JPH10256370A - 絶縁膜のパターンニング方法 - Google Patents
絶縁膜のパターンニング方法Info
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- JPH10256370A JPH10256370A JP5911797A JP5911797A JPH10256370A JP H10256370 A JPH10256370 A JP H10256370A JP 5911797 A JP5911797 A JP 5911797A JP 5911797 A JP5911797 A JP 5911797A JP H10256370 A JPH10256370 A JP H10256370A
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- film
- insulating film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 表面及び裏面に絶縁膜が成膜されたウエハの
表面をパターンニングするに際し、製造工程を簡略化し
て製造コストを低減するようにした絶縁膜のパターンニ
ング方法を提供する。 【解決手段】 表面に、第１ＳｉＯ2膜３２及びその上
にフォトレジスト膜３８が成膜され更に露光処理され、
かつ、裏面に第２ＳｉＯ2膜３４が成膜されているウエ
ハ４０の裏面に、先ず、フォトレジスト膜３８と同じ材
質の裏面保護レジスト膜を成膜する。次いで、表面を現
像し、更にエッチング処理して第１ＳｉＯ2膜３２にパ
ターンを形成する。次いで、表面の及び裏面のフォトレ
ジスト膜を同時に湿式処理して溶解して除去する。これ
により、従来のように表面保護レジスト膜を成膜するこ
となく、第１ＳｉＯ2膜３２にパターン形成することが
できるので、作業工程数を大きく低減させることができ
る。
表面をパターンニングするに際し、製造工程を簡略化し
て製造コストを低減するようにした絶縁膜のパターンニ
ング方法を提供する。 【解決手段】 表面に、第１ＳｉＯ2膜３２及びその上
にフォトレジスト膜３８が成膜され更に露光処理され、
かつ、裏面に第２ＳｉＯ2膜３４が成膜されているウエ
ハ４０の裏面に、先ず、フォトレジスト膜３８と同じ材
質の裏面保護レジスト膜を成膜する。次いで、表面を現
像し、更にエッチング処理して第１ＳｉＯ2膜３２にパ
ターンを形成する。次いで、表面の及び裏面のフォトレ
ジスト膜を同時に湿式処理して溶解して除去する。これ
により、従来のように表面保護レジスト膜を成膜するこ
となく、第１ＳｉＯ2膜３２にパターン形成することが
できるので、作業工程数を大きく低減させることができ
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、両面に絶縁膜が成
膜されているウエハの表面の絶縁膜のパターンニング方
法に関し、更に詳しくは、裏面の絶縁膜を損傷すること
なく、少ない工程数で表面の絶縁膜にパターンを形成す
る絶縁膜のパターンニング方法に関するものである。
膜されているウエハの表面の絶縁膜のパターンニング方
法に関し、更に詳しくは、裏面の絶縁膜を損傷すること
なく、少ない工程数で表面の絶縁膜にパターンを形成す
る絶縁膜のパターンニング方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】表面及び裏面に絶縁膜が成膜されている
ウエハに対し、裏面の絶縁膜に損傷を与えることなく表
面の絶縁膜にコンタクトホール、ビアホールやスルーホ
ール等のパターンを形成することが、しばしば要求され
る。図３は、上述のパターン形成に用いる装置のうち、
ウエハにレジスト膜を成膜するレジスト膜成膜装置の一
例の概念図である。
ウエハに対し、裏面の絶縁膜に損傷を与えることなく表
面の絶縁膜にコンタクトホール、ビアホールやスルーホ
ール等のパターンを形成することが、しばしば要求され
る。図３は、上述のパターン形成に用いる装置のうち、
ウエハにレジスト膜を成膜するレジスト膜成膜装置の一
例の概念図である。
【０００３】レジスト膜成膜装置１０は、ウエハにレジ
スト膜をコーティングするコーティング部１２と、ウエ
ハにコーティングしたレジスト膜をベーキング処理して
固化する加熱装置１４と、ウエハを搬送する搬送機構１
６とを備えている。コーティング部１４は、ウエハを保
持する保持面を上面に有し、保持面を面内で回転させる
回転機構を有する真空チャック１８と、真空チャック１
８に保持されたウエハ上面にレジスト液を滴下するノズ
ル２０とを備えている。レジスト膜成膜装置１０は、加
熱装置１４として、例えばオーブンを備えている。
スト膜をコーティングするコーティング部１２と、ウエ
ハにコーティングしたレジスト膜をベーキング処理して
固化する加熱装置１４と、ウエハを搬送する搬送機構１
６とを備えている。コーティング部１４は、ウエハを保
持する保持面を上面に有し、保持面を面内で回転させる
回転機構を有する真空チャック１８と、真空チャック１
８に保持されたウエハ上面にレジスト液を滴下するノズ
ル２０とを備えている。レジスト膜成膜装置１０は、加
熱装置１４として、例えばオーブンを備えている。
【０００４】搬送機構１６の搬送経路は、ウエハを搬入
する搬入口２２、コーティング部１２、加熱装置１４、
ウエハを搬出する搬出口２４を順次経由するように構成
されている。搬送機構１６は、ウエハの搬送手段とし
て、搬入口２２から所定位置にまで回転ベルトによりウ
エハを搬送するベルト搬送部２６と、ウエハを保持しつ
つ、ベルト搬送部２６の前記所定位置から真空チャック
１８上に、更には加熱装置１４に至るまでスライド式で
移動するスライダ２８とを備えている。
する搬入口２２、コーティング部１２、加熱装置１４、
ウエハを搬出する搬出口２４を順次経由するように構成
されている。搬送機構１６は、ウエハの搬送手段とし
て、搬入口２２から所定位置にまで回転ベルトによりウ
エハを搬送するベルト搬送部２６と、ウエハを保持しつ
つ、ベルト搬送部２６の前記所定位置から真空チャック
１８上に、更には加熱装置１４に至るまでスライド式で
移動するスライダ２８とを備えている。
【０００５】表面及び裏面に絶縁膜が成膜されたウエハ
の表面をパターンニングする方法を以下に記載する。表
面及び裏面の絶縁膜は、例えばＳｉＯ2膜である。図４
（ａ）から（ｅ）は、従来の絶縁膜のパターンニング方
法の各工程毎のウエハ断面図を示す。先ず、図４（ａ）
に示すように、基板３０の表面及び裏面にそれぞれ第１
絶縁膜３２及び第２絶縁膜３４が成膜されたウエハの表
面に、レジスト膜成膜装置１０のコーティング部１２を
用いてフォトレジスト膜を成膜し、加熱装置１４により
ウエハをベーキング処理し、更に露光処理してなるウエ
ハ４０を作製する。ウエハ４０のフォトレジスト膜３８
には、露光された露光部３９と露光されなかった未露光
部４１とが混在している。尚、フォトレジスト膜を成膜
する前に、実施例で記載しているＨＭＤＳ処理を予め施
しておいてもよい。
の表面をパターンニングする方法を以下に記載する。表
面及び裏面の絶縁膜は、例えばＳｉＯ2膜である。図４
（ａ）から（ｅ）は、従来の絶縁膜のパターンニング方
法の各工程毎のウエハ断面図を示す。先ず、図４（ａ）
に示すように、基板３０の表面及び裏面にそれぞれ第１
絶縁膜３２及び第２絶縁膜３４が成膜されたウエハの表
面に、レジスト膜成膜装置１０のコーティング部１２を
用いてフォトレジスト膜を成膜し、加熱装置１４により
ウエハをベーキング処理し、更に露光処理してなるウエ
ハ４０を作製する。ウエハ４０のフォトレジスト膜３８
には、露光された露光部３９と露光されなかった未露光
部４１とが混在している。尚、フォトレジスト膜を成膜
する前に、実施例で記載しているＨＭＤＳ処理を予め施
しておいてもよい。
【０００６】次いで、ウエハ４０の表面のフォトレジス
ト膜３８を現像し、未露光部４１が残存してなるパター
ン付きレジスト膜４２を形成する。次いで、レジスト膜
成膜装置１０の搬入口２２に表面を上にしてウエハ４０
を搬入し、パターン付きレジスト膜４２の上にノズル２
０から高粘度のフォトレジスト液を滴下して、表面保護
レジスト膜４４を成膜する（図４（ｂ）参照）。レジス
ト液が高粘度であるのは、厚膜を成膜するためである。
次いで、ウエハ４０の裏面を上にしてレジスト膜成膜装
置１０の搬入口２２に再度搬入し、ノズル２０から高粘
度のレジスト液を滴下し、第２絶縁膜３４の保護のため
の裏面保護レジスト膜４６を成膜する（図４（ｃ）参
照）。次いで、表面保護レジスト膜４４を現像処理また
は化学的に剥離して除去し（図４（ｄ）参照）、更にパ
ターン付きレジスト膜４２をマスクパターンにして第１
絶縁膜３２をエッチング処理することにより、第１絶縁
膜３２をパターンニングする。次いで、表面及び裏面の
フォトレジスト膜を同時に湿式処理して溶解・除去する
（図４（ｅ）参照）。
ト膜３８を現像し、未露光部４１が残存してなるパター
ン付きレジスト膜４２を形成する。次いで、レジスト膜
成膜装置１０の搬入口２２に表面を上にしてウエハ４０
を搬入し、パターン付きレジスト膜４２の上にノズル２
０から高粘度のフォトレジスト液を滴下して、表面保護
レジスト膜４４を成膜する（図４（ｂ）参照）。レジス
ト液が高粘度であるのは、厚膜を成膜するためである。
次いで、ウエハ４０の裏面を上にしてレジスト膜成膜装
置１０の搬入口２２に再度搬入し、ノズル２０から高粘
度のレジスト液を滴下し、第２絶縁膜３４の保護のため
の裏面保護レジスト膜４６を成膜する（図４（ｃ）参
照）。次いで、表面保護レジスト膜４４を現像処理また
は化学的に剥離して除去し（図４（ｄ）参照）、更にパ
ターン付きレジスト膜４２をマスクパターンにして第１
絶縁膜３２をエッチング処理することにより、第１絶縁
膜３２をパターンニングする。次いで、表面及び裏面の
フォトレジスト膜を同時に湿式処理して溶解・除去する
（図４（ｅ）参照）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の絶縁
膜のパターンニング方法では、ウエハの表面及び裏面に
保護レジスト膜をそれぞれ成膜し、その後除去してい
る。従って、保護レジスト膜を成膜、除去する工程を簡
略化すれば、製造コストを低減することができる。以上
のような事情に照らして、本発明の目的は、表面及び裏
面に絶縁膜が成膜されたウエハの表面をパターンニング
するに際し、製造工程を簡略化して製造コストを低減す
るようにした絶縁膜のパターンニング方法を提供するこ
とである。
膜のパターンニング方法では、ウエハの表面及び裏面に
保護レジスト膜をそれぞれ成膜し、その後除去してい
る。従って、保護レジスト膜を成膜、除去する工程を簡
略化すれば、製造コストを低減することができる。以上
のような事情に照らして、本発明の目的は、表面及び裏
面に絶縁膜が成膜されたウエハの表面をパターンニング
するに際し、製造工程を簡略化して製造コストを低減す
るようにした絶縁膜のパターンニング方法を提供するこ
とである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、鋭意検討の
結果、現像する前のフォトレジスト膜３８を第１絶縁膜
３２の保護層として利用することを考え付き、本発明方
法を完成するに至った。上記目的を達成するために、本
発明方法に係る絶縁膜のパターンニング方法は、表面及
び裏面にそれぞれ第１絶縁膜及び第２絶縁膜を成膜した
ウエハの表面の第１絶縁膜をパターンニングする方法で
あって、表面の第１絶縁膜上にフォトレジスト膜を成膜
し、更に露光処理する成膜、露光処理工程と、次いで、
裏面の第２絶縁膜上に保護膜を成膜する保護膜成膜工程
と、次いで、露光処理された表面のフォトレジスト膜を
現像してパターンを形成するフォトレジスト膜現像工程
と、次いで、フォトレジスト膜のパターンをマスクにし
て第１絶縁膜をエッチング処理することにより、第１絶
縁膜にパターンを形成する第１絶縁膜パターン形成工程
とを備えていることを特徴としている。
結果、現像する前のフォトレジスト膜３８を第１絶縁膜
３２の保護層として利用することを考え付き、本発明方
法を完成するに至った。上記目的を達成するために、本
発明方法に係る絶縁膜のパターンニング方法は、表面及
び裏面にそれぞれ第１絶縁膜及び第２絶縁膜を成膜した
ウエハの表面の第１絶縁膜をパターンニングする方法で
あって、表面の第１絶縁膜上にフォトレジスト膜を成膜
し、更に露光処理する成膜、露光処理工程と、次いで、
裏面の第２絶縁膜上に保護膜を成膜する保護膜成膜工程
と、次いで、露光処理された表面のフォトレジスト膜を
現像してパターンを形成するフォトレジスト膜現像工程
と、次いで、フォトレジスト膜のパターンをマスクにし
て第１絶縁膜をエッチング処理することにより、第１絶
縁膜にパターンを形成する第１絶縁膜パターン形成工程
とを備えていることを特徴としている。
【０００９】本発明方法の好適な実施態様は、保護膜成
膜工程で、第１絶縁膜上に成膜したフォトレジスト膜と
同じ材質の膜を保護膜として成膜し、第１絶縁膜パター
ン形成工程後、更に、裏面の保護膜とマスクパターンの
形成された表面のフォトレジスト膜とを湿式処理により
同時に除去するフォトレジスト膜除去工程を備えている
ことを特徴としている。
膜工程で、第１絶縁膜上に成膜したフォトレジスト膜と
同じ材質の膜を保護膜として成膜し、第１絶縁膜パター
ン形成工程後、更に、裏面の保護膜とマスクパターンの
形成された表面のフォトレジスト膜とを湿式処理により
同時に除去するフォトレジスト膜除去工程を備えている
ことを特徴としている。
【００１０】本発明方法では、従来のように、現像した
表面を保護する表面保護レジスト膜を成膜する必要がな
く、よって、作業工程数やレジスト膜の溶解に使用する
薬液量を大幅に低減させることができる。
表面を保護する表面保護レジスト膜を成膜する必要がな
く、よって、作業工程数やレジスト膜の溶解に使用する
薬液量を大幅に低減させることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に、実施例を挙げ、添付図面
を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつより詳細
に説明する。実施例 本実施例は、本発明方法の好適な実施態様例である。本
実施例では、第１及び第２絶縁膜として、それぞれ、第
１及び第２ＳｉＯ2膜が成膜されている。図１（ａ）か
ら（ｅ）は、それぞれ、本実施例での各工程毎のウエハ
の断面図である。図１（ａ）から（ｅ）では、図４
（ａ）から（ｅ）と同じものには同じ符号を付してその
説明を省略する。図２は、レジスト膜成膜装置１０の搬
送機構１６の前記所定位置の部分拡大斜視図である。ス
ライダ２８は、ウエハの周辺部を下面から支えて保持す
る互いに平行な脚部４８Ａ、Ｂを有している。脚部４８
Ａ、Ｂには、ウエハ移載時にウエハ下面に加えられる衝
撃を低減させる気体吹き出し孔５０が、所定位置に複数
個形成されている。また、搬入口２２には、ローダによ
り移載されるカセット２３が載置されており、搬出口２
４も同様である。
を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつより詳細
に説明する。実施例 本実施例は、本発明方法の好適な実施態様例である。本
実施例では、第１及び第２絶縁膜として、それぞれ、第
１及び第２ＳｉＯ2膜が成膜されている。図１（ａ）か
ら（ｅ）は、それぞれ、本実施例での各工程毎のウエハ
の断面図である。図１（ａ）から（ｅ）では、図４
（ａ）から（ｅ）と同じものには同じ符号を付してその
説明を省略する。図２は、レジスト膜成膜装置１０の搬
送機構１６の前記所定位置の部分拡大斜視図である。ス
ライダ２８は、ウエハの周辺部を下面から支えて保持す
る互いに平行な脚部４８Ａ、Ｂを有している。脚部４８
Ａ、Ｂには、ウエハ移載時にウエハ下面に加えられる衝
撃を低減させる気体吹き出し孔５０が、所定位置に複数
個形成されている。また、搬入口２２には、ローダによ
り移載されるカセット２３が載置されており、搬出口２
４も同様である。
【００１２】本実施例では、先ず、基板３０の表面及び
裏面にそれぞれ第１ＳｉＯ2膜３２及び第２ＳｉＯ2膜３
４を成膜したウエハの表面に、（ＣＨ3）3ＳｉＮＨＳｉ
（ＣＨ3）3を蒸気状にして塗布するＨＭＤＳ処理を５分
間行う。ＨＭＤＳ処理は、ＳｉＯ2膜とフォトレジスト
膜との密着性を上げるための処理である。次いで、従来
と同様にして、表面にフォトレジスト膜３８を成膜し、
加熱装置１４によりウエハをベーキング処理し、更に露
光処理する成膜、露光処理工程を行い、前述のウエハ４
０（図１（ａ）及び図４（ａ）参照）を作製する。尚、
後述する保護レジスト膜成膜工程を行うと、加熱装置１
４によりウエハ４０が、すなわちフォトレジスト膜３８
が、再度ベーキング処理される。フォトレジスト膜３８
を２度ベーキング処理すると、その後に露光処理して
も、露光効果が低いので、保護レジスト膜成膜工程を行
う前に露光処理を行う必要があり、本実施例では、フォ
トレジスト膜３８を成膜して最初のベーキング処理を行
った後、直ちに露光処理している。
裏面にそれぞれ第１ＳｉＯ2膜３２及び第２ＳｉＯ2膜３
４を成膜したウエハの表面に、（ＣＨ3）3ＳｉＮＨＳｉ
（ＣＨ3）3を蒸気状にして塗布するＨＭＤＳ処理を５分
間行う。ＨＭＤＳ処理は、ＳｉＯ2膜とフォトレジスト
膜との密着性を上げるための処理である。次いで、従来
と同様にして、表面にフォトレジスト膜３８を成膜し、
加熱装置１４によりウエハをベーキング処理し、更に露
光処理する成膜、露光処理工程を行い、前述のウエハ４
０（図１（ａ）及び図４（ａ）参照）を作製する。尚、
後述する保護レジスト膜成膜工程を行うと、加熱装置１
４によりウエハ４０が、すなわちフォトレジスト膜３８
が、再度ベーキング処理される。フォトレジスト膜３８
を２度ベーキング処理すると、その後に露光処理して
も、露光効果が低いので、保護レジスト膜成膜工程を行
う前に露光処理を行う必要があり、本実施例では、フォ
トレジスト膜３８を成膜して最初のベーキング処理を行
った後、直ちに露光処理している。
【００１３】次いで、保護レジスト膜成膜工程を行う準
備として、ウエハ４０の裏面を上にしてレジスト膜成膜
装置１０に搬入し、ベルト搬送部２６によりウエハ４０
を脚部４８Ａ、Ｂに移載し、更に、スライダ２８を移動
させて、真空チャック１８の保持面にウエハ４０を移載
して保持する。ベルト搬送部２６から脚部４８Ａ、Ｂ
に、及び脚部４８Ａ、Ｂから真空チャック１８にウエハ
４０を移載するときには、下面に位置している表面が損
傷されないよう、吹き出し孔５０からの気体吹き出し流
量を調整して移載する。吹き出す気体は、通常、空気で
ある。また、真空チャック１８の保持面に保持するとき
は、ウエハ表面に真空チャック１８の跡が付くなどして
表面が損傷されることのないように、真空チャック１８
の吸引力を調整する。次いで、従来と同様にして、コー
ティング部１２により第２ＳｉＯ2膜３４上に裏面保護
レジスト膜４６を成膜し、加熱装置１４でベーキング処
理する保護レジスト膜成膜工程を行う（図１（ｂ）参
照）。裏面保護レジスト膜４６を成膜する理由は、後述
するパターン形成工程で第２ＳｉＯ2膜３４が損傷する
ことを防止するためである。
備として、ウエハ４０の裏面を上にしてレジスト膜成膜
装置１０に搬入し、ベルト搬送部２６によりウエハ４０
を脚部４８Ａ、Ｂに移載し、更に、スライダ２８を移動
させて、真空チャック１８の保持面にウエハ４０を移載
して保持する。ベルト搬送部２６から脚部４８Ａ、Ｂ
に、及び脚部４８Ａ、Ｂから真空チャック１８にウエハ
４０を移載するときには、下面に位置している表面が損
傷されないよう、吹き出し孔５０からの気体吹き出し流
量を調整して移載する。吹き出す気体は、通常、空気で
ある。また、真空チャック１８の保持面に保持するとき
は、ウエハ表面に真空チャック１８の跡が付くなどして
表面が損傷されることのないように、真空チャック１８
の吸引力を調整する。次いで、従来と同様にして、コー
ティング部１２により第２ＳｉＯ2膜３４上に裏面保護
レジスト膜４６を成膜し、加熱装置１４でベーキング処
理する保護レジスト膜成膜工程を行う（図１（ｂ）参
照）。裏面保護レジスト膜４６を成膜する理由は、後述
するパターン形成工程で第２ＳｉＯ2膜３４が損傷する
ことを防止するためである。
【００１４】次いで、表面のフォトレジスト膜３８を現
像して、図１（ｃ）に示すようにパターン付きレジスト
膜４２を形成するフォトレジスト膜現像工程を行う。次
いで、パターン付きレジスト膜４２をマスクにして第１
ＳｉＯ2膜３２をエッチング処理することにより、第１
ＳｉＯ2膜３２に図１（ｄ）に示すようなパターンを形
成する第１ＳｉＯ2膜パターン形成工程を行う。次い
で、従来と同様にして、表面のパターン付きレジスト膜
４２及び裏面の裏面保護レジスト膜４６を同時に湿式処
理して溶解・除去するフォトレジスト膜除去工程を行う
（図１（ｅ）参照）。湿式処理に用いる処理液は、主に
硫酸と過酸化水素水とを混合したものである。
像して、図１（ｃ）に示すようにパターン付きレジスト
膜４２を形成するフォトレジスト膜現像工程を行う。次
いで、パターン付きレジスト膜４２をマスクにして第１
ＳｉＯ2膜３２をエッチング処理することにより、第１
ＳｉＯ2膜３２に図１（ｄ）に示すようなパターンを形
成する第１ＳｉＯ2膜パターン形成工程を行う。次い
で、従来と同様にして、表面のパターン付きレジスト膜
４２及び裏面の裏面保護レジスト膜４６を同時に湿式処
理して溶解・除去するフォトレジスト膜除去工程を行う
（図１（ｅ）参照）。湿式処理に用いる処理液は、主に
硫酸と過酸化水素水とを混合したものである。
【００１５】本実施例では、従来のように表面保護レジ
スト膜を成膜することなく、第１ＳｉＯ2膜３２にパタ
ーン形成することができるので、従来に比べ、作業工程
数を大きく低減させることができる。
スト膜を成膜することなく、第１ＳｉＯ2膜３２にパタ
ーン形成することができるので、従来に比べ、作業工程
数を大きく低減させることができる。
【００１６】
【発明の効果】本発明方法によれば、絶縁膜のパターン
ニング方法は、表面及び裏面にそれぞれ第１絶縁膜及び
第２絶縁膜が成膜されたウエハの表面に、フォトレジス
ト膜を成膜し、露光処理し、次いで、裏面に保護膜を成
膜し、更に、表面を現像した後、表面をエッチング処理
して第１絶縁膜にパターンを形成する。これにより、従
来のように表面保護レジスト膜を成膜する必要がなく、
よって、作業工程数やレジスト膜の溶解に使用する薬液
量を大幅に低減させることができる。
ニング方法は、表面及び裏面にそれぞれ第１絶縁膜及び
第２絶縁膜が成膜されたウエハの表面に、フォトレジス
ト膜を成膜し、露光処理し、次いで、裏面に保護膜を成
膜し、更に、表面を現像した後、表面をエッチング処理
して第１絶縁膜にパターンを形成する。これにより、従
来のように表面保護レジスト膜を成膜する必要がなく、
よって、作業工程数やレジスト膜の溶解に使用する薬液
量を大幅に低減させることができる。
【図１】図１（ａ）から（ｅ）は、それぞれ、本実施例
の各工程毎でのウエハ断面図である。
の各工程毎でのウエハ断面図である。
【図２】図３の部分拡大斜視図である。
【図３】ウエハにレジスト膜を成膜するレジスト膜成膜
装置の一例の概念図である。
装置の一例の概念図である。
【図４】図４（ａ）から（ｅ）は、それぞれ、従来の絶
縁膜のパターンニング方法での各工程毎のウエハ断面図
である。
縁膜のパターンニング方法での各工程毎のウエハ断面図
である。
１０……レジスト膜成膜装置、１２……コーティング
部、１４……加熱装置、１６……搬送機構、１８……真
空チャック、２０……ノズル、２２……搬入口、２３…
…カセット、２４……搬出口、２６……ベルト搬送部、
２８……スライダ、３０……基板、３２……第１絶縁膜
（第１ＳｉＯ2膜）、３４……第２絶縁膜（第２ＳｉＯ2
膜）、３８……フォトレジスト膜、３９……露光部、４
０……ウエハ、４１……未露光部、４２……パターン付
きレジスト膜、４４……表面保護レジスト膜、４６……
裏面保護レジスト膜、４８Ａ、Ｂ……脚部、５０……吹
き出し孔。
部、１４……加熱装置、１６……搬送機構、１８……真
空チャック、２０……ノズル、２２……搬入口、２３…
…カセット、２４……搬出口、２６……ベルト搬送部、
２８……スライダ、３０……基板、３２……第１絶縁膜
（第１ＳｉＯ2膜）、３４……第２絶縁膜（第２ＳｉＯ2
膜）、３８……フォトレジスト膜、３９……露光部、４
０……ウエハ、４１……未露光部、４２……パターン付
きレジスト膜、４４……表面保護レジスト膜、４６……
裏面保護レジスト膜、４８Ａ、Ｂ……脚部、５０……吹
き出し孔。
Claims (2)
- 【請求項１】 表面及び裏面にそれぞれ第１絶縁膜及び
第２絶縁膜を成膜したウエハの表面の第１絶縁膜をパタ
ーンニングする方法であって、 表面の第１絶縁膜上にフォトレジスト膜を成膜し、更に
露光処理する成膜、露光処理工程と、 次いで、裏面の第２絶縁膜上に保護膜を成膜する保護膜
成膜工程と、 次いで、露光処理された表面のフォトレジスト膜を現像
してパターンを形成するフォトレジスト膜現像工程と、 次いで、フォトレジスト膜のパターンをマスクにして第
１絶縁膜をエッチング処理することにより、第１絶縁膜
にパターンを形成する第１絶縁膜パターン形成工程とを
備えていることを特徴とする絶縁膜のパターンニング方
法。 - 【請求項２】 請求項１に記載の絶縁膜のパターンニン
グ方法において、 保護膜成膜工程で、第１絶縁膜上に成膜したフォトレジ
スト膜と同じ材質の膜を保護膜として成膜し、 第１絶縁膜パターン形成工程後、更に、裏面の保護膜と
マスクパターンの形成された表面のフォトレジスト膜と
を湿式処理により同時に除去するフォトレジスト膜除去
工程を備えていることを特徴とする絶縁膜のパターンニ
ング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5911797A JPH10256370A (ja) | 1997-03-13 | 1997-03-13 | 絶縁膜のパターンニング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5911797A JPH10256370A (ja) | 1997-03-13 | 1997-03-13 | 絶縁膜のパターンニング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10256370A true JPH10256370A (ja) | 1998-09-25 |
Family
ID=13104061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5911797A Withdrawn JPH10256370A (ja) | 1997-03-13 | 1997-03-13 | 絶縁膜のパターンニング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10256370A (ja) |
-
1997
- 1997-03-13 JP JP5911797A patent/JPH10256370A/ja not_active Withdrawn
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| A761 | Written withdrawal of application |
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