WO2005071824A1 - 半導体装置 - Google Patents

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WO2005071824A1
WO2005071824A1 PCT/JP2004/000658 JP2004000658W WO2005071824A1 WO 2005071824 A1 WO2005071824 A1 WO 2005071824A1 JP 2004000658 W JP2004000658 W JP 2004000658W WO 2005071824 A1 WO2005071824 A1 WO 2005071824A1
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WO
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semiconductor device
cooling
temperature
cooling medium
internal combustion
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Application number
PCT/JP2004/000658
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English (en)
French (fr)
Inventor
Atsushi Saito
Katsuhiro Higuchi
Osamu Otsuka
Hidekazu Nishidai
Hiroshi Houzouji
Toshiaki Morita
Yoshimasa Takahashi
Toshiya Sato
Original Assignee
Hitachi, Ltd.
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Filing date
Publication date
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Priority to CNA2004800409075A priority patent/CN1906840A/zh
Priority to US10/587,283 priority patent/US7579805B2/en
Priority to PCT/JP2004/000658 priority patent/WO2005071824A1/ja
Priority to JP2005517177A priority patent/JPWO2005071824A1/ja
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    • HELECTRICITY
    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02MAPPARATUS FOR CONVERSION BETWEEN AC AND AC, BETWEEN AC AND DC, OR BETWEEN DC AND DC, AND FOR USE WITH MAINS OR SIMILAR POWER SUPPLY SYSTEMS; CONVERSION OF DC OR AC INPUT POWER INTO SURGE OUTPUT POWER; CONTROL OR REGULATION THEREOF
    • H02M7/00Conversion of ac power input into dc power output; Conversion of dc power input into ac power output
    • H02M7/003Constructional details, e.g. physical layout, assembly, wiring or busbar connections
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K7/00Constructional details common to different types of electric apparatus
    • H05K7/20Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating
    • H05K7/2089Modifications to facilitate cooling, ventilating, or heating for power electronics, e.g. for inverters for controlling motor
    • H05K7/20927Liquid coolant without phase change

Definitions

  • the present invention relates to a semiconductor device, and more particularly, to a power adjustment semiconductor device such as an invar device used for driving a motor or the like.
  • a semiconductor device equipped with a power device such as an inverter used for power conversion or the like is operated by air, water, or the like so that the temperature of the device becomes lower than the operating temperature of a device constituting the device during operation. It is cooled using.
  • a conventional cooling structure for example, as described in Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-75583, there is known a structure in which a cooler cools an upper surface and a lower surface of an inverter device. I have. Disclosure of the invention
  • An object of the present invention is to provide a semiconductor device capable of extending the life of a mounted component.
  • the present invention relates to a semiconductor device having a cooling system in which a temperature of a cooling refrigerant is controlled by a heating unit and a radiator, connected to the cooling system, and cooled.
  • the change in temperature of the cooling medium caused by the change in the operating state of the semiconductor device. From ( ⁇ T 2), the range of temperature change ( ⁇ 1) controlled by the heating section and the radiator of the cooling system is larger ( ⁇ 1 ⁇ 2).
  • the present invention provides a cooling system in which the temperature of a cooling refrigerant is controlled by a heating unit and a radiator, and the heating unit is connected to the cooling system.
  • the present invention provides a vehicle including an internal combustion engine and an electric motor, wherein the electric motor is provided in a vehicle controlled by a power conversion device, wherein the cooler cools a cooling medium.
  • the internal combustion engine or the internal combustion engine and the electric motor are cooled by a cooling medium that has cooled the power conversion device, and the internal combustion engine or the cooling medium that has cooled the internal combustion engine and the electric motor is cooled by the cooler.
  • the cooling system is configured such that the temperature change width ( ⁇ 1) of the cooling medium controlled by the internal combustion engine and the cooler is the power change.
  • the present invention is mounted on a vehicle equipped with an internal combustion engine and an electric motor, controls the driving of the electric motor by converting electric power supplied from a battery, and cools the electric motor.
  • a cooling system arranged to cool the internal combustion engine with a cooling medium cooled by a heat exchanger, the power conversion device for a vehicle being arranged and cooled on the upstream side of the internal combustion engine, comprising: a container; A cooling passage through which a cooling medium flows, for converting power supplied from the battery, and a power conversion circuit module including a plurality of semiconductor elements; and controlling driving of the semiconductor elements.
  • a conversion circuit control board composed of a plurality of electronic components.
  • the container includes: the power conversion circuit module; For accommodating a conversion circuit control board, at least the power conversion circuit module.
  • the change width ( ⁇ ⁇ 2) of the temperature of the cooling medium according to the change in the operating condition of the yule is smaller than the change width ( ⁇ 1) of the temperature of the cooling medium controlled by the internal combustion engine and the cooler. ( ⁇ ⁇ 2 ⁇ ⁇ ) 1) to suppress heat transfer from the outside. With such a configuration, the life of the mounted components can be prolonged.
  • FIG. 1 is a system configuration diagram of a semiconductor device cooling system according to a first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a pattern diagram showing a temperature change transition in the semiconductor device cooling system according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is an explanatory diagram of the life of the semiconductor device cooling system according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram of the temperature dependence of the coolant used in the cooling system of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is a perspective view of a partial cross section showing the configuration of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a process chart showing an assembly process of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is a process chart showing an assembly process of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 is a process chart showing an assembly process of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 9 is a partial cross-sectional perspective view showing the configuration of the semiconductor device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 10 is a plan view showing a temperature change transition in the semiconductor device cooling system according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is a partial cross-sectional perspective view showing the configuration of the semiconductor device according to the third embodiment of the present invention.
  • FIG. 12 is a partial sectional view showing the configuration of the semiconductor device according to the fourth embodiment of the present invention. It is a perspective view.
  • FIG. 13 is a partial cross-sectional perspective view showing the configuration of the semiconductor device according to the fifth embodiment of the present invention.
  • FIG. 14 is a block diagram showing a drive system of a hybrid electric vehicle which is one of electric vehicles using the vehicle output transmission device according to each embodiment of the present invention.
  • FIG. 15 is a block diagram showing an electric vehicle system using the semiconductor device according to each embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a system configuration diagram of a semiconductor device cooling system according to a first embodiment of the present invention.
  • the semiconductor device 100 has a pump 3 for flowing the medium through a pipe 11 for flowing a medium 9 for cooling, a radiator 2 for cooling the medium, and a semiconductor device 100 other than the semiconductor device 100. Connected to heating unit 1.
  • the semiconductor device 100 includes a heat generating portion such as a power device inside the semiconductor device 100, and forms a first heating portion.
  • the heating unit 1 is a second heating unit having a heating value Ql (Q 1> Q 2) larger than the heating value Q 2 of the semiconductor device 100 as the first heating unit.
  • the radiator 2 and the pump 3 are adjusted so that the temperature of the heating unit 1 falls within a specific range.
  • the capacity through which the cooling medium 9 passes is such that the capacity V1 of the heating unit 1 is sufficiently larger than the capacity V2 of the semiconductor device 100, and the temperature T of the cooling medium is the operation of the semiconductor device 100. It is hard to receive the temperature change due to
  • the heating unit 1 is, for example, an automobile engine.
  • the engine is the first heating unit
  • the inverting device that controls the motor is the semiconductor device 100, which is the second heating unit.
  • the motor is the first heating unit
  • the inverting device that controls the motor is the semiconductor device 100, which is the second heating unit.
  • the inverter device that controls the motor and the driving power source is a semiconductor device. It becomes 0 0, which is the second heating section.
  • the casing of the semiconductor device 100 is provided with a flow path 4 for flowing a cooling medium, and the capacitor 6, the controller 7, the module mounted with the device 12, and the casing forming the S-force S flow path 4 It is attached to the inner wall.
  • the housing of the semiconductor device is generally made of aluminum die cast, SUS, etc., but the heat dissipating part 5 for mounting the power device mounting module 12 is made of copper with high thermal conductivity and nickel plated. Heat from loss of electronic components constituting the semiconductor device is easily transmitted to the cooling medium.
  • the cooling medium 9 flowing into the flow path 4 formed in the housing of the semiconductor device 100 branches the pipe for transporting the cooling medium, and flows into and out of the refrigerant inlet 1 OA and the drain provided in the semiconductor device.
  • the cooling medium flows into the plurality of surfaces of the housing, and the power device mounting module 1 2, It can be used for cooling condenser 6, controller 7, etc.
  • the flow path 4 is branched in the wall of the housing, and a cooling medium flows into a plurality of surfaces of the housing to be used for cooling the power device mounted module 12, the capacitor 6, the controller 7, and the like. Good thing.
  • the cooling system used for the heating unit 1 of the internal combustion engine or the like is not one system, and even if the operating condition of the internal combustion engine changes, the temperature is controlled by switching a plurality of cooling systems so that the temperature takes into account the operating efficiency. Adjustable structures can also be used.
  • the cooling medium flowing into the cooling flow path 4 of the semiconductor device 100 the medium whose temperature has been adjusted as described above is used, so that the temperature of the cooling medium is hardly affected by the operation of the semiconductor device.
  • the temperature range is adjusted to an optimum temperature range for the operating state of the internal combustion engine. Therefore, since the housing of the semiconductor device 100 is provided with the flow path 4 through which the temperature-controlled medium passes with a small temperature change width, the semiconductor device 100 is refined.
  • the temperature inside the housing on which the electronic components are mounted is almost the same as the temperature change range of the cooling medium.
  • FIGS. 2 and 3 the effect of cooling by a temperature-controlled medium in a state where the temperature variation width is small, as in the cooling system of the semiconductor device according to the present embodiment, will be described.
  • FIG. 2 is a pattern diagram showing a temperature change transition in the semiconductor device cooling system according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is an explanatory diagram of a life in the cooling system of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
  • dotted line B shows the temperature of the cooling water to which only the cooling system for invar overnight has been applied as in the past. That is, as in the present embodiment, there is a case where a cooling system for cooling only the semiconductor device alone is provided without having the first heating unit and the second heating unit.
  • Solid line A shows the temperature inside the inverter when the cooling system for the inverter is applied in the conventional configuration.
  • the cooling water temperature in the evening became higher than the temperature a ° C
  • the cooling water heated by the radiating fan for lowering the cooling water temperature was cooled, and the cooling water temperature was reduced from a ° C to c ° C. It is adjusted to be within the range.
  • the cooling water temperature changes according to the opening and closing of the accelerator, etc., and the operating condition of the inverter changes, and the cooling water is heated by the heat generated by the loss of the power module during the inverter.
  • the cooling water temperature is adjusted and changes from a ° C to ct: as shown by ⁇ B.
  • the cooling water temperature gradually decreases, and reaches the ambient temperature where the semiconductor device is installed at time t4.
  • the ambient temperature at the start and the ambient temperature at the stop are the same for the sake of simplicity.
  • the temperature change in the invertor is similar to the change in the cooling water temperature.
  • the internal temperature increases.
  • the operation was continued, and when the temperature of the cooling water in Inva overnight reached a temperature of a ° C or higher, the cooling water heated by the radiating fan for lowering the cooling water temperature was cooled, and the cooling water temperature changed from a ° C to c ° C. It is adjusted to be within the range.
  • the heat generated by the loss of the microcomputer for controlling the inverter and the power capacitor at the same time as the operation of the inverter. The inside of the heater is warmed.
  • the temperature inside the inverter during operation is higher than that of the cooling water and is repeated in the range of b ° C to d.
  • the loss from the chamber disappears, and the temperature in the chamber gradually decreases as the cooling water temperature decreases, and reaches the ambient temperature at time t4.
  • the temperature inside the inverter varies not only due to the change in the cooling water temperature but also due to the heat generated by the loss of the semiconductor and the like constituting the inverter.
  • a dotted line C in FIG. 2 shows a change in the temperature of the cooling water for cooling, for example, an engine of an automobile having a large amount of heat generation
  • a solid line D shows the cooling of the cooling water as in the present embodiment. It shows the temperature change within the night of Invar used as water.
  • the relationship between the internal combustion engine and the cooling water capacity, cooling capacity, etc. is adjusted so that the cooling water for the internal combustion engine has a substantially constant temperature at high temperatures in consideration of the combustion efficiency of the internal combustion engine. Therefore, the cooling water temperature rises after the start and is adjusted within a temperature range from 6 ° ⁇ 0 after a certain time (time t 2).
  • the invertor installed in the vehicle has a temperature cycle of d from the ambient temperature associated with the start and stop represented by the solid line A in the conventional structure, and d during operation. Subject to temperature cycling from ° C.
  • a temperature cycle ranging from the environmental temperature due to the start and stop represented by the solid line D to g ° C and a temperature cycle from e ° C to g during operation are received. Will be. Therefore, in response to a change in the temperature of the cooling medium ( ⁇ 2) caused by a change in the operating state of the semiconductor device 100, the range of change ( ⁇ 1) in the temperature controlled by the heating unit and the radiator of the cooling system is as follows. ⁇ 1> ⁇ 2.
  • ⁇ - ⁇ ... (1)
  • ⁇ and beta test environment, is a value determined by the material, .DELTA..tau is Repetition rate temperature range.
  • the product life is determined by the sum of the life obtained from equation (1), which is the temperature change due to operation and shutdown, and the life obtained from equation (1), which is the temperature change due to the inverter operation during operation. Can be represented.
  • Fig. 3 shows the result of calculating the relationship between the maximum temperature during operation and the life of components when the range of temperature change during operation is changed, based on equation (1).
  • the service life is optional because it depends on the operating model.
  • point A is the point where the temperature change during operation was 120 ° C at the maximum temperature of the components in the chamber during operation, and the temperature change during operation was 40 ° C.
  • the point at which the temperature changes during operation was 40 ° C at the maximum temperature of 130 ° C for the interior parts of the Inver Evening during operation. If the maximum temperature of components inside the inverter during operation rises, the repetition of the temperature associated with starting and stopping increases, shortening the service life.
  • Point (c) is the point where the maximum temperature of the components inside the inverter during operation was 120 ° C and the temperature change during operation was 30 ° C.
  • Point 2 is that the maximum temperature of the parts inside the inverter during operation was 130 and the temperature change during operation was 20. Comparing the point mouth and point c, even if the maximum temperature of the parts inside the inverter during operation is the same as 120, the life change is improved by reducing the temperature change during operation from 40 to 30 That Understand.
  • the present embodiment As described above, by reducing the influence of the loss of the components constituting the inverter as shown by the solid line D, the life in the inverter can be improved.
  • FIG. 4 is an explanatory diagram of the temperature dependence of the coolant used in the cooling system of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
  • water or water is mixed with one or more alcohols such as ethylene glycol, propylene glycol, butylene glycol, and, if necessary, thiazole, triazole,
  • An antioxidant composed of phosphoric acid, carboxylic acid, or the like, an antioxidant, an antifoaming agent, or the like may be appropriately added, and may be used in the range of 70 to 100 ° C.
  • Figure 4 shows the temperature dependence of the viscosity of water.
  • arylecols can be used in a concentration range of about 20% to 50%, and the temperature change of viscosity at this time shows almost the same tendency as that of water. . Therefore, by setting the temperature of the cooling medium to 70 ° C. or more and less than 100 ° C., the viscosity of the cooling medium can be made substantially constant, and the change in the liquid speed of the cooling medium by the pump can be reduced. The temperature change due to the cooling medium during operation of the semiconductor device can be reduced. This makes it possible to further improve the reliability and life of the semiconductor device.
  • FIG. 5 is a perspective view of a partial cross section showing the configuration of the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
  • the same reference numerals as those in FIG. 1 indicate the same parts.
  • the semiconductor device 100 includes various electronic components 6, 7, 12 for exhibiting desired functions, and a housing 20 for housing the electronic components.
  • the housing 20 includes a flow path 4 for flowing a cooling medium, an inlet / outlet 10 for entering / exiting a refrigerant, a signal input / output terminal 21 for controlling an electronic device, and a signal Input / output terminals 22 for the power and the like controlled by the power supply are provided. Since the signal input / output terminals 21 are connected by a connector, a cover or the like for connecting the connector is provided around the terminals. Also, since the input / output terminal 22 of the power controlled by the signal is generally used with a large voltage or current, a port nut for fixing the semiconductor device and the power wiring cable is used. Or use a hole for passing the port for fixing the power distribution cable.
  • the semiconductor device 100 is cooled by a refrigerant that cools a heating portion of the engine or the like that generates a large amount of heat.
  • the semiconductor device has a housing structure that is not easily affected by a change in temperature outside the semiconductor device 100. That is, the flow path 4 for the refrigerant is provided on all surfaces inside the wall surface of the housing 20.
  • the housing 20 has a rectangular parallelepiped shape, a flow path 4 A formed on the upper surface of the housing 20, a flow path 4 B formed on the lower surface of the housing 20, and a housing A flow path 4C formed on the left side of the housing 20, a flow path 4D formed on the right side of the housing 20, a flow path 4E formed on a side surface in front of the housing 20,
  • the flow path 4 may be finely divided inside the wall surface of the housing, or may be in a state of being spread over the entire surface inside the wall surface of the housing. Further, it is also possible to improve the cooling efficiency by providing fin-shaped irregularities inside the flow path 4 and increasing the surface area inside the flow path.
  • the life of the semiconductor device 100 can be extended.
  • the main components of the semiconductor device 100 which are electronic components with large losses, have a flow path 4 It is fixed to the inner wall of the formed housing.
  • the capacitor 6 is fixed so as to be in contact with the inner wall of the housing 20 via a heat conductive paste (not shown) using a fixing jig 23 or the like, and the loss of the capacitor 6 during operation of the semiconductor device.
  • the heat generated by the heat is transmitted to the cooling medium via the housing.
  • the electronic components 7 such as microcomputers having a large loss are mounted on the substrate 24 in advance, and then connected via a heat conductive paste (not shown) or the like.
  • a heat conductive paste not shown
  • the radiator (fin) part of the electronic component By fixing to the inner wall of the housing 20 or fixing the radiator (fin) part of the electronic component to the inner wall of the housing 20, heat generated by the loss of the electronic component is cooled through the housing. Communicate to media.
  • the module 12 with a high-loss power device is mounted with a power semiconductor element mounted on the electrode pattern of a substrate with high thermal conductivity, such as silicon nitride or aluminum nitride, using solder or the like.
  • the electrodes are connected to the electrodes on the board using aluminum wire, etc., and this board is connected to a heat sink 5 made of copper, molybdenum, aluminum, etc. using solder or the like.
  • the electronic component 25 with low loss (heat generation) is mounted on the substrate 27, and then the substrate 27 is fixed to the housing 20 via the spacer 26. It is not necessary to adopt a structure taking transmission into consideration, and it is also possible to fix the mounting board to the inner wall of the housing 20 like other electronic components having a large loss.
  • the fixing of the electronic component and the board on which it is mounted to the inside of the housing is not necessarily limited to the upper and lower surfaces inside the housing, and can be adjusted according to the dimensions and loss amount of the electronic component. It can also be fixed to the side surface provided with the same method as described above.
  • heat generated by the operation loss of the electronic components constituting the semiconductor device 100 can be transmitted from the housing to the radiator through the refrigerant, and the loss due to the loss of the electronic components constituting the semiconductor device 100
  • the effect on the temperature inside the housing can be reduced, and the rise in temperature inside the housing can be suppressed.
  • the temperature change is transmitted to the inside of the housing. It is possible to reduce the influence of ripening inside the housing due to loss of electronic components that make up the semiconductor device, so it is possible to reduce the temperature change inside the housing due to the operation of the semiconductor device and mount it. The reliability and life of electronic components can be improved.
  • 6 to 8 are process diagrams showing the steps of assembling the semiconductor device according to the first embodiment of the present invention.
  • the same reference numerals as in FIG. 5 indicate the same parts.
  • the mounting body 20 is divided into two parts so that the semiconductor device components can be easily mounted.
  • FIG. 6 shows an assembling process of a lower portion of the divided semiconductor device.
  • the flow paths 4B, 4E, 4B, 4E which flow the cooling medium to the bottom surface (1 surface) and the [J surface (4 surfaces)] of the lower housing 20a in advance. 4 F is formed.
  • the flow paths 4C and 4D on the left and right sides shown in FIG. 5 are not shown.
  • the casing 20a is provided with cooling medium supply / discharge ports 10A and 10B and a connector 21 for guiding a control signal.
  • the housing 20a is made of aluminum die-cast.
  • a heat radiating section 5 is formed on the inner bottom of the housing 20a.
  • the power device module 12 is fixed to a position above the heat radiating portion 5 of the housing 20a by a port or the like (not shown) via a thermal conductive grease (not shown).
  • a spacer 26 for fixing a board on which low-loss components are mounted is mounted on the housing. Fix inside body 20a.
  • the board 8 on which the components are mounted is mounted on a predetermined position of the spacer, and is fixed with the port 91 as shown in FIG. 6 (d).
  • the wiring is performed with the chair module and the connector provided in the housing, and a part of the divided semiconductor device is formed.
  • FIG. 7 shows an assembling process of an upper portion of the divided semiconductor device.
  • an upper passage 4A for a cooling medium is formed in the upper housing 2Ob.
  • the housing 20b is provided with supply / discharge rotors 1OA and 10B.
  • the housing 20b is made of aluminum die-cast.
  • a board 24 or a capacitor 6 on which a control electronic component 7 with a large loss is mounted in advance is mounted at a predetermined position inside the upper housing 20 b via a thermal conductive grease (not shown) or the like. .
  • the board 24 on which the control electronic components 7 are mounted is fixed to the inner wall of the housing 20b using the port 91.
  • the capacitor 6 is fixed to the housing 2 Ob using a fixing jig 23 to further improve the thermal conductivity to the housing 2 Ob, and the surface of the capacitor 6 that is not in contact with the housing. Also ensure heat conduction. After that, necessary wiring connections between the substrates are performed, and the upper portion of the divided semiconductor device shown in FIG. 7 (c) is formed.
  • FIG. 8 shows an assembling step of combining the divided semiconductor devices manufactured in the steps shown in FIGS. 6 and 7 to obtain a desired semiconductor device. As shown in FIG. 8 (a), wiring for control signals, power and the like is performed between the divided semiconductor devices 20a and 2Ob, and then the openings of the semiconductor devices are combined.
  • the divided portion is fixed with a port 92, and the semiconductor device 100 according to the present embodiment is completed.
  • the assembled semiconductor device 100 and a pipe 11 for connecting a heater, a pump, a radiator, etc., through which a cooling medium whose temperature has been adjusted flows, are connected to the semiconductor device.
  • a cooling system using the semiconductor device according to the present embodiment connected to the supply / discharge units 10A and 10B is obtained.
  • the mounting method and order of each electronic component and the method of dividing the semiconductor device are not necessarily fixed to this method, and the semiconductor device can be assembled by another dividing method and mounting order. .
  • the semiconductor device is also cooled by the cooling medium that cools the heating portion having a large heat capacity, so that the temperature change of the refrigerant is small and the life of the semiconductor device is prolonged. be able to.
  • a cooling medium flow path is provided on each surface of the semiconductor device housing to make it less susceptible to changes in ambient temperature, so that temperature changes in the semiconductor device during operation can be reduced. Therefore, the reliability of the semiconductor device and the connection life of the mounted components can be improved.
  • FIG. 9 is a partial cross-sectional perspective view showing the configuration of the semiconductor device according to the second embodiment of the present invention.
  • the same reference numerals as in FIG. 5 indicate the same parts.
  • FIG. 10 is a pattern diagram showing a temperature change transition in the semiconductor device cooling system according to the second embodiment of the present invention.
  • the same reference numerals as those in FIG. 2 indicate the same parts.
  • a cooling plate (radiator) 5 is provided on the upper surface side of the coolant inflow passage 4, and the power semiconductor module 12 and the like are thermally transferred to the cooling plate 5.
  • the board 24 on which the capacitor 6 and the control component 7 are mounted is fixed to the lower surface side of the flow path 4 via a heat conductive paste or the like.
  • the substrate 24 on which the power semiconductor module 12, the capacitor 6, and the control component 7 are mounted is covered with a housing 31 made of a material having a low thermal conductivity.
  • the cooling medium supply passage 4 is provided with a cooling medium supply / discharge port 10A.10B, and the temperature is controlled by the heating unit 1, the radiator 2, the pump 3, etc. shown in FIG. Cooling medium is supplied.
  • Examples of the material having a low thermal conductivity used for the housing 31 include a foam material made of fine silica powder with both surfaces covered with aluminum or a stainless steel plate, or a resin such as phenol resin as a binder.
  • a glass bottle sandwiched between aluminum or stainless steel plates, or polyphenylene sulfide, polyetherimide, polyetheretherketone, or the like can be used instead of these metal plates.
  • the housing 31 constituting the housing is made of a material having a low thermal conductivity, the temperature inside the case is hardly affected by a temperature change outside the semiconductor device, and the temperature inside the cooling plate 5 is small. It is determined by the temperature of the cooling medium and the effect of heat on the inside of the housing due to the loss of mounted electronic components.
  • the temperature inside the chamber is hard to fall to the ambient temperature h where the semiconductor device is installed between the start and stop and the next start and stop.
  • the temperature at the start t6 can be set to i ° C higher than the h ° C, and the temperature change width accompanying the start / stop can be reduced.
  • the heat due to the loss of the electronic components constituting the semiconductor device is transmitted to the radiator by the cooling medium flowing through the flow path formed in the cooling plate 5 on which these electronic components are mounted.
  • the effect of heat due to loss of electronic components inside the housing can be reduced, and the temperature change inside the housing due to the operation of the semiconductor device can be reduced, thereby improving the reliability and life of the mounted electronic components. be able to.
  • -As described above since the semiconductor device is also cooled by the cooling medium that cools the heating portion having a large heat capacity, the temperature change of the refrigerant is small, and the life of the semiconductor device is prolonged. can do.
  • the configuration of the semiconductor device according to the third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
  • the configuration of the cooling system of the semiconductor device according to the present embodiment is the same as that shown in FIG.
  • FIG. 11 is a partial cross-sectional perspective view showing the configuration of the semiconductor device according to the third embodiment of the present invention.
  • the same reference numerals as in FIG. 5 indicate the same parts.
  • a flow path for flowing a cooling medium is provided on the upper surface and the lower surface of the housing of the semiconductor device 100B.
  • the casings 32 on the left and right sides and the front and rear sides are made of a material having low thermal conductivity.
  • the semiconductor device is also cooled by the cooling medium that cools the heating portion having a large heat capacity, the temperature change of the refrigerant is small, and the life of the semiconductor device can be prolonged.
  • the upper and lower surfaces of the housing of the semiconductor device form a flow path for the cooling medium, and the other surface is made of a material having a low thermal conductivity, so that it is less affected by changes in the surrounding temperature.
  • FIG. 12 is a partial cross-sectional perspective view showing the configuration of the semiconductor device according to the fourth embodiment of the present invention.
  • the same reference numerals as in FIG. 5 indicate the same parts.
  • the semiconductor device 100 C of the present embodiment has a gap provided around the semiconductor device 100 shown in FIG. 1 and is covered with the housing 33, and a heat insulating layer 40 is provided in the gap. ing.
  • Examples of the heat insulating layer 40 provided on the outer periphery of the semiconductor device include a foam material made of fine silica powder covered on both sides with aluminum or a stainless steel plate, or glass wool using a resin such as phenol resin as a binder. Those sandwiched between stainless steel plates can be used.
  • the outside of the heat insulating layer is made of a heat-resistant and low-thermal-conductivity resin material such as polyphenylene sulfide, polyetherimide, polyetheretherketone, etc., so that the environmental temperature at which the semiconductor device is installed is reduced. Changes can be made more difficult.
  • FIG. 13 is a partial cross-sectional perspective view showing the configuration of the semiconductor device according to the fifth embodiment of the present invention.
  • the same reference numerals as in FIG. 5 indicate the same parts.
  • the semiconductor device 100 D of the present embodiment is configured such that a heat storage layer 50 is provided around the semiconductor device 100 shown in FIG. It is a thing.
  • a latent heat storage material such as sodium acetate hydrate and a hydrated salt heat storage material can be used.
  • a resin material having heat resistance and low thermal conductivity such as polyphenylene sulfide, polyether imide, or polyether ether ketone.
  • the heat storage layer 50 By mounting the heat storage layer 50 around the semiconductor device, during operation of the semiconductor device, heat from the cooling medium is absorbed and the heat storage material is melted, operation is stopped, and the temperature of the cooling medium drops. When it is produced, the heat storage material solidifies and releases latent heat during solidification, slowing down the temperature of the semiconductor device. That is, as shown in Fig. 10, since the temperature drop from t3 at the time of operation stop is gradual, the time until the next start is short, and the temperature of the semiconductor device is reduced before the temperature of the semiconductor device falls to the environmental temperature h ° C. If the next start is performed at time t 6, the semiconductor device will be started only when the temperature of the semiconductor device drops to i.
  • the temperature change range from the start of the semiconductor device to the operation is from i to g ° C, and the temperature change range from the start to the operation when the heat storage layer is not provided around the semiconductor device is from h ° C.
  • the temperature change range is narrower than g ° C.
  • FIG. 14 is a block diagram showing a drive system of a hybrid electric vehicle which is one of electric vehicles using the vehicle output transmission device according to each embodiment of the present invention.
  • the hybrid electric vehicle according to the present embodiment has a four-wheel drive system configured to drive front wheels WH-F by an engine EN and a motor / generator MG, which are internal combustion engines, and drive rear wheels WH-R by a motor M, respectively. belongs to.
  • a case will be described in which the front wheel WH-F is driven by the engine EN and the motor generator MG, and the rear wheel WH-R is driven by the motor M.
  • the engine EN and the motor generator The MG may drive the rear wheels WH-R
  • the motor M may drive the front wheels WH-F.
  • the engine EN, the radiator 2, the pump 3, and the semiconductor device 100 are connected by a flow path shown by a dotted line, and the semiconductor device 100 is cooled by the cooling water of the engine EN.
  • a transmission TM is mechanically connected to a front wheel axle DS-F of the front wheels WH-F via a differential device (not shown).
  • the transmission TM is controlled via an output control mechanism (not shown).
  • the engine EN and the motor generator MG are mechanically connected.
  • the output control mechanism (not shown) is responsible for synthesizing and distributing the rotational output.
  • the AC winding of the semiconductor device 100 (10 OA, 100 B, 100 C, 100 D) described above is electrically connected to the stator winding of the motor generator MG.
  • Inverter is a power converter that converts DC power into three-phase AC power, and controls the driving of motor-generator MG.
  • Battery BA is electrically connected to the DC side of semiconductor device 100.
  • a motor M is mechanically connected to the rear axles DS-R1, DS-R2 of the rear wheels WH-R.
  • the AC side of the semiconductor device 100 is electrically connected to the stator winding of the motor M.
  • the semiconductor device 100 is commonly used for the motor / generator MG and the motor of the motor M, and includes a conversion circuit section for the motor / generator MG, a conversion circuit section for the motor / generator M, and And a drive control unit for driving.
  • the front wheels WH_F are driven by the motor / generator MG.
  • the front wheels WH-F are driven by the motor / generator MG at the time of starting and low-speed running of the hybrid electric vehicle, but the front wheels WH-F are driven by the motor / generator MG.
  • the rear wheels WH-R may be driven by the motor M (evening four-wheel drive may be used).
  • DC power is supplied to the semiconductor device 100 from the battery BA. The supplied DC power is converted into three-phase AC power by the semiconductor device 100.
  • the three-phase AC power obtained in this way is supplied to the stator winding of motor generator MG.
  • the motor generator MG is driven to generate a rotation output.
  • This rotation output is input to the transmission TM via an output control mechanism (not shown).
  • the input rotation output is shifted by a transmission TM and input to a differential (not shown).
  • the input rotation output is distributed to the left and right by a differential device ('not shown) and transmitted to the front wheel axle DSF on one of the front wheels WH_F and the front wheel axle DS-F on the other of the front wheels WH-F.
  • the front wheels WH-F are driven by the rotation of the front wheel axle DS-F. Be moved.
  • the front wheels WH-F are driven by the engine EN.
  • the rotation output of the engine EN is input to the transmission TM via an output control mechanism (not shown).
  • the input rotation output is shifted by the transmission TM.
  • the speed-changed rotation output is transmitted to the front wheel axle DSF via a differential device (not shown).
  • the front wheels WH-F are rotationally driven. If it is necessary to detect the state of charge of the battery BA and charge the battery BA, the rotational output of the engine EN is distributed to the motor generator MG through an output control mechanism (not shown), ⁇ Move the generator MG to rotate.
  • the generator MG operates as a generator.
  • three-phase AC power is generated in the stator winding of the motor generator MG.
  • the generated three-phase AC power is converted into predetermined DC power by semiconductor device 100.
  • the DC power obtained by this conversion is supplied to battery BA.
  • the battery B A is charged.
  • the rear wheels WH-R Drive When a hybrid electric vehicle is driven by four wheels (when driving on low roads such as snowy roads and the driving efficiency (fuel efficiency) of the engine EN is good), the rear wheels WH-R Drive. In addition, the front wheels WH-F are driven by the engine EN in the same manner as in the normal driving described above. Further, since the amount of charge in battery BA is reduced by driving motor M, motor generator MG is rotated by the output of engine EN to charge battery BA in the same manner as in the normal running described above. To drive the rear wheels WH-R by the motor M, the semiconductor device 100 is supplied with DC power from the battery BA. The supplied DC power is converted into three-phase AC power by the semiconductor device 100INV, and the AC power obtained by this conversion is supplied to the stator winding of the motor M.
  • the motor M is driven to generate a rotation output.
  • the generated rotational output is distributed to the left and right, and transmitted to the rear axle DS-R1 on one of the rear wheels WH-R and the rear axle DS-R2 on the other of the rear wheels WH-R.
  • the rear wheels WH-R are rotationally driven by the rotational driving of the rear axles DS-R1 and DS-R2.
  • the front wheels WH-F are driven by the engine EN and the motor generator MG. In this embodiment, the case where the front wheel WH-F is driven by the engine EN and the motor generator MG during acceleration of the hybrid electric vehicle will be described.
  • the front wheel is driven by the engine EN and the motor generator MG.
  • WH-F may be driven, and the rear wheels WH-R may be driven by the motor M (four-wheel drive traveling may be used).
  • the rotational output of the engine EN and the motor / generator is input to the transmission TM via an output control mechanism (not shown).
  • the input rotational output is shifted by the transmission TM.
  • the shifted rotational output is transmitted to the front axles DS-F via a differential ij device (not shown).
  • the front wheels WH-F are rotationally driven.
  • the rotational output of the front wheels WH-F is output from the front axle DS-F, Power is transmitted to the motor / generator MG via a drive unit (not shown), a transmission TM, and an output control J control mechanism (not shown) to rotate the motor generator MG.
  • motor generator MG operates as a generator.
  • three-phase AC power is generated in the stator winding of the motor generator MG.
  • the generated three-phase AC power is converted into predetermined DC power by the semiconductor device 100.
  • the DC power obtained by this conversion is supplied to battery B A. Thereby, battery B A is charged.
  • the rotation output of the rear wheels WH-R is transmitted to the motor M via the rear wheel axles DS-R1 and DS-R2, and the motor M is rotated.
  • the motor M operates as a generator.
  • three-phase AC power is generated in the stator winding of the motor M.
  • the generated three-phase AC power is converted into predetermined DC power by the semiconductor device 100.
  • the DC power obtained by this conversion is supplied to battery B A. Thereby, battery B A is charged.
  • the motor / generator MG may be added to the engine EN, the radiator 2, the pump 3, and the semiconductor device 100. According to the electric drive system of the present embodiment, the life of the semiconductor device can be prolonged, and maintenance of the hybrid vehicle can be facilitated.
  • the configuration of a system of an electric vehicle which is one of electric vehicles using the semiconductor device according to each embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
  • FIG. 15 is a block diagram showing an electric vehicle system using the semiconductor device according to each embodiment of the present invention.
  • the front axles DS-F1 and DS-F2 of the front wheels WH-F are mechanically connected to the end of the output shaft of the motor M.
  • the output of the motor M is transmitted to the front wheel axles DS-F1, DS-F2 to rotate the front wheel axles DS-F1, DS-F2.
  • the front wheels WH-F are rotationally driven by the rotational drive of the front wheel axles DS-F1 and DS-F2, and the electric vehicle having the illustrated configuration is driven.
  • the front wheel axles DS-F1 and DS-F2 are rotationally driven by the motor M to rotate the front wheels WH-F. May be rotated to drive the rear wheel 2 to rotate.
  • the motor M, the radiator 2, the pump 3, and the semiconductor device 100 are connected by a flow path shown by a dotted line, and the semiconductor device 100 is cooled by the cooling water of the motor M.
  • the AC side of the semiconductor device 100 is electrically connected to the stator winding of the module M.
  • the semiconductor device 100 is a power converter that converts DC power into three-phase AC power, and controls the driving of the motor M.
  • Battery B A is electrically connected to the DC side of semiconductor device 100.
  • the front wheels WH-F are driven by the motor M when the electric vehicle is running (starting, running, accelerating, etc.). Therefore, DC power is supplied to the semiconductor device 100 from the battery BA. The supplied DC power is converted into three-phase AC power by the semiconductor device 100. The three-phase AC power obtained in this way is supplied to the stator winding of the motor M. As a result, the motor M is driven to generate a rotation output. This rotational output is distributed to the left and right and transmitted to the front wheel axle DS-F1 on one of the front wheels WH-F and the front wheel axle DS-F2 on the other of the front wheels WH-F. Thus, the front wheel axles DS-Fl and DS-F2 are rotationally driven. The front wheels WH-F are rotationally driven by the rotational driving of the front wheel axles DS-F1 and DS-F2.
  • the front wheels WH-F When the electric vehicle is regenerating (when depressing the brake, decelerating the accelerator, or stopping the accelerator), the front wheels WH-F The force is transmitted to the motor M via the front axle DS-Fl, 03-2, and the motor M is rotated. As a result, the motor M operates as a generator. By this operation, three-phase AC power is generated in the stator winding of the motor M. The generated three-phase AC power is converted into predetermined DC power by the semiconductor device 100. The DC power obtained by this conversion is supplied to battery BA. Thereby, battery BA is charged.
  • the life of the semiconductor device can be reduced, and the maintenance of an eight-wheel vehicle can be facilitated.

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Abstract

本発明の目的は、搭載部品の寿命を長くすることができる半導体装置を提供することにある。加熱部(1)と放熱器(2)により冷却用冷媒の温度を制御してなる冷却系を有する。半導体装置(100)は、この冷却系に接続され、冷却される。ここで、半導体装置(100)の稼動状況の変化が及ぼす冷却媒体への温度変化(ΔT2)より、冷却系の加熱部(1)と放熱器(2)により制御される温度の変化幅(ΔT1)が大きい(ΔT1>ΔT2)ものである。

Description

半導体装置 技術分野
本発明は、 半導体装置に係り、 特に、 モーター駆動などに用いるインバー夕装 置のような電力調整用半導体装置に関する。 背景技術 明 従来、 電力変換等に用いられるインバータ等のパワーデバイスを搭載した半導 体装置は、 デバイスの温度が動作時にこれを書構成するデバイスの動作温度以下と なるように、 空気あるいは水等を用いて冷却している。 従来の冷却構造としては、 例えば、 特開平 1 0— 7 5 5 8 3号公報に記載されているように、 インバ一タ装 置の上面と下面に、 冷却器により冷却するものが知られている。 発明の開示
しかしながら、 特開平 1 0— 7 5 5 8 3号公報に記載の構造では、 インバ一タ を動作させると、 インバー夕において電圧あるいは電流等を制御するパワーデバ イスが動作することによって発生した熱によりこれを冷却するための冷却水へ熱 が伝わり冷却水温度が変化したり、 ィンバ一夕を構成するパワーデバイスの動作 を制御するためのマイコンやこれを動作するための電源やコンデンサ等の動作に よってィンバ一夕装置内部の温度が変化する。 半導体装置を構成する電子部品お よびその接続部は、 半導体装置の動作による冷却水温度変化による温度変化サイ クルを受け、 これらが搭載部品の寿命減少要因の一つとなる。
本発明の目的は、 搭載部品の寿命を長くすることができる半導体装置を提供す ることにある。
( 1 ) 上記目的を達成するため、 本発明は、 加熱部と放熱器により冷却用冷媒 の温度を制御してなる冷却系を有し、 この冷却系に接続され、 冷却される半導体 装置であって、 前記半導体装置の稼動状況の変化が及ぼす冷却媒体への温度変化 (△ T 2 )より、 前記冷却系の加熱部と放熱器により制御される温度の変化幅(△ Τ 1 )が大きい (Δ Τ 1〉厶 Τ 2 ) ものである。
かかる構成により、 搭載部品の寿命を長くすることができる。
( 2 ) また、 上記目的を達成するため、 本発明は、 加熱部と放熱器により冷却 用冷媒の温度を制御してなる冷却系を有し、 この冷却系に接続されるとともに、 前記加熱部の発熱量よりも小さな発熱量を有するものである。
かかる構成により、 搭載部品の寿命を長くすることができる。
( 3 ) さらに、 上記目的を達成するため、 本発明は、 内燃機関と電動機を備え かつ電動機が電力変換装置によって制御される車両に備えられたものであって、 冷却媒体を冷却する冷却器と、 この冷却器によって冷却された前記冷却媒体を循 環するための循環器とを有するとともに、 前記冷却器によって冷却された冷却媒 体を前記循環器で循環し、 その冷却媒体で前記電力変換装置を冷却し、 前記電力 変換装置を冷却した冷却媒体で前記内燃機関或いは前記内燃機関と前記電動機を 冷却し、 前記内燃機関或いは前記内燃機関と前記電動機を冷却した冷却媒体を前 記冷却器で冷却するように冷却系統が構成されており、 前記冷却系統は、 前記内 燃機関と前記冷却器によって制御される冷却媒体の温度の変化幅 (Δ Τ 1 ) が、 前記電力変換装置の稼働状況の変化に応じた冷却媒体の、?显度変化 (Δ Τ 2 ) より も大きく (Δ Τ 1 > Δ Τ 2 ) なるように構成したものである。
かかる構成により、 搭載部品の寿命を長くすることができる。
( 4 ) また、 さらに、 上記目的を達成するため、 本発明は、 内燃機関と電動機 を備えた車両に搭載され、 バッテリから供給された電力を変換して前記電動機の 駆動を制御し、 かつ冷却器によって冷却された冷却媒体で前記内燃機関を冷却す るように構成された冷却システムの内燃機関上流側に配置されて冷却される車両 用電力変換装置であって、 容器と、 冷却システムから供給される冷却媒体が流通 する冷却通路と、 前記バッテリから供給された電力を変換するためのものであり、 かつ、 複数の半導体素子から構成された電力変換回路モジュールと、 前記半導体 素子の駆動を制御するためのものであり、 かつ、 複数の電子部品から構成された 変換回路制御基板と、 を有し、 前記容器は、 前記電力変換回路モジュール及び前 記変換回路制御基板を収納するものであって、 少なくとも前記電力変換回路モジ ユールの稼働状況の変化に応じた冷却媒体の温度の変化幅 (Δ Τ 2 ) が、 前記内 燃機関と冷却器によって制御される冷却媒体の温度の変化幅 (Δ Τ 1 ) よりも小 さく (Δ Τ 2く Δ Τ 1 ) なるように、 外部からの熱伝達を抑制するものである。 かかる構成により、 搭載部品の寿命を長くすることがでさる。 図面の簡単な説明
図 1は、 本発明の第 1の実施形態による半導体装置の冷却システムのシステム 構成図である。
図 2は、 本発明の第 1の実施形態による半導体装置の冷却システムにおける温 度変化推移を示すパターン図である。
図 3は、 本発明の第 1の実施形態による半導体装置の冷却システムにおける寿 命の説明図である。
図 4は、 本発明の第 1の実施形態による半導体装置の冷却システムに用いる冷 媒の温度依存性の説明図である。
図 5は、 本発明の第 1の実施形態による半導体装置の構成を示す部分断面の斜 視図である。
図 6は、 本発明の第 1の実施形態による半導体装置の組立工程を示す工程図で ある。
図 7は、 本発明の第 1の実施形態による半導体装置の組立工程を示す工程図で ある。
図 8は、 本発明の第 1の実施形態による半導体装置の組立工程を示す工程図で ある。
図 9は、 本発明の第 2の実施形態による半導体装置の構成を示す部分断面の斜 視図である。
図 1 0は、 本発明の第 2の実施形態による半導体装置の冷却システムにおける 温度変化推移を示すパ夕一ン図である。
図 1 1は、 本発明の第 3の実施形態による半導体装置の構成を示す部分断面の 斜視図である。
図 1 2は、 本発明の第 4の実施形態による半導体装置の構成を示す部分断面の 斜視図である。
図 1 3は、 本発明の第 5の実施形態による半導体装置の構成を示す部分断面の 斜視図である。
図 1 4は、 本発明の各実施形態による車両用出力伝達装置を用いた電動車両の 一つであるハイブリッド電気自動車の駆動システムのを示すブロック図である。 図 1 5は、 本発明の各実施形態による半導体装置を用いた電気自動車のシステ ムを示すブロック図である。 発明を実施するための最良の形態
以下、 図 1〜図 8を用いて、 本発明の第 1の実施形態による半導体装置の構成 について説明する。
最初に、 図 1を用いて、 本実施形態による半導体装置の冷却系の構成について 説明する。
図 1は、 本発明の第 1の実施形態による半導体装置の冷却システムのシステム 構成図である。
半導体装置 1 0 0は、 冷却のための媒体 9を流すパイプ 1 1を介して、 媒体を 流動させるためのポンプ 3と、 媒体を冷却するための放熱器 2と、 半導体装置 1 0 0以外の加熱部 1とに接続されている。 半導体装置 1 0 0は、 その内部にパヮ —デバイス等の発熱部を含んでおり、 第 1の加熱部を構成している。 この冷却系 において、 加熱部 1は、 第 1の加熱部である半導体装置 1 0 0の発熱量 Q 2より も大きな発熱量 Q l (Q 1 >Q 2 ) を有する第 2の加熱部である。 さらに、 放熱 器 2およびポンプ 3は、 加熱部 1の温度が特定の範囲内となるように調整される。 冷却用の媒体 9が通過する容量も、 加熱部 1の容量 V 1が半導体装置 1 0 0の容 量 V 2に比べて充分に大きく、 冷却用媒体の温度 Tは半導体装置 1 0 0の動作に よる温度変化を受け難い状態となっている。
加熱部 1としては、 例えば、 自動車のエンジンである。 エンジンとモータを駆 動力源とするハイブリット自動車の場合、 エンジンが第 1の加熱部であり、 モ一 夕を制御するインバー夕装置が半導体装置 1 0 0となり、 第 2の加熱部となる。 また、 モータ単体で駆動する電気自動車の場合、 大型モータを使用するため、 そ のモータを冷却する必要がある。 このような場合、 モー夕が第 1の加熱部であり、 モータを制御するインバー夕装置が半導体装置 1 0 0となり、 第 2の加熱部とな る。 さらに、 燃料電池車の場合、 発電時に発熱する燃料電池或いはモ一夕、 或い はその両方が第 1の加熱部であり、 駆動力源であるモー夕を制御するインバー夕 装置が半導体装置 1 0 0となり、 第 2の加熱部となる。
半導体装置 1 0 0の筐体には、 冷却用媒体を流すための流路 4が設けられ、 コ ンデンサ 6 , コントローラ 7, パヮ一デバイス搭載モジュール 1 2等力 S流路 4を 形成した筐体の内壁に取り付けられている。 半導体装置の筐体はアルミダイカス ト, S U S等が一般的であるが、 パワーデバイス搭載モジュール 1 2を搭載する 放熱部 5には、 熱伝導率の高い銅等にニッケルめっきを施したものを用い、 半導 体装置を構成する電子部品の損失による熱を冷却用媒体に伝えやすくする。
半導体装置 1 0 0の筐体に形成された流路 4に流入させる冷却用媒ィ本 9は、 冷 媒輸送用のパイプを分岐して、 半導体装置に設けた冷媒の流入口 1 O Aおよび排 出口 1 0 Bと連結させ筐体の複数面に設けた流路 4に冷却用媒体を流スさせるこ とにより、 筐体の複数面に冷却用媒体を流入させ、 パワーデバイス搭载モジュ一 ル 1 2 , コンデンサ 6, コントローラ 7等の冷却に用いることができる。 また、 筐体の壁内で流路 4を分岐して、 筐体の複数面に冷却用媒体を流入させ、 パワー デバイス搭載モジュール 1 2, コンデンサ 6 , コントローラ 7等の冷却に用いる ようにしてもよいものである。
また、 内燃機関等の加熱部 1に用いる冷却系統は一系統ではなく、 内燃機関の 運転状況が変化しても、 運転効率を考慮した温度となるように、 複数の冷却系統 を切り替えることにより温度調節可能な構造とすることもできる。 半導体装置 1 0 0の冷却用流路 4に流入させる冷却用の媒体は、 前述した温度調整後の媒体を 用いることにより、 冷却用媒体の温度へ半導体装置の動作の影響をほとんど受け ることなく、 内燃機関の運転状態に最適な温度幅となる状態に調整される。 した がって、 半導体装置 1 0 0の筐体には、 温度変化幅の少ない状態で温度制御され た媒体が通過する流路 4が設けられているため、 半導体装置 1 0 0を精成する電 子部品が搭載された筐体内の温度もほぼ冷却用媒体の温度変化範囲と同じ状態と なる。 ここで、 図 2及び図 3を用いて、 本実施形態による半導体装置の冷却系のよう に、 温度変化幅の少ない状態で温度制御された媒体による冷却する場合の効果に ついて説明する。
図 2は、 本発明の第 1の実施形態による半導体装置の冷却システムにおける温 度変化推移を示すパターン図である。 図 3は、 本発明の第 1の実施形態による半 導体装置の冷却システムにおける寿命の説明図である。
図 2において、 点線 Bは、 従来のようにインバ一夕用の冷却系のみを適用した 冷却水の温度を示したものである。 すなわち、 本実施形態のように、 第 1の加熱 部と第 2の加熱部を有さずに、 半導体装置のみを単独で冷却する冷却系を有する 場合である。 実線 Aは、 従来の構成において、 インバ一タ用の冷却系を適用した 時のインバー夕内部の温度を示したものである。 自動車を始動 (時間 t o ) し、 時間 t 1からインバー夕が動作すると、 インバー夕のパヮ一デバイス部の損失に よって冷却水温が高くなる。 その後運転を継続し、 インバー夕の冷却水温が温度 a °C以上になると、 冷却水温を下げるための放熱フアンにより温められた冷却水 は冷却され、 冷却水温度が a °Cから c °Cの範囲となるように調整される。 その後 も、 冷却水温度はアクセルの開閉等に応じてインバー夕の動作状況が変化し、 ィ ンバ一夕のパワーモジュール部の損失によって発生する熱により加熱され、 一方 で放熱ファンによる温度調節によって、 冷却水温度は^線 Bに示したように a °C から c t:の範囲で調整され変化する。 時間 t 3で運転を停止するとインバ一タか らの損失は無くなり、 冷却水温度は徐々に下がり、 時間 t 4で半導体装置の設置 されている雰囲気温度に達する。 なお、 図 2では、 説明簡略のため始動時の雰囲 気温度と停止時の雰囲気温度を同じとしている。
従来の方式では、 インバー夕内の温度変化も、 冷却水温変化と同様に、 自動車 を始動 (時間 t o ) しインバー夕が動作すると、 インバー夕のパワーデバイス部 による損失により冷却水が温められインバー夕内温度が高くなる。 その後運転を 継続し、 インバ一夕の冷却水温が温度 a °C以上になると、 冷却水温を下げるため の放熱ファンにより温められた冷却水は冷却され、 冷却水温度が a °Cから c °Cの 範囲となるように調整される。 さらに、 インバー夕の動作と同時にインバー夕を 制御するためのマイコンや電力用のコンデンサ等の損失により発生した熱でイン バ一タ内部が温められる。 したがって運転中のインバータ内の温度は冷却水より も高くなり b °Cから d の範囲で繰り返される。 時間 t 3で運転を停止するとィ ンバ一夕からの損失は無くなり、 冷却水温度の低下と共にィンバ一夕内の温度も 徐々に下がって行き、 時間 t 4で雰囲気温度に達する。 このように、 インバ一夕 内の温度は、 冷却水温度の変化のみならずィンバ一夕を構成する半導体等の損失 によって生じる熱の影響により変化することになる。
一方、 図 2の点線 Cは、 例えば発熱量の大きい自動車のエンジンを冷却するた めの冷却水温度変化を示したものであり、 実線 Dは、 本実施形態のように、 上記 冷却水を冷却水として用いたインバ一夕内の温度変化を示したものである。 内燃 機関用の冷却水は、 内燃機関の燃焼効率を考慮し高温でほぼ一定温度となるよう に、 内燃機関と冷却水容量, 冷却能力等の関係が調整されている。 したがって、 その冷却水温度は、 始動後上昇し一定時間後 (時間 t 2 ) 6 °<0から の温度範 囲で調整される。
インバー夕では電力調整用のパワーデバイスのみならず、 インバ一夕の動作を 制御するマイコンや電力用コンデンサ等損失の大きい部品はインバー夕の内壁等 を介しこの冷却水と接触する構造となっている。 そのため、 インバー夕の動作に よりこれを制御するマイコンゃ電力用コンデンサ等の損失により発生する熱は、 ィンバ一夕内壁を介して冷却水へ伝わるため、 ィンバータ装置内部の温度上昇に 対する影響が小さくなる。
内燃機関は、 燃焼による発熱量が大きくその冷却に際して、 発熱量に合わせて 多量の冷却水を使用するため冷却水の熱容量が大きい。 そのため、 インバー夕の 動作による冷却水温度への影響も少なく、 運転中のインバータ内部温度は冷却水 温度より僅かに大きい e °Cから g :の範囲となる。 時間 t 3で運転を停止すると インバー夕からの損失、 内燃機関による発熱は無くなり、 冷却水温度の低下と共 にインバー夕内の温度も徐々に下がっていく。 このとき、 内燃機関冷却用の冷却 水熱容量は従来例のインバ一タ専用の冷却水熱容量に比べて大きく冷え難いため、 従来例に比べて長い時間 t 5後に環境温度に達する。
したがって、 自動車に搭載されたインバー夕装置は、 従来の構造では実線 Aで 表される始動、 停止に伴う環境温度から d の範囲の温度サイクルと運転中に b °Cから の温度サイクルを受ける。 それに対して、 本実施形態の構造によれば、 実線 Dで表される始動、 停止に伴う環境温度から g°Cの範囲の温度サイクルと運 転中に e°Cから g の温度サイクルを受けることになる。 したがって、 半導体装 置 100の稼動状況の変化が及ぼす冷却媒体への温度変化(ΔΤ 2)に対して、 冷 却系の加熱部と放熱器により制御される温度が変化幅(ΔΤ 1)が、 ΔΤ 1>ΑΤ 2となる関係となっている。
このように繰り返し温度ストレスを受ける部品の寿命 Νは、 次式 (1) によつ て表される。
Ν = ΑΧΔΤ- Β … (1) ここで、 Αおよび Βは、 試験環境, 材料によって定まる値であり、 ΔΤは繰り返 し温度幅である。
したがって、 製品の寿命は、 運転,停止に伴う温度変化からなる式 (1) から 求められる寿命と、 運転中のインバ一タ動作による温度変化からなる式 (1) か ら求められる寿命の和によって表わすことができる。
ここで、 図 3を用いて、 運転時の最高温度と運転中の温度変化幅を変えたとき の部品寿命との関係を、 式 (1) に基づき計算した結果を示している。 寿命は運 転モデルによって変わるため、 任意とした。
図 3において、 点ィは、 運転時のィンバ一夕内部品の最高温度 1 20 °Cで運転 中の温度変化を 40°Cとして求めた点である。 点口は、 運 時のインバー夕内部 品の最高温度 130 で運転中の温度変化を 40°Cとして求めた点である。 運転 時のィンバータ内部品の最高温度が上昇すると、 始動 ·停止に伴う温度の繰り返 し幅が大きくなり寿命が低下する。
点ハは、 運転時のインバ一タ内部品の最高温度 120°Cで運転中の温度変化を 30°Cとして求めた点である。 点二は運転時のインバー夕内部品の最高温度は 1 30 で運転中の温度変化を 20 として求めた点である。 点口と点ハを比較す ると、 運転時のインバー夕内部品の最高温度が 120 と同じであっても、 運転 中の温度変化が 40 から 30 へと小さくなることで、 寿命が向上することが わかる。
同様に点ィと点二を比較すると、 運転時のインバ一タ内咅 1品の最高温度が 1 2 から 1 4 0 に上昇しても、 運転中の温度変化を 4 O :から 2 O tへと小さ くなることで、 寿命が向上できることがわかる。 運転中の温度変化を小さくする ことによる部品寿命への寄与は、 運転モデルによって変化するが、 その傾向は大 きく変わらない。
したがって、 図 2に示したインパ一夕内の温度変化パターンにおいても、 イン バー夕を構成する部品の損失の影響によりインバ一タ内の温度が変化する実線 A のパターンに比べて、 本実施形態のように、 実線 Dに示したようなインバ一タを 構成する部品の損失の影響が少なくなるようにすることにより、 インバー夕内の 寿命を向上することができる。
次に、 図 4を用いて、 本実施形態による半導体装置の冷却系に用いる冷媒の特 性について説明する。
図 4は、 本発明の第 1の実施形態による半導体装置の冷却システムに用いる冷 媒の温度依存性の説明図である。
本実施形態の冷却用媒体として、 水あるいは水にエチレングリコ一ル、 プロピ レンダリコール、 ブチレングリコール等のアルコール類を 1種類以上配合し、 さ らに必要に応じて、 チアゾ一ル、 トリァゾールや、 リン酸、 カルボン酸等からな る防鲭剤、 酸化防止剤、 消泡剤等を適宜添加したものを、 7 0 以上 1 0 0 °C未 満の範囲で使用することができる。
図 4は、 水の粘度の温度依存性を示したものである。 ァリレコール類等は、 冷却 性能や使用環境を考慮し、 約 2 0 %から 5 0 %の濃度範囲で使用可能であり、 こ のときの粘度の温度変化は、 水の場合とほぼ同じ傾向を示す。 そこで、 冷却用媒 体の温度を 7 0 以上 1 0 0 °C未満とすることにより、 冷却媒体の粘度をほぼ一 定とすることが可能となり、 ポンプによる冷却用媒体の液速変化が少なくなり、 半導体装置運転中の冷却用媒体による温度変化を小さくすることができる。 これ により、 さらなる半導体装置の信頼性および寿命向上が可肯 となる。
次に、 図 5を用いて、 本実施形態による半導体装置の冷却構造について説明す る。 図 5は、 本発明の第 1の実施形態による半導体装置の構成を示す部分断面の斜 視図である。 なお、 図 1と同一符号は、 同一部分を示している。
半導体装置 1 0 0は、 所望の機能を発現させるための各種電子部品 6, 7, 1 2と、 これを収納するための筐体 2 0とからなる。 筐体 2 0には、 冷却媒体を流 動させるための流路 4と、 冷媒の入出を行うための入出口 1 0と、 電子機器を制 御するための信号入出力端子 2 1と、 信号により制御された電力等の入出力端子 2 2が設けられている。 信号入出力端子 2 1はコネクタによって接続されるため、 端子周囲にコネクタ連結用のカバ一等が設けられる。 また、 信号によって [J御さ れた電力の入出力端子 2 2は、 一般に電圧あるいは電流の大きいものが用レゝられ るため、 半導体装置と電力用配線ケーブルを固定するためのポルト ·ナツ卜を設 けたり、 あるいは電力用配線ケーブルを固定するポルトを通すための穴を開けた りして使用する。
前述したように、 半導体装置 1 0 0の温度変化が少ないほど、 半導体装置 1 0 0の寿命を長くすることができる。 そのため、 第 1には、 エンジン等の発熱量の 大きな加熱部を冷却する冷媒により、 半導体装置 1 0 0を冷却している。 そして、 第 2には、 半導体装置 1 0 0の外部の温度変化による影響を受けにくい筐体構造 としている。 すなわち、 冷媒用の流路 4は、 筐体 2 0の壁面内部の全ての面に設 けられている。 例えば、 筐体 2 0が、 直方体形状であるとすると、 筐体 2 0の上 面に形成された流路 4 Aと、 筐体 2 0の下面に形成された流路 4 Bと、 筐体 2 0 の左側面に形成された流路 4 Cと、 筐体 2 0の右側面に形成された流路 4 Dと、 筐体 2 0の手前の側面に形成された流路 4 Eと、 図示は省略されているが敏体 2 0の奥方向の側面に形成された流路との 6面の流路を備えている。 ここで、 流路 4は、 筐体の壁面内部で細かく分割されていても良いし、 筐体の壁面内部一面に 広がった状態でも良いものである。 また、 流路 4の内部にフィン状の凹凸を設け、 流路内部の表面積を増やすことで冷却効率を向上することも可能である。
このように、 筐体 2 0の壁面内の冷媒用流路を増加することにより、 筐体外部 の温度変化による筐体内部への温度変化の影響を低減することができる。 したが つて、 半導体装置 1 0 0の寿命を長くすることができる。
半導体装置 1 0 0を構成する主要部品で損失の大きい電子部品は、 流路 4が形 成された筐体の内壁に固定される。 コンデンサ 6は、 熱伝導ペースト (図示せ ず) 等を介して筐体 2 0の内壁に固定治具 2 3等を用いて接触するように固定さ れ、 半導体装置動作時のコンデンサ 6部の損失による熱を筐体を介し冷却用媒体 へ伝達する。
また、 半導体装置 1 0 0の動作を制御する電子部品のうち、 損失の大きいマイ コン等の電子部品 7は、 予め基板 2 4に搭載した後、 熱伝導ペースト (図示せ ず) 等を介して筐体 2 0の内壁に固定したり、 電子部品の放熱器 (フィン) 部を 筐体 2 0の内壁に固定したりすることにより、 電子部品の損失により生じた熱を 筐体を介し冷却用媒体へ伝達する。
さらに、 損失の大きいパワーデバイスを搭載したモジュール 1 2は、 窒化珪素, 窒化アルミニウム等の熱伝導率の大きい基板の電極パターン上にパワー用半導体 素子をはんだ等を用いて搭載し、 半導体素子上の電極と基板上の電極をアルミ線 等を用いて接続し、 さらにこの基板を銅やモリブデン、 アルミ等からなる放熱板 5にはんだ等を用いて接続したもので、 放熱板を熱伝導ペース卜等により筐体 2 0の内壁に固定したり、 筐体内壁に予め設けた開口部に設置することにより冷却 用媒体流動用の流路が形成できるように上記放熱板部分を固定することで、 パヮ 一用半導体素子の損失 (発熱) による熱を筐体を介し冷却用媒体へ伝達する。 なお、 損失 (発熱) の少ない電子部品 2 5は、 基板 2 7に搭載した後、 スぺ一 サ 2 6を介して基板 2 7を筐体 2 0に固定する等、 特に筐体への熱伝達を考慮し た構造にしなくても良いし、 損失の大きい他の電子部品のように、 搭載基板を筐 体 2 0の内壁に固定することも可能である。 電子部品およびこれを搭載した基板 の筐体内部への固定は、 必ずしも筐体内部の上下面に限定されず、 電子部品の寸 法、 損失量によって調整可能であり筐体内壁の冷却用流路を設けた側面に上述し た方法と同様な方法により固定することもできる。
以上の構成により、 半導体装置 1 0 0を構成する電子部品の動作損失により発 生した熱を筐体から冷媒を介して放熱機へ伝えることが可能となり、 半導体装置 を構成する電子部品の損失による筐体内部温度への影響を低減させ、 筐体内の温 度上昇を抑えることができる。
したがって、 半導体装置の周囲温度が変化してもその温度変化が筐体内部に伝 わり難くし、 半導体装置を構成する電子部品の損失による筐体内への熟の影響を 少なくすることができることから、 半導体装置の運転に伴う筐体内部の温度変化 を小さくすることが可能となり搭載した電子部品の信頼性向上、 寿命向上を図る ことができる。
次に、 図 6〜図 8を用いて、 本実施形態による半導体装置の組立工程について 説明する。
図 6〜図 8は、 本発明の第 1の実施形態による半導体装置の組立工程を示すェ 程図である。 なお、 図 5と同一符号は、 同一部分を示している。
本実施形態では、 半導体装置構成部品の搭載が容易となるように、 置体 2 0を 2つに分割して組み立てるようにしている。
図 6は、 分割した半導体装置の下側の部分の組立工程を示している。 図 6 ( a ) に示すように、 予め、 下側の筐体 2 0 aの底面 (1面) および假 [J面 (4 面) に冷却用媒体を流動する流路 4 B, 4 E , 4 Fを形成してある。 なお、 図 5 に示した左右側面の流路 4 C, 4 Dは、 図示されていないものである。 また、 筐 体 2 0 aには、 冷却用媒体の給排出口 1 0 A, 1 0 Bと、 制御信号導人用のコネ クタ 2 1を形成してある。 筐体 2 0 aは、 アルミダイカスト製である。 筐体 2 0 aの内側底部には、 放熱部 5が形成されている。 筐体 2 0 aの放熱部 5 の上の位 置に、 パワーデバイスモジュール 1 2が、 熱伝導グリース (図示せず) 等を介し てポルト等 (図示せず) により固定される。
次に、 図 6 ( b ) に示すように、 パワーデバイスモジュール 1 2と $11御信号の 配線を行った後、 損失の少ない部品を搭載した基板を固定するためのスぺーサ 2 6を、 筐体 2 0 aの内側に固定する。
次に、 図 6 ( c ) に示すように、 部品を搭載した基板 8をスぺーザの所定位置 に搭載し、 図 6 ( d ) に示すように、 ポルト 9 1で固定し、 さらに、 パワーデバ イスモジュール、 筐体に設けたコネクタ部との配線を行い、 分割した半導体装置 の一部が形成される。
図 7は、 分割した半導体装置の上側の部分の組立工程を示している。 図 7
( a ) に示すように、 上側の筐体 2 O bには、 冷却用媒体用の上側の流路 4 Aが 形成されている。 また、 筐体 2 0 bには、 給排ロ 1 O A, 1 0 Bが設けられてい る。 筐体 2 0 bは、 アルミダイカスト製である。 上側の筐体 2 0 bの内側に、 損 失の大きい制御用電子部品 7を予め搭載した基板 2 4やコンデンサ 6を、 熱伝導 グリース (図示せず) 等を介して所定の位置に搭載する。
次に、 図 7 ( b ) に示すように、 制御用電子部品 7を搭載した基板 2 4がポル ト 9 1を用いて筐体 2 0 bの内壁に固定される。 コンデンサ 6は、 筐体 2 O bへ の熱伝導性をより向上させるため、 固定治具 2 3を用いて筐体 2 O bと密着させ ると共に、 コンデンサ 6のうち筐体と接していない面からの熱伝導も確保する。 その後、 必要な基板間の配線接続を行い、 図 7 ( c ) に示した分割した半導体 装置の上側の部分が形成される。
図 8は、 図 6及び図 7に示した工程で製造した分割した半導体装置を組み合わ せ、 所望の半導体装置とする組立工程を示している。 図 8 ( a ) に示すように、 分割した半導体装置 2 0 a , 2 O bの間の制御信号、 電力等にかかわる配線を行 い、 その後お互いの半導体装置の開口部を組み合わせる。
次に、 図 8 ( b ) に示すように、 分割部分をポルト 9 2により固定し、 本実施 形態による半導体装置 1 0 0が完成する。
図 8 ( c ) に示すように、 組み立てた半導体装置 1 0 0と、 加熱機, ポンプ, 放熱機等と接続して温度調整がなされた冷却用媒体を流動させるパイプ 1 1を半 導体装置の給排ロ 1 0 A, 1 0 Bに接続し、 本実施形態による半導体装置を用い た冷却系が得られる。
本実施形態の半導体装置の組立工程において、 各電子部品の搭載方法, 順序お よび、 半導体装置の分割方法は、 必ずしもこの方法に固定されず、 他の分割方法、 搭載順序によっても組み立て可能である。
以上説明したように、 本実施形態によれば、 熱容量の大きい加熱部を冷却する 冷却媒体により、 半導体装置も冷却するようにしているので、 冷媒の温度変化が 小さく、 半導体装置の寿命を長くすることができる。 さらに、 半導体装置の筐体 の各面に冷却媒体の流路を設けて、 周囲の温度変化を影響を受けにくくしている ので、 運転中の半導体装置内の温度変化を小さくすることが可能となり、 半導体 装置の信頼性や、 搭載部品の接続寿命を向上することができる。
次に、 図 9及び図 1 0を用いて、 本発明の第 2の実施形態による半導体装置の 構成について説明する。 なお、 本実施形態による半導体装置の冷却系の構成は、 図 1に示したものと同様である。
図 9は、 本発明の第 2の実施形態による半導体装置の構成を示す部分断面の斜 視図である。 なお、 図 5と同一符号は、 同一部分を示している。 図 1 0は、 本発 明の第 2の実施形態による半導体装置の冷却システムにおける温度変化推移を示 すパターン図である。 なお、 図 2と同一符号は、 同一部分を示している。
本実施形態の半導体装置 1 0 O Aでは、 冷媒流入用の流路 4の上面側に冷却板 (放熱部) 5が設けられ、 この冷却板 5にパワー半導体モジュール 1 2等を熱伝 導べ一スト等を介して固定され、 また、 流路 4の下面側には、 コンデンサ 6 , 制 御部品 7を搭載した基板 2 4が、 熱伝導ペースト等を介して固定される。 パワー 半導体モジュール 1 2やコンデンサ 6, 制御部品 7を搭載した基板 2 4は、 熱伝 導率の小さい材料で形成された筐体 3 1で覆われている。 冷媒流入用の流路 4に は、 冷却用媒体の給排出口 1 0 A. 1 0 Bが設けられ、 図 1に示した加熱部 1 、 放熱機 2、 ポンプ 3等によつて温度調節された冷却用媒体が供給される。
筐体 3 1に用いる熱伝導率の小さい材料としては、 例えば, 微細なシリカ粉か らなるフォーム材の両面をアルミニウムやステンレス板で覆ったものや、 フエノ —ル樹脂等の樹脂をバインダーとしたグラスゥ一ルをアルミニウムやステンレス 板で挟んだもの、 あるいはこれら金属板の代わりに、 ポリフエ二レンサルフアイ ド、 ポリエーテルイミド、 ポリエーテルエーテルケトンなども使用可能である。 この構造では、 筐体を構成する筐体 3 1は熱伝導率の小さい材料で形成されて いるため、 ケース内部の温度は半導体装置外部の温度変化の影響を受け難く、 冷 却板 5内の冷却用媒体温度と搭載した電子部品の損失による筐体内部への熱の影 響によって決まる。
その結果、 図 1 0に示すように、 始動 ·停止から次の始動 '停止までの間にィ ンバ一夕内の温度が半導体装置が設置された雰囲気温度 h まで下がり難い構造 となるため、 次回始動 t 6時の温度を h °Cよりも高い i °Cとすることができ、 始 動 ·停止に伴う温度変化幅を小さくできる。
半導体装置を構成する電子部品の損失による熱は、 これら電子部品を搭載した 冷却板 5に形成された流路を流れる冷却媒体によって放熱機に伝達されるため、 筐体内部への電子部品の損失による熱の影響を少なくし、 半導体装置の運転に伴 う筐体内部の温度変化を小さくすることが可能となり搭載した電子部品の信頼性 向上、 寿命向上を図ることができる。 - 以上説明したように、 本実施形態によれば、 熱容量の大きい加熱部を冷却する 冷却媒体により、 半導体装置も冷却するようにしているので、 冷媒の温度変化が 小さく、 半導体装置の寿命を長くすることができる。 さらに、 半導体装置の筐体 を熱伝導率の小さい材料で形成することにより、 周囲の温度変化を影響を受けに くくしているので、 運転中の半導体装置内の温度変化を小さくすることが可能と なり、 半導体装置の信頼性や、 搭載部品の接続寿命を向上することができる。 次に、 図 1 1を用いて、 本発明の第 3の実施形態による半導体装置の構成につ いて説明する。 なお、 本実施形態による半導体装置の冷却系の構成は、 図 1に示 したものと同様である。
図 1 1は、 本発明の第 3の実施形態による半導体装置の構成を示す部分断面の 斜視図である。 なお、 図 5と同一符号は、 同一部分を示している。
本実施形態では、 半導体装置 1 0 0 Bの筐体の上面と下面には、 冷却媒体を流 すための流路が設けられている。 また、 左右側面と前後側面の筐体 3 2を、 熱伝 導率の小さい材料で形成している。
これにより、 熱容量の大きい加熱部を冷却する冷却媒体により、 半導体装置も 冷却するようにしているので、 冷媒の温度変化が小さく、 半導体装置の寿命を長 くすることができる。 さらに、 半導体装置の筐体の上下面は、 冷却媒体の流路を 形成し、 他の面を熱伝導率の小さい材料で形成することにより、 周囲の温度変化 の影響を受けにくくしているので、 運転中の半導体装置内の温度変化を小さくす ることが可能となり、 半導体装置の信頼性や、 搭載部品の接続寿命を向上するこ とができる。
次に、 図 1 2を用いて、 本発明の第 4の実施形態による半導体装置の構成につ いて説明する。 なお、 本実施形態による半導体装置の冷却系の構成は、 図 1に示 したものと同様である。
図 1 2は、 本発明の第 4の実施形態による半導体装置の構成を示す部分断面の 斜視図である。 なお、 図 5と同一符号は、 同一部分を示している。 本実施形態の半導体装置 1 0 0 Cは、 図 1に示した半導体装置 1 0 0の周囲に、 隙間を設けて筐体 3 3で覆うようにして、 この隙間に、 断熱層 4 0を設けている。 半導体装置の外周に設ける断熱層 4 0としては、 例えば, 微細なシリカ粉からな るフォーム材の両面をアルミニウムやステンレス板で覆ったものや、 フエノール 樹脂等の樹脂をバインダーとしたグラスウールをアルミニウムやステンレス板で 挟んだものなどが使用可能である。 さらに、 断熱層の外側は、 ポリフエ二レンサ ルファイド、 ポリエーテルイミド、 ポリエーテルエーテルケトン等のように耐熱 性があり熱伝導率の小さい樹脂材料を用いることにより、 この半導体装置が設置 される環境温度の変化をさらに受け難くすることができる。
また、 断熱層 4 0には特に断熱材を挿入しなくても、 この半導体装置が設置さ れる雰囲気の空気と混ざらないような空気層を形成したり、 真空の層を形成した りすることにより断熱材と同等の効果を得ることも可能である。
このように、 冷却媒体の流路を設けた半導体装置の周囲を断熱層 4 0で囲むこ とにより、 半導体装置内部に及ぼす周囲温度変化の影響を低減して半導体内部の 温度変化をさらに小さくし、 半導体装置の信頼性、 寿命等を向上することが可能 となる。
次に、 図 1 3を用いて、 本発明の第 5の実施形態による半導体装置の構成につ いて説明する。 なお、 本実施形態による半導体装置の冷却系の構成は、 図 1に示 したものと同様である。
図 1 3は、 本発明の第 5の実施形態による半導体装置の構成を示す部分断面の 斜視図である。 なお、 図 5と同一符号は、 同一部分を示している。
本実施形態の半導体装置 1 0 0 Dは、 図 1に示した半導体装置 1 0 0の周囲に、 隙間を設けて筐体 3 3で覆うようにして、 この隙間に、 蓄熱層 5 0を設けたもの である。 蓄熱層 5 0に用いる蓄熱材としては、 酢酸ナトリウム水和物、 水和塩系 蓄熱材等の潜熱蓄熱材が使用可能である。 さらに蓄熱層の外壁には、 ポリフエ二 レンサルファイド、 ポリエーテルイミド、 ポリエーテルエ一テルケトン等のよう に耐熱性があり熱伝導率の小さい樹脂材料を用いることも可能である。
蓄熱層 5 0を半導体装置の周囲に装着することにより、 半導体装置運転中は冷 却用媒体からの熱を吸収し蓄熱材が溶融し、 運転を停止し冷却用媒体温度が下が つてくると蓄熱材が固化し凝固時の潜熱を放出して、 半導体装置部の温度低下速 度を緩やかにする。 すなわち、 図 1 0に示したように、 運転停止時 t 3からの温 度低下が緩やかとなるため、 次回の始動までの時間が短く半導体装置の温度が環 境温度 h °Cまで下がる前に次回の始動を時間 t 6で行った場合、 半導体装置の温 度が iでまでしか下がらずに始動することになる。 この場合、 半導体装置の始動 から運転に伴う温度変化範囲は i から g °Cまでとなり、 半導体装置の周囲に蓄 熱層を設けない場合の始動から運転に伴う温度変化範囲となる h °Cから g °Cに比 ベて、 温度変化範囲が狭くなる。
このように、 冷却媒体の流路を設けた半導体装置の周囲を蓄熱層 5 0で囲むこ とにより、 半導体装置内部に及ぼす周囲温度変化の影響を低減して半導体内部の 温度変化をさらに小さくし、 半導体装置の信頼性、 寿命等を向上することが可能 となる。
次に、 図 1 4を用いて、 本発明の各実施形態による車両用出力伝達装置を用い た電動車両の一つであるハイプリッド電気自動車の駆動システムの構成について 説明する。
図 1 4は、 本発明の各実施形態による車両用出力伝達装置を用いた電動車両の 一つであるハイプリッド電気自動車の駆動システムのを示すブロック図である。 本実施形態のハイブリツド電気自動車は、 内燃機関であるエンジン E Nとモ一 夕 ·ジェネレータ M Gによって前輪 WH—Fを、 モータ Mによって後輪 WH— R をそれぞれ駆動するように構成された四輪駆動式のものである。 尚、 本実施形態 では、 エンジン E Nとモータ 'ジェネレータ M Gによって前輪 WH— Fを、 モ一 夕 Mによつて後輪 WH— Rをそれぞれ駆動する場合について説明するが、 ェンジ ン E Nとモータ ·ジェネレータ M Gによって後輪 WH—Rを、 モータ Mによって 前輪 WH— Fをそれぞれ駆動するようにしてもよい。
エンジン E Nと、 放熱機 2と、 ポンプ 3と、 半導体装置 1 0 0は、 点線で示す 流路で接続されており、 半導体装置 1 0 0は、 エンジン E Nの冷却水で冷却され る。
前輪 WH— Fの前輪車軸 D S— Fには差動装置 (図示省略) を介して変速機 T Mが機械的に接続されている。 変速機 TMには出力制御機構 (図示省略) を介し てエンジン ENとモータ ·ジェネレータ MGが機械的に接続されている。 出力制 御機構 (図示省略) は、 回転出力の合成や分配を司る機構である。 モー夕 ·ジェ ネレ一夕 MGの固定子巻線には、 前述した半導体装置 100 (10 OA, 100 B, 100 C, 100D) であるインバー夕の交流側が電気的に接続されている。 インバー夕は、 直流電力を三相交流電力に変換する電力変換装置であり、 モータ -ジェネレータ MGの駆動を制御するものである。 半導体装置 100の直流側に はバッテリ B Aが電気的に接続されている。
後輪 WH— Rの後輪車軸 D S-R 1, DS-R2にはモータ Mが機械的に接続 されている。 モー夕 Mの固定子巻線には半導体装置 100の交流側が電気的に接 続されている。 ここで、 半導体装置 100はモータ ·ジェネレータ MGとモータ Mの電動機に対して共用のものであり、 モー夕 ·ジェネレータ MG用の変換回路 部と、 モー夕 Mの電動機の変換回路部と、 それらを駆動するための駆動制御部と を有する。
八イブリツド電気自動車の始動時及び低速走行時 (エンジン ENの運転効率 (燃費) が低下する走行領域) は、 モータ ·ジェネレータ MGによって前輪 WH _Fを駆動する。 尚、 本実施形態では、 ハイブリッド電気自動車の始動時及び低 速走行時、 モータ ·ジェネレータ MGによって前輪 WH—Fを駆動する場合につ いて説明するが、 モータ 'ジェネレータ MGによって前輪 WH—Fを駆動し、 モ —夕 Mによつて後輪 WH— Rを駆動するようにしてもよい (四輪駆動走行をして もよい)。 半導体装置 100にはバッテリ B Aから直流電力が供給される。 供給さ れた直流電力は半導体装置 100によって三相交流電力に変換される。 これによ つて得られた三相交流電力はモー夕 ·ジェネレータ MGの固定子巻線に供給され る。 これにより、 モ一夕 ·ジェネレータ MGは駆動され、 回転出力を発生する。 この回転出力は出力制御機構 (図示省略) を介して変速機 TMに入力される。 入 力された回転出力は変速機 TMによって変速され、 差動装置 (図示省略) に入力 される。 入力された回転出力は差動装置 ('図示省略) によって左右に分配され、 前輪 WH_ Fの一方における前輪車軸 D S-Fと前輪 WH— Fの他方における前 輪車軸 DS— Fにそれぞれ伝達される。 これにより、 前輪車軸 DS— Fが回転駆 動される。 そして、 前輪車軸 DS— Fの回転駆動によって前輪 WH— Fが回転駆 動される。
八イブリツド電気自動車の通常走行時 (乾いた路面を走行する場合であって、 エンジン E Nの運転効率 (燃費) が良い走行領域) は、 エンジン E Nによって前 輪 WH— Fを駆動する。 このため、 エンジン E Nの回転出力は出力制御機構 (図 示省略) を介して変速機 TMに入力される。 入力された回転出力は変速機 TMに よって変速される。 変速された回転出力は差動装置 (図示省略) を介して前輪車 軸 D S— Fに伝達される。 これにより、 前輪 WH— Fが回転駆動される。 また、 バッテリ B Aの充電状態を検出し、 バッテリ B Aを充電する必要がある場合は、 エンジン E Nの回転出力を、 出力制御機構 (図示省略) を介してモータ 'ジエネ レ一タ M Gに分配し、 モ一夕 ·ジェネレータ M Gを回転駆動する。 これにより、 モ一夕 .ジェネレータ M Gは発電機として動作する。 この動作により、 モータ . ジェネレータ M Gの固定子巻線に三相交流電力が発生する。 この発生した三相交 流電力は半導体装置 1 0 0によって所定の直流電力に変換される。 この変換によ つて得られた直流電力はバッテリ B Aに供給される。 これにより、 バッテリ B A は充電される。
ハイブリツド電気自動車の四輪駆動走行時 (雪道などの低 路を走行する場合 であって、 エンジン E Nの運転効率 (燃費) が良い走行領域) は、 モー夕 M よ つて後輪 WH— Rを駆動する。 また、 上記通常走行と同様に、 エンジン E Nによ つて前輪 WH— Fを駆動する。 さらに、 モータ Mの駆動によってバッテリ B Aの 蓄電量が減少するので、 上記通常走行と同様に、 エンジン E Nの回転出力によつ てモ一夕 ·ジェネレータ M Gを回転駆動してバッテリ B Aを充電する。 モータ M によって後輪 WH— Rを駆動するめに、 半導体装置 1 0 0にはバッテリ B Aから 直流電力が供給される。 供給された直流電力は半導体装置 1 0 0 I NVによって 三相交流電力に変換され、 この変換によって得られた交流電力がモータ Mの固定 子巻線に供給される。 これにより、 モー夕 Mは駆動され、 回転出力を発生する。 発生した回転出力は左右に分配され、 後輪 WH— Rの一方における後輪車軸 D S 一 R 1と後輪 WH— Rの他方における後輪車軸 D S - R 2にそれぞれ伝達される。 これにより、 後輪車軸 D S— F 4回転駆動される。 そして、 後輪車軸 D S— R 1 , D S— R 2の回転駆動によつて後輪 WH - Rが回転駆動される。 ハイブリツド電気自動車の加速時は、 エンジン E Nとモー夕 ·ジェネレータ M Gによって前輪 WH— Fを駆動する。 尚、 本実施形態では、 ハイブリッド電気自 動車の加速時、 エンジン E Nとモ一夕 ·ジェネレータ M Gによって前輪 WH—F を駆動する場合について説明するが、 エンジン E Nとモー夕 ·ジェネレータ M G によつて前輪 WH— Fを駆動し、 モータ Mによつて後輪 WH - Rを駆動するよう にしてもよい (四輪駆動走行をしてもよい)。 エンジン E Nとモー夕 ·ジエネレー 夕の回転出力は出力制御機構 (図示省略) を介して変速機 TMに入力される。 人 力された回転出力は変速機 TMによって変速される。 変速された回転出力は差 ij 装置 (図示省略) を介して前輪車軸 D S— Fに伝達される。 これにより、 前輪 W H—Fが回転駆動される。
ハイブリッド電気自動車の回生時 (ブレーキを踏み込み時, アクセルの踏み みを緩めた時或いはアクセルの踏み込みを止めた時などの減速時) は、 前輪 WH 一 Fの回転出力を前輪車軸 D S— F , 差動装置 (図示省略)、 変速機 TM、 出力制 J 御機構 (図示省略) を介してモータ ·ジェネレータ M Gに伝達し、 モ一夕ジエネ レ一タ M Gを回転駆動する。 これにより、 モータ ·ジェネレータ M Gは発電機と して動作する。 この動作により、 モータ ·ジェネレータ M Gの固定子巻線に三相 交流電力が発生する。 この発生した三相交流電力は半導体装置 1 0 0によって所 定の直流電力に変換される。 この変換によって得られた直流電力はバッテリ B A に供給される。 これにより、 バッテリ B Aは充電される。 一方、 後輪 WH— Rの 回転出力を後輪車軸 D S— R 1, D S—R 2介してモータ Mに伝達し、 モ一夕 M を回転駆動する。 これにより、 モータ Mは発電機として動作する。 この動作によ り、 モータ Mの固定子巻線に三相交流電力が発生する。 この発生した三相交流電 力は半導体装置 1 0 0によって所定の直流電力に変換される。 この変換によって 得られた直流電力はバッテリ B Aに供給される。 これにより、 バッテリ B Aは充 電される。
なお、 冷却流路には、 エンジン E Nと、 放熱機 2と、 ポンプ 3と、 半導体装置 1 0 0とに、 モータ ·ジェネレータ M Gを加えるようにしてもよいものである。 本実施形態の電機駆動システムによれば、 半導体装置の寿命を長くて、 ハイブ リット自動車のメンテナンスを容易にすることができる。 次に、 図 15を用いて、 本発明の各実施形態による半導体装置を用いた電動車 両の一つである電気自動車のシステムの構成について説明する。
図 15は、 本発明の各実施形態による半導体装置を用いた電気自動車のシステ ムを示すブロック図である。
モ一夕 Mの出力軸の端部には前輪 WH— Fの前輪車軸 DS -F 1, DS-F 2 が機械的に接続されている。 これにより、 モータ Mの出力は前輪車軸 DS— F 1, DS— F 2に伝達されて前輪車軸 DS— F 1, DS— F 2を回転駆動する。 そし て、 前輪車軸 DS— F 1, DS— F 2の回転駆動によって前輪 WH— Fが回転駆 動させ、 図示する構成の電気自動車が駆動される。 尚、 本実施形態では、 モ一夕 Mによって前輪車軸 DS— F 1, DS— F 2を回転駆動して前輪 WH—Fを回転 駆動する場合について説明するが、 モー夕 Mによって後輪車軸 4を回転駆動して 後輪 2を回転駆動するようにしてもよい。
モータ Mと、 放熱機 2と、 ポンプ 3と、 半導体装置 100は、 点線で示す流路 で接続されており、 半導体装置 100は、 モー夕 Mの冷却水で冷却される。
モ一夕 Mの固定子巻線には半導体装置 100の交流側が電気的に接続されてい る。 半導体装置 100は、 直流電力を三相交流電力に変換する電力変換装置であ り、 モータ Mの駆動を制御するものである。 半導体装置 10 0の直流側にはバッ テリ B Aが電気的に接続されている。
電気自動車の力柠時 (始動時、 走行時、 加速時など) は、 モータ Mによって前 輪 WH— Fを駆動する。 このため、 半導体装置 100にはバッテリ BAから直流 電力が供給される。 供給された直流電力は半導体装置 100によって三相交流電 力に変換される。 これによつて得られた三相交流電力はモータ Mの固定子巻線に 供給される。 これにより、 モ一夕 Mは駆動され、 転出力を発生する。 この回転 出力は左右に分配され、 前輪 WH— Fの一方における前輪車軸 DS— F 1と前輪 WH— Fの他方における前輪車軸 DS— F 2にそれぞれ伝達される。 これにより、 前輪車軸 DS— F l, DS— F 2が回転駆動される。 そして、 前輪車軸 DS— F 1, DS—F 2の回転駆動によって前輪 WH— Fが回転駆動される。
電気自動車の回生時 (ブレーキを踏み込み時, アクセルの踏み込みを緩めた時 或いはアクセルの踏み込みを止めた時などの減速時) は、 前輪 WH— Fの回転出 力を前輪車軸 D S— F l, 0 3— 2を介して, モータ Mに伝達し、 モータ Mを 回転駆動する。 これにより、 モー夕 Mは発電機として動作する。 この動作により、 モータ Mの固定子巻線に三相交流電力が発生する。 この発生した三相交流電力は 半導体装置 1 0 0によって所定の直流電力に変換される。 この変換によって得ら れた直流電力はバッテリ B Aに供給される。 これにより、 バッテリ B Aは充電さ れる。
本実施形態の電機駆動システムによれば、 半導体装置の寿命を Sくて、 八イブ リット自動車のメンテナンスを容易にすることができる。 産業上の利用可能性
本発明によれば、 半導体装置の搭載部品の寿命を長くすること力 Sできる。

Claims

請求の範囲
1. 加熱部と放熱器により冷却用冷媒の温度を制御してなる冷却系を有し、 この冷却系に接続され、 冷却される半導体装置であって、
前記半導体装置の稼動状況の変化が及ぼす冷却媒体への温度変化(Δ T 2 )より、 前記冷却系の加熱部と放熱器により制御される温度の変化幅(ΔΤ1)が大きい (ΔΤ1>ΔΤ2) ことを特徴とする半導体装置。
2. 請求項 1記載の半導体装置において、
前記半導体装置の外周を覆うように設けられ、 外部雰囲気から前記半導体装置 に対する熱伝達を抑制する抑制手段を備えたことを特徴とする半導体装置。
3. 請求項 2記載の半導体装置において、
前記抑制手段は、 前記半導体装置の外周を覆う筐体の全面に形成され、 前記冷 却用冷媒を循環する流路であることを特徴とする半導体装置。
4. 請求項 2記載の半導体装置において、
前記半導体装置の内面に前記冷却用の流路を設け、
この流路の両側に半導体装置を構成する電子部品を搭載したことを特徴とする 半導体装置。
5. 請求項 2記載の半導体装置において、
前記抑制手段は、 前記半導体装置の外周を覆うように設けられた熱伝導率の小 さな材料から形成された断熱部であることを特徴とする半導体装置。
6. 請求項 2記載の半導体装置において、
前記抑制手段は、 前記半導体装置の外周を覆うように設けられた蓄熱部である ことを特徴とする半導体装置。
7 . 請求項 2記載の半導体装置において、
前記抑制手段は、 前記半導体装置の外周面の少なくとも 2面に設けられた前記 冷却用冷媒を循環する流路と、
前記半導体装置の他の外周面を覆うように設けられた熱伝導率の小さな材料か ら形成された断熱部であることを特徴とする半導体装置。
8 . 請求項 1記載の半導体装置において、
前記冷却媒体として、 水あるいは水にエチレングリコール, プロピレングリコ ール, ブチレングリコール等のアルコール類を 1種類以上配合したものを、 7 0 °C以上 1 0 0 未満の範囲で使用することを特徴とする半導体装置。
9 . 加熱部と放熱器により冷却用冷媒の温度を制御してなる冷却系を有し、 この冷却系に接続されるとともに、 前記加熱部の発熱量よりも小さな発熱量を 有することを特徴とする半導体装置。
1 0 . 内燃機関と電動機を備えかつ電動機が電力変換装置によって制御される車 両に備えられたものであって、
冷却媒体を冷却する冷却器と、
この冷却器によって冷却された前記冷却媒体を循環するための循環器とを有す るとともに、
前記冷却器によって冷却された冷却媒体を前記循環器で循環し、 その冷却媒体 で前記電力変換装置を冷却し、 前記電力変換装置を冷却した冷却媒体で前記内燃 機関或いは前記内燃機関と前記電動機を冷却し、 前記内燃機関或いは前記内燃機 関と前記電動機を冷却した冷却媒体を前記冷却器で冷却するように冷却系統が構 成されており、
前記冷却系統は、 前記内燃機関と前記冷却器によって制御される冷却媒体の温 度の変化幅 (Δ Τ 1 ) が、 前記電力変換装置の稼働状況の変化に応じた冷却媒体 の温度変化 (Δ Τ 2 ) よりも大きく (Δ Τ 1 > Δ Τ 2 ) なるように構成されてい ることを特徴とする車両用冷却システム。
11. 内燃機関と電動機を備えた車両に搭載され、
バッテリから供給された電力を変換して前記電動機の駆動を制御し、 かつ冷却器によって冷却された冷却媒体で前記内燃機関を冷却するように構成 された冷却システムの内燃機関上流側に配置されて冷却される車両用電力変換装 置であって、
谷器と、
冷却システムから供給される冷却媒体力 S流通する冷却通路と、
前記バッテリから供給された電力を変換するためのものであり、 かつ、 複数の 半導体素子から構成された電力変換回路モジュールと、
前記半導体素子の駆動を制御するためのものであり、 かつ、 複数の電子部品か ら構成された変換回路制御基板と、 を有し、
前記容器は、
前記電力変換回路モジュール及び前記変換回路制御基板を収納するものであつ て、
少なくとも前記電力変換回路モジユーレの稼働状況の変化に応じた冷却媒体の 温度の変化幅 (ΔΤ2) が、 前記内燃機関と冷却器によって制御される冷却媒体 の温度の変化幅 (ΔΤ 1) よりも小さく (ΔΤ2<ΔΤ 1) なるように、 外部か らの熱伝達を抑制することを特徴とする車両用電力変換装置。
12. 請求項 11記載の車両用電力変換装置において、
前記容器に前記冷却通路を設けて、 前記冷却通路を流れる冷却媒体によって前 記容器に断熱層を形成することにより、 外部からの熱伝達を抑制することを特徴 とする車両用電力変換装置。
13. 請求項 11記載の車両用電力変換装置において、
前記容器を熱伝導率の小さい部材で形成することにより、 外部からの熱伝達を 抑制することを特徴とする車両用電力変換装置。
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