WO2012017857A1 - 電子回路チップ、及び電子回路チップの製造方法 - Google Patents
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Definitions
- the present invention relates to an electronic circuit chip including an internal circuit including an inductor, and a method for manufacturing the electronic circuit chip.
- a wiring board having solenoid coil-like wiring in the board there is a wiring board having solenoid coil-like wiring in the board.
- a wiring functioning as an inductor is formed by laminating a layer having wiring extending in parallel to the main surface of the substrate and a layer having wiring extending in a direction perpendicular to the main surface of the substrate (described below).
- Patent Document 1 a wiring functioning as an inductor is formed by laminating a layer having wiring extending in parallel to the main surface of the substrate and a layer having wiring extending in a direction perpendicular to the main surface of the substrate.
- the connecting portion has a wiring shape that is discontinuously bent. Since current concentrates on the bent portion, transmission loss of high-frequency signals or the like is likely to occur. Therefore, there is a problem that the generation efficiency of the magnetic field when current is applied to the solenoid coil is poor. Further, when the substrate is deformed, stress concentrates on the bent portion, so that peeling is likely to occur between the wiring and the substrate.
- the present invention has been made in view of the above circumstances, an electronic circuit chip provided with an inductor having excellent mechanical strength, which can reduce circuit bonding failure and peeling failure, and transmission loss of high-frequency signals and the like, and An object is to provide a method for manufacturing the electronic circuit chip.
- An electronic circuit chip includes a base made of glass or a semiconductor; and is disposed inside the base, and the first end and the second end are respectively on a specific surface of the base A circuit including an exposed and spiral inductor.
- external electrode terminals may be provided at the first end and the second end.
- the inductor may be a virtual cylinder, elliptic cylinder, or a spiral shape along an annulus.
- the inductor may be configured by a continuous curve.
- a core made of a magnetic material may be provided in a space surrounded by the inductor.
- the first end and the second end may be provided on the same surface of the base.
- the base includes a first surface and a second surface positioned on the opposite side of the first surface, and the first surface An end portion may be provided on the first surface, and a configuration in which the second end portion is provided on the second surface may be employed.
- a laser beam is irradiated to the inside of a substrate made of glass or semiconductor, and the focal point where the laser beam is condensed is scanned to form a spiral shape.
- Forming a modified portion step A; etching the substrate on which the modified portion is formed, and removing the modified portion to form spiral micropores (step B); The fine holes are filled with a conductor or formed into a film (step C).
- step A when the modified portion is formed (step A), the modified portion may be formed in a region where the core is formed.
- a circuit including an inductor is formed by filling or forming a conductor in a fine hole disposed in a single-layer substrate made of glass or semiconductor. Yes. For this reason, even when mechanical stress is applied to the substrate, the substrate is not disassembled (delamination that occurs in the multilayer substrate does not occur), and disconnection of the circuit including the inductor hardly occurs. That is, the electronic circuit chip according to the first aspect of the present invention is excellent in structural strength. Furthermore, since the base is made of glass or semiconductor, the heat resistance is remarkably superior to that of a base made of resin or the like.
- the inductor when the inductor is formed in a spiral shape along a column, an elliptical column, or an annulus that is virtually installed in the core portion, and is configured by a continuous curve, the wiring ( Circuits) can be reduced by disconnection due to poor bonding or peeling. Furthermore, since the inductor does not have a bent portion having an acute angle, transmission loss can be reduced. As a result, the inductor is excellent in magnetic field generation efficiency.
- the modified portion for forming the circuit can be freely formed by irradiating the substrate (substrate) with laser. Therefore, an inductor having a continuous continuous curve can be formed.
- FIG. 1 is a perspective view showing an electronic circuit chip 1A (1) of the electronic circuit chip wiring board according to the first embodiment of the present invention.
- the electronic circuit chip 1A (1) is an electronic circuit chip including a base 2 and a circuit 10 disposed inside the base 2, and one end (first end) 6 of the circuit 10 and The other end portion (second end portion) 7 is exposed to the specific surface (first surface 2a) of the base body 2, respectively.
- the circuit 10 includes a spiral inductor 9.
- the base 2 is made of glass or semiconductor.
- the substrate 2 is a single layer substrate made of glass such as quartz glass or a semiconductor such as silicon.
- the “single-layer substrate” represents a substrate that is distinguished from a substrate having a multilayer structure in which a plurality of substrates are bonded together.
- the base body 2 is made of glass or a semiconductor, when mounted on a semiconductor device, the difference between these linear expansion coefficients is small. For this reason, when connecting electronic circuit chip 1A (1) and a semiconductor device using solder etc., position shift does not arise but connection with high accuracy is attained.
- an insulating glass is particularly preferable.
- the conductor 4 can be filled or formed without forming an insulating layer on the inner wall surface of the fine hole 3 formed in the substrate.
- the circuit 10 has an advantage that there is no hindrance to high-speed transmission due to the presence of stray capacitance components.
- the thickness of the substrate 2 can be set as appropriate, and can be set, for example, in the range of about 150 ⁇ m to 1 mm.
- the circuit 10 is formed by forming or filling a conductor 4 in the fine hole 3 formed inside the base 2.
- a conductor 4 for example, a metal such as Cu (copper), Ag (silver), Au (gold), and Al (aluminum) or an alloy such as gold tin (Au—Sn) is used.
- a method for depositing or filling the conductor 4 in the fine holes 3 a molten metal filling method, a plating method, a film formation method using a supercritical fluid, or the like is appropriately used.
- the conductor 4 can be filled in the fine holes 3 without a gap by a molten metal filling method or a plating method.
- FIG. 9 the conductor 4 can be filled in the fine holes 3 without a gap by a molten metal filling method or a plating method.
- the thin film-like conductor 4 can be formed along the inner wall of the fine hole 3 by a plating method or a film forming method using a supercritical fluid.
- the conductor 4 is a material that can be filled or formed into the fine holes 3, a conductive substance that is difficult to become a wire due to poor malleability (ductility) can be used.
- the inductor 9 has a smooth spiral shape such as a virtual cylinder (cylinder), an elliptical cylinder, or a torus.
- the shape of the smooth spiral inductor wound around the ring means a coil shape in a so-called toroidal coil.
- the conductor 4 constituting the inductor 9 has a smooth spiral shape wound around a virtual cylinder (cylinder).
- the conductor 4 constituting the inductor 9 has a smooth spiral shape wound around a virtual elliptic cylinder.
- the conductor 4 constituting the inductor 9 has a smooth spiral shape wound around a virtual ring.
- the inductor 9 By making the inductor 9 have a smooth spiral shape as described above, a transmission loss such as a high frequency can be reduced, and a magnetic field can be generated efficiently. Moreover, it is preferable that the inductor 9 is comprised by the continuous curve without a joint (joint). In this case, compared with the case where the inductor is configured by a discontinuous curve (a curve having a straight line in part) in which a plurality of wirings are connected, high-frequency transmission loss is reduced and a joint is generated. Bonding failure and peeling failure are prevented.
- the shape of the circuit 10 and the shape of the inductor 9 are not particularly limited, and can be formed in a desired shape according to the use and the shape of the substrate.
- the shape of the circuit 15 in the electronic circuit chip 1B (1) according to the second embodiment of the present invention shown in FIG. 5 may be used.
- An external electrode terminal 8 is preferably provided at one end 6 and the other end 7 of the circuit 10. Thereby, it becomes easy to electrically join the electronic circuit chip 1A (1) to a mounting substrate (not shown) or to electrically join the electronic circuit chip 1A (1) and another electronic circuit chip. .
- the material of the external electrode terminal 8 is not particularly limited as long as it is made of a conductive material, and a metal plate (metal film) made of aluminum or copper, a solder bump, or the like can be applied.
- One end 6 and the other end 7 of the circuit 10 are exposed on a specific surface of the base 2. One end 6 and the other end 7 are exposed on the same surface, and the electronic circuit chip 1A (1) including the circuit 10 can be mounted on a flat surface such as a printed circuit board.
- both one end 6, 16 and the other end 7, 17 are exposed on one surface 2 a of the base 2, but both ends are necessarily exposed on the same surface. It does not have to be.
- one end (first end) 26 of the circuit 30 is one surface (first surface) 22 a of the base 22.
- the other end (second end) 27 of the circuit 30 may be exposed to the other surface (second surface) 22b of the base body 22.
- the one surface 22a and the other surface 22b are two surfaces located on opposite sides of the base body 22.
- FIG. 6 is an example of a composite electronic circuit chip provided with the first electronic circuit chip 1 ⁇ / b> A (1) stacked on the second electronic circuit chip 21.
- the external electrode terminal 28 provided at the other end 27 of the circuit 30 in the second electronic circuit chip 21 and the external electrode terminal 8 provided at one end 6 of the circuit 10 in the first electronic circuit chip 1. Are electrically connected.
- the electrode terminal 8 is electrically joined.
- an inductor 29 is formed in the circuit 30 of the second electronic circuit chip 21.
- the inductor 29 is the same as the inductor 9 formed in the circuit 10 of the first electronic circuit chip 1.
- the inductor 29 in the second electronic circuit chip 21 and the inductor 9 of the first electronic circuit chip 1 are arranged in series and function in conjunction with each other. That is, since the magnetic fields generated by both inductors affect each other and function in conjunction with each other, they can be regarded as a single inductor.
- the inductors 9, 19, and 29 formed on the electronic circuit chips 1A, 1B, and 21 illustrated in FIGS. 1, 5, and 6 are all depicted as air-core inductors. However, these inductors can also be core inductors.
- a core inductor can be obtained by arranging a magnetic material such as ferrite in a cavity provided in a region to be a core in the base.
- the electronic circuit chip 1 ⁇ / b> C (1) includes a core 14 made of a magnetic material at the core of the inductor 19.
- the material of the magnetic body is not particularly limited as long as it is a material usually used for the core coil, and examples thereof include iron oxide, Mn, Co, Ni, Cu, and Zn.
- Examples of the shape of the core 14 include a rod shape, an E shape, and a drum shape. Of these, a rod shape is preferable from the viewpoint of easy production.
- FIGS. 8A to 8G are front views of the base 2 for manufacturing the electronic circuit chip 1A (1).
- the base 2 made of glass or semiconductor is irradiated with laser light 11 to form a modified portion 12 in which the glass or semiconductor is modified in the base 2.
- the reformer 12 is formed in a region where the circuit 10 is disposed.
- the material of the base 2 is preferably a glass substrate or a semiconductor substrate such as silicon.
- a manufacturing method when these substrates are used for example, a plurality of modified portions 12 are formed on a 300 mm diameter glass substrate or semiconductor substrate to obtain a glass substrate or semiconductor substrate including a plurality of circuits 10. Thereafter, a method of cutting and manufacturing individual electronic circuit chips from the substrate by dicing or the like is preferable from the viewpoint of manufacturing efficiency.
- the laser beam 11 is irradiated from the other surface (second surface) 2 b side of the substrate 2 to form a focal point S in the substrate 2.
- the material of the base 2 is modified.
- the focal point S is sequentially scanned from the position that becomes one end portion 6 of the circuit 10 to the region that becomes the inductor 9 to form the modified portion 12 (FIGS. 8A and 8B).
- the focal point S is scanned from the position that becomes the other end 7 of the circuit 10 toward the other surface 2 b of the base 2.
- the focal point S is scanned in parallel with the other surface 2b of the base 2 to form the modified portion 12 that is smoothly connected to the previously formed modified portion 12 so that there is no seam (FIGS. 8C and 8C). 8D).
- the reforming portion 12 is formed in the entire region that becomes the circuit 10.
- the modified portion 12 having a diameter of several ⁇ m to several tens of ⁇ m can be formed. Further, the modified portion 12 having a desired shape can be formed by controlling the position where the focal point S of the laser beam 11 is connected inside the substrate 2.
- the laser beam 11 is irradiated from the other surface 2b side of the base 2 is shown, but irradiation may be performed from a different surface.
- the laser transmittance of the modified part is different from the laser transmittance of the unmodified part, so the focal position of the laser beam that has passed through the modified part should be controlled. Is usually difficult. Therefore, it is desirable to form the modified portion first in the region located behind as viewed from the surface on the laser irradiation side.
- the modified portion 12 is removed from the substrate 2 by immersing the substrate 2 on which the modified portion 12 is formed in an etching solution (chemical solution) and performing wet etching. As a result, the micropore 3 is formed in the region where the modified portion 12 exists (FIG. 8E).
- etching solution chemical solution
- HF hydrofluoric acid
- the etching solution is not particularly limited, and for example, a solution containing hydrofluoric acid (HF) as a main component, or a hydrofluoric acid-based mixed acid obtained by adding an appropriate amount of nitric acid or the like to hydrofluoric acid can be used. Also, other chemicals can be used depending on the material of the substrate 2.
- HF hydrofluoric acid
- other chemicals can be used depending on the material of the substrate 2.
- the fine holes 3 are filled or formed with a conductor (conductive substance) 4 to form a circuit 10.
- the conductor 4 include gold tin (Au—Sn) and copper (Cu).
- Au—Sn gold tin
- Cu copper
- a molten metal filling method, a plating method, or the like can be used as appropriate.
- the conductor 4 can be filled in the fine holes 3 without a gap by a molten metal filling method or a plating method.
- the thin film-like conductor 4 can be formed along the inner wall of the fine hole 3 by a plating method or a film forming method using a supercritical fluid.
- an external electrode terminal 8 may be formed on one end 6 and the other end 7 as desired.
- a method for forming the external electrode terminal 8 a plating method, a sputtering method, or the like can be appropriately used.
- the through-hole including the core 14 can be formed in a desired shape, such as a shape obtained by cutting a part of a cylinder, an ellipse, or a ring.
- Other methods for forming the through hole in the substrate 2 include a method using a micro drill, a method in which a resist mask is provided on the surface of the substrate 2 and etching.
- methods for introducing a magnetic substance into the through-hole formed in the substrate 2 include a method of fitting a rod-like magnetic substance, a method of forming or filling a magnetic substance by sputtering or plating, and a resin paste containing the magnetic substance. And the like by a printing method.
- the circuit 10 may be formed first, or the core 14 may be formed first.
- the electronic circuit chip 1 and the method for manufacturing the electronic circuit chip 1 of the present invention can be widely used for manufacturing ICs and electronic components.
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Abstract
この電子回路チップは、ガラス又は半導体からなる基体と;前記基体の内部に配され、第1端部と第2端部がそれぞれ前記基体の特定面に露呈され、螺旋状のインダクタを含む回路と;を備える。
Description
本発明は、インダクタを含む内部回路を備えた電子回路チップ、及び電子回路チップの製造方法に関する。
本願は、2010年8月5日に、日本に出願された特願2010-176472号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
本願は、2010年8月5日に、日本に出願された特願2010-176472号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
従来、ソレノイドコイル状の配線を基板内に有する配線基板がある。この配線基板では、基板主面に対して平行に延びる配線を有する層と、基板主面に対して垂直方向に延びる配線を有する層とを積層することでインダクタとして機能する配線を形成する(下記特許文献1参照)。
このように複数の層を積層する複合基板である場合、層と層の間において接合不良や剥れ不良が生じ易い。また、直線状の配線を組み合わせて接続するため、接続部は不連続に屈曲した配線形状となる。前記屈曲部には電流が集中するので、高周波信号等の伝送損失が生じ易い。ゆえに、ソレノイドコイルに電流印加したときの磁界の発生効率が悪いという問題がある。また、基板が変形した場合、前記屈曲部に応力集中するので、配線と基板との間で剥離が生じやすい。
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、回路の接合不良および剥れ不良、並びに高周波信号等の伝送損失を低減でき、機械的強度に優れたインダクタを備えた電子回路チップ、及びこの電子回路チップの製造方法の提供を課題とする。
(1)本発明の第一の態様に係る電子回路チップは、ガラス又は半導体からなる基体と;前記基体の内部に配され、第1端部と第2端部がそれぞれ前記基体の特定面に露呈され、螺旋状のインダクタを含む回路と;を備える。
(2)上記(1)に記載の電子回路チップでは、前記第1端部及び前記第2端部に、外部電極端子が設けられていてもよい。
(3)上記(1)または(2)に記載の電子回路チップでは、前記インダクタは、仮想の、円柱、楕円柱、又は円環に沿うような螺旋状であってもよい。
(4)上記(1)~(3)のいずれかに記載の電子回路チップでは、前記インダクタが、連続的な曲線によって構成されていてもよい。
(5)上記(1)~(4)のいずれかに記載の電子回路チップでは、前記インダクタによって囲まれた空間に、磁性体からなるコアが備えられていてもよい。
(6)上記(1)~(5)のいずれかに記載の電子回路チップでは、前記第1端部と前記第2端部とが、前記基体の同一面に設けられていてもよい。
(7)上記(1)~(5)のいずれかに記載の電子回路チップは、前記基体が、第1面と前記第1面の反対側に位置する第2面とを備え、前記第1端部が、前記第1面に設けられ、前記第2端部が、前記第2面に設けられている構成を採用してもよい。
(8)本発明の第二の態様に係る電子回路チップの製造方法は、ガラス又は半導体からなる基体の内部にレーザー光を照射し、前記レーザー光が集光した焦点を走査して螺旋状の改質部を形成し(工程A);前記改質部が形成された前記基体に対してエッチング処理を行い、前記改質部を除去して螺旋状の微細孔を形成し(工程B);前記微細孔に導体を充填又は成膜する(工程C)。
(9)上記(8)に記載の電子回路チップの製造方法では、前記改質部を形成する際(工程A)に、コアが形成される領域に改質部を形成してもよい。
(2)上記(1)に記載の電子回路チップでは、前記第1端部及び前記第2端部に、外部電極端子が設けられていてもよい。
(3)上記(1)または(2)に記載の電子回路チップでは、前記インダクタは、仮想の、円柱、楕円柱、又は円環に沿うような螺旋状であってもよい。
(4)上記(1)~(3)のいずれかに記載の電子回路チップでは、前記インダクタが、連続的な曲線によって構成されていてもよい。
(5)上記(1)~(4)のいずれかに記載の電子回路チップでは、前記インダクタによって囲まれた空間に、磁性体からなるコアが備えられていてもよい。
(6)上記(1)~(5)のいずれかに記載の電子回路チップでは、前記第1端部と前記第2端部とが、前記基体の同一面に設けられていてもよい。
(7)上記(1)~(5)のいずれかに記載の電子回路チップは、前記基体が、第1面と前記第1面の反対側に位置する第2面とを備え、前記第1端部が、前記第1面に設けられ、前記第2端部が、前記第2面に設けられている構成を採用してもよい。
(8)本発明の第二の態様に係る電子回路チップの製造方法は、ガラス又は半導体からなる基体の内部にレーザー光を照射し、前記レーザー光が集光した焦点を走査して螺旋状の改質部を形成し(工程A);前記改質部が形成された前記基体に対してエッチング処理を行い、前記改質部を除去して螺旋状の微細孔を形成し(工程B);前記微細孔に導体を充填又は成膜する(工程C)。
(9)上記(8)に記載の電子回路チップの製造方法では、前記改質部を形成する際(工程A)に、コアが形成される領域に改質部を形成してもよい。
上記本発明の第一の態様に係る電子回路チップによれば、ガラス又は半導体からなる単一層の基体に配された微細孔に導体を充填又は成膜することによってインダクタを含む回路を形成している。このため、基体に機械的な応力が加わった場合にも、基体が解体することはなく(多層からなる基体に生じる層間剥離が起きず)、インダクタを含む回路の断線が起きにくい。つまり、上記本発明の第一の態様に係る電子回路チップは、構造的強度に優れる。さらに、基体がガラス又は半導体からなるため、樹脂等からなる基体に比べて、耐熱性が格段に優れる。
また、前記インダクタは、その芯部に、仮想的に設置された円柱、楕円柱、又は円環に沿うような螺旋状で、連続的な曲線によって構成されている場合、インダクタを構成する配線(回路)同士の接合不良や剥離不良による断線を低減できる。さらに、鋭角をなす屈曲部がインダクタに無いため、伝送損失を低減できる。その結果、前記インダクタは、磁界発生効率に優れる。
また、前記インダクタは、その芯部に、仮想的に設置された円柱、楕円柱、又は円環に沿うような螺旋状で、連続的な曲線によって構成されている場合、インダクタを構成する配線(回路)同士の接合不良や剥離不良による断線を低減できる。さらに、鋭角をなす屈曲部がインダクタに無いため、伝送損失を低減できる。その結果、前記インダクタは、磁界発生効率に優れる。
上記本発明の第二の態様に係る電子回路チップの製造方法によれば、基板(基体)にレーザー照射することによって、回路を形成する改質部を自在に形成することができる。そのため、継ぎ目の無い連続的な曲線を有するインダクタを形成することができる。
以下、本発明の好適な実施の形態を、図面を参照して説明する。
<電子回路チップ>
図1は、本発明の第一実施形態にかかる電子回路チップ配線基板の電子回路チップ1A(1)を示す斜視図である。
この電子回路チップ1A(1)は、基体2とこの基体2の内部に配された回路10とを備えた電子回路チップであって、回路10の一方の端部(第1端部)6と他方の端部(第2端部)7はそれぞれ、基体2の特定面(第1面2a)に露呈される。回路10は、螺旋状のインダクタ9を含む。基体2は、ガラス又は半導体からなる。
<電子回路チップ>
図1は、本発明の第一実施形態にかかる電子回路チップ配線基板の電子回路チップ1A(1)を示す斜視図である。
この電子回路チップ1A(1)は、基体2とこの基体2の内部に配された回路10とを備えた電子回路チップであって、回路10の一方の端部(第1端部)6と他方の端部(第2端部)7はそれぞれ、基体2の特定面(第1面2a)に露呈される。回路10は、螺旋状のインダクタ9を含む。基体2は、ガラス又は半導体からなる。
基体2は、石英ガラス等のガラス又はシリコン等の半導体からなる単一層の基体である。ここで、「単一層の基体」とは、複数の基板を張り合わせた多層構造の基体とは区別される基体を表す。
基体2は、ガラス又は半導体からなるため、半導体デバイスに実装される場合、これらの線膨張係数差は小さい。このため、電子回路チップ1A(1)と半導体デバイスとを、半田等を用いて接続する際に、位置ズレが生じず、精度の高い接続が可能となる。
基体2の材料としては、特に、絶縁性を有するガラスが好ましい。この場合、基体内部に形成される微細孔3の内壁面に絶縁層を形成せずに、導体4を充填又は成膜することができる。さらに、回路10において、浮遊容量成分の存在等による高速伝送の阻害要因がない等の利点がある。
基体2の厚さは、適宜設定することができ、例えば約150μm~1mmの範囲に設定することができる。
基体2の材料としては、特に、絶縁性を有するガラスが好ましい。この場合、基体内部に形成される微細孔3の内壁面に絶縁層を形成せずに、導体4を充填又は成膜することができる。さらに、回路10において、浮遊容量成分の存在等による高速伝送の阻害要因がない等の利点がある。
基体2の厚さは、適宜設定することができ、例えば約150μm~1mmの範囲に設定することができる。
回路10は、基体2内部に形成された微細孔3に、導体4が成膜又は充填されて形成される。
導体4としては、例えばCu(銅)、Ag(銀)、Au(金)、及びAl(アルミ)等の金属や金錫(Au-Sn)等の合金が用いられる。微細孔3に導体4を成膜又は充填する方法としては、溶融金属充填法、めっき法、超臨界流体を利用した成膜法等が適宜用いられる。図9に示すように、溶融金属充填法やめっき法であれば、微細孔3の内部に、隙間なく導体4を充填することができる。一方、図10に示すように、めっき法や超臨界流体を利用した成膜法であれば、薄膜状の導体4を微細孔3の内壁に沿って形成することができる。
また、導体4として、微細孔3に充填又は成膜することができる材料であれば、展性(延性)に乏しいために線材になり難い導電性物質を使用することもできる。
導体4としては、例えばCu(銅)、Ag(銀)、Au(金)、及びAl(アルミ)等の金属や金錫(Au-Sn)等の合金が用いられる。微細孔3に導体4を成膜又は充填する方法としては、溶融金属充填法、めっき法、超臨界流体を利用した成膜法等が適宜用いられる。図9に示すように、溶融金属充填法やめっき法であれば、微細孔3の内部に、隙間なく導体4を充填することができる。一方、図10に示すように、めっき法や超臨界流体を利用した成膜法であれば、薄膜状の導体4を微細孔3の内壁に沿って形成することができる。
また、導体4として、微細孔3に充填又は成膜することができる材料であれば、展性(延性)に乏しいために線材になり難い導電性物質を使用することもできる。
インダクタ9は、仮想の、円柱(円筒)、楕円柱、又は円環(トーラス)に巻きつけたような滑らかな螺旋状であることが好ましい。ここで、前記円環に巻きつけたような滑らかな螺旋状のインダクタの形状とは、いわゆるトロイダルコイルにおけるコイル形状を意味する。
図2に示す電子回路チップ1A-1(1)において、インダクタ9を構成する導体4は、仮想の円柱(円筒)に巻きつけたような滑らかな螺旋状をなしている。
図3に示す電子回路チップ1A-2(1)において、インダクタ9を構成する導体4は、仮想の楕円柱に巻きつけたような滑らかな螺旋状をなしている。
図4に示す電子回路チップ1A-3(1)において、インダクタ9を構成する導体4は、仮想の円環に巻きつけたような滑らかな螺旋状をなしている。
図3に示す電子回路チップ1A-2(1)において、インダクタ9を構成する導体4は、仮想の楕円柱に巻きつけたような滑らかな螺旋状をなしている。
図4に示す電子回路チップ1A-3(1)において、インダクタ9を構成する導体4は、仮想の円環に巻きつけたような滑らかな螺旋状をなしている。
インダクタ9を、上記のような滑らかな螺旋状とすることによって、高周波等の伝送損失を低減して、効率よく磁界を発生させることができる。
また、インダクタ9は、継ぎ目(繋ぎ目)の無い、連続的な曲線によって構成されることが好ましい。この場合、インダクタが、複数の配線を繋ぎ合わせた不連続な曲線(一部に直線を有するような曲線)から構成される場合と比べて、高周波の伝送損失が低減され、且つ、継ぎ目に生じる接合不良や剥離不良が防止される。
また、インダクタ9は、継ぎ目(繋ぎ目)の無い、連続的な曲線によって構成されることが好ましい。この場合、インダクタが、複数の配線を繋ぎ合わせた不連続な曲線(一部に直線を有するような曲線)から構成される場合と比べて、高周波の伝送損失が低減され、且つ、継ぎ目に生じる接合不良や剥離不良が防止される。
回路10の形状やインダクタ9の形状(巻き数や螺旋径の大きさ)は特に制限されず、用途や基体の形状に合わせて所望の形状に形成される。例えば、図5に示す本発明の第二実施形態に係る電子回路チップ1B(1)における回路15のような形状であってもよい。
回路10の一方の端部6および他方の端部7には、外部電極端子8が設けられていることが好ましい。これにより、電子回路チップ1A(1)を実装基板(不図示)に電気的に接合したり、電子回路チップ1A(1)と他の電子回路チップとを電気的に接合することが容易になる。
外部電極端子8の材質は、導電性材料からなる材質であれば特に制限されず、アルミニウム、銅からなる金属板(金属膜)やはんだバンプ等が適用できる。
外部電極端子8の材質は、導電性材料からなる材質であれば特に制限されず、アルミニウム、銅からなる金属板(金属膜)やはんだバンプ等が適用できる。
回路10の一方の端部6および他方の端部7は、基体2の特定面に露呈している。一方の端部6および他方の端部7が、同一面に露呈されており、回路10を備える電子回路チップ1A(1)を、プリント回路基板等の平坦な面上に装着することができる。
図1及び図5では、一方の端部6,16および他方の端部7,17の両方が基体2の一の面2aに露呈されているが、必ずしも両方の端部が同一面に露呈されていなくてもよい。
例えば、図6に示す第二の電子回路チップ21(第三実施形態)のように、回路30の一方の端部(第1端部)26は基体22の一の面(第1面)22aに露呈し、回路30の他方の端部(第2端部)27は基体22の他の面(第2面)22bに露呈していてもよい。一の面22aと他の面22bとは、基体22の互いに反対側に位置する二つの面である。
例えば、図6に示す第二の電子回路チップ21(第三実施形態)のように、回路30の一方の端部(第1端部)26は基体22の一の面(第1面)22aに露呈し、回路30の他方の端部(第2端部)27は基体22の他の面(第2面)22bに露呈していてもよい。一の面22aと他の面22bとは、基体22の互いに反対側に位置する二つの面である。
このように、一方の端部26と他方の端部27とが基体22の反対側に位置する二つの面にそれぞれ設けられることによって、第二の電子回路チップ21の上に、別の電子デバイスを積み重ねて電気的に接続することが可能となる。
図6は、第二の電子回路チップ21の上に第一の電子回路チップ1A(1)を積み重ねて備えた複合型電子回路チップの一例である。
第二の電子回路チップ21における回路30の他方の端部27に設けられた外部電極端子28と、第一の電子回路チップ1における回路10の一方の端部6に設けられた外部電極端子8と、が電気的に接合されている。同様に、第二の電子回路チップ21における回路40の一方の端部46に設けられた外部電極端子48と、第一の電子回路チップ1における回路10の他方の端部7に設けられた外部電極端子8と、が電気的に接合されている。
第二の電子回路チップ21における回路30の他方の端部27に設けられた外部電極端子28と、第一の電子回路チップ1における回路10の一方の端部6に設けられた外部電極端子8と、が電気的に接合されている。同様に、第二の電子回路チップ21における回路40の一方の端部46に設けられた外部電極端子48と、第一の電子回路チップ1における回路10の他方の端部7に設けられた外部電極端子8と、が電気的に接合されている。
第二の電子回路チップ21の回路30には、インダクタ29が形成されている。このインダクタ29は、第一の電子回路チップ1の回路10に形成されたインダクタ9と、同様である。
この複合型電子回路チップでは、第二の電子回路チップ21内のインダクタ29と、第一の電子回路チップ1のインダクタ9とが直列に配されて、連動して機能する。すなわち、両方のインダクタが発生する磁場は互いに影響を与え合い、連動して機能するため、単一のインダクタとして見なすことができる。
図1,図5,図6で例示した電子回路チップ1A,1B,21に形成されたインダクタ9,19,29は、いずれも空芯インダクタとして描いている。しかし、これらのインダクタは、コアインダクタとすることもできる。基体において、コアとなる領域に設けたキャビティに、フェライト等の磁性体を配することによって、コアインダクタとすることができる。
例えば、図7に示す第四実施形態である電子回路チップ1C(1)が挙げられる。この電子回路チップ1C(1)において、電子回路チップ1B(1)と同じ構成には、同じ符号を付した。
電子回路チップ1C(1)は、インダクタ19の芯部に磁性体からなるコア14を備えている。
前記磁性体の材料としては、コアコイルに通常使用される材料であれば特に制限されず、例えば酸化鉄、Mn、Co、Ni、Cu、Zn等が挙げられる。
コア14の形状は、棒状、E字型、鼓型等が挙げられる。このうち、製造が容易である観点から、棒状が好ましい。コアが棒状(円柱形)である場合、その直径は、インダクタの内径(=1)に対して0.2~0.9とすればよい。
電子回路チップ1C(1)は、インダクタ19の芯部に磁性体からなるコア14を備えている。
前記磁性体の材料としては、コアコイルに通常使用される材料であれば特に制限されず、例えば酸化鉄、Mn、Co、Ni、Cu、Zn等が挙げられる。
コア14の形状は、棒状、E字型、鼓型等が挙げられる。このうち、製造が容易である観点から、棒状が好ましい。コアが棒状(円柱形)である場合、その直径は、インダクタの内径(=1)に対して0.2~0.9とすればよい。
<電子回路チップの製造方法>
次に、本発明の一実施形態に係る電子回路チップの製造方法として、電子回路チップ1A(1)を製造する方法を図8A~図8Gに示す。
ここで、図8A~図8Gは、電子回路チップ1A(1)を製造する基体2の正面図である。
次に、本発明の一実施形態に係る電子回路チップの製造方法として、電子回路チップ1A(1)を製造する方法を図8A~図8Gに示す。
ここで、図8A~図8Gは、電子回路チップ1A(1)を製造する基体2の正面図である。
[工程A]
まず、図8Aに示すように、ガラス又は半導体からなる基体2にレーザー光11を照射して、基体2内にガラス又は半導体が改質されてなる改質部12を形成する。この改質部12は、回路10が配される領域に形成される。
まず、図8Aに示すように、ガラス又は半導体からなる基体2にレーザー光11を照射して、基体2内にガラス又は半導体が改質されてなる改質部12を形成する。この改質部12は、回路10が配される領域に形成される。
基体2の材料は、ガラス基板又はシリコン等の半導体基板が好ましい。
これらの基板を使用した場合の製造方法としては、例えば300mm径のガラス基板又は半導体基板に、改質部12を複数形成して、複数の回路10を備えたガラス基板又は半導体基板を得る。その後、この基板から個々の電子回路チップをダイシング等によって切り出して製造する方法が、製造効率の観点から好ましい。
これらの基板を使用した場合の製造方法としては、例えば300mm径のガラス基板又は半導体基板に、改質部12を複数形成して、複数の回路10を備えたガラス基板又は半導体基板を得る。その後、この基板から個々の電子回路チップをダイシング等によって切り出して製造する方法が、製造効率の観点から好ましい。
基体2の他の面(第2面)2b側からレーザー光11を照射して、基体2内に焦点Sを結ぶ。焦点Sが結ばれた位置で、基体2の材料が改質される。回路10の一方の端部6となる位置から、インダクタ9となる領域に順に焦点Sを走査して改質部12を形成する(図8A及び図8B)。
つづいて、回路10の他方の端部7となる位置から、基体2の他の面2bに向けて焦点Sを走査する。次に、基体2の他の面2bと平行に焦点Sを走査して、先に形成した改質部12と継ぎ目が無いように滑らかに連結した改質部12を形成する(図8C及び図8D)。これによって、回路10となる全領域に改質部12が形成される。
レーザー光11の光源としては、例えばフェムト秒レーザーを挙げることができる。このレーザー光11を照射することによって、例えば、径が数μm~数十μmである改質部12を形成することができる。また、基体2内部におけるレーザー光11の焦点Sを結ぶ位置を制御することにより、所望の形状を有する改質部12を形成することができる。
ここでは、レーザー光11を基体2の他の面2b側から照射する場合を示したが、異なる面から照射してもよい。
ただし、一般に、改質された部分のレーザーの透過率は、改質されていない部分のレーザーの透過率とは異なるため、改質された部分を透過させたレーザー光の焦点位置を制御することは通常困難である。したがって、レーザー照射する側の面から見て、奥に位置する領域について先に改質部を形成することが望ましい。
ただし、一般に、改質された部分のレーザーの透過率は、改質されていない部分のレーザーの透過率とは異なるため、改質された部分を透過させたレーザー光の焦点位置を制御することは通常困難である。したがって、レーザー照射する側の面から見て、奥に位置する領域について先に改質部を形成することが望ましい。
[工程B]
改質部12を形成した基体2をエッチング液(薬液)に浸漬して、ウェットエッチングすることによって、改質部12を基体2から除去する。その結果、改質部12が存在した領域に、微細孔3が形成される(図8E)。本実施形態では、基体2の材料としてガラスを用い、エッチング液としてフッ酸(HF)の10質量%溶液を主成分とする溶液を用いた。
改質部12を形成した基体2をエッチング液(薬液)に浸漬して、ウェットエッチングすることによって、改質部12を基体2から除去する。その結果、改質部12が存在した領域に、微細孔3が形成される(図8E)。本実施形態では、基体2の材料としてガラスを用い、エッチング液としてフッ酸(HF)の10質量%溶液を主成分とする溶液を用いた。
このエッチングは、基体2の改質されていない部分に比べて、改質部12が非常に速くエッチングされる現象を利用する。この結果として、改質部12の形状に応じた微細孔3を形成することができる。
前記エッチング液は、特に限定されず、例えばフッ酸(HF)を主成分とする溶液、フッ酸に硝酸等を適量添加したフッ硝酸系の混酸等を用いることができる。また、基体2の材料に応じて、他の薬液を用いることもできる。
前記エッチング液は、特に限定されず、例えばフッ酸(HF)を主成分とする溶液、フッ酸に硝酸等を適量添加したフッ硝酸系の混酸等を用いることができる。また、基体2の材料に応じて、他の薬液を用いることもできる。
[工程C]
微細孔3が形成された基体2において、この微細孔3に導体(導電性物質)4を充填または成膜して、回路10を形成する。この導体4としては、例えば金錫(Au-Sn)、銅(Cu)等が挙げられる。この導体4の充填または成膜方法としては、溶融金属充填法、めっき法など、適宜用いることができる。図9に示すように、溶融金属充填法やめっき法であれば、微細孔3の内部に、隙間なく導体4を充填することができる。一方、図10に示すように、めっき法や超臨界流体を利用した成膜法であれば、薄膜状の導体4を微細孔3の内壁に沿って形成することができる。
微細孔3が形成された基体2において、この微細孔3に導体(導電性物質)4を充填または成膜して、回路10を形成する。この導体4としては、例えば金錫(Au-Sn)、銅(Cu)等が挙げられる。この導体4の充填または成膜方法としては、溶融金属充填法、めっき法など、適宜用いることができる。図9に示すように、溶融金属充填法やめっき法であれば、微細孔3の内部に、隙間なく導体4を充填することができる。一方、図10に示すように、めっき法や超臨界流体を利用した成膜法であれば、薄膜状の導体4を微細孔3の内壁に沿って形成することができる。
以上の工程A~Cにより、図1に示した電子回路チップ1が得られる。
さらに所望に応じて、一方の端部6および他方の端部7上に外部電極端子8を形成してもよい。外部電極端子8の形成方法は、めっき法、スパッタ法など、適宜用いることができる。
さらに所望に応じて、一方の端部6および他方の端部7上に外部電極端子8を形成してもよい。外部電極端子8の形成方法は、めっき法、スパッタ法など、適宜用いることができる。
また、図7に示した電子回路チップ1C(1)のように、コア14を備える電子回路チップを製造する方法としては、次の方法が挙げられる。
例えば、前述の工程Aにおいて基体2のコア14となる領域に改質部を形成し、続く工程Bにおいてこの改質部をエッチングによって除去して、形成された貫通孔に磁性体を導入する方法が挙げられる。この方法によれば、円柱、楕円、又は円環の一部を切り取った形状など、所望の形状でコア14を包含する貫通孔を形成することができる。
また、基体2に前記貫通孔を形成する他の方法としては、微小ドリルを使用する方法、基体2の表面にレジストマスクを設けてエッチングする方法、等が挙げられる。
基体2に形成した貫通孔に磁性体を導入する方法としては、例えば、棒状の磁性体を嵌め込む方法、スパッタリング法やめっき法によって磁性体を成膜又は充填する方法、磁性体を含む樹脂ペーストを印刷法によって充填する方法等が挙げられる。
例えば、前述の工程Aにおいて基体2のコア14となる領域に改質部を形成し、続く工程Bにおいてこの改質部をエッチングによって除去して、形成された貫通孔に磁性体を導入する方法が挙げられる。この方法によれば、円柱、楕円、又は円環の一部を切り取った形状など、所望の形状でコア14を包含する貫通孔を形成することができる。
また、基体2に前記貫通孔を形成する他の方法としては、微小ドリルを使用する方法、基体2の表面にレジストマスクを設けてエッチングする方法、等が挙げられる。
基体2に形成した貫通孔に磁性体を導入する方法としては、例えば、棒状の磁性体を嵌め込む方法、スパッタリング法やめっき法によって磁性体を成膜又は充填する方法、磁性体を含む樹脂ペーストを印刷法によって充填する方法等が挙げられる。
基体2にコア14を備える場合、回路10を先に形成しても良いし、コア14を先に形成しても良い。
本発明の電子回路チップ1および電子回路チップ1の製造方法は、ICや電子部品の製造に広く利用することができる。
1,1A,1A-1,1A-2,1A-3,1B 電子回路チップ(第一の電子回路チップ)
2 基体
2a 基体の一の面(第1面)
2b 基体の他の面(第2面)
3 微細孔
4 導体
5 回路の配線
6 一方の端部(第1端部)
7 他方の端部(第2端部)
8 外部電極端子
9 インダクタ
10 回路
11 レーザー光
12 改質部
14 コア
15 回路
16 一方の端部(第1端部)
17 他方の端部(第2端部)
18 外部電極端子
19 インダクタ
S 焦点
21 第二の電子回路チップ
22 基体
22a 基体の一の面(第1面)
22b 基体の他の面(第2面)
26 一方の端部(第1端部)
27 他方の端部(第2端部)
28 外部電極端子
29 インダクタ
30 回路
40 回路
46 一方の端部(第1端部)
47 他方の端部(第2端部)
48 外部電極端子
2 基体
2a 基体の一の面(第1面)
2b 基体の他の面(第2面)
3 微細孔
4 導体
5 回路の配線
6 一方の端部(第1端部)
7 他方の端部(第2端部)
8 外部電極端子
9 インダクタ
10 回路
11 レーザー光
12 改質部
14 コア
15 回路
16 一方の端部(第1端部)
17 他方の端部(第2端部)
18 外部電極端子
19 インダクタ
S 焦点
21 第二の電子回路チップ
22 基体
22a 基体の一の面(第1面)
22b 基体の他の面(第2面)
26 一方の端部(第1端部)
27 他方の端部(第2端部)
28 外部電極端子
29 インダクタ
30 回路
40 回路
46 一方の端部(第1端部)
47 他方の端部(第2端部)
48 外部電極端子
Claims (9)
- ガラス又は半導体からなる基体と;
前記基体の内部に配され、第1端部と第2端部がそれぞれ前記基体の特定面に露呈され、螺旋状のインダクタを含む回路と;
を備えた電子回路チップ。 - 前記第1端部及び前記第2端部には、外部電極端子が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の電子回路チップ。
- 前記インダクタは、仮想の、円柱、楕円柱、又は円環に沿うような螺旋状であることを特徴とする請求項1又は2に記載の電子回路チップ。
- 前記インダクタが、連続的な曲線によって構成されていることを特徴とする請求項1~3のいずれか一項に記載の電子回路チップ。
- 前記インダクタによって囲まれた空間に、磁性体からなるコアが備えられていることを特徴とする請求項1~4のいずれか一項に記載の電子回路チップ。
- 前記第1端部と前記第2端部とが、前記基体の同一面に設けられていることを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の電子回路チップ。
- 前記基体が、第1面と前記第1面の反対側に位置する第2面とを備え、
前記第1端部が、前記第1面に設けられ、
前記第2端部が、前記第2面に設けられている
ことを特徴とする請求項1~5のいずれか一項に記載の電子回路チップ。 - ガラス又は半導体からなる基体の内部にレーザー光を照射し、前記レーザー光が集光した焦点を走査して螺旋状の改質部を形成し;
前記改質部が形成された前記基体に対してエッチング処理を行い、前記改質部を除去して螺旋状の微細孔を形成し;
前記微細孔に導体を充填又は成膜する;
ことを特徴とする電子回路チップの製造方法。 - 前記改質部を形成する際に、コアが形成される領域に改質部を形成することを特徴とする請求項8に記載の電子回路チップの製造方法。
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