WO2013125352A1 - 有機電子素子および有機電子素子の製造方法 - Google Patents

有機電子素子および有機電子素子の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2013125352A1
WO2013125352A1 PCT/JP2013/052748 JP2013052748W WO2013125352A1 WO 2013125352 A1 WO2013125352 A1 WO 2013125352A1 JP 2013052748 W JP2013052748 W JP 2013052748W WO 2013125352 A1 WO2013125352 A1 WO 2013125352A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
organic
organic electronic
layer
electronic device
sealing layer
Prior art date
Application number
PCT/JP2013/052748
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
智史 永縄
Original Assignee
リンテック株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by リンテック株式会社 filed Critical リンテック株式会社
Priority to US14/378,687 priority Critical patent/US9577211B2/en
Priority to KR1020147021249A priority patent/KR102039390B1/ko
Priority to CN201380010029.1A priority patent/CN104137649B/zh
Priority to JP2014500642A priority patent/JP6153510B2/ja
Priority to EP13752126.6A priority patent/EP2819486B1/en
Publication of WO2013125352A1 publication Critical patent/WO2013125352A1/ja

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/88—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Definitions

  • the present invention relates to an organic electronic device and an organic electronic device manufacturing method, and more particularly to an organic electronic device having a sealing layer excellent in gas barrier performance and an organic electronic device manufacturing method.
  • organic electroluminescence elements are capable of high-luminance light emission by low-voltage direct current drive, and are attracting attention as image display devices that can be made thinner, lighter, and flexible.
  • the performance of the organic EL element as an image display device is deteriorated, for example, a non-light-emitting point (dark spot) is generated due to oxidation of the electrode or modification of organic substances due to oxygen, water vapor, or the like. There was a problem.
  • a light emitting element (organic EL element) that extracts emitted light from the side of the upper electrode with respect to the substrate, the antireflection between the sealing film and the upper electrode is prevented, and the luminous efficiency is increased.
  • a light emitting element including a sealing film made of a silicon nitride film or the like has been proposed (for example, see Patent Document 1). More specifically, in a light-emitting device in which a lower electrode, an organic EL layer, and an upper electrode are sequentially laminated on a substrate, the refractive index is lower than 3.5 and the air is refracted on the surface side of the upper electrode.
  • a sealing material having a refractive index larger than the refractive index for example, a sealing film made of a silicon nitride film is provided by a CVD method.
  • a method for producing an organic EL element has been proposed for the purpose of providing a defect-free inorganic sealing layer having excellent barrier properties over a long period of time and reducing light emission defects (see, for example, Patent Document 2). More specifically, in the method for manufacturing an organic EL element, a step of forming a first electrode layer on a substrate, a step of forming an organic light emitting medium layer (organic EL layer) on the first electrode layer, an organic light emitting medium A step of forming a second electrode layer on the layer, a step of plasma-treating the entire substrate using a gas containing oxygen atoms (O), and forming an inorganic sealing layer made of silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, or the like And a plasma treatment step using a gas containing fluorine atoms (F) on the inorganic sealing layer.
  • a gas containing oxygen atoms (F) on the inorganic sealing layer.
  • an organic EL device or the like has been proposed that has a sealing layer made of a silicon compound containing nitrogen with improved durability and aims to achieve high reliability (for example, see Patent Document 3).
  • a sealing layer made of a silicon compound containing nitrogen with improved durability and aims to achieve high reliability.
  • the first gas barrier layer containing a nitrogen-containing silicon compound on the surface side of the upper electrode And a second gas barrier layer containing an oxide of a nitrogen-containing silicon compound, and a sealing layer formed by alternately stacking.
  • gas barrier film for use as a substrate of an organic EL element, etc., and is a gas barrier film obtained by subjecting a polysilazane film to plasma treatment in order to provide an easily manufactured gas barrier film without using heat treatment or the like.
  • a method has been proposed (see, for example, Patent Document 4). More specifically, it is a method for producing a gas barrier film, characterized in that a polysilazane film is formed on at least one surface of a plastic film, and the polysilazane film is subjected to plasma treatment to form a gas barrier film. The obtained gas barrier film is used as a substrate of an organic EL element.
  • the sealing film formed by the CVD method disclosed in Patent Document 1 must use a sealing material made of a silicon nitride film whose refractive index is strictly controlled. When applied to an element, there has been a problem that gas barrier properties, adhesion, transparency, etc. are still low.
  • the method of manufacturing an organic EL element disclosed in Patent Document 2 includes a step of plasma treatment using a gas containing F atoms on a sealing layer made of silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, or the like.
  • a gas containing F atoms on a sealing layer made of silicon nitride, silicon oxide, silicon oxynitride, or the like.
  • the manufacturing method of the organic EL element disclosed in Patent Document 3 includes a first gas barrier layer containing a nitrogen-containing silicon compound as a sealing layer, and a second gas barrier layer containing an oxide of the nitrogen-containing silicon compound, , Must be laminated alternately, and there are problems that the number of processes increases excessively and the manufacturing time tends to be long.
  • the present inventors have directly applied a coating liquid containing a silicon compound as a main component to the upper surface and side surfaces of organic electronic elements such as organic EL elements and solar cells. It was found that not only the upper surface of the organic electronic element but also the side surface can be sealed precisely and efficiently by directly forming a film and implanting plasma ions into the coating film, thereby completing the present invention.
  • the present invention provides an organic electronic device having a plasma ion implanted film mainly composed of a silicon compound having excellent gas barrier properties and transparency as a sealing layer, and such an organic electronic device.
  • An object of the present invention is to provide an efficient manufacturing method.
  • an organic electronic device comprising a first electrode and a second electrode facing each other via at least one organic functional layer on a substrate, along the upper surface and side surfaces of the organic electronic device.
  • an organic electronic device characterized in that a sealing layer is provided directly and the sealing layer is obtained by injecting plasma ions into a coating film mainly composed of a silicon compound.
  • the organic electronic device of the present invention has not only excellent transparency and adhesion but also comparable gas barrier properties as compared with an inorganic sealing film formed by a conventional CVD method or sputtering method.
  • the upper surface of an organic electronic element means the surface of the outermost layer located in the organic electronic element on the opposite side to a board
  • the surface of the second electrode 22 opposite to the substrate 101 is the “upper surface of the organic electronic element”.
  • the side surface of the organic electronic element means an exposed portion surface located around the organic electronic element. Therefore, for example, the organic electronic element includes the first electrode 11 and the second electrode 22 that are opposed to each other via at least one organic functional layer 99 on the substrate 101 as shown in FIG.
  • the exposed side surfaces of the organic functional layer 99, the first electrode 11, and the second electrode 22 become “side surfaces of the organic electronic element”.
  • the coating film mainly composed of a silicon compound is formed by directly applying a coating liquid mainly composed of a silicon compound, and the content of the silicon compound in the total solid content in the coating liquid. Is at least 50% by weight or more, preferably a value in the range of 70 to 100% by weight, more preferably a value in the range of 80 to 95% by weight.
  • the silicon compound is preferably at least one selected from the group consisting of a polysilazane compound, a polyorganosiloxane compound, a polysilane compound, and a polycarbosilane compound. If it is such a silicon compound, while being excellent in transparency, adhesiveness, etc. of the sealing layer obtained, it can be gas-barrier comparatively easily by injecting plasma ions.
  • the thickness of the sealing layer is preferably set to a value within the range of 10 to 5000 nm. If the thickness of such a sealing layer, it has a sufficient sealing function, for example, even if the organic electronic element is an organic EL element, the transparency or Gas barrier properties or adhesion can also be improved.
  • Another aspect of the present invention is an organic electronic element comprising a substrate and a first electrode and a second electrode facing each other through at least one organic functional layer, the upper surface of the organic electronic element and A sealing layer is provided directly along the side surface, and the sealing layer is obtained by injecting plasma ions into a coating film mainly composed of a polysilazane compound.
  • the layer includes a first region having a refractive index in the range of 1.50 to 2.0 along the depth direction from the surface side, and a refractive index in the range of 1.40 to less than 1.50.
  • an organic electronic device characterized in that it includes a second region having a value.
  • the film density in the first region is set to a value in the range of 2.3 to 4.0 g / cm 3
  • the film density in the second region is 2.3 g / cm 2.
  • a value less than cm 3 is preferred.
  • the organic electronic device is an organic electroluminescent device (organic EL device) provided with an organic electroluminescent layer as an organic functional layer.
  • organic EL device organic electroluminescent device
  • the function as a sealing layer can be easily exerted, and even when the organic EL element has a large area or has irregularities on the upper surface or side surfaces. The deterioration of the performance of the organic electronic element can be suppressed.
  • Another aspect of the present invention is an organic electronic device comprising a substrate and a first electrode and a second electrode facing each other through at least one organic functional layer, the upper surface of the organic electronic device And a method for producing an organic electronic device, wherein a sealing layer is provided directly along the side surface, the method comprising the following steps (1) to (3): It is a manufacturing method.
  • step (2) at least selected from the group consisting of a polysilazane compound, a polyorganosiloxane compound, a polysilane compound, and a polycarbosilane compound as the silicon compound. It is preferable to use one. If it is such a silicon compound, it can be set as the sealing layer excellent in transparency, adhesiveness, etc.
  • the coating film formed in the step (2) is formed by directly applying a coating liquid containing a polysilazane compound as a main component.
  • the refractive index of the coating film is preferably adjusted to a value within the range of 1.48 to 1.63 before the ion implantation step of step (3).
  • an organic electronic element is an organic electroluminescent element (organic EL element) provided with the organic electroluminescent layer as an organic functional layer.
  • organic EL element organic electroluminescent element
  • the function as the sealing layer can be easily exerted, and even if the organic EL element has a large area, the top surface and the side surface of the organic electronic element are uneven. Even if it has, it can manufacture efficiently the organic EL element which improved durability remarkably.
  • FIGS. 1A to 1C are views for explaining an organic EL element having a sealing layer.
  • FIGS. 2A to 2B are views for explaining an organic EL element having a sealing layer.
  • FIG. 3 is a diagram provided for explaining an organic solar cell including a sealing layer.
  • 4 (a) to 4 (c) are diagrams used to explain an organic electronic device provided with a sealing layer.
  • FIGS. 5 (a) to 5 (e) are views for explaining a method for manufacturing an organic electronic device of the present invention.
  • FIG. 6 is a diagram provided for explaining an example of an ion implantation apparatus.
  • an organic electron including a first electrode 11 and a second electrode 22 facing each other on a substrate 101 with at least one organic functional layer 99 interposed therebetween.
  • the element 50, the sealing layer 100 is provided directly along the top surface and the side surface of the organic electronic element 50, and the sealing layer 100 is a coating film mainly composed of a silicon compound.
  • An organic electronic device obtained by implanting plasma ions.
  • the organic electronic element of the first embodiment will be described in detail by taking the organic electroluminescent element (organic EL element) shown in FIG. 1 as an example of the organic electronic element.
  • the organic EL element 110 includes an anode 102 (first electrode) made of a transparent conductive material, a hole transport layer 103 made of an organic compound, and an organic compound on a transparent substrate 101.
  • a light emitting layer 104 (organic functional layer), a hole blocking layer 105 made of an organic compound, an electron transport layer 106 made of an organic compound, and a cathode 107 (second electrode) made of a metal material are laminated, and an organic EL element A sealing layer 100 is provided directly along the top and side surfaces of 110.
  • the organic EL element 110 can emit EL light with high brightness by recombination with electrons and holes respectively injected from the electrodes.
  • the upper surface of the stacked organic EL element 111 and the electron injection layer 107a as a thin film between the electron transport layer 106 and the cathode 107 and A sealing layer 100 is provided directly along the side surface.
  • the sealing layer 100 is provided directly along the side surface.
  • the organic EL elements 110 to 112 described above may have a structure in which the hole transport layer 103, the hole injection layer 103a, and the like are omitted. Good.
  • the organic EL element 113 has an anode 102, a hole injection layer on a substrate 101.
  • the organic EL element 114 includes an anode 102, a light emitting layer 104, a hole blocking layer 105, an electron transport layer 106, an electron injection layer 107a, and a cathode 107 on a substrate 101.
  • the sealing layer 100 is directly provided along the upper surface and the side surface of the organic electronic element, and the hole transport layer 103 and the hole injection layer 103a are not included.
  • the configurations of the substrate, the anode, the hole transport layer, the light emitting layer, the hole blocking layer, the electron transport layer, the cathode, and the like are not particularly limited and may be a conventionally known configuration. Moreover, in this invention, you may provide another layer other than said layer as needed.
  • Substrate The substrate 101 is not particularly limited, and examples thereof include inorganic materials such as non-alkali glass and quartz glass, polyester, polycarbonate, polyolefin, polyamide, polyimide, polyphenylene sulfide, polyparaxylene, epoxy resin, and fluorine resin. Examples thereof include a film and a plate produced from an organic material such as an arbitrary method.
  • the first electrode in the present invention is the anode 102.
  • the anode 102 (first electrode) is not particularly limited as long as it is transparent.
  • ITO tin-doped indium oxide
  • IrO 2 IrO 2
  • In 2 O 3 SnO 2
  • indium oxide-zinc oxide ITO
  • Examples thereof include electrodes formed from materials such as ZnO (Ga and Al dope) and MoO 3 .
  • the second electrode in the present invention is the cathode 107.
  • the cathode 107 (second electrode) is not particularly limited in transparency, and examples thereof include Ag, Al, Pt, Ir, Cr, ZnO, CNT, and alloys and composites thereof.
  • the method for forming the anode and the cathode is not particularly limited, and examples thereof include vacuum deposition and various sputtering methods.
  • the thicknesses of the anode and the cathode are not particularly limited, but are preferably 20 nm to 1000 nm, and particularly preferably 30 to 200 nm.
  • the organic functional layer in the present invention is the light emitting layer 104.
  • the light-emitting layer 104 is a layer including a light-emitting material that emits light when excitons are generated by recombination of electrons and holes and the excitons release energy to return to the ground state.
  • a light-emitting material can be used without particular limitation, and is usually an organic substance that emits fluorescence, an organic substance that emits phosphorescence, or a dopant that assists the organic substance, a metal complex material, a polymer Examples thereof include luminescent materials such as system materials, pigment materials, and dopant materials.
  • the light emitting layer As a method of forming the light emitting layer, various coating methods such as vacuum deposition, ionization deposition, spin coating (spin casting method), spray coating, gravure coating, bar coating, doctor blade, etc. are used according to the luminescent material. It can be appropriately selected and used.
  • the light emitting layer is preferably formed by a coating method. Note that the thickness of the light emitting layer 104 is 1 to 100 ⁇ m, preferably 2 to 1,000 nm, more preferably 5 nm to 500 nm, and still more preferably 20 nm to 200 nm.
  • the hole transport layer 103 is a layer having a function of transporting holes. Further, the hole transport layer may be a single layer or a laminate of a plurality of layers. The hole transport layer preferably has a charge generation capability of absorbing light and generating electrons and holes. Moreover, a positive hole transport layer can be formed using 1 type, or 2 or more types of hole transport materials.
  • examples of the hole transport material include carbazole derivatives, polyarylalkane derivatives, phenylenediamine derivatives, arylamine derivatives, amino-substituted chalcone derivatives, styrylanthracene derivatives, fluorenone derivatives, hydrazone derivatives, stilbene derivatives, silazane derivatives, aromatics.
  • Examples of the method for forming the hole transport layer 103 include solvent coating methods such as spin coating, spray coating, bar coating, and die coating, and vacuum deposition methods.
  • the thickness of the hole transport layer is preferably 1 nm to 500 nm, more preferably 2 nm to 200 nm, and even more preferably 5 nm to 100 nm.
  • the hole blocking layer 105 preferably has a function of regulating holes moving from the anode 102 toward the cathode 107.
  • the thickness of the hole blocking layer 105 is not particularly limited and may be appropriately selected depending on the intended purpose. For example, it is usually about 1 to 500 nm, and preferably 10 to 50 nm.
  • Electron transport layer The electron transport layer 106 is a layer having a function of transporting electrons. Further, the electron transport layer 106 may be a single layer or a stack of a plurality of layers. The electron transport layer 106 preferably has a charge generating ability to absorb light and generate charges. Moreover, an electron carrying layer can be formed using 1 type, or 2 or more types of electron transport materials.
  • the electron transport material is, for example, fullerene derivative, paraphenylene vinylene derivative, triazole derivative, oxazole derivative, oxadiazole derivative, phenanthroline derivative, imidazole derivative, fluorenone derivative, anthraquinodimethane derivative, anthrone derivative, diphenylquinone derivative.
  • the method for forming the electron transport layer 106 include solvent coating methods such as spin coating, spray coating, bar coating, and die coating, and vacuum deposition methods.
  • the thickness of the electron transport layer 106 is preferably 1 nm to 500 nm, more preferably 2 nm to 200 nm, and even more preferably 5 nm to 100 nm.
  • Sealing Layer 100 shown in FIGS. 1 (a) to 1 (c) and FIGS. 2 (a) to (b) is applied to a plasma ion with respect to a coating film mainly composed of a silicon compound. It is a layer obtained by injecting. That is, by directly applying a material mainly composed of a silicon compound to the upper surface and side surfaces of the organic EL elements (110, 111, 112, 113, 114), a coating film is formed as a whole, and the coating is performed. A sealing layer is formed by implanting plasma ions into the film.
  • the sealing layer covers the upper surface and side surfaces of these organic EL elements in a three-dimensional manner, oxygen, water vapor, and the like can be prevented from entering the organic EL elements. It is possible to suppress the deterioration of the performance.
  • the sealing layer 100 is formed on the surface of the substrate 101 (in FIG. 4, the side opposite to the side where the organic functional layer 99, the first electrode 11 and the second electrode 22 are laminated). ) And the side surface, or any one of them, the sealing layer 100 may be provided. By providing the sealing layer 100 on the surface of the substrate 101 in this way, it is possible to prevent intrusion of oxygen, water vapor, or the like from the substrate 101 side, so that deterioration of the organic electronic element 50 can be further suppressed. .
  • the thickness of the sealing layer 100 is preferably a value within the range of 10 to 5000 nm. With such a thickness of the sealing layer, the transparency is not lowered, so that the gas barrier property or the adhesiveness can be further improved without lowering the light emission efficiency of the organic EL element or the like.
  • the type of the silicon compound is not particularly limited.
  • the silicon compound is at least one selected from the group consisting of a polysilazane compound, a polyorganosiloxane compound, a polysilane compound, and a polycarbosilane compound.
  • a silicon compound is excellent in transparency and adhesion of the resulting sealing layer, and by implanting plasma ions, a sealing layer having excellent gas barrier properties is obtained. Because it can.
  • the method for forming the sealing layer 100 will be described in detail in a method for manufacturing an organic electronic element described later.
  • the example of the organic EL element as the organic electronic element has been described taking the organic EL element shown in FIG. 1 and FIG. 2 as an example.
  • the present invention is not limited to the organic EL element.
  • An organic solar cell provided with an organic photoelectric conversion layer as a layer may be sufficient.
  • the organic solar cell 115 includes an anode 102 (first electrode) made of a transparent conductive material and an organic photoelectric conversion layer 108 (organic) made of an organic compound on a transparent substrate 101. A functional layer) and a cathode 107 (second electrode) made of a metal material. And the sealing layer 100 is provided directly along the upper surface and side surface of the organic solar cell 115.
  • the organic photoelectric conversion layer 108 has a function of absorbing light and generating electrons and holes.
  • the organic photoelectric conversion layer 108 may be composed of a single layer or a plurality of layers.
  • the single layer includes a mixed layer of a hole transport material and an electron transport material.
  • the structure of (hole transport layer / electron transport layer) and (hole transport layer / mixed layer / electron transport layer) is mentioned, for example. In FIG. 3, the case where it mixes is shown. In the present invention, in addition to the above layers, other layers may be provided as necessary. Note that the anode 102, the cathode 107, and the sealing layer 100 described above can be used.
  • the organic electronic device of the present invention is densely and efficiently sealed not only on the upper surface of the organic electronic device but also on the side surfaces by the three-dimensionally formed sealing layer.
  • This sealing layer prevents oxygen, water vapor, and the like from entering the inside of the organic electronic element, and can suppress deterioration in performance of various organic electronic elements such as an organic EL element and an organic solar battery.
  • an organic electron including a first electrode 11 and a second electrode 22 facing each other on a substrate 101 with at least one organic functional layer 99 interposed therebetween.
  • An element 50 in which a sealing layer 100 is provided directly along the upper surface and side surfaces of the organic electronic element 50, and the sealing layer 100 is applied to a coating film containing a polysilazane compound as a main component.
  • the first layer 10a is obtained by implanting plasma ions, and the sealing layer has a refractive index in the range from 1.50 to 2.0 along the depth direction from the surface side.
  • the second region 10b having a refractive index in the range of 1.40 to less than 1.50.
  • the basic configuration of the organic electronic element 50 is not particularly limited, and examples thereof include the organic EL elements shown in FIGS. 1 and 2 and the same organic solar cell as shown in FIG.
  • the sealing layer 100 in the second embodiment will be specifically described.
  • the sealing layer 100 has a refractive index in the range of 1.50 to 2.0 along the depth direction from the surface side. It is preferable to include the first region 10a and the second region 10b having a refractive index in the range of 1.40 to less than 1.50.
  • the reason for this is that by setting the refractive index of the sealing layer in the above range, excellent gas barrier properties can be obtained, and reflection at the sealing layer can also be reduced. This is because it can be obtained.
  • the refractive index in the first region is a value in the range of 1.50 to 1.66
  • the refractive index in the second region is a value in the range of 1.42 to 1.49. More preferably, the refractive index in one region is set to a value in the range of 1.51 to 1.60, and the refractive index in the second region is set to a value in the range of 1.44 to 1.48.
  • the film density in the first region 10a is set to a value in the range of 2.3 to 4.0 g / cm 3
  • the film density in the second region 10b is set to a value less than 2.3 g / cm 3. It is preferable that The reason for this is that by limiting the film density in each region as described above, it is possible to obtain further excellent transparency and excellent gas barrier properties as the sealing layer.
  • the film density in the first region is set to a value in the range of 2.4 to 2.9 g / cm 3
  • the film density in the second region is set to a value in the range of 1.8 to 2.2 g / cm 3.
  • the film density in the first region is set to a value in the range of 2.5 to 2.8 g / cm 3
  • the film density in the second region is in the range of 1.9 to 2.1 g / cm 3 . More preferably, the value is within the range.
  • the thickness of the sealing layer 100 is preferably a value within the range of 10 to 5000 nm. With such a thickness of the sealing layer, the transparency is not lowered, so that the gas barrier property or the adhesiveness can be further improved without lowering the light emission efficiency of the organic EL element or the like. Further, it is preferable that the thickness in the first region 10a is set to a value in the range of 10 to less than 15 nm, and the thickness in the second region 10b is set to a value in the range of 10 to 30 nm. This is because, as described above, by limiting the thickness of each region and adjusting the refractive index thereof as described above, further excellent gas barrier properties, transparency, and the like can be obtained.
  • the third embodiment is an organic electronic device comprising a substrate and a first electrode and a second electrode facing each other through at least one organic functional layer, on the upper surface and side surfaces of the organic electronic device.
  • An organic electronic element forming step of forming an organic electronic element comprising a first electrode and a second electrode facing each other through at least one organic functional layer on a substrate (2) an upper surface of the organic electronic element;
  • Ion implantation step of plasma ion implantation into the coating film to form a sealing layer As an organic electronic element, an organic EL element is taken as an example, and the manufacturing method of the organic electronic element of the third embodiment will be specifically described.
  • the organic electronic device forming step is performed by a known method, as shown in FIG. 5 (a), on the substrate through at least one organic functional layer.
  • the organic EL element 110 can be formed by laminating the light emitting layer 104, the hole blocking layer 105, the electron transporting layer 106, and the cathode 107 in this order.
  • the formation method of each layer is not specifically limited, The well-known various formation methods are mentioned.
  • Step (2) Film Forming Step Next, as shown in FIG. 5 (b), the coating step is performed by applying a coating liquid containing a silicon compound as a main component to the upper surface of the organic electronic element 12 formed in the step (1). In this process, coating is performed along the side surface, and the coating film 10 is directly formed on the upper surface and the side surface of the organic electronic element 12.
  • silicon compounds include polysilazane compounds, polyorganosiloxane compounds, polysilane compounds, and polycarbosilane compounds.
  • the coating liquid containing a silicon compound as a main component may be prepared by mixing at least one of the above silicon compounds, if desired, other components and dissolving them in a solvent.
  • a coating liquid containing a silicon compound as a main component is applied onto the organic EL element 12 to form a coating film, which is then heated and dried as shown in FIG.
  • the coating film 10 can be formed by removing the solvent in the film.
  • a heating drying method of a coating film conventionally well-known drying methods, such as hot air drying, hot roll drying, and infrared irradiation, are employable.
  • the heating temperature is usually 80 to 150 ° C.
  • the heating time is usually several tens of seconds to several tens of minutes.
  • well-known various coating methods can be used as a coating method.
  • a screen printing method, a knife coating method, a roll coating method, a die coating method, an ink jet method, a spin coating method, a spray method, a dip method, or the like may be used alone or in combination of two or more.
  • the coating film 10 is applied by the same method. What is necessary is just to form.
  • a seasoning process for the coating film 10 may be provided.
  • seasoning conditions for the silicon compound it is preferable to set the temperature to 15 to 35 ° C. and the treatment time to a value within the range of 24 to 480 hours.
  • the refractive index of the coating film formed in the step (2) is preferably set to a value in the range of 1.48 to 1.63. The reason for this is that by limiting the refractive index to such a value, a better gas barrier property can be obtained when the plasma ion implantation in the step (3) is performed.
  • Step (3) Plasma ion implantation step (1) Basic method In the step (3), as shown in FIG. In this step, ions are implanted and finally, as shown in FIG. 5E, the organic electronic device 60 including the sealing layer 10 ′ is formed. More specifically, in the plasma ion implantation, plasma is generated in an atmosphere containing a plasma generating gas such as a rare gas, and a negative high voltage pulse is applied to the surface portion of the coating film 10 so that the The basic method is to inject ions (positive ions).
  • a plasma generating gas such as a rare gas
  • a plasma ion implantation apparatus 200 shown in FIG. 6 can be used. That is, the plasma ion implantation apparatus 200 basically includes a vacuum chamber 211, a microwave power source (not shown), a magnet coil (not shown), and a direct current application device (pulse power source) 208. ing. And the vacuum chamber 211 arrange
  • the DC application device 208 is a DC power supply to which an oscilloscope 207 is attached, and is a pulse power supply for applying a high voltage pulse to the workpiece 16. Therefore, the direct current application device 208 is electrically connected to the conductor 202 on which the workpiece 16 is disposed.
  • the microwave power source (plasma discharge electrode) and the magnet coil are driven, so that the gas introduction port 203 is surrounded around the conductor 202 and the workpiece 16. Plasma of the introduced gas is generated.
  • the driving of the microwave power source and the magnet coil is stopped, and the DC application device 208 is driven, and a high voltage pulse (negative voltage) is passed through the high voltage introduction terminal 210 and the conductor 202. It is applied to the workpiece 16. Therefore, by applying such a high voltage pulse (negative voltage), ion species in the plasma are attracted and injected into the coating film 10.
  • Ion species introduced into the above-described vacuum chamber and thus injected into the coating film 10 are not particularly limited.
  • ion species include rare gas ions such as argon, helium, neon, krypton, and xenon; ions such as fluorocarbon, hydrogen, nitrogen, oxygen, carbon dioxide, chlorine, fluorine, and sulfur; methane, ethane, propane, and butane.
  • alkane gases such as ethylene, propylene, butene and pentene
  • alkadiene gases such as pentadiene and butadiene
  • alkyne gases such as acetylene and methylacetylene
  • aromatic hydrocarbon gases such as benzene, toluene, xylene, indene, naphthalene and phenanthrene
  • ions of cycloalkane gases such as cyclopropane and cyclohexane
  • cycloalkene gases such as cyclopentene and cyclohexene
  • SiH 4 ion silane
  • organic silicon compound gold, silver, copper, platinum, nickel, palladium, chromium, titanium, molybdenum, niobium, tantalum, tungsten, conductive metal ions such as aluminum and the like Can be mentioned.
  • a sealing layer having excellent gas barrier properties since it can be injected more easily and a sealing layer having excellent gas barrier properties can be obtained, it is selected from the group consisting of hydrogen, nitrogen, oxygen, argon, helium, neon, xenon, and krypton. At least one ion is preferred.
  • the plasma ion implantation pressure is more preferably set to a value within the range of 0.02 to 0.8 Pa, and further preferably set to a value within the range of 0.03 to 0.6 Pa.
  • the applied voltage (high voltage pulse / negative voltage) at the time of ion implantation be a value within a range of ⁇ 1 kV to ⁇ 50 kV. This is because when the applied voltage is out of the above range, desired gas barrier properties may not be obtained. Therefore, the applied voltage at the time of ion implantation is more preferably set to a value within the range of ⁇ 1 kV to ⁇ 15 kV, and further preferably set to a value within the range of ⁇ 5 kV to ⁇ 8 kV.
  • Other layers may be formed on the organic electronic element by providing various layer forming steps.
  • Step 1 Light emitting element forming step ITO thin film in which an indium tin oxide thin film (ITO) (thickness: 150 nm, sheet resistance: 30 ⁇ / ⁇ ) is provided in advance as an anode (first electrode) An attached glass substrate was prepared, and the ITO thin film surface was subjected to solvent cleaning and UV / ozone treatment. Next, N, N′-bis (naphthalen-1-yl) -N, N′-bis (phenyl) -benzylene), which is a light-emitting material, is formed on the ITO thin film of the glass substrate with the ITO thin film at a thickness of 60 nm.
  • ITO indium tin oxide thin film
  • the (8-hydroxyl-quinolinate) aluminum was deposited in succession at a deposition rate of 0.1 to 0.2 nm / s so that the thickness of aluminum was 10 nm and the thickness of (8-hydroxy-quinolinolate) lithium was 10 nm. (Organic functional layer) was formed.
  • all the luminescent materials used are the products made by Luminescence Technology Corp. (Luminescence Technology Corp.).
  • aluminum (Al) (manufactured by High-Purity Chemical Laboratory Co., Ltd.) is deposited at a rate of 0.1 nm / s to form a cathode having a thickness of 100 nm.
  • An electronic device was prepared. In each vapor deposition process, the degree of vacuum was all adjusted to 1 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa or less.
  • Step 2 coating film forming step Next, using a spin coater (manufactured by Mikasa Co., Ltd., MS-A200, rotation speed: 3000 rpm, rotation time: 30 seconds) as a coating liquid containing a silicon compound as a main component Perhydropolysilazane-containing liquid (manufactured by Clariant Japan, “Aquamica NL110A-29”, solvent: xylene, concentration: 10 wt%) was applied along the top and side surfaces of the obtained organic EL device, and then 120 A coating film was formed by removing the solvent in the coating film by heat treatment under the conditions of 2 ° C. for 2 minutes. Further, it was left for 48 hours in an environment of 23 ° C. and 50% RH to form a coating film having a thickness of 50 nm. The refractive index of the obtained coating film was 1.5505.
  • Step 3 Plasma ion implantation step
  • a plasma ion implantation apparatus RF power source: manufactured by JEOL Ltd., RF56000, high voltage pulse power source: Kurita Seisakusho Co., Ltd., PV-3-HSHV-0835
  • plasma ion implantation was performed on the obtained coating film under the following conditions, and a sealing layer (thickness: 50 nm) was directly provided along the upper surface and side surface of the organic EL element.
  • the organic EL element organic electronic element
  • Chamber internal pressure 0.2 Pa Introduced gas: Argon RF output: 1000W RF frequency: 1000Hz RF pulse width: 50 ⁇ sec RF delay: 25nsec DC voltage: -10kV DC frequency: 1000Hz DC pulse width: 5 ⁇ sec DC delay: 50 ⁇ sec Duty ratio: 0.5% Processing time: 300 sec
  • the refractive index of the obtained sealing layer was divided into a first region and a second region, and each was measured using a spectroscopic ellipsometer (manufactured by JA Woollam Japan Co., Ltd.). For convenience of measurement, a sealing layer was formed under the same conditions as the sealing layer on a PET film having a thickness of 150 ⁇ m instead of the organic EL element, and the refractive index was measured. The obtained results are shown in Table 2.
  • Example 2 In Example 2, the same organic EL element was prepared except that the thickness of the sealing layer in Example 1 was increased from 50 nm to 200 nm, and the organic EL performance was evaluated in the same manner as in Example 1.
  • Example 3 In Example 3, except that the thickness of the sealing layer in Example 1 was further increased from 50 nm to 500 nm, a similar organic EL element was prepared, and the organic EL performance was evaluated in the same manner as in Example 1. .
  • Example 4 to 6 coating liquids mainly composed of polyorganosiloxane from the perhydropolysilazane-containing liquids of Examples 1 to 3 (Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) Except for changing to “KS853”), an organic EL device was prepared in the same manner, and the organic EL performance was evaluated in the same manner as in Example 1. The obtained results are shown in Table 1.
  • Example 7 to 9 As the coating liquid mainly composed of a silicon compound, each of the perhydropolysilazane-containing liquids of Examples 1 to 3 was coated with a polysilane as a main component (“Ogsol” manufactured by Osaka Gas Chemical Co., Ltd.).
  • the organic EL device was prepared in the same manner as in Example 1 except that “SI-10” was changed to a solution of 7/3 in toluene / ethyl methyl ketone: 7/3, and the solid content was 7%. evaluated. The obtained results are shown in Table 1.
  • Example 10 to 12 As the coating liquid mainly composed of a silicon compound, each of the perhydropolysilazane-containing liquids according to Examples 1 to 3 (each made by Nippon Carbon Co., Ltd., “ The organic EL device was prepared in the same manner as in Example 1 except that “Nipsi Type S” was changed to a solution of 7/3 in toluene / ethyl methyl ketone: 7/3, and the solid content was 7%. evaluated. The obtained results are shown in Table 1.
  • Comparative Example 1 In Comparative Example 1, an organic EL element was similarly prepared except that the ion implantation step performed in Example 1 was omitted, and the organic EL performance was evaluated in the same manner as in Example 1. The obtained results are shown in Table 1.
  • Comparative Example 2 In Comparative Example 2, a 200 nm-thick silicon dioxide film (SiO 2 film) is formed on the organic EL element by a sputtering method, and this is used as a sealing layer. An organic EL element similar to that in Example 1 was prepared, and the organic EL performance was evaluated in the same manner as in Example 1. The obtained results are shown in Table 1.
  • Comparative Example 3 In Comparative Example 3, as in Comparative Example 2, a 200 nm-thick silicon dioxide film (SiO 2 film) was formed by sputtering, and the ion implantation step performed in Example 1 on the silicon dioxide film. The same organic EL element was prepared except that the sealing layer was formed and the organic EL performance was evaluated in the same manner as in Example 1. The obtained results are shown in Table 1.
  • Comparative Example 4 a silicon nitride film (SiN film) having a thickness of 200 nm was formed by a sputtering method, which was used as a sealing layer, and the ion implantation step performed in Example 1 was omitted.
  • the same organic EL device as above was prepared, and the organic EL performance was evaluated in the same manner as in Example 1. The obtained results are shown in Table 1.
  • Comparative Example 5 In Comparative Example 5, as in Comparative Example 4, a silicon nitride film (SiN film) having a thickness of 200 nm was formed by sputtering, and the ion implantation step performed in Example 1 was further performed on the silicon nitride film. Otherwise, the same organic EL element was prepared, and the organic EL performance was evaluated in the same manner as in Example 1. The obtained results are shown in Table 1.
  • Comparative Example 6 a silicon oxynitride film (SiON film) having a thickness of 200 nm was formed by a sputtering method, and the silicon oxynitride film was subjected to the ion implantation step performed in Example 1 and was similar. An organic EL element was prepared, and the organic EL performance was evaluated in the same manner as in Example 1. The obtained results are shown in Table 1.
  • Comparative Example 7 a laminated film composed of a silicon dioxide film (SiO 2 film) having a thickness of 100 nm and a silicon oxynitride film (SiON film) having a thickness of 100 nm was formed by a sputtering method.
  • a similar organic EL device was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the performed ion implantation step was omitted. The obtained results are shown in Table 1.
  • the organic EL element of the example includes a sealing layer obtained by injecting plasma ions into the coating film containing a silicon compound as a main component, compared with the organic EL element of the comparative example, the organic electronic element It was found that the degradation of the performance was suppressed.
  • the organic electronic element including the sealing layer of the present invention is suitably used as an organic electronic device such as an organic EL element or an organic photoelectric conversion element.
  • organic electronic devices are expected to be applied to display members such as mobile phones, displays, and electronic paper, and organic solar cells.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

ガスバリア性や透明性等に優れた封止層を備えた有機電子素子、およびそのような有機電子素子の効率的な製造方法を提供する。 基板上に、少なくとも一層の有機機能層を介して、対向する第一電極および第二電極を備えてなる有機電子素子、およびそのような有機電子素子の製造方法であって、有機電子素子の上面および側面に沿って、封止層が直接的に設けてあり、かつ、封止層が、ケイ素化合物を主成分としてなる塗膜に対して、プラズマイオンを注入して得られることを特徴とする。

Description

有機電子素子および有機電子素子の製造方法
　本発明は、有機電子素子および有機電子素子の製造方法に関し、特に、ガスバリア性能に優れた封止層を備えた有機電子素子および有機電子素子の製造方法に関する。
　近年、有機化合物からなる有機機能層を用いた有機電子素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）、有機太陽電池等のさまざまな分野への研究開発が進められている。
　中でも、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能であり、薄型化、軽量化、フレキシブル化が可能な画像表示装置として注目されている。
　しかしながら、有機ＥＬ素子は、酸素や水蒸気等により、電極が酸化したり、有機物が変性したりすることにより、非発光点（ダークスポット）が発生するなど、画像表示装置としての性能が低下するという問題があった。
　そこで、このような問題を解決すべく、基板と対する上部電極側から発光光を取り出す発光素子（有機ＥＬ素子）において、封止膜と、上部電極との間の反射防止を図るとともに、発光効率を向上させることを目的として、窒化シリコン膜等からなる封止膜を備えた発光素子が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
　より具体的には、基板上に、下部電極、有機ＥＬ層、および上部電極を順次積層してなる発光素子において、上部電極の表面側に、屈折率を３．５より低く、かつ大気の屈折率よりも大きい屈折率を有する封止材料、例えば、窒化シリコン膜からなる封止膜をＣＶＤ法で設けることを特徴としている。
　また、バリア性に優れた欠陥の無い無機封止層を長期にわたって付与し、発光不良を少なくすることを目的とした有機ＥＬ素子の製造方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
　より具体的には、有機ＥＬ素子の製造方法において、基板上に、第１電極層を形成する工程、第１電極層上に有機発光媒体層（有機ＥＬ層）を形成する工程、有機発光媒体層上に第２電極層を形成する工程、基板全体を、酸素原子（Ｏ）を含むガスを用いてプラズマ処理する工程、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素等からなる無機封止層を形成する工程、および無機封止層上にフッ素原子（Ｆ）を含むガスを用いてプラズマ処理する工程、をそれぞれ含むことを特徴としている。
　また、耐久性を向上させた窒素を含有するケイ素化合物からなる封止層を備え、高い信頼性を実現することを目的とした有機ＥＬ装置等が提案されている（例えば、特許文献３参照）。
　より具体的には、基板上に、下部電極、有機ＥＬ層、および上部電極を順次積層してなる有機ＥＬ装置等において、上部電極の表面側に、窒素含有ケイ素化合物を含む第１のガスバリア層と、窒素含有ケイ素化合物の酸化物を含む第２のガスバリア層と、が交互に積層されてなる封止層を備えることを特徴としている。
　さらには、有機ＥＬ素子の基板等として用いるためのガスバリアフィルムであって、加熱処理等を使用することなく、製造容易なガスバリアフィルムを提供すべく、ポリシラザン膜にプラズマ処理してなるガスバリアフィルムの製造方法が提案されている（例えば、特許文献４参照）。
　より具体的には、プラスチックフィルムの少なくとも一方の面に、ポリシラザン膜を形成し、当該ポリシラザン膜に、プラズマ処理を施して、それをガスバリア膜とすることを特徴としたガスバリアフィルムの製造方法であって、得られたガスバリアフィルムを有機ＥＬ素子の基板として用いることを特徴としている。
特開２００２－２３１４４３号公報 特開２００８－７１６０８号公報 特開２０１０－２７５６１号公報 特開２００７－２３７５８８号公報
　しかしながら、特許文献１に開示されたＣＶＤ法による封止膜は、屈折率を厳格に制御した窒化シリコン膜からなる封止材料を用いなければならず、材料選択の幅が狭い上に、有機ＥＬ素子に適用した場合、ガスバリア性や密着性、あるいは透明性等が未だ低いという問題が見られた。
　また、特許文献２に開示された有機ＥＬ素子の製造方法は、窒化ケイ素、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素等からなる封止層上に、Ｆ原子を含むガスを用いてプラズマ処理する工程により、封止層表面を適度に粗面化し、その上の接着剤との接着性を確保するものであるが、封止層のガスバリア性については不十分であるという問題が見られた。
　また、特許文献３に開示された有機ＥＬ素子の製造方法は、封止層として、窒素含有ケイ素化合物を含む第１のガスバリア層と、窒素含有ケイ素化合物の酸化物を含む第２のガスバリア層と、を交互に積層しなければならず、工程数が過度に増えたり、製造時間が長くなりやすいという問題が見られた。
　さらにまた、特許文献４に開示された有機ＥＬ素子基板等に適用されるガスバリアフィルムの製造方法では、フィルムに対してポリシラザン膜を形成した後に、プラズマ処理を施し、それをガスバリアフィルムとして用いているものの、プラズマイオン注入処理までは行っていないために、有機ＥＬ素子におけるガスバリア性が未だ不十分であるという問題が見られた。
　そこで、本発明者らは、このような問題を鋭意検討した結果、有機ＥＬ素子や太陽電池等の有機電子素子の上面や側面に、ケイ素化合物を主成分とした塗液を直接塗布して塗膜を直接的に形成し、その塗膜に対してプラズマイオン注入することによって、有機電子素子の上面のみならず、側面についても緻密かつ効率的に封止できることを見出し、本発明を完成させたものである。
　すなわち、本発明は、封止層として、ガスバリア性や透明性等に優れたケイ素化合物を主成分としたプラズマイオン注入膜を、周囲に直接的に備えた有機電子素子およびそのような有機電子素子の効率的な製造方法を提供することを目的とする。
　本発明によれば、基板上に、少なくとも一層の有機機能層を介して、対向する第一電極および第二電極を備えてなる有機電子素子であって、有機電子素子の上面および側面に沿って、封止層が直接的に設けてあり、かつ、封止層が、ケイ素化合物を主成分としてなる塗膜に対して、プラズマイオンを注入して得られることを特徴とする有機電子素子が提供され、上述した問題点を解決することができる。
　すなわち、有機ＥＬ素子や太陽電池等の有機電子素子の上面および側面に対して、ケイ素化合物を直接塗布することによって、表面の凹凸等に追随し、上面および側面に沿って、均一かつ任意な厚さの塗膜を形成することできる。そして、そのような塗膜に対してプラズマイオン注入することによって、有機電子素子の上面のみならず、側面についても、三次元的に形成された封止層によって、緻密かつ効率的に封止することができる。
　したがって、封止層を備えた有機電子素子であれば、当該有機電子素子が、大面積等の画像表示部を有する場合であっても、あるいは、上面や側面に凹凸（段差等を含む）を有する場合であっても、外部からの水分や空気等の侵入を効率的に防止し、有機電子素子の性能の劣化を抑制することができる。
　また、本発明の有機電子素子によれば、従来のＣＶＤ法やスパッタリング法によって形成された無機系封止膜と比較して、透明性や密着性に優れているばかりか、同程度のガスバリア性を得るに際して、より薄膜化が可能であり、さらに、有機電子素子の上面や側面に対して良好に追従し、屈曲性や耐久性にも優れるという特徴がある。
　なお、有機電子素子の上面とは、有機電子素子における、基板とは反対側に位置する最外層の表面を意味する。したがって、例えば、有機電子素子が、図４（ａ）に示すような、基板１０１上に、少なくとも一層の有機機能層９９を介して、対向する第一電極１１および第二電極２２を備えてなる有機電子素子５０である場合には、第二電極２２の基材１０１とは反対側の面が、「有機電子素子の上面」となる。
　また、有機電子素子の側面とは、有機電子素子の周囲に位置する露出部表面を意味する。したがって、例えば、有機電子素子が、図４（ａ）に示すような、基板１０１上に、少なくとも一層の有機機能層９９を介して、対向する第一電極１１および第二電極２２を備えてなる有機電子素子５０である場合には、有機機能層９９、第一電極１１および第二電極２２の露出した側方の面が、「有機電子素子の側面」となる。
　その他、ケイ素化合物を主成分としてなる塗膜とは、ケイ素化合物を主成分とした塗液を直接的に塗布し、形成されたものであり、塗液中の全固形分におけるケイ素化合物の含有量は、少なくとも５０重量％以上、好ましくは、７０～１００重量％の範囲内の値であり、より好ましくは、８０～９５重量％の範囲内の値である。
　また、本発明の有機電子素子を構成するにあたり、ケイ素化合物が、ポリシラザン化合物、ポリオルガノシロキサン化合物、ポリシラン化合物、およびポリカルボシラン化合物からなる群から選択される少なくとも一つであることが好ましい。
　このようなケイ素化合物であれば、得られる封止層の透明性や密着性等に優れているとともに、プラズマイオンを注入することによって、比較的容易にガスバリア化することができる。
　また、本発明の有機電子素子を構成するにあたり、封止層の厚さを１０～５０００ｎｍの範囲内の値とすることが好ましい。
　このような封止層の厚さであれば、十分な封止機能を有し、例えば、有機電子素子が、有機ＥＬ素子の場合であっても発光効率を低下させることなく、さらに透明性やガスバリア性、あるいは密着性についても向上させることができる。
　また、本発明の別の態様は、基板上に、少なくとも一層の有機機能層を介して、対向する第一電極および第二電極を備えてなる有機電子素子であって、有機電子素子の上面および側面に沿って、封止層が直接的に設けてあり、かつ、封止層が、ポリシラザン化合物を主成分としてなる塗膜に対して、プラズマイオンを注入して得られるとともに、さらに、封止層は、表面側から深さ方向に沿って、屈折率が１．５０～２．０の範囲内の値である第１領域と、屈折率が１．４０～１．５０未満の範囲内の値である第２領域と、を含むことを特徴とする有機電子素子が提供される。
　このように屈折率が異なる複数領域からなる封止層であれば、透過性が向上し、例えば、有機電子素子が有機ＥＬ素子の場合であっても、光取り出し効果に優れ、発光効率の低下を抑制することができる。
　また、本発明の有機電子素子を構成するにあたり、第１領域における膜密度を２．３～４．０ｇ／ｃｍ3の範囲内の値とするとともに、第２領域における膜密度を２．３ｇ／ｃｍ3未満の値とすることが好ましい。
　このように膜密度が異なる複数領域からなる封止層であれば、さらにガスバリア性を、向上させることができる。
　また、本発明の有機電子素子を構成するにあたり、有機電子素子が、有機機能層として、有機エレクトロルミネッセンス層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）であることを特徴とする。
　このように有機ＥＬ素子として構成することによって、封止層としての機能を容易に発揮することができ、有機ＥＬ素子が大面積であっても、上面や側面に凹凸を有する場合であっても、有機電子素子の性能の劣化を抑制することができる。
　また、本発明の別の態様は、基板上に、少なくとも一層の有機機能層を介して、対向する第一電極および第二電極を備えてなる有機電子素子であって、該有機電子素子の上面および側面に沿って、封止層が直接的に設けてあることを特徴とする有機電子素子の製造方法であって、下記工程（１）～（３）を含むことを特徴とする有機電子素子の製造方法である。
（１）基板上に、第一電極、有機機能層、および第二電極を順次積層し、有機電子素子を形成する有機電子素子形成工程
（２）有機電子素子の上面および側面に沿って、ケイ素化合物を主成分とした塗液を直接的に塗布し、塗膜を形成する膜形成工程
（３）塗膜にプラズマイオン注入して、封止層とするイオン注入工程
　すなわち、有機電子素子に対して、ケイ素化合物を主成分とした塗液を直接塗布して、塗膜を形成し、その塗膜に対してプラズマイオン注入することによって、封止層を形成し、有機電子素子の上面および側面に沿って、封止層を直接的に設けることにより、緻密かつ効率的に封止することができる。
　また、本発明の有機電子素子の製造方法を実施するにあたり、工程（２）において、ケイ素化合物として、ポリシラザン化合物、ポリオルガノシロキサン化合物、ポリシラン化合物、およびポリカルボシラン化合物からなる群から選択される少なくとも一つを用いることが好ましい。
　このようなケイ素化合物であれば、透明性や密着性等に優れた封止層とすることができる。
　また、本発明の有機電子素子の製造方法を実施するにあたり、工程（２）において形成される塗膜が、ポリシラザン化合物を主成分とした塗液を直接的に塗布し、形成されたものであり、工程（３）のイオン注入工程前に、塗膜の屈折率を１．４８～１．６３の範囲内の値に調整することが好ましい。
　塗膜の屈折率を上記範囲内の値に調整してから、イオン注入工程を実施することによって、さらに優れたガスバリア性を有する封止層を得ることができ、ひいては、有機ＥＬ素子等の有機電子素子の耐久性をさらに向上させることができる。
　また、本発明の有機電子素子の製造方法を実施するにあたり、有機電子素子が、有機機能層として、有機エレクトロルミネッセンス層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）であることが好ましい。
　このような方法により有機ＥＬ素子を製造することによって、封止層としての機能を容易に発揮することができ、有機ＥＬ素子が大面積であっても、あるいは有機電子素子の上面や側面に凹凸を有する場合であっても、耐久性を著しく向上させた有機ＥＬ素子を効率的に製造することができる。
図１（ａ）～（ｃ）は、それぞれ封止層を備えた有機ＥＬ素子を説明するために供する図である。 図２（ａ）～（ｂ）は、それぞれ封止層を備えた有機ＥＬ素子を説明するために供する図である。 図３は、封止層を備えた有機太陽電池を説明するために供する図である。 図４（ａ）～（ｃ）は、それぞれ封止層を備えた有機電子素子を説明するために供する図である。 図５（ａ）～（ｅ）は、本発明の有機電子素子の製造方法を説明するために供する図である。 図６は、イオン注入装置の一例を説明するために供する図である。
［第１の実施形態］
　第１の実施形態は、図４（ａ）に示すように、基板１０１上に、少なくとも一層の有機機能層９９を介して、対向する第一電極１１および第二電極２２を備えてなる有機電子素子５０であって、有機電子素子５０の上面および側面に沿って、封止層１００が直接的に設けてあり、かつ、封止層１００が、ケイ素化合物を主成分としてなる塗膜に対して、プラズマイオンを注入して得られることを特徴とする有機電子素子である。
　以下、有機電子素子として、図１等に示す有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）を例にとって、第１の実施形態の有機電子素子について、具体的に説明する。
１．有機ＥＬ素子の基本構成
　有機ＥＬ素子の基本構成としては、特に制限されるものではない。例えば、有機ＥＬ素子１１０は、図１（ａ）に示すように、透明基板１０１上に、透明導電材料からなる陽極１０２（第一電極）、有機化合物からなる正孔輸送層１０３、有機化合物からなる発光層１０４（有機機能層）、有機化合物からなる正孔ブロッキング層１０５、有機化合物からなる電子輸送層１０６、及び金属材料からなる陰極１０７（第二電極）が積層されており、有機ＥＬ素子１１０の上面および側面に沿って、封止層１００が直接的に設けてある。
　有機ＥＬ素子１１０は、電極からそれぞれ注入される電子および正孔との再結合によって、高輝度のＥＬ発光することができる。
　また、別な有機ＥＬ素子１１１の構造としては、図１（ｂ）に示すように、電子輸送層１０６及び陰極１０７間に、電子注入層１０７ａを薄膜として、積層した有機ＥＬ素子１１１の上面および側面に沿って、封止層１００が直接的に設けてある。
　さらに、他の有機ＥＬ素子１１２の構造として、図１（ｃ）に示すように、陽極１０２及び正孔輸送層１０３間に、正孔注入層１０３ａを薄膜として、積層した有機ＥＬ素子１１２の上面および側面に沿って、封止層１００が直接的に設けてある。
　発光層１０４が、正孔輸送性を有する発光材料からなるものであれば、上述した有機ＥＬ素子１１０～１１２は、正孔輸送層１０３や正孔注入層１０３ａ等を省いた構造であってもよい。
　発光層１０４が、正孔輸送性を有する発光材料からなるものである場合、例えば、図２（ａ）に示すように、有機ＥＬ素子１１３は、基板１０１上に、陽極１０２、正孔注入層１０３ａ、発光層１０４、正孔ブロッキング層１０５、電子輸送層１０６、電子注入層１０７ａ、及び陰極１０７が順次に積層され、有機電子素子の上面および側面に沿って、封止層１００が直接的に設けてあり、正孔輸送層１０３を含まない構成である。
　また、図２（ｂ）に示すように、有機ＥＬ素子１１４は、基板１０１上に、陽極１０２、発光層１０４、正孔ブロッキング層１０５、電子輸送層１０６、電子注入層１０７ａ、及び陰極１０７が順次に積層され、有機電子素子の上面および側面に沿って、封止層１００が直接的に設けてあり、正孔輸送層１０３及び正孔注入層１０３ａを含まない構成である。
　なお、基板、陽極、正孔輸送層、発光層、正孔ブロッキング層、電子輸送層、及び陰極等の構成は、特に制限されるものでなく、従来公知の構成とすることができる。
　また、本発明では、上記の層以外に必要に応じて、他の層を設けてもよい。
（１）基板
　基板１０１としては、特に制限はなく、例えば、無アルカリガラス、石英ガラス等の無機材料、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリフェニレンスルフィド、ポリパラキシレン、エポキシ樹脂、フッ素系樹脂等の有機材料から任意の方法で作製されたフィルムや板が挙げられる。
（２）陽極、陰極
　有機電子素子が、図１，２に示すような有機ＥＬ素子である場合、本発明における第一電極は、陽極１０２となる。陽極１０２（第１電極）としては、透明なものであれば特に制限はなく、例えば、スズドープ酸化インジウム（ＩＴＯ），ＩｒＯ２、Ｉｎ２Ｏ３、ＳｎＯ２、酸化インジウム－酸化亜鉛（ＩＺＯ）、ＺｎＯ（Ｇａ、Ａｌドープ）、ＭｏＯ３等の材料から形成される電極が挙げられる。
　また、有機電子素子が、図１，２に示すような有機ＥＬ素子である場合、本発明における第二電極は、陰極１０７となる。陰極１０７（第２電極）としては、透明性は特に制限はなく、例えば、Ａｇ、Ａｌ、Ｐｔ，Ｉｒ、Ｃｒ、ＺｎＯ、ＣＮＴ、及びそれらの合金、複合体等が挙げられる。
　陽極及び陰極の形成方法としては、特に制限はされず、例えば、真空蒸着、各種スパッタリング等の方法が挙げられる。
　なお、陽極及び陰極の厚さは、特に制限はされないが、２０ｎｍ～１０００ｎｍであることが好ましく、特に３０～２００ｎｍであることが好ましい。
（３）発光層
　有機電子素子が、図１，２に示すような有機ＥＬ素子である場合、本発明における有機機能層は発光層１０４となる。
　発光層１０４は、電子とホールとの再結合により励起子が生成し、その励起子がエネルギーを放出して基底状態に戻る際に発光するような発光性材料を含む層である。このような発光性材料としては、特に限定されることなく用いることができ、通常、蛍光発光する有機物、燐光を発光する有機物、または該有機物とこれを補助するドーパント、金属錯体系材料、高分子系材料、色素系材料、ドーパント材料等のような発光性材料が挙げられる。
　また、発光層を形成する方法としては、真空蒸着法、イオン化蒸着法、スピンコーティング（スピンキャスト法）、スプレーコーティング、グラビアコーティング、バーコーティング、ドクターブレード等の各種コーティング法により発光性材料に応じて適宜選択して用いることができる。発光層は、コーティング法により形成されることが好ましい。
　なお、発光層１０４の厚さは、１～１００μｍ、好ましくは２～１,０００ｎｍであり、より好ましくは５ｎｍ～５００ｎｍであり、さらに好ましくは２０ｎｍ～２００ｎｍである。
（４）正孔輸送層
　正孔輸送層１０３は、正孔を、輸送する機能を有する層である。
　また、正孔輸送層は、単層であっても、複数層の積層であってもよい。正孔輸送層は、光を吸収して電子と正孔を発生する電荷発生能を有していることが好ましい。
　また、正孔輸送層は、１種又は２種以上の正孔輸送材料を用いて形成することができる。
　ここで、正孔輸送材料としては、例えば、カルバゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、フタロシアニン系化合物、ポリチオフェン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、等が挙げられる。
　また、正孔輸送層１０３の形成方法としては、スピンコート、スプレーコート、バーコート、ダイコート等の溶剤塗布法、真空蒸着法などが挙げられる。
　なお、正孔輸送層の厚さとしては、１ｎｍ～５００ｎｍであるのが好ましく、２ｎｍ～２００ｎｍであるのがより好ましく、５ｎｍ～１００ｎｍであるのがさらに好ましい。
（５）正孔ブロッキング層
　正孔ブロッキング層１０５は、陽極１０２から陰極１０７へ向かって移動する正孔を規制する機能を有しているものが好ましい。正孔ブロッキング層１０５の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
　また、正孔ブロッキング層１０５の厚さは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、通常１～５００ｎｍ程度であり、１０～５０ｎｍが好ましい。
（６）電子輸送層
　電子輸送層１０６は、電子を輸送する機能を有する層である。
　また、電子輸送層１０６は、単層であっても、複数層の積層であってもよい。電子輸送層１０６は、光を吸収して電荷を発生する電荷発生能を有していることが好ましい。
　また、電子輸送層は、１種又は２種以上の電子輸送材料を用いて形成することができる。
　ここで、電子輸送材料は、例えば、フラーレン誘導体、パラフェニレンビニレン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、フェナントロリン誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物及びこれらから誘導されるイミド類やヘテロ環類、８－キノリノール誘導体の金属錯体、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体、等が挙げられる。
　また、電子輸送層１０６の形成方法としては、スピンコート、スプレーコート、バーコート、ダイコート等の溶剤塗布法、真空蒸着法などが挙げられる。
　なお、電子輸送層１０６の厚みとしては、１ｎｍ～５００ｎｍであるのが好ましく、２ｎｍ～２００ｎｍであるのがより好ましく、５ｎｍ～１００ｎｍであるのがさらに好ましい。
２．封止層
（１）基本構成
　図１（ａ）～（ｃ）及び図２（ａ）～（ｂ）に示す封止層１００は、ケイ素化合物を主成分としてなる塗膜に対して、プラズマイオンを注入して得られる層である。
　すなわち、有機ＥＬ素子（１１０，１１１，１１２，１１３，１１４）の上面および側面に対して、ケイ素化合物を主成分としてなる材料を直接塗布することにより、塗膜を全体的に形成し、その塗膜に対してプラズマイオンを注入することによって、封止層が形成されることを特徴とする。
　このように、封止層が、これら有機ＥＬ素子の上面や側面を、三次元的に覆うことから、酸素や水蒸気等が有機ＥＬ素子の内部に侵入することを防ぐことができ、有機ＥＬ素子の性能の劣化を抑制することができる。
　なお、封止層１００は、図４(ｃ)に示すように、基板１０１の表面（図４において、有機機能層９９、第一電極１１および第二電極２２が積層されている側の反対側）および側面、あるいはいずれか一方についても、封止層１００が設けられていてもよい。
　このように基板１０１の表面にも封止層１００を備えることによって、基板１０１側から酸素や水蒸気等が浸入することを防ぐことができるため、有機電子素子５０の劣化をさらに抑制することができる。
（２）厚さ
　また、封止層１００の厚さは、１０～５０００ｎｍの範囲内の値であることが好ましい。このような封止層の厚さであれば、透明性が低下しないため、有機ＥＬ素子等の発光効率を低下させることなく、さらにガスバリア性、あるいは密着性についても向上させることができる。
（３）ケイ素化合物
　また、ケイ素化合物の種類は特に制限されるものではないが、例えば、ポリシラザン化合物、ポリオルガノシロキサン化合物、ポリシラン化合物、およびポリカルボシラン化合物からなる群から選択される少なくとも一つであることが好ましい。
　この理由は、このようなケイ素化合物であれば、得られる封止層の透明性や密着性等に優れているとともに、プラズマイオンを注入することによって、優れたガスバリア性を有する封止層を得ることができるためである。
　封止層１００を形成する方法としては、後述する有機電子素子の製造方法で詳しく説明する。
　以上、図１および図２に示す有機ＥＬ素子を例に、有機電子素子として有機ＥＬ素子の例を説明したが、本発明においては、有機ＥＬ素子に限定されるものではなく、例えば、有機機能層として有機光電変換層を備える有機太陽電池であってもよい。
３．有機太陽電池
　以下、有機電子素子が有機太陽電池である場合について、具体的に説明する。
　有機太陽電池の基本構成としては、特に制限されるものではない。
　具体的には、有機太陽電池１１５は、例えば、図３に示すように、透明基板１０１上に、透明導電材料からなる陽極１０２（第一電極）、有機化合物からなる有機光電変換層１０８（有機機能層）、金属材料からなる陰極１０７（第二電極）が積層されている。そして、有機太陽電池１１５の上面および側面に沿って、封止層１００が直接的に設けてある。
　当該有機光電変換層１０８は、光を吸収して電子と正孔を発生させる機能を有するものである。
　また、有機光電変換層１０８は、単層からなってもよいし、複数層からなってもよい。例えば、単層としては、正孔輸送材料と電子輸送材料の混合層が挙げられる。また、複数層としては、例えば、（正孔輸送層／電子輸送層）、および（正孔輸送層／混合層／電子輸送層）の構成が挙げられる。図３では、混合されている場合を示している。
　本発明では、上記の層以外に、必要に応じて他の層を設けてもよい。
　なお、陽極１０２、陰極１０７、封止層１００は、上述したものを用いることができる。
　以上のように、本発明の有機電子素子は、有機電子素子の上面のみならず、側面についても、三次元的に形成された封止層によって、緻密かつ効率的に封止されている。この封止層によって、酸素や水蒸気等が有機電子素子の内部に侵入することが防止されて、有機ＥＬ素子や有機太陽電池等の種々の有機電子素子の性能の劣化を抑制することができる。
［第２の実施形態］
　第２の実施形態は、図４（ｂ）に示すように、基板１０１上に、少なくとも一層の有機機能層９９を介して、対向する第一電極１１および第二電極２２を備えてなる有機電子素子５０であって、有機電子素子５０の上面および側面に沿って、封止層１００が直接的に設けてあり、かつ、封止層１００が、ポリシラザン化合物を主成分としてなる塗膜に対して、プラズマイオンを注入して得られるとともに、さらに、封止層は、表面側から深さ方向に沿って、屈折率が１．５０～２．０の範囲内の値である第１領域１０ａと、屈折率が１．４０～１．５０未満の範囲内の値である第２領域１０ｂと、を含むことを特徴とする有機電子素子５０である。
　また、有機電子素子５０の基本構成としては、特に制限はなく、図１～図２に示す有機ＥＬ素子、図３に示す有機太陽電池と同様のものが挙げられる。
　以下、第２の実施形態における封止層１００について、具体的に説明する。
１.屈折率
　図４（ｂ）に示す有機電子素子５０は、封止層１００が、表面側から深さ方向に沿って、屈折率が１．５０～２．０の範囲内の値である第１領域１０ａと屈折率が１．４０～１．５０未満の範囲内の値である第２領域１０ｂとを含むことが好ましい。
　この理由は、封止層の屈折率を上記のような範囲にすることによって、優れたガスバリア性が得られるとともに、封止層での反射も低減することができるため極めて優れた透明性等を得ることができるためである。
　第１領域における屈折率を１．５０～１．６６の範囲内の値とし、かつ、第２領域における屈折率を１．４２～１．４９の範囲内の値とすることがより好ましく、第１領域における屈折率を１．５１～１．６０の範囲内の値とし、かつ、第２領域における屈折率を１．４４～１．４８の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
２.膜密度
　また、第１領域１０ａにおける膜密度を２．３～４．０ｇ／ｃｍ3の範囲内の値とするとともに、第２領域１０ｂにおける膜密度を２．３ｇ／ｃｍ3未満の値とすることが好ましい。
　この理由は、このように各領域の膜密度を制限することによって、封止層として、さらに優れた透明性や優れたガスバリア性を得ることができるためである。
　第１領域における膜密度を２．４～２．９ｇ／ｃｍ3の範囲内の値とし、かつ、第２領域における膜密度を１．８～２．２ｇ／ｃｍ3の範囲内の値とすることがより好ましく、第１領域における膜密度を２．５～２．８ｇ／ｃｍ3の範囲内の値とし、かつ、第２領域における膜密度を１．９～２．１ｇ／ｃｍ3の範囲内の値とすることがさらに好ましい。
３.厚さ
　また、封止層１００の厚さは、１０～５０００ｎｍの範囲内の値であることが好ましい。このような封止層の厚さであれば、透明性が低下しないため、有機ＥＬ素子等の発光効率を低下させることなく、さらにガスバリア性、あるいは密着性についても向上させることができる。
　また、第１領域１０ａにおける厚さを１０～１５ｎｍ未満の範囲内の値とし、第２領域１０ｂにおける厚さを１０～３０ｎｍの範囲内の値とすることが好ましい。
　この理由は、このように各領域の厚さを制限するとともに、上述したようにそれらの屈折率を調整することによって、さらに優れたガスバリア性や透明性等を得ることができるためである。
［第３の実施形態］
　第３の実施形態は、基板上に、少なくとも一層の有機機能層を介して、対向する第一電極および第二電極を備えてなる有機電子素子であって、該有機電子素子の上面および側面に沿って、封止層が直接的に設けてあることを特徴とする有機電子素子の製造方法であって、下記工程（１）～（３）を含むことを特徴とする有機電子素子の製造方法である。
（１）基板上に、少なくとも一層の有機機能層を介して、対向する第一電極および第二電極を備えてなる有機電子素子を形成する有機電子素子形成工程
（２）有機電子素子の上面および側面に沿って、ケイ素化合物を主成分とした塗液を直接的に塗布し、塗膜を形成する膜形成工程
（３）塗膜にプラズマイオン注入して、封止層とするイオン注入工程
　以下、有機電子素子として、有機ＥＬ素子を例にとって、第３の実施形態の有機電子素子の製造方法を具体的に説明する。
１．工程（１）：有機電子素子形成工程
　有機電子素子形成工程は、公知の方法によって、図５（ａ）に示すように、基板上に、少なくとも一層の有機機能層を介して、対向する第一電極および第二電極を備えてなる有機電子素子１２を形成する工程である。
　すなわち、有機電子素子１２が、図１（ａ）の有機ＥＬ素子１１０である場合を例にとれば、透明陽極１０２が形成された基板１０１上に、正孔輸送層１０３、有機機能層としての発光層１０４、正孔ブロッキング層１０５、電子輸送層１０６および陰極１０７をこの順に積層し、有機ＥＬ素子１１０を形成することができる。
　各層の形成方法は、特に限定されず、公知の各種形成方法が挙げられる。
２．工程（２）：膜形成工程
　次いで、塗布工程は、図５（ｂ）に示すように、ケイ素化合物を主成分とした塗液を、上記工程（１）において形成した有機電子素子１２の上面および側面に沿って、塗布し、有機電子素子１２の上面および側面に、塗膜１０を直接的に形成する工程である。
　また、ケイ素化合物としては、ポリシラザン化合物、ポリオルガノシロキサン化合物、ポリシラン化合物、およびポリカルボシラン化合物等が挙げられる。
　また、ケイ素化合物を主成分とした塗液は、上記ケイ素化合物の少なくとも一種、所望により他の成分を配合して、溶剤に溶解させて作成すればよい。
　また、塗膜の形成方法としては、ケイ素化合物を主成分とした塗液を有機ＥＬ素子１２上に塗布し、塗布膜を形成し、図５（ｃ）に示すように、加熱乾燥して塗布膜中の溶媒を除去することで、塗膜１０を形成することができる。
　また、塗膜の加熱乾燥方法としては、熱風乾燥、熱ロール乾燥、赤外線照射等、従来公知の乾燥方法が採用できる。加熱温度は、通常、８０～１５０℃であり、加熱時間は、通常、数十秒から数十分である。
　なお、塗布方法としては、公知の各種塗布方法を使用することができる。
　したがって、例えば、スクリーン印刷法、ナイフコート法、ロールコート法、ダイコート法、インクジェット法、スピンコート法、スプレー法、ディップ法等の一種単独、または二種以上の組み合わせが挙げられる。
　なお、図４(ｃ)に示すように、基板１０１の表面および側面、あるいはいずれか一方についても、封止層１００を形成する場合は、工程（２）において、同様の方法で塗膜１０を形成すればよい。
　また、工程（２）において、塗膜１０のシーズニング処理工程を設けてもよい。
　なお、ケイ素化合物のシーズニング条件として、温度を１５～３５℃、処理時間を２４～４８０時間の範囲内の値とすることが好ましい。
　その他、ケイ素化合物として、例えば、ポリシラザン化合物を用いた場合、工程（２）において形成される塗膜の屈折率を１．４８～１．６３の範囲内の値とすることが好ましい。
　この理由は、このような屈折率の値に制限することによって、工程（３）のプラズマイオン注入を実施した場合に、より優れたガスバリア性を得ることができるためである。
３．工程（３）：プラズマイオン注入工程
（１）基本方法
　工程（３）は、図５（ｄ）に示すように、塗膜１０に対して、プラズマイオン注入を行い、矢印Ｐで表わされるように、イオンを注入し、最終的に、図５（ｅ）に示すように、封止層１０´を備えた有機電子素子６０とする工程である。
　より具体的には、プラズマイオン注入は、希ガス等のプラズマ生成ガスを含む雰囲気下でプラズマを発生させ、負の高電圧パルスを印加することにより、塗膜１０の表面部分に、プラズマ中のイオン（陽イオン）を注入するのが基本方法である。
　また、一例として、図６に示すプラズマイオン注入装置２００を用いることができる。
　すなわち、かかるプラズマイオン注入装置２００は、基本的に、真空チャンバー２１１と、マイクロ波電源（図示せず）と、マグネットコイル（図示せず）と、直流印加装置（パルス電源）２０８と、を備えている。
　そして、真空チャンバー２１１は、その内部の所定位置に、有機電子素子１２上に塗膜１０が形成された被処理物１６を配置するとともに、その塗膜に対して、イオン注入を行うための容器である。
　また、直流印加装置２０８は、オシロスコープ２０７が取り付けられた直流電源であって、被処理物１６に、高電圧パルスを印加するためのパルス電源である。
　そのため、直流印加装置２０８は、被処理物１６がその上に配置された導体２０２に電気的に接続されている。
　よって、このように構成されたプラズマイオン注入装置２００によれば、マイクロ波電源（プラズマ放電用電極）およびマグネットコイルを駆動することによって、導体２０２および被処理物１６の周囲でガス導入口２０３から導入したガスのプラズマが発生する。
　次いで、所定時間経過後、マイクロ波電源およびマグネットコイルの駆動が停止されるとともに、直流印加装置２０８が駆動され、高電圧パルス（負電圧）が、高電圧導入端子２１０および導体２０２を介して、被処理物１６に印加されることになる。
　したがって、かかる高電圧パルス（負電圧）の印加によって、プラズマ中のイオン種が誘引され、塗膜１０に注入される。
（２）イオン種
　上述した真空チャンバーに導入され、ひいては、塗膜１０に注入されるイオン種については特に制限されるものではない。例えば、イオン種としては、アルゴン、ヘリウム、ネオン、クリプトン、キセノン等の希ガスのイオン；フルオロカーボン、水素、窒素、酸素、二酸化炭素、塩素、フッ素、硫黄等のイオン；メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン等のアルカン系ガス類のイオン；エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン等のアルケン系ガス類のイオン；ペンタジエン、ブタジエン等のアルカジエン系ガス類のイオン；アセチレン、メチルアセチレン等のアルキン系ガス類のイオン；ベンゼン、トルエン、キシレン、インデン、ナフタレン、フェナントレン等の芳香族炭化水素系ガス類のイオン；シクロプロパン、シクロヘキサン等のシクロアルカン系ガス類のイオン；シクロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアルケン系ガス類のイオン；金、銀、銅、白金、ニッケル、パラジウム、クロム、チタン、モリブデン、ニオブ、タンタル、タングステン、アルミニウム等の導電性の金属のイオン；シラン（ＳｉＨ４）又は有機ケイ素化合物のイオン；等が挙げられる。
　これらの中でも、より簡便に注入することができ、優れたガスバリア性を有する封止層が得られることから、水素、窒素、酸素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、キセノン、及びクリプトンからなる群から選ばれる少なくとも一種のイオンが好ましい。
（３）プラズマイオン注入圧力
　また、イオン注入する際の真空チャンバーの圧力、すなわち、プラズマイオン注入圧力を０．０１～１Ｐａの範囲内の値とすることが好ましい。
　この理由は、かかるプラズマイオン注入時の圧力がこのような範囲にあるときに、簡便にかつ効率よく均一にイオンを注入することができ、優れた耐折り曲げ性やガスバリア性を兼ね備えた封止層を効率よく形成することができるためである。
　したがって、プラズマイオン注入圧力を０．０２～０．８Ｐａの範囲内の値とすることがより好ましく、０．０３～０．６Ｐａの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
（４）プラズマイオン注入印加電圧
　また、イオン注入する際の印加電圧（高電圧パルス／負電圧）を－１ｋＶ～－５０ｋＶの範囲内の値とすることが好ましい。
　この理由は、かかる印加電圧が上記範囲外の場合は、所望のガスバリア性が得られない場合があるためである。
　したがって、イオン注入する際の印加電圧を－１ｋＶ～－１５ｋＶの範囲内の値とすることがより好ましく、－５ｋＶ～－８ｋＶの範囲内の値とすることがさらに好ましい。
４.その他の工程
　また、各種層形成工程を設けて、有機電子素子に、その他の層を形成してもよい。
　例えば、光学特性、耐久性および機械的特性等の向上のために、封止層の表面に、光学調整層、無機薄膜層やガスバリア層などを形成することも好ましい。
　また、有機電子素子の装飾性や情報性向上のために、封止層または基板の表面に、装飾層や印刷層（金属蒸着層を含む。）を全面的または部分的に形成することも好ましい。
　以下、実施例を参照して、本発明をさらに詳細に説明する。
［実施例１］
１．有機ＥＬ素子の製造
（１）工程１：発光素子形成工程
　陽極（第一電極）として、酸化インジウムスズ薄膜（ＩＴＯ）（厚さ：１５０ｎｍ、シート抵抗：３０Ω／□）が予め設けてあるＩＴＯ薄膜付ガラス基板を準備し、そのＩＴＯ薄膜表面を、溶媒洗浄およびＵＶ／オゾン処理を実施した。
　次いで、ＩＴＯ薄膜付ガラス基板のＩＴＯ薄膜上に、発光性材料であるＮ,Ｎ‘-ビス（ナフタレン－１－イル）－Ｎ,Ｎ’－ビス（フェニル）－ベンジテン）を厚さ６０ｎｍ、トリス（８－ヒドロキシル－キノリネート）アルミニウムを厚さ１０ｎｍ、(８－ヒドロキシ－キノリノレート)リチウムを厚さ１０ｎｍとなるように、０．１～０．２ｎｍ/ｓの蒸着速度でそれぞれ順次蒸着し、発光層（有機機能層）を形成した。
　なお、使用した発光性材料は、すべてルミネッセンステクノロジー社（Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｔｅｃｎｏｌｏｇｙ Ｃｏｒｐ.）製である。
　次いで、アルミニウム（Ａｌ）（高純度化学研究所（株）社製）を０．１ｎｍ/ｓの速度で蒸着し、厚さ１００ｎｍの陰極を形成することによって、封止前の有機ＥＬ素子（有機電子素子）を用意した。
　なお、それぞれの蒸着処理において、真空度は全て１×１０-4Ｐａ以下となるように調整した。
（２）工程２：塗膜形成工程
　次いで、スピンコーター（ミカサ（株）製、ＭＳ－Ａ２００、回転数：３０００ｒｐｍ、回転時間：３０秒）を用いて、ケイ素化合物を主成分とした塗液として、パーヒドロポリシラザン含有液（クラリアントジャパン社製、「アクアミカＮＬ１１０Ａ－２９」、溶媒：キシレン、濃度：１０重量％）を、得られた有機ＥＬ素子の上面および側面に沿って塗布し、次いで、１２０℃、２分の条件で、加熱処理して塗布膜中の溶媒を除去することで、塗膜を形成した。
　さらに、２３℃、５０％ＲＨ環境下に４８時間放置し、厚さが５０ｎｍの塗膜を形成した。得られた塗膜の屈折率は１．５５０５であった。
（３）工程３：プラズマイオン注入工程
　次いで、プラズマイオン注入装置（ＲＦ電源：日本電子（株）製、ＲＦ５６０００、高電圧パルス電源：栗田製作所（株）、ＰＶ－３－ＨＳＨＶ－０８３５）を用いて、得られた塗膜に対し、下記条件にてプラズマイオン注入を行い、有機ＥＬ素子の上面および側面に沿って、封止層（厚さ：５０ｎｍ）が直接的に設けてある実施例１の有機ＥＬ素子（有機電子素子）を得た。
チャンバー内圧：０．２Ｐａ
導入ガス：アルゴン
ＲＦ出力：１０００Ｗ
ＲＦ周波数：１０００Ｈｚ
ＲＦパルス幅：５０μｓｅｃ
ＲＦ　ｄｅｌａｙ：２５ｎｓｅｃ
ＤＣ電圧：－１０ｋＶ
ＤＣ周波数：１０００Ｈｚ
ＤＣパルス幅：５μｓｅｃ
ＤＣ　ｄｅｌａｙ：５０μｓｅｃ
Ｄｕｔｙ比：０．５％
処理時間：３００ｓｅｃ
２．有機ＥＬ素子等の評価
　プラズマイオン注入を経て最終的に得られた封止層を有する有機ＥＬ素子につき、以下の評価を行った。
（１）有機ＥＬ性能評価
　得られた封止層を有する有機ＥＬ素子を、標準環境下（６０℃、９０％Ｒｈ）に、１０００時間放置した後、有機ＥＬ素子を起動させ、ダークスポット（非発光箇所）の発生具合を目視観察し、以下の評価基準に準じて、有機ＥＬ性能を評価した。得られた結果を表２に示す。
◎：ダークスポットの発生が全く見られない
○：ダークスポットの発生面積が、発光面積全体の５％未満である。
△：ダークスポットの発生面積が、発光面積全体の１０％未満である。
×：有機ＥＬ素子が起動しないか、ダークスポットの発生面積が、発光面積全体の１０％以上である。
（２）屈折率
　得られた封止層の屈折率を、第１領域および第２領域に分けて、それぞれ分光エリプソメーター（Ｊ．Ａ.ウーラム・ジャパン（株）製）を用いて測定した。
　なお、測定の便宜上、有機ＥＬ素子の替わりに、厚さ１５０μｍのＰＥＴフィルム上に、上記封止層と同条件で封止層を形成し、その屈折率を測定した。得られた結果を表２に示す。
（３）膜密度
　得られた封止層の膜密度を、Ｘ線回折装置（（株）リガク製、全自動水平型多目的Ｘ線回折装置 Smart Lab）を用いて測定した。
　なお、測定の便宜上、有機ＥＬ素子の替わりに、厚さ１５０μｍのＰＥＴフィルム上に、上記封止層と同条件で封止層を形成し、その膜密度を測定した。得られた結果を表２に示す。
［実施例２］
　実施例２においては、実施例１における封止層の厚さを５０ｎｍから、２００ｎｍに増加させた以外は、同様の有機ＥＬ素子を作成し、実施例１と同様に有機ＥＬ性能を評価した。
［実施例３］
　実施例３においては、実施例１における封止層の厚さを５０ｎｍから、５００ｎｍにさらに増加させた以外は、同様の有機ＥＬ素子を作成し、実施例１と同様に有機ＥＬ性能を評価した。
［実施例４～６］
　実施例４～６においては、ケイ素化合物を主成分とした塗液として、実施例１～３のパーヒドロポリシラザン含有液から、それぞれポリオルガノシロキサンを主成分とする塗液（信越化学工業（株）社製「ＫＳ８５３」）に変えたほかは、同様に有機ＥＬ素子を作成し、実施例１と同様に有機ＥＬ性能を評価した。得られた結果を表１に示す。
［実施例７～９］
　実施例７～９においては、ケイ素化合物を主成分とした塗液として、実施例１～３のパーヒドロポリシラザン含有液から、それぞれポリシランを主成分とする塗液（大阪ガスケミカル社製、「オグソールＳＩ－１０」をトルエン／エチルメチルケトン：７／３に溶解した溶液，固形分濃度７％）に変えたほかは、同様に有機ＥＬ素子を作成し、実施例１と同様に有機ＥＬ性能を評価した。得られた結果を表１に示す。
［実施例１０～１２］
　実施例１０～１２においては、ケイ素化合物を主成分とした塗液として、実施例１～３のパーヒドロポリシラザン含有液から、それぞれポリカルボシランを主成分とする塗液（日本カーボン社製、「ニプシＴｙｐe Ｓ」をトルエン／エチルメチルケトン：７／３に溶解した溶液、固形分濃度７％）に変えたほかは、同様に有機ＥＬ素子を作成し、実施例１と同様に有機ＥＬ性能を評価した。得られた結果を表１に示す。
［比較例１］
　比較例１においては、実施例１で実施したイオン注入工程を省略したほかは、同様に有機ＥＬ素子を作成し、実施例１と同様に有機ＥＬ性能を評価した。得られた結果を表１に示す。
［比較例２］
　比較例２においては、有機ＥＬ素子上に対して、スパッタリング法にて厚さ２００ｎｍの二酸化ケイ素膜（ＳｉＯ2膜）を形成し、これを封止層とし、実施例１で実施したイオン注入工程を省略したほかは、実施例１と同様の有機ＥＬ素子を作成し、実施例１と同様に有機ＥＬ性能を評価した。得られた結果を表１に示す。
［比較例３］
　比較例３においては、比較例２と同様に、スパッタリング法にて形成し厚さ２００ｎｍの二酸化ケイ素膜（ＳｉＯ２膜）を形成し、さらに、二酸化ケイ素膜に実施例１で実施したイオン注入工程を実施し、封止層を形成したほかは、同様の有機ＥＬ素子を作成し、実施例１と同様に有機ＥＬ性能を評価した。得られた結果を表１に示す。
［比較例４］
　比較例４においては、スパッタリング法にて厚さ２００ｎｍの窒化ケイ素膜（ＳｉＮ膜）を形成し、これを封止層とし、実施例１で実施したイオン注入工程を省略したほかは、実施例１と同様の有機ＥＬ素子を作成し、実施例１と同様に有機ＥＬ性能を評価した。得られた結果を表１に示す。
［比較例５］
　比較例５においては、比較例４と同様に、スパッタリング法にて厚さ２００ｎｍの窒化ケイ素膜（ＳｉＮ膜）を形成し、さらに、窒化ケイ素膜に実施例１で実施したイオン注入工程を実施したほかは、同様の有機ＥＬ素子を作成し、実施例１と同様に有機ＥＬ性能を評価した。得られた結果を表１に示す。
［比較例６］
　比較例６においては、スパッタリング法にて厚さ２００ｎｍの酸窒化ケイ素膜（ＳｉＯＮ膜）を形成し、さらに、酸窒化ケイ素膜に実施例１で実施したイオン注入工程を実施したほかは、同様の有機ＥＬ素子を作成し、実施例１と同様に有機ＥＬ性能を評価した。得られた結果を表１に示す。
［比較例７］
　比較例７においては、厚さ１００ｎｍの二酸化ケイ素膜（ＳｉＯ２膜）および厚さ１００ｎｍの酸窒化ケイ素膜（ＳｉＯＮ膜）からなる積層膜を、スパッタリング法にて形成し、さらに、実施例１で実施したイオン注入工程を省略したほかは、同様の有機ＥＬ素子を作成し、実施例１と同様に評価した。得られた結果を表１に示す。
　実施例の有機ＥＬ素子は、ケイ素化合物を主成分としてなる塗膜に対して、プラズマイオンを注入して得られる封止層を備えるため、比較例の有機ＥＬ素子と比較して、有機電子素子の性能の劣化を抑制されていることが分かった。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000002
  
　以上、詳述したように、本発明の封止層を備える有機電子素子は、有機ＥＬ素子、有機光電変換素子等の有機電子デバイスとして好適に用いられる。そして、このような有機電子デバイスは、例えば、携帯電話、ディスプレイ、電子ペーパー等の表示部材や、有機太陽電池等への応用が期待される。
１０：塗膜
１０´、１００：封止層
１０ａ：第１領域
１０ｂ：第２領域
１１、１０２：第一電極
１２：有機電子素子
２２、１０７：第二電極
５０、６０：封止層を備えた有機電子素子
９９、１０４：有機機能層
１００：封止層
１０１：基材
１０３：正孔輸送層
１０３ａ：正孔注入層
１０５：正孔ブロッキング層
１０６：電子輸送層
１０７ａ：電子注入層
１０８：有機光電変換層
１１０、１１１、１１２、１１３、１１４：有機ＥＬ素子
１１５：有機太陽電池
２００：プラズマイオン注入装置
１６：被処理物
２０２：導体
２０３：ガス導入口
２０７：オシロスコープ
２０８：直流印加装置（パルス電源）
２１０：高電圧導入端子
２１１：真空チャンバー

Claims (10)

  1. 　基板上に、少なくとも一層の有機機能層を介して、対向する第一電極および第二電極を備えてなる有機電子素子であって、
    　前記有機電子素子の上面および側面に沿って、封止層が直接的に設けてあり、
    　かつ、
    　前記封止層が、ケイ素化合物を主成分としてなる塗膜に対して、プラズマイオンを注入して得られてなることを特徴とする有機電子素子。
  2. 　前記ケイ素化合物が、ポリシラザン化合物、ポリオルガノシロキサン化合物、ポリシラン化合物、およびポリカルボシラン化合物からなる群から選択される少なくとも一つであることを特徴とする請求項１に記載の有機電子素子。
  3. 　前記封止層の厚さを１０～５０００ｎｍの範囲内の値とすることを特徴とする請求項１または２に記載の有機電子素子。
  4. 　基板上に、少なくとも一層の有機機能層を介して、対向する第一電極および第二電極を備えてなる有機電子素子であって、
    　前記有機電子素子の上面および側面に沿って、封止層が直接的に設けてあり、かつ、
    　前記封止層が、ポリシラザン化合物を主成分としてなる塗膜に対して、プラズマイオンを注入して得られるとともに、さらに、前記封止層は、表面側から深さ方向に沿って、屈折率が１．５０～２．０の範囲内の値である第１領域と、屈折率が１．４０～１．５０未満の範囲内の値である第２領域と、を含むことを特徴とする有機電子素子。
  5. 　前記第１領域における膜密度を２．３～４．０ｇ／ｃｍ3の範囲内の値とするとともに、前記第２領域における膜密度を２．３ｇ／ｃｍ3未満の値とすることを特徴とする請求項４に記載の有機電子素子。
  6. 　前記有機電子素子が、前記有機機能層として、有機エレクトロルミネッセンス層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項１～５のいずれか一項に記載の有機電子素子。
  7. 　基板上に、少なくとも一層の有機機能層を介して、対向する第一電極および第二電極を備えてなる有機電子素子であって、該有機電子素子の上面および側面に沿って、封止層が直接的に設けてあることを特徴とする有機電子素子の製造方法であって、下記工程（１）～（３）を含むことを特徴とする有機電子素子の製造方法。
    （１）前記基板上に、第一電極、有機機能層、および第二電極を順次積層し、有機電子素子を形成する有機電子素子形成工程
    （２）前記有機電子素子の上面および側面に沿って、ケイ素化合物を主成分とした塗液を直接的に塗布し、塗膜を形成する膜形成工程
    （３）前記塗膜にプラズマイオン注入して、封止層とするイオン注入工程
  8. 　前記工程（２）において、前記ケイ素化合物として、ポリシラザン化合物、ポリオルガノシロキサン化合物、ポリシラン化合物、およびポリカルボシラン化合物からなる群から選択される少なくとも一つを用いることを特徴とする請求項７に記載に有機電子素子の製造方法。
  9. 　前記工程（２）において形成される塗膜が、ポリシラザン化合物を主成分とした塗液を直接的に塗布し、形成されたものであり、前記工程（３）のイオン注入工程前に、前記塗膜の屈折率を１．４８～１．６３の範囲内の値に調整することを特徴とする請求項８に記載に有機電子素子の製造方法。
  10. 　前記有機電子素子が、前記有機機能層として、有機エレクトロルミネッセンス層を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子であることを特徴とする請求項７～９のいずれか一項に記載の有機電子素子の製造方法。
PCT/JP2013/052748 2012-02-21 2013-02-06 有機電子素子および有機電子素子の製造方法 WO2013125352A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/378,687 US9577211B2 (en) 2012-02-21 2013-02-06 Organic electronic element and method for manufacturing organic electronic element
KR1020147021249A KR102039390B1 (ko) 2012-02-21 2013-02-06 유기 전자 소자 및 유기 전자 소자의 제조 방법
CN201380010029.1A CN104137649B (zh) 2012-02-21 2013-02-06 有机电子元件和有机电子元件的制造方法
JP2014500642A JP6153510B2 (ja) 2012-02-21 2013-02-06 有機電子素子および有機電子素子の製造方法
EP13752126.6A EP2819486B1 (en) 2012-02-21 2013-02-06 Method for manufacturing organic electronic element

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012035105 2012-02-21
JP2012-035105 2012-02-21

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2013125352A1 true WO2013125352A1 (ja) 2013-08-29

Family

ID=49005540

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2013/052748 WO2013125352A1 (ja) 2012-02-21 2013-02-06 有機電子素子および有機電子素子の製造方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US9577211B2 (ja)
EP (1) EP2819486B1 (ja)
JP (1) JP6153510B2 (ja)
KR (1) KR102039390B1 (ja)
CN (1) CN104137649B (ja)
TW (1) TWI552407B (ja)
WO (1) WO2013125352A1 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9512334B2 (en) 2011-09-08 2016-12-06 Lintec Corporation Modified polysilazane film and method for producing gas barrier film
WO2016204181A1 (ja) * 2015-06-18 2016-12-22 富士フイルム株式会社 積層フィルム
US9570705B2 (en) 2013-09-30 2017-02-14 Lg Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic electronic device
US9577211B2 (en) 2012-02-21 2017-02-21 Lintec Corporation Organic electronic element and method for manufacturing organic electronic element
US9698370B2 (en) 2012-01-20 2017-07-04 Lintec Corporation Gas barrier film and gas barrier film production method
US20170352835A1 (en) * 2014-11-12 2017-12-07 Sharp Kabushiki Kaisha Electroluminescent device and method for producing same
JP2021027024A (ja) * 2019-08-02 2021-02-22 輝能科技股▲分▼有限公司Ｐｒｏｌｏｇｉｕｍ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． 電気供給システム及びそのパッケージ構造

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104425735A (zh) * 2013-09-09 2015-03-18 群创光电股份有限公司 电子装置
TWI514563B (zh) * 2013-09-09 2015-12-21 Innolux Corp 電子裝置與軟性基板的製造方法
US10211428B2 (en) * 2014-06-24 2019-02-19 President And Fellows Of Harvard College Metal-based optical device enabling efficient light generation from emitters on a high-index absorbing substrate
CN107921738A (zh) * 2015-08-12 2018-04-17 富士胶片株式会社 层叠膜
JP6723051B2 (ja) * 2016-03-31 2020-07-15 住友化学株式会社 積層フィルム及びその製造方法、並びに、積層フィルムの分析方法
CN106531904A (zh) * 2016-11-22 2017-03-22 武汉船舶通信研究所 Oled显示器件封装及封装方法
DE102017219310A1 (de) 2017-10-27 2019-05-02 Tesa Se Plasmarandverkapselung von Klebebändern
DE102017219311A1 (de) 2017-10-27 2019-05-02 Tesa Se Plasmarandverkapselung von Klebebändern
CN108598275A (zh) * 2017-12-11 2018-09-28 昆山维信诺科技有限公司 显示装置及其制备方法

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002231443A (ja) 2001-02-06 2002-08-16 Sony Corp 表示装置
JP2007059131A (ja) * 2005-08-23 2007-03-08 Toyota Industries Corp エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法
JP2007180014A (ja) * 2005-11-30 2007-07-12 Alps Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2007237588A (ja) 2006-03-09 2007-09-20 Kyodo Printing Co Ltd ガスバリア性フィルム及びその製造方法
JP2008071608A (ja) 2006-09-14 2008-03-27 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2009252574A (ja) * 2008-04-08 2009-10-29 Toyota Industries Corp Ｅｌ装置
JP2010027561A (ja) 2008-07-24 2010-02-04 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器
JP2011036779A (ja) * 2009-08-10 2011-02-24 Konica Minolta Holdings Inc ガスバリア性フィルムの製造方法、及び有機光電変換素子
JP2011213847A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Mitsui Chemicals Inc シリコン含有封止膜、シリコン含有封止膜を用いた太陽電池素子並びに有機ｅｌ素子及びシリコン含有封止膜の製造方法

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3611760A1 (de) 1986-04-08 1987-10-15 Wacker Chemie Gmbh Verfahren zur herstellung von 4-halogenmethylbenzaldehyd
US20040081912A1 (en) 1998-10-05 2004-04-29 Tatsuro Nagahara Photosensitive polysilazane composition and method of forming patterned polysilazane film
JP4374687B2 (ja) 1999-12-21 2009-12-02 旭硝子株式会社 プラスチック製品およびその製造方法
JP2001338755A (ja) * 2000-03-21 2001-12-07 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子およびその製造方法
WO2002009478A1 (fr) 2000-07-24 2002-01-31 Tdk Corporation Dispositif luminescent
US6692326B2 (en) * 2001-06-16 2004-02-17 Cld, Inc. Method of making organic electroluminescent display
JP2003197377A (ja) 2001-10-18 2003-07-11 Fuji Xerox Co Ltd 有機電界発光素子
JP2004362912A (ja) 2003-06-04 2004-12-24 Toyota Industries Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
US7210926B2 (en) 2003-11-10 2007-05-01 General Electric Company Formable sheets for medical applications and methods of manufacture thereof
JP4733937B2 (ja) 2004-07-09 2011-07-27 東レ・ダウコーニング株式会社 室温硬化性オルガノポリシロキサン組成物、および電気・電子機器
JP5079231B2 (ja) 2005-11-16 2012-11-21 三井化学株式会社 薄膜、低分子有機材料および該低分子有機材料からなる該薄膜を含有してなる有機電界発光素子
US20070120108A1 (en) 2005-11-30 2007-05-31 Alps Electric Co., Ltd. Light emitting device
JP4722746B2 (ja) * 2006-03-29 2011-07-13 京セラ株式会社 Ｅｌ装置
JP2008024429A (ja) 2006-07-20 2008-02-07 Toshiba Corp 電子装置の製造方法
US7500397B2 (en) 2007-02-15 2009-03-10 Air Products And Chemicals, Inc. Activated chemical process for enhancing material properties of dielectric films
JP5136114B2 (ja) 2008-02-20 2013-02-06 大日本印刷株式会社 ガスバリア膜の作製方法及び作製装置
DE102008020324A1 (de) 2008-04-23 2009-10-29 Clariant International Limited Polysilazane enthaltende Beschichtungen zur Erhöhung der Lichtausbeute von verkapselten Solarzellen
JP5244622B2 (ja) 2009-01-08 2013-07-24 三菱樹脂株式会社 ガスバリア性フィルム
EP2626378B1 (en) 2009-03-17 2019-02-27 LINTEC Corporation Molded article, process for producing the molded article, member for electronic device, and electronic device
JP2010232569A (ja) 2009-03-30 2010-10-14 Lintec Corp 太陽電池モジュール用保護シート及び太陽電池モジュール
CN102470637B (zh) * 2009-07-17 2016-04-06 三井化学株式会社 层合体及其制造方法
JP5636646B2 (ja) 2009-07-23 2014-12-10 コニカミノルタ株式会社 バリアフィルムの製造方法、バリアフィルム及び有機光電変換素子の製造方法
JP5585267B2 (ja) 2009-08-26 2014-09-10 コニカミノルタ株式会社 ガスバリア性フィルム、その製造方法、及びそれを用いた有機光電変換素子
JP5659477B2 (ja) 2009-09-26 2015-01-28 コニカミノルタ株式会社 バリアフィルム、その製造方法及び有機光電変換素子
JP5609885B2 (ja) 2009-10-05 2014-10-22 コニカミノルタ株式会社 ガスバリア性フィルム、ガスバリア性フィルムの製造方法、該ガスバリア性フィルムを有する有機光電変換素子及び該有機光電変換素子を有する太陽電池
KR101097318B1 (ko) 2009-11-25 2011-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
JP5821637B2 (ja) 2009-12-14 2015-11-24 コニカミノルタ株式会社 ガスバリアフィルム、ガスバリアフィルムの製造方法及び有機光電変換素子
CN103249766B (zh) 2010-03-29 2014-10-15 琳得科株式会社 成型体、其制造方法、电子设备用构件和电子设备
JP5697230B2 (ja) 2010-03-31 2015-04-08 リンテック株式会社 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材及び電子デバイス
JP5404915B2 (ja) * 2010-03-31 2014-02-05 リンテック株式会社 透明導電性フィルムおよびその製造方法並びに透明導電性フィルムを用いた電子デバイス
TWI535561B (zh) 2010-09-21 2016-06-01 Lintec Corp A molded body, a manufacturing method thereof, an electronic device element, and an electronic device
TWI457235B (zh) 2010-09-21 2014-10-21 Lintec Corp A gas barrier film, a manufacturing method thereof, an electronic device element, and an electronic device
WO2012039387A1 (ja) 2010-09-21 2012-03-29 リンテック株式会社 成形体、その製造方法、電子デバイス用部材および電子デバイス
JP5749344B2 (ja) 2011-09-08 2015-07-15 リンテック株式会社 変性ポリシラザンフィルム、および、ガスバリアフィルムの製造方法
CN104023971B (zh) * 2011-11-07 2016-03-16 琳得科株式会社 阻气膜和阻气膜的制造方法
WO2013108487A1 (ja) 2012-01-20 2013-07-25 リンテック株式会社 ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの製造方法
KR102039390B1 (ko) 2012-02-21 2019-11-04 린텍 가부시키가이샤 유기 전자 소자 및 유기 전자 소자의 제조 방법
EP2957425A4 (en) 2013-02-15 2016-09-21 Lintec Corp LAMINATE OF GAS BARRIER FILMS, PRODUCTION METHOD THEREFOR, AND ELECTRONIC DEVICE

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002231443A (ja) 2001-02-06 2002-08-16 Sony Corp 表示装置
JP2007059131A (ja) * 2005-08-23 2007-03-08 Toyota Industries Corp エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法
JP2007180014A (ja) * 2005-11-30 2007-07-12 Alps Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
JP2007237588A (ja) 2006-03-09 2007-09-20 Kyodo Printing Co Ltd ガスバリア性フィルム及びその製造方法
JP2008071608A (ja) 2006-09-14 2008-03-27 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP2009252574A (ja) * 2008-04-08 2009-10-29 Toyota Industries Corp Ｅｌ装置
JP2010027561A (ja) 2008-07-24 2010-02-04 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器
JP2011036779A (ja) * 2009-08-10 2011-02-24 Konica Minolta Holdings Inc ガスバリア性フィルムの製造方法、及び有機光電変換素子
JP2011213847A (ja) * 2010-03-31 2011-10-27 Mitsui Chemicals Inc シリコン含有封止膜、シリコン含有封止膜を用いた太陽電池素子並びに有機ｅｌ素子及びシリコン含有封止膜の製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP2819486A4

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9512334B2 (en) 2011-09-08 2016-12-06 Lintec Corporation Modified polysilazane film and method for producing gas barrier film
US9698370B2 (en) 2012-01-20 2017-07-04 Lintec Corporation Gas barrier film and gas barrier film production method
US9577211B2 (en) 2012-02-21 2017-02-21 Lintec Corporation Organic electronic element and method for manufacturing organic electronic element
US9570705B2 (en) 2013-09-30 2017-02-14 Lg Display Co., Ltd. Method of manufacturing organic electronic device
US20170352835A1 (en) * 2014-11-12 2017-12-07 Sharp Kabushiki Kaisha Electroluminescent device and method for producing same
US10333103B2 (en) * 2014-11-12 2019-06-25 Sharp Kabushiki Kaisha Electroluminescent device and method for producing same
WO2016204181A1 (ja) * 2015-06-18 2016-12-22 富士フイルム株式会社 積層フィルム
KR20180008624A (ko) * 2015-06-18 2018-01-24 후지필름 가부시키가이샤 적층 필름
JPWO2016204181A1 (ja) * 2015-06-18 2018-04-05 富士フイルム株式会社 積層フィルム
KR102016407B1 (ko) 2015-06-18 2019-09-02 후지필름 가부시키가이샤 적층 필름
JP2021027024A (ja) * 2019-08-02 2021-02-22 輝能科技股▲分▼有限公司Ｐｒｏｌｏｇｉｕｍ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｃｏ．， Ｌｔｄ． 電気供給システム及びそのパッケージ構造

Also Published As

Publication number Publication date
JP6153510B2 (ja) 2017-06-28
EP2819486A4 (en) 2015-10-21
TWI552407B (zh) 2016-10-01
US9577211B2 (en) 2017-02-21
KR102039390B1 (ko) 2019-11-04
TW201336137A (zh) 2013-09-01
EP2819486A1 (en) 2014-12-31
KR20140128308A (ko) 2014-11-05
CN104137649A (zh) 2014-11-05
CN104137649B (zh) 2016-05-11
EP2819486B1 (en) 2019-11-13
US20160028041A1 (en) 2016-01-28
JPWO2013125352A1 (ja) 2015-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6153510B2 (ja) 有機電子素子および有機電子素子の製造方法
CN108496260B (zh) 用于图案化表面上覆层的方法和包括图案化覆层的装置
JP2023060095A (ja) 放射領域上に配置された導電性コーティングを含むデバイスおよびそのための方法
JP5549226B2 (ja) 塗布方法及び塗布装置
JP6305997B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスデバイス
TW200847845A (en) Method and device for manufacturing organic electroluminescence element
KR20170010382A (ko) 가스 배리어성 필름, 및 유기 일렉트로루미네센스 소자
US7791275B2 (en) Organic electroluminescence element and manufacturing method of the same
US20140166989A1 (en) Manufacturing flexible organic electronic devices
JP6070411B2 (ja) ガスバリアー性フィルム、ガスバリアー性フィルムの製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子
US20180212184A1 (en) Organic electroluminescent element
WO2012063445A1 (ja) 有機ｅｌ表示装置およびその製造方法
JP2000156291A (ja) 電界発光素子およびその製造方法
JP2016091793A (ja) 有機エレクトロルミネッセンスデバイス及びその製造方法
KR20050021152A (ko) 유기 발광 소자의 보호막 형성 방법
JP2021007074A (ja) 電子デバイス及び電子デバイスの製造方法
US10862074B2 (en) Manufacturing flexible organic electronic devices
JP2015080855A (ja) 封止フィルム、その製造方法及び封止フィルムで封止された機能素子
JP2009301885A (ja) マルチユニット型有機ｅｌ素子とその製造方法
WO2014168102A1 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
JP6812429B2 (ja) 光取り出しフィルム、及び、有機エレクトロルミネッセンス発光装置
TWI816350B (zh) 用於在表面上圖案化塗層之方法及包括經圖案化的塗層之裝置
JP4867317B2 (ja) 有機ｅｌデバイス用の導電性基板の製造方法
JP7487730B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
KR100848150B1 (ko) 유기 발광 표시 패널 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201380010029.1

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 13752126

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2014500642

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20147021249

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14378687

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2013752126

Country of ref document: EP