WO2006013302A1 - Dispositif de securisation de composants - Google Patents

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WO2006013302A1
WO2006013302A1 PCT/FR2005/050526 FR2005050526W WO2006013302A1 WO 2006013302 A1 WO2006013302 A1 WO 2006013302A1 FR 2005050526 W FR2005050526 W FR 2005050526W WO 2006013302 A1 WO2006013302 A1 WO 2006013302A1
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component
layer
radiation
aggression
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PCT/FR2005/050526
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Jean Brun
Jean-Charles Souriau
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Commissariat A L'energie Atomique
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Definitions

  • the invention relates to the field of securing electronic components such as, for example, smart card chips.
  • FIG. 1 Another known device is illustrated in FIG. 1.
  • a cover 2 is glued using a layer
  • Contacts 12 may be provided between different slices.
  • chemical means are encountered which consist, for example, in attacking one of the faces until the active structures are discovered.
  • physical means such as electron microscopy or "probing" tools that make it possible to study the intrinsic operation of the chip.
  • the invention relates to a device comprising at least one electronic component, for example on or in a substrate, and a protective layer of the component.
  • this layer being disposed on at least one of the faces of the component or of the substrate.
  • a component is therefore protected by at least one protective layer against aggression.
  • the invention also relates to an electronic device comprising at least one electronic component, as well as a protective layer of the component against at least one mechanical and / or thermal and / or chemical and / or optical external aggression, this layer acting in response at least one of said aggressions, for destroying or damaging or damaging said component with the sole energy input of said aggression.
  • the destruction or deterioration or damage of the component takes place, without any other input of energy than that of the harmful aggression for the component.
  • the electronic components of the device one can have at least one chip and / or at least one memory, and / or at least one sensor and / or at least one antenna and / or at least one battery.
  • Intrusion radiation that is to say radiation used to inspect the component.
  • Such attacks are, for example, optical, X or UV radiation or visible or infra-red radiation.
  • the protective layer of the component (s) advantageously makes it possible to diffract and / or absorb and / or reflect said radiation.
  • the protective layer may have the property of emitting radiation, for example of X or UV or visible or IR type, in response to radiation intrusive of wavelength different from that of the emitted radiation.
  • It can also have the property of blocking certain transmission radiations, for example infra-red radiation.
  • the layer in response to aggression, can re-emit fatal radiation to the component.
  • the layer may also contain particles, for example tungsten carbide, and / or SiC, and / or more generally particles of a hard material and / or having sharp angles in order to damage the surface. component in response to mechanical aggression, such as polishing.
  • the invention therefore particularly relates to a device comprising at least one electronic component, for example on or in a substrate, and a protective layer of the component, for example against external radiation or mechanical or thermal or chemical attack, this layer protection element being disposed on at least one of the faces of the component or the substrate.
  • This layer acts, in response to at least one of the aggressions indicated above, to destroy or damage or damage said component with the sole energy input of said aggression.
  • the protective layer comprises for example a matrix in which particles may be embedded.
  • the matrix is glue, or a resin, or a polymer, or a glass.
  • the particles may be chosen from metals, or semi-metals, or minerals, or pyrotechnic elements, such as, for example, ammonium nitrate or mercury fulminate, or oxides of these elements or mixtures of these elements. .
  • a pyrotechnic material may also be combined with a material or particles responsive to the aggression by an at least local rise in temperature, which triggers the pyrotechnic particles or material.
  • the particles may be chosen according to their morphology and / or their chemical stability and / or their activity with respect to radiation.
  • the density of the particles in the matrix is preferably sufficient to provide the protective function while preserving the cohesion of the layer.
  • a proportion of particles of between 10% and 80% by volume of the layer will be chosen.
  • All or part of the particles of the protective layer may act on the component by destruction or optical and / or mechanical and / or chemical deterioration of the component, for example by erasing its memory when it contains one. Moreover, one can also choose all or part of the particles of the layer, so as to avoid any possibility of mechanical or chemical overpressure, and therefore without mechanical or chemical deterioration of the component.
  • the protective layer may optionally further have a function of adhesion or bonding.
  • a second protective layer may be provided on a second face of the component or its substrate.
  • a device according to the invention may further comprise a protective cover assembled with the rest of the structure, that is to say with the component or components, and / or with its possible substrate, via the layer protection which may, for this purpose, then further comprise a function of adhesion, or through a layer of glue.
  • the structure comprises an additional protective layer on the rear face of the component or its substrate.
  • the invention can be applied to an integrated circuit device.
  • the invention also relates to a method for protecting an electronic component against one or more external optical and / or mechanical and / or chemical attacks, for example against an optical X or UV or visible or infra-red radiation, comprising the application at least one protective layer of the component against said attack (s).
  • This layer acts, in response to at least one of said aggressions, to destroy or damage said component with the sole energy input of said aggression.
  • the component may be on or in a substrate, the protective layer being applied to at least one of the faces of the substrate.
  • the protective layer may be able to reflect, or absorb or diffract incident radiation.
  • composition can be those described above in connection with a device according to the invention.
  • FIG. 1 represents a device according to the prior art
  • FIGS. 2 and 3 represent devices according to the invention.
  • FIG. 1 A first embodiment of the invention is shown in FIG. 1
  • a chip or a component 20 is covered with a protective cover 24, glued to the chip by a layer 28, having a thickness that may for example be between 1 ⁇ m and 50 ⁇ m.
  • the chip or the component may rest or be included in a substrate (not shown in the figure), for example a layer of insulating material such as silicon dioxide.
  • the layer 28 comprises a matrix in which particles of a powder 26 whose properties and / or shape make it possible to reflect, and / or to absorb and / or to diffract the incident optical radiation 30. They can also be chosen for their ability to guard against mechanical aggression and / or chemical attack.
  • the layer 28 is disposed between the cover 24 and the chip or the component 20.
  • the layer 28 provides both a protection and bonding function. These functions can be dissociated, an adhesive layer different from the protective layer 28 being added. In addition, if there is no sticky element, the layer 28 can be used with its only protection function.
  • the layer 28 is "reported" on the structures, its development can be independent of the manufacturing process of the chip or the component 20.
  • Powdered materials of different shapes and sizes are commercially available (we now speak of nano-powders).
  • the choice can be made exclusively according to the protective properties of the particles.
  • This material is chosen according to the type of aggressions that one seeks to guard against (for example nickel to guard against plasma attacks, other examples are given more far) .
  • This material is also compatible with the assembly process.
  • the property of certain materials, subjected to an excitation source is used to emit radiation in a characteristic spectrum of the composition of said material.
  • particles 26 have this property and are near or in the vicinity of a component sensitive to the characteristic radiation emitted by these same particles in response to the radiation of the excitation source, the presence of the source can be detected.
  • This characteristic radiation emitted can cause the degradation of the component, or even its destruction.
  • such radiation can cause the erasure of its contents.
  • the component considered is an EPROM type memory, it can be erased by UV radiation of 253.7 nm for example.
  • particles 26 in particular Beta-Barium-Borate (BBO), whose re-emission spectrum is, at least in part, in the ultraviolet, and in particular containing the wavelength 253.7 nm.
  • BBO Beta-Barium-Borate
  • Such particles dispersed in a UV-transparent polymer layer will react with the incident beam and cause the erasure of neighboring memories.
  • Memories can also be erasable under the effect of X-rays reemitted by the particles 26.
  • this re-transmission can contribute to "dazzle” any receiver that may have been arranged to analyze the signal from the component or the chip.
  • Another example uses the property of infrared light to be able to pass through certain materials, in particular silicon. By positioning a device made on such a material between an IR light source and an infra-red camera, it becomes possible to observe the components in depth.
  • infrared-opaque metallic particles 26, consisting of Fe, and / or Ti, and / or W, etc., or their alloys
  • the size or the diameter may be for example between 0.4 microns and 3 microns, in a matrix, for example a resin, for example with a thickness greater than or equal to 10 microns.
  • Ni particles 26 can hinder plasma etching (chemical aggression)
  • silica particles 26 may hinder chemical etching (chemical-type attacks), - 26 W carbide particles can prevent mechanical polishing (mechanical type of aggression).
  • the layer may also contain particles of pyrotechnic material that are triggered directly in response to aggression; by way of example, mention may be made of mercury fulminate (which is a detonating salt (at 150 ° C.), see for example product is very sensitive to polishing, but also to friction, or impacts, or static electricity.
  • mercury fulminate which is a detonating salt (at 150 ° C.)
  • product is very sensitive to polishing, but also to friction, or impacts, or static electricity.
  • Pyrotechnic particles may also be associated with other particles capable of detecting aggression and responding to them, for example, by a local rise in temperature causing the pyrotechnic material particles to be fired.
  • a rise in temperature that can trigger the pyrotechnic particles can also come from the intrusion itself, for example a heat treatment.
  • Such a heat treatment may in particular be used to peel off the polymer. It may also be a rise in temperature resulting from a plasma treatment to burn the hood or the back of the chip.
  • particles will have a protective function against at least two of these types of attacks. Whatever their nature, particles
  • 26 can also have particular shapes, faceted to reflect light in case of intrusive lighting and / or sharp angles to damage (scratch) the surface of the chip or an electronic component during a significant mechanical stress, for example during mechanical polishing.
  • the layer 28 may not be deposited on the entire surface of the component or its substrate, to allow the connection by wire welding or conductive insert, as described in patent FR 2 792 440.
  • the particles 26 may be deposited independently of the matrix, the assembly forming the layer 28, or may be mixed with this matrix before spreading of the layer 28.
  • the particles 26 may also be incorporated into a matrix, such as, for example, a resin or a photosensitive polymer, either in a homogeneous manner or in such a manner as to avoid the presence of the particles in certain zones.
  • a matrix such as, for example, a resin or a photosensitive polymer
  • the object obtained may be of composite nature (polymer + metal particles) or massive, after removal of the polymer (for example by calcination and hot isostatic compression). It is possible to use a blender to mix to mix a metal powder with a solution of the matrix material in a solvent. The mixing can be carried out at room temperature. To further ensure a bonding function can be replaced such a plastic substance with a tacky material, such as epoxy glue from the mixture of two components.
  • the particle size of the powder may be chosen to be less than or equal to the thickness of the desired interface. It is possible to use, for example, a SiC powder of 0.1 ⁇ m to 1 ⁇ m in diameter marketed by Goodfellow. SiC being very hard, it can be used for protection against mechanical attack.
  • Metal powders of different types, very thin, are also available and can be used. Processes identical or similar to those mentioned above can be used to mix particles 26 with other matrices, for example a resin or a glass.
  • a two-component adhesive for example E505 glue from EPOTECHNY
  • one of the components of the glue or the mixture of components itself is poured into the container of a kneader.
  • the chosen metallic powder is poured little by little during mixing (duration 5 to 10 minutes) of the liquid. Then we eventually add the last component to the liquid.
  • the fluidity of the adhesive it is also possible to force the spreading by crushing of a drop dispensed in the center of the plate during the bringing into contact of the two surfaces to be bonded.
  • a pre-annealing before assembly is not essential for the epoxy glue. It will then simply vacuum degassing the glue so as not to trap air bubbles at the sealing interface.
  • the coated plate (for example the component
  • a layer such as layer 28 and its particles 26 as described above can be applied to any component structure requiring protection against aggression.
  • This may be for example an integrated circuit structure as described in particular in one of the documents FR-2 792 440 or FR-2 767 966.
  • Such a structure comprises, for example as illustrated in FIG.
  • an active layer comprising:
  • said integrated circuit comprising circuit elements and at least one contact pad flush with said active face,
  • the layer 28 of protective material according to the invention, with its particles 26, can be incorporated between the layer 43 and the face 42.
  • a layer 28 has been represented on one of the faces of the component or the chip 20. But two layers can to be deposited, one on each side of the chip or component 20.

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Abstract

L'invention concerne un dispositif électronique comportant au moins un composant électronique (20), ainsi qu'une couche (28) de protection du composant contre des agressions extérieures mécaniques et/ou chimiques et/ou optiques (30).

Description

DISPOSITIF DE SECtJRISATION DE COMPOSANTS
DESCRIPTION
DOMAINE TECHNIQtJE ET ART ANTERIEtJR
L'invention concerne le domaine de la sécurisation de composants électroniques tels que par exemple des puces de cartes à puce.
Actuellement, un procédé de protection des puces est la protection physique, par des capots reportés par collage. Ces capots sont généralement en Silicium et comportent des pièges pour éviter la suppression du capot sans endommager les puces. Mais ils peuvent cependant être sensibles à certaines agressions mécaniques et/ou chimiques et/ou optiques. Des dispositifs de protection selon l'art antérieur sont également connus des documents FR 2 792 440 et 2 767 966.
Un autre dispositif connu est illustré sur la figure 1. Un capot 2 est collé à l'aide d'une couche
6 de colle sur une tranche de silicium amincie. Ce capot sert de bouclier en préservant l'intégrité de la puce grâce à la destruction de celle-ci en cas d'essai d' arrachement du capot . Une protection active est réalisée à l'aide de moyens 10 anti-intrusion implémentant des contre- mesures spécifiques (ajout de bruit, retards aléatoires dans les transferts de données, filtrage, etc....) .
Des contacts 12 peuvent être prévus entre différentes tranches. Parmi les différents moyens d'attaque de telles structures connues, on rencontre des moyens chimiques qui consistent par exemple à attaquer l'une des faces jusqu'à découvrir les structures actives. II existe également ensuite des moyens physiques tels que la microscopie électronique ou des outils de « probing » qui permettent d'étudier le fonctionnement intrinsèque de la puce.
On est parvenu jusqu'à ce jour à rendre difficile ce type d'attaque.
Il est cependant encore possible d'observer l'intérieur de la puce en utilisant des ondes lumineuses, électromagnétiques ou ultra sonores qui, après réflexion ou transmission sur les différents matériaux ou interfaces, permettent de se faire une idée précise des composants internes.
EXPOSÉ DE I/ INVENTION
L'invention concerne un dispositif comportant au moins un composant électronique, par exemple sur ou dans un substrat, ainsi qu'une couche de protection du composant.
On cherche ainsi à protéger le composant contre une ou des agressions extérieures, de type mécanique et/ou chimique et/ou optique, cette couche étant disposée sur au moins une des faces du composant ou du substrat.
Selon l'invention, un composant est donc protégé par au moins une couche de protection contre des agressions. l'
L'invention concerne également un dispositif électronique comportant au moins un composant électronique, ainsi qu'une couche de protection du composant contre au moins une agression extérieure mécanique et/ou thermique et/ou chimique et/ou optique, cette couche agissant, en réponse à au moins une desdites agressions, pour détruire ou détériorer ou endommager ledit composant avec le seul apport d'énergie de ladite agression. Autrement dit, la destruction ou détérioration ou endommagement du composant (par exemple d'une de ses fonctions) a lieu, sans autre apport d'énergie que celle de l'agression nocive pour le composant. Parmi les composants électroniques du dispositif, on peut avoir au moins une puce et/ou au moins une mémoire, et/ou au moins un capteur et/ou au moins une antenne et/ou au moins une batterie.
Les agressions extérieures peuvent être des rayonnements dits « d'intrusion », c'est-à-dire des rayonnements utilisés pour inspecter le composant.
De telles agressions sont par exemple des rayonnements optiques, X ou UV ou visibles ou infra-rouges . La couche de protection du ou des composant (s) permet avantageusement de diffracter et/ou d'absorber et/ou de réfléchir lesdits rayonnements.
La couche de protection peut avoir la propriété d'émettre un rayonnement, par exemple de type X ou UV ou visible ou IR, en réponse à un rayonnement intrusif de longueur d' onde différente de celle du rayonnement émis.
Elle peut aussi avoir la propriété de bloquer certains rayonnements en transmission, par exemple des rayonnements infra-rouge.
Par conséquent, selon un exemple, en réponse à une agression, la couche peut réémettre un rayonnement fatal pour le composant.
Selon un autre exemple, la couche peut aussi contenir des particules, par exemple de carbure de tungstène, et/ou de SiC, et/ou plus généralement des particules d'un matériau dur et/ou présentant des angles vifs afin d'endommager le composant en réponse à une agression mécanique, comme un polissage. L'invention concerne donc notamment un dispositif comportant au moins un composant électronique, par exemple sur ou dans un substrat, ainsi qu'une couche de protection du composant, par exemple contre des rayonnements extérieurs ou des agressions mécaniques ou thermiques ou chimiques, cette couche de protection étant disposée sur au moins une des faces du composant ou du substrat.
Cette couche agit, en réponse à au moins une des agressions indiquées ci-dessus, pour détruire ou détériorer ou endommager ledit composant avec le seul apport d'énergie de ladite agression.
La couche de protection comporte par exemple une matrice dans laquelle des particules peuvent être noyées. A titre d'exemple, la matrice est de la colle, ou une résine, ou un polymère, ou un verre.... Les particules peuvent être choisies parmi des métaux, ou des semi-métaux, ou des minéraux, ou des éléments pyrotechniques, comme par exemple le nitrate d'ammonium ou le fulminate de mercure, ou des oxydes de ces éléments ou des mélanges de ces éléments.
Un matériau pyrotechnique peut aussi être combiné à un matériau ou à des particules répondant à l'agression par une élévation au moins locale de la température, ce qui déclenche les particules ou le matériau pyrotechniques.
A titre d'exemple on peut également citer l'utilisation de particules de titane, et/ou de tungstène, et/ou de diamant, et/ou de silice, et/ou de Nickel et/ou de YAG. Pour combattre un ou plusieurs types d'agressions, les particules peuvent être choisies en fonction de leur morphologie et/ou de leur stabilité chimique et/ou de leur activité par rapport à un rayonnement . La densité des particules dans la matrice est de préférence suffisante pour assurer la fonction de protection tout en préservant la cohésion de la couche.
Avantageusement, on choisira une proportion de particules comprises entre 10% et 80% en volume de la couche.
Tout ou partie des particules de la couche de protection peuvent agir sur le composant par destruction ou détérioration optique et/ou mécanique et/ou chimique du composant, par exemple par effacement de sa mémoire lorsqu'il en contient une. Par ailleurs, on peut également choisir tout ou partie des particules de la couche, de façon à éviter toute possibilité de surpression mécanique ou chimique, et donc sans détérioration mécanique ou chimique du composant.
La couche de protection peut éventuellement avoir en outre une fonction d'adhérence ou de collage.
Une deuxième couche de protection peut être prévue sur une deuxième face du composant ou de son substrat.
Un dispositif selon l'invention peut comporter en outre un capot de protection assemblé avec le reste de la structure, c'est-à-dire avec le ou les composants, et/ou avec son éventuel substrat, par l'intermédiaire de la couche de protection qui peut, à cet effet, comporter alors en outre une fonction d'adhérence, ou par l'intermédiaire d'une couche de colle.
Dans un mode de réalisation qui peut être complémentaire au précédent, la structure comporte une couche de protection supplémentaire sur la face arrière du composant ou de son substrat.
L'invention peut être appliquée à un dispositif à circuit intégré. L'invention concerne également un procédé de protection d'un composant électronique contre une ou des agressions optique et/ou mécanique et/ou chimique extérieures, par exemple contre un rayonnement optique X ou UV ou visible ou infra-rouge, comportant l'application d'au moins une couche de protection du composant contre ladite ou lesdites agressions. Cette couche agit, en réponse à au moins une desdites agressions, pour détruire ou détériorer ledit composant avec le seul apport d'énergie de ladite agression. Le composant peut être sur ou dans un substrat, la couche de protection étant appliquée sur au moins une des faces du substrat.
La couche de protection peut permettre de réfléchir, ou d'absorber ou de diffracter un rayonnement incident.
Ses propriétés et sa composition peuvent être celles décrites ci-dessus en liaison avec un dispositif selon l'invention.
BRÈVE DESCRIPTION DES DESSINS
- La figure 1 représente un dispositif selon l'art antérieur,
- les figures 2 et 3 représentent des dispositifs selon l'invention.
EXPOSÉ DÉTAILLÉ DE MODES DE RÉALISATION PARTICULIERS
Un premier exemple de réalisation de l'invention est représenté sur la figure 2.
Dans cet exemple, une puce ou un composant 20 est recouverte d'un capot de protection 24, collé à la puce par une couche 28, d'épaisseur pouvant par exemple être comprise entre 1 μm et 50 μm.
La puce ou le composant peut reposer ou être compris dans un substrat (non représenté sur la figure) , par exemple une couche de matériau isolant tel que du dioxyde de silicium. La couche 28 comporte une matrice dans laquelle sont disposées des particules d'une poudre 26 dont les propriétés et/ou la forme permettent de réfléchir, et/ou d'absorber et/ou de diffracter les rayonnements optiques incidents 30. Elles peuvent également être choisies pour leur aptitude à prémunir des agressions mécaniques et/ou des attaques chimiques. La couche 28 est disposée entre le capot 24 et la puce ou le composant 20. Dans cet exemple, la couche 28 assure à la fois une fonction de protection et de collage. Ces fonctions peuvent être dissociées, une couche de colle différente de la couche de protection 28 étant ajoutée. En outre, s'il n'y a pas d'élément à coller, la couche 28 peut être utilisée avec sa seule fonction de protection.
Dans la mesure où la couche 28 est « rapportée » sur les structures, son élaboration peut être indépendante du procédé de fabrication de la puce ou du composant 20.
On trouve dans le commerce des matériaux en poudre de forme et de granulométrie différentes (on parle maintenant de nano-poudres) .
Dans la mesure où le matériau constituant la poudre est compatible avec le procédé d'assemblage, le choix peut se faire exclusivement en fonction des propriétés protectrices des particules. Ce matériau est choisi en fonction du type d'agressions dont on cherche à se prémunir (par exemple du nickel pour se prémunir d'attaques plasma, d'autres exemples sont donnés plus loin) . Ce matériau est également compatible avec le procédé d'assemblage.
Selon un premier exemple, on utilise la propriété de certains matériaux, soumis à une source d'excitation, d'émettre un rayonnement dans un spectre caractéristique de la composition dudit matériau.
Si des particules 26 possèdent cette propriété et se trouvent à proximité ou au voisinage d'un composant sensible au rayonnement caractéristique émis par ces mêmes particules en réponse au rayonnement de la source d'excitation, la présence de la source pourra être détectée.
Ce rayonnement caractéristique émis peut provoquer la dégradation du composant, voire sa destruction.
Par exemple, dans le cas d'une mémoire, un tel rayonnement peut provoquer l'effacement de son contenu.
En particulier, si le composant considéré est une mémoire de type EPROM, elle peut être effacée par un rayonnement UV de 253,7 nm par exemple.
On peut citer l'exemple de particules 26, notamment de Béta-Barium-Borate (BBO) , dont le spectre de ré-émission est, au moins en partie, dans l'ultra-violet, et contenant notamment la longueur d'onde 253,7 nm. De telles particules dispersées dans une couche de polymère transparente aux UV, vont réagir au faisceau incident et provoquer l'effacement des mémoires voisines. Des mémoires peuvent aussi être effaçables sous l'effet de rayons X réémis par les particules 26. Par ailleurs, cette ré-émission peut contribuer à « éblouir » un éventuel récepteur qui pourrait avoir été disposé afin d' analyser le signal issu du composant ou de la puce. Un autre exemple met en œuvre la propriété de la lumière infrarouge de pouvoir traverser certains matériaux, et notamment le Silicium. En positionnant un dispositif réalisé sur un tel matériau entre une source lumineuse IR et une caméra infra-rouge, il devient possible d'observer les composants en profondeur.
Selon un autre exemple de l'invention, on peut donc mettre des particules 26 métalliques opaques aux infra-rouges, constituées de Fe, et/ou de Ti, et/ou de W, etc.... ou leurs alliages, dont la taille ou le diamètre peut être par exemple compris entre 0,4 μm et 3 μm, dans une matrice, par exemple une résine, par exemple d'épaisseur supérieure ou égale à 10 μm. Les particules, de densité par exemple comprise entre 60% et 80%, permettent alors de faire obstacle au passage du faisceau lumineux.
Il est aussi possible de protéger en outre la puce ou le composant contre des tentatives de gravure chimique et/ou plasma et/ou mécanique. Ainsi, par exemple : - des particules 26 de Ni peuvent entraver la gravure plasma (agression de type chimique) ,
- des particules 26 de silice peuvent entraver la gravure chimique (agressions de type chimique) , - des particules 26 de carbure de W peuvent empêcher le polissage mécanique (agressions de type mécanique) .
La couche peut également contenir des particules de matériau pyrotechnique qui se déclenchent directement en réponse à une agression ; à titre d'exemple, on peut citer le fulminate de mercure (qui est un sel détonant (à 15O0C), voir par exemple
Figure imgf000013_0001
produit est très sensible au polissage, mais aussi au frottement, ou aux impacts, ou à l'électricité statique.
Des particules pyrotechniques peuvent également être associées à d'autres particules aptes à détecter l'agression et à y répondre par exemple par une élévation locale de température provoquant la mise à feu des particules de matériau pyrotechnique.
Une élévation de température pouvant permettre de déclencher les particules pyrotechniques, peut provenir également de l'intrusion elle-même, par exemple d'un traitement thermique.
Un tel traitement thermique peut en particulier être utilisé en vue de décoller le polymère. Ce peut-être aussi une élévation de la température découlant d'un traitement plasma pour graver le capot ou la face arrière de la puce.
Un mélange de ces différents types de particules aura une fonction de protection contre au moins deux de ces types d'attaque. Quelle que soit leur nature, les particules
26 peuvent également avoir des formes particulières, facettées afin de réfléchir la lumière en cas d'un éclairage intrusif et/ou avec des angles vifs afin d'endommager (par rayure) la surface de la puce ou d'un composant électronique lors d'une sollicitation mécanique importante, par exemple lors d'un polissage mécanique.
Par un procédé de lithographie, ou de masquage mécanique (« lift-off ») , la couche 28 peut ne pas être déposée sur toute la surface du composant ou de son substrat, afin de permettre la connexion par soudage filaire ou insert conducteur, comme décrit dans le brevet FR - 2 792 440.
Les particules 26 peuvent être déposées indépendamment de la matrice, l'ensemble formant la couche 28, ou bien être mélangées à cette matrice avant étalement de la couche 28.
On peut également incorporer les particules 26 à une matrice, telle que par exemple une résine ou un polymère photosensible, soit de manière homogène, soit de manière à éviter la présence des particules dans certaines zones.
Un exemple de réalisation de mélange de poudres métalliques à un polymère est donné dans la publication de J-C. Gelin et T. Barrière, parue dans « EN DIRECT », n°148, février 2001 en vue de l'obtention d'objets par moulage et/ou filtrage.
L'objet obtenu peut être de nature composite (polymère + particules métalliques) ou bien massive, après élimination du polymère (par exemple par calcination puis compression isostatique à chaud) . II est possible d'utiliser un malaxeur pour mélanger pour mélanger une poudre métallique à une solution du matériau de la matrice dans un solvant. Le malaxage peut être effectué à température ambiante. Pour assurer en outre une fonction de collage on peut remplacer une telle substance plastique par un matériau collant, comme de la colle époxy issue du mélange de deux composants.
Si l'on veut obtenir une interface de collage, la granulométrie de la poudre peut être choisie inférieure ou égale à l'épaisseur de l'interface désirée. On peut utiliser par exemple une poudre de SiC de 0,1 μm à 1 μm de diamètre commercialisée par la société Goodfellow. Le SiC étant très dur, il peut être utilisé pour la protection contre une attaque mécanique.
Des poudres métalliques de différentes natures, très fines, sont également disponibles et peuvent être utilisées. Des procédés identiques ou similaires à ceux mentionnés ci-dessus peuvent être utilisés pour mélanger des particules 26 à d'autres matrices, par exemple à une résine ou à un verre.
Exemple de réalisation d'un assemblage :
1- Mélange :
Avec une colle bi-composants (par exemple de la colle E505 de chez EPOTECHNY) , un des composants de la colle ou bien le mélange de composants lui-même est versé dans le récipient d'un malaxeur. La poudre métallique choisie est versée petit à petit pendant le malaxage (durée 5 à 10 mn) du liquide. Ensuite on rajoute éventuellement le dernier composant au liquide.
2- Etalement : II existe plusieurs modes d'étalement du mélange selon la viscosité du liquide et les caractéristiques du dépôt que l'on veut obtenir
(épaisseur, uniformité, etc....) . Le mode le plus courant est l'étalement à la tournette, mais on peut utiliser des techniques de sérigraphie voire de « spray ».
Selon la fluidité de la colle, on peut aussi forcer l'étalement par écrasement d'une goutte dispensée au centre de la plaque lors de la mise en contact des deux surfaces à coller.
3- Pré-traitement :
Selon les propriétés du matériau collant, on peut avoir un pré-séchage de la couche avant assemblage par un recuit adapté (par exemple à 9O0C pendant deux minutes dans le cas où on utilise de la résine photosensible) . Par contre, un pré-recuit avant assemblage n'est pas indispensable pour la colle époxy. On procédera alors simplement à un dégazage sous vide de la colle afin de ne pas piéger des bulles d'air à l'interface de scellement.
4- Assemblage :
La plaque enduite (par exemple le composant
20 de la figure 2) est alignée par rapport à l'élément avec lequel elle doit être assemblée, par exemple la plaque 24 à coller. Puis une pression de 15 à 30 kg/cm2 est exercée. L'ensemble est simultanément ou ultérieurement chauffé à une température comprise entre 100 et 2000C pendant quelques minutes, ces paramètres étant fonction de la colle jusqu'à ce que celle-ci polymérise.
L'invention a été décrite en liaison avec la figure 2, qui représente un capot sur une puce. Cependant, une couche telle que la couche 28 et ses particules 26 telles que décrites ci-dessus peut être appliquée à toute structure de composant nécessitant une protection contre des agressions. Ce peut être par exemple une structure à circuit intégré telle que notamment décrite dans l'un des documents FR-2 792 440 ou FR-2 767 966. Une telle structure comporte, par exemple comme illustré sur la figure 3 :
- une couche 40 active comprenant :
- un matériau semi-conducteur,
- un circuit intégré à une face 42 active de ladite couche 40 active, ledit circuit intégré comportant des éléments de circuit et au moins un plot 45 de contact affleurant à ladite face active,
- une couche 43 complémentaire fixée à ladite face 42 active, ladite couche 43 complémentaire couvrant au moins partiellement ledit circuit intégré de ladite couche active 40.
La couche 28 de matériau de protection selon l'invention, avec ses particules 26, peut être incorporée entre la couche 43 et la face 42.
Par ailleurs, sur les figures 2 et 3, une couche 28 a été représentée sur une des faces du composant ou de la puce 20. Mais deux couches peuvent être déposées, une sur chaque côté de la puce ou du composant 20.

Claims

REVENDICATIONS
1. Dispositif électronique comportant au moins un composant électronique (20), ainsi qu'une couche (28) de protection du composant contre au moins une agression extérieure mécanique et/ou thermique et/ou chimique et/ou optique (30), cette couche agissant, en réponse à au moins une desdites agressions, pour détruire ou détériorer ledit composant avec le seul apport d'énergie de ladite agression.
2. Dispositif selon la revendication 1, le composant étant sur ou dans un substrat (40), la couche de protection (28) étant disposée sur au moins une des faces du substrat.
3. Dispositif selon la revendication 1 ou 2, comportant au moins une mémoire, et/ou au moins un capteur et/ou au moins une antenne et/ou au moins une batterie et/ou au moins une puce.
4. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 3, la couche (28) de protection étant une couche de protection du composant contre des rayonnements optiques (30) .
5. Dispositif selon la revendication 4, la couche de protection permettant de diffracter et/ou d'absorber et/ou de réfléchir lesdits rayonnements optiques et/ou de ré-émettre, sous l'influence d'un rayonnement incident (30), un rayonnement dans le domaine des rayons X ou des ultra-violets.
6. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 5, la couche de protection comportant une matrice (28) dans laquelle sont noyées des particules (26) .
7. Dispositif selon la revendication 6, la matrice comportant de la colle, ou une résine, ou un polymère, ou un verre.
8. Dispositif selon la revendication 6 ou 7, les particules ayant la propriété de ré-émettre, sous l'influence d'un rayonnement incident, un rayonnement dans le domaine des rayons X ou des ultra-violets .
9. Dispositif selon l'une des revendications 6 à 8, les particules ayant la propriété d'être opaques aux rayonnements infra-rouges.
10. Dispositif selon l'une des revendications 6 à 9, les particules étant choisies parmi des métaux, ou des semi-métaux, ou des minéraux, ou des éléments pyrotechniques, par exemple du nitrate d'ammonium ou du fulminate de mercure, ou des oxydes de ces éléments ou des mélanges de ces éléments.
11. Dispositif selon la revendication 10, les particules étant des particules de Titane, et/ou de Tungstène, et/ou de Fer, et/ou de Diamants, et/ou de silice et/ou du carbure de silicium et/ou de carbure de tungstène.
12. Dispositif selon l'une des revendications 6 à 10, les particules étant choisies parmi éléments pyrotechniques associées à d'autres particules aptes à détecter au moins une agression extérieure et à y répondre par une élévation locale de température provoquant la mise à feu des particules de matériau pyrotechnique.
13. Dispositif selon l'une des revendications 6 à 10 ou 12, les particules étant choisies parmi éléments pyrotechniques dont le déclenchement peut être obtenu par une élévation de température provenant par exemple d' au moins une intrusion extérieure.
14. Dispositif selon l'une des revendications 6 à 13, au moins une partie des particules présentant des facettes de réflexion du rayonnement et/ou des angles vifs.
15. Dispositif selon l'une des revendications 6 à 14, la densité des particules dans la matrice étant suffisante pour assurer la fonction de protection tout en préservant la cohésion de la couche.
16. Dispositif selon l'une des revendications 6 à 15, les particules étant en proportion comprise entre 10% et 80% en volume de la couche.
17. Dispositif selon l'une des revendications 6 à 16, tout ou partie des particules de la couche de protection pouvant en outre agir sur le composant par destruction et/ou détérioration optique et/ou mécanique et/ou chimique du composant.
18. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 17, la couche (28) de protection assurant en outre une fonction de collage.
19. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 18, la structure comportant une couche de protection supplémentaire sur la face arrière du substrat du composant.
20. Dispositif selon l'une des revendications 1 à 19, comportant en outre un capot
(24) de protection assemblé avec le reste de la structure.
21. Dispositif à circuit intégré comportant un dispositif électronique selon l'une des revendications 1 à 20, le composant électronique étant un circuit intégré.
22. Procédé de protection d'un composant électronique (20) contre une agression extérieure mécanique et/ou chimique et/ou optique (30), comportant l'application d'une couche (28) de protection du composant contre ladite agression, cette couche agissant, en réponse à au moins une desdites agressions, pour détruire ou détériorer ledit composant avec le seul apport d'énergie de ladite agression.
23. Procédé selon la revendication 22, le composant étant sur ou dans un substrat, la couche de protection étant appliquée sur au moins une des faces du substrat.
24. Procédé selon la revendication 22 ou 23, la couche de protection permettant de réfléchir, ou d'absorber ou de diffracter le rayonnement incident.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9741670B2 (en) 2015-04-20 2017-08-22 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Electronic chip comprising multiple layers for protecting a rear face
US9859226B1 (en) 2016-12-13 2018-01-02 International Business Machines Corporation Core-shell particles for anti-tampering applications
CN113675153A (zh) * 2021-08-24 2021-11-19 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种芯片防反向封装结构及封装方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102007051788A1 (de) * 2007-10-30 2009-05-14 Giesecke & Devrient Gmbh Halbleiterchip mit einer Schutzschicht und Verfahren zum Betrieb eines Halbleiterchip
FR2938953B1 (fr) 2008-11-21 2011-03-11 Innova Card Dispositif de protection d'un boitier de circuit integre electronique contre les intrusions par voie physique ou chimique.
FR3048972B1 (fr) * 2016-03-15 2018-04-06 Mbda France Materiau de leurrage ultrasonore, en particulier pour systeme d'arme

Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3697668A (en) * 1968-12-13 1972-10-10 Ncr Co Self-destructible molded articles
US3725671A (en) * 1970-11-02 1973-04-03 Us Navy Pyrotechnic eradication of microcircuits
FR2686996A1 (fr) * 1992-01-31 1993-08-06 Solaic Sa Procede de fabrication d'une carte a memoire comprenant un micromodule equipe d'un capot, et carte a memoire ainsi obtenue.
US5258334A (en) * 1993-01-15 1993-11-02 The U.S. Government As Represented By The Director, National Security Agency Process of preventing visual access to a semiconductor device by applying an opaque ceramic coating to integrated circuit devices
DE19515188A1 (de) * 1995-04-25 1996-11-07 Siemens Ag Chip-Abdeckung
US5635249A (en) * 1993-03-08 1997-06-03 Dow Corning Corporation Luminescent ceramic coatings
EP0834914A2 (fr) * 1996-10-04 1998-04-08 Dow Corning Corporation Revêtements pour l'électronique
US20010003374A1 (en) * 1999-12-09 2001-06-14 U.S. Philips Corporation Semiconductor device comprising a security coating and smartcard provided with such a device
DE10131014C1 (de) * 2001-06-27 2002-09-05 Infineon Technologies Ag Gegen Analyse geschütztes Halbleiterbauelement und zugehöriges Herstellungsverfahren
EP1273998A1 (fr) * 2001-07-03 2003-01-08 Hewlett-Packard Company, A Delaware Corporation Composants électroniques détecteurs et/ou résistants à l'effraction
WO2004021437A1 (fr) * 2002-08-09 2004-03-11 Siemens Aktiengesellschaft Revetement de circuit integre semi-conducteur et procede de fabrication associe

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5371404A (en) * 1993-02-04 1994-12-06 Motorola, Inc. Thermally conductive integrated circuit package with radio frequency shielding
FR2848025B1 (fr) * 2002-11-28 2005-02-11 Gemplus Card Int Protection d'un composant par nappe conductrice a contact aleatoire

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3697668A (en) * 1968-12-13 1972-10-10 Ncr Co Self-destructible molded articles
US3725671A (en) * 1970-11-02 1973-04-03 Us Navy Pyrotechnic eradication of microcircuits
FR2686996A1 (fr) * 1992-01-31 1993-08-06 Solaic Sa Procede de fabrication d'une carte a memoire comprenant un micromodule equipe d'un capot, et carte a memoire ainsi obtenue.
US5258334A (en) * 1993-01-15 1993-11-02 The U.S. Government As Represented By The Director, National Security Agency Process of preventing visual access to a semiconductor device by applying an opaque ceramic coating to integrated circuit devices
US5635249A (en) * 1993-03-08 1997-06-03 Dow Corning Corporation Luminescent ceramic coatings
DE19515188A1 (de) * 1995-04-25 1996-11-07 Siemens Ag Chip-Abdeckung
EP0834914A2 (fr) * 1996-10-04 1998-04-08 Dow Corning Corporation Revêtements pour l'électronique
US20010003374A1 (en) * 1999-12-09 2001-06-14 U.S. Philips Corporation Semiconductor device comprising a security coating and smartcard provided with such a device
DE10131014C1 (de) * 2001-06-27 2002-09-05 Infineon Technologies Ag Gegen Analyse geschütztes Halbleiterbauelement und zugehöriges Herstellungsverfahren
EP1273998A1 (fr) * 2001-07-03 2003-01-08 Hewlett-Packard Company, A Delaware Corporation Composants électroniques détecteurs et/ou résistants à l'effraction
WO2004021437A1 (fr) * 2002-08-09 2004-03-11 Siemens Aktiengesellschaft Revetement de circuit integre semi-conducteur et procede de fabrication associe

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9741670B2 (en) 2015-04-20 2017-08-22 Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives Electronic chip comprising multiple layers for protecting a rear face
US9859226B1 (en) 2016-12-13 2018-01-02 International Business Machines Corporation Core-shell particles for anti-tampering applications
US10249578B2 (en) 2016-12-13 2019-04-02 International Business Machines Corporation Core-shell particles for anti-tampering applications
CN113675153A (zh) * 2021-08-24 2021-11-19 中国电子科技集团公司第五十八研究所 一种芯片防反向封装结构及封装方法

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Publication number Publication date
FR2872610B1 (fr) 2007-06-08
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