WO2005048336A1 - 液切り装置 - Google Patents

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WO2005048336A1
WO2005048336A1 PCT/JP2004/016667 JP2004016667W WO2005048336A1 WO 2005048336 A1 WO2005048336 A1 WO 2005048336A1 JP 2004016667 W JP2004016667 W JP 2004016667W WO 2005048336 A1 WO2005048336 A1 WO 2005048336A1
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liquid
linear
nozzle
nozzles
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PCT/JP2004/016667
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Inventor
Kouichi Inoue
Tomoki Kondo
Osamu Fujine
Original Assignee
Sumitomo Precision Products Co., Ltd
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only

Definitions

  • the present invention relates to a liquid removal apparatus that removes a processing liquid remaining on the surface of a substrate at an outlet of a processing zone using a specific processing liquid in a substrate transfer type substrate processing equipment called a flat flow type. .
  • an integrated circuit is formed on the surface of a large-area glass substrate by repeatedly performing a resist application, image development, etching, and resist peeling process on the surface of a large-sized glass substrate as a material.
  • One of the typical processing methods is a substrate transfer method called flat flow, in which various processing is performed on the surface of a substrate while the substrate is transported in a horizontal direction.
  • an etchant is supplied to the surface of a substrate that is conveyed in a horizontal direction in a horizontal posture, and then the surface is washed with pure water.
  • draining is performed to remove the etching liquid remaining on the surface of the substrate to the extent that it does not dry, in order to prevent the etching liquid from entering the next washing zone.
  • an air knife type that ejects a slit nozzle cartridge in a thin film shape is frequently used (see Patent Document 1 and Patent Document 2).
  • Patent Document 1 JP-A-8-2364987
  • Patent Document 2 JP 2001-50660 A
  • the collision angle of the air knife is generally tilted in the counter direction with respect to the substrate surface in order to enhance the liquid draining effect.
  • the slit nozzle is often inclined laterally with respect to the substrate transport direction. This is a force that causes the collision of air to start from the corner of the substrate due to the inclination of the slit nozzle, thereby suppressing the liquid from scattering.
  • the substrate is inclined with respect to the substrate transport direction, there is a problem that residual liquid collects at corners located diagonally. In order to solve this problem, it has been considered to combine a short dedicated auxiliary nozzle for locally draining the corner (see Patent Reference 2).
  • An object of the present invention is to remove residual liquid from the surface of a large substrate as much as possible without drying the surface even when the substrate is conveyed at high speed, and to reduce the thickness of the liquid film remaining after the removal. It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of making the surface uniform and suppressing the liquid scattering.
  • the liquid draining apparatus of the present invention is used in a transport type substrate processing facility for supplying a processing liquid to the surface of a substrate to be transported and performing various types of processing, and
  • the liquid removal device that removes the processing liquid remaining on the surface of the substrate
  • linear nozzles that perform liquid removal by air knife over the entire width of the substrate are arranged in parallel in two stages in the substrate transfer direction, and the straight nozzles are arranged in parallel.
  • the nozzle is inclined at an angle of 5 to 30 degrees in the same direction as the transport direction of the substrate.
  • the inclination angle ⁇ 1 of the linear nozzle with respect to the substrate transfer direction is the inclination angle ⁇ 1 of the linear nozzle with respect to the substrate transfer direction. If the angle is less than 5 degrees, the liquid scattering when the corner of the substrate enters the air knife becomes remarkable. If it exceeds 30 degrees, processing unevenness occurs in the substrate width direction. Therefore, the inclination angle ⁇ 1 is preferably 5 to 30 degrees. A particularly preferable inclination angle ⁇ 1 is 10 to 20 degrees.
  • the nozzle interval L is preferably from 50 to 300 mm, more preferably from 100 to 200 mm. If this interval is too short, there is a risk that air interference will occur between the first-stage air knife and the second-stage air knife, and the intended effect may not be obtained. If this interval is too large, when the liquid is removed in the first step, the film pressure is still non-uniform, so that the non-uniform processing proceeds up to the second step, resulting in processing unevenness.
  • the force for making the second stage the same as the first stage is smaller than the first stage, and specifically, it is preferable that the discharge amount of the first stage be 1 and 0.5-1. .
  • the substrate may be dried when the discharge amount of the second stage is larger than the discharge amount of the first stage, and when the discharge amount of the second stage is extremely smaller than the discharge amount of the first stage, the uniformity of the liquid thickness is reduced. It is because it decreases. If the substrate dries, uneven spots will occur and cause processing failure.
  • the reference first-stage discharge amount is 1000 to 2000 LZmin per 1300 mm of substrate width.
  • the angle of inclination ⁇ 2 of the air knife with respect to the substrate surface is represented by an angle with respect to a vertical line, and 15-45 degrees is preferred in the counter direction.
  • the first stage is preferably larger than the second stage.
  • Particularly preferred inclination angles ⁇ 2 are 25-30 degrees for the first stage and 20-25 degrees for the second stage. If the inclination angle is small, the liquid draining effect becomes insufficient, and if it is too large, liquid scattering becomes remarkable. This is why it is desirable to increase the inclination angle ⁇ 2 of the first stage, which gives priority to the drainage effect.
  • the linear nozzle force and the distance D to the substrate surface are preferably 3 to 10 mm, and particularly preferably 5 to 7 mm. Linear nozzle force If the distance D to the substrate surface is too small, turbulence will occur, and if it is too large, the drainage effect will decrease.
  • a linear nozzle is a force that is usually a slit nozzle.
  • a plurality of flat nozzles may be arranged so as to form an air knife! /.
  • the liquid draining device of the present invention is particularly effective when a large substrate of 730 X 920 mm or more, at which the liquid draining effect is insufficient or unstable, is conveyed at a high speed of 200 mmZsec or more.
  • the liquid draining device of the present invention is also effective for removing residual liquid remaining on the front surface of the substrate. Regarding residual liquid adhering and remaining on the back surface of the substrate, for example, even if the liquid draining device of the present invention is not necessarily used, for example, A one-stage liquid drainage device can be used sufficiently.
  • linear nozzles for performing liquid removal by an air knife over the entire width of the substrate are arranged in parallel in two stages in the substrate transfer direction, and the two linear nozzles are arranged in parallel.
  • FIG. 1 is a plan view of a liquid draining device showing an embodiment of the present invention
  • FIG. 2 is a diagram showing an arrow AA in FIG.
  • the liquid draining device of the present embodiment is used for etching equipment used for manufacturing a glass substrate for a liquid crystal panel.
  • Etching equipment is controlled by a roller-type substrate transfer mechanism 20.
  • the substrate 10 is sequentially passed through a chemical treatment zone and a washing zone, so that a conductive film such as aluminum is coated with a resist. Selectively remove parts.
  • the liquid draining device of the present embodiment is provided at an outlet of a chemical solution processing zone for supplying an etching solution to the surface of the substrate 10, and more specifically, is provided above the outlet. .
  • This liquid draining device has two slit nozzles 30 and 40 arranged in parallel in the transport direction of the substrate 10. Each slit nozzle is configured to discharge an air in a curtain shape from a narrow slit continuous in the longitudinal direction to form air knives 31 and 41 continuous in the nozzle longitudinal direction.
  • Each of the slit nozzles 30 and 40 is inclined at an angle of ⁇ 2 with respect to a vertical line so that the air knives 31 and 41 impinge and collide with the substrate 10 in the force center direction with respect to the transport direction of the substrate 10.
  • the angle of inclination ⁇ 2 is set to 25-30 degrees for the slit nozzle 30 on the upstream side and 20-25 degrees for the slit nozzle 40 on the downstream side.
  • the distance D between the slit nozzles 30, 40 is set to 100-200 mm, and the distance L (vertical height) from the slit nozzles 30, 40 to the surface of the substrate 10 is set to 5-7 mm. You.
  • the air discharge amount from the slit nozzles 30, 40 is set to be equal to or higher than the discharge amount force from the slit nozzle 30 located on the upstream side and the discharge amount force from the slit nozzle 40 located on the downstream side.
  • the slit widths of the slit nozzles 30 and 40 are the same. Therefore, the discharge pressure is adjusted to achieve this discharge amount balance.
  • 0.5-1 is appropriate as the ratio of the latter discharge amount when the former discharge amount is set to 1.
  • a slit nozzle 50 provided below the substrate transfer line is provided for an etchant adhering to the back surface of the substrate 10.
  • the slit nozzle 50 is provided opposite to the slit nozzle 30 with the transfer line of the substrate 10 interposed therebetween.
  • the slit nozzle 50 is inclined with respect to the transfer line of the substrate 10, and the air knife 51 to be formed is formed on the back surface of the substrate 10. Power It is arranged obliquely with respect to the vertical line so that it collides in the center direction.
  • the etching liquid is supplied in the chemical processing zone of the etching apparatus, it is discharged from the slit nozzles 30 and 40 provided on the substrate transfer line at the outlet thereof.
  • the etching liquid remaining on the surface of the substrate 10 is gradually removed by air, that is, the air knives 31 and 41.
  • the etching liquid remaining on the back surface of the substrate 10 is removed by air discharged from a slit nozzle 50 provided below the substrate transfer line, that is, an air knife 51.
  • the liquid draining apparatus of the present embodiment after almost half of the etching liquid on the substrate 10 is removed by the air knife 31 formed by the first-stage slit nozzle 30, the two-step The residual liquid is removed by the air knife 41 formed by the slit nozzle 40 of the eye. Since the burden of the second-stage air knife 41 is reduced, the minimum etching liquid that can prevent drying can be left on the substrate 10 to remove the etching liquid, and the thickness of the remaining etching liquid can be reduced. It can be made uniform.
  • the two slit nozzles 30, 40 are inclined sideways with respect to the transport direction of the substrate 10. Therefore, the air knives 31 and 41 formed by the slit nozzles 30 and 40 gradually enter the corners of the substrate 10. For this reason, liquid scattering is suppressed. Also, with respect to this liquid scattering, the two slit nozzles 30 and 40 are arranged in two stages, so that drastic suppression can be achieved.
  • the liquid draining device is used for etching equipment, but it can be used for other wet processing including washing with water.
  • the substrate is horizontally supported. However, an inclined transfer system in which the substrate is transferred while being tilted to the side may be employed.
  • FIG. 1 is a plan view of a liquid draining device showing one embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram showing an arrow AA in FIG. 1.

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Description

明 細 書
液切り装置
技術分野
[0001] 本発明は、平流し式と呼ばれる基板搬送式の基板処理設備において、特定の処理 液を使用する処理ゾーンの出口部等で基板の表面に残存する処理液を除去する液 切り装置に関する。
背景技術
[0002] 液晶パネルの製造では、素材である大面積のガラス基板の表面にレジスト塗布、現 像、エッチング、レジスト剥離の各処理が繰り返し実施されることにより、基板表面に 集積回路が形成される。各処理方式の代表的なものの一つが平流しと呼ばれる基板 搬送方式であり、基板を水平方向に搬送しながらその表面に各種の処理を行う。
[0003] 例えば、平流し式のエッチング処理では、水平姿勢で水平方向に搬送される基板 の表面にエッチング液が供給され、次いでその表面が純水により洗浄される。エッチ ングゾーンの出口部では、エッチング液が次の水洗ゾーンに侵入するのを阻止する ために、基板の表面が乾燥しない程度にその表面に残存するエッチング液を除去す る、いわゆる液切りが行われる。そして、この液切り装置としては、スリットノズルカ ェ ァを薄膜状に噴出するエアナイフ方式のものが多用されている (特許文献 1及び特 許文献 2参照)。
[0004] 特許文献 1 :特開平 8— 2364987号公報
[0005] 特許文献 2 :特開 2001— 50660号公報
[0006] エアナイフによる液切りでは、液切り効果を高めるために、エアナイフの衝突角度を 基板表面に対してカウンター方向へ傾けるのが一般的である。この傾斜とは別に、ス リットノズルを基板搬送方向に対して側方に傾斜させる場合が多い。これは、スリットノ ズルの傾斜により、基板の角部からエアの衝突が始まり、液の飛散が抑制されるよう になる力 である。一方、基板搬送方向に対して基板を傾斜させると、対角に位置す る角部に残液が集まる問題がある。この問題を解決するために、その角部を局部的 に液切りするための短い専用補助ノズルを組み合わせることが考えられている（特許 文献 2参照)。
[0007] このようなエアナイフによる液切りでは、基板の表面を乾燥させないことが重要であ る。なぜなら、薬液処理から洗浄処理へ移行する途中で基板の表面が乾燥するとそ の表面に処理ムラができるからである。このため、基板の表面を乾燥させずに、その 表面力 できるだけ多くの薬液を除去すること、及び基板の表面に薄く残る液膜の膜 厚を均一化することが求められている。ちなみに、液切り後に残った薬液の膜厚がば らつくと、処理ムラが発生する。
[0008] ところが、最近の傾向として、基板は益々大型化しており（730 X 920mm以上）、そ の搬送速度は著しく増大している（200mmZsec以上)。このため、液切り後に基板 の表面に残る液量が増大し、また、液切り後の膜厚が不均一になり、処理ムラが発生 しゃすくなって!ヽる。液切りの際に基板搬送速度を低下させる t ヽぅ手法は理論上は 可能であるが、搬送速度の変更は処理能率上、問題があるだけでなぐ基板上に波 紋を形成し、処理ムラの原因となるので、実操業では採用し難い。また、液切り能力 を高めるためにエアの吐出量が多くなつており、液飛散やこれに伴う処理不良も顕著 化している。
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0009] 本発明の目的は、大型基板を高速搬送する場合にも、基板の表面を乾燥させずに その表面から可及的に残液を除去でき、し力も、除去後に残る液膜の厚さを均一化 でき、液飛散も抑制できる基板処理装置を提供することにある。
課題を解決するための手段
[0010] 上記目的を達成するために、本発明の液切り装置は、搬送される基板の表面に処 理液を供給して各種の処理を行う搬送式基板処理設備に使用されて、その基板の 表面に残る処理液を除去する液切り装置において、基板の全幅にわたってエアナイ フによる液除去を行う直線状ノズルを、基板の搬送方向に 2段に並べて並列的に配 置すると共に、それらの直線状ノズルを基板の搬送方向に対して同じ方向へ 5— 30 度の角度で傾斜させたものである。
[0011] エアナイフを形成する直線状ノズルが 1段の場合、大型基板を高速搬送するときは 液切り効果が不十分となり、膜厚の均一性も低下する。エアの吐出量を多くすると、 液切り効果は上がるが、膜厚の均一性が一層悪化し、液飛散も顕著化する。これ〖こ 対し、エアナイフ用の直線状ノズルを 2段に設けると、 1段目で液除去を主体的に実 施でき、 2段目では液切りの負担が軽減されることから、膜厚ムラを解消できる。 2つ の直線状ノズルは、共に基板の全幅をカバーする主ノズルである。これら 2つの主ノ ズルの併用、機能分担により、大型基板を高速搬送する場合にも基板表面における 残液量が低減し、液膜厚が均一化する。また、各エアナイフによる液飛散も抑制され る。
[0012] 本発明の液切り装置において重要な因子は、一つには基板搬送方向に対する直 線状ノズルの傾斜角度 θ 1がある。これが 5度未満であると、基板の角部がエアナイ フに突入するときの液飛散が顕著化する。 30度を超えると、基板幅方向で処理ムラ が発生する。このため、傾斜角度 θ 1は 5— 30度が好ましい。特に好ましい傾斜角度 θ 1は 10— 20度である。
[0013] 他に重要な因子としては、 2つの直線状ノズルの間隔 D、各ノズルからのエアの吐 出量のバランス、エアナイフの基板表面に対する傾斜角度 Θ 2、及び各ノズルから基 板表面までの距離 Lなどがある。
[0014] 順番に説明すると、ノズル間隔 Lは 50— 300mmが望ましぐ 100— 200mmが特 に望ましい。この間隔が短いと、 1段目のエアナイフと 2段目のエアナイフとの間でェ ァの干渉を生じ、所期の効果が得られない危険性がある。この間隔が大きすぎると、 1段目で液除去を行った際、膜圧がまだ不均一のため、 2段目までの間で不均一処 理が進行してしまい、処理ムラが発生する。
[0015] 吐出量については、 2段目を 1段目と同じにする力 1段目より少なくするのが好ましく 、具体的には 1段目の吐出量を 1として 0. 5— 1が好ましい。なぜなら、 2段目の吐出 量が 1段目の吐出量より多くなると基板が乾燥するおそれがあり、 2段目の吐出量が 1 段目の吐出量より極端に少なくなると液厚の均一性が低下するからである。基板が乾 燥するとシミゃムラが発生し処理不良の原因となる。
[0016] なお、基準となる 1段目の吐出量は、基板幅 1300mmあたり 1000— 2000LZmin である。 [0017] エアナイフの基板表面に対する傾斜角度 Θ 2は、垂直線に対する角度で表わし、 カウンター方向に 15— 45度が好ましぐ 1段目の方が 2段目よりも大きい方が好まし い。特に好ましい傾斜角度 Θ 2は、 1段目については 25— 30度、 2段目については 2 0— 25度である。この傾斜角度が小さいと液切り効果が不十分となり、大きすぎ場合 は液飛散が顕著になる。液切り効果を優先する 1段目の方の傾斜角度 Θ 2を大きくす るのが望ましいのは、このためである。
[0018] 直線状ノズル力も基板表面までの距離 Dは 3— 10mmが好ましぐ 5— 7mmが特に 好ましい。直線状ノズル力 基板表面までの距離 Dが小さすぎると乱流が生じ、大き すぎる場合は液切り効果が低下する。
[0019] 直線状ノズルは通常はスリットノズルである力 それ以外にも例えばエアナイフが形 成されるように複数のフラットノズルを並べたものでもよ！/、。
[0020] なお、本発明の液切り装置は、液切り効果が不足し、また不安定になる 730 X 920 mm以上の大型基板を 200mmZsec以上の高速で搬送する場合に特に有効である 。本発明の液切り装置は又、基板の表面上に残る残液の除去に有効であり、基板の 裏面に付着残存する残液については、必ずしも本発明の液切り装置を使用せずとも 、例えば 1段構成の液切り装置でも十分に対応可能である。
発明の効果
[0021] 本発明の液切り装置は、基板の全幅にわたってエアナイフによる液除去を行う直線 状ノズルを、基板の搬送方向に 2段に並べて並列的に配置すると共に、それらの 2つ の直線状ノズルを基板の搬送方向に対して同じ方向へ 5— 30度の角度で傾斜させ ることにより、大型基板を高速搬送する場合にも、基板の表面を乾燥させずに、その 表面から可及的に残液を除去でき、し力も、その除去後に残る液膜の厚さを可及的 に均一化できるので、ムラのない高品質処理を可能にする。
発明を実施するための最良の形態
[0022] 以下に本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。図 1は本発明の一実施形 態を示す液切り装置の平面図、図 2は図 1中の A— A線矢示図である。
[0023] 本実施形態の液切り装置は、液晶パネル用ガラス基板の製造に使用されるエッチ ング設備に用いられている。エッチング設備は、ローラ方式の基板搬送機構 20により ガラス基板 10を水平に支持して水平方向に搬送することにより、該基板 10を薬液処 理ゾーン、水洗ゾーンに順番に通過させることにより、例えばアルミニウムなどの導電 膜をレジスト被覆されて 、な 、部分にっ 、て選択的に除去する。
[0024] 本実施形態の液切り装置は、基板 10の表面にエッチング液を供給する薬液処理ゾ ーンの出口部に設けられており、より詳しくは、その出口部の上方に設けられている。 この液切り装置は、基板 10の搬送方向に並んで並列配列された 2つのスリットノズル 30, 40を有している。各スリットノズルは、長手方向に連続する幅狭のスリットからェ ァをカーテン状に吐出して、ノズル長手方向に連続するエアナイフ 31, 41を形成す る構成になっている。
[0025] 2つのスリットノズル 30, 40は、いずれも基板 10を跨ぐ全長を有しており、且つ基板 10の搬送方向に対して所定角度 0 1 ( 0 1 = 10— 20度)で側方に傾斜している。スリ ットノズル 30, 40のそれぞれは、エアナイフ 31, 41が基板 10の搬送方向に対して力 ゥンター方向に傾斜して衝突するように、垂直線に対して Θ 2の角度で傾斜している 。この傾斜角度 Θ 2は、上流側のスリットノズル 30については 25— 30度、下流側のス リットノズル 40については 20— 25度に設定されている。
[0026] また、スリットノズル 30, 40の間隔 Dは 100— 200mmに設定され、スリットノズル 30 , 40から基板 10の表面までの距離 L (垂直方向の高さ）は 5— 7mmに設定されてい る。
[0027] スリットノズル 30, 40からのエア吐出量については、上流側に位置するスリットノズ ル 30からの吐出量力 下流側に位置するスリットノズル 40からの吐出量と同等力これ より多く設定されている。ここで、スリットノズル 30, 40の各スリット幅は同じである。し たがって、この吐出量バランスを実現するために吐出圧が調整される。前者の吐出量 を 1としたときの後者の吐出量の比率として 0. 5— 1が適正なことは前述したとおりで ある。
[0028] 一方、基板 10の裏面に付着するエッチング液に対しては、基板搬送ラインの下方 に設けられたスリットノズル 50が設けられている。スリットノズル 50は、基板 10の搬送 ラインを挟んでスリットノズル 30に対設されており、スリットノズル 30と同様に基板 10 の搬送ラインに対して傾斜すると共に、形成するエアナイフ 51が基板 10の裏面に力 ゥンター方向へ傾斜して衝突するように、垂直線に対して傾斜配置されて ヽる。
[0029] 本実施形態の液切り装置によると、エッチング装置の薬液処理ゾーンでエッチング 液を供給された後、その出口部で、基板搬送ライン上に設けられたスリットノズル 30, 40から吐出されるエア、即ちエアナイフ 31, 41により、基板 10の表面上に残るエツ チング液が段階的に除去される。基板 10の裏面に付着残存するエッチング液につ いては、基板搬送ラインの下に設けられたスリットノズル 50から吐出されるエア、即ち エアナイフ 51により除去される。
[0030] ここで、基板 10の表面上に残るエッチング液に着目すると、まず 1段目のスリットノズ ル 30で形成されるエアナイフ 31により、そのエッチング液のほぼ半分が除去される。 これだけだと除去後の残液が多ぐ水洗ゾーンでの水との置換に時間がかかり、その 結果、処理ムラが発生する。一方、 1段目のスリットノズル 30で大半のエッチング液を 除去しょうとすると、残液は減少するものの膜厚にムラができる。
[0031] しかるに、本実施形態の液切り装置によると、 1段目のスリットノズル 30で形成される エアナイフ 31により、基板 10上のエッチング液のほぼ半分が除去された後、引き続 いて 2段目のスリットノズル 40で形成されるエアナイフ 41により、残液が除去される。 2 段目のエアナイフ 41による負担が軽減されるために、乾燥を防止できる最小限のェ ツチング液を基板 10上に残してそのエッチング液を除去でき、しかも、残ったエッチ ング液の膜厚を均一化できる。
[0032] これに加えて、 2つのスリットノズル 30, 40は基板 10の搬送方向に対して側方に傾 斜している。このため、スリットノズル 30, 40が形成するエアナイフ 31, 41に基板 10 の角部から徐々に突入する。このため、液飛散が抑制される。また、この液飛散につ いても、 2つのスリットノズル 30, 40を 2段に配置していることにより、大幅な抑制が可 能となる。
[0033] 力べして、 730 X 920mm以上の大型基板を 200mmZsec以上の高速で搬送する ような場合にも、基板の表面を乾燥させることなぐその表面から可及的に残液を除 去でき、これにより水洗ゾーンへのエッチング液の持ち出し量を軽減でき、水洗ゾー ンでの置換効率を高めることができる。また、エッチング液を除去した後に残る膜厚を 可及的に均一化することができるので、処理ムラを防止できる。 [0034] なお、上記実施形態では、液切り装置をエッチング設備に用いたが、水洗を含む他 の湿式処理に用いることができる。上記実施形態では又、基板を水平に支持したが、 基板を側方に傾けて搬送する傾斜搬送方式とすることもできる。
図面の簡単な説明
[0035] [図 1]本発明の一実施形態を示す液切り装置の平面図である。
[図 2]図 1中の A— A線矢示図である。

Claims

請求の範囲
[1] 搬送される基板の表面に処理液を供給して各種の湿式処理を行う搬送式基板処 理設備に使用されて、その基板の表面に残る処理液を除去する液切り装置において 、基板の全幅にわたってエアナイフによる液除去を行う直線状ノズルを、基板の搬送 方向に 2段に並べて並列的に配置すると共に、それらの直線状ノズルを基板の搬送 方向に対して同じ方向へ 5— 30度の角度で傾斜させたことを特徴とする液切り装置。
[2] 2つの直線状ノズルは、各々のエアナイフが基板の搬送方向に対してカウンタ一方 向に 30— 60度の角度で傾斜して基板表面に衝突するように、垂直線に対して傾斜 配置されて！ヽる請求項 1に記載の液切り装置。
[3] 2つの直線状ノズルの間隔が 50— 300mmである請求項 1に記載の液切り装置。
[4] 上流側の直線状ノズルが吐出するエア量力 下流側の直線状ノズルが吐出するェ ァ量より多！、請求項 1に記載の液切り装置。
[5] 前記直線状ノズルはスリットノズルである請求項 1に記載の液切り装置。
PCT/JP2004/016667 2003-11-14 2004-11-10 液切り装置 WO2005048336A1 (ja)

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JP2003-385130 2003-11-14
JP2003385130A JP4057993B2 (ja) 2003-11-14 2003-11-14 液切り装置

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