WO2008012937A1 - Wafer bonding method, thinning method and detaching method - Google Patents

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Yoshihiro Inao
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Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd.
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    • Y10T156/10—Methods of surface bonding and/or assembly therefor

Definitions

  • the present invention provides a method for bonding a wafer so that the wafer is held on a plate, a method for thinning the plate, and a method for peeling the wafer prior to the step of grinding and polishing and thinning the wafer. About.
  • the thickness of the silicon wafer on which the semiconductor chip is formed (hereinafter simply referred to as the wafer) is also 25 m for the next generation semiconductor chip from the current thickness of 125 m to 150 m. It is said that it must be formed with a thickness of ⁇ 50 m.
  • a protective tape is attached to a surface of a wafer on which a circuit has been formed, and this is reversed, and the back surface of the wafer is ground and thinned by a grinder, and further polished. Is done.
  • the back surface of the thinned wafer is fixed on a dicing tape held by a die cinder frame, and in this state, the protective tape covering the circuit forming surface of the wafer is peeled off. After that, dicing equipment was used to separate each chip.
  • a protective substrate in which a ladder-type silicone oligomer is impregnated into an aluminum nitride-boron nitride pore sintered body is used, or alumina having a thermal expansion coefficient substantially the same as that of a wafer.
  • Protective substrates made of aluminum nitride, boron nitride, silicon carbide, etc. have been used, and wafers have been held by such protective substrates.
  • the protective substrate and the wafer must be bonded.
  • a thermoplastic resin such as polyimide is used, and this thermoplastic resin is made to have a thickness of 10 to 1 OO zm.
  • thermoplastic film once dried is used as the adhesive for bonding the protective substrate and the wafer, a heating process is required to soften the thermoplastic film when peeling the wafer from the protective substrate. .
  • Patent Document 1 proposes a method of pasting with the above method.
  • the support plate is provided with a large number of through holes, so that the bonding property with the adhesive is good and the support plate is a rigid body such as glass, so that the wafer is extremely thin.
  • the support plate After being ground and polished to a thin plate, it is easy to handle, and the support plate has a number of through-holes as described above, so that the stripping solution can be bonded through the through-holes.
  • To penetrate the agent layer It has various advantages of being easy.
  • the support plate for holding the wafer is evacuated from the back surface and fixed on the processing table.
  • the support plate is provided with a large number of through holes as described above, if the adhesive layer is flexible, the traces of the through holes may be transferred to the circuit surface of the wafer by vacuuming. .
  • the transfer of traces of through-holes may occur on the wafer even with the pressing force from the rotating stone during grinding.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2 0205 _ 1 9 1 5 5 0 (see [Summary] and FIG. 3) Disclosure of Invention
  • the method for bonding a wafer to a support plate according to the present invention is characterized in that the support plate and the wafer are bonded with a plurality of types of hard and soft adhesives. There is.
  • the adhesive is composed of, for example, hard and soft two layers, the hard layer is bonded to the wafer, and the soft layer is bonded to the support plate.
  • the hard and soft two layers of the adhesive are formed by sequentially forming a hard layer and a soft layer on a wafer, and thereafter, a support plate is bonded to the soft layer.
  • the adhesive may be composed of, for example, hard and soft three layers.
  • the adhesive has a three-layer structure in which a hard layer is sandwiched between soft layers from above and below, for example.
  • the formation of the hard and soft three layers of the adhesive may include, for example, a soft layer, a hard layer, and a soft layer sequentially formed on the wafer.
  • the support plate may be configured to have a plurality of through holes.
  • the through hole preferably has an opening diameter of 200 to 700 m, and the total opening area is 20% or more of the area of the surface of the support plate.
  • a method for thinning a wafer of the present invention is as follows.
  • the wafer bonded by one of the bonding methods described above is ground or polished to thin the wafer.
  • the wafer peeling method of the present invention peels the wafer thinned by the above-described thinning method by dissolving the adhesive with a peeling solution. .
  • the wafer and the support plate are bonded to each other with a plurality of hard and soft adhesive layers. Therefore, when the support plate has a large number of through holes, the traces of the through holes are transferred to the thinned wafer. Thus, it is possible to provide a thin plate bonding method in which the end portion of the wafer is hardly turned over and is not easily turned up.
  • the wafer and the support plate are bonded to each other by a plurality of hard and soft adhesive layers, the wafer is firmly held on the support plate, which makes it easy to thin the wafer by grinding-polishing. .
  • the adhesive layer is dissolved with a peeling solution to peel off the wafer, so that no unnecessary action such as high heat from the outside is applied to the circuit forming surface of the wafer.
  • the wafer is less damaged, and the yield is improved.
  • FIG. 1A is a perspective view schematically showing a configuration of a support plate used in a wafer thinning process in Example 1.
  • FIG. 1A is a perspective view schematically showing a configuration of a support plate used in a wafer thinning process in Example 1.
  • FIG. 1B is a cross-sectional view schematically showing a correspondence relationship between alignment of a support plate and a wafer in Example 1.
  • FIG. 1C is a cross-sectional view schematically showing a state after thermocompression bonding with a support plate and an adhesive layer of a wafer in Example 1.
  • FIG. 2A is a perspective plan view of a pasting apparatus for pasting a support plate and a wafer in Example 1 through an adhesive layer.
  • FIG. 2B is a front view of a bonding apparatus for bonding a support plate and a wafer in Example 1 through an adhesive layer.
  • FIG. 3 is a diagram schematically illustrating a series of processing steps for bonding a support plate and a wafer and thinning the wafer.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining a peeling process for peeling a thinned wafer from a support plate.
  • FIG. 5A is a characteristic diagram showing the relationship between the hardness of an adhesive and transferability.
  • FIG. 5B is a characteristic diagram showing the relationship between the hardness and adhesive strength of an adhesive.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view schematically showing a state after thermocompression bonding with a support plate and an adhesive layer of the wafer performed prior to the step of grinding and polishing and thinning the wafer in Example 2.
  • FIG. 1A is a perspective view schematically showing the structure of a support plate used in a wafer thinning process described later in Example 1
  • FIG. 1C is a cross-sectional view schematically showing a state after the thermocompression bonding by the adhesive layer of the support plate and the wafer.
  • the support plate 1 has a disk-like shape made of a rigid glass plate.
  • the support plate 1 is formed with a large number of fine through holes 2 that are evenly arranged on one surface.
  • This support plate 1 has a plurality of hard and soft types on the circuit forming surface (in the example shown in the figure, hard adhesive layer 3 and soft adhesive layer 4) in the laminating apparatus as shown in FIG.
  • the two types of the adhesive layer are aligned to face the wafer 5 coated with the adhesive layer.
  • the support plate 1 and the wafer 5 are bonded together via the hard adhesive layer 3 and the soft adhesive layer 4 by applying heat and pressure.
  • the soft adhesive layer 4 is bonded to the support plate 1 and the hard adhesive layer 3 is bonded to the wafer 5 as in the example shown in FIG. It is glued.
  • the support plate 1 and the wafer 5 are bonded to the adhesive layer composed of the hard and soft two layers.
  • the wafer 5 is bonded to the soft adhesive layer 4 and the hard adhesive layer.
  • FIG. 2A is a perspective plan view of a bonding apparatus for bonding the support plate 1 and the wafer 5 through an adhesive layer as described above, and FIG. 3B is a front view thereof. is there.
  • the pasting device 10 has a support stocker 6 that holds a plurality of pre-use support plates 1 at the front end, and a plurality of cassettes that contain circuit-formed wafers.
  • a wafer cassette station 7 and an overlay apparatus 8 are arranged.
  • a robot movement path 9 occupying about 2Z3 on the left is formed in the center, and the support plate 1 and the wafer 5 bonded together are bonded to the right side thereof by bonding.
  • Mounting device 1 1 is arranged.
  • Robot 1 2 is waiting at the left end of robot movement path 9.
  • a spin cup 13 for applying an adhesive to the wafer 5 is arranged at the rear end of the apparatus.
  • the flat finder Z cool plate 14 and the baking or oven plate 15 are arranged side by side.
  • An application nozzle 16 is attached near the spin cup 13.
  • this pasting device 10 has an input display device 1 8 that can display desired information while performing an input operation on the front upper right side of the upper protective cover 17. Is provided. The operator can control the operation of various internal devices by performing input operations while viewing the display on the input display device 1 8.
  • FIG. 3 is a diagram schematically illustrating a series of processing steps for bonding the support plate 1 and the wafer 5 and thinning the wafer 5. This process is started when an instruction from the operator is input from the input display device 18.
  • step S 1 shown in FIG. 3 the robot 12 shown in FIG. 2 rotates while moving left and right in the robot movement path 9 to expand and contract the arm, and the wafer force setting station.
  • the wafer 5 taken out from 7 is placed on the processing table of the spin cup 1 3.
  • the wafer 5 placed on the processing table is rotated as indicated by an arrow a in FIG.
  • the liquid adhesive 3 ′ is dropped on the wafer 5 and spin-coated.
  • the liquid adhesive 3 ′ is uniformly applied to the entire upper surface (circuit formation surface) of the wafer 5.
  • the adhesive there is a high-temperature treatment step such as attachment of DAF (die attach film), so that an adhesive having a high softening point, for example, an acrylic resin material is used.
  • a high-temperature treatment step such as attachment of DAF (die attach film)
  • an adhesive having a high softening point for example, an acrylic resin material is used.
  • step S 2 the wafer 5 coated with the adhesive liquid is taken out from the spin cup 13 by the robot 12 and transferred to the bake or oven plate 15.
  • the liquid adhesive 3 ′ is dried to reduce the fluidity, and the layer shape as the hard adhesive layer 3 is maintained. In this drying, for example, heating is performed at 40 to 200 ° C. for a predetermined time.
  • the thickness of the hard adhesive layer 3 is determined according to the unevenness of the circuit formed on the adhesive surface of the wafer 5.
  • the quality of the resin used as the adhesive raw material is selected so that the hard adhesive layer 3 becomes a relatively hard adhesive layer in a state after thermocompression bonding described later.
  • the same steps as the above-described steps S 1 and S 2 are repeated to form the soft adhesive layer 4 on the hard adhesive layer 3.
  • the soft adhesive layer 4 the quality of the resin used as the adhesive raw material is selected so that it becomes a relatively soft adhesive layer in a state after thermocompression bonding described later.
  • the wafer 5 in the process S1 and the process S2 is applied to the wafer 5.
  • the hard adhesive layer 3 is applied first, and then the soft adhesive layer 4 is applied.
  • step S 3 the wafer 5 and the support plate 1 are aligned.
  • the robot 12 takes out the wafer 5 from the bake or oven plate 15 and places it on the superposition table of the superposition device 8.
  • the robot 12 takes out the support plate 1 from the support stocker 6 and aligns it with the wafer 5 placed on the superposition table of the superposition device 8.
  • step S 4 the wafer 5 and the support plate 1 superposed as described above are thermocompression bonded via the adhesive layers 3 and 4.
  • the robot 1 2 takes the support plate 1 and the wafer 5 that have been stacked and aligned, and then removes the support plate 1 and the wafer 5 from the stacking unit 8 to the bonding unit 1 1. Transport.
  • thermocompression bonding is performed in the pressure-reducing chamber of the bonding unit 1 1. For example, heat of 40 to 300 ° C is applied. By this thermocompression bonding, the wafer 5 and the support plate 1 are temporarily integrated.
  • the support plate 1 is made of a material having rigidity, such as glass, as described above, an integrated product of the support plate 1 and the wafer 5 is used. Is easy.
  • the integrated product taken out from the decompression chamber is a robot 1
  • step S 5 the integrated product after cooling has a transfer prevention sheet on the back surface of the support plate 1 (the side opposite to the surface supporting the wafer 5), although not particularly illustrated. Affixed.
  • the cooled integrated product is also carried into a grinding device (not shown), and the support plate 1 side is fixed on the processing table by evacuation.
  • the back surface (non-bonded surface) of the wafer 5 is ground to a predetermined thickness while the grinder 22 held at the tip of the rotating shaft 21 of the grinding apparatus rotates as indicated by an arrow b.
  • step S 6 the back surface (non-adhesive surface) of the wafer 5 roughened by the grinder 22 is polished and mirror-finished.
  • Step 7 is a back metallization process for generating a metal thin film 23 on the back surface of the mirror-finished wafer 5 or a process for forming a back circuit 24 on the back surface of the mirror-finished wafer 5.
  • any one process may be selectively performed, or none of them may be performed.
  • FIG. 4 is a diagram for explaining a peeling treatment process.
  • step S8 a dicing tape is attached to the surface on which no circuit is formed.
  • a solvent supply plate (not shown) is pressed against the support plate 1.
  • the solvent peeling liquid 27
  • the peeling liquid 27 penetrates into the adhesive layer from the through hole 2 of the support plate 1.
  • the stripping solution 27 is supplied to the whole.
  • the stripping solution 2 7 enters the through hole 2 (see FIGS. 1A, B, and C) of the support plate 1 and penetrates into the hard adhesive layer 3 and the soft adhesive layer 4 so as to be hard bonded.
  • the agent layer 3 and the soft adhesive layer 4 are gradually dissolved.
  • step 10 the handle jig 28 is used, and the handle jig is used.
  • the support plate 1 is peeled off from the wafer 5 by 2-8.
  • the entire adhesive layer 3 and 4 is not waited for dissolution, but the support plate 1 is peeled when it is dissolved to the extent that it can be peeled off. .
  • step S 11 the adhesives 3 and 4 remaining on the surface of the wafer 5 are cleaned with the cleaning liquid 29.
  • the adhesive layer that bonded the wafer 5 and the support plate 1 has a hard / soft two-layer structure, even if vacuuming is performed from the non-bonded surface side of the support plate 1 in the grinding machine, Further, even if the pressing force from the grinder 22 or the polishing machine is applied, the trace of the through hole 2 is not transferred to the wafer 5.
  • the wafer 5 is diced by a rotary dicing saw of diamond and divided into a large number of chips.
  • the divided chips are peeled off from the dicing tape 26 and supplied to the wiring bonding apparatus.
  • FIG. 5A is a characteristic diagram showing the relationship between the hardness of the adhesive and the transferability
  • FIG. 5B is a characteristic diagram showing the relationship between the hardness of the adhesive and the adhesive force.
  • the vertical axis indicates transferability.
  • the vertical axis shows the transferability “small” at the origin and the transferability “large” as it goes up.
  • the horizontal axis shows the hardness of the adhesive.
  • the horizontal axis shows hardness “small” at the origin, and hardness “large” toward the right.
  • the vertical axis indicates the adhesive force.
  • the vertical axis shows that the adhesive strength is “small” at the origin, and the adhesive strength is “large” as it goes up.
  • the horizontal axis shows the hardness of the adhesive.
  • the horizontal axis shows hardness “small” at the origin and “hard” as it goes to the right.
  • the thickness of the adhesive layer is determined according to the size of the wafer 5 and the state of the circuit to be formed. Considering this, the optimal material for the hard adhesive layer 3 should be selected.
  • the adhesion of the hard adhesive layer 3 is limited to the wafer 5 side. Even if it is on the support plate 1 side, there is no difference in effect.
  • FIG. 6 shows a support plate and wafer adhesive layer that are formed prior to the wafer grinding and polishing and thinning process in the wafer thinning process similar to that described above in the second embodiment. It is sectional drawing which shows typically the state after thermocompression bonding by.
  • the adhesive layer for bonding the support plate 1 and the wafer 5 has a three-layer structure in which the hard adhesive layer 31 is sandwiched between the soft adhesive layers 3 2 and 3 3 from above and below. ing.
  • one of the upper and lower soft adhesive layers (the lower soft adhesive layer 3 2 in the example in the figure) is bonded to the wafer 5, and the other soft adhesive layer (the upper soft adhesive layer in the example in the figure).
  • the agent layer 3 3) is bonded to the support plate 1.
  • the formation of the three-layered adhesive layer may be repeated by repeating steps S1 and S2 shown in FIG. 3, and the soft adhesive layer 32 may be applied. After that, the sheet of the hard adhesive layer 31 and the sheet of the soft adhesive layer 33 may be overlapped on each other and thermally bonded.
  • the soft adhesive layer 3 2 and the soft adhesive layer 3 3 may both be the same as the soft adhesive layer 4 shown in Fig. 1, or the hard adhesive layer 3 1 May be the same as the hard adhesive layer 3 shown in FIG.
  • the front and back of the adhesive layer having a three-layer structure are both soft adhesive layers.
  • the end of the wafer 5 that has been thinned by grinding is peeled off before dicing.
  • the soft adhesive layer 33 on the side of the support plate 1 is somewhat pulled or pushed into the through-hole 2, resistance to deformation by the central hard adhesive layer 31
  • the soft adhesive layer 3 2 on the wafer 5 side is on the through hole 2 side. It is not pulled and deformed. Therefore, the trace of the through hole 2 is not transferred to the wafer 5 that has undergone the peeling process.
  • the resin used for the soft adhesive layer and the hard adhesive layer has a strong affinity between the soft adhesive layer and the hard adhesive layer when a similar resin is used. There is almost no need for special consideration for the adhesion between the two.
  • the surface of the wafer 5 attached to the adhesive layer is the same as the surface on which the circuit is formed.
  • the surface of the support plate 1 attached to the adhesive layer may be any surface.
  • a hard layer, a soft layer, and a hard layer are sequentially formed on the wafer, and then the support plate is bonded to the exposed hard layer. Good.

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Description

明 細 書
ウェハの接着方法、 薄板化方法、 及び剥離方法
技術分野
[0001 ] 本発明は、 ウェハが研削■研摩されて薄板化される工程に先立ってサポー 卜プレー卜にウェハが保持されるためのウェハの接着方法と、 その薄板化方 法、 及びその剥離方法に関する。
背景技術
[0002] 従来、 I Cカード、 携帯電話、 デジタルカメラ、 その他の携帯用電子機器 が広く用いられている。 近年、 これらの携帯用電子機器は対して、 例外なく 、 薄型化、 小型化、 軽量化が要求されている。
[0003] このような要求が満たされるためには、 これらの電子機器に組み込まれる 半導体チップも薄型化されていなければならない。
このため半導体チップが形成されるシリコンウェハ （以下、 単にウェハと いう） の厚さも、 現状の 1 2 5 m〜 1 5 0 mの厚さから、 次世代の半導 体チップ用として 2 5 m〜 5 0 mの厚さで形成されなければならないと 言われている。
[0004] 従来、 ウェハの薄板化では、 例えば、 ウェハの回路形成済みの面に保護テ ープが貼り付けられ、 これが反転されてウェハの裏面がグラインダで研削さ れ薄層化され、 更に研摩される。
[0005] そして、 この薄層化されたウェハの裏面がダイシンダフレームに保持され ているダイシングテープ上に固定され、 この状態でウェハの回路形成面を覆 つている保護テープが剥離される。 この後ダイシング装置によって各チップ 毎に切り離されるようになつていた。
[0006] しかし、 これでは、 保護テープがウェハから剥離される際に、 ウェハに割 れゃ欠けが生じやすい。 また保護テープだけでは薄層化したウェハを支える ことができない。
このため、 搬送は人手によって慎重に行われる。 したがって、 加工工程の 自動化ができないなどの面倒がある。
[0007] そこで、 保護テープの代わりに窒化アルミニウム—窒化硼素気孔焼結体に ラダー型シリコーンォリゴマーを含浸させた保護基板が用いられたり、 ゥェ ハと実質的に同一の熱膨張率のアルミナ、 窒化アルミニウム、 窒化硼素、 炭 化珪素などから成る保護基板が用いられ、 このような保護基板によってゥェ ハが保持されるようになってきた。
[0008] この場合、 保護基板とウェハとが接着されなければならないが、 この接着 剤としては、 ポリイミドなどの熱可塑性樹脂が用いられ、 この熱可塑性樹脂 を 1 0〜 1 O O z mの厚さのフィルムとする方法、 或いは接着剤樹脂溶液を スピンコートし、 乾燥させて 2 0 m以下のフィルムにする方法がある。
[0009] このように固い保護基板を用いる方法は、 加工工程中の取リ极いや搬送の 自動化が可能になる。
しかし、 保護基板とウェハとの接着で、 一旦乾燥した熱可塑性フィルムを 接着材として用いているため、 ウェハを保護基板から剥離する際に熱可塑性 フィルムを柔らくするための加熱工程が必要となる。
[0010] その場合、 一旦乾燥した熱可塑性フィルムを軟化させるには高温が必要で あり、 ウェハの回路を損傷する可能性が多分にある。
また、 フィルム状の接着材を用いると接着強度に部分的なバラツキが生じ
、 研削の際に剥がれたり、 逆にウェハを保護基板から剥離する際に剥離しに
<い箇所が現れるなどの欠点がある。
[0011 ] そこで、 ウェハを研削 '研摩して薄層化する工程に先立って、 ウェハに割 れゃ欠けが生じにくいように、 多数の貫通孔を有する剛体のサポー卜プレー 卜にウェハを接着剤で貼り付ける方法が、 特許文献 1に提案されている。
[0012] この方法は、 サポートプレートに多数の貫通孔が設けられていることで、 接着剤との接合性が良いことと、 サポートプレー卜がガラス等の剛体である ことにより、 ウェハが極薄の薄板に研削，研摩されたのちも、 取り扱いが容 易であること、 そして、 上記のようにサポートプレートに多数の貫通孔が設 けられていることで、 貫通孔を介して剥離液を接着剤層に浸透させることが 容易であるという各種の利点を有している。
[0013] ところで、 ウェハの研削と研摩時には、 ウェハを保持するサポートプレー 卜が裏面から真空引きされて加工台上に固定される。
ところが、 上述したようにサポー卜プレートに多数の貫通孔が設けられて いるので、 接着剤層が柔軟であると、 貫通孔の跡が真空引きでウェハの回路 面に転写される可能性がある。
[0014] また実際に、 研削の際の回転研石からの押圧力でもウェハに貫通孔跡の転 写が起きることがある。
このような不具合を防止するため、 サポートプレー卜に転写防止シートを 貼る方法が実行されているが、 それでもウェハに貫通孔跡の転写が発生する
[0015] この問題は、 接着剤層をより硬質なものにすると解決できるが、 接着剤層 があまり硬質であると、 接着性が低下し、 研削と研摩により薄板化されたゥ ェハが、 周辺部で接着剤層から剥離してめくれ上がるという不具合が生じる 可能性がある。
[0016] また、 サポートプレー卜には接着剤層が塗布されるのではなく圧着される ので、 接着剤層があまり硬いと接着性が低下するという問題も残されている したがって、 研摩後のウェハの厚さによって、 接着剤の厚さ、 材質、 硬さ 等については十分に調整が行われる必要があって面倒である。
特許文献 1 ：特開 2 0 0 5 _ 1 9 1 5 5 0号公報 （ [要約] 、 図 3を参照） 発明の開示
[0017] 上述した不具合の一つを解消するために、 本発明のサポートプレートへの ウェハの接着方法は、 サポートプレートとウェハとを硬軟複数種類の接着剤 にて接着するようにしたことに特徴がある。
[0018] この場合、 上記接着剤は、 例えば、 硬軟二層から成り、 硬質層はウェハに 接着され、 軟質層はサポートプレートに接着されるようにする。 勿論、 その 逆でも良い。 また、 接着剤の硬軟二層の形成は、 例えば、 ウェハ上に、 硬質層、 軟質層 を順に形成し、 この後、 軟質層にサポートプレートを接着するようにする。
[0019] また、 上記接着剤は、 例えば、 硬軟三層から成るように構成してもよい。
この場合、 上記接着剤は、 例えば、 硬質層を上下から軟質層で挟む三層構造 から成るのが有効である。
また、 この場合、 接着剤の硬軟三層の形成は、 例えば、 ウェハ上に、 軟質 層、 硬質層、 軟質層を順に形成してよい。
[0020] また、 上記サポートプレートは、 複数の貫通孔を有するように構成しても よい。 この場合、 上記貫通孔は、 開口径が 2 0 0〜7 0 0 mであり、 開口 総面積が上記サポートプレー卜の面の面積の 2 0 %以上であることが好まし い。
[0021 ] また、 上記不具合の他の一つを解決すべく本発明のウェハの薄板化方法は
、 上記記載のいずれかの接着方法によリ接着されたウェハを研削または研磨 してウェハを薄板化する。
また、 上記不具合の更に他の一つを解決すべく本発明のウェハの剥離方法 は、 上記の薄板化方法によリ薄板化されたウェハを剥離液で接着剤を溶解す ることにより剥離する。
[0022] 本発明によれば、 硬軟複数種類の接着剤層によりウェハとサポートプレー 卜を接着するので、 サポートプレートが多数の貫通孔を有する場合に、 薄板 化したウェハに貫通孔の跡が転写されにくく且つウェハの端部がめくれ上が リにくい薄板接着方法を提供することが可能となる。
[0023] また、 硬軟複数種類の接着剤層によりウェハとサポートプレートとを接着 するのでウェハがサポートプレートに強固に保持され、 これにより、 研削 - 研磨によるウェハの薄板化が容易にできるようになる。
[0024] また、 ウェハの薄板化後には接着剤層を剥離液で溶解してウェハを剥離す るのでウェハの回路形成面に外からの高熱等の無用な作用が加わらないので
、 ウェハの破損が少なく、 したがって歩留まりが向上する。
図面の簡単な説明 [図 1A]実施例 1においてウェハの薄板化加工工程にて用いられるサポートプ レー卜の構成を模式的に示す斜視図である。
[図 1 B]実施例 1におけるサポートプレートとウェハの位置合わせ時の対応関 係を模式的に示す断面図である。
[図 1C]実施例 1におけるサポートプレートとウェハの接着剤層による熱圧着 後の状態を模式的に示す断面図である。
[図 2A]実施例 1におけるサポー卜プレートとウェハとを接着剤層を介しての 貼リ合せる貼リ付け装置の透視的平面図である。
[図 2B]実施例 1におけるサポー卜プレートとウェハとを接着剤層を介しての 貼り合せる貼り付け装置の正面図である。
[図 3]サポートプレートとウェハの貼り合わせとウェハの薄板化の一連の処理 工程を模式的に説明する図である。
[図 4]薄板化されたウェハをサポートプレー卜から剥離する剥離処理工程を説 明する図である。
[図 5A]接着剤の硬度と転写性の関係を示す特性図である。
[図 5B]接着剤の硬度と接着力の関係を示す特性図である。
[図 6]実施例 2においてウェハを研削■研摩して薄層化する工程に先立って行 われるサポートプレートとウェハの接着剤層による熱圧着後の状態を模式的 に示す断面図である。
符号の説明
1 サポートプレート
2 貝通孔
3 硬質接着剤層
4 軟質接着剤層
5 ウェハ
6 サポートストツ力
7 ウェハカセットステーション
8 位置合わせ装置 9 ロボッ卜移動路
1 1 貼り付け装置
1 2 ロ不ッ卜
1 3 スピンカップ
1 4 フラッ卜ファインダ Zクールプレー卜
1 5 ベークまたはオーブンプレー卜
1 6 塗布ノズル
1 7 上部保護カバー
1 8 入力表示装置
2 1 回転軸
2 2 グラインダ
2 3 金属薄膜
2 4 裏面回路
2 5 テープフレーム
2 6 ダイアタッチフィルム （ダイシングテ
2 7 剥離液
2 8 取っ手治具
2 9 洗浄液
3 1 硬質接着剤層
3 2 軟質接着剤層
3 3 軟質接着剤層
発明を実施するための最良の形態
(実施例 1 )
図 1 Aは、 実施例 1において、 後述するウェハの薄板化加工工程にて用い られるサポートプレートの構成を模式的に示す斜視図であり、 図 1 Bはサボ 一卜プレートとウェハの位置合わせ時の対応関係を模式的に示す断面図、 図 1 Cはサポートプレートとウェハの接着剤層による熱圧着後の状態を模式的 に示す断面図である。 [0028] 同図 Aに示すように、 サポートプレート 1は、 剛性体であるガラス板から 成る円板状の形状をなしている。
このサポートプレート 1には、 図 1 Aに示すように、 一面に均等に配置さ れた多数の微細な貫通孔 2が形成されている。
[0029] このサポートプレート 1は、 貼り合せ装置の中で、 同図 Bに示すように、 回路形成面に硬軟複数種類 （同図に示す例では硬質接着剤層 3と軟質接着剤 層 4との二種類） の接着剤層を塗布されたウェハ 5に対向して位置合わせさ れる。
[0030] この後、 サポートプレート 1とウェハ 5とが、 熱と圧力を加えられて硬質 接着剤層 3と軟質接着剤層 4を介して貼リ合せられる。
この硬軟二層から成る接着剤層を介しての貼り合せでは、 同図 Cに示す例 のようには、 軟質接着剤層 4がサポートプレート 1に接着され、 硬質接着剤 層 3がウェハ 5に接着されている。
[0031 ] 尚、 この硬軟二層から成る接着剤層へのサポートプレー卜 1とウェハ 5の 接着は、 上記とは逆に軟質接着剤層 4にウェハ 5を接着させ、 硬質接着剤層
3にサポートプレー卜 1に接着させるようにしてもよい。
[0032] 図 2 Aは、 上記のようにサポートプレート 1とウェハ 5とを接着剤層を介 しての貼り合せる貼り付け装置の透視的平面図であり、 図 3 Bは、 その正面 図である。
図 2 Aに示すように、 貼り付け装置 1 0は、 正面側端部に複数の使用前の サポートプレート 1を保持するサポートストッカ 6、 回路形成済みのウェハ を収容した複数のカセッ卜を保持するウェハカセッ卜ステーション 7、 及び 重ね合わせ装置 8が配置されている。
[0033] また、 中央部には、 約左 2 Z 3を占めるロボッ卜移動路 9が形成され、 そ の右側に貼リ合せで一体となつたサポー卜プレート 1とウェハ 5と貼り付け る貼り付け装置 1 1が配置されている。 また、 ロボット移動路 9の左端には 、 ロボッ卜 1 2が待機している。
[0034] 装置の後側端部には、 ウェハ 5に接着剤を塗布するスピンカップ 1 3が配 置され、 その右方に、 フラットファインダ Zクールプレート 1 4、 及びべ一 クまたはオーブンプレート 1 5が横に並んで配置されている。 スピンカップ 1 3の近傍に、 塗布ノズル 1 6が添設されている。
[0035] この貼り付け装置 1 0には、 図 2 Bに示すように、 上部保護カバー 1 7の 正面上部右側に、 入力操作しながら所望の情報を表示させることができる入 力表示装置 1 8が設けられている。 オペレータは、 この入力表示装置 1 8の 表示を見ながら入力操作して、 内部の諸装置の動作を制御することができる
[0036] 図 3は、 サポートプレート 1とウェハ 5の貼り合わせとウェハ 5の薄板化 の一連の処理工程を模式的に説明する図である。 この処理はオペレータから の指示が入力表示装置 1 8から入力されることによって開始される。
[0037] 先ず、 図 3に示す工程 S 1では、 図 2に示したロボット 1 2が、 ロボット 移動路 9内を左右に移動しながら、 回転し、 アームを伸縮させて、 ウェハ力 セッ卜ステーション 7から取り出したウェハ 5を、 スピンカップ 1 3の加工 台上に載置する。
[0038] そして、 スピンカップ 1 3では、 加工台に載置されたウェハ 5を、 図 3の 矢印 aで示すように回転させる。 そして、 ウェハ 5に、 液状の接着剤 3 'を 滴下してスピン塗布する。 これにより、 ウェハ 5の上面 （回路形成面） 全面 に、 液状の接着剤 3 'が均一に塗布される。
[0039] なお、 接着剤の塗布では、 スピン塗布以外に、 麵棒で麵材を伸ばすように 接着剤を塗布するアプリケータによる塗布、 あるいは、 少なくともウェハ 5 の直径以上の幅のスリッ卜ノズルで接着剤を塗布する方法等がある。
[0040] また、 接着剤としては、 D A F (ダイアタッチフィルム） の貼り付けなど の高温処理工程があるため軟化点の高いもの、 例えばァクリル系樹脂材料が 使用される。
次に工程 S 2では、 ロボット 1 2によって、 接着液を塗布されたウェハ 5 がスピンカップ 1 3から取り出され、 ベークまたはオーブンプレート 1 5に 移送される。 [0041 ] このべークまたはオーブンプレー卜 1 5では、 上記液状の接着剤 3 'を乾 燥させて流動性を低減させ、 硬質接着剤層 3としての層形状を維持させる。 この乾燥では、 例えば 4 0〜 2 0 0 °Cで所定時間加熱される。
[0042] また、 硬質接着剤層 3の厚さはウェハ 5の接着剤面に形成されている回路 の凹凸に応じて決定される。 また、 硬質接着剤層 3は後述する熱圧着後の状 態で比較的硬質の接着剤層となるように接着剤原料として使用される樹脂の 質が選択される。
[0043] 続いて、 上記の工程 S 1及び S 2と同様の工程を繰り返して、 硬質接着剤 層 3の上に軟質接着剤層 4を形成する。 この軟質接着剤層 4としては、 後述 する熱圧着後の状態で比較的軟質の接着剤層となるように接着剤原料として 使用される樹脂の質が選択される。
[0044] 尚、 上述したように、 硬軟二層から成る接着剤層へのサポートプレー卜 1 とウェハ 5の接着関係を逆にする場合には、 工程 S 1及び工程 S 2における ウェハ 5への接着剤の塗布は、 先に硬質接着剤層 3を塗布し、 次に軟質接着 剤層 4を塗布することになる。
[0045] 続いて工程 S 3では、 ウェハ 5とサポートプレー卜 1との位置合わせが行 われる。 この位置合わせでは、 ロボット 1 2は、 ウェハ 5をべークまたはォ ーブンプレート 1 5から取り出し、 重ね合わせ装置 8の重ね合わせ台上に載 置する。
[0046] 続いて、 ロボット 1 2は、 サポートストッカ 6からサポートプレート 1を 取り出して、 それを重ね合わせ装置 8の重ね合わせ台上に載置されているゥ ェハ 5に重ねて位置合わせする。
[0047] そして、 工程 S 4において、 上記のように重ね合わせされたウェハ 5とサ ポートプレート 1とが接着剤層 3及び 4を介して熱圧着される。
この熱圧着では、 ロボット 1 2は、 重ねて位置合わせの完了したサポート プレート 1とウェハ 5を重ね合わせ装置 8から取り出して、 そのサポートプ レー卜 1とウェハ 5を、 貼り付けュニッ卜 1 1に移送する。
[0048] 上記の熱圧着は、 貼り付けュニッ卜 1 1の減圧チャンバ内で行われ、 例え ば 4 0〜3 0 0 °Cの熱が加えられる。 この熱圧着によりウェハ 5とサポー卜 プレー卜 1とが一時的に一体化される。
[0049] サポートプレー卜 1には、 上述したように例えばガラス等の剛性を有す材 質のものが使用されるので、 このサポートプレー卜 1とウェハ 5との一体化 物の取リ极いは容易である。
[0050] 熱圧着が完了し、 減圧チャンバから取り出された一体化物は、 ロボッ卜 1
2により取り出されて、 図示していないが、 クーリングエリアにて自然冷却 される。
続いて工程 S 5において、 この冷却後の一体化物には、 先ず、 特には図示 しないが、 サポートプレート 1の裏面 （ウェハ 5を支持している面の反対側 面） に、 転写防止シー卜が貼着される。
[0051 ] 次に、 冷却後の一体化物は、 これも不図示の研削装置に搬入され、 サポー 卜プレート 1側を真空引きで加工台上に固定される。
そして、 研削装置の回転軸 2 1の先端に保持されるグラインダ 2 2が矢印 bで示すように回転しながらウェハ 5の裏面 （非接着面） を所定の厚さに研 削する。
[0052] そして、 工程 S 6において、 上記グラインダ 2 2で荒削りされたウェハ 5 の裏面 （非接着面） が研摩されて鏡面化される。
その後の、 工程 7は、 行われる場合もあれば、 行われない場合もある。 す なわち、 工程 7は、 鏡面化されたウェハ 5の裏面に金属の薄膜 2 3を生成す るバックメタライズ処理又は鏡面化されたウェハ 5の裏面に裏面回路 2 4を 形成する処理である。
[0053] これらの処理のうち、 いずれか一つの処理が選択的に行われるか、 又はい ずれも行われない場合もある。
上記に続いて剥離処理が行われる。
[0054] 図 4は、 剥離処理工程を説明する図である。 先ず、 工程 S 8では、 回路が 形成されていない面にダイシングテープが貼り付けられる。 図示しない溶剤 供給プレートが、 サポートプレート 1に押し付けられる。 [0055] そして、 溶剤供給プレートの溶剤供給孔から溶剤 （剥離液 2 7 ) が供給さ れて、 サポートプレート 1の貫通孔 2から、 接着剤層に剥離液 2 7が浸透す る。 これにより、 剥離液 2 7が全体に供給される。
[0056] そして、 剥離液 2 7が、 サポートプレート 1の貫通孔 2 (図 1 A、 B、 C 参照） に進入し、 硬質接着剤層 3及び軟質接着剤層 4に浸透して、 硬質接着 剤層 3及び軟質接着剤層 4を徐々に溶解させる。
[0057] この状態で、 工程 1 0において、 取っ手治具 2 8が用いられ、 取っ手治具
2 8によリサポートプレー卜 1がウェハ 5から剥離される。
この剥離方法としては、 接着剤層 3及び 4が全て溶解するのを待つのでは なく、 サポートプレー卜 1が剥離できるくらいに溶解された段階で剥離され るので、 全体としてのタク卜が早くなる。
[0058] その後、 工程 S 1 1において、 ウェハ 5の表面に残留する接着剤 3及び 4 が洗浄液 2 9で洗浄される。
ここで、 ウェハ 5とサポートプレート 1を接着していた接着剤層は硬軟二 層構造であるので、 研削装置内におけるサポートプレー卜 1の非接着面側か らの真空引きが行われても、 また、 グラインダ 2 2や研摩機からの押圧力が 加わっても、 ウェハ 5に貫通孔 2の跡が転写されることはない。
[0059] すなわち、 サポートプレー卜 1側の軟質接着剤層 4が貫通孔 2内に幾分引 き込まれたリ押し込まれることがあっても、 ウェハ 5側の硬質接着剤層 3は 変形に対する抵抗が強く、 軟質接着剤層 4が貫通孔 2に引き込まれたリ押し 込まれることに追随して貫通孔 2側に変形することはない。 したがって、 剥 離工程を経たウェハ 5に貫通孔 2の跡が転写されるようなことはない。
[0060] この後、 特には図示しないが、 ダイヤモンドの回転ダイシングソ一によつ てウェハ 5がダイシングされて、 多数のチップに分割される。 分割されたチ ップは、 ダイシングテープ 2 6から剥離され、 配線ボンディング装置に供給 される。
[0061 ] ここで、 接着剤の硬度と転写性の関係、 及び接着剤の硬度と接着力の関係 について簡単に説明する。 図 5 Aは、 接着剤の硬度と転写性の関係を示す特性図であり、 図 5 Bは接 着剤の硬度と接着力の関係を示す特性図である。
[0062] 同図 Aは縦軸に転写性が示されている。 この縦軸は原点で転写性 「小」 、 上にいくほど転写性 「大」 となっている。 そして、 横軸に接着剤の硬度が示 されている。 この横軸は、 原点で硬度 「小」 、 右にいくほど硬度 「大」 とな つている。
[0063] 図 5 Bは縦軸に接着力が示されている。 この縦軸は、 原点で接着力 「小」 、 上にいくほど接着力 「大」 となっている。 そして、 横軸に接着剤の硬度が 示されている。 この横軸は、 原点で硬度 「小」 、 右にいくほど硬度 「大」 と なっている。
[0064] 図 5 Aの特性図で判明するように、 接着剤の硬度が 「小」 であると転写性 は 「大」 となり、 接着剤の硬度が 「大」 であると転写性は 「小」 となる。 したがって、 転写性が 「小」 となることのみを考えれば、 接着剤の硬度は 「大」 であるほど良いということができる。
[0065] しかし、 図 5 Bの特性図で判明するように、 接着剤の硬度が 「小」 である と接着力は 「大」 となり、 接着剤の硬度が 「大」 であると接着力は 「小」 と なる。
したがって、 接着力が 「大」 となることのみを考えれば、 接着剤の硬度は 「小」 であるほど良いということができる。
[0066] つまり、 接着剤の硬度と転写性又は接着力の間には、 二律背反の性質があ る。 これら二律背反の性質を有する 2つの特性から、 ウェハ 5側に接着させ る硬質接着剤層 3として、 接着力が程よく且つ転写性が見られないような特 性のものを選択する必要がある。
[0067] また、 転写性については、 サポートプレー卜 1の貫通孔 2の開口の大きさ も関係するので、 ウェハ 5のサイズや形成される回路の状態に応じて決定さ れる接着剤層の厚さとも考え合わせて最適の硬質接着剤層 3の材質が選択さ れるようにする。
[0068] また、 転写の発生を抑えるには、 硬質接着剤層 3の接着をウェハ 5側と限 ることなく、 サポー卜プレート 1側であっても効果に差はない。
(実施例 2 )
[0069] 図 6は、 実施例 2における前述同様のウェハの薄板化加工工程にて、 ゥェ ハを研削■研摩して薄層化する工程に先立って行われるサポートプレートと ウェハの接着剤層による熱圧着後の状態を模式的に示す断面図である。
[0070] 同図に示すように、 サポートプレート 1とウェハ 5を接着する接着剤層は 、 硬質接着剤層 3 1を上下から軟質接着剤層 3 2及び 3 3で挟む三層構造か ら成っている。
そして、 上下いずれか一方の軟質接着剤層 （同図の例では下の軟質接着剤 層 3 2 ) がウェハ 5に接着され、 他方の軟質接着剤層 （同図の例では上の軟 質接着剤層 3 3 ) がサポートプレー卜 1に接着されている。
[0071 ] 尚、 三層構造の接着剤層の形成は、 図 3に示した工程 S 1及び S 2を繰り 返すことによって塗布が重ねられてもよく、 また、 軟質接着剤層 3 2が塗布 されてから、 その上に硬質接着剤層 3 1のシートと軟質接着剤層 3 3のシー 卜が重ねられて熱接着されるようにしてもよい。
[0072] また、 軟質接着剤層 3 2と軟質接着剤層 3 3は、 共に図 1に示した軟質接 着剤層 4と同一のものが用いられても良く、 また硬質接着剤層 3 1は図 1に 示した硬質接着剤層 3と同一のものが用いられても良い。
[0073] 本例の場合は、 三層構造の接着剤層の表裏がいずれも軟質接着剤層である ので、 ウェハ 5やサポートプレート 1に対して親和性が良く、 つまり接着性 が良いので、 研削加工で薄板化されたウェハ 5がダイシング前に剥離した端 部がめくり上がってくるようなことはない。
[0074] また、 本例においても、 研削装置内におけるサポートプレー卜 1の非接着 面側からの真空引きが行われたり、 研削■研摩の際の押圧力が加わっても、 ウェハ 5に貫通孔 2の跡が転写されることはない。
[0075] すなわち、 サポートプレー卜 1側の軟質接着剤層 3 3が貫通孔 2内に幾分 引き込まれたり押し込まれることがあっても、 中央の硬質接着剤層 3 1によ る変形に対する抵抗が強く、 ウェハ 5側の軟質接着剤層 3 2が貫通孔 2側に 引き込まれて変形することはない。 したがって、 剥離工程を経たウェハ 5に 貫通孔 2の跡が転写されるようなことはない。
[0076] 尚、 軟質接着剤層と硬質接着剤層に使用される樹脂は、 同系の樹脂を使用 すると、 軟質接着剤層と硬質接着剤層との間における親和性が強いので、 こ れらの間における接着性については特段の考慮は殆ど必要がなくなる。
[0077] また、 上記実施例ではいずれの場合も、 接着剤層へのウェハ 5の貼り付け 面は回路が形成されている表面と一定しているが、 サポートプレー卜 1には 表裏の区別はなく、 接着剤層へのサポートプレート 1の貼り付け面は、 いず れの面であってもよい。
[0078] また、 上記三層構造の接着剤の形成では、 ウェハ上に、 硬質層、 軟質層、 硬質層を順に形成した後、 露出側の硬質層にサポートプレートを接着するよ うにしてもよい。

Claims

請求の範囲
[1 ] サポートプレートとウェハとを硬軟複数種類の接着剤にて接着する、 こと を特徴とするウェハの接着方法。
[2] 前記接着剤は、 硬軟二層から成り、 前記接着剤の硬質層は、 前記ウェハに 接着され、 前記接着剤の軟質層は前記サポートプレートに接着される、 こと を特徴とする請求項 1記載のウェハの接着方法。
[3] ウェハ上に、 硬質層、 軟質層を順に形成した後、 軟質層にサポートプレー 卜を接着する、 ことを特徴とする請求項 2に記載のウェハの接着方法。
[4] 前記接着剤は、 硬軟三層から成る、 ことを特徴とする請求項 1記載のゥ ェハの接着方法。
[5] 前記接着剤は、 硬質層を上下から軟質層で挟む三層構造から成る、 ことを 特徴とする請求項 4記載のゥェハの接着方法。
[6] ウェハ上に、 軟質層、 硬質層、 軟質層を順に形成する、 ことを特徴とする 請求項 5に記載のウェハの接着方法。
[7] 前記サポートプレートは、 複数の貫通孔を有することを特徴とする請求項
1記載のウェハの接着方法。
[8] 前記貫通孔は、 開口径が 4 0 0 m以下であり、 開口総面積が前記サポー 卜プレー卜の面の面積の 2 0 %以上である、 ことを特徴とする請求項つ記載 のウェハの接着方法。
[9] 請求項 1に記載の接着方法により接着されたウェハを研削または研磨して
、 ウェハを薄板化することを特徴とするウェハの薄板化方法。
[10] 請求項 9に記載の薄板化方法により薄板化された前記ウェハを剥離液で接 着剤を溶解することにより剥離することを特徴とするウェハの剥離方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100086799A1 (en) * 2008-10-03 2010-04-08 Takahiro Asai Removal method, adhesive agent for substrate, and laminate including substrate
WO2015053132A1 (ja) * 2013-10-07 2015-04-16 東レ株式会社 素子加工用積層体、素子加工用積層体の製造方法、およびこれを用いた薄型素子の製造方法

Families Citing this family (33)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5426855B2 (ja) * 2008-09-18 2014-02-26 東京応化工業株式会社 ガラス基板の製造方法
DE102010007127A1 (de) 2010-02-05 2011-08-11 Ev Group E. Thallner Gmbh Verfahren zur Behandlung eines temporär gebondeten Produktwafers
EP2381464B1 (de) * 2010-04-23 2012-09-05 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Ablösen eines Produktsubstrats von einem Trägersubstrat
US9263314B2 (en) * 2010-08-06 2016-02-16 Brewer Science Inc. Multiple bonding layers for thin-wafer handling
WO2012083561A1 (en) * 2010-12-24 2012-06-28 Siemens Aktiengesellschaft Nozzle for electronic assembly
JP5728243B2 (ja) * 2011-02-16 2015-06-03 東京応化工業株式会社 積層体
JP5478565B2 (ja) * 2011-07-15 2014-04-23 東京エレクトロン株式会社 接合システム
JP5958262B2 (ja) * 2011-10-28 2016-07-27 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP5593299B2 (ja) * 2011-11-25 2014-09-17 東京エレクトロン株式会社 接合装置、接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP5830377B2 (ja) * 2011-12-28 2015-12-09 リンテック株式会社 シート貼付装置、およびシート貼付方法
JP5767159B2 (ja) * 2012-04-27 2015-08-19 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP5687230B2 (ja) * 2012-02-28 2015-03-18 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP5591859B2 (ja) * 2012-03-23 2014-09-17 株式会社東芝 基板の分離方法及び分離装置
JP5983519B2 (ja) * 2012-04-24 2016-08-31 信越化学工業株式会社 ウエハ加工体、ウエハ加工用部材、ウエハ加工用仮接着材、及び薄型ウエハの製造方法
JP5752639B2 (ja) * 2012-05-28 2015-07-22 東京エレクトロン株式会社 接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6176253B2 (ja) 2012-09-07 2017-08-09 旭硝子株式会社 インターポーザ用の中間品を製造する方法およびインターポーザ用の中間品
JP2014063791A (ja) * 2012-09-20 2014-04-10 Tokyo Electron Ltd 接合システム、接合方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP6014455B2 (ja) * 2012-10-19 2016-10-25 富士フイルム株式会社 半導体装置の製造方法
JP6114596B2 (ja) * 2013-03-26 2017-04-12 富士フイルム株式会社 半導体装置製造用仮接合用積層体、および、半導体装置の製造方法
JP6284816B2 (ja) * 2014-04-22 2018-02-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理システム、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体
JP2015214681A (ja) 2014-04-24 2015-12-03 セントラル硝子株式会社 硬化性組成物、仮接着材およびこれらを用いた部材と基材の仮接着方法
US10147630B2 (en) * 2014-06-11 2018-12-04 John Cleaon Moore Sectional porous carrier forming a temporary impervious support
JP6156443B2 (ja) * 2014-08-13 2017-07-05 Jsr株式会社 積層体および基材の処理方法
JP2016146429A (ja) * 2015-02-09 2016-08-12 トヨタ自動車株式会社 半導体装置の製造方法
CN105690974B (zh) * 2016-01-21 2019-01-18 京东方科技集团股份有限公司 柔性薄膜贴合与剥离方法、柔性基板制备方法、衬底基板
CN108963173B (zh) * 2017-05-26 2021-08-27 宁德新能源科技有限公司 导电胶元件、导电胶带、极片、电芯及锂离子电池
CN110767612B (zh) * 2018-07-27 2021-06-18 奇景光电股份有限公司 贴合结构与贴合方法
MY194815A (en) * 2018-11-06 2022-12-16 Disco Corp Wafer processing method including applying a polyolefin sheet to a wafer
JP7154962B2 (ja) * 2018-11-09 2022-10-18 株式会社ディスコ 板状物加工方法
JP2020174100A (ja) * 2019-04-10 2020-10-22 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法
JP7461118B2 (ja) * 2019-08-19 2024-04-03 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7374657B2 (ja) * 2019-08-21 2023-11-07 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
JP7451028B2 (ja) * 2019-12-27 2024-03-18 株式会社ディスコ 保護シートの配設方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0745557A (ja) * 1993-07-27 1995-02-14 Lintec Corp ウェハ貼着用粘着シート
JP2006012998A (ja) * 2004-06-23 2006-01-12 Lintec Corp 半導体加工用粘着シート
JP2006156683A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd サポートプレートの貼り付け方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1137028C (zh) 1998-11-20 2004-02-04 琳得科株式会社 压敏粘合片及其使用方法
US6524881B1 (en) 2000-08-25 2003-02-25 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for marking a bare semiconductor die
JP2002075937A (ja) * 2000-08-30 2002-03-15 Nitto Denko Corp 半導体ウエハの加工方法
JP4812963B2 (ja) 2001-05-18 2011-11-09 リンテック株式会社 半導体ウエハ加工用粘着シートおよび半導体ウエハの加工方法
US7141300B2 (en) 2001-06-27 2006-11-28 Nitto Denko Corporation Adhesive sheet for dicing
US20050173051A1 (en) 2001-11-15 2005-08-11 Munehiro Hatai Adhesive material, method for peeling adhesive material, and pressure-sensitive adhesive tape
TWI241674B (en) 2001-11-30 2005-10-11 Disco Corp Manufacturing method of semiconductor chip
JP3853247B2 (ja) 2002-04-16 2006-12-06 日東電工株式会社 電子部品用加熱剥離型粘着シートおよび電子部品の加工方法並びに電子部品
US6762074B1 (en) 2003-01-21 2004-07-13 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for forming thin microelectronic dies
JP4592270B2 (ja) 2003-10-06 2010-12-01 日東電工株式会社 半導体ウエハの支持材からの剥離方法およびこれを用いた装置
JP4405246B2 (ja) * 2003-11-27 2010-01-27 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 半導体チップの製造方法
JP2005191550A (ja) 2003-12-01 2005-07-14 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd 基板の貼り付け方法
TWI333672B (en) * 2005-03-29 2010-11-21 Furukawa Electric Co Ltd Wafer-dicing adhesive tape and method of producing chips using the same

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0745557A (ja) * 1993-07-27 1995-02-14 Lintec Corp ウェハ貼着用粘着シート
JP2006012998A (ja) * 2004-06-23 2006-01-12 Lintec Corp 半導体加工用粘着シート
JP2006156683A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd サポートプレートの貼り付け方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100086799A1 (en) * 2008-10-03 2010-04-08 Takahiro Asai Removal method, adhesive agent for substrate, and laminate including substrate
WO2015053132A1 (ja) * 2013-10-07 2015-04-16 東レ株式会社 素子加工用積層体、素子加工用積層体の製造方法、およびこれを用いた薄型素子の製造方法
JPWO2015053132A1 (ja) * 2013-10-07 2017-03-09 東レ株式会社 素子加工用積層体、素子加工用積層体の製造方法、およびこれを用いた薄型素子の製造方法

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