WO2005083757A1 - レジスト膜の剥離方法およびリワーク方法 - Google Patents

レジスト膜の剥離方法およびリワーク方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2005083757A1
WO2005083757A1 PCT/JP2005/003392 JP2005003392W WO2005083757A1 WO 2005083757 A1 WO2005083757 A1 WO 2005083757A1 JP 2005003392 W JP2005003392 W JP 2005003392W WO 2005083757 A1 WO2005083757 A1 WO 2005083757A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
film
resist film
substrate
organic solvent
resist
Prior art date
Application number
PCT/JP2005/003392
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Shigeo Ashigaki
Yoshihiro Kato
Yoshihiro Hirota
Yusuke Muraki
Tetsu Kawasaki
Satoru Shimura
Original Assignee
Tokyo Electron Limited
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Limited filed Critical Tokyo Electron Limited
Priority to US10/591,345 priority Critical patent/US20070184379A1/en
Publication of WO2005083757A1 publication Critical patent/WO2005083757A1/ja

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
    • H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
    • H01J2237/334—Etching
    • H01J2237/3342—Resist stripping

Definitions

  • the present invention relates to a method for removing a resist film formed on a Si—C-based film and a method for reworking the resist film.
  • CMOS device formation for further miniaturization, a thin film of an antireflection film and a photoresist film used for etching is required.
  • a thin film of an antireflection film and a photoresist film used for etching is required.
  • the technique of introducing a hard mask under the conventional ARC, while working, may not have an adequate antireflection function.
  • the resolution / lithography process tolerance may not be sufficient.
  • a recent photolithography process using ArF (wavelength 193 nm) corresponding to a 65 nm CMOS patterning does not provide sufficient resolution.
  • the etching method includes a step of sequentially forming a multilayered Si—C-based film and a photoresist film on a predetermined etching target film (underlying film) formed on a substrate; A first etching step of etching the Si—C-based film using the photoresist film as a mask, and a second etching step of etching the film to be etched (underlying film) using the photoresist film and the Si—C-based film as a mask.
  • the inventor of the present invention has found, through various experiments, the drawbacks of the step of removing the photoresist film using sulfuric acid + hydrogen peroxide. Specifically, the inventor of the present invention determined that a photoresist film on a Si—C-based film having both an anti-reflection function and a hard mask function was peeled off using a sulfuric acid + hydrogen peroxide solution. It was also found that the Si—C-based film was also damaged by sulfuric acid + hydrogen peroxide and the antireflection function and the hard mask function were impaired.
  • the inventor of the present invention states that when a photoresist film is formed again on the Si—C-based film in such a state (rework), the reworked photoresist film is peeled off, or the pattern falls. I also found out.
  • the present invention has been made in view of a powerful situation, and has been formed on a Si-C-based film, particularly a Si-C-based film having both an antireflection function and a hard mask function.
  • An object of the present invention is to provide a method of removing a resist film and a method of reworking the resist film, which can remove the resist film without damaging the underlying Si—C-based film.
  • the present invention is a method for stripping a resist film on a Si—C-based film formed on a substrate, comprising: a preparing step of preparing an organic solvent as a stripping agent; And a applying step for applying the resist film.
  • the resist film can be sufficiently removed without damaging the Si—C-based film.
  • the applying step impairs the anti-reflection function and the nod mask function of the Si—C-based film.
  • the Si—C-based film is a film having an anti-reflection function and a hard mask function
  • the organic solvent may be a thinner.
  • the organic solvent is
  • the applying step may be performed, for example, by supplying a release agent onto the resist film while rotating the substrate.
  • the applying step may be performed by immersing the substrate in the organic solvent.
  • the present invention includes a peeling step of peeling a resist film on the Si—C based film formed on the substrate, and a reworking step of forming a resist film again on the Si—C based film.
  • a rework method for a resist film wherein the stripping step includes a preparing step of preparing an organic solvent as a stripping agent, and an applying step of applying the organic solvent to the resist film. This is a method for reworking a resist film to be formed.
  • the resist film can be removed without damaging the Si—C-based film.
  • the applying step impairs the antireflection function and the mask function of the Si—C-based film.
  • the Si—C-based film is a film having an antireflection function and a hard mask function
  • the organic solvent may be a thinner.
  • the organic solvent is
  • the applying step may be performed, for example, by supplying a release agent onto the resist film while rotating the substrate.
  • the applying step may be performed by immersing the substrate in the organic solvent.
  • the present invention provides a step of sequentially forming a Si—C-based film and a resist film on an etching target film formed on a substrate, and using the resist film as a mask to form the Si—C film.
  • a method for treating a substrate comprising: a preparing step of preparing; and an applying step of applying the organic solvent to the resist film.
  • a rework step of forming a resist film again on the Si—C-based film may be performed.
  • the peeling step and the rework step may be performed before the first etching step.
  • the present invention is an apparatus for stripping a resist film on a Si—C-based film formed on a substrate, wherein the spin chuck rotatably supports the substrate on which the resist film to be stripped is formed. And a nozzle for ejecting an organic solvent as a stripping agent to the substrate held by the spin chuck.
  • the present invention is a resist film reworking apparatus for removing a resist film on a Si—C-based film formed on a substrate and applying the next resist film, wherein the resist film to be removed is A spin chuck that rotatably supports the formed substrate; an organic solvent nozzle that discharges an organic solvent as a release agent to the substrate held by the spin chuck; And a resist liquid nozzle for discharging a resist liquid from the resist film.
  • the present invention provides a resist film peeling device for peeling a resist film on a Si—C based film formed on a substrate, and a resist film peeling device, comprising: And a resist coating device for coating a resist.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a substrate for describing an etching method using a Si—C-based film.
  • FIG. 2 is a sectional view of a substrate for explaining one embodiment of a method for reworking a resist film according to the present invention.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view schematically showing one example of an apparatus that can be used in a resist film stripping step.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view schematically showing a resist coating unit.
  • FIG. 5 is a schematic diagram showing a resist stripping system equipped with an organic solvent application unit.
  • FIG. 6 is a view for explaining the structure of a cooling unit in the resist stripping system of FIG.
  • FIG. 7 is a perspective view showing a resist coating and developing system equipped with an organic solvent coating unit.
  • FIG. 8 compares the composition and contact angle of the surface of the Si-C film after stripping the resist film with thinner or (sulfuric acid + hydrogen peroxide solution) and the as-depo state FIG.
  • FIG. 9 is a diagram showing an XPS profile in a depth direction of a Si—C-based film in an as-depo state.
  • FIG. 10 is a view showing an XPS profile in the depth direction of the Si—C-based film after the resist film is stripped with a thinner.
  • FIG. 11 is a diagram showing an XPS profile in the depth direction of the Si—C-based film after the resist film has been stripped with (sulfuric acid + hydrogen peroxide solution).
  • FIG. 12 shows the photoresist pattern before rework, the photoresist pattern when leaked using (sulfuric acid + hydrogen peroxide), and the photoresist pattern when reworked using thinner.
  • 5 is an SEM photograph of the photoresist pattern of FIG.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of a substrate for explaining an etching method using a Si—C-based film.
  • a photoresist film 4 is formed on the Si-C based film 3.
  • the Si-C based film 3 has an antireflection function and a hard mask function. More specifically, the Si—C-based film 3 is the same as that disclosed in the above-mentioned document 1, and is provided by IBM under the name “TERA”. This Si-C film 3 has a multilayer structure formed by plasma CVD. It is a built-in film. The complex refractive index (n + ik: n is a refractive index and k is an extinction coefficient) of each layer in exposure light having a predetermined wavelength is adjusted according to the materials of the etching target film 2 and the photoresist film 4.
  • n at each wavelength at 193 nm is adjusted to about 1.62-2.26, and k is adjusted to about 0.045-0.75.
  • film forming conditions such as film forming temperature, pressure, gas composition, gas flow rate, and the like.
  • the layer (cap layer) 3a adjacent to the photoresist film 4 is configured as a SiCOH composition
  • the layer (bottom layer) 3b adjacent to the etching target film 2 is configured as a SiCH composition
  • the n and k of the two layers are May be different from each other.
  • n and k and the film thickness By adjusting the values of n and k and the film thickness (layer thickness), an excellent antireflection function can be exhibited. That is, the reflectance at the boundary between the Si—C based film 3 and the photoresist film 4 can be made almost zero. Sufficient resolution can be obtained by a recent photolithography process using ArF (wavelength 193 nm) corresponding to 65 nm CMOS pattern jung. Also, sufficient resolution can be obtained in the photolithography process using F2 (wavelength 157 nm) and EUV corresponding to the next generation below 65 nm.
  • the Si—C based film 3 is an inorganic film, the Si—C based film 3 can be etched with a high selectivity with respect to the photoresist film 4.
  • the etching target film 2 and the like can be etched with a high selectivity to the Si—C based film 3. That is, the Si-C based film 3 has an excellent hard mask function.
  • the photoresist film 4 is patterned by a photolithography process.
  • an ArF resist is used as the photoresist film 4, and is exposed and developed by an ArF laser having a wavelength of 193 nm to form a predetermined pattern.
  • the Si—C based film 3 is etched while the photoresist film 4 functions as a mask. Further, as shown in FIG. 1D, the photoresist film 4 and the etching target film 2 are etched.
  • the photoresist film 4 is removed.
  • a separating step may be performed.
  • the photoresist film 4 is peeled off.
  • the photoresist film 4 is peeled off.
  • Such a process is called a rework process.
  • This process has a crucial role in producing high-precision devices.
  • a rework process may be performed when the state of application of the photoresist film 4 in the state of FIG. 1A is insufficient.
  • the photoresist film 4 on the Si—C-based film 3 is stripped using an organic solvent as a stripping agent.
  • the photoresist film 4 on the Si—C-based film 3 has been stripped using an organic solvent as a stripping agent as shown in FIG. 2 (a)
  • the photoresist is again stripped as shown in FIG. 2 (b).
  • a film 4 ' is formed (rework step).
  • a pattern is formed by photolithography.
  • the organic solvent used as the stripping agent is not particularly limited, and an appropriate one for the material of the photoresist film 4 can be selected.
  • the organic solvents thinners are preferred.
  • an acetone-based thinner is preferable.
  • Specific examples include PGME (Piperine glycol monomethyl ether) and PGMEA (Piperine glycol monoethyl ether oleate).
  • the specific mode of the step of stripping the photoresist film 4 with a stripping agent is not particularly limited.
  • an embodiment is effective in which an organic solvent as a release agent is discharged onto the photoresist film 4 while rotating the semiconductor wafer 1 on which the photoresist film 4 is formed.
  • a nozzle 14 capable of discharging an organic solvent as an agent to a substantially central portion of the semiconductor wafer 1, and a back rinse provided below the spin chuck 12 to discharge and rinse a similar release agent on the back surface of the semiconductor wafer 1.
  • An organic solvent application device 10 having a nozzle 15 can be used.
  • the organic solvent 5 is also discharged to the substantially central portion of the semiconductor wafer 1 by the nozzle 14. Due to the action of the centrifugal force, the organic solvent 5 is applied (spread) over the entire surface of the photoresist film 4, and the photoresist film 4 is dissolved and peeled. Thereafter, the discharge of the organic solvent 5 is stopped, and the organic solvent in which the resist is dissolved is shaken off. Subsequently, the organic solvent is ejected from the nozzle 14 and the back rinse nozzle 15, and the semiconductor wafer 1 is rinsed.
  • Specific recipes include the following. First, after the semiconductor wafer 1 is horizontally sucked and held by the spin chuck, the nozzle 14 is positioned above the semiconductor wafer 1. Then, the semiconductor wafer 1 is rotated at, for example, 3000 rpm for 10 seconds. Subsequently, the rotation speed of the semiconductor wafer 1 is reduced to, for example, 1500 rpm, and the organic solvent (for example, thinner) is discharged from the nozzle 14 for, for example, 3 seconds. As a result, the organic solvent is spread over the entire surface of the semiconductor wafer 1. Subsequently, while the rotation speed of the semiconductor wafer 1 is reduced to, for example, 40 rpm, the organic solvent is discharged for another 15 seconds, for example.
  • the discharge of the organic solvent is stopped, the nozzle is retracted, the rotation speed of the semiconductor wafer 1 is reduced to, for example, 20 rpm, and the semiconductor wafer 1 is rotated for 5 seconds. Thereafter, the rotation of the semiconductor wafer 1 is stopped. Thereafter, the nozzle 14 is positioned above the semiconductor wafer 1, and the semiconductor wafer 1 is rotated at, for example, 1500 rpm for 3 seconds. Thereby, the organic solvent is shaken off. Then, the rotation of the semiconductor wafer 1 is stopped. Thereafter, the organic solvent is ejected from the nozzle 14 and the back rinse nozzle 15 for, for example, 5 seconds while the rotation speed of the semiconductor wafer 1 is, for example, 100,000 rpm. Next, at the same time as the discharge of the organic solvent is stopped, For example, the pressure is increased to 2000 rpm, and the organic solvent is shaken off, for example, for 8 seconds.
  • the organic solvent coating apparatus 10 has almost the same configuration as a resist coating unit used for photoresist coating. That is, a resist coating cut can be used as such a coating apparatus 10.
  • the resist coating unit includes a cup 21, a spin chuck 22 capable of horizontally holding the semiconductor wafer 1 in the cup 21, a motor 23 for rotating the spin chuck 22, and a spin chuck 22. It has a nozzle unit 24 provided and a back rinse nozzle 25 provided below the spin chuck 22.
  • the nozzle unit 24 has a thinner nozzle 26 for discharging a thinner for pre-wet and a resist nozzle 27 for discharging the resist liquid before supplying the resist liquid to the semiconductor wafer 1.
  • the photoresist film 4 can be stripped by discharging a thinner from a thinner nozzle 26, while the photoresist film can be stripped. After the peeling of the film 4, a resist liquid is subsequently supplied from the resist nozzle 27 to apply a photoresist, thereby completing the rework of the photoresist.
  • the organic solvent coating apparatus 10 is used, for example, by being mounted on a resist stripping system 30 as shown in FIG.
  • the resist stripping system 30 includes a carrier station (CZS) 31 on which a carrier C containing a semiconductor wafer is loaded and a semiconductor wafer is loaded and unloaded, and a carrier C on the carrier station (CZS) 31.
  • the cooling unit (COL) 34 includes a housing 36 provided with a cooling plate 37 whose temperature is controlled at, for example, 23 ° C.
  • the semiconductor wafer 1 is placed on the cooling plate 37 for a predetermined time (for example, 15 seconds), so that the temperature of the semiconductor wafer 1 is controlled.
  • the transfer device 32 and other components are connected to a control unit (process controller) 40. And the transport device 32 and other components The unit is controlled by the control unit 40. Further, the control unit 40 includes a keyboard for a process manager to perform a command input operation or the like for managing the resist stripping system 30. One interface 41 is connected. Further, the control unit 40 includes a control program for realizing various processes executed by the resist stripping system 30 under the control of the control unit 40, and processes to each component of the plasma etching apparatus according to processing conditions. A storage unit 42 in which a program to be executed, that is, a recipe is stored is connected.
  • the recipe is stored in a hard disk or a semiconductor memory.
  • the storage unit 42 may be set at a predetermined position of the storage unit 42 in a state of being stored in a portable storage medium such as a DVD . Further, the recipe may be appropriately transmitted from another device, for example, via a dedicated line. If necessary, an arbitrary recipe is called from the storage unit 42 and executed by the control unit 40 in accordance with an instruction from the user interface 41 or the like, whereby the resist stripping system is controlled under the control of the control unit 40. The desired processing at 30 is performed.
  • the semiconductor wafer 1 from which the photoresist is to be stripped by the carrier C force on the carrier station (C ZS) 31 is taken out by the transfer device 32, and the cooling plate 41 of the cooling unit (COL) 34 And temperature control is performed. Thereafter, the semiconductor wafer 1 of the cooling unit (COL) 34 is carried into the organic solvent coating unit (O-COT) 35 by the transfer device 32, and the above-described photoresist stripping process is performed. After the completion of this processing, the processed semiconductor wafer 1 is delivered to the carrier C by the transfer device 32. The processing described above is repeated by the number of semiconductor chips 1 mounted on the carrier C.
  • the semiconductor wafer from which the photoresist has been stripped is transported to a normal resist coating and developing system, where the photoresist is coated, and the resist is exposed by an exposure apparatus connected to the resist coating and developing system. Processing and further development processing are performed.
  • the organic solvent coating unit capable of stripping the photoresist as described above may be incorporated in a normal resist coating and developing system. This allows the photoresist to be reworked in-line.
  • Such an organic solvent application unit O—COT An example of a resist coating / developing system incorporating ()
  • FIG. 7 is a perspective view showing such a resist coating and developing system 50.
  • the resist coating and developing system 50 includes a carrier station 60 for loading and unloading a carrier C containing a predetermined number of semiconductor wafers, a resist coating process, a developing process after exposure, and a thermal process before and after the semiconductor wafer. And an interface station 80 provided on the opposite side of the processing station 70 from the carrier station 60 and to which an exposure apparatus 90 is connected.
  • Each component of the resist coating / developing system 50 and the exposure apparatus 90 is connected to a control unit (process controller) 100 and is controlled by the control unit 100.
  • the control unit 100 includes a keyboard for the process manager to perform command input operations for managing the resist coating / developing system 50 and the exposure device 90, a resist coating / developing system 50 and an exposure device.
  • a display that visualizes and displays the operating status of the user 90 is connected to a user interface 101 that also has an equal strength.
  • the control unit 100 includes a control program for realizing various processes executed by the resist coating / developing system 50 and the exposure apparatus 90 under the control of the control unit 100, and a plasma etching apparatus according to processing conditions.
  • a storage unit 102 in which a program for causing a component unit to execute a process, that is, a recipe, is connected.
  • Recipes may be stored in a hard disk or a semiconductor memory, even if I and, CDROM, as set at a predetermined position of the storage unit 102 while being accommodated in the portable storage medium such as D VD It may be. Further, the recipe may be appropriately transmitted from another device, for example, via a dedicated line. Then, if necessary, an arbitrary recipe is called from the storage unit 102 and executed by the control unit 100 according to an instruction from the user interface 101 or the like, so that the registration is performed under the control of the control unit 100. The desired processing in the coating / developing system 50 and the exposure device 90 is performed.
  • thermal unit towers 71, 72, and 73 are formed by stacking a plurality of units for performing thermal processing associated with resist coating and developing processing such as heating and cooling.
  • the two main transport units 74 and 75 are provided so as to sandwich them.
  • a resist coating unit (COT) and an organic solvent coating unit (O -COT) are stacked, for example, in five stages, and a development unit tower 77, in which development units (DEV) for performing development after exposure are stacked in, for example, five stages, is arranged.
  • the main transport units 74 and 75 have transport devices that can move up and down. Thereby, the semiconductor wafer can be transferred to each of the thermal unit towers 71, 72, 73, the coating unit tower 76, and the developing unit table 77.
  • the semiconductor wafer in the case of a normal semiconductor wafer that does not require rework, the semiconductor wafer is taken out of the carrier by a transfer device built in the carrier station 60. Then, the semiconductor wafer is transferred to a pass unit provided in the thermal unit tower 71 of the processing station 70. Then, the semiconductor wafer is received by the transfer device of the main transfer unit 74, and is sequentially transferred to predetermined units in the thermal unit towers 71, 72. The semiconductor wafer is subjected to a temperature control process, an adhesion process, a beta process, and the like, and then transported to a resist coating unit (COT) to undergo a photoresist coating process.
  • COT resist coating unit
  • the transfer device of the main transfer unit 74 takes out the semiconductor wafer from the resist coating unit (COT), and transfers the semiconductor wafer to a predetermined unit of the thermal unit tower 72 sequentially.
  • the semiconductor wafer is transferred to the interface station 80 by the transfer device of the main transfer units 74 and 75 via the pass units in the thermal unit towers 72 and 73. Is done.
  • a transfer unit, a standby unit for holding a semiconductor wafer, and the like are arranged in the interface station 80.
  • the semiconductor wafer is transferred to the exposure device by the transfer device and subjected to exposure processing.
  • the semiconductor wafer after the exposure is returned to the processing station 70 via the interface station 80.
  • the semiconductor wafer is sequentially transferred to a predetermined unit in the thermal unit tower 73 by the transfer device of the main transfer unit 75, subjected to post-exposure beta processing and temperature control processing, and thereafter, the image is transferred. Conveyed to unit (DEV).
  • the development processing of the semiconductor wafer is performed in the development unit (DEV).
  • the semiconductor wafer is sequentially transferred to a predetermined unit in the thermal unit tower 72 by the transfer device of the main transfer unit 75, and undergoes beta processing and temperature control processing.
  • the processed semiconductor wafers are sequentially transported by the transport devices of the main transport units 75 and 74, and stored in a predetermined carrier C by the transport device of the carrier station 60. Will be delivered.
  • the semiconductor wafer is transferred from the cassette station 60 to the processing station 70.
  • the semiconductor wafer undergoes a temperature control process. After that, it is transported to the organic solvent coating unit (O-COT), where the photoresist film is stripped. After that, a series of processes similar to those of a normal semiconductor wafer are continuously performed.
  • O-COT organic solvent coating unit
  • the peeling of the photoresist and the application of the next photoresist may be performed continuously in that case.
  • a separate resist coating and developing system for processing normal semiconductor wafers and a resist coating and developing system dedicated to rework are prepared separately, and discovered through inspections and the like in a resist coating and developing system for processing normal semiconductor wafers.
  • the semiconductor wafer requiring rework is stocked in a specific carrier, and when the number of semiconductor wafers requiring such rework reaches a predetermined number, the wafer is transported to a resist coating and developing system dedicated to rework. It is common to perform rework processing.
  • a two-layer Si—C-based film was formed on the oxide film formed on the semiconductor wafer.
  • the Si—C-based film had a stacked structure of a cap layer (25 nm thick) of SiCOH composition and a bottom layer (100 nm thickness) of SiCH composition.
  • an ArF photoresist film was applied on the Si-C-based film, and a pattern was formed on the ArF photoresist film by photolithography. Thereafter, a method of reworking the photoresist film according to the present invention was performed.
  • the photoresist film peeling step in the photoresist film reworking method was performed using acetone-based thinners, PGME and PGMEA (OK82 manufactured by Tokyo Ohka Co., Ltd.). Specifically, using a device as shown in FIG. 3, the above-mentioned solvent was applied to a semiconductor wafer under the conditions of a rotation speed: 1000 to 1500 rpm and an application time: 20 to 30 seconds.
  • a photoresist was prepared using a conventionally widely used (sulfuric acid + hydrogen peroxide solution).
  • the semiconductor wafer on which the photoresist film was formed was immersed for 10 minutes.
  • FIG. 12 shows SEM photographs of each state.
  • the rework process is performed after the separation with (sulfuric acid + hydrogen peroxide)
  • the underlying Si—C-based film is damaged.
  • the iso (isolated) pattern has become thinner.
  • resist peeling and pattern collapse were observed.
  • the rework process was performed after the peeling by the thinner, the pattern state was as good as before the rework.
  • the present invention can be variously modified without being limited to the above embodiment.
  • the removal of the resist film on the Si—C-based film having the anti-reflection function and the hard mask function has been described. It is also applicable to stripping a resist film on a Si-C based film.
  • the present invention is also applicable to stripping a resist film on a low-k film having a low dielectric constant, porous SiOC, SiOF, porous silica, porous MSQ, or the like.
  • the present invention is also applicable to a resist film peeling step mainly for the purpose described in the resist film peeling step in the reworking method and for other purposes and Z or timing.
  • the film to be etched may be an oxide film or another film such as polysilicon.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

　本発明は、基板に形成されたエッチング対象膜の上に、Ｓｉ−Ｃ系膜と、レジスト膜と、を順次形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとして前記Ｓｉ−Ｃ系膜をエッチングする第１エッチング工程と、前記レジスト膜および前記Ｓｉ−Ｃ系膜をマスクとして前記エッチング対象膜をエッチングする第２エッチング工程と、を備えた基板の処理方法に関する。本方法は、所望のタイミングにおいて前記レジスト膜を剥離する剥離工程を更に備える。前記剥離工程は、剥離剤としての有機溶剤を用意する準備工程と、前記有機溶剤を前記レジスト膜に適用する適用工程と、を有する。

Description

明 細 書
レジスト膜の剥離方法およびリワーク方法
技術分野
[0001] 本発明は、 Si— C系膜の上に形成されるレジスト膜の剥離方法およびリワーク方法 に関する。
背景技術
[0002] 最近の CMOSデバイスの形成においては、一層の微細化のため、エッチングに用 いられる反射防止膜とフォトレジスト膜の薄膜ィ匕が求められている。特に、高開口率 の露光装置が用いられる場合、フォトレジスト膜の薄膜化がより重要である。
[0003] 一方、フォトレジスト膜が薄膜化されると、正確なエッチングが困難になるという問題 がある。これは、トランジスターゲート長の微細化を実現すべくレジストトリミング技術を 使う場合などに、懸念され得る。この問題を解決するために、フォトレジスト膜 Z反射 防止膜 (ARC :Anti Reflective Coating)の下にハードマスクを導入する手法が提案さ れている。この手法を用いると、エッチング時のパターン転写 Z解像度の改善が図ら れる。
[0004] し力しながら、従来の ARCの下にハードマスクを導入する手法では、反射防止機 能が十分でない場合がある。また、解像度ゃリソグラフィープロセス許容量も十分で ない場合がある。例えば、 65nmCMOSのパターユングに対応する最近の ArF (波 長 193nm)を用いたフォトリソグラフィープロセスでは、十分な解像度が得られない。
[0005] この問題を解決するために、反射防止機能とハードマスク機能とを兼備した多層構 造の Si— C系膜を用いることが提案されている（K.Babichらによる IEDM Tech, dig., P669, 2003 (文献 1)、米国特許第 6316167号明細書等)。この Si— C系膜を用いる ことにより、フォトレジスト膜との境界面における反射がほぼゼロになる、すなわち、極 めて高性能な反射防止性能を実現することができる。また、 Si— C系膜は多層構造を 有するため、フォトレジスト膜と下地膜とにそれぞれ合致した適切な特性を備えること ができる。そして、従来の ARCの下にハードマスクを導入する手法と比較して、解像 度ゃリソグラフィープロセス許容量を飛躍的に向上させることができる。 [0006] 多層構造の Si— C系膜を用いるエッチング方法は、以下のように説明される。すな わち、当該エッチング方法は、基板に形成された所定のエッチング対象膜 (下地膜） の上に、多層構造の Si— C系膜と、フォトレジスト膜と、を順次形成する工程と、フォト レジスト膜をマスクとして Si— C系膜をエッチングする第 1エッチング工程と、フォトレジ スト膜および Si— C系膜をマスクとしてエッチング対象膜 (下地膜)をエッチングする第 2エッチング工程と、を備えている。
[0007] また、 Si— C系膜上に形成されたフォトレジスト膜のパターン形状が所望のものでは ない場合、当該フォトレジスト膜を剥離して、再度フォトレジスト膜を形成することが行 われている。このようなプロセスは、リワークプロセスと呼ばれている。このリワークプロ セスにおけるフォトレジスト膜を剥離する工程では、従来から一般的に、硫酸 +過酸 化水素水が用いられている（特開平 5— 21334号公報、特開平 6— 291091号公報等 )
発明の要旨
[0008] 本件発明者は、各種の実験によって、硫酸 +過酸ィ匕水素水を用いてフォトレジスト 膜を剥離する工程の欠点を知見した。具体的には、本件発明者は、反射防止機能と ハードマスク機能とを兼備した Si— C系膜上のフォトレジスト膜について、硫酸 +過酸 化水素水を用いてフォトレジスト膜を剥離した場合、 Si— C系膜をも硫酸 +過酸ィ匕水 素水によってダメージを受け、反射防止機能とハードマスク機能が損なわれてしまうと いうことを知見した。更に、本件発明者は、そのような状態の Si— C系膜上にフォトレジ スト膜を再度形成する場合 (リワーク）、リワークされたフォトレジスト膜が剥離したり、 ノ ターン倒れ等が生じるということも知見した。
[0009] 本発明は力かる事情に鑑みてなされたものであって、 Si— C系膜、特に反射防止機 能とハードマスク機能とを兼備した Si— C系膜、の上に形成されたレジスト膜を、下地 の Si— C系膜にダメージを与えることなく剥離することができるレジスト膜の剥離方法 およびリワーク方法を提供することを目的とする。
[0010] 本発明は、基板に形成された Si— C系膜上のレジスト膜を剥離する方法であって、 剥離剤としての有機溶剤を用意する準備工程と、前記有機溶剤を前記レジスト膜〖こ 適用する適用工程と、を備えたことを特徴とするレジスト膜の剥離方法である。 [0011] 本発明によれば、 Si— C系膜にダメージを与えずに、レジスト膜を十分に剥離するこ とがでさる。
[0012] 前記 Si— C系膜が反射防止機能およびハードマスク機能を有する膜である場合に は、前記適用工程は、前記 Si— C系膜の反射防止機能およびノ、ードマスク機能が損 なわれな!、ように行われることが好まし！/、。
[0013] 具体的には、前記有機溶剤は、シンナーであり得る。好ましくは、前記有機溶剤は
、アセトン系のシンナーである。
[0014] また、前記適用工程は、例えば、前記基板を回転させながら前記レジスト膜上に剥 離剤を供給することによって行われ得る。あるいは、前記適用工程は、前記基板を前 記有機溶剤に浸漬することによって行われ得る。
[0015] また、本発明は、基板に形成された Si— C系膜上のレジスト膜を剥離する剥離工程 と、前記 Si— C系膜上に再度レジスト膜を形成するリワーク工程と、を備えたレジスト膜 のリワーク方法であって、前記剥離工程は、剥離剤としての有機溶剤を用意する準 備工程と、前記有機溶剤を前記レジスト膜に適用する適用工程と、を有することを特 徴とするレジスト膜のリワーク方法である。
[0016] 本発明によれば、 Si— C系膜にダメージを与えずにレジスト膜を剥離することができ
、リワーク後のレジスト膜の剥離やパターン倒れを有効に防止することができる。
[0017] 前記 Si— C系膜が反射防止機能およびハードマスク機能を有する膜である場合に は、前記適用工程は、前記 Si— C系膜の反射防止機能およびノ、ードマスク機能が損 なわれな!、ように行われることが好まし！/、。
[0018] 具体的には、前記有機溶剤は、シンナーであり得る。好ましくは、前記有機溶剤は
、アセトン系のシンナーである。
[0019] また、前記適用工程は、例えば、前記基板を回転させながら前記レジスト膜上に剥 離剤を供給することによって行われ得る。あるいは、前記適用工程は、前記基板を前 記有機溶剤に浸漬することによって行われ得る。
[0020] また、本発明は、基板に形成されたエッチング対象膜の上に、 Si— C系膜と、レジス ト膜と、を順次形成する工程と、前記レジスト膜をマスクとして前記 Si— C系膜をエッチ ングする第 1エッチング工程と、前記レジスト膜および前記 Si— C系膜をマスクとして 前記エッチング対象膜をエッチングする第 2エッチング工程と、を備えた基板の処理 方法において、所望のタイミングにおいて前記レジスト膜を剥離する剥離工程を更に 備え、前記剥離工程は、剥離剤としての有機溶剤を用意する準備工程と、前記有機 溶剤を前記レジスト膜に適用する適用工程と、を有することを特徴とする基板の処理 方法である。
[0021] 前記剥離工程の後、前記 Si— C系膜上に再度レジスト膜を形成するリワーク工程が 行われてもよい。この場合、前記剥離工程及び前記リワーク工程は、前記第 1エッチ ング工程に先だって行われ得る。
[0022] また、本発明は、基板に形成された Si— C系膜上のレジスト膜を剥離する装置であ つて、剥離すべきレジスト膜が形成された前記基板を回転可能に支持するスピンチヤ ックと、前記スピンチャックに保持された基板に対して剥離剤としての有機溶剤を吐 出するノズルと、を備えたことを特徴とするレジスト膜の剥離装置である。
[0023] また、本発明は、基板に形成された Si— C系膜上のレジスト膜を剥離し、次のレジス ト膜を塗布するレジスト膜のリワーク装置であって、剥離すべきレジスト膜が形成され た前記基板を回転可能に支持するスピンチャックと、前記スピンチャックに保持され た基板に対して剥離剤としての有機溶剤を吐出する有機溶剤ノズルと、前記スピンチ ャックに保持された基板に対してレジスト液を吐出するレジスト液ノズルと、を備えたこ とを特徴とするレジスト膜のリワーク装置である。
[0024] また、本発明は、基板に形成された Si— C系膜上のレジスト膜を剥離するレジスト膜 の剥離装置と、レジスト膜が剥離された前記基板の Si— C膜上に次のレジストを塗布 するレジスト塗布装置とを備えたことを特徴とするレジスト膜のリワーク装置である。 図面の簡単な説明
[0025] [図 1]は、 Si— C系膜を用いるエッチング方法を説明するための基板の断面図である。
[図 2]は、本発明に係るレジスト膜のリワーク方法の一実施の形態を説明するための 基板の断面図である。
[図 3]は、レジスト膜の剥離工程において用いられ得る装置の一例を模式的に示す断 面図である。
[図 4]は、レジスト塗布ユニットを模式的に示す断面図である。 [図 5]は、有機溶剤塗布ユニットを搭載したレジスト剥離システムを示す模式図である
[図 6]は、図 5のレジスト剥離システムにおけるクーリングユニットの構造を説明するた めの図である。
[図 7]は、有機溶剤塗布ユニットを搭載したレジスト塗布 .現像システムを示す斜視図 である。
[図 8]は、シンナーまたは (硫酸 +過酸化水素水)でレジスト膜を剥離した後の Si— C 系膜の表面の組成および接触角を、成膜まま (as— depo)の状態と比較して示す図 である。
[図 9]は、 as— depo状態の Si— C系膜の深さ方向の XPSプロファイルを示す図である
[図 10]は、レジスト膜をシンナーで剥離した後の Si— C系膜の深さ方向の XPSプロフ アイルを示す図である。
[図 11]は、レジスト膜を (硫酸 +過酸ィ匕水素水)で剥離した後の Si— C系膜の深さ方 向の XPSプロファイルを示す図である。
[図 12]は、リワーク前のフォトレジストパターン、（硫酸 +過酸ィ匕水素水）を用いてリヮ ークを行った場合のフォトレジストパターン、及び、シンナーを用いてリワークを行った 場合のフォトレジストパターンの SEM写真である。
発明を実施するための最良の形態
[0026] 以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について具体的に説明する。
[0027] 図 1は、 Si— C系膜を用いるエッチング方法を説明するための基板の断面図である
[0028] 図 1 (a)に示すように、半導体基板 (半導体ウェハ） 1上に形成されたエッチング対 象膜 2、例えば酸ィ匕膜 (TEOSや熱酸ィ匕膜)、の上に Si— C系膜 3が形成される。当該 Si-C系膜 3の上に、フォトレジスト膜 4が形成される。
[0029] Si— C系膜 3は、反射防止機能およびハードマスク機能を有する。より具体的には、 Si— C系膜 3は、上記文献 1に開示されたものと同一であり、 IBM社から「TERA」の 名称で提供されている。この Si-C系膜 3は、プラズマ CVDにより形成された多層構 造の膜である。エッチング対象膜 2およびフォトレジスト膜 4の材質に応じて、所定波 長の露光光における各層の複素屈折率 (n+ik:nは屈折率、 kは消衰係数）が調整 されている。伊えば、波長 193nmにおける各層の nは約 1. 62—2. 26、 kは約 0. 04 5-0. 75に調整される。これらの値は、成膜温度、圧力、ガス組成、ガス流量等の成 膜条件を変化させることにより調整され得る。例えば、フォトレジスト膜 4に隣接する層 (キャップ層） 3aは SiCOH組成として構成され、エッチング対象膜 2に隣接する層（ボ トム層） 3bは SiCH組成として構成され、 2つの層の nおよび kが互いに異なる、という 2層構造が採用され得る。
[0030] これら nおよび kの値および膜厚 (層厚)を調整することにより、優れた反射防止機能 を発揮させることができる。すなわち、 Si— C系膜 3のフォトレジスト膜 4との境界におけ る反射率をほとんどゼロにすることができる。また、 65nmCMOSのパターユングに対 応する最近の ArF (波長 193nm)を用いたフォトリソグラフィープロセスで、十分な解 像度が得られる。また、 65nm以下の次世代に対応する F2 (波長 157nm)及び EU Vを用いたフォトリソグラフィープロセスにおいても、十分な解像度を得ることができる
[0031] 更に、この Si— C系膜 3は無機膜であるから、フォトレジスト膜 4に対して Si— C系膜 3 を高い選択比でエッチングすることができる。一方、エッチング対象膜 2である酸ィ匕膜 等を、 Si— C系膜 3に対して高い選択比でエッチングすることができる。すなわち、 Si- C系膜 3は優れたハードマスク機能を有する。
[0032] 次いで、図 1 (b)に示すように、フォトリソグラフィー工程により、フォトレジスト膜 4の パター-ングが行われる。ここでは、フォトレジスト膜 4として ArFレジストが用いられ、 波長 193nmの ArFレーザーによって露光され現像されて、所定のパターンが形成さ れる。
[0033] その後、図 1 (c)に示すように、フォトレジスト膜 4がマスクとして機能しつつ、 Si— C 系膜 3がエッチングされる。さらに、図 1 (d)に示すように、フォトレジスト膜 4およびエツ チング対象膜 2がエッチングされる。
[0034] 次に、本発明に係るレジスト膜のリワーク方法の一実施の形態について説明する。
[0035] 図 1のプロセス中の各工程の前後のいずれかのタイミングで、フォトレジスト膜 4を剥 離する工程が実施され得る。典型的には、図 1 (b)に示すようにフォトレジスト膜 4が 形成された状態において、フォトレジスト膜 4のパターン形状が所望のものではない 場合等に、当該フォトレジスト膜 4を剥離して、再度フォトレジスト膜 4'が形成され得る 。このようなプロセスは、リワークプロセスと呼ばれている。このプロセスは、高精度の デバイスを製造する上で、極めて重要な役割を有している。この他、図 1 (a)の状態に おいてフォトレジスト膜 4の塗布状態が不十分である場合にリワークプロセスが行われ る場合ちある。
[0036] 本実施の形態では、剥離剤として有機溶剤を用いて、 Si— C系膜 3の上のフォトレジ スト膜 4が剥離される。図 2 (a)に示すように剥離剤として有機溶剤を用いて Si— C系 膜 3の上のフォトレジスト膜 4が剥離された後、図 2 (b)に示すように、再度フォトレジス ト膜 4' が形成される（リワーク工程)。その後、図 2 (c)に示すように、フォトリソグラフィ 一によりパターン形成が行われる。
[0037] 従来多用されて!ヽる（硫酸 +過酸化水素水）が剥離剤として用いられる場合には、 Si— C系膜 3が酸ィ匕によってダメージを受ける。この場合には、リワーク後のレジストパ ターンにおいて、パターン倒れやレジスト膜剥がれが生じ得る。しカゝしながら、本実施 の形態によれば、有機溶剤が剥離剤として用いられるので、有機材料であるフォトレ ジスト膜 4は十分に除去される一方、無機材料である Si— C系膜 3は影響を受けず Si C系膜 3の表面においてダメージが生じない。したがって、本実施の形態のリワーク プロセスによって形成されたフォトレジスト膜 4' は、パターン形成の後、下地のダメ ージに起因するパターン倒れやレジスト膜剥離が生じ難い。
[0038] 剥離剤として使用される有機溶剤は、特に限定されるものではなぐフォトレジスト膜 4の材料にとって適切なものが選択され得る。有機溶剤の中では、シンナーが好適で ある。特に、アセトン系のシンナーが好適である。具体例としては、 PGME (プリペリン グリコールモノメチルエーテル）や PGMEA (プリペリングリコールモノェチルエーテ ノレァセート）が挙げられる。
[0039] フォトレジスト膜 4を剥離剤によって剥離する工程の具体的態様は、特に限定され ない。例えば、フォトレジスト膜 4が形成された半導体ウェハ 1を回転させながら、フォ トレジスト膜 4に剥離剤である有機溶剤を吐出する態様が有効である。具体的には、 図 3に示すように、カップ 11と、カップ 11内に半導体ウェハ 1を水平に吸着保持でき るスピンチャック 12と、スピンチャック 12を回転させるモーター 13と、スピンチャック 12 の上方に設けられて剥離剤である有機溶剤を半導体ウェハ 1の略中央部分に吐出 することができるノズル 14と、スピンチャック 12の下方に設けられて同様の剥離剤を 半導体ウェハ 1の裏面に吐出してリンスするバックリンスノズル 15と、を有する有機溶 剤塗布装置 10が用いられ得る。
[0040] この場合、フォトレジスト膜 4を剥離する際、図 3に示すように、半導体ウェハ 1がスピ ンチャック 12によって吸着支持され、モーター 13によってスピンチャック 12に吸着さ れた半導体ウェハ 1が回転される一方、ノズル 14力も有機溶剤 5が半導体ウェハ 1の 略中央部分に吐出される。遠心力の作用により、フォトレジスト膜 4の全面に有機溶 剤 5が塗布され (行き渡り）、フォトレジスト膜 4が溶解'剥離される。その後、有機溶剤 5の吐出が停止され、レジストが溶解した有機溶剤を振り切る。引き続き、ノズル 14お よびバックリンスノズル 15から有機溶剤が吐出されて、半導体ウェハ 1のリンス処理が 行われる。
[0041] 具体的なレシピとしては、以下のようなものが例示される。まず、スピンチャックに半 導体ウェハ 1が水平に吸着保持された後、ノズル 14が半導体ウェハ 1の上方に位置 される。そして、半導体ウェハ 1が例えば 3000rpmで 10秒間回転される。引き続き、 半導体ウェハ 1の回転速度が例えば 1500rpmに減速され、ノズル 14から有機溶剤 ( 例えばシンナー）が例えば 3秒間吐出される。これにより、有機溶剤が半導体ウェハ 1 の全面に拡げられる。引き続き、半導体ウェハ 1の回転速度が例えば 40rpmに減速 された状態で、さらに例えば 15秒間有機溶剤が吐出される。次いで、有機溶剤の吐 出が停止され、ノズルが退避され、半導体ウェハ 1の回転速度が例えば 20rpmに減 速されて、 5秒間回転される。その後、半導体ウェハ 1の回転が停止される。その後、 ノズル 14が半導体ウェハ 1の上方に位置され、半導体ウェハ 1が例えば 1500rpmで 3秒間回転される。これにより、有機溶剤が振り切られる。そして、半導体ウェハ 1の回 転が停止される。その後、半導体ウェハ 1の回転速度が例えば lOOOrpmにされた状 態で、ノズル 14およびバックリンスノズル 15から有機溶剤が例えば 5秒間吐出される 。次いで、有機溶剤の吐出が停止されると同時に、半導体ウェハ 1の回転速度が例 えば 2000rpmに上昇されて、有機溶剤の振り切りが例えば 8秒間行われる。
[0042] 有機溶剤塗布装置 10は、フォトレジスト塗布に用いられるレジスト塗布ユニットとほ ぼ同じ構成を有している。すなわち、このような塗布装置 10として、レジスト塗布ュ- ットを使用することができる。レジスト塗布ユニットは、図 4に示すように、カップ 21と、 カップ 21内に半導体ウェハ 1を水平に吸着保持できるスピンチャック 22と、スピンチ ャック 22を回転させるモーター 23と、スピンチャック 22の上方に設けられたノズルュ ニット 24と、スピンチャック 22の下方に設けられたバックリンスノズル 25と、を有してい る。ノズルユニット 24は、半導体ウェハ 1にレジスト液を供給するに先立ってプリウエツ トのためのシンナーを吐出するシンナーノズル 26と、レジスト液を吐出するレジストノ ズル 27と、を有している。レジスト剥離のための有機溶剤塗布装置 10としてこのよう なレジストコ一ターが用いられる場合には、シンナーノズル 26からシンナーを吐出さ せることによりフォトレジスト膜 4の剥離を行うことができる一方、フォトレジスト膜 4の剥 離の後、引き続いてレジストノズル 27からレジスト液を供給して、フォトレジストを塗布 して、フォトレジストのリワークを完結することができる。
[0043] 有機溶剤塗布装置 10は、例えば、図 5に示すようなレジスト剥離システム 30に搭載 されて用いられる。レジスト剥離システム 30は、半導体ウェハが収納されるキャリア C が載置され、半導体ウェハの搬入出が行われるキャリアステーション (CZS) 31と、キ ャリアステーション（CZS) 31上のキャリア Cに対して半導体ウェハ 1の受け取りおよ び受け渡しを行い、かつ、半導体ウェハを搬送する搬送装置 32と、搬送装置 32が移 動する搬送路 33と、搬送路 33の一方側に設けられた 3つのクーリングユニット (COL ) 34と、搬送路 33の他方側に設けられた有機溶剤塗布装置 10をユニットィ匕した 2つ の有機溶剤塗布ユニット（O— COT) 35と、を備えて!/ヽる。
[0044] クーリングユニット（COL) 34は、図 6に示すように、筐体 36の中に、例えば 23°Cに 温調されたクーリングプレート 37が設けられて構成されて!、る。このクーリングプレー ト 37上に所定時間 (例えば 15秒間）半導体ウェハ 1が載置されることにより、半導体 ウェハ 1が温調される。
[0045] レジスト剥離システム 30において、搬送装置 32やその他の各構成部は、制御部（ プロセスコントローラ) 40に接続されている。そして、搬送装置 32やその他の各構成 部は、制御部 40に制御されるようになっている。また、制御部 40には、工程管理者が レジスト剥離システム 30を管理するためにコマンドの入力操作等を行うためのキーボ ードゃシステム 30の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等力もなるユーザ 一インターフェース 41が接続されている。さらに、制御部 40には、レジスト剥離システ ム 30で実行される各種処理を制御部 40の制御にて実現するための制御プログラム や、処理条件に応じてプラズマエッチング装置の各構成部に処理を実行させるため のプログラムすなわちレシピが格納された記憶部 42が接続されている。
[0046] レシピは、ハードディスクや半導体メモリーに記憶されて 、てもよ 、し、 CDROM、
DVD等の可搬性の記憶媒体に収容された状態で記憶部 42の所定位置にセットされ るようになっていてもよい。さらに、他の装置から、例えば専用回線を介して、レシピが 適宜伝送されるようにしてもよい。そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース 4 1からの指示等によって、任意のレシピが記憶部 42から呼び出されて制御部 40に実 行されることで、制御部 40の制御下で、レジスト剥離システム 30での所望の処理が 行われる。
[0047] レジスト剥離システム 30においては、搬送装置 32によって、キャリアステーション（C ZS) 31上のキャリア C力もフォトレジストを剥離すべき半導体ウェハ 1が取り出され、 クーリングユニット（COL) 34のクーリングプレート 41に載せられて温調制御が行われ る。その後、搬送装置 32により、クーリングユニット（COL) 34の半導体ウェハ 1が有 機溶剤塗布ユニット (O-COT) 35に搬入され、上述のようなフォトレジストの剥離処 理が行われる。この処理の終了後、搬送装置 32により、処理後の半導体ウェハ 1が キャリア Cに受け渡される。以上のような処理が、キャリア Cに搭載されている半導体ゥ エノ、 1の数だけ繰り返される。そして、フォトレジストが剥離された半導体ウェハは、通 常のレジスト塗布 ·現像システムに運ばれて、そこでフォトレジストの塗布が行われ、レ ジスド塗布 ·現像システムに連結された露光装置によるレジストの露光処理、さらには その後の現像処理が行われる。
[0048] 以上のようなフォトレジストの剥離を行うことができる有機溶剤塗布ユニットは、通常 のレジスト塗布'現像システムに組み込まれてもよい。これにより、インラインで、フォト レジストのリワーク処理を行うことができる。このような有機溶剤塗布ユニット（O— COT )が組み込まれたレジスト塗布'現像システムの一例について説明する。図 7は、この ようなレジスト塗布 ·現像システム 50を示す斜視図である。レジスト塗布 ·現像システム 50は、半導体ウェハを所定枚数収納するキャリア Cを搬入出するためのキャリアステ ーシヨン 60と、レジスト塗布処理、露光後の現像処理およびその前後の熱的処理を 半導体ウェハに対して行うための処理ステーション 70と、処理ステーション 70のキヤ リアステーション 60とは反対側に設けられて露光装置 90が接続されるインターフエ一 スステーション 80と、を有している。
[0049] また、レジスト塗布 ·現像システム 50および露光装置 90の各構成部は、制御部（プ ロセスコントローラ） 100に接続されて、制御部 100に制御される構成となっている。ま た、制御部 100には、工程管理者がレジスト塗布 ·現像システム 50および露光装置 9 0を管理するためにコマンドの入力操作等を行うためのキーボードや、レジスト塗布' 現像システム 50および露光装置 90の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ 等力もなるユーザーインターフェース 101が接続されている。さらに、制御部 100に は、レジスト塗布 ·現像システム 50および露光装置 90で実行される各種処理を制御 部 100の制御にて実現するための制御プログラムや、処理条件に応じてプラズマェ ツチング装置の各構成部に処理を実行させるためのプログラムすなわちレシピが格 納された記憶部 102が接続されている。
[0050] レシピは、ハードディスクや半導体メモリーに記憶されて 、てもよ 、し、 CDROM、 DVD等の可搬性の記憶媒体に収容された状態で記憶部 102の所定位置にセットさ れるようになっていてもよい。さらに、他の装置から、例えば専用回線を介して、レシピ が適宜伝送されるようにしてもよい。そして、必要に応じて、ユーザーインターフエ一 ス 101からの指示等によって、任意のレシピが記憶部 102から呼び出されて制御部 1 00に実行されることで、制御部 100の制御下で、レジスト塗布'現像システム 50およ び露光装置 90での所望の処理が行われる。
[0051] 処理ステーション 70では、加熱や冷却等のレジスド塗布'現像処理に付随する熱的 処理を行う複数のユニットが多段に積み重ねられてなる 3つの熱的ユニットタワー 71 、 72, 73力 ^2つの主搬送ユニット 74, 75を挟むように設けられている。また、主搬送 ユニット 74, 75の前面には、レジスト塗布ユニット（COT)と有機溶剤塗布ユニット（O -COT)とが例えば 5段積み重ねられてなる塗布ユニットタワー 76と、露光後の現像 を行う現像ユニット（DEV)が例えば 5段積み重ねられてなる現像ユニットタワー 77と 、が配置されている。主搬送ユニット 74, 75は、上下動可能な搬送装置を有している 。これにより、熱的ユニットタワー 71, 72, 73、塗布ユニットタワー 76、現像ユニットタ ヮー 77の各ユニットに対して、半導体ウェハの搬送が行われ得る。
上記のようなレジスト塗布'現像システム 50において、リワークを必要としない通常 の半導体ウェハの場合には、キャリアステーション 60に内蔵された搬送装置により、 キャリアから半導体ウェハが取り出される。そして、当該半導体ウェハは、処理ステー シヨン 70の熱的ユニットタワー 71に設けられたパスユニットに搬送される。そして、当 該半導体ウェハは主搬送ユニット 74の搬送装置によって受け取られて、熱的ユニット タワー 71, 72の中の所定のユニットに順次搬送される。当該半導体ウェハは、温調 処理、アドヒージョン処理、ベータ処理等を受けた後、レジスト塗布ユニット（COT)に 搬送されて、フォトレジストの塗布処理を受ける。次いで、主搬送ユニット 74の搬送装 置がレジスト塗布ユニット（COT)から半導体ウェハを取り出し、熱的ユニットタワー 72 の所定のユニットに順次搬送する。そして、当該半導体ウェハは、ベータ処理および 温調処理を受けた後、主搬送ユニット 74, 75の搬送装置により、熱的ユニットタワー 72, 73の中のパスユニットを介して、インターフェースステーション 80に搬送される。 インターフェースステーション 80には、搬送装置や半導体ウェハを待機させる待機部 等が配置されている。半導体ウェハは、当該搬送装置により露光装置に搬送されて 露光処理を受ける。露光後の半導体ウェハは、インターフェースステーション 80を経 て、処理ステーション 70に戻される。処理ステーション 70において、主搬送ユニット 7 5の搬送装置により、半導体ウェハが熱的ユニットタワー 73内の所定のユニットに順 次搬送され、ポストェクスポージャーベータ処理および温調処理を受け、その後、現 像ユニット (DEV)に搬送される。現像ユニット (DEV)にて、半導体ウェハの現像処 理が行われる。その後、半導体ウェハは、主搬送ユニット 75の搬送装置により、熱的 ユニットタワー 72の中の所定のユニットに順次搬送されてベータ処理および温調処 理を受ける。そして、主搬送ユニット 75, 74の搬送装置により、処理後の半導体ゥェ ハが順次搬送され、キャリアステーション 60の搬送装置にて所定のキャリア C内に収 納される。
[0053] フォトレジストのリワークを必要とする半導体ウェハの場合には、カセットステーショ ン 60から処理ステーション 70へ半導体ウェハが搬送される。まず熱的ユニットタワー 71の所定のユニットにて、半導体ウェハは温調処理を受ける。その後、有機溶剤塗 布ユニット（O— COT)に搬送されて、フォトレジスト膜の剥離が行われる。その後、通 常の半導体ウェハと同様の一連の処理が、連続的に行われる。また、有機溶剤塗布 ユニット（O— COT)がレジスト塗布をも可能である場合、その中でフォトレジストの剥 離と次のフォトレジストの塗布とを連続して行ってもよい。さらに、通常の半導体ウェハ を処理するレジスト塗布 ·現像システムと、リワーク専用のレジスト塗布 ·現像システム とを分けて用意しておき、通常の半導体ウェハを処理するレジスド塗布'現像システム において検査等で発見されたリワークが必要な半導体ウェハを特定のキャリアにスト ックしておき、そのようなリワークが必要な半導体ウェハが所定枚数になった時点で、 リワーク専用のレジスト塗布'現像システムに搬送してリワーク処理を行うようにするこ とちでさる。
[0054] この他、有機溶剤が貯留された槽の中にフォトレジスト膜 4が形成された半導体ゥェ ハ 1を浸漬する ヽぅ態様等も採用され得る。
[0055] 次に、本発明の効果を確認するために行われた実験について説明する。
[0056] ここでは、半導体ウェハに形成された酸化膜の上に、 2層構造の Si— C系膜が形成 された。 Si— C系膜は、 SiCOH組成のキャップ層（厚さ 25nm)と SiCH組成のボトム 層（厚さ lOOnm)との積層構造とした。そして、当該 Si-C系膜の上に、 ArFフォトレジ スト膜が塗布され、フォトリソグラフィ一によつて、当該 ArFフォトレジスト膜にパターン が形成された。その後、本発明に従ってフォトレジスト膜のリワーク方法が行われた。
[0057] フォトレジスト膜のリワーク方法のうちのフォトレジスト膜の剥離工程は、アセトン系シ ンナ一である PGMEおよび PGMEA (東京応化社製 OK82)を用いて行われた。 具体的には、図 3に示すような装置を用いて、回転数： 1000— 1500rpm、塗布時間 ： 20— 30秒、という条件で上記溶剤が半導体ウェハに塗布されることにより行われた
[0058] 比較例として、従来から多用されている（硫酸 +過酸ィ匕水素水）を用いてフォトレジ スト膜が剥離された。具体的には、 H SO ： H O = 1 : 12の 120°Cの水溶液中に
2 4 2 2
、フォトレジスト膜が形成された半導体ウェハが 10分間浸漬された。
[0059] 以上のようにしてフォトレジストが剥離された後の Si— C系膜の表面の組成および接 触角が、成膜まま (as— depo)の状態と比較された。その結果を図 8に示す。
[0060] 図 8に示すように、（硫酸 +過酸ィ匕水素水）が用いられた場合には、 as— depoの状 態と比較して、 OZSi比の値が高くなり、接触角が小さくなつた。この結果から、（硫酸 +過酸ィ匕水素水）が用いられる場合には、 Si— C系膜の酸ィ匕が顕著に進み、 Si— C系 膜が親水性となってしまうことがわかる。すなわち、 Si— C系膜の表面が剥離液によつ てダメージを受け、レジストとの密着性等の性能が損なわれ得ることがわかる。
[0061] これに対して、図 8に示すように、有機溶剤であるシンナーが用いられた場合には、 CZSi比、 OZSi比および接触角のいずれも、 as— depo状態からほとんど変化しな かった。すなわち、 Si— C系膜の表面が剥離液によってほとんどダメージを受けないと いうことがわ力る。
[0062] 次に、 as— depo状態の Si— C系膜、シンナーによってフォトレジスト膜が剥離された 後の Si— C系膜、及び、（硫酸 +過酸ィ匕水素水)でフォトレジスト膜が剥離された後の Si— C系膜の各々について、 XPS (X線光電子分光法）により深さ方向の組成分析が 行われた。それらの結果を図 9一 11に示す。ここで、実際には Si— C系膜には Hが含 まれている力 XPS分析法では Hは検出されない。このため、図 9一 11では、 H以外 の Si、 C及び Oの成分比を、それらの合計を 100%として、各深さ毎に原子濃度（％) で示している。
[0063] 図 10に示すように、シンナーによってフォトレジスト膜が剥離された場合には、深さ 方向の組成はほとんど変化しな力つた。これに対し、図 11に示すように、（硫酸 +過 酸化水素水）によってフォトレジスト膜が剥離された場合には、膜全体に亘つて酸ィ匕 が進んで!/、ることが判明した。
[0064] 次に、リワーク前 (剥離前）のパターン状態と、（硫酸 +過酸化水素水）によってフォ トレジスト膜が剥離された後にリワーク工程が実施された場合のパターン状態と、シン ナ一によつてフォトレジスト膜が剥離された後にリワーク工程が実施された場合のバタ ーン状態と、が比較された。各状態の SEM写真を図 12に示す。 [0065] 図 12に示すように、（硫酸 +過酸ィ匕水素水）による剥離後にリワーク工程が行われ た場合には、下地の Si— C系膜がダメージを受けているために、特に iso (孤立)パタ ーンが細くなつた。また、レジスト剥がれやパターン倒れも見られた。これに対して、シ ンナ一による剥離後にリワーク工程が行われた場合には、パターンの状態はリワーク 前と変わらず良好であった。
[0066] なお、本発明は上記実施の形態に限定されることなぐ種々変形可能である。例え ば、上記実施の形態では、反射防止機能およびハードマスク機能を有する Si - C系 膜の上のレジスト膜の剥離について説明されているが、これに限らず、本発明は、他 の機能を有する Si— C系膜の上のレジスト膜の剥離にも適用可能である。本発明は、 低誘電率の low— k膜、ポーラス SiOC、 SiOF、ポーラスシリカ、ポーラス MSQ等の上 のレジスト膜の剥離にも適用可能である。また、主にリワーク方法の際のレジスト膜の 剥離工程について説明されている力 他の目的及び Zまたはタイミングでのレジスト 膜の剥離工程にも本発明は適用可能である。さらに、フォトレジスト膜を剥離する場 合について説明されているが、他のレジスト膜を剥離する場合にも適用可能である。 その他、エッチング対象膜は、酸化膜の他、ポリシリコン等、他の膜であってもよい。

Claims

請求の範囲
[1] 基板に形成された Si— C系膜上のレジスト膜を剥離する方法であって、
剥離剤としての有機溶剤を用意する準備工程と、
前記有機溶剤を前記レジスト膜に適用する適用工程と、
を備えたことを特徴とするレジスト膜の剥離方法。
[2] 前記 Si— C系膜は、反射防止機能およびハードマスク機能を有する膜であり、 前記適用工程は、前記 Si— C系膜の反射防止機能およびハードマスク機能が損な われな ヽように行われる
ことを特徴とする請求項 1に記載のレジスト膜の剥離方法。
[3] 前記有機溶剤は、シンナーである
ことを特徴とする請求項 1または 2に記載のレジスト膜の剥離方法。
[4] 前記有機溶剤は、アセトン系のシンナーである
ことを特徴とする請求項 3に記載のレジスト膜の剥離方法。
[5] 前記適用工程は、前記基板を回転させながら前記レジスト膜上に剥離剤を供給す ることによって行われる
ことを特徴とする請求項 1乃至 4のいずれかに記載のレジスト膜の剥離方法。
[6] 前記適用工程は、前記基板を前記有機溶剤に浸漬することによって行われる ことを特徴とする請求項 1乃至 4のいずれかに記載のレジスト膜の剥離方法。
[7] 基板に形成された Si— C系膜上のレジスト膜を剥離する剥離工程と、
前記 Si— C系膜上に再度レジスト膜を形成するリワーク工程と、
を備えたレジスト膜のリワーク方法あって、
前記剥離工程は、
剥離剤としての有機溶剤を用意する準備工程と、
前記有機溶剤を前記レジスト膜に適用する適用工程と、
を有する
ことを特徴とするレジスト膜のリワーク方法。
[8] 前記 Si— C系膜は、反射防止機能およびハードマスク機能を有する膜であり、 前記適用工程は、前記 Si— C系膜の反射防止機能およびハードマスク機能が損な われな ヽように行われる
ことを特徴とする請求項 7に記載のレジスト膜のリワーク方法。
[9] 前記有機溶剤は、シンナーである
ことを特徴とする請求項 7または 8に記載の基板の処理方法。
[10] 前記有機溶剤は、アセトン系のシンナーである
ことを特徴とする請求項 9に記載のレジスト膜のリワーク方法。
[11] 前記適用工程は、前記基板を回転させながら前記レジスト膜上に剥離剤を供給す ることによって行われる
ことを特徴とする請求項 7乃至 10のいずれかに記載のレジスト膜のリワーク方法。
[12] 前記適用工程は、前記基板を前記有機溶剤に浸漬することによって行われる ことを特徴とする請求項 7乃至 10のいずれかに記載のレジスト膜のリワーク方法。
[13] 基板に形成されたエッチング対象膜の上に、 Si— C系膜と、レジスト膜と、を順次形 成する工程と、
前記レジスト膜をマスクとして前記 Si— C系膜をエッチングする第 1エッチング工程と 前記レジスト膜および前記 Si— C系膜をマスクとして前記エッチング対象膜をエッチ ングする第 2エッチング工程と、
を備えた基板の処理方法にぉ ヽて、
所望のタイミングにおいて前記レジスト膜を剥離する剥離工程
を更に備え、
前記剥離工程は、
剥離剤としての有機溶剤を用意する準備工程と、
前記有機溶剤を前記レジスト膜に適用する適用工程と、
を有する
ことを特徴とする基板の処理方法。
[14] 前記 Si— C系膜は、反射防止機能およびハードマスク機能を有する膜であり、 前記適用工程は、前記 Si— C系膜の反射防止機能およびハードマスク機能が損な われな ヽように行われる ことを特徴とする請求項 13に記載の基板の処理方法。
[15] 前記有機溶剤は、シンナーである
ことを特徴とする請求項 13または 14に記載の基板の処理方法。
[16] 前記有機溶剤は、アセトン系のシンナーである
ことを特徴とする請求項 15に記載の基板の処理方法。
[17] 前記適用工程は、前記基板を回転させながら前記レジスト膜上に剥離剤を供給す ることによって行われる
ことを特徴とする請求項 13乃至 16のいずれかに記載の基板の処理方法。
[18] 前記適用工程は、前記基板を前記有機溶剤に浸漬することによって行われる ことを特徴とする請求項 13乃至 16のいずれかに記載の基板の処理方法。
[19] 前記剥離工程の後、前記 Si— C系膜上に再度レジスト膜を形成するリワーク工程が 行われる
ことを特徴とする請求項 13乃至 18のいずれかに記載の基板の処理方法。
[20] 前記剥離工程及び前記リワーク工程は、前記第 1エッチング工程に先だって行わ れる
ことを特徴とする請求項 19に記載の基板の処理方法。
[21] 基板に形成された Si— C系膜上のレジスト膜を剥離する装置であって、
剥離すべきレジスト膜が形成された前記基板を回転可能に支持するスピンチャック と、
前記スピンチャックに保持された基板に対して剥離剤としての有機溶剤を吐出する ノズノレと、
を備えたことを特徴とするレジスト膜の剥離装置。
[22] 基板に形成された Si— C系膜上のレジスト膜を剥離し、次のレジスト膜を塗布するレ ジスト膜のリワーク装置であって、
剥離すべきレジスト膜が形成された前記基板を回転可能に支持するスピンチャック と、
前記スピンチャックに保持された基板に対して剥離剤としての有機溶剤を吐出する 有機溶剤ノズルと、 前記スピンチャックに保持された基板に対してレジスト液を吐出するレジスト液ノズ ルと、
を備えたことを特徴とするレジスト膜のリワーク装置。
基板に形成された Si— C系膜上のレジスト膜を剥離するレジスト膜の剥離装置と、 レジスト膜が剥離された前記基板の Si— C膜上に次のレジストを塗布するレジスト塗 布装置と
を備えたことを特徴とするレジスト膜のリワーク装置。
PCT/JP2005/003392 2004-03-01 2005-03-01 レジスト膜の剥離方法およびリワーク方法 WO2005083757A1 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/591,345 US20070184379A1 (en) 2004-03-01 2005-03-01 Peeling-off method and reworking method of resist film

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004056629 2004-03-01
JP2004-056629 2004-03-01

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2005083757A1 true WO2005083757A1 (ja) 2005-09-09

Family

ID=34908928

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2005/003392 WO2005083757A1 (ja) 2004-03-01 2005-03-01 レジスト膜の剥離方法およびリワーク方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20070184379A1 (ja)
KR (1) KR100857297B1 (ja)
CN (1) CN1926663A (ja)
WO (1) WO2005083757A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5832397B2 (ja) * 2012-06-22 2015-12-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11109654A (ja) * 1997-09-04 1999-04-23 Samsung Electron Co Ltd 半導体装置製造用ウェーハのリワーク方法及び半導体装置の製造方法
JP2002359352A (ja) * 2001-03-29 2002-12-13 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2003122099A (ja) * 2001-10-15 2003-04-25 Canon Inc 現像剤容器及びプロセスカートリッジ及び画像形成装置
JP2003167345A (ja) * 2001-12-03 2003-06-13 Nec Electronics Corp 化学増幅型フォトレジスト組成物、これを用いた半導体装置の製造方法及び半導体基板
JP2003229481A (ja) * 2001-11-27 2003-08-15 Nec Electronics Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2003243295A (ja) * 2002-02-20 2003-08-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6316167B1 (en) * 2000-01-10 2001-11-13 International Business Machines Corporation Tunabale vapor deposited materials as antireflective coatings, hardmasks and as combined antireflective coating/hardmasks and methods of fabrication thereof and application thereof
US6361929B1 (en) * 1999-08-13 2002-03-26 United Microelectronics Corp. Method of removing a photo-resist layer on a semiconductor wafer
US6500773B1 (en) * 2000-11-27 2002-12-31 Applied Materials, Inc. Method of depositing organosilicate layers
TW567575B (en) * 2001-03-29 2003-12-21 Toshiba Corp Fabrication method of semiconductor device and semiconductor device
TWI267697B (en) * 2001-06-28 2006-12-01 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Chemical amplified type positive resist component and resist packed-layer material and forming method of resist pattern and manufacturing method of semiconductor device
US6682876B2 (en) * 2001-12-14 2004-01-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Thinner composition and method of stripping a photoresist using the same

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11109654A (ja) * 1997-09-04 1999-04-23 Samsung Electron Co Ltd 半導体装置製造用ウェーハのリワーク方法及び半導体装置の製造方法
JP2002359352A (ja) * 2001-03-29 2002-12-13 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP2003122099A (ja) * 2001-10-15 2003-04-25 Canon Inc 現像剤容器及びプロセスカートリッジ及び画像形成装置
JP2003229481A (ja) * 2001-11-27 2003-08-15 Nec Electronics Corp 半導体装置及びその製造方法
JP2003167345A (ja) * 2001-12-03 2003-06-13 Nec Electronics Corp 化学増幅型フォトレジスト組成物、これを用いた半導体装置の製造方法及び半導体基板
JP2003243295A (ja) * 2002-02-20 2003-08-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR100857297B1 (ko) 2008-09-05
US20070184379A1 (en) 2007-08-09
KR20060127239A (ko) 2006-12-11
CN1926663A (zh) 2007-03-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8835307B2 (en) Method and structure for reworking antireflective coating over semiconductor substrate
CN101454876B (zh) 去除受损电介质材料的方法
KR100801159B1 (ko) 이머젼 리소그라피 에지 비드 제거
US7384728B2 (en) Method of fabricating a semiconductor device
JP4481902B2 (ja) 多層レジスト法によるパターン形成方法
US8530357B2 (en) Method for manufacturing semiconductor device and apparatus for manufacturing semiconductor device
JP2001343757A (ja) レジストパターンの形成方法
JP2012156454A (ja) 半導体装置の製造方法および半導体装置ならびにレジスト塗布装置
US20080020327A1 (en) Method of formation of a damascene structure
JP2005286314A (ja) レジスト膜の剥離方法およびリワーク方法、ならびにレジスト膜の剥離装置およびリワーク装置
JP2013070098A (ja) 基板処理方法
US20200124972A1 (en) Line break repairing layer for extreme ultraviolet patterning stacks
KR20080025818A (ko) 하드 마스크 형성 방법
US7883835B2 (en) Method for double patterning a thin film
EP1271244B1 (en) Method for fabricating an organic thin film
US11923199B2 (en) Method and structure of middle layer removal
WO2005083757A1 (ja) レジスト膜の剥離方法およびリワーク方法
US10656527B2 (en) Patterning material film stack with hard mask layer configured to support selective deposition on patterned resist layer
TWI467647B (zh) 在旋轉塗佈層中之高深寬比圖案化之方法
JP2003174084A (ja) 多層配線形成方法及び半導体素子の製造方法
JPH10256370A (ja) 絶縁膜のパターンニング方法
KR20060006136A (ko) 포토리소그라피 공정에 사용되는 그리퍼
JP2002231598A (ja) フォトレジスト層の再処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): AE AG AL AM AT AU AZ BA BB BG BR BW BY BZ CA CH CN CO CR CU CZ DE DK DM DZ EC EE EG ES FI GB GD GE GH GM HR HU ID IL IN IS JP KE KG KP KR KZ LC LK LR LS LT LU LV MA MD MG MK MN MW MX MZ NA NI NO NZ OM PG PH PL PT RO RU SC SD SE SG SK SL SM SY TJ TM TN TR TT TZ UA UG US UZ VC VN YU ZA ZM ZW

AL Designated countries for regional patents

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): BW GH GM KE LS MW MZ NA SD SL SZ TZ UG ZM ZW AM AZ BY KG KZ MD RU TJ TM AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HU IE IS IT LT LU MC NL PL PT RO SE SI SK TR BF BJ CF CG CI CM GA GN GQ GW ML MR NE SN TD TG

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application
WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 10591345

Country of ref document: US

Ref document number: 2007184379

Country of ref document: US

Ref document number: 200580006516.6

Country of ref document: CN

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

WWW Wipo information: withdrawn in national office

Country of ref document: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020067020163

Country of ref document: KR

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020067020163

Country of ref document: KR

122 Ep: pct application non-entry in european phase
WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 10591345

Country of ref document: US