の複数の真空路が接続されていることを特徴とする請求項１記載のプローブ装置。
  3. 　前記複数の真空チャック用溝のうち、最外周部に形成された２本の真空チャック用溝は、互いの溝間の距離が他の真空チャック用溝の間の溝間より短くなるように配設されていることを特徴とする請求項１又は２記載のプローブ装置。
  4. 　半導体ウエハを吸着保持し且つ駆動機構を有するウエハ載置台であって、前記駆動機構を駆動することによってプローブカードのプローブに、前記半導体ウエハに形成された電極を接触させるプローブ装置用ウエハ載置台であって、
    　外周縁部裏面側に突出する環状部が形成され且つ前記環状部以外の部分が前記環状部より板厚の薄い薄厚部とされた前記半導体ウエハを載置可能とするように、前記薄厚部を載置する平面部と、前記平面部の外周縁部に形成され且つ前記環状部を配置する段差部とを有し、
    　前記平面部には同心状に円形の複数の真空チャック用溝が形成され、前記複数の真空チャック用溝の少なくとも一部には、周方向に沿って互いに少なくとも９０°以上離間した複数の部位から真空引きを行う複数の真空路が接続されている
    　ことを特徴とするプローブ装置用ウエハ載置台。
  5. 　前記複数の真空チャック用溝のうち、内周側の真空チャック用溝には前記複数の真空路のうちの１つの真空路が接続され、外周側の前記真空チャック用溝には前記複数の真空路のうちの他の複数の真空路が接続されていることを特徴とする請求項４記載のプローブ装置用ウエハ載置台。
  6. 　前記複数の真空チャック用溝のうち、最外周部に形成された２本の真空チャック用溝は、互いの溝間の距離が他の真空チャック用溝の間の溝間より短くなるように配設されていることを特徴とする請求項４又は５記載のプローブ装置用ウエハ載置台。
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