WO2010052969A1 - 弾性波フィルタ装置および、それを備えるモジュール - Google Patents

弾性波フィルタ装置および、それを備えるモジュール Download PDF

Info

Publication number
WO2010052969A1
WO2010052969A1 PCT/JP2009/065933 JP2009065933W WO2010052969A1 WO 2010052969 A1 WO2010052969 A1 WO 2010052969A1 JP 2009065933 W JP2009065933 W JP 2009065933W WO 2010052969 A1 WO2010052969 A1 WO 2010052969A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
ground
wave filter
output
line
elastic wave
Prior art date
Application number
PCT/JP2009/065933
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
三宅高志
Original Assignee
株式会社村田製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社村田製作所 filed Critical 株式会社村田製作所
Priority to CN200980144079.2A priority Critical patent/CN102217193B/zh
Priority to EP09824669.7A priority patent/EP2346166B1/en
Priority to JP2010536722A priority patent/JP5056952B2/ja
Priority to KR1020117009477A priority patent/KR101232242B1/ko
Publication of WO2010052969A1 publication Critical patent/WO2010052969A1/ja
Priority to US13/086,417 priority patent/US8319585B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/6436—Coupled resonator filters having one acoustic track only
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/05—Holders; Supports
    • H03H9/058—Holders; Supports for surface acoustic wave devices
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/02—Details
    • H03H9/125—Driving means, e.g. electrodes, coils
    • H03H9/145—Driving means, e.g. electrodes, coils for networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423—Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433—Coupled resonator filters
    • H03H9/644—Coupled resonator filters having two acoustic tracks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46—Filters
    • H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6489—Compensation of undesirable effects
    • H03H9/6493—Side lobe suppression
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/70—Multiple-port networks for connecting several sources or loads, working on different frequencies or frequency bands, to a common load or source
    • H03H9/72—Networks using surface acoustic waves
    • H03H9/725—Duplexers

Definitions

  • the present invention relates to an elastic wave filter device in which an elastic wave filter and a parallel trap are connected in a ladder form on a piezoelectric substrate, and a module including the elastic wave filter device.
  • an elastic wave filter device using electromechanical vibration such as surface acoustic wave using vibration of the piezoelectric substrate surface, bulk elastic wave using vibration inside the piezoelectric substrate, elastic boundary wave using vibration of the laminated piezoelectric substrate interface, etc. It is used for RF filters for mobile phones.
  • a plurality of one-port acoustic wave resonators are arranged in the acoustic wave propagation direction and vertically coupled to form a multimode filter.
  • resonators there is a ladder-type connection in which trap resonators are inserted in series and in parallel (see, for example, Patent Document 1).
  • FIG. 1 is a circuit diagram illustrating a configuration example of a conventional acoustic wave filter device.
  • This acoustic wave filter device includes a multimode filter 111 including a plurality of resonators 105 and a plurality of resonators 106, series trap resonators 101, 102, 017, and 108, and parallel trap resonators 103, 104, 109, and 110. And comprising.
  • each first IDT electrode is connected to an input line, and each second IDT electrode is connected to a ground line.
  • each first IDT electrode is connected to an output line, and each second IDT electrode is connected to a ground line.
  • the plurality of resonators 105 and 106 are alternately arranged in the elastic wave propagation direction and vertically coupled to constitute a multimode filter 111.
  • the series trap resonators 101 and 102 are inserted in series in the input line, and the series trap resonators 107 and 108 are inserted in series in the output line.
  • the parallel trap resonators 103 and 104 are inserted in parallel between the input line and the ground line, and the parallel trap resonators 109 and 110 are inserted in parallel between the output line and the ground line.
  • Such an elastic wave filter device is usually configured as a chip integrally provided on a piezoelectric substrate.
  • the chip of the acoustic wave filter device is mounted on a module substrate such as a ceramic substrate or a printed board to be modularized.
  • a module substrate such as a ceramic substrate or a printed board to be modularized.
  • the common connection electrode is connected to a single ground connection electrode.
  • the wiring on the module substrate from the external terminal of the module to the elastic wave filter device has a parasitic impedance.
  • the ground connection electrode provided on the surface of the piezoelectric substrate is connected to the external ground terminal of the module through the parasitic impedance, but the attenuation characteristic and isolation characteristic of the elastic wave filter are deteriorated by the action of the parasitic impedance. There is a fear.
  • the present invention has an object to provide an elastic wave filter device capable of suppressing deterioration of the attenuation characteristics and isolation characteristics of the filter that reach the elastic wave filter device due to the parasitic impedance of the connection wiring, and a module including the elastic wave filter device. To do.
  • the present invention is an acoustic wave filter device in which an acoustic wave filter and a parallel trap are provided on a piezoelectric substrate, and includes a first ground connection electrode and a second ground connection electrode.
  • the elastic wave filter is formed by coupling an input side resonator and an output side resonator.
  • the input side resonator is connected between the input line and the ground line.
  • the output-side resonator is connected between the output line and the ground line.
  • the parallel trap is connected between the ground line and the input line or output line.
  • the first ground connection electrode is provided on the surface of the piezoelectric substrate, and the ground line of the input-side resonator and the ground line of the output-side resonator are connected.
  • the second ground connection electrode is provided on the surface of the piezoelectric substrate at a distance from the first ground connection electrode, and is connected to the ground line of the parallel trap.
  • the plurality of resonators of the acoustic wave filter are connected to the first ground connection electrode on the surface of the piezoelectric substrate, and the parallel trap is connected to the second ground connection electrode spaced from the first ground connection electrode. Therefore, the parasitic impedance of the connection wiring with respect to the first ground connection electrode acts in common on the plurality of resonators of the acoustic wave filter. In addition, the parasitic impedance of the connection wiring with respect to the second ground connection electrode acts only on the parallel trap independently of the parasitic impedance acting on the acoustic wave filter.
  • the input side resonator and the output side resonator each include a first IDT electrode connected to the input / output line and a second IDT electrode connected to the ground line.
  • the input-side resonator and the output-side resonator are preferably arranged alternately in the elastic wave propagation direction, and the first IDT electrode and the second IDT electrode are arranged in a direction perpendicular to the elastic wave propagation direction. It is preferable that the first IDT electrode and the second IDT electrode are arranged in reverse order in the input-side resonator and in the output-side resonator.
  • the first IDT electrode of the input side resonator and the second IDT electrode of the output side resonator are arranged on both sides of the elastic wave filter.
  • the circuit configuration tends to be simpler when the second IDT electrode of the input-side resonator and the second IDT electrode of the output-side resonator are connected to different ground connection electrodes.
  • each second IDT electrode is used as a common ground connection electrode. It is preferable to connect to.
  • the module of the present invention includes the above-described elastic wave filter device and a module base on which the elastic wave filter device is mounted.
  • the module base has a first ground connection electrode and a second ground connection electrode on a mounting surface thereof. A ground terminal to be connected may be provided.
  • the parasitic impedance due to the connection wiring to the first ground connection electrode of the acoustic wave filter device acts in common on the plurality of resonators of the acoustic wave filter, and the parasitic impedance acting on the parallel trap is It will work independently. Therefore, it is possible to suppress deterioration of the attenuation characteristics and isolation characteristics of the filter.
  • FIG. 4 is a stack diagram illustrating an example of an electrode pattern of an electrode layer of the module illustrated in FIG. 3. It is a figure explaining the example of the electrode pattern of the circuit formation surface of the elastic wave filter apparatus used for simulation. It is a figure explaining the filter characteristic simulated. It is a circuit diagram of an example of composition of an elastic wave filter device concerning a 2nd embodiment. It is a circuit diagram of the structural example of the elastic wave filter apparatus which concerns on 3rd Embodiment.
  • FIG. 3 is a diagram illustrating a schematic configuration of a module including the acoustic wave filter device according to the first embodiment.
  • FIG. 3A is a cross-sectional view of a main part of the module, and FIG. FIG.
  • the module 100 of the present embodiment has a configuration in which the chip of the acoustic wave filter device 1 is mounted on a module base 20 made of a multilayer substrate having a five-layer structure.
  • the module base 20 includes a mounting terminal, which will be described later, on a mounting surface opposite to the chip mounting surface, and internal wiring for connecting each mounting terminal and each connection port (connection electrode) of the acoustic wave filter device 1 is formed.
  • the acoustic wave filter device 1 is a SAW (surface acoustic wave) filter chip in which a duplexer transmission circuit TX and a reception circuit RX are provided on a circuit formation surface of a piezoelectric substrate 10. This chip is mounted on the module base 20 so that the circuit forming surface faces the module base 20, and each connection port is bump-connected to the electrode of the module base 20.
  • SAW surface acoustic wave
  • the transmission circuit TX is an unbalanced input-unbalanced output type, and the transmission input connection port of the transmission circuit TX is connected to the transmission input terminal Tx which is a mounting terminal of the module base 20 via the internal wiring of the module base 20.
  • a transmission output connection port of the transmission circuit TX is connected to an antenna terminal Ant which is a mounting terminal of the module base 20 via an internal wiring of the module base 20.
  • the antenna terminal Ant is connected to a ground terminal Gnd2, which is a mounting terminal for the module base 20, via a coil provided as an internal wiring of the module base 20.
  • the receiving circuit RX is an unbalanced input-balanced output type (balun type) receiving circuit, and includes elastic wave filters 4 and 5, series resonators 2A and 2B, and parallel resonators 3A and 3B as circuit element units. As connection ports, a reception input port IN, reception output ports OUT1 and OUT2, and ground ports GND1, GND2, and GND3 are provided.
  • the acoustic wave filter 4 is a longitudinally coupled resonance type SAW filter in which five resonators 4A to 4E are alternately arranged in the acoustic wave propagation direction and longitudinally coupled, and is interposed between the reception input port IN and the reception output port OUT1. It is connected.
  • the acoustic wave filter 5 is a longitudinally coupled resonant SAW filter in which five resonators 5A to 5E are alternately arranged in the acoustic wave propagation direction and are longitudinally coupled, and between the reception input port IN and the reception output port OUT2. It is connected. Since the elastic wave filters 4 and 5 output signals having a phase difference, the receiving circuit RX obtains an unbalanced output.
  • Resonators 4A, 4C, 4E, 5A, 5C, and 5E are input side resonators, respectively, a first IDT electrode (not shown) connected to the input line, and a second IDT connected to the ground line. Electrodes (not shown).
  • the resonators 4B, 4D, 5B, and 5D are output-side resonators, respectively, and a first IDT electrode (not shown) connected to the output line and a second IDT electrode (not shown) connected to the ground line. ).
  • the ground lines connected to the resonators 4A to 4E and 5A to 5E are commonly connected to the ground port GND1, which is the first ground connection electrode of the present invention.
  • Output lines connected to the resonators 4B and 4D are connected to a common reception output port OUT1.
  • the output lines connected to the resonators 5B and 5D are connected to a common reception output port OUT2.
  • the series resonator 2A is inserted in series in the input line of the acoustic wave filter 4, and the series resonator 2B is inserted in series in the input line of the acoustic wave filter 5, and each acts as a series trap. These input lines are connected to a common reception input port IN.
  • the parallel resonator 3A is inserted in a parallel line branched from the output line of the elastic wave filter 4 and functions as a parallel trap. This parallel line is connected to the ground port GND2, which is the second ground connection electrode of the present invention.
  • the parallel resonator 3B is inserted into a parallel line branched from the output line of the elastic wave filter 5 and functions as a parallel trap. This parallel line is connected to the ground port GND3 which is the second ground connection electrode of the present invention.
  • the reception input port IN is connected to an antenna terminal Ant that is a mounting terminal of the module base 20 via a reception input wiring line 6 inside the module base 20.
  • the reception output ports OUT1 and OUT2 are connected to reception output terminals Rx1 and Rx2 which are mounting terminals of the module base 20 via reception output lines line4 and line5 inside the module base 20.
  • the ground ports GND1, GND2, and GND3 are connected to the ground wiring line7 inside the module base 20 via the ground wiring line1, line2, and line3 inside the module base 20. Then, it is connected to the ground terminal Gnd1 which is a mounting terminal of the module base body 20 through the ground line line7.
  • all of the ground lines connected to the elastic wave filters 4 and 5 are commonly connected to the ground port GND1 on the piezoelectric substrate 10.
  • a parallel line connected to the parallel resonator 3A is connected to the ground port GND2
  • a parallel line connected to the parallel resonator 3B is connected to the ground port GND3 on the piezoelectric substrate 10.
  • the parasitic impedance of the ground wiring line 1 of the module base 20 acts in common on all the resonators of the acoustic wave filters 4 and 5. Further, the parasitic impedances of the ground lines line 2 and line 3 of the module base 20 are independent of the parasitic impedances acting on the acoustic wave filters 4 and 5. Therefore, it is possible to suppress deterioration of the attenuation characteristics and isolation characteristics of the filter.
  • FIG. 4 is a bottom view showing a circuit formation surface of the acoustic wave filter device 1.
  • FIG. 5 is a stacked view of the electrode layers provided on the module base 20 as viewed from below.
  • circuit patterns to be a reception circuit RX and a transmission circuit TX are provided on the circuit formation surface of the piezoelectric substrate 10.
  • the circuit pattern used as the receiving circuit RX is provided with several IDT electrodes used as the elastic wave filters 4 and 5, the series resonators 2A and 2B, and the parallel resonators 3A and 3B.
  • Each of the acoustic wave filters 4 and 5 includes three input-side resonators and two output-side resonators, and the resonators are alternately arranged in the transverse acoustic wave propagation direction in the figure.
  • Each resonator includes a first IDT electrode connected to the input / output line and a second IDT electrode connected to the ground line, and the first IDT electrode and the second IDT electrode are elastic. They are arranged in the vertical direction in the figure perpendicular to the wave propagation direction.
  • the first IDT electrode is arranged in the center of the substrate and the second IDT electrode is arranged in the order of the second IDT electrode on the upper end side of the substrate (or the lower end side of the substrate).
  • an electrode part to be a reception input port IN an electrode part to be a reception output port OUT1, an electrode part to be a reception output port OUT2, an electrode part to be a ground port GND1, and a ground port GND2
  • the electrode part and the electrode part used as the ground port GND3 are provided.
  • the electrodes corresponding to these connection ports are connected to the electrodes of the module base 20 via bump electrodes.
  • the module substrate 20 includes six electrode layers (A) to (F) extending from the chip mounting surface to the mounting surface.
  • the electrode layer (A) is provided on the chip mounting surface of the module base 20 and includes a plurality of electrodes on which the connection ports of the acoustic wave filter device 1 are mounted. Specifically, the reception input port IN of the reception circuit RX is mounted and the electrode constituting the reception input wiring line6, the reception output port OUT1 is mounted and the electrode configuring the reception output wiring line4, and the reception output port OUT2 are mounted.
  • the electrode layer (B) is formed between the first layer substrate and the second layer substrate of the laminated substrate of the module base 20 and is connected to each electrode of the electrode layer (A) by through holes. Is provided. Specifically, an electrode constituting the reception input line line6, an electrode constituting the reception output line line4, an electrode constituting the reception output line line5, an electrode constituting the ground line line1, and a ground line line2 are constituted. An electrode, an electrode constituting the ground wiring line3, and a plurality of electrodes serving as internal wiring of the transmission circuit TX are provided.
  • the electrode layer (C) is formed between the second layer substrate and the third layer substrate of the laminated substrate of the module base 20 and is connected to each electrode of the electrode layer (B) by through holes. Is provided. Specifically, the electrodes constituting the reception input wiring line6 of the reception circuit RX, the electrodes constituting the reception output wiring line4, the electrodes constituting the reception output wiring line5, and the ground wiring line1, the ground wiring line2, and the ground wiring line3 are connected. And a plurality of electrodes that serve as internal wiring of the transmission circuit TX.
  • the electrode layer (D) is formed between the third layer substrate and the fourth layer substrate of the laminated substrate of the module base 20 and is connected to each electrode of the electrode layer (C) by through holes. Is provided. Specifically, the electrodes constituting the reception input wiring line6, the electrodes constituting the reception output wiring line4, the electrodes constituting the reception output wiring line5, and the internal ground connection electrode of the electrode layer (C) are grounded. An internal ground connection electrode constituting the wiring line 7 and a plurality of electrodes serving as internal wiring of the transmission circuit TX are provided.
  • the electrode layer (E) is formed between the fourth layer substrate and the fifth layer substrate of the laminated substrate of the module base 20 and is connected to each electrode of the electrode layer (D) by a through hole. Is provided. Specifically, the electrodes constituting the reception input wiring line6 of the reception circuit RX, the electrodes constituting the reception output wiring line4, the electrodes constituting the reception output wiring line5, a plurality of electrodes constituting the ground wiring line7, and the transmission circuit A plurality of electrodes serving as TX internal wirings are provided.
  • the electrode layer (F) is formed on the mounting surface of the module base 20 and includes a plurality of mounting terminals. Specifically, the antenna terminal Ant to which the reception input line line6 of the reception circuit RX is connected, the reception output terminal Rx1 to which the reception output line line4 is connected, the reception output terminal Rx2 to which the reception output line line5 is connected, and the ground line line7 Are connected, a transmission input terminal Tx of the transmission circuit TX, and a ground terminal Gnd2.
  • the ground terminal Gnd2 is branched from the reception input line line 6 connected to the antenna terminal Ant by the electrode layer (C), and is connected to the antenna via the coiled internal wiring provided from the electrode layers (C) to (E). The terminal Ant is grounded.
  • the parasitic impedance due to the ground wiring line 1 of B) and through holes from the first layer substrate to the third layer substrate acts.
  • a bump electrode for connection to the module base 20 side, the ground wiring line2 of the electrode layers (A) to (B), and Parasitic impedance due to through holes from the first layer substrate to the third layer substrate acts.
  • a bump electrode for connection to the module base 20 side, a ground wiring line3 of the electrode layers (A) to (B), and a ground port GND3 connected to the parallel resonator 3B of the acoustic wave filter device 1, and Parasitic impedance due to through holes from the first layer substrate to the third layer substrate acts.
  • the ground ports GND1, GND2, and GND3 of the acoustic wave filter device 1 are disposed diagonally opposite to each other without being adjacent to each other. This further improves the isolation characteristics of the filter.
  • FIG. 6A is a diagram illustrating a receiving circuit having a circuit pattern example having a comparative configuration
  • FIG. 6B is a diagram illustrating a receiving circuit having a circuit pattern example having the present configuration.
  • the second IDT electrode (outside the substrate) of the input-side resonator of the acoustic wave filters 4 and 5 is an electrode portion that becomes the ground ports GND2 and GND3 instead of the ground port GND1.
  • the configuration connected to is different from the circuit pattern example of this configuration shown in FIG.
  • FIG. 7 is a diagram comparing the filter characteristics of this configuration with the filter characteristics of the comparative configuration.
  • the amplification degree can be suppressed to about ⁇ 40 dB or less in most regions of the lower band and the upper band of the pass band, and a large attenuation can be secured.
  • the frequency of the pass band and the shape of the characteristic waveform are almost the same as in this configuration, but it is difficult to secure the attenuation amount as a whole, and the lower band and the upper band of the pass band are difficult to secure. In most regions, the amplification degree could be suppressed only to about ⁇ 25 dB or less.
  • the parasitic impedance due to the connection wiring on the module side is changed to the elastic wave filters 4 and 5 via the ground port GND1 of the elastic wave filter device 1.
  • the plurality of resonators are operated in common. Moreover, it is made to act independently of the parasitic impedance acting on the parallel resonators 3A and 3B. Thereby, deterioration of the attenuation characteristic and isolation characteristic of the filter can be suppressed.
  • the acoustic wave filters 4 and 5 are provided, and each ground line is connected to the common ground port GND1, but the ground line is formed by the input side resonator and the output side resonator of each acoustic wave filter.
  • the present invention can be implemented if connected to a common ground port, and each of the acoustic wave filters 4 and 5 may be connected to another ground port.
  • the acoustic wave filters 4 and 5 are shown as examples configured by surface acoustic wave devices. Even a boundary acoustic wave device or a bulk acoustic wave device can be suitably implemented.
  • the configuration of the longitudinally coupled resonance type device is shown as the acoustic wave filters 4 and 5.
  • the present invention is not limited to any other coupled type including an IDT electrode connected to the ground line. Even a coupled device can be suitably implemented.
  • the elastic wave filter device 11 is an unbalanced input-balanced output type longitudinally coupled SAW filter chip, and includes an elastic wave filter 14 and a parallel trap 13 as circuit element units.
  • an unbalanced input port IN, a balanced output port OUT, and ground ports GND1 and GND2 are provided as connection ports.
  • the acoustic wave filter 14 is connected between the unbalanced input port IN and the balanced output port OUT, and includes one input side resonator 14A, two output side resonators 14B, and two reflectors 14C.
  • the input-side resonator 14A one of IDT electrodes is connected to an input line from the unbalanced input port IN, and the other IDT electrode is connected to a ground line from the ground port GND1.
  • the output-side resonator 14B is disposed on both sides of the input-side resonator 14A, one of the IDT electrodes is connected to the output line from the balanced output port OUT, and the other IDT electrode is connected to the ground line from the ground port GND1. It is connected to the.
  • Reflectors 14C are arranged on both sides of the resonators 14A and 14B.
  • the parallel trap 13 is connected between the unbalanced input port IN and the ground port GND2, and includes a resonator 13A and a reflector 13B.
  • a resonator 13A one of the IDT electrodes is connected to the input line from the unbalanced input port IN, and the other IDT electrode is connected to the ground line from the ground port GND2.
  • the elastic wave filter device 21 is an unbalanced input-unbalanced output type longitudinally coupled SAW filter chip, and includes an elastic wave filter 24 and a parallel trap 23 as circuit element units.
  • an unbalanced input port IN, a balanced output port OUT, and ground ports GND1 and GND2 are provided as connection ports.
  • the acoustic wave filter 24 is connected between the unbalanced input port IN and the balanced output port OUT, and includes two input-side resonators 24B, one output-side resonator 24A, and two reflectors 24C.
  • the input-side resonator 24A is arranged on both sides of the output-side resonator 24B, one of the IDT electrodes is connected to the input line from the unbalanced input port IN, and the other IDT electrode is connected to the ground from the ground port GND1. Connected to the line.
  • the output-side resonator 24B one of the IDT electrodes is connected to the output line from the balanced output port OUT, and the other IDT electrode is connected to the ground line from the ground port GND1.
  • Reflectors 24C are arranged on both sides of the resonators 24A and 24B.
  • the parallel trap 23 is connected between the unbalanced input port IN and the ground port GND2, and includes a resonator 23A and a reflector 23B.
  • a resonator 23A one of IDT electrodes is connected to the input line from the unbalanced input port IN, and the other IDT electrode is connected to the ground line from the ground port GND2.
  • all the ground lines connected to the acoustic wave filter 24 are connected to a single ground port GND1 separately from the parallel trap 23. Therefore, the parasitic impedance acting on the ground port GND1 acts in common on all the resonators of the acoustic wave filter 24.
  • the parasitic impedance acting on the ground port GND2 is independent from the parasitic impedance acting on the elastic wave filter 24. Therefore, it is possible to suppress deterioration of the attenuation characteristics and isolation characteristics of the filter.

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

　弾性波フィルタ（４，５）と並列共振子（３Ａ，３Ｂ）とを圧電基板（１０）に設けた弾性波フィルタ装置（１）は、グランドポート（ＧＮＤ１，ＧＮＤ２，ＧＮＤ３）を備える。弾性波フィルタ（４，５）は入力側共振子（４Ａ，４Ｃ，４Ｅ，５Ａ，５Ｃ，５Ｅ）と出力側共振子（４Ｂ，４Ｄ，５Ｂ，５Ｄ）とを備える。入力側共振子（４Ａ，４Ｃ，４Ｅ，５Ａ，５Ｃ，５Ｅ）は、受信入力ポート（ＩＮ）－グランドポート（ＧＮＤ１）間に接続される。出力側共振子（４Ｂ，４Ｄ，５Ｂ，５Ｄ）は、受信出力ポート（ＯＵＴ１，ＯＵＴ２）－グランドポート（ＧＮＤ１）間に接続される。並列共振子（３Ａ，３Ｂ）は、出力ラインに並列に接続されるとともに、グランドポート（ＧＮＤ２，３）に接続される。

Description

弾性波フィルタ装置および、それを備えるモジュール
　この発明は、圧電基板上で弾性波フィルタと並列トラップとをラダー型に接続した弾性波フィルタ装置、および、弾性波フィルタ装置を備えるモジュールに関するものである。
　圧電基板表面の振動を利用する弾性表面波や、圧電基板内部の振動を利用するバルク弾性波、積層圧電基板界面の振動を利用する弾性境界波などの電気機械振動を利用した弾性波フィルタ装置が、携帯電話機のＲＦフィルタなどに利用されている。
　弾性波フィルタ装置の一例として、複数の１ポート弾性波共振子（以下、単に共振子と称する。）を弾性波伝搬方向に配列して縦結合させて多重モードフィルタとするとともに、その多重モードフィルタに対して直列および並列にトラップ共振子を挿入し、ラダー型接続としたものがある（例えば、特許文献１参照。）。
　図１は、従来の弾性波フィルタ装置の構成例を説明する回路図である。
　この弾性波フィルタ装置は、複数の共振子１０５および複数の共振子１０６からなる多重モードフィルタ１１１と、直列トラップ共振子１０１，１０２，０１７，１０８と、並列トラップ共振子１０３，１０４，１０９，１１０と、を備える。
　複数の共振子１０５は、それぞれの第１のＩＤＴ電極が入力ラインに接続され、それぞれの第２のＩＤＴ電極がグランドラインに接続されている。複数の共振子１０６は、それぞれの第１のＩＤＴ電極が出力ラインに接続され、それぞれの第２のＩＤＴ電極がグランドラインに接続されている。複数の共振子１０５，１０６は、交互に弾性波伝搬方向に配列されて縦結合し、多重モードフィルタ１１１を構成する。
　直列トラップ共振子１０１，１０２は入力ラインに直列に挿入され、直列トラップ共振子１０７，１０８は出力ラインに直列に挿入されている。並列トラップ共振子１０３，１０４は入力ラインとグランドラインとの間に並列に挿入され、並列トラップ共振子１０９，１１０は出力ラインとグランドラインとの間に並列に挿入されている。
　このような弾性波フィルタ装置は、圧電基板に一体に設けられたチップとして通常は構成される。そして、この弾性波フィルタ装置のチップはセラミック基板やプリント基板などのモジュール基体に搭載されモジュール化される。その際、図１中の複数のグランド記号の示すグランド接続電極を、それぞれ別個に圧電基板表面に設けることはチップサイズの制約から難しいため、図２に示す模式図のように、グランドラインを束ね、単一のグランド接続電極に共通に接続されることになる。
特開平７－１３１２９０号公報
　ところで、弾性波フィルタ装置をモジュール構成にした場合には、モジュールの外部端子から弾性波フィルタ装置までのモジュール基体上の配線が、寄生インピーダンスを持つことになる。
　そのため、圧電基板表面に設けられるグランド接続電極は、寄生インピーダンスを介してモジュールの外部グランド端子に接続されることになるが、寄生インピーダンスの作用により弾性波フィルタの減衰特性やアイソレーション特性が劣化する虞がある。
　そこで、本発明は、接続配線の寄生インピーダンスの作用により弾性波フィルタ装置に及ぶ、フィルタの減衰特性やアイソレーション特性の劣化を抑制できる弾性波フィルタ装置、および、それを備えるモジュールの提供を目的とする。
　この発明は、弾性波フィルタと並列トラップとを圧電基板に設けた弾性波フィルタ装置であって、第１のグランド接続電極と第２のグランド接続電極とを備える。弾性波フィルタは入力側共振子と出力側共振子とを結合させたものである。入力側共振子は、入力ラインとグランドラインとの間に接続される。出力側共振子は、出力ラインとグランドラインとの間に接続される。並列トラップは、グランドラインと入力ラインまたは出力ラインとの間に接続される。第１のグランド接続電極は圧電基板表面に設けられ、入力側共振子のグランドラインと出力側共振子のグランドラインとが接続される。第２のグランド接続電極は第１のグランド接続電極から離間して圧電基板表面に設けられ、並列トラップのグランドラインが接続される。
　この構成では、弾性波フィルタの複数の共振子が圧電基板表面の第１のグランド接続電極に接続され、並列トラップが第１のグランド接続電極から離間する第２のグランド接続電極に接続される。したがって、第１のグランド接続電極に対する接続配線の寄生インピーダンスは、弾性波フィルタの複数の共振子に対して共通に作用することになる。また、第２のグランド接続電極に対する接続配線の寄生インピーダンスは、弾性波フィルタに作用する寄生インピーダンスとは独立して、並列トラップのみに対して作用することになる。
　入力側共振子と出力側共振子とは、入出力ラインに接続される第１のＩＤＴ電極と、グランドラインに接続される第２のＩＤＴ電極とをそれぞれ備えると好適である。その場合、入力側共振子と出力側共振子とは弾性波伝搬方向に交互に配列されるとよく、第１のＩＤＴ電極と第２のＩＤＴ電極とは、弾性波伝搬方向に垂直な方向に配列されるとよく、第１のＩＤＴ電極と第２のＩＤＴ電極とは、入力側共振子での配置順と出力側共振子での配置順とが逆であるとよい。
　このような構成では、入力側共振子の第１のＩＤＴ電極と出力側共振子の第２のＩＤＴ電極とが、弾性波フィルタの両側に配置される。このため、入力側共振子の第２のＩＤＴ電極と出力側共振子の第２のＩＤＴ電極とを異なるグランド接続電極に接続するほうが、回路構成が簡易になり易い。しかしながらその場合、モジュール化すると寄生インピーダンスの影響でフィルタの減衰特性やアイソレーション特性の劣化が生じてしまうので、本構成の場合であっても、それぞれの第２のＩＤＴ電極を共通のグランド接続電極に接続すると好適である。
　本発明のモジュールは、上述の弾性波フィルタ装置と、弾性波フィルタ装置を搭載するモジュール基体とを備え、モジュール基体はその実装面に、第１のグランド接続電極と第２のグランド接続電極とが接続されるグランド端子を備えてもよい。
　この発明によれば、弾性波フィルタ装置の第１のグランド接続電極への接続配線による寄生インピーダンスは、弾性波フィルタの複数の共振子に共通して作用し、並列トラップに作用する寄生インピーダンスとは独立に作用することになる。したがって、フィルタの減衰特性やアイソレーション特性の劣化を抑制できる。
従来の弾性波フィルタ装置の回路例を説明する図である。 従来の弾性波フィルタ装置の回路例を説明する図である。 本発明の第１の実施形態に係る弾性波フィルタ装置を備えるモジュールの構成例を説明する要部断面図と回路図である。 図３に示す弾性波フィルタ装置の回路形成面の電極パターン例を説明する下面図である。 図３に示すモジュールの電極層の電極パターン例を説明する積み図である。 シミュレーションに用いた弾性波フィルタ装置の回路形成面の電極パターン例を説明する図である。 シミュレーションしたフィルタ特性を説明する図である。 第２の実施形態に係る弾性波フィルタ装置の構成例の回路図である。 第３の実施形態に係る弾性波フィルタ装置の構成例の回路図である。
《第１の実施形態》
　図３は、第１の実施形態に係る弾性波フィルタ装置を備えるモジュールの概略構成を説明する図であり、同図（Ａ）は同モジュールの要部断面図、同図（Ｂ）は同モジュールの回路図である。
　本実施形態のモジュール１００は、５層構造の積層基板からなるモジュール基体２０に弾性波フィルタ装置１のチップを搭載した構成である。モジュール基体２０は、チップ搭載面とは逆側の実装面に後述する実装用端子を備え、各実装用端子と弾性波フィルタ装置１の各接続ポート（接続電極）とを接続する内部配線が形成されている。弾性波フィルタ装置１は、デュプレクサの送信回路ＴＸと受信回路ＲＸとを圧電基板１０の回路形成面に設けたＳＡＷ（表面弾性波）フィルタのチップである。このチップは、回路形成面がモジュール基体２０に対向するようにモジュール基体２０に搭載され、各接続ポートがモジュール基体２０の電極にバンプ接続される。
　送信回路ＴＸは不平衡入力－不平衡出力型であり、送信回路ＴＸの送信入力の接続ポートは、モジュール基体２０の内部配線を介してモジュール基体２０の実装用端子である送信入力端子Ｔｘに接続されている。送信回路ＴＸの送信出力の接続ポートは、モジュール基体２０の内部配線を介してモジュール基体２０の実装用端子であるアンテナ端子Ａｎｔに接続されている。なお、このアンテナ端子Ａｎｔは、モジュール基体２０の内部配線として設けたコイルを介してモジュール基体２０の実装用端子であるグランド端子Ｇｎｄ２に接続されている。
　受信回路ＲＸは不平衡入力－平衡出力型（バラン型）受信回路であり、回路素子部として弾性波フィルタ４，５と直列共振子２Ａ，２Ｂと並列共振子３Ａ，３Ｂとを備える。また、接続ポートとして、受信入力ポートＩＮと受信出力ポートＯＵＴ１，ＯＵＴ２とグランドポートＧＮＤ１，ＧＮＤ２，ＧＮＤ３とを備える。
　弾性波フィルタ４は、５つの共振子４Ａ～４Ｅを交互に弾性波伝搬方向に配列して縦結合させた縦結合共振型ＳＡＷフィルタであり、受信入力ポートＩＮと受信出力ポートＯＵＴ１との間に接続されている。弾性波フィルタ５は、５つの共振子５Ａ～５Ｅを弾性波伝搬方向に交互に配列して縦結合させた縦結合共振型ＳＡＷフィルタであり、受信入力ポートＩＮと受信出力ポートＯＵＴ２との間に接続されている。弾性波フィルタ４，５が位相差のある信号を出力することで、受信回路ＲＸは不平衡出力を得ている。
　共振子４Ａ，４Ｃ，４Ｅ，５Ａ，５Ｃ，５Ｅは、それぞれ入力側共振子であり、入力ラインに接続される第１のＩＤＴ電極（不図示）と、グランドラインに接続される第２のＩＤＴ電極（不図示）とを備える。共振子４Ｂ，４Ｄ，５Ｂ，５Ｄは、それぞれ出力側共振子であり、出力ラインに接続される第１のＩＤＴ電極（不図示）と、グランドラインに接続される第２のＩＤＴ電極（不図示）とを備える。共振子４Ａ～４Ｅ，５Ａ～５Ｅそれぞれに接続されるグランドラインは、本発明の第１のグランド接続電極であるグランドポートＧＮＤ１に共通に接続されている。共振子４Ｂ，４Ｄに接続される出力ラインは、共通する受信出力ポートＯＵＴ１に接続されている。共振子５Ｂ，５Ｄに接続される出力ラインは、共通する受信出力ポートＯＵＴ２に接続されている。
　直列共振子２Ａは弾性波フィルタ４の入力ラインに直列に挿入され、直列共振子２Ｂは弾性波フィルタ５の入力ラインに直列に挿入され、それぞれ直列トラップとして作用している。これらの入力ラインは、共通する受信入力ポートＩＮに接続されている。
　並列共振子３Ａは弾性波フィルタ４の出力ラインから分岐する並列ラインに挿入され、並列トラップとして作用している。この並列ラインは、本発明の第２のグランド接続電極であるグランドポートＧＮＤ２に接続されている。並列共振子３Ｂは弾性波フィルタ５の出力ラインから分岐する並列ラインに挿入され、並列トラップとして作用している。この並列ラインは、本発明の第２のグランド接続電極であるグランドポートＧＮＤ３に接続されている。
　受信入力ポートＩＮは、モジュール基体２０の内部の受信入力配線ｌｉｎｅ６を介して、モジュール基体２０の実装用端子であるアンテナ端子Ａｎｔに接続されている。受信出力ポートＯＵＴ１，ＯＵＴ２は、モジュール基体２０の内部の受信出力配線ｌｉｎｅ４，ｌｉｎｅ５を介して、モジュール基体２０の実装用端子である受信出力端子Ｒｘ１，Ｒｘ２に接続されている。グランドポートＧＮＤ１，ＧＮＤ２，ＧＮＤ３は、モジュール基体２０の内部のグランド配線ｌｉｎｅ１，ｌｉｎｅ２，ｌｉｎｅ３を介して、モジュール基体２０の内部のグランド配線ｌｉｎｅ７に接続される。そして、このグランド配線ｌｉｎｅ７を介してモジュール基体２０の実装用端子であるグランド端子Ｇｎｄ１に接続されている。
　以上の構成の、弾性波フィルタ装置１では、弾性波フィルタ４，５に接続されるグランドラインの全てが、グランドポートＧＮＤ１に圧電基板１０上で共通に接続される。また、並列共振子３Ａに接続される並列ラインがグランドポートＧＮＤ２に、並列共振子３Ｂに接続される並列ラインがグランドポートＧＮＤ３に、圧電基板１０上で接続される。
　したがって、モジュール基体２０のグランド配線ｌｉｎｅ１の寄生インピーダンスは、弾性波フィルタ４，５の全ての共振子に共通して作用することになる。また、モジュール基体２０のグランド配線ｌｉｎｅ２，ｌｉｎｅ３の寄生インピーダンスは、弾性波フィルタ４，５に作用する寄生インピーダンスとは独立したものになる。したがって、フィルタの減衰特性やアイソレーション特性の劣化を抑制できる。
　次に、上述の弾性波フィルタ装置１およびモジュール１００の具体的な回路パターン例を説明する。
　図４は、弾性波フィルタ装置１の回路形成面を示す下面図である。図５は、モジュール基体２０に設ける電極層を下面視した積み図である。
　弾性波フィルタ装置１は、圧電基板１０の回路形成面に、受信回路ＲＸと送信回路ＴＸとなる回路パターンを設けたものである。そして、受信回路ＲＸとなる回路パターンに、弾性波フィルタ４，５、直列共振子２Ａ，２Ｂ、および並列共振子３Ａ，３Ｂとなる複数のＩＤＴ電極を設けている。
　なお、弾性波フィルタ４，５それぞれは３つの入力側共振子と２つの出力側共振子を備え、各共振子は図中横方向の弾性波伝搬方向に交互に配列される。また、各共振子は、入出力ラインに接続される第１のＩＤＴ電極と、グランドラインに接続される第２のＩＤＴ電極とを備え、第１のＩＤＴ電極と第２のＩＤＴ電極とは弾性波伝搬方向に垂直な図中縦方向に配列される。入力側共振子は、基板中央側に第１のＩＤＴ電極を、基板上端側（または基板下端側）に第２のＩＤＴ電極の順に配置していて、出力側共振子では配置順が逆である。
　また、この回路パターン中に、受信入力ポートＩＮとなる電極部、受信出力ポートＯＵＴ１となる電極部、受信出力ポートＯＵＴ２となる電極部、グランドポートＧＮＤ１となる電極部、および、グランドポートＧＮＤ２となる電極部、グランドポートＧＮＤ３となる電極部、を備える。これらの各接続ポートに対応する電極は、バンプ電極を介してモジュール基体２０の電極に接続される。
　モジュール基体２０は、チップ搭載面から実装面に掛けて、６つの電極層（Ａ）～（Ｆ）を備える。
　電極層（Ａ）は、モジュール基体２０のチップ搭載面に設けられていて、弾性波フィルタ装置１の各接続ポートが搭載される複数の電極を備える。具体的には、受信回路ＲＸの受信入力ポートＩＮが搭載されて受信入力配線ｌｉｎｅ６を構成する電極、受信出力ポートＯＵＴ１が搭載されて受信出力配線ｌｉｎｅ４を構成する電極、受信出力ポートＯＵＴ２が搭載されて受信出力配線ｌｉｎｅ５を構成する電極、グランドポートＧＮＤ１が搭載されてグランド配線ｌｉｎｅ１を構成する電極、グランドポートＧＮＤ２が搭載されてグランド配線ｌｉｎｅ２を構成する電極、グランドポートＧＮＤ３が搭載されてグランド配線ｌｉｎｅ３を構成する電極、および、送信回路ＴＸの各接続ポートが接続される複数の電極を備える。
　電極層（Ｂ）は、モジュール基体２０の積層基板の１層目基板と２層目基板との間に形成されていて、電極層（Ａ）の各電極にスルーホールで接続される複数の電極を備える。具体的には、受信回路ＲＸの受信入力配線ｌｉｎｅ６を構成する電極、受信出力配線ｌｉｎｅ４を構成する電極、受信出力配線ｌｉｎｅ５を構成する電極、グランド配線ｌｉｎｅ１を構成する電極、グランド配線ｌｉｎｅ２を構成する電極、グランド配線ｌｉｎｅ３を構成する電極、および、送信回路ＴＸの内部配線となる複数の電極を備える。
　電極層（Ｃ）は、モジュール基体２０の積層基板の２層目基板と３層目基板との間に形成されていて、電極層（Ｂ）の各電極にスルーホールで接続される複数の電極を備える。具体的には、受信回路ＲＸの受信入力配線ｌｉｎｅ６を構成する電極、受信出力配線ｌｉｎｅ４を構成する電極、受信出力配線ｌｉｎｅ５を構成する電極、グランド配線ｌｉｎｅ１とグランド配線ｌｉｎｅ２とグランド配線ｌｉｎｅ３とを接続した内部グランド接続電極、および、送信回路ＴＸの内部配線となる複数の電極を備える。
　電極層（Ｄ）は、モジュール基体２０の積層基板の３層目基板と４層目基板との間に形成されていて、電極層（Ｃ）の各電極にスルーホールで接続される複数の電極を備える。具体的には、受信回路ＲＸの受信入力配線ｌｉｎｅ６を構成する電極、受信出力配線ｌｉｎｅ４を構成する電極、受信出力配線ｌｉｎｅ５を構成する電極、電極層（Ｃ）の内部グランド接続電極に接続されグランド配線ｌｉｎｅ７を構成する内部グランド接続電極、および、送信回路ＴＸの内部配線となる複数の電極を備える。
　電極層（Ｅ）は、モジュール基体２０の積層基板の４層目基板と５層目基板との間に形成されていて、電極層（Ｄ）の各電極にスルーホールで接続される複数の電極を備える。具体的には、受信回路ＲＸの受信入力配線ｌｉｎｅ６を構成する電極、受信出力配線ｌｉｎｅ４を構成する電極、受信出力配線ｌｉｎｅ５を構成する電極、グランド配線ｌｉｎｅ７を構成する複数の電極、および、送信回路ＴＸの内部配線となる複数の電極を備える。
　電極層（Ｆ）は、モジュール基体２０の実装面に形成されていて、複数の実装用端子を備える。具体的には、受信回路ＲＸの受信入力配線ｌｉｎｅ６が接続されるアンテナ端子Ａｎｔ、受信出力配線ｌｉｎｅ４が接続される受信出力端子Ｒｘ１、受信出力配線ｌｉｎｅ５が接続される受信出力端子Ｒｘ２、グランド配線ｌｉｎｅ７が接続されるグランド端子Ｇｎｄ１、および、送信回路ＴＸの送信入力端子Ｔｘ、および、グランド端子Ｇｎｄ２を備える。なお、グランド端子Ｇｎｄ２は、アンテナ端子Ａｎｔに接続される受信入力配線ｌｉｎｅ６から電極層（Ｃ）で分岐し、電極層（Ｃ）～（Ｅ）にかけて設けられたコイル状の内部配線を介してアンテナ端子Ａｎｔを接地する。
　以上の回路パターン例の場合、弾性波フィルタ装置１の弾性波フィルタ４，５に接続されるグランドポートＧＮＤ１に対して、モジュール基体２０側との接続用のバンプ電極、電極層（Ａ）～（Ｂ）のグランド配線ｌｉｎｅ１、および、１層目基板から３層目基板までのスルーホールによる寄生インピーダンスが作用する。また、弾性波フィルタ装置１の並列共振子３Ａに接続されるグランドポートＧＮＤ２に対して、モジュール基体２０側との接続用のバンプ電極、電極層（Ａ）～（Ｂ）のグランド配線ｌｉｎｅ２、および１層目基板から３層目基板までのスルーホールによる寄生インピーダンスが作用する。また、弾性波フィルタ装置１の並列共振子３Ｂに接続されるグランドポートＧＮＤ３に対して、モジュール基体２０側との接続用のバンプ電極、電極層（Ａ）～（Ｂ）のグランド配線ｌｉｎｅ３、および１層目基板から３層目基板までのスルーホールによる寄生インピーダンスが作用する。
　この回路パターン例では、電極層（Ｃ），（Ｄ）にグランド配線ｌｉｎｅ１，ｌｉｎｅ２，ｌｉｎｅ３を接続する内部グランド接続電極を設け、これらの内部グランド接続電極と電極層（Ｆ）のグランド端子Ｇｎｄ１との間を、複数のグランド配線ｌｉｎｅ７で接続している。これにより、電極層（Ｃ）～（Ｆ）までのグランド配線ｌｉｎｅ７および４層目基板から５層目基板までのスルーホールによる寄生インピーダンスが、殆ど、弾性波フィルタ装置１のグランドポートＧＮＤ１，ＧＮＤ２，ＧＮＤ３に作用せず、フィルタの減衰特性やアイソレーション特性の劣化を抑制できる。
　また、この回路パターン例では、弾性波フィルタ装置１のグランドポートＧＮＤ１，ＧＮＤ２，ＧＮＤ３は、互いに隣接させずに斜向かいに配置している。これにより、フィルタのアイソレーション特性をさらに改善している。
　次に、シミュレーションによる、上述の回路パターンと比較構成の回路パターンとのフィルタ特性を比較する。
　図６（Ａ）は、比較構成の回路パターン例の受信回路を示す図であり、図６（Ｂ）は本構成の回路パターン例の受信回路を示す図である。
　図６（Ａ）に示す比較構成の回路パターンでは、弾性波フィルタ４，５の入力側共振子の第２のＩＤＴ電極（基板外側）をグランドポートＧＮＤ１ではなくグランドポートＧＮＤ２，ＧＮＤ３となる電極部に接続する構成が、図６（Ｂ）に示す本構成の回路パターン例と相違する。
　図７は、本構成のフィルタ特性と比較構成のフィルタ特性とを比較する図である。
　この図で示すように本構成では、通過帯域の下側帯域と上側帯域との殆どの領域で約－４０ｄＢ以下に増幅度を抑制でき、大きな減衰量を確保できている。一方、比較構成では、通過帯域の周波数や特性波形の形状は本構成と略同一であるが、全体的に減衰量を確保するのが困難であり、通過帯域の下側帯域と上側帯域との殆どの領域で約－２５ｄＢ以下にしか増幅度を抑制できなかった。
　以上、説明したように本実施形態の弾性波フィルタ装置１を備えるモジュール１００では、モジュール側の接続配線による寄生インピーダンスを、弾性波フィルタ装置１のグランドポートＧＮＤ１を介して、弾性波フィルタ４，５の複数の共振子に共通して作用させる。また、並列共振子３Ａ，３Ｂに作用する寄生インピーダンスとは独立に作用させる。これにより、フィルタの減衰特性やアイソレーション特性の劣化を抑制できる。
　なお、本実施形態では弾性波フィルタ４，５を備え、それぞれのグランドラインを共通のグランドポートＧＮＤ１に接続したが、個々の弾性波フィルタの入力側共振子と出力側共振子とでグランドラインを共通のグランドポートに接続すれば、本発明は実施でき、弾性波フィルタ４，５それぞれを別のグランドポートに接続するように構成しても良い。
　また、ここでは、弾性波フィルタ４，５、直列共振子２Ａ，２Ｂ、および、並列共振子３Ａ，３Ｂとして、それぞれを表面弾性波デバイスで構成する例を示したが、本発明は他にも境界弾性波デバイスや、バルク弾性波デバイスであっても好適に実施できる。
　また、ここでは、弾性波フィルタ４，５として、縦結合共振型デバイスの構成を示したが、本発明は他にも、グランドラインに接続されるＩＤＴ電極を備える結合型であれば、どのような結合型のデバイスであっても好適に実施できる。
　次に、本発明の第２の実施形態の弾性波フィルタ装置を説明する。
　弾性波フィルタ装置１１は、不平衡入力－平衡出力型の縦結合型ＳＡＷフィルタのチップであり、回路素子部として弾性波フィルタ１４と並列トラップ１３とを備える。また、接続ポートとして不平衡入力ポートＩＮと平衡出力ポートＯＵＴとグランドポートＧＮＤ１，ＧＮＤ２とを備える。
　弾性波フィルタ１４は不平衡入力ポートＩＮと平衡出力ポートＯＵＴとの間に接続されていて、１つの入力側共振子１４Ａと２つの出力側共振子１４Ｂと２つの反射器１４Ｃとを備える。入力側共振子１４ＡはＩＤＴ電極の一方が不平衡入力ポートＩＮからの入力ラインに接続されていて、ＩＤＴ電極の他方がグランドポートＧＮＤ１からのグランドラインに接続されている。出力側共振子１４Ｂは入力側共振子１４Ａの両側に配置されていて、ＩＤＴ電極の一方が平衡出力ポートＯＵＴからの出力ラインに接続されていて、ＩＤＴ電極の他方がグランドポートＧＮＤ１からのグランドラインに接続されている。共振器１４Ａ，１４Ｂの両側には反射器１４Ｃを配置している。
　並列トラップ１３は、不平衡入力ポートＩＮとグランドポートＧＮＤ２との間に接続されていて、共振子１３Ａと反射器１３Ｂとを備える。共振子１３ＡはＩＤＴ電極の一方が不平衡入力ポートＩＮからの入力ラインに接続されていて、ＩＤＴ電極の他方がグランドポートＧＮＤ２からのグランドラインに接続されている。
　この構成では、弾性波フィルタ１４に接続する全てのグランドラインが、並列トラップ１３とは別に単一のグランドポートＧＮＤ１に接続される。したがって、グランドポートＧＮＤ１に作用する寄生インピーダンスは、弾性波フィルタ１４の全ての共振子に共通して作用することになる。また、グランドポートＧＮＤ２に作用する寄生インピーダンスは、弾性波フィルタ１４に作用する寄生インピーダンスとは独立したものになる。したがって、フィルタの減衰特性やアイソレーション特性の劣化を抑制できる。
　次に、本発明の第３の実施形態の弾性波フィルタ装置を説明する。
　弾性波フィルタ装置２１は、不平衡入力－不平衡出力型の縦結合型ＳＡＷフィルタのチップであり、回路素子部として弾性波フィルタ２４と並列トラップ２３とを備える。また、接続ポートとして不平衡入力ポートＩＮと平衡出力ポートＯＵＴとグランドポートＧＮＤ１，ＧＮＤ２とを備える。
　弾性波フィルタ２４は不平衡入力ポートＩＮと平衡出力ポートＯＵＴとの間に接続されていて、２つの入力側共振子２４Ｂと１つの出力側共振子２４Ａと２つの反射器２４Ｃとを備える。入力側共振子２４Ａは出力側共振子２４Ｂの両側に配置されていて、ＩＤＴ電極の一方が不平衡入力ポートＩＮからの入力ラインに接続されていて、ＩＤＴ電極の他方がグランドポートＧＮＤ１からのグランドラインに接続されている。出力側共振子２４ＢはＩＤＴ電極の一方が平衡出力ポートＯＵＴからの出力ラインに接続されていて、ＩＤＴ電極の他方がグランドポートＧＮＤ１からのグランドラインに接続されている。共振器２４Ａ，２４Ｂの両側には反射器２４Ｃを配置している。
　並列トラップ２３は、不平衡入力ポートＩＮとグランドポートＧＮＤ２との間に接続されていて、共振子２３Ａと反射器２３Ｂとを備える。共振子２３ＡはＩＤＴ電極の一方が不平衡入力ポートＩＮからの入力ラインに接続されていて、ＩＤＴ電極の他方がグランドポートＧＮＤ２からのグランドラインに接続されている。
　この構成では、弾性波フィルタ２４に接続する全てのグランドラインが、並列トラップ２３とは別に単一のグランドポートＧＮＤ１に接続される。したがって、グランドポートＧＮＤ１に作用する寄生インピーダンスは、弾性波フィルタ２４の全ての共振子に共通して作用することになる。また、グランドポートＧＮＤ２に作用する寄生インピーダンスは、弾性波フィルタ２４に作用する寄生インピーダンスとは独立したものになる。したがって、フィルタの減衰特性やアイソレーション特性の劣化を抑制できる。
　以上の各実施形態に示したように本発明は実施できるが、本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく特許請求の範囲によって示され、本発明の範囲には特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
　１…弾性波フィルタ装置
　ＴＸ…送信回路
　ＲＸ…受信回路
　２Ａ，２Ｂ…直列共振子
　３Ａ…並列共振子
　３Ａ，３Ｂ…並列共振子
　４，５…弾性波フィルタ
　４Ａ，４Ｃ，４Ｅ，５Ａ，５Ｃ，５Ｅ…入力側共振子
　４Ｂ，４Ｄ，５Ｂ，５Ｄ…出力側共振子
　１０…圧電基板
　ＩＮ…受信入力ポート
　ＧＮＤ１，ＧＮＤ２，ＧＮＤ３…グランドポート
　ＯＵＴ１，ＯＵＴ２…受信出力ポート
　１００…モジュール
　２０…モジュール基体
　Ａｎｔ…アンテナ端子
　Ｇｎｄ１，Ｇｎｄ２…グランド端子
　Ｒｘ１，Ｒｘ２…受信出力端子
　Ｔｘ…送信入力端子
　ｌｉｎｅ１，ｌｉｎｅ２，ｌｉｎｅ３，ｌｉｎｅ７…グランド配線
　ｌｉｎｅ２，ｌｉｎｅ３…グランド配線
　ｌｉｎｅ４，ｌｉｎｅ５…受信出力配線
　ｌｉｎｅ６…受信入力配線

Claims (3)

  1. 　入力ラインとグランドラインとの間に接続される入力側共振子と、出力ラインとグランドラインとの間に接続される出力側共振子と、を結合させた弾性波フィルタと、
    　グランドラインと前記入力ラインまたは前記出力ラインとの間に接続される並列トラップと、
    を、圧電基板に設けた弾性波フィルタ装置であって、
    　前記圧電基板表面に設けられ、前記入力側共振子のグランドラインと前記出力側共振子のグランドラインとが接続される第１のグランド接続電極と、
    　前記第１のグランド接続電極から離間して前記圧電基板表面に設けられ、前記並列トラップのグランドラインが接続される第２のグランド接続電極と、
    を備える弾性波フィルタ装置。
  2. 　前記入力側共振子と前記出力側共振子とは、弾性波伝搬方向に交互に配列されていて、前記入力側共振子のグランドラインへの接続位置の向きと前記出力側共振子のグランドラインへの接続位置の向きとが逆である、請求項１に記載の弾性波フィルタ装置。
  3. 　請求項１または２に記載の弾性波フィルタ装置と、
    　前記弾性波フィルタ装置を搭載するモジュール基体と、を備え、
    　前記モジュール基体は、その実装面に、前記第１のグランド接続電極と前記第２のグランド接続電極とが接続されるグランド端子を備える、モジュール。
PCT/JP2009/065933 2008-11-04 2009-09-11 弾性波フィルタ装置および、それを備えるモジュール WO2010052969A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN200980144079.2A CN102217193B (zh) 2008-11-04 2009-09-11 弹性波滤波器装置以及具备其的滤波器模块
EP09824669.7A EP2346166B1 (en) 2008-11-04 2009-09-11 Elastic wave filter device and module comprising the elastic wave filter device
JP2010536722A JP5056952B2 (ja) 2008-11-04 2009-09-11 弾性波フィルタ装置および、それを備えるモジュール
KR1020117009477A KR101232242B1 (ko) 2008-11-04 2009-09-11 탄성파 필터장치 및 그것을 포함하는 모듈
US13/086,417 US8319585B2 (en) 2008-11-04 2011-04-14 Elastic wave filter device and module including the same

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008283104 2008-11-04
JP2008-283104 2008-11-04

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US13/086,417 Continuation US8319585B2 (en) 2008-11-04 2011-04-14 Elastic wave filter device and module including the same

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2010052969A1 true WO2010052969A1 (ja) 2010-05-14

Family

ID=42152779

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2009/065933 WO2010052969A1 (ja) 2008-11-04 2009-09-11 弾性波フィルタ装置および、それを備えるモジュール

Country Status (6)

Country Link
US (1) US8319585B2 (ja)
EP (1) EP2346166B1 (ja)
JP (1) JP5056952B2 (ja)
KR (1) KR101232242B1 (ja)
CN (1) CN102217193B (ja)
WO (1) WO2010052969A1 (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012014643A1 (ja) * 2010-07-27 2012-02-02 株式会社村田製作所 高周波モジュール
WO2012169231A1 (ja) * 2011-06-09 2012-12-13 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置
JP2013118584A (ja) * 2011-12-05 2013-06-13 Taiyo Yuden Co Ltd フィルタ及び分波器
JP2015061233A (ja) * 2013-09-19 2015-03-30 株式会社村田製作所 分波器
WO2018088153A1 (ja) * 2016-11-08 2018-05-17 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置及びマルチプレクサ
JPWO2020184641A1 (ja) * 2019-03-13 2020-09-17

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102763330B (zh) * 2011-01-31 2015-02-25 京瓷株式会社 分波器及通信用模块部件
CN104995836B (zh) * 2013-02-27 2018-01-19 京瓷株式会社 弹性波元件、分波器以及通信模块
WO2016158094A1 (ja) * 2015-04-01 2016-10-06 株式会社村田製作所 デュプレクサ
JP6337867B2 (ja) * 2015-10-26 2018-06-06 株式会社村田製作所 帯域通過型フィルタ及びデュプレクサ
JP6642385B2 (ja) * 2016-11-17 2020-02-05 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ
WO2021131125A1 (ja) * 2019-12-27 2021-07-01 株式会社村田製作所 高周波モジュール及び通信装置

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03293808A (ja) * 1990-04-11 1991-12-25 Fujitsu Ltd 弾性表面波素子の製造方法
JPH07131290A (ja) 1993-10-28 1995-05-19 Japan Radio Co Ltd 複合弾性表面波フィルタおよび複合弾性表面波フィルタを用いた移動体通信機
JPH07212183A (ja) * 1994-01-20 1995-08-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JPH08330880A (ja) * 1995-05-30 1996-12-13 Japan Radio Co Ltd 弾性表面波デバイス製造方法
JPH09321569A (ja) * 1996-05-30 1997-12-12 Japan Radio Co Ltd Ｓａｗフィルタの基板実装方法
JP2000261285A (ja) * 1999-03-09 2000-09-22 Hitachi Media Electoronics Co Ltd 弾性表面波装置
WO2006002720A1 (de) * 2004-06-29 2006-01-12 Epcos Ag Duplexer
WO2007055077A1 (ja) * 2005-11-14 2007-05-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE69323163T2 (de) 1992-12-01 1999-06-02 Japan Radio Co Ltd Akustischer Oberflächenwellenfilter und mobiles Kommunikationssystem mit solchem Filter
JP3189508B2 (ja) * 1993-07-08 2001-07-16 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ
JP3327433B2 (ja) 1993-11-05 2002-09-24 松下電器産業株式会社 弾性表面波フィルタ
US5506552A (en) 1993-11-05 1996-04-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave filter with multiple ground terminals
JPH07264000A (ja) 1994-03-16 1995-10-13 Fujitsu Ltd 弾性表面波フィルタ素子及びそれをパッケージングして成る弾性表面波フィルタ
JPH08265087A (ja) * 1995-03-22 1996-10-11 Mitsubishi Electric Corp 弾性表面波フィルタ
EP0757438B1 (en) * 1995-07-25 2001-08-16 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave device
JP2001267885A (ja) * 2000-03-17 2001-09-28 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波装置
TW483238B (en) * 2000-06-30 2002-04-11 Fujitsu Media Devices Ltd Surface acoustic wave device
JP3414387B2 (ja) * 2001-03-09 2003-06-09 株式会社村田製作所 弾性表面波装置、通信装置
US6798318B1 (en) * 2001-04-27 2004-09-28 Sawtek, Inc. Hybrid leaky surface acoustic wave resonator filter
JP3873802B2 (ja) * 2001-06-12 2007-01-31 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ
JP3685102B2 (ja) * 2001-07-27 2005-08-17 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ、通信装置
US6946929B2 (en) * 2002-02-12 2005-09-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Surface acoustic wave device having connection between elements made via a conductor not on the piezoelectric substrate
JP3838128B2 (ja) * 2002-03-18 2006-10-25 株式会社村田製作所 弾性表面波装置、および、これを搭載した通信装置
ATE362674T1 (de) * 2002-05-16 2007-06-15 Tdk Corp Antennenweiche
JP3764731B2 (ja) * 2002-10-18 2006-04-12 富士通メディアデバイス株式会社 多重モード弾性表面波フィルタ及び分波器
JP4222197B2 (ja) * 2003-02-24 2009-02-12 株式会社村田製作所 弾性表面波フィルタ、通信機
JP3963862B2 (ja) * 2003-05-20 2007-08-22 富士通メディアデバイス株式会社 弾性表面波フィルタ及びそれを有する分波器
JP3918102B2 (ja) * 2004-06-30 2007-05-23 株式会社村田製作所 バランス型弾性波フィルタ及び弾性波フィルタ装置
KR100755184B1 (ko) * 2004-07-23 2007-09-03 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 탄성 표면파 장치
JP2006135447A (ja) * 2004-11-02 2006-05-25 Fujitsu Media Device Kk 分波器
DE102005032058B4 (de) * 2005-07-08 2016-12-29 Epcos Ag HF-Filter mit verbesserter Gegenbandunterdrückung
JP2006101550A (ja) * 2005-12-05 2006-04-13 Fujitsu Media Device Kk 弾性表面波デバイス及びこれを用いた通信装置、並びにアンテナデュプレクサ
EP2501039B1 (en) * 2006-01-18 2015-04-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Surface acoustic wave device and boundary acoustic wave device
DE102006042546A1 (de) * 2006-09-11 2008-03-27 Epcos Ag Mit Oberflächenwellen arbeitendes elektrisches Bauelement
DE102007008110A1 (de) * 2007-02-19 2008-08-21 Epcos Ag Mit akustischen Wellen arbeitendes Filter

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03293808A (ja) * 1990-04-11 1991-12-25 Fujitsu Ltd 弾性表面波素子の製造方法
JPH07131290A (ja) 1993-10-28 1995-05-19 Japan Radio Co Ltd 複合弾性表面波フィルタおよび複合弾性表面波フィルタを用いた移動体通信機
JPH07212183A (ja) * 1994-01-20 1995-08-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JPH08330880A (ja) * 1995-05-30 1996-12-13 Japan Radio Co Ltd 弾性表面波デバイス製造方法
JPH09321569A (ja) * 1996-05-30 1997-12-12 Japan Radio Co Ltd Ｓａｗフィルタの基板実装方法
JP2000261285A (ja) * 1999-03-09 2000-09-22 Hitachi Media Electoronics Co Ltd 弾性表面波装置
WO2006002720A1 (de) * 2004-06-29 2006-01-12 Epcos Ag Duplexer
WO2007055077A1 (ja) * 2005-11-14 2007-05-18 Murata Manufacturing Co., Ltd. 弾性表面波装置の製造方法及び弾性表面波装置

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9071227B2 (en) 2010-07-27 2015-06-30 Murata Manufacturing Co. Ltd. High-frequency module
JP5516738B2 (ja) * 2010-07-27 2014-06-11 株式会社村田製作所 高周波モジュール
WO2012014643A1 (ja) * 2010-07-27 2012-02-02 株式会社村田製作所 高周波モジュール
JPWO2012169231A1 (ja) * 2011-06-09 2015-02-23 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置
US9184728B2 (en) 2011-06-09 2015-11-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Elastic-wave filter device
WO2012169231A1 (ja) * 2011-06-09 2012-12-13 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置
DE112012002389B4 (de) 2011-06-09 2018-12-20 Murata Manufacturing Co., Ltd. Filterbauelement für elastische Wellen
JP2013118584A (ja) * 2011-12-05 2013-06-13 Taiyo Yuden Co Ltd フィルタ及び分波器
JP2015061233A (ja) * 2013-09-19 2015-03-30 株式会社村田製作所 分波器
WO2018088153A1 (ja) * 2016-11-08 2018-05-17 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置及びマルチプレクサ
US10892738B2 (en) 2016-11-08 2021-01-12 Murata Manufacturing Co., Ltd. Acoustic wave filter device and multiplexer
JPWO2020184641A1 (ja) * 2019-03-13 2020-09-17
JP7188556B2 (ja) 2019-03-13 2022-12-13 株式会社村田製作所 弾性波フィルタ装置およびマルチプレクサ
US11855605B2 (en) 2019-03-13 2023-12-26 Murata Manufacturing Co., Ltd. Acoustic wave filter device and multiplexer

Also Published As

Publication number Publication date
EP2346166A4 (en) 2015-04-01
CN102217193B (zh) 2014-11-05
CN102217193A (zh) 2011-10-12
EP2346166A1 (en) 2011-07-20
JP5056952B2 (ja) 2012-10-24
JPWO2010052969A1 (ja) 2012-04-05
US8319585B2 (en) 2012-11-27
US20110193654A1 (en) 2011-08-11
KR101232242B1 (ko) 2013-02-12
KR20110076968A (ko) 2011-07-06
EP2346166B1 (en) 2017-01-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5056952B2 (ja) 弾性波フィルタ装置および、それを備えるモジュール
US9806693B2 (en) Duplexer with a ladder filter portion and a specifically connected capacitor or elastic wave resonator
JP4888555B2 (ja) デュプレクサ及び弾性波装置
US7583161B2 (en) Surface acoustic wave device and boundary acoustic wave device
JP5354028B2 (ja) 弾性表面波フィルタ装置
KR100955548B1 (ko) 듀플렉서 및 이것을 이용한 통신 장치
JP2008504756A (ja) デュプレクサ
WO2015040921A1 (ja) デュプレクサ
WO2016013330A1 (ja) デュプレクサ
JP5700121B2 (ja) 弾性波フィルタ装置
WO2018088153A1 (ja) 弾性波フィルタ装置及びマルチプレクサ
JP5423928B2 (ja) 弾性波装置
KR20180117194A (ko) 복합 필터 장치, 고주파 프론트 엔드 회로 및 통신 장치
JP2007181195A (ja) 弾性表面波素子、弾性表面波装置及びこれを備えた通信装置
US20140118094A1 (en) Acoustic wave filter and module
JP5660223B2 (ja) 分波装置
WO2012176576A1 (ja) フィルタ装置
CN112671369B (zh) 滤波器装置以及具备该滤波器装置的双工器和多工器
JP5612768B2 (ja) バランを備えるデュプレクサ
US7187255B2 (en) Arrangement of lattice filter
CN110476355A (zh) 多工器、高频前端电路以及通信装置
JP6819821B2 (ja) マルチプレクサ
JP2007266812A (ja) 弾性表面波フィルタ、及びそれを用いたアンテナ共用器
JP2006129131A (ja) 平衡型高周波フィルタ、アンテナ共用器、及び平衡型高周波回路

Legal Events

Date Code Title Description
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 200980144079.2

Country of ref document: CN

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 09824669

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2010536722

Country of ref document: JP

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 20117009477

Country of ref document: KR

Kind code of ref document: A

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

REEP Request for entry into the european phase

Ref document number: 2009824669

Country of ref document: EP

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 2009824669

Country of ref document: EP