KR20150022776A - 프로브 장치 및 프로브 장치용 웨이퍼 재치대 - Google Patents

프로브 장치 및 프로브 장치용 웨이퍼 재치대 Download PDF

Info

Publication number
KR20150022776A
KR20150022776A KR1020147032592A KR20147032592A KR20150022776A KR 20150022776 A KR20150022776 A KR 20150022776A KR 1020147032592 A KR1020147032592 A KR 1020147032592A KR 20147032592 A KR20147032592 A KR 20147032592A KR 20150022776 A KR20150022776 A KR 20150022776A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
vacuum
grooves
probe
vacuum chuck
wafer
Prior art date
Application number
KR1020147032592A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101725267B1 (ko
Inventor
카즈야 야노
에이지 하야시
무네토시 나가사카
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20150022776A publication Critical patent/KR20150022776A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101725267B1 publication Critical patent/KR101725267B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0425—Test clips, e.g. for IC's
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
    • G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
    • G01R1/0491—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets for testing integrated circuits on wafers, e.g. wafer-level test cartridge
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02—General constructional details
    • G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067—Measuring probes
    • G01R1/073—Multiple probes
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

판 두께가 두꺼운 환상부와 판 두께가 얇은 박후부를 가지는 반도체 웨이퍼를 균일하게 흡착 보지할 수 있는 프로브 장치 및 프로브 장치용 웨이퍼 재치대를 제공한다. 프로브 카드를 착탈 가능하게 보지하는 카드 클램프 기구와, 반도체 웨이퍼를 흡착 보지하고, 프로브에 반도체 웨이퍼에 형성된 전극을 접촉시키는 웨이퍼 재치대를 구비한 프로브 장치로서, 외주연부 이면측으로 돌출되는 환상부가 형성되고 또한 환상부 이외의 부분이 환상부보다 판 두께가 얇은 박후부로 이루어진 반도체 웨이퍼를 재치 가능하게 하도록, 웨이퍼 재치대는, 박후부를 재치하는 평면부와, 평면부의 외주연부에 형성되고 또한 환상부를 배치하는 단차부를 가지며, 평면부에는 동심 형상으로 원형의 복수의 진공 척용 홈이 형성되고, 진공 척용 홈 중 적어도 일부에는 둘레 방향을 따라 서로 적어도 90° 이상 이격된 복수의 부위로부터 진공 배기를 행하는 복수의 진공로가 접속되어 있다.

Description

프로브 장치 및 프로브 장치용 웨이퍼 재치대{PROBE APPARATUS, AND WAFER PLACING TABLE FOR PROBE APPARATUS}
본 발명은 프로브 장치 및 프로브 장치용 웨이퍼 재치대(載置臺)에 관한 것이다.
반도체 디바이스의 제조 공정에서는, 반도체 웨이퍼 상에 형성된 반도체 디바이스의 전기적인 검사를 행하기 위한 프로브 장치가 이용되고 있다. 이러한 프로브 장치에서는, 반도체 웨이퍼 상의 전극 패드에 접촉되는 다수의 프로브가 설치된 프로브 카드를 이용하고 있다.
그리고, 이 프로브 카드를 프로브 장치의 카드 클램프 기구에 장착하는 한편, 웨이퍼 재치대 상에 반도체 웨이퍼를 흡착 보지(保持)하고. 구동 기구에 의해 웨이퍼 재치대를 이동시킴으로써, 프로브 카드의 프로브와, 반도체 웨이퍼에 형성된 피측정 반도체 디바이스의 전극을 접촉시켜 전기적인 도통을 얻는다. 그리고, 프로브를 개재하여 테스터로부터 피측정 반도체 디바이스에 검사 신호를 공급하고, 피측정 반도체 디바이스로부터의 신호를 측정함으로써 피측정 반도체 디바이스의 전기적인 검사를 행한다(예를 들면, 특허 문헌 1 참조).
프로브 장치의 웨이퍼 재치대는 진공 척에 의해 반도체 웨이퍼를 흡착 보지한다. 이 때문에, 웨이퍼 재치대의 재치면에는 예를 들면 원형의 진공 척용 홈이 동심 형상으로 등간격으로 복수 설치되어 있다. 그리고 이들 진공 척용 홈에 접속된 진공로로부터 진공 배기함으로써 반도체 웨이퍼를 재치면에 흡착시킨다.
최근 반도체 웨이퍼의 박후화(薄厚化)가 행해지고 있고, 또한 이러한 박후화된 반도체 웨이퍼의 취급을 용이하게 하기 위하여, 이면측의 외주연부에 판 두께가 두꺼운 환상부(環狀部)가 형성되고, 환상부 이외의 부분이 환상부보다 판 두께가 얇은 박후부로 이루어진 이른바 타이코(Taiko) 웨이퍼가 이용되고 있다(예를 들면, 특허 문헌 2 참조). 이와 같이 판 두께가 두꺼운 환상부와 판 두께가 얇은 박후부를 가지는 반도체 웨이퍼는, 박후부의 강성이 통상의 반도체 웨이퍼에 비해 매우 낮기 때문에 휘어지기 쉽고, 또한 환상부와 박후부의 강성이 현저하게 상이하다고 하는 특성을 가지고 있다. 이 때문에, 이러한 반도체 웨이퍼를 프로브 장치의 웨이퍼 재치대에 재치하여 흡착 보지할 경우, 통상의 반도체 웨이퍼를 흡착 보지하는 경우와 달리, 전체를 균일하게 흡착시키는 것이 곤란하다고 하는 문제가 있다.
일본특허공개공보 2010-080775호 일본특허공개공보 2010-098056호
상기한 바와 같이 종래의 프로브 장치에서는, 판 두께가 두꺼운 환상부와 판 두께가 얇은 박후부를 가지는 반도체 웨이퍼를 웨이퍼 재치대에 흡착 보지할 시, 전체를 균일하게 흡착시키는 것이 곤란하다고 하는 문제가 있었다.
본 발명은 상기 종래의 사정에 대처하여 이루어진 것이며, 판 두께가 두꺼운 환상부와 판 두께가 얇은 박후부를 가지는 반도체 웨이퍼를 균일하게 흡착 보지할 수 있는 프로브 장치 및 프로브 장치용 웨이퍼 재치대를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따르면, 복수의 프로브를 가지는 프로브 카드를 착탈 가능하게 보지하는 카드 클램프 기구와, 반도체 웨이퍼를 흡착 보지하고 또한 구동 기구를 가지는 웨이퍼 재치대로서, 상기 구동 기구를 구동시킴으로써 상기 카드 클램프 기구에 보지된 상기 프로브 카드의 상기 복수의 프로브에 상기 반도체 웨이퍼에 형성된 전극을 접촉시키는 웨이퍼 재치대를 구비한 프로브 장치로서, 외주연부 이면측으로 돌출되는 환상부가 형성되고 또한 상기 환상부 이외의 부분이 상기 환상부보다 판 두께가 얇은 박후부로 이루어진 상기 반도체 웨이퍼를 재치 가능하게 하도록, 상기 웨이퍼 재치대는, 상기 박후부를 재치하는 평면부와, 상기 평면부의 외주연부에 형성되고 또한 상기 환상부를 배치하는 단차부를 가지고, 상기 평면부에는 동심 형상으로 원형의 복수의 진공 척용 홈이 형성되고, 상기 복수의 진공 척용 홈 중 적어도 일부에는 둘레 방향을 따라 적어도 90° 이상 이격된 복수의 부위로부터 진공 배기를 행하는 복수의 진공로가 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 프로브 장치가 제공된다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따르면, 반도체 웨이퍼를 흡착 보지하고 또한 구동 기구를 가지는 웨이퍼 재치대로서, 상기 구동 기구를 구동시킴으로써 프로브 카드의 프로브에 상기 반도체 웨이퍼에 형성된 전극을 접촉시키는 프로브 장치용 웨이퍼 재치대로서, 외주연부 이면측으로 돌출되는 환상부가 형성되고 또한 상기 환상부 이외의 부분이 상기 환상부보다 판 두께가 얇은 박후부로 이루어진 상기 반도체 웨이퍼를 재치 가능하게 하도록, 상기 박후부를 재치하는 평면부와, 상기 평면부의 외주연부에 형성되고 상기 환상부를 배치하는 단차부를 가지고, 상기 평면부에는 동심 형상으로 원형의 복수의 진공 척용 홈이 형성되고, 상기 복수의 진공 척용 홈 중 적어도 일부에는 둘레 방향을 따라 적어도 90° 이상 이격된 복수의 부위로부터 진공 배기를 행하는 복수의 진공로가 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 프로브 장치용 웨이퍼 재치대가 제공된다.
본 발명에 따르면, 판 두께가 두꺼운 환상부와 판 두께가 얇은 박후부를 가지는 반도체 웨이퍼를 균일하게 흡착 보지할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 프로브 장치의 구성을 모식적으로 도시한 도이다.
도 2는 도 1의 프로브 장치의 웨이퍼 재치대의 종단면 구성을 도시한 도이다.
도 3은 도 1의 프로브 장치의 웨이퍼 재치대의 상면 구성을 도시한 도이다.
도 4는 비교예의 프로브 장치의 웨이퍼 재치대의 상면 구성을 도시한 도이다.
이하, 본 발명의 일실시예를 도면을 참조하여 설명한다.
먼저, 도 1을 참조하여 반도체 웨이퍼에 형성된 반도체 디바이스의 검사를 행하는 프로브 장치의 구성에 대하여 설명한다. 도 1에 도시한 바와 같이, 프로브 장치(1)는 하우징(2)을 구비하고 있고, 이 하우징(2) 내에는 반도체 웨이퍼(W)를 재치하여 흡착 보지하기 위한 웨이퍼 재치대(10)가 설치되어 있다. 이 웨이퍼 재치대(10)는 구동 기구(11)를 구비하고 있고, 이 구동 기구(11)의 구동에 의해 x, y, z, 및 θ 방향으로 이동 가능하다.
웨이퍼 재치대(10)의 상방에 위치하는 하우징(2)에는 원형의 개구부가 형성되어 있고, 이 원형의 개구부의 주연부를 따라 인서트링(12)이 설치되어 있다. 이 인서트링(12)에는 카드 클램프 기구(13)가 설치되어 있어, 이 카드 클램프 기구(13)에 의해 프로브 카드(20)가 착탈 가능하게 보지되고 있다.
프로브 카드(20)는 배선 기판 및 이 배선 기판과 전기적으로 접속된 복수의 프로브(도시하지 않음) 등으로 구성되어 있고, 프로브 카드(20)의 프로브는 반도체 웨이퍼(W) 상에 형성된 반도체 디바이스의 전극에 대응하여 설치되어 있다.
또한 웨이퍼 재치대(10)의 측방에는, 프로브의 선단부를 연마하기 위한 침 연마반(14)과, 상방을 향해 배치되고 상부의 화상을 촬상 가능한 카메라(15)가 설치되어 있다. 이 카메라(15)는 예를 들면 CCD 카메라 등으로 이루어지고, 프로브 카드(20)의 프로브 등을 촬상하여 프로브와의 위치 조정을 행한다.
또한 프로브 카드(20)의 상방에는, 검사용의 신호를 보내고, 또한 반도체 디바이스로부터의 신호를 검출하여 반도체 디바이스 상태를 검사하기 위한 테스터에 접속된 테스트 헤드(30)가 설치된다.
본 실시예에서, 프로브 장치(1)에서 전기적인 검사를 행하는 반도체 웨이퍼(W)는, 도 2에 도시한 바와 같이, 외주연부 이면측으로 돌출되는 환상부(120)가 형성되고, 환상부(120) 이외의 부분이 환상부(120)보다 판 두께가 얇은 박후부(121)로 이루어진 이른바 타이코(Taiko) 웨이퍼이다.
이 경우, 박후부(121)는 두께가 예를 들면 100 μm 이하(예를 들면 40 μm) 정도로 이루어져 있고, 통상의 반도체 웨이퍼(예를 들면 두께 700 μm)에 비해 두께가 매우 얇게 되어 있다. 이 때문에, 박후부(121)는 그 강성이 낮아 변형되기 쉽다. 또한, 환상부(120)는 두께가 두꺼우므로 그 강성이 높다. 이 환상부(120)가 형성됨으로써, 반도체 웨이퍼(W)는 전체가 변형되는 것이 억제되어 용이하게 취급할 수 있다. 또한 이러한 반도체 웨이퍼(W)는, 예를 들면 환상부(120)의 부분을 남기고 그 내측을 연삭함으로써 제조된다.
웨이퍼 재치대(10)는 상기 구성의 반도체 웨이퍼(W)를 재치 가능하게 하기 위하여, 그 재치면이 도 2에 도시한 바와 같이, 박후부(121)가 재치되는 평면부(111)와, 평면부(111)의 외주연부에 형성되고, 환상부(120)를 배치 가능하게 하도록 하측으로 낮아지는 단차가 형성된 단차부(110)를 가진다.
또한 도 3에 도시한 바와 같이 웨이퍼 재치대(10)의 평면부(111)에는, 동심 형상으로 원형의 복수의 진공 척용 홈(112(112a ~ 112n))이 형성되어 있다. 진공 척용 홈(112(112a ~ 112n))은 최내주부의 진공 척용 홈(112n)으로부터 외측을 향해 등간격으로 형성되어 있는데, 최외주부의 진공 척용 홈(112a)과, 최외주부로부터 2 번째의 진공 척용 홈(112b)과, 최외주부로부터 3 번째의 진공 척용 홈(112c)은 이들 간의 간격(거리)이 다른 진공 척용 홈(112(112c ~ 112n)) 간의 간격의 1 / 2이 되도록 형성되어 있다.
또한 본 실시예에서는, 상기와 같이 외주부에 형성되어 있는 3 개의 진공 척용 홈(112a, 112b, 112c)의 홈 간의 간격(거리)이 다른 진공 척용 홈(112) 간의 간격보다 근접하도록 배치되어 있는데, 적어도 최외주부에 형성된 2 개의 진공 척용 홈(112a, 112b)의 홈 간의 간격(거리)이 다른 부위보다 근접하도록 배치되어 있으면 된다.
각 진공 척용 홈(112a ~ 112n) 중 내주부에 위치하는 진공 척용 홈(112i ~ 112n)은 진공로를 형성하는 진공 배관(113)에 접속되어 있다. 또한, 외주부에 위치하는 진공 척용 홈(112a ~ 112h)은 진공로를 형성하는 2 개의 진공 배관(114a)과, 진공 배관(114b)에 접속되어 있다. 그리고, 2 개의 진공 배관(114a)과 진공 배관(114b)은 둘레 방향을 따라 서로 90° 이상 이격된 위치(본 실시예에서는 약 130° 이격된 위치)에 배치되어 있다. 여기서 2 개의 진공 배관(114a)과 진공 배관(114b)을 둘레 방향을 따라 서로 90° 이상 이격된 위치에 배치하는 것은, 진공 배관으로부터 떨어진 부위에서의 반도체 웨이퍼(W)에 대한 흡착력의 저하를 회피하기 위함이다. 따라서, 2 개의 진공 배관(114a)과 진공 배관(114b)은 서로 120° 이상 이격된 위치에 배치하는 것이 보다 바람직하며, 서로 180° 이격된 위치에 배치하는 것이 가장 바람직하다.
또한 본 실시예에서는, 상기와 같이 2 개의 진공 배관(114a)과 진공 배관(114b)을 배치했으나, 3 개 이상의 진공 배관을 배치해도 된다. 3 개의 진공 배관을 배치할 경우, 예를 들면 각 진공 배관을 둘레 방향을 따라 서로 120° 이격된 위치에 배치하는 것이 바람직하고, 4 개의 진공 배관을 배치할 경우, 예를 들면 각 진공 배관을 둘레 방향을 따라 서로 90° 이격된 위치에 배치하는 것이 바람직하다.
또한 본 실시예에서는, 내주부에 위치하는 진공 척용 홈(112i ~ 112n)에 접속된 진공 배관(113)과, 외주부에 위치하는 진공 척용 홈(112a ~ 112h)에 접속된 진공 배관(114a) 및 진공 배관(114b)을 각각 배치하고 있다. 그러나 예를 들면, 진공 배관(114a) 및 진공 배관(114b)을 내측에 위치하는 진공 척용 홈(112i ~ 112n)에도 접속시키고, 진공 배관(113)을 배치하지 않는 구성으로 해도 된다.
상기 구성의 웨이퍼 재치대(10)에서는, 판 두께가 두꺼운 환상부(120)와, 판 두께가 얇은 박후부(121)를 구비하는 이른바 타이코(Taiko) 웨이퍼인 반도체 웨이퍼(W)를 균일하게 흡착 보지할 수 있다.
여기서 예를 들면 도 4에 도시한 바와 같이, 웨이퍼 재치대(10a)에서 모든 진공 척용 홈(112) 간의 간격이 동일하며, 도 3과 비교했을 경우에 최외주부로부터 2 번째의 진공 척용 홈(112b)이 없고, 또한 진공 배관(114b)을 가지지 않는다. 이 웨이퍼 재치대(10a)는 판 두께가 두꺼운 환상부(120)와, 판 두께가 얇은 박후부(121)를 구비하는 이른바 타이코(Taiko) 웨이퍼를 균일하게 흡착 보지할 수 없다.
즉, 동일한 두께의 박후부(121)에서의 환상부(120) 근방의 외주부는 환상부(120)의 존재에 의해 그 강성이 높아져 있다. 이에 대하여, 박후부(121)의 중앙부는 강성이 높은 환상부(120)로부터 떨어져 있기 때문에, 그 강성이 외주부에 비해 낮다. 이 때문에, 진공 배관(113)과 진공 배관(114a)에 의해 진공 배기를 개시하면, 먼저 박후부(121)의 중앙부가 웨이퍼 재치대(10a)에 흡착되고 또한, 박후부(121)의 외주부에서는 진공 배관(114a)의 근방으로부터 둘레 방향 양측을 향해 순차 웨이퍼 재치대(10a)에 흡착된다. 그리고, 진공 배관(114a)과 180° 떨어진 부위가 마지막으로 웨이퍼 재치대(10a)에 흡착되기 때문에, 이 부위에서는 다른 부위에 비해 반도체 웨이퍼(W)에 대한 흡착력이 약한 것을 목시(目視)에 의해 확인할 수 있다.
또한, 목시에 의해 반도체 웨이퍼(W)에 대한 흡착력의 강약을 확인할 수 있는 것은, 박후부(121)의 판 두께가 얇고, 반도체 웨이퍼(W)의 표면측으로부터 진공 척용 홈(112)을 볼 수 있기 때문에, 흡착력이 강한 부분에서는 진공 척용 홈(112)을 확실하게 볼 수 있는 한편, 흡착력이 약한 부분에서는 진공 척용 홈(112)을 확실하게 볼 수 없기 때문이다.
상기와 같이 진공 배관(114a)으로부터 180° 떨어진 부위에서의 흡착력이 약해지는 것은, 이 부위가 진공 배관(114a)으로부터 가장 떨어진 위치이기 때문, 및 마지막으로 흡착됨으로써 박후부(121)의 휘어짐이 이 부위에 집중되기 때문이라고 추측된다. 또한 도 4에 도시한 구조의 웨이퍼 재치대(10a)에서는, 내주부에 비해 외주부에서 반도체 웨이퍼(W)에 대한 흡착력이 약하다는 것도 확인할 수 있었다. 이는 내주부에 비해 외주부가 상대적으로 강성이 높기 때문이라고 추측된다.
상기와 같이, 반도체 웨이퍼(W)의 웨이퍼 재치대(10a)에의 흡착 상태가 불균일해지면, 이 웨이퍼 재치대(10a) 상에 흡착 보지된 반도체 웨이퍼(W)의 전극에 프로브를 접촉시킬 시, 프로브의 접촉압이 불균일해지는 등의 문제가 발생한다.
이에 대하여 도 3에 도시한 본 실시예의 웨이퍼 재치대(10)에서는, 외주부에 위치하는 진공 척용 홈(112a ~ 112h)에는, 둘레 방향을 따라 서로 90° 이상 이격된 위치(약 130° 이격된 위치)에서 진공로를 형성하는 2 개의 진공 배관(114a)과 진공 배관(114b)이 접속되어 있다. 이에 따라, 진공 배관으로부터 이격됨으로써 반도체 웨이퍼(W)에 대한 흡착력이 약해지는 부위가 없어지고, 또한 흡착 개시 시에는 웨이퍼 재치대(10)의 외주부에서의 반도체 웨이퍼(W)의 흡착이 진공 배관(114a)의 근방과 진공 배관(114b)의 근방에서 각각 둘레 방향 양측을 향해 진행되기 때문에, 박후부(121)의 휘어짐이 1 개소에 집중되지 않고 분산된다. 그 결과, 반도체 웨이퍼(W)의 전체가 균일하게 웨이퍼 재치대(10)에 흡착된다.
또한 웨이퍼 재치대(10)에서는, 최외주부의 진공 척용 홈(112a)과, 최외주부로부터 2 번째의 진공 척용 홈(112b)과, 최외주부로부터 3 번째의 진공 척용 홈(112c)은 이들 사이의 간격이 다른 진공 척용 홈(112) 간의 간격의 1 / 2이 되도록 배치되어 있다. 이에 따라, 웨이퍼 재치대(10)의 외주부에서의 반도체 웨이퍼(W)에 대한 흡착력이 높아져, 내주부에 비해 외주부의 흡착력이 약해지는 것을 회피할 수 있으므로, 또한 반도체 웨이퍼(W)의 전체를 균일하게 웨이퍼 재치대(10)에 흡착시킬 수 있다.
도 1에 도시한 바와 같이 상기 구성의 프로브 장치(1)는, CPU 등을 구비한 제어부(40)에 의해 그 동작이 통괄적으로 제어된다. 이 제어부(40)는 조작부(41)와 기억부(42)를 구비하고 있다.
조작부(41)는 공정 관리자가 프로브 장치(1)를 관리하기 위하여 커멘드의 입력 조작을 행하는 키보드 및 프로브 장치(1)의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등으로 구성되어 있다.
기억부(42)에는 프로브 장치(1)에서 실행되는 각종 동작을 제어부(40)의 제어로 실현하기 위한 제어 프로그램(소프트웨어) 또는 검사 조건 데이터 등이 기억된 레시피가 저장되어 있다. 그리고, 필요에 따라 조작부(41)로부터의 지시 등으로 임의의 레시피를 기억부(42)로부터 호출하여 제어부(40)로 실행시킴으로써, 제어부(40)의 제어 하에서 프로브 장치(1)에서의 각종 동작이 행해진다. 또한, 제어 프로그램 또는 처리 조건 데이터 등의 레시피는 컴퓨터로 판독 가능한 컴퓨터 기록 매체(예를 들면, 하드 디스크, CD, 플렉시블 디스크, 반도체 메모리 등) 등에 저장된 상태의 것을 이용하거나, 혹은 다른 장치로부터, 예를 들면 전용 회선을 거쳐 수시로 전송시켜 온라인으로 이용하는 것도 가능하다.
이상과 같이 구성된 프로브 장치(1)를 이용하여, 반도체 웨이퍼(W)에 형성된 반도체 디바이스의 전기적인 검사를 행할 시에는, 반도체 웨이퍼(W)를 웨이퍼 재치대(10) 상에 재치하고 흡착 보지한다. 이 후, 웨이퍼 재치대(10)에 의해 반도체 웨이퍼(W)를 이동시키고, 반도체 웨이퍼(W)의 각 전극을 프로브 카드(20)의 대응되는 프로브에 접촉시킴으로써 전기적인 도통을 얻고, 테스트 헤드(30)에 접속된 테스터에 의해 반도체 디바이스의 전기적 특성의 양부를 검사한다.
이상 본 발명의 실시예에 대하여 설명했지만, 본 발명은 상술한 실시예에 한정되지 않으며, 각종 변형이 가능한 것은 물론이다.
본 출원은 2012년 5월 23일에 출원된 일본출원 제2012-117207호에 기초하는 우선권을 주장하는 것이며, 당해 일본 출원에 기재된 전체 내용을 본 출원에 원용한다.
1 : 프로브 장치
2 : 하우징
10 : 웨이퍼 재치대
11 : 구동 기구
12 : 인서트링
13 : 카드 클램프 기구
14 : 침 연마반
15 : 카메라
20 : 프로브 카드
30 : 테스트 헤드
40 : 제어부
41 : 조작부
42 : 기억부

Claims (6)

  1. 복수의 프로브를 가지는 프로브 카드를 착탈 가능하게 보지하는 카드 클램프 기구와,
    반도체 웨이퍼를 흡착 보지하고 또한 구동 기구를 가지는 웨이퍼 재치대로서, 상기 구동 기구를 구동시킴으로써 상기 카드 클램프 기구에 보지된 상기 프로브 카드의 상기 복수의 프로브에 상기 반도체 웨이퍼에 형성된 전극을 접촉시키는 웨이퍼 재치대를 구비한 프로브 장치로서,
    외주연부 이면측으로 돌출되는 환상부가 형성되고 또한 상기 환상부 이외의 부분이 상기 환상부보다 판 두께가 얇은 박후부로 이루어진 상기 반도체 웨이퍼를 재치 가능하게 하도록, 상기 웨이퍼 재치대는, 상기 박후부를 재치하는 평면부와, 상기 평면부의 외주연부에 형성되고 또한 상기 환상부를 배치하는 단차부를 가지고,
    상기 평면부에는 동심 형상으로 원형의 복수의 진공 척용 홈이 형성되고, 상기 복수 진공 척용 홈 중 적어도 일부에는 둘레 방향을 따라 서로 적어도 90° 이상 이격된 복수의 부위로부터 진공 배기를 행하는 복수의 진공로가 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 프로브 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 복수의 진공 척용 홈 중, 내주측의 진공 척용 홈에는 상기 복수의 진공로 중 1 개의 진공로가 접속되고, 외주측의 상기 진공 척용 홈에는 상기 복수의 진공로 중 다른 복수의 진공로가 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 프로브 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 복수의 진공 척용 홈 중 최외주부에 형성된 2 개의 진공 척용 홈은, 서로의 홈 간의 거리가 다른 진공 척용 홈의 사이의 홈 간보다 짧아지도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 프로브 장치.
  4. 반도체 웨이퍼를 흡착 보지하고 또한 구동 기구를 가지는 웨이퍼 재치대로서, 상기 구동 기구를 구동시킴으로써 프로브 카드의 프로브에 상기 반도체 웨이퍼에 형성된 전극을 접촉시키는 프로브 장치용 웨이퍼 재치대로서,
    외주연부 이면측으로 돌출되는 환상부가 형성되고 또한 상기 환상부 이외의 부분이 상기 환상부보다 판 두께가 얇은 박후부로 이루어진 상기 반도체 웨이퍼를 재치 가능하게 하도록, 상기 박후부를 재치하는 평면부와, 상기 평면부의 외주연부에 형성되고 또한 상기 환상부를 배치하는 단차부를 가지고,
    상기 평면부에는 동심 형상으로 원형의 복수의 진공 척용 홈이 형성되고, 상기 복수의 진공 척용 홈 중 적어도 일부에는 둘레 방향을 따라 서로 적어도 90° 이상 이격된 복수의 부위로부터 진공 배기를 행하는 복수의 진공로가 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 프로브 장치용 웨이퍼 재치대.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 복수의 진공 척용 홈 중, 내주측의 진공 척용 홈에는 상기 복수의 진공로 중 1 개의 진공로가 접속되고, 외주측의 상기 진공 척용 홈에는 상기 복수의 진공로 중 다른 복수의 진공로가 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 프로브 장치용 웨이퍼 재치대.
  6. 제 4 항 또는 제 5 항에 있어서,
    상기 복수의 진공 척용 홈 중 최외주부에 형성된 2 개의 진공 척용 홈은, 서로의 홈 간의 거리가 다른 진공 척용 홈의 사이의 홈 간보다 짧아지도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 프로브 장치용 웨이퍼 재치대.
KR1020147032592A 2012-05-23 2013-04-25 프로브 장치 및 프로브 장치용 웨이퍼 재치대 KR101725267B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012117207A JP6001326B2 (ja) 2012-05-23 2012-05-23 プローブ装置及びプローブ装置用ウエハ載置台
JPJP-P-2012-117207 2012-05-23
PCT/JP2013/062794 WO2013175954A1 (ja) 2012-05-23 2013-04-25 プローブ装置及びプローブ装置用ウエハ載置台

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150022776A true KR20150022776A (ko) 2015-03-04
KR101725267B1 KR101725267B1 (ko) 2017-04-10

Family

ID=49623651

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147032592A KR101725267B1 (ko) 2012-05-23 2013-04-25 프로브 장치 및 프로브 장치용 웨이퍼 재치대

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9523711B2 (ko)
EP (1) EP2840598A4 (ko)
JP (1) JP6001326B2 (ko)
KR (1) KR101725267B1 (ko)
TW (1) TWI592672B (ko)
WO (1) WO2013175954A1 (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015100608A1 (de) * 2015-01-16 2016-07-21 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Bearbeitung eines Substrats
DE102015101759B3 (de) * 2015-02-06 2016-07-07 Asm Assembly Systems Gmbh & Co. Kg Bestückmaschine und Verfahren zum Bestücken eines Trägers mit ungehäusten Chips
US10180458B2 (en) 2015-05-14 2019-01-15 Rohde & Schwarz Gmbh & Co. Kg Measuring system and measuring method with power calibration
DE102015112518B3 (de) * 2015-07-30 2016-12-01 Asm Assembly Systems Gmbh & Co. Kg Bestückmaschine und Verfahren zum Bestücken eines Trägers mit ungehäusten Chips
DE102016123362B3 (de) * 2016-12-02 2018-03-08 Asm Assembly Systems Gmbh & Co. Kg Bestückmaschine mit einer Verschiebevorrichtung zum Verschieben einer Aufnahmevorrichtung für einen Träger mit Bestückmedium und ein Verfahren zum Bestücken
WO2018129460A1 (en) * 2017-01-08 2018-07-12 Testmetrix, Inc. Apparatus and methods for testing semiconductor devices
JP6908826B2 (ja) * 2017-03-23 2021-07-28 株式会社東京精密 プローバおよびウェーハチャック
CN109001499A (zh) * 2018-07-24 2018-12-14 苏州创瑞机电科技有限公司 一种带有吸附功能半自动直针测试插座
CN113053774A (zh) * 2019-12-27 2021-06-29 迪科特测试科技(苏州)有限公司 探测装置
CN111312649A (zh) * 2020-02-25 2020-06-19 中芯集成电路制造(绍兴)有限公司 真空载台、半导体机台以及贴膜装置
CN113066733A (zh) * 2021-03-03 2021-07-02 上海伟测半导体科技股份有限公司 一种超薄晶圆的检测方法和类普通晶圆

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090098893A (ko) * 2006-12-26 2009-09-17 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 프로브 검사 장치, 위치 이탈 보정 방법, 정보 처리 장치, 정보 처리 방법 및 프로그램
JP2010038547A (ja) * 2008-07-31 2010-02-18 Tokyo Electron Ltd 被検査体の検査方法及び被検査体の検査用プログラム
JP2010080775A (ja) 2008-09-26 2010-04-08 Tokyo Electron Ltd プローブ装置
JP2010098056A (ja) 2008-10-15 2010-04-30 Tokyo Electron Ltd 載置台
JP2012063227A (ja) * 2010-09-15 2012-03-29 Tokyo Electron Ltd ウエハ検査用インターフェース及びウエハ検査装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0831514B2 (ja) * 1988-06-21 1996-03-27 株式会社ニコン 基板の吸着装置
JPH0745692A (ja) * 1993-07-26 1995-02-14 Nikon Corp 基板の吸着保持装置
SG55211A1 (en) * 1995-07-05 1998-12-21 Tokyo Electron Ltd Testing apparatus
US6121783A (en) * 1997-04-22 2000-09-19 Horner; Gregory S. Method and apparatus for establishing electrical contact between a wafer and a chuck
US6468098B1 (en) * 1999-08-17 2002-10-22 Formfactor, Inc. Electrical contactor especially wafer level contactor using fluid pressure
JP2001144197A (ja) * 1999-11-11 2001-05-25 Fujitsu Ltd 半導体装置、半導体装置の製造方法及び試験方法
DE102006042026B4 (de) 2006-09-07 2016-08-04 Infineon Technologies Ag Vorrichtung zum Halten eines Substrats und Verfahren zur Behandlung eines Substrats
US8336188B2 (en) * 2008-07-17 2012-12-25 Formfactor, Inc. Thin wafer chuck
JP5690566B2 (ja) 2010-11-29 2015-03-25 株式会社稲葉製作所 シャッター取付装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20090098893A (ko) * 2006-12-26 2009-09-17 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 프로브 검사 장치, 위치 이탈 보정 방법, 정보 처리 장치, 정보 처리 방법 및 프로그램
JP2010038547A (ja) * 2008-07-31 2010-02-18 Tokyo Electron Ltd 被検査体の検査方法及び被検査体の検査用プログラム
JP2010080775A (ja) 2008-09-26 2010-04-08 Tokyo Electron Ltd プローブ装置
JP2010098056A (ja) 2008-10-15 2010-04-30 Tokyo Electron Ltd 載置台
JP2012063227A (ja) * 2010-09-15 2012-03-29 Tokyo Electron Ltd ウエハ検査用インターフェース及びウエハ検査装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013243326A (ja) 2013-12-05
TW201411152A (zh) 2014-03-16
EP2840598A4 (en) 2016-02-17
TWI592672B (zh) 2017-07-21
KR101725267B1 (ko) 2017-04-10
JP6001326B2 (ja) 2016-10-05
WO2013175954A1 (ja) 2013-11-28
US9523711B2 (en) 2016-12-20
EP2840598A1 (en) 2015-02-25
US20150145547A1 (en) 2015-05-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101725267B1 (ko) 프로브 장치 및 프로브 장치용 웨이퍼 재치대
JP6099347B2 (ja) ウエハ取り付け方法及びウエハ検査装置
JP7208559B2 (ja) プローバ
JP2017098572A (ja) プローバ
JP6440587B2 (ja) 吸着プレート、半導体装置の試験装置および半導体装置の試験方法
US10082524B2 (en) Prober in which probe head of probe card is replaced automatically
JP5970218B2 (ja) プローブ装置
US20120193009A1 (en) Substrate bonding method and substrate bonding apparatus
JP2014011373A (ja) 半導体検査システム及びインターフェース部の結露防止方法
JP2009295686A (ja) プロービング装置
JP2012124482A (ja) テスタ及びそのテスタを含んだテスト装置
JP2013191741A (ja) プローブ装置及びプローブ装置のプローブカード装着方法
JPWO2015122471A1 (ja) 検査ユニット
KR20190116037A (ko) 웨이퍼 척킹 장치 및 이를 포함하는 웨이퍼 테스트 장비
JP2013137241A (ja) プローブカードの平行確認方法及び平行確認装置並びにプローブカード及びテストヘッド
JP2008227148A (ja) 半導体ウエハの試験方法およびその装置
JP2004288761A (ja) 半導体素子のテスト方法
JP6266386B2 (ja) 半導体試験システム
CN101840842B (zh) 处理机
JP2014135390A (ja) 基板搬送装置、基板検査装置及び基板搬送方法
JP2013254905A (ja) 半導体ウエハ用プロービングステージ、半導体検査装置、及びステージの溝幅決定方法
KR102513187B1 (ko) 프로브 카드 홀딩 장치 및 검사 장치
JP6132507B2 (ja) 基板支持装置および基板検査装置
JP2005055359A (ja) 基板検査装置
JP2023082554A (ja) 筐体及びプローバ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant