WO2009119849A1 - 複合配線基板 - Google Patents

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麿明 前谷
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Definitions

  • the present invention relates to a composite wiring board suitable for mounting a semiconductor integrated circuit that operates at high speed.
  • a differential transmission line structure is adopted.
  • a pair of signal conductors are provided side by side on the main surface of a dielectric substrate that also serves as a support and an insulator.
  • a pair of signals whose phases are reversed are transmitted through a pair of signal conductors, thereby reducing the amplitude of each signal and improving the data transmission speed and canceling out external noise. can do.
  • the conventional differential transmission wiring structure has a structure in which signal conductors are juxtaposed on the main surface of the dielectric substrate, that is, a parallel microstrip line form or a parallel strip line form in which such a form is formed as an inner layer. I often took However, since the side surfaces of the signal conductors face each other, the facing area is small, and there is a tendency that the electrical coupling generated between the signal conductors is weak. In order to narrow the electrode terminal pitch in a semiconductor element, for example, in a multilayer wiring board composed of a plurality of dielectric layers, it is constituted by a pair of signal conductors facing each other in the thickness direction of the board via an intermediate dielectric layer A differential transmission wiring structure, that is, a broad-side coupled strip line is suitable.
  • the broadside coupled strip line When the broadside coupled strip line is applied, the number of dielectric layers is increased, but the wiring density projected onto the main surface of the dielectric substrate is one, so that it is possible to cope with a narrow pitch. Further, since the area where the pair of signal conductors face each other is widened, the electrical coupling between the signal conductors is stronger than that of the parallel microstrip line, and an improvement in crosstalk characteristics can be expected (for example, JP 2005-51496). By the way, in a package component or an electronic component, it is possible to realize an electrical connection with an electrode terminal on a mounting wiring board by pulling out a pair of signal wirings formed in an inner layer to the main surface of the board through a through conductor. it can.
  • An object of the present invention is to provide a composite wiring board that can suppress deterioration of the quality of transmitted signals in a state where a dielectric board provided with a broadside coupling strip line is mounted on a mounting dielectric board. That is.
  • a composite wiring board according to an embodiment of the present invention includes a first wiring board and a second wiring board.
  • the first wiring board includes a first line and a second line that is longer than the first line.
  • the second wiring board is a third line electrically connected to the first line, a fourth line electrically connected to the second line and shorter in length than the third line, Is provided.
  • FIG. 1 It is a perspective view which shows the composite wiring board which is one Embodiment of this invention. It is a top view of the composite wiring board shown in FIG. It is a front view of the composite wiring board shown in FIG. It is a side view of the composite wiring board shown in FIG.
  • the composite wiring board 1 includes a package 2 (first wiring board) and a mounting board 3 (second wiring board), and includes circular connection pads 4 (first end, The second end) and the circular connection pads 5 (third end, fourth end) provided on the mounting board 3 are electrically connected by the solder balls 12 and mounted.
  • the package 2 is a first wiring board having a dielectric layer 6 and an inner layer line pair 7.
  • the mounting board 3 is a second wiring board having a resin substrate 8 and a surface layer line pair 9.
  • the package 2 is mounted with a semiconductor element (not shown). Further, the internal wiring of the semiconductor element and the inner layer line pair 7 are connected, and a high frequency signal is transmitted through the inner layer line pair 7.
  • the inner layer line pair 7 includes an inner layer line 7b that is a first line and an inner layer line 7a that is a second line, and constitutes a differential transmission wiring structure.
  • the inner layer line 7b further includes an inner layer wiring 11a that is a first inner layer line, a land 11b, and a through conductor 11c that is a first through conductor.
  • the inner layer line 7a further includes an inner layer wiring 10a that is a second inner layer line, a land 10b, and a through conductor 10c that is a second through conductor.
  • the inner layer line pair 7 is a broad-side coupled strip line provided to face the thickness direction of the package 2 inside the dielectric layer 6.
  • the inner layer wiring 10a and the inner layer wiring 11a are provided to face each other across a dielectric in the thickness direction, and are arranged so that the inner layer wiring 10a and the inner layer wiring 11a overlap when the package 2 is viewed from above.
  • the inner layer wiring 10a and the inner layer wiring 11a are provided in wiring layers having different heights in the dielectric layer 6, and thus include the land 10b and the through conductor 10c.
  • the vertical wiring portion of the inner layer line 7a and the vertical wiring portion of the inner layer line 7b composed of the land 11b and the through conductor 11c are different in length.
  • the vertical wiring portion composed of the land 11b and the through conductor 11c is short, and from the main surface 6a of the dielectric layer 6 In the far inner layer line 7a, the vertical wiring portion composed of the land 10b and the through conductor 10c becomes long.
  • the connection pads 4 are provided side by side along the extending direction of the inner layer wiring 10a and the inner layer wiring 11a, the inner layer wiring 10a is longer than the inner layer wiring 11a.
  • the length of the line refers to the length from the external electric input / output unit to the other external electric input / output unit.
  • the length of the inner layer line 7b which is the first line is the length of the through conductor 11c from the connection pad 4 which is an electrical input / output unit to the outside to the semiconductor element mounting land 11b, and the land 11b.
  • This is the total length of the inner layer wiring 11a from the boundary with the inner layer wiring 11a to the connection portion with the semiconductor element.
  • the length of the inner layer wiring 7a as the second line is such that the length of the through conductor 10c from the connection pad 4 to the semiconductor element mounting land 10b and the boundary between the land 10b and the inner layer wiring 10a to the connection portion with the semiconductor element.
  • the mounting board 3 forms a differential transmission wiring structure by the surface layer line pair 9.
  • the connection pads 5 are provided on the main surface 8 a (second main surface) of the resin substrate 8.
  • the connection pads 4 of the package 2 and the connection pads 5 of the mounting board 3 are electrically connected by solder balls 12.
  • the surface layer line pair 9 includes a surface layer line 9a constituting the fourth line and a surface layer line 9b constituting the third line, and constitutes a parallel microstrip line.
  • the connection pads 5 to which the surface layer line pairs 9 are connected are arranged side by side along the extending direction of the surface layer lines 9a and the surface layer lines 9b, corresponding to the connection pads 4 of the package 2.
  • the surface layer line 9a is connected to the connection pad 5a (fourth end) on the front side in the extending direction
  • the surface layer line 9b is connected to the connection pad 5b (third end) on the back side in the extending direction.
  • the surface layer line 9b and the connection pad 5b constitute a third line
  • the surface layer line 9a and the connection pad 5a constitute a fourth line. Since the surface layer line 9a and the surface layer line 9b are provided on the main surface 8a of the resin substrate 8, they extend in parallel on the main surface 8a of the resin substrate 8 up to the front side of the connection pad 5a, and the sides face each other. Thus, the high-frequency signal is differentially transmitted while being electrically coupled.
  • the surface layer line 9b bypasses the vicinity of the connection pad 5a along the connection pad 5a, and the bypassed surface layer line 9b is connected to the connection pad 5a. Connected to.
  • the surface layer line 9b becomes longer than the surface layer line 9a by the detoured extension, and the lengths are different from each other.
  • the length of the third line is the length from the end of the surface layer line 9b connected to the connection pad 5b to the center of the connection pad 5b located at the opposite end.
  • the length of the fourth line is the length from the end of the surface layer line 9a connected to the connection pad 5a to the center of the connection pad 5a located at the opposite end.
  • the mounting board 3 a difference in the length of the surface layer lines 9a and 9b due to the difference in the positions of the connection pads 5a and 5b occurs. If the package 2 is connected to the mounting board 3 so that the difference in length between the inner layer line pair 7 in the package 2 and the difference in length between the surface layer line pair 9 in the mounting board 3 cancel each other, the inner layer line pair As a whole of the high-frequency transmission line including 7 and the surface layer line pair 9, the difference in line length between the two high-frequency wirings can be reduced.
  • the inner layer line 7a which is the longer one of the inner layer line pairs 7, and the surface layer line 9a, which is the shorter one of the surface layer pair 9,
  • the inner layer line 7b which is the shorter line of the inner layer line pair 7, and the surface layer line 9b, which is the longer line of the surface layer line pair 9
  • the total length of the inner layer line 7b that is the first line and the surface layer line 9b that is the third line, and the total length of the inner layer line 7a that is the second line and the surface layer line 9a that is the fourth line. Can be made substantially equal.
  • substantially equal means that the difference between the total lengths is within 5% of the pulse width (or period of the analog wave) of the electric signal transmitted through the first to fourth lines.
  • the inner layer line 7b that is the first line and the inner layer line 7a that is the second line, and the third line 9b and the fourth line 9a are made of the same material, their total line length is also substantially Are equal.
  • the surface layer line 9a, the inner layer line 7a, and the inner layer line 7b are arranged on the same straight line. Further, the connection pad 5a and the connection pad 5b are arranged on the same straight line.
  • the inner layer line pair 7, the surface layer line pair 9, and the connection pads 4, 5 are arranged so that the direction in which the surface layer line pair 9 extends from the connection pad 5 and the direction in which the inner layer line pair 7 extends from the connection pad 4 are opposite.
  • the package 2 and the mounting board 3 are connected. Only in the package 2, there is a difference in the length of the inner layer line pair 7, and in only the mounting board 3, there is a difference in the length of the surface layer line pair 9, but the composite wiring board in which the package 2 and the mounting board 3 are connected.
  • the high-frequency signal transmission quality can be improved as a differential transmission wiring structure.
  • the dielectric layer 6 of the package 2 an inorganic dielectric such as ceramics or an organic dielectric such as resin can be used as long as a multilayer wiring structure can be realized therein.
  • alumina (Al 2 O 3) ceramics, mullite (3Al 2 O 3 ⁇ 2SiO 2 ) inorganic materials such as ceramics or glass ceramics, polytetrafluoroethylene resin (polytetrafluoroethylene; PTFE), tetrafluoroethylene - ethylene Fluorine resin such as copolymer resin (ethylene-tetrafluoroethylene copolymer; ETFE) or tetrafluoroethylene-perfluoroalkyl vinyl ether copolymer resin (perfluoroalkoxyalkane; PFA), or glass epoxy resin, polyphenylene ether (PPE)
  • a resin material such as resin, liquid crystal polyester (LCP), or polyimide (PI) is used.
  • the shape and dimensions of the dielectric layer 6 are appropriately set according to the application, but the thickness is particularly set according to the frequency of the transmission signal and the impedance design.
  • the inner layer line pair 7 is made of a metal conductor layer suitable for high-speed signal transmission.
  • the conductor line material is copper, molybdenum-manganese, tungsten, or Nickel plating and gold plating on molybdenum-manganese metallization, nickel plating and gold plating on tungsten metallization, nickel-chromium alloy and gold plating on tantalum nitride, or A nickel-chromium alloy coated with platinum or gold is used.
  • a thick film printing method or various thin film forming methods, a plating method, and the like are used as a construction method.
  • the width and thickness of each conductor wiring are set according to the frequency or impedance design of the transmission signal.
  • the resin board 8 is mainly used for the mounting board 3 as in this embodiment, the present invention is not limited to this.
  • an inorganic dielectric such as ceramics or an organic dielectric such as resin can be used.
  • a solder ball is used as a conductive member for electrically connecting the connection pads 4 and 5.
  • any conductive member suitable for high-speed signal transmission can be used.
  • a metal member such as gold, silver, or copper is used, and the form thereof is not limited to a ball, and may be a columnar shape, a bump shape, or the like.
  • the package 2 of the present embodiment is produced as follows, for example.
  • the dielectric layer 6 is made of alumina ceramic, for example, first, a green sheet of alumina ceramic is prepared, and a predetermined punching process is performed on the green sheet to form through holes for providing the through conductors 10c and 11c.
  • a conductive paste such as tungsten and molybdenum is filled into the through-holes by screen printing, and the conductor wiring, that is, the pattern of the inner layer wiring 10a and the inner layer wiring 11a, and the land 10b and the land 11b are placed at predetermined positions on the green sheet. Apply printing.
  • the green sheets on which the patterns are formed are stacked and fired at about 1600 ° C.
  • the mounting board 3 is prepared by preparing a copper-clad substrate in which a copper foil is attached to the surface of a glass epoxy substrate such as FR-4, and by using a known patterning technique such as etching the copper foil to form the surface line pair 9 and the connection pad 5. The pattern is formed.
  • Solder resists 13 and 14 are provided on the main surface 6a where the connection pads 4 of the dielectric layer 6 are formed and the main surface 8a where the connection pads 5 of the resin substrate 8 are formed, respectively.
  • Solder balls 12 are placed on the connection pads 5 of the mounting board 3, and the connection pads 4 of the package 2 are aligned with the corresponding connection pads 5, and the connection pads 4 and 5 are soldered to the solder balls by ultrasonic vibration, reflow, or the like. 12 is joined.
  • the difference in length between the first line and the second line and the difference in length between the third line and the fourth line are canceled out, and the entire composite wiring board Can reduce the difference in length in the differential transmission wiring structure, reduce the difference in propagation delay time of differential signals with the first wiring board mounted on the second wiring board, and transmit transmission quality It is possible to suppress degradation of signal quality.
  • the total length of the first line and the third line is substantially equal to the total length of the second line and the fourth line. Thereby, degradation of signal quality can be further suppressed.
  • the first line and the second line are provided in the first dielectric substrate.
  • the crosstalk between the differential lines with the other pair can be suppressed by increasing the coupling between the pair of differential lines and suppressing the spread of the transmission energy by using the effect of the dielectric.
  • a broadside coupled stripline can be easily realized.
  • the first line includes a first inner layer line provided in the first dielectric substrate, and a first through conductor provided from an end of the first inner layer line to the first end.
  • the second line is provided in the first dielectric substrate along with a part of the first inner layer line, the second inner layer line having a longer line length than the first inner layer line, and It is preferable to include a second through conductor provided from the end of the second inner layer line to the second end and having a longer line than the first through conductor.
  • the second line can be positioned so as to cover the first line, and the first line and the second line Can strengthen the electrical coupling.
  • the first inner layer line and the second inner layer line are arranged such that regions aligned with each other overlap each other.
  • a broad-side coupled strip line can be easily realized, and the electrical coupling between the first line and the second line can be strengthened.
  • the wiring density can be increased by reducing the installation space of the first line and the second line.
  • the first inner layer line and the second inner layer line are linear, and when the first inner layer line and the second inner layer line are overlapped, the facing area becomes large.
  • the electrical coupling between the first inner layer line and the second inner layer line can be improved.
  • the fourth line is linear, and when the first dielectric substrate is viewed from above, the fourth line, the first inner layer line, and the second inner layer line are on the same straight line. It is preferable to arrange
  • the wiring density can be increased by reducing the installation space of the first line, the second line, and the fourth line.
  • the third end is further arranged on the same straight line, and thereby the installation space for the first to fourth lines can be reduced and the wiring density can be increased.
  • the first end, the third end, the second end, and the fourth end can be easily mounted by the conductive member.
  • each of the first end to the fourth end is constituted by a circular connection pad, and thus a spherical conductive member such as a solder ball can be used. It becomes.
  • the present invention can be implemented in various other forms without departing from the spirit or main features thereof. Therefore, the above-described embodiment is merely an example in all respects, and the scope of the present invention is shown in the claims, and is not restricted by the text of the specification. Further, all modifications and changes belonging to the scope of the claims are within the scope of the present invention.

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  • Combinations Of Printed Boards (AREA)
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Abstract

　本発明の一実施態様の複合配線基板は、第一線路と、該第一線路よりも長さが長い第二線路と、を備えた第一配線基板と、前記第一線路に電気的に接続される第三線路と、前記第二線路に電気的に接続され、前記第三線路よりも長さが短い第四線路と、を備えた第二配線基板と、を具備する。

Description

複合配線基板
　本発明は、高速で作動する半導体集積回路を搭載するのに好適な複合配線基板に関する。
　従来、高速の高周波信号を正確かつ効率よく伝播させることを目的として、高速で作動するＩＣ、ＬＳＩ等の半導体素子を実装封止したパッケージ実装部品または表面実装対応の電子部品の内部配線構造として、差動伝送線路構造が採用されている。従来の差動伝送配線構造では、支持体および絶縁体を兼ねた誘電体基板の主面に一対の信号用導体が並置して設けられている。
　かかる差動伝送配線構造では、位相が反転した一対の信号を一対の信号用導体を介して伝送させることにより、各々の信号の振幅を小さくしてデータ伝送速度を向上させるとともに、外来雑音を相殺することができる。
　これまでの差動伝送配線構造としては、誘電体基板主面に信号用導体が並置して設けられている構造、すなわち並行マイクロストリップ線路の形態、あるいはかかる形態を内層化した並行ストリップ線路の形態をとっていることが多かった。しかし、信号用導体の側面同士が対向するため、対向面積が小さく、信号用導体間で生じる電気的な結合（electrical coupling）が弱い傾向があった。
　半導体素子における電極端子ピッチの狭小化のためには、たとえば複数の誘電体層からなる多層配線基板において、中間の誘電体層を介して互いに基板の厚み方向に対向する一対の信号用導体によって構成される差動伝送配線構造、すなわちブロードサイド結合ストリップ線路が好適である。
　ブロードサイド結合ストリップ線路を適用した場合、誘電体層数は増えるものの誘電体基板主面に投影した配線密度は一本分となることから狭ピッチへの対応が可能になる。また、一対の信号用導体同士が対向する面積が広くなるため、信号用導体間の電気的な結合が、並行マイクロストリップ線路に比べて強くなり、クロストーク特性の向上も期待できる（たとえば特開２００５－５１４９６号公報参照）。
　ところでパッケージ部品あるいは電子部品においては、内層された一対の信号用配線を、貫通導体を介して基板主面に引き出すことにより、実装用配線基板における電極端子との電気的な接続を実現することができる。
　しかしながら、ブロードサイド結合ストリップ線路を適用した場合、貫通導体の高さは互いに異なるため、実装用配線基板にパッケージ部品あるいは電子部品を実装して複合配線基板を形成すると、複合配線基板における線路長のバラツキが大きくなり、差動信号の出力端におけるスキュー（伝搬遅延時間の差）の増大が生じ、伝送品質を劣化させる傾向があった。また、信号速度が高速になり伝搬する電磁波の波長が短くなると、同一の物理長に対しても位相の推移量が大きくなるので、高周波になるほどスキューが大きくなる傾向があった。
　本発明の目的は、ブロードサイド結合ストリップ線路が設けられた誘電体基板を実装用の誘電体基板に実装した状態で、伝送される信号品質の劣化を抑制することができる複合配線基板を提供することである。
　本発明の一形態にかかる複合配線基板は、第一配線基板と、第二配線基板とを具備する。第一配線基板は、第一線路と、該第一線路よりも長さが長い第二線路と、を備える。また、第二配線基板は、前記第一線路に電気的に接続される第三線路と、前記第二線路に電気的に接続され、前記第三線路よりも長さが短い第四線路と、を備える。
　本発明の目的、特色、および利点は、下記の詳細な説明と図面とからより明確になるであろう。
本発明の一実施形態である複合配線基板を示す斜視図である。 図１に示す複合配線基板の平面図である。 図１に示す複合配線基板の正面図である。 図１に示す複合配線基板の側面図である。
　以下、図面を参照しながら本発明を実施するための形態を、複数の形態について説明する。各形態で先行する形態で説明している事項に対応している部分には同一の参照符を付し、重複する説明を略する場合がある。構成の一部のみを説明している場合、構成の他の部分は、先行して説明している形態と同様とする。
　複合配線基板１は、パッケージ２（第一配線基板）と、実装ボード３（第二配線基板）と、を含んで構成され、パッケージ２に設けられた円状の接続パッド４（第一端、第二端）と、実装ボード３に設けられた円状の接続パッド５（第三端、第四端）とが、はんだボール１２によって電気的に接続されて実装されている。
　パッケージ２は、誘電体層６と、内層線路対７とを有する第一配線基板である。実装ボード３は、樹脂基板８と、表層線路対９とを有する第二配線基板である。
　パッケージ２は、図示しない半導体素子が実装される。また、半導体素子の内部配線と内層線路対７とが接続され、内層線路対７を介して高周波信号が伝送される。内層線路対７は、第一線路である内層線路７ｂと、第二線路である内層線路７ａとからなり、差動伝送配線構造を構成する。
　内層線路７ｂは、さらに第一内層線路である内層配線１１ａと、ランド１１ｂと、第１貫通導体である貫通導体１１ｃと、からなる。また、内層線路７ａは、さらに第二内層線路である内層配線１０ａと、ランド１０ｂと、第２貫通導体である貫通導体１０ｃと、からなる。
　内層線路対７は、誘電体層６内部において、パッケージ２の厚み方向に対向して設けられるブロードサイド結合ストリップ線路である。内層配線１０ａと内層配線１１ａとは厚み方向に誘電体を挟んで対向して設けられており、パッケージ２を上面視したとき、内層配線１０ａと内層配線１１ａとが重なるように配置されている。
　内層線路７ａを接続パッド４へと引き出すためには、内層配線１０ａの端部において、ランド１０ｂと貫通導体１０ｃにより厚み方向に延びて接続パッド４へと接続する垂直配線部分を設ける必要がある。また、内層線路７ｂを接続パッド４へと引き出すためには、内層配線１１ａの端部において、ランド１１ｂと貫通導体１１ｃにより厚み方向に延びて接続パッド４へと接続する垂直配線部分を設ける必要がある。
　しかしながら、ブロードサイド結合ストリップ線路を実現するために、内層配線１０ａと内層配線１１ａとは、誘電体層６中で異なる高さの配線層に設けられているので、ランド１０ｂと貫通導体１０ｃからなる内層線路７ａの垂直配線部分と、ランド１１ｂと貫通導体１１ｃからなる内層線路７ｂの垂直配線部分とでは、その長さが異なることになる。
　誘電体層６の接続パッド４が設けられる主面６ａ（第一主面）に近い内層線路７ｂでは、ランド１１ｂと貫通導体１１ｃからなる垂直配線部分は短く、誘電体層６の主面６ａから遠い内層線路７ａでは、ランド１０ｂと貫通導体１０ｃからなる垂直配線部分は長くなる。
　さらに、接続パッド４は、内層配線１０ａと内層配線１１ａの延伸方向に沿って並んで設けられるので、内層配線１０ａのほうが内層配線１１ａよりも長くなる。
　ここで、線路の長さとは、外部との電気入出力部から、もう一方の外部との電気入出力部までの長さをいう。例えば、図１の場合、第一線路である内層線路７ｂの長さは、外部との電気入出力部である接続パッド４から半導体素子実装ランド１１ｂまでの貫通導体１１ｃの長さと、ランド１１ｂと内層配線１１ａとの境界から半導体素子との接続部までの内層配線１１ａの長さと、を合計した長さである。また、第二線路である内層配線７ａの長さは、接続パッド４から半導体素子実装ランド１０ｂまでの貫通導体１０ｃの長さと、ランド１０ｂと内層配線１０ａとの境界から半導体素子との接続部までの内層配線１０ａの長さと、を合計した長さである。
　ブロードサイド結合ストリップ線路にて接続パッドに線を引き出す場合、内層線路７ａと内層線路７ｂの長さが異なる傾向があり、かかる線路長の差が、差動信号の出力端におけるスキューの差となり、高周波信号の伝送品質を劣化させることになる。
　一方、図面において実装ボード３では、表層線路対９によって差動伝送配線構造を構成する。
　実装ボード３では、樹脂基板８の主面８ａ（第二主面）に接続パッド５が設けられている。パッケージ２の接続パッド４と実装ボード３の接続パッド５とが、はんだボール１２によって電気的に接続されている。そして、パッケージ２の内層線路対７を伝送する高周波信号が、接続パッド４，５およびはんだボール１２を介して表層線路対９を伝送する。
　表層線路対９は、第四線路を構成する表層線路９ａと、第三線路を構成する表層線路９ｂからなり、並行マイクロストリップ線路を構成する。
　表層線路対９が接続される接続パッド５は、パッケージ２の接続パッド４と対応して、表層線路９ａおよび表層線路９ｂの延伸方向に沿って並んで配置される。表層線路９ａは、延伸方向手前側の接続パッド５ａ（第四端）に接続され、表層線路９ｂは、延伸方向奥側の接続パッド５ｂ（第三端）に接続される。なお、本実施形態においては、表層線路９ｂと接続パッド５ｂとで第三線路を構成し、表層線路９ａと接続パッド５ａとで第四線路を構成している。
　表層線路９ａおよび表層線路９ｂは、樹脂基板８の主面８ａ上に設けられるので、接続パッド５ａの手前までは、樹脂基板８の主面８ａ上で平行に延び、その側面同士が対向する領域で高周波信号が電気的に結合しながら差動伝送される。
　一方、接続パッド５ａの手前から接続パッド５ｂの間の領域では、表層線路９ｂは、接続パッド５ａの近傍を、接続パッド５ａに沿うように迂回し、該迂回された表層線路９ｂが接続パッド５ａに接続される。
　したがって、表層線路９ｂは、表層線路９ａよりもこの迂回する延長部の分、長くなり、互いに長さが異なる。なお、前記第三線路の長さは、接続パッド５ｂに接続される表層線路９ｂの端から、反対側の端に位置する接続パッド５ｂの中心までの長さである。また前記第四線路の長さは、接続パッド５ａに接続される表層線路９ａの端から、反対側の端に位置する接続パッド５ａの中心までの長さである。
　このように、パッケージ２においては、ブロードサイド結合ストリップ線路を実現する場合、内層線路７ａ、７ｂの高さ位置の違いに起因する内層線路７ａ、７ｂの長さの差が生じる。また、実装ボード３においては、接続パッド５ａ，５ｂの位置の違いに起因する表層線路９ａ、９ｂの長さの差が生じる。
　パッケージ２における内層線路対７間の長さの差と、実装ボード３における表層線路対９間の長さの差とが相殺するように、パッケージ２を実装ボード３に接続すれば、内層線路対７と表層線路対９とを合わせた高周波伝送線路全体としては、２本の高周波配線の線路長の差を小さくすることができる。
　これら２つの線路対の長さの差を相殺するには、内層線路対７のうち、長い方の線路である内層線路７ａと、表層線路対９のうち短い方の線路である表層線路９ａとを接続し、内層線路対７のうち、短い方の線路である内層線路７ｂと、表層線路対９のうち長い方の線路である表層線路９ｂとを接続する。
　このようにして第一線路である内層線路７ｂおよび第三線路である表層線路９ｂの長さの合計と、第二線路である内層線路７ａおよび第四線路である表層線路９ａの長さの合計とを実質的に等しくすることができる。ここで、実質的に等しいとは、長さの合計同士の差が、第一乃至第四線路を介して伝送される電気信号のパルス幅（もしくはアナログ波の周期）の５％以内であることをいう。
　第一線路である内層線路７ｂと第二線路である内層線路７ａとの線路、および第三線路９ｂと第四線路９ａとが、それぞれ同じ材料を用いている場合、それらの合計線路長も実質的に等しくなる。
　パッケージ２と実装ボード３とを上面視したときに、表層線路９ａと、内層線路７ａと内層線路７ｂとは同一直線上に配置される。さらに、接続パッド５ａと接続パッド５ｂとは、この同一直線上に配置される。また、接続パッド５から表層線路対９が伸びる方向と、接続パッド４から内層線路対７が伸びる方向とが反対方向となるように、内層線路対７、表層線路対９および接続パッド４，５を配置してパッケージ２と実装ボード３とを接続する。
　パッケージ２のみでは、内層線路対７の長さに差があり、実装ボード３のみでは、表層線路対９の長さに差があるが、パッケージ２と実装ボード３とが接続された複合配線基板１においては、差動伝送配線構造を有する内層線路７ａと表層線路９ａとが接続された高周波伝送線路と、内層線路７ｂと表層線路９ｂとが接続された高周波伝送線路との線路長の差が小さくなり、差動伝送配線構造として、その高周波信号伝送品質を向上させることができる。
　パッケージ２の誘電体層６は、内部に多層配線構造を実現できるものであれば、セラミックスなどの無機誘電体や樹脂などの有機誘電体を用いることができる。たとえば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）セラミックス、ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）セラミックスもしくはガラスセラミックス等の無機材料、四フッ化エチレン樹脂（ポリテトラフルオロエチレン；ＰＴＦＥ）、四フッ化エチレン－エチレン共重合樹脂（エチレン－テトラフルオロエチレンコポリマー；ＥＴＦＥ）、あるいは四フッ化エチレン－パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合樹脂（パーフルオロアルコキシアルカン；ＰＦＡ）等のフッ素樹脂、またはガラスエポキシ樹脂、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂、液晶ポリエステル（ＬＣＰ）、あるいはポリイミド（ＰＩ）等の樹脂材料が用いられる。また誘電体層６の形状および寸法は用途に応じて適宜設定されるが、特に厚みについては伝送信号の周波数やインピーダンス設計に応じて設定される。
　内層線路対７の材料としては、高速信号伝送用途として適した金属の導体層からなり、たとえば誘電体層６の材料としてセラミックスを用いる場合、導体線路の材料として銅、モリブデン－マンガン、タングステン、もしくはモリブデン－マンガンメタライズ上にニッケルメッキおよび金メッキを被着させたもの、タングステンメタライズ上にニッケルメッキおよび金メッキを被着させたもの、窒化タンタル上にニッケル－クロム合金および金メッキを被着させたもの、またはニッケル－クロム合金上に白金、金メッキを被着させたもの等が用いられる。また、製造方法としては、たとえば厚膜印刷法あるいは各種の薄膜形成法、およびメッキ処理法等が工法として用いられる。各導体配線の幅および厚みは、伝送信号の周波数またはインピーダンス設計に応じて設定される。
　実装ボード３には、本実施形態のように主に樹脂基板８が用いられるが、これに限られない。例えば、パッケージ２と同様、セラミックスなどの無機誘電体または樹脂などの有機誘電体を用いることができる。
　接続パッド４，５を電気的に接続する導電性部材として、本実施形態では、はんだボールを用いているが、高速信号伝送用途として適した導電性部材であれば使用することが可能である。たとえば、金、銀、銅などの金属部材を使用し、さらにその形態としてはボールに限らず、柱状、バンプ状などであってもよい。
　本実施形態のパッケージ２の作製は、たとえば以下のように行う。誘電体層６がたとえば、アルミナセラミックスからなる場合、まずアルミナセラミックスのグリーンシートを準備し、これに所定の打ち抜き加工を施して貫通導体１０ｃ，１１ｃを設けるための貫通孔を形成する。次に、スクリーン印刷法によってタングステンおよびモリブデンなどの導体ペーストを貫通孔に充填するとともに、導体配線、すなわち内層配線１０ａと内層配線１１ａ、ランド１０ｂとランド１１ｂとなるパターンをグリーンシートの所定の位置に印刷塗布する。次に、パターンが形成されたグリーンシートを重ねて、これを約１６００℃で焼成する。
　また、実装ボード３の作製は、ＦＲ－４などのガラスエポキシ基板の表面に銅箔を張り付けた銅貼り基板を準備し、銅箔をエッチングなど公知のパターニング技術により表層線路対９および接続パッド５をパターン形成する。
　誘電体層６の接続パッド４が形成された主面６ａ、および樹脂基板８の接続パッド５が形成された主面８ａには、それぞれソルダレジスト１３，１４を設ける。
　はんだボール１２を実装ボード３の接続パッド５上に載置し、パッケージ２の接続パッド４を、対応する接続パッド５に位置合わせして超音波振動、リフローなどにより接続パッド４，５とはんだボール１２とを接合する。
　以上のように、本実施形態によれば、第一線路と第二線路との長さの差と、第三線路と第四線路との長さの差とが相殺されて、複合配線基板全体としては差動伝送配線構造における長さの差を小さくすることができ、第一配線基板を第二配線基板に実装した状態で、差動信号の伝搬遅延時間の差を低減させ、伝送品質伝送される信号品質の劣化を抑制することができる。
　本実施形態によれば、前記第一線路および前記第三線路の長さの合計と、前記第二線路および前記第四線路の長さの合計とが実質的に等しいことが好ましい。これにより、さらに信号品質の劣化を抑制することができる。
　本実施形態によれば、前記第一線路および前記第二線路が、前記第一誘電体基板内に設けられていることが好ましい。これによって、誘電体の効果を用いて、一対の差動線路間の結合を高めて伝送エネルギーの広がりを抑えることで他の一対との差動線路間のクロストークを抑えることができる。また、ブロードサイド結合ストリップ線路を容易に実現することができる。
　本実施形態によれば、前記第一線路が、前記第一誘電体基板内に設けられた第一内層線路と、前記第一内層線路の端から前記第一端まで設けられた第一貫通導体と、を含み、前記第二線路が、前記第一内層線路と一部が並んで前記第一誘電体基板内に設けられ、前記第一内層線路よりも線路長の長い第二内層線路と、前記第二内層線路の端から前記第二端まで設けられ、前記第一貫通導体よりも線路の長い第二貫通導体とを含むことが好ましい。
　これにより、第二線路のほうが第一線路よりも、貫通導体および内層線路の両方が長いため、第一線路を覆うように第二線路を位置させることができ、第一線路と第二線路との電気的な結合を強めることができる。
　本実施形態によれば、前記第一誘電体基板を上面視したとき、前記第一内層線路および前記第二内層線路のうち、互いに並んだ領域同士が重なるように配置することで、第一内層線路と第二内層線路とを結合させてブロードサイド結合ストリップ線路を容易に実現でき、第一線路と第二線路との電気的な結合を強めることができる。また、第一線路と第二線路の設置スペースを縮小化して配線密度を高めることができる。
　本実施形態によれば、前記第一内層線路および前記第二内層線路が直線状であることが好ましく、これにより前記第一内層線路および前記第二内層線路を重ねた場合、向かいあう面積が大きくなり、前記第一内層線路および前記第二内層線路との電気的な結合を向上させることができる。
　本実施形態によれば、前記第四線路が直線状であり、前記第一誘電体基板を上面視したとき、前記第四線路と前記第一内層線路と前記第二内層線路とが同一直線上に配置されることが好ましい。
　また、第一線路と第二線路と第四との設置スペースを縮小化して配線密度を高めることができる。また、第一線路と第二線路との線路長の差と、第三線路と第四線路との線路長の差とを容易に相殺するよう構成することができる。
　本実施形態によれば、さらに前記第三端が前記同一直線上に配置されることが好ましく、これにより第一～第四線路の設置スペースを縮小化して配線密度を高めることができる。
　本実施形態によれば、前記第四線路と平行に設けられた線路並列部と延長部とを含むことが好ましく、延長部によって、第四線路と同一直線状に第三端を位置させることができ、配線密度を高めることができる。
　本実施形態によれば、導電性部材により、前記第一端および前記第三端、前記第二端および前記第四端を容易に実装することができる。
　本実施形態によれば、前記第一端ないし前記第四端がいずれも、円状の接続パッドで構成されることが好ましく、これによりはんだボールなどの球状の導電性部材を使用することが可能となる。
　本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形態で実施できる。したがって、前述の実施形態はあらゆる点で単なる例示に過ぎず、本発明の範囲は特許請求の範囲に示すものであって、明細書本文には何ら拘束されない。さらに、特許請求の範囲に属する変形や変更は全て本発明の範囲内のものである。

Claims (14)

  1. 　第一線路と、該第一線路よりも長さが長い第二線路と、を備えた第一配線基板と、
    　前記第一線路に電気的に接続される第三線路と、前記第二線路に電気的に接続され、前記第三線路よりも長さが短い第四線路と、を備えた第二配線基板と、を具備する複合配線基板。
  2. 　前記第一線路と前記第二線路とは、その一部が平面視で重畳するように異なる平面上に位置している請求項１記載の複合配線基板。
  3. 　前記第三線路と前記第四線路とは、その側面同士が互いに対向するように同一平面上に位置している請求項１記載の複合配線基板。
  4. 　前記第一線路および前記第三線路の長さの合計と、前記第二線路および前記第四線路の長さの合計と、が実質的に等しい請求項１記載の複合配線基板。
  5. 　前記第一線路は、第一配線基板の第一主面上に露出した第一端を有し、
    　前記第二線路は、前記第一主面上に露出した第二端を有し、
    　前記第三線路は、第二配線基板の主面のうち前記第一主面と対向する第二主面上に露出して前記第一端と電気的に接続する第三端を有し、
    　前記第四線路は、前記第二主面上に露出して前記第二端と電気的に接続する第四端を有する請求項１記載の複合配線基板。
  6. 　第一配線基板は、誘電体基板から構成され、
    　前記第一線路および前記第二線路が、前記誘電体基板内に設けられている請求項５記載の複合配線基板。
  7. 　前記第一線路が、前記誘電体基板内に設けられた第一内層線路と、前記第一内層線路の端から前記第一端まで設けられた第一貫通導体と、を含み、
    　前記第二線路が、前記第一内層線路と一部が並んで前記第一誘電体基板内に設けられ、前記第一内層線路よりも長い第二内層線路と、前記第二内層線路の端から前記第二端まで設けられ、前記第一貫通導体よりも長い第二貫通導体と、を含む請求項６記載の複合配線基板。
  8. 　前記誘電体基板を上面視したとき、前記第一内層線路および前記第二内層線路のうち、互いに並んだ領域同士が重なっている請求項７記載の複合配線基板。
  9. 　前記第一内層線路および前記第二内層線路が直線状である請求項７記載の複合配線基板。
  10. 　前記第四線路が直線状であって、
    　前記第一誘電体基板を上面視したとき、前記第四線路と前記第一内層線路と前記第二内層線路とが同一直線上に配置される請求項７記載の複合配線基板。
  11. 　さらに前記第三端が前記同一直線上に配置される請求項１０記載の複合配線基板。
  12. 　前記第三線路は、
    　前記第四線路と平行に設けられた線路並列部と、
    　前記第三端を有し、前記第四線路よりも長くなるように設けられた延長部と、
    　を含む請求項５記載の複合配線基板。
  13. 　前記第一端および前記第三端を実装する第一の導電性部材と、前記第二端および前記第四端とを実装する第二の導電性部材と、を具備する請求項５記載の複合配線基板。
  14. 　前記第一端ないし前記第四端がいずれも、円状の接続パッドである請求項５記載の複合配線基板。
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