WO2006129410A1 - スパッタリングターゲット及びその製造方法 - Google Patents

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WO2006129410A1
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sputtering target
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Atsushi Nakamura
Masataka Yahagi
Kenji Sato
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Nippon Mining & Metals Co., Ltd.
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Definitions

  • the present invention relates to a target for forming an optical thin film that does not contain sulfur, has a low Balta resistance, can be DC-sputtered, and has a low refractive index, and a method for manufacturing the same.
  • ZnS-SiO generally used mainly as a protective layer of phase change type optical information recording media
  • No. 2 has excellent properties such as optical properties, thermal properties, and adhesion to the recording layer, and is widely used.
  • the Ag alloy reflective layer material also deteriorated due to corrosion, which was a cause of deterioration in characteristics such as reflectivity of optical information recording media.
  • an intermediate layer mainly composed of nitride or carbide is provided between the reflective layer and the protective layer, and between the recording layer and the protective layer.
  • this increases the number of stacks, causing problems of reduced throughput and increased cost.
  • the protective layer material is replaced with an acid-free material that does not contain sulfate, and has optical properties equal to or better than ZnS-SiO and amorphous stability.
  • a ceramic target such as ZnS-SiO has a high Balta resistance value, and therefore, a direct current sputter.
  • Filming cannot be performed by a tulling device, and a high frequency sputtering (RF) device is usually used.
  • RF sputtering
  • Patent Document 1 JP-A-2-149459
  • Patent Document 2 JP-A-8-264022
  • Patent Document 3 Japanese Patent Laid-Open No. 11-322332
  • the present invention provides a target for forming an optical thin film having a low refractive index, and a method for producing the same, which can be DC-sputtered by appropriately selecting a material that does not contain sulfur and has a low Balta resistance.
  • it is composed of a non-sulfuric acid system that has excellent adhesion to the recording layer, mechanical properties, and high transmittance, so that the adjacent reflective layer and recording layer are unlikely to deteriorate.
  • a sputtering target useful for forming a thin film (especially for use as a protective film) and a method for producing the same are provided, thereby improving the characteristics of an optical information recording medium, reducing the equipment cost, and forming speed. The purpose is to greatly improve the throughput by improving the performance.
  • the present invention is based on A1 0: 0.2 to 3.0 at%, MgO and Z or SiO: 1 to 27 at.
  • the present invention provides a sputtering target characterized by having a low refractive index such as% and the remaining ZnO force and having a low Balta resistance.
  • the raw material A10 powder and ZnO powder are mixed in advance.
  • MgO powder and SiO powder which are additive raw materials, are mixed and calcined in the same manner, and this M
  • a sputtering target having the above strength can easily obtain a target having a relative density of 90% or more and a Balta resistance of less than 100 m ⁇ ′cm. And it is useful as a target for forming the protective layer of an optical information recording medium.
  • the invention's effect is also effective.
  • the protective layer material ZnS-SiO is placed on an oxide-only material that does not contain sulfate.
  • optical information recording medium thin films especially for use as protective films, reflective layers, and semi-transmissive film layers
  • excellent properties such as excellent adhesion to the recording layer, mechanical properties, and high transmittance.
  • a certain patching target can be provided.
  • the optical information recording medium has the excellent effects that the characteristics can be improved, the equipment cost can be reduced, and the throughput can be greatly improved by increasing the film forming speed.
  • the sputtering target of the present invention comprises A1 0: 0.2 to 3.0 at%, MgO and Z or SiO: 1
  • It has a low refractive index of ⁇ 27 at%, balance ZnO, and low Balta resistance. That is, at least 1 of A10 that imparts conductivity in ZnO, MgO that adjusts the refractive index, and SiO.
  • More than one type is dispersed.
  • A1 0 is less than 0.2 at%, the Balta resistance value increases and the object of the present invention cannot be achieved.
  • MgO and SiO can be added individually and in combination, respectively.
  • MgO and Z or SiO Low refractive index can be achieved if less than 1 at%
  • the composition range of the above components is preferable.
  • the power of 10 to 27 at% is more preferable.
  • This sputtering target is particularly useful for industrial production of an optical thin film for optical disks having a refractive index of 1.5 to 1.75 (633 nm) and a low refractive index.
  • it can be used as a target for forming a protective layer, a reflective layer, or a semi-transmissive layer of an optical information recording medium.
  • the reflective layer of the first layer positioned between the first layer and the second layer has transparency to irradiate recording and reading light to the second layer. It is necessary to have both.
  • sulfur due to reaction with ZnS-Si02 used as a protective layer becomes a problem.
  • a high-refractive index layer and a low-refractive index layer can be alternately laminated to form a semi-transmissive layer having arbitrary optical characteristics.
  • the target of the present invention can be suitably used as a low refractive index layer constituting a semi-transmissive layer in addition to the protective layer.
  • Balta resistance can be less than 00m ⁇ 'cm. Reduction of Balta resistance enables high-speed film formation by DC sputtering. Depending on the choice of materials, an RF sno- ter is required, but even in that case, the deposition rate can be improved.
  • the raw material A10 powder and ZnO powder are mixed in advance and calcined in advance, and then calcined.
  • A10 powder and ZnO powder as raw materials are premixed and calcined in advance to form AZO powder.
  • MgO powder and SiO powder as raw materials are mixed and calcined in the same manner, and then calcined.
  • This MgO—SiO calcined powder is mixed with ZnO powder (AZO powder) and calcined again.
  • the sputtering target of the present invention can have a relative density of 90% or more.
  • the improvement in density has the effect of increasing the uniformity of the sputtered film and suppressing the generation of particles during sputtering.
  • an optical information recording medium that forms at least a part of the optical information recording medium structure as a thin film. Furthermore, using the above-mentioned notching target, at least one of the structures of the optical information recording medium as a thin film.
  • An optical information recording medium can be produced in which the portion is formed and disposed adjacent to the recording layer or the reflective layer.
  • DC sputtering direct current sputtering
  • RF sputtering may be necessary. Even in that case, the film forming speed is improved.
  • the thin film formed using the sputtering target of the present invention forms part of the structure of the optical information recording medium, and is disposed adjacent to the recording layer or the reflective layer. Since ZnS is not used, the sulfur component does not diffuse into the recording layer material arranged so as to be sandwiched between protective layers that are not contaminated by S, and the deterioration of the recording layer due to this is eliminated. is there.
  • the reflective layer material In addition, pure Ag or Ag alloys with high reflectivity and high thermal conductivity have come to be used for the reflective layer material in order to increase the capacity and increase the recording speed. Similarly, the reflection layer material is corroded and deteriorated, and the cause of deterioration of characteristics such as reflectance of the optical information recording medium is eliminated.
  • the sputtering target of the present invention can be produced by subjecting the oxide powder of each constituent element having an average particle size of 5 ⁇ m or less to atmospheric pressure sintering or high temperature pressure sintering. As a result, a sputtering target having a relative density of 90% or more can be obtained.
  • the oxide powder containing zinc oxide as a main component is calcined at 800 to 1200 ° C. before sintering. After this calcination, pulverize to 3 m or less to make a raw material for sintering.
  • the sputtering target of the present invention productivity can be improved and a material with excellent quality can be obtained, and an optical recording medium having an optical disc protective film can be stably produced at low cost. If you can, it is very effective.
  • the improvement in the density of the sputtering target of the present invention can reduce the number of vacancies, refine the crystal grains, and make the sputtering surface of the target uniform and smooth. It has a remarkable effect that the life can be lengthened, and there is little variation in quality, so that mass productivity can be improved.
  • MgO powder having an average particle size of 5 m or less was prepared.
  • ZnO powder and A10 powder are shown in Table 1.
  • AZO powder After mixing to a mixing ratio and mixing this, it was calcined at a temperature of 1000 ° C. to obtain AZO powder.
  • the AZO and the MgO powder were mixed so as to have the mixing ratio shown in Table 1, and further calcined at a temperature of 1000 ° C.
  • the calcined powder was finely pulverized to a mean particle size of 1 ⁇ m or less with a ball mill or the like, and then granulated to improve moldability.
  • the granulated powder material was press molded at a pressure of 500 kgf / cm 2 .
  • Sputtering was performed using the 6-inch ⁇ -size target that was subjected to the above-described finishing.
  • the sputtering conditions were DC sputtering, sputtering power 500 W, Ar gas pressure 0.5 Pa, and a film thickness of 1500 A.
  • Table 1 summarizes the measurement results of transmittance% (wavelength: 633 nm), refractive index (wavelength: 633 nm), sputtering method, and deposition rate (A / sec) of the film formation sample.
  • the sputtering target of Example 1 reached a relative density of 95%, and stable DC sputtering was possible.
  • the Balta resistance value was 60 m ⁇ 'cm
  • the film formation rate was 1.8 A / sec
  • the film had good sputterability.
  • the transmittance of the sputtered film reached 97.9% (633 nm), and the refractive index was 1.73.
  • the target of this example does not use ZnS.
  • the characteristic deterioration of the information recording medium does not occur.
  • the transmittance, refractive index, target density, and deposition rate of the film formation sample all showed good values, and a DC sputtering was possible.
  • SiO powder and MgO powder having an average particle size of 5 m or less were prepared.
  • ZnO powder and A10 powder are shown in Table 1.
  • the powder was pulverized with a ball mill to an average particle size of 1 ⁇ m or less, and then granulated to improve moldability.
  • the granulated powder material was press-molded at a pressure of 500 kgf / cm 2 .
  • the sputtering target of Example 2 reached a relative density of 95% and was able to perform stable DC sputtering.
  • the Balta resistance value was 38 m ⁇ 'cm
  • the film formation rate was 1.7 A / sec
  • the film had good sputterability.
  • the transmittance of the sputtered film reached 98.7% (633 nm), and the refractive index was 1.7. Since the target of this example does not use ZnS, the characteristic deterioration of the optical information recording medium due to the diffusion and contamination of sulfur does not occur. In addition, compared to the comparative example described later, the transmittance, refractive index, target density, and deposition rate of the film formation sample all showed good values, and a DC sputtering was possible.
  • MgO powder having an average particle size of 5 m or less was prepared.
  • ZnO powder and A10 powder are shown in Table 1.
  • AZO powder After mixing to a mixing ratio and mixing this, it was calcined at a temperature of 1000 ° C. to obtain AZO powder.
  • the AZO and the MgO powder were mixed so as to have the mixing ratio shown in Table 1, and further calcined at a temperature of 1000 ° C.
  • the calcined powder was finely pulverized to a mean particle size of 1 ⁇ m or less with a ball mill or the like, and then granulated to improve moldability.
  • the granulated powder material was press molded at a pressure of 500 kgf / cm 2 .
  • the sputtering target of Example 3 reached a relative density of 99%, and the bulk resistance value was 35 m ⁇ ′cm, so that stable DC sputtering was possible. And the deposition rate is 2
  • the transmittance of the sputtered film reached 98.5% (633 nm), and the refractive index was 1.75. Since the target of this example does not use ZnS, the characteristic deterioration of the optical information recording medium due to the diffusion and contamination of sulfur does not occur. In addition, compared to the comparative example described later, the transmittance, refractive index, target density, and deposition rate of the film formation sample all showed good values, and a DC sputtering was possible.
  • SiO powder having an average particle size of 5 / z m or less was prepared.
  • ZnO powder and A10 powder are arranged as shown in Table 1.
  • the mixture was prepared in a combined ratio, mixed, and calcined at a temperature of 1000 ° C. to obtain AZO powder.
  • This AZO and the above SiO powder are mixed so as to have the mixing ratio shown in Table 1, and further at a temperature of 1000 ° C.
  • the calcined powder was finely pulverized to a mean particle size of 1 ⁇ m or less with a ball mill or the like, and then granulated to improve moldability.
  • the granulated powder material was press molded at a pressure of 500 kgf / cm 2 .
  • the sputtering target of Example 4 reached a relative density of 99% and was able to perform stable DC sputtering.
  • the Balta resistance value is 45 ⁇ ⁇ 'cm, and the deposition rate is 2.2A. / sec was achieved, and it had good sputterability.
  • the transmittance of the sputtered film reached 99.4% (633 nm), and the refractive index was 1.7.
  • the target of this example does not use ZnS, the characteristic deterioration of the optical information recording medium due to the diffusion and contamination of sulfur does not occur.
  • the transmittance, refractive index, amorphous stability, target density, and deposition rate of the film formation sample all showed favorable values and DC sputtering was possible as compared with the comparative examples described later.
  • SiO powder and MgO powder having an average particle size of 5 m or less were prepared.
  • ZnO powder and A10 powder are shown in Table 1.
  • the sputtering target of Example 5 reached a relative density of 95% and was able to perform stable DC sputtering.
  • the Balta resistance value was 50 m ⁇ 'cm
  • the film formation rate was 1.9 A / sec
  • the film had good sputtering properties.
  • the transmittance of the sputtered film reached 97.4% (633 nm), and the refractive index was 1.78.
  • the target of this example does not use ZnS, the characteristic deterioration of the optical information recording medium due to the diffusion and contamination of sulfur does not occur.
  • the film sample showed good values for the transmittance, refractive index, target density, and film formation speed, and the DC sputtering. was possible.
  • MgO powder having an average particle size of 5 m or less was prepared.
  • ZnO powder and A10 powder are shown in Table 1.
  • the AZO and the MgO powder were mixed so as to have the mixing ratio shown in Table 1, and further calcined at a temperature of 1000 ° C.
  • the calcined powder was finely pulverized to a mean particle size of 1 ⁇ m or less with a ball mill or the like, and then granulated to improve moldability.
  • the granulated powder material was press molded at a pressure of 500 kgf / cm 2 .
  • the sputtering target of Example 6 reached a relative density of 99%, and the bulk resistance value was 30 m ⁇ ′cm, and stable DC sputtering was possible.
  • the film formation rate was 2.2 A / sec, and the film had good sputtering properties.
  • the transmittance of the sputtered film reached 95.8% (633 nm), and the refractive index was 1.82.
  • Example 6 as shown in Table 1, since the MgO content was lat%, which is the lower limit of the present invention, the transmittance of the sputtering film was slightly lowered and the refractive index was also increased. However, if the transmittance and the refractive index are within the range, the target characteristics can be obtained.
  • the target of this example does not use ZnS, the characteristic deterioration of the optical information recording medium due to the diffusion and contamination of sulfur does not occur.
  • the transmittance, refractive index, target density, and deposition rate of the film formation sample all showed good values, and a DC sputtering was possible.
  • SiO powder and MgO powder having an average particle size of 5 m or less were prepared.
  • ZnO powder and A10 powder are shown in Table 1.
  • the sputtering target of Example 7 reached a relative density of 95% and was able to perform stable DC sputtering.
  • the Balta resistance value was 30 ⁇ ⁇ 'cm
  • the film formation rate was 2.5 A / sec
  • the film had good sputtering properties.
  • Example 6 As shown in Table 1, the total content of MgO and SiO is lat%, which is the lower limit of the present invention.
  • the transmittance of the sputtered film was slightly lowered and the refractive index was also increased. However, if the transmittance and the refractive index are in the range, the target characteristics can be obtained.
  • the target of this example does not use ZnS, the characteristic deterioration of the optical information recording medium due to the diffusion and contamination of sulfur does not occur.
  • the transmittance, refractive index, target density, and deposition rate of the film formation sample all showed good values, and a DC sputtering was possible.
  • MgO powder having an average particle size of 5 m or less was prepared.
  • ZnO powder, A10 powder and MgO powder are listed in Table 1.
  • the calcined powder was finely pulverized to a mean particle size of 1 ⁇ m or less with a ball mill or the like, and then granulated to improve moldability.
  • the granulated powder material was press-molded at a pressure of 500 kgf / cm 2 .
  • atmospheric pressure sintering was performed at a temperature of 1400 ° C. in an oxygen atmosphere.
  • This sintered body was finished into a target shape by mechanical calorie.
  • the sputtering target of Example 8 reached a relative density of 99% and a bulk resistance value of 120 m ⁇ ′cm. Since DC sputtering is not possible, RF (high frequency) sputtering was performed.
  • the film formation rate was 0.9 A / sec, and the film deposition rate was slightly inferior to that of DC sputtering. The result was faster than the normal sputtering rate.
  • the transmittance of the sputtered film was 97.5% (633 nm), and the refractive index was 1.74.
  • the target of this example does not use ZnS, the characteristic deterioration of the optical information recording medium due to the diffusion and contamination of sulfur does not occur.
  • the transmittance, refractive index, and target density of the film formation sample all showed favorable values as compared with the comparative example described later.
  • the Balta resistance value and the film formation rate were slightly inferior, but were better than those of Comparative Examples described later.
  • SiO powder and MgO powder having an average particle size of 5 m or less were prepared.
  • the granulated powder material was press-molded at a pressure of 500 kgf / cm 2 .
  • the sputtering target of Example 9 reached a relative density of 95% and was able to perform stable DC sputtering.
  • the Balta resistance value was 250 m ⁇ 'cm. Since DC sputtering was not possible, RF (high frequency) sputtering was performed.
  • the film formation rate was 0.8 A / sec, and the result was that the film formation rate was inferior to that of DC sputtering, and S was faster than the normal sputtering rate.
  • the transmittance of the sputtered film was 98.8% (633nm), and the refractive index was 1.7. Since the target of this example does not use ZnS, sulfur diffusion. The characteristic deterioration of the information recording medium does not occur. In addition, compared to the comparative example described later, the transmittance, refractive index, target density, and deposition rate of the film formation sample all showed good values, and a DC sputtering was possible.
  • the raw material powder and the composition ratio of the raw material powder are different from the conditions of the invention of the present invention, i.e., N ⁇ 5 powder of 5 ⁇ m or less corresponding to 4N, and the average particle size of 5 ⁇ m or less equivalent to 4 ⁇ A1
  • the calcined powder was finely pulverized to a mean particle size of 1 ⁇ m or less with a ball mill or the like, and then granulated to improve moldability.
  • the granulated powder material was press-molded at a pressure of 500 kgf / cm 2 . After pressure molding, atmospheric pressure sintering was performed at a temperature of 1400 ° C. in an oxygen atmosphere. This sintered body was finished into a target shape by mechanical calorie.
  • the sputtering target of Comparative Example 1 reached a relative density of 99%, and the bulk resistance value was 20 m ⁇ ′cm. Then, DC sputtering was performed. The film formation rate was 2.2 A / sec, and the film formation rate was good. However, while the transmittance of the sputtered film was 97.5% (633nm), the refractive index was 1.84. The results are also shown in Table 1.
  • ZnO powder corresponding to 4N and 5 ⁇ m or less, A 1 O powder corresponding to 4 mm and having an average particle diameter of 5 ⁇ m or less, and MgO powder corresponding to 4N and having an average particle diameter of 5 m or less were prepared.
  • the AZO and the MgO powder are mixed so as to have the mixing ratio shown in Table 1 (this mixing ratio exceeds the conditions of the present invention, and the MgO powder is added excessively), and further 1000 ° C.
  • the calcined powder was finely pulverized to a mean particle size of 1 ⁇ m or less with a ball mill or the like, and then granulated to improve formability.
  • the sputtering target of Comparative Example 2 had a force density resistance value of 450 m ⁇ 'cm when the relative density was 99%. Since DC sputtering is not possible, RF (high frequency) sputtering was performed. The film formation rate was 0.4 A / sec, and the result was that the film formation rate was extremely inferior.
  • MgO powder with an average particle size of 5 ⁇ m or less equivalent to 4N and Si 0 powder with an average particle size of 5 ⁇ m or less equivalent to 4% were prepared so as to have the mixing ratio shown in Table 1, and mixed in the same manner.
  • the granulated powder material was press-molded at a pressure of 500 kgf / cm 2 .
  • the blending ratio of AZO, Mg 0 powder and SiO powder exceeds the conditions of the present invention, and the total amount of MgO powder and SiO powder is
  • the sputtering target of Comparative Example 3 had a force density resistance value of 750 m ⁇ 'cm when the relative density was 99%. Since DC sputtering is not possible, RF (high frequency) sputtering was performed. The film formation rate was 0.5 A / sec, and the film formation rate was extremely inferior.
  • the thin film formed using the sputtering target of the present invention forms a part of the structure of the optical information recording medium and does not use ZnS, so that the sulfur component does not diffuse into the recording layer material.
  • ZnS zinc-semiconductor
  • the deterioration of the recording layer is eliminated.
  • pure Ag or an Ag alloy with high reflectivity and high thermal conductivity adjacent to each other is used for the reflective layer, diffusion of sulfur components into the reflective layer is eliminated, and the reflective layer is corroded and deteriorated. It has an excellent effect of causing the cause to be wiped out.
  • a semi-transmissive layer free from the problem of sulfur a high-refractive index layer and a low-refractive index layer can be alternately laminated to form a semi-transmissive layer having arbitrary optical characteristics.
  • the target of the present invention is also useful as a low refractive index layer constituting a semi-transmissive layer.
  • the major features of the present invention are that the target Baltha resistance value is reduced, conductivity is imparted, and the relative density is increased to 90% or higher, enabling stable DC sputtering depending on the material. And, there is a remarkable effect that the controllability of sputtering, which is the feature of this DC sputtering, can be facilitated, the film forming speed can be increased, and the sputtering efficiency can be improved. RF sputtering is performed as necessary, but even in this case, the film formation rate can be improved.
  • particles (dust generation) nodules generated during sputtering during film formation can be reduced, quality variations can be reduced and mass productivity can be improved, and optical recording media with an optical disc protective film can be stably manufactured at low cost. There is a remarkable effect that it can be manufactured. Therefore, the present invention is extremely useful for an optical thin film.

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Abstract

　Al2O3：0．2～3．0 at%、MgO及び／又はSiO2：１～27 at%、残部ZnOからなる低屈折率でありかつ低バルク抵抗を備えているスパッタリングターゲット。原料となるAl2O3粉とZnO粉を予め混合して予め仮焼し、次にこの仮焼結したAl2O3－ZnO混合粉に、MgO及び／又はSiO2粉を混合して焼結することを特徴とする低屈折率でありかつ低バルク抵抗を備えているスパッタリングターゲットの製造方法。硫黄を含有せず、バルク抵抗が低くDCスパッタリングが可能であり、低屈折率の光学薄膜形成用ターゲット及びその製造方法を提供する。透過率が高く、非硫化物系で構成されているため、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難い光情報記録媒体用薄膜の形成に有用である。光情報記録媒体の特性の向上、設備コストの低減化、成膜速度の向上によるスループットを大幅に改善する。

Description

明 細 書
スパッタリングターゲット及びその製造方法
技術分野
[0001] 本発明は、硫黄を含有せず、バルタ抵抗が低く DCスパッタリングが可能であり、低 屈折率の光学薄膜形成用ターゲット及びその製造方法に関する。
背景技術
[0002] 従来、主として相変化型の光情報記録媒体の保護層に一般的に使用される ZnS— SiO
2は、光学特性、熱特性、記録層との密着性等において、優れた特性を有し、広く 使用されている。
しかし、今日 Blue-Rayに代表される書き換え型 DVDは、さらに書き換え回数の増加 、大容量化、高速記録ィ匕が強く求められている。
[0003] 光情報記録媒体の書き換え回数等が劣化する原因の一つとして、保護層 ZnS— Si 0に挟まれるように配置された記録層材への、 ZnS— SiOからの硫黄成分の拡散が
2 2
挙げられる。
また、大容量化、高速記録化のため高反射率で高熱伝導特性を有する純 Agまたは Ag合金が反射層材に使用されるようになったが、このような反射層も保護層材である ZnS -SiOと接するように配置されている。
2
したがって、この場合も同様に、 ZnS— SiOからの硫黄成分の拡散により、純 Agまた
2
は Ag合金反射層材も腐食劣化して、光情報記録媒体の反射率等の特性劣化を引き 起こす要因となっていた。
[0004] これら硫黄成分の拡散防止対策として、反射層と保護層、記録層と保護層の間に、 窒化物や炭化物を主成分とした中間層を設けた構成にすることも行なわれている。し かし、これは積層数の増加となり、スループット低下、コスト増加になるという問題を発 生している。
上記のような問題を解決するため、保護層材に硫ィ匕物を含まない酸ィ匕物のみの材 料へと置き換え、 ZnS -SiOと同等以上の光学特性、非晶質安定性を有する材料系
2
が検討されている。 [0005] また、 ZnS— SiO等のセラミックスターゲットは、バルタ抵抗値が高いため、直流スパッ
2
タリング装置により成膜することができず、通常高周波スパッタリング (RF)装置が使用 されている。
ところが、この高周波スパッタリング (RF)装置は、装置自体が高価であるば力りでな ぐスパッタリング効率が悪ぐ電力消費量が大きぐ制御が複雑であり、成膜速度も 遅 、と 、う多くの欠点がある。
また、成膜速度を上げるため、高電力を加えた場合、基板温度が上昇し、ポリカーボ ネート製基板の変形を生ずるという問題がある。また、 ZnS— SiOは膜厚が厚いため
2
に起因するスループット低下やコスト増も問題となっていた。
[0006] 以上のようなことから、 ZnOの使用すなわち硫黄成分を含有させずに透明導電性の 薄膜を形成するために、 ZnOに正三価以上の原子価を有する元素を単独で添加す るという焼結体ターゲットの提案がなされている (例えば、特許文献 1参照)。しかし、 この場合はバルタ抵抗値と低屈折率ィ匕を両立させると 、うことが十分にできな 、と考 えられる。
また、透明導電膜及びそれを製造するための焼結体として、 II族、 III族、 IV族元素を 様々に組合せた高周波又は直流マグネトロンスパッタリング法による製造方法が提案 されている（特許文献 2参照)。しかし、この技術の目的は、ターゲットの低抵抗化を目 途とするものではなぐさらにバルタ抵抗値と低屈折率ィ匕を両立させるということが十 分にできないと考えられる。
[0007] また、添加する元素の少なくとも 1種が ZnOに固溶されるという条件の ZnOスパッタリ ングターゲットが提案されている（特許文献 3参照)。これは添加元素の固溶が条件で あるから、成分組成に制限があり、したがって光学特性にも制限が生ずるという問題 がある。
特許文献 1 :特開平 2— 149459号公報
特許文献 2：特開平 8-264022号公報
特許文献 3：特開平 11-322332号公報
発明の開示
発明が解決しょうとする課題 [0008] 本発明は、硫黄を含有せず、バルタ抵抗が低ぐ材料の適宜選択により DCスパッタ リングが可能であり、低屈折率の光学薄膜形成用ターゲット及びその製造方法を提 供するものであり、かつ記録層との密着性、機械特性に優れ、且つ透過率が高ぐ非 硫ィ匕物系で構成されているため、隣接する反射層、記録層の劣化が生じ難い光情報 記録媒体用薄膜 (特に保護膜としての使用）の形成に有用であるスパッタリングター ゲット及びその製造方法を提供し、これによつて、光情報記録媒体の特性の向上、設 備コストの低減化、成膜速度の向上によるスループットを大幅に改善することを目的 とする。
課題を解決するための手段
[0009] 上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、従来の保護 層材 ZnS-SiOを、下記に提示する硫ィ匕物を含まない酸ィ匕物のみの材料へと置き換
2
え、かつ ZnS-SiOと同等の光学特性及び非晶質安定性を確保し、さらに DC (直流）
2
スパッタによる高速成膜が可能であり、また必要に応じて RFスパッタを実施することが でき、光情報記録媒体の特性改善、生産性向上が可能であるとの知見を得た。
[0010] 本発明はこの知見に基づき、 A1 0 : 0. 2〜3. 0 at%、 MgO及び Z又は SiO： 1〜27 at
2 3 2
%、残部 ZnO力 なる低屈折率でありかつ低バルタ抵抗を備えて 、ることを特徴とする スパッタリングターゲットを提供するものである。
本発明のターゲットを製造する方法としては、原料となる A1 0粉と ZnO粉を予め混
2 3
合して予め仮焼し、次にこの仮焼した A1 0 — ZnO粉 (AZO粉）に、添加材料である M
2 3
g〇及び Z又は SiO粉を混合して再仮焼した後、焼結することが有効である。
2
また、この場合、添加原料となる MgO粉と SiO粉とを同様に混合して仮焼し、この M
2
gO-SiO仮焼粉を前記仮焼した A1 0 — ZnO粉 (AZO粉）に混合して再仮焼した後、
2 2 3
焼結することも有効である。以上力もなるスパッタリングターゲットは、相対密度が 90% 以上を備え、バルタ抵抗が 100m Ω 'cm未満であるターゲットを容易に得ることができ る。そして、光情報記録媒体の保護層を形成するためのターゲットとして有用である。 発明の効果
[0011] 上記によって、保護層材 ZnS-SiOを、硫ィ匕物を含まない酸ィ匕物のみの材料へと置
2
き換えることによって、隣接する反射層、記録層等への硫黄による劣化を抑制すると 共に、 ZnS-SiOと同等又はそれ以上の光学特性を備え、バルタ抵抗値の低減化によ
2
り高速成膜が可能となる。また、記録層との密着性、機械特性に優れ、且つ透過率が 高いという優れた特性を持つ光情報記録媒体用薄膜 (特に保護膜、反射層、半透過 膜層としての使用）に有用であるパッタリングターゲットを提供できる。以上の通り、光 情報記録媒体の特性の向上、設備コストの低減化、成膜速度の向上によるスループ ットを大幅に改善することが可能となるという優れた効果を有する。
発明を実施するための最良の形態
[0012] 本発明のスパッタリングターゲットは、 A1 0 : 0. 2〜3. 0 at%、 MgO及び Z又は SiO： 1
2 3 2
〜27 at%、残部 ZnOからなる低屈折率でありかつ低バルタ抵抗を備えている。すなわ ち、 ZnO中に導電性を付与する A1 0と、屈折率を調整する MgO、 SiOの少なくとも 1
2 3 2
種類以上を分散させたものである。
A1 0が 0. 2 at%未満では、バルタ抵抗値が上がり、本発明の目的を達成できない。
2 3
また、 A1 0が 3. 0 at%を超えるとバルク抵抗が上昇し、 DCスパッタができなくなるので
2 3
好ましくない。
MgOと SiOは、それぞれ単独添加及び複合添加が可能であり、本願発明の目的を
2
達成することができる。 MgO及び Z又は SiO： 1 at%未満では、低屈折率化を達成で
2
きず、 21 at%を超えると、バルタ抵抗値が増加し、成膜速度が著しく低下するので好ま しくない。したがって、上記の成分の組成範囲とするのが良い。
なお、 MgO及び Z又は SiOの添カ卩については 10〜27 at%とするの力 さらに好まし
2
い。 MgO及び Z又は SiOの添加量 1〜10 at%に比べて、 10〜27 at%程度添加する方
2
力 透過率がより向上し、屈折率を低減ィ匕できるからである。
[0013] このスパッタリングターゲットは、特に屈折率 1. 5〜1. 75 (633nm)の低屈折率の光 ディスク用光学薄膜を工業的に製造するために有用である。特に、光情報記録媒体 の保護層、反射層又は半透過層を形成するためのターゲットとして用いることができ る。
光情報記録媒体の大容量化に伴い、追記型 ·書換型 DVDにも多層記録に対応し たものが登場している。このような多層構造をとる場合、一層目と二層目の中間に位 置する一層目の反射層は二層目への記録，読み出し光を照射するために透過性を 合わせ持つ必要がある。この半透過層として Ag合金を用いた場合、保護層として使 用される ZnS-Si02との反応による硫ィ匕が問題となる。
このような硫ィ匕の問題のない半透過層として、高屈折率層と低屈折率層を交互に 積層して任意の光学特性を持たせた半透過層とすることができる。本発明のターゲッ トは、上記保護層以外にも、半透過層を構成する低屈折率層としても、好適に使用 することができる。
そして、ターゲットのバルタ抵抗力^ 00m Ω 'cm未満を達成できる。バルタ抵抗値の 低減化により、 DCスパッタによる高速成膜が可能となる。材料の選択によっては RFス ノ ッタを必要とするが、その場合でも成膜速度の向上がある。
以上によって、スパッタ成膜速度、光学特性 (屈折率、透過率)の最適な範囲となる 。数値範囲から逸脱する範囲は、上記特性に劣る傾向にある。
[0014] さらに、原料となる A1 0粉と ZnO粉を予め混合して予め仮焼し、次にこの仮焼結し
2 3
†A\ 0— ZnO粉 (AZO粉）に、 MgO及び Z又は SiO粉を混合して再度仮焼した後、
2 3 2
焼結することを提案するものである。単に MgO及び Z又は SiO粉を添加した場合に
2
は、 A1 0と MgO及び Z又は SiOが反応してスピネルとなり易ぐバルタ抵抗値が上昇
2 3 2
する傾向にあるからである。したがって、焼結体のより低バルタ抵抗ィ匕を達成するた めには、仮焼結した A1 0 ZnO粉 (AZO粉)を使用して焼結することが望まれる。
2 3
さらに、原料となる A1 0粉と ZnO粉を予め混合して予め仮焼して AZO粉とするととも
2 3
に、原料となる MgO粉と SiO粉とを同様に混合して仮焼し、次に前記仮焼した A1 0
2 2 3
— ZnO粉 (AZO粉）に、この MgO— SiO仮焼粉を混合して再度仮焼した後、仮焼し焼
2
結することが推奨される。これによつて、スピネル化をさらに抑制でき低バルタ抵抗化 を達成できるからである。
[0015] また、本発明のスパッタリングターゲットは、相対密度が 90%以上とすることが可能で ある。密度の向上は、スパッタ膜の均一性を高め、またスパッタリング時のパーテイク ルの発生を抑制できる効果を有する。
上記に述べるスパッタリングターゲットを使用して、少なくとも薄膜として光情報記録 媒体構造の一部を形成する光情報記録媒体を提供することができる。さらに、上記ス ノ ッタリングターゲットを使用して、少なくとも薄膜として光情報記録媒体の構造の一 部を形成し、且つ記録層又は反射層と隣接して配置されている光情報記録媒体を作 製することができる。
[0016] 本発明は、このように酸ィ匕亜鉛を主成分とするターゲットとすることにより、導電性を 保有させることができ、これによつて、直流スパッタ（DCスパッタ）によって薄膜を形成 することが可能となる。 DCスパッタリングは RFスパッタリングに比べ、成膜速度が速く 、スパッタリング効率が良いという点で優れており、スループットを著しく向上できる。 また、 DCスパッタリング装置は価格が安ぐ制御が容易であり、電力の消費量も少 なくて済むという利点がある。保護膜自体の膜厚を薄くすることも可能となるため、生 産性向上、基板加熱防止効果をさらに発揮できる。なお、本発明においては、製造 条件及び材料の選択によっては、 RFスパッタリングを行うことが必要な場合もある力 その場合でも成膜速度の向上がある。
[0017] さらに、本発明のスパッタリングターゲットを使用して形成された薄膜は、光情報記録 媒体の構造の一部を形成し、記録層又は反射層と隣接して配置される力 上記の通 り、 ZnSを使用していないので、 Sによる汚染がなぐ保護層に挟まれるように配置さ れた記録層材への硫黄成分の拡散がなくなり、これによる記録層の劣化がなくなると いう著しい効果がある。
また、大容量化、高速記録化のため、高反射率で高熱伝導特性を有する純 Agまた は Ag合金が反射層材に使用されるようになったが、この隣接する反射層への硫黄成 分の拡散も無くなり、同様に反射層材が腐食劣化して、光情報記録媒体の反射率等 の特性劣化を引き起こす原因が一掃されるという優れた効果を有する。
[0018] 本発明のスパッタリングターゲットは、平均粒径が 5 μ m以下である各構成元素の酸 化物粉末を、常圧焼結又は高温加圧焼結することによって製造することができる。こ れによって、相対密度が 90%以上を有するスパッタリングターゲットが得られる。この 場合、焼結前に酸化亜鉛を主成分とした酸化物粉末を、 800〜1200° Cで仮焼する ことが望ましい。この仮焼後、 3 m以下に粉砕して焼結用の原料とする。
[0019] さらに、本発明のスパッタリングターゲットを使用することにより、生産性が向上し、品 質の優れた材料を得ることができ、光ディスク保護膜をもつ光記録媒体を低コストで 安定して製造できると 、う著し 、効果がある。 本発明のスパッタリングターゲットの密度向上は、空孔を減少させ結晶粒を微細化し 、ターゲットのスパッタ面を均一かつ平滑にすることができるので、スパッタリング時の パーティクルゃノジュールを低減させ、さら〖こターゲットライフも長くすることができると いう著しい効果を有し、品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができる。 実施例
[0020] 以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例 であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求 の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の 変形を包含するものである。
[0021] (実施例 1)
4N相当で 5 μ m以下の ΖηΟ粉と 4Ν相当で平均粒径 5 μ m以下の A1 0粉及び 4N相
2 3
当で平均粒径 5 m以下の MgO粉を準備した。次に、 ZnO粉と A1 0粉を表 1に示す
2 3
配合比に調合し、これを混合した後、 1000° Cの温度で仮焼し、 AZO粉とした。 この AZOと前記 MgO粉を表 1の配合比となるように混合し、さらに 1000° Cの温度で 仮焼した。この仮焼粉をボールミル等で平均粒径 1 μ m以下まで微粉砕した後、成形 性を上げるため造粒した。そしてこの造粒した粉末材料を 500kgf/cm2の圧力でプレ ス成形した。
加圧成形後、酸素雰囲気、 1400° Cの温度で常圧焼結した。この焼結体を機械加 ェでターゲット形状に仕上げた。
[0022] 上記の仕上げカ卩ェした 6インチ φサイズのターゲットを使用して、スパッタリングを行 つた。スパッタ条件は、 DCスパッタ、スパッタパワー 500W、 Arガス圧 0. 5Paとし、膜厚 1500 Aに成膜した。
成膜サンプルの透過率％ (波長 633nm)、屈折率 (波長 633nm)、さらにスパッタ方式 及び成膜速度（ A/sec)の測定した結果等を、まとめて表 1に示す。
[0023] [表 1]
Figure imgf000009_0001
以上の結果、実施例 1のスパッタリングターゲットは、相対密度が 95%に達し、安定し た DCスパッタができた。そして、バルタ抵抗値は 60m Ω ' cmとなり、成膜速度は 1. 8 A /secが達成され、良好なスパッタ性を有した。スパッタ膜の透過率は、 97.9% (633nm) に達し、屈折率は 1. 73であった。
本実施例のターゲットは、 ZnSを使用していないので、硫黄の拡散'汚染による光情 報記録媒体の特性劣化は生じない。また、後述する比較例に比べて、成膜サンプル の透過率、屈折率、ターゲット密度、成膜速度がいずれも良好な値を示し、 DCスパッ タが可能であった。
[0025] (実施例 2)
4N相当で 5 μ m以下の ZnO粉、 4N相当で平均粒径 5 μ m以下の A1 0粉、 4N相当で
2 3
平均粒径 5 m以下の SiO粉及び MgO粉を準備した。まず、 ZnO粉と A1 0粉を表 1に
2 2 3 示す配合比に調合し、これを混合した後、 1000° Cの温度で仮焼し、 AZO粉とした。 一方、 4N相当で平均粒径 5 μ m以下の MgO粉と 4Ν相当で平均粒径 5 μ m以下の Si 0粉を、表 1に示す配合比となるように調合して同様に混合し、さらに 1000° Cの温
2
度で仮焼した。
次に、前記 AZO粉及び MgO粉と SiO粉の仮焼粉を、さらに混合し再仮焼した。これ
2
をボールミルで平均粒径 1 μ m以下まで微粉砕した後、成形性を上げるため造粒した 。そして、この造粒した粉末材料を 500kgf/cm2の圧力でプレス成形した。
加圧成形後酸素雰囲気、 1400° Cの温度で常圧焼結した。そして、この焼結体を 機械加工でターゲット形状に仕上げた。
上記の仕上げカ卩ェした 6インチ φサイズのターゲットを使用して、スパッタリングを行 つた。スパッタ条件及び評価方法は、実施例 1と同様である。この結果を、同様に表 1 に示す。
[0026] 以上の結果、実施例 2のスパッタリングターゲットは、相対密度が 95%に達し、安定し た DCスパッタができた。そして、バルタ抵抗値は 38m Ω 'cmとなり、成膜速度は 1. 7 A /secが達成され、良好なスパッタ性を有した。
スパッタ膜の透過率は、 98.7% (633nm)に達し、屈折率は 1. 7であった。 本実施例のターゲットは、 ZnSを使用していないので、硫黄の拡散'汚染による光情 報記録媒体の特性劣化は生じない。また、後述する比較例に比べて、成膜サンプル の透過率、屈折率、ターゲット密度、成膜速度がいずれも良好な値を示し、 DCスパッ タが可能であった。
[0027] (実施例 3)
4N相当で 5 μ m以下の ZnO粉と 4Ν相当で平均粒径 5 μ m以下の A1 0粉及び 4N相 当で平均粒径 5 m以下の MgO粉を準備した。次に、 ZnO粉と A1 0粉を表 1に示す
2 3
配合比に調合し、これを混合した後、 1000° Cの温度で仮焼し、 AZO粉とした。 この AZOと前記 MgO粉を表 1の配合比となるように混合し、さらに 1000° Cの温度で 仮焼した。この仮焼粉をボールミル等で平均粒径 1 μ m以下まで微粉砕した後、成形 性を上げるため造粒した。そしてこの造粒した粉末材料を 500kgf/cm2の圧力でプレ ス成形した。
加圧成形後、酸素雰囲気、 1400° Cの温度で常圧焼結した。この焼結体を機械カロ ェでターゲット形状に仕上げた。
[0028] 以上の結果、実施例 3のスパッタリングターゲットは、相対密度が 99%に達し、またバ ルク抵抗値は 35m Ω 'cmとなり、安定した DCスパッタができた。そして、成膜速度が 2
A/secが達成され、良好なスパッタ性を有した。
スパッタ膜の透過率は、 98.5% (633nm)に達し、屈折率は 1. 75であった。 本実施例のターゲットは、 ZnSを使用していないので、硫黄の拡散'汚染による光情 報記録媒体の特性劣化は生じない。また、後述する比較例に比べて、成膜サンプル の透過率、屈折率、ターゲット密度、成膜速度がいずれも良好な値を示し、 DCスパッ タが可能であった。
[0029] (実施例 4)
4N相当で 5 μ m以下の ZnO粉と 4Ν相当で平均粒径 5 μ m以下の A1 0粉及び 4N相
2 3
当で平均粒径 5 /z m以下の SiO粉を準備した。次に、 ZnO粉と A1 0粉を表 1に示す配
2 2 3
合比に調合し、これを混合した後、 1000° Cの温度で仮焼し、 AZO粉とした。
この AZOと前記 SiO粉を表 1の配合比となるように混合し、さらに 1000° Cの温度で
2
仮焼した。この仮焼粉をボールミル等で平均粒径 1 μ m以下まで微粉砕した後、成形 性を上げるため造粒した。そしてこの造粒した粉末材料を 500kgf/cm2の圧力でプレ ス成形した。
加圧成形後、酸素雰囲気、 1400° Cの温度で常圧焼結した。この焼結体を機械カロ ェでターゲット形状に仕上げた。
[0030] 以上の結果、実施例 4のスパッタリングターゲットは、相対密度が 99%に達し、安定し た DCスパッタができた。そして、バルタ抵抗値は 45πι Ω 'cmとなり、成膜速度が 2. 2A /secが達成され、良好なスパッタ性を有した。スパッタ膜の透過率は、 99.4% (633nm) に達し、屈折率は 1. 7であった。
本実施例のターゲットは、 ZnSを使用していないので、硫黄の拡散'汚染による光情 報記録媒体の特性劣化は生じない。また、後述する比較例に比べて、成膜サンプル の透過率、屈折率、非晶質の安定性、ターゲット密度、成膜速度がいずれも良好な 値を示し、 DCスパッタが可能であった。
[0031] (実施例 5)
4N相当で 5 μ m以下の ZnO粉、 4N相当で平均粒径 5 μ m以下の A1 0粉、 4N相当で
2 3
平均粒径 5 m以下の SiO粉及び MgO粉を準備した。まず、 ZnO粉と A1 0粉を表 1に
2 2 3 示す配合比に調合し、これを混合した後、 1000° Cの温度で仮焼し、 AZO粉とした。 一方、 4N相当で平均粒径 5 μ m以下の MgO粉と 4Ν相当で平均粒径 5 μ m以下の Si 0粉を、表 1に示す配合比となるように調合して、同様に混合し、さらに 1000° Cの温
2
度で仮焼した。
次に、前記 AZO粉及び MgO粉と SiO粉の仮焼粉をさらに混合した後再仮焼した。こ
2
れをボールミルで平均粒径 1 μ m以下まで微粉砕した後、成形性を上げるため造粒し た。そして、この造粒した粉末材料を 500kgf/cm2の圧力でプレス成形した。
加圧成形後酸素雰囲気、 1400° Cの温度で常圧焼結した。そして、この焼結体を 機械加工でターゲット形状に仕上げた。
上記の仕上げカ卩ェした 6インチ φサイズのターゲットを使用して、スパッタリングを行 つた。スパッタ条件及び評価方法は、実施例 1と同様である。この結果を、同様に表 1 に示す。
[0032] 以上の結果、実施例 5のスパッタリングターゲットは、相対密度が 95%に達し、安定し た DCスパッタができた。そして、バルタ抵抗値は 50m Ω 'cmとなり、成膜速度は 1. 9 A /secが達成され、良好なスパッタ性を有した。スパッタ膜の透過率は、 97.4% (633nm) に達し、屈折率は 1. 78であった。
本実施例のターゲットは、 ZnSを使用していないので、硫黄の拡散'汚染による光情 報記録媒体の特性劣化は生じない。また、後述する比較例に比べて、成膜サンプル の透過率、屈折率、ターゲット密度、成膜速度がいずれも良好な値を示し、 DCスパッ タが可能であった。
[0033] (実施例 6)
4N相当で 5 μ m以下の ZnO粉と 4Ν相当で平均粒径 5 μ m以下の A1 0粉及び 4N相
2 3
当で平均粒径 5 m以下の MgO粉を準備した。次に、 ZnO粉と A1 0粉を表 1に示す
2 3
配合比に調合し、これを混合した後、 1000° Cの温度で仮焼し、 AZO粉とした。
この AZOと前記 MgO粉を表 1の配合比となるように混合し、さらに 1000° Cの温度で 仮焼した。この仮焼粉をボールミル等で平均粒径 1 μ m以下まで微粉砕した後、成形 性を上げるため造粒した。そしてこの造粒した粉末材料を 500kgf/cm2の圧力でプレ ス成形した。
加圧成形後、酸素雰囲気、 1400° Cの温度で常圧焼結した。この焼結体を機械加 ェでターゲット形状に仕上げた。
[0034] 以上の結果、実施例 6のスパッタリングターゲットは、相対密度が 99%に達し、またバ ルク抵抗値は 30m Ω 'cmとなり、安定した DCスパッタができた。そして、成膜速度が 2. 2A/secが達成され、良好なスパッタ性を有した。
スパッタ膜の透過率は、 95.8% (633nm)に達し、屈折率は 1. 82であった。なお、この 実施例 6は、表 1に示す通り、 MgO含有量が lat%と本発明の下限値であるため、スパ ッタリング膜の透過率はやや低くなり、屈折率も高めになった。しかし、この透過率と 屈折率の範囲であれば、目標とする特性が得られる範囲にある。
本実施例のターゲットは、 ZnSを使用していないので、硫黄の拡散'汚染による光情 報記録媒体の特性劣化は生じない。また、後述する比較例に比べて、成膜サンプル の透過率、屈折率、ターゲット密度、成膜速度がいずれも良好な値を示し、 DCスパッ タが可能であった。
[0035] (実施例 7)
4N相当で 5 μ m以下の ZnO粉、 4N相当で平均粒径 5 μ m以下の A1 0粉、 4N相当で
2 3
平均粒径 5 m以下の SiO粉及び MgO粉を準備した。まず、 ZnO粉と A1 0粉を表 1に
2 2 3 示す配合比に調合し、これを混合した後、 1000° Cの温度で仮焼し、 AZO粉とした。 一方、 4N相当で平均粒径 5 μ m以下の MgO粉と 4Ν相当で平均粒径 5 μ m以下の Si 0粉を、表 1に示す配合比となるように調合して同様に混合し、さらに 1000° Cの温 度で仮焼した。
次に、前記 AZO粉及び MgO粉と SiO粉の仮焼粉を、さらに混合'仮焼した。そしてこ
2
れをボールミルで平均粒径 1 μ m以下まで微粉砕した後、成形性を上げるため造粒し た。そして、この造粒した粉末材料を 500kgf/cm2の圧力でプレス成形した。
加圧成形後酸素雰囲気、 1400° Cの温度で常圧焼結した。そして、この焼結体を 機械加工でターゲット形状に仕上げた。
上記の仕上げカ卩ェした 6インチ φサイズのターゲットを使用して、スパッタリングを行 つた。スパッタ条件及び評価方法は、実施例 1と同様である。この結果を、同様に表 1 に示す。
[0036] 以上の結果、実施例 7のスパッタリングターゲットは、相対密度が 95%に達し、安定し た DCスパッタができた。そして、バルタ抵抗値は 30πι Ω 'cmとなり、成膜速度は 2. 5A /secが達成され、良好なスパッタ性を有した。
スパッタ膜の透過率は、 96.9% (633nm)に達し、屈折率は 1. 82であった。なお、この 実施例 6は、表 1に示す通り、 MgOと SiOの合計含有量が lat%と本発明の下限値であ
2
るため、スパッタリ膜の透過率はやや低くなり、屈折率も高めになった。しかし、この透 過率と屈折率の範囲であれば、目標とする特性が得られる範囲にある。
本実施例のターゲットは、 ZnSを使用していないので、硫黄の拡散'汚染による光情 報記録媒体の特性劣化は生じない。また、後述する比較例に比べて、成膜サンプル の透過率、屈折率、ターゲット密度、成膜速度がいずれも良好な値を示し、 DCスパッ タが可能であった。
[0037] (実施例 8)
4N相当で 5 μ m以下の ΖηΟ粉と 4Ν相当で平均粒径 5 μ m以下の A1 0粉及び 4N相
2 3
当で平均粒径 5 m以下の MgO粉を準備した。次に、 ZnO粉と A1 0粉と MgO粉を表 1
2 3
に示す配合比に調合し、これを混合した後、 1000° Cの温度で仮焼した。
この仮焼粉をボールミル等で平均粒径 1 μ m以下まで微粉砕した後、成形性を上げ るため造粒した。そしてこの造粒した粉末材料を 500kgf/cm2の圧力でプレス成形した 。加圧成形後、酸素雰囲気、 1400° Cの温度で常圧焼結した。この焼結体を機械カロ ェでターゲット形状に仕上げた。 [0038] 以上の結果、実施例 8のスパッタリングターゲットは、相対密度が 99%に達し、またバ ルク抵抗値は 120m Ω 'cmとなった。 DCスパッタができないので、 RF (高周波）スパッタ を実施した。成膜速度が 0.9A/secであり、 DCスパッタリングよりも成膜速度がやや劣 る力 通常のスパッタ速度よりも速いという結果が得られた。スパッタ膜の透過率は、 9 7.5% (633nm)、屈折率は 1. 74であり、良好であった。
本実施例のターゲットは、 ZnSを使用していないので、硫黄の拡散'汚染による光情 報記録媒体の特性劣化は生じない。また、後述する比較例に比べて、成膜サンプル の透過率、屈折率、ターゲット密度がいずれも良好な値を示した。また、バルタ抵抗 値及び成膜速度はやや劣るが、後述する比較例に比べて良好な値を示した。
[0039] (実施例 9)
4N相当で 5 μ m以下の ZnO粉、 4N相当で平均粒径 5 μ m以下の A1 0粉、 4N相当で
2 3
平均粒径 5 m以下の SiO粉及び MgO粉を準備した。まず、 ZnO粉、 A1 0粉、 SiO粉
2 2 3 2 及び MgO粉を表 1に示す配合比に調合し、これを混合した後、 1000° Cの温度で仮 した。
次に、 Zn〇粉、 A1 0粉、 Mg〇粉及び SiO粉の仮焼粉をボールミルで平均粒径 1 μ
2 3 2
m以下まで微粉砕した後、成形性を上げるため造粒した。そして、この造粒した粉末 材料を 500kgf/cm2の圧力でプレス成形した。
加圧成形後酸素雰囲気、 1400° Cの温度で常圧焼結した。そして、この焼結体を 機械加工でターゲット形状に仕上げた。上記の仕上げ加工した 6インチ φサイズのタ 一ゲットを使用して、スパッタリングを行った。スパッタ条件及び評価方法は、実施例 1と同様である。この結果を、同様に表 1に示す。
[0040] 以上の結果、実施例 9のスパッタリングターゲットは、相対密度が 95%に達し、安定し た DCスパッタができた。そして、バルタ抵抗値は 250m Ω 'cmとなった。 DCスパッタが できないので、 RF (高周波)スパッタを実施した。成膜速度が 0.8 A/secであり、 DCス ノ ッタリングよりも成膜速度が劣る力 S、通常のスパッタ速度よりも速いという結果が得ら れた。
スパッタ膜の透過率は 98.8% (633nm)、屈折率は 1. 7であり、良好な結果となった。 本実施例のターゲットは、 ZnSを使用していないので、硫黄の拡散.汚染による光情 報記録媒体の特性劣化は生じない。また、後述する比較例に比べて、成膜サンプル の透過率、屈折率、ターゲット密度、成膜速度がいずれも良好な値を示し、 DCスパッ タが可能であった。
[0041] (比較例 1)
表 1に示すように、本願発明の条件とは異なる原料粉の成分及び組成比の材料の 原料粉、すなわち 4N相当で 5 μ m以下の ΖηΟ粉、 4Ν相当で平均粒径 5 μ m以下の A1
2
0粉を準備した。次に、 ZnO粉と A1 0粉を表 1に示す配合比に調合し、これを混合し
3 2 3
た後、 1000° Cの温度で仮焼した。
この仮焼粉をボールミル等で平均粒径 1 μ m以下まで微粉砕した後、成形性を上げ るため造粒した。そしてこの造粒した粉末材料を 500kgf/cm2の圧力でプレス成形した 。加圧成形後、酸素雰囲気、 1400° Cの温度で常圧焼結した。この焼結体を機械カロ ェでターゲット形状に仕上げた。
[0042] 以上の結果、比較例 1のスパッタリングターゲットは、相対密度が 99%に達し、またバ ルク抵抗値は 20m Ω 'cmとなった。そして、 DCスパッタを実施した。成膜速度が 2.2 A /secであり、成膜速度は良好であった。しかし、スパッタ膜の透過率は、 97.5% (633nm )と良力つたが、屈折率は 1. 84と極めて高ぐ良好な膜とは言えな力つた。この結果を 、同様に表 1に示す。
[0043] (比較例 2)
表 1に示すように、 4N相当で 5 μ m以下の ZnO粉と 4Ν相当で平均粒径 5 μ m以下の A 1 O粉及び 4N相当で平均粒径 5 m以下の MgO粉を準備した。次に、 ZnO粉と A1 0
2 3 2 3 粉を表 1に示す配合比に調合し、これを混合した後、 1000° Cの温度で仮焼し、 AZO 粉とした。
この AZOと前記 MgO粉を表 1の配合比（この配合比は、本発明の条件を超えており 、 MgO粉が過剰に添加されたものである）となるように混合し、さらに 1000° Cの温度 で仮焼した。この仮焼粉をボールミル等で平均粒径 1 μ m以下まで微粉砕した後、成 形性を上げるため造粒した。
[0044] そして、この造粒した粉末材料を 500kgf/cm2の圧力でプレス成形した。加圧成形後 、酸素雰囲気、 1400° Cの温度で常圧焼結した。この焼結体を機械加工でターゲット 形状に仕上げた。
以上の結果、比較例 2のスパッタリングターゲットは相対密度が 99%であった力 ノ ルク抵抗値は 450m Ω 'cmとなった。 DCスパッタができないので、 RF (高周波）スパッタ を実施した。成膜速度が 0.4A/secであり、成膜速度が著しく劣るという結果が得られ た。
[0045] (比較例 3)
表 1に示すように、 4N相当で 5 μ m以下の ZnO粉、 4N相当で平均粒径 5 μ m以下の A 1 O粉、 4N相当で平均粒径 5 m以下の MgO粉と SiO粉を準備した。まず、 ZnO粉と A
2 3 2
1 0粉を表 1に示す配合比に調合し、これを湿式混合し乾燥した後、 1000° Cの温度
2 3
で仮焼し、 AZO粉とした。
一方、 4N相当で平均粒径 5 μ m以下の MgO粉と 4Ν相当で平均粒径 5 μ m以下の Si 0粉を、表 1に示す配合比となるように調合して、同様に混合し、さらに 1000° Cの温
2
度で仮焼した。
次に、前記 AZO粉及び MgO粉と SiO粉の仮焼粉をさらに混合'仮焼した。これをボ
2
ールミルで平均粒径 1 μ m以下まで微粉砕した後、成形性を上げるため造粒した。そ して、この造粒した粉末材料を 500kgf/cm2の圧力でプレス成形した。 AZOと前記 Mg 0粉と SiO粉との配合比は、本発明の条件を超えており、 MgO粉と SiO粉の合計量が
2 2
過剰に添加されたものである。
[0046] 加圧成形後、酸素雰囲気、 1400° Cの温度で常圧焼結した。この焼結体を機械カロ ェでターゲット形状に仕上げた。
以上の結果、比較例 3のスパッタリングターゲットは相対密度が 99%であった力 ノ ルク抵抗値は 750m Ω 'cmとなった。 DCスパッタができないので、 RF (高周波）スパッタ を実施した。成膜速度が 0.5A/secであり、成膜速度が著しく劣るという結果が得られ た。
産業上の利用可能性
[0047] 本発明のスパッタリングターゲットを使用して形成された薄膜は、光情報記録媒体の 構造の一部を形成し、 ZnSを使用していないので、記録層材への硫黄成分の拡散が なくなり、これによる記録層の劣化がなくなるという著しい効果がある。 また、隣接する高反射率で高熱伝導特性を有する純 Agまたは Ag合金を反射層に 用いた場合には、該反射層への硫黄成分の拡散も無くなり、反射層が腐食劣化して 特性劣化を引き起こす原因が一掃されるという優れた効果を有する。
また、硫ィ匕の問題のない半透過層として、高屈折率層と低屈折率層を交互に積層 して任意の光学特性を持たせた半透過層とすることができる。本発明のターゲットは 、半透過層を構成する低屈折率層としても有用である。
さらに、本発明の大きな特徴は、ターゲットバルタ抵抗値が減少し、導電性が付与さ れ、相対密度を 90%以上の高密度化によって、材料によっては安定した DCスパッタ を可能とする。そして、この DCスパッタリングの特徴である、スパッタの制御性を容易 にし、成膜速度を上げ、スパッタリング効率を向上させることができるという著しい効果 がある。必要に応じて RFスパッタを実施するが、その場合でも成膜速度の向上が見ら れる。
また、成膜の際にスパッタ時に発生するパーティクル (発塵)ゃノジュールを低減し、 品質のばらつきが少なく量産性を向上させることができ、光ディスク保護膜をもつ光 記録媒体等を低コストで安定して製造できるという著しい効果がある。したがって、本 願発明は、光学薄膜用として極めて有用である。

Claims

請求の範囲
[1] Al O : 0. 2〜3. 0 at%、 MgO及び Z又は SiO： 1〜27 at%、残部 ZnOからなる低屈折
2 3 2
率でありかつ低バルタ抵抗を備えていることを特徴とするスパッタリングターゲット。
[2] MgO及び/又は SiO含有量が 10〜27 at%であることを特徴とする請求の範囲 1記
2
載のスパッタリングターゲット。
[3] 相対密度力 ¾0%以上であることを特徴とする請求の範囲 1又は 2記載のスパッタリン グターゲット。
[4] 光情報記録媒体の保護層、反射層又は半透過層を形成するためのターゲットとし て用いることを特徴とする請求の範囲 1〜3のいずれかに記載のスパッタリングターゲ ッ卜。
[5] ターゲットのバルタ抵抗が 100m Ω 'cm未満であることを特徴とする請求の範囲 1〜4 の！、ずれかに記載のスパッタリングターゲット。
[6] 原料となる A1 0粉と ZnO粉を予め混合して予め仮焼し、次にこの仮焼結した A1 0
2 3 2 3
—ZnO混合粉に、 MgO及び Z又は SiO粉を混合して再仮焼した後、焼結することを
2
特徴とする低屈折率でありかつ低バルタ抵抗を備えていることを特徴とするスパッタリ ングターゲットの製造方法。
[7] 原料となる A1 0粉と ZnO粉を予め混合して予め仮焼し、また原料となる MgO粉と Si
2 3
0粉とを同様に混合して仮焼し、次に前記仮焼した A1 0—ZnO粉に、この MgO— Si
2 2 3
o仮焼粉を混合して再仮焼した後、焼結することを特徴とする低屈折率でありかつ低
2
バルタ抵抗を備えていることを特徴とするスパッタリングターゲットの製造方法。
[8] 総合的な量として、 A1 0 : 0. 2〜3. 0 at%、 MgO及び Z又は SiO： 1〜27 at%、残部 Z
2 3 2
ηθからなる低屈折率でありかつ低バルタ抵抗を備えていることを特徴とする請求の範 囲 6又は 7記載のスパッタリングターゲットの製造方法。
[9] MgO及び/又は SiO含有量が 10〜27 at%であることを特徴とする請求の範囲 8記
2
載のスパッタリングターゲットの製造方法。
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Cited By (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2009145152A1 (ja) * 2008-05-27 2009-12-03 株式会社カネカ 透明導電膜およびその製造方法
WO2010090101A1 (ja) * 2009-02-06 2010-08-12 株式会社カネカ 薄膜光電変換装置およびその製造方法
JP2011063866A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Tosoh Corp 複合酸化物焼結体、酸化物透明導電膜、及びその製造方法
WO2011074694A1 (ja) * 2009-12-16 2011-06-23 三菱マテリアル株式会社 透明導電膜、この透明導電膜を用いた太陽電池および透明導電膜を形成するためのスパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2011127151A (ja) * 2009-12-16 2011-06-30 Mitsubishi Materials Corp 透明導電膜、この透明導電膜を用いた太陽電池および透明導電膜を形成するためのスパッタリングターゲット
CN102162085A (zh) * 2010-02-16 2011-08-24 三菱综合材料株式会社 薄膜形成用气相沉积材、具备该薄膜的薄膜片材和层压片材
CN102191461A (zh) * 2010-03-04 2011-09-21 三菱综合材料株式会社 薄膜形成用气相沉积材、具备该薄膜的薄膜片材和层压片材
JP2011184724A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Tdk Corp スパッタリングターゲットの製造方法、及び、光メディアの製造方法
JP2012031491A (ja) * 2010-08-02 2012-02-16 Mitsubishi Materials Corp 透明導電膜用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2012084385A (ja) * 2010-10-12 2012-04-26 Kaneka Corp 透明電極およびそれを用いた薄膜太陽電池
WO2012108157A1 (ja) * 2011-02-10 2012-08-16 三菱マテリアル株式会社 太陽電池用透明膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
WO2012114713A1 (ja) * 2011-02-25 2012-08-30 三菱マテリアル株式会社 透明酸化物膜およびその製造方法
JP2013047364A (ja) * 2011-08-29 2013-03-07 Mitsubishi Materials Corp スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに該ターゲットを用いた薄膜、該薄膜を備える薄膜シート、積層シート
JP2013047363A (ja) * 2011-08-29 2013-03-07 Mitsubishi Materials Corp スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに該ターゲットを用いた薄膜、該薄膜を備える薄膜シート、積層シート
JP2013069420A (ja) * 2011-09-20 2013-04-18 Kaneka Corp 透明電極付き基板
WO2013145818A1 (ja) * 2012-03-30 2013-10-03 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP2013213268A (ja) * 2012-04-04 2013-10-17 Mitsubishi Materials Corp 透明酸化物膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP2013241684A (ja) * 2011-07-01 2013-12-05 Ube Material Industries Ltd スパッタリング用ＭｇＯターゲット
JP2014500403A (ja) * 2010-12-24 2014-01-09 オーシャンズ キング ライティング サイエンスアンドテクノロジー カンパニー リミテッド 導電膜及びその調製方法並びに応用
WO2014010259A1 (ja) * 2012-07-09 2014-01-16 Jx日鉱日石金属株式会社 導電性酸化物焼結体及びその製造方法
JP2014055348A (ja) * 2012-08-10 2014-03-27 Mitsubishi Materials Corp 透明酸化物膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法
WO2014069367A1 (ja) * 2012-10-30 2014-05-08 Jx日鉱日石金属株式会社 導電性酸化物焼結体及び該導電性酸化物を用いた低屈折率膜
JP5593612B2 (ja) * 2006-06-08 2014-09-24 住友金属鉱山株式会社 酸化物焼結体、ターゲット、およびそれを用いて得られる透明導電膜、並びに透明導電性基材

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2139001A1 (en) * 2008-06-26 2009-12-30 Deutsche Thomson OHG Storage medium for optical data and optical data disc
CN102560391A (zh) * 2010-12-24 2012-07-11 海洋王照明科技股份有限公司 一种导电膜制备方法、导电膜及应用
CN102676992B (zh) * 2011-03-09 2014-01-08 海洋王照明科技股份有限公司 一种导电膜、其制备方法和应用
JP5879427B2 (ja) * 2011-03-25 2016-03-08 ▲海▼洋王照明科技股▲ふん▼有限公司 多元素ドープ酸化亜鉛薄膜の製作方法
JP5141794B2 (ja) * 2011-06-10 2013-02-13 三菱マテリアル株式会社 有機ｅｌ用透明導電膜およびこの透明導電膜を用いた有機ｅｌ素子
JP6070194B2 (ja) * 2011-10-28 2017-02-01 東レ株式会社 ガスバリア性フィルム
JP5837183B2 (ja) * 2012-03-28 2015-12-24 Jx日鉱日石金属株式会社 低屈折率膜形成用焼結体及びその製造方法
WO2014112209A1 (ja) * 2013-01-21 2014-07-24 Jx日鉱日石金属株式会社 低屈折率のアモルファス透明導電膜作製用焼結体及び低屈折率のアモルファス透明導電膜
EP2767610B1 (en) 2013-02-18 2015-12-30 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG ZnO-Al2O3-MgO sputtering target and method for the production thereof
DE102015001945A1 (de) 2015-02-16 2016-08-18 Ellenberger & Poensgen Gmbh Schutzschalter und Verfahren zu dessen Betrieb
EP3875443A4 (en) * 2018-10-31 2022-08-03 Idemitsu Kosan Co., Ltd. SINTERED BODY

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0350148A (ja) * 1989-07-19 1991-03-04 Tosoh Corp 酸化亜鉛焼結体及びその製造法並びに用途
JPH11322413A (ja) * 1998-02-16 1999-11-24 Japan Energy Corp 光透過膜、高抵抗透明導電膜、光透過膜形成用スパッタリングタ―ゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法
JP2000119062A (ja) * 1998-02-16 2000-04-25 Japan Energy Corp 光透過膜及び光透過膜形成用スパッタリングタ―ゲット
JP2003105533A (ja) * 2001-10-01 2003-04-09 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 透明導電膜の製造方法及び透明導電膜
JP2004263273A (ja) * 2003-03-04 2004-09-24 Nikko Materials Co Ltd スパッタリングターゲットの製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2805813B2 (ja) * 1988-08-09 1998-09-30 東ソー株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法
JPH11322332A (ja) * 1998-05-21 1999-11-24 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ＺｎＯ系焼結体およびその製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0350148A (ja) * 1989-07-19 1991-03-04 Tosoh Corp 酸化亜鉛焼結体及びその製造法並びに用途
JPH11322413A (ja) * 1998-02-16 1999-11-24 Japan Energy Corp 光透過膜、高抵抗透明導電膜、光透過膜形成用スパッタリングタ―ゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法
JP2000119062A (ja) * 1998-02-16 2000-04-25 Japan Energy Corp 光透過膜及び光透過膜形成用スパッタリングタ―ゲット
JP2003105533A (ja) * 2001-10-01 2003-04-09 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 透明導電膜の製造方法及び透明導電膜
JP2004263273A (ja) * 2003-03-04 2004-09-24 Nikko Materials Co Ltd スパッタリングターゲットの製造方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP1887100A4 *

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5593612B2 (ja) * 2006-06-08 2014-09-24 住友金属鉱山株式会社 酸化物焼結体、ターゲット、およびそれを用いて得られる透明導電膜、並びに透明導電性基材
WO2009145152A1 (ja) * 2008-05-27 2009-12-03 株式会社カネカ 透明導電膜およびその製造方法
JPWO2010090101A1 (ja) * 2009-02-06 2012-08-09 株式会社カネカ 薄膜光電変換装置およびその製造方法
WO2010090101A1 (ja) * 2009-02-06 2010-08-12 株式会社カネカ 薄膜光電変換装置およびその製造方法
JP2011063866A (ja) * 2009-09-18 2011-03-31 Tosoh Corp 複合酸化物焼結体、酸化物透明導電膜、及びその製造方法
WO2011074694A1 (ja) * 2009-12-16 2011-06-23 三菱マテリアル株式会社 透明導電膜、この透明導電膜を用いた太陽電池および透明導電膜を形成するためのスパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2011127151A (ja) * 2009-12-16 2011-06-30 Mitsubishi Materials Corp 透明導電膜、この透明導電膜を用いた太陽電池および透明導電膜を形成するためのスパッタリングターゲット
CN102162085A (zh) * 2010-02-16 2011-08-24 三菱综合材料株式会社 薄膜形成用气相沉积材、具备该薄膜的薄膜片材和层压片材
CN102191461A (zh) * 2010-03-04 2011-09-21 三菱综合材料株式会社 薄膜形成用气相沉积材、具备该薄膜的薄膜片材和层压片材
JP2011184724A (ja) * 2010-03-05 2011-09-22 Tdk Corp スパッタリングターゲットの製造方法、及び、光メディアの製造方法
JP2012031491A (ja) * 2010-08-02 2012-02-16 Mitsubishi Materials Corp 透明導電膜用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2012084385A (ja) * 2010-10-12 2012-04-26 Kaneka Corp 透明電極およびそれを用いた薄膜太陽電池
JP2014500403A (ja) * 2010-12-24 2014-01-09 オーシャンズ キング ライティング サイエンスアンドテクノロジー カンパニー リミテッド 導電膜及びその調製方法並びに応用
WO2012108157A1 (ja) * 2011-02-10 2012-08-16 三菱マテリアル株式会社 太陽電池用透明膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2015163741A (ja) * 2011-02-10 2015-09-10 三菱マテリアル株式会社 透明膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP5747922B2 (ja) * 2011-02-10 2015-07-15 三菱マテリアル株式会社 太陽電池用透明膜形成用スパッタリングターゲットおよびその製造方法
JP2013189657A (ja) * 2011-02-25 2013-09-26 Mitsubishi Materials Corp 透明酸化物膜およびその製造方法
WO2012114713A1 (ja) * 2011-02-25 2012-08-30 三菱マテリアル株式会社 透明酸化物膜およびその製造方法
JP2013241684A (ja) * 2011-07-01 2013-12-05 Ube Material Industries Ltd スパッタリング用ＭｇＯターゲット
US9773652B2 (en) 2011-07-01 2017-09-26 Ube Material Industries, Ltd. MgO target for sputtering
JP2013047363A (ja) * 2011-08-29 2013-03-07 Mitsubishi Materials Corp スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに該ターゲットを用いた薄膜、該薄膜を備える薄膜シート、積層シート
JP2013047364A (ja) * 2011-08-29 2013-03-07 Mitsubishi Materials Corp スパッタリングターゲット及びその製造方法並びに該ターゲットを用いた薄膜、該薄膜を備える薄膜シート、積層シート
JP2013069420A (ja) * 2011-09-20 2013-04-18 Kaneka Corp 透明電極付き基板
WO2013145818A1 (ja) * 2012-03-30 2013-10-03 Jx日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP5450906B1 (ja) * 2012-03-30 2014-03-26 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット及びその製造方法
TWI487805B (zh) * 2012-03-30 2015-06-11 Jx Nippon Mining & Metals Corp Sputtering target and its manufacturing method
JP2013213268A (ja) * 2012-04-04 2013-10-17 Mitsubishi Materials Corp 透明酸化物膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法
WO2014010259A1 (ja) * 2012-07-09 2014-01-16 Jx日鉱日石金属株式会社 導電性酸化物焼結体及びその製造方法
JP5727043B2 (ja) * 2012-07-09 2015-06-03 Jx日鉱日石金属株式会社 導電性酸化物焼結体及びその製造方法
CN103748055A (zh) * 2012-07-09 2014-04-23 吉坤日矿日石金属株式会社 导电性氧化物烧结体及其制造方法
KR101583124B1 (ko) * 2012-07-09 2016-01-07 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 도전성 산화물 소결체 및 그 제조 방법
KR20140019000A (ko) * 2012-07-09 2014-02-13 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 도전성 산화물 소결체 및 그 제조 방법
JP2014055348A (ja) * 2012-08-10 2014-03-27 Mitsubishi Materials Corp 透明酸化物膜形成用スパッタリングターゲット及びその製造方法
WO2014069367A1 (ja) * 2012-10-30 2014-05-08 Jx日鉱日石金属株式会社 導電性酸化物焼結体及び該導電性酸化物を用いた低屈折率膜

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