WO2009118832A1 - 放射線撮像装置 - Google Patents

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WO2009118832A1
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temperature
control means
conversion layer
peltier element
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Inventor
昇一 岡村
木村　健士
Original Assignee
株式会社 島津製作所
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    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
    • G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
    • G01T1/16—Measuring radiation intensity
    • G01T1/24—Measuring radiation intensity with semiconductor detectors
    • G01T1/244—Auxiliary details, e.g. casings, cooling, damping or insulation against damage by, e.g. heat, pressure or the like

Definitions

  • the present invention relates to a radiation imaging apparatus that detects radiation and outputs an image signal, and particularly relates to a radiation imaging apparatus having a configuration for performing temperature control using a Peltier element.
  • a conventional radiation imaging apparatus has a configuration as shown in FIG.
  • the radiation incident on the radiation imaging apparatus is converted into electric charges by the X-ray conversion layer 2 formed of a semiconductor thick film such as amorphous selenium.
  • the charge is opposite to that of the bias application electrode 1 due to a bias voltage VA applied between the bias application electrode 1 provided on the radiation incident side of the X-ray conversion layer 2 and the ground side of the capacitor Ca described later.
  • Reading is performed by the TFT substrate 3 provided on the side.
  • the TFT substrate has a pixel electrode 31 provided in a matrix for collecting charges, a capacitor Ca connected to the pixel electrode 31, and a thin film transistor element Tr having a source connected to the capacitor Ca. .
  • the TFT substrate 3 includes a gate line G commonly connected to the gates of the thin film transistor elements Tr belonging to the same row and a data line D commonly connected to the drains of the thin film transistor elements Tr belonging to the same column. Have only.
  • the charge generated in the pixel DU is accumulated in the capacitor Ca through the corresponding pixel electrode 31.
  • the accumulated charge is read out to the data line D of the column to which the pixel DU belongs by turning on the thin film transistor element Tr when the potential of the gate line G of the column to which the pixel DU belongs becomes ON potential.
  • the potential of the gate line G in each row is controlled by the gate drive circuit 5.
  • the TFT substrate 3 is held on one surface of a base substrate 4 such as aluminum, and an amplifier / A / D conversion circuit 6 is disposed on the other surface of the base substrate.
  • the data line D of the TFT substrate 3 and the charge amplifier 61 of the amplifier / A / D conversion circuit 6 are connected by a flexible substrate 63.
  • the electric charge read out to the data line D is converted into a voltage by the charge amplifier 61, converted into a pixel value by the A / D conversion circuit 62 connected to the charge amplifier 61, and then stored in the memory unit 71.
  • the pixel values stored in the memory unit 71 are transferred to the image processing device 8. These series of operations are controlled by the controller 7 (see, for example, Patent Document 1).
  • the thermal expansion coefficient with the substrate (active matrix substrate) on which the X-ray conversion layer 2 is deteriorated due to a temperature change or the thin film transistor element holding the X-ray conversion layer 2 is formed Due to these differences, problems such as film peeling and cracking have occurred.
  • a thermistor 91 that detects the temperature of the X-ray conversion layer 2
  • a Peltier element 92 that changes the temperature of the X-ray conversion layer 2
  • a temperature that controls the voltage applied to the Peltier element 92 based on the detected temperature has been proposed (see, for example, Patent Document 2).
  • An object of the present invention is to provide a high-quality image with less noise by suppressing the noise in a radiation imaging apparatus with temperature control by a Peltier element.
  • a radiation imaging apparatus includes an X-ray conversion layer that converts radiation into an electric charge, a bias application electrode provided on a radiation incident side of the X-ray conversion layer, and the common electrode. Is arranged on the opposite side through a pixel electrode provided in a matrix, switching elements provided corresponding to each of the pixel electrodes, gate control means for controlling opening and closing of the switching elements, and via the switching elements
  • a charge amplifier for converting the read electric charge into a voltage
  • an A / D conversion circuit for converting the voltage output from the charge amplifier into a digital value
  • a temperature detecting element for detecting the temperature of the X-ray conversion layer
  • a Peltier element that changes the temperature of the X-ray conversion layer
  • a temperature control unit that controls a voltage applied to the Peltier element based on the detected temperature.
  • the temperature control means limits the fluctuation of the control voltage to a predetermined frequency or less within a reading period after the gate control means is opened and the reading of the electric charge is started until
  • the predetermined frequency is a direct current
  • the temperature control means raises and lowers the control voltage after opening the gate control means and starting reading out the charge. It is desirable to perform PWM control that is performed during a period other than the period until D conversion is completed.
  • the radiation imaging apparatus of the present invention noise caused by driving of the Peltier element is not superimposed on the image or is suppressed, and a good image can be provided. Furthermore, the configuration of the present invention adopting the PWM control can minimize power consumption and eliminate noise superposition due to driving of the Peltier element.
  • FIGS. An outline of the radiation imaging apparatus according to the present invention is shown in FIGS. Except for the point that the temperature control means 9 is connected to the controller 7, the configuration is basically the same as that of the prior art shown in FIG.
  • the controller 7 obtains a frame synchronization signal from the image processing device 8.
  • the frame synchronization signal is generally generated at intervals of an integral multiple of the minimum frame which is longer than the scheduled X-ray irradiation time set by the operator to an X-ray generator (not shown) with a minimum frame of 33 ms. Pulse train.
  • the frame synchronization signal may be fixed.
  • the frame synchronization signal is also sent to the X-ray generator, and the radiation imaging apparatus is irradiated with X-rays based on the frame synchronization signal.
  • the incident X-rays are converted into electric charges by the X-ray conversion layer 2 formed of a semiconductor thick film.
  • the charges are applied to the pixel electrodes 31 provided in a matrix on the opposite side of the bias application electrode 1 by the bias voltage VA applied to the bias application electrode 1 provided on the radiation incident side of the X-ray conversion layer 2. Collected. Further, the collected electric charges are accumulated in capacitors Ca provided corresponding to the respective pixel electrodes 31. Further, when the thin film transistor element Tr whose source is connected to the pixel electrode 31 and the capacitor Cs is turned on, the accumulated electric charge is read out to the data line D to which the thin film transistor element Tr belonging to the same column is connected.
  • the controller 7 operates the gate drive circuit 5 after the elapse of (X-ray irradiation period + blank period) from the fall of the frame synchronization signal to sequentially turn on the thin film transistor elements Tr.
  • the charge read out to the data line D is converted into a voltage by the charge amplifier 61 connected to the data line D, converted into a digital value by the A / D conversion circuit 62 connected to the charge amplifier 61, and
  • the data is stored in the memory unit 71 and reading from all the target pixels DU is completed. After the digital value is stored in the memory unit 71, the data stored in the memory unit 71 is transmitted to the image processing unit 8. . Further, the controller 7 outputs a signal during the reading period to the temperature control means 9.
  • the temperature control means 9 includes a thermistor 91, a Peltier element 92, an A / D conversion circuit 93 that converts the voltage signal of the thermistor 91 into a digital value, and a D / A conversion circuit 94 that outputs a voltage to the Peltier element 92. And a CPU 90.
  • the software installed in the CPU 90 receives the reading period signal output from the controller 7 and the digital value from the A / D conversion circuit 93 as input, and controls the Peltier element 92 output to the D / A conversion circuit 94. Determine the voltage value.
  • the configuration of the software and the controller 7 will be described in detail in the following first to third embodiments.
  • FIG. 2 shows the frame synchronization signal (I), the X-ray irradiation period (II), the reading period signal (III), the drive voltage (IV) to be originally applied to the Peltier element 92, and the Peltier
  • the drive voltage (V) actually applied to the element 92 is displayed with the times matched.
  • the controller 7 operates at the H level in the period until the voltage corresponding to all the pixels DU to be read is completely converted to the digital value after the gate driving circuit 5 is operated, and at the L level in other periods.
  • the signal (III) is output during the reading period. It is assumed that the frame period is 266 ms and the reading period is about 120 ms.
  • the reading period requires (the time when the voltage of the charge amplifier 61 is stabilized + the conversion time of the A / D conversion circuit 62) ⁇ the number of pixels. However, the reading period can be shortened by providing a plurality of A / D conversion circuits and operating them in parallel.
  • the software according to the present embodiment includes a feedback control task that repeats the following steps S11 to S15 at a predetermined cycle.
  • Step S11 The voltage signal value I ad of the thermistor 91 is read from the A / D conversion circuit 93. Further, the signal (III) during the reading period is read from the controller 7.
  • Step S12 previously stored, the value I 1 read from the A / D conversion circuit 93 when the temperature T 1 of the thermistor 91, the A / D conversion circuit 93 when the temperature of the thermistor 91 is T 2
  • Step S13 the target temperature T 0, the relationship between the current temperature T, to determine the voltage value V p to be output to the Peltier device.
  • ⁇ is a coefficient, and the larger the value, the faster the follow-up, but it also causes hunting.
  • the control is PID control, the temperature T from the predetermined number of times to the present is stored in the memory, and the integral value and the differential value are multiplied by the respective coefficients and added to the value of the difference control. That's fine.
  • the method of determining V p can be easily replaced by other known control techniques, and how it is determined does not relate to the essence of the present invention, and thus detailed description thereof is omitted.
  • Step S15 The determined V p is output to the D / A conversion circuit 94.
  • the output V p is stored as V prev .
  • the predetermined period is desirably as short as possible within the range of the processing capability of the CPU 90.
  • the cycle can be set to about several ms to 20 ms.
  • FPGA Field Programmable Gate Array
  • the calculation is simply recalculated so that the difference from the previous output value does not exceed a certain threshold, but the history of Vp before a predetermined period is saved and one-dimensional Fourier transform is performed. Later, after removing a frequency component higher than a predetermined threshold, inverse Fourier transform is performed, and Vp is recalculated, which can be replaced with various recalculation methods. That is, as long as the frequency of the driving voltage of the Peltier element 92 during the reading period is set to be lower than (a part of) the other periods, various methods such as recalculation can be changed. Are all included.
  • FIG. 3 also shows temporal changes of each signal as in FIG.
  • the feedback control task repeatedly executes the following steps S21-24 at a predetermined cycle. Since the configuration other than the program is the same as that of the first embodiment, the description thereof is omitted.
  • Step S21 The voltage signal value I ad of the thermistor 91 is read from the A / D conversion circuit 93.
  • Step S22 Since this is the same as Step S12 in the first embodiment, description thereof will be omitted.
  • Step S23 Since this is the same as Step S13 in the first embodiment, a description thereof will be omitted.
  • Step S24 The determined V p is converted into a duty ratio D and notified to the PWM task. Save V p as V prev .
  • the PWM task repeatedly executes the following steps P21 to P25 with a shorter cycle than the feedback control task.
  • Step P21 The reading period signal (III) is read from the controller 7.
  • Step P22 The voltage V s to be output to the D / A conversion circuit 94 is determined as follows.
  • C is a counter variable.
  • C max is the maximum value of C and corresponds to the resolution of the PWM waveform.
  • Step P23 When the signal (III) during the reading period is at the H level (section B in FIG. 2), V s is replaced with V sprev which is the previous V s . That is, during a read period signal (III) is such that will not change in the future state of V s at the H level.
  • Step P24 Further, the determined V s is output to the D / A conversion circuit 94.
  • the output V s is stored as V sprev .
  • Step P25 C is incremented. If C> C max , 0 is substituted for C.
  • PWM control can be performed without changing the value.
  • the PWM control cycle and the frame synchronization signal cycle can be controlled completely independently, which is also effective from the viewpoint of control independence.
  • FIG. 4 shows temporal changes of each signal as in FIG.
  • the program of the present embodiment is the same as that of the second embodiment, and only the operation of the controller 7 is different.
  • the controller 7 sequentially operates the gate drive circuit 5. At this time, each time the gate line G is driven in a predetermined row, a short-term weight is inserted. In this state, a reading period in which the gate line G is driven to the H level in the period from when the voltage corresponding to the pixel DU in the predetermined row is completely converted to the digital value, and is set to the L level in other periods.
  • the middle signal (III) is output (FIG. 4). Then, the period B in which the signal state can be displaced is dispersed.
  • the predetermined line may be one line or about half of all the lines. As long as X-ray irradiation and reading operations can be performed within the frame period, it is desirable to insert as many weights as possible with as few predetermined rows as possible.
  • FIG. 5 shows a configuration in which the same functions as in the second to third embodiments are realized by hardware as a fourth embodiment.
  • the configuration other than the temperature control means 9 in this embodiment and the feedback control method for determining the output with the digital value from the A / D conversion circuit 93 as the input are the same as in the other embodiments, and will be described. Is omitted.
  • the temperature control means 9 includes a thermistor 91, a Peltier element 92, an A / D conversion circuit 93 that converts the voltage signal of the thermistor 91 into a digital value, and a drive voltage of the Peltier element 92 in a PWM waveform.
  • a CPU 90 The software installed in the CPU 90 receives the digital value from the A / D conversion circuit 93 as an input, calculates the duty ratio for the PWM control circuit 96, and outputs it. With this function, power consumption can be minimized and noise superposition due to driving of the Peltier element can be eliminated.

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Abstract

【課題】ペルチェ素子の駆動ノイズが撮影画像に重畳するのを防止する。【解決手段】本発明に係る放射線撮像装置は、Ｘ線変換層の温度に基づいて、ペルチェ素子へ印加する電圧を制御するフィードバック処理を行うことによって、Ｘ線変換層の温度を略一定に保つ温度制御手段を有する。該温度制御手段は、各画素ＤＵから電荷の読み出しを開始した後、その電荷をチャージアンプで電圧に変換し、当該電圧についてのＡ／Ｄ変換処理を完了するまでの期間内において、ペルチェ素子に印加される電圧の変動を制限する。 

Description

放射線撮像装置
本発明は放射線を検出して画像信号を出力する放射線撮像装置に関し、特にペルチェ素子を用いて温度制御を行う構成を備えた放射線撮像装置に関するものである。
従来の放射線撮像装置は、図６に示すような構成をとる。放射線撮像装置に入射した放射線は、アモルファスセレンなどの半導体厚膜で構成されるＸ線変換層２により電荷に変換される。当該電荷は、Ｘ線変換層２の放射線入射側に設けられたバイアス印加電極１と、後述するコンデンサＣａのグランド側との間に印加されたバイアス電圧ＶＡによって、バイアス印加電極１とは逆側に設けられたＴＦＴ基板３により読み出される。当該ＴＦＴ基板は、電荷を収集するためのマトリクス状に設けられた画素電極３１と、画素電極３１に接続されたコンデンサＣａと、当該コンデンサＣａにソースが接続された薄膜トランジスタ素子Ｔｒを有している。なお、単一の画素電極３１が電荷を収集可能な領域を以下適宜画素ＤＵと呼ぶことにする。ＴＦＴ基板３は、同一行に属する薄膜トランジスタ素子Ｔｒのゲートに共通して接続されるゲートラインＧと、同一列に属する薄膜トランジスタ素子Ｔｒのドレインに共通して接続されるデータラインＤをそれぞれ行列の数だけ有している。
画素ＤＵで生じた電荷は、対応する画素電極３１を通じてコンデンサＣａに蓄積される。当該蓄積された電荷は、その画素ＤＵが属する列のゲートラインＧの電位がＯＮ電位になったときに薄膜トランジスタ素子ＴｒがＯＮされて、その画素ＤＵが属する列のデータラインＤに読み出される。各行のゲートラインＧの電位は、ゲート駆動回路５によって制御される。
一方、ＴＦＴ基板３はアルミ等のベース基板４の一方の面に保持されており、当該ベース基板の他方の面には、アンプ・Ａ／Ｄ変換回路６が配置されている。ＴＦＴ基板３のデータラインＤと、アンプ・Ａ／Ｄ変換回路６のチャージアンプ６１とは、フレキシブル基板６３で接続されている。データラインＤに読み出された電荷は、チャージアンプ６１によって電圧に変換され、当該チャージアンプ６１に接続されたＡ／Ｄ変換回路６２によって、画素値に変換された後、メモリ部７１へ保存される。
この処理を読み込み対象となる全ての画素ＤＵについて行った後、メモリ部７１に保存された画素値が、画像処理装置８に転送される。これら一連の動作は、コントローラ７により制御されている（例えば特許文献１参照）。
このように構成された放射線撮像装置では、温度変化により、Ｘ線変換層２が劣化したり、Ｘ線変換層２を保持する薄膜トランジスタ素子が形成された基板（アクティブマトリクス基板）との熱膨張率の相違から、膜の剥離や割れが生じたりするなどの問題が生じている。
そこで、Ｘ線変換層２の温度を検知するサーミスタ９１と、Ｘ線変換層２の温度を変化させるペルチェ素子９２と、検知された温度に基づいて、ペルチェ素子９２への印加電圧を制御する温度制御手段９とを更に備えた放射線撮像装置が提案されている（例えば特許文献２参照）。
特開２００６－３２５６３１号公報 特開２００３－０１４８６０号公報
しかしながら、ペルチェ素子９２の駆動に伴って、画像にノイズがのるという問題が生じている。発明者の実験により、特に図７に示すような線状のノイズが重畳することが確認された。当該ノイズが重畳する場所やタイミングが不特定であることから、一律の補正を行うことができないという問題もある。本件発明者は、実験により、上記課題が、ゲート制御手段を開いて前記電荷の読み出しを開始した後、Ａ／Ｄ変換を完了するまでの期間内において、前記ペルチェ素子９２の駆動電圧の変動が生じたときに発生すること、及び、そのときの変動の周波数が大きいと、ノイズが顕著に現れることを見出した。本件発明は、ペルチェ素子による温度制御を伴った放射線撮像装置において、当該ノイズを抑制して、ノイズの少ない高品質の画像を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明による放射線撮像装置は、放射線を電荷に変換するＸ線変換層と、前記Ｘ線変換層の放射線入射側に設けられたバイアス印加電極と、前記共通電極とは逆側に、マトリクス状に設けられた画素電極と、前記画素電極のそれぞれに対応して設けられたスイッチング素子と、前記スイッチング素子の開閉を制御するゲート制御手段と、前記スイッチング素子を介して読み出された前記電荷を、電圧に変換するチャージアンプと、前記チャージアンプから出力された電圧をデジタル値に変換するＡ／Ｄ変換回路と、前記Ｘ線変換層の温度を検知する検温素子と、前記Ｘ線変換層の温度を変化させるペルチェ素子と、前記検知された温度に基づいて、前記ペルチェ素子への印加電圧を制御する温度制御手段とを有し、前記温度制御手段は、前記ゲート制御手段を開いて前記電荷の読み出しを開始した後、Ａ／Ｄ変換を完了するまでの読取期間内において、前記制御電圧の変動を所定の周波数以下に制限することを特徴とする。
また、前記所定の周波数は、直流とすることが望ましく、前記温度制御手段は、前記制御電圧の立ち上げ及び立ち下げを、前記ゲート制御手段を開いて前記電荷の読み出しを開始した後、Ａ／Ｄ変換を完了するまでの期間以外の期間に行うようなＰＷＭ制御を行うことが望ましい。
（作用）本発明は、上記期間内にペルチェ素子の駆動電圧の変動が抑制されており、画像に重畳するノイズが抑制される。上記期間内に電圧を全く変動させないようにすれば、ペルチェ素子の駆動に起因するノイズが重畳しなくなる。更に、電圧制御とすると、基準電圧と制御対象電圧との差（ドロップ電圧）に相当する電力が浪費される。また、浪費した電力に相当する発熱が生ずるため、その発熱による放射線撮像装置の温度上昇を招き温度制御効率が低下する。この点、ＰＷＭ制御とすれば、電力の浪費を最小限とすることができるが、パルス制御ゆえ、電圧の立ち下げ、立ち上がり時に大きな電圧の変動が生ずることになる。従って、画像に重畳するノイズも大きくなる。当該課題は、ペルチェ素子の駆動電圧をＯＮ／ＯＦＦする切替が、前記読取期間内に行われないように制御することにより解決される。
本発明による放射線撮像装置によれば、ペルチェ素子の駆動に起因するノイズが画像に重畳せず、もしくは、抑制されて、良好な画像を提供することができる。更に、ＰＷＭ制御を採用した上記発明の構成により、電力消費を最小限にすることができ、かつ、ペルチェ素子の駆動によるノイズの重畳をなくすることができる。
本発明の放射線撮像装置の概略構成を示すブロック図である。 本発明の第１実施例に係るペルチェ素子の制御タイミングを示す図である。 本発明の第２実施例に係るペルチェ素子の制御タイミングを示す図である。 本発明の第３実施例に係るペルチェ素子の制御タイミングを示す図である。 本発明の第４実施例に係る温度制御手段の構成を示す図である。 従来の放射線撮像装置の概略構成を示すブロック図である。 従来の放射線撮像装置で得られた、ノイズが重畳した画像である。
符号の説明
１     バイアス印加電極２     Ｘ線変換層３     ＴＦＴ基板３１   画素電極Ｄ     データラインＧ     ゲートラインＣｓ   コンデンサＴｒ   薄膜トランジスタ４     ベース基板５     ゲート駆動回路６     アンプ・Ａ／Ｄ変換回路６１   チャージアンプ６２   Ａ／Ｄ変換回路６３   フレキシブル基板７     コントローラ７１   メモリ部８     画像処理部９     温度制御手段９１   サーミスタ９２   ペルチェ素子９３   Ａ／Ｄ変換回路９４   Ｄ／Ａ変換回路 
本発明に係る放射線撮像装置の概要を、図１（ａ）、（ｂ）に示す。温度制御手段９が、コントローラ７と接続されている点を除き、基本的に図６に示す従来技術と同様の構成である。
コントローラ７は、画像処理装置８から、フレーム同期信号を得る。ここで、フレーム同期信号は、一般に、最小フレームを３３ｍｓとし、操作者によって図示しないＸ線発生装置に設定されたＸ線照射予定時間よりも長く、かつ最小フレームの整数倍の期間毎に発生されるパルス列である。システムによっては当該フレーム同期信号が固定されている場合もある。一方、フレーム同期信号は、Ｘ線発生装置にも送られており、当該フレーム同期信号を基準にして、放射線撮像装置に対しＸ線を照射する。
入射したＸ線は、半導体厚膜で構成されるＸ線変換層２により電荷に変換される。当該電荷は、Ｘ線変換層２の放射線入射側に設けられたバイアス印加電極１に印加されたバイアス電圧ＶＡによって、バイアス印加電極１とは逆側にマトリクス状に設けられた画素電極３１に収集される。また、当該収集された電荷は、画素電極３１のそれぞれに対応して設けられたコンデンサＣａに蓄積される。更に、当該蓄積された電荷は、画素電極３１に及びコンデンサＣｓにソースが接続された薄膜トランジスタ素子ＴｒをＯＮしたときに、同一列に属する薄膜トランジスタ素子Ｔｒが接続されたデータラインＤに読み出される。
コントローラ７は、フレーム同期信号の立ち下がりから（Ｘ線照射期間＋ブランク期間）経過後に、ゲート駆動回路５を作動させて、薄膜トランジスタ素子Ｔｒを順次ＯＮにする。データラインＤに読み出された電荷は、データラインＤに接続されたチャージアンプ６１によって電圧に変換され、当該チャージアンプ６１に接続されたＡ／Ｄ変換回路６２によって、デジタル値に変換されて、メモリ部７１へ保存するとともに、対象となる全ての画素ＤＵからの読み込みを完了し、デジタル値をメモリ部７１へ保存した後、当該メモリ部７１に保存されたデータを画像処理部８へ送信する。更にコントローラ７は、読取期間中信号を温度制御手段９に出力する。
温度制御手段９は、サーミスタ９１と、ペルチェ素子９２と、サーミスタ９１の電圧信号をデジタル値に変換するＡ／Ｄ変換回路９３と、ペルチェ素子９２に対して電圧を出力するＤ／Ａ変換回路９４と、ＣＰＵ９０とを有している。当該ＣＰＵ９０に搭載されたソフトウエアは、コントローラ７が出力する読取期間中信号及びＡ／Ｄ変換回路９３からのデジタル値を入力とし、Ｄ／Ａ変換回路９４に対して出力するペルチェ素子９２の制御電圧値を決定する。当該ソフトウエア、および、コントローラ７の構成について、以下の実施例１～３で詳細に説明する。
（第１実施例）本実施例について、図２を参照して説明する。図２は、上述のフレーム同期信号（Ｉ）、上述のＸ線照射期間（II）、読取期間中信号（III）、及び、ペルチェ素子９２に本来印加すべき駆動電圧（IV）、及び、ペルチェ素子９２に実際に印加する駆動電圧（V）を、それぞれ時刻を一致させて表示したものである。
コントローラ７は、上記ゲート駆動回路５を作動させた後、読み込み対象となる全ての画素ＤＵに対応する電圧をデジタル値に変換し終えるまでの期間においてＨレベル、それ以外の期間にはＬレベルになるような読取期間中信号（III）を出力する。なお、フレーム周期は、２６６ｍｓ、読取期間は１２０ｍｓ程度を想定している。読取期間は、（チャージアンプ６１の電圧が安定する時間＋Ａ／Ｄ変換回路６２の変換時間）ｘ画素数の時間を要する。ただし、Ａ／Ｄ変換回路を複数設けて並列に動作させることにより、読取期間を短縮することができる。
本実施例に係るソフトウエアは、下記ステップＳ１１－Ｓ１５を、所定の周期で繰り返すフィードバック制御タスクを有する。
（ステップＳ１１）Ａ／Ｄ変換回路９３から、サーミスタ９１の電圧信号値Ｉａｄを読み込む。また、コントローラ７から読取期間中信号（III）を読み込む。
（ステップＳ１２）あらかじめ保存された、サーミスタ９１の温度がＴ１のときのＡ／Ｄ変換回路９３から読み込まれた値Ｉ１と、サーミスタ９１の温度がＴ２のときのＡ／Ｄ変換回路９３から読み込まれた値Ｉ２、及び、Ｉａｄから、線形近似により、現在温度Ｔを求める。最も単純には、次のように求める。Ｔ＝｛（Ｔ１－Ｔ２）・（Ｉ１－Ｉａｄ）／（Ｉ１－Ｉ２）｝＋Ｔ１
（ステップＳ１３）目標温度Ｔ０と、現在温度Ｔとの関係から、ペルチェ素子に出力すべき電圧値Ｖｐを決定する。最も単純な差分制御であれば、Ｖｐ＝α・（Ｔ０－Ｔ）とすればよい。αは係数であって、大きいほど追従が早くなるが、ハンチングの原因にもなるため、系の熱的な時定数に応じて最適な値に設定する。当該制御をＰＩＤ制御とするときは、所定回数前から現在までの温度Ｔをメモリに記憶しておき、積分値、微分値にそれぞれ係数を乗じて、上記の差分制御の値に加えることにすればよい。Ｖｐを決定する方法は、他の公知の制御技術によって、容易に置き換えることができ、どのように決定するかは、本発明の本質に関わらないため、詳細な説明を省略する。
（ステップＳ１４）読取期間中信号（III）がＨレベル（図２の区間Ｂ）のときは、Ｖｐの変化を制限するように、Ｖｐの値を計算し直す。例えば、次の通りＶｐを再計算することにより、図２のような制限後の駆動電圧（Ｖ）が得られる。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
 なお、Ｖｔｈ＝０とすれば、読取期間中信号（III）がＨレベルのときは、ペルチェ素子９２の駆動電圧が全く変動しなくすることができる。これは、駆動電圧の変動の周波数が０であることに相当する。
（ステップＳ１５）決定されたＶｐを、Ｄ／Ａ変換回路９４に対して出力する。出力したＶｐを、Ｖｐｒｅｖとして保存する。
なお、所定の周期は、ＣＰＵ９０の処理能力の範囲内で、できるだけ短くすることが望ましい。例えば、数１０ＭＨｚ程度のクロックで動作する組み込み用のＣＰＵを用いる場合には、周期を数ｍｓ～２０ｍｓ程度にすることができる。その他、ＦＰＧＡ（Ｆｉｅｌｄ　Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ　Ｇａｔｅ　Ａｒｒａｙ）により構成されたロジックで同様の動作をさせることで、より高速な動作が期待できる。
本実施例では、単純に前回の出力値との差分がある閾値を超えないように計算し直すこととしたが、所定期間前のＶｐの履歴を保存しておき、一次元のフーリエ変換をした後に、所定の閾値よりも高い周波数成分を除去した後、逆フーリエ変換を施して、Ｖｐを計算し直すこととするなど、種々の再計算方法に置き換え可能である。すなわち、読取期間中におけるペルチェ素子９２の駆動電圧の周波数が、他の期間（の一部）よりも低くなるようにする限りにおいて、再計算などの方法を種々変更可能であり、本発明はこれらを全て包含する。
（第２実施例）次に本発明の第２実施例について、図３を参照して説明する。図３も図２と同様、各信号の時間的な変化を示したものである。本実施例のプログラムにおける、フィードバック制御タスクは、以下のステップＳ２１－２４を所定の周期で繰り返し実行する。なお、プログラム以外の構成については、第１実施例と同様であるので説明を省略する。
（ステップＳ２１）Ａ／Ｄ変換回路９３から、サーミスタ９１の電圧信号値Ｉａｄを読み込む。
（ステップＳ２２）第１実施例におけるステップＳ１２と同様であるので、説明を省略する。
（ステップＳ２３）第１実施例におけるステップＳ１３と同様であるので、説明を省略する。
（ステップＳ２４）決定されたＶｐを、デューティー比Ｄに変換してＰＷＭタスクへ通知する。Ｖｐを、Ｖｐｒｅｖとして保存する。ここで、デューティー比Ｄは次のように計算する。Ｄ＝Ｖｐ／Ｖｍａｘ　Ｖｍａｘは、Ｄ／Ａ変換回路が出力することのできる最大値である。従って、－１≦Ｄ≦１である。
一方、ＰＷＭタスクは、フィードバック制御タスクよりも短い周期で以下のステップＰ２１－Ｐ２５を繰り返し実行する。
（ステップＰ２１）コントローラ７から読取期間中信号（III）を読み込む。
（ステップＰ２２）Ｄ／Ａ変換回路９４に出力するべき電圧Ｖｓを次のように決定する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
 Ｃはカウンタ変数である。また、Ｃｍａｘは、Ｃの最大値であって、ＰＷＭ波形の分解能に相当する。
（ステップＰ２３）読取期間中信号（III）がＨレベル（図２の区間Ｂ）のときは、Ｖｓを前回のＶｓであるＶｓｐｒｅｖで置き換える。すなわち、読取期間中信号（III）がＨレベルのときにＶｓの状態が変わることがないようにする。
（ステップＰ２４）また、決定されたＶｓを、Ｄ／Ａ変換回路９４に対して出力する。出力したＶｓを、Ｖｓｐｒｅｖとして保存する。
（ステップＰ２５）Ｃをインクリメントする。Ｃ＞Ｃｍａｘなら、Ｃに０を代入する。
このように制御することで、本来、図３の（IV）のような波形で駆動すべきところを、（V）のような波形に制限されるため、区間Ｂにおいて、ペルチェ素子９２の駆動電圧を変化させること無く、ＰＷＭ制御を行うことができる。なお、本実施例によれば、ＰＷＭの制御周期と、フレーム同期信号の周期とを全く独立に制御することができるため、制御の独立性の観点からも有効である。
（第３実施例）本発明の第３実施例について、図４を参照して説明する。図４も図３と同様、各信号の時間的な変化を示したものである。本実施例のプログラムなどは、実施例２と同様であって、コントローラ７の動作のみ相違する。
コントローラ７は、上記ゲート駆動回路５を逐次作動させる。このとき、ゲートラインＧを所定行駆動させるたびに、短期間のウエイトを挿入する。この状態で、ゲートラインＧを駆動し始めてから、所定行の画素ＤＵに対応する電圧をデジタル値に変換し終えるまでの期間においてＨレベル、それ以外の期間にはＬレベルになるような読取期間中信号（III）を出力する（図４）。そうすると、信号状態の変位が可能な期間Ｂが分散されることになる。
所定行は、１行であってもよく、全行の半数程度であってもよい。フレーム周期の範囲内でＸ線照射、読取動作を行うことができる限りにおいて、できるだけ所定行を少なくして、多くのウエイトを挿入することが望ましい。
このように構成することにより、ＰＷＭ波形の制限が緩和されつつ、読取期間中にペルチェ素子９２の駆動電圧を変化させることを無くすることができる。
（第４実施例）上記実施例２～３と同様の機能を、ハードウエアで実現した構成を、実施例４として、図５に示す。なお、本実施例における温度制御手段９以外の構成、及び、Ａ／Ｄ変換回路９３からのデジタル値を入力として出力を決定するフィードバック制御の方法については、他の実施例と同様であるので説明を省略する。
本実施例に係る温度制御手段９は、サーミスタ９１と、ペルチェ素子９２と、サーミスタ９１の電圧信号をデジタル値に変換するＡ／Ｄ変換回路９３と、ペルチェ素子９２の駆動電圧を、ＰＷＭ波形で制御するＰＷＭ制御回路９６と、コントローラ７から読取期間中信号（III）の立ち上がり時点におけるＰＷＭ制御回路９５の出力電圧を、当該読取期間中信号（III）がＨレベルの間保持するサンプリングホールド回路９５と、ＣＰＵ９０とを有している。当該ＣＰＵ９０に搭載されたソフトウエアは、Ａ／Ｄ変換回路９３からのデジタル値を入力とし、ＰＷＭ制御回路９６に対する、デューティー比を計算し出力する。当該機能によって、電力消費を最小限にすることができ、かつ、ペルチェ素子の駆動によるノイズの重畳をなくすることができる。

Claims (3)

  1. 放射線を電荷に変換するＸ線変換層と、前記Ｘ線変換層の放射線入射側に設けられたバイアス印加電極と、前記共通電極とは逆側に、マトリクス状に設けられた画素電極と、前記画素電極のそれぞれに対応して設けられたスイッチング素子と、前記スイッチング素子の開閉を制御するゲート制御手段と、前記スイッチング素子を介して読み出された前記電荷を、電圧に変換するチャージアンプと、前記チャージアンプから出力された電圧をデジタル値に変換するＡ／Ｄ変換回路と、前記Ｘ線変換層の温度を検知する検温素子と、前記Ｘ線変換層の温度を変化させるペルチェ素子と、前記検知された温度に基づいて、前記ペルチェ素子への印加電圧を制御する温度制御手段とを有し、前記温度制御手段は、前記ゲート制御手段を開いて前記電荷の読み出しを開始した後、Ａ／Ｄ変換を完了するまでの読取期間内において、前記制御電圧の変動を所定の周波数以下に制限することを特徴とする放射線撮像装置
  2. 前記所定の周波数を、直流とすることを特徴とする請求項１記載の放射線撮像装置
  3. 前記温度制御手段は、前記制御電圧の立ち上げ及び立ち下げを、前記読取期間内に行わないようなＰＷＭ制御を行うことを特徴とする請求項２記載の放射線撮像装置 
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