WO2011068158A1

WO2011068158A1 - 画像表示装置、パネルおよびパネルの製造方法

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Publication number: WO2011068158A1
Application number: PCT/JP2010/071572
Authority: WO
Inventors: 秀謙尾方; 勇毅小林; 山田　誠; 岡本　健; 悦昌藤田; 近藤　克己
Original assignee: シャープ株式会社
Priority date: 2009-12-03
Filing date: 2010-12-02
Publication date: 2011-06-09
Also published as: CN102640200B; US20120268445A1; CN102640200A; JPWO2011068158A1; US9024936B2; JP5254469B2

Abstract

　所望の枚数のパネルを組み合わせて大型の発光面を実現した画像表示装置と、該画像表示装置に具備されるパネルと、該パネルの製造方法を提供するために、本発明に係るパネル（１１）は、長方形の表示部（１３）が設けられた平坦面（１２ａ´）と、平坦面（１２ａ´）の長辺側の端部に設けられた湾曲した隣接面（１２ｂ´）とから構成された基板（１２）を有しており、隣接面（１２ｂ´）には、表示部（１３）の長辺側から引き出された端子群が配列している。パネル（１１）同士は、各々の長方形の表示部（１３）の長手方向が平行になるように、各々の基板（１２）の平坦面（１２ａ´）の端部同士を連結させて繋がっており、隣接面（１２ｂ´）は基板（１２）背面側に位置する。画像表示部には画素（５０）がマトリクス状に配列しており、サブピクセルは各画素（５０）内において、マトリクスの列方向に並んで配置されている。

Description

画像表示装置、パネルおよびパネルの製造方法

　本発明は、画像表示装置、パネルおよびパネルの製造方法であって、より詳細には、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を表示部に有したパネルを複数繋げて大画面の有機ＥＬディスプレイを実現した画像表示装置に関する。

　近年、高度情報化に伴い、フラットパネルディスプレイのニーズが高まっている。フラットパネルディスプレイとしては、非自発光型の液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、自発光型のプラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、無機エレクトロルミネセンス（無機ＥＬ）ディスプレイ、有機エレクトロルミネセンス（有機ＥＬ）ディスプレイ等が知られているが、これらのフラットパネルディスプレイの中でも、有機ＥＬディスプレイの進歩は特に著しい。

　有機ＥＬディスプレイにおいては、単純マトリクス駆動により動画表示を行う技術、または、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いて、有機ＥＬ素子のアクティブマトリクス駆動により動画表示を行う技術が知られている。

　また、従来のディスプレイでは、赤色、緑色、青色を発光する画素を１つの単位として、並置することで、白色を代表とする様々な色を作り出すことでフルカラー化を行っている。

　これを実現化するためには、有機ＥＬの場合、一般的にシャドーマスクを用いたマスク蒸着法により有機発光層を塗り分けることで、赤色、緑色、青色の画素を形成する方法を用いている。しかし、この方法では、マスクの加工精度、マスクのアライメント精度、マスクの大型化が大きな課題となっている。特に、テレビに代表される大型ディスプレイの分野では、基板サイズが、Ｇ６からＧ８、Ｇ１０と大型化が進んでおり、従来の方法であると、基板サイズと同等以上のマスクを必要とするため大型基板に対応したマスクの作製および加工が必要となる。ところが、マスクは、非常に薄い金属（一般的な膜厚：５０～１００ｎｍ）が必要とされるため、大型化することが非常に困難である。また、大型基板に対応したマスクの作製および加工が問題となる。マスクの加工精度とマスクのアライメント精度の問題は、発光層の混じりによる混色に繋がる。またこの問題を防止するため、通常、画素間に設ける絶縁層の幅を広く取る必要があり、画素の面積が決まっている場合、発光部の面積が少なくなる、すなわち、画素の開口率の低下に繋がり、輝度の低下、消費電力の上昇、寿命の低下に繋がる。また、従来の製造方法では、蒸着ソースが、基板より下側に配置され、有機材料を下から上に向けて蒸着することで有機層を成膜するため、基板の大型化（マスクの大型化）に伴い、中央部でのマスクの撓みが問題となる。撓みの問題は、上記の混色の原因ともなる。また、極端な場合には、有機層が形成されない部分ができてしまい、上下の電極のリークによる欠陥を引き起こす。加えて、従来の方法では、マスクが、特定の回数で劣化によって使用不可能となるため、マスクの大型化の問題は、ディスプレイのコストアップに繋がってしまう。特にコスト問題は、有機ＥＬディスプレイでの最大の問題とされている。

　そこで、有機ＥＬディスプレイを複数繋ぎ合わせて大型のディスプレイとする方法が提案されているが、パネルを複数枚繋ぎ合わせた場合、繋ぎ目が視認されてしまい、ディスプレイの表示品位を低下させてしまうという問題がある。この問題に対する解決方法として、特許文献１では、開口率を犠牲にして、４枚のパネルをさらにその裏から封止することで、繋ぎ目を解消する方法を提案している。また、非特許文献１では、２枚のパネルを封止部が重なるように重ね合わせ、片側の基板に屈折率を調整した透過プレートを貼り合わせることによって繋ぎ目を解消する方法を提案している。

日本国公開特許公報「特開２００４－１１１０５９号公報（２００４年４月８日公開）」

Ｔｈｅ１５ｔｈＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＤｉｓｐｌａｙＷｏｒｋｓｈｏｐｓ（開催期間：２００８年１２月３日～５日）

　しかし、ディスプレイでは、４辺のうちの少なくとも直交する２辺から、表示部を駆動するための端子を取り出す必要がある。通常は、これらの辺にＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ　ｐｒｉｎｔｅｄ　ｃｉｒｃｕｉｔ）を圧着して駆動回路側と接続をする必要があるため、この辺を組み合わせて繋ぎ目の無いディスプレイとすることが不可能である。このため、特許文献１では、ＦＰＣを接続しない辺を最大限利用して４枚のパネルを組み合わせて１枚のディスプレイとしている。また、非特許文献１では、２枚のパネルを組み合わせて１枚のディスプレイとしている。しかし、これらの文献では、５枚以上組み合わせた時、ユニットを組み合わせてディスプレイを製造する場合の最大の問題である真中に配置されるユニットへの駆動の方法が示されておらず、実際には最大で４枚までのパネルしか組み合わせられない。そのため、大型のディスプレイを実現しようとする場合には、必然的に組み合わせる個々のパネルを大型化しなければならず、結局のところ、作製に関する上述した問題は未だ完全には解決されていない状況にある。

　また、ＬＣＤでもＰＤＰでも、大型化に伴い、一般家庭への搬送、設置場所への搬入、設置場所が問題となるが、従来の有機ＥＬディスプレイでも同様の問題が生じる。この問題は、より大型のディスプレイが一般家庭に導入される場合により顕著な問題となる。

　また、近年では、エコロジーの観点から、発光効率が非常に高い有機ＥＬは、照明の分野でも注目されている。

　本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、組み合わせる（繋ぐ）パネル数に制限がなく、且つ、その繋ぎ目の問題も解消でき、また、大型のパネル作製においても、組み合わせる個々のパネルを所望の面積まで小型化を可能とすることによりコンパクト化を実現し、低コスト化が可能な、複数のパネルを繋げてなる画像表示装置と、画像表示装置に具備されるパネルと、該パネルの製造方法を提供することにある。

　本発明のさらなる目的は、複数のパネルを用いることにより生じ得る駆動回路のコスト増加を回避することである。

　本発明者らは、上述した種々の問題について検討したところ、発光パネル装置の基材の構造と、画素の構造と、駆動回路の配置とに着目し、鋭意努力した結果、上記課題を解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。

　すなわち、本発明に係る画像表示装置は、上記の課題を解決するために、
　基材の平坦面に、第一電極および第二電極を有して電流供給、もしくは、電圧印加により光を出射する発光素子を複数個配設して構成される画素を複数備えている長方形の発光部を形成したパネルを複数備えた画像表示装置であって、
　上記基材の上記平坦面の端部であって、上記長方形の発光部を構成する一対の長辺に沿って延びた端部のうちの一方の端部に隣接して、上記平坦面を反らす方向に上記基材が湾曲もしくは折れ曲がった隣接面が設けられており、
　上記隣接面には、上記長方形の発光部の上記第一電極から引き出された第一端子群が形成されており、
　上記平坦面における、上記長方形の発光部を構成する一対の短辺のうちの一方の側に、各上記発光素子の上記第二電極から引き出された第二端子群が形成されており、
　第１の上記パネルと、該第１のパネルとは異なる第２の上記パネルとは、第１のパネルの上記発光部と、第２のパネルの上記発光部とが同じ向きに配置され、且つ、第１のパネルおよび第２のパネルの各々の上記長方形の発光部の長手方向が平行になるように、各々の上記基材の上記平坦面の上記端部同士を連結させて、繋がっており、
　複数ある上記パネルの各上記発光部の組み合わせにより、複数の上記画素がマトリクス状に配列している画像表示部を形成しており、
　複数ある上記画素のそれぞれに含まれる複数個の上記発光素子が、該画素内において、上記マトリクスの列方向に沿って並んで配置されており、
　上記第一端子群および上記第二端子群のうち上記マトリクスの行方向に引き出された端子群に接続された、上記発光素子を選択状態に設定する走査信号を出力する走査駆動回路と、
　上記第一端子群および上記第二端子群のうち上記マトリクスの列方向に引き出された端子群に接続された、上記走査信号により選択状態に設定された上記発光素子に対してデータ信号を出力するデータ駆動回路とをさらに備えていることを特徴としている。

　上記の構成によれば、上記長方形の発光部の長辺方向（長手方向）に沿って配列している画素の画素内の発光素子（例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子）の一方の電極から延びる端子を、上記隣接面に引き出して、該隣接面において該端子に駆動回路を連結することができる。

　このように駆動回路を配置する構成が実現されたことにより、上記第１のパネルと、上記第２のパネルとを繋いだ場合に、上記第１のパネルの発光部と、第２のパネルの発光部とを隙間なく並べてパネル同士を繋げる（連結する）ことができる。なぜなら、このとき、駆動回路を配置した（第１のパネルの）隣接面は、上記第１のパネルの発光部と、第２のパネルの発光部との繋ぎ目（連結部の境界）近傍の基材の背面側に反れて突き出たかたちで存在することになるからである。

　なお、他方の電極の端子は、基材の平坦面における、上記長方形の発光部の短辺のうちの一方の側に引き出され、別の駆動回路に連結することができる。これによれば、各パネルの平坦面に、そのパネルの発光部の第二電極から延びる端子を配列させることから、第二電極から端子までの間の配線長を短く実現することができる。発光素子として有機エレクトロルミネッセンス素子を用いた場合、有機エレクトロルミネッセンス素子は電流駆動であるため、その発光には電流を必要とする。そのため、第二電極には電流供給配線を上記配線として連結させることになる。ここで、電流供給配線が長い従来のディスプレイ（表示装置）では、電流を流すことによる電流供給配線での抵抗成分による、電圧降下による消費電力の上昇、発熱が問題であることが知られており、この問題の解決に、本発明による電流供給配線の短縮化は、非常に効果的である。特に、大型の高精細ディスプレイ（表示装置）では、画素数の増加、ディスプレイ（表示装置）の表示領域の増加に伴う画素面積の増加により、より大電流を電流供給配線で供給する必要が要求され、上記の問題はより深刻な問題となる。これにより本発明では、電流供給配線に電流を流すことに起因する問題を解消することが可能となり、消費電力を大幅に低減することが、発熱を大幅に低減することが可能となる。

　この結果、より低消費電力、発熱の少ない大型の発光パネル装置を作製することができ、この発光パネル装置を画像表示装置に搭載すれば、表示品位の優れた大型の画像表示装置を作製することが可能となる。

　また、上記のような本発明の構成によれば、隣接面がパネル同士の繋ぎ目に視認される状態で存在することはなく、上記第１のパネルと、上記第２の上記パネルとは、各々の上記長方形の発光部の長手方向が平行になるように、且つ、各々の上記基材の上記平坦面の上記端部同士を連結させて、連結することができる。よって、この方式で連結していけば、パネル数に制限なく連結させることができ、各パネルの発光部を隙間なく繋げて１つの大きな発光部を実現することができる。

　また、言い換えれば、本発明の構成によればパネル数に制限なくパネルを連結させるので、組み合わせる個々のパネルを所望の面積まで小型化することによりコンパクト化を実現し、低コスト化が可能なパネルを実現することができる。

　また、本発明の構成によれば、長方形の発光部を形成しているため、上記発光素子として有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を備える場合にも、従来のシャドーマスクを用いたマスク蒸着法による塗り分けの際のマスク加工が容易であり、且つ、マスクのアライメント精度も容易に高精度を実現でき、更には、マスクの撓みによるズレも問題にならない。

　また、パネルの製造装置もより小型の製造装置を用いて、画像表示装置の大型化が可能となるため製造コストの低減が可能となる。そのため、本発明に係る画像表示装置を搭載すれば、低コスト化の大型有機ＥＬディスプレイおよび有機ＥＬ表示装置を提供することが可能となる。

　また、本発明は、上記のように、或るパネルの発光部の長辺側において別のパネルを繋げることから、発光部の短辺側において繋げるよりも、同じ幅（各パネルの発光部における短辺の長さ）で各パネルを作製した場合、より少ない枚数で大型の画像表示装置を作製することができる。具体的には、６５型のハイビジョンテレビを想定した場合、横（最終形態での長辺）×縦（最終形態での短辺）の大きさが１４００ｍｍ×８００ｍｍとなる。１００ｍｍの幅のパネルでそれぞれ最終形態での短辺方向に沿って組み合わせる場合および最終形態での長辺方向に沿って組み合わせる場合を考察すると、後述する本発明の画像表示装置においてパネルを最終形態での短辺方向に沿って繋げる場合は、パネルは、大きさが１４００ｍｍ×１００ｍｍとなり、８枚繋げることで最終形態を完成することができる。これに比べ、最終形態での長辺方向に沿って繋げる場合は、パネルは、大きさが８００ｍｍ×１００ｍｍとなり、最終形態を完成するために１４枚のパネルが必要となる。

　この結果、少ない連結部で大型の発光パネル装置を実現することができ、この発光パネル装置を画像表示装置に適用することによって大型の画像表示装置を作製することが可能となる。

　なお、本発明に係る画像表示装置は複数のパネルを組み合わせて構成されているため、パネルの枚数が増加すると画像表示装置に含まれる隣接面が増加する。これにより隣接面上の端子に接続される駆動回路の必要数も増加し、コストが増加してしまう。そのため、駆動回路の必要数が少ない構成がより望ましい。とりわけ、データ駆動回路は走査駆動回路よりもコストが高いため、データ駆動回路の数を削減することが望ましい。

　従来の画像表示装置の構成では、画像表示部において画素がマトリクス状に配列しており、画素内の複数の発光素子はマトリクスの行方向に並んで配置されている。このとき、一つの画素に対して複数本（画素内に含まれる発光素子の数）のデータ信号線あるいは信号電極が必要となる。一方、本発明に係る画像表示装置では、画素内の複数の発光素子がマトリクスの列方向に並んでいる。このため、一つの画素に対して必要となるデータ信号線あるいは信号電極の数が１本で済むことになる。したがって、対応するデータ駆動回路の数も従来の表示パネルよりも少なくなり、低コスト化を実現できる。

　また、本発明に係る画像表示装置は、上記の課題を解決するために、基材の平坦面に、第一電極および第二電極を有して電流供給、もしくは、電圧印加により光を出射する発光素子を複数個配設して構成される画素を複数備えている長方形の発光部を形成したパネルを複数備えた画像表示装置であって、
　上記基材の上記平坦面の端部であって、上記長方形の発光部を構成する一対の長辺に沿って延びた端部のうちの一方の端部に隣接して、上記平坦面を反らす方向に上記基材が湾曲もしくは折れ曲がった隣接面が設けられており、
　上記隣接面には、上記長方形の発光部の上記第一電極から引き出された第一端子群が形成されており、
　上記平坦面における、上記長方形の発光部を構成する一対の短辺のうちの一方の側に、各上記発光素子の上記第二電極から引き出された第二端子群が形成されており、
　第１の上記パネルと、該第１のパネルとは異なる第２の上記パネルとは、第１のパネルの上記発光部と、第２のパネルの上記発光部とが同じ向きに配置され、且つ、第１のパネルおよび第２のパネルの各々の上記長方形の発光部の長手方向が平行になるように、各々の上記基材の上記平坦面の上記端部同士を連結させて、繋がっており、
　複数ある上記パネルの各上記発光部の組み合わせにより、複数の上記画素がマトリクス状に配列している画像表示部を形成しており、
　上記長手方向が、上記マトリクスの行方向と平行であり、
　複数ある上記画素のそれぞれに含まれる複数個の上記発光素子が、該画素内において、上記マトリクスの行方向または列方向に沿って並んで配置されており、
　上記第一端子群に接続されている、上記発光素子を選択状態に設定する走査信号を出力する走査駆動回路と、
　上記第二端子群に接続されている、上記走査信号により選択状態に設定された上記発光素子に対してデータ信号を出力するデータ駆動回路とをさらに備えている構成でもあり得る。

　上記構成であっても、上述の画像表示装置と同様の効果を得ることができる。

　また、本発明には、上述した画像表示装置の構成部材であるパネル自体も含まれる。

　すなわち、本発明には、
　基材の平坦面に、第一電極および第二電極を有して電流供給、もしくは、電圧印加により光を出射する発光素子を複数個配設して長方形の発光部を形成したパネルであって、
　上記基材の上記平坦面の端部であって、上記長方形の発光部を構成する一対の長辺に沿って延びた端部のうちの一方の端部に隣接して、上記平坦面を反らす方向に上記基材が湾曲もしくは折れ曲がった隣接面が設けられており、
　上記隣接面には、上記長方形の発光部の上記第一電極から引き出された端子群が形成されており、
　複数ある上記画素のそれぞれに含まれる複数個の上記発光素子が、該画素内において、上記長方形の発光部を構成する一対の短辺と平行な方向に沿って並んで配置されていることを特徴とするパネルも含まれる。

　また、本発明には、上記画像表示装置に設けられた上記パネルの製造方法も含まれる。

　すなわち、上記パネルの製造方法であって、
　上記平坦面および上記隣接面を有した上記基材を準備する基材準備工程と、
　上記基材準備工程により準備された上記基材の上記平坦面の上に、第一電極および第二電極を有して電流供給、もしくは、電圧印加により光を出射する発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する発光素子形成工程と、
を含み、
　上記発光素子形成工程には、
　上記基材の上記平坦面の上に、上記第一電極もしくは上記第二電極を形成する電極形成工程と、
　上記電極形成工程によって形成された電極の上に、上記有機エレクトロルミネッセンス素子において上記第一電極と上記第二電極との間に設けられる有機層を、インライン型蒸着方法を用いて形成する有機層形成工程と、
が含まれることを特徴とする製造方法も本発明に含まれる。

　上記の構成によれば、インライン型蒸着方法を用いて、上記有機層を形成することから、高生産性のインライン型蒸着装置のメリットを最大限生かして、シャドーマスクを用いたマスク蒸着による塗り分けを行うことが可能となる。

　具体的には、有機ＥＬのシャドーマスクを用いた塗り分け方式では、一般的に、下から、蒸着源（ソース）、シャドーマスク、基板の順となる。基板の大型化に伴う、マスクの大型化により、従来からマスクにテンションをかけて剛直なフレームに貼り、マスクの撓みをより低減する方法を採用してはいるがが、マスクの撓みに起因する色ずれ、混色、非発光画素（非発光ライン）、リークによる消費電力の上昇等が生じ、最大の問題とされる。これに対して、本発明の方法を用いて、１辺の長さを最終形態より格段に短くすることが可能となる。インライン型蒸着装置を用いて、パネルの長辺方向に基材を搬送し、成膜を行っていく方式で製造すると、マスク幅を極端に短くすることが可能となり、マスクの撓みを解消することが可能となる。

　この結果、マスクの撓みに起因する色ずれ、混色、非発光画素（非発光ライン）、リークによる消費電力の上昇等の問題を解消することが可能となり、低コスト化、低消費電力化が可能なパネルを効率良く生産することが可能である。よって、このパネルを用いた上記発光パネル装置を低コストで低消費電力で実現することができ、同様に、発光パネル装置を具備した本発明の画像表示装置および照明装置にも、これらの効果を得ることができる。

　本発明に係る画像表示装置は、以上のように、
　基材の平坦面に、第一電極および第二電極を有して電流供給、もしくは、電圧印加により光を出射する発光素子を複数個配設して構成される画素を複数備えている長方形の発光部を形成したパネルを複数備えた画像表示装置であって、
　上記基材の上記平坦面の端部であって、上記長方形の発光部を構成する一対の長辺に沿って延びた端部のうちの一方の端部に隣接して、上記平坦面を反らす方向に上記基材が湾曲もしくは折れ曲がった隣接面が設けられており、
　上記隣接面には、上記長方形の発光部の上記第一電極から引き出された端子群が形成されており、
　上記平坦面における、上記長方形の発光部を構成する一対の短辺のうちの一方の側に、各上記発光素子の上記第二電極から引き出された第二端子群が形成されており、
　第１の上記パネルと、該第１のパネルとは異なる第２の上記パネルとは、第１のパネルの上記発光部と、第２のパネルの上記発光部とが同じ向きに配置され、且つ、第１のパネルおよび第２のパネルの各々の上記長方形の発光部の長手方向が平行になるように、各々の上記基材の上記平坦面の上記端部同士を連結させて、繋がっており、
　複数ある上記パネルの各上記発光部の組み合わせにより、複数の上記画素がマトリクス状に配列している画像表示部を形成しており、
　複数ある上記画素のそれぞれに含まれる複数個の上記発光素子が、該画素内において、上記マトリクスの列方向に沿って並んで配置されており、
　上記第一端子群および上記第二端子群のうち上記マトリクスの行方向に引き出された端子群に接続された、上記発光素子を選択状態に設定する走査信号を出力する走査駆動回路と、
　上記第一端子群および上記第二端子群のうち上記マトリクスの列方向に引き出された端子群に接続された、上記走査信号により選択状態に設定された上記発光素子に対してデータ信号を出力するデータ駆動回路とをさらに備えていることを特徴としている。

　あるいは、基材の平坦面に、第一電極および第二電極を有して電流供給、もしくは、電圧印加により光を出射する発光素子を複数個配設して構成される画素を複数備えている長方形の発光部を形成したパネルを複数備えた画像表示装置であって、
　上記基材の上記平坦面の端部であって、上記長方形の発光部を構成する一対の長辺に沿って延びた端部のうちの一方の端部に隣接して、上記平坦面を反らす方向に上記基材が湾曲もしくは折れ曲がった隣接面が設けられており、
　上記隣接面には、上記長方形の発光部の上記第一電極から引き出された第一端子群が形成されており、
　上記平坦面における、上記長方形の発光部を構成する一対の短辺のうちの一方の側に、各上記発光素子の上記第二電極から引き出された第二端子群が形成されており、
　第１の上記パネルと、該第１のパネルとは異なる第２の上記パネルとは、第１のパネルの上記発光部と、第２のパネルの上記発光部とが同じ向きに配置され、且つ、第１のパネルおよび第２のパネルの各々の上記長方形の発光部の長手方向が平行になるように、各々の上記基材の上記平坦面の上記端部同士を連結させて、繋がっており、
　複数ある上記パネルの各上記発光部の組み合わせにより、複数の上記画素がマトリクス状に配列している画像表示部を形成しており、
　上記長手方向が、上記マトリクスの行方向と平行であり、
　複数ある上記画素のそれぞれに含まれる複数個の上記発光素子が、該画素内において、上記マトリクスの行方向または列方向に沿って並んで配置されており、
　上記第一端子群に接続されている、上記発光素子を選択状態に設定する走査信号を出力する走査駆動回路と、
　上記第二端子群に接続されている、上記走査信号により選択状態に設定された上記発光素子に対してデータ信号を出力するデータ駆動回路とをさらに備えていることを特徴としている。

　これにより、組み合わせる（繋ぐ）パネル数に制限がなく、且つ、その繋ぎ目の問題も解消でき、また、大型のパネル作製においても、組み合わせる個々のパネルを所望の面積まで小型が可能とすることによりコンパクト化を実現することができる。さらに複数のパネルを用いることにより生じる駆動回路数の増加によるコストの増加を抑えることができる。

本発明の一実施形態に係る画像表示装置の構成を示した斜視図である。図１に示した画像表示装置を構成するパネルの斜視図である。本発明の一実施形態に係る画像表示装置の画素の構成を一部拡大して示した斜視図である。本発明の一実施形態に係る画像表示装置の別の画素の構成を一部拡大して示した斜視図である。図１に示した本実施形態の画像表示装置の駆動方式の一例として挙げられる電圧駆動デジタル階調方式の駆動回路を示した図である。（ａ）は比較用の画像表示装置および画素の構成を示した斜視図であり、（ｂ）は（ａ）における回路構成の概略を示した図である。（ａ）は本発明の一実施形態に係る画像表示装置および画素の構成を示した斜視図であり、（ｂ）は（ａ）における回路構成の概略を示した図であり、（ｃ）は（ａ）における別の回路構成の概略を示した図である。図１に示した画像表示装置を構成するパネルの別の連結形態を説明する図である。（ａ）は比較用の画像表示装置および画素の構成を示した斜視図であり、（ｂ）は（ａ）における回路構成の概略を示した図である。（ａ）は本発明の別の実施形態に係る画像表示装置および画素の構成を示した斜視図であり、（ｂ）は（ａ）における回路構成の概略を示した図である。図１に示した画像表示装置を構成するパネルに形成された表示部の構成を示した断面図である。図１に示した画像表示装置を構成するパネルに形成方法を説明する図である。図１に示した画像表示装置を構成するパネルに形成された表示部の構成を示した断面図である。比較構成であり、エッジカバーを配設していない構成の断面図である。（ａ）～（ｄ）は、図１に示した画像表示装置を構成するパネルの連結を説明する図であり、（ａ）は１つのパネルの正面図であり、（ｂ）はパネルの上面図であり、（ｃ）はパネルを連結させてなる画像表示装置の正面図（表示部側からみた図）であり、（ｄ）は（ｃ）に示した画像表示装置の側面図である。図１に示した画像表示装置を構成するパネルの別の連結形態を説明する図である。図１に示した画像表示装置を構成するパネルの別の連結形態を説明する図である。図１に示した画像表示装置を構成するパネルの別の形態を示した斜視図である。実施例のパネルの構成を示した断面図である。（ａ）は点順次駆動の回路の構成を示した図であり、（ｂ）は線順次駆動の回路の構成を示した図である。

　本発明に係る一実施形態について、図１から図２０を参照して以下に説明する。本実施形態における画像表示装置は、テレビ受像機などの画像（映像）を表示する機能を備えた表示装置として使用することができる。

　本発明は、一実施形態として例示する画像表示装置の構成のうち、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子を複数有して長方形をなした表示部を備えたパネルに特徴的構成を有する。以下では、パネルの詳細な構成およびパネルの製造方法を中心に、本実施形態の画像表示装置の構成を説明する。

　〔１〕画像表示装置の構成
　図１は、本実施の形態における画像表示装置の構成の一部を示した斜視図である。画像表示装置は、図１に示すように、画像表示体１０と、図示しない外部駆動回路とを備えている。

　上記画像表示体１０は、詳細は後述するが、図２に示す長方形を有した表示部１３を備えたパネル１１を複数枚（図１では３枚）を繋げて構成されたものである。上記外部駆動回路は、それぞれのパネル１１を駆動するために各パネル１１に電気的に接続されている。

　上記外部駆動回路は、画像表示体１０の各パネル１１に設けられた表示部１３を駆動するために設けられており、走査電極回路、データ信号電極回路、および電源回路を有している。

　図３および図４は、画像表示体１０とともに、表示部１３の一部の画素構成を拡大して示している図である。図３は画像表示装置が単純マトリクス駆動を行う表示装置である場合、図４は画像表示装置がアクティブマトリクス駆動を行う表示装置である場合を図示している。図３および図４に示すように、画像表示体１０の表示部１３には、マトリクス状に配置されている複数の画素５０が含まれている。各画素５０は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の各サブピクセル５１Ｒ、５１Ｇおよび５１Ｂによって構成されている。

　図３および図４に示す画像表示体１０では、各サブピクセルはその画素５０内において、マトリクスの列方向に並んで配置されている。すなわち、これらの画像表示体１０では、各サブピクセルはその画素５０内において、各パネル１１の短辺方向に並んで配置されている。なお、後述するように、各サブピクセルが画素５０内において各パネルの長辺方向に並んで配置されている構成をとることも可能である。

　ここで、駆動は、それぞれのパネル１１を電気的に接続して、外部駆動回路により一括して駆動することができる。しかし、本発明は特にこれらに限定されるものではなく、上述した駆動方式でもよく、または、パネル１１をそれぞれ独立に外部駆動回路に電気的に接続して駆動を行ってもよい。例えば、図３に示すように、各サブピクセル５１Ｒ、５１Ｇおよび５１Ｂが各パネル１１の短辺方向（画素５０のマトリクス配置の列方向）に並んで配置されており、単純マトリクス駆動する画像表示装置を、各パネル１１を繋げて作製する場合には、次のようにして画像表示装置の駆動が可能となる。すなわち、長方形を有した各パネル１１の表示部１３の長辺側に設けられたＨスキャン１４の端子（第一端子群）を、直接電気的に接続（具体的には、各Ｈスキャン１４の端子にＦＰＣを接続して各ＦＰＣを直接電気的に接続する方法）を行った後、Ｈスキャン１４側を従来の外部に設けられた走査電極回路を介して電源回路に接続する。一方、長方形を有した各パネル１１の表示部１３の短辺側の端子群（第二端子群）が配列したＶスキャン１５側を従来の外部に設けられたデータ信号電極回路を介して電源回路に接続する。以上により、画像表示装置の駆動を行うことが可能となる。

　また、各パネル１１のＨスキャン１４側を従来の外部に設けられた走査電極回路（走査駆動回路）および電源回路にそれぞれ独立に接続し、Ｖスキャン１５側を従来の外部に設けられたデータ信号電極回路（データ駆動回路）を介して電源回路に接続することで、駆動を行うことも可能となる。

　また、本実施形態の画像表示装置は、図４に示すように、表示部１３をアクティブマトリクス駆動する構成を有していてもよい。各サブピクセル５１Ｒ、５１Ｇおよび５１Ｂが各パネル１１の短辺方向（画素５０のマトリクス状配置の列方向）に並んで配置されており、画像表示装置がアクティブマトリクス駆動型である場合には、後述するように、パネル１１には、ＴＦＴ等のスイッチング回路が画素内に配設されている。またスイッチング回路は、それぞれの長方形有機ＥＬを駆動するために外部駆動回路（ゲートドライバ、ソースドライバ、電源回路）に電気的に接続されている。例えば、図５に示すように、電圧駆動デジタル階調方式により駆動が行われ、画素毎にスイッチング用ＴＦＴ（アクティブマトリクス駆動素子）２および駆動用ＴＦＴ（アクティブマトリクス駆動素子）３の２つのＴＦＴが配置され、駆動用ＴＦＴ３と表示部１３に設けられた第一電極とが平坦化層に形成されるコンタクトホールを介して電気的に接続されている。また、一画素中には駆動用ＴＦＴ３のゲート電位を定電位にするためのコンデンサーが、駆動用ＴＦＴ３のゲート部分に接続されるように配置されている。ＴＦＴ上には、平坦化層が形成されて構成されている。しかし、本発明では、特にこれらに限定されるものではなく、上述した電圧駆動デジタル階調方式でもよく、また、電流駆動アナログ階調方式でもよい。また、ＴＦＴの数も、特に限定されるものではなく、上述した２つのＴＦＴにより、表示部１３を駆動してもよいし、ＴＦＴの特性（移動度、閾値電圧）バラツキを防止する目的で、画素内に補償回路を内蔵した従来の２個以上のＴＦＴを用いた表示部１３を駆動してもよい。例えば、画像表示装置をアクティブマトリクス駆動する場合、および、各パネル１１を繋げて画像表示装置を作製する場合、各パネル１１の長辺側に設けられたＨスキャン１４の端子を、直接、電気的に接続（具体的には、各Ｈスキャン１４の端子にＦＰＣを接続して各ＦＰＣを、直接、電気的に接続する方法）を行った後、Ｈスキャン１４側を従来の外部に設けられたソースドライバ（データ駆動回路）に接続する。一方、Ｖスキャン１５側を従来の外部に設けられたゲートドライバ（走査駆動回路）に接続する。以上により、画像表示装置の駆動を行うことが可能となる。

　但し、後述する図７の（ｃ）に示すように、Ｈスキャン１４側を従来の外部に設けられたゲートドライバに接続し、Ｖスキャン１５側を従来の外部に設けられたソースドライバに接続することでも、駆動を行うことが可能である。この場合、少なくとも１画面分の画像信号をメモリに格納し、マトリクス配置された画素の縦列の左から順に画像を表示させるように画像信号を取りだして出力する変換手段をさらに備えていることが好ましい。

　また、上記ソースドライバおよびゲートドライバを、画素を構成するＴＦＴ形成プロセスと同様のプロセスで作製することでパネル内部に内蔵してもよい。また、各パネル１１のＨスキャン側を従来の外部に設けられたソースドライバにそれぞれ独立に接続し、Ｖスキャン側を従来の外部に設けられたゲートドライバに接続することで、駆動を行うことも可能となる。また、上記ソースドライバおよびゲートドライバを、画素を構成するＴＦＴ形成プロセスと同様のプロセスで作製することでパネル内部に内蔵してもよい。

　なお、本実施形態では、主として、各パネル１１の表示部１３が繋がって形成される画像表示体１０としての表示部が上下方向よりも水平方向に長い、いわゆる横長の場合について説明しているが、これに限定されるものではない。また例えば、横長の表示部を有する画像表示体１０を９０度回転させて用いることにより、水平方向よりも上下方向に長い、いわゆる縦長の表示部を有する表示装置とすることも可能である。

　次に、パネル１１の構成について図２に基づいて説明する。

　〔２〕パネルの構成
　パネル１１は、図２に示すように、基板１２と、表示部１３と、Ｈスキャン１４と、Ｖスキャン１５とを備えている。各構成について、以下に説明する。

　［基板］
　基板１２には、図２に示すように、その片面に、表示部１３と、Ｈスキャン１４と、Ｖスキャン１５とが設けられている。

　後述するように表示部１３は長方形を有しており、基板１２における表示部１３の形成領域１２ａは、長方形の表示部１３と同じく長方形を有した平坦面１２ａ´として構成されている。

　ここで、基板１２には、更に、長方形の表示部１３の一方の長辺側において、該長辺に沿って平坦面と隣接した領域１２ｂ（以下、隣接領域１２ｂと称する）があり、本発明では、この隣接領域に特徴がある。

　具体的には、この隣接領域１２ｂは、基板１２における表示部１３の形成領域１２ａ（平坦面１２ａ´）と面一である隣接面１２ｂ´を有し、平坦面の長辺が延びている方向とは垂直方向に所定の幅を有して構成されている。この隣接面１２ｂ´には、表示部１３は形成されていない。そして、特徴的なのは、この隣接面１２ｂ´は、平坦ではなく、図２に示すように、基板１２の表示部１３形成面を反らす方向に湾曲している点にある。

　基板１２としては、例えば、ガラス、石英等からなる無機材料基板、ポリエチレンテレフタレート、ポリカルバゾール、ポリイミド等からなるプラスティック基板、アルミナ等からなるセラミックス基板等の絶縁性基板、又は、アルミニウム（Ａｌ）、鉄（Ｆｅ）等からなる金属基板、または、上記基板上に酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、有機絶縁材料等からなる絶縁物を表面にコーティングした基板、Ａｌ等からなる金属基板の表面を陽極酸化等の方法で絶縁化処理を施した基板等が挙げられる。本発明はこれらの材料に限定されるものではないが、湾曲した上記隣接領域をストレス無く形成することが可能となるため、上述したプラスティック基板もしくは金属基板を用いることが好ましい。また、プラスティック基板に無機材料をコートした基板、および金属基板に無機絶縁材料をコートした基板が更に好ましい。これにより、プラスティック基板をパネル１１の基板１２として用いた場合の最大の問題となる水分の透過による表示部１３の劣化を解消することが可能となる。また、金属基板を有機ＥＬの基板として用いた場合の最大の問題となる金属基板の突起によるリーク（ショート）（有機ＥＬの膜厚は、１００～２００ｎｍ程度と非常に薄いため、突起による画素部での電流にリーク（ショート）が、顕著に起こることが知られている。）を解消することが可能となる。

　また、基板１２として、透明または半透明の基板を用いれば、表示部１３からの光を基板１２の背面側（図１における紙面奥側）から取り出すことができる。

　また、湾曲している隣接領域１２ｂ（隣接面１２ｂ´）の作製方法は、もとは平らな基板を加工して曲げることによって作製してもよいし、成型によって図２の基板１２を作製してもよい。加工して曲げる方法を用いる場合、該加工は、表示部１３が形成される前の段階でもよく、表示部１３が形成される時点では平らな基板の状態で、表示部１３形成後に隣接領域１２ｂとなる部分を曲げる加工を施してもよい。

　なお、本実施形態では、基板１２は、表示部１３が形成されている領域１２ａと、隣接領域１２ｂとが１つの基板として構成されているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、表示部１３が形成されている領域１２ａを有した構造体（例えば、平板）と、隣接領域１２ｂを有した構造体（例えば、Ｕ字型に湾曲した板）とを貼り合わせるなどして１つの基板１２とするものであってもよい。このとき、これら構造体同士は同じ材料から構成されていてもよく、互いに異なる材料からなるものであってもよい。

　［基板の別例；アクティブマトリクス基板］
　上述のように、本実施形態の画像表示装置は、表示部１３をアクティブマトリクス駆動することができる。アクティブマトリクス駆動するためには、基板１２として、ガラス基板上、より好ましくは、金属基板上、プラスティック基板上、更に好ましくは、金属基板、もしくは、プラスティック基板上に絶縁材料をコートした基板上に、複数の走査信号線５６、データ信号線５４、および、走査信号線５６とデータ信号線５４との交差部にスイッチング用ＴＦＴ２が配置されたアクティブマトリクス基板を用いる。

　ＴＦＴを形成する場合には、基板１２は、５００℃以下の温度で融解せず、歪みも生じない材料のものを用いることが好ましい。また、一般的な金属基板は、ガラスと熱膨張率が異なるため、従来の生産装置で金属基板上にＴＦＴを形成することが困難である。しかしながら、線膨張係数が１×１０^－５／℃以下の鉄－ニッケル系合金である金属基板を用いて、線膨張係数をガラスに合わせ込むことで、金属基板上にＴＦＴを従来の生産装置を用いて安価に形成することが可能となる。また、プラスティック基板の場合には、耐熱温度が非常に低いため、ガラス基板上にＴＦＴを形成した後、プラスティック基板にＴＦＴを転写することで、プラスティック基板上にＴＦＴを転写形成することが可能である。

　なお、上記では、複数の走査信号線５６、データ信号線５４、および、走査信号線５６とデータ信号線５４との交差部に配されたスイッチング用ＴＦＴ２を、基板１２の構成要素として説明しているが、本発明はこれに限定されるものではなく、これらを、後述する表示部１３の構成要素としてもよい。

　また、アクティブマトリクス基板には、ＴＦＴのほかにも、層間絶縁膜および平坦化膜が設けられる。

　ここで、ＴＦＴ、層間絶縁膜、および、平坦化膜について詳述する。

　・　ＴＦＴ
　ＴＦＴは、表示部１３を形成する前に、予め基板１２上に形成され、スイッチング用および駆動用として機能する。本発明で用いられるＴＦＴとしては、公知のＴＦＴが挙げられる。また、本発明では、ＴＦＴの代わりに金属－絶縁体－金属（ＭＩＭ）ダイオードを用いることもできる。

　本発明において用いられるＴＦＴは、公知の材料、構造および形成方法を用いて形成することができる。ＴＦＴの活性層の材料としては、例えば、非晶質シリコン（アモルファスシリコン）、多結晶シリコン（ポリシリコン）、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料、酸化亜鉛、酸化インジウム－酸化ガリウム－酸化亜鉛等の酸化物半導体材料又は、ポリチオフェン誘導体、チオフエンオリゴマー、ポリ（ｐ－フェリレンビニレン）誘導体、ナフタセン、ペンタセン等の有機半導体材料が挙げられる。また、ＴＦＴの構造としては、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型が挙げられる。

　ＴＦＴを構成する活性層の形成方法としては、（１）プラズマ誘起化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法により成膜したアモルファスシリコンに不純物をイオンドーピングする方法、（２）シラン（ＳｉＨ_４）ガスを用いた減圧化学気相成長（ＬＰＣＶＤ）法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法、（３）Ｓｉ_２Ｈ_６ガスを用いたＬＰＣＶＤ法又はＳｉＨ_４ガスを用いたＰＥＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得た後、イオンドーピングを行う方法（低温プロセス）、（４）ＬＰＣＶＤ法又はＰＥＣＶＤ法によりポリシリコン層を形成し、１０００℃以上で熱酸化することによりゲート絶縁膜を形成し、その上に、ｎ^＋ポリシリコンのゲート電極を形成し、その後、イオンドーピングを行う方法（高温プロセス）、（５）有機半導体材料をインクジェット法等により形成する方法、（６）有機半導体材料の単結晶膜を得る方法等が挙げられる。

　本発明で用いられるＴＦＴのゲート絶縁膜は、公知の材料を用いて形成することができる。例えば、ＰＥＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法等により形成されたＳｉＯ_２又はポリシリコン膜を熱酸化して得られるＳｉＯ_２等が挙げられる。また、本発明で用いられるＴＦＴの信号電極線、走査電極線、共通電極線、第１駆動電極および第２駆動電極は、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）等が挙げられる。本発明に係る有機ＥＬパネルのＴＦＴは、上記のような構成で形成することができるが、これらの材料、構造および形成方法に限定されるものではない。

　・　層間絶縁膜
　上記層間絶縁膜としては、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯ_２）、窒化シリコン（ＳｉＮ、又は、Ｓｉ_２Ｎ_４）、酸化タンタル（ＴａＯ、又は、Ｔａ_２Ｏ_５）等の無機材料、又は、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。また、その形成方法としては、化学気相成長（ＣＶＤ）法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられる。また、必要に応じてフォトリソグラフィー法等によりパターニングすることもできる。

　また、表示部１３からの発光をパネル１１の前方（図１の紙面手前側）から取り出す場合には、外光が基板上に形成されたＴＦＴに入射して、ＴＦＴ特性に変化が生じることを防ぐ目的で、遮光性を兼ね備えた遮光性絶縁膜を用いることが好ましい。

　また、上記の絶縁膜と遮光性絶縁膜を組み合わせて用いることもできる。遮光性層間絶縁膜としては、フタロシアニン、キナクロドン等の顔料又は染料をポリイミド等の高分子樹脂に分散したもの、カラーレジスト、ブラックマトリクス材料、Ｎｉ_ｘＺｎ_ｙＦｅ_２Ｏ_４等の無機絶縁材料等が挙げられる。しかしながら、本発明はこれらの材料および形成方法に限定されるものではない。

　・　平坦化膜
　基板上にＴＦＴ等を形成した場合には、その表面に凸凹が形成され、この凸凹によって表示部１３の欠陥（例えば、画素電極の欠損、表示部１３に設けられた有機層の欠損、対向電極の断線、画素電極と対向電極の短絡、耐圧の低下等）等が発生するおそれがある。これらの欠陥を防止するために、層間絶縁膜上に平坦化膜を設けることができる。

　平坦化膜としては、公知の材料を用いて形成することができ、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化タンタル等の無機材料、ポリイミド、アクリル樹脂、レジスト材料等の有機材料等が挙げられる。平坦化膜の形成方法としては、ＣＶＤ法、真空蒸着法等のドライプロセス、スピンコート法等のウエットプロセスが挙げられるが、本発明はこれらの材料および形成方法に限定されるものではない。

　また、平坦化膜は、単層構造でも多層構造でもよい。

　［表示部］
　図１および図２に示す表示部１３の具体的構成について、図４、図６～１１に基づいて説明する。図６、図７、図９および図１０は、各画素のサブピクセルの配置と各駆動ドライバ（ゲートドライバ、ソースドライバ、電源回路）との関係を示した模式図であり、図１１は、表示部１３の構成を示した断面図である。

　図１１に示すように、表示部１３は、上記した基板１２の平坦面１２ａ´上に、第一電極２０と、少なくとも有機発光材料からなる有機発光層を有する有機層３０と、第二電極２１とがこの順に積層された有機ＥＬ素子（発光素子）を複数有して構成されており、長方形を有している。長方形の表示部１３の一方の長辺側には、平坦面１２ａ´に隣接した隣接領域１２ｂ（隣接面１２ｂ´）が、該長辺に沿って設けられている。また、表示部１３の他方の長辺側の端部は、平坦面１２ａ´の端部、すなわち、平坦面１２ａ´における隣接面１２ｂ´隣接側とは反対側の端部と位置が揃っている。このように端部を揃えることで、パネル１１同士を連結した際に、図４に示すように、表示部１３同士を面一に連結することができる。

　表示部１３は、赤色、緑色、青色の有機発光層を有する有機ＥＬ素子を並置することで、フルカラーを得ることができる。また、白色発光を得るためには、黄色、青色の有機発光層を、もしくは、赤色、緑色、青色の有機発光層を積層した有機ＥＬ素子を用いることができる。

　なお、図１１には示していないが、第一電極２０、有機層３０、および第二電極２１のほかにも、第一電極２０のエッジ部分のリークを防止する絶縁性のエッジカバーと、また、有機層３０をウエットプロセスで作製する場合に塗布される機能性材料溶液を保持するための絶縁性の隔壁層とを、第一電極２０の上にこの順番で形成した後に、有機層３０と、第二電極２１とが積層されていてもよい。
・　画素構成
　上述のように、本発明に係る画像表示装置は、単純マトリクス駆動型およびアクティブマトリクス駆動型のいずれの駆動型も可能であるが、ここではアクティブマトリクス駆動型の画像表示装置について説明する。

　図４に示すように、表示部１３には、複数の画素５０がマトリクス状に配列している。各画素５０は、複数のサブピクセル、ここでは赤色を表示するサブピクセル５１Ｒ、緑色を表示するサブピクセル５１Ｇ、青色を表示するサブピクセル５１Ｂを含んで構成されている。赤色、緑色および青色の各サブピクセル５１Ｒ、５１Ｇおよび５１Ｂにはそれぞれ、赤色、緑色および青色の有機発光層を有する有機ＥＬ素子が形成されている。

　図６は、画素内におけるサブピクセルの配列方向ならびに走査信号線およびデータ信号線の配列方向が従来の画像表示装置と同じものとなるように表示部１３を形成し、複数のパネルを上下方向（マトリクスの列方向）に繋げた比較用の画像表示装置を示す図である。具体的には、図６の（ａ）および（ｂ）に示すように、各サブピクセル５１Ｒ、５１Ｇおよび５１Ｂは、画素５０内において、マトリクスの行方向に並んで配置されている。走査信号線５６はマトリクスの行方向と平行な方向に延びており、データ信号線５４および電源線（電源供給配線）５５はマトリクスの列方向と平行な方向に延びている。

　各データ信号線５４はＨスキャン１４においてソースドライバ５８と電気的に接続されており、各走査信号線５６はＶスキャン１５においてゲートドライバ５７と電気的に接続されている。このような構成では、各画素５０にはデータ信号線５４が３本（各サブピクセル分）必要となる。

　各パネル１１のデータ信号線５４は、各パネル１１のＨスキャン１４においてソースドライバと接続される。そのため、画像表示装置の駆動に必要なソースドライバは、パネル１１の数がｎ枚であるとき、表示部が分割されていない従来の画像表示装置と比較してｎ倍の数が必要になる。

　図７は、画素内におけるサブピクセルの配列方向ならびに走査信号線およびデータ信号線の配列方向が従来の画像表示装置と異なるものとなるように、表示部１３を形成し、複数のパネルを上下方向（マトリクスの列方向）に繋げた本発明に係る画像表示装置を示す図である。具体的には、図７の（ａ）～（ｃ）に示すように、各サブピクセル５１Ｒ、５１Ｇおよび５１Ｂは、画素５０内において、マトリクスの列方向に並んでいる。すなわち、パネル１１を上下方向に繋げて画像表示体１０を構成した場合において、各サブピクセルは画素内においてパネル１１の短辺方向に並んで配置されている。走査信号線５６はマトリクスの行方向と平行な方向に延びており、データ信号線５４および電源線５５はマトリクスの列方向と平行な方向に延びている（図７の（ｂ））。あるいは、データ信号線５４がマトリクスの行方向と平行な方向に延びており、走査信号線５６および電源線５５がマトリクスの列方向と平行な方向に延びている（図７の（ｃ））。

　図７の（ｂ）に示す構成を有する画像表示体１０では、各データ信号線５４はＨスキャン１４においてソースドライバ５８と電気的に接続されており、各走査信号線５６はＶスキャン１５においてゲートドライバ５７と電気的に接続されている。このような構成では、各画素５０に必要なデータ信号線５４の数は１本（１サブピクセル分）である。

　したがって、図７の（ｂ）に示す構成を有する画像表示体１０では、画像表示装置の駆動に必要なソースドライバの数は、図６に示す比較構成を有する画像表示体１０と比較して、その１／３で済む。すなわち、必要とするソースドライバの数を低減することができる。したがって、複数のパネルを用いることにより生じるソースドライバ数の増加を抑制することができるため、コストの増加を抑えることができる。

　なお、図７の（ｂ）に示す構成では図６に示す構成と比較してゲートドライバの必要数が増加することになる。しかしながら、後述するように、ゲートドライバの方がソースドライバよりもコストが安いため、ゲートドライバの数が増加してもソースドライバの数が低減することにより、低コスト化を実現できる。

　一方、図７の（ｃ）に示す構成を有する画像表示体１０では、各データ信号線５４はＶスキャン１５の端子群においてソースドライバ５８と電気的に接続されており、各走査信号線５６はＨスキャン１４の端子群においてゲートドライバ５７と電気的に接続されている。このような構成では、各画素５０にはデータ信号線５４が３本（各サブピクセル分）必要となる。

　しかしながら、各パネル１１のデータ信号線５４は、各パネル１１のＶスキャン１５においてソースドライバと接続される。そのため、画像表示装置の駆動に必要なソースドライバは、画像表示体１０が複数枚のパネル１１によって構成されていても、表示部が分割されていない従来の画像表示装置と同数で済む。

　例えば、画像表示装置が、ハイビジョンの縦横の画素数（１９２０画素×１０８０画素）を有している場合、すなわち横と縦との比が１６：９である場合には、画像表示装置の駆動に必要なソースドライバは、図６に示す構成を有する画像表示装置と比較して、９／１６ｎで済む（ｎはパネルの枚数）。すなわち、必要とするソースドライバの数を低減することができる。複数のパネル１１を用いることにより生じるソースドライバ数の増加を抑制することができるため、コストの増加を抑えることができる。

　なお、本実施形態では、水平方向に長いパネル１１同士を上下方向に繋げているが、本発明はこれに限定されるものではなく、垂直方向に長いパネル１１´同士を水平方向に繋げて、図８のように構成してもよい。パネル１１´では、パネル１１と異なり、各パネル１１´の表示部１３の長辺側にＶスキャン１５の端子群が配列しており、各パネル１１´の表示部１３の短辺側にＨスキャン１４の端子群が配列している。その他の構成については、パネル１１における説明を援用できる。なお、図８において、Ｈスキャン１４側を従来の外部に設けられたソースドライバに接続し、Ｖスキャン１５側を従来の外部に設けられたゲートドライバに接続することで、駆動を行うことも可能である。また、Ｈスキャン１４側を従来の外部に設けられたゲートドライバに接続し、Ｖスキャン１５側を従来の外部に設けられたソースドライバに接続することでも、駆動を行うことが可能である。

　図９は、画素内におけるサブピクセルの配列方向ならびに走査信号線およびデータ信号線の配列方向が従来の画像表示装置と同じものとなるように、表示部１３を形成し、垂直方向に長いパネル１１´同士を水平方向に繋げて作製した比較用の画像表示装置を示す図である。具体的には、図９の（ａ）および（ｂ）に示すように、各サブピクセル５１Ｒ、５１Ｇおよび５１Ｂは画素５０内において、マトリクスの行方向に並んで配置されている。走査信号線５６はマトリクスの行方向と平行な方向に延びており、データ信号線５４および電源線５５はマトリクスの列方向と平行な方向に延びている。

　各パネル１１´のデータ信号線５４は、各パネル１１´のＨスキャン１４においてソースドライバと接続される。そのため、画像表示装置の駆動に必要なソースドライバは、画像表示体１０が複数枚のパネル１１´によって構成されていても、表示部が分割されていない従来の画像表示装置と同数で済む。

　図１０は、画素内におけるサブピクセルの配列方向ならびに走査信号線およびデータ信号線の配列方向が従来の画像表示装置と異なるものとなるように、表示部１３を形成し、複数のパネルを水平方向に組み合わせた画像表示装置を示す図である。具体的には、図１０の（ａ）および（ｂ）に示すように、各サブピクセル５１Ｒ、５１Ｇおよび５１Ｂが画素５０内において、マトリクスの列方向に並んでいる。すなわち、垂直方向に長いパネル１１´同士を水平方向に繋げて画像表示体１０を構成した場合において、各サブピクセルは画素内においてパネル１１´の長辺方向に沿って並んで配置されている。また、図１０の（ｂ）に示すように、走査信号線５６はマトリクスの行方向と平行な方向に延びており、データ信号線５４および電源線５５はマトリクスの列方向と平行な方向に延びている。

　図１０に示す構成を有する画像表示体１０は、各データ信号線５４はＨスキャン１４の端子群（第二端子群）においてソースドライバ５８と電気的に接続されており、各走査信号線５６はＶスキャン１５の端子群（第一端子群）においてゲートドライバ５７と電気的に接続されている。このような構成では、各画素５０に必要なデータ信号線５４の数は１本（１サブピクセル分）である。

　したがって、図１０に示す構成を有する画像表示体１０は、画像表示装置の駆動に必要なソースドライバの数は、図９に示す比較構成を有する画像表示体１０と比較して、その１／３で済む。すなわち、必要とするソースドライバの数を低減することができる。これにより、複数のパネルを用いることにより生じるソースドライバ数の増加を抑制することができるため、コストの増加を抑えることができる。

　・　有機層
　図１１に示す有機層３０は、有機発光層単層であっても、有機発光層と電荷輸送層の多層構造であってもよく、具体的には、下記の１）～９）に示すような構成を挙げることができる。
１）　有機発光層
２）　正孔輸送層／有機発光層
３）　有機発光層／電子輸送層
４）　正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層
５）　正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層
６）　正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／電子輸送層／電子注入層
７）　正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／正孔防止層／電子輸送層
８）　正孔注入層／正孔輸送層／有機発光層／正孔防止層／電子輸送層／電子注入層
９）　正孔注入層／正孔輸送層／電子防止層／有機発光層／正孔防止層／電子輸送層／電子注入層
　しかし、本発明はこれらにより限定されるものではない。また、有機発光層、正孔注入層、正孔輸送層、正孔防止層、電子防止層、電子輸送層、および、電子注入層の各層は、単層構造でも多層構造でもよい。

　ここで、図１１では、上記８）の構成を採用して、第一電極２０から第二電極２１に向けて、正孔注入層３１、正孔輸送層３２、有機発光層３３、正孔防止層３４、電子輸送層３５、および電子注入層３６が、この順で積層されている。

　有機発光層３３は、以下に例示する有機発光材料のみから構成されていてもよく、発光性のドーパントとホスト材料の組み合わせから構成されていてもよく、任意に正孔輸送材料、電子輸送材料または添加剤（ドナー、アクセプター等）等を含んでいてもよく、また、これらの材料が高分子材料（結着用樹脂）又は無機材料中に分散された構成であってもよい。発光効率および発光寿命の観点からは、ホスト材料中に発光性のドーパントが分散されたものが好ましい。

　有機発光材料としては、有機ＥＬ用の公知の発光材料を用いることができる。このような発光材料は、低分子発光材料、および高分子発光材料等に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本発明はこれらの材料に限定されるものではない。また、上記発光材料は、蛍光材料、および燐光材料等に分類されるものでもよく、低消費電力化の観点で、発光効率の高い燐光材料を用いることが好ましい。

　ここで、具体的な化合物を以下に例示するが、本発明はこれらの材料に限定されるものではない。

　低分子有機発光材料としては、例えば、４，４’－ビス（２，２’－ジフェニルビニル）－ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）等の芳香族ジメチリデン化合物、５－メチル－２－［２－［４－（５－メチル－２－ベンゾオキサゾリル）フェニル］ビニル］ベンゾオキサゾール等のオキサジアゾール化合物、３－（４－ビフェニルイル）－４－フェニル－５－ｔ－ブチルフェニル－１，２，４－トリアゾール（ＴＡＺ）等のトリアゾール誘導体、１，４－ビス（２－メチルスチリル）ベンゼン等のスチリルベンゼン化合物、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、およびフルオレノン誘導体等の蛍光性有機材料、ならびに、アゾメチン亜鉛錯体、および（８－ヒドロキシキノリナト）アルミニウム錯体（Ａｌｑ_３）等の蛍光発光有機金属錯体等が挙げられる。

　高分子発光材料としては、例えば、ポリ（２－デシルオキシ－１，４－フェニレン）（ＤＯ－ＰＰＰ）、ポリ［２，５－ビス－［２－（Ｎ，Ｎ，Ｎ－トリエチルアンモニウム）エトキシ］－１，４－フェニル－アルト－１，４－フェニルレン］ジブロマイド（ＰＰＰ－ＮＥｔ３＋）、ポリ［２－（２’－エチルヘキシルオキシ）－５－メトキシ－１，４－フェニレンビニレン］（ＭＥＨ－ＰＰＶ）、ポリ［５－メトキシ－（２－プロパノキシサルフォニド）－１，４－フェニレンビニレン］（ＭＰＳ－ＰＰＶ）、およびポリ［２，５－ビス－（ヘキシルオキシ）－１，４－フェニレン－（１－シアノビニレン）］（ＣＮ－ＰＰＶ）等のポリフェニレンビニレン誘導体、ならびにポリ（９，９－ジオクチルフルオレン）（ＰＤＡＦ）等のポリスピロ誘導体が挙げられる。

　有機発光層３３に任意に含まれる発光性のドーパントとしては、有機ＥＬ用の公知のドーパント材料を用いることができる。このようなドーパント材料としては、例えば、スチリル誘導体、ペリレン、イリジウム錯体、クマリン誘導体、ルモーゲンＦレッド、ジシアノメチレンピラン、フェノキザゾン、およびポリフィリン誘導体等の蛍光発光材料、ならびに、ビス［（４，６－ジフルオロフェニル）－ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］ピコリネート　イリジウム（III）（ＦＩｒｐｉｃ）、およびトリス（２－フェニルピリジル）イリジウム（III）（Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）、トリス（１－フェニルイソキノリン）イリジウム（III）（Ｉｒ（ｐｉｑ）_３）等の燐光発光有機金属錯体等が挙げられる。

　また、ドーパントを用いるときのホスト材料としては、有機ＥＬ用の公知のホスト材料を用いることができる。このようなホスト材料としては、上述した低分子発光材料、高分子発光材料、ならびに、４，４’－ビス（カルバゾール）ビフェニル、および９，９－ジ（４－ジカルバゾール－ベンジル）フルオレン（ＣＰＦ）等のカルバゾール誘導体等が挙げられる。

　また、電荷注入輸送層は、電荷（正孔、電子）の電極からの注入と有機発光層への輸送（注入）をより効率よく行う目的で、電荷注入層（正孔注入層３１、電子注入層３６）と電荷輸送層（正孔輸送層３２、電子輸送層３５）に分類される。電荷注入輸送層は、以下に例示する電荷注入輸送材料のみから構成されていてもよく、任意に添加剤（ドナー、アクセプター等）等を含んでいてもよく、これらの材料が高分子材料（結着用樹脂）又は無機材料中に分散された構成であってもよい。

　電荷注入輸送材料としては、有機ＥＬ用、有機光導電体用の公知の電荷輸送材料を用いることができる。このような電荷注入輸送材料は、正孔注入輸送材料および電子注入輸送材料に分類され、これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本発明はこれらの材料に限定されるものではない。

　正孔注入・正孔輸送材料としては、例えば、酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）および酸化モリブデン（ＭｏＯ_２）等の酸化物、無機ｐ型半導体材料、ポルフィリン化合物、Ｎ，Ｎ’－ビス（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス（フェニル）－ベンジジン（ＴＰＤ）およびＮ，Ｎ’－ジ（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ベンジジン（ＮＰＤ）等の芳香族第三級アミン化合物、ヒドラゾン化合物、キナクリドン化合物およびスチリルアミン化合物等の低分子材料、ならびに、ポリアニリン（ＰＡＮＩ）、ポリアニリン－樟脳スルホン酸（ＰＡＮＩ－ＣＳＡ）、３，４－ポリエチレンジオキシチオフェン／ポリスチレンサルフォネイト（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリ（トリフェニルアミン）誘導体（Ｐｏｌｙ－ＴＰＤ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＣｚ）、ポリ（ｐ－フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）およびポリ（ｐ－ナフタレンビニレン）（ＰＮＶ）等の高分子材料等が挙げられる。

　また、陽極からの正孔の注入／輸送をより効率よく行う点で、正孔注入層として用いる材料としては、正孔輸送層に使用する正孔注入輸送材料より最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）のエネルギー準位が低い材料を用いることが好ましく、正孔輸送層としては、正孔注入層に使用する正孔注入輸送材料より正孔の移動度が高い材料を用いることが好ましい。

　また、正孔の注入／輸送性をより向上させるため、上記正孔注入／輸送材料にアクセプターをドープすることが好ましい。アクセプターとしては、有機ＥＬ用の公知のアクセプター材料を用いることができる。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本発明はこれらの材料に限定されるものではない。

　アクセプター材料としては、Ａｕ、Ｐｔ、Ｗ，Ｉｒ、ＰＯＣｌ_３、ＡｓＦ_６、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、酸化バナジウム（Ｖ_２Ｏ_５）および酸化モリブデン（ＭｏＯ_２）等の無機材料、ＴＣＮＱ（７，７，８，８，－テトラシアノキノジメタン）、ＴＣＮＱＦ_４（テトラフルオロテトラシアノキノジメタン）、ＴＣＮＥ（テトラシアノエチレン）、ＨＣＮＢ（ヘキサシアノブタジエン）およびＤＤＱ（ジシクロジシアノベンゾキノン）等のシアノ基を有する化合物、ＴＮＦ（トリニトロフルオレノン）およびＤＮＦ（ジニトロフルオレノン）等のニトロ基を有する化合物、ならびに、フルオラニル、クロラニルおよびブロマニル等の有機材料が挙げられる。この内、ＴＣＮＱ、ＴＣＮＱＦ_４、ＴＣＮＥ、ＨＣＮＢ、およびＤＤＱ等のシアノ基を有する化合物がキャリア濃度をより効果的に増加させることが可能であるためより好ましい。

　電子注入材料および電子輸送材料としては、例えば、ｎ型半導体である無機材料、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、チオピラジンジオキシド誘導体、ベンゾキノン誘導体、ナフトキノン誘導体、アントラキノン誘導体、ジフェノキノン誘導体、フルオレノン誘導体およびベンゾジフラン誘導体等の低分子材料；ポリ（オキサジアゾール）（Ｐｏｌｙ－ＯＸＺ）およびポリスチレン誘導体（ＰＳＳ）等の高分子材料が挙げられる。特に、電子注入材料としては、特にフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化バリウム（ＢａＦ_２）等のフッ化物、酸化リチウム（Ｌｉ_２Ｏ）等の酸化物等が挙げられる。

　電子の陰極からの注入／輸送をより効率よく行う点で、電子注入層３６として用いる材料としては、電子輸送層３５に使用する電子注入輸送材料より最低空分子軌道（ＬＵＭＯ）のエネルギー準位が高い材料を用いることが好ましく、電子輸送層３５として用いる材料としては、電子注入層３６に使用する電子注入輸送材料より電子の移動度が高い材料を用いることが好ましい。

　また、電子の注入／輸送性をより向上させるため、上記電子注入／輸送材料にドナーをドープすることが好ましい。ドナーとしては、有機ＥＬ用の公知のドナー材料を用いることができる。これらの具体的な化合物を以下に例示するが、本発明はこれらの材料に限定されるものではない。

　ドナー材料としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類元素、Ａｌ、Ａｇ、ＣｕおよびＩｎ等の無機材料、アニリン類、フェニレンジアミン類、ベンジジン類（Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’－テトラフェニルベンジジン、Ｎ，Ｎ’－ビス－（３－メチルフェニル）－Ｎ，Ｎ’－ビス－（フェニル）－ベンジジン、Ｎ，Ｎ’－ジ（ナフタレン－１－イル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－ベンジジン等）、トリフェニルアミン類（トリフェニルアミン、４，４’４''－トリス（Ｎ，Ｎ－ジフェニル－アミノ）－トリフェニルアミン、４，４’４''－トリス（Ｎ－３－メチルフェニル－Ｎ－フェニル－アミノ）－トリフェニルアミン、４，４’４''－トリス（Ｎ－（１－ナフチル）－Ｎ－フェニル－アミノ）－トリフェニルアミン等）およびトリフェニルジアミン類（Ｎ，Ｎ’－ジ－（４－メチル－フェニル）－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－１，４－フェニレンジアミン）等の芳香族３級アミンを骨格にもつ化合物、フェナントレン、ピレン、ペリレン、アントラセン、テトラセンおよびペンタセン等の縮合多環化合物（ただし、縮合多環化合物は置換基を有してもよい）、ならびに、ＴＴＦ（テトラチアフルバレン）類、ジベンゾフラン、フェノチアジンおよびカルバゾール等の有機材料がある。この内、特に、芳香族３級アミンを骨格にもつ化合物、縮合多環化合物、およびアルカリ金属がキャリア濃度をより効果的に増加させることが可能であるためより好ましい。

　正孔注入層３１、正孔輸送層３２、有機発光層３３、正孔防止層３４、電子輸送層３５、および、電子注入層３６から構成される有機層３０は、上記の材料を溶剤に溶解および分散させた有機層形成用塗液を用いて、スピンコーティング法、ディッピング法、ドクターブレード法、吐出コート法およびスプレーコート法等の塗布法、またはインクジェット法、凸版印刷法、凹版印刷法、スクリーン印刷法およびマイクログラビアコート法等の印刷法等による公知のウエットプロセスにより形成することができる。あるいは、上記の材料を用いた抵抗加熱蒸着法、電子線（ＥＢ）蒸着法、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法、スパッタリング法、有機気相蒸着（ＯＶＰＤ）法等の公知のドライプロセス、又は、レーザー転写法等により形成することができる。なお、ウエットプロセスにより有機層３０を形成する場合には、有機層形成用塗液に、レベリング剤、および粘度調整剤等の塗液の物性を調整するための添加剤を含んでいてもよい。

　後述する実施例１では、上記ドライプロセスの１つである抵抗加熱蒸着法を用いて、更に、インライン方式で有機層３０を形成している。図１２は、インライン型抵抗加熱蒸着装置を用いた有機層３０形成法を説明する図である。図１２に示すように、第一電極２０が形成された基板１２に対して、有機層形成用塗液を貯留する蒸着ソース源４０から塗液を塗布する。この際、所望の領域のみに塗液が塗布されるように、基板１２と、蒸着ソース源４０との間には、シャドーマスク４１を配置して、塗布されると不都合な領域をマスキングして、塗液を塗布する。塗布処理の進行中に、図示しない基板ホルダーが、図１２の矢印Ａで示した方向に基板１２を移動させる。この移動により、基板１２の平坦面１２ａ´上に形成済みの長方形を有した第一電極２０上に、第一電極２０と同じ大きさで長方形を有した有機層３０が形成される。なお、図１２では、基板１２（基板ホルダー）を移動させているが、本発明はこれに限定されるものではなく、基板１２は移動せず、蒸着ソース源４０およびシャドーマスク４１が基板１２上を移動してもよい。

　有機層３０の膜厚は、通常１～１０００ｎｍ程度であるが、１０～２００ｎｍが好ましい。膜厚が１０ｎｍ未満であると、本来必要とされる物性（電荷の注入特性、輸送特性、閉じ込め特性）を得ることが困難である。また、ゴミ等の異物による画素欠陥が生じるおそれがある。また、膜厚が２００ｎｍを超えると有機層３０の抵抗成分により駆動電圧の上昇が生じ、消費電力の上昇に繋がる。

　・　第一電極および第二電極
　図１１に示す第一電極２０および第二電極２１は、有機ＥＬ素子の陽極又は陰極として対で機能する。つまり、第一電極２０を陽極とした場合には、第二電極２１は陰極となり、第一電極２０を陰極とした場合には、第二電極２１は陽極となる。以下に、具体的な化合物および形成方法を例示するが、本発明はこれらの材料および形成方法に限定されるものではない。

　第一電極２０および第二電極２１を形成する電極材料としては公知の電極材料を用いることができる。陽極である場合には、有機発光層３３への正孔の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が４．５ｅＶ以上である金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）およびニッケル（Ｎｉ）等の金属、ならびに、インジウム（Ｉｎ）と錫（Ｓｎ）とからなる酸化物（ＩＴＯ）、錫（Ｓｎ）の酸化物（ＳｎＯ_２）およびインジウム（Ｉｎ）と亜鉛（Ｚｎ）とからなる酸化物（ＩＺＯ）等の金属酸化物が透明電極材料として挙げられる。また、陰極を形成する電極材料としては、有機発光層３３への電子の注入をより効率よく行う観点から、仕事関数が４．５ｅＶ以下であるリチウム（Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、セリウム（Ｃｅ）、バリウム（Ｂａ）およびアルミニウム（Ａｌ）等の金属、ならびに、これらの金属を含有するＭｇ：Ａｇ合金、Ｌｉ：Ａｌ合金等の合金が挙げられる。

　第一電極２０および第二電極２１は、上記の材料を用いてＥＢ蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができるが、本発明はこれらの形成方法に限定されるものではない。また、必要に応じて、フォトリソグラフフィー法、またはレーザー剥離法により、形成した電極をパターン化することもでき、シャドーマスクと組み合わせることで直接パターン化した電極を形成することもできる。その膜厚は、５０ｎｍ以上が好ましい。膜厚が５０ｎｍ未満の場合には、配線抵抗が高くなることから、駆動電圧の上昇が生じるおそれがある。

　有機発光層３３からの発光を表示部１３（図１および図２）の前面側（図１の紙面手前側）から取り出すためには、第二電極２１が透明電極、もしくは、半透明電極であることが好ましい。また、有機発光層３３からの発光をパネル１１の背面側（図１の紙面奥側）から取り出す場合には、第一電極２０が透明電極、もしくは、半透明電極であることが好ましい。

　透明電極材料としては、ＩＴＯ、およびＩＺＯが特に好ましい。透明電極の膜厚は、５０～５００ｎｍが好ましく、１００～３００ｎｍがより好ましい。膜厚が５０ｎｍ未満の場合には、配線抵抗が高くなることから、駆動電圧の上昇が生じるおそれがある。また、膜厚が５００ｎｍを超える場合には、光の透過率が低下することから輝度が低下するおそれがある。

　また、色純度の向上、発光効率の向上等の目的でマイクロキャビティ（干渉）効果を用いる場合、および、有機発光層からの発光を第一電極２０側（第二電極２１）から取り出す場合には、第一電極２０（第二電極２１）として半透明電極を用いることが好ましい。半透明電極材料としては、金属の半透明電極単体、もしくは、金属の半透明電極と透明電極材料の組み合わせを用いることが可能である。半透明電極材料としては、反射率・透過率の観点から、銀が好ましい。半透明電極の膜厚は、５～３０ｎｍが好ましい。膜厚が５ｎｍ未満の場合には、光の反射が十分に行われず、干渉の効果を十分得ることができない。また、膜厚が３０ｎｍを超える場合には、光の透過率が急激に低下することから輝度、効率が低下するおそれがある。

　ここで、有機発光層からの発光を第一電極２０（第二電極２１）から取り出す場合には、第二電極２１（第一電極２０）として光を透過しない電極を用いることが好ましい。この際に用いる電極材料としては、例えば、タンタル、炭素等の黒色電極、アルミニウム、銀、金、アルミニウム－リチウム合金、アルミニウム－ネオジウム合金およびアルミニウム－シリコン合金等の反射性金属電極、ならびに透明電極と上記反射性金属電極（反射電極）を組み合わせた電極等が挙げられる。

　・　エッジカバー
　第一電極２０のエッジ部において、第一電極２０と第二電極２１との間でリークを起こすことを防止する目的でエッジカバーを設けることができる。

　ここで、図１３および図１４を用いて、エッジカバーの構成および効果について説明する。図１３は、エッジカバーを設けた状態の断面構成を示した断面図であり、図１４は、図１３に対する比較構成であって、エッジカバーを配設していない状態の断面構成を示した断面図である。エッジカバー２８は、図１３に示すように、第一電極２０のエッジ部に設けられる。エッジカバーを配設しない場合、図１４に示すように、有機層３０が薄くなり、第一電極２０と第二電極２１との間でリークを起こす。エッジカバー２８は、このリークを効果的に防止することができる。

　エッジカバーは、絶縁材料を用いてＥＢ蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、および抵抗加熱蒸着法等の公知の方法により形成することができる。また、公知のドライおよびウエット法のフォトリソグラフィー法によりエッジカバーのパターン化をすることができる。しかしながら、本発明はこれらの形成方法に限定されるものではない。

　上記絶縁材料としては、公知の材料を使用することができ、本発明では特に限定されないが、光を透過する必要があり、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯＮ、ＳｉＮ、ＳｉＯＣ、ＳｉＣ、ＨｆＳｉＯＮ、ＺｒＯ、ＨｆＯ、ＬａＯ等が挙げられる。

　また、エッジカバーの膜厚としては、１００～２０００ｎｍが好ましく。１００ｎｍ以下であると、絶縁性が十分ではなく、第一電極と第二電極との間でリークが起こり、消費電力の上昇、非発光の原因となる。また、２０００ｎｍ以上であると、成膜プロセスに時間が係り生産性の悪化、エッジカバーでの第二電極２１の断線の原因となる。

　・　封止膜、封止基板
　最表面の第二電極２１の上に、更に、封止を行う目的で、無機膜、または樹脂膜を介してガラス、およびプラスティック等の封止基板、もしくは封止膜を設けることができる（不図示）。

　封止基板および封止膜としては、公知の封止材料および封止方法により形成することができる。具体的には、窒素ガスおよびアルゴンガス等の不活性ガスをガラス、または金属等で封止する方法が挙げられる。更に、封入した不活性ガス中に酸化バリウム等の吸湿剤等を混入する方が水分による有機ＥＬの劣化をより効果的に低減できるため好ましい。更に、第二電極２１上に樹脂をスピンコート法、ＯＤＦ、ラミレート法を用いて塗布する、または、貼り合わせることによって封止膜とすることもできる。更に、第二電極２１上に、プラズマＣＶＤ法、イオンプレーティング法、イオンビーム法、またはスパッタ法等により、ＳｉＯ、ＳｉＯＮおよびＳｉＮ等の無機膜を形成した後、更に、樹脂をスピンコート法、ＯＤＦ、またはラミレート法を用いて塗布する、または、貼り合わせることによって封止膜とすることもできる。この封止膜により、外部からの素子内への酸素や水分の混入を防止することができ、有機ＥＬ素子の寿命が向上する。また、本発明は、これらの部材や形成方法に限定されるものではない。また、有機層３０からの光を第２電極側、つまり、有機層３０からの光をパネル１１の前面側（図１の紙面手前側）から取り出す場合は、封止膜、封止基板共に光透過性の材料を使用する必要がある。

　なお、封止基板は必ずしも必要ではなく、無機膜と樹脂膜のみで封止を行ってもよい。

　・　偏光板
　更に、表示部１３には、有機発光層（有機層３０）からの光の取り出し側に、偏光板を設けることができる。

　偏光板としては、直線偏光板とλ／４板とを組み合わせたものを用いることが可能である。ここで、偏光板を設けることによって、各種配線や電極からの外光反射、基板もしくは封止基板の表面での外光反射を防止することが可能であり、画像表示装置のコントラストを向上させることができる。

　［Ｈスキャン］
　図１および図２に示すＨスキャン１４は、水平（Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ）スキャンである。Ｈスキャン１４は、各パネル１１の基板１２における隣接面１２ｂ´に形成されており、長方形の表示部１３の一方の長辺に沿って、該長辺の長さと同じまたは略同じに延設されている。

　Ｈスキャン１４は、各パネル１１の表示部１３の長辺側の端子群が水平方向に配列して接続されている。

　［Ｖスキャン］
　図１および図２に示すＶスキャン１５は、垂直（Ｖｅｒｔｉｃａｌ）スキャンである。Ｖスキャン１５は、各パネル１１の基板１２における平坦面１２ａ´に形成されており、長方形の表示部１３の一方の短辺に沿って、該短辺の長さと同じまたは略同じに延設されている。

　Ｖスキャン１５は、各パネル１１の表示部１３の短辺側の端子群が垂直方向に配列して接続されている。

　[駆動回路]
　本発明に係る画像表示装置は、通常の液晶ディスプレイ（液晶表示装置）と同様に、主として点順次駆動または線順次駆動によって駆動される。図２０の（ａ）および（ｂ）はそれぞれの駆動方法におけるソースドライバの構成を示す図である。

　点順次駆動は、例えばシリアル入力されるアナログ映像信号を水平走査期間にわたり順次サンプリングし、対応するデータ信号線５４に信号電圧を印加するものである。点順次駆動の回路は、シフトレジスタ６１を備えている。これに対して線順次駆動は、例えばシリアル入力されるデジタル映像信号を直並列変換し、ラッチした後、デジタル－アナログ変換して、対応するデータ信号線５４に一度に信号電圧を印加するものである。そのため、線順次駆動の回路は、シフトレジスタ６１のほかに、サンプリングラッチ６２およびデジタル－アナログ変換器（ＤＡＣ）６３を備えている。

　一般に、線順次駆動の方が各表示画素への書き込み時間を一様に長く設定できるため、現在のところソースドライバとして広く用いられている。

　これに対して、ゲートドライバはほぼシフトレジスタのみを含んで構成されている。そのため、ゲートドライバの方が線順次駆動のソースドライバよりも価格が半額以下と安くなっている。したがって、ゲートドライバの個数を少なくすることより、ソースドライバの個数を少なくすることの方が、低コスト化の効果がより高くなる。

　また、パネル１１の長辺方向に走査信号線５６が延びている場合に、各パネル１１を同時に駆動すれば、各パネル１１におけるデータの書き込み時間が十分長くなる。たとえば、ｎ枚のパネル１１によって構成されている場合には、書き込み時間は従来のｎ倍になる。そのため、ソースドライバを点順次駆動により駆動しても書き込み時間が十分確保できる。したがって、この場合には、線順次駆動のドライバよりも低価格である点順次駆動のドライバをソースドライバとして使用でき、これによりさらなる低コスト化を実現できる。

　また、μｃ－Ｓｉ（微結晶シリコン）あるいはＩｎＧａＺｎＯ（ＩＧＺＯ）半導体等の非晶質酸化物半導体を用いたＴＦＴであれば、点順次駆動ドライバをＴＦＴ基板上に作りこむことができ、さらなる低コスト化が可能である。

　〔３〕パネル同士の連結
　図１に示した画像表示体１０は、上述した構成を具備したパネル１１を所望の枚数（図１では３枚）繋げてなる。

　そこで、パネル１１同士の連結に際して、画素のズレを防止する目的で、パネル１１には、位置合わせ用の位置合わせ部を具備することが好ましい。

　図１５の（ａ）～（ｄ）は、パネル１１の連結を説明する図である。図１５の（ａ）に示すように、パネル１１には、基板１２の表面に位置合わせ部１６が形成されている。

　位置合わせ部１６の形成位置としては、表示部１３の形成領域１２ａである平坦面１２ａ´内であって、且つ、表示部１３およびＶスキャン１５の形成位置から外れた位置に設けられる。図１５の（ａ）では、平坦面１２ａ´と隣接面１２ｂ´との境界部分に表示部１３を挟んで左右両側に１個ずつと、隣接面１２ｂ´隣接側とは反対側に表示部１３を挟んで左右両側に１個ずつとが設けられている。

　なお、これらの位置合わせ部１６の形成位置は、平坦面１２ａ´に限らず、パネル１１（基板１２）の背面、すなわち平坦面１２ａ´の背面に形成されてもよい。例えば、平坦面１２ａ´と隣接面１２ｂ´との境界部分に設けられた位置合わせ部１６が凸構造であり、他方の位置合わせ部１６が、パネル１１（基板１２）の背面側の隣接面１２ｂ´隣接側とは反対側の端部に設けられている凹構造であれば、パネル１１同士を、この凹構造に上記凸構造を挿入することで、図１５の（ｄ）に示すように精度良く連結させることができる。なお、この凹構造は、図１５の（ａ）に示す隣接面１２ｂ´隣接側とは反対側の端部に設けられた位置合わせ部１６のように、紙面下方に切り欠いた構造であってもよい。

　なお、位置合わせ部１６は、上述したものに限定されるものではなく、マーカー等を描画してそれを利用してもよいし、パネル１１とは別に用意された部品を用いて行ってもよい。

　パネル１１同士の具体的な連結方法としては、図１５の（ｃ）および（ｄ）に示すように、各パネル１１をその長辺部分で接続する方法が挙げられる。これにより、パネル１１を繋ぎ合わせることが可能となる。連結は、接着剤などを用いて行うことができる。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、例えば、上述したような凹凸構造を有した位置合わせ部を用いて、凹構造に凸構造を挿入・固定すれば、接着材などを用いることなくパネル同士を精度良く連結させることが可能である。また、フレキシブルな機材（プラスティック、金属等）を介して接続し、自由に折り曲げ出来るようにすると、一度設置した後で再度他の場所に、搬入・搬出・設置を行う際に便利である。

　連結されたパネル１１は、図１５の（ｄ）に示すように、各々の基板１２の隣接領域１２ｂの隣接面１２ｂ´が、別のパネル１１（連結によって隣り合っているパネル１１）の基板１２の背面と対向するような形で、該背面に該隣接領域１２ｂがはみ出した構造となっている。すなわち、連結されたパネル１１を上方からみると、図１５の（ｂ）に示すように、隣接面１２ｂ´が上方を向いた状態で基板１２の背面側に出た構造となる。

　ここで、上述のようにパネル１１同士を連結すると、図１５の（ｄ）に示すように各パネル１１の表示部１３に段差が生じてしまい、表示品質に悪影響を及ぼす事態となる。そこで、本実施形態では、この段差を埋めるための光学調整用基板１７ａ・１７ｂを備える。図１５の（ｄ）に示す連結形態においては、上から２番目のパネル１１の表示部１３が、一番上のパネル１１の表示部１３よりも背面側に位置することになる。そこで、両者の間に生じる段差を、２番目のパネル１１の表示部１３の表面に該段差と同じ厚さを有する光学調整用基板１７ａを配設することで、解消している。また、図１５の（ｄ）において上から３番目のパネル１１の表示部１３は、上から２番目のパネル１１の表示部１３よりも更に背面側に位置している。そのため、一番上のパネル１１の表示部１３と、上から３番目のパネル１１の表示部１３とには、上から２番目のパネル１１の表示部１３の場合よりも更に大きな段差が生じる。そこで、本実施形態では、図１５の（ｄ）示すように、２番目のパネル１１の表示部１３の表面に形成した光学調整用基板１７ａよりも厚く、且つ、大きな段差と同じ厚さを有する光学調整用基板１７ｂを配設することで、該段差を埋めている。このように光学調整用基板１７ａ・１７ｂを備えることにより、画像表示体１０にフラットな表示面を実現することが可能となる。

　なお、連結形態は、図１５の（ｃ）および（ｄ）に示した形態に限定されるものではない。例えば、図１６に示すように、位置合わせ用の枠１８にパネル１１を填めていく方法であってもよい。枠１８は、画像表示体１０の厚さに合わせて構成されている。枠１８にパネル１１を填めることにより、複数個のパネル１１を組み合わせて得られる画像表示体の強度を増加させることが可能となる。これは、製品として非常に優位である。

　また更に、フレキシブル基材で接続する方法が好ましい。特にこの様な接続の場合、図１７に示すように、パネル１１の基板１２自体がフレキシブルな基板材料から構成されているとよい。これにより、いつでも隣接領域１２ｂを湾曲させることができるため、持ち運びが非常に容易になる。このようにフレキシブルな基材から基板１２を構成してパネル１１同士を繋げる場合には、例えば、図１７の（ｄ）において破線で囲んだ部分に示されているように、或るパネル１１の平坦面１２ａ´における隣接面１２ｂ´隣接側とは反対側の端部であって、パネル１１（基板１２）の背面側の端部と、別のパネル１１の隣接面１２ｂ´とを貼り合わせて連結することも可能である。

　また、上述のように基板１２自体をフレキシブル材料から構成することで、フレキシブル基材を別途設ける必要がなくなり、部品点数を低減することが可能となる。これにより、コストの低減が可能となる。しかし、本発明は、特にこれらに限定されるものではない。

　〔４〕駆動速度
　例えば、図７（ｂ）に示す構成を有する画像表示装置、すなわち、サブピクセル５１Ｒ、５１Ｇおよび５１Ｂが各画素５０内においてパネル１１の短辺方向に並んで配置されている複数のパネル１１が上下方向に繋がっており、各発光素子から引き出される端子がパネル１１の長辺側にてソースドライバ５８と接続されている画像表示体１０を有する画像表示装置の場合、１本の走査信号線５６が選択された状態では、ＲＧＢのうちの１色分しか書き込まれない。そのため、従来の走査時間に１画素分（ＲＧＢの３サブピクセル分）を書き込むためには、３倍の走査速度が必要となる。そのため、ソースドライバも３倍の速度で駆動されなければならない。

　しかしながら、画像表示体１０が走査信号線５６と平行な方向に複数のパネル１１に分割されており、各パネル１１の隣接面にあるＨスキャン１４の端子がパネルごとに別のソースドライバと接続されていれば、各パネル１１を同時駆動することによって一度に複数の走査信号線５６が選択されても、走査信号線ごとに異なるデータ信号を供給できる。そのため、画像表示体１０がｎ個のパネル１１によって構成されている場合には、画像表示装置の１画面分の信号を入力する時間が画像表示部全体の１／ｎ領域に与えられる。これにより、ソースドライバの駆動速度を１／ｎに下げることができる。

　逆に、駆動速度を１／ｎに下げず、従来の駆動速度と同じ速度で駆動する場合には、いわゆるｎ倍速駆動が可能となる。

　（本実施形態の構成の作用効果）
　以上のように、本実施形態の構成によれば、長方形の表示部１３の長辺方向（長手方向）に配列している有機エレクトロルミネッセンス素子の電極から延びる端子群を、隣接面１２ｂ´に引き出して、隣接面１２ｂ´において該端子群に駆動回路を連結することができる。

　このように駆動回路を配置する構成が実現されたことにより、パネル１１同士を連結したときに、一方のパネル１１の表示部１３と、他方のパネル１１の表示部１３とを隙間なく並べてパネル同士を繋げる（連結する）ことができる。なぜなら、このとき、駆動回路を配置した一方のパネル１１の隣接面１２ｂ´は、一方のパネル１１の表示部１３と、他方のパネル１１の表示部１３との繋ぎ目（連結部の境界）近傍の基板１２の背面側に反れて突き出たかたちで存在することになるからである。

　このように構成することにより、表示部１３を観察する観察者には、隣接面１２ｂ´が例えばパネル１１とパネル１１の繋ぎ目から視認されることはない。観察者は、各パネル１１の表示部１３が隙間なく繋げられた１つの大きな表示面に表示された、高精度の画像を視認することができる。

　また、本実施形態の構成によれば、各パネル１１の隣接面１２ｂ´をパネル１１の背面側に出して連結するため、パネル数に制限なくパネルを連結させることができる。そのため、所望する大画面の表示面を形成することができる。

　また、従来構成とは異なり、組み合わせる個々のパネル１１を所望の面積まで小型化できるためコンパクト化を実現でき、低コスト化が可能なパネルを実現することができる。

　また、本発明の構成によれば、長方形の表示部１３を形成しているため、有機ＥＬ素子を設ける際に、従来のシャドーマスクを用いたマスク蒸着法による塗り分けの際のマスク加工が容易であり、且つ、マスクのアライメント精度も容易に高精度を実現でき、更には、マスクの撓みによるズレも問題にならない。

　また、パネルの製造装置がより小型の製造装置であっても、表示画面の大型化が可能となるため製造コストの低減が可能となる。そのため、本発明に係る発光パネル装置を搭載すれば、低コストの大型有機ＥＬ画像表示装置を提供することが可能となる。

　また、本発明は、上記のように、或るパネルの表示部１３の長辺側において別のパネルを繋げることから、表示部１３の短辺側において繋げるよりも、同じ幅（各パネル１１の表示部１３における短辺の長さ）で各パネル１１を作製した場合、より少ない枚数で大型の有機ＥＬ画像表示装置を作製することができる。具体的には、６５型のハイビジョンテレビを想定した場合、横（最終形態での長辺）×縦（最終形態での短辺）の大きさが１４００ｍｍ×８００ｍｍとなる。１００ｍｍの幅のパネル１１でそれぞれ最終形態での短辺方向に沿って組み合わせる場合および最終形態での長辺方向に沿って組み合わせる場合を考察すると、本実施形態の画像表示装置において、パネル１１を、最終形態での短辺方向に沿って繋げる場合は、パネル１１は、大きさが１４００ｍｍ×１００ｍｍとなり、８枚繋げることで最終形態を完成することができる。これに比べ、最終形態での長辺方向に沿って繋げる場合は、パネルは、大きさが８００ｍｍ×１００ｍｍとなり、最終形態を完成するために１４枚のパネルが必要となる。この結果、少ない連結部で大型の発光パネル装置を実現することができる。

　また、サブピクセルの配列方向や各駆動ドライバの接続位置を従来の画像表示装置と異なる構成にしているため、駆動ドライバの数、とりわけコストがより高いソースドライバの数を低減できる。

　（本実施形態の変形例）
　なお、本実施形態では、表示部１３を有するパネル１１を繋げてなる画像表示装置について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、表示部１３を、画像を表示させるのではなく、発光・非発光を制御するだけの発光部として構成し、該発光部を有するパネルを繋げてなる照明装置（発光部に有機ＥＬ素子を設けた場合は有機ＥＬ照明装置）であっても適用できる。すなわち、本発明は、電流供給、もしくは、電圧印加により発光を制御する発光素子を複数具備することによって形成される長方形の発光部をパネルに備え、このパネルを複数枚繋げてなる装置であれば、いかなる用途の装置であっても本発明に該当する。ここで、有機ＥＬ照明装置のように、発光部全面を駆動させればよい場合は、例えば、各パネルの発光部の長辺側の端子群を直接電気的に接続を行った後、長辺側の端子群、短辺側の端子をそれぞれ外部電源回路に接続することで駆動可能となる。また、各パネルの長辺側と短辺側を直接外部電源回路に接続することでも駆動が可能である。

　また、本実施形態では、表示部１３として有機ＥＬ素子を用いているが、本発明はこれに限定されるものではなく、第一電極および第二電極を有して電流供給、もしくは、電圧印加により光を出射する発光素子であれば有機ＥＬ素子の代わりに採用することができる。具体的には、無機ＥＬ、無機ＬＥＤなどが挙げられる。

　また、本実施形態では基板１２の隣接面１２ｂ´が湾曲した構造となっているが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、図１８は、隣接面１２ｂ´の他の形態について示した部分斜視図である。図１８に示すように、隣接面１２ｂ´が折れ曲がって構成されている構造であってもよい。

　最後に、本実施形態に係る画像表示装置について、実施例に基づいて、より詳細に説明する。なお、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。

　〔実施例１：画像表示装置〕
　ＲＧＢの各サブピクセルがパネルの短辺方向に並んで配置されている単純マトリクス駆動の有機ＥＬ画像表示装置を以下の手順で作製した。

　厚さ２００ｎｍの酸化シリコンによってコートされた、厚さ０．２ｍｍで、一表面の面積５００×２２０ｍｍ^２のプラスティック基板を基板１２（図２）として用いた。

　プラスティック基板１２の上記一表面に、面抵抗１０Ω／□となるようにインジウム－スズ酸化物（ＩＴＯ）をスパッタ法により堆積させることにより、第一電極２０としての膜厚２００ｎｍの透明電極（陽極）を形成した。

　次に、一表面５００×２２０ｍｍ^２のうち、４９２×２２０ｍｍ^２の領域にのみ、フォトリソグラフィー法によりパターニングして、長さ２５０ｍｍで幅１ｍｍのストライプにパターニングされた第一電極２０（図１１）を形成した。

　次に、第一電極２０のエッジ部にエッジカバーを形成するために、ＳｉＯ_２をスパッタ法により厚さ２００ｎｍほど積層し、フォトリソグラフィー法によって第一電極２０のエッジ部のみをＳｉＯ_２が覆うようにパターニングした。本実施例では、細長く形成された第一電極２０の４辺のそれぞれの端から１０μｍ分だけＳｉＯ_２で覆う構造とした。

　その後、水洗し、純水超音波洗浄１０分間、アセトン超音波洗浄１０分間、およびイソプロピルアルコール蒸気洗浄５分間をこの順番で行い、１００℃にて１時間乾燥させた。

　ここで、５００×２２０ｍｍ^２の基板１２に形成する表示部１３は、４９２×２００ｍｍ^２と設計した。また、表示部１３の上下左右には幅２ｍｍの封止エリアが設けられており、長方形を有する表示部１３の一方の短辺側には、更に封止エリアの外にそれぞれ幅２ｍｍの端子取り出し領域（図２におけるＶスキャン１５の配設領域）を設けた。また、長方形を有する表示部１３の一方の長辺側は、折り曲げを行う領域（隣接領域）として、幅２ｍｍの端子取り出し部（隣接面）を設けた。

　次に、ここまでの工程を経て得られた、第一電極２０形成済みの基板１２を、図１２に示したインライン型抵抗加熱蒸着装置内の基板ホルダーに固定し、１×１０^－４Ｐａ以下の真空まで減圧した。本実施例では、シャドーマスク４１を用いたマスク蒸着法による塗り分け方法を用いてＲＧＢの発光画素を形成する方法を採用した。

　その後、所望の領域に、正孔注入材料として、１，１－ビス－ジ－４－トリルアミノ－フェニル－シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）を用い、抵抗加熱蒸着法により膜厚１００ｎｍの正孔注入層３１（図１１）を形成した。

　次に正孔輸送材料として、Ｎ，Ｎ’－ｄｉ－ｌ－ナフチル－Ｎ，Ｎ’－ジフェニル－１，１’－ビフェニル－１，１’－ビフェニル－４，４’－ジアミン（ＮＰＤ）を用い、抵抗加熱蒸着法により膜厚４０ｎｍの正孔輸送層３２（図１１）を形成した。

　次いで、シャドーマスク４１を用いたマスク塗り分け法により、正孔輸送層３２の上の所望の赤色発光画素上に赤色有機発光層（厚さ：３０ｎｍ）を形成する。この赤色有機発光層は、３－フェニル－４（１’－ナフチル）－５－フェニル－１，２，４－トリアゾール（ＴＡＺ）（ホスト材料）と、ビス（２－（２’－ベンゾ［４，５－α］チエニル）ピリジナト－Ｎ，Ｃ３’）イリジウム（アセチルアセトネート）（ｂｔｐ_２Ｉｒ（ａｃａｃ））（赤色燐光発光ドーパント）とを、それぞれの蒸着速度を１．４Å／秒、および０．１５Å／秒とし、共蒸着することで作製した。

　次いで、シャドーマスク４１を用いたマスク塗り分け法により、正孔輸送層３２の上の所望の緑色発光画素上に緑色有機発光層（厚さ：３０ｎｍ）を形成する。この緑色有機発光層は、ＴＡＺ（ホスト材料）と、トリス（２－フェニルピリジン）イリジウム（III）（Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）（緑色燐光発光ドーパント）とを、それぞれの蒸着速度を１．５Å／秒、および０．２Å／秒とし、共蒸着することで作製した。

　次いで、シャドーマスク４１を用いたマスク塗り分け法により正孔輸送層３２の上の所望の青色発光画素上に青色有機発光層（厚さ：３０ｎｍ）を形成する。この緑色有機発光層は、１，４－ビス－トリフェニルシリル－ベンゼン（ＵＧＨ－２）（ホスト材料）とビス［（４，６－ジフルオロフェニル）－ピリジナト－Ｎ，Ｃ２’］ピコリネート　イリジウム（III）（ＦＩｒｐｉｃ）（青色燐光発光ドーパント）とを、それぞれの蒸着速度を１．５Å／秒、および０．２Å／秒とし、共蒸着することで作製した。

　次いで、上述の方法で形成された有機発光層３３（図１１）の上に、２，９－ジメチル－４，７－ジフェニル－１，１０－フェナントロリン（ＢＣＰ）を用いて膜厚１０ｎｍの正孔防止層３４（図１１）を形成した。

　次いで、正孔防止層３４の上に、トリス（８－ヒドロキシキノリン）アルミニウム（Ａｌｑ_３）を用いて、膜厚３０ｎｍの電子輸送層３５を形成した。

　次いで、電子輸送層３５の上にフッ化リチウム（ＬｉＦ）を用いて、膜厚１ｎｍの電子注入層３６を形成した。

　この後、第二電極２１（図１１）を形成した。まず、基板１２（第一電極２０および有機層３０形成済み）を、金属蒸着用チャンバーに固定した。次に、第二電極形成用のシャドーマスク（第一電極２０のストライプの長手方向と直交する向きに長手方向を有する１ｍｍ幅のストライプ状に第二電極を形成できるように開口部が空いているマスク）と、金属蒸着用チャンバーに固定した基板１２とをアライメントした。そして、電子注入層３６の表面に真空蒸着法によりアルミニウムを所望のパターンで形成した。これにより、膜厚２００ｎｍの第二電極２１が形成された。

　続いて、スパッタ法により、膜厚１μｍのＳｉＯ_２からなる無機保護層を、シャドーマスクを用いて、表示部１３の端から上下左右２ｍｍの封止エリアまでパターニング形成した。更に、この上に、蒸着重合法により膜厚２μｍのパリレン膜を形成した。このＳｉＯ_２とパリレンの形成を５回繰り返し、５層からなる積層膜を形成し、これを封止膜とした。以上により、図２に示すパネル１１を完成させた。

　次に、作製したパネル１１を、短辺側の表示部１３の外に設けた位置合わせ部１６としてのマーカーを用いて位置合わせを行って、図１５の（ｃ）および（ｄ）に示すようにパネル１１の長辺同士が上下に並ぶように３枚繋げた。

　なお、長辺側に設けている隣接領域１２ｂはパネル同士を繋げる前の段階で折り曲げておいた。

　最後に、短辺側に形成している端子、および長辺側に形成している端子を外部電源に接続することにより、３つの表示部１３を合わせて４９２×６００ｍｍ^２の表示領域を実現した画像表示体１０（図１）を備えた画像表示装置を完成させた。

　完成した画像表示装置を用いて、外部電源により所望の電流を所望のストライプ状の第一電極および第二電極に印加することにより、所望の良好な画像を得ることができることを確認した。

　〔実施例２：照明装置〕
　ＲＧＢの各サブピクセルがパネルの短辺方向に並んで配置されている単純マトリクス駆動の有機ＥＬ照明装置を以下の手順で作製した。厚さ２００ｎｍの酸化シリコンによってコートされた、厚さ０．２ｍｍで、一表面の面積５００×２２０ｍｍ^２のプラスティック基板を基板１２（図２）として用いた。

　プラスティック基板１２の上記一表面に、面抵抗１０Ω／□となるようにインジウム－スズ酸化物（ＩＴＯ）をスパッタ法により堆積させることにより、第一電極２０としての膜厚３００ｎｍの透明電極（陽極）を形成した。

　次に、一表面５００×２２０ｍｍ^２のうち、４９２×２１６ｍｍ^２の領域にのみ、フォトリソグラフィー法によりパターニングして、ＩＴＯを残し第一電極２０（図１１）を形成した。

　次に、第一電極２０のエッジ部にエッジカバーを形成するために、ＳｉＯ_２をスパッタ法により厚さ２００ｎｍほど積層し、フォトリソグラフィー法によって第一電極２０のエッジ部のみをＳｉＯ_２が覆うようにパターニングした。本実施例では、第一電極２０の４辺のそれぞれの端から１０μｍ分だけＳｉＯ_２で覆う構造とした。

　その後、水洗し、純水超音波洗浄１０分間、アセトン超音波洗浄１０分間、イソプロピルアルコール蒸気洗浄５分間をこの順番で行い、１００℃にて１時間乾燥させた。

　ここで、５００×２２０ｍｍ^２の基板１２に形成する表示部１３は、４９２×２００ｍｍ^２と設計した。また、表示部１３の上下左右には幅２ｍｍの封止エリアが設けられており、長方形を有する表示部１３の一方の短辺側には、更に封止エリアの外にそれぞれ幅２ｍｍの端子取り出し領域（図２におけるＶスキャナ１５の配設領域）を設けた。また、長方形を有する表示部１３の一方の長辺側は、折り曲げを行う領域（隣接領域）として、幅２ｍｍの端子取り出し部（隣接面）を設けた。

　その後、膜厚１００ｎｍの正孔注入層３１（図１１）と、膜厚４０ｎｍの正孔輸送層３２（図１１）とは、上記実施例１と同一の手法で形成した。

　シャドーマスク４１を用いたマスク塗り分け法により正孔輸送層３２の上の所望の赤色発光画素上に赤色有機発光層（厚さ：２０ｎｍ）を形成する。この赤色有機発光層に用いる材料および蒸着速度などは実施例１において示した赤色有機発光層の作製方法と同じである。

　次いで、実施例１と同一の手法で、緑色有機発光層（厚さ：２０ｎｍ）を形成し、次いで、実施例１と同一の手法で、青色有機発光層（厚さ：２０ｎｍ）を形成した。

　次いで、実施例１と同一の手法で、正孔防止層３４（図４）（厚さ：１０ｎｍ）、電子輸送層３５（厚さ：３０ｎｍ）、電子注入層３６（厚さ：１ｎｍ）を形成する。

　この後、第二電極２１（図１１）を形成した。まず、基板１２（第一電極２０および有機層３０形成済み）を、金属蒸着用チャンバーに固定した。次に、第二電極形成用のシャドーマスク（第一電極２０全体を２ｍｍ大きく覆うように第二電極２１を形成できるように開口部が空いているマスク）と、金属蒸着用チャンバーに固定した基板１２とをアライメントした。そして、電子注入層３６の表面に真空蒸着法によりアルミニウムを所望のパターンで形成した。これにより、膜厚２００ｎｍの第二電極２１が形成された。

　続いて、上記実施例１と同じく、スパッタ法により、膜厚１μｍのＳｉＯ_２からなる無機保護層を、シャドーマスクを用いて、表示部１３の端から上下左右２ｍｍの封止エリアまでパターニング形成した。更に、この上に、蒸着重合法により膜厚２μｍのパリレン膜を形成した。このＳｉＯ_２とパリレンの形成を５回繰り返し、５層からなる積層膜を形成し、これを封止膜とした。以上により、図２に示すパネル１１を完成させた。

　最後に、短辺側に形成している端子と、長辺側に形成している端子を外部電源に接続することにより、３つの表示部１３を合わせて４９２×６００ｍｍ^２の発光領域を持つ照明装置（有機ＥＬ照明装置）を完成した。

　ここで、完成した有機ＥＬ照明装置の電極に、外部電源から所望の電流を印加することで、所望の良好で、均一な白色発光を得ることができることを確認した。

　〔実施例３：アクティブ駆動型有機ＥＬ画像表示装置〕
　まず、ＲＧＢの各サブピクセルがパネルの短辺方向に並んで配置されているアクティブマトリクス基板を以下の手順で作製した。厚さ１０μｍの酸化シリコンによってコートされた、厚さ０．１ｍｍで、一表面の面積７５０×２２０ｍｍ^２のインバー材基板を基板１２（図２）として用いた。

　ガラス基板上に、ＰＥＣＶＤ法を用いて、アモルファスシリコン半導体膜を形成する。続いて、結晶化処理を施すことにより多結晶シリコン半導体膜を形成する。次に、フォトリソグラフィー法を用いて多結晶シリコン半導体膜を複数の島状にパターンニングする。続いて、パターニングした多結晶シリコン半導体層の上にゲート絶縁膜及びゲート電極層をこの順番で形成し、フォトリソグラフィー法を用いてパターニングを行った。

　その後、パターニングした多結晶シリコン半導体膜にリン等の不純物元素をドーピングすることによりソースおよびドレイン領域を形成し、ＴＦＴ素子を作製した。その後、平坦化膜を形成した。平坦化膜としては、ＰＥＣＶＤ法で形成した窒化シリコン膜、スピンコーターでアクリル系樹脂層をこの順で積層し形成する。まず、窒化シリコン膜を形成した後、窒化シリコン膜とゲート絶縁膜とを一括してエッチングすることによりソース及び／又はドレイン領域に通ずるコンタクトホールを形成し、続いて、ソース配線を形成した。その後、アクリル系樹脂層を形成し、ゲート絶縁膜及び窒化シリコン膜に穿孔したドレイン領域のコンタクトホールと同じ位置に、ドレイン領域に通ずるコンタクトホールを形成することにより、アクティブマトリクス基板が完成する。平坦化膜としての機能は、アクリル系樹脂層で実現される。なお、ＴＦＴのゲート電位を定電位にするためのコンデンサーは、スイッチング用ＴＦＴのドレインと駆動用ＴＦＴのソースとの間に層間絶縁膜等の絶縁膜を介することで形成される。

　アクティブマトリクス基板上には、平坦化層を貫通して駆動用ＴＦＴと、赤色発光有機ＥＬ素子の第一電極、緑色発光有機ＥＬ素子の第一電極、青色発光有機ＥＬ素子の第一電極とをそれぞれ電気的に接続するコンタクトホールが設けられている。

　次に、各発光画素を駆動する為のＴＦＴと接続した平坦化層を貫通して設けられたコンタクトホールに、電気的接続用に、スパッタ法によって各画素の第一電極（陽極）を形成した。第一電極２０（図１１）は、膜厚１５０ｎｍのＡｌ（アルミニウム）、膜厚２０ｎｍのＩＺＯ（酸化インジウム－酸化亜鉛）、を積層して形成した。

　次に、第一電極を各画素に対応した形状に従来のフォトリソグラフィー法でパターン化した。ここでは、第一電極の面積としては、３００μｍ×１００μｍとした。また７５０×２２０ｍｍ^２の基板に形成する表示部１３（図１１）は、７４２×２００ｍｍ^２で、表示部の上下左右に設けている２ｍｍ幅の封止エリアを設けた。また、長方形を有する表示部１３の一方の短辺側には、更に封止エリアの外にそれぞれ幅２ｍｍの端子取り出し領域（図２におけるＶスキャン１５の配設領域）を設けた。また、長方形を有する表示部１３の一方の長辺側は、折り曲げを行う領域（隣接領域）として、幅２ｍｍの端子取り出し部（隣接面）を設けた。

　次に、第一電極２０のエッジ部にエッジカバー２８を形成するために、ＳｉＯ_２をスパッタ法により厚さ２００ｎｍ積層し、従来のフォトリソグラフィー法によって第一電極２０のエッジ部のみをＳｉＯ_２が覆うようにパターニングした。本実施例では、第一電極２０の４辺のそれぞれの端から１０μｍ分だけＳｉＯ_２で覆う構造とした。

　次に、上記アクティブ基板を洗浄する。アクティブ基板の洗浄としては、例えば、アセトン、またはＩＰＡを用いて、超音波洗浄を１０分間行い、次に、ＵＶ－オゾン洗浄を３０分間行う。

　次に、この基板を、図１２に示したインライン型抵抗加熱蒸着装置内の基板ホルダーに固定し、１×１０^－４Ｐａ以下の真空まで減圧した。本実施例では、シャドーマスク４１を用いたマスク蒸着法による塗り分け方法を用いてＲＧＢの発光画素を形成する方法を採用した。

　その後、所望の領域に、シャドーマスクを用いたマスク塗り分け法により、正孔注入材料として１，１-ビス-ジ-４－トリルアミノ-フェニル-シクロヘキサン（ＴＡＰＣ）を用い、抵抗加熱蒸着法により赤色発光画素部には膜厚５０ｎｍ、緑色発光画素部には膜厚１５０ｎｍ、青色発光画素部には膜厚が１００ｎｍの正孔注入層３１（図１１）を形成した。

　次に、正孔輸送材料としてＮ，Ｎ’－ｄｉ－ｌ-ナフチル-Ｎ，Ｎ’-ジフェニル-１，１’－ビフェニル-１，１’-ビフェニル-４，４’-ジアミン（ＮＰＤ）を用い、抵抗加熱蒸着法により膜厚４０ｎｍの正孔輸送層３２（図１１）を形成した。

　次いで、上記実施例１と同一の方法で、赤色有機発光層（厚さ：３０ｎｍ）、緑色有機発光層（厚さ：３０ｎｍ）、および青色有機発光層（厚さ：３０ｎｍ）の有機発光層３３を形成した。

　次いで、上記実施例１と同一の方法で、正孔防止層３４（厚さ：１０ｎｍ）、および電子輸送層３５（厚さ：３０ｎｍ）を形成した。

　この後、第二電極２１（図１１）を形成した。まず、上記基板を金属蒸着用チャンバーに固定した。次に、第二電極形成用のシャドーマスク（発光領域全体と基板上に予め形成している陰極コンタクトエリアの上下左右１ｍｍ大きな領域に第二電極を形成できるように開口部が空いているマスク）、および前記基板をアライメントし、電子輸送層３５の表面に真空蒸着法によりマグネシウム－銀合金（比率１：９）を膜厚１９ｎｍで形成した。これにより、半透明の第二電極２１（図１１）が形成される。

　次に、半透明の第二電極２１上に、イオンプレーティングにより、１００ｎｍのＳｉＯＮからなる保護層２９（図１３）を、シャドーマスクを用いてパターニング形成した。ここで、成膜条件は、以下の通りである。プラズマビームパワー：４．０ｋＷ、ビーム断面積Ｓ１：１２．５６ｃｍ^２、ビームエネルギー密度：３１０Ｗ／ｃｍ^２、Ｎ_２:２０ｓｃｃｍ、Ｏ_２:１０ｓｃｃｍで導入。ソース材質：ＳｉＯＮ焼結体で密度：相対密度９９％以上。

　次に、ポリイミドフィルム上に予め接着用の熱硬化樹脂が塗布している封止基板を、有機ＥＬ素子が形成されているアクティブ基板とを貼り合わせ、８０℃、１時間ホットプレートで加熱することで樹脂を硬化させた。なお、上記貼り合わせ工程は、有機ＥＬ素子の水分による劣化を防止する目的でドライエアー環境下（水分量：－８０℃）で行った。

　次に、光を取り出す方向の基板に、偏光板を張り合わせ、本実施例のパネル１１を完成させた。

　本実施例のパネル１１の断面図を図１３に示す。図１３中の２２はゲートメタル、２３はゲート絶縁膜、２４は配線、２５はＴＦＴ電極、２６は平坦化膜、２７はスルーホール、３７は熱硬化樹脂、３８は封止基板、３９は上記偏光板を示す。

　次に、以上のようにして作製した長方形アクティブ駆動型有機ＥＬを、位置合わせ用の枠１８（図１６）を用いて、長辺同士が上下に並ぶように３枚に連結させた。

　最後に、短辺側に形成している端子をソースドライバを介して電源回路に、長辺側に形成している端子をゲートドライバを介して外部電源に接続することにより、７４２×６００ｍｍ^２の表示面を有するアクティブ駆動型有機ＥＬディスプレイ（画像表示装置）を完成させた。

　完成した画像表示装置を用いて、外部電源により所望の電流を各画素に印加することにより、所望の良好な画像を得ることができることを確認した。

　本発明に係る画像表示装置においては、上記長手方向が上記行方向と平行であり、
　複数ある上記画素のそれぞれに含まれる複数個の上記発光素子が、該画素内において、上記長方形の発光部を構成する一対の短辺と平行な方向に並んで配置されており、
　上記第二端子群が上記走査駆動回路に接続されており、
　上記第一端子群が上記データ駆動回路に接続されていることができる。

　上記の構成によれば、画素内の発光素子の配列方向、ならびに走査駆動回路およびデータ駆動回路の接続方向を従来の画像表示装置の状態を維持したまま複数のパネルが上下方向に並ぶように組み合わされている画像表示装置の場合と比較し、走査駆動回路の数をその１／３に削減することができる。

　また、本発明に係る画像表示装置においては、上記長手方向が上記列方向と平行であり、
　複数ある上記画素のそれぞれに含まれる複数個の上記発光素子が、該画素内において、上記長方形の発光部を構成する一対の長辺と平行な方向に並んで配置されており、
　上記第一端子群が上記走査駆動回路に接続されており、
　上記第二端子群が上記データ駆動回路に接続されていることができる。

　上記の構成によれば、画素内の発光素子の配列方向、ならびに走査駆動回路およびデータ駆動回路の接続方向を従来の画像表示装置の状態を維持したまま複数のパネルが水平方向に並ぶように組み合わされている画像表示装置の場合と比較し、走査駆動回路の数をその１／３に削減することができる。

　また、上記第１のパネルと、上記第２のパネルとは、
　第１のパネルの上記基材の上記平坦面における上記隣接面に隣接している側の上記端部と、第２のパネルの上記基材の上記平坦面における上記隣接面に隣接している側とは反対側の上記端部とを連結させて、繋げることができる。

　また、本発明に係る画像表示装置は、上記の構成に加えて、
　各上記発光素子は、有機発光層を含む有機層を第一電極と第二電極との間に有して構成された有機エレクトロルミネッセンス素子であり、
　各上記有機エレクトロルミネッセンス素子の上記第一電極から引き出された上記端子群が、上記隣接面において上記長辺に沿って配列させることができる。

　上記の構成によれば、上記長方形の発光部が形成されている平坦面内には端子を配さない構成となることから、発光部と発光部との間に端子が存在することによる視覚的な不快感を無くすことができる。

　また、本発明に係る画像表示装置は、上記の構成に加えて、
　上記平坦面における上記隣接面に隣接している側とは反対側の上記端部は、上記長方形の発光部における他方の長辺に沿った端部と重畳していることが好ましい。

　上記の構成によれば、上記長方形の発光部をその対面側から観察したときに、上記他方の長辺の端部の外側に基材の平坦面の上記端部が視認されることがない。

　これにより、パネルとパネルとを繋いだ場合に、隙間のない１つの大きな発光部を実現することができる。

　また、本発明に係る画像表示装置は、上記の構成に加えて、上記隣接面には、封止エリアが設けられていないことが好ましい。

　上記の構成によれば、ストレス無く隣接面を湾曲もしくは折り曲げることが可能となる。

　有機ＥＬの場合、有機ＥＬの形成されている基板部分と封止基板の密着性が、不十分であり、特に、有機ＥＬ部で有機層と電極（通常は、陰極）との密着性が悪いため有機ＥＬ部を曲げた場合、剥がれが問題となる。特に有機ＥＬ部でも有機層と電極の剥がれが問題となる。

　これに対して、本発明の構成によれば、より効果的に湾曲、折り曲げた隣接面を形成することが可能となるため、継ぎ目を解消した表示品位の優れた低コスト化の大型有機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ照明を提供することが可能となる。

　また、本発明に係る画像表示装置は、上記の構成に加えて、
　上記基材には、各上記パネルの基材同士を連結させる際の位置合わせに用いることができる位置合わせ部が設けられていることが好ましい。

　上記の構成によれば、パネルを複数貼り合わせた時に、連結部分での有機エレクトロルミネッセンス素子のズレを防止することが可能となる。

　パネルとパネルとの連結部において有機エレクトロルミネッセンス素子（すなわち、画素）のズレが生じると、表示画像に欠陥を生じてしまう。例えば、６５型のハイビジョンテレビを想定した場合、各サブピクセルの大きさは２１０μｍ×７０μｍとなり、７０μｍのズレが生じた場合、連結部でサブ画素がズレてしまい、継ぎ目が視認できてしまう。これに対して、本発明の構成によれば、位置合わせ部を設けていることから、このようなズレを回避し、表示装置においても良好な画像表示を実現させることができる。

　また、位置合わせ部の配設位置について、連結部分に位置合わせ部を設けると、連結したときに位置合わせ部が継ぎ目として視認されてしまうため、位置合わせ部を連結部分とは異なる領域に設けることが好ましい。

　また、本発明に係る画像表示装置は、上記の構成に加えて、上記基材が板部材とすることができる。また、板部材だけに限らず、上記基材は、フレキシブル基材であってもよい。

　上記基材は、金属、もしくは、プラスティックからなることが好ましい。

　上記の構成によれば、ストレス無く湾曲させたり、折り曲げたりして上記隣接面を作製することが可能となる。

　従来構成では、厚さが０．７ｍｍ程度のガラス基板を使用してパネルを構成しているため、曲げることが不可能である。そのため、仮に本発明のように湾曲させたりする場合にも、ガラスの折り曲げ部分にのみ、フレキシブルのプラスティック等を接続して作製する必要が生じ、コストアップの原因となり、また、パネルとパネルの連結部での不良の原因ともなる。そこで、本発明の金属、プラスティックを基材として用いることによって、基材自身を曲げることが可能となる。

　この結果、パネルの基板自身を、湾曲もしくは折り曲げさせることが可能となる為、低コスト化の発光パネル装置を実現でき、これを備えた画像表示装置や照明装置の低コスト化にも貢献することができる。

　また、上記基材は、線膨張係数が１×１０^－５／℃以下の鉄－ニッケル系合金であってもよい。

　上記の構成によれば、熱膨張率がガラスと同様の金属を有機ＥＬの基板として用いるため、通常のＴＦＴプロセルを使用することが可能である。

　また、本発明に係る画像表示装置は、上記の構成に加えて、
　上記画像表示部に上記発光素子を駆動するアクティブマトリクス駆動素子を備えており、アクティブマトリクス駆動を行うことが好ましい。

　上記の構成によれば、各画素のアクティブマトリクス駆動が可能となる。アクティブマトリクス駆動の有機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬ表示装置は、単純マトリクス駆動の有機ＥＬディスプレイ、有機ＥＬ表示装置と比較して１フレーム当たりの発光時間を長くとれるため、１フレーム当たりの発光輝度を低くすることが可能である。具体的には、ディスプレイ（解像度１９２０×１０８０のハイビジョン）として１００ｃｄ／ｍ^２の輝度を得る場合、単純マトリクス駆動では、１０８，０００ｃｄ／ｍ^２（＝１００ｃｄ／ｍ^２×１０８０）の瞬間輝度が必要となるのに対し、アクティブマトリクス駆動では１フレーム当たりの全時間を発光時間として使用可能であるため、１００ｃｄ／ｍ^２（＝１００ｃｄ／ｍ^２×１）の輝度で良い。これにより、低電圧駆動が可能となる。また、一般的に有機ＥＬは輝度の上昇とともに発光効率が低下するため、高い発光効率を使用できる領域での駆動が可能であり、消費電力を大幅に低減することが可能となる。

　この結果、より低消費電力で表示品位の優れた大型のアクティブマトリクス駆動型の画像表示装置を提供することが可能となる。

　また、本発明に係る画像表示装置は、上記の構成に加えて、
　上記第一電極および上記第二電極が互いに直交して上記平坦面と平行に延びるライン状の電極であり、単純マトリクス駆動を行う構成であってもよい。

　また、本発明に係る画像表示装置は、上記の構成に加えて、
　上記画像表示部に設けられた上記発光素子は、有機発光層を含む有機層を第一電極と第二電極との間に有して構成された有機エレクトロルミネッセンス素子であり、
　上記画像表示部に電源を供給する電源供給配線を、上記第二電極に連結させており、
　上記電源供給配線の端子は、上記基材の上記平坦面における、上記画像表示部である上記長方形の発光部を構成する一対の短辺のうちの一方の側に配列していることが好ましい。

　上記の構成によれば、有機エレクトロルミネッセンス素子は、電流駆動であるため、その発光には電流を必要とする。ここで、電流供給配線が長い従来のディスプレイ（表示装置）では、電流を流すことによる電流供給配線での抵抗成分による、電圧降下による消費電力の上昇、発熱が問題であることが知られている。そこで、本発明の構成によれば、各パネルの平坦面に、そのパネルの発光部の第二電極に連結された電流供給配線の端子を配列させることから、該電流供給配線の長さを短く実現することができる。これは、先の問題の解決に非常に有意である。特に、大型の高精細ディスプレイ（表示装置）では、画素数の増加、ディスプレイ（表示装置）の表示領域の増加に伴う画素面積の増加により、より大電流を電流供給配線で供給する必要が要求され、上記の問題はより深刻な問題となる。これにより本発明では、電流供給配線に電流を流すことに起因する問題を解消することが可能となり、消費電力を大幅に低減することが、発熱を大幅に低減することが可能となる。

　この結果、より低消費電力、発熱の少ない大型の発光パネル装置を作製することができ、この発光パネル装置を表示装置に搭載すれば、表示品位の優れた大型の表示装置を作製することが可能となる。

　本発明は、画像表示装置として最適に使用できるほか、照明装置としても使用することができる等、産業上の利用可能性は高い。

２　スイッチング用ＴＦＴ
３　駆動用ＴＦＴ
１０　画像表示体（画像表示装置）
１１　パネル
１２　基板（基材）
１２ａ　形成領域
１２ａ´　平坦面
１２ｂ　隣接領域
１２ｂ´　隣接面
１３　表示部（発光部）
１４　Ｈスキャン
１５　Ｖスキャン
１７ａ　光学調整用基板
１７ｂ　光学調整用基板
２０　第一電極
２１　第二電極
２２　ゲートメタル
２３　ゲート絶縁膜
２４　配線
２５　ＴＦＴ電極
２６　平坦化膜
２７　スルーホール
２８　エッジカバー
２９　保護層
３０　有機層
３１　正孔注入層
３２　正孔輸送層
３３　有機発光層
３４　正孔防止層
３５　電子輸送層
３６　電子注入層
３７　熱硬化樹脂
３８　封止基板
３９　偏光板
４０　蒸着ソース源
４１　シャドーマスク
５０　画素
５１Ｒ、５１Ｇ、５１Ｂ　サブピクセル
５４　データ信号線
５５　電源線
５６　走査信号線
５７　ゲートドライバ（走査駆動回路）
５８　ソースドライバ（データ駆動回路）
５９　電源回路
６１　シフトレジスタ
６２　サンプリングラッチ
６３　デジタル－アナログ変換器

Claims

　基材の平坦面に、第一電極および第二電極を有して電流供給、もしくは、電圧印加により光を出射する発光素子を複数個配設して構成される画素を複数備えている長方形の発光部を形成したパネルを複数備えた画像表示装置であって、
　上記基材の上記平坦面の端部であって、上記長方形の発光部を構成する一対の長辺に沿って延びた端部のうちの一方の端部に隣接して、上記平坦面を反らす方向に上記基材が湾曲もしくは折れ曲がった隣接面が設けられており、
　上記隣接面には、上記長方形の発光部の上記第一電極から引き出された第一端子群が形成されており、
　上記平坦面における、上記長方形の発光部を構成する一対の短辺のうちの一方の側に、各上記発光素子の上記第二電極から引き出された第二端子群が形成されており、
　第１の上記パネルと、該第１のパネルとは異なる第２の上記パネルとは、第１のパネルの上記発光部と、第２のパネルの上記発光部とが同じ向きに配置され、且つ、第１のパネルおよび第２のパネルの各々の上記長方形の発光部の長手方向が平行になるように、各々の上記基材の上記平坦面の上記端部同士を連結させて、繋がっており、
　複数ある上記パネルの各上記発光部の組み合わせにより、複数の上記画素がマトリクス状に配列している画像表示部を形成しており、
　複数ある上記画素のそれぞれに含まれる複数個の上記発光素子が、該画素内において、上記マトリクスの列方向に沿って並んで配置されており、
　上記第一端子群および上記第二端子群のうち上記マトリクスの行方向に引き出された端子群に接続された、上記発光素子を選択状態に設定する走査信号を出力する走査駆動回路と、
　上記第一端子群および上記第二端子群のうち上記マトリクスの列方向に引き出された端子群に接続された、上記走査信号により選択状態に設定された上記発光素子に対してデータ信号を出力するデータ駆動回路とをさらに備えていることを特徴とする画像表示装置。
　上記長手方向が上記行方向と平行であり、
　複数ある上記画素のそれぞれに含まれる複数個の上記発光素子が、該画素内において、上記長方形の発光部を構成する一対の短辺と平行な方向に並んで配置されており、
　上記第二端子群が上記走査駆動回路に接続されており、
　上記第一端子群が上記データ駆動回路に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
　上記長手方向が上記列方向と平行であり、
　複数ある上記画素のそれぞれに含まれる複数個の上記発光素子が、該画素内において、上記長方形の発光部を構成する一対の長辺と平行な方向に並んで配置されており、
　上記第一端子群が上記走査駆動回路に接続されており、
　上記第二端子群が上記データ駆動回路に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
　基材の平坦面に、第一電極および第二電極を有して電流供給、もしくは、電圧印加により光を出射する発光素子を複数個配設して構成される画素を複数備えている長方形の発光部を形成したパネルを複数備えた画像表示装置であって、
　上記基材の上記平坦面の端部であって、上記長方形の発光部を構成する一対の長辺に沿って延びた端部のうちの一方の端部に隣接して、上記平坦面を反らす方向に上記基材が湾曲もしくは折れ曲がった隣接面が設けられており、
　上記隣接面には、上記長方形の発光部の上記第一電極から引き出された第一端子群が形成されており、
　上記平坦面における、上記長方形の発光部を構成する一対の短辺のうちの一方の側に、各上記発光素子の上記第二電極から引き出された第二端子群が形成されており、
　第１の上記パネルと、該第１のパネルとは異なる第２の上記パネルとは、第１のパネルの上記発光部と、第２のパネルの上記発光部とが同じ向きに配置され、且つ、第１のパネルおよび第２のパネルの各々の上記長方形の発光部の長手方向が平行になるように、各々の上記基材の上記平坦面の上記端部同士を連結させて、繋がっており、
　複数ある上記パネルの各上記発光部の組み合わせにより、複数の上記画素がマトリクス状に配列している画像表示部を形成しており、
　上記長手方向が、上記マトリクスの行方向と平行であり、
　複数ある上記画素のそれぞれに含まれる複数個の上記発光素子が、該画素内において、上記マトリクスの行方向または列方向に沿って並んで配置されており、
　上記第一端子群に接続されている、上記発光素子を選択状態に設定する走査信号を出力する走査駆動回路と、
　上記第二端子群に接続されている、上記走査信号により選択状態に設定された上記発光素子に対してデータ信号を出力するデータ駆動回路とをさらに備えていることを特徴とする画像表示装置。
　上記第１のパネルと、上記第２のパネルとは、
　第１のパネルの上記基材の上記平坦面における上記隣接面に隣接している側の上記端部と、第２のパネルの上記基材の上記平坦面における上記隣接面に隣接している側とは反対側の上記端部とを連結させて、繋がっていることを特徴とする請求項１～４の何れか１項に記載の画像表示装置。
　各上記発光素子は、有機発光層を含む有機層を第一電極と第二電極との間に有して構成された有機エレクトロルミネッセンス素子であり、
　各上記有機エレクトロルミネッセンス素子の上記第一電極から引き出された上記端子群が、上記隣接面において上記長辺に沿って配列していることを特徴とする請求項１～５の何れか１項に記載の画像表示装置。
　上記平坦面における上記隣接面に隣接している側とは反対側の上記端部は、上記長方形の発光部における他方の長辺に沿った端部と重畳していることを特徴とする請求項１～６の何れか１項に記載の画像表示装置。
　上記隣接面には、封止エリアが設けられていないことを特徴とする請求項１～７の何れか１項に記載の画像表示装置。
　上記基材には、各上記パネルの基材同士を連結させる際の位置合わせに用いることができる位置合わせ部が設けられていることを特徴とする請求項１～８の何れか１項に記載の画像表示装置。
　上記基材は、板部材であることを特徴とする請求項１～９の何れか１項に記載の画像表示装置。
　上記基材は、フレキシブル基材であることを特徴とする請求項１～１０の何れか１項に記載の画像表示装置。
　上記基材は、金属またはプラスティックからなることを特徴とする請求項１～１１の何れか１項に記載の画像表示装置。
　上記基材は、線膨張係数が１×１０^－５／℃以下の鉄－ニッケル系合金であることを特徴とする請求項１～１１の何れか１項に記載の画像表示装置。
　上記画像表示部に上記発光素子を駆動するアクティブマトリクス駆動素子を備えており、アクティブマトリクス駆動を行うことを特徴とする請求項１～１３の何れか１項に記載の画像表示装置。
　上記第一電極および上記第二電極が互いに直交して上記平坦面と平行に延びるライン状の電極であり、単純マトリクス駆動を行うことを特徴とする請求項１～１３の何れか１項に記載の画像表示装置。
　上記画像表示部に設けられた上記発光素子は、有機発光層を含む有機層を第一電極と第二電極との間に有して構成された有機エレクトロルミネッセンス素子であり、
　上記画像表示部に電源を供給する電源供給配線を、上記第二電極に連結させており、
　上記電源供給配線の端子は、上記基材の上記平坦面における、上記画像表示部である上記長方形の発光部を構成する一対の短辺のうちの一方の側に配列していることを特徴とする請求項１～１５の何れか１項に記載の画像表示装置。
　基材の平坦面に、第一電極および第二電極を有して電流供給、もしくは、電圧印加により光を出射する発光素子を複数個配設して構成される画素を複数備えている長方形の発光部を形成したパネルであって、
　上記基材の上記平坦面の端部であって、上記長方形の発光部を構成する一対の長辺に沿って延びた端部のうちの一方の端部に隣接して、上記平坦面を反らす方向に上記基材が湾曲もしくは折れ曲がった隣接面が設けられており、
　上記隣接面には、上記長方形の発光部の上記第一電極から引き出された端子群が形成されており、
　複数ある上記画素のそれぞれに含まれる複数個の上記発光素子が、該画素内において、上記長方形の発光部を構成する一対の短辺と平行な方向に沿って並んで配置されていることを特徴とするパネル。
　請求項１～１６の何れか１項に記載の画像表示装置に設けられた上記パネルの製造方法であって、
　上記平坦面および上記隣接面を有した上記基材を準備する基材準備工程と、
　上記基材準備工程により準備された上記基材の上記平坦面の上に、第一電極および第二電極を有して電流供給、もしくは、電圧印加により光を出射する発光素子である有機エレクトロルミネッセンス素子を形成する発光素子形成工程と、
を含み、
　上記発光素子形成工程には、
　上記基材の上記平坦面の上に、上記第一電極もしくは上記第二電極を形成する電極形成工程と、
　上記電極形成工程によって形成された電極の上に、上記有機エレクトロルミネッセンス素子において上記第一電極と上記第二電極との間に設けられる有機層を、インライン型蒸着方法を用いて形成する有機層形成工程と、
が含まれることを特徴とする製造方法。