WO2011049226A1

WO2011049226A1 - 金属錯体、高分子化合物及びそれを用いた素子

Info

Publication number: WO2011049226A1
Application number: PCT/JP2010/068782
Authority: WO
Inventors: 玲岡村; 浩平浅田
Original assignee: 住友化学株式会社
Priority date: 2009-10-19
Filing date: 2010-10-18
Publication date: 2011-04-28
Also published as: US20120205585A1; EP2492276A4; JP2011105701A; CN102596978B; EP2492276A1; KR101762462B1; KR20120081616A; TW201122083A; CN102596978A; TWI477578B; EP2492276B1; JP5742160B2

Abstract

下記式（１）：［式中、Ｒ¹～Ｒ⁶、Ｒ⁸、Ｒ¹¹～Ｒ²⁰は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。　Ｚ¹～Ｚ⁵は、－Ｃ（Ｒ*）＝又は窒素原子を表す。Ｒ*は、水素原子又は置換基を表す。　Ｚ¹～Ｚ⁵の少なくとも２個は、窒素原子である。　ｍは、１又は２である。］で表される金属錯体。

Description

金属錯体、高分子化合物及びそれを用いた素子

　本発明は、金属錯体、高分子化合物及びそれを用いた素子に関する。

　有機ＥＬ素子の発光層に用いる赤色発光材料として、１−フェニルイソキノリン３分子が配位したイリジウム錯体が知られている（国際公開第２００２−４４１８９号パンフレット）。

　しかし、このイリジウム錯体は、溶液安定性が不十分であった。
　本発明の目的は、溶液安定性に優れた赤色発光材料を提供することである。
本発明は、下記の金属錯体、金属含有高分子化合物、組成物、膜、素子、面状光源、照明装置、及び金属錯体の製造方法を提供する。
〔１〕　下記式（１）：

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９及びＲ^２０は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。これらの基は、置換基を有していてもよい。
　Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５は、それぞれ独立に、−Ｃ（Ｒ^＊）＝又は窒素原子を表す。Ｒ^＊は、水素原子又は置換基を表す。
　Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９、Ｒ^２０、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５は、各々、複数存在する場合、同一であっても異なっていてもよい。但し、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５の少なくとも２個は、窒素原子である。
　ｍは、１又は２である。］
で表される金属錯体。
〔２〕　下記式（１ｃ）：

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９、Ｒ^２０、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５は、前記と同じ意味を有する。］
で表される〔１〕に記載の金属錯体。
〔３〕下記式（１ａ）又は下記式（１ｂ）：

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９及びＲ^２０は、前記と同じ意味を有する。
　Ｒ’は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ’は同一であっても異なっていてもよい。］
で表される〔２〕に記載の金属錯体。
〔４〕〔１〕~〔３〕のいずれか一項に記載の金属錯体の残基を有する金属含有高分子化合物。
〔５〕〔１〕~〔３〕のいずれか一項に記載の金属錯体又は〔４〕に記載の金属含有高分子化合物を含む組成物。
〔６〕〔１〕~〔３〕のいずれか一項に記載の金属錯体を二種以上含む、又は、請求項４に記載の金属含有高分子化合物を二種以上含む、〔５〕に記載の組成物。
〔７〕〔１〕~〔３〕のいずれか一項に記載の金属錯体と、
　下記式（２）で表される金属錯体、下記式（３）で表される金属錯体、又はこれらの組み合わせ
　とを有する、〔５〕又は〔６〕に記載の組成物。

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９、Ｒ^２０、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５は、前記と同じ意味を有する。］
〔８〕更に金属非含有高分子化合物を含む、〔５〕~〔７〕のいずれか一項に記載の組成物。
〔９〕前記金属非含有高分子化合物が、下記式（７−１）で表される２価の基、下記式（７−２）で表される２価の基、下記式（７−３）で表される２価の基、下記式（７−４）で表される２価の基、下記式（７−５）で表される２価の基、及び、下記式（８）で表される２価の基からなる群から選ばれる少なくとも一種を繰り返し単位として有する、〔８〕に記載の組成物。

［式中、Ｙ^１は、−Ｃ（Ｒ^４８）（Ｒ^４９）−、−Ｏ−Ｃ（Ｒ^５０）（Ｒ^５１）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｂ（Ｒ^５２）−、−Ｓｉ（Ｒ^５３）（Ｒ^５４）−、−Ｐ（Ｒ^５５）−、−Ｐ（Ｒ^５６）（＝Ｏ）−又は−Ｎ（Ｒ^５７）−を表す。
　Ｒ^４８、Ｒ^４９、Ｒ^５０、Ｒ^５１、Ｒ^５２、Ｒ^５３、Ｒ^５４、Ｒ^５５、Ｒ^５６及びＲ^５７は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表す。これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５、Ｒ^２６、Ｒ^２７、Ｒ^２８、Ｒ^２９、Ｒ^３０、Ｒ^３１、Ｒ^３２、Ｒ^３３、Ｒ^３４、Ｒ^３５、Ｒ^３６、Ｒ^３７、Ｒ^３８、Ｒ^３９、Ｒ^４０、Ｒ^４１、Ｒ^４２、Ｒ^４３、Ｒ^４４、Ｒ^４５、Ｒ^４６及びＲ^４７は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。これらの基は置換基を有していてもよい。］

［式中、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３及びＡｒ^４は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表す。Ａｒ^５、Ａｒ^６及びＡｒ^７は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表す。Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４、Ａｒ^５、Ａｒ^６及びＡｒ^７は、置換基を有していてもよい。ａ及びｂは、それぞれ独立に、０又は１であり、０≦ａ＋ｂ≦１である。］
〔１０〕前記金属非含有高分子化合物が、更に下記式（１０）で表される繰り返し単位を有する、〔９〕に記載の組成物。

［式中、Ａｒ^１０は２価の含窒素芳香族複素環基を表す。Ａｒ^１１及びＡｒ^１２はそれぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表す。］
〔１１〕　前記式（１０）で表される繰り返し単位が、下記式（１１）で表される繰り返し単位である、〔１０〕に記載の組成物。

［式中、Ａｒ^１１及びＡｒ^１２は、前記と同じ意味を有する。Ａｒ^１３はアリール基又は１価の複素環基を表す。Ａｒ^１１、Ａｒ^１２及びＡｒ^１３は置換基を有していてもよい。
　Ｚ^６、Ｚ^７及びＺ^８は、それぞれ独立に、−Ｃ（Ｒ^ｋ）＝又は窒素原子を表す。Ｒ^ｋは、水素原子又は置換基を表す。但し、Ｚ^６、Ｚ^７及びＺ^８の少なくとも２個は、窒素原子である。］
〔１２〕更に電荷輸送材料、発光材料、又はこれらの組み合わせを含む〔５〕~〔１１〕のいずれか一項に記載の組成物。
〔１３〕　更に溶媒又は分散媒を含む〔５〕~〔１２〕のいずれか一項に記載の組成物。
〔１４〕〔１〕~〔３〕のいずれか一項に記載の金属錯体、〔４〕に記載の金属含有高分子化合物、又は〔５〕~〔１２〕のいずれか一項に記載の組成物を含む膜。
〔１５〕〔１〕~〔３〕のいずれか一項に記載の金属錯体、〔４〕に記載の金属含有高分子化合物、又は〔５〕~〔１２〕のいずれか一項に記載の組成物を含む素子。
〔１６〕前記素子が発光素子である請求項１５に記載の素子。
〔１７〕〔１６〕に記載の素子を含む面状光源。
〔１８〕〔１６〕に記載の素子を含む照明装置。
〔１９〕下記式（４）：

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５は、それぞれ独立に、−Ｃ（Ｒ^＊）＝又は窒素原子を表す。Ｒ^＊は、水素原子又は置換基を表す。
　複数存在するＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^８、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５は、同一であっても異なっていてもよい。但し、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５の少なくとも２個は、窒素原子である。］
で表される金属錯体と、
　下記式（５）：

［式中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９及びＲ^２０は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。これらの基は置換基を有していてもよい。］
で表される化合物とを反応させることを含む、
〔２０〕　下記式（１ｃ）：

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９、Ｒ^２０、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５は、前記と同じ意味を有する。］
で表される金属錯体の製造方法。
〔２０〕下記式（６）：

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５は、それぞれ独立に、−Ｃ（Ｒ^＊）＝又は窒素原子を表す。Ｒ^＊は、水素原子又は置換基を表す。
　複数存在するＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^８、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５は、同一であっても異なっていてもよい。但し、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５の少なくとも２個は、窒素原子である。
　Ｒ^ｅ、Ｒ^ｆ及びＲ^ｇは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表す。］
で表される金属錯体と、
　下記式（５）：

［式中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９及びＲ^２０は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。これらの基は置換基を有していてもよい。］
で表される化合物とを反応させることを含む、
　下記式（１ｃ）：

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９、Ｒ^２０、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５は、前記と同じ意味を有する。］
で表される金属錯体の製造方法。

　以下、本発明を詳細に説明する。本明細書中の構造式において、破線で示される結合は、配位結合を示す。「金属含有高分子化合物」は、分子中に金属原子及び／又は金属イオンを含む高分子化合物を意味し、「金属非含有高分子化合物」は、分子中に金属原子及び金属イオンを含まない高分子化合物を意味する。
　＜金属錯体＞
　本発明の金属錯体は、式（１）で表される。
　式（１）で表される金属錯体は、イリジウム原子及び２座配位子から構成されている
　式（１）中、ｍは、好ましくは２である。この場合、式（１）は、式（１ｃ）である。
　式（１）中、Ｒ^１~Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１~Ｒ^２０で表されるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
　式（１）中、Ｒ^１~Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１~Ｒ^２０で表されるアルキル基は、直鎖、分岐及び環状のいずれでもよい。このアルキル基の炭素数は、通常、１~１２である。アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、ノニル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基、ラウリル基、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基等が挙げられ、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、２−エチルヘキシル基、デシル基、３，７−ジメチルオクチル基が好ましい。
　式（１）中、Ｒ^１~Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１~Ｒ^２０で表されるアルコキシ基は、直鎖、分岐及び環状のいずれでもよい。このアルコキシ基の炭素数は、通常、１~１２である。アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロピルオキシ基、イソプロピルオキシ基、ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、ヘプチルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、ノニルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基、ラウリルオキシ基、トリフルオロメトキシ基、ペンタフルオロエトキシ基、パーフルオロブトキシ基、パーフルオロヘキシルオキシ基、パーフルオロオクチルオキシ基、メトキシメチルオキシ基、２−メトキシエチルオキシ基等が挙げられ、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシ基、デシルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシ基が好ましい。
　式（１）中、Ｒ^１~Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１~Ｒ^２０で表されるアルキルチオ基は、直鎖、分岐及び環状のいずれでもよい。このアルキルチオ基の炭素数は、通常、１~１２である。アルキルチオ基としては、メチルチオ基、エチルチオ基、プロピルチオ基、イソプロピルチオ基、ブチルチオ基、ｓｅｃ−ブチルチオ基、イソブチルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルチオ基、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、シクロヘキシルチオ基、ヘプチルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、ノニルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基、ラウリルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等が挙げられ、ペンチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、２−エチルヘキシルチオ基、デシルチオ基、３，７−ジメチルオクチルチオ基が好ましい。
　式（１）中、Ｒ^１~Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１~Ｒ^２０で表されるアリール基は、炭素数が、通常、６~６０であり、好ましくは７~４８である。アリール基としては、フェニル基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシフェニル基（「Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシ」は、アルコキシ部分の炭素数が１~１２であることを意味する。以下、同様である。）、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルフェニル基（「Ｃ_１~Ｃ_１２アルキル」は、アルキル部分の炭素数が１~１２であることを意味する。以下、同様である。）、１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニル基、２−アントラセニル基、９−アントラセニル基、ペンタフルオロフェニル基等が挙げられ、Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシフェニル基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルフェニル基が好ましい。アリール基とは、芳香族炭化水素から水素原子１個を除いた原子団である。この芳香族炭化水素には、縮合環を持つ化合物、独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が直接又はビニレン基等を介して結合した化合物も含まれる。更に、該アリール基は置換基を有していてもよく、該置換基としては、Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシフェニル基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルフェニル基等が挙げられる。
　Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシフェニル基としては、メトキシフェニル基、エトキシフェニル基、プロピルオキシフェニル基、イソプロピルオキシフェニル基、ブトキシフェニル基、イソブトキシフェニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシフェニル基、ペンチルオキシフェニル基、ヘキシルオキシフェニル基、シクロヘキシルオキシフェニル基、ヘプチルオキシフェニル基、オクチルオキシフェニル基、２−エチルヘキシルオキシフェニル基、ノニルオキシフェニル基、デシルオキシフェニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェニル基、ラウリルオキシフェニル基等が挙げられる。
　Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルフェニル基としては、メチルフェニル基、エチルフェニル基、ジメチルフェニル基、プロピルフェニル基、メシチル基、メチルエチルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ブチルフェニル基、ｓｅｃ−ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ペンチルフェニル基、イソアミルフェニル基、ヘキシルフェニル基、ヘプチルフェニル基、オクチルフェニル基、ノニルフェニル基、デシルフェニル基、ドデシルフェニル基等が挙げられる。
　独立した２個以上のベンゼン環が直接又はビニレン基等を介して結合したアリール基としては、下記式：

［式中、Ｒ^ｈは、水素原子、炭素数１~１２のアルキル基、又は、炭素数１~１２のアルコキシ基を表し、これらの基の一部の水素原子はハロゲン原子で置換されていてもよい。複数存在するＲ^ｈは同一であっても異なっていてもよいが、Ｒ^ｈのうちの少なくとも１個は炭素数１~１２のアルキル基又は炭素数１~１２のアルコキシ基である。Ｒ^ｉは直鎖状又は分岐状の炭素数１~１２のアルキル基を表す。複数存在するＲ^ｉは同一であっても異なっていてもよい。］
で表される基が挙げられる。
　式（１）中、Ｒ^１~Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１~Ｒ^２０で表されるアリールオキシ基は、炭素数が、通常、６~６０であり、好ましくは７~４８である。アリールオキシ基としては、フェノキシ基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルフェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、２−ナフチルオキシ基、ペンタフルオロフェニルオキシ基等が挙げられ、Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシフェノキシ基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルフェノキシ基が好ましい。
　Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシフェノキシ基としては、メトキシフェノキシ基、エトキシフェノキシ基、プロピルオキシフェノキシ基、イソプロピルオキシフェノキシ基、ブトキシフェノキシ基、イソブトキシフェノキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシフェノキシ基、ペンチルオキシフェノキシ基、ヘキシルオキシフェノキシ基、シクロヘキシルオキシフェノキシ基、ヘプチルオキシフェノキシ基、オクチルオキシフェノキシ基、２−エチルヘキシルオキシフェノキシ基、ノニルオキシフェノキシ基、デシルオキシフェノキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシフェノキシ基、ラウリルオキシフェノキシ基等が挙げられる。
　Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルフェノキシ基としては、メチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ジメチルフェノキシ基、プロピルフェノキシ基、１，３，５−トリメチルフェノキシ基、メチルエチルフェノキシ基、イソプロピルフェノキシ基、ブチルフェノキシ基、ｓｅｃ−ブチルフェノキシ基、イソブチルフェノキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、ペンチルフェノキシ基、イソアミルフェノキシ基、ヘキシルフェノキシ基、ヘプチルフェノキシ基、オクチルフェノキシ基、ノニルフェノキシ基、デシルフェノキシ基、ドデシルフェノキシ基等が挙げられる。
　式（１）中、Ｒ^１~Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１~Ｒ^２０で表されるアリールチオ基は、炭素数が、通常、６~６０であり、好ましくは７~４８である。アリールチオ基としては、フェニルチオ基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシフェニルチオ基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルフェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、２−ナフチルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基等が挙げられ、Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシフェニルチオ基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルフェニルチオ基が好ましい。
　式（１）中、Ｒ^１~Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１~Ｒ^２０で表されるアリールアルキル基は、炭素数が、通常、７~６０であり、好ましくは７~４８である。アリールアルキル基としては、フェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキル基、１−ナフチル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキル基、２−ナフチル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキル基等が挙げられ、Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキル基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキル基が好ましい。
　式（１）中、Ｒ^１~Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１~Ｒ^２０で表されるアリールアルコキシ基は、炭素数が、通常、７~６０であり、好ましくは７~４８である。アリールアルコキシ基としては、フェニルメトキシ基、フェニルエトキシ基、フェニルブトキシ基、フェニルペンチロキシ基、フェニルヘキシロキシ基、フェニルヘプチロキシ基、フェニルオクチロキシ基等のフェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシ基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシ基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシ基、１−ナフチル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシ基、２−ナフチル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシ基等が挙げられ、Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシ基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシ基が好ましい。
　式（１）中、Ｒ^１~Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１~Ｒ^２０で表されるアリールアルキルチオ基は、炭素数が、通常、７~６０であり、好ましくは７~４８である。アリールアルキルチオ基としては、フェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルチオ基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルチオ基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルチオ基、１−ナフチル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルチオ基、２−ナフチル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルチオ基等が挙げられ、Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルチオ基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルチオ基が好ましい。
　式（１）中、Ｒ^１~Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１~Ｒ^２０で表されるアシル基は、炭素数が、通常、２~２０であり、好ましくは２~１８である。アシル基としては、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ベンゾイル基、トリフルオロアセチル基、ペンタフルオロベンゾイル基等が挙げられる。
　式（１）中、Ｒ^１~Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１~Ｒ^２０で表されるアシルオキシ基は、炭素数が、通常、２~２０であり、好ましくは２~１８である。アシルオキシ基としては、アセトキシ基、プロピオニルオキシ基、ブチリルオキシ基、イソブチリルオキシ基、ピバロイルオキシ基、ベンゾイルオキシ基、トリフルオロアセチルオキシ基、ペンタフルオロベンゾイルオキシ基等が挙げられる。
　式（１）中、Ｒ^１~Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１~Ｒ^２０で表されるアミド基は、炭素数が、通常、１~２０であり、好ましくは１~１８である。アミド基としては、ホルムアミド基、アセトアミド基、プロピオアミド基、ブチロアミド基、ベンズアミド基、トリフルオロアセトアミド基、ペンタフルオロベンズアミド基、ジホルムアミド基、ジアセトアミド基、ジプロピオアミド基、ジブチロアミド基、ジベンズアミド基、ジトリフルオロアセトアミド基、ジペンタフルオロベンズアミド基等が挙げられる。
　式（１）中、Ｒ^１~Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１~Ｒ^２０で表される酸イミド基とは、酸イミドからその窒素原子に結合した水素原子を１個除いて得られる１価の残基を意味する。この酸イミド基は、炭素数が、通常、２~６０であり、好ましくは２~４８である。酸イミド基としては、以下の構造式で示される基等が挙げられる。

［式中、窒素原子から延びた線は結合手を表し、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、ｎ−Ｐｒはｎ−プロピル基を表す。以下、同じである。］
　式（１）中、Ｒ^１~Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１~Ｒ^２０で表されるイミン残基とは、イミン化合物（即ち、分子内に−Ｎ＝Ｃ−を持つ有機化合物である。その例としては、アルジミン、ケチミン、及びこれらの分子中の窒素原子に結合した水素原子が、アルキル基等で置換された化合物等が挙げられる。）から水素原子１個を除いた１価の残基を意味する。このイミン残基は、通常炭素数２~２０であり、好ましくは２~１８である。
　イミン残基としては、以下の構造式で示される基等が挙げられる。

［式中、ｉ−Ｐｒはイソプロピル基、ｎ−Ｂｕはｎ−ブチル基、ｔ−Ｂｕはｔｅｒｔ−ブチル基を表す。波線で示した結合は、「楔形で表される結合」及び／又は「破線で表される結合」であることを意味する。ここで、「楔形で表される結合」とは、紙面からこちら側に向かって出ている結合を意味し、「破線で表される結合」とは、紙面の向こう側に出ている結合を意味する。］
　式（１）中、Ｒ^１~Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１~Ｒ^２０で表される置換アミノ基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基からなる群から選ばれる１個又は２個の基で置換されたアミノ基を意味する。該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は、置換基を有していてもよい。置換アミノ基の炭素数は、該置換基の炭素数を含めないで、通常、１~６０であり、好ましくは２~４８である。
　置換アミノ基としては、メチルアミノ基、ジメチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、プロピルアミノ基、ジプロピルアミノ基、イソプロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ブチルアミノ基、ｓｅｃ−ブチルアミノ基、イソブチルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルアミノ基、ペンチルアミノ基、ヘキシルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ヘプチルアミノ基、オクチルアミノ基、２−エチルヘキシルアミノ基、ノニルアミノ基、デシルアミノ基、３，７−ジメチルオクチルアミノ基、ラウリルアミノ基、シクロペンチルアミノ基、ジシクロペンチルアミノ基、シクロヘキシルアミノ基、ジシクロヘキシルアミノ基、ピロリジル基、ピペリジル基、ジトリフルオロメチルアミノ基フェニルアミノ基、ジフェニルアミノ基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシフェニルアミノ基、ジ（Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシフェニル）アミノ基、ジ（Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルフェニル）アミノ基、１−ナフチルアミノ基、２−ナフチルアミノ基、ペンタフルオロフェニルアミノ基、ピリジルアミノ基、ピリダジニルアミノ基、ピリミジルアミノ基、ピラジルアミノ基、トリアジルアミノ基、フェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルアミノ基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルアミノ基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルアミノ基、ジ（Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキル）アミノ基、ジ（Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキル）アミノ基、１−ナフチル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルアミノ基等が挙げられる。
　式（１）中、Ｒ^１~Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１~Ｒ^２０で表される置換シリル基は、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基及び１価の複素環基からなる群から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリル基を意味する。置換シリル基の炭素数は、通常、１~６０であり、好ましくは３~４８である。該アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基は置換基を有していてもよい。
　置換シリル基としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリプロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、イソプロピルジメチルシリル基、ジエチルイソプロピルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、ジメチルペンチルシリル基、ヘキシルジメチルシリル基、ヘプチルジメチルシリル基、ジメチルオクチルシリル基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリル基、ジメチルノニルシリル基、デシルジメチルシリル基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリル基、ラウリルジメチルシリル基、フェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルシリル基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルシリル基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルシリル基、１−ナフチル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルシリル基、２−ナフチル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルシリル基、フェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルジメチルシリル基、トリフェニルシリル基、トリ（ｐ−トリル）シリル基、トリベンジルシリル基、メチルジフェニルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、ジメチルフェニルシリル基等が挙げられる。
　式（１）中、Ｒ^１~Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１~Ｒ^２０で表される置換シリルオキシ基は、アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアルコキシ基及び１価の複素環オキシ基からなる群から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリルオキシ基を意味する。置換シリルオキシ基の炭素数は、通常、１~６０であり、好ましくは３~４８である。該アルコキシ基、アリールオキシ基、アリールアルコキシ基又は１価の複素環オキシ基は、置換基を有していてもよい。
　置換シリルオキシ基としては、トリメチルシリルオキシ基、トリエチルシリルオキシ基、トリプロピルシリルオキシ基、トリイソプロピルシリルオキシ基、イソプロピルジメチルシリルオキシ基、ジエチルイソプロピルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルオキシ基、ジメチルペンチルシリルオキシ基、ヘキシルジメチルシリルオキシ基、ヘプチルジメチルシリルオキシ基、ジメチルオクチルシリルオキシ基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリルオキシ基、ジメチルノニルシリルオキシ基、デシルジメチルシリルオキシ基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリルオキシ基、ラウリルジメチルシリルオキシ基、フェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルシリルオキシ基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルシリルオキシ基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルシリルオキシ基、１−ナフチル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルシリルオキシ基、２−ナフチル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルシリルオキシ基、フェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルジメチルシリルオキシ基、トリフェニルシリルオキシ基、トリ（ｐ−トリル）シリルオキシ基、トリベンジルシリルオキシ基、メチルジフェニルシリルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルオキシ基、ジメチルフェニルシリルオキシ基等が挙げられる。
　式（１）中、Ｒ^１~Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１~Ｒ^２０で表される置換シリルチオ基は、アルキルチオ基、アリールチオ基、アリールアルキルチオ基及び１価の複素環チオ基からなる群から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリルチオ基を意味する。置換シリルチオ基の炭素数は、通常、１~６０であり、好ましくは３~４８である。該アルコキシ基、アリールチオ基、アリールアルキルチオ基又は１価の複素環チオ基は置換基を有していてもよい。
　置換シリルチオ基としては、トリメチルシリルチオ基、トリエチルシリルチオ基、トリプロピルシリルチオ基、トリイソプロピルシリルチオ基、イソプロピルジメチルシリルチオ基、ジエチルイソプロピルシリルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルチオ基、ジメチルペンチルシリルチオ基、ヘキシルジメチルシリルチオ基、ヘプチルジメチルシリルチオ基、ジメチルオクチルシリルチオ基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリルチオ基、ジメチルノニルシリルチオ基、デシルジメチルシリルチオ基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリルチオ基、ラウリルジメチルシリルチオ基、フェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルシリルチオ基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルシリルチオ基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルシリルチオ基、１−ナフチル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルシリルチオ基、２−ナフチル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルシリルチオ基、フェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルジメチルシリルチオ基、トリフェニルシリルチオ基、トリ（ｐ−トリル）シリルチオ基、トリベンジルシリルチオ基、メチルジフェニルシリルチオ基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルチオ基、ジメチルフェニルシリルチオ基等が挙げられる。
　式（１）中、Ｒ^１~Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１~Ｒ^２０で表される置換シリルアミノ基は、アルキルアミノ基、アリールアミノ基、アリールアルキルアミノ基及び１価の複素環アミノ基からなる群から選ばれる１、２又は３個の基で置換されたシリルアミノ基を意味する。置換シリルアミノ基の炭素数は、通常、１~６０であり、好ましくは３~４８である。該アルコキシ基、アリールアミノ基、アリールアルキルアミノ基又は１価の複素環アミノ基は置換基を有していてもよい。
　置換シリルアミノ基としては、トリメチルシリルアミノ基、トリエチルシリルアミノ基、トリプロピルシリルアミノ基、トリ−イソプロピルシリルアミノ基、ジメチル−ｉ−プロピルシリルアミノ基、ジエチル−イソプロピルシリルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリルアミノ基、ペンチルジメチルシリルアミノ基、ヘキシルジメチルシリルアミノ基、ヘプチルジメチルシリルアミノ基、オクチルジメチルシリルアミノ基、２−エチルヘキシル−ジメチルシリルアミノ基、ノニルジメチルシリルアミノ基、デシルジメチルシリルアミノ基、３，７−ジメチルオクチル−ジメチルシリルアミノ基、ラウリルジメチルシリルアミノ基、フェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルシリルオキシ基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルシリルアミノ基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルシリルアミノ基、１−ナフチル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルシリルアミノ基、２−ナフチル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルシリルアミノ基、フェニル−Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルジメチルシリルアミノ基、トリフェニルシリルアミノ基、トリ（ｐ−トリル）シリルアミノ基、トリベンジルシリルアミノ基、ジフェニルメチルシリルアミノ基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリルオアミノ基、ジメチルフェニルシリルアミノ基等が挙げられる。
　式（１）中、Ｒ^１~Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１~Ｒ^２０で表される１価の複素環基は、複素環式化合物から水素原子１個を除いた残りの原子団を意味する。１価の複素環基の炭素数は、通常、３~６０であり、好ましくは３~２０である。１価の複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。複素環式化合物とは、環式構造を持つ有機化合物のうち、環を構成する元素が炭素原子だけでなく、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、燐原子、硼素原子等のヘテロ原子を環内に含むものをいう。
　１価の複素環基としては、チエニル基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルチエニル基、ピロリル基、フリル基、ピリジル基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルピリジル基、ピリミジル基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルピリミジル基、トリアジル基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルトリアジル基、ピペリジル基、キノリル基、イソキノリル基等が挙げられ、チエニル基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルチエニル基、ピリジル基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルピリジル基、ピリミジル基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルピリミジル基、トリアジル基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルトリアジル基が好ましい。更に、該１価の複素環基は置換基を有していてもよい。１価の複素環基は、１価の芳香族複素環基であることが好ましい。
　式（１）中、Ｒ^１~Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１~Ｒ^２０で表されるヘテロアリールオキシ基は、炭素数が、通常、６~６０であり、好ましくは７~４８である。ヘテロアリールオキシ基としては、チエニルオキシ基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシチエニルオキシ基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルチエニルオキシ基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシピリジルオキシ基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルピリジルオキシ基、イソキノリルオキシ基等が挙げられ、Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシピリジルオキシ基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルピリジルオキシ基が好ましい。
　Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシピリジルオキシ基としては、メトキシピリジルオキシ基、エトキシピリジルオキシ基、プロピルオキシピリジルオキシ基、イソプロピルオキシピリジルオキシ基、ブトキシピリジルオキシ基、イソブトキシピリジルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシピリジルオキシ基、ペンチルオキシピリジルオキシ基、ヘキシルオキシピリジルオキシ基、シクロヘキシルオキシピリジルオキシ基、ヘプチルオキシピリジルオキシ基、オクチルオキシピリジルオキシ基、２−エチルヘキシルオキシピリジルオキシ基、ノニルオキシピリジルオキシ基、デシルオキシピリジルオキシ基、３，７−ジメチルオクチルオキシピリジルオキシ基、ラウリルオキシピリジルオキシ基等が挙げられる。
　Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルピリジルオキシ基としては、メチルピリジルオキシ基、エチルピリジルオキシ基、ジメチルピリジルオキシ基、プロピルピリジルオキシ基、１，３，５−トリメチルピリジルオキシ基、メチルエチルピリジルオキシ基、イソプロピルピリジルオキシ基、ブチルピリジルオキシ基、ｓｅｃ−ブチルピリジルオキシ基、イソブチルピリジルオキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルピリジルオキシ基、ペンチルピリジルオキシ基、イソアミルピリジルオキシ基、ヘキシルピリジルオキシ基、ヘプチルピリジルオキシ基、オクチルピリジルオキシ基、ノニルピリジルオキシ基、デシルピリジルオキシ基、ドデシルピリジルオキシ基等が挙げられる。
　式（１）中、Ｒ^１~Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１~Ｒ^２０で表されるヘテロアリールチオ基は、炭素数が、通常、６~６０であり、好ましくは７~４８である。ヘテロアリールチオ基としては、ピリジルチオ基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシピリジルチオ基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルピリジルチオ基、イソキノリルチオ基等が挙げられ、Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシピリジルチオ基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルピリジルチオ基が好ましい。
　式（１）中、Ｒ^１~Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１~Ｒ^２０で表されるアリールアルケニル基は、炭素数が、通常、８~６０であり、好ましくは８~４８である。アリールアルケニル基としては、フェニル−Ｃ_２~Ｃ_１２アルケニル基（「Ｃ_２~Ｃ_１２アルケニル」は、アルケニル部分の炭素数が２~１２であることを意味する。以下、同様である。）、Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_２~Ｃ_１２アルケニル基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_２~Ｃ_１２アルケニル基、１−ナフチル−Ｃ_２~Ｃ_１２アルケニル基、２−ナフチル−Ｃ_２~Ｃ_１２アルケニル基等が挙げられ、Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_２~Ｃ_１２アルケニル基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_２~Ｃ_１２アルケニル基が好ましい。
　式（１）中、Ｒ^１~Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１~Ｒ^２０で表されるアリールアルキニル基は、炭素数が、通常、８~６０であり、好ましくは８~４８である。アリールアルキニル基としては、フェニル−Ｃ_２~Ｃ_１２アルキニル基（「Ｃ_２~Ｃ_１２アルキニル」は、アルキニル部分の炭素数が２~１２であることを意味する。以下、同様である。）、Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_２~Ｃ_１２アルキニル基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_２~Ｃ_１２アルキニル基、１−ナフチル−Ｃ_２~Ｃ_１２アルキニル基、２−ナフチル−Ｃ_２~Ｃ_１２アルキニル基等が挙げられ、Ｃ_１~Ｃ_１２アルコキシフェニル−Ｃ_２~Ｃ_１２アルキニル基、Ｃ_１~Ｃ_１２アルキルフェニル−Ｃ_２~Ｃ_１２アルキニル基が好ましい。
　式（１）中、Ｒ^１~Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１~Ｒ^２０で表される置換カルボキシル基は、炭素数が、通常、２~６０であり、好ましくは２~４８であり、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基又は１価の複素環基で置換されたカルボキシル基を意味する。
　置換カルボキシル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、プロピルオキシカルボニル基、イソプロピルオキシカルボニル基、ブトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｔｅｒｔ−ブトキシカルボニル基、ペンチルオキシカルボニル基、ヘキシロキシカルボニル基、シクロヘキシロキシカルボニル基、ヘプチルオキシカルボニル基、オクチルオキシカルボニル基、２−エチルヘキシロキシカルボニル基、ノニルオキシカルボニル基、デシロキシカルボニル基、３，７−ジメチルオクチルオキシカルボニル基、ドデシルオキシカルボニル基、トリフルオロメトキシカルボニル基、ペンタフルオロエトキシカルボニル基、パーフルオロブトキシカルボニル基、パーフルオロヘキシルオキシカルボニル基、パーフルオロオクチルオキシカルボニル基、ピリジルオキシカルボニル基、ナフトキシカルボニル基等が挙げられる。
　式（１）中、溶解性の観点からは、Ｒ^１~Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１~Ｒ^２０で表される原子、基の少なくとも１個は水素原子以外の原子、基であることが好ましく、金属錯体の合成の容易さの観点からは、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９が水素原子以外の原子、基であることが好ましい。、Ｒ^３及びＲ^１３が水素原子以外の原子、基であることがさらに好ましい。
　式（１）中、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５のうち、２個又は３個が窒素原子であることが好ましい。
　式（１）で表される金属錯体としては、配位子の化学安定性が高まるので、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４、Ｚ^５で表される複数の窒素原子が互いに隣接位に存在しない金属錯体が好ましく、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５のうち２個又は３個が窒素原子であり、かつ、該窒素原子が互いに隣接位に存在しない金属錯体がより好ましい。
　式（１）中、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５で表される−Ｃ（Ｒ^＊）＝においてＲ^＊で表される置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、シアノ基等が挙げられる。これらの原子、基は、前記と同じ意味を有する。
　式（１）で表される金属錯体には複数の幾何異性体が考えられるが、前記式（１）で表される金属錯体は、いずれの幾何異性体であってもよい。
　式（１）で表される金属錯体は、配位子となる化合物の合成の容易性または発光素子に用いた時の発光効率の観点から、、前記式（１ｃ）で表される金属錯体が好ましく、下記式（１ａ）又は（１ｂ）：

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９及びＲ^２０は、前記と同じ意味を有する。
　Ｒ’は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ’は同一であっても異なっていてもよい。］
で表される金属錯体がより好ましく、前記式（１ａ）で表される金属錯体がさらに好ましい。
　Ｒ’で表されるハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基は、前記と同じ意味を有する。
　金属錯体を構成する配位子は、金属錯体の発光色、発光強度、発光効率等に影響を与える。前記配位子としては、配位子内におけるエネルギー失活過程を最少にする配位子が好ましい。
　式（１）で表される金属錯体において、添え字ｍでその数を定義されている２座配位子としては、以下の配位子が挙げられる。

［式中、Ｒは、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基又はシアノ基である。＊は、イリジウム原子との結合部位を表す。複数存在するＲは、同一であっても異なっていてもよい。］
　Ｒで表されるハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基は、前記Ｒ^１~Ｒ^６，Ｒ^８，Ｒ^１１~Ｒ^２０で説明し例示したものと同じ意味を有する。
　添え字ｍでその数を定義されている２座配位子となる化合物としては、以下の化合物が好ましい。

　式（１）で表される金属錯体において、添え字３−ｍでその数を定義されている２座配位子としては、以下の配位子が挙げられる。

［式中、＊は、前記と同じ意味を有する。Ｒ^ｏは、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基又はシアノ基である。複数存在するＲ^ｏは、同一であっても異なっていてもよい。］
　前記添え字３−ｍでその数を定義されている２座配位子となる化合物としては、以下の化合物が好ましい。

　式（１ａ）で表される金属錯体としては、以下に示す金属錯体が挙げられる。

　式（１ｂ）で表される金属錯体としては、以下に示す金属錯体が挙げられる。

　本発明の金属錯体は、一種単独で用いても二種以上を併用してよく、その他の成分と併せて組成物としてもよい。
　＜第一の組成物＞
　本発明の第一の組成物は、本発明の金属錯体を含むものである。発光素子を作製に用いた場合に得られる発光素子の発光効率の観点からは、本発明の金属錯体を一種のみ含むことが好ましく、金属錯体の精製の簡便さの観点からは、本発明の金属錯体を二種以上含むことが好ましい。
　本発明の第一の組成物が本発明の金属錯体を二種以上含む場合、該二種以上の金属錯体の組み合わせとしては、
（ｉ）前記式（１ａ）で表される金属錯体と前記式（１ｂ）で表される金属錯体との組み合わせ、
（ｉｉ）異なる前記式（１ａ）で表される金属錯体の組み合わせ、
（ｉｉｉ）異なる前記式（１ｂ）で表される金属錯体の組み合わせ、
（ｉｖ）前記式（１ｃ）で表される金属錯体と、下記式（１ｄ）：

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９、Ｒ^２０、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５は、前記と同じ意味を有する。］
で表される金属錯体との組み合わせ
等が挙げられ、金属錯体の精製がし易いので、前記（ｉｖ）の組み合わせが好ましい。
　前記（ｉｖ）の組み合わせにおいて、発光効率が高くなるので、該組み合わせの合計１００重量部に対して、前記式（１ｃ）で表される金属錯体が８０~９９．９９重量部であることが好ましく、９０~９９．９９重量部であることがより好ましく、また、前記式（１ｄ）で表される金属錯体が０．０１~２０重量部であることが好ましく、０．０１~１０重量部であることがより好ましい。
前記（ｉ）の組み合わせでは、該組み合わせの合計１００重量部に対して、前記式（１ａ）で表される金属錯体が５０~９９．９９重量部であることが好ましく、７０~９９．９９重量部であることがより好ましく、また、前記式（１ｂ）で表される金属錯体が０．０１~５０重量部であることが好ましく、０．０１~３０重量部であることがより好ましい。
　本発明の第一の組成物は、金属錯体を合成し易いので、本発明の金属錯体と、下記式（２）で表される金属錯体、下記式（３）で表される金属錯体、又はこれらの組み合わせとを有する組成物であることが好ましい。

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９、Ｒ^２０、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５は、前記と同じ意味を有する。］
　本発明の第一の組成物が、式（２）で表される金属錯体及び／又は式（３）で表される金属錯体を含む場合、該組成物に含まれる金属錯体の組み合わせとしては、
（ｖ）式（１）、（１ａ）、（１ｂ）又は（１ｃ）で表される金属錯体と、式（２）で表される金属錯体との組み合わせ、
（ｖｉ）式（１）、（１ａ）、（１ｂ）又は（１ｃ）で表される金属錯体と、式（３）で表される金属錯体との組み合わせ、
（ｖｉｉ）式（１）、（１ａ）、（１ｂ）又は（１ｃ）で表される金属錯体と、式（２）で表される金属錯体と、式（３）で表される金属錯体との組み合わせ、
（ｖｉｉｉ）式（１ｃ）で表される金属錯体と、式（１ｄ）で表される金属錯体と、式（２）で表される金属錯体との組み合わせ
等が挙げられ、発光効率が良好となるので、前記（ｖ）の組み合わせ及び前記（ｖｉｉｉ）の組み合わせが好ましい。
　前記（ｖ）の組み合わせにおいて、金属錯体の合成が簡便になるので、該組み合わせの合計１００重量部に対して、式（１）、（１ａ）、（１ｂ）又は（１ｃ）で表される金属錯体が、５０~９９．９９重量部であることが好ましく、８０~９９．９９重量部であることがより好ましく、また、式（２）で表される金属錯体が、０．０１~５０重量部であることが好ましく、０．０１~２０重量部であることがより好ましい。
　前記（ｖｉｉｉ）の組み合わせでは、該組み合わせの合計１００重量部に対して、式（１ｃ）で表される金属錯体が、５０~９９．９８重量部であることが好ましく、８０~９９．９８重量部であることがより好ましく、また、式（１ｄ）で表される金属錯体が、０．０１~２０重量部であることが好ましく、０．０１~１０重量部であることがより好ましく、式（２）で表される金属錯体が、０．０１~４９．９９重量部であることが好ましく、０．０１~１９．９９重量部であることがより好ましい。
　前記（ｖｉ）の組み合わせでは、該組み合わせの合計１００重量部に対して、式（１）、（１ａ）、（１ｂ）又は（１ｃ）で表される金属錯体が、５０~９９．９９重量部であることが好ましく、８０~９９．９９重量部であることがより好ましく、また、式（３）で表される金属錯体が、０．０１~５０重量部であることが好ましく、０．０１~２０重量部であることがより好ましい。
　前記（ｖｉｉ）の組み合わせでは、該組み合わせの合計１００重量部に対して、式（１）、（１ａ）、（１ｂ）又は（１ｃ）で表される金属錯体が、５０~９９．９８重量部であることが好ましく、８０~９９．９８重量部であることがより好ましく、また、式（２）で表される金属錯体が、０．０１~４９．９９重量部であることが好ましく、０．０１~１９．９９重量部であることがより好ましく、式（３）で表される金属錯体が、０．０１~２０重量部であることが好ましく、０．０１~１０重量部であることがより好ましい。
　本発明の第一の組成物は、更に、電荷輸送材料、発光材料、溶媒及び分散媒からなる群から選ばれる少なくとも一種を含んでいてもよい。本発明の第一の組成物に含まれる成分は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
　電荷輸送材料は、正孔輸送材料と電子輸送材料とに分類され、更に当該材料は、各々、低分子有機化合物と高分子有機化合物とに分類される。正孔輸送材料とは、主として陽極から発光層への正孔の輸送を担う材料である。電子輸送材料とは、主として陰極から発光層への電子の輸送を担う材料である。
　正孔輸送材料の低分子有機化合物としては、アリールアミン誘導体、カルバゾール誘導体、ピラゾリン誘導体、スチルベン誘導体等、有機ＥＬ素子の正孔輸送材料として公知の化合物が挙げられる。具体的には、「有機ＥＬディスプレイ」（時任静士、安達千波矢、村田英幸共著、オーム社）１０２頁及び１０７頁に記載の化合物が挙げられる。
　正孔輸送材料の高分子有機化合物としては、チエニレン基、ピロールジイル基、２，５−チエニレンビニレン基、ｐ−フェニレンビニレン基、後述する式（８）で表される基等を繰り返し単位として主鎖に含む高分子化合物や、それらの繰り返し単位との共重合体が挙げられる。これらの基は、置換基を有していてもよい。ポリビニルカルバゾール及びその誘導体、ポリシラン及びその誘導体、側鎖又は主鎖に芳香族アミンを有するポリシロキサン誘導体、ポリアニリン及びその誘導体も正孔輸送材料の高分子有機化合物の例として挙げられる。
　電子輸送材料の低分子有機化合物としては、有機ＥＬ素子に電子輸送材料として公知の化合物、例えば、オキサジアゾール誘導体、トリアゾール誘導体、フェニルキノキサリン誘導体、アントラキノジメタン及びその誘導体、ベンゾキノン及びその誘導体、ナフトキノン及びその誘導体、アントラキノン及びその誘導体、テトラシアノアンスラキノジメタン及びその誘導体、フルオレノン誘導体、ジフェニルジシアノエチレン及びその誘導体、ジフェノキノン誘導体、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体が挙げられる。具体的には、「有機ＥＬディスプレイ」（時任静士、安達千波矢、村田英幸共著、オーム社）１０５頁及び１０７頁、特開２００４−２７７３７７号公報に記載の化合物が挙げられる。
　電子輸送材料の高分子有機化合物としては、キノリンジイル基、キノキサリンジイル基、フルオレンジイル基等を繰り返し単位として主鎖に含む高分子化合物や、それらの繰り返し単位との共重合体が挙げられる。これらの基は、置換基を有していてもよい。
　電荷輸送材料の高分子有機化合物は、正孔輸送材料に挙げた高分子化合物の繰り返し単位と電子輸送材料に挙げた高分子化合物の繰り返し単位とを有する、正孔輸送性と電子輸送性を兼ね備えた高分子化合物とすることもできる。
　高分子有機化合物としては、置換基を有していてもよいベンゼン環を有する高分子化合物や、特開２００３−２３１７４１号公報、特開２００４−０５９８９９号公報、特開２００４−００２６５４号公報、特開２００４−２９２５４６号公報、ＷＯ９９／５４３８５、ＷＯ００／４６３２１、ＷＯ０２／０７７０６０、「有機ＥＬディスプレイ」（時任静士、安達千波矢、村田英幸　共著、オーム社）１１１−１１３頁等に記載の高分子が挙げられる。
　電荷輸送材料の中でも、金属錯体からの良好な発光を得るためには、該電荷輸送材料の最低三重項励起エネルギーが、金属錯体の最低三重項励起エネルギーよりも大きい化合物が好ましい。
　電荷輸送材料として、高分子有機化合物を用いる場合、該高分子有機化合物のポリスチレン換算の数平均分子量は、好ましくは１×１０^３~１×１０^８であり、より好ましくは１×１０^４~１×１０^６である。高分子有機化合物のポリスチレン換算の重量平均分子量は、好ましくは１×１０^３~１×１０^８であり、より好ましくは５×１０^４~５×１０^６である。
　発光材料としては、ナフタレン誘導体、アントラセン及びその誘導体、ペリレン及びその誘導体、ポリメチン系色素、キサンテン系色素、クマリン系色素、シアニン系色素、８−ヒドロキシキノリン及びその誘導体の金属錯体、芳香族アミン、テトラフェニルシクロペンタジエン及びその誘導体、テトラフェニルブタジエン及びその誘導体等が挙げられる。
　溶媒、分散媒は、組成物に含まれる固形分を均一に溶解又は分散することができるものであればよく、例えば、塩素系溶媒（クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等）、エーテル系溶媒（テトラヒドロフラン、ジオキサン等）、芳香族炭化水素系溶媒（ベンゼン、トルエン、キシレン等）、脂肪族炭化水素系溶媒（シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等）、ケトン系溶媒（アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等）、エステル系溶媒（酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等）、多価アルコール及びその誘導体（エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等）、アルコール系溶媒（メタノール、エタノール、プロパノール、２−プロパノール、シクロヘキサノール等）、スルホキシド系溶媒（ジメチルスルホキシド等）、アミド系溶媒（Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等）が挙げられる。
　本発明の第一の組成物が、溶媒又は分散媒を含む場合であって、該組成物をインクジェット法に適用するときには、該組成物は、ノズルからの溶媒又は分散媒の蒸発を押さえるために、アニソール、ビシクロヘキシルベンゼン等の高沸点の溶媒を含むことが好ましく、該組成物の２５℃における粘度が１~１００ｍＰａ・ｓであることがより好ましい。
　本発明の第一の組成物が、電荷輸送材料、発光材料、溶媒及び分散媒からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む場合、該組成物の全体１００重量部に対して、本発明の金属錯体は、通常、０．１~９０重量部であり、好ましくは０．１~８０重量部であり、より好ましくは０．５~５０重量部である。
　＜金属錯体の製造方法＞
　本発明の金属錯体は、如何なる方法で製造してもよいが、例えば、配位子となる化合物とイリジウム化合物とを溶液中で反応させることにより製造することができる。前記反応において、反応系中に塩基、銀塩化合物が存在していてもよい。
　前記反応方法としては、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１９８４，１０６，６６４７；Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９９１，３０，１６８５；Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．１９９４，３３，５４５；Ｉｎｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．２００１，４０，１７０４；Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．，２００３，３２，２５２．に記載の方法が挙げられる。
　前記反応における反応温度は、通常、反応系に存在する溶媒の融点から沸点の間であるが、−７８℃~溶媒の沸点が好ましい。前記反応においてマイクロウェーブ反応装置を使用する場合、溶媒の沸点以上で反応させることができる。
　前記反応における反応時間は、通常、３０分間~１５０時間である。前記反応においてマイクロウェーブ反応装置を使用する場合、反応時間は、通常、数分~数時間である。
　配位子となる化合物は、２−フェニルピリジン誘導体とヘテロ環芳香族化合物とのＳｕｚｕｋｉカップリング、Ｇｒｉｇｎａｒｄカップリング、Ｓｔｉｌｌｅカップリング等により合成することができる。例えば、、２−フェニルピリジン誘導体とヘテロ環芳香族化合物とを有機溶媒に溶解させ、アルカリ、適切な触媒を用い、有機溶媒の融点以上沸点以下の温度で反応させることにより、前記配位子となる化合物を合成することができる。この合成は、″オルガニック　シンセシーズ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ）″、コレクティブ第６巻（Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ　Ｖｏｌｕｍｅ　ＶＩ）、４０７−４１１頁、ジョンワイリー　アンド　サンズ（Ｊｏｈｎ　Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．）、１９８８年；ケミカルレビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）、第１０６巻、２６５１頁（２００６年）；ケミカル　レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）、第１０２巻、１３５９頁（２００２年）；ケミカル　レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．）、第９５巻、２４５７頁（１９９５年）；ジャーナル　オブ　オルガノメタリック　ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．）、第５７６巻、１４７頁（１９９９年）を参考にすることができる。
　ヘテロ環芳香族化合物は、″ＨＯＵＢＥＮ−ＷＥＹＬ　ＭＥＴＨＯＤＳ　ＯＦ　ＯＲＧＡＮＩＣ　ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ　４^ＴＨ　ＥＤＩＴＩＯＮ″，第Ｅ９ｂ巻、１頁、ＧＥＯＲＧ　ＴＨＩＥＭＥ　ＶＥＲＬＡＧ　ＳＴＵＴＴＧＡＲＴ；ＨＯＵＢＥＮ−ＷＥＹＬ　ＭＥＴＨＯＤＳ　ＯＦ　ＯＲＧＡＮＩＣ　ＣＨＥＭＩＳＴＲＹ　４^ＴＨ　ＥＤＩＴＩＯＮ，第Ｅ９ｃ巻、６６７頁、ＧＥＯＲＧ　ＴＨＩＥＭＥ　ＶＥＲＬＡＧ　ＳＴＵＴＴＧＡＲＴ等に記載の方法で合成することができる。
　カップリング反応に用いる触媒としては、パラジウム触媒が好ましい。
　パラジウム触媒としては、酢酸パラジウム、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）、トリス（ジベンジリデナセトン）二パラジウム（０）が挙げられ、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、［１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン］ジクロロパラジウム（ＩＩ）、トリス（ジベンジリデナセトン）二パラジウム（０）が好ましい。
　パラジウム触媒は、トリフェニルホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン等のリン化合物と併用してもよい。
　配位子となる化合物としては、前記添え字ｍでその数を定義されている２座配位子となる化合物、前記添え字３−ｍでその数を定義されている２座配位子となる化合物と同様の例が挙げられる。
　添え字ｍでその数を定義されている２座配位子となる化合物は、例えば、下記のスキームで合成できる。

　添え字３−ｍでその数を定義されている２座配位子となる化合物（即ち、式（５）で表される化合物）は、例えば、下記のスキームや、特開２００８−２３１０４２号公報、Ａｄｖａｎｃｅｄ　Ｆｕｎｃｔｉｏｎａｌ　Ｍａｔｅｒｉａｌｓ第１５巻、３８７頁（２００５年）に記載の方法によって合成できる。

　本発明の金属錯体のうち、代表的な金属錯体である式（１ｃ）で表される金属錯体の製造方法について、一般式を用いて、具体的に説明する。
　式（１ｃ）で表される金属錯体は、例えば、式（４）で表される金属錯体と、前記式（５）で表される化合物とを反応させることを含む方法により、製造することができる。より具体的には、式（４）で表される金属錯体と式（５）で表される化合物を、トリフルオロメタンスルホン酸銀等の銀塩化合物の存在下で反応させる。式（５）で表される化合物の量は、式（４）で示される金属錯体に対して、通常１．５~３０倍モル量、好ましくは　２~１０倍モル量である。銀塩化合物の量は、式（４）で表される金属錯体に対して、通常１．５~２０倍モル量、好ましくは２~５倍モル量である。反応温度は、通常、反応系に存在する溶媒の融点から沸点の間であるが、−７８℃~溶媒の沸点が好ましく、金属錯体の純度の観点から、５０℃~１６０℃の範囲がより好ましく、７０℃~１３０℃が更に好ましい。
　反応時間は、通常、３０分~７２時間であり、１時間~４８時間の範囲が好ましい。
式（４）で示される金属錯体は、例えば、

で示される化合物と三塩化イリジウムとを反応させることにより製造することができる。
反応は、通常溶媒中で行う。溶媒としては、反応を円滑に進めるために極性溶媒を用いることが好ましい。このような溶媒としては、メタノール、エタノール、１−プロパノール、エチレングリコール、グリセリン、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどが挙げられる。溶媒は、上記極性溶媒と水の混合溶媒でもよい。混合溶媒の例としては、水／２−エトキシエタノール混合溶媒があげられる。極性溶媒／水の混合比は任意の割合で用いることができるが、式（５）で表される化合物を高温で溶解できるので、１０／１~１／１の範囲であることが好ましい。
反応時間は、通常、３０分間~５０時間であり、３０分~２４時間の範囲が好ましい。反応温度は、通常、反応系に存在する溶媒の融点から沸点の間であるが、−７８℃~溶媒の沸点が好ましく、５０℃~２００℃の範囲がより好ましい。
　式（１ｃ）で表される金属錯体は、例えば、式（６）で表される金属錯体と、式（５）で表される化合物とを反応させることを含む方法により、製造することもできる。
　式（６）中、Ｒ^ｅ、Ｒ^ｆ、Ｒ^ｇで表されるアルキル基、アルコキシ基、アリール基、１価の複素環基は、前記と同じ意味を有する。
　式（６）で表される金属錯体は、式（４）で表される金属錯体と、

で示される化合物（１，３−ジカルボニル化合物）とを、反応させることにより製造することができる。
具体的には、式（４）で表される金属錯体の溶液に、上記１，３−ジカルボニル化合物（例えば、アセチルアセトン等の１，３−ジケトン）を加え、炭酸ナトリウム等の塩基を添加して反応させることができる。１，３−ジカルボニル化合物の量は、式（４）で示される金属錯体に対して、通常２~５０倍モル量、好ましくは　２~２０倍モル量である。反応時間は、通常、３０分間~５０時間であり、３０分~２４時間の範囲が好ましい。反応温度は、通常、反応系に存在する溶媒の融点から沸点の間であるが、−７８℃~溶媒の沸点が好ましく、２０℃~１００℃の範囲がより好ましい。
　式（１ｄ）で表される金属錯体は、例えば、以下のスキームで合成できる。

［式中、Ｒ^１~Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１~Ｒ^２０、Ｚ^１~Ｚ^５は、前記と同じ意味を有する。］
　前記式（１ｄ）で表される金属錯体は、以下のスキームでも合成できる。

［式中、Ｒ^１~Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１~Ｒ^２０、Ｚ^１~Ｚ^５は、前記と同じ意味を有する。］
　こうして製造した本発明の金属錯体の同定・分析は、元素分析、ＮＭＲ分析、ＭＳ分析により行うことができる。
　＜金属含有高分子化合物＞
　本発明の金属含有高分子化合物は、本発明の金属錯体（例えば、前記式（１）で表される金属錯体）の残基を含む高分子化合物である。本明細書において、「金属錯体の残基」とは、金属錯体からｋ個（ｋは１以上の整数である。）の水素原子を取り除いた残りの原子団を意味する。
例えば、前記式（１）で表される金属錯体の残基は、前記式（１）で表される金属錯体からｋ個の水素原子を取り除いた残りの原子団を意味し、好ましくは１~３価の基である。
　本発明の金属含有高分子化合物は、非共役系高分子化合物であっても共役系高分子化合物であってもよいが、導電性が高くなるので、共役系高分子化合物が好ましく、主鎖に芳香環を含む共役系高分子化合物がより好ましい。本発明の金属含有高分子化合物が共役系高分子化合物であるとは、該高分子化合物の主鎖における全結合の８０~１００％、好ましくは８５~１００％、より好ましくは９０~１００％が共役している高分子化合物を意味する。
　本発明の金属含有高分子化合物は、発光素子に用いた時の発光効率、寿命が長くなるので、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０^３~１×１０^８であることが好ましく、１×１０^４~１×１０^７であることがより好ましい。
　本発明の金属含有高分子化合物としては、導電性が良好となるので、前記式（１）で表される金属錯体の残基と、下記式（７−１）、（７−２）、（７−３）、（７−４）又は（７−５）：

［式中、Ｙ^１は、−Ｃ（Ｒ^４８）（Ｒ^４９）−、−Ｏ−Ｃ（Ｒ^５０）（Ｒ^５１）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｂ（Ｒ^５２）−、−Ｓｉ（Ｒ^５３）（Ｒ^５４）−、−Ｐ（Ｒ^５５）−、−Ｐ（Ｒ^５６）（＝Ｏ）−又は−Ｎ（Ｒ^５７）−を表す。
　Ｒ^４８、Ｒ^４９、Ｒ^５０、Ｒ^５１、Ｒ^５２、Ｒ^５３、Ｒ^５４、Ｒ^５５、Ｒ^５６及びＲ^５７は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表す。これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５、Ｒ^２６、Ｒ^２７、Ｒ^２８、Ｒ^２９、Ｒ^３０、Ｒ^３１、Ｒ^３２、Ｒ^３３、Ｒ^３４、Ｒ^３５、Ｒ^３６、Ｒ^３７、Ｒ^３８、Ｒ^３９、Ｒ^４０、Ｒ^４１、Ｒ^４２、Ｒ^４３、Ｒ^４４、Ｒ^４５、Ｒ^４６及びＲ^４７は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。これらの基は置換基を有していてもよい。］
で表される２価の基とを含む高分子化合物が好ましく、前記式（１）で表される金属錯体の残基と前記式（７−１）で表される基とを含む高分子化合物がより好ましい。
　本発明の金属含有高分子化合物において、前記式（７−１）~（７−５）で表される基は、高分子化合物の溶解性及び導電性または合成の容易さの観点から、繰り返し単位として含まれることが好ましい。
　本発明の金属含有高分子化合物において、式（１）で表される金属錯体の残基は、合成の容易さ及び発光素子に用いた時の発光効率が高くなるので、繰り返し単位に含まれることが好ましい。式（１）で表される金属錯体の残基を含む繰り返し単位としては、
式（１）で表される金属錯体の残基（２価）、式（１）で表される金属錯体の残基（１価）を置換基として有するアリーレン基または２価の複素環基等があげられる。金属錯体の残基（１価）を置換基として有するアリーレン基または２価の複素環基の例としては、式：−（Ａｒ’）−で表される繰り返し単位の例として後に示す繰り返し単位があげられる。
本発明の金属含有高分子化合物において、「前記式（１）で表される金属錯体の残基」：「前記式（７−１）、（７−２）、（７−３）、（７−４）又は（７−５）で表される２価の基」の重量比は、発光効率、発光色または導電性が良好となるので、１：２~１：１０００が好ましく、１：３~１：４００がより好ましい。
　本発明の金属含有高分子化合物において、前記式（１）で表される金属錯体の残基が繰り返し単位に含まれる場合、前記式（１）で表される金属錯体の残基を含む繰り返し単位の割合は、高分子化合物の合成の容易さ、または、発光素子に用いた時の発光効率の観点から、該高分子化合物の０．０１~５０重量％が好ましく、０．１~３０重量％がより好ましく、０．５~２５重量％がさらに好ましい。　本発明の金属含有高分子化合物において、前記式（７−１）、（７−２）、（７−３）、（７−４）又は（７−５）で表される２価の基を繰り返し単位として含む場合、該繰り返し単位の割合は、合成の容易さ、、または導電性の観点から、該高分子化合物の１０~９９．９９重量％が好ましく、３０~９９．９９重量％がより好ましく、５０~９９．９９重量％がさらに好ましい。
　本発明の金属含有高分子化合物において、前記式（１）で表される金属錯体の残基、前記式（７−１）、（７−２）、（７−３）、（７−４）又は（７−５）で表される２価の基は、それぞれ、一種のみ含まれていても二種以上含まれていてもよい。
　式（７−１）~（７−５）中、Ｒ^２１~Ｒ^５７で表される基、原子は、前記と同じ意味を有する。
　式（７−１）及び（７−２）中、Ｙは、高分子化合物の合の容易性、または発光素子に用いた時の発光効率の観点で、
−Ｃ（Ｒ^４８）（Ｒ^４９）−、−Ｏ−Ｃ（Ｒ^５０）（Ｒ^５１）−、−Ｏ−、−Ｓ−が好ましく、−Ｃ（Ｒ^４８）（Ｒ^４９）−がより好ましい。Ｒ^４８及びＲ^４９は、本発明の金属含有高分子化合物を発光素子に用いた場合に得られる発光素子の輝度寿命が優れるので、少なくとも１個は置換基を有していてもよいフェニル基であることが好ましく、少なくとも１個はＣ_１~Ｃ_１２アルコキシフェニル基又はＣ_１~Ｃ_１２アルキルフェニル基であることがより好ましい。
　式（７−１）で表される２価の基としては、以下の式で表される基等が挙げられる。

［式中、Ｒ^ａは、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表す。これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^ａは同一であっても異なっていてもよい。
　Ｒ^ｄは、アルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基又は１価の複素環基を表す。これらの基は置換基を有していてもよい。］
　Ｒ^ａで表されるアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子は、前記と同じ意味を有する。
　Ｒ^ｄで表されるアルキル基、アリール基、アリールアルキル基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基又は１価の複素環基は、前記と同じ意味を有する。
式（７−２）で表される２価の基としては、以下の式で表される基等が挙げられる。

［式中、Ｒ^ａは、前記と同じ意味を有する。］
　前記式（７−３）で表される２価の基としては、以下の式で表される基等が挙げられる。

［式中、Ｒ^ａ及びＲ^ｄは、前記と同じ意味を有する。］
　前記式（７−４）で表される２価の基としては、以下の式で表される基等が挙げられる。

［式中、Ｒ^ａは、前記と同じ意味を有する。］
　前記式（７−５）で表される２価の基としては、以下の式で表される基等が挙げられる。

［式中、Ｒ^ａは、前記と同じ意味を有する。］
　本発明の金属含有高分子化合物は、正孔輸送性が良好となるので、下記式（８）：

［式中、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３及びＡｒ^４はそれぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表す。Ａｒ^５、Ａｒ^６及びＡｒ^７はそれぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表す。Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４、Ａｒ^５、Ａｒ^６及びＡｒ^７は置換基を有していてもよい。ａ及びｂはそれぞれ独立に、０又は１を示し、０≦ａ＋ｂ≦１である。］
で表される基を更に含んでいてもよい。前記式（８）で表される基は、繰り返し単位として金属含有高分子化合物に含まれることが好ましい。
　前記式（８）中、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３及びＡｒ^４で表されるアリーレン基は、芳香族炭化水素から水素原子２個を除いた原子団である。アリーレン基には、縮合環を持つ基、独立したベンゼン環又は縮合環２個以上が直接又はビニレン基等を介して結合した基も含まれる。アリーレン基は置換基を有していてもよい。アリーレン基における置換基を除いた部分の炭素数は、通常、６~６０であり、好ましくは６~２０である。アリーレン基の置換基を含めた全炭素数は、通常、６~１００である。アリーレン基としては、フェニレン基、ビフェニル−４，４’−ジイル基、１，１’：４’，１’’−ターフェニル−４，４’’−ジイル基、ナフタレンジイル基、アントラセンジイル基、フェナントレンジイル基、ペンタレンジイル基、インデンジイル基、ヘプタレンジイル基、インダセンジイル基、トリフェニレンジイル基、ビナフチルジイル基、フェニルナフタレンジイル基、スチルベンジイル基、フルオレンジイル基等が挙げられる。
　前記式（８）中、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３及びＡｒ^４で表される２価の複素環基は、複素環式化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団を意味する。２価の複素環基の炭素数は、通常、２~３０であり、好ましくは２~１５である。２価の複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。２価の複素環基は、２価の芳香族複素環基であることが好ましい。２価の複素環基としては、ピリジンジイル基、ジアザフェニレン基、キノリンジイル基、キノキサリンジイル基、アクリジンジイル基、ビピリジルジイル基、フェナントロリンジイル基等が挙げられる。
　式（８）中、Ａｒ^５、Ａｒ^６及びＡｒ^７で表されるアリール基及び１価の複素環基は、前記と同じ意味を有する。
　式（８）中、アリーレン基、２価の複素環基、アリール基及び１価の複素環基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、シアノ基及びニトロ基等が挙げられる。これらの原子、基は、前記と同じ意味を有する。
　式（８）で表される基として、以下の式で表される基等が挙げられる。

［式中、Ｒ^ｂは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。これらの基に含まれる水素原子は、フッ素原子で置換されていてもよい。これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^ｂは、同一であっても異なっていてもよい。］
　−金属錯体の残基の位置−
　本発明の金属含有高分子化合物としては、
１．分子鎖の主鎖に金属錯体の残基を有する高分子化合物；
２．分子鎖の末端に金属錯体の残基を有する高分子化合物；
３．分子鎖の側鎖に金属錯体の残基を有する高分子化合物；
が挙げられる。
　分子鎖の主鎖に金属錯体の残基を有する高分子化合物は、例えば、下記式のいずれかで表される。

［式中、Ｍ^１及びＭ^２はそれぞれ独立に、金属錯体の残基を表す。ｐ及びｑはそれぞれ独立に、重合度を表す。式（ＧＰ−１）、式（ＧＰ−２）中、実線は分子鎖を表す。］
　前記式（ＧＰ−１）において、ｐ≧２の場合、隣り合う２個のＭ^１で表される金属錯体の残基の間（以下、「Ｍ^１残基間」と言う。）は、直接結合しているか、又は、実線で表される分子鎖を介して結合している。前記式（ＧＰ−１）において、ｐ≧３の場合、２個以上あるＭ^１残基間の結合は、同一であっても異なっていてもよい。
　前記式（ＧＰ−２）において、ｑ≧２の場合、隣り合う２個のＭ^２で表される金属錯体の残基の間（以下、「Ｍ^２残基間」と言う。）は、直接結合しているか、又は、実線で表される分子鎖を介して結合している。前記式（ＧＰ−２）において、ｑ≧３の場合、２個以上あるＭ^２残基間の結合は、同一であっても異なっていてもよい。
Ｍ^１としては、以下の式で表される金属錯体の残基（２価）が挙げられる。

［式中、Ｒは、前記と同じ意味を有する。］
　前記Ｍ^２としては、以下の式で表される金属錯体の残基（３価）が挙げられる。

［式中、Ｒは、前記と同じ意味を有する。］
　分子鎖の末端に金属錯体の残基を有する高分子化合物は、例えば、下記式で表される。

［式中、Ｍ^３は金属錯体の残基を表す。式（ＧＰ−３）、式（ＧＰ−４）中、実線は分子鎖を表す。Ｌは、単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）_２−、−Ｓｉ（Ｒ^６８）（Ｒ^６９）−、Ｎ（Ｒ^７０）−、−Ｂ（Ｒ^７１）−、−Ｐ（Ｒ^７２）−、−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^７３）−、置換されていてもよいアルキレン基、置換されていてもよいアルケニレン基、置換されていてもよいアルキニレン基、置換されていてもよいアリーレン基、又は置換されていてもよい２価の複素環基を表す。Ｒ^６８、Ｒ^６９、Ｒ^７０、Ｒ^７１、Ｒ^７２及びＲ^７３は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基又はシアノ基を表す。］
　Ｍ^３としては、以下の式で表される金属錯体の残基（１価）が挙げられる。

［式中、Ｒは、前記と同じ意味を有する。］
　分子鎖の側鎖に金属錯体の残基を有する高分子化合物としては、金属錯体の残基が１価の基である高分子化合物が挙げられる。
　分子鎖は、例えば、式：−（Ａｒ’）−で表される繰り返し単位を有する。式中、Ａｒ’は、１~４個の−Ｌ−Ｍ^３で示される基を有する２価の芳香族基、又は酸素原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子及び硫黄原子からなる群から選ばれる原子と、１~４個の−Ｌ−Ｍ^３で示される基とを有する２価の複素環基を表す。Ｌ及びＭ^３は前記と同じ意味を有する。Ｌで表されるアルキレン基、アルケニレン基、アルキニレン基が−ＣＨ_２−基を含む場合、該アルキレン基に含まれる−ＣＨ_２−基の１個以上、該アルケニレン基に含まれる−ＣＨ_２−基の１個以上、該アルキニレン基に含まれる−ＣＨ_２−基の１個以上が、それぞれ、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｃ（＝Ｏ）−、−Ｃ（＝Ｏ）Ｏ−、−Ｓ（＝Ｏ）−、−Ｓ（＝Ｏ）_２−、−Ｓｉ（Ｒ^７４）（Ｒ^７５）−、Ｎ（Ｒ^７６）−、−Ｂ（Ｒ^７７）−、−Ｐ（Ｒ^７８）−又は−Ｐ（＝Ｏ）（Ｒ^７９）−で表される基で置換されていてもよい。Ｒ^７４、Ｒ^７５、Ｒ^７６、Ｒ^７７、Ｒ^７８及びＲ^７９は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、１価の複素環基又はシアノ基を表す。Ａｒ’は、−Ｌ−Ｍ_３で示される基以外に、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基からなる群から選ばれる置換基を有していてもよい。Ａｒ’が複数の置換基を有する場合、それらは同一であっても異なっていてもよい。
　式中、Ｒ^６８、Ｒ^６９、Ｒ^７０、Ｒ^７１、Ｒ^７２、Ｒ^７３、Ｒ^７４、Ｒ^７５、Ｒ^７６、Ｒ^７７、Ｒ^７８及びＲ^７９で表されるアルキル基、アリール基、１価の複素環基及びシアノ基、並びにＡｒ’が有していてもよい置換基であるアルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基及びシアノ基は、前記と同じ意味を有する。
　Ａｒ’としては、以下の式で表される基等が挙げられる。

［式中、Ｌ、Ｒ及びＭ^３は、前記と同じ意味を有する。］
　Ｌで表されるアルキレン基は、炭素数が通常１~３０であり、好ましくは１~１５である。アルキレン基としては、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、テトラメチレン基、ペンタメチレン基、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基、１，３−シクロペンチレン基、１，４−シクロヘキシレン基等が挙げられる。
　Ｌで表されるアルケニレン基は、炭素数が通常２~３０であり、好ましくは２~１５である。アルケニレン基としては、ビニレン基、プロペンジイル基等が挙げられる。アルケニレン基には、１，３−ブタジエンジイル基等のアルカジエニレン基も含まれる。
　Ｌで表されるアルキニレン基は、炭素数が通常２~３０であり、好ましくは２~１５である。アルキニレン基としては、エチニレン基等が挙げられる。アルキニレン基には、三重結合を２個有する基も含まれ、１，３−ブタジイン−１，４−ジイル基等が挙げられる。
　Ｌで表されるアリーレン基及び２価の複素環基は、前記と同じ意味を有する。
　Ｌは、高分子化合物の合成の容易性、または発光特性の観点でので、単結合、−Ｏ−、メチレン基、エチレン基、ヘキサメチレン基、オクタメチレン基、ビニレン基、フェニレン基、ビフェニル−４，４’−ジイル基、及びピリジンジイル基が好ましく、フェニレン基及びピリジンジイル基がより好ましい。
　本発明の金属含有高分子化合物は、電荷輸送性や電荷注入性等を大きく損なわない金属含有高分子化合物が好ましく、電荷輸送性が優れるので、共役系金属含有高分子化合物がより好ましい。
　本発明の金属含有高分子化合物は、前記式（１）で表される金属錯体の残基を含む繰り返し単位、及び前記式（７−１）~（７−５）で表される２価の基を含む繰り返し単位を有する場合、発光特性や電荷輸送特性を損なわない範囲で、その他の繰り返し単位を含んでいてもよい。この場合、前記式（１）で表される金属錯体の残基を含む繰り返し単位、及び前記式（７−１）~（７−５）で表される２価の基を含む繰り返し単位の合計が、全繰り返し単位の１０モル％以上であることが好ましく、５０モル％以上であることがより好ましく、８０モル％以上であることがさらに好ましい。
　−金属含有高分子化合物の製造方法−
　本発明の金属含有高分子化合物は、例えば、下記式（９）で表される金属錯体と、下記式（１２−１）、（１２−２）、（１２−３）、（１２−４）又は（１２−５）で表される化合物とを反応させる工程を含む製造方法により合成することができる。

［式中、Ｗ^１は重合反応性基を表す。Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９、Ｒ^２０、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５は、前記と同じ意味を有する。］

［式中、Ｗ^２は重合反応性基を表す。複数存在するＷ^２は、同一であっても異なっていてもよい。Ｙ^１、Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５、Ｒ^２６、Ｒ^２７、Ｒ^２８、Ｒ^２９、Ｒ^３０、Ｒ^３１、Ｒ^３２、Ｒ^３３、Ｒ^３４、Ｒ^３５、Ｒ^３６、Ｒ^３７、Ｒ^３８、Ｒ^３９、Ｒ^４０、Ｒ^４１、Ｒ^４２、Ｒ^４３、Ｒ^４４、Ｒ^４５、Ｒ^４６及びＲ^４７は、前記と同じ意味を有する。］
　前記式（９）、（１２−１）、（１２−２）、（１２−３）、（１２−４）又は（１２−５）中、Ｗ^１及びＷ^２で表される重合反応性基としては、ハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アリールアルキルスルホニルオキシ基、ホウ酸エステル残基、スルホニウムメチル基、ホスホニウムメチル基、ホスホネートメチル基、モノハロゲン化されたメチル基、−ＭｇＸ（Ｘはハロゲン原子を表す）、スタニル基、−Ｂ（ＯＨ）_２、ホルミル基、シアノ基等が挙げられ、−Ｂ（ＯＨ）_２、ホウ酸エステル残基、−ＭｇＸ、スタニル基、ハロゲン原子が好ましい。
　重合反応性基であるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が挙げられ、好ましくは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子であり、より好ましくは臭素原子である。
重合反応性基であるアルキルスルホニルオキシ基としては、メチルスルホニルオキシ基、エチルスルホニルオキシ基、トリフルオロメチルスルホニルオキシ基等が挙げられる。
　重合反応性基であるアリールスルホニルオキシ基としては、フェニルスルホニルオキシ基、ｐ−トリルスルホニルオキシ基等が挙げられる。
　重合反応性基であるアリールアルキルスルホニルオキシ基としては、ベンジルスルホニルオキシ基等が挙げられる。
　重合反応性基であるホウ酸エステル残基としては、ジアルキルエステル残基、ジアリールエステル残基、ジアリールアルキルエステル残基等が挙げられ、下記式で表される基が好ましい。

［式中、＃は結合手を表す。］
　スルホニウムメチル基としては、下記式で表される基が挙げられる。
　−ＣＨ_２Ｓ^＋Ｍｅ_２Ｘ⁻、−ＣＨ_２Ｓ^＋Ｐｈ_２Ｘ⁻
［式中、Ｘはハロゲン原子を表し、Ｐｈはフェニル基を表す。］
　ホスホニウムメチル基としては、下記式で示される基が挙げられる。
　−ＣＨ_２Ｐ^＋Ｐｈ_３Ｘ⁻
［式中、Ｘはハロゲン原子を表す。］
　ホスホネートメチル基としては、下記式で示される基が挙げられる。
　−ＣＨ_２ＰＯ（ＯＲ^ｃ）_２
［式中、Ｘはハロゲン原子を表す。Ｒ^ｃは、アルキル基、アリール基、又はアリールアルキル基を表す。］
　モノハロゲン化されたメチル基としては、モノフルオロメチル基、モノクロロメチル基、モノブロモメチル基、モノヨードメチル基が挙げられる。
　−ＭｇＸとしては、−ＭｇＣｌ、−ＭｇＢｒ、−ＭｇＩが挙げられる。
　スタニル基としては、置換基を有していてもよいスタニル基が挙げられ、スタニル基、トリクロロスタニル基、トリメチルスタニル基、トリエチルスタニル基、トリ−ｎ−ブチルスタニル基、トリフェニルスタニル基、トリベンジルスタニル基が挙げられる。
　重合反応性基としては、Ｙａｍａｍｏｔｏカップリング反応等の０価ニッケル錯体を用いる反応においては、ハロゲン原子、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基、アリールアルキルスルホニルオキシ基が好ましく、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応等のニッケル触媒、パラジウム触媒を用いる反応においては、アルキルスルホニルオキシ基、ハロゲン原子、ホウ酸エステル残基、−Ｂ（ＯＨ）_２が好ましい。
　本発明の金属含有高分子化合物の製造は、例えば、原料化合物となる、重合反応性基を複数有する化合物を、必要に応じて有機溶媒に溶解し、アルカリや適当な触媒を用い、有機溶媒の融点以上沸点以下で行うことができる。金属含有高分子化合物の製造方法としては、“オルガニック　リアクションズ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｒｅａｃｔｉｏｎｓ）”，第１４巻，２７０~４９０頁，ジョンワイリー　アンド　サンズ（Ｊｏｈｎ　Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９６５年、“オルガニック　シンセシーズ（Ｏｒｇａｎｉｃ　Ｓｙｎｔｈｅｓｅｓ）”，コレクティブ第６巻（Ｃｏｌｌｅｃｔｉｖｅ　Ｖｏｌｕｍｅ　ＶＩ），４０７−４１１頁，ジョンワイリー　アンド　サンズ（Ｊｏｈｎ　Ｗｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｉｎｃ．），１９８８年、ケミカル　レビュー（Ｃｈｅｍ．Ｒｅｖ．），第９５巻，２４５７頁（１９９５年）、ジャーナル　オブ　オルガノメタリック　ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇａｎｏｍｅｔ．Ｃｈｅｍ．），第５７６巻，１４７頁（１９９９年）、マクロモレキュラー　ケミストリー　マクロモレキュラー　シンポジウム（Ｍａｋｒｏｍｏｌ．Ｃｈｅｍ．，Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．），第１２巻，２２９頁（１９８７年）等に記載の公知の方法を用いることができる。
　本発明の金属含有高分子化合物の製造方法において、式（９）で表される化合物の重合反応性基と前記式（１２−１）~（１２−５）で表される化合物の重合反応性基に応じて、既知の縮合反応を用いることができる。重合反応性基を２個以上有する化合物の共存下で重合を行うことにより、共重合体である金属含有高分子化合物を製造することができるし、重合反応性基を３個以上有する化合物を共重合することにより分岐構造を有する金属含有高分子化合物を製造することができる。
　縮合反応が二重結合を生成する反応である場合、その反応としては、特開平５−２０２３５５号公報に記載の方法、即ち、ホルミル基を有する化合物とホスホニウムメチル基を有する化合物、又はホルミル基とホスホニウムメチル基とを有する化合物のＷｉｔｔｉｇ反応による重合、ビニル基を有する化合物とハロゲン原子を有する化合物とのＨｅｃｋ反応による重合、モノハロゲン化されたメチル基を２個以上有する化合物の脱ハロゲン化水素法による重縮合、スルホニウムメチル基を２個以上有する化合物のスルホニウム塩分解法による重縮合、ホルミル基を有する化合物とシアノ基を有する化合物とのＫｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合等の方法、ホルミル基を２個以上有する化合物のＭｃＭｕｒｒｙ反応による重合等の方法が挙げられる。
　縮合反応が三重結合を生成する反応である場合、その反応としては、Ｈｅｃｋ反応、Ｓｏｎｏｇａｓｈｉｒａ反応が挙げられる。
　縮合反応が二重結合や三重結合を生成しない反応である場合、その反応としては、対応する原料化合物からＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法、Ｎｉ（０）錯体により重合する方法、ＦｅＣｌ_３等の酸化剤により重合する方法、電気化学的に酸化重合する方法、適切な脱離基を有する中間体高分子の分解による方法等が挙げられる。
　これらの中でも、Ｗｉｔｔｉｇ反応による重合、Ｈｅｃｋ反応による重合、Ｋｎｏｅｖｅｎａｇｅｌ反応による重合、及びＳｕｚｕｋｉカップリング反応により重合する方法、Ｇｒｉｇｎａｒｄ反応により重合する方法及びニッケルゼロ価錯体により重合する方法が、分子量制御がし易くなり、かつ、共重合における組成比制御がし易くなるので、好ましい。
　本発明の金属含有高分子化合物の製造方法において、重合反応性基Ｗ^１及びＷ^２が−Ｂ（ＯＨ）_２、ホウ酸エステル残基又はハロゲン原子であり、全原料化合物が有する、ハロゲン原子のモル数の合計（Ｊ）と、−Ｂ（ＯＨ）_２及びホウ酸エステル残基のモル数の合計（Ｋ）との比が実質的に１（通常、Ｋ／Ｊは、０．７~１．２）であり、かつ、ニッケル触媒又はパラジウム触媒を用いて縮合重合することが好ましい。
　これらの製造方法において、原料化合物としては、ジハロゲン化化合物と、ジホウ酸化合物又はジホウ酸エステル化合物との組み合わせ；ハロゲン−ホウ酸化合物、ハロゲン−ホウ酸エステル化合物等が挙げられる。
　本発明の金属含有高分子化合物の製造方法では、副反応を抑制するために使用前に十分に脱酸素処理を施した有機溶媒を用いて、不活性雰囲気化で反応を進行させることが好ましい。必要に応じて、脱水処理を行ってもよい。但し、Ｓｕｚｕｋｉカップリング反応のような水との２相系での反応の場合にはその限りではない。
　金属含有高分子化合物の製造方法で用いてもよい有機溶媒としては、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、シクロヘキサン等の飽和炭化水素、ベンゼン、トルエン、エチルベンゼン、キシレン等の不飽和炭化水素、四塩化炭素、クロロホルム、ジクロロメタン、クロロブタン、ブロモブタン、クロロペンタン、ブロモペンタン、クロロヘキサン、ブロモヘキサン、クロロシクロヘキサン、ブロモシクロヘキサン等のハロゲン化飽和炭化水素、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化不飽和炭化水素、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、ブタノール、ｔ−ブチルアルコール等のアルコール類、蟻酸、酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸類、ジメチルエーテル、ジエチルエーテル、メチル−ｔ−ブチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、ジオキサン等のエーテル類、トリメチルアミン、トリエチルアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ピリジン等のアミン類、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド、Ｎ−メチルモルホリンオキシド等のアミド類等が挙げられる。これらの有機溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
　本発明の金属含有高分子化合物の製造方法では、反応を促進するためにアルカリや触媒を添加してもよい。これらのアルカリや触媒は、反応に用いる溶媒に十分に溶解するものが好ましい。アルカリや触媒を混合する方法としては、反応液をアルゴンや窒素等の不活性雰囲気下で攪拌しながらゆっくりとアルカリ又は触媒の溶液を添加するか、アルカリ又は触媒の溶液に反応液をゆっくりと添加する方法が挙げられる。
　式（９）で表される化合物は、例えば、前記式（１ｃ）で表される化合物から製造することができる。まず、前記式（１ｃ）で表される化合物を溶媒に溶解させ、Ｎ−ブロモスクシンイミドを加えて反応させると、下記式（９ａ）で表される化合物が生成する。この反応において、塩化メチレン等のハロゲン系炭化水素系溶媒等を用いることができる。

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９、Ｒ^２０、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５は、前記と同じ意味を有する。］
　−金属非含有高分子化合物−
　本発明の第一の組成物は、発光素子の作製に用いる場合に素子作製のコストを下げることができるので、金属非含有高分子化合物を含有していてもよい。本発明の第一の組成物が金属非含有高分子化合物を含む場合、該金属非含有高分子化合物の割合は、前記式（１）で表される金属錯体１００重量部に対して、１８０~２００００重量部が好ましく、４００~３３００重量部がより好ましい。
　金属非含有高分子化合物は、非共役系金属非含有高分子化合物であっても共役系金属非含有高分子化合物であってもよいが、導電性が良好となるので、共役系金属非含有高分子化合物が好ましく、主鎖に芳香環を含む共役系金属非含有高分子化合物がより好ましい。
　金属非含有高分子化合物は、発光素子に用いた時の発光効率や寿命等の素子特性が良好となるので、ポリスチレン換算の数平均分子量が１×１０^３~１×１０^８であることが好ましく、１×１０^４~１×１０^７であることがより好ましい。
　金属非含有高分子化合物は、導電性が良好となるので、前記式（７−１）で表される２価の基、前記式（７−２）で表される２価の基、前記式（７−３）で表される２価の基、前記式（７−４）で表される２価の基、前記式（７−５）で表される２価の基、及び、前記式（８）で表される２価の基からなる群から選ばれる少なくとも一種を繰り返し単位として有することが好ましく、前記式（７−１）で表される２価の基を繰り返し単位として有することがより好ましい。
　金属非含有高分子化合物は、発光素子にした時の電子注入性が良好となるので、更に下記式（１０）で表される繰り返し単位を有することが好ましい。

［式中、Ａｒ^１０は２価の含窒素芳香族複素環基を表す。Ａｒ^１１及びＡｒ^１２はそれぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表す。］
　式（１０）中、Ａｒ^１１及びＡｒ^１２で表されるアリーレン基及び２価の複素環基は、前記と同じ意味を有する。
　式（１０）中、Ａｒ^１０で表される２価の含窒素芳香族複素環基は、含窒素芳香族複素環式化合物から水素原子２個を除いた残りの原子団であって、前記式（７−１）及び前記式（７−２）においてＹ^１が−Ｎ（Ｒ^５７）−である２価の基、及び、前記式（７−３）で表される２価の基ではないものを意味する。前記２価の含窒素芳香族複素環基の炭素数は、通常、２~３０であり、好ましくは２~１５である。２価の含窒素芳香族複素環基の炭素数には、置換基の炭素数は含まれない。
　式（１０）中、２価の含窒素芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基、ハロゲン原子等が挙げられる。これらの原子、基は、前記と同じ意味を有する。
　２価の含窒素芳香族複素環基としては、以下の式で表される基等が挙げられる。

［式中、Ｒ^ｄは、前記と同じ意味を有する。Ｒ^ｊは、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表す。これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ^ｊは同一であっても異なっていてもよい。］
　金属非含有高分子化合物において、前記式（１０）で表される繰り返し単位が、下記式（１１）で表される繰り返し単位であることが好ましい。

［式中、Ａｒ^１１及びＡｒ^１２は、前記と同じ意味を有する。Ａｒ^１３はアリール基又は１価の複素環基を表す。Ａｒ^１１、Ａｒ^１２及びＡｒ^１３は置換基を有していてもよい。
　Ｚ^６、Ｚ^７及びＺ^８は、それぞれ独立に、−Ｃ（Ｒ^ｋ）＝又は窒素原子を表す。Ｒ^ｋは、水素原子又は置換基を表す。但し、Ｚ^６、Ｚ^７及びＺ^８の少なくとも２個は、窒素原子である。］
　式（１１）中、Ａｒ^１３で表されるアリール基及び１価の複素環基は、前記と同じ意味を有する。
　金属非含有高分子化合物は、発光素子に用いた時の駆動電圧を低減できるので、前記式（１１）においてＺ^６、Ｚ^７及びＺ^８が窒素原子であることが好ましい。
　式（１１）で表される繰り返し単位として、以下の繰り返し単位が例示される。

　金属非含有高分子化合物の具体例としては、以下の式で表される金属非含有高分子化合物が挙げられる。式中、ｕ１~ｕ１７９は、以下の式を満たす数であり、それぞれの金属非含有高分子化合物が含む全繰り返し単位の数を１００としたときのそれぞれの繰り返し単位の数を表す。

（式（ｋ−１）中、５≦ｕ１≦９５、５≦ｕ２≦９５、ｕ１＋ｕ２＝１００）
（式（ｋ−２）中、５≦ｕ３≦９９、１≦ｕ４≦９５、ｕ３＋ｕ４＝１００）
（式（ｋ−３）中、５≦ｕ５≦９９、１≦ｕ６≦９５、ｕ５＋ｕ６＝１００）
（式（ｋ−４）中、５≦ｕ７≦９５、５≦ｕ８≦９５、ｕ７＋ｕ８＝１００）
（式（ｋ−５）中、５≦ｕ９≦９５、５≦ｕ１０≦９５、ｕ９＋ｕ１０＝１００）

（式（ｋ−６）中、５≦ｕ１１≦９５、５≦ｕ１２≦９５、ｕ１１＋ｕ１２＝１００）
（式（ｋ−７）中、５≦ｕ１３≦９９、１≦ｕ１４≦９５、ｕ１３＋ｕ１４＝１００）
（式（ｋ−８）中、５≦ｕ１５≦９９、１≦ｕ１６≦９５、ｕ１５＋ｕ１６＝１００）
（式（ｋ−９）中、５≦ｕ１７≦９５、５≦ｕ１８≦９５、ｕ１７＋ｕ１８＝１００）
（式（ｋ−１０）中、５≦ｕ１９≦９５、５≦ｕ２０≦９５、ｕ１９＋ｕ２０＝１００）

（式（ｋ−１１）中、５≦ｕ２１≦９９、１≦ｕ２２≦９５、ｕ２１＋ｕ２２＝１００）
（式（ｋ−１２）中、５≦ｕ２３≦９９、１≦ｕ２４≦９５、ｕ２３＋ｕ２４＝１００）

（式（ｋ−１３）中、５≦ｕ２５≦９５、５≦ｕ２６≦９５、ｕ２５＋ｕ２６＝１００）
（式（ｋ−１４）中、５≦ｕ２７≦９９、１≦ｕ２８≦９５、ｕ２７＋ｕ２８＝１００）
（式（ｋ−１５）中、５≦ｕ２９≦９９、１≦ｕ３０≦９５、ｕ２９＋ｕ３０＝１００）

（式（ｋ−１６）中、５≦ｕ３１≦９９、１≦ｕ３２≦９５、ｕ３１＋ｕ３２＝１００）
（式（ｋ−１７）中、５≦ｕ３３≦９９、１≦ｕ３４≦９５、ｕ３３＋ｕ３４＝１００）
（式（ｋ−１８）中、５≦ｕ３５≦９９、１≦ｕ３６≦９５、ｕ３５＋ｕ３６＝１００）

（式（ｋ−１９）中、５≦ｕ３７≦９９、１≦ｕ３８≦９５、ｕ３７＋ｕ３８＝１００）
（式（ｋ−２０）中、５≦ｕ３９≦９９、１≦ｕ４０≦９５、ｕ３９＋ｕ４０＝１００）
（式（ｋ−２１）中、５≦ｕ４１≦９９、１≦ｕ４２≦９５、ｕ４１＋ｕ４２＝１００）
（式（ｋ−２２）中、５≦ｕ４３≦９９、１≦ｕ４４≦９５、ｕ４３＋ｕ４４＝１００）

（式（ｋ−２３）中、５≦ｕ４５≦９５、５≦ｕ４６≦９５、ｕ４５＋ｕ４６＝１００）
（式（ｋ−２４）中、５≦ｕ４７≦９５、５≦ｕ４８≦９５、ｕ４７＋ｕ４８＝１００）
（式（ｋ−２５）中、５≦ｕ４９≦９５、５≦ｕ５０≦９５、ｕ４９＋ｕ５０＝１００）
（式（ｋ−２６）中、５≦ｕ５１≦９５、５≦ｕ５２≦９５、ｕ５１＋ｕ５２＝１００）

（式（ｋ−２７）中、５≦ｕ５３≦９９、１≦ｕ５４≦９５、ｕ５３＋ｕ５４＝１００）
（式（ｋ−２８）中、５≦ｕ５５≦９９、１≦ｕ５６≦９５、ｕ５５＋ｕ５６＝１００）
（式（ｋ−２９）中、５≦ｕ５７≦９９、１≦ｕ５８≦９５、ｕ５７＋ｕ５８＝１００）
（式（ｋ−３０）中、５≦ｕ５９≦９９、１≦ｕ６０≦９５、ｕ５９＋ｕ６０＝１００）

（式（ｋ−３１）中、５≦ｕ６１≦９４、５≦ｕ６２≦９４、１≦ｕ６３≦５０、ｕ６１＋ｕ６２＋ｕ６３＝１００）
（式（ｋ−３２）中、５≦ｕ６４≦９４、５≦ｕ６５≦９４、１≦ｕ６６≦５０、ｕ６４＋ｕ６５＋ｕ６６＝１００）
（式（ｋ−３３）中、５≦ｕ６７≦９０、５≦ｕ６８≦９０、５≦ｕ６９≦９０、ｕ６７＋ｕ６８＋ｕ６９＝１００）
（式（ｋ−３４）中、５≦ｕ７０≦９０、５≦ｕ７１≦９０、５≦ｕ７２≦９０、ｕ７０＋ｕ７１＋ｕ７２＝１００）

（式（ｋ−３５）中、５≦ｕ７３≦９４、５≦ｕ７４≦９４、１≦ｕ７５≦５０、ｕ７３＋ｕ７４＋ｕ７５＝１００）
（式（ｋ−３６）中、５≦ｕ７６≦９４、５≦ｕ７７≦９４、１≦ｕ７８≦５０、ｕ７６＋ｕ７７＋ｕ７８＝１００）
（式（ｋ−３７）中、５≦ｕ７９≦９０、５≦ｕ８０≦９０、５≦ｕ８１≦９０、ｕ７９＋ｕ８０＋ｕ８１＝１００）
（式（ｋ−３８）中、５≦ｕ８２≦９０、５≦ｕ８３≦９０、５≦ｕ８４≦９０、ｕ８２＋ｕ８３＋ｕ８４＝１００）

（式（ｋ−３９）中、５≦ｕ８５≦９４、５≦ｕ８６≦９４、１≦ｕ８７≦３０、ｕ８５＋ｕ８６＋ｕ８７＝１００）
（式（ｋ−４０）中、５≦ｕ８８≦９４、５≦ｕ８９≦９４、１≦ｕ９０≦３０、ｕ８８＋ｕ８９＋ｕ９０＝１００）
（式（ｋ−４１）中、５≦ｕ９１≦９４、５≦ｕ９２≦９４、１≦ｕ９３≦３０、ｕ９１＋ｕ９２＋ｕ９３＝１００）
（式（ｋ−４２）中、５≦ｕ９４≦９４、５≦ｕ９５≦９４、１≦ｕ９６≦３０、ｕ９４＋ｕ９５＋ｕ９６＝１００）

（式（ｋ−４３）中、５≦ｕ９７≦９８、１≦ｕ９８≦５０、１≦ｕ９９≦４５、ｕ９７＋ｕ９８＋ｕ９９＝１００）
（式（ｋ−４４）中、５≦ｕ１００≦９８、１≦ｕ１０１≦５０、１≦ｕ１０２≦４５、ｕ１００＋ｕ１０１＋ｕ１０２＝１００）
（式（ｋ−４５）中、５≦ｕ１０３≦９８、１≦ｕ１０４≦５０、１≦ｕ１０５≦４５、ｕ１０３＋ｕ１０４＋ｕ１０５＝１００）

（式（ｋ−４６）中、５≦ｕ１０６≦９８、１≦ｕ１０７≦５０、１≦ｕ１０８≦４５、ｕ１０６＋ｕ１０７＋ｕ１０８＝１００）
（式（ｋ−４７）中、５≦ｕ１０９≦９８、１≦ｕ１１０≦５０、１≦ｕ１１１≦４５、ｕ１０９＋ｕ１１０＋ｕ１１１＝１００）
（式（ｋ−４８）中、５≦ｕ１１２≦９８、１≦ｕ１１３≦５０、１≦ｕ１１４≦４５、ｕ１１２＋ｕ１１３＋ｕ１１４＝１００）

（式（ｋ−４９）中、５≦ｕ１１５≦９４、５≦ｕ１１６≦９４、１≦ｕ１１７≦３０、ｕ１１５＋ｕ１１６＋ｕ１１７＝１００）
（式（ｋ−５０）中、５≦ｕ１１８≦９４、５≦ｕ１１９≦９４、１≦ｕ１２０≦３０、ｕ１１８＋ｕ１１９＋ｕ１２０＝１００）
（式（ｋ−５１）中、５≦ｕ１２１≦９４、５≦ｕ１２２≦９４、１≦ｕ１２３≦３０、ｕ１２１＋ｕ１２２＋ｕ１２３＝１００）
（式（ｋ−５２）中、５≦ｕ１２４≦９４、５≦ｕ１２５≦９４、１≦ｕ１２６≦３０、ｕ１２４＋ｕ１２５＋ｕ１２６＝１００）

（式（ｋ−５３）中、５≦ｕ１２７≦９３、１≦ｕ１２８≦５０、５≦ｕ１２９≦９３、１≦ｕ１３０≦３０、ｕ１２７＋ｕ１２８＋ｕ１２９＋ｕ１３０＝１００）
（式（ｋ−５４）中、５≦ｕ１３１≦９３、５≦ｕ１３２≦９３、１≦ｕ１３３≦５０、１≦ｕ１３４≦３０、ｕ１３１＋ｕ１３２＋ｕ１３３＋ｕ１３４＝１００）
（式（ｋ−５５）中、５≦ｕ１３５≦９３、５≦ｕ１３６≦９３、１≦ｕ１３７≦５０、１≦ｕ１３８≦３０、ｕ１３５＋ｕ１３６＋ｕ１３７＋ｕ１３８＝１００）
（式（ｋ−５６）中、５≦ｕ１３９≦９３、５≦ｕ１４０≦９３、１≦ｕ１４１≦５０、１≦ｕ１４２≦３０、ｕ１３９＋ｕ１４０＋ｕ１４１＋ｕ１４２＝１００）

（式（ｋ−５７）中、５≦ｕ１４３≦９３、５≦ｕ１４４≦９３、１≦ｕ１４５≦５０、１≦ｕ１４６≦３０、ｕ１４３＋ｕ１４４＋ｕ１４５＋ｕ１４６＝１００）
（式（ｋ−５８）中、５≦ｕ１４７≦８９、５≦ｕ１４８≦８９、５≦ｕ１４９≦８９、１≦ｕ１５０≦３０、ｕ１４７＋ｕ１４８＋ｕ１４９＋ｕ１５０＝１００）
（式（ｋ−５９）中、５≦ｕ１５１≦８９、５≦ｕ１５２≦８９、５≦ｕ１５３≦８９、１≦ｕ１５４≦３０、ｕ１５１＋ｕ１５２＋ｕ１５３＋ｕ１５４＝１００）

（式（ｋ−６０）中、５≦ｕ１５５≦８８、５≦ｕ１５６≦８８、５≦ｕ１５７≦８８、１≦ｕ１５８≦５０、１≦ｕ１５９≦３０、ｕ１５５＋ｕ１５６＋ｕ１５７＋ｕ１５８＋ｕ１５９＝１００）
（式（ｋ−６１）中、５≦ｕ１６０≦８８、５≦ｕ１６１≦８８、５≦ｕ１６２≦８８、１≦ｕ１６３≦５０、１≦ｕ１６４≦３０、ｕ１６０＋ｕ１６１＋ｕ１６２＋ｕ１６３＋ｕ１６４＝１００）
（式（ｋ−６２）中、５≦ｕ１６５≦８８、５≦ｕ１６６≦８８、５≦ｕ１６７≦８８、１≦ｕ１６８≦５０、１≦ｕ１６９≦３０、ｕ１６５＋ｕ１６６＋ｕ１６７＋ｕ１６８＋ｕ１６９＝１００）
（式（ｋ−６３）中、５≦ｕ１７０≦８８、５≦ｕ１７１≦８８、１≦ｕ１７２≦５０、５≦ｕ１７３≦８８、１≦ｕ１７４≦３０、ｕ１７０＋ｕ１７１＋ｕ１７２＋ｕ１７３＋ｕ１７４＝１００）
（式（ｋ−６４）中、５≦ｕ１７５≦８８、５≦ｕ１７６≦８８、１≦ｕ１７７≦５０、５≦ｕ１７８≦８８、１≦ｕ１７９≦３０、ｕ１７５＋ｕ１７６＋ｕ１７７＋ｕ１７８＋ｕ１７９＝１００）
上記（ｋ−１）~（ｋ−６４）で表される高分子化合物は、ランダム共重合体、交互共重合体、ブロック共重合体のいずれであってもよい。
　＜第二の組成物＞
　本発明の第二の組成物は、本発明の金属含有高分子化合物を含む組成物である。本発明の第二の組成物は、電荷輸送材料、発光材料、溶媒及び分散媒からなる群から選ばれる少なくとも一種を含んでいてもよい。本発明の第二の組成物は、金属非含有高分子化合物を含んでいてもよい。本発明の第二の組成物に含まれる成分は、各々、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
　本発明の第二の組成物において、前記電荷輸送材料、前記発光材料、前記溶媒、前記分散媒、及び、前記金属非含有高分子化合物は、特記しない限り、前記第一の組成物と同様である。
　本発明の第二の組成物が、電荷輸送材料、発光材料、溶媒及び分散媒からなる群から選ばれる少なくとも一種を含む場合、該組成物の全体を１００重量部に対して、前記金属含有高分子化合物は、通常、０．１~９０重量部であり、好ましくは０．５~８０重量部であり、より好ましくは０．５~５０重量部である。
　本発明の第二の組成物は、発光素子にした場合に素子作製のコストを下げることができるので、金属非含有高分子化合物を含有していてもよい。本発明の第二の組成物が金属非含有高分子化合物を含む場合、該金属非含有高分子化合物の割合は、前記金属含有高分子化合物１００重量部に対して、０．１~１００重量部が好ましく、０．１~３０重量部がより好ましい。
　＜素子＞
　本発明の素子は、本発明の金属錯体、本発明の高分子化合物又は本発明の組成物を含む素子であり、例えば、陽極及び陰極からなる電極と、該電極間に設けられ本発明の金属錯体、本発明の高分子化合物又は本発明の組成物を含む層とを有する素子である。以下、代表的な素子として、本発明の素子が発光素子である場合について説明する。
　本発明の発光素子は、陽極と陰極からなる一対の電極と、該電極間に発光層を有する一層（単層型）又は複数層（多層型）からなる膜とを有する素子である。前記膜を構成する層の少なくとも１層は、本発明の金属錯体、本発明の高分子化合物又は本発明の組成物を含有する。前記膜中の前記金属錯体、前記高分子化合物又は前記組成物の含有量は、発光層全体に対して、通常、０．１~１００重量％であり、好ましくは０．１~８０重量％、より好ましくは０．５~６０重量％である。本発明の発光素子は、前記発光層が、前記金属錯体、前記高分子化合物又は前記組成物を含むことが好ましい。
　本発明の発光素子が単層型である場合には、前記膜が発光層であり、この発光層が前記金属錯体又は前記高分子化合物を含有する。
　本発明の発光素子が多層型である場合には、例えば、以下の構成をとる。
（ａ）陽極／正孔輸送層／発光層／陰極
（ｂ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／陰極
（ｃ）陽極／発光層／電子輸送層／陰極
（ｄ）陽極／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
（ｅ）陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ｆ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極
（ｇ）陽極／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／陰極
　本発明の発光素子の陽極は、正孔注入層、正孔輸送層、発光層等に正孔を供給し、４．５ｅＶ以上の仕事関数を有することが好ましい。
　陽極の材料には、金属、合金、金属酸化物、電気伝導性化合物、これらの混合物等を用いることができる。陽極の材料としては、酸化スズ、酸化亜鉛、酸化インジウム、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の導電性金属酸化物、金、銀、クロム、ニッケル等の金属、更にこれらの導電性金属酸化物と金属との混合物又は積層物、ヨウ化銅、硫化銅等の無機導電性物質、ポリアニリン類、ポリチオフェン類（ＰＥＤＯＴ等）、ポリピロール等の有機導電性材料、これらとＩＴＯとの積層物等が挙げられる。
　本発明の発光素子の陰極は、電子注入層、電子輸送層、発光層等に電子を供給するものである。
　陰極の材料としては、金属、合金、金属ハロゲン化物、金属酸化物、電気伝導性化合物又はこれらの混合物を用いることができ、例えば、アルカリ金属（リチウム、ナトリウム、カリウム、セシウム等）並びにそのフッ化物及び酸化物、アルカリ土類金属（マグネシウム、カルシウム、バリウム等）並びにそのフッ化物及び酸化物、金、銀、鉛、アルミニウム、合金及び混合金属類（ナトリウム−カリウム合金、ナトリウム−カリウム混合金属、リチウム−アルミニウム合金、リチウム−アルミニウム混合金属、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−銀混合金属等）、希土類金属（イッテルビウム等）等が挙げられる。
　本発明の発光素子の正孔注入層及び正孔輸送層は、陽極から正孔を注入する機能、正孔を輸送する機能、又は、陰極から注入された電子を障壁する機能を有するものである。
　正孔注入層及び正孔輸送層の材料としては、公知の材料を使用でき、例えば、カルバゾール誘導体、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、芳香族ジメチリディン系化合物、ポルフィリン系化合物、ポリシラン系化合物、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）誘導体、有機シラン誘導体、これらを含む重合体等が挙げられる。その他にも、アニリン系共重合体、チオフェンオリゴマー、ポリチオフェン等の導電性高分子オリゴマーが挙げられる。これらの材料は一種のみ用いても二種以上を併用してもよい。前記正孔注入層及び前記正孔輸送層は、前記材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
　正孔輸送層の成膜方法としては、高分子量の化合物を用いる場合には、溶液からの成膜による方法が例示される。
　溶液からの成膜に用いる溶媒としては、正孔輸送層に用いる材料を溶解又は均一に分散できる溶媒が好ましい。該溶媒としては、クロロホルム、塩化メチレン、１，２−ジクロロエタン、１，１，２−トリクロロエタン、クロロベンゼン、ｏ−ジクロロベンゼン等の塩素系溶媒、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶媒、トルエン、キシレン、メシチレン、エチルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン等の脂肪族炭化水素系溶媒、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、エチルセルソルブアセテート等のエステル系溶媒、エチレングリコール、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、ジメトキシエタン、プロピレングリコール、ジエトキシメタン、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、グリセリン、１，２−ヘキサンジオール等の多価アルコール及びその誘導体、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール、シクロヘキサノール等のアルコール系溶媒、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド系溶媒、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等のアミド系溶媒が例示される。これらの溶媒は、一種単独で用いても二種以上を併用してもよい。
　溶液からの成膜には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェットプリント法、キャピラリーコート法、ノズルコート法等の塗布法を用いることができる。
　正孔輸送層の膜厚は、用いる材料によって最適値が異なり、駆動電圧と発光効率が適度な値となるように選択すればよく、通常、１ｎｍ~１μｍであり、好ましくは２~５００ｎｍであり、より好ましくは５~２００ｎｍである。
　正孔輸送層を発光層に隣接して設ける場合、特に両方の層を塗布法により形成する場合には、２層の材料が混合して素子の特性等に対して好ましくない影響を与えることがある。正孔輸送層を塗布法で形成した後、発光層を塗布法で形成する場合、２層の材料の混合を少なくする方法としては、正孔輸送層を塗布法で形成し、該正孔輸送層を加熱して発光層作製に用いる有機溶媒に対して不溶化した後、発光層を形成する方法が挙げられる。前記加熱の温度は、通常、１５０~３００℃である。前記加熱の時間は、通常、１分~１時間である。この場合、加熱により溶媒不溶化しなかった成分を除くため、加熱後、発光層を形成する前に、該正孔輸送層を発光層形成に用いる溶媒でリンスすればよい。加熱による溶媒不溶化が十分に行われた場合は、該リンスが省略できる。加熱による溶媒不溶化が十分に行われるためには、正孔輸送層に用いる高分子量の化合物として分子内に少なくとも一つの重合可能な基を含むものを用いることが好ましい。更に、前記重合可能な基の数が、分子内の構成単位の数に対して５％以上であることが好ましい。
　上記正孔輸送層に用いる高分子量の化合物の具体例としては、以下の式で表される化合物が挙げられる。なお、式中、ｖ、ｗ、ｘ及びｙは、組成比を表す。

　本発明の発光素子の電子注入層及び電子輸送層は、陰極から電子を注入する機能、電子を輸送する機能、又は、陽極から注入された正孔を障壁する機能を有するものである。
　電子注入層及び電子輸送層の材料としては、トリアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、フルオレノン誘導体、アントラキノジメタン誘導体、アントロン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド誘導体、フルオレニリデンメタン誘導体、ジスチリルピラジン誘導体、ナフタレン、ペリレン等の芳香環テトラカルボン酸無水物、フタロシアニン誘導体、８−キノリノール誘導体の金属錯体やメタルフタロシアニン、ベンゾオキサゾールやベンゾチアゾールを配位子とする金属錯体に代表される各種金属錯体、有機シラン誘導体が挙げられる。これらの材料は一種のみ用いても二種以上を併用してもよい。前記電子注入層及び前記電子輸送層は、前記材料の一種又は二種以上からなる単層構造であってもよいし、同一組成又は異種組成の複数層からなる多層構造であってもよい。
　本発明の発光素子において、電子注入層、電子輸送層の材料として、絶縁体又は半導体の無機化合物も使用することもできる。電子注入層、電子輸送層が絶縁体や半導体で構成されていれば、電流のリークを有効に防止して、電子注入性を向上させることができる。
　前記絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲニド、アルカリ土類金属カルコゲニド、アルカリ金属のハロゲン化物、又はアルカリ土類金属のハロゲン化物が挙げられる。
　アルカリ土類金属カルコゲニドとしては、ＣａＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＢｅＯ、ＢａＳ、ＣａＳｅが好ましい。
　前記半導体としては、Ｂａ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｙｂ、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｌｉ、Ｎａ、Ｃｄ、Ｍｇ、Ｓｉ、Ｔａ、Ｓｂ及びＺｎからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素を含む酸化物、窒化物及び酸化窒化物が挙げられる。
　これらの材料は一種のみ用いても二種以上を併用してもよい。
　本発明の発光素子において、陰極と接する膜との界面領域に還元性ドーパントが添加されていてもよい。
　還元性ドーパントとしては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物、希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属錯体、アルカリ土類金属錯体及び希土類金属錯体からなる群から選ばれる少なくとも一種の化合物が好ましい。
　本発明の発光素子の発光層は、電圧印加時に陽極又は正孔注入層より正孔を注入することができ、陰極又は電子注入層より電子を注入することができる機能、注入した電荷（電子と正孔）を電界の力で移動させる機能、電子と正孔の再結合の場を提供し、これを発光につなげる機能を有する。
　前記発光層は、前記金属錯体、前記高分子化合物又は前記組成物を含有することが好ましく、前記金属錯体、前記高分子化合物又は前記組成物をゲスト材料とするホスト材料を含有させてもよい。
　前記ホスト材料としては、フルオレン骨格を有する化合物、カルバゾール骨格を有する化合物、ジアリールアミン骨格を有する化合物、ピリジン骨格を有する化合物、ピラジン骨格を有する化合物、トリアジン骨格を有する化合物、アリールシラン骨格を有する化合物が挙げられる。前記ホスト材料のＴ１（最低三重項励起状態のエネルギーレベル）は、ゲスト材料のそれより大きいことが好ましく、その差が０．２ｅＶよりも大きいことが更に好ましい。前記ホスト材料は低分子化合物であっても、高分子化合物であってもよい。前記ホスト材料と、前記金属錯体、前記高分子化合物又は前記組成物とを混合して塗布するか、或いは共蒸着等することによって、前記金属錯体、前記高分子化合物又は前記組成物が、前記ホスト材料にドープされた発光層を形成することができる。
　本発明の発光素子で用いられる各層の形成方法としては、真空蒸着法（抵抗加熱蒸着法、電子ビーム法等）、スパッタリング法、ＬＢ法、分子積層法、塗布法〔ウエット・プロセス〕（キャスティング法、スピンコート法、バーコート方、ブレードコート法、ロールコート法、グラビア印刷、スクリーン印刷、インクジェット法等）等が挙げられる。これらの中では、製造プロセスを簡略化できる点で、塗布法が好ましい。前記塗布法では、本発明の金属錯体又は本発明の高分子化合物を含む塗布液（組成物）を調製し、該塗布液を所望の層（又は電極）上に塗布し、乾燥させることによって、各層を形成することができる。前記塗布液中には、ホスト材料、酸化防止剤、粘度調整剤、バインダーとしての樹脂を含有させてもよい。
　前記樹脂は溶媒に溶解状態としても分散状態としてもよい。前記樹脂としては、ポリビニルカルバゾール、ポリオレフィン等の高分子化合物が挙げられ、その具体例としては、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキシド、ポリブタジエン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）、炭化水素樹脂、ケトン樹脂、フェノキシ樹脂、ポリアミド、エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレタン、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン樹脂が挙げられる。
　本発明の発光素子の各層の厚さは、材料の種類や層構成によって異なるが、数ｎｍ~１μｍが好ましい。
　本発明の発光素子の用途としては、面状光源、照明装置、サイン、バックライト、ディスプレイ装置、プリンターヘッド等が挙げられる。前記ディスプレイ装置としては、公知の駆動技術、駆動回路等を用い、セグンメント型、ドットマトリクス型等の構成を選択することができる。

　以下、本発明をより詳細に説明するために実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。
　高分子化合物のポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、サイズエクスクルージョンクロマトグラフィー（ＳＥＣ）（島津製作所製、商品名：ＬＣ−１０Ａｖｐ）により求めた。なお、該ＳＥＣの測定条件は、以下の［測定条件１］又は［測定条件２］のとおりである。
　［測定条件１］
　測定する高分子化合物は、約０．０５重量％の濃度になるようにテトラヒドロフランに溶解させ、ＳＥＣに５０μＬ注入した。ＳＥＣの移動相としてテトラヒドロフランを用い、０．６ｍＬ／分の流速で流した。カラムとして、ＴＳＫｇｅｌ　ＳｕｐｅｒＨＭ−Ｈ（東ソー製）２本とＴＳＫｇｅｌ　ＳｕｐｅｒＨ２０００（東ソー製）１本とを直列に繋げて用いた。検出器には示差屈折率検出器（島津製作所製、商品名：ＲＩＤ−１０Ａ）を用いた。
　［測定条件２］
　測定する高分子化合物は、約０．０５重量％の濃度でテトラヒドロフランに溶解させ、ＳＥＣに１０μＬ注入した。ＳＥＣの移動相としてテトラヒドロフランを用い、２．０ｍＬ／分の流量で流した。カラムとして、ＰＬｇｅｌ　ＭＩＸＥＤ−Ｂ（ポリマーラボラトリーズ製）を用いた。検出器にはＵＶ−ＶＩＳ検出器（島津製作所製、商品名：ＳＰＤ−１０Ａｖｐ）を用いた。
　ＬＣ−ＭＳの測定は、下記の方法で行った。測定試料を約２ｍｇ／ｍＬの濃度になるようにクロロホルム又はテトラヒドロフランに溶解させて、ＬＣ−ＭＳ（アジレント・テクノロジー製、商品名：１１００ＬＣＭＳＤ）に約１μＬ注入した。ＬＣ−ＭＳの移動相には、特に断りのない限り、アセトニトリルとテトラヒドロフランとを比率を変化させながら用い、０．２ｍＬ／分の流量で流した。カラムは、Ｌ−ｃｏｌｕｍｎ　２　ＯＤＳ（３μｍ）（化学物質評価研究機構製、内径：２．１ｍｍ、長さ：１００ｍｍ、粒径３μｍ）を用いた。
　ＮＭＲの測定は、下記の方法で行った。測定試料５~１０ｍｇを約０．５ｍＬの重クロロホルム又は重テトラヒドロフランに溶解させて、ＮＭＲ（バリアン（Ｖａｒｉａｎ）製、商品名：ＭＥＲＣＵＲＹ　３００、又はブルカー（Ｂｒｕｋｅｒ）製、商品名：ＡＶＡＮＣＥ６００　ＴＣＩ　ｃｒｙｏｐｒｏｂｅ）を用いて測定した。
　ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳの測定は、以下の［測定方法１］又は［測定方法２］で行った。
　［測定方法１］
　α−シアノ−４−ヒドロキシ桂皮酸をメタノールに溶解させて飽和溶液を調製し、これをマトリックス溶液とした。測定する高分子化合物約４ｍｇに２００μＬのクロロホルムを加えて溶解させ、この溶液２０μＬを２００μＬのクロロホルムで希釈し、これを試料溶液とした。マトリックス溶液２０μＬと試料溶液２０μＬを混合し、これをＭＡＬＤＩプレートに塗布して、ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳの測定を行った。測定は、ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳ装置：　Ｖｏｙａｇｅｒ−ＤＥ　ＳＴＲ（Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｂｉｏｓｙｓｔｅｍｓ社製）を用いて、測定モード：　Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ、加速電圧：　２０ｋＶ、レーザー：　Ｎ_２（３３７ｎｍ）で行った。
　［測定方法２］
　１，１，４，４−テトラフェニル−１，３−ブタジエン約４ｍｇに４００μＬのテトラヒドロフランを加えて溶解させて調製し、これをマトリックス溶液とした。測定する高分子化合物約０．１ｍｇに２００μＬのテトラヒドロフランを加えて溶解させて調製し、これを試料溶液とした。マトリックス溶液５０μＬと試料溶液１０μＬを混合し、これをＭＡＬＤＩプレートに塗布して、ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳの測定を行った。測定は、ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳ装置：　ＲＥＦＬＥＸ　ＩＩＩ（Ｂｒｕｋｅｒ社製）を用いて、測定モード：　リフレクトロンモード、加速電圧：　２７．５ｋＶ、レーザー：　Ｎ_２（３３７ｎｍ）で行った。
　＜合成例１＞（高分子化合物Ｐ−１の合成）
　ジムロート冷却器を接続した２００ｍＬセパラブルフラスコに、９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジホウ酸エチレングリコールエステル　３．１８ｇ（６．０ｍｍｏｌ）、９，９−ジオクチル−２，７−ジブロモフルオレン　３．０６ｇ（５．４ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（２，６−ジメチル−４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン　０．４４ｇ（０．６ｍｍｏｌ）、メチルトリオクチルアンモニウムクロライド（商品名：Ａｌｉｑｕａｔ３３６、アルドリッチ社製）　０．８２ｇ、及びトルエン６０ｍＬを加えた。窒素雰囲気下、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド　４．２ｍｇを加え、８５℃に加熱した。得られた溶液に、１７．５重量％炭酸ナトリウム水溶液　１６．３ｍＬを滴下しながら１０５℃に加熱した後、１．５時間攪拌した。次に、フェニルホウ酸　０．７４ｇ、及びビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド　４．２ｍｇとトルエン３０ｍＬを加え、１０５℃で１７時間攪拌した。得られた溶液から、水層を除いた後、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物　３．６５ｇ及びイオン交換水　３６ｍＬを加え、８５℃で２時間攪拌した。有機層を水層と分離した後、有機層をイオン交換水　８０ｍＬ（２回）、３重量％酢酸水溶液　８０ｍＬ（２回）、イオン交換水　８０ｍＬ（２回）の順番で洗浄した。洗浄した有機層をメタノール　９３０ｍＬに滴下したところ、沈殿物が生じたので、該沈殿物をろ過した後、乾燥させ、固体を得た。この固体をトルエン　１９０ｍＬに溶解させて溶液を調製し、あらかじめトルエンを通液したシリカゲル／アルミナカラムに該溶液を通液し、得られた溶液をメタノール　９３０ｍＬに滴下したところ、沈殿物が生じたので、沈殿物をろ過後乾燥させ、下記式で表される繰り返し単位を以下のモル比で有する高分子化合物Ｐ−１（４．１７ｇ）を得た。［測定条件１］で測定した高分子化合物Ｐ−１のポリスチレン換算の数平均分子量Ｍｎは２．７×１０^５であり、ポリスチレン換算の重量平均分子量Ｍｗは７．１×１０^５であった。

　＜実施例１＞（金属錯体ＭＣ−１の合成・評価）

　まず、５−ブロモ−２−フェニルピリジン及び４，６−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−２−クロロ−１，３，５−トリアジンを、特開２００８−１７９６１７号公報に記載の方法に従って合成した。
　窒素気流下、反応容器に５−ブロモ−２−フェニルピリジン（１０３．０ｇ、４４０ｍｍｏｌ）と脱水ジエチルエーテル１３２０ｍＬとを量り取り、−６７℃に冷却した。これに、ｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液（１．５９Ｍ、３１８．２ｍＬ、５０６ｍｍｏｌ）を２０分かけて滴下した。滴下終了後、得られた溶液を−６７℃で１．５時間撹拌し、次いで、ホウ酸トリイソプロピル（９５．２ｇ、５０６ｍｍｏｌ）を加え、−６７℃で４時間攪拌してから徐々に室温まで昇温させ、終夜攪拌した。反応溶液に１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液４４０ｍＬと蒸留水５００ｍＬとを加えて室温で３０分間攪拌した。反応溶液から分液操作で水層を回収し、これに３Ｎ塩酸約４００ｍＬを加えてｐＨ５に調整したところ、アメ状の沈殿が生じた。反応溶液から上澄みをデカンテーションして除き、この沈澱を蒸留水２００ｍＬで２回洗浄した後、メタノール８００ｍＬに溶解させて、メタノール溶液を得た。上澄みは酢酸エチル１０００ｍＬで２回抽出し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた後、このメタノール溶液と合わせて減圧濃縮した。得られた残渣に酢酸エチルを加え、水分を共沸除去することにより、薄灰色粉末として化合物Ｌ−１（８２．９ｇ）を得た。
　反応容器に、４，６−ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−２−クロロ−１，３，５−トリアジン（１３７．１ｇ、３６１ｍｍｏｌ）、化合物Ｌ−１（８２．６ｇ、４１５ｍｍｏｌ）、トルエン（２８９０ｍＬ）、及びテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（８．３４ｇ、７．２２ｍｍｏｌ）を量り取り、窒素気流下、５０℃で撹拌しながら固形分を溶解させた。得られた溶液に２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液（７２２ｍＬ）を加えて、１７時間還流させた。反応溶液から有機層を回収し、５重量％炭酸水素ナトリウム水溶液１０００ｍＬ及び１０重量％食塩水１００ｍＬで洗浄した。洗浄した有機層を硫酸ナトリウムで乾燥させ、約４００ｍＬに濃縮した。得られた濃縮液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン）で精製し、溶媒を留去した。得られた残渣をクロロホルム３５０ｍＬに溶解させ、エタノール（１４００ｍＬ）を加えて結晶化させた。結晶をろ別回収した後、該結晶をエタノール５００ｍＬで洗浄し、乾燥させることにより、化合物Ｌ−２（１６９．２ｇ）を得た。
（化合物Ｌ−２）
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＰＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）ｍ／ｚ：４９９（［Ｍ＋Ｈ］^＋）
　なお、本化合物に対するＬＣ−ＭＳの測定においては、ＬＣ−ＭＳの移動相には、約０．１重量％の酢酸を加えたイオン交換水と、約０．１重量％の酢酸を加えたアセトニトリルとを比率を変化させながら用い、０．２ｍＬ／分の流量で流した。
^１Ｈ　ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）
δ　１．４２（ｓ，１８Ｈ），７．５２（ｍ，３Ｈ），７．６２（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，４Ｈ），７．９５（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ），８．１６（ｄ，Ｊ＝７．３Ｈｚ，２Ｈ），８．６９（ｄ，Ｊ＝６．８Ｈｚ，４Ｈ），９．０４（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ），１０．０２（ｓ，１Ｈ）．

　反応容器に、化合物Ｌ−２（２２．１７ｇ、４４ｍｍｏｌ）、塩化イリジウム三水和物（６．９５ｇ、２０ｍｍｏｌ）、２−エトキシエタノール（９６ｍＬ）、及び水（３２ｍＬ）を量り取り、アルゴン気流下、１４０℃で１５時間加熱した。空冷後、得られた混合物をろ別し、残渣をメタノール（１５０ｍＬ）、水（１００ｍＬ）、メタノール（１５０ｍＬ）の順で洗浄することにより、赤色固体を得た。この赤色固体をクロロホルム（２００ｍＬ）に溶解させ、エタノール（３００ｍＬ）を加えて２時間還流させた。空冷後、析出した固体をろ別回収し、エタノールで洗浄した。この操作を３回繰り返した後、得られた固体を集め、減圧乾燥させることにより、金属錯体ｃｏｍｌｐｅｘ　１（２０．０３ｇ）を得た。
　反応容器に、金属錯体ｃｏｍｐｌｅｘ　１（７５９ｍｇ、０．３０ｍｍｏｌ）、国際公開第２００６／０６２２２６号パンフレットに記載の方法に従って合成した化合物Ｌ−３（３３０ｍｇ、０．６１ｍｍｏｌ）、及びジグライム（９ｍＬ）を量り取り、トリフルオロメタンスルホン酸銀（１５７ｍｇ、０．６１ｍｍｏｌ）を加え、アルゴン気流下１００℃で１０時間撹拌した。空冷後、反応混合物に純水（５０ｍＬ）を加え、生じた沈澱をろ別した。この沈澱にトルエン／ヘキサン（１／２（体積基準））混合溶媒（４０ｍＬ）を加え、ろ過した。ろ液を硫酸ナトリウムで乾燥させた。この溶液をろ過し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／トルエン＝１／１．５（体積基準））で精製し、溶媒を留去した。得られた残渣をメタノール（５０ｍＬ）で洗浄し、減圧乾燥させることにより、金属錯体ＭＣ−１（２５２ｍｇ、０．１５ｍｍｏｌ）を得た。
（金属錯体ＭＣ−１）
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）ｍ／ｚ：１７３３（［Ｍ＋Ｈ］^＋）
・^１Ｈ　ＮＭＲ（６００ＭＨｚ、ＴＨＦ−ｄ８）
δ　１．２２（ｓ，１８Ｈ），１．３５（ｓ，１８Ｈ），１．３８（ｓ，１８Ｈ），６．８１（ｍ，１Ｈ），６．８２（ｍ，１Ｈ），６．８６（ｍ，１Ｈ），６．９０（ｍ，１Ｈ），６．９６（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ），７．４１（ｄ，Ｊ＝７．１Ｈｚ，１Ｈ），７．２２（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ），７．２４（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，１Ｈ），７．４７（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，４Ｈ），７．４８（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．５０（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，４Ｈ），７．６６（ｍ，１Ｈ），７．６６（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，４Ｈ），７．７１（ｍ，２Ｈ），７．７４（ｓ，１Ｈ），７．８４（ｓ，２Ｈ），７．８９（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ），７．９３（ｄ，Ｊ＝７．９Ｈｚ，１Ｈ），８．０３（ｄ，Ｊ＝６．４Ｈｚ，１Ｈ），８．０６（ｍ，１Ｈ），８．２９（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），８．３８（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），８．４１（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），８．４３（ｄ，Ｊ＝８．２Ｈｚ，４Ｈ），８．６７（ｓ，１Ｈ），８．９９（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），９．２１（ｍ，１Ｈ），９．２３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），９．２８（ｓ，１Ｈ），９．４４（ｓ，１Ｈ）．
　・金属錯体ＭＣ−１のＥＬ発光特性
　高分子化合物Ｐ−１（９２．５重量部）と金属錯体ＭＣ−１（７．５重量部）との混合物の１．５重量％キシレン溶液（以下、「組成物Ａ」と言う。）、並びに、下記式：

で表される繰り返し単位からなり、ポリスチレン換算の重量平均分子量が２．７×１０^５であり、ポリスチレン換算の数平均分子量が７．９×１０^４である高分子化合物Ｐ−５の０．５重量％キシレン溶液（以下、「組成物Ｂ」と言う。）を調製した。
　スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（バイエル社、商品名：ＢａｙｔｒｏｎＰ）を用いて、スピンコートにより６５ｎｍの厚みで成膜を行い、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥させた。
　次に、組成物Ｂを用いてスピンコートにより、２０００ｒｐｍの回転速度で成膜し、窒素ガス雰囲気下１８０℃で６０分間乾燥させた。この基板を室温に戻した後、組成物Ａを用いて、スピンコートにより２０５０ｒｐｍの回転速度で成膜した。得られた膜の平均膜厚は約８０ｎｍであった。これを窒素ガス雰囲気下１３０℃で１０分間乾燥させた後、陰極としてバリウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着して、有機ＥＬ素子を作製した。なお、真空度が１×１０^−４Ｐａ以下に到達した後、金属の蒸着を開始した。
　得られた有機ＥＬ素子に電圧を印加することにより、６１５ｎｍにピークを有する赤色のＥＬ発光が得られた。この有機ＥＬ素子は、約１１．７Ｖで１０００ｃｄ／ｍ^２の発光を示し、最大発光効率は７．３８ｃｄ／Ａであった。
　・金属錯体ＭＣ−１のＰＬ発光特性
　高分子化合物Ｐ−１（９２．５重量部）と金属錯体ＭＣ−１（７．５重量部）との混合物の１．０重量％トルエン溶液（以下、「組成物Ｃ」と言う。）を調製した。この組成物Ｃをグローブボックス（ＭＢＲＡＵＮ社、品番：ＵＮＩｌａｂ−２０００）中の、紫外線防止フィルム（商品名：セイデン（登録商標）クリスタル、品番：１−９１１２−０５）を貼り付けた蛍光灯下で保存した。組成物Ｃの調製直後、２日後、９日後に、組成物Ｃをスピンコート法により２０００ｒｐｍの回転速度で石英ガラス上に成膜し、組成物Ｃの膜を得た。
　分光蛍光強度計（日本分光株式会社製、商品名：ＪＡＳＣＯ　ＦＰ−６５００　ｓｐｅｃｔｒｏｆｌｕｏｒｏｍｅｔｅｒ）を用いて、得られた膜のフォトルミネッセンススペクトルを測定したところ、６１０ｎｍにピークを持つ赤色発光が得られた。調製直後の組成物Ｃを用いて作製した膜における発光のピーク強度を１に規格化して、２日後、９日後の組成物Ｃを用いて作製した膜の発光のピーク強度の相対値を算出したところ、それぞれ、０．９６、０．９５であった。
　＜実施例２＞（金属錯体ＭＣ−２の合成・評価）

　反応容器に、金属錯体ｃｏｍｐｌｅｘ　１（７６０ｍｇ、０．３０ｍｍｏｌ）、国際公開第２００２／０４４１８９号パンフレットに記載の方法に従って合成した化合物Ｌ−４（３３０ｍｇ、０．６１ｍｍｏｌ）、及びジグライム（９ｍＬ）を量り取り、トリフルオロメタンスルホン酸銀（１５４ｍｇ、０．６０ｍｍｏｌ）を加え、アルゴン気流下１００℃で２０時間撹拌した。空冷後、反応混合物に純水（５０ｍＬ）を加え、生じた沈澱をろ別した。この沈澱をクロロホルム／ヘキサン（１／３（体積基準））混合溶媒（５０ｍＬ）に溶解させ、硫酸ナトリウムで乾燥させた。得られた溶液をろ過し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／クロロホルム＝１／１．５（体積基準））で精製し、溶媒を留去した。得られた残渣をメタノール（５０ｍＬ）で洗浄し、減圧乾燥させることにより、金属錯体ＭＣ−２（２３４ｍｇ、０．１６ｍｍｏｌ）を得た。
（金属錯体ＭＣ−２）
ＬＣ−ＭＳ（ＡＰＣＩ，ｐｏｓｉｔｉｖｅ）ｍ／ｚ：１４４８（［Ｍ＋Ｈ］^＋）
^１Ｈ　ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）
δ　１．１３（ｓ，９Ｈ），１．２２（ｓ，１８Ｈ），１．３８（ｓ，１８Ｈ），６．８５−７．０４（ｍ，７Ｈ），７．１０（ｓ，１Ｈ），７．４０（ｍ，９Ｈ），７．６０（ｍ，２Ｈ），７．８３（ｍ，４Ｈ），８．０９（ｄ，１Ｈ），８．１８（ｔ，２Ｈ），８．２５（ｄ，４Ｈ），８．３５（ｄ，４Ｈ），８．９０（ｄ，１Ｈ），９．０１（ｄ，１Ｈ），９．０９（ｄ，１Ｈ），９．１５（ｓ，１Ｈ），９．２３（ｓ，１Ｈ）．
　・金属錯体ＭＣ−２のＰＬ発光特性
　高分子化合物Ｐ−１（９２．５重量部）と金属錯体ＭＣ−２（７．５重量部）との混合物の１．０重量％トルエン溶液（以下、「組成物Ｄ」と言う。）を調製した。実施例１の「金属錯体ＭＣ−１のＰＬ発光特性」の項において、組成物Ｃに代えて組成物Ｄを用いた以外は、実施例１と同様にして、膜を作製した。得られた膜のフォトルミネッセンススペクトルを測定したところ、６０７ｎｍにピークを持つ赤色発光が得られた。調製直後の組成物Ｄを用いて作製した膜における発光のピーク強度を１に規格化して、２日後、９日後の組成物Ｄを用いて作製した膜の発光のピーク強度の相対値を算出したところ、それぞれ、０．９３、０．９５であった。
　＜比較例１＞（金属錯体Ｍ−１の合成・評価）
　・金属錯体Ｍ−１のＰＬ発光特性
　高分子化合物Ｐ−１（９２．５重量部）と、国際公開第２００２／４４１８９号パンフレットに記載の方法に従って合成した下記式：

で表される金属錯体Ｍ−１（７．５重量部）との混合物の１．０重量％トルエン溶液（以下、「組成物Ｅ」と言う。）を調製した。実施例１の「金属錯体ＭＣ−１のＰＬ発光特性」の項において、組成物Ｃに代えて組成物Ｅを用いた以外は、実施例１と同様にして、膜を作製した。得られた膜のフォトルミネッセンススペクトルを測定したところ、６１９ｎｍにピークを持つ赤色発光が得られた。調製直後の組成物Ｅを用いて作製した膜における発光のピーク強度を１に規格化して、２日後、９日後の組成物Ｅを用いて作製した膜の発光のピーク強度の相対値をそれぞれ算出したところ、それぞれ、０．９１、０．４７であった。
　＜実施例３＞（金属錯体ＭＣ−１の別合成）
　・金属錯体ＭＣ−３の合成

　反応容器に、金属錯体ｃｏｍｐｌｅｘ　１（７．３４ｇ、３．０ｍｍｏｌ）、アセチルアセトン（１．５２ｇ、１５ｍｍｏｌ）、炭酸ナトリウム（３．１８ｇ、３０ｍｍｏｌ）及び２−エトキシエタノール（７３ｍＬ）を量り取り、アルゴン気流下１００℃で６時間撹拌した。空冷後、反応混合物をろ別し、得られた固体をメタノールで洗浄した。洗浄した固体をクロロホルム／ヘキサン（１／１（体積基準））混合溶媒（３５０ｍＬ）に溶解させ、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／クロロホルム＝１／１（体積基準））で精製し、溶媒を留去した。得られた残渣をクロロホルム／トルエン（１／１（体積基準））混合溶媒（６００ｍＬ）に溶解させ、再度、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（クロロホルム／トルエン＝１／１（体積基準））で精製し、溶液を約５０ｍＬに濃縮した。生じた沈澱をろ別し、得られた固体をメタノールで洗浄し、減圧乾燥させることにより、金属錯体ＭＣ−３を得た。ろ液を約３０ｍＬに濃縮し、生じた沈澱をろ別し、得られた固体をメタノールで洗浄し、減圧乾燥させることにより、金属錯体ＭＣ−３を得た。得られた金属錯体ＭＣ−３の合計量は、２．７３ｇ（２．１ｍｍｏｌ）であった。
（金属錯体ＭＣ−３）
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ、［測定方法２］）　ｍ／ｚ：１２８７　（［Ｍ］）
^１Ｈ　ＮＭＲ（３００ＭＨｚ、ＣＤＣｌ_３）
δ　１．３９（ｓ，３６Ｈ），２．０２（ｓ，６Ｈ），５．３８（ｓ，１Ｈ），６．４５（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，２Ｈ），６．７４（ｍ，２Ｈ），６．８７（ｍ，２Ｈ），７．５７（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，８Ｈ），７．７０（ｄ，Ｊ＝７．７Ｈｚ，２Ｈ），８．０６（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，１Ｈ），８．６８（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，８Ｈ），９．０５（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），９．９３（ｓ，２Ｈ）．
　・金属錯体ＭＣ−１の合成

　アルゴン気流下、反応容器に、金属錯体ＭＣ−３（３８７ｍｇ、０．３０ｍｍｏｌ）、化合物Ｌ−３（１６５ｍｇ、０．３０ｍｍｏｌ）、及びエチレングリコール（１５ｍＬ）を量りとり、１８０℃で２５時間加熱攪拌した。空冷後、得られた反応溶液をろ過し、残渣を水（１０ｍＬ）、メタノール（５０ｍＬ）の順で洗浄した。洗浄した残渣に、トルエン／ヘキサン混合溶媒（３０ｍＬ）を加えて溶解させた。得られた溶液をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン／ヘキサン混合溶媒）で精製し、溶媒を留去した。得られた残渣をメタノールで洗浄し、上記式で表される金属錯体ＭＣ−１（９１ｍｇ、０．０５ｍｍｏｌ）を得た。
　＜実施例４＞（金属錯体ＭＣ−５の合成）
　・金属錯体ＭＣ−４の合成

　アルゴン気流下、反応容器に金属錯体ＭＣ−１（４．２５ｇ、２．５ｍｍｏｌ）とクロロホルム（４００ｍＬ）を量りとり、金属錯体を溶解させた。これにＮ−ブロモスクシンイミド（８７２ｍｇ、４．９ｍｍｏｌ）を加え、室温で２４時間攪拌した。溶媒を留去し、残渣にクロロホルム／ヘキサン混合溶媒（１００ｍＬ）を加えて溶解させた。得られた溶液をシリカゲルクロマトグラフィーで精製した（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン混合溶媒）。溶出した溶液を回収し、溶媒を留去した後に、残渣をメタノールで洗浄することにより、上記式で表される金属錯体（ＭＣ−４、３．７６ｇ、２．０ｍｍｏｌ）を得た。
（金属錯体ＭＣ−４）
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ、［測定方法１］）　ｍ／ｚ：１８９０　（［Ｍ］）
^１Ｈ　ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＴＨＦ−ｄ_８）
δ　１．２７（ｓ，１８Ｈ），１．３６（ｓ，１８Ｈ），１．４１（ｓ，１８Ｈ），６．９５（ｍ，４Ｈ），７．２４（ｍ，２Ｈ），７．４８（ｍ，１２Ｈ），７．６９（ｍ，５Ｈ），７．７４（ｍ，３Ｈ），７．８３（ｓ，２Ｈ），７．９９（ｄ，Ｊ＝６．０Ｈｚ，１Ｈ），８．０９（ｍ，３Ｈ），８．４０（ｍ，９Ｈ），８．５４（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，１Ｈ），８．６８（ｓ，１Ｈ），９．０５（ｍ，１Ｈ），９．２２（ｍ，２Ｈ），９．２８（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，１Ｈ），９．４６（ｓ，１Ｈ）．
・金属錯体ＭＣ−５の合成

　アルゴン気流下、反応容器に、金属錯体ＭＣ−４（２．８４ｇ、１．５ｍｍｏｌ）、化合物Ｌ−５（１．５６ｇ、３．３ｍｍｏｌ）、水酸化テトラエチルアンモニウム　２０重量％水溶液（５．４２ｇ、７．４ｍｍｏｌ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）（６１ｍｇ、０．０５ｍｍｏｌ）、及びテトラヒドロフラン（９０ｍＬ）を量りとり、１４時間還流した。反応溶液にトルエン（６０ｍＬ）と水（１００ｍＬ）を加えて洗浄し、有機層を回収した。この有機層を、飽和食塩水（６０ｍＬ）で洗浄し、硫酸ナトリウムで乾燥させた。得られた溶液をろ過し、約５０ｍＬに濃縮した。得られた濃縮液をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：トルエン）で精製した。溶出した溶液を回収し、溶媒を留去し、得られた残渣に、クロロホルム／ヘキサン混合溶媒（５０ｍＬ）を加えて溶解させた。得られた溶液をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン）で精製し、溶媒を留去した。残渣をトルエンに溶解させ、得られた溶液にアセトニトリルを加え、結晶化することにより精製した。得られた固体を濾別して回収し、上記式で表される金属錯体ＭＣ−５（２．８５ｇ、１．２ｍｍｏｌ）を得た。
　なお、化合物Ｌ−５はＷＯ０２／６２２２６に記載の方法に準じて合成した。
（金属錯体ＭＣ−５）
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ、［測定方法１］）　ｍ／ｚ：２４１３　（［Ｍ］）
^１Ｈ　ＮＭＲ（６００ＭＨｚ，ＴＨＦ−ｄ_８）
δ１．２６（ｓ，１８Ｈ），１．３７（ｓ，１８Ｈ），１．３８（ｓ，１８Ｈ），１．４０（ｓ，１８Ｈ），１．４２（ｓ，１８Ｈ），７．２６（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１Ｈ），７．３１（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１Ｈ），７．３３（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，２Ｈ），７．３５（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１Ｈ），７．３９（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１Ｈ），７．４８（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ），７．４９（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，４Ｈ），７．５０（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，４Ｈ），７．５１（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，４Ｈ），７．５２（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．６８（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ），７．６９（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，４Ｈ），７．７２（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，４Ｈ），７．７４（ｍ，４Ｈ），７．７５（ｓ，１Ｈ），７．７８（ｓ，１Ｈ），７．８８（ｓ，２Ｈ），７．９１（ｓ，２Ｈ），７．９２（ｓ，２Ｈ），８．１０（ｍ，１Ｈ），８．１１（ｄ，Ｊ＝６．２Ｈｚ，１Ｈ），８．３５（ｓ，１Ｈ），８．３９（ｍ，５Ｈ），８．４４（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，４Ｈ），８．５６（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），８．６９（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），８．７３（ｓ，１Ｈ），９．０３（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），９．２６（ｍ，１Ｈ），９．２７（ｄ，Ｊ＝８．８Ｈｚ，１Ｈ），９．３８（ｓ，１Ｈ），９．５１（ｓ，１Ｈ）．
　＜実施例５＞（金属錯体ＭＣ−１のＰＬ発光特性　その２）
　Ａｌｄｒｉｃｈ社のポリスチレン（ｓｔａｎｄａｒｄ　ｆｏｒ　ＧＰＣ，ａｖｅｒａｇｅ　Ｍｗ＝５６５５００）（９２．５重量部）と金属錯体ＭＣ−１（７．５重量部）との混合物の２．０重量％キシレン溶液（以下、「組成物Ｆ」と言う。）を調製した。実施例１の「金属錯体ＭＣ−１のＰＬ発光特性」の項において、組成物Ｃに代えて組成物Ｆを用いた以外は、実施例１と同様にして、膜を作製した。得られた膜のフォトルミネッセンススペクトルを測定したところ、６１０ｎｍにピークを持つ赤色発光が得られた。調製直後の組成物Ｆを用いて作製した膜における発光のピーク強度を１に規格化して、２日後の組成物Ｆを用いて作製した膜の発光のピーク強度の相対値を算出したところ、１．１０であった。
　＜実施例６＞（金属錯体ＭＣ−２のＰＬ発光特性　その２）
　Ａｌｄｒｉｃｈ社のポリスチレン（ｓｔａｎｄａｒｄ　ｆｏｒ　ＧＰＣ，ａｖｅｒａｇｅ　Ｍｗ＝５６５５００）（９２．５重量部）と金属錯体ＭＣ−２（７．５重量部）との混合物の２．０重量％キシレン溶液（以下、「組成物Ｇ」と言う。）を調製した。実施例１の「金属錯体ＭＣ−１のＰＬ発光特性」の項において、組成物Ｃに代えて組成物Ｇを用いた以外は、実施例１と同様にして、膜を作製した。得られた膜のフォトルミネッセンススペクトルを測定したところ、６０９ｎｍにピークを持つ赤色発光が得られた。調製直後の組成物Ｇを用いて作製した膜における発光のピーク強度を１に規格化して、２日後の組成物Ｇを用いて作製した膜の発光のピーク強度の相対値を算出したところ、１．０５であった。
　＜実施例７＞（金属錯体ＭＣ−５のＰＬ発光特性）
　Ａｌｄｒｉｃｈ社のポリスチレン（ｓｔａｎｄａｒｄ　ｆｏｒ　ＧＰＣ，ａｖｅｒａｇｅ　Ｍｗ＝５６５５００）（９２．５重量部）と金属錯体ＭＣ−５（７．５重量部）との混合物の２．０重量％キシレン溶液（以下、「組成物Ｈ」と言う。）を調製した。実施例１の「金属錯体ＭＣ−１のＰＬ発光特性」の項において、組成物Ｃに代えて組成物Ｈを用いた以外は、実施例１と同様にして、膜を作製した。得られた膜のフォトルミネッセンススペクトルを測定したところ、６１０ｎｍにピークを持つ赤色発光が得られた。調製直後の組成物Ｈを用いて作製した膜における発光のピーク強度を１に規格化して、２日後の組成物Ｈを用いて作製した膜の発光のピーク強度の相対値を算出したところ、０．９９であった。
　＜比較例２＞（金属錯体Ｍ−１のＰＬ発光特性　その２）
　Ａｌｄｒｉｃｈ社のポリスチレン（ｓｔａｎｄａｒｄ　ｆｏｒ　ＧＰＣ，ａｖｅｒａｇｅ　Ｍｗ＝５６５５００）（９２．５重量部）と金属錯体Ｍ−１（７．５重量部）との混合物の２．０重量％キシレン溶液（以下、「組成物Ｉ」と言う。）を調製した。実施例１の「金属錯体ＭＣ−１のＰＬ発光特性」の項において、組成物Ｃに代えて組成物Ｉを用いた以外は、実施例１と同様にして、膜を作製した。得られた膜のフォトルミネッセンススペクトルを測定したところ、６２０ｎｍにピークを持つ赤色発光が得られた。調製直後の組成物Ｉを用いて作製した膜における発光のピーク強度を１に規格化して、２日後の組成物Ｉを用いて作製した膜の発光のピーク強度の相対値を算出したところ、０．７６であった。
　＜実施例８＞（金属錯体ＭＣ−７の合成）

　アルゴン気流下、反応容器に、金属錯体ＭＣ−６（２．６１ｇ、１．９ｍｍｏｌ）、化合物Ｌ−２（９９８ｍｇ、２．０ｍｍｏｌ）、及びエチレングリコール（１００ｍＬ）を量りとり、１１時間還流した。空冷後、反応溶液をろ過し、残渣を水（２００ｍＬ）、メタノール（５０ｍＬ）の順で洗浄した。得られた残渣に、クロロホルム／ヘキサン混合溶媒を加えて溶解させた。得られた溶液をシリカゲルクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム／ヘキサン）で精製し、溶媒を留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーを更に３回繰り返し、溶媒を留去した。得られた残渣をメタノールで洗浄し、上記式で表される金属錯体ＭＣ−７（６５ｍｇ、０．０３６ｍｍｏｌ）を得た。
　なお、金属錯体ＭＣ−６は、特開２００８−１７４４９９号公報に記載の方法に準じて合成した。
（金属錯体ＭＣ−７）
ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦＭＳ（ｐｏｓｉｔｉｖｅ、［測定方法２］）　ｍ／ｚ：１７７９　（［Ｍ］）
^１Ｈ　ＮＭＲ（３００ＭＨｚ，ＴＨＦ−ｄ_８）δ　１．３３（ｓ，１８Ｈ），１．３５（ｓ，１８Ｈ），１．３９（ｓ，１８Ｈ），６．７９（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ），６．８８（ｔ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ），７．０１（ｄ，Ｊ＝７．５Ｈｚ，１Ｈ），７．１６−７．３３（ｍ，４Ｈ），７．３９−７．５５（ｍ，１４Ｈ），７．６２−７．７６（ｍ，１６Ｈ），７．８２（ｓ，４Ｈ），７．８６−８．０１（ｍ，３Ｈ），８．３２（ｍ，５Ｈ），８．５８（ｓ，１Ｈ），８．６５（ｓ，１Ｈ），８．９７（ｄ，Ｊ＝８．６Ｈｚ，１Ｈ），９．１１（ｄ，Ｊ＝８．１Ｈｚ，１Ｈ），９．２１（ｍ，１Ｈ），９．２６（ｓ，１Ｈ）．
　＜実施例９＞（高分子化合物ＰＣ−１の合成）
　１００ｍＬ４つ口フラスコに、２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジオクチルフルオレン１．３３ｇ（２．１ｍｍｏｌ）、９，９−ジオクチル−２，７−ジブロモフルオレン　１．０８ｇ（２．０ｍｍｏｌ）、２，４−ビス（４−ブロモフェニル）−６−（４−ｎ−ヘキシルフェニル）−１，３，５−トリアジン　０．１４ｇ（０．２６ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（２，６−ジメチル−４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン　０．１９ｇ（０．２６ｍｍｏｌ）、金属錯体ＭＣ−４　０．２０ｇ（０．１０ｍｍｏｌ）、及び、トルエン　４５ｍＬを加えた。窒素雰囲気下、１００℃に加熱した。ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド　８．２ｍｇを加えた。得られた溶液に、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液　９．１５ｇを滴下した後、１４時間攪拌した。次に、２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）−９，９−ジオクチルフルオレン　０．１８ｇ（０．２８ｍｍｏｌ）、トルエン　１０ｍＬ、及び、イオン交換水　９ｍＬを加えて、１０５℃で３時間攪拌した。次に、そこに、フェニルホウ酸　０．１３ｇ、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド　１．８ｍｇとトルエン７ｍＬ、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液　８ｍＬを加え、１０５℃で４時間攪拌した。
　反応溶液から水層を除いた後、そこに、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物　０．７３ｇ、イオン交換水　１５ｍＬを加え、８０℃で２時間攪拌した。反応溶液の有機層を水層と分離した後、有機層を３．６重量％塩酸　４０ｍＬ（２回）、２．５重量％アンモニア水溶液　４０ｍＬ（２回）、イオン交換水　４０ｍＬ（５回）の順番で洗浄した。
　洗浄した有機層をメタノール　５００ｍＬに滴下したところ沈殿物が生じたので、沈殿物を濾過後乾燥させ固体を得た。この固体をトルエン　６０ｍＬに溶解させ、あらかじめトルエンを通液したシリカゲル／アルミナカラムに溶液を通液した。通液された溶出液をメタノール　７６０ｍＬに滴下したところ沈殿物が生じたので、沈殿物を濾過後乾燥させ、下記式で表される繰り返し単位を以下のモル比で有する高分子化合物（以下、「高分子化合物ＰＣ−１」と言う。）を１．５５ｇ得た。［測定条件２］で測定した高分子化合物ＰＣ−１のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、それぞれＭｎ＝１．１×１０^４、Ｍｗ＝３．４×１０^４であった。

　＜実施例１０＞（有機ＥＬ素子Ｘの作製）
　高分子化合物Ｐ−１（８０重量部）と金属錯体ＭＣ−１（２０重量部）との混合物の１．６重量％キシレン溶液（以下、「組成物Ｊ」と言う。）、並びに、高分子化合物Ｐ−５の０．６重量％キシレン溶液（以下、「組成物Ｋ」と言う。）を調製した。
　スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（エイチ・シー・スタルク社、商品名：ＣＬＥＶＩＯＳ　Ｐ　ＡＩ４０８３）を用いて、スピンコートにより６５ｎｍの厚みで成膜を行い、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥させた。
　次に、組成物Ｋを用いてスピンコートにより、２０００ｒｐｍの回転速度で約２０ｎｍの厚みに成膜し、窒素ガス雰囲気下１８０℃で６０分間乾燥させた。こうして得られた基板を室温に戻した後、組成物Ｊを用いて、スピンコートにより２１８０ｒｐｍの回転速度で約８０ｎｍの厚みに成膜した。これを窒素ガス雰囲気下１３０℃で１０分間乾燥させた後、陰極としてバリウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着して、有機ＥＬ素子Ｘを作製した。なお、真空度が１×１０^−４Ｐａ以下に到達した後、金属の蒸着を開始した。
　有機ＥＬ素子Ｘに電圧を印加することにより、６１５ｎｍにピークを有する赤色のＥＬ発光が得られた。有機ＥＬ素子Ｘは、約９．３Ｖで１０００ｃｄ／ｍ^２の発光を示し、最大発光効率は１１．１ｃｄ／Ａであった。
　＜比較例３＞（有機ＥＬ素子ＣＸの作製）
　高分子化合物Ｐ−１（８０重量部）と金属錯体Ｍ−１（２０重量部）との混合物の１．６重量％キシレン溶液（以下、「組成物Ｌ」と言う。）を調製した。実施例１０において、組成物Ｊに代えて組成物Ｌを用いた以外は、実施例１０と同様にして、有機ＥＬ素子ＣＸを作製した。有機ＥＬ素子ＣＸに電圧を印加することにより、６２０ｎｍにピークを有する赤色のＥＬ発光が得られた。有機ＥＬ素子ＣＸは、約７．７Ｖで１０００ｃｄ／ｍ^２の発光を示し、最大発光効率は５．８ｃｄ／Ａであった。
　＜合成例２＞（高分子化合物Ｐ−３の合成）
　反応容器に、９，９−ビス（３−ヘキシルフェニル）−２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フルオレン　９１．８３ｇ（１２４ｍｍｏｌ）、９，９−ジオクチル−２，７−ジブロモフルオレン　１７．３０ｇ（３１．６ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ’，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミン　５１．６９ｇ（７５．７ｍｍｏｌ）、９，９−ビス（ビシクロ［４．２．０］オクタ−１，３，５−トリエン−３−イル）−２，７−ジブロモフルオレン１０．００ｇ（１８．９ｍｍｏｌ）、及び、トルエン　２１１２ｇを加えた。窒素ガス雰囲気下、溶液を９０℃に加熱し、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド　８８．６ｍｇを加えた。次に、そこに、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液　４３６．７ｇを６０分かけて滴下した。２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液の滴下開始から５時間、９０℃で攪拌した後、フェニルホウ酸　１．５４ｇ及びトルエン６０ｇを追加して、更に１４時間攪拌した。反応溶液から水層を除いた後、そこに、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物　１４０．３ｇ、イオン交換水　１．２０ｋｇ、及び、トルエン　１．８０ｋｇを加え、４０℃で３時間攪拌した。反応溶液の有機層を水層と分離した後、有機層を１０重量％塩酸（２回）、３重量％アンモニア水溶液（２回）、イオン交換水（２回）の順番で洗浄した。洗浄した有機層を、あらかじめトルエンを通液したシリカゲル及びアルミナを充填したカラムに通液し、通過した溶液をメタノールに滴下したところ沈殿物が析出した。沈殿物を濾過して乾燥させ、下記式で表される繰り返し単位を以下のモル比で有する高分子化合物（以下、「高分子化合物Ｐ−３」と言う。）を２０４ｇ得た。［測定条件２］で測定した高分子化合物Ｐ−３のポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝６．４×１０^４、Ｍｗ＝２．１×１０^５であった。

　なお、９，９−ビス（３−ヘキシルフェニル）−２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フルオレンは、国際公開第２０１０／０１３７２３号パンフレットに記載の方法に従って合成した。Ｎ，Ｎ−ビス（４−ブロモフェニル）−Ｎ’，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−１，４−フェニレンジアミンは、特開２００３−２２６７４４号公報に記載の方法に従って合成した。９，９−ビス（ビシクロ［４．２．０］オクタ−１，３，５−トリエン−３−イル）−２，７−ジブロモフルオレンは、特開２００８−１０６２４１号公報に記載の方法に従って合成した。
　＜合成例３＞（高分子化合物Ｐ−４の合成）
　反応容器に、９，９−ビス（３−ヘキシルフェニル）−２，７−ビス（４，４，５，５−テトラメチル−１，３，２−ジオキサボロラン−２−イル）フルオレン　１５．２７ｇ（２０．７ｍｍｏｌ）、２，７−ビス（Ｎ−（４−ブロモフェニル）−Ｎ−（４−メチルフェニル）アミノ）−９，９−ジオクチルフルオレン　１５．９７ｇ（１７．５ｍｍｏｌ）、９，９−ビス（ビシクロ［４．２．０］オクタ−１，３，５−トリエン−３−イル）−２，７−ジブロモフルオレン１．３３ｇ（３．１ｍｍｏｌ）、及び、トルエン　４３６ｇを加えた。窒素ガス雰囲気下、溶液を９０℃に加熱し、ビストリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド　１４．４ｍｇを加えた。次に、そこに、２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液　７１．５０ｇを６０分かけて滴下した。２０重量％テトラエチルアンモニウムヒドロキシド水溶液の滴下開始から７時間、９０℃で攪拌した後、フェニルホウ酸　０．２５ｇ及びトルエン１２ｇを追加して、更に１４時間攪拌した。次に、Ｎ，Ｎ−ジエチルジチオカルバミド酸ナトリウム三水和物　１１．４６ｇ、イオン交換水　１２０ｇ、トルエン　１８３ｇを加え、４０℃で３時間攪拌した。反応溶液から水層を除去した後、そこに、イオン交換水１２０ｇを加え、４０℃で０．５時間攪拌した。反応溶液の有機層を水層と分離した後、有機層を１０重量％塩酸（２回）、３重量％アンモニア水溶液（２回）、イオン交換水（２回）の順番で洗浄した。洗浄した有機層を、あらかじめトルエンを通液したシリカゲル及びアルミナを充填したカラムに通液し、通過した溶液をメタノールに滴下したところ、沈殿物が析出した。沈殿物を濾過して乾燥させ、下記式で表される繰り返し単位を以下のモル比で有する高分子化合物（以下、「高分子化合物Ｐ−４」と言う。）を２１．１４ｇ得た。［測定条件２］で測定した高分子化合物Ｐ−４のポリスチレン換算の数平均分子量及び重量平均分子量は、それぞれＭｎ＝４．５×１０^４、Ｍｗ＝２．０×１０^５であった。

　なお、２，７−ビス（Ｎ−（４−ブロモフェニル）−Ｎ−（４−メチルフェニル）アミノ）−９，９−ジオクチルフルオレンは特表２００７−５１２２４９号公報に記載の方法に従って合成した。
　＜実施例１１＞（有機ＥＬ素子Ｙの作製）
　下記式で表される繰り返し単位を以下のモル比で有する高分子化合物Ｐ−２（９２．５重量部）と金属錯体ＭＣ−１（７．５重量部）との混合物の１．６重量％キシレン溶液（以下、「組成物Ｍ」と言う。）、並びに高分子化合物Ｐ−３の０．６重量％キシレン溶液（以下、「組成物Ｎ」と言う。）を調製した。

　高分子化合物Ｐ−２は、国際公開第２００９／１５７４３０号パンフレットに記載の方法に従って合成した。［測定条件２］で測定した高分子化合物Ｐ−２のポリスチレン換算の数平均分子量（Ｍｎ）及び重量平均分子量（Ｍｗ）は、それぞれＭｎ＝１．４×１０^５、Ｍｗ＝３．７×１０^５であった。
　スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（エイチ・シー・スタルク社、商品名：ＣＬＥＶＩＯＳ　Ｐ　ＡＩ４０８３）を用いて、スピンコートにより６５ｎｍの厚みで成膜を行い、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥させた。
　次に、組成物Ｎを用いてスピンコートにより、１２００ｒｐｍの回転速度で約２０ｎｍの厚みに成膜し、窒素ガス雰囲気下１８０℃で６０分間乾燥させた。この基板を室温に戻した後、組成物Ｍを用いて、スピンコートにより３２８０ｒｐｍの回転速度で約８０ｎｍの厚みに成膜した。これを窒素ガス雰囲気下１３０℃で１０分間乾燥させた後、陰極としてバリウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着して、有機ＥＬ素子Ｙを作製した。なお、真空度が１×１０^−４Ｐａ以下に到達した後、金属の蒸着を開始した。
　有機ＥＬ素子Ｙに電圧を印加することにより、６１５ｎｍにピークを有する赤色のＥＬ発光が得られた。有機ＥＬ素子Ｙは、約５．２Ｖで１０００ｃｄ／ｍ^２の発光を示し、最大発光効率は１５．８ｃｄ／Ａであった。
　＜比較例４＞（有機ＥＬ素子ＣＹの作製）
　高分子化合物Ｐ−２（９２．５重量部）と金属錯体Ｍ−１（７．５重量部）との混合物の１．６重量％キシレン溶液（以下、「組成物Ｏ」と言う。）を調製した。実施例１１において、組成物Ｍに代えて組成物Ｏを用いた以外は、実施例１１と同様にして、有機ＥＬ素子ＣＹを作製した。有機ＥＬ素子ＣＹに電圧を印加することにより、６２０ｎｍにピークを有する赤色のＥＬ発光が得られた。有機ＥＬ素子ＣＹは、約５．２Ｖで１０００ｃｄ／ｍ^２の発光を示し、最大発光効率は１１．６ｃｄ／Ａであった。
　＜実施例１２＞（有機ＥＬ素子Ｚの作製）
　高分子化合物Ｐ−４の０．６重量％キシレン溶液（以下、「組成物Ｐ」と言う。）を調製した。
　スパッタ法により１５０ｎｍの厚みでＩＴＯ膜を付けたガラス基板に、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸の溶液（エイチ・シー・スタルク社、商品名：ＣＬＥＶＩＯＳ　Ｐ　ＡＩ４０８３）を用いて、スピンコートにより６５ｎｍの厚みで成膜を行い、ホットプレート上で２００℃で１０分間乾燥させた。
　次に、組成物Ｐを用いてスピンコートにより、１０５０ｒｐｍの回転速度で約２０ｎｍの厚みに成膜し、窒素ガス雰囲気下１８０℃で６０分間乾燥させた。この基板を室温に戻した後、組成物Ｍを用いて、スピンコートにより３４００ｒｐｍの回転速度で約８０ｎｍの厚みに成膜した。これを窒素ガス雰囲気下１３０℃で１０分間乾燥させた後、陰極としてバリウムを約５ｎｍ、次いでアルミニウムを約８０ｎｍ蒸着して、有機ＥＬ素子Ｚを作製した。なお、真空度が１×１０^−４Ｐａ以下に到達した後、金属の蒸着を開始した。
　有機ＥＬ素子Ｚに電圧を印加することにより、６１５ｎｍにピークを有する赤色のＥＬ発光が得られた。有機ＥＬ素子Ｚは、約５．９Ｖで１０００ｃｄ／ｍ^２の発光を示し、最大発光効率は１５．２ｃｄ／Ａであった。
　＜実施例１３＞（有機ＥＬ素子ＸＸの作製）
　高分子化合物Ｐ−２（９２．５重量部）と金属錯体ＭＣ−５（７．５重量部）との混合物の１．６重量％キシレン溶液（以下、「組成物Ｑ」と言う。）を調製した。実施例１２において、組成物Ｍに代えて組成物Ｑを用いた以外は、実施例１２と同様にして、有機ＥＬ素子ＸＸを作製した。有機ＥＬ素子ＸＸに電圧を印加することにより、６１５ｎｍにピークを有する赤色のＥＬ発光が得られた。有機ＥＬ素子ＸＸは、約６．３Ｖで１０００ｃｄ／ｍ^２の発光を示し、最大発光効率は１７．５ｃｄ／Ａであった。
　＜比較例５＞（有機ＥＬ素子ＣＸＸの作製）
　実施例１２において、組成物Ｍに代えて組成物Ｏを用いた以外は、実施例１２と同様にして、有機ＥＬ素子ＣＸＸを作製した。有機ＥＬ素子ＣＸＸに電圧を印加することにより、６２０ｎｍにピークを有する赤色のＥＬ発光が得られた。有機ＥＬ素子ＣＸＸは、約５．９Ｖで１０００ｃｄ／ｍ^２の発光を示し、最大発光効率は１１．１ｃｄ／Ａであった。
　＜実施例１４＞（有機ＥＬ素子ＹＹの作製）
　高分子化合物ＰＣ−１の２．５重量％キシレン溶液（以下、「組成物Ｒ」と言う。）を調製した。実施例１２において、組成物Ｍに代えて組成物Ｒを用いた以外は、実施例１２と同様にして、有機ＥＬ素子ＹＹを作製した。有機ＥＬ素子ＹＹに電圧を印加することにより、６１５ｎｍにピークを有する赤色のＥＬ発光が得られた。有機ＥＬ素子ＹＹは、約５．９Ｖで１０００ｃｄ／ｍ^２の発光を示し、最大発光効率は１７．５ｃｄ／Ａであった。

　本発明の金属錯体、金属含有高分子化合物及び組成物は、溶液安定性に優れた赤色発光材料（即ち、本発明の金属錯体、金属含有高分子化合物及び組成物のＥＬ発光スペクトルのピーク波長が５７０~７００ｎｍである赤色発光材料）である。この赤色発光材料を用いた有機ＥＬ素子は、発光効率が優れる。

Claims

下記式（１）：

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９及びＲ^２０は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。これらの基は、置換基を有していてもよい。
　Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５は、それぞれ独立に、−Ｃ（Ｒ^＊）＝又は窒素原子を表す。Ｒ^＊は、水素原子又は置換基を表す。
　Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９、Ｒ^２０、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５は、各々、複数存在する場合、同一であっても異なっていてもよい。但し、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５の少なくとも２個は、窒素原子である。
　ｍは、１又は２である。］
で表される金属錯体。
下記式（１ｃ）：

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９、Ｒ^２０、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５は、前記と同じ意味を有する。］
で表される請求項１に記載の金属錯体。
下記式（１ａ）又は下記式（１ｂ）：

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９及びＲ^２０は、前記と同じ意味を有する。
　Ｒ’は、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。これらの基は置換基を有していてもよい。複数存在するＲ’は同一であっても異なっていてもよい。］
で表される請求項２に記載の金属錯体。
請求項１~３のいずれか一項に記載の金属錯体の残基を有する金属含有高分子化合物。
請求項１~３のいずれか一項に記載の金属錯体又は請求項４に記載の金属含有高分子化合物を含む組成物。
請求項１~３のいずれか一項に記載の金属錯体を二種以上含む、又は、請求項４に記載の金属含有高分子化合物を二種以上含む、請求項５に記載の組成物。
請求項１~３のいずれか一項に記載の金属錯体と、
　下記式（２）で表される金属錯体、下記式（３）で表される金属錯体、又はこれらの組み合わせ
　とを有する、請求項５又は６に記載の組成物。

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９、Ｒ^２０、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５は、前記と同じ意味を有する。］
更に金属非含有高分子化合物を含む、請求項５~７のいずれか一項に記載の組成物。
前記金属非含有高分子化合物が、下記式（７−１）で表される２価の基、下記式（７−２）で表される２価の基、下記式（７−３）で表される２価の基、下記式（７−４）で表される２価の基、下記式（７−５）で表される２価の基、及び、下記式（８）で表される２価の基からなる群から選ばれる少なくとも一種を繰り返し単位として有する、請求項８に記載の組成物。

［式中、Ｙ^１は、−Ｃ（Ｒ^４８）（Ｒ^４９）−、−Ｏ−Ｃ（Ｒ^５０）（Ｒ^５１）−、−Ｏ−、−Ｓ−、−Ｂ（Ｒ^５２）−、−Ｓｉ（Ｒ^５３）（Ｒ^５４）−、−Ｐ（Ｒ^５５）−、−Ｐ（Ｒ^５６）（＝Ｏ）−又は−Ｎ（Ｒ^５７）−を表す。
　Ｒ^４８、Ｒ^４９、Ｒ^５０、Ｒ^５１、Ｒ^５２、Ｒ^５３、Ｒ^５４、Ｒ^５５、Ｒ^５６及びＲ^５７は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、シリルオキシ基、置換シリルオキシ基、１価の複素環基又はハロゲン原子を表す。これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｒ^２１、Ｒ^２２、Ｒ^２３、Ｒ^２４、Ｒ^２５、Ｒ^２６、Ｒ^２７、Ｒ^２８、Ｒ^２９、Ｒ^３０、Ｒ^３１、Ｒ^３２、Ｒ^３３、Ｒ^３４、Ｒ^３５、Ｒ^３６、Ｒ^３７、Ｒ^３８、Ｒ^３９、Ｒ^４０、Ｒ^４１、Ｒ^４２、Ｒ^４３、Ｒ^４４、Ｒ^４５、Ｒ^４６及びＲ^４７は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、アミノ基、置換アミノ基、シリル基、置換シリル基、ハロゲン原子、アシル基、アシルオキシ基、イミン残基、アミド基、酸イミド基、１価の複素環基、カルボキシル基、置換カルボキシル基又はシアノ基を表す。これらの基は置換基を有していてもよい。］

［式中、Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３及びＡｒ^４は、それぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表す。Ａｒ^５、Ａｒ^６及びＡｒ^７は、それぞれ独立に、アリール基又は１価の複素環基を表す。Ａｒ^１、Ａｒ^２、Ａｒ^３、Ａｒ^４、Ａｒ^５、Ａｒ^６及びＡｒ^７は、置換基を有していてもよい。ａ及びｂは、それぞれ独立に、０又は１であり、０≦ａ＋ｂ≦１である。］
前記金属非含有高分子化合物が、更に下記式（１０）で表される繰り返し単位を有する、請求項９に記載の組成物。

［式中、Ａｒ^１０は２価の含窒素芳香族複素環基を表す。Ａｒ^１１及びＡｒ^１２はそれぞれ独立に、アリーレン基又は２価の複素環基を表す。］
前記式（１０）で表される繰り返し単位が、下記式（１１）で表される繰り返し単位である、請求項１０に記載の組成物。

［式中、Ａｒ^１１及びＡｒ^１２は、前記と同じ意味を有する。Ａｒ^１３はアリール基又は１価の複素環基を表す。Ａｒ^１１、Ａｒ^１２及びＡｒ^１３は置換基を有していてもよい。
　Ｚ^６、Ｚ^７及びＺ^８は、それぞれ独立に、−Ｃ（Ｒ^ｋ）＝又は窒素原子を表す。Ｒ^ｋは、水素原子又は置換基を表す。但し、Ｚ^６、Ｚ^７及びＺ^８の少なくとも２個は、窒素原子である。］
更に電荷輸送材料、発光材料、又はこれらの組み合わせを含む請求項５~１１のいずれか一項に記載の組成物。
更に溶媒又は分散媒を含む請求項５~１２のいずれか一項に記載の組成物。
請求項１~３のいずれか一項に記載の金属錯体、請求項４に記載の金属含有高分子化合物、又は請求項５~１２のいずれか一項に記載の組成物を含む膜。
請求項１~３のいずれか一項に記載の金属錯体、請求項４に記載の金属含有高分子化合物、又は請求項５~１２のいずれか一項に記載の組成物を含む素子。
前記素子が発光素子である請求項１５に記載の素子。
請求項１６に記載の素子を含む面状光源。
請求項１６に記載の素子を含む照明装置。
下記式（４）：

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５は、それぞれ独立に、−Ｃ（Ｒ^＊）＝又は窒素原子を表す。Ｒ^＊は、水素原子又は置換基を表す。
　複数存在するＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^８、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５は、同一であっても異なっていてもよい。但し、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５の少なくとも２個は、窒素原子である。］
で表される金属錯体と、
　下記式（５）：

［式中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９及びＲ^２０は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。これらの基は置換基を有していてもよい。］
で表される化合物とを反応させることを含む、
　下記式（１ｃ）：

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９、Ｒ^２０、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５は、前記と同じ意味を有する。］
で表される金属錯体の製造方法。
下記式（６）：

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６及びＲ^８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。これらの基は置換基を有していてもよい。
　Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５は、それぞれ独立に、−Ｃ（Ｒ^＊）＝又は窒素原子を表す。Ｒ^＊は、水素原子又は置換基を表す。
　複数存在するＲ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^８、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５は、同一であっても異なっていてもよい。但し、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５の少なくとも２個は、窒素原子である。
　Ｒ^ｅ、Ｒ^ｆ及びＲ^ｇは、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アリール基又は１価の複素環基を表す。］
で表される金属錯体と、
　下記式（５）：

［式中、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９及びＲ^２０は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アルキルチオ基、アリール基、アリールオキシ基、アリールチオ基、アリールアルキル基、アリールアルコキシ基、アリールアルキルチオ基、アシル基、アシルオキシ基、アミド基、酸イミド基、イミン残基、置換アミノ基、置換シリル基、置換シリルオキシ基、置換シリルチオ基、置換シリルアミノ基、１価の複素環基、ヘテロアリールオキシ基、ヘテロアリールチオ基、アリールアルケニル基、アリールアルキニル基、置換カルボキシル基、又はシアノ基を表す。これらの基は置換基を有していてもよい。］
で表される化合物とを反応させることを含む、
　下記式（１ｃ）：

［式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｒ^８、Ｒ^１１、Ｒ^１２、Ｒ^１３、Ｒ^１４、Ｒ^１５、Ｒ^１６、Ｒ^１７、Ｒ^１８、Ｒ^１９、Ｒ^２０、Ｚ^１、Ｚ^２、Ｚ^３、Ｚ^４及びＺ^５は、前記と同じ意味を有する。］
で表される金属錯体の製造方法。