WO2012050134A1 - ウェハ加工用テープ、ウェハ加工用テープの製造方法、及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

ウェハ加工用テープ、ウェハ加工用テープの製造方法、及び半導体装置の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2012050134A1
WO2012050134A1 PCT/JP2011/073436 JP2011073436W WO2012050134A1 WO 2012050134 A1 WO2012050134 A1 WO 2012050134A1 JP 2011073436 W JP2011073436 W JP 2011073436W WO 2012050134 A1 WO2012050134 A1 WO 2012050134A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
adhesive layer
wafer
tape
wafer processing
film
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/073436
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
紘平 谷口
松崎　隆行
加藤　慎也
康二 小森田
増野　道夫
竜弥 作田
理絵 加藤
Original Assignee
日立化成工業株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日立化成工業株式会社 filed Critical 日立化成工業株式会社
Priority to KR1020137007897A priority Critical patent/KR101464903B1/ko
Priority to US13/878,985 priority patent/US9076833B2/en
Priority to JP2012538698A priority patent/JP5590136B2/ja
Priority to CN201180048659.9A priority patent/CN103155109B/zh
Publication of WO2012050134A1 publication Critical patent/WO2012050134A1/ja
Priority to US14/740,477 priority patent/US9190309B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/568—Temporary substrate used as encapsulation process aid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6835—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L21/6836—Wafer tapes, e.g. grinding or dicing support tapes
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/20—Adhesives in the form of films or foils characterised by their carriers
    • C09J7/22—Plastics; Metallised plastics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/30—Adhesives in the form of films or foils characterised by the adhesive composition
    • C09J7/38—Pressure-sensitive adhesives [PSA]
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/40—Adhesives in the form of films or foils characterised by release liners
    • C09J7/403—Adhesives in the form of films or foils characterised by release liners characterised by the structure of the release feature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67132—Apparatus for placing on an insulating substrate, e.g. tape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2203/00—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2203/326—Applications of adhesives in processes or use of adhesives in the form of films or foils for bonding electronic components such as wafers, chips or semiconductors
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/12—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers
    • C09J2301/122—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet by the arrangement of layers the adhesive layer being present only on one side of the carrier, e.g. single-sided adhesive tape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/10—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet
    • C09J2301/18—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive tape or sheet characterized by perforations in the adhesive tape
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/20—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself
    • C09J2301/204—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself the adhesive coating being discontinuous
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/20—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself
    • C09J2301/208—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the structural features of the adhesive itself the adhesive layer being constituted by at least two or more adjacent or superposed adhesive layers, e.g. multilayer adhesive
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
    • C09J2301/00—Additional features of adhesives in the form of films or foils
    • C09J2301/30—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier
    • C09J2301/302—Additional features of adhesives in the form of films or foils characterized by the chemical, physicochemical or physical properties of the adhesive or the carrier the adhesive being pressure-sensitive, i.e. tacky at temperatures inferior to 30°C
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L2221/68304—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support
    • H01L2221/68327—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using temporarily an auxiliary support used during dicing or grinding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T156/00—Adhesive bonding and miscellaneous chemical manufacture
    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor
    • Y10T156/1052—Methods of surface bonding and/or assembly therefor with cutting, punching, tearing or severing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/14—Layer or component removable to expose adhesive
    • Y10T428/1476—Release layer

Definitions

  • the present invention relates to a wafer processing tape used for dicing a semiconductor wafer and die bonding of a semiconductor chip obtained by dicing, a method for manufacturing a wafer processing tape, and a method for manufacturing a semiconductor device using the same.
  • a wafer ring is generally arranged around the semiconductor wafer, and the wafer processing tape is attached to the wafer ring. At this time, if the peeling strength between the wafer processing tape and the wafer ring is insufficient, the wafer processing tape is peeled off from the wafer ring in each process such as the dicing process and the die bonding process. May cause trouble.
  • the present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and is capable of improving the peel strength between the wafer ring, a wafer processing tape, a method for manufacturing the wafer processing tape, and a semiconductor using the same.
  • An object is to provide a method for manufacturing a device.
  • a wafer processing tape is a wafer processing tape that is used by being attached to a wafer ring during processing of a semiconductor wafer, and includes a peeling base material that forms the base of the tape, and a semiconductor wafer
  • An adhesive layer provided on one side of the release substrate corresponding to the planar shape, an adhesive layer provided to cover the adhesive layer, and a base film provided to cover the adhesive layer;
  • an area that protrudes outside the adhesive layer is a sticking area to the wafer ring, and the sticking area faces the center side of the adhesive layer in a plan view.
  • the convex cut portion is formed with a depth reaching the release substrate from the substrate film side.
  • a convex notch that faces the center side of the adhesive layer in a plan view corresponding to the region to be attached to the wafer ring is formed at a depth that reaches the release substrate from the substrate film side.
  • the outer portion (outer portion) of the adhesive layer and the base film is peeled off first.
  • the inner portion (inner portion) from the cut portion remains in the wafer ring in a convex shape.
  • the peeling force further acts, the inner part tries to peel by being pulled by the outer part, but the area of peeling increases and the point of action of the tension is located behind the inner part. Greater peel force is required. Therefore, with this wafer processing tape, the peel strength between the wafer processing tape and the wafer ring can be improved.
  • a plurality of cut portions are arranged along the pasting region. In this case, the peel strength between the wafer processing tape and the wafer ring can be further improved.
  • the cut portion further has a convex portion facing the outside of the adhesive layer in a plan view.
  • a liquid that generates a peeling force such as cooling water during dicing can escape from the convex portion to the outside of the wafer processing tape. Therefore, it is possible to further secure the peel strength between the wafer processing tape and the wafer ring.
  • the cut portion does not penetrate the peeling substrate.
  • a notch part does not act when peeling a peeling base material in the use of a tape for wafer processing, peeling of a peeling base material becomes easy.
  • 0 ⁇ d / a ⁇ 0.7 is satisfied, where a is the thickness of the release substrate and d is the depth of the cut portion in the release substrate.
  • a dicing tape according to the present invention is a dicing tape used by being attached to a wafer ring during dicing of a semiconductor wafer, and a peeling base material forming the base of the tape, and an adhesive layer provided on one surface side of the peeling base material,
  • a base film provided so as to cover the pressure-sensitive adhesive layer, and the outer edge of the pressure-sensitive adhesive layer and the base film is a sticking area to the wafer ring in a plan view, and the outer edge is flat.
  • a convex cut portion facing the center side of the pressure-sensitive adhesive layer in view is formed with a depth reaching the release substrate from the substrate film side.
  • the outer edge portion of the adhesive layer and the base film is a sticking region to the wafer ring in a plan view, and the outer edge portion has a convex cut portion facing the center side of the adhesive layer. It is formed with a depth reaching the release substrate from the substrate film side.
  • the method for manufacturing a wafer processing tape according to the present invention is a method for manufacturing a wafer processing tape that is used by being affixed to a wafer ring during processing of a semiconductor wafer, and a peeling base material forming the base of the tape, and a semiconductor wafer
  • the second preparation step of preparing a pressure-sensitive adhesive film composed of layers a bonding step in which the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer face each other and the adhesive film and the pressure-sensitive adhesive film are bonded together, and the pressure-sensitive adhesive layer and the base film
  • a convex incision facing the center side of the adhesive layer in plan view is formed on the peeling substrate from the base film side in a region to be attached to the wafer ring that is set to an area protruding outside the adhesive layer. It
  • a convex cut portion facing the center side of the adhesive layer in a plan view corresponding to the attachment region to the wafer ring is formed on the release substrate from the substrate film side. It is formed to reach the depth.
  • the peeling force further acts, the inner part tries to peel by being pulled by the outer part, but the area of peeling increases and the point of action of the tension is located behind the inner part. Greater peel force is required. Therefore, with this wafer processing tape, the peel strength between the wafer processing tape and the wafer ring can be improved.
  • the cutting process it is preferable to form a plurality of cutting parts along the pasting area.
  • the peel strength between the wafer processing tape and the wafer ring can be further improved.
  • the cutting step it is preferable to further form a convex portion facing the outside of the adhesive layer in plan view.
  • a liquid that generates a peeling force such as cooling water during dicing can escape from the convex portion to the outside of the wafer processing tape. Therefore, it is possible to further secure the peel strength between the wafer processing tape and the wafer ring.
  • a notch part so that a peeling base material may not be penetrated in a notch process.
  • peeling of a peeling base material becomes easy.
  • the incision may be formed so as to satisfy 0 ⁇ d / a ⁇ 0.7, where a is the thickness of the release substrate and d is the depth of the incision. preferable. By satisfying this condition, it is possible to sufficiently exhibit the action of the cut portion.
  • the manufacturing method of the semiconductor device according to the present invention is a manufacturing method of a semiconductor device using the wafer processing tape, wherein the film laminate in which the peeling substrate is peeled from the wafer processing tape is used as an adhesive layer. Fixing to one surface side of the semiconductor wafer through, a step of fixing the wafer ring through the adhesive layer in the pasting region of the film laminate, and a step of dicing the semiconductor wafer while supplying cooling water to the dicing blade It is characterized by having.
  • the peel strength between the wafer processing tape and the wafer ring can be sufficiently secured, so that the wafer processing tape can be prevented from being peeled off from the wafer ring during the process. Therefore, workability is improved and the manufacturing yield of the semiconductor device can be secured.
  • the peel strength between the wafer ring can be improved.
  • the manufacturing yield of the semiconductor device can be secured.
  • FIG. 2 is a sectional view taken along line II-II in FIG. It is a figure for demonstrating the direction of a notch part. It is a figure which shows the attachment method of the tape for wafer processing to a wafer ring. It is a figure which shows the attachment state of the tape for wafer processing to a wafer ring. It is a figure which shows the dicing process of a semiconductor wafer. It is a perspective view which shows the effect
  • FIG. 9 is a sectional view taken along line IX-IX in FIG. 8.
  • FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a wafer processing tape according to the present invention.
  • 2 is a cross-sectional view taken along line II-II in FIG.
  • a wafer processing tape 1 shown in FIGS. 1 and 2 is a long tape used for dicing a semiconductor wafer and die bonding of a semiconductor chip obtained by dicing, for example, and is usually wound in a roll shape. It has become.
  • the wafer processing tape 1 has been pre-cut, and has a separation base 2 that forms the base of the tape and a predetermined distance on one side of the separation base 2 corresponding to the shape of the semiconductor wafer.
  • the adhesive layer 3 provided in a circle
  • the adhesive layer 4 provided in a circle so as to cover the adhesive layer 3
  • the base provided in the same shape as the adhesive layer 4 so as to cover the adhesive layer 4
  • the material film 5 is comprised.
  • bank portions 6 and 6 are provided that are arranged at a predetermined interval from the circular pressure-sensitive adhesive layer 4 and the substrate film 5.
  • the bank portions 6 and 6 are formed when the pressure-sensitive adhesive layer 4 and the base film 5 are precut.
  • the peeling base material 2 and the adhesive bond layer 3 are formed with the below-mentioned adhesive film 18, and the base film 5 and the adhesive layer 4 are formed with the below-mentioned adhesive film 17.
  • a region protruding outward from the adhesive layer 3 is a region P attached to the wafer ring.
  • a plurality of cut portions 11 formed in a depth reaching the peeling substrate 2 from the substrate film 5 side are arranged in an annular shape.
  • the cut portion 11 has a semicircular shape or a tongue shape in a plan view, and is formed in such a direction that the center side of the adhesive layer 3 is convex.
  • the depth of the cut portion 11 is 0 ⁇ d / a ⁇ 0. 0 when the thickness a of the release substrate 2 and the depth of the cut portion in the release substrate 2 are d.
  • the direction of the cut portion 11 only needs to be convex at the center side of the adhesive layer 3, and is perpendicular to the tangent line of the adhesive layer 3 with the convex tip of the cut portion 11 as a starting point. It is not necessary for the line extending to the center of the adhesive layer 3 to pass through the center point C.
  • the number of the cut portions 11 is not particularly limited, but for example, the cut portions 11 are preferably arranged at intervals of 2 ° to 3 °.
  • the semiconductor wafer 13 and the adhesive layer 3 are diced while supplying the cooling water 16 to the dicing blade 15.
  • the adhesive layer 4 is irradiated with high energy rays to reduce the adhesive force, and the semiconductor chip with the adhesive layer 3 is picked up from the base film 5.
  • the semiconductor device is obtained by bonding the semiconductor chip to a predetermined support member via the adhesive layer 3.
  • the pressure from the cooling water 16 is applied to the wafer processing tape 1 (film laminate 12). For this reason, if the peel strength between the wafer processing tape 1 and the wafer ring 14 is insufficient, the wafer processing tape 1 may be peeled off from the wafer ring 14 and hinder dicing.
  • the wafer processing tape 1 as shown in FIG. 1, a semicircular shape or tongue piece facing the center side of the adhesive layer 3 in a plan view corresponding to the sticking area P to the wafer ring 14.
  • the cut portion 11 is formed with a depth that reaches the peeling substrate 2 from the substrate film 5 side.
  • the cut portion 11 is formed in the adhesive layer 4 and the base film 5 as shown in FIG.
  • the outer portions (outer portions 17a and 17a) are peeled off first, and the inner portion (inner portion 17b) from the cut portion 11 remains in the wafer ring 14 in a convex shape.
  • the adhesive film 17 is not limited to an ultraviolet curable film, and may be a pressure-sensitive film. Since the pressure-sensitive film is easily peeled off from the wafer ring 14, the above-described formation of the cut portion 11 is particularly useful.
  • the depth of the cut portion 11 satisfies 0 ⁇ d / a ⁇ 0.7 when the thickness a of the peeling substrate 2 and the depth of the cut portion are d. And it is the depth which does not penetrate the peeling base material 2. Thereby, it becomes possible to fully exhibit the effect
  • SD-3004 manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. is prepared as the adhesive film 17 composed of the adhesive layer 4 and the base film 5.
  • the adhesive film 18 composed of the adhesive layer 3 and the release substrate 2 for example, HS-270 series manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. is prepared.
  • the adhesive film 18 is adjusted so that the depth of cut into the release substrate 2 is 20 ⁇ m or less, and is subjected to a circular pre-cut process of ⁇ 320 mm, and unnecessary portions of the adhesive layer 3 are removed.
  • the adhesive layer 4 faces the adhesive layer 3, and the adhesive film 18 and the adhesive film 17 are attached under the conditions of room temperature, linear pressure 1 kg / cm, and speed 0.5 m / min. Then, the adhesive film 17 is adjusted so that the depth of cut into the release substrate 2 is 20 ⁇ m or less, and is subjected to circular precut processing with a diameter of 390 mm concentrically with the adhesive layer 3. Unnecessary portions of the film 5 are removed to form the bank portions 6 and 6. After pre-cutting the adhesive film 17, a semicircular or tongue-shaped cut portion 11 is annularly arranged using a predetermined mold at a position about 5 mm inside from the edge of the adhesive film 17. Thus, the wafer processing tape 1 is obtained.
  • the present invention is not limited to the above embodiment.
  • the release substrate 2, the adhesive layer 3 provided on one surface side of the release substrate 2, the adhesive layer 4 provided so as to cover the adhesive layer 3, and the adhesive layer 4, the adhesive film 3 may not be provided as shown in FIGS. 8 and 9.
  • the dicing tape 20 includes a peeling substrate 2, a pressure-sensitive adhesive layer 4 provided on one surface side of the peeling substrate 2, and a base film 5 provided so as to cover the pressure-sensitive adhesive layer 4. May be.
  • the cut portion 11 of the dicing 20 has a semicircular shape or a tongue shape in plan view, and is formed in such a direction that the center side of the adhesive layer 4 is convex.
  • the depth of the notch 11 is the same as that of the wafer processing tape 1, and the thickness a of the release substrate 2 and the depth of the notch in the release substrate 2 are d. In this case, 0 ⁇ d / a ⁇ 0.7 is satisfied, and the depth does not penetrate through the peeling substrate 2.
  • the center side of the adhesive layer 4 should just be convex.
  • the dicing tape 20 can be obtained by the following procedure. First, an adhesive film 17 composed of the adhesive layer 4 and the substrate film 5 is laminated on the release substrate 2, and the depth of cut into the release substrate 2 is 20 ⁇ m or less with respect to the adhesive film 17. In this way, circular pre-cutting is performed, unnecessary portions of the adhesive layer 4 and the base film 5 are removed, and the bank portions 6 and 6 are formed. Thereafter, the dicing tape 20 is formed by arranging the semicircular or tongue-shaped cut portions 11 in a ring shape at a position about 5 mm inside from the edge of the adhesive film 17 using a predetermined mold. can get.
  • the bank portions 6 and 6 are formed by circular precut processing of the adhesive film 17, but as shown in FIG. 10, the wafer processing tape 21 does not form the bank portions 6 and 6. May be.
  • the shape of the cut portion may be a convex shape facing the center side of the adhesive layer 3 in a plan view, and various modifications can be applied.
  • a rectangular cut portion 32 may be formed like a wafer processing tape 31 shown in FIG. 11, or a substantially V-shaped cut portion 42 may be formed like a wafer processing tape 41 shown in FIG. May be.
  • a semicircular or tongue-shaped cut portion 52 may be formed in a double manner like a wafer processing tape 51 shown in FIG.
  • Circular or tongue-shaped cut portions 62 may be formed in a zigzag pattern along two rows of annular lines, and the pressure-sensitive adhesive layer 4 and the base film 5 as in the wafer processing tape 71 shown in FIG. The position from may be made random for each cut portion 72.
  • the cut portion 11 may be formed only on one side of the edge portion of the pressure-sensitive adhesive layer 4 and the base film 5 as in the wafer processing tape 81 shown in FIG. If it carries out like this, when using the tape 81 for wafer processing, the peeling base material 2 can be easily peeled from the area
  • a convex portion facing the outside of the adhesive layer 3 in plan view may be further formed in the cut portion.
  • a substantially N-shaped cut portion 92 may be formed so as to be adjacent to each other in the direction, and a convex shape facing the center side of the adhesive layer 3 like the wafer processing tape 101 shown in FIG.
  • a substantially S-shaped cut portion 102 may be formed by the portion 102 a and the convex portion 102 b facing the outside of the adhesive layer 3. Further, a convex portion 112 a facing the center side of the adhesive layer 3 and a convex portion 112 b facing the outside of the adhesive layer 3 as in the wafer processing tape 111 shown in FIG. You may form the substantially X-shaped notch part 112 so that it may adjoin to radial direction.
  • the inner portions of the cut portions 92, 102, 112 are convex.
  • the inner portions of the cut portions 92, 102, 112 are formed in the convex portions 92b, 102b, 112b facing the outside of the adhesive layer 3 and cooled at the time of dicing.
  • the water 16 can escape to the outside of the wafer processing tapes 91, 101 and 111. Therefore, the peel strength between the wafer processing tapes 91, 101, 111 and the wafer ring 14 can be further secured.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Dicing (AREA)
  • Adhesive Tapes (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)

Abstract

　ウェハ加工用テープ１では、ウェハリング１４への貼付領域Ｐに対応して、平面視において接着剤層３の中心側を向く半円状又は舌片状の切込部１１が基材フィルム５側から剥離基材２に到達する深さで形成されている。切込部１１の形成により、ウェハ加工用テープ１に剥離力が作用すると、粘着剤層４及び基材フィルム５において切込部１１よりも外側の部分が先に剥離し、切込部１１よりも内側の部分は凸状をなした状態でウェハリング１４に残るようになる。これにより、ウェハ加工用テープ１とウェハリング１４との間の剥離強度を向上させることができ、工程中にウェハ加工用テープ１がウェハリング１４から剥離することを抑制できる。

Description

ウェハ加工用テープ、ウェハ加工用テープの製造方法、及び半導体装置の製造方法
　本発明は、半導体ウェハのダイシング及びダイシングによって得られた半導体チップのダイボンディング等に用いられるウェハ加工用テープ、ウェハ加工用テープの製造方法、及びこれを用いた半導体装置の製造方法に関する。
　近年、モバイル関連機器の多機能化及び軽量・小型化の要求が急速に高まってきている。これに伴い、半導体チップの高密度実装に対するニーズが強まっており、特に半導体チップを積層するスタックドマルチチップパッケージの開発がその中心となっている。スタックドマルチパッケージでは、ダイボンディング工程において半導体チップ同士を積層・接着する場合もある。このような半導体チップの製造工程では、ダイシング工程における半導体ウェハの固定や、ダイボンディング工程における半導体チップとリードフレーム等との接着に併用できるウェハ加工用テープの導入が進められている（例えば特許文献１参照）。
　このようなウェハ加工用テープを作製する場合、まず、剥離基材上に接着剤層を形成してなる接着フィルムと、基材フィルム上に粘着剤層を形成してなるダイシングフィルムとを用意し、接着剤層と粘着剤層とを向き合わせて貼り合わせる。次に、基材フィルム・接着剤層・粘着剤層をウェハ形状に合わせてプリカット加工し、所望の形状のウェハ加工用テープを得る。
特開２００９－８８４８０号公報
　上述のようなウェハ加工用テープを用いて半導体ウェハの加工を行う場合、一般に半導体ウェハの周囲にウェハリングを配置し、ウェハリングにウェハ加工用テープを貼り付ける。このとき、ウェハ加工用テープとウェハリングとの間の剥離強度が不足していると、ダイシング工程やダイボンディング工程といった各工程においてウェハ加工用テープがウェハリングから剥離してしまい、工程の実施に支障をきたすおそれがある。
　本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、ウェハリングとの間の剥離強度を向上させることができるウェハ加工用テープ、ウェハ加工用テープの製造方法、及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
　上記課題の解決のため、本発明に係るウェハ加工用テープは、半導体ウェハの加工時にウェハリングに貼り付けて用いるウェハ加工用テープであって、テープの基部をなす剥離基材と、半導体ウェハの平面形状に対応して剥離基材の一面側に設けられた接着剤層と、接着剤層を覆うように設けられた粘着剤層と、粘着剤層を覆うように設けられた基材フィルムと、を備え、粘着剤層及び基材フィルムは、接着剤層よりも外側にはみ出す領域がウェハリングへの貼付領域となっており、貼付領域には、平面視において接着剤層の中心側を向く凸状の切込部が基材フィルム側から剥離基材に到達する深さで形成されていることを特徴としている。
　このウェハ加工用テープでは、ウェハリングへの貼付領域に対応して平面視において接着剤層の中心側を向く凸状の切込部が基材フィルム側から剥離基材に到達する深さで形成されている。この切込部の形成により、ウェハリングに貼り付けられたウェハ加工用テープに剥離力が作用すると、粘着剤層及び基材フィルムにおいて切込部よりも外側の部分（外側部分）が先に剥離し、切込部よりも内側の部分（内側部分）は凸状をなした状態でウェハリングに残るようになる。剥離力が更に作用すると、外側部分に引っ張られて内側部分が剥離しようとするが、剥離の面積が増加すると共に引っ張りの作用点が内側部分よりも奥に位置するため、内側部分の剥離にはより大きな剥離力が必要となる。したがって、このウェハ加工用テープでは、ウェハ加工用テープとウェハリングとの間の剥離強度を向上させることができる。
　また、切込部が貼付領域に沿って複数配列されていることが好ましい。この場合、ウェハ加工用テープとウェハリングとの間の剥離強度を一層向上させることができる。
　また、切込部は、平面視において接着剤層の外側を向く凸状の部分を更に有していることが好ましい。この場合、例えばダイシング時の冷却水などの剥離力を生じさせる液体を上記凸状の部分からウェハ加工用テープの外部に逃がすことができる。したがって、ウェハ加工用テープとウェハリングとの間の剥離強度を一層確保できる。
　また、切込部は、剥離基材を貫通していないことが好ましい。この場合、ウェハ加工用テープの使用にあたって剥離基材を剥離する際に切込部が作用しないので、剥離基材の剥離が容易になる。
　また、剥離基材の厚さをａ、剥離基材における切込部の深さをｄとしたときに、０＜ｄ／ａ≦０．７を満たすことが好ましい。この条件を満たすことで、切込部の作用を十分に発揮させることが可能となる。
　本発明に係るダイシングテープは、半導体ウェハのダイシング時にウェハリングに貼り付けて用いるダイシングテープであって、テープの基部をなす剥離基材と、剥離基材の一面側に設けられた粘着剤層と、粘着剤層を覆うように設けられた基材フィルムと、を備え、平面視において粘着剤層及び基材フィルムの外縁部がウェハリングへの貼付領域となっており、外縁部には、平面視において粘着剤層の中心側を向く凸状の切込部が基材フィルム側から剥離基材に到達する深さで形成されていることを特徴とする。
　このダイシングテープでは、平面視において粘着剤層及び基材フィルムの外縁部がウェハリングへの貼付領域となっており、外縁部には、粘着剤層の中心側を向く凸状の切込部が基材フィルム側から剥離基材に到達する深さで形成されている。この切込部の形成により、ウェハリングに貼り付けられたダイシングテープに剥離力が作用すると、粘着剤層及び基材フィルムにおいて切込部よりも外側の部分（外側部分）が先に剥離し、切込部よりも内側の部分（内側部分）は凸状をなした状態でウェハリングに残るようになる。剥離力が更に作用すると、外側部分に引っ張られて内側部分が剥離しようとするが、剥離の面積が増加すると共に引っ張りの作用点が内側部分よりも奥に位置するため、内側部分の剥離にはより大きな剥離力が必要となる。したがって、このようなダイシングテープは、ウェハリングとの間の剥離強度を向上させることができる。
　また、本発明に係るウェハ加工用テープの製造方法は、半導体ウェハの加工時にウェハリングに貼り付けて用いるウェハ加工用テープの製造方法であって、テープの基部をなす剥離基材、及び半導体ウェハの平面形状に対応して剥離基材の一面側に設けられた接着剤層からなる接着フィルムを準備する第１の準備工程と、基材フィルム及び基材フィルムの一面側に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムを用意する第２の準備工程と、接着剤層と粘着剤層とを向き合わせて接着フィルムと粘着フィルムとを貼り合わせる貼合工程と、粘着剤層及び基材フィルムにおいて、接着剤層よりも外側にはみ出す領域に設定されたウェハリングへの貼付領域に、平面視において接着剤層の中心側を向く凸状の切込部を基材フィルム側から剥離基材に到達する深さで形成する切込工程と、を備えたことを特徴としている。
　この製造方法によって得られたウェハ加工用テープでは、ウェハリングへの貼付領域に対応して平面視において接着剤層の中心側を向く凸状の切込部が基材フィルム側から剥離基材に到達する深さで形成されている。この切込部の形成により、ウェハリングに貼り付けられたウェハ加工用テープに剥離力が作用すると、粘着剤層及び基材フィルムにおいて切込部よりも外側の部分（外側部分）が先に剥離し、切込部よりも内側の部分（内側部分）は凸状をなした状態でウェハリングに残るようになる。剥離力が更に作用すると、外側部分に引っ張られて内側部分が剥離しようとするが、剥離の面積が増加すると共に引っ張りの作用点が内側部分よりも奥に位置するため、内側部分の剥離にはより大きな剥離力が必要となる。したがって、このウェハ加工用テープでは、ウェハ加工用テープとウェハリングとの間の剥離強度を向上させることができる。
　また、切込工程において、切込部を貼付領域に沿って複数配列して形成することが好ましい。この場合、ウェハ加工用テープとウェハリングとの間の剥離強度を一層向上させることができる。
　また、切込工程において、平面視において接着剤層の外側を向く凸状の部分に更に形成することが好ましい。この場合、例えばダイシング時の冷却水などの剥離力を生じさせる液体を上記凸状の部分からウェハ加工用テープの外部に逃がすことができる。したがって、ウェハ加工用テープとウェハリングとの間の剥離強度を一層確保できる。
　また、切込工程において、剥離基材を貫通しないように切込部を形成することが好ましい。この場合、ウェハ加工用テープの使用にあたって剥離基材を剥離する際に切込部が作用しないので、剥離基材の剥離が容易になる。
　また、切込工程において、剥離基材の厚さをａ、切込部の深さをｄとしたときに、０＜ｄ／ａ≦０．７を満たすように切込部を形成することが好ましい。この条件を満たすことで、切込部の作用を十分に発揮させることが可能となる。
　また、本発明に係る半導体装置の製造方法は、上記ウェハ加工用テープを用いた半導体装置の製造方法であって、ウェハ加工用テープから剥離基材を剥離したフィルム積層体を、接着剤層を介して半導体ウェハの一面側に固定する工程と、フィルム積層体の貼付領域において、粘着剤層を介してウェハリングを固定する工程と、ダイシングブレードに冷却水を供給しながら半導体ウェハをダイシングする工程と、を備えたことを特徴としている。
　この半導体装置の製造方法では、ウェハ加工用テープとウェハリングとの間の剥離強度を十分に確保できるので、工程中にウェハ加工用テープがウェハリングから剥離してしまうことを抑制できる。したがって、作業性が向上し、半導体装置の製造歩留まりも確保できる。
　本発明によれば、ウェハリングとの間の剥離強度を向上させることができる。また、半導体装置の製造歩留まりも確保できる。
本発明に係るウェハ加工用テープの一実施形態を示す平面図である。 図１におけるＩＩ－ＩＩ線断面図である。 切込部の向きを説明するための図である。 ウェハリングへのウェハ加工用テープの取り付け方法を示す図である。 ウェハリングへのウェハ加工用テープの取り付け状態を示す図である。 半導体ウェハのダイシング工程を示す図である。 切込部の作用を示す斜視図である。 ダイシングテープの平面図である。 図８におけるＩＸ－ＩＸ線断面図である。 別の変形例に係るウェハ加工用テープの平面図である。 更に別の変形例に係るウェハ加工用テープの平面図である。 更に別の変形例に係るウェハ加工用テープの平面図である。 更に別の変形例に係るウェハ加工用テープの平面図である。 更に別の変形例に係るウェハ加工用テープの平面図である。 更に別の変形例に係るウェハ加工用テープの平面図である。 更に別の変形例に係るウェハ加工用テープの平面図である。 更に別の変形例に係るウェハ加工用テープの平面図である。 更に別の変形例に係るウェハ加工用テープの平面図である。 更に別の変形例に係るウェハ加工用テープの平面図である。
　以下、図面を参照しながら、本発明に係るウェハ加工用テープ、ウェハ加工用テープの製造方法、及びこれを用いた半導体装置の製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。
［ウェハ加工用テープの構成］
　図１は、本発明に係るウェハ加工用テープの一実施形態を示す平面図である。また、図２は、図１におけるＩＩ－ＩＩ線断面図である。図１及び図２に示すウェハ加工用テープ１は、例えば半導体ウェハのダイシング、及びダイシングによって得られた半導体チップのダイボンディングに用いられる長尺のテープであり、通常はロール状に巻かれた状態となっている。
　同図に示すように、ウェハ加工用テープ１は、プリカット加工されており、テープの基部をなす剥離基材２と、半導体ウェハの形状に対応して剥離基材２の一面側に所定の間隔で円形に設けられた接着剤層３と、接着剤層３を覆うように円形に設けられた粘着剤層４と、粘着剤層４を覆うように粘着剤層４と同形に設けられた基材フィルム５とによって構成されている。剥離基材２の幅方向の両縁部には、円形の粘着剤層４及び基材フィルム５から所定の間隔をもって配置された土手部６，６が設けられている。この土手部６，６は、粘着剤層４及び基材フィルム５のプリカット時に形成される。なお、剥離基材２及び接着剤層３は後述の接着フィルム１８で形成され、基材フィルム５及び粘着剤層４は後述の粘着フィルム１７で形成される。
　粘着剤層４及び基材フィルム５の縁部は、接着剤層３よりも外側にはみ出す領域がウェハリングへの貼付領域Ｐとなっている。この貼付領域Ｐには、基材フィルム５側から剥離基材２に到達する深さで形成された複数の切込部１１が環状に配列されている。切込部１１は、図１に示すように、平面視において半円状又は舌片状をなしており、接着剤層３の中心側が凸となるような向きで形成されている。切込部１１の深さは、図２に示すように、剥離基材２の厚さａ、剥離基材２における切込部の深さをｄとしたときに０＜ｄ／ａ≦０．７を満たし、かつ剥離基材２を貫通しない深さとなっている。切込部１１の向きは、図３に示すように、接着剤層３の中心側が凸となっていればよく、切込部１１の凸の先端を始点として接着剤層３の接線に対し垂直に伸びた線が接着剤層３の中心点Ｃを通っていなくてもよい。なお、切込部１１の配列数は特に限定されないが、例えば２°～３°間隔で配列することが好ましい。
［半導体装置の作製］
　以上のようなウェハ加工用テープ１を用いて半導体装置を製造する場合、まず、図４（ａ）に示すように、ウェハ加工用テープ１から剥離基材２を剥離してフィルム積層体１２を得る。次に、剥離基材２の剥離によって露出した接着剤層３を介し、図４（ｂ）に示すように、フィルム積層体１２を半導体ウェハ１３の一面側に固定する。また、図４（ｂ）及び図５に示すように、フィルム積層体１２の貼付領域Ｐにおいて、粘着剤層４を介してウェハリング１４を固定する。
　次に、図６に示すように、ダイシングブレード１５に冷却水１６を供給しながら半導体ウェハ１３及び接着剤層３のダイシングを行う。ダイシングの後、粘着剤層４に高エネルギー線の照射を行って粘着力を低下させ、基材フィルム５から接着剤層３付きの半導体チップをピックアップする。この後、半導体チップを接着剤層３を介して所定の支持部材に接着することにより、半導体装置が得られる。
　上述のダイシングを行う際、ウェハ加工用テープ１（フィルム積層体１２）には冷却水１６からの圧力がかかる。このため、ウェハ加工用テープ１とウェハリング１４との間の剥離強度が不足していると、ウェハ加工用テープ１がウェハリング１４から剥がれてしまい、ダイシングに支障をきたすおそれがある。
　これに対し、ウェハ加工用テープ１では、図１に示したように、ウェハリング１４への貼付領域Ｐに対応して、平面視において接着剤層３の中心側を向く半円状又は舌片状の切込部１１が基材フィルム５側から剥離基材２に到達する深さで形成されている。この切込部１１の形成により、ウェハリング１４に貼り付けられたウェハ加工用テープ１に剥離力が作用すると、図７に示すように、粘着剤層４及び基材フィルム５において切込部１１よりも外側の部分（外側部分１７ａ，１７ａ）が先に剥離し、切込部１１よりも内側の部分（内側部分１７ｂ）は凸状をなした状態でウェハリング１４に残るようになる。
　剥離力が更に作用すると、外側部分１７ａ，１７ａに引っ張られて内側部分１７ｂが剥離しようとするが、剥離の面積が増加すると共に引っ張りの作用点が内側部分１７ｂよりも奥に位置するため、内側部分１７ｂの剥離にはより大きな剥離力が必要となる。したがって、このウェハ加工用テープ１では、ウェハ加工用テープ１とウェハリング１４との間の剥離強度を向上させることができ、工程中にウェハ加工用テープ１がウェハリング１４から剥離してしまうことを抑制できる。このことは、工程の作業性の向上に寄与し、半導体装置の製造歩留まり向上を実現する。なお、粘着フィルム１７は、紫外線硬化型のフィルムに限られず、感圧型のフィルムであってもよい。感圧型のフィルムではウェハリング１４からの剥がれが生じやすいので、上述した切込部１１の形成が特に有用である。
　また、ウェハ加工用テープ１では、切込部１１の深さは、剥離基材２の厚さａ、切込部の深さをｄとしたときに０＜ｄ／ａ≦０．７を満たし、かつ剥離基材２を貫通しない深さとなっている。これにより、切込部１１の作用を十分に発揮させることが可能となる。また、ウェハ加工用テープ１の使用にあたって剥離基材２を剥離する際に切込部１１が作用しないので、剥離基材２の剥離が容易になる。
［ウェハ加工用テープの作製］
　ウェハ加工用テープ１の作製にあたって、粘着剤層４及び基材フィルム５からなる粘着フィルム１７として、例えば日立化成工業株式会社製ＳＤ－３００４を用意する。また、接着剤層３及び剥離基材２からなる接着フィルム１８として、例えば日立化成工業株式会社製ＨＳ－２７０シリーズを用意する。次に、接着フィルム１８に対し、剥離基材２への切り込み深さが２０μｍ以下となるように調節してφ３２０ｍｍの円形プリカット加工を行い、接着剤層３の不要部分を除去する。この後、粘着剤層４が接着剤層３を向き合わせ、室温、線圧１ｋｇ／ｃｍ、速度０．５ｍ／分の条件で接着フィルム１８と粘着フィルム１７とを貼り付ける。そして、粘着フィルム１７に対し、剥離基材２への切り込み深さが２０μｍ以下となるように調節して接着剤層３と同心円状にφ３９０ｍｍの円形プリカット加工を行い、粘着剤層４及び基材フィルム５の不要部分を除去して土手部６，６を形成する。粘着フィルム１７のプリカットを行った後、粘着フィルム１７の縁部から約５ｍｍ内側となる位置に所定の金型を用いて半円状又は舌片状の切込部１１を環状に配列して形成することにより、ウェハ加工用テープ１が得られる。
［剥離強度の評価］
　上述の製造方法で得られたウェハ加工用テープ１（実施例）に対し、切込部１１を形成しないウェハ加工用テープ（比較例）を別途作製した。そして、実施例のテープから１箇所の切込部１１を含む幅１０ｍｍ、長さ５０ｍｍの矩形の領域を切り取り、剥離基材２を剥がした後、エタノールで洗浄した粘着剤層４及び基材フィルム５を被着体（ＳＵＳ３０４）の表面に室温にてラミネートして第１の試験片を作製した。また、比較例のテープから上述の矩形の領域と同等の領域を切り取り、剥離基材２を剥がした後、エタノールで洗浄した粘着剤層４及び基材フィルム５を被着体（ＳＵＳ３０４）の表面に室温にてラミネートして第２の試験片を作製した。
　そして、第１の試験片及び第２の試験片について、９０°剥離強度測定を行ったところ、第１の試験片では被着体に対する粘着剤層４及び基材フィルム５の剥離強度の最大値が４０Ｎ／ｍであったのに対し、第２の試験片では被着体に対する粘着剤層４及び基材フィルム５の剥離強度の最大値が１０Ｎ／ｍであった。この結果から、貼付領域Ｐへの切込部１１の形成がウェハ加工用テープ１の剥離強度の向上に寄与することが確認された。
［変形例］
　本発明は、上記実施形態に限られるものではない。例えば上述した実施形態では、剥離基材２と、剥離基材２の一面側に設けられた接着剤層３と、接着剤層３を覆うように設けられた粘着剤層４と、粘着剤層４を覆うように設けられた基材フィルム５とによって構成されているが、図８及び図９に示すように、接着剤層３を備えていなくても構わない。すなわち、剥離基材２と、剥離基材２の一面側に設けられた粘着剤層４と、粘着剤層４を覆うように設けられた基材フィルム５と、を備えたダイシングテープ２０であってもよい。
　ダイシング２０の切込部１１は、図８に示すように、平面視において半円状又は舌片状をなしており、粘着剤層４の中心側が凸となるような向きで形成されている。切込部１１の深さは、図９に示すように、ウェハ加工用テープ１の場合と同じように、剥離基材２の厚さａ、剥離基材２における切込部の深さをｄとしたときに０＜ｄ／ａ≦０．７を満たし、かつ剥離基材２を貫通しない深さとなっている。切込部１１の向きは、図８に示すように、粘着剤層４の中心側が凸となっていればよい。
　ダイシングテープ２０は、次のような手順で得ることができる。まず、剥離基材２上に、粘接着層４及び基材フィルム５からなる粘着フィルム１７を積層し、粘着フィルム１７に対し、剥離基材２への切り込みの深さが２０μｍ以下となるように調節して円形プリカットを行い、粘接着層４及び基材フィルム５の不要部分を除去して土手部６，６を形成する。その後、粘着フィルム１７の縁部から約５ｍｍ内側となる位置に所定の金型を用いて半円状又は舌片状の切込部１１を環状に配列して形成することにより、ダイシングテープ２０が得られる。
　また、上述した実施形態では、粘着フィルム１７の円形プリカット加工によって土手部６，６を形成しているが、図１０に示すように、土手部６，６を形成しないウェハ加工用テープ２１であってもよい。
　また、切込部の形状は、平面視において接着剤層３の中心側を向く凸状をなしていればよく、種々の変形を適用可能である。例えば図１１に示すウェハ加工用テープ３１のように矩形の切込部３２を形成してもよく、図１２に示すウェハ加工用テープ４１のように略Ｖ字状の切込部４２を形成してもよい。
　さらに、例えば図１３に示すウェハ加工用テープ５１のように半円状又は舌片状の切込部５２を２重に形成してもよく、図１４に示すウェハ加工用テープ６１のように半円状又は舌片状の切込部６２を２列の環状ラインに沿って千鳥状に形成してもよく、図１５に示すウェハ加工用テープ７１のように粘着剤層４及び基材フィルム５からの位置を切込部７２ごとにランダムにしてもよい。
　また、図１６に示すウェハ加工用テープ８１のように粘着剤層４及び基材フィルム５の縁部の一方側にのみ切込部１１を形成してもよい。こうすると、ウェハ加工用テープ８１を使用する際、切込部１１が形成されている領域側から剥離基材２を簡単に剥がすことができる。なお、このウェハ加工用テープ８１を用いる場合には、ダイシング時の冷却水１６の向きを切込部１１が形成されている領域に向けることが好ましい。
　一方、平面視において接着剤層３の中心側を向く凸状の部分に加え、平面視において接着剤層３の外側を向く凸状の部分を切込部に更に形成してもよい。例えば図１７に示すウェハ加工用テープ９１のように接着剤層３の中心側を向く凸状の部分９２ａと接着剤層３の外側を向く凸状の部分９２ｂとが、接着剤層３の周方向に隣り合うように略Ｎ字状の切込部９２を形成してもよく、同様の概念で、図１８に示すウェハ加工用テープ１０１のように接着剤層３の中心側を向く凸状の部分１０２ａと接着剤層３の外側を向く凸状の部分１０２ｂとによって略Ｓ字状の切込部１０２を形成してもよい。また、図１９に示すウェハ加工用テープ１１１のように接着剤層３の中心側を向く凸状の部分１１２ａと接着剤層３の外側を向く凸状の部分１１２ｂとが、接着剤層３の径方向に隣り合うように略Ｘ字状の切込部１１２を形成してもよい。
　このようなウェハ加工用テープ９１，１０１，１１１では、接着剤層３の中心側を向く凸状の部分９２ａ，１０２ａ，１１２ａにおいて、切込部９２，１０２，１１２の内側部分が凸状をなした状態でウェハリング１４に残るのに対し、接着剤層３の外側を向く凸状の部分９２ｂ，１０２ｂ，１１２ｂにおいて切込部９２，１０２，１１２の内側部分が捲れ、ここからダイシング時の冷却水１６をウェハ加工用テープ９１，１０１，１１１の外部に逃がすことができる。したがって、ウェハ加工用テープ９１，１０１，１１１とウェハリング１４との間の剥離強度を一層確保できる。
　１，２１，３１，４１，５１，６１，７１，８１，９１，１０１，１１１…ウェハ加工用テープ、２…剥離基材、３…接着剤層、４…粘着剤層、５…基材フィルム、１１，３２，４２，５２，６２，７２，９２，１０２，１１２…切込部、９２ａ，１０２ａ，１１２ａ…凸状の部分（内向き）、９２ｂ，１０２ｂ，１１２ｂ…凸状の部分（外向き）、１３…半導体ウェハ、１４…ウェハリング、１５…ダイシングブレード、１６…冷却水、１７…粘着フィルム、１８…接着フィルム、２０…ダイシングテープ、Ｐ…貼付領域。

Claims (12)

  1. 　半導体ウェハの加工時にウェハリングに貼り付けて用いるウェハ加工用テープであって、
    　テープの基部をなす剥離基材と、
    　前記半導体ウェハの平面形状に対応して前記剥離基材の一面側に設けられた接着剤層と、
    　前記接着剤層を覆うように設けられた粘着剤層と、
    　前記粘着剤層を覆うように設けられた基材フィルムと、を備え、
    　前記粘着剤層及び前記基材フィルムは、前記接着剤層よりも外側にはみ出す領域が前記ウェハリングへの貼付領域となっており、
    　前記貼付領域には、平面視において前記接着剤層の中心側を向く凸状の切込部が前記基材フィルム側から前記剥離基材に到達する深さで形成されていることを特徴とするウェハ加工用テープ。
  2. 　前記切込部が前記貼付領域に沿って複数配列されていることを特徴とする請求項１記載のウェハ加工用テープ。
  3. 　前記切込部は、平面視において前記接着剤層の外側を向く凸状の部分を更に有していることを特徴とする請求項１又は２記載のウェハ加工用テープ。
  4. 　前記切込部は、前記剥離基材を貫通していないことを特徴とする請求項１～３のいずれか一項記載のウェハ加工用テープ。
  5. 　前記剥離基材の厚さをａ、前記切込部の深さをｄとしたときに、０＜ｄ／ａ≦０．７を満たすことを特徴とする請求項１～４のいずれか一項記載のウェハ加工用テープ。
  6. 　半導体ウェハのダイシング時にウェハリングに貼り付けて用いるダイシングテープであって、
    　テープの基部をなす剥離基材と、
    　前記剥離基材の一面側に設けられた粘着剤層と、
    　前記粘着剤層を覆うように設けられた基材フィルムと、を備え、
    　平面視において前記粘着剤層及び前記基材フィルムの外縁部が前記ウェハリングへの貼付領域となっており、
    　前記外縁部には、平面視において前記粘着剤層の中心側を向く凸状の切込部が基材フィルム側から剥離基材に到達する深さで形成されていることを特徴とするダイシングテープ。
  7. 　半導体ウェハの加工時にウェハリングに貼り付けて用いるウェハ加工用テープの製造方法であって、
    　テープの基部をなす剥離基材、及び前記半導体ウェハの平面形状に対応して前記剥離基材の一面側に設けられた接着剤層からなる接着フィルムを準備する第１の準備工程と、
    　基材フィルム及び前記基材フィルムの一面側に設けられた粘着剤層からなる粘着フィルムを用意する第２の準備工程と、
    　前記接着剤層と前記粘着剤層とを向き合わせて前記接着フィルムと前記粘着フィルムとを貼り合わせる貼合工程と、
    　前記粘着剤層及び前記基材フィルムにおいて、前記接着剤層よりも外側にはみ出す領域に設定された前記ウェハリングへの貼付領域に、平面視において前記接着剤層の中心側を向く凸状の切込部を前記基材フィルム側から前記剥離基材に到達する深さで形成する切込工程と、を備えたことを特徴とするウェハ加工用テープの製造方法。
  8. 　前記切込工程において、前記切込部を前記貼付領域に沿って複数配列して形成することを特徴とする請求項７記載のウェハ加工用テープの製造方法。
  9. 　前記切込工程において、平面視において前記接着剤層の外側を向く凸状の部分を前記切込部に更に形成することを特徴とする請求項７又は８記載のウェハ加工用テープの製造方法。
  10. 　前記切込工程において、前記剥離基材を貫通しないように前記切込部を形成することを特徴とする請求項７～９のいずれか一項記載のウェハ加工用テープの製造方法。
  11. 　前記切込工程において、前記剥離基材の厚さをａ、前記剥離基材における切込部の深さをｄとしたときに、０＜ｄ／ａ≦０．７を満たすように前記切込部を形成することを特徴とする請求項７～１０のいずれか一項記載のウェハ加工用テープの製造方法。
  12. 　請求項１～６のいずれか一項に記載のウェハ加工用テープを用いた半導体装置の製造方法であって、
    　前記ウェハ加工用テープから前記剥離基材を剥離したフィルム積層体を、前記接着剤層を介して前記半導体ウェハの一面側に固定する工程と、
    　前記フィルム積層体の前記貼付領域において、前記粘着剤層を介して前記ウェハリングを固定する工程と、
    　ダイシングブレードに冷却水を供給しながら前記半導体ウェハをダイシングする工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
PCT/JP2011/073436 2010-10-15 2011-10-12 ウェハ加工用テープ、ウェハ加工用テープの製造方法、及び半導体装置の製造方法 WO2012050134A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020137007897A KR101464903B1 (ko) 2010-10-15 2011-10-12 웨이퍼 가공용 테이프, 웨이퍼 가공용 테이프의 제조 방법, 및 반도체 장치의 제조 방법
US13/878,985 US9076833B2 (en) 2010-10-15 2011-10-12 Tape for processing wafer, method for manufacturing tape for processing wafer, and method for manufacturing semiconductor device
JP2012538698A JP5590136B2 (ja) 2010-10-15 2011-10-12 ウェハ加工用テープ、ウェハ加工用テープの製造方法、及び半導体装置の製造方法
CN201180048659.9A CN103155109B (zh) 2010-10-15 2011-10-12 晶圆加工用胶带、晶圆加工用胶带的制造方法以及半导体装置的制造方法
US14/740,477 US9190309B2 (en) 2010-10-15 2015-06-16 Tape for processing wafer, method for manufacturing tape for processing

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010232726 2010-10-15
JP2010-232726 2010-10-15
US201161446987P 2011-02-25 2011-02-25
US61/446,987 2011-02-25

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US13/878,985 A-371-Of-International US9076833B2 (en) 2010-10-15 2011-10-12 Tape for processing wafer, method for manufacturing tape for processing wafer, and method for manufacturing semiconductor device
US14/740,477 Division US9190309B2 (en) 2010-10-15 2015-06-16 Tape for processing wafer, method for manufacturing tape for processing

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012050134A1 true WO2012050134A1 (ja) 2012-04-19

Family

ID=45934511

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/073436 WO2012050134A1 (ja) 2010-10-15 2011-10-12 ウェハ加工用テープ、ウェハ加工用テープの製造方法、及び半導体装置の製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (3) US9076833B2 (ja)
JP (1) JP5590136B2 (ja)
KR (1) KR101464903B1 (ja)
CN (2) CN202415430U (ja)
TW (1) TWI524406B (ja)
WO (1) WO2012050134A1 (ja)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5158906B1 (ja) * 2012-04-02 2013-03-06 古河電気工業株式会社 接着シート
JP5158907B1 (ja) * 2012-04-02 2013-03-06 古河電気工業株式会社 接着シート
JP5158908B1 (ja) * 2012-04-02 2013-03-06 古河電気工業株式会社 接着シート
JP2013125925A (ja) * 2011-12-16 2013-06-24 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ、ウエハ加工用テープの製造方法および回転打抜き刃
JP2013125924A (ja) * 2011-12-16 2013-06-24 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープおよびその製造方法
JP2015034200A (ja) * 2013-08-07 2015-02-19 リンテック株式会社 接着シート及び接着シート貼付方法
JP2019151745A (ja) * 2018-03-02 2019-09-12 日東電工株式会社 剥離材付き接着シートの巻回体

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
USD804435S1 (en) * 2010-10-15 2017-12-05 Hitachi Chemical Company, Ltd. Flap in an adhesive tape for semiconductor manufacturing
KR20160137506A (ko) * 2014-03-26 2016-11-30 린텍 가부시키가이샤 수지막 형성용 시트 적층체
JP6549902B2 (ja) * 2015-05-27 2019-07-24 日東電工株式会社 ダイシングダイボンドフィルム、半導体装置の製造方法および半導体装置
JP6783552B2 (ja) * 2016-05-20 2020-11-11 デクセリアルズ株式会社 接着テープ構造体
US11791238B2 (en) 2021-06-23 2023-10-17 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor package with releasable isolation layer protection

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005350520A (ja) * 2004-06-08 2005-12-22 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート及びその製造方法、並びに、半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2006111727A (ja) * 2004-10-14 2006-04-27 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート及びその製造方法、並びに、半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2007242726A (ja) * 2006-03-06 2007-09-20 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング装置
JP2008153587A (ja) * 2006-12-20 2008-07-03 Furukawa Electric Co Ltd:The ウェハ加工用テープ
JP2009218397A (ja) * 2008-03-11 2009-09-24 Towa Corp 基板の切断方法及び装置
JP2010192856A (ja) * 2009-02-20 2010-09-02 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用フィルム

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003218191A (ja) 2002-01-18 2003-07-31 Fujitsu Ltd 保護テープ及びその剥離方法
JP4360653B2 (ja) 2007-09-14 2009-11-11 古河電気工業株式会社 ウエハ加工用テープ

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005350520A (ja) * 2004-06-08 2005-12-22 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート及びその製造方法、並びに、半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2006111727A (ja) * 2004-10-14 2006-04-27 Hitachi Chem Co Ltd 接着シート及びその製造方法、並びに、半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2007242726A (ja) * 2006-03-06 2007-09-20 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング装置
JP2008153587A (ja) * 2006-12-20 2008-07-03 Furukawa Electric Co Ltd:The ウェハ加工用テープ
JP2009218397A (ja) * 2008-03-11 2009-09-24 Towa Corp 基板の切断方法及び装置
JP2010192856A (ja) * 2009-02-20 2010-09-02 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用フィルム

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013125925A (ja) * 2011-12-16 2013-06-24 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープ、ウエハ加工用テープの製造方法および回転打抜き刃
JP2013125924A (ja) * 2011-12-16 2013-06-24 Furukawa Electric Co Ltd:The ウエハ加工用テープおよびその製造方法
JP5158906B1 (ja) * 2012-04-02 2013-03-06 古河電気工業株式会社 接着シート
JP5158907B1 (ja) * 2012-04-02 2013-03-06 古河電気工業株式会社 接着シート
JP5158908B1 (ja) * 2012-04-02 2013-03-06 古河電気工業株式会社 接着シート
WO2013150963A1 (ja) * 2012-04-02 2013-10-10 古河電気工業株式会社 接着シート
WO2013150961A1 (ja) * 2012-04-02 2013-10-10 古河電気工業株式会社 接着シート
WO2013150962A1 (ja) * 2012-04-02 2013-10-10 古河電気工業株式会社 接着シート
US9523023B2 (en) 2012-04-02 2016-12-20 Furukawa Electric Co., Ltd. Adhesive sheet
US9631123B2 (en) 2012-04-02 2017-04-25 Furukawa Electric Co., Ltd. Adhesive sheet
JP2015034200A (ja) * 2013-08-07 2015-02-19 リンテック株式会社 接着シート及び接着シート貼付方法
JP2019151745A (ja) * 2018-03-02 2019-09-12 日東電工株式会社 剥離材付き接着シートの巻回体

Also Published As

Publication number Publication date
JP5590136B2 (ja) 2014-09-17
CN103155109B (zh) 2017-08-11
CN103155109A (zh) 2013-06-12
US9076832B2 (en) 2015-07-07
US9190309B2 (en) 2015-11-17
KR101464903B1 (ko) 2014-11-24
JPWO2012050134A1 (ja) 2014-02-24
KR20130050376A (ko) 2013-05-15
TW201232650A (en) 2012-08-01
US20150279717A1 (en) 2015-10-01
US9076833B2 (en) 2015-07-07
CN202415430U (zh) 2012-09-05
US20120094471A1 (en) 2012-04-19
US20130273718A1 (en) 2013-10-17
TWI524406B (zh) 2016-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5590136B2 (ja) ウェハ加工用テープ、ウェハ加工用テープの製造方法、及び半導体装置の製造方法
JP5979207B2 (ja) 半導体チップの製造方法及び半導体ウェハの切断方法
JP6091750B2 (ja) 接着シートの製造方法
JP2005162818A (ja) ダイシングダイボンドシート
TWI697374B (zh) 半導體裝置的製造方法
JP4505798B2 (ja) 粘接着シート
JP5598866B2 (ja) ウエハ加工用テープ、ウエハ加工用テープの製造方法および打抜き刃
JP5473283B2 (ja) 半導体加工用粘着シートおよび半導体加工用テープ
JP2012253286A (ja) ウェハ加工用テープ、ウェハ加工用テープの製造方法、及び半導体装置の製造方法
JP2017139409A (ja) ダイボンドダイシングシート
JP2005116790A (ja) 半導体素子製造用工程フィルム、及びダイシング・ダイボンド一体型テープ
JP2013162012A (ja) ウェハ加工用テープ、及びウェハ加工用テープの製造方法
JP2011198797A (ja) ダイボンドダイシングシート及び半導体チップの製造方法
JP2014022513A (ja) ウェハ加工用テープ
JP2016194013A (ja) 接着シートロール及び半導体装置
JP5634555B2 (ja) 燒結フェライトシート積層体
JP2012166277A (ja) 接着シートの切り込み量評価方法

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 201180048659.9

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11832568

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2012538698

Country of ref document: JP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20137007897

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13878985

Country of ref document: US

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11832568

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1