WO2010058937A2 - 칩온필름을 제조하는 방법 - Google Patents

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WO2010058937A2
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cof
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김정식
황춘섭
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Kim Jung Sik
Hwang Choon Seob
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Definitions

  • the present invention relates to a method for manufacturing a chip on film (COF), and more particularly, to a chip on film (Chip On) by die casting a polyimide resin on a film on which a circuit is formed without an etching process.
  • Film, COF ).
  • the circuit pattern used for the printed wiring board is also required to be densified, and a circuit pattern composed of fine line width and wiring pitch has been produced.
  • high density is being progressed as an IC mounting board which drives a liquid crystal display which is a display device of a personal computer, a mobile phone or a PDA, and is called a chip on film (COF) because the IC is mounted on an integrated substrate film.
  • COF chip on film
  • a circuit is realized by etching a copper (Cu) surface bonded to a polyimide resin and etching after developing.
  • the photoresist film is brought into close contact with the copper (Cu) bonded to the polyimide resin, and is exposed to light using scattered light, followed by an etching process using an etching solution after development. , COF) was prepared.
  • the chip on film (COF) manufacturing method has a problem that it is difficult to implement a very fine circuit pattern because the circuit pattern is formed by etching.
  • the present invention has been made to solve the above problems, in the process of producing a chip on film (COF) according to the present invention, by engraving the circuit pattern on the film without the etching process, It is a process of filling a conductive material using a mask on a portion and growing a plating film as necessary, and a purpose thereof is to provide a method for manufacturing a chip on film (COF) that can implement a fine pattern. .
  • the purpose of the present invention is to provide a method of manufacturing a chip on film (Chip On Film, COF) that is very suitable for the micro pattern by implementing the circuit divided into the root portion and the granular portion.
  • COF Chip On Film
  • COF chip on film
  • the present invention has been made to solve the above problems, the step of engraved using a roller mold on a film having excellent release properties and heat resistant; Filling only a depressed portion of the film with a conductive material using a mask; Forming a plating film on a surface of the film filled with the conductive material; Thermally fusion bonding the polyimide resin to the surface of the film; And separating the polyimide resin thermally fused to the film to transfer the conductive material and the plated film portion to the polyimide resin to form a circuit.
  • the portion in which the conductive material is filled in the film may be electroplated or electroplated to form a plating film.
  • the plating film is formed of any one of copper (Cu), nickel (Ni), silver (Ag), gold (Au).
  • the plating film is characterized by growing to a thickness of 7 to 8 ⁇ m.
  • the film is excellent in releasability and heat resistant Teflon (Teflon) resin film, silicone rubber film, polyethylene terephthalate (PET) film, polyethylene (PE) film, polypropylene (Polypropylene, PP) film Characterized in that made of any one of the materials.
  • Teflon Teflon
  • silicone rubber film silicone rubber film
  • PET polyethylene terephthalate
  • PE polyethylene
  • PE polypropylene
  • PP polypropylene
  • the polyimide resin is made of a liquid polyimide resin is applied to the film, characterized in that the bonding and fusion using a plurality of heat rollers. .
  • the circuit may include a root portion (plating film) adhered to the polyimide resin and a granular portion (conductive material) protruding from the root portion.
  • the present invention is eco-friendly because it produces a chip on film (COF) without an etching process, and is produced by a roll to roll method, thereby providing excellent mass production and adhesive strength, and an etching process. It is possible to implement an impossible micro pattern.
  • COF chip on film
  • FIG. 1 is a diagram in which a roller mold according to the present invention is mounted on a roller press of a roll to roll method
  • FIG. 2 is a view showing a process of engraving a pattern designed using a roller mold according to the present invention on a film
  • FIG. 3 is a view showing a process for filling a conductive material in an engraved film according to the present invention
  • FIG. 4 is a view showing a process of forming a plating film on an intaglio-formed film according to the present invention.
  • FIG. 5 is a view showing a process of die casting a polyimide resin on a film having a circuit according to the present invention.
  • FIG. 6 shows a process for transferring a circuit from a film on which a circuit according to the present invention is formed to a polyimide resin.
  • the present invention provides a method of engraving a film, engraving a conductive material on the engraved portion of the film, forming a plated film on the surface thereof, and diecasting a polyimide resin on the entire surface of the plated film.
  • Chip on film (COF) is produced by the process.
  • FIG. 1 is a view in which the roller mold according to the present invention is mounted on a roller press of a roll to roll method
  • FIG. 2 is a process of engraving a pattern designed using a roller mold according to the present invention onto a film. Figure showing.
  • the roller mold 10 in the present invention is a die of a circuit pattern is processed on the surface of the roller, a roller to roll (Roll to Roll) roller press like the auxiliary roller 20 To form.
  • the circuit pattern is engraved on the surface of the film 30 while the film 30 passes between the roller mold 10 and the auxiliary roller 20 of the roll to roll method roller press.
  • the film 30 is excellent in releasability and heat resistant Teflon resin film, silicone rubber film, polyethylene terephthalate (PET) film, polyethylene (PE) film, polypropylene (Polypropylene, PP) It may be made of any one material of the film.
  • FIG. 3 is a view showing a process for filling a conductive material in an engraved film according to the present invention.
  • a mask (34) having a circuit pattern is formed to cover the mask (34) and the circuit pattern of the film (32) is covered with the mask (34) on the forming portion of the engraved film (32). Only the marked portion fills the conductive material 52.
  • silver (Ag Paste) is used as the conductive material.
  • Figure 4 is a view showing a process for forming a plating film on the negatively formed film according to the present invention.
  • the plating film 54 is formed on the portion where the conductive material 52 is applied to the engraved film 32, and the thickness of the plating film 54 is grown to 7 to 8 ⁇ m. .
  • the plating method may be electroplating or electroplating, and the plating metal may be formed on a negatively formed film by using any one of copper (Cu), nickel (Ni), silver (Ag), and gold (Au). have.
  • electroplating is a plating method using electrolysis.
  • an electrode When an electrode is placed in a solution containing metal ions and a current is passed, metal ions are discharged and precipitated at the cathode to form a thin film of metal on the surface of the article placed on the cathode.
  • electroplating is a method of duplicating the same shape as a circle by using electroplating.
  • FIG. 5 is a view showing a process for die casting a polyimide resin on a film having a circuit according to the present invention
  • Figure 6 is a view showing a process for transferring a circuit from a film with a circuit according to the present invention to a polyimide resin.
  • the polyimide resin 62 is thermally fused to the surface of the film 40 on which the circuit is formed, and after cooling, the polyimide resin 62 is separated to form the circuit 40.
  • the chip on film (60) is completed by transferring the circuit 50 made of the conductive material 52 and the metal film 54 to the polyimide resin 62.
  • the process of manufacturing the polyimide resin 62 includes a die casting process, and refers to making the polyimide resin 62 to a desired thickness while passing the liquid polyimide resin 62 through several heat rollers.
  • the polyimide resin 62 may be die cast to the film 40 on which the circuit is formed, thereby manufacturing a chip on film 60 without etching.
  • the roller mold 10 is made and mounted on a roller press of a roll to roll method, and a film 30 having excellent releasability and resisting heat is rolled using the roller mold 10.
  • the circuit pattern is engraved on the surface of the film 30 by the roller press of the method.
  • the plating film 54 is formed on the surface of the film 32 filled with the conductive material 52.
  • the circuit 50 made of the conductive material 52 and the plated film 54 is grown by growing the copper (Cu) plated film 54 to a thickness of 7 to 8 ⁇ m only by electroplating on the portion where the conductive material 52 is filled. ).
  • the polyimide resin 62 is thermally fused to the surface of the film 40 on which the circuit is formed.
  • die casting is performed using a plurality of heat rollers while applying the liquid polyimide resin 62 to the film on which the circuit is formed to a desired thickness.
  • the polyimide resin 62 thermally fused to the film 40 on which the circuit is formed is cooled, and then separated to transfer the circuit 50 portion to the polyimide resin 62 in the film 40 on which the circuit is formed.
  • the circuit 50 transferred to the polyimide resin 62 is a root portion that is a portion of the plating film 54 adhered to the surface of the polyimide resin 62, and a portion of the conductive material 52 protruding from the root portion. It consists of a granular part.
  • Cu The surface of the plating film 54 can be made into projection shape, and the polyimide resin 62 and adhesive area can be increased.
  • the present invention is eco-friendly because it produces a chip on film (COF) without an etching process, and is produced by a roll to roll method, thereby providing excellent mass production and adhesive strength, and an etching process. It is possible to implement an impossible micro pattern.
  • COF chip on film

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Abstract

본 발명은 칩온필름(Chip On Film, COF)을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 이형성이 우수하고 열에 강한 필름에 롤러금형을 사용하여 음각 각인하는 단계와; 상기 필름의 음각된 부위만 마스크(Mask)를 사용하여 도전성 물질을 충진하는 단계와; 상기 도전성 물질이 충진된 상기 필름의 표면 위에 도금막을 형성하는 단계와; 상기 필름의 표면에 폴리이미드 수지를 열 융착시키는 단계와; 상기 필름에 열 융착된 상기 폴리이미드 수지를 분리시켜 상기 도전성 물질 및 상기 도금막 부분을 상기 폴리이미드 수지에 전이하여 회로를 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 본 발명은 엣칭 공정을 하지 않고 칩온필름(Chip On Film, COF)을 생산하기 때문에 친환경적이며, 롤투롤(Roll To Roll) 공법으로 생산됨으로써 양산성과 접착력이 우수하고, 엣칭 공정으로 불가능한 극미세 패턴을 구현할 수 있다.

Description

칩온필름을 제조하는 방법
본 발명은 칩온필름(Chip On Film, COF)을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 엣칭(Etching) 공정을 하지 않고, 회로를 형성한 필름에 폴리이미드 수지를 다이캐스팅하여 칩온필름(Chip On Film, COF) 제조하는 방법에 관한 것이다.
전자 기기의 소형화, 경량화에 따라 최근의 각종 전자 부품은 고도로 집적화되고 있다. 이에 대응하여, 프린트 배선판에 사용되는 회로 패턴도 고밀도화가 요구되어, 미세한 선폭과 배선 피치로 구성되는 회로 패턴이 제작되고 있다. 특히 고밀도화가 진행되고 있는 것은 개인용 컴퓨터, 휴대전화나 PDA의 표시 장치인 액정 디스플레이를 구동하는 IC 실장 기판으로서, IC가 집적 기판 필름상에 탑재되기 때문에 칩온필름(Chip On Film, COF)라고 불린다.
종래의 칩온필름(Chip On Film, COF)을 제조하는 방법에는 폴리이미드 수지에 결합된 구리(Cu)면을 노광, 현상 후 엣칭하여 회로를 구현하였다.
즉, 폴리이미드 수지에 결합된 구리(Cu)에 감광막를 밀착하고, 산란광을 이용하여 노광, 현상 후 엣칭액을 이용한 엣칭 공정을 수행하여, 패턴을 새긴 노광부 만을 남기고 제거하여 칩온필름(Chip On Film, COF)을 제조하였다.
그러나, 종래 기술에 따른 칩온필름(Chip On Film, COF) 제조방법은 엣칭 공정을 하여 회로 패턴을 형성하기 때문에 극미세한 회로 패턴을 구현하기 어려운 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명에 따라 칩온필름(Chip On Film, COF)을 생산하는 공정에서는, 엣칭 공정을 하지 않고 필름에 회로 패턴을 음각 성형하며, 음각된 부위에 마스크(Mask)를 사용하여 도전성 물질을 충진시키고, 필요한 만큼 도금막을 성장시키는 공정으로서, 미세 패턴을 구현할 수 있는 칩온필름(Chip On Film, COF)을 제조하는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 뿌리부와 입상부로 나뉘어 회로를 구현함으로서 극미세 패턴에 아주 적합한 칩온필름(Chip On Film, COF)을 제조하는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 롤투롤(Roll To Roll) 공법으로 생산됨으로써 양산성과 접착력이 우수하고, 엣칭으로 불가능한 극미세 패턴이 구현가능한 칩온필름(Chip On Film, COF)을 제조하는 방법을 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 이형성이 우수하고 열에 강한 필름에 롤러금형을 사용하여 음각 각인하는 단계와; 상기 필름의 음각된 부위만 마스크(Mask)를 사용하여 도전성 물질을 충진하는 단계와; 상기 도전성 물질이 충진된 상기 필름의 표면 위에 도금막을 형성하는 단계와; 상기 필름의 표면에 폴리이미드 수지를 열 융착시키는 단계와; 상기 필름에 열 융착된 상기 폴리이미드 수지를 분리시켜 상기 도전성 물질 및 상기 도금막 부분을 상기 폴리이미드 수지에 전이하여 회로를 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
더욱이, 상기 필름에 상기 도전성 물질이 충진된 부분만 전주도금 또는 전기도금하여 도금막을 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 도금막은 구리(Cu), 니켈(Ni), 은(Ag), 금(Au) 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 도금막을 7∼8㎛의 두께로 성장시키는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 필름의 도전성 물질이 충진된 부위에 구리(Cu) 전주도금시 염소이온을 차단시켜 도금표면에 돌기 형상을 만들어 상기 폴리이미드 수지와 접착면적을 증대할 수 있는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 필름은, 이형성이 우수하고 열에 강한 테프론(Teflon) 수지필름, 실리콘 고무 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate, PET) 필름, 폴리에틸렌(Polyethylene, PE) 필름, 폴리프로필렌(Polypropylene, PP) 필름 중 어느 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 필름의 표면에 폴리이미드 수지를 열 융착시키는 단계에서, 상기 폴리이미드 수지는 액상의 폴리이미드 수지로 이루어져 상기 필름에 도포되고, 복수의 열 롤러를 이용하여 결합 및 융착시키는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 회로는, 상기 폴리이미드 수지에 접착되는 뿌리부(도금막)와, 상기 뿌리부로부터 돌출 형성되는 입상부(도전성 물질)를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 엣칭 공정을 하지 않고 칩온필름(Chip On Film, COF)을 생산하기 때문에 친환경적이며, 롤투롤(Roll To Roll) 공법으로 생산됨으로써 양산성과 접착력이 우수하고, 엣칭 공정으로 불가능한 극미세 패턴을 구현할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 롤러금형을 롤투롤(Roll to Roll)방식의 롤러 프레스에 장착한 도면
도 2는 본 발명에 따른 롤러금형을 사용하여 설계된 패턴을 필름상에 음각 성형시키는 공정을 보여주는 도면
도 3은 본 발명에 따른 음각 성형된 필름에 도전성 물질을 충진하는 공정을 보여주는 도면
도 4는 본 발명에 따른 음각 성형된 필름에 도금막을 형성하는 공정을 보여주는 도면
도 5는 본 발명에 따른 회로가 형성된 필름에 폴리이미드 수지를 다이캐스팅하는 공정을 보여주는 도면
도 6은 본 발명에 따른 회로가 형성된 필름으로부터 폴리이미드 수지에 회로를 전이하는 공정을 보여주는 도면
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명하지만, 본 발명은 그 요지를 이탈하지 않는 한 이하의 실시예에 한정되지 않는다.
본 발명은 필름을 음각 각인하는 공정과, 필름의 음각 각인된 부위에 도전성 물질을 충진시키고 그 표면에 도금막을 형성하는 공정과, 도금막을 형성한 전체 표면에 폴리이미드 수지를 다이캐스팅하는 공정과 분리시키는 공정으로 제조되는 칩온필름(Chip On Film, COF)에 대한 것이다.
도 1은 본 발명에 따른 롤러금형을 롤투롤(Roll to Roll)방식의 롤러 프레스에 장착한 도면이고, 도 2는 본 발명에 따른 롤러금형을 사용하여 설계된 패턴을 필름상에 음각 성형시키는 공정을 보여주는 도면이다.
도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에서 롤러금형(10)은 롤러 표면에 회로 패턴의 금형이 가공되어 있으며, 보조롤러(20)와 같이 롤투롤(Roll to Roll)방식의 롤러 프레스를 형성한다.
즉, 롤투롤(Roll to Roll)방식의 롤러 프레스의 롤러금형(10)과 보조롤러(20) 사이에 필름(30)이 통과하면서 필름(30)의 표면에 회로 패턴이 음각 성형된다.
여기서, 필름(30)은 이형성이 우수하고 열에 강한 테프론(Teflon) 수지필름, 실리콘 고무 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate, PET) 필름, 폴리에틸렌(Polyethylene, PE) 필름, 폴리프로필렌(Polypropylene, PP) 필름 중 어느 하나의 재질로 이루어질 수 있다.
도 3은 본 발명에 따른 음각 성형된 필름에 도전성 물질을 충진하는 공정을 보여주는 도면이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 회로 패턴이 형성된 마스크(Mask,34)를 마련하여, 음각 성형된 필름(32)의 성형 부위에 마스크(Mask,34)를 씌우고 필름(32)의 회로 패턴이 성형된 부위만 도전성 물질(52)을 충진시킨다.
이때, 도전성 물질은 은(Ag Paste)을 사용한다.
도 4는 본 발명에 따른 음각 성형된 필름에 도금막을 형성하는 공정을 보여주는 도면이다.
도 4에 도시된 바와 같이, 음각 성형된 필름(32)의 도전성 물질(52)이 도포된 부분에 도금막(54)을 형성시키며, 도금막(54)의 두께는 7∼8㎛로 성장시킨다.
도금방법은 전주도금 또는 전기도금을 이용하며, 도금 금속은 구리(Cu), 니켈(Ni), 은(Ag), 금(Au) 중 어느 하나를 사용하여 음각 성형된 필름에 도금막을 형성할 수 있다.
여기서, 전기도금은 전기분해를 응용한 도금법으로서, 금속의 이온을 함유한 용액에 전극을 넣고 전류를 통하게 하면 음극에서 금속이온이 방전해서 석출하여 음극에 놓은 물품 표면에 금속의 얇은 막을 만든다.
또한, 전주도금은 전기도금을 이용해서 원형과 똑같은 모양의 것을 복제하는 방법으로서, 원형에는 비금속성의 것과 금속성의 것이 있는데, 비금속성 원형은 표면에 도전성 물질을 도포하며, 원형을 전해조에 넣고 전류를 흘려 전착을 한 후에 원형의 표면에 부착한 금속을 떼어내면 음형이 되는 것이다. 이때 원형의 얇은 막은 박리를 용이하게 하는 작용을 한다. 도금용 금속에는 구리(Cu), 니켈(Ni), 철(Fe) 등이 많이 사용된다.
도 5는 본 발명에 따른 회로가 형성된 필름에 폴리이미드 수지를 다이캐스팅하는 공정을 보여주는 도면이고, 도 6은 본 발명에 따른 회로가 형성된 필름으로부터 폴리이미드 수지에 회로를 전이하는 공정을 보여주는 도면이다.
도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 회로가 형성된 필름(40)의 표면에 폴리이미드 수지(62)를 열 융착시키고, 다시 냉각 후 폴리이미드 수지(62)를 분리하여 회로가 형성된 필름(40)으로부터 도전성 물질(52)과 금속막(54)으로 이루어진 회로(50)를 폴리이미드 수지(62)에 전이시킴으로써 칩온필름(Chip On Film,60)을 완성한다.
여기서, 폴리이미드 수지(62)를 제조하는 공정은 다이캐스팅 공정이 있으며, 액상의 폴리이미드 수지(62)를 여러 개의 열 롤러를 통과시키면서 폴리이미드 수지(62)를 원하는 두께로 만드는 것을 말한다.
이와 같은 방법으로, 회로가 형성된 필름(40)에 폴리이미드 수지(62)를 다이캐스팅하여, 엣칭을 하지 않고 칩온필름(Chip On Film,60)을 제조할 수 있다.
이하, 상기와 같이 롤투롤(Roll to Roll)방식의 롤러 프레스 및 전주도금 공정을 이용하는 본 발명에 따른 칩온필름(Chip On Film, COF)을 제조하는 방법을 도 1 내지 도 6을 참조하여 설명한다.
먼저, 롤러금형(10)을 만들어서 롤투롤(Roll to Roll)방식의 롤러 프레스에 장착시키고, 이형성이 우수하고 열에 강한 필름(30)을 롤러금형(10)을 사용하여 롤투롤(Roll to Roll)방식의 롤러 프레스로 필름(30) 표면에 회로 패턴을 음각 성형시킨다.
다음, 음각 성형된 필름(32)의 음각된 부위만 마스크(Mask,34)를 사용하여 도전성 물질(52)을 충진시키고, 150℃에서 5∼10분간 열처리를 한다.
그리고, 도전성 물질(52)이 충진된 필름(32)의 표면 위에 도금막(54)을 형성시킨다.
즉, 도전성 물질(52)이 충진된 부분에만 전주도금으로 구리(Cu) 도금막(54)을 7∼8㎛ 두께로 성장시켜, 도전성 물질(52)과 도금막(54)으로 이루어진 회로(50)를 형성시킨다.
이어서, 회로가 형성된 필름(40)의 표면에 폴리이미드 수지(62)를 열 융착시킨다.
즉, 회로가 형성된 필름에 액상의 폴리이미드 수지(62)를 원하는 두께만큼 도포하면서 여러 개의 열 롤러를 사용하여 다이캐스팅한다.
다음, 회로가 형성된 필름(40)에 열 융착된 상기 폴리이미드 수지(62)를 냉각시킨 후, 분리하여 회로가 형성된 필름(40)에서 회로(50) 부분을 폴리이미드 수지(62)에 전이시킴으로써 칩온필름(Chip On Film,60)을 완성한다.
폴리이미드 수지(62)에 전이된 회로(50)는 폴리이미드 수지(62)의 표면에 접착된 도금막(54) 부분인 뿌리부와, 이 뿌리부로부터 돌출 형성되는 도전성 물질(52) 부분인 입상부로 이루어진다.
한편, 상술한 전주도금으로 음각 성형된 필름(32)에 도금막(54)을 형성하는 공정에서, 구리(Cu) 도금막(54) 형성시 염소이온을 차단시켜서 (-)극에서 성장되는 구리(Cu) 도금막(54)의 표면을 돌기 형상으로 만들어서 폴리이미드 수지(62)와 접착면적을 증대시킬 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 엣칭 공정을 하지 않고 칩온필름(Chip On Film, COF)을 생산하기 때문에 친환경적이며, 롤투롤(Roll To Roll) 공법으로 생산됨으로써 양산성과 접착력이 우수하고, 엣칭 공정으로 불가능한 극미세 패턴을 구현할 수 있다.
본 발명은, 본 발명에 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환 변형이 가능하므로 전술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것은 아니다.

Claims (8)

  1. 이형성이 우수하고 열에 강한 필름에 롤러금형을 사용하여 음각 각인하는 단계와;
    상기 필름의 음각된 부위만 마스크(Mask)를 사용하여 도전성 물질을 충진하는 단계와;
    상기 도전성 물질이 충진된 상기 필름의 표면 위에 도금막을 형성하는 단계와;
    상기 필름의 표면에 폴리이미드 수지를 열 융착시키는 단계와;
    상기 필름에 열 융착된 상기 폴리이미드 수지를 분리시켜 상기 도전성 물질 및 상기 도금막 부분을 상기 폴리이미드 수지에 전이하여 회로를 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 칩온필름(Chip On Film, COF)을 제조하는 방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 필름에 상기 도전성 물질이 충진된 부분만 전주도금 또는 전기도금하여 도금막을 형성하는 것을 특징으로 하는 칩온필름(Chip On Film, COF)을 제조하는 방법.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 도금막은 구리(Cu), 니켈(Ni), 은(Ag), 금(Au) 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 칩온필름(Chip On Film, COF)을 제조하는 방법.
  4. 제 1항 내지 제 3항에 있어서,
    상기 도금막을 7∼8㎛의 두께로 성장시키는 것을 특징으로 하는 칩온필름(Chip On Film, COF)을 제조하는 방법.
  5. 제 3항에 있어서,
    상기 필름의 도전성 물질이 충진된 부위에 구리(Cu) 전주도금시 염소이온을 차단시켜 도금표면에 돌기 형상을 만들어 상기 폴리이미드 수지와 접착면적을 증대할 수 있는 것을 특징으로 하는 칩온필름(Chip On Film, COF)을 제조하는 방법.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 필름은, 이형성이 우수하고 열에 강한 테프론(Teflon) 수지필름, 실리콘 고무 필름, 폴리에틸렌테레프탈레이트(Polyethylene Terephthalate, PET) 필름, 폴리에틸렌(Polyethylene, PE) 필름, 폴리프로필렌(Polypropylene, PP) 필름 중 어느 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 칩온필름(Chip On Film, COF)을 제조하는 방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 필름의 표면에 폴리이미드 수지를 열 융착시키는 단계에서, 상기 폴리이미드 수지는 액상의 폴리이미드 수지로 이루어져 상기 필름에 도포되고, 복수의 열 롤러를 이용하여 결합 및 융착시키는 것을 특징으로 하는 칩온필름(Chip On Film, COF)을 제조하는 방법.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 회로는, 상기 폴리이미드 수지에 접착되는 뿌리부와, 상기 뿌리부로부터 돌출 형성되는 입상부를 포함하는 것을 특징으로 하는 칩온필름(Chip On Film, COF)을 제조하는 방법.
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