WO2012147744A1 - 紫外光発生用ターゲット、電子線励起紫外光源、及び紫外光発生用ターゲットの製造方法 - Google Patents

紫外光発生用ターゲット、電子線励起紫外光源、及び紫外光発生用ターゲットの製造方法 Download PDF

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ultraviolet light
luag
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light emitting
crystal
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慶範 本多
福世　文嗣
雄治 笠松
鈴木　孝
剛明 服部
河合　浩司
楚　樹成
浩幸 武富
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浜松ホトニクス株式会社
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    • H01J63/04—Vessels provided with luminescent coatings; Selection of materials for the coatings

Definitions

  • the present invention relates to an ultraviolet light generation target, an electron beam excitation ultraviolet light source, and a method for producing an ultraviolet light generation target.
  • Patent Document 1 describes that a single crystal containing praseodymium (Pr) is used as a material for a scintillator used in a PET apparatus.
  • Patent Document 2 describes a technique related to an illumination system that realizes white light by converting the wavelength of light emitted from a light emitting diode by a phosphor.
  • ultraviolet light sources such as mercury xenon lamps and deuterium lamps have been used as ultraviolet light sources.
  • these ultraviolet light sources have low luminous efficiency, are large, and have problems in terms of stability and life.
  • an electron beam excitation ultraviolet light source having a structure that excites ultraviolet light by irradiating an electron beam to a target.
  • Electron-excited ultraviolet light sources are expected to be used in the field of optical measurement that makes use of high stability, sterilization and disinfection that make use of low power consumption, or medical light sources and biochemical light sources that make use of high wavelength selectivity. Yes.
  • the electron beam excitation ultraviolet light source has an advantage that power consumption is smaller than that of a mercury lamp or the like.
  • the electron beam excitation ultraviolet light source can generate sufficiently intense ultraviolet light, and has a large area and uniform intensity by increasing the diameter of the electron beam irradiated to the target. Ultraviolet light can be output.
  • An object of this invention is to provide the manufacturing method of the target for ultraviolet light generation which can improve ultraviolet light generation efficiency, the electron beam excitation ultraviolet light source, and the target for ultraviolet light generation.
  • a substrate made of sapphire, quartz, or quartz (a crystal of silicon oxide, rock crystal) is provided on the substrate, and generates ultraviolet rays upon receiving an electron beam.
  • the light emitting layer includes the light emitting layer, and the light emitting layer includes powdered or granular Pr: LuAG crystals, whereby the ultraviolet light generation efficiency can be increased.
  • the ultraviolet light generation target may have a light emitting layer thickness of 0.5 ⁇ m to 30 ⁇ m. According to the test and research by the present inventors, when the light emitting layer containing a powdered or granular Pr: LuAG crystal has such a thickness, the ultraviolet light generation efficiency can be more effectively increased.
  • the ultraviolet light generation target may have a median diameter of the Pr: LuAG crystal in the light emitting layer of not less than 0.5 ⁇ m and not more than 30 ⁇ m. According to the test and research by the present inventors, when the light emitting layer containing a powdered or granular Pr: LuAG crystal has such a particle size, the ultraviolet light generation efficiency can be increased more effectively.
  • the surface of the Pr: LuAG crystal may be covered with a crystal melt layer that is melted and solidified again by heat treatment.
  • the Pr: LuAG crystals and the Pr: LuAG crystal and the substrate may be fused together by the crystal melt layer.
  • an electron beam excitation ultraviolet light source includes any one of the above ultraviolet light generation targets and an electron source that applies an electron beam to the ultraviolet light generation target. According to this electron beam-excited ultraviolet light source, the efficiency of ultraviolet ray generation can be increased by providing any one of the above-described ultraviolet ray generation targets.
  • a powdery or granular Pr: LuAG crystal is deposited on a substrate made of sapphire, quartz, or quartz, and the Pr: LuAG crystal is heat-treated. As a result, the surface of the Pr: LuAG crystal is melted and solidified again to form a crystal melt layer.
  • the Pr: LuAG crystals and the Pr: LuAG crystal and the substrate are fused to each other by the crystal melt layer, so that the mechanical strength of the light emitting layer is increased and the substrate is The peeling of the light emitting layer from can be suppressed.
  • the heat treatment temperature is preferably 1400 ° C. or more and 2000 ° C. or less.
  • the ultraviolet light generation efficiency can be increased.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing an internal configuration of an electron beam excitation ultraviolet light source according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a side view showing the configuration of the ultraviolet light generation target.
  • FIG. 3 is a graph showing the spectrum of ultraviolet light obtained by irradiating the target for ultraviolet light generation produced in the first example with an electron beam.
  • FIG. 4 is a view showing a Pr: LuAG single crystal substrate having an aluminum film deposited on the surface thereof.
  • FIG. 5 is a graph showing the relationship between the amount of current and the peak intensity of ultraviolet light when an electron beam is irradiated to the light emitting layer produced on each substrate in the second example.
  • FIG. 6 is a graph showing the relationship between the thickness of the light emitting layer and the peak intensity of ultraviolet light in the third example.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing an internal configuration of an electron beam excitation ultraviolet light source according to an embodiment.
  • FIG. 2 is a side view showing the configuration of the ultraviolet light generation target.
  • FIG. 3 is a graph showing
  • FIG. 7 is a graph showing the relationship between the median diameter of Pr: LuAG crystal and the peak intensity of ultraviolet light in the fourth example.
  • FIG. 8 is a graph showing a spectrum of ultraviolet light obtained by irradiating an ultraviolet light generating target produced according to the fifth example with an electron beam.
  • the measurement results are plotted on a graph in which the vertical axis indicates the peak intensity and the horizontal axis indicates the light emitting layer thickness (logarithmic scale).
  • FIG. 10 is a graph showing the value obtained by dividing the film thickness by the median diameter on the horizontal axis (logarithmic scale).
  • FIG. 11 is a diagram schematically showing Pr: LuAG crystal particles deposited on a substrate.
  • FIG. 12 is a graph showing the relationship between the median diameter of Pr: LuAG crystal and the peak intensity of ultraviolet light in this example.
  • FIG. 13 is a graph showing changes over time in the light emission intensity of the light emitting layer formed using the binder and the light emission intensity of the light emitting layer formed by the heat treatment.
  • FIG. 14 is an electron microscope (SEM) photograph taken of the state of Pr: LuAG crystal particles in the light emitting layer.
  • FIG. 15 is an enlarged photograph of FIG.
  • FIG. 16 is an SEM photograph of the state of Pr: LuAG crystal particles in the light emitting layer.
  • FIG. 17 is an enlarged photograph of FIG.
  • FIG. 18 is an SEM photograph of the state of Pr: LuAG crystal particles in the light emitting layer.
  • FIG. 19 is an enlarged photograph of FIG. FIG.
  • FIG. 20 is an SEM photograph of the state of Pr: LuAG crystal particles in the light emitting layer.
  • FIG. 21 is an enlarged photograph of FIG.
  • FIG. 22 is an SEM photograph of the surface of the sapphire substrate after the light emitting layer is peeled off.
  • FIG. 23 is an SEM photograph of the surface of the sapphire substrate after the light emitting layer is peeled off.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing an internal configuration of an electron beam excitation ultraviolet light source 10 according to the present embodiment.
  • an electron source 12 and an extraction electrode 13 are disposed on the upper end side inside a vacuum evacuated glass container (electron tube) 11.
  • an appropriate extraction voltage is applied between the electron source 12 and the extraction electrode 13 from the power supply unit 16
  • the electron beam EB accelerated by the high voltage is emitted from the electron source 12.
  • an electron source that emits a large area electron beam for example, a cold cathode such as a carbon nanotube or a hot cathode
  • a cold cathode such as a carbon nanotube or a hot cathode
  • an ultraviolet light generation target 20 is disposed on the lower end side inside the container 11.
  • the ultraviolet light generation target 20 is set to a ground potential, for example, and a negative high voltage is applied to the electron source 12 from the power supply unit 16. Thereby, the electron beam EB emitted from the electron source 12 is irradiated to the ultraviolet light generation target 20.
  • the ultraviolet light generation target 20 is excited by receiving this electron beam EB, and generates ultraviolet light UV.
  • FIG. 2 is a side view showing the configuration of the ultraviolet light generation target 20.
  • the ultraviolet light generation target 20 includes a substrate 21, a light emitting layer 22 provided on the substrate 21, and an aluminum film 23 provided on the light emitting layer 22.
  • the substrate 21 is a plate-like member made of sapphire (Al 2 O 3 ), quartz (SiO 2 ), or quartz that is transmissive to ultraviolet rays (wavelength 400 nm or less), and has a main surface 21a and a back surface 21b.
  • substrate 21 is 0.1 mm or more and 10 mm or less.
  • the light emitting layer 22 is excited by receiving the electron beam EB shown in FIG. 1 and generates ultraviolet light UV.
  • the light emitting layer 22 includes powdered or granular Pr: LuAG crystals.
  • the Pr: LuAG crystal may be either a Pr: LuAG single crystal or a Pr: LuAG polycrystal, and both may be mixed.
  • the preferred thickness of the light emitting layer 22 is not less than 0.5 ⁇ m and not more than 30 ⁇ m.
  • the suitable median diameter of the light emitting layer 22 is 0.5 micrometer or more and 30 micrometers or less.
  • the Pr concentration of the Pr: LuAG crystal is preferably 0.05 atomic percent or more and 2.0 atomic percent or less, and more preferably 0.1 atomic percent or more and 1.0 atomic percent or less.
  • the ultraviolet light generation efficiency is remarkably increased as compared with the case of using a Pr: LuAG single crystal.
  • the ultraviolet light generation target 20 of the present embodiment includes the light emitting layer 22 including a powdered or granular Pr: LuAG crystal, ultraviolet light can be generated with high efficiency.
  • Such an action is considered to be caused by increasing the reaction area between the Pr: LuAG crystal and the electron beam and increasing the light extraction efficiency by making the Pr: LuAG crystal powder or granular. It is done.
  • the light emitting layer of the present embodiment can be formed by a method such as depositing powdery or granular Pr: LuAG crystals on a substrate, an ultraviolet light generating target having a large area can be easily produced. it can.
  • a synthetic quartz substrate having a diameter of 18.6 mm and a thickness of 1.2 mm was prepared.
  • a Pr: LuAG single crystal substrate was prepared, and the Pr: LuAG single crystal substrate was pulverized using a mortar to produce a powdery or granular Pr: LuAG single crystal.
  • this powdery or granular Pr: LuAG single crystal was deposited on a synthetic quartz substrate by a precipitation method to form a light emitting layer.
  • an organic film nitrocellulose
  • the light emitting layer was fired to integrate powdered or granular Pr: LuAG single crystals.
  • the thickness of the light emitting layer after firing was 10 ⁇ m.
  • FIG. 3 is a graph showing a spectrum of ultraviolet light obtained by irradiating an ultraviolet light generation target produced according to this example with an electron beam.
  • FIG. 3 also shows a graph G12 for comparison.
  • Graph G12 is a spectrum of ultraviolet light obtained by irradiating an electron beam onto Pr: LuAG single crystal substrate 102 having an aluminum film 101 deposited on the surface thereof as shown in FIG.
  • the acceleration voltage of the electron beam was 10 kV
  • the electron beam intensity (current amount) was 50 ⁇ A
  • the electron beam diameter was 2 mm.
  • the peak of ultraviolet light generated by electron beam irradiation as compared with the Pr: LuAG single crystal substrate.
  • the intensity is remarkably increased (that is, the light emission efficiency is remarkably increased).
  • a synthetic quartz substrate and a sapphire substrate were prepared in order to investigate the influence of the substrate material of the ultraviolet light generation target.
  • a substrate having a diameter of 18.6 mm and a thickness of 1.2 mm was prepared as a synthetic quartz substrate.
  • a substrate having a diameter of 18 mm and a thickness of 0.43 mm was prepared.
  • a light emitting layer containing a powdered or granular Pr: LuAG single crystal and an aluminum film were produced by the same method as in the first embodiment.
  • FIG. 5 is a graph showing the relationship between the amount of current and the peak intensity of ultraviolet light when an electron beam is irradiated to the light emitting layer produced on each substrate.
  • a graph G21 is a graph relating to a light emitting layer manufactured on a synthetic quartz substrate.
  • Graph G22 is a graph relating to the light emitting layer fabricated on the sapphire substrate.
  • the increase rate of the light emission intensity decreased as the amount of current increased.
  • the light emitting layer produced on the sapphire substrate showed good linearity without decreasing the increase rate even when the amount of current increased. Such a result is considered to be due to the fact that the sapphire substrate has better thermal conductivity than the synthetic quartz substrate.
  • FIG. 6 is a graph showing the relationship between the thickness of the light emitting layer and the peak intensity of ultraviolet light as a result.
  • a curve G31 in the figure is an approximate curve.
  • the acceleration voltage of the electron beam was 10 kV
  • the electron beam intensity (current amount) was 50 ⁇ A
  • the electron beam diameter was 2 mm.
  • the thickness of the light emitting layer is below a certain value (about 12 ⁇ m), the thicker the light emitting layer, the higher the peak intensity of ultraviolet light, and the higher the light emission efficiency. However, when the thickness of the light emitting layer exceeds the value, the peak intensity of the ultraviolet light is decreased. Further, from this graph, in order to obtain a sufficiently practical ultraviolet light intensity (light emission efficiency), the thickness of the light emitting layer is preferably 0.5 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less, and more preferably 6 ⁇ m or more and 20 ⁇ m or less. It turns out that it is preferable.
  • FIG. 7 is a graph showing the relationship between the median diameter of the Pr: LuAG crystal and the peak intensity of ultraviolet light as the result.
  • a curve G41 in the figure is an approximate curve.
  • the acceleration voltage of the electron beam was 10 kV
  • the electron beam intensity (current amount) was 70 ⁇ A
  • the electron beam diameter was 2 mm.
  • the larger the median diameter of the Pr: LuAG crystal the higher the peak intensity of the ultraviolet light and the higher the luminous efficiency.
  • the median diameter of the Pr: LuAG crystal exceeds 1.6 ⁇ m, the increase rate of the peak intensity of the ultraviolet light can be kept small.
  • the median diameter of the Pr: LuAG crystal is 0.5 ⁇ m or more, sufficiently practical ultraviolet light intensity (luminous efficiency) can be obtained. If the median diameter of the Pr: LuAG crystal is smaller than 0.5 ⁇ m, it is considered that the luminous efficiency is lowered due to the following reasons (1) to (3).
  • the light emitted from the light emitting layer is scattered by the Pr: LuAG crystal particles, but if the median diameter of the Pr: LuAG crystal is smaller than 0.5 ⁇ m, the scattering by the crystal particles increases, so that the light passes through the light emitting layer. The ratio of light output will decrease.
  • the defect density is higher near the surface of the Pr: LuAG crystal particle than inside the particle, the luminous efficiency near the particle surface is lower than the luminous efficiency inside the particle. If the total volume of the Pr: LuAG crystal is constant, the surface area of the Pr: LuAG crystal increases as the particle size of the Pr: LuAG crystal particle decreases.
  • the median diameter of the Pr: LuAG crystal is smaller than 0.5 ⁇ m, the ratio of the portion having a high defect density and a low light emission efficiency increases, and the light emission efficiency decreases. (3) If the median diameter of the Pr: LuAG crystal is smaller than 0.5 ⁇ m, the heat dissipation efficiency at the time of electron beam irradiation is lowered, so the temperature of the Pr: LuAG crystal is increased and the luminous efficiency is lowered.
  • the median diameter of the Pr: LuAG crystal is preferably 30 ⁇ m or less.
  • the median diameter of the Pr: LuAG crystal is 30 ⁇ m or less, peeling of the Pr: LuAG crystal from the substrate can be suppressed when the Pr: LuAG crystal is deposited on the substrate.
  • a graph G51 in FIG. 8 is a graph showing a spectrum of ultraviolet light obtained by irradiating the target for generating ultraviolet light produced in this example with an electron beam.
  • a graph G52 is also shown for comparison.
  • Graph G52 is a spectrum of ultraviolet light obtained by irradiating an electron beam onto a Pr: LuAG polycrystalline plate having an aluminum film deposited on the surface.
  • the peak intensity of ultraviolet light generated by electron beam irradiation is higher than that of the Pr: LuAG polycrystal plate. It can be seen that it is significantly increased (that is, the luminous efficiency is significantly increased).
  • FIG. 9 plots the results on a graph in which the vertical axis indicates the peak intensity and the horizontal axis indicates the light emitting layer thickness (logarithmic scale).
  • FIG. 10 is a graph in which the value obtained by dividing the film thickness by the median diameter (that is, the number of layers of Pr: LuAG crystal particles) is represented on the horizontal axis (logarithmic scale), and the curves G61, G62, and G63 is an approximate curve for median diameters of 0.5 ⁇ m, 1.0 ⁇ m, and 6.5 ⁇ m, respectively.
  • FIGS. 11A to 11C are diagrams schematically showing Pr: LuAG crystal particles 22a deposited on the substrate 21.
  • FIG. 11A to 11C are diagrams schematically showing Pr: LuAG crystal particles 22a deposited on the substrate 21.
  • the thickness at which the peak intensity increases (that is, the luminous efficiency increases) varies depending on the median diameter of the Pr: LuAG crystal. That is, when the median diameter of the Pr: LuAG crystal is 0.5 ⁇ m, the thickness at which the peak intensity of the ultraviolet light is highest is 3 ⁇ m, and the number of layers at that time is 6 layers (FIG. 11A). .
  • the thickness range in which a sufficiently practical peak intensity can be obtained is 0.5 ⁇ m or more and 5 ⁇ m or less.
  • the thickness at which the peak intensity of ultraviolet light is highest is 3 ⁇ m, and the number of layers at that time is 3 (FIG. 11B). .
  • the thickness range in which sufficiently practical peak intensity can be obtained is 1 ⁇ m or more and 10 ⁇ m or less. Further, when the median diameter of the Pr: LuAG crystal is 6.5 ⁇ m, the thickness at which the peak intensity of the ultraviolet light is highest is 10 ⁇ m, and the number of layers at that time is about 1.5 layers (FIG. 11 ( c)). The thickness range in which sufficiently practical peak intensity can be obtained is 3 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less.
  • FIG. 12 is a graph showing the relationship between the median diameter of the Pr: LuAG crystal and the peak intensity of ultraviolet light in this example.
  • the preferred range of the median diameter of the Pr: LuAG crystal for increasing the luminous efficiency of ultraviolet light is 0.5 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less.
  • the preferred range of practical median diameter is 0.5 ⁇ m or more and 30 ⁇ m or less.
  • a sapphire substrate having a diameter of 12 mm and a thickness of 2 mm was prepared.
  • a Pr: LuAG single crystal substrate was prepared, and this Pr: LuAG single crystal substrate was pulverized using a mortar to produce a powdery or granular Pr: LuAG single crystal.
  • Pr LuAG single crystal, pure water, and a potassium silicate (K 2 SiO 3 ) aqueous solution and a barium acetate aqueous solution as a binder material are mixed, the mixed solution is applied onto a sapphire substrate, and precipitated.
  • a Pr: LuAG single crystal and a binder material were deposited on a sapphire substrate by the method to form a light emitting layer.
  • an organic film nitrocellulose
  • an aluminum film was formed on the organic film by vacuum deposition.
  • the organic film was decomposed and vaporized by baking the light emitting layer at 350 ° C. in the atmosphere, so that the aluminum film was in contact with the light emitting layer.
  • a sapphire substrate having a diameter of 12 mm and a thickness of 2 mm was prepared.
  • a Pr: LuAG single crystal substrate was prepared, and this Pr: LuAG single crystal substrate was pulverized using a mortar to produce a powdery or granular Pr: LuAG single crystal.
  • an organic film (nitrocellulose) was formed on the light emitting layer, and an aluminum film was formed on the organic film by vacuum deposition. Finally, the organic film was decomposed and vaporized by baking the light emitting layer at 350 ° C. in the atmosphere, so that the aluminum film was in contact with the light emitting layer.
  • FIG. 13 is a graph showing changes over time in the light emission intensity of the light emitting layer formed using the binder and the light emission intensity of the light emitting layer formed by the heat treatment.
  • the vertical axis represents the normalized emission intensity (initial value is 1.0), and the horizontal axis represents the electron beam irradiation time (unit: time) on a logarithmic scale.
  • a graph G71 shows a graph of a light emitting layer formed using a binder
  • a graph G72 shows a graph of a light emitting layer formed by heat treatment.
  • the acceleration voltage of the electron beam was 10 kV
  • the intensity (current amount) of the electron beam was 200 ⁇ A.
  • the light emitting layer is formed by heat treatment
  • the binder material since the binder material is not included in the light emitting layer, the generation of energy rays different from ultraviolet rays is suppressed, and the binder material does not deteriorate. Therefore, it is considered that the damage to the substrate is reduced and the transmittance of ultraviolet rays is maintained for a relatively long time. Note that damage caused by energy rays different from ultraviolet rays is particularly remarkable in a sapphire substrate. Therefore, when forming a light emitting layer on a sapphire substrate, it is desirable to form the light emitting layer by heat treatment.
  • FIGS. 14 to 21 are electron microscope (SEM) photographs taken of the state of Pr: LuAG crystal particles in the light emitting layer.
  • SEM electron microscope
  • FIG.22 and FIG.23 is the electron microscope (SEM) photograph which image
  • SEM electron microscope
  • the Pr: LuAG crystal cannot be completely removed, and the Pr: LuAG is formed on the surface of the sapphire substrate. A crystal melt layer of crystals remains.
  • the Pr: LuAG crystal can be completely removed when the light emitting layer formed using the binder (not heat-treated) is peeled off. Yes, only the surface of the sapphire substrate is shown.
  • the heat treatment temperature for the light emitting layer is 1600 ° C., but the heat treatment temperature is preferably 1400 ° C. or more, and preferably 2000 ° C. or less.
  • the temperature of the heat treatment is 1400 ° C. or higher, the crystal melt layer on the surface of the Pr: LuAG crystal particles is formed to a sufficient thickness, the adhesion between the crystal particles and between the crystal particles and the substrate is increased, and the electron beam irradiation In this case, the light emitting layer can be effectively prevented from peeling off.
  • the temperature of the heat treatment is 2000 ° C. or lower, it is possible to suppress a change in the crystal structure of Pr: LuAG and prevent a decrease in light emission efficiency. Further, deformation of the substrate (particularly the sapphire substrate) can be prevented.
  • the manufacturing method of the ultraviolet light generation target, the electron beam excitation ultraviolet light source, and the ultraviolet light generation target according to the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various other modifications are possible.
  • the aluminum film is vapor-deposited on the light emitting layer in the embodiment and each example, the aluminum film may be omitted in the embodiment and each example.
  • the aluminum film functions as an antistatic conductive film, and may be a conductive film other than aluminum.
  • the present invention can be used as a method for producing an ultraviolet light generation target, an electron beam excitation ultraviolet light source, and an ultraviolet light generation target capable of increasing the ultraviolet light generation efficiency.
  • Electron beam excitation ultraviolet light source 11 ... Container, 12 ... Electron source, 13 ... Extraction electrode, 16 ... Power supply part, 20 ... Target for ultraviolet light generation, 21 ... Substrate, 21a ... Main surface, 21b ... Back surface, 22 ... Light emitting layer, 23 ... aluminum film, EB ... electron beam, UV ... ultraviolet light.

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Abstract

　紫外光発生用ターゲット２０は、サファイア、石英または水晶から成る基板２１と、基板２１上に設けられ、電子線を受けて紫外光を発生する発光層２２とを備える。発光層２２は、粉末状又は粒状のＰｒ：ＬｕＡＧ結晶を含む。このような発光層２２をターゲットに用いることによって、Ｐｒ：ＬｕＡＧ単結晶膜を用いた場合よりも顕著に紫外光発生効率を高めることができる。

Description

紫外光発生用ターゲット、電子線励起紫外光源、及び紫外光発生用ターゲットの製造方法
　本発明は、紫外光発生用ターゲット、電子線励起紫外光源、及び紫外光発生用ターゲットの製造方法に関する。
　特許文献１には、ＰＥＴ装置に用いられるシンチレータの材料として、プラセオジム（Ｐｒ）を含む単結晶を使用することが記載されている。また、特許文献２には、発光ダイオードから出射される光の波長を蛍光体によって変換することにより白色光を実現する、照明システムに関する技術が記載されている。
国際公開第２００６／０４９２８４号パンフレット 特表２００６－５２０８３６号公報
　従来より、紫外光源として、水銀キセノンランプや重水素ランプ等の電子管が用いられてきた。しかし、これらの紫外光源は、発光効率が低く、大型であり、また安定性や寿命の点で課題がある。一方、別の紫外光源として、ターゲットに電子線を照射することにより紫外光を励起させる構造を備える電子線励起紫外光源がある。電子線励起紫外光源は、高い安定性を生かした光計測分野や、低消費電力性を生かした殺菌や消毒用、あるいは高い波長選択性を利用した医療用光源やバイオ化学用光源として期待されている。また、電子線励起紫外光源には、水銀ランプなどよりも消費電力が小さいという利点もある。
　また、近年、波長３６０ｎｍ以下といった紫外領域の光を出力しうる発光ダイオードが開発されている。しかし、このような発光ダイオードからの出力光強度は未だ小さく、また発光ダイオードでは発光面の大面積化が困難なので、用途が限定されてしまうという問題がある。これに対し、電子線励起紫外光源は、十分な強度の紫外光を発生することができ、また、ターゲットに照射される電子線の径を大きくすることにより、大面積で且つ均一な強度を有する紫外光を出力することができる。
　しかしながら、電子線励起紫外光源においても、紫外光発生効率の更なる向上が求められる。本発明は、紫外光発生効率を高めることが可能な紫外光発生用ターゲット、電子線励起紫外光源、及び紫外光発生用ターゲットの製造方法を提供することを目的とする。
　上述した課題に鑑み、本発明者は（ＰｒｘＬｕ１－ｘ）３Ａｌ５Ｏ１２（Ｐｒ：ＬｕＡＧ　プラセオジム添加ルテチウム・アルミニウム・ガーネット、ｘの範囲は０＜ｘ＜１）を紫外光発生用ターゲットに用いることを考えた。しかし、先行技術文献に記載されているようなＰｒ：ＬｕＡＧ結晶を用いた場合には、十分な紫外光発生効率を得ることが難しいことが判明した。これに対し、本発明者による試験及び研究の結果、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶を粉末状または粒状とし、これを膜状に成形することによって、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶を用いた場合よりも顕著に紫外光発生効率を高め得ることが見出された。すなわち、一実施形態に係る紫外光発生用ターゲットによれば、サファイア、石英または水晶（酸化珪素の結晶、rock crystal）から成る基板と、基板上に設けられ、電子線を受けて紫外線を発生する発光層とを備え、発光層が粉末状または粒状のＰｒ：ＬｕＡＧ結晶を含むことによって、紫外光発生効率を高めることができる。
　また、紫外光発生用ターゲットは、発光層の厚さが０．５μｍ以上３０μｍ以下であってもよい。本発明者による試験及び研究によれば、粉末状または粒状のＰｒ：ＬｕＡＧ結晶を含む発光層がこのような厚さを有する場合に、紫外光発生効率をより効果的に高めることができる。
　また、紫外光発生用ターゲットは、発光層におけるＰｒ：ＬｕＡＧ結晶のメディアン径が０．５μｍ以上３０μｍ以下であってもよい。本発明者による試験及び研究によれば、粉末状または粒状のＰｒ：ＬｕＡＧ結晶を含む発光層がこのような粒径を有する場合に、紫外光発生効率をより効果的に高めることができる。
　また、紫外光発生用ターゲットは、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶の表面が、熱処理によって溶融し再び固化した結晶溶融層に覆われていてもよい。その場合、結晶溶融層によって、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶同士、およびＰｒ：ＬｕＡＧ結晶と基板とが互いに融着していてもよい。
　また、一実施形態に係る電子線励起紫外光源は、上記いずれかの紫外光発生用ターゲットと、紫外光発生用ターゲットに電子線を与える電子源とを備える。この電子線励起紫外光源によれば、上記いずれかの紫外線発生用ターゲットを備えることによって、紫外線発生効率を高めることができる。
　また、一実施形態に係る紫外光発生用ターゲットの製造方法では、サファイア、石英または水晶から成る基板上に粉末状または粒状のＰｒ：ＬｕＡＧ結晶を堆積させ、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶に対して熱処理を行うことにより、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶の表面を溶融し、再び固化させて結晶溶融層を形成する。この紫外光発生用ターゲットの製造方法によれば、結晶溶融層によって、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶同士、およびＰｒ：ＬｕＡＧ結晶と基板とが互いに融着するので、発光層の機械的強度を高めるとともに、基板からの発光層の剥離を抑えることができる。この製造方法において、熱処理の温度は１４００℃以上２０００℃以下であることが好ましい。
　本発明による紫外光発生用ターゲット、電子線励起紫外光源、及び紫外光発生用ターゲットの製造方法によれば、紫外光発生効率を高めることができる。
図１は、一実施形態に係る電子線励起紫外光源の内部構成を示す模式図である。 図２は、紫外光発生用ターゲットの構成を示す側面図である。 図３は、第１実施例により作製された紫外光発生用ターゲットに電子線を照射して得られた紫外光のスペクトルを示すグラフである。 図４は、表面にアルミニウム膜が蒸着されたＰｒ：ＬｕＡＧ単結晶基板を示す図である。 図５は、第２実施例において、各基板上に作製された発光層に電子線を照射したときの、電流量と紫外光のピーク強度との関係を示すグラフである。 図６は、第３実施例における発光層の厚さと紫外光のピーク強度との関係を示すグラフである。 図７は、第４実施例におけるＰｒ：ＬｕＡＧ結晶のメディアン径と紫外光のピーク強度との関係を示すグラフである。 図８は、第５実施例により作製された紫外光発生用ターゲットに電子線を照射して得られた紫外光のスペクトルを示すグラフである。 図９は、縦軸がピーク強度を示し横軸が発光層厚さ（対数目盛）を示すグラフ上に測定結果をプロットしたものである。 図１０は、膜厚をメディアン径で除した値を横軸（対数目盛）に表したグラフである。 図１１は、基板上に堆積したＰｒ：ＬｕＡＧ結晶粒子を模式的に示す図である。 図１２は、本実施例におけるＰｒ：ＬｕＡＧ結晶のメディアン径と紫外光のピーク強度との関係を示すグラフである。 図１３は、バインダーを利用して形成された発光層の発光強度、及び熱処理により形成された発光層の発光強度の経時変化を示すグラフである。 図１４は、発光層のＰｒ：ＬｕＡＧ結晶粒子の状態を撮影した電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。 図１５は、図１４の拡大写真である。 図１６は、発光層のＰｒ：ＬｕＡＧ結晶粒子の状態を撮影したＳＥＭ写真である。 図１７は、図１６の拡大写真である。 図１８は、発光層のＰｒ：ＬｕＡＧ結晶粒子の状態を撮影したＳＥＭ写真である。 図１９は、図１８の拡大写真である。 図２０は、発光層のＰｒ：ＬｕＡＧ結晶粒子の状態を撮影したＳＥＭ写真である。 図２１は、図２０の拡大写真である。 図２２は、発光層を剥がした後のサファイア基板の表面を撮影したＳＥＭ写真である。 図２３は、発光層を剥がした後のサファイア基板の表面を撮影したＳＥＭ写真である。
　以下、添付図面を参照しながら本発明による紫外光発生用ターゲット、電子線励起紫外光源、及び紫外光発生用ターゲットの製造方法の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
　図１は、本実施形態に係る電子線励起紫外光源１０の内部構成を示す模式図である。図１に示されるように、この電子線励起紫外光源１０では、真空排気されたガラス容器（電子管）１１の内部の上端側に、電子源１２および引き出し電極１３が配置されている。そして、電子源１２と引き出し電極１３との間に電源部１６から適当な引き出し電圧が印加されると、高電圧によって加速された電子線ＥＢが電子源１２から出射される。電子源１２には、例えば大面積の電子線を出射する電子源（例えばカーボンナノチューブ等の冷陰極、或いは熱陰極）を用いることができる。
　また、容器１１の内部の下端側には、紫外光発生用ターゲット２０が配置されている。紫外光発生用ターゲット２０は例えば接地電位に設定され、電子源１２には電源部１６から負の高電圧が印加される。これにより、電子源１２から出射された電子線ＥＢは紫外光発生用ターゲット２０に照射される。紫外光発生用ターゲット２０は、この電子線ＥＢを受けて励起され、紫外光ＵＶを発生する。
　図２は、紫外光発生用ターゲット２０の構成を示す側面図である。図２に示されるように、紫外光発生用ターゲット２０は、基板２１と、基板２１上に設けられた発光層２２と、発光層２２上に設けられたアルミニウム膜２３とを備えている。基板２１は、紫外線（波長４００ｎｍ以下）透過性であるサファイア（Ａｌ２Ｏ３）、石英（ＳｉＯ２）または水晶から成る板状の部材であり、主面２１ａおよび裏面２１ｂを有する。なお、基板２１の好適な厚さは、０．１ｍｍ以上１０ｍｍ以下である。
　発光層２２は、図１に示された電子線ＥＢを受けて励起され、紫外光ＵＶを発生する。発光層２２は、粉末状または粒状のＰｒ：ＬｕＡＧ結晶を含む。ここで、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶とは、Ｐｒ：ＬｕＡＧ単結晶及びＰｒ：ＬｕＡＧ多結晶のうちいずれであってもよく、双方が混在してもよい。後述する実施例から明らかなように、発光層２２の好適な厚さは０．５μｍ以上３０μｍ以下である。また、発光層２２の好適なメディアン径は０．５μｍ以上３０μｍ以下である。また、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶のＰｒ濃度は、０．０５原子パーセント以上２．０原子パーセント以下であることが好ましく、０．１原子パーセント以上１．０原子パーセント以下であれば更に好ましい。
　本実施形態によって得られる効果について説明する。後述する各実施例から明らかなように、粉末状または粒状のＰｒ：ＬｕＡＧ結晶を紫外光発生用ターゲットとして用いることによって、Ｐｒ：ＬｕＡＧ単結晶を用いる場合よりも顕著に紫外光発生効率を高めることができる。本実施形態の紫外光発生用ターゲット２０は粉末状または粒状のＰｒ：ＬｕＡＧ結晶を含む発光層２２を備えているので、高効率でもって紫外光を発生することができる。なお、このような作用は、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶を粉末状又は粒状とすることによって、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶と電子線との反応面積が増大することと光取り出し効率が増大することに因ると考えられる。
　また、本実施形態の発光層は、粉末状または粒状のＰｒ：ＬｕＡＧ結晶を基板上に堆積する等の方法によって形成され得るので、大きな面積を有する紫外光発生用ターゲットを容易に作製することができる。
　（第１実施例）
続いて、上記実施形態の第１実施例について説明する。本実施例では、まず、直径１８．６ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの合成石英基板を準備した。次に、Ｐｒ：ＬｕＡＧ単結晶基板を準備し、乳鉢を用いてこのＰｒ：ＬｕＡＧ単結晶基板を粉砕することにより、粉末状又は粒状のＰｒ：ＬｕＡＧ単結晶を作製した。続いて、この粉末状又は粒状のＰｒ：ＬｕＡＧ単結晶を、沈降法により合成石英基板上に堆積させることにより、発光層を形成した。その後、この発光層の上に有機膜（ニトロセルロース）を形成し、その有機膜上にアルミニウム膜を蒸着した。最後に、発光層を焼成することにより、粉末状又は粒状のＰｒ：ＬｕＡＧ単結晶を一体化した。焼成後における発光層の厚さは、１０μｍであった。
　図３のグラフＧ１１は、本実施例により作製された紫外光発生用ターゲットに電子線を照射して得られた紫外光のスペクトルを示すグラフである。なお、図３には、比較のためグラフＧ１２が併せて示されている。グラフＧ１２は、図４に示されるように表面にアルミニウム膜１０１が蒸着されたＰｒ：ＬｕＡＧ単結晶基板１０２に電子線を照射して得られた紫外光のスペクトルである。なお、グラフＧ１１及びＧ１２では、電子線の加速電圧を１０ｋＶとし、電子線の強さ（電流量）を５０μＡとし、電子線の径を２ｍｍとした。図３から明らかなように、粉末状又は粒状のＰｒ：ＬｕＡＧ単結晶を含む本実施形態の発光層では、Ｐｒ：ＬｕＡＧ単結晶基板と比較して、電子線の照射により発生する紫外光のピーク強度が格段に大きくなる（すなわち発光効率が格段に高くなる）。
　（第２実施例）
続いて、上記実施形態の第２実施例について説明する。本実施例では、紫外光発生用ターゲットの基板材料による影響について調べるために、合成石英基板と、サファイア基板とを準備した。合成石英基板としては、直径１８．６ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの基板を準備した。また、サファイア基板としては、直径１８ｍｍ、厚さ０．４３ｍｍの基板を準備した。そして、これらの基板上に、粉末状又は粒状のＰｒ：ＬｕＡＧ単結晶を含む発光層とアルミニウム膜とを、第１実施形態と同様の方法により作製した。
　図５は、各基板それぞれに作製された発光層に電子線を照射したときの、電流量と紫外光のピーク強度との関係を示すグラフである。図５において、グラフＧ２１は合成石英基板上に作製された発光層に関するグラフである。また、グラフＧ２２はサファイア基板上に作製された発光層に関するグラフである。図５に示されるように、合成石英基板上に作製された発光層は、電流量が大きくなると、発光強度の増加率が低下した。これに対し、サファイア基板上に作製された発光層は、電流量が大きくなっても増加率が低下せず、良好な直線性を示した。このような結果は、合成石英基板よりもサファイア基板の方が熱伝導性が良好であることに起因すると考えられる。
　（第３実施例）
続いて、上記実施形態の第３実施例について説明する。本実施例では、第１実施例と同様の方法によって紫外光発生用ターゲットを作製し、発光層の厚さと紫外光のピーク強度との関係について実験を行った。すなわち、様々な厚さでもって粉末状又は粒状のＰｒ：ＬｕＡＧ結晶を堆積させて発光層を作製し、それらの発光層に電子線を照射して発生する紫外光のピーク強度を計測したのち、それらの発光層の断面をＳＥＭを用いて観察することによって厚さを測定した。図６は、その結果である発光層の厚さと紫外光のピーク強度との関係を示すグラフである。なお、図中の曲線Ｇ３１は、近似曲線である。また、図６では、電子線の加速電圧を１０ｋＶとし、電子線の強さ（電流量）を５０μＡとし、電子線の径を２ｍｍとした。
　図６を参照すると、発光層の厚さが或る程度の値（約１２μｍ）を下回る場合には、発光層が厚いほど紫外光のピーク強度が大きくなっており、発光効率が高まる。しかし、発光層の厚さがその値を超えると、紫外光のピーク強度は逆に低下している。また、このグラフから、十分に実用的な紫外光強度（発光効率）を得る為には、発光層の厚さが０．５μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましく、６μｍ以上２０μｍ以下であれば更に好ましいことがわかる。
　（第４実施例）
続いて、上記実施形態の第４実施例について説明する。本実施例では、発光層に含まれる粉末状又は粒状のＰｒ：ＬｕＡＧ結晶のメディアン径と紫外光のピーク強度との関係について実験を行った。すなわち、粉末状又は粒状のＰｒ：ＬｕＡＧ結晶を堆積させて複数の基板上に発光層を作製し、それらの発光層に電子線を照射して発生する紫外光のピーク強度を計測した。なお、発光層に含まれるＰｒ：ＬｕＡＧ結晶のメディアン径は、基板上に堆積させる前に粒度分布計を用いて測定した。図７は、その結果であるＰｒ：ＬｕＡＧ結晶のメディアン径と紫外光のピーク強度との関係を示すグラフである。なお、図中の曲線Ｇ４１は、近似曲線である。また、図７では、電子線の加速電圧を１０ｋＶとし、電子線の強さ（電流量）を７０μＡとし、電子線の径を２ｍｍとした。
　図７を参照すると、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶のメディアン径が大きいほど、紫外光のピーク強度が大きくなっており、発光効率が高まることがわかる。但し、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶のメディアン径が１．６μｍを超えると、紫外光のピーク強度の増加率は小さく抑えられる。また、このグラフから、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶のメディアン径が０．５μｍ以上であれば、十分に実用的な紫外光強度（発光効率）が得られることがわかる。Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶のメディアン径が０．５μｍよりも小さいと、以下の理由（１）～（３）により発光効率が低下すると考えられる。（１）発光層で発光した光はＰｒ：ＬｕＡＧ結晶粒子によって散乱するが、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶のメディアン径が０．５μｍよりも小さいと、結晶粒子による散乱が増加するので、発光層を透過して出力される光の割合が低下する。（２）Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶粒子の表面付近では粒子内部と比較して欠陥密度が高いので、粒子表面付近の発光効率は、粒子内部の発光効率と比較して低くなる。そして、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶の体積の総和が一定であれば、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶粒子の粒径が小さいほど、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶の表面積が大きくなる。したがって、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶のメディアン径が０．５μｍよりも小さいと、欠陥密度が高く発光効率が低い部分の割合が多くなり、発光効率が低下する。（３）Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶のメディアン径が０．５μｍよりも小さいと、電子線照射時の放熱効率が低くなるため、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶の温度が高くなり、発光効率が低下する。
　なお、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶のメディアン径は３０μｍ以下であることが好ましい。Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶のメディアン径が３０μｍ以下であることによって、基板上にＰｒ：ＬｕＡＧ結晶を堆積させる際に、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶の基板からの剥離を抑えることができる。
　（第５実施例）
続いて、上記実施形態の第５実施例について説明する。本実施例では、まず、Ｐｒを０．７原子パーセント含有する多結晶板を作製した。次に、この多結晶板を乳鉢を用いて粉砕することにより、粉末状又は粒状のＰｒ：ＬｕＡＧ多結晶を作製した。続いて、この粉末状又は粒状のＰｒ：ＬｕＡＧ多結晶を、沈降法により合成石英基板上に堆積させることにより、発光層を形成した。その後、この発光層の上に有機膜（ニトロセルロース）を形成し、その有機膜上にアルミニウム膜を蒸着した。最後に、発光層を焼成することにより、粉末状又は粒状のＰｒ：ＬｕＡＧ多結晶を一体化した。焼成後における発光層の厚さは、１０μｍであった。
　図８のグラフＧ５１は、本実施例により作製された紫外光発生用ターゲットに電子線を照射して得られた紫外光のスペクトルを示すグラフである。なお、図８には、比較のためグラフＧ５２が併せて示されている。グラフＧ５２は、表面にアルミニウム膜が蒸着されたＰｒ：ＬｕＡＧ多結晶板に電子線を照射して得られた紫外光のスペクトルである。図８を参照すると、粉末状又は粒状のＰｒ：ＬｕＡＧ多結晶を含む本実施例の発光層では、Ｐｒ：ＬｕＡＧ多結晶板と比較して、電子線の照射により発生する紫外光のピーク強度が格段に大きくなる（すなわち発光効率が格段に高くなる）ことがわかる。
　（第６実施例）
続いて、上記実施形態の第６実施例について説明する。本実施例では、発光層に含まれる粉末状又は粒状のＰｒ：ＬｕＡＧ結晶のメディアン径が様々な値を有する場合に、発光層の厚さと紫外光のピーク強度との関係について実験を行った。すなわち、メディアン径が０．５μｍ、１．０μｍ、６．５μｍ、及び３０μｍであるＰｒ：ＬｕＡＧ結晶をそれぞれ堆積させ、各メディアン径において厚さが異なる複数の発光層を作製し、それらの発光層に電子線を照射して発生する紫外光のピーク強度を計測した。なお、発光層に含まれるＰｒ：ＬｕＡＧ結晶のメディアン径は、基板上に堆積させる前に粒度分布計を用いて測定した。
　図９は、縦軸がピーク強度を示し横軸が発光層厚さ（対数目盛）を示すグラフ上にその結果をプロットしたものである。また、図１０は、膜厚をメディアン径で除した値（すなわち、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶粒子の積層数）を横軸（対数目盛）に表したグラフであり、図中における曲線Ｇ６１、Ｇ６２、及びＧ６３は、メディアン径０．５μｍ、１．０μｍ、及び６．５μｍのそれぞれにおける近似曲線である。また、図１１（ａ）～図１１（ｃ）は、基板２１上に堆積したＰｒ：ＬｕＡＧ結晶粒子２２ａを模式的に示す図である。
　図９及び図１０を参照すると、ピーク強度が高くなる（すなわち発光効率が高くなる）厚さは、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶のメディアン径によって異なることがわかる。すなわち、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶のメディアン径が０．５μｍである場合、紫外光のピーク強度が最も高くなる厚さは３μｍであり、そのときの積層数は６層である（図１１（ａ））。そして、十分に実用的なピーク強度が得られる厚さの範囲は、０．５μｍ以上５μｍ以下である。また、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶のメディアン径が１．０μｍである場合、紫外光のピーク強度が最も高くなる厚さは３μｍであり、そのときの積層数は３層である（図１１（ｂ））。そして、十分に実用的なピーク強度が得られる厚さの範囲は、１μｍ以上１０μｍ以下である。また、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶のメディアン径が６．５μｍである場合、紫外光のピーク強度が最も高くなる厚さは１０μｍであり、そのときの積層数は約１．５層である（図１１（ｃ））。そして、十分に実用的なピーク強度が得られる厚さの範囲は、３μｍ以上３０μｍ以下である。
　上述したように、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶のメディアン径が小さいほど、発光層が厚くなった場合の発光効率の低下が顕著となる。これは、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶粒子の積層数が増えるほど、発光層における紫外光の透過率が低下することに起因すると考えられる。また、いずれのメディアン径においても、発光層の厚さが或る値よりも薄くなると発光効率が低下する。これは、発光層の厚さが薄くなるとＰｒ：ＬｕＡＧ結晶による基板表面の被覆率が低下することに起因すると考えられる。なお、いずれのメディアン径においても、紫外光のピーク強度が最も高くなるときの被覆率は１００％である。
　また、図１２は、本実施例におけるＰｒ：ＬｕＡＧ結晶のメディアン径と紫外光のピーク強度との関係を示すグラフである。図１２を参照すると、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶のメディアン径が６．５μｍを下回る場合には、メディアン径が大きいほど紫外光のピーク強度が大きくなっており、発光効率が高まる。しかし、メディアン径が６．５μｍを超えると、紫外光のピーク強度は逆に低下している。このグラフから、紫外光の発光効率を高めるためのＰｒ：ＬｕＡＧ結晶のメディアン径の好適な範囲は、０．５μｍ以上１００μｍ以下であることがわかる。ただし、メディアン径が３０μｍを超えるとＰｒ：ＬｕＡＧ結晶の粒子と基板との付着力が弱く剥離してしまうため、実用的なメディアン径の好適な範囲は、０．５μｍ以上３０μｍ以下である。
　（第７実施例）
続いて、上記実施形態の第５実施例について説明する。本実施例では、バインダーを利用した発光層の形成と、バインダーを利用しない、熱処理による発光層の形成とを説明する。
　＜バインダーを利用した発光層の形成＞
先ず、直径１２ｍｍ、厚さ２ｍｍのサファイア基板を準備した。次に、Ｐｒ：ＬｕＡＧ単結晶基板を準備し、乳鉢を用いてこのＰｒ：ＬｕＡＧ単結晶基板を粉砕することにより、粉末状又は粒状のＰｒ：ＬｕＡＧ単結晶を作製した。
　そして、粉末状又は粒状のＰｒ：ＬｕＡＧ単結晶、純水、並びにバインダー材料としての珪酸カリウム（Ｋ２ＳｉＯ３）水溶液及び酢酸バリウム水溶液を混合し、該混合液をサファイア基板上に塗布し、沈降法によりＰｒ：ＬｕＡＧ単結晶およびバインダー材料をサファイア基板上に堆積させて、発光層を形成した。続いて、発光層の上に有機膜（ニトロセルロース）を形成し、その有機膜上にアルミニウム膜を真空蒸着により形成した。最後に、発光層を大気中において３５０℃で焼成することにより有機膜を分解し気化させて、発光層にアルミニウム膜が接する構造とした。
　＜熱処理による発光層の形成＞
先ず、直径１２ｍｍ、厚さ２ｍｍのサファイア基板を準備した。次に、Ｐｒ：ＬｕＡＧ単結晶基板を準備し、乳鉢を用いてこのＰｒ：ＬｕＡＧ単結晶基板を粉砕することにより、粉末状又は粒状のＰｒ：ＬｕＡＧ単結晶を作製した。
　そして、粉末状又は粒状のＰｒ：ＬｕＡＧ単結晶及び溶媒（エタノール）を混合し、その混合液をサファイア基板上に塗布したのち溶媒を乾燥させた。こうしてＰｒ：ＬｕＡＧ単結晶をサファイア基板上に堆積させて、発光層を形成した。続いて、減圧された雰囲気中において該発光層の熱処理（１６００℃）を行った。この熱処理は、粉末状又は粒状のＰｒ：ＬｕＡＧ単結晶の表面を溶融させて、結晶粒子同士、および結晶粒子とサファイア基板の表面とを互いに融着した構造とすることにより、発光層の付着力を強める為に行われた。その後、発光層の上に有機膜（ニトロセルロース）を形成し、その有機膜上にアルミニウム膜を真空蒸着により形成した。最後に、発光層を大気中において３５０℃で焼成することにより有機膜を分解し気化させて、発光層にアルミニウム膜が接する構造とした。
　図１３は、バインダーを利用して形成された発光層の発光強度、及び熱処理により形成された発光層の発光強度の経時変化を示すグラフである。図１３において、縦軸は規格化された発光強度（初期値は１．０）を示しており、横軸は電子線照射時間（単位：時間）を対数目盛で表している。また、グラフＧ７１はバインダーを利用して形成された発光層のグラフを示しており、グラフＧ７２は熱処理により形成された発光層のグラフを示している。なお、グラフＧ７１及びＧ７２では、電子線の加速電圧を１０ｋＶとし、電子線の強さ（電流量）を２００μＡとした。
　図１３に示されるように、バインダーを利用せずに熱処理によって発光層を形成した場合（グラフＧ７２）、バインダーを利用した場合（グラフＧ７１）よりも発光強度の経時変化（発光強度低下）が小さくなった。これは、次のような理由に因ると考えられる。すなわち、バインダーを利用して発光層を形成した場合、完成した発光層の中には、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶に加えてバインダー材料が含まれる。この発光層に強いエネルギーの電子線を照射すると、紫外線に加えて、例えばＸ線といった紫外線とは異なるエネルギー線が発生する。そして、このエネルギー線が基板を通過する際、基板にダメージを与える。バインダーを利用した場合には、このような現象が電子線の照射のたびに発生するので、基板にダメージが蓄積し、紫外線の透過率が次第に低下したものと考えられる。また、バインダーに含まれるカリウムやＳｉＯ２が劣化したことにより発光効率が低下したとも考えられる。
　これに対し、熱処理によって発光層を形成した場合、発光層にバインダー材料が含まれないため、紫外線とは異なるエネルギー線の発生が抑えられ、またバインダー材料の劣化も生じない。したがって、基板のダメージが低減され、紫外線の透過率が比較的長時間にわたって維持されると考えられる。なお、紫外線とは異なるエネルギー線によるダメージは、特にサファイア基板において顕著である。したがって、サファイア基板上に発光層を形成する場合には、熱処理によって発光層を形成することが望ましい。
　ここで、図１４～図２１は、発光層のＰｒ：ＬｕＡＧ結晶粒子の状態を撮影した電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。これらの図において、（ａ）は熱処理前の状態を示しており、（ｂ）は（ａ）と同一の箇所における熱処理後の状態を示している。また、図１５は図１４の拡大写真であり、図１７は図１６の拡大写真であり、図１９は図１８の拡大写真であり、図２１は図２０の拡大写真である。
　図１４～図２１を参照すると、熱処理後のＰｒ：ＬｕＡＧ結晶粒子では、熱処理前と比較して、表面が溶融して再び固化していることがわかる。特に、図１８（ａ）のＡ部分と、図１８（ｂ）のＡ部分とを比較すると、結晶粒子の表面が溶けて丸くなり、結晶粒子が小さくなっていることが明確にわかる。換言すれば、熱処理後の発光層では、熱処理により溶融し再び固化した結晶溶融層がＰｒ：ＬｕＡＧ結晶粒子の表面を覆っている。そして、隣り合うＰｒ：ＬｕＡＧ結晶粒子の結晶溶融層同士が互いに融着することにより、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶粒子同士が互いに強固に結合されるので、上述したバインダーを用いることなく、発光層の機械的強度を増すことができる。
　また、上述した結晶溶融層は、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶粒子と基板との結合にも寄与する。ここで、図２２及び図２３は、発光層を剥がした後のサファイア基板の表面を撮影した電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真である。これらの図において、（ａ）は熱処理により形成された発光層を剥がした場合を示しており、（ｂ）はバインダーを利用して形成された（熱処理がされていない）発光層を剥がした場合を示している。なお、本実施例では、ベンコット（登録商標）を用いて発光層を強く擦ることにより、発光層を除去した。
　図２２（ａ）及び図２３（ａ）を参照すると、熱処理により形成された発光層を剥がした場合、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶を完全には除去することができず、サファイア基板の表面にＰｒ：ＬｕＡＧ結晶の結晶溶融層が残っている。一方、図２２（ｂ）及び図２３（ｂ）を参照すると、バインダーを利用して形成された（熱処理がされていない）発光層を剥がした場合、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶を完全に除去することができ、サファイア基板の表面のみが写っている。これらのＳＥＭ写真から、熱処理により形成された発光層では、結晶溶融層が基板表面に融着することにより、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶粒子と基板とがより強固に結合され、発光層の剥離が抑制されていると考えられる。
　なお、本実施例では発光層に対する熱処理の温度を１６００℃としたが、熱処理の温度は１４００℃以上であることが好ましく、また２０００℃以下であることが好ましい。熱処理の温度が１４００℃以上であることによって、Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶粒子表面の結晶溶融層を十分な厚さに形成し、結晶粒子同士、および結晶粒子と基板との付着力を高め、電子線照射の際の発光層の剥離を効果的に防ぐことができる。また、熱処理の温度が２０００℃以下であることによって、Ｐｒ：ＬｕＡＧの結晶構造の変化を抑制し、発光効率の低下を防ぐことができる。また、基板（特にサファイア基板）の変形を防ぐことができる。
　本発明による紫外光発生用ターゲット、電子線励起紫外光源、及び紫外光発生用ターゲットの製造方法は、上述した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上記実施形態および各実施例では発光層の上にアルミニウム膜を蒸着しているが、上記実施形態および各実施例ではアルミニウム膜は省略されてもよい。なお、アルミニウム膜は帯電防止用の導電膜として機能しており、アルミニウム以外の導電膜としても良い。
　本発明は、紫外光発生効率を高めることが可能な紫外光発生用ターゲット、電子線励起紫外光源、及び紫外光発生用ターゲットの製造方法として利用可能である。
　１０…電子線励起紫外光源、１１…容器、１２…電子源、１３…引き出し電極、１６…電源部、２０…紫外光発生用ターゲット、２１…基板、２１ａ…主面、２１ｂ…裏面、２２…発光層、２３…アルミニウム膜、ＥＢ…電子線、ＵＶ…紫外光。

Claims (8)

  1. 　サファイア、石英または水晶から成る基板と、
    　前記基板上に設けられ、電子線を受けて紫外線を発生する発光層と
    を備え、
    　前記発光層が粉末状または粒状のＰｒ：ＬｕＡＧ結晶を含む、紫外線発生用ターゲット。
  2. 　前記発光層の厚さが０．５μｍ以上３０μｍ以下である、請求項１に記載の紫外線発生用ターゲット。
  3. 　前記発光層における前記Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶のメディアン径が０．５μｍ以上３０μｍ以下である、請求項１または２に記載の紫外線発生用ターゲット。
  4. 　前記Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶の表面が、熱処理によって溶融し再び固化した結晶溶融層に覆われている、請求項１～３のいずれか一項に記載の紫外線発生用ターゲット。
  5. 　前記結晶溶融層によって、前記Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶同士、および前記Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶と前記基板とが互いに融着している、請求項４に記載の紫外線発生用ターゲット。
  6. 　請求項１～５のいずれか一項に記載された紫外線発生用ターゲットと、
    　前記紫外線発生用ターゲットに電子線を与える電子源と
    を備える、電子線励起紫外光源。
  7. 　サファイア、石英または水晶から成る基板上に粉末状または粒状のＰｒ：ＬｕＡＧ結晶を堆積させ、前記Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶に対して熱処理を行うことにより、前記Ｐｒ：ＬｕＡＧ結晶の表面を溶融し、再び固化させて結晶溶融層を形成する、紫外光発生用ターゲットの製造方法。
  8. 　前記熱処理の温度が１４００℃以上２０００℃以下である、請求項７に記載の紫外光発生用ターゲットの製造方法。
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