WO2011129664A2 - 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법 - Google Patents

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WO2011129664A2
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김경태
신찬수
박인옥
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오름반도체(주)
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Definitions

  • Manufacturing of the lead frame may include preparing a lead frame body part and partially cutting the lead frame body part by a stamping method.
  • a plating layer may be further formed on the housing frame, and a plating layer may be further formed on the lead frame.
  • the insulation member fusion process may be further performed to weld the insulation member between the housing frame and the lead frame.
  • the LED package of the present invention can make a complete electrical connection with the LED chip and the outside.
  • the LED package of the present invention can electrically connect the LED chip and the lead while completely insulating the lead and the metal housing.
  • FIGS. 2A to 2C are cross-sectional views of a light emitting diode package according to the present invention.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing a lead frame and an insulating member according to the present invention.
  • 19 is a plan view of a LED package according to another embodiment of the present invention.
  • the lead 300 insulated by the insulating member 400 is inserted into the insertion hole 210 and the insertion groove 212, so that one end of the LED chip 500 and the lead 300 is bonded to the bonding wire 502.
  • the LED chip 500 may be electrically connected to one end 302 of the leads 300 by the bonding wire 502.
  • the connection method between the LED chip 500 and the leads 300 may vary according to the type of the LED chip 500.
  • the housing body part 252 is molded by a forging molding method to form the intermediate housing body part 259.
  • the intermediate housing body portion 260 formed by the forging molding method includes a receiving portion 202, a bottom portion 204, a heat sink 206, an inclined portion 208, a bottom portion 260, and an insertion groove 212. Is formed.
  • the lead frame 350 is made of a metal having excellent workability and high electrical conductivity such as copper, aluminum, a copper alloy, or an aluminum alloy.
  • the lead 300 and the insulating member 400 may include a protrusion 402 inserted into the insertion hole 210 of the metal housing 200 and a flat portion 404 inserted into the insertion groove 212 of the metal housing 200. Include.
  • the protrusion 402 and the flat portion 404 are named components of both the lid 300 and the insulating member 400, but may also be named only the members of the lid 300.
  • the cross-sectional shape of the lead 300 may be variously configured as shown in FIG. 14. That is, one side of the lead 300 may have a cylindrical or quadrangular shape, and the other side of the lead 300 may also have a cylindrical or square shape.
  • the lead frame 350 is made of a metal having excellent workability and high electrical conductivity such as copper, aluminum, a copper alloy, an aluminum alloy or an iron alloy.
  • the lead frame body 352 is prepared, and the lead frame body 352 is partially cut by using a stamping method.
  • the lead frame 350 is made of copper, aluminum, copper alloy, aluminum alloy or iron alloy.
  • FIG. 22 is a cross-sectional view of a light emitting diode package according to another embodiment of the present invention.

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Abstract

본 발명의 발광 다이오드 패키지는 외부로부터 전기적 연결을 제공하고, 상부로 돌출된 돌출부와 상기 돌출부와 연결된 평탄부를 갖는 리드와, 발광 다이오드 칩이 수용되는 수용부, 상기 수용부 내의 바닥부에 위치하는 히트 싱크부, 상기 수용부 내에 상기 리드의 돌출부가 삽입되는 삽입홀, 및 저면부에 외부로부터 상기 리드의 평탄부가 끼워지는 삽입홈을 갖는 금속 하우징과, 상기 리드의 돌출부 및 평탄부를 감싸도록 형성되고 상기 삽입홀의 내벽과 상기 삽입홈의 내벽에 모두 위치하여 상기 리드와 금속 하우징을 절연하는 절연 부재를 포함하여 이루어진다.

Description

발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
본 발명은 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 발광 다이오드 패키지에서 발생하는 열을 용이하게 배출하면서도 제조 공정의 신뢰성이 우수하고 패키지 비용도 낮출 수 있는 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED, light emitting diode)는 반도체에 전압을 가해 발생되는 전기장 발광 현상을 이용하여 빛을 발생시키는 소자이다. 발광 다이오드는 p형 반도체 결정과 n형 반도체 결정이 서로 접합된 구조를 갖는 전-광 변환형 반도체 소자로써, 전기신호를 빛으로 변환시키는 특성을 갖는다. 발광 다이오드는 원소 주기율표상 III족(Al, Ga, In)과 V족(As, P, N. Sb) 원소로 이루어진 화합물 반도체이다.
발광 다이오드는 수명이 반영구적이고, 환경 친화적이며 전통적인 광원에 비하여 효율이 우수하다. 이에 따라, 발광 다이오드는 액정 디스플레이(LCD, Liquid Crystal Display)의 백라이트 유닛, 가로등, 신호등, 자동차용 조명, 산업용 조명, 가정용 조명등으로 사용처가 급속도로 넓어지고 있다. 그런데, 발광 다이오드는 공급된 전력의 80% 정도가 열로 방출되며, 발생된 열의 방출이 원활하지 않을 경우 발광 다이오드의 효율이 급격히 떨어지고 발광 다이오드의 수명도 급격히 줄어들게 된다.
발광 다이오드는 주로 패키지화되어 사용된다. 다시 말해, 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드 칩을 탑재하고, 외부로부터 발광 다이오드 칩을 보호하고, 외부와 전기적 연결을 수행할 수 있도록 패키지화되어 사용된다. 그런데, 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드 칩이 외부와 전기적 연결을 완벽하게 수행할 수 있으면서 발광 다이오드 칩에서 발생하는 열을 외부로 원활히 배출하는 역할을 수행하여야 한다. 또한, 발광 다이오드 패키지는 패키지 비용이 저렴하여야 하며, 대량 생산이 가능하여야 하고, 크기가 작고 두께가 얇아야 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 발광 다이오드 칩이 외부와 전기적 연결이 완벽하게 수행하면서도 발광 다이오드 칩에서 발생하는 열을 외부로 원활히 배출할 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 데 있다.
또한, 본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 발광 다이오드 칩이 외부와 전기적 연결이 완벽하게 수행하면서도 발광 다이오드 칩에서 발생하는 열을 외부로 원활히 배출할 수 있고, 아울러서 패키지 비용이 저렴하면서도 신뢰성이 높은 발광 다이오드 패키지 제조 방법을 제공하는 데 있다.
상술한 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 예에 의한 발광 다이오드 패키지는 외부로부터 전기적 연결을 제공하고, 상부로 돌출된 돌출부와 상기 돌출부와 연결된 평탄부를 갖는 리드와, 발광 다이오드 칩이 수용되는 수용부, 상기 수용부 내의 바닥부에 위치하는 히트 싱크부, 상기 수용부 내에 상기 리드의 돌출부가 삽입되는 삽입홀, 및 저면부에 외부로부터 상기 리드의 평탄부가 끼워지는 삽입홈을 갖는 금속 하우징과, 상기 리드의 돌출부 및 평탄부를 감싸도록 형성되고 상기 삽입홀의 내벽과 상기 삽입홈의 내벽에 모두 위치하여 상기 리드와 금속 하우징을 절연하는 절연 부재를 포함하여 이루어진다.
금속 하우징의 바닥부 및 수용부간에는 상기 발광 다이오드 칩에서 방출되는 빛의 퍼짐을 줄이기 위한 경사부가 더 설치되어 있을 수 있다. 상기 금속 하우징은 가시광선 파장 영역 및 자외선 파장 영역에서 빛 반사율을 높일 수 있게 도금층이 더 형성되어 있고, 상기 리드는 전극 용접이 용이하도록 도금층이 더 형성되어 있을 수 있다.
상기 삽입홀의 하부 직경이 상부 직경보다 크게 구성하고, 상기 삽입홀에 삽입되는 상기 리드의 하부 직경도 상부 직경보다 크게 구성할 수 있다. 상기 금속 하우징의 바닥부에는 제2 바닥부가 더 형성되어 있고, 상기 제2 바닥부에는 상기 발광 다이오드 칩이 탑재되고, 상기 제2 바닥부와 제1 바닥부간에는 제2 경사부가 더 형성되어 있을 수 있다. 상기 발광 다이오드 칩은 수평형 발광 다이오드 칩, 수직형 발광 다이오드 칩 또는 플립칩형 발광 다이오드 칩일 수 있다.
금속 하우징에는 가로 및 세로 방향으로 매트릭스 형태로 복수개의 발광 다이오드 칩들이 형성되어 있는 멀티 칩 패키지일 수 있다. 금속 하우징에는 가로 및 세로 방향으로 매트릭스 형태로 복수개의 발광 다이오드 칩들이 배치되고, 발광 다이오드 칩들 각각에 리드 및 절연 부재가 형성되어 발광 다이오드 칩들이 서로 연결된 멀티 하우징 패키지일 수 있다.
상술한 다른 과제를 해결하기 위하여, 본 발명의 일 예에 의한 발광 다이오드 패키지 제조 방법은 하우징 프레임을 제조하고, 리드 프레임을 제조하고, 상기 리드 프레임의 일부를 감싸도록 절연 부재를 형성하고, 상기 하우징 프레임 및 절연 부재가 형성된 리드 프레임을 조립하는 것을 포함하여 이루어진다.
하우징 프레임의 제조는, 하우징 바디부를 준비하고, 상기 하우징 바디부를 단조 성형법으로 성형하여 중간 하우징 바디부를 형성하고, 상기 중간 하우징 바디부를 스템핑 방법으로 일부 절단하는 것을 포함할 수 있다.
상기 리드 프레임의 제조는, 리드 프레임 바디부를 준비하고, 상기 리드 프레임 바디부를 스템핑 방법으로 일부 절단하는 것을 포함할 수 있다. 상기 하우징 프레임에 도금층을 더 형성하고, 상기 리드 프레임에 도금층을 더 형성할 수 있다. 상기 하우징 프레임 및 상기 절연 부재가 형성된 리드 프레임을 조립한 후에, 상기 하우징 프레임과 리드 프레임간에 상기 절연부재가 용착되도록 절연 부재 융착 공정을 더 실시할 수 있다.
본 발명의 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드 칩과 외부와 전기적 연결을 완벽하게 할 수 있다. 다시 말해, 본 발명의 발광 다이오드 패키지는 리드와 금속 하우징간을 완벽하게 절연하면서도 발광 다이오드 칩과 리드를 전기적으로 연결할 수 있다.
본 발명의 발광 다이오드 패키지는 금속 하우징을 구비하여 발광 다이오드 칩에서 발생하는 열을 외부로 원활히 배출할 수 있다. 그리고, 본 발명의 발광 다이오드 패키지는 하우징 프레임의 표면에는 가시광 파장 및 자외선 파장 영역에서도 빛 반사율이 좋은 도금층을 구비할 수 있다.
본 발명의 발광 다이오드 패키지 제조 방법은 하우징 프레임을 제조하고, 리드 프레임을 제조하고, 하우징 프레임과 리드 프레임을 조립하여 완성한다. 하우징 프레임은 단조 성형법 및 스템핑 방법을 이용하여 제조하기 때문에 패키지 비용을 절약할 수 있다. 하우징 프레임은 열 방출 효과가 우수한 고순도 재료를 사용할 수 있어 발광 다이오드 칩의 열 방출 성능을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 발광 다이오드 패키지 제조 방법은 하우징 프레임이 미리 제조된 상태에서 리드 프레임을 바로 자동으로 조립할 수 있기 때문에 제조 비용을 획기적으로 절감할 수 있다.
도 1은 본 발명에 의한 발광 다이오드 패키지의 평면도이다.
도 2a 내지 도 2c는 본 발명에 의한 발광 다이오드 패키지의 단면도들이다.
도 3은 본 발명에 의해 금속 하우징을 포함하는 하우징 프레임을 도시한 평면도이다.
도 4 내지 도 6은 본 발명에 의한 하우징 프레임의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 7은 본 발명에 의한 금속 하우징의 사시도이다.
도 8 내지 도 11은 도 7의 A-A, B-B, C-C 및 D-D에 따른 절단 사시도이다.
도 12는 본 발명에 의해 리드 및 절연 부재를 포함하는 리드 프레임을 도시한 평면도이다.
도 13은 본 발명에 의한 리드 프레임 및 절연 부재를 도시한 단면도이다.
도 14는 본 발명에 의해 리드 및 절연 부재의 확대 사시도이다.
도 15는 본 발명에 의해 하우징 프레임과 리드 프레임이 결합된 상태의 패키지 프레임을 도시한 평면도이다.
도 16 및 도 17은 본 발명에 의한 패키지 프레임의 사시도 및 배면도이다.
도 18은 본 발명에 의한 패키지 프레임의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 19는 본 발명의 다른 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지의 평면도이다.
도 20 및 21은 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지의 평면도이다.
도 22는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.
도 23은 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.
도 24 및 도 25는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지의 평면도이다.
도 26 및 도 27은 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지의 평면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들에 대해 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예들은 당 업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되는 것이다. 본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세하게 설명하고자 한다.
그러나, 이는 본 발명을 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 각 도면을 설명하면서 유사한 참조부호를 유사한 구성요소에 대해 사용한다. 첨부된 도면에 있어서, 구조물들의 치수는 본 발명의 명확성을 기하기 위하여 실제보다 확대하거나 축소하여 도시한 것이다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서 상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다. 이하 실시예들은 실시예 하나의 개념으로 구성될 수 도 있고, 실시예들의 일부를 조합하여 구성할 수도 있다.
도 1은 본 발명에 의한 발광 다이오드 패키지의 평면도이고, 도 2a 내지 도 2c는 본 발명에 의한 발광 다이오드 패키지의 단면도들이다.
구체적으로, 본 발명에 의한 발광 다이오드 패키지(100)는 발광 다이오드 칩(500)이 탑재되는 금속 하우징(200)과, 금속 하우징(200) 내에 탑재된 발광 다이오드 칩(500)과 전기적으로 연결되면서 외부와도 전기적으로 연결될 수 있는 복수개의 리드들(300)과, 리드들(300)과 금속 하우징(200)을 절연할 수 있는 절연 부재(400)를 포함한다. 리드들(300)은 전극으로 이용될 수 있다.
금속 하우징(200)은 기계적 성질이 우수하고, 열 방출 특성, 즉 열전도율이 우수한 금속, 예컨대 구리, 알루미늄, 철 또는 그들의 화합물로 구성한다. 금속 하우징용 화합물의 예로 구리 합금 알루미늄 합금 또는 철 합금을 들 수 있다. 금속 하우징(200)의 표면에는 가시광 파장 영역이나 자외선 파장 영역에서 빛 반사율을 높이도록 빛 반사율이 좋은 도금층, 예컨대 알루미늄 도금층, 은 도금층 또는 금 도금층이 형성되어 있을 수 있다. 본 명세서에서 금속 하우징(200)은 순수하게 금속 물질층로 이루어질 수도 있고, 금속 물질층 상에 가시광선 파장 영역 및 자외선 파장 영역에서 빛 반사율을 높일 수 있게 도금층(미도시)이 더 형성되어 있을 수도 있다.
금속 하우징(200)은 발광 다이오드 칩(500)이 수용되는 수용부(202)와, 수용부(202) 내의 바닥부(204)에는 발광 다이오드 칩(500)이 탑재된다. 바닥부(204) 아래측으로 발광 다이오드 칩(500)에서 발생하는 열을 방출하는 히트 싱크부(206)가 설치된다. 수용부(202)와 바닥부(204) 간에는 경사부(208)가 존재한다. 경사부(208)는 발광 다이오드 칩(500)에서 방출되는 빛의 퍼짐을 줄이기 위하여 설치한다.
바닥부(204)에서 금속 하우징(200)을 관통하여 리드(300)의 일부가 삽입될 수 있는 삽입홀(210)이 형성되어 있다. 금속 하우징(200)의 저면부에는 외부에서 금속 하우징(200) 내로 리드(300)가 삽입될 수 있는 삽입홈(212)이 설치되어 있다. 그리고, 삽입홀(210) 및 삽입홈(212) 내에서 리드(300)를 감싸는 절연 부재(400)가 설치되어 있다. 다시 말해, 삽입홀(210)의 내벽과 삽입홈(212)의 내벽에 모두 위치하여 리드(300)와 금속 하우징(200)을 절연하는 절연 부재(400)가 설치되어 있다.
절연 부재(400)로 인하여 리드(300)와 금속 하우징(200)은 절연된다. 본 발명의 발광 다이오드 패키지는 리드(300)와 금속 하우징(200)간을 완벽하게 절연하면서도 발광 다이오드 칩(500)과 리드(300)를 전기적으로 연결할 수 있다. 리드(300)는 구리, 알루미늄 또는 그들의 화합물로 구성한다. 리드용 화합물의 예로 구리 합금 또는 알루미늄 합금을 들 수 있다. 본 명세서에서 리드(300)는 순수하게 금속 물질층로 이루어질 수도 있고, 금속 물질층 상에 전극 용접이 용이하도록 도금층(미도시)이 더 형성되어 있을 수도 있다.
삽입홀(210) 및 삽입홈(212)에는 절연 부재(400)로 절연된 리드(300)가 삽입되어 발광 다이오드 칩(500)과 리드(300)의 일단부가 본딩 와이어(502)로 본딩된다. 다시 말해, 발광 다이오드 칩(500)은 리드들(300)의 일단부(302)와 본딩 와이어(502)로 전기적으로 연결할 수 있다. 발광 다이오드 칩(500)의 종류에 따라 발광 다이오드 칩(500)과 리드들(300)간의 연결 방법은 달라질 수 있다.
예를 들어, 발광 다이오드 칩(500)이 도 2a와 같이 수평형(lateral type) 발광 다이오드 칩일 경우에는 발광 다이오드 칩(500)의 양측으로 본딩 와이어(502)가 리드들(300)과 연결된다. 발광 다이오드 칩(500)이 도 2b와 같이 플립칩형(flip chip type) 발광 다이오드 칩일 경우에는 본딩 와이어(502)가 필요하지 않고, 패드(601)를 통하여 발광 다이오드 칩(500)이 리드들(300)과 연결된다. 발광 다이오드 칩(500)이 도 2c와 같이 수직형(vertical type) 발광 다이오드 칩일 경우에는 히트 싱크부(206)를 전극으로 사용할 수 있어 일측 리드(300)는 형성하지 않아도 되고, 좌우측 본딩 와이어(502)중 어느 하나는 필요하지 않는다.
그리고, 금속 하우징(200), 리드(300)의 구조 및 제조 방법에 대하여는 편의상 수평형 발광 다이오드 칩을 이용하여 후에 더 자세하게 설명한다. 발광 다이오드 칩(500) 상의 수용부(202) 내에는 형광층(220)이 형성될 수 있다. 형광층(220)에 관한 참조번호는 도 1에서는 편의상 도시하지 않았다. 또한, 발광 다이오드 칩(500)이 위치하는 히트 싱크부(206)의 하부에는 히트 싱크(미도시)가 설치되어 발광 다이오드 칩(500)에서 발생하는 열을 외부로 배출할 수 있다.
도 3은 본 발명에 의해 금속 하우징을 포함하는 하우징 프레임을 도시한 평면도이다.
구체적으로, 본 발명에 의한 발광 다이오드 패키지(100)는 앞서 설명한 바와 같이 금속 하우징(200)을 포함한다. 금속 하우징들(200)은 하우징 프레임(250)으로 구성될 수 있고, 하우징 바디부(252) 내에 가로 및 세로 방향으로 매트릭스 형태로 복수개 설치된다. 도 3에서는 금속 하우징(200)을 16개 구성하는 것으로 도시하였으나, 금속 하우징(200)의 크기에 따라 다양하게, 예컨대 8개, 4개 또는 2개로 구성할 수 도 있다. 금속 하우징(200)은 앞서 설명한 바와 같이 수용부(202), 바닥부(204), 히트 싱크부(206), 경사부(208), 삽입홀(210) 및 삽입홈(212) 등을 구비한다.
하우징 프레임(250)은 금속 하우징(200)을 구성하므로 앞서 설명한 바와 같이 기계적 성질이 우수하고, 열 방출 특성, 즉 열전도율이 우수한 금속, 예컨대 구리, 알루미늄, 또는 그들의 화합물로 구성한다. 하우징 프레임용 화합물은 구리 합금 또는 알루미늄 합금을 예로 들 수 있다. 또한, 하우징 프레임(250)의 표면에는 앞서 설명한 바와 같이 가시광 파장 영역 및 자외선 파장 영역에서도 빛 반사율을 높이도록 빛 반사율이 좋은 도금층, 예컨대 알루미늄 도금층, 은 도금층 또는 금 도금층이 형성되어 있을 수 있다. 본 명세서에서 하우징 프레임(250)은 순수하게 금속 물질층로 이루어질 수도 있고, 금속 물질층 상에 도금층이 형성되어 있을 수도 있다.
금속 하우징 프레임(250)은 패키지 제조 장치에서 기계적으로 정렬하면서 제조 공정을 수행하거나 타부재와의 얼라인 공정을 수행을 수행할 수 있는 정렬홀들(254)을 구비한다. 금속 하우징 프레임은 패키지 제조 공정중 최종 단계에서 하우징 바디부(252)를 개별적으로 절단되어 하나의 발광 다이오드 패키지(100)가 완성된다.
도 4 내지 도 6은 본 발명에 의한 하우징 프레임의 제조 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
구체적으로, 본 발명의 발광 다이오드 패키지(100)에 이용되는 하우징 프레임(250)은 패키지 제조 비용을 낮추고, 열 방출 효과를 극대화시키기 위해 하우징 바디부(252)를 고순도 재료로 사용할 수 있게 단조 성형법 및 스템핑 방법을 이용하여 제조한다. 도 4 내지 도 6에서는 편의상 하나의 금속 하우징(200)을 만드는 과정을 이용하여 하우징 프레임(250)의 제조 과정을 설명한다.
먼저, 도 4에 도시한 바와 같이 하우징 바디부(252)를 준비한다. 하우징 바디부(252)는 기계적 성질이 우수하고, 열 방출 특성, 즉 열전도율이 우수한 금속, 예컨대 구리, 알루미늄, 철 또는 그들의 화합물로 구성한다. 하우징 바디부용 화합물의 예로 구리 합금 알루미늄 합금 또는 철 합금을 들 수 있다. 하우징 바디부(252)의 두께는 T1로 설정된다. 하우징 바디부(252)는 표면(256) 및 배면(258)을 갖는다.
도 5를 참조하면, 하우징 바디부(252)를 단조 성형법으로 성형하여 중간 하우징 바디부(259)를 형성한다. 단조 성형법으로 성형된 중간 하우징 바디부(260)는 수용부(202), 바닥부(204), 히트 싱크부(206), 경사부(208), 저면부(260) 및 삽입홈(212)이 형성된다. 하우징 바디부(252)를 단조 성형법으로 성형할 경우, 하우징 바디부(252)의 표면(256) 측으로 하우징 바디부(252)가 굴곡지면서 수용부(202), 바닥부(204), 경사부(208) 등이 만들어지고, 하우징 바디부(252)의 배면(258) 측으로 하우징 바디부(252)가 굴곡지면서 히트 싱크부(206), 저면부(260) 및 삽입홈(212)이 만들어진다.
도 6을 참조하면, 중간 하우징 바디부(260)의 양측을 스템핑(stamping) 방법으로 일부 절단하여 삽입홀(210)을 형성하여 하우징 프레임(250)을 완성한다. 이에 따라, 하우징 프레임(250)은 앞서 설명한 바와 같이 수용부(202), 바닥부(204), 히트 싱크부(206), 경사부(208), 삽입홀(210) 및 삽입홈(212) 등을 구비한다.
하우징 프레임(250)은 앞서 설명한 바와 같이 단조 성형법과 스템핑 방법을 이용하여 얇게 리본 형태로 제조 할 수 있다. 반면에, 하우징 프레임(250)을 사출성형법으로 형성할 경우에는 외관이 매끄럽지 않아 2차 가공을 수행해야 하고, 2차 가공을 할 경우 외관 치수가 변경된다. 이렇게 할 경우 제조 비용이 증가할 수 있다. 또한, 하우징 프레임(250)을 사출성형법으로 제조할 경우에는 하우징 프레임 내에 불순물이 남아 있어 열 전달 특성이 우수하지 못하게 된다.
다음에는, 하우징 프레임(250)의 표면에는 가시광 파장 영역 및 자외선 파장 영역에서도 빛 반사율이 좋은 도금층, 예컨대 알루미늄 도금층, 은 도금층 또는 금 도금층을 형성할 수 있다.
이와 같이 본 발명의 하우징 프레임 제조 방법은 단조 성형법 및 스템핑 방법을 이용하여 제조하기 때문에 패키지 비용을 절약할 수 있다. 또한, 본 발명의 하우징 프레임 제조 방법은 열 방출 효과가 우수한 고순도 재료를 하우징 바디부(252)로 사용할 수 있어 발광 다이오드 칩의 열 방출 성능을 향상시킬 수 있다.
도 7은 본 발명에 의한 금속 하우징의 사시도이고, 도 8 내지 도 11은 도 7의 A-A, B-B, C-C 및 D-D에 따른 절단 사시도이다.
구체적으로, 본 발명에 따른 금속 하우징(200)은 앞서 설명한 바와 같이 발광 다이오드 칩(500)이 수용되는 수용부(202)와, 수용부(202) 내에 발광 다이오드 칩(500)이 탑재되는 바닥부(204)를 구비한다. 바닥부(204) 아래측으로는 발광 다이오드 칩(500)에서 발생하는 열을 방출하는 히트 싱크부(206)를 구비한다.
수용부(202)와 바닥부(204) 간에는 경사부(208)가 존재한다. 경사부(208)는 앞서 설명한 바와 같이 발광 다이오드 칩(500)에서 방출되는 빛의 퍼짐을 줄이기 위하여 설치한다. 바닥부(204)에서 금속 하우징(200)을 관통하여 리드(300)의 일부가 삽입될 수 있는 삽입홀(210)이 위치하고, 금속 하우징(200)의 저면부(260)에는 금속 하우징(200) 내로 리드(300)가 삽입될 수 있는 삽입홈(212)이 설치되어 있다.
도 12는 본 발명에 의해 리드 및 절연 부재를 포함하는 리드 프레임을 도시한 평면도이고, 도 13은 본 발명에 의한 리드 프레임 및 절연 부재를 도시한 단면도이고, 도 14는 본 발명에 의해 리드 및 절연 부재의 확대 사시도이다.
구체적으로, 본 발명에 의한 발광 다이오드 패키지(100)는 앞서 설명한 바와 같이 리드(300) 및 절연 부재(400)를 포함한다. 리드(300) 및 절연 부재(400)는 리드 프레임(350)으로 구성될 수 있고, 리드 바디부(352) 내에 가로 및 세로 방향으로 복수개 설치된다. 참조번호 406은 단위 리드 프레임 부분이다. 도 12에서는 단위 리드 프레임(406)을 16개 구성하는 것으로 도시하였으나, 발광 다이오드 패키지(100)의 크기에 따라 다양하게, 예컨대 8개, 4개 또는 2개로 구성할 수 도 있다.
리드 프레임(350)은 가공성이 우수하고, 전기전도도가 높은 금속, 예컨대 구리, 알루미늄, 구리 합금 또는 알루미늄 합금으로 구성한다. 리드(300) 및 절연 부재(400)는 금속 하우징(200)의 삽입홀(210)에 끼워지는 돌출부(402)와 금속 하우징(200)의 삽입홈(212)에 삽입되는 평탄부(404)를 포함한다. 돌출부(402) 및 평탄부(404)는 리드(300) 및 절연 부재(400) 모두의 구성요소로 명명되었지만, 리드(300)의 부재로만 명명될 수도 있다. 리드(300)의 단면 모양은 도 14에 도시된 바와 같이 다양하게 구성할 수 있다. 즉, 리드(300)의 일측이 원통형 또는 사각형태이고, 리드(300)의 타측도 원통형 또는 사각 형태일 수 있다.
리드 프레임(350)은 패키지 제조 장치에서 기계적으로 정렬하면서 제조 공정을 수행하거나 타부재와의 얼라인 공정을 수행을 수행할 수 있는 정렬홀들(354)을 구비한다. 리드 프레임(350)은 패키지 제조 공정중 최종 단계에서 리드 바디부(352)를 단위 리드 프레임(406) 별로 절단되어 하나의 발광 다이오드 패키지(100)가 완성된다.
도 15는 본 발명에 의해 하우징 프레임과 리드 프레임이 결합된 상태의 패키지 프레임을 도시한 평면도이고, 도 16 및 도 17은 본 발명에 의한 패키지 프레임의 사시도 및 배면도이다.
구체적으로, 앞서 도 3에서 설명한 바와 같이 하우징 프레임(200)을 준비한다. 그리고, 도 12에서 설명한 바와 같이 절연 부재(400)를 포함하는 리드 프레임(350)을 준비한다. 이어서, 하우징 프레임(200)과 리드 프레임(350)을 조립하여 패키지 프레임(450)을 완성한다. 패키지 프레임(450)은 앞서 설명한 바와 같이 발광 다이오드 패키지를 16개 구성하는 것으로 도시되어 있으나, 크기에 따라 더 많이 또는 더 적게 발광 다이오드 패키지를 구성할 수 도 있다.
리드 프레임(350)에 설치되어 있는 돌출부(402)는 하우징 프레임(250)에 설치되어 있는 삽입홀(210)에 끼워지고, 리드 프레임(350)에 설치되어 있는 평탄부(404)는 하우징 프레임(250)에 설치되어 있는 삽입홈(212)에 끼워진다. 이와 같이 하우징 프레임(250)과 절연 부재(400)를 포함하는 리드 프레임을 바로 조립함으로써 간편하게 패키지 프레임(450)을 완성한다.
도 18은 본 발명에 의한 패키지 프레임의 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
구체적으로, 도 3과 도 4 내지 도 6에 도시한 바와 같이 하우징 프레임(250)을 제조한다(스텝 502). 하우징 프레임(250)은 구리, 알루미늄, 구리 합금, 알루미늄 합금 또는 철 합금으로 구성한다. 하우징 프레임(250)의 제조 방법은 단조 성형법 및 스템핑 방법을 이용하며, 앞서 도 4 내지 도 6에 자세히 설명하였으므로 생략한다.
하우징 프레임(250)에 도금 공정을 실시한다(스텝 504). 하우징 프레임(250)의 도금 공정을 통하여 하우징 프레임(250) 상에는 도금층이 형성된다. 하우징 프레임(250)의 도금은 전해도금법, 스퍼터법, 진공증착법 또는 스프레이법을 이용하여 수행한다. 하우징 프레임용 도금층은 가시광 파장 영역이나 자외선 파장 영역에서도 빛 반사율이 좋은 알루미늄 도금층, 은 도금층 또는 금 도금층을 이용한다.
다음에, 도 12 내지 도 14에 설명한 바와 같은 리드 프레임(350)을 제조한다(스텝 602). 리드 프레임(350)은 가공성이 우수하고, 전기 전도도가 높은 금속, 예컨대 구리, 알루미늄, 구리 합금, 알루미늄 합금 또는 철 합금 등으로 구성한다. 리드 프레임(350)의 제조 방법은 리드 프레임 바디부(352)를 준비하고, 상기 리드 프레임 바디부(352)를 스템핑 방법을 이용하여 일부 절단하여 형성한다. 리드 프레임(350)은 구리, 알루미늄, 구리 합금, 알루미늄 합금 또는 철 합금으로 구성한다.
리드 프레임(350)에 도금 공정을 실시한다(스텝 604). 리드 프레임(350)의 도금 공정을 통하여 리드 프레임(350) 상에는 도금층이 형성된다. 리드 프레임(350)의 도금은 전해도금법, 스퍼터법, 진공증착법 또는 스프레이법을 이용하여 수행한다. 리드 프레임용 도금층은 전극 용접이 용이하도록 알루미늄 도금층, 구리 도금층, 은 도금층, 주석 도금층 또는 니켈 도금층을 이용한다.
계속하여, 도 12 내지 도 14에 설명한 바와 같이 하우징 프레임(250)과 리드 프레임(350)간의 절연을 위하여 리드 프레임의 일부 표면을 감싸도록 절연 부재(400)를 형성한다(스텝 606). 절연부재(400)가 형성되는 부분은 리드 프레임(350)이 하우징 프레임(250)과 접촉하는 부분이다. 절연 부재(400)는 PBT, 나일론, LCP, Glassfrit와 같은 절연막을 인서트(insert) 몰딩 방식으로 형성하거나, 앞서 절연막을 스프레이 방법이나 디핑(Dipping) 방법을 이용하여 형성할 수 있다.
하우징 프레임의 제조 공정(스텝 502, 504)과, 리드 프레임 제조 공정(스텝 602, 604) 및 절연 부재 형성 공정(606)은 별도로 진행할 수 있다. 그리고, 하우징 프레임(250)과 리드 프레임(350)을 구성하는 물질을 서로 다르게 할 수 있다. 하우징 프레임용 도금층과 리드 프레임용 도금층도 발광 다이오드 패키지의 특성에 맞추어 다르게 구성할 수 있다. 이와 같이 본 발명의 발광 다이오드 패키지 제조 공정은 생산 효율을 높이면서도 발광 다이오드의 특성에 따라 다양한 옵션으로 발광 다이오드 패키지를 생산할 수 있다.
계속하여, 도 15 내지 도 17에 도시한 바와 같이 하우징 프레임(250) 및 리드 프레임(350)을 조립한다(스텝 702). 다시 말해, 하우징 프레임(250)이 제조된 상태에서 리드 프레임(350)을 하우징 프레임(250)과 조립한다. 하우징 프레임(250)과 리드 프레임(350)의 조립공정은 자동화 설비를 이용하여 수행할 수 있다. 이와 같이 본 발명의 발광 다이오드 패키지 제조 방법은 하우징 프레임(250)이 미리 제조된 상태에서 리드 프레임(350)을 바로 자동으로 조립할 수 있기 때문에 제조 비용을 획기적으로 절감할 수 있다.
이어서, 리드 프레임의 표면을 감싸도록 형성된 절연 부재(400)가 하우징 프레임과 잘 결합될 수 있도록 절연 부재 융착 공정을 실시한다(스텝 704). 절연 부재 융착 공정은 하우징 프레임(250)과 절연 부재(400)가 감싸진 리드 프레임이 조립 후, 소정 온도에서 절연 부재(400)를 용융시켜 결합시키는 리플로우(reflow)법이나, 하우징 프레임(250)과 절연 부재(400)가 감싸진 리드 프레임(350)이 조립된 후 고주파를 조사하여 절연 부재(400)를 결합시키는 고주파 융착법을 이용하여 수행할 수 있다. 절연 부재 융착 공정은 필요에 따라 수행하는 것으로, 수행하지 않을 수도 있다.
도 19는 본 발명의 다른 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지의 평면도이다.
도 19에서는, 편의상 발광 다이오드 칩(500)은 도시하지 않는다. 본 발명의 다른 예에 의한 발광 다이오드 패키지(102)는 도 1의 발광 다이오드 패키지(100)와 비교할 때 금속 하우징(200) 내의 리드(300)의 배치가 다르고, 금속 하우징(200)의 측벽에 굴곡부(232)를 설치한 것을 제외하고는 도 1과 동일하다.
도 19의 발광 다이오드 패키지(102)는 리드(300)가 금속 하우징(200)의 중앙부분을 중심으로 양측에 배치되지 않고, 중앙 부분을 중심으로 대각선 모양으로 배치되어 있다. 이와 같이 리드(300)의 배치를 다양하게 함으로써 산업 분야에서 용이하게 활용할 수 있다. 또한, 본 발명의 다른 예에 의한 발광 다이오드 패키지(102)는 금속 하우징(200)의 측벽에 굴곡부(232)를 설치함으로써 보다 더 열 방출 효과를 향상시킬 수 있다.
도 20 및 21은 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지의 평면도이다.
도 20 및 21에서는, 편의상 발광 다이오드 칩(500)은 도시하지 않는다. 본 발명의 또 다른 예에 의한 발광 다이오드 패키지(104, 106)는 도 1의 발광 다이오드 패키지(100)와 비교할 때 금속 하우징(200) 내의 리드(300)의 배치 및 리드(300)의 수가 다른 것을 제외하고는 도 1과 동일하다.
도 20의 발광 다이오드 패키지(104)는 금속 하우징(200)의 중앙 부분을 중심으로 대각선 모양으로 4개 배치되어 있으며, 도 21의 발광 다이오드 패키지(106)는 금속 하우징(200)의 중앙 부분을 중심으로 양측에 대칭적으로 6개 배치되어 있다. 이와 같이 리드(300)의 배치 및 리드(300)의 수를 다양하게 함으로써 산업 분야에서 용이하게 활용할 수 있다.
도 22는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.
도 22에서, 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지(108)는 도 2의 발광 다이오드 패키지(100)와 비교할 때 금속 하우징(200a), 리드(300a) 및 절연 부재(400a)의 모양이 다른 것을 제외하고는 도 2와 동일하다.
도 22의 발광 다이오드 패키지(108)는 리드(300a)가 금속 하우징(200a)에 용이하게 결합될 수 있도록 상부(304)의 직경이 좁고 하부(306)의 직경이 넓게 구성한다. 다시 말해, 리드(300a)를 외부에서 금속 하우징(200a)에 조립할 때 리드(300a)의 하부 직경이 넓을 경우 보다 더 금속 하우징(200a)에 용이하게 결합할 수 있게 된다. 리드(300a)의 모양에 따라 금속 하우징(200a)의 삽입홀(210) 및 삽입홈(212)의 모양은 제조 공정을 통하여 도 2와 다르게 조절할 수 있다. 특히, 삽입홀(210)의 하부 직경이 상부 직경보다 크게 구성한다.
도 23은 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.
도 23에서, 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지(110)는 도 2의 발광 다이오드 패키지(100)와 비교할 때 금속 하우징(200b)의 모양이 다른 것을 제외하고는 도 2와 동일하다.
도 23의 발광 다이오드 패키지(110)는 금속 하우징(200b) 내에 제2 바닥부(222) 및 제2 경사부(224)를 구성한다. 금속 하우징(200b)을 제조할 때 금속 하우징(200b) 내의 제1 바닥부(204) 내에 제2 바닥부(222) 및 제2 경사부(224)를 만든다. 그리고, 제2 바닥부(222)에 발광 다이오드 칩(500)을 위치시킨다. 물론, 제1 바닥부(204) 및 제2 바닥부(224)를 만들게 되면, 이에 따라 리드(300)도 이에 맞추어 만든다. 이렇게 할 경우, 제2 경사부(224)로 인해 발광 다이오드 칩(500)에서 발생하는 빛의 효율을 보다 더 향상시킬 수 있다.
도 24 및 도 25는 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지의 평면도이다.
구체적으로, 도 24 및 도 25에 도시한 발광 다이오드 패키지는 금속 하우징(200)에는 가로 및 세로 방향으로 매트릭스 형태로 복수개의 발광 다이오드 칩들(500)이 형성되어 있는 멀티 칩 패키지를 나타낸다. 도 24 및 도 25에 도시한 발광 다이오드 패키지는 금속 하우징(200) 내에 복수개의 발광 다이오드 칩들(500)이 배치되고, 발광 다이오드 칩들(500)은 본딩 와이어로 연결되어 되어 있다. 발광 다이오드 칩들(500)은 공통적인 공통(common) 리드(300)에 연결되어 있다.
도 24의 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드 칩들이 병렬적으로 연결된 것이고, 도 25의 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드 칩들이 직렬적으로 연결된 것이다. 도 24 및 도 25에 도시한 발광 다이오드 패키지는 하우징 프레임, 리드 프레임 및 패키지 프레임의 크기를 조절할 경우 다양한 모양이나 방식으로 변경될 수 있다.
도 26 및 도 27은 본 발명의 또 다른 실시예에 의한 발광 다이오드 패키지의 평면도이다.
구체적으로, 도 26 및 도 27에 도시한 발광 다이오드 패키지는 금속 하우징(200)에는 가로 및 세로 방향으로 매트릭스 형태로 복수개의 발광 다이오드 칩들(500)이 배치되고, 발광 다이오드 칩들(500) 각각에 리드(300) 및 절연 부재(400)가 형성되어 발광 다이오드 칩들(500)이 서로 연결된 멀티 하우징 패키지이다.
도 26 및 도 27에 도시한 발광 다이오드 패키지는 금속 하우징(200) 내에 복수개의 발광 다이오드 칩들(500)이 배치되어 되어 있고, 발광 다이오드 칩들(500) 각각에 리드(300)가 연결되어 있으며, 리드(300)을 통하여 발광 다이오드 칩들(500)이 서로 연결되어 있다.
도 26의 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드 칩들(500)이 병렬적으로 연결된 것이고, 도 27의 발광 다이오드 패키지는 발광 다이오드 칩들(500)이 직렬적으로 연결된 것이다. 도 26 및 도 27에 도시한 발광 다이오드 패키지는 하우징 프레임, 리드 프레임 및 패키지 프레임의 크기를 조절할 경우 다양한 모양이나 방식으로 변경될 수 있다.
본 발명은 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법에 이용할 수 있다. 특히, 발광 다이오드 패키지에서 발생하는 열을 용이하게 배출하면서도 제조 공정의 신뢰성이 우수하고 패키지 비용도 낮출 수 있는 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법에 이용할 수 있다.

Claims (13)

  1. 외부로부터 전기적 연결을 제공하고, 상부로 돌출된 돌출부와 상기 돌출부와 연결된 평탄부를 갖는 리드;
    발광 다이오드 칩이 수용되는 수용부, 상기 수용부 내의 바닥부에 위치하는 히트 싱크부, 상기 수용부 내에 상기 리드의 돌출부가 삽입되는 삽입홀, 및 저면부에 외부로부터 상기 리드의 평탄부가 끼워지는 삽입홈을 갖는 금속 하우징; 및
    상기 리드의 돌출부 및 평탄부를 감싸도록 형성되고 상기 삽입홀의 내벽과 상기 삽입홈의 내벽에 모두 위치하여 상기 리드와 금속 하우징을 절연하는 절연 부재를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속 하우징의 바닥부 및 수용부간에는 상기 발광 다이오드 칩에서 방출되는 빛의 퍼짐을 줄이기 위한 경사부가 더 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  3. 제1항에 있어서, 상기 금속 하우징은 가시광선 파장 영역 및 자외선 파장 영역에서 빛 반사율을 높일 수 있게 도금층이 더 형성되어 있고, 상기 리드는 전극 용접이 용이하도록 도금층이 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  4. 제1항에 있어서, 상기 삽입홀의 하부 직경이 상부 직경보다 크게 구성하고, 상기 삽입홀에 삽입되는 상기 리드의 하부 직경도 상부 직경보다 큰 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  5. 제1항에 있어서, 상기 금속 하우징의 바닥부에는 제2 바닥부가 더 형성되어 있고, 상기 제2 바닥부에는 상기 발광 다이오드 칩이 탑재되고, 상기 제2 바닥부와 제1 바닥부간에는 제2 경사부가 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  6. 제1항에 있어서, 상기 발광 다이오드 칩은 수평형 발광 다이오드 칩, 수직형 발광 다이오드 칩 또는 플립칩형 발광 다이오드 칩인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  7. 제1항에 있어서, 상기 금속 하우징에는 가로 및 세로 방향으로 매트릭스 형태로 복수개의 발광 다이오드 칩들이 형성되어 있는 멀티 칩 패키지인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  8. 제1항에 있어서, 상기 금속 하우징에는 가로 및 세로 방향으로 매트릭스 형태로 복수개의 발광 다이오드 칩들이 배치되고, 상기 발광 다이오드 칩들 각각에 상기 리드 및 절연 부재가 형성되어 상기 발광 다이오드 칩들이 서로 연결된 멀티 하우징 패키지인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  9. 하우징 프레임을 제조하고;
    리드 프레임을 제조하고;
    상기 리드 프레임의 일부를 감싸도록 절연 부재를 형성하고; 및
    상기 하우징 프레임 및 절연 부재가 형성된 리드 프레임을 조립하는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 하우징 프레임의 제조는,
    하우징 바디부를 준비하고;
    상기 하우징 바디부를 단조 성형법으로 성형하여 중간 하우징 바디부를 형성하고;
    상기 중간 하우징 바디부를 스템핑 방법으로 일부 절단하는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 리드 프레임의 제조는,
    리드 프레임 바디부를 준비하고;
    상기 리드 프레임 바디부를 스템핑 방법으로 일부 절단하는 것을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조방법.
  12. 제9항에 있어서, 상기 하우징 프레임에 도금층을 더 형성하고, 상기 리드 프레임에 도금층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조 방법.
  13. 제9항에 있어서, 상기 하우징 프레임 및 상기 절연 부재가 형성된 리드 프레임을 조립한 후에, 상기 하우징 프레임과 리드 프레임간에 상기 절연부재가 용착되도록 절연 부재 융착 공정을 더 실시하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지의 제조방법.
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